Electronic device including semiconductor memory having different distances between switching elements and variable resistance elements
Номер патента: US20190205060A1
Опубликовано: 04-07-2019
Автор(ы): Nam-Kyun PARK
Принадлежит: SK hynix Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 04-07-2019
Автор(ы): Nam-Kyun PARK
Принадлежит: SK hynix Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Electronic device including semiconductor memory having different distances between switching elements and variable resistance elements
Номер патента: US10275178B2. Автор: Nam-Kyun PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-04-30.