Fabricating electronic device including a semiconductor memory that comprises an inter-layer dielectric layer with first and second nitride layer over stacked structure
Номер патента: US09478739B2
Опубликовано: 25-10-2016
Автор(ы): Seong-hyun Kim
Принадлежит: SK hynix Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 25-10-2016
Автор(ы): Seong-hyun Kim
Принадлежит: SK hynix Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor device having an inter-layer via (ilv), and method of making same
Номер патента: US20210272968A1. Автор: Hung-jen Liao,Cheng Hung Lee,Hong-Chen Cheng,Tsung-Hsien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-02.