METHOD FOR FABRICATING ELECTRONIC DEVICES HAVING SEMICONDUCTOR MEMORY UNIT
Номер патента: US20150050794A1
Опубликовано: 19-02-2015
Автор(ы): KIM Jae-Heon, LEE Sung-Koo
Принадлежит: SK HYNIX INC.
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 19-02-2015
Автор(ы): KIM Jae-Heon, LEE Sung-Koo
Принадлежит: SK HYNIX INC.
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method for fabricating a gate stack in very large scale integrated semiconductor memories
Номер патента: US20030036278A1. Автор: ARKALGUD Sitaram. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-20.