Method for fabricating an isolated microelectromechanical system (MEMS) device using an internal void
Номер патента: US20060096947A1
Опубликовано: 11-05-2006
Автор(ы): Mark Lucak, Michael Knieser, Richard Harris, Robert Kretschmann
Принадлежит: Individual
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 11-05-2006
Автор(ы): Mark Lucak, Michael Knieser, Richard Harris, Robert Kretschmann
Принадлежит: Individual
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method for integrating complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) devices with microelectromechanical systems (MEMS) devices using a flat surface above a sacrificial layer
Номер патента: US09796582B1. Автор: Chia-Hua Chu,Chun-Wen Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.