METHODS OF MEMORY ADDRESS VERIFICATION AND MEMORY DEVICES EMPLOYING THE SAME.

METHODS OF MEMORY ADDRESS VERIFICATION AND MEMORY DEVICES EMPLOYING THE SAME

Номер патента: US20190065397A1
Опубликовано: 28-02-2019
Автор(ы): Troia Alberto
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Methods of memory address verification and memory devices employing the same

Номер патента: US20240126701A1. Автор: Alberto Troia. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-04-18.

Memory management device capable of managing memory address translation table using heterogeneous memories and method of managing memory address thereby

Номер патента: US20210096745A1. Автор: Won Woo Ro,Hyun Jae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Configurable logic block networks and managing coherent memory in the same

Номер патента: US20200034309A1. Автор: Jeremy Chritz,David Hulton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-30.

Configurable logic block networks and managing coherent memory in the same

Номер патента: US20220276967A1. Автор: Jeremy Chritz,David Hulton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-01.

Configurable logic block networks and managing coherent memory in the same

Номер патента: US20210026779A1. Автор: Jeremy Chritz,David Hulton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Nonvolatile memory device, data storage device including the same and operating method thereof

Номер патента: US20200073804A1. Автор: Min Gu Kang,Min Hwan MOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-03-05.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US20190189222A1. Автор: Kuen-Long Chang,Ken-Hui Chen,Shang-Chi Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-20.

Memory device using multistage acceleration, operating method of memory device, and electronic device including the same

Номер патента: EP4435612A1. Автор: Jinhyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-25.

High bandwidth memory device and system device having the same

Номер патента: SG10201901508YA. Автор: Reum Oh,Jun Gyu Lee,Ki Heung Kim,Moon Hee Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-30.

High bandwidth memory device and system device having the same

Номер патента: US20190278511A1. Автор: Reum Oh,Jun Gyu Lee,Ki Heung Kim,Moon Hee Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-12.

High bandwidth memory device and system device having the same

Номер патента: US20210165597A1. Автор: Reum Oh,Jun Gyu Lee,Ki Heung Kim,Moon Hee Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-03.

High bandwidth memory device and system device having the same

Номер патента: US20210165596A1. Автор: Reum Oh,Jun Gyu Lee,Ki Heung Kim,Moon Hee Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-03.

Memory system and method of operating the same

Номер патента: US20210247933A1. Автор: Jung Sik Choi,Na Ra Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-12.

Memory system and method of operating the same

Номер патента: US20210241840A1. Автор: Sung Won Bae,Dong Jae JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-05.

Controller and method of operating the same

Номер патента: US20220130465A1. Автор: Ji Hong Kim,Min Kyung Choi,Ji Yeun KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-04-28.

Method for extending period of data retention of flash memory device and device for the same

Номер патента: US09904479B1. Автор: Ming-Sheng Chen,Ting-Chiang Liu,Liang-Tsung Wang. Владелец: Innodisk Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Memory device, memory system including memory device, and method of operating memory system

Номер патента: US20210182144A1. Автор: Tae Ho Lee,Byung Ryul Kim,Yong Hwan HONG,Dae Il Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Memory system and method of operating the same

Номер патента: US20190250856A1. Автор: Kwang Su Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-08-15.

Method and apparatus for allocating memory addresses in resource-centric networks

Номер патента: US20230153239A1. Автор: Jongtae Song,Ji Wook Youn,Kyeong-Eun Han. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2023-05-18.

Controller, operating method thereof, and memory system including the same

Номер патента: US20200356289A1. Автор: Do Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-11-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240004580A1. Автор: Dong Sop LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Methods for row hammer mitigation and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20200111525A1. Автор: Dean D. Gans,Timothy B. Cowles,Nathaniel J. Meier,Jiyun Li,Randall J. Rooney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-09.

Methods for row hammer mitigation and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20210358539A1. Автор: Dean D. Gans,Timothy B. Cowles,Nathaniel J. Meier,Jiyun Li,Randall J. Rooney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-18.

Methods for row hammer mitigation and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US11810610B2. Автор: Dean D. Gans,Timothy B. Cowles,Nathaniel J. Meier,Jiyun Li,Randall J. Rooney. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2023-11-07.

Methods for row hammer mitigation and memory devices and systems employing the same

Номер патента: EP3864654A1. Автор: Dean D. Gans,Timothy B. Cowles,Nathaniel J. Meier,Jiyun Li,Randall J. Rooney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-08-18.

Methods for row hammer mitigation and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20240127878A1. Автор: Dean D. Gans,Timothy B. Cowles,Nathaniel J. Meier,Jiyun Li,Randall J. Rooney. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-04-18.

Memory device and computing device using the same

Номер патента: US11307826B2. Автор: Ga Ram Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-19.

Memory device and storage device including the same

Номер патента: US20240201900A1. Автор: Byoung Sung You. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Storage device, memory device, and computing system including the same

Номер патента: US20230376217A1. Автор: Seongsik Hwang,Jae-Hoon Jung,Kyung-Chang Ryoo,Kyunghan LEE,Chon Yong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-23.

Memory device and computing device using the same

Номер патента: US20200257500A1. Автор: Ga Ram Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-13.

Methods for row hammer mitigation and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20240096394A1. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-03-21.

Methods for row hammer mitigation and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US11837272B2. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2023-12-05.

Semiconductor memory device and test system including the same

Номер патента: US11520528B2. Автор: Hyoungjoo Kim,Yongjae Lee,Hongjun Jin,Seunghan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-06.

Semiconductor memory device and test system including the same

Номер патента: US20220188027A1. Автор: Hyoungjoo Kim,Yongjae Lee,Hongjun Jin,Seunghan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-16.

Semiconductor memory device and test system including the same

Номер патента: US11989459B2. Автор: Hyoungjoo Kim,Yongjae Lee,Hongjun Jin,Seunghan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-21.

Semiconductor memory device and test system including the same

Номер патента: US20230091567A1. Автор: Hyoungjoo Kim,Yongjae Lee,Hongjun Jin,Seunghan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-23.

Semiconductor memory devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20140297986A1. Автор: Sang Kwon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-10-02.

Memory controller, memory device and storage device including the same

Номер патента: US20240036746A1. Автор: Ho Ryong You. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Memory device using multistage acceleration, operating method of memory device, and electronic device including the same

Номер патента: US20240319871A1. Автор: Jinhyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Methods for asynchronously signaling updated information from a memory device to a host and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20240289060A1. Автор: Frank F. Ross. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-08-29.

Non-volatile memory device and method for programming the same using multiple program operations under different conditions

Номер патента: US11901021B2. Автор: Junyong PARK,Sungmin JOE,Byungsoo Kim,Hyunggon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-13.

Memory device, a controller for controlling the same, a memory system including the same, and a method of operating the same

Номер патента: US20220068366A1. Автор: Sukhan Lee,Seongil O,Namsung KIM,Jaeyoun Youn,Youngcheon Kwon,Kyomin Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-03.

Memory devices and methods for operating the same

Номер патента: US11907044B2. Автор: Jan Otterstedt,Wolf Allers. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-02-20.

Memory devices and methods for operating the same

Номер патента: US20220091914A1. Автор: Jan Otterstedt,Wolf Allers. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-03-24.

Methods for performing multiple memory operations in response to a single command and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US11775459B2. Автор: Matthew A. Prather,Frank F. Ross,Randall J. Rooney. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2023-10-03.

Methods for generating notifications for updated information from mode registers of a memory device to a host and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US11977770B2. Автор: Frank F. Ross. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-05-07.

Methods for performing multiple memory operations in response to a single command and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20240126707A1. Автор: Matthew A. Prather,Frank F. Ross,Randall J. Rooney. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-04-18.

Methods for asynchronously signaling updated information from a memory device to a host and memory devices and systems employing the same

Номер патента: WO2019236117A3. Автор: Frank F. Ross. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-06-25.

Methods for asynchronously signaling updated information from a memory device to a host and memory devices and systems employing the same

Номер патента: WO2019236117A2. Автор: Frank F. Ross. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-12-12.

Methods for asynchronously signaling updated information from a memory device to a host and memory devices and systems employing the same

Номер патента: EP3803871A2. Автор: Frank F. Ross. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-14.

Memory device, a controller for controlling the same, a memory system including the same, and a method of operating the same

Номер патента: EP3964972A1. Автор: Sukhan Lee,Seongil O,Namsung KIM,Jaeyoun Youn,Youngcheon Kwon,Kyomin Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-09.

Memory device, a controller for controlling the same, a memory system including the same, and a method of operating the same

Номер патента: US11869571B2. Автор: Sukhan Lee,Seongil O,Namsung KIM,Jaeyoun Youn,Youngcheon Kwon,Kyomin Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-09.

Memory device and computing device using the same

Номер патента: US20200356308A1. Автор: Ga Ram Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-12.

Memory device, and electronic device including the same

Номер патента: US20210201992A1. Автор: Garam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-01.

Methods for on-die memory termination and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20210263685A1. Автор: Thomas H. Kinsley,Matthew A. Prather,Eric J. Stave. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-08-26.

Methods for on-die memory termination and memory devices and systems employing the same

Номер патента: WO2019103770A1. Автор: Thomas H. Kinsley,Matthew A. Prather,Eric J. Stave. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-05-31.

Providing time-stamps for a memory device and method for managing the same

Номер патента: US11599273B2. Автор: Alberto Troia,Vincenzo Reina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-07.

Memory device and method for managing the same

Номер патента: WO2020157529A1. Автор: Alberto Troia,Vincenzo Reina. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-08-06.

Memory device and method for managing the same

Номер патента: EP3918600A1. Автор: Alberto Troia,Vincenzo Reina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-08.

Memory device and method for managing the same

Номер патента: US20210342074A1. Автор: Alberto Troia,Vincenzo Reina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-04.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US20240012567A1. Автор: Feng-Min Lee,Ming-Hsiu Lee,Po-Hao Tseng,Tian-Cih BO. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Methods for activity-based memory maintenance operations and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20230144541A1. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2023-05-11.

Nonvolatile memory device and storage device having the same and operation method thereof

Номер патента: US09864682B2. Автор: Kitae Park,Doohyun Kim,BoGeun Kim,Jinman Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Methods for activity-based memory maintenance operations and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20200201698A1. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-25.

Methods for activity-based memory maintenance operations and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US11947412B2. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-04-02.

Methods for activity-based memory maintenance operations and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20240202056A1. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US20180342302A1. Автор: Kuen-Long Chang,Ken-Hui Chen,Su-Chueh Lo,Chun-Yu Liao. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-29.

Memory address management method, memory controller and memory storage device

Номер патента: US20150046632A1. Автор: Hong-Lipp Ko,Po-Ting Chen,Teng-Chun Hsu,Te-Chang Tsui. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2015-02-12.

Storage device, memory device, and computing system including the same

Номер патента: EP4283474A1. Автор: Seongsik Hwang,Jae-Hoon Jung,Kyung-Chang Ryoo,Kyunghan LEE,Chon Yong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-29.

Storage device and operating method of storage device

Номер патента: US20240345758A1. Автор: Minji Kim,Jinwoo Park,Sangwon Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Managing data compaction for zones in memory devices

Номер патента: US20240069806A1. Автор: Naveen Bolisetty. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor memory device, controller, memory system and method of operating the same

Номер патента: US20240274217A1. Автор: Jin Sub Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor memory device and operating method for the same

Номер патента: US20140189283A1. Автор: Sang-Oh LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-07-03.

Address decoding method, and memory controller and semiconductor memory system using the same

Номер патента: US20240177746A1. Автор: Cholmin Kim,Tae-Kyeong Ko,Chinam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-30.

Address decoding method, and memory controller and semiconductor memory system using the same

Номер патента: EP4379721A1. Автор: Cholmin Kim,Tae-Kyeong Ko,Chinam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-05.

Semiconductor memory device, controller, memory system and method of operating the same

Номер патента: US11972824B2. Автор: Jin Sub Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-30.

Managing data compaction for zones in memory devices

Номер патента: US12147705B2. Автор: Naveen Bolisetty. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-19.

Non-volatile memory device, memory system including the same and read method of memory system

Номер патента: US12020755B2. Автор: Sung Hun Kim,Hyo Jae Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Non-volatile memory device, memory system including the same and read method of memory system

Номер патента: US20240304260A1. Автор: Sung Hun Kim,Hyo Jae Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Methods of operating storage devices

Номер патента: US09928902B2. Автор: Sang-Won Hwang,Joon-Soo KWON,Seung-Cheol Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Cross-temperature compensation based on media endurance in memory devices

Номер патента: US20240069745A1. Автор: Hyungseok Kim,Sampath K. Ratnam,Vamsi Pavan Rayaprolu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory system and operating method of the memory system

Номер патента: US20210098071A1. Автор: Ju Hyeon HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Memory device, a controller for controlling the same, a memory system including the same, and a method of operating the same

Номер патента: EP3964972B1. Автор: Sukhan Lee,Seongil O,Namsung KIM,Jaeyoun Youn,Youngcheon Kwon,Kyomin Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-21.

Apparatuses and methods for logic/memory devices

Номер патента: US20240194247A1. Автор: Richard C. Murphy. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-06-13.

Apparatuses and methods for logic/memory devices

Номер патента: EP3427263A1. Автор: Richard C. Murphy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-16.

Processing in memory (PIM) capable memory device having sensing circuitry performing logic operations

Номер патента: US09997232B2. Автор: Richard C. Murphy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Apparatuses and methods for logic/memory devices

Номер патента: US20180294027A1. Автор: Richard C. Murphy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-10-11.

Method of operating a controller and a memory device related to recovering data

Номер патента: US20240185933A1. Автор: Tae Hun Park,Dong Hun Kwak,Hyun Seob SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Storage controller determining distribution type, method of operating the same, and method of operating storage device including the same

Номер патента: US11934701B2. Автор: Youngdeok SEO,Hyunkyo Oh,Woohyun Kang,Donghoo LIM,Hyuna Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-19.

Storage controller receiving read data and distribution information, method of operating the same, and method of operating storage device including the same

Номер патента: US20240012569A1. Автор: Suhyun KIM,Youngdeok SEO,Byungkwan Chun,Su Chang Jeon,Hyunkyo Oh,Woohyun Kang,Donghoo LIM,Hyuna Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-11.

Apparatuses and methods for logic/memory devices

Номер патента: US11915741B2. Автор: Richard C. Murphy. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-02-27.

Device, system and method of reduced-power memory address generation

Номер патента: US20070300039A1. Автор: Uri Frank,Ram Kenyagin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2007-12-27.

Non-volatile memory system, mobile apparatus including the same, and method of operating the non-volatile memory system

Номер патента: US9645925B2. Автор: Byung-yo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Methods for independent memory bank maintenance and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20240257858A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory device, a controller for controlling the same, a memory system including the same, and an operating method of the same

Номер патента: US12117901B2. Автор: Yesin RYU,Jaeyoun Youn,Sunggi AHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Method of correcting error of flash memory device, and, flash memory device and storage system using the same

Номер патента: US8612830B2. Автор: Jun Kitahara,Nagamasa Mizushima. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2013-12-17.

Methods for providing device status in response to read commands directed to write-only mode register bits and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20220084565A1. Автор: Matthew A. Prather,Randall J. Rooney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

Memory device, a controller for controlling the same, a memory system including the same, and an operating method of the same

Номер патента: US20240095122A1. Автор: Yesin RYU,Jaeyoun Youn,Sunggi AHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor memory device, semiconductor memory system including the same, method of driving the semiconductor memory system

Номер патента: US11797382B2. Автор: Tae Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Methods for memory power management and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20210035617A1. Автор: Gregory A. King,George E. Pax,Chan H. Yoo,Randon K. Richards,Timothy M. Hollis,Eric J. Stave,Yogesh Sharma. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Methods for memory power management and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US12112830B2. Автор: Gregory A. King,George E. Pax,Chan H. Yoo,Randon K. Richards,Timothy M. Hollis,Eric J. Stave,Yogesh Sharma. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-10-08.

Methods for on-die memory termination and memory devices and systems employing the same

Номер патента: EP4446899A2. Автор: Thomas H. Kinsley,Matthew A. Prather,Gary Howe,Eric J. Stave. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-16.

Method of designing random pattern, apparatus for designing random pattern, and optical substrate including random pattern according to the same method

Номер патента: US09652563B2. Автор: Seung Heon Lee,Woo Young Chang,Chi Goo Jun. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Methods for providing device status in response to read commands directed to write-only mode register bits and memory devices and systems employing the same

Номер патента: WO2021034431A8. Автор: Matthew A. Prather,Randall J. Rooney. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-02-17.

Methods for providing device status in response to read commands directed to write-only mode register bits and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20210057003A1. Автор: Matthew A. Prather,Randall J. Rooney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

Methods for providing device status in response to read commands directed to write-only mode register bits and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US11854655B2. Автор: Matthew A. Prather,Randall J. Rooney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Methods for providing device status in response to read commands directed to write-only mode register bits and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20240203464A1. Автор: Matthew A. Prather,Randall J. Rooney. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-06-20.

Method of performing cloud printing and mobile device, image forming apparatus, and cloud printing system for performing using the same

Номер патента: US09671982B2. Автор: Seung-Hae Yang,Joong-mok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Method of unlocking an electronic device based on motion recognitions, motion recognition unlocking system, and electronic device including the same

Номер патента: US09805184B2. Автор: Kwang-hyuk Bae,Kyu-Min Kyung,Tae-Chan Kim,Seong-Yeong JEONG,Shung-Han CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Memory device and electronic device including the same

Номер патента: EP4456069A1. Автор: Jaewoo Shin,Yunkyeong Jeong,Yunseok YANG,Minhwan AN,Jin Suk CHUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-30.

Method of controlling repair of volatile memory device and storage device performing the same

Номер патента: EP3770764A1. Автор: Dong Kim,Hyunglae Eun,Inhoon Park,Jangseon PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-27.

Method of controlling repair of volatile memory device and storage device performing the same

Номер патента: US20210026728A1. Автор: Dong Kim,Hyunglae Eun,Inhoon Park,Jangseon PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-28.

Memory device and semiconductor package including the same

Номер патента: US20180129560A1. Автор: Sang-Jin Byeon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-10.

Memory device and storage device including the same

Номер патента: US20240184589A1. Автор: Byoung Sung You. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Methods for clock signal alignment in a memory device and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20210027816A1. Автор: Dirgha Khatri,Randon K. Richards. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Semiconductor memory device and semiconductor system including the same

Номер патента: US20120106272A1. Автор: Mi-Hye Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-05-03.

Method of characterizing errors in nand flash memory, and error estimation method and storage system control method using the same

Номер патента: US20230297471A1. Автор: Do Hee KIM,Ha Young LIM,Ji Yoon JUNG,Sung Gil Hong. Владелец: Fadu Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Modeling method of neural network for simulation in semiconductor design process, and simulation method in semiconductor design process using the same

Номер патента: EP4310720A1. Автор: Bogyeong Kang,Jaemyung Choe,Hyunjae JANG,In HUH,Yunjun Nam,Hyowon Moon,Byungseon CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-24.

Method of extracting windows executable file using hardware based on session matching and pattern matching and appratus using the same

Номер патента: US20100146621A1. Автор: Hyun Sook Cho,Jong Soo Jang,Byoung Koo Kim,Jin Tae Oh,Ik Kyun Kim,Seung Yong Yoon. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2010-06-10.

Semiconductor memory device and method for operating the same

Номер патента: US20180157546A1. Автор: Deung Kak YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-07.

Semiconductor memory device and method for operating the same

Номер патента: US10180873B2. Автор: Deung Kak YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-01-15.

Memory device and electronic device including the same

Номер патента: EP3923687A2. Автор: Jae Hong Park,Yusuf Cinar,Han Hong Lee,Seon Gyun BAEK,Won-Gi HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-15.

Memory device and electronic device including the same

Номер патента: US11979996B2. Автор: Jae Hong Park,Yusuf Cinar,Han Hong Lee,Seon Gyun BAEK,Won-Gi HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-07.

Memory device and electronic device including the same

Номер патента: US20240114638A1. Автор: Jae Hong Park,Yusuf Cinar,Han Hong Lee,Seon Gyun BAEK,Won-Gi HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-04.

Non-volatile semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US20210012854A1. Автор: Daisuke Uchida. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-01-14.

Non-volatile memory device and storage device including the same

Номер патента: US20200349986A1. Автор: Jeong-Don IHM,Byung-Hoon Jeong,Young-don Choi,Dong-Su Jang,Man-jae YANG,Go-Eun Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-05.

Non-volatile memory device and storage device including the same

Номер патента: US20200194040A1. Автор: Jeong-Don IHM,Byung-Hoon Jeong,Young-don Choi,Dong-Su Jang,Man-jae YANG,Go-Eun Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-18.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US20080074935A1. Автор: Chang-Hyuk Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-03-27.

Semiconductor nonvolatile memory device and computer system using the same

Номер патента: US5748532A. Автор: Toshihiro Tanaka,Masataka Kato,Katsutaka Kimura,Kazuyoshi Oshima,Kazuyuki Miyazawa,Tetsuya Tsujikawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1998-05-05.

Method of providing at least one data carrier, computer system and memory device

Номер патента: US20160328250A1. Автор: Jochen Riedisser,Michael Koob Spijkerman. Владелец: Fujitsu Technology Solutions Intellectual Property GmbH. Дата публикации: 2016-11-10.

Method of starting applications installed on a mobile operating system in a multi-window mode and device using the same

Номер патента: US20140365933A1. Автор: Tsung-En Wu. Владелец: Insyde Software Corp. Дата публикации: 2014-12-11.

Method of starting applications installed on a mobile operating system in a multi-window mode and device using the same

Номер патента: US09684428B2. Автор: Tsung-En Wu. Владелец: Insyde Software Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Method of training binarized neural network with parameterized weight clipping and memory device using the same

Номер патента: US20230351189A1. Автор: Taehee Han,Juyeon KANG,Changho Ryu. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-11-02.

Method of determining route of automated guided vehicle and route determining system of automated guided vehicle for performing the same

Номер патента: US20240053151A1. Автор: Yonggu KIM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Ferroelectric memory device and electronic device including the same

Номер патента: EP4184511A1. Автор: Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Hagyoul BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-24.

Methods for mitigating power loss events during operation of memory devices and memory devices employing the same

Номер патента: US20190272872A1. Автор: Violante Moschiano,Andrea Smaniotto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-05.

Methods for mitigating power loss events during operation of memory devices and memory devices employing the same

Номер патента: US11437093B2. Автор: Violante Moschiano,Andrea Smaniotto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-06.

Method of controlling repair of volatile memory device and storage device performing the same

Номер патента: SG10202003179UA. Автор: Kim Dong,PARK Inhoon,Eun Hyunglae,Park Jangseon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-25.

Methods and apparatus for authenticating an encryption key stored in removable memory devices, to access a compute device

Номер патента: US11281813B1. Автор: Martin Mayer,Steven Yates,Thomas Scott Morgan. Владелец: Management Services Group Inc. Дата публикации: 2022-03-22.

Neuromorphic memory device and method

Номер патента: US20240256473A1. Автор: Brent Keeth,Frank F Ross,RICHARD C MURPHY. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Methods and apparatus for authenticating an encryption key stored in removable memory devices, to access a compute device

Номер патента: US12045379B1. Автор: Martin Mayer,Steven Yates,Thomas Scott Morgan. Владелец: Management Services Group Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Methods and apparatus for authenticating an encryption key stored in removable memory devices, to access a compute device

Номер патента: US11741269B1. Автор: Martin Mayer,Steven Yates,Thomas Scott Morgan. Владелец: Management Services Group Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Method of operating system on chip and apparatuses including the same

Номер патента: US09405506B2. Автор: Yong Jun Hong,Jeong Woo RYU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-02.

Operation method of storage controller for nonvolatile memory device

Номер патента: US20240176700A1. Автор: Jisoo Kim,Sangkwon Moon,Heewon Lee,Youngdeok SEO,Hyunkyo Oh,Youngjoo Seo,Hee-Tai Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-30.

Independent thermal controller for memory devices and device interface boards

Номер патента: US20240264221A1. Автор: Kapil Ayyawar,Justin Glasgow,Brad Emberger,Soma Tsuji,Joseph L. Tallarico,Manroop Turna. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Apparatuses and methods of operating for memory endurance

Номер патента: WO2013033375A1. Автор: Chandra C. Varanasi. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-03-07.

Operating method of flash memory system

Номер патента: US09639421B2. Автор: Dae-sung Kim,Jeong-Seok Ha,Su-Hwang JEONG. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2017-05-02.

Memory system and method of reading data thereof

Номер патента: US09478298B2. Автор: Heung-Soo Lim,Hyun-Ho Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-25.

Memory compaction management in memory devices

Номер патента: US20240176698A1. Автор: Kishore Kumar Muchherla,Sampath Ratnam,Jiangang WU,Vamsi Pavan Rayaprolu,Mustafa N. Kaynak,Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Khayat. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Memory devices and systems with security capabilities

Номер патента: US20190050297A1. Автор: Antonino Mondello,Lance W. Dover,Fabio Indelicato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-14.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: EP3673380A1. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-01.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: US20200349097A1. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-05.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: US20200242057A1. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-30.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: WO2019040200A1. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-02-28.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: US10983934B2. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-20.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: US10754801B2. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-25.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: US20210209039A1. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-08.

Methods for on-die memory termination and memory devices and systems employing the same

Номер патента: EP3714456B1. Автор: Thomas H. Kinsley,Matthew A. Prather,Gary Howe,Eric J. Stave. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-04.

Neuromorphic memory device and method

Номер патента: WO2021133826A1. Автор: Brent Keeth,Richard C. Murphy,Frank F. Ross. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-07-01.

Neuromorphic memory device and method

Номер патента: US11989141B2. Автор: Brent Keeth,Frank F Ross,RICHARD C MURPHY. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Neuromorphic memory device and method

Номер патента: EP4081954A1. Автор: Brent Keeth,Richard C. Murphy,Frank F. Ross. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-11-02.

Method of processing image and electronic device thereof

Номер патента: US09959598B2. Автор: Wook-Hyun Jeong,Jeong-Hyeon Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US20070211533A1. Автор: Sang-jin Park,Sang-Min Shin,Young-soo Park,Young-Kwan Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-09-13.

Flash memory device and method for driving the same

Номер патента: US20080247247A1. Автор: Sang-Gu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-10-09.

Nonvolatile memory device, a storage device having the same and an operating method of the same

Номер патента: US09460795B2. Автор: Donghun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Methods for independent memory bank maintenance and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US11900983B2. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

ONON Sidewall Structure for Memory Device and Method for Making the Same

Номер патента: US20240296890A1. Автор: Chen-Ming Huang,Shih-Hsien Chen,Chia-Sheng Lin,Po-Wei Liu,Hung-Ling Shih,Yu-Chun Chang,Wei-Lin Chang,Wen-Tuo Huang,Yu-Hsiang Yang,Shihkuang YANG,Yu-Ling Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Resistive memory device, method of fabricating the same, and memory apparatus and data processing system having the same

Номер патента: US09378813B2. Автор: Sung Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-28.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: WO2021111159A1. Автор: Innocenzo Tortorelli,Marco Sforzin,Paolo Amato. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-10.

Memory device and semiconductor device including the same

Номер патента: US12125515B2. Автор: Sang-Hoon Jung,Seong-Jin Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Memory cell, memory device, and electronic device having the same

Номер патента: US20180005692A1. Автор: Jong-Hoon Jung,Sung-Hyun Park,Woo-Jin Rim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-04.

Three dimensional memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240203463A1. Автор: Murat Kerem Akarvardar,Xiaochen PENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory cell, memory device, and electronic device having the same

Номер патента: US09940998B2. Автор: Jong-Hoon Jung,Sung-Hyun Park,Woo-Jin Rim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Line memory device and image sensor including the same

Номер патента: US09978431B2. Автор: Min-Ho Kwon,Won-Ho Choi,Dong-Hun Lee,Seog-Heon Ham,Kwi-sung Yoo,Wun-ki Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240315036A1. Автор: Hiroyuki Yamashita,Shin Ishimatsu,Daisuke Nishida,Masaki Noguchi,Tatsunori Isogai,Wataru Matsuura,Junichi KANEYAMA,Tomoyuki Takemoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Nonvolatile memory device, nonvolatile memory system including the same, and method of operating the same

Номер патента: US09941014B2. Автор: Chulho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Magnetic memory device and method for forming the same

Номер патента: US09484526B2. Автор: Sang-Yong Kim,Yoon-Jong Song,Dae-eun Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor Memory Device and Method for Operating the Same

Номер патента: US20100290279A1. Автор: Kwang-Myoung Rho,Woo-Hyun Seo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-11-18.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210305230A1. Автор: Mutsumi Okajima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220310581A1. Автор: Mutsumi Okajima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-29.

Memory device and method for forming the same

Номер патента: US12127397B2. Автор: Xu Liu,Thomas Jongwan Kwon,Lintao Zhang,Lingguo ZHANG,Xiangui Zhou. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor memory device and method for operating the same

Номер патента: US09595309B2. Автор: Chang-Hyun Kim,Jae-Jin Lee,Min-Chang Kim,Do-Yun LEE,Hun-Sam Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Nonvolatile memory device and method for driving the same

Номер патента: US09401215B2. Автор: Bong-Kil Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-26.

Memory device, a memory system having the same and an operating method thereof in which a row address is not separated depending on pages in a byte mode operation

Номер патента: US12080332B2. Автор: Seungki HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor memory device, a memory module including the same, and a memory system including the same

Номер патента: US09947378B2. Автор: Seung Jun BAE,Joon Young Park,Ki Won Lee,Yong Cheol Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-17.

Method of preparing radioisotope hybrid nanocomposite particles using sol-gel reaction and radioisotope hybrid nanocomposite particles prepared using the same

Номер патента: US09685250B2. Автор: Seong Ho Choi,Sun Ju Choi,Sung-Hee Jung,Jong Bum Kim,Jin Ho MOON,Sang Ei Seo. Владелец: Korea Atomic Energy Research Institute KAERI. Дата публикации: 2017-06-20.

Memory device and method for manufacturing the same and method for operating the same

Номер патента: US20220293628A1. Автор: Hang-Ting Lue,Wei-Chen Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

Method of testing for a leakage current between bit lines of nonvolatile memory device

Номер патента: US20100302866A1. Автор: Jae Won Cha,Duck Ju Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-02.

Method of controlling charging and discharging of battery energy storage device and the battery energy storage device for the same

Номер патента: US09634510B2. Автор: Yun Jae Lee,Eun Sik CHOI. Владелец: LSIS Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor memory device and method for forming the same

Номер патента: US20230371259A1. Автор: Chung-Te Lin,Sheng-Chih Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Memory device and computing method using the same

Номер патента: US20230368836A1. Автор: Ming-Hsiu Lee,Yun-Yuan Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: EP4070313A1. Автор: Innocenzo Tortorelli,Marco Sforzin,Paolo Amato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-12.

Memory device and computing method using the same

Номер патента: US11955168B2. Автор: Ming-Hsiu Lee,Yun-Yuan Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240221819A1. Автор: Yu Wang,Xu HOU,Danyang Li,Zhichao DU,Daesik Song. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Memory devices and methods for forming the same

Номер патента: WO2024139206A1. Автор: Yu Wang,Xu HOU,Danyang Li,Zhichao DU,Daesik Song. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-07-04.

Flash memory device and method for programming the same

Номер патента: EP1538633A3. Автор: June Lee,Oh-Suk 904Ho Sangroksu-dong Mens Dorm. Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-09-13.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11871588B2. Автор: Erh-Kun Lai,Feng-Min Lee,Yu-Hsuan Lin,Ming-Hsiu Lee,Po-Hao Tseng,Dai-Ying LEE. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US20220343977A1. Автор: Innocenzo Tortorelli,Marco Sforzin,Paolo Amato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-27.

Memory device and electronic device including the same

Номер патента: EP4290999A1. Автор: Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Hyunjae Lee,Dukhyun CHOE,Taehwan MOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-13.

Non-volatile memory device and method for erasing the same

Номер патента: US20150146487A1. Автор: SUNG Wook Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-05-28.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US11915750B2. Автор: Innocenzo Tortorelli,Marco Sforzin,Paolo Amato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US20210407592A1. Автор: Innocenzo Tortorelli,Marco Sforzin,Paolo Amato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US20240194258A1. Автор: Innocenzo Tortorelli,Marco Sforzin,Paolo Amato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: EP4201164A1. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG,Yanhong Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-28.

Method of manufacturing an integrated circuit involving performing an electrostatic discharge test and electrostatic discharge test system performing the same

Номер патента: US20220091171A1. Автор: Youngsoo JANG,Heesu KIM,Bonggyu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-24.

Semiconductor memory device and refresh method for the same

Номер патента: US20050157576A1. Автор: Hajime Sato,Yuji Nakagawa,Satoru Kawamoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-07-21.

Ferroelectric memory device and method for forming the same

Номер патента: US20230413576A1. Автор: Wei Zhang,Zhenyu Lu,Jianhua Sun,Yushi Hu,Meilan GUO. Владелец: Wuxi Smart Memories Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Non-volatile memory device and method for programming the same

Номер патента: US20210027840A1. Автор: Sang-Won Park,Sang-Wan Nam,Jung-Yun Yun,Ji Ho Cho,Sang Gi HONG,Won Bo Shim,Ji Yeon SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-28.

Semiconductor memory device and method for controlling the same

Номер патента: US8391072B2. Автор: Teruo Takagiwa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-03-05.

Semiconductor memory device and method for controlling the same

Номер патента: US20110141817A1. Автор: Teruo Takagiwa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-16.

Non-volatile memory device and method for programming the same

Номер патента: US20120147655A1. Автор: Sung Yeon Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-14.

Nonvolatile memory device and method for driving the same

Номер патента: US20160035428A1. Автор: Bong-Kil Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-04.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240221831A1. Автор: Chih-Hsiung Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor memory devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US11903184B2. Автор: Yong Seok Kim,Kyung Hwan Lee,Jae Ho Hong,Hui-jung Kim,Min Hee Cho,Il Gweon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-13.

Tri-state read-only memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US5859460A. Автор: Yi-Chung Sheng,Kuan-Cheng Su,Chen-Hui Chung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-01-12.

Staircase structure in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US20210384118A1. Автор: Zhiliang Xia,Di Wang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-09.

Semiconductor memory device and method for initializing the same

Номер патента: EP1488424A2. Автор: Hiroshige Hirano,Yasuo Murakuki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-22.

Magnetic memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240349615A1. Автор: Jun Ho Park,Byoung Jae Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor plug protected by protective dielectric layer in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: EP4362624A3. Автор: Yong Zhang,Fushan Zhang,Enbo Wang,Haohao YANG,Ruo Fang ZHANG,Qianbing Xu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-16.

Semiconductor memory device and method for accessing the same

Номер патента: US09542990B2. Автор: Zhijiong Luo,Zhengyong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-01-10.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US09530508B2. Автор: Ya-Jui Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

ONON Sidewall Structure for Memory Device and Method for Making the Same

Номер патента: US20230335196A1. Автор: Chen-Ming Huang,Shih-Hsien Chen,Chia-Sheng Lin,Po-Wei Liu,Hung-Ling Shih,Yu-Chun Chang,Wei-Lin Chang,Wen-Tuo Huang,Yu-Hsiang Yang,Shihkuang YANG,Yu-Ling Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

ONON sidewall structure for memory device and method for making the same

Номер патента: US12009033B2. Автор: Chen-Ming Huang,Shih-Hsien Chen,Chia-Sheng Lin,Po-Wei Liu,Hung-Ling Shih,Yu-Chun Chang,Wei-Lin Chang,Wen-Tuo Huang,Yu-Hsiang Yang,Shihkuang YANG,Yu-Ling Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US12075621B2. Автор: LEI Liu,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor memory device, a memory module including the same, and a memory system including the same

Номер патента: US09805774B2. Автор: Seung Jun BAE,Joon Young Park,Ki Won Lee,Yong Cheol Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Pillar-shaped semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US09653170B2. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Vertical memory device with gate lines at the same level connected

Номер патента: US09640549B2. Автор: Chang-Hyun Lee,Seok-Won Lee,Joon-Hee Lee,Dong-Seog Eun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-02.

Vertical non-volatile memory device and electronic apparatus including the same

Номер патента: EP4398695A1. Автор: Minhyun LEE,Gukhyon Yon,Seungyeul YANG,Seokhoon CHOI,Kyunghun KIM,Seungdam HYUN,Hyungyung KIM,Hoseok HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-10.

Semiconductor Memory Device And Method For Manufacturing The Same

Номер патента: US20230247823A1. Автор: Youngseok Kim,Jae Seong PARK,Sung-wook Jung,Daeyoung MOON,Young Sin Kim,Suhwan Hwang,Seongkeun CHO,Keum Joo Lee,Sungduk Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-03.

Vertical non-volatile memory device and electronic apparatus including the same

Номер патента: US20240221834A1. Автор: Minhyun LEE,Gukhyon Yon,Seungyeul YANG,Seokhoon CHOI,Kyunghun KIM,Seungdam HYUN,Hyungyung KIM,Hoseok HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Source structure of three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: EP4258843A3. Автор: Qian Tao,Zhenyu Lu,Simon Shi-ning Yang,Jun Chen,Yushi Hu,Steve Weiyi Yang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Semiconductor memory device and method for controlling the same

Номер патента: US09767878B1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,William J. Gallagher,Yu-Der Chih,Chun-Jung Lin,Tien-Wei Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Nonvolatile memory device and storage device having the same

Номер патента: US09431083B2. Автор: Suk-Soo Pyo,Hyuntaek JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Phase change memory device and computing system having the same

Номер патента: US20130058160A1. Автор: Joo-young Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-03-07.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240221832A1. Автор: Joonsuk Lee,Seyun KIM,Sunho Kim,Minhyun LEE,Gukhyon Yon,Seungyeul YANG,Seokhoon CHOI,Kyunghun KIM,Hyungyung KIM,Hoseok HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor memory device and electric device with the same

Номер патента: US20050105335A1. Автор: Riichiro Shirota,Masayuki Ichige,Kikuko Sugimae,Takuya Futatsuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-05-19.

Semiconductor memory devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US20230165005A1. Автор: Seong-hun Jeong,Joon Sung Kim,Byoung Il Lee,Jun Eon Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-25.

Semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US20060065920A1. Автор: Taro Osabe,Takeshi Sakata,Hideaki Kurata,Tomoyuki Ishii. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-03-30.

Semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US20070257306A1. Автор: Taro Osabe,Takeshi Sakata,Hideaki Kurata,Tomoyuki Ishii. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-11-08.

Semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US7238570B2. Автор: Taro Osabe,Takeshi Sakata,Hideaki Kurata,Tomoyuki Ishii. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-07-03.

Vertical memory devices and methods for operating the same

Номер патента: US20240282376A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor memory device and method for operating the same

Номер патента: US20150170722A1. Автор: Young-Jun Ku,Tae-Sik Yun,Jae-Bum Ko. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-18.

Semiconductor memory devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US12058863B2. Автор: Seong-hun Jeong,Joon Sung Kim,Byoung Il Lee,Jun Eon Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Nonvolatile memory device and calibration method for the same

Номер патента: US09972400B1. Автор: Albert Lee,Kang-Lung Wang,Hochul Lee. Владелец: Inston Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Nonvolatile memory device and storage device having the same

Номер патента: US09773566B2. Автор: Taesung Lee,Dong-Su Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Nonvolatile memory device and storage device having the same

Номер патента: US09576626B2. Автор: Taesung Lee,Dong-Su Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: EP4395493A1. Автор: Gil Sung Lee,Suk Kang SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-03.

Memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20210225763A1. Автор: Tzu-Ming Ou Yang,Shu-Ming LEE,Ling-Chun TSENG. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-07-22.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170025475A1. Автор: Hiroyuki Ode,Takeshi Takagi,Toshiharu Tanaka,Takeshi Yamaguchi,Masaki Yamato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-26.

Flash memory device and smart card including the same

Номер патента: US7558121B2. Автор: Byeong-Hoon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-07-07.

Semiconductor memory device and method for operating the same

Номер патента: US20110002179A1. Автор: Sung-Ho Kim,Kwi-Dong Kim,Mun-Phil Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-01-06.

Semiconductor memory device and method for operating the same

Номер патента: US8379473B2. Автор: Sung-Ho Kim,Kwi-Dong Kim,Mun-Phil Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-02-19.

Flash Memory Device and Smart Card Including the Same

Номер патента: US20080117674A1. Автор: Byeong-Hoon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-22.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US20080165591A1. Автор: Yoon-Jae Shin,Kyoung-Nam Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-07-10.

Three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US20230282281A1. Автор: Junbao WANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20230320101A1. Автор: Yukio Hayakawa,Bongyong Lee,Hyunmog Park,Siyeon Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-05.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US20160093382A1. Автор: Tatsuya Kato,Wataru Sakamoto,Fumitaka Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-31.

Memory device and method for forming the same

Номер патента: US20200105343A1. Автор: Wen-Ting Chu,Kuo-Chi Tu,Sheng-Hung SHIH,Chu-Jie HUANG,Nai-Chao Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Vertical 3d memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210225938A1. Автор: Corrado Villa,Paolo Tessariol,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-22.

Vertical 3D memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11158673B2. Автор: Corrado Villa,Paolo Tessariol,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-26.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160284868A1. Автор: Hideyuki Nishizawa,Koji Asakawa,Shigeki Hattori,Masaya Terai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-29.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US20110158023A1. Автор: Kang-Seol Lee,Tae-Sik Yun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-06-30.

Nonvolatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US8848455B2. Автор: Kenji Noma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-30.

Nonvolatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120195116A1. Автор: Kenji Noma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-02.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170005261A1. Автор: Shosuke Fujii,Takayuki Ishikawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-05.

Non-volatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20120044767A1. Автор: Jae-Gun Park,Jong-Dae Lee,Sung-Ho Seo,Woo-Sik Nam,Hyun-Min Seung,Yool-Guk Kim,Young-Hwan Oh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-02-23.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US7936635B2. Автор: Yoon-Jae Shin,Kyoung-Nam Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-05-03.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US20100165762A1. Автор: Yoon-Jae Shin,Kyoung-Nam Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-07-01.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US8724377B2. Автор: Takaya Yamanaka,Yoshiaki Asao,Susumu Shuto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-05-13.

Three dimensional memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200119025A1. Автор: Chieh-Fang Chen,Yu-Wei Jiang,Jia-Rong Chiou. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US20130083617A1. Автор: Choung-Ki Song. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-04-04.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US20140003183A1. Автор: Choung-Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-01-02.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US20100080065A1. Автор: Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Jun Fujiki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-04-01.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US20240079050A1. Автор: Ching-Wei Wu,Feng-Ming Chang,Kuang Ting Chen,Peijiun LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US20240071504A1. Автор: Yih Wang,Yu-Ming Lin,Yi-Ching Liu,Pei-Chun Liao,Chieh Lee,Yu-Kai Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240306380A1. Автор: Hyeon-Woo Jang,Soo Ho SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240312522A1. Автор: WEI Liu,Zhiliang Xia,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US09984754B2. Автор: Tatsuya Kato,Wataru Sakamoto,Fumitaka Arai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Magnetic memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09923138B2. Автор: Jae Hoon Kim,Sang Hwan Park,Kwangseok KIM,Keewon Kim,JoonMyoung LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor memory device and method for operating the same

Номер патента: US09875777B2. Автор: Dae-Ho YUN,Hee-Jin BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US09847118B1. Автор: Hyung-Sik Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Nonvolatile memory device and method for sensing the same

Номер патента: US09728254B2. Автор: Mu-hui Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US09715923B2. Автор: Shinji Miyano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09685321B2. Автор: Hideyuki Nishizawa,Koji Asakawa,Shigeki Hattori,Masaya Terai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor memory device and semiconductor system having the same

Номер патента: US09672896B2. Автор: Ki-Chang Chun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Memory device and electronic apparatus including the same

Номер патента: US09607667B1. Автор: Sang Eun Lee,Eun KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Pillar-shaped semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US09589973B2. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US09524755B1. Автор: Mitsutoshi Nakamura,Shinya Naito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US09412454B2. Автор: Kunihiro Yamada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Magnetic Memory Devices and Methods for Manufacturing the Same

Номер патента: US20180040667A1. Автор: Juhyun Kim,Jae Hoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-08.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US20230253039A1. Автор: Yu-Yu Lin,Feng-Min Lee,Ming-Hsiu Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Method of forming display objects on a magnet sheet and a magnet sheet formed with display objects by the same

Номер патента: US20080022571A1. Автор: Konomu Ogikubo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-01-31.

Magnetic bubble memory device and method for operating the same

Номер патента: CA1187175A. Автор: Tsutomu Miyashita,Kazuo Matsuda,Makoto Ohashi,Yoshio Satoh,Kazunari Komenou. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1985-05-14.

Semiconductor memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20220415906A1. Автор: Jae Hyun Park,Sung Il Park,Min Gyu Kim,Do Young Choi,Dae Won Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor plug protected by protective dielectric layer in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US10714493B2. Автор: Yong Zhang,Fushan Zhang,Enbo Wang,Haohao YANG,Ruo Fang ZHANG,Qianbin Xu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-14.

Write-once recording medium preserving data-recording status, method of preserving data-recording status of a write-once recording medium, medium including computer readable code for the same, and recording and/or reproducing apparatus therefor

Номер патента: US20060198273A1. Автор: Jung-Wan Ko,Sung-hee Hwang,Kyung-geun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-09-07.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230352088A1. Автор: Chih-Hsiung Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor memory devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US20220199625A1. Автор: Yong Seok Kim,Kyung Hwan Lee,Jae Ho Hong,Hui-jung Kim,Min Hee Cho,Il Gweon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-23.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20220077156A1. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US11488962B2. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-11-01.

Semiconductor plug protected by protective dielectric layer in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: EP4362624A2. Автор: Yong Zhang,Fushan Zhang,Enbo Wang,Haohao YANG,Ruo Fang ZHANG,Qianbing Xu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-01.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US8450145B2. Автор: Yushi Inoue. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2013-05-28.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US20240062825A1. Автор: Wei-Liang Lin,Wen-Jer Tsai,Chun-Chang LU. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Method of manufacturing an integrated circuit involving performing an electrostatic discharge test and electrostatic discharge test system performing the same

Номер патента: US11650237B2. Автор: Youngsoo JANG,Heesu KIM,Bonggyu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-16.

Semiconductor memory device and semiconductor system including the same

Номер патента: US20150098282A1. Автор: Geun-il Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-04-09.

Method of operating split gate-typed non-volatile memory cell and semiconductor memory device having the cells

Номер патента: US6370064B1. Автор: Jin-woo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-04-09.

Three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: WO2022246789A1. Автор: LEI Liu,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-12-01.

Memory interface and semiconductor memory device and semiconductor device including the same

Номер патента: US20240170085A1. Автор: Seunghoon Lee,Youngdon CHOI,Junghwan Choi,Hojun Yoon,Seungjin PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Ferroelectric random access memory device and method for operating the same

Номер патента: US6088257A. Автор: Byung-Gil Jeon,Yeon-Bae Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-07-11.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230352090A1. Автор: Satoru Okamoto,Hiromichi Godo,Hitoshi KUNITAKE,Kazuki Tsuda,Satoru Ohshita. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Memory device and test circuit for the same

Номер патента: US20200388345A1. Автор: Shu-Liang NING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2020-12-10.

Memory device and test circuit for the same

Номер патента: US11710530B2. Автор: Shu-Liang NING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-25.

Semiconductor memory devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US11778821B2. Автор: Seong-hun Jeong,Joon Sung Kim,Byoung Il Lee,Jun Eon Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor memory devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US20210265389A1. Автор: Seong-hun Jeong,Joon Sung Kim,Byoung Il Lee,Jun Eon Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-08-26.

Source structure of three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: EP4258843A2. Автор: Qian Tao,Zhenyu Lu,Simon Shi-ning Yang,Jun Chen,Yushi Hu,Steve Weiyi Yang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-11.

Semiconductor memory device and method for operating the same

Номер патента: US20140026012A1. Автор: Ji-Hyun Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-01-23.

Magnetic memory device and electronic device comprising the same

Номер патента: US20230371276A1. Автор: Kil Ho Lee,Geon Hee Bae,Seung Pil KO,Yoon Jong Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-16.

Contact structures having conductive portions in substrate in three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US11792980B2. Автор: Wei Xu,Pan Huang,Beihan Wang,Wenxiang Xu,Ji XIA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US11908517B2. Автор: Kuo-Chiang Hung. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US11963363B2. Автор: Yu-Ming Lin,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Ferroelectric memory devices and methods for forming the same

Номер патента: EP3966864A1. Автор: Zhenyu Lu. Владелец: Wuxi Petabyte Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-16.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: EP3940778A1. Автор: Yu-Ming Lin,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-19.

Memory device and system device including the same

Номер патента: EP4376002A1. Автор: Chul-Hwan Choo,Yunkyeong Jeong,Yunseok YANG,Eungchang Lee,Seula RYU,Minhwan AN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-29.

Semiconductor memory device and method for controlling the same

Номер патента: US20170278557A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,William J. Gallagher,Yu-Der Chih,Chun-Jung Lin,Tien-Wei Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-28.

Memory device and system device including the same

Номер патента: US20240177749A1. Автор: Chul-Hwan Choo,Yunkyeong Jeong,Yunseok YANG,Eungchang Lee,Seula RYU,Minhwan AN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-30.

Phase change memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20080121863A1. Автор: Wei-Su Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2008-05-29.

Memory device and semiconductor device including the same

Номер патента: US20170358334A1. Автор: Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-14.

Contact structures having conductive portions in substrate in three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20210159238A1. Автор: Wei Xu,Pan Huang,Beihan Wang,Wenxiang Xu,Ji XIA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-27.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US20240145000A1. Автор: Kuo-Chiang Hung. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US20080219073A1. Автор: Khil-Ohk Kang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-09-11.

Vertical memory devices and methods for operating the same

Номер патента: US12027207B2. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US5900656A. Автор: Keun Hyung Park. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1999-05-04.

Layer structure of a memory cell for a dynamic random access memory device and method for producing the same

Номер патента: US4910566A. Автор: Taiji Ema. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1990-03-20.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230309290A1. Автор: Kangsik CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Three-dimensional memory device and methods for forming the same

Номер патента: EP4288997A1. Автор: Mingkang ZHANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-13.

Memory devices and methods for forming the same

Номер патента: WO2023241433A1. Автор: WEI Liu,Yanhong Wang,Yaqin LIU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: EP4277449A1. Автор: Seok Han PARK,Ki Seok Lee,Keun Nam KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-15.

Magnetic memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20180358104A1. Автор: Masaki Kado,Susumu Hashimoto,Shiho Nakamura,Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Nobuyuki UMETSU,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-12-13.

Magnetic memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US10453545B2. Автор: Masaki Kado,Susumu Hashimoto,Shiho Nakamura,Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Nobuyuki UMETSU,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-10-22.

Semiconductor memory device and method for operating the same

Номер патента: US20150170761A1. Автор: Chun-Seok Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-18.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170077398A1. Автор: Yusuke ARAYASHIKI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Semiconductor memory device and method for operating the same

Номер патента: US20160042805A1. Автор: Ga-Ram Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-02-11.

Magnetic memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210098686A1. Автор: Ung Hwan Pi,Dongkyu LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-01.

Memory device and method for forming the same

Номер патента: US20230060167A1. Автор: Yih Wang,Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Memory device and method for forming the same

Номер патента: US11856768B2. Автор: Shih-Hao Lin,Chia-En HUANG,Hsin-Wen Su,Lien-Jung Hung,Ping-Wei Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Memory device and method for forming the same

Номер патента: US20220102366A1. Автор: Chia-En HUANG,Hsin-Wen Su,Yu-Kuan Lin,Lien-Jung Hung,Ping-Wei Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-31.

Memory device and method for forming the same

Номер патента: US20230345713A1. Автор: Chia-En HUANG,Hsin-Wen Su,Yu-Kuan Lin,Lien-Jung Hung,Ping-Wei Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Memory device and method for forming the same

Номер патента: US11737260B2. Автор: Chia-En HUANG,Hsin-Wen Su,Yu-Kuan Lin,Lien-Jung Hung,Ping-Wei Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Nonvolatile memory device and method for operating the same

Номер патента: US8677053B2. Автор: Ji-Hyae Bae,Kyoung-Wook Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2014-03-18.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230371243A1. Автор: Seok Han PARK,Ki Seok Lee,Keun Nam KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-16.

Receiver circuit, memory device and operation method using the same

Номер патента: US11830535B2. Автор: Chi-Sing Lo. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US11832436B2. Автор: Seung Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor memory device and method for operating the same

Номер патента: US20060239060A1. Автор: Yasuhiro Shimada. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-26.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230328963A1. Автор: Sung Gil Kim,Ji Hun NOH,Beom Seo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-12.

Vertical 3D memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11818902B2. Автор: Corrado Villa,Paolo Tessariol,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Semiconductor memory device and method for operating the same

Номер патента: US20190051359A1. Автор: Min Kyu Park,Deung Kak YOO,Soo Jin Wi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-02-14.

Semiconductor memory devices and electronic systems including the same

Номер патента: US20240130127A1. Автор: Jung Ho Lee,Geun Won Lim,Ho Jin Kim,Beyong Hyun KOH,Hyun Gun JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20220123006A1. Автор: Sung-Min Hwang,Ji Won Kim,Joon-Sung LIM,Jae Ho AHN,Suk Kang SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-21.

Signal lines in memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20220328396A1. Автор: YU LONG,Jia Sun,Yushi Hu,Ke Ma,Meilan GUO. Владелец: Wuxi Petabyte Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-13.

Semiconductor memory device and method for operating the same

Номер патента: US20130148449A1. Автор: Sung-Ho Kim,Kwi-Dong Kim,Mun-Phil Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-06-13.

Memory devices and methods for operating the same

Номер патента: US20230389303A1. Автор: Hsiang-Wei Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240057325A1. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Shiqi HUANG,Yanhong Wang,Yaqin LIU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Magnetic memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240074327A1. Автор: Yuichi Ito,Taichi IGARASHI,Eiji Kitagawa,Masayoshi IWAYAMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Resistive memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20190287611A1. Автор: Feng-Min Lee,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-19.

Memory device and method for forming the same

Номер патента: US20240105258A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Non-volatile memory device and method for operating the same

Номер патента: US8456925B2. Автор: Jung-Hwan Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-06-04.

Semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20240064974A1. Автор: Sung-Min Hwang,Ji Won Kim,Joon-Sung LIM,Jae Ho AHN,Suk Kang SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-22.

Magnetic memory devices and methods for initializing the same

Номер патента: US20230165158A1. Автор: Ung Hwan Pi,See-Hun Yang,Stuart Papworth Parkin,Jiho Yoon. Владелец: Max Planck Gesellschaft zur Foerderung der Wissenschaften eV. Дата публикации: 2023-05-25.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US11996152B2. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG,Yanhong Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

A memory device and methods for operating the same

Номер патента: WO2006091108A1. Автор: Göran Gustafsson,Per-Erik Nordal,Hans Gude Gudesen,Peter Dyreklev,Isak Engquist. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2006-08-31.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240021247A1. Автор: Xin Zhang,Chuan Yang,Qian Gao,Yujun Huang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor memory device and method for forming the same

Номер патента: US20200365604A1. Автор: Chung-Te Lin,Sheng-Chih Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160078931A1. Автор: Kiyohito Nishihara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Semiconductor memory device and method for controlling the same

Номер патента: US20230377622A1. Автор: Kaoru Mori. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor memory device and method for operating the same

Номер патента: US9514840B2. Автор: Ga-Ram Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Receiver circuit, memory device and operation method using the same

Номер патента: US20230109655A1. Автор: Chi-Sing Lo. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-04-06.

Magnetic memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12010925B2. Автор: Ung Hwan Pi,Dongkyu LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-11.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220238536A1. Автор: Takashi Ohashi,Shohei KAMISAKA,Yosuke Nosho,Takashi Hirotani. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2022-07-28.

Semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US11844211B2. Автор: Sung-Min Hwang,Ji Won Kim,Joon-Sung LIM,Jae Ho AHN,Suk Kang SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-12.

Memory device and method for forming the same

Номер патента: US20220102368A1. Автор: Shih-Hao Lin,Chia-En HUANG,Hsin-Wen Su,Lien-Jung Hung,Ping-Wei Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-31.

Memory device and method for forming the same

Номер патента: US20220293616A1. Автор: Shih-Hao Lin,Chia-En HUANG,Hsin-Wen Su,Lien-Jung Hung,Ping-Wei Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

Stacked type semiconductor memory device and method for reading the same

Номер патента: US10650900B2. Автор: Tatsuya Kato,Fumitaka Arai,Yusuke Shimada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-05-12.

Semiconductor memory device and method for operating the same

Номер патента: US20110158024A1. Автор: Jong-Chern Lee,Dae-Suk Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-06-30.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210202488A1. Автор: Kangsik CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230371234A1. Автор: Katherine H. Chiang,Cha-Yu LING. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Nitride trapping memory device and method for reading the same

Номер патента: US20080084759A1. Автор: Hsien-Wen Hsu,Jian-Yuan Shen,Chi-Ling Chu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-10.

Semiconductor memory device and method for controlling the same

Номер патента: US20110141823A1. Автор: Teruo Takagiwa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-16.

Semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20240215242A1. Автор: Gil Sung Lee,Suk Kang SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US12016176B2. Автор: Hyeon-Woo Jang,Soo Ho SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-18.

Non-volatile memory device and method for operating the same

Номер патента: US20110292744A1. Автор: Jung-Hwan Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-12-01.

Magnetic memory device and driving method for the same

Номер патента: US20150078070A1. Автор: Shiho Nakamura,Tetsufumi Tanamoto,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-19.

Methods of reducing program disturb by array source coupling in 3D NAND memory devices

Номер патента: US11769559B2. Автор: Chunyuan HOU,Weijun Wan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor memory device, memory system having the same, and method of operating the same

Номер патента: US09490015B2. Автор: Jum Soo Kim,Jung Ryul Ahn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Memory system and operating method of the memory system

Номер патента: US12073896B2. Автор: Moon Sik SEO,Gil Bok CHOI,Dae Hwan YUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Memory device testing, and associated methods, devices, and systems

Номер патента: US11456049B2. Автор: Jason M. Johnson,Dennis G. Montierth. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-27.

Memory device testing, and associated methods, devices, and systems

Номер патента: US20220005541A1. Автор: Jason M. Johnson,Dennis G. Montierth. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-06.

System and method for reducing pin-count of memory devices, and memory device testers for same

Номер патента: US20130229878A1. Автор: Benjamin S. Louie,Scott N. Gatzemeier,Adam D. Johnson,Wallace E. Fister. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-09-05.

Semiconductor memory device, memory system including the same, and operating method thereof

Номер патента: US9384846B1. Автор: Keon Soo Shim,Bong Yeol PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-05.

Multibit memory device and method of operating the same

Номер патента: US12033703B2. Автор: OREN Shlomo,Amichai GIVANT,Yair Sofer. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-09.

Multibit memory device and method of operating the same

Номер патента: WO2023059772A1. Автор: OREN Shlomo,Amichai GIVANT,Yair Sofer. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2023-04-13.

Unit array of a memory device, memory device, and memory system including the same

Номер патента: US09892773B2. Автор: Artur ANTONYAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Technologies for clearing a page of memory

Номер патента: US09881659B2. Автор: Tomishima Shigeki,Kuljit S. Bains,Tomer Levy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Output circuit, semiconductor memory device having the same, and method of expanding a valid output data window

Номер патента: US20070121397A1. Автор: Woo-Jin Lee,Seong-Jin Jang,Hyun-Dong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-31.

High performance semiconductor memory devices

Номер патента: US20030202405A1. Автор: Jeng-Jye Shau. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-30.

Partial good integrated circuit and method of testing same

Номер патента: US20080010571A1. Автор: Michael Ouellette,Pamela Gillis,Benjamin LYNCH,Carl Barnhart,Leonard Farnsworth,Michael Felske,Thomas St. Pierre,Tad Wilder. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-01-10.

Performing block-level media management operations for block stripes in a memory device

Номер патента: US12062401B2. Автор: Yang Liu,Wei Wang,Charles See Yeung Kwong,Seungjune Jeon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Method of measurement humidity of bulk materials and device for its implementation

Номер патента: RU2685579C1. Автор: Марат Габдулгазизович Бикмуллин,Владимир Александрович Дмитриев. Владелец: Владимир Александрович Дмитриев. Дата публикации: 2019-04-22.

Plasma display panel and method of driving the same

Номер патента: US6984936B2. Автор: Shin-Tai Lo,Yu-Ting Chien. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2006-01-10.

Semiconductor memory device, memory system including the same and operating method thereof

Номер патента: US20150155041A1. Автор: Min Kyu Lee,Chi Wook An. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-04.

A method of determining a gps position fix and a gps receiver for the same

Номер патента: EP1623247A1. Автор: Amites c/o Philips Intellectual Property SARKAR,Andrew T. c/o Philips Intellectual YULE. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-02-08.

A method of determining a gps position fix and a gps receiver for the same

Номер патента: EP1623247B1. Автор: Amites c/o Philips Intellectual Property SARKAR,Andrew T. c/o Philips Intellectual YULE. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-12-10.

Method of preventing flow pattern in wet-type color image forming apparatus and system adopting the same

Номер патента: US20030156857A1. Автор: Wan-Ha Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-08-21.

METHODS OF OPERATING FERROELECTRIC (Fe) FET BASED NON-VOLATILE MEMORY CIRCUITS AND RELATED CONTROL CIRCUITS

Номер патента: US20230189530A1. Автор: Zheng Wang,Shimeng Yu,Asif Khan,Winston Chern,Yuan-Chun Luo,Nujhat Tasneem. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Dynamic program window determination in a memory device

Номер патента: US09455043B2. Автор: Giovanni Santin,Violante Moschiano,William H. Radke,Tommaso Vali,Massimo Rossini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Memory system and operating method of the memory system

Номер патента: US20230307073A1. Автор: Moon Sik SEO,Gil Bok CHOI,Dae Hwan YUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Mlc programming techniques in a memory device

Номер патента: US20230290419A1. Автор: Xiang Yang,Takayuki Inoue,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-09-14.

Method of isolating ions

Номер патента: WO2015071647A3. Автор: Jason Lee Wildgoose,John Brian Hoyes,Steven Derek Pringle,Farnoush Salarzaei. Владелец: MICROMASS UK LIMITED. Дата публикации: 2015-11-19.

Layout method of redundancy fuse block array for reducing test time and memory device employing the same

Номер патента: KR100744124B1. Автор: 김성훈,이유림. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-08-01.

Method of generating a pattern on a photomask using a plurality of beams and pattern generator for performing the same

Номер патента: US09989860B2. Автор: Sang-Hee Lee,Il-yong Jang,Hyun-Seok Uhm. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

MEMORY DEVICE, SYSTEM-ON-CHIP INCLUDING THE SAME, AND OPERATION METHOD OF MEMORY DEVICE

Номер патента: JP7174596B2. Автор: 仁學李,尚葉白,在承崔. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-11-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20050237839A1. Автор: Masashi Horiguchi,Yasushi Kawase,Hideharu Yahata,Yoshikazu Saitoh. Владелец: Hitachi Device Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2005-10-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20030031073A1. Автор: Masashi Horiguchi,Yasushi Kawase,Hideharu Yahata,Yoshikazu Saitoh. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-02-13.

Method of compensating for non-uniformity of luminance of a display panel and display device employing the same

Номер патента: KR102417070B1. Автор: 김형진,유현석,한우석. Владелец: 삼성디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2022-07-06.

Three-dimensional semiconductor memory device, operating method of the same and electronic system including the same

Номер патента: US11882705B2. Автор: Yun Heub Song,Jae Kyeong Jeong,Chang Hwan Choi,Sun Jun CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-23.

Three-dimensional semiconductor memory device, operating method of the same and electronic system including the same

Номер патента: US20210384221A1. Автор: Yun Heub Song,Jae Kyeong Jeong,Chang Hwan Choi,Sun Jun CHOI. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2021-12-09.

Memory cell and semiconductor memory device with the same

Номер патента: US20240284655A1. Автор: Seung Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Method of making hydrophobic coated article, coated article including hydrophobic coatings, and/or sol compositions for use in the same

Номер патента: US09994481B2. Автор: Liang Liang. Владелец: Guardian Glass LLC. Дата публикации: 2018-06-12.

Storage controller determining error count, method of operating the same, and method of operating storage device including the same

Номер патента: US11817170B2. Автор: Heewon Lee,Youngdeok SEO,Hyunkyo Oh,Woohyun Kang,Donghoo LIM,Hyuna Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-14.

Performing block-level media management operations for block stripes in a memory device

Номер патента: US20240062839A1. Автор: Yang Liu,Wei Wang,Charles See Yeung Kwong,Seungjune Jeon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Data input/output (i/o) apparatus for use in a memory device

Номер патента: US20070091693A1. Автор: Seung Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-04-26.

Data input/output (I/O) apparatus for use in memory device

Номер патента: US20050226058A1. Автор: Seung Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-10-13.

Semiconductor memory device with address signal transition detection

Номер патента: US5831930A. Автор: Yasuhiro Hotta. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1998-11-03.

Memory device and method thereof

Номер патента: WO2011062680A3. Автор: Ravindraraj Ramaraju,Ravi Gupta,David R. Bearden. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2011-07-14.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: EP1750272A3. Автор: Syusuke Iwata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-23.

Semiconductor devices, memory devices, and methods for forming the same

Номер патента: WO2023130203A1. Автор: LIANG Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor devices, memory devices, and methods for forming the same

Номер патента: EP4437810A1. Автор: LIANG Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Magnetic memory device having cobalt-iron-beryllium magnetic layers

Номер патента: US09825217B1. Автор: Woojin Kim,Jaewoo JEONG,Keewon Kim,Mahesh Govind Samant,S. P. Stuart Parkin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Switching device of memory device and method for forming the same

Номер патента: KR101035181B1. Автор: 박해찬. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-05-17.

Three-dimensional memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230309306A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Shi-Wei He,Yun-Fan CHOU,Guoguo Kong,Meng Qi ZHUANG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Phase change memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20100059731A1. Автор: Heon Yong Chang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-03-11.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US6489644B1. Автор: Jeong Min Seon. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-03.

Three-dimensional semiconductor memory device, an electronic system including the same, and method of fabricating the same

Номер патента: US20240373632A1. Автор: Junhee LIM,Sungsu Moon,Sea Hoon Lee,Kang Lib KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor memory device and method for making the same

Номер патента: US20220384470A1. Автор: Chung-Te Lin,Sheng-Chih Lai,Yu-Wei Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Method of selecting modulation and coding scheme (mcs) index in a wireless communcation system and apparatus for implementing the same

Номер патента: EP2127178A2. Автор: Jae Hoon Chung,Doo Hyun Sung,Sung Ho Moon,Jin Soo Choi,Hyung Ho Park,Min Seok Oh. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2009-12-02.

Non-volatile semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US20020000603A1. Автор: Kiyohiko Sakakibara,Hirotada Kuriyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-01-03.

Semiconductor memory device and method for making the same

Номер патента: US12096624B2. Автор: Chung-Te Lin,Sheng-Chih Lai,Yu-Wei Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240215235A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240215234A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Memory device and electronic apparatus including the same

Номер патента: US09716129B1. Автор: Gwan-Hyeob Koh,Dae-Hwan Kang,Kyu-Rie SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-25.

Memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240206181A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US7679958B2. Автор: Byong-Kook Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-03-16.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20080158944A1. Автор: Byong-Kook Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-07-03.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US20220028833A1. Автор: Hidekazu Hayashi,Takuro Okubo. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-01-27.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US11444061B2. Автор: Hidekazu Hayashi,Takuro Okubo. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-13.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09685451B2. Автор: Nam-Jae Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Nonvolatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09653562B2. Автор: Jin-Ho Kim,Sung-Lae OH,Chang-Man SON,Go-Hyun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Memory device and microelectronic package having the same

Номер патента: US20200212027A1. Автор: Lin Ma,Alessandro Minzoni,Wenliang Chen. Владелец: AP Memory Technology Corp. Дата публикации: 2020-07-02.

Methods of forming microelectronic devices with nitrogen-rich insulative structures, and related memory devices and electronic systems

Номер патента: US20240215246A1. Автор: Kadir Abdul,Swapnil A. Lengade,Jeremy Adams,Naiming Liu,Jeslin J. Wu,Carlo Mendoza OROFEO. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Method of controlling zero point of signal output value from stop lamp switch and stop lamp switch using the same

Номер патента: WO2015012450A1. Автор: Sung Tae Kim,Seong Il Jeon,Jeong Seop Byun,Suk Bin Yun. Владелец: Truwin Co.,Ltd. Дата публикации: 2015-01-29.

Method of fabricating non-volatile memory integrated circuit device and non-volatile memory integrated circuit device fabricated using the same

Номер патента: US20090159952A1. Автор: Bo-Un Yoon,Chang-ki Hong,Jun-Yong Kim,Byoung-Ho Kwon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-25.

Method of Fabricating Non-Volatile Memory Integrated Circuit Device and Non-Volatile Memory Integrated Circuit Device Fabricated Using the Same

Номер патента: US20080017915A1. Автор: Bo-Un Yoon,Chang-ki Hong,Jun-Yong Kim,Byoung-Ho Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-24.

Method of fabricating oxide thin film device using laser lift-off and oxide thin film device fabricated by the same

Номер патента: US8828845B2. Автор: Jin Sang Kim,Ji Won Choi,Hyun Cheol Song,Chong Yun Kang,Seung Hyub BAEK,Seok Jin Yoon,Young Ho Do. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2014-09-09.

A method of operating a switch or access node in a network and a processing apparatus configured to implement the same

Номер патента: WO2014037028A1. Автор: Luca Risso,Davide Grillo,Fabio Poggi,Daniele SCALI,Adolfo TURCHETTI. Владелец: TELEFONAKTIEBOLAGET L M ERICSSON (PUBL). Дата публикации: 2014-03-13.

Method of manufacturing lithium nickel complex oxide, lithium nickel complex oxide manufactured thereby, and cathode active material including the same

Номер патента: US09991514B2. Автор: Wang Mo JUNG,Sung Bin Park,Ji Hye Kim,Byung Chun Park,Sang Seung Oh. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Method of operating a switch or access node in a network and a processing apparatus configured to implement the same

Номер патента: US09680741B2. Автор: Luca Risso,Davide Grillo,Fabio Poggi,Daniele SCALI,Adolfo TURCHETTI. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2017-06-13.

Method of manufacturing semiconductor package substrate with limited use of film resist and semiconductor package substrate manufactured using the same

Номер патента: US09460986B2. Автор: Sung Il Kang,In Seob BAE,Min Seok JIN. Владелец: Haesung DS Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Methods of forming a semiconductor device including active patterns on a bonding layer and semiconductor devices formed by the same

Номер патента: US12112952B2. Автор: Sungmin Kim,Daewon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Method of using address book of image forming apparatus on web browser and image forming apparatus for performing the same

Номер патента: US09736323B2. Автор: Hyun-seok Kim. Владелец: S Printing Solution Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Method of repairing, splicing, joining, machining, and stabilizing honeycomb core using pourable structural foam and a structure incorporating the same

Номер патента: US09597826B2. Автор: Robert Mark Chris,Suvankar Mishra,Carl May. Владелец: BELL HELICOPTER TEXTRON INC. Дата публикации: 2017-03-21.

Three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US20230413570A1. Автор: WEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Hybrid memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20060065917A1. Автор: Kinya Ashikaga,Yoko Kajita,Ichiro Koiwa,Takao Kanehara,Kazuhide Abe. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-03-30.

A method of producing a processed kava product having an altered kavalactone distribution and processed kava products produced using the same

Номер патента: WO2003028662A3. Автор: Brian Pierce,William Birdsall,Robert T Gow,John A Pierce. Владелец: John A Pierce. Дата публикации: 2003-08-07.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20100032747A1. Автор: Takayuki Okamura,Keiko ARIYOSHI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-02-11.

Non-volatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090325351A1. Автор: Junya Maneki,Toshiyuki Orita. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-31.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240098989A1. Автор: Zongliang Huo,Wenbin Zhou,Zhaohui Tang,Zhengliang Xia. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240074156A1. Автор: WEI Liu,Zichen LIU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Non-volatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070126047A1. Автор: Junya Maneki,Toshiyuki Orita. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-07.

Non-volatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US7608887B2. Автор: Junya Maneki,Toshiyuki Orita. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2009-10-27.

Memory device and method for forming the same

Номер патента: US20200365611A1. Автор: Guan-Ru Lee,Chia-Jung Chiu,Min-Feng Hung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: EP4205175A1. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Shiqi HUANG,Yanhong Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-05.

Ferroelectric memory device and method for forming the same

Номер патента: US20240206191A1. Автор: Zhenyu Lu,Jianhua Sun,Yushi Hu,Meilan GUO. Владелец: Wuxi Smart Memories Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Ferroelectric memory device and method for forming the same

Номер патента: US20240215257A1. Автор: Zhenyu Lu,Yushi Hu,Meilan GUO. Владелец: Wuxi Smart Memories Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Method of receiving message in communication system using relay process being limited to wireless interface and apparatus of the same

Номер патента: US20110194484A1. Автор: Sung Jun Park,Sung Hoon Jung,Sung Duck Chun,Seung June Yi,Young Dae Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2011-08-11.

Vertical channel-type 3D semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09437609B2. Автор: Ming Liu,Zongliang Huo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2016-09-06.

Memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240049455A1. Автор: He Chen,WEI Liu,Mingliang Xu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210104439A1. Автор: Wen-Jer Tsai,Cheng-Hsien Cheng,Shaw-Hung Ku. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-08.

Memory device and method for forming the same

Номер патента: US20230380174A1. Автор: Hong-Ji Lee,Shih-Chin Lee,Li-Wei Wang,Fu-Xing ZHOU. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Dynamic random access memory device and method for forming the same

Номер патента: US20240224493A1. Автор: Wen-Yueh Chang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240334690A1. Автор: Kun Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of making self-assembling floating gate electrodes for a three-dimensional memory device

Номер патента: US09806089B2. Автор: Yanli Zhang,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Somesh Peri. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-10-31.

Nonvolatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170069731A1. Автор: Jin-Ho Kim,Sung-Lae OH,Chang-Man SON,Go-Hyun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-09.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190319034A1. Автор: Meng-Chang Chan,Tzu-Ming Ou Yang,Shu-Ming LEE. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2019-10-17.

Staircase structure in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: EP4401116A2. Автор: Zhiliang Xia,Di Wang,Zhong Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: EP4369882A1. Автор: Jiwon Kim,Jiyoung Kim,Dohyung Kim,Sukkang SUNG,Woosung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-15.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US12048148B2. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US9136394B2. Автор: Young-Jin Lee,Min-Soo Kim,Sung-Jin Whang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-09-15.

Resistive memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140061571A1. Автор: Hyo Seob Yoon,Han Woo Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-03-06.

Resistive memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US8916949B2. Автор: Hyo Seob Yoon,Han Woo Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-12-23.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US12080791B2. Автор: Ki Seok Lee,Min Hee Cho,Min Su Lee,Sang Hoon Uhm,Min Tae RYU,Won Sok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20230247836A1. Автор: Hyung Joon Kim,Kyungwook Park,Sangmin Kang,Bio Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-03.

Semiconductor memory device and method for forming the same

Номер патента: US20230164974A1. Автор: PENG Guo,Yuanbao WANG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Staircase structure in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: EP4401116A3. Автор: Zhiliang Xia,Di Wang,Zhong Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-04.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US6777285B2. Автор: Kent Kuohua Chang,Weng-Hsing Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-17.

Non-volatile semiconductor memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20020145155A1. Автор: Kenji Yamada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-10-10.

[memory device and method for fabricating the same]

Номер патента: US20040110344A1. Автор: Kent Kuohua Chang,Weng-Hsing Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-10.

Memory device and electronic apparatus including the same

Номер патента: US20230012513A1. Автор: Wonjun JANG,Jiyeon Ku,Hyowon KIM,Heeyoon Noh. Владелец: Industry Academic Cooperation Foudation Yonsei University. Дата публикации: 2023-01-19.

Magnetic memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240284802A1. Автор: Jun Ho Jeong,Hee Ju SHIN,Se Chung Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20210320124A1. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-14.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240371994A1. Автор: Ki Seok Lee,Min Hee Cho,Min Su Lee,Sang Hoon Uhm,Min Tae RYU,Won Sok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240365565A1. Автор: Erh-Kun Lai,Feng-Min Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Three-dimensional semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09899411B2. Автор: Phil Ouk NAM,Woong Lee,Woosung Lee,Junkyu Yang,JinGyun Kim,Daehong Eom,Dongchul Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Non-volatile memory device and methods for fabricating the same

Номер патента: US09812641B2. Автор: Hsiu-Han Liao,Ting-Ying SHEN. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Resistive random access memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09728720B2. Автор: Chia Hua Ho,Wen-Yueh Jang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US12127408B2. Автор: Young-jin JUNG,Bong Tae PARK,Ho Jun SEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US12148714B2. Автор: Di Wang,Wenxi Zhou,Wei Xie,Tingting Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-19.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20230262980A1. Автор: Jaechul Lee,Byung-Sun Park,Dae-Hun Choi,Seungjae Sim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-17.

Two-terminal memory device, a method for manufacturing the same, and a semiconductor device including a two-terminal memory device

Номер патента: US12022661B2. Автор: Sang-Hyeok Yang,Jong-Seok Lee,Ui-Yeon Won. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Memory device and method for forming the same

Номер патента: US9401368B2. Автор: Yun Yang,ZHONGSHAN Hong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-07-26.

Semiconductor structures and memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: WO2024137721A3. Автор: Peiching Ling,Liang-Gi Yao,Nanray Wu. Владелец: Peiching Ling. Дата публикации: 2024-08-02.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240284810A1. Автор: Haider Abbas,Diing Shenp Ang. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-08-22.

Resistive random access memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11744164B2. Автор: Takahiro Nonaka,Takayuki Ishikawa,Yusuke ARAYASHIKI,Tomohito KAWASHIMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US10593676B2. Автор: Tzu-Ming Ou Yang,Shu-Ming LEE. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-03-17.

Dielectric structure in nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20100181611A1. Автор: Kwon Hong,Kwan-Yong Lim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-07-22.

Semiconductor structures and memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: WO2024137722A3. Автор: Peiching Ling,Liang-Gi Yao,Nanray Wu. Владелец: Peiching Ling. Дата публикации: 2024-08-02.

Semiconductor structures and memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: WO2024137722A2. Автор: Peiching Ling,Liang-Gi Yao,Nanray Wu. Владелец: Peiching Ling. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor structures and memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: WO2024137721A2. Автор: Peiching Ling,Liang-Gi Yao,Nanray Wu. Владелец: Peiching Ling. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240306370A1. Автор: Jang Eun Lee,Byoung Hoon Lee,Sungnam LYU,Hyo Jung Noh,Eul Ji JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20240312908A1. Автор: Seokcheon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: EP4432805A1. Автор: Seokcheon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-18.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09735170B2. Автор: Kihyun Kim,Siyoung Choi,Hansoo Kim,Myoungbum Lee,JinGyun Kim,Soodoo Chae,HuiChang Moon,Hoosung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-15.

Vertical channel-type 3D semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09613981B2. Автор: Ming Liu,Zongliang Huo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-04-04.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09570393B2. Автор: Kwang-Seok Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Flash memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080067579A1. Автор: Joo-Hyeon LEE. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-03-20.

Semi-floating gate memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US12040413B2. Автор: Heng Liu,Zhigang Yang,Jianghua LENG,Tianpeng Guan. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Non-volatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220165884A1. Автор: Bo-An Tsai,Shiangshiou Yen. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20020033495A1. Автор: Jeong-Seok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-03-21.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20020089037A1. Автор: Jeong-Seok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-07-11.

Multi-deck three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: EP3867954A1. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-25.

Multi-stack three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: EP3867952A1. Автор: Lihong Xiao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-25.

Multi-deck three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US10600763B1. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-24.

Pillar-shaped semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US10199381B2. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2019-02-05.

Multi-deck three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20200194403A1. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-18.

Three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US12082407B2. Автор: WEI Liu,Zhiliang Xia,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230123764A1. Автор: Zhiqiang Wu,Yuan Hao Chang,Nuo XU,Po-Sheng LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

A stacked thin-film-transistor non-volatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: EP1912255A3. Автор: Erh-Kun Lai,Hang-Ting Lue,Kuang-Yeu Hsieh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2010-08-11.

Three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US20230005864A1. Автор: WEI Liu,Zhiliang Xia,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-05.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09508739B2. Автор: Naoki Yasuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240381783A1. Автор: Zhiqiang Wu,Yuan Hao Chang,Nuo XU,Po-Sheng LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Flash memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20030052359A1. Автор: Sung Shin,Jae Eom. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-03-20.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200119092A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Chern-Yow Hsu,Sheng-Haung Haung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Magnetic Memory Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20080157239A1. Автор: Song Hee Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-07-03.

Three-dimensional flash memory device and method for forming the same

Номер патента: US20240251550A1. Автор: Frederick Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US20210066333A1. Автор: Zhiliang Xia,Fandong LIU,Wenyu HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Flash memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11289612B2. Автор: Lu-Ping chiang,Cheng-Ta Yang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-03-29.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20020039823A1. Автор: Seiki Ogura,Masataka Kusumi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-04-04.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20090014778A1. Автор: Keita Takahashi,Koichi Kawashima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-15.

Resistive memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230337556A1. Автор: Chuan-Fu Wang,Shu-Hung Yu,Chun-hung Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12089410B2. Автор: Masaki Tsuji,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Yoshiaki Fukuzumi,Shinya Arai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US7791121B2. Автор: Keita Takahashi,Koichi Kawashima. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-09-07.

Non-volatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12127403B2. Автор: Chun-Hao Chen,Wei-Kuang Chung. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240365532A1. Автор: Ji Ho Park,Tae Jin Park,Ki Seok Lee,Jun Soo Kim,Ho Sang LEE,Myeong-Dong LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Self-aligned contacts in three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US12074105B2. Автор: Juan Tang,Hongbin Zhu,Zi Qun HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Non-volatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210265474A1. Автор: Chi-Cheng Huang,Chih-Hao Pan,Po-Hsuan CHEN,Kuo-Lung Li,Szu-Ping Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-08-26.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09812458B2. Автор: Daisuke Matsubayashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Magnetic memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09711716B2. Автор: KyungTae Nam,Gwanhyeob Koh,Yoonjong Song,Kiseok Suh,Myoungsu SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09583536B2. Автор: Erh-Kun Lai,Yu-Hsuan Lin,Chao-I Wu,Dai-Ying LEE. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09520407B2. Автор: Masaki Tsuji,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Yoshiaki Fukuzumi,Shinya Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09425107B2. Автор: Daisuke Matsubayashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

V-grooved vertical channel-type 3d semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20180182851A1. Автор: Jan Van Houdt. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2018-06-28.

Phase-change memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20140120685A1. Автор: Seong Hoon JEONG,Ho-kyun An,Yoongoo Kang,Kongsoo Lee,JaeJong Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-01.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240064952A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi-Ning Ju,Guan-Lin Chen,Bo-Rong Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US12033957B2. Автор: Di Wang,Zhong Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Local contacts of three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US12022656B2. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Jianzhong Wu,Wenxi Zhou,Tingting Zhao,Zhongwang SUN,Rui Su. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Three dimensional memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20190067315A1. Автор: Yu-Wei Jiang,Jia-Rong Chiou. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20240224535A1. Автор: Juhyung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Non-volatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200144281A1. Автор: Geun Won Lim,Seok Cheon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-07.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20060244025A1. Автор: Tomomi Yamanobe. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-11-02.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20110220986A1. Автор: Kuan-Fu Chen,Yu-Fong Huang,Miao-Chih Hsu,Shang-Wei Lin,I-Shen Tsai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-15.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170271366A1. Автор: Gaku Sudo,Yumiko Miyano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090194807A1. Автор: Hiroki Yamashita,Hiroshi Akahori,Wakako Takeuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-08-06.

Memory device and semiconductor package including the same

Номер патента: US20240234373A9. Автор: Seungduk Baek,Aenee JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor memory device and driving method for the same

Номер патента: US7948800B2. Автор: Keita Takahashi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-05-24.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240114674A1. Автор: Chang Sik Kim,Jae Won Na,Jun Hwa Song,Ji Hee Jun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-04.

Semiconductor memory device and method for forming the same

Номер патента: US20240244821A1. Автор: Xiaobing Chen,Yu-Hsien Li,Daochu Wu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20240098996A1. Автор: Sunggil Kim,Siyeong YANG,Yuyeon Kim,Jumi Bak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20240114704A1. Автор: Jiyoung Kim,Sukkang SUNG,Woosung YANG,Joonyoung KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-04.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20240090228A1. Автор: Jeehoon HAN,Hoyoung CHOI,Sanghun Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-14.

Phase change memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12048258B2. Автор: Kuo-Chyuan Tzeng,Yuan-Tai Tseng,Chang-Chih Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20220059615A1. Автор: Jae Ho Jung,Jong Uk Kim,Kwang Min Park,Zhe Wu,Ja Bin LEE,Dong Sung CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-24.

Semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20230189524A1. Автор: Junghwan Park,Joon Sung Kim,Sun Young Lee,Min Gu Kang,Seorim MOON,Seok Cheon Baek,Cheol RYOU,Sang Don ZOO,Cheol-Min LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210217759A1. Автор: Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

Vertical non-volatile memory device and electronic apparatus including the same

Номер патента: EP4195294A1. Автор: Jinseong Heo,Minhyun LEE,Taehwan MOON,Hagyoul BAE,Seungyeul YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-14.

Nonvolatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120012803A1. Автор: Shigeto OSHINO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-01-19.

Semiconductor memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20080081413A1. Автор: Jeong-Hyuk Choi,Chang-Sub Lee,Jai-Hyuk Song,Woon-kyung Lee,Dong-Yean Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-03.

Non-volatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20190378852A1. Автор: Geun Won Lim,Seok Cheon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-12-12.

Cell structure of non-volatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20040135191A1. Автор: Tae-jung Lee,Byung-Sun Kim,Joon-Hyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-07-15.

Cell structure of non-volatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US6995421B2. Автор: Tae-jung Lee,Byung-Sun Kim,Joon-Hyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-02-07.

Three dimensional memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210242072A1. Автор: Erh-Kun Lai,Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US9070781B2. Автор: Sung-Kun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-30.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230301117A1. Автор: Erh-Kun Lai,Chih-Hsiang Yang,Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US12069854B2. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG,Yanhong Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US12074128B2. Автор: Moorym CHOI,Yoonjo Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Staircase structure in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US20240274535A1. Автор: Zhiliang Xia,Di Wang,Zhong Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor memory device and driving method for the same

Номер патента: US20090185427A1. Автор: Keita Takahashi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-07-23.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20020179947A1. Автор: Toru Nasu,Yoshihisa Nagano. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-05.

Non-volatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: EP1263037A3. Автор: Toru Nasu,Yoshihisa Nagano. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-07-20.

Memory device and method for forming the same

Номер патента: US20240284653A1. Автор: Hsin-cheng Lin,Chee-Wee Liu,Tao Chou. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2024-08-22.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US12058858B2. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Non-volatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20130105883A1. Автор: Kwon Hong,Ki-hong Lee,Moon-Sig Joo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-05-02.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20060017121A1. Автор: Masatoshi Arai,Keita Takahashi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-01-26.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20230134878A1. Автор: KANAMORI Kohji,Jeehoon HAN,Seung Yoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-04.

Staircase structure in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US20230276620A1. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Wenxi Zhou,Zhongwang SUN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Nonvolatile semiconductor memory device and production method for the same

Номер патента: US20150048436A1. Автор: Masayuki Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170243945A1. Автор: Toshiyuki Iwamoto,Tatsuya Kato,Atsushi Murakoshi,Katsuyuki Sekine,Yuta Watanabe,Fumitaka Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-24.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170271350A1. Автор: Hiroshi NAKAKl,Takashi Maegawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US10186517B2. Автор: Hiroshi Nakaki,Takashi Maegawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-01-22.

Three-dimensional memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210305272A1. Автор: Jin LYU,Kai Jin Huang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20100072525A1. Автор: Yoshinori Kumura,Tohru Ozaki,Yoshiro Shimojo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-03-25.

Phase change memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20110312149A1. Автор: Heon Yong Chang,Myoung Sub KIM,Gap Sok DO. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-12-22.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20110316066A1. Автор: Masayuki Tanaka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-29.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130228844A1. Автор: Satoshi Nagashima,Fumitaka Arai,Hisataka Meguro. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-05.

Non-volatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240304692A1. Автор: Der-Tsyr Fan,Tzung-Wen Cheng,Yu-Ming Cheng,I-Hsin HUANG. Владелец: Iotmemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Nonvolatile memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20240324206A1. Автор: Seungmin Lee,Chadong Yeo,Taemok Gwon,Seulji Lee,Seungbeom KO,Byungik Yoo,Changjin SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20240312902A1. Автор: Donghoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Non-volatile memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20240324218A1. Автор: Seulye KIM,Sunggil Kim,Jehong OH,Moohyun Kim,Younghwan JO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US7518180B2. Автор: Masatoshi Arai,Keita Takahashi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-04-14.

Resistive memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240324474A1. Автор: Yu-Der Chih,Yun-sheng Chen,Chrong-Jung Lin,Ya-Chin King,Jonathan Tsung-Yung Chang,Wen-Zhang Lin,Cheng-Jun LIN,Wang-Yi Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Nonvolatile semiconductor memory device and production method for the same

Номер патента: US20120193699A1. Автор: Masayuki Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-02.

Memory devices, and semiconductor packages including the same

Номер патента: US20240347498A1. Автор: Sangwook Park,Daesik Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170110462A1. Автор: Yoshihiro AKUTSU. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-20.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US12113037B2. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG,Yanhong Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240357795A1. Автор: Sang Jae Park,Tae Jin Park,Ki Seok Lee,Hui-jung Kim,Myeong-Dong LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Phase change memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240349630A1. Автор: Kuo-Chyuan Tzeng,Yuan-Tai Tseng,Chang-Chih Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09985044B2. Автор: Shigeo Kondo,Hiroki TOKUHIRA,Takahisa Kanemura,Michiru Hogyoku. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09966386B2. Автор: Naoki Yamamoto,Hisashi Kato,Hideki Inokuma. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09966381B2. Автор: Tatsuya Kato,Atsushi Murakoshi,Satoshi Nagashima,Katsuyuki Sekine,Yuta Watanabe,Fumitaka Arai,Keisuke Kikutani. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Three-dimensional semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09947683B2. Автор: Yoshiro Shimojo. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09905759B2. Автор: Hiroyuki Ode,Takeshi Takagi,Toshiharu Tanaka,Takeshi Yamaguchi,Masaki Yamato. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Stacked type semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09871051B2. Автор: Shinya Takahashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09859290B1. Автор: BO LIU,Xin Xu,Lanxiang Wang,Hong Liao,Chao Jiang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09853050B2. Автор: Keisuke Kikutani. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09852942B2. Автор: Wataru Sakamoto,Osamu Matsuura,Hideki Inokuma. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09842849B1. Автор: Hiroyuki Yamasaki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09831264B2. Автор: Eun-Seok Choi,Sung-wook Jung,Jung-Seok Oh,Sa-Yong SHIM,In-Hey LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09818753B2. Автор: Yoshihiro AKUTSU. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor memory device and methods for manufacturing the same

Номер патента: US09806092B1. Автор: Yoichi MINEMURA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Pillar-shaped semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US09773801B2. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09754888B2. Автор: Toshiyuki Sasaki,Kazuhito FURUMOTO. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09735167B2. Автор: Tatsuya Kato,Atsushi Murakoshi,Satoshi Nagashima,Katsuyuki Sekine,Yuta Watanabe,Fumitaka Arai,Keisuke Kikutani. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09698150B2. Автор: Hiroshi Nakaki,Takashi Maegawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09679945B2. Автор: Yusuke Kobayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09666596B2. Автор: Tomohiro Takamatsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09659782B2. Автор: Sung-Bin Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09646977B2. Автор: Sung-Kun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09627402B2. Автор: Masayuki Tanaka,Takashi Furuhashi,Kenichiro TORATANI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09583350B2. Автор: Wei-Chen Chen,Sheng-Chih Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09570392B2. Автор: Mutsumi Okajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09543313B2. Автор: Young-Soo Ahn,Jeong-Seob OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Pillar-shaped semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US09536892B2. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09536891B2. Автор: Sung-Kun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09530823B2. Автор: Kensuke Takahashi,Yusuke ARAYASHIKI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09530786B2. Автор: Kuang-Wen Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09530784B1. Автор: Hsiang-Yu Lai,Zu-Sing Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor magnetic memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09502291B2. Автор: Kilho Lee,Shinhee Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-22.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09484353B1. Автор: Erh-Kun Lai,Wei-Chen Chen,Dai-Ying LEE. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09431412B1. Автор: Tatsuya Kato,Atsushi Murakoshi,Satoshi Nagashima,Katsuyuki Sekine,Yuta Watanabe,Fumitaka Arai,Keisuke Kikutani. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Non-volatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09287283B2. Автор: Eun-Seok Choi,Young-Wook Lee,Ki-hong Lee,Won-Joon Choi,Sang-Bum Lee,Se-Yun Lim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-03-15.

Semiconductor memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20190139984A1. Автор: Jongwon Kim,Jin-Yeon WON,Tae-Wan Lim,Woohyun Park,Keejeong Rho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-09.

Semiconductor memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US10700088B2. Автор: Jongwon Kim,Jin-Yeon WON,Tae-Wan Lim,Woohyun Park,Keejeong Rho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-30.

Method Of Preparing Positive Electrode Active Material For Lithium Secondary Battery And Positive Electrode Active Material Prepared By The Same

Номер патента: US20230295007A1. Автор: Jin Hoo Jeong,Myung Gi Jeong,You Kyong Seo,Jong Hyun Shim,Ye Hyeon GU. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20200411545A1. Автор: Qiguang Wang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-31.

Method of uplink synchronization request method in mobile communication system, cdma allocation structure thereof, and pss apparatus using the same

Номер патента: WO2007145419A3. Автор: Jee-Hwan Ahn,Chul-Sik Yoon,Kwang-Jae Lim,Sung-Kyung Kim. Владелец: Sung-Kyung Kim. Дата публикации: 2009-08-20.

Dynamic random access memory device and method for forming the same

Номер патента: US20240224509A1. Автор: Wen-Yueh Chang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Memory device and method for manufacturing the same, and electronic apparatus including the memory device

Номер патента: US11895845B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-02-06.

Method of treatment of water produced by chemical flocculation using anionic surfactant and cationic polyelectrolyte and use of the same

Номер патента: US20230391643A1. Автор: Byron Rosemberg Dos Santos Costa,Luciana KAORI TANABE,Silvio Edegar Weschenfelder,Henrique ALBERTON DE OLIVEIRA,André Camargo De Azevedo,Allan RAMONE DE ARAUJO SCHARNBERG. Владелец: UNIVERSIDADE FEDERAL DO RIO GRANDE DO SUL UFRGS. Дата публикации: 2023-12-07.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20170069762A1. Автор: Ling-Wuu Yang,Jeng-Hwa Liao,Jung-Yu Shieh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-09.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US11812611B2. Автор: Qiguang Wang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Vertical channel-type 3d semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150179661A1. Автор: Ming Liu,Zongliang Huo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2015-06-25.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US11839079B2. Автор: Qiguang Wang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20190027486A1. Автор: Chung-Jen Huang,Yun-Chi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-24.

Variable resistance memory device and electronic device including the same

Номер патента: EP4326029A2. Автор: Jinwoo Lee,Garam Park,Myunghun Woo,Seyun KIM,Sunho Kim,Hyunjae SONG,Dongho Ahn,Yumin KIM,Seungyeul YANG,Jooheon Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-21.

Method of minimizing waviness on a workpiece by a grinding process, computer program and grinding machine for making the same

Номер патента: EP3974106A1. Автор: Giacomo Bianchi,Marco Leonesio,Hossein Safarzadeh. Владелец: Monzesi Srl. Дата публикации: 2022-03-30.

Semiconductor memory device and driving method for the same

Номер патента: US20100213987A1. Автор: Nobuyoshi Takahashi,Keita Takahashi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-08-26.

Method of fabricating non-volatile memory integrated circuit device and non-volatile memory integrated circuit device fabricated using the same

Номер патента: US7535052B2. Автор: Bo-Un Yoon,Chang-ki Hong,Jun-Yong Kim,Byoung-Ho Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-05-19.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US11963350B2. Автор: Sang Hyon KWAK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Variable resistance memory device and electronic device including the same

Номер патента: US20240065001A1. Автор: Jinwoo Lee,Garam Park,Myunghun Woo,Seyun KIM,Sunho Kim,Hyunjae SONG,Dongho Ahn,Yumin KIM,Seungyeul YANG,Jooheon Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-22.

Flash memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20100163954A1. Автор: Sung Kun Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-07-01.

Flash memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20090065847A1. Автор: Yong-Jun Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-12.

Variable resistance memory device and electronic device including the same

Номер патента: EP4326029A3. Автор: Jinwoo Lee,Garam Park,Myunghun Woo,Seyun KIM,Sunho Kim,Hyunjae SONG,Dongho Ahn,Yumin KIM,Seungyeul YANG,Jooheon Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-27.

Method of repairing, splicing, joining, machining, and stabilizing honeycomb core using pourable structural foam and a structure incorporating the same

Номер патента: CA2831103C. Автор: John R. McCullough,Ramesh Thiagarajan,Robert Mark Chris,Suvankar Mishra. Владелец: BELL HELICOPTER TEXTRON INC. Дата публикации: 2016-03-22.

Non-volatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US5712178A. Автор: Jeong-Hyuk Choi,Myoung-kwan Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-01-27.

Method of repairing, splicing, joining, machining, and stabilizing honeycomb core using pourable structural foam and a structure incorporating the same

Номер патента: CA2831097C. Автор: Robert Mark Chris,Suvankar Mishra,Carl May. Владелец: BELL HELICOPTER TEXTRON INC. Дата публикации: 2015-12-22.

Method of repairing, splicing, joining, machining, and stabilizing honeycomb core using pourable structural foam and a structure incorporating the same

Номер патента: CA2831084C. Автор: John R. McCullough,Ramesh Thiagarajan,Robert Mark Chris,Suvankar Mishra. Владелец: BELL HELICOPTER TEXTRON INC. Дата публикации: 2016-03-22.

Memory device and method for forming the same

Номер патента: US10325916B2. Автор: Sheng Fen Chiu,Fansheng Kung. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-06-18.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US11935862B2. Автор: Kun Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210143170A1. Автор: Chih-Wei Hu,Yu-Wei Jiang,Jia-Rong Chiou. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-13.

Ferroelectric random access memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20040013014A1. Автор: Eun-Seok Choi,Seung-Jin Yeom. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-01-22.

Memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20210159235A1. Автор: Chih-Hao Lin,Chia-Wei Wu,Chien-Chih Li,Yi-Tsung TSAI. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-05-27.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20170301690A1. Автор: Kihyun Kim,Siyoung Choi,Hansoo Kim,Myoungbum Lee,JinGyun Kim,Soodoo Chae,HuiChang Moon,Hoosung Cho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-10-19.

Concentric staircase structure in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US11849575B2. Автор: Zhong Zhang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Cuicui Kong. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US9466733B2. Автор: Young-Jin Lee,Min-Soo Kim,Sung-Jin Whang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: EP4285413A1. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-06.

Three-dimensional memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11778823B2. Автор: Hang-Ting Lue,Teng-Hao Yeh,Guan-Ru Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20230413541A1. Автор: Kun Zhang,Wenxi Zhou,Shuangshuang WU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Methods of treating a subject for myalgic encephalomyelitis/chronic fatigue syndrome (me/cfs) and compositions for use in the same

Номер патента: WO2023192362A1. Автор: Bruce K. Patterson. Владелец: IncellDx, Inc.. Дата публикации: 2023-10-05.

Memory device and manufacturing method for the same

Номер патента: US11800704B2. Автор: Shih-Hung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Phase-change memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240074334A1. Автор: Shao-Ming Yu,Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Self-aligned contacts in three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: WO2021007781A1. Автор: Juan Tang,Hongbin Zhu,Zi Qun HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-01-21.

Inter-deck plug in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US20200111807A1. Автор: Yong Zhang,Enbo Wang,Jialan He,Haohao YANG,Qianbin Xu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-09.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US11800708B2. Автор: Yoo Jin Choi,Jung-Hwan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-24.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210343740A1. Автор: Young-jin JUNG,Bong Tae PARK,Ho Jun SEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-04.

Methods of forming a semiconductor device including active patterns on a bonding layer and semiconductor devices formed by the same

Номер патента: US20200388502A1. Автор: Sungmin Kim,Daewon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-10.

Self-aligned contacts in three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20210020566A1. Автор: Juan Tang,Hongbin Zhu,Zi Qun HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

A method of producing a processed kava product having an altered kavalactone distribution and processed kava products produced using the same

Номер патента: WO2003028662A2. Автор: Brian Pierce,William Birdsall,Robert T. Gow,John A. Pierce. Владелец: Herbalscience, Llc. Дата публикации: 2003-04-10.

Method of winding rolls for final use of plastic films, preferably extendable plastic films, and winding plant implementing the same

Номер патента: WO2008038130A3. Автор: Francesco Lombardini. Владелец: Colines SpA. Дата публикации: 2008-07-10.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: EP4282003A1. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-29.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210210505A1. Автор: Yoo Jin Choi,Jung-Hwan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-08.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20240164101A1. Автор: Jiwon Kim,Jiyoung Kim,Dohyung Kim,Sukkang SUNG,Woosung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-16.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20150348990A1. Автор: Young-Jin Lee,Min-Soo Kim,Sung-Jin Whang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-12-03.

Self-aligned contacts in three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20210183765A1. Автор: Juan Tang,Hongbin Zhu,Zi Qun HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Local contacts of three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: EP3963630A1. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Jianzhong Wu,Wenxi Zhou,Tingting Zhao,Zhongwang SUN,Rui Su. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-09.

Local contacts of three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20210225863A1. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Jianzhong Wu,Wenxi Zhou,Tingting Zhao,Zhongwang SUN,Rui Su. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Methods of forming a semiconductor device including active patterns on a bonding layer and semiconductor devices formed by the same

Номер патента: US20220181161A1. Автор: Sungmin Kim,Daewon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-09.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: EP4282004A1. Автор: Kun Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-29.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240206167A1. Автор: SHENG Peng,Jing Gao,Kai Yu,Wenbo Zhang,Lei Xue,Zhaohui Cheng,Zhiyong Lu,Zhangyi LI. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Staircase structure in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: EP4391762A2. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Wenxi Zhou,Zhongwang SUN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20210098484A1. Автор: Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20210098587A1. Автор: Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Memory device and manufacturing method for the same

Номер патента: US20200243555A1. Автор: Teng-Hao Yeh,Chih-Wei Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-30.

Semiconductor memory device and method for forming the same

Номер патента: US12035519B2. Автор: PENG Guo,Yuanbao WANG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Channel structures having protruding portions in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US12035524B2. Автор: Xiaoxin LIU,Lei Xue,Tingting Gao,Wanbo Geng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240206179A1. Автор: LIANG XIAO,Yihuan WANG,Mingkang ZHANG,Yingcheng Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Channel structures having protruding portions in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US11925019B2. Автор: Xiaoxin LIU,Lei Xue,Tingting Gao,Wanbo Geng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20170110365A1. Автор: Kwang-Seok Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-20.

Method of Manufacturing Negative Electrode for Lithium Secondary Battery and Negative Electrode for Lithium Secondary Battery Manufactured Using the Same

Номер патента: US20210288346A1. Автор: Kyoung Ho Ahn,Chul Haeng Lee,Sol Ji PARK,Jun Hyeok Han. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2021-09-16.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11854880B2. Автор: Tao Chen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200111811A1. Автор: Kihyun Kim,Siyoung Choi,Hansoo Kim,Myoungbum Lee,JinGyun Kim,Soodoo Chae,HuiChang Moon,Hoosung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-09.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US9698049B2. Автор: Kwang-Seok Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US11805646B2. Автор: Qian Tao,Zhenyu Lu,Simon Shi-ning Yang,Jun Chen,Yushi Hu,Jifeng Zhu,Steve Weiyi Yang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US11871571B2. Автор: Kihyun Kim,Siyoung Choi,Hansoo Kim,Myoungbum Lee,JinGyun Kim,Soodoo Chae,HuiChang Moon,Hoosung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-09.

Memory device and method for forming the same

Номер патента: US20240164099A1. Автор: Hong-Ji Lee,Tzung-Ting Han,Chang-Wen Jian. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Pillar-shaped semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US20170309632A1. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-10-26.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240164103A1. Автор: Kihyun Kim,Siyoung Choi,Hansoo Kim,Myoungbum Lee,JinGyun Kim,Soodoo Chae,HuiChang Moon,Hoosung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-16.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240155840A1. Автор: Kihyun Kim,Siyoung Choi,Hansoo Kim,Myoungbum Lee,JinGyun Kim,Soodoo Chae,HuiChang Moon,Hoosung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-09.

Staircase structure in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US12002757B2. Автор: Zhiliang Xia,Di Wang,Zhong Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Flash memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US7355243B2. Автор: Sang Woo Nam. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-08.

Flash memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US7501679B2. Автор: Sung Ho Kwak. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-10.

Magnetoresistive memory device and semiconductor device including the same

Номер патента: US20230371392A1. Автор: Yongsung PARK,Sanghwan Park,Hyeonwoo SEO,Yoonyoung LEE,Jeongheon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-16.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230122331A1. Автор: Kohji Kanamori,Sang Youn JO,Jee Hoon HAN,Hyo Joon Ryu,Seo-Goo Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-20.

Contact structures having conductive portions in substrate in three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20210159244A1. Автор: Wei Xu,Pan Huang,Beihan Wang,Wenxiang Xu,Ji XIA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-27.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US11963357B2. Автор: Kohji Kanamori,Sang Youn JO,Jee Hoon HAN,Hyo Joon Ryu,Seo-Goo Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-16.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20220231036A1. Автор: Yen-Chieh Huang,Tsann Lin,Chung-Te Lin,Yu-Ming Lin,Han-Ting Tsai,Ya-Ling Lee,Wei-Gang Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Semi-Floating Gate Memory Device and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20230146733A1. Автор: Heng Liu,Zhigang Yang,Jianghua LENG,Tianpeng Guan. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2023-05-11.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210327895A1. Автор: SUNG Wook Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20060192245A1. Автор: Keisuke Oosawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-31.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20230387056A1. Автор: Moorym CHOI,Jungtae Sung,Yunsun JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230363167A1. Автор: Masaki Tsuji,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Yoshiaki Fukuzumi,Shinya Arai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-09.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20180337191A1. Автор: Erh-Kun Lai,Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-22.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200058654A1. Автор: Noriaki Ikeda,Jiun-Sheng YANG. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-02-20.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11917827B2. Автор: Naoki Yasuda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-27.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US11950419B2. Автор: BIN Yuan,Zongke Xu,Qiangwei Zhang,Xiangning Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240107762A1. Автор: Zhiliang Xia,Di Wang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor memory device and method for forming the same

Номер патента: US20230073903A1. Автор: Min-Teng Chen. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-09.

Nonvolatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130240822A1. Автор: Junichi Wada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-19.

Semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20240121963A1. Автор: Dong Jin Lee,Jun Hee Lim,So Hyun Lee,Kang-Oh Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-11.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20220293627A1. Автор: BIN Yuan,Zongke Xu,Qiangwei Zhang,Xiangning Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2022018476A1. Автор: Fabio Pellizzer,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-01-27.

Nonvolatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240081061A1. Автор: Kwang Min Park,Yu Yeon KIM,Si Yeong YANG,Chae Ho KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-07.

Memory device and electronic system including the same

Номер патента: US11956965B2. Автор: Jaehyung Kim,Giyong Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-09.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20060039175A1. Автор: Yoshinori Odake. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-23.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210296358A1. Автор: Kohji Kanamori,Sang Youn JO,Jee Hoon HAN,Hyo Joon Ryu,Seo-Goo Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-23.

Dual storage node memory devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US20080064165A1. Автор: Sugino Rinji,Unsoon Kim,Timothy Thurgate,Hiroyuki Kinoshita,Ning Cheng,Chi Chang,Jihwan Choi,Angela Hui,Kyunghoon Min. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-03-13.

Semiconductor memory device and method for forming the same

Номер патента: US12004340B2. Автор: Yifei Yan. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160071864A1. Автор: Kotaro Noda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-10.

Self-aligned contacts in three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20230102519A1. Автор: Juan Tang,Hongbin Zhu,Zi Qun HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210202574A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Sheng-Huang Huang,Shih-Chang Liu,Chern-Yow Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20190096907A1. Автор: Erh-Kun Lai,Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US20200273872A1. Автор: Zhiliang Xia,Fandong LIU,Wenyu HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-27.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150372001A1. Автор: Tzu-Hsuan Hsu,Hang-Ting Lue,Wei-Chen Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-24.

Memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240206148A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Flash memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200303556A1. Автор: Lu-Ping chiang,Cheng-Ta Yang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Magnetic memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US7732223B2. Автор: Song Hee Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-08.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: WO2023272578A1. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG,Yanhong Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-01-05.

Semiconductor memory device and process for producing the same

Номер патента: US4500899A. Автор: Kazunari Shirai,Izumi Tanaka. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1985-02-19.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080121979A1. Автор: Yukie Nishikawa,Akira Takashima,Koichi Muraoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-05-29.

Magnetic memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US10897006B2. Автор: Yongjae Kim,Gwanhyeob Koh,Yoonjong Song,Kilho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-19.

Multi-division staircase structure of three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US20210351200A1. Автор: Yuting Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Non-Volatile Memory Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20090121282A1. Автор: Jea-Hee Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-05-14.

Three dimensional memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200203363A1. Автор: Hang-Ting Lue. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-25.

Magnetic memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230345842A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Jiunyu Tsai,Sheng-Huang Huang,Hung-Cho WANG,Keng-Ming Kuo,Yuan-Jen Lee,Jun-Yao CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20070284636A1. Автор: Toyoji Ito,Atsushi Noma. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-12-13.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US11910611B2. Автор: Sung Min Hwang,Woo Sung Yang,Dong Hoon Jang,Joon Sung Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20230292521A1. Автор: Ji Young Kim,Eun-ji Kim,Woo Yong Jeon,Moo Rym CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Non-volatile memory devices and electronic systems including the same

Номер патента: US20240064979A1. Автор: Kyung Hyun KIM,Dong Woo Lee,Jun-youl Yang,Kun-Woo Park,Sang Hyuk HONG,Woo Jun PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-22.

Joint opening structures of three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US11956953B2. Автор: Zhenyu Lu,Feng Pan,GuanPing WU,Wenguang Shi,Xianjin Wan,Baoyou Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20160372480A1. Автор: Hsiang-Yu Lai,Zu-Sing Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-22.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120068354A1. Автор: Hiroyasu Tanaka,Ryota Katsumata,Masaru Kidoh,Megumi Ishiduki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-03-22.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160322302A1. Автор: Mutsumi Okajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-03.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: WO2024060219A1. Автор: Zhiliang Xia,Di Wang,Zhong Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Wei Xie. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170194254A1. Автор: Wataru Sakamoto,Osamu Matsuura,Hideki Inokuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-06.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220231032A1. Автор: Shigeo Kondo,Hiroki TOKUHIRA,Takahisa Kanemura,Michiru Hogyoku. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-07-21.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190341391A1. Автор: Shigeo Kondo,Hiroki TOKUHIRA,Takahisa Kanemura,Michiru Hogyoku. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-11-07.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200185395A1. Автор: Shigeo Kondo,Hiroki TOKUHIRA,Takahisa Kanemura,Michiru Hogyoku. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-06-11.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20180130810A1. Автор: Shigeo Kondo,Hiroki TOKUHIRA,Takahisa Kanemura,Michiru Hogyoku. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-10.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210005616A1. Автор: Shigeo Kondo,Hiroki TOKUHIRA,Takahisa Kanemura,Michiru Hogyoku. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-01-07.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170263614A1. Автор: Shigeo Kondo,Hiroki TOKUHIRA,Takahisa Kanemura,Michiru Hogyoku. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240008278A1. Автор: Shigeo Kondo,Hiroki TOKUHIRA,Takahisa Kanemura,Michiru Hogyoku. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190148631A1. Автор: Chung-Ju Lee,Chih-Wei Lu,Hsi-Wen Tien,Wei-Hao Liao,Pin-Ren Dai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210057432A1. Автор: Yao-Wen Chang,Wen-Jer Tsai,Guan-Wei Wu,Chun-Chang LU. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-25.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150069492A1. Автор: Kotaro Fujii. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140346585A1. Автор: Tsukasa Nakai,Nobuhito KUGE. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-11-27.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170263634A1. Автор: Osamu Matsuura,Masanari Fujita,Hideki Inokuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US11227870B2. Автор: Tae Hun Kim,Doo Hee HWANG,Kwang Young Jung,Jae Ryong SIM,Jee Hoon HAN,Joo-Heon Kang,Gi Yong CHUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-18.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20130134498A1. Автор: Wen-Jer Tsai,Shih-Guei Yan,Cheng-Hsien Cheng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-30.

Vertical memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200098788A1. Автор: Kwang-Seok Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-03-26.

Vertical memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US11877454B2. Автор: Kwang-Seok Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Vertical memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US10998333B2. Автор: Kwang-Seok Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-05-04.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20130264629A1. Автор: Min-Soo Kim,Seung-Ho Pyi,Dong-Sun Sheen,Sung-Jin Whang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-10-10.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20150099337A1. Автор: Min-Soo Kim,Seung-Ho Pyi,Dong-Sun Sheen,Sung-Jin Whang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-04-09.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US8928059B2. Автор: Min-Soo Kim,Seung-Ho Pyi,Dong-Sun Sheen,Sung-Jin Whang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-01-06.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230371228A1. Автор: Feng-Ming Chang,Ping-Wei Wang,Jui-Wen CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11871558B2. Автор: Kwang-Ho Park,Jae Hoon Kim,Yong-Hoon Son,Seungjae Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170077124A1. Автор: Yoshiro Shimojo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20230413531A1. Автор: WEI Liu,Yanhong Wang,Yaqin LIU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240023320A1. Автор: WEI Liu,Yanhong Wang,Yaqin LIU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170352705A1. Автор: Kiyohito Nishihara. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-07.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150048437A1. Автор: Takuo Ohashi,Fumiki AlSO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170077129A1. Автор: Masako KINOSHITA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Three-dimensional semiconductor memory devices and electronic systems including the same

Номер патента: US20230422523A1. Автор: Jiwon Kim,Jiyoung Kim,Dohyung Kim,Sukkang SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same with increased storage capacity

Номер патента: US10833098B2. Автор: Akira Takashima,Yuuichi Kamimuta,Tsunehiro Ino,Ayaka SUKO. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-11-10.

Three-dimensional semiconductor memory devices and electronic systems including the same

Номер патента: EP4301109A1. Автор: Jiwon Kim,Jiyoung Kim,Dohyung Kim,Sukkang SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-03.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US11887951B2. Автор: Jiyoung Kim,Moorym CHOI,Sanghee YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-30.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230363147A1. Автор: Wan Gi Sohn,Kyeong Hwan KANG,Sung Hyun Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230328967A1. Автор: Sung Gil Kim,Ji Hun NOH,Beom Seo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230284439A1. Автор: Chang Woo Seo,Won Seok Yoo,Jeong Eun SONG,Hyun-Chul SHIM,Da In LEE,Su Youn SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-07.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20190139885A1. Автор: Erh-Kun Lai,Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-09.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20180076293A1. Автор: Jun Nishimura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-15.

Non-volatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US8912053B2. Автор: Hyun-Seung Yoo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-12-16.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160079266A1. Автор: Masao Iwase,Tadashi Iguchi,Nozomi Kido. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120313065A1. Автор: Takayuki Okamura,Jun Nishimura,Nobuaki Yasutake. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-12-13.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US11882688B2. Автор: Jung-Hoon Han,Je Min PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-23.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11751399B2. Автор: Shigeo Kondo,Hiroki TOKUHIRA,Takahisa Kanemura,Michiru Hogyoku. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240098994A1. Автор: Lei Li,Zhiliang Xia,Kun Zhang,Linchun Wu,Zongliang Huo,Shuangshuang WU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240107761A1. Автор: Zhiliang Xia,Di Wang,Zhong Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Wei Xie. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240107760A1. Автор: Zhiliang Xia,Di Wang,Zhong Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Wei Xie. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20180090510A1. Автор: Naoki Yamamoto,Hisashi Kato,Hideki Inokuma. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-29.

Semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: EP4322722A1. Автор: Sunil Shim,Moorym CHOI,Jungtae Sung,Yunsun JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-14.

Three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: WO2023165379A1. Автор: Junbao WANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20240130138A1. Автор: Bong Yong Lee,Yukio Hayakawa,Yong Seok Kim,Si Yeon Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

Memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20230397412A1. Автор: WEI Liu,Hongbin Zhu,Wenyu HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20180019253A1. Автор: Shigeru Kinoshita. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-18.

Nonvolatile ferroelectric memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070194360A1. Автор: Hee Bok Kang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-08-23.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150060986A1. Автор: Hiroshi Itokawa,Ryota Fujitsuka,Motoki Fujii,Fumiki Aiso. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-05.

Non-volatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240162316A1. Автор: Der-Tsyr Fan,Tzung-Wen Cheng,Yu-Ming Cheng,I-Hsin HUANG. Владелец: Iotmemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20220254792A1. Автор: Young Rok Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-08-11.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20150255472A1. Автор: Sung-Kun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-09-10.

Semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20240057333A1. Автор: Sunil Shim,Moorym CHOI,Jungtae Sung,Yunsun JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-15.

Three-dimensional memory device and methods for forming the same

Номер патента: EP4289005A1. Автор: Mingkang ZHANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-13.

Memory device and semiconductor package including the same

Номер патента: US20240136327A1. Автор: Seungduk Baek,Aenee JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Non-volatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240162317A1. Автор: Der-Tsyr Fan,Tzung-Wen Cheng,Yu-Ming Cheng,I-Hsin HUANG,Chen-Ming Tsai. Владелец: Iotmemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Resistive memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230240156A1. Автор: Yu-Der Chih,Yun-sheng Chen,Chrong-Jung Lin,Ya-Chin King,Jonathan Tsung-Yung Chang,Wen-Zhang Lin,Cheng-Jun LIN,Wang-Yi Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US11973035B2. Автор: Jong Soo Kim,Ju-Young Lim,Won Seok Cho,Ha-Min HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-30.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240074181A1. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Shuangshuang WU,Cuicui Kong. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: WO2024060218A1. Автор: Zhiliang Xia,Di Wang,Zhong Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Wei Xie. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-03-28.

Resistive random access memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230371406A1. Автор: Takahiro Nonaka,Takayuki Ishikawa,Yusuke ARAYASHIKI,Tomohito KAWASHIMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20230320096A1. Автор: Moorym CHOI,Jungtae Sung,Yunsun JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-05.

Non-volatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160268275A1. Автор: Takeshi Ishizaki,Yuta Watanabe,Kenji Aoyama,Kana Hirayama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20080073703A1. Автор: Kiyoshi Kurihara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-03-27.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: EP4367666A1. Автор: Zhiliang Xia,Di Wang,Zhong Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Wei Xie. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-15.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20240090211A1. Автор: Sung-Min Hwang,Soyeon Kim,Dong-Sik Lee,Seunghyun CHO,Jae-Joo Shim,Bongtae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-14.

Control Gate Structures in Three-Dimensional Memory Devices and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20240015961A1. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240130136A1. Автор: Changhwan Choi,Yunheub Song,Bonchoel Ku. Владелец: Iucf Hyu Industry University Cooperation Foundation Hanyang Universityz0. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230147083A1. Автор: Yong Seok Kim,Dong Il Bae,Min Hee Cho,Won Sok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-11.

Channel structures for three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20230276623A9. Автор: Zhiliang Xia,Xiaoxin LIU,Xiaolong Du,Tingting Gao,Wanbo Geng,Changzhi Sun. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170018563A1. Автор: Daisuke Nishida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-19.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210226026A1. Автор: Yu-Chu Lin,Chi-Chung JEN,Jia-Yang Ko,Yen-Di WANG,Men-Hsi TSAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200381449A1. Автор: Kohji Kanamori,Young Hwan Son,Jee Hoon HAN,Je Suk MOON,Seo-Goo Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-03.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US11233065B2. Автор: Kohji Kanamori,Young Hwan Son,Jee Hoon HAN,Je Suk MOON,Seo-Goo Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-25.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240114675A1. Автор: Jung-Hoon Han,Je Min PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-04.

Memory device and method for forming the same

Номер патента: US11956948B2. Автор: Shih-Hao Lin,Hsin-Wen Su,Yu-Kuan Lin,Lien-Jung Hung,Ping-Wei Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230328995A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20230309307A1. Автор: Seokcheon Baek,Miram KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-28.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200388633A1. Автор: Jong Won Kim,Young Hwan Son,Kwang Young Jung,Jee Hoon HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-10.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20230411285A1. Автор: Di Wang,Zhong Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20160064498A1. Автор: Kuang-Wen Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-03.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240188292A1. Автор: Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Shuangshuang WU,Cuicui Kong,Yuhui HAN,Bingjie Yan,Jingtao XIE. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Flash memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230413546A1. Автор: Chih-Jung Ni,Min-Liang CHENG. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230292506A1. Автор: Daisuke Nishida. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240121945A1. Автор: Ji Hun Kim,Jin-Seong Lee,Kyo-Suk Chae,Tai Uk Rim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170077131A1. Автор: Masaru Kito,Yoshihiro AKUTSU,Satoshi KONAGAI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20240188293A1. Автор: Tae Hun Kim,Jun Hee Lim,Sae Rom Lee,Nag Yong CHOI,Sun Gyung HWANG,Ji Woong Kim,Sam Ki KIM,Nam Bin KIM,Ki Bong MOON,Sung-Bok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-06.

Magnetic memory device and method for forming the same

Номер патента: US20230232637A1. Автор: Hui-Lin WANG,Jing-Yin Jhang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200395377A1. Автор: Tae Hun Kim,Doo Hee HWANG,Kwang Young Jung,Jae Ryong SIM,Jee Hoon HAN,Joo-Heon Kang,Gi Yong CHUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-17.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP4346348A1. Автор: Chang Sik Kim,Jae Won Na,Jun Hwa Song,Ji Hee Jun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-03.

Ferroelectric memory devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US20040173829A1. Автор: Hyun-Ho Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-09-09.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210202518A1. Автор: Kuang-Chao Chen,Kuang-Wen Liu,Yuan-Chieh Chiu,Yao-An Chung,Ting-Feng Liao. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210119004A1. Автор: Wang Xiang,Chia-Ching Hsu,Shen-De Wang,Chun-Sung Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US9831270B2. Автор: Gaku Sudo,Yumiko Miyano. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20160197156A1. Автор: Sung-Bin Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Local contacts of three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20210272982A1. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Jianzhong Wu,Wenxi Zhou,Tingting Zhao,Zhongwang SUN,Rui Su. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-02.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: EP4367990A1. Автор: Zhiliang Xia,Di Wang,Zhong Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Wei Xie. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-15.

Semiconductor memory devices and electronic systems including the same

Номер патента: US20240164094A1. Автор: Jung Min Park,Ji-Sung Kim,Yong Ho Ha,Bong Jin Kuh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor structure, semiconductor structure for memory device and method for forming the same

Номер патента: US20240188278A1. Автор: Yukihiro Nagai. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: EP4258841A1. Автор: Seokcheon Baek,Miram KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-11.

Variable resistance memory device and electronic apparatus including the same

Номер патента: US20240196763A1. Автор: Jinwoo Lee,Garam Park,Seyun KIM,Hyunjae SONG,Yumin KIM,Seungyeul YANG,Jooheon Kang,Seungdam HYUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150060982A1. Автор: Hiroshi Itokawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-05.

Three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US20230187351A1. Автор: Gang Wu,Shi-Wei He,Yun-Fan CHOU,Guoguo Kong,Dongxiang Zhu,Canfa Dai,Jianxiong Lai. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-15.

Vertical non-volatile memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240206180A1. Автор: Chaeho Kim,Byongju Kim,Changheon Cheon,Dongsung Choi,Youjung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20240130122A1. Автор: Jaeho Choi,Seungmin Lee,Daeyeong Lee,Sunyi LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240206176A1. Автор: BIN Yuan,Zongke Xu,Qiangwei Zhang,Xiangning Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20210242233A1. Автор: Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210111187A1. Автор: Sung-Min Hwang,Sang Don Lee,Joon-Sung LIM,Bum Kyu Kang,Jae Ho AHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-15.

Semiconductor memory devices and methods for fabricating the same

Номер патента: EP2132774A1. Автор: Hyun-Jin Cho. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2009-12-16.

Three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US20240206166A1. Автор: Shiwei HE,Hsien-Shih Chu,Yongjian Yu,Guoguo Kong,Canfa Dai,Detianyu Diao. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240224501A1. Автор: Kang-Uk Kim,Jooncheol Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Non-volatile memory device and electronic system including the same

Номер патента: EP4395495A1. Автор: JaeMin JUNG,Byongju Kim,Wonjun PARK,Changheon Cheon,Dongsung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-03.

Memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20210249414A1. Автор: Hao Chuan CHANG. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-08-12.

Non-volatile memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20240224523A1. Автор: JaeMin JUNG,Byongju Kim,Wonjun PARK,Changheon Cheon,Dongsung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240224517A1. Автор: Yang Chen,Zhiliang Xia,Di Wang,Qingfu Zhang,Zongliang Huo,Jingtao XIE. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Memory device and method for forming the same

Номер патента: US20210391341A1. Автор: Shih-Hao Lin,Hsin-Wen Su,Yu-Kuan Lin,Lien-Jung Hung,Ping-Wei Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-16.

Memory device and method for forming the same

Номер патента: US20240215230A1. Автор: Shih-Hao Lin,Hsin-Wen Su,Yu-Kuan Lin,Lien-Jung Hung,Ping-Wei Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Memory device and method for forming the same

Номер патента: US20220223606A1. Автор: Shih-Hao Lin,Hsin-Wen Su,Yu-Kuan Lin,Lien-Jung Hung,Ping-Wei Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-14.

Semiconductor memory device structure

Номер патента: US09966349B2. Автор: John Moore,Joseph F. Brooks. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2018-05-08.

3-dimensional non-volatile memory device, memory system including the same, and method of manufacturing the device

Номер патента: US20130161724A1. Автор: Dong Kee Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-27.

Self-aligned isolation dielectric structures for a three-dimensional memory device

Номер патента: US09859363B2. Автор: Zhenyu Lu,Daxin Mao,Chun-Ming Wang,Makoto Yoshida,Tong Zhang,Johann Alsmeier,Jixin Yu,Kota Funayama,Chenche Huang,Lauren MATSUMOTO. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-02.

Method of manufacturing resistance change layer using irradiation of electron beam and resistive random access memory device using the same

Номер патента: US09337425B2. Автор: Dong Uk Lee,Byung Cheol Lee,Dongwook Kim,Eun Kyu Kim,Gyu Jin Oh,Seong Guk Cho,Sang Woo Pak,Hyung Dal PARK. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2016-05-10.

Method of execution of specified skin node seals

Номер патента: RU2655839C1. Автор: Валерий Васильевич Хрячков,Николай Владимирович Левченко,Рафаэль Рафикович Шавалиев,Дмитрий Петрович Кислицин,Артем Владимирович Антоненко,Ринат Рависович Гарданов,Тиран Бюрати Арамян,Алина Рафаэлевна Шавалиева,Элина Рафаэлевна Шавалиева,Гусейн Сулейманович Мусаев,Гаджи Ахадович Гаджиев. Владелец: Рафаэль Рафикович Шавалиев. Дата публикации: 2018-05-29.

Application of flecainide as anticonnexin agent and method of potentiation of effects of psychotropic medicines

Номер патента: RU2661026C2. Автор: Франк МУТОН,Матье ШАРВЕРИА. Владелец: Комиссариат А Л'Энержи Атомик Это Энержи Альтернатив. Дата публикации: 2018-07-11.

Method of manufacturing of inverter and inverter

Номер патента: RU2433504C2. Автор: Хидея КУМОМИ,Масафуми САНО,Масато ОФУДЗИ,Кацуми АБЕ,Рио ХАЯСИ. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2011-11-10.

Microstructure array and method of manufacturing the same and micro-light-emitting diode and method of manufacturing the same and display device

Номер патента: US20220376217A1. Автор: Dohoon Kim,JaeMin MYOUNG,HeeJu AN. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2022-11-24.

Method of increasing reproductive and productive quality of kalmyk cattle

Номер патента: RU2626628C1. Автор: Фоат Галимович Каюмов,Людмила Гучаевна Моисейкина,Василий Эрдниевич Баринов,Намсыр Викторович Манджиев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Калмыцкий государственный университет имени Б.Б. Городовикова". Дата публикации: 2017-07-31.

Method of manufacturing double layer type transmission planetary gear carrier and planetary gear carrier manufactured by the same

Номер патента: US20200232553A1. Автор: Hyung-Sop Yoon,Young-Ji Park. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2020-07-23.

Positive electrode active material precursor and preparation method of positive electrode active material precursor

Номер патента: US12119491B2. Автор: Ju Han Yoon,Song Yi Yang,Hyeon Jin Kim,Kyoung Wan Park,Young Su Park. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Method of making flash memory cells and peripheral circuits having sti, and flash memory devices and computer systems having the same

Номер патента: US20110117713A1. Автор: Young-woo Park,Jung-Dal Choi,Jang-Hyun You,Jin-Taek Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-05-19.

Graphene-containing coating film, and method for preparing the same

Номер патента: US09925559B2. Автор: Kwang Il Chang,Seung Hun Hur,Kyu Geol Lee. Владелец: Korea Institute of Ceramic Engineering and Technology KICET. Дата публикации: 2018-03-27.

Method of manufacturing multi-layer woven shell

Номер патента: RU2748555C1. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Евгений Васильевич Лапин,Андрей Алексеевич Черепанов. Владелец: Акционерное общество "Уральский научно-исследовательский институт композиционных материалов". Дата публикации: 2021-05-26.

Three-dimensional memory devices with stabilization structures between memory blocks and methods for forming the same

Номер патента: US12010834B2. Автор: Kun Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Method of preparing basement membrane, method of constructing basement membrane specimen, reconstituted artificial tissue using the basement membrane specimen and process for producing the same

Номер патента: US7906332B2. Автор: Katsumi Mochitate. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2011-03-15.

Method of preparing basement membrane, method of constructing basement membrane specimen, reconstituted artificial tissue using the basement membrane specimen and process for producing the same

Номер патента: US20070065940A1. Автор: Katsumi Mochitate. Владелец: National Institute of Japan Science and Technology Agency. Дата публикации: 2007-03-22.

Method of preparing basement membrane, method of constructing basement membrane specimen, reconstituted artificial tissue using the basement membrane specimen and process for producing the same

Номер патента: US20070065807A1. Автор: Katsumi Mochitate. Владелец: National Institute of Japan Science and Technology Agency. Дата публикации: 2007-03-22.

Method for manufacturing anti-reflective coating for solar cell having moth-eye structure and solar cell incliding the same

Номер патента: US09653625B2. Автор: Jae Min Myoung,Tae Il Lee,Beom Ki Shin. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2017-05-16.

Bipolar device and method of manufacturing the same including pre-treatment using germane gas

Номер патента: US20040192001A1. Автор: Ho Lee,Seung-Hwan Lee,Hwa-Sung Rhee,Jae-Yoon Yoo,Byou-Ree Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-09-30.

Process for preparing a polyamide by copolymerization of multiple components, polyamide prepared thereby, and composition comprising the same

Номер патента: US20240317938A1. Автор: Minjae Jeong,Jinseo LEE,Kyungho KWON,Dokyoung KIM,Do Hyun Seo. Владелец: Hanwha Solutions Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of adaptively delivering media based on reception status information from media client and apparatus using the same

Номер патента: US09654533B2. Автор: Shin Gak Kang,Chang Kyu Lee,Sung Hei KIM. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2017-05-16.

New (e)-styryl-alkynylsubstituted silicon compounds and method of obtaining (e)-styryl-alkynylsubstituted silicon compounds

Номер патента: US20120178955A1. Автор: BOGDAN Marciniec,BEATA Dudziec,Monika Rzonsowska. Владелец: Uniwersytet Im Adam Mickiewicza w Poznaniu. Дата публикации: 2012-07-12.

(E)-styryl-alkynylsubstituted silicon compounds and method of obtaining (E)-styryl-alkynylsubstituted silicon compounds

Номер патента: US8680310B2. Автор: BOGDAN Marciniec,BEATA Dudziec,Monika Rzonsowska. Владелец: Uniwersytet Im Adam Mickiewicza w Poznaniu. Дата публикации: 2014-03-25.

Method of preparing basement membrane, method of constructing basement membrane specimen, reconstituted artificial tissue using the basement membrane specimen and process for producing the same

Номер патента: US7399634B2. Автор: Katsumi Mochitate. Владелец: National Institute for Environmental Studies. Дата публикации: 2008-07-15.

Data transmission system using vehicle and method of controlling same

Номер патента: US20180184278A1. Автор: Joon Young Kim. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2018-06-28.

Pressurized locking assembly for a side-swing tailgate and a tailgate incorporating the same

Номер патента: US20140265518A1. Автор: Scott A. Kibler,Michael A. Conny. Владелец: Mac Trailer Manufacturing Inc. Дата публикации: 2014-09-18.

Method of preparing basement membrane, method of constructing basement membrane specimen,reconstituted artificial tissue using the basement membrane specimen and process for producing the same

Номер патента: EP1437147A4. Автор: Katsumi Mochitate. Владелец: National Institute for Environmental Studies. Дата публикации: 2007-10-03.

Method of power transmitting unit (PTU) for determining location of power receiving unit (PRU), and PTU employing the method

Номер патента: US09985458B2. Автор: Jae Hyun Park,Ki Young Kim,Dong Zo Kim,Sang Wook KWON,Bong Chul Kim,Byoung Hee Lee,Yun Kwon Park,Young Ho Ryu,Keum Su SONG,Chi Hyung AHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-29.

Forming a combination of long channel devices and vertical transport fin field effect transistors on the same substrate

Номер патента: US20190341489A1. Автор: Chen Zhang,CHENG Chi,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-11-07.

Forming a combination of long channel devices and vertical transport fin field effect transistors on the same substrate

Номер патента: US20180337278A1. Автор: Chen Zhang,CHENG Chi,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-22.

Forming a combination of long channel devices and vertical transport fin field effect transistors on the same substrate

Номер патента: US20190334033A1. Автор: Chen Zhang,CHENG Chi,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-31.

Method of preparing basement membrane, method of constructing basement membrane specimen, reconstituted artificial tissue using the basement membrane specimen and process for producing the same

Номер патента: US8765473B2. Автор: Katsumi Mochitate. Владелец: National Institute for Environmental Studies. Дата публикации: 2014-07-01.

Forming a combination of long channel devices and vertical transport fin field effect transistors on the same substrate

Номер патента: US20180269320A1. Автор: Chen Zhang,CHENG Chi,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-09-20.

Method of preparing basement membrane, method of constructing basement membrane specimen, reconstituted artificial tissue using the basement membrane specimen and process for producing the same

Номер патента: US20070122796A1. Автор: Katsumi Mochitate. Владелец: National Institute of Japan Science and Technology Agency. Дата публикации: 2007-05-31.

Surface-treated, transportable iso tanks and methods of reducing deposition of a friction reducer on a surface

Номер патента: US20240200726A1. Автор: Eric L. Hanson,Edward Hughes,Eric L. Bruner,Majid Monji,Elizabeth Cambre. Владелец: Aculon Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Glucagon receptor binding proteins and methods of use thereof

Номер патента: NZ754886A. Автор: Yan Wang,Wenyan Shen,Hugo Matern,Zhonghao Liu. Владелец: NGM Biopharmaceuticals Inc. Дата публикации: 2024-04-26.

Glucagon receptor binding proteins and methods of use thereof

Номер патента: NZ754886B2. Автор: Yan Wang,Wenyan Shen,Hugo Matern,Zhonghao Liu. Владелец: NGM Biopharmaceuticals Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Method of forming metal lines and bumps for semiconductor devices

Номер патента: US20080076248A1. Автор: Dong-Hyeon Jang,Soon-bum Kim,Sung-min Sim,Jae-Sik Chung,Se-Yong Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-27.

Methods of leaching a superabrasive body and related apparatuses and systems

Номер патента: US12104273B2. Автор: Daren Nathaniel Heaton. Владелец: US Synthetic Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Method of manufacturing flexible thin-film typer super-capacitor device using a hot-melt adhesive film, and super-capacitor device manufactured by the method

Номер патента: US09520243B2. Автор: Yong-Il Kim,Jung-Joon Yoo,Hana Yoon,Jong-Huy Kim,Jae-Kook YOON. Владелец: Korea Institute of Energy Research KIER. Дата публикации: 2016-12-13.

Three-dimensional memory devices with channel structures having plum blossom shape and methods for forming the same

Номер патента: US12052865B2. Автор: Xiaoxin LIU,Lei Xue,Tingting Gao,Wanbo Geng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor memory device and apparatus including the same

Номер патента: US12080649B2. Автор: Hyeonjin Shin,Kyung-Eun Byun,Changseok Lee,Minhyun LEE,Hyeonsuk Shin,Seokmo Hong. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Three-dimensional semiconductor memory device, electronic system including the same, and method of fabricating the same

Номер патента: US20230247834A1. Автор: Gukhyon Yon,Soyeong AHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-03.

Method of polymerizing cyclic olefins and vinyl olefins, copolymer produced by the method and optical anisotropic film comprising the same

Номер патента: TW200617041A. Автор: Heon Kim,Sung-Ho Chun,Sung-Cheol Yoon,Jung-Min Lee,Tae-Sun Lim. Владелец: Lg Chemical Ltd. Дата публикации: 2006-06-01.

Method of separating different gaseous flows of atmosphere in different sections of a furnace and process for making the same

Номер патента: CZ189186A3. Автор: Erwin König,Friedherz Ing Becker. Владелец: Riedhammer Gmbh Co Kg. Дата публикации: 1995-06-14.

Method of signalling arrival of a telephone signal by desired sound and doll's moving and apparatus for the same

Номер патента: AU1421301A. Автор: Young Sang Cho,Teck Joo Min,Jae Chul Oh. Владелец: YESTEL KOREA CO Ltd. Дата публикации: 2001-06-25.

Method of making phone calls from a locked out handheld electronic device and a handheld electronic device incorporating the same

Номер патента: US20090318117A1. Автор: Andrew D. Bocking,Raymond P. Vander Veen. Владелец: Research in Motion Ltd. Дата публикации: 2009-12-24.

Method of selecting modulation and coding scheme (mcs) index in a wireless communcation system and apparatus for implementing the same

Номер патента: EP2127178A4. Автор: Jae Hoon Chung,Doo Hyun Sung,Sung Ho Moon,Jin Soo Choi,Hyung Ho Park,Min Seok Oh. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2010-02-17.

Resistive random access memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20210151504A1. Автор: Frederick Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

Method of distributing uplink data flow between different access networks in 5g communication system and user equipment using the same

Номер патента: EP3547747B1. Автор: Chia-Lin LAI. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2021-06-23.

Method of continuous mining mineral raw materials deposited in seams by a mining machine and apparatus for making the same

Номер патента: CZ41496A3. Автор: Peter Heintzmann,Kuno Guse. Владелец: Bochumer Eisen Heintzmann. Дата публикации: 1997-04-16.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US9012969B2. Автор: Takeshi Kamigaichi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-21.

Three-dimensional memory device with backside source contact

Номер патента: EP4401139A2. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Methods for forming three-dimensional memory devices with backside source contacts

Номер патента: US12048151B2. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Ziqun HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Three-dimensional memory devices

Номер патента: US20210375913A1. Автор: Kun Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Three-dimensional memory devices

Номер патента: EP3942611A1. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-26.

Three-dimensional memory device with backside interconnect structures

Номер патента: US12082411B2. Автор: LEI Liu,Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Kun Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Three-dimensional memory devices with channel structures having plum blossom shape

Номер патента: US12089405B2. Автор: Xiaoxin LIU,Weihua Cheng,Lei Xue,Tingting Gao,Wanbo Geng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Three-dimensional memory devices

Номер патента: US12114498B2. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Three-dimensional memory device with backside source contact

Номер патента: EP4401139A3. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-16.

Three-dimensional memory device with backside source contact

Номер патента: US12136618B2. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Probes of rna structure and methods for using the same

Номер патента: US20140154673A1. Автор: Howard Yuan-Hao Chang,Peter Joseph Crisalli,Jong Hwa Jung,Eric Todd Kool,Robert Carl Spitale. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2014-06-05.

MEMORY SYSTEM, MEMORY TEST SYSTEM AND METHOD OF TESTING MEMORY SYSTEM AND MEMORY TEST SYSTEM

Номер патента: US20120002495A1. Автор: SUH Sung-Dong,HA Kyoung-Ho,Song Ki-Jae,KIM Seong-gu,JOE In-sung,Cho Soo-Haeng,Kim Yeoung-kum. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ARRAY SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING THE ARRAY SUBSTRATE, AND DISPLAY APPARATUS INCLUDING THE ARRAY SUBSTRATE

Номер патента: US20120001191A1. Автор: . Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

MOBILE TERMINAL AND METHOD OF CONTROLLING THE SAME

Номер патента: US20120003966A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of determining parameters of transformable and inert organic carbon in soils

Номер патента: RU2519149C2. Автор: Борис Маратович Когут,Иван Николаевич Шарков,Вячеслав Михайлович Семенов,Сергей Михайлович Лукин. Владелец: Государственное Научное Учреждение Почвенный институт им. В.В. Докучаева Россельхозакадемии. Дата публикации: 2014-06-10.

Method of changing disc memory address to line address

Номер патента: PL274440A1. Автор: Boguslaw Madej. Владелец: Boguslaw Madej. Дата публикации: 1990-03-05.

Improvements in the Method of Manufacturing Wooden Casks, Barrels, and other Vessels of a like nature, and in Machinery for Effecting the same.

Номер патента: GB189518006A. Автор: Johann Anthon. Владелец: Individual. Дата публикации: 1895-10-26.

Method of obtaining the stabilized flow of the mobile phase by the chromatographic column and device for making the same

Номер патента: CS194409B1. Автор: Jiri Teply. Владелец: Jiri Teply. Дата публикации: 1979-12-31.

Method of relieving sunk objects from great depths, particularly vessels from sea bottoms and submersible apparatus for making the same

Номер патента: CZ279060B6. Автор: Ladislav Raffai. Владелец: Ladislav Raffai. Дата публикации: 1994-12-15.

Method of, and apparatus for generating vapour or gas from petroleum or other oil, with burner for burning the same in lighthouse or other lamps

Номер патента: CA28581A. Автор: William Wakefield. Владелец: Individual. Дата публикации: 1888-03-01.

Method of throwing a deoxidizing agent into a molten steel and continuously projecting apparatus to be used for the same

Номер патента: CA967004A. Автор: Takeo Aoki,Taiji Araki,Toyosuke Tanoue. Владелец: Sumitomo Metal Industries Ltd. Дата публикации: 1975-05-06.

Method for grinding of magnetic materials and apparatus for performing the same

Номер патента: RU2306180C1. Автор: Иван Николаевич Егоров,Юрий Михайлович Вернигоров,Светлана Ивановна Егорова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Донской государственный технический университет (ДГТУ). Дата публикации: 2007-09-20.

Method of pipes deformation

Номер патента: RU2350416C1. Автор: Александр Владимирович Выдрин,Игорь Юрьевич Пышминцев,Владимир Виллиевич Ананян,Дмитрий Александрович Пумпянский,Леонид Григорьевич Марченко,нский Дмитрий Александрович Пумп,Михаил Михайлович Фадеев,н Владимир Виллиевич Анан,ков Константин Андреевич Пол,Константин Андреевич Поляков,Николай Федорович Багаев. Владелец: Открытое акционерное общество "Российский научно-исследовательский институт трубной промышленности" (ОАО "РосНИТИ"). Дата публикации: 2009-03-27.

METHODS OF MEMORY ADDRESS VERIFICATION AND MEMORY DEVICES EMPLOYING THE SAME

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты