Nonvolatile memory device and method for fabricating the same
Номер патента: US20150099337A1
Опубликовано: 09-04-2015
Автор(ы): Dong-Sun Sheen, Min-Soo Kim, Seung-Ho Pyi, Sung-Jin Whang
Принадлежит: SK hynix Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 09-04-2015
Автор(ы): Dong-Sun Sheen, Min-Soo Kim, Seung-Ho Pyi, Sung-Jin Whang
Принадлежит: SK hynix Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method for manufacturing semiconductor element and method for forming mask pattern of the same
Номер патента: US20170256629A1. Автор: Masafumi Hamaguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-07.