Nonvolatile memory device and method of performing an erase operation in the same
Номер патента: US10614889B2
Опубликовано: 07-04-2020
Автор(ы): Bong-Soon Lim, Il-han Park, Jin-Young Kim, Kui-han Ko
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 07-04-2020
Автор(ы): Bong-Soon Lim, Il-han Park, Jin-Young Kim, Kui-han Ko
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Memory device configured to apply different erase intensities to different blocks during an erase operation and memory system for instructing the memory device to carry out the erase operation
Номер патента: US12002515B2. Автор: Hideki Yamada,Masanobu Shirakawa,Tetsuya Sunata,Takumi Fujimori. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-04.