Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Simultaneous electrodes for magneto-resistive random access memory devices

Simultaneous electrodes for magneto-resistive random access memory devices

Номер патента: US11887641B2
Опубликовано: 30-01-2024
Автор(ы): Chih-Chao Yang, Koichi Motoyama, Oscar van der Straten
Принадлежит: International Business Machines Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Magneto-resistive random access memory with laterally-recessed free layer

Номер патента: WO2022128646A9. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Koichi Motoyama,Kenneth Chun Kuen Cheng,Joseph MANISCALCO. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2024-08-15.

Magneto-resistive random access memory with laterally-recessed free layer

Номер патента: US20230371394A1. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Koichi Motoyama,Kenneth Chun Kuen Cheng,Joseph F. Maniscalco. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Magneto-resistive random access memory with laterally-recessed free layer

Номер патента: EP4264692A1. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Koichi Motoyama,Kenneth Chun Kuen Cheng,Joseph MANISCALCO. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-25.

Magneto-resistive random access memory with laterally-recessed free layer

Номер патента: WO2022128646A1. Автор: Yang Chih-Chao,Oscar van der Straten,Koichi Motoyama,Kenneth Chun Kuen Cheng,Joseph MANISCALCO. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2022-06-23.

Magnetoresistive random access memory device

Номер патента: US12112784B2. Автор: Sungchul Lee,Kyungjin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Magneto-resistive random storage unit, memory, and access method

Номер патента: EP3872879A1. Автор: Jeffrey Junhao XU,Huan Yang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-01.

Magnetic memory cell and magnetic random access memory

Номер патента: US20080105938A1. Автор: Jun Hayakawa,Hideo Ohno,Shoji Ikeda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-05-08.

Relaxed pitch backside magneto-resistive random access memory integration with self-aligned micro stud and backside power distribution network

Номер патента: US20240224812A1. Автор: Tao Li,Michael RIZZOLO,Ruilong Xie,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Simultaneous electrodes for magneto-resistive random access memory devices

Номер патента: US20230402078A1. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Koichi Motoyama. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Magneto-resistive random access memory with hemispherical top electrode

Номер патента: US20230389434A1. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Koichi Motoyama,Scott A. DeVries. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Magneto-resistive random access memory magnetic tunnel junction and cell with voltage-controlled writing

Номер патента: US11963462B2. Автор: Romney R. Katti. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Magnetoresistance random access memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US12069955B2. Автор: Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Ching-Hua Hsu,Si-Han Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Magnetoresistance random access memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240373756A1. Автор: Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Ching-Hua Hsu,Si-Han Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

Magneto-resistive random access memory and method for manufacturing the same

Номер патента: US20050036399A1. Автор: Sang-jin Park,Tae-Wan Kim,Wan-jun Park,I-hun Song,Taek-Dong Lee,Byeong-kook Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-02-17.

Magnetic random access memory device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240251684A1. Автор: Shujun YE,Yeliang Wang. Владелец: Yangtze Delta Graduate School Of Bit Jiaxing. Дата публикации: 2024-07-25.

Magnetic random access memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US12089504B2. Автор: Wei-Chuan Tsai,Yen-Tsai Yi,Jin-Yan Chiou,Hsiang-Wen Ke. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Magnetoresistive random access device

Номер патента: US20240164220A1. Автор: Gawon LEE,Byoungjae Bae,Seungpil KO,Hyungjong Jeong,Manjin EOM,Kuhoon Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-16.

Shared source line architectures of perpendicular hybrid spin-torque transfer (stt) and spin-orbit torque (sot) magnetic random access memory

Номер патента: WO2018101998A1. Автор: Shaoping Li,Hong Tsai. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2018-06-07.

Magnetoresistive random access memory cell

Номер патента: US20200227625A1. Автор: Chien-Ting Lin,Chin-Yang Hsieh,Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Yu-Ping Wang,I-Ming Tseng,Yi-Wei Tseng,Yi-Hui Lee,Meng-Jun Wang,Ying-Cheng Liu,Yi-An Shih. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-07-16.

Free Layer Having a Low Boron Concentration Region and a High Boron Concentration Region, Magneto-resistive Cell, and Magneto-resistive Random Access Memory Device Having the Same, and Methods of Fabricating the Same

Номер патента: KR102397904B1. Автор: 김기웅,박용성,장영만,이준명. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-05-13.

Magnetic random access memory cell and memory

Номер патента: US20240274175A1. Автор: JISONG Jin. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Magnetoresistive random access memory cell and fabricating the same

Номер патента: US09991440B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Cheng-Yuan Tsai,Kuo-Ming Wu,Kai-Wen Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Magnetic device and magnetic random access memory

Номер патента: US20240324471A1. Автор: Hiroki Noguchi,William J. Gallagher,Shy-Jay Lin,Mingyuan SONG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Free layer, magnetoresistive cell, and magnetoresistive random access memory device having low boron concentration region and high boron concentration region, and methods of fabricating the same

Номер патента: US09905753B2. Автор: Kiwoong Kim,Yongsung PARK,JoonMyoung LEE,Youngman JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Structures and methods for embedded magnetic random access memory (mram) fabrication

Номер патента: US20190165042A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO,Theodorus E. Standaert,Nicholas A. Lanzillo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-30.

Spin hall write select for magneto-resistive random access memory

Номер патента: US09947383B1. Автор: Daniel C. Worledge,Luqiao Liu,Jonathan Z. Sun. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Dynamically controlling voltage for access operations to magneto-resistive random access memory (mram) bit cells to account for ambient temperature

Номер патента: WO2019036360A1. Автор: Xia Li,Wei-Chuan Chen,Seung Hyuk KANG,Wah Nam Hsu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-02-21.

Cell of magnetic random access memory (mram) with self reference inlcudning ferrimagnetic intrinsic layers

Номер патента: RU2599939C2. Автор: Иоан Люсиан ПРЕЖБЕАНЮ,Люсьен ЛОМБАР. Владелец: Крокус Текнолоджи Са. Дата публикации: 2016-10-20.

Dynamically controlling voltage for access operations to magneto-resistive random access memory (MRAM) bit cells to account for process variations

Номер патента: US09842638B1. Автор: Xia Li,Xiaochun Zhu,Seung Hyuk KANG. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Voltage-switched magneto-resistive random access memory (mram) employing separate read operation circuit paths from a shared spin torque write operation circuit path

Номер патента: WO2019006066A1. Автор: Xia Li,Seung Hyuk KANG,Jimmy Jianan KAN,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-01-03.

Back gate biasing magneto-resistive random access memory (mram) bit cells to reduce or avoid write operation failures caused by source degeneration

Номер патента: WO2019040891A1. Автор: Xia Li,Seung Hyuk KANG. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-02-28.

VARYING ENERGY BARRIERS OF MAGNETIC TUNNEL JUNCTIONS (MTJs) IN DIFFERENT MAGNETO-RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY (MRAM) ARRAYS IN A SEMICONDUCTOR DIE TO FACILITATE USE OF MRAM FOR DIFFERENT MEMORY APPLICATIONS

Номер патента: US20190147930A1. Автор: Xia Li,Wei-Chuan Chen,Seung Hyuk KANG,Wah Nam Hsu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-05-16.

Magneto-resistive random access memory magnetic tunnel junction and cell with voltage-controlled writing

Номер патента: US20230301198A1. Автор: Romney R. Katti. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Josephson static random access memory

Номер патента: US12094530B2. Автор: Henry Luo,Quentin Paul Herr,Anna Yurievna Herr. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-09-17.

Quantum dot-based magnetic random access memory (mram) and method for manufacturing same

Номер патента: US20030103367A1. Автор: Gabriel Aeppli,David Norris,Christophe Renner,Yeong-Ah Soh. Владелец: NEC Laboratories America Inc. Дата публикации: 2003-06-05.

Single transistor type magnetic random access memory device and method of operating and manufacturing the same

Номер патента: US20050169048A1. Автор: Dong-Wook Kim,In-kyeong Yoo,June-key Lee,Jung-hyun Sok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-08-04.

Single transistor type magnetic random access memory device and method of operating and manufacturing the same

Номер патента: US20030076707A1. Автор: Dong-Wook Kim,In-kyeong Yoo,June-key Lee,Jung-hyun Sok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-04-24.

Single transistor type magnetic random access memory device and method of operating and manufacturing the same

Номер патента: US20050036379A1. Автор: Dong-Wook Kim,In-kyeong Yoo,June-key Lee,Jung-hyun Sok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-02-17.

SPIN HALL WRITE SELECT FOR MAGNETO-RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY

Номер патента: US20180240508A1. Автор: Worledge Daniel C.,Sun Jonathan Z.,Liu Luqiao. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-23.

Top electrode to metal line connection for magneto-resistive random-access memory stack height reduction

Номер патента: US20230180621A1. Автор: Tao Li,Chih-Chao Yang,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Tsung-Sheng KANG. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-08.

DYNAMICALLY CONTROLLING VOLTAGE FOR ACCESS OPERATIONS TO MAGNETO-RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY (MRAM) BIT CELLS TO ACCOUNT FOR AMBIENT TEMPERATURE

Номер патента: US20190051341A1. Автор: Li Xia,Chen Wei-Chuan,Hsu Wah Nam,Kang Seung Hyuk. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-14.

APPARATUS AND METHODS OF FABRICATING A MAGNETO-RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY (MRAM) DEVICE

Номер патента: US20200091420A1. Автор: WHIG Renu,Wang Rongjun,CHING CHI. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-19.

Apparatus and methods of fabricating a magneto-resistive random access memory (MRAM) device

Номер патента: US10910557B2. Автор: Renu Whig,Rongjun Wang,Chi Ching. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-02-02.

Magneto-resistive random access memory (MRAM) having a plurality of concentrically aligned magnetic tunnel junction layers and concentrically aligned upper electrodes over a lower electrode

Номер патента: US8896040B2. Автор: Seung Hyun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-11-25.

VARYING ENERGY BARRIERS OF MAGNETIC TUNNEL JUNCTIONS (MTJs) IN DIFFERENT MAGNETO-RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY (MRAM) ARRAYS IN A SEMICONDUCTOR DIE TO FACILITATE USE OF MRAM FOR DIFFERENT MEMORY APPLICATIONS

Номер патента: US20190066746A1. Автор: Li Xia,Chen Wei-Chuan,Hsu Wah Nam,Kang Seung Hyuk. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-28.

VARYING ENERGY BARRIERS OF MAGNETIC TUNNEL JUNCTIONS (MTJs) IN DIFFERENT MAGNETO-RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY (MRAM) ARRAYS IN A SEMICONDUCTOR DIE TO FACILITATE USE OF MRAM FOR DIFFERENT MEMORY APPLICATIONS

Номер патента: US20190147930A1. Автор: Li Xia,Chen Wei-Chuan,Hsu Wah Nam,Kang Seung Hyuk. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-16.

MAGNETO-RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY (MRAM) EMPLOYING AN INTEGRATED PHYSICALLY UNCLONABLE FUNCTION (PUF) MEMORY

Номер патента: US20190304527A1. Автор: Kim Sungryul,Kang Seung Hyuk,Park Chando. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-03.

VOLTAGE-SWITCHED MAGNETO-RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY (MRAM) EMPLOYING SEPARATE READ OPERATION CIRCUIT PATHS FROM A SHARED SPIN TORQUE WRITE OPERATION CIRCUIT PATH

Номер патента: US20190006415A1. Автор: YANG Bin,Li Xia,Kang Seung Hyuk,Kan Jimmy Jianan,Tao Gengming. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-03.

Methods of fabricating magneto-resistive random-access memory (mram) devices to avoid damaging magnetic tunnel junction (mtj) structure

Номер патента: US20200020849A1. Автор: Chung-Ju Lee,Chih-Wei Lu,Hsi-Wen Tien,Wei-Hao Liao,Pin-Ren Dai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

DOUBLE-PATTERNED MAGNETO-RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY (MRAM) FOR REDUCING MAGNETIC TUNNEL JUNCTION (MTJ) PITCH FOR INCREASED MRAM BIT CELL DENSITY

Номер патента: US20190214554A1. Автор: Li Xia,Chen Wei-Chuan. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-11.

DOUBLE-PATTERNED MAGNETO-RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY (MRAM) FOR REDUCING MAGNETIC TUNNEL JUNCTION (MTJ) PITCH FOR INCREASED MRAM BIT CELL DENSITY

Номер патента: US20190348602A1. Автор: Li Xia,Chen Wei-Chuan. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-14.

Magnetic shielding for magneto resistive memory

Номер патента: US20240339417A1. Автор: Romney R. Katti,Bryan C. Westberg,Gerald Budach,Alissa Krynski. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Magneto-resistive random access memory (mram) employing an integrated physically unclonable function (puf) memory

Номер патента: US20190304527A1. Автор: Seung Hyuk KANG,Chando Park,Sungryul KIM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-10-03.

Storage node of a resistive random access memory device with a resistance change layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US8362455B2. Автор: Sang-jun Choi,Jung-hyun Lee,Chang-Soo Lee,Hyung-Jin Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-01-29.

Storage node of a resistive random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080169459A1. Автор: Sang-jun Choi,Jung-hyun Lee,Chang-Soo Lee,Hyung-Jin Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-17.

Two-bit magnetoresistive random-access memory device architecture

Номер патента: US20220254396A1. Автор: Ashim Dutta,Eric Raymond EVARTS. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-08-11.

Magnetic random access memory devices including shared heating straps

Номер патента: EP2758961A1. Автор: Mourad El Baraji,Neal Berger. Владелец: Crocus Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-30.

Magnetic random access memory cell with dual junction for ternary content addressable memory applications

Номер патента: RU2572464C2. Автор: Бертран КАМБУ. Владелец: Крокус Текнолоджи Са. Дата публикации: 2016-01-10.

Stack with a high tunneling magnetoresistance ratio for a magnetic random access memory device

Номер патента: US20240290368A1. Автор: Robert Carpenter,Kiroubanand Sankaran,Xiaoyu Piao,Sofie MERTENS. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for writing to magnetic random access memory

Номер патента: US11238911B2. Автор: Baohua Niu,Ji-Feng Ying,Jhong-Sheng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-01.

Shallow trench type quadri-cell of phase-change random access memory (pram)

Номер патента: WO2010118346A3. Автор: Xia Li. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2011-03-03.

Resistive random access memory structure and fabricating method of the same

Номер патента: EP4447051A2. Автор: Po-Kai Hsu,Chung-Yi Chiu,Yi-Yu Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-16.

Magnetic device and magnetic random access memory

Номер патента: US12041855B2. Автор: Hiroki Noguchi,William J. Gallagher,Shy-Jay Lin,Mingyuan SONG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Magnetic random access memory with stacked toggle memory cells

Номер патента: EP1659631B1. Автор: Kochan Ju,Oletta Allegranza. Владелец: Maglabs Inc. Дата публикации: 2009-05-06.

Method and apparatus for a high density magnetic random access memory (MRAM) with stackable architecture

Номер патента: EP1553601A3. Автор: Heinrich Maglabs Inc. Sussner. Владелец: Maglabs Inc. Дата публикации: 2007-07-18.

Magnetic random access memory with stacked toggle memory cells

Номер патента: EP1659631A3. Автор: Kochan Ju,Oletta Allegranza. Владелец: Maglabs Inc. Дата публикации: 2006-11-08.

Phase change random access memory device

Номер патента: US11765988B2. Автор: Yu-Chuan Hsu,Chun-Hsu YEN,Chen-Hui YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Phase change random access memory device

Номер патента: US12089513B2. Автор: Yu-Chuan Hsu,Chun-Hsu YEN,Chen-Hui YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Spin orbit torque magnetoresistive random access memory device

Номер патента: US20200202914A1. Автор: Mohit Gupta,Kevin Garello,Sushil Sakhare,Manu Komalan Perumkunnil. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-06-25.

Magnetic random access memory with reduced internal operating temperature range

Номер патента: US20190207090A1. Автор: Manfred Ernst Schabes,Mustafa Pinarbasi,Thomas D. Boone. Владелец: Spin Memory Inc. Дата публикации: 2019-07-04.

Integrated circuits with magnetic random access memory (mram) devices and methods for fabricating such devices

Номер патента: US20190237658A1. Автор: Bin Liu,Eng Huat Toh,Kangho Lee,Elgin Kiok Boone Quek,Yinjie Ding. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2019-08-01.

Array transistor amplification method and apparatus for dynamic random access memory

Номер патента: US6975550B2. Автор: Peter Poechmueller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-12-13.

Magnetic random access memory and electronic device

Номер патента: US20220351767A1. Автор: LI Ye,Wenjing Li. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-03.

Phase change random access memory device with transistor, and method for fabricating a memory device

Номер патента: US20080142776A1. Автор: Harald Seidl. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-06-19.

Magnetoresistive random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210005807A1. Автор: Baeseong KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-07.

Resistive random access memory devices

Номер патента: US11793004B2. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Desmond Jia Jun Loy. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-10-17.

Junction field effect dynamic random access memory cell and applications therefor

Номер патента: WO2008137441A2. Автор: Damodar R. Thummalapally. Владелец: Dsm Solutions, Inc.. Дата публикации: 2008-11-13.

Layer structure of a memory cell for a dynamic random access memory device and method for producing the same

Номер патента: US4910566A. Автор: Taiji Ema. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1990-03-20.

Crystal seed layer for magnetic random access memory (mram)

Номер патента: US20240062794A1. Автор: Tsann Lin,Ji-Feng Ying,Chih-Chung Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Crystal seed layer for magnetic random access memory (mram)

Номер патента: US20200098408A1. Автор: Tsann Lin,Ji-Feng Ying,Chih-Chung Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-26.

Crystal seed layer for magnetic random access memory (MRAM)

Номер патента: US11842757B2. Автор: Tsann Lin,Ji-Feng Ying,Chih-Chung Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Magnetic tunnel junction (mtj) and methods, and magnetic random access memory (mram) employing same

Номер патента: EP2419933A2. Автор: Xia Li,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu,Matthew Nowak. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2012-02-22.

Magnetic random access memory

Номер патента: US12082511B2. Автор: Baohua Niu,Ji-Feng Ying. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Spin-orbit-torque magnetoresistive random access memory with voltage-controlled anisotropy

Номер патента: US09646670B2. Автор: Seung Hyuk KANG,Kangho Lee,Jimmy Kan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Spin-orbit-torque magnetoresistive random access memory with voltage-controlled anisotropy

Номер патента: US09589619B2. Автор: Seung Hyuk KANG,Kangho Lee,Jimmy Kan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Radiation hardened six transistor random access memory and memory device

Номер патента: AU4331899A. Автор: Robert C. Bertin. Владелец: Lockheed Corp. Дата публикации: 1999-12-20.

Spin-orbit-torque magnetoresistive random-access memory with integrated diode

Номер патента: US11915734B2. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-27.

Two-bit magnetoresistive random-access memory device architecture

Номер патента: EP4288962A1. Автор: Ashim Dutta,Eric Raymond EVARTS. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-13.

Method for writing to magnetic random access memory

Номер патента: US11727974B2. Автор: Baohua Niu,Ji-Feng Ying,Jhong-Sheng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Spin-orbit-torque magnetoresistive random-access memory

Номер патента: US11793001B2. Автор: Oscar van der Straten,Eric Raymond EVARTS,Virat Vasav Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-17.

Two-bit magnetoresistive random-access memory device architecture

Номер патента: WO2022167215A1. Автор: Ashim Dutta,Eric Raymond EVARTS. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2022-08-11.

Spin-orbit-torque magnetoresistive random-access memory array

Номер патента: GB2624142A. Автор: Hashemi Pouya,Worledge Daniel,Kenneth Debrosse John. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-08.

Method for writing to magnetic random access memory

Номер патента: US20200020375A1. Автор: Baohua Niu,Ji-Feng Ying,Jhong-Sheng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Method for writing to magnetic random access memory

Номер патента: US20200312393A1. Автор: Baohua Niu,Ji-Feng Ying,Jhong-Sheng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Method for writing to magnetic random access memory

Номер патента: US20230335171A1. Автор: Baohua Niu,Ji-Feng Ying,Jhong-Sheng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Method for writing to magnetic random access memory

Номер патента: US20220157360A1. Автор: Baohua Niu,Ji-Feng Ying,Jhong-Sheng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-19.

Spin-orbit-torque magnetoresistive random-access memory array

Номер патента: US12020736B2. Автор: Pouya Hashemi,Daniel Worledge,John Kenneth Debrosse. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Non-volatile memory device and its operating method

Номер патента: US20240206187A1. Автор: Younghyun Kim,Simin Chen,Seongui An,Taewon Jin,Taehyeon Noh. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-06-20.

Shared line magnetic random access memory cells

Номер патента: EP2289102A1. Автор: Jean-Pierre Nozieres,Neal Berger,Kenneth Mackay,Virgile Javerliac. Владелец: CROCUS TECHNOLOGY SA. Дата публикации: 2011-03-02.

Memory devices with magnetic random access memory (mram) cells and associated structures for connecting the mram cells

Номер патента: WO2014066160A2. Автор: Mourad El Baraji,Neal Berger,Amitay Levi. Владелец: CROCUS TECHNOLOGY INC.. Дата публикации: 2014-05-01.

Memory devices with magnetic random access memory (mram) cells and associated structures for connecting the mram cells

Номер патента: EP2909837A2. Автор: Mourad El Baraji,Neal Berger,Amitay Levi. Владелец: Crocus Technology Inc. Дата публикации: 2015-08-26.

Memory Devices with Magnetic Random Access Memory (MRAM) Cells and Associated Structures for Connecting the MRAM Cells

Номер патента: US20140361392A1. Автор: Mourad El Baraji,Neal Berger,Amitay Levi. Владелец: Crocus Technology Inc. Дата публикации: 2014-12-11.

Magnetoresistive random access memory device

Номер патента: US20110012179A1. Автор: Takeshi Kajiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-01-20.

Resistive random access memory device with a solid electrolyte including a region made of a first metal oxide and doped by a second element distinct from the first metal

Номер патента: US09722177B2. Автор: Philippe Blaise,Faiz Dahmani,Gabriel Molas,Elisa Vianello. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-08-01.

Spin transfer torque magnetoresistive random-access memory and design methods

Номер патента: RU2427045C2. Автор: Сеунг Х. КАНГ,Мехди Хамиди САНИ,Сеонг-Оок ДЗУНГ,Сеи Сеунг ЙООН. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2011-08-20.

Method for Manufacturing a Magnetic Memory Device by Pre-Patterning a Bottom Electrode prior to Patterning a Magnetic Material

Номер патента: US20190207104A1. Автор: Mustafa Pinarbasi,Bartlomiej Adam KARDASZ,Jorge Vasquez,Girish Jagtiani. Владелец: Spin Memory Inc. Дата публикации: 2019-07-04.

Nonvolatile static random access memory (NVSRAM) system having a static random access memory (SRAM) array and a resistive memory array

Номер патента: US09640256B1. Автор: Jon S. Choy,Anirban Roy,Michael A. Sadd. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Method of writing to a multi-state magnetic random access memory cell

Номер патента: EP1661139A2. Автор: Bradley N. Engel,Jon M. Slaughter,Eric J. Salter. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2006-05-31.

Method of writing to a multi-state magnetic random access memory cell

Номер патента: WO2005024905A2. Автор: Bradley N. Engel,Jon M. Slaughter,Eric J. Salter. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2005-03-17.

Method of writing to a multi-state magnetic random access memory cell

Номер патента: EP1661139A4. Автор: Bradley N Engel,Jon M Slaughter,Eric J Salter. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2007-07-11.

Resistive random access memory

Номер патента: US9935265B2. Автор: Ting-Chang Chang,Tsung-Ming Tsai,Kuan-Chang CHANG,Chih-Hung Pan,Po-Hsun Chen. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2018-04-03.

Resistive Random Access Memory

Номер патента: US20170346004A1. Автор: Ting-Chang Chang,Tsung-Ming Tsai,Kuan-Chang CHANG,Chih-Hung Pan,Po-Hsun Chen. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2017-11-30.

Conductive bridging memory device

Номер патента: US9691975B2. Автор: Ludovic Goux,Attilio Belmonte. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-06-27.

Conductive bridging memory device

Номер патента: US20160181518A1. Автор: Ludovic Goux,Attilio Belmonte. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-06-23.

Conductive bridging memory device

Номер патента: US09691975B2. Автор: Ludovic Goux,Attilio Belmonte. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-06-27.

Magnetoresistive effect element and magnetic random access memory

Номер патента: US20100091555A1. Автор: Shunsuke Fukami. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2010-04-15.

Hierarchical memory magnetoresistive random-access memory (mram) architecture

Номер патента: EP2839462A1. Автор: Seung H. Kang,Xiaochun Zhu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-02-25.

Hierarchical memory magnetoresistive random-access memory (mram) architecture

Номер патента: WO2013158958A1. Автор: Seung H. Kang,Xiaochun Zhu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2013-10-24.

Initialization Process for Magnetic Random Access Memory (MRAM) Production

Номер патента: US20190311754A1. Автор: Jian Zhu,Huanlong Liu,Guenole Jan,Yuan-Jen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-10-10.

Static random access memory devices

Номер патента: WO2013150260A2. Автор: . Владелец: Silicon Basis Ltd.. Дата публикации: 2013-10-10.

Voltage divider circuits, comparators, and analog-to-digital converters utilizing non-volatile memory devices

Номер патента: WO2024092044A1. Автор: Ning Ge,Sangsoo Lee,Wenbo Yin,Hengfang Zhu. Владелец: TETRAMEM INC.. Дата публикации: 2024-05-02.

Magnetoresistive random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170170234A1. Автор: Jae-Kyu Lee,Ki-Seok SUH,Sung-In KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-15.

Voltage divider circuits utilizing non-volatile memory devices

Номер патента: US20240137038A1. Автор: Ning Ge,Sangsoo Lee,Wenbo Yin,Hengfang Zhu. Владелец: Tetramem Inc. Дата публикации: 2024-04-25.

Assisted write method for magnetic random access memory

Номер патента: US20210241809A1. Автор: Ji-Feng Ying,Duen-Huei HOU,Jhong-Sheng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

Error rate reduction in a non-volatile memory (NVM), including magneto-resistive random access memories (MRAMS)

Номер патента: US11755411B2. Автор: Anirban Roy,Nihaar N. Mahatme. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Error rate reduction in a non-volatile memory (nvm), including magneto-resistive random access memories (mrams)

Номер патента: US20220179740A1. Автор: Anirban Roy,Nihaar N. Mahatme. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-06-09.

Read methods for magneto-resistive device having soft reference layer

Номер патента: US20030058685A1. Автор: Manish Sharma,Lung Tran. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2003-03-27.

Magneto-resistive Random access memory and method for manufacturing the same

Номер патента: KR100829556B1. Автор: 김태완,박상진,송이헌,박완준,박병국,이택동. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-05-14.

Phase-change memory devices

Номер патента: US20240276892A1. Автор: Tung Ying Lee,yu chao Lin,Shao-Ming Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Single deposition layer metal dynamic random access memory

Номер патента: US20010046148A1. Автор: Todd Merritt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-11-29.

Resistive random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200321521A1. Автор: Po-Yen Hsu,Bo-Lun Wu,Ting-Ying SHEN. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-10-08.

Selective growth of seed layer for magneto-resistive random access memory

Номер патента: US10355204B2. Автор: Eugene J. O'Sullivan,Chandrasekharan Kothandaraman,Anthony J. Annunziata,Nathan P. Marchack. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-16.

Phase-Change Random Access Memory Device and Methods of Making the Same

Номер патента: US20240206351A1. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Resistive random access memory device

Номер патента: US20150280120A1. Автор: Philippe Blaise,Faiz Dahmani,Gabriel Molas,Elisa Vianello,Rémy GASSILOUD. Владелец: Altis Semiconductor SNC. Дата публикации: 2015-10-01.

Method of making a resistive random access memory device with metal-doped resistive switching layer

Номер патента: US09385164B2. Автор: Petri Raisanen,Qi Xie,Vladimir Machkaoutsan,Jan Willem Maes,Michael Givens. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2016-07-05.

Metal-oxide-based conductive-bridging random access memory (CBRAM) having the solid electrolyte doped with a second metal

Номер патента: US9431607B2. Автор: Philippe Blaise,Faiz Dahmani,Gabriel Molas,Elisa Vianello,Rémy GASSILOUD. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-08-30.

Organic Resistive Random Access Memory and a Preparation Method Thereof

Номер патента: US20160049604A1. Автор: Yimao Cai,Ru Huang,Yichen FANG,Zongwei Wang,Wenliang Bai,Yefan Liu. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-02-18.

Method of fabricating magneto-resistive random access memory (MRAM)

Номер патента: US12048250B2. Автор: Chung-Te Lin,Chien-Hua Huang,Han-Ting Lin,Chang-Lin Yang,Sheng-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Method of fabricating magneto-resistive random access memory (mram)

Номер патента: US20240349616A1. Автор: Chung-Te Lin,Chien-Hua Huang,Han-Ting Lin,Chang-Lin Yang,Sheng-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Magneto-resistive random access memory with tapered sidewalls

Номер патента: US20230403944A1. Автор: Chih-Chao Yang,Koichi Motoyama,Oscar van der Strate. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Method of fabricating magneto-resistive random access memory (mram)

Номер патента: US20240090336A1. Автор: Chung-Te Lin,Chien-Hua Huang,Han-Ting Lin,Chang-Lin Yang,Sheng-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Method of fabricating magneto-resistive random access memory (MRAM)

Номер патента: US11849644B2. Автор: Chung-Te Lin,Chien-Hua Huang,Han-Ting Lin,Chang-Lin Yang,Sheng-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Beveled magneto-resistive random access memory pillar structure

Номер патента: US20230422630A1. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Praneet Adusumilli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

In-array magnetic shield for spin-transfer torque magneto-resistive random access memory

Номер патента: WO2023006411A1. Автор: Heng Wu,Dimitri Houssameddine,Karthik Yogendra,Saba Zare. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-02-02.

Magnetic-assisted nondestructive self-reference sensing method for spin-transfer torque random access memory

Номер патента: US09627024B2. Автор: Hai Li,Yiran Chen,Enes Eken,Wujie Wen,Xiuyuan Bi. Владелец: University of Pittsburgh. Дата публикации: 2017-04-18.

WRITE EFFICIENCY IN MAGNETO-RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORIES

Номер патента: US20210098041A1. Автор: Guyot Cyril,Choi Won Ho,Jeon Yoocharn,KIM Yongjune,Cassuto Yuval. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2021-04-01.

High speed magneto-resistive random access memory

Номер патента: US5173873A. Автор: Jiin-Chuan Wu,Henry L. Stadler,Romney R. Katti. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 1992-12-22.

Write efficiency in magneto-resistive random access memories

Номер патента: US11031061B2. Автор: Cyril Guyot,Yongjune Kim,Yoocharn Jeon,Won Ho Choi,Yuval Cassuto. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2021-06-08.

ERROR RATE REDUCTION IN A NON-VOLATILE MEMORY (NVM), INCLUDING MAGNETO-RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORIES (MRAMS)

Номер патента: US20220179740A1. Автор: Roy Anirban,Mahatme Nihaar N.. Владелец: . Дата публикации: 2022-06-09.

Method for improving the stabillity, write-ability and manufacturability of magneto-resistive random access memory

Номер патента: US20150063011A1. Автор: Chen Laurence Lujun,Chen Di (Laura),Chen Michael Meng. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-05.

High speed mos random access read/write memory device

Номер патента: US3848237A. Автор: M Geilhufe,R Mehta. Владелец: Advanced Memory Systems Inc. Дата публикации: 1974-11-12.

Integration of Magneto-Resistive Random Access Memory and Capacitor

Номер патента: US20180350877A1. Автор: Chung-Cheng Chou,Tien-Wei Chiang,Ya-Chen Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-12-06.

Integration of Magneto-Resistive Random Access Memory and Capacitor

Номер патента: US20140264463A1. Автор: Chung-Cheng Chou,Tien-Wei Chiang,Ya-Chen Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-09-18.

Static random access memory device and forming method thereof

Номер патента: US09871049B1. Автор: Su Xing,Wanxun He. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Fin field-effect transistor static random access memory devices with p-channel metal-oxide-semiconductor pass gate transistors

Номер патента: US20160133634A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-05-12.

Fin field-effect transistor static random access memory devices with p-channel metal-oxide-semiconductor pass gate transistors

Номер патента: WO2016022212A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-02-11.

Method of Operating Semiconductor Memory Device with Floating Body Transistor Using Silicon Controlled Rectifier Principle

Номер патента: US20210257365A1. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2021-08-19.

Method of operating semiconductor memory device with floating body transisor using silicon controlled rectifier principle

Номер патента: US09960166B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Method of operating semiconductor memory device with floating body transistor using silicon controlled rectifier principle

Номер патента: US09761589B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of operating semiconductor memory device with floating body transistor using silicon controlled rectifier principle

Номер патента: US09484082B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US20230326518A1. Автор: Meng-Fan Chang,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Jer-Fu Wang,Yi-Tse Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

High performance embedded semiconductor memory devices with multiple dimension first-level bit-lines

Номер патента: US20030043657A1. Автор: Jeng-Jye Shau. Владелец: UNIRAM Tech Inc. Дата публикации: 2003-03-06.

Differential vector storage for dynamic random access memory

Номер патента: US09424908B2. Автор: Amin Shokrollahi,Harm Cronie. Владелец: Kandou Labs SA. Дата публикации: 2016-08-23.

Static random access memory with pre-charge circuit

Номер патента: US20230389255A1. Автор: Po-Sheng Wang,Cheng Hung Lee,Yangsyu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Resistive random access memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09559300B2. Автор: Hiroyuki Ode,Takeshi Takagi,Toshiharu Tanaka,Takeshi Yamaguchi,Masaki Yamato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09947673B1. Автор: Chun-Yen TSENG,Ching-Cheng Lung,Yu-Tse Kuo,Shih-Hao Liang,Shao-Hui Wu,Hung-Chan Lin,Ting-Chia Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Method for operating a conductive bridging memory device

Номер патента: US09685229B2. Автор: Ludovic Goux,Attilio Belmonte. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-06-20.

Non-volatile static random access memory bit cells with ferroelectric field-effect transistors

Номер патента: EP4386755A1. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Bipul C. Paul,Pirooz Parvarandeh,Navneet Jain,Halid MULAOSMANOVIC. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-06-19.

Pulse generating circuit for dynamic random access memory device

Номер патента: US6114891A. Автор: Dae Jeong Kim. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2000-09-05.

Random access memory imaging system

Номер патента: WO1980002629A1. Автор: J Petty,H Gardner. Владелец: Ncr Co. Дата публикации: 1980-11-27.

Memory devices based on ferroelectric field effect transistors

Номер патента: US20200083234A1. Автор: Jan Van Houdt,Julien Ryckaert,Alessio Spessot,Shairfe Muhammad Salahuddin. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-03-12.

Arbitration control for pseudostatic random access memory device

Номер патента: US20220365888A1. Автор: Geun-Young Park,Seong-Jun Jang. Владелец: Integrated Silicon Solution Cayman Inc. Дата публикации: 2022-11-17.

Static random access memory and operation method thereof

Номер патента: US20220284966A1. Автор: Yi-Chung Liang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-09-08.

Stacked thin-film transistor based embedded dynamic random-access memory

Номер патента: US20200035683A1. Автор: Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Bernhard Sell,Pei-Hua Wang,Chieh-Jen Ku,Abhishek A. Sharma,Travis W. LaJoie,Van H. Le,Fatih Hamzaoglu,Umut ARSLAN,Juan G. Alzate-Vinasco. Владелец: INTE Corp. Дата публикации: 2020-01-30.

Memory device and manufacturing method

Номер патента: US20200135742A1. Автор: Feng-Ming Chang,Kuo-Hung Lo,Ying-Hsiu KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Memory device and manufacturing method

Номер патента: US20220208774A1. Автор: Feng-Ming Chang,Kuo-Hung Lo,Ying-Hsiu KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Memory device and manufacturing method

Номер патента: US20230276608A1. Автор: Feng-Ming Chang,Kuo-Hung Lo,Ying-Hsiu KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Memory device and manufacturing method

Номер патента: US20210066312A1. Автор: Feng-Ming Chang,Kuo-Hung Lo,Ying-Hsiu KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Static random access memory (sram) unit and related device

Номер патента: EP3832648A1. Автор: Han Xu,Miao Zheng,Fei QIAO. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-09.

Memory device for a dynamic random access memory

Номер патента: US20180102365A1. Автор: Jan Van Houdt,Julien Ryckaert,Hyungrock OH. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2018-04-12.

Arbitration control for pseudostatic random access memory device

Номер патента: US20210357335A1. Автор: Geun-Young Park,Seong-Jun Jang. Владелец: Integrated Silicon Solution Cayman Inc. Дата публикации: 2021-11-18.

Method of manufacturing a dual mode ferroelectric random access memory (FRAM) having imprinted read-only (RO) data

Номер патента: US09711715B2. Автор: Srinath Ramaswamy,Clive Bittlestone,Joyce Kwong,Chiraag Juvekar,Stephen Heinrich-Barna. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Memory cell including electret and random access memory thereof

Номер патента: US09627406B1. Автор: Kim P. Cheung. Владелец: US Department of Commerce. Дата публикации: 2017-04-18.

Nonvolative random access memory device

Номер патента: CA2124355C. Автор: John W. Palmour,Calvin H. Carter, Jr.,James A. Cooper, Jr.. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2005-01-25.

3d dram memory devices and structures with control circuits

Номер патента: US20230329013A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

3D DRAM memory devices and structures with control circuits

Номер патента: US11812620B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Thin film transistor deck selection in a memory device

Номер патента: US20240276736A1. Автор: Daniele Vimercati,Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Static random access memory unit structure and static random access memory layout structure

Номер патента: US20170018302A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Chin-Sheng Yang,Chia-Wei Huang,Ming-Jui Chen,Tan-Ya Yin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-19.

Multi-Value Nonvolatile Organic Resistive Random Access Memory and Method for Preparing the Same

Номер патента: US20160240778A1. Автор: QIANG LI,Yimao Cai,Ru Huang,Yue Pan,Yichen FANG,Zongwei Wang,Muxi Yu,Yefan Liu. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-08-18.

Embedded semiconductor random access memory structure and control method therefor

Номер патента: US20240306397A1. Автор: Kaifeng WANG,Ru Huang,Qianqian Huang,Zhiyuan Fu. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory Cell of Static Random Access Memory Based on DICE Structure

Номер патента: US20180174648A1. Автор: LIANG Chen,Li Liu,Jingqiu Wang. Владелец: Institute of Automation of Chinese Academy of Science. Дата публикации: 2018-06-21.

Flying and twisted bit line architecture for dual-port static random-access memory (DP SRAM)

Номер патента: US09928899B2. Автор: Jung-Hsuan Chen,Yen-Huei Chen,Sahil Preet Singh,Avinash Chander,Albert Ying. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Monostable memory cell and random access memory utilizing the same

Номер патента: CA1104721A. Автор: Kazumasa Shiga. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1981-07-07.

Static random access memory cell

Номер патента: US20180174642A1. Автор: Praveen Raghavan,Julien Ryckaert,Trong Huynh Bao,Pieter Weckx. Владелец: Vrije Universiteit Brussel VUB. Дата публикации: 2018-06-21.

Thin film transistor random access memory

Номер патента: US11800696B2. Автор: Richard E. Fackenthal. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Thin film transistor deck selection in a memory device

Номер патента: US20220375950A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-11-24.

Thin film transistor deck selection in a memory device

Номер патента: US12069847B2. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Method of Operating Semiconductor Memory Device with Floating Body Transistor Using Silicon Controlled Rectifier Principle

Номер патента: US20230413511A1. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Method of operating semiconductor memory device with floating body transistor using silicon controlled rectifier principle

Номер патента: US11785758B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

High performance embedded semiconductor memory device with multiple dimension first-level bit-lines

Номер патента: WO2002017326A1. Автор: Jeng-Jye Shau. Владелец: Shau Jeng Jye. Дата публикации: 2002-02-28.

Dynamic random-access memory device and method of fabricating same

Номер патента: US20240107739A1. Автор: Mohit Gupta,Romain Delhougne,Gouri Sankar Kar,Attilio Belmonte,Hyungrock OH,Nouredine Rassoul,Kaustuv Banerjee. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-03-28.

Memory circuit, dynamic random access memory and operation method thereof

Номер патента: US20240237328A9. Автор: E Ray HSIEH. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2024-07-11.

Control circuit and control method for controlling delay lock loop in dynamic random access memory

Номер патента: US20190311761A1. Автор: Chuan-Jen Chang,Wen-Ming Lee. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2019-10-10.

Vertical static random access memory and method of fabricating thereof

Номер патента: US12063766B2. Автор: Shih-Hao Lin,Chih-Chuan Yang,Chia-Hao Pao,Kuo-Hsiu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Vertical Static Random Access Memory and Method of Fabricating Thereof

Номер патента: US20240341073A1. Автор: Shih-Hao Lin,Chih-Chuan Yang,Chia-Hao Pao,Kuo-Hsiu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Data backup unit for static random-access memory device

Номер патента: US20230301052A1. Автор: Katherine H. Chiang,Yun-Feng KAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory with fram and sram of ic and method for accessing memory

Номер патента: US20210249079A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-12.

Memory device with SRAM cells assisted by non-volatile memory cells and operation method thereof

Номер патента: US11929115B2. Автор: Meng-Fan Chang,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Jer-Fu Wang,Yi-Tse Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Data-in amplifier for an MISFET memory device having a clamped output except during the write operation

Номер патента: US4161040A. Автор: Takashi Satoh. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1979-07-10.

Static random access memory device

Номер патента: US11935882B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Static random access memory device

Номер патента: US20240186312A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Static random access memory structure

Номер патента: US20190096892A1. Автор: Chun-Hsien Huang,Chien-Hung Chen,Li-Ping Huang,Chun-Yen TSENG,Ching-Cheng Lung,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang,Meng-Ping Chuang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-03-28.

Static random access memories (sram) with read-preferred cell structures, write drivers, related systems, and methods

Номер патента: EP2948954A1. Автор: Bin Yang,Seong-Ook Jung,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Younghwi Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-12-02.

Static random access memories (sram) with read-preferred cell structures, write drivers, related systems, and methods

Номер патента: WO2014116655A1. Автор: Bin Yang,Seong-Ook Jung,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Younghwi Yang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-07-31.

An aging sensor for a static random access memory (sram)

Номер патента: WO2016191046A1. Автор: Venkatasubramanian Narayanan,Alex Dongkyu Park. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-12-01.

An aging sensor for a static random access memory (sram)

Номер патента: EP3304562A1. Автор: Venkatasubramanian Narayanan,Alex Dongkyu Park. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-04-11.

Ultra-deep compute static random access memory with high compute throughput and multi-directional data propagation

Номер патента: EP3905248A1. Автор: Somnath Paul,Muhammad M. Khellah,Charles Augustine,Chen Koren. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-11-03.

Manufacturing method for magneto-resistance effect element and magneto-resistance effect element

Номер патента: CN101101959A. Автор: 汤浅裕美,福泽英明,藤庆彦. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-01-09.

Laser programming and writingwriting apparatus and method for magneto-resistive device

Номер патента: EP4303540A1. Автор: James Geza Deak,Zhimin Zhou. Владелец: MultiDimension Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-10.

Manufacturing method for magneto-resistance effect element

Номер патента: CN101101959B. Автор: 汤浅裕美,福泽英明,藤庆彦. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-06-16.

Fabrication process for magneto-resistive effect devices of the cpp structure

Номер патента: US20080052896A1. Автор: Koji Shimazawa,Yoshihiro Tsuchiya,Tomohito Mizuno. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2008-03-06.

Non-volatile random access memory (NVRAM)

Номер патента: US09558800B2. Автор: Anirban Roy,Thomas Jew. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Magnetic random access memory cell with low power consumption

Номер патента: RU2573757C2. Автор: Иоан Люсиан ПРЕЖБЕАНЮ,Селин ПОРТЕМОН,Кларисс ДЮКРЮЭ. Владелец: Крокус Текнолоджи Са. Дата публикации: 2016-01-27.

Magnetic Random Access Memory Devices Including Multi-Bit Cells

Номер патента: US20120314487A1. Автор: Mourad El Baraji,Neal Berger,Lucian Prejbeanu,Guillaume Prenat,Lucien Lombard,Ricardo Alves Ferreira Costa E Sousa. Владелец: Crocus Technology Inc. Дата публикации: 2012-12-13.

Magnetic random access memory devices configured for self-referenced read operation

Номер патента: EP2673779A2. Автор: Mourad El Baraji,Neal Berger. Владелец: Crocus Technology Inc. Дата публикации: 2013-12-18.

Magnetic random access memory devices configured for self-referenced read operation

Номер патента: WO2012109094A2. Автор: Mourad El Baraji,Neal Berger. Владелец: CROCUS TECHNOLOGY INC.. Дата публикации: 2012-08-16.

Multi-bit spin torque transfer magnetoresistive random access memory with sub-arrays

Номер патента: WO2016144436A2. Автор: Yu Lu,Xia Li. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-09-15.

Multi-bit spin torque transfer magnetoresistive random access memory with sub-arrays

Номер патента: EP3268966A2. Автор: Yu Lu,Xia Li. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-17.

Multi-bit spin torque transfer magnetoresistive random access memory with sub-arrays

Номер патента: US09437272B1. Автор: Yu Lu,Xia Li. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Spin-orbit torque magnetoresistive random access memory and method of operating the same

Номер патента: US20240290367A1. Автор: Kaiyou Wang,Kun Lei,Xiukai Lan,Zelalem Abebe Bekele. Владелец: Institute of Semiconductors of CAS. Дата публикации: 2024-08-29.

Magnetic random access memory cell with improved dispersion of switching field

Номер патента: RU2599956C2. Автор: Иоан Люсиан ПРЕЖБЕАНЮ,Люсьен ЛОМБАР. Владелец: Крокус Текнолоджи Са. Дата публикации: 2016-10-20.

Magnetoresistive Random-Access Memory (MRAM) Cell and Method of Operation Thereof

Номер патента: US20240339144A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Hung Cho Wang,Wen-Chun YOU,Tien-Wei Chiang,Ching-Huang Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Spin orbit torque magnetic random access memory cell, spin orbit torque magnetic random access memory array, and method for calculating hamming distance

Номер патента: US20230280978A1. Автор: LING Li,Ming Liu,Feng Zhang,Huai Lin,Di Wang,Long Liu,Changqing Xie,Guozhong XING. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-09-07.

Magnetic random access memory device

Номер патента: US20130058157A1. Автор: Jiwei Lu,Stuart A. Wolf,Mircea R. Stan. Владелец: UNIVERSITY OF VIRGINIA PATENT FOUNDATION. Дата публикации: 2013-03-07.

Pulsed write techniques for magneto-resistive memories

Номер патента: US7038940B2. Автор: William J. Johnson,Theodore Zhu,Anthony S. Arrott,Richard W. Swanson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-05-02.

Pulsed write techniques for magneto-resistive memories

Номер патента: US20020154539A1. Автор: Richard Swanson,William Johnson,Theodore Zhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-10-24.

Method for writing in mram-based memory device with reduced power consumption

Номер патента: RU2546572C2. Автор: Нил БЕРГЕР,БАРАДЖИ Мурад ЭЛЬ. Владелец: Крокус Текнолоджи Са. Дата публикации: 2015-04-10.

Three-dimensional memory device with embedded dynamic random-access memory

Номер патента: EP4401127A2. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Three-dimensional static random access memory device structures

Номер патента: US09941287B2. Автор: Chien-yuan Chen,Hau-Tai Shieh,Chien-Yu Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Three-dimensional static random access memory device structures

Номер патента: US09558791B2. Автор: Chien-yuan Chen,Hau-Tai Shieh,Chien-Yu Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Management of memory array with magnetic random access memory (MRAM)

Номер патента: US9311232B2. Автор: Siamack Nemazie,Mehdi Asnaashari. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2016-04-12.

Management of memory array with magnetic random access memory (mram)

Номер патента: US20160232092A1. Автор: Siamack Nemazie,Mehdi Asnaashari. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-11.

Management of memory array with magnetic random access memory (MRAM)

Номер патента: US09652386B2. Автор: Siamack Nemazie,Mehdi Asnaashari. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Memory device with ferroelectric charge trapping layer

Номер патента: US12041782B2. Автор: Jan Van Houdt. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-07-16.

Thin film transistor random access memory

Номер патента: US11770923B2. Автор: Richard E. Fackenthal. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Magnetoresistive random access memory devices

Номер патента: EP1329904A2. Автор: Frederick A. Perner. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2003-07-23.

A monolithic three dimensional (3d) random access memory (ram) array architecture with bitcell and logic partitioning

Номер патента: EP3020045A1. Автор: Yang Du,Pratyush Kamal. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-05-18.

A monolithic three dimensional (3d) random access memory (ram) array architecture with bitcell and logic partitioning

Номер патента: WO2015006563A1. Автор: Yang Du,Pratyush Kamal. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-01-15.

Static random access memory device having uniform write characteristics

Номер патента: US20180158516A1. Автор: Chanho LEE,Jaeseung Choi,Ingyu Park,Inhak LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-07.

Static random access memory device having uniform write characteristics

Номер патента: US9990986B1. Автор: Chanho LEE,Jaeseung Choi,Ingyu Park,Inhak LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Techniques for performing command address in interface training on a dynamic random-access memory

Номер патента: US11742006B2. Автор: Gautam Bhatia,Robert BLOEMER. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Resistive random access memory device embedding tunnel insulating layer and memory array using the same and fabrication method thereof

Номер патента: US09799706B2. Автор: Sungjun Kim,Byung-gook Park,Seongjae Cho. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Gachon University. Дата публикации: 2017-10-24.

Random access memory with cmos-compatible nonvolatile storage element and parallel storage capacitor

Номер патента: US20120262980A1. Автор: G. R. Mohan Rao. Владелец: S Aqua Semiconductor LLC. Дата публикации: 2012-10-18.

Planar memory cell architectures in resistive memory devices

Номер патента: US09953705B2. Автор: Daniel Bedau. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Resistive random-access memory devices with a via device structure

Номер патента: US20230292635A1. Автор: Ning Ge,Minxian Zhang,Mingche Wu. Владелец: Tetramem Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor memory device and manufacturing method

Номер патента: US20030205771A1. Автор: Hiroshi Mizuta,Hideo Sunami,Kazuo Nakazato,Kiyoo Itoh,Toshikazu Shimada. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-11-06.

Resistance random access memory device and method for operating same

Номер патента: US20170256310A1. Автор: Reika Ichihara,Kikuko Sugimae,Yusuke ARAYASHIKI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

Three-dimensional stackable ferroelectric random access memory devices and methods of forming

Номер патента: US20240268122A1. Автор: Feng-Cheng Yang,Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Forming control method applied to resistive random-access memory cell array

Номер патента: US12063774B2. Автор: Tsung-Mu Lai,Wei-Chen Chang,I-Lang Lin,Meng-Chiuan WU. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Optimized static random access memory

Номер патента: US12016169B2. Автор: Shih-Hao Lin,Chih-Chuan Yang,Choh fei Yeap,Yu-Kuan Lin,Ping-Wei Wang,Lien Jung Hung,Chia-Hao Pao,Kian-Long Lim,Kuo-Hsiu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Resistance random access memory device and method for operating same

Номер патента: US09779808B2. Автор: Reika Ichihara,Kikuko Sugimae,Yusuke ARAYASHIKI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Resistive random-access memory cells

Номер патента: US20150003144A1. Автор: Abu Sebastian,Evangelos S Eleftheriou,Daniel Krebs. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-01-01.

Processing and memory device and system

Номер патента: US20240251566A1. Автор: Chung-Te Lin,Yen-Chung Ho,Pin-Cheng HSU,Han-Ting Tsai,Katherine Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Apparatus, System, and Method for Writing Multiple Magnetic Random Access Memory Cells with a Single Field Line

Номер патента: US20130094283A1. Автор: Jean-Pierre Nozieres,Neal Berger,Virgile Javerliac. Владелец: Crocus Technology Inc. Дата публикации: 2013-04-18.

Non-volatile memory device with comparison capability between target and readout data

Номер патента: US20220336027A1. Автор: Hsing-Yu Liu,Jyun-Yu Lai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-10-20.

Methods and apparatus for reusing lookup table random-access memory (LUTRAM) elements as configuration random-access memory (CRAM) elements

Номер патента: US09940995B1. Автор: Kenneth Duong,Trevis Chandler,Jung Ko,Dipak Sikdar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Resistive random-access memory cells

Номер патента: US09530493B2. Автор: Abu Sebastian,Evangelos S Eleftheriou,Daniel Krebs. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Recording operation for magnetoresistive random access memory with spin transfer torque with reduced size of bit cell

Номер патента: RU2471260C2. Автор: Сеунг Х. КАНГ,Сей Сеунг ЙООН,Мехди Хамиди САНИ,Сеонг-Оок ДЗУНГ. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2012-12-27.

Symmetric read operation resistive random-access memory cell with bipolar junction selector

Номер патента: WO2022134870A1. Автор: Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Ruilong Xie,Heng Wu. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2022-06-30.

Symmetric read operation resistive random-access memory cell with bipolar junction selector

Номер патента: GB2618233A. Автор: Reznicek Alexander,Hekmatshoartabari Bahman,Xie Ruilong,Wu Heng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-11-01.

Read/write control method and device for ddr dynamic random access memory, and system

Номер патента: US20220093163A1. Автор: Xitong Ma. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-24.

Electronic device and dynamic random access memory thereof

Номер патента: US20170140616A1. Автор: Han-Hung CHENG,Chi-Fen KUO. Владелец: Alson Technology Ltd. Дата публикации: 2017-05-18.

Electronic device and dynamic random access memory thereof

Номер патента: NL1042103A. Автор: CHENG Han-Hung,KUO Chi-Fen. Владелец: Avexir Tech Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Multi-port memory device having serial input/output interface

Номер патента: US20100135057A1. Автор: Jae-Hyuk Im,Chang-Ho Do. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-03.

Multi-port memory device having serial input/output interface

Номер патента: US7915745B2. Автор: Jae-Hyuk Im,Chang-Ho Do. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-03-29.

Multi-port memory device having serial input/output interface

Номер патента: US20070241465A1. Автор: Jae-Hyuk Im,Chang-Ho Do. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-10-18.

1T-1R architecture for resistive random access memory

Номер патента: US09824752B2. Автор: Deepak Chandra Sekar,Wayne Frederick Ellis. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-11-21.

Electronic device and dynamic random access memory thereof

Номер патента: US09786136B2. Автор: Han-Hung CHENG,Chi-Fen KUO. Владелец: Alson Technology Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

System and method of forming magnetic random access memory

Номер патента: RU2464672C2. Автор: Сяочунь ЧЖУ,Ся ЛИ,Сеунг Х. КАНГ. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2012-10-20.

Fail-safe random access memory

Номер патента: RU2579954C2. Автор: Александр Алексеевич Павлов,Алексей Николаевич Царьков,Александр Викторович Гусев,Алексей Александрович Павлов,Денис Евгеньевич Сорокин,Алексей Андреевич Бурмистров. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Институт управления образованием Российской академии образования" (ФГБНУ "ИУО РАО"). Дата публикации: 2016-04-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09805781B2. Автор: Naoki Shimizu,Ji Hyae Bae. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Method, apparatus and device for operating logical operation array of resistive random access memory

Номер патента: US09767900B2. Автор: Yi Li,Junfeng Zhao,Yaxiong Zhou,Zhulin Wei,Xiangshui Miao,Ronggang Xu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Method of forming a conductive filament in a living resistive memory device including a pre-forming step to form a localised path of oxygen vacancies from an interface layer

Номер патента: US09748477B2. Автор: Gabriel Molas,Marinela Barci. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-08-29.

Memory circuit using resistive random access memory arrays in a secure element

Номер патента: US09588908B2. Автор: Bertrand F. Cambou. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-07.

Novel resistive random access memory device

Номер патента: US20240237357A1. Автор: Chia-Wei Liu,Jheng-Hong Jiang,Cheung Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory device including arrangement of independently and concurrently operable tiles of memory transistors

Номер патента: EP4445369A1. Автор: Tz-yi Liu,Masahiro Yoshihara,Raul Adrian Cernea,Eli Harari,Shay FUX,Sagie GOLDENBERG. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2024-10-16.

Logic drive using standard commodity programmable logic IC chips comprising non-volatile random access memory cells

Номер патента: US12057837B2. Автор: Jin-Yuan Lee,Mou-Shiung Lin. Владелец: Icometrue Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

NAND type variable resistance random access memory and methods

Номер патента: US09548398B2. Автор: Steve S. Chung,E-Ray HSIEH. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2017-01-17.

Three-dimensional memory device with embedded dynamic random-access memory

Номер патента: WO2020220280A1. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-11-05.

Magnetoresistive random access memory and operating method thereof

Номер патента: US11222677B1. Автор: Wen Chin Lin,Ming Sheng Tung. Владелец: NS Poles Technology Corp. Дата публикации: 2022-01-11.

Magnetic random access memory with reduced parasitic currents

Номер патента: US20030214837A1. Автор: Kenneth Smith,Peter Fricke,Andrew VanBrocklin. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2003-11-20.

Magnetic random access memory

Номер патента: US20070253244A1. Автор: Yu-Jen Wang,Chih-Huang Lai,Denny Tang,Chih-Huo Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-11-01.

High aspect ratio vertical interconnect access (via) interconnections in magnetic random access memory (MRAM) bit cells

Номер патента: US09704919B1. Автор: Yu Lu,Wei-Chuan Chen,Seung Hyuk KANG,Jimmy Jianan KAN. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Provision of holding current in non-volatile random access memory

Номер патента: US09685213B2. Автор: Raymond W. Zeng,Mase J. Taub,Kiran Pangal,Dany-Sebastien LY-GAGNON. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Provision of holding current in non-volatile random access memory

Номер патента: US09543004B1. Автор: Raymond W. Zeng,Mase J. Taub,Kiran Pangal,Dany-Sebastien LY-GAGNON. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Magnetic random access memory (MRAM) and method of operation

Номер патента: US09520173B1. Автор: Anirban Roy,Michael A. Sadd,Frank K. Baker, Jr.,Bruce L. Morton. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-12-13.

Resistive random access memory structure and method for operating resistive random access memory

Номер патента: US09419053B2. Автор: Mao-Teng Hsu. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Three-Dimensional Static Random Access Memory Device Structures

Номер патента: US20200388623A1. Автор: Chien-yuan Chen,Hau-Tai Shieh,Chien-Yu Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-10.

Magnetoresistive random access memory for physically unclonable function technology and associated random code generating method

Номер патента: US11980026B2. Автор: Tsung-Mu Lai,Chun-Yuan Lo,Chun-Chieh Chao. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Static random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160148939A1. Автор: Hann-Ping Hwang,Li-Wei Liu,Chen-Hao Huang,Yi-Chung Liang. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2016-05-26.

Write driver circuits for resistive random access memory (ram) arrays

Номер патента: US20160267959A1. Автор: Jung Pill Kim,Taehyun Kim,Sungryul KIM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-09-15.

Magnetoresistive random access memory (MRAM) with on-chip automatic determination of optimized write current method and apparatus

Номер патента: US20030210596A1. Автор: Frederick Perner. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2003-11-13.

Bonded semiconductor devices having processor and dynamic random-access memory and methods for forming the same

Номер патента: US20240282754A1. Автор: Jun Liu,Weihua Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Write driver circuits for resistive random access memory (RAM) arrays

Номер патента: US09583171B2. Автор: Jung Pill Kim,Taehyun Kim,Sungryul KIM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

High density resistive random access memory (RRAM)

Номер патента: US09570512B2. Автор: Qing Liu,John Hongguang Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-02-14.

High density resistive random access memory (RRAM)

Номер патента: US09484535B1. Автор: Qing Liu,John Hongguang Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-11-01.

Static random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US09478552B2. Автор: Hann-Ping Hwang,Li-Wei Liu,Chen-Hao Huang,Yi-Chung Liang. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Determining and storing bit error rate relationships in spin transfer torque magnetoresistive random-access memory (STT-MRAM)

Номер патента: US09418721B2. Автор: Hillery C. Hunter,Pradip Bose,Alper Buyuktosunoglu,Vijayalakshmi Srinivasan,Jude A. Rivers,Xiaochen Guo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Resistive memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11329102B2. Автор: Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-05-10.

Thin film transistor random access memory

Номер патента: US20240081036A1. Автор: Richard E. Fackenthal. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Resistive random-access memory and architecture with select and control transistors

Номер патента: US20210035636A1. Автор: Hagop Nazarian. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Techniques for performing write training on a dynamic random-access memory

Номер патента: US11742007B2. Автор: Gautam Bhatia,Robert BLOEMER. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Cache program operation of three-dimensional memory device with static random-access memory

Номер патента: US12019919B2. Автор: Yue Ping Li,Chun Yuan Hou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Memory chip including control logic circuit with dynamic random-access memory and memory device including memory chips

Номер патента: US12016183B2. Автор: Yan-Ru Chen. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Improved vertical 3d memory device and accessing method

Номер патента: US20240237358A1. Автор: Corrado Villa,Efrem Bolandrina,Paolo Fantini,Stefan Frederik Schippers. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Sparsity-aware reconfigurable compute-in-memory (cim) static random access memory (sram)

Номер патента: US20230178125A1. Автор: Indranil Chakraborty,Kaushik Roy,Utkarsh Saxena,Amogh Agrawal,Mustafa Fayez Ahmed Ali,Aayush ANKIT. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2023-06-08.

Resistive random access memory and fabrication method thereof

Номер патента: US8921819B2. Автор: Chun-Cheng Chen,Ching-Hua Chen,Chan-Ching Lin,Chen-Hao Huang,Tzung-Bin Huang. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2014-12-30.

Resistive random-access memory array with reduced switching resistance variability

Номер патента: US20190371857A1. Автор: Seyoung Kim,Takashi Ando,ChoongHyun Lee,Wilfried Haensch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-12-05.

Memory circuit using dynamic random access memory arrays

Номер патента: US09804974B2. Автор: Bertrand F. Cambou. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-10-31.

Parallel bit line three-dimensional resistive random access memory

Номер патента: US09698202B2. Автор: Seje TAKAKI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-07-04.

Self-referenced magnetic random access memory

Номер патента: US09679626B2. Автор: Jean-Pierre Nozieres,Neal Berger. Владелец: CROCUS TECHNOLOGY SA. Дата публикации: 2017-06-13.

Test device and test method for resistive random access memory and resistive random access memory device

Номер патента: US20110019492A1. Автор: Kazushige Kanda,Kazuaki Kawaguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-01-27.

Deep learning accelerator and random access memory with a camera interface

Номер патента: WO2021207237A1. Автор: Poorna Kale,Jaime Cummins. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-10-14.

Memory device with ferroelectric charge trapping layer

Номер патента: US20230262990A1. Автор: Jan Van Houdt. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-08-17.

Deep learning accelerator and random access memory with a camera interface

Номер патента: US11942135B2. Автор: Poorna Kale,Jaime Cummins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Deep Learning Accelerator and Random Access Memory with a Camera Interface

Номер патента: US20210319823A1. Автор: Poorna Kale,Jaime Cummins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-14.

Random access memory with cmos-compatible nonvolatile storage element and parallel storage capacitor

Номер патента: WO2009154833A2. Автор: G.R. Mohan Rao. Владелец: S. Aqua Semiconductor Llc. Дата публикации: 2009-12-23.

Memory systems and devices including examples of accessing memory and generating access codes using an authenticated stream cipher

Номер патента: US20240201871A1. Автор: Jeremy Chritz,David Hulton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

In-memory resistive random access memory xor logic using complimentary switching

Номер патента: WO2022127383A1. Автор: Takashi Ando,Guy M. Cohen,Nanbo Gong. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2022-06-23.

Static random access memory (sram) bit cells with wordlines on separate metal layers for increased performance, and related methods

Номер патента: EP3227919A1. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-10-11.

Static random access memory (sram) bit cells with wordlines on separate metal layers for increased performance, and related methods

Номер патента: WO2016089587A1. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-06-09.

Bi-stable static random access memory (sram) bit cells formed from iii-v compounds and configured to achieve higher operating speeds

Номер патента: WO2019050848A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-03-14.

In-memory resistive random access memory xor logic using complimentary switching

Номер патента: US20220190239A1. Автор: Takashi Ando,Guy M. Cohen,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-06-16.

Nonvolatile random access memory including control circuit configured to receive commands at high and low edges of one clock cycle

Номер патента: US09997216B2. Автор: Yutaka Shirai,Yoji Watanabe,Naoki Shimizu,Kenji Tsuchida,Yong Ho Kim,Ji Hyae Bae. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Controller and control method for dynamic random access memory

Номер патента: US09966129B1. Автор: CHEN CHEN,PENG Shen. Владелец: VIA Alliance Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Static random access memory (SRAM) bit cells with wordline landing pads split across boundary edges of the SRAM bit cells

Номер патента: US09876017B2. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Static random access memory (SRAM) bit cells with wordlines on separate metal layers for increased performance, and related methods

Номер патента: US09806083B2. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Spin-transfer torque magnetic random access memory (STTMRAM) with enhanced write current

Номер патента: US09646668B2. Автор: Yuchen Zhou,Ebrahim Abedifard,Mahmood Mozaffari. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Metal-oxide-semiconductor (MOS) transistor structure integrated with a resistance random access memory (RRAM) and the manufacturing methods thereof

Номер патента: US09431506B2. Автор: Wei Zhang,Pengfei Wang,Xi Lin,Qingqing Sun. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-08-30.

Resistive random access memory with non-linear current-voltage relationship

Номер патента: US09406379B2. Автор: Kuk-Hwan Kim,Sung Hyun Jo. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2016-08-02.

Memory devices with series-interconnected magnetic random access memory cells

Номер патента: WO2012109093A3. Автор: Mourad El Baraji,Neal Berger. Владелец: CROCUS TECHNOLOGY INC.. Дата публикации: 2012-10-18.

Planar memory cell architectures in resistive memory devices

Номер патента: US20170309332A1. Автор: Daniel Bedau. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2017-10-26.

Magnetic random access memory device

Номер патента: EP1073062A1. Автор: James A. Brug,Manoj K. Bhattacharyya. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2001-01-31.

Comparators and analog-to-digital converters using non-volatile memory devices

Номер патента: US20240137037A1. Автор: Ning Ge,Sangsoo Lee,Wenbo Yin,Hengfang Zhu. Владелец: Tetramem Inc. Дата публикации: 2024-04-25.

Method of accessing syncronous dynamic random access memory in scanner

Номер патента: US20020133667A1. Автор: Kuo-Jeng Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-19.

Resistive random-access memory device

Номер патента: US20210210555A1. Автор: Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-07-08.

Multiple serial access memory for use in feedback systems such as motion compensated television

Номер патента: CA2082133C. Автор: Paul Shen,Edward A. Krause,Woo H. Paik. Владелец: General Instrument Corp. Дата публикации: 2000-05-02.

Magnetic random access memory device and method of forming the same

Номер патента: US7645619B2. Автор: Jun-Soo Bae,Jang-eun Lee,Hyun-Jo Kim,Young-ki Ha,Se-Chung Oh,Kyung-Tae Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-01-12.

Electronic device and dynamic random access memory thereof

Номер патента: NL1042104A. Автор: CHENG Han-Hung,KUO Chi-Fen. Владелец: Avexir Tech Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Cache program operation of three-dimensional memory device with static random-access memory

Номер патента: EP3909048A1. Автор: Chun Yuan Hou,Yueping Li. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-17.

Resistive random-access memory devices with multi-component electrodes and discontinuous interface layers

Номер патента: US20220077389A1. Автор: Ning Ge,Minxian Zhang. Владелец: Tetramem Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Non-volatile resistive random-access memory device with reliable operation indicator, device-to-device uniformity, and multilevel cell storage, and method of manufacturing the same

Номер патента: US9966134B1. Автор: Jong Hyuk Park,Sang-soo Lee,Min Park,Young Jin Kim,Wan Ki BAE,Jeong Gon SON,Heesuk KIM,Keun-Young SHIN. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2018-05-08.

Non-volatile resistive random-access memory device with reliable operation indicator, device-to-device uniformity, and multilevel cell storage, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180130947A1. Автор: Jong Hyuk Park,Sang-soo Lee,Min Park,Young Jin Kim,Wan Ki BAE,Jeong Gon SON,Heesuk KIM,Keun-Young SHIN. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2018-05-10.

Random access memory architecture for reading bit states

Номер патента: WO2013090762A1. Автор: Dimitri Houssameddine. Владелец: Everspin Technologies, Inc.. Дата публикации: 2013-06-20.

Spin-orbit-torque magneto-resistive random access memory with stepped bottom electrode

Номер патента: US20210159390A1. Автор: LAN Yu,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Heng Wu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-05-27.

Spin-orbit-torque magneto-resistive random access memory with stepped bottom electrode

Номер патента: US20210159390A1. Автор: LAN Yu,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Heng Wu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-05-27.

Method of fabricating magneto-resistive random access memory (mram)

Номер патента: US20220336731A1. Автор: Chung-Te Lin,Chien-Hua Huang,Han-Ting Lin,Chang-Lin Yang,Sheng-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-20.

Magneto-resistance random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US9735351B2. Автор: Yongsun Ko,Wonjun Lee,Changkyu LEE,Shinhee Han,Inseak Hwang,Hyunchul SHIN,Jinhye Bae,Yoonsung HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-15.

Magnetic random access memory

Номер патента: US09459961B2. Автор: Katsuhiko Hoya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Cobalt-Boron (CoB) Layer for Magnetic Recording Devices, Memory Devices, and Storage Devices

Номер патента: US20240112840A1. Автор: Quang Le,Cherngye Hwang,Kuok San Ho,Hisashi Takano,Susumu Okamura,Brian R. York,Randy G. Simmons. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

COBALT-BORON (CoB) LAYER FOR MAGNETIC RECORDING DEVICES, MEMORY DEVICES, AND STORAGE DEVICES

Номер патента: WO2024072505A1. Автор: Quang Le,Cherngye Hwang,Kuok San Ho,Hisashi Takano,Susumu Okamura,Brian R. York,Randy G. Simmons. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2024-04-04.

Cobalt-boron (CoB) layer for magnetic recording devices, memory devices, and storage devices

Номер патента: US12033675B2. Автор: Quang Le,Cherngye Hwang,Kuok San Ho,Hisashi Takano,Susumu Okamura,Brian R. York,Randy G. Simmons. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Sheet random access memory

Номер патента: WO1990003032A1. Автор: Richard M. Lienau,Kenneth E. Pope. Владелец: Bednarz, Joseph, J.. Дата публикации: 1990-03-22.

Integration of Magneto-Resistive Random Access Memory and Capacitor

Номер патента: US20180350877A1. Автор: Chung-Cheng Chou,Tien-Wei Chiang,Ya-Chen Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-12-06.

Linear magnetoresistive random access memory device with a self-aligned contact above MRAM nanowire

Номер патента: US09525125B1. Автор: Rohit Kilaru,Anthony J. Annunziata. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Linear magnetoresistive random access memory device with a self-aligned contact above MRAM nanowire

Номер патента: US09537086B1. Автор: Rohit Kilaru,Anthony J. Annunziata. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Magnetoresistive random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09837468B2. Автор: Kee-Won Kim,Kwang-Seok Kim,Young-man Jang,Sang-Hwan Park,Whan-kyun KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-05.

Magnetic random access memory cell and magnetic random access memory

Номер патента: US20240276889A1. Автор: JISONG Jin. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Multi-diameter magnetic random-access memory pillar structure

Номер патента: US20230087231A1. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Koichi Motoyama,Joseph F. Maniscalco. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Multi-diameter magnetic random-access memory pillar structure

Номер патента: US12108685B2. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Koichi Motoyama,Joseph F. Maniscalco. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Magnetic random-access memory cell, memory and device

Номер патента: US12029135B2. Автор: Weisheng Zhao,Zhaohao Wang,Kaihua Cao,Gefei Wang. Владелец: BEIHANG UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-07-02.

Method of manufacturing magnetic random access memory and magnetic random access memory

Номер патента: US20230008840A1. Автор: XIAOGUANG WANG,Huihui Li,Xianqin Hu. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-01-12.

Magnetoresistive random access memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US12133474B2. Автор: Jun Xie,Chien-Ting Lin,Chin-Yang Hsieh,Yu-Tsung Lai,Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Yu-Ping Wang,I-Ming Tseng,Yi-Wei Tseng,Yi-Hui Lee,Kun-Chen Ho,Ying-Cheng Liu,Yi-An Shih,Yi-Syun Chou,Chang-Min Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Dual encapsulation integration scheme for fabricating integrated circuits with magnetic random access memory structures

Номер патента: US09564575B2. Автор: HAI Cong,Danny Pak-Chum Shum,Yi Jiang,Juan Boon Tan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Magnetoresistive random access memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240196759A1. Автор: Yu-Ping Wang,Hung-Yueh Chen,Hung-Chan Lin. Владелец: Unite Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Spin orbit torque magnetic random access memory cell, memory array, and memory

Номер патента: US20230276637A1. Автор: Ming Liu,Huai Lin,Guozhong XING. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-08-31.

Low Magnetic Moment Materials for Spin Transfer Torque Magnetoresistive Random Access Memory Devices

Номер патента: US20170229642A1. Автор: Guohan Hu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

Methods for fabricating magnetoresistive random access memory

Номер патента: US20240215457A1. Автор: Wei-Chuan Chen,Hong-Hui Hsu,Yiheng XU,Chih-Yuan Lee. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Nonvolatile memory system using magneto-resistive random access memory (MRAM)

Номер патента: US7245527B2. Автор: Qadeer A. Qureshi,Thomas Jew,Curtis F. Wyman. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2007-07-17.

Resistive random access memory, memory device, chip and preparation method of resistive random access memory

Номер патента: CN112838161A. Автор: 张锐,刘明,许晓欣,吕杭炳,王侃文. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2021-05-25.

Manufacture of thin magnetic film for magneto-resistance element

Номер патента: JPS5927587A. Автор: Mitsunori Matsumoto,Akimitsu Morisako,Hidetoshi Tsuchiya,森迫　昭光,松本　光功,英俊 土屋. Владелец: Akai Electric Co Ltd. Дата публикации: 1984-02-14.

Perpendicular magnetic anisotrophy free layers with iron insertion and oxide interfaces for spin transfer torque magnetic random access memory

Номер патента: US09978935B2. Автор: Guohan Hu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Magnetic random access memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09761792B2. Автор: Seung-Woo Lee,Jun-Soo Bae,Mi-Lim Park,Shi-jung Kim,Kyu-Man HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of fabricating a magneto-resistive random access memory (MRAM) device

Номер патента: US6841484B2. Автор: AJAY Kumar,Chentsau Ying,Xiaoyi Chen,Chun Yan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2005-01-11.

Methods of forming a magnetic random access memory etch spacer and structures formed thereby

Номер патента: EP3087618A1. Автор: Oleg Golonzka,Christopher WIEGAND,Daniel R. LAMBORN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-02.

Methods of forming a magnetic random access memory etch spacer and structures formed thereby

Номер патента: WO2015099899A1. Автор: Oleg Golonzka,Christopher WIEGAND,Daniel R. LAMBORN. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2015-07-02.

Current limiter for magneto-resistive circuit element

Номер патента: US20020080538A1. Автор: Thanh Nguyen,John Clapp. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2002-06-27.

Asymmetry correction for magneto-resistive heads

Номер патента: US20050219729A1. Автор: Stephen Franck. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-10-06.

Magneto-resistive random-access memory (mram) devices with self-aligned top electrode via

Номер патента: US20230337545A1. Автор: Chung-Ju Lee,Chih-Wei Lu,Hsi-Wen Tien,Wei-Hao Liao,Pin-Ren Dai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Magneto-resistive random-access memory (mram) devices and methods of forming the same

Номер патента: US20230403948A1. Автор: Jen-Po Lin,Hsiao-Kuan Wei,Hsuan-Yi PENG,Cherng-Yu WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Production for magneto-resistance effect type magnetic head

Номер патента: JPS6085409A. Автор: Yoshiaki Shimizu,Takeo Kondo,Takao Yamano,Hiroyuki Okuda,Masaru Doi,良昭 清水,勝 土井,裕之 奥田,山野　孝雄,近藤　健雄. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1985-05-14.

Inspecting method for magneto-resistance effect type thin film magnetic head

Номер патента: JPS5868219A. Автор: Mitsuhiko Yoshikawa,Sadaichi Miyauchi,貞一 宮内,吉川　光彦. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1983-04-23.

Cleaning tape for magneto-resistive head

Номер патента: US20060066999A1. Автор: Kiyomi Ejiri. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2006-03-30.

System and method for magneto-resistive head electrostatic popping detection

Номер патента: KR100468773B1. Автор: 조긍연,리짜오후이,카오앤드류. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-01-29.

System and method for magneto-resistive head electrostatic popping detection

Номер патента: KR20030041845A. Автор: 조긍연,리짜오후이,카오앤드류. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2003-05-27.

Method and apparatus for providing read and write skew offset information for magneto-resistive head

Номер патента: KR100238672B1. Автор: 린 종-밍,메반레. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-01-15.

Ferroelectric random access memory apparatus and method of driving the same

Номер патента: US20090052224A1. Автор: Byung-Gil Jeon,Han-Joo Lee,Byung-Jun Min,Kang-Woon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-26.

Apparatus, method and system for performing successive writes to a bank of a dynamic random access memory

Номер патента: US09704563B2. Автор: Kuljit S. Bains,John B. Halbert. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Memory device and method for input and output buffer control thereof

Номер патента: US20220020401A1. Автор: Shinya Fujioka. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-01-20.

Semiconductor memory device, method of manufacturing semiconductor memory device and method of writing data into semiconductor memory device

Номер патента: US20100046271A1. Автор: Yuki Yamada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-02-25.

Parity data in dynamic random access memory (DRAM)

Номер патента: US12061518B2. Автор: Todd A. Marquart,Sai Krishna Mylavarapu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Memory devices and methods for high random transaction rate

Номер патента: US20140293717A1. Автор: Bruce Barbara,Dinesh Maheshwari,John Marino. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2014-10-02.

Non-volatile static random access memory devices and methods of operations

Номер патента: US09779814B2. Автор: Lee Wang. Владелец: FlashSilicon Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Circuit and method for controlling standby leakage current in random access memory devices

Номер патента: US20120002497A1. Автор: Chung Zen Chen. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2012-01-05.

Multi-channel physical interfaces and methods for static random access memory devices

Номер патента: US20150117092A1. Автор: Dinesh Maheshwari,Derwin W. Mattos,Avi Avanindra. Владелец: Morgan Stanley Senior Funding Inc. Дата публикации: 2015-04-30.

Memory device having integral instruction buffer

Номер патента: WO2010139850A1. Автор: Kimmo Kalervo Kuusilinna,Eero Tapani Aho,Jari Antero Nikara. Владелец: Nokia Corporation. Дата публикации: 2010-12-09.

Dynamic random access memory device and operating method with improved reliability and reduced cost

Номер патента: US09905285B2. Автор: Youngjin Cho,Jaegeun PARK,Youngkwang YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Capacitance sensing technique for ferroelectric random access memory arrays

Номер патента: US20030206431A1. Автор: David Fisch. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-11-06.

Sense amplifiers as static random access memory cache

Номер патента: US20240256448A1. Автор: Troy A. Manning,Glen E. Hush,Troy D. Larsen,Peter L. Brown,Timothy P. Finkbeiner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Process tolerant current leakage reduction in static random access memory (sram) by a supply voltage bias circuit

Номер патента: EP3080811A1. Автор: Venkatasubramanian Narayanan,Chirag Gulati,Ashish Akhilesh. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-10-19.

Memory device tester and method for testing reduced power states

Номер патента: US20020190708A1. Автор: Matthew Harrington,Van Huynh,Adin Hyslop. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-12-19.

Memory device tester and method for testing reduced power states

Номер патента: US20020149982A1. Автор: Matthew Harrington,Van Huynh,Adin Hyslop. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-10-17.

Memory device tester and method for testing reduced power states

Номер патента: US20020149981A1. Автор: Matthew Harrington,Van Huynh,Adin Hyslop. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-10-17.

Memory device tester and method for testing reduced power states

Номер патента: US6914843B2. Автор: Adin E. Hyslop,Matthew R. Harrington,Van C. Huynh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-07-05.

Memory device tester and method for testing reduced power states

Номер патента: US6674677B2. Автор: Adin E. Hyslop,Matthew R. Harrington,Van C. Huynh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-01-06.

Random access memory device and method for driving a plate line segment therein

Номер патента: EP1408509A2. Автор: Chi-Ming Weng,Chin-Shi Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-14.

Random access memory device and method for driving a plate line segment therein

Номер патента: EP1408509A3. Автор: Chi-Ming Weng,Chin-Shi Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-21.

Memory device, method of operating the memory device, memory module, and method of operating the memory module

Номер патента: US20230298638A1. Автор: Jaegon Lee,Sunyoung LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Multi-port cell of operating memory device

Номер патента: RU2665248C1. Автор: Роман Александрович Федоров,Наталья Иосифовна Малашевич. Владелец: федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Научно-производственный комплекс "Технологический центр". Дата публикации: 2018-08-28.

Semiconductor memory device, operational processing device and storage system

Номер патента: US20080225622A1. Автор: Hideto Hidaka. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-09-18.

Memory device

Номер патента: US20010046160A1. Автор: Toshihiko Ogura,Koichi Kimura,Tadashi Kuwabara,Hiroaki Aotsu,Hiromichi Enomoto,Mitsuru Ikegami,Tadashi Kyoda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-29.

Memory device with post package repair function and method for operating the same

Номер патента: US20210366568A1. Автор: Nung Yen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-25.

Method for writing to multiple banks of a memory device

Номер патента: US20020027824A1. Автор: Jeffrey Wright,Timothy Cowles. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-07.

Dynamic random access memory device and μBGA package using multiple reference voltage pads

Номер патента: US6310796B1. Автор: Ho-sung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-10-30.

Operation scheme for four transistor static random access memory

Номер патента: US20240296883A1. Автор: Lee Wang. Владелец: FlashSilicon Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Sense amplifier schemes for accessing memory cells

Номер патента: US20220383912A1. Автор: Kyoichi Nagata. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-01.

Dynamic random access memory with fully independent partial array refresh function

Номер патента: US09767881B2. Автор: Jin-Ki Kim,Hakjune Oh. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Bit line sense circuit and method for dynamic random access memories

Номер патента: EP1132923A1. Автор: Duane Giles Laurent,James Leon Worley,Elmer Henry Guritz. Владелец: SGS Thomson Microelectronics Inc. Дата публикации: 2001-09-12.

Static random access memory device having decreased sensitivity to variations in channel physical characteristics

Номер патента: US20050007831A1. Автор: Theodore Houston. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2005-01-13.

Static random access memory (SRAM) with a pre- charge assist circuit

Номер патента: US12080342B2. Автор: Feng-Ming Chang,Chih-Chuan Yang,Lien-Jung Hung,Ping-Wei Wang,Chia-Hao Pao,Kian-Long Lim,Chao-Yuan Chang,Jui-Wen CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Method and apparatus for providing multi-page read and write using SRAM and nonvolatile memory devices

Номер патента: US09928911B2. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Neo Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Static random access memory device including write assist circuit and writing method thereof

Номер патента: US09496027B2. Автор: Taejoong Song,Seong Ook Jung,Woojin Rim,Hanwool Jeong,Gyuhong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Memory device and method having a data bypass path to allow rapid testing and calibration

Номер патента: WO2006121874A3. Автор: Troy A Manning,James B Johnson. Владелец: James B Johnson. Дата публикации: 2007-08-02.

Non volatile static random access memory device and corresponding control method

Номер патента: US20230005540A1. Автор: Francois Tailliet,Marc Battista. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2023-01-05.

Random access memory and memory access method thereof

Номер патента: US09496014B2. Автор: Nan-Chun Lien,David C. Yu. Владелец: M31 Technology Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Dynamic random access memory and programming method therefor

Номер патента: US20220215884A1. Автор: Chao Yang Chen,Ming Sheng Tung. Владелец: NS Poles Technology Corp. Дата публикации: 2022-07-07.

A method and apparatus for protecting memory devices via a synergic approach

Номер патента: EP4409574A1. Автор: Seyedmohammad Seyedzadehdelcheh,Vamsee Reddy Kommareddy. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

Voltage-mode bit line precharge for random-access memory cells

Номер патента: US11482281B2. Автор: Danut Manea. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2022-10-25.

Voltage-mode bit line precharge for random-access memory cells

Номер патента: WO2021050984A1. Автор: Danut Manea. Владелец: Hefei Reliance Memory Limited. Дата публикации: 2021-03-18.

Random Access Memory With A Plurality Of Symmetrical Memory Cells

Номер патента: US20070041240A1. Автор: Juergen Pille,Chad Adams,Torsten Mahuke,Oto Wagner. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-02-22.

Static random-access memory (SRAM) sensor for bias temperature instability

Номер патента: US09812188B2. Автор: Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER,Xiaonan Chen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Device and method of controlling refresh operation for dynamic random access memory (DRAM)

Номер патента: US09672894B2. Автор: Young-hun Kim,In-Chul Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Error correction in a memory device

Номер патента: US09575835B2. Автор: Frederick A. Ware,Thomas Vogelsang,Wayne F. Ellis,Ian P. Shaeffer,Suresh N. Rajan. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-02-21.

Memory device with split power switch and related methods

Номер патента: EP2118717B1. Автор: Jun Liu,Ajay Bhatia,Daniel Fung,Yolin Lih,Dennis Wendell,Shyam Balasubramanian. Владелец: Oracle America Inc. Дата публикации: 2013-08-21.

Static random access memory with symmetric leakage-compensated bit line

Номер патента: WO2004025661A2. Автор: Vivek De,Dinesh Somasekhar,Steven Hsu,Atila Alvandpour,Ram Krishnamurty. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2004-03-25.

Method and apparatus for synchronous data transfers in a memory device with selectable data or address paths

Номер патента: US20020023200A1. Автор: Kevin Ryan,Terry Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-21.

Method and apparatus for synchronous data transfers in a memory device with selectable data or address paths

Номер патента: US20020016895A1. Автор: Kevin Ryan,Terry Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-07.

Storage and access of metadata within selective dynamic random access memory (dram) devices

Номер патента: EP4459468A1. Автор: Kuljit S. Bains,Todd Hinck. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-11-06.

Random access memory and corresponding method for managing a random access memory

Номер патента: US12073897B2. Автор: Marco Casarsa. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-08-27.

Cell structure of 4T random access memory, random access memory and operation methods

Номер патента: US09812190B2. Автор: Dong Wu,Liyang Pan,Xinhong Hong. Владелец: Shenzhen Graduate School Tsinghua University. Дата публикации: 2017-11-07.

Static random access memory (SRAM) with programmable resistive elements

Номер патента: US09672911B2. Автор: Anirban Roy,Michael A. Sadd. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Word shift static random access memory (WS-SRAM)

Номер патента: US09589623B2. Автор: Frederick A. Perner,Matthew D. Pickett. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-03-07.

Dynamic/static random access memory (D/SRAM)

Номер патента: US09466352B2. Автор: Frederick A. Perner. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2016-10-11.

Dynamic random access memory speed bin compatibility

Номер патента: US20220319561A1. Автор: Erik V. Pohlmann. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Dynamic random access memory speed bin compatibility

Номер патента: US11823767B2. Автор: Erik V. Pohlmann. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Apparatus, method and system for performing successive writes to a bank of a dynamic random access memory

Номер патента: US20170365329A1. Автор: Kuljit S. Bains,John B. Halbert. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-12-21.

Dynamic random access memory speed bin compatibility

Номер патента: US20240144985A1. Автор: Erik V. Pohlmann. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

System for refreshing dynamic random access memory

Номер патента: EP4386754A1. Автор: Suhas Chakravarty,James Andrew Welker. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-06-19.

Organization for dynamic random access memory

Номер патента: WO1980001733A1. Автор: W Huber,F Procyk,D Clemons,R Cenker. Владелец: Western Electric Co. Дата публикации: 1980-08-21.

X address extractor and method for extracting X-address in memory device

Номер патента: US20050128856A1. Автор: Min You. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-16.

Testing circuit, testing method, and apparatus for testing multi-port random access memory

Номер патента: US20200105358A1. Автор: Yen-Huei Chen,Hidehiro Fujiwara. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Multi-bit non-volatile random-access memory cells

Номер патента: US09607695B1. Автор: Jayant Ashokkumar,David Still,Joseph Tandingan,Judith Allen. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Non-volatile static random access memory (NVSRAM) having a shared port

Номер патента: US09530501B2. Автор: Ravindraraj Ramaraju,Perry H. Pelley,Frank K. Baker, Jr.. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-12-27.

Ferroelectric random access memory device and method for operating the same

Номер патента: US6088257A. Автор: Byung-Gil Jeon,Yeon-Bae Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-07-11.

Powering random access memory modules with non-volatile memory components

Номер патента: US20200310971A1. Автор: Theodore B. Vojnovich,Jonathan R. Hinkle,David W. Cosby,Jose M. Orro. Владелец: Lenovo Enterprise Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Mode-changeable dual data rate random access memory driver with asymmetric offset and memory interface incorporating the same

Номер патента: US20150213855A1. Автор: Sunil SUDHAKARAN,Daehyun Chung. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2015-07-30.

Ferroelectric memory device and control method thereof

Номер патента: US20040076053A1. Автор: Byung-Gil Jeon,Ki-nam Kim,Byung-Jun Min,Mun-Kyu Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-04-22.

List sort static random access memory

Номер патента: EP2873075A1. Автор: Frederick A. Perner. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2015-05-20.

Ferroelectric random-access memory read only memory wordline architecture

Номер патента: US20210366530A1. Автор: Feng Pan. Владелец: Wuxi Petabyte Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Structure and methods of operating two identical 4T random access memories storing the same data

Номер патента: US09947390B2. Автор: Dong Wu,Liyang Pan,Xinhong Hong. Владелец: Shenzhen Graduate School Tsinghua University. Дата публикации: 2018-04-17.

Non-volatile dynamic random access memory

Номер патента: US5619470A. Автор: Katsumi Fukumoto. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1997-04-08.

Wear leveling for random access and ferroelectric memory

Номер патента: US20190392882A1. Автор: Daniele Vimercati,Richard E. Fackenthal,Duane R. Mills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-26.

Wear leveling for random access and ferroelectric memory

Номер патента: EP3676837A1. Автор: Daniele Vimercati,Richard E. Fackenthal,Duane R. Mills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-08.

Wear leveling for random access and ferroelectric memory

Номер патента: US20210264960A1. Автор: Daniele Vimercati,Richard E. Fackenthal,Duane R. Mills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-08-26.

Wear leveling for random access and ferroelectric memory

Номер патента: US20190066752A1. Автор: Daniele Vimercati,Richard E. Fackenthal,Duane R. Mills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Wear leveling for random access and ferroelectric memory

Номер патента: US10971203B2. Автор: Daniele Vimercati,Richard E. Fackenthal,Duane R. Mills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-06.

Wear leveling for random access and ferroelectric memory

Номер патента: WO2019046104A1. Автор: Daniele Vimercati,Richard E. Fackenthal,Duane R. Mills. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-03-07.

Parity data in dynamic random access memory (dram)

Номер патента: US20220197737A1. Автор: Todd A. Marquart,Sai Krishna Mylavarapu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Circuit and method for controlling standby leakage current in random access memory devices

Номер патента: US20120002497A1. Автор: Chung Zen Chen. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2012-01-05.

Circuit and method for controlling standby leakage current in random access memory devices

Номер патента: US8199593B2. Автор: Chung Zen Chen. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2012-06-12.

Access control unit and method for use with synchronous dynamic random access memory device

Номер патента: US20050125596A1. Автор: Chang-Cheng Yap. Владелец: RDC Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-09.

Method and apparatus for accessing banked embedded dynamic random access momory devices

Номер патента: US20030005211A1. Автор: Ravi Arimilli,Sanjeev Ghai,William Starke,James Fields,Praveen Reddy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-01-02.

Dynamic random access memory

Номер патента: US20180182469A1. Автор: Yukihiro Nagai. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-28.

A dynamic random access memory (dram) structure with body bias voltage that can be adapted to the access pattern of cells

Номер патента: WO2021091518A3. Автор: Oguz Ergin,Fahrettin KOC. Владелец: Tobb Ekonomi Ve Teknoloji Universitesi. Дата публикации: 2022-01-13.

A dynamic random access memory (dram) structure with body bias voltage that can be adapted to the access pattern of cells

Номер патента: WO2021091518A2. Автор: Oguz Ergin,Fahrettin KOC. Владелец: Tobb Ekonomi Ve Teknoloji Universitesi. Дата публикации: 2021-05-14.

Method of Screening Static Random Access Memories for Unstable Memory Cells

Номер патента: US20130028036A1. Автор: Xiaowei Deng,Wah Kit Loh. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-01-31.

Address dependent wordline timing in asynchronous static random access memory

Номер патента: US12068024B2. Автор: Jay A. Chesavage,Robert Wiser,Neelam SURANA. Владелец: Ceremorphic Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Static random access memory circuit and read/write operation method thereof

Номер патента: US20230215492A1. Автор: Chung-chieh Chen,Shuo-Hong Hung,Bing-Chen Wu. Владелец: Upbeat Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-06.

Test interface for verification of high speed embedded synchronous dynamic random access memory (SDRAM) circuitry

Номер патента: US20020042898A1. Автор: Michael Parris,Oscar Jones. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-11.

Timing signal delay for a memory device

Номер патента: US20220157365A1. Автор: Dong Pan,Zhi Qi Huang,Wei Lu CHU. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-05-19.

Techniques for accessing a dynamic random access memory array

Номер патента: US09472249B2. Автор: Andre Schaefer,Pei-Wen Luo,Jen-Chieh Yeh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Self-storing and self-restoring non-volatile static random access memory

Номер патента: US09437298B1. Автор: Shigeki Tomishima,Robert S. Chau,Ian A. Young,Dmitri E. Nikonov,Elijah V. Ilya Karpov. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Static random access memory device

Номер патента: US11875844B2. Автор: Younghwan Park,Sang-Yeop BAECK,Jaesung CHOI,Inhak LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-16.

Dynamic random access memory apparatus

Номер патента: US20140146597A1. Автор: Chuan-Jen Chang,Wen-Ming Lee. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2014-05-29.

Control circuit on memory chip and dynamic random access memory

Номер патента: US20240062802A1. Автор: Jiarui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Single event upset hardened static random access memory cell

Номер патента: WO2008118553A3. Автор: David C Lawson,Jason F Ross. Владелец: Jason F Ross. Дата публикации: 2008-12-11.

Single event upset hardened static random access memory cell

Номер патента: EP2126921A2. Автор: David C. Lawson,Jason F. Ross. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2009-12-02.

Random access memory with hidden bits

Номер патента: US20020089884A1. Автор: Günther SCHINDLER,Matthias Kronke. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-11.

Cross-layer reconfigurable static random access memory (SRAM) based compute-in-memory macro and method for edge intelligence

Номер патента: US12112797B1. Автор: Xinfei GUO,Runxi Wang. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2024-10-08.

Static random access memory (SRAM) with recovery circuit for a write operation

Номер патента: US09799394B2. Автор: Wei-Cheng Wu,Yen-Huei Chen,Kao-Cheng LIN,Wei Min Chan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Dynamic random access memory with configurable refresh rate for communications systems

Номер патента: US09659625B2. Автор: Curtis Ling. Владелец: Maxlinear Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

System and method for temperature compensated refresh of dynamic random access memory

Номер патента: US09640242B1. Автор: Dexter Tamio Chun,Haw-Jing Lo. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

High operating speed resistive random access memory

Номер патента: US09633723B2. Автор: Sang Nguyen,Hagop Nazarian. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

6T static random access memory cell, array and memory thereof

Номер патента: US09627040B1. Автор: Hiroyuki Yamauchi,Meng-Fan Chang,Chien-Fu Chen. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2017-04-18.

Static random access memory and method of controlling the same

Номер патента: US09455025B2. Автор: Chia-Cheng Chen,Ching-Wei Wu,Ming-Hung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Method of and apparatus for improved dynamic random access memory (dram) providing increased data bandwidth and addressing range for current dram devices and/or equivalent bandwidth and addressing range for smaller dram devices

Номер патента: CA2159953A1. Автор: Mukesh Chatter. Владелец: Individual. Дата публикации: 1996-04-08.

Random access memory with divided memory banks and data read/write architecture therefor

Номер патента: US5497351A. Автор: Yukihito Oowaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1996-03-05.

Asynchronous static random access memory device for propagating read-out data bit through single bit line

Номер патента: US5414657A. Автор: Yasunori Okimura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-05-09.

Method and related apparatus for maintaining data stored in a dynamic random access memory

Номер патента: US20040107310A1. Автор: I-Ming Lin. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2004-06-03.

Dynamic random access memory device and method for self-refreshing memory cells

Номер патента: US7369451B2. Автор: Hakjune Oh. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2008-05-06.

Static random access memory

Номер патента: US5408437A. Автор: Won-Jung Cho,Kwang-Ju Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1995-04-18.

Semiconductor memory device

Номер патента: US5289428A. Автор: Masahiro Yoshida,Miki Matsumoto,Katsuyuki Sato,Masahiro Ogata,Sadayuki Ohkuma. Владелец: HITACHI Ltd AND HITACHI VLSI ENGINEERING CORP. Дата публикации: 1994-02-22.

Dynamic random access memory device having static column mode of operation without destruction of data bit

Номер патента: US5295099A. Автор: Akihiko Kagami. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-03-15.

Asymmetrical Random Access Memory Cell, A Memory Comprising Asymmetrical Memory Cells And A Method To Operate Such A Memory

Номер патента: US20070165447A1. Автор: Otto Wagner,Anthony Gus Aipperspach,Sebastian Ehrenreich,Torsten Mahnke. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-07-19.

Ferroelectric random access memory device and method for operating read and write thereof

Номер патента: US11790971B2. Автор: Seong Ook Jung,Tae Woo Oh,Dong Han KO,Se Hee LIM,Se Keon KIM. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2023-10-17.

Sram memory device and testing method thereof

Номер патента: US20130128656A1. Автор: Ashish Kumar,Carolina Selva,Danilo Rimondi. Владелец: STMICROELECTRONICS PVT LTD. Дата публикации: 2013-05-23.

Methods and systems for smart refresh of dynamic random access memory

Номер патента: WO2014186229A1. Автор: Dexter Chun,Haw-Jing Lo. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-11-20.

Flash memory devices including dram

Номер патента: US20230377626A1. Автор: Walter Di Francesco,Chang SIAU,Luca Nubile,Yankang He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Pre-charging bitlines in a static random access memory (sram) prior to data access for reducing leakage power, and related systems and methods

Номер патента: EP2976770A1. Автор: Chiaming Chai,Kunal Garg,Stephen Edward Liles,Shaoping Ge. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-01-27.

Operating voltage tuning method for static random access memory

Номер патента: US20100135093A1. Автор: Chien-Li Kuo,Chun-Liang Hou,fu-chao Liu,Min-Chin Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2010-06-03.

Pre-charging bitlines in a static random access memory (sram) prior to data access for reducing leakage power, and related systems and methods

Номер патента: WO2014182554A1. Автор: Chiaming Chai,Kunal Garg,Stephen Edward Liles,Shaoping Ge. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-11-13.

Low latency dynamic random access memory (dram) architecture with dedicated read-write data paths

Номер патента: EP4385017A1. Автор: Thomas Vogelsang,Christopher Haywood,Brent Haukness,Torsten Partsch. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-06-19.

Hardware/software co-compressed computing method and system for static random access memory computing-in-memory-based processing unit

Номер патента: US20220366971A1. Автор: Kea-Tiong Tang,Syuan-Hao Sie,Jye-Luen LEE. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2022-11-17.

Low-power static random access memory

Номер патента: US11990181B2. Автор: Katsuyuki Sato,William Martin Snelgrove,Saijagan SAIJAGAN. Владелец: Untether AI Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Dynamic random access memory (dram) with configurable wordline and bitline voltages

Номер патента: US20240257860A1. Автор: Gary Bela Bronner,Brent Steven Haukness,Thomas Vogelsang. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-08-01.

Josephson magnetic random access memory system and method

Номер патента: EP2564390A1. Автор: Quentin P Herr,Anna Y Herr. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2013-03-06.

Josephson magnetic random access memory system and method

Номер патента: WO2011136889A1. Автор: Quentin P Herr,Anna Y Herr. Владелец: Northrop Grumman Systems Corporation. Дата публикации: 2011-11-03.

Leakage compensation circuit for dynamic random access memory (dram) cells

Номер патента: US20100073994A1. Автор: Muhammad M. Khellah,Ali Keshavarzi,DiaaEldin S. Khalil,Arijit Rayehowdhury. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-03-25.

Systems and methods for individually configuring dynamic random access memories sharing a common command access bus

Номер патента: US09734890B1. Автор: Vaishnav Srinivas,Farrukh Aquil,Michael Drop,Philip Clovis. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Systems and methods for individually configuring dynamic random access memories sharing a common command access bus

Номер патента: US09734878B1. Автор: Vaishnav Srinivas,Farrukh Aquil,Michael Drop,Philip Clovis. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Memory device and memory system having the same

Номер патента: US09685218B2. Автор: Chul-woo Park,Kwang-Il Park,Young-Soo Sohn,Jae-Youn Youn,Si-Hong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-20.

Memory device and memory system having the same

Номер патента: US09536586B2. Автор: Chul-woo Park,Kwang-Il Park,Young-Soo Sohn,Jae-Youn Youn,Si-Hong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Static random access memory and driving method thereof

Номер патента: US09466359B2. Автор: Jong Sun Park,Woong Choi. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2016-10-11.

A memory device and method of performing a read operation within such a memory device

Номер патента: GB2520291A. Автор: Yew Keong Chong,Sanjay Mangal. Владелец: Advanced Risc Machines Ltd. Дата публикации: 2015-05-20.

Memory device and method having banks of different sizes

Номер патента: US20070280027A1. Автор: Beth Skidmore. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-12-06.

Nonvolatile memory devices having enhanced bit line and/or word line driving capability

Номер патента: US20060215440A1. Автор: Hyung-rok Oh,Woo-Yeong Cho,Choong-Keun Kwak,Du-Eung Kim,Beak-Hyung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-09-28.

Sense amplifier schemes for accessing memory cells

Номер патента: US20190051335A1. Автор: Kyoichi Nagata. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-14.

Controller to detect malfunctioning address of memory device

Номер патента: US11783910B2. Автор: Fan Ho,Adrian E. Ong. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2023-10-10.

Techniques for performing write training on a dynamic random-access memory

Номер патента: US11809719B2. Автор: Gautam Bhatia,Robert BLOEMER. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Techniques for performing write training on a dynamic random-access memory

Номер патента: US20220244863A1. Автор: Gautam Bhatia,Robert BLOEMER. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Method for writing to multiple banks of a memory device

Номер патента: US20030099142A1. Автор: Jeffrey Wright,Timothy Cowles. Владелец: Cowles Timothy B.. Дата публикации: 2003-05-29.

Sense amplifier schemes for accessing memory cells

Номер патента: US11915779B2. Автор: Kyoichi Nagata. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Dynamic random access memory device and method for self-refreshing memory cells with temperature compensated self-refresh

Номер патента: US7692994B2. Автор: Hong Beom Pyeon. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2010-04-06.

Dynamic random access memory device and method for self-refreshing memory cells with temperature compensated self-refresh

Номер патента: US20090122631A1. Автор: Hong Beom Pyeon. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2009-05-14.

Method, apparatus, device and storage medium for accessing static random access memory

Номер патента: US20200159658A1. Автор: Jing Wang,Xiaozhang Gong. Владелец: Beijing Baidu Netcom Science And Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-21.

Programming and reading circuit for dynamic random access memory

Номер патента: US20240038294A1. Автор: Chung-Te Lin,Sheng-Chih Lai,Katherine H. Chiang,Yun-Feng KAO,Chen-Jun Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Techniques for performing write training on a dynamic random-access memory

Номер патента: US20240111435A1. Автор: Gautam Bhatia,Robert BLOEMER. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Pseudo static random access memory and method for operating pseudo static random access memory

Номер патента: US20200273504A1. Автор: Yukihiro Nomura,Kaoru Mori. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-08-27.

Controller to detect malfunctioning address of memory device

Номер патента: US20240071559A1. Автор: Fan Ho,Adrian E. Ong. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-02-29.

Finer grain dynamic random access memory

Номер патента: EP3639265A1. Автор: Brent Keeth. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-22.

Process tolerant current leakage reduction in static random access memory (sram) by a supply voltage bias circuit

Номер патента: WO2015089472A1. Автор: Venkatasubramanian Narayanan,Chirag Gulati,Ashish Akhilesh. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-06-18.

Dynamic random access memory (DRAM) having a structure for emplying a word line low voltage

Номер патента: US20020044488A1. Автор: Jong-Hyun Choi,Sang-Seok Kang,Jong-eon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-04-18.

Dynamic random access memory device and method for self- refreshing memory cells with temperature compensated self- refresh

Номер патента: EP2013881A1. Автор: Hong Beom Pyeon. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2009-01-14.

Dynamic random access memory device and method for self- refreshing memory cells with temperature compensated self- refresh

Номер патента: EP2013881A4. Автор: Hong Beom Pyeon. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2009-08-05.

Dynamic random access memory device and method for self- refreshing memory cells with temperature compensated self- refresh

Номер патента: WO2007124558A1. Автор: Hong Beom Pyeon. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2007-11-08.

Dynamic random access memory device and method for self-refreshing memory cells with temperature compensated self-refresh

Номер патента: US7499361B2. Автор: Hong Beom Pyeon. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2009-03-03.

Random access memory

Номер патента: US6366504B1. Автор: Frédéric ROBIN,Christian Piguet,Jean-Marc Masgonty,Stefan Cserveny. Владелец: Centre Suisse dElectronique et Microtechnique SA CSEM. Дата публикации: 2002-04-02.

A prefetch write driver for a random access memory

Номер патента: EP1252630A2. Автор: David R. Hanson,Gerhard Mueller,Toshiaki Kirihata. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2002-10-30.

A prefetch write driver for a random access memory

Номер патента: WO2001043135A9. Автор: Gerhard Mueller,Toshiaki Kirihata,David R Hanson. Владелец: Infineon Technologies Corp. Дата публикации: 2002-05-16.

A prefetch write driver for a random access memory

Номер патента: WO2001043135A1. Автор: David R. Hanson,Gerhard Mueller,Toshiaki Kirihata. Владелец: Infineon Technologies North America Corp.. Дата публикации: 2001-06-14.

Dynamic random access memory and method for accessing same

Номер патента: US7626843B2. Автор: Shou-Ting Yan. Владелец: Innolux Display Corp. Дата публикации: 2009-12-01.

Sense amplifier for static random access memories

Номер патента: WO2006017090A3. Автор: David C Lawson,Edward Maher,Shankarnarayana Ramaswamy,Tri Minh Hoang. Владелец: Tri Minh Hoang. Дата публикации: 2006-10-05.

Handling of the Transmit Enable Signal in a Dynamic Random Access Memory Controller

Номер патента: US20080046620A1. Автор: Mark Bellows. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-02-21.

Dynamic random access memory (DRAM) backchannel communication systems and methods

Номер патента: US09881656B2. Автор: Dexter Tamio Chun,Vaishnav Srinivas,David Ian West,Michael Joseph Brunolli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Non-volatile random access memory (NVRAM) with backup control

Номер патента: US09595329B1. Автор: Anirban Roy,Michael A. Sadd. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Static random access memory with bitline boost

Номер патента: US09460778B2. Автор: Jin Seung SON,Prashant Umakant KENKARE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Junction field effect dynamic random access memory cell and content addressable memory cell

Номер патента: WO2008144227A1. Автор: Damodar R. Thummalapally. Владелец: Dsm Solutions, Inc.. Дата публикации: 2008-11-27.

Static random access memory with improved noise immunity

Номер патента: US5636177A. Автор: Chien-Chih Fu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1997-06-03.

Error correction system for random access memory

Номер патента: US4031374A. Автор: Alan I. Groudan,H. Lee Treffinger,George F. Schroeder. Владелец: Singer Co. Дата публикации: 1977-06-21.

Random access memory device with dual charging circuits different in current driving capability

Номер патента: US5157631A. Автор: Kenjyu Shimogawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1992-10-20.

Global wire management apparatus and method for a multiple-port random access memory

Номер патента: US5991224A. Автор: Anthony Gus Aipperspach,Peter Thomas Freiburger,Peder James Paulson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1999-11-23.

Memory device with post package repair function and method for operating the same

Номер патента: US11468966B2. Автор: Nung Yen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-10-11.

Organization for dynamic random access memory

Номер патента: CA1133635A. Автор: Donald G. Clemons,Ronald P. Cenker,William R. Huber, Iii,Frank J. Procyk. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1982-10-12.

2T1C Ferro-electric Random Access Memory Cell

Номер патента: US20190088320A1. Автор: Joseph S. Tandingan,Jayant Ashokkumar,Jesse J. Siman,Shan Sun,Fan Chu. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Static random access memory device including dual power line and bit line precharge method thereof

Номер патента: US9171610B2. Автор: Jong-Sang Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-27.

Static random-access memory (sram) sensor

Номер патента: US20160247554A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER,Xiaonan Chen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-08-25.

Random access memory with optional inaccessible memory cells

Номер патента: US20050122822A1. Автор: Torsten Partsch,Thoai Le. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2005-06-09.

Memory device, method of operating the memory device, memory module, and method of operating the memory module

Номер патента: EP3754512A1. Автор: Jaegon Lee,Sunyoung LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-23.

2t1c ferro-electric random access memory cell

Номер патента: WO2018231399A1. Автор: Joseph S. Tandingan,Jayant Ashokkumar,Jesse J. Siman,Shan Sun,Fan Chu. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2018-12-20.

Dynamic random access memory and programming method therefor

Номер патента: US11574684B2. Автор: Chao Yang Chen,Ming Sheng Tung. Владелец: NS Poles Technology Corp. Дата публикации: 2023-02-07.

Method for accessing memory cells, semiconductor memory device including memory cells, and operating method of memory controller controlling memory device

Номер патента: EP4141873A1. Автор: Won-Hyung SONG,Seong-Jin Cho,Jung Min YOU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-01.

Dynamic random access memory device having power supply system appropriately biasing switching transistors and storage capacitors in burn-in testing process

Номер патента: US5363333A. Автор: Akira Tsujimoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-11-08.

Dynamic random access memory device

Номер патента: US4484312A. Автор: Masao Nakano,Yoshihiro Takemae,Tomio Nakano,Norihisa Tsuge,Tsuyoshi Ohira. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1984-11-20.

Bipolar-CMOS static ram memory device

Номер патента: US4825413A. Автор: Hiep V. Tran. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1989-04-25.

Arrangements of interface logic, memory core, data shift and pad blocks for integrated circuit memory devices

Номер патента: US6362995B1. Автор: Hong-Sun Hwang,Byung-mo Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-03-26.

Semiconductor memory device

Номер патента: IE53776B1. Автор: . Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1989-02-15.

Fast access multi-bit random access memory

Номер патента: US5563836A. Автор: Masahiro Tsunoda,Tamio Saito. Владелец: Tsunoda; Masahiro. Дата публикации: 1996-10-08.

Dynamic random access memory device having booster against battery exhaustion

Номер патента: US6240037B1. Автор: Shinichi Kuwabara. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-05-29.

Ferroelectric random access memory devices having short-lived cell detector available for life test for ferroelectric capacitor and method for testing ferroelectric memory cells

Номер патента: US5991189A. Автор: Tohru Miwa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-11-23.

Static random access memory (sram) global bitline circuits for reducing power glitches during memory read accesses, and related methods and systems

Номер патента: WO2015081056A1. Автор: Jason Philip Martzloff,Stephen Edward Liles,Joshua Lance Puckett. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-06-04.

Column select multiplexer and method for static random-access memory and computer memory subsystem employing the same

Номер патента: US20140085965A1. Автор: Andreas Gotterba,Joel DeWitt,Marek Smoszna. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2014-03-27.

Non-volatile memory adapted to configure low power dynamic random access memory

Номер патента: US20180329640A1. Автор: Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-11-15.

Random access memory and method of adjusting read timing thereof

Номер патента: US20150117127A1. Автор: Shun-Ker Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2015-04-30.

Static random access memory (sram) global bitline circuits for reducing power glitches during memory read accesses, and related methods and systems

Номер патента: EP3757998A1. Автор: Jason Philip Martzloff,Stephen Edward Liles,Joshua Lance Puckett. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-12-30.

Random access memory and corresponding method for managing a random access memory

Номер патента: US20230343405A1. Автор: Marco Casarsa. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-10-26.

Static random access memory (sram) global bitline circuits for reducing power glitches during memory read accesses, and related methods and systems

Номер патента: EP3074980A1. Автор: Jason Philip Martzloff,Stephen Edward Liles,Joshua Lance Puckett. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-10-05.

Multi-modal refresh of dynamic, random-access memory

Номер патента: US12001697B2. Автор: Steven C. Woo,Thomas Vogelsang,Michael Raymond Miller. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-06-04.

Compute-in-memory (cim) employing low-power cim circuits employing static random access memory (sram) bit cells, particularly for multiply-and-accumluate (mac) operations

Номер патента: EP4204950A1. Автор: Khaja Ahmad SHAIK,Bharani Chava,Dawuth Shadulkhan Pathan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-07-05.

Compute-in-memory (cim) employing low-power cim circuits employing static random access memory (sram) bit cells, particularly for multiply-and-accumluate (mac) operations

Номер патента: WO2022093413A1. Автор: Khaja Ahmad SHAIK,Bharani Chava,Dawuth Shadulkhan Pathan. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-05-05.

Static random access memory structure and control method thereof

Номер патента: US20130028006A1. Автор: Chun-Yu Chiu. Владелец: Himax Technologies Ltd. Дата публикации: 2013-01-31.

Random access memory

Номер патента: US20240144994A1. Автор: Tsung-hsun Wu,Ming-Hsiu Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Resistive random access memory devices, and related semiconductor device structures

Номер патента: US20140145138A1. Автор: Timothy A. Quick. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-05-29.

Resistive random access memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11744164B2. Автор: Takahiro Nonaka,Takayuki Ishikawa,Yusuke ARAYASHIKI,Tomohito KAWASHIMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Phase-change random access memory device

Номер патента: US20100124101A1. Автор: Kwang-Ho Kim,Mu-hui Park,Soo-Guil Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-05-20.

Method and system for repairing a dynamic random access memory (dram) of memory device

Номер патента: EP4439564A1. Автор: Nidhi Shukla,Preeti JOSEPH,Hyunbum CHO,Yongjae Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-02.

Management of memory array with magnetic random access memory (MRAM)

Номер патента: US09830106B2. Автор: Siamack Nemazie,Berhanu Iman,Ngon Van Le,Ravishankar Tadepalli. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Resistive random access memory (reram) and conductive bridging random access memory (cbram) cross coupled fuse and read method and system

Номер патента: EP2965320A1. Автор: Kent Hewitt,Traian Bontas,Claudiu-Dumitru Nechifor,Iulian Dumitru. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2016-01-13.

Method and system for repairing a dynamic random access memory (dram) of memory device

Номер патента: US20240330133A1. Автор: Nidhi Shukla,Preeti JOSEPH,Hyunbum CHO,Yongjae Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

On-die static random-access memory (SRAM) for caching logical to physical (L2P) tables

Номер патента: US12066932B2. Автор: Ken Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor integrated circuit with functional test mode to random access memory unit

Номер патента: US5267206A. Автор: Kunihiro Koyabu. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1993-11-30.

Magnetic random access memory with dynamic random access memory (DRAM)-like interface

Номер патента: US09658780B2. Автор: Siamack Nemazie. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Resistive random access memory devices

Номер патента: US20210359203A1. Автор: Yi Jiang,Juan Boon Tan,Kai Kang,Wanbing YI,Curtis Chun-I HSIEH,Wei-Hui HSU. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-11-18.

Detecting a cryogenic attack on a memory device with embedded error correction

Номер патента: US09940457B2. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Warren E. Maule,Hillery C. Hunter,Charles A. Kilmer,Michael B. Healy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

System and method including three dimensional nonvolatile memory device and random access memory

Номер патента: US09606731B2. Автор: Donghun Kwak,Byung Hei Jun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

System and method including three dimensional nonvolatile memory device and random access memory

Номер патента: US09606730B2. Автор: Donghun Kwak,Byung Hei Jun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Method and apparatus for staggered start-up of a predefined, random or dynamic number of flash memory devices

Номер патента: US9036423B2. Автор: Kenneth Alan Okin,Gregory Charles Yancey,Bradley Edman SUNDAHL,Sean Michael O'Mullan. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2015-05-19.

Method and apparatus for staggered start-up of a predefined, random, or dynamic number of flash memory devices

Номер патента: US09928919B1. Автор: Kenneth Alan Okin,Gregory Charles Yancey,Bradley Edman SUNDAHL,Sean Michael O'Mullan. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

System and method of command based and current limit controlled memory device power up

Номер патента: US09640227B2. Автор: Jeff Yu,Ted Pekny. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

System-on-a-chip (soc) integration of resistive random-access memory devices with varying switching characteristics

Номер патента: WO2024151641A1. Автор: Ning Ge,Gary Miner,Minxian Zhang,Mingche Wu. Владелец: TETRAMEM INC.. Дата публикации: 2024-07-18.

Memory Device for Emulating Dynamic Random Access Memory (DRAM)

Номер патента: US20170220301A1. Автор: Dean K. Nobunaga. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-03.

Memory device for emulating dynamic Random access memory (DRAM)

Номер патента: US09921782B2. Автор: Dean K. Nobunaga. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Memory device, memory system, and method of operating the device

Номер патента: US09904491B2. Автор: Dong-Uk Kim,Jin-Ho Yi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Magnetic random access memory with dynamic random access memory (DRAM)-like interface

Номер патента: US09898204B2. Автор: Siamack Nemazie. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Method of reading an electronic memory device including a plurality of memory cells of resistive random access memory type

Номер патента: US09786367B2. Автор: Carlo Cagli. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-10-10.

Resistive random access memory device having a nano-scale tip, memory array using the same and fabrication method thereof

Номер патента: US09768381B2. Автор: Byung-gook Park,Seongjae Cho,Sunghun Jung. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2017-09-19.

High density multi-time programmable resistive memory devices and method of forming thereof

Номер патента: US09768231B2. Автор: Eng Huat Toh,Xuan Anh TRAN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Resistive random-access memory (RRAM) device and forming method thereof

Номер патента: US12010931B2. Автор: Wang Xiang,Chia-Ching Hsu,Shen-De Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-11.

Phase-change random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120326112A1. Автор: Jang Uk Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-12-27.

Device and method for reducing standby current in a memory device by disconnecting bit line load devices in unused columns of the memory device from a supply voltage

Номер патента: US20020093866A1. Автор: James Wilkins. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-18.

Methods for executing data access commands and flash memory devices using the same

Номер патента: US09959232B2. Автор: Yu-Chuan Chang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Resistive random access memory device with resistance-based storage element and method of fabricating same

Номер патента: US09647037B2. Автор: Yu Lu,Xia Li,Seung Hyuk KANG. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Method of manufacturing resistance change layer using irradiation of electron beam and resistive random access memory device using the same

Номер патента: US09337425B2. Автор: Dong Uk Lee,Byung Cheol Lee,Dongwook Kim,Eun Kyu Kim,Gyu Jin Oh,Seong Guk Cho,Sang Woo Pak,Hyung Dal PARK. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2016-05-10.

Controlling both current and voltage of resistive random access memory device

Номер патента: US09672907B2. Автор: Chih-Kai Huang,Chih-Hao Lai,Jou-Hung Wang. Владелец: Brocere Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Dedicated interface for coupling flash memory and dynamic random access memory

Номер патента: US09547447B2. Автор: James Bauman. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Resistive random-access memory device

Номер патента: US20240292765A1. Автор: Wang Xiang,Chia-Ching Hsu,Shen-De Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Phase change random access memory device

Номер патента: US20120081955A1. Автор: Dong Keun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-04-05.

Joint command dynamic random access memory (DRAM) apparatus and methods

Номер патента: US12135901B2. Автор: Torsten Partsch. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-11-05.

Nonvolatile dynamic random access memory device

Номер патента: US5796670A. Автор: Kwo-Jen Liu. Владелец: Ramax Semiconductor Inc. Дата публикации: 1998-08-18.

Resistive random-access memory for exclusive nor (xnor) neural networks

Номер патента: US20210082502A1. Автор: Shimeng Yu,Jae-sun Seo. Владелец: Arizona State University ASU. Дата публикации: 2021-03-18.

Forming operation method of resistive random access memory

Номер патента: US20240282371A1. Автор: Ko-Chi Chen,Tzu-Yun Chang,Yi Ting Hung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Stacked conductive bridge random access memory and access devices

Номер патента: US20230200269A1. Автор: Takashi Ando,Gloria Wing Yun Fraczak,Hiroyuki Miyazoe. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Resistive random access memory cells integrated with shared-gate vertical field effect transistors

Номер патента: AU2020410300A1. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Resistive random access memory cells integrated with shared-gate vertical field effect transistors

Номер патента: GB2605327A. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Hekmatshoartabari Bahman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-09-28.

Resistive random access memory cells integrated with shared-gate vertical field effect transistors

Номер патента: WO2021124003A1. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2021-06-24.

Top contact on resistive random access memory

Номер патента: WO2024131449A1. Автор: Soon-Cheon Seo,Takashi Ando,Chanro Park. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-06-27.

Top contact on resistive random access memory

Номер патента: US20240206352A1. Автор: Soon-Cheon Seo,Takashi Ando,Chanro Park. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Resistive random access memory structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US11737380B2. Автор: Hung-Sheng Chen,Ching-Yung Wang,Chien-Hsiang Yu,Yen-De Lee. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-08-22.

Resistive random access memory structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210066594A1. Автор: Hung-Sheng Chen,Ching-Yung Wang,Chien-Hsiang Yu,Yen-De Lee. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Providing extended dynamic random access memory (dram) burst lengths in processor-based systems

Номер патента: EP3549024A1. Автор: Liyong Wang,Kuljit Singh Bains,Wesley Queen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-10-09.

Providing extended dynamic random access memory (dram) burst lengths in processor-based systems

Номер патента: WO2018102538A1. Автор: Liyong Wang,Kuljit Singh Bains,Wesley Queen. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-06-07.

Virtualized scan chain testing in a random access memory (RAM) array

Номер патента: US12087383B2. Автор: Rahul Nadkarni,Yeshwant Kolla,David Hoff,Babji Vallabhaneni. Владелец: Ampere Computing LLC. Дата публикации: 2024-09-10.

RAM disk using non-volatile random access memory

Номер патента: US09852069B2. Автор: James B. Crossland,Blaise Fanning,Toby Opferman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Non-volatile static random access memory

Номер патента: US09734909B2. Автор: Tsai-Kan Chien,Lih-Yih Chiou,Yi-Sung Tsou. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2017-08-15.

Resistive random access memory containing a steering element and a tunneling dielectric element

Номер патента: US09704920B2. Автор: XIAO Li,Michael Konevecki,Abhijit Bandyopadhyay,Zhida Lan,Venkatagirish NAGAVARAPU. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-07-11.

RAM disk using non-volatile random access memory

Номер патента: US09535827B2. Автор: James B. Crossland,Blaise Fanning,Toby Opferman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Method and apparatus for testing random access memory devices

Номер патента: US6018484A. Автор: James Brady. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2000-01-25.

Resistive random-access memory device with step height difference

Номер патента: US20230301217A1. Автор: Seyoung Kim,Takashi Ando,Hiroyuki Miyazoe,Asit Ray. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Resistive random access memory and method for initializing the same

Номер патента: US20220069208A1. Автор: Ting-Chang Chang,Shih-Kai Lin,Wen-Chung Chen,Yi-Ting Tseng,Chun-Chu Lin,Po-Hsun Chen. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2022-03-03.

Multi-bit resistive random access memory cell and forming method thereof

Номер патента: US20210111340A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-04-15.

On-die static random-access memory (sram) for caching logical to physical (l2p) tables

Номер патента: WO2022165828A1. Автор: Ken Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-08-11.

Resistive random access memory and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4418844A1. Автор: XUE Zhou,Xiaojie Wang,Qing QIN,Huifang JIAO,Xixia LIU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

Disturb condition detection for a resistive random access memory

Номер патента: US09734903B2. Автор: Tz-yi Liu,Idan Alrod,Ariel Navon,Eran Sharon,Ran ZAMIR,Tianhong Yan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-15.

Non-volatile resistive random access memory crossbar devices with maximized memory element density and methods of forming the same

Номер патента: US09647035B2. Автор: Eng Huat Toh,Elgin Kiok Boone Quek,Xuan Anh TRAN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Phase-change random access memory

Номер патента: US20100214832A1. Автор: Hye-jin Kim,Woo-Yeong Cho,Byung-Gil Choi,Du-Eung Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-26.

Dynamic random access memory

Номер патента: US20170315768A1. Автор: Han-Hung CHENG,Chi-Fen KUO. Владелец: Alson Technology Ltd. Дата публикации: 2017-11-02.

Customizable plug and play random access memory (ram) module

Номер патента: WO2019150221A1. Автор: Swarna Kumari Adari. Владелец: Adari Swarna Kumari. Дата публикации: 2019-08-08.

Solid state driving including nonvolatile memory, random access memory and memory controller

Номер патента: US09886379B2. Автор: Hyunjin Kim,Kitae Park,Youngjin Jeon,Seonkyoo Lee,Jeongdon Ihm. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Resistive random access memory (RRAM) system

Номер патента: US09837154B2. Автор: Brent Buchanan. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-12-05.

Magnetic random access memory (MRAM)-based frame buffering apparatus, display driving apparatus and display apparatus including the same

Номер патента: US09805444B2. Автор: Dae-Shik Kim,Bo-Young Seo,Gwan-Hyeob Koh,Choong-Jae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Resistive random access memory and method for manufacturing the same

Номер патента: US09478741B2. Автор: Mao-Teng Hsu. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Switching circuit for memory devices

Номер патента: US4627035A. Автор: Kenji Yashiro. Владелец: Pioneer Electronic Corp. Дата публикации: 1986-12-02.

Semiconductor memory device

Номер патента: US4630238A. Автор: Hideki Arakawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1986-12-16.

Row address generator for defective DRAMS including an upper and lower memory device

Номер патента: US5253354A. Автор: James R. Macdonald,Romi Bose. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1993-10-12.

Random access memory device having parallel non-volatile memory cells

Номер патента: US5029132A. Автор: Hideki Arakawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1991-07-02.

Data buffering operation of three-dimensional memory device with static random-access memory

Номер патента: US11922058B2. Автор: Yue Ping Li,Chun Yuan Hou,Wei Jun Wan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Streaming access memory device, system and method

Номер патента: US11823771B2. Автор: Surinder Pal Singh,Giuseppe Desoli,Thomas Boesch,Anuj Grover,Nitin Chawla. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2023-11-21.

Memory device including resistance random access memory, and storing method that stores data in the resistance random access memory

Номер патента: US9892788B2. Автор: Kazuya Uejima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor memory device witih a built-in self test circuit for adjusting a memory device property

Номер патента: US10629284B2. Автор: Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-04-21.

Method and apparatus for implementing error correction coding in a random access memory

Номер патента: US20070079217A1. Автор: Galen Kerber,Rodger Haugan,David Haldeman. Владелец: Quantum Corp. Дата публикации: 2007-04-05.

Resistive memory device with meshed electrodes

Номер патента: US11063089B2. Автор: Chih-Chao Yang,Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO,Takashi Ando. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-07-13.

Dynamic random access memory applied to an embedded display port

Номер патента: US11894098B2. Автор: Wei-Ming Huang,Yen-An Chang,Der-Min Yuan. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Dynamic random access memory applied to an embedded display port

Номер патента: US20190035440A1. Автор: Wei-Ming Huang,Yen-An Chang,Der-Min Yuan. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-31.

Dynamic random access memory applied to an embedded display port

Номер патента: US20210217451A1. Автор: Wei-Ming Huang,Yen-An Chang,Der-Min Yuan. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

Dynamic random access memory (dram) component for high-performance, high-capacity registered memory modules

Номер патента: US20170351627A1. Автор: Frederick A. Ware,John Eric Linstadt,Ely Tsern,Kenneth L. Wright,Thomas J. Giovannini. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-12-07.

Dynamic random access memory (dram) component for high-performance,high-capacity registered memory modules

Номер патента: EP3234784A1. Автор: Frederick A. Ware,John Eric Linstadt,Ely Tsern,Kenneth L. Wright,Thomas J. Giovannini. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-10-25.

Resistive memory device with meshed electrodes

Номер патента: US20200111838A1. Автор: Chih-Chao Yang,Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO,Takashi Ando. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-09.

Resistive memory device with meshed electrodes

Номер патента: US20200111837A1. Автор: Chih-Chao Yang,Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO,Takashi Ando. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-09.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20020018359A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Hiroyuki Mizuno,Kenichi Osada,Suguru Tachibana. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-14.

Resistive random access memory with preformed filaments

Номер патента: US12127486B2. Автор: YANG Pan,Hyungsuk Yoon,Thorsten Lill. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Reset current delivery in non-volatile random access memory

Номер патента: US09715930B2. Автор: Sandeep K. Guliani,Ved PRAGYAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Devices and methods for programming a resistive random-access memory

Номер патента: US09620208B2. Автор: Chia-hung Lin,Lih-Wei Lin,Ju-Chieh Cheng,Tsung-Huan Tsai,I-Hsien Tseng. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Testing circuit for random access memory device

Номер патента: US4888772A. Автор: Takaho Tanigawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1989-12-19.

Pseudo bidimensional randomly accessible memory

Номер патента: US20040115879A1. Автор: Bernard Plessier,Ming Yap. Владелец: STMICROELECTRONICS ASIA PACIFIC PTE LTD. Дата публикации: 2004-06-17.

Dynamic random access memory device, operating method of the same, and memory module including the same

Номер патента: US20170062040A1. Автор: Youngjin Cho,Jaegeun PARK,Youngkwang YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-02.

Deep learning accelerator and random access memory with separate memory access connections

Номер патента: US11887647B2. Автор: Poorna Kale,Jaime Cummins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Integrated circuit device with deep learning accelerator and random access memory

Номер патента: US11874897B2. Автор: Poorna Kale,Jaime Cummins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Resistive random access memory and manufacturing method

Номер патента: US20230050843A1. Автор: Han Xiao,Ru Huang,Zongwei Wang. Владелец: Advanded Institute Of Information Technology Aiit Peking University. Дата публикации: 2023-02-16.

On-die static random-access memory (sram) for caching logical to physical (l2p) tables

Номер патента: US20230350800A1. Автор: Ken Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Resistive random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210193918A1. Автор: Yu-Ting Chen,Chung-Hsuan Wang,Tz-Hau Guo,Chiung-Lin Hsu,Chang-Hsuan Wu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-06-24.

Resistive random access memory (RRAM) structure and forming method thereof

Номер патента: US12041863B2. Автор: Chuan-Fu Wang,Wen-Jen Wang,Chun-hung Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Resistive random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240049612A1. Автор: Po-Yen Hsu,Bo-Lun Wu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

High-density resistive random-access memory array with self-aligned bottom electrode contact

Номер патента: US20230147958A1. Автор: Daniel Schmidt,Ekmini Anuja De Silva,Ashim Dutta,Dexin Kong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-05-11.

Resistive random access memory

Номер патента: US20180233665A1. Автор: Yi-Hsiu Chen,Po-Yen Hsu,Bo-Lun Wu,Frederick Chen,Chia-Hua Ho,Meng-Hung Lin,Shao-Ching Liao,Ping-Kun Wang,Ming-Che Lin,Ting-Ying SHEN. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-08-16.

Method for controlling a non-volatile dynamic random access memory

Номер патента: US20040052112A1. Автор: Shih-Jye Shen,Yen-Tai Lin. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2004-03-18.

Automatic reloading of serial read pipeline on last bit transfers to serial access memory

Номер патента: US6405297B1. Автор: Donald M. Morgan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-06-11.

Automatic reloading of serial read pipeline on last bit transfers to serial access memory

Номер патента: US6134639A. Автор: Donald M. Morgan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-10-17.

Resistive random access memory structure

Номер патента: US20240334850A1. Автор: Chuan-Fu Wang,Wen-Jen Wang,Chun-hung Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for manufacturing resistive random access memory structure

Номер патента: US12063875B2. Автор: Hung-Sheng Chen,Ching-Yung Wang,Chien-Hsiang Yu,Yen-De Lee. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Resistive random-access memory structure and method for fabricating the same

Номер патента: US09960349B2. Автор: Yi-Hsiu Chen,Po-Yen Hsu,Ming-Hung Hsieh,Ting-Ying SHEN. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Providing memory training of dynamic random access memory (DRAM) systems using port-to-port loopbacks, and related methods, systems, and apparatuses

Номер патента: US09947377B2. Автор: Dexter Tamio Chun,Vaishnav Srinivas,David Ian West,Michael Joseph Brunolli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Providing memory training of dynamic random access memory (DRAM) systems using port-to-port loopbacks, and related methods, systems, and apparatuses

Номер патента: US09767868B2. Автор: Dexter Tamio Chun,Vaishnav Srinivas,David Ian West,Michael Joseph Brunolli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Test system for random access memory

Номер патента: CA1287409C. Автор: Katsuhisa Kubota. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1991-08-06.

Special test modes for a page buffer shared resource in a memory device

Номер патента: US5623620A. Автор: Mamun Rashid,Mickey L. Fandrich,Salim B. Fedel,Ranjeet Alexis. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1997-04-22.

Non-volatile dynamic random access memory device

Номер патента: US5396461A. Автор: Katsumi Fukumoto. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1995-03-07.

Semiconductor memory device and operation setting method thereof

Номер патента: US10817189B2. Автор: Makoto Senoo,Hiroki Murakami. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-10-27.

Method of programming a resistive random access memory

Номер патента: US20160155501A1. Автор: Elisa Vianello,Daniele Garbin. Владелец: Universite Joseph Fourier Grenoble 1. Дата публикации: 2016-06-02.

Operation Method of Resistive Random Access Memory and Resistive Random Access Memory Device

Номер патента: US20180330788A1. Автор: HE Qian,Chen Wang,Bin Gao,Huaqiang Wu. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-11-15.

Method for implementing an integrated circuit comprising a random-access memory-in-logic

Номер патента: US20220147683A1. Автор: Babak Mohammadi,Hemanth PRABHU. Владелец: Xenergic AB. Дата публикации: 2022-05-12.

Techniques for transferring commands to a dynamic random-access memory

Номер патента: US20240069812A1. Автор: Gautam Bhatia,Robert BLOEMER. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Method for implementing an integrated circuit comprising a random-access memory-in-logic

Номер патента: WO2020182998A1. Автор: Babak Mohammadi,Hemanth PRABHU. Владелец: Xenergic AB. Дата публикации: 2020-09-17.

Resistive random-access memory devices with engineered electronic defects and methods for making the same

Номер патента: EP4338207A1. Автор: Ning Ge,Minxian Zhang. Владелец: Tetramem Inc. Дата публикации: 2024-03-20.

Speculative exit from power down mode of a dynamic random access memory rank

Номер патента: EP3867730A1. Автор: Kedarnath Balakrishnan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2021-08-25.

Techniques for transferring commands to a dynamic random-access memory

Номер патента: US11861229B2. Автор: Gautam Bhatia,Robert BLOEMER. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Doped Oxide Dielectrics for Resistive Random Access Memory Cells

Номер патента: US20150093876A1. Автор: Yun Wang,Randall J. Higuchi,Brian Butcher. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2015-04-02.

Phase change random access memory apparatus and write control method for the same

Номер патента: US20110075474A1. Автор: Dong Keun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-03-31.

Data retention in memory devices

Номер патента: US20220137842A1. Автор: Shuo-Nan Hung,E-Yuan Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-05.

Phase change random access memory apparatus and write control method for the same

Номер патента: US8130540B2. Автор: Dong Keun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-03-06.

Corrective read of a memory device with reduced latency

Номер патента: US20240264771A1. Автор: Tao Liu,Zhengang Chen,Ting Luo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

System and method for data-mask training in non-provisioned random access memory

Номер патента: US09886987B1. Автор: Sandeep Brahmadathan,Jeffrey Scott Earl. Владелец: Cadence Design Systems Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Forming self-aligned conductive lines for resistive random access memories

Номер патента: US09705080B2. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Pietro Petruzza. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Resistance random access memory with accurate forming procedure, operating method thereof and operating system thereof

Номер патента: US09627058B2. Автор: Chao-I Wu,Tien-Yen Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Doped oxide dielectrics for resistive random access memory cells

Номер патента: US09425394B2. Автор: Yun Wang,Randall J. Higuchi,Brian Butcher. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Memory cell of resistive random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US09385314B2. Автор: Yu-Sheng Chen,Heng-Yuan Lee,pei-yi Gu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2016-07-05.

Stacked spin-orbit-torque magnetoresistive random-access memory

Номер патента: US11251362B2. Автор: Chen Zhang,Ruilong Xie,Heng Wu,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-02-15.

System and method of command based and current limit controlled memory device power up

Номер патента: US9305609B2. Автор: Jeff Yu,Ted Pekny. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-04-05.

Self-timed random access memory chip

Номер патента: US4712190A. Автор: Alan Kotok,Paul M. Guglielmi,Ronald J. Melanson. Владелец: Digital Equipment Corp. Дата публикации: 1987-12-08.

Active Random Access Memory

Номер патента: US20210090618A1. Автор: Hsin-Cheng Chen,Jung-Rung Jiang,Yen-Hao Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-25.

Active Random Access Memory

Номер патента: US20220254392A1. Автор: Hsin-Cheng Chen,Jung-Rung Jiang,Yen-Hao Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Method and apparatus to implement an integrated circuit including both dynamic random-access memory (dram) and static random-access memory (sram)

Номер патента: US20230315331A1. Автор: Rajabali Koduri,Pushkar Ranade,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Ultra-deep power down mode control in a memory device

Номер патента: EP3311384A1. Автор: Gideon Intrater,Nathan Gonzales,John Dinh,Derric Lewis. Владелец: Adesto Technologies Corp. Дата публикации: 2018-04-25.

System and method for extending lifetime of memory device

Номер патента: US11972826B2. Автор: Jian-Hong Lin,Pei-Chun Liao,Dawei Heh,Yung-Huei Lee,Wenhsien Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Data retention in memory devices

Номер патента: US20230015202A1. Автор: Shuo-Nan Hung,E-Yuan Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-19.

Memory device interface and method

Номер патента: US12045500B2. Автор: Brent Keeth. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Conductive oxide random access memory (CORAM) cell and method of fabricating same

Номер патента: US09548449B2. Автор: Brian S. Doyle,Uday Shah,Robert S. Chau,Elijah V. KARPOV. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Random access memory with volatile data storage

Номер патента: CA1094687A. Автор: Hendrik H.M. Tromp. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1981-01-27.

Methods of operating a bistable resistance random access memory with multiple memory layers and multilevel memory states

Номер патента: US20090303774A1. Автор: Erh-Kun Lai,ChiaHua Ho,Kuang Yeu Hsieh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-10.

Multi-port random access memory

Номер патента: CA2176675C. Автор: Garnet Frederic Randall Gibson,Steven William Wood. Владелец: Nortel Networks Corp. Дата публикации: 2001-12-18.

Packet-based integrated circuit dynamic random access memory device incorporating an on-chip row register cache to reduce data access latencies

Номер патента: US6549472B2. Автор: David Bondurant. Владелец: Enhanced Memory Systems Inc. Дата публикации: 2003-04-15.

High density multi-time programmable resistive memory devices and method of forming thereof

Номер патента: US20180026076A1. Автор: Eng Huat Toh,Xuan Anh TRAN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-01-25.

Voltage-mode bit line precharge for random-access memory cells

Номер патента: US11967374B2. Автор: Danut Manea. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

CAM/RAM memory device with a scalable structure

Номер патента: US6330177B1. Автор: Henrik Johansson. Владелец: Switchcore Ab. Дата публикации: 2001-12-11.

Voltage-mode bit line precharge for random-access memory cells

Номер патента: US20210295911A1. Автор: Danut Manea. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Voltage-mode bit line precharge for random-access memory cells

Номер патента: US20210082504A1. Автор: Danut Manea. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Voltage-mode bit line precharge for random-access memory cells

Номер патента: US20230019326A1. Автор: Danut Manea. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2023-01-19.

Systems and methods for monitoring and controlling binary state devices using a memory device

Номер патента: WO2006055149A1. Автор: Tak Kwong Wong,Casey Springer,Bill Beane,Yunsheng Wang. Владелец: Integrated Device Technology, Inc.. Дата публикации: 2006-05-26.

Charge-Trapping Memory Device and Methods for its Manufacturing and Operation

Номер патента: US20080279004A1. Автор: Tholasampatti Subramanian Sudhindra Prasad. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-11-13.

Sequentially accessing memory cells in a memory device

Номер патента: US09564234B2. Автор: Kitae Park,Donghun Kwak,Jinman Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Multiple simultaneous access memory

Номер патента: US4656614A. Автор: Naruhito Suzuki. Владелец: Individual. Дата публикации: 1987-04-07.

Virtualized scan chain testing in a random access memory (ram) array

Номер патента: US20240006012A1. Автор: Rahul Nadkarni,Yeshwant Kolla,David Hoff,Babji Vallabhaneni. Владелец: Ampere Computing LLC. Дата публикации: 2024-01-04.

Phase-change random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140175368A1. Автор: Doo Kang KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-26.

Resistive random-access memory devices with multi-component electrodes and discontinuous interface layers

Номер патента: WO2022241125A9. Автор: Ning Ge,Minxian Zhang. Владелец: TETRAMEM INC.. Дата публикации: 2023-08-24.

Resistive random-access memory devices with multi-component electrodes and discontinuous interface layers

Номер патента: WO2022241125A1. Автор: Ning Ge,Minxian Zhang. Владелец: TETRAMEM INC.. Дата публикации: 2022-11-17.

Dynamic random access memory

Номер патента: US20200020696A1. Автор: Xi Lin,Yi Hua SHEN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-01-16.

Resistive random access memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230371406A1. Автор: Takahiro Nonaka,Takayuki Ishikawa,Yusuke ARAYASHIKI,Tomohito KAWASHIMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Non-volatile static random access memory

Номер патента: US20240170062A1. Автор: Darsen Duane Lu,Mohammed Aftab BAIG,Siao-Shan HUANG,Fu Yuan CHANG. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2024-05-23.

Resistive random-access memory devices with multi-component electrodes and discontinuous interface layers

Номер патента: EP4338206A1. Автор: Ning Ge,Minxian Zhang. Владелец: Tetramem Inc. Дата публикации: 2024-03-20.

System-on-a-chip (soc) integration of resistive random-access memory devices with varying switching characteristics

Номер патента: US20240237359A1. Автор: Ning Ge,Gary Miner,Minxian Zhang,Mingche Wu. Владелец: Tetramem Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Seamed resistive random access memory cell

Номер патента: US20240224819A1. Автор: Takashi Ando,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Youngseok Kim,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Vertical resistive random access memory

Номер патента: US20210098533A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Hybrid memory device for lookup operations

Номер патента: US20190220203A1. Автор: Hillel Gazit,Sohail Syed,Gevorg Torjyan. Владелец: Corigine Hong Kong Ltd. Дата публикации: 2019-07-18.

Resistive random access memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09728720B2. Автор: Chia Hua Ho,Wen-Yueh Jang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Resistance Random Access Memory Structure for Enhanced Retention

Номер патента: US20120037876A1. Автор: Erh-Kun Lai,ChiaHua Ho,Kuang Yeu Hsieh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-16.

Error monitoring of a memory device containing embedded error correction

Номер патента: US20170235632A1. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Warren E. Maule,Hillery C. Hunter,Charles A. Kilmer,Michael B. Healy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-17.

Error monitoring of a memory device containing embedded error correction

Номер патента: US09747148B2. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Warren E. Maule,Hillery C. Hunter,Charles A. Kilmer,Michael B. Healy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Error monitoring of a memory device containing embedded error correction

Номер патента: US09606851B2. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Warren E. Maule,Hillery C. Hunter,Charles A. Kilmer,Michael B. Healy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Exclusive or engine on random access memory

Номер патента: WO2021061596A1. Автор: Hongyu Wang,Ameen D. Akel,Kenneth Marion Curewitz,Shivam SWAMI,Sean S. Eilert. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-04-01.

Exclusive or engine on random access memory

Номер патента: US20210089663A1. Автор: Hongyu Wang,Ameen D. Akel,Kenneth Marion Curewitz,Shivam SWAMI,Sean S. Eilert. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Exclusive or engine on random access memory

Номер патента: EP4035052A1. Автор: Hongyu Wang,Ameen D. Akel,Kenneth Marion Curewitz,Shivam SWAMI,Sean S. Eilert. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-03.

Rare earth metal&metal oxide electrode interfacing of oxide memory element in resistive random access memory cell

Номер патента: EP3221892A1. Автор: Brian S. Doyle,Uday Shah,Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Elijah V. KARPOV,Prashant Majhi,Niloy Mukherjee. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-09-27.

Phase-change random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140175358A1. Автор: Hyun Min Lee,Jung Taik Cheong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-26.

Multilayer-stacked resistive random access memory device

Номер патента: US20160240779A1. Автор: Tri-Rung Yew,Pin Chang,Ying-Chan HUNG,Tsang-Hsuan Wang. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2016-08-18.

Multilayer-stacked resistive random access memory device

Номер патента: US09450184B2. Автор: Tri-Rung Yew,Pin Chang,Ying-Chan HUNG,Tsang-Hsuan Wang. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2016-09-20.

Resistive random access memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240260490A1. Автор: Chuan-Fu Wang,Wen-Jen Wang,Yu-Huan Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Resistive Random Access Memory

Номер патента: US20170222143A1. Автор: Ting-Chang Chang,Tsung-Ming Tsai,Kuan-Chang CHANG,Chih-Hung Pan,Tian-Jian Chu. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2017-08-03.

Resistive random access memory device with reduced power consumption

Номер патента: US09853214B2. Автор: Ting-Chang Chang,Tsung-Ming Tsai,Kuan-Chang CHANG,Chih-Hung Pan,Tian-Jian Chu. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2017-12-26.

Nonvolatile resistance random access memory device with low and reliable operating voltage and long-term stability and fabrication method thereof

Номер патента: US20170155044A1. Автор: Jong Hyuk Park,Sang-soo Lee,Young Jin Kim,Wan Ki BAE,Jeong Gon SON,Heesuk KIM,Keun-Young SHIN. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2017-06-01.

Method for manufacturing a resistive random access memory device

Номер патента: US20170047514A1. Автор: Yu-Yu Lin,Feng-Min Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-16.

Method for manufacturing a resistive random access memory device

Номер патента: US09871198B2. Автор: Yu-Yu Lin,Feng-Min Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Intelligent Microphone having Deep Learning Accelerator and Random Access Memory

Номер патента: US20210398542A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Intelligent microphone having deep learning accelerator and random access memory

Номер патента: WO2021257579A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-12-23.

High level instructions with lower-level assembly code style primitives within a memory appliance for accessing memory

Номер патента: US20240220442A1. Автор: Keith Lowery,Vlad Fruchter. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-07-04.

Resistive random access memory and method for producing same

Номер патента: US20160118579A1. Автор: Ting-Chang Chang,Tsung-Ming Tsai,Kuan-Chang CHANG,Chih-Hung Pan,Tian-Jian Chu. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2016-04-28.

Resistive random access memory having stable forming voltage

Номер патента: US20160240777A1. Автор: Ting-Chang Chang,Tsung-Ming Tsai,Kuan-Chang CHANG,Chih-Hung Pan,Tian-Jian Chu. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2016-08-18.

Resistive random access memory having stable forming voltage

Номер патента: US9711720B2. Автор: Ting-Chang Chang,Tsung-Ming Tsai,Kuan-Chang CHANG,Chih-Hung Pan,Tian-Jian Chu. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2017-07-18.

Stretchable self-healing resistive random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240215465A1. Автор: Jinhong Park,Yong Jun Park,Donghee SON,Minbaek Lee,Duhwan Seong. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-06-27.

Resistive random access memory

Номер патента: US09972779B2. Автор: Yi-Hsiu Chen,Po-Yen Hsu,Bo-Lun Wu,Frederick Chen,Meng-Hung Lin,Shao-Ching Liao,Ping-Kun Wang,Ting-Ying SHEN. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Resistive random access memory

Номер патента: US09773975B1. Автор: Frederick Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Resistive random access memory having stable forming voltage

Номер патента: US09711720B2. Автор: Ting-Chang Chang,Tsung-Ming Tsai,Kuan-Chang CHANG,Chih-Hung Pan,Tian-Jian Chu. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2017-07-18.

Resistive random access memory and method for producing same

Номер патента: US09496493B2. Автор: Ting-Chang Chang,Tsung-Ming Tsai,Kuan-Chang CHANG,Chih-Hung Pan,Tian-Jian Chu. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2016-11-15.

Methods for forming resistance random access memory structure

Номер патента: US20140073108A1. Автор: Erh-Kun Lai,ChiaHua Ho,Kuang-Yeu Hsieh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-13.

Surveillance Camera Upgrade via Removable Media having Deep Learning Accelerator and Random Access Memory

Номер патента: US20230007317A1. Автор: Te-Chang Lin,Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Super-sparse image compression using cross-bar non-volatile memory device

Номер патента: US20200257936A1. Автор: Martin LUEKER-BODEN,Minghai Qin,Won Ho Choi,Wen Ma,Pi-Feng Chiu. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-08-13.

Force page paging scheme for microcontrollers of various sizes using data random access memory

Номер патента: US20010030905A1. Автор: Randy Yach. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-18.

Surveillance camera upgrade via removable media having deep learning accelerator and random access memory

Номер патента: US12088861B2. Автор: Te-Chang Lin,Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Method of preventing pry for random access memory

Номер патента: US20170316218A1. Автор: Shaw Hwa Hwang,Bing Chih Yao,Cheng Yu Yeh,Yao Hsing Chung,Chi Jung Huang,Li Te Shen,Ning Yun KU,Kuan Lin Chen,Shun Chieh Chang,Ming Che Yeh,Chao Ping Chu,Tzu Hung Lin. Владелец: NATIONAL TAIPEI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2017-11-02.

Doped narrow band gap nitrides for embedded resistors of resistive random access memory cells

Номер патента: WO2016094233A1. Автор: Milind Weling,Mihir Tendulkar. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2016-06-16.

Intelligent digital camera having deep learning accelerator and random access memory

Номер патента: WO2021257580A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-12-23.

A memory appliance for accessing memory

Номер патента: EP3084612A1. Автор: Chi-Ming YEUNG,Keith Lowery,Vlad Fruchter. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2016-10-26.

Memory appliance for accessing memory

Номер патента: US20150178002A1. Автор: Chi-Ming YEUNG,Keith Lowery,Vlad Fruchter. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2015-06-25.

Memory packet, data structure and hierarchy within a memory appliance for accessing memory

Номер патента: US09934194B2. Автор: Keith Lowery,Vlad Fruchter. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-04-03.

Video compression in removable storage device having deep learning accelerator and random access memory

Номер патента: US12135671B2. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-05.

Resistive Random Access Memory Using amorphous metallic Glass Oxide as a storage medium

Номер патента: US20140291600A1. Автор: Jinn Chu,Berhanu Tulu Kacha,Wen-Zhi Chang. Владелец: National Taiwan University of Science and Technology NTUST. Дата публикации: 2014-10-02.

Memory device in mobile phone

Номер патента: US20080201543A1. Автор: Taeyoun Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-08-21.

Resistive random access memory device

Номер патента: US20080157055A1. Автор: Sang-jun Choi,Jung-hyun Lee,Hyung-Jin Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-03.

Dynamic random access memory device and method for forming the same

Номер патента: US20240224493A1. Автор: Wen-Yueh Chang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Method of making a resistive random access memory

Номер патента: US09520562B2. Автор: Qi Xie,Jan Willem Maes,Suvi Haukka,Jacob Woodruff,Tom Blomberg,Marko Tuominen,Robin Roelofs. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2016-12-13.

Resistive random access memory devices formed on fiber and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09496494B2. Автор: Jong-Jin Park,Ji-Hyun Bae,Sang-Hun Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Method of manufacturing a magnetoresistive random access memory device

Номер патента: US20210043833A1. Автор: Jungmin Lee,Junghwan Park,Younghyun Kim,Sechung Oh,Kyungil Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-11.

Method of making a resistive random access memory device

Номер патента: US09472757B2. Автор: Qi Xie,Jan Willem Maes,Suvi Haukka,Jacob Woodruff,Tom Blomberg,Marko Tuominen,Robin Roelofs. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2016-10-18.

Ferroelectric random access memory device with seed layer

Номер патента: US12069867B2. Автор: Hsun-Chung KUANG,Hsing-Lien Lin,Bi-Shen LEE,Yi Yang Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Method for fabricating ferroelectric random access memory device with merged-top electrode-plateline capacitor

Номер патента: US20040266032A1. Автор: Sang-Hyun Oh,Jin-gu Kim,Suk-Kyoung Hong,Kye-Nam Lee,Jin-Yong Seong,Young-Ho Yang,Kyu-Hyun Bang,In-Woo Jang,Song-Hee Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-30.

Dynamic random access memory device

Номер патента: US09773789B1. Автор: Yi-Wei Chen,Tsun-Min Cheng,Chih-Chieh Tsai,Kai-Jiun Chang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Vertical internally-connected trench cell (V-ICTC) and formation method for semiconductor memory devices

Номер патента: US20030098483A1. Автор: John Walsh,Brian Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-29.

Spin-orbit torque memory devices

Номер патента: US20240324468A1. Автор: Ching-Tzu Chen,Henry K. Utomo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Spin-orbit torque memory devices

Номер патента: WO2024194696A1. Автор: Henry Utomo,Ching-Tzu Chen. Владелец: Ibm Israel Science And Technology Ltd.. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory device

Номер патента: US20240381609A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Static random access memory device having a memory cell array region in which a unit cell is arranged in a matrix

Номер патента: US6118158A. Автор: Han-Soo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-09-12.

Static random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240130099A1. Автор: Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Static random access memory (SRAM) cells including vertical channel transistors

Номер патента: US09721957B2. Автор: Toshiro Nakanishi,Donghwan Kim,Suhwan Kim,Sungkweon Baek,Taehyun An,Yubin Kim,Jin Soak Kim,Gabjin Nam,Eunae Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-01.

MOS random access memory having array of trench type one-capacitor/one-transistor memory cells

Номер патента: US5895946A. Автор: Fumio Horiguchi,Takeshi Hamamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-04-20.

Method for manufacturing dynamic random access memory cell

Номер патента: US5200354A. Автор: Jae C. Om,In S. Chung. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1993-04-06.

Microelectronic devices, and related memory devices, and electronic systems

Номер патента: WO2024137135A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-06-27.

Microelectronic devices, and related memory devices, and electronic systems

Номер патента: US20240215221A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Random access memory

Номер патента: US20020001901A1. Автор: Kirk Prall,Christopher Murphy,D. Durcan,Robert Kerr. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-03.

Method for fabricating embedded dynamic random access memory

Номер патента: US20020061610A1. Автор: Der-Yuan Wu,Sun-Chieh Chien,Le-Tien Jung,Ling-Yuk Tsang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-05-23.

Method of manufacturing a semiconductor memory device with multiple device forming regions

Номер патента: US5364811A. Автор: Hideaki Arima,Natsuo Ajika,Kaoru Motonami,Tomonori Okudaira,Atsushi Hachisuka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-11-15.

Semiconductor memory device having a peripheral wall at the boundary region of a memory cell array region and a peripheral circuit region

Номер патента: US5218219A. Автор: Hideaki Arima,Natsuo Ajika,Kaoru Motonami,Tomonori Okudaira,Atsushi Hachisuka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-06-08.

Non-volatile memory device employing a deep trench capacitor

Номер патента: US9754945B2. Автор: Eduard A. Cartier,Herbert L. Ho,DongHun Kang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Dynamic random access memory device including stacked capacitors each having a lower electrode aligned with an upper electrode without tolerance and process of fabrication thereof

Номер патента: US5187549A. Автор: Takeo Fujii. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1993-02-16.

Dynamic random access memory device fabricated with two kinds of field effect transistor different in thickness of gate oxide films

Номер патента: US5083172A. Автор: Junji Kiyono. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1992-01-21.

Dynamic random access memory device having a plurality of one-transistor type memory cells

Номер патента: US4737829A. Автор: Toshio Takeshima,Mitsutaka Morimoto,Yuji Okuto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1988-04-12.

Ferroelectric non-volatile memory devices

Номер патента: US20230402496A1. Автор: Ning Ge,Minxian Zhang. Владелец: Tetramem Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Integrated inductor and magnetic random access memory device

Номер патента: US09397139B1. Автор: Danny Pak-Chum Shum,Yi Jiang,Juan Boon Tan,Wanbing YI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2016-07-19.

Photochromic polymers for three dimensional optical random access memory

Номер патента: RU2345997C2. Автор: Валерий Александрович Барачевский,Сергей Николаевич Иванов,Алексей Иванович Ковалев,Валерий Александрович Васнев,Игорь Викторович Заварзин,Михаил Владимирович Алфимов,Александр Львович РУСАНОВ,Александр Александрович Дунаев,Михаил Михайлович Краюшкин,Владимир Николаевич Яровенко,Юрий Александрович Пьянков,Мухаммед Ластанбиевич Кештов,нков Юрий Александрович Пь,Юрий Петрович Строкач. Владелец: Центр Фотохимии Российской Академии Наук. Дата публикации: 2009-02-10.

Dynamic memory device having a single-crystal transistor on a trench capacitor structure and a fabrication method therefor

Номер патента: US4649625A. Автор: Nicky C. Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1987-03-17.

Dynamic random access memory and forming method therefor

Номер патента: US20240244833A1. Автор: XING Yu,Wenyu HUA. Владелец: ICLeague Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

SELECTIVE GROWTH OF SEED LAYER FOR MAGNETO-RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY

Номер патента: US20180261763A1. Автор: Kothandaraman Chandrasekharan,"OSullivan Eugene J.",Annunziata Anthony J.,Marchack Nathan P.. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-13.

SELECTIVE GROWTH OF SEED LAYER FOR MAGNETO-RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY

Номер патента: US20190288191A1. Автор: Kothandaraman Chandrasekharan,"OSullivan Eugene J.",Annunziata Anthony J.,Marchack Nathan P.. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-19.

Semiconductor device, magneto-resistive random-access memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: TWI727351B. Автор: 繼鋒 應,林燦,李乾銘. Владелец: 台灣積體電路製造股份有限公司. Дата публикации: 2021-05-11.

MAGNETO-RESISTANCE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20170092850A1. Автор: Lee Wonjun,KO Yongsun,HAN SHINHEE,Bae Jinhye,HWANG lnseak,HAN Yoonsung,LEE Changkyu,SHIN Hyunchul. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-30.

Integration of Magneto-Resistive Random Access Memory and Capacitor

Номер патента: US20140264463A1. Автор: Chiang Tien-Wei,CHOU Chung-Cheng,Kao Ya-Chen. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-18.

Magneto-resistive random-access memory (mram) devices with self-aligned top electrode via

Номер патента: US20210257546A1. Автор: Chung-Ju Lee,Chih-Wei Lu,Hsi-Wen Tien,Wei-Hao Liao,Pin-Ren Dai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

METHODS OF FABRICATING MAGNETO-RESISTIVE RANDOM-ACCESS MEMORY (MRAM) DEVICES WITH SELF-ALIGNED TOP ELECTRODE VIA AND STRUCTURES FORMED THEREBY

Номер патента: US20200395535A1. Автор: Lu Chih-Wei,Liao Wei-Hao,Lee Chung-Ju,TIEN Hsi-Wen,Dai Pin-Ren. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-12-17.

Reference signal generation for magneto-resistive sensor

Номер патента: DE19800774A1. Автор: . Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1999-07-15.

Rare-Earth Metal Oxide Resistive Random Access Non-Volatile Memory Device

Номер патента: US20170346005A1. Автор: Goux Ludovic,Chen Chao-Yang,Fantini Andrea. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-30.

Method for performing access management in a memory device, associated memory device and controller thereof, and associated electronic device

Номер патента: US12038849B2. Автор: Jie-Hao LEE,Cheng-Yu Yu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Sense amplifiers as static random access memory

Номер патента: US20240256156A1. Автор: Glen E. Hush. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

HOST-MANAGED Logical MASS STORAGE DEVICE USING MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY (MRAM)

Номер патента: US20150026392A1. Автор: Mehdi Asnaashari. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2015-01-22.

Host-managed logical mass storage device using magnetic random access memory (MRAM)

Номер патента: US8670276B1. Автор: Mehdi Asnaashari. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2014-03-11.

Solid State Memory Device with PCI Controller

Номер патента: US20080040533A1. Автор: Jason Caulkins. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-02-14.

Method for enhancing performance of a flash memory, and associated portable memory device and controller thereof

Номер патента: US20100235563A1. Автор: Hsu-Ping Ou. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2010-09-16.

Backup memory administration using an active memory device and a backup memory device

Номер патента: US09836370B2. Автор: Jeffrey R. Hamilton,Ross L. Mickens,Markesha F. Parker,Melba I. Lopez. Владелец: Lenovo Enterprise Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Block storage using a hybrid memory device

Номер патента: US09552176B2. Автор: Vladimir Sadovsky,Scott Chao-Chueh Lee,Robin A. Alexander,Chiuchin Chen,Lee E. PREWITT. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2017-01-24.

Memory device to train neural networks

Номер патента: WO2021231069A1. Автор: Vijay S. Ramesh. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-11-18.

Extracting selective information from on-die dynamic random access memory (DRAM) error correction code (ECC)

Номер патента: US09811420B2. Автор: Bill Nale,Debaleena Das,Kuljit S Bains,John B Halbert. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

High density thyristor random access memory device and method

Номер патента: WO2012012435A3. Автор: Chandra Mouli,Suraj J. Mathew. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-04-19.

High density thyristor random access memory device and method

Номер патента: US20130009208A1. Автор: Chandra Mouli,Suraj J Mathew. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-01-10.

High density thyristor random access memory device and method

Номер патента: WO2012012435A2. Автор: Chandra Mouli,Suraj J. Mathew. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-26.

Magnetic random access memory journal for multi-level cell flash memory

Номер патента: US09400744B2. Автор: Trevor Smith,Ashwin Kamath. Владелец: Mangstor Inc. Дата публикации: 2016-07-26.

Method and apparatus for concurrently communicating with multiple embedded dynamic random access memory devices

Номер патента: US20030014606A1. Автор: Ravi Arimilli,Sanjeev Ghai,William Starke,James Fields,Praveen Reddy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-01-16.

Dynamic random access memory (dram) device with write error protection

Номер патента: US20240311219A1. Автор: Christopher Haywood. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-09-19.

Storage device including nonvolatile memory device

Номер патента: US09875038B2. Автор: Songho Yoon,Bomi KIM,Dae-Hoon Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-23.

Self-aligned bottom plate for metal high-k dielectric metal insulator metal (mim) embedded dynamic random access memory

Номер патента: US20140070293A1. Автор: Michael P. Chudzik,Keith Kwong Hon Wong,Zhen Zhang,Jian Yu,Zhengwen Li,Chengwen Pei,Damon B. Farmer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Apparatus and method of accessing random access memory

Номер патента: EP1031083A1. Автор: David Ashley Brown. Владелец: Intergraph Corp. Дата публикации: 2000-08-30.

Thyristor random access memory device and method

Номер патента: US09954075B2. Автор: John K. Zahurak,Sanh D. Tang,Michael P. Violette. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Thyristor random access memory device and method

Номер патента: US09461155B2. Автор: John K. Zahurak,Sanh D. Tang,Michael P. Violette. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Three-dimensional ferroelectric field effect transistor random access memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: WO2024103281A1. Автор: Tao Yang,Zhiliang Xia,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-23.

Resistive random access memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20210151504A1. Автор: Frederick Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

Address correcting method and device for a simultaneous dynamic random access memory module

Номер патента: US20030105915A1. Автор: Shin-Husiung Lien. Владелец: Optimum Care International Tech Inc. Дата публикации: 2003-06-05.

Three-dimensional ferroelectric field effect transistor random access memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: EP4454020A1. Автор: Tao Yang,Zhiliang Xia,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-30.

Transmission of multi-slot modified random access channel with extended coverage

Номер патента: RU2718965C1. Автор: Юрген ХОФМАНН,Хартмут ВИЛЬГЕЛЬМ,Сатхиаселан СУНДАРАЛИНГАМ,Сринивасан СЕЛВАГАНАПАТХИ,Мунендер ЧИРАНДЖИ. Владелец: Нокиа Текнолоджиз Ой. Дата публикации: 2020-04-15.

Flexible access and control of dynamic random access memory

Номер патента: WO2006085173A2. Автор: Jukka-Pekka Vihmalo,Matti Floman,Jani Klint. Владелец: Nokia Corporation. Дата публикации: 2006-08-17.

Non-volatile random access memory (nvram) as a replacement for traditional mass storage

Номер патента: EP2761469A1. Автор: James B. Crossland,Blaise Fanning,Leena K. Puthiyedath,Tony Opferman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2014-08-06.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US12096610B2. Автор: Chang-Min Hong,Hojoon Lee,Younghun Jung,Hee Bum Hong,Heesung Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Dynamic random access memory device

Номер патента: US09754943B1. Автор: Yi-Wei Chen,Tsun-Min Cheng,Wei-Hsin Liu,Chia-Lung Chang,Jui-Min Lee,Chih-Chieh Tsai,Kai-Jiun Chang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Method and system for providing instant responses to sleep state transitions with non-volatile random access memory

Номер патента: US09958926B2. Автор: Raj K. Ramanujan,Vincent J. Zimmer,Blaise Fanning,Michael Rothman,Leena K. Puthiyedath. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Electronic system and method for controlling burst length to access memory device of electronic system

Номер патента: EP4246337A1. Автор: Bo-Wei Hsieh,Chen-Chieh WANG,Szu-Ying Cheng,Jou-Ling Chen. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2023-09-20.

Method and apparatus for performing access management of memory device in host performance booster architecture with aid of device side table information

Номер патента: US11797194B2. Автор: Yu-Ta Chen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Storage device including random access memory devices and nonvolatile memory devices

Номер патента: US10324869B2. Автор: Youngjin Cho,Han-Ju Lee,Youngkwang YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-18.

Storage device including random access memory devices and nonvolatile memory devices

Номер патента: US11216394B2. Автор: Youngjin Cho,Han-Ju Lee,Youngkwang YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-04.

Electronic system and method for controlling burst length to access memory device of electronic system

Номер патента: US20230289063A1. Автор: Bo-Wei Hsieh,Chen-Chieh WANG,Szu-Ying Cheng,Jou-Ling Chen. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Method for performing access management in a memory device, associated memory device and controller thereof, and associated electronic device

Номер патента: US20230342302A1. Автор: Jie-Hao LEE,Cheng-Yu Yu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Read/write control method and device for ddr dynamic random access memory, and system

Номер патента: US20230251982A1. Автор: Xitong Ma. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Dynamic Management of Random Access Memory

Номер патента: US20120215975A1. Автор: Loic Pallardy,Michel Catrouillet. Владелец: ST Ericsson France SAS. Дата публикации: 2012-08-23.

Trigate static random-access memory with independent source and drain engineering, and devices made therefrom

Номер патента: US20120292709A1. Автор: Robert S. Chau,Brian Doyle,Ravi Pillarisetty,Willy Rachmady. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-22.

Trigate static random-access memory with indepenent source and drain engineering, and devices made therefrom

Номер патента: WO2010074973A3. Автор: Robert S. Chau,Brian Doyle,Willy Rachmady,Ravi Pillaresitty. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2010-10-21.

Trigate static random-access memory with indepenent source and drain engineering, and devices made therefrom

Номер патента: EP2368267A2. Автор: Robert S. Chau,Brian Doyle,Willy Rachmady,Ravi Pillaresitty. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2011-09-28.

Trigate static random-access memory with independent source and drain engineering, and devices made therefrom

Номер патента: US20100155848A1. Автор: Robert S. Chau,Brian Doyle,Ravi Pillarisetty,Willy Rachmady. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-06-24.

Integrated Sensor Device with Deep Learning Accelerator and Random Access Memory

Номер патента: US20210397771A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Real-Time Quantum Random Access Memory

Номер патента: US20230229948A1. Автор: Hichem El Euch,Ashraf KHALIL,Mohammed Abdellatif Abdelaal Zidan,Abdulhaleem Mohamed Ahmed Abdelaty,Mahmoud Mohamed Ahmed Abdel-Aty. Владелец: Abu Dhabi University. Дата публикации: 2023-07-20.

Integrated sensor device with deep learning accelerator and random access memory

Номер патента: WO2021257651A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-12-23.

Electronic device and dynamic random access memory thereof

Номер патента: US09839121B2. Автор: Han-Hung CHENG,Chi-Fen KUO. Владелец: Alson Technology Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Approach for allocating virtual bank managers within a dynamic random access memory (DRAM) controller to physical banks within a DRAM

Номер патента: US09436625B2. Автор: John H. Edmondson,Shu-Yi Yu,Ram Gummadi. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Method of preliminary resource definition at random access, user device and base station

Номер патента: RU2638181C2. Автор: Фан НАНЬ,Чжэн ЮЙ. Владелец: Хуавей Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2017-12-12.

Dynamic random access memory device and method for forming the same

Номер патента: US20240224509A1. Автор: Wen-Yueh Chang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Shared access memory scheme

Номер патента: WO2010093538A4. Автор: Frederick A. Ware,Venu M. Kuchibhotla,John E. Linstadt. Владелец: RAMBUS INC.. Дата публикации: 2010-10-21.

Accelerated dram (dynamic random access memory) training

Номер патента: US20240241842A1. Автор: Saravanan Sethuraman,Tonia M. ROSE,Caroline GRIMES. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Static random-access memory (sram) cell array

Номер патента: US20170373073A1. Автор: Chun-Hsien Huang,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-28.

Method of forming static random-access memory (sram) cell array

Номер патента: US20170317090A1. Автор: Chun-Hsien Huang,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-02.

Static random-access memory (sram) cell array

Номер патента: US20170317091A1. Автор: Chun-Hsien Huang,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-02.

Method of forming static random-access memory (sram) cell array

Номер патента: US20180315763A1. Автор: Chun-Hsien Huang,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-11-01.

Static random-access memory (sram) cell array and forming method thereof

Номер патента: US20180006040A1. Автор: Chun-Hsien Huang,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Method of forming static random-access memory (SRAM) cell array

Номер патента: US09953988B2. Автор: Chun-Hsien Huang,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Static random-access memory (SRAM) cell array

Номер патента: US09947674B2. Автор: Chun-Hsien Huang,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Enhanced system sleep state support in servers using non-volatile random access memory

Номер патента: US09829951B2. Автор: Mohan J. Kumar,Murugasamy K. Nachimuthu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Static random-access memory (SRAM) cell array and forming method thereof

Номер патента: US09728541B1. Автор: Chun-Hsien Huang,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Stack processor using a ferroelectric random access memory (F-RAM) for code space and a portion of the stack memory space having an instruction set optimized to minimize processor stack accesses

Номер патента: US09588881B2. Автор: Franck Fillere. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Stacked random-access memory devices with refrigeration

Номер патента: US20230275067A1. Автор: Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Anand S. Murthy,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

3d ferroelectric memory devices

Номер патента: US20230309314A1. Автор: Kyunghwan Lee,Yongseok Kim,Daewon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-28.

Synchronous multi-port random access memory

Номер патента: WO1997011419A3. Автор: Tom North,Francis Siu. Владелец: Shablamm Computer Inc. Дата публикации: 1997-04-24.

Method and structure for preventing epi merging in embedded dynamic random access memory

Номер патента: US09659964B2. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Memory device firmware update and activation without memory access quiescence

Номер патента: US11972243B2. Автор: Muthukumar P. SWAMINATHAN,Mohan J. Kumar,Murugasamy K. Nachimuthu,Daniel K. Osawa,Maciej Plucinski. Владелец: SK Hynix NAND Product Solutions Corp. Дата публикации: 2024-04-30.

Providing a dynamic random-access memory cache as second type memory

Номер патента: US20210165580A1. Автор: Balaram Sinharoy,Alper Buyuktosunoglu,Bulent Abali. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-06-03.

Providing a dynamic random-access memory cache as second type memory

Номер патента: EP4070202A1. Автор: Balaram Sinharoy,Alper Buyuktosunoglu,Bulent Abali. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-10-12.

Application pre-layout in byte-addressable persistent random access memory

Номер патента: US09952879B2. Автор: KY Srinivasan,Edmund NIGHTINGALE. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2018-04-24.

Time skewing arrangement for operating random access memory in synchronism with a data processor

Номер патента: US5572722A. Автор: Wilbur C. Vogley. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1996-11-05.

Host-managed logical mass storage device using magnetic random access memory (mram)

Номер патента: US20150248238A1. Автор: Mehdi Asnaashari. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2015-09-03.

System and method for performing layer optimization of stacked resistive random-access memory device by using artificial intelligence technology

Номер патента: US20240020511A1. Автор: Lok Won Kim. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2024-01-18.

Dynamic random access memory structure

Номер патента: US20200006347A1. Автор: Chih-Hao Lin. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Random access memory cells using spatial wavefunction switched field-effect transistors

Номер патента: US9000417B1. Автор: John Chandy,Faquir Chand Jain,Evan Heller,Pawan Gogna. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-04-07.

Method of making dynamic random access memory having a reliable contact

Номер патента: US5288655A. Автор: Toshio Nomura,Daitei Shin,Masaaki Higasitani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1994-02-22.

Low leakage non-planar access transistor for embedded dynamic random access memory (eDRAM)

Номер патента: US09741721B2. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Jeng-Ya D. YEH,Joodong Park,Rahul RAMASWAMY,Curtis Tsai,Gopinath Bhimarasetti. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Layouts and fabrication methods for static random access memory

Номер патента: US09679902B2. Автор: Yu Li,Gong Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Transmitting a random access response message

Номер патента: RU2687033C1. Автор: Рапепат РАТАСУК,Юань Тао ЧЗАН,Янь Цзи ЧЗАН,Нитин МАНГАЛВЕДЕ. Владелец: Нокиа Солюшнс энд Нетуоркс Ой. Дата публикации: 2019-05-06.

Management method for reducing utilization rate of random access memory (ram) used in flash memory

Номер патента: US20080162793A1. Автор: Yuan-Hao Chang,Jen-Wei Hsieh,Tei-Wei Kuo,Cheng-Chih Yang,Yuan-sheng Chu. Владелец: Genesys Logic Inc. Дата публикации: 2008-07-03.

Accessing of a modified word organized random access memory

Номер патента: CA1058768A. Автор: David C. Van Voorhis,Thomas H. Morrin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1979-07-17.

Methods and structures for controlling retransmission of device over random access channel in wireless communication network

Номер патента: RU2699394C1. Автор: Никлас ЙОХАНССОН,Бьёрн ХОФСТРЁМ,Джон Уолтер ДИАЧАЙНА,Клаэс-Йёран ПЕРССОН. Владелец: Телефонактиеболагет Лм Эрикссон (Пабл). Дата публикации: 2019-09-05.

Memory-access management method and system for synchronous dynamic random-access memory or the like

Номер патента: WO2003083661A1. Автор: Jiin Lai,Chihkuo Kao. Владелец: VIA TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2003-10-09.

System and method for providing constrained transmission and storage in a random access memory

Номер патента: US8024642B2. Автор: Luis A. Lastras-Montano. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-09-20.

One-bit memory cell in static random access memory device with PMOS thin film transistor load pair

Номер патента: US5404030A. Автор: Jhang-Rae Kim,Sung-Bu Jun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1995-04-04.

Method for random access to picture blocks in video pictures

Номер патента: US20010017670A1. Автор: Andreas Menkhoff,Günter Scheffler. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2001-08-30.

Method for random access to picture blocks in video pictures

Номер патента: US6559897B2. Автор: Andreas Menkhoff,Günter Scheffler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-05-06.

Thin film transistor random access memory

Номер патента: US11785756B2. Автор: Richard E. Fackenthal. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

1t1r resistive random access memory and manufacturing method therefor, transistor and device

Номер патента: EP3736865A1. Автор: Jian Shen,Guofeng YAO. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-11.

System setting operating frequency of random access memory based on cache hit ratio and operating method thereof

Номер патента: US11899584B2. Автор: Kwang Ho Choi,Moon Hyeok Choi,Nam Hyeok JEONG,Yong Wan HWANG,Tae Woong HA. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Flexible access and control of dynamic random access memory

Номер патента: WO2006085173A3. Автор: Jukka-Pekka Vihmalo,Matti Floman,Jani Klint. Владелец: Jani Klint. Дата публикации: 2007-01-18.

Block storage using a hybrid memory device

Номер патента: US20180321881A1. Автор: Vladimir Sadovsky,Scott Chao-Chueh Lee,Robin A. Alexander,Chiuchin Chen,Lee E. PREWITT. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2018-11-08.

System setting including operating frequency of random access memory based on cache hit ratio and operating method thereof

Номер патента: US20240152456A1. Автор: Kwang Ho Choi,Moon Hyeok Choi,Nam Hyeok JEONG,Yong Wan HWANG,Tae Woong HA. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Dielectric repair for emerging memory devices

Номер патента: US09627608B2. Автор: Diane Hymes,Thorsten Lill,Nerissa Draeger. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Resistive switching random access memory with asymmetric source and drain

Номер патента: US09478638B2. Автор: Chih-Yang Chang,Wen-Ting Chu,Kuo-Chi Tu,Hsia-Wei CHEN,Yu-Wen LIAO,Chin-Chieh YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Electronic timepiece including a schedule memory device

Номер патента: US4774697A. Автор: Fumikazu Aihara. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 1988-09-27.

Programmable logic device with subroutine stack and random access memory

Номер патента: US5042004A. Автор: Kapil Shankar,Om Agrawal. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1991-08-20.

Memory device

Номер патента: US5719809A. Автор: Toshihiko Ogura,Koichi Kimura,Tadashi Kuwabara,Hiroaki Aotsu,Hiromichi Enomoto,Mitsuru Ikegami,Tadashi Kyoda. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1998-02-17.

Static random-access memory and fabrication method thereof

Номер патента: US11785755B2. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-10-10.

Method and device for assessing operational effectiveness of solid-state drive (ssd) memory device

Номер патента: US20230325275A1. Автор: Pradeep GOLVALKAR. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Finer grain dynamic random access memory

Номер патента: US11791317B2. Автор: Brent Keeth. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Tightly-coupled random access memory interface shim die

Номер патента: US20240088084A1. Автор: Brent Keeth,Ameen D. Akel. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Block Storage Using a Hybrid Memory Device

Номер патента: US20170131952A1. Автор: Vladimir Sadovsky,Scott Chao-Chueh Lee,Robin A. Alexander,Chiuchin Chen,Lee E. PREWITT. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2017-05-11.

Block storage using a hybrid memory device

Номер патента: EP2984552A1. Автор: Vladimir Sadovsky,Scott Chao-Chueh Lee,Robin A. Alexander,Chiuchin Chen,Lee E. PREWITT. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2016-02-17.

Block storage using a hybrid memory device

Номер патента: WO2014168647A1. Автор: Vladimir Sadovsky,Scott Chao-Chueh Lee,Robin A. Alexander,Chiuchin Chen,Lee E. PREWITT. Владелец: MICROSOFT CORPORATION. Дата публикации: 2014-10-16.

Method and device for assessing operational effectiveness of solid-state drive (SSD) memory device

Номер патента: US12013755B2. Автор: Pradeep GOLVALKAR. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Wearable electronic device with built-in intelligent monitoring implemented using deep learning accelerator and random access memory

Номер патента: WO2021257372A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-12-23.

Platform storage hierarchy with non-volatile random access memory having configurable partitions

Номер патента: EP2761468A1. Автор: Michael A. Rothman,Vincent J. Zimmer,Mark S. Doran. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2014-08-06.

Communicating random access memory

Номер патента: US4616310A. Автор: Richard E. Matick,Frederick H. Dill,Daniel T. Ling,Dennis J. McBride. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1986-10-07.

Method and apparatus for mapping the primary operational sequences of an algorithm in a compute unit having an internal random access memory

Номер патента: US7650322B2. Автор: Yosef Stein,Hazarathaiah Malepati,Gregory M. Yukna. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2010-01-19.

Methods of making random access memory devices, transistors, and memory cells

Номер патента: US8470666B2. Автор: Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-06-25.

Branch predictor using random access memory

Номер патента: CA1162313A. Автор: James E. Smith. Владелец: Control Data Corp. Дата публикации: 1984-02-14.

Semiconductor processing method of forming a static random access memory cell and static random access memory cell

Номер патента: US5650350A. Автор: Charles H. Dennison,Ken Marr. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1997-07-22.

Random access memory assembly

Номер патента: US5819304A. Автор: William Schmidt,Kelvin D. Nilsen. Владелец: Iowa State University Research Foundation ISURF. Дата публикации: 1998-10-06.

Random access memory systems

Номер патента: GB1496563A. Автор: . Владелец: Rockwell International Corp. Дата публикации: 1977-12-30.

Method for manufacturing an internally shielded dynamic random access memory cell

Номер патента: US5352621A. Автор: Jae-Kap Kim,In-Sool Chung. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1994-10-04.

Semiconductor processing method of forming a static random access memory cell and static random access memory cell

Номер патента: US5739056A. Автор: Charles H. Dennison,Ken Marr. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1998-04-14.

Method for making static random-access memory device

Номер патента: US4774203A. Автор: Shuji Ikeda,Satoshi Meguro,Sho Yamamoto,Kotaro Nishimura,Nobuyoshi Tanimura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1988-09-27.

Static random access memory using vertical transport field effect transistors

Номер патента: US11956939B2. Автор: Tao Li,Albert M. Young,Tsung-Sheng KANG,Ardasheir Rahman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Static random access memory using vertical transport field effect transistors

Номер патента: US20230217639A1. Автор: Tao Li,Albert M. Young,Tsung-Sheng KANG,Ardasheir Rahman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-07-06.

Intelligent low power modes for deep learning accelerator and random access memory

Номер патента: WO2022031447A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-02-10.

Storage and access of metadata within selective dynamic random access memory (dram) devices

Номер патента: US20230333928A1. Автор: Kuljit S. Bains,Todd Hinck. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Random access memory power savings

Номер патента: WO2019045931A1. Автор: Sebastien Andre Jean. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-03-07.

Spectral magnetoellipsometer with device for magneto-resistive measurements

Номер патента: RU2549843C1. Автор: Лариса Владимировна Панина,Александр Тимофеевич Морченко,Николай Анатольевич Юданов,Владимир Григорьевич Костишин,Денис Николаевич Читанов,Александр Сергеевич Комлев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС". Дата публикации: 2015-04-27.

Magneto-resistance random access memory array having pseudo spin valve

Номер патента: TW503393B. Автор: De-Yuan Wu,Jr-Jeng Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-09-21.

Signal regenerative circuit for magneto-resistance effect type head

Номер патента: JPH117602A. Автор: Ken Yakuwa,憲 八鍬. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1999-01-12.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND CONTROL METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120002457A1. Автор: KANDA Kazushige. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

STRESS-ENGINEERED RESISTANCE-CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120001148A1. Автор: . Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Circuit and method for eliminating bit line leakage current in random access memory devices

Номер патента: US20120002496A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

TEST MODE CONTROL CIRCUIT IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND TEST MODE ENTERING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002494A1. Автор: Jo Jun-Ho,PARK Kyu-Min,KIM BYOUNGSUL,LEE Hakyong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CHARGE EQUILIBRIUM ACCELERATION IN A FLOATING GATE MEMORY DEVICE VIA A REVERSE FIELD PULSE

Номер патента: US20120002482A1. Автор: Kalavade Pranav,Franklin Nathan R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

System and method of arranging static data objects in heterogeneous random-access memory

Номер патента: RU2422883C1. Автор: Михаил Петрович Левин,Вячеслав Юрьевич Подшивалов,Константин Александрович Карасёв,Жу-Янг ХВАНГ. Владелец: Корпорация "САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС Ко., Лтд.". Дата публикации: 2011-06-27.

Cell of static random access memory

Номер патента: RU2573226C2. Автор: Сергей Феофентович Тюрин. Владелец: Сергей Феофентович Тюрин. Дата публикации: 2016-01-20.

RANDOM ACCESS RESPONSE PROCESSING

Номер патента: US20120002606A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Nonvolatile static random access memory devices

Номер патента: CA1141029A. Автор: Richard T. Simko. Владелец: Xicor LLC. Дата публикации: 1983-02-08.

RANDOM ACCESS CHANNEL RESOURCE ALLOCATION

Номер патента: US20120002617A1. Автор: Vujcic Dragan. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Error correction means for random access memories

Номер патента: CA1073114A. Автор: Alan I. Groudan,H. Lee Treffinger,George F. Schroeder. Владелец: Singer Co. Дата публикации: 1980-03-04.

Multi-port random access memory

Номер патента: CA2319239C. Автор: Garnet Frederic Randall Gibson,Steven William Wood. Владелец: Nortel Networks Corp. Дата публикации: 2004-03-30.

Method of creating antivirus record when detecting malicious code in random-access memory

Номер патента: RU2592383C1. Автор: Алексей Владимирович Монастырский,Денис Александрович Назаров,Михаил Александрович Павлющик. Владелец: Закрытое акционерное общество "Лаборатория Касперского". Дата публикации: 2016-07-20.

Method of determining periodicity of inspecting random access memory during operation in radiation conditions of cosmic space on sun-synchronous orbit

Номер патента: RU2438163C1. Автор: Евгений Владимирович Фролков,Александр Владимирович Шатунов. Владелец: Войсковая часть 32103. Дата публикации: 2011-12-27.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.