Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Magnetic random access memory using current sense amplifier for reading cell data and related method

Magnetic random access memory using current sense amplifier for reading cell data and related method

Номер патента: US09916883B2
Опубликовано: 13-03-2018
Автор(ы): Sergiy Romanovskyy
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Magnetoresistive random access memory and operating method thereof

Номер патента: US11222677B1. Автор: Wen Chin Lin,Ming Sheng Tung. Владелец: NS Poles Technology Corp. Дата публикации: 2022-01-11.

Sense amplifier with split capacitors

Номер патента: US20210319820A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-14.

Sense amplifier with split capacitors

Номер патента: US20200051606A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-02-13.

Sense amplifier with split capacitors

Номер патента: EP3837687A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-23.

Sense amplifier with split capacitors

Номер патента: US10998028B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-04.

Sense amplifier with split capacitors

Номер патента: WO2020036744A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-02-20.

Dram architecture with combined sense amplifier pitch

Номер патента: WO1998033185A1. Автор: Brian M. Shirley. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 1998-07-30.

Quasi-volatile memory with enhanced sense amplifier operation

Номер патента: US11848056B2. Автор: Raul Adrian Cernea. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2023-12-19.

Quasi-volatile memory with enhanced sense amplifier operation

Номер патента: US20220180943A1. Автор: Raul Adrian Cernea. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2022-06-09.

Reference circuit to compensate for pvt variations in single-ended sense amplifiers

Номер патента: WO2014057033A1. Автор: Roland Thewes. Владелец: SOITEC. Дата публикации: 2014-04-17.

Ferroelectric dynamic access memory cell array has reference voltage signal generator and calibration circuit for read out voltage

Номер патента: DE102004003357A1. Автор: Juergen T. Cupertino Rickes,Yacoub Mustafa,Hugh P. McKinney McAdams. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2004-12-30.

Dram sense amplifier that supports low memory-cell capacitance

Номер патента: WO2011068694A3. Автор: Gary B. Bronner,Thomas Vogelsang. Владелец: RAMBUS INC.. Дата публикации: 2011-11-24.

Static random access memory read path with latch

Номер патента: WO2021101709A1. Автор: Arijit Banerjee,Russell Schreiber,Kyle WHITTLE. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2021-05-27.

Static random access memory read path with latch

Номер патента: EP4062408A1. Автор: Arijit Banerjee,Russell Schreiber,Kyle WHITTLE. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2022-09-28.

Static Random Access Memory Read Path with Latch

Номер патента: US20210158855A1. Автор: Arijit Banerjee,Russell Schreiber,Kyle WHITTLE. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2021-05-27.

A semiconductor device having a electric charge amplifier for amplifying bit line electric charge

Номер патента: GB2326496A. Автор: Jung Won Suh. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-12-23.

Dram sense amplifier that supports low memory-cell capacitance

Номер патента: WO2011068694A2. Автор: Gary B. Bronner,Thomas Vogelsang. Владелец: RAMBUS INC.. Дата публикации: 2011-06-09.

Dram sense amplifier that supports low memory-cell capacitance

Номер патента: EP2507795A2. Автор: Gary B. Bronner,Thomas Vogelsang. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2012-10-10.

Dram sense amplifier that supports low memory-cell capacitance

Номер патента: US20120230134A1. Автор: Gary B. Bronner,Thomas Vogelsang. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2012-09-13.

Dynamic random access memory device

Номер патента: US6295241B1. Автор: Fujio Masuoka,Koji Sakui,Kenji Numata,Tsuneaki Fuse,Shigeyoshi Watanabe,Yukihito Oowaki,Masako Ohta. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-09-25.

Sense amplifier optimized lay-out from dynamic random access memories on complementary metal oxide semicondutor

Номер патента: US4825417A. Автор: Seung M. Seo. Владелец: Samsung Semiconductor and Telecomunications Co Ltd. Дата публикации: 1989-04-25.

Fast sense amplifier for small voltage differences

Номер патента: US5905686A. Автор: George B. Raad. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-05-18.

Random access memory and sense-amplifying compensation circuit thereof

Номер патента: US20240170030A1. Автор: Miao Xie,Shaoxu JIA. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Current sense amplifiers, memory devices and methods

Номер патента: US20170249985A1. Автор: Hoon Choi,Seong-Hoon Lee,Jongtae Kwak,Onegyun Na. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-31.

Circuit configuration for reading and writing information at a memory cell field

Номер патента: US20020015331A1. Автор: Helmut Schneider,Bret Johnson,Eckhard Plattner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-02-07.

Method and circuit for determining sense amplifier sensitivity

Номер патента: US6862233B2. Автор: Duane Giles Laurent. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2005-03-01.

Dynamic random access memory

Номер патента: US5515315A. Автор: Akihiko Hashiguchi,Akihiro Uda,Akira Nakagawara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1996-05-07.

Integrated semiconductor memory with sense amplifier

Номер патента: US20050207251A1. Автор: Helmut Schneider,Michael Sommer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-09-22.

Charge integrating sense amplifier

Номер патента: GB2390201A. Автор: Simon Tam. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-12-31.

Capacitively isolated mismatch compensated sense amplifier

Номер патента: WO2010074833A1. Автор: John E. Barth, Jr.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2010-07-01.

Array transistor amplification method and apparatus for dynamic random access memory

Номер патента: US6975550B2. Автор: Peter Poechmueller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-12-13.

Sense amplifiers for sensing multilevel cells and memory devices including the same

Номер патента: US20200143869A1. Автор: Dong-Il Lee,Young-Hun Seo,Hye-Jung KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-07.

Dynamic random access memory and method for accessing same

Номер патента: US7626843B2. Автор: Shou-Ting Yan. Владелец: Innolux Display Corp. Дата публикации: 2009-12-01.

Layouts for sense amplifiers and related apparatuses and systems

Номер патента: US20210407578A1. Автор: Yuko Watanabe,Takefumi Shirako. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Sense Amplifier Reference Voltage Through Sense Amplifier Latch Devices

Номер патента: US20230395131A1. Автор: Eric Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Sense amplifier reference voltage through sense amplifier latch devices

Номер патента: US12131771B2. Автор: Eric Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Random Access Memory Controller Having Common Column Multiplexer and Sense Amplifier Hardware

Номер патента: US20120327703A1. Автор: Meny Yanni. Владелец: Marvell Israel MISL Ltd. Дата публикации: 2012-12-27.

Sense amplifier, memory and method for controlling sense amplifier

Номер патента: US11929716B2. Автор: Li Zhao,Jun He,Zhan Ying,Xin Li,Junning Chen,Kanyu Cao,Wenjuan Lu,Chunyu PENG,Zhiting Lin,Xiulong Wu,Yangkuo Zhao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

P-type field-effect transistor (pfet)-based sense amplifiers for reading pfet pass-gate memory bit cells, and related memory systems and methods

Номер патента: EP3262644A2. Автор: Francois Ibrahim Atallah,Jihoon Jeong,Keith Alan Bowman,David Joseph Winston Hansquine,Hoan Huu Nguyen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-03.

P-type field-effect transistor (pfet)-based sense amplifiers for reading pfet pass-gate memory bit cells, and related memory systems and methods

Номер патента: WO2016137681A2. Автор: Francois Ibrahim Atallah,Jihoon Jeong,Keith Alan Bowman,David Joseph Winston Hansquine,Hoan Huu Nguyen. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-09-01.

Dram sense amplifier architecture with reduced power consumption and related methods

Номер патента: WO2023215382A1. Автор: Robert J. Mears,Richard Stephen Roy. Владелец: Atomera Incorporated. Дата публикации: 2023-11-09.

Method and apparatus for high-efficiency operation of a dynamic random access memory

Номер патента: US20080175037A1. Автор: Chung-Cheng Chou,Chen-Hui Hsieh,Hank Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-07-24.

Dram sense amplifier architecture with reduced power consumption and related methods

Номер патента: US20230363150A1. Автор: Robert J. Mears,Richard Stephen Roy. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Reference voltage generating circuit of sense amplifier using residual data line

Номер патента: US6002616A. Автор: Bong-Hwa Jeong. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1999-12-14.

High speed mos random access read/write memory device

Номер патента: US3848237A. Автор: M Geilhufe,R Mehta. Владелец: Advanced Memory Systems Inc. Дата публикации: 1974-11-12.

Sense amplifier driving device

Номер патента: US20160372176A1. Автор: Jong Ho Son,Jun Yong Song,Saeng Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-22.

Sense amplifiers as static random access memory cache

Номер патента: US20240256448A1. Автор: Troy A. Manning,Glen E. Hush,Troy D. Larsen,Peter L. Brown,Timothy P. Finkbeiner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

DRAM sense amplifier that supports low memory-cell capacitance

Номер патента: US9437280B2. Автор: Gary B. Bronner,Thomas Vogelsang. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2016-09-06.

Sense amplifier schemes for accessing memory cells

Номер патента: US20220383912A1. Автор: Kyoichi Nagata. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-01.

Sense amplifier for non-volatile memory devices and related methods

Номер патента: US20170178722A1. Автор: Marco Pasotti,Chantal Auricchio,Marcella CARISSIMI,Rajat Kulshrestha. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2017-06-22.

Sense amplifier for non-volatile memory devices and related methods

Номер патента: US10068643B2. Автор: Marco Pasotti,Chantal Auricchio,Marcella CARISSIMI,Rajat Kulshrestha. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2018-09-04.

Fast column access memory

Номер патента: CA1241445A. Автор: Howard C. Kirsch. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1988-08-30.

Sense amplifier schemes for accessing memory cells

Номер патента: US20190051335A1. Автор: Kyoichi Nagata. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-14.

Sense amplifier schemes for accessing memory cells

Номер патента: US11915779B2. Автор: Kyoichi Nagata. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Stacked thin-film transistor based embedded dynamic random-access memory

Номер патента: US20200035683A1. Автор: Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Bernhard Sell,Pei-Hua Wang,Chieh-Jen Ku,Abhishek A. Sharma,Travis W. LaJoie,Van H. Le,Fatih Hamzaoglu,Umut ARSLAN,Juan G. Alzate-Vinasco. Владелец: INTE Corp. Дата публикации: 2020-01-30.

Dynamic random access memory apparatus

Номер патента: US20140146597A1. Автор: Chuan-Jen Chang,Wen-Ming Lee. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2014-05-29.

Semiconductor device with sense amplifier for memory cells

Номер патента: US7242628B2. Автор: Tadashi Haruki. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-07-10.

Non-volatile static random access memory (nvsram) with multiple magnetic tunnel junction cells

Номер патента: US20240296887A1. Автор: Yih Wang,Hiroki Noguchi,Perng-Fei Yuh,Jui-che Tsai,Fu-An Wu,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Low noise sense amplifier control circuits for dynamic random access memories and related methods

Номер патента: US5708616A. Автор: Jong-Hyun Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-01-13.

Dynamic, random-access memory with hidden memory scrubbing

Номер патента: US20240127903A1. Автор: Thomas Vogelsang,Torsten Partsch. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-04-18.

Data sensing method for dynamic random access memory

Номер патента: US20090323433A1. Автор: Ling Wen Hsiao. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2009-12-31.

Semiconductor memory device equipped with step-down power voltage supply system for sense amplifier circuit arrays

Номер патента: US5272677A. Автор: Ryuji Yamamura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1993-12-21.

Dynamic Random Access Memory System Including Single-Ended Sense Amplifiers And Methods For Operating Same

Номер патента: US20240221823A1. Автор: Richard S. Roy. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Dynamic random access memory system including single-ended sense amplifiers and methods for operating same

Номер патента: WO2024145620A3. Автор: RICHARD ROY. Владелец: Atomera Incorporated. Дата публикации: 2024-08-02.

Dynamic random access memory system including single-ended sense amplifiers and methods for operating same

Номер патента: WO2024145620A2. Автор: RICHARD ROY. Владелец: Atomera Incorporated. Дата публикации: 2024-07-04.

Dynamic random access memory system including single-ended sense amplifiers and methods for operating same

Номер патента: WO2024145620A4. Автор: RICHARD ROY. Владелец: Atomera Incorporated. Дата публикации: 2024-09-26.

Dram-Type Device With Low Variation Transistor Peripheral Circuits, and Related Methods

Номер патента: US20160336056A1. Автор: Richard S. Roy,Lawrence T. Clark,Lucian Shifren. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-11-17.

Content addressable dynamic random-access memory with parallel search functionality

Номер патента: US09899087B1. Автор: Wolfgang Hokenmaier,Aaron D. Willey,Ryan A. Jurasek,Donald W. Labrecque. Владелец: Green Mountain Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Sense amplifier with dual parallel driver transistors in MOS random access memory

Номер патента: US4286178A. Автор: Lionel S. White, Jr.,G. R. Mohan Rao. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1981-08-25.

System and method for detecting mismatch of sense amplifier

Номер патента: US11862233B2. Автор: Dong Liu,Tianhao DIWU,Xikun CHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Static random access memory circuit and read/write operation method thereof

Номер патента: US20230215492A1. Автор: Chung-chieh Chen,Shuo-Hong Hung,Bing-Chen Wu. Владелец: Upbeat Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-06.

Dynamic random access memory-based content-addressable memory (dram-cam) architecture for exact pattern matching

Номер патента: US20230385258A1. Автор: Kevin Skadron,Lingxi Wu. Владелец: University of Virginia UVA. Дата публикации: 2023-11-30.

Reference Averaging for MRAM Sense Amplifiers

Номер патента: US20130176773A1. Автор: Pokang Wang,Perng-Fei Yuh,Lejan Pu. Владелец: Headway Technologies Inc. Дата публикации: 2013-07-11.

MRAM device including analog sense amplifiers

Номер патента: US6128239A. Автор: Frederick A. Perner. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2000-10-03.

Method and apparatus pertaining to a ferro-magnetic random access memory

Номер патента: US20120170350A1. Автор: Scott Summerfelt,Steven Craig Bartling,Michael Patrick Clinton,Hugh Mcadams. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2012-07-05.

Random access memory apparatus

Номер патента: US4794566A. Автор: John W. Richards,Derek P. Allsop. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1988-12-27.

Self-referenced sense amplifier for spin torque mram

Номер патента: US20160099040A1. Автор: THOMAS Andre,Syed M. Alam,Chitra Subramanian. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2016-04-07.

MOSFET Random access memory chip

Номер патента: US4477739A. Автор: Robert J. Proebsting,Paul R. Schroeder. Владелец: Mostek Corp. Дата публикации: 1984-10-16.

Memory circuit, a dynamic random access memory, a system comprising a memory and a floating point unit and a method for storing digital data

Номер патента: US20080062743A1. Автор: Peter Mayer,Wolfgang Spirkl,Michael Richter,Martin Brox,Thomas Hein,Markus Balb,Christoph Bilger. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-03-13.

High-speed refreshing rechnique for highly-integrated random-access memory

Номер патента: US4819207A. Автор: Koji Sakui,Shigeyoshi Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1989-04-04.

Complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) dynamic random access memory (dram) cell with sense amplifier

Номер патента: US20140204654A1. Автор: John E. Barth, Jr.,Adis Vehabovic. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-24.

Sense amplifier employing control circuitry for decoupling resistive memory sense inputs during state sensing to prevent current back injection, and related methods and systems

Номер патента: EP3092645A1. Автор: Wenqing Wu,Venkatasubramanian Narayanan,Kendrick Hoy Leong YUEN. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-11-16.

Static random access memory

Номер патента: US20210287740A1. Автор: Wei-Cheng Wu,Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Ping-Wei Wang,Wei Min Chan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-16.

Compute-in-memory (cim) employing low-power cim circuits employing static random access memory (sram) bit cells, particularly for multiply-and-accumluate (mac) operations

Номер патента: EP4204950A1. Автор: Khaja Ahmad SHAIK,Bharani Chava,Dawuth Shadulkhan Pathan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-07-05.

Compute-in-memory (cim) employing low-power cim circuits employing static random access memory (sram) bit cells, particularly for multiply-and-accumluate (mac) operations

Номер патента: WO2022093413A1. Автор: Khaja Ahmad SHAIK,Bharani Chava,Dawuth Shadulkhan Pathan. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-05-05.

Complementary bit pcram sense amplifier and method of operation

Номер патента: EP1454325A2. Автор: Glen Hush,Jake Baker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-09-08.

Circuit and method for controlling standby leakage current in random access memory devices

Номер патента: US20120002497A1. Автор: Chung Zen Chen. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2012-01-05.

Dynamic random access memory and method for writing data thereto

Номер патента: US5014245A. Автор: Takashi Ohsawa,Tohru Furuyama,Kazuyoshi Muroka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1991-05-07.

Dynamic random access memory device having static column mode of operation without destruction of data bit

Номер патента: US5295099A. Автор: Akihiko Kagami. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-03-15.

Sense amplifier and method for performing a read operation in a MRAM

Номер патента: US20040001383A1. Автор: THOMAS Andre,Mark Durlam,Bradley Engel,Mark DeHerrera,Chitra Subramanian,Joseph Nahas,Bradley Garni. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2004-01-01.

Memory sense amplifier trimming

Номер патента: US20240170031A1. Автор: Yi-Chun Shih,Chia-Fu Lee,Yu-Der Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Dynamic random access memory and programming method therefor

Номер патента: US20220215884A1. Автор: Chao Yang Chen,Ming Sheng Tung. Владелец: NS Poles Technology Corp. Дата публикации: 2022-07-07.

Voltage-mode bit line precharge for random-access memory cells

Номер патента: US11482281B2. Автор: Danut Manea. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2022-10-25.

Voltage-mode bit line precharge for random-access memory cells

Номер патента: WO2021050984A1. Автор: Danut Manea. Владелец: Hefei Reliance Memory Limited. Дата публикации: 2021-03-18.

Method and apparatus for reading/writing data from/into semiconductor memory device

Номер патента: US5596533A. Автор: Kee W. Park. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1997-01-21.

Dynamic random access memory

Номер патента: US3727196A. Автор: Kenny V Mc. Владелец: Mostek Corp. Дата публикации: 1973-04-10.

Method and apparatus for loading directly onto bit lines in a dynamic random access memory

Номер патента: US6118717A. Автор: James Brady. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2000-09-12.

Random access memory imaging system

Номер патента: WO1980002629A1. Автор: J Petty,H Gardner. Владелец: Ncr Co. Дата публикации: 1980-11-27.

Dynamic random access memory with fully independent partial array refresh function

Номер патента: US09767881B2. Автор: Jin-Ki Kim,Hakjune Oh. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Method and apparatus for read bitline clamping for gain cell dram devices

Номер патента: WO2005089086A3. Автор: Toshiaki Kirihata. Владелец: Toshiaki Kirihata. Дата публикации: 2006-02-09.

Method and apparatus for read bitline clamping for gain cell dram devices

Номер патента: EP1665275A4. Автор: Toshiaki Kirihata. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-12-24.

Self-referenced sense amplifier for spin torque mram

Номер патента: WO2013154991A2. Автор: THOMAS Andre,Chitra Subramanian,Syed Alam. Владелец: Everspin Technologies, Inc.. Дата публикации: 2013-10-17.

Streaming mode for accessing memory cells in a memory device

Номер патента: US20240071476A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Andrea Martinelli,Christophe Vincent Antoine Laurent,Efrem Bolandrina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Dynamic random access memory

Номер патента: US20180182469A1. Автор: Yukihiro Nagai. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-28.

Address dependent wordline timing in asynchronous static random access memory

Номер патента: US12068024B2. Автор: Jay A. Chesavage,Robert Wiser,Neelam SURANA. Владелец: Ceremorphic Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Apparatus, method and system for performing successive writes to a bank of a dynamic random access memory

Номер патента: US20170365329A1. Автор: Kuljit S. Bains,John B. Halbert. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-12-21.

Control circuit on memory chip and dynamic random access memory

Номер патента: US20240062802A1. Автор: Jiarui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Dynamic random access memory (dram) with configurable wordline and bitline voltages

Номер патента: US20240257860A1. Автор: Gary Bela Bronner,Brent Steven Haukness,Thomas Vogelsang. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-08-01.

Leakage compensation circuit for dynamic random access memory (dram) cells

Номер патента: US20100073994A1. Автор: Muhammad M. Khellah,Ali Keshavarzi,DiaaEldin S. Khalil,Arijit Rayehowdhury. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-03-25.

Embedded semiconductor random access memory structure and control method therefor

Номер патента: US20240306397A1. Автор: Kaifeng WANG,Ru Huang,Qianqian Huang,Zhiyuan Fu. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-09-12.

Current sense amplifier

Номер патента: EP1787301A1. Автор: Hans-Heinrich Viehmann,Dietmar Gogl. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-05-23.

Memory sense amplifier trimming

Номер патента: US11923036B2. Автор: Yi-Chun Shih,Chia-Fu Lee,Yu-Der Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Memory circuit, dynamic random access memory and operation method thereof

Номер патента: US20240237328A9. Автор: E Ray HSIEH. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2024-07-11.

A prefetch write driver for a random access memory

Номер патента: EP1252630A2. Автор: David R. Hanson,Gerhard Mueller,Toshiaki Kirihata. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2002-10-30.

A prefetch write driver for a random access memory

Номер патента: WO2001043135A9. Автор: Gerhard Mueller,Toshiaki Kirihata,David R Hanson. Владелец: Infineon Technologies Corp. Дата публикации: 2002-05-16.

A prefetch write driver for a random access memory

Номер патента: WO2001043135A1. Автор: David R. Hanson,Gerhard Mueller,Toshiaki Kirihata. Владелец: Infineon Technologies North America Corp.. Дата публикации: 2001-06-14.

Metal-oxide semiconductor (MOS) transistor offset-cancelling (OC), zero-sensing (ZS) dead zone, current-latched sense amplifiers (SAs) (CLSAs) (OCZS-SAs) for sensing differential voltages

Номер патента: US09852783B1. Автор: Jung Pill Kim,Seung Hyuk KANG,Seong-Ook Jung,Taehui Na,Byung Kyu Song. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2017-12-26.

Dynamic random access memory and programming method therefor

Номер патента: US11574684B2. Автор: Chao Yang Chen,Ming Sheng Tung. Владелец: NS Poles Technology Corp. Дата публикации: 2023-02-07.

Random access memory

Номер патента: US20240144994A1. Автор: Tsung-hsun Wu,Ming-Hsiu Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Dynamic random access memory device and μBGA package using multiple reference voltage pads

Номер патента: US6310796B1. Автор: Ho-sung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-10-30.

Silicon germanium read port for a static random access memory register file

Номер патента: EP3186831A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri MOJUMDER. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-07-05.

Silicon germanium read port for a static random access memory register file

Номер патента: WO2016032642A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri MOJUMDER. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-03-03.

Dynamic random access memory

Номер патента: EP1297532A2. Автор: Shahid Butt,Gerhard Kunkel. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2003-04-02.

P-type field-effect transistor (pfet)-based sense amplifiers for reading pfet pass-gate memory bit cells, and related memory systems and methods

Номер патента: US20160247555A1. Автор: Francois Ibrahim Atallah,Jihoon Jeong,Keith Alan Bowman,David Joseph Winston Hansquine,Hoann Huu Nguyen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-08-25.

P-type field-effect transistor (pfet)-based sense amplifiers for reading pfet pass-gate memory bit cells, and related memory systems and methods

Номер патента: EP3262644B1. Автор: Francois Ibrahim Atallah,Jihoon Jeong,Keith Alan Bowman,David Joseph Winston Hansquine,Hoan Huu Nguyen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-04-24.

Static random access memory (sram) unit and related device

Номер патента: EP3832648A1. Автор: Han Xu,Miao Zheng,Fei QIAO. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-09.

Dynamic, random-access memory with interleaved refresh

Номер патента: WO2023244915A1. Автор: Thomas Vogelsang,Torsten Partsch,Arthur J. Behiel. Владелец: RAMBUS INC.. Дата публикации: 2023-12-21.

Bit line sense circuit and method for dynamic random access memories

Номер патента: EP1132923A1. Автор: Duane Giles Laurent,James Leon Worley,Elmer Henry Guritz. Владелец: SGS Thomson Microelectronics Inc. Дата публикации: 2001-09-12.

Organization for dynamic random access memory

Номер патента: WO1980001733A1. Автор: W Huber,F Procyk,D Clemons,R Cenker. Владелец: Western Electric Co. Дата публикации: 1980-08-21.

Read-write circuitry for one transistor per bit random access memory

Номер патента: US4004285A. Автор: Alan Richard Bormann,Robert Tapei Yu. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1977-01-18.

Single command for reading then clearing dynamic random access memory

Номер патента: US11775197B2. Автор: Kenneth A. Schmidt. Владелец: Kyocera Document Solutions Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Method and related apparatus for maintaining data stored in a dynamic random access memory

Номер патента: US20040107310A1. Автор: I-Ming Lin. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2004-06-03.

Organization for dynamic random access memory

Номер патента: CA1133635A. Автор: Donald G. Clemons,Ronald P. Cenker,William R. Huber, Iii,Frank J. Procyk. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1982-10-12.

Static random access memory device including dual power line and bit line precharge method thereof

Номер патента: US9171610B2. Автор: Jong-Sang Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-27.

Dynamic random access memory (DRAM) having a structure for emplying a word line low voltage

Номер патента: US20020044488A1. Автор: Jong-Hyun Choi,Sang-Seok Kang,Jong-eon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-04-18.

Method and apparatus for accessing memory

Номер патента: US20050177781A1. Автор: Hsi-Chia Chang,Chin-Huo Chu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-11.

Storage and access of metadata within selective dynamic random access memory (dram) devices

Номер патента: EP4459468A1. Автор: Kuljit S. Bains,Todd Hinck. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-11-06.

Storage and access of data and tags in a multi-way set associative cache

Номер патента: US12072807B2. Автор: Frederick A. Ware,Thomas Vogelsang,Collins Williams,Michael Raymond Miller. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-08-27.

Cell structure of 4T random access memory, random access memory and operation methods

Номер патента: US09812190B2. Автор: Dong Wu,Liyang Pan,Xinhong Hong. Владелец: Shenzhen Graduate School Tsinghua University. Дата публикации: 2017-11-07.

Dynamic random access memory

Номер патента: US3821717A. Автор: Kenny V Mc. Владелец: Mostek Corp. Дата публикации: 1974-06-28.

System for refreshing dynamic random access memory

Номер патента: EP4386754A1. Автор: Suhas Chakravarty,James Andrew Welker. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-06-19.

Structure and methods of operating two identical 4T random access memories storing the same data

Номер патента: US09947390B2. Автор: Dong Wu,Liyang Pan,Xinhong Hong. Владелец: Shenzhen Graduate School Tsinghua University. Дата публикации: 2018-04-17.

Dynamic random access memory device having power supply system appropriately biasing switching transistors and storage capacitors in burn-in testing process

Номер патента: US5363333A. Автор: Akira Tsujimoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-11-08.

Powering random access memory modules with non-volatile memory components

Номер патента: US20200310971A1. Автор: Theodore B. Vojnovich,Jonathan R. Hinkle,David W. Cosby,Jose M. Orro. Владелец: Lenovo Enterprise Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

A dynamic random access memory (dram) structure with body bias voltage that can be adapted to the access pattern of cells

Номер патента: WO2021091518A3. Автор: Oguz Ergin,Fahrettin KOC. Владелец: Tobb Ekonomi Ve Teknoloji Universitesi. Дата публикации: 2022-01-13.

A dynamic random access memory (dram) structure with body bias voltage that can be adapted to the access pattern of cells

Номер патента: WO2021091518A2. Автор: Oguz Ergin,Fahrettin KOC. Владелец: Tobb Ekonomi Ve Teknoloji Universitesi. Дата публикации: 2021-05-14.

Mode-changeable dual data rate random access memory driver with asymmetric offset and memory interface incorporating the same

Номер патента: US20150213855A1. Автор: Sunil SUDHAKARAN,Daehyun Chung. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2015-07-30.

Parity data in dynamic random access memory (DRAM)

Номер патента: US12061518B2. Автор: Todd A. Marquart,Sai Krishna Mylavarapu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Test interface for verification of high speed embedded synchronous dynamic random access memory (SDRAM) circuitry

Номер патента: US20020042898A1. Автор: Michael Parris,Oscar Jones. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-11.

Random access memory with hidden bits

Номер патента: US20020089884A1. Автор: Günther SCHINDLER,Matthias Kronke. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-11.

Dynamic random access memory device and operating method with improved reliability and reduced cost

Номер патента: US09905285B2. Автор: Youngjin Cho,Jaegeun PARK,Youngkwang YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

256 Meg dynamic random access memory

Номер патента: US20110261628A1. Автор: Brent Keeth,Raymond J. Beffa,Larry D. Kinsman,Layne G. Bunker,Frank F. Ross,Scott J. Demer,Ronald L. Taylor,John S. Mullin. Владелец: Round Rock Research LLC. Дата публикации: 2011-10-27.

Single ended sense amplifier with current pulse circuit

Номер патента: US20240127868A1. Автор: Suresh Pasupula,Chunsung CHIANG,Siva Kumar Chinthu,Devesh Dwivedi. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Pseudo static random access memory and refresh method thereof

Номер патента: US20190139597A1. Автор: Yuji Nakaoka. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

Single ended sense amplifier with current pulse circuit

Номер патента: EP4358086A1. Автор: Suresh Pasupula,Chunsung CHIANG,Siva Kumar Chinthu,Devesh Dwivedi. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-04-24.

Hardware/software co-compressed computing method and system for static random access memory computing-in-memory-based processing unit

Номер патента: US20220366971A1. Автор: Kea-Tiong Tang,Syuan-Hao Sie,Jye-Luen LEE. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2022-11-17.

Junction field effect dynamic random access memory cell and applications therefor

Номер патента: WO2008137441A2. Автор: Damodar R. Thummalapally. Владелец: Dsm Solutions, Inc.. Дата публикации: 2008-11-13.

Method, apparatus, device and storage medium for accessing static random access memory

Номер патента: US20200159658A1. Автор: Jing Wang,Xiaozhang Gong. Владелец: Beijing Baidu Netcom Science And Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-21.

Control circuit and control method for controlling delay lock loop in dynamic random access memory

Номер патента: US20190311761A1. Автор: Chuan-Jen Chang,Wen-Ming Lee. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2019-10-10.

Handling of the Transmit Enable Signal in a Dynamic Random Access Memory Controller

Номер патента: US20080046620A1. Автор: Mark Bellows. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-02-21.

Dynamic random access memory (DRAM) backchannel communication systems and methods

Номер патента: US09881656B2. Автор: Dexter Tamio Chun,Vaishnav Srinivas,David Ian West,Michael Joseph Brunolli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Current sensing circuit of semiconductor memory device

Номер патента: KR940004640A. Автор: 최진영,임형규,서영호,정철민. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1994-03-15.

Dynamic random access memory speed bin compatibility

Номер патента: US20220319561A1. Автор: Erik V. Pohlmann. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Global wire management apparatus and method for a multiple-port random access memory

Номер патента: US5991224A. Автор: Anthony Gus Aipperspach,Peter Thomas Freiburger,Peder James Paulson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1999-11-23.

Dynamic random access memory speed bin compatibility

Номер патента: US11823767B2. Автор: Erik V. Pohlmann. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Non-volatile memory adapted to configure low power dynamic random access memory

Номер патента: US20180329640A1. Автор: Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-11-15.

Random access memory with optional inaccessible memory cells

Номер патента: US20050122822A1. Автор: Torsten Partsch,Thoai Le. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2005-06-09.

Dynamic random access memory speed bin compatibility

Номер патента: US20240144985A1. Автор: Erik V. Pohlmann. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Pseudo static random access memory and method for operating pseudo static random access memory

Номер патента: US20200273504A1. Автор: Yukihiro Nomura,Kaoru Mori. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-08-27.

Random access memory data resetting method

Номер патента: US20090168579A1. Автор: Shu-Liang Nin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-07-02.

Word line pump device of dynamic random access memory chip and clamp circuit thereof

Номер патента: US20240177763A1. Автор: Ting-Shuo Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Pulse generating circuit for dynamic random access memory device

Номер патента: US6114891A. Автор: Dae Jeong Kim. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2000-09-05.

Dynamic random access memory cell

Номер патента: US20020181271A1. Автор: JHY-JYI SZE. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-12-05.

Word line pump device of dynamic random access memory chip and clamp circuit thereof

Номер патента: US12094517B2. Автор: Ting-Shuo Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Cell of magnetic random access memory (mram) with self reference inlcudning ferrimagnetic intrinsic layers

Номер патента: RU2599939C2. Автор: Иоан Люсиан ПРЕЖБЕАНЮ,Люсьен ЛОМБАР. Владелец: Крокус Текнолоджи Са. Дата публикации: 2016-10-20.

Magnetic random access memory cell with dual junction for ternary content addressable memory applications

Номер патента: RU2572464C2. Автор: Бертран КАМБУ. Владелец: Крокус Текнолоджи Са. Дата публикации: 2016-01-10.

Method for writing to magnetic random access memory

Номер патента: US11238911B2. Автор: Baohua Niu,Ji-Feng Ying,Jhong-Sheng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-01.

Method and apparatus for reading a magnetic tunnel junction using a sequence of short pulses

Номер патента: US8947922B2. Автор: Parviz Keshtbod,Ebrahim Abedifard. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2015-02-03.

Method and apparatus for reading a magnetic tunnel junction using a sequence of short pulses

Номер патента: US20140219013A1. Автор: Parviz Keshtbod,Ebrahim Abedifard. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2014-08-07.

Magnetic random access memory with stacked toggle memory cells

Номер патента: EP1659631B1. Автор: Kochan Ju,Oletta Allegranza. Владелец: Maglabs Inc. Дата публикации: 2009-05-06.

Error recovery in magnetic random access memory after reflow soldering

Номер патента: US20200310930A1. Автор: Michail TZOUFRAS,Marcin Gajek. Владелец: Spin Memory Inc. Дата публикации: 2020-10-01.

Magnetic random access memory with reduced parasitic currents

Номер патента: US20030214837A1. Автор: Kenneth Smith,Peter Fricke,Andrew VanBrocklin. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2003-11-20.

Magnetic random access memory with stacked toggle memory cells

Номер патента: EP1659631A3. Автор: Kochan Ju,Oletta Allegranza. Владелец: Maglabs Inc. Дата публикации: 2006-11-08.

Method and apparatus for a high density magnetic random access memory (MRAM) with stackable architecture

Номер патента: EP1553601A3. Автор: Heinrich Maglabs Inc. Sussner. Владелец: Maglabs Inc. Дата публикации: 2007-07-18.

Magnetic random access memory and electronic device

Номер патента: US20220351767A1. Автор: LI Ye,Wenjing Li. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-03.

Magnetic random access memory with dual spin torque reference layers

Номер патента: EP2374130A1. Автор: Thomas Clinton,Mike Seigler. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2011-10-12.

Magnetic Random Access Memory Devices Including Multi-Bit Cells

Номер патента: US20120314487A1. Автор: Mourad El Baraji,Neal Berger,Lucian Prejbeanu,Guillaume Prenat,Lucien Lombard,Ricardo Alves Ferreira Costa E Sousa. Владелец: Crocus Technology Inc. Дата публикации: 2012-12-13.

Magnetic random access memory devices configured for self-referenced read operation

Номер патента: WO2012109094A2. Автор: Mourad El Baraji,Neal Berger. Владелец: CROCUS TECHNOLOGY INC.. Дата публикации: 2012-08-16.

Magnetic random access memory devices configured for self-referenced read operation

Номер патента: EP2673779A2. Автор: Mourad El Baraji,Neal Berger. Владелец: Crocus Technology Inc. Дата публикации: 2013-12-18.

Spin orbit torque magnetic random access memory cell, spin orbit torque magnetic random access memory array, and method for calculating hamming distance

Номер патента: US20230280978A1. Автор: LING Li,Ming Liu,Feng Zhang,Huai Lin,Di Wang,Long Liu,Changqing Xie,Guozhong XING. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-09-07.

Magnetic random access memory

Номер патента: US12082511B2. Автор: Baohua Niu,Ji-Feng Ying. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Method of writing to a spin torque magnetic random access memory

Номер патента: US9047969B2. Автор: THOMAS Andre,Syed M. Alam,Chitra Subramanian,Matthew R. Croft,Halbert Lin. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2015-06-02.

Reading methods and reading architectures for reading magnetic random access memory cells

Номер патента: TW201314684A. Автор: Yue-Der Chih,Kai-Chun Lin,Hung-Chang Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2013-04-01.

Method for writing to magnetic random access memory

Номер патента: US11727974B2. Автор: Baohua Niu,Ji-Feng Ying,Jhong-Sheng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Method for writing to magnetic random access memory

Номер патента: US20200020375A1. Автор: Baohua Niu,Ji-Feng Ying,Jhong-Sheng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Method for writing to magnetic random access memory

Номер патента: US20200312393A1. Автор: Baohua Niu,Ji-Feng Ying,Jhong-Sheng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Method for writing to magnetic random access memory

Номер патента: US20230335171A1. Автор: Baohua Niu,Ji-Feng Ying,Jhong-Sheng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Method for writing to magnetic random access memory

Номер патента: US20220157360A1. Автор: Baohua Niu,Ji-Feng Ying,Jhong-Sheng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-19.

Spin transfer torque magnetoresistive random-access memory and design methods

Номер патента: RU2427045C2. Автор: Сеунг Х. КАНГ,Мехди Хамиди САНИ,Сеонг-Оок ДЗУНГ,Сеи Сеунг ЙООН. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2011-08-20.

Spin orbit torque magnetoresistive random access memory device

Номер патента: US20200202914A1. Автор: Mohit Gupta,Kevin Garello,Sushil Sakhare,Manu Komalan Perumkunnil. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-06-25.

Memory devices with series-interconnected magnetic random access memory cells

Номер патента: WO2012109093A3. Автор: Mourad El Baraji,Neal Berger. Владелец: CROCUS TECHNOLOGY INC.. Дата публикации: 2012-10-18.

Method for recording of information in magnetic recording element and method for recording of information in magnetic random access memory

Номер патента: EP2206119A1. Автор: Sang-Koog Kim,Ki-suk Lee,Young-Sang Yu. Владелец: SNU R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2010-07-14.

Ultra-fast magnetic random access memory having a composite sot-mtj structure

Номер патента: US20210328134A1. Автор: Yimin Guo,Jun Chen,Rongfu Xiao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-10-21.

Methods involving resetting spin-torque magnetic random access memory with domain wall

Номер патента: US7525862B1. Автор: Jonathan Z. Sun,Rudolf M. Tromp. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-04-28.

Magnetically doped spin orbit torque electrode for perpendicular magnetic random access memory

Номер патента: US20200006636A1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Noriyuki Sato,Kaan OGUZ,Tanay GOSAVI,Chia-Ching Lin,Ian Young,Gary Allen,Dmitri Nikonov,Kevin O?BRIEN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Sense amplifier for static random access memory

Номер патента: US20140036581A1. Автор: PANKAJ Agarwal,Krishnan S. Rengarajan,Shiju K. Kandiyil. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-02-06.

Equi-potential sensing magnetic random access memory (MRAM) with series diodes

Номер патента: US20040088471A1. Автор: James Eaton,Lung Tran,Frederick Perner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-05-06.

Low variability reference parameter generation for magnetic random access memory

Номер патента: US20210193204A1. Автор: Akhilesh Jaiswal,Bipul C. Paul. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2021-06-24.

Magnetic random access memory structure

Номер патента: US20240177756A1. Автор: Hsin-Han Lee,Yu-Chen Hsin,Jeng-Hua Wei,Shan-Yi Yang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2024-05-30.

Magnetic random access memory

Номер патента: US9548097B2. Автор: Hiroki Noguchi,Shinobu Fujita,Keiko Abe,Kazutaka IKEGAMI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Circuit and method for generating a reference level for a magnetic random access memory element

Номер патента: US20130121066A1. Автор: Xia Li,Wenqing Wu,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu,Jung Pill Kim. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-05-16.

Method of writing to a spin torque magnetic random access memory

Номер патента: US20150006997A1. Автор: THOMAS Andre,Syed M. Alam,Chitra Subramanian,Matthew R. Croft,Halbert Lin. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2015-01-01.

Circuit and method for generating a reference level for a magnetic random access memory element

Номер патента: WO2013071254A3. Автор: Wenqing Wu,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu,Jung Pill Kim,Sean Li. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2013-11-14.

Circuit and method for generating a reference level for a magnetic random access memory element

Номер патента: WO2013071254A2. Автор: Wenqing Wu,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu,Jung Pill Kim,Sean Li. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2013-05-16.

Method and apparatus pertaining to a ferro-magnetic random access memory

Номер патента: US20120170351A1. Автор: Scott Summerfelt,Steven Craig Bartling,Michael Patrick Clinton,Hugh Mcadams. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2012-07-05.

Static random access memory with improved noise immunity

Номер патента: US5636177A. Автор: Chien-Chih Fu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1997-06-03.

Sense amplifier in low power and high performance SRAM

Номер патента: US09799395B2. Автор: Vinod Menezes. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Random access memory architecture for reading bit states

Номер патента: WO2013090762A1. Автор: Dimitri Houssameddine. Владелец: Everspin Technologies, Inc.. Дата публикации: 2013-06-20.

Global data line of multi-array synchronous random access memory (sram)

Номер патента: US20230352062A1. Автор: Bin Xie,Hee Choul PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-02.

Random access memory architecture for reading bit states

Номер патента: EP2791940A1. Автор: Dimitri Houssameddine. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2014-10-22.

Spin transfer torque magnetoresistive random access memory and design methods

Номер патента: CA2680752C. Автор: Seung H. Kang,Seong-Ook Jung,Mehdi Sani. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-11-26.

Dynamic sense amplifier for SRAM

Номер патента: US20070097765A1. Автор: Patrick Chuang,Mu-Hsiang Huang,Jae-Hyeong Kim. Владелец: Sony Electronics Inc. Дата публикации: 2007-05-03.

Single ended bitline current sense amplifier for SRAM applications

Номер патента: GB2558829A. Автор: Pille Juergen,Fritsch Alexander,Kalyanasundaram Shankar,B Kugel Michael. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-18.

Ground level precharge bit line scheme for read operation in spin transfer torque magnetoresistive random access memory

Номер патента: CA2702487A1. Автор: Seung H. Kang,Sei Seung Yoon. Владелец: Sei Seung Yoon. Дата публикации: 2009-04-23.

Single ended bitline current sense amplifiers

Номер патента: EP4278352A1. Автор: Rajiv Joshi,Holger Wetter,Alexander Fritsch,Sudipto Chakraborty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-11-22.

Circuit and method for generating a sense amplifier enable signal based on a voltage level of a tracking bitline

Номер патента: US20130155758A1. Автор: Jack Liu,Yi-Wei Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-06-20.

Multi-bit spin torque transfer magnetoresistive random access memory with sub-arrays

Номер патента: WO2016144436A2. Автор: Yu Lu,Xia Li. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-09-15.

Multi-bit spin torque transfer magnetoresistive random access memory with sub-arrays

Номер патента: EP3268966A2. Автор: Yu Lu,Xia Li. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-17.

Semiconductor device comprising magnetic tunneling junctions (MTJs) in a magnetoresistive random access memory (MRAM)

Номер патента: US11871585B2. Автор: Po-Wei Wang,Yi-An Shih,Huan-Chi Ma. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor Device Comprising Magnetic Tunneling Junctions in a Magnetoresistive Random Access Memory

Номер патента: US20240090233A1. Автор: Po-Wei Wang,Yi-An Shih,Huan-Chi Ma. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Dynamically controlling voltage for access operations to magneto-resistive random access memory (mram) bit cells to account for ambient temperature

Номер патента: WO2019036360A1. Автор: Xia Li,Wei-Chuan Chen,Seung Hyuk KANG,Wah Nam Hsu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-02-21.

Spin-orbit torque magnetoresistive random access memory and method of operating the same

Номер патента: US20240290367A1. Автор: Kaiyou Wang,Kun Lei,Xiukai Lan,Zelalem Abebe Bekele. Владелец: Institute of Semiconductors of CAS. Дата публикации: 2024-08-29.

Current-Mode Sense Amplifier

Номер патента: US20170316812A1. Автор: Juergen Pille,Dieter Wendel,Alexander Fritsch,Michael Kugel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-02.

Current-mode sense amplifier

Номер патента: US9552851B2. Автор: Juergen Pille,Dieter Wendel,Alexander Fritsch,Michael Kugel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Low-power static random access memory

Номер патента: US11990181B2. Автор: Katsuyuki Sato,William Martin Snelgrove,Saijagan SAIJAGAN. Владелец: Untether AI Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Magnetoresistive Random-Access Memory (MRAM) Cell and Method of Operation Thereof

Номер патента: US20240339144A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Hung Cho Wang,Wen-Chun YOU,Tien-Wei Chiang,Ching-Huang Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Memory circuit with sense amplifier calibration mechanism

Номер патента: US20230267973A1. Автор: Chih-Ming Lai,Chih-Sheng Lin,Tuo-Hung Hou,Yu-Hui Lin,Jian-Wei Su,Fu-Cheng TSAI. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2023-08-24.

Increasing a read margin in a read cell

Номер патента: US09847126B2. Автор: R. Stanley Williams,Brent Buchanan. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-12-19.

Voltage-switched magneto-resistive random access memory (mram) employing separate read operation circuit paths from a shared spin torque write operation circuit path

Номер патента: WO2019006066A1. Автор: Xia Li,Seung Hyuk KANG,Jimmy Jianan KAN,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-01-03.

Ultra-deep compute static random access memory with high compute throughput and multi-directional data propagation

Номер патента: EP3905248A1. Автор: Somnath Paul,Muhammad M. Khellah,Charles Augustine,Chen Koren. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-11-03.

Two-bit magnetoresistive random-access memory device architecture

Номер патента: US20220254396A1. Автор: Ashim Dutta,Eric Raymond EVARTS. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-08-11.

Magnetoresistive random access memory (MRAM) with end of life margin sensor

Номер патента: US12094510B2. Автор: Anirban Roy,Nihaar N. Mahatme,Jon Scott Choy,Thomas Stephen Harp. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

One transistor one magnetic tunnel junction multiple bit magnetoresistive random access memory cell

Номер патента: US12108610B2. Автор: Xia Li,Bin Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Magnetic random access memory cell with low power consumption

Номер патента: RU2573757C2. Автор: Иоан Люсиан ПРЕЖБЕАНЮ,Селин ПОРТЕМОН,Кларисс ДЮКРЮЭ. Владелец: Крокус Текнолоджи Са. Дата публикации: 2016-01-27.

Magnetic random access memory cell and memory

Номер патента: US20240274175A1. Автор: JISONG Jin. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Magnetic random access memory cell with improved dispersion of switching field

Номер патента: RU2599956C2. Автор: Иоан Люсиан ПРЕЖБЕАНЮ,Люсьен ЛОМБАР. Владелец: Крокус Текнолоджи Са. Дата публикации: 2016-10-20.

Magnetoresistive effect element and magnetic random access memory

Номер патента: US20100091555A1. Автор: Shunsuke Fukami. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2010-04-15.

Shared line magnetic random access memory cells

Номер патента: EP2289102A1. Автор: Jean-Pierre Nozieres,Neal Berger,Kenneth Mackay,Virgile Javerliac. Владелец: CROCUS TECHNOLOGY SA. Дата публикации: 2011-03-02.

Magnetic random access memory

Номер патента: US20070253244A1. Автор: Yu-Jen Wang,Chih-Huang Lai,Denny Tang,Chih-Huo Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-11-01.

Magnetic memory cell and magnetic random access memory

Номер патента: US20080105938A1. Автор: Jun Hayakawa,Hideo Ohno,Shoji Ikeda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-05-08.

Magnetic random access memory with reduced internal operating temperature range

Номер патента: US20190207090A1. Автор: Manfred Ernst Schabes,Mustafa Pinarbasi,Thomas D. Boone. Владелец: Spin Memory Inc. Дата публикации: 2019-07-04.

Shared source line architectures of perpendicular hybrid spin-torque transfer (stt) and spin-orbit torque (sot) magnetic random access memory

Номер патента: WO2018101998A1. Автор: Shaoping Li,Hong Tsai. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2018-06-07.

Initialization method of a perpendicular magnetic random access memory (mram) device with a stable reference cell

Номер патента: US20130021842A1. Автор: Yuchen Zhou,Yiming Huai. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2013-01-24.

Spin-injection magnetic random access memory

Номер патента: US20070223269A1. Автор: Yoshiaki Saito,Tomoaki Inokuchi,Hideyuki Sugiyama,Yoshihisa Iwata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-09-27.

Spin-injection magnetic random access memory

Номер патента: US7511991B2. Автор: Yoshiaki Saito,Tomoaki Inokuchi,Hideyuki Sugiyama,Yoshihisa Iwata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-03-31.

Magnetic tunnel junction (mtj) and methods, and magnetic random access memory (mram) employing same

Номер патента: EP2419933A2. Автор: Xia Li,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu,Matthew Nowak. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2012-02-22.

Magnetic random access memory device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240251684A1. Автор: Shujun YE,Yeliang Wang. Владелец: Yangtze Delta Graduate School Of Bit Jiaxing. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory devices with magnetic random access memory (mram) cells and associated structures for connecting the mram cells

Номер патента: WO2014066160A2. Автор: Mourad El Baraji,Neal Berger,Amitay Levi. Владелец: CROCUS TECHNOLOGY INC.. Дата публикации: 2014-05-01.

Memory devices with magnetic random access memory (mram) cells and associated structures for connecting the mram cells

Номер патента: EP2909837A2. Автор: Mourad El Baraji,Neal Berger,Amitay Levi. Владелец: Crocus Technology Inc. Дата публикации: 2015-08-26.

Memory Devices with Magnetic Random Access Memory (MRAM) Cells and Associated Structures for Connecting the MRAM Cells

Номер патента: US20140361392A1. Автор: Mourad El Baraji,Neal Berger,Amitay Levi. Владелец: Crocus Technology Inc. Дата публикации: 2014-12-11.

Magnetic random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US12075631B2. Автор: Ji-Feng Ying,Duen-Huei HOU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Magnetic random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240373649A1. Автор: Ji-Feng Ying,Duen-Huei HOU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Integrated circuits with magnetic random access memory (mram) devices and methods for fabricating such devices

Номер патента: US20190237658A1. Автор: Bin Liu,Eng Huat Toh,Kangho Lee,Elgin Kiok Boone Quek,Yinjie Ding. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2019-08-01.

Low power magnetic random access memory cell

Номер патента: US09886989B2. Автор: Ioan Lucian Prejbeanu,Clarisse Ducruet,Celine Portemont. Владелец: CROCUS TECHNOLOGY SA. Дата публикации: 2018-02-06.

Management of memory array with magnetic random access memory (MRAM)

Номер патента: US9311232B2. Автор: Siamack Nemazie,Mehdi Asnaashari. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2016-04-12.

High speed, low power spin-orbit torque (sot) assisted spin-transfer torque magnetic random access memory (stt-mram) bit cell array

Номер патента: WO2018038849A1. Автор: Seung Hyuk KANG,Jimmy Jianan KAN,Peiyuan Wang,Chando Park,Sungryul KIM. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-03-01.

High speed, low power spin-orbit torque (sot) assisted spin-transfer torque magnetic random access memory (stt-mram) bit cell array

Номер патента: EP3504711A1. Автор: Seung Hyuk KANG,Jimmy Jianan KAN,Peiyuan Wang,Chando Park,Sungryul KIM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-07-03.

Management of memory array with magnetic random access memory (mram)

Номер патента: US20160232092A1. Автор: Siamack Nemazie,Mehdi Asnaashari. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-11.

Stack with a high tunneling magnetoresistance ratio for a magnetic random access memory device

Номер патента: US20240290368A1. Автор: Robert Carpenter,Kiroubanand Sankaran,Xiaoyu Piao,Sofie MERTENS. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-08-29.

Magnetic Random Access Memory (MRAM) Manufacturing Process for a Small Magnetic Tunnel Junction (MTJ) Design with a Low Programming Current Requirement

Номер патента: US20130149797A1. Автор: Rajiv Yadav Ranjan,Parviz Keshtbod,Roger Klas Malmhall. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2013-06-13.

Assisted write method for magnetic random access memory

Номер патента: US20210241809A1. Автор: Ji-Feng Ying,Duen-Huei HOU,Jhong-Sheng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

Structures and methods for embedded magnetic random access memory (mram) fabrication

Номер патента: US20190165042A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO,Theodorus E. Standaert,Nicholas A. Lanzillo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-30.

Bottom-pinned spin-orbit torque magnetic random access memory and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4240131A1. Автор: Cheng-Tung Huang,Yi-Ting Wu,Po-Chun Yang,Jen-Yu Wang,Yung-Ching Hsieh,Jian-Jhong Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-06.

System and method for reducing critical current or magnetic random access memory

Номер патента: US20090046497A1. Автор: Te-Ho Wu,Alberto Canizo Cabrera,Lin-Xiu Ye. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-02-19.

Magnetic random access memory devices including shared heating straps

Номер патента: EP2758961A1. Автор: Mourad El Baraji,Neal Berger. Владелец: Crocus Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-30.

Apparatus, System, and Method for Writing Multiple Magnetic Random Access Memory Cells with a Single Field Line

Номер патента: US20130094283A1. Автор: Jean-Pierre Nozieres,Neal Berger,Virgile Javerliac. Владелец: Crocus Technology Inc. Дата публикации: 2013-04-18.

High speed, low power spin-orbit torque (sot) assisted spin-transfer torque magnetic random access memory (stt-mram) bit cell array

Номер патента: US20180061467A1. Автор: Seung Hyuk KANG,Jimmy Jianan KAN,Peiyuan Wang,Chando Park,Sungryul KIM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-03-01.

Magnetic random access memory and method of reducing critical current of the same

Номер патента: US20080205123A1. Автор: Te-Ho Wu,Alberto Canizo Cabrera,Lin-Hsiu Ye. Владелец: National Yunlin University of Science and Technology. Дата публикации: 2008-08-28.

Magnetic random access memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US12089504B2. Автор: Wei-Chuan Tsai,Yen-Tsai Yi,Jin-Yan Chiou,Hsiang-Wen Ke. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Data write in control circuit for toggle magnetic random access memory

Номер патента: US20090010087A1. Автор: Young-Shying Chen,Chien-Chung Hung,Chia-Pao Chang,Chung-Chih Wang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2009-01-08.

Magnetoresistance random access memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US12069955B2. Автор: Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Ching-Hua Hsu,Si-Han Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Magnetoresistance random access memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240373756A1. Автор: Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Ching-Hua Hsu,Si-Han Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

Programming method of magnetic random access memory

Номер патента: US7508702B2. Автор: Chia-Hua Ho. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-24.

Magnetoresistive random access memory

Номер патента: US20140127831A1. Автор: Daniel C. Worledge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-05-08.

Magnetic random access memory, and write method and manufacturing method of the same

Номер патента: US20080225577A1. Автор: Toshihiko Nagase,Yoshiaki Asao,Keiji Hosotani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-18.

Magnetic random-access memory

Номер патента: US11991933B2. Автор: Weisheng Zhao,Kaihua Cao,Daoqian Zhu,Zongxia GUO,Shouzhong PENG. Владелец: BEIHANG UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-05-21.

Magnetic tunnel junction (mtj) devices with heterogeneous free layer structure, particularly suited for spin-torque-transfer (stt) magnetic random access memory (mram) (stt mram)

Номер патента: WO2017078877A1. Автор: Seung Hyuk KANG,Jimmy Jianan KAN,Chando Park,Matthias Georg GOTTWALD. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-05-11.

Function switchable magnetic random access memory and method for manufacturing the same

Номер патента: US11972786B2. Автор: Yu Sheng,Kaiyou Wang. Владелец: Institute of Semiconductors of CAS. Дата публикации: 2024-04-30.

Compound cell spin-torque magnetic random access memory

Номер патента: US20110110147A1. Автор: Thomas William Clinton,Werner Scholz. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2011-05-12.

Magnetic random access memory device

Номер патента: EP1073062A1. Автор: James A. Brug,Manoj K. Bhattacharyya. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2001-01-31.

Magnetic random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190393265A1. Автор: Ji-Feng Ying,Duen-Huei HOU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-26.

Magnetic random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230269951A1. Автор: Ji-Feng Ying,Duen-Huei HOU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Initialization method of a perpendicular magnetic random access memory (mram) device with a stable reference cell

Номер патента: US20140328117A1. Автор: Yuchen Zhou,Yiming Huai. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2014-11-06.

Magnetic random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210265424A1. Автор: Ji-Feng Ying,Duen-Huei HOU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Magnetic random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200152701A1. Автор: Ji-Feng Ying,Duen-Huei HOU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-14.

System and method to manufacture magnetic random access memory

Номер патента: EP2471098A1. Автор: Xiaochun Zhu,Seung Kang,Ken Lee,Hari M. Rao,Sean Li,Matt M. Nowak,Robert J. Walden. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2012-07-04.

Crystal seed layer for magnetic random access memory (mram)

Номер патента: US20240062794A1. Автор: Tsann Lin,Ji-Feng Ying,Chih-Chung Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Crystal seed layer for magnetic random access memory (mram)

Номер патента: US20200098408A1. Автор: Tsann Lin,Ji-Feng Ying,Chih-Chung Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-26.

Crystal seed layer for magnetic random access memory (MRAM)

Номер патента: US11842757B2. Автор: Tsann Lin,Ji-Feng Ying,Chih-Chung Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Magnetic tunnel junction structure of magnetic random access memory cell

Номер патента: US20190259762A1. Автор: Chih-Chien Liu,Chun-Hsien Lin,Yu-Ru Yang,Chao-Ching Hsieh,Hsiao-Pang Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-08-22.

Perpendicular magnetic random-access memory (mram) formation by direct self-assembly method

Номер патента: US20160118577A1. Автор: Xiaomeng Chen,Chia-Shiung Tsai,Chung-Yi Yu,Chih-Ming Chen,Chern-Yow Hsu,Szu-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-04-28.

Spin-orbit torque magnetic random access memory circuit and layout thereof

Номер патента: US20230282261A1. Автор: Chun-Hsien Huang,Li-Ping Huang,Chun-Yen TSENG,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang,Yi-Ting Wu,Jia-Rong Wu,Jen-Yu Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Magnetoresistive random access memory having a ring of magnetic tunneling junction region surrounding an array region

Номер патента: US20230200256A1. Автор: Yu-Ping Wang,Jian-Cheng Chen,Chung-Liang Chu,Yu-Ruei Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Magnetoresistive random access memory having a ring of magnetic tunneling junction region surrounding an array region

Номер патента: US11877520B2. Автор: Yu-Ping Wang,Jian-Cheng Chen,Chung-Liang Chu,Yu-Ruei Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-16.

Magnetoresistive random access memory having a ring of magnetic tunneling junction region surrounding an array region

Номер патента: US11611035B2. Автор: Yu-Ping Wang,Jian-Cheng Chen,Chung-Liang Chu,Yu-Ruei Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-03-21.

Manufacturing method of magnetic random access memory cell

Номер патента: US20190139959A1. Автор: Chih-Chien Liu,Chun-Hsien Lin,Yu-Ru Yang,Chao-Ching Hsieh,Hsiao-Pang Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

Magnetic random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US11864466B2. Автор: William J. Gallagher,Shy-Jay Lin,Chwen Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Apparatus, system, and method for writing multiple magnetic random access memory cells with a single field line

Номер патента: EP2766906A1. Автор: Jean-Pierre Nozieres,Neal Berger,Virgile Javerliac. Владелец: Crocus Technology Inc. Дата публикации: 2014-08-20.

Bottom-pinned spin-orbit torque magnetic random access memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US11942130B2. Автор: Cheng-Tung Huang,Yi-Ting Wu,Po-Chun Yang,Jen-Yu Wang,Yung-Ching Hsieh,Jian-Jhong Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

Magnetic random access memory (mram) with enhanced magnetic stiffness and method of making same

Номер патента: US20120148735A1. Автор: Yuchen Zhou. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2012-06-14.

Magnetoresistive random access memory having a ring of magnetic tunneling junction region surrounding an array region

Номер патента: US20240107895A1. Автор: Yu-Ping Wang,Jian-Cheng Chen,Chung-Liang Chu,Yu-Ruei Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Bottom-pinned spin-orbit torque magnetic random access memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230282260A1. Автор: Cheng-Tung Huang,Yi-Ting Wu,Po-Chun Yang,Jen-Yu Wang,Yung-Ching Hsieh,Jian-Jhong Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Design of spin-orbit torque magnetic random access memory

Номер патента: WO2019106436A1. Автор: Yin Zhang,Xiangrong Wang,Huaiyang YUAN. Владелец: THE HONG KONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2019-06-06.

Programmable logic sensing in magnetic random access memory

Номер патента: WO2013049186A1. Автор: Wenqing Wu,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu,Jung Pill Kim,Tae Hyun Kim. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2013-04-04.

Magnetic random access memory

Номер патента: WO2006112049A1. Автор: Tsuneo Inaba,Yuui Shimizu. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2006-10-26.

Initialization method of a perpendicular magnetic random access memory (mram) device

Номер патента: US20150124523A1. Автор: Yuchen Zhou,Yiming Huai. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2015-05-07.

Initialization method of a perpendicular magnetic random access memory (mram) device

Номер патента: US20130194863A1. Автор: Yuchen Zhou,Yiming Huai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-08-01.

Adaptive body bias management for an in-memory compute operation where simultaneous access is made to plural rows of a static random access memory (sram)

Номер патента: EP4116974A1. Автор: Promod Kumar,Harsh Rawat,Kedar Janardan Dhori,Nitin Chawla,Manuj Ayodhyawasi. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2023-01-11.

Methods and apparatuses to reduce power dissipation in a static random access memory (sram) device

Номер патента: US20190147943A1. Автор: Ankur Gupta,Parvinder Kumar Rana,Lava Kumar PULLURU,Kumar Shuvadeep. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-16.

Semiconductor devices, circuits and methods for read and/or write assist of an SRAM circuit portion based on voltage detection and/or temperature detection circuits

Номер патента: US09940999B2. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-04-10.

Recording operation for magnetoresistive random access memory with spin transfer torque with reduced size of bit cell

Номер патента: RU2471260C2. Автор: Сеунг Х. КАНГ,Сей Сеунг ЙООН,Мехди Хамиди САНИ,Сеонг-Оок ДЗУНГ. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2012-12-27.

Write driver circuits for resistive random access memory (ram) arrays

Номер патента: US20160267959A1. Автор: Jung Pill Kim,Taehyun Kim,Sungryul KIM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-09-15.

Magnetoresistive random access memory (MRAM) with on-chip automatic determination of optimized write current method and apparatus

Номер патента: US20030210596A1. Автор: Frederick Perner. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2003-11-13.

Dynamically controlling voltage for access operations to magneto-resistive random access memory (MRAM) bit cells to account for process variations

Номер патента: US09842638B1. Автор: Xia Li,Xiaochun Zhu,Seung Hyuk KANG. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Magnetoresistive random access memory devices

Номер патента: EP1329904A2. Автор: Frederick A. Perner. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2003-07-23.

Hierarchical memory magnetoresistive random-access memory (mram) architecture

Номер патента: EP2839462A1. Автор: Seung H. Kang,Xiaochun Zhu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-02-25.

Hierarchical memory magnetoresistive random-access memory (mram) architecture

Номер патента: WO2013158958A1. Автор: Seung H. Kang,Xiaochun Zhu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2013-10-24.

Nonvolatile random access memory including control circuit configured to receive commands at high and low edges of one clock cycle

Номер патента: US09997216B2. Автор: Yutaka Shirai,Yoji Watanabe,Naoki Shimizu,Kenji Tsuchida,Yong Ho Kim,Ji Hyae Bae. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Soft Error Robust Static Random Access Memory Cell Storage Configuration

Номер патента: US20090316505A1. Автор: Manoj Sachdev,Shah M. Jahinuzzaman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-12-24.

Selectively biasing magnetoresistive random-access memory cells

Номер патента: EP4334979A1. Автор: Michael RIZZOLO,Eric Raymond EVARTS,Saba Zare,Virat Vasav Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-13.

Magnetoresistive random access memory device

Номер патента: US20110012179A1. Автор: Takeshi Kajiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-01-20.

Physically unclonable function based on resistivity of magnetoresistive random-access memory magnetic tunnel junctions

Номер патента: WO2015035053A1. Автор: Xu Guo,Matthew Michael Nowak,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu,Kangho Lee,David M. Jacobson,Steven M. Millendorf. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-03-12.

Relaxed pitch backside magneto-resistive random access memory integration with self-aligned micro stud and backside power distribution network

Номер патента: US20240224812A1. Автор: Tao Li,Michael RIZZOLO,Ruilong Xie,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Magnon junction, magnon random access memory, magnon microwave oscillator and detector, electronic device

Номер патента: US20240274177A1. Автор: Tianyi Zhang,Wenqing He,Xiufeng Han,Leina JIANG. Владелец: Institute of Physics of CAS. Дата публикации: 2024-08-15.

Physically unclonable function based on resistivity of magnetoresistive random-access memory magnetic tunnel junctions

Номер патента: EP3044793A1. Автор: Xu Guo,Matthew Michael Nowak,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu,Kangho Lee,David M. Jacobson,Steven M. Millendorf. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-07-20.

Magnetoresistive random access memory device

Номер патента: US12112784B2. Автор: Sungchul Lee,Kyungjin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Josephson magnetic random access memory system and method

Номер патента: EP2564390A1. Автор: Quentin P Herr,Anna Y Herr. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2013-03-06.

Josephson magnetic random access memory system and method

Номер патента: WO2011136889A1. Автор: Quentin P Herr,Anna Y Herr. Владелец: Northrop Grumman Systems Corporation. Дата публикации: 2011-11-03.

Sense amplifier for static random access memories

Номер патента: WO2006017090A3. Автор: David C Lawson,Edward Maher,Shankarnarayana Ramaswamy,Tri Minh Hoang. Владелец: Tri Minh Hoang. Дата публикации: 2006-10-05.

Josephson magnetic random access memory system and method

Номер патента: AU2011245710B2. Автор: Quentin P. Herr,Anna Y. Herr. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2014-08-21.

Cell structure for dual-port static random access memory

Номер патента: US09892781B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Dynamic sense amplifier for CMOS static RAM

Номер патента: US4843264A. Автор: Douglas C. Galbraith. Владелец: VISIC Inc. Дата публикации: 1989-06-27.

Memory device with split power switch and related methods

Номер патента: EP2118717B1. Автор: Jun Liu,Ajay Bhatia,Daniel Fung,Yolin Lih,Dennis Wendell,Shyam Balasubramanian. Владелец: Oracle America Inc. Дата публикации: 2013-08-21.

List sort static random access memory

Номер патента: EP2873075A1. Автор: Frederick A. Perner. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2015-05-20.

Memory bit cell including write control circuits for coupling control of voltage sources to avoid or reduce write contention, and related methods

Номер патента: WO2022256123A1. Автор: Amlan Ghosh. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2022-12-08.

Asynchronous static random access memory device for propagating read-out data bit through single bit line

Номер патента: US5414657A. Автор: Yasunori Okimura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-05-09.

Cell Structure for Dual-Port Static Random Access Memory

Номер патента: US20180005691A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-04.

Static random access memory (sram) global bitline circuits for reducing power glitches during memory read accesses, and related methods and systems

Номер патента: WO2015081056A1. Автор: Jason Philip Martzloff,Stephen Edward Liles,Joshua Lance Puckett. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-06-04.

Static random access memory (sram) global bitline circuits for reducing power glitches during memory read accesses, and related methods and systems

Номер патента: EP3757998A1. Автор: Jason Philip Martzloff,Stephen Edward Liles,Joshua Lance Puckett. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-12-30.

Static random access memory (sram) global bitline circuits for reducing power glitches during memory read accesses, and related methods and systems

Номер патента: EP3074980A1. Автор: Jason Philip Martzloff,Stephen Edward Liles,Joshua Lance Puckett. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-10-05.

Static random access memory (sram) bit cells employing asymmetric width read and write word lines, and related methods

Номер патента: EP4205115A1. Автор: Sunil Sharma,Sonia Ghosh,Rahul Biradar. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-07-05.

Static random access memory (sram) bit cells employing asymmetric width read and write word lines, and related methods

Номер патента: WO2022046288A1. Автор: Sunil Sharma,Sonia Ghosh,Rahul Biradar. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-03-03.

Computer-readable medium encoding a back-gate controlled asymmetrical memory cell and memory using the cell

Номер патента: US7742327B2. Автор: Jae-Joon Kim,Keunwoo Kim,Ching Te Chuang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-06-22.

Ferroelectric random access memory apparatus and method of driving the same

Номер патента: US20090052224A1. Автор: Byung-Gil Jeon,Han-Joo Lee,Byung-Jun Min,Kang-Woon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-26.

Random Access Memory With A Plurality Of Symmetrical Memory Cells

Номер патента: US20070041240A1. Автор: Juergen Pille,Chad Adams,Torsten Mahuke,Oto Wagner. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-02-22.

Disturb-free static random access memory cell

Номер патента: US20110128796A1. Автор: Hung-Yu Li,Wei Hwang,Jihi-Yu Lin,Ching-Te Chuang,Ming-Hsien Tu,Shyh-Jye Jou,Hao-I Yang,Shyh-Chyi Yang,Kun-Ti Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-02.

Pre-charging bitlines in a static random access memory (sram) prior to data access for reducing leakage power, and related systems and methods

Номер патента: EP2976770A1. Автор: Chiaming Chai,Kunal Garg,Stephen Edward Liles,Shaoping Ge. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-01-27.

Pre-charging bitlines in a static random access memory (sram) prior to data access for reducing leakage power, and related systems and methods

Номер патента: WO2014182554A1. Автор: Chiaming Chai,Kunal Garg,Stephen Edward Liles,Shaoping Ge. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-11-13.

Static random access memory with symmetric leakage-compensated bit line

Номер патента: WO2004025661A2. Автор: Vivek De,Dinesh Somasekhar,Steven Hsu,Atila Alvandpour,Ram Krishnamurty. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2004-03-25.

Multi-channel physical interfaces and methods for static random access memory devices

Номер патента: US20150117092A1. Автор: Dinesh Maheshwari,Derwin W. Mattos,Avi Avanindra. Владелец: Morgan Stanley Senior Funding Inc. Дата публикации: 2015-04-30.

Random access memory and corresponding method for managing a random access memory

Номер патента: US12073897B2. Автор: Marco Casarsa. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-08-27.

Static random access memory device and forming method thereof

Номер патента: US09871049B1. Автор: Su Xing,Wanxun He. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Static random-access memory (SRAM) sensor for bias temperature instability

Номер патента: US09812188B2. Автор: Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER,Xiaonan Chen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor integrated circuit device implemented by bipolar and field effect transistors and having stable sense amplifier

Номер патента: US5550778A. Автор: Hiroyuki Takahashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-08-27.

Static random access memory with modulated loads

Номер патента: US5018106A. Автор: Mohammed E. Ul Haq,Kenneth R. Smits. Владелец: VLSI Technology Inc. Дата публикации: 1991-05-21.

Elastic power for read and write margins

Номер патента: EP2118900A4. Автор: Jun Liu,Ajay Bhatia,Daniel Fung,Yolin Lih,Dennis Wendell,Shyam Balasubramanian. Владелец: Montalvo Systems Inc. Дата публикации: 2010-04-21.

Elastic Power for Read and Write Margins

Номер патента: US20080186791A1. Автор: Jun Liu,Ajay Bhatia,Daniel Fung,Yolin Lih,Dennis Wendell,Shyam Balasubramanian. Владелец: Montalvo Systems Inc. Дата публикации: 2008-08-07.

Elastic power for read and write margins

Номер патента: WO2008097783A2. Автор: Jun Liu,Ajay Bhatia,Daniel Fung,Yolin Lih,Dennis Wendell,Shyam Balasubramanian. Владелец: Montalvo Systems, Inc.. Дата публикации: 2008-08-14.

Elastic power for read and write margins

Номер патента: EP2118900A2. Автор: Jun Liu,Ajay Bhatia,Daniel Fung,Yolin Lih,Dennis Wendell,Shyam Balasubramanian. Владелец: Montalvo Systems Inc. Дата публикации: 2009-11-18.

Static random access memory and operation method thereof

Номер патента: US20220284966A1. Автор: Yi-Chung Liang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-09-08.

Non-volatile static random access memory bit cells with ferroelectric field-effect transistors

Номер патента: EP4386755A1. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Bipul C. Paul,Pirooz Parvarandeh,Navneet Jain,Halid MULAOSMANOVIC. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-06-19.

Testing circuit, testing method, and apparatus for testing multi-port random access memory

Номер патента: US20200105358A1. Автор: Yen-Huei Chen,Hidehiro Fujiwara. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Memory device with split power switch and related methods

Номер патента: WO2008097782A1. Автор: Jun Liu,Ajay Bhatia,Daniel Fung,Yolin Lih,Dennis Wendell,Shyam Balasubramanian. Владелец: Montalvo Systems, Inc.. Дата публикации: 2008-08-14.

Sense Amplifier Used in the Write Operations of SRAM

Номер патента: US20100165749A1. Автор: Jui-Jen Wu,Yi-Tzu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

Fin field-effect transistor static random access memory devices with p-channel metal-oxide-semiconductor pass gate transistors

Номер патента: US20160133634A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-05-12.

Fin field-effect transistor static random access memory devices with p-channel metal-oxide-semiconductor pass gate transistors

Номер патента: WO2016022212A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-02-11.

Method of Screening Static Random Access Memories for Unstable Memory Cells

Номер патента: US20130028036A1. Автор: Xiaowei Deng,Wah Kit Loh. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-01-31.

Memory Cell of Static Random Access Memory Based on DICE Structure

Номер патента: US20180174648A1. Автор: LIANG Chen,Li Liu,Jingqiu Wang. Владелец: Institute of Automation of Chinese Academy of Science. Дата публикации: 2018-06-21.

Non-volatile static random access memory devices and methods of operations

Номер патента: US09779814B2. Автор: Lee Wang. Владелец: FlashSilicon Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Low voltage, low power operable static random access memory device

Номер патента: US5812445A. Автор: Hiroyuki Yamauchi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1998-09-22.

Memory device with split power switch and related methods

Номер патента: EP2118717A1. Автор: Jun Liu,Ajay Bhatia,Daniel Fung,Yolin Lih,Dennis Wendell,Shyam Balasubramanian. Владелец: Montalvo Systems Inc. Дата публикации: 2009-11-18.

Transistor-based memory cell and related operating methods

Номер патента: WO2011014406A1. Автор: Hyunjin Cho. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2011-02-03.

Static random access memory unit structure and static random access memory layout structure

Номер патента: US20170018302A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Chin-Sheng Yang,Chia-Wei Huang,Ming-Jui Chen,Tan-Ya Yin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-19.

Single event upset hardened static random access memory cell

Номер патента: WO2008118553A3. Автор: David C Lawson,Jason F Ross. Владелец: Jason F Ross. Дата публикации: 2008-12-11.

Single event upset hardened static random access memory cell

Номер патента: EP2126921A2. Автор: David C. Lawson,Jason F. Ross. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2009-12-02.

Cross-layer reconfigurable static random access memory (SRAM) based compute-in-memory macro and method for edge intelligence

Номер патента: US12112797B1. Автор: Xinfei GUO,Runxi Wang. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2024-10-08.

Flying and twisted bit line architecture for dual-port static random-access memory (DP SRAM)

Номер патента: US09928899B2. Автор: Jung-Hsuan Chen,Yen-Huei Chen,Sahil Preet Singh,Avinash Chander,Albert Ying. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Asymmetrical Random Access Memory Cell, A Memory Comprising Asymmetrical Memory Cells And A Method To Operate Such A Memory

Номер патента: US20070165447A1. Автор: Otto Wagner,Anthony Gus Aipperspach,Sebastian Ehrenreich,Torsten Mahnke. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-07-19.

Operating voltage tuning method for static random access memory

Номер патента: US20100135093A1. Автор: Chien-Li Kuo,Chun-Liang Hou,fu-chao Liu,Min-Chin Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2010-06-03.

Back-gate controlled asymmetrical memory cell and memory using the cell

Номер патента: US20080084733A1. Автор: Keunwoo Kim,Ching-Te Chuang,Jac-Joon Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-04-10.

Transistor-based memory cell and related operating methods

Номер патента: US20110026313A1. Автор: Hyunjin Cho. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-02-03.

Random access memory

Номер патента: US6366504B1. Автор: Frédéric ROBIN,Christian Piguet,Jean-Marc Masgonty,Stefan Cserveny. Владелец: Centre Suisse dElectronique et Microtechnique SA CSEM. Дата публикации: 2002-04-02.

Vertical static random access memory and method of fabricating thereof

Номер патента: US12063766B2. Автор: Shih-Hao Lin,Chih-Chuan Yang,Chia-Hao Pao,Kuo-Hsiu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Vertical Static Random Access Memory and Method of Fabricating Thereof

Номер патента: US20240341073A1. Автор: Shih-Hao Lin,Chih-Chuan Yang,Chia-Hao Pao,Kuo-Hsiu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Column select multiplexer and method for static random-access memory and computer memory subsystem employing the same

Номер патента: US20140085965A1. Автор: Andreas Gotterba,Joel DeWitt,Marek Smoszna. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2014-03-27.

Static random-access memory (sram) sensor

Номер патента: US20160247554A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER,Xiaonan Chen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-08-25.

Memory with fram and sram of ic and method for accessing memory

Номер патента: US20210249079A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-12.

Static random access memory structure and control method thereof

Номер патента: US20130028006A1. Автор: Chun-Yu Chiu. Владелец: Himax Technologies Ltd. Дата публикации: 2013-01-31.

Static random access memory structure

Номер патента: US20190096892A1. Автор: Chun-Hsien Huang,Chien-Hung Chen,Li-Ping Huang,Chun-Yen TSENG,Ching-Cheng Lung,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang,Meng-Ping Chuang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-03-28.

Static random access memories (sram) with read-preferred cell structures, write drivers, related systems, and methods

Номер патента: EP2948954A1. Автор: Bin Yang,Seong-Ook Jung,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Younghwi Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-12-02.

Static random access memories (sram) with read-preferred cell structures, write drivers, related systems, and methods

Номер патента: WO2014116655A1. Автор: Bin Yang,Seong-Ook Jung,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Younghwi Yang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-07-31.

An aging sensor for a static random access memory (sram)

Номер патента: WO2016191046A1. Автор: Venkatasubramanian Narayanan,Alex Dongkyu Park. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-12-01.

An aging sensor for a static random access memory (sram)

Номер патента: EP3304562A1. Автор: Venkatasubramanian Narayanan,Alex Dongkyu Park. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-04-11.

Static random access memory (sram) array power supply circuit

Номер патента: US20190035435A1. Автор: Chia Chi Yang,Chen-Yi Huang,Cheng-Tai Huang,Dong Xiang LUO. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-01-31.

Low power static random access memory

Номер патента: EP2948955A1. Автор: Micky Harris,Wasim Khaled. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2015-12-02.

Static random access memory cell testing and biasing

Номер патента: WO2009023785A2. Автор: David Scott,Alice Wang,Gordon Gammie,Sumanth Gururajarao,Sudha Thiruvengadam. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2009-02-19.

Device comprising a plurality of fdsoi static random-access memory bitcells and method of operation thereof

Номер патента: US20160343428A1. Автор: Michael Otto,Germain Bossu,Nigel Chan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-24.

Group iii nitride-based monolithic microwave integrated circuits including static random access memory blocks with associated addressing and buffering circuits

Номер патента: US20230361059A1. Автор: Jeremy Fisher. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Static random access memory cell and method

Номер патента: US20020085409A1. Автор: Theodore Houston. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2002-07-04.

Static Random Access Memory Cell

Номер патента: US20130107609A1. Автор: Hiroyuki Yamauchi,Meng-Fan Chang,Jui-Jen Wu,Lai-Fu Chen. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2013-05-02.

Static random access memory device having decreased sensitivity to variations in channel physical characteristics

Номер патента: US20050007831A1. Автор: Theodore Houston. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2005-01-13.

Methods of fabricating static random access memories (SRAMS) having vertical transistors

Номер патента: US20070155085A1. Автор: Seung-Heon Song. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-07-05.

Static random access memory

Номер патента: US20080137398A1. Автор: HO-HSIANG Chen,Yu-Chih Yeh,Jui-Lung Chen,Chia-Chiuan Chang,Yi-Hsun Chung,Gia-Hua Hsieh. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-06-12.

Adaptive control circuit of static random access memory

Номер патента: US12087355B2. Автор: Dao-Ping Wang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

System and method for selective static random-access memory partition initialization

Номер патента: US12046275B2. Автор: Shobhit Singhal,Ruchi Shankar,Sverre Brubæk,Praveen Kumar Narayanan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Ultrafast magnetic recording element and nonvolatile magnetic random access memory using the magnetic recording element

Номер патента: EP2206120A1. Автор: Sang-Koog Kim,Ki-suk Lee,Young-Sang Yu. Владелец: SNU R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2010-07-14.

Device with passive matrix addressing and method for reading information from this device

Номер патента: RU2275698C2. Автор: Кристер КАРЛССОН,Пер БРЕМС. Владелец: Тин Филм Электроникс Аса. Дата публикации: 2006-04-27.

Single transistor type magnetic random access memory device and method of operating and manufacturing the same

Номер патента: US20030076707A1. Автор: Dong-Wook Kim,In-kyeong Yoo,June-key Lee,Jung-hyun Sok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-04-24.

Single transistor type magnetic random access memory device and method of operating and manufacturing the same

Номер патента: US20050169048A1. Автор: Dong-Wook Kim,In-kyeong Yoo,June-key Lee,Jung-hyun Sok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-08-04.

Single transistor type magnetic random access memory device and method of operating and manufacturing the same

Номер патента: US20050036379A1. Автор: Dong-Wook Kim,In-kyeong Yoo,June-key Lee,Jung-hyun Sok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-02-17.

Magnetic film, multilayer magnetic film, method and mechanism of magnetization inversion of magnetic film, and magnetic random access memory

Номер патента: US20050047262A1. Автор: Takashi Ikeda. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2005-03-03.

Non-volatile magnetic random access memory

Номер патента: US5289410A. Автор: Jiin-Chuan Wu,Henry L. Stadler,Romney R. Katti. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 1994-02-22.

Memory cell structure in a magnetic random access memory and a method for fabricating thereof

Номер патента: US5732016A. Автор: Saied N. Tehrani,Eugene Chen,Herbert Goronkin. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1998-03-24.

Magnetic random access memory and data read method thereof

Номер патента: EP1434231A3. Автор: Yoshihisa Iwata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-09-01.

Method for non-destructive storage and extraction of data and device for realization of said method

Номер патента: RU2271581C2. Автор: Ханс Гуде Гудесен,Пер-Эрик НОРДАЛ. Владелец: Тин Филм Электроникс Аса. Дата публикации: 2006-03-10.

Non-volatile dynamic random access memory

Номер патента: US5619470A. Автор: Katsumi Fukumoto. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1997-04-08.

Ferroelectric random access memory devices having short-lived cell detector available for life test for ferroelectric capacitor and method for testing ferroelectric memory cells

Номер патента: US5991189A. Автор: Tohru Miwa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-11-23.

2T1C Ferro-electric Random Access Memory Cell

Номер патента: US20190088320A1. Автор: Joseph S. Tandingan,Jayant Ashokkumar,Jesse J. Siman,Shan Sun,Fan Chu. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

2t1c ferro-electric random access memory cell

Номер патента: WO2018231399A1. Автор: Joseph S. Tandingan,Jayant Ashokkumar,Jesse J. Siman,Shan Sun,Fan Chu. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2018-12-20.

Capacitance sensing technique for ferroelectric random access memory arrays

Номер патента: US20030206431A1. Автор: David Fisch. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-11-06.

Sheet random access memory

Номер патента: WO1990003032A1. Автор: Richard M. Lienau,Kenneth E. Pope. Владелец: Bednarz, Joseph, J.. Дата публикации: 1990-03-22.

Ferroelectric random-access memory read only memory wordline architecture

Номер патента: US20210366530A1. Автор: Feng Pan. Владелец: Wuxi Petabyte Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Random access memory device and method for driving a plate line segment therein

Номер патента: EP1408509A2. Автор: Chi-Ming Weng,Chin-Shi Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-14.

Random access memory device and method for driving a plate line segment therein

Номер патента: EP1408509A3. Автор: Chi-Ming Weng,Chin-Shi Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-21.

Current sense amplifier circuit

Номер патента: US20020057597A1. Автор: Tomoo Kimura,Ikuo Fuchigami,Satoshi Kohtaka,Tomonori Kataoka,Youichi Nishida,Jyunji Michiyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-16.

Ferroelectric random access memory and manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4141933A1. Автор: Xia Wei,Yan Zhang,Xiaowei Wang,Xichao Yang,Jianying QIN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-01.

Ferroelectric random access memory (feram) array with segmented plate lines

Номер патента: WO2018081403A1. Автор: Tianhong Yan. Владелец: AUCMOS Technologies USA, Inc.. Дата публикации: 2018-05-03.

Semiconductor memory device having sense amplifier having improved activation timing thereof and operating method thereof

Номер патента: US4916671A. Автор: Tetsuichiro Ichiguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1990-04-10.

Memcapacitor, programming method for memcapacitor and capacitive random access memory

Номер патента: US20200143864A1. Автор: Jian Shen,Guofeng YAO. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Fast access multi-bit random access memory

Номер патента: US5563836A. Автор: Masahiro Tsunoda,Tamio Saito. Владелец: Tsunoda; Masahiro. Дата публикации: 1996-10-08.

Random access memory with divided memory banks and data read/write architecture therefor

Номер патента: US5497351A. Автор: Yukihito Oowaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1996-03-05.

Phase change random access memory device and related methods of operation

Номер патента: US7961504B2. Автор: Hye-jin Kim,Kwang-Jin Lee,Du-Eung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-06-14.

Phase change random access memory device and related methods of operation

Номер патента: US20080055971A1. Автор: Hye-jin Kim,Kwang-Jin Lee,Du-Eung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-06.

Phase change random access memory device and related methods of operation

Номер патента: US20110213922A1. Автор: Hye-jin Kim,Kwang-Jin Lee,Du-Eung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-01.

Phase change random access memory device and related methods of operation

Номер патента: US20130039124A1. Автор: Hye-jin Kim,Kwang-Jin Lee,Du-Eung Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-02-14.

Phase change random access memory device and related methods of operation

Номер патента: US8320168B2. Автор: Hye-jin Kim,Kwang-Jin Lee,Du-Eung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-11-27.

Phase change random access memory device and related methods of operation

Номер патента: US20100220521A1. Автор: Hye-jin Kim,Kwang-Jin Lee,Du-Eung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-09-02.

Multi-Value Nonvolatile Organic Resistive Random Access Memory and Method for Preparing the Same

Номер патента: US20160240778A1. Автор: QIANG LI,Yimao Cai,Ru Huang,Yue Pan,Yichen FANG,Zongwei Wang,Muxi Yu,Yefan Liu. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-08-18.

Error correction system for random access memory

Номер патента: US4031374A. Автор: Alan I. Groudan,H. Lee Treffinger,George F. Schroeder. Владелец: Singer Co. Дата публикации: 1977-06-21.

Solid-state electrochemical random access memory (ecram) and methods of making and operating a solid-state ecram

Номер патента: WO2024137291A3. Автор: Qing Cao,Jinsong CUI. Владелец: The Board of Trustees of the University of Illinois. Дата публикации: 2024-08-02.

Solid-state electrochemical random access memory (ecram) and methods of making and operating a solid-state ecram

Номер патента: WO2024137291A2. Автор: Qing Cao,Jinsong CUI. Владелец: The Board of Trustees of the University of Illinois. Дата публикации: 2024-06-27.

Sense amplifier layout

Номер патента: WO2002029894A3. Автор: Gunther Lehmann,Armin Reith,Tina Leidinger. Владелец: Infineon Technologies Corp. Дата публикации: 2003-02-06.

Sense amplifier layout

Номер патента: EP1320891A2. Автор: Gunther Lehmann,Armin Reith,Tina Leidinger. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2003-06-25.

Sense amplifier layout

Номер патента: WO2002029894A2. Автор: Gunther Lehmann,Armin Reith,Tina Leidinger. Владелец: Infineon Technologies North America Corp.. Дата публикации: 2002-04-11.

Current-mode sense amplifier and reference current circuitry

Номер патента: US09767872B2. Автор: Alexander Fritsch,Rolf Sautter,Michael Kugel,Gerhard Hellner. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Apparatuses including a memory array with separate global read and write lines and/or sense amplifier region column select line and related methods

Номер патента: US20160071556A1. Автор: John F. Schreck,Harish N. Venkata,Mansour Fardad. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-03-10.

Self-timed integrating differential current sense amplifier

Номер патента: US20090059672A1. Автор: Thomas Kern. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2009-03-05.

Current sense amplifier with feedback loop

Номер патента: EP2308049A1. Автор: William Redman-White. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-04-13.

Current-Sense Amplifier With Low-Offset Adjustment and Method of Low-Offset Adjustment Thereof

Номер патента: US20120294090A1. Автор: Shin-Jang Shen,Meng-Fan Chang,Yu-Der Chih,Yu-Fan Lin. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2012-11-22.

Differential current sense amplifier and method for non-volatile memory

Номер патента: WO2014200776A1. Автор: Raul-Adrian Cernea. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2014-12-18.

High-speed current sense amplifier

Номер патента: US5345111A. Автор: Vincent L. Fong. Владелец: Hyundai Electronics America Inc. Дата публикации: 1994-09-06.

Sense amplifier power-gating technique for integrated circuit memory devices and those devices incorporating embedded dynamic random access memory (DRAM)

Номер патента: US7248522B2. Автор: Kim C. Hardee. Владелец: United Memories Inc. Дата публикации: 2007-07-24.

Adaptable sense circuitry and method for read-only memory

Номер патента: US20180033472A1. Автор: Jianan Yang. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-02-01.

High-speed differential current sensing of preprogrammed NVM cells

Номер патента: US09959934B2. Автор: Chinh Vo. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Methods and apparatus for charging a sense amplifier

Номер патента: US5767737A. Автор: Li-Chun Li,Michael Murray,Lawrence Liu. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 1998-06-16.

Driving voltage controller of sense amplifiers for memory device

Номер патента: US20040213063A1. Автор: Jong Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-10-28.

Current sense amplifier

Номер патента: US7262638B2. Автор: Jae-Yoon Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-28.

Apparatus and method for a direct-sense sense-amplifier with decoded read and write Y-select

Номер патента: US5831919A. Автор: Brent S. Haukness,Hugh Mcadams. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1998-11-03.

Current sense amplifier with feedback loop

Номер патента: WO2010013192A1. Автор: William Redman-White. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2010-02-04.

Sense amplifier of virtual ground flat-cell

Номер патента: US5898632A. Автор: Tae-Sun Hwang. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1999-04-27.

Low voltage data path and current sense amplifier

Номер патента: US20070177442A1. Автор: Shigeki Tomishima. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-08-02.

Sense amplifier with local write drivers

Номер патента: US6088270A. Автор: Kim C. Hardee. Владелец: Nippon Steel Semiconductor Corp. Дата публикации: 2000-07-11.

Memory device including sense amplifying circuit

Номер патента: US20240233851A1. Автор: Woongrae Kim,Yeonsu JANG,Jung Min Yoon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Fast-sensing amplifier for flash memory

Номер патента: US20030112683A1. Автор: Michael Briner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-06-19.

Sense amplifier having a high operation speed and a low power consumption

Номер патента: US5675535A. Автор: Toshikatsu Jinbo. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-10-07.

Sense amplifier with stages to reduce capacitance mismatch in current mirror load

Номер патента: US20080170454A1. Автор: Lorenzo Bedarida,Massimiliano Frulio,Davide Manfre,Gabriele Pelli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-17.

Sense amplifier with stages to reduce capacitance mismatch in current mirror load

Номер патента: WO2008089159A3. Автор: Lorenzo Bedarida,Massimiliano Frulio,Davide Manfre',Gabriele Pelli. Владелец: ATMEL CORPORATION. Дата публикации: 2009-12-30.

Adaptable sense circuitry and method for read-only memory

Номер патента: US9899069B1. Автор: Jianan Yang. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Method and circuit arrangement for reading out and for storing binary memory cell signals

Номер патента: US6721219B2. Автор: Helmut Schneider,Dominique Savignac,Sabine Kling,Athanasia Chrysostomides,Peter Pfefferl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-04-13.

Method and circuit arrangement for reading out and for storing binary memory cell signals

Номер патента: US20030012061A1. Автор: Helmut Schneider,Dominique Savignac,Sabine Kling,Athanasia Chrysostomides,Peter Pfefferl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-01-16.

Memory device, related method, and related electronic device

Номер патента: US20170110167A1. Автор: Hong Yu,Hao Ni,Yi Jin Kwon,Chuntian YU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-04-20.

Input/output sense amplifier

Номер патента: US20140062598A1. Автор: Jong Su Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-03-06.

Phase change random access memory device

Номер патента: US20120081955A1. Автор: Dong Keun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-04-05.

Multi-purpose register pages for read training

Номер патента: US10067718B2. Автор: Kevin M. Brandl,Glennis Eliagh Covington,Shannon T. Kesner,Nienchi Hu. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2018-09-04.

Device for reading a low-consumption non-volatile memory and its implementing method

Номер патента: US20090175074A1. Автор: Yves Theoduloz,Hugo Jaeggi,Nadia Harabech. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2009-07-09.

Apparatuses and methods for accessing memory including sense amplifier sections and coupled sources

Номер патента: US20150332740A1. Автор: Harish Venkata. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-11-19.

Phase-change random access memory device

Номер патента: US20100124101A1. Автор: Kwang-Ho Kim,Mu-hui Park,Soo-Guil Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-05-20.

Resistive random-access memory (reram) configured for overcoming the affects of read disturb

Номер патента: WO2024150022A1. Автор: Gabriel Molas,Giuseppe PICCOLBONI. Владелец: Weebit Nano Ltd.. Дата публикации: 2024-07-18.

Method and system for reading from memory cells in a memory device

Номер патента: US20120218830A1. Автор: Cyrille Dray,Alexandre Ney. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-08-30.

System and method of forming magnetic random access memory

Номер патента: RU2464672C2. Автор: Сяочунь ЧЖУ,Ся ЛИ,Сеунг Х. КАНГ. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2012-10-20.

Quantum dot-based magnetic random access memory (mram) and method for manufacturing same

Номер патента: US20030103367A1. Автор: Gabriel Aeppli,David Norris,Christophe Renner,Yeong-Ah Soh. Владелец: NEC Laboratories America Inc. Дата публикации: 2003-06-05.

Redundant column or row in resistive random access memory

Номер патента: US09953728B2. Автор: Brent Buchanan,Le Zheng,Emmanuelle J MERCED GRAFALS. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2018-04-24.

On-die static random-access memory (SRAM) for caching logical to physical (L2P) tables

Номер патента: US12066932B2. Автор: Ken Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

On-die static random-access memory (sram) for caching logical to physical (l2p) tables

Номер патента: WO2022165828A1. Автор: Ken Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-08-11.

Random access memory with a plurality amplifier groups for reading and writing in normal and test modes

Номер патента: US5636163A. Автор: Koichiro Mashiko,Kazutami Arimoto,Yoshio Matsuda,Noriaki Matsumoto,Kiyohiro Furutani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1997-06-03.

Vertical nano-size magneto random access memory using carbon nanotubes and manufacturing method thereof

Номер патента: KR20020060331A. Автор: 최원봉,석중현. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2002-07-18.

Providing memory training of dynamic random access memory (DRAM) systems using port-to-port loopbacks, and related methods, systems, and apparatuses

Номер патента: US09947377B2. Автор: Dexter Tamio Chun,Vaishnav Srinivas,David Ian West,Michael Joseph Brunolli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Magnetic random access memory structure

Номер патента: CN112599557A. Автор: 王裕平,朱中良,陈昱瑞. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-04-02.

Magnetic random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US11805658B2. Автор: Chien-Min Lee,Chung-Te Lin,Wei-Chih Wen,Sheng-Chih Lai,Yu-Teng Dai,Hui-Hsien Wei,Han-Ting Tsai,Tai-Yen PENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Magnetic random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230380182A1. Автор: Chien-Min Lee,Chung-Te Lin,Wei-Chih Wen,Sheng-Chih Lai,Yu-Teng Dai,Hui-Hsien Wei,Han-Ting Tsai,Tai-Yen PENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

System and method to fabricate magnetic random access memory

Номер патента: WO2010002634A1. Автор: Xia Li,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2010-01-07.

System and method to fabricate magnetic random access memory

Номер патента: EP2311071A1. Автор: Xia Li,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2011-04-20.

Virtualized scan chain testing in a random access memory (RAM) array

Номер патента: US12087383B2. Автор: Rahul Nadkarni,Yeshwant Kolla,David Hoff,Babji Vallabhaneni. Владелец: Ampere Computing LLC. Дата публикации: 2024-09-10.

Redundant column or row in resistive random access memory

Номер патента: US20180025790A1. Автор: Brent Buchanan,Le Zheng,Emmanuelle J. Merced Grafals. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2018-01-25.

Fail-safe random access memory

Номер патента: RU2579954C2. Автор: Александр Алексеевич Павлов,Алексей Николаевич Царьков,Александр Викторович Гусев,Алексей Александрович Павлов,Денис Евгеньевич Сорокин,Алексей Андреевич Бурмистров. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Институт управления образованием Российской академии образования" (ФГБНУ "ИУО РАО"). Дата публикации: 2016-04-10.

Method of accessing syncronous dynamic random access memory in scanner

Номер патента: US20020133667A1. Автор: Kuo-Jeng Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-19.

Providing extended dynamic random access memory (dram) burst lengths in processor-based systems

Номер патента: WO2018102538A1. Автор: Liyong Wang,Kuljit Singh Bains,Wesley Queen. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-06-07.

Static random access memory (sram) bit cells with wordlines on separate metal layers for increased performance, and related methods

Номер патента: EP3227919A1. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-10-11.

Static random access memory (sram) bit cells with wordlines on separate metal layers for increased performance, and related methods

Номер патента: WO2016089587A1. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-06-09.

Providing extended dynamic random access memory (dram) burst lengths in processor-based systems

Номер патента: EP3549024A1. Автор: Liyong Wang,Kuljit Singh Bains,Wesley Queen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-10-09.

Dynamic random access memory circuit and methods therefor

Номер патента: US5909388A. Автор: Gerhard Mueller. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1999-06-01.

On-die static random-access memory (SRAM) for caching logical to physical (L2P) tables

Номер патента: US11755471B2. Автор: Ken Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

On-die static random-access memory (sram) for caching logical to physical (l2p) tables

Номер патента: US20220253379A1. Автор: Ken Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

On-die static random-access memory (sram) for caching logical to physical (l2p) tables

Номер патента: EP4147134A1. Автор: Ken Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-15.

Adaptive word line underdrive control for an in-memory compute operation where simultaneous access is made to plural rows of a static random access memory (sram)

Номер патента: US20230008275A1. Автор: Promod Kumar,Harsh Rawat,Kedar Janardan Dhori,Nitin Chawla,Manuj Ayodhyawasi. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor integrated circuit with functional test mode to random access memory unit

Номер патента: US5267206A. Автор: Kunihiro Koyabu. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1993-11-30.

Bi-stable static random access memory (sram) bit cells formed from iii-v compounds and configured to achieve higher operating speeds

Номер патента: WO2019050848A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-03-14.

Amendable static random access memory

Номер патента: US5706032A. Автор: Hsiao-Yueh Chang,Lein-Hsing Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1998-01-06.

Nonvolatile dynamic random access memory device

Номер патента: US5796670A. Автор: Kwo-Jen Liu. Владелец: Ramax Semiconductor Inc. Дата публикации: 1998-08-18.

Programming and reading circuit for resistive random access memory device

Номер патента: US20160217851A1. Автор: Chih-Kai Huang,Chih-Hao Lai,Jou-Hung Wang. Владелец: Brocere Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-28.

Data readout circuit of resistive random access memory and resistive random access memory circuit

Номер патента: US20240153554A1. Автор: Feng Zhang,Qirui REN. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-05-09.

Data readout circuit of resistive random access memory and resistive random access memory circuit

Номер патента: US12002509B2. Автор: Feng Zhang,Qirui REN. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-06-04.

Organic Resistive Random Access Memory and a Preparation Method Thereof

Номер патента: US20160049604A1. Автор: Yimao Cai,Ru Huang,Yichen FANG,Zongwei Wang,Wenliang Bai,Yefan Liu. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-02-18.

Current sense amplifier

Номер патента: US12081182B2. Автор: Ankit Khanna,Partha Basu,Dimitar Trifonov,Chase PUGLISI. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Circuit and method for performing test on memory array cells using external sense amplifier reference current

Номер патента: US6052321A. Автор: Frankie Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-04-18.

Synchronous dynamic random access memory with four-bit data prefetch

Номер патента: US6115321A. Автор: Jeffrey E. Koelling,J. Patrick Kawamura. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2000-09-05.

On-die static random-access memory (sram) for caching logical to physical (l2p) tables

Номер патента: US20230350800A1. Автор: Ken Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Current sensing type sense amplifier and method thereof

Номер патента: US20130155777A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Chung-Kuang Chen,Han-Sung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-20.

Single deposition layer metal dynamic random access memory

Номер патента: US20010046148A1. Автор: Todd Merritt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-11-29.

Memory Device for Emulating Dynamic Random Access Memory (DRAM)

Номер патента: US20170220301A1. Автор: Dean K. Nobunaga. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-03.

Forming control method applied to resistive random-access memory cell array

Номер патента: US12063774B2. Автор: Tsung-Mu Lai,Wei-Chen Chang,I-Lang Lin,Meng-Chiuan WU. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Random access memory and method of fabricating the same

Номер патента: US20240347105A1. Автор: Jae-Joon Kim,Munhyeon Kim. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2024-10-17.

Methods and apparatus for reusing lookup table random-access memory (LUTRAM) elements as configuration random-access memory (CRAM) elements

Номер патента: US09940995B1. Автор: Kenneth Duong,Trevis Chandler,Jung Ko,Dipak Sikdar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Memory device for emulating dynamic Random access memory (DRAM)

Номер патента: US09921782B2. Автор: Dean K. Nobunaga. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Virtualized scan chain testing in a random access memory (ram) array

Номер патента: US20240006012A1. Автор: Rahul Nadkarni,Yeshwant Kolla,David Hoff,Babji Vallabhaneni. Владелец: Ampere Computing LLC. Дата публикации: 2024-01-04.

Improved sense amplifier with bit line pre-charge circuit for reading flash memory cells in an array

Номер патента: WO2018048682A1. Автор: Yao Zhou,Tao Wang,Xiaozhou QIAN,Bin SHENG,Lu GUO,Ning BAI. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2018-03-15.

Improved sense amplifier with bit line pre-charge circuit for reading flash memory cells in an array

Номер патента: EP3485494A1. Автор: Yao Zhou,Tao Wang,Xiaozhou QIAN,Bin SHENG,Lu GUO,Ning BAI. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2019-05-22.

Read/write control method and device for ddr dynamic random access memory, and system

Номер патента: US20220093163A1. Автор: Xitong Ma. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-24.

Electronic device and dynamic random access memory thereof

Номер патента: US20170140616A1. Автор: Han-Hung CHENG,Chi-Fen KUO. Владелец: Alson Technology Ltd. Дата публикации: 2017-05-18.

Electronic device and dynamic random access memory thereof

Номер патента: NL1042103A. Автор: CHENG Han-Hung,KUO Chi-Fen. Владелец: Avexir Tech Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Forming operation method of resistive random access memory

Номер патента: US20240282371A1. Автор: Ko-Chi Chen,Tzu-Yun Chang,Yi Ting Hung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

RAM disk using non-volatile random access memory

Номер патента: US09852069B2. Автор: James B. Crossland,Blaise Fanning,Toby Opferman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Phase-change random access memory

Номер патента: US20100214832A1. Автор: Hye-jin Kim,Woo-Yeong Cho,Byung-Gil Choi,Du-Eung Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-26.

Resistive random access memory

Номер патента: US9935265B2. Автор: Ting-Chang Chang,Tsung-Ming Tsai,Kuan-Chang CHANG,Chih-Hung Pan,Po-Hsun Chen. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2018-04-03.

Three-dimensional memory device with embedded dynamic random-access memory

Номер патента: EP4401127A2. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Resistive Random Access Memory

Номер патента: US20170346004A1. Автор: Ting-Chang Chang,Tsung-Ming Tsai,Kuan-Chang CHANG,Chih-Hung Pan,Po-Hsun Chen. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2017-11-30.

Shallow trench type quadri-cell of phase-change random access memory (pram)

Номер патента: WO2010118346A3. Автор: Xia Li. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2011-03-03.

Dynamic random access memory

Номер патента: US20170315768A1. Автор: Han-Hung CHENG,Chi-Fen KUO. Владелец: Alson Technology Ltd. Дата публикации: 2017-11-02.

Method and system for repairing a dynamic random access memory (dram) of memory device

Номер патента: EP4439564A1. Автор: Nidhi Shukla,Preeti JOSEPH,Hyunbum CHO,Yongjae Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-02.

Method and system for repairing a dynamic random access memory (dram) of memory device

Номер патента: US20240330133A1. Автор: Nidhi Shukla,Preeti JOSEPH,Hyunbum CHO,Yongjae Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Resistive random access memory structure and fabricating method of the same

Номер патента: EP4447051A2. Автор: Po-Kai Hsu,Chung-Yi Chiu,Yi-Yu Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-16.

Logic drive using standard commodity programmable logic IC chips comprising non-volatile random access memory cells

Номер патента: US12057837B2. Автор: Jin-Yuan Lee,Mou-Shiung Lin. Владелец: Icometrue Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Solid state driving including nonvolatile memory, random access memory and memory controller

Номер патента: US09886379B2. Автор: Hyunjin Kim,Kitae Park,Youngjin Jeon,Seonkyoo Lee,Jeongdon Ihm. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

High-speed random access memory device

Номер патента: US6108243A. Автор: Takaaki Suzuki,Shinya Fujioka,Yasuharu Sato. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2000-08-22.

Current sense amplifier

Номер патента: US20240146266A1. Автор: Ankit Khanna,Partha Basu,Dimitar Trifonov,Chase PUGLISI. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Static random access memory device having uniform write characteristics

Номер патента: US20180158516A1. Автор: Chanho LEE,Jaeseung Choi,Ingyu Park,Inhak LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-07.

Static random access memory device having uniform write characteristics

Номер патента: US9990986B1. Автор: Chanho LEE,Jaeseung Choi,Ingyu Park,Inhak LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Dynamic random access memory applied to an embedded display port

Номер патента: US11894098B2. Автор: Wei-Ming Huang,Yen-An Chang,Der-Min Yuan. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Dynamic random access memory applied to an embedded display port

Номер патента: US20190035440A1. Автор: Wei-Ming Huang,Yen-An Chang,Der-Min Yuan. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-31.

Dynamic random access memory applied to an embedded display port

Номер патента: US20210217451A1. Автор: Wei-Ming Huang,Yen-An Chang,Der-Min Yuan. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

Thin film transistor random access memory

Номер патента: US11770923B2. Автор: Richard E. Fackenthal. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Dynamic random access memory (dram) component for high-performance, high-capacity registered memory modules

Номер патента: US20170351627A1. Автор: Frederick A. Ware,John Eric Linstadt,Ely Tsern,Kenneth L. Wright,Thomas J. Giovannini. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-12-07.

Dynamic random access memory (dram) component for high-performance,high-capacity registered memory modules

Номер патента: EP3234784A1. Автор: Frederick A. Ware,John Eric Linstadt,Ely Tsern,Kenneth L. Wright,Thomas J. Giovannini. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-10-25.

Customizable plug and play random access memory (ram) module

Номер патента: WO2019150221A1. Автор: Swarna Kumari Adari. Владелец: Adari Swarna Kumari. Дата публикации: 2019-08-08.

Resistive random access memory (RRAM) system

Номер патента: US09837154B2. Автор: Brent Buchanan. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-12-05.

256 Meg dynamic random access memory

Номер патента: US6850452B2. Автор: Brent Keeth,Layne G. Bunker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-02-01.

Pseudo bidimensional randomly accessible memory

Номер патента: US20040115879A1. Автор: Bernard Plessier,Ming Yap. Владелец: STMICROELECTRONICS ASIA PACIFIC PTE LTD. Дата публикации: 2004-06-17.

Deep learning accelerator and random access memory with separate memory access connections

Номер патента: US11887647B2. Автор: Poorna Kale,Jaime Cummins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Integrated circuit device with deep learning accelerator and random access memory

Номер патента: US11874897B2. Автор: Poorna Kale,Jaime Cummins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Logic drive using standard commodity programmable logic IC chips comprising non-volatile random access memory cells

Номер патента: US11881483B2. Автор: Jin-Yuan Lee,Mou-Shiung Lin. Владелец: Icometrue Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-23.

Programmable conductor random access memory and method for sensing same

Номер патента: WO2003077256A3. Автор: John T Moore,Glen Hush. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-02-24.

Magnetoresistive random access memory for physically unclonable function technology and associated random code generating method

Номер патента: US11980026B2. Автор: Tsung-Mu Lai,Chun-Yuan Lo,Chun-Chieh Chao. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Logic drive using standard commodity programmable logic ic chips comprising non-volatile random access memory cells

Номер патента: US20220223624A1. Автор: Jin-Yuan Lee,Mou-Shiung Lin. Владелец: Icometrue Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-14.

Adaptive word line underdrive control for an in-memory compute operation where simultaneous access is made to plural rows of a static random access memory (sram)

Номер патента: EP4116975A1. Автор: Promod Kumar,Harsh Rawat,Kedar Janardan Dhori,Nitin Chawla,Manuj Ayodhyawasi. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2023-01-11.

Methods of Reading and Writing Data in a Thyristor Random Access Memory

Номер патента: US20180301181A1. Автор: Valery Axelrad,Bruce L. Bateman,Harry Luan,Charlie Cheng. Владелец: TC Lab Inc. Дата публикации: 2018-10-18.

Logic drive using standard commodity programmable logic ic chips comprising non-volatile random access memory cells

Номер патента: US20240105729A1. Автор: Jin-Yuan Lee,Mou-Shiung Lin. Владелец: Icometrue Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Systems and methods for a current sense amplifier comprising a sample and hold circuit

Номер патента: US20190312549A1. Автор: Daniel J. Black,Brian A. Miller,Antoine D. Fifield. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2019-10-10.

Sparsity-aware reconfigurable compute-in-memory (cim) static random access memory (sram)

Номер патента: US20230178125A1. Автор: Indranil Chakraborty,Kaushik Roy,Utkarsh Saxena,Amogh Agrawal,Mustafa Fayez Ahmed Ali,Aayush ANKIT. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2023-06-08.

3D Memory with 3D Sense Amplifier

Номер патента: US20220189515A1. Автор: Sang-Yun Lee. Владелец: BeSang Inc. Дата публикации: 2022-06-16.

Resistive random access memory and fabrication method thereof

Номер патента: US8921819B2. Автор: Chun-Cheng Chen,Ching-Hua Chen,Chan-Ching Lin,Chen-Hao Huang,Tzung-Bin Huang. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2014-12-30.

Storage node of a resistive random access memory device with a resistance change layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US8362455B2. Автор: Sang-jun Choi,Jung-hyun Lee,Chang-Soo Lee,Hyung-Jin Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-01-29.

Phase change random access memory apparatus and write control method for the same

Номер патента: US20110075474A1. Автор: Dong Keun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-03-31.

Static random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160148939A1. Автор: Hann-Ping Hwang,Li-Wei Liu,Chen-Hao Huang,Yi-Chung Liang. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2016-05-26.

Sense amplifier with program biasing and fast sensing

Номер патента: WO2018071107A1. Автор: Raul Adrian Cernea,Tai-Yuan Tseng,Yen-Lung Li,Jong Hak Yuh,Seungpil Lee,Cynthia Hsu,Qui Nguyen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-04-19.

Resistive random-access memory array with reduced switching resistance variability

Номер патента: US20190371857A1. Автор: Seyoung Kim,Takashi Ando,ChoongHyun Lee,Wilfried Haensch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-12-05.

Method and device for reading dual bit memory cells using multiple reference cells with two side read

Номер патента: US20030081458A1. Автор: Kazuhiro Kurihara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-01.

Storage node of a resistive random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080169459A1. Автор: Sang-jun Choi,Jung-hyun Lee,Chang-Soo Lee,Hyung-Jin Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-17.

Phase change random access memory apparatus and write control method for the same

Номер патента: US8130540B2. Автор: Dong Keun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-03-06.

Method for controlling a non-volatile dynamic random access memory

Номер патента: US20040052112A1. Автор: Shih-Jye Shen,Yen-Tai Lin. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2004-03-18.

Resistive random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200321521A1. Автор: Po-Yen Hsu,Bo-Lun Wu,Ting-Ying SHEN. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-10-08.

Automatic reloading of serial read pipeline on last bit transfers to serial access memory

Номер патента: US6405297B1. Автор: Donald M. Morgan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-06-11.

Automatic reloading of serial read pipeline on last bit transfers to serial access memory

Номер патента: US6134639A. Автор: Donald M. Morgan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-10-17.

Bonded semiconductor devices having processor and dynamic random-access memory and methods for forming the same

Номер патента: US20240282754A1. Автор: Jun Liu,Weihua Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Three-dimensional static random access memory device structures

Номер патента: US09941287B2. Автор: Chien-yuan Chen,Hau-Tai Shieh,Chien-Yu Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Sense amplifier with program biasing and fast sensing

Номер патента: US09881676B1. Автор: Raul Adrian Cernea,Tai-Yuan Tseng,Jong Hak Yuh,Seungpil Lee,Cynthia Hsu,Qui Nguyen,Yen-Lung Jason Li. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-30.

Test system for random access memory

Номер патента: CA1287409C. Автор: Katsuhisa Kubota. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1991-08-06.

Method and system for latching an address for accessing synchronous random access memory using a single address status signal control line

Номер патента: US6044432A. Автор: Vishal Anand. Владелец: VLSI Technology Inc. Дата публикации: 2000-03-28.

Verification of a volatile memory using a unique identifier

Номер патента: US20230205430A1. Автор: Jeremy Chritz,David Hulton,Tamara Schmitz,Aaron Boehm,Max Vohra. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Deep learning accelerator and random access memory with a camera interface

Номер патента: WO2021207237A1. Автор: Poorna Kale,Jaime Cummins. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-10-14.

Memory device including resistance random access memory, and storing method that stores data in the resistance random access memory

Номер патента: US9892788B2. Автор: Kazuya Uejima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Symmetric read operation resistive random-access memory cell with bipolar junction selector

Номер патента: WO2022134870A1. Автор: Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Ruilong Xie,Heng Wu. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2022-06-30.

Memory device and voltage interpreting method for read bit line

Номер патента: US20130182519A1. Автор: shi-wen Chen,Chi-Chang Shuai,Tsan-Tang Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-07-18.

High speed data access memory arrays

Номер патента: US20060291300A1. Автор: Luigi Di Gregorio. Владелец: Telairity Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-12-28.

Method and apparatus to implement an integrated circuit including both dynamic random-access memory (dram) and static random-access memory (sram)

Номер патента: US20230315331A1. Автор: Rajabali Koduri,Pushkar Ranade,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Method for implementing an integrated circuit comprising a random-access memory-in-logic

Номер патента: US20220147683A1. Автор: Babak Mohammadi,Hemanth PRABHU. Владелец: Xenergic AB. Дата публикации: 2022-05-12.

Deep learning accelerator and random access memory with a camera interface

Номер патента: US11942135B2. Автор: Poorna Kale,Jaime Cummins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

A method circuit and system for read error detection in a non-volatile memory array

Номер патента: WO2005041108A2. Автор: Guy Cohen. Владелец: Saifun Semiconductors Ltd.. Дата публикации: 2005-05-06.

Symmetric read operation resistive random-access memory cell with bipolar junction selector

Номер патента: GB2618233A. Автор: Reznicek Alexander,Hekmatshoartabari Bahman,Xie Ruilong,Wu Heng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-11-01.

Method for implementing an integrated circuit comprising a random-access memory-in-logic

Номер патента: WO2020182998A1. Автор: Babak Mohammadi,Hemanth PRABHU. Владелец: Xenergic AB. Дата публикации: 2020-09-17.

Deep Learning Accelerator and Random Access Memory with a Camera Interface

Номер патента: US20210319823A1. Автор: Poorna Kale,Jaime Cummins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-14.

Speculative exit from power down mode of a dynamic random access memory rank

Номер патента: EP3867730A1. Автор: Kedarnath Balakrishnan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2021-08-25.

High speed data access memory arrays

Номер патента: EP1498903A3. Автор: Luigi Di Gregorio. Владелец: Telairity Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-10-19.

Resistive random-access memory cells

Номер патента: US20150003144A1. Автор: Abu Sebastian,Evangelos S Eleftheriou,Daniel Krebs. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-01-01.

Method and Apparatus for Implementing Efuse Sense Amplifier Testing Without Blowing the Efuse

Номер патента: US20080170449A1. Автор: Louis Bernard Bushard,Anthony Gus Aipperspach,David Howard Allen,Gregory John Uhlmann,Phil Christopher Felice Paone. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-17.

In-memory resistive random access memory xor logic using complimentary switching

Номер патента: WO2022127383A1. Автор: Takashi Ando,Guy M. Cohen,Nanbo Gong. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2022-06-23.

In-memory resistive random access memory xor logic using complimentary switching

Номер патента: US20220190239A1. Автор: Takashi Ando,Guy M. Cohen,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-06-16.

Controller and control method for dynamic random access memory

Номер патента: US09966129B1. Автор: CHEN CHEN,PENG Shen. Владелец: VIA Alliance Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Static random access memory (SRAM) bit cells with wordline landing pads split across boundary edges of the SRAM bit cells

Номер патента: US09876017B2. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Random access memory with volatile data storage

Номер патента: CA1094687A. Автор: Hendrik H.M. Tromp. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1981-01-27.

Methods of operating a bistable resistance random access memory with multiple memory layers and multilevel memory states

Номер патента: US20090303774A1. Автор: Erh-Kun Lai,ChiaHua Ho,Kuang Yeu Hsieh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-10.

Multi-port random access memory

Номер патента: CA2176675C. Автор: Garnet Frederic Randall Gibson,Steven William Wood. Владелец: Nortel Networks Corp. Дата публикации: 2001-12-18.

Multiple simultaneous access memory

Номер патента: US4656614A. Автор: Naruhito Suzuki. Владелец: Individual. Дата публикации: 1987-04-07.

Electronic device and dynamic random access memory thereof

Номер патента: NL1042104A. Автор: CHENG Han-Hung,KUO Chi-Fen. Владелец: Avexir Tech Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Self-timed random access memory chip

Номер патента: US4712190A. Автор: Alan Kotok,Paul M. Guglielmi,Ronald J. Melanson. Владелец: Digital Equipment Corp. Дата публикации: 1987-12-08.

Method and apparatus for reading compressed test data from memory devices

Номер патента: US5809038A. Автор: Chris G. Martin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1998-09-15.

Method of programming a resistive random access memory

Номер патента: US20160155501A1. Автор: Elisa Vianello,Daniele Garbin. Владелец: Universite Joseph Fourier Grenoble 1. Дата публикации: 2016-06-02.

Active Random Access Memory

Номер патента: US20210090618A1. Автор: Hsin-Cheng Chen,Jung-Rung Jiang,Yen-Hao Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-25.

Streaming access memory device, system and method

Номер патента: US11823771B2. Автор: Surinder Pal Singh,Giuseppe Desoli,Thomas Boesch,Anuj Grover,Nitin Chawla. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2023-11-21.

Active Random Access Memory

Номер патента: US20220254392A1. Автор: Hsin-Cheng Chen,Jung-Rung Jiang,Yen-Hao Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Memory using insulator traps

Номер патента: US20010040820A1. Автор: Leonard Forbes,Joseph Geusic. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-11-15.

Voltage-mode bit line precharge for random-access memory cells

Номер патента: US11967374B2. Автор: Danut Manea. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Non-volatile static random access memory

Номер патента: US20240170062A1. Автор: Darsen Duane Lu,Mohammed Aftab BAIG,Siao-Shan HUANG,Fu Yuan CHANG. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2024-05-23.

Magneto-resistive random access memory (mram) employing an integrated physically unclonable function (puf) memory

Номер патента: US20190304527A1. Автор: Seung Hyuk KANG,Chando Park,Sungryul KIM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-10-03.

Voltage-mode bit line precharge for random-access memory cells

Номер патента: US20210295911A1. Автор: Danut Manea. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Voltage-mode bit line precharge for random-access memory cells

Номер патента: US20210082504A1. Автор: Danut Manea. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Voltage-mode bit line precharge for random-access memory cells

Номер патента: US20230019326A1. Автор: Danut Manea. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2023-01-19.

Resistive random-access memory for exclusive nor (xnor) neural networks

Номер патента: US20210082502A1. Автор: Shimeng Yu,Jae-sun Seo. Владелец: Arizona State University ASU. Дата публикации: 2021-03-18.

Method and apparatus for implementing error correction coding in a random access memory

Номер патента: US20070079217A1. Автор: Galen Kerber,Rodger Haugan,David Haldeman. Владелец: Quantum Corp. Дата публикации: 2007-04-05.

Non-volatile resistive random-access memory and a manufacturing method thereof

Номер патента: EP4397154A1. Автор: Vijaya Srinivasu VALLABHAPURAPU,Sreedevi VALLABHAPURAPU,Zolile Wiseman DLAMINI. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH AFRICA. Дата публикации: 2024-07-10.

Resistive random-access memory (reram) cell optimized for reset and set currents

Номер патента: US20230096127A1. Автор: Lior Dagan. Владелец: Weebit Nano Ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

Oxram oxide based resistive random access memory cell and associated manufacturing method

Номер патента: US20200194671A1. Автор: Mathieu Bernard,Christelle Charpin-Nicolle,Remy Gassilloud. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2020-06-18.

OxRAM oxide based resistive random access memory cell and associated manufacturing method

Номер патента: US11329224B2. Автор: Mathieu Bernard,Christelle Charpin-Nicolle,Remy Gassilloud. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2022-05-10.

Magnetoresistive random access memory and method for fabricating the same

Номер патента: US20240074209A1. Автор: Yu-Ping Wang,Rai-Min Huang,Jia-Rong Wu,Ya-Huei Tsai,I-Fan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Resistance random access memory device and method for operating same

Номер патента: US20170256310A1. Автор: Reika Ichihara,Kikuko Sugimae,Yusuke ARAYASHIKI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

Metal-oxide-based conductive-bridging random access memory (CBRAM) having the solid electrolyte doped with a second metal

Номер патента: US9431607B2. Автор: Philippe Blaise,Faiz Dahmani,Gabriel Molas,Elisa Vianello,Rémy GASSILOUD. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-08-30.

Resistive random-access memory devices with a via device structure

Номер патента: US20230292635A1. Автор: Ning Ge,Minxian Zhang,Mingche Wu. Владелец: Tetramem Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Method and apparatus for testing error correcting code (ecc) function of fpga on-chip block random access memory (bram)

Номер патента: US20240275406A1. Автор: NIU Li,YUE Han,Zheng Wang,Qi Zhou,Yunjie Fan,Jingxiang Wang,Tianping Wang. Владелец: Gowin Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Providing space-efficient storage for dynamic random access memory (dram) cache tags

Номер патента: US20170286214A1. Автор: Natarajan Vaidhyanathan,Colin Beaton Verrilli,Mattheus Cornelis Antonius Adrianus Heddes. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-10-05.

Providing space-efficient storage for dynamic random access memory (dram) cache tags

Номер патента: EP3436957A1. Автор: Natarajan Vaidhyanathan,Colin Beaton Verrilli,Mattheus Cornelis Antonius Adrianus Heddes. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-02-06.

Providing space-efficient storage for dynamic random access memory (dram) cache tags

Номер патента: WO2017172258A1. Автор: Natarajan Vaidhyanathan,Colin Beaton Verrilli,Mattheus Cornelis Antonius Adrianus Heddes. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-10-05.

Layout of static random access memory cell

Номер патента: US20170179134A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-22.

Three-dimensional stackable ferroelectric random access memory devices and methods of forming

Номер патента: US20240268122A1. Автор: Feng-Cheng Yang,Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Direct measurement test structures for measuring static random access memory static noise margin

Номер патента: US20200319243A1. Автор: Manuel F. Cabanas-Holmen,Ethan H. Cannon,Mark Yao. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2020-10-08.

Power supplying circuit and phase-change random access memory including the same

Номер патента: US20090122601A1. Автор: Won-seok Lee,Kwang-Ho Kim,Beak-Hyung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-05-14.

Nanosecond non-destructively erasable magnetoresistive random-access memory

Номер патента: US20210158850A1. Автор: Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Eric Raymond EVARTS,Virat Vasav Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-05-27.

Dynamic random access memory timing adjustments

Номер патента: WO2016048628A1. Автор: Dexter Tamio Chun,Michael Drop,Raghu Sankuratri. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-03-31.

Resistive random access memory device

Номер патента: US20150280120A1. Автор: Philippe Blaise,Faiz Dahmani,Gabriel Molas,Elisa Vianello,Rémy GASSILOUD. Владелец: Altis Semiconductor SNC. Дата публикации: 2015-10-01.

Nanosecond non-destructively erasable magnetoresistive random-access memory

Номер патента: AU2020392975A1. Автор: Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Eric Raymond EVARTS,Virat Vasav Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-04-28.

Nanosecond non-destructively erasable magnetoresistive random-access memory

Номер патента: AU2020392975B2. Автор: Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Eric Raymond EVARTS,Virat Vasav Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Non-volatile random access memory with a control circuit for preventing an initial resistance failure, a solid state drive, and a computer system including the same

Номер патента: US8111559B2. Автор: Jong-Chul Park,Dong Jun Shin,Sun-Mi Yoo,Min Cheol Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-02-07.

Layout einer static random access memory-zelle

Номер патента: DE102016117043B4. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Resistive random access memory and method for operating same

Номер патента: US12133477B2. Автор: Liang Zhao,Zhichao Lu,Zezhi CHEN. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Current and voltage limit circuitry for resistive random access memory programming

Номер патента: US20240331772A1. Автор: Lior Dagan. Владелец: Weebit Nano Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Circuitry for parallel set and reset of resistive random-access memory (ReRAM) cells

Номер патента: US12068028B2. Автор: Ilan Sever,Lior Dagan. Владелец: Weebit Nano Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Current and voltage limit circuitry for resistive random access memory programming

Номер патента: US12040017B2. Автор: Lior Dagan. Владелец: Weebit Nano Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Firehose Dump of SRAM Write Cache Data to Non-Volatile Memory Using a Supercap

Номер патента: US20120215971A1. Автор: Gregg S. Lucas,Craig A. Klein,Robert E. Medlin,Michael L. Harper,Mary A. J. Marquez. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-08-23.

Photochromic polymers for three dimensional optical random access memory

Номер патента: RU2345997C2. Автор: Валерий Александрович Барачевский,Сергей Николаевич Иванов,Алексей Иванович Ковалев,Валерий Александрович Васнев,Игорь Викторович Заварзин,Михаил Владимирович Алфимов,Александр Львович РУСАНОВ,Александр Александрович Дунаев,Михаил Михайлович Краюшкин,Владимир Николаевич Яровенко,Юрий Александрович Пьянков,Мухаммед Ластанбиевич Кештов,нков Юрий Александрович Пь,Юрий Петрович Строкач. Владелец: Центр Фотохимии Российской Академии Наук. Дата публикации: 2009-02-10.

Firehose dump of SRAM write cache data to non-volatile memory using a supercap

Номер патента: US8495321B2. Автор: Gregg S. Lucas,Craig A. Klein,Robert E. Medlin,Michael L. Harper,Mary A. J. Marquez. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-07-23.

Method for writing to magnetic tape and method for reading from magnetic tape for digital recording, for example, with special effects

Номер патента: RU2122294C1. Автор: Парк Гоо-мэн,Бейк Сей-хайун,Хэн Таек-соо. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 1998-11-20.

Data reading module and method for reading optical disc

Номер патента: US20090262450A1. Автор: Cheng-Chieh Lin,Jung-Lee Hsiao. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2009-10-22.

Disk drive read circuit comprising an ac coupled sense amplifier for amplifying a read signal

Номер патента: US20140334038A1. Автор: Michael L. Mallary,Yiao-Tee Hsia,William D. Huber. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2014-11-13.

Method for storing data, method for reading data, device for compressing data and device for decompressing data

Номер патента: DE10228128B4. Автор: Sabine Kling,Andreas Baenisch,Werner Obermaier. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-09-23.

HOST-MANAGED Logical MASS STORAGE DEVICE USING MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY (MRAM)

Номер патента: US20150026392A1. Автор: Mehdi Asnaashari. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2015-01-22.

Host-managed logical mass storage device using magnetic random access memory (MRAM)

Номер патента: US8670276B1. Автор: Mehdi Asnaashari. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2014-03-11.

Sense amplifiers as static random access memory

Номер патента: US20240256156A1. Автор: Glen E. Hush. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Embedded Magnetic Random Access Memory (MRAM)

Номер патента: US20130302914A1. Автор: Parviz Keshtbod,Ebrahim Abedifard. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2013-11-14.

Embedded magnetic random access memory (MRAM)

Номер патента: US8730716B2. Автор: Parviz Keshtbod,Ebrahim Abedifard. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2014-05-20.

Host-managed logical mass storage device using magnetic random access memory (mram)

Номер патента: US20150248238A1. Автор: Mehdi Asnaashari. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2015-09-03.

Memory system capable of accessing memory cell arrays in parallel

Номер патента: US20200089415A1. Автор: Riki SUZUKI,Toshikatsu Hida,Sayano AGA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Memory system capable of accessing memory cell arrays in parallel

Номер патента: US20190095108A1. Автор: Riki SUZUKI,Toshikatsu Hida,Sayano AGA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-28.

High Precision Current Sensing using Sense Amplifier with Digital AZ Offset Compensation

Номер патента: US20190128932A1. Автор: Philippe Deval,Marija FERNANDEZ. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2019-05-02.

System and method for multi-level electronic protection using combination of current sensing and temperature sensing

Номер патента: WO2017146869A1. Автор: Amit Kulkarni,Vijay Nikam. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2017-08-31.

System and method for multi-level electronic protection using combination of current sensing and temperature sensing

Номер патента: US20170244238A1. Автор: Amit Kulkarni,Vijay Nikam. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2017-08-24.

Application pre-layout in byte-addressable persistent random access memory

Номер патента: US09952879B2. Автор: KY Srinivasan,Edmund NIGHTINGALE. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2018-04-24.

Bi-directional current sensing circuit

Номер патента: US09863982B2. Автор: Gianluca Valentino,Zhaohui Zhu,Ranjit Kumar Guntreddi,Zengjing Wu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Bi-directional mos current sense circuit

Номер патента: WO2006121485A2. Автор: Alain Chapuis. Владелец: Power-One, Inc.. Дата публикации: 2006-11-16.

Magnetic random number generator

Номер патента: US20170212728A1. Автор: Pankaj Sethi,Chandrasekhar Murapaka,Wen Siang LEW,Arindam Basu. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-07-27.

Aging compensation for poly-resistor based current sense amplifier

Номер патента: US20230417854A1. Автор: Ryan Desrosiers. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Apparatus and method of accessing random access memory

Номер патента: EP1031083A1. Автор: David Ashley Brown. Владелец: Intergraph Corp. Дата публикации: 2000-08-30.

High bandwidth, high capacity look-up table implementation in dynamic random access memory

Номер патента: US20070288690A1. Автор: Yuen Wong,Shingyu Wang. Владелец: Foundry Networks LLC. Дата публикации: 2007-12-13.

Current sense amplifier and method

Номер патента: US20020180418A1. Автор: David Jones,Heinz-Juergen Metzger. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2002-12-05.

Flexible access and control of dynamic random access memory

Номер патента: WO2006085173A2. Автор: Jukka-Pekka Vihmalo,Matti Floman,Jani Klint. Владелец: Nokia Corporation. Дата публикации: 2006-08-17.

Non-volatile random access memory (nvram) as a replacement for traditional mass storage

Номер патента: EP2761469A1. Автор: James B. Crossland,Blaise Fanning,Leena K. Puthiyedath,Tony Opferman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2014-08-06.

Address correcting method and device for a simultaneous dynamic random access memory module

Номер патента: US20030105915A1. Автор: Shin-Husiung Lien. Владелец: Optimum Care International Tech Inc. Дата публикации: 2003-06-05.

Random access memory apparatus for a waveform measuring apparatus

Номер патента: US4093995A. Автор: Steven R. Smith,Frederick A. Rose. Владелец: Norland Corp. Дата публикации: 1978-06-06.

Method and system for providing instant responses to sleep state transitions with non-volatile random access memory

Номер патента: US09958926B2. Автор: Raj K. Ramanujan,Vincent J. Zimmer,Blaise Fanning,Michael Rothman,Leena K. Puthiyedath. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

CRT update apparatus and method for variable size cache memory using tags and address boundary determination

Номер патента: US6092151A. Автор: Heon-chul Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-07-18.

Current sensing amplifier with offset cancellation

Номер патента: WO2024006848A1. Автор: Ravi Ananth,Edward Lee,Michael Chapman. Владелец: Efficient Power Conversion Corporation. Дата публикации: 2024-01-04.

Read/write control method and device for ddr dynamic random access memory, and system

Номер патента: US20230251982A1. Автор: Xitong Ma. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Dynamic Management of Random Access Memory

Номер патента: US20120215975A1. Автор: Loic Pallardy,Michel Catrouillet. Владелец: ST Ericsson France SAS. Дата публикации: 2012-08-23.

Integrated Sensor Device with Deep Learning Accelerator and Random Access Memory

Номер патента: US20210397771A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Real-Time Quantum Random Access Memory

Номер патента: US20230229948A1. Автор: Hichem El Euch,Ashraf KHALIL,Mohammed Abdellatif Abdelaal Zidan,Abdulhaleem Mohamed Ahmed Abdelaty,Mahmoud Mohamed Ahmed Abdel-Aty. Владелец: Abu Dhabi University. Дата публикации: 2023-07-20.

Dynamic random access memory (dram) device with write error protection

Номер патента: US20240311219A1. Автор: Christopher Haywood. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-09-19.

Integrated sensor device with deep learning accelerator and random access memory

Номер патента: WO2021257651A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-12-23.

Transconductance amplifier for buck-boost converter

Номер патента: US11942866B2. Автор: Rajesh Karri,Arun Khamesra. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

System and method for multi-level electronic protection using combination of current sensing and temperature sensing

Номер патента: EP3420617A1. Автор: Amit Kulkarni,Vijay Nikam. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2019-01-02.

Bi-directional current sensing circuit

Номер патента: EP3357150A1. Автор: Gianluca Valentino,Zhaohui Zhu,Ranjit Kumar Guntreddi,Zengjing Wu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-08-08.

Bi-directional mos current sense circuit

Номер патента: EP1886153A4. Автор: Alain Chapuis. Владелец: Power One Inc. Дата публикации: 2009-05-27.

Current sensing amplifier with offset cancellation

Номер патента: US20230417806A1. Автор: Ravi Ananth,Edward Lee,Michael Chapman. Владелец: Efficient Power Conversion Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Bi-directional current sensing circuit

Номер патента: US20170089958A1. Автор: Gianluca Valentino,Zhaohui Zhu,Ranjit Kumar Guntreddi,Zengjing Wu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-03-30.

Memory system capable of accessing memory cell arrays in parallel

Номер патента: US10895990B2. Автор: Riki SUZUKI,Toshikatsu Hida,Sayano AGA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-01-19.

Memory system capable of accessing memory cell arrays in parallel

Номер патента: US10521129B2. Автор: Riki SUZUKI,Toshikatsu Hida,Sayano AGA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-12-31.

Bi-directional current sensing circuit

Номер патента: WO2017059378A1. Автор: Gianluca Valentino,Zhaohui Zhu,Ranjit Kumar Guntreddi,Zengjing Wu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-04-06.

Synchronous multi-port random access memory

Номер патента: WO1997011419A3. Автор: Tom North,Francis Siu. Владелец: Shablamm Computer Inc. Дата публикации: 1997-04-24.

Enhanced system sleep state support in servers using non-volatile random access memory

Номер патента: US09829951B2. Автор: Mohan J. Kumar,Murugasamy K. Nachimuthu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

System and method for reading serial number of paper sheet

Номер патента: RU2582860C2. Автор: Масанори ГОТО,Мотоко КУРОЙВА,Такаси КАДОНО. Владелец: Глори Лтд.. Дата публикации: 2016-04-27.

Branch predictor using random access memory

Номер патента: CA1162313A. Автор: James E. Smith. Владелец: Control Data Corp. Дата публикации: 1984-02-14.

Effective current sensing for high voltage switching regulators

Номер патента: US8786266B2. Автор: Scott Dearborn,Terry Cleveland,Philippe Deval,Philippe Gimmel,Marius Budaes,Daniel Leonescu. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-22.

Memory controller for a high capacity memory circuit with large number of independently accessible memory banks

Номер патента: US20240045615A1. Автор: Shay FUX,Sagie GOLDENBERG,Amotz Yagev. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

System setting operating frequency of random access memory based on cache hit ratio and operating method thereof

Номер патента: US11899584B2. Автор: Kwang Ho Choi,Moon Hyeok Choi,Nam Hyeok JEONG,Yong Wan HWANG,Tae Woong HA. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

System setting including operating frequency of random access memory based on cache hit ratio and operating method thereof

Номер патента: US20240152456A1. Автор: Kwang Ho Choi,Moon Hyeok Choi,Nam Hyeok JEONG,Yong Wan HWANG,Tae Woong HA. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Providing a dynamic random-access memory cache as second type memory

Номер патента: US20210165580A1. Автор: Balaram Sinharoy,Alper Buyuktosunoglu,Bulent Abali. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-06-03.

Providing a dynamic random-access memory cache as second type memory

Номер патента: EP4070202A1. Автор: Balaram Sinharoy,Alper Buyuktosunoglu,Bulent Abali. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-10-12.

Intelligent Microphone having Deep Learning Accelerator and Random Access Memory

Номер патента: US20210398542A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Intelligent microphone having deep learning accelerator and random access memory

Номер патента: WO2021257579A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-12-23.

Standard program management process and related methods and systems

Номер патента: RU2641263C2. Автор: Мехул ДАЛАЛ. Владелец: ФИШЕР КОНТРОЛЗ ИНТЕРНЕШНЕЛ ЛЛС. Дата публикации: 2018-01-16.

Compensating current monitor for electronic systems having mode-sensitive selection of current-sensing inputs

Номер патента: GB2613229A. Автор: Agarwal Gaurav,Parupalli Vamsikrishna,L Melanson John. Владелец: Cirrus Logic International Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2023-05-31.

Current sense amplifier circuit and trimming method of offset referred to input voltage

Номер патента: US20240063767A1. Автор: Hao-Yu Li,Chia-Tseng Chiang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2024-02-22.

Arrangement for encryption/decryption of data and data carrier incorporating same

Номер патента: WO1998022878A2. Автор: Graham Henry Stout. Владелец: Motorola Limited. Дата публикации: 1998-05-28.

Surveillance Camera Upgrade via Removable Media having Deep Learning Accelerator and Random Access Memory

Номер патента: US20230007317A1. Автор: Te-Chang Lin,Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Direct data to memory system and related operating methods

Номер патента: US20150286404A1. Автор: Chris Todter,Paul Graeme BREMNER. Владелец: SONELITE Inc. Дата публикации: 2015-10-08.

System for helping diagnosing aggressive prostate cancers and related method

Номер патента: US20240193779A1. Автор: Rémi Souchon,Olivier Rouviere,Tristan JAOUEN,Au HOANG-DINH,Christelle GONINDARD. Владелец: Institut National de la Sante Et de la Recherche Medicale Inserm Raison Sociale Obsolete. Дата публикации: 2024-06-13.

System for helping diagnosing aggressive prostate cancers and related method

Номер патента: EP4330910A1. Автор: Rémi Souchon,Olivier Rouviere,Tristan JAOUEN,Au HOANG-DINH,Christelle GONINDARD. Владелец: Hospices Civils de Lyon HCL. Дата публикации: 2024-03-06.

Method and apparatus for data transfer between accessible memories of multiple processors in a heterogeneous processing system using one memory to memory transfer operation

Номер патента: US20240248863A1. Автор: Ravinder Kumar,Qi Zheng,Arnav GOEL,Neal SANGHVI,Jiayu BAI. Владелец: SambaNova Systems Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Direct data to memory system and related operating methods

Номер патента: EP2929437A1. Автор: Chris Todter,Paul Graeme BREMNER. Владелец: SONELITE Inc. Дата публикации: 2015-10-14.

System for helping diagnosing aggressive prostate cancers and related method

Номер патента: WO2022229265A1. Автор: Rémi Souchon,Olivier Rouviere,Tristan JAOUEN,Au HOANG-DINH,Christelle GONINDARD. Владелец: Hospices Civils de Lyon. Дата публикации: 2022-11-03.

Digital copier with image scanner apparatus and offline image data and control data interface

Номер патента: US20030086120A1. Автор: Kazuyuki Murata. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-08.

Force page paging scheme for microcontrollers of various sizes using data random access memory

Номер патента: US20010030905A1. Автор: Randy Yach. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-18.

Surveillance camera upgrade via removable media having deep learning accelerator and random access memory

Номер патента: US12088861B2. Автор: Te-Chang Lin,Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Direct data to memory system and related operating methods

Номер патента: US09921748B2. Автор: Chris Todter,Paul Graeme BREMNER. Владелец: SONELITE Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Management method for reducing utilization rate of random access memory (ram) used in flash memory

Номер патента: US20080162793A1. Автор: Yuan-Hao Chang,Jen-Wei Hsieh,Tei-Wei Kuo,Cheng-Chih Yang,Yuan-sheng Chu. Владелец: Genesys Logic Inc. Дата публикации: 2008-07-03.

Accessing of a modified word organized random access memory

Номер патента: CA1058768A. Автор: David C. Van Voorhis,Thomas H. Morrin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1979-07-17.

Memory-access management method and system for synchronous dynamic random-access memory or the like

Номер патента: WO2003083661A1. Автор: Jiin Lai,Chihkuo Kao. Владелец: VIA TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2003-10-09.

Improvements in and relating to data processing systems

Номер патента: GB1201695A. Автор: Erwin Arthur Hauck,Bobby Andrew Creech,Carl Bernard Carlson,Iver Christian Hansen. Владелец: Burroughs Corp. Дата публикации: 1970-08-12.

Programmable logic device with subroutine stack and random access memory

Номер патента: US5042004A. Автор: Kapil Shankar,Om Agrawal. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1991-08-20.

Exclusive or engine on random access memory

Номер патента: WO2021061596A1. Автор: Hongyu Wang,Ameen D. Akel,Kenneth Marion Curewitz,Shivam SWAMI,Sean S. Eilert. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-04-01.

Flexible access and control of dynamic random access memory

Номер патента: WO2006085173A3. Автор: Jukka-Pekka Vihmalo,Matti Floman,Jani Klint. Владелец: Jani Klint. Дата публикации: 2007-01-18.

Exclusive or engine on random access memory

Номер патента: US20210089663A1. Автор: Hongyu Wang,Ameen D. Akel,Kenneth Marion Curewitz,Shivam SWAMI,Sean S. Eilert. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Exclusive or engine on random access memory

Номер патента: EP4035052A1. Автор: Hongyu Wang,Ameen D. Akel,Kenneth Marion Curewitz,Shivam SWAMI,Sean S. Eilert. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-03.

Accessory devices of a medical system, and related methods for changing a medical appliance based on future operating state

Номер патента: US12029582B2. Автор: Michael Larsen,Mads Hindhede SVANEGAARD,Marie Svane Rizk VESTERGAARD,Mikkel Broge HENDELIOWITZ,Tine Frimodt HANSEN. Владелец: Coloplast AS. Дата публикации: 2024-07-09.

Wearable electronic device with built-in intelligent monitoring implemented using deep learning accelerator and random access memory

Номер патента: WO2021257372A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-12-23.

Platform storage hierarchy with non-volatile random access memory having configurable partitions

Номер патента: EP2761468A1. Автор: Michael A. Rothman,Vincent J. Zimmer,Mark S. Doran. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2014-08-06.

Waveform generator and related method thereof

Номер патента: US7929053B2. Автор: Ming-Jane Hsieh,Tsung-Chi Lin,Te-Ming Kuo,Yueh-Hsing Huang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-04-19.

Compositional property estimation models relating to processes and related methods

Номер патента: US20220299951A1. Автор: George A. Khoury,Onur Onel,Jitendra V. Kadam,Clayton R. CARR,Trevor S. Pottorf,Victoria G. YAO. Владелец: ExxonMobil Research and Engineering Co. Дата публикации: 2022-09-22.

Remote start system including an engine speed data bus reader and related methods

Номер патента: US20030150416A1. Автор: Kenneth Flick. Владелец: Omega Patents LLC. Дата публикации: 2003-08-14.

Waveform generator and related method thereof

Номер патента: US20070165138A1. Автор: Ming-Jane Hsieh,Tsung-Chi Lin,Te-Ming Kuo,Yueh-Hsing Huang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-07-19.

Intelligent digital camera having deep learning accelerator and random access memory

Номер патента: WO2021257580A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-12-23.

System and method for reading optical codes on bottom surface of items

Номер патента: US20130292470A1. Автор: Bryan L. Olmstead,Alan Shearin,WenLiang Gao. Владелец: Datalogic ADC Inc. Дата публикации: 2013-11-07.

Accessory devices of an ostomy system, and related methods for changing an ostomy appliance based on future operating state

Номер патента: US20240306991A1. Автор: Michael Larsen,Mads Hindhede SVANEGAARD,Marie Svane Rizk VESTERGAARD,Mikkel Broge HENDELIOWITZ,Tine Frimodt HANSEN. Владелец: Coloplast AS. Дата публикации: 2024-09-19.

System and method for reading optical codes on bottom surface of items

Номер патента: EP2847710A1. Автор: Bryan L. Olmstead,Alan Shearin,WenLiang Gao. Владелец: Datalogic ADC Inc. Дата публикации: 2015-03-18.

Communicating random access memory

Номер патента: US4616310A. Автор: Richard E. Matick,Frederick H. Dill,Daniel T. Ling,Dennis J. McBride. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1986-10-07.

Random access memory systems

Номер патента: GB1496563A. Автор: . Владелец: Rockwell International Corp. Дата публикации: 1977-12-30.

System and method for providing constrained transmission and storage in a random access memory

Номер патента: US8024642B2. Автор: Luis A. Lastras-Montano. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-09-20.

Electronic system and method for controlling burst length to access memory device of electronic system

Номер патента: EP4246337A1. Автор: Bo-Wei Hsieh,Chen-Chieh WANG,Szu-Ying Cheng,Jou-Ling Chen. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2023-09-20.

Method of preventing pry for random access memory

Номер патента: US20170316218A1. Автор: Shaw Hwa Hwang,Bing Chih Yao,Cheng Yu Yeh,Yao Hsing Chung,Chi Jung Huang,Li Te Shen,Ning Yun KU,Kuan Lin Chen,Shun Chieh Chang,Ming Che Yeh,Chao Ping Chu,Tzu Hung Lin. Владелец: NATIONAL TAIPEI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2017-11-02.

Securing dynamic random access memory (dram) contents to non-volatile in a persistent memory module

Номер патента: US20230350603A1. Автор: Craig E. Hampel,Evan Lawrence Erickson,Taeksang Song. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2023-11-02.

Storage device including random access memory devices and nonvolatile memory devices

Номер патента: US10324869B2. Автор: Youngjin Cho,Han-Ju Lee,Youngkwang YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-18.

Storage device including random access memory devices and nonvolatile memory devices

Номер патента: US11216394B2. Автор: Youngjin Cho,Han-Ju Lee,Youngkwang YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-04.

Electronic system and method for controlling burst length to access memory device of electronic system

Номер патента: US20230289063A1. Автор: Bo-Wei Hsieh,Chen-Chieh WANG,Szu-Ying Cheng,Jou-Ling Chen. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Nonvolatile random access memory use

Номер патента: US20150149715A1. Автор: Mark Charles Davis. Владелец: Lenovo Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2015-05-28.

Storage and access of metadata within selective dynamic random access memory (dram) devices

Номер патента: US20230333928A1. Автор: Kuljit S. Bains,Todd Hinck. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Current sense amplifer with extended common mode input voltage range

Номер патента: US20160173045A1. Автор: Razvan PUSCASU,Nicusor BORTUN,Laurentiu O. CREOSTEANU,Pavel BRINZOI. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2016-06-16.

Augmented reality mapping systems and related methods

Номер патента: EP3850590A1. Автор: Richard Andrew Newcombe,Steven John Lovegrove,Yuheng Ren,Thomas John WHELAN,Jakob Julian Engel,Julian Straub. Владелец: Facebook Technologies LLC. Дата публикации: 2021-07-21.

Augmented reality mapping systems and related methods

Номер патента: US20200218898A1. Автор: Richard Andrew Newcombe,Steven John Lovegrove,Yuheng Ren,Thomas John WHELAN,Jakob Julian Engel,Julian Straub. Владелец: Oculus VR Inc. Дата публикации: 2020-07-09.

Augmented reality mapping systems and related methods

Номер патента: WO2020055437A1. Автор: Richard Andrew Newcombe,Steven John Lovegrove,Yuheng Ren,Thomas John WHELAN,Jakob Julian Engel,Julian Straub. Владелец: Facebook Technologies, LLC. Дата публикации: 2020-03-19.

Current sensing recovery for imaging systems and methods

Номер патента: US20200150160A1. Автор: John D. Schlesselmann,Brian B. SIMOLON. Владелец: Flir Commercial Systems Inc. Дата публикации: 2020-05-14.

Random access memory power savings

Номер патента: WO2019045931A1. Автор: Sebastien Andre Jean. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-03-07.

Radio communications device, universal integrated circuit card and related method and communications device

Номер патента: US20130210456A1. Автор: Olivier Dong. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2013-08-15.

Radio communications device, universal integrated circuit card and related method and communications device

Номер патента: EP2223510A1. Автор: Olivier Dong. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2010-09-01.

Radio communications device, universal integrated circuit card and related method and communications device

Номер патента: US20130203441A1. Автор: Olivier Dong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-08-08.

Application privacy scanning systems and related methods

Номер патента: US20210397743A1. Автор: William DeWeese,Jonathan Blake Brannon,Kevin Jones,Saravanan Pitchaimani,Justin Devenish. Владелец: OneTrust LLC. Дата публикации: 2021-12-23.

System and Related Methods for Monitoring Performance of a Physical Activity

Номер патента: US20240202633A1. Автор: Sandeep Suresh,Isura Ranatunga,Channa Ranatunga. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-06-20.

Peer-to-peer non-volatile random-access memory

Номер патента: US20180095871A1. Автор: Ronald Karr,Peter E. Kirkpatrick,Roland Dreier. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2018-04-05.

System for predicting properties of structures, imager system, and related methods

Номер патента: EP3833966A1. Автор: Gordon A. Haller,Amitava Majumdar,Ted L. Taylor,Shawn D. Lyonsmith,Ahmed N. Noemaun,Qianlan Liu,Pradeep Ramachandran,Steve K. McCandless. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-16.

System for predicting properties of structures, imager system, and related methods

Номер патента: US20240153062A1. Автор: Gordon A. Haller,Amitava Majumdar,Ted L. Taylor,Shawn D. Lyonsmith,Ahmed N. Noemaun,Qianlan Liu,Pradeep Ramachandran,Steve K. McCandless. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Multi-sensor array including an ir camera as part of an automated kitchen assistant system for recognizing and preparing food and related methods

Номер патента: US20210291356A1. Автор: Robert Anderson,Sean Olson,David Zito,Ryan W. Sinnet,William Werst,Zachary Zweig Vinegar. Владелец: Miso Robotics Inc. Дата публикации: 2021-09-23.

Method and apparatus for simulating a magnetoresistive random access memory (MRAM)

Номер патента: US20040102943A1. Автор: Joseph Nahas. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2004-05-27.

Fixed retail scanner with translator to convert embedded non-video data as video data and related methods of using histogram data

Номер патента: US20240242194A1. Автор: Alan Guess,WenLiang Gao,Kyle FRISCHMAN. Владелец: Datalogic IP Tech SRL. Дата публикации: 2024-07-18.

Application privacy scanning systems and related methods

Номер патента: US20200334380A1. Автор: William DeWeese,Jonathan Blake Brannon,Kevin Jones,Justin Devenish,Sarav Pitchaimani. Владелец: OneTrust LLC. Дата публикации: 2020-10-22.

Application privacy scanning systems and related methods

Номер патента: US20210150059A1. Автор: William DeWeese,Jonathan Blake Brannon,Kevin Jones,Saravanan Pitchaimani,Justin Devenish. Владелец: OneTrust LLC. Дата публикации: 2021-05-20.

Methods for fabricating artificial neural networks (ANN) based on doped semiconductor resistive random access memory (RRAM) elements

Номер патента: US11024803B2. Автор: Ali Afzali-Ardakani,Matthew Warren Copel,James Bowler Hannon,Satoshi Oida. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-06-01.

Systems and Methods for Managing Dynamic Random Access Memory (DRAM)

Номер патента: US20200004691A1. Автор: Jani Kokkonen. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

A computer-implemented data structure for a service instance object and related methods and network node devices

Номер патента: US20240243981A1. Автор: Stephen MWANJE,Klaus Negle,Uwe Rauschenbach. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2024-07-18.

Hardware signal logging in embedded block random access memory

Номер патента: US20160217021A1. Автор: Yang Wang. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2016-07-28.

Information processing system, data provision system, and related method

Номер патента: US20200394330A1. Автор: Ryo Domoto,Ryoji MINAMI. Владелец: Hakuhodo DY Holdings Inc. Дата публикации: 2020-12-17.

User interface for gesture-based control input and related method

Номер патента: GB201203890D0. Автор: . Владелец: Tacto Tek Oy. Дата публикации: 2012-04-18.

System and related method for chip i/o test

Номер патента: US20080115022A1. Автор: Chun-Yuan Su. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2008-05-15.

Light-emitting diode packages with real-time processing and related methods

Номер патента: US20240274063A1. Автор: Christopher P. Hussell. Владелец: Creeled Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

A computer-implemented data structure for a service instance object and related methods and network node devices

Номер патента: EP4341808A1. Автор: Stephen MWANJE,Klaus Negle,Uwe Rauschenbach. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2024-03-27.

Information processing system, data provision system, and related method

Номер патента: EP3671481A1. Автор: Ryo Domoto,Ryoji MINAMI. Владелец: Hakuhodo DY Holdings Inc. Дата публикации: 2020-06-24.

Light-emitting diode packages with real-time processing and related methods

Номер патента: WO2024173041A1. Автор: Christopher P. Hussell. Владелец: CREELED, INC.. Дата публикации: 2024-08-22.

Multi-channel system architecture for managing flow of data and associated trace information

Номер патента: US12111780B2. Автор: Mihir Narendra Mody,Niraj NANDAN,Kedar Satish Chitnis,Shyam Jagannathan,Brijesh Jadav,Ankur Ankur,Vivek Vilas DHANDE,Prithvi Shankar YEYYADI ANANTHA,Santhanakrishnan Narayanan NARAYANAN. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Apparatus for measuring multiphase fluid flows and related methods

Номер патента: US12104936B2. Автор: Cheng-Gang Xie. Владелец: Schlumberger Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Hearing protection apparatus and system with sound source localization, and related methods

Номер патента: US12075218B2. Автор: Casper Silbo RAFT,Søren Christian V. PEDERSEN,Jesse CASTER. Владелец: Falcom As. Дата публикации: 2024-08-27.

Fluid injection devices and related methods

Номер патента: US12070583B2. Автор: Anirban Roy. Владелец: Medtronic Minimed Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Translocon-associated biogenesis features and related methods, systems and products

Номер патента: US10108776B1. Автор: Bin Zhang,Thomas F. MILLER, III,Axel Mueller,Stephen Marshall,William M. Clemons, Jr.,Michiel Niesen. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2018-10-23.

Magnetic random access memory cell and magnetic random access memory

Номер патента: US20240276889A1. Автор: JISONG Jin. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Magnetic random-access memory cell, memory and device

Номер патента: US12029135B2. Автор: Weisheng Zhao,Zhaohao Wang,Kaihua Cao,Gefei Wang. Владелец: BEIHANG UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-07-02.

Multi-diameter magnetic random-access memory pillar structure

Номер патента: US20230087231A1. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Koichi Motoyama,Joseph F. Maniscalco. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Multi-diameter magnetic random-access memory pillar structure

Номер патента: US12108685B2. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Koichi Motoyama,Joseph F. Maniscalco. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Method of manufacturing magnetic random access memory and magnetic random access memory

Номер патента: US20230008840A1. Автор: XIAOGUANG WANG,Huihui Li,Xianqin Hu. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-01-12.

Magnetic random access memory structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20240298547A1. Автор: Che-Wei Chang,Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Chen-Yi Weng,Ching-Hua Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Magnetic random access memory structure

Номер патента: US20240306514A1. Автор: Che-Wei Chang,Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Chen-Yi Weng,Ching-Hua Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Perpendicular magnetic anisotrophy free layers with iron insertion and oxide interfaces for spin transfer torque magnetic random access memory

Номер патента: US09978935B2. Автор: Guohan Hu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Spin orbit torque magnetic random access memory cell, memory array, and memory

Номер патента: US20230276637A1. Автор: Ming Liu,Huai Lin,Guozhong XING. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-08-31.

Magnetic random access memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120273844A1. Автор: Yoshiaki Asao,Masayoshi IWAYAMA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

Magnetoresistive random access memory

Номер патента: US20220029087A1. Автор: Yu-Chun Chen,I-Ming Tseng,Yen-Chun Liu,Yi-Hui Lee,Chung-Liang Chu,Yi-An Shih,Ya-Sheng Feng,Chiu-Jung Chiu,Hsiu-Hao Hu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-01-27.

Reduced process degradation of spin torque magnetoresistive random access memory

Номер патента: US09853210B2. Автор: Stephen M. Rossnagel,Gen P. Lauer,Anthony J. Annunziata,Nathan P. Marchack. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Method of making dynamic random access memory having a reliable contact

Номер патента: US5288655A. Автор: Toshio Nomura,Daitei Shin,Masaaki Higasitani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1994-02-22.

Magnetic random access memory with thermally stable magnetic tunnel junction cells

Номер патента: US6518588B1. Автор: Stuart S. P. Parkin,Mahesh G. Samant. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-02-11.

Spin-orbit torque magnetic random-access memory (sot-mram) device

Номер патента: EP4307871A1. Автор: Dmytro Apalkov,Jaewoo JEONG, Ikhtiar. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-17.

Spin-orbit torque magnetic random-access memory (sot-mram) device

Номер патента: US20240023458A1. Автор: Dmytro Apalkov,Jaewoo JEONG,Ikhtiar. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

CMOS image sensor (CIS) including MRAM (magnetic random access memory)

Номер патента: US10157951B2. Автор: Dae-Shik Kim,Gwan-Hyeob Koh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-12-18.

Method of sending data and a device for this

Номер патента: RU2767040C2. Автор: Цинхай ЦЗЭН,Сяоин СЮЙ,Цюйфан ХУАН. Владелец: Хуавэй Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2022-03-16.

Magnetic random access memory

Номер патента: US20140284734A1. Автор: Kuniaki Sugiura,Hiroyuki Kanaya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-09-25.

Method of transmitting service data and transmitting device

Номер патента: RU2716836C2. Автор: Хай ТАН,Юаньцин ЧЖЕН. Владелец: Гуандун Оппо Мобайл Телекоммьюникейшнз Корп., Лтд.. Дата публикации: 2020-03-17.

Current sense cascode amplifier

Номер патента: US20100127684A1. Автор: Stepan Iliasevitch. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2010-05-27.

Resistive random access memory devices, and related semiconductor device structures

Номер патента: US20140145138A1. Автор: Timothy A. Quick. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-05-29.

Universal magnetic game board including advanced reconfigurable magnetic random number generator

Номер патента: US20220379193A1. Автор: Charles E. Ankner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-12-01.

Transmission of multi-slot modified random access channel with extended coverage

Номер патента: RU2718965C1. Автор: Юрген ХОФМАНН,Хартмут ВИЛЬГЕЛЬМ,Сатхиаселан СУНДАРАЛИНГАМ,Сринивасан СЕЛВАГАНАПАТХИ,Мунендер ЧИРАНДЖИ. Владелец: Нокиа Текнолоджиз Ой. Дата публикации: 2020-04-15.

Cooling for PMA (Perpendicular Magnetic Anisotropy) Enhancement of STT-MRAM (Spin Torque Transfer-Magnetic Random Access Memory) Devices

Номер патента: US20200152698A1. Автор: Jian Zhu,Ru-Ying Tong,Huanlong Liu,Guenole Jan,Sahil Patel,Vignesh SUNDAR,Jodi Mari IWATA,Yuan-Jen Lee. Владелец: Headway Technologies Inc. Дата публикации: 2020-05-14.

Cooling for PMA (perpendicular magnetic anisotropy) enhancement of STT-MRAM (spin-torque transfer-magnetic random access memory) devices

Номер патента: US11956971B2. Автор: Jian Zhu,Ru-Ying Tong,Huanlong Liu,Guenole Jan,Sahil Patel,Vignesh SUNDAR,Jodi Mari IWATA,Yuan-Jen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Direct memory download in a voice data and RF integrated circuit and method for use therewith

Номер патента: US20080146266A1. Автор: Weidong Li,Nelson R. Sollenberger. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2008-06-19.

Resistance Random Access Memory Structure for Enhanced Retention

Номер патента: US20120037876A1. Автор: Erh-Kun Lai,ChiaHua Ho,Kuang Yeu Hsieh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-16.

Bidirectional current sense amplifier

Номер патента: US20190068144A1. Автор: Razvan PUSCASU. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-02-28.

Method of outputting broadcasting data and network node

Номер патента: RU2470488C2. Автор: Минами ИШИ,Вури Андармаванти ХАПСАРИ,Альф ЦУГЕНМАЙЕР. Владелец: Нтт Досомо, Инк.. Дата публикации: 2012-12-20.

Device for current sensing in an amplifier with pmos voltage conversion

Номер патента: US20020079930A1. Автор: Kevin Zhang,Liqiong Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2002-06-27.

Resistive Random Access Memory Using amorphous metallic Glass Oxide as a storage medium

Номер патента: US20140291600A1. Автор: Jinn Chu,Berhanu Tulu Kacha,Wen-Zhi Chang. Владелец: National Taiwan University of Science and Technology NTUST. Дата публикации: 2014-10-02.

Sense-amplifier control circuit and controlling method of sense amplifier

Номер патента: US8067963B2. Автор: Tsuneaki Fuse,Seiro Imai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-11-29.

Extended random access method used by ue and base station and related apparatuses using the same

Номер патента: US20200337089A1. Автор: Fang-Ching Ren. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2020-10-22.

Resistive random access memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11744164B2. Автор: Takahiro Nonaka,Takayuki Ishikawa,Yusuke ARAYASHIKI,Tomohito KAWASHIMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Resistive random access memory structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US11737380B2. Автор: Hung-Sheng Chen,Ching-Yung Wang,Chien-Hsiang Yu,Yen-De Lee. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-08-22.

Resistive random access memory structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210066594A1. Автор: Hung-Sheng Chen,Ching-Yung Wang,Chien-Hsiang Yu,Yen-De Lee. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Trigate static random-access memory with independent source and drain engineering, and devices made therefrom

Номер патента: US20120292709A1. Автор: Robert S. Chau,Brian Doyle,Ravi Pillarisetty,Willy Rachmady. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-22.

Trigate static random-access memory with indepenent source and drain engineering, and devices made therefrom

Номер патента: WO2010074973A3. Автор: Robert S. Chau,Brian Doyle,Willy Rachmady,Ravi Pillaresitty. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2010-10-21.

Trigate static random-access memory with indepenent source and drain engineering, and devices made therefrom

Номер патента: EP2368267A2. Автор: Robert S. Chau,Brian Doyle,Willy Rachmady,Ravi Pillaresitty. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2011-09-28.

Trigate static random-access memory with independent source and drain engineering, and devices made therefrom

Номер патента: US20100155848A1. Автор: Robert S. Chau,Brian Doyle,Ravi Pillarisetty,Willy Rachmady. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-06-24.

Electronic device and dynamic random access memory thereof

Номер патента: US09839121B2. Автор: Han-Hung CHENG,Chi-Fen KUO. Владелец: Alson Technology Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of preliminary resource definition at random access, user device and base station

Номер патента: RU2638181C2. Автор: Фан НАНЬ,Чжэн ЮЙ. Владелец: Хуавей Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2017-12-12.

Sense amplifier with tri-state bus line capabilities

Номер патента: CA1044334A. Автор: Ury Priel. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1978-12-12.

Sense amplifier with tri-state bus line capabilities

Номер патента: US3980898A. Автор: Ury Priel. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1976-09-14.

Improvements in or relating to electrical amplifiers for magnetic thin, film stores

Номер патента: GB1059827A. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1967-02-22.

Low-Offset Current-Sense Amplifier and Operating Method Thereof

Номер патента: US20120293260A1. Автор: Shin-Jang Shen,Meng-Fan Chang,Yu-Der Chih,Yu-Fan Lin. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2012-11-22.

Multi-bit resistive random access memory cell and forming method thereof

Номер патента: US20210111340A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-04-15.

Static random-access memory (sram) cell array

Номер патента: US20170373073A1. Автор: Chun-Hsien Huang,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-28.

Method of forming static random-access memory (sram) cell array

Номер патента: US20170317090A1. Автор: Chun-Hsien Huang,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-02.

Static random-access memory (sram) cell array

Номер патента: US20170317091A1. Автор: Chun-Hsien Huang,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-02.

Method of determining frequency-domain offset parameter, user equipment (ue), random access method, method for configuring random access information, corresponding device and computer readable medium

Номер патента: EP3698595A1. Автор: Chen Qian,Bin Yu,Qi Xiong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-26.

Resistive Random Access Memory

Номер патента: US20170222143A1. Автор: Ting-Chang Chang,Tsung-Ming Tsai,Kuan-Chang CHANG,Chih-Hung Pan,Tian-Jian Chu. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2017-08-03.

Method of forming static random-access memory (sram) cell array

Номер патента: US20180315763A1. Автор: Chun-Hsien Huang,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-11-01.

Static random-access memory (sram) cell array and forming method thereof

Номер патента: US20180006040A1. Автор: Chun-Hsien Huang,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Resistive random access memory and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4418844A1. Автор: XUE Zhou,Xiaojie Wang,Qing QIN,Huifang JIAO,Xixia LIU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

Method of forming static random-access memory (SRAM) cell array

Номер патента: US09953988B2. Автор: Chun-Hsien Huang,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Static random-access memory (SRAM) cell array

Номер патента: US09947674B2. Автор: Chun-Hsien Huang,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Current sensing with capacitive compensation

Номер патента: EP4309276A1. Автор: Saurav Bandyopadhyay,Song Guo. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-01-24.

Current sensing with capacitive compensation

Номер патента: US11799369B2. Автор: Saurav Bandyopadhyay,Song Guo. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Dynamic random access memory device and method for forming the same

Номер патента: US20240224493A1. Автор: Wen-Yueh Chang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Dynamic random access memory structure

Номер патента: US20200006347A1. Автор: Chih-Hao Lin. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Resistive random access memory with preformed filaments

Номер патента: US12127486B2. Автор: YANG Pan,Hyungsuk Yoon,Thorsten Lill. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Methods and structures for controlling retransmission of device over random access channel in wireless communication network

Номер патента: RU2699394C1. Автор: Никлас ЙОХАНССОН,Бьёрн ХОФСТРЁМ,Джон Уолтер ДИАЧАЙНА,Клаэс-Йёран ПЕРССОН. Владелец: Телефонактиеболагет Лм Эрикссон (Пабл). Дата публикации: 2019-09-05.

Resistive random access memory and manufacturing method

Номер патента: US20230050843A1. Автор: Han Xiao,Ru Huang,Zongwei Wang. Владелец: Advanded Institute Of Information Technology Aiit Peking University. Дата публикации: 2023-02-16.

Trailing edge detector using current collapse

Номер патента: US20160006341A1. Автор: Mingming Mao,Tiziano Pastore,Ricardo Luis Janezic Pregitzer,Michael Yue Zhang. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2016-01-07.

Microelectronic devices, and related memory devices, and electronic systems

Номер патента: WO2024137135A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-06-27.

Microelectronic devices, and related memory devices, and electronic systems

Номер патента: US20240215221A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Resistive random access memory devices

Номер патента: US20210359203A1. Автор: Yi Jiang,Juan Boon Tan,Kai Kang,Wanbing YI,Curtis Chun-I HSIEH,Wei-Hui HSU. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-11-18.

Resistive random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210193918A1. Автор: Yu-Ting Chen,Chung-Hsuan Wang,Tz-Hau Guo,Chiung-Lin Hsu,Chang-Hsuan Wu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-06-24.

Doped Oxide Dielectrics for Resistive Random Access Memory Cells

Номер патента: US20150093876A1. Автор: Yun Wang,Randall J. Higuchi,Brian Butcher. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2015-04-02.

Magnetoresistive random access memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240196759A1. Автор: Yu-Ping Wang,Hung-Yueh Chen,Hung-Chan Lin. Владелец: Unite Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Resistive random access memory (RRAM) structure and forming method thereof

Номер патента: US12041863B2. Автор: Chuan-Fu Wang,Wen-Jen Wang,Chun-hung Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Resistive random access memory and method for producing same

Номер патента: US20160118579A1. Автор: Ting-Chang Chang,Tsung-Ming Tsai,Kuan-Chang CHANG,Chih-Hung Pan,Tian-Jian Chu. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2016-04-28.

Dynamic random access memory and forming method therefor

Номер патента: US20240244833A1. Автор: XING Yu,Wenyu HUA. Владелец: ICLeague Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Method of manufacturing a magnetoresistive random access memory device

Номер патента: US20210043833A1. Автор: Jungmin Lee,Junghwan Park,Younghyun Kim,Sechung Oh,Kyungil Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-11.

Resistive random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240049612A1. Автор: Po-Yen Hsu,Bo-Lun Wu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

High-density resistive random-access memory array with self-aligned bottom electrode contact

Номер патента: US20230147958A1. Автор: Daniel Schmidt,Ekmini Anuja De Silva,Ashim Dutta,Dexin Kong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-05-11.

Resistive random access memory

Номер патента: US20180233665A1. Автор: Yi-Hsiu Chen,Po-Yen Hsu,Bo-Lun Wu,Frederick Chen,Chia-Hua Ho,Meng-Hung Lin,Shao-Ching Liao,Ping-Kun Wang,Ming-Che Lin,Ting-Ying SHEN. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-08-16.

Random access memory cells using spatial wavefunction switched field-effect transistors

Номер патента: US9000417B1. Автор: John Chandy,Faquir Chand Jain,Evan Heller,Pawan Gogna. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-04-07.

Method and apparatus for reading image information

Номер патента: US20020051250A1. Автор: Toshitaka Agano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-02.

Resistive random access memory having stable forming voltage

Номер патента: US20160240777A1. Автор: Ting-Chang Chang,Tsung-Ming Tsai,Kuan-Chang CHANG,Chih-Hung Pan,Tian-Jian Chu. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2016-08-18.

Resistive random access memory having stable forming voltage

Номер патента: US9711720B2. Автор: Ting-Chang Chang,Tsung-Ming Tsai,Kuan-Chang CHANG,Chih-Hung Pan,Tian-Jian Chu. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2017-07-18.

Random access method and device

Номер патента: EP3920647A1. Автор: Yue Ma,Yumin Wu. Владелец: Vivo Mobile Communication Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-08.

Static random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240130099A1. Автор: Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Stretchable self-healing resistive random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240215465A1. Автор: Jinhong Park,Yong Jun Park,Donghee SON,Minbaek Lee,Duhwan Seong. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-06-27.

Magnetoresistive random access memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US12133474B2. Автор: Jun Xie,Chien-Ting Lin,Chin-Yang Hsieh,Yu-Tsung Lai,Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Yu-Ping Wang,I-Ming Tseng,Yi-Wei Tseng,Yi-Hui Lee,Kun-Chen Ho,Ying-Cheng Liu,Yi-An Shih,Yi-Syun Chou,Chang-Min Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Random access memory and method of fabricating the same

Номер патента: US20240349512A1. Автор: Jae-Joon Kim,Munhyeon Kim. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2024-10-17.

Resistive random access memory structure

Номер патента: US20240334850A1. Автор: Chuan-Fu Wang,Wen-Jen Wang,Chun-hung Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for manufacturing resistive random access memory structure

Номер патента: US12063875B2. Автор: Hung-Sheng Chen,Ching-Yung Wang,Chien-Hsiang Yu,Yen-De Lee. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Resistive random access memory

Номер патента: US09972779B2. Автор: Yi-Hsiu Chen,Po-Yen Hsu,Bo-Lun Wu,Frederick Chen,Meng-Hung Lin,Shao-Ching Liao,Ping-Kun Wang,Ting-Ying SHEN. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Resistive random-access memory structure and method for fabricating the same

Номер патента: US09960349B2. Автор: Yi-Hsiu Chen,Po-Yen Hsu,Ming-Hung Hsieh,Ting-Ying SHEN. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Low leakage non-planar access transistor for embedded dynamic random access memory (eDRAM)

Номер патента: US09741721B2. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Jeng-Ya D. YEH,Joodong Park,Rahul RAMASWAMY,Curtis Tsai,Gopinath Bhimarasetti. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Transmitting a random access response message

Номер патента: RU2687033C1. Автор: Рапепат РАТАСУК,Юань Тао ЧЗАН,Янь Цзи ЧЗАН,Нитин МАНГАЛВЕДЕ. Владелец: Нокиа Солюшнс энд Нетуоркс Ой. Дата публикации: 2019-05-06.

Semiconductor processing methods of forming transistors, semiconductor processing methods of forming dynamic random access memory circuitry, and related integrated circuitry

Номер патента: US20020072199A1. Автор: Luan Tran. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-13.

Trailing edge detector using current collapse

Номер патента: US20160079867A1. Автор: Mingming Mao,Tiziano Pastore,Ricardo Luis Janezic Pregitzer,Michael Yue Zhang. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2016-03-17.

Method for random access to picture blocks in video pictures

Номер патента: US20010017670A1. Автор: Andreas Menkhoff,Günter Scheffler. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2001-08-30.

Method for random access to picture blocks in video pictures

Номер патента: US6559897B2. Автор: Andreas Menkhoff,Günter Scheffler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-05-06.

1t1r resistive random access memory and manufacturing method therefor, transistor and device

Номер патента: EP3736865A1. Автор: Jian Shen,Guofeng YAO. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-11.

Methods for forming resistance random access memory structure

Номер патента: US20140073108A1. Автор: Erh-Kun Lai,ChiaHua Ho,Kuang-Yeu Hsieh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-13.

Doped narrow band gap nitrides for embedded resistors of resistive random access memory cells

Номер патента: WO2016094233A1. Автор: Milind Weling,Mihir Tendulkar. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2016-06-16.

Method of determining frequency-domain offset parameter, user equipment (ue), random access method, method for configuring random access information, corresponding device and computer readable medium

Номер патента: US20190215877A1. Автор: Chen Qian,Bin Yu,Qi Xiong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-11.

Random access memory

Номер патента: US20020001901A1. Автор: Kirk Prall,Christopher Murphy,D. Durcan,Robert Kerr. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-03.

Method for fabricating embedded dynamic random access memory

Номер патента: US20020061610A1. Автор: Der-Yuan Wu,Sun-Chieh Chien,Le-Tien Jung,Ling-Yuk Tsang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-05-23.

Random access process control methods and related device

Номер патента: US20240349352A1. Автор: Bosen DUN. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Single-shunt current sensing for multi-phase motor

Номер патента: US09966893B2. Автор: Prakash B. Shahi,Christopher D. Schock. Владелец: Nidec Motor Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Method and apparatus for mapping the primary operational sequences of an algorithm in a compute unit having an internal random access memory

Номер патента: US7650322B2. Автор: Yosef Stein,Hazarathaiah Malepati,Gregory M. Yukna. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2010-01-19.

Resistive random-access memory using stacked technology

Номер патента: US20230354620A1. Автор: Shih-Yuan Wang,Shih-Ping Wang. Владелец: W&wram Devices Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Resistive random-access memory device with step height difference

Номер патента: US20230301217A1. Автор: Seyoung Kim,Takashi Ando,Hiroyuki Miyazoe,Asit Ray. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Chopper stabilized attenuation for sense amplifiers

Номер патента: WO2021183427A1. Автор: Hector Torres,Ricky Dale Jordanger. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2021-09-16.

Stacked conductive bridge random access memory and access devices

Номер патента: US20230200269A1. Автор: Takashi Ando,Gloria Wing Yun Fraczak,Hiroyuki Miyazoe. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Dynamic random access memory device and method for forming the same

Номер патента: US20240224509A1. Автор: Wen-Yueh Chang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Seamed resistive random access memory cell

Номер патента: US20240224819A1. Автор: Takashi Ando,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Youngseok Kim,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Resistive random access memory cells integrated with shared-gate vertical field effect transistors

Номер патента: AU2020410300A1. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Resistive random access memory cells integrated with shared-gate vertical field effect transistors

Номер патента: GB2605327A. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Hekmatshoartabari Bahman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-09-28.

Resistive random access memory cells integrated with shared-gate vertical field effect transistors

Номер патента: WO2021124003A1. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2021-06-24.

Vertical resistive random access memory

Номер патента: US20210098533A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Methods for fabricating magnetoresistive random access memory

Номер патента: US20240215457A1. Автор: Wei-Chuan Chen,Hong-Hui Hsu,Yiheng XU,Chih-Yuan Lee. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Buried word line of a dynamic random access memory and method for fabricating the same

Номер патента: US20190267385A1. Автор: Feng-Yi Chang,Chun-Hsien Lin,Fu-Che Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-29.

Buried word line of a dynamic random access memory and method for fabricating the same

Номер патента: US10332887B2. Автор: Feng-Yi Chang,Chun-Hsien Lin,Fu-Che Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-25.

Methods of electrically contacting to conductive plugs, methods of forming contact openings, and methods of forming dynamic random access memory circuitry

Номер патента: US20010012657A1. Автор: Martin Roberts,Kunal Parekh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-09.

Four transistors static-random-access-memory and forming method

Номер патента: US20020094616A1. Автор: Chih-Yuan Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-07-18.

Image reading device and method for reading image

Номер патента: US20090251742A1. Автор: Motoki Yoshizawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-10-08.

Semiconductor random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180151801A1. Автор: JIQUAN Liu,Changzhou Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-31.

Resistive random-access memory (RRAM) device and forming method thereof

Номер патента: US12010931B2. Автор: Wang Xiang,Chia-Ching Hsu,Shen-De Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-11.

Dynamic Random Access Memory Cell and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20100035389A1. Автор: Wen-Jer Tsai,Ta-Wei Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2010-02-11.

Dynamic random access memory cell and manufacturing method thereof

Номер патента: US7754544B2. Автор: Wen-Jer Tsai,Ta-Wei Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2010-07-13.

Method of forming resistive random access memory cell

Номер патента: EP3790065A1. Автор: Da-Jun Lin,Bin-Siang Tsai,Ya-Jyuan Hung,Ting-An Chien,Shih-Wei Su. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-03-10.

Communication method and related apparatus

Номер патента: US20240172120A1. Автор: Yiling Wu,Zhenwei LU,Chenwan LI. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Bonded semiconductor devices having processor and static random-access memory and methods for forming the same

Номер патента: US20240251538A1. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

System-on-a-chip (soc) integration of resistive random-access memory devices with varying switching characteristics

Номер патента: WO2024151641A1. Автор: Ning Ge,Gary Miner,Minxian Zhang,Mingche Wu. Владелец: TETRAMEM INC.. Дата публикации: 2024-07-18.

Resistive random access memory

Номер патента: US20210175418A1. Автор: Yu-Ting Chen,Po-Yen Hsu,Bo-Lun Wu,Shao-Ching Liao,Ping-Kun Wang,Ming-Che Lin,Chi-Ching Liu,Chang-Tsung Pai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-06-10.

Four transistors static-random-access-memory

Номер патента: US6686635B2. Автор: Chih-Yuan Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2004-02-03.

Method for fabricating a damascene self-aligned ferrorelectric random access memory (f-ram) having a ferroelectric capacitor aligned with a three dimensional transistor structure

Номер патента: US20140093983A1. Автор: John Cronin,Shan Sun,Tom E. Davenport. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2014-04-03.

Method of fabricating a static random access memory

Номер патента: US6287909B1. Автор: Yu-Chih Chuang,Tse-Yi Lu,Yi-Min Jen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-09-11.

Phase-change random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120326112A1. Автор: Jang Uk Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-12-27.

Resistive random-access memory device

Номер патента: US20240292765A1. Автор: Wang Xiang,Chia-Ching Hsu,Shen-De Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Three-dimensional nanoribbon-based dynamic random-access memory

Номер патента: US12058849B2. Автор: Rajesh Kumar,Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Uygar E. Avci,Kinyip PHOA,Wilfred Gomes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Resistive random access memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20210151504A1. Автор: Frederick Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

Static random access memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170317087A1. Автор: Yen-Ming Chen,Sai-Hooi Yeong,Jui-Yao Lai,Ying-Yan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-02.

Three-dimensional dynamic random access memory with an ancillary electrode structure

Номер патента: US8357964B1. Автор: Chih-Yuan Chen,Chih-Wei Hsiung,Meng-Hsien Chen. Владелец: Rexchip Electronics Corp. Дата публикации: 2013-01-22.

Ferroelectric random access memory device with seed layer

Номер патента: US12069867B2. Автор: Hsun-Chung KUANG,Hsing-Lien Lin,Bi-Shen LEE,Yi Yang Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Aviary monitoring system and related methods

Номер патента: WO2024176007A1. Автор: Heiner LEHR,Ferran LARRIBA,Roser BLASCO,Xavier CORTES,Jordi PALOMA. Владелец: FARM ROBOTICS AND AUTOMATION SL. Дата публикации: 2024-08-29.

Buried word line of a dynamic random access memory and method for fabricating the same

Номер патента: US12075613B2. Автор: Yi-Wei Chen,Tsun-Min Cheng,Chia-Chen Wu,Tzu-Chieh Chen,Pin-Hong Chen,Chih-Chieh Tsai,Kai-Jiun Chang,Yi-An Huang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

6-t static random access memory (sram) having vertical cmos transistors

Номер патента: WO2000067321A3. Автор: Lothar Risch,Thomas Schulz,Gerhard Enders,Dietrich Widmann. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2001-04-26.

6-t static random access memory (sram) having vertical cmos transistors

Номер патента: EP1206801A2. Автор: Lothar Risch,Thomas Schulz,Gerhard Enders,Dietrich Widmann. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2002-05-22.

Apparatus for secure hearing device communication and related method

Номер патента: US20200178074A1. Автор: Brian Dam Pedersen,Allan Munk VENDELBO. Владелец: GN Hearing AS. Дата публикации: 2020-06-04.

Method of forming a bottom electrode of a capacitor in a dynamic random access memory cell

Номер патента: US20010008785A1. Автор: Chien-Li Kuo,Wei-Wu Liao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-07-19.

Method for fabricating ferroelectric random access memory device with merged-top electrode-plateline capacitor

Номер патента: US20040266032A1. Автор: Sang-Hyun Oh,Jin-gu Kim,Suk-Kyoung Hong,Kye-Nam Lee,Jin-Yong Seong,Young-Ho Yang,Kyu-Hyun Bang,In-Woo Jang,Song-Hee Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-30.

Buried word line of a dynamic random access memory and method for fabricating the same

Номер патента: US20190157274A1. Автор: Feng-Yi Chang,Chun-Hsien Lin,Fu-Che Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Method of making a load resistor of a static random access memory on a semiconductor wafer

Номер патента: US6046080A. Автор: Yi-Tyng Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-04-04.

Dynamic random access memory

Номер патента: US20200321342A1. Автор: Kai Jen,Ting-Ting Ke. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-10-08.

Method of fabricating magneto-resistive random access memory (MRAM)

Номер патента: US12048250B2. Автор: Chung-Te Lin,Chien-Hua Huang,Han-Ting Lin,Chang-Lin Yang,Sheng-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

A prach radio receiver device with a neural network, and related methods and computer programs

Номер патента: WO2023131419A1. Автор: Harish Viswanathan,Luiz Fernando MEDEIROS,Aliye KAYA. Владелец: NOKIA SOLUTIONS AND NETWORKS OY. Дата публикации: 2023-07-13.

Static random-access memory (SRAM) and manufacture thereof

Номер патента: US11152379B2. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-10-19.

Method and apparatus for generating massive interrupts in random access memory (ram)

Номер патента: WO2002023942A3. Автор: Sandra Maria Frazier,Ben-Zur Raanan,Shi-Woang Wang. Владелец: Shi-Woang Wang. Дата публикации: 2003-01-09.

Dynamic random access memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220271042A1. Автор: Yi-Sheng Cheng,Chien-Chang Cheng. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-08-25.

Image processing system for reading and processing images

Номер патента: US20070109596A1. Автор: Hiroyuki Suzuki,Hideaki Mizuno,Hideyuki Toriyama,Tsuyoshi Yoneyama,Nobuo Kamei. Владелец: Minolta Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-17.

Static random access memory and method for fabricating the same

Номер патента: US20240284651A1. Автор: Chia-Chen Sun. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

System for Providing Secure Communications and Related Methods

Номер патента: US20230370260A1. Автор: Sunny James Fugate,Ryan Gabrys,Luis M. Martinez,Mike Tall. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2023-11-16.

Dynamic random access memory and method of fabricating the same

Номер патента: US20240306372A1. Автор: Hsueh-Cheng Liao. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Resistive random access memory

Номер патента: US20150228895A1. Автор: Ching-Hua Chen,Chan-Ching Lin. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2015-08-13.

Eight-transistor static random access memory, layout thereof, and method for manufacturing the same

Номер патента: US12082388B2. Автор: Hao Chang,Kuo-Hung Lo,Kun-Hsi Li,Yao-Chung Hu,Shau-Wei LU,Kang-Yu HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Method of fabricating resistive random access memory cell

Номер патента: US12114579B2. Автор: Po-Yen Hsu,Bo-Lun Wu,Tse-Mian KUO. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

개선된 FeRAM(Ferroelectric Random-Access Memory)에 관한 방법 및 구조

Номер патента: KR20240147973A. Автор: 쿠오-치 투,쯔-유 첸,솅-훙 시,푸-첸 창. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2024-10-10.

Random access memory and method of fabricating the same

Номер патента: US20240349477A1. Автор: Jae-Joon Kim,Munhyeon Kim. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2024-10-17.

Coverage enhancement processing method and related device

Номер патента: AU2023212085A1. Автор: Chunhua YOU,Qiang Fan. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

METHOD AND STRUCTURES PERTAINING TO IMPROVED FERROELECTRIC RANDOM-ACCESS MEMORY (FeRAM)

Номер патента: US20240357833A1. Автор: Tzu-Yu Chen,Fu-Chen Chang,Kuo-Chi Tu,Sheng-Hung SHIH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Resistive random access memory structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12127488B2. Автор: Chuan-Fu Wang,Wen-Jen Wang,Chun-hung Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Communication method and related device

Номер патента: US12127257B2. Автор: Haiyan Luo,Xiaoli Shi,Hongzhuo Zhang,Wenjie Peng,Mingzeng Dai. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Coverage enhancement processing method and related device

Номер патента: EP4460143A1. Автор: Chunhua YOU,Qiang Fan. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-06.

Layout pattern of magnetoresistive random access memory

Номер патента: US12063791B2. Автор: Chun-Hsien Huang,Chun-Yen TSENG,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang,Yi-Ting Wu,Chang-Hung CHEN,Shu-Wei Yeh,Ya-Lan Chiou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Layout pattern of magnetoresistive random access memory

Номер патента: US20240349515A1. Автор: Chun-Hsien Huang,Chun-Yen TSENG,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang,Yi-Ting Wu,Chang-Hung CHEN,Shu-Wei Yeh,Ya-Lan Chiou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Phase-change random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140175358A1. Автор: Hyun Min Lee,Jung Taik Cheong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-26.

Dynamic random access memory

Номер патента: US10998323B2. Автор: Kai Jen,Ting-Ting Ke. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-05-04.

Multilayer-stacked resistive random access memory device

Номер патента: US20160240779A1. Автор: Tri-Rung Yew,Pin Chang,Ying-Chan HUNG,Tsang-Hsuan Wang. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2016-08-18.

Eight-transistor static random access memory, layout thereof, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240373615A1. Автор: Hao Chang,Kuo-Hung Lo,Kun-Hsi Li,Yao-Chung Hu,Shau-Wei LU,Kang-Yu HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

MOBILE WIRELESS COMMUNICATIONS DEVICE INCLUDING A KEYBOARD ASSEMBLY FOR REDUCING SAR AND RELATED METHODS

Номер патента: US20120001851A1. Автор: QIU MEIDE,Chen Huanyu. Владелец: RESEARCH IN MOTION LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Circuit and method for eliminating bit line leakage current in random access memory devices

Номер патента: US20120002496A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Random-access magnetic memory cell

Номер патента: RU2704732C1. Автор: Лев Александрович Фомин,Илья Валентинович Маликов,Анатолий Васильевич Черных. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук. Дата публикации: 2019-10-30.

DATA AND CONTROL ENCRYPTION

Номер патента: US20120002812A1. Автор: Bell,JR. Robert H.,SHAPIRO MICHAEL J.,Capps,JR. Louis B.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MEASURING A FLUID VELOCITY AND RELATED APPARATUS

Номер патента: US20120004865A1. Автор: Porro Giampiero,Pozzi Roberto,Torinesi Alessandro,Rovati Luigi,NORGIA Michele. Владелец: DATAMED SRL. Дата публикации: 2012-01-05.

System and method of arranging static data objects in heterogeneous random-access memory

Номер патента: RU2422883C1. Автор: Михаил Петрович Левин,Вячеслав Юрьевич Подшивалов,Константин Александрович Карасёв,Жу-Янг ХВАНГ. Владелец: Корпорация "САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС Ко., Лтд.". Дата публикации: 2011-06-27.

TERMINAL OUTPUTTING MONOCHROME IMAGE DATA AND COLOR IMAGE DATA

Номер патента: US20120002066A1. Автор: . Владелец: Hand Held Products, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Cell of static random access memory

Номер патента: RU2573226C2. Автор: Сергей Феофентович Тюрин. Владелец: Сергей Феофентович Тюрин. Дата публикации: 2016-01-20.

ELECTRICAL SYSTEM USING HIGH FREQUENCY AC AND HAVING INDUCTIVELY CONNECTED LOADS, AND RELATED POWER SUPPLIES AND LUMINAIRES

Номер патента: US20120001563A1. Автор: RIMMER Philip John,Sherrington Carole. Владелец: JUICE TECHNOLOGY LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

RANDOM ACCESS RESPONSE PROCESSING

Номер патента: US20120002606A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

RANDOM ACCESS CHANNEL RESOURCE ALLOCATION

Номер патента: US20120002617A1. Автор: Vujcic Dragan. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Error correction means for random access memories

Номер патента: CA1073114A. Автор: Alan I. Groudan,H. Lee Treffinger,George F. Schroeder. Владелец: Singer Co. Дата публикации: 1980-03-04.

PYRIMIDINE CLASSICAL CANNABINOID COMPOUNDS AND RELATED METHODS OF USE

Номер патента: US20120004250A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of determining periodicity of inspecting random access memory during operation in radiation conditions of cosmic space on sun-synchronous orbit

Номер патента: RU2438163C1. Автор: Евгений Владимирович Фролков,Александр Владимирович Шатунов. Владелец: Войсковая часть 32103. Дата публикации: 2011-12-27.

Nonvolatile static random access memory devices

Номер патента: CA1141029A. Автор: Richard T. Simko. Владелец: Xicor LLC. Дата публикации: 1983-02-08.

Multi-port random access memory

Номер патента: CA2319239C. Автор: Garnet Frederic Randall Gibson,Steven William Wood. Владелец: Nortel Networks Corp. Дата публикации: 2004-03-30.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.