Memory device, memory device read method.

Memory device, memory device read method

Номер патента: US20060034135A1
Опубликовано: 16-02-2006
Автор(ы): Fumi Kambara
Принадлежит: Fujitsu Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Memory device, memory device read method

Номер патента: US7065002B2. Автор: Fumi Kambara. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-06-20.

Control method of semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: US20040027903A1. Автор: Kenta Kato. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-02-12.

METHODS OF OPERATING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20190172512A1. Автор: OH KI-SEOK,JEON Seong-hwan. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-06.

Semiconductor memory device and data read method of the same

Номер патента: US20050122830A1. Автор: Myeong-o Kim,Sung-Min Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-06-09.

Semiconductor memory device and data read method of the same

Номер патента: TWI282988B. Автор: Myeong-o Kim,Sung-Min Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-06-21.

Read enable signal adjusting flash memory device and read control method of flash memory device

Номер патента: EP2232500A1. Автор: Hyunmo Chung,Hanmook Park. Владелец: Indilinx Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-29.

Read enable signal adjusting flash memory device and read control method of flash memory device

Номер патента: WO2009084796A1. Автор: Hyunmo Chung,Hanmook Park. Владелец: Indilinx Co., Ltd.. Дата публикации: 2009-07-09.

Non-volatile semiconductor memory device with time-division sense function and read method thereof

Номер патента: KR100399353B1. Автор: 조태희,임영호. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2003-09-26.

Semiconductor memory device and data read method thereof

Номер патента: US6295244B1. Автор: Young Tae Kim,Deok Joon Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-09-25.

Semiconductor memory device and data reading method thereof

Номер патента: JP3248500B2. Автор: 達也石崎,宗一郎吉田,三佐男鈴木. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-01-21.

Memory Device with Progressive Row Reading and Related Reading Method

Номер патента: US20180047455A1. Автор: Giovanni Campardo,Salvatore Polizzi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-02-15.

Memory device with progressive row reading and related reading method

Номер патента: US10002672B2. Автор: Giovanni Campardo,Salvatore Polizzi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-06-19.

Methods of operating semiconductor memory devices and semiconductor memory devices

Номер патента: US20190172512A1. Автор: Ki-Seok OH,Seong-Hwan Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-06.

Semiconductor memory device and data read method

Номер патента: US20180261300A1. Автор: Naoki Shimizu. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-13.

Memory device tester and method for testing reduced power states

Номер патента: US20020190708A1. Автор: Matthew Harrington,Van Huynh,Adin Hyslop. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-12-19.

Memory device tester and method for testing reduced power states

Номер патента: US20020149982A1. Автор: Matthew Harrington,Van Huynh,Adin Hyslop. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-10-17.

Memory device tester and method for testing reduced power states

Номер патента: US20020149981A1. Автор: Matthew Harrington,Van Huynh,Adin Hyslop. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-10-17.

Electronic device, memory device, and write leveling method thereof

Номер патента: US20240265955A1. Автор: Shun-Ke WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor memory device, method of controlling read preamble signal thereof, and data transmission system

Номер патента: US20180174637A1. Автор: Atsuo Koshizuka. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2018-06-21.

Semiconductor memory device, method of controlling read preamble signal thereof, and data transmission system

Номер патента: US20130010554A1. Автор: Atsuo Koshizuka. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-01-10.

Semiconductor memory device, method of controlling read preamble signal thereof, and data transmission system

Номер патента: US20150036443A1. Автор: Atsuo Koshizuka. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2015-02-05.

Semiconductor memory device, method of controlling read preamble signal thereof, and data transmission system

Номер патента: US20170004870A1. Автор: Atsuo Koshizuka. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2017-01-05.

Semiconductor memory device, method of controlling read preamble signal thereof, and data transmission system

Номер патента: US20150279447A1. Автор: Atsuo Koshizuka. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2015-10-01.

Semiconductor memory device, method of controlling read preamble signal thereof, and data transmission system

Номер патента: US20160240241A1. Автор: Atsuo Koshizuka. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2016-08-18.

Semiconductor memory device, method of controlling read preamble signal thereof, and data transmission system

Номер патента: US20170125083A1. Автор: Atsuo Koshizuka. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2017-05-04.

Semiconductor memory device, method of controlling read preamble signal thereof, and data transmission system

Номер патента: US9466354B2. Автор: Atsuo Koshizuka. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor memory device, method of controlling read preamble signal thereof, and data transmission system

Номер патента: US20160071571A1. Автор: Atsuo Koshizuka. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2016-03-10.

Semiconductor memory device, method of controlling read preamble signal thereof, and data transmission system

Номер патента: US9208852B2. Автор: Atsuo Koshizuka. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2015-12-08.

Semiconductor memory device, method of controlling read preamble signal thereof, and data transmission system

Номер патента: US9082482B2. Автор: Atsuo Koshizuka. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2015-07-14.

Semiconductor memory device, method of controlling read preamble signal thereof, and data transmission system

Номер патента: US8811052B2. Автор: Atsuo Koshizuka. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2014-08-19.

Semiconductor memory device, method of controlling read preamble signal thereof, and data transmission system

Номер патента: US20120236666A1. Автор: Atsuo Koshizuka. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2012-09-20.

Data alignment circuit of a semiconductor memory device, a semiconductor memory device and a method of aligning data in a semiconductor memory device

Номер патента: US20180174636A1. Автор: Jung-hwan Choi,In-Dal Song,Jin-Seok Heo,Kyung-Soo Ha,Seong-Hwan Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-21.

Semiconductor memory device and Data read method thereof

Номер патента: KR100328673B1. Автор: 김병철,고승범. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2002-03-20.

Methods for tuning command/address bus timing and memory devices and memory systems using the same

Номер патента: US20240249758A1. Автор: Dirgha Khatri,Timothy M. Hollis,Eric J. Stave,Matthew B. Leslie,Baekkyu Choi,Yogesh Sharma,Scott R. Cyr,Elancheren Durai,Quincy R. Holton,Boe L. Holbrook. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor memory device and semiconductor memory device access method

Номер патента: JP3789173B2. Автор: 裕司中岡. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-06-21.

Semiconductor memory device and semiconductor memory device operation method

Номер патента: US20100110814A1. Автор: Hiroshi Furuta,Takayuki Shirai,Kenjiyu Shimogawa,Shunsaku Naga. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-05-06.

Semiconductor memory device and data read method

Номер патента: US20180261300A1. Автор: Naoki Shimizu. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-13.

Memory device and data reading method thereof

Номер патента: CN112634952A. Автор: 陈建隆. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-04-09.

Memory device and data reading method thereof

Номер патента: US10074436B1. Автор: Koying Huang,Teng Su. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-09-11.

Burst read circuit in semiconductor memory device and burst read method thereof

Номер патента: KR100721021B1. Автор: 조지호. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-05-23.

Memory device with progressive row reading and related reading method

Номер патента: EP3252776B1. Автор: Giovanni Campardo,Salvatore Polizzi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2020-03-18.

Memory device and process for improving the state of a termination

Номер патента: US20030076712A1. Автор: Seong-Jin Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-04-24.

Timing signal delay for a memory device

Номер патента: US20220157365A1. Автор: Dong Pan,Zhi Qi Huang,Wei Lu CHU. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-05-19.

Systems and methods for improving fuse systems in memory devices

Номер патента: US20190198127A1. Автор: Yu-feng Chen,Scott E. Smith,John E. Riley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Sense amplifier structure for multilevel non-volatile memory devices and corresponding reading method

Номер патента: EP1324344A1. Автор: Emanuele Confalonieri. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2003-07-02.

Method of correcting error of flash memory device, and, flash memory device and storage system using the same

Номер патента: US8612830B2. Автор: Jun Kitahara,Nagamasa Mizushima. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2013-12-17.

Differential non-volatile memory device and bit reading method for the same

Номер патента: US20040190346A1. Автор: Fabio Pasolini,Michele Tronconi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2004-09-30.

Non-volatile memory device, in particular phase change memory, and reading method

Номер патента: US20190341103A1. Автор: Giovanni Campardo,Paola Zuliani,Roberto Annunziata. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-11-07.

Non-volatile memory device, storage device having the same, and reading method thereof

Номер патента: US20210272627A1. Автор: Kitaek LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-02.

Non-volatile memory device and related read method

Номер патента: US20140321209A1. Автор: Eun-Jin Yun,Sang-Chul Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-10-30.

Non-volatile semiconductor memory device and its reading method

Номер патента: US20100080054A1. Автор: Keiko Abe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-04-01.

Automatic regulation method for the reference sources in a non-volatile memory device and corresponding memory device

Номер патента: US7567470B2. Автор: Antonino Mondello,Michelangelo Pisasale. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-28.

Automatic regulation method for the reference sources in a non-volatile memory device and corresponding memory device

Номер патента: US20080013387A1. Автор: Antonino Mondello,Michelangelo Pisasale. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2008-01-17.

Method of writing data in nonvolatile memory device and nonvolatile memory device performing the same

Номер патента: US12045470B2. Автор: Wonhee CHO,Dongeun Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Bit line sense amplifier of semiconductor memory device and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20240233811A9. Автор: Donggeon Kim,Bok-yeon Won,Jonghyuk Kim,Selyung Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Delay circuit of a semiconductor memory device, a semiconductor memory device and a method of operating the same

Номер патента: US20170372764A1. Автор: Jae-Hun Jung,Hye-Seung YU,SukYong Kang,Sung-Oh Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-28.

Method of forming a memory device structure and memory device structure

Номер патента: US20170117322A1. Автор: Ran Yan,Ralf Richter,Yu-Teh Chiang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-04-27.

Process for producing semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: US20020036316A1. Автор: MASUOKA Fujio,Kenichi Tanaka,Hiroaki Shimizu,Yoshihisa Wada,Takuji Tanigami. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-28.

Memory device and flash memory device with improved support for staircase regions

Номер патента: US12094814B2. Автор: Chin-Cheng Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory device and corresponding reading method

Номер патента: US8717825B2. Автор: Cesare Torti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2014-05-06.

Memory device and corresponding reading method

Номер патента: US20140226424A1. Автор: Cesare Torti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2014-08-14.

Memory device and corresponding reading method

Номер патента: US20120155185A1. Автор: Cesare Torti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2012-06-21.

Non-volatile semiconductor memory device and its reading method

Номер патента: US7948813B2. Автор: Keiko Abe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-05-24.

Memory devices, memory device constructions, constructions, memory device forming methods, current conducting devices, and memory cell programming methods

Номер патента: WO2009142884A3. Автор: Chandra Mouli. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2010-02-18.

Method for performing writing management in a memory device, and associated memory device and controller thereof

Номер патента: US20190235789A1. Автор: Ming-Yen Lin,Chin-Pang Chang,Wei-Lun Yan. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

Methods of erasing data in nonvolatile memory devices and nonvolatile memory devices performing the same

Номер патента: US20200411106A1. Автор: Sang-Wan Nam,Dong-Hun Kwak,Chi-Weon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-31.

Method for performing writing management in a memory device, and associated memory device and controller thereof

Номер патента: US20190377517A1. Автор: Ming-Yen Lin,Chin-Pang Chang,Wei-Lun Yan. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

Method of writing data in nonvolatile memory device and nonvolatile memory device performing the same

Номер патента: US20230350578A1. Автор: Wonhee CHO,Dongeun Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-02.

Non-volatile multi-level memory device and data read method

Номер патента: US20130064013A1. Автор: Ki Hwan CHOI,Ji-Sang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-03-14.

Method for programming memory device and associated memory device

Номер патента: US20160307627A1. Автор: Chao-I Wu,Hsiang-Pang Li,Yu-Ming Chang,Win-San Khwa,Tzu-Hsiang Su. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-20.

Read circuit for semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: US20100118624A1. Автор: Tetsuya Kaneko. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-05-13.

Methods for supplying power supply voltages in semiconductor memory devices and semiconductor memory devices using the same

Номер патента: US7936615B2. Автор: Jung Sunwoo,Yun-sang Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-05-03.

Selective non-volatile memory device and associated reading method

Номер патента: US11923006B2. Автор: Gabriele Navarro,Anthonin Verdy. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-03-05.

Method of programming memory device and related memory device

Номер патента: US20230307040A1. Автор: Jianquan Jia,Kaikai You,Ying Cui. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Non-volatile semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: US7672173B2. Автор: Tsukasa Ooishi,Shinya Miyazaki,Tomohiro Uchiyama. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-02.

Method of counting number of cells in nonvolatile memory device and nonvolatile memory device performing the same

Номер патента: US20220093160A1. Автор: Minseok Kim,Hyunggon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-24.

Method of programming data in nonvolatile memory device and nonvolatile memory device performing the same

Номер патента: US20240212761A1. Автор: Hyun SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Single-loop memory device, double-loop memory device, and zq calibration method

Номер патента: EP4328918A1. Автор: Kai Tian. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-28.

Single-loop memory device, double-loop memory device, and zq calibration method

Номер патента: US20240096409A1. Автор: Kai Tian. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Method of reading data in ferroelectric memory device and ferroelectric memory device

Номер патента: US20040240250A1. Автор: Takeshi Kijima,Eiji Natori,Junichi Karasawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-12-02.

One-time programmable memory device and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US20230377672A1. Автор: Yeongmuk CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-23.

Methods of testing nonvolatile memory devices and nonvolatile memory devices

Номер патента: US20240127883A1. Автор: Jongchul Park,Myeongwoo Lee,Yeonwook JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

Method of programming memory device and related memory device

Номер патента: US20210110869A1. Автор: Jianquan Jia,Kaikai You,Ying Cui. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-15.

Method of programming memory device and related memory device

Номер патента: EP3891745A1. Автор: Jianquan Jia,Kaikai You,Ying Cui. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-13.

Memory device and flash memory device

Номер патента: US20220406709A1. Автор: Chin-Cheng Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-22.

Sub word-line driver circuit of semiconductor memory device and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US11818881B2. Автор: Sangwook Park,Donggeon Kim,Kyoungmin Kim,Myeongsik Ryu,Inseok Baek,Bokyeon Won. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-14.

Semiconductor memory device and data read method thereof

Номер патента: US20110080795A1. Автор: Suk-Soo Pyo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-04-07.

Method of programming memory device and related memory device

Номер патента: EP3899949A1. Автор: SHAN Li,LEI Jin,Hongtao Liu,Yali SONG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-27.

Manufacturing method of semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: US20210265378A1. Автор: Naoki Yamamoto,Kojiro Shimizu,Shunpei TAKESHITA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-08-26.

Bit line sense amplifier of semiconductor memory device and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20240135987A1. Автор: Donggeon Kim,Bok-yeon Won,Jonghyuk Kim,Selyung Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Memory device and wrap around read method thereof

Номер патента: US20240265954A1. Автор: Chung-Zen Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20020018359A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Hiroyuki Mizuno,Kenichi Osada,Suguru Tachibana. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-14.

System and method to dynamically determine a timing parameter of a memory device

Номер патента: WO2014150815A2. Автор: Jungwon Suh,Xiangyu Dong. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-09-25.

Memory device with extended write data window

Номер патента: WO2024050265A1. Автор: Christopher Haywood,Michael Raymond Miller. Владелец: RAMBUS INC.. Дата публикации: 2024-03-07.

System and method to dynamically determine a timing parameter of a memory device

Номер патента: EP2973576A2. Автор: Jungwon Suh,Xiangyu Dong. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-01-20.

Memory system including memory device and memory controller, and operating method thereof

Номер патента: US12079491B2. Автор: Taehun Kim,Wooil Kim,Taewoo HAN. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Dongguk University. Дата публикации: 2024-09-03.

Dynamic semiconductor memory device and method for initializing a dynamic semiconductor memory device

Номер патента: US6175531B1. Автор: HELMUT Fischer,Martin Buck,Bret Johnson,Sebastian Kühne,Heinrich Hemmert. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2001-01-16.

Improving reliability, availability, and serviceability in a memory device

Номер патента: EP2035938A2. Автор: Kuljit S. Bains. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-03-18.

Memory system including memory device and memory controller, and operating method thereof

Номер патента: US20230266893A1. Автор: Taehun Kim,Wooil Kim,Taewoo HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-24.

Divided quad clock-based inter-die clocking in a three-dimensional stacked memory device

Номер патента: US20240223196A1. Автор: Vijayakrishna J. Vankayala. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Non-volatile memory devices and systems with volatile memory features and methods for operating the same

Номер патента: EP3785267A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-03.

METHOD FOR DETECTING ATTACK BY FAULT INJECTION OF A MEMORY DEVICE, AND CORRESPONDING MEMORY DEVICE

Номер патента: FR2946787A1. Автор: Julien Mercier,Mathieu Lisart. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2010-12-17.

Method of detecting an attack by fault injection on a memory device, and corresponding memory device

Номер патента: US20100318885A1. Автор: Julien Mercier,Mathieu Lisart. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2010-12-16.

Method for detecting a fault-injection attack of a memory device and corresponding memory device

Номер патента: CN101923903B. Автор: 马蒂厄·利萨特,朱利安·梅尔切尔. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2015-02-04.

Tamper detection and response in a memory device

Номер патента: US20150356322A1. Автор: THOMAS Andre,Syed M. Alam,Chitra K. Subramanian,Halbert S. Lin. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2015-12-10.

Configurable data protection circuitry for memory devices

Номер патента: US12046322B2. Автор: Marco Sforzin,Paolo Amato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Apparatus for controlling access to a memory device and memory system comprising the same

Номер патента: US11935623B2. Автор: Christopher Cox,Yibo Jiang,Leechung Yiu,Robert Xi Jin,Leonard DATUS,Lizhi Jin. Владелец: Montage Technology Kunshan Co. Дата публикации: 2024-03-19.

Memory device heating in cold environments

Номер патента: US20240170029A1. Автор: Poorna Kale,Christopher Joseph Bueb,Aravind Ramamoorthy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20210005241A1. Автор: Wen-Jer Tsai,Chun-Chang LU. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-07.

Memory module including memory devices, each to which unique id is assigned, and storage device including the same

Номер патента: EP4425495A1. Автор: Taeyoung Oh,Ki-Heung Kim,Jinseong Yun,Hyongryol Hwang,Taekwoon Kim,Yoonjae Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-04.

Memory module including memory devices, each to which unique id is assigned, and storage device including the same

Номер патента: US20240289058A1. Автор: Taeyoung Oh,Ki-Heung Kim,Jinseong Yun,Hyongryol Hwang,Taekwoon Kim,Yoonjae Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Nonvolatile memory device and read method of nonvolatile memory device

Номер патента: US20220051714A1. Автор: Minseok Kim,Jisu Kim,Doohyun Kim,Jinbae BANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-17.

Method for and Flash Memory Device Having Improved Read Performance

Номер патента: US20130051154A1. Автор: Oron Michael. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2013-02-28.

Indicating a status of a memory built-in self-test for multiple memory device ranks

Номер патента: US12051477B2. Автор: Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Nor-type memory device, method of manufacturing nor-type memory device, and electronic apparatus including memory device

Номер патента: US20230301100A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institure Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US20070211533A1. Автор: Sang-jin Park,Sang-Min Shin,Young-soo Park,Young-Kwan Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-09-13.

Methods for providing device status in response to read commands directed to write-only mode register bits and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20220084565A1. Автор: Matthew A. Prather,Randall J. Rooney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

Memory devices configured to provide external regulated voltages

Номер патента: US20240203479A1. Автор: Thomas H. Kinsley,Matthew A. Prather. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor memory device capable of recovering defective bit and a system having the same semiconductor memory device

Номер патента: US20010022750A1. Автор: Yukihiro Urakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-09-20.

Built-in-self-test and self-repair methods and devices for computer memories comprising a reconfiguration memory device

Номер патента: US20020019957A1. Автор: Yervant Zorian,Hai Quang Pham,Ilyoung Kim,Goh Komoriya,Frank P. Higgins. Владелец: Agere Systems Guardian Corp. Дата публикации: 2002-02-14.

Memory device including one-time programmable block and operation method thereof

Номер патента: US20230153000A1. Автор: Sangyong Yoon,Sang-Wan Nam,Jae-Hoon Choi,Kookhyun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-18.

Methods for independent memory bank maintenance and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20240257858A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-08-01.

Van der Waals heterostructure memory device and switching method

Номер патента: US11705200B2. Автор: Tao Liu,Wei Chen,DU Xiang. Владелец: Singapore Suzhou Research, National University of. Дата публикации: 2023-07-18.

Van der waals heterostructure memory device and switching method

Номер патента: US20210391009A1. Автор: Tao Liu,Wei Chen,DU Xiang. Владелец: Singapore Suzhou Research Institute, National University of. Дата публикации: 2021-12-16.

Stacked memory device with interface die

Номер патента: EP4423813A1. Автор: Torsten Partsch. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-09-04.

Method for performing page availability management of memory device, associated memory device and electronic device, and page availability management system

Номер патента: US10811120B2. Автор: Po-Wei Wu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2020-10-20.

Method for performing page availability management of memory device, associated memory device and electronic device, and page availability management system

Номер патента: US20190347028A1. Автор: Po-Wei Wu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Non-volatile memory devices and systems with read-only memory features and methods for operating the same

Номер патента: US11769561B2. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Electronic memory device and a method of manipulating the electronic memory device

Номер патента: US20210134366A1. Автор: Muhammad Irfan,Zahid Ullah,Ray C. C. Cheung. Владелец: City University of Hong Kong CityU. Дата публикации: 2021-05-06.

RAM memory device selectively protectable with ECC

Номер патента: US8566670B2. Автор: Andre Roger,Charles Aubenas,Sergio Bacchin. Владелец: STMicroelectronics Grenoble 2 SAS. Дата публикации: 2013-10-22.

High performance semiconductor memory devices

Номер патента: US20030202405A1. Автор: Jeng-Jye Shau. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-30.

Flash memory device and method for driving the same

Номер патента: US20080247247A1. Автор: Sang-Gu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-10-09.

Method of identifying information related to an eye open monitor (EOM) operation performed in a memory device, and memory system performing the method

Номер патента: US12067292B2. Автор: Won Ho Kang,Chang Min Jeon,Young San KANG,Sung Tack HONG,Kwang Won Park,YeJin Cho,Hyunsoo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240290407A1. Автор: Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory device and semiconductor package including the same

Номер патента: US20180129560A1. Автор: Sang-Jin Byeon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-10.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20230317816A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor memory device and erasing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20210327805A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Non-volatile multiple time programmable memory device

Номер патента: WO2016007254A3. Автор: Yu Lu,XIAO Lu,Xia Li,Matthew Michael Nowak,Jeffrey Junhao XU,Seung Hyuk KANG,Zhongze Wang,Xiaonan Chen. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-03-24.

Process monitoring for ferroelectric memory devices with in-line retention test

Номер патента: US20060146588A1. Автор: Richard Bailey,John Rodriguez. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2006-07-06.

Semiconductor memory device for performing program operation

Номер патента: US20240290393A1. Автор: Kang Woo Park,Yeong Jo MUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240221833A1. Автор: SUNG Wook Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Memory device deserializer circuit with a reduced form factor

Номер патента: US12073918B2. Автор: Guan Wang,Luigi Pilolli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20080056036A1. Автор: Jong-Won Lee,Sung-Kwon Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-03-06.

Method for manufacturing nonvolatile memory device

Номер патента: US20130237008A1. Автор: Kazuhiko Yamamoto,Yoshio Ozawa,Shinichi Nakao,Ichiro Mizushima,Hiroyuki Fukumizu,Yasuhiro Nojiri,Kei Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-12.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240221832A1. Автор: Joonsuk Lee,Seyun KIM,Sunho Kim,Minhyun LEE,Gukhyon Yon,Seungyeul YANG,Seokhoon CHOI,Kyunghun KIM,Hyungyung KIM,Hoseok HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Non-volatile memory device, in particular phase change memory, and reading method

Номер патента: EP3564957B1. Автор: Giovanni Campardo,Paola Zuliani,Roberto Annunziata. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-02-24.

Data flip-flop circuit of nonvolatile memory device and nonvolatile memory device including the same

Номер патента: US20240204760A1. Автор: Joonyoung Kim,ChiWeon Yoon,Jungjune PARK,Sanglok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Method of programming memory device and related memory device

Номер патента: EP3891745B1. Автор: Jianquan Jia,Kaikai You,Ying Cui. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-06.

Method for operating semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: TW454337B. Автор: Takaaki Suzuki,Toshiya Uchida,Kotoku Sato,Yoshimasa Yagishita. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-09-11.

Methods for operating semiconductor memory devices and semiconductor memory devices

Номер патента: EP1050882B1. Автор: Kotoku c/o Fujitsu Limited Sato,Toshiya C/O Fujitsu Limited Uchida,Takaaki c/o Fujitsu Limited Suzuki,Yoshimasa c/o Fujitsu Limited Yagishita. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-07-30.

Memory device, non-volatile memory device and micro-processing system

Номер патента: TW200729212A. Автор: Yue-Der Chih,Chin-Huang Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2007-08-01.

Semiconductor memory device and data read method thereof

Номер патента: TW583686B. Автор: Byung-Chul Kim,Won-Il Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-04-11.

Nonvolatile memory device including combined sensing node and cache read method thereof

Номер патента: EP4213028B1. Автор: Yongsung CHO,Min Hwi KIM,Hosang CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-07.

Increasing the memory performance of flash memory devices by writing sectors simultaneously to multiple flash memory devices

Номер патента: US6081878A. Автор: Petro Estakhri,Berhanu Iman. Владелец: Lexar Media Inc. Дата публикации: 2000-06-27.

Indicating a status of a memory built-in self-test for multiple memory device ranks

Номер патента: US20240047004A1. Автор: Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Row clear features for memory devices and associated methods and systems

Номер патента: US11881251B2. Автор: Gary L. Howe,Brian W. Huber,Scott E. Smith,Miles S. Wiscombe,Tony M. Brewer. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-01-23.

Method of operating memory device and method of operating memory system

Номер патента: US20180151218A1. Автор: Min-Su Kim,Sung-Joon Kim,So-Ra Park,Chang-Ho Yun,Hyun-Jung Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-31.

Row clear features for memory devices and associated methods and systems

Номер патента: US20240161809A1. Автор: Gary L. Howe,Brian W. Huber,Scott E. Smith,Miles S. Wiscombe,Tony M. Brewer. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-05-16.

Memory devices configured to provide external regulated voltages

Номер патента: US20190267070A1. Автор: Thomas H. Kinsley,Matthew A. Prather. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-29.

Methods for providing device status in response to read commands directed to write-only mode register bits and memory devices and systems employing the same

Номер патента: WO2021034431A8. Автор: Matthew A. Prather,Randall J. Rooney. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-02-17.

Methods for providing device status in response to read commands directed to write-only mode register bits and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20210057003A1. Автор: Matthew A. Prather,Randall J. Rooney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

Methods for providing device status in response to read commands directed to write-only mode register bits and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US11854655B2. Автор: Matthew A. Prather,Randall J. Rooney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Serial memory device i/o mode selection

Номер патента: EP4004919A1. Автор: Tarun Kumar,Sunil PILLAI,Gopal Karmakar. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-06-01.

Serial memory device i/o mode selection

Номер патента: WO2021021645A1. Автор: Tarun Kumar,Sunil PILLAI,Gopal Karmakar. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2021-02-04.

Method for performing memory access management with aid of machine learning in memory device, associated memory device and controller thereof, and associated electronic device

Номер патента: US20190347573A1. Автор: Po-Yi Shih. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Memory devices configured to provide external regulated voltages

Номер патента: US20190279705A1. Автор: Thomas H. Kinsley,Matthew A. Prather. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-12.

Memory devices configured to provide external regulated voltages

Номер патента: WO2019164547A8. Автор: Thomas H. Kinsley,Matthew A. Prather. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-07-23.

Memory devices configured to provide external regulated voltages

Номер патента: EP3759712A1. Автор: Thomas H. Kinsley,Matthew A. Prather. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-06.

Memory devices configured to provide external regulated voltages

Номер патента: US20200234753A1. Автор: Thomas H. Kinsley,Matthew A. Prather. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-23.

Memory devices configured to provide external regulated voltages

Номер патента: US20190267071A1. Автор: Thomas H. Kinsley,Matthew A. Prather. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-29.

Memory devices configured to provide external regulated voltages

Номер патента: US11922990B2. Автор: Thomas H. Kinsley,Matthew A. Prather. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Operation method of nonvolatile memory system and operation method of nonvolatile memory device

Номер патента: US20180005700A1. Автор: Ju Seok Lee,Daeseok Byeon,Donghun Kwak,Hee-Woong Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-04.

Methods for providing device status in response to read commands directed to write-only mode register bits and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20240203464A1. Автор: Matthew A. Prather,Randall J. Rooney. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-06-20.

Methods for independent memory bank maintenance and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US11900983B2. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Reading and writing method of memory device and memory device

Номер патента: US11862229B2. Автор: Shu-Liang NING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Error correcting code poisoning for memory devices and associated methods and systems

Номер патента: US20230119341A1. Автор: Joshua E. Alzheimer,Randall J. Rooney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-04-20.

Nonvolatile memory device having ferroelectric memory element and resistive memory element and method of writing signal in nonvolatile memory device having the same

Номер патента: US10283184B2. Автор: Joong Sik Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-05-07.

Method and system for controlling a memory device

Номер патента: GB2616467A. Автор: Gao Zhi,Varma Uppalapati Venkata Suneel. Владелец: Imagination Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-09-13.

Nonvolatile memory device and method of writing signal in nonvolatile memory device

Номер патента: US20180114560A1. Автор: Joong Sik Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-26.

Error correcting code poisoning for memory devices and associated methods and systems

Номер патента: US12003252B2. Автор: Joshua E. Alzheimer,Randall J. Rooney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

A runtime programmable bist for testing a multi-port memory device

Номер патента: WO2010129127A2. Автор: Michael Nicolaidis,Slimane Boutobza. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2010-11-11.

A runtime programmable bist for testing a multi-port memory device

Номер патента: WO2010129127A3. Автор: Michael Nicolaidis,Slimane Boutobza. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2011-01-20.

A power up detection system for a memory device

Номер патента: CA2815989C. Автор: Steven Smith. Владелец: Sidense Corp. Дата публикации: 2014-06-10.

Resistance memory element, phase change memory element, resistance random access memory device, information reading method thereof, phase change random access memory device, and information reading method thereof

Номер патента: US20100008132A1. Автор: Cheol-Seong Hwang,Tae-Joo Park. Владелец: SNU R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2010-01-14.

Resistive memory device and method of operating the resistive memory device

Номер патента: US20240005989A1. Автор: In Ku Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Resistive memory device and method of operating the resistive memory device

Номер патента: US11804265B2. Автор: In Ku Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Non-volatile memory devices and systems with read-only memory features and methods for operating the same

Номер патента: US20190325974A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Non-volatile memory devices and systems with read-only memory features and methods for operating the same

Номер патента: US20190371420A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-05.

Magnetic Memory Device

Номер патента: US20230410931A1. Автор: Chih-Yang Chang,Chia Yu Wang,Chia-Hsiang Chen,Meng-Chun Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Magnetic memory device

Номер патента: US11837312B1. Автор: Chih-Yang Chang,Chia Yu Wang,Chia-Hsiang Chen,Meng-Chun Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Sonos memory device and method of operating a sonos memory device

Номер патента: EP2024978A2. Автор: Robertus T. F. Van Schaijk,Michiel J. Van Duuren,Nader Akil. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-02-18.

Memory system having semiconductor memory device that performs verify operations using various verify voltages

Номер патента: US11804267B2. Автор: Masanobu Shirakawa,Kenta Yasufuku,Akira Yamaga. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-31.

Methods for tuning command/address bus timing and memory devices and memory systems using the same

Номер патента: US11948661B2. Автор: Dirgha Khatri,Timothy M. Hollis,Eric J. Stave,Matthew B. Leslie,Baekkyu Choi,Yogesh Sharma,Scott R. Cyr,Elancheren Durai,Quincy R. Holton,Boe L Holbrook. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Over-sampling read operation for a flash memory device

Номер патента: US20130286741A1. Автор: Dong-ku Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-10-31.

Over-sampling read operation for a flash memory device

Номер патента: US20120147671A1. Автор: Dong-ku Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-06-14.

Memory devices and systems configured to communicate a delay signal and methods for operating the same

Номер патента: US11996135B2. Автор: Sujeet Ayyapureddi,Randall J. Rooney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20210304828A1. Автор: Jae Woong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US20090180347A1. Автор: Masao Kuriyama. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-07-16.

Magnetic memory device

Номер патента: US20230410932A1. Автор: Chih-Yang Chang,Chia Yu Wang,Chia-Hsiang Chen,Meng-Chun Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Memory system having semiconductor memory device that performs verify operations using various verify voltages

Номер патента: US20210193228A1. Автор: Masanobu Shirakawa,Kenta Yasufuku,Akira Yamaga. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-06-24.

Memory system having semiconductor memory device that performs verify operations using various verify voltages

Номер патента: US20200185036A1. Автор: Masanobu Shirakawa,Kenta Yasufuku,Akira Yamaga. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-06-11.

Memory system having semiconductor memory device that performs verify operations using various verify voltages

Номер патента: US20220328103A1. Автор: Masanobu Shirakawa,Kenta Yasufuku,Akira Yamaga. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-10-13.

Memory system having semiconductor memory device that performs verify operations using various verify voltages

Номер патента: US20230420052A1. Автор: Masanobu Shirakawa,Kenta Yasufuku,Akira Yamaga. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Sonos memory device and method of operating a sonos memory device

Номер патента: WO2007135632A3. Автор: Schaijk Robertus T F Van,Nader Akil,Duuren Michiel J Van. Владелец: Duuren Michiel J Van. Дата публикации: 2008-03-13.

Apparatus for evicting cold data from volatile memory device

Номер патента: US20230386552A1. Автор: Hyeong Tak JI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor memory device, controller and memory system having the same

Номер патента: US20210294503A1. Автор: Hyo Jae Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-23.

Memory device test mode access

Номер патента: US11854637B2. Автор: David G. Springberg,Michael R. Spica. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US11557355B2. Автор: Han Soo Joo,Sung Hoon Cho,Jae Sung Sim,Se Kyoung Choi,Hee Chang CHAE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-01-17.

Method of programming a memory device with different levels of current

Номер патента: WO2006133419A1. Автор: Swaroop Kaza,David Gaun,Stuart Spitzer,Juri Kriger. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2006-12-14.

Nonvolatile memory device including two-dimensional material and apparatus including the nonvolatile memory device

Номер патента: US20180358470A1. Автор: Jaeho Lee,Hyeonjin Shin,Haeryong Kim,Sanghyun JO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-12-13.

Method of reducing reliability degradation of nonvolatile memory device, nonvolatile memory device using the same and method of testing nonvolatile memory device using the same

Номер патента: US11915770B2. Автор: Minseok Kim,Junyong PARK,Ilhan Park,Doohyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-27.

Memory device test mode access

Номер патента: US20230178163A1. Автор: David G. Springberg,Michael R. Spica. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-08.

Memory device test mode access

Номер патента: US20220044750A1. Автор: David G. Springberg,Michael R. Spica. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-10.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20210319830A1. Автор: Hyun Kyu Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-10-14.

Voltage generator circuitry of memory device and methods of operating the same

Номер патента: US20210225422A1. Автор: Sanghoon Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-22.

Method of operating nonvolatile memory device, nonvolatile memory device performing the same and method of operating memory system using the same

Номер патента: US20210090657A1. Автор: Seongho Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor memory device and refresh method thereof

Номер патента: US20130176803A1. Автор: Jong-ho Lee,Kyu-Chang KANG,Jae-Youn Youn,Sang-Jae Rhee,Hyo-chang KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-07-11.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20240021248A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Flash memory device

Номер патента: US20220051743A1. Автор: TING Li,Yu Wang,Xu HOU,Huangpeng ZHANG,Shiyang Yang,Huamin CAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20210241838A1. Автор: Han Soo Joo,Sung Hoon Cho,Jae Sung Sim,Se Kyoung Choi,Hee Chang CHAE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-05.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20220180951A1. Автор: Han Soo Joo,Sung Hoon Cho,Jae Sung Sim,Se Kyoung Choi,Hee Chang CHAE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-06-09.

Semiconductor memory device and operating method for the same

Номер патента: US20140189283A1. Автор: Sang-Oh LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-07-03.

Error detection method for memory device

Номер патента: US11797193B2. Автор: Shih-Chung Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Semiconductor memory device

Номер патента: US5258953A. Автор: Akira Tsujimoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1993-11-02.

Nonvolatile memory device and method of operating and fabricating the same

Номер патента: US8004906B2. Автор: Sung-Il Park,Young-Gu Jin,Jong-Seob Kim,Jai-Kwang Shin,Jae-woong Hyun,Ki-ha Hong,Sung-Hoon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-23.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20230380160A1. Автор: Kun Young Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US20230126012A1. Автор: Yoon-hee Choi,Sang-Wan Nam,Woo Chul Jung,Bong-Kil Jung,Jong Min Baek,Min Ki JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-27.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20210111190A1. Автор: Sun Young Kim,Kun Young Lee,Jae Gil Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-15.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20220115404A1. Автор: Sun Young Kim,Kun Young Lee,Jae Gil Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-04-14.

Magnetic random access memory device and method of forming the same

Номер патента: US7645619B2. Автор: Jun-Soo Bae,Jang-eun Lee,Hyun-Jo Kim,Young-ki Ha,Se-Chung Oh,Kyung-Tae Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-01-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US10163487B2. Автор: Jong Hoon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-12-25.

Process monitoring for ferroelectric memory devices with in-line retention test

Номер патента: US7149137B2. Автор: John Anthony Rodriguez,Richard Allen Bailey. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2006-12-12.

Interposers for memory device testing and characterization, including interposers for testing and characterizing decision feedback equalization circuitry of ddr5 memory devices

Номер патента: US20230386596A1. Автор: Eric J. Stave,Luis Nathan Perez Acosta,Bryce A. Gardiner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Resistive memory device and manufacturing method of the resistive memory device

Номер патента: US20230240157A1. Автор: In Ku Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor memory device and erasing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US11804429B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Magnetic memory device with balancing synthetic anti-ferromagnetic layer

Номер патента: US20200005845A1. Автор: Gaurav Gupta,Zhiqiang Wu,William J. Gallagher. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Periodic calibrations during memory device self refresh

Номер патента: US20190043557A1. Автор: Bill Nale,Christopher E. Cox. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

Periodic calibrations during memory device self refresh

Номер патента: US20210005245A1. Автор: Bill Nale,Christopher E. Cox. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-01-07.

Periodic calibrations during memory device self refresh

Номер патента: US11790976B2. Автор: Bill Nale,Christopher E. Cox. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-17.

Periodic calibrations during memory device self refresh

Номер патента: US11276453B2. Автор: Bill Nale,Christopher E. Cox. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-15.

Magnetic memory device and method of writing magnetic memory device

Номер патента: US20180151212A1. Автор: Seung-jae Lee,Kyung-Jin Lee,Woo Chang Lim,Gyungchoon GO. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-31.

Semiconductive memory device

Номер патента: US20220328094A1. Автор: Nezam ROHBANI,Sina DARABI-MOGHADDAM,Hamid SARBAZI-AZAD. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-10-13.

Semiconductor memory device and method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20240196609A1. Автор: In Su Park,Jung Dal Choi,Jung Shik JANG,Seok Min JEON,Mi Seong PARK,Won Geun CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11545190B2. Автор: Jin Kook Kim,Ki Hong Lee,Sung Hoon Lee,Se Young Oh,Dong Hun Lee,Jung Dal Choi,Sung Yong CHUNG,Dong Sun Sheen,Jung Shik JANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-01-03.

Non-volatile multiple time programmable memory device

Номер патента: US20160012896A1. Автор: Yu Lu,XIAO Lu,Xia Li,Matthew Michael Nowak,Jeffrey Junhao XU,Seung Hyuk KANG,Zhongze Wang,Xiaonan Chen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-01-14.

Non-volatile multiple time programmable memory device

Номер патента: EP3167488A2. Автор: Yu Lu,XIAO Lu,Xia Li,Matthew Michael Nowak,Jeffrey Junhao XU,Seung Hyuk KANG,Zhongze Wang,Xiaonan Chen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-05-17.

Non-volatile multiple time programmable memory device

Номер патента: WO2016007254A2. Автор: Yu Lu,XIAO Lu,Xia Li,Matthew Michael Nowak,Jeffrey Junhao XU,Seung Hyuk KANG,Zhongze Wang,Xiaonan Chen. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-01-14.

Semiconductive memory device

Номер патента: WO2022189948A1. Автор: Nezam ROHBANI,Sina DARABI-MOGHADDAM,Hamid SARBAZI-AZAD. Владелец: Sarbazi Azad Hamid. Дата публикации: 2022-09-15.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20230093329A1. Автор: Jin Kook Kim,Ki Hong Lee,Sung Hoon Lee,Se Young Oh,Dong Hun Lee,Jung Dal Choi,Sung Yong CHUNG,Dong Sun Sheen,Jung Shik JANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-03-23.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20210020203A1. Автор: Jin Kook Kim,Ki Hong Lee,Sung Hoon Lee,Se Young Oh,Dong Hun Lee,Jung Dal Choi,Sung Yong CHUNG,Dong Sun Sheen,Jung Shik JANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-21.

Semiconductor memory device and driving method thereof

Номер патента: US20160078910A1. Автор: Mitsuru Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Memory Devices, Memory Device Constructions, Constructions, Memory Device Forming Methods, Current Conducting Devices, and Memory Cell Programming Methods

Номер патента: US20190280046A1. Автор: Mouli Chandra. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-12.

Memory devices, memory device constructions, constructions, memory device forming methods, current conducting devices, and memory cell programming methods

Номер патента: KR101196052B1. Автор: 찬드라 물리. Владелец: 마이크론 테크놀로지, 인크.. Дата публикации: 2012-11-01.

Method for differentiating the programming and erasing voltages in non volatile memory devices and corresponding memory device manufacturing process

Номер патента: EP1047078A1. Автор: Federico Pio,Enrico Gomiero,Paola Zuliani. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2000-10-25.

Method for programming selected memory cells in nonvolatile memory device and nonvolatile memory device thereof

Номер патента: US20150332769A1. Автор: Chung-Shan Kuo. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2015-11-19.

Semiconductor memory device with page buffers

Номер патента: US20210057019A1. Автор: Dong Hyuk Kim,Sung Lae OH,Soo Nam JUNG,Tae Sung Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

Memory core of resistive type memory device, resistive type memory device including the same and method of sensing data in resistive type memory device

Номер патента: KR102237735B1. Автор: 박철우,권기원,윤재윤,김찬경,김수아. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2021-04-08.

Data reading method and program verification method of nonvolatile memory device and nonvolatile memory device

Номер патента: KR100875013B1. Автор: 김덕주,박성훈,양창원. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-12-19.

Method for operating semiconductor memory device

Номер патента: US8351277B2. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-01-08.

Floating gate memory device and its control method, 3D memory device and 2D memory device

Номер патента: CN109461736A. Автор: 韩坤,杨盛玮. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-12.

Reading method of semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: KR101054801B1. Автор: 사쿠 도키토. Владелец: 소니 주식회사. Дата публикации: 2011-08-05.

Methods for Forming NAND Memory Devices, 3D Memory Devices and NAND Memory Devices

Номер патента: JP7022194B2. Автор: チェン・ジュン,フ・ユシ,タオ・チャン,ル・ゼンユ,シ－ニンヤン・サイモン,ウェイイヤン・スティーブ. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-17.

A random access memory device, a semiconductor memory device, and a method of reducing power consumption in a dynamic memory device

Номер патента: DE102004044984B4. Автор: Joo-Sang Lee. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2010-08-19.

Ferroelectric memory device and method of forming the same

Номер патента: US20230328997A1. Автор: Chun-Chieh Lu,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

METHOD OF WRITING DATA IN NONVOLATILE MEMORY DEVICE, METHOD OF ERASING DATA IN NONVOLATILE MEMORY DEVICE, AND NONVOLATILE MEMORY DEVICE PERFORMING THE SAME

Номер патента: US20200020396A1. Автор: LEE Kyung-hwan,Kang Chang-Seok,Kim Yong-Seok,KANAMORI Kohji. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-16.

Clock control circuits for reducing consumption current in data input and output operations of a semiconductor memory device, the semiconductor memory device with the clock control circuits, and data input and output operation methods of the semiconductor memory device

Номер патента: KR100632626B1. Автор: 이인재. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-10-09.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US20150214497A1. Автор: Jea Gun Park,Jong Sun Lee,Sung Ho Seo,Woo Sik Nam. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2015-07-30.

Programmable memory device

Номер патента: US20220044747A1. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240119978A1. Автор: Seok Han PARK,Jin Woo Han,Ki Seok Lee,Hyun Geun Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-11.

Method for auto-refreshing memory cells in semiconductor memory device and semiconductor memory device using the method

Номер патента: US20150078112A1. Автор: Ming-Chien Huang. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2015-03-19.

METHOD FOR PROGRAMMING SELECTED MEMORY CELLS IN NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND NONVOLATILE MEMORY DEVICE THEREOF

Номер патента: US20150332769A1. Автор: KUO Chung-Shan. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc.. Дата публикации: 2015-11-19.

MEMORY CORES OF RESISTIVE TYPE MEMORY DEVICES, RESISTIVE TYPE MEMORY DEVICES AND METHOD OF SENSING DATA IN THE SAME

Номер патента: US20150364178A1. Автор: YOUN Jae-youn,PARK Chul-woo,KIM Su-a,Kim Chan-kyung,KWON KEE-WON. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-17.

Method for programming memory cells of a memory device and related memory device

Номер патента: CN111540398A. Автор: 李昌炫,合田晃,W·C·菲利皮亚克. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-14.

Method for managing bad memory blocks in a nonvolatile memory device, and nonvolatile memory device implementing the management method

Номер патента: EP1607984B1. Автор: Nicola Guida,Massimo Iaculo,Andrea Ruggiero. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2007-08-15.

NONVOLATILE MEMORY DEVICE HAVING 3D MEMORY CELL ARRAY AND READ METHOD

Номер патента: US20130235673A1. Автор: Kwak DongHun. Владелец: . Дата публикации: 2013-09-12.

NON-VOLATILE MEMORY DEVICE, IN PARTICULAR PHASE CHANGE MEMORY, AND READING METHOD

Номер патента: US20190341103A1. Автор: Campardo Giovanni,ZULIANI Paola,Annunziata Roberto. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-07.

INTERNAL VOLTAGE GENERATION CIRCUIT OF SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130188432A1. Автор: SATO Takahiko. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2013-07-25.

METHOD OF PROGRAMMING A NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND NONVOLATILE MEMORY DEVICE PERFORMING THE METHOD

Номер патента: US20130301352A1. Автор: KIM Tae-Young,Jeong Jae-Yong,KIM Min-seok,PARK KI-TAE,SHIM DONG-KYO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-11-14.

METHODS OF OPERATING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20180005686A1. Автор: OH KI-SEOK,JEON Seong-hwan. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-04.

METHOD OF COUNTING NUMBER OF CELLS IN NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND NONVOLATILE MEMORY DEVICE PERFORMING THE SAME

Номер патента: US20220093160A1. Автор: Kim Minseok,KIM Hyunggon. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-24.

METHODS OF READING DATA IN NONVOLATILE MEMORY DEVICES AND NONVOLATILE MEMORY DEVICES

Номер патента: US20180090216A1. Автор: LEE JI-SANG,HAHN WOOK-GHEE. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-29.

Method of programming memory device and related memory device

Номер патента: US20210125672A1. Автор: Ying Huang,Hongtao Liu,Da Li,Kaikai You,Yali SONG,Wenzhe WEI,Dejia Huang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Method of programming and verifying memory device and related memory device

Номер патента: US20210158880A1. Автор: LEI Jin,Hongtao Liu,An ZHANG,Yali SONG,XiangNan Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-27.

MEMORY DEVICE AND A MEMORY DEVICE TEST SYSTEM

Номер патента: US20170140840A1. Автор: SHIN WON-HWA. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-18.

METHOD OF PROGRAMMING MEMORY DEVICE AND RELATED MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210183449A1. Автор: Huang Ying,Liu Hongtao,Li Da,You Kaikai,Song Yali,Wei Wenzhe,Huang Dejia. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-17.

Input buffer for semiconductor memory device and flash memory device including the same

Номер патента: US20150187423A1. Автор: Kyoung-Tae Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-07-02.

Error correction circuit of semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: US20210224156A1. Автор: Kijun Lee,Sanguhn CHA,Sunghye CHO,Chanki Kim,Yeonggeol Song,Myungkyu Lee,Sungrae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-22.

METHODS OF ERASING DATA IN NONVOLATILE MEMORY DEVICES AND NONVOLATILE MEMORY DEVICES PERFORMING THE SAME

Номер патента: US20200185038A1. Автор: Kwak Dong-Hun,NAM Sang-Wan,YOON CHI-WEON. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-11.

HIGH VOLTAGE SWITCH CIRCUITS OF NONVOLATILE MEMORY DEVICES AND NONVOLATILE MEMORY DEVICES

Номер патента: US20180197608A1. Автор: LEE Yo-Han,SONG JUNG-HO,KWON TAE-HONG. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-12.

METHOD OF PROGRAMMING MEMORY DEVICE AND RELATED MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210249072A1. Автор: CUI YING,You Kaikai,Jia Jianquan. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-12.

Method of programming memory device and related memory device

Номер патента: US20210264981A1. Автор: SHAN Li,LEI Jin,Hongtao Liu,Yali SONG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210265378A1. Автор: Yamamoto Naoki,SHIMIZU Kojiro,TAKESHITA Shunpei. Владелец: Kioxia Corporation. Дата публикации: 2021-08-26.

METHOD FOR PERFORMING WRITING MANAGEMENT IN A MEMORY DEVICE, AND ASSOCIATED MEMORY DEVICE AND CONTROLLER THEREOF

Номер патента: US20190235789A1. Автор: Yan Wei-Lun,LIN MING-YEN,Chang Chin-Pang. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-01.

METHODS OF ERASING DATA IN NONVOLATILE MEMORY DEVICES AND NONVOLATILE MEMORY DEVICES PERFORMING THE SAME

Номер патента: US20190279720A1. Автор: Kwak Dong-Hun,NAM Sang-Wan,YOON CHI-WEON. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-12.

METHOD FOR PROGRAMMING MEMORY DEVICE AND ASSOCIATED MEMORY DEVICE

Номер патента: US20160307627A1. Автор: CHANG Yu-Ming,Li Hsiang-Pang,Wu Chao-I,Khwa Win-San,SU Tzu-Hsiang. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-20.

DELAY CIRCUIT OF A SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, A SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND A METHOD OF OPERATING THE SAME

Номер патента: US20170372764A1. Автор: Jung Jae-Hun,KANG SUKYONG,YU Hye-Seung,AHN SUNG-OH. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-28.

METHOD OF ERASING DATA IN NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND NONVOLATILE MEMORY DEVICE PERFORMING THE SAME

Номер патента: US20190371410A1. Автор: Park Hyun-Wook,LIM Bong-soon,SONG Seong-Jin,KIM Do-Bin. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-05.

METHOD FOR PERFORMING WRITING MANAGEMENT IN A MEMORY DEVICE, AND ASSOCIATED MEMORY DEVICE AND CONTROLLER THEREOF

Номер патента: US20190377517A1. Автор: Yan Wei-Lun,LIN MING-YEN,Chang Chin-Pang. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-12.

METHODS OF ERASING DATA IN NONVOLATILE MEMORY DEVICES AND NONVOLATILE MEMORY DEVICES PERFORMING THE SAME

Номер патента: US20200411106A1. Автор: Kwak Dong-Hun,NAM Sang-Wan,YOON CHI-WEON. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-31.

Pipe latch Circuit for output data with high speed in Sychronous Memory device and Synchronous Memory device using the same

Номер патента: KR100484249B1. Автор: 송대식. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-04-22.

Unit cell of nonvolatile memory device and nonvolatile memory device having the same

Номер патента: KR101102776B1. Автор: 전성도,조기석,신창희. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2012-01-05.

Fabrication method of nonvolatile memory device and nonvolatile memory device

Номер патента: KR100906236B1. Автор: 박인선,김도형,임현석,강신재,오규환. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2009-07-07.

Unit cell of nonvolatile memory device and nonvolatile memory device with the same

Номер патента: KR101127446B1. Автор: 전성도,조기석,김윤장,신창희. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2012-03-23.

Method of erasing data in nonvolatile memory device and nonvolatile memory device performing the same

Номер патента: KR102388068B1. Автор: 곽동훈,윤치원,남상완. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-04-19.

The operating method of memory device and the memory device

Номер патента: CN110400588A. Автор: 李熙烈,李相宪,李丙仁. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-11-01.

Data input/output method of semiconductor memory device and semiconductor memory device for the same

Номер патента: KR100557225B1. Автор: 강상석,조수인,변상만. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-03-07.

Error correction circuits of semiconductor memory devices and semiconductor memory devices

Номер патента: KR20210092391A. Автор: 김성래,이명규,김찬기,이기준,송영걸,차상언,조성혜. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2021-07-26.

Refresh control method of semiconductor memory device and semiconductor memory device comprising the same control method

Номер патента: US6795363B2. Автор: Masami Nakashima,Mitsuhiro Higashiho. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-09-21.

Control method of semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: KR100864036B1. Автор: 가토요시하루,가와모토사토루. Владелец: 후지쯔 마이크로일렉트로닉스 가부시키가이샤. Дата публикации: 2008-10-16.

Unit cell of nonvolatile memory device and nonvolatile memory device with the same

Номер патента: JP2014078314A. Автор: Chang-Hee Shin,チャンヒシン,Ki-Seok Cho,ギソクチョ,Seon-Do Jeon,ソンドチョン,Youn-Jang Kim,ユンジャンキム. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-05-01.

Logic gate circuits, sense circuits of semiconductor memory devices, and semiconductor memory devices using them.

Номер патента: KR100387971B1. Автор: 아끼야마노보루,이와무라마사히로,유꾸따께세이고,미쯔모또긴야,아끼오까다까시. Владелец: 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼. Дата публикации: 2003-09-13.

Sense amplifier for semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: JP4442986B2. Автор: ▲ジュン▼ ▲ホン▼ 朴. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-03-31.

Information setting method for nonvolatile memory device and nonvolatile memory device

Номер патента: JP4499111B2. Автор: 健太加藤,光洋長尾,正蔵河端. Владелец: スパンションエルエルシー. Дата публикации: 2010-07-07.

Method of programming memory device and related memory device

Номер патента: WO2021077314A1. Автор: Ming Wang,Ying Huang,Hongtao Liu,Da Li,Kaikai You,Yali SONG,Wenzhe WEI,Dejia Huang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-04-29.

Method of managing fails in a non-volatile memory device and relative memory device

Номер патента: US7571362B2. Автор: Demetrio Pellicone,Gianfranco Ferrante,Procolo Carannante,Adamo Corsi,Marco Roveda,Concetta Di Tuoro. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-08-04.

Memory device and a memory device test system

Номер патента: US9875809B2. Автор: Won-hwa Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor memory device and semiconductor memory device test method

Номер патента: CN100498975C. Автор: 中川宏,大石贯时. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-06-10.

Method of programming memory device and related memory device

Номер патента: TWI714382B. Автор: 魏文喆,劉紅濤,黃瑩,黃德佳,游開開,李達,宋雅麗. Владелец: 大陸商長江存儲科技有限責任公司. Дата публикации: 2020-12-21.

Testing method of semiconductor memory device and semiconductor memory device applicable to the method

Номер патента: US6295617B1. Автор: Satoru Sonobe. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-09-25.

Information processing apparatus including non-volatile memory device, non-volatile memory device and methods thereof

Номер патента: US20060020764A1. Автор: Byeong-Hoon Lee,Sun-Kwon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-01-26.

Method for manufacturing a magnetic memory device and magnetic memory device

Номер патента: US20110121419A1. Автор: Shin Hasegawa,Shuichi Ueno,Hiroshi Oshita,Haruo Furuta,Shinya Hirano,Tatsuya Fukumura,Ryoji Matsuda,Hiroyuki Chibahara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-05-26.

Test method for semiconductor memory device and semiconductor memory device therefor

Номер патента: EP1898427A2. Автор: Hiroyoshi c/o FUJITSU LIMITED Tomita. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2008-03-12.

Method of reading nonvolatile memory device and nonvolatile memory device for implementing the method

Номер патента: US8154919B2. Автор: Sang Kyu Lee,Seung Jae Chung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-04-10.

A method of operating MLC memory device and MLC memory device

Номер патента: KR102123946B1. Автор: 김경륜,윤상용. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2020-06-17.

Unit cell of nonvolatile memory device and nonvolatile memory device with the same

Номер патента: CN101908380B. Автор: 全成都,辛昌熙,曹基锡,金允章. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-10-29.

Method for testing semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: CN1176467A. Автор: 岩切逸郎. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1998-03-18.

Unit cell of nonvolatile memory device and nonvolatile memory device having the same

Номер патента: CN101556828A. Автор: 全成都,辛昌熙,曹基锡. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-10-14.

Logic gate circuit, sense circuit of semiconductor memory device and semiconductor memory device using them

Номер патента: KR950035092A. Автор: 마사히로 이와무라,긴야 미쯔모또,세이고 유꾸따께,다까시 아끼오까,노보루 아끼야마. Владелец: 가부시끼가이샤 히다찌세이사꾸쇼. Дата публикации: 1995-12-30.

Method for reading data in memory device and nonvolatile memory device

Номер патента: CN107871522B. Автор: 李知尚,韩煜基. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-20.

Method for recording the number of times of program operation of nonvolatile memory device and nonvolatile memory device

Номер патента: KR101046743B1. Автор: 최정민,김남경. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-07-05.

Method of programming and verifying memory device and related memory device

Номер патента: US10943665B1. Автор: LEI Jin,Hongtao Liu,An ZHANG,Yali SONG,XiangNan Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-09.

Unit cell of nonvolatile memory device and nonvolatile memory device with the same

Номер патента: US20100309709A1. Автор: Chang-Hee Shin,Ki-Seok Cho,Youn-Jang Kim,Seong-Do Jeon. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-12-09.

Method of reading nonvolatile memory device and nonvolatile memory device for implementing the method

Номер патента: US20100202196A1. Автор: Sang Kyu Lee,Seung Jae Chung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-08-12.

The control method of Nonvolatile memory devices and Nonvolatile memory devices

Номер патента: CN107148651A. Автор: 北川真,森阳太郎. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2017-09-08.

Unit cell of nonvolatile memory device and nonvolatile memory device with the same

Номер патента: CN104078080A. Автор: 全成都,辛昌熙,曹基锡,金允章. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-10-01.

Method of operating nonvolatile memory device and nonvolatile memory device using the same

Номер патента: KR102126716B1. Автор: 강경태. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2020-06-25.

Method of programming a memory device and related memory device

Номер патента: EP3899949B1. Автор: SHAN Li,LEI Jin,Hongtao Liu,Yali SONG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-16.

Method of programming memory device and related memory device

Номер патента: EP3980995B1. Автор: Ming Wang,Ying Huang,Hongtao Liu,Da Li,Kaikai You,Yali SONG,Wenzhe WEI,Dejia Huang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-06.

Internal voltage generation circuit of semiconductor memory device, and semiconductor memory device

Номер патента: US20130188432A1. Автор: Takahiko Sato. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-07-25.

Read circuit for semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: EP2187399B1. Автор: Tetsuya Kaneko. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2012-07-18.

Method of programming and verifying memory device and related memory device

Номер патента: EP3948868B1. Автор: LEI Jin,Hongtao Liu,An ZHANG,Yali SONG,XiangNan Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-05.

Method of providing variable retention time to a memory device and a memory device that uses the method

Номер патента: TWI368911B. Автор: Aaron Mandell,Stuart Spitzer,Juri H Krieger,Michael A Vanbuskirk. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2012-07-21.

Read circuit for semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: TW201025350A. Автор: Tetsuya Kaneko. Владелец: Seiko Instr Inc. Дата публикации: 2010-07-01.

Two-plane error correction method for a memory device and the memory device thereof

Номер патента: TW201128653A. Автор: Chung-Won Shu,Chih-Heng Chiu,Tsang-Yi Chen,Tsung-Heng Chen. Владелец: Transcend Information Inc. Дата публикации: 2011-08-16.

NON-VOLATILE MEMORY DEVICE, STORAGE DEVICE HAVING THE SAME, AND READING METHOD THEREOF

Номер патента: US20220139483A1. Автор: Kim Jinyoung,PARK Sehwan,Park Ilhan,LEE Jisang,PARK EUNHYANG. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-05.

Semiconductor memory device and data writing method and data reading method thereof

Номер патента: JP5283975B2. Автор: 利憲深井. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-09-04.

Non-volatile memory device, storage device having the same, and reading method thereof

Номер патента: US11610639B2. Автор: Jinyoung Kim,Ilhan Park,Sehwan Park,Eunhyang Park,Jisang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-21.

VERTICAL RESISTANCE MEMORY DEVICE AND A READ METHOD THEREOF

Номер патента: US20130223127A1. Автор: PARK Jintaek,Park Youngwoo,CHOI Jungdal. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-08-29.

Memory Device with Progressive Row Reading and Related Reading Method

Номер патента: US20180047455A1. Автор: Polizzi Salvatore,Campardo Giovanni. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-15.

NON-VOLATILE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE AND DATA READ METHOD THEREOF

Номер патента: US20140185361A1. Автор: SON Hong Rak,Yoo Younggeon,OH EUN CHO. Владелец: . Дата публикации: 2014-07-03.

NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND A READ METHOD THEREOF

Номер патента: US20210158877A1. Автор: Shin Dong Jin,OH Eun Chu,Kim Ji Su,KONG Jun Jin,Byeon Dae Seok,LEE Ji Sang. Владелец: . Дата публикации: 2021-05-27.

MEMORY DEVICE AND CORRESPONDING READING METHOD

Номер патента: US20140226424A1. Автор: TORTI Cesare. Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2014-08-14.

NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND A READ METHOD THEREOF

Номер патента: US20200152276A1. Автор: Shin Dong Jin,OH Eun Chu,Kim Ji Su,KONG Jun Jin,Byeon Dae Seok,LEE Ji Sang. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-14.

NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND RELATED READ METHOD

Номер патента: US20140321209A1. Автор: YUN Eun-jin,KANG Sang-chul. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-30.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND DATA READING METHOD

Номер патента: US20180247681A1. Автор: Shinoda Tatsuru. Владелец: LAPIS SEMICONDUCTOR CO., LTD.. Дата публикации: 2018-08-30.

NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND A READ METHOD THEREOF

Номер патента: US20190252027A1. Автор: Shin Dong Jin,OH Eun Chu,Kim Ji Su,KONG Jun Jin,Byeon Dae Seok,LEE Ji Sang. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-15.

NON-VOLATILE MEMORY DEVICE WITH SWITCHABLE READING MODE AND RELATED READING METHOD

Номер патента: US20190295641A1. Автор: Conte Antonino. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-26.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND A READING METHOD THEREOF

Номер патента: US20150325306A1. Автор: LEE Hee Youl. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-12.

Non-volatile random access memory device and data read method thereof

Номер патента: KR102060488B1. Автор: 공준진,손홍락,오은주,유영건. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2019-12-30.

Semiconductor memory device and data reading method

Номер патента: KR950009729A. Автор: 카스유키 야마다,토루 야수다. Владелец: 후지쓰 브이엘 에스 아이 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1995-04-24.

Flash memory device and its reading method

Номер патента: KR100816148B1. Автор: 양중섭,박진수,배기현. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-03-21.

Nor type semiconductor memory device and data read method thereof

Номер патента: KR100245412B1. Автор: 최병순. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-03-02.

Nonvolatile memory device capable of reducing read disturbance and read method thereof

Номер патента: KR101678907B1. Автор: 이재일,손문. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2016-11-23.

Non volatile memory device and cache reading method thereof

Номер патента: KR100967026B1. Автор: 김명수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-06-30.

Semiconductor memory device and data reading method therefor

Номер патента: KR100298583B1. Автор: 정민철,김경래. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-10-27.

Non volatile memory device and the reading method of the same

Номер патента: KR100858688B1. Автор: 이상선,최승혁,김정하. Владелец: 한양대학교 산학협력단. Дата публикации: 2008-09-16.

Non-volatile memory device and a read method thereof

Номер патента: US10559362B2. Автор: Jun Jin Kong,Dong Jin Shin,Ji Su Kim,Dae Seok Byeon,Ji Sang Lee,Eun Chu Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-11.

Nonvolatile memory device and cache read method using the same

Номер патента: US8275934B2. Автор: Myung Su KIM. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-09-25.

Flash memory device and data reading method thereof

Номер патента: JP3840349B2. Автор: 錫千権. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-11-01.

Nonvolatile semiconductor memory device and its reading method

Номер патента: TWI521520B. Автор: Mario Sako. Владелец: Toshiba Kk. Дата публикации: 2016-02-11.

Data reading circuit, non-volatile memory device and data reading method

Номер патента: CN102956268A. Автор: 朴哲佑,姜尚范,金燦景,黄泓善,吴洞録. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-03-06.

Nonvolatile Memory Device Capable Of Reducing Read Disturbance And Read Method Thereof

Номер патента: US20110292726A1. Автор: Jae-Il Lee,Moon Sone. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-12-01.

Non-volatile random access memory device and data read method thereof

Номер патента: KR20140084992A. Автор: 공준진,손홍락,오은주,유영건. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2014-07-07.

Semiconductor memory device and data read method thereof

Номер патента: US20020118577A1. Автор: Kyu-Nam Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-08-29.

Flash memory device and its reading method

Номер патента: CN101154449A. Автор: 朴镇寿,杨中燮,裴基铉. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-04-02.

Semiconductor memory device and continuous reading method for the same

Номер патента: KR102184260B1. Автор: 카츠토시 스이토,타케히로 카미나가. Владелец: 윈본드 일렉트로닉스 코포레이션. Дата публикации: 2020-12-01.

Nonvolatile semiconductor memory device and data reading method

Номер патента: JP4579493B2. Автор: 実山下. Владелец: スパンションエルエルシー. Дата публикации: 2010-11-10.

Semiconductor memory device and data reading method

Номер патента: CN108511018B. Автор: 篠田建. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-08.

Semiconductor memory device and continuous reading method

Номер патента: JP6274589B1. Автор: 雄大神永,克年水藤. Владелец: ウィンボンドエレクトロニクスコーポレーション. Дата публикации: 2018-02-07.

Phase change memory device and its read method

Номер патента: JP2009295264A. Автор: Dae-Hwan Kang,Young Nam Hwang,Chang-Yong Um,榮南 ▲黄▼,大煥姜,昌鎔嚴. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-12-17.

Magnetic memory device and its read method

Номер патента: TWI240928B. Автор: Keiji Koga,Yuji Kakinuma,Shigekazu Sumita,Joichiro Ezaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2005-10-01.

Nonvolatile memory device and cache reading method thereof

Номер патента: CN116469428A. Автор: 曺溶成,金珉辉,赵虎相. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-21.

Nonvolatile memory devices and data reading methods

Номер патента: US20090052239A1. Автор: Young-Gu Jin,Jae-woong Hyun,Yoon-dong Park,In-sung Joe. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-26.

Non-volatile memory device and its read method

Номер патента: CN110136764A. Автор: 孔骏镇,吴银珠,李知尚,金志秀,边大锡,申东珍. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-08-16.

A non-volatile memory device with switchable reading mode and related reading method

Номер патента: EP3544013B1. Автор: Antonino Conte. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-07-21.

Stacked semiconductor memory device with compound read buffer

Номер патента: US20110138087A1. Автор: Hoe-ju Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-06-09.

Non-destructive reading method

Номер патента: RU2263359C2. Автор: Гейрр И. Лейстад,Ханс Гуде Гудесен,Пер-Эрик НОРДАЛ. Владелец: Тин Филм Электроникс Аса. Дата публикации: 2005-10-27.

Memory device read training method

Номер патента: US20190080771A1. Автор: Sungjin Han. Владелец: Integrated Silicon Solution Inc. Дата публикации: 2019-03-14.

Non-volatile memory device, memory system including the same and read method of memory system

Номер патента: US12020755B2. Автор: Sung Hun Kim,Hyo Jae Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Resistive random access memory (reram) and conductive bridging random access memory (cbram) cross coupled fuse and read method and system

Номер патента: EP2965320A1. Автор: Kent Hewitt,Traian Bontas,Claudiu-Dumitru Nechifor,Iulian Dumitru. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2016-01-13.

Non-volatile memory device, controller for controlling the same, storage device having the same, and reading method thereof

Номер патента: US12045132B2. Автор: Jinyoung Kim,Dongmin Shin,Sehwan Park,Youngdeok SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Data recovery system for memory devices

Номер патента: US20220179734A1. Автор: Sean S. Eilert,Richard Edward Fackenthal. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-09.

Data recovery system for memory devices

Номер патента: US20220342748A1. Автор: Sean Stephen Eilert,Richard Edward Fackenthal. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-27.

Operation method of memory controller configured to control memory device

Номер патента: EP4152333A2. Автор: Hong Rak Son,Dong-Min Shin,Seonghyeog Choi,Hyeonjong Song,Yeongcheol JO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-22.

Error avoidance for partially programmed blocks of a memory device

Номер патента: US20230393991A1. Автор: Li-Te Chang,Zhenming Zhou,Murong Lang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Error avoidance for partially programmed blocks of a memory device

Номер патента: US12013792B2. Автор: Li-Te Chang,Zhenming Zhou,Murong Lang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Read method for mlc

Номер патента: US20110116313A1. Автор: Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-05-19.

Solid-state memory device with plurality of memory devices

Номер патента: WO2017046638A1. Автор: James T. Cerrelli. Владелец: 2419265 Ontario Limited. Дата публикации: 2017-03-23.

Method and apparatus for recording high-speed input data into matrix of memory devices

Номер патента: RU2417461C2. Автор: Томас БРУНЕ,Йенс Петер ВИТТЕНБУРГ. Владелец: Томсон Лайсенсинг. Дата публикации: 2011-04-27.

Refresh rate control for a memory device

Номер патента: WO2020167817A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-08-20.

Controlled heating of a memory device

Номер патента: EP3871064A1. Автор: Peter Mayer,Martin Brox,Thomas Hein,Michael Dieter RICHTER,Wolfgang Anton SPIRKL. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-01.

Method and memory system for optimizing on-die termination settings of multi-ranks in a multi-rank memory device

Номер патента: US20210082479A1. Автор: Ki-Seok OH,Young-Soo Sohn,Jin-Hoon Jang,Kyung-Soo Ha,Seok-Hun Hyun,Yeon-Kyu Choi,Chang-kyo LEE,Dae-Sik Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-18.

Refresh rate control for a memory device

Номер патента: EP3924968A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-22.

Embedded memory device and method for embedding memory device in a substrate

Номер патента: US20200075567A1. Автор: Andrew Collins. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Multi-site testing of computer memory devices and serial io ports

Номер патента: US20140026006A1. Автор: Chinsong Sul. Владелец: Silicon Image Inc. Дата публикации: 2014-01-23.

Storage device, memory cell array, method for manufacturing memory cell array, magnetic head, and electronic device

Номер патента: US20240274178A1. Автор: Hiroyuki Uchida. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Nonvolatile memory device, storage device including nonvolatile memory device, and operating method of storage device

Номер патента: US20240321366A1. Автор: Kun-Woo Song,Jonghwa Kim,Kyungyong Jeoung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

System and method to enable reading from non-volatile memory devices

Номер патента: US20130141983A1. Автор: Paul F. Ruths. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2013-06-06.

Memory device low power mode

Номер патента: EP3899946A1. Автор: Peter Mayer,Martin Brox,Thomas Hein,Michael Dieter RICHTER,Wolfgang Anton SPIRKL. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-27.

Memory device low power mode

Номер патента: WO2020132207A1. Автор: Peter Mayer,Martin Brox,Thomas Hein,Michael Dieter RICHTER,Wolfgang Anton SPIRKL. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-06-25.

Training method of memory device and electronic device and electronic system including the same

Номер патента: US11461113B2. Автор: Dong Kim,Jong Un Kim,Jang Seon PARK,Ju Chan LEE,Hyung Lae EUN,In Hoon PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-04.

Memory device and method for testing memory devices with repairable redundancy

Номер патента: US20060198215A1. Автор: Martin Perner,Volker Kilian. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2006-09-07.

Memory device sensors

Номер патента: EP4073799A1. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-19.

Memory device sensors

Номер патента: WO2021118711A1. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-17.

Modified distribution of memory device states

Номер патента: US11776639B2. Автор: Vinayak Bhat,Harish R. Singidi,Amiya Banerjee. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Row hammer protection for a memory device

Номер патента: US11625170B2. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-04-11.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller with making memory cell array generating errors.

Номер патента: US20240233849A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Scan fragmentation in memory devices

Номер патента: US20240256145A1. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Saeed Sharifi Tehrani,Christopher M. Smitchger. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Methods of forming microelectronic devices, and related microelectronic devices, memory devices, and electronic systems

Номер патента: US20220246681A1. Автор: Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-04.

Memory devices, operating methods of the memory devices, and test systems including the memory devices

Номер патента: EP4280213A2. Автор: Wonyoung Choi,Changkyu Seol,Jeongseok PARK,Hyeran Kim,Sungrae Kim,Gilyoung Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-22.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US20230079939A1. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-16.

Memory device capable of calibration and calibration methods therefor

Номер патента: US20040141370A1. Автор: Manoj Bhattacharyya,Lung Tran. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-22.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US20200319953A1. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-08.

Extended utilization area for a memory device

Номер патента: US20240168635A1. Автор: Jani Hyvonen,Kimmo J. Mylly,Yevgen Gyl,Jussi Hakkinen. Владелец: Memory Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-23.

Non-destructive pattern identification at a memory device

Номер патента: US11935617B2. Автор: Takamasa Suzuki,Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Test chamber for memory device, test system for memory device having the same and method of testing memory devices using the same

Номер патента: US20190285695A1. Автор: Chang-Ho Lee,Jin-Ho Choi,Min-Woo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-19.

Test chamber for memory device, test system for memory device having the same and method of testing memory devices using the same

Номер патента: US20210003632A1. Автор: Chang-Ho Lee,Jin-Ho Choi,Min-Woo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-07.

Semiconductor memory device capable of reading data of signature fuse through normal read operation and method of reading data of signature fuse in semiconductor memory device through normal read operation

Номер патента: US20040151048A1. Автор: Sung-Bum Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-08-05.

Complex page access in memory devices

Номер патента: US20240290391A1. Автор: Dmitri Yudanov,Jeongsu JEONG. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Current monitor for a memory device

Номер патента: US20210098046A1. Автор: Debra M. Bell,Aaron P. Boehm,Kristen M. HOPPER. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Garbage collection adapted to memory device life expectancy

Номер патента: US11693769B2. Автор: Qing Liang,Deping He,David Aaron Palmer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-04.

Read-write method and memory device

Номер патента: EP3985494A1. Автор: Shuliang NING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-04-20.

Non-destructive pattern identification at a memory device

Номер патента: US20230326494A1. Автор: Takamasa Suzuki,Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Error-handling management during copyback operations in memory devices

Номер патента: US12072762B2. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Patrick R. KHAYAT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Method of performing internal processing operation of memory device

Номер патента: US12073871B2. Автор: Pavan Kumar Kasibhatla,Hak-soo Yu,Seong-il O. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Nonvolatile memory device and program method thereof

Номер патента: US20160358657A1. Автор: Jinwoo Kim,Youngjin Cho,Seong Yeon Kim,Hyo-Deok Shin,Younggeun LEE,Jaegeun PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-08.

Method of erasing a resistive memory device

Номер патента: US20080130392A1. Автор: An Chen,Swaroop Kaza,Sameer Haddad,Yi-Ching Jean Wu. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-06-05.

Protocol For Refresh Between A Memory Controller And A Memory Device

Номер патента: US20240242751A1. Автор: Frederick A. Ware,Brent Haukness. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-07-18.

Data buffer for memory devices with unidirectional ports

Номер патента: US20240256131A1. Автор: Christopher Haywood. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-08-01.

Image sensor data management using a multi-port memory device

Номер патента: WO2022108935A1. Автор: Amit Gattani,Richard C. Murphy,Poorna Kale. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-05-27.

Read offset compensation in read operation of memory device

Номер патента: US20240233833A1. Автор: Hua Tan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Read offset compensation in read operation of memory device

Номер патента: WO2024145860A1. Автор: Hua Tan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-07-11.

Nonvolatile resistive memory device using dynamic reference in dual domain and read method thereof

Номер патента: US20230138195A1. Автор: Jongsun Park,Joo Yoon KIM. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2023-05-04.

Temperature-dependent read operation time adjustment in non-volatile memory devices

Номер патента: US20190043567A1. Автор: Ali Khakifirooz,Pranav Kalavade,Aliasgar MADRASWALA,Shantanu Rajwade,Rohit Shenoy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

Method for improving memory device cycling endurance by providing additional pulses

Номер патента: US20090323428A1. Автор: Chao-I Wu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-31.

In-place write techniques without erase in a memory device

Номер патента: US20240071509A1. Автор: Xiang Yang,Jiacen Guo,Shubhajit Mukherjee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-29.

Page buffer, memory device including page buffer and memory system including memory device

Номер патента: US20240177786A1. Автор: Kang Woo Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Methods and systems for serial memory device control

Номер патента: WO2019231589A1. Автор: Kishalay Haldar. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-12-05.

Independently controlled virtual memory devices in memory modules

Номер патента: EP2313891A1. Автор: Norman P. Jouppi,Jung Ho Ahn,Jacob B. Leverich. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2011-04-27.

Resistive memory device having a retention layer

Номер патента: WO2019215489A1. Автор: Seshubabu Desu,Michael Van Buskirk. Владелец: 4D-S, LTD.. Дата публикации: 2019-11-14.

Method and system for tuning a memory device for high-speed transitions

Номер патента: US12067233B2. Автор: Sumeet Paul,Shankar Athanikar,Akhilesh Kumar Jaiswal,Puneet Kukreja,Vinay Kumar M N. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Methods for memory power management and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20210035617A1. Автор: Gregory A. King,George E. Pax,Chan H. Yoo,Randon K. Richards,Timothy M. Hollis,Eric J. Stave,Yogesh Sharma. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Methods for detecting and mitigating memory media degradation and memory devices employing the same

Номер патента: US20200243146A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-30.

Methods for detecting and mitigating memory media degradation and memory devices employing the same

Номер патента: EP3769203A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-27.

Methods for detecting and mitigating memory media degradation and memory devices employing the same

Номер патента: US20190295666A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-26.

Methods for detecting and mitigating memory media degradation and memory devices employing the same

Номер патента: US20210082529A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-18.

Methods for detecting and mitigating memory media degradation and memory devices employing the same

Номер патента: WO2019182747A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-09-26.

Methods for detecting and mitigating memory media degradation and memory devices employing the same

Номер патента: US10867685B2. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-15.

Semiconductor memory device, and read method and read circuit for the same

Номер патента: US20080008007A1. Автор: Toshiki Mori. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-01-10.

Semiconductor memory devices with open bitline architectures and methods of controlling the bitlines of such semiconductor memory devices

Номер патента: US20070047350A1. Автор: Ji-hoon Park,Chang-Yeong Jeong,Sung-Wan Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-01.

Microelectronic devices, and related methods and memory devices

Номер патента: US12089422B2. Автор: Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Methods for asynchronously signaling updated information from a memory device to a host and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20240289060A1. Автор: Frank F. Ross. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-08-29.

Analog storage using memory device

Номер патента: US12080365B2. Автор: Innocenzo Tortorelli,Mattia Boniardi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory device read operations

Номер патента: WO2022197513A1. Автор: Yoshihiko Kamata. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-09-22.

Method for programming a non-volatile memory device and a method for operating a system having the same

Номер патента: US20180102167A1. Автор: Il Han Park,Hyun Kook PARK,Hye Jin Yim,Sung Won Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-12.

Electrical distance-based wave shaping for a memory device

Номер патента: WO2021257260A1. Автор: John Christopher Sancon. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC. Дата публикации: 2021-12-23.

Link evaluation for a memory device

Номер патента: US20210193252A1. Автор: Heinz Hoenigschmid,Thomas Hein,Markus Balb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-24.

Method, system and device for non-volatile memory device operation

Номер патента: US20190051349A1. Автор: George McNeil Lattimore,Bal S. Sandhu,Cezary Pietrzyk. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2019-02-14.

Memory device reducing i/o signal lines through i/o mapping connection and memory system including the same

Номер патента: US20240232066A1. Автор: Sang-Won Park,Jooyong PARK,Bongsoon LIM,Seokmin Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Link evaluation for a memory device

Номер патента: WO2021126838A1. Автор: Heinz Hoenigschmid,Thomas Hein,Markus Balb. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-24.

Page buffer program command and methods to reprogram pages without re-inputting data to a memory device

Номер патента: EP2351040A1. Автор: Luca Fasoli,Yuheng Zhang,Gopinath Balakrishnan. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2011-08-03.

Memory device, operation method of memory device, and operation method of test device configured to test memory device

Номер патента: US20240233857A1. Автор: Sang-Won Park,Bongsoon LIM,Won-Taeck JUNG,Kuihan KO,Heewon Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory devices having programmable elements with accurate operating parameters stored thereon

Номер патента: US20120036314A1. Автор: Jeffery W. Janzen,Scott Schaefer,Todd D. Farrell. Владелец: Round Rock Research LLC. Дата публикации: 2012-02-09.

Memory device training

Номер патента: US12027195B2. Автор: QI Dong,Xuesong Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Apparatus and method for detecting errors in a memory device

Номер патента: US12009041B2. Автор: Siddharth Gupta,Antony John Penton,Sachin Gulyani,Cyrille Nicolas Dray,Luc Olivier PALAU. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2024-06-11.

Phase change memory system, phase change memory device, and phase change memory device refresh method

Номер патента: US20210118500A1. Автор: Kwang Jin Lee,Yoon Sung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-22.

Transistor configurations for multi-deck memory devices

Номер патента: US20240194671A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor memory device with operation limit controller

Номер патента: US12040043B2. Автор: Jaejun Lee,Seonghoon JOO,Ilhan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Method and system for analyzing a refresh rate of a volatile memory device

Номер патента: US20170062073A1. Автор: Michael Shaun Backsen,Frank D. Simon,Jennie Colleen Grosslight. Владелец: Keysight Technologies Inc. Дата публикации: 2017-03-02.

Electrical distance-based wave shaping for a memory device

Номер патента: US20220013168A1. Автор: John Christopher Sancon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Three-dimensional memory device with embedded dynamic random-access memory

Номер патента: EP4401127A2. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Enabling functions of a memory device in a plurality of phases

Номер патента: WO2018125475A1. Автор: Zeljko Zupanc,Andrew Morning-Smith,Adrian MOCANU. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-07-05.

Link evaluation for a memory device

Номер патента: US20230197181A1. Автор: Heinz Hoenigschmid,Thomas Hein,Markus Balb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Access schemes for activity-based data protection in a memory device

Номер патента: US20210335407A1. Автор: Corrado Villa,Andrea Martinelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Adaptive scanning of memory devices with supervised learning

Номер патента: US12050777B2. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Li-Te Chang,Zhenming Zhou,Murong Lang,Charles See Yeung Kwong,Seungjune Jeon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor memory device having improved redundancy scheme

Номер патента: US20040047222A1. Автор: Duk-ha Park,Hi-choon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-03-11.

Resistive memory device having ohmic contacts

Номер патента: WO2019175671A1. Автор: Seshubabu Desu. Владелец: 4D-S, LTD.. Дата публикации: 2019-09-19.

Staggered refresh counters for a memory device

Номер патента: US20210304814A1. Автор: James S. Rehmeyer,Christopher G. Wieduwilt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Error correction management for a memory device

Номер патента: US11720443B2. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-08.

Flash memory device and a method of verifying the same

Номер патента: US9196372B2. Автор: Seungwon Lee,Byeonghoon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-11-24.

Non-volatile memory device, a memory system that includes the non-volatile memory device, and an operating method of the non-volatile memory device

Номер патента: US11749356B2. Автор: Jinyoung Kim,Dongmin Shin,Sehwan Park,Youngdeok SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-05.

Headroom management during parallel plane access in a multi-plane memory device

Номер патента: US20230105208A1. Автор: Nathan Joseph Sirocka. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-04-06.

Operating method of memory system including memory controller and nonvolatile memory device

Номер патента: US20220208271A1. Автор: Joonsuc Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-30.

Flash Memory Device and a Method of Verifying the Same

Номер патента: US20140071769A1. Автор: Seungwon Lee,Byeonghoon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-03-13.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20230282274A1. Автор: Cheng Hung Lee,Chien-yuan Chen,Hau-Tai Shieh,Che-An Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Read offset compensation in read operation of memory device

Номер патента: EP4416730A1. Автор: Hua Tan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

Semiconductor memory device, memory system having semiconductor memory device, and method for testing memory system

Номер патента: US7634697B2. Автор: Jin-Soo Park,Dong-Jun Kim,Kae-Won Ha,Keun-Soo Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-12-15.

Semiconductor memory device with row redundancy

Номер патента: US5889710A. Автор: Luigi Pascucci. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1999-03-30.

Method of Operating Semiconductor Memory Device with Floating Body Transistor Using Silicon Controlled Rectifier Principle

Номер патента: US20210257365A1. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2021-08-19.

Refreshing a memory device using real-time clock information

Номер патента: US20240249763A1. Автор: Gianluca Coppola. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

3D NAND flash memory devices, and related electronic systems

Номер патента: US12096626B2. Автор: Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Write error counter for media management in a memory device

Номер патента: US20240321351A1. Автор: John Christopher M. Sancon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Magnetoresistive memory device

Номер патента: RU2653131C2. Автор: Тадаси МИЯКАВА,Кацухико ХОЯ,Хироюки ТАКЕНАКА,Кеисуке НАКАЦУКА,Такеси ХАМАМОТО. Владелец: Тосиба Мемори Корпорейшн. Дата публикации: 2018-05-07.

Memory device reducing i/o signal lines through i/o mapping connection and memory system including the same

Номер патента: EP4398117A1. Автор: Sang-Won Park,Jooyong PARK,Bongsoon LIM,Seokmin Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-10.

Runtime storage capacity reduction avoidance in sequentially-written memory devices

Номер патента: US12026372B2. Автор: Vijaya Janarthanam,Vinay Vijendra Kumar Lakshmi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Memory device for adjusting magnitude of signal used to precharge bit line according to position of plug hole and operating method thereof

Номер патента: US12014782B2. Автор: Jung Hyeong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Memory device and method for testing a memory device

Номер патента: US20170206982A1. Автор: Martin Huch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-07-20.

A secure non-volatile memory device and a method of protecting data therein

Номер патента: EP2074628A2. Автор: Guoqiao Tao. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-07-01.

A secure non-volatile memory device and a method of protecting data therein

Номер патента: WO2008038242A2. Автор: Guoqiao Tao. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2008-04-03.

Technologies for issuing commands on selected memory devices

Номер патента: US20200133578A1. Автор: Muthukumar P. SWAMINATHAN,Kunal A. Khochare. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Technologies for issuing commands on selected memory devices

Номер патента: EP3761314A1. Автор: Muthukumar P. SWAMINATHAN,Kunal A. Khochare. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-01-06.

Memory devices with selective page-based refresh

Номер патента: US20200342933A1. Автор: Ameen D. Akel. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-29.

Memory devices with selective page-based refresh

Номер патента: EP3659037A1. Автор: Ameen D. Akel. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-03.

Memory devices with selective page-based refresh

Номер патента: WO2019022993A1. Автор: Ameen D. Akel. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-01-31.

Semiconductor memory device, semiconductor device, and data write method

Номер патента: US7570522B2. Автор: Tokumasa Hara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-08-04.

Method for copying data within memory device, memory device, and electronic device thereof

Номер патента: US11983113B2. Автор: Shih-Lien Linus Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Packet routing between memory devices and related apparatuses, methods, and memory systems

Номер патента: US20240241641A1. Автор: John D. Leidel. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Single-chip microcomputer and method of modifying memory contents of its memory device

Номер патента: US20010048442A1. Автор: Izumi Takaishi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-06.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240203492A1. Автор: Yu Wang,Ke Jiang,Zhichao DU,Weijun Wan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20240013838A1. Автор: Jae Woong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Enabling functions of a memory device in a plurality of phases

Номер патента: EP3563214A1. Автор: Zeljko Zupanc,Andrew Morning-Smith,Adrian MOCANU. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-11-06.

Memory device with ferroelectric charge trapping layer

Номер патента: US12041782B2. Автор: Jan Van Houdt. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20220084597A1. Автор: Yeong Jo MUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

Stacked memory device with paired channels

Номер патента: US11775213B2. Автор: Thomas Vogelsang. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2023-10-03.

Reduced-voltage operation of a memory device

Номер патента: US20220415410A1. Автор: Vipul Patel,Ezra E. Hartz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-29.

System having one or more memory devices

Номер патента: US20140325178A1. Автор: Hong Beom Pyeon,Hakjune Oh,Roland SCHUETZ,Steven Przybylski. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2014-10-30.

Memory device, memory system including the same, and method of operating the memory system

Номер патента: US20190237144A1. Автор: Kwang Su Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

Method and apparatus for refreshing flash memory device

Номер патента: US20180374546A1. Автор: Liang Shi,Dongfang SHAN,Yuangang WANG,Yejia DI,Hsing Mean Sha. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-27.

Memory device with status feedback for error correction

Номер патента: US20200394103A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-17.

Electrical distance-based wave shaping for a memory device

Номер патента: US20230111770A1. Автор: John Christopher Sancon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-04-13.

Method for copying data within memory device, memory device, and electronic device thereof

Номер патента: US20240256451A1. Автор: Shih-Lien Linus Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Microelectronic devices including contact structures, and related memory devices, electronic systems, and methods

Номер патента: EP4417026A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-21.

Resistive memory device having a retention layer with non-linear ion conductivity

Номер патента: US20190319185A1. Автор: Seshubabu Desu,Michael Van Buskirk. Владелец: 4DS Memory Ltd. Дата публикации: 2019-10-17.

Performing block-level media management operations for block stripes in a memory device

Номер патента: US12062401B2. Автор: Yang Liu,Wei Wang,Charles See Yeung Kwong,Seungjune Jeon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Memory device for performing in-memory-search and operating method thereof

Номер патента: US20240274165A1. Автор: Feng-Min Lee,Po-Hao Tseng,Tian-Cih BO. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Three-dimensional memory device programming with reduced disturbance

Номер патента: US11710529B2. Автор: Jianquan Jia,Kaikai You,Yali SONG,XiangNan Zhao,Yuanyuan MIN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-25.

A secure non-volatile memory device and a method of protecting data therein

Номер патента: WO2008038243A1. Автор: Guoqiao Tao,Steven V. E. S. Van Dijk. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2008-04-03.

Memory device with status feedback for error correction

Номер патента: US20230418708A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

A secure non-volatile memory device and a method of protecting data therein

Номер патента: EP2074629A1. Автор: Guoqiao Tao,Steven V. E. S. Van Dijk. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-07-01.

secure non-volatile memory device and method of protecting data therein

Номер патента: US20100002511A1. Автор: Guoqiao Tao,Steven V. E. S. Van Dijk. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-01-07.

Method for testing memory device

Номер патента: US7307903B2. Автор: Young Bo Shim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-12-11.

Memory devices, systems and methods employing command/address calibration

Номер патента: US20160307617A1. Автор: Young-Jin Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-20.

Memory device with modular design and memory system comprising the same

Номер патента: US12080369B2. Автор: Christopher Cox,Leechung Yiu,Robert Xi Jin,Zheng QIU,Leonard DATUS,Lizhi Jin. Владелец: Montage Electronics Shanghai Co. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory device and read/write method of memory device

Номер патента: US12051392B2. Автор: Chang Sue Seo. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Programming memory devices

Номер патента: US20180286483A1. Автор: Tommaso Vali,Akira Goda,Pranav Kalavade,Carmine Miccoli. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Matrix-addressable apparatus with one or more memory devices

Номер патента: US20030099126A1. Автор: Hans Gudesen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-29.

Pad arrangement in semiconductor memory device and method of driving semiconductor device

Номер патента: US20040256641A1. Автор: Jung-Bae Lee,Mee-Hyun Ahn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-23.

Semiconductor memory device with data and local redundancy memory cell arrays, and redundancy method thereof

Номер патента: US20080049526A1. Автор: Seung-Bum Ko,Han-Gyun Jung,Nak-Won Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-02-28.

Memory device having a systematic arrangement of logical data locations and having plural data portals

Номер патента: US20020062420A1. Автор: James Bullen,Robert Mclaughlin,Lawrence Plumhoff. Владелец: Image Telecommunications Corp. Дата публикации: 2002-05-23.

Etch stop layer for memory device formation

Номер патента: US20240321635A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Hung Cho Wang,Sheng-Chang Chen,Sheng-Huang Huang,Chung-Chiang Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Skipping pages for weak wordlines of a memory device during pre-programming

Номер патента: US12080376B2. Автор: Ting Luo,Cheng Cheng Ang,Chun Lei Kong,Aik Boon Edmund Yap. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Method for writing in mram-based memory device with reduced power consumption

Номер патента: RU2546572C2. Автор: Нил БЕРГЕР,БАРАДЖИ Мурад ЭЛЬ. Владелец: Крокус Текнолоджи Са. Дата публикации: 2015-04-10.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US11837284B2. Автор: Takayuki Akamine,Masanobu Shirakawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-05.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20240046985A1. Автор: Takayuki Akamine,Masanobu Shirakawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Method and system for refresh of memory devices

Номер патента: US20240021233A1. Автор: Yih Wang,Hiroki Noguchi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20230108946A1. Автор: Se Chun Park,Sung Hyun Hwang,Jae Yeop Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-06.

Memory device and method of managing temperature of the same

Номер патента: US20240203505A1. Автор: Jung Ae Kim,Jee Yul KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Scan synchronous-write-through testing architectures for a memory device

Номер патента: US20220171688A1. Автор: Ching-Wei Wu,Kao-Cheng LIN,Chia-En HUANG,Ming-Hung Chang,Atul Katoch,Uppu Sharath Chandra,Donald G. Mikan, Jr.,Hao-I Yang,Ming-Chien Tsai,Tsung-Yung Chang,Saman M.I. Adham. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-02.

Scan synchronous-write-through testing architectures for a memory device

Номер патента: US20200293417A1. Автор: Ching-Wei Wu,Kao-Cheng LIN,Chia-En HUANG,Ming-Hung Chang,Atul Katoch,Uppu Sharath Chandra,Donald G. Mikan, Jr.,Hao-I Yang,Ming-Chien Tsai,Tsung-Yung Chang,Saman M.I. Adham. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Methods for enlarging the memory window and improving data retention in resistive memory device

Номер патента: US12040019B2. Автор: Fu-Chen Chang,Wen-Ting Chu,Kuo-Chi Tu,Chu-Jie HUANG,Nai-Chao Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

System and method for reducing pin-count of memory devices, and memory device testers for same

Номер патента: US20130229878A1. Автор: Benjamin S. Louie,Scott N. Gatzemeier,Adam D. Johnson,Wallace E. Fister. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-09-05.

Low power memory device

Номер патента: US20150279435A1. Автор: Chih-Cheng Hsiao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-10-01.

Memory device and in-memory search method thereof

Номер патента: US20240221830A1. Автор: Feng-Min Lee,Po-Hao Tseng,Tian-Cih BO. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Memory device structure and fabrication method

Номер патента: US20240194260A1. Автор: LIANG Chen,WEI Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Nonvolatile memory device, memory system including nonvolatile memory device, and method of controlling nonvolatile memory device

Номер патента: US20200135281A1. Автор: Minsoo Kim,Kyunghoon Sung,Deahan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-30.

Memory device related to verifying memory cells in an erase state and method of operating the memory device

Номер патента: US20240153568A1. Автор: Chan Sik Park,Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240028218A1. Автор: Se Chun Park,Chan Hui Jeong,Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Dynamic allocation of a capacitive component in a memory device

Номер патента: US20240257841A1. Автор: Thomas H. Kinsley,Fuad Badrieh,Baekkyu Choi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory devices, systems, and methods of forming arrays of memory cells

Номер патента: US20180190717A1. Автор: Shigeru Sugioka. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-07-05.

Storage device including nonvolatile memory device and operating method of storage device

Номер патента: EP4332972A1. Автор: Kui-Yon Mun,JooYoung HWANG,Seunghyun Choi,Gyeongmin Kim,Junyeong HAN,Keunsan Park,HeeTak Shin,Joon-Whan BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-06.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US11929126B2. Автор: Se Chun Park,Sung Hyun Hwang,Jae Yeop Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Layouts for pads and conductive lines of memory devices, and related devices, systems, and methods

Номер патента: US11742306B2. Автор: Takashi Ishihara. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20170052737A1. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-23.

Memory device with status feedback for error correction

Номер патента: EP3983898A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-04-20.

Memory device with status feedback for error correction

Номер патента: US20220237081A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Nonvolatile semiconductor memory device having multi-level memory cells and page buffer used therefor

Номер патента: US20070195636A1. Автор: Ho Jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-23.

Semiconductor memory device and control device for semiconductor memory device

Номер патента: US20230154532A1. Автор: Satoru Araki,Hiroshi Yoshida,Toshimasa Namekawa,Etsuo Fukuda,Tetsuo Endoh. Владелец: Power Spin Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

Memory device

Номер патента: US20230134975A1. Автор: Yih Wang,Chia-En HUANG,Jonathan Tsung-Yung Chang,Tzu-Hsien YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

Memory device for a hierarchical memory architecture

Номер патента: US20150370750A1. Автор: Sean Eilert,Mark Leinwander. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-12-24.

Multi-chip package semiconductor memory device

Номер патента: US20110309525A1. Автор: Satoshi Miyazaki,Hidekazu Nasu. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-22.

Nonvolatile memory device and operation method thereof

Номер патента: US20190278487A1. Автор: Chankyung Kim,Uksong Kang,Youngjin Cho,JinHyeok Choi,Sungyong SEO,Sun-Young Lim,Duckhyun Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-12.

Metallocenyl dendrimer, organic memory device using the same and fabrication method of the organic memory device

Номер патента: US20080111124A1. Автор: Kwang Hee Lee,Tae Lim Choi,Sang Kyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-15.

Flash memory device and method of operating the same

Номер патента: US20090040826A1. Автор: Jae Won Cha,Sam Kyu Won,Kwang Ho Baek. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-02-12.

Bank sharing and refresh in a shared multi-port memory device

Номер патента: WO2009073331A1. Автор: Dongyun Lee. Владелец: SILICON IMAGE, INC.. Дата публикации: 2009-06-11.

Flash memory device with increase of efficiency during an apde (automatic program disturb after erase) process

Номер патента: WO2002095762A3. Автор: Richard Fastow,Zhigang Wang,Chi Chang,Sameer Haddad,Sheung-Hee Park. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-02-20.

Flash memory device with increase of efficiency during an apde (automatic program disturb after erase) process

Номер патента: WO2002095762A2. Автор: Richard Fastow,Zhigang Wang,Chi Chang,Sameer Haddad,Sheung-Hee Park. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2002-11-28.

Power efficient codeword scrambling in a non-volatile memory device

Номер патента: US12067264B2. Автор: Zhengang Chen,Yoav Weinberg,Eyal EN GAD. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor memory device and method for writing data into the semiconductor memory device

Номер патента: US20070064499A1. Автор: Thomas Kern,Luca Ambroggi. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-03-22.

Memory devices including tri-state memory cells

Номер патента: US20240282370A1. Автор: Yuan He,Jiyun Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Metallocenyl dendrimer, organic memory device using the same and fabrication method of the organic memory device

Номер патента: US20110213172A1. Автор: Kwang Hee Lee,Tae Lim Choi,Sang Kyun Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-01.

Memory device

Номер патента: US12087354B2. Автор: Yih Wang,Chia-En HUANG,Jonathan Tsung-Yung Chang,Tzu-Hsien YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory device and method for protecting a memory device from the effect of row hammering

Номер патента: US20240185910A1. Автор: Fabrice Devaux. Владелец: Upmem SAS. Дата публикации: 2024-06-06.

Memory device having unity buffers with output current limiters

Номер патента: US20240170049A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Pierguido Garofalo,Michele Maria Venturini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Multi-chip package semiconductor memory device

Номер патента: US8723303B2. Автор: Satoshi Miyazaki,Hidekazu Nasu. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-13.

Semiconductor memory device, electronic device and method for setting the same

Номер патента: US12086011B2. Автор: Ki-Seok OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US12087361B2. Автор: Jungyu Lee,Bilal Ahmad Janjua,Jongryul Kim,Venkataramana Gangasani. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Inductive energy harvesting and signal development for a memory device

Номер патента: US20220037920A1. Автор: Dmitri A. Yudanov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Replacement memory device

Номер патента: WO2004019339A3. Автор: Kenneth K Smith,Colin A Stobbs. Владелец: Hewlett Packard Development Co. Дата публикации: 2005-04-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20220199149A1. Автор: Kaoru Mori. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-06-23.

Flash memory controller and method capable of transmitting multiple set-feature signals and macro settings to flash memory device

Номер патента: US20240004581A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Memory device comprising an ecc for error correction based on hint data

Номер патента: EP4170660A1. Автор: YoungMin Lee,Jeongmin Seo,Changjun LEE,Eunkak Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-26.

Semiconductor memory device and method of verifying the same

Номер патента: US20080123428A1. Автор: Makoto Senoo,Kazunari Kido,Yoshihiro Tsukidate,Shunichi Toyama. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-29.

Memory device, and electronic device including the same

Номер патента: US20210201992A1. Автор: Garam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-01.

Memory device, method of operating the same, and method of operating storage device including the same

Номер патента: US12040020B2. Автор: Minseok Kim,Kwangho Choi,Joonsuc Jang,Jun-Yong Park,Il Han Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory devices including processing-in-memory architecture configured to provide accumulation dispatching and hybrid partitioning

Номер патента: US20230343373A1. Автор: Kevin Skadron,Marzieh Lenjani. Владелец: University of Virginia UVA. Дата публикации: 2023-10-26.

Memory device, method for programming memory device, program verification method and memory system

Номер патента: US20230148366A1. Автор: Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

In-place write techniques without erase in a memory device

Номер патента: US20240069803A1. Автор: Xiang Yang,Wei Cao. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-29.

Method of writing data in memory device, method of reading data from memory device and method of operating memory device including the same

Номер патента: US20210181984A1. Автор: Youngsun Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-17.

Thin film transistor deck selection in a memory device

Номер патента: US20220375950A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-11-24.

Semiconductor memory device comprising one or more injecting bilayer electrodes

Номер патента: WO2007035259A1. Автор: Aaron Mandell,Igor Sokolik,Richard P. Kingsborough. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2007-03-29.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20230307359A1. Автор: Tadayoshi Watanabe,Kouji Matsuo. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Storage device including nonvolatile memory device and controller

Номер патента: US20240241648A1. Автор: Sangwoo Kim,Yongjun CHO,Changjun LEE,Dayeon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20240145008A1. Автор: Young Hwan Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Nonvolatile semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US9899095B2. Автор: Koji Hosono. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

ECC buffer reduction in a memory device

Номер патента: US12040033B2. Автор: Amit Berman. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Scan synchronous-write-through testing architectures for a memory device

Номер патента: US11734142B2. Автор: Ching-Wei Wu,Kao-Cheng LIN,Chia-En HUANG,Ming-Hung Chang,Atul Katoch,Uppu Sharath Chandra,Donald G. Mikan, Jr.,Hao-I Yang,Saman M. I. Adham,Ming-Chien Tsai,Tsung-Yung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Scan synchronous-write-through testing architectures for a memory device

Номер патента: US11256588B2. Автор: Ching-Wei Wu,Kao-Cheng LIN,Chia-En HUANG,Ming-Hung Chang,Atul Katoch,Uppu Sharath Chandra,Donald G. Mikan, Jr.,Hao-I Yang,Saman M. I. Adham,Ming-Chien Tsai,Tsung-Yung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-22.

Nor-type memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200343260A1. Автор: Chen-Chih WANG,Li-Wei Ho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-10-29.

NOR-type memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US11049874B2. Автор: Chen-Chih WANG,Li-Wei Ho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-06-29.

Memory device

Номер патента: US20020152365A1. Автор: Uwe Weder,Hans-Heinrich Viehmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-10-17.

Temperature-dependent operations in a memory device

Номер патента: US20220293184A1. Автор: Giuseppina Puzzilli,Pitamber Shukla,Priya Venkataraman,Scott A. Stoller,Niccolo' Righetti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-15.

Word line driver circuits for memory devices and methods of operating same

Номер патента: US20210225425A1. Автор: Youngsik Kim,Sangyun Kim,Seunghyun CHO,Sunggeun Do,Gongheum HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-22.

Replacement memory device

Номер патента: EP1540656A2. Автор: Kenneth K. Smith,Colin A. Stobbs. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2005-06-15.

Replacement memory device

Номер патента: WO2004019339A2. Автор: Kenneth K. Smith,Colin A. Stobbs. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2004-03-04.

Source bias temperature compensation for read and program verify operations on a memory device

Номер патента: US20230197175A1. Автор: Ching-Huang Lu,Ronit Roneel Prakash. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Nonvolatile memory device and storage device including nonvolatile memory device

Номер патента: US12062398B2. Автор: Gyu-Ha Park,Hyungsuk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Thin film transistor deck selection in a memory device

Номер патента: US20240276736A1. Автор: Daniele Vimercati,Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Method and apparatus for staggered start-up of a predefined, random or dynamic number of flash memory devices

Номер патента: US9036423B2. Автор: Kenneth Alan Okin,Gregory Charles Yancey,Bradley Edman SUNDAHL,Sean Michael O'Mullan. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2015-05-19.

Method for initializing memory device

Номер патента: US20110116331A1. Автор: Cheng-Che Tsai,Pu-Jen Cheng. Владелец: Himax Technologies Ltd. Дата публикации: 2011-05-19.

Thin film transistor deck selection in a memory device

Номер патента: US12069847B2. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Nonvolatile memory device and method of operating nonvolatile memory device

Номер патента: EP4177895A1. Автор: Sangwon Park,ChaeHoon KIM,Jiho Cho,Sanggi Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-10.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20210304831A1. Автор: Dong Uk Lee,Hae Chang Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US11355207B2. Автор: Dong Uk Lee,Hae Chang Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-06-07.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US20150089327A1. Автор: Chul-woo Park,Hak-soo Yu,Jae-Youn Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-03-26.

Memory device and test method thereof

Номер патента: US20090265592A1. Автор: Jih-Nung Lee,Hsiang-Huang Wu. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2009-10-22.

Memory device, operation method of memory device, and page buffer included in memory device

Номер патента: US12073915B2. Автор: Yongsung CHO,Ji-Sang LEE,Min Hwi KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Method for testing a memory device and memory device for carrying out the method

Номер патента: US7219029B2. Автор: Sven Boldt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-05-15.

Techniques for controlling a direct injection semiconductor memory device

Номер патента: US20120176845A1. Автор: Eric Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-07-12.

Three-dimensional memory devices with drain select gate cut and methods for forming and operating the same

Номер патента: US12058857B2. Автор: Lichuan Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Charge trap-type 3-level non-volatile semiconductor memory device and method of driving the same

Номер патента: US20070030756A1. Автор: Jung-Dal Choi,Ki-tae Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-02-08.

Read broadcast operations associated with a memory device

Номер патента: US20240281171A1. Автор: Dmitri A. Yudanov,Shanky Kumar Jain. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory device, method for configuring memory cell in N-bit memory unit, and memory array

Номер патента: US12069970B2. Автор: Meng-Fan Chang,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Jer-Fu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor memory devices including a discharge circuit

Номер патента: US20140101395A1. Автор: Jae Ho Park,Jong Hoon Jung,Gyu Hong Kim,Tae Joong Song,Gi Young Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-04-10.

Ecc buffer reduction in a memory device

Номер патента: US20230238074A1. Автор: Amit Berman. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-27.

Method and a device for testing electronic memory devices

Номер патента: US20020018376A1. Автор: Giovanni Campardo,Stefano Commodaro,Massimiliano Picca,Patrizia Mongelli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-14.

Memory system and semiconductor memory device

Номер патента: US10797073B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-10-06.

2-port memory device

Номер патента: US20020161977A1. Автор: Pien Chien. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-31.

Memory device with increased electrode resistance to reduce transient selection current

Номер патента: US20210151672A1. Автор: John Gorman,Fabio Pellizzer,Andrea Redaelli,Davide Mantegazza,Iniyan Soundappa Elango,Srivatsan Venkatesan,Davide Fugazza. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

Word line drivers for multiple-die memory devices

Номер патента: US20240274184A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory device

Номер патента: US20240272833A1. Автор: Yuji Nagai,Akio SUGAHARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Corrective read of a memory device with reduced latency

Номер патента: US20240264771A1. Автор: Tao Liu,Zhengang Chen,Ting Luo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20210327532A1. Автор: Jong Wook Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

System and method of selectively applying negative voltage to wordlines during memory device read operation

Номер патента: CA2711671C. Автор: Cheng Zhong,Sei Seung Yoon,Mohamed H. Abu-Rahma,Dongkyu Park. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-12-17.

Memory system comprising non-volatile memory device and related method of operation

Номер патента: US20130088928A1. Автор: Dong-Hun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-04-11.

Cross-temperature compensation in non-volatile memory devices

Номер патента: US20240202071A1. Автор: Andrea Giovanni Xotta,Umberto Siciliani. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory device, and manufacturing method and driving method thereof

Номер патента: US20230232635A1. Автор: Shuai Guo,Shijie BAI,Mingguang ZUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Magnetic memory device

Номер патента: US12035540B2. Автор: Kangho Lee,JungHyuk Lee,Yoonjong Song,BoYoung Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Spin orbit torque magnetic memory devices, operating methods thereof, and electronic apparatuses including the magnetic memory devices

Номер патента: US20240147868A1. Автор: Atsushi Okada,Soichiro Mizusaki,Kwangseok KIM,Jeongchun Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Nonvolatile memory cell, nonvolatile memory device, and method of programming the nonvolatile memory device

Номер патента: US20100014358A1. Автор: Dong-il Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-01-21.

3d memory device and programming method thereof

Номер патента: US20230352106A1. Автор: Amedeo IANTORNO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Data recovery method for memory device

Номер патента: US20240136009A1. Автор: Wen-Jer Tsai,You-Liang CHOU. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Data recovery method for memory device

Номер патента: US20240233856A9. Автор: Wen-Jer Tsai,You-Liang CHOU. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory device with command buffer

Номер патента: US20010003512A1. Автор: Casey Kurth,Scott Derner,Patrick Mullarkey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-06-14.

Phase-change memory with selectors in bjt technology and differential-reading method thereof

Номер патента: US20200126616A1. Автор: Antonino Conte. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2020-04-23.

Semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: EP3965106A3. Автор: Jeongho Lee,Kwangjin Lee,Hee Hyun Nam,Youngkwang YOO,Jaeho SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-08.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20040062113A1. Автор: Yoshimasa Sekino. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-01.

Techniques for reducing disturbance in a semiconductor memory device

Номер патента: US20140056090A1. Автор: David Kim,Jungtae Kwon,Sunil Bhardwaj. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-02-27.

Adaptive optimization of error-handling flows in memory devices

Номер патента: US20240053893A1. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Jay Sarkar,Ipsita Ghosh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor memory device comprising one or more injecting bilayer electrodes

Номер патента: EP1949383A1. Автор: Aaron Mandell,Igor Sokolik,Richard P. Kingsborough. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-07-30.

In-place write techniques without erase in a memory device

Номер патента: US12045511B2. Автор: Xiang Yang,Wei Cao. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-23.

Memory device and method of operating the memory device

Номер патента: US20240185921A1. Автор: Young Hwan Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Word line drivers for multiple-die memory devices

Номер патента: US12051459B2. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Partial block handling in a non-volatile memory device

Номер патента: US20240145010A1. Автор: Zhenlei Shen,Ugo Russo,Niccolo' Righetti,Murong Lang,Charles See Yeung Kwong,Zhongguang Xu,Nicola Ciocchini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Resistive memory device and a memory system including the same

Номер патента: US20170309330A1. Автор: Suk-Soo Pyo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-26.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230143211A1. Автор: Chih-Jen Huang,Chao-Yang Chen. Владелец: Memorist Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Memory device, memory system, and operation method thereof

Номер патента: US10740226B2. Автор: Jung-Hyun Kwon,Sung-Eun Lee,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-08-11.

Memory device, memory system, and operation method thereof

Номер патента: US20180210826A1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Sung-Eun Lee,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-07-26.

Storage device including nonvolatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US11775203B2. Автор: Jinyoung Kim,Dongmin Shin,Sehwan Park,Youngdeok SEO,Woohyun Kang,Shinho Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Data reading method for semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: US20090077337A1. Автор: Daisuke Oda. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-19.

Host controlled enablement of automatic background operations in a memory device, and associated memory devices, systems, and methods

Номер патента: US20240311012A1. Автор: Francesco Falanga,Danilo Caraccio. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-09-19.

Apparatus for monitoring data access to internal memory device and internal memory device

Номер патента: US20160342533A1. Автор: Gang Shan. Владелец: Montage Technology Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-24.

System for alternatively transferring data from external memory to memory device and from memory device to internal memory depending upon processing unit's operational

Номер патента: US5745785A. Автор: Ichiro Nakajima,Daisuke Tabuchi,Wataru Shoji. Владелец: Sofmap Future Design Inc. Дата публикации: 1998-04-28.

Storage device including random access memory devices and nonvolatile memory devices

Номер патента: US11216394B2. Автор: Youngjin Cho,Han-Ju Lee,Youngkwang YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-04.

Storage device including random access memory devices and nonvolatile memory devices

Номер патента: US10324869B2. Автор: Youngjin Cho,Han-Ju Lee,Youngkwang YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-18.

Memory device management system, memory device management method, and non-transitory computer-readable recording medium erasing data stored in memory device if a value of a first key and second key are different

Номер патента: US11573912B2. Автор: Takayuki Fukutani. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2023-02-07.

Memory device management system, memory device management method, and non-transitory computer-readable recording medium

Номер патента: US20210141743A1. Автор: Takayuki Fukutani. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2021-05-13.

Secure digital memory devices and controllers thereof

Номер патента: US20070220254A1. Автор: Yen-Hsin Liu. Владелец: A Data Technology Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-20.

Memory device and memory device controlling apparatus

Номер патента: US20100017541A1. Автор: Hideaki Yamashita,Takeshi Ootsuka. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-01-21.

Method for performing power saving control in a memory device, associated memory device and memory controller thereof, and associated electronic device

Номер патента: US20190377402A1. Автор: Wen-Chi Chao,Kuo-Cyuan Kuo. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

Allocating variable media types of memory devices in a memory system

Номер патента: US20190332290A1. Автор: Michael B. Danielson,Paul A. Suhler,James H. Meeker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Allocating variable media types of memory devices in a memory system

Номер патента: US20210173574A1. Автор: Michael B. Danielson,Paul A. Suhler,James H. Meeker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

Method for performing access management in a memory device, associated memory device and controller thereof, and associated electronic device

Номер патента: US12038849B2. Автор: Jie-Hao LEE,Cheng-Yu Yu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Reducing cryptographic update errors in memory devices using cyclical redundancy checks

Номер патента: US12066887B2. Автор: Zhan Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Method, server and mobile communication device for managing unique memory device identifications

Номер патента: EP2174481B1. Автор: Ismaila Wane,Alexandre Corda,Dominique Brule. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-11-10.

Non-volatile memory device and controlling apparatus, having extension activating and control parts, where memory device can be operated in an optimum operation mode

Номер патента: US10565137B2. Автор: Hideaki Yamashita,Takeshi Ootsuka. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-18.

Selectively disabling power delivery to a grouping of memory devices of an information handling system

Номер патента: US20230065935A1. Автор: Lee Zaretsky,Isaac Q. Wang. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2023-03-02.

Volatile/non-volatile memory device access provisioning system

Номер патента: US10146704B2. Автор: Jinsaku Masuyama,Ching-Lung Chao,Mukund Khatri. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2018-12-04.

Apparatus and method for controlling a pooled memory device or a memory expander

Номер патента: US20240126469A1. Автор: Jun Hee Ryu,Kwang Jin KO,Ho Kyoon LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Error correction code offload for a serially-attached memory device

Номер патента: US20230297244A1. Автор: Jonathan Hinkle. Владелец: Lenovo Global Technology United States Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Error correction code offload for a serially-attached memory device

Номер патента: US11809272B2. Автор: Jonathan Hinkle. Владелец: Lenovo Global Technology United States Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Transferring data to a memory device based on importance

Номер патента: US20240095200A1. Автор: Robert Bielby. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Method for performing initialization in a memory device, associated memory device and controller thereof, and associated electronic device

Номер патента: US20190294354A1. Автор: Po-Wei Wu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-09-26.

Cache device for coupling to a memory device and a method of operation of such a cache device

Номер патента: US8200902B2. Автор: Nigel Charles Paver,Stuart David Biles,Dam Sunwoo,Prakash Shyamlal Ramrakhyani. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2012-06-12.

Method for performing access management in a memory device, associated memory device and controller thereof, and associated electronic device

Номер патента: US20230342302A1. Автор: Jie-Hao LEE,Cheng-Yu Yu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Life expectancy monitoring for memory devices

Номер патента: US11947806B2. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm,Mark D. INGRAM,Scott D. VAN DE GRAAFF,Todd J. Plum. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Life expectancy monitoring for memory devices

Номер патента: WO2022098515A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm,Mark D. INGRAM,Todd Jackson Plum,Scott E. VAN DE GRAAFF. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-05-12.

Wireless memory device authentication

Номер патента: WO2013144416A1. Автор: Jan-Erik Ekberg,Harald Kaaja. Владелец: Nokia Corporation. Дата публикации: 2013-10-03.

Deterministic shut down of memory devices in response to a system warm reset

Номер патента: US20050091481A1. Автор: Anoop Mukker,David Sastry,Surya Kareenahalli,Zohar Bogin,Tuong Trieu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-04-28.

Wireless memory device authentication

Номер патента: EP2832128A1. Автор: Jan-Erik Ekberg,Harald Kaaja. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2015-02-04.

Wireless Memory Device Authentication

Номер патента: US20180025151A1. Автор: Jan-Erik Ekberg,Harald Kaaja. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2018-01-25.

Keeping file systems or partitions private in a memory device

Номер патента: EP2672415A3. Автор: Jacek Nawrot,Maxine Matton. Владелец: BlackBerry Ltd. Дата публикации: 2014-04-02.

Computer system including a main memory device with heterogeneous memories and method of operating the same

Номер патента: US20240160574A1. Автор: Yun Jeong MUN,Ho Kyoon LEE,Rak Kie KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Read-only memory device with securing function and accessing method thereof

Номер патента: US8452935B2. Автор: Chuen-An Lin,Ching-Tsung Tung. Владелец: Holtek Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-05-28.

Method for performing access control in a memory device, associated memory device and controller thereof

Номер патента: US20190163571A1. Автор: Chiao-Wen Cheng. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-05-30.

Method for performing access control in a memory device, associated memory device and controller thereof

Номер патента: US20200285411A1. Автор: Chiao-Wen Cheng. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2020-09-10.

Semiconductor memory device performing command merge operation and operation method thereof

Номер патента: US20200341686A1. Автор: Hyun Kim,Hyuk-Jae Lee,Moonsoo KIM,Hyokeun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-10-29.

Reducing cryptographic update errors in memory devices using cyclical redundancy checks

Номер патента: US20240054045A1. Автор: Zhan Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Data transfer management within a memory device having multiple memory regions with different memory densities

Номер патента: WO2022055743A1. Автор: Luca Bert,Karl D. Schuh,Abdelhakim Alhussien,Ayberk Ozturk. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-03-17.

Data transfer management within a memory device having multiple memory regions with different memory densities

Номер патента: US11836377B2. Автор: Luca Bert,Karl D. Schuh,Abdelhakim Alhussien,Ayberk Ozturk. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Memory device control method, memory device, electronic device, memory controller, and computer readable medium

Номер патента: CN115933969A. Автор: 李承佑,杨俊哲,王德凯,方苰任. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-04-07.

Nonvolatile Memory Modules Comprising Volatile Memory Devices and Nonvolatile Memory Devices

Номер патента: US20170235524A1. Автор: Cho Youngjin,Choi JinHyeok,YOO Youngkwang,LEE Han-Ju. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-17.

INFORMATION PROCESSING DEVICE INCLUDING HOST DEVICE AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130191609A1. Автор: Kunimatsu Atsushi,Maeda Kenichi. Владелец: . Дата публикации: 2013-07-25.

MEMORY SYSTEM COMPRISING NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND RELATED READ METHOD

Номер патента: US20140136765A1. Автор: SON Hong Rak,KONG JUNJIN,OH Eun Chu. Владелец: . Дата публикации: 2014-05-15.

STORAGE DEVICE INCLUDING RANDOM ACCESS MEMORY DEVICES AND NONVOLATILE MEMORY DEVICES

Номер патента: US20170075829A1. Автор: Cho Youngjin,YOO Youngkwang,LEE Han-Ju. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-16.

STORAGE DEVICE INCLUDING RANDOM ACCESS MEMORY DEVICES AND NONVOLATILE MEMORY DEVICES

Номер патента: US20190266114A1. Автор: Cho Youngjin,YOO Youngkwang,LEE Han-Ju. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-29.

METHOD FOR MANAGING AN OPERATION FOR MODIFYING THE STORED CONTENT OF A MEMORY DEVICE, AND CORRESPONDING MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220147469A1. Автор: Dionis Gilles. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-12.

MEMORY DEVICE MANAGEMENT SYSTEM, MEMORY DEVICE MANAGEMENT METHOD, AND NON-TRANSITORY COMPUTER-READABLE RECORDING MEDIUM

Номер патента: US20210141743A1. Автор: Fukutani Takayuki. Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2021-05-13.

STORAGE APPARATUS HAVING NONVOLATILE MEMORY DEVICE, AND NONVOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170308722A1. Автор: Ninose Kenta,Oikawa Yoshihiro,Hirayama Hiroshi. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-26.

APPARATUS FOR MONITORING DATA ACCESS TO INTERNAL MEMORY DEVICE AND INTERNAL MEMORY DEVICE

Номер патента: US20160342533A1. Автор: SHAN Gang. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-24.

A method for managing a memory device and thereof memory device

Номер патента: WO2010051717A1. Автор: 李俊坤,林财成. Владелец: 慧荣科技股份有限公司. Дата публикации: 2010-05-14.

Method for performing data management in memory device, and associated memory device and controller thereof

Номер патента: TWI602188B. Автор: 汪宇倫. Владелец: 慧榮科技股份有限公司. Дата публикации: 2017-10-11.

Drive power supplying method for semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: US6504353B2. Автор: Isamu Kobayashi,Yoshiharu Kato. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-01-07.

MEMORY DEVICE AND DATA READ METHOD THEREOF

Номер патента: US20170083372A1. Автор: Lin Yu-Chih. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-23.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND CONTINUOUS READING METHOD FOR THE SAME

Номер патента: US20180088867A1. Автор: Kaminaga Takehiro,Suito Katsutoshi. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-29.

Device isolation method of semiconductor memory device and flash memory device fabricating method using the same

Номер патента: US20050142796A1. Автор: Sung Jung,Jum Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Method of fabricating a resistance based memory device and the memory device

Номер патента: US7659566B2. Автор: Seung-Eon Ahn,Hye-Young Kim,Byoung-ho Park,Jung-Bin Yun,You-seon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-02-09.

Method of fabricating a resistance based memory device and the memory device

Номер патента: US20070037351A1. Автор: Seung-Eon Ahn,Hye-Young Kim,Byoung-ho Park,Jung-Bin Yun,You-seon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-02-15.

Method for manufacturing semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: US20160254319A1. Автор: Shigeki Kobayashi,Takeshi Yamaguchi,Masaki Yamato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-01.

Method for manufacturing semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: US20150295174A1. Автор: Shigeki Kobayashi,Takeshi Yamaguchi,Masaki Yamato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-10-15.

Method of manufacturing semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: US20230301094A1. Автор: Kyosuke Nanami. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Method for manufacturing semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: US20140326939A1. Автор: Shigeki Kobayashi,Takeshi Yamaguchi,Masaki Yamato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-11-06.

Method for manufacturing semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: US20230354610A1. Автор: Yusuke Oshiki,Hirotaka Tsuda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Method for manufacturing semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: US9627401B2. Автор: Yusuke Oshiki,Hirotaka Tsuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Method for manufacturing semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: US20200176469A1. Автор: Yusuke Oshiki,Hirotaka Tsuda. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-06-04.

Storage device including nonvolatile memory device and operating method of storage device

Номер патента: US20240069777A1. Автор: Gyeongmin Kim,Keunsan Park,HeeTak Shin,Joon-Whan BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory device virtualization

Номер патента: US20240289159A1. Автор: Marco Redaelli,Gaurav Sinha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Storage device, control method for partitioning logical memory devices, and medium embodying program for partitioning logical memory devices

Номер патента: US20050278489A1. Автор: Hiroyuki Otani. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2005-12-15.

Runtime selection of memory devices and storage devices in a disaggregated memory system

Номер патента: US20220214805A1. Автор: Richard C. Murphy,Reshmi Basu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-07-07.

Partitioning of memory device for multi-client computing system

Номер патента: EP2646925A1. Автор: Thomas J. Gibney,Patrick J. Koran. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2013-10-09.

File memory device and information processing apparatus using the same

Номер патента: US20010007119A1. Автор: Jun Kitahara,Kunihiro Katayama,Kenichi Kaki,Kazunori Furusawa,Tsunehiro Tobita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-07-05.

Runtime selection of memory devices and storage devices in a disaggregated memory system

Номер патента: US11762553B2. Автор: Richard C. Murphy,Reshmi Basu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Method and apparatus for associating optically stored data with a wireless memory device

Номер патента: WO2000048115A1. Автор: Christopher A. Wiklof,H. Sprague Ackley. Владелец: Intermec Ip Corporation. Дата публикации: 2000-08-17.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller without making memory cell array generating errors

Номер патента: US20240232085A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory device activity-based copying defect management data

Номер патента: US20220019502A1. Автор: Sai Krishna Mylavarapu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Frequency monitoring for memory devices

Номер патента: WO2022066439A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm,Mark D. INGRAM,Todd Jackson Plum,Scott D. VAN DE GRAAFF. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-03-31.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller without making memory cell array generating errors

Номер патента: US20240231625A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Host timeout avoidance in a memory device

Номер патента: US20200004459A1. Автор: David Aaron Palmer,Nadav Grosz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-01-02.

Shared function for multi-port memory device

Номер патента: US20240241823A1. Автор: Marco Redaelli,Gaurav Sinha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Temperature monitoring for memory devices

Номер патента: US20240256187A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm,Mark D. INGRAM,Todd Jackson Plum,Scott D. VAN DE GRAAFF. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Cluster namespace for a memory device

Номер патента: US20240231610A9. Автор: Marco Redaelli,Gaurav Sinha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory device operation based on device characteristics

Номер патента: US20240255567A1. Автор: Kazuaki Ohara,Rachael R. Skreen,Soujanya Venigalla,Jihye Gale Shin,Rosa Maria Avila-Hernandez. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory controller with ring bus for interconnecting memory clients to memory devices

Номер патента: WO2008008220A1. Автор: Patrick Law,Alex Miretsky,Warren F. Kruger. Владелец: Ati Technologies, U.L.C.. Дата публикации: 2008-01-17.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller with making memory cell array generating errors

Номер патента: US20240231638A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Interrupt signaling for a memory device

Номер патента: WO2021126656A1. Автор: Heinz Hoenigschmid,Thomas Hein,Markus Balb. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-24.

Prioritization of successful read recovery operations for a memory device

Номер патента: US20240231985A1. Автор: Tingjun Xie,Naveen Bolisetty. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Using memory device sensors

Номер патента: WO2021118712A1. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-17.

Address verification for a memory device

Номер патента: WO2021126457A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-24.

Memory system including memory controller and memory device and method for recovering from an error thereof

Номер патента: US20240168846A1. Автор: Sung-Joon Kim,Ho-Young Lee,Kyung-Hee Han,Insu Choi,Changho YUN,Kyungjin PARK,Ilho Kim,Jinhun JEONG,Yunmi HWANG,Jongwon Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Encryption of memory device with wear leveling

Номер патента: WO2012138865A1. Автор: Simon Hunt. Владелец: MCAFEE, INC.. Дата публикации: 2012-10-11.

Encryption of memory device with wear leveling

Номер патента: EP2695067A1. Автор: Simon Hunt. Владелец: McAfee LLC. Дата публикации: 2014-02-12.

Memory device controlled low temperature thermal throttling

Номер патента: US20240176506A1. Автор: Marco Redaelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Interrupt signaling for a memory device

Номер патента: US12099746B2. Автор: Heinz Hoenigschmid,Thomas Hein,Markus Balb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Read performance of memory devices

Номер патента: US12086467B2. Автор: Yi-Chun Liu,Ting-Yu Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Apparatus and method for sanitizing a shared memory device or a memory expander

Номер патента: US20240231615A1. Автор: Jung Min Choi,Sun Woong Kim,Min Ho Ha,Byung Il Koh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Hardware latency monitoring for memory device input/output requests

Номер патента: US20240231633A1. Автор: Aviv Kfir,Liron Mula,Oren Duer,Shridhar Rasal. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Using memory device sensors

Номер патента: EP4073798A1. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-19.

Memory device active command tracking

Номер патента: WO2024123886A1. Автор: Horia C. Simionescu,Prateek Sharma,Raja V.S. HALAHARIVI. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-06-13.

Memory device to train neural networks

Номер патента: WO2021231069A1. Автор: Vijay S. Ramesh. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-11-18.

Memory device and memory system for direct communication between the memory devices

Номер патента: US20200104060A1. Автор: Young Geun Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-02.

Using memory device sensors

Номер патента: US12066916B2. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Power down of memory device based on hardware reset signal

Номер патента: US20240289035A1. Автор: Steffen Buch,Gianluca Coppola. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Usage level identification for memory device addresses

Номер патента: US20240281371A1. Автор: Luca Porzio,Giuseppe Cariello,Roberto IZZI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Using a persistent byte-addressable memory in a compute express link (cxl) memory device for efficient power loss recovery

Номер патента: US20240311019A1. Автор: Rohit Sehgal,Vishal TANNA,Eishan MIRAKHUR. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory controller managing temperature of memory device and memory system having the memory controller

Номер патента: US20200409608A1. Автор: Young Jae JIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-31.

System and method for selectively affecting data flow to or from a memory device

Номер патента: EP1639480A2. Автор: Richard Chin,Frank N. Cheung. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2006-03-29.

Swap memory device providing data and data block, method of operating the same, and method of operating electronic device including the same

Номер патента: US20240152461A1. Автор: Jiwon Lee,Jeonghoon CHOI,Won Woo Ro,Hyoseong Choi. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2024-05-09.

Read operations for active regions of a memory device

Номер патента: US12050786B2. Автор: Lingyun Wang,Bin Zhao. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Apparatus and method for a non-power-of-2 size cache in a first level memory device to cache data present in a second level memory device

Номер патента: US20170185315A1. Автор: Vedaraman Geetha,Brian S. Morris,Sreenivas Mandava,Henk G. Neefs,Massimo Sutera. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-29.

Active calibration for high-speed memory devices

Номер патента: EP2384474A1. Автор: Frederick A. Ware,Jared L. Zerbe,Brian S. Leibowitz. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2011-11-09.

Memory device, system including the same, and operating method of memory device

Номер патента: US20240248850A1. Автор: Daehyun Kim,Jiho Kim,Sukhan Lee,Kijun Lee,Yeonggeol Song,Myungkyu Lee,Kyomin Sohn,Seongmuk Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20020001173A1. Автор: Shiro Hayano,Kazuyoshi Nishiyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-03.

System, apparatus, and methods for digitally labeling memory devices without affecting data storage

Номер патента: US20240241684A1. Автор: David D. Kwan. Владелец: Memoric Technology LLC. Дата публикации: 2024-07-18.

Testing for memory devices using dedicated command and address channels

Номер патента: US20240281350A1. Автор: Stephen Hanna. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Read performance improvement using memory device latches

Номер патента: US20240264933A1. Автор: Amiya Banerjee,Jameer Mulani,Sriraman Sridharan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Bit error management in memory devices

Номер патента: US20230393739A1. Автор: Tommaso Vali,Luigi Pilolli,Cristina Lattaro,Agostino Macerola,Walter Di Francesco,Jeremy Binfet,Andrea D'Alessandro,Angelo COVELLO,Claudia CIASCHI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Method and apparatus for performing configuration management of memory device in predetermined communications architecture with aid of electronic fuse data preparation, and associated computer-readable medium

Номер патента: US12026403B1. Автор: Hong-Ren Fang,Guo-Jhang Hong,Lu-Ting Wu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Apparatus and method for controlling access to a memory device

Номер патента: US20160357688A1. Автор: Mark Andrew Brittain,Michael Andrew Campbell. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2016-12-08.

Memory device log data storage

Номер патента: US12039163B2. Автор: Scheheresade Virani,Jeffrey Lee Munsil. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Method and apparatus for performing configuration management of memory device in predetermined communications architecture with aid of electronic fuse data preparation, and associated computer-readable medium

Номер патента: US20240220159A1. Автор: Hong-Ren Fang,Guo-Jhang Hong,Lu-Ting Wu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Memory device with cryptographic kill switch

Номер патента: US11726923B2. Автор: Gil Golov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-15.

Managing Memory Devices in a Storage Network

Номер патента: US20230280911A1. Автор: Gary W. Grube,Manish Motwani,Jason K. Resch,Ilya Volvovski,Timothy W. Markison. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

A Portable Memory Device For Use With An Infusion Device

Номер патента: US20230056279A1. Автор: Joshua Guthermann. Владелец: SANOFI SA. Дата публикации: 2023-02-23.

Generating codewords with diverse physical addresses for 3DXP memory devices

Номер патента: US11734190B2. Автор: Jian Huang,Zhenming Zhou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Memory programming method, memory device, and memory system

Номер патента: US20240295960A1. Автор: Yao Chen,Zhiliang Xia,Yifan Li. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Methods and apparatus for byte alignment operations for a memory device that stores an odd number of bytes

Номер патента: US20010032302A1. Автор: Raymond Chan,Mario Au. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-18.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240302982A1. Автор: Jae Woong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Managing power loss in a memory device

Номер патента: US12086062B2. Автор: Wei Wang,Jiangli Zhu,Frederick Adi,Venkata Naga Lakshman Pasala,Huapeng G. Guan,Yipei Yu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Error protection for managed memory devices

Номер патента: US20240235578A9. Автор: Tal Sharifie,Yoav Weinberg,Chandrakanth Rapalli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Contactless data transmission for memory devices

Номер патента: US20240211581A1. Автор: Felice COSENZA,Domenico Balzano,Graziano LEONE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: US20200349097A1. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-05.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: US20200242057A1. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-30.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: WO2019040200A1. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-02-28.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: US10754801B2. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-25.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: US20210209039A1. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-08.

Memory device wear-leveling techniques

Номер патента: WO2011090547A2. Автор: Yen Lin,Howard Tsai,Nirmal Saxena,Dimitry Vyshetsky. Владелец: NVIDIA CORPORATION. Дата публикации: 2011-07-28.

Efficient buffer management for media management commands in memory devices

Номер патента: US12039192B2. Автор: Bharani Rajendiran. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Method and apparatus for managing a plurality of memory devices

Номер патента: US20160124674A1. Автор: Sei-Jin Kim,Min-Jung Kim,Bo-Young Seo,Sung-Hwan Yun,Dong-Wook Suh,Jung-Yup Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-05.

System for installing software on a small-memory device

Номер патента: WO2015190998A2. Автор: Ching Guan Tay,Tong Peow Ow. Владелец: Home Control Singapore Pte. Ltd.. Дата публикации: 2015-12-17.

Memory device and password storing method thereof

Номер патента: WO2008076999A3. Автор: Mitsuhiro Nagao. Владелец: Mitsuhiro Nagao. Дата публикации: 2008-08-14.

Semiconductor memory device, semiconductor wafer, and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20120161206A1. Автор: Hiroshi SHIMODE. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-06-28.

Storage system which utilizes two kinds of memory devices as its cache memory and method of controlling the storage system

Номер патента: US20110296091A1. Автор: Kentaro Shimada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-01.

Memory device, operating method of memory device and memory system

Номер патента: US20240311054A1. Автор: Eun Chu Oh,Beomkyu Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Open block management in memory devices

Номер патента: US20240061575A1. Автор: Juane LI,Michael Winterfeld. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: EP3673380A1. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-01.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: US10983934B2. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-20.

Storage device including non-volatile memory device and operating method of storage device

Номер патента: US20240241642A1. Автор: Young-rok Oh,Daesung CHEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Dynamic memory device management and stream prioritization based on quality of service metrics

Номер патента: US12045467B2. Автор: Manjunath Chandrashekaraiah. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Storage device including nonvolatile memory device and controller

Номер патента: EP4404064A1. Автор: Sangwoo Kim,Yongjun CHO,Changjun LEE,Dayeon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-24.

Open block management in memory devices

Номер патента: US20240201851A1. Автор: Juane LI,Michael Winterfeld. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory device, memory system including the same, and operating method of memory system

Номер патента: EP4411551A1. Автор: Jungho Park,Insu Kim,Jaeyong Jeong,Beomkyu Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-07.

Portable memory device and method of securing the integrity of stored data therein

Номер патента: WO1994015320A1. Автор: Alan J. Eisenberg. Владелец: Base 10 Systems, Inc.. Дата публикации: 1994-07-07.

Pre-load techniques for improved sequential memory access in a memory device

Номер патента: US20220300409A1. Автор: Bin Zhao,Xinghui DUAN,Jianxiong Huang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-22.

Parallel boot execution of memory devices

Номер патента: US11734018B2. Автор: Judah Gamliel Hahn,Ariel Navon,Shay Benisty. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Track activities of components in endpoints having secure memory devices via identity validation

Номер патента: US12088581B2. Автор: Lance W. Dover,Jeffrey Charles Shiner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

System and method for controlling access to a memory device of an electronic device

Номер патента: US20100199031A1. Автор: Runbo Fu. Владелец: Research in Motion Ltd. Дата публикации: 2010-08-05.

Memory device and method for managing read counts of memory device

Номер патента: US20210365213A1. Автор: Yen-Hsiang Chen,Nai-Ping Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Address translation metadata compression in memory devices

Номер патента: US20240264743A1. Автор: Scheheresade Virani,Brian Toronyi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Touchup for memory device using embedded encoder/decoder

Номер патента: US20240289218A1. Автор: Vikas RANA,Kishore Kumar Muchherla,James Fitzpatrick,William Richard Akin,Kevin R. Brandt,Dung V. Nguyen,David Ebsen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Touchup for memory device using embedded encoder and decoder

Номер патента: WO2024178374A1. Автор: Vikas RANA,Kishore Kumar Muchherla,James Fitzpatrick,William Richard Akin,Kevin R. Brandt,Dung V. Nguyen,David Ebsen. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory device using multistage acceleration, operating method of memory device, and electronic device including the same

Номер патента: US20240319871A1. Автор: Jinhyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Systems and methods of testing memory devices

Номер патента: US12020996B2. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Method, associated memory device and controller thereof for performing dynamic resource management

Номер патента: US20190050154A1. Автор: Che-Wei Hsu,Hsin-Hsiang TSENG. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-02-14.

Memory device and computing device using the same

Номер патента: US20200356308A1. Автор: Ga Ram Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-12.

Method and apparatus for performing access management of memory device in predetermined communications architecture with aid of automatic parameter setting

Номер патента: US20240232067A1. Автор: Shen-Ting Chiu,Te-Kai WANG,Po-Lin WU,Lu-Ting Wu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory device for cryptographic operations and method for interacting therewith

Номер патента: WO2008027165A3. Автор: Kevin Lewis,Susan Cannon. Владелец: Susan Cannon. Дата публикации: 2008-07-31.

Purging data from a memory device

Номер патента: WO2022115828A1. Автор: Jonathan S. Parry,Christian M. Gyllenskog. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-06-02.

Method and memory device for atomic processing of fused commands

Номер патента: US11762587B2. Автор: Yong Yang,Chun-Chu Chen-Jhy Archie Wu,Fnu VIKRAM SINGH,Syed KAISER,Daniel Lee HELMICK,Vasili ZHDANKIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-19.

Memory devices and systems for host controlled enablement of automatic background operations in a memory device

Номер патента: US12032827B2. Автор: Francesco Falanga,Danilo Caraccio. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-07-09.

Automated optimization of error-handling flows in memory devices

Номер патента: US20240256375A1. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Jay Sarkar,Ipsita Ghosh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Power loss protection of data in memory devices

Номер патента: US11747994B2. Автор: Yi-Min Lin,Chih-kuo Kao. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Flash memory device and manufacturing method the same

Номер патента: US20100163969A1. Автор: Cheon-Man Shim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

Passive devices for integration with three-dimensional memory devices

Номер патента: EP3262680A2. Автор: Masahide Matsumoto,Masatoshi Nishikawa,Toru Miwa,Ryoichi Honma,Johann Alsmeier,Yuki Mizutani,Hiroaki Koketsu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-03.

Flash memory device with a plurality of source plates

Номер патента: US8217447B2. Автор: Cheon-Man Shim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2012-07-10.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20230129734A1. Автор: Dong Won Choi,Kyung Min Park,Jun Hyuk Park,Sung Gon Jin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20210028104A1. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240266339A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US12087686B2. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240292617A1. Автор: In Su Park,Jung Shik JANG,Won Geun CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240276722A1. Автор: In Su Park,Jung Dal Choi,Jung Shik JANG,Mi Seong PARK,Won Geun CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor memory device and method for fabricating thereof

Номер патента: US20210335798A1. Автор: Satoru Yamada,Hyun Cheol Kim,Yong Seok Kim,Kyung Hwan Lee,Jae Ho Hong,Sung Won YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-28.

Semiconductor memory device and method for fabricating thereof

Номер патента: US11711918B2. Автор: Satoru Yamada,Hyun Cheol Kim,Yong Seok Kim,Kyung Hwan Lee,Jae Ho Hong,Sung Won YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-25.

Semiconductor memory device with air gaps for reducing current leakage

Номер патента: US20230189500A1. Автор: Chun-Heng Wu,Jen-I Lai,Jr-Chiuan Wang,Hao-Chan Lo,Hsing-Han Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Method of manufacturing magnetic memory device and magnetic memory device

Номер патента: TW200901390A. Автор: Chen Eugene,Huai Yiming,WANG LIEN-CHANG,Takeharu Kuroiwa,Shuichi Ueno,Haruo Furuta,Tatsuya Fukumura,Ryoji Matsuda. Владелец: Renesas Tech Corp. Дата публикации: 2009-01-01.

Method of manufacturing magnetic memory device, and magnetic memory device

Номер патента: TWI228327B. Автор: Makoto Motoyoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-02-21.

Semiconductor memory device, phase change memory device and method of manufcturing the same

Номер патента: TW200725613A. Автор: Wei-Su Chen. Владелец: Ind Tech Res Inst. Дата публикации: 2007-07-01.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US11963351B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Memory device package having scribe line and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240170412A1. Автор: Wu-Der Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Memory device package having scribe line and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240170410A1. Автор: Wu-Der Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20220157849A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor memory device and manufacturing method of a semiconductor memory device

Номер патента: US20230328983A1. Автор: Hyo Sub YEOM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Nonvolatile memory device and method of forming the same

Номер патента: US7700426B2. Автор: Tae-Kyung Kim,Sung-Nam Chang,Dong-Seog Eun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-04-20.

Error reduction during cryptographic key updates in secure memory devices

Номер патента: US20230396431A1. Автор: Zhan Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

A method of manufacturing a nonvolatile memory device, a nonvolatile memory device, a memory card having a nonvolatile memory device, and an electrical device having a memory card

Номер патента: DE102007008530B4. Автор: Andreas Voerckel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-11-12.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20230298992A1. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor memory device and method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US11894300B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor memory device including channel pillar with junction and method of fabricating the semiconductor memory device

Номер патента: US11937421B2. Автор: Nam Kuk KIM,Ki Chang JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240015965A1. Автор: Dae Hyun Kim,Changhan Kim,Ga Ram CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20230292507A1. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor memory device and method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20240162148A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20240172440A1. Автор: Jae Taek Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20230354603A1. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Flash memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20090065847A1. Автор: Yong-Jun Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-12.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US12027511B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20180130737A1. Автор: Yung Jun KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-10.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20230292501A1. Автор: Han Na GOH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor memory device with high electron mobility channels and method of manufacturing the same

Номер патента: US11882703B2. Автор: Hyung Jin Choi,Jae Hyeon Shin,Sungmook Lim,In Gon YANG,Gil Bok CHOI,Dae Hwan YUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120187503A1. Автор: Jongwon Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-26.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240049465A1. Автор: In Ku Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor memory device with air gaps between conductive features and method for preparing the same

Номер патента: US20210327882A1. Автор: Chun-Cheng Liao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor memory device with air gaps for reducing capacitive coupling and method for preparing the same

Номер патента: US20210335792A1. Автор: Kuo-Hui Su. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-10-28.

Semiconductor memory device, nonvolatile memory device and magnetic memory device provided with memory elements and interconnections

Номер патента: US6849888B2. Автор: Tsukasa Ooishi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-02-01.

Method for fabricating a gallium nitride pattern and method for fabricating flash memory device and flash memory device using thereof

Номер патента: KR100956402B1. Автор: 정재훈,김태환,권영해,이대욱. Владелец: 한양대학교 산학협력단. Дата публикации: 2010-05-06.

Method for forming a buried strap by controlled recrystallisation, in a semiconductor memory device, and semiconductor memory device thereby formed

Номер патента: EP0739033A3. Автор: Erwin Hammerl,Junichi Shiozawa,Jack A. Mandelman,Herbert L. Ho,Reinhard Johannes Stengl. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2000-01-12.

Method of nitriding tunnel oxide film, method of manufacturing non-volatile memory device, non-volatile memory device, control program and computer-readable recording medium

Номер патента: TW200633065A. Автор: Takashi Kobayashi,Junichi Kitagawa,Shingo Furui,Toshihiko Shiozawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2006-09-16.

Three-dimensional memory device having parallel trench type capacitor and a method of manufacturing the three-dimensional memory device

Номер патента: US20220149052A1. Автор: Won Seok Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-05-12.

Memory Devices, Memory Device Constructions, Constructions, Memory Device Forming Methods, Current Conducting Devices, and Memory Cell Programming Methods

Номер патента: US20120056151A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-03-08.

Method for forming fine pattern, method for manufacturing master for optical memory device, master for optical memory device, stamper for optical memory device, and optical memory device

Номер патента: JP4397884B2. Автор: 郁雄中野,順司広兼,理伸三枝,勝則志茂,信之高森,敏彦酒井. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2010-01-13.

The photolithography method of semiconductor devices, the production method of flush memory device and flush memory device

Номер патента: CN105448839B. Автор: 张海洋,舒强,李天慧. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-06-04.

Номер патента: RU2568785C2. Автор: Владимир Владимирович Соколов,Геннадий Георгиевич Стецюра. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем управления им. В.А. Трапезникова Российской академии наук. Дата публикации: 2015-11-20.

Memory device, memory device read method

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты