Method of programming memory device and related memory device
Номер патента: EP3891745B1
Опубликовано: 06-09-2023
Автор(ы): Jianquan Jia, Kaikai You, Ying Cui
Принадлежит: Yangtze Memory Technologies Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 06-09-2023
Автор(ы): Jianquan Jia, Kaikai You, Ying Cui
Принадлежит: Yangtze Memory Technologies Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Nonvolatile memory device, methods of programing the nonvolatile memory device and memory system including the nonvolatile memory device
Номер патента: US20110216587A1. Автор: Jeong-Woo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-08.