• Главная
  • Method of programming memory device and related memory device

Method of programming memory device and related memory device

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method of programming non-volatile memory device

Номер патента: US12125541B2. Автор: Sungmin JOE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Method of programming semiconductor memory device

Номер патента: US20180226129A1. Автор: Ji Seon Kim,Sang Tae Ahn,Eun Mee KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-08-09.

Method of programming semiconductor memory device

Номер патента: US20180005696A1. Автор: Ji Seon Kim,Sang Tae Ahn,Eun Mee KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-04.

Method of programming semiconductor memory device

Номер патента: US09966144B2. Автор: Ji Seon Kim,Sang Tae Ahn,Eun Mee KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Method of programming in flash memory devices

Номер патента: WO2021035562A1. Автор: Yu Wang,Shuang Li,Qiang Tang,Chunyuan HOU,Qing Ruan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-03-04.

Method of programming in flash memory devices

Номер патента: EP3877978A1. Автор: Yu Wang,Shuang Li,Qiang Tang,Chunyuan HOU,Qing Ruan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-15.

Method of Programming in Flash Memory Devices

Номер патента: US20210065808A1. Автор: Yu Wang,Khanh Nguyen,Shuang Li,Qiang Tang,Chunyuan HOU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Nonvolatile memory device and storage device including nonvolatile memory device

Номер патента: US11967367B2. Автор: Nari Lee,Gyu-Ha Park,Jeongyeol Kim,Daehan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-23.

Memory device, operation method of memory device, and page buffer included in memory device

Номер патента: US12073915B2. Автор: Yongsung CHO,Ji-Sang LEE,Min Hwi KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Method of initializing 3D non-volatile memory device

Номер патента: US09685235B2. Автор: Sang Ho Lee,Byung Gook Park,Dae Woong KWON,Do Bin KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Nonvolatile memory device and storage device including nonvolatile memory device

Номер патента: US12062398B2. Автор: Gyu-Ha Park,Hyungsuk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Nonvolatile memory device and operation method thereof

Номер патента: US12033707B2. Автор: Won-Taeck JUNG,Dongku Kang,Su Chang Jeon,Kyung-Min Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Nonvolatile memory device and operation method thereof

Номер патента: US20240331785A1. Автор: Won-Taeck JUNG,Dongku Kang,Su Chang Jeon,Kyung-Min Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240282394A1. Автор: Chang Beom WOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240249774A1. Автор: Sung Min Lee,Sang Tae Ahn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Non-volatile memory devices and methods of operating the same

Номер патента: US09959933B2. Автор: Ho-Jun Lee,Sang-Hyun Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Non-volatile memory devices and methods of operating the same

Номер патента: US09747997B2. Автор: Ho-Jun Lee,Sang-Hyun Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Programming and/or erasing a memory device in response to its program and/or erase history

Номер патента: US09613706B2. Автор: June Lee,Fred Jaffin, III. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Nonvolatile memory device and operation method thereof

Номер патента: US20200395090A1. Автор: Won-Taeck JUNG,Dongku Kang,Su Chang Jeon,Kyung-Min Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-17.

Nonvolatile memory device and operation method thereof

Номер патента: US20230253059A1. Автор: Won-Taeck JUNG,Dongku Kang,Su Chang Jeon,Kyung-Min Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-10.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US11961574B2. Автор: Un Sang Lee,June Young Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240212769A1. Автор: Un Sang Lee,June Young Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Non-volatile memory device for mitigating cycling trapped effect and control method thereof

Номер патента: US12020754B2. Автор: Po-Yuan TANG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Non-volatile memory device for mitigating cycling trapped effect and control method thereof

Номер патента: US20240046997A1. Автор: Po-Yuan TANG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Method of programming and verifying memory device and related memory device

Номер патента: EP3948868B1. Автор: LEI Jin,Hongtao Liu,An ZHANG,Yali SONG,XiangNan Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-05.

Method of programming nonvolatile memory device

Номер патента: US20100246268A1. Автор: Hee Youl Lee,Ki Seog Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-09-30.

Memory system and semiconductor memory device

Номер патента: US10797073B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-10-06.

Nonvolatile memory devices and methods of programming in nonvolatile memory devices

Номер патента: KR20220055023A. Автор: 이요한,남상완,유재덕,최용혁. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-05-03.

Memory device for setting channel initialization time based on inhabition count value and method of the memory device

Номер патента: US11804273B2. Автор: Jong Wook Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Memory device and method of operating the memory device

Номер патента: US20240161834A1. Автор: Hyun Seung Yoo,Hye Eun Heo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Nonvolatile memory devices, memory systems and related control methods

Номер патента: US20160254038A1. Автор: Dongkyo Shim,Donghun Kwak,Hyun jun YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-01.

Nonvolatile memory devices, memory systems and related control methods

Номер патента: US09520168B2. Автор: Dongkyo Shim,Donghun Kwak,Hyun jun YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor memory device and related method of programming

Номер патента: US20100259993A1. Автор: Sang Gu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-10-14.

Semiconductor memory device and related method of programming

Номер патента: US20120120731A1. Автор: Sang Gu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-05-17.

Nonvolatile memory device and a method of operating the nonvolatile memory device

Номер патента: US09653168B2. Автор: Wandong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

Non-volatile memory device, memory system, and methods of operating the device and system

Номер патента: US09672931B2. Автор: Myung-Hoon Choi,Seok-min Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20190304515A1. Автор: Hee Youl Lee,Sung In Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-03.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US10846236B2. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-11-24.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20180225220A1. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-08-09.

Gate voltage step and program verify level adjustment in a memory device

Номер патента: US20240290404A1. Автор: Zhenming Zhou,Murong Lang,Christina Papagianni. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Gate voltage step and program verify level adjustment in a memory device

Номер патента: WO2024178393A1. Автор: Zhenming Zhou,Murong Lang,Christina Papagianni. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-08-29.

Page buffer, memory device including page buffer and memory system including memory device

Номер патента: US20240177786A1. Автор: Kang Woo Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Method of operating non-volatile memory device

Номер патента: US09349456B2. Автор: Se Jun Kim,Hea Jong Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-24.

Non-volatile memory device, memory system including the same, and method of operating the same

Номер патента: US09514830B2. Автор: Sang Hwa Han,Hee Woong Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-06.

NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND A METHOD OF PROGRAMMING THE NONVOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200202943A1. Автор: LEE Seung-jae,JOE Sung-Min,Lee Sun-gun. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-25.

Method of programming non-volatile memory device and apparatuses for performing the method

Номер патента: US8593877B2. Автор: Sang-Hyun Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-11-26.

Memory device and method of operating the memory device

Номер патента: US20210050051A1. Автор: In Gon YANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

Nonvolatile memory cell, nonvolatile memory device, and method of programming the nonvolatile memory device

Номер патента: US20100014358A1. Автор: Dong-il Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-01-21.

Method of programming nonvolatile memory device

Номер патента: US20090285028A1. Автор: Jin Su Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-11-19.

Nonvolatile memory device and method of writing data in nonvolatile memory device

Номер патента: US09524782B2. Автор: Ki-hwan Choi,Oh-Suk Kwon,Ji-Sang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Memory device and error correction method in memory device

Номер патента: US20220383969A1. Автор: Win-San Khwa. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Memory device and error correction method in memory device

Номер патента: US20220270692A1. Автор: Win-San Khwa. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-25.

Memory device and error correction method in memory device

Номер патента: US11705212B2. Автор: Win-San Khwa. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-18.

Memory device and error correction method in memory device

Номер патента: US11456040B2. Автор: Win-San Khwa. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-27.

Flash memory device and programming method thereof

Номер патента: US8194463B2. Автор: Jong-Hwa Kim,Young-Joon Choi,Seok-Cheon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-06-05.

Flash memory device and method for driving the same

Номер патента: US20080247247A1. Автор: Sang-Gu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-10-09.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US12068039B2. Автор: Jae Il TAK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20230307063A1. Автор: Jae Il TAK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Method of programming nonvolatile memory device

Номер патента: US20130250696A1. Автор: Ji-Sang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-09-26.

Access line management in a memory device

Номер патента: US09514829B2. Автор: Benjamin Louie,Aaron S. Yip,Ali Mohammadzadeh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Memory device and method of programming data in memory device

Номер патента: KR101436506B1. Автор: 김재홍,김용준,조경래,공준진,손홍락. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2014-09-02.

Method of erasing in non-volatile memory device

Номер патента: US20100271883A1. Автор: Yeong-Taek Lee,Ki-tae Park,Doo-gon Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-10-28.

Method of erasing in non-volatile memory device

Номер патента: US7957199B2. Автор: Yeong-Taek Lee,Ki-tae Park,Doo-gon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-06-07.

Method of erasing data in flash memory device

Номер патента: US7986565B2. Автор: Jae-Yong Jeong,Jin-Young Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-26.

Method of erasing data in flash memory device

Номер патента: US20100118613A1. Автор: Jae-Yong Jeong,Jin-Young Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-05-13.

Methods of programming memory cells in non-volatile memory devices

Номер патента: US09818477B2. Автор: Jae-Hong Kim,Jin-Man Han,Young-Seop Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-14.

Method of programming nonvolatile memory device

Номер патента: US20100329021A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-30.

Memory device for performing erase verify operation on cell string group basis and method of operating the same

Номер патента: US20240312539A1. Автор: Jun Young KWEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND A METHOD OF PROGRAMMING THE NONVOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20190096488A1. Автор: LEE Seung-jae,JOE Sung-Min,Lee Sun-gun. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-28.

Method of programming a semiconductor memory device

Номер патента: KR20110114210A. Автор: 박성제. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-10-19.

Nonvolatile memory device and a method of programming the nonvolatile memory device

Номер патента: US10614886B2. Автор: Seung-jae Lee,Sung-Min JOE,Sun-gun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-07.

Memory device, method of manufacturing memory device and method of operating memory device

Номер патента: US20230058213A1. Автор: Moon Sik SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

Method of correcting error of flash memory device, and, flash memory device and storage system using the same

Номер патента: US8612830B2. Автор: Jun Kitahara,Nagamasa Mizushima. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2013-12-17.

Method of verifying layout of vertical memory device

Номер патента: US09929172B2. Автор: Sung-Hoon Kim,Ki-Won Kim,Jae-Ick SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Nonvolatile memory devices and storage devices including nonvolatile memory devices

Номер патента: US09685211B2. Автор: Sunghoon Kim,Jeunghwan Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor memory device and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20230298634A1. Автор: Yusuke Mori. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor memory device and method of defining data in semiconductor memory device

Номер патента: US20190139601A1. Автор: Hirokazu NAGASE. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

Non-volatile memory device and method of manufacturing the non-volatile memory device

Номер патента: US20220344369A1. Автор: In Su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-27.

Method of verifying layout of vertical memory device

Номер патента: US20170243882A1. Автор: Sung-Hoon Kim,Ki-Won Kim,Jae-Ick SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-24.

Charge trap-type 3-level non-volatile semiconductor memory device and method of driving the same

Номер патента: US20070030756A1. Автор: Jung-Dal Choi,Ki-tae Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-02-08.

Non-volatile memory device, memory system, and methods of operating the device and system

Номер патента: US09607700B2. Автор: Seung-Bum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Non-volatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US12073889B2. Автор: Dong-Hun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Non-volatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US12087367B2. Автор: Dong-Hun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Method of programming a semiconductor memory device

Номер патента: TW201145282A. Автор: Jin-Su Park,Sang-Oh LIM. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-12-16.

Method of programming nonvolatile memory device

Номер патента: US20100008138A1. Автор: Jong Hyun Wang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-01-14.

Non-volatile Memory Device

Номер патента: US20100302862A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-02.

Methods of driving a memory

Номер патента: US9105339B2. Автор: Jun-Jin Kong,Moshe Twitto. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-08-11.

METHOD OF PROGRAMMING MULTI-PLANE MEMORY DEVICE FOR ACCELERATING PROGRAM SPEED AND REDUCING PROGRAM DISTURBANCE

Номер патента: US20210264994A1. Автор: Wang Yu,Deng Jialiang. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-26.

Nonvolatile memory device and system, and method of programming a nonvolatile memory device

Номер патента: US20110044104A1. Автор: Dong-ku Kang,Hyeong-Jun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-02-24.

METHOD OF PROGRAMMING NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND APPARATUSES FOR PERFORMING THE METHOD

Номер патента: US20150138889A1. Автор: JOO Sang-Hyun. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-21.

Memory device and method of programming in a memory device

Номер патента: CN107430888B. Автор: 孙永科,梅文龙,董颖达. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-07-10.

Memory device and method for operating said memory device

Номер патента: US20230267999A1. Автор: Thomas Kern,Sebastian Kiesel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-08-24.

Program method of flash memory device

Номер патента: US20080123429A1. Автор: Seong Je Park,Seung Ho Chang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-05-29.

Method of reducing program operation time in 3d nand memory systems

Номер патента: US20240296889A1. Автор: Hongtao Liu,XiangNan Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Method of programming a multi-bit non-volatile memory device and multi-bit non-volatile memory device

Номер патента: EP1892721A3. Автор: Hyun-Sun Mo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-30.

Method of programming non-volatile memory device and non-volatile memory device using the same

Номер патента: US9087608B2. Автор: Ohsuk Kwon,Moosung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-07-21.

Nonvolatile memory device and storage device including nonvolatile memory device

Номер патента: US20230221870A1. Автор: Sang-Wan Nam,Euihyun Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-13.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US20070211533A1. Автор: Sang-jin Park,Sang-Min Shin,Young-soo Park,Young-Kwan Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-09-13.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20230282274A1. Автор: Cheng Hung Lee,Chien-yuan Chen,Hau-Tai Shieh,Che-An Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US09881696B2. Автор: Ju Seok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-30.

Non-volatile memory devices and manufacturing methods thereof

Номер патента: US09564519B2. Автор: Young Woo Park,Jae Duk Lee,Jin Taek Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of evenly using a plurality of blocks of a flash memory, and associated memory device and controller thereof

Номер патента: TW201034016A. Автор: Yang-Chih Sheng. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2010-09-16.

METHOD OF PROGRAMMING NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND NON-VOLATILE MEMORY DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20150287466A1. Автор: Kim Moosung,Kwon Ohsuk. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-08.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240028220A1. Автор: Jong Wook Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Storage device and read methods thereof

Номер патента: US09836219B2. Автор: Yoon Kim,Kyungryun Kim,Sangyong Yoon,Kyehyun Kyung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-05.

Operating method of semiconductor memory device, controller, and memory system having the same

Номер патента: US11550495B2. Автор: Ju Hee Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-01-10.

Nonvolatile memory device and memory system including the same

Номер патента: US20130272052A1. Автор: Jin-Hyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-10-17.

Memory modules including a mirroring circuit and methods of operating the same

Номер патента: US20230186954A1. Автор: KyuDong Lee,Gyuchae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-15.

Memory controller and method of operating the same

Номер патента: US11756607B2. Автор: Byung Jun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Method of operating non-volatile memory device

Номер патента: US09501343B2. Автор: Kyung-Ryun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-22.

Copy-back operations in a memory device

Номер патента: US20200278907A1. Автор: Giuseppe Cariello,Fulvio Rori. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-09-03.

Copy-back operations in a memory device

Номер патента: US11042438B2. Автор: Giuseppe Cariello,Fulvio Rori. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-22.

Memory device

Номер патента: US20240272833A1. Автор: Yuji Nagai,Akio SUGAHARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

METHOD OF PROGRAMMING NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND NON-VOLATILE MEMORY DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20130308391A1. Автор: Kim Moosung,Kwon Ohsuk. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-11-21.

METHOD OF PROGRAMMING NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND APPARATUSES FOR PERFORMING THE METHOD

Номер патента: US20140056078A1. Автор: JOO Sang-Hyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-02-27.

Memory modules including a mirroring circuit and methods of operating the same

Номер патента: US12027225B2. Автор: KyuDong Lee,Gyuchae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-02.

Microelectronic devices, and related methods and memory devices

Номер патента: US12089422B2. Автор: Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Magnetic structures, methods of forming the same and memory devices including a magnetic structure

Номер патента: US09634238B2. Автор: Sung-Chul Lee,Kwang-Seok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-25.

Microelectronic devices, and related methods and memory devices

Номер патента: US20230413583A1. Автор: Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Nonvolatile memory device and method of writing signal in nonvolatile memory device

Номер патента: US20180114560A1. Автор: Joong Sik Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-26.

Methods of Fabricating Electromechanical Non-Volatile Memory Devices

Номер патента: US20100129976A1. Автор: Sung-min Kim,Sung-Young Lee,Min-Sang Kim,Eun Jung Yun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-05-27.

Method of forming an amorphous ferroelectric memory device

Номер патента: US7713754B2. Автор: Robert Bicknell,Timothy Mellander. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2010-05-11.

Magnetic memory device, method for writing into magnetic memory device and method for reading magnetic memory device

Номер патента: US20080175041A1. Автор: Masaki Aoki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-07-24.

Nonvolatile memory device and storage device including nonvolatile memory device

Номер патента: US20180047449A1. Автор: Sang-Wan Nam,Sang-In Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-15.

Semiconductor memory device and method for fabricating semiconductor memory device

Номер патента: US20080089104A1. Автор: Hiroyasu Tanaka,Ryota Katsumata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-17.

Semiconductor memory device and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20220406803A1. Автор: Ayumu OZAWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-12-22.

Magnetoresistive memory device and method for manufacturing magnetoresistive memory device

Номер патента: US20200083443A1. Автор: Yuichi Ito,Kouji Matsuo. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

System and method of accessing memory of a data storage device

Номер патента: WO2014159396A2. Автор: Menahem Lasser. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2014-10-02.

Flash memory device including deduplication, and related methods

Номер патента: US09841918B2. Автор: Jun Jin Kong,Avner Dor,Elona Erez. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Methods of testing repair circuits of memory devices

Номер патента: US20240290414A1. Автор: Taeyun Kim,Taewon Kim,Sanghee KANG,Kiho Hyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Non-volatile memory device and method of writing to non-volatile memory device

Номер патента: US11195582B2. Автор: Yoshikazu Katoh,Naoto Kii,Yuhei YOSHIMOTO. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2021-12-07.

Volatile memory device and methods of operating and testing volatile memory device

Номер патента: US09552210B2. Автор: Kwan-Yong Jin,Mi-Young Woo,Seock-Chan Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-24.

Method of writing data in nonvolatile memory device and nonvolatile memory device performing the same

Номер патента: US12045470B2. Автор: Wonhee CHO,Dongeun Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Method of Phase Calibration for Double Data Rate Memory Interface and Related System

Номер патента: US20180203777A1. Автор: Chia-Ta LAI. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2018-07-19.

Method of phase calibration for double data rate memory interface and related system

Номер патента: US09952955B2. Автор: Chia-Ta LAI. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2018-04-24.

Driving method of memory controller and nonvolatile memory device controlled by memory controller

Номер патента: US09594673B2. Автор: Kyungryun Kim,Seokjun Ham. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-14.

Memory devices, memory systems, and related operating methods

Номер патента: US09406359B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Hyun-Kook PARK,Yeong-Taek Lee,Chi-Weon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-02.

Method of reducing current of memory in self-refreshing mode and related memory

Номер патента: US7843754B2. Автор: Der-Min Yuan. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2010-11-30.

Method of programming multi-plane memory device

Номер патента: US11776641B2. Автор: Yu Wang,Jialiang DENG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Method of programming multi-plane memory device

Номер патента: EP4332973A2. Автор: Yu Wang,Jialiang DENG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-06.

Method of programming multi-plane memory device

Номер патента: US20230368853A1. Автор: Yu Wang,Jialiang DENG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Method of programming multi-plane memory device

Номер патента: EP4332973A3. Автор: Yu Wang,Jialiang DENG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-01.

Method of programming multi-plane memory device

Номер патента: EP3899711A1. Автор: Yu Wang,Jialiang DENG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-27.

Clock synchronizing method of a multiple clock domain memory device

Номер патента: US12057193B2. Автор: Tae-Young Oh,Hye-Ran Kim,Seong-Hwan Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory device, related method, and related electronic device

Номер патента: US20170110167A1. Автор: Hong Yu,Hao Ni,Yi Jin Kwon,Chuntian YU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-04-20.

Memory device, related method, and related electronic device

Номер патента: US09953689B2. Автор: Hong Yu,Hao Ni,Yi Jin Kwon,Chuntian YU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor memory device and method for operating semiconductor memory device

Номер патента: US7898835B2. Автор: Kotaro Kashiwa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-03-01.

Memory device and method for protecting a memory device from the effect of row hammering

Номер патента: US20240185910A1. Автор: Fabrice Devaux. Владелец: Upmem SAS. Дата публикации: 2024-06-06.

Resistive memory device and memory system including resistive memory device

Номер патента: US09627056B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Yeong-Taek Lee,Mu-hui Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Memory device and method for testing a memory device

Номер патента: US20170206982A1. Автор: Martin Huch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-07-20.

Semiconductor memory device and method for operating semiconductor memory device

Номер патента: US20080320215A1. Автор: Kotaro Kashiwa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-12-25.

Memory device and memory system including the memory device

Номер патента: US09741425B2. Автор: Nak-Kyu Park,Sun-Hye Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Memory device and method of reading data from a memory device

Номер патента: US20050052943A1. Автор: Ralf Klein,Thoai-Thai Le,George Alexander,Eckhard Brass. Владелец: Eckhard Brass. Дата публикации: 2005-03-10.

Nonvolatile memory device and method of throttling temperature of nonvolatile memory device

Номер патента: US10445010B2. Автор: Sung-Won Jeong,Hee-Woong Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-15.

Method of reading data in ferroelectric memory device and ferroelectric memory device

Номер патента: US20040240250A1. Автор: Takeshi Kijima,Eiji Natori,Junichi Karasawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-12-02.

Volatile memory device and methods of operating and testing volatile memory device

Номер патента: US20140223245A1. Автор: Kwan-Yong Jin,Mi-Young Woo,Seock-Chan Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-08-07.

Method of Operating a NAND Flash Memory Device

Номер патента: US20160189789A1. Автор: Hui Chen,Oron Michael,Robin John Jigour. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-30.

Method of operating a NAND flash memory device

Номер патента: US9620231B2. Автор: Hui Chen,Oron Michael,Robin John Jigour. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Memory device, related method, and related electronic device

Номер патента: US20160163366A1. Автор: Hong Yu,Hao Ni,Yi Jin Kwon,Chuntian YU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-06-09.

Memory device, memory system, and method for operating memory device

Номер патента: US09818493B2. Автор: Dong-Uk Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Clock synchronizing method of a multiple clock domain memory device

Номер патента: US20220157357A1. Автор: Tae-Young Oh,Hye-Ran Kim,Seong-Hwan Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-19.

Clock synchronizing method of a multiple clock domain memory device

Номер патента: US20210183420A1. Автор: Tae-Young Oh,Hye-Ran Kim,Seong-Hwan Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-17.

Clock synchronizing method of a multiple clock domain memory device

Номер патента: US20230206974A1. Автор: Tae-Young Oh,Hye-Ran Kim,Seong-Hwan Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-29.

Nonvolatile memory device and memory system including nonvolatile memory device

Номер патента: US20200183784A1. Автор: SUNGKYU Park,Beomkyu Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-11.

Semiconductor memory device and method for testing semiconductor memory device

Номер патента: US20180286496A1. Автор: Shuhei KAMANO. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-04.

Nonvolatile memory device and memory system including nonvolatile memory device

Номер патента: US12013754B2. Автор: SUNGKYU Park,Beomkyu Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-18.

Resistive memory device and memory system including resistive memory device

Номер патента: US20160358648A1. Автор: Dae-Seok Byeon,Yeong-Taek Lee,Mu-hui Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-08.

Ferroelectric memory device and method for operating ferroelectric memory device

Номер патента: US20010040815A1. Автор: Yasuhiro Tanaka. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2001-11-15.

Nor-type memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200343260A1. Автор: Chen-Chih WANG,Li-Wei Ho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-10-29.

NOR-type memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US11049874B2. Автор: Chen-Chih WANG,Li-Wei Ho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-06-29.

Embedded memory device and method for embedding memory device in a substrate

Номер патента: US20200075567A1. Автор: Andrew Collins. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Self-healing memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230072894A1. Автор: Young Jin Kim,Tae Whan Kim,Hao Qun An. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2023-03-09.

Resistance change memory device and method of sensing the same

Номер патента: US09916894B2. Автор: Tae Jung Ha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Phase-Change Random Access Memory Device and Methods of Making the Same

Номер патента: US20240206351A1. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory device

Номер патента: US20240365554A1. Автор: Yih Wang,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Shih-Lien Linus Lu,Chia-En HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Memory devices configured to provide external regulated voltages

Номер патента: US20240203479A1. Автор: Thomas H. Kinsley,Matthew A. Prather. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-06-20.

Embedded recess in polymer memory package and method of making same

Номер патента: US20030017643A1. Автор: JIAN Li,Xiao-Chun Mu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-01-23.

Memory devices having a carbon nanotube

Номер патента: US20090289322A1. Автор: Xiaofeng Wang,Dong-Woo Kim,Sun-Woo Lee,Hong-Sik Yoon,Seong-ho Moon,Subramanya Mayya. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-11-26.

Resistive memory device and method of programming the same

Номер патента: US11640842B2. Автор: Moonki Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-02.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09953685B2. Автор: Chia-Jung Hsu,Wein-Town Sun,Chun-Yuan Lo,Jui-Ming Kuo. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Memory device and semiconductor device

Номер патента: US09478276B2. Автор: Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Clock generation for timing communications with ranks of memory devices

Номер патента: US12066958B2. Автор: Jared L. Zerbe,John Eble,Ian P. Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-08-20.

Clock generation for timing communications with ranks of memory devices

Номер патента: US09563228B2. Автор: Jared L. Zerbe,John Eble,Ian P. Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-02-07.

Memory controller, semiconductor memory device, and control method for semiconductor memory device

Номер патента: US09960788B2. Автор: Daisuke Fujiwara. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Method of making record on magnetic memory device

Номер патента: TW201003651A. Автор: Hiroshi Kano,Minoru Ikarashi,Masanori Hosomi,Tetsuya Yamamoto,Yuki Oishi,Hiroyuki Ohmori,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-01-16.

Non-volatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US20080158940A1. Автор: Jun-Ho Lee,Dong-Seok Suh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-03.

Embedded memory device and method for embedding memory device in a substrate

Номер патента: US20210225828A1. Автор: Andrew Collins. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-07-22.

Non-volatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US8054672B2. Автор: Jun-Ho Lee,Dong-Seok Suh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-11-08.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US20230079939A1. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-16.

Memory device capable of calibration and calibration methods therefor

Номер патента: US20040141370A1. Автор: Manoj Bhattacharyya,Lung Tran. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-22.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US20200319953A1. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-08.

Memory device and test operation method thereof

Номер патента: US20200381070A1. Автор: Dong Hyun Lee,Seung Jin PARK,Chang Kyun PARK,Young Sik KOH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

System and method of transferring data over available pins

Номер патента: US09984741B2. Автор: Bhyrav M. Mutnury,Stuart Allen Berke,Vadhiraj Sankaranarayanan. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2018-05-29.

Memory module with local synchronization and method of operation

Номер патента: US12135644B2. Автор: Hyun Lee,Jayesh R. Bhakta. Владелец: Netlist Inc. Дата публикации: 2024-11-05.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US12125525B2. Автор: Yu-Hao Hsu,Tsung-Hsien Huang,Wei-jer Hsieh,Tsung-Yuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Non-volatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US09928140B2. Автор: Jung Sunwoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

System and method of command based and current limit controlled memory device power up

Номер патента: US09640227B2. Автор: Jeff Yu,Ted Pekny. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor memory device and memory system including same

Номер патента: US09607678B2. Автор: Seung Hoon Oh,Jong Ho Lee,Tae Young Oh,Kwang Il Park,Su Yeon Doo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Packet routing between memory devices and related apparatuses, methods, and memory systems

Номер патента: US20240241641A1. Автор: John D. Leidel. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Memory device which generates improved read current according to size of memory cell

Номер патента: US12094509B2. Автор: Daeshik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Access schemes for activity-based data protection in a memory device

Номер патента: US20210335407A1. Автор: Corrado Villa,Andrea Martinelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Error vector readout from a memory device

Номер патента: US09734008B2. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Warren E. Maule,Hillery C. Hunter,Charles A. Kilmer,Michael B. Healy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Error vector readout from a memory device

Номер патента: US09733870B2. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Warren E. Maule,Hillery C. Hunter,Charles A. Kilmer,Michael B. Healy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Memory device training

Номер патента: US12027195B2. Автор: QI Dong,Xuesong Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Method of and apparatus for refreshing memory devices

Номер патента: US20240105249A1. Автор: Katherine H. Chiang,Ming-Yen Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Non-destructive pattern identification at a memory device

Номер патента: US11935617B2. Автор: Takamasa Suzuki,Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Non-destructive pattern identification at a memory device

Номер патента: US20230326494A1. Автор: Takamasa Suzuki,Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Memory device tester and method for testing reduced power states

Номер патента: US20020190708A1. Автор: Matthew Harrington,Van Huynh,Adin Hyslop. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-12-19.

Memory device tester and method for testing reduced power states

Номер патента: US20020149982A1. Автор: Matthew Harrington,Van Huynh,Adin Hyslop. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-10-17.

Memory device tester and method for testing reduced power states

Номер патента: US20020149981A1. Автор: Matthew Harrington,Van Huynh,Adin Hyslop. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-10-17.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US20240281166A1. Автор: Jae Woong Jeong,In Bo Shim,Dal Gon KIM,Na Yeong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory device tester and method for testing reduced power states

Номер патента: US6674677B2. Автор: Adin E. Hyslop,Matthew R. Harrington,Van C. Huynh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-01-06.

Operating method of memory controller and nonvolatile memory device

Номер патента: US09766973B2. Автор: Changkyu Seol,Junjin Kong,Hong Rak Son,Youngsuk Ra,Seonghyeog Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Memory device which generates improved read current according to size of memory cell

Номер патента: US20220328085A1. Автор: Daeshik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-13.

Memory device tester and method for testing reduced power states

Номер патента: US6914843B2. Автор: Adin E. Hyslop,Matthew R. Harrington,Van C. Huynh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-07-05.

Data storage device and method for dynamically determining a buffer size

Номер патента: US12099745B2. Автор: Po-Wei Wu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Memory device which generates improved write voltage according to size of memory cell

Номер патента: US11894038B2. Автор: Daeshik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-06.

Memory device which generates improved write voltage according to size of memory cell

Номер патента: US20220051710A1. Автор: Daeshik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-17.

Memory device which generates improved write voltage according to size of memory cell

Номер патента: US20240119983A1. Автор: Daeshik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-11.

Memory device sensors

Номер патента: EP4073799A1. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-19.

Memory device sensors

Номер патента: WO2021118711A1. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-17.

Coordinating memory operations using memory-device-generated reference signals

Номер патента: US20190294568A1. Автор: Scott C. Best,Ian Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2019-09-26.

Dynamic control of power consumption based on memory device activity

Номер патента: US09898059B2. Автор: Barak Rotbard,Assaf Shappir. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Method, device, and circuit for high-speed memories

Номер патента: US20240153573A1. Автор: Atul Katoch,Jaspal Singh Shah. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Method, device, and circuit for high-speed memories

Номер патента: US20230238073A1. Автор: Atul Katoch,Jaspal Singh Shah. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Coordinating memory operations using memory-device generated reference signals

Номер патента: US20190114271A1. Автор: Scott C. Best,Ian Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2019-04-18.

Coordinating memory operations using memory-device-generated reference signals

Номер патента: US20210011867A1. Автор: Scott C. Best,Ian Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2021-01-14.

Coordinating memory operations using memory-device generated reference signals

Номер патента: US20180150420A1. Автор: Scott C. Best,Ian Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-05-31.

Coordinating memory operations using memory-device generated reference signals

Номер патента: US09858216B2. Автор: Scott C. Best,Ian Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-01-02.

Coordinating memory operations using memory-device generated reference signals

Номер патента: US09384152B2. Автор: Scott C. Best,Ian Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2016-07-05.

METHOD OF PROGRAMMING NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND NON-VOLATILE MEMORY DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20150146485A1. Автор: Kim Moosung,Kwon Ohsuk. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-28.

ECC buffer reduction in a memory device

Номер патента: US12040033B2. Автор: Amit Berman. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Ecc buffer reduction in a memory device

Номер патента: US20230238074A1. Автор: Amit Berman. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-27.

Memory module, system and method of making same

Номер патента: US20070230230A1. Автор: Joseph Hofstra. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-04.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US11989082B2. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-21.

Method of detecting incorrectly programmed memory cells of a memory

Номер патента: GB9815642D0. Автор: . Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 1998-09-16.

Method of detecting incorrectly programmed memory cells of a memory

Номер патента: GB2328536B. Автор: Peter Grosshans. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 1999-12-22.

Optical pickup device and method of adjusting the same

Номер патента: US20030103438A1. Автор: MITSUHIRO Togashi,Ichiro Morishita,Naoki Kaiho,Noriyoshi Takeya. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-05.

Method of Controlling Recording of Optical Disc Device and Optical Disc Device Using the Method

Номер патента: US20090059756A1. Автор: Soo-Yong Kim,Seok-Min Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-03-05.

METHOD OF RECORDING ULTRA SHORT EXPOSURE HIGH DYNAMIC FIELD IMAGES AND RELATED IMAGING DEVICE

Номер патента: DK181567B1. Автор: Andersen Thomas,Nørgaard Lau. Владелец: Phase One AS. Дата публикации: 2024-05-24.

Methods of generating tactile user feedback utilizing headphone devices and related systems

Номер патента: US09712907B2. Автор: Matthew WINDT,John Timothy,Sam NOERTKER. Владелец: Skullcandy Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Method of editing call history information in mobile device and mobile device controlling the same

Номер патента: US09954998B2. Автор: Sijeong Ro. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2018-04-24.

Method of producing electrical component, electrical component production device, and photosensitive resist

Номер патента: US20110207048A1. Автор: Yuki ITOU. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-25.

Method of notifying of business audit, gateway, electronic device, and readable medium

Номер патента: US20230188620A1. Автор: HAO Zhang,Cong Yu,Ke Tao,Yuanxu Liu. Владелец: Baidu China Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-15.

Method of manufacturing light-emitting device, light-emitting device, and projector

Номер патента: US20150280090A1. Автор: Shuichi Tanaka,Kunihiko Aoyagi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2015-10-01.

A method of signal conversion, a device, an electronic device and a storage medium

Номер патента: EP3974997A1. Автор: HAO Zhang,Mingzhi QIU. Владелец: Shenzhen Lingfeng Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-30.

Method of Signal Conversion, A Device, An Electronic Device and A Storage Medium

Номер патента: US20220092018A1. Автор: HAO Zhang,Mingzhi QIU. Владелец: Shenzhen Lingfeng Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-24.

Method of logging in to operating system, electronic device and readable storage medium

Номер патента: US11972002B2. Автор: Shiaw-Herng Liu. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Method of operating semiconductor memory device and memory system including semiconductor memory device

Номер патента: US09727401B2. Автор: Ju Hyeon HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

A method of enhancing distorted signal, a mobile communication device and a computer program product

Номер патента: WO2019096807A1. Автор: Marcin Kuropatwinski. Владелец: Talking 2 Rabbit Sarl. Дата публикации: 2019-05-23.

A method of enhancing distorted signal, a mobile communication device and a computer program product

Номер патента: US20200321016A1. Автор: Marcin Kuropatwinski. Владелец: Talking 2 Rabbit Sarl. Дата публикации: 2020-10-08.

Method of determining state of target object, electronic device, and storage medium

Номер патента: US11995154B2. Автор: Yongqing Wang. Владелец: Beijing Baidu Netcom Science And Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Display device with a backlight, control method of controlling a backlight of a display device and program of same

Номер патента: US09606677B2. Автор: Atsushi Shibuya. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of calibrating sensitivity of a touch input device and touch input device employing the same

Номер патента: US09377898B2. Автор: Ji-Hye Shin. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-28.

Method of operating an organic light emitting display device, and organic light emitting display device

Номер патента: US09564084B2. Автор: Jong-Woong Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Virtualized system and method of controlling access to nonvolatile memory device in virtualization environment

Номер патента: US12124369B2. Автор: Dongouk MOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Method of driving light emitting device, light emitting device and electronic apparatus

Номер патента: US20100328364A1. Автор: Takehiko Kubota. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2010-12-30.

Method of operating a computer program using data base schema and related language dictionaries

Номер патента: CA2080797C. Автор: Kim D. Letkeman,Susan T. Harford. Владелец: Mitel Corp. Дата публикации: 1999-02-02.

Method of estimating an output diameter of a capillary tube, and related methods

Номер патента: US20210245114A1. Автор: Filip Granek,Piotr KOWALCZEWSKI,Szymon ZIEBA,Maciej TYBEL. Владелец: XTPL SA. Дата публикации: 2021-08-12.

Method of estimating an output diameter of a capillary tube, and related methods

Номер патента: US11691110B2. Автор: Filip Granek,Piotr KOWALCZEWSKI,Szymon ZIEBA,Maciej TYBEL. Владелец: XTPL SA. Дата публикации: 2023-07-04.

Method of operating semiconductor memory device and memory system including semiconductor memory device

Номер патента: US20160259674A1. Автор: Ju Hyeon HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-08.

Methods of memory address verification and memory devices employing the same

Номер патента: US20240126701A1. Автор: Alberto Troia. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-04-18.

Method of detecting a touch event for a touch panel and related device

Номер патента: US20100253639A1. Автор: Chih-Yuan Chang,He-Wei Huang,Hui-Hung Chang. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2010-10-07.

Automotive system, method of operating the same, and memory device for the same

Номер патента: US20240176681A1. Автор: Jung Ae Kim,Tae Ha Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Method of detecting vibration anomalies in an electronic device and associated system

Номер патента: EP4305391A1. Автор: Federico Di Santo,Davide DA RÙ,Gianluca IABICHINO. Владелец: KSB SE and Co KGaA. Дата публикации: 2024-01-17.

Method of manufacturing a substrate of a display device and mask thereof

Номер патента: US20190384160A1. Автор: Xing Wang,Kun Yang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-19.

Method of automatically setting up a code reading device and camera-based code reading device

Номер патента: US20230032900A1. Автор: Pascal SCHÜLER. Владелец: SICK AG. Дата публикации: 2023-02-02.

Method of automatically setting up a code reading device and camera-based code reading device

Номер патента: US11922263B2. Автор: Pascal SCHÜLER. Владелец: SICK AG. Дата публикации: 2024-03-05.

Learning device, operating method of learning device, operating program of learning device, and operating device

Номер патента: EP3995997A1. Автор: Masataka Hasegawa. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2022-05-11.

Memory device and memory system having the memory device

Номер патента: US11782646B2. Автор: Seung Hyun Chung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Systems and methods of calibration of low fill-factor sensor devices and object detection therewith

Номер патента: WO2023022998A1. Автор: Hod Finkelstein,Allan STEINHARDT. Владелец: Aeye, Inc.. Дата публикации: 2023-02-23.

Method of Controlling Belt Fixing Device, Belt Fixing Device, and Image Forming Apparatus

Номер патента: US20090245843A1. Автор: Makoto Sato. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Semiconductor memory device and control method for semiconductor memory device

Номер патента: US20110264826A1. Автор: Takafumi Ito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-10-27.

Method for processing memory device

Номер патента: US20240338313A1. Автор: Chan Ho SOHN,Ting Lun OU,Kwang Soo MOON. Владелец: Essencore Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Self-adaptive adjustment method of anc parameter, device and storage medium

Номер патента: US20240363093A1. Автор: Kai Zeng. Владелец: Goertek Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Method of controlling group chatting in portable device and portable device performing the same

Номер патента: US09866506B2. Автор: Eunyeung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Method for adjusting volume of a display device and a display device

Номер патента: US09740279B2. Автор: Kailiang Zhang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Driver of vibrator, method of driving the same, lens driver, vibration device, and imaging device

Номер патента: US09823543B2. Автор: Akio Atsuta. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Configuration method of a multimedia system

Номер патента: US09602166B2. Автор: Frederic Thomas. Владелец: Nagravision SA. Дата публикации: 2017-03-21.

Configuration method of a multimedia system

Номер патента: US09432089B2. Автор: Frederic Thomas. Владелец: Nagravision SA. Дата публикации: 2016-08-30.

Method of integrating functional tuning materials with micro devices and structures thereof

Номер патента: US20240260378A1. Автор: Gholamreza Chaji. Владелец: Vuereal Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Method of evaluating one or more commands to be executed and related apparatus

Номер патента: EP2763035A3. Автор: Joseph JAROCH,Melvyn Morris. Владелец: Webroot Inc. Дата публикации: 2014-09-03.

Storage device, and operating method of memory controller

Номер патента: EP4432067A1. Автор: Hyunsub KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-18.

Storage device and an operating method of a storage controller

Номер патента: US20240264766A1. Автор: Sang Hoon YOO,Wan-soo Choi,Young Ick CHO,Young Sun YOUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Scheduling operations in non-volatile memory devices using preference values

Номер патента: US09870149B2. Автор: Steven Sprouse,Ryan Marlin. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-16.

A storage device and an operating method of a storage controller

Номер патента: EP4414852A1. Автор: Sang Hoon YOO,Wan-soo Choi,Young Ick CHO,Young Sun YOUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-14.

Storage device and method of operating the same

Номер патента: US20200409854A1. Автор: Jeen PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-31.

Storage device and method of operating the same

Номер патента: US20190324915A1. Автор: Jeen PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Storage device and operating method of storage device

Номер патента: US20240345758A1. Автор: Minji Kim,Jinwoo Park,Sangwon Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory module and method of operating the same

Номер патента: US20240272800A1. Автор: Sung Woo HYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Control system and method of controlling a rod pumping unit

Номер патента: US20170030170A1. Автор: Shyam Sivaramakrishnan,Kalpesh Singal,Fatemeh ZAMANIAN,David Warren Doyle. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-02-02.

Memory module, memory system including memory module, and method of operating the same

Номер патента: US20230063123A1. Автор: Sung Woo HYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Entity recognition method and device, dictionary creating method, device and medium

Номер патента: US12039274B2. Автор: Yafei DAI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Method of processing text, training method, generating method and electronic device

Номер патента: US20240281602A1. Автор: Yaqing Wang. Владелец: Beijing Baidu Netcom Science And Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Method of controlling wearable device, wearable device and computer-readable storage medium

Номер патента: US20240211041A1. Автор: Chao Zhang,Xudong QIU,Hongyan TAO. Владелец: Goertek Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Method of fusing image feature, electronic device, and storage medium

Номер патента: US20240265687A1. Автор: Gang Zhang,teng Xi,Nan PENG,Bi Li. Владелец: Beijing Baidu Netcom Science And Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Activators And Methods Of Using The Same For Barricading A Door

Номер патента: US20190078362A1. Автор: Michael Presutti. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-03-14.

Storage device, method of operating the same, and memory controller

Номер патента: US20240302993A1. Автор: Tae Ho Lim,Dong Sop LEE,Ie Ryung PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Method of controlling display of electronic device and electronic device

Номер патента: US09946393B2. Автор: Chi-Hyun CHO,Jae-Birm KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-17.

Method of detecting biometric feature

Номер патента: US20210097328A1. Автор: Ayumu Mori. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2021-04-01.

Method of processing credit score, device, and electronic equipment

Номер патента: CA3170098A1. Автор: Peibin Liu,Xuyue Li. Владелец: 10353744 Canada Ltd. Дата публикации: 2023-02-10.

Memory device and method of terminating transmission line from memory device

Номер патента: TW201042654A. Автор: Peter Linder,Jeffrey Eldon Johnson,James Sanford Wallace. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2010-12-01.

Systems and methods of controlling communication modes in an electronic device

Номер патента: EP4162368A1. Автор: Julia Jacinta BUSONO,Robert Glenn RUNDELL. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-04-12.

Method of controlling access to memories and an access controlling unit

Номер патента: US20020004888A1. Автор: Hideaki Ishihara,Hiroshi Hayakawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-10.

Devices and methods for curing nail gels

Номер патента: US09707537B2. Автор: Danny Lee Haile. Владелец: NAIL ALLIANCE LLC. Дата публикации: 2017-07-18.

Method of processing multiple image sources, related display device and computer-readable medium

Номер патента: US20240331118A1. Автор: Chao-Ching Chen. Владелец: Amtran Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Methods of synchronizing files including synchronized hash map linked lists and related data processing nodes

Номер патента: US09529810B2. Автор: HAIYANG Zhang,Shaorong Li,Gongjun Fei. Владелец: CA Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Fixing method of collimator lens to housing, optical scanning device, and image forming apparatus

Номер патента: US20160025968A1. Автор: Aiichiro Otana. Владелец: Kyocera Document Solutions Inc. Дата публикации: 2016-01-28.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US20230305741A1. Автор: Chul Woo Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Storage device and operating method utilizing a buffer when a write failure occurs

Номер патента: US12141471B2. Автор: Chul Woo Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-12.

Fixing method of collimator lens to housing, optical scanning device, and image forming apparatus

Номер патента: US09442287B2. Автор: Aiichiro Otana. Владелец: Kyocera Document Solutions Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Hardware latency monitoring for memory device input/output requests

Номер патента: US20240231633A1. Автор: Aviv Kfir,Liron Mula,Oren Duer,Shridhar Rasal. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory device and memory system for direct communication between the memory devices

Номер патента: US20200104060A1. Автор: Young Geun Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-02.

Memory device and password storing method thereof

Номер патента: WO2008076999A3. Автор: Mitsuhiro Nagao. Владелец: Mitsuhiro Nagao. Дата публикации: 2008-08-14.

Storage system, storage device and operating method thereof

Номер патента: US20240211135A1. Автор: Je-Min Lee,Jee-Seok Hyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Managing Memory Devices in a Storage Network

Номер патента: US20230280911A1. Автор: Gary W. Grube,Manish Motwani,Jason K. Resch,Ilya Volvovski,Timothy W. Markison. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Memory programming method, memory device, and memory system

Номер патента: US20240295960A1. Автор: Yao Chen,Zhiliang Xia,Yifan Li. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Lifespan forecasting of memory devices and predictive device health management

Номер патента: US20240272803A1. Автор: Manjunath Chandrashekaraiah. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Host adaptive memory device optimization

Номер патента: US20210141570A1. Автор: David Aaron Palmer,Nadav Grosz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-13.

Method of achieving convergence of hold time error, device and program therefor

Номер патента: TW201020838A. Автор: Kazuyuki Irie. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-06-01.

Virtualized system and method of controlling access to nonvolatile memory device in virtualization environment

Номер патента: EP4180936B1. Автор: Dongouk MOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-31.

Memory device and method of controlling power of the same

Номер патента: US20190146695A1. Автор: Nam-Hoon Kim,Jae Won SONG,Se Jeong Jang,Jae Sub Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-16.

Selectively disabling power delivery to a grouping of memory devices of an information handling system

Номер патента: US20230065935A1. Автор: Lee Zaretsky,Isaac Q. Wang. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2023-03-02.

Storage system including host and storage device and operation method thereof

Номер патента: US11822800B2. Автор: Sanghyun Choi,Heewon Lee,Hyunkyo Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-21.

System and methods for accessing solid-state memory devices

Номер патента: US20070079080A1. Автор: Richard Sanders,Josef Zeevi. Владелец: SigmaTel LLC. Дата публикации: 2007-04-05.

Methods of Forming Capacitors For Semiconductor Memory Devices

Номер патента: US20110117715A1. Автор: Yoo-Sang Hwang,Jeong-sic Jeon,Chun-Suk Suh,Jong-Seo Hong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-05-19.

Method of Handling Capability Information of a Mobile Device and Related Communication Device

Номер патента: US20120008557A1. Автор: Chih-Hsiang Wu. Владелец: HTC Corp. Дата публикации: 2012-01-12.

Method of forming a non-volatile resistance variable device, and non-volatile resistance variable device

Номер патента: US20040157416A1. Автор: John Moore,Terry Gilton. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-12.

Methods of codebook based and non-codebook based pusch transmission and related devices

Номер патента: EP4427530A1. Автор: Tian Li,Jia SHENG. Владелец: Huizhou TCL Cloud Internet Corp Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-11.

Method of manufacturing a solid-state image-sensing device, and solid-state image-sensing device

Номер патента: US20060263942A1. Автор: Hirochika Narita,Ryuya Kuroda. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-11-23.

Method of Managing Timing Alignment Functionality for Multiple Component Carriers and Related Communication Device

Номер патента: US20150327199A1. Автор: Chih-Hsiang Wu. Владелец: HTC Corp. Дата публикации: 2015-11-12.

Method of managing timing alignment functionality for multiple component carriers and related communication device

Номер патента: US09655070B2. Автор: Chih-Hsiang Wu. Владелец: HTC Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Methods of manufacturing a phase change memory device

Номер патента: US20140004680A1. Автор: Seong-Ho EUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-01-02.

Method of manufacturing light-emitting device, light-emitting device, and light source device

Номер патента: US20200161497A1. Автор: Toru Hashimoto,Masato Aihara. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Method of manufacturing light-emitting device, light-emitting device, and light source device

Номер патента: US11411133B2. Автор: Toru Hashimoto,Masato Aihara. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2022-08-09.

Method of manufacturing a ferroelectric-capacitor memory device including recovery annealing

Номер патента: US8628981B2. Автор: Kouichi Nagai. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-01-14.

Memory element and method of manufacturing the same, and memory device

Номер патента: US20120145987A1. Автор: Shuichiro Yasuda,Hiroaki Sei. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-06-14.

Method of transmitting information in unlicensed band, network device, and terminal

Номер патента: US20200163117A1. Автор: Xueming PAN,Lei Jiang. Владелец: Vivo Mobile Communication Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-21.

Method of fabricating an embedded nonvolatile memory device

Номер патента: US09954082B1. Автор: Tzyy-Ming Cheng,Sheng-Hao Lin,Hao-Ming Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Methods of fabricating three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US09397114B2. Автор: Kwangmin Park,Byong-hyun JANG,Dongchul Yoo,Jumi Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-19.

Methods of fabricating three dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20140256101A1. Автор: Sung-Min Hwang,Woonkyung Lee,Hui-chang Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-09-11.

Method of managing queuing operation for a wireless communications system and related apparatus

Номер патента: US09451574B2. Автор: Richard Lee-Chee Kuo. Владелец: Innovative Sonic Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Method of switching video sequences and corresponding switching device and decoding system

Номер патента: US20020097801A1. Автор: Francois Martin. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 2002-07-25.

Method of forming fine patterns in a semiconductor device and method of manufacturing an electronic device

Номер патента: US09805929B2. Автор: Yun Suk NAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of shutting down cell, terminal device, network device, and storage medium

Номер патента: US20240244500A1. Автор: Haitao Li,Yi Hu. Владелец: GUANGDONG OPPO MOBILE TELECOMMUNICATIONS CORP LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Apparatuses and methods of controlling hydrogen supply in memory device

Номер патента: US12096613B2. Автор: Naokazu Murata. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Method of handling soft buffer size for a transport block and related communication device

Номер патента: US09692561B2. Автор: Chia-Wen HSIEH. Владелец: Acer Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Methods of manufacturing a phase change memory device including a heat sink

Номер патента: US09431610B2. Автор: Tae-Jin Park,Yoon-Jong Song,Chil-Hee Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

3d nand memory device devices and related electronic systems

Номер патента: US20230361083A1. Автор: Kunal R. Parekh,Akira Goda,Paolo Tessariol. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2023-11-09.

Memory device and semiconductor device including the memory device

Номер патента: US12063770B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Device and method for making a memory device at a control unit of a motor vehicle unusable

Номер патента: EP2928763A1. Автор: Ortwin SCHLÜTER,Rasmus Backman. Владелец: SCANIA CV AB. Дата публикации: 2015-10-14.

Device and method for making a memory device at a control unit of a motor vehicle unusable

Номер патента: WO2014088489A1. Автор: Ortwin SCHLÜTER,Rasmus Backman. Владелец: SCANIA CV AB. Дата публикации: 2014-06-12.

Semiconductor memory device and method for forming semiconductor memory device

Номер патента: US20240268097A1. Автор: PENG Guo,Yuanbao WANG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor memory device and method for forming semiconductor memory device

Номер патента: US20240224499A1. Автор: PENG Guo,Yuanbao WANG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor memory device and method for fabricating semiconductor memory device

Номер патента: US7821049B2. Автор: Hiroyuki Kanaya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-10-26.

Memory Device, Electronic Device, and Method for Producing a Memory Device

Номер патента: US20090273887A1. Автор: Klaus Elian. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-11-05.

Semiconductor memory device and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20240315015A1. Автор: Masashi ARINO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory device and method for fabricating the memory device

Номер патента: US12127409B2. Автор: Il-Young Kwon,Jin-Ho Bin,Tae-Hong GWON,Hye-Hyeon BYEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Flash memory devices and methods for fabricating flash memory devices

Номер патента: US20080093651A1. Автор: Jeong-Hyuk Choi,Jai-Hyuk Song,Ok-Cheon Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-24.

Method of making a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US5208175A. Автор: Jeong-Hyeok Choi,Geon-Su Kim,Yun-Seong Sin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1993-05-04.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140374691A1. Автор: Hiroyuki Nansei. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-12-25.

Method of closed-loop power control in multi-panel transmission and related device

Номер патента: US20200314763A1. Автор: Chia-Hao Yu,Yu-Hsin Cheng. Владелец: FG Innovation Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Method of transmitting paging information for a wireless communications system and related apparatus

Номер патента: EP1991024A1. Автор: Richard Lee-Chee Kuo. Владелец: Innovative Sonic Ltd. Дата публикации: 2008-11-12.

Method of Handling Soft Buffer Size for a Transport Block and Related Communication Device

Номер патента: US20150256296A1. Автор: Chia-Wen HSIEH. Владелец: Acer Inc. Дата публикации: 2015-09-10.

Method of Forming Contacts for a Memory Device

Номер патента: US20110014787A1. Автор: Jonathan Doebler. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-01-20.

Method of forming contacts for a memory device

Номер патента: US8329534B2. Автор: Jonathan Doebler. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-12-11.

Method of Identity Authentication for Voice over Internet Protocol Call and Related Device

Номер патента: US20200313901A1. Автор: Geng-Bao Lin. Владелец: Acer Inc. Дата публикации: 2020-10-01.

Method of fabricating three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US11805710B2. Автор: Heejung Kim,Taehong Min,Chorong Park,Joohee SEO,Eunsuk HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-31.

Method of forming gate of flash memory device

Номер патента: US20080003754A1. Автор: Cheol Mo Jeong,Jung Geun Kim,Whee Won Cho,Seong Hwan Myung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-01-03.

Method of manufacturing a non-volatile memory device

Номер патента: US7682906B2. Автор: Young-sun Kim,Seung-Hwan Lee,Han-mei Choi,Young-Geun Park,Se-hoon Oh,Sun-jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-03-23.

A method of cooling a static electronic power converter device, and a corresponding device

Номер патента: CA2595301C. Автор: Roger Marchand. Владелец: Intelligent Electronic Systems IES. Дата публикации: 2015-04-21.

Method of fabricating a variable resistance memory device

Номер патента: US11482670B2. Автор: Jiho Park,Jeonghee Park,Kwangmin Park,Changyup Park,Sukhwan Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-25.

A method of associating a first type of node device and a second type of node device in a network

Номер патента: WO2023208758A1. Автор: Lili Wu,Zhan HUANG. Владелец: SIGNIFY HOLDING B.V.. Дата публикации: 2023-11-02.

Method of fabricating a variable resistance memory device

Номер патента: US20210104669A1. Автор: Jiho Park,Jeonghee Park,Kwangmin Park,Changyup Park,Sukhwan Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-08.

Vertical memory devices, memory arrays, and related methods

Номер патента: US20150255599A1. Автор: Shyam Surthi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-09-10.

Method of making stacked capacitor in memory device

Номер патента: US6358795B1. Автор: Horng-Huei Tseng. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2002-03-19.

Method of current management in a battery powered device and battery powered device

Номер патента: EP1552319A1. Автор: Finn c/o Oticon A/S DANIELSEN. Владелец: Oticon AS. Дата публикации: 2005-07-13.

Apparatuses and methods of controlling hydrogen supply in memory device

Номер патента: US20230132317A1. Автор: Naokazu Murata. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Method of manufacturing a solid image pick-up device and a solid image pick-up device

Номер патента: WO2005114735A1. Автор: Takanori Satoh,Teiji Azumi. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2005-12-01.

Apparatuses and methods of controlling hydrogen supply in memory device

Номер патента: US11862554B2. Автор: Keizo Kawakita,Shigeru Sugioka. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Method of manufacturing light emitting device, light emitting device, and base member

Номер патента: EP3706262A2. Автор: Tadayuki Kitajima,Tomokazu TAJI. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2020-09-09.

Method of manufacturing light emitting device, light emitting device, and base member

Номер патента: US20200266605A1. Автор: Tadayuki Kitajima,Tomokazu TAJI. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2020-08-20.

Apparatuses and methods of controlling hydrogen supply in memory device

Номер патента: WO2023076803A1. Автор: Naokazu Murata. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-05-04.

Method of manufacturing multi-layered wiring board, electronic device, and electronic apparatus

Номер патента: US20060045962A1. Автор: Hirotsuna Miura. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-03-02.

Protection device having a sleeve and method of assembling a battery with a protection device and an electrical component

Номер патента: CA2346221C. Автор: Robert Zayatz. Владелец: Greatbatch Ltd. Дата публикации: 2008-12-23.

Method of forming fine patterns in a semiconductor device and method of manufacturing an electronic device

Номер патента: US20160293419A1. Автор: Yun Suk NAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-06.

Method of shutting down cell, terminal device, network device, and storage medium

Номер патента: US20240179624A1. Автор: Haitao Li,Yi Hu. Владелец: GUANGDONG OPPO MOBILE TELECOMMUNICATIONS CORP LTD. Дата публикации: 2024-05-30.

Method of attaching semiconductor devices on a switching device and such an attached device

Номер патента: US20030085474A1. Автор: Thorsten Meyer,Gerd Frankowsky. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-05-08.

Semiconductor memory device and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20230413567A1. Автор: Hisashi Harada,Hideto Takekida. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor memory device and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20210082949A1. Автор: Hisashi Harada,Jun Nishimura,Ayaha HACHISUGA,Wataru UNNO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Memory device and method for fabricating the memory device

Номер патента: US11729979B2. Автор: Il-Young Kwon,Jin-Ho Bin,Tae-Hong GWON,Hye-Hyeon BYEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-15.

Vertical memory device and method for fabricating vertical memory device

Номер патента: US11830879B2. Автор: Nam-Jae Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Memory device and method for fabricating the memory device

Номер патента: US20200388631A1. Автор: Il-Young Kwon,Jin-Ho Bin,Tae-Hong GWON,Hye-Hyeon BYEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-10.

Memory device and method for fabricating the memory device

Номер патента: US20230337430A1. Автор: Il-Young Kwon,Jin-Ho Bin,Tae-Hong GWON,Hye-Hyeon BYEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor memory device and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20210066342A1. Автор: Hiroki Yamashita,Yuichi FURUKI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Method of actuating ultrasonic drive device, ultrasonic drive device, and ultrasonic treatment system

Номер патента: US20230182172A1. Автор: Shunsuke Matsui,Gen Kato,Ko KAWASIMA. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Methods of treating pain with compositions comprising RANK/RANKL antagonists and related compounds

Номер патента: US09920127B2. Автор: Herriot Tabuteau. Владелец: Antecip Bioventures II LLC. Дата публикации: 2018-03-20.

Methods of treating, ameliorating, and/or preventing covid-19 infection and related inflammation

Номер патента: US20230391837A1. Автор: Paola Leone,Gary S. Goldberg. Владелец: ROWAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-12-07.

Method of generating an expression profile of estrogen receptor isoforms and related methods

Номер патента: US20040058345A1. Автор: Indra Poola. Владелец: Silbiotech. Дата публикации: 2004-03-25.

Methods of in situ corrosion mitigation in molten salt processes, and related systems

Номер патента: WO2024102855A1. Автор: Haiyan Zhao,Guoping Cao,Drew GLENNA. Владелец: UNIVERSITY OF IDAHO. Дата публикации: 2024-05-16.

Non-volatile memory cell and method of manufacture

Номер патента: US20160163721A1. Автор: Gregory James Scott,Thierry Coffi Herve Yao. Владелец: Deutsche Bank AG New York Branch. Дата публикации: 2016-06-09.

Memory device, method of manufacturing memory device, and electronic device including memory device

Номер патента: US20240292618A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-08-29.

Non-volatile memory cell and method of manufacture

Номер патента: US09741726B2. Автор: Gregory James Scott,Thierry Coffi Herve Yao. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-08-22.

Methods of manufacturing phase-change memory device and semiconductor device

Номер патента: US20130102120A1. Автор: Hye Jin Seo,Keum Bum Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-04-25.

Non-volatile memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150311299A1. Автор: Kyung Min Kim,Jung Goo Park,Jeong Ho Cho,Se Woon KIM. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-10-29.

Variable resistance memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210167130A1. Автор: Seulji SONG,Kyusul PARK,Woohyun Park,Ilmok Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-03.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: US20240381653A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Vertical-type semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09496277B2. Автор: Jong-wook Lee,Yong-Hoon Son,Jong-Hyuk Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240244838A1. Автор: Hsiu-Han Liao,Yao-Ting Tsai,Che-Fu Chuang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20080230829A1. Автор: Tzyh-Cheang Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-09-25.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US12144179B2. Автор: Eun Seok Choi,Seo Hyun Kim,Dong Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-12.

Video recording mode recommendation method, electronic device, and readable storage medium

Номер патента: EP4440133A1. Автор: Jie Yi,Yufei Huang. Владелец: Honor Device Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: US20240215254A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Method of forming memory device

Номер патента: US20240357826A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Variable resistance memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200111954A1. Автор: Jaeho Jung,Young-Min Ko,Jonguk KIM,Byongju Kim,Dongsung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-09.

Memory device

Номер патента: US12058867B2. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Three-dimensional nonvolatile memory devices including interposed floating gates

Номер патента: US09337351B2. Автор: Kihyun Kim,Jinho Kim,Hansoo Kim,Byoungkeun Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-10.

Method of fabricating magnetic bubble memory device

Номер патента: US4556583A. Автор: Tadashi Ikeda,Yutaka Sugita,Teruaki Takeuchi,Ryo Imura,Norio Ohta. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1985-12-03.

Array substrate, manufacturing method of array substrate and display device

Номер патента: US09929183B2. Автор: Jian Guo. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

User management method of shared network, and corresponding device and system

Номер патента: US09924364B2. Автор: Shuo Wang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Method of forming graphene nanopattern by using mask formed from block copolymer

Номер патента: US09748108B2. Автор: Seongjun Park,Yunseong LEE,Seongjun JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20240040765A1. Автор: Yue Zhuo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Methods of forming replacement gate structures on finfet devices and the resulting devices

Номер патента: US20160133719A1. Автор: Xiuyu Cai,Ruilong Xie. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-05-12.

Communications system, infrastructure equipment, communications devices and method

Номер патента: US09867197B2. Автор: Hideji Wakabayashi,Brian Alexander Martin,Matthew William Webb. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09620522B1. Автор: Hyun Ho LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Methods of forming replacement gate structures on finFET devices and the resulting devices

Номер патента: US09478634B2. Автор: Xiuyu Cai,Ruilong Xie. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Method of managing discontinuous reception in a wireless communication system and related wireless communication system

Номер патента: US09603185B2. Автор: Pei-Jung Chen. Владелец: Acer Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20020033517A1. Автор: Bohumil Lojek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-21.

Methods of forming replacement gate structures on FinFET devices and the resulting devices

Номер патента: US09412839B2. Автор: Murat Kerem Akarvardar. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Method of Manufacturing flash memory device

Номер патента: US20080081451A1. Автор: Se Hoon Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-04-03.

Method of allocating paging packet ids, terminal device, and core network device

Номер патента: US20240267886A1. Автор: Haitao Li,Yi Hu. Владелец: GUANGDONG OPPO MOBILE TELECOMMUNICATIONS CORP LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of managing geo-fence and electronic device thereof

Номер патента: US09801017B2. Автор: Sunggyu Lee,Woo-Young Kim,Areum CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Nonvolatile semiconductor memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110217831A1. Автор: Takeshi Kikuchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-09-08.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US7145200B2. Автор: Kazuo Saito,Shogo Takamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-12-05.

Method of handling capability information of a mobile device and related communication device

Номер патента: TW201204075A. Автор: Chih-Hsiang Wu. Владелец: HTC Corp. Дата публикации: 2012-01-16.

Low temperature P+ polycrystalline silicon material for non-volatile memory device

Номер патента: US09793474B2. Автор: Xin Sun,Tanmay Kumar,Sung Hyun Jo. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Establishment of communication connection between mobile device and secure element

Номер патента: US09756044B2. Автор: YU Zhou,Wei Guo,Hongfeng Chai,Zhijun Lu,Shuo He,Dingzhou Li. Владелец: China Unionpay Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Double self-aligned phase change memory device structure

Номер патента: US09640757B2. Автор: Jun-Fei Zheng. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Methods of forming conductive jumper traces

Номер патента: US09508635B2. Автор: HeeJo Chi,NamJu Cho,HanGil Shin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Media device and method of enhancing use of media device

Номер патента: US09420021B2. Автор: Juha P. Matero,Jyrki Matero. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2016-08-16.

Methods, devices and computer storage media of communication

Номер патента: WO2024138449A1. Автор: You Li,Minghui Xu,Gang Wang. Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2024-07-04.

Method of manufacturing light-emitting device, light-emitting device, and light source device

Номер патента: US11990560B2. Автор: Toru Hashimoto,Masato Aihara. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Method of forming a charge-trapping memory device

Номер патента: US20070007586A1. Автор: Georg Tempel. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-01-11.

Methods, devices and medium for communication

Номер патента: WO2024148624A1. Автор: Gang Wang,Peng Guan,Yukai GAO. Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2024-07-18.

Shell for electronic device, method of forming the shell and electronic device having the same

Номер патента: EP2324689A1. Автор: Lei Zhong,Jiaxin Zhang,Huating Li,Mintao Chen. Владелец: BYD Co Ltd. Дата публикации: 2011-05-25.

Method of making a read only memory device

Номер патента: US5635417A. Автор: Kiyoshi Natsume. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 1997-06-03.

Composite organic-inorganic energy harvesting devices and methods

Номер патента: US09508944B2. Автор: Marvi A. MATOS,Alpana N. RANADE,Danilo C. Pozzo. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2016-11-29.

Method of reducing low-frequency noise for semiconductor devices and circuits

Номер патента: US6773936B2. Автор: Mikio Fujiwara,Makoto Akiba. Владелец: Communications Research Laboratory. Дата публикации: 2004-08-10.

Method of reducing low-frequency noise for semiconductor devices and circuits

Номер патента: US20030087508A1. Автор: Mikio Fujiwara,Makoto Akiba. Владелец: Communications Research Laboratory. Дата публикации: 2003-05-08.

Solid-state imaging device, method of forming microlens in solid-state imaging device, and electronic apparatus

Номер патента: US09515114B2. Автор: Yoichi Ootsuka. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Method of transferring electric charge from image sensing device and image sensing device

Номер патента: EP1289276A1. Автор: Hiroyuki Miyahara. Владелец: Victor Company of Japan Ltd. Дата публикации: 2003-03-05.

Nanocomposite magnetic materials for magnetic devices and systems

Номер патента: US09818514B2. Автор: David P. Arnold,Jennifer S. ANDREW. Владелец: University of Florida Research Foundation Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Method of performing traffic steering in a wireless network system and related wireless network system

Номер патента: US09544815B2. Автор: Shiang-Rung Ye. Владелец: Acer Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Method of purging wafer receiving jig, wafer transfer device, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: TW200425379A. Автор: Kenji Tokunaga. Владелец: Trecenti Technologies Inc. Дата публикации: 2004-11-16.

Method of purging wafer receiving jig, wafer transfer device, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: TWI246147B. Автор: Kenji Tokunaga. Владелец: Trecenti Technologies Inc. Дата публикации: 2005-12-21.

Method of mapping qos (ip) flows to drb (qos flows) and related apparatuses using the same

Номер патента: EP3355641B1. Автор: Chun-Yuan CHIU,Chun-Chia Chen. Владелец: Acer Inc. Дата публикации: 2021-04-14.

Method of manufacturing and operating a non-volatile memory cell

Номер патента: US20170345833A1. Автор: Gregory James Scott,Thierry Coffi Herve Yao. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-11-30.

비휘발성 메모리소자의 제조방법(Method of Fabricating a Non-volatile Memory Device)

Номер патента: KR970018626A. Автор: 최정혁,주경중. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-04-30.

Memory element and method of manufacturing the same, and memory device

Номер патента: TW201228059A. Автор: Shuichiro Yasuda,Hiroaki Sei. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-07-01.

Method of making a non-volatile memory device

Номер патента: EP2106618B1. Автор: Ramachandran Muralidhar,Rajesh Rao. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-11-14.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20220336476A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-20.

Three-dimensional memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220165747A1. Автор: Chih-Kai Yang,Tzung-Ting Han. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-26.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230309316A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Fecal microbiota transplant compositions and methods of manufacture

Номер патента: US12064451B2. Автор: Jason Bernard Klop. Владелец: Novel Biome Solutions Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Device and method for engine control, starter and vehicle

Номер патента: RU2533365C1. Автор: Коуки МОРИЯ. Владелец: Тойота Дзидося Кабусики Кайся. Дата публикации: 2014-11-20.

Activators and methods of using the same for barricading a door

Номер патента: EP3880908A1. Автор: Michael Presutti. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-09-22.

Preparation Method of a Zirconium-Titanium-Based Alloy Embedded Aluminized Layer

Номер патента: US20210388478A1. Автор: Xinyu Zhang,Yize LIU,Jiaqian Qin,Riping Liu. Владелец: YANSHAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-12-16.

Control method of a powertrain unit of an assisted pedal bicycle and related assisted pedal bicycle

Номер патента: WO2017081567A1. Автор: Paolo Capozzella. Владелец: Piaggio & C. Spa. Дата публикации: 2017-05-18.

Control method of a powertrain unit of an assisted pedal bicycle and related assisted pedal bicycle

Номер патента: EP3374255A1. Автор: Paolo Capozzella. Владелец: Piaggio and C SpA. Дата публикации: 2018-09-19.

Biofouling resistant coatings and methods of making and using the same

Номер патента: US12109332B2. Автор: Richard B. Kaner,Brian T. MCVERRY,Ethan RAO,Na HE. Владелец: Silq Technologies Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

A vaccine composition of cells expressing a lentiviral vector and methods of using

Номер патента: WO2024006268A2. Автор: Kimberly A. NOONAN,Ivan R. Borrello. Владелец: Meridian Therapeutics, Inc.. Дата публикации: 2024-01-04.

Club heads with multiple density weighting and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20130267346A1. Автор: Martin R. Jertson,John A Solheim. Владелец: Karsten Manufacturing Corp. Дата публикации: 2013-10-10.

Method of Metabolic Enhancement and Composition Manufacture

Номер патента: US20230301954A1. Автор: David Michalski. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-09-28.

Control method of a powertrain unit of an assisted pedal bicycle and related assisted pedal bicycle

Номер патента: EP3374255B1. Автор: Paolo Capozzella. Владелец: Piaggio and C SpA. Дата публикации: 2022-03-23.

Laminated sheet, method of producing the sheet, exhaust gas processing device, and method of producing the device

Номер патента: EP1908934B1. Автор: Satoru Kariya. Владелец: Ibiden Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-08.

Methods of providing antioxidants to a drug containing product

Номер патента: US09675737B2. Автор: Ni Ding. Владелец: Abbott Cardiovascular Systems Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Fecal microbiota transplant compositions and methods of manufacture

Номер патента: US20240033294A1. Автор: Jason Bernard Klop. Владелец: Novel Biome Solutions Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

INTERLEAVED MEMORY PROGRAM AND VERIFY METHOD, DEVICE AND SYSTEM

Номер патента: US20120002474A1. Автор: . Владелец: ROUND ROCK RESEARCH, LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THEREOF

Номер патента: US20120001246A1. Автор: . Владелец: Micron Technology Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

RESISTANCE CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002458A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002469A1. Автор: IMAMOTO Akihiro,Abiko Naofumi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PROGRAMMING NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND APPARATUSES FOR PERFORMING THE METHOD

Номер патента: US20120044771A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-02-23.

Method of handling an infrared signal for a computer system and related electronic device

Номер патента: TW201025883A. Автор: Bing-Hang Wang. Владелец: Wistron Corp. Дата публикации: 2010-07-01.

Method of manufacturing a non-volatile memory device

Номер патента: TWI261919B. Автор: Erh-Kun Lai,Yi-Hung Li. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-11.

Method of manufacturing a non-volatile memory device

Номер патента: TW200605332A. Автор: Erh-Kun Lai,Yi-Hung Li. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2006-02-01.

A method of electrically interconnecting a tester to a device and an electrical connector therefor

Номер патента: GB9717774D0. Автор: . Владелец: AMP of Great Britain Ltd. Дата публикации: 1997-10-29.