Nonvolatile memory device, methods of programing the nonvolatile memory device and memory system including the nonvolatile memory device .

Nonvolatile memory device, methods of programing the nonvolatile memory device and memory system including the nonvolatile memory device

Номер патента: US20110216587A1
Опубликовано: 08-09-2011
Автор(ы): Jeong-Woo Lee
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method of programming multi-level cells in non-volatile memory device

Номер патента: US20130135929A1. Автор: Ki-hwan Choi,Chung-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-05-30.

Nand flash memory devices and methods of lsb/msb programming the same

Номер патента: US20090080251A1. Автор: Hyung-Gon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-03-26.

Nonvolatile memory device including artificial neural network, memory system including same, and operating method of nonvolatile memory device including artificial neural network

Номер патента: US11763903B2. Автор: Jinyoung Kim,Dongmin Shin,Sehwan Park,Youngdeok SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-19.

Apparatus and method of programming and verification for a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09672926B2. Автор: Masashi Yoshida,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi,Nobushi Matsuura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Method of verifying a program operation in a non-volatile memory device

Номер патента: US20090290418A1. Автор: Jung Chul Han. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-11-26.

Multi-level cell memory devices and methods of storing data in and reading data from the memory devices

Номер патента: US20080151621A1. Автор: Jun Jin Kong,Dong Ku Kang,Young Hwan Lee,Sung Chung Park,Si Hoon Hong,Jae Woong Hyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-06-26.

Nonvolatile memory device having selectable sensing modes, memory system having the same and programming method thereof

Номер патента: US20140153339A1. Автор: Kitae Park,Minseok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-06-05.

Method for programming a nonvolatile memory

Номер патента: US5566111A. Автор: Woong-Lim Choi. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1996-10-15.

Three-dimensional nonvolatile memory and method of performing read operation in the nonvolatile memory

Номер патента: US20200411097A1. Автор: Sang-Wan Nam,Won-Taeck JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-31.

Method of programming a select transistor of a semiconductor memory device

Номер патента: US12057165B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Gate voltage step and program verify level adjustment in a memory device

Номер патента: US20240290404A1. Автор: Zhenming Zhou,Murong Lang,Christina Papagianni. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Gate voltage step and program verify level adjustment in a memory device

Номер патента: WO2024178393A1. Автор: Zhenming Zhou,Murong Lang,Christina Papagianni. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of programming memory cells for a non-volatile memory device

Номер патента: US8446776B2. Автор: Sang-Won Hwang,Chan-Ho Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-05-21.

Method of programming a select transistor of a semiconductor memory device

Номер патента: US20230298666A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor memory device, control method, and memory system

Номер патента: US09543033B1. Автор: Koichi Shinohara,Yoshikazu Takeyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Memory device, system and method of operating the same

Номер патента: US20230024971A1. Автор: Kang Li,Xing Zhou,Wei Huang,Chan Wang,Cong Luo,Xueqing Huang,Fengxiang Gao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-26.

A memory device, programming method and memory system

Номер патента: US20240005994A1. Автор: Liang Qiao,Bowen Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Method and apparatus for estimating read levels of nonvolatile memory and for programming pilot signals used for such estimation

Номер патента: US09672928B2. Автор: Jun Jin Kong,Uri Beitler. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Method and apparatus for estimating read levels of nonvolatile memory and for programming pilot signals used for such estimation

Номер патента: US20170133097A1. Автор: Jun Jin Kong,Uri Beitler. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-11.

Nonvolatile memory device and method of driving word line of the nonvolatile memory

Номер патента: US09779790B2. Автор: Kitae Park,Sang-Won Park,Sang-Won Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Nonvolatile memory device and method of driving word line of the nonvolatile memory

Номер патента: US09431062B2. Автор: Kitae Park,Sang-Won Park,Sang-Won Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Memory system in which controller acquires status of nonvolatile memory and control method thereof

Номер патента: US10998060B2. Автор: Takashi Kondo. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-05-04.

Nonvolatile memory device and method of detecting defective memory cell block of nonvolatile memory device

Номер патента: US20240021255A1. Автор: Wontaeck Jung,Daehan Kim,Myungnam Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Nonvolatile memory device and method of detecting defective memory cell block of nonvolatile memory device

Номер патента: US11763901B2. Автор: Wontaeck Jung,Daehan Kim,Myungnam Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-19.

Circuit and method of generating high voltage for programming operation of flash memory device

Номер патента: US7443758B2. Автор: Hyun-Chul Ha,Jong-Hwa Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-10-28.

Nonvolatile semiconductor memory device, memory controller, and memory system

Номер патента: US20150049549A1. Автор: Norichika ASAOKA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

Nonvolatile memory devices, operating methods thereof and memory systems including the same

Номер патента: US20230268017A1. Автор: Jae-Hoon Jang,Jaehun Jeong,Hansoo Kim,Donghyuk Chae,Sun-Il Shim,Youngho Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-24.

Memory system comprising non-volatile memory device and related method of operation

Номер патента: US20130088928A1. Автор: Dong-Hun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-04-11.

Non-volatile memory device having multiple string select lines

Номер патента: US09859007B2. Автор: Atsuhiro Suzuki,Chih-Wei Lee,Shaw-Hung Ku. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Memory system

Номер патента: US11909415B2. Автор: Yoshihisa Kojima,Riki SUZUKI,Masahiro Kiyooka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor memory device for applying voltage to select line based on number of times program loops are performed and method of operating the same

Номер патента: US12040022B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

THREE-DIMENSIONAL NONVOLATILE MEMORY AND METHOD OF PERFORMING READ OPERATION IN THE NONVOLATILE MEMORY

Номер патента: US20200411097A1. Автор: NAM Sang-Wan,JUNG Won-Taeck. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-31.

Program verify level adjustment for program operation in a memory device

Номер патента: US20240203503A1. Автор: Yu-Chung Lien,Zhenming Zhou,Christina Papagianni. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Bitline voltage adjustment for program operation in a memory device

Номер патента: US20240203502A1. Автор: Yu-Chung Lien,Zhenming Zhou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20200321066A1. Автор: Hae Soon Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-10-08.

Memory device and an operating method of a memory device

Номер патента: US20210050066A1. Автор: Jun Hyuk Lee,Yong Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

Controller and method of operating the same

Номер патента: US20210005273A1. Автор: Eun-Jin Yun,Sung June Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-07.

Memory system including nonvolatile memory and memory controller and programming method for programming data into nonvolatile memory

Номер патента: US09607688B2. Автор: Donghun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Nonvolatile memory device including power gating circuit and input/output circuit of a nonvolatile memory device

Номер патента: US20230410917A1. Автор: Seunghoon Lee,Youngdon CHOI,Junghwan Choi,Hojun Yoon,Youngchul Cho,Jinha Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor memory device, controller, and method of operating the semiconductor memory device and controller

Номер патента: US20230317183A1. Автор: Byoung Sung You. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Method of detecting erase fail word-line in non-volatile memory device

Номер патента: US20170200506A1. Автор: Won-Bo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-13.

Method of detecting erase fail word-line in non-volatile memory device

Номер патента: US09704596B1. Автор: Won-Bo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Nonvolatile memory device and a method of operating the nonvolatile memory device

Номер патента: US09653168B2. Автор: Wandong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

Operating method of storage device

Номер патента: US09805812B2. Автор: Donghun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Programming a memory device in response to its program history

Номер патента: US09959931B2. Автор: June Lee,Fred Jaffin, III. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Memory system and semiconductor memory device

Номер патента: US10797073B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-10-06.

Nonvolatile memory device and method of driving word line of the nonvolatile memory

Номер патента: US20160343419A1. Автор: Kitae Park,Sang-Won Park,Sang-Won Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-24.

Non-volatile memory device and method of incrementally programming the same using a plurality of program loops

Номер патента: US11869582B2. Автор: Wontaeck Jung,Jiyoon PARK,Hyunjun Yoon,Sungwon YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-09.

Pass voltage adjustment for program operation in a memory device

Номер патента: US20240203513A1. Автор: Yu-Chung Lien,Zhenming Zhou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Sensing time adjustment for program operation in a memory device

Номер патента: US20240203504A1. Автор: Yu-Chung Lien,Zhenming Zhou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory system and semiconductor memory device

Номер патента: US20200091175A1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Method of initializing 3D non-volatile memory device

Номер патента: US09685235B2. Автор: Sang Ho Lee,Byung Gook Park,Dae Woong KWON,Do Bin KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240046984A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Nonvolatile memory device and method of setting a reference current in a nonvolatile memory device

Номер патента: US09595340B2. Автор: Cheng-Hsiung Kuo,Yue-Der Chih,Hsu-Shun Chen,Gu-Huan Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Method of setting a reference current in a nonvolatile memory device

Номер патента: US09934864B2. Автор: Cheng-Hsiung Kuo,Yue-Der Chih,Hsu-Shun Chen,Gu-Huan Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Weight memory device with variable capacitance, weight memory system, and operation methods therefor

Номер патента: US11972340B2. Автор: In Young CHUNG. Владелец: Kwangwoon Univ Industry Academic Collaboration Fdn. Дата публикации: 2024-04-30.

Nonvolatile memory devices, operating methods thereof and memory systems including the same

Номер патента: US09747995B2. Автор: Jae-Hoon Jang,Jaehun Jeong,Hansoo Kim,Donghyuk Chae,Sun-Il Shim,Youngho Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Sequentially accessing memory cells in a memory device

Номер патента: US09564234B2. Автор: Kitae Park,Donghun Kwak,Jinman Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Memory system and memory control method

Номер патента: US11727998B2. Автор: Shigehiro Asano,Neil Buxton,Julien MARGETTS,Takehiko Amaki,Shunichi IGAHARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-15.

Flash memory device and method for programming the same

Номер патента: EP1538633A3. Автор: June Lee,Oh-Suk 904Ho Sangroksu-dong Mens Dorm. Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-09-13.

Non-volatile memory device capable of changing increment of program voltage according to mode of operation

Номер патента: KR100626377B1. Автор: 변대석,채동혁. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-09-20.

Systems and methods involving hardware-based reset of unresponsive memory devices

Номер патента: US20210183451A1. Автор: Vipul Patel,Theodore Pekny. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Non-volatile memory device and non-volatile memory system comprising the same

Номер патента: EP4117026A1. Автор: Jung-Hwan Lee,Jin-Soo Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-11.

Non-volatile memory device and non-volatile memory system comprising the same

Номер патента: US20230010192A1. Автор: Jung-Hwan Lee,Jin-Soo Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-12.

Method of improving an electrostatic discharge characteristic in a flash memory device

Номер патента: US6421278B1. Автор: Jong Woo Kim,Tae Kyu Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-07-16.

Methods of operating storage devices

Номер патента: US09928902B2. Автор: Sang-Won Hwang,Joon-Soo KWON,Seung-Cheol Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Nonvolatile memory devices, memory systems and related control methods

Номер патента: US20160254038A1. Автор: Dongkyo Shim,Donghun Kwak,Hyun jun YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-01.

Nonvolatile memory devices, memory systems and related control methods

Номер патента: US09520168B2. Автор: Dongkyo Shim,Donghun Kwak,Hyun jun YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-13.

Memory system and memory control method

Номер патента: US09424929B1. Автор: Masanobu Shirakawa,Ryo Yamaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Memory System Performance Configuration

Номер патента: US20150052289A1. Автор: Preeti Yadav,Abhijeet Bhalerao,Barys Sarana,Frederick Fernandez,Namita Joshi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-02-19.

Memory system performance configuration

Номер патента: US09442842B2. Автор: Preeti Yadav,Abhijeet Bhalerao,Barys Sarana,Frederick Fernandez,Namita Joshi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-13.

Memory system and memory control method

Номер патента: US20160267985A1. Автор: Masanobu Shirakawa,Ryo Yamaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Memory system and control method

Номер патента: US20240087657A1. Автор: Naoki Kimura,Yohei EGUCHI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Memory system including nonvolatile memory and memory controller and programming method for programming data into nonvolatile memory

Номер патента: KR102187521B1. Автор: 곽동훈. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2020-12-08.

Method and System for Reducing the Size of Nonvolatile Memories

Номер патента: US20150179270A1. Автор: Thomas Kern,Thomas Nirschl,Ulrich Backhausen,Jens Rosenbusch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-06-25.

Nonvolatile memory device and method of driving word line of the nonvolatile memory

Номер патента: US20150221351A1. Автор: Kitae Park,Sang-Won Park,Sang-Won Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-08-06.

Single poly nonvolatile memory cells, arrays thereof, and methods of operating the same

Номер патента: US09935117B2. Автор: Nam Yoon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Nonvolatile memory device, program method thereof, and data processing system including the same

Номер патента: TWI536387B. Автор: 具喆熙,金昞寧. Владелец: 海力士半導體股份有限公司. Дата публикации: 2016-06-01.

Device selection schemes in multi chip package NAND flash memory system

Номер патента: US09524778B2. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

SINGLE POLY NONVOLATILE MEMORY CELLS, ARRAYS THEREOF, AND METHODS OF OPERATING THE SAME

Номер патента: US20170229471A1. Автор: Kim Nam Yoon. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-10.

Memory system and method of operating the same

Номер патента: US11836366B2. Автор: Ju Ung BAE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Error correction operations in a memory device

Номер патента: EP2973588A2. Автор: William Lam. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-01-20.

Error correction operations in a memory device

Номер патента: WO2014152627A2. Автор: William Lam. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-09-25.

A method of operating the memory controller, the memory controller, a memory device and a memory system

Номер патента: KR101756111B1. Автор: 김재홍,조경래,공준진. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2017-07-10.

Nonvolatile semiconductor memory device and nonvolatile semiconductor memory system

Номер патента: US20100027341A1. Автор: Shigeo Ohshima,Naoya Tokiwa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-02-04.

SINGLE POLY NON-VOLATILE MEMORY DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SINGLE POLY NON-VOLATILE MEMORY DEVICE ARRAY

Номер патента: US20210082938A1. Автор: Kim Su Jin,Yoo Hye Jin. Владелец: KEY FOUNDRY CO., LTD.. Дата публикации: 2021-03-18.

SINGLE POLY NON-VOLATILE MEMORY DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SINGLE POLY NON-VOLATILE MEMORY DEVICE ARRAY

Номер патента: US20190172834A1. Автор: Kim Su Jin,Yoo Hye Jin. Владелец: MAGNACHIP SEMICONDUCTOR, LTD.. Дата публикации: 2019-06-06.

SINGLE POLY NON-VOLATILE MEMORY DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SINGLE POLY NON-VOLATILE MEMORY DEVICE ARRAY

Номер патента: US20170207231A1. Автор: Kim Su Jin,Yoo Hye Jin. Владелец: MAGNACHIP SEMICONDUCTOR, LTD.. Дата публикации: 2017-07-20.

Single poly non-volatile memory device, method of manufacturing the same and single poly non-volatile memory device array

Номер патента: US20200381445A1. Автор: Hye Jin Yoo,Su Jin Kim. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2020-12-03.

Memory devices, memory device operational methods, and memory device implementation methods

Номер патента: US09576618B2. Автор: Makoto Kitagawa,Yogesh Luthra. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Non-volatile memory device with improved cell cycling and corresponding method for operating the non-volatile memory device

Номер патента: US12057180B2. Автор: Francesco La Rosa,Antonino Conte,Francois Maugain. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-08-06.

Storage device, operation method of storage device and method of accessing storage device

Номер патента: US09958845B2. Автор: Kyungryun Kim,Sangyong Yoon,Goeun JUNG,Seung-Cheol Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US09570187B2. Автор: Ji Man HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Storage device and related methods using timer setting

Номер патента: US09443603B2. Автор: Young Bong KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

Nonvolatile memory devices

Номер патента: US20110095356A1. Автор: Jung-Dal Choi,Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-04-28.

Memory Device And Semiconductor Device

Номер патента: US20130223157A1. Автор: Toshihiko Saito,Shuhei Nagatsuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-29.

Nonvolatile memory apparatus and resistance compensation circuit thereof

Номер патента: US20180040371A1. Автор: Tae Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-08.

Method of Setting a Reference Current in a Nonvolatile Memory Device

Номер патента: US20170148523A1. Автор: Cheng-Hsiung Kuo,Yue-Der Chih,Hsu-Shun Chen,Gu-Huan Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-25.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240023330A1. Автор: Jin Ha Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor memory device having selective ECC function

Номер патента: US09646718B2. Автор: Jong-Wook Park,Ki-Won Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Non-volatile memory device having adjustable read voltage, memory system comprising same, and method of operating same

Номер патента: US09606864B2. Автор: Seung-yeon Lee,Hee-Woong Kang,Jong-Nam Baek,San Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Nonvolatile memory system, and data read/write method for nonvolatile memory system

Номер патента: US20080028131A1. Автор: Yasuo Kudo,Hiroshi Sukegawa,Kazuya Kawamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-01-31.

Memory device storing parity and memory system including the same

Номер патента: US20220130485A1. Автор: Dongmin Shin,Geunyeong YU,Youngjun Hwang,Hongrak Son,Bohwan Jun,Heeyoul KWAK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-28.

Memory device, memory controller, and memory system including the same

Номер патента: US20230333782A1. Автор: Wontaeck Jung,Jaeyong Jeong,Bohchang Kim,Kuihan KO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

Memory device, memory module, and memory system

Номер патента: US09805802B2. Автор: Uk-Song KANG,Jong-Pil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Memory cell, memory device manufacturing method and memory device operation method thereof

Номер патента: US12069857B2. Автор: Feng-Min Lee,Yu-Hsuan Lin,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Non-volatile memory device with improved cell cycling and corresponding method for operating the non-volatile memory device

Номер патента: US20230091464A1. Автор: Francesco La Rosa,Antonino Conte,Francois Maugain. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-03-23.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20060022257A1. Автор: Yoshihiro Ikeda,Shunichi Narumi,Tatsuya Fukumura,Izumi Takesue. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-02.

Semiconductor Device and a Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20110284945A1. Автор: Yoshihiro Ikeda,Shunichi Narumi,Tatsuya Fukumura,Izumi Takesue. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-24.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US7312123B2. Автор: Yoshihiro Ikeda,Shunichi Narumi,Tatsuya Fukumura,Izumi Takesue. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-12-25.

Nonvolatile memory using a universal technology suitable for sim-card, smart-card and e-passport applications

Номер патента: WO2006058070A2. Автор: Peter W. Lee. Владелец: APLUS FLASH TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2006-06-01.

Nonvolatile memory using a universal technology suitable for sim-card, smart-card and e-passport applications

Номер патента: WO2006058070A3. Автор: Peter W Lee. Владелец: Peter W Lee. Дата публикации: 2007-02-08.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US7662686B2. Автор: Yoshihiro Ikeda,Shunichi Narumi,Tatsuya Fukumura,Izumi Takesue. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-02-16.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US8466507B2. Автор: Yoshihiro Ikeda,Shunichi Narumi,Tatsuya Fukumura,Izumi Takesue. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-06-18.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20080179653A1. Автор: Yoshihiro Ikeda,Shunichi Narumi,Tatsuya Fukumura,Izumi Takesue. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-31.

Memory system performing read of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09767913B2. Автор: Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Memory system

Номер патента: US20240282389A1. Автор: Hiroyuki Nagashima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory controller, memory system including the same, and operation method of memory controller

Номер патента: US20240272808A1. Автор: Younsoo Cheon,Haedong No,Youjin JEON,Minjin JO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory device and method having on-board processing logic for facilitating interface with multiple processors, and computer system using same

Номер патента: US09959929B2. Автор: David Resnick. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Controller for controlling semiconductor memory device and method of operating the controller

Номер патента: US12046295B2. Автор: Sang Ho Yun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Memory system performing read operation with read voltage

Номер патента: US11984167B2. Автор: Hiroyuki Nagashima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND NON-VOLATILE MEMORY SYSTEM INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20170053923A1. Автор: HWANG CHUL-JIN,Kwak Pan-Suk,HAM SEOK-JUN. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-23.

Methods of programming silicon oxide nitride oxide semiconductor (SONOS) memory devices

Номер патента: US7349262B2. Автор: Ju-Hyung Kim,Chung-woo Kim,Jeong-hee Han,Youn-seok Jeong,Hee-soon Chae,Jae-woong Hyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-25.

Memory Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20140167127A1. Автор: Alexander Kalnitsky,Hsiao-Chin Tuan,Felix Ying-Kit Tsui,Hau-yan Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-06-19.

Controller for controlling semiconductor memory device and method of operating the controller

Номер патента: US20220383958A1. Автор: Sang Ho Yun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-12-01.

Method of improving an electrostatic discharge characteristic in a flash memory device

Номер патента: TW466740B. Автор: Jong-woo Kim,Tea-Kyu Kim. Владелец: Hyundai Electronics Ind. Дата публикации: 2001-12-01.

Semiconductor memory device, method of manufacturing the same, and cell array of semiconductor memory device

Номер патента: US20110157979A1. Автор: Sang Woo Nam. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2011-06-30.

Electronic devices including pillars including a memory material, and related memory devices, systems, and methods

Номер патента: US20230276624A1. Автор: Pankaj Sharma,Naveen KAUSHIK,Sidhartha Gupta. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-31.

Storage device and storage device assembly using the same

Номер патента: US20230197116A1. Автор: Jooyoung Kim,Jihong Kim,ByungWoo NAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-22.

Nonvolatile memory apparatus and an operating method of a nonvolatile memory apparatus

Номер патента: US20190325975A1. Автор: Kwi Dong Kim,Keun Sik KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Method of preventing coupling noises for a non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100302884A1. Автор: Kwang-Jin Lee,Woo-Yeong Cho,Yong-Jun Lee,Du-Eung Kim,Joon-Yong Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-12-02.

Flash memory device performing adaptive loop, memory system and method of operating the memory system

Номер патента: US09941016B2. Автор: Jae-Hong Kim,Young-Seop Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Electronic device, method for controlling storing operation, and storage medium

Номер патента: US20230197131A1. Автор: Munetaka Seo. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Nonvolatile memory device, memory system including the same and method of controlling command execution of the nonvolatile memory device

Номер патента: KR102083490B1. Автор: 곽동훈. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2020-03-03.

Nonvolatile Memory Devices Including Variable Resistive Elements

Номер патента: US20100061146A1. Автор: Hye-jin Kim,Byung-Gil Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-03-11.

One-chip microcomputer and method of refreshing its data

Номер патента: EP1031993A2. Автор: Takashi Asami,Mitsumasa Kurihara,Makoto Motegi,Katsumi Tatekawa. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2000-08-30.

Data storage device, controller, and operating method of data storage device.

Номер патента: NL2011662B1. Автор: YUN Eun-jin,Lee Wonseok,HWANG Seongsik,MOON YOUNGKUG,SOHN Donghyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-27.

Adjustment of program verify targets corresponding to a last programming distribution and a programming distribution adjacent to an initial programming distribution

Номер патента: US12040026B2. Автор: Bruce A. Liikanen,Larry J. Koudele,Michael Sheperek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Non-volatile memory device with suspend/resume functions of program execute period based on bit line voltage and program method thereof

Номер патента: KR100645051B1. Автор: 정재용. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-11-10.

Non-volatile memory device with suspend/resume functions of program execute period based on bit line voltage and program method thereof

Номер патента: KR20060036680A. Автор: 정재용. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-05-02.

Environmental condition tracking for a memory system

Номер патента: US11817168B2. Автор: Olivier DUVAL. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

MEMORY DEVICE INCLUDING ARITHMETIC CIRCUIT AND NEURAL NETWORK SYSTEM INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20200160157A1. Автор: Kim Chan-kyung,LEE Sang-Kil,HWANG Young-Nam,Kim Jin-Min,Min JAE-HONG,Kim Soon-Young. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-21.

MEMORY DEVICE, THE CONTROL METHOD OF THE MEMORY DEVICE AND THE METHOD FOR CONTROLLING THE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20190361823A1. Автор: KWON SEOK CHEON. Владелец: Essencore Limited. Дата публикации: 2019-11-28.

Method of operating memory device assuring reliability and memory system

Номер патента: US9159441B2. Автор: Jun Hee Kim,Hyun Sik Yun,Youn Won PARK,Hee Tai OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-13.

Memory system including nonvolatile memory

Номер патента: US9792989B2. Автор: Tatsuhiro Suzumura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20140126304A1. Автор: Hyunsu YOON,Youncheol Kim,Jeongsu JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-05-08.

NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD OF DETECTING DEFECTIVE MEMORY CELL BLOCK OF NONVOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220051738A1. Автор: KIM Daehan,JUNG Wontaeck,LEE Myungnam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2022-02-17.

Nonvolatile memory circuit, semiconductor device, and method for reading nonvolatile memory

Номер патента: CN114913905A. Автор: 松本拓也. Владелец: Lanbishi Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-08-16.

Memory device and operation method thereof, and memory system

Номер патента: US20240355399A1. Автор: Li Xiang,Shuai Wang,Zhuo Chen,Chunyuan HOU,Zhipeng DONG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Methods and systems for compensating for degradation of resistive memory device

Номер патента: US20200051629A1. Автор: Ki-Sung Kim,Han-Sung Joo,Seung-you BAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-13.

Memory device for selectively operating multiple memory groups in different speeds and memory system including the same

Номер патента: US12020764B2. Автор: Hyungsup KIM,Hyung-Sik Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Non-volatile memory device with suspend/resume functions of program execute period based on bulk line voltage and program method thereof

Номер патента: KR100648278B1. Автор: 정재용,임영호. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-11-23.

Dual function compatible non-volatile memory device

Номер патента: WO2009079752A8. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2010-01-14.

Dual function compatible non-volatile memory device

Номер патента: US20110242906A1. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2011-10-06.

Non-volatile memory device capable of changing increment of program voltage according to mode of operation

Номер патента: KR100632944B1. Автор: 변대석,채동혁. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-10-12.

Non-volatile memory device capable of changing increment of program voltage according to mode of operation

Номер патента: US7038949B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Dong-Hyuk Chae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-02.

Memory device including a resistive memory cell and electronic device including the same

Номер патента: US20210397366A1. Автор: Jung Hyuk Lee,Kang Ho Lee,Hye Min Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-23.

Memory devices, systems, and methods of forming arrays of memory cells

Номер патента: US20180190717A1. Автор: Shigeru Sugioka. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-07-05.

Memory device, method of generating log of command signals/address signals of memory device, and method of analyzing errors of memory device

Номер патента: US20160172060A1. Автор: Kwang-Hyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-06-16.

Quality of service for memory devices using suspend and resume of program and erase operations

Номер патента: US20210124498A1. Автор: Luca Bert. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-29.

Resistive memory device with temperature compensation, resistive memory system, and operating method thereof

Номер патента: US09728252B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Man Chang,Hyun-Kook PARK,Yeong-Taek Lee,Yong-kyu Lee,In-Gyu Baek,Lijie Zhang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Memory device, method of generating log of command signals/address signals of memory device, and method of analyzing errors of memory device

Номер патента: US9646719B2. Автор: Kwang-Hyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor memory device that controls refresh period, memory system and operating method thereof

Номер патента: US09490001B2. Автор: Cheol Kim,Jung-Sik Kim,Sang-Ho Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Memory device, memory controller and memory system

Номер патента: US20100146201A1. Автор: Hiroyuki Kobayashi,Hitoshi Ikeda,Toshiya Uchida,Tetsuo Miyamoto,Yoshinobu Yamamoto,Shinnosuke Kamata,Masanori Kurita,Hidenaga Takahashi,Ayako Sato,Tatsushi Otsuka,Tatsuya Kanda,Satoru Shirakawa,Tomohiro Kawakubo,Syusaku Yamaguchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2010-06-10.

Phase-change memory devices, systems, and methods of operating thereof

Номер патента: US11929117B2. Автор: Xuwen PAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Nonvolatile memory apparatus and nonvolatile data storage medium

Номер патента: US8094482B2. Автор: Takeshi Takagi,Kazuhiko Shimakawa,Zhiqiang Wei,Ken Kawai. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-01-10.

Microelectronic device, structure, and system, including a memory structure having a variable programmable property and method of forming the same

Номер патента: US6825489B2. Автор: Michael N. Kozicki. Владелец: Axon Technologies Corp. Дата публикации: 2004-11-30.

Operation method of memory controller configured to control memory device

Номер патента: EP4152333A2. Автор: Hong Rak Son,Dong-Min Shin,Seonghyeog Choi,Hyeonjong Song,Yeongcheol JO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-22.

Multi-layer conductive memory device

Номер патента: US6965137B2. Автор: Darrell Rinerson,Wayne Kinney,Steven W. Longcor,Steve Kuo-Ren Hsia. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2005-11-15.

Multi-layer conductive memory device

Номер патента: US20040159867A1. Автор: Darrell Rinerson,Wayne Kinney,Steven Longcor,Steve Hsia. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2004-08-19.

Nonvolatile memory module having backup function

Номер патента: US09824734B2. Автор: Youngjin Cho,Hyo-Deok Shin,Han-Ju Lee,Younggeun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Nonvolatile memory device and program method thereof

Номер патента: US20160358657A1. Автор: Jinwoo Kim,Youngjin Cho,Seong Yeon Kim,Hyo-Deok Shin,Younggeun LEE,Jaegeun PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-08.

Nonvolatile memory device and program method thereof

Номер патента: US09799402B2. Автор: Jinwoo Kim,Youngjin Cho,Seong Yeon Kim,Hyo-Deok Shin,Younggeun LEE,Jaegeun PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device, semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20150294736A1. Автор: Young-Bo Shim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-10-15.

Nonvolatile memory device and operation method of storage device including the nonvolatile memory device

Номер патента: US09990130B2. Автор: Donghun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Nonvolatile memory device and operation method of storage device including the nonvolatile memory device

Номер патента: US09720595B2. Автор: Donghun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-01.

Storage device with artificial intelligence and storage system including the same

Номер патента: US20210150321A1. Автор: Changkyu Seol,Jinsoo Lim,Hyejeong So,Hongrak Son,Pilsang Yoon,Hwaseok Oh,Jaehun Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-20.

Electrically programmable and electrically erasable semiconductor memory device

Номер патента: US20040223372A1. Автор: Hiroshi Iwata,Akihide Shibata,Masaru Nawaki,Nobuaki Matsuoka,Yoshinao Morikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-11-11.

Memory devices supporting read/modify/write memory operations involving both volatile memory and nonvolatile memory

Номер патента: US20230153247A1. Автор: G. R. Mohan Rao. Владелец: Flash-Control LLC. Дата публикации: 2023-05-18.

Nonvolatile memory device and operation method of storage device including the nonvolatile memory device

Номер патента: US20170315723A1. Автор: Donghun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-02.

MEMORY SYSTEM INCLUDING NONVOLATILE MEMORY AND MEMORY CONTROLLER AND PROGRAMMING METHOD FOR PROGRAMMING DATA INTO NONVOLATILE MEMORY

Номер патента: US20150213895A1. Автор: Kwak DongHun. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-30.

Nonvolatile memory device and method of reducing an effect of over-erased nonvolatile memory cells

Номер патента: TW200710855A. Автор: Victor Nguyen,Nicola Telecco. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2007-03-16.

Nonvolatile memory system, and data read/write method for nonvolatile memory system

Номер патента: US20110055466A1. Автор: Yasuo Kudo,Hiroshi Sukegawa,Kazuya Kawamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-03-03.

Nonvolatile memory device including arithmetic circuit and neural network system including the same

Номер патента: KR102525165B1. Автор: 권준수. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2023-04-24.

NONVOLATILE MEMORY DEVICE, PROGRAM METHOD THEREOF, AND DATA PROCESSING SYSTEM INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20150279469A1. Автор: KOO Cheul Hee,KIM Byoung Young. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-01.

Memory device storing parity and memory system including the same

Номер патента: EP3989070B1. Автор: Dongmin Shin,Geunyeong YU,Youngjun Hwang,Hongrak Son,Bohwan Jun,Heeyoul KWAK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-27.

Performance evaluation of solid state memory device

Номер патента: US09524800B2. Автор: Thomas J. Griffin,Dustin J. VanStee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor memory device, operating method and memory system including the same

Номер патента: KR102155042B1. Автор: 최세경. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2020-09-11.

Semiconductor memory device for performing suspend operation and method of operating the same

Номер патента: US10613753B2. Автор: Tai Kyu Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-04-07.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20180004421A1. Автор: Tai Kyu Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-04.

Method and apparatus for refreshing flash memory device

Номер патента: US20180374546A1. Автор: Liang Shi,Dongfang SHAN,Yuangang WANG,Yejia DI,Hsing Mean Sha. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-27.

Flash memory device, method and circuit for processing a user command in a flash memory device and computer system comprising a flash memory device.

Номер патента: FR2708763B1. Автор: Mickey Lee Fandrich,Richard J Durante,Rodney R Rozman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2002-04-05.

On-die cross-temperature management for a memory device

Номер патента: US12067290B2. Автор: Jung Sheng Hoei,Kishore Kumar Muchherla,Violante Moschiano,Akira Goda,Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick R. KHAYAT,Jeffrey S. McNeil. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

On-die cross-temperature management for a memory device

Номер патента: US20240370206A1. Автор: Jung Sheng Hoei,Kishore Kumar Muchherla,Violante Moschiano,Akira Goda,Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick R. KHAYAT,Jeffrey S. McNeil. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

MULTI-LEVEL CELL MEMORY DEVICES AND METHODS OF STORING DATA IN AND READING DATA FROM THE MEMORY DEVICES

Номер патента: US20130294158A1. Автор: KANG Dong-Ku,KONG Jun Jin,LEE Young Hwan,PARK Sung Chung,HONG Si Hoon,HYUN Jae Woong. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-07.

Nonvolatile memory system, system including the same, and method of adaptively adjusting user storage region in the same

Номер патента: US09460006B2. Автор: MOON Sang Kwon,Sang Hoon Choi,Hyung Jin Im,Jeong Uk Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Storage device and method for updating meta slice including map chunks stored in nonvolatile memory device according to journal entries

Номер патента: US11734167B2. Автор: Ju Hyun Kim,Jin Yeong Kim,Jae Wan YEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Semiconductor memory device capable of recovering defective bit and a system having the same semiconductor memory device

Номер патента: US20010022750A1. Автор: Yukihiro Urakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-09-20.

Nonvolatile memory device including banks operating in different operation modes, operation method of memory controller, and storage device comprising nonvolatile memory device and memory controller

Номер патента: US20200335163A1. Автор: Bong-Kil Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-22.

Memory device, memory device controlling method, and memory device manufacturing method

Номер патента: US20230004310A1. Автор: Atsushi Kondo,Ryo YONEZAWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-01-05.

Temperature-dependent read operation time adjustment in non-volatile memory devices

Номер патента: US20190043567A1. Автор: Ali Khakifirooz,Pranav Kalavade,Aliasgar MADRASWALA,Shantanu Rajwade,Rohit Shenoy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

Non-volatile memory device for detecting progressive error, memory system, and method of operating the non-volatile memory device

Номер патента: US09842659B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Byung-Gil Jeon,Sang-Wan Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Memory devices for performing repair operation, memory systems including the same, and operating methods thereof

Номер патента: US20210200625A1. Автор: Yongsang Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-01.

Memory device, memory controller and memory system including them, and method for operating them for matching operation mode of memory interfaces

Номер патента: US10915259B2. Автор: Jee-Yul Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-02-09.

Memory device, controller controlling the same, memory system including the same, and operating method thereof

Номер патента: US11348623B2. Автор: Hyunyoon Cho,Sukhee Cho,YoungHoon SON,Youngdon CHOI,Junghwan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-31.

Memory device of adaptively calibrating timing margin and integrated circuit including the same

Номер патента: US09870043B2. Автор: Jong-Pil Lee,Jae-Seung Choi,Jung-Hun Heo,Su-Hyun YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-16.

Circuit and method of controlling input/output sense amplifier of a semiconductor memory device

Номер патента: US20080008011A1. Автор: Jong-Hyoung Lim,Jang-Won Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-10.

Method of forming a conductive filament in a living resistive memory device including a pre-forming step to form a localised path of oxygen vacancies from an interface layer

Номер патента: US09748477B2. Автор: Gabriel Molas,Marinela Barci. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-08-29.

Memory device including arithmetic circuit and neural network system including the same

Номер патента: US20200160157A1. Автор: Soon-Young Kim,Chan-kyung Kim,Sang-Kil Lee,Young-Nam Hwang,Jin-Min Kim,Jae-Hong Min. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-21.

Memory devices for performing repair operation, memory systems including the same, and operating methods thereof

Номер патента: US11789808B2. Автор: Yongsang Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-17.

Memory device and memory controller and storage device including the memory device and memory controller

Номер патента: US11908535B2. Автор: Jonghwa Kim,Jinmin SEOK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-20.

Integrated trench and via electrode for memory device applications and methods of fabrication

Номер патента: US11869843B1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Noriyuki Sato,Niloy Mukherjee,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Tanay GOSAVI,Mauricio Manfrini,Somilkumar J. Rathi. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor memory device, memory controller and memory system having on die termination and on die termination controlling method

Номер патента: US20140062528A1. Автор: Joon-Young Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-03-06.

Operation Method of Resistive Random Access Memory and Resistive Random Access Memory Device

Номер патента: US20180330788A1. Автор: HE Qian,Chen Wang,Bin Gao,Huaqiang Wu. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-11-15.

Built-in-self-test logic, memory device with same, and memory module testing method

Номер патента: US20240021261A1. Автор: Jaehyeok Kim,Yong Ki Lee,Eunhye OH,Gapkyoung Kim,Taewook Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Built-in-self-test logic, memory device with same, and memory module testing method

Номер патента: US11804276B2. Автор: Jaehyeok Kim,Yong Ki Lee,Eunhye OH,Gapkyoung Kim,Taewook Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-31.

Device and method of deleting information from a microcircuit addressing system

Номер патента: RU2731959C1. Автор: Владимир Анатольевич Тищенко,Григорий Иванович Андреев,Максим Владимирович Фесенко,Борис Васильевич Хлопов,Михаил Михайлович Крутов,Валерия Сергеевна Самойлова,Денис Владимирович Грачев. Владелец: Акционерное общество "Центральный научно-исследовательский радиотехнический институт имени академика А.И. Берга". Дата публикации: 2020-09-09.

Data storage device with nonvolatile memory

Номер патента: US09911502B2. Автор: Katsuya Murakami,Koichi Nagai,Isao Ozawa,Akira Tanimoto,Satoru Fukuchi,Shinji Honjo. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Data storage device including nonvolatile memory in which on/off state of power source voltage is controlled

Номер патента: US09704593B2. Автор: Katsuya Murakami,Koichi Nagai,Isao Ozawa,Akira Tanimoto,Satoru Fukuchi,Shinji Honjo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD OF SETTING A REFERENCE CURRENT IN A NONVOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20160211030A1. Автор: CHEN Hsu-Shun,KUO Cheng-Hsiung,LI Gu-Huan,CHIH Yue-Der. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-21.

Method and apparatus for managing behavior of memory devices

Номер патента: US20070291570A1. Автор: Fariborz F. Roohparvar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-12-20.

Memory system including non-volatile memory, buffer memory, and controller controlling reading data from non-volatile memory

Номер патента: US09619177B2. Автор: Kiyotaka Matsuo,Kazuhito Okita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Memory system for controlling reading from non-volatile memory

Номер патента: US20160357483A1. Автор: Kiyotaka Matsuo,Kazuhito Okita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-08.

Self-calibration method of a reading circuit of a nonvolatile memory

Номер патента: US8184490B2. Автор: Xiang Yao,Nan Wang. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-22.

NONVOLATILE MEMORY DEVICE HAVING SELECTABLE SENSING MODES, MEMORY SYSTEM HAVING THE SAME AND PROGRAMMING METHOD THEREOF

Номер патента: US20140153339A1. Автор: Kim Minseok,Park Kitae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-06-05.

Memory system and reset method thereof to prevent nonvolatile memory corruption due to premature power loss

Номер патента: US8904161B2. Автор: Hojun Shim,Woo-sung CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-12-02.

METHOD OF OPERATING MEMORY DEVICE ASSURING RELIABILITY AND MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20150103599A1. Автор: Kim Jun Hee,YUN Hyun Sik,PARK Youn Won,OH Hee Tai. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-16.

Semiconducotr memory device including non-volatile memory cell array

Номер патента: US09436545B2. Автор: Dong-hyun Sohn,Sang-Bo Lee,Chul-Sung Park,Chi-Sung Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-06.

Resistive memory device, resistive memory system and method of operating the resistive memory device

Номер патента: US09449686B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Yeong-Taek Lee,Hyo-Jin KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-20.

Memory devices, operating methods of the memory devices, and test systems including the memory devices

Номер патента: EP4280213A2. Автор: Wonyoung Choi,Changkyu Seol,Jeongseok PARK,Hyeran Kim,Sungrae Kim,Gilyoung Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-22.

Methods for providing device status in response to read commands directed to write-only mode register bits and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20220084565A1. Автор: Matthew A. Prather,Randall J. Rooney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

Memory device, operating method of the memory device and memory system comprising the memory device

Номер патента: US12057194B2. Автор: Jae Woo Park,Young Don CHOI,Jung Hwan Choi,Hyeok Jun CHOI,Young Chul Cho,Seung Jin PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory device, operating method of the memory device and memory system comprising the memory device

Номер патента: US20230298645A1. Автор: Jae Woo Park,Young Don CHOI,Jung Hwan Choi,Hyeok Jun CHOI,Young Chul Cho,Seung Jin PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Coordinating memory operations using memory-device generated reference signals

Номер патента: US20190114271A1. Автор: Scott C. Best,Ian Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2019-04-18.

Coordinating memory operations using memory-device-generated reference signals

Номер патента: US20210011867A1. Автор: Scott C. Best,Ian Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2021-01-14.

Coordinating memory operations using memory-device-generated reference signals

Номер патента: US20190294568A1. Автор: Scott C. Best,Ian Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2019-09-26.

Coordinating memory operations using memory-device generated reference signals

Номер патента: US20180150420A1. Автор: Scott C. Best,Ian Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-05-31.

Coordinating memory operations using memory-device generated reference signals

Номер патента: US09858216B2. Автор: Scott C. Best,Ian Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-01-02.

Coordinating memory operations using memory-device generated reference signals

Номер патента: US09384152B2. Автор: Scott C. Best,Ian Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2016-07-05.

Multi-site testing of computer memory devices and serial io ports

Номер патента: US20140026006A1. Автор: Chinsong Sul. Владелец: Silicon Image Inc. Дата публикации: 2014-01-23.

Memory device sensors

Номер патента: EP4073799A1. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-19.

Memory device sensors

Номер патента: WO2021118711A1. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: EP3965106A3. Автор: Jeongho Lee,Kwangjin Lee,Hee Hyun Nam,Youngkwang YOO,Jaeho SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-08.

Multi-channel semiconductor memory device and method of refreshing the same

Номер патента: US20110007594A1. Автор: Ho-Young Kim,Woo-pyo Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-01-13.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20240184487A1. Автор: WooSeong Cheong,Kyungeun CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-06.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: EP4379561A1. Автор: WooSeong Cheong,Kyungeun CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-05.

Memory devices, operating methods of the memory devices, and test systems including the memory devices

Номер патента: US20230377669A1. Автор: Wonyoung Choi,Changkyu Seol,Jeongseok PARK,Hyeran Kim,Sungrae Kim,Gilyoung Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-23.

Memory devices, operating methods of the memory devices, and test systems including the memory devices

Номер патента: EP4280213A3. Автор: Wonyoung Choi,Changkyu Seol,Jeongseok PARK,Hyeran Kim,Sungrae Kim,Gilyoung Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-27.

Semiconductor memory device capable of reading data of signature fuse through normal read operation and method of reading data of signature fuse in semiconductor memory device through normal read operation

Номер патента: US20040151048A1. Автор: Sung-Bum Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-08-05.

Electroentropic memory device

Номер патента: US09679630B2. Автор: Sean William Reynolds,David Reginald Carver,Bradford Wesley Fulfer,Sean Claudius Hall,Jaime Hayes GIBBS,Chase Koby Andrepont. Владелец: Carver Scientific Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor memory device and manufacturing method and read/write method therefor, and electronic device and memory circuit

Номер патента: EP4395490A1. Автор: Chao Zhao,Zhengyong Zhu,Guilei Wang,BokMoon Kang. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-07-03.

Methods for detecting and mitigating memory media degradation and memory devices employing the same

Номер патента: US20200243146A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-30.

Methods for detecting and mitigating memory media degradation and memory devices employing the same

Номер патента: EP3769203A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-27.

Methods for detecting and mitigating memory media degradation and memory devices employing the same

Номер патента: US20190295666A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-26.

Methods for detecting and mitigating memory media degradation and memory devices employing the same

Номер патента: US20210082529A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-18.

Methods for detecting and mitigating memory media degradation and memory devices employing the same

Номер патента: WO2019182747A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-09-26.

Methods for detecting and mitigating memory media degradation and memory devices employing the same

Номер патента: US10867685B2. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-15.

Memory device tester and method for testing reduced power states

Номер патента: US20020190708A1. Автор: Matthew Harrington,Van Huynh,Adin Hyslop. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-12-19.

Memory device tester and method for testing reduced power states

Номер патента: US20020149982A1. Автор: Matthew Harrington,Van Huynh,Adin Hyslop. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-10-17.

Memory device tester and method for testing reduced power states

Номер патента: US20020149981A1. Автор: Matthew Harrington,Van Huynh,Adin Hyslop. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-10-17.

Memory device and electronic device

Номер патента: US20240268096A1. Автор: Takanori Matsuzaki,Hiroki Inoue,Yuki Okamoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory device tester and method for testing reduced power states

Номер патента: US6914843B2. Автор: Adin E. Hyslop,Matthew R. Harrington,Van C. Huynh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-07-05.

Memory device tester and method for testing reduced power states

Номер патента: US6674677B2. Автор: Adin E. Hyslop,Matthew R. Harrington,Van C. Huynh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-01-06.

Image sensor data management using a multi-port memory device

Номер патента: WO2022108935A1. Автор: Amit Gattani,Richard C. Murphy,Poorna Kale. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-05-27.

Independently controlled virtual memory devices in memory modules

Номер патента: EP2313891A1. Автор: Norman P. Jouppi,Jung Ho Ahn,Jacob B. Leverich. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2011-04-27.

Memory device using spin hall effect and methods of manufacturing and operating the memory device

Номер патента: US09530478B2. Автор: Sung-Chul Lee,Kee-Won Kim,Kwang-Seok Kim,Young-man Jang,Ung-hwan Pi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-27.

Methods for providing device status in response to read commands directed to write-only mode register bits and memory devices and systems employing the same

Номер патента: WO2021034431A8. Автор: Matthew A. Prather,Randall J. Rooney. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-02-17.

Methods for providing device status in response to read commands directed to write-only mode register bits and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20210057003A1. Автор: Matthew A. Prather,Randall J. Rooney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

Methods for providing device status in response to read commands directed to write-only mode register bits and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US11854655B2. Автор: Matthew A. Prather,Randall J. Rooney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Methods for providing device status in response to read commands directed to write-only mode register bits and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20240203464A1. Автор: Matthew A. Prather,Randall J. Rooney. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-06-20.

Method of estimating self refresh period of semiconductor memory device

Номер патента: US8264904B2. Автор: Hyung-Dong Kim,Byung-Hwan So. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-09-11.

Memory system with timing overlap mode for activate and precharge operations

Номер патента: US09870812B2. Автор: THOMAS Andre,Syed M. Alam,Halbert S. Lin. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Memory device, method of manufacturing memory device, and electronic apparatus including memory device

Номер патента: US20230380132A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor memory device for reducing data read time difference between memory banks

Номер патента: US11983413B2. Автор: Jae Jin Lee. Владелец: FIDELIX Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor memory device for reducing data read time difference between memory banks

Номер патента: US20230266882A1. Автор: Jae Jin Lee. Владелец: FIDELIX Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Memory device sensors

Номер патента: US20240036629A1. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Memory device sensors

Номер патента: US11789519B2. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Magnetic memory devices, electronic systems and memory cards including the same, methods of manufacturing the same, and methods of forming a perpendicular magnetic film of the same

Номер патента: TW201214813A. Автор: Jang-eun Lee,Woo-Chang Lim,Se-Chung Oh,Woo-Jin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-04-01.

Addressing scheme for a memory system

Номер патента: US20210216479A1. Автор: Eric J. Stave. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

Addressing scheme for a memory system

Номер патента: US20220058145A1. Автор: Eric J. Stave. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-24.

Staggering refresh address counters of a number of memory devices, and related methods, devices, and systems

Номер патента: US11887649B2. Автор: James S. Rehmeyer,Christopher G. Wieduwilt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

MEMORY DEVICE FOR REFRESH AND MEMORY SYSTEM INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20170110177A1. Автор: Oh Tae-Young,Lee Jong-Ho,SHIN Seung-Jun. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-20.

Spin orbit torque magnetic memory devices, operating methods thereof, and electronic apparatuses including the magnetic memory devices

Номер патента: US20240147868A1. Автор: Atsushi Okada,Soichiro Mizusaki,Kwangseok KIM,Jeongchun Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

QUALITY OF SERVICE FOR MEMORY DEVICES USING SUSPEND AND RESUME OF PROGRAM AND ERASE OPERATIONS

Номер патента: US20210124498A1. Автор: Bert Luca. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-29.

System and method of selectively applying negative voltage to wordlines during memory device read operation

Номер патента: CA2711671C. Автор: Cheng Zhong,Sei Seung Yoon,Mohamed H. Abu-Rahma,Dongkyu Park. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-12-17.

Memory device with timing overlap mode

Номер патента: US20150124524A1. Автор: THOMAS Andre,Syed M. Alam,Halbert S. Lin. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2015-05-07.

Memory device with timing overlap mode

Номер патента: US20170084324A1. Автор: THOMAS Andre,Syed M. Alam,Halbert S. Lin. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2017-03-23.

Memory device with timing overlap mode and precharge timing circuit

Номер патента: US09552849B2. Автор: THOMAS Andre,Syed M. Alam,Halbert S Lin. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Magnetic memory device and memory card and system including the same

Номер патента: KR101746615B1. Автор: 정준호,김영현,임우창,신희주. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2017-06-14.

Memory device including memory cells and edge cells

Номер патента: US20240153550A1. Автор: Atuk KATOCH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Method for manufacturing a magnetic memory device

Номер патента: US7211511B2. Автор: Hiroshi Horikoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-05-01.

Semiconductor memory device having adjustable refresh period, memory system comprising same, and method of operating same

Номер патента: US20140085999A1. Автор: Uk-Song KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-03-27.

Semiconductor memory device having adjustable refresh period, memory system comprising same, and method of operating same

Номер патента: US9153294B2. Автор: Uk-Song KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-06.

Memory cell structures, memory arrays, memory devices, memory controllers, and memory systems, and methods of manufacturing and operating the same

Номер патента: US7969808B2. Автор: Ki-whan Song,Nam-Kyun Tak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-06-28.

Memory cell structures, memory arrays, memory devices, memory controllers, and memory systems, and methods of manufacturing and operating the same

Номер патента: US20090022003A1. Автор: Ki-whan Song,Nam-Kyun Tak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-01-22.

Magnetic memory device and operation method thereof

Номер патента: US11871678B2. Автор: Yoshiaki Sonobe,Yoshihiro Okamoto,Yasuaki Nakamura,Syuta HONDA. Владелец: Ehime University NUC. Дата публикации: 2024-01-09.

Domain wall movement memory device having yoke pattern and method of forming the same

Номер патента: WO2008140161A1. Автор: Chun Yeol You. Владелец: INHA Industry Partnership Institute. Дата публикации: 2008-11-20.

Domain wall movement memory device having artificial antiferromagnetism or artificial ferrimagnetism and method of forming the same

Номер патента: WO2008143381A1. Автор: Chun Yeol You. Владелец: INHA Industry Partnership Institute. Дата публикации: 2008-11-27.

Memory architectures including non-volatile memory devices

Номер патента: WO2006074176A3. Автор: David S Choi,John D Villasenor. Владелец: John D Villasenor. Дата публикации: 2007-05-31.

Nonvolatile memory device and program method of the same

Номер патента: US20180268907A1. Автор: Yong-Seok Kim,Byoung-taek Kim,Ji-Ho Cho,Won-Bo Shim,Sun-gyung HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-09-20.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20200081774A1. Автор: Yuta Kumano,Hironori Uchikawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Storage device and operating method of storage device

Номер патента: US20240257849A1. Автор: Hyungjin Kim,Youngwook Kim,Soong-Man Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory system, method of controlling memory system having volatile memory and nonvolatile memory, and controller

Номер патента: US20160266638A1. Автор: Toshikatsu Hida,Shohei Asami,Mitsuru ANAZAWA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Memory system, method of controlling memory system having volatile memory and nonvolatile memory, and controller

Номер патента: US09568987B2. Автор: Toshikatsu Hida,Shohei Asami,Mitsuru ANAZAWA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Memory system in which data is written to memory chips based on a distance from a memory controller

Номер патента: US09390000B2. Автор: Naoki Matsunaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-07-12.

Non-overlapped-extension-implantation nonvolatile memory device capable of being treated with anti-fuse operation

Номер патента: US09991269B2. Автор: Syang-Ywan Jeng. Владелец: CHUNG YUAN CHRISTIAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-06-05.

System including hierarchical memory modules having different types of integrated circuit memory devices

Номер патента: US09460021B2. Автор: Craig Hampel,Mark Horowitz. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2016-10-04.

Nonvolatile memory cell, nonvolatile memory cell array, and information writing method of nonvolatile memory cell array

Номер патента: US20220262420A1. Автор: Takashi Yokoyama,Mikio Oka,Yasuo Kanda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Memory device including volatile memory, nonvolatile memory and controller

Номер патента: US20190287608A1. Автор: Yu Nakanishi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Memory device including volatile memory, nonvolatile memory and controller

Номер патента: US09865323B1. Автор: Yu Nakanishi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Nonvolatile memory device and program method of the same

Номер патента: US20210217477A1. Автор: Yong-Seok Kim,Byoung-taek Kim,Ji-Ho Cho,Won-Bo Shim,Sun-gyung HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-15.

Storage device having wide input/output and method of operating the same

Номер патента: US20200150893A1. Автор: Chanho YOON,Daekyoung Kim,Hyeonwu Kim,Seok-Won Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-14.

Storage device, memory device, and system including storage device and memory device

Номер патента: US20230350832A1. Автор: Kyunghan LEE,Chon Yong Lee,Jae-gon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-02.

Nonvolatile memory interface for metadata shadowing

Номер патента: US09569109B2. Автор: Todd E. Takken,John K. DeBrosse,Michele M. Franceschini,Daniel C. Worledge,Blake G. Fitch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Nonvolatile memory interface for metadata shadowing

Номер патента: US09496018B2. Автор: Todd E. Takken,John K. DeBrosse,Michele M. Franceschini,Daniel C. Worledge,Blake G. Fitch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Storage devices including nonvolatile memory and related methods

Номер патента: EP4332775A1. Автор: Jinwook Lee,Bongsoon LIM,Heeseok Eun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-06.

Method of operating storage device, storage device performing the same and storage system including the same

Номер патента: US11748223B2. Автор: Kyungduk Lee,Younsoo Cheon,Jihwa Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-05.

Memory system

Номер патента: US20200244458A1. Автор: Yuki Kanbe. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-07-30.

Method of operating storage device, storage device performing the same and storage system including the same

Номер патента: US20200394114A1. Автор: Kyungduk Lee,Younsoo Cheon,Jihwa Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-17.

Method of operating storage device, storage device performing the same and storage system including the same

Номер патента: US20220121544A1. Автор: Kyungduk Lee,Younsoo Cheon,Jihwa Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-21.

3D cross-bar nonvolatile memory

Номер патента: US09660107B1. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz,Ta-Pen Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Method of programming variable resistance nonvolatile memory element

Номер патента: US8867259B2. Автор: Shunsaku Muraoka,Kazuhiko Shimakawa,Ken Kawai,Yoshikazu Katoh. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-10-21.

System including hierarchical memory modules having different types of integrated circuit memory devices

Номер патента: US11823757B2. Автор: Craig Hampel,Mark Horowitz. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2023-11-21.

Storage system, storage device, and operation method of storage device

Номер патента: US20220326284A1. Автор: Jooyoung Kim,Minseok Kim,Jihong Kim,Kihyun Choi,Heeyoub KANG,Kwangkyu BANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-13.

Memory system

Номер патента: US10739998B2. Автор: Shingo Kikukawa,Satoshi Kaburaki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-08-11.

Memory system

Номер патента: US20190087097A1. Автор: Shingo Kikukawa,Satoshi Kaburaki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Memory device and system

Номер патента: US11847209B2. Автор: Gi Jin Kang,Joong Chul Yoon,Jae Keun Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-19.

Nonvolatile memory device using a variable resistive element and associated operating method

Номер патента: US20090003048A1. Автор: Byung-Gil Choi,Yu-Hwan Ro,In-Cheol Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-01-01.

Storage device and operating method of storage device

Номер патента: US11972836B2. Автор: Hyungjin Kim,Youngwook Kim,Soong-Man Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-30.

Controller, storage device and operation method of storage device

Номер патента: US11922037B2. Автор: Hyungkyun BYUN,SeongCheol HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-05.

Storage devices and methods of operating storage devices

Номер патента: US11830561B2. Автор: Soongmann Shin,YoungMin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-28.

Error correcting codes for increased storage capacity in multilevel memory devices

Номер патента: US20130191697A1. Автор: Giovanni Campardo,Paolo Amato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-07-25.

Controller, memory system and operating method of memory system

Номер патента: US20240363189A1. Автор: Young Ook SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Multi-channel nonvolatile memory management

Номер патента: US20180356982A1. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Kevin Mcilvain,Adam J. McPadden,Nandita A. Mitra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-12-13.

Nonvolatile memory device and method of fabricating same

Номер патента: US20210233929A1. Автор: Tae Hun Kim,Seung Won Lee,Min Cheol Park,Jun Hee Lim,Hye Ri Shin,Si Yeon Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-29.

Nonvolatile memory devices using variable resistive elements

Номер патента: US20090285009A1. Автор: Jong-Chul Park,Byung-Gil Choi,Ki-Sung Kim,Young-Ran Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-11-19.

Nonvolatile memory cell, nonvolatile memory cell array, and information writing method of nonvolatile memory cell array

Номер патента: US11996130B2. Автор: Takashi Yokoyama,Mikio Oka,Yasuo Kanda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-05-28.

Nonvolatile memory devices having vertically integrated nonvolatile memory cell sub-strings therein

Номер патента: US9000508B2. Автор: Kihyun Kim,Changhyun LEE,Hansoo Kim,Jaehoon Jang,Sunhil Shim,Sunghoi Hur. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-04-07.

Methods and apparatus to read from a nonvolatile memory device

Номер патента: US20180004419A1. Автор: Sachin Thakur. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

NONVOLATILE MEMORY DEVICE INCLUDING BANKS OPERATING IN DIFFERENT OPERATION MODES, OPERATION METHOD OF MEMORY CONTROLLER, AND STORAGE DEVICE COMPRISING NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND MEMORY CONTROLLER

Номер патента: US20200335163A1. Автор: JUNG BONG-KIL. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-10-22.

Nonvolatile memory device using variable resistive element, memory system comprising the same and driving method of the nonvolatile memory device

Номер патента: KR101237005B1. Автор: 이광진,조백형,왕치. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2013-02-26.

Nonvolatile memory device using variable resistive element

Номер патента: US20100091552A1. Автор: Sang-beom Kang,Ho-Jung Kim,Young-Sun Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-04-15.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20170052737A1. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-23.

Data mirroring in serial -connected memory system

Номер патента: WO2010048711A1. Автор: Hakjune Oh,William Petrie. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2010-05-06.

Nonvolatile memory interface for metadata shadowing

Номер патента: US20160291870A1. Автор: Todd E. Takken,John K. DeBrosse,Michele M. Franceschini,Daniel C. Worledge,Blake G. Fitch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Nonvolatile memory interface for metadata shadowing

Номер патента: US20160293241A1. Автор: Todd E. Takken,John K. DeBrosse,Michele M. Franceschini,Daniel C. Worledge,Blake G. Fitch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Information processing apparatus and power-off control method of information processing apparaus

Номер патента: US9886078B2. Автор: Tatsuya Kawano. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor integrated circuit device and method for testing the same

Номер патента: US20050047236A1. Автор: Toshiaki Kawasaki,Masashi Agata,Masanori Shirahama,Ryuji Nishihara. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-03.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20080138971A1. Автор: Tetsuji Yamaguchi,Hajime Tokunaga. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-12.

Microcomputer having built-in nonvolatile memory and check system thereof and IC card packing microcomputer having built-in nonvolatile memory and check system thereof

Номер патента: TW460778B. Автор: Kazuhiro Yaegawa,Tadao Takeda,Masaaki Tanno,Nobuhiro Shimoyama,Haruhiko Shigemasa. Владелец: Nippon Telegraph & Telephone. Дата публикации: 2001-10-21.

Controller and method of operating the same

Номер патента: US20220130465A1. Автор: Ji Hong Kim,Min Kyung Choi,Ji Yeun KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-04-28.

Memory system topologies including a buffer device and an integrated circuit memory device

Номер патента: US09865329B2. Автор: Ely Tsern,Ian Shaeffer,Craig Hampel. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-01-09.

Memory system topologies including a buffer device and an integrated circuit memory device

Номер патента: US09563583B2. Автор: Ely Tsern,Ian Shaeffer,Craig Hampel. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-02-07.

NONVOLATILE MEMORY APPARATUS AND AN OPERATING METHOD OF A NONVOLATILE MEMORY APPARATUS

Номер патента: US20190325975A1. Автор: KIM Kwi Dong,KO Keun Sik. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2019-10-24.

Nonvolatile memory device using variable resistive element, memory system comprising the same

Номер патента: KR101424176B1. Автор: 이광진,최병길. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2014-07-31.

Storage device and power management method thereof

Номер патента: US12067272B2. Автор: Seung Hyun Chung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US09886381B2. Автор: Eun-Soo Jang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Flash memory controller and method capable of transmitting multiple set-feature signals and macro settings to flash memory device

Номер патента: US20240004581A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Memory device

Номер патента: US20210375852A1. Автор: Yuan Ma,Xin-Yong WANG,Ke-Liang SHANG. Владелец: TSMC Nanjing Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Semiconductor device having an inter-layer via (ilv), and method of making same

Номер патента: US20210272968A1. Автор: Hung-jen Liao,Cheng Hung Lee,Hong-Chen Cheng,Tsung-Hsien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-02.

Clock mode determination in a memory system

Номер патента: US09740407B2. Автор: Peter B. Gillingham,Graham Allan. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Clock mode determination in a memory system

Номер патента: US09552889B2. Автор: Peter B. Gillingham,Graham Allan. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Clock mode determination in a memory system

Номер патента: US09384847B2. Автор: Peter B. Gillingham,Graham Allan. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2016-07-05.

Flash memory controller and method capable of using one set-feature signal as a macro execution signal to execute multiple set-feature operations for flash memory device

Номер патента: US12073085B2. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Method for reading and writing unreliable memories and a corresponding memory controller device and memory

Номер патента: US12057858B2. Автор: Andreas Burg,Reza Ghanaatian. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory controller and method of operating the same

Номер патента: US11010226B2. Автор: Chang Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-05-18.

Memory controller and method of operating the same

Номер патента: US20200356430A1. Автор: Chang Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-11-12.

Stack type semiconductor memory device

Номер патента: US09960082B2. Автор: Nam Kyun PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Memory controller determining endurance degradation, memory system including the same, and method of operating the memory controller

Номер патента: US20200159619A1. Автор: Young-Jin Cho,Jeong-Ho Lee,Eun Chu Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-21.

ACCESS METHOD OF A STORAGE DEVICE HAVING A HETEROGENEOUS NONVOLATILE MEMORY

Номер патента: US20170153814A1. Автор: Cho Youngjin,NAM HEE HYUN,LEE Han-Ju,RYU JUNGHWAN. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-01.

ANTI-FUSE TYPE NONVOLATILE MEMORY CELLS, ARRAYS THEREOF, AND METHODS OF OPERATING THE SAME

Номер патента: US20170186756A1. Автор: Choi Kwang Il. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-29.

The control method of storage system, information processing system and nonvolatile memory

Номер патента: CN107168639A. Автор: 菅野伸,菅野伸一. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-15.

Anti-fuse type nonvolatile memory cells, arrays thereof, and methods of operating the same

Номер патента: US9941289B2. Автор: Kwang Il Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

The control method of storage system, information processing system and nonvolatile memory

Номер патента: CN107168884A. Автор: 菅野伸,菅野伸一. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-15.

Test method of semiconductor memory device and semiconductor memory system transferring fail address data from a volatile to a non-volatile memory array using an error-correction code engine

Номер патента: US9747998B2. Автор: Sua Kim,Sung Hyun Lee,Hak-soo Yu,Jun Hee Yoo,Chulwoo PARK,Jaeyoun Youn,Hyojin Choi,Dongsoo Kang,Jinsu JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Memory system

Номер патента: US20240028529A1. Автор: Shinya Takeda,Kenji Sakaue,Toshiyuki Furusawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Memory system

Номер патента: US11853238B2. Автор: Shinya Takeda,Kenji Sakaue,Toshiyuki Furusawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-26.

Storage device including mapping memory and method of operating the same

Номер патента: US20230214297A1. Автор: Jisu Kang,Yongki LEE,Eunhye OH,Taewook Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-06.

Self-testing data storage devices and methods

Номер патента: US09972403B2. Автор: Roderick A. Hyde,Muriel Y. Ishikawa,Lowell L. Wood, JR.,Jordin T. Kare,Jeffrey A. Bowers,Victoria Y. H. Wood,Peter L. Hagelstein. Владелец: ELWHA LLC. Дата публикации: 2018-05-15.

Methods of synchronizing memory operations and memory systems employing the same

Номер патента: US20190065109A1. Автор: Matthew A. Prather,Frank F. Ross. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Methods of synchronizing memory operations and memory systems employing the same

Номер патента: US10976960B2. Автор: Matthew A. Prather,Frank F. Ross. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-13.

Memory systems including memory controllers that use status input pins to check memory operation statuses of memory devices

Номер патента: US20230152976A1. Автор: Suhyun KIM,Donggeun Lim,Seonghoon Woo,Taeeun Park,Yukyeong Kim,Yejin Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-18.

Memory systems including memory controllers that use status input pins to check memory operation statuses of memory devices

Номер патента: EP4187537A1. Автор: Suhyun KIM,Donggeun Lim,Seonghoon Woo,Taeeun Park,Yukyeong Kim,Yejin Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-31.

Method for extending period of data retention of flash memory device and device for the same

Номер патента: US09904479B1. Автор: Ming-Sheng Chen,Ting-Chiang Liu,Liang-Tsung Wang. Владелец: Innodisk Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

High performance semiconductor memory devices

Номер патента: US20030202405A1. Автор: Jeng-Jye Shau. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-30.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20220199149A1. Автор: Kaoru Mori. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-06-23.

Embedded recess in polymer memory package and method of making same

Номер патента: US20030017643A1. Автор: JIAN Li,Xiao-Chun Mu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-01-23.

Memory device for correcting pulse duty and memory system including the same

Номер патента: US11837310B2. Автор: Jae Young Park,Kwan Su SHON,Yo Han JEONG,Eun Ji CHOI,Daeho YANG,Soon Sung AN,Gwan Woo KIM,Junseo JANG,Jaehyeong HONG,In Seok Kong,Sung Hwa Ok. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Memory device, memory system having the same and operating method thereof

Номер патента: US20240212776A1. Автор: Jongpil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, CONTROLLER, AND METHOD OF OPERATING MEMORY SYSTEM INCLUDING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND CONTROLLER

Номер патента: US20210304837A1. Автор: KIM Jin Sub. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-30.

Memory system failure detection and self recovery of memory dice

Номер патента: US20230393955A1. Автор: Robert Mason,Kenneth W. Marr,Pitamber Shukla,Scott A. Stoller,Chi Ming Chu,Hossein Afkhami. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Memory system failure detection and self recovery of memory dice

Номер патента: US11966303B2. Автор: Robert Mason,Kenneth W. Marr,Pitamber Shukla,Scott A. Stoller,Chi Ming Chu,Hossein Afkhami. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

Memory system failure detection and self recovery of memory dice

Номер патента: US20240220375A1. Автор: Robert Mason,Kenneth W. Marr,Pitamber Shukla,Scott A. Stoller,Chi Ming Chu,Hossein Afkhami. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Apparatuses and methods for accessing variable resistance memory device

Номер патента: US09990990B2. Автор: Daniele Ielmini,Paolo Fantini,Nicola Ciocchini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Restoring ECC syndrome in non-volatile memory devices

Номер патента: US09910729B1. Автор: Amit Shefi,Amichai GIVANT,Yoav Yogev,Ilan Bloom. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Memory system with region-specific memory access scheduling

Номер патента: EP4462270A2. Автор: Yi Xu,Yuan Xie,Nuwan Jayasena. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-11-13.

Clock mode determination in a memory system

Номер патента: US20230384935A1. Автор: Peter B. Gillingham,Graham Allan. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Capacitance measurement and apparatus for resistive switching memory devices

Номер патента: US11393529B2. Автор: Cung Vu,Hagop Nazarian. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2022-07-19.

Clock mode determination in a memory system

Номер патента: US11880569B2. Автор: Peter B. Gillingham,Graham Allan. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Clock mode determination in a memory system

Номер патента: US20240168636A1. Автор: Peter B. Gillingham,Graham Allan. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Memory device test mode access

Номер патента: US11854637B2. Автор: David G. Springberg,Michael R. Spica. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Memory systems and electronic systems performing an adaptive error correction operation with pre-checked error rate, and methods of operating the memory systems

Номер патента: US20180210786A1. Автор: Soojin Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-07-26.

Memory device test mode access

Номер патента: US20230178163A1. Автор: David G. Springberg,Michael R. Spica. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-08.

Memory device test mode access

Номер патента: US20220044750A1. Автор: David G. Springberg,Michael R. Spica. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-10.

Wear-leveling system and method for reducing stress on memory device using erase counters

Номер патента: US09971682B2. Автор: Jian Zhou,Xinjie Chen,Xiaoxiang Geng,Yaoqiao LI. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

MEMORY DEVICE, METHOD OF GENERATING LOG OF COMMAND SIGNALS/ADDRESS SIGNALS OF MEMORY DEVICE, AND METHOD OF ANALYZING ERRORS OF MEMORY DEVICE

Номер патента: US20160172060A1. Автор: KIM Kwang-Hyun. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-16.

Adaptation of word line pulse widths in memory systems

Номер патента: RU2455713C2. Автор: Мохамед Х. АБУ-РАХМА,Сей Сеунг ЙООН. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2012-07-10.

Memory System Topologies Including A Memory Die Stack

Номер патента: US20230410890A1. Автор: Ian Shaeffer,Craig Hampel,Ely Tsem. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2023-12-21.

Memory system and method for strobing data, command and address signals

Номер патента: EP1784833A4. Автор: FENG Lin,Brian Johnson,Brent Keeth,Seong-Hoon Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-10-15.

Memory System Topologies Including A Memory Die Stack

Номер патента: US20210375351A1. Автор: Ely Tsern,Ian Shaeffer,Craig Hampel. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2021-12-02.

Memory system and method for strobing data, command and address signals

Номер патента: US20060133165A1. Автор: FENG Lin,Brian Johnson,Brent Keeth,Seong-Hoon Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-22.

Memory system and method for strobing data, command and address signals

Номер патента: US20060140023A1. Автор: FENG Lin,Brian Johnson,Brent Keeth,Seong-Hoon Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-29.

Memory system and method for strobing data, command and address signals

Номер патента: US20060044891A1. Автор: FENG Lin,Brian Johnson,Brent Keeth,Seong-Hoon Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-02.

A semiconductor memory device and a semiconductor memory system including the same

Номер патента: KR101179462B1. Автор: 옥성화. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2012-09-07.

A semiconductor memory device and a semiconductor memory system including the same

Номер патента: KR20120059124A. Автор: 옥성화. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2012-06-08.

Memory device access techniques

Номер патента: US11790961B2. Автор: Luca Porzio,Giuseppe Cariello. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Memory device testing, and associated methods, devices, and systems

Номер патента: US11456049B2. Автор: Jason M. Johnson,Dennis G. Montierth. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-27.

Memory device, operation method of the memory device and semiconductor die

Номер патента: US20240062817A1. Автор: Katherine H. Chiang,Yun-Feng KAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Memory device testing, and associated methods, devices, and systems

Номер патента: US20220005541A1. Автор: Jason M. Johnson,Dennis G. Montierth. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-06.

Method and system for tuning a memory device for high-speed transitions

Номер патента: US12067233B2. Автор: Sumeet Paul,Shankar Athanikar,Akhilesh Kumar Jaiswal,Puneet Kukreja,Vinay Kumar M N. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory device, memory controller, and memory system including the same

Номер патента: US20220050640A1. Автор: Wontaeck Jung,Jaeyong Jeong,Bohchang Kim,Kuihan KO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-17.

MEMORY DEVICE, CONTROLLER CONTROLLING THE SAME, MEMORY SYSTEM INCLUDING THE SAME, AND OPERATING METHOD THEREOF

Номер патента: US20220059144A1. Автор: Choi Junghwan,SON Younghoon,CHOI Youngdon,CHO Sukhee,CHO Hyunyoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2022-02-24.

MEMORY DEVICES FOR PERFORMING REPAIR OPERATION, MEMORY SYSTEMS INCLUDING THE SAME, AND OPERATING METHODS THEREOF

Номер патента: US20210200625A1. Автор: Park Yongsang. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-01.

MEMORY DEVICE, MEMORY CONTROLLER AND MEMORY SYSTEM INCLUDING THEM, AND METHOD FOR OPERATING THEM

Номер патента: US20190265900A1. Автор: KIM Jee-Yul. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-29.

Non-volatile memory device performing cache read operation, memory system including the same, and cache read method

Номер патента: KR100626371B1. Автор: 황상원,이진엽. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-09-20.

Memory device, controller controlling the same, memory system including the same, and operating method thereof

Номер патента: US20220254391A1. Автор: Hyunyoon Cho,Sukhee Cho,YoungHoon SON,Youngdon CHOI,Junghwan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-08-11.

Memory devices for performing repair operation, memory systems including the same, and operating methods thereof

Номер патента: US20220245021A1. Автор: Yongsang Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-08-04.

Memory device, controller controlling the same, memory system including the same, and operating method thereof

Номер патента: EP3958133B1. Автор: Hyunyoon Cho,Sukhee Cho,YoungHoon SON,Youngdon CHOI,Junghwan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-15.

Flash memory controller and method capable of using one set-feature signal as a macro execution signal to execute multiple set-feature operations for flash memory device

Номер патента: US20240004550A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Method For Reading And Writing Unreliable Memories And A Corresponding Memory Controller Device and Memory

Номер патента: US20220122686A1. Автор: Andreas Burg,Reza Ghanaatian. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2022-04-21.

Semiconductor memory device and operation method of swizzling data

Номер патента: US11742046B2. Автор: Jeongho Lee,Kwangjin Lee,Hee Hyun Nam,Youngkwang YOO,Jaeho SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-29.

Flash memory controller and method capable of transmitting multiple set-feature signals and macro settings to flash memory device

Номер патента: US11914901B2. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Frame protocol of memory device

Номер патента: US20200159687A1. Автор: Brent Keeth,James Brian Johnson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-05-21.

Electrical distance-based wave shaping for a memory device

Номер патента: US20220013168A1. Автор: John Christopher Sancon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Memory device with ferroelectric charge trapping layer

Номер патента: US12041782B2. Автор: Jan Van Houdt. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-07-16.

Systems and methods for improving fuse systems in memory devices

Номер патента: US20190198127A1. Автор: Yu-feng Chen,Scott E. Smith,John E. Riley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Etch stop layer for memory device formation

Номер патента: US20240321635A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Hung Cho Wang,Sheng-Chang Chen,Sheng-Huang Huang,Chung-Chiang Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Method and apparatus for performing signal processing on a crossbar array of resistive memory devices

Номер патента: US09455030B1. Автор: Hai Li,Yiran Chen,Qing Wu,Mark Barnell,Richard Linderman. Владелец: US Air Force. Дата публикации: 2016-09-27.

Memory devices with enhanced isolation of memory cells, systems including same and methods of forming same

Номер патента: WO2011034778A3. Автор: Jun Liu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2011-05-12.

Memory devices with enhanced isolation of memory cells, systems including same and methods of forming same

Номер патента: US8623736B2. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-01-07.

Memory devices with enhanced isolation of memory cells, systems including same and methods of forming same

Номер патента: CN102498566A. Автор: 刘峻. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-06-13.

Semiconductor memory device, controller, and memory system

Номер патента: US20200133768A1. Автор: Dae Hyun Kim,Jun Jin Kong,Myung Kyu Lee,Ki Jun LEE,Sung Hye Cho,Yong Gyu Chu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-30.

Semiconductor memory device having error detection function, memory system having the same, and method of outputting data of the same

Номер патента: KR100882484B1. Автор: 이정배,정회주. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2009-02-09.

Semiconductor memory device having a function for detecting over-stress condition applied to the semiconductor memory device and semiconductor memory system with the same

Номер патента: KR20060003434A. Автор: 조성범. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-01-11.

MEMORY DEVICE, METHOD OF OPERATING THE SAME, AND ELECTRONIC DEVICE HAVING THE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130322149A1. Автор: Song Ho-Young,SEO Sung-Min,KIM GIL-SU,OH JONG-MIN,RYU JE-MIN,CHO YONG-HO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-12-05.

Method of operation of a memory controller

Номер патента: US6304937B1. Автор: Mark Horowitz,Michael Farmwald. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2001-10-16.

Memory operation of paired memory devices

Номер патента: US8996935B2. Автор: Saravanan Sethuraman,Timothy J. Dell,Girisankar Paulraj,Edgar R. Cordero. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-03-31.

Method of controlling a delay locked loop

Номер патента: US20020181297A1. Автор: Wen Li,William Jones. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Memory device, method of operating the same, and electronic device having the memory device

Номер патента: US8897055B2. Автор: Je-Min Ryu,Ho-young Song,Yong-ho Cho,Sung-Min Seo,Gil-Su Kim,Jong-Min Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-11-25.

Memory system with threaded transaction support

Номер патента: US20200264782A1. Автор: Frederick A. Ware,Ely Tsern. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2020-08-20.

Memory system with threaded transaction support

Номер патента: US11809712B2. Автор: Frederick A. Ware,Ely Tsern. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2023-11-07.

Dual-port, dual-function memory device

Номер патента: US11830574B2. Автор: Amit Gattani,Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Methods of forming a conductive contact structure to an embedded memory device on an ic product and a corresponding ic product

Номер патента: US20210193584A1. Автор: Hyung Woo Kim,Nicholas LiCausi,Julien Frougier,Keith Donegan. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-06-24.

Memory system and memory access interface device thereof

Номер патента: US11823770B1. Автор: Chih-Wei Chang,Fu-Chin Tsai,Ger-Chih Chou,Chun-Chi Yu,Li-Jun Gu. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Memory system and memory access interface device thereof

Номер патента: US20230360683A1. Автор: Chih-Wei Chang,Fu-Chin Tsai,Ger-Chih Chou,Chun-Chi Yu,Li-Jun Gu. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-11-09.

Operation method of system-on-chip configured to control memory device

Номер патента: EP3822797A2. Автор: Yongseob Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-19.

Memory system with threaded transaction support

Номер патента: US20170344275A1. Автор: Frederick A. Ware,Ely Tsern. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-11-30.

Self-testing data storage devices and methods

Номер патента: US20160133338A1. Автор: Roderick A. Hyde,Muriel Y. Ishikawa,Victoria Y.H. Wood,Jordin T. Kare,Jeffrey A. Bowers,Peter L. Hagelstein, Lowell L. Wood, JR.. Владелец: ELWHA LLC. Дата публикации: 2016-05-12.

Data Storage Devices and Data Processing Methods

Номер патента: US20200075114A1. Автор: Wen-Sheng Lin. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2020-03-05.

Memory system with threaded transaction support

Номер патента: US20240111423A1. Автор: Frederick A. Ware,Ely Tsern. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-04-04.

Operation method of system-on-chip configured to control memory device

Номер патента: US20210151084A1. Автор: Yongseob Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-20.

Operation method of system-on-chip configured to control memory device

Номер патента: EP3822797A3. Автор: Yongseob Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-30.

Semiconductor memory device including sensing verification unit

Номер патента: US20130242635A1. Автор: Ho-young Song,Sang-joon Hwang,Sung-Min Seo,Je-Min Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-09-19.

Volatile memory backup system including all-solid-state battery

Номер патента: US09431067B2. Автор: Iwao Ohwada,Kenshin Kitoh. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Memory device storing a plurality of digital media files and playlists

Номер патента: WO2009151524A1. Автор: Kevin M. Conley,Richard C. Spence. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2009-12-17.

Memory device storing a plurality of digital media files and playlists

Номер патента: EP2286353A1. Автор: Kevin M. Conley,Richard C. Spence. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2011-02-23.

Method of operating a storage device, and storage device

Номер патента: US20230221875A1. Автор: Jinwook Lee,Dongouk MOON,Sanghwa Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-13.

Memory system

Номер патента: US20180275875A1. Автор: Shinji Yonezawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Memory system that stores data designated by a deletion request in nonvolatile memory

Номер патента: US10949090B2. Автор: Shinji Yonezawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-03-16.

Memory system locking or unlocking data read to nonvolatile memory and control method thereof

Номер патента: US20200125279A1. Автор: Kazuhiro KUSHIYA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-04-23.

Systems, devices, and methods for data migration

Номер патента: US20220050616A1. Автор: Robert M. Walker,Paul Rosenfeld,Patrick A. La Fratta. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-17.

Image forming system, method of controlling image forming apparatus by using messenger application of mobile device, and the mobile device for performing method

Номер патента: US09742937B2. Автор: Jeong-Jin Park,Hong-Rok Woo,Jae-Young Soh. Владелец: S Printing Solution Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Image forming system, method of controlling image forming apparatus by using messenger application of mobile device, and the mobile device for performing the method

Номер патента: US09432527B2. Автор: Jeong-Jin Park,Hong-Rok Woo,Jae-Young Soh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Non-volatile memory system, mobile apparatus including the same, and method of operating the non-volatile memory system

Номер патента: US9645925B2. Автор: Byung-yo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Hybrid memory system and accelerator including the same

Номер патента: US20240045588A1. Автор: Jie Zhang,Myoungsoo Jung,Hanyeoreum BAE. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2024-02-08.

Method of synchronising at least one multimedia peripheral device of portable communication device and corresponding communication device

Номер патента: RU2402166C2. Автор: Миньх ЛЭ,Мюрьель ГОН,Мишель ГИЙБО,Миньх ЛЭ (FR),Мюрьель ГОН (FR),Мишель ГИЙБО (FR). Владелец: Т энд А МОБИЛ ФОНС ЛИМИТЕД. Дата публикации: 2010-10-20.

Method of v-by-one (vbo) signal processing for saving hardware resources, device, and terminal thereof

Номер патента: US20210201845A1. Автор: Guangxing XIAO. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Training method of brain activity state classification model, brain activity state classification method, device, and storage medium

Номер патента: US20240257943A1. Автор: Han Lu,Hongxing Liu,Buwei Yu,Tielin ZHANG. Владелец: Ruianxing Medical Technology Suzhou coLtd. Дата публикации: 2024-08-01.

Method of manufacturing electrophoretic particle, electrophoretic particle, electrophoretic dispersion, electrophoretic sheet, electrophoretic device, and electronic apparatus

Номер патента: US20160131925A1. Автор: Takashi Aoki,Shinobu Yokokawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-05-12.

Method of manufacturing electrophoretic particle, electrophoretic particle, electrophoretic dispersion, electrophoretic sheet, electrophoretic device, and electronic apparatus

Номер патента: US9798215B2. Автор: Takashi Aoki,Shinobu Yokokawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Method of manufacturing electrophoretic particle, electrophoretic particle, electrophoretic dispersion, electrophoretic sheet, electrophoretic device, and electronic apparatus

Номер патента: US09798215B2. Автор: Takashi Aoki,Shinobu Yokokawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device arrangement, a method of analysing a performance of a functional circuit on a semiconductor device and a device analysis system

Номер патента: US09671456B2. Автор: Yoav Weizman,Shai Shperber,Jacob Fridburg. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Systems, devices, and methods for data migration

Номер патента: US11853578B2. Автор: Robert M. Walker,Paul Rosenfeld,Patrick A. La Fratta. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Visual inspections device, method of manufacturing and program the same

Номер патента: US20210341394A1. Автор: Hideki Wada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-11-04.

System, method of controlling specific printer, non-transitory computer-readable storage medium, terminal device, and combination of non-transitory computer-readable storage media

Номер патента: US11409484B2. Автор: Naoki KUSUMOTO. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2022-08-09.

System, method of controlling specific printer, non-transitory computer-readable storage medium, terminal device, and combination of non-transitory computer-readable storage media

Номер патента: US20200272383A1. Автор: Naoki KUSUMOTO. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2020-08-27.

Image forming system, method of controlling image forming apparatus by using messenger application of mobile device, and the mobile device for performing method

Номер патента: US20160330336A1. Автор: Jeong-Jin Park,Hong-Rok Woo,Jae-Young Soh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-10.

Memory device performing pruning, method of operating the same, and electronic device performing pruning

Номер патента: US20240202526A1. Автор: Ho-Youn Kim,Jong-yoon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory system, electronic device including the same, and memory controller

Номер патента: EP3982243A1. Автор: YoungMin Lee,Sungho SEO,Myungsub SHIN,Haesung Jung,Seongyong JANG,Kyungphil YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-13.

Method of forming energy-efficient track of vehicle, energy-efficient track forming device and energy-efficient track forming system

Номер патента: RU2741818C1. Автор: Борис Валерьевич Паньков. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "АРТИФЛИТ". Дата публикации: 2021-01-28.

Method of manufacturing extreme ultraviolet (euv) mask for forming semiconductor memory device

Номер патента: US20240152043A1. Автор: Chan Hwang,Sangho Yun,Janghoon Kim,Minseung SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-09.

Method of position planning for a recording system of a medical imaging device and medical imaging device

Номер патента: US20210038181A1. Автор: Christian Ullrich,Hans Schweizer,Hermann Georg MAYER,Veronika HEINRICH. Владелец: Siemens Healthcare GmbH. Дата публикации: 2021-02-11.

Method of outputting common voltages to a display panel, display panel driving apparatus for performing the method and display apparatus including the display panel driving apparatus

Номер патента: US09514701B2. Автор: Jong-Hyun Lee,Ki-Hyun Pyun,Tong-Ill KWAK,Woon-Yong LIM,Eui-Myeong CHO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Method of and apparatus for highlighting region to be highlighted in display device, and record medium storing highlight method

Номер патента: US20030179238A1. Автор: Ui-chol Roh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-09-25.

Method of improving stability and communication efficiency of IrDA communication between host device and peripheral device

Номер патента: US20020032812A1. Автор: Hiroyasu Ito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-14.

Method of configuring a high-frequency radio module, associated multiband radio communication device and system

Номер патента: GB2514548A. Автор: Patrice Nezou,Francois Thoumy,Pascal Viger. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2014-12-03.

Film vibration device and fabrication method thereof, and cleaning device including the same

Номер патента: US20230364657A1. Автор: Xin Chen,Yun Chen,Biao Li,Aoke SONG,Maoxiang HOU,Shankun DONG,Shengbao LAI. Владелец: GUANGDONG UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-11-16.

Control method of electro-optical device, controller of electro-optical device, electro-optical device, and electronic apparatus

Номер патента: US20120287174A1. Автор: Atsushi Miyazaki,Kota Muto. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2012-11-15.

Film vibration device and fabrication method thereof, and cleaning device including the same

Номер патента: US11969771B2. Автор: Xin Chen,Yun Chen,Biao Li,Aoke SONG,Maoxiang HOU,Shankun DONG,Shengbao LAI. Владелец: GUANGDONG UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-04-30.

Display device and driving method thereof, and mobile terminal including the display device

Номер патента: US20240194137A1. Автор: Yong Chul Kwon. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Nonvolatile memory system including nonvolatile memory device and memory controller that loads a mapping table on a sub-bitmap and method of operating the memory controller

Номер патента: US09529705B2. Автор: Jinyeong Kim,Hyun-cheol Kim,Dae-Hoon Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-27.

Storage device and operating method of storage device

Номер патента: US20240345758A1. Автор: Minji Kim,Jinwoo Park,Sangwon Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory system, memory controller and operation method thereof

Номер патента: US12066928B2. Автор: Eu Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory system, method of controlling access to memory system, and mobile computing device

Номер патента: US20220091759A1. Автор: Yoshiyuki Kudoh,Kentaro Umesawa,Hirotomo Kobayashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Memory system and method of controlling memory chips

Номер патента: US20240302997A1. Автор: Hajime Yamazaki,Konosuke Watanabe,Shinji Yonezawa,Mitsusato Hara,Haruka MORI,Eiji SUKIGARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US12052034B2. Автор: Takahiro Kubota,Yuki Kondo. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Data management method for nonvolatile memory

Номер патента: US9152560B2. Автор: Joo-young Hwang,Chul Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-06.

Storage device supporting trim operation and storage system including the same

Номер патента: US20240201867A1. Автор: Jeong-Eun Kim,Jungho Yun,Seungho SONG,Taehyung KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Integrated circuit memory devices with enhanced buffer memory utilization during read and write operations and methods of operating same

Номер патента: US12061817B2. Автор: Eung-jun YOUN,Bum-Jun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Memory system

Номер патента: US20240272799A1. Автор: Takashi Nakagawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory system

Номер патента: US20240289057A1. Автор: Yoshikazu Takeyama. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory system executing garbage collection

Номер патента: US09811462B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Electronic apparatus having nonvolatile memory and program writing method for updating

Номер патента: US9665484B2. Автор: Akihiko Ikazaki. Владелец: Kyocera Document Solutions Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Memory system

Номер патента: US20140082263A1. Автор: Shigeaki Iwasa,Kohei Oikawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-03-20.

Memory system

Номер патента: WO2012137372A1. Автор: Shigeaki Iwasa,Kohei Oikawa. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-10-11.

Storage device supporting random write area accessible from host and method of operating the same

Номер патента: EP4390705A1. Автор: Jea-young Kwon,Hongmoon WANG,Junho Kim,Jaesub KIM,Yangwoo Roh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-26.

Storage device supporting random write area accessible from host and method of operating the same

Номер патента: US20240220158A1. Автор: Jea-young Kwon,Hongmoon WANG,Junho Kim,Jaesub KIM,Yangwoo Roh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Nonvolatile memory data security

Номер патента: US09760504B2. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Diyanesh B. Chinnakkonda Vidyapoornachary,Warren E. Maule,Hillery C. Hunter,Charles A. Kilmer,Stephen P. Glancy,Vipin Patel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Nonvolatile memory data security

Номер патента: US09734095B2. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Diyanesh B. Chinnakkonda Vidyapoornachary,Warren E. Maule,Hillery C. Hunter,Charles A. Kilmer,Stephen P. Glancy,Vipin Patel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Storage device, memory device, and system including storage device and memory device

Номер патента: EP4273706A1. Автор: Kyunghan LEE,Chon Yong Lee,Jae-gon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-08.

Storage device and a data backup method thereof

Номер патента: US11977746B2. Автор: Changsik Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-07.

Heuristic interface for enabling a computer device to utilize data property-based data placement inside a nonvolatile memory device

Номер патента: US20240303222A1. Автор: Changho Choi,Hingkwan HUEN,Derrick Tseng,Jianjian Huo,Praveen Krishnamoorthy. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory system performing incremental merge operation and data write method

Номер патента: US09582208B2. Автор: Mi-Hyang Lee,Jong Youl Lee,Seunghyun Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-28.

Memory system, memory controller and operation method thereof

Номер патента: US20240020224A1. Автор: Eu Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Memory system, method of controlling access to memory system, and mobile computing device

Номер патента: US11782612B2. Автор: Yoshiyuki Kudoh,Kentaro Umesawa,Hirotomo Kobayashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-10.

Embedded storage device, host system having the same, and method of operating the same

Номер патента: US20230376247A1. Автор: Kwangjin Lee,Younsoo Cheon,Kirock Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-23.

Memory system and non-transitory computer readable recording medium

Номер патента: US20160124842A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-05-05.

Memory system

Номер патента: US20230385462A1. Автор: Ge Wang,Hiroyasu NAKATSUKA,Tatsuya Hosokawa,Kohei Okuda,Hayato FUJIWARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Memory system and non-transitory computer readable recording medium

Номер патента: US11868246B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Storage device managing nonvolatile memory differently depending on tendency of interruption of power supply

Номер патента: US20170060426A1. Автор: Woonjae Chung,Bumhee LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-02.

Memory controller communicating with host, operating method thereof, and computing system including the same

Номер патента: US09864704B2. Автор: Hyun Ju Lee,Jae Han Park,Dae Geun JEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US10310810B2. Автор: Naoya Fukuchi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-06-04.

Storage device and method of operating the storage device

Номер патента: US20230418513A1. Автор: Byoung Sung You. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Nonvolatile memory and electronic device

Номер патента: US09424442B2. Автор: Yansong Li. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Reducing power consumption by preventing memory image destaging to a nonvolatile memory device

Номер патента: US11880262B2. Автор: Adam Kupczyk,Gabriel Benhanokh. Владелец: Red Hat Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20230387942A1. Автор: Takahiro Kubota,Yuki Kondo. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US20220171569A1. Автор: Gi Pyo UM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-06-02.

Memory system and method of controlling transmission of packets

Номер патента: US20230342075A1. Автор: So HARAMURA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-26.

Memory system

Номер патента: US20200301612A1. Автор: Ryoichi Kato,Nan JIN. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Information processing apparatus, memory control device, and non-transitory computer-readable storage medium for storing memory control program

Номер патента: US20210224153A1. Автор: Satoshi Kazama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

JTAG component description via nonvolatile memory

Номер патента: US5325368A. Автор: David L. Simpson,Mark A. Taylor,Larry C. James,Chris A. Harrison. Владелец: NCR Corp. Дата публикации: 1994-06-28.

Memory system and control method

Номер патента: US20230297262A1. Автор: Yuki Sasaki,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Storage device, electronic device including the same, and operating method thereof

Номер патента: US20240045806A1. Автор: Ji Hoon SEOK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Memory device equipped with data protection scheme

Номер патента: US20230025642A1. Автор: Paolo Amato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-26.

Memory device equipped with data protection scheme

Номер патента: US20220004325A1. Автор: Paolo Amato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-06.

Memory system and method

Номер патента: US20240094904A1. Автор: Yifan Tang. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Storage device providing high purge performance and memory block management method thereof

Номер патента: EP4287028A1. Автор: Youngjoon JANG,Jinhwan Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-06.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20170262377A1. Автор: Hiroshi Yao,Kenichiro Yoshii. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Memory system and power control circuit

Номер патента: US20240097570A1. Автор: Hajime Matsumoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Memory system and control method thereof

Номер патента: US20220091786A1. Автор: Hiroyuki Yamaguchi,Atsushi Okamoto,Ryoichi Kato,Hiroki Matsudaira. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Data management method for nonvolatile memory

Номер патента: US20130080686A1. Автор: Joo-young Hwang,Chul Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-03-28.

Storage device and operation method thereof

Номер патента: US11775183B2. Автор: Sangyoon Oh,Yonghwa LEE,Byung-Ki Lee,JooYoung HWANG,Keunsan Park,Byoung Geun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Storage device and operation method thereof

Номер патента: US20210216220A1. Автор: Sangyoon Oh,Yonghwa LEE,Byung-Ki Lee,JooYoung HWANG,Keunsan Park,Byoung Geun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-15.

Storage device which can perform stable communication between host and storage device, and method of controlling the same

Номер патента: US9239779B2. Автор: Akira Sawaoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-01-19.

System and method of utilizing nonvolatile memory media associated with an information handling system

Номер патента: US20240020030A1. Автор: Vivek Sundaresan,Ashokan Vellimalai,Shashi Kiran Belur. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2024-01-18.

Storage device and operating method of the same

Номер патента: US20240184454A1. Автор: Gi Pyo UM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Computational storage device, and computational storage system and electronic system including the same

Номер патента: US20240004579A1. Автор: Min-ho Kim,Soo-Young Ji,Dongouk MOON,Sang-Hwa Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-04.

STORAGE DEVICE INCLUDING A NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND A CONTROLLER FOR CONTROLLING A WRITE OPERATION OF THE NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND AN OPERATING METHOD OF THE STORAGE DEVICE

Номер патента: US20170052732A1. Автор: SON Hong Rak,YOON PILSANG,OH Eun Chu,KONG Jun Jin. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-23.

Storage controller and an operation method of the storage controller

Номер патента: US20230185463A1. Автор: Youngjin Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-15.

Heuristic interface for enabling a computer device to utilize data property-based data placement inside a nonvolatile memory device

Номер патента: US11989160B2. Автор: Changho Choi,Hingkwan HUEN,Derrick Tseng,Jianjian Huo,Praveen Krishnamoorthy. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-21.

Memory controller for reducing the number of error bits in read data and memory system including the same

Номер патента: US12105988B2. Автор: Jong Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Scheduling operations in non-volatile memory devices using preference values

Номер патента: US09870149B2. Автор: Steven Sprouse,Ryan Marlin. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-16.

Information processing apparatus having volatile memory used to cache write data to nonvolatile memory, power supply method therefor, and storage medium storing program therefor

Номер патента: US11301026B2. Автор: Tsutomu Kubota. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2022-04-12.

Information processing apparatus having volatile memory used to cache write data to nonvolatile memory, power supply method therefor, and storage medium storing program therefor

Номер патента: US20200285299A1. Автор: Tsutomu Kubota. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2020-09-10.

Disk array device and data processing method thereof

Номер патента: US20070245080A1. Автор: TETSUYA Abe,Mitsuru Inoue. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-18.

Memory system

Номер патента: US20210311872A1. Автор: Dong Kyun Kim,Su Chang Kim,Jae Yung Jun,Yun Keuk KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-10-07.

Memory system and method for controlling the same

Номер патента: US20240069723A1. Автор: Hiromi Hoshino,Yoko Masuo. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory system

Номер патента: US11354241B2. Автор: Dong Kyun Kim,Su Chang Kim,Jae Yung Jun,Yun Keuk KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-06-07.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US20200218455A1. Автор: Sung Kwan Hong,Byeong Gyu Park,Young Ick CHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-07-09.

Memory system, memory controller, and operation method of memory system for loading and updating mapping information to host memory area

Номер патента: US12072809B2. Автор: Kyu Ho Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Allocating variable media types of memory devices in a memory system

Номер патента: US20190332290A1. Автор: Michael B. Danielson,Paul A. Suhler,James H. Meeker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Storage control system with data management mechanism of parity and method of operation thereof

Номер патента: WO2014085702A1. Автор: Robert W. Ellis,Ryan Jones. Владелец: SMART Storage Systems, Inc.. Дата публикации: 2014-06-05.

Storage control system with data management mechanism of parity and method of operation thereof

Номер патента: US09671962B2. Автор: Robert W. Ellis,Ryan Jones. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-06-06.

NONVOLATILE MEMORY SYSTEM, SYSTEM INCLUDING THE SAME, AND METHOD OF ADAPTIVELY ADJUSTING USER STORAGE REGION IN THE SAME

Номер патента: US20140281173A1. Автор: IM HYUNG JIN,CHOI SANG HOON,KANG JEONG UK,KWON MOON SANG. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-18.

Method of managing free space in nonvolatile memory, access device for recording data in information recording device including nonvolatile memory, information recording device, and information recording system

Номер патента: JPWO2018186455A1. Автор: 卓治前田,前田　卓治. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-26.

Operating methods of computing devices comprising storage devices including nonvolatile memory devices, buffer memories and controllers

Номер патента: US20170046170A1. Автор: Jinyoung Lee,Sungho Yoon,Sangyeun Cho,Jong Hyun Yoon,Duckho Bae,Moonsang Kwon,Bon Cheol GU,lnsoon JO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-16.

Operating method of computing device comprising storage device including nonvolatile memory device, buffer memory and controller

Номер патента: KR102396435B1. Автор: 윤성호,이진영,조상연,권문상,구본철,윤종현,배덕호,조인순. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-05-11.

AVAILABLE-SPACE MANAGEMENT METHOD FOR NONVOLATILE MEMORY, ACCESS DEVICE WHICH STORES DATA TO INFORMATION STORAGE DEVICE WITH NONVOLATILE MEMORY, INFORMATION STORAGE DEVICE, AND INFORMATION STORAGE SYSTEM

Номер патента: US20190354306A1. Автор: Maeda Takuji. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-21.

Imaging device, finder device, method of controlling imaging device, method of controlling finder device, control program for imaging device, and control program for finder device

Номер патента: US20200259983A1. Автор: Takashi Aoki. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2020-08-13.

Non-volatile memory devices, systems including same and associated methods

Номер патента: WO2008115970A2. Автор: Frank J. Sepulveda. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2008-09-25.

Inertial measurement device, method of operating inertial measurement device, imaging device, display device, and program

Номер патента: US20240328790A1. Автор: Tetsuro Sato,Kosei Yamashita,Masato KIMISHIMA. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

MEMORY SYSTEM THAT BUFFERS DATA BEFORE WRITING TO NONVOLATILE MEMORY

Номер патента: US20170060439A1. Автор: Kojima Yoshihisa,Harasawa Akinori. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-02.

MEMORY SYSTEM LOCKING OR UNLOCKING DATA READ TO NONVOLATILE MEMORY AND CONTROL METHOD THEREOF

Номер патента: US20200125279A1. Автор: KUSHIYA Kazuhiro. Владелец: Toshiba Memory Corporation. Дата публикации: 2020-04-23.

Systems, devices, and methods relating to an electronic display

Номер патента: US09898240B2. Автор: John S. Williams,Clifford Brent Brown. Владелец: PrismView LLC. Дата публикации: 2018-02-20.

Hardware latency monitoring for memory device input/output requests

Номер патента: US20240231633A1. Автор: Aviv Kfir,Liron Mula,Oren Duer,Shridhar Rasal. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Controller for semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20210042221A1. Автор: Eu Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-02-11.

Computer network and method of automatic updating firmware to peripheral device using unified extensible firmware interface

Номер патента: US20240338194A1. Автор: Chih-Yuan Lin,Chih-Yuan Hung,Tsu-Hao Lai. Владелец: Wiwynn Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Read performance improvement using memory device latches

Номер патента: US20240264933A1. Автор: Amiya Banerjee,Jameer Mulani,Sriraman Sridharan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory systems and methods including training, data organizing, and/or shadowing

Номер патента: US09645919B2. Автор: Yi Chen,Yukiyasu Murakami. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

The control method of storage system, information processing system and nonvolatile memory

Номер патента: CN107168640A. Автор: 菅野伸,菅野伸一. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-15.

Using memory device sensors

Номер патента: WO2021118712A1. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-17.

File memory device and information processing apparatus using the same

Номер патента: US20010007119A1. Автор: Jun Kitahara,Kunihiro Katayama,Kenichi Kaki,Kazunori Furusawa,Tsunehiro Tobita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-07-05.

Using memory device sensors

Номер патента: EP4073798A1. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-19.

Using memory device sensors

Номер патента: US12066916B2. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Optical protective device (versions), method of manufacturing of the specified device and method of verification of the protected object containing the specified optical protective device

Номер патента: RU2725667C1. Автор: Антон Станиславович Сазонов,Владимир Маркович Козенков,Данила Александрович Кожевников,Андрей Валентинович Смирнов,Леонид Игоревич Смирнов,Александр Михайлович Сергиенко,Борис Рудольфович Шаталов,Тимур Октаевич ПАШАЕВ,Валерий Васильевич БАБЮК. Владелец: Акционерное Общество "Научно-Производственное Объединение "Криптен". Дата публикации: 2020-07-03.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20230289059A1. Автор: Sung Jin Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US20210382824A1. Автор: Da Eun SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US11513960B2. Автор: Da Eun SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-11-29.

Track activities of components in endpoints having secure memory devices via identity validation

Номер патента: US12088581B2. Автор: Lance W. Dover,Jeffrey Charles Shiner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Method of combining parametric multichannel audio encoding with matrix multichannel encoding three-dimensional sound

Номер патента: RU2382418C2. Автор: Кристоф ФАЛЛЕР,Йоханнес ХИЛЬПЕРТ,Ральф ШПЕРШНАЙДЕР,Карстен ЛИНЦМАЙЕР. Владелец: Фраунхофер-Гезелльшафт Цур Фердергунг Дер Ангевандтен Форшунг Е.Ф.. Дата публикации: 2010-02-20.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: US20160283120A1. Автор: Jae Bum KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-29.

Storage device including memory controller and operating method of memory controller

Номер патента: EP4024220A1. Автор: Duckho Bae,Huijeong Kim,Cheolho Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-06.

Contactless data transmission for memory devices

Номер патента: US20240211581A1. Автор: Felice COSENZA,Domenico Balzano,Graziano LEONE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Method of navigating an unmanned vehicle and system thereof

Номер патента: SG11201906986WA. Автор: Ofir COHEN,Dina Appelman. Владелец: Israel Aerospace Ind Ltd. Дата публикации: 2019-08-27.

System and method of testing high brightness LED (HBLED)

Номер патента: US09442155B2. Автор: Daniel Creighton Morrow,Jonathan Leigh Dummer. Владелец: SOF-TEK INTEGRATORS Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Processing-in-memory device and processing-in-memory system including the same

Номер патента: US11829760B2. Автор: Choung Ki Song,Il Kon KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Method of Generating Estimated Value of Local Inverse Speaking Rate (ISR) and Device and Method of Generating Predicted Value of Local ISR Accordingly

Номер патента: US20210035598A1. Автор: Chen-Yu Chiang,Guan-Ting Liou,Yih-Ru Wang,Sin-Horng Chen. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2021-02-04.

Film, method of manufacturing film, polarizing plate, liquid crystal display device, and composition

Номер патента: US20160109621A1. Автор: Jyunko IBARAKI. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2016-04-21.

Method of manufacturing bottom chassis and method of manufacturing curved display device, and curved display device using the same

Номер патента: US20240192546A1. Автор: Yong Taek Kim,Hwanjin KIM. Владелец: Tovis Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Method of monitoring and/or determining the condition of a force-measuring device, and force-measuring device

Номер патента: US20070119226A1. Автор: Jean-Maurice Tellenbach,Helmut Bäumel,Daniel Aepli. Владелец: Mettler Toledo Schweiz GmbH. Дата публикации: 2007-05-31.

Device for device for distributed semantic processing and communication, and method of operating the same

Номер патента: WO2024165162A1. Автор: Abdellatif ZAIDI,Piotr KRASNOWSKI,Milad SEFIDGARAN. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-08-15.

Method Of Identifying A Vessel, A Vessel Identifying Device and A Floating Object and Land Installation Comprising A Vessel Identifying Device

Номер патента: US20240239452A1. Автор: Rickard Lindkvist,Jonas LINDER. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2024-07-18.

Method of identifying a vessel, a vessel identifying device and a floating object and land installation comprising a vessel identifying device

Номер патента: EP4403877A1. Автор: Rickard Lindkvist,Jonas LINDER. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2024-07-24.

Film, method of manufacturing film, polarizing plate, liquid crystal display device, and composition

Номер патента: US09823389B2. Автор: Jyunko IBARAKI. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Method of and system for using conversation state information in a conversational interaction system

Номер патента: US09477643B2. Автор: Sashikumar Venkataraman,Murali Aravamudan,Rakesh Barve,Girish Welling. Владелец: Veveo LLC. Дата публикации: 2016-10-25.

Method of automatic zooming control, apparatus, electronic device, and computer readable storage medium applying the method

Номер патента: US20240230844A1. Автор: Chih-Liang CHANG. Владелец: Rayprus Technology Foshan Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Digital excitation control system for an electrical generator and an associated method of use

Номер патента: EP2245732A1. Автор: Kiyong Kim,Pranesh Rao,Jeff Burnworth. Владелец: Basler Electric Co. Дата публикации: 2010-11-03.

Shake correction control device, operation method of shake correction control device, operation program of shake correction control device, and imaging apparatus

Номер патента: US20210274099A1. Автор: Takashi Hashimoto,Tetsuya Fujikawa,Yi Pan,Masahiko Sugimoto,Tomonori Masuda,Yasunobu Kishine. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2021-09-02.

Method of executing class classification processing using machine learning model, information processing device, and non-transitory computer-readable storage medium storing computer program

Номер патента: US20230169307A1. Автор: Shin Nishimura,Hikaru KURASAWA,Ryoki Watanabe,Tomomasa Usui. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2023-06-01.

Device and method of network communication

Номер патента: US20050180423A1. Автор: Mao-Yuan Huang,Hsin-Tung Liao,Ming-Chen Weng. Владелец: Fine Appliance Corp. Дата публикации: 2005-08-18.

Luminance compensation method of display panel, luminance compensation apparatus, luminance compensation device, and storage medium

Номер патента: US20240274061A1. Автор: Yang Liu,Jingxiong Zhou,Zhiqiang Ge,Yinzeng LI. Владелец: Xiamen Tianma Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Automatic focus control device, operation method of automatic focus control device, operation program of automatic focus control device, and imaging apparatus

Номер патента: US20240334053A1. Автор: Hinako SUZUKI. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Protecting a memory device from becoming unusable

Номер патента: US09606853B2. Автор: Nitin V. Sarangdhar,Sudhakar Otturu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of giving the user information and portable device

Номер патента: US09521269B2. Автор: Sami Ronkainen. Владелец: MOBILEMEDIA IDEAS LLC. Дата публикации: 2016-12-13.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US20200183608A1. Автор: Eu Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-06-11.

Method of operating game machine

Номер патента: US20240165500A1. Автор: Ming-Shan Wei. Владелец: Paokai Electronic Enterprise Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Method of automatically correcting projection area based on image photographed by photographing device and system therefor

Номер патента: EP3539288A1. Автор: Hyung Jin Yoon,Kyung Yoon Jang. Владелец: CJ CGV CO Ltd. Дата публикации: 2019-09-18.

Method of automatically correcting projection area based on image photographed by photographing device and system therefor

Номер патента: US20180176520A1. Автор: Hyung Jin Yoon,Kyung Yoon Jang. Владелец: CJ CGV CO Ltd. Дата публикации: 2018-06-21.

Method of automatically correcting projection area based on image photographed by photographing device and system therefor

Номер патента: WO2018110774A1. Автор: Hyung Jin Yoon,Kyung Yoon Jang. Владелец: CJ CGV CO., LTD.. Дата публикации: 2018-06-21.

Establishing a wireless communication between a fluid processing medical device and a medical accessory

Номер патента: US09913940B2. Автор: Thierry Court. Владелец: GAMBRO LUNDIA AB. Дата публикации: 2018-03-13.

Apparatus and method for enhancing security of data on a host computing device and a peripheral device

Номер патента: US09875354B1. Автор: Gita SRIVASTAVA,Piyush B. SRIVASTAVA. Владелец: GIGAVATION Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Vehicle sensing systems including retractable mounting structures

Номер патента: US09802656B1. Автор: Paxton S. Williams,Danil V. Prokhorov. Владелец: Toyota Motor Engineering and Manufacturing North America Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Memory system having flexible bus structure and method

Номер патента: US6021459A. Автор: Christophe J. Chevallier,Vinod C. Lakhani,Robert D. Norman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-02-01.

Computing system including cxl switch, memory device and storage device and operating method thereof

Номер патента: US20230359578A1. Автор: Kyunghan LEE,Chon Yong Lee,Jae-gon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-09.

Memory device and managed memory system with wireless debug communication port and methods for operating the same

Номер патента: WO2020131362A1. Автор: Jonathan S. Parry,Robert W. Strong. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-06-25.

Computing system including cxl switch, memory device and storage device and operating method thereof

Номер патента: EP4276642A1. Автор: Kyunghan LEE,Chon Yong Lee,Jae-gon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-15.

Memory devices and electronic systems having a hybrid cache with static and dynamic cells, and related methods

Номер патента: EP3516525A1. Автор: Peter Feeley,Ashutosh Malshe,Kishore K. Muchherla,Sampath K. Ratnam,Michael G. Miller,Renato C. Padilla,Christopher S. Hale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-07-31.

Memory devices and electronic systems having a hybrid cache with static and dynamic cells, and related methods

Номер патента: WO2018052690A1. Автор: Peter Feeley,Ashutosh Malshe,Kishore K. Muchherla,Sampath K. Ratnam,Michael G. Miller,Renato C. Padilla,Christopher S. Hale. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-03-22.

Memory device and managed memory system with wireless debug communication port and methods for operating the same

Номер патента: EP3899728A1. Автор: Jonathan S. Parry,Robert W. Strong. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-27.

Continuous integration automated test systems and methods, electronic devices, and storage media

Номер патента: US20240220401A1. Автор: Yun Zhang,Mutu JIRI. Владелец: Beijing Zhongxiangying Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Network Monitoring Apparatus, and Remote Encryption and Remote Activation Method, Device and System Thereof

Номер патента: US20180176188A1. Автор: Kui Li,Yadong PAN,Xiaoyuan Zhang,Lujie SI,Zhenlei ZHU. Владелец: Hangzhou Hikvision Digital Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-21.

Method of determining whole-scene image by using multiple image-capturing devices

Номер патента: US09883115B2. Автор: Yung-Hsiang Chen,Wei-Chung Wang,Chi-Hung Huang. Владелец: NATIONAL APPLIED RESEARCH LABORATORIES. Дата публикации: 2018-01-30.

Method of driving liquid crystal display device during write period

Номер патента: US09659543B2. Автор: Fumiki Nakano. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Object management in tiered memory systems

Номер патента: WO2022132481A1. Автор: Reshmi Basu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-06-23.

Non-volatile memory devices, systems including same and associated methods

Номер патента: WO2008115970A3. Автор: Frank J. Sepulveda. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2010-01-07.

Phosphaviologen derivatives, methods of making the same, and uses thereof

Номер патента: US20210002310A1. Автор: Thomas Baumgartner,Markus Borgardts. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-01-07.

Phosphaviologen derivatives, methods of making the same, and uses thereof

Номер патента: US11905307B2. Автор: Thomas Baumgartner,Markus Boergardts. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-02-20.

Phosphaviologen derivatives, methods of making the same, and uses thereof

Номер патента: WO2019183716A1. Автор: Thomas Baumgartner,Markus Borgardts. Владелец: Boergardts Markus. Дата публикации: 2019-10-03.

Leak detection system and method of use thereof

Номер патента: US20220003626A1. Автор: Ying Li,William Smith,Duncan Hywel-Evans. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-01-06.

Graphics effect data structure and method of use thereof

Номер патента: US09875568B2. Автор: Tristan Lorach. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Electronic device and content display method thereof

Номер патента: US09798371B2. Автор: Sang-Ho Kim,Jong-Bum Choi,Bo-seok MOON,Yang-Wook Kim,Seok-Weon Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Devices and methods for curing nail gels

Номер патента: US09707537B2. Автор: Danny Lee Haile. Владелец: NAIL ALLIANCE LLC. Дата публикации: 2017-07-18.

Interconnect device, operation method of interconnect device, and artificial intelligence (ai) accelerator system including interconnect device

Номер патента: US20210192326A1. Автор: Yongha Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-24.

Interconnect device, operation method of interconnect device, and artificial intelligence (ai) accelerator system including interconnect device

Номер патента: EP3842934A1. Автор: Yongha Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-30.

Interconnect device, operation method of interconnect device, and artificial intelligence (ai) accelerator system including interconnect device

Номер патента: US20240220252A1. Автор: Yongha Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

System and method of device identification for enrollment and registration of a connected endpoint device, and blockchain service

Номер патента: IL275294B1. Автор: . Владелец: Mocana Corp. Дата публикации: 2024-05-01.

Semiconductor device including low-voltage device and middle-voltage device, display driving device including the same, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240266368A1. Автор: Kee Joon Choi. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

System and method of device identification for enrollment and registration of a connected endpoint device, and blockchain service

Номер патента: IL275294B2. Автор: . Владелец: Mocana Corp. Дата публикации: 2024-09-01.

Measuring system and measuring method of antenna pattern based on near field to far field transformation

Номер патента: US20240329108A1. Автор: Chang-Fa Yang,Wen-Jiao Liao,Chang-Lun Liao,yuan-chang Hou,Bo-Cheng YOU,You-Hua Lin,Jiahn-Wei Lin,De-Xian Song,Tswen-Jiann Huang. Владелец: Chunghwa Telecom Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Stop drive control device, operation method of stop drive control device, operation program of stop drive control device, and imaging apparatus

Номер патента: US20240334071A1. Автор: Masato Fujii. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Integrated switching device, and battery monitoring and protecting system including integrated switching device

Номер патента: US12100818B2. Автор: Jae Chan Lee,Chang Bog LEE. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Mobile terminal, image display device and user interface provision method using the same

Номер патента: US09927942B2. Автор: Kwontae Lee,Youngkeun KIM. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2018-03-27.

Electronic device and method for executing an application in a multiple operating system environment on the electronic device

Номер патента: US20240036907A1. Автор: Jinwoo Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-01.

System and method of automatic re-localization and automatic alignment of existing non-digital floor plans

Номер патента: US20200380195A1. Автор: Oliver Zweigle,Aleksej Frank,Ahmad RAMADNEH,Joao Santos. Владелец: Faro Technologies Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

System and method of automatic re-localization and automatic alignment of existing non-digital floor plans

Номер патента: US20200050727A1. Автор: Oliver Zweigle,Aleksej Frank,Ahmad RAMADNEH,Joao Santos. Владелец: Faro Technologies Inc. Дата публикации: 2020-02-13.

Flash memory controller and method capable of sending data toggle set-feature signal to enable, disable, or configure data toggle operation of flash memory device

Номер патента: US20230266895A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Flash memory controller and method capable of sending data toggle set-feature signal to enable, disable, or configure data toggle operation of flash memory device

Номер патента: US11977752B2. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Memory device and method of controlling power of the same

Номер патента: US20190146695A1. Автор: Nam-Hoon Kim,Jae Won SONG,Se Jeong Jang,Jae Sub Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-16.

Selectively disabling power delivery to a grouping of memory devices of an information handling system

Номер патента: US20230065935A1. Автор: Lee Zaretsky,Isaac Q. Wang. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2023-03-02.

Temperature monitoring for memory devices

Номер патента: US20240256187A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm,Mark D. INGRAM,Todd Jackson Plum,Scott D. VAN DE GRAAFF. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Integrated switching device, and battery monitoring and protecting system including integrated switching device

Номер патента: EP3648292A4. Автор: Jae Chan Lee,Chang Bog LEE. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2021-01-20.

Interrupt signaling for a memory device

Номер патента: WO2021126656A1. Автор: Heinz Hoenigschmid,Thomas Hein,Markus Balb. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-24.

Memory device activity-based copying defect management data

Номер патента: US20220019502A1. Автор: Sai Krishna Mylavarapu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Memory device controlled low temperature thermal throttling

Номер патента: US20240176506A1. Автор: Marco Redaelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Interrupt signaling for a memory device

Номер патента: US12099746B2. Автор: Heinz Hoenigschmid,Thomas Hein,Markus Balb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Device and methods of forming maintenance routes in process control system

Номер патента: RU2639678C2. Автор: Стивен Р. ДИЛЛОН. Владелец: ФИШЕР-РОУЗМАУНТ СИСТЕМЗ, ИНК.. Дата публикации: 2017-12-21.

System and method of testing high brightness led (hbled)

Номер патента: CA2770366C. Автор: Daniel Creighton Morrow,Jonathan Leigh Dummer. Владелец: SOF-TEK INTEGRATORS Inc dba OP-TEST. Дата публикации: 2019-01-22.

Memory systems and methods including training,data organizing,and/or shadowing

Номер патента: EP2972888A1. Автор: Yi Chen,Yukiyasu Murakami. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-01-20.

Memory systems and methods including training, data organizing, and/or shadowing

Номер патента: US20200241764A1. Автор: Yi Chen,Yukiyasu Murakami. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-30.

Method of active flash management, and associated memory device and controller thereof

Номер патента: US20110138108A1. Автор: Xiangrong Li. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2011-06-09.

Management system, processing chip, apparatus, device, and method

Номер патента: EP4318250A1. Автор: Hong Li,Kun Zhang,Changzhi JI. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-07.

A method of making a component for a microelectronic circuit and a semiconductor device and an optical waveguide made by that method

Номер патента: DE3571721D1. Автор: Harold John Hovel,Thomas Francis Kuech. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1989-08-24.

Mapping a physical address differently to different memory devices in a group

Номер патента: US09934143B2. Автор: Kuljit S. Bains,John H. Crawford,Brian S. Morris,Suneeta Sah. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Method of measuring concentration of aerosol particles in the atmosphere

Номер патента: RU2672188C1. Автор: Андрей Николаевич Павлов,Евгений Сергеевич Зубко,Олег Григорьевич Константинов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Дальневосточный федеральный университет" (ДВФУ). Дата публикации: 2018-11-12.

Systems for and methods of simulating facilities for use in locate operations training exercises

Номер патента: WO2010151491A1. Автор: Steven Nielsen,Curtis Chambers,Jeffrey Farr,Thomas William Bachelder. Владелец: CERTUSVIEW TECHNOLOGIES, LLC. Дата публикации: 2010-12-29.

Systems for and methods of simulating facilities for use in locate operations training exercises

Номер патента: CA2768766C. Автор: Steven Nielsen,Curtis Chambers,Jeffrey Farr,Thomas William Bachelder. Владелец: CertusView Techonologies LLC. Дата публикации: 2014-12-09.

Fluorescence generating device and digital polymerase chain reaction analysis system including the same

Номер патента: US20220228984A1. Автор: Jin Tae Kim. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2022-07-21.

Persistent health monitoring for volatile memory systems

Номер патента: WO2020247183A1. Автор: Debra M. Bell,Aaron P. Boehm,Kristen M. HOPPER,Erika PROSSER. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-12-10.

Method of controlling communications between at least two users of a communication system

Номер патента: WO2009077936A3. Автор: Aki S. Harma,Werner P. J. De Bruijn. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2010-04-29.

Circuit modeling system, circuit modeling method and computer-readable recording medium with program including the same

Номер патента: US20150186576A1. Автор: Chan-seok Hwang,Soo-Yung AHN,Young-Hoe Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-07-02.

A device and method for reparing a microelectromechanical system

Номер патента: WO2009011696A8. Автор: Raffi Garabedian,Lakshmikanth Namburi. Владелец: Touchdown Technologies, Inc. Дата публикации: 2010-03-18.

Persistent health monitoring for volatile memory systems

Номер патента: EP3980893A1. Автор: Debra M. Bell,Aaron P. Boehm,Kristen M. HOPPER,Erika PROSSER. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-04-13.

Method of identifying external electronic device based on power information and electronic device and storage medium for supporting same

Номер патента: EP3830704B1. Автор: Hoseong Lee,Sejeong NA,Hyunjin BAE,Siyoul CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-06.

Method of calibrating flow meter and corresponding device

Номер патента: RU2723065C1. Автор: Эндрю Тимоти ПЭТТЕН. Владелец: Майкро Моушн, Инк.. Дата публикации: 2020-06-08.

Method of inhibiting kappa nuclear factor with the use of potassium 5-hydroxynicotinate in a cell culture

Номер патента: RU2675693C1. Автор: София Яковлевна Скачилова,Людмила Михайловна Даниленко,Михаил Владимирович Покровский,Олег Георгиевич Кесарев,Анна Александровна Пересыпкина,Дарья Александровна Костина,Юрий Евгеньевич Бурда,Владимир Иванович Якушев,Людмила Анатольевна Жилинкова,Михаил Алексеевич Мартынов,Алена Сергеевна Тимохина,Марина Сергеевна Линник. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Белгородский государственный национальный исследовательский университет" (НИУ "БелГУ"). Дата публикации: 2018-12-24.

Optical device including wavefront correction parts and beam direction parts, laser apparatus including the optical device, and extreme ultraviolet light generation system including the laser apparatus

Номер патента: US9128391B2. Автор: Osamu Wakabayashi,Masato Moriya. Владелец: GIGAPHOTON INC. Дата публикации: 2015-09-08.

Single focus image pickup optical system, and image pickup device and camera system using single focus image pickup optical system

Номер патента: US20200341238A1. Автор: Hideki Kai. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-29.

Single-photon source device and single-photon source system including the same

Номер патента: US11703638B2. Автор: Hye Min Kim,Kap-Joong Kim,Young-Ho Ko,Mireu LEE. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2023-07-18.

Single-photon source device and single-photon source system including the same

Номер патента: US20220171124A1. Автор: Hye Min Kim,Kap-Joong Kim,Young-Ho Ko,Mireu LEE. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2022-06-02.

Path-based joint ordering application device and path-based joint ordering system including the same

Номер патента: US20230177454A1. Автор: Chulmin JUN. Владелец: Industry Cooperation Foundation of University of Seoul. Дата публикации: 2023-06-08.

Blockchain-based service processing system and method, computing device, and storage medium

Номер патента: WO2020154154A1. Автор: Duofeng Hu. Владелец: ALIBABA GROUP HOLDING LIMITED. Дата публикации: 2020-07-30.

Method of controlling computer program and searching fold and file using object-oriented button, control and presentation system using the same and remote controller using the same

Номер патента: WO2009005290A3. Автор: Yun Yong Ko. Владелец: Yun Yong Ko. Дата публикации: 2009-03-19.

Method of controlling computer program and searching fold and file using object-oriented button, control and presentation system using the same and remote controller using the same

Номер патента: US20110020782A1. Автор: Yun-Yong Ko. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-27.

Method of controlling computer program and searching fold and file using object-oriented button, control and presentation system using the same and remote controller using the same

Номер патента: WO2009005290A2. Автор: Yun Yong Ko. Владелец: Yun Yong Ko. Дата публикации: 2009-01-08.

Cell life/death determining method, cell life/death determining device, and cell life/death determining system

Номер патента: AU2022263866A1. Автор: Takashi Morimoto,Tomoyuki Shimoda,Shota KAMEI. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-11-09.

Server system to control memory devices over computer networks

Номер патента: WO2022155048A1. Автор: Travis Duane Nelson. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-07-21.

Virtual partition management in a memory device

Номер патента: US20200371719A1. Автор: Pasquale Cimmino,Francesco Falanga,Massimo Iaculo,Angelo Della Monica,Eric Kwok Fung Yuen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-26.

Methods of fabricating probe cards including nanotubes

Номер патента: US09851378B2. Автор: Alexander Brandorff. Владелец: Wentworth Laboratories Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Method, server and mobile communication device for managing unique memory device identifications

Номер патента: EP2174481B1. Автор: Ismaila Wane,Alexandre Corda,Dominique Brule. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-11-10.

Memory system with improved bus timing calibration

Номер патента: US20150019899A1. Автор: Yoav Kasorla,Roni Shoev. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2015-01-15.

Point-of-sale integration system and method of using same

Номер патента: WO2021041203A1. Автор: Anil Reddy,Albert STETZ. Владелец: Stetz Albert. Дата публикации: 2021-03-04.

Track Activities of components in Endpoints having Secure Memory Devices via Identity Validation

Номер патента: US20230370446A1. Автор: Lance W. Dover,Jeffrey Charles Shiner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Security techniques for low power mode of memory device

Номер патента: US11829612B2. Автор: Steffen Buch,Aaron P. Boehm,Lance W Dover. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Buffered freepointer management memory system

Номер патента: US20190354472A1. Автор: Philip JACOB,Philip Strenski. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-11-21.

Embedded electronic device and boot method thereof

Номер патента: US20230394156A1. Автор: YANG LU,Gang Shen,Dong-Yu He,Tian-Yuan Zhang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Transferring data to a memory device based on importance

Номер патента: US20240095200A1. Автор: Robert Bielby. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Read-write method and memory device

Номер патента: EP4006709A1. Автор: Shuliang NING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-06-01.

Point-of-sale integration system and method of using same

Номер патента: US20210065151A1. Автор: Anil Reddy,Albert J Stetz, III. Владелец: Accrue Retail Mobilitics Inc. Дата публикации: 2021-03-04.

Method of procurement

Номер патента: US20110166905A1. Автор: Keith Gregory Wright. Владелец: Arcturus Innovative Procurement Soutions Pty Ltd. Дата публикации: 2011-07-07.

Method of self-enrollment for object identification

Номер патента: WO2012060682A1. Автор: Kim Meng Liang. Владелец: MIMOS BERHAD. Дата публикации: 2012-05-10.

Manufacturing method of diffraction grating

Номер патента: US9678253B2. Автор: Shigeru Sugiyama,Takashi Sukegawa. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

A method of screening a biological target for weak interactions using weak affinity chromatography

Номер патента: EP1941269A1. Автор: Tomas Fex,Roland Isaksson,Sten Ohlson,Siamak Shoravi. Владелец: Transientic Interactions Ab. Дата публикации: 2008-07-09.

Current sensing device and organic light emitting display device including the same

Номер патента: US20200105195A1. Автор: Kimin SON,Eunji SONG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Current sensing device and organic light emitting display device including the same

Номер патента: US20200106976A1. Автор: Taeyoung Lee,Minkyu Song,Seungtae Kim,Bumsik Kim,Kyoungdon Woo,Myunggi LIM,Byungjae LEE. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Dongguk University. Дата публикации: 2020-04-02.

Method of manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US9305993B2. Автор: Cheng-Chi Lin,Ching-Lin Chan,Shih-Chin Lien,Chen-Yuan Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-05.

Preparation method of crystal structure analysis sample for structural analysis using crystal sponge method

Номер патента: EP4063839A1. Автор: Yoshimasa Taniguchi,Rie Matsumoto. Владелец: Kirin Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-28.

Calibration method and apparatus for electrochromic device, and electrochromic device

Номер патента: US20240272508A1. Автор: Zhixiang XU. Владелец: Guangyi Intelligent Tech Suzhou Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Flat-Field Imaging System and Methods of Use

Номер патента: US20240230501A1. Автор: Mark Andersen,Michael Pallas,Haopeng WANG. Владелец: Life Technologies Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of diagnosing, and a sensor device with self-diagnostic function

Номер патента: US20240219166A1. Автор: Sebastien Leroy,Lionel Tombez. Владелец: Melexis Technologies SA. Дата публикации: 2024-07-04.

Nonvolatile memory device, method of manufacturing the nonvolatile memory device, and memory module and system including the nonvolatile memory device

Номер патента: US8877626B2. Автор: Young-woo Park,Jae-Goo Lee,Byung-Kwan You,Dong-Sik Lee,Sang-Yong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-11-04.

Method of fabricating a floating gate for a nonvolatile memory

Номер патента: US20060138525A1. Автор: Chul Yoon. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-29.

Single poly nonvolatile memory cells, arrays thereof, and methods of operating the same

Номер патента: US09659951B1. Автор: Jeong Hoon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Method of manufacturing a gate structure for a nonvolatile memory device

Номер патента: US20190244822A1. Автор: Sung Mo GU,Sung Bok Ahn. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-08.

Method of reducing coupling between floating gates in nonvolatile memory

Номер патента: US8288225B2. Автор: Jeffrey W. Lutze,Tuan Pham,Hidetaka Horiuchi,Nima Mokhlesi,Masaaki Higashitani,Henry Chien,George Matamis,Yupin Kawing Fong. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2012-10-16.

Method of feeding back MU-CQI in a communication system, transmission point device, and user equipment

Номер патента: US09743304B2. Автор: Ming Xu,Masayuki Hoshino,Daichi Imamura,Hui Tong. Владелец: Sun Patent Trust Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Organic el element, method of manufacturing organic el element, organic el panel, organic el display device and electronic apparatus

Номер патента: US20200136079A1. Автор: Kosuke MISHIMA. Владелец: Joled Inc. Дата публикации: 2020-04-30.

Method of reducing control gate electrode curvature in three-dimensional memory devices

Номер патента: US09589839B1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Kiyohiko Sakakibara,Akira MATSUDAIRA,Yusuke Ikawa,Eisuke Takii,Seiji Shimabukuro,Kengo Kajiwara. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-03-07.

Thin profile battery bonding method, method of conductively interconnecting electronic components, battery powerable apparatus, radio frequency communication device, and electric circuit

Номер патента: US20020179239A1. Автор: Rickie C. Lake. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Household domestic water monitoring device and household domestic water monitoring system including same

Номер патента: US20240228326A1. Автор: Dong Uook LEE. Владелец: SMT CO Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Methods of fabricating different thickness silicon-germanium layers on semiconductor integrated circuit devices and semiconductor integrated circuit devices fabricated thereby

Номер патента: US8207033B2. Автор: Ho Lee,Myung-sun Kim,Hwa-Sung Rhee,Ji-Hye Yi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-06-26.

Methods of responding to an orientation or motion of a portable electronic device, and related devices

Номер патента: US09531858B2. Автор: Andreas Thuröe. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

3d nand memory device devices and related electronic systems

Номер патента: US20230361083A1. Автор: Kunal R. Parekh,Akira Goda,Paolo Tessariol. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2023-11-09.

Vertical memory devices, memory arrays, and memory devices

Номер патента: US09559201B2. Автор: Shyam Surthi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Method for producing organic light-emitting element, organic display panel, organic light-emitting device, method for forming functional layer, ink, substrate, organic light-emitting element, organic display device, and inkjet device

Номер патента: US9153782B2. Автор: Shinichiro Ishino,Noriyuki Matsusue,Hirotaka Nanno,Tomoki Masuda,Yuko KAWANAMI. Владелец: Joled Inc. Дата публикации: 2015-10-06.

Semiconductor memory device having cylinder-type stacked capacitor and method for fabricating such a semiconductor memory device

Номер патента: US6873002B2. Автор: Nobuyuki Nishikawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-03-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof and electronic apparatus including the same

Номер патента: US20230282743A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof and electronic apparatus including the same

Номер патента: US12068413B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof, and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US12046672B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof and electronic apparatus including the same

Номер патента: US20210351297A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2021-11-11.

Light-emitting device, and electronic apparatus and electronic equipment, each including the light-emitting device

Номер патента: US20240341116A1. Автор: DaeHyeon Kim,Jaehoon HWANG,Dongchan Kim,Jungho Choi,Jiyoung Moon,Pilgu Kang,Hakchoong LEE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Device and method for removing a surface layer including the skin from fish fillets

Номер патента: US09872507B2. Автор: Olaf Schwarz. Владелец: Nordischer Maschinenbau Rud Baader GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-01-23.

Memory device, memory cell and memory cell layout

Номер патента: US09620594B2. Автор: Hau-yan Lu,Shih-Hsien Chen,Chun-Yao Ko,Liang-Tai Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Method of fabricating a trench capacitor cell for a semiconductor memory device

Номер патента: US4877750A. Автор: Yoshinori Okumura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1989-10-31.

Memory Device Interconnects and Method of Manufacture

Номер патента: US20200075477A1. Автор: Wen Yu,Fei Wang,Shenqing Fang,Connie Pin-Chin Wang. Владелец: Monterey Research, Llc. Дата публикации: 2020-03-05.

Memory Device Interconnects and Method of Manufacture

Номер патента: US20140145337A1. Автор: Wen Yu,Fei Wang,Connie Wang,Shenqing Fang. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-05-29.

Memory Device Interconnects and Method of Manufacture

Номер патента: US20140151887A1. Автор: Wen Yu,Fei Wang,Connie Wang,Shenqing Fang. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-06-05.

Memory device interconnects and method of manufacture

Номер патента: US10833009B2. Автор: Wen Yu,Fei Wang,Shenqing Fang,Connie Pin-Chin Wang. Владелец: Monterey Research LLC. Дата публикации: 2020-11-10.

Method of manufacturing semiconductor light emitting element, semiconductor light emitting element, electronic device, and machine device

Номер патента: US20130168691A1. Автор: Hiromitsu Sakai. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2013-07-04.

Method of determining and/or setting an emission wavelength of a laser device and laser device

Номер патента: WO2020253960A1. Автор: Martin Schell,Norbert Keil,Magnus Happach,David De Felipe Mesquida. Владелец: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FORDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.. Дата публикации: 2020-12-24.

Method of withdrawing fibers from a combing roller of a fiber separating device and device for performing said method

Номер патента: US3712042A. Автор: M Chrtek,C Doudlebsky,S Kabele. Владелец: Vyzkumny Ustav Bavlnarsky AS. Дата публикации: 1973-01-23.

Methods of responding to an orientation or motion of a portable electronic device, and related devices

Номер патента: EP2820830A1. Автор: Andreas Thuröe. Владелец: SONY MOBILE COMMUNICATIONS AB. Дата публикации: 2015-01-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof, and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US20210175344A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2021-06-10.

Nonvolatile memory package, storage device having the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240284683A1. Автор: Jungmin Seo,Manho Lee,Sukkang SUNG,Cheonan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Method and apparatus for injecting charge onto the floating gate of a nonvolatile memory cell

Номер патента: EP1166364A1. Автор: John Caywood. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-02.

Method and apparatus for injecting charge onto the floating gate of a nonvolatile memory cell

Номер патента: WO2000057483A1. Автор: John Caywood. Владелец: John Caywood. Дата публикации: 2000-09-28.

Work function tailoring for nonvolatile memory applications

Номер патента: US8618525B2. Автор: Imran Hashim,Yun Wang,Tony Chiang. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2013-12-31.

Nonvolatile Memory Device Having An Electrode Interface Coupling Region

Номер патента: US20140134794A1. Автор: Imran Hashim,Yun Wang,Tony P. Chiang. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2014-05-15.

Nonvolatile Memory Device Having An Electrode Interface Coupling Region

Номер патента: US20130217179A1. Автор: Imran Hashim,Yun Wang,Tony P. Chiang. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2013-08-22.

NONVOLATILE MEMORY DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE NONVOLATILE MEMORY DEVICE, AND MEMORY MODULE AND SYSTEM INCLUDING THE NONVOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130252391A1. Автор: PARK Sang-Yong,You Byung-Kwan,Park Young-Woo,Lee Jae-Goo,Lee Dong-sik. Владелец: . Дата публикации: 2013-09-26.

Nonvolatile memory device, method of manufacturing the nonvolatile memory device, and memory module and system including the nonvolatile memory device

Номер патента: US20150060993A1. Автор: Young-woo Park,Jae-Goo Lee,Byung-Kwan You,Dong-Sik Lee,Sang-Yong Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-03-05.

Semiconductor integrated circuit device and its manufacturing method

Номер патента: US20060205130A1. Автор: Shoji Shukuri. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-14.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080211004A1. Автор: Takashi Suzuki,Yoshio Ozawa,Ichiro Mizushima,Hirokazu Ishida,Yoshitaka Tsunashima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-04.

Methods and apparatus for three-dimensional nonvolatile memory

Номер патента: US20180247975A1. Автор: Tanmay Kumar,Ming-Che Wu,Deepak Kamalanathan,Juan Saenz,Guangle ZHOU. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-08-30.

Method including a formation of a control gate of a nonvolatile memory cell and semiconductor structure including a nonvolatile memory cell

Номер патента: US09548312B1. Автор: Martin Schulze,Sven Beyer,Alexander Ebermann. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Nonvolatile memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20100187595A1. Автор: Young-sun Kim,Sung-Hae Lee,Byong-sun Ju,Suk-Jin Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-07-29.

Method of fabricating erasable programmable single-ploy nonvolatile memory

Номер патента: US20130237048A1. Автор: Hsin-Ming Chen,Te-Hsun Hsu,Wei-Ren Chen,Wen-hao Ching. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2013-09-12.

Nonvolatile memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240114701A1. Автор: Tetsuya Mizuguchi,Takeyuki Sone,Katsuhisa Aratani,Jun Sumino. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Memory device, method of manufacturing memory device, and electronic apparatus including memory device

Номер патента: US20230380133A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-11-23.

Method of rock blasting and borehole charge for its implementation

Номер патента: RU2766994C1. Автор: Владимир Матвеевич Закалинский,Рафаэль Якубович Мингазов,Григорий Владимирович Шубин,Борис Николаевич Заровняев,Аркадий Владимирович Дугарцыренов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Северо-Восточный федеральный университет имени М.К.Аммосова". Дата публикации: 2022-03-16.

Nonvolatile memory element and its fabrication method, and nonvolatile semiconductor device using the nonvolatile memory element

Номер патента: WO2009050861A1. Автор: Satoru Fujii,Takeshi Takagi,Satoru Mitani. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2009-04-23.

Lighting device, method and system

Номер патента: RU2467433C2. Автор: Кун А. ВЕРСЮРЕН,Херберт ЛИФКА,КОК Маргрит ДЕ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2012-11-20.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090026529A1. Автор: Hiroshi Akahori. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-29.

Non-volatile memory device and method of forming the same

Номер патента: WO2024076297A1. Автор: Wen Siang LEW,Putu Andhita DANANJAYA,Yuanmin DU,Weng Hong Lai. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-04-11.

Non-volatile memory devices and methods of forming the same

Номер патента: US20070090449A1. Автор: Dong-gun Park,Choong-ho Lee,Byung-yong Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-04-26.

Phase change memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20100059731A1. Автор: Heon Yong Chang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-03-11.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110284944A1. Автор: Yasushi Nakasaki,Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Shoko Kikuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-24.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130153985A1. Автор: Yasushi Nakasaki,Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Shoko Kikuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-06-20.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120256249A1. Автор: Yasushi Nakasaki,Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Shoko Kikuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-11.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8217444B2. Автор: Yasushi Nakasaki,Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Shoko Kikuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-10.

Integrated cooling assemblies including backside power/ground delivery and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20240332129A1. Автор: Belgacem Haba,Cyprian Emeka Uzoh,Rajesh Katkar. Владелец: Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Integrated cooling assemblies including backside power/ground delivery and methods of manufacturing the same

Номер патента: WO2024206837A1. Автор: Belgacem Haba,Cyprian Emeka Uzoh,Rajesh Katkar. Владелец: Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc.. Дата публикации: 2024-10-03.

Devices and methods for percutaneous electrode implant

Номер патента: US12070595B2. Автор: Paul Pignato,James E. Johnson,Caleb Ole VAINIKKA,Seth Wilks,Vance Kesler,James Anderson Smith,Peter James Meinz,William Thomas Hartsig. Владелец: CVRX Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device, electronic device, and method of fabricating the same

Номер патента: US09515086B2. Автор: Young-Jin Noh,Jaeyoung Ahn,Kwangmin Park,Gukhyon Yon,Dongchul Yoo,Bio Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-06.

Phase change memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120156840A1. Автор: Nam Kyun PARK. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-21.

Self-cleaning mixing devices and methods of using the same

Номер патента: EP2672816A2. Автор: Laurence G. Dammann,Johannes Gijsbertus Antonius Terlingen,Kimberly Anne Canale,Joshua Paul Siler. Владелец: Everris International BV. Дата публикации: 2013-12-18.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09613979B2. Автор: Toshihiko Iinuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Color point and/or lumen output correction device, lighting system with color point and/or lumen output correction, lighting device, and methods of lighting

Номер патента: US09554445B2. Автор: Joseph P. Chobot. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Variable resistance memory device

Номер патента: US09490299B2. Автор: Hyun Min Lee,Han Woo Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Phase-change memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US8999745B2. Автор: Il Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-04-07.

Phase-change memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20150179929A1. Автор: Il Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Phase-change memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20140166964A1. Автор: Il Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-19.

Material deposition systems, and related methods, microelectronic devices, and memory devices

Номер патента: US20210175072A1. Автор: Richard L. Elliott,Christopher W. Petz,Clement Jacob. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

Phase-change memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US09640758B2. Автор: Il Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

METHOD OF MANUFACTURING A GATE STRUCTURE FOR A NONVOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20190244822A1. Автор: GU Sung Mo,Ahn Sung Bok. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-08.

Variable resistance memory device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US09768232B2. Автор: Sung-Ho Eun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Floating gate memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20040229432A1. Автор: Sang-Hoon Lee,Hun-Hyeoung Leam,Young-Sub You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-11-18.

Floating gate memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7041558B2. Автор: Sang-Hoon Lee,Hun-Hyeoung Leam,Young-Sub You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-09.

Method Of Integrating FINFET CMOS Devices With Embedded Nonvolatile Memory Cells

Номер патента: US20170345840A1. Автор: Tran Hieu Van,CHEN CHUN-MING,Do Nhan,Su Chien-Sheng,Yang Jeng-Wei,Wu Man-Tang. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-30.

Method of reducing coupling between floating gates in nonvolatile memory

Номер патента: US7910434B2. Автор: Jeffrey W. Lutze,Tuan Pham,Hidetaka Horiuchi,Nima Mokhlesi,Masaaki Higashitani,Henry Chien,George Matamis,Yupin Kawing Fong. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2011-03-22.

Method of integrating finfet cmos devices with embedded nonvolatile memory cells

Номер патента: TWI641116B. Автор: 曉萬陳,陳俊明,楊正威,堅昇蘇,吳滿堂,恩漢杜. Владелец: 超捷公司. Дата публикации: 2018-11-11.

Method of integrating FinFET CMOS devices with embedded nonvolatile memory cells

Номер патента: US9985042B2. Автор: Hieu Van Tran,Chun-Ming Chen,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Nonvolatile Memory in Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: KR19980074815A. Автор: 김의송. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1998-11-05.

Integration of non-volatile charge trap memory devices and logic cmos devices

Номер патента: WO2008147529A1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Sam Geha,Fredrick B. Jenne,Sagy Levy,Igor Kouznetsov,Jeremy Warren,Ravindra Kapre,William W.C. KOUTNY, Jr.. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2008-12-04.

Device and method of destruction and extraction of concrements from body ducts and cavities

Номер патента: RU2489105C2. Автор: Валерий ДИАМАНТ,Надежда ЯСКО,Алексей ДУТОВ,Владимир ЧЕРНЕНКО,Марат ЛЕРНЕР. Владелец: Литотех Медикал Лтд.. Дата публикации: 2013-08-10.

System of ventilation passages for replacement of at least some part of air in section of cubicles or in system of cubicles with sections of cubicles, and ventilation method of sections of cubicles or system of cubicles

Номер патента: RU2524240C2. Автор: ПЕДЕРСЕН Эрлинг ФРИИС,Карстен СЕРЕНСЕН. Владелец: АгриФарм АпС. Дата публикации: 2014-07-27.

A semiconductor memory device, method of fabricating the same, and devices employing the semiconductor memory device

Номер патента: TW200840056A. Автор: Choong-ho Lee,Kyu-Charn Park,Byung-Kyu Cho,Se-Hoon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-10-01.

Method of forming floating gate array of flash memory device

Номер патента: US20070141785A1. Автор: Jong Choi. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-21.

HK embodied flash memory and methods of forming the same

Номер патента: US9620372B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Wei-Hang Huang,Ming-Chyi Liu,Ru-Liang Lee,Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Wei Cheng Wu,Chang-Ming Wu,Yu-Hsing Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Work platform system including suspended paneled portion and method of implementing same

Номер патента: US09976264B2. Автор: Roy Scrafford,Mathieu Grumberg,Frederick W. Meade. Владелец: Safway Services LLC. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device layout, memory device layout, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09806070B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

HK embodied flash memory and methods of forming the same

Номер патента: US09620372B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Wei-Hang Huang,Ming-Chyi Liu,Ru-Liang Lee,Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Wei Cheng Wu,Chang-Ming Wu,Yu-Hsing Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Ship (versions), roll reducing device, immersible body, stabilisation device and method of pitch reduction

Номер патента: RU2433937C2. Автор: Винсент Джордж МАККАРТИ,Кристофер Джон ДАНЛОП. Владелец: Сайпем ЮКей Лимитид. Дата публикации: 2011-11-20.

Method, device and system of administration communication control between account and device

Номер патента: RU2636524C2. Автор: Цзыгуан ГАО,Эньсин ХОУ,Минцзюнь ИНЬ. Владелец: Сяоми Инк.. Дата публикации: 2017-11-27.

Method of manufacturing waveguide microwave devices and elements on 3d printer by method of fused deposition modelling of thread composite abs plastic

Номер патента: RU2642791C1. Автор: Виктор Иванович Классен,Борис Аркадьевич Левитан,Илья Александрович Просвиркин,Владимир Павлович Зотеев. Владелец: Акционерное общество "Радиокомпания "Вектор". Дата публикации: 2018-01-26.

Dual-mode igniter and two-mode method of injection for ignition of rocket engine

Номер патента: RU2636357C2. Автор: КРА Жан-Люк ЛЕ,Сирил ВЕРПЛАНК. Владелец: Снекма. Дата публикации: 2017-11-22.

Methods of forming a conductive contact structure to an embedded memory device on an ic product and a corresponding ic product

Номер патента: US20210193573A1. Автор: Hyung Woo Kim,Nicholas LiCausi,Julien Frougier,Keith Donegan. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-06-24.

Resistive random access memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11744164B2. Автор: Takahiro Nonaka,Takayuki Ishikawa,Yusuke ARAYASHIKI,Tomohito KAWASHIMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Telecommunication network system for implementing various services and method of implementing thereof

Номер патента: RU2370904C2. Автор: Жуцзе ШАО,Дунмин ЧЖУ. Владелец: Хювэй Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2009-10-20.

Method of modifying profile of hooks of attachment component and component having hooks with modified profile

Номер патента: RU2603039C1. Автор: Дэвид Джон ЭНЦ,Пол Дуглас БОЙТЕР,Девин Чарльз МАКЭЛЬРАТ. Владелец: Кимберли-Кларк Ворлдвайд, Инк.. Дата публикации: 2016-11-20.

Method of determination of filter working state for liquid gear transmission, system of liquid delivery and device measuring volumetric flow for realisation of specified method

Номер патента: RU2351908C2. Автор: Норберт МИЛЛЕР,Дитер КЛАССЕН,Христоф ДАХЛМАННС. Владелец: Шайдт энд Бахманн Гезелльшафт мит бешренктер Хафтунг. Дата публикации: 2009-04-10.

System and method of wireless communication of uncompressed video having a fast fourier transform-based channel interleaver

Номер патента: WO2008002078A1. Автор: Huaning Niu,Pengfei Xia,Chiu Ngo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2008-01-03.

System and method of wireless communication of uncompressed video having a fast fourier transform-based channel interleaver

Номер патента: EP2039105A1. Автор: Huaning Niu,Pengfei Xia,Chiu Ngo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-03-25.

Auxiliary display system, device and method

Номер патента: US8640223B2. Автор: Chentao Yu. Владелец: Lenovo Beijing Ltd. Дата публикации: 2014-01-28.

System and method of dispersion compensation in optical communication systems

Номер патента: WO2002041535A3. Автор: Ten Sergey,Morten Nissov,Ekaterina Golovchenko,Jonathan Nagel,Alexei A Pilipetskii. Владелец: Tycom US Inc. Дата публикации: 2004-02-26.

Auxiliary display system, device and method

Номер патента: US20090055647A1. Автор: Chentao Yu. Владелец: Lenovo Beijing Ltd. Дата публикации: 2009-02-26.

System for receiving and processing multimedia messages sent to a mobile device and method thereof

Номер патента: US09832620B1. Автор: Larry Clement Edward Singleton. Владелец: West Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200119092A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Chern-Yow Hsu,Sheng-Haung Haung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

A method of distinguishing between benign and malignant thyroid nodules

Номер патента: EP4303324A1. Автор: Barbara Jarząb,Michał Jarząb,Aleksandra Pfeifer,Małgorzata OCZKO-WOJCIECHOWSKA,Sebastian Student,Dorota Slowinska-Klencka,Jolanta Krajewska,Agata Wilk,Krzysztof Lakomiec,Alicja Pluciennik,Krzysztof Fujarewicz,Aleksander Placzek,Agnieszka Czarniecka,Agnieszka Kotecka-Blicharz,Ewa Chmielik,Marek Dedecjus. Владелец: Wasko Spolka Akcyjna Wasko SA. Дата публикации: 2024-01-10.

Method of manufacturing a submarine power cable

Номер патента: US20240194374A1. Автор: Sonny LÅNGSTRÖM. Владелец: NKT HV Cables AB. Дата публикации: 2024-06-13.

High voltage semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20240250168A1. Автор: Jong Min Kim,Geum Ho AHN. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

High voltage semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20240266436A1. Автор: Nam Kyu Kim. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Metal halide battery, acomposition, energy storage device, and related processes

Номер патента: WO2012087495A1. Автор: Michael Alan Vallance,Richard Louis Hart,David Charles Bogdan Jr.. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2012-06-28.

Photoelectric conversion element, method of manufacturing the same, solid state image sensor, electronic device, and solar cell

Номер патента: US12114516B2. Автор: Yukio KANEDA. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Automatic focus control device, operation method of automatic focus control device, operation program of automatic focus control device, and imaging apparatus

Номер патента: US20240334052A1. Автор: Hideaki KOKUBUN. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Repeating method of wireless repeating device, and wireless repeating device

Номер патента: US09774380B2. Автор: Wei Du,Chong Zhu. Владелец: Huawei Device Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

A method of improving package creepage distance

Номер патента: EP4459675A1. Автор: Hans-Juergen Funke,Tim Böttcher,Heiming Shiu. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-11-06.

Device and method of electric power distribution with potential scaling

Номер патента: RU2569552C2. Автор: Джеймс С. СПИТЕЙЛЗ,Майкл ДЖАНСМА,Патрик Райли ДЖОНСОН,Уилльям ЗИГЛЕР. Владелец: Шнайдер Электрик АйТи Корпорейшен. Дата публикации: 2015-11-27.

Base station device, communication system and method of synchronization

Номер патента: RU2609892C2. Автор: Хироюки ИСИХАРА,Ютака СУВА,Акира СИБУТА. Владелец: ПАНАСОНИК КОРПОРЭЙШН. Дата публикации: 2017-02-07.

Rf switch device and method of manufacturing same

Номер патента: US20230040844A1. Автор: Hyun Jin Kim,Jin Hyo Jung,Sang Gil Kim,Ki Hun Lee,Seung Ki KO,Tae Ryoong PARK,Kyong Rok KIM. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Reference signal measurement method and apparatus for use in wireless communication system including plural base stations with distributed antennas

Номер патента: EP2853040A1. Автор: Hyo Jin Lee,Young Bum Kim,Youn Sun Kim,Ju Ho Lee,Hyoung Ju Ji,Joon Young Cho,Seung Hoon Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-04-01.

Methods of protecting semiconductor materials in the active region of a transistor device and the resulting transistor device

Номер патента: US20210399126A1. Автор: Haiting Wang,Yanping SHEN,Judson R. Holt,Sipeng Gu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Method of fabricating a tunnel oxide layer and a tunnel oxide layer for a semiconductor device

Номер патента: US09875900B2. Автор: Eng Gek Hee,Ka Siong Wisley Ung. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2018-01-23.

Reference signal measurement method and apparatus for use in wireless communication system including plural base stations with distributed antennas

Номер патента: US09641233B2. Автор: Younsun KIM,Hyoungju JI,Joonyoung Cho,Youngbum Kim,Seunghoon Choi,Juho Lee,Hyojin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-02.

Method of fabricating a tunnel oxide layer and a tunnel oxide layer for a semiconductor device

Номер патента: US09627213B2. Автор: Eng Gek Hee,Ka Siong Wisley Ung. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2017-04-18.

Wireless transmitting and receiving device and method

Номер патента: US09608700B2. Автор: Takahiro Kobayashi,Daisuke Takeda,Yasuhiko Tanabe,Tsuguhide Aoki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Syringe treated with transdermal venous access locking solutions and method of treating the syringe

Номер патента: US09427498B2. Автор: Gary L. Rayburn,Stanley L. Mills,Jacqueline L. Mills,Robert D. Maurer,Marvin A. Cuchens. Владелец: Organic Medical Ventures, L.L.C.. Дата публикации: 2016-08-30.

SiC MOSFET POWER SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20240234510A9. Автор: Seung Hyun Kim,Hee Bae Lee,Jae Yuhn MOON. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of determining operation mode for operating plurality of links with hub device and electronic device for performing the method

Номер патента: US20230300668A1. Автор: Sunghwan Kim,Hyunkee MIN,Kiyeong Jeong,Junsu CHOI,Junhak LIM,Hyeonu CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Orthodontic system and method of use

Номер патента: US20200297461A1. Автор: Joaquin T. Ariza. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-09-24.

Orthodontic system and method of use

Номер патента: US11759293B2. Автор: Joaquin T. Ariza. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-09-19.

Droplet discharge device, method for discharging droplet, method for forming pattern, pattern formed member, electro-optical device, and electronic apparatus

Номер патента: US20090303274A1. Автор: Tatsuya Ito,Yuji Iwata,Osamu Kasuga. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-12-10.

Entrance and exit position detection device for power device, and entrance and exit monitoring system including same

Номер патента: US12080502B2. Автор: Young Kim,Sang-Chul Lee,Han-Baek CHUNG. Владелец: LS Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Orthodontics system and method of use

Номер патента: US09907627B2. Автор: Joaquin T. Ariza. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-03-06.

Devices and methods for percutaneous electrode implant

Номер патента: EP4364780A2. Автор: Paul Pignato,James E. Johnson,Caleb Ole VAINIKKA,Seth Wilks,Vance Kesler,James Anderson Smith,Peter James Meinz,William Thomas Hartsig. Владелец: CVRX Inc. Дата публикации: 2024-05-08.

Control method, control device, and program

Номер патента: US20230247159A1. Автор: Motoki Kobayashi,Hidenori Karasawa,Masaru Iki. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2023-08-03.

A method of manufacturing a submarine power cable

Номер патента: CA3221976A1. Автор: Sonny LÅNGSTRÖM. Владелец: NKT HV Cables AB. Дата публикации: 2024-06-13.

Control method, control device, and program

Номер патента: EP3238427A1. Автор: Motoki Kobayashi,Hidenori Karasawa,Masaru Iki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-11-01.

Control method, control device, and program

Номер патента: US20210112173A1. Автор: Motoki Kobayashi,Hidenori Karasawa,Masaru Iki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2021-04-15.

Control method, control device, and program

Номер патента: US20220124216A1. Автор: Motoki Kobayashi,Hidenori Karasawa,Masaru Iki. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2022-04-21.

Metal profile, fastening device and cover comprising a fastening system including the metal profile and the fastening device

Номер патента: WO2011049528A1. Автор: Bertil Lohman. Владелец: CLAMCO INVEST AB. Дата публикации: 2011-04-28.

Distributed demagnetizing coil system, shielding device, and demagnetizing method

Номер патента: US20220157505A1. Автор: Kai Song,Zhiyin SUN,Liyi Li,Donghua Pan,Yuxi LIU,Liguo TAN,Yiyang Zhao. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2022-05-19.

Method for constituting hybrid network spanning trees, method of redundancy, and control system thereof

Номер патента: US09807000B2. Автор: Chia-Cheng Wu,Shie-Yuan Wang. Владелец: Estinet Technologies Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

System and method of formatting data

Номер патента: US09667740B2. Автор: Suresh Pasumarthi,Anil Babu Ankisettipalli. Владелец: SAP SE. Дата публикации: 2017-05-30.

Method of heating boiler operation in heating system

Номер патента: RU2736684C1. Автор: Михаил Иванович Голубенко. Владелец: Михаил Иванович Голубенко. Дата публикации: 2020-11-19.

Method of processing bauxite for alumina

Номер патента: RU2711198C1. Автор: Юрий Николаевич Логинов,Ирина Викторовна Логинова,Леонид Иванович Чайкин. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина". Дата публикации: 2020-01-15.

Method of carrying out geophysical works through a drilling column in wells with open hole having complex trajectory

Номер патента: RU2677721C1. Автор: Винер Айратович Ахметзянов,Виталий Александрович Лысенков,Руслан Дамирович Хамидуллин,Марат Зайтунович Ибрагимов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Титан Сервис". Дата публикации: 2019-01-21.

Method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20090051020A1. Автор: Masaru Koyanagi,Takashi Taira. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-02-26.

Phase change memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100327250A1. Автор: Nam Kyun PARK. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-30.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11943909B2. Автор: Feng-Yi Chang,Fu-Che Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Ferroelectric memory device, manufacturing method of the ferroelectric memory device and semiconductor chip

Номер патента: US20220285396A1. Автор: Hai-Ching Chen,Chung-Te Lin,Yu-Ming Lin,Yen-Chieh Huang Rainer. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Ferroelectric memory device, manufacturing method of the ferroelectric memory device and semiconductor chip

Номер патента: US20230269947A1. Автор: Hai-Ching Chen,Chung-Te Lin,Yu-Ming Lin,Yen-Chieh Huang Rainer. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Memory device implementing multi-bit and memory apparatus including the same

Номер патента: US20240260274A1. Автор: Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Hyunjae Lee,Dukhyun CHOE,Yoonsang PARK,Sijung YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor storage device including staggered semiconductor memory devices on opposed surfaces

Номер патента: US20240260194A1. Автор: BO Yang,Chun Sean Lau,Fu Xing Chan. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory structures having a single access transistor for multiple memory devices

Номер патента: US20240284687A1. Автор: Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li,Min Gyu Sung,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Organic electric memory device based on phosphonic acid or trichlorosilane-modified ITO glass substrate and preparation method thereof

Номер патента: US09818963B1. Автор: Jianmei Lu,Jinghui HE. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-11-14.

Method of cementing of the additional column of pipes in the injection well

Номер патента: RU2645695C1. Автор: Ильгизар Хасимович Махмутов,Олег Вячеславович Салимов,Радик Зяузятович Зиятдинов,Фанзат Завдатович Исмагилов,Игорь Михайлович Новиков. Владелец: Публичное акционерное общество "Татнефть" имени В.Д. Шашина. Дата публикации: 2018-02-27.

The method of small movements of the working body in the membrane-type devices and a device for its implementation

Номер патента: RU2015125088A. Автор: Алексей Иванович Зимин,Вячеслав Евгеньевич Куницын,Назым Нурлисламович Усманов,Александр Михайлович Салецкий. Владелец: Александр Михайлович Салецкий. Дата публикации: 2017-01-10.

Fuel cell power systems and methods of controlling a fuel cell power system

Номер патента: CA2616775C. Автор: Greg A. Lloyd,William A. Fuglevand,Shiblihanna I. Bayyuk,Peter D. DeVries,David R. Lott,John P. Scartozzi. Владелец: Avista Laboratories Inc. Дата публикации: 2009-07-21.

Fuel cell power systems and methods of controlling a fuel cell power system

Номер патента: CA2616840C. Автор: Greg A. Lloyd,William A. Fuglevand,Shiblihanna I. Bayyuk,Peter D. DeVries,David R. Lott,John P. Scartozzi. Владелец: Avista Laboratories Inc. Дата публикации: 2009-07-21.

Method of rekeying roaming communication units

Номер патента: US5471532A. Автор: Kevin Gardeck,David A. Green,Kevin Cutts. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1995-11-28.

Variable resistance memory device with variable resistance material layer

Номер патента: US9935267B2. Автор: Min Seok Kim,Hyo Seob Yoon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Fluidic arrays and method of using

Номер патента: US20040258571A1. Автор: George Whitesides,Xingyu Jiang,Rosaria Ferrigno,Rustem Ismagilov,Paul KENIS,Jessamine Lee. Владелец: Harvard College. Дата публикации: 2004-12-23.

Fuel cell power systems and methods of controlling a fuel cell power system

Номер патента: CA2616727C. Автор: Greg A. Lloyd,William A. Fuglevand,Peter D. DeVries,David R. Lott,John P. Scartozzi,Shiblihanna I Bayyuk. Владелец: Avista Laboratories Inc. Дата публикации: 2009-07-21.

System and method of dispersion compensation in optical communication systems

Номер патента: WO2002041535A2. Автор: Ten Sergey,Morten Nissov,Alexei A. Pilipetskii,Ekaterina Golovchenko,Jonathan Nagel. Владелец: Tycom (Us) Inc.. Дата публикации: 2002-05-23.

Methods of growing metal-containing films

Номер патента: US20230295803A1. Автор: Mandyam Sriram,Yongjing Lin,Shih Chung CHEN,Arkaprava Dan,Eunkee Hong,Lakmal C. Kalutarage,Haoming Yan,Janardhan DEVRAJAN,Lisa Michelle Mandrell. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Microfiltration device, method of preparing the same, method of separating biological material and a kit

Номер патента: WO2024073128A1. Автор: Jongyoon Han,Yaoping LIU,Joshua Jebaraj RAYMOND. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2024-04-04.

Wireless sound output device and wireless sound output system comprising same

Номер патента: US20230379667A1. Автор: Munyong HAN. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-11-23.

Non-volatile memory device having threshold switching resistor, memory array including the non-volatile memory device and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20090086527A1. Автор: Young-soo Park,Myoung-Jae Lee,Chang-burn Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-04-02.

Methods of Calibrating a Blood Flow Monitoring Device, Methods of Monitoring Blood Flow, and Blood Flow Monitoring Systems

Номер патента: US20230132333A1. Автор: Travis Dillon,Fionán Keady,Suresh Dwarakaprasad,David Halleck. Владелец: Cook Medical Technologies LLC. Дата публикации: 2023-04-27.

A semiconductor memory device junction and method of forming the same

Номер патента: TW200931644A. Автор: Hyun-Soo Shon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-07-16.

Three-dimensional memory device with source contacts connected by an adhesion layer and methods for forming the same

Номер патента: US20210066336A1. Автор: Wei Xu,Pan Huang,Ping Yan,Zongliang Huo,Wenbin Zhou,Qingqing WANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Method of producing multilayer film

Номер патента: RU2728191C2. Автор: Винченцо ЧЕРЧЬЕЛЛО,Стефано ФАРИНА. Владелец: Нордмекканика С.П.А.. Дата публикации: 2020-07-28.

Method of manufacturing colored filler of covering from crumb of elastic materials

Номер патента: RU2674041C1. Автор: Михаил Львович Степанов. Владелец: Михаил Львович Степанов. Дата публикации: 2018-12-04.

Method of producing an antiscoring additive

Номер патента: RU2713913C1. Автор: Виктория Александровна Павлова,Светлана Аркадьевна Александрина. Владелец: Светлана Аркадьевна Александрина. Дата публикации: 2020-02-11.

Nanoporous ultra-fine powders and the sol-gel from alpha aluminum oxide, the method of their preparation

Номер патента: RU2302374C2. Автор: Юху ВАНГ. Владелец: Сэнт-Гобэн Керамикс Энд Пластикс, Инк.. Дата публикации: 2007-07-10.

Exhaust treatment system and method of operation

Номер патента: CA2749479C. Автор: Stanlee Teresa Buddle,Dan Hancu,Daniel George Norton,Benjamin Hale Winkler,Ashish Balkrishna Mhadeshwar. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2018-11-06.

Method of producing biodegradable polymers

Номер патента: RU2718924C1. Автор: ЛОПЕС Мигель Анхель КАБАЛЬЕРО,АЛЕГРЕ Мария Хосе АЛЬФОНСО,ЛАСЬЕРРА Патрисия САГАЛАС. Владелец: Сосьедад Анонима Минера Каталано Арагонеса. Дата публикации: 2020-04-15.

Design of form to make stairs and stair platforms, method to manufacture such form and method of its usage

Номер патента: RU2525407C2. Автор: Пьеро КРЕТТИ. Владелец: Пластедиль С.А.. Дата публикации: 2014-08-10.

Memory devices and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190148382A1. Автор: Chih-Chien Liu,Tzu-Chin Wu,Chia-Lung Chang,Han-Yung Tsai. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

Semiconductor device, method of manufacturing the semiconductor device, flip chip package having the semiconductor device and method of manufacturing the flip chip package

Номер патента: US8530275B2. Автор: You-Seung Jin,Se-Young Lee,Geon-Woo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-09-10.

Semiconductor device, method of manufacturing the semiconductor device, flip chip package having the semiconductor device and method of manufacturing the flip chip package

Номер патента: US20120295402A1. Автор: You-Seung Jin,Se-Young Lee,Geon-Woo Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-22.

Method of forming a stepped surface in a three-dimensional memory device and structures incorporating the same

Номер патента: US12010842B2. Автор: Akira Yoshida,Akihiro Tobioka. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-11.

Transmitting system and method of transmitting digital broadcast signal in transmitting system

Номер патента: US20140112256A1. Автор: In Hwan Choi,Hyoung Gon Lee,Won Gyu Song,Jin Woo Kim,Byoung Gill Kim,Jae Hyung Song,Chul Kyu Mun. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2014-04-24.

Article of footwear incorporating wound element, and related methods of manufacture

Номер патента: US20180271216A1. Автор: Gabriel La O',Connor James Hutchinson. Владелец: New Balance Athletics Inc. Дата публикации: 2018-09-27.

Transmitting system and method of transmitting digital broadcast signal in transmitting system

Номер патента: US20110141954A1. Автор: In Hwan Choi,Hyoung Gon Lee,Won Gyu Song,Jin Woo Kim,Byoung Gill Kim,Jae Hyung Song,Chul Kyu Mun. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2011-06-16.

Method of making disposable absorbent article with intergral landing zone

Номер патента: MY133749A. Автор: KLINE Mark James,Johnson Kevin Charles,Weirich David Michael. Владелец: Procter & Gamble. Дата публикации: 2007-11-30.

Method of making a storage block for an electrical night-storage heating device and a storage block made by this method

Номер патента: SK1522002A3. Автор: Lutz Asperger,Helmut Bareuther. Владелец: KULMBACHER KLIMAGERAETE. Дата публикации: 2003-03-04.

Transmitting system and method of transmitting digital broadcast signal in transmitting system

Номер патента: US09831969B2. Автор: In Hwan Choi,Hyoung Gon Lee,Won Gyu Song,Jin Woo Kim,Byoung Gill Kim,Jae Hyung Song,Chul Kyu Mun. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09620521B2. Автор: Kazuhiro Nojima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Method of manufacturing a gate structure in a semiconductor device and method of manufacturing a cell gate structure in non-volatile memory device using the same

Номер патента: KR100583609B1. Автор: 이재동,김정환,유영섭,나기수,임헌형,이웅,형용우. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-05-26.

Manufacturing method of semi-finished product, and namely steel strip with two-phase structure

Номер патента: RU2475545C2. Автор: Кристиан БИЛЬГЕН,Кристиан КЛИНКЕНБЕРГ. Владелец: Смс Симаг Акциенгезельшафт. Дата публикации: 2013-02-20.

Methods and apparatuses for electronic time delay and systems including same

Номер патента: US8002026B2. Автор: John A. Arrell, Jr.,Ronald S. Borja,William J. Slade,Francois X. Prinz. Владелец: Alliant Techsystems Inc. Дата публикации: 2011-08-23.

Electron emitting device, method of producing the same, and method of driving the same; and image display comprising the electron emitting device and method of producing the same

Номер патента: US6635979B1. Автор: Hideo Kurokawa,Masahiro Deguchi,Makoto Kitabatake,Tetsuya Shiratori. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-21.

Semiconductor device and data processor

Номер патента: US20110016345A1. Автор: Toru Hayashi,Kazuo Murakami,Motoo Suwa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-01-20.

Methods and apparatuses for electronic time delay and systems including same

Номер патента: CA2667377C. Автор: John A. Arrell, Jr.,Ronald S. Borja,William J. Slade,Francois X. Prinz. Владелец: Alliant Techsystems Inc. Дата публикации: 2014-04-01.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US7410869B2. Автор: Sang-Hoon Lee,Hyeon-deok Lee,Jung-Hyun Park,Woong Lee,Hun-Hyeoung Leam,Won-Jun Jang,Young-Sub You,Jung-Geun Jee,Sang-Kyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-08-12.

Methods and apparatuses for electronic time delay and systems including same

Номер патента: US7789153B2. Автор: John A. Arrell, Jr.,Ronald S. Borja,William J. Slade,Francois X. Prinz. Владелец: Alliant Techsystems Inc. Дата публикации: 2010-09-07.

Device and method of performing subcarrier grouping or codebook size selection in real-time for beamforming feedback and wireless communication system including the same

Номер патента: KR20220086447A. Автор: 전은성. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-06-23.

Electron emitting device, method of producing the same, and method of driving the same; and image display comprising the electron emitting device and method of producing the same

Номер патента: EP1056110A1. Автор: Hideo Kurokawa,Masahiro Deguchi,Makoto Kitabatake,Tetsuya Shiratori. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2000-11-29.

Electronic devices including a metal silicide material over a source contact, and related memory devices, systems, and methods of forming

Номер патента: US20240081057A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Andrew L. Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Defrosting control method of multifunctional multi-split system with double four-way valves

Номер патента: US11906221B2. Автор: Hongbin Liu,Min Zhou. Владелец: Guangdong Giwee Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Phase change memory device having an improved word line resistance, and methods of making same

Номер патента: US8415197B2. Автор: Jang Uk Lee,Mi Ra CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-04-09.

Phase change memory device having an improved word line resistance, and methods of making same

Номер патента: US8283651B2. Автор: Jang Uk Lee,Mi Ra CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2012-10-09.

Ventilation drug reduction device and marine ventilation drug reduction system including same

Номер патента: US20230348022A1. Автор: Tao Huang,Ji Zhou,Guorong Li,Zhongyu ZHANG,Jiayang Gu,Weifa Liu,Jishun Qu,Yanwu TAO. Владелец: Marine Equipment And Technology Institute Of Just. Дата публикации: 2023-11-02.

Hk embodied flash memory and methods of forming the same

Номер патента: US20150340493A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Wei-Hang Huang,Ming-Chyi Liu,Ru-Liang Lee,Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Wei Cheng Wu,Chang-Ming Wu,Yu-Hsing Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-11-26.

Flash memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20090065847A1. Автор: Yong-Jun Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-12.

Phase change memory device having an improved word line resistance, and methods of making same

Номер патента: US20120329222A1. Автор: Jang Uk Lee,Mi Ra CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2012-12-27.

A method of manufacturing a submarine power cable

Номер патента: EP4386781A1. Автор: Sonny LÅNGSTRÖM. Владелец: NKT HV Cables AB. Дата публикации: 2024-06-19.

Oil return control method of multi-functional multi-split system with double four-way valves

Номер патента: US12025353B2. Автор: Hongbin Liu,Min Zhou. Владелец: Guangdong Giwee Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Method of making lithographic printing plate

Номер патента: US20040053168A1. Автор: Hironori Ohnishi. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2004-03-18.

Method of making lithographic printing plate

Номер патента: EP1398151A3. Автор: Hironori Ohnishi. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-01.

Composition for electron emission source, electron emission source formed from the composition and electron emission device including the electron emission source

Номер патента: US20070252505A1. Автор: Joo-Young Kim. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-01.

Method of, and apparatus for, controlling a wireless connection in a mimo system using multi-sector directional antennas

Номер патента: EP2826163A1. Автор: Tae Hyun Kim,Theodoros Salonidis,Henrik Lundgren. Владелец: Thomson Licensing SAS. Дата публикации: 2015-01-21.

Producing method of mask-support assembly

Номер патента: US20240240302A1. Автор: Young Ho Lee,Jong Il Kim,Taek Yong Jang. Владелец: Olum Material Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

A method of preparation of an herbal composition for controlling gastric and ulcers related to gastrointestinal tract (git)

Номер патента: WO2023073737A1. Автор: AK Srinivas Murthy. Владелец: Srinivas Murthy Ak. Дата публикации: 2023-05-04.

Method of molding an improved linkage lever

Номер патента: US5112551A. Автор: Gary L. Berge,Peter J. Hylak. Владелец: E and H Plastics Inc. Дата публикации: 1992-05-12.

Crystalline forms and methods of producing crystalline forms of a compound

Номер патента: AU2019238090B2. Автор: Hiroko Masamune,Brian Lian,Geoffrey Barker. Владелец: Viking Therapeutics Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Crystalline forms and methods of producing crystalline forms of a compound

Номер патента: US20240043459A1. Автор: Hiroko Masamune,Brian Lian,Geoffrey Barker. Владелец: Viking Therapeutics Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Method of producing a gypsum slurry for forming gypsum products and method of manufacturing a gypsum product

Номер патента: US12036561B2. Автор: Tong Liu,Martin HALBACH. Владелец: KNAUF GIPS KG. Дата публикации: 2024-07-16.

Gas mixing device and method, and cvd apparatus including the same

Номер патента: US20190169746A1. Автор: Fengjuan LIU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-06.

Method of making a solar grade silicon wafer

Номер патента: WO2008115539A1. Автор: John Carberry. Владелец: Mossey Creek Technology, Llc. Дата публикации: 2008-09-25.

Switch control device, battery pack and vehicle including the same

Номер патента: EP4425524A1. Автор: Hyuncheol JEON. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-04.

Modified method of playing blackjack

Номер патента: WO2006049596A1. Автор: Frederick D. Noyes. Владелец: Noyes Frederick D. Дата публикации: 2006-05-11.

Method of integration of ono stack formation into thick gate oxide cmos flow

Номер патента: WO2018063459A1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2018-04-05.

CRYSTALLINE 1α,24(S)-DIHYDROXYVITAMIN D2 AND METHOD OF PURIFICATION THEREOF

Номер патента: WO2001002352A1. Автор: Hector F. DeLuca,Rafal R. Sicinski,James Brian Thoden,Hazel Holden. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2001-01-11.

Method of making disposable absorbent article with integral landing zone

Номер патента: WO1998011855A1. Автор: Mark James Kline,David Michael Weirich,Kevin Charles Johnson. Владелец: The Procter & Gamble Company. Дата публикации: 1998-03-26.

Method of controlling attempted penetration into premises with door locked by locking device and locking device proper

Номер патента: RU2361990C2. Автор: Борис Константинович Давыдов. Владелец: Борис Константинович Давыдов. Дата публикации: 2009-07-20.

Method of adaptation of lighting facilities of flying vehicles for night vision devices and device for realization of this method

Номер патента: RU2235666C2. Автор: Н.Ф. Кощавцев,И.А. Семенов,С.И. Кокшаров,Г.А. Падалко,В.В. Дудчак,Б.Н. Слюсарь,А.А. Калмычек,Б.И. Мельник,С.Л. Хаджинов,Т.В. Щедрина,С.А. Покотило. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Производственное объединение "Азовский оптико-механический завод". Дата публикации: 2004-09-10.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NONVOLATILE MEMORY APPARATUS AND METHOD FOR PROCESSING CONFIGURATION INFORMATION THEREOF

Номер патента: US20120002487A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

NONVOLATILE MEMORY, DATA PROCESSING APPARATUS, AND MICROCOMPUTER APPLICATION SYSTEM

Номер патента: US20120002498A1. Автор: MATSUBARA Ken,Setogawa Jun,IWASE Takashi,Matsushita Toru,Mitani Hidenori,Yamada Fumiko. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NONVOLATILE MEMORY APPARATUS AND METHOD FOR PROCESSING CONFIGURATION INFORMATION THEREOF

Номер патента: US20120002486A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

CONTROL DEVICE FOR VEHICLE LAMP, VEHICLE LAMP, AND METHOD OF CONTROLLING VEHICLE LAMP

Номер патента: US20120002430A1. Автор: Yamazaki Masashi,GOTO Kazuo,TOMONO Toshikazu. Владелец: KOITO MANUFACTURING CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

CHARGE EQUILIBRIUM ACCELERATION IN A FLOATING GATE MEMORY DEVICE VIA A REVERSE FIELD PULSE

Номер патента: US20120002482A1. Автор: Kalavade Pranav,Franklin Nathan R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY SYSTEM, MEMORY TEST SYSTEM AND METHOD OF TESTING MEMORY SYSTEM AND MEMORY TEST SYSTEM

Номер патента: US20120002495A1. Автор: SUH Sung-Dong,HA Kyoung-Ho,Song Ki-Jae,KIM Seong-gu,JOE In-sung,Cho Soo-Haeng,Kim Yeoung-kum. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

3-D NONVOLATILE MEMORY DEVICE, MEMORY SYSTEM INCLUDING THE 3-D NONVOLATILE MEMORY DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE 3-D NONVOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130153983A1. Автор: Jeon Yoo Nam. Владелец: . Дата публикации: 2013-06-20.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

3-D NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND MEMORY SYSTEM INCLUDING THE 3-D NONVOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130100741A1. Автор: CHOI Sang Moo,LEE In Hey. Владелец: . Дата публикации: 2013-04-25.

Nonvolatile static random access memory devices

Номер патента: CA1141029A. Автор: Richard T. Simko. Владелец: Xicor LLC. Дата публикации: 1983-02-08.

MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THEREOF

Номер патента: US20120001246A1. Автор: . Владелец: Micron Technology Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND CONTROL METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120002457A1. Автор: KANDA Kazushige. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NONVOLATILE MEMORY SYSTEM, AND DATA READ/WRITE METHOD FOR NONVOLATILE MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20120072649A1. Автор: SUKEGAWA Hiroshi,KUDO Yasuo,Kawamoto Kazuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-03-22.

NONVOLATILE MEMORY SYSTEM, AND DATA READ/WRITE METHOD FOR NONVOLATILE MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20120179865A1. Автор: SUKEGAWA Hiroshi,KUDO Yasuo,Kawamoto Kazuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-07-12.

VARIABLE RESISTANCE NONVOLATILE MEMORY ELEMENT, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND VARIABLE RESISTANCE NONVOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120193600A1. Автор: Himeno Atsushi,TSUJI Kiyotaka. Владелец: . Дата публикации: 2012-08-02.

Nonvolatile memory element and manufacturing method therefor, and nonvolatile semiconductor device using the nonvolatile memory element

Номер патента: JP2009266924A. Автор: Satoru Fujii,Takeshi Takagi,Yoshio Kawashima,剛高木,覚藤井,良男川島. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-11-12.

Method of producing cleaning web, image-forming device and fixing device

Номер патента: US20120003020A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NONVOLATILE MEMORY DEVICE, PROGRAM METHOD THEREOF, AND DATA PROCESSING SYSTEM INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20130077407A1. Автор: KOO Cheul Hee,KIM Byoung Young. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2013-03-28.

Methods of growing metal-containing films

Номер патента: WO2024215508A1. Автор: David Thompson,Mei Chang,Mandyam Sriram,Jeffrey W. Anthis,Mark Saly,Yongjing Lin,Shih Chung CHEN,Arkaprava Dan,Eunkee Hong,Lakmal C. Kalutarage,Liqi Wu,Pratham JAIN,Haoming Yan,Janardhan DEVRAJAN,Lisa Michelle Mandrell. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-10-17.

CORRELATED DOUBLE SAMPLING CIRCUIT AND IMAGE SENSOR INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20120002093A1. Автор: Lee Dong Hun,HAM Seog Heon,Yoo Kwi Sung,Kwon Min Ho,Jung Wun-Ki. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

System and Method of Making Tapered Looped Suture

Номер патента: US20120004686A1. Автор: Maiorino Nicholas,Bowns William R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

TRANSPARENT NONVOLATILE MEMORY THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120225500A1. Автор: . Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-09-06.

ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001182A1. Автор: Choi Jong-Hyun,Lee Dae-Woo. Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Vehicle power supply control system and method, device, and storage medium

Номер патента: AU2023270253A1. Автор: JI Pingyuan,He Xiaokang. Владелец: Beijing Tusimple Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002485A1. Автор: Ono Takashi,MARUYAMA Takafumi,NISHIKAWA Kazuyo,Suwa Hitoshi,Nitta Tadashi,Ueminami Masahiro. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

FLASH MEMORY DEVICES, DATA RANDOMIZING METHODS OF THE SAME, MEMORY SYSTEMS INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20120166708A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-06-28.

METHOD OF PROGRAMMING MULTI-LEVEL CELLS IN NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130135929A1. Автор: CHOI KI-HWAN,LEE Chung-Hyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-05-30.

SYSTEM AND METHOD OF ILLUMINATING INTERFEROMETRIC MODULATORS USING BACKLIGHTING

Номер патента: US20120001962A1. Автор: Tung Ming-Hau,Chui Clarence. Владелец: QUALCOMM MEMS Technologies, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY DEVICES WITH ENHANCED ISOLATION OF MEMORY CELLS, SYSTEMS INCLUDING SAME AND METHODS OF FORMING SAME

Номер патента: US20120231604A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-09-13.

Method of increasing efficiency of controlling butyl rubber production process

Номер патента: RU2564442C2. Автор: Владимир Владимирович Елфимов,Армен Рудикович Аветисян,Павел Владимирович Елфимов,Сергей Владимирович Попов,Андрей Михайлович Комендантов,Артём Павлович Дидиченко. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Ордена Ленина и ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский институт синтетического каучука имени академика С.В. Лебедева". Дата публикации: 2015-10-10.

Method of floating drilling rig movement by means of transport hovership system

Номер патента: RU2526431C1. Автор: Александр Вячеславович Калинин,Дмитрий Евгеньевич Цымляков. Владелец: РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ ОТ ИМЕНИ КОТОРОЙ ВЫСТУПАЕТ МИНИСТЕРСТВО ПРОМЫШЛЕННОСТИ И ТОРГОВЛИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ. Дата публикации: 2014-08-20.

Method Of Storing Blocks Of Data In A Plurality Of Memory Devices For High Speed Sequential Read, A Memory Controller And A Memory System

Номер патента: US20120117305A1. Автор: Arya Siamak. Владелец: . Дата публикации: 2012-05-10.

Method Of Storing Blocks Of Data In A Plurality Of Memory Devices In A Redundant Manner, A Memory Controller And A Memory System

Номер патента: US20120117444A1. Автор: Arya Siamak. Владелец: . Дата публикации: 2012-05-10.

Method of obtaining sulphated derivatives of arabinogalactan

Номер патента: RU2546965C1. Автор: Светлана Алексеевна Кузнецова,Борис Николаевич Кузнецов,Александр Владимирович Левданский,Галина Павловна Скворцова,Наталья Юрьевна Васильева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии и химической технологии Сибирского отделения Российской академии наук (ИХХТ СО РАН). Дата публикации: 2015-04-10.

Method of differential diagnostics of aetiology of chronic heart failure

Номер патента: RU2569459C1. Автор: Александр Андреевич Абрамов,Игорь Витальевич Жиров,Анатолий Глебович Кочетов,Андрей Александрович Скворцов,Ольга Викторовна Лянг,Ринат Рашитович Гимадиев,Агунда Владимировна Засеева,Валерий Павлович Масенко,Сергей Николаевич Терещенко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Российский кардиологический научно-производственный комплекс" Министерства здравоохранения России (ФГБУ "РКНПК" МЗ РФ). Дата публикации: 2015-11-27.

Method of production of the carbon-mineral materials with the homogeneous distribution of the phases and the high ash percentage

Номер патента: RU2307703C2. Автор: Валентин Николаевич Пармон,Вадим Анатольевич Яковлев,Петр Михайлович Елецкий. Владелец: Ооо "Кататех". Дата публикации: 2007-10-10.

Method of sharing file information, network servo system, electric device, portable storage device and computer accessible record medium

Номер патента: TW201106167A. Автор: Yu-Hsuan Lee. Владелец: Apacer Technology Inc. Дата публикации: 2011-02-16.

Nonvolatile memory device, methods of programing the nonvolatile memory device and memory system including the nonvolatile memory device

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты