Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Memory System Topologies Including A Memory Die Stack

Memory System Topologies Including A Memory Die Stack

Номер патента: US20230410890A1
Опубликовано: 21-12-2023
Автор(ы): Craig Hampel, Ely Tsem, Ian Shaeffer
Принадлежит: RAMBUS INC
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Memory System Topologies Including A Memory Die Stack

Номер патента: US20210375351A1. Автор: Ely Tsern,Ian Shaeffer,Craig Hampel. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2021-12-02.

Memory system topologies including a buffer device and an integrated circuit memory device

Номер патента: US09865329B2. Автор: Ely Tsern,Ian Shaeffer,Craig Hampel. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-01-09.

Memory system topologies including a buffer device and an integrated circuit memory device

Номер патента: US09563583B2. Автор: Ely Tsern,Ian Shaeffer,Craig Hampel. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-02-07.

Memory system

Номер патента: US11804256B2. Автор: Hajime Matsumoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-31.

Nonvolatile memory devices, memory systems and methods of operating nonvolatile memory devices for processing user data

Номер патента: US10672479B2. Автор: Chan-Ik Park,Sang-Hoan Chang,Taek-Soo Kim,Hyun-Sung Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-02.

Memory system and information processing system

Номер патента: US20160350182A1. Автор: Naoaki Tsutsui. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-01.

Memory system having memory devices each including a programmable internal register

Номер патента: US6044426A. Автор: Mark Horowitz,Michael Farmwald. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2000-03-28.

Temperature sensor management in nonvolatile die-stacked memory

Номер патента: US11922030B2. Автор: Atsushi Kondo,Ryo YONEZAWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-05.

Memory system

Номер патента: US20190295634A1. Автор: Hideki Yamada,Masanobu Shirakawa,Kenji Sakurada,Kuminori HYODO. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-26.

Semiconductor memory device with plural memory die and controller die

Номер патента: US09348786B2. Автор: Peter B. Gillingham. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2016-05-24.

Memory system

Номер патента: US20020159284A1. Автор: Yoshinobu Nakagome,Yoji Nishio,Seiji Funaba. Владелец: Seiji Funaba. Дата публикации: 2002-10-31.

Systems and methods for memory system management based on thermal information of a memory system

Номер патента: US09767012B2. Автор: David A. Roberts,Robert Walker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20190006379A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-01-03.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US10418371B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-17.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US10103158B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-10-16.

Application partitioning for locality in a stacked memory system

Номер патента: US12099453B2. Автор: William James Dally,Carl Thomas Gray,Stephen W. Keckler,James Michael O'connor. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Memory system

Номер патента: US11086573B2. Автор: Masanobu Shirakawa,Marie Takada,Tsukasa TOKUTOMI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-08-10.

Vehicle memory system based on 3d memory and method operating thereof

Номер патента: US20220293202A1. Автор: Hong Yeol Lim,Myung Hyun Koo. Владелец: Hyundai AutoEver Corp. Дата публикации: 2022-09-15.

Memory systems including an input/output buffer circuit

Номер патента: US09971505B2. Автор: Kilsoo Kim,Jinman Han,Youngjin Jeon,Jeongdon Ihm. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Voltage regulator, memory system having the same and operating method thereof

Номер патента: US09886986B2. Автор: Ki Soo Kim,Jin Seong KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Voltage regulator, memory system having the same and operating method thereof

Номер патента: US09647538B2. Автор: Ki Soo Kim,Jin Seong KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Memory system and information processing system

Номер патента: US09852023B2. Автор: Naoaki Tsutsui. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Memory system having overwrite operation control method thereof

Номер патента: US09627388B2. Автор: Heewon Lee,Hee-Woong Kang,Suejin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Non-volatile memory device, a memory system that includes the non-volatile memory device, and an operating method of the non-volatile memory device

Номер патента: US11749356B2. Автор: Jinyoung Kim,Dongmin Shin,Sehwan Park,Youngdeok SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-05.

Memory device supporting a high-efficient input/output interface and a memory system including the memory device

Номер патента: US12061561B2. Автор: YoungHoon SON,Youngdon CHOI,Junghwan Choi,Jindo BYUN,Hyungmin Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Memory device supporting a high-efficient input/output interface and a memory system including the memory device

Номер патента: US20240370386A1. Автор: YoungHoon SON,Youngdon CHOI,Junghwan Choi,Jindo BYUN,Hyungmin Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Memory system design for signal integrity crosstalk reduction with asymmetry

Номер патента: US20200395051A1. Автор: Sunil Gupta. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-12-17.

Memory system design for signal integrity crosstalk reduction with asymmetry

Номер патента: EP3983926A1. Автор: Sunil Gupta. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-04-20.

Memory system design for signal integrity crosstalk reduction with asymmetry

Номер патента: WO2020252373A1. Автор: Sunil Gupta. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2020-12-17.

Apparatuses and methods for repairing memory devices including a plurality of memory die and an interface

Номер патента: US20190138412A1. Автор: Masashi Ogasawara. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-05-09.

Apparatuses and methods for repairing memory devices including a plurality of memory die and an interface

Номер патента: US20190213094A1. Автор: Masashi Ogasawara. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-07-11.

Memory system

Номер патента: US20230297272A1. Автор: Fuminori Kimura. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory system

Номер патента: US12131062B2. Автор: Fuminori Kimura. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Memory device having physical unclonable function and memory system including the memory device

Номер патента: EP4105933A1. Автор: Daeseok Byeon,Jooyong PARK,Pansuk Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-21.

Memory device having physical unclonable function and memory system including the memory device

Номер патента: US20240145002A1. Автор: Daeseok Byeon,Jooyong PARK,Pansuk Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Clock driver, operating method thereof, memory device including clock driver, and memory system

Номер патента: US20240248511A1. Автор: Bumsoo LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory system with point-to point request interconnect

Номер патента: EP4451270A2. Автор: Frederick A. Ware,Richard E. Perego. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-10-23.

Semiconductor memory device, controller, and memory system

Номер патента: US20200133768A1. Автор: Dae Hyun Kim,Jun Jin Kong,Myung Kyu Lee,Ki Jun LEE,Sung Hye Cho,Yong Gyu Chu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-30.

Memory system and memory control method

Номер патента: US20170255513A1. Автор: Toshitada Saito. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

Memory system with memory region read counts and a memory group read count and operating method thereof

Номер патента: US20200051647A1. Автор: Yong Il JUNG,Dae Seok SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-02-13.

Memory system that uses NAND flash memory as a memory chip

Номер патента: US11309051B2. Автор: Takehiko Amaki,Shohei Asami. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-04-19.

Semiconductor memory systems with on-die data buffering

Номер патента: US20240345971A1. Автор: Frederick A. Ware,Suresh Rajan,Mohammad Hekmat,Amir Amirkhany,Dinesh Patil. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor memory systems with on-die data buffering

Номер патента: US09501433B2. Автор: Frederick A. Ware,Suresh Rajan,Mohammad Hekmat,Amir Amirkhany,Dinesh Patil. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2016-11-22.

Apparatus and method for improving input/output throughput of memory system

Номер патента: US20210020208A1. Автор: Jeen PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-21.

Apparatus and method for improving input/output throughput of memory system

Номер патента: US20210241804A1. Автор: Jeen PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-05.

Semiconductor memory systems with on-die data buffering

Номер патента: US11960418B2. Автор: Frederick A. Ware,Suresh Rajan,Mohammad Hekmat,Amir Amirkhany,Dinesh Patil. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-04-16.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20180121096A1. Автор: Gi-Pyo UM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-03.

Memory system, memory controller and operating method thereof

Номер патента: US20210103406A1. Автор: Min Hwan MOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-08.

Operating method of memory system including memory controller and nonvolatile memory device

Номер патента: US20220208271A1. Автор: Joonsuc Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-30.

Operating method of memory system including memory controller and nonvolatile memory device

Номер патента: US11915763B2. Автор: Joonsuc Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-27.

Operating method of memory system including memory controller and nonvolatile memory device

Номер патента: EP3832468A1. Автор: Joonsuc Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-09.

Systems and methods for memory system management based on thermal information of a memory system

Номер патента: EP3588501A1. Автор: David A. Roberts,Robert Walker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-01.

Systems and methods for memory system management based on thermal information of a memory system

Номер патента: EP2972915A1. Автор: David A. Roberts,Robert Walker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-01-20.

Systems and methods for memory system management based on thermal information of a memory system

Номер патента: EP2972915B1. Автор: David A. Roberts,Robert Walker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-04.

Packaging of high performance system topology for NAND memory systems

Номер патента: US09728526B2. Автор: Eugene Jinglun Tam. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-08.

Stacked memory devices, and memory packages and memory systems having the same

Номер патента: US09747959B2. Автор: Seong-Min Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Memory bandwidth aggregation using simultaneous access of stacked semiconductor memory die

Номер патента: US09916877B2. Автор: Yohan Frans. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-03-13.

Memory bandwidth aggregation using simultaneous access of stacked semiconductor memory die

Номер патента: US12131796B2. Автор: Yohan Frans. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-10-29.

Using split word lines and switches for reducing capacitive loading on a memory system

Номер патента: US20240274179A1. Автор: Sheng-Chen Wang,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory module and memory system

Номер патента: US09990982B2. Автор: Hiroaki Ikeda,Yoshinori Matsui,Toshio Sugano. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2018-06-05.

Memory device reducing i/o signal lines through i/o mapping connection and memory system including the same

Номер патента: EP4398117A1. Автор: Sang-Won Park,Jooyong PARK,Bongsoon LIM,Seokmin Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-10.

Memory device reducing i/o signal lines through i/o mapping connection and memory system including the same

Номер патента: US20240232066A1. Автор: Sang-Won Park,Jooyong PARK,Bongsoon LIM,Seokmin Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Flexible memory system with a controller and a stack of memory

Номер патента: US11769534B2. Автор: Brent Keeth,Joe M. Jeddeloh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Memory System with Multi-Level Status Signaling and Method for Operating the Same

Номер патента: US20120182780A1. Автор: Steven Cheng. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2012-07-19.

Memory system with multi-level status signaling and method for operating the same

Номер патента: WO2011002626A1. Автор: Steven Cheng. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2011-01-06.

Memory system with multi-level status signaling and method for operating the same

Номер патента: EP2449474A1. Автор: Steven Cheng. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2012-05-09.

Flexible memory system with a controller and a stack of memory

Номер патента: US09679615B2. Автор: Brent Keeth,Joe M. Jeddeloh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: EP4383257A1. Автор: Dong Gi Lee,Chul-Hwan Choo,Yunkyeong Jeong,Yunseok YANG,Eungchang Lee,Seula RYU,Minhwan AN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-12.

Nonvolatile memory devices, operating methods thereof and memory systems including the same

Номер патента: US09747995B2. Автор: Jae-Hoon Jang,Jaehun Jeong,Hansoo Kim,Donghyuk Chae,Sun-Il Shim,Youngho Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Memory system having combined high density, low bandwidth and low density, high bandwidth memories

Номер патента: EP4432354A2. Автор: Farid Nemati,Sukalpa Biswas. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-09-18.

Memory dies, stacked memories, memory devices and methods

Номер патента: US20140241022A1. Автор: Yutaka Ito,Takuya Nakanishi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-08-28.

Memory dies, stacked memories, memory devices and methods

Номер патента: US20130229847A1. Автор: Yutaka Ito,Takuya Nakanishi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-09-05.

Memory system having improved signal integrity

Номер патента: US20110032740A1. Автор: Kwang-soo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-02-10.

Apparatuses and methods for repairing memory devices including a plurality of memory die and an interface

Номер патента: US20190213094A1. Автор: Masashi Ogasawara. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-07-11.

Error correcting memory systems

Номер патента: US12124332B2. Автор: Yu Lu,Richard Stewart,Chieh-Yu Lin. Владелец: Supermem Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Memory system

Номер патента: US20200089565A1. Автор: Teruo Takagiwa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Systems and methods for soft decision generation in a solid state memory system

Номер патента: US09941901B2. Автор: Zhengang Chen,Erich F. Haratsch,Yunxiang Wu. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-04-10.

Method and apparatus for encoding and decoding data in memory system

Номер патента: US09792176B2. Автор: Jun Jin Kong,Shay Landis,Avner Dor,Yaron Shany,Elona Erez,Evgeny BLAICHMAN,Moshe Twitto,Yoav Shereshevski. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Memory system

Номер патента: US20210064345A1. Автор: Norio Aoyama,Ryuji Nishikubo,Aurelien Nam Phong TRAN,Mel Stychen Sanchez TAN. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Memory device, a memory system and an operation method

Номер патента: US12056355B2. Автор: Ying Huang,Hongtao Liu,Ke Liang,Ling Chu,Zhipeng DONG,Manxi Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory system

Номер патента: US09929750B2. Автор: Yoshihisa Kojima,Erika KAKU. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Memory system includes a memory controller coupled to a non-volatile memory array configured to provide special write operation to write data in the non-volatile memory array before a board mount operation is applied and provde a regular write operation after a board mount operation is applied

Номер патента: US09798481B1. Автор: Chuen-Der Lien,Ming-Huei Shieh,Chi-Shun Lin. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Memory system

Номер патента: US20190287640A1. Автор: Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Apparatus and method for handling a data error in a memory system

Номер патента: US11762734B2. Автор: Jaeyoon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Memory system including an error correction function

Номер патента: US11003528B2. Автор: Daiki Watanabe,Yuchieh Lin. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-05-11.

Memory system

Номер патента: US12094541B2. Автор: Yoshihisa Kojima,Masanobu Shirakawa,Marie Takada,Kengo Kurose,Kiyotaka Iwasaki,Ryo Yamaki,Tsukasa TOKUTOMI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory device, a memory system and an operation method

Номер патента: US20240345728A1. Автор: Ying Huang,Hongtao Liu,Ke Liang,Ling Chu,Zhipeng DONG,Manxi Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory system with MLC memory cells and partial page compression or reduction

Номер патента: US09858994B2. Автор: Jun Jin Kong,Uri Beitler,Amit Berman. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Termination topology of memory system and associated memory module and control method

Номер патента: US09812187B2. Автор: Shang-Pin Chen,Bo-Wei Hsieh. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Memory system with error detection and retry modes of operation

Номер патента: US09665430B2. Автор: Frederick A. Ware,Mark A. Horowitz,Ely K. Tsern. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-05-30.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20200081774A1. Автор: Yuta Kumano,Hironori Uchikawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Multiple concurrent modulation schemes in a memory system

Номер патента: EP4411555A2. Автор: Robert Nasry Hasbun,Dean D. Gans,Jeffrey P. Wright,Timothy M. Hollis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

Multiple concurrent modulation schemes in a memory system

Номер патента: EP4411555A3. Автор: Robert Nasry Hasbun,Dean D. Gans,Jeffrey P. Wright,Timothy M. Hollis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-09.

Memory system, memory controller and memory control method

Номер патента: US09852022B2. Автор: Daiki Watanabe,Ryo Yamaki,Yuma YOSHINAGA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Memory system performing wear leveling using average erase count value and operating method thereof

Номер патента: US09805814B2. Автор: Jin-woong Kim,Byeong-Gyu PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Systems and methods for improving efficiencies of a memory system

Номер патента: US09696920B2. Автор: J. Thomas Pawlowski. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Systems and methods for reordering packet transmissions in a scalable memory system protocol

Номер патента: US09600191B2. Автор: J. Thomas Pawlowski. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Memory system and decoding method

Номер патента: US10778258B2. Автор: Daiki Watanabe. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-15.

Memory system and memory control method

Номер патента: US09876511B2. Автор: Yoshiyuki Sakamaki,Osamu Torii. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US09792172B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Memory controller, memory system, and memory control method

Номер патента: US12034459B2. Автор: Hiroshi Yao,Osamu Torii,Riki SUZUKI,Kiyotaka Iwasaki,Toshikatsu Hida. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Memory system

Номер патента: US12014794B2. Автор: Seiichi Tajima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Memory system

Номер патента: US20230026365A1. Автор: Seiichi Tajima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-01-26.

Memory device, memory system including the same, and method of operating the memory system

Номер патента: US20190237144A1. Автор: Kwang Su Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US09824763B2. Автор: Eu-Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Memory system and method for selecting memory dies to perform memory access operations in based on memory die temperatures

Номер патента: US09489146B2. Автор: Eran Erez. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-11-08.

Multi-pump memory system access circuits for sequentially executing parallel memory operations

Номер патента: WO2019051446A1. Автор: Francois Ibrahim Atallah,Jihoon Jeong,Keith Alan Bowman,Hoan Huu Nguyen. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-03-14.

Control method for requesting status of flash memory, flash memory system

Номер патента: US12086474B2. Автор: Shih Chou Juan,Min Zhi Ji. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory controller, memory system, and method of operating memory system

Номер патента: US20210005267A1. Автор: Min Kee Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-07.

Memory system, memory controller, and method for operating same

Номер патента: US20210173587A1. Автор: Woong Sik SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

Adaptive memory system for enhancing the performance of an external computing device

Номер патента: US09424182B2. Автор: Stephen V. R. Hellriegel,Louis Cameron Fisher,Mohammad S. Ahmadnia. Владелец: Mobile Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Memory system and method of operating memory system

Номер патента: US20240241646A1. Автор: Hyunseok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US12032854B2. Автор: Beom Rae JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Memory system related to clock synchronization

Номер патента: US20230305592A1. Автор: Sang Sic Yoon,Kyu Dong HWANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Memory system

Номер патента: US09786389B2. Автор: Chang-Hyun Kim,Jae-Jin Lee,Yong-Woo Lee,Min-Chang Kim,Do-Yun LEE,Hoe-Kwon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Memory system, memory module and method to backup and restore system using command address latency

Номер патента: US09471517B1. Автор: Hyun-Ju YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Nonvolatile memory system, system including the same, and method of adaptively adjusting user storage region in the same

Номер патента: US09460006B2. Автор: MOON Sang Kwon,Sang Hoon Choi,Hyung Jin Im,Jeong Uk Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Cross-threaded memory system

Номер патента: US20160275033A1. Автор: Frederick A. Ware,Kishore Kasamsetty. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2016-09-22.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20170344263A1. Автор: Young-Kyun Shin,Ki-Sung Kim,Keun-Hyung KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-30.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US20230079939A1. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-16.

Memory controller and memory system including the same

Номер патента: US20240202069A1. Автор: Sung-Joon Kim,Ho-Young Lee,Kyung-Hee Han,Kyung Jin Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US20200319953A1. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-08.

Memory system and method for operating the same

Номер патента: US20180107597A1. Автор: Yong-Ju Kim,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-19.

Memory controller, memory system including the memory controller, and method of operating the memory controller

Номер патента: US10719269B2. Автор: Dong Yeob CHUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-07-21.

Memory system including memory device and memory controller, and operating method thereof

Номер патента: US20230266893A1. Автор: Taehun Kim,Wooil Kim,Taewoo HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-24.

Memory system including memory device and memory controller, and operating method thereof

Номер патента: US12079491B2. Автор: Taehun Kim,Wooil Kim,Taewoo HAN. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Dongguk University. Дата публикации: 2024-09-03.

Fifo memory system and fifo memory control method

Номер патента: US20240078201A1. Автор: Liming Xiu,Xiangye Wei. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Method and apparatus for calibrating write timing in a memory system

Номер патента: US09881662B2. Автор: Steven C. Woo,Ian Shaeffer,Thomas J. Giovannini,Alok Gupta. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-01-30.

Memory systems that adjust an auto-refresh operation responsive to a self-refresh operation history

Номер патента: US09767050B2. Автор: Kwang-Il Park,Tae-Young Oh,Su-yeon Doo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Memory rank and ODT configuration in a memory system

Номер патента: US09747230B2. Автор: Amir Amirkhany,Ravindranath Kollipara,Minghui HAN,Ralf Michael SCHMITT. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-08-29.

Memory device, memory system including the same and operation method of the memory system

Номер патента: US09666297B1. Автор: Sang-Hyun Song,Chang-Wan Ha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Memory system

Номер патента: US09606928B2. Автор: Yasuyuki Eguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Synchronization and order detection in a memory system

Номер патента: US09594647B2. Автор: Gary A. Van Huben,Eric E. Retter,Patrick J. Meaney,Glenn D. Gilda,John S. Dodson,Stephen J. Powell,Brad W. Michael. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Method and apparatus for calibrating write timing in a memory system

Номер патента: US09552865B2. Автор: Steven C. Woo,Ian Shaeffer,Thomas J. Giovannini,Alok Gupta. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-01-24.

Synchronization and order detection in a memory system

Номер патента: US09495254B2. Автор: Gary A. Van Huben,Eric E. Retter,Patrick J. Meaney,Glenn D. Gilda,John S. Dodson,Stephen J. Powell,Brad W. Michael. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Memory system which transfers management information between first and second memories in a burst mode before a read process is performed on a third memory

Номер патента: US09483411B2. Автор: Erika Ikeda,Yoshihisa Kojima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Synchronization and order detection in a memory system

Номер патента: US09430418B2. Автор: Gary A. Van Huben,Eric E. Retter,Patrick J. Meaney,Glenn D. Gilda,John S. Dodson,Stephen J. Powell,Brad W. Michael. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20170301400A1. Автор: Eu-Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-19.

Memory system and memory device

Номер патента: US20190180800A1. Автор: Toshiya Matsuda,Hiroyuki Kawano,Kousuke Fujita. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Memory system and operation method of the same

Номер патента: US09990312B2. Автор: Jung-Hyun Kwon,Yong-Ju Kim,Sung-Eun Lee,Jing-Zhe Xu. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Memory system capable of generating notification signals

Номер патента: US09959185B2. Автор: Hsin-Wen Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Memory device, memory system including the same, operation method of the memory system

Номер патента: US09892778B1. Автор: Sang-Jin Byeon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Memory system

Номер патента: US20210183455A1. Автор: Hideki Yamada,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Packet routing between memory devices and related apparatuses, methods, and memory systems

Номер патента: US20240241641A1. Автор: John D. Leidel. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Memory system and control method of memory system

Номер патента: US20210082513A1. Автор: Masahiro Ogawa,Norio Aoyama. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20170052737A1. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-23.

Memory system including on-die termination and method of controlling on-die termination thereof

Номер патента: US20190050352A1. Автор: Sung-Joon Kim,Changho YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-02-14.

Memory system including on-die termination and method of controlling on-die termination thereof

Номер патента: US10108563B2. Автор: Sung-Joon Kim,Changho YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-10-23.

Memory system configured to determine a write voltage applied to memory cells based on the number of erase operations

Номер патента: US11501839B2. Автор: Hideki Yamada,Masanobu Shirakawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-11-15.

Memory system for controlling semiconductor memory devices through plurality of channels

Номер патента: US09841916B2. Автор: Sung Yeob Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Memory system with command mixing for timing control

Номер патента: US09754649B2. Автор: Tae-Young Oh,Seung-jun Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Memory system including memory buffer

Номер патента: US09696941B1. Автор: Won-ha Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Memory systems and methods for dynamically phase adjusting a write strobe and data to account for receive-clock drift

Номер патента: US09431090B2. Автор: Frederick A. Ware. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2016-08-30.

Non-volatile memory system and host configured to communicate with the same

Номер патента: US09430374B2. Автор: Jong-Won Lee,Woo-Young YANG,Han-Deok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US12093172B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory apparatus, memory system and memory controlling method

Номер патента: US09921779B2. Автор: Masaru Itoh,Yoshitsugu Goto,Osamu Ishibashi,Sadao Miyazaki,Jin Abe. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Memory system controlling peak current generation for a plurality of memories by synchronizing internal clock of each memory with a processor clock at different times to avoid peak current generation period overlapping

Номер патента: US09817434B2. Автор: Kye-Hyun Kyung,Jae-Yong Jeong,Seok-Cheon Kwon,Chul-ho Lee,Bo-Geun Kim,Seung-hun Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-14.

Memory system for write operation and method thereof

Номер патента: US20210240384A1. Автор: Siarhei Kryvaltsevich. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-05.

Memory system and data processing system including the same

Номер патента: US12073217B2. Автор: Dong Ha JUNG,Dong Uk Lee,Seung Gyu JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Memory system and data processing system including the same

Номер патента: US20240338215A1. Автор: Dong Ha JUNG,Dong Uk Lee,Seung Gyu JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Memory system and controller

Номер патента: US09804795B2. Автор: Norikazu Yoshida,Yoon Tze CHIN,Mitsuru ANAZAWA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Memory system with region-specific memory access scheduling

Номер патента: EP4462270A2. Автор: Yi Xu,Yuan Xie,Nuwan Jayasena. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-11-13.

Memory system and electronic device

Номер патента: US09620180B2. Автор: Young-Jin Cho,Oh-seong Kwon,Dong-yang Lee,Sun-Young Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-11.

Memory system

Номер патента: US20130290659A1. Автор: Shigehiro Asano,Junji Yano,Shinichi Kanno,Hidenori Matsuzaki,Kosuke Hatsuda,Toshikatsu Hida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-10-31.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200012603A1. Автор: Hae-Gi CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-01-09.

Memory system

Номер патента: EP2111583A1. Автор: designation of the inventor has not yet been filed The. Владелец: . Дата публикации: 2009-10-28.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US11163689B2. Автор: Hae-Gi CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-11-02.

Read/write device for a hard-disk memory system, and corresponding manufacturing process

Номер патента: US20230019422A1. Автор: Domenico Giusti,Marco Ferrera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-01-19.

Memory system and operating method of the same

Номер патента: US20210375347A1. Автор: Seungwon Lee,Daeseok Byeon,Youngmin Jo,Taehyo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-02.

Clock driver, operating method thereof, memory device including clock driver, and memory system

Номер патента: EP4407619A1. Автор: Bumsoo LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-31.

Read/write device for a hard-disk memory system, and corresponding manufacturing process

Номер патента: US20210166726A1. Автор: Domenico Giusti,Marco Ferrera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-06-03.

Memory die stack chip id-based command structure

Номер патента: US20240256188A1. Автор: Hari Giduturi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory system and operating method of memory system

Номер патента: US12093554B2. Автор: Hee Chan Shin,Young Ho AHN,Jae Gwang Lee,Gi Gyun Yoo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor memory system and method of repairing the semiconductor memory system

Номер патента: US20190303253A1. Автор: Jung Hyun Kwon,Wongyu SHIN,Seunggyu JEONG,Do Sun HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-03.

Memory die stack chip id-based command structure

Номер патента: US11972147B2. Автор: Hari Giduturi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-30.

Memory die stack chip id-based command structure

Номер патента: US20230333778A1. Автор: Hari Giduturi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Memory system and operating method of memory system

Номер патента: US12124718B2. Автор: Heung Tae Jin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Memory system for mirroring data

Номер патента: US09436563B2. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Diyanesh B. Chinnakkonda Vidyapoornachary,Gary A. Tressler. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Memory system

Номер патента: US20210208817A1. Автор: Choung Ki Song,Woo Jae SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-07-08.

Memory system, method for controlling magnetic memory, and device for controlling magnetic memory

Номер патента: US09720772B2. Автор: Hiroshi Sukegawa,Hiroshi Yao,Kohsuke Harada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Temperature compensation in a memory system

Номер патента: EP3844754A1. Автор: Shane Nowell,Sampath K. Ratnam,Vamsi Pavan Rayaprolu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-07.

Temperature compensation in a memory system

Номер патента: WO2020046970A1. Автор: Shane Nowell,Sampath K. Ratnam,Vamsi Pavan Rayaprolu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-03-05.

Controller, memory system, and operating methods thereof

Номер патента: US20210026767A1. Автор: Jeen PARK,Hyeong Ju NA. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Memory system

Номер патента: US20200090779A1. Автор: Kiwamu Watanabe,Masanobu Shirakawa,Kengo Kurose,Tsukasa TOKUTOMI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Memory system

Номер патента: US11152075B2. Автор: Kiwamu Watanabe,Masanobu Shirakawa,Kengo Kurose,Tsukasa TOKUTOMI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-10-19.

Memory system

Номер патента: US11756642B2. Автор: Kiwamu Watanabe,Masanobu Shirakawa,Kengo Kurose,Tsukasa TOKUTOMI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Memory system

Номер патента: US20230360714A1. Автор: Kiwamu Watanabe,Masanobu Shirakawa,Kengo Kurose,Tsukasa TOKUTOMI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-09.

Memory system

Номер патента: US11874738B2. Автор: Noboru Okamoto,Toshikatsu Hida. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-16.

Memory system

Номер патента: US20240111671A1. Автор: Masaki Fujiu,Akio SUGAHARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Staggered refresh counters for a memory device

Номер патента: US20210304814A1. Автор: James S. Rehmeyer,Christopher G. Wieduwilt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Peak power management connectivity check in a memory device

Номер патента: US11990197B2. Автор: Massimo Rossini,Eleuterio Mannella. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Peak power management connectivity check in a memory device

Номер патента: US20240257892A1. Автор: Massimo Rossini,Eleuterio Mannella. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Techniques for memory system refresh

Номер патента: US20230253024A1. Автор: QI Dong,Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Techniques for memory system refresh

Номер патента: US11961547B2. Автор: QI Dong,Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Identification and storage of boot information at a memory system

Номер патента: US12019884B2. Автор: Jonathan S. Parry,Luca Porzio,Giuseppe Cariello,Roberto IZZI,Reshmi Basu,Christian M. Gyllenskog. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor package including memory die stack having clock signal shared by lower and upper bytes

Номер патента: US20240038295A1. Автор: Taeyoung Oh,Youngdo Um,Hoseok Seol. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-01.

Memory system and method of operating the same

Номер патента: US11829645B2. Автор: Bongsoon LIM,Yonghyuk Choi,Jaeduk Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-28.

Memory system and method of operating the same

Номер патента: US20220156014A1. Автор: Bongsoon LIM,Yonghyuk Choi,Jaeduk Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-19.

Temperature-based scrambling for error control in memory systems

Номер патента: US20230168813A1. Автор: Christopher Joseph Bueb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-01.

Temperature-based scrambling for error control in memory systems

Номер патента: US11875039B2. Автор: Christopher Joseph Bueb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Detection of error patterns in memory dies

Номер патента: US20180260273A1. Автор: Gregg B. Lesartre,Craig Warner,Martin Foltin,Chris Michael Brueggen. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2018-09-13.

Memory system with memory region read counts and a memory group read count and operating method thereof

Номер патента: US20200051647A1. Автор: Yong Il JUNG,Dae Seok SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-02-13.

Method and apparatus for connecting memory dies to form a memory system

Номер патента: US20130193582A1. Автор: Byoung Jin Choi. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2013-08-01.

Truth table extension for stacked memory systems

Номер патента: US11934705B2. Автор: Joseph T. Pawlowski. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Truth table extension for stacked memory systems

Номер патента: US20230161508A1. Автор: Joseph T. Pawlowski. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-25.

Truth table extension for stacked memory systems

Номер патента: US20240220163A1. Автор: Joseph T. Pawlowski. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Memory system

Номер патента: US20240244839A1. Автор: Kazutaka IKEGAMI,Shingo NAKAZAWA,Hidehiro Shiga. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Memory system and nonvolatile memory

Номер патента: US20200303018A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Kazutaka Takizawa,Masaaki Niijima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Memory system

Номер патента: US09799406B2. Автор: Manabu Sato,Noboru Shibata,Hiroshi Sukegawa,Hiroshi Yao,Takahiro Shimizu,Daiki Watanabe,Naomi Takeda,Tokumasa Hara. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Flash memory system and word line interleaving method thereof

Номер патента: US09792990B2. Автор: Yongjune Kim,Junjin Kong,Hong Rak Son,Seonghyeog Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Method for manufacturing memory system including a storage device

Номер патента: US12148469B2. Автор: Tadashi Miyakawa,Katsuhiko Hoya. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-11-19.

Memory cells, methods of fabrication, semiconductor device structures, memory systems, and electronic systems

Номер патента: US09466787B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Witold Kula,Wayne I. Kinney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Non-volatile memory device and non-volatile memory system comprising the same

Номер патента: EP4117026A1. Автор: Jung-Hwan Lee,Jin-Soo Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-11.

Non-volatile memory device and non-volatile memory system comprising the same

Номер патента: US20230010192A1. Автор: Jung-Hwan Lee,Jin-Soo Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-12.

Memory system and semiconductor memory device

Номер патента: US10797073B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-10-06.

Magnetic memory cells, methods of fabrication, semiconductor devices, memory systems, and electronic systems

Номер патента: US09461242B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Witold Kula. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Methods of operating nonvolatile memory devices, and memory systems including nonvolatile memory devices

Номер патента: US09852795B2. Автор: Dong-ku Kang,Joon-Suc JANG,Sang-Yong Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US20210149581A1. Автор: Hyeon Cheol Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-05-20.

Memory system and power control circuit

Номер патента: US20240097570A1. Автор: Hajime Matsumoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Memory controller, an operation method thereof, a memory device, and a memory system

Номер патента: US20240212782A1. Автор: Sungjoon Kim,Changho YUN,Chaeeun LEE,Yukyoung KIM,Jongwon Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Memory system in which data is written to memory chips based on a distance from a memory controller

Номер патента: US09390000B2. Автор: Naoki Matsunaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-07-12.

Memory system and operating method of the same

Номер патента: US20240282349A1. Автор: Meng-Fan Chang,Win-San Khwa,Tai-Hao Wen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory module, memory system including the same and operation method thereof

Номер патента: US09627095B1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Yong-Ju Kim,Sung-Eun Lee,Jae-Sun Lee,Jing-Zhe Xu. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Nonvolatile memory devices, operating methods thereof and memory systems including the same

Номер патента: US20230268017A1. Автор: Jae-Hoon Jang,Jaehun Jeong,Hansoo Kim,Donghyuk Chae,Sun-Il Shim,Youngho Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-24.

Multiple-hot (multi-hot) bit decoding in a memory system for activating multiple memory locations in a memory for a memory access operation

Номер патента: US09830965B2. Автор: David Paul Hoff,Milind Ram KULKARNI. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Memory system with a bridge part provided between a memory and a controller

Номер патента: US09606738B2. Автор: Hideaki Yamazaki,Yasuyuki Eguchi,Jin Kashiwagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US12052034B2. Автор: Takahiro Kubota,Yuki Kondo. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Performing cryptographic functions at a memory system

Номер патента: US20230367489A1. Автор: Lance W. Dover. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20230387942A1. Автор: Takahiro Kubota,Yuki Kondo. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Memory system

Номер патента: US11909415B2. Автор: Yoshihisa Kojima,Riki SUZUKI,Masahiro Kiyooka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Memory device for correcting pulse duty and memory system including the same

Номер патента: US11837310B2. Автор: Jae Young Park,Kwan Su SHON,Yo Han JEONG,Eun Ji CHOI,Daeho YANG,Soon Sung AN,Gwan Woo KIM,Junseo JANG,Jaehyeong HONG,In Seok Kong,Sung Hwa Ok. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Memory System Performance Configuration

Номер патента: US20150052289A1. Автор: Preeti Yadav,Abhijeet Bhalerao,Barys Sarana,Frederick Fernandez,Namita Joshi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-02-19.

Memory system performance configuration

Номер патента: US09442842B2. Автор: Preeti Yadav,Abhijeet Bhalerao,Barys Sarana,Frederick Fernandez,Namita Joshi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-13.

System and method for initializing a memory system and memory device and processor-based system using same

Номер патента: WO2009009339A1. Автор: A. Kent Porterfield. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2009-01-15.

Memory system

Номер патента: US20140281154A1. Автор: Hajime Matsumoto,Daisuke Hashimoto,Toyokazu Eguchi,Daisuke Ide. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Memory system

Номер патента: US09460813B2. Автор: Hajime Matsumoto,Daisuke Hashimoto,Toyokazu Eguchi,Daisuke Ide. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Memory system and control method of memory system

Номер патента: US09940274B2. Автор: Masashi Nakata,Daisuke Nakata,Shigeo Kurakata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Molecular memory systems and methods

Номер патента: EP1374246A2. Автор: Yong Chen,Robert G Walmsley. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2004-01-02.

Molecular memory systems and methods

Номер патента: EP1374246B1. Автор: Yong Chen,Robert G Walmsley. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2007-05-09.

Apparatus and method for improving input/output throughput of memory system

Номер патента: US20210191625A1. Автор: Jeen PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-06-24.

Memory system having first and second memory devices and driving method thereof

Номер патента: US09552314B2. Автор: Dong-Hwi Kim,Sun-Young Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-24.

Memory controller, memory system having the same, and operating method thereof

Номер патента: US20190079860A1. Автор: Min Kee Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-03-14.

Power budget arbitration for multiple concurrent access operations in a memory device

Номер патента: US11775185B2. Автор: Luca De Santis,Walter Di Francesco,Ali Mohammadzadeh,Luca Nubile,Biagio Iorio,Yuanhang Cao,Fumin Gu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

SYSTEMS AND METHODS FOR MEMORY SYSTEM MANAGEMENT BASED ON THERMAL INFORMATION OF A MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20160259721A1. Автор: Roberts David A.,Walker Robert. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-08.

Method for controlling memory device asynchronously with respect to system clock, and related memory device and memory system

Номер патента: US20150287445A1. Автор: Tah-Kang Joseph Ting,Gyh-Bin Wang,Yung-Ching Hsieh. Владелец: PieceMakers Tech Inc. Дата публикации: 2015-10-08.

Method for controlling memory device asynchronously with respect to system clock, and related memory device and memory system

Номер патента: US09679622B2. Автор: Tah-Kang Joseph Ting,Gyh-Bin Wang,Yung-Ching Hsieh. Владелец: PieceMakers Tech Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Techniques to mitigate memory die misalignment

Номер патента: US20240347083A1. Автор: Xu Zhang,Jie Yang,Bin Zhao. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory system and peak power management for memory dies of the memory system

Номер патента: US11709535B2. Автор: Qiang Tang,Daesik Song. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-25.

Memory controller and memory system with data strobe signal calibration circuit

Номер патента: US20240302978A1. Автор: Seon Ha PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Base die, memory system, and semiconductor structure

Номер патента: US11983416B2. Автор: Shu-Liang NING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Logical counters for a memory system

Номер патента: US20240264904A1. Автор: Sai Krishna Mylavarapu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory system, memory controller, and method for operating memory system

Номер патента: US20210248032A1. Автор: Chul Sung KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-12.

Memory controller adjusting power, memory system including same, and operating method for memory system

Номер патента: US12086428B2. Автор: Hyunseok Kim,Jingyu HEO,Inhae KANG,Jaeyoul OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory system and method for power management using a token bucket

Номер патента: US09418712B1. Автор: Eran Erez. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-08-16.

Non-volatile memory systems and methods of managing power of the same

Номер патента: US09817596B2. Автор: Young Joon Choi,Hyo Jin Jeong,Jae-Hyeon Ju,Han Gu Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-14.

Non-volatile memory systems and methods of managing power of the same

Номер патента: US09465553B2. Автор: Young Joon Choi,Hyo Jin Jeong,Jae-Hyeon Ju,Han Gu Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Techniques to mitigate memory die misalignment

Номер патента: US20230360682A1. Автор: Xu Zhang,Jie Yang,Bin Zhao. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Techniques to mitigate memory die misalignment

Номер патента: US11955203B2. Автор: Xu Zhang,Jie Yang,Bin Zhao. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Operating method for memory system

Номер патента: EP4180917A2. Автор: Hyunseok Kim,Jingyu HEO,Inhae KANG,Jaeyoul OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-17.

Memory system, memory controller, and memory control method

Номер патента: US20200357472A1. Автор: Yi-Chun Liu,Yiching Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-12.

Memory system, memory controller, and memory control method

Номер патента: EP3736699A1. Автор: Yi-Chun Liu,Yiching Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-11.

Performance optimization of read functions in a memory system

Номер патента: US9542110B2. Автор: Saravanan Sethuraman,Timothy J. Dell,Diyanesh B.C. Vidyapoornachary. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Operating method for memory system

Номер патента: EP4180917A3. Автор: Hyunseok Kim,Jingyu HEO,Inhae KANG,Jaeyoul OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-18.

Adaptive temperature protection for a memory controller

Номер патента: US12050780B2. Автор: Federica Cresci,Massimiliano Patriarca. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Memory System and Method for Power Management for Reducing a Variable Credit Value By a Computed Consumed Energy Value for Each Corresponding Updated Cycle

Номер патента: US20170192722A1. Автор: Eran Erez. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-07-06.

Testing operations for memory systems

Номер патента: US12067257B2. Автор: Yuan He,Sujeet V. Ayyapureddi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory system and method for power management for reducing a variable credit value by a computed consumed energy value for each corresponding updated cycle

Номер патента: US09678558B2. Автор: Eran Erez. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-06-13.

Systems and methods for immediate physical erasure of data stored in a memory system in response to a user command

Номер патента: US09658788B2. Автор: Konstantin Stelmakh,Gabi Brontvein,Menaham Lasser,Long Cuu Pham. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-23.

Performance optimization of read functions in a memory system

Номер патента: US09547449B2. Автор: Saravanan Sethuraman,Timothy J. Dell,Diyanesh B. C. Vidyapoornachary. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Memory system and method

Номер патента: US20230315312A1. Автор: Kenji Takahashi,Makoto Kuribara,Shin TAKASAKA,Rintaro ARAI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Performance optimization of read functions in a memory system

Номер патента: US20160132412A1. Автор: Saravanan Sethuraman,Timothy J. Dell,Diyanesh B.C. Vidyapoornachary. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-12.

Non-volative memory system configured to mitigate errors in read and write operations

Номер патента: EP4266311A2. Автор: Soenke Ostertun. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-10-25.

Non-volative memory system configured to mitigate errors in read and write operations

Номер патента: EP4266311A3. Автор: Soenke Ostertun. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-01-03.

Managing open blocks in memory systems

Номер патента: US11340980B2. Автор: Zheng Wu,Yi-Chun Liu,Wei Jie Chen,Ching Ting Lu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-24.

Techniques associated with a read and write window budget for a two level memory system

Номер патента: EP2901286A1. Автор: Prashant Damle,Kiran Pangal. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-08-05.

Memory system and operating method of the memory system

Номер патента: US20210098071A1. Автор: Ju Hyeon HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Memory device, memory system including the memory device, and method of operating the memory system

Номер патента: US20200133501A1. Автор: Hyun Woo Lee,Young Gyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-04-30.

Memory system and operating method of memory system

Номер патента: US09996277B2. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Non-volatile memory device, memory system including the same and read method of memory system

Номер патента: US12020755B2. Автор: Sung Hun Kim,Hyo Jae Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Memory system, method of controlling memory system having volatile memory and nonvolatile memory, and controller

Номер патента: US20160266638A1. Автор: Toshikatsu Hida,Shohei Asami,Mitsuru ANAZAWA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Memory system and operation method of the memory system

Номер патента: US20230152981A1. Автор: In Jong Jang,Kyu Min LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

Memory system

Номер патента: US20210158885A1. Автор: Hongseok Kim,EHyun NAM,Kyoungseok RHA. Владелец: Fadu Inc. Дата публикации: 2021-05-27.

Non-volatile memory device, memory system including the same and read method of memory system

Номер патента: US20240304260A1. Автор: Sung Hun Kim,Hyo Jae Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory system and method of operating the same

Номер патента: US20210247933A1. Автор: Jung Sik Choi,Na Ra Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-12.

Memory system and data encoding and decoding method to mitigate inter-cell interference

Номер патента: US09984752B2. Автор: Hironori Uchikawa,Kenji Sakurada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Memory system that handles access to bad blocks

Номер патента: US09728275B2. Автор: Tetsuya Iwata,Shinya Takeda,Yoshio Furuyama,Shunsuke KODERA,Toshihiko KITAZUME,Kenichirou KADA,Nobuhiro Tsuji,Hirosuke NARAI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Memory system, method of controlling memory system having volatile memory and nonvolatile memory, and controller

Номер патента: US09568987B2. Автор: Toshikatsu Hida,Shohei Asami,Mitsuru ANAZAWA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Memory system and method of operating the memory system

Номер патента: US09477410B2. Автор: Jae-Hong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-25.

Memory systems and methods of managing failed memory cells of semiconductor memories

Номер патента: US09330791B2. Автор: Sangyeun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-03.

Memory system and peak power management for memory dies of the memory system

Номер патента: US20220276684A1. Автор: Qiang Tang,Daesik Song. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-01.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US10818365B2. Автор: Jung-Hyun Kwon,Seung-Gyu JEONG,Do-Sun HONG,Won-Gyu SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-10-27.

Phase change memory system, phase change memory device, and phase change memory device refresh method

Номер патента: US20210118500A1. Автор: Kwang Jin Lee,Yoon Sung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-22.

Memory controller and memory system including adjustment of scrub cycle rate

Номер патента: EP4390939A2. Автор: Sung-Joon Kim,Ho-Young Lee,Kyung-Hee Han,Kyung Jin Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-26.

Memory system including a non-volatile memory chip and method for performing a read operation on the non-volatile memory chip

Номер патента: US20210349664A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Suguru NISHIKAWA,Riki SUZUKI,Marie Sia. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20210241834A1. Автор: Sang Sik Kim,Dae Sung Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-05.

Memory system capable of enhancing writing protection and related method

Номер патента: US20110289259A1. Автор: Hsu-Ming Lee. Владелец: Wistron Corp. Дата публикации: 2011-11-24.

Memory system

Номер патента: US20180276073A1. Автор: Takashi Ide,Yoshihisa Kojima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20190237150A1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Seung-Gyu JEONG,Do-Sun HONG,Won-Gyu SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

Memory system and operating method thereof for performing urgent fine program operation

Номер патента: US12056367B2. Автор: Sang Sik Kim,Chung Un NA. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory systems having memory devices therein with enhanced error correction capability and methods of operating same

Номер патента: US12057184B2. Автор: Junhyung Kim,Kijun Lee,Sanguhn CHA,Sunghye CHO,Myungkyu Lee,Kiheung KIM,Sungrae Kim,Changyong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory system and control method of memory system

Номер патента: US12046272B2. Автор: Mel Stychen Sanchez TAN. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Memory system capable of enhancing writing protection and related method

Номер патента: US8650366B2. Автор: Hsu-Ming Lee. Владелец: Wistron Corp. Дата публикации: 2014-02-11.

Memory controlling device and memory system including the same

Номер патента: US20200004669A1. Автор: Myoungsoo Jung,Gyuyoung PARK. Владелец: Memray Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Memory systems having memory devices therein with enhanced error correction capability and methods of operating same

Номер патента: US20240339168A1. Автор: Junhyung Kim,Kijun Lee,Sanguhn CHA,Sunghye CHO,Myungkyu Lee,Kiheung KIM,Sungrae Kim,Changyong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-10.

Managing operations in memory systems

Номер патента: EP4453707A1. Автор: Weilin Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-30.

Off-memory-module ECC-supplemental memory system

Номер патента: US09921911B2. Автор: Siamak Tavallaei,Matthew SCHUMACHER,Chanh HUA,Harvey White, JR.. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2018-03-20.

Device and memory system for storing and recovering page table data upon power loss

Номер патента: US09910602B2. Автор: Yutaka Yamada,Hideki Yoshida,Tatsunori Kanai,Masaya Tarui. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Nonvolatile memory system using control signals to transmit varied signals via data pins

Номер патента: US09886378B2. Автор: Hyotaek Leem. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09772803B2. Автор: So-Young Kim,Bu-Il Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Memory system and read reclaim method thereof

Номер патента: US09672104B2. Автор: Bong-Gwan Seol,Hwan-Chung Kim,Young Woo Jung,Eunju Park,Kyoungkuy Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Memory system and electronic device including memory system

Номер патента: US09575759B2. Автор: Sang-Yeun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Memory system and read reclaim method thereof

Номер патента: US09431117B2. Автор: Bong-Gwan Seol,Hwan-Chung Kim,Young Woo Jung,Eunju Park,Kyoungkuy Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Memory system for accurately predicting power required for sequential command operations performed in memory device, and operation method thereof

Номер патента: US20210278999A1. Автор: Dong Yeob CHUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-09.

Memory system and operating method of the memory system

Номер патента: US20190066794A1. Автор: Jong Woo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Memory system

Номер патента: US20210295931A1. Автор: Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory during command processing without replacing defective blocks

Номер патента: US12038834B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20190198119A1. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Memory system

Номер патента: US20170301402A1. Автор: Katsuhiko Ueki,Yoshihisa Kojima,Makoto Kuribara. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-19.

Memory system including a memory controller

Номер патента: US11995334B2. Автор: Jae-Han Park,Hyun-Woo KWACK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Page buffer, memory device including page buffer and memory system including memory device

Номер патента: US20240177786A1. Автор: Kang Woo Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Memory system and memory controller

Номер патента: US20120151123A1. Автор: Haruki Toda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-06-14.

Memory system, control method, and power control circuit

Номер патента: US20230010785A1. Автор: Takashi Ooshima,Megumi Shibatani. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-01-12.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20170287564A1. Автор: Byoung Jun PARK,Seong Jo Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-05.

Operating method of memory system including nand flash memory, variable resistance memory and controller

Номер патента: US20160004469A1. Автор: Eun-Jin Yun,BoGeun Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-01-07.

Memory system

Номер патента: US11740965B2. Автор: Yoshihisa Kojima,Suguru NISHIKAWA,Takehiko Amaki,Shunichi IGAHARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Memory system with a zoned namespace and an operating method thereof

Номер патента: US20220261180A1. Автор: Hee Chan Shin,Yong Seok Oh,Young Ho AHN,Jhu Yeong Jhin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-08-18.

Memory system and method of performing background operation

Номер патента: US20240289039A1. Автор: Yong Seok WON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20180068731A1. Автор: Soo-Nyun KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-08.

Memory system and method of operating the same

Номер патента: US12079488B2. Автор: Kwanho KIM,Jehyun PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory system

Номер патента: US20240282389A1. Автор: Hiroyuki Nagashima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory system with a zoned namespace and an operating method thereof

Номер патента: US12118237B2. Автор: Hee Chan Shin,Yong Seok Oh,Young Ho AHN,Jhu Yeong Jhin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Memory system for reducing program preparation operation time and operation method thereof

Номер патента: US09984001B2. Автор: Jin-woong Kim,Jong-Min Lee,Byoung-Sung YOU. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Memory system

Номер патента: US09965214B2. Автор: Jae-Han Park,Hyun-Woo KWACK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Memory system

Номер патента: US09928138B2. Автор: Katsuhiko Ueki,Yoshihisa Kojima,Shinichiro Nakazumi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US09891848B2. Автор: Hiroshi Yao,Osamu Torii,Tokumasa Hara,Kenichiro Yoshii,Riki SUZUKI,Toshikatsu Hida,Shohei Asami. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Resistive memory device, resistive memory system, and method of operating the resistive memory system

Номер патента: US09881671B2. Автор: Jun Jin Kong,Eun Chu Oh,Hong-rak Son,Young-Geon YOO,Han-Shin Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-30.

Memory system with non-volatile memory device that is capable of single or simulataneous multiple word line selection

Номер патента: US09865351B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Memory system includes a memory controller

Номер патента: US09841922B2. Автор: Jae-Han Park,Hyun-Woo KWACK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Memory chip, memory system, and method of accessing the memory chip

Номер патента: US09830083B2. Автор: Chul-Sung Park,Joo-Sun Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Method of operation for a nonvolatile memory system and method of operating a memory controller

Номер патента: US09778851B2. Автор: Young-Ho Park,Chanik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Memory system performing read of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09767913B2. Автор: Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Memory system, memory module, and methods of operating the same

Номер патента: US09753651B2. Автор: Jung-hwan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Nonvolatile memory system including nonvolatile memory device and memory controller and operating method of memory controller

Номер патента: US09741441B2. Автор: Kyungryun Kim,Sangyong Yoon,Kiwhan Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-22.

Nonvolatile memory system and operation method of a memory controller that manages page serial numbers according to program elapsed times of pages

Номер патента: US09727250B2. Автор: In-Hwan Choi,Bomi KIM,Byungjune SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Memory system

Номер патента: US09711240B2. Автор: Katsuhiko Ueki,Yoshihisa Kojima,Makoto Kuribara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Memory system

Номер патента: US09569111B2. Автор: Shinken Okamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Nonvolatile memory system with block managing unit and method of operating the same

Номер патента: US09484104B2. Автор: Byung-Ki Lee,Hee-Tai Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-01.

Nonvolatile memory system including nonvolatile memory device and memory controller and operating method of memory controller

Номер патента: US09449695B2. Автор: Kyungryun Kim,Sangyong Yoon,Kiwhan Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-20.

Memory controller calculating optimal read level, memory system including the same, and operating method of memory controller

Номер патента: US20230057932A1. Автор: Dongmin Shin,Wijik LEE,Hongrak Son,Kwanwoo NOH,Seonghyeog Choi,Hyeonjong Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-23.

Memory system and method for detecting error section and reprocessing tasks

Номер патента: US10416908B2. Автор: Jeen PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-09-17.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20210255781A1. Автор: Chol Su CHAE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-19.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20210295933A1. Автор: Eui Cheol Lim,Myoung Seo KIM,Mi Seon HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor memory devices, memory systems including the same and methods of operating memory systems

Номер патента: US11994948B2. Автор: Ho-young Song,Hyun-Joong Kim,Hoi-Ju CHUNG,Sang-Uhn CHA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-28.

Fault tolerant memory system

Номер патента: US20200034230A1. Автор: Roxana RUSITORU,Jonathan Curtis Beard,Reiley JEYAPAUL. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2020-01-30.

Memory system

Номер патента: US20240005969A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Shohei Asami. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Memory system and method for operating the same

Номер патента: US20180150247A1. Автор: Jeen PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-31.

Memory system

Номер патента: US12046300B2. Автор: Tomoya Kamata,Yoshihisa Kojima,Suguru NISHIKAWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Spare substitution in memory system

Номер патента: US12093129B2. Автор: Joseph Thomas Pawlowski. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory system and non-volatile memory

Номер патента: US20240311294A1. Автор: Mitsuaki Honma,Daisuke Arizono,Keisuke Azuma. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory system and non-volatile memory

Номер патента: EP4439300A1. Автор: Mitsuaki Honma,Daisuke Arizono,Keisuke Azuma. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-02.

Memory controller calculating optimal read level, memory system including the same, and operating method of memory controller

Номер патента: US12067287B2. Автор: Dongmin Shin,Wijik LEE,Hongrak Son,Kwanwoo NOH,Seonghyeog Choi,Hyeonjong Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory system and method including determining a read voltage based on program order information and a plurality of mapping tables

Номер патента: US09921749B2. Автор: Kyung-Ryun Kim,Joon-Suc JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-20.

Nonvolatile memory system and data recovery method thereof

Номер патента: US09824778B2. Автор: Hyung-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Memory system including a memory device, and methods of operating the memory system and the memory device

Номер патента: US09728279B2. Автор: Sang-Yong Yoon,Hye-Jin Yim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Operation method of nonvolatile memory system and operation method of user system including the same

Номер патента: US09696911B2. Автор: Hyun-Ju Kim,Young Woo Jung,Jeonghoon Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Operation method of nonvolatile memory system

Номер патента: US09690654B2. Автор: Sangkwon Moon,Heewon Lee,Suejin Kim,Hyery No. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Programming dummy data into bad pages of a memory system and operating method thereof

Номер патента: US09570177B2. Автор: Haegi CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Memory system and memory control method

Номер патента: US09460781B1. Автор: Taku Ooneda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Memory system

Номер патента: US09442797B2. Автор: Beom Ju Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200089581A1. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-03-19.

Memory system

Номер патента: US20220391130A1. Автор: Terufumi Takasaki,Kenji Sakaue,Taro IWASHIRO,Sachiyo MIYAMOTO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-12-08.

Memory system, operating method thereof, and electronic device

Номер патента: US20190347196A1. Автор: Kyung Min Kim,Dae Hong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Memory system performing performance adjusting operation

Номер патента: US20230063640A1. Автор: Duksoo Kim,Doil Kong,Daesung CHEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-02.

Memory system for accessing data in stripe form and operating method thereof

Номер патента: US20210382787A1. Автор: Dong Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Memory system

Номер патента: US20230259287A1. Автор: Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Memory system and controller

Номер патента: US9478293B2. Автор: Toshihiro Suzuki,Masanobu Shirakawa,Tetsufumi YANAGIDA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Memory system

Номер патента: US20190286571A1. Автор: Takayuki Mori,Satoshi Kaburaki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Memory system and memory control method

Номер патента: US10388402B2. Автор: Sang Min Lee,Jae Hyung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-08-20.

Memory module with reduced ecc overhead and memory system

Номер патента: US20220093203A1. Автор: Jangseok Choi,Taekwoon Kim,Wonhyung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-24.

Memory controller and memory system

Номер патента: US20220147273A1. Автор: Won Gyu SHIN,Ju Yeong YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-05-12.

Memory and memory system inclduing the memory

Номер патента: US20230282302A1. Автор: Hoiju CHUNG,Yoonna OH,Sang Woo YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200192759A1. Автор: Yong-Tae Kim,Duck-Hoi KOO,Soong-Sun SHIN,Nam Oh HWANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-06-18.

Operating method of semiconductor memory device, controller, and memory system having the same

Номер патента: US11550495B2. Автор: Ju Hee Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-01-10.

Memory system

Номер патента: US12079060B2. Автор: Akihiro Kimura,Hiroki Matsushita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory system and memory control method

Номер патента: US20160267966A1. Автор: Taku Ooneda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Controller and memory system for refreshing memory based on fail bits and temperature

Номер патента: US11742015B2. Автор: Min Kang,Dong Keun Kim,Jun Hyun Chun,Dong Uc KO,Young Su OH,Hyun Ju YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Memory system and management table

Номер патента: US09996139B2. Автор: Akihiro Kimura,Hiroki Matsushita. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Memory system including key-value store

Номер патента: US09953107B2. Автор: Atsuhiro Kinoshita,Kosuke Tatsumura,Takao Marukame. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Memory device, memory system, and method of operating the device

Номер патента: US09904491B2. Автор: Dong-Uk Kim,Jin-Ho Yi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Memory system with multiple programming modes

Номер патента: US09852802B2. Автор: Sang-Wook Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

Memory system

Номер патента: US09685242B2. Автор: Mitsuhiko Sugiyama,Katsuhiko Ueki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Memory system

Номер патента: US09652377B2. Автор: Akihiro Kimura,Hiroki Matsushita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09575880B2. Автор: Yong Deok Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Memory system and method of controlling memory system

Номер патента: US09465537B2. Автор: Norio Aoyama,Ryuji Nishikubo,Hiroki Matsudaira. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Apparatus and method for handling error in volatile memory of memory system

Номер патента: US20200226039A1. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-07-16.

Memory system

Номер патента: EP2248026A1. Автор: Junji Yano,Hidenori Matsuzaki,Kosuke Hatsuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-11-10.

Memory system

Номер патента: US20110185108A1. Автор: Junji Yano,Hidenori Matsuzaki,Kosuke Hatsuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-07-28.

Memory system

Номер патента: WO2009107505A1. Автор: Junji Yano,Hidenori Matsuzaki,Kosuke Hatsuda. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2009-09-03.

Memory system

Номер патента: US20140237320A1. Автор: Junji Yano,Hidenori Matsuzaki,Kosuke Hatsuda,Hiroki Matsudaira. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-21.

Memory system managing number of read operations using two counters

Номер патента: US20230280943A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Suguru NISHIKAWA,Takehiko Amaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Memory system

Номер патента: US20230282257A1. Автор: Zhao Lu,Yuji Nagai,Mitsuhiro Abe,Hisashi Fujikawa,Akio SUGAHARA,Takehisa KUROSAWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Memory system

Номер патента: US20180081542A1. Автор: Masanobu Shirakawa,Kenji Sakurada,Hitoshi Shiga. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-22.

Page retirement in a nand flash memory system

Номер патента: US20190163592A1. Автор: Roman A. Pletka,Charles J. Camp,Andrew D. Walls,Ioannis Koltsidas. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-30.

Semiconductor memory device with memory cell having charge accumulation layer and control gate and memory system

Номер патента: US20100271876A1. Автор: Tomoji Takada,Hidetaka Tsuji. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-10-28.

Memory system storing management information and method of controlling same

Номер патента: US9164896B2. Автор: Junji Yano,Hidenori Matsuzaki,Kosuke Hatsuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-10-20.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US20150089327A1. Автор: Chul-woo Park,Hak-soo Yu,Jae-Youn Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-03-26.

Memory system

Номер патента: US11749333B2. Автор: Woongrae Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Memory system

Номер патента: US20030177331A1. Автор: Hiroyuki Yamauchi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-18.

Memory system processing request based on inference and operating method of the same

Номер патента: US20210366562A1. Автор: Kangho Roh,Hyunkyo Oh,Jinbaek SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-25.

Memory system and method for managing number of read operations using two counters

Номер патента: US12050812B2. Автор: Yoshihisa Kojima,Suguru NISHIKAWA,Takehiko Amaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Memory system with address conversion based on inherent performance condition

Номер патента: US20020112138A1. Автор: Hiroyuki Yamauchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-15.

Controller and memory system having the same

Номер патента: US20220165329A1. Автор: Min Kang,Dong Keun Kim,Jun Hyun Chun,Dong Uc KO,Young Su OH,Hyun Ju YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-05-26.

Memory system storing management information and method of controlling same

Номер патента: US20240281149A1. Автор: Junji Yano,Hidenori Matsuzaki,Kosuke Hatsuda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Non-volatile memory and memory system

Номер патента: US20240274219A1. Автор: Mitsuaki Honma. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Non-volatile memory and memory system

Номер патента: EP4418122A1. Автор: Mitsuaki Honma. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-21.

Memory system

Номер патента: US12087396B2. Автор: Zhao Lu,Yuji Nagai,Mitsuhiro Abe,Hisashi Fujikawa,Akio SUGAHARA,Takehisa KUROSAWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory system

Номер патента: US20240311232A1. Автор: Masahiro Saito,Kiwamu Watanabe,Yoshiki Takai,Yuko NODA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory system and method of operating the same

Номер патента: US09940030B2. Автор: Won Sun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Memory system, memory controller and memory control method

Номер патента: US09927990B2. Автор: Osamu Torii,Tokumasa Hara,Hironori Uchikawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US09886381B2. Автор: Eun-Soo Jang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US09798480B2. Автор: Jeen PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor memory devices, memory systems including the same and method of correcting errors in the same

Номер патента: US09786387B2. Автор: Kwang-Il Park,Seong-Jin Jang,Jong-Pil Son,Hoi-Ju CHUNG,Sang-Uhn CHA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US09785383B2. Автор: Riki SUZUKI,Toshikatsu Hida,Takehiko Amaki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US09754675B2. Автор: Jong-Ju PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Recording dwell time in a non-volatile memory system

Номер патента: US09684468B2. Автор: Timothy J. Fisher. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor memory device, memory system and access method to semiconductor memory device

Номер патента: US09633705B2. Автор: Yoshihiro Ueda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Memory system including nonvolatile memory and memory controller and programming method for programming data into nonvolatile memory

Номер патента: US09607688B2. Автор: Donghun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US09460816B2. Автор: Chul-woo Park,Hak-soo Yu,Jae-Youn Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Memory system and peak power management for memory dies of the memory system

Номер патента: US11880257B2. Автор: Qiang Tang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-23.

Memory, memory system, and operation method of memory

Номер патента: US20210397513A1. Автор: Munseon JANG,Hoiju CHUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Integrated circuit memory devices having efficient row hammer management and memory systems including the same

Номер патента: US20240233798A9. Автор: Kijun Lee,Sunghye CHO,Myungkyu Lee,Kyomin Sohn,Eunae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory system and method of operating method thereof

Номер патента: US20220012181A1. Автор: Yeong Dong GIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Memory system and method for read operation based on grouping of word lines

Номер патента: US20200185040A1. Автор: Fan Zhang,Naveen Kumar,Yu Cai,Aman BHATIA,Chenrong Xiong,Xuanxuan Lu. Владелец: SK Hynix Memory Solutions America Inc. Дата публикации: 2020-06-11.

Apparatus and method for performing recovery operation of memory system

Номер патента: US20200159455A1. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-05-21.

Memory device, memory system, and operation method thereof

Номер патента: US10740226B2. Автор: Jung-Hyun Kwon,Sung-Eun Lee,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-08-11.

Memory device, memory system, and operation method thereof

Номер патента: US20180210826A1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Sung-Eun Lee,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-07-26.

Memory device, a controller for controlling the same, a memory system including the same, and a method of operating the same

Номер патента: US20220068366A1. Автор: Sukhan Lee,Seongil O,Namsung KIM,Jaeyoun Youn,Youngcheon Kwon,Kyomin Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor memory device with memory cell having charge accumulation layer and control gate and memory system

Номер патента: US20090010057A1. Автор: Tomoji Takada,Hidetaka Tsuji. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-08.

Memory devices, memory systems and methods of operating memory devices

Номер патента: US20200211671A1. Автор: Yong-Jun Lee,Tae-Hui Na,Chea-Ouk Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-02.

Memory system and method for optimizing read threshold

Номер патента: US20200027519A1. Автор: Fan Zhang,Yu Cai,Chenrong Xiong,Xuanxuan Lu. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-01-23.

Apparatus and method for performing recovery operation of memory system

Номер патента: US20210382660A1. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Memory controller, memory system including the same, and operation method of memory controller

Номер патента: US20240272808A1. Автор: Younsoo Cheon,Haedong No,Youjin JEON,Minjin JO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Nonvolatile memory device for invalidating data stored therein, memory system including the same, and operating method thereof

Номер патента: US20200090746A1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Sang-Gu JO,Jae-Min Jang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-03-19.

Memory system

Номер патента: US20200409610A1. Автор: Hajime Yamazaki,Yasunori Nakamura,Takahiro Miomo,Prashob Ramachandran Nair,Makoto DOMON. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-12-31.

Memory system in which extended function can easily be set

Номер патента: USRE50101E1. Автор: Hiroyuki Sakamoto,Akihisa Fujimoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Memory device, memory system, and program operation method thereof

Номер патента: US12093535B2. Автор: Hongtao Liu,XiangNan Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US12118221B2. Автор: Taeyoung Oh,Kyungho Lee,Jongcheol Kim,Kiheung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Memory device, memory system, and program operation method thereof

Номер патента: EP4441740A1. Автор: Hongtao Liu,XiangNan Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Memory system for assuring reliability

Номер патента: US20220011956A1. Автор: Jeong Hyun Yoon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US09983916B2. Автор: Kwang-su Kim,Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US09946586B2. Автор: Jun-Seo Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Memory device performing hammer refresh operation and memory system including the same

Номер патента: US09892779B2. Автор: Hui-Kap YANG,Kyu-Chang KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Memory system

Номер патента: US20230087475A1. Автор: Akira Katayama. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Memory system

Номер патента: US20230410853A1. Автор: Akira Katayama,Kosuke Hatsuda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Memory system

Номер патента: US11908518B2. Автор: Akira Katayama. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Read/write device for a hard-disk memory system, and corresponding manufacturing process

Номер патента: US11810604B2. Автор: Domenico Giusti,Marco Ferrera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-11-07.

Enhanced performance memory systems and methods

Номер патента: WO2009032152A1. Автор: David K. Ovard,Roy E. Greeff. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2009-03-12.

Enhanced performance memory systems and methods

Номер патента: US9154131B2. Автор: David K. Ovard,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-10-06.

Enhanced performance memory systems and methods

Номер патента: US8400810B2. Автор: David K. Ovard,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-03-19.

Memory system, operating method of the memory system, and interface circuit of the memory system

Номер патента: US20240282378A1. Автор: ChiWeon Yoon,Anil KAVALA,Youngmin Jo,Jungjune PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Superconducting memory system with stacked drivers and differential transformers

Номер патента: EP3766069A1. Автор: Donald L. Miller,Quentin P. Herr,Randall M. Burnett,Henry Y. Luo. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2021-01-20.

Memory system, information processing apparatus, and information processing system

Номер патента: US11775184B2. Автор: Teruji Yamakawa,Kentaro Umesawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Memory system and method for error correction of memory

Номер патента: US09886340B2. Автор: Jung Ho Ahn,Namsung KIM. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2018-02-06.

Memory controllers and memory systems including the same

Номер патента: US20240178861A1. Автор: Daehyun Kim,Jiho Kim,Kijun Lee,Sunghye CHO,Myungkyu Lee,Kyomin Sohn,Seongmuk Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-30.

Memory system

Номер патента: US09607703B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Memory system

Номер патента: US20220068402A1. Автор: Hideki Yamada,Masanobu Shirakawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Systems and methods for soft data utilization in a solid state memory system

Номер патента: US20160085623A1. Автор: Yu Cai,Erich F. Haratsch,Yunxiang Wu. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2016-03-24.

Systems and methods for soft data utilization in a solid state memory system

Номер патента: US09575832B2. Автор: Yu Cai,Erich F. Haratsch,Yunxiang Wu. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-02-21.

System and method of interfacing co-processors and input/output devices via a main memory system

Номер патента: US09444495B2. Автор: Riccardo Badalone,Michael L. Takefman,Maher Amer. Владелец: Diablo Technologies Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Memory system with small size antifuse circuit capable of voltage boost

Номер патента: US09741446B2. Автор: Wei-Wu Liao. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Memory system allowing host to easily transmit and receive data

Номер патента: US09712636B2. Автор: Kuniaki Ito,Takashi Wakutsu,Shuichi Sakurai,Yasufumi Tsumagari. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Memory system

Номер патента: US20210081275A1. Автор: Yuta Kumano,Hironori Uchikawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Memory system

Номер патента: US20230223090A1. Автор: Masanobu Shirakawa,Marie Takada,Tsukasa TOKUTOMI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

Memory system capable of controlling wireless communication function

Номер патента: US20160299696A1. Автор: Kuniaki Ito,Takashi Wakutsu,Shuichi Sakurai,Yasufumi Tsumagari. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-13.

Memory system capable of controlling wireless communication function

Номер патента: US20170344471A1. Автор: Kuniaki Ito,Takashi Wakutsu,Shuichi Sakurai,Yasufumi Tsumagari. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-30.

Memory system capable of controlling wireless communication function

Номер патента: US20190272228A1. Автор: Kuniaki Ito,Takashi Wakutsu,Shuichi Sakurai,Yasufumi Tsumagari. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-05.

Monotonic counter memory system

Номер патента: US20220345135A1. Автор: Chuen-Der Lien,Chi-Shun Lin. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-10-27.

Memory system

Номер патента: US12073890B2. Автор: Masanobu Shirakawa,Marie Takada,Tsukasa TOKUTOMI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Memory system

Номер патента: US20240284668A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Riki SUZUKI,Toshikatsu Hida,Takehiko Amaki,Shohei Asami,Marie Grace Izabelle Angeles Sia. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory system and nonvolatile memory

Номер патента: US20240320089A1. Автор: Daisuke Arizono. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory system capable of controlling wireless communication function

Номер патента: US09760483B2. Автор: Kuniaki Ito,Takashi Wakutsu,Shuichi Sakurai,Yasufumi Tsumagari. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Memory system capable of controlling wireless communication function

Номер патента: US09501399B2. Автор: Kuniaki Ito,Takashi Wakutsu,Shuichi Sakurai,Yasufumi Tsumagari. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Memory device and memory system

Номер патента: US09425828B2. Автор: Jun-Jin Kong,Kyoung-lae Cho,Man-keun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-23.

Clock and data recovery device, memory system, and data recovery method

Номер патента: US20190296888A1. Автор: Hiroyuki Kobayashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-26.

Clock and data recovery device, memory system, and data recovery method

Номер патента: US20210351908A1. Автор: Hiroyuki Kobayashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Memory system and memory controller

Номер патента: US8819331B2. Автор: Haruki Toda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-26.

Memory system and control method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20230299794A1. Автор: Yuki Kondo,Hironori Uchikawa,Naoaki Kokubun. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory system

Номер патента: US20190364093A1. Автор: Masaki Nakagawa,Yoshinari Kumaki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-11-28.

Memory system

Номер патента: US20210344360A1. Автор: Yasuyuki Imaizumi,Takashi Ishiguro,Yifan Tang,Mitsunori Tadokoro,Satoshi Shoji. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-11-04.

Memory system

Номер патента: US20200371867A1. Автор: Yasuyuki Imaizumi,Takashi Ishiguro,Yifan Tang,Mitsunori Tadokoro,Satoshi Shoji. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-11-26.

Memory system

Номер патента: US20170242585A1. Автор: Yasuyuki Eguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-24.

Memory modules, memory systems including the same, and methods of calibrating multi-die impedance of the memory modules

Номер патента: US20190052268A1. Автор: Yoon-Joo EOM,Jun-Ha Lee,Chang-kyo LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-02-14.

Memory system

Номер патента: US20160352809A1. Автор: Masaki Nakagawa,Yoshinari Kumaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-01.

Memory device with 4n and 8n die stacks

Номер патента: US20240281390A1. Автор: Tyler J. Gomm,Sujeet Ayyapureddi,Dong Uk Lee,Lingming Yang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory device with 4n and 8n die stacks

Номер патента: WO2024177810A1. Автор: Tyler J. Gomm,Sujeet Ayyapureddi,Dong Uk Lee,Lingming Yang. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-08-29.

Scale-out high bandwidth memory system

Номер патента: US12032497B2. Автор: Dimin Niu,Hongzhong Zheng,Peng GU,Krishna T. MALLADI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Memory System and Method for Efficient Padding of Memory Pages

Номер патента: US20160283110A1. Автор: Abhijeet Manohar,Aaron Lee,Vimal Jain,Anne Pao-Ling Koh. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-29.

Memory system and method for efficient padding of memory pages

Номер патента: US09582435B2. Автор: Abhijeet Manohar,Aaron Lee,Vimal Jain,Anne Pao-Ling Koh. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-02-28.

Resetting memory locks in a transactional memory system

Номер патента: US09524246B2. Автор: Michael Thomas Strosaker,Joel Howard Schopp,Nathan Fontenot,Ryan Patrick Grimm,Robert Cory Jennings, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Memory system, method of controlling memory system, and host system

Номер патента: US20230305986A1. Автор: Naoki Kimura,Nana Kawamoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Data processing systems including a data encoder that reads in data from and returns data to an external memory system

Номер патента: US12086454B2. Автор: Olof Henrik Uhrenholt,Andreas Due Engh-Halstvedt. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Forward caching memory systems and methods

Номер патента: US12111764B2. Автор: Harold Robert George TROUT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Memory system, memory controller and operation method thereof

Номер патента: US12066928B2. Автор: Eu Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Asynchronous forward caching memory systems and methods

Номер патента: US12061554B2. Автор: Harold Robert George TROUT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Hybrid memory systems for autonomous non-volatile memory save and restore operations

Номер патента: US09817610B1. Автор: Aws Shallal,Dan Kunkel. Владелец: Inphi Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Memory system facilitating high bandwidth and high capacity memory

Номер патента: US09804978B2. Автор: Jonathan R. Hinkle. Владелец: Lenovo Enterprise Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Packed commands for communicating with flash memory system

Номер патента: US20240302965A1. Автор: Madhu Yashwanth Boenapalli,Surendra Paravada,Sai Praneeth Sreeram. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Packed commands for communicating with flash memory system

Номер патента: WO2024186388A1. Автор: Madhu Yashwanth Boenapalli,Surendra Paravada,Sai Praneeth Sreeram. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory system with selective access to first and second memories

Номер патента: US20200065000A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Memory system and bus switch

Номер патента: US20140331005A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-11-06.

Memory system with selective access to first and second memories

Номер патента: US20210208784A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-07-08.

Memory system and bus switch

Номер патента: US20140052903A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-02-20.

Memory system with selective access to first and second memories

Номер патента: US9280461B2. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-08.

Memory system controlling load capacity

Номер патента: US8832362B2. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-09.

Memory system and bus switch

Номер патента: US8595410B2. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-11-26.

Memory system with selective access to first and second memories

Номер патента: US20240118804A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Memory system with selective access to first and second memories

Номер патента: US20230049754A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-02-16.

Memory device, memory system including the same, and operating method of memory system

Номер патента: EP4411551A1. Автор: Jungho Park,Insu Kim,Jaeyong Jeong,Beomkyu Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-07.

Memory system and operating method of memory system

Номер патента: US20170371548A1. Автор: Gi-Pyo UM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-28.

Memory system with selective access to first and second memories

Номер патента: US10474360B2. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-11-12.

Memory system with selective access to first and second memories

Номер патента: US10956039B2. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-03-23.

Memory system with selective access to first and second memories

Номер патента: US20160147455A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-05-26.

Memory system

Номер патента: US20170109073A1. Автор: Chang-Hyun Kim,Jae-Jin Lee,Yong-Woo Lee,Min-Chang Kim,Do-Yun LEE,Hoe-Kwon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-20.

Memory system

Номер патента: US20170109076A1. Автор: Chang-Hyun Kim,Jae-Jin Lee,Yong-Woo Lee,Min-Chang Kim,Do-Yun LEE,Hun-Sam Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-20.

Memory device, memory system including the same, and operating method of memory system

Номер патента: US20240264934A1. Автор: Jungho Park,Insu Kim,Jaeyong Jeong,Beomkyu Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory systems having a cache system

Номер патента: US20200151103A1. Автор: Jung Hyun Kwon,Jin Woong SUH,Seung Gyu JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-05-14.

Memory system, memory controller and operating method thereof for determining garbage collection victim block

Номер патента: US12056047B2. Автор: Jung Woo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory system with multiple memory ranks and method of operating the memory system with multiple memory ranks

Номер патента: US20240289020A1. Автор: Dong-Gun KIM,Da Yeon Yun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory and operation method thereof, and memory system

Номер патента: US20240345948A1. Автор: Yufei FENG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Reestablishing synchronization in a memory system

Номер патента: US09495231B2. Автор: Patrick J. Meaney,Glenn D. Gilda,John S. Dodson,Vesselina K. Papazova. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Memory system, method for controlling the same, and information processing device

Номер патента: US09465727B2. Автор: Shinji Takashima. Владелец: Sony Interactive Entertainment Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Memory system and control method

Номер патента: US20230376433A1. Автор: Mitsunori Tadokoro,Haruka MORI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Memory controller and memory system including same

Номер патента: US20180113641A1. Автор: Shi Hye KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-26.

Memory system and method for operating the same

Номер патента: US20190258577A1. Автор: Jong-Min Lee,Beom-Rae JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-08-22.

Memory system for supporting a merge operation and method for operating the same

Номер патента: US10671538B2. Автор: Jong-Min Lee,Beom-Rae JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-06-02.

Memory controller for reducing the number of error bits in read data and memory system including the same

Номер патента: US12105988B2. Автор: Jong Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

High performance transaction-based memory systems

Номер патента: US09904635B2. Автор: LIANG Yin,Mu-Tien Chang,Hongzhong Zheng. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

System and method for efficient processing of queued read commands in a memory system

Номер патента: US09720860B2. Автор: Matthew Stephens,Philip David ROSE. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Memory and an operating method thereof, a memory system

Номер патента: US20230297521A1. Автор: Jiawei Chen,Shu Xie,Wenjie MU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory systems for automated computing machinery

Номер патента: WO2007135077B1. Автор: Daniel Dreps,Kevin Gower,Warren Maule,Robert Tremaine. Владелец: Robert Tremaine. Дата публикации: 2008-01-17.

Reducing latency in pseudo channel based memory systems

Номер патента: EP4423618A1. Автор: Jungwon Suh,Subbarao Palacharla,Shyamkumar Thoziyoor,Pankaj Deshmukh. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-09-04.

Traffic rate control for inter-class data migration in a multiclass memory system

Номер патента: US09916265B2. Автор: Gabriel H. Loh,Yasuko ECKERT,Sergey Blagodurov. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Method of operating a memory system having a meta data manager

Номер патента: US09891838B2. Автор: Sungyong SEO,Yeong-Jae WOO,Otae Bae,Hyun-Seung Jei. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Nonvolatile memory system and operating method thereof

Номер патента: US09582439B2. Автор: Myung Hyun JO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-28.

Memory systems and operating methods thereof

Номер патента: US20240168849A1. Автор: Youxin He,Xianwu Luo,Jiangwei Shi. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Memory device and memory system having the same

Номер патента: US20180067693A1. Автор: Byung Ryul Kim,Yong Hwan HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-08.

Memory system and method of operating the same

Номер патента: US20240211169A1. Автор: Hyeong Soo Kim,Joon Seop Sim,Soo Hong Ahn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US11748012B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US12086444B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory systems and operating methods thereof

Номер патента: US12079085B2. Автор: Youxin He,Xianwu Luo,Jiangwei Shi. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory system with garbage collection

Номер патента: US09857984B2. Автор: Hiroyuki Nemoto,Katsuhiko Ueki,Yoshihisa Kojima,Kazuya Kitsunai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Operating methods of semiconductor device and memory system each including multi-connection port, and communication method of storage system

Номер патента: US20170199673A1. Автор: Hwa-Seok Oh,Jin-Hyeok Choi,Hyun-Tae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-13.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20180024774A1. Автор: Beom Ju Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-25.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20180113650A1. Автор: Eu-Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-26.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US12131179B2. Автор: Hyeong Jae CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Memory system and method

Номер патента: US20110252162A1. Автор: Jun Li,Gabriel Li. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-10-13.

Memory system, electronic system, and operating method thereof

Номер патента: US20240303144A1. Автор: Eun Jae Ock. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Physical addressing schemes for non-volatile memory systems employing multi-die interleave schemes

Номер патента: US09983829B2. Автор: Narendhiran Chinnaanangur Ravimohan,Muralitharan Jayaraman. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-05-29.

Memory system for adjusting difference between operation time points in sequential command operations performed in memory device, and operation method thereof

Номер патента: US20210303209A1. Автор: Dong Yeob CHUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Memory system and control method therefor

Номер патента: US20130286750A1. Автор: Toru Ishikawa. Владелец: PS5 Luxco SARL. Дата публикации: 2013-10-31.

Memory system and control method therefor

Номер патента: US20130279270A1. Автор: Toru Ishikawa. Владелец: PS5 Luxco SARL. Дата публикации: 2013-10-24.

Memory System and Control Method Therefor

Номер патента: US20140286107A1. Автор: Toru Ishikawa. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2014-09-25.

Memory system

Номер патента: US20230197125A1. Автор: Junichiro Noda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Memory system

Номер патента: US12094566B2. Автор: Junichiro Noda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory Systems and Methods for Improved Power Management

Номер патента: US20230360695A1. Автор: Frederick A. Ware,James E. Harris. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2023-11-09.

Media scan in memory systems

Номер патента: US20240371458A1. Автор: Bo Yu,Hua Tan,Xing Wang,Zhe Sun,Yaolong Gao,Fanya Bi. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Memory module, memory system including the same, and data storage system including the memory module

Номер патента: US09754658B2. Автор: Do Hyung Kim,Young Ho Lee,Dong Min JANG,Jong Hyun SEOK,In Young Park,Dong Yoon SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20180018111A1. Автор: Eu-Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-18.

Memory system and operation thereof

Номер патента: EP4459473A2. Автор: Mo CHENG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-06.

Memory system for controlling perforamce by adjusting amount of parallel operations

Номер патента: US09846541B2. Автор: Kenichiro Suzuki,Hironobu Miyamoto,Yoshihisa Kojima,Maoko Oyamada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US11921630B2. Автор: Eu-Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Memory system and method

Номер патента: US20240094904A1. Автор: Yifan Tang. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Memory device and operation method thereof, and memory system

Номер патента: US20240355399A1. Автор: Li Xiang,Shuai Wang,Zhuo Chen,Chunyuan HOU,Zhipeng DONG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Systems and methods for initializing a memory system

Номер патента: US09983819B2. Автор: Matthew Sanchez,Brian D. HATFIELD,Richard A. Ripberger,Ellen J. GRUSY,Kurt A. Lovrien. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Method and apparatus for performing access operation in memory system utilizing map data including mapping relationships between a host and a memory device for storing data

Номер патента: US11874775B2. Автор: Eu-Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20180253345A1. Автор: Tae-hoon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-09-06.

Memory system for storing data corresponding to logical addresses into physical location accessible using interleaving, and operation method thereof

Номер патента: US09892035B2. Автор: Hae-Gi CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Techniques for managed nand translation with embedded memory systems

Номер патента: US20240361961A1. Автор: Wanmo Wong,Brady L. Keays. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Systems and methods for utilizing wear leveling windows with non-volatile memory systems

Номер патента: US09514043B1. Автор: Leena Patel. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-06.

Instruction memory system

Номер патента: CA1275504C. Автор: Alan Lynn Davis,William Stuart Coates. Владелец: Schlumberger Technology Corp. Дата публикации: 1990-10-23.

Testing circuit for a memory device

Номер патента: US20230077784A1. Автор: Jingwei CHENG,Chunqiang Weng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-16.

Memory system including a nonvolatile memory and a volatile memory, and processing method using the memory system

Номер патента: US20160321013A1. Автор: Gi Ho Park. Владелец: INDUSTRY ACADEMY COOPERATION FOUNDATION OF SEJONG UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-11-03.

Memory system including a nonvolatile memory and a volatile memory, and processing method using the memory system

Номер патента: US20190056889A1. Автор: Gi Ho Park. Владелец: INDUSTRY ACADEMY COOPERATION FOUNDATION OF SEJONG UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-02-21.

Memory system including a nonvolatile memory and a volatile memory, and processing method using the memory system

Номер патента: US20200125296A1. Автор: Gi Ho Park. Владелец: INDUSTRY ACADEMY COOPERATION FOUNDATION OF SEJONG UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-04-23.

Memory system including a nonvolatile memory and a volatile memory, and processing method using the memory system

Номер патента: US10140060B2. Автор: Gi Ho Park. Владелец: INDUSTRY ACADEMY COOPERATION FOUNDATION OF SEJONG UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-11-27.

System and method for data integrity in memory systems that include quasi-volatile memory circuits

Номер патента: US11823760B2. Автор: Frank Sai-Keung Lee. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Memory system and operation thereof

Номер патента: WO2024082136A1. Автор: Mo CHENG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-04-25.

Memory system and operation thereof

Номер патента: EP4384917A1. Автор: Mo CHENG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

Memory system

Номер патента: US20230085675A1. Автор: Takahiro Kawahara,Mitsunori Tadokoro. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Memory system including nonvolatile and volatile memory and operating method thereof

Номер патента: US9411719B2. Автор: Gi Ho Park. Владелец: Seong University Industry Academy Cooperation Foundation. Дата публикации: 2016-08-09.

Memory system

Номер патента: US11940924B2. Автор: Takahiro Kawahara,Mitsunori Tadokoro. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

Memory system and control method thereof

Номер патента: US20220091786A1. Автор: Hiroyuki Yamaguchi,Atsushi Okamoto,Ryoichi Kato,Hiroki Matsudaira. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Memory system

Номер патента: US20180277204A1. Автор: Hiroshi Yao,Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Memory system

Номер патента: US10366749B2. Автор: Hiroshi Yao,Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-07-30.

Cache memory system

Номер патента: US20090292880A1. Автор: Hiroyuki Usui. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-11-26.

Using a memory address to form a tweak key to use to encrypt and decrypt data

Номер патента: US09910790B2. Автор: Vinodh Gopal,Gilbert M. Wolrich,Wajdi K. Feghali,Kirk S. Yap. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Maintenance command interfaces for a memory system

Номер патента: US11880276B2. Автор: Daniele Balluchi,Danilo Caraccio. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Maintenance command interfaces for a memory system

Номер патента: WO2022026235A1. Автор: Daniele Balluchi,Danilo Caraccio. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-02-03.

Memory system and method for controlling the same

Номер патента: US20240069723A1. Автор: Hiromi Hoshino,Yoko Masuo. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Maintenance command interfaces for a memory system

Номер патента: US20230153204A1. Автор: Daniele Balluchi,Danilo Caraccio. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

Maintenance command interfaces for a memory system

Номер патента: US20220035701A1. Автор: Daniele Balluchi,Danilo Caraccio. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Techniques for managed NAND translation with embedded memory systems

Номер патента: US12001727B2. Автор: Wanmo Wong,Brady L. Keays. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Systems and Methods for Utilizing Wear Leveling Windows with Non-Volatile Memory Systems

Номер патента: US20160335178A1. Автор: Leena Patel. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-11-17.

Techniques for memory system rebuild

Номер патента: US20230376225A1. Автор: Giuseppe Cariello. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Memory system and method of operating the same

Номер патента: US20210065828A1. Автор: Bongsoon LIM,Yonghyuk Choi,Jaeduk Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-04.

Implementing automatic rate control in a memory sub-system

Номер патента: US11960740B2. Автор: Ying Huang,Mark Ish. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

MULTIPLE-HOT (MULTI-HOT) BIT DECODING IN A MEMORY SYSTEM FOR ACTIVATING MULTIPLE MEMORY LOCATIONS IN A MEMORY FOR A MEMORY ACCESS OPERATION

Номер патента: US20170053685A1. Автор: Hoff David Paul,Kulkarni Milind Ram. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-23.

Integrated circuit memory systems and program methods thereof including a magnetic track memory array using magnetic domain wall movement

Номер патента: US8279667B2. Автор: Jong Wan Kim,Hyun Ho CHOI,Ho Jung Kim,Sung Chul Lee,Chul Woo Park,Sang Beom Kang,Young Pill Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-10-02.

SYSTEMS AND METHODS FOR MEMORY SYSTEM MANAGEMENT BASED ON THERMAL INFORMATION OF A MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20140281311A1. Автор: Roberts David A.,Walker Robert. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-09-18.

APPARATUSES AND METHODS FOR REPAIRING MEMORY DEVICES INCLUDING A PLURALITY OF MEMORY DIE AND AN INTERFACE

Номер патента: US20190138412A1. Автор: Ogasawara Masashi. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-05-09.

Non-volatile memory system

Номер патента: US20130046919A1. Автор: Bong-Gwan Seol,Jun-Seok Park,Wan-soo Choi,Hee-tak Shin,Won-Jin Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-02-21.

Stacked memory device and semiconductor memory system including the same

Номер патента: US09851401B2. Автор: Kyung-Whan Kim,Jong-Chern Lee,Young-Jae Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Power regulation for memory systems

Номер патента: US20210217482A1. Автор: Thomas H. Kinsley,Fuad Badrieh,Baekkyu Choi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

Power regulation for memory systems

Номер патента: US20230005551A1. Автор: Thomas H. Kinsley,Fuad Badrieh,Baekkyu Choi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Power regulation for memory systems

Номер патента: US20240096425A1. Автор: Thomas H. Kinsley,Fuad Badrieh,Baekkyu Choi. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-03-21.

Power regulation for memory systems

Номер патента: EP4073797A1. Автор: Thomas H. Kinsley,Fuad Badrieh,Baekkyu Choi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-19.

Apparatuses and methods for coupling semiconductor devices of a memory module in a memory system

Номер патента: US09524756B2. Автор: Koji Matsuo,Yoji Nishio,Tadaaki YOSHIMURA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Memory device supporting interleaved operations and memory system including the same

Номер патента: US12014781B2. Автор: Won Jae Choi,Jea Won CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Memory system and information processing device by which data is written and read in response to commands from a host

Номер патента: US09396141B2. Автор: Nobuhiro Kondo,Kenichi Maeda,Toshio Fujisawa,Kenichiro Yoshii,Keigo Hara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Hybrid memory system and accelerator including the same

Номер патента: US20240045588A1. Автор: Jie Zhang,Myoungsoo Jung,Hanyeoreum BAE. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2024-02-08.

Memory system and host device

Номер патента: US12086068B2. Автор: Sung Woo HYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory system

Номер патента: US09990283B2. Автор: Chang-Hyun Kim,Jae-Jin Lee,Yong-Woo Lee,Min-Chang Kim,Do-Yun LEE,Hoe-Kwon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Memory system

Номер патента: US09977606B2. Автор: Chang-Hyun Kim,Jae-Jin Lee,Yong-Woo Lee,Min-Chang Kim,Do-Yun LEE,Hoe-Kwon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200081632A1. Автор: Chan-Jong WOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-03-12.

Memory system for supporting internal dq termination of data buffer

Номер патента: US20180329850A1. Автор: Young-Ho Lee,In-su Choi,Hui-chong Shin,Sun-Young Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-11-15.

Controller, memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200057728A1. Автор: Sang Hyun Kim,Duck Hoi KOO,Soong Sun SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-02-20.

Memory system and integrated management method for plurality of dma channels

Номер патента: US20110153878A1. Автор: Jong Dae Kim,Tae Moon Roh,Jong Kee Kwon,Chun Gi Lyuh,Ik Jae CHUN,Se Wan HEO,Sang Hun Yoon. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2011-06-23.

Hierarchical network for stacked memory system

Номер патента: US20240211166A1. Автор: William James Dally,Carl Thomas Gray,Stephen W. Keckler,James Michael O'connor. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Non-volatile memory systems utilizing storage address tables

Номер патента: US09870153B2. Автор: Alan Welsh Sinclair. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-16.

Plane balancing in a memory system

Номер патента: US20240302991A1. Автор: John J. Kane,Byron D. Harris,Vivek Shivhare. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory system supporting redundant logical domain

Номер патента: US12067298B2. Автор: Hideki Yoshida,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Hierarchical network for stacked memory system

Номер патента: US11977766B2. Автор: William James Dally,Carl Thomas Gray,Stephen W. Keckler,James Michael O'connor. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Hierarchical network for stacked memory system

Номер патента: US20230297269A1. Автор: William James Dally,Carl Thomas Gray,Stephen W. Keckler,James Michael O’Connor. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Apparatus and method for transferring data in memory system

Номер патента: US12056392B2. Автор: Chan Hyeok CHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Read buffer allocation balance between multiple memory dies

Номер патента: US20240231694A1. Автор: Wenjun Wu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US09927994B2. Автор: Eu-Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Memory systems and operation methods thereof

Номер патента: US20240281147A1. Автор: Yufei FENG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Programming non-volatile storage system with multiple memory die

Номер патента: US20140211561A1. Автор: Yan Li. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2014-07-31.

Recovery of nearby data in programming of non-volatile multi-level multiple memory die

Номер патента: EP2948956A1. Автор: Yan Li. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-12-02.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20240143192A1. Автор: Jung Woo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Techniques for efficient memory system programming

Номер патента: US20240289019A1. Автор: Dionisio Minopoli,Luca Porzio,Paolo Amato,Daniela Ruggeri. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory channel selection in a multi-channel memory system

Номер патента: US20130326158A1. Автор: Lin Chen,Long Chen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-12-05.

Data processing system and method for accessing heterogeneous memory system

Номер патента: EP4102377A1. Автор: Gun KO,Seokmin LEE,Wonseb Jeong,Hongju KAL,Wonwoo RO. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2022-12-14.

Apparatus and method for managing meta data for engagement of plural memory system to store data

Номер патента: US20200042460A1. Автор: Ik-sung OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-02-06.

Cyclic redundancy check (crc) retry for memory systems in compute express link (cxl) devices

Номер патента: US20230259424A1. Автор: Marco Sforzin,Paolo Amato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Distributed autonomous power management in a memory system

Номер патента: WO2008017625B1. Автор: Kevin Gower,Robert Tremaine. Владелец: Robert Tremaine. Дата публикации: 2008-05-29.

Memory system and operating method of the memory system

Номер патента: US12073896B2. Автор: Moon Sik SEO,Gil Bok CHOI,Dae Hwan YUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Isochronous agent data pinning in a multi-level memory system

Номер патента: US09542336B2. Автор: Aditya Sreenivas,Bryan White,Blaise Fanning,Joydeep Ray,Altug Koker,David Puffer,Marc Torrant,Todd Witter,Neil Schaper. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Memory system with first cache for storing uncompressed look-up table segments and second cache for storing compressed look-up table segments

Номер патента: US11455256B2. Автор: Tomonori Yokoyama,Mitsunori Tadokoro,Satoshi Kaburaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-27.

Memory system, memory controller, and operation method of memory system for loading and updating mapping information to host memory area

Номер патента: US12072809B2. Автор: Kyu Ho Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Flash-based memory system with robust backup and restart features and removable modules

Номер патента: WO2011082362A1. Автор: Charles J. Camp,Timothy J. Fisher,Holloway H. Frost,Don D. Davis,Adrian P. Glover,Josh H. Morris. Владелец: TEXAS MEMORY SYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2011-07-07.

Allocating variable media types of memory devices in a memory system

Номер патента: US20190332290A1. Автор: Michael B. Danielson,Paul A. Suhler,James H. Meeker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Memory system, memory controller and operating method of the memory system operating as read boost mode

Номер патента: US12099751B2. Автор: Eu Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Nonvolatile memory system and operation method of the same

Номер патента: US09760308B2. Автор: Nam Wook Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-12.

Memory system

Номер патента: US09454496B2. Автор: Sun-Young Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-27.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US10445019B2. Автор: Ho-Jung YUN,Dong-Yeob CHUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-15.

Memory system having an unequal number of memory die

Номер патента: US20140189210A1. Автор: Barry Wright,Nicholas James Thomas,Alan Welsh Sinclair. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2014-07-03.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20180067696A1. Автор: Ho-Jung YUN,Dong-Yeob CHUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor memory system having a data clock system for reliable high-speed data transfers

Номер патента: US20030137893A1. Автор: Louis Hsu,Jeremy Stephens,Li-Kong Wang,Daniel Storaska. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-07-24.

High speed memory systems and methods for designing hierarchical memory systems

Номер патента: US20160328170A1. Автор: Sundar Iyer,Shang-Tse Chuang. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-10.

Data processing method and apparatus, processor, and hybrid memory system

Номер патента: EP4390648A1. Автор: Huan Chen,Xiaoping Zhu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Transient and stable state read operations of a memory device

Номер патента: US20240062829A1. Автор: Ugo Russo,Shyam Sunder Raghunathan,Karan Banerjee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Memory system and method of controlling memory system

Номер патента: US20200090742A1. Автор: Yasuhiko Kurosawa,Shingo Yanagawa,Ryo Sekiguchi,Eriko AKAIHATA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Three tiered hierarchical memory systems

Номер патента: US20210056025A1. Автор: Richard C. Murphy,Anton Korzh,Vijay S. Ramesh,Scott Matthew STEPHENS. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

Hierarchical memory systems

Номер патента: US20210055884A1. Автор: Richard C. Murphy,Anton Korzh,Vijay S. Ramesh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

Hierarchical memory systems

Номер патента: WO2021034654A1. Автор: Richard C. Murphy,Anton Korzh,Vijay S. Ramesh. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-02-25.

Memory system and method of operating the same

Номер патента: US10922200B2. Автор: Jin Woong Kim,Se Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-02-16.

Generating test data for a memory system design based on operation of a test system, and related methods, devices, and systems

Номер патента: US11721406B2. Автор: Won Ho Choi,Randall J. Rooney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-08.

Memory system including a nonvolatile memory and control method

Номер патента: US20220066640A1. Автор: Masahiro Takeshita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Memory system including a nonvolatile memory and control method

Номер патента: US11314412B2. Автор: Masahiro Takeshita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-04-26.

Controller, operating method of the controller and memory system

Номер патента: US20210303176A1. Автор: Hee Chan Shin,Do Hyeong LEE,Yong Seok Oh,Young Ho AHN,Jae Gwang Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Page migration acceleration using a two-level bloom filter on high bandwidth memory systems

Номер патента: US20180081585A1. Автор: Mauricio Breternitz,Leonardo Piga. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2018-03-22.

Memory system and method of generating a seed value

Номер патента: US09875085B2. Автор: Abhijeet Manohar,Rishi Mukhopadhyay,Rajesh Neermarga. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-23.

Memory system for rapidly testing data lane integrity

Номер патента: US09837169B2. Автор: Matthew Weber,Timothy M. Wiwel,Paul D. Kangas,Robert Diokno. Владелец: Lenovo Enterprise Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Memory systems and memory programming methods

Номер патента: US09837151B2. Автор: Richard E. Fackenthal,Simone Lombardo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Shared built-in self-analysis of memory systems employing a memory array tile architecture

Номер патента: US09653183B1. Автор: Jung Pill Kim,Sungryul KIM,Hyunsuk Shin. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Memory system, method of programming the memory system, and method of testing the memory system

Номер патента: US09646703B2. Автор: Dae-Han Kim,Kyung-Min Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

High speed memory systems and methods for designing hierarchical memory systems

Номер патента: US09442846B2. Автор: Sundar Iyer,Shang-Tse Chuang. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Memory system, method of programming the memory system, and method of testing the memory system

Номер патента: US09437286B2. Автор: Dae-Han Kim,Kyung-Min Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-06.

Memory system related to selectively storing data and a corresponding map, and an operating method of the memory system

Номер патента: US20240143193A1. Автор: Kyung Hoon Lee,Tae Yeon Hwang,Sung Kwan Hong,Sung Hun JEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Isolated performance domains in a memory system

Номер патента: EP3821332A1. Автор: Anirban Ray,Parag Maharana. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-19.

Isolated performance domains in a memory system

Номер патента: WO2020014054A1. Автор: Anirban Ray,Parag Maharana. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-01-16.

Memory system with a layer comprising a dedicated redundancy area

Номер патента: EP2756502A1. Автор: Hong Beom Pyeon. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2014-07-23.

Apparatus and methods for direct co-processor access to prestored file system data in a non-volatile memory system

Номер патента: US20240220115A1. Автор: Paul Blinzer,David Livingstain Ziman. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Memory system having system buffer and method of operating the memory system

Номер патента: US20220334761A1. Автор: In Jong Jang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-20.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US10453550B2. Автор: Hyungsup KIM,Hyung-Sik Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-22.

Non-volatile memory system, memory card having the same, and operating method of non-volatile memory system

Номер патента: US10095303B2. Автор: Hwa-Seok Oh,Seok-Won Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-10-09.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US11747989B2. Автор: Hideki Yoshida,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Memory system, operating method of the memory system, and interface circuit of the memory system

Номер патента: US20240257850A1. Автор: ChiWeon Yoon,Anil KAVALA,Youngmin Jo,Jungjune PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200005888A1. Автор: Hyungsup KIM,Hyung-Sik Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-01-02.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20190130992A1. Автор: Hyungsup KIM,Hyung-Sik Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-05-02.

Resistive memory system and method of operating the resistive memory system

Номер патента: US20160240252A1. Автор: Young Bae Kim,Han Shin Shin,Jun Jin Kong,Hong Rak Son,Eun Chu Oh,Pil Sang Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-18.

Operation method of memory device, memory device, memory system, and electronic apparatus

Номер патента: US20240321364A1. Автор: An ZHANG,Jianquan Jia,Kaiwei LI,Yali SONG,Junbao WANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory system, information processing system, and host device

Номер патента: US12086426B2. Автор: Yuki Sasaki,Shinichi Kanno,Takahiro Kurita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory system

Номер патента: US09990143B2. Автор: Chang-Hyun Kim,Jae-Jin Lee,Yong-Woo Lee,Min-Chang Kim,Do-Yun LEE,Hoe-Kwon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Memory system

Номер патента: US09977604B2. Автор: Chang-Hyun Kim,Jae-Jin Lee,Min-Chang Kim,Do-Yun LEE,Hoe-Kwon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Photon memory system

Номер патента: US09875797B1. Автор: Alex DIGGINS. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-01-23.

Data access in hybrid main memory systems

Номер патента: US09804803B2. Автор: Ahmad Hassan. Владелец: SAP SE. Дата публикации: 2017-10-31.

Memory device repairable by soft and hard repair operations and memory system including the same

Номер патента: US09786390B2. Автор: Kwi-Dong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Memory system with a content addressable superconducting memory

Номер патента: US09741419B1. Автор: William R Reohr,Brian R Konigsburg. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2017-08-22.

Resistive memory system and method of operating the resistive memory system

Номер патента: US09691477B2. Автор: Young Bae Kim,Han Shin Shin,Jun Jin Kong,Hong Rak Son,Eun Chu Oh,Pil Sang Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Memory system and a data managing method thereof

Номер патента: US09652179B2. Автор: Chun-Ta Lin,Yuan-Hao Chang,Tei-Wei Kuo,Hung-Sheng Chang,Hsiang-Pang Li. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Resistive memory system, driver circuit thereof and method for setting resistance thereof

Номер патента: US09443588B2. Автор: Chia-Chen Kuo,Meng-Fan Chang,Shyh-Shyuan Sheu,Pei-Ling Tseng. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2016-09-13.

Memory system and control method

Номер патента: US20230297290A1. Автор: Hideki Yoshida,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory system and operating method thereof performing garbage collection and write operations in parallel on different dies

Номер патента: US11360889B2. Автор: Eu-Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-06-14.

Plane balancing in a memory system

Номер патента: US20230393779A1. Автор: John J. Kane,Byron D. Harris,Vivek Shivhare. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Plane balancing in a memory system

Номер патента: US11995345B2. Автор: Vivek Shivhare,John J Kane,Byron D Harris. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Memory controller and memory system

Номер патента: US20200159411A1. Автор: Naoki Mukaida,Kenichi TAKUBO. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Control device and memory system

Номер патента: US20210295891A1. Автор: Yu-Chieh Chen,Liang-Hsiang Chiu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Memory system capable of accessing memory cell arrays in parallel

Номер патента: US20190095108A1. Автор: Riki SUZUKI,Toshikatsu Hida,Sayano AGA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-28.

Isolated performance domains in a memory system

Номер патента: US12001342B2. Автор: Anirban Ray,Parag R. Maharana. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Isolated performance domains in a memory system

Номер патента: US20200301848A1. Автор: Anirban Ray,Parag R. Maharana. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-09-24.

Apparatus and method for performing garbage collection in a memory system

Номер патента: US12039184B2. Автор: Hyoung Pil CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory system and method

Номер патента: US20240248645A1. Автор: Takashi Ishiguro. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory system and method of operating the same

Номер патента: US20220326873A1. Автор: Jin Woo Kim,Jin Won JANG,Hyo Byung HAN,Young Wu CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-13.

Memory controller and memory system including the memory controller and memory device

Номер патента: US20240264744A1. Автор: Se Chang PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory system for mapping SCSI commands from client device to memory space of server via SSD

Номер патента: US8463866B2. Автор: Yaron Haviv. Владелец: Mellanox Technologies TLV Ltd. Дата публикации: 2013-06-11.

Memory system

Номер патента: US20160216887A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Shinichiro Nakazumi,Tohru Fukuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-07-28.

Memory system that stores data designated by a deletion request in nonvolatile memory

Номер патента: US10949090B2. Автор: Shinji Yonezawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-03-16.

Semiconductor memory device, memory system including the same, and operating method thereof

Номер патента: US9384846B1. Автор: Keon Soo Shim,Bong Yeol PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-05.

Memory system

Номер патента: US20210065771A1. Автор: Toshifumi Hashimoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20190102086A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-04-04.

Memory system

Номер патента: US20230093251A1. Автор: Tomiyuki Yamada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Memory system and associated methodology

Номер патента: US20050195641A1. Автор: Scott Anderson,Samuel Naffziger. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2005-09-08.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20240295969A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Suguru NISHIKAWA,Toshikatsu Hida,Takehiko Amaki,Shunichi IGAHARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Managing operations in memory systems

Номер патента: US20240302966A1. Автор: Weilin Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory system and information processing system

Номер патента: US12099732B2. Автор: Hiroshi KATOUGI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Managing operations in memory systems

Номер патента: WO2024182999A1. Автор: Weilin Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory system and associated methodology

Номер патента: US7035134B2. Автор: Samuel D. Naffziger,Scott A. Anderson. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2006-04-25.

Memory system and method of controlling non-volatile memory

Номер патента: US20240302959A1. Автор: Shizuka SEKIGAWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory system and information processing system

Номер патента: US20240329882A1. Автор: Hiroki MIURA,Naoto Oshiyama. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory system

Номер патента: US12099735B2. Автор: Tomoyuki KANTANI,Kousuke Fujita,Iku ENDO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Memory system having system buffer and method of storing data by using the system buffer

Номер патента: US12131061B2. Автор: In Jong Jang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Memory system with burst mode having logic gates as sense elements

Номер патента: US12057159B2. Автор: Gregory Christopher Burda,Pramod Kolar,Stephen Edward Liles. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory system and wear-leveling method thereof

Номер патента: US09990153B2. Автор: Jung-Hyun Kwon,Dong-Gun KIM,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US09977744B2. Автор: Hae-Gi CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Systems and methods for protection of reflective memory systems

Номер патента: US09928181B2. Автор: Gregory S. Droba,Oscar L. Meek. Владелец: GE HITACHI NUCLEAR ENERGY AMERICAS LLC. Дата публикации: 2018-03-27.

Memory system

Номер патента: US09891837B2. Автор: Hiroyuki Moro,Yohei Hasegawa,Yoshiki Saito,Tokumasa Hara,Yoshihisa Kojima,Tatsuhiro Suzumura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Memory system and information processing system

Номер патента: US09880939B2. Автор: Konosuke Watanabe,Tetsuhiko Azuma,Satoshi Kaburaki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Memory system for storing and processing translation information

Номер патента: US09798470B2. Автор: Yoshihisa Kojima,Shinichiro Nakazumi,Tohru Fukuda. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Memory controller, memory system including the same, and electronic device including the memory system

Номер патента: US09767869B2. Автор: In Sung Joe,Dong Jae Shin,Hyunil Byun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Collision detection systems for detecting read-write collisions in memory systems after word line activation, and related systems and methods

Номер патента: US09666269B2. Автор: Manish Garg,Joshua Lance Puckett,Rahul Krishnakumar Nadkarni,Harish Shankar. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Memory management for a hierarchical memory system

Номер патента: US09524248B2. Автор: Dean A. Klein. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor memory device, memory system having the same, and method of operating the same

Номер патента: US09490015B2. Автор: Jum Soo Kim,Jung Ryul Ahn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Migration directives in a unified virtual memory system architecture

Номер патента: US09430400B2. Автор: Jerôme F. DULUK, Jr.. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200201755A1. Автор: Eu-Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-06-25.

Memory system, control method thereof, and program

Номер патента: US12033705B2. Автор: Yoshihisa Kojima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Apparatus and method for sanitizing a shared memory device or a memory expander

Номер патента: US20240231615A1. Автор: Jung Min Choi,Sun Woong Kim,Min Ho Ha,Byung Il Koh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory system and control method

Номер патента: US20150364206A1. Автор: Yuichiro Mitani,Jiezhi Chen. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-12-17.

Memory system using host memory buffer and operation method thereof

Номер патента: US12014080B2. Автор: Kihyun Park,Hyunseok Kim,Shin-Ho Choi,Sooyun LEE,Bumhee LEE,Wooram KIM,Hyeongyu Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-18.

Memory system and information processing system

Номер патента: US20240086096A1. Автор: Yuki Sasaki,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Memory system and method for controlling the same

Номер патента: US20230418760A1. Автор: Fumio Hara. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Memory system capable of accessing memory cell arrays in parallel

Номер патента: US20200089415A1. Автор: Riki SUZUKI,Toshikatsu Hida,Sayano AGA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Memory system and control method

Номер патента: US12045515B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Memory system, memory controller, and semiconductor storage device

Номер патента: US12040027B2. Автор: Junji Yamada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory system

Номер патента: US20180275875A1. Автор: Shinji Yonezawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Erase-verify method for three-dimensional memories and memory system

Номер патента: US20190139615A1. Автор: Atsuhiro Suzuki,Wen-Jer Tsai,Yu-Hung Huang,Cheng-Hsien Cheng,Chih-Wei Lee,Shaw-Hung Ku. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-09.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20240256184A1. Автор: Hideki Yoshida,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Read operations for active regions of a memory device

Номер патента: US12050786B2. Автор: Lingyun Wang,Bin Zhao. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Memory system, method of controlling access to memory system, and mobile computing device

Номер патента: US20220091759A1. Автор: Yoshiyuki Kudoh,Kentaro Umesawa,Hirotomo Kobayashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Semiconductor memory system and semiconductor memory chip

Номер патента: US20070047372A1. Автор: Paul Wallner,Peter Gregorius,Andre Schäfer. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-03-01.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20180004439A1. Автор: Eu-Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-04.

Memory system and method for operating the same

Номер патента: US20230297253A1. Автор: Dong Kyu Lee,Jae Hyun Yoo,Seon Ju Lee,Seung Geol BAEK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory system

Номер патента: US20240281370A1. Автор: Kohei Oikawa,Yu Nakanishi,Hirotsugu KAJIHARA,Kazuhiro Hiwada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Method for programming memory system

Номер патента: US20210151100A1. Автор: Ke Liang,Qiang Tang,Chun Yuan Hou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-20.

Memory system

Номер патента: US20140010020A1. Автор: Koichi Fukuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-01-09.

Memory system

Номер патента: US20240274185A1. Автор: Naomi Takeda,Masanobu Shirakawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory system

Номер патента: US20240289057A1. Автор: Yoshikazu Takeyama. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory system using host memory buffer and operation method thereof

Номер патента: US20240295988A1. Автор: Kihyun Park,Hyunseok Kim,Shin-Ho Choi,Sooyun LEE,Bumhee LEE,Wooram KIM,Hyeongyu Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-05.

Memory system and storage system

Номер патента: US20240272810A1. Автор: Hirotomo Kobayashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory system and control method of memory system for shared memory based message routing module

Номер патента: US12067238B2. Автор: Mitsunori Tadokoro. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory system

Номер патента: US20190252024A1. Автор: Kiwamu Watanabe. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-08-15.

Memory system, computing system, and methods thereof

Номер патента: US20190310944A1. Автор: Rajat Agarwal,Wei P. CHEN,Chet R. Douglas,Tiffany J. Kasanicky,Andy Rudoff. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-10-10.

Integrated circuit memory system with high speed non-volatile memory data transfer capability

Номер патента: US20080192560A1. Автор: Seung Won Lee,Byeong Hoon Lee,Sun Kwon Kim,Ki Hong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-08-14.

Memory system

Номер патента: US20240272799A1. Автор: Takashi Nakagawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Controller and memory system controlling garbage collection operation at power-on, and method of operating the controller and memory system

Номер патента: US20240160564A1. Автор: Wan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Memory system and method for operating the same

Номер патента: US12099727B2. Автор: Dong Kyu Lee,Jae Hyun Yoo,Seon Ju Lee,Seung Geol BAEK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Managing data placement for direct assigned virtual machines in a memory sub-system

Номер патента: US20240320029A1. Автор: Luca Bert. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory system and control method

Номер патента: US20240319924A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory system

Номер патента: EP4418272A1. Автор: Naomi Takeda,Masanobu Shirakawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-21.

Memory device for performing target refresh operation, memory system and operating method of memory system

Номер патента: US20240339146A1. Автор: Saeng Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Memory device, memory system including the memory device, and test operation of the memory device

Номер патента: US12125550B2. Автор: Jun Hyuk Lee,Min Kyu Lee,Deung Kak YOO,Dong Jae JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Non-volatile memory storage for multi-channel memory system

Номер патента: US09996284B2. Автор: Hyun Lee. Владелец: Netlist Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Memory system including test circuit

Номер патента: US09959937B2. Автор: Tetsuya Iwata,Shinya Takeda,Mikio Takasugi,Yoshio Furuyama,Shunsuke KODERA,Toshihiko KITAZUME,Kenichirou KADA,Nobuhiro Tsuji,Hirosuke NARAI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Memory device, memory system, method of operating memory device, and method of operating memory system

Номер патента: US09916900B2. Автор: Yoon Kim,Dong-Chan Kim,Ji-Sang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-13.

Nonvolatile memory device, memory system, method of operating nonvolatile memory device, and method of operating memory system

Номер патента: US09852804B2. Автор: Jong-Chul Park,Sang-Soo Park,Hyun-Young Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

Configuration information backup in memory systems

Номер патента: US09817600B2. Автор: Ning Wu,Xin Guo,Robert E. Frickey,Hanmant P. Belgal. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Memory system executing garbage collection

Номер патента: US09811462B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US09761282B2. Автор: Dong Yeob CHUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Memory system

Номер патента: US09721666B2. Автор: Masanobu Shirakawa,Kenta Yasufuku,Akira Yamaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US09653157B1. Автор: Ki-Sung Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Maintaining coherence when removing nodes from a directory-based shared memory system

Номер патента: US09632934B2. Автор: Brian J. Johnson. Владелец: Silicon Graphics International Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Bank-level fault management in a memory system

Номер патента: US09600189B2. Автор: Timothy J. Dell,Girisankar Paulraj,Diyanesh B.Chinnakkonda Vidyapoornachary. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Method for improving memory system performance in virtual machine systems

Номер патента: US09529728B2. Автор: Alexander Garthwaite,Yury BASKAKOV,Jesse POOL. Владелец: VMware LLC. Дата публикации: 2016-12-27.

Memory system and method of determining a failure in the memory system

Номер патента: US09412453B2. Автор: Yoon-hee Choi,Daeseok Byeon,Byunggil JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-09.

Memory controller managing temperature of memory device and memory system having the memory controller

Номер патента: US20200409608A1. Автор: Young Jae JIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-31.

Memory system and method for controlling the same, and method for maintaining data coherency

Номер патента: US20070186051A1. Автор: Nobuyuki Harada. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-08-09.

Placement of instructions in a memory system

Номер патента: US20140130022A1. Автор: Tong Chen,John K. O'Brien,Zehra Sura. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-05-08.

Memory system

Номер патента: US20230004306A1. Автор: Shohei Onishi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-01-05.

Memory system and method

Номер патента: US20230305748A1. Автор: Hotaka Ueki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Memory system with secured performance and reliability, memory controller and method of operating the same

Номер патента: US20240184469A1. Автор: Kwang Su Kim,Youn Won PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20240201865A1. Автор: Kwang Hun Lee,Won Jun Choi,Jae Gwan Kim,Dong Young Seo,Ye Rin Kim,Bu Yong SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

A memory matrix and method of operating the same

Номер патента: WO2002091382A3. Автор: Yan Chiew Chow,James R Hsia. Владелец: James R Hsia. Дата публикации: 2003-05-01.

Method and apparatus for fragment processing in a vitual memory system

Номер патента: EP1866772A2. Автор: Robert A. Drebin,Wade K. Smith,W. Fritz Kruger. Владелец: ATI TECHNOLOGIES ULC. Дата публикации: 2007-12-19.

Method and apparatus for fragment processing in a vitual memory system

Номер патента: WO2006106428A3. Автор: Robert A Drebin,W Fritz Kruger,Wade K Smith. Владелец: Wade K Smith. Дата публикации: 2007-01-18.

Data processing method and apparatus, processor, and hybrid memory system

Номер патента: US20240231669A1. Автор: Huan Chen,Xiaoping Zhu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory system and method

Номер патента: US11928364B2. Автор: Hotaka Ueki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-12.

Memory system and operation method of memory system

Номер патента: US20240257894A1. Автор: Woongrae Kim,Chul Moon JUNG,Uk Song Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory system and operation method of memory system

Номер патента: US20240257895A1. Автор: Woongrae Kim,Chul Moon JUNG,Uk Song Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory system, memory controller, and method for operating memory system

Номер патента: US11960888B2. Автор: Seok-jun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Memory system and management method of characteristic information of semiconductor device

Номер патента: US20220005543A1. Автор: Junji Mori. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-01-06.

Method of operating a memory system having an erase control unit

Номер патента: US9437310B2. Автор: Junjin Kong,Hong Rak Son,Eun Chu Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-06.

Multi-column addressing mode memory system including an intergrated circuit memory device

Номер патента: EP1800311A1. Автор: Frederick A. c/o Rambus Inc. WARE,Lawrence c/o Rambus Inc. LAI,Chad A. c/o Rambus Inc. BELLOWS,Wayne S. c/o Rambus Inc. RICHARDSON. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2007-06-27.

Memory system and control method

Номер патента: US20180217753A1. Автор: Shinichiro Nakazumi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-08-02.

Notifying memory system of host events via modulated reset signals

Номер патента: US12056518B2. Автор: Qing Liang,Jonathan S. Parry,Stephen Hanna,Kulachet Tanpairoj. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory systems with flexible erase suspend-resume operations, and associated systems, devices, and methods

Номер патента: US20230360708A1. Автор: Ching-Huang Lu,Pitamber Shukla,Fulvio Rori,Scott A. Stoller,Jiun-Horng Lai,Wai Ying Lo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Memory system and method of controlling memory system

Номер патента: US20200409555A1. Автор: Hiroshi Yao,Kazuhiro Fukutomi,Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-12-31.

Memory system and method of controlling memory system

Номер патента: US20180188963A1. Автор: Hiroshi Yao,Kazuhiro Fukutomi,Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-07-05.

Semiconductor memory system

Номер патента: US20020196662A1. Автор: Luigi Pascucci. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-12-26.

Selective data pattern write scrub for a memory system

Номер патента: US20240233843A1. Автор: Zhenming Zhou,Murong Lang,Zhongguang Xu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US12027194B2. Автор: Seungki HONG,Geuntae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-02.

Memory system performing cache bypassing operation and cache management method thereof

Номер патента: US20240256452A1. Автор: Shinhaeng KANG,Kyomin Sohn,Suk Han Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory system and storage device

Номер патента: US20230305953A1. Автор: Nobuaki Tojo,Shogo Ochiai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Memory system

Номер патента: US20240311039A1. Автор: Mitsunori Tadokoro,Haruka MORI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory systems and operation methods thereof

Номер патента: US20240311237A1. Автор: Yufei FENG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory system

Номер патента: US20240311047A1. Автор: Shinya Koizumi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory controller, memory system and operating method of memory system

Номер патента: US20240347097A1. Автор: Young Ook SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Apparatus and method for erasing data programmed in a non-volatile memory block in a memory system multiple times

Номер патента: US12131053B2. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US12131045B2. Автор: Myung Hyun Rhee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Memory system adaptively allocating a buffer memory, memory controller and method of operating the same

Номер патента: US20240361956A1. Автор: Woong Sik SHIN,Hae Lyong SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Controller, memory system and operating method of memory system

Номер патента: US20240363189A1. Автор: Young Ook SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Memory system with memory and controller

Номер патента: US12067250B2. Автор: Shohei Onishi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory system and read method

Номер патента: US12062400B2. Автор: Yuki Komatsu,Katsuyuki Shimada,Shingo Yanagawa,Yasuyuki Ushijima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Memory system, debugging device, debugging method of memory system, and method of operating memory system

Номер патента: US20240304270A1. Автор: Bumju Kim,Jaecheon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory system and write control method

Номер патента: US12093572B2. Автор: Shinichi Kanno,Takahiro Kurita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US09996292B2. Автор: Jung-Hyun Kwon,Dong-Gun KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Memory system and method

Номер патента: US09971522B2. Автор: Koichi Nagai,Yukimasa Miyamoto. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Nonvolatile memory system that erases memory cells when changing their mode of operation

Номер патента: US09767912B2. Автор: Hyun-Wook Park,Kitae Park,Jaeyong Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Operation method of memory controller and nonvolatile memory system including the memory controller

Номер патента: US09760503B2. Автор: Jisoo Kim,Seung-jae Lee,Sang-Jin Oh,Moonsang Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-12.

Storage device, memory system having the same, and operating method thereof

Номер патента: US09627079B1. Автор: Byung Ryul Kim,Yong Hwan HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Virtual memory system, virtual memory controlling method, and program

Номер патента: US09514056B2. Автор: Kenichi Nakanishi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Memory systems and methods of operating thereof, memory controllers and readable storage media

Номер патента: US20240362169A1. Автор: Bo Yu,Hua Tan,Xing Wang,Zhe Sun,Guangyao Han,Fanya Bi. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Resistive memory device, resistive memory system and method of operating the resistive memory device

Номер патента: US09449686B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Yeong-Taek Lee,Hyo-Jin KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-20.

Memory system and method for operating the same

Номер патента: US09437275B2. Автор: Jung-Hyun Kim,Ki-Chang Kwean. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Memory system

Номер патента: US11410735B2. Автор: Yoshihisa Kojima,Kazutaka Takizawa,Masaaki Niijima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-09.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20240202135A1. Автор: Hideki Yoshida,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Information processing system, information processing method and memory system

Номер патента: WO2013185625A1. Автор: Kenneth ChengHao Lin. Владелец: Shanghai XinHao Microelectronics Co. Ltd.. Дата публикации: 2013-12-19.

Memory system and method of controlling the same

Номер патента: US7596048B2. Автор: Yohei Kamiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-09-29.

Method and apparatus for simultaneously accessing a plurality of memory cells in a memory array to perform a read operation and/or a write operation

Номер патента: US20140204682A1. Автор: Pantas Sutardja,Winston Lee. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2014-07-24.

Memory system

Номер патента: US20210241833A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Kazutaka Takizawa,Masaaki Niijima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-08-05.

Memory system

Номер патента: US20240193080A1. Автор: Masaru Ogawa,Kenji Sakaue,Noriyuki Moriyasu. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Memory system

Номер патента: US20240143236A1. Автор: Shintaro HABA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Apparatus and method for handling a firmware error in operation of a memory system

Номер патента: US20210064471A1. Автор: Sung-Jin Park,Dong-Hyun Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-03-04.

Apparatus and method for managing map data between host and memory system

Номер патента: US12050795B2. Автор: Jung Woo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Cache memory systems having a flexible buffer memory portion and methods of operating the same

Номер патента: US8443161B2. Автор: Woo-young Jung,Sang-Yeun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-05-14.

Apparatus and method for securing a free memory block in a memory system

Номер патента: US11775426B2. Автор: Dong Young Seo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Information processing system, information processing method and memory system

Номер патента: EP2862088A1. Автор: Kenneth ChengHao Lin. Владелец: Shanghai Xinhao Bravechips Micro Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-22.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US20190108136A1. Автор: Jongju Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-04-11.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20240249782A1. Автор: Joonsuc Jang,Ji-Sang LEE,Minkyeong CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Method for programming memory system

Номер патента: EP3853854A1. Автор: Ke Liang,Qiang Tang,Chun Yuan Hou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-28.

Memory system and non-transitory computer readable recording medium

Номер патента: US12072797B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory by controlling the writing of data to and reading of data from a plurality of blocks in the nonvolatile memory

Номер патента: US11762591B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Memory system controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20230305704A1. Автор: Naoki Esaka,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20240264757A1. Автор: Duck Joo Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US10712962B2. Автор: Se-Hyun Kim,Jung-Woo Kim,Kyung-hoon Lee,Sung-Hun JEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-07-14.

Memory system and control method

Номер патента: US20240264749A1. Автор: Takahiro Kubota,Hironori Uchikawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory system controlling nonvolatile memory

Номер патента: US12079473B2. Автор: Naoki Esaka,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Data loss protection for memory systems and devices

Номер патента: US20240296115A1. Автор: Amichai GIVANT,Stefano Amato,Shivananda Shetty,Yoav Yogev,Yair Sofer,Idan Koren,Itzic Cohen. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-05.

Memory system

Номер патента: US20090141552A1. Автор: Hiroshi Sukegawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-04.

Josephson magnetic random access memory system and method

Номер патента: EP2564390A1. Автор: Quentin P Herr,Anna Y Herr. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2013-03-06.

Josephson magnetic random access memory system and method

Номер патента: WO2011136889A1. Автор: Quentin P Herr,Anna Y Herr. Владелец: Northrop Grumman Systems Corporation. Дата публикации: 2011-11-03.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200183599A1. Автор: Eu-Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-06-11.

Memory system and method of controlling the memory system

Номер патента: US20240311291A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Data loss protection for memory systems and devices

Номер патента: WO2024186652A1. Автор: Amichai GIVANT,Stefano Amato,Shivananda Shetty,Yoav Yogev,Yair Sofer,Idan Koren,Itzic Cohen. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory system and method of estimating read voltages thereof

Номер патента: US20240319907A1. Автор: Yuki Komatsu,Katsuyuki Shimada,Yasuyuki Ushijima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US20240345749A1. Автор: Jung Hyun Kwon,Min Seob Lee,Dong Gun KIM,Kwang Hyo JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory system and method for controlling non-volatile memory

Номер патента: US20240319919A1. Автор: Shinichi Matsukawa,Yongbum Park. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of operating memory system and memory system performing the same

Номер патента: US20240319882A1. Автор: Young Bong KIM,Changho Choi,Eun-Kyung CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory system

Номер патента: US20240304229A1. Автор: Kosuke Hatsuda,Takaya Yasuda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory device, memory system, method of operating the memory device, and method of operating the memory system

Номер патента: US09824765B2. Автор: Yoon Kim,Sang-Soo Park,Won-Bo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Region probe filter for distributed memory system

Номер патента: US09792210B2. Автор: Patrick N. Conway. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Memory system

Номер патента: US09761325B1. Автор: Osamu Torii,Tokumasa Hara,Hironori Uchikawa,Juan Shi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Memory system and operation method for the same

Номер патента: US09703487B2. Автор: Hae-Gi CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Memory system controlling power supply and control circuit for controlling power supply

Номер патента: US09620178B1. Автор: Ryosuke Tomioka,Fuminori Kimura,Takahiro Masakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Memory system and control method

Номер патента: US09601197B2. Автор: Shingo Akita,Takahiro Nango. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Non-volatile memory device, operating method thereof, memory system including the non-volatile memory device, and operating method of the memory system

Номер патента: US09576666B2. Автор: Jae-Hong Kim,Young-Seop Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Memory system and control method

Номер патента: US09569355B2. Автор: Shigehiro Asano,Yohei Hasegawa,Tokumasa Hara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Memory system for reliable predicted sequential read operation

Номер патента: US09477612B2. Автор: Jeen PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Memory system and memory control method

Номер патента: US09424929B1. Автор: Masanobu Shirakawa,Ryo Yamaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Memory systems and operating methods of memory controllers

Номер патента: US09390805B2. Автор: JINYUB LEE,Sungkyu Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-12.

Wear leveling in a memory system

Номер патента: US09390025B2. Автор: Trung Diep,Eric Linstadt. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2016-07-12.

Memory system and control method

Номер патента: US10528464B2. Автор: Shigehiro Asano,Masahiro Ishiyama. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-01-07.

Memory device, memory system having the same and operating method thereof

Номер патента: US20240212776A1. Автор: Jongpil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Memory device for selectively operating multiple memory groups in different speeds and memory system including the same

Номер патента: US12020763B2. Автор: Hyungsup KIM,Hyung-Sik Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

DDR DIMM, memory system and operation method thereof

Номер патента: US12026050B2. Автор: Ming Huang,Liang Zhang. Владелец: Innosilicon Microelectronics Wuhan Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Memory system and method

Номер патента: US20240201866A1. Автор: Kiyotaka Iwasaki,Atsuo Shono. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Controller and memory system including the controller operating memory allocation

Номер патента: US12001885B2. Автор: Duk Joon JEON,Changhwan Youn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Memory system and computer program product

Номер патента: US8812774B2. Автор: Shigehiro Asano,Kazuhiro Fukutomi,Shinichi Kanno,Akira Yamaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-19.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20170263318A1. Автор: SANAD Bushnaq,Takayuki Akamine,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Page retirement in a nand flash memory system

Номер патента: WO2015083308A1. Автор: Roman A. Pletka,Andrew Dale Walls,Ioannis Koltsidas,Charles John Camp. Владелец: Ibm Japan, Ltd.. Дата публикации: 2015-06-11.

Memory system and information processing system

Номер патента: US20230297254A1. Автор: Takuya Onodera. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory system and information processing system

Номер патента: US12073098B2. Автор: Takuya Onodera. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Memory system

Номер патента: US20140082263A1. Автор: Shigeaki Iwasa,Kohei Oikawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-03-20.

Memory system

Номер патента: WO2012137372A1. Автор: Shigeaki Iwasa,Kohei Oikawa. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-10-11.

Memory device and memory system

Номер патента: US20200279612A1. Автор: Hyungsup KIM,Hyung-Sik Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-09-03.

Memory controller, memory system and memory control method

Номер патента: US20170075623A1. Автор: Takashi Ogasawara,Ikuo Magaki,Naoto Oshiyama,Satoshi Kaburaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Memory system including nonvolatile memory

Номер патента: US20150063034A1. Автор: Hidetaka Tsuji,Hiroki Tagawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-05.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US20150270005A1. Автор: Yoon-hee Choi,Daeseok Byeon,Byunggil JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-09-24.

Memory system and power supply control circuit

Номер патента: US20240281153A1. Автор: Kengo Kumagai,Daiki KAMADA,Yuta HIBE. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Node-precise voltage regulation for a mos memory system

Номер патента: WO1999000797A3. Автор: Fu-Chang Hsu,Hsing-Ya Tsao,Peter W Lee. Владелец: Aplus Flash Technology Inc. Дата публикации: 1999-03-25.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20180196744A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-07-12.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200097401A1. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-03-26.

Memory system and method of controlling memory chips

Номер патента: US20240302997A1. Автор: Hajime Yamazaki,Konosuke Watanabe,Shinji Yonezawa,Mitsusato Hara,Haruka MORI,Eiji SUKIGARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Data recovery with enhanced super chip-kill recovery and method of operating such memory system

Номер патента: US20240289028A1. Автор: Fan Zhang,Meysam Asadi,Ahmad Golmohammadi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory system

Номер патента: US20240302994A1. Автор: Yasuhiko Kurosawa,Kenji Sakaue. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Nonvolatile memory device, memory system including the same and method for driving nonvolatile memory device

Номер патента: US20150287455A1. Автор: Hyun-Kook PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-08.

Memory controller, memory system, information processing system, and memory control method

Номер патента: US20210081136A1. Автор: Kenichi Nakanishi. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Memory system in which a host and a controller store a command and a response to the command by using a circular queue

Номер патента: US12118243B2. Автор: In Jong Jang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Memory device, memory system, and method of operating

Номер патента: EP4449417A1. Автор: Ke Liang,Zhipeng DONG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Page retirement in a NAND flash memory system

Номер патента: US09952795B2. Автор: Roman A. Pletka,Charles J. Camp,Andrew D. Walls,Ioannis Koltsidas. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US09946643B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Memory system that carries out an atomic write operation

Номер патента: US09940071B2. Автор: Satoshi Arai,Hiroyuki Nemoto,Kazuya Kitsunai,Shunitsu KOHARA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Memory system

Номер патента: US09891974B2. Автор: Nobuyuki SUZUKI,Masami Aochi,Yoshihisa Kojima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Memory controller, memory system and memory control method

Номер патента: US09870170B2. Автор: Takashi Ogasawara,Ikuo Magaki,Naoto Oshiyama,Satoshi Kaburaki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Memory system with nonvolatile memory

Номер патента: US09823852B2. Автор: Kazuhito Okita. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Memory device, memory system, and method for operating memory device

Номер патента: US09818493B2. Автор: Dong-Uk Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09767910B1. Автор: SANAD Bushnaq,Takayuki Akamine,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Atomic rights in a distributed memory system

Номер патента: US09760295B2. Автор: Noritsugu Yoshimura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Memory device and memory system including the memory device

Номер патента: US09741425B2. Автор: Nak-Kyu Park,Sun-Hye Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor memory device including dummy memory cells and memory system including the same

Номер патента: US09691490B2. Автор: Eun Seok Choi,Jung Seok Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Memory device to alleviate the effects of row hammer condition and memory system including the same

Номер патента: US09685240B1. Автор: Min su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Non-volatile memory device, memory system, and methods of operating the device and system

Номер патента: US09672931B2. Автор: Myung-Hoon Choi,Seok-min Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor memory systems using regression analysis and read methods thereof

Номер патента: US09552887B2. Автор: Jun Jin Kong,Changkyu Seol,Hong Rak Son,Kwanghoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-24.

Memory access requests in hybrid memory system

Номер патента: US09477591B2. Автор: Sumanth Jannyavula Venkata,James David Sawin. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2016-10-25.

Nonvolatile memory device, memory system including the same and method for driving nonvolatile memory device

Номер патента: US09443586B2. Автор: Hyun-Kook PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

Extended super memory blocks in memory systems

Номер патента: US11922040B2. Автор: Youn Won PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Sequential write operations using multiple memory dies

Номер патента: US20240053900A1. Автор: Rakeshkumar Dayabhai Vaghasiya,Anilkumar Rameshbhai Sindhi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Apparatus and method for transfering data in memory system

Номер патента: US20230297274A1. Автор: Chan Hyeok CHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory system and method

Номер патента: US20190087324A1. Автор: Hiroshi Yao,Naomi Takeda,Kenta Yasufuku. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Memory system and refresh method

Номер патента: US20230307031A1. Автор: Rei Kasedo. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device with a plurality of write conditions and memory system

Номер патента: US20110161386A1. Автор: Takafumi Ito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-30.

Memory device including page buffer, memory system including page buffer, and operating method thereof

Номер патента: US20240242745A1. Автор: Yan Wang,Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Nonvolatile memory device, memory system including nonvolatile memory device, and method of controlling nonvolatile memory device

Номер патента: US20200135281A1. Автор: Minsoo Kim,Kyunghoon Sung,Deahan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-30.

Memory system

Номер патента: US20230305718A1. Автор: Takashi Takemoto,Kensaku Yamaguchi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Resistive memory device and a memory system including the same

Номер патента: US20170309330A1. Автор: Suk-Soo Pyo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-26.

Cache memory, cache memory system, and method program for using the cache memory

Номер патента: US20110153950A1. Автор: Takashi Miyazaki,Kazuhisa Ishizaka. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2011-06-23.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US20170200512A1. Автор: Ho-Jun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-13.

Memory System for seamless switching

Номер патента: US20090282280A1. Автор: Hoe-ju Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-11-12.

Apparatus and method for transmitting map information and read count in memory system

Номер патента: US20210004167A1. Автор: Jong-Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-07.

Memory system

Номер патента: US20160216894A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Takahiro Nango,Tohru Fukuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-07-28.

Adaptive internal table backup for non-volatile memory system

Номер патента: US20120331208A1. Автор: Robert C. Chang,Bahman Qawami,Farshid Sabet-Sharghi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2012-12-27.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US12066931B2. Автор: Hideki Yoshida,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Nonvolatile memory system

Номер патента: WO2008100415A4. Автор: Pantas Sutardja,Zining Wu,Tony Yoon,Chi-Kong Lee,Lau Nguyen. Владелец: Lau Nguyen. Дата публикации: 2009-01-08.

Memory system controlling data erase for nonvolatile memory and control method for erasing data

Номер патента: US20180286485A1. Автор: Kazutaka Takizawa,Masaaki Niijima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Memory system and method for operating the same

Номер патента: US20200034299A1. Автор: Hui-Won LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-01-30.

Memory system having a plurality of writing modes

Номер патента: US20170109050A1. Автор: Hiroshi Yao,Kazuhiro Fukutomi,Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-20.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US12079131B2. Автор: Jooyoung Lee,Hoeseung Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory Systems and Methods Involving High Speed Local Address Circuitry

Номер патента: US20160196858A1. Автор: Patrick Chuang,Lee-Lean Shu,Mu-Hsiang Huang. Владелец: GSI Technology Inc. Дата публикации: 2016-07-07.

Nonvolatile protein memory system with optical write/erase and electrical readout capability

Номер патента: US20180350436A1. Автор: Jin Song,Jintae Kim,Dohyun Kim,Yeji Kim,Minsub CHUNG,Kyungju Song. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Hongik University. Дата публикации: 2018-12-06.

Nonvolatile protein memory system with optical write/erase and electrical readout capability

Номер патента: US10403360B2. Автор: Jin Song,Jintae Kim,Dohyun Kim,Yeji Kim,Minsub CHUNG,Kyungju Song. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Hongik University. Дата публикации: 2019-09-03.

Memory device and memory system

Номер патента: US20230057303A1. Автор: Hiroyuki Ishii,Yuji Nagai,Makoto Miakashi,Tomoko KAJIYAMA,Hayato Konno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-02-23.

Memory device, a memory system and an operating method of the memory device

Номер патента: US12073914B2. Автор: Kyungryun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Artificial intelligent agent memory system managed by neural networks

Номер патента: US20210304000A1. Автор: Mohammad Rasoolinejad. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-09-30.

Computer memory system and method for memory segmentation

Номер патента: EP4407469A1. Автор: Uri Kaluzhny. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-31.

Memory device and memory system with a self-refresh function

Номер патента: US12094514B2. Автор: Chih-Chiang LAI. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory device, the operation method thereof and memory system

Номер патента: US12112802B2. Автор: JING Wei,Zhihong Li,Masao Kuriyama. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US12112046B2. Автор: Eujoon Byun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Memory system controlling nonvolatile memory

Номер патента: US12080352B2. Автор: Yasuyuki Ushijima,Hisaki Niikura,Kyoka KONISHI,Eriko AKAIHATA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20240362162A1. Автор: Hideki Yoshida,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-31.

Memory device and memory system

Номер патента: US20240347091A1. Автор: Lui Sakai. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory system having a plurality of writing modes

Номер патента: US09910597B2. Автор: Hiroshi Yao,Kazuhiro Fukutomi,Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Memory system and information processing system

Номер патента: US09904807B2. Автор: Kiyotaka Matsuo. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Resistive memory device and a memory system including the same

Номер патента: US09899081B2. Автор: Suk-Soo Pyo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Convolutional hierarchical temporal memory system and method

Номер патента: US20220237453A1. Автор: Max Lee,Teja Veeramacheneni. Владелец: Sonasoft Corp. Дата публикации: 2022-07-28.

Sparse coding in a dual memory system for lifelong learning

Номер патента: US20240135169A1. Автор: Elahe Arani,Bahram Zonooz,Fahad Sarfraz. Владелец: Navinfo Europe BV. Дата публикации: 2024-04-25.

Copper-bonded memory stacks with copper-bonded interconnection memory systems

Номер патента: US11721685B2. Автор: Thomas Edward Dungan. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2023-08-08.

Wire bonding for stacked memory dies

Номер патента: US20240063168A1. Автор: Ling Pan,Hong Wan Ng,See Hiong Leow,Seng Kim Ye,Kelvin Aik Boo TAN. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Copper-bonded memory stacks with copper-bonded interconnection memory systems

Номер патента: US20230343771A1. Автор: Thomas Edward Dungan. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Copper-bonded memory dies in a memory stack which is copper-bonded to a logic die via a buffer die

Номер патента: EP4095908A1. Автор: Thomas Edward Dungan. Владелец: Broadcom International Pte Ltd. Дата публикации: 2022-11-30.

Peripheral circuit assemblies, memory systems and fabrication methods of memory systems

Номер патента: US20240315056A1. Автор: Lei Ren,Yuxuan Ren,Hu DING,Yanwei Shi,Xuelian Yu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor package structure, fabrication method and memory system

Номер патента: US20240332269A1. Автор: Peng Chen,XinRu Zeng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Chip package devices and memory systems

Номер патента: US20240363588A1. Автор: Xuhui Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor die, a semiconductor die stack, a semiconductor module, and methods of forming the semiconductor die and the semiconductor die stack

Номер патента: US20240332241A1. Автор: Jin Woong Kim,Mi Seon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor die, a semiconductor die stack, and a semiconductor module

Номер патента: US12046573B2. Автор: Jin Woong Kim,Mi Seon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Three-dimensional memory, fabricating method thereof and memory system

Номер патента: US20240164097A1. Автор: LEI Jin,Jianquan Jia,Kaiwei LI,Weiming Chen,Weiwei CHU,Wenhao Xiong,Junbao WANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Wind turbine with a reflective memory system

Номер патента: US09828970B2. Автор: Robert Bowyer,Siew Hoon Lim. Владелец: Vestas Wind Systems AS. Дата публикации: 2017-11-28.

Associative memory system and method for flight plan modification

Номер патента: US09754495B2. Автор: John Whelan. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2017-09-05.

Memory system packaging structure, and method for forming the same

Номер патента: EP4437588A1. Автор: Peng Chen,XinRu Zeng,Houde Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Memory system packaging structure, and method for forming the same

Номер патента: US20230209842A1. Автор: Peng Chen,XinRu Zeng,Houde Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Memory system packaging structure, and method for forming the same

Номер патента: WO2023124816A1. Автор: Peng Chen,XinRu Zeng,Houde Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-07-06.

Memory system package structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240178089A1. Автор: Peng Chen,Zhen Xu,XinRu Zeng,Weisong QIAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor devices with multiple substrates and die stacks

Номер патента: US20220336417A1. Автор: Chin Hui Chong,Hem P. Takiar,Hong Wan Ng,Seng Kim Ye,Kelvin Tan Aik Boo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-20.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: US20240188309A1. Автор: Dong Gi Lee,Chul-Hwan Choo,Yunkyeong Jeong,Yunseok YANG,Eungchang Lee,Seula RYU,Minhwan AN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-06.

Memory system including semiconductor chips

Номер патента: US20240379621A1. Автор: Dong Sop LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-14.

Memory system

Номер патента: US12041719B2. Автор: Gen Watari. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory system, memory controller, and method of controlling non-volatile memory

Номер патента: US20240275408A1. Автор: Yuki Kondo,Kosuke Morinaga. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory system and data encrypting method

Номер патента: US20240323007A1. Автор: Tadashi Nagahara. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

MEMORY SYSTEM, MEMORY TEST SYSTEM AND METHOD OF TESTING MEMORY SYSTEM AND MEMORY TEST SYSTEM

Номер патента: US20120002495A1. Автор: SUH Sung-Dong,HA Kyoung-Ho,Song Ki-Jae,KIM Seong-gu,JOE In-sung,Cho Soo-Haeng,Kim Yeoung-kum. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Managing data placement for direct assigned virtual machines in a memory sub-system

Номер патента: WO2024197080A1. Автор: Luca Bert. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-09-26.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.