Memory systems having memory devices therein with enhanced error correction capability and methods of operating same
Номер патента: US12057184B2
Опубликовано: 06-08-2024
Автор(ы): Changyong Lee, Junhyung Kim, Kiheung KIM, Kijun Lee, Myungkyu Lee, Sanguhn CHA, Sunghye CHO, Sungrae Kim
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 06-08-2024
Автор(ы): Changyong Lee, Junhyung Kim, Kiheung KIM, Kijun Lee, Myungkyu Lee, Sanguhn CHA, Sunghye CHO, Sungrae Kim
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Memory systems having memory devices therein with enhanced error correction capability and methods of operating same
Номер патента: US20240339168A1. Автор: Junhyung Kim,Kijun Lee,Sanguhn CHA,Sunghye CHO,Myungkyu Lee,Kiheung KIM,Sungrae Kim,Changyong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-10.