Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Phase change memory system, phase change memory device, and phase change memory device refresh method

Phase change memory system, phase change memory device, and phase change memory device refresh method

Номер патента: US11417395B2
Опубликовано: 16-08-2022
Автор(ы): Kwang Jin Lee, Yoon Sung SHIN
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Phase change memory system, phase change memory device, and phase change memory device refresh method

Номер патента: US20210118500A1. Автор: Kwang Jin Lee,Yoon Sung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-22.

In-memory computing (imc) memory device and imc method thereof

Номер патента: US20240231623A9. Автор: Hsiang-Lan Lung,Wei-Chih Chien,Cheng-Lin Sung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Methods for a phase-change memory array

Номер патента: US20140376306A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Claudio Resta,Marco Ferraro. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-12-25.

Method for controlling memory device asynchronously with respect to system clock, and related memory device and memory system

Номер патента: US20150287445A1. Автор: Tah-Kang Joseph Ting,Gyh-Bin Wang,Yung-Ching Hsieh. Владелец: PieceMakers Tech Inc. Дата публикации: 2015-10-08.

Method for controlling memory device asynchronously with respect to system clock, and related memory device and memory system

Номер патента: US09679622B2. Автор: Tah-Kang Joseph Ting,Gyh-Bin Wang,Yung-Ching Hsieh. Владелец: PieceMakers Tech Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Non-volatile memory device and method for programming a non-volatile memory device

Номер патента: US20240145016A1. Автор: Junyong PARK,Sungmin JOE,Byungsoo Kim,Hyunggon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Memory device including a processing circuit, memory controller controlling the memory device and memory system including the memory device

Номер патента: US20200356305A1. Автор: Wonjun Lee,Changhyun KIM,Seon Wook Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-11-12.

Memory system compensating for performance deterioration of a memory device

Номер патента: US11923014B2. Автор: Ji Hoon HWANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Memory device, a memory controller, a storage device including the memory device and the memory controller and operating method thereof

Номер патента: US20190294362A1. Автор: Hee Youl Lee,Sung Ho Bae. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-09-26.

Nonvolatile memory device and method of throttling temperature of nonvolatile memory device

Номер патента: US10445010B2. Автор: Sung-Won Jeong,Hee-Woong Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-15.

Method of testing memory device, memory built-in self test (MBIST) circuit, and memory device for reducing test time

Номер патента: US11899959B2. Автор: Jaewon Park,Jaehoon Lee,Sangkil PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor memory device, a controller, and operating methods of the semiconductor memory device and the controller

Номер патента: US20210183464A1. Автор: Jung Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Non-volatile memory device and method of writing to non-volatile memory device

Номер патента: US11195582B2. Автор: Yoshikazu Katoh,Naoto Kii,Yuhei YOSHIMOTO. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2021-12-07.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US11604596B2. Автор: Jee Yul KIM,Hyeong Ju NA,Tae Ha Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-03-14.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US20210034293A1. Автор: Young Chan Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Idle mode temperature control for memory systems

Номер патента: US12039189B2. Автор: Francesco Basso,Francesco Falanga,Massimo Iaculo,Antonino Pollio. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Methods for asynchronously signaling updated information from a memory device to a host and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20240289060A1. Автор: Frank F. Ross. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-08-29.

Operation method of nonvolatile memory system

Номер патента: US09690654B2. Автор: Sangkwon Moon,Heewon Lee,Suejin Kim,Hyery No. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Reset verification in a memory system

Номер патента: US20210173562A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

Reset verification in a memory system

Номер патента: US20230014955A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Memory device and read/write method of memory device

Номер патента: US12051392B2. Автор: Chang Sue Seo. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US20240281166A1. Автор: Jae Woong Jeong,In Bo Shim,Dal Gon KIM,Na Yeong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor memory device and method providing log information

Номер патента: US12045496B2. Автор: Kwanghyun KIM,Boayeong Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Memory system with switchable operating bands

Номер патента: US09898218B2. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Hillery C. Hunter,Michael B. Healy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Memory system and method of operating memory system

Номер патента: US20240241646A1. Автор: Hyunseok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Stacked memory devices, systems, and methods

Номер патента: US20240345737A1. Автор: Joe M. Jeddeloh. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-10-17.

Stacked memory devices, systems, and methods

Номер патента: US09990144B2. Автор: Joe M. Jeddeloh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Memory device, memory system, and method of operating the device

Номер патента: US09904491B2. Автор: Dong-Uk Kim,Jin-Ho Yi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Storage device and method for updating meta slice including map chunks stored in nonvolatile memory device according to journal entries

Номер патента: US11734167B2. Автор: Ju Hyun Kim,Jin Yeong Kim,Jae Wan YEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09836216B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Memory system, operating method thereof, and electronic device

Номер патента: US20190347196A1. Автор: Kyung Min Kim,Dae Hong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Idle mode temperature control for memory systems

Номер патента: US20240069784A1. Автор: Francesco Basso,Francesco Falanga,Massimo Iaculo,Antonino Pollio. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Methods for generating notifications for updated information from mode registers of a memory device to a host and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US11977770B2. Автор: Frank F. Ross. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-05-07.

Memory device, memory system and method for operating memory system

Номер патента: US20240111433A1. Автор: Haewon Lee,Jieun Shin,Sang-Kyu Kang,Ho-Cheol BANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-04.

Methods for asynchronously signaling updated information from a memory device to a host and memory devices and systems employing the same

Номер патента: WO2019236117A3. Автор: Frank F. Ross. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-06-25.

Methods for asynchronously signaling updated information from a memory device to a host and memory devices and systems employing the same

Номер патента: WO2019236117A2. Автор: Frank F. Ross. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-12-12.

Methods for asynchronously signaling updated information from a memory device to a host and memory devices and systems employing the same

Номер патента: EP3803871A2. Автор: Frank F. Ross. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-14.

Memory system and operating method of the memory system inputting an additional read enable toggle signal to output status information of memory device

Номер патента: US11880599B2. Автор: Dae Sung Kim,Sung Ho Ahn,Jae Hyeong Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US11922065B2. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Memory system including a plurality of controllers

Номер патента: US20200241989A1. Автор: Jae-Yong Jeong,Kui-Yon Mun,Sung-Kyu Park,Young-Seok Hong,Beomkyu Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-30.

Memory systems including memory controllers that use status input pins to check memory operation statuses of memory devices

Номер патента: US20230152976A1. Автор: Suhyun KIM,Donggeun Lim,Seonghoon Woo,Taeeun Park,Yukyeong Kim,Yejin Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-18.

Memory systems including memory controllers that use status input pins to check memory operation statuses of memory devices

Номер патента: EP4187537A1. Автор: Suhyun KIM,Donggeun Lim,Seonghoon Woo,Taeeun Park,Yukyeong Kim,Yejin Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-31.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200341687A1. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-10-29.

Read-write method and memory device

Номер патента: EP3985494A1. Автор: Shuliang NING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-04-20.

Data buffer for memory devices with unidirectional ports

Номер патента: US20240256131A1. Автор: Christopher Haywood. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-08-01.

METHOD FOR CONTROLLING MEMORY DEVICE ASYNCHRONOUSLY WITH RESPECT TO SYSTEM CLOCK, AND RELATED MEMORY DEVICE AND MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20150287445A1. Автор: Ting Tah-Kang Joseph,Wang Gyh-Bin,Hsieh Yung-Ching. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-08.

Reset verification in a memory system

Номер патента: US11928333B2. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Memory device having a controller to enable and disable mode control circuitry of the controller

Номер патента: US09965208B1. Автор: Kenneth J. Eldredge,Tommaso Vali,Frankie F. Roohparvar,Luca De Santis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Memory device configuration commands

Номер патента: US09940052B2. Автор: Umberto Siciliani,Anna Chiara Siviero,Andrea Smaniotto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Skewing expected wearout times of memory devices

Номер патента: US09798476B2. Автор: Steven R. Hetzler. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Memory system with switchable operating bands

Номер патента: US20170228186A1. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Hillery C. Hunter,Michael B. Healy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

Memory controlling method and memory system

Номер патента: US20170003908A1. Автор: Cheng-Wen Wu,Pei-Wen Luo,Chi-Kang CHEN,Ding-Ming Kwai,Hsiu-Chuan Shih. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2017-01-05.

Configuring file structures and file system structures in a memory device

Номер патента: US20040177229A1. Автор: Daniel Brown,Christopher Moore,Roger March. Владелец: Matrix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-09-09.

Memory devices and methods for use therewith

Номер патента: MY128904A. Автор: Roger W March,Christopher S Moore,Daniel T Brown,Thomas H Lee,Mark G Johnson. Владелец: Matrix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-02-28.

Semiconductor memory device and method providing log information

Номер патента: US20230112719A1. Автор: Kwanghyun KIM,Boayeong Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-13.

Block family-based error avoidance for memory devices

Номер патента: WO2021127298A1. Автор: Peter Feeley,Bruce A. Liikanen,Kishore Kumar Muchherla,Larry J. Koudele,Shane Nowell,Steven Michael Kientz,Vamsi Pavan Rayaprolu,Michael Sheperek,Mustafa N. Kaynak. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-24.

Block family-based error avoidance for memory devices

Номер патента: US20210191617A1. Автор: Peter Feeley,Bruce A. Liikanen,Kishore Kumar Muchherla,Larry J. Koudele,Shane Nowell,Steven Michael Kientz,Vamsi Pavan Rayaprolu,Michael Sheperek,Mustafa N. Kaynak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-24.

Block family-based error avoidance for memory devices

Номер патента: US20220091741A1. Автор: Peter Feeley,Bruce A. Liikanen,Kishore Kumar Muchherla,Larry J. Koudele,Shane Nowell,Steven Michael Kientz,Vamsi Pavan Rayaprolu,Michael Sheperek,Mustafa N. Kaynak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

Block family-based error avoidance for memory devices

Номер патента: US11886726B2. Автор: Peter Feeley,Bruce A. Liikanen,Kishore Kumar Muchherla,Larry J. Koudele,Shane Nowell,Steven Michael Kientz,Vamsi Pavan Rayaprolu,Michael Sheperek,Mustafa N. Kaynak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: US20170344301A1. Автор: Reum Oh,Hak-soo Yu,Je Min RYU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-30.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20210304828A1. Автор: Jae Woong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Block family-based error avoidance for memory devices

Номер патента: US20240111445A1. Автор: Peter Feeley,Bruce A. Liikanen,Kishore Kumar Muchherla,Larry J. Koudele,Shane Nowell,Steven Michael Kientz,Vamsi Pavan Rayaprolu,Michael Sheperek,Mustafa N. Kaynak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US11995343B2. Автор: Jae Woong Jeong,In Bo Shim,Dal Gon KIM,Na Yeong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US11922064B2. Автор: Soo Jin Kim,Seung Jin PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Memory Device and Read/Write Method of Memory Device

Номер патента: US20220199053A1. Автор: Chang Sue Seo. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Resistance memory element, phase change memory element, resistance random access memory device, information reading method thereof, phase change random access memory device, and information reading method thereof

Номер патента: US20100008132A1. Автор: Cheol-Seong Hwang,Tae-Joo Park. Владелец: SNU R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2010-01-14.

Phase change memory devices and systems having reduced voltage threshold drift and associated methods

Номер патента: US09627055B1. Автор: Mattia Robustelli. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Dynamic control of power consumption based on memory device activity

Номер патента: US09898059B2. Автор: Barak Rotbard,Assaf Shappir. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Signal path biasing in a memory system

Номер патента: WO2020214782A1. Автор: Peter Mayer,Martin Brox,Thomas Hein,Michael Dieter RICHTER,Wolfgang Anton SPIRKL. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-10-22.

Signal path biasing in a memory system

Номер патента: US20230195655A1. Автор: Peter Mayer,Martin Brox,Thomas Hein,Michael Dieter RICHTER,Wolfgang Anton SPIRKL. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Signal path biasing in a memory system

Номер патента: US11989140B2. Автор: Peter Mayer,Martin Brox,Thomas Hein,Michael Dieter RICHTER,Wolfgang Anton SPIRKL. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Signal path biasing in a memory system

Номер патента: EP3956892A1. Автор: Peter Mayer,Martin Brox,Thomas Hein,Michael Dieter RICHTER,Wolfgang Anton SPIRKL. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-23.

Signal path biasing in a memory system

Номер патента: US20200334172A1. Автор: Peter Mayer,Martin Brox,Thomas Hein,Michael Dieter RICHTER,Wolfgang Anton SPIRKL. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-22.

Packet routing between memory devices and related apparatuses, methods, and memory systems

Номер патента: US11947798B2. Автор: John D. Leidel. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Memory system, memory module, and operation method of memory system

Номер патента: US20200142772A1. Автор: Hoiju CHUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-05-07.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US20160259585A1. Автор: Jong-Ju PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-08.

Nonvolatile memory device, storage device including nonvolatile memory device, and operating method of nonvolatile memory device

Номер патента: US11646087B2. Автор: Hangil JEONG,Bong-Kil Jung,Yongsung CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-09.

Nonvolatile memory device, storage device including nonvolatile memory device, and operating method of nonvolatile memory device

Номер патента: US20210343352A1. Автор: Hangil JEONG,Bong-Kil Jung,Yongsung CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-04.

Storage device and operating method of storage device

Номер патента: US11829626B2. Автор: Sung-Wook Kim,Walter JUN,Jae Eun Kim,Jaehwan LIM,Daehun YOU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-28.

Ultra-deep power down mode control in a memory device

Номер патента: EP3311384A1. Автор: Gideon Intrater,Nathan Gonzales,John Dinh,Derric Lewis. Владелец: Adesto Technologies Corp. Дата публикации: 2018-04-25.

Nonvolatile memory device, storage device including nonvolatile memory device, and operating method of nonvolatile memory device

Номер патента: US20230253057A1. Автор: Hangil JEONG,Bong-Kil Jung,Yongsung CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-10.

Nonvolatile memory device, storage device including nonvolatile memory device, and operating method of nonvolatile memory device

Номер патента: US11942166B2. Автор: Hangil JEONG,Bong-Kil Jung,Yongsung CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-26.

Methods for independent memory bank maintenance and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20240257858A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-08-01.

Resistive memory device and operating method

Номер патента: US09646687B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Hyun-Kook PARK,Yeong-Taek Lee,Yong-kyu Lee,Hyo-Jin KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Memory system and memory managing method thereof

Номер патента: US20130117500A1. Автор: Sangyong Yoon,Sang-Hyun Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-05-09.

Tamper detection and response in a memory device

Номер патента: US20150356322A1. Автор: THOMAS Andre,Syed M. Alam,Chitra K. Subramanian,Halbert S. Lin. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2015-12-10.

Tamper detection and response in a memory device

Номер патента: US09569640B2. Автор: THOMAS Andre,Syed M. Alam,Chitra K. Subramanian,Halbert S. Lin. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Tamper detection and response in a memory device

Номер патента: EP2954415A1. Автор: THOMAS Andre,Syed M. Alam,Chitra K. Subramanian,Halbert S. Lin. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2015-12-16.

Memory device and method for managing read counts of memory device

Номер патента: US20210365213A1. Автор: Yen-Hsiang Chen,Nai-Ping Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Three-dimensional convolution operation device and method based on three-dimensional phase change memory

Номер патента: US20220351026A1. Автор: Hao Tong,Qing Hu,Xiangshui Miao,Yuhui He. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2022-11-03.

Three-dimensional convolution operation device and method based on three-dimensional phase change memory

Номер патента: US11989644B2. Автор: Hao Tong,Qing Hu,Xiangshui Miao,Yuhui He. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-05-21.

Multi-layer phase change memory device

Номер патента: US11889773B2. Автор: Kevin W. Brew,Timothy Mathew Philip,Injo OK,Nicole Saulnier,Matthew Joseph BrightSky,Jin Ping HAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Multi-layer phase change memory device

Номер патента: WO2022142647A1. Автор: Kevin W. Brew,Timothy Mathew Philip,Injo OK,Nicole Saulnier,Matthew Joseph BrightSky,Jin Ping HAN. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2022-07-07.

Multi-layer phase change memory device

Номер патента: GB2617946A. Автор: OK Injo,Saulnier Nicole,Ping Han Jin,Joseph Brightsky Matthew,W Brew Kevin,Mathew Philip Timothy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-25.

Storage device, control method for partitioning logical memory devices, and medium embodying program for partitioning logical memory devices

Номер патента: US20050278489A1. Автор: Hiroyuki Otani. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2005-12-15.

Storage device, control method for partitioning logical memory devices, and medium embodying program for partitioning logical memory devices

Номер патента: US7430644B2. Автор: Hiroyuki Otani. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2008-09-30.

One-time programmable memory device and method for verifying data for such memory device

Номер патента: US09740561B2. Автор: Cheng-Tie Chen,Guobing Mo,Shuna Xu. Владелец: Montage Technology Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Memory device, system including the same, and operating method of memory device

Номер патента: US20240248850A1. Автор: Daehyun Kim,Jiho Kim,Sukhan Lee,Kijun Lee,Yeonggeol Song,Myungkyu Lee,Kyomin Sohn,Seongmuk Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Apparatus and method for a non-power-of-2 size cache in a first level memory device to cache data present in a second level memory device

Номер патента: US20170185315A1. Автор: Vedaraman Geetha,Brian S. Morris,Sreenivas Mandava,Henk G. Neefs,Massimo Sutera. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-29.

Apparatus and method for a non-power-of-2 size cache in a first level memory device to cache data present in a second level memory device

Номер патента: US09747041B2. Автор: Vedaraman Geetha,Brian S. Morris,Sreenivas Mandava,Henk G. Neefs,Massimo Sutera. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Apparatus and method for a non-power-of-2 size cache in a first level memory device to cache data present in a second level memory device

Номер патента: US20180004433A1. Автор: Vedaraman Geetha,Brian S. Morris,Sreenivas Mandava,Henk G. Neefs,Massimo Sutera. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Data mirroring in serial -connected memory system

Номер патента: WO2010048711A1. Автор: Hakjune Oh,William Petrie. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2010-05-06.

Generic physical layer providing a unified architecture for interfacing with an external memory device and methods of interfacing with an external memory device

Номер патента: US20220208240A1. Автор: Chee Hak Teh,Soon Chieh Lim,Tat Hin Tan. Владелец: SKYECHIP SDN BHD. Дата публикации: 2022-06-30.

Nonvolatile memory device and method of writing data in nonvolatile memory device

Номер патента: US09524782B2. Автор: Ki-hwan Choi,Oh-Suk Kwon,Ji-Sang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Volatile memory device and methods of operating and testing volatile memory device

Номер патента: US09552210B2. Автор: Kwan-Yong Jin,Mi-Young Woo,Seock-Chan Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-24.

Memory system having two-way ring topology and memory device and memory module for ring-topology memory system

Номер патента: US7093076B2. Автор: Kye-Hyun Kyung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-08-15.

Semiconductor memory devices, memory systems, and methods of operating the semiconductor memory devices

Номер патента: US20200218611A1. Автор: Kyung-Ryun Kim,Sang-Uhn CHA,Young-Hun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-09.

Memory system and method of accessing a semiconductor memory device

Номер патента: US8027194B2. Автор: Wonmoon Cheon,Jong Tae Park,Wonhee CHO,Seung-Duk Cho,Jaehoon Heo,Yang-Sup Lee,Hojun Shim,Jaesoo Lee,Kangho Roh,Youngjoon Choi,Je-Hyuck SONG,Seontaek Kim,Moonwook Oh,Chanik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-27.

Semiconductor memory device and method related to operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20190267098A1. Автор: Min Kyu Lee,Sung Won Bae,Dong Jae JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-08-29.

Volatile memory device and methods of operating and testing volatile memory device

Номер патента: US20140223245A1. Автор: Kwan-Yong Jin,Mi-Young Woo,Seock-Chan Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-08-07.

Method and apparatus for performing on-system phase-locked loop management in memory device

Номер патента: US11784652B2. Автор: Fu-Jen Shih. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Phase-Change Random Access Memory Device and Methods of Making the Same

Номер патента: US20240206351A1. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Phase-change random access memory device

Номер патента: US20100124101A1. Автор: Kwang-Ho Kim,Mu-hui Park,Soo-Guil Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-05-20.

Sb—Te—Ti phase-change memory material and Ti—Sb2Te3 phase-change memory material

Номер патента: US10276234B2. Автор: Cheng Peng,Feng Rao,Min Zhu,Kun REN,Zhitang Song,Xilin ZHOU,Liangcai Wu,Songlin Feng. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2019-04-30.

Sb-te-ti phase-change memory material and ti-sb2te3 phase-change memory material

Номер патента: US20160099050A1. Автор: Cheng Peng,Feng Rao,Min Zhu,Kun REN,Zhitang Song,Xilin ZHOU,Liangcai Wu,Songlin Feng. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2016-04-07.

Phase-change random access memory device and method of making the same

Номер патента: US20210249592A1. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-12.

Phase-change random access memory device and method of making the same

Номер патента: US11950518B2. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Method for multilevel programming of phase change memory cells using a percolation algorithm

Номер патента: US7639526B2. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-12-29.

Phase change random access memory device

Номер патента: US11765988B2. Автор: Yu-Chuan Hsu,Chun-Hsu YEN,Chen-Hui YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Phase change random access memory device

Номер патента: US12089513B2. Автор: Yu-Chuan Hsu,Chun-Hsu YEN,Chen-Hui YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Phase change random access memory device

Номер патента: US20120081955A1. Автор: Dong Keun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-04-05.

High throughput programming system and method for a phase change non-volatile memory device

Номер патента: US09697896B2. Автор: Antonino Conte,Kailash Khairnar,Alberto Jose′ Di Martino. Владелец: STMICROELECTRONICS PTE LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Phase change random access memory device

Номер патента: US20240040939A1. Автор: Yu-Chuan Hsu,Chun-Hsu YEN,Chen-Hui YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Phase change random access memory device and related methods of operation

Номер патента: US7961504B2. Автор: Hye-jin Kim,Kwang-Jin Lee,Du-Eung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-06-14.

Phase change random access memory device and related methods of operation

Номер патента: US20080055971A1. Автор: Hye-jin Kim,Kwang-Jin Lee,Du-Eung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-06.

Phase change random access memory device and related methods of operation

Номер патента: US20110213922A1. Автор: Hye-jin Kim,Kwang-Jin Lee,Du-Eung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-01.

Phase change random access memory device and related methods of operation

Номер патента: US20130039124A1. Автор: Hye-jin Kim,Kwang-Jin Lee,Du-Eung Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-02-14.

Phase change random access memory device and related methods of operation

Номер патента: US8320168B2. Автор: Hye-jin Kim,Kwang-Jin Lee,Du-Eung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-11-27.

Phase change random access memory device and related methods of operation

Номер патента: US20100220521A1. Автор: Hye-jin Kim,Kwang-Jin Lee,Du-Eung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-09-02.

Resistive memory device, resistive memory system and method of operating the resistive memory device

Номер патента: US09449686B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Yeong-Taek Lee,Hyo-Jin KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-20.

Phase change random access memory device with transistor, and method for fabricating a memory device

Номер патента: US20080142776A1. Автор: Harald Seidl. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-06-19.

Driving stage for phase change non-volatile memory devices provided with auto-calibration feature

Номер патента: US8942033B2. Автор: Antonino Conte,Kailash Khairnar,FrancescoNino Mammoliti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2015-01-27.

Driving stage for phase change non-volatile memory devices provided with auto-calibration feature

Номер патента: US20130229864A1. Автор: Antonino Conte,Kailash Khairnar,FrancescoNino Mammoliti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2013-09-05.

High-efficiency driving stage for phase change non-volatile memory devices

Номер патента: US20130229863A1. Автор: Antonino Conte,Maria GIAQUINTA,Loredana CHIARAMONTE. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2013-09-05.

Method, device and data structure for data storage on memory devices

Номер патента: WO2009081224A1. Автор: Petteri HANHIMÄKI,Ilpo Henrik JÄRVINEN. Владелец: Nokia Corporation. Дата публикации: 2009-07-02.

Y-branch type phase-change all-optical boolean logic device and all-binary logic implementation method therefor

Номер патента: US20240319563A1. Автор: Han Li,Xiaomin Cheng,Xiangshui Miao,Yunlai ZHU,Zhuli HE. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-09-26.

Portable memory device having mutually exclusive non-volatile electronic data storage

Номер патента: US20200241800A1. Автор: Chad Dustin Tillman,Evan Michael DORSEL. Владелец: Ipxcl LLC. Дата публикации: 2020-07-30.

Managing Memory Devices in a Storage Network

Номер патента: US20230280911A1. Автор: Gary W. Grube,Manish Motwani,Jason K. Resch,Ilya Volvovski,Timothy W. Markison. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20190278706A1. Автор: Jung Hyun Kwon,Do-Sun HONG,Won Gyu SHIN,Seung Gyu JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-09-12.

Memory controller, memory system and operation method thereof

Номер патента: US20240168651A1. Автор: Kang Li,Zhen Huang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Metadata allocation in memory systems

Номер патента: US20240020016A1. Автор: Vincenzo Reina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Metadata allocation in memory systems

Номер патента: US12019877B2. Автор: Vincenzo Reina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Virtualized system and method of controlling access to nonvolatile memory device in virtualization environment

Номер патента: US12124369B2. Автор: Dongouk MOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Resistance change memory, memory device, and memory system

Номер патента: US20240038286A1. Автор: Masami Kuroda,Hiroyuki Tezuka,Haruko Takahashi. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Data Transfer Between Memory Devices on Shared Bus

Номер патента: US20200371703A1. Автор: Chun-Lien Su. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-26.

Semiconductor memory device and operating method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20240118813A1. Автор: Dong Uk Lee,Hae Chang Yang,Hun Wook LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Managing swappable data structures in a plurality of memory devices based on access counts of the data structures

Номер патента: US11907543B2. Автор: Lokesh Mohan Gupta,Matthew G. Borlick,Beth Ann Peterson,Matthew Richard Craig. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Managing swappable data structures in plurality of memory devices based on access counts of data structures

Номер патента: WO2021140384A1. Автор: Lokesh Mohan Gupta,Beth Ann Peterson,Matthew BORLICK,Matthew Richard Craig. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2021-07-15.

Two bit memory device and method for operating the two-bit memory device and electronic component

Номер патента: US12046269B2. Автор: Peer Kirsch,Marc Tornow,Henning SEIM,Itai Lieberman,Takuya Kamiyama,Sebastian RESCH,Julian DLUGOSCH. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2024-07-23.

Resistive memory device, resistive memory, and operating method of the resistive memory device

Номер патента: US09646685B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Hyun-Kook PARK,Yeong-Taek Lee,Yong-kyu Lee,Hyo-Jin KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Two bit memory device and method for operating the two-bit memory device and electronic component

Номер патента: WO2021078714A1. Автор: Peer Kirsch,Marc Tornow,Henning SEIM,Itai Lieberman,Sebastian RESCH,Julian DLUGOSCH. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2021-04-29.

Two bit memory device and method for operating the two-bit memory device and electronic component

Номер патента: EP4062465A1. Автор: Peer Kirsch,Marc Tornow,Henning SEIM,Itai Lieberman,Takuya Kamiyama,Sebastian RESCH,Julian DLUGOSCH. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2022-09-28.

Memory system and method for operating the same

Номер патента: US20190258577A1. Автор: Jong-Min Lee,Beom-Rae JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-08-22.

Memory systems and operation methods thereof

Номер патента: US20240281147A1. Автор: Yufei FENG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory system for supporting a merge operation and method for operating the same

Номер патента: US10671538B2. Автор: Jong-Min Lee,Beom-Rae JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-06-02.

Memory controller for reducing the number of error bits in read data and memory system including the same

Номер патента: US12105988B2. Автор: Jong Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US10509590B2. Автор: Jun-Seop Chung,An-Ho CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-12-17.

Configuration information backup in memory systems

Номер патента: US09817600B2. Автор: Ning Wu,Xin Guo,Robert E. Frickey,Hanmant P. Belgal. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Storage device and method of operating the same

Номер патента: US20200409854A1. Автор: Jeen PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-31.

Storage device and method of operating the same

Номер патента: US20190324915A1. Автор: Jeen PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Using a persistent byte-addressable memory in a compute express link (cxl) memory device for efficient power loss recovery

Номер патента: US20240311019A1. Автор: Rohit Sehgal,Vishal TANNA,Eishan MIRAKHUR. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory management for a hierarchical memory system

Номер патента: US09524248B2. Автор: Dean A. Klein. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Method, associated memory device and controller thereof for performing dynamic resource management

Номер патента: US20190050154A1. Автор: Che-Wei Hsu,Hsin-Hsiang TSENG. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-02-14.

Host timeout avoidance in a memory device

Номер патента: US20200004459A1. Автор: David Aaron Palmer,Nadav Grosz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-01-02.

Distributed power up for a memory system

Номер патента: US20230359370A1. Автор: Giuseppe Cariello. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US11954347B2. Автор: Sung Jin Park,Mi Hee Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Concurrent command limiter for a memory system

Номер патента: US20240126480A1. Автор: Fangfang Zhu,Jiangli Zhu,Juane LI,Chih-kuo Kao,Jason Duong. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Concurrent command limiter for a memory system

Номер патента: US11893280B2. Автор: Fangfang Zhu,Jiangli Zhu,Juane LI,Chih-kuo Kao,Jason Duong. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US11182289B1. Автор: Hye Mi KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-11-23.

Memory controller, memory system having the same, and operating method thereof

Номер патента: US20190079860A1. Автор: Min Kee Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-03-14.

Temperature monitoring for memory devices

Номер патента: US20240256187A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm,Mark D. INGRAM,Todd Jackson Plum,Scott D. VAN DE GRAAFF. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Interrupt signaling for a memory device

Номер патента: WO2021126656A1. Автор: Heinz Hoenigschmid,Thomas Hein,Markus Balb. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-24.

A Portable Memory Device For Use With An Infusion Device

Номер патента: US20230056279A1. Автор: Joshua Guthermann. Владелец: SANOFI SA. Дата публикации: 2023-02-23.

Interrupt signaling for a memory device

Номер патента: US12099746B2. Автор: Heinz Hoenigschmid,Thomas Hein,Markus Balb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Prefetch signaling in memory system or sub-system

Номер патента: US20190347040A1. Автор: Robert Nasry Hasbun,Dean D. Gans,Sharookh Daruwalla. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20220019499A1. Автор: Kyu Ho Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Prefetch signaling in memory system or sub-system

Номер патента: US20190347043A1. Автор: Robert Nasry Hasbun,Dean D. Gans,Sharookh Daruwalla. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Prefetch signaling in memory system or sub-system

Номер патента: US20210326072A1. Автор: Robert Nasry Hasbun,Dean D. Gans,Sharookh Daruwalla. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Prefetch signaling in memory system or sub-system

Номер патента: EP4276637A3. Автор: Robert Nasry Hasbun,Dean D. Gans,Sharookh Daruwalla. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-24.

Refresh counters in a memory system

Номер патента: US11966602B2. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

Configuration information backup in memory systems

Номер патента: US20170139631A1. Автор: Ning Wu,Xin Guo,Robert E. Frickey,Hanmant P. Belgal. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-05-18.

Configuration information backup in memory systems

Номер патента: US20160054925A1. Автор: Ning Wu,Xin Guo,Robert E. Frickey,Hanmant P. Belgal. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-02-25.

Prefetch signaling in memory system or sub-system

Номер патента: EP4276637A2. Автор: Robert Nasry Hasbun,Dean D. Gans,Sharookh Daruwalla. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-15.

Prefetch signaling in memory system or sub-system

Номер патента: EP3791255A1. Автор: Robert Nasry Hasbun,Dean D. Gans,Sharookh Daruwalla. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-17.

Refresh counters in a memory system

Номер патента: US20210157494A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-27.

Dynamic memory device management and stream prioritization based on quality of service metrics

Номер патента: US12045467B2. Автор: Manjunath Chandrashekaraiah. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

MEMORY DEVICE INCLUDING A PROCESSING CIRCUIT, MEMORY CONTROLLER CONTROLLING THE MEMORY DEVICE AND MEMORY SYSTEM INCLUDING THE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200356305A1. Автор: Kim Seon Wook,Lee Wonjun,Kim Changhyun. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-12.

Metadata registers for a memory device

Номер патента: US20240126438A1. Автор: Jungwon Suh,Subbarao Palacharla,Olivier Alavoine,Michael Hawjing Lo,Pankaj Sharadchandra Deshmukh. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200019496A1. Автор: Jong-Min Lee,Hyeong-Ju NA. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-01-16.

Memory system and method of operating the same

Номер патента: US11972136B2. Автор: Hyun-seok Kim,Dae-Ho Kim,Yong-Geun Oh,Sung-Jin Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-30.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20210240613A1. Автор: Hyeong Ju NA. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-05.

Memory system and method of operating the same

Номер патента: US11960752B2. Автор: Hyun-seok Kim,Dae-Ho Kim,Yong-Geun Oh,Sung-Jin Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-16.

Metadata registers for a memory device

Номер патента: WO2024086414A1. Автор: Jungwon Suh,Subbarao Palacharla,Olivier Alavoine,Pankaj Deshmukh,Michael Hawjing Lo. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-04-25.

Technologies for contemporaneous access of non-volatile and volatile memory in a memory device

Номер патента: US20170177244A1. Автор: Richard P. Mangold,Camille C. Raad,Kunal A. Khochare,Shachi K. Thakkar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-22.

Computing system for managing distributed storage devices, and method of operating the same

Номер патента: EP4283457A2. Автор: Kyung-Chang Ryoo,Kyunghan LEE,Chon Yong Lee,Jae-gon Lee,Hyeyoung RYU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-29.

Computing system for managing distributed storage devices, and method of operating the same

Номер патента: EP4283457A3. Автор: Kyung-Chang Ryoo,Kyunghan LEE,Chon Yong Lee,Jae-gon Lee,Hyeyoung RYU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-07.

Volatile/non-volatile memory device access provisioning system

Номер патента: US10146704B2. Автор: Jinsaku Masuyama,Ching-Lung Chao,Mukund Khatri. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2018-12-04.

Memory device and associated access method

Номер патента: US20200371710A1. Автор: Yi-Chun Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-26.

Memory device and method of controlling power of the same

Номер патента: US20190146695A1. Автор: Nam-Hoon Kim,Jae Won SONG,Se Jeong Jang,Jae Sub Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-16.

Technologies for contemporaneous access of non-volatile and volatile memory in a memory device

Номер патента: EP3391229A1. Автор: Richard P. Mangold,Camille C. Raad,Kunal A. Khochare,Shachi K. Thakkar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-10-24.

Memory system performing cache bypassing operation and cache management method thereof

Номер патента: US20240256452A1. Автор: Shinhaeng KANG,Kyomin Sohn,Suk Han Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

High capacity, high performance memory system

Номер патента: US20230266923A1. Автор: Frederick Ware. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2023-08-24.

High capacity, high performance memory system

Номер патента: US20180074758A1. Автор: Frederick Ware. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-03-15.

High capacity, high performance memory system

Номер патента: US20220147478A1. Автор: Frederick Ware. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2022-05-12.

High capacity, high performance memory system

Номер патента: US12014089B2. Автор: Frederick Ware. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-06-18.

High capacity, high performance memory system

Номер патента: US09778877B1. Автор: Frederick Ware. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-10-03.

Memory systems and methods including training, data organizing, and/or shadowing

Номер патента: US09645919B2. Автор: Yi Chen,Yukiyasu Murakami. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Host controlled enablement of automatic background operations in a memory device, and associated memory devices, systems, and methods

Номер патента: US20240311012A1. Автор: Francesco Falanga,Danilo Caraccio. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory systems and methods including training,data organizing,and/or shadowing

Номер патента: EP2972888A1. Автор: Yi Chen,Yukiyasu Murakami. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-01-20.

Memory systems and methods including training, data organizing, and/or shadowing

Номер патента: US20200241764A1. Автор: Yi Chen,Yukiyasu Murakami. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-30.

Computing system for managing distributed storage devices, and method of operating the same

Номер патента: US20230376238A1. Автор: Kyung-Chang Ryoo,Kyunghan LEE,Chon Yong Lee,Jae-gon Lee,Hyeyoung RYU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-23.

Non-volatile memory device capable of minimizing instant current consumption and performing memory operations in parallel, and method for operating the same, and system including the same

Номер патента: US09378134B2. Автор: Eui-Jin Kim,Byoung-Sung Yoo,Jun-Rye RHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-28.

Memory system

Номер патента: US20210158885A1. Автор: Hongseok Kim,EHyun NAM,Kyoungseok RHA. Владелец: Fadu Inc. Дата публикации: 2021-05-27.

Memory device sensors

Номер патента: EP4073799A1. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-19.

Memory device sensors

Номер патента: WO2021118711A1. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-17.

Memory system and memory controller

Номер патента: US20120151123A1. Автор: Haruki Toda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-06-14.

Method and memory system for optimizing on-die termination settings of multi-ranks in a multi-rank memory device

Номер патента: US20210082479A1. Автор: Ki-Seok OH,Young-Soo Sohn,Jin-Hoon Jang,Kyung-Soo Ha,Seok-Hun Hyun,Yeon-Kyu Choi,Chang-kyo LEE,Dae-Sik Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-18.

Memory system related to clock synchronization

Номер патента: US20230305592A1. Автор: Sang Sic Yoon,Kyu Dong HWANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Solid-state memory device with plurality of memory devices

Номер патента: WO2017046638A1. Автор: James T. Cerrelli. Владелец: 2419265 Ontario Limited. Дата публикации: 2017-03-23.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US09881696B2. Автор: Ju Seok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-30.

Channel modulation for a memory device

Номер патента: EP3912043A1. Автор: Peter Mayer,Martin Brox,Thomas Hein,Timothy M. Hollis,Roy E. Greeff,Michael Dieter RICHTER,Wolfgang Anton SPIRKL. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-24.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US12050503B2. Автор: Woo Sick CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US20240345648A1. Автор: Woo Sick CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Clock generation for timing communications with ranks of memory devices

Номер патента: US12066958B2. Автор: Jared L. Zerbe,John Eble,Ian P. Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-08-20.

Device and method for detecting controller signal errors in flash memory

Номер патента: US09852811B2. Автор: Ken Hui Chen,Kuen Long Chang,Su Chueh Lo,Chia-Feng Cheng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US09754675B2. Автор: Jong-Ju PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Storage device and method of writing and reading the same

Номер патента: US09601205B2. Автор: Junjin Kong,Hong Rak Son,Younggeon Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

Clock generation for timing communications with ranks of memory devices

Номер патента: US09563228B2. Автор: Jared L. Zerbe,John Eble,Ian P. Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-02-07.

Storage device and operating method of storage device

Номер патента: EP4181136A1. Автор: Hee-Woong Kang,Yunjung LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-17.

Memory controlling method and memory system

Номер патента: US09905277B2. Автор: Cheng-Wen Wu,Pei-Wen Luo,Chi-Kang CHEN,Ding-Ming Kwai,Hsiu-Chuan Shih. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2018-02-27.

Method and apparatus for encoding and decoding data in memory system

Номер патента: US09792176B2. Автор: Jun Jin Kong,Shay Landis,Avner Dor,Yaron Shany,Elona Erez,Evgeny BLAICHMAN,Moshe Twitto,Yoav Shereshevski. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Systems and methods for improving efficiencies of a memory system

Номер патента: US09696920B2. Автор: J. Thomas Pawlowski. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Operating method of flash memory system

Номер патента: US09639421B2. Автор: Dae-sung Kim,Jeong-Seok Ha,Su-Hwang JEONG. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2017-05-02.

Memory system having memory devices each including a programmable internal register

Номер патента: US6044426A. Автор: Mark Horowitz,Michael Farmwald. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2000-03-28.

Memory device, memory controller and memory system

Номер патента: US20100146201A1. Автор: Hiroyuki Kobayashi,Hitoshi Ikeda,Toshiya Uchida,Tetsuo Miyamoto,Yoshinobu Yamamoto,Shinnosuke Kamata,Masanori Kurita,Hidenaga Takahashi,Ayako Sato,Tatsushi Otsuka,Tatsuya Kanda,Satoru Shirakawa,Tomohiro Kawakubo,Syusaku Yamaguchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2010-06-10.

Low Power Memory System Using Dual Input-Output Voltage Supplies

Номер патента: US20220238142A1. Автор: Mahalingam Nagarajan,Jungwon Suh,Joon Young Park. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Memory device sensors

Номер патента: US20240036629A1. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Low power memory system using dual input-output voltage supplies

Номер патента: US11823762B2. Автор: Mahalingam Nagarajan,Jungwon Suh,Joon Young Park. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Low Power Memory System Using Dual Input-Output Voltage Supplies

Номер патента: US20230154502A1. Автор: Mahalingam Nagarajan,Jungwon Suh,Joon Young Park. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

Memory device sensors

Номер патента: US11789519B2. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Low power memory system using dual input-output voltage supplies

Номер патента: EP4285202A1. Автор: Mahalingam Nagarajan,Jungwon Suh,Joon Young Park. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-12-06.

Low power memory system using dual input-output voltage supplies

Номер патента: WO2022164513A1. Автор: Mahalingam Nagarajan,Jungwon Suh,Joon Young Park. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-08-04.

Memory controller, semiconductor storage device, and memory system including the memory controller and the semiconductor storage device

Номер патента: US20110199851A1. Автор: Toru Ishikawa,Kunihiko Kato. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-08-18.

Individual data line strobe-offset control in memory systems

Номер патента: EP1784835A1. Автор: Scott C. c/o Rambus Inc. BEST. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2007-05-16.

Addressing scheme for a memory system

Номер патента: US20210216479A1. Автор: Eric J. Stave. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

Addressing scheme for a memory system

Номер патента: US20220058145A1. Автор: Eric J. Stave. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-24.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: SG10201803737SA. Автор: BAEK Byung-Joon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-04-29.

Method and memory system for optimizing on-die termination settings of multi-ranks in a multi-rank memory device

Номер патента: US12020767B2. Автор: Ki-Seok OH,Young-Soo Sohn,Jin-Hoon Jang,Kyung-Soo Ha,Seok-Hun Hyun,Yeon-Kyu Choi,Chang-kyo LEE,Dae-Sik Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Scan synchronous-write-through testing architectures for a memory device

Номер патента: US20220171688A1. Автор: Ching-Wei Wu,Kao-Cheng LIN,Chia-En HUANG,Ming-Hung Chang,Atul Katoch,Uppu Sharath Chandra,Donald G. Mikan, Jr.,Hao-I Yang,Ming-Chien Tsai,Tsung-Yung Chang,Saman M.I. Adham. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-02.

Scan synchronous-write-through testing architectures for a memory device

Номер патента: US20200293417A1. Автор: Ching-Wei Wu,Kao-Cheng LIN,Chia-En HUANG,Ming-Hung Chang,Atul Katoch,Uppu Sharath Chandra,Donald G. Mikan, Jr.,Hao-I Yang,Ming-Chien Tsai,Tsung-Yung Chang,Saman M.I. Adham. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Scan synchronous-write-through testing architectures for a memory device

Номер патента: US11734142B2. Автор: Ching-Wei Wu,Kao-Cheng LIN,Chia-En HUANG,Ming-Hung Chang,Atul Katoch,Uppu Sharath Chandra,Donald G. Mikan, Jr.,Hao-I Yang,Saman M. I. Adham,Ming-Chien Tsai,Tsung-Yung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Scan synchronous-write-through testing architectures for a memory device

Номер патента: US11256588B2. Автор: Ching-Wei Wu,Kao-Cheng LIN,Chia-En HUANG,Ming-Hung Chang,Atul Katoch,Uppu Sharath Chandra,Donald G. Mikan, Jr.,Hao-I Yang,Saman M. I. Adham,Ming-Chien Tsai,Tsung-Yung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-22.

Method and system for validating a memory device

Номер патента: US20220043708A1. Автор: Abhinav Sharma,Rengaraja Sudarmani,Sachin Suresh Upadhya,Prathiksha Gautham,Uday Kumar N B. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-10.

Performance evaluation of solid state memory device

Номер патента: US09524800B2. Автор: Thomas J. Griffin,Dustin J. VanStee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Memory system and operations of the same

Номер патента: EP4273710A3. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-07.

Memory system and operations of the same

Номер патента: US11907546B2. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-02-20.

Memory system and operations of the same

Номер патента: EP4273710A2. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-08.

Memory system and operations of the same

Номер патента: US20240176510A1. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-05-30.

Methods and systems for serial memory device control

Номер патента: WO2019231589A1. Автор: Kishalay Haldar. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-12-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20020018359A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Hiroyuki Mizuno,Kenichi Osada,Suguru Tachibana. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-14.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US10923192B2. Автор: Kyung-Bum KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-02-16.

Memory system having two-way ring topology and memory device and memory module for ring-topology memory system

Номер патента: TW200418044A. Автор: Kye-Hyun Kyung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-09-16.

Memory device, memory system, and method of operating memory device

Номер патента: US20200020404A1. Автор: Jong Wook Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-01-16.

Monitoring entropic conditions of a flash memory device as an indicator for invoking erasure operations

Номер патента: US20030161186A1. Автор: Yongqi Yang,Jered Aasheim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-28.

Clock Generation for Timing Communications with Ranks of Memory Devices

Номер патента: US20160116938A1. Автор: Jared L. Zerbe,John Eble,Ian P. Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2016-04-28.

Clock Generation for Timing Communications with Ranks of Memory Devices

Номер патента: US20210049118A1. Автор: Jared L. Zerbe,John Eble,Ian P. Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2021-02-18.

Clock Generation for Timing Communications with Ranks of Memory Devices

Номер патента: US20170192912A1. Автор: Jared L. Zerbe,John Eble,Ian P. Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-07-06.

Clock Generation for Timing Communications with Ranks of Memory Devices

Номер патента: US20190196992A1. Автор: Jared L. Zerbe,John Eble,Ian P. Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2019-06-27.

Clock Generation for Timing Communications with Ranks of Memory Devices

Номер патента: US20230359572A1. Автор: Jared L. Zerbe,John Eble,Ian P. Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2023-11-09.

Channel modulation for a memory device

Номер патента: US11860731B2. Автор: Peter Mayer,Martin Brox,Thomas Hein,Timothy M. Hollis,Roy E. Greeff,Michael Dieter RICHTER,Wolfgang Anton SPIRKL. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-01-02.

Memory device and methods for programming and reading memory device

Номер патента: US20210248048A1. Автор: Yu-Der Chih,Jonathan Tsung-Yung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-12.

Channel modulation for a memory device

Номер патента: US20240126644A1. Автор: Peter Mayer,Roy Greeff,Martin Brox,Thomas Hein,Timothy M. Hollis,Michael Dieter RICHTER,Wolfgang Anton SPIRKL. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-04-18.

Channel modulation for a memory device

Номер патента: US20200233741A1. Автор: Peter Mayer,Martin Brox,Thomas Hein,Timothy M. Hollis,Roy E. Greeff,Michael Dieter RICHTER,Wolfgang Anton Spirki. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-23.

Channel modulation for a memory device

Номер патента: WO2020150435A1. Автор: Peter Mayer,Martin Brox,Thomas Hein,Timothy M. Hollis,Roy E. Greeff,Michael Dieter RICHTER,Wolfgang Anton SPIRKL. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-07-23.

Overvoltage detection in storage device and provision of status information

Номер патента: EP4075434A2. Автор: Jooyoung Kim,Minseok Kim,Jihong Kim,Heeyoub KANG,Kwangkyu BANG,Kiyhun CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-19.

Memory device and method for thermoelectric heat confinement

Номер патента: US09548110B2. Автор: Daniel Krebs,Aravinthan Athmanathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Phase change memory device and control method

Номер патента: EP2291846A1. Автор: Ludovic Goux. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-03-09.

Methods, structures, and devices for reducing operational energy in phase change memory

Номер патента: US20120002465A1. Автор: Roy E. Meade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-01-05.

Memory devices with reduced operational energy in phase change material and methods of operation

Номер патента: US09865339B2. Автор: Roy E. Meade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Phase change memory, electronic device, and preparation method for phase change memory

Номер патента: EP4354525A1. Автор: Xiang Li,Ping Ma. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-17.

Phase change memory, electronic device, and preparation method for phase change memory

Номер патента: US20240130253A1. Автор: Xiang Li,Ping Ma. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Phase-change memory cell, phase-change memory, electronic device and preparation method

Номер патента: EP4343869A1. Автор: Xiang Li,Xin Chen. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-27.

Phase change memory apparatus and read control method to reduce read disturb and sneak current phenomena

Номер патента: US20190066778A1. Автор: Yung-Feng Lin,Hsin-Yi Ho,Yun-Chen Chou. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Optical memory device and method therefor

Номер патента: US8335099B2. Автор: Franz Michael Schuette. Владелец: OCZ Technology Group Inc. Дата публикации: 2012-12-18.

Optical memory device and method therefor

Номер патента: US20110044086A1. Автор: Franz Michael Schuette. Владелец: OCZ Technology Group Inc. Дата публикации: 2011-02-24.

Phase change material with filament electrode

Номер патента: US20090275168A1. Автор: Eric A. Joseph,Gerhard Ingmar Meijer,Chung H. Lam,Alejandro G. Schrott,Matthew J. Breitwisch,Roger W. Cheek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-11-05.

Memory device and method for thermoelectric heat confinement

Номер патента: US20160104529A1. Автор: Daniel Krebs,Aravinthan Athmanathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-04-14.

High-density phase change cell array and phase change memory device having the same

Номер патента: US7136299B2. Автор: Jung Ho Kim,Eu Gene Chu,Ju Ho Mo,Seong Taek Park,Hyun Yong Lim,Pyeong Han Lee,Ja Choon Jeong. Владелец: BeyondMicro Inc. Дата публикации: 2006-11-14.

Sense amplifier for non-volatile memory devices and related methods

Номер патента: US20170178722A1. Автор: Marco Pasotti,Chantal Auricchio,Marcella CARISSIMI,Rajat Kulshrestha. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2017-06-22.

Writing method and system for a phase change memory

Номер патента: US20080219046A1. Автор: Ming-Jung Chen,Te-Sheng Chao,Philip H. Yeh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2008-09-11.

Writing method and system for a phase change memory

Номер патента: US7773409B2. Автор: Ming-Jung Chen,Te-Sheng Chao,Philip H. Yeh. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2010-08-10.

Memory device

Номер патента: US20080157072A1. Автор: Shoaib Hasan Zaidi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-07-03.

Sense amplifier for non-volatile memory devices and related methods

Номер патента: US10068643B2. Автор: Marco Pasotti,Chantal Auricchio,Marcella CARISSIMI,Rajat Kulshrestha. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2018-09-04.

Sense amplifier for non-volatile memory devices and related methods

Номер патента: US09613692B1. Автор: Marco Pasotti,Chantal Auricchio,Marcella CARISSIMI,Rajat Kulshrestha. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2017-04-04.

Phase change memory with supply voltage regulation circuit

Номер патента: US11107525B2. Автор: Michele La Placa,Fabio Enrico Carlo Disegni,Federico Goller. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-08-31.

Methods, structures, and devices for reducing operational energy in phase change memory

Номер патента: US20120002465A1. Автор: Roy E. Meade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-01-05.

Memory device including a programmable resistance element

Номер патента: US20090010048A1. Автор: Yukio Fuji. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-01-08.

Phase-change memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20120009757A1. Автор: Jin-Ki Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-01-12.

Phase-change memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20120007036A1. Автор: Jin-Ki Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-01-12.

Phase change memory cell with double active volume

Номер патента: US20230284541A1. Автор: Kevin W. Brew,Ching-Tzu Chen,Timothy Mathew Philip,Injo OK,Jin Ping HAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Logic gates and stateful logic using phase change memory

Номер патента: WO2021205456A1. Автор: Shahar Kvatinsky,Barak HOFFER,Eilam Yalon,Nicolas WAINSTEIN. Владелец: TECHNION RESEARCH & DEVELOPMENT FOUNDATION LIMITED. Дата публикации: 2021-10-14.

Logic gates and stateful logic using phase change memory

Номер патента: EP4133599A1. Автор: Shahar Kvatinsky,Barak HOFFER,Eilam Yalon,Nicolas WAINSTEIN. Владелец: Technion Research and Development Foundation Ltd. Дата публикации: 2023-02-15.

Phase Change Memory

Номер патента: US20100165722A1. Автор: Wen-Pin Lin,Shyh-Shyuan Sheu,Pei-Chia Chiang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2010-07-01.

Phase-change memory device having reversed phase-change characteristics and phase-change memory having highly integrated three-dimensional architecture using same

Номер патента: US20200168792A1. Автор: Yun Heub Song. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2020-05-28.

Phase-change memory device having reversed phase-change characteristics and phase-change memory having highly integrated three-dimensional architecture using same

Номер патента: US20220029094A1. Автор: Yun Heub Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-27.

Phase-change memory device having reversed phase-change characteristics and phase-change memory having highly integrated three-dimensional architecture using same

Номер патента: US11812661B2. Автор: Yun Heub Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-07.

Calibration system for writing and reading multiple states into phase change memory

Номер патента: WO2007103220A3. Автор: Pantas Sutardja. Владелец: Pantas Sutardja. Дата публикации: 2007-11-01.

Calibration system for writing and reading multiple states into phase change memory

Номер патента: WO2007103220A2. Автор: Pantas Sutardja. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD.. Дата публикации: 2007-09-13.

Phase change memory cell with high read margin at low power operation

Номер патента: EP1846961A1. Автор: Thomas Happ. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-10-24.

Phase change memory

Номер патента: US8014194B2. Автор: Wen-Pin Lin,Shyh-Shyuan Sheu,Pei-Chia Chiang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2011-09-06.

Phase-change memory cell and method for fabricating the same

Номер патента: US20240257871A1. Автор: Jian-Hong Lin,Pei-Chun Liao,Chun-Wei Chang,Yung-Huei Lee,Chih-Hung Nien,Wen-Hsien Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Phase-change memory unit, method of forming the phase-change memory unit, phase-change memory device having the phase-change memory unit and method of manufacturing the phase-change memory device

Номер патента: KR100873890B1. Автор: 박인선,이기종,임낙현,임현석,오규환. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-12-15.

Phase-change storage unit, phase-change memory, electronic device, and preparation method

Номер патента: US20240114808A1. Автор: Xiang Li,Xin Chen. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Phase change memory devices including two-dimensional material and methods of operating the same

Номер патента: US20180061490A1. Автор: Changhyun KIM,Hyeonjin Shin,Seongjun Park,Seunggeol NAM,Yeonchoo CHO,Jinseong Heo,Minhyun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-01.

Phase change memory device suitable for high temperature operation

Номер патента: WO2011060032A1. Автор: Chung H. Lam,Alejandro G. Schrott,Simone Raoux,Bipin Rajendran,Matthew J. Breitwisch,Daniel Krebs. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORP.. Дата публикации: 2011-05-19.

Semiconductor stack incorporating phase change material

Номер патента: US20140061580A1. Автор: Abu Sebastian,Daniel Krebs. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-03-06.

Phase change memory element and method of making the same

Номер патента: US7456460B2. Автор: Yi-Chou Chen,Hsiang-Lan Lung,Geoffrey W. Burr. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-11-25.

Pahse chang material for phase chang memory and preparation method therefor

Номер патента: US20180315921A1. Автор: Feng Rao,Yong Wang,Zhitang Song,Keyuan Ding. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2018-11-01.

Phase change memory device

Номер патента: EP1878065A1. Автор: Shoaib Hasan Zaidi. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-01-16.

Phase change memory device

Номер патента: WO2006117063A1. Автор: Shoaib Hasan Zaidi. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2006-11-09.

Refresh circuitry for phase change memory

Номер патента: US7894254B2. Автор: Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-22.

Self-aligned process for manufacturing a phase change memory cell and phase change memory cell thereby manufactured

Номер патента: EP1469532A1. Автор: Fabio Pellizzer. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2004-10-20.

Phase change memory with supply voltage regulation circuit

Номер патента: US20210012836A1. Автор: Michele La Placa,Fabio Enrico Carlo Disegni,Federico Goller. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-01-14.

Phase change memory apparatus and read control method to reduce read disturb and sneak current phenomena

Номер патента: US10297316B2. Автор: Yung-Feng Lin,Hsin-Yi Ho,Yun-Chen Chou. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-21.

A non-volatile memory cell comprising a dielectric layer and a phase change material in series

Номер патента: WO2006078505A3. Автор: S Brad Herner. Владелец: S Brad Herner. Дата публикации: 2009-06-04.

Phase change memory with gradual resistance change

Номер патента: US10720575B2. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-21.

Phase change memory with gradual resistance change

Номер патента: US20200006646A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Phase change memory with gradual resistance change

Номер патента: US10923653B2. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-16.

Phase change memory with gradual resistance change

Номер патента: US20200006645A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Phase change memory cell with an airgap to allow for the expansion and restriction of the pcm material

Номер патента: US20230284542A1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Phase change memory structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US11127790B2. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-21.

Phase change memory structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US20190363136A1. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-11-28.

Phase change memory cell with an airgap to allow for the expansion and restriction of the PCM material

Номер патента: US11963469B2. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-16.

Memory device

Номер патента: US7718467B2. Автор: Shoaib Hasan Zaidi. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2010-05-18.

Contact resistance of a metal liner in a phase change memory cell

Номер патента: US11957069B2. Автор: Oleg Gluschenkov,Soon-Cheon Seo,Alexander Reznicek,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Phase-change memory cells

Номер патента: US20140369114A1. Автор: Charalampos Pozidis,Chung Hon Lam,Sangbum Kim,Daniel Krebs. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-12-18.

Phase-change memory device with drive circuit

Номер патента: US10658032B2. Автор: Davide Manfre,Fabio Enrico Carlo Disegni,Cesare Torti,Massimo Fidone. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2020-05-19.

Phase-Change Memory Device with Drive Circuit

Номер патента: US20190043574A1. Автор: Davide Manfre,Fabio Enrico Carlo Disegni,Cesare Torti,Massimo Fidone. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-02-07.

Phase change material cell with stress inducer liner

Номер патента: US20120147666A1. Автор: Martin M. Frank,Alejandro G. Schrott,Bipin Rajendran,Catherine A. Dubourdieu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-06-14.

Phase change material cell with piezoelectric or ferroelectric stress inducer liner

Номер патента: WO2012078456A1. Автор: Martin M. Frank,Alejandro G. Schrott,Bipin Rajendran,Catherine A. Dubourdieu. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-06-14.

Phase-change memory device with drive circuit

Номер патента: US20180151223A1. Автор: Fabio Enrico Carlo Disegni,Cesare Torti,Davide Manfre',Massimo Fidone. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-05-31.

Phase-change memory device with drive circuit

Номер патента: US10115460B2. Автор: Davide Manfre′,Fabio Enrico Carlo Disegni,Cesare Torti,Massimo Fidone. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-10-30.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US12087361B2. Автор: Jungyu Lee,Bilal Ahmad Janjua,Jongryul Kim,Venkataramana Gangasani. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Phase-change memory cell and method for fabricating the same

Номер патента: US11978511B2. Автор: Jian-Hong Lin,Pei-Chun Liao,Chun-Wei Chang,Yung-Huei Lee,Chih-Hung Nien,Wen-Hsien Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Phase change material for use in a phase change random access memory, the phase change material having uniformly distributed insulating impurities

Номер патента: US7956342B2. Автор: Yoon-Ho Khang,Dong-Seok Suh,Sang-mock Lee,Jin-seo Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-06-07.

Resistive memory device

Номер патента: US20190097128A1. Автор: Abu Sebastian,Wabe W. Koelmans,Vara S. P. Jonnalagadda,Benedikt J. Kersting,Martin Salinga. Владелец: Rheinisch Westlische Technische Hochschuke RWTH. Дата публикации: 2019-03-28.

Resistive memory device

Номер патента: WO2019064111A1. Автор: Abu Sebastian,Benedikt Kersting,Martin Salinga,Wabe Koelmans,Vara JONNALAGADDA. Владелец: Ibm (China) Investment Company Ltd.. Дата публикации: 2019-04-04.

Method for programming a phase change memory

Номер патента: US11800820B2. Автор: Gabriele Navarro,Chiara Sabbione,Guillaume Bourgeois,Anna-Lisa Serra. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-10-24.

Method for programming a phase change memory

Номер патента: US20220165946A1. Автор: Gabriele Navarro,Chiara Sabbione,Guillaume Bourgeois,Anna-Lisa Serra. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2022-05-26.

Memory device with improved phase change material nucleation rate

Номер патента: US20210305318A1. Автор: Dan Gealy,Kumar R. Virwani. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Device controlling phase change storage element and method thereof

Номер патента: US7796455B2. Автор: Wen-Pin Lin,Shyh-Shyuan Sheu,Lieh-Chiu Lin,Pei-Chia Chiang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2010-09-14.

Device controlling phase change storage element and method thereof

Номер патента: US20090080243A1. Автор: Wen-Pin Lin,Shyh-Shyuan Sheu,Lieh-Chiu Lin,Pei-Chia Chiang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-03-26.

Optimized phase change write method

Номер патента: US20090161416A1. Автор: Thomas Happ,Mark Lamorey. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-06-25.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20210066586A1. Автор: Hiroyuki Ode. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor device having reset gate and phase change layer

Номер патента: US9825222B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Sb-te-ti phase-change memory material and ti-sb2te3 phase-change memory material

Номер патента: US20160099050A1. Автор: Cheng Peng,Feng Rao,Min Zhu,Kun REN,Zhitang Song,Xilin ZHOU,Liangcai Wu,Songlin Feng. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2016-04-07.

SB-TE-TI PHASE-CHANGE MEMORY MATERIAL AND TI-SB2TE3 PHASE-CHANGE MEMORY MATERIAL

Номер патента: US20140192592A1. Автор: ZHU Min,Song Zhitang,Feng Songlin,Wu Liangcai,Peng Cheng,Rao Feng,REN KUN,ZHOU Xilin. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology Chinese Academy. Дата публикации: 2014-07-10.

Phase-change memory cell and method of fabricating the phase-change memory cell

Номер патента: US20090072214A1. Автор: Simone Raoux,Jonathan Zanhung Sun,Hemantha Wickramasinghe. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-03-19.

Phase change memory and method of controlling phase change memory

Номер патента: TW200926176A. Автор: Wen-Pin Lin,Shyh-Shyuan Sheu,Lieh-Chiu Lin,Pei-Chia Chiang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-06-16.

Multi-port phase change random access memory cell and multi-port phase change random access memory device including the same

Номер патента: TW200832407A. Автор: Qi Wang,Kwang-Jin Lee,Chang-Soo Lee,Du-Eung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-08-01.

Multi bit phase-change random access memory devices and methods of forming the same

Номер патента: TW200835006A. Автор: Chang-Wook Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-08-16.

Write verify method of phase change random access memory device and phase change random access memory device using the same

Номер патента: KR100809333B1. Автор: 이광진,조우영. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-03-05.

Device controlling phase change storage element and method of increasing realibility of phase change storage elememt

Номер патента: TW200915318A. Автор: Wen-Pin Lin,Shyh-Shyuan Sheu,Lieh-Chiu Lin,Pei-Chia Chiang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-04-01.

Phase change random access memory device capable of change the number of charge pump and method thereof

Номер патента: KR100699872B1. Автор: 이광진,강상범,오형록,김두응. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-03-28.

Phase change random access memory device capable of changing driving voltage

Номер патента: KR100674992B1. Автор: 이광진,조우영,곽충근,김두응. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-01-29.

Phase Change Random Access Memory device capable of changing driving voltage

Номер патента: KR100674983B1. Автор: 강상범,조우영,곽충근,김두응. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-01-29.

Resistance change memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20180175289A1. Автор: Frederick Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-06-21.

Method of manufacturing a thin film structure, method of manufacturing a storage node using the same, method of manufacturing a phase change random access memory using the same and a thin film structure, a storage node and a phase change random access memory formed using the same

Номер патента: US20080050892A1. Автор: Woong-Chul Shin,Youn-Seon Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-02-28.

Non-volatile memory devices and systems including phase-change one-time-programmable (OTP) memory cells and related methods

Номер патента: US7457152B2. Автор: Kwang-Jin Lee,Woo-Yeong Cho,Du-Eung Kim,Beak-Hyung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-11-25.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20210257413A1. Автор: Hiroyuki Kanaya. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-08-19.

Internal voltage generating circuit of phase change random access memory device and method thereof

Номер патента: US20130121069A1. Автор: Yoon-Jae Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-05-16.

Internal voltage generating circuit of phase change random access memory device and method thereof

Номер патента: US20140104940A1. Автор: Yoon-Jae Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-04-17.

Internal voltage generating circuit of phase change random access memory device and method thereof

Номер патента: US8345502B2. Автор: Yoon-Jae Shin. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-01-01.

PHASE-CHANGE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THE SAME

Номер патента: US20220285613A1. Автор: WU Jau-Yi. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-08.

Row Decoding Architecture for a Phase-Change Non-Volatile Memory Device and Corresponding Row Decoding Method

Номер патента: US20190206488A1. Автор: Conte Antonino. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-04.

PHASE-CHANGE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THE SAME

Номер патента: US20210249592A1. Автор: WU Jau-Yi. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-12.

Phase-Change Random Access Memory Device And Method of Manufacturing The Same

Номер патента: KR100951660B1. Автор: 이민용,이영호,이형석,채수진,이금범,안태항. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-04-07.

Phase-change random access memory device and method of operating the same

Номер патента: US20070133270A1. Автор: Fai Yeung,Jae-Hyun Park,Chang Jeong,Won-Cheol Jeong,Su-Youn Lee,Su-Jin Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-06-14.

Phase change random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: KR20100044004A. Автор: 이기정,김진혁,길덕신. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-04-29.

Memory device, in particular, phase change random access memory device with transistor, and method for fabricating memory device

Номер патента: JP2008172218A. Автор: Harald Seidl,ザイドル ハラルド. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-07-24.

Internal voltage generating circuit of phase change random access memory device and method thereof

Номер патента: US20100165721A1. Автор: Yoon-Jae Shin. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-07-01.

Phase-change random access memory device and method of operating the same

Номер патента: TWI307552B. Автор: Fai Yeung,Jae-Hyun Park,Won-Cheol Jeong,Su-Youn Lee,Chang-Wook Jeong,Su-Jin Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-03-11.

System and method for extending lifetime of memory device

Номер патента: US11972826B2. Автор: Jian-Hong Lin,Pei-Chun Liao,Dawei Heh,Yung-Huei Lee,Wenhsien Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Phase change random access memory device and related methods of operation

Номер патента: TW200820255A. Автор: Hye-jin Kim,Kwang-Jin Lee,Du-Eung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-01.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING VARIABLE RESISTANCE ELEMENT OR PHASE-CHANGE ELEMENT AS MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130163323A1. Автор: YASUTAKE Nobuaki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-06-27.

HIGH-EFFICIENCY DRIVING STAGE FOR PHASE CHANGE NON-VOLATILE MEMORY DEVICES

Номер патента: US20130229863A1. Автор: Conte Antonino,GIAQUINTA Maria,CHIARAMONTE Loredana. Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2013-09-05.

DRIVING STAGE FOR PHASE CHANGE NON-VOLATILE MEMORY DEVICES PROVIDED WITH AUTO-CALIBRATION FEATURE

Номер патента: US20130229864A1. Автор: Conte Antonino,Khairnar Kailash,Mammoliti FrancescoNino. Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2013-09-05.

Phase-change random access memory device having multi-levels and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130248805A1. Автор: Min Seok Son. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-26.

PHASE CHANGE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220140235A1. Автор: Yen Chun-Hsu,Hsu Yu-Chuan,Yang Chen-Hui. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-05.

NOVEL PHASE CHANGE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200091423A1. Автор: Yen Chun-Hsu,Hsu Yu-Chuan,Yang Chen-Hui. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-19.

HIGH THROUGHPUT PROGRAMMING SYSTEM AND METHOD FOR A PHASE CHANGE NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20150243356A1. Автор: Conte Antonino,Khairnar Kailash,"Di Martino Alberto Jose". Владелец: . Дата публикации: 2015-08-27.

Phase change Random Access Memory device

Номер патента: KR100597636B1. Автор: 조백형,김두응. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-07-05.

Multi-level phase change random access memory device

Номер патента: KR101430171B1. Автор: 이태연. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2014-08-14.

Phase change random access memory device

Номер патента: KR100763231B1. Автор: 오형록,조백형,박무희. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-10-04.

Phase Change Random Access Memory device having reduced core layout size

Номер патента: KR100688553B1. Автор: 이광진,조백형,박무희. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-03-02.

Multi Bit Phase Change Random Access Memory Device

Номер патента: KR101094902B1. Автор: 김형준. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-12-15.

Improved vertical 3d memory device and accessing method

Номер патента: US20240237358A1. Автор: Corrado Villa,Efrem Bolandrina,Paolo Fantini,Stefan Frederik Schippers. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of erasing a resistive memory device

Номер патента: US20080130392A1. Автор: An Chen,Swaroop Kaza,Sameer Haddad,Yi-Ching Jean Wu. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-06-05.

Resistive memory device with temperature compensation, resistive memory system, and operating method thereof

Номер патента: US09728252B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Man Chang,Hyun-Kook PARK,Yeong-Taek Lee,Yong-kyu Lee,In-Gyu Baek,Lijie Zhang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Memory device driving circuit

Номер патента: US20070268730A1. Автор: Won Jae Joo,Sang Kyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-11-22.

Resistive memory device and method of operating the resistive memory device

Номер патента: US11804265B2. Автор: In Ku Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Nonvolatile memory device using a variable resistive element and associated operating method

Номер патента: US20090003048A1. Автор: Byung-Gil Choi,Yu-Hwan Ro,In-Cheol Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-01-01.

Resistive switching memory device including dual active layer, manufacturing method thereof, and array including same

Номер патента: US20230097791A1. Автор: Dong Su Kim,Hee Won Suh,Hyung Koun Cho. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-03-30.

Memory devices, systems, and methods for updating firmware with single memory device

Номер патента: WO2019118130A1. Автор: Yuichi Ise,Cliff Zitlaw,Stephan Rosner,Sergey Ostrikov. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2019-06-20.

Memory device for processing in memory and operating method of memory device

Номер патента: US20240330171A1. Автор: Byeongho Kim,Yuhwan Ro,Sungjoo YOO,Suk Han Lee,Jaeyoung HEO. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2024-10-03.

Computer System and Method for Executing One or More Software Applications, Host Computer Device and Method for a Host Computer Device, Memory Device and Method for a Memory Device and Non-Transitory Computer Readable Medium

Номер патента: US20190042478A1. Автор: Mona Vij,Somnath Chakrabarti,Matthew Hoekstra. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

Memory devices, systems, and methods for updating firmware with single memory device

Номер патента: US20200301698A1. Автор: Yuichi Ise,Cliff Zitlaw,Stephan Rosner,Sergey Ostrikov. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Memory devices, systems, and methods for updating firmware with single memory device

Номер патента: US20210026620A1. Автор: Yuichi Ise,Stephan Rosner,Sergey Ostrikov,Clifford Zitlaw. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-01-28.

Memory device and electronic device including the same

Номер патента: EP3923687A2. Автор: Jae Hong Park,Yusuf Cinar,Han Hong Lee,Seon Gyun BAEK,Won-Gi HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-15.

Memory device and electronic device including the same

Номер патента: US11979996B2. Автор: Jae Hong Park,Yusuf Cinar,Han Hong Lee,Seon Gyun BAEK,Won-Gi HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-07.

Memory device and electronic device including the same

Номер патента: US20240114638A1. Автор: Jae Hong Park,Yusuf Cinar,Han Hong Lee,Seon Gyun BAEK,Won-Gi HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-04.

Cu-doped Sb-Te system phase change material, phase change memory and preparation method thereof

Номер патента: US11807798B2. Автор: Xiaomin Cheng,Xiangshui Miao,Yuntao ZENG. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-11-07.

Cu-DOPED Sb-Te SYSTEM PHASE CHANGE MATERIAL, PHASE CHANGE MEMORY AND PREPARATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20230287253A1. Автор: Xiaomin Cheng,Xiangshui Miao,Yuntao ZENG. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-09-14.

DECODING ARCHITECTURE AND METHOD FOR PHASE CHANGE NON-VOLATILE MEMORY DEVICES

Номер патента: US20130258766A1. Автор: Conte Antonino,"DIMARTINO Alberto Jose",SIGNORELLO Alfredo,GRANDE Francesca. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-03.

ROW DECODER CIRCUIT FOR A PHASE CHANGE NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130301348A1. Автор: Perroni Maurizio Francesco,Desandre Guido,Polizzi Salvatore,Castagna Giuseppe. Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2013-11-14.

Nonvolatile memory device with reduced coupling noise and driving method thereof

Номер патента: US09570168B2. Автор: Kwang-Jin Lee,Beak-Hyung Cho,Dong-Hoon Jeong,Woo-Jung SUN,Jae-Yun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Two bit memory device and method for operating the two-bit memory device and electronic component

Номер патента: EP4062465B1. Автор: Peer Kirsch,Marc Tornow,Henning SEIM,Itai Lieberman,Takuya Kamiyama,Sebastian RESCH,Julian DLUGOSCH. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2024-10-09.

Method, system and device for complementary non-volatile memory device operation

Номер патента: WO2017051176A1. Автор: Lucian Shifren,Robert Campbell Aitken,Azeez Bhavnagarwala. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-03-30.

Method, system and device for complementary non-volatile memory device operation

Номер патента: US09589636B1. Автор: Lucian Shifren,Robert Campbell Aitken,Azeez Bhavnagarwala. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-03-07.

Method, system and device for complementary non-volatile memory device operation

Номер патента: US09548118B1. Автор: Robert Campbell Aitken,Azeez Bhavnagarwala. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-01-17.

Neural network in a memory device

Номер патента: US09430735B1. Автор: Kenneth J. Eldredge,Tommaso Vali,Frankie F. Roohparvar,Luca De Santis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Memory element, memory device, and semiconductor device

Номер патента: EP1866964A1. Автор: Nobuharu Ohsawa,Mikio Yukawa,Yoshinobu Asami. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-19.

Memory device and methods of using and making the device

Номер патента: US20050006643A1. Автор: Zhida Lan,Colin Bill,Michael Van Buskirk. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-13.

Resistive memory device and manufacturing method of the resistive memory device

Номер патента: US20230240157A1. Автор: In Ku Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Methods for independent memory bank maintenance and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US11900983B2. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Memory circuit, memory device and operation method thereof

Номер патента: US20220399059A1. Автор: E Ray HSIEH. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2022-12-15.

Memory circuit, memory device and operation method thereof

Номер патента: US12014780B2. Автор: E Ray HSIEH. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2024-06-18.

Neuronal to memory device communication

Номер патента: US20240160288A1. Автор: John D. Hopkins,Mohad Baboli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Device and method generating internal voltage in semiconductor memory device

Номер патента: US20090207674A1. Автор: Doo-Young Kim,Soo-bong Chang,Jung-Im Huh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-08-20.

Device and method generating internal voltage in semiconductor memory device

Номер патента: US20110090746A1. Автор: Doo-Young Kim,Soo-bong Chang,Jung-Im Huh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-04-21.

Semiconductor memory device and a manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20240373638A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Non-volatile semiconductor memory device and reading method for non-volatile semiconductor memory device that includes charging of data latch input node prior to latching of sensed data

Номер патента: US09543029B2. Автор: Takuyo Kodama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Dynamic semiconductor memory device and method for initializing a dynamic semiconductor memory device

Номер патента: US6175531B1. Автор: HELMUT Fischer,Martin Buck,Bret Johnson,Sebastian Kühne,Heinrich Hemmert. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2001-01-16.

Data erasure device for erasing data from non-volatile semiconductor memory device and method for manufacturing non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20190325967A1. Автор: Yoshiaki Nakayama,Koichi Yako. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2019-10-24.

Electronic memory device and a method of manipulating the electronic memory device

Номер патента: US20210134366A1. Автор: Muhammad Irfan,Zahid Ullah,Ray C. C. Cheung. Владелец: City University of Hong Kong CityU. Дата публикации: 2021-05-06.

Nonvolatile memory device and a method of operating the nonvolatile memory device

Номер патента: US09653168B2. Автор: Wandong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

Memory device and method for performing cache program on memory device

Номер патента: US20240221838A1. Автор: Bo Li,Xiaojiang Guo,Jinchi HAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor memory device, method of manufacturing semiconductor memory device and method of writing data into semiconductor memory device

Номер патента: US20100046271A1. Автор: Yuki Yamada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-02-25.

Nonvolatile memory devices and methods of programming and reading nonvolatile memory devices

Номер патента: US09576669B2. Автор: Chang-Bum Kim,Gyo-Soo Choo,Duk-Min Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor memory device controlling refresh cycle, memory system, and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US09490004B2. Автор: In-Chul Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Memory device, a memory system and an operating method of the memory device

Номер патента: US12073914B2. Автор: Kyungryun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Calibration circuit for controlling resistance of output driver circuit, memory device including the same, and operating method of the memory device

Номер патента: US20210027827A1. Автор: Junha Lee,Hundae CHOI,Hwapyong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-28.

Memory device including charge pump, and operation method of the memory device

Номер патента: US20240312531A1. Автор: Jungyu Lee,Bilal Ahmad Janjua,Jihyun Park,ChiWeon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory device, a memory system and an operating method of the memory device

Номер патента: EP4123648A1. Автор: Kyungryun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-25.

Memory device and method of reading data from a memory device

Номер патента: US20050052943A1. Автор: Ralf Klein,Thoai-Thai Le,George Alexander,Eckhard Brass. Владелец: Eckhard Brass. Дата публикации: 2005-03-10.

Dynamic semiconductor memory device and method for initializing a dynamic semiconductor memory device

Номер патента: US6157589A. Автор: Gunnar Krause. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2000-12-05.

Nonvolatile memory device and method of writing signal in nonvolatile memory device

Номер патента: US20180114560A1. Автор: Joong Sik Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-26.

Semiconductor memory device and method of defining data in semiconductor memory device

Номер патента: US20190139601A1. Автор: Hirokazu NAGASE. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

Non-volatile memory device and method of manufacturing the non-volatile memory device

Номер патента: US20220344369A1. Автор: In Su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-27.

Memory device and semiconductor die, and method of fabricating memory device

Номер патента: US20210036055A1. Автор: Tsann Lin,Ji-Feng Ying,Jhong-Sheng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-04.

Memory device and semiconductor die, and method of fabricating memory device

Номер патента: US11825664B2. Автор: Tsann Lin,Ji-Feng Ying,Jhong-Sheng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Refresh circuit of a semiconductor memory device and refresh control method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20130201777A1. Автор: Jung-Bae Lee,Sang-Ho Shin,Min-Jeung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-08-08.

Memory device and method for forming sense amplifiers of memory device

Номер патента: US20230298635A1. Автор: Chun-Yen Lin,Cheng-Chang Chen,Chih-Chieh Chiu. Владелец: Sonic Star Global Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory device including page buffer circuit and ssd including the memory device, and method of using the same

Номер патента: US20240153565A1. Автор: Daeseok Byeon,Yongsung CHO,Minjeong Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-09.

Memory device including page buffer circuit and ssd including the memory device, and method of using the same

Номер патента: EP4365902A1. Автор: Daeseok Byeon,Yongsung CHO,Minjeong Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-08.

Memory device and semiconductor die, and method of fabricating memory device

Номер патента: US20240040801A1. Автор: Tsann Lin,Ji-Feng Ying,Jhong-Sheng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Page buffer, semiconductor memory device with page buffer, and method of operating semiconductor memory device

Номер патента: US11842773B2. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Memory device performing read operation and operating method of the memory device

Номер патента: US11790979B2. Автор: Gil Bok CHOI,Dae Hwan YUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Method of reducing reliability degradation of nonvolatile memory device, nonvolatile memory device using the same and method of testing nonvolatile memory device using the same

Номер патента: US11915770B2. Автор: Minseok Kim,Junyong PARK,Ilhan Park,Doohyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-27.

Method and apparatus for fabricating phase-change recording medium

Номер патента: EP1170740A3. Автор: Gian Anton Zardini,Eiji Hitachi Computer Peripherals Co. Ltd Sahota,Yasumi Hitachi Computer Horiguchi. Владелец: Pfeiffer Vacuum Systems (International) AG. Дата публикации: 2003-01-08.

Method and apparatus for fabricating phase-change recording medium

Номер патента: US20010054604A1. Автор: Eiji Sahota,Yasumi Horiguchi,Gian Zardini. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-27.

Apparatus and method for passive phase change thermal management

Номер патента: MY137459A. Автор: PULLEN David,Terrance J Dishongh,Damion T Searls. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-01-30.

Phase change liquid cooling heat dissipation device

Номер патента: EP4239671A1. Автор: Xin Nie,Ruohan Yang,Yongheng WANG. Владелец: Thero New Material Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-06.

Flash-based memory system with robust backup and restart features and removable modules

Номер патента: WO2011082362A1. Автор: Charles J. Camp,Timothy J. Fisher,Holloway H. Frost,Don D. Davis,Adrian P. Glover,Josh H. Morris. Владелец: TEXAS MEMORY SYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2011-07-07.

Method for assigning addresses to memory devices

Номер патента: US09552311B2. Автор: Vinod C. Lakhani,Robert D. Norman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Memory system having first and second memory devices and driving method thereof

Номер патента: US09552314B2. Автор: Dong-Hwi Kim,Sun-Young Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-24.

Memory systems and operation methods thereof

Номер патента: US20240311237A1. Автор: Yufei FENG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Techniques for error detection and correction in a memory system

Номер патента: WO2022046440A1. Автор: Steffen Buch,Aaron P. Boehm. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-03-03.

Data processing device and associated memory management method

Номер патента: US20240370362A1. Автор: Yi-Lin Yang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

Memory device with cryptographic kill switch

Номер патента: US11726923B2. Автор: Gil Golov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-15.

Storage device comprising volatile and nonvolatile memory devices, and related methods of operation

Номер патента: US09772940B2. Автор: Eun-Ju Park,Wan-soo Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Accessing circuit of memory device and operation method about reading data from memory device

Номер патента: US11762768B2. Автор: Chih-Wea Wang,Yung-Hui YU. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Efficient data management for memory system error handling

Номер патента: US20240289236A1. Автор: Jonathan S. Parry,Jameer Mulani,Nitul Gohain. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory device for multiple processors and memory system having the same

Номер патента: US09740657B2. Автор: Chanho LEE. Владелец: FOUNDATION OF SOONGSIL UNIVERSITY INDUSTRY COOPERATION. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US09477593B2. Автор: Hong-Sik Kim,Dong-Gun KIM,Yong-Kee KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Memory device virtualization

Номер патента: US20240289159A1. Автор: Marco Redaelli,Gaurav Sinha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Vector processing in an active memory device

Номер патента: US09535694B2. Автор: Daniel A. Prener,Ravi Nair,Bruce M. Fleischer,Thomas W. Fox,Hans M. Jacobson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Memory system and memory controller

Номер патента: US8819331B2. Автор: Haruki Toda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-26.

Flash memory device, memory device and a method for controlling a flash memory device

Номер патента: TW201101327A. Автор: Hong-Ching Chen,Tzu-Chieh Lin,Li-Chun Tu,Chi-Wei Peng,Yeow-Chyi Chen. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2011-01-01.

Off-chip micro control and interface in a multichip integrated memory system

Номер патента: US20090287896A1. Автор: Vijay P. Adusumilli. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2009-11-19.

Memory device and method of terminating transmission line from memory device

Номер патента: TW201042654A. Автор: Peter Linder,Jeffrey Eldon Johnson,James Sanford Wallace. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2010-12-01.

Shared function for multi-port memory device

Номер патента: US20240241823A1. Автор: Marco Redaelli,Gaurav Sinha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20020001173A1. Автор: Shiro Hayano,Kazuyoshi Nishiyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-03.

Apparatus and method for direct memory access in a hub-based memory system

Номер патента: US7966430B2. Автор: Joseph M. Jeddeloh. Владелец: Round Rock Research LLC. Дата публикации: 2011-06-21.

Evaluation of memory device health monitoring logic

Номер патента: US12038806B2. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm,Mark D. INGRAM,Todd Jackson Plum,Scott D. VAN DE GRAAFF. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Evaluation of memory device health monitoring logic

Номер патента: US20240320093A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm,Mark D. INGRAM,Todd Jackson Plum,Scott D. VAN DE GRAAFF. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Clock tree structure in a memory system

Номер патента: US20190064871A1. Автор: Timothy Mowry Hollis,George Pax,Roy E. Greeff. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-02-28.

Clock tree structure in a memory system

Номер патента: US10339075B2. Автор: Timothy Mowry Hollis,George Pax,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-07-02.

Method and apparatus for testing memory devices under load

Номер патента: US5961656A. Автор: Billy J. Fuller,Thomas G. Whitten. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 1999-10-05.

Computer compressed memory system and method for storing and retrieving data in a processing system

Номер патента: US20070226428A1. Автор: Peter Franaszek,Robert Tremaine. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-09-27.

Transferring data to a memory device based on importance

Номер патента: US20240095200A1. Автор: Robert Bielby. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Selectively disabling power delivery to a grouping of memory devices of an information handling system

Номер патента: US20230065935A1. Автор: Lee Zaretsky,Isaac Q. Wang. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2023-03-02.

Advanced detection of memory device removal, and methods, devices and connectors

Номер патента: US8189420B2. Автор: Victor Tsai,James Cooke,Peter Feeley,William H. Radke,Chad Cobbley,Neal Galbo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-05-29.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US20200242044A1. Автор: Ji Hoon Lee,Duck Hoi KOO,Soong Sun SHIN,Min Hwan MOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-07-30.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US20180314642A1. Автор: Ji Hoon Lee,Duck Hoi KOO,Soong Sun SHIN,Min Hwan MOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-11-01.

Memory device with cryptographic kill switch

Номер патента: US20200401533A1. Автор: Gil Golov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-24.

Cache management based on memory device over-provisioning

Номер патента: WO2022103925A1. Автор: Peter Feeley,Yun Li,Ashutosh Malshe,Kishore Kumar Muchherla,Sampath K. Ratnam,Daniel J. Hubbard,Kevin R. Brandt,Christopher S. Hale. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-05-19.

Memory device with cryptographic kill switch

Номер патента: US20230409491A1. Автор: Gil Golov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Materials and components in phase change memory devices

Номер патента: US09741930B2. Автор: Davide Erbetta,Valter Soncini. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Phase change memory device using carbon nanotube and method for fabricating the same

Номер патента: US7749801B2. Автор: Kuk-Hwan Kim,Yang-Kyu Choi. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2010-07-06.

Novel phase change magnetic material

Номер патента: WO2007046769A1. Автор: Tow Chong Chong,Wendong Song,Xiangshui Miao,Luping Shi. Владелец: AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH. Дата публикации: 2007-04-26.

Process for producing a phase change memory cell with single crystal phase change material

Номер патента: DE112010003917B4. Автор: Alejandro G. Schrott,Chieh-Fang Chen,Chung Hon Lam. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-09.

Memory system

Номер патента: US20230197125A1. Автор: Junichiro Noda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Memory system

Номер патента: US12094566B2. Автор: Junichiro Noda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Test device and test method thereof

Номер патента: US20240145024A1. Автор: Yao-Chang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Nor-type memory device, method of manufacturing nor-type memory device, and electronic apparatus including memory device

Номер патента: US20230301100A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institure Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory device and process for improving the state of a termination

Номер патента: US20030076712A1. Автор: Seong-Jin Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-04-24.

Embedded memory device and method for embedding memory device in a substrate

Номер патента: US20200075567A1. Автор: Andrew Collins. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Three-dimensional memory device with word lines extending through sub-arrays, semiconductor device including the same and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230345732A1. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Multi-site testing of computer memory devices and serial io ports

Номер патента: US20140026006A1. Автор: Chinsong Sul. Владелец: Silicon Image Inc. Дата публикации: 2014-01-23.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US09761282B2. Автор: Dong Yeob CHUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

INTERNAL VOLTAGE GENERATING CIRCUIT OF PHASE CHANGE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20130121069A1. Автор: Shin Yoon-Jae. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2013-05-16.

INTERNAL VOLTAGE GENERATING CIRCUIT OF PHASE CHANGE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20140104940A1. Автор: Shin Yoon-Jae. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2014-04-17.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20230317816A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Van der Waals heterostructure memory device and switching method

Номер патента: US11705200B2. Автор: Tao Liu,Wei Chen,DU Xiang. Владелец: Singapore Suzhou Research, National University of. Дата публикации: 2023-07-18.

Van der waals heterostructure memory device and switching method

Номер патента: US20210391009A1. Автор: Tao Liu,Wei Chen,DU Xiang. Владелец: Singapore Suzhou Research Institute, National University of. Дата публикации: 2021-12-16.

Electronic device, memory device, and write leveling method thereof

Номер патента: US20240265955A1. Автор: Shun-Ke WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Electronic device, memory device, and write leveling method thereof

Номер патента: US12125557B2. Автор: Shun-Ke WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Nonvolatile memory device and read method of nonvolatile memory device

Номер патента: US20220051714A1. Автор: Minseok Kim,Jisu Kim,Doohyun Kim,Jinbae BANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor memory device and erasing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20210327805A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Memory device with modular design and memory system comprising the same

Номер патента: US12080369B2. Автор: Christopher Cox,Leechung Yiu,Robert Xi Jin,Zheng QIU,Leonard DATUS,Lizhi Jin. Владелец: Montage Electronics Shanghai Co. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory device

Номер патента: US09922713B2. Автор: Leroy Cronin,Asen ASENOV. Владелец: University of Glasgow. Дата публикации: 2018-03-20.

Peripheral circuit, semiconductor memory device and operating method of the semiconductor device and/or peripheral circuit

Номер патента: US09715934B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09570178B2. Автор: Byoung In JOO,Byoung Young KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240282365A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09824758B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09741437B2. Автор: Min Kyu Lee,Kyoung Hoon LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09627071B2. Автор: Min Kyu Lee,Kyoung Hoon LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Source bias temperature compensation for read and program verify operations on a memory device

Номер патента: US20230197175A1. Автор: Ching-Huang Lu,Ronit Roneel Prakash. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Memory modules, memory systems including the same, and methods of calibrating multi-die impedance of the memory modules

Номер патента: US20190052268A1. Автор: Yoon-Joo EOM,Jun-Ha Lee,Chang-kyo LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-02-14.

Memory device and method for protecting a memory device from the effect of row hammering

Номер патента: US20240185910A1. Автор: Fabrice Devaux. Владелец: Upmem SAS. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor memory device and writing method thereof

Номер патента: US20240347103A1. Автор: Hsi-Yuan Wang,Ying-Te Tu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: EP4443434A1. Автор: Yohan Lee,Taeyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-09.

Semiconductor memory device having memory strings coupled to bit lines and operating method thereof

Номер патента: US09899093B2. Автор: Jong Won Lee,Jin Su Park,Hyun Su WOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09748260B2. Автор: Akihiro Nitayama,Masaru Kito,Mitsuru Sato,Yasuyuki Matsuoka,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09672914B1. Автор: Eun Young Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09620221B1. Автор: Myeong Cheol SON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09607711B1. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09530467B1. Автор: Jin Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20160148690A1. Автор: Chi Wook An. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-26.

Indicating a status of a memory built-in self-test for multiple memory device ranks

Номер патента: US12051477B2. Автор: Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor memory system and method for the transfer of write and read data signals in a semiconductor memory system

Номер патента: US20060104132A1. Автор: Dominique Savignac,Christian Sichert,Paul Wallner,Peter Gregorius,Hermann Ruckerbauer. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2006-05-18.

Indicating a status of a memory built-in self-test for multiple memory device ranks

Номер патента: US20240347125A1. Автор: Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20130235671A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-12.

Circular printed memory system and method having robustness to orientation

Номер патента: US09928893B1. Автор: Jeffrey M. Fowler. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor memory device including multi-level cell and programming method thereof

Номер патента: US09859014B2. Автор: Sung Ho Kim,Min Sang Park,Gil Bok CHOI,Kyong Taek LEE,Yun Bong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09704587B1. Автор: Eun Young Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09524793B1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: US09508454B2. Автор: Seong-Sik PARK,Ho-Youb Cho,Yo-Han JEONG,Seong-Je Park,Chang-Won Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor memory device improving threshold voltage of unselected memory block and operating method thereof

Номер патента: US09466372B2. Автор: Chi Wook An. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Methods of Programming Data in a Non-Volatile Memory Device and Methods of Operating a Nand Flash Memory Device Using the Same

Номер патента: US20110170356A1. Автор: Dong-Uk Choi,Hee-Soo Kang,Choong-ho Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-07-14.

Charge leakage detection for memory system reliability

Номер патента: US11749330B2. Автор: Angelo Visconti,Riccardo Pazzocco,Jonathan J. Strand,Kevin T. Majerus. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Charge leakage detection for memory system reliability

Номер патента: EP4128237A1. Автор: Angelo Visconti,Riccardo Pazzocco,Jonathan J. Strand,Kevin T. Majerus. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-08.

Charge leakage detection for memory system reliability

Номер патента: US20230114735A1. Автор: Angelo Visconti,Riccardo Pazzocco,Jonathan J. Strand,Kevin T. Majerus. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-04-13.

Adaptation of word line pulse widths in memory systems

Номер патента: RU2455713C2. Автор: Мохамед Х. АБУ-РАХМА,Сей Сеунг ЙООН. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2012-07-10.

Dynamic semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US20200176052A1. Автор: Kwang Hyun Kim,Chul Hwan Choo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-04.

Dynamic semiconductor-memory device and method to initialize a dynamic semiconductor-memory device

Номер патента: TW454199B. Автор: Gunnar Krause. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2001-09-11.

Dynamic semiconductor-memory device and method to initialize a dynamic semiconductor-memory device

Номер патента: TW466491B. Автор: HELMUT Fischer,Martin Buck,Bret Johnson,Sebastian Kühne,Heinrich Hemmert. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2001-12-01.

A semiconductor memory device, and a method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: TWI389119B. Автор: Kotaro Kashiwa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-03-11.

Environmental condition tracking for a memory system

Номер патента: US11817168B2. Автор: Olivier DUVAL. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Power regulation for memory systems

Номер патента: US20210217482A1. Автор: Thomas H. Kinsley,Fuad Badrieh,Baekkyu Choi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

Power regulation for memory systems

Номер патента: US20230005551A1. Автор: Thomas H. Kinsley,Fuad Badrieh,Baekkyu Choi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Power regulation for memory systems

Номер патента: US20240096425A1. Автор: Thomas H. Kinsley,Fuad Badrieh,Baekkyu Choi. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-03-21.

Power regulation for memory systems

Номер патента: EP4073797A1. Автор: Thomas H. Kinsley,Fuad Badrieh,Baekkyu Choi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-19.

Link evaluation for a memory device

Номер патента: US20210193252A1. Автор: Heinz Hoenigschmid,Thomas Hein,Markus Balb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-24.

Link evaluation for a memory device

Номер патента: WO2021126838A1. Автор: Heinz Hoenigschmid,Thomas Hein,Markus Balb. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-24.

Link evaluation for a memory device

Номер патента: US20230197181A1. Автор: Heinz Hoenigschmid,Thomas Hein,Markus Balb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Supplying voltage to a bit line of a memory device

Номер патента: US20070121400A1. Автор: Gunther Lehmann,Siddharth Gupta,Yannick Martelloni,Devesh Dwivedi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-05-31.

Etch stop layer for memory device formation

Номер патента: US20240321635A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Hung Cho Wang,Sheng-Chang Chen,Sheng-Huang Huang,Chung-Chiang Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Supplying voltage to a bit line of a memory device

Номер патента: US7436721B2. Автор: Gunther Lehmann,Siddharth Gupta,Yannick Martelloni,Devesh Dwivedi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-10-14.

Automated voltage demarcation (vdm) adjustment for memory device

Номер патента: US20230410878A1. Автор: Fangfang Zhu,Yi-Min Lin,Chih-kuo Kao. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Bank sharing and refresh in a shared multi-port memory device

Номер патента: WO2009073331A1. Автор: Dongyun Lee. Владелец: SILICON IMAGE, INC.. Дата публикации: 2009-06-11.

Memory devices including tri-state memory cells

Номер патента: US20240282370A1. Автор: Yuan He,Jiyun Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Non-overlapped-extension-implantation nonvolatile memory device capable of being treated with anti-fuse operation

Номер патента: US09991269B2. Автор: Syang-Ywan Jeng. Владелец: CHUNG YUAN CHRISTIAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-06-05.

Volatile memory device and method of refreshing same

Номер патента: US5742554A. Автор: Shinya Fujioka. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1998-04-21.

Memory device, memory system having the same and operating method thereof

Номер патента: US20240212776A1. Автор: Jongpil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor memory device for reducing chip size

Номер патента: US6804163B2. Автор: Yun-sang Lee,Jung-Bae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-10-12.

Method and apparatus for testing a non-standard memory device under actual operating conditions

Номер патента: US20030080762A1. Автор: Sang-Jun Park,Sun-Ju Kim,Hyun-Ho Park,Chang-Nyun Kim,Jin-Seop Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-05-01.

Memory device

Номер патента: US20230134975A1. Автор: Yih Wang,Chia-En HUANG,Jonathan Tsung-Yung Chang,Tzu-Hsien YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

Memory device

Номер патента: US12087354B2. Автор: Yih Wang,Chia-En HUANG,Jonathan Tsung-Yung Chang,Tzu-Hsien YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Sense amplifying circuit capable of operating with lower voltage and nonvolatile memory device including the same

Номер патента: US20080089122A1. Автор: Se-Eun O. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-17.

Memory device

Номер патента: US12082391B2. Автор: Hitoshi KUNITAKE,Kazuki Tsuda,Satoru Ohshita. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor memory device, method for fabricating the same and electronic system including the same

Номер патента: US20240306383A1. Автор: Ki Joon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Nonvolatile memory device, operating method thereof, and test system for optimizing erase loop operations

Номер патента: US09786374B2. Автор: Jae Won Cha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Sensing control signal generation circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US09659665B1. Автор: Young-Il Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

A flash memory device and control method

Номер патента: IES85799Y1. Автор: Sullivan Joseph,Maurice Ryan Conor. Владелец: Nvmdurance Limited. Дата публикации: 2011-06-22.

A flash memory device and control method

Номер патента: IE20100615U1. Автор: Sullivan Joseph,Maurice Ryan Conor. Владелец: Nvmdurance Limited. Дата публикации: 2011-03-30.

Semiconductor integrated circuit and memory system

Номер патента: US11996156B2. Автор: Atsushi Tanaka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-05-28.

Embedded memory device and method for embedding memory device in a substrate

Номер патента: US20210225828A1. Автор: Andrew Collins. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-07-22.

Semiconductor memory device

Номер патента: IE53776B1. Автор: . Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1989-02-15.

Semiconductor memory device and erasing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US11804429B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Automated vdm adjustment for memory device

Номер патента: WO2023034330A1. Автор: Fangfang Zhu,Yi-Min Lin,Chih-kuo Kao. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-03-09.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240023330A1. Автор: Jin Ha Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210288068A1. Автор: Sung Won Cho,Ga Eun KIM,Yoon Hwan Son,Joo Hee PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-16.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US11557355B2. Автор: Han Soo Joo,Sung Hoon Cho,Jae Sung Sim,Se Kyoung Choi,Hee Chang CHAE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-01-17.

Device and method for memory repair using test logic

Номер патента: US20150029801A1. Автор: Ilan Strulovici,Yizhak Feldman. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2015-01-29.

Device and method for memory repair using test logic

Номер патента: US9218894B2. Автор: Ilan Strulovici,Yizhak Feldman. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2015-12-22.

Nor-type memory device, method of manufacturing nor-type memory device, and electronic apparatus including memory device

Номер патента: US20240008283A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-01-04.

Test devices and systems that utilize efficient test algorithms to evaluate devices under test

Номер патента: US20230408554A1. Автор: Junyoung Ko,Jungmin Bak,Changhwi Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-21.

Automated voltage demarcation (VDM) adjustment for memory device

Номер патента: US11798614B2. Автор: Fangfang Zhu,Yi-Min Lin,Chih-kuo Kao. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US11812615B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Nor-type memory device, method of manufacturing nor-type memory device, and electronic apparatus including memory device

Номер патента: US20230337442A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-10-19.

Three-dimensional ferroelectric memory devices

Номер патента: WO2020034809A1. Автор: Qian Tao,Zhenyu Lu,Feng Pan,Yushi Hu. Владелец: Wuxi Petabyte Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-02-20.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20230380160A1. Автор: Kun Young Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20240021248A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Three-dimensional ferroelectric memory devices

Номер патента: EP3827432A1. Автор: Qian Tao,Zhenyu Lu,Feng Pan,Yushi Hu. Владелец: Wuxi Petabyte Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-02.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20210319830A1. Автор: Hyun Kyu Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-10-14.

Magnetic memory device and method of writing magnetic memory device

Номер патента: US20180151212A1. Автор: Seung-jae Lee,Kyung-Jin Lee,Woo Chang Lim,Gyungchoon GO. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-31.

Memory device, method of manufacturing memory device and method of operating memory device

Номер патента: US20230058213A1. Автор: Moon Sik SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

Voltage generator circuitry of memory device and methods of operating the same

Номер патента: US20210225422A1. Автор: Sanghoon Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-22.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20210241838A1. Автор: Han Soo Joo,Sung Hoon Cho,Jae Sung Sim,Se Kyoung Choi,Hee Chang CHAE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-05.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20220180951A1. Автор: Han Soo Joo,Sung Hoon Cho,Jae Sung Sim,Se Kyoung Choi,Hee Chang CHAE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-06-09.

Managing asynchronous power loss in a memory device

Номер патента: US20240194279A1. Автор: Yu-Chung Lien,Tomer Tzvi Eliash. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor memory device and method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20240196609A1. Автор: In Su Park,Jung Dal Choi,Jung Shik JANG,Seok Min JEON,Mi Seong PARK,Won Geun CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Otp memory device, method for operating same and method for fabricating same

Номер патента: US20240087660A1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Memory device and semiconductor die

Номер патента: US20240185913A1. Автор: Hung-Li Chiang,Jer-Fu Wang,Iuliana Radu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Durability test method, device and system of phase change material

Номер патента: US12117409B1. Автор: Feng Yu,Haibin Yang,Hongzhi Cui,Lele CAO,Xiangpeng Cao. Владелец: SHENZHEN UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-10-15.

Phase-Change Materials and Optical Limiting Devices Utilizing Phase-Change Materials

Номер патента: US20100309539A1. Автор: Anthony Bresenhan Kaye,Richard Forsberg Haglund, JR.. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-09.

Phase-change materials and optical limiting devices utilizing phase-change materials

Номер патента: WO2010141168A1. Автор: Anthony Bresenhan Kaye,Richard Forsberg Haglund. Владелец: ITT Manufacturing Enterprises, Inc.. Дата публикации: 2010-12-09.

Sheet conveyance device and program for sheet conveyance device

Номер патента: US20210234976A1. Автор: Sadatoshi Oishi. Владелец: Toshiba TEC Corp. Дата публикации: 2021-07-29.

Sheet conveyance device and program for sheet conveyance device

Номер патента: EP3859589A1. Автор: Sadatoshi Oishi. Владелец: Toshiba TEC Corp. Дата публикации: 2021-08-04.

Data recording method and device, and phase-change optical disc

Номер патента: EP1241665A3. Автор: Fumiya Ohmi. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-18.

System on chip (SoC) based on phase transition and/or phase change material

Номер патента: US09558779B2. Автор: Angel Martinez,Mohammad A Mazed,Rex Wiig. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-01-31.

Phase-change recording element for write once application

Номер патента: EP1235213A3. Автор: Yuan-Sheng C/O Eastman Kodak Company Tyan,Thomas Richard c/o EASTMAN KODAK COMPANY Cushman,Giuseppe c/o Eastman Kodak Company Farruggia,George Russell c/o Eastman Kodak Company Olin,Bruno c/o Eastman Kodak Company Primerano,Fridrich C/O Eastman Kodak Company Vazan,James Arthur c/o Eastman Kodak Company Barnard. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2007-09-05.

Phase change optical recording medium

Номер патента: US5889756A. Автор: Katsutaro Ichihara,Keiichiro Yusu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-03-30.

Erasable phase-change recording elements

Номер патента: EP1182654A3. Автор: Yuan-Sheng Tyan,Bruno Primerano,Fridrich Vazan,Thomas Richard Cushman,George Russell Olin,Kee-Chaun Pan,Giuseppe Farrugia. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2002-05-15.

Data recording method and device, and data-recorded phase-change optical disc

Номер патента: US20020172123A1. Автор: Fumiya Ohmi. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-21.

Digital data recording device, digital data memory device, and digital data utilizing device that produce problem reports

Номер патента: EP1069564A3. Автор: Takatoshi Ono,Yoji Kumazaki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-08-21.

Forced air cooling system with phase change material

Номер патента: US20190390096A1. Автор: Giti Karimi-Moghaddam,Pietro CAIROLI,Taosha Jiang. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2019-12-26.

Ir photodetector with graphene and phase change layers and related methods

Номер патента: US20230082228A1. Автор: Michael N. Leuenberger,Muhammad Waqas Shabbir. Владелец: University of Central Florida Research Foundation Inc UCFRF. Дата публикации: 2023-03-16.

Thermal control using phase-change material

Номер патента: WO2017192235A1. Автор: Philip Campbell,Larry W. Akers,Joseph F. Wrinn,David GRAZIOSE. Владелец: Teradyne, Inc.. Дата публикации: 2017-11-09.

Optoelectronic device using a phase change material

Номер патента: EP3622556A1. Автор: Syed Ghazi Sarwat,Harish Bhaskaran,Gerardo Rodriguez HERNANDEZ. Владелец: Oxford University Innovation Ltd. Дата публикации: 2020-03-18.

Optoelectronic device using a phase change material

Номер патента: WO2018206919A1. Автор: Syed Ghazi Sarwat,Harish Bhaskaran,Gerardo Rodriguez HERNANDEZ. Владелец: Oxford University Innovation Ltd. Дата публикации: 2018-11-15.

All-photonic Boolean logic device based on phase change straight waveguide and full binary logic implementation method thereof

Номер патента: US11906876B2. Автор: Han Li,Xiaomin Cheng,Xiangshui Miao,Yunlai ZHU,Zhuli HE. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-02-20.

Switch based on a phase change material

Номер патента: US20240122083A1. Автор: Antonio Clemente,Bruno Reig,Cecilia Dupre,Benoit Charbonnier. Владелец: Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Altermatives. Дата публикации: 2024-04-11.

Method to stabilize a wavelength of a tunable laser device, tunable laser device, and position measurement system provided with the tunable laser device

Номер патента: WO2024037799A1. Автор: Maarten Jozef Jansen,Eduard Martinus KLARENBEEK. Владелец: ASML Netherlands B.V.. Дата публикации: 2024-02-22.

Phase-change metasurface for programmable waveguide mode conversion

Номер патента: WO2021216282A1. Автор: Mo Li,Changming Wu. Владелец: UNIVERSITY OF WASHINGTON. Дата публикации: 2021-10-28.

All-photonic boolean logic device based on phase change straight waveguide and full binary logic implementation method thereof

Номер патента: US20230221619A1. Автор: Han Li,Xiaomin Cheng,Xiangshui Miao,Yunlai ZHU,Zhuli HE. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-07-13.

Methods and systems for measuring state of charge of a phase change material thermal battery

Номер патента: US20240210121A1. Автор: Ryan Young,Eugene Jansen,Craig English,Eric Donovan,Nader Maharmeh. Владелец: Rolls Royce North American Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Thermal control using phase-change material

Номер патента: US20170322253A1. Автор: Philip Campbell,Larry Akers,David GRAZIOSE,Joseph Wrinn. Владелец: Teradyne Inc. Дата публикации: 2017-11-09.

Reconfigurable photonic integrated chip based on phase change material film and processing method therefor

Номер патента: US20240168320A1. Автор: Zhaohui Li,Hongfei Chen. Владелец: Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2024-05-23.

Methods and systems for measuring state of charge of a phase change material thermal battery

Номер патента: US11920871B2. Автор: Ryan Young,Eugene Jansen,Craig English,Eric Donovan,Nader Maharmeh. Владелец: Rolls Royce North American Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Metal oxide liner for cross-point phase change memory cell

Номер патента: US20220102625A1. Автор: Rajesh Venkatasubramanian,Hari Chandrasekaran,Hoi-sung Chung. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-31.

Methods of forming a phase change layer and methods of fabricating a phase change memory device including the same

Номер патента: US20130143380A1. Автор: Byoung-Deog Choi,Man-sug Kang,Jeong-hee Park,Doo-Hwan Park,Gyu-Hwan OH,Hye-Young Park,Jin-Ho Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-06-06.

Phase-change random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140175358A1. Автор: Hyun Min Lee,Jung Taik Cheong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-26.

Superlattice phase-change thin film with low density change, phase-change memory and preparation method therefor

Номер патента: US20220344584A1. Автор: MENG Xu,Ming Xu,Xiaomin Cheng,Xiangshui Miao,Jinlong Feng. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2022-10-27.

Phase-change memory cell, and method for manufacturing the phase-change memory cell

Номер патента: US09991316B2. Автор: Carlo Luigi PRELINI,Paola Zuliani,Gianluigi CONFALONIERI,Annalisa GILARDINI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-06-05.

Phase-change random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120326112A1. Автор: Jang Uk Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-12-27.

Phase-change memory cell, and method for manufacturing the phase-change memory cell

Номер патента: US20170373120A1. Автор: Carlo Luigi PRELINI,Paola Zuliani,Gianluigi CONFALONIERI,Annalisa GILARDINI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-12-28.

Phase-change random access memory device and method of forming the same

Номер патента: US20230403956A1. Автор: Yao-Wen Chang,Huan-Chieh CHEN,Chia-Wen Zhong,Chin I WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Phase change initiator for use with an exothermic phase change material

Номер патента: WO2010089586A2. Автор: Richard Thom,Jim Shaikh,Adam Kyte. Владелец: Feed Me Bottles Ltd. Дата публикации: 2010-08-12.

Phase-change random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140175368A1. Автор: Doo Kang KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-26.

Methods of manufacturing phase-change random access memory devices

Номер патента: US20100323492A1. Автор: Tae-Yon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-12-23.

Phase Change Switch Device Having a Set of Heaters Arranged to Heat a Phase Change Material and Method of Operating the Phase Change Switch Device

Номер патента: US20240056072A1. Автор: Hans Taddiken,Christoph Kadow,Dominik Heiss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-02-15.

Memory devices including staircase structures, and related 3d nand flash memory devices

Номер патента: US20240015971A1. Автор: Xuan Li,Shuangqiang Luo,Adeline Yii. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-01-11.

Memory devices including staircase structures, and related 3D NAND flash memory devices

Номер патента: US12108600B2. Автор: Xuan Li,Shuangqiang Luo,Adeline Yii. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-10-01.

Non-volatile semiconductor memory device, and manufacture method for non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100001338A1. Автор: Kenichiro Nakagawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-01-07.

Method of forming a gate electrode in a semiconductor device and method of manufacturing a non-volatile memory device using the same

Номер патента: US6660573B2. Автор: Myoung-Sik Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-12-09.

Non-volatile memory device, method for manufacturing the non-volatile memory device, and electronic system including the non-volatile memory device

Номер патента: US20240130126A1. Автор: Seong Jin Kim,Hauk Han,Seong Hun Park,Yeong Dong MUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

3d nand memory device devices and related electronic systems

Номер патента: US20230361083A1. Автор: Kunal R. Parekh,Akira Goda,Paolo Tessariol. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2023-11-09.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140374691A1. Автор: Hiroyuki Nansei. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-12-25.

Graphene-inserted phase change memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09583702B2. Автор: Seunghyun Lee,Kenneth E. Goodson,Yongsung Kim,Scott Fong,Mehdi Asheghi,Eric Pop,H.-S. Philip Wong,Christopher M. Neumann,Aditya Sood,Chiyui Ahn. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2017-02-28.

Phase change memory stack with treated sidewalls

Номер патента: US09673256B2. Автор: SHU QIN,Yongjun Jeff Hu,Tsz W. Chan,Everett Allen McTeer,Swapnil Lengade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Methods of manufacturing a phase change memory device including a heat sink

Номер патента: US09431610B2. Автор: Tae-Jin Park,Yoon-Jong Song,Chil-Hee Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Method of manufacturing a phase change memory device

Номер патента: US20150364678A1. Автор: Sung-Lae Cho,Dong-ho Ahn,Jung-Hwan Park,Hideki Horii,Jeong-hee Park,Zhe Wu,Jun-Ku Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-12-17.

Phase change material layers and phase change memory devices including the same

Номер патента: US20090179185A1. Автор: Matthias Wuttig,Yoon-Ho Khang,Cheol-Kyu Kim,Ki-Joon Kim,Dong-Seok Suh,Youn-Seon Kang,Tae-Yon Lee,Daniel Wamwangi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-07-16.

Three terminal phase change memory with self-aligned contacts

Номер патента: US12108692B2. Автор: TIAN Shen,Jingyun Zhang,Heng Wu,Kevin W. Brew. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Phase change memory and method of fabricating the same

Номер патента: US20200373483A1. Автор: Ming-Feng Chang,Tzu-Hao YANG,Sheng-Hung Cheng. Владелец: Jiangsu Advanced Memory Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-26.

Phase change memory and method for making the same

Номер патента: US20220231224A1. Автор: Zhitang Song,Sannian Song. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2022-07-21.

Phase change memory cell with improved phase change material

Номер патента: US20150048291A1. Автор: Simone Raoux,Huai-Yu Cheng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-19.

Phase change memory cell with improved phase change material

Номер патента: US09653683B2. Автор: Simone Raoux,Huai-Yu Cheng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Graphene-inserted phase change memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20160276585A1. Автор: Seunghyun Lee,Kenneth E. Goodson,Yongsung Kim,Scott Fong,Mehdi Asheghi,Eric Pop,Christopher M. Neumann,Aditya Sood,Chiyui Ahn,H.S. Philip Wong. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2016-09-22.

Method of manufacturing phase change memory and phase change memory

Номер патента: US20210376237A1. Автор: Yu Zhu,Chung-Hon Lam,Kuo-Feng Lo. Владелец: Jiangsu Advanced Memory Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Phase change memory cell with superlattice based thermal barrier

Номер патента: US20230077912A1. Автор: Takashi Ando,Kevin W. Brew,Praneet Adusumilli,Reinaldo Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-03-16.

Phase change memory cell and phase change memory

Номер патента: US20150318469A1. Автор: Kai-Li Jiang,Shou-Shan Fan,Peng Liu,Qun-Qing Li. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-05.

Phase change memory element

Номер патента: US09847479B2. Автор: Frederick T. Chen,Ming-Jinn Tsai. Владелец: Gula Consulting LLC. Дата публикации: 2017-12-19.

Phase change memory cell and phase change memory

Номер патента: US09419216B2. Автор: Kai-Li Jiang,Shou-Shan Fan,Peng Liu,Qun-Qing Li. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Boron Surface Passivation of Phase Change Memory Material

Номер патента: US20240099166A1. Автор: Robert L. Bruce,Marinus Johannes Petrus Hopstaken,Luxherta Buzi,Charlie Tabachnick. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Phase-change memory cell implant for dummy array leakage reduction

Номер патента: US9837604B2. Автор: Max F. Hineman,Ugo Russo,Lequn J. Liu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Phase-change memory cell implant for dummy array leakage reduction

Номер патента: EP3238283A1. Автор: Max F. Hineman,Ugo Russo,Lequn J. Liu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-01.

Dielectric thin film on electrodes for resistance change memory devices

Номер патента: US09698344B2. Автор: DerChang Kau. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Phase change heterostructure, and phase change memory device including the same

Номер патента: US20240065118A1. Автор: Kiyeon YANG,Changseung LEE,Wooyoung Yang,Minwoo Choi,Hajun SUNG,Changyup Park,Youngjae Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-22.

Phase-change memory cell implant for dummy array leakage reduction

Номер патента: US20160181324A1. Автор: Max F. Hineman,Ugo Russo,Lequn J. Liu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-06-23.

Phase-change memory cell implant for dummy array leakage reduction

Номер патента: WO2016105750A1. Автор: Max F. Hineman,Ugo Russo,Lequn J. Liu. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2016-06-30.

Phase-change memory cell implant for dummy array leakage reduction

Номер патента: US20170125671A1. Автор: Max F. Hineman,Ugo Russo,Lequn J. Liu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-04.

Memory device, semiconductor device, method for producing memory device, and method for producing semiconductor device

Номер патента: US09825221B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Electrode configurations to increase electro-thermal isolation of phase-change memory elements and associated techniques

Номер патента: US09608042B2. Автор: Sanjay Rangan,Max F. Hineman,Giulio Albini,Fabio Pellizzer,Stephen W. Russell. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Phase-change memory cell implant for dummy array leakage reduction

Номер патента: US09559146B2. Автор: Max F. Hineman,Ugo Russo,Lequn J. Liu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Phase change memory devices and their methods of fabrication

Номер патента: US7598112B2. Автор: Jae-hee Oh,Jae-Hyun Park,Won-Cheol Jeong,Se-Ho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-10-06.

Phase change memory structure having low-k dielectric heat-insulating material and fabrication method thereof

Номер патента: US20130175493A1. Автор: Zhitang Song,Liangcai Wu,Songlin Feng. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2013-07-11.

Hydrogen and Hydrocarbon Plasma Treatment of Phase Change Memory Material

Номер патента: US20240099163A1. Автор: Robert L. Bruce,John M. Papalia,Luxherta Buzi,Lynne Marie Gignac. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Phase change memory having a funnel-shaped heater and method of manufacturing the same

Номер патента: US09508927B1. Автор: Yu-Jen Lin,Yi-Fang Tao. Владелец: Ningbo Advanced Memory Technology Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Phase change memory stack with treated sidewalls

Номер патента: US10177198B2. Автор: SHU QIN,Yongjun Jeff Hu,Tsz W. Chan,Everett Allen McTeer,Swapnil Lengade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-08.

Phase change memory stack with treated sidewalls

Номер патента: US20170358629A1. Автор: SHU QIN,Yongjun Jeff Hu,Tsz W. Chan,Everett Allen McTeer,Swapnil Lengade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-14.

Method for producing a pillar-shaped phase change memory device

Номер патента: US9954032B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Phase change memory stack with treated sidewalls

Номер патента: US20190140023A1. Автор: SHU QIN,Yongjun Jeff Hu,Tsz W. Chan,Everett Allen McTeer,Swapnil Lengade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-05-09.

Phase-change memory structure and phase-change memory device including the same

Номер патента: US20240107778A1. Автор: Kiyeon YANG,Changseung LEE,Hajun SUNG,Dongho Ahn,Youngjae Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Phase change memory and method of fabricating same

Номер патента: US20130048936A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Yeur-Luen Tu,Shih-Chang Liu,Tsun-Kai Tsao,Ming-Huei Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-02-28.

Phase-change memory with an insulating layer on a cavity sidewall

Номер патента: US11800821B2. Автор: DANIEL Benoit,Philippe Boivin,Remy Berthelon. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2023-10-24.

Phase-change memory

Номер патента: US20200381617A1. Автор: DANIEL Benoit,Philippe Boivin,Remy Berthelon. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2020-12-03.

Single mask adder phase change memory element

Номер патента: US20120168709A1. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman,Chung H. Lam,Matthew J. Breitwisch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-05.

Phase change memory and method of fabricating the same

Номер патента: US20200303638A1. Автор: Ming-Feng Chang,Tzu-Hao YANG,Sheng-Hung Cheng. Владелец: Jiangsu Advanced Memory Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Phase change memory with concentric ring-shaped heater

Номер патента: US20220416161A1. Автор: Carl Radens,Oscar van der Straten,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Juntao Li,Praneet Adusumilli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Phase change memory and method of fabricating the same

Номер патента: US10811607B2. Автор: Ming-Feng Chang,Tzu-Hao YANG,Sheng-Hung Cheng. Владелец: Jiangsu Advanced Memory Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-20.

Phase change memory with graded heater

Номер патента: US20220416162A1. Автор: Kevin W. Brew,Timothy Mathew Philip,Jin Ping HAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Phase-change memory cell with mixed-material switchable region

Номер патента: WO2024120160A1. Автор: Wanki Kim,Cheng-Wei Cheng,Robert L. Bruce,Guy M. Cohen,Asit Ray,Matthew Joseph BrightSky. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-06-13.

Phase-change memory cell with mixed-material switchable region

Номер патента: US20240196766A1. Автор: Wanki Kim,Cheng-Wei Cheng,Robert L. Bruce,Guy M. Cohen,Asit Ray,Matthew Joseph BrightSky. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Methods Of Manufacturing Non-Volatile Phase-Change Memory Devices

Номер патента: US20120088347A1. Автор: Dong-ho Ahn,Young-Kuk Kim,Byoung-Deog Choi,Man-sug Kang,Jin-Ho Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-04-12.

Phase Change Memory with Various Grain Sizes

Номер патента: US20140110656A1. Автор: Fu-Liang Yang,Tzyh-Cheang Lee,Chun-Sheng Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-04-24.

Selection element-integrated phase-change memory and method for producing same

Номер патента: US11980109B2. Автор: Yun Heub Song,Jae Kyeong Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-07.

Phase change memory unit and phase change memory

Номер патента: EP4391016A1. Автор: Xiang Li,Hao Tong,Xin Chen,Ping Ma,Yanrong GUO. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Phase change memory and manufacturing method therefor

Номер патента: WO2004055916A3. Автор: Charles H Dennison. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2004-08-12.

Phase change memory unit and preparation method therefor

Номер патента: US20240065120A1. Автор: Ming Li,Min Zhong,Gaoming FENG. Владелец: Shanghai IC R&D Center Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Memory cell with post deposition method for regrowth of crystalline phase change material

Номер патента: US20130119339A1. Автор: Stephen M. Rossnagel,Chung H. Lam,Alejandro G. Schrott. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-16.

Confined bridge cell phase change memory

Номер патента: US11980111B2. Автор: Muthumanickam Sankarapandian,Kevin W. Brew,Injo OK,Nicole Saulnier,Andrew Herbert Simon,Steven Michael McDermott. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Small footprint phase change memory cell

Номер патента: US20140166967A1. Автор: Eric A. Joseph,Chung H. Lam,Hsiang-Lan Lung,Matthew J. Breitwisch. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-19.

Phase change material injection device and structure for removing moisture of head lamp with the same

Номер патента: US09534841B2. Автор: Jeong Gyu Yang,Byung-Ook Park,Sae-Jun Park. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Configurable circuits using phase change switches

Номер патента: US20080029753A1. Автор: Yang Xu,Mehdi Asheghi,Lawrence Pileggi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-02-07.

Transmission device and transmission method

Номер патента: US20230291512A1. Автор: Yutaka Murakami,Tomohiro Kimura,Mikihiro Ouchi,Hiroyuki Motozuka. Владелец: Panasonic Intellectual Property Corp of America. Дата публикации: 2023-09-14.

Phase change memory with gradual conductance change

Номер патента: US20200219933A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-09.

Phase change memory with multi-level programming

Номер патента: US20230301207A1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Juntao Li,Ching-Tzu Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Active thermal management device and thermal management method

Номер патента: US09939141B2. Автор: Damien Lenoble,Radu Surdeanu. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2018-04-10.

Phase change memory unit and preparation method therefor

Номер патента: US20230363299A1. Автор: Ming Li,Min Zhong,Shoumian Chen,Gaoming FENG. Владелец: Shanghai IC Equipment Material Industry Innovation Center Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Phase change memory cell structures and methods

Номер патента: US20110291065A1. Автор: Joseph N. Greeley,Eugene P. Marsh,Timothy A. Quick. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-12-01.

Method for manufacturing phase change memory

Номер патента: US20200098986A1. Автор: Takeshi Masuda,Robert Bruce,Koukou Suu,Chung Hon Lam,Fabio Carta,Fraczak Gloria Wing Yun FRACZAK,Matthew BRIGHTSKY. Владелец: Ulvac Technologies Inc. Дата публикации: 2020-03-26.

Forming phase change memories

Номер патента: MY135719A. Автор: Chien Chiang,Tyler Lowrey,Charles Dennison. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2008-06-30.

Programmable phase-change memory and method therefor

Номер патента: US20120230100A1. Автор: Karen Attenborough,Hans Boeve,Niek Lambert,Victor Van Acht. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-09-13.

Memory device

Номер патента: US20220399488A1. Автор: Kunifumi Suzuki,Yuuichi Kamimuta. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-12-15.

Programmable phase-change memory and method therefor

Номер патента: EP1829110A2. Автор: Karen Attenborough,Hans Boeve,Niek Lambert,Victor Van Acht. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-09-05.

Phase-change chamber with patterned regions of high and low affinity to a phase-change medium for electronic device cooling

Номер патента: US09685393B2. Автор: Bin Wang,Zhen Sun,Xiaodan Chen,Huihe Qiu. Владелец: Hong Kong University of Science and Technology HKUST. Дата публикации: 2017-06-20.

Multi-layer phase change material

Номер патента: US09543510B2. Автор: Hao Tong,Xiaomin Cheng,Xiangshui Miao. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2017-01-10.

Systems and methods of using phase change material in power plants

Номер патента: US09476648B2. Автор: Ying Sun,Matthew McCarthy,Young I. Cho,Qinghua Xie,Baolan Shi,Han Hu,Philipp Boettcher. Владелец: DREXEL UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-10-25.

Thermal energy storage with phase change materials having an adjustable transition temperature

Номер патента: US20230187686A1. Автор: Gao Liu,Ravi Prasher,Joseph Papp,Jonathan Lau,Sumanjeet Kaur,Christopher Dames,Drew Lilley,Piyachai Khomein. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2023-06-15.

Phase-change microcapsule, separator, electrode plate, battery, and electrical device

Номер патента: US20230395903A1. Автор: Shaojun Niu,Fengsheng Han. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Heat supply system coupling passive phase change energy storage sunlight room and air source heat pump

Номер патента: US20240263806A1. Автор: Jing Zhao,Dehan LIU,Shilei LYU. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-08-08.

State of charge sensor for phase change material thermal energy storage

Номер патента: US20240310082A1. Автор: Joseph D. Rendall,Anthony C. Gehl,Jerald A. Atchley,Diana Hun,Som S. Shrestha,Zhenglai Shen. Владелец: UT-BATTELLE, LLC. Дата публикации: 2024-09-19.

Heat supply system coupling passive phase change energy storage sunlight room and air source heat pump

Номер патента: US12130022B2. Автор: Jing Zhao,Dehan LIU,Shilei LYU. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-10-29.

Methods of forming a phase change material

Номер патента: US20120108037A1. Автор: Keith R. Hampton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-05-03.

Dynamic thermal infrared stealth composite material based on dual phase change and preparation method thereof

Номер патента: US20210324254A1. Автор: Jian Chen,Chuanchang LI,Baoshan XIE. Владелец: CHANGSHA UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2021-10-21.

Phase change flame retardant fiber material and preparation method for thermal management of lithium-ion battery in enclosed space

Номер патента: US20230340702A1. Автор: Fan Yi,Peng Dong,Zhirong Wang,Junling Wang,Yuxin Zhou,Wenxi Wang,Yuhui Xia,Haoze Yang. Владелец: NANJING TECH UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-10-26.

Multi-component phase change material flame retardant, method for preparing, and application thereof

Номер патента: US20240327711A1. Автор: Li He,Dan Wang,Guolin Liu,Fei REN,Congling Shi,Honglei Che,Xiaodong QIAN,Jingyun JING,Mei Wan. Владелец: China Academy of Safety Science and Technology CASST. Дата публикации: 2024-10-03.

Heat retentive food servingware with temperature self-regulating phase change core

Номер патента: AU3822897A. Автор: Brian L. Clothier,Amil J. Ablah. Владелец: Thermal Solutions Inc. Дата публикации: 1998-02-20.

Single-Crystal Phase Change Material on Insulator for Reduced Cell Variability

Номер патента: US20140069577A1. Автор: Guy Cohen,Simone Raoux. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Multifunctional composite phase change material supported by nickel-plated foam and mxene collaboratively, and preparation method thereof

Номер патента: NL2033966A. Автор: XUE Bai,Cheng Ziling. Владелец: Univ Guizhou. Дата публикации: 2023-03-07.

Phase-Change emulsion heat-transfer medium, preparation method therefor, and battery heat management system

Номер патента: GB2595152A. Автор: Zhang Zhengguo,FANG Xiaoming,Wang Fangxian,Ling Ziye. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2021-11-17.

Phase Change Magnetic Ink And Process For Preparing Same

Номер патента: US20120162306A1. Автор: Peter G. Odell,Gabriel Iftime,C. Geoffrey Allen,Caroline Turek. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2012-06-28.

Polyurethane phase-change nanocapsule, phase-change polyurethane pouring sealant and preparation method therefor

Номер патента: US20240309256A1. Автор: Zhi Yu,Jianjun Chen,Jun Song,Hengchao HUANG,Mingsong Miao,You Rao. Владелец: Guangzhou Baiyun Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Method for producing crockery filled with phase-change material

Номер патента: EP3860407A1. Автор: Karim Redjal. Владелец: PROMECO NV. Дата публикации: 2021-08-11.

Method for producing crockery filled with phase-change material

Номер патента: WO2020070709A1. Автор: Karim Redjal. Владелец: PROMECO NV. Дата публикации: 2020-04-09.

Methods of forming a phase change material

Номер патента: US20130017664A1. Автор: Keith R. Hampton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-01-17.

Memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240040938A1. Автор: Shao-Ming Yu,Tung-Ying Lee,Yuan-Tien Tu,Yu-Chao Lin,Jung-Piao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Memory device including phase-change material

Номер патента: US20230380195A1. Автор: Kiyeon YANG,Changseung LEE,Dongho Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-23.

Heat sink with internal chamber for phase change material

Номер патента: WO2020148728A1. Автор: Salah Addin Burhan Al Omari. Владелец: UNITED ARAB EMIRATES UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-07-23.

Electrostatic phase change generating apparatus

Номер патента: WO2009047645A3. Автор: . Владелец: Albonia Innovative Technologies Ltd.. Дата публикации: 2011-01-20.

Treated fiber reinforced form stable phase change

Номер патента: US09890313B2. Автор: Anil Kumar Mehta,Devendra Jain,Suman Kumari,Nidhi Agarwal. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-02-13.

Phase change materials for refrigeration and ice making

Номер патента: US09528730B2. Автор: Patrick J. Boarman. Владелец: Whirlpool Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Method of fabricating semiconductor integrated circuit having phase-change layer

Номер патента: US09419221B2. Автор: Se Hun Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Phase change material in substrate cavity

Номер патента: US20200118990A1. Автор: Cheng Xu,YING Wang,Chong Zhang,Junnan Zhao,Yikang Deng,Zhimin Wan,Kyu-Oh Lee,Chandra Mohan M. Jha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-04-16.

Data center and phase change coolant distribution unit thereof

Номер патента: US20240365517A1. Автор: Shu-Jung Yang,Chih-Yao Wang,Heng-Chieh Chien. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2024-10-31.

Battery pack with phase change material

Номер патента: US09742047B2. Автор: Troy C. Thorson,Michael Kolden,Jeremy R. Ebner,Cameron R. Schulz,Todd M. Gehring. Владелец: Milwaukee Electric Tool Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Phase change heatsink, manufacturing process thereof, and communication device having the heatsink

Номер патента: US20240349455A1. Автор: Haijiang Wang,Shuaijun Li. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2024-10-17.

Battery package filled with phase change material and battery using the same

Номер патента: US09401500B2. Автор: Chi Hoon Choi,Jin Woo Kwak,Kyong Hwa Song,Han Saem Lee,Byung Sam Choi. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2016-07-26.

METHODS OF FORMING A PHASE CHANGE LAYER AND METHODS OF FABRICATING A PHASE CHANGE MEMORY DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20130143380A1. Автор: Park Hye-Young,Oh Jin-Ho,Park Jeong-Hee,Kang Man-Sug,Choi Byoung-Deog,Oh Gyu-Hwan,Park Doo-Hwan. Владелец: . Дата публикации: 2013-06-06.

Phase change alloy material, phase change memory and preparation method of phase change alloy material

Номер патента: CN110718628A. Автор: 徐�明,徐萌,缪向水. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2020-01-21.

Transmission device and transmission method

Номер патента: US11716182B2. Автор: Yutaka Murakami,Tomohiro Kimura,Mikihiro Ouchi,Hiroyuki Motozuka. Владелец: Panasonic Intellectual Property Corp of America. Дата публикации: 2023-08-01.

Phase change material switch device and related methods

Номер патента: US20230343531A1. Автор: Valentyn Solomko,Dominik Heiss,Semen Syroiezhin. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-10-26.

Transmission device and transmission method

Номер патента: US20230327830A1. Автор: Yutaka Murakami,Tomohiro Kimura,Mikihiro Ouchi,Hiroyuki Motozuka. Владелец: Panasonic Intellectual Property Corp of America. Дата публикации: 2023-10-12.

Memory device and semiconductor die having the memory device

Номер патента: US20240049477A1. Автор: Chien-Hsing Lee,Shao-Ming Yu,Tung-Ying Lee,Win-San Khwa,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Phase change material switch device and related methods

Номер патента: EP4266482A1. Автор: Valentyn Solomko,Dominik Heiss,Semen Syroiezhin. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-10-25.

Dispersive return pad with phase change material for active thermal management during an ablation procedure

Номер патента: AU2019312205B2. Автор: Ruoya Wang,Jennifer J. BARRETT. Владелец: Avent Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Dispersive return pad with phase change material for active thermal management during an ablation procedure

Номер патента: GB2590323A. Автор: Wang Ruoya,J Barrett Jennifer. Владелец: Avent Inc. Дата публикации: 2021-06-23.

Dispersive return pad with phase change material for active thermal management during an ablation procedure

Номер патента: WO2020023577A1. Автор: Ruoya Wang,Jennifer J. BARRETT. Владелец: Avent, Inc.. Дата публикации: 2020-01-30.

Dispersive return pad with phase change material for active thermal management during an ablation procedure

Номер патента: AU2019312205A1. Автор: Ruoya Wang,Jennifer J. BARRETT. Владелец: Avent Inc. Дата публикации: 2021-01-14.

Mechanical resonator with a spring-mass system comprising a phase-change material

Номер патента: US09584092B2. Автор: Mark A. Lantz,Johan B. C. Engelen,Wabe W. Koelmans. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

PHASE-CHANGE MEMORY CELL, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE PHASE-CHANGE MEMORY CELL

Номер патента: US20170373120A1. Автор: Prelini Carlo Luigi,ZULIANI Paola,CONFALONIERI Gianluigi,GILARDINI Annalisa. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-28.

Phase change memory and method of forming phase change memory

Номер патента: JP4873859B2. Автор: エイ ラウリー，タイラー,チアン，チエン,エイチ デニソン，チャールズ. Владелец: オヴォニクス，インコーポレイテッド. Дата публикации: 2012-02-08.

Phase change switch device

Номер патента: WO2023227773A1. Автор: Valentyn Solomko,Dominik Heiss,Semen Syroiezhin,Christian BUTSCHKOW,Jochen Braumueller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-11-30.

Phase change material injection device and structure for removing moisture of head lamp with the same

Номер патента: US20140283405A1. Автор: Jeong Gyu Yang,Byung-Ook Park,Sae-Jun Park. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-25.

Flexible, heat-conducting, insulating, and viscous phase change heat dissipation sheet, and preparation method therefor and battery thermal management system thereof

Номер патента: US20240213580A1. Автор: YI WU,Xiaoming Fang,Zhengguo Zhang,Ziye LING. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2024-06-27.

Preparation method of shape stabilized phase change material via microporous carbon derived from chitin aerogel and application in thermal storage

Номер патента: LU502456B1. Автор: HUI Li,Xiaomin DENG,Lingbin Kong,Junchi Wang,Xiaobo Yan,Wenyao Guo. Владелец: Univ Shandong Jianzhu. Дата публикации: 2023-01-06.

Aerostat with phase change adjustment airbag

Номер патента: GB2612398A. Автор: Zheng Wei,Zhang Xiaojun,Li Zhibin,WU Hongxin,ZHU Rongchen,ZHOU Donghua,Zhang Guilin,Miao Jinggang,Yin Yongjuan,Wen Junchen. Владелец: Zhi Bin Li. Дата публикации: 2023-05-03.

Phase change material, a phase change random access memory device including the phase change material, a semiconductor structure including the phase change material, and methods of forming the phase change material

Номер патента: US20100051895A1. Автор: Keith R. Hampton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-03-04.

Phase change material switch device and related methods

Номер патента: EP4312484A1. Автор: Hans Taddiken,Valentyn Solomko,Dominik Heiss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-01-31.

Device and method for wearable heating pack

Номер патента: CA3143448A1. Автор: Katherine Porter,Charles Katrycz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-06-21.

Phase change heat storage rubber, method for preparing the same, and using method thereof

Номер патента: US20220081601A1. Автор: Liqiang Zhang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-03-17.

Composition of microwavable phase change material

Номер патента: US9765201B2. Автор: Anil Kumar Mehta,Devendra Jain,Suman Kumari. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-09-19.

Phase change heat exchanger

Номер патента: US5220954A. Автор: William J. Longardner,Robert L. Longardner. Владелец: Shape Inc. Дата публикации: 1993-06-22.

Dynamic thermal infrared stealth composite material based on dual phase change and preparation method thereof

Номер патента: US11807797B2. Автор: Jian Chen,Chuanchang LI,Baoshan XIE. Владелец: CHANGSHA UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-11-07.

Transmission device and transmission method

Номер патента: US11888767B2. Автор: Yutaka Murakami,Tomohiro Kimura,Mikihiro Ouchi,Hiroyuki Motozuka. Владелец: Panasonic Intellectual Property Corp of America. Дата публикации: 2024-01-30.

Ultra-low temperature phase change gel

Номер патента: US20230028657A1. Автор: Tao Tang,Xiaoshan FAN. Владелец: Pregis New Materials Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-26.

Transmission device and transmission method

Номер патента: US20240178953A1. Автор: Yutaka Murakami,Tomohiro Kimura,Mikihiro Ouchi,Hiroyuki Motozuka. Владелец: Panasonic Intellectual Property Corp of America. Дата публикации: 2024-05-30.

Process for incorporation of a phase change material into gypsum wallboards and other aggregate construction panels

Номер патента: CA1332683C. Автор: Jean Paris,Jean-Francois Houle. Владелец: ECOLE POLYTECHNIQUE. Дата публикации: 1994-10-25.

Laminate diffusion barriers and related devices and methods

Номер патента: US11133461B2. Автор: Dale Collins,Allen Mcteer,Christopher Petz,Tsz-Wah Chan,Swapnil Lengade,Yongjun Hu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-09-28.

Modular passive solar energy heating unit employing phase change heat storage material state

Номер патента: CA1209429A. Автор: Douglas C. Taff,Robert B. Holdridge. Владелец: Individual. Дата публикации: 1986-08-12.

A composite phase change material

Номер патента: GB2501393A. Автор: Dezhong Yang,Hao Du,Jianjun Shuang. Владелец: Chevron HK Ltd. Дата публикации: 2013-10-23.

Shipping package with phase-change material

Номер патента: WO2024042496A1. Автор: Jeffrey Thomas Whitely,Anthony Scott ALLEVA,Ryan Lawrence McKenzie SANDERS,Curtis Brian SCOTT,Chantal Ann WALKER. Владелец: Rapid Aid Corp.. Дата публикации: 2024-02-29.

Superheated phase changing nanodroplets for hydrocarbon reservoir applications

Номер патента: US11932810B2. Автор: Amr I. Abdel-Fattah,Jesus Manuel Felix Servin. Владелец: Saudi Arabian Oil Co. Дата публикации: 2024-03-19.

Phase Change Switch with Multi Face Heater Configuration

Номер патента: US20230119033A1. Автор: Hans Taddiken,Hans-Dieter Wohlmuth,Christoph Glacer,Matthias Markert,Christoph Kadow,Dominik Heiss,Martin Bartels. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-04-20.

Treated fiber reinforced form stable phase change

Номер патента: WO2014064518A3. Автор: Anil Kumar Mehta,Devendra Jain,Suman Kumari,Samit JAIN,Nidhi AGRAWAL. Владелец: Agrawal Nidhi. Дата публикации: 2014-07-03.

Phase-change electric water heater and water temperature control method

Номер патента: EP3757478A1. Автор: Ming Wang,Yun Zeng,Shaohe QU. Владелец: Wuhu Midea Kitchen and Bath Appliances Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-30.

Superheated phase changing nanodroplets for hydrocarbon reservoir applications

Номер патента: US20230313025A1. Автор: Amr I. Abdel-Fattah,Jesus Manuel Felix Servin. Владелец: Saudi Arabian Oil Co. Дата публикации: 2023-10-05.

Phase change ink formulations, colorant formulations, and methods of forming colorants

Номер патента: US20060155135A1. Автор: Clifford King,Jeffrey Banning,Donald Titterington,Michael Meinhardt. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2006-07-13.

Isocyanate-derived materials for use in phase change ink jet inks

Номер патента: US20030164116A1. Автор: Donald R. Titterington,Loc V. Bui,Jeffrey H. Banning,Clifford R. King. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-09-04.

Microstructural surface incorporation of phase change materials for thermal management

Номер патента: US20240026560A1. Автор: Claudia Catalina Luhrs,Forest Douglas Shaner,Christopher James Anderson. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2024-01-25.

Phase change material

Номер патента: US20240292762A1. Автор: Fumio Sato,Yoshimasa Matsushita. Владелец: Nippon Electric Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Methods Of Depositing Antimony-Comprising Phase Change Material Onto A Substrate And Methods Of Forming Phase Change Memory Circuitry

Номер патента: US20130295717A1. Автор: Quick Timothy A.,Marsh Eugene P.. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-07.

Methods of depositing antimony-comprising phase change material onto a substrate and methods of forming phase change memory circuitry

Номер патента: KR101337810B1. Автор: 티모시 에이. 퀵,유진 피. 마쉬. Владелец: 마이크론 테크놀로지, 인크.. Дата публикации: 2013-12-06.

Phase change memory elements using self-aligned phase change material layers and methods of making and using the same

Номер патента: EP2325911A3. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-07-06.

Extraction from large thermal storage systems using phase change materials and latent heat exchangers

Номер патента: CA2893160C. Автор: Frank Antonio MUCCIARDI,Alan Leighton Wesley POWELL,Andrew Leighton Wesley POWELL. Владелец: 7837003 CANADA Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Phase change memory elements using self-aligned phase change material layers and methods of making and using same

Номер патента: KR101067969B1. Автор: 준 리우. Владелец: 마이크론 테크놀로지, 인크. Дата публикации: 2011-09-26.

Vertical phase change switch devices and methods

Номер патента: US20230422644A1. Автор: Kuo-Pin Chang,Kuo-Ching Huang,Yu-Wei Ting,Tsung-Hao YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Phase-change material and method for producing same

Номер патента: US11795360B2. Автор: Mary Anne WHITE,John Alexander Noël. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-10-24.

Method for low temperature microencapsulation of phase change materials

Номер патента: EP3344381A1. Автор: Mohammed Farid,Jamal Kurdi,Refat AL SHANNAQ,Shaheen AL-MUHTASEB. Владелец: Qatar Foundation for Education Science and Community Development. Дата публикации: 2018-07-11.

Method for low temperature microencapsulation of phase change materials

Номер патента: US20180223146A1. Автор: Mohammed Farid,Jamal Kurdi,Refat AL SHANNAQ,Shaheen AL-MUHTASEB. Владелец: College Of North Atlantic - Qatar. Дата публикации: 2018-08-09.

Memory arrays having confined phase change material structures laterally surrounded with silicon nitride

Номер патента: US9755145B2. Автор: Fabio Pellizzer,Andrea Redaelli,Giorgio Servalli,Carmela Cupeta. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Switch based on phase-change material

Номер патента: US20240023468A1. Автор: Bruno Reig,Stephane Monfray,Alain Fleury,Philippe Cathelin,Vincent Puyal. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-01-18.

Switch based on phase-change material

Номер патента: US20240023465A1. Автор: Bruno Reig,Stephane Monfray,Alain Fleury,Philippe Cathelin,Vincent Puyal. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-01-18.

Switch based on phase-change material

Номер патента: US20240023467A1. Автор: Bruno Reig,Stephane Monfray,Alain Fleury. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-01-18.

Heat sink for semiconductor die employing phase change cooling

Номер патента: WO2003073475B1. Автор: Ajit Dubhashi. Владелец: Int Rectifier Corp. Дата публикации: 2004-03-25.

Phase Change Switch Arrangement

Номер патента: US20240122081A1. Автор: Valentyn Solomko,Dominik Heiss,Semen Syroiezhin,Christian BUTSCHKOW,Jochen Braumueller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-04-11.

Method for low temperature microencapsulation of phase change materials

Номер патента: EP3733276A1. Автор: Mohammed Farid,Jamal Kurdi,Refat AL SHANNAQ,Shaheen AL-MUHTASEB. Владелец: College Of North Atlantic Qatar. Дата публикации: 2020-11-04.

System and method for preparing conductive structures using radiation curable phase change gel inks

Номер патента: CA2708056A1. Автор: Barkev Keoshkerian,Peter G. Odell,Jennifer L. Belelie,Christopher A. Wagner,Naveen Chopra,Michelle C. Chretien. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2010-12-23.

Tissue products including a temperature change composition containing phase change components within a non-interfering molecular scaffold

Номер патента: CA2777854C. Автор: Scott W. Wenzel,Corey Thomas Cunningham,Helen Kathleen Moen,Jeffery Richard Seidling. Владелец: Kimberly Clark Worldwide Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Phase change inks

Номер патента: CA2568936C. Автор: Bo Wu,Patricia A. Wang,Trevor J. Snyder,Jule W. Thomas, Jr.. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2010-01-12.

Phase Change Switch Fabricated with Front End of the Line Process

Номер патента: US20230389451A1. Автор: Matthias Markert,Dominik Heiss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-11-30.

Encapsulated phase change material heat sink and method

Номер патента: EP3126774A1. Автор: Adam C. Wood. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2017-02-08.

Phase change composite and preparation method and use thereof

Номер патента: US20240076497A1. Автор: Xiaoqing Yang,Guoqing Zhang,Ziqian Wu,Yuming LI,XinXi LI. Владелец: GUANGDONG UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-03-07.

Methods of making shape stable phase change material compositions

Номер патента: WO2024102900A1. Автор: Brian Chapman,Emmanuel MENA,Reyad Sawafta,Ryan McDaniel,Venu KUTURU,Mark Mcneill. Владелец: Phase Change Energy Solutions, Inc.. Дата публикации: 2024-05-16.

Phase-change water heater

Номер патента: EP4012288A1. Автор: Ming Wang,Yun Zeng,Shaohe QU. Владелец: Wuhu Midea Kitchen and Bath Appliances Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-15.

Mechanical resonator with a spring-mass system comprising a phase-change material

Номер патента: US20170163239A1. Автор: Mark A. Lantz,Wabe W. Koelmans,Johan B.C. Engelen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-08.

Mechanical resonator with a spring-mass system comprising a phase-change material

Номер патента: US20160308470A1. Автор: Mark A. Lantz,Wabe W. Koelmans,Johan B.C. Engelen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-20.

Display panel, array substrate, display device and method for fabricating array substrate

Номер патента: US20200273815A1. Автор: Chengyuan Luo. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-27.

Mechanical resonator with a spring-mass system comprising a phase-change material

Номер патента: US9887685B2. Автор: Mark A. Lantz,Johan B. C. Engelen,Wabe W. Koelmans. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Phase change switches and circuits coupling to electromagnetic waves containing phase change switches

Номер патента: US20030030519A1. Автор: N. Wyeth,Abert Green. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-13.

Phase changing circuit

Номер патента: CA1250349A. Автор: Tatsuro Yoshimura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1989-02-21.

Method to integrate dc & rf phase change switches into high-speed sige bicmos

Номер патента: US20230056901A1. Автор: Robert M. Young,Patrick B. Shea,Keith H. Chung,Andris Ezis,Ishan Wathuthanthri. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2023-02-23.

Phase change inks containing curable amide gellant compounds

Номер патента: US7714040B2. Автор: Peter G. Odell,Jennifer L. Belelie,Eniko Toma. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2010-05-11.

Phase Change Inhibited Materials for Solar Panel Cooling

Номер патента: AU2020100650A4. Автор: Dayong Hu,Dongya Lu. Владелец: Pci Green Tech Pty Ltd. Дата публикации: 2020-06-04.

Heat sink phase change material

Номер патента: US20190212080A1. Автор: Gregory John Quinn,Daniel J. Kehoe. Владелец: Hamilton Sundstrand Corp. Дата публикации: 2019-07-11.

Battery pack containing phase change material

Номер патента: US20180053977A1. Автор: Normand Lebreux,Eric Menard. Владелец: Consortium de Recherche BRP Universite de Sherbrooke SENC. Дата публикации: 2018-02-22.

Artificial intelligence device cell with improved phase change material region

Номер патента: US20230099419A1. Автор: Kevin W. Brew,Injo OK,Nicole Saulnier,Iqbal Rashid Saraf. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-03-30.

Microcapillary films containing phase change materials

Номер патента: EP2731796A2. Автор: Juergen Hoeppner,Rudolf J. Koopmans,Luis G. Zalamea Bustillo,Colmar WOCKE. Владелец: Dow Global Technologies LLC. Дата публикации: 2014-05-21.

Battery pack containing phase change material

Номер патента: US20190051955A1. Автор: Normand Lebreux,Eric Menard. Владелец: Consortium de Recherche BRP Universite de Sherbrooke SENC. Дата публикации: 2019-02-14.

Method and apparatus for cooling with a phase change material and heat pipes

Номер патента: EP1218965A1. Автор: James L. Haws,Byron Elliott Short, Jr.. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2002-07-03.

Heat sink with condensing fins and phase change material

Номер патента: US20200340752A1. Автор: Salah Addin Burhan Al Omari. Владелец: UNITED ARAB EMIRATES UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-10-29.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US20210083000A1. Автор: Yoshinori Kumura. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09653681B2. Автор: Daisaburo Takashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

LATENT HEAT BATTERY WITH A DEVICE FOR INITIATING CRYSTALLIZATION IN A PHASE-CHANGING MATERIAL AND METHOD FOR INITIATING CRYSTALLIZATION IN A PHASE-CHANGING MATERIAL

Номер патента: RU2018111398A. Автор: Олаф Андерс,Мориц КУЛЕНКОРД. Владелец: Х.М. Хайцкёрпер Гмбх Унд Ко. Кг. Дата публикации: 2019-10-02.

Radiation curable phase change material solutions and shape stable thermoset phase change material gels formed therefrom

Номер патента: EP4110306A4. Автор: Richard M. Formato. Владелец: Microtek Laboratories Inc. Дата публикации: 2024-03-06.

Low thermal resistance phase change thermal interface material

Номер патента: WO2023154375A1. Автор: Radesh Jewram,Matthew BREN,Ryan VERHULST. Владелец: Henkel AG & Co. KGaa. Дата публикации: 2023-08-17.

Device and method for reducing peak-to-average power ratio in wireless communication system

Номер патента: US20190327120A1. Автор: Chanhong KIM,Yeohun YUN,Joonho Cho,Jubum Kim. Владелец: Academy Industry Foundation of POSTECH. Дата публикации: 2019-10-24.

Phase change material (PCM) memory devices with bipolar junction transistors and methods for making thereof

Номер патента: TW200849480A. Автор: Albert Wu,Chien-Chuan Wei. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2008-12-16.

Phase-change temperature-regulating diatom composition, phase-change temperature-regulating diatom plate and manufacturing method of phase-change temperature-regulating diatom plate

Номер патента: CN107189761B. Автор: 郑水林,孙志明,胡建农. Владелец: Jiangsu Goodlife Environmental Protection Technology Co ltd. Дата публикации: 2020-09-01.

Bio-renewable fast crystallizing phase change inks

Номер патента: CA2832618C. Автор: Jennifer L. Belelie,Gabriel Iftime,Caroline M. Turek,Rina Carlini,Adela Goredema,Kentaro Morimitsu,Corey L. Tracy,Nathan M. Bamsey. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2018-08-28.

Closed space phase change heat dissipation device and closed space phase change heat dissipation method

Номер патента: CN110785067A. Автор: 徐捷,刘华,李健,王江,刘栋,任楠,段彦军,韩士玉,陈忠灿,张行周. Владелец: Beijing Machinery Equipment Research Institute. Дата публикации: 2020-02-11.

Phase change heat storage water tank convenient to phase change heat storage module is changed

Номер патента: CN215725372U. Автор: 李爽,王一凡,石林. Владелец: Jilin University of Architecture and Technology. Дата публикации: 2022-02-01.

Method of forming chalcogenide-based thin film using atomic layer deposition process, method of forming phase change material layer and switching device, and method of fabricating memory device using the same

Номер патента: US20210359205A1. Автор: Cheol Seong Hwang. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2021-11-18.

SLURRY FOR POLISHING PHASE-CHANGE MATERIALS AND METHOD FOR PRODUCING A PHASE-CHANGE DEVICE USING SAME

Номер патента: US20170141308A1. Автор: Cui Hao,Park Jinhyung,PAIK Ungyu,PARK Jeagun,CHO Jongyoung,HWANG Heesub,LIM Jaehyung,KIM Yehwan. Владелец: IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University). Дата публикации: 2017-05-18.

SLURRY FOR POLISHING PHASE-CHANGE MATERIALS AND METHOD FOR PRODUCING A PHASE-CHANGE DEVICE USING SAME

Номер патента: US20150337173A1. Автор: Cui Hao,PARK Jea Gun,Kim Ye Hwan,Park Jin Hyung,LIM Jae Hyung,CHO Jong Young,Hwang Hee Sub,PARK Un Gyu. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-26.

Slurry for polishing phase change material and method for patterning polishing phase change material using the same

Номер патента: KR101396232B1. Автор: 백운규,박재근,김예환,박진형,임재형,조종영,황희섭,최호. Владелец: 한양대학교 산학협력단. Дата публикации: 2014-05-19.

Slurry for polishing phase-change materials and method for producing a phase-change device using same

Номер патента: US10103331B2. Автор: Jeagun Park,Ungyu Paik,Jinhyung Park,Hao Cui,Jongyoung CHO,Heesub HWANG,Jaehyung LIM,Yehwan KIM. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2018-10-16.

Printhead and phase change ink reservoir configured to supply melted phase change ink to printhead

Номер патента: KR101860953B1. Автор: 앤드류 더블유 헤이즈. Владелец: 제록스 코포레이션. Дата публикации: 2018-05-24.

Method for improving performance of polyethylene glycol phase-change material by using modified silicon dioxide and phase-change material

Номер патента: CN106867467B. Автор: 唐建国,王薇,王瑶,黄林军,王彦欣,焦吉庆,刘继宪,崔学伟. Владелец: QINGDAO UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-06-03.

Phase-change energy storage material filled with phosphogypsum, phase-change energy storage plate and preparation method thereof

Номер патента: CN111434746A. Автор: 罗奕,赵金平,冯小江,刘雪婧,王弘书,许志钢,陆庆秀. Владелец: China Human Settlements Engineering & Materials Institute. Дата публикации: 2020-07-21.

Built-in electric heating composite phase change heat storage system and preparation method of composite phase change body

Номер патента: CN111750410B. Автор: 白莉,龙康,张甜甜,谭羽非,韩东亮,张文盛. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2021-07-16.

Composite phase-change temperature-regulating material and preparation method thereof, multiple phase-change temperature-regulating fiber and preparation method and application thereof

Номер патента: CN112961656B. Автор: 赵健. Владелец: Qingdao Nihimi Biotechnology Co ltd. Дата публикации: 2021-11-02.

Method for munufacturing memory device and method for manufacturing phase change random access memory device using the same

Номер патента: KR101181169B1. Автор: 서혜진,이형석,이금범. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2012-09-18.

Phase change ink composition and colorant used in phase change ink composition

Номер патента: JP5798493B2. Автор: シー・ジェフリー・アレン,ビビー・イー・エイブラハム,ピーター・ジー・オデール,キャロライン・エム・トゥーレク,マリア・ビラウ. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2015-10-21.

Phase-change random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140113427A1. Автор: Nam Kyun PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-04-24.

PHASE-CHANGE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20140175358A1. Автор: LEE Hyun Min,CHEONG Jung Taik. Владелец: . Дата публикации: 2014-06-26.

PHASE-CHANGE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20140175368A1. Автор: KIM Doo Kang. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2014-06-26.

Phase-change random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: KR101434593B1. Автор: 김정태,노대호,조병직. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2014-08-26.

Phase-change random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: KR101259842B1. Автор: 오재민,한기현,유명술. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2013-05-02.

Phase-change random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: KR20140140746A. Автор: 이현민,조한우. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2014-12-10.

Phase-change random access memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: KR100728951B1. Автор: 장헌용. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-06-15.

Phase-change random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: KR20150007520A. Автор: 정하창,이기아. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2015-01-21.

Phase-change random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: KR20140148068A. Автор: 김민석,윤효섭. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2014-12-31.

Phase-change random access memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US7061005B2. Автор: Heon Yong Chang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-13.

Phase change random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110073830A1. Автор: Min Seok Kim,Hyo Seob Yoon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-03-31.

Phase-change random access memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: KR101026476B1. Автор: 장헌용. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-04-01.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US12035533B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US12133379B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240334704A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20240237342A1. Автор: Dong Uk Lee,Hae Chang Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US12048155B2. Автор: Eun Seok Choi,Seo Hyun Kim,Dong Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US12052864B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20210028104A1. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10868196B2. Автор: Wen-Yueh Jang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2020-12-15.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240266339A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Nonvolatile memory device having STI structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20020182806A1. Автор: Sun-Young Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20230129734A1. Автор: Dong Won Choi,Kyung Min Park,Jun Hyuk Park,Sung Gon Jin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200194598A1. Автор: Wen-Yueh Jang. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US12087686B2. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20240341097A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20240341098A1. Автор: Eun Seok Choi,Seo Hyun Kim,Dong Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20240373634A1. Автор: Jae Young Oh,Eun Seok Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

FOUR-OR-MORE-COMPONENT-BASED CHALCOGENIDE PHASE-CHANGE MATERIAL AND MEMORY DEVICE COMPRISING THE SAME

Номер патента: US20200083445A1. Автор: JHON Young Min,KIM Yong Tae,Kim Young-Hwan,Choi Minho,KIM Chun Keun,KWON Sehyun. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-12.

NOVEL PHASE CHANGE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE

Номер патента: US20190165265A1. Автор: Yen Chun-Hsu,Hsu Yu-Chuan,Yang Chen-Hui. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-30.

THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE CONTAINING CONFORMAL WRAP AROUND PHASE CHANGE MATERIAL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20190189688A1. Автор: Lille Jeffrey S.. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-20.

Manufacturing Method of Phase Change Random Access Memory Device

Номер патента: KR101069657B1. Автор: 이동렬. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-10-04.

Method for manufacturing phase-change random access memory device

Номер патента: KR101899333B1. Автор: 이용석,조한우,윤효섭. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2018-10-31.

4 or more component based chalcogenide phase-change material and memory device comprising the same

Номер патента: KR102118734B1. Автор: 김영환,권세현,전영민,김용태,최민호,김춘근. Владелец: 한국과학기술연구원. Дата публикации: 2020-06-09.

Manufacturing method of phase change random access memory device

Номер патента: KR20100097298A. Автор: 이민용,김태중,채수진. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-09-03.

Method for forming diode in phase change random access memory device

Номер патента: US20100099243A1. Автор: Ki Hong Lee,Ki Seon Park,Sun Hwan Hwang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-04-22.

Nonvolatile memory device comprising graphene and phase changing material and methods of manufacturing and operating the same

Номер патента: KR101532313B1. Автор: 유원종,라창호,장강. Владелец: 성균관대학교산학협력단. Дата публикации: 2015-06-29.

Fabrication Method of Phase-Change Random Access Memory Device

Номер патента: KR101159169B1. Автор: 최미라. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2012-06-22.

Fabrication Method of Phase-Change Random Access Memory Device

Номер патента: KR101124300B1. Автор: 이민용,서혜진,이금범. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2012-03-27.

Fabrication Method of Phase Change Random Access Memory Device

Номер патента: KR101124301B1. Автор: 김명섭,박남균. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2012-03-27.

Fabrication method of phase-change random access memory device

Номер патента: KR20110121388A. Автор: 최미라. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-11-07.

Manufacturing method of phase change random access memory device

Номер патента: KR20100097300A. Автор: 김현우. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-09-03.

Flash memory device and manufacturing method the same

Номер патента: US20100163969A1. Автор: Cheon-Man Shim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240292617A1. Автор: In Su Park,Jung Shik JANG,Won Geun CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor memory device and method for forming the same

Номер патента: US20230164974A1. Автор: PENG Guo,Yuanbao WANG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Method for improving erase saturation in non-volatile memory devices and devices obtained thereof

Номер патента: US20080185632A1. Автор: Maarten Rosmeulen,Pieter Blomme,Bogdan Govoreanu. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2008-08-07.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12100651B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Magnetic memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09711716B2. Автор: KyungTae Nam,Gwanhyeob Koh,Yoonjong Song,Kiseok Suh,Myoungsu SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor memory devices and manufacturing methods thereof

Номер патента: US09443734B2. Автор: Jung-Hwan Park,Kyu-Hyun Lee,Ki-Seok Lee,Hyo-Jin Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

Vertical memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09431418B2. Автор: Won-Seok Jung,Chang-seok Kang,Min-Yong Lee,Sang-Woo Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20170207272A1. Автор: Daisaburo Takashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-20.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20160268342A1. Автор: Daisaburo Takashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US20210066333A1. Автор: Zhiliang Xia,Fandong LIU,Wenyu HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240276722A1. Автор: In Su Park,Jung Dal Choi,Jung Shik JANG,Mi Seong PARK,Won Geun CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Flash memory device with a plurality of source plates

Номер патента: US8217447B2. Автор: Cheon-Man Shim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2012-07-10.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11751376B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Three-dimensional nonvolatile memory devices including interposed floating gates

Номер патента: US09337351B2. Автор: Kihyun Kim,Jinho Kim,Hansoo Kim,Byoungkeun Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-10.

Atomizing medium, electronic atomization device and wave-absorbing phase-change body preparing method

Номер патента: WO2021103915A1. Автор: 陈智超,蒋玥,柯志勇,刘平昆. Владелец: 深圳麦克韦尔科技有限公司. Дата публикации: 2021-06-03.

Flash memory device

Номер патента: US7670906B2. Автор: Tae-Woong Jeong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-03-02.

Novel split gate (sg) memory device and novel methods of making the sg-memory device

Номер патента: US20210151451A1. Автор: Hui Zang,Ruilong Xie,Shesh Mani Pandey. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-05-20.

Flash memory device

Номер патента: US20080157167A1. Автор: Tae-Woong Jeong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-07-03.

Thermal Management Device and Method Using Phase Change Material

Номер патента: US20180149437A1. Автор: Zhu Alex X.. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-31.

Modular dual-phase change composite thermal control system device and heat exchange method

Номер патента: CN112361860A. Автор: 王燕,黄云,姚华,王君雷,杨庆利. Владелец: Nanjing Green Manufacturing Industry Innovation Research Institute of Process Engineering of CAS. Дата публикации: 2021-02-12.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20020033517A1. Автор: Bohumil Lojek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12048150B2. Автор: Hyun Cheol Kim,Yong Seok Kim,Kyung Hwan Lee,Jae Ho Hong,Il Gweon Kim,Sung Won YOO,Hyeoung Won SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240251545A1. Автор: Jin-Seong Park,Seung Hee Lee,Dong-Gyu Kim,Tae Won Kim,Yu Rim KIM,Yong-Suk Tak,Dong-Hyeon Lee. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-07-25.

Method for fabricating memory cells for a memory device

Номер патента: US20060046317A1. Автор: Rainer Bruchhaus,Martin Gutsche. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-03-02.

Method of manufacturing sidewall spacers on a memory device

Номер патента: US20130161700A1. Автор: Panda Durga,Robert Kerr,Jaydip Guha. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2013-06-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240334682A1. Автор: Seok Han PARK,Jin Woo Han,Ki Seok Lee,Hyun Geun Choi,Bo Won YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240357810A1. Автор: Hyun Cheol Kim,Yong Seok Kim,Kyung Hwan Lee,Jae Ho Hong,Il Gweon Kim,Sung Won YOO,Hyeoung Won SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Wing-type projection between neighboring access transistors in memory devices

Номер патента: US09947678B2. Автор: Chia-Ta Hsieh,Po-Kai Hsu,Kao-Chao Lin,Chi-Wei Ho,Chen-Ming Huang,Josh Lin,Nai-Chao Su,Shih-Ching Lee,Shih-Jung Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Nonvolatile charge trap memory device having a deuterated layer in a multi-layer charge-trapping region

Номер патента: US09741803B2. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Fredrick Jenne,Sagy Levy. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Non-volatile memory device having vertical cell

Номер патента: US09721965B2. Автор: Jang-Gn Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-01.

Wing-type projection between neighboring access transistors in memory devices

Номер патента: US09437603B2. Автор: Chia-Ta Hsieh,Po-Kai Hsu,Kao-Chao Lin,Chi-Wei Ho,Chen-Ming Huang,Josh Lin,Nai-Chao Su,Shih-Ching Lee,Shih-Jung Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Nor-type memory device, method of manufacturing nor-type memory device, and electronic apparatus including memory device

Номер патента: US20230337428A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-10-19.

Nor-type memory device, method of manufacturing nor-type memory device, and electronic apparatus including memory device

Номер патента: US20230363153A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20230298992A1. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor memory device and method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US11894300B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Selective encapsulation for metal electrodes of embedded memory devices

Номер патента: US20230403951A1. Автор: Ekmini Anuja De Silva,Ashim Dutta,Jennifer Church. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US11903208B2. Автор: Nam Jae LEE,Nam Kuk KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240015965A1. Автор: Dae Hyun Kim,Changhan Kim,Ga Ram CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20220077182A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Three-dimensional non-volatile semiconductor memory device having replacement gate

Номер патента: US10418377B2. Автор: Jan Van Houdt,Pieter Blomme. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2019-09-17.

Nor-type memory device, method of manufacturing nor-type memory device, and electronic apparatus including memory device

Номер патента: US20240008288A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor memory device with a buried drain and its memory array

Номер патента: US8994095B2. Автор: Wei Zhang,Pengfei Wang,Qingqing Sun,Shijin Ding. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-03-31.

Selective encapsulation for metal electrodes of embedded memory devices

Номер патента: US11778929B2. Автор: Ekmini Anuja De Silva,Ashim Dutta,Jennifer Church. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor memory device and manufacturing method of a semiconductor memory device

Номер патента: US20230328983A1. Автор: Hyo Sub YEOM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240049465A1. Автор: In Ku Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor memory device and method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20240162148A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US11963351B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230337431A1. Автор: Sung Won Cho,Ga Eun KIM,Yoon Hwan Son,Joo Hee PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20240172440A1. Автор: Jae Taek Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20230354603A1. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Selective encapsulation for metal electrodes of embedded memory devices

Номер патента: US20200274066A1. Автор: Ekmini Anuja De Silva,Ashim Dutta,Jennifer Church. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-08-27.

Non-volatile memory device

Номер патента: US20240055469A1. Автор: Chang-Bum Kim,Sukkang SUNG,Cheon An LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor storage device and information processing system

Номер патента: US20240147625A1. Автор: Shiro Harashima,Akinobu Hirota. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor Memory Device with a Buried Drain and Its Memory Array

Номер патента: US20120273866A1. Автор: Wei Zhang,Pengfei Wang,Qingqing Sun,Shijin Ding. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-11-01.

Semiconductor device, memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230363159A1. Автор: Pi-Shan Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Phase Change Memory Cells, Methods Of Forming Phase Change Memory Cells, And Methods Of Forming Heater Material For Phase Change Memory Cells

Номер патента: US20140117302A1. Автор: Goswami Jaydeb. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-05-01.

MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THEREOF

Номер патента: US20120001246A1. Автор: . Владелец: Micron Technology Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Multi-bit phase change memory array and multi-bit phase change memory

Номер патента: TW200903779A. Автор: Chen-Ming Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-01-16.

Multi-bit phase change memory array and multi-bit phase change memory

Номер патента: TWI339439B. Автор: Chen Ming Huang. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2011-03-21.

INTERLEAVED MEMORY PROGRAM AND VERIFY METHOD, DEVICE AND SYSTEM

Номер патента: US20120002474A1. Автор: . Владелец: ROUND ROCK RESEARCH, LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Composite low-temperature phase change cold storage agent and preparation method therefor

Номер патента: ZA202307360B. Автор: ZHEN Wang,HAO Yi,Cong GUO,Liling LU,Guangfeng Dong,Songliang Ma,Jingrong Fang,Xiaocheng Xiang,Shaoxian Song. Владелец: SDIC XINJIANG LUOBUPO POTASH CO Ltd. Дата публикации: 2024-02-28.

Methods of forming phase change material layers and methods of manufacturing phase change memory devices

Номер патента: US20120231603A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-09-13.

METHOD OF FORMING A PHASE CHANGE MATERIAL LAYER PATTERN AND METHOD OF MANUFACTURING A PHASE CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130017663A1. Автор: Oh Jin-Ho,Park Jeong-Hee,Park Soon-oh,Park Jung-Hwan. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-01-17.

PHASE CHANGE MEMORY AND METHOD FOR FABRICATING PHASE CHANGE MEMORY

Номер патента: US20120314493A1. Автор: NAKABAYASHI Hajime,OYAMA Kenichi,HIROTA Yoshihiro. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-12-13.

Methods Of Depositing Antimony-Comprising Phase Change Material Onto A Substrate And Methods Of Forming Phase Change Memory Circuitry

Номер патента: US20120231579A1. Автор: Quick Timothy A.,Marsh Eugene P.. Владелец: Micron Technology,Inc.. Дата публикации: 2012-09-13.

Double-layer phase change resistance and forming method thereof as well as phase change memory and forming method thereof

Номер патента: CN102447059A. Автор: 张海洋,李凡. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2012-05-09.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SLURRY FOR POLISHING PHASE-CHANGE MATERIALS AND METHOD FOR PRODUCING A PHASE-CHANGE DEVICE USING SAME

Номер патента: US20130032572A1. Автор: Cui Hao,PARK Jea Gun,Kim Ye Hwan,Park Jin Hyung,LIM Jae Hyung,CHO Jong Young,Paik Un Gyu,Hwang Hee Sub. Владелец: IUCF-HYU. Дата публикации: 2013-02-07.

Sub-control phase change heat transfer system and sub-control phase change heat transfer method

Номер патента: CN102620583A. Автор: 许光文,郝江平,高士秋,闫润生. Владелец: Shanxi Sanhesheng Industry Technology Co ltd. Дата публикации: 2012-08-01.

Phase change function measuring system for shape-stabilized phase change materials

Номер патента: CN203299151U. Автор: 邱爽,王晓非,黄正清. Владелец: Xian Jiaotong University. Дата публикации: 2013-11-20.

PHASE-CHANGE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120175582A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-07-12.

PHASE-CHANGE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120205607A1. Автор: Lee Tae-Yon. Владелец: . Дата публикации: 2012-08-16.

PHASE-CHANGE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120286228A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-11-15.

PHASE-CHANGE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120305875A1. Автор: SHIM Kew Chan. Владелец: . Дата публикации: 2012-12-06.

PHASE-CHANGE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120326112A1. Автор: LEE Jang Uk. Владелец: . Дата публикации: 2012-12-27.

PHASE-CHANGE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120326114A1. Автор: HAN Ky Hyun,OH Jae Min,YOO Myoung Sul. Владелец: . Дата публикации: 2012-12-27.

PHASE-CHANGE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20130015421A1. Автор: Sim Joon Seop,OH YOUNG HOON,Son Jae Hyun,Lee Dae Woong. Владелец: . Дата публикации: 2013-01-17.

PHASE-CHANGE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20130134371A1. Автор: Park Nam Kyun. Владелец: . Дата публикации: 2013-05-30.

PHASE-CHANGE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20130193402A1. Автор: RYU Choon Kun. Владелец: . Дата публикации: 2013-08-01.

PHASE CHANGE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120081955A1. Автор: KIM Dong Keun. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-04-05.

METHOD OF MANUFACTURING PHASE-CHANGE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130171798A1. Автор: Baek Seung Beom,LEE Hyung Suk. Владелец: . Дата публикации: 2013-07-04.

Phase-change random access memory device unit and preparation method thereof

Номер патента: CN102237488B. Автор: 宋志棠,刘波,吴关平,徐成. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2013-12-04.

Phase-change random access memory system with redundant storage unit

Номер патента: CN101833992B. Автор: 宋志棠,陈后鹏,丁晟. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2013-03-13.

Phase-change random access memory device unit and preparation method thereof

Номер патента: CN102237488A. Автор: 宋志棠,刘波,吴关平,徐成. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2011-11-09.

Semiconductor device, memory device and operating method of memory cell and memory device

Номер патента: TWI251261B. Автор: Erh-Kun Lai,Hang-Ting Lue,Yen-Hao Shih,Chia-Hua Ho,Min-Ta Wu. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2006-03-11.

Semiconductor device, memory device and operating method of memory cell and memory device

Номер патента: TW200638466A. Автор: Erh-Kun Lai,Hang-Ting Lue,Yen-Hao Shih,Kuang Yeu Hsieh,Chia-Hua Ho,Min-Ta Wu. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2006-11-01.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.