Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Memory system

Номер патента: US20230223097A1
Опубликовано: 13-07-2023
Автор(ы): Marie Takada, Masanobu Shirakawa
Принадлежит: Kioxia Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Adaptation of word line pulse widths in memory systems

Номер патента: RU2455713C2. Автор: Мохамед Х. АБУ-РАХМА,Сей Сеунг ЙООН. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2012-07-10.

Adapting word line pulse widths in memory systems

Номер патента: CA2709424C. Автор: Sei Seung Yoon,Mohamed H. Abu-Rahma. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-12-10.

Memory system and management method of characteristic information of semiconductor device

Номер патента: US20220005543A1. Автор: Junji Mori. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-01-06.

System and method for data integrity in memory systems that include quasi-volatile memory circuits

Номер патента: US11823760B2. Автор: Frank Sai-Keung Lee. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Memory controller, an operation method thereof, a memory device, and a memory system

Номер патента: US20240212782A1. Автор: Sungjoon Kim,Changho YUN,Chaeeun LEE,Yukyoung KIM,Jongwon Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Techniques for retiring blocks of a memory system

Номер патента: US20230049201A1. Автор: Jonathan S. Parry,Deping He,Chun Sum Yeung. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Techniques for retiring blocks of a memory system

Номер патента: US12002531B2. Автор: Jonathan S. Parry,Deping He,Chun Sum Yeung. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Memory system and memory operation program

Номер патента: US20230260587A1. Автор: Masami Kuroda,Haruko Takahashi,Midori Aizawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US10453550B2. Автор: Hyungsup KIM,Hyung-Sik Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-22.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200005888A1. Автор: Hyungsup KIM,Hyung-Sik Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-01-02.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20190130992A1. Автор: Hyungsup KIM,Hyung-Sik Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-05-02.

Memory system for improving memory reliability and memory management method for the same

Номер патента: US11037648B2. Автор: Tae Sik Yun,Chun Seok Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-06-15.

Debug capabilities of a memory system with a pin

Номер патента: US11923023B2. Автор: Jingwei CHENG. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Memory system

Номер патента: US20230223090A1. Автор: Masanobu Shirakawa,Marie Takada,Tsukasa TOKUTOMI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

Memory system

Номер патента: US12073890B2. Автор: Masanobu Shirakawa,Marie Takada,Tsukasa TOKUTOMI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Efficient performance of error rate detection procedures in a memory system

Номер патента: US20240282396A1. Автор: Sridhar Prudviraj Gunda,Thibash Rajamani Balakrishnan,Saurav Pundir,Sunil Singh Dhanik. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory system and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060239061A1. Автор: Shunichi Iwanari. Владелец: McDermott Will and Emery LLP. Дата публикации: 2006-10-26.

Memory system and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20070279960A1. Автор: Shunichi Iwanari. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-06.

Memory system and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20090016093A1. Автор: Shunichi Iwanari. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-15.

Generating test data for a memory system design based on operation of a test system, and related methods, devices, and systems

Номер патента: US11721406B2. Автор: Won Ho Choi,Randall J. Rooney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-08.

Method for adjusting programming/erasing time in memory system

Номер патента: US20080037348A1. Автор: PingFu Hsieh,KuoCheng Weng,LiangHung Wang,HsinFu Luo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-02-14.

Memory Programming Methods and Memory Systems

Номер патента: US20160118119A1. Автор: Adam Johnson,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Xiaonan Chen,Jonathan Strand. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-04-28.

Environmental condition tracking for a memory system

Номер патента: US11817168B2. Автор: Olivier DUVAL. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Systems and Methods for Performing Defect Detection and Data Recovery in a Memory System

Номер патента: US20140281682A1. Автор: Abhijeet Manohar,Jianmin Huang,Chris Avila,Daniel Edward Tuers. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2014-09-18.

Testing operations for memory systems

Номер патента: US12067257B2. Автор: Yuan He,Sujeet V. Ayyapureddi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory, memory system and operation method of memory system

Номер патента: US12026392B2. Автор: Woongrae Kim,Chul Moon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Memory test system with advance features for completed memory system

Номер патента: US20110302467A1. Автор: Chia-hao Lee,Ming-Chuan Huang. Владелец: Sunplus Technology Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-08.

Memory system

Номер патента: US20210158885A1. Автор: Hongseok Kim,EHyun NAM,Kyoungseok RHA. Владелец: Fadu Inc. Дата публикации: 2021-05-27.

Memory system

Номер патента: US20190252024A1. Автор: Kiwamu Watanabe. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-08-15.

Memory system and memory controller

Номер патента: US20120151123A1. Автор: Haruki Toda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-06-14.

Memory system

Номер патента: US20140281154A1. Автор: Hajime Matsumoto,Daisuke Hashimoto,Toyokazu Eguchi,Daisuke Ide. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Memory system

Номер патента: US20240274185A1. Автор: Naomi Takeda,Masanobu Shirakawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory system

Номер патента: EP4418272A1. Автор: Naomi Takeda,Masanobu Shirakawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-21.

Memory system including nonvolatile memory and method of operating nonvolatile memory

Номер патента: US20140119108A1. Автор: Jung Hyuk Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-01.

Memory module with reduced ecc overhead and memory system

Номер патента: US20220093203A1. Автор: Jangseok Choi,Taekwoon Kim,Wonhyung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-24.

Memory device and memory system

Номер патента: US20200279612A1. Автор: Hyungsup KIM,Hyung-Sik Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-09-03.

Non-volatile memory and memory system

Номер патента: US20240274219A1. Автор: Mitsuaki Honma. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Non-volatile memory and memory system

Номер патента: EP4418122A1. Автор: Mitsuaki Honma. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-21.

Memory system and memory control method

Номер патента: US20160267966A1. Автор: Taku Ooneda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Memory System for seamless switching

Номер патента: US20090282280A1. Автор: Hoe-ju Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-11-12.

Three-dimensional flash memory system

Номер патента: WO2014077980A1. Автор: Hieu Van Tran,Hung Quoc Nguyen,Mark REITEN. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2014-05-22.

Charge leakage detection for memory system reliability

Номер патента: US11749330B2. Автор: Angelo Visconti,Riccardo Pazzocco,Jonathan J. Strand,Kevin T. Majerus. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Charge leakage detection for memory system reliability

Номер патента: EP4128237A1. Автор: Angelo Visconti,Riccardo Pazzocco,Jonathan J. Strand,Kevin T. Majerus. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-08.

Charge leakage detection for memory system reliability

Номер патента: US20230114735A1. Автор: Angelo Visconti,Riccardo Pazzocco,Jonathan J. Strand,Kevin T. Majerus. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-04-13.

Testing operations for memory systems

Номер патента: US20240094921A1. Автор: Yuan He,Sujeet V. Ayyapureddi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Topology-based retirement in a memory system

Номер патента: US11942174B2. Автор: Jonathan S. Parry,Deping He,Chun S. Yeung. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Read window management in a memory system

Номер патента: US20240021264A1. Автор: Ting Luo,Li-Te Chang,Zhenming Zhou,Murong Lang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Memory device and memory system capable of using redundancy memory cells

Номер патента: US11901032B2. Автор: Hyungsup KIM,Hyung-Sik Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Supporting Calibration For Sub-Rate Operation In Clocked Memory Systems

Номер патента: US20150310903A1. Автор: Simon Li,Yohan U. Frans,Akash Bansal,Todd Bystrom,Kishore V. Kasamsetty,Arun Vaidyanath. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2015-10-29.

Memory system and method for operating the same

Номер патента: US20180107597A1. Автор: Yong-Ju Kim,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-19.

Semiconductor memory system and method of repairing the semiconductor memory system

Номер патента: US20190303253A1. Автор: Jung Hyun Kwon,Wongyu SHIN,Seunggyu JEONG,Do Sun HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-03.

Control device and memory system

Номер патента: US20210295891A1. Автор: Yu-Chieh Chen,Liang-Hsiang Chiu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Memory system

Номер патента: US20170301402A1. Автор: Katsuhiko Ueki,Yoshihisa Kojima,Makoto Kuribara. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-19.

Memory chip and memory system

Номер патента: US20230178123A1. Автор: Shu-Liang NING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-08.

Memory system

Номер патента: EP2248026A1. Автор: Junji Yano,Hidenori Matsuzaki,Kosuke Hatsuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-11-10.

Memory system

Номер патента: US20110185108A1. Автор: Junji Yano,Hidenori Matsuzaki,Kosuke Hatsuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-07-28.

Memory system

Номер патента: WO2009107505A1. Автор: Junji Yano,Hidenori Matsuzaki,Kosuke Hatsuda. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2009-09-03.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US20150270005A1. Автор: Yoon-hee Choi,Daeseok Byeon,Byunggil JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-09-24.

Low power sense amplifier for a flash memory system

Номер патента: EP3384497A1. Автор: Xiaozhou QIAN,Kai Man Yue,Qing Rao,Xiao Yan Pi,Lisa BIAN. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-10-10.

Low Power Sense Amplifier For A Flash Memory System

Номер патента: US20170194055A1. Автор: Xiaozhou QIAN,Kai Man Yue,Qing Rao,Xiao Yan Pi,Lisa BIAN. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2017-07-06.

Series/parallel/series shift register memory system

Номер патента: US4584673A. Автор: Karel E. Kuijk. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1986-04-22.

Resource allocation in memory systems based on operation modes

Номер патента: US12073115B2. Автор: Alex Frolikov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor memory system with the function of the replacement to the other chips

Номер патента: US5469390A. Автор: Toshio Sasaki,Toshihiro Tanaka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1995-11-21.

Model for predicting memory system performance

Номер патента: US20240055046A1. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Aswin Thiruvengadam. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Memory system having programmable control parameters

Номер патента: US5801985A. Автор: Michael S. Briner,Darrell D. Rinerson,Christophe J. Chevallier,Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1998-09-01.

Memory system, memory controller and method for operating memory system

Номер патента: US20240153576A1. Автор: Seong Chan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Counter management for memory systems

Номер патента: US20240096436A1. Автор: Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Counter management for memory systems

Номер патента: US11948656B1. Автор: Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Multi-pump memory system access circuits for sequentially executing parallel memory operations

Номер патента: WO2019051446A1. Автор: Francois Ibrahim Atallah,Jihoon Jeong,Keith Alan Bowman,Hoan Huu Nguyen. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-03-14.

Idle mode temperature control for memory systems

Номер патента: US12039189B2. Автор: Francesco Basso,Francesco Falanga,Massimo Iaculo,Antonino Pollio. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Host identification for a memory system

Номер патента: US11748003B2. Автор: Qing Liang,Jun Huang. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2023-09-05.

Memory controller adjusting power, memory system including same, and operating method for memory system

Номер патента: US12086428B2. Автор: Hyunseok Kim,Jingyu HEO,Inhae KANG,Jaeyoul OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Separate read and write address decoding in a memory system to support simultaneous memory read and write operations

Номер патента: SG11201901324QA. Автор: Manish Garg. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-04-29.

Logical counters for a memory system

Номер патента: US20240264904A1. Автор: Sai Krishna Mylavarapu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory system and data processing system including the same

Номер патента: US12056027B2. Автор: Hyung-sup KIM,Eung-Bo SHIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory system, memory controller, and method for operating memory system

Номер патента: US20210248032A1. Автор: Chul Sung KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-12.

Memory system and operating method of the memory system

Номер патента: US20210098071A1. Автор: Ju Hyeon HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Memory system, memory controller, and memory control method

Номер патента: US20200357472A1. Автор: Yi-Chun Liu,Yiching Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-12.

Memory system, memory controller, and memory control method

Номер патента: EP3736699A1. Автор: Yi-Chun Liu,Yiching Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-11.

Performance optimization of read functions in a memory system

Номер патента: US20160132412A1. Автор: Saravanan Sethuraman,Timothy J. Dell,Diyanesh B.C. Vidyapoornachary. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-12.

Performance optimization of read functions in a memory system

Номер патента: US9542110B2. Автор: Saravanan Sethuraman,Timothy J. Dell,Diyanesh B.C. Vidyapoornachary. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Operating method for memory system

Номер патента: EP4180917A3. Автор: Hyunseok Kim,Jingyu HEO,Inhae KANG,Jaeyoul OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-18.

Memory device, memory system including the same, and method of operating the memory system

Номер патента: US20190237144A1. Автор: Kwang Su Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

Operating method for memory system

Номер патента: EP4180917A2. Автор: Hyunseok Kim,Jingyu HEO,Inhae KANG,Jaeyoul OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-17.

Memory system and method

Номер патента: US20230315312A1. Автор: Kenji Takahashi,Makoto Kuribara,Shin TAKASAKA,Rintaro ARAI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Data mirroring in serial -connected memory system

Номер патента: WO2010048711A1. Автор: Hakjune Oh,William Petrie. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2010-05-06.

Managing open blocks in memory systems

Номер патента: US11340980B2. Автор: Zheng Wu,Yi-Chun Liu,Wei Jie Chen,Ching Ting Lu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-24.

Temperature compensation in a memory system

Номер патента: EP3844754A1. Автор: Shane Nowell,Sampath K. Ratnam,Vamsi Pavan Rayaprolu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-07.

Temperature compensation in a memory system

Номер патента: WO2020046970A1. Автор: Shane Nowell,Sampath K. Ratnam,Vamsi Pavan Rayaprolu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-03-05.

Using split word lines and switches for reducing capacitive loading on a memory system

Номер патента: US20240274179A1. Автор: Sheng-Chen Wang,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Non-volative memory system configured to mitigate errors in read and write operations

Номер патента: EP4266311A2. Автор: Soenke Ostertun. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-10-25.

Non-volative memory system configured to mitigate errors in read and write operations

Номер патента: EP4266311A3. Автор: Soenke Ostertun. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-01-03.

Remote Direct Memory Access in Multi-Tier Memory Systems

Номер патента: US20240272835A1. Автор: Samir Mittal,Gurpreet Anand,Anirban Ray,Parag R. Maharana. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory system related to clock synchronization

Номер патента: US20230305592A1. Автор: Sang Sic Yoon,Kyu Dong HWANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Voltage detection for managed memory systems

Номер патента: US20240274211A1. Автор: Yoav Weinberg,Evgeni Bassin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory controller, memory system, and method of operating memory system

Номер патента: US20210005267A1. Автор: Min Kee Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-07.

Memory system

Номер патента: US20240244839A1. Автор: Kazutaka IKEGAMI,Shingo NAKAZAWA,Hidehiro Shiga. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Memory system and operation method of the memory system

Номер патента: US20230152981A1. Автор: In Jong Jang,Kyu Min LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

Overwriting at a memory system

Номер патента: US11755237B2. Автор: Jonathan S. Parry,Giuseppe Cariello,Reshmi Basu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Memory system, operating method of the memory system, and interface circuit of the memory system

Номер патента: US20240282378A1. Автор: ChiWeon Yoon,Anil KAVALA,Youngmin Jo,Jungjune PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor memory system having a data clock system for reliable high-speed data transfers

Номер патента: US20030137893A1. Автор: Louis Hsu,Jeremy Stephens,Li-Kong Wang,Daniel Storaska. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-07-24.

Memory system and method of operating memory system

Номер патента: US20240241646A1. Автор: Hyunseok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Memory system using schottky diodes to reduce load capacitance

Номер патента: US5699541A. Автор: Kenichi Kurosawa,Michio Morioka,Shin Kokura,Tetsuaki Nakamikawa,Sakou Ishikawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1997-12-16.

Memory system and method of controlling memory system

Номер патента: US20200090742A1. Автор: Yasuhiko Kurosawa,Shingo Yanagawa,Ryo Sekiguchi,Eriko AKAIHATA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Extended capacity memory system with load relieved memory and method of manufacture thereof

Номер патента: US20160070316A1. Автор: Robert S. Pauley, Jr.,Victor Mahran. Владелец: Smart Modular Technologies Inc. Дата публикации: 2016-03-10.

Memory system for selecting counter-error operation through error analysis and data process system including the same

Номер патента: US20210208966A1. Автор: Nam Young AHN,Eung Bo Shim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-07-08.

Memory device, memory system including the memory device, and method of operating the memory system

Номер патента: US20200133501A1. Автор: Hyun Woo Lee,Young Gyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-04-30.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20190006379A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-01-03.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US10103158B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-10-16.

Memory system, method of controlling memory system having volatile memory and nonvolatile memory, and controller

Номер патента: US20160266638A1. Автор: Toshikatsu Hida,Shohei Asami,Mitsuru ANAZAWA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US12032854B2. Автор: Beom Rae JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Memory system and information processing system

Номер патента: US20160350182A1. Автор: Naoaki Tsutsui. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-01.

Memory system and operating method of the same

Номер патента: US20240282349A1. Автор: Meng-Fan Chang,Win-San Khwa,Tai-Hao Wen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory system and operating method of the same

Номер патента: US20210375347A1. Автор: Seungwon Lee,Daeseok Byeon,Youngmin Jo,Taehyo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-02.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US10418371B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-17.

Memory system, operating method of the memory system, and interface circuit of the memory system

Номер патента: US20240257850A1. Автор: ChiWeon Yoon,Anil KAVALA,Youngmin Jo,Jungjune PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Resistive memory system and method of operating the resistive memory system

Номер патента: US20160240252A1. Автор: Young Bae Kim,Han Shin Shin,Jun Jin Kong,Hong Rak Son,Eun Chu Oh,Pil Sang Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-18.

Memory system

Номер патента: RU2628124C2. Автор: Цзюнь Чжу,Билл НЕИЛ,Джонатан К. ДЖАСПЕР,Джон В. ЛАВЛЕЙС,Муругасами К. НАЧИМУТУ,Туань М. ЦЮАЧ. Владелец: Интел Корпорейшн. Дата публикации: 2017-08-15.

Flash memory system having cross-coupling compensation during read operation

Номер патента: WO2011080564A1. Автор: Idan Alrod,Eran Sharon. Владелец: SANDISK IL LTD.. Дата публикации: 2011-07-07.

Imprint recovery management for memory systems

Номер патента: US12019506B2. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Superconducting memory system with stacked drivers and differential transformers

Номер патента: EP3766069A1. Автор: Donald L. Miller,Quentin P. Herr,Randall M. Burnett,Henry Y. Luo. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2021-01-20.

Adaptive error correction in a memory system

Номер патента: US20160344427A1. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Warren E. Maule,John K. DeBrosse,Hillery C. Hunter,Charles A. Kilmer,Rona Yaari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-24.

Memory systems having memory devices therein with enhanced error correction capability and methods of operating same

Номер патента: US12057184B2. Автор: Junhyung Kim,Kijun Lee,Sanguhn CHA,Sunghye CHO,Myungkyu Lee,Kiheung KIM,Sungrae Kim,Changyong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor memory system and method for the transfer of write and read data signals in a semiconductor memory system

Номер патента: US20060104132A1. Автор: Dominique Savignac,Christian Sichert,Paul Wallner,Peter Gregorius,Hermann Ruckerbauer. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2006-05-18.

Non-volatile memory device, memory system including the same and read method of memory system

Номер патента: US12020755B2. Автор: Sung Hun Kim,Hyo Jae Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Memory controller and memory system including the same

Номер патента: US20240202069A1. Автор: Sung-Joon Kim,Ho-Young Lee,Kyung-Hee Han,Kyung Jin Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory system capable of enhancing writing protection and related method

Номер патента: US20110289259A1. Автор: Hsu-Ming Lee. Владелец: Wistron Corp. Дата публикации: 2011-11-24.

Analog neural memory system for deep learning neural network comprising multiple vector-by-matrix multiplication arrays and shared components

Номер патента: US20200065650A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-02-27.

Semiconductor memory device, memory system including the same, and operating method thereof

Номер патента: US9384846B1. Автор: Keon Soo Shim,Bong Yeol PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-05.

Separate read and write address decoding in a memory system to support simultaneous memory read and write operations

Номер патента: EP3523804A1. Автор: Manish Garg. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-08-14.

Memory system capable of enhancing writing protection and related method

Номер патента: US8650366B2. Автор: Hsu-Ming Lee. Владелец: Wistron Corp. Дата публикации: 2014-02-11.

Memory controller and memory system including adjustment of scrub cycle rate

Номер патента: EP4390939A2. Автор: Sung-Joon Kim,Ho-Young Lee,Kyung-Hee Han,Kyung Jin Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-26.

Hybrid memory system configurable to store neural memory weight data in analog form or digital form

Номер патента: US11989440B2. Автор: Hieu Van Tran. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Memory system, memory controller, and method for operating memory system

Номер патента: US20210279000A1. Автор: Chan Hyeok CHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-09.

Memory system

Номер патента: US11086573B2. Автор: Masanobu Shirakawa,Marie Takada,Tsukasa TOKUTOMI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-08-10.

A method of synchronizing read timing in a high speed memory system

Номер патента: EP1374244A2. Автор: Troy A. Manning,Brent Keeth,Chris G. Martin,Jeffery W. Janzen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-01-02.

Memory system and associated methodology

Номер патента: US20050195641A1. Автор: Scott Anderson,Samuel Naffziger. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2005-09-08.

Memory device reducing i/o signal lines through i/o mapping connection and memory system including the same

Номер патента: US20240232066A1. Автор: Sang-Won Park,Jooyong PARK,Bongsoon LIM,Seokmin Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Hybrid memory system configurable to store neural memory weight data in analog form or digital form

Номер патента: EP4385016A1. Автор: Hieu Van Tran. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-19.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory during command processing without replacing defective blocks

Номер патента: US12038834B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory system and operating method of the memory system for calibrating a history read bias based on a number of error bits generated in a read operation

Номер патента: US12039190B2. Автор: Min Hwan MOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory System Performance Configuration

Номер патента: US20150052289A1. Автор: Preeti Yadav,Abhijeet Bhalerao,Barys Sarana,Frederick Fernandez,Namita Joshi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-02-19.

A method of synchronizing read timing in a high speed memory system

Номер патента: WO2002069341A3. Автор: Brent Keeth,Troy A Manning,Chris G Martin,Jeffery W Janzen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-11-28.

A method of synchronizing read timing in a high speed memory system

Номер патента: EP1374244B1. Автор: Troy A. Manning,Brent Keeth,Chris G. Martin,Jeffery W. Janzen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-08-31.

A method of synchronizing read timing in a high speed memory system

Номер патента: WO2002069341A2. Автор: Troy A. Manning,Brent Keeth,Chris G. Martin,Jeffery W. Janzen. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2002-09-06.

Memory system including memory device and memory controller, and operating method thereof

Номер патента: US20230266893A1. Автор: Taehun Kim,Wooil Kim,Taewoo HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-24.

Memory system including memory device and memory controller, and operating method thereof

Номер патента: US12079491B2. Автор: Taehun Kim,Wooil Kim,Taewoo HAN. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Dongguk University. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory system and control method of memory system

Номер патента: US12046272B2. Автор: Mel Stychen Sanchez TAN. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Memory system

Номер патента: US20040246774A1. Автор: Kenneth Smith,Kenneth Eldredge,Andrew Van Brocklin,Peter Fricke. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2004-12-09.

Fifo memory system and fifo memory control method

Номер патента: US20240078201A1. Автор: Liming Xiu,Xiangye Wei. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Memory controlling device and memory system including the same

Номер патента: US20200004669A1. Автор: Myoungsoo Jung,Gyuyoung PARK. Владелец: Memray Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US10818365B2. Автор: Jung-Hyun Kwon,Seung-Gyu JEONG,Do-Sun HONG,Won-Gyu SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-10-27.

Memory device reducing i/o signal lines through i/o mapping connection and memory system including the same

Номер патента: EP4398117A1. Автор: Sang-Won Park,Jooyong PARK,Bongsoon LIM,Seokmin Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-10.

Memory system

Номер патента: US20200089565A1. Автор: Teruo Takagiwa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Memory system and nonvolatile memory

Номер патента: US20200303018A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Kazutaka Takizawa,Masaaki Niijima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Memory system including a non-volatile memory chip and method for performing a read operation on the non-volatile memory chip

Номер патента: US20210349664A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Suguru NISHIKAWA,Riki SUZUKI,Marie Sia. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Erase-verify method for three-dimensional memories and memory system

Номер патента: US20190139615A1. Автор: Atsuhiro Suzuki,Wen-Jer Tsai,Yu-Hung Huang,Cheng-Hsien Cheng,Chih-Wei Lee,Shaw-Hung Ku. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-09.

Garbage collection strategy for memory system and method of executing such garbage collection

Номер патента: US20190310936A1. Автор: Andrei Konan,Igor NOVOGRAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-10.

Operating method of memory system including nand flash memory, variable resistance memory and controller

Номер патента: US20160004469A1. Автор: Eun-Jin Yun,BoGeun Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-01-07.

Memory system

Номер патента: US20180276073A1. Автор: Takashi Ide,Yoshihisa Kojima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20190237150A1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Seung-Gyu JEONG,Do-Sun HONG,Won-Gyu SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

Memory controller, memory system including the memory controller, and method of operating the memory controller

Номер патента: US10719269B2. Автор: Dong Yeob CHUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-07-21.

Memory system and operating method thereof for performing urgent fine program operation

Номер патента: US12056367B2. Автор: Sang Sik Kim,Chung Un NA. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory system and method of operating the same

Номер патента: US12079488B2. Автор: Kwanho KIM,Jehyun PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory system and operating method of the memory system

Номер патента: US20190066794A1. Автор: Jong Woo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US20230079939A1. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-16.

Phase change memory system, phase change memory device, and phase change memory device refresh method

Номер патента: US20210118500A1. Автор: Kwang Jin Lee,Yoon Sung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-22.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20210241834A1. Автор: Sang Sik Kim,Dae Sung Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-05.

Memory System and Method for Transferring Data Therein

Номер патента: US20080022037A1. Автор: Hermann Ruckerbauer. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-01-24.

Memory system and method for transferring data therein

Номер патента: US7293151B2. Автор: Hermann Ruckerbauer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-11-06.

Adaptive Memory System

Номер патента: US20220113881A1. Автор: David Andrew Roberts. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-04-14.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20170287564A1. Автор: Byoung Jun PARK,Seong Jo Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-05.

Flexible memory system

Номер патента: US12067237B2. Автор: Richard E. George,Vidyashankar Viswanathan,Michael Y. Chow. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20180068731A1. Автор: Soo-Nyun KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-08.

Memory system

Номер патента: US20140010020A1. Автор: Koichi Fukuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-01-09.

Memory system

Номер патента: US20210065771A1. Автор: Toshifumi Hashimoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Adaptive error correction in a memory system

Номер патента: US20160036466A1. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Warren E. Maule,John K. DeBrosse,Hillery C. Hunter,Charles A. Kilmer,Rona Yaari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-02-04.

Memory system

Номер патента: US20220068402A1. Автор: Hideki Yamada,Masanobu Shirakawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Memory system and method for detecting error section and reprocessing tasks

Номер патента: US10416908B2. Автор: Jeen PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-09-17.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20190198119A1. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Memory systems

Номер патента: US20140244913A1. Автор: Sergey Anatolievich Gorobets,Alan David Bennett,Alan Welsh Sinclair. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-08-28.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US20200319953A1. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-08.

Memory system including a memory controller

Номер патента: US11995334B2. Автор: Jae-Han Park,Hyun-Woo KWACK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Page buffer, memory device including page buffer and memory system including memory device

Номер патента: US20240177786A1. Автор: Kang Woo Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Memory, operating method therefor, and memory system

Номер патента: EP4202938A1. Автор: Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-28.

Memory system, control method, and power control circuit

Номер патента: US20230010785A1. Автор: Takashi Ooshima,Megumi Shibatani. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-01-12.

Memory system

Номер патента: US20210064345A1. Автор: Norio Aoyama,Ryuji Nishikubo,Aurelien Nam Phong TRAN,Mel Stychen Sanchez TAN. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Memory device, a memory system and an operation method

Номер патента: US12056355B2. Автор: Ying Huang,Hongtao Liu,Ke Liang,Ling Chu,Zhipeng DONG,Manxi Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory system and method for transferring data therein

Номер патента: US7831797B2. Автор: Hermann Ruckerbauer. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2010-11-09.

Integrated circuit memory system with high speed non-volatile memory data transfer capability

Номер патента: US20080192560A1. Автор: Seung Won Lee,Byeong Hoon Lee,Sun Kwon Kim,Ki Hong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-08-14.

Read data flow control in a cascade interconnect memory system

Номер патента: EP2294577A1. Автор: Kevin Gower,Michael Trombley,Steven Hnatko. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-03-16.

Latency indication in memory system or sub-system

Номер патента: EP4425340A2. Автор: Robert Nasry Hasbun,Dean D. Gans,Sharookh Daruwalla. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-04.

Memory system, control method thereof, and program

Номер патента: US12033705B2. Автор: Yoshihisa Kojima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Memory, memory module, memory system, and operation method of memory system

Номер патента: US12034457B2. Автор: Seok Woo Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Address fault detection in a memory system

Номер патента: US20230162794A1. Автор: Hieu Van Tran. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-25.

Power-down test of firmware of a memory system

Номер патента: US20230064884A1. Автор: Yaofeng Jiang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Memory system

Номер патента: US20210295931A1. Автор: Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Nonvolatile memory systems with embedded fast read and write memories

Номер патента: US20170010975A1. Автор: G.R. Mohan Rao. Владелец: Si-Flash Drives LLC. Дата публикации: 2017-01-12.

Memory system, memory controller, and semiconductor storage device

Номер патента: US12040027B2. Автор: Junji Yamada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory system and operation method of memory system

Номер патента: US20240257895A1. Автор: Woongrae Kim,Chul Moon JUNG,Uk Song Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Power-down test of firmware of a memory system

Номер патента: US12039187B2. Автор: Yaofeng Jiang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory System and Method for Power Management for Reducing a Variable Credit Value By a Computed Consumed Energy Value for Each Corresponding Updated Cycle

Номер патента: US20170192722A1. Автор: Eran Erez. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-07-06.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20170052737A1. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-23.

Semiconductor memory system and semiconductor memory chip

Номер патента: US20070047372A1. Автор: Paul Wallner,Peter Gregorius,Andre Schäfer. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-03-01.

Memory system and method for operating the same

Номер патента: US20180150247A1. Автор: Jeen PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-31.

Memory system

Номер патента: US11740965B2. Автор: Yoshihisa Kojima,Suguru NISHIKAWA,Takehiko Amaki,Shunichi IGAHARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Method for programming memory system

Номер патента: US20210151100A1. Автор: Ke Liang,Qiang Tang,Chun Yuan Hou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-20.

Managing open blocks in memory systems

Номер патента: US11656934B2. Автор: Zheng Wu,Yi-Chun Liu,Wei Jie Chen,Ching Ting Lu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-23.

Memory systems with flexible erase suspend-resume operations, and associated systems, devices, and methods

Номер патента: US20230360708A1. Автор: Ching-Huang Lu,Pitamber Shukla,Fulvio Rori,Scott A. Stoller,Jiun-Horng Lai,Wai Ying Lo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Operating method of memory system including memory controller and nonvolatile memory device

Номер патента: US20220208271A1. Автор: Joonsuc Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-30.

Memory System with Multi-Level Status Signaling and Method for Operating the Same

Номер патента: US20120182780A1. Автор: Steven Cheng. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2012-07-19.

Memory system with multi-level status signaling and method for operating the same

Номер патента: EP2449474A1. Автор: Steven Cheng. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2012-05-09.

Memory programming method, memory device, and memory system

Номер патента: US20240304247A1. Автор: XiangNan Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Application partitioning for locality in a stacked memory system

Номер патента: US12099453B2. Автор: William James Dally,Carl Thomas Gray,Stephen W. Keckler,James Michael O'connor. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Memory system and control method

Номер патента: US20150364206A1. Автор: Yuichiro Mitani,Jiezhi Chen. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-12-17.

Memory system

Номер патента: WO2019106484A1. Автор: Christian Jacobi,Barry Trager,Patrick Meaney. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2019-06-06.

Memory controller calculating optimal read level, memory system including the same, and operating method of memory controller

Номер патента: US20230057932A1. Автор: Dongmin Shin,Wijik LEE,Hongrak Son,Kwanwoo NOH,Seonghyeog Choi,Hyeonjong Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-23.

Memory system

Номер патента: US20210241833A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Kazutaka Takizawa,Masaaki Niijima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-08-05.

Memory system and operation method of memory system

Номер патента: US20240257894A1. Автор: Woongrae Kim,Chul Moon JUNG,Uk Song Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Flexible memory system with a controller and a stack of memory

Номер патента: US11769534B2. Автор: Brent Keeth,Joe M. Jeddeloh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Memory system

Номер патента: US20230297272A1. Автор: Fuminori Kimura. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory system

Номер патента: US20190286571A1. Автор: Takayuki Mori,Satoshi Kaburaki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Memory system with a zoned namespace and an operating method thereof

Номер патента: US20220261180A1. Автор: Hee Chan Shin,Yong Seok Oh,Young Ho AHN,Jhu Yeong Jhin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-08-18.

Memory system and method of performing background operation

Номер патента: US20240289039A1. Автор: Yong Seok WON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Non-volatile memory device, a memory system that includes the non-volatile memory device, and an operating method of the non-volatile memory device

Номер патента: US11749356B2. Автор: Jinyoung Kim,Dongmin Shin,Sehwan Park,Youngdeok SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-05.

Memory system with multi-level status signaling and method for operating the same

Номер патента: WO2011002626A1. Автор: Steven Cheng. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2011-01-06.

Memory device with modular design and memory system comprising the same

Номер патента: US12080369B2. Автор: Christopher Cox,Leechung Yiu,Robert Xi Jin,Zheng QIU,Leonard DATUS,Lizhi Jin. Владелец: Montage Electronics Shanghai Co. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory system

Номер патента: US20240282389A1. Автор: Hiroyuki Nagashima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory system and non-volatile memory

Номер патента: US20240311294A1. Автор: Mitsuaki Honma,Daisuke Arizono,Keisuke Azuma. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory system

Номер патента: US11410735B2. Автор: Yoshihisa Kojima,Kazutaka Takizawa,Masaaki Niijima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-09.

Wear-Leveling Scheme and Implementation for a Storage Class Memory System

Номер патента: US20200183606A1. Автор: CHAOHONG HU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-11.

Memory system

Номер патента: US20190287640A1. Автор: Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Memory system

Номер патента: US20240005969A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Shohei Asami. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Memory system and control method therefor

Номер патента: US20130286750A1. Автор: Toru Ishikawa. Владелец: PS5 Luxco SARL. Дата публикации: 2013-10-31.

Memory system and control method therefor

Номер патента: US20130279270A1. Автор: Toru Ishikawa. Владелец: PS5 Luxco SARL. Дата публикации: 2013-10-24.

Memory System and Control Method Therefor

Номер патента: US20140286107A1. Автор: Toru Ishikawa. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2014-09-25.

Method of operating a memory system having an erase control unit

Номер патента: US9437310B2. Автор: Junjin Kong,Hong Rak Son,Eun Chu Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-06.

Memory system, reading method, program, and memory controller

Номер патента: US10600489B2. Автор: Takayuki Itoh,Tomoya Kodama. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-24.

Nonvolatile memory devices, operating methods thereof and memory systems including the same

Номер патента: US20230268017A1. Автор: Jae-Hoon Jang,Jaehun Jeong,Hansoo Kim,Donghyuk Chae,Sun-Il Shim,Youngho Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-24.

Memory system configured to determine a write voltage applied to memory cells based on the number of erase operations

Номер патента: US11501839B2. Автор: Hideki Yamada,Masanobu Shirakawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-11-15.

Methods to re-use stuck cells in data storage, and associated memory systems

Номер патента: EP4432098A1. Автор: Raffaele Costa,Matthieu Deloge,Maurits Mario Nicolaas Storms,Andrea Castelnuovo,Sergio Masferrer Oncala. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-09-18.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200089581A1. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-03-19.

Memory system

Номер патента: US20210183455A1. Автор: Hideki Yamada,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Memory system

Номер патента: US20220391130A1. Автор: Terufumi Takasaki,Kenji Sakaue,Taro IWASHIRO,Sachiyo MIYAMOTO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-12-08.

Memory system and method of controlling the same

Номер патента: US7596048B2. Автор: Yohei Kamiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-09-29.

Memory system, operating method thereof, and electronic device

Номер патента: US20190347196A1. Автор: Kyung Min Kim,Dae Hong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Memory system

Номер патента: US20140237320A1. Автор: Junji Yano,Hidenori Matsuzaki,Kosuke Hatsuda,Hiroki Matsudaira. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-21.

Reset verification in a memory system

Номер патента: US20230014955A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Memory system and control method of memory system

Номер патента: US20210082513A1. Автор: Masahiro Ogawa,Norio Aoyama. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20210295933A1. Автор: Eui Cheol Lim,Myoung Seo KIM,Mi Seon HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-23.

Memory system including on-die termination and method of controlling on-die termination thereof

Номер патента: US20190050352A1. Автор: Sung-Joon Kim,Changho YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-02-14.

Memory system, memory controller, and method for operating same

Номер патента: US20210173587A1. Автор: Woong Sik SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

Memory system including on-die termination and method of controlling on-die termination thereof

Номер патента: US10108563B2. Автор: Sung-Joon Kim,Changho YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-10-23.

Apparatus and method for handling a data error in a memory system

Номер патента: US11762734B2. Автор: Jaeyoon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor memory system

Номер патента: US20020196662A1. Автор: Luigi Pascucci. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-12-26.

Semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US12027194B2. Автор: Seungki HONG,Geuntae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-02.

Memory system including an error correction function

Номер патента: US11003528B2. Автор: Daiki Watanabe,Yuchieh Lin. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-05-11.

Memory device supporting a high-efficient input/output interface and a memory system including the memory device

Номер патента: US12061561B2. Автор: YoungHoon SON,Youngdon CHOI,Junghwan Choi,Jindo BYUN,Hyungmin Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Memory system for determining read wait time, memory controller, and method for operating memory system

Номер патента: US12086416B2. Автор: Seon Ju Lee,Jeong Sun PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Spare substitution in memory system

Номер патента: US12093129B2. Автор: Joseph Thomas Pawlowski. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-09-17.

Reset verification in a memory system

Номер патента: US20210173562A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

Hybrid memory system with increased bandwidth

Номер патента: US12073901B2. Автор: Jungwon Suh. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Managed memory systems with multiple priority queues

Номер патента: US20240272831A1. Автор: Emanuele Confalonieri,Nicola Del Gatto,Massimiliano Patriarca,Antonino Caprì,Angelo Alberto Rovelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Adaptive scan frequency for detecting errors in a memory system

Номер патента: US20190354421A1. Автор: Michael G. McNeeley,Kishore K. Muchherla,Sampath K. Ratnam,Akira Goda,Todd A. Marquart,Kevin R. Brandt,William C. Filipiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-21.

Memory system

Номер патента: US12046300B2. Автор: Tomoya Kamata,Yoshihisa Kojima,Suguru NISHIKAWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Memory system

Номер патента: US20240284668A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Riki SUZUKI,Toshikatsu Hida,Takehiko Amaki,Shohei Asami,Marie Grace Izabelle Angeles Sia. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Hybrid memory system with increased bandwidth

Номер патента: US20240304271A1. Автор: Jungwon Suh. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory system

Номер патента: US12094541B2. Автор: Yoshihisa Kojima,Masanobu Shirakawa,Marie Takada,Kengo Kurose,Kiyotaka Iwasaki,Ryo Yamaki,Tsukasa TOKUTOMI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory system verification

Номер патента: US20230140975A1. Автор: Jason Parker,Yuval Elad. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2023-05-11.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20200081774A1. Автор: Yuta Kumano,Hironori Uchikawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Memory device, method for programming memory device, program verification method and memory system

Номер патента: US20230148366A1. Автор: Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20210255781A1. Автор: Chol Su CHAE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-19.

Fault tolerant memory system

Номер патента: US20200034230A1. Автор: Roxana RUSITORU,Jonathan Curtis Beard,Reiley JEYAPAUL. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2020-01-30.

Memory device having physical unclonable function and memory system including the memory device

Номер патента: US20240145002A1. Автор: Daeseok Byeon,Jooyong PARK,Pansuk Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Memory system and error correcting method of the same

Номер патента: US20180165151A1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Sung-Eun Lee,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-14.

Memory controller and memory system

Номер патента: US20220147273A1. Автор: Won Gyu SHIN,Ju Yeong YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-05-12.

Multi-column addressing mode memory system including an intergrated circuit memory device

Номер патента: EP1800311A1. Автор: Frederick A. c/o Rambus Inc. WARE,Lawrence c/o Rambus Inc. LAI,Chad A. c/o Rambus Inc. BELLOWS,Wayne S. c/o Rambus Inc. RICHARDSON. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2007-06-27.

Memory and memory system inclduing the memory

Номер патента: US20230282302A1. Автор: Hoiju CHUNG,Yoonna OH,Sang Woo YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Adaptive scan frequency for detecting errors in a memory system

Номер патента: EP3794454A1. Автор: Michael G. McNeeley,Kishore K. Muchherla,Sampath K. Ratnam,Akira Goda,Todd A. Marquart,Kevin R. Brandt,William C. Filipiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-24.

Adaptive scan frequency for detecting errors in a memory system

Номер патента: WO2019222488A1. Автор: Michael G. McNeeley,Kishore K. Muchherla,Sampath K. Ratnam,Akira Goda,Todd A. Marquart,Kevin R. Brandt,William C. Filipiak. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-11-21.

Memory system

Номер патента: US12079060B2. Автор: Akihiro Kimura,Hiroki Matsushita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory system

Номер патента: US20090141552A1. Автор: Hiroshi Sukegawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-04.

Memory system

Номер патента: US20230197125A1. Автор: Junichiro Noda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Memory device having physical unclonable function and memory system including the memory device

Номер патента: EP4105933A1. Автор: Daeseok Byeon,Jooyong PARK,Pansuk Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-21.

Memory system

Номер патента: US20090238023A1. Автор: Jui-Lung Chen,Chia-Chiuan Chang,Wei-Shung Chen,Yi-Hsun Chung. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2009-09-24.

Memory system performing performance adjusting operation

Номер патента: US20230063640A1. Автор: Duksoo Kim,Doil Kong,Daesung CHEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-02.

Memory system

Номер патента: US20230259287A1. Автор: Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Memory system and controller

Номер патента: US9478293B2. Автор: Toshihiro Suzuki,Masanobu Shirakawa,Tetsufumi YANAGIDA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20240249782A1. Автор: Joonsuc Jang,Ji-Sang LEE,Minkyeong CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory system

Номер патента: US11749333B2. Автор: Woongrae Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Memory system

Номер патента: US20030177331A1. Автор: Hiroyuki Yamauchi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-18.

Memory system including nonvolatile memory

Номер патента: US20150063034A1. Автор: Hidetaka Tsuji,Hiroki Tagawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-05.

Configurable Analog Neural Memory System For Deep Learning Neural Network

Номер патента: US20200065660A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-02-27.

Digital memory system with ndro and dro portions

Номер патента: US3597747A. Автор: Paul E Wells,Ted Winkler. Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 1971-08-03.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US12093172B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Pooled frontline ecc decoders in memory systems

Номер патента: US20200081773A1. Автор: Paul Edward HANHAM,David Malcolm SYMONS,Francesco Giorgio,Jonghyeon Kim,Senthilkumar Diraviam. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Apparatus and method for handling error in volatile memory of memory system

Номер патента: US20200226039A1. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-07-16.

Memory system for accessing data in stripe form and operating method thereof

Номер патента: US20210382787A1. Автор: Dong Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Memory system with multiple striping of raid groups and method for performing the same

Номер патента: EP4361815A3. Автор: Jon C.R. Bennett. Владелец: VIOLIN SYSTEMS LLC. Дата публикации: 2024-06-19.

Multiple read port memory system with a single port memory cell

Номер патента: US20140198595A1. Автор: Jagreet S. Atwal,Thoai Thai Le. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-17.

Memory system

Номер патента: US20180081542A1. Автор: Masanobu Shirakawa,Kenji Sakurada,Hitoshi Shiga. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-22.

Memory system and memory control method

Номер патента: US10388402B2. Автор: Sang Min Lee,Jae Hyung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-08-20.

Memory system and decoding method

Номер патента: US10778258B2. Автор: Daiki Watanabe. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-15.

Method for programming memory system

Номер патента: EP3853854A1. Автор: Ke Liang,Qiang Tang,Chun Yuan Hou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-28.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200192759A1. Автор: Yong-Tae Kim,Duck-Hoi KOO,Soong-Sun SHIN,Nam Oh HWANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-06-18.

Operating method of semiconductor memory device, controller, and memory system having the same

Номер патента: US11550495B2. Автор: Ju Hee Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-01-10.

Memory system

Номер патента: US20220301625A1. Автор: Takashi Maeda,Tomoya Sanuki,Yasuhito Yoshimizu,Keisuke Nakatsuka,Hideto Horii. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-22.

Memory system and semiconductor memory device

Номер патента: US10797073B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-10-06.

Memory system with address conversion based on inherent performance condition

Номер патента: US20020112138A1. Автор: Hiroyuki Yamauchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-15.

Managing trap-up in a memory system

Номер патента: US20240233842A1. Автор: Kenneth W. Marr,Ching-Huang Lu,Pitamber Shukla,Avinash Rajagiri,Chi Ming W. Chu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory system and memory device

Номер патента: US12033693B2. Автор: Naomi Takeda,Masanobu Shirakawa,Akio SUGAHARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Machine Learning Processor Employing a Monolithically Integrated Memory System

Номер патента: US20200307995A1. Автор: Tapabrata GHOSH. Владелец: Vathys Inc. Дата публикации: 2020-10-01.

Clock and data recovery device, memory system, and data recovery method

Номер патента: US20210351908A1. Автор: Hiroyuki Kobayashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Memory system

Номер патента: US20230282257A1. Автор: Zhao Lu,Yuji Nagai,Mitsuhiro Abe,Hisashi Fujikawa,Akio SUGAHARA,Takehisa KUROSAWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Method and apparatus for pll locking control in daisy chained memory system

Номер патента: WO2014071497A1. Автор: Hong Beom Pyeon. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2014-05-15.

Compressed event counting technique and application to a flash memory system

Номер патента: EP1317756A2. Автор: Nima Mokhlesi. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2003-06-11.

Memory system for write operation and method thereof

Номер патента: US20210240384A1. Автор: Siarhei Kryvaltsevich. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-05.

Memory system controlling data erase for nonvolatile memory and control method for erasing data

Номер патента: US20180286485A1. Автор: Kazutaka Takizawa,Masaaki Niijima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Memory system processing request based on inference and operating method of the same

Номер патента: US20210366562A1. Автор: Kangho Roh,Hyunkyo Oh,Jinbaek SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-25.

Memory system and method for managing number of read operations using two counters

Номер патента: US12050812B2. Автор: Yoshihisa Kojima,Suguru NISHIKAWA,Takehiko Amaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Non-volatile memory device and non-volatile memory system comprising the same

Номер патента: US20230010192A1. Автор: Jung-Hwan Lee,Jin-Soo Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-12.

Controller and memory system having the same

Номер патента: US20220165329A1. Автор: Min Kang,Dong Keun Kim,Jun Hyun Chun,Dong Uc KO,Young Su OH,Hyun Ju YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-05-26.

Memory system storing management information and method of controlling same

Номер патента: US20240281149A1. Автор: Junji Yano,Hidenori Matsuzaki,Kosuke Hatsuda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Clock and data recovery device, memory system, and data recovery method

Номер патента: US20190296888A1. Автор: Hiroyuki Kobayashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-26.

Address mapping method of memory system

Номер патента: US20180196756A1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Jong-hyun Park,Ja-Hyun Koo,Seung-Gyu JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-07-12.

Memory system managing number of read operations using two counters

Номер патента: US20230280943A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Suguru NISHIKAWA,Takehiko Amaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Clock driver, operating method thereof, memory device including clock driver, and memory system

Номер патента: EP4407619A1. Автор: Bumsoo LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-31.

Memory system storing management information and method of controlling same

Номер патента: US9164896B2. Автор: Junji Yano,Hidenori Matsuzaki,Kosuke Hatsuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-10-20.

Memory system for programming dummy data to a portion of a storage region in a program mode

Номер патента: US12068047B2. Автор: Junho Seo,Juwon LEE,Dogyeong LEE,Sukeun KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Address mapping method of memory system

Номер патента: US10025724B1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Jong-hyun Park,Ja-Hyun Koo,Seung-Gyu JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-07-17.

Semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US20200273528A1. Автор: Dae Seok Byeon,Young Sun Min,Young Ho Na. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-27.

Memory system

Номер патента: US20200409610A1. Автор: Hajime Yamazaki,Yasunori Nakamura,Takahiro Miomo,Prashob Ramachandran Nair,Makoto DOMON. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-12-31.

Non-volatile memory device and non-volatile memory system comprising the same

Номер патента: EP4117026A1. Автор: Jung-Hwan Lee,Jin-Soo Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-11.

Clock driver, operating method thereof, memory device including clock driver, and memory system

Номер патента: US20240248511A1. Автор: Bumsoo LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory system

Номер патента: US12087396B2. Автор: Zhao Lu,Yuji Nagai,Mitsuhiro Abe,Hisashi Fujikawa,Akio SUGAHARA,Takehisa KUROSAWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory system

Номер патента: US20130290659A1. Автор: Shigehiro Asano,Junji Yano,Shinichi Kanno,Hidenori Matsuzaki,Kosuke Hatsuda,Toshikatsu Hida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-10-31.

Memory system with adaptive refresh

Номер патента: US12038855B2. Автор: Jungwon Suh,Subbarao Palacharla,Shyamkumar Thoziyoor,Pankaj Deshmukh,Vishakh BALAKUNTALAM VISWESWARA. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20140380008A1. Автор: Yeong Sik YI,Jong Ju PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-12-25.

Nonvolatile protein memory system with optical write/erase and electrical readout capability

Номер патента: US20180350436A1. Автор: Jin Song,Jintae Kim,Dohyun Kim,Yeji Kim,Minsub CHUNG,Kyungju Song. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Hongik University. Дата публикации: 2018-12-06.

Nonvolatile protein memory system with optical write/erase and electrical readout capability

Номер патента: US10403360B2. Автор: Jin Song,Jintae Kim,Dohyun Kim,Yeji Kim,Minsub CHUNG,Kyungju Song. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Hongik University. Дата публикации: 2019-09-03.

Memory system with adaptive refresh

Номер патента: US20240311317A1. Автор: Jungwon Suh,Subbarao Palacharla,Shyamkumar Thoziyoor,Pankaj Deshmukh,Vishakh BALAKUNTALAM VISWESWARA. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory system and method of operating method thereof

Номер патента: US20220012181A1. Автор: Yeong Dong GIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Memory system and refresh method

Номер патента: US20230307031A1. Автор: Rei Kasedo. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Memory system and method for read operation based on grouping of word lines

Номер патента: US20200185040A1. Автор: Fan Zhang,Naveen Kumar,Yu Cai,Aman BHATIA,Chenrong Xiong,Xuanxuan Lu. Владелец: SK Hynix Memory Solutions America Inc. Дата публикации: 2020-06-11.

Memory system

Номер патента: US20230087475A1. Автор: Akira Katayama. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Memory system

Номер патента: US12014794B2. Автор: Seiichi Tajima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200012603A1. Автор: Hae-Gi CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-01-09.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US9684352B2. Автор: Yeong Sik YI,Jong Ju PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US20210149581A1. Автор: Hyeon Cheol Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-05-20.

Apparatus and method for performing recovery operation of memory system

Номер патента: US20200159455A1. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-05-21.

Memory system

Номер патента: US20230026365A1. Автор: Seiichi Tajima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-01-26.

Memory system

Номер патента: EP2111583A1. Автор: designation of the inventor has not yet been filed The. Владелец: . Дата публикации: 2009-10-28.

Memory system with adaptive read-threshold scheme and method of operating such memory system

Номер патента: US20190066803A1. Автор: Fan Zhang,Naveen Kumar,Yu Cai,Aman BHATIA,Chenrong Xiong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Self-timing for a multi-ported memory system

Номер патента: WO2010111394A3. Автор: Nan Chen,Sei Seung Yoon,Chang Ho Jung,Hari Rao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2011-01-20.

Self-Timing For A Multi-Ported Memory System

Номер патента: US20100250865A1. Автор: Nan Chen,Sei Seung Yoon,Chang Ho Jung,Hari Rao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2010-09-30.

Self-timing for a multi-ported memory system

Номер патента: WO2010111394A2. Автор: Nan Chen,Sei Seung Yoon,Chang Ho Jung,Hari Rao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2010-09-30.

Low power content addressable memory system and method

Номер патента: US20060171184A1. Автор: Rajiv Kumar,Anoop Khurana. Владелец: STMICROELECTRONICS PVT LTD. Дата публикации: 2006-08-03.

Memory system and method for optimizing read threshold

Номер патента: US20200027519A1. Автор: Fan Zhang,Yu Cai,Chenrong Xiong,Xuanxuan Lu. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-01-23.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US11163689B2. Автор: Hae-Gi CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-11-02.

Apparatus and method for performing recovery operation of memory system

Номер патента: US20210382660A1. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Memory system in which extended function can easily be set

Номер патента: USRE50101E1. Автор: Hiroyuki Sakamoto,Akihisa Fujimoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Memory system having improved signal integrity

Номер патента: US20110032740A1. Автор: Kwang-soo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-02-10.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200066348A1. Автор: Joo-young Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-02-27.

Method and memory system for writing in data

Номер патента: US20020136061A1. Автор: Helmut Schneider,Robert Kaiser,Florian Schamberger. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-26.

Semiconductor device and memory system including the same

Номер патента: EP4187538A3. Автор: ChiWeon Yoon,Tongsung KIM,Byunghoon Jeong,Youngmin Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-13.

Dual mode memory system and method of working the same

Номер патента: US20190279701A1. Автор: Zhibiao Zhou,Yuanli Ding. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-09-12.

Collision detection in a multi-port memory system

Номер патента: WO2005093758A8. Автор: Tzong-Kwang Henry Yeh,Wei-Ling Chang,Chung-Han Lin,Bill Beane. Владелец: Bill Beane. Дата публикации: 2005-11-24.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US20170109273A1. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-20.

Memory system and method for controlling the same

Номер патента: US20240202111A1. Автор: Mitsunori Tadokoro,Akinori NAGAOKA,Haruka MORI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Multi-Chip Memory System Including DRAM Chips With Integrated Comparator Arrays And Method Of Operating Same

Номер патента: US20240164082A1. Автор: Richard Stephen Roy. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Non-volatile memory system with reset control mechanism and method of operation thereof

Номер патента: US20140226390A1. Автор: Makoto Kitagawa,Wataru Otsuka,Tomohito Tsushima,Jun Sumino,Takafumi Kunihiro. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-08-14.

Memory system

Номер патента: US20160225441A1. Автор: Haruki Toda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-04.

Multi-chip memory system including dram chips with integrated comparator arrays and method of operating same

Номер патента: WO2024107786A1. Автор: RICHARD ROY. Владелец: Atomera Incorporated. Дата публикации: 2024-05-23.

Output circuits for an analog neural memory system for deep learning neural network

Номер патента: US20210174185A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

Output circuits for an analog neural memory system for deep learning neural network

Номер патента: US12061976B2. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor memory system

Номер патента: US9859264B2. Автор: Naoki Kimura,Manabu Matsumoto,Hayato Masubuchi,Toyota Morimoto. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor memory system

Номер патента: US9754632B2. Автор: Naoki Kimura,Manabu Matsumoto,Hayato Masubuchi,Toyota Morimoto. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor memory system

Номер патента: US9437533B2. Автор: Naoki Kimura,Manabu Matsumoto,Hayato Masubuchi,Toyota Morimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Apparatus for externally timing high voltage cycles of non-volatile memory system

Номер патента: US20020054534A1. Автор: Frankie Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-05-09.

Gate signal control circuit for ddr memory system

Номер патента: US20220164136A1. Автор: Sivaramakrishnan Subramanian,Sridhar Cheruku,Hong-Yi Wu,Ko-Ching Chao. Владелец: Faraday Technology Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Semiconductor memory system

Номер патента: US12094866B2. Автор: Naoki Kimura,Manabu Matsumoto,Hayato Masubuchi,Toyota Morimoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Decoder for memory system and method thereof

Номер патента: US20210103494A1. Автор: Fan Zhang,Xuanxuan Lu. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-08.

Memory system

Номер патента: US12032831B2. Автор: Junji Yano,Hidenori Matsuzaki,Kosuke Hatsuda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Transceiver for providing high voltages for erase or program operations in a non-volatile memory system

Номер патента: EP4385018A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Duc Nguyen,Kha Nguyen,Hien Pham. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-19.

Surface wave augmented loop memory system

Номер патента: US4027299A. Автор: Wayne C. Hubbell. Владелец: US Air Force. Дата публикации: 1977-05-31.

Apparatus including memory system controllers and related methods

Номер патента: WO2012166531A2. Автор: Douglas A. Larson,Joseph M. Jeddeloh. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-12-06.

Transceiver for providing high voltages for erase or program operations in a non-volatile memory system

Номер патента: US12062397B2. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Duc Nguyen,Kha Nguyen,Hien Pham. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor memory system

Номер патента: US10607979B2. Автор: Naoki Kimura,Manabu Matsumoto,Hayato Masubuchi,Toyota Morimoto. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-31.

Semiconductor memory system

Номер патента: US10388640B2. Автор: Naoki Kimura,Manabu Matsumoto,Hayato Masubuchi,Toyota Morimoto. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-08-20.

Multi-pump memory system access circuits for sequentially executing parallel memory operations

Номер патента: US20190080737A1. Автор: Francois Ibrahim Atallah,Jihoon Jeong,Keith Alan Bowman,Hoan Huu Nguyen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-03-14.

Memory system with selectively interfaceable memory subsystem

Номер патента: US20220318176A1. Автор: YANG LU,Qing Liang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Idle mode temperature control for memory systems

Номер патента: US20240069784A1. Автор: Francesco Basso,Francesco Falanga,Massimo Iaculo,Antonino Pollio. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory system with selectively interfaceable memory subsystem

Номер патента: US20210382840A1. Автор: YANG LU,Qing Liang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Techniques for memory system refresh

Номер патента: US20230253024A1. Автор: QI Dong,Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Heterogeneous memory systems, and related methods and computer-readable media for supporting heterogeneous memory access requests in processor-based systems

Номер патента: EP2946302A1. Автор: Jungwon Suh,Xiangyu Dong. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-11-25.

Heterogeneous memory systems, and related methods and computer-readable media for supporting heterogeneous memory access requests in processor-based systems

Номер патента: WO2014113374A1. Автор: Jungwon Suh,Xiangyu Dong. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-07-24.

Parameter table protection for a memory system

Номер патента: US11861191B2. Автор: Binbin Huo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Memory system and operating method of the memory system

Номер патента: US20230307073A1. Автор: Moon Sik SEO,Gil Bok CHOI,Dae Hwan YUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Parameter table protection for a memory system

Номер патента: US20240176518A1. Автор: Binbin Huo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Power regulation for memory systems

Номер патента: US20230005551A1. Автор: Thomas H. Kinsley,Fuad Badrieh,Baekkyu Choi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Cross-temperature mitigation in a memory system

Номер патента: US20240028248A1. Автор: Ting Luo,Zhenming Zhou,Murong Lang,Christina Papagianni. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Error correcting memory systems

Номер патента: US11748194B2. Автор: Yu Lu,Chieh-Yu Lin. Владелец: Supermem Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Techniques for memory system refresh

Номер патента: US11961547B2. Автор: QI Dong,Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Power regulation for memory systems

Номер патента: US20210217482A1. Автор: Thomas H. Kinsley,Fuad Badrieh,Baekkyu Choi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

Error correcting memory systems

Номер патента: US20240054050A1. Автор: Yu Lu,Chieh-Yu Lin. Владелец: Supermem Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Identification and storage of boot information at a memory system

Номер патента: US12019884B2. Автор: Jonathan S. Parry,Luca Porzio,Giuseppe Cariello,Roberto IZZI,Reshmi Basu,Christian M. Gyllenskog. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Power regulation for memory systems

Номер патента: US20240096425A1. Автор: Thomas H. Kinsley,Fuad Badrieh,Baekkyu Choi. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-03-21.

Power regulation for memory systems

Номер патента: EP4073797A1. Автор: Thomas H. Kinsley,Fuad Badrieh,Baekkyu Choi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-19.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20190354436A1. Автор: Hyuk Lee,Hoiju CHUNG,Young-Do Hur,Jang-Ryul Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-11-21.

Memory system

Номер патента: CA1262969A. Автор: Takatoshi Ishii. Владелец: ASCII Corp. Дата публикации: 1989-11-14.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20170301400A1. Автор: Eu-Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-19.

Memory system, memory controller and operating method of memory system

Номер патента: US11960359B2. Автор: Geu Rim LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Memory system and operations of the same

Номер патента: EP4273710A3. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-07.

Memory system and operations of the same

Номер патента: US11907546B2. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-02-20.

Memory system and data processing system

Номер патента: US11782782B2. Автор: Seung Hun Kim,Young Kyu JEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Data erase operations for a memory system

Номер патента: US20230005548A1. Автор: Jonathan Tanguy,Adam J. Hieb,Preston A. Thomson,Kevin R. Brandt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Memory controller searching for data input/output voltage, memory system, and operating method of the memory system

Номер патента: US20230384955A1. Автор: Byungwook SO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-30.

Debug interface between a host system and a memory system

Номер патента: US20240061611A1. Автор: Haihong Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Memory controller, memory module, and memory system and operation methods thereof

Номер патента: US20180129418A1. Автор: Young-Ook SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-10.

Selectable memory system erase function

Номер патента: US20240177762A1. Автор: Frank F. Ross. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Memory system and operations of the same

Номер патента: EP4273710A2. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-08.

Memory system and operations of the same

Номер патента: US20240176510A1. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-05-30.

Host identification for a memory system

Номер патента: US20210382639A1. Автор: Qing Liang,Jun Huang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Semiconductor memory system for flash memory

Номер патента: US20080126678A1. Автор: Nagamasa Mizushima. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2008-05-29.

Memory system having two-way ring topology and memory device and memory module for ring-topology memory system

Номер патента: US7093076B2. Автор: Kye-Hyun Kyung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-08-15.

Memory centric computational memory system

Номер патента: US20230393781A1. Автор: Robert D. Norman. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Memory system for optimizing on-die termination settings of multi-ranks, method of operation of memory system, and memory controller

Номер патента: US20230342050A1. Автор: Taeyoung Oh,Youngdo Um,Hoseok Seol. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-26.

Memory device, memory system including memory device, and method of operating memory system

Номер патента: US20240004557A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Host identification for a memory system

Номер патента: US20240028226A1. Автор: Qing Liang,Jun Huang. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-01-25.

Techniques to refresh memory systems operating in low power states

Номер патента: US20230317135A1. Автор: Christopher Joseph Bueb,Vincenzo Reina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Managing error correction coding in memory systems

Номер патента: US11983124B2. Автор: Kuan-Chieh Wang,Shih-Chou Juan. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Memory system and operating method of memory system

Номер патента: US20230317124A1. Автор: Tung Ying Lee,Meng-Fan Chang,Win-San Khwa,Ping-Chun Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Managing error correction coding in memory systems

Номер патента: US20220318090A1. Автор: Kuan-Chieh Wang,Shih-Chou Juan. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Memory system and method of operating memory system

Номер патента: US20210026564A1. Автор: Sung Ho Kim,Jae Min Lee,Seung Il Kim,Min Ho HER. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Parallel memory systems

Номер патента: WO2012123061A9. Автор: Martin Vorbach. Владелец: HYPERION CORE INC.. Дата публикации: 2012-11-15.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20240184487A1. Автор: WooSeong Cheong,Kyungeun CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-06.

Data erase operations for a memory system

Номер патента: US20210035645A1. Автор: Jonathan Tanguy,Adam J. Hieb,Preston A. Thomson,Kevin R. Brandt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Parallel memory systems

Номер патента: US20190197015A1. Автор: Martin Vorbach. Владелец: HYPERION CORE Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Initializing memory systems

Номер патента: WO2023004267A1. Автор: Won Ho Choi,Erik V. Pohlmann,Scott SCHLACHTER. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-01-26.

Reducing charge migration in a memory system

Номер патента: US20240170052A1. Автор: Amiya Banerjee,Kranthi Kumar Vaidyula,Jameer Mulani. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: EP4379561A1. Автор: WooSeong Cheong,Kyungeun CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-05.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20220156144A1. Автор: In Jong Jang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-05-19.

Memory system having memory devices each including a programmable internal register

Номер патента: US6044426A. Автор: Mark Horowitz,Michael Farmwald. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2000-03-28.

Method and system for generation and distribution of supply voltages in memory systems

Номер патента: GB2390202A. Автор: Chi-Ming Wang,Geoffrey Steven Gongwer,Raul Adrian Cernea,Yongliang Wang,Kevin M Conley. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2003-12-31.

Memory system and method of operating the memory system

Номер патента: US20200349987A1. Автор: Dong Hyun Lee,Seung Jin PARK,Chang Kyun PARK,Young Sik KOH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-11-05.

Systems and Methods for Immediate Physical Erasure of Data Stored In a Memory System In Response to a User Command

Номер патента: US20150347053A1. Автор: Konstantin Stelmakh,Gabi Brontvein,Menaham Lasser,Long Cuu Pham. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-12-03.

Memory Systems and Memory Programming Methods

Номер патента: US20180090206A1. Автор: Richard E. Fackenthal,Simone Lombardo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-29.

Systems and methods for preventing data remanence in memory systems

Номер патента: EP2710596A2. Автор: Bruce B. Pedersen,Dirk A. Reese. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2014-03-26.

Systems and methods for preventing data remanence in memory systems

Номер патента: WO2012148743A2. Автор: Bruce B. Pedersen,Dirk A. Reese. Владелец: Altera Corporation. Дата публикации: 2012-11-01.

Address verification at a memory system

Номер патента: US20240045617A1. Автор: Stephen Hanna. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Power control for boot-up of memory systems

Номер патента: US11868632B2. Автор: Jonathan S. Parry,David Aaron Palmer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Computer memory systems employing localized generation of global bit line (gbl) clock signal to reduce clock signal read path divergenge for improved signal tracking, and related methods

Номер патента: WO2023235055A1. Автор: Rajesh Kumar,Sai Prakash Reddy BIJIVEMULA. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2023-12-07.

Computer memory systems employing localized generation of global bit line (gbl) clock signal to reduce clock signal read path divergenge for improved signal tracking, and related methods

Номер патента: US20230395127A1. Автор: Rajesh Kumar,Sai Prakash Reddy BIJIVEMULA. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-12-07.

Systems and methods for immediate physical erasure of data stored in a memory system in response to a user command

Номер патента: US20170212833A1. Автор: Konstantin Stelmakh,Gabi Brontvein,Menaham Lasser,Long Cuu Pham. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-07-27.

Method for facilitating a memory system operable in advance during power-up, memory controller therefor, and memory system capable of being operable in advance during power-up

Номер патента: US20210255787A1. Автор: Teng-Chuan Cheng. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2021-08-19.

Memory system and method of operating the memory system

Номер патента: US20200348886A1. Автор: Dong Hyun Lee,Seung Jin PARK,Chang Kyun PARK,Young Sik KOH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-11-05.

Memory Systems and Memory Programming Methods

Номер патента: US20150170740A1. Автор: Richard E. Fackenthal,Simone Lombardo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-06-18.

Memory Systems and Memory Programming Methods

Номер патента: US20160254051A1. Автор: Richard E. Fackenthal,Simone Lombardo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-01.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20210181952A1. Автор: Kyung Bum Kim,JiMan Hong,Gi Bbeum HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Computer memory systems employing localized generation of global bit line (GBL) clock signal to reduce clock signal read path divergence for improved signal tracking, and related methods

Номер патента: US12033687B2. Автор: Rajesh Kumar,Sai Prakash Reddy BIJIVEMULA. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-07-09.

Hybrid solid-state memory system having volatile and non-volatile memory

Номер патента: US20090279366A1. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2009-11-12.

Non-volative memory system configured to mitigate errors in read and write operations

Номер патента: US20230315325A1. Автор: Soenke Ostertun. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-10-05.

Memory systems and operation methods thereof, memory controllers and memories

Номер патента: US20240126478A1. Автор: Hua Tan,Yufei FENG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Memory system, a method of determining an error of the memory system and an electronic apparatus having the memory system

Номер патента: US20190235977A1. Автор: Chul-Hwan Choo,Soo-Hyung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-08-01.

Write operation techniques for memory systems

Номер патента: WO2021112956A1. Автор: Hongmei Wang,Christina Papagianni,Zhongyuan Lu,Robert J. Gleixner. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-10.

Addressing scheme for a memory system

Номер патента: US20220058145A1. Автор: Eric J. Stave. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-24.

Non-volative memory system configured to mitigate errors in read and write operations

Номер патента: US11941281B2. Автор: Soenke Ostertun. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-03-26.

Temperature exception tracking in a temperature log for a memory system

Номер патента: US20220228925A1. Автор: David Aaron Palmer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-07-21.

Memory system, memory module, and operation method of memory system

Номер патента: US20200142772A1. Автор: Hoiju CHUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-05-07.

Managing Open Blocks in Memory Systems

Номер патента: US20210397510A1. Автор: Zheng Wu,Yi-Chun Liu,Wei Jie Chen,Ching Ting Lu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Determining read voltages for memory systems

Номер патента: US20230153198A1. Автор: Yu-Ming Huang,Yung-Chun Li. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-18.

Memory system

Номер патента: US20020159284A1. Автор: Yoshinobu Nakagome,Yoji Nishio,Seiji Funaba. Владелец: Seiji Funaba. Дата публикации: 2002-10-31.

Write operation techniques for memory systems

Номер патента: US20210166746A1. Автор: Hongmei Wang,Christina Papagianni,Zhongyuan Lu,Robert J. Gleixner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-03.

Reduced power consumption by memory system

Номер патента: US20230350482A1. Автор: Jun Shen,Guang Chang Ye,Tao Xiong,Jizhe Xing. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Remote direct memory access in multi-tier memory systems

Номер патента: US11977787B2. Автор: Samir Mittal,Gurpreet Anand,Anirban Ray,Parag R. Maharana. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Multi-rank collision reduction in a hybrid parallel-serial memory system

Номер патента: EP3427153A1. Автор: Javid Jaffari,Dexter Tamio Chun,Yanru Li,Amin Ansari. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-01-16.

Memory system

Номер патента: US11907579B2. Автор: Hidekazu Nanzawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Performance optimization of read functions in a memory system

Номер патента: US20170031787A1. Автор: Saravanan Sethuraman,Timothy J. Dell,Diyanesh B. C. Vidyapoornachary. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-02.

Memory system and method of operating the same

Номер патента: US20190103169A1. Автор: Dong Uk Lee,Jae Hyuk BANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-04-04.

Methods of synchronizing memory operations and memory systems employing the same

Номер патента: US20190065109A1. Автор: Matthew A. Prather,Frank F. Ross. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Methods of synchronizing memory operations and memory systems employing the same

Номер патента: US10976960B2. Автор: Matthew A. Prather,Frank F. Ross. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-13.

Memory system and operating method of the memory system inputting an additional read enable toggle signal to output status information of memory device

Номер патента: US11880599B2. Автор: Dae Sung Kim,Sung Ho Ahn,Jae Hyeong Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Multi-rank collision reduction in a hybrid parallel-serial memory system

Номер патента: WO2017155662A1. Автор: Javid Jaffari,Dexter Tamio Chun,Yanru Li,Amin Ansari. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-09-14.

Addressing scheme for a memory system

Номер патента: US20210216479A1. Автор: Eric J. Stave. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

Memory controller including ECC circuit, memory system having the same, and method of operating memory system and memory controller

Номер патента: US11036577B2. Автор: Sung-Kyu Park,Beom-kyu Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-15.

Memory systems and memory programming methods

Номер патента: US11817147B2. Автор: Makoto Kitagawa,Adam Johnson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Temperature exception tracking in a temperature log for a memory system

Номер патента: US11988563B2. Автор: David Aaron Palmer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Write operation techniques for memory systems

Номер патента: US20220130444A1. Автор: Hongmei Wang,Christina Papagianni,Zhongyuan Lu,Robert J. Gleixner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-04-28.

Write operation techniques for memory systems

Номер патента: EP4070314A1. Автор: Hongmei Wang,Christina Papagianni,Zhongyuan Lu,Robert J. Gleixner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-12.

Memory controller including ecc circuit, memory system having the same, and method of operating memory system and memory controller

Номер патента: US20200151054A1. Автор: Sung-Kyu Park,Beom-kyu Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-14.

Memory controller including ecc circuit, memory system having the same, and method of operating memory system and memory controller

Номер патента: US20210263794A1. Автор: Sung-Kyu Park,Beom-kyu Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-08-26.

Memory system and data transmission method

Номер патента: US20190348085A1. Автор: Yoshinori Matsui. Владелец: Longitude Licensing Ltd. Дата публикации: 2019-11-14.

Operation method of nonvolatile memory system and operation method of nonvolatile memory device

Номер патента: US20180005700A1. Автор: Ju Seok Lee,Daeseok Byeon,Donghun Kwak,Hee-Woong Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-04.

Memory system, method and predecoding circuit operable in different modes for selectively accessing multiple blocks of memory cells for simultaneous writing or erasure

Номер патента: US20050281121A1. Автор: Christophe Chevallier,Vinod Lakhani,Mathew Adsitt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-12-22.

Memory systems comprising non-volatile memory devices

Номер патента: US20200233739A1. Автор: Hee-Tai Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-23.

Memory system

Номер патента: US20170110207A1. Автор: Chang-Hyun Kim,Jae-Jin Lee,Yong-Woo Lee,Min-Chang Kim,Do-Yun LEE,Hoe-Kwon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-20.

Memory system and operating method determining target status read check period in thermal throttling mode

Номер патента: US11854659B2. Автор: Seon Ju Lee,Da Seul LEE,You Min JI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Memory system and method of operating the same

Номер патента: US11848057B2. Автор: Eun Jae Ock. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Memory system and method of operating the same

Номер патента: US20210065828A1. Автор: Bongsoon LIM,Yonghyuk Choi,Jaeduk Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-04.

Memory system and method of operating the same

Номер патента: US11829645B2. Автор: Bongsoon LIM,Yonghyuk Choi,Jaeduk Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-28.

Memory system tester using test pad real time monitoring

Номер патента: US11763908B2. Автор: Andrea Pozzato,Mauro Luigi Sali,Andrea Vigilante,Gianluca Scalisi,Andrea Salvioni. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Memory system that handles access to bad blocks

Номер патента: US20170062076A1. Автор: Tetsuya Iwata,Shinya Takeda,Yoshio Furuyama,Shunsuke KODERA,Toshihiko KITAZUME,Kenichirou KADA,Nobuhiro Tsuji,Hirosuke NARAI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-02.

Molecular memory systems and methods

Номер патента: EP1374246A2. Автор: Yong Chen,Robert G Walmsley. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2004-01-02.

Molecular memory systems and methods

Номер патента: EP1374246B1. Автор: Yong Chen,Robert G Walmsley. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2007-05-09.

Memory system and label component

Номер патента: US12058843B2. Автор: Yoshiaki Yoshihara. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Read/write device for a hard-disk memory system, and corresponding manufacturing process

Номер патента: US20230019422A1. Автор: Domenico Giusti,Marco Ferrera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-01-19.

Memory system and label component

Номер патента: US20230269914A1. Автор: Yoshiaki Yoshihara. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Intermediate memory system for connecting microcomputers to a rotating disk memory

Номер патента: US4949245A. Автор: Guy Rabbat,Peter D. Martin,Larry Groshart,Sandra Wolner. Владелец: Modular Computer Systems Inc. Дата публикации: 1990-08-14.

Multimedia Playback System, FIFO Memory System, and Method for Storing Multimedia Data

Номер патента: US20080049036A1. Автор: Chi-Lun Chang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2008-02-28.

Memory block utilization in memory systems

Номер патента: US12099734B2. Автор: Bo Zhou,Deping He,Caixia Yang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Apparatus and method for managing meta data for engagement of plural memory system to store data

Номер патента: US20200042460A1. Автор: Ik-sung OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-02-06.

Memory system and operation method thereof and power management module

Номер патента: US20240295916A1. Автор: MeiFa CHEN,Guiyuan Duan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Correction of communication line errors in a memory system

Номер патента: RU2710977C1. Автор: Дзунгвон СУХ. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2020-01-14.

Techniques for efficient memory system programming

Номер патента: US20240289019A1. Автор: Dionisio Minopoli,Luca Porzio,Paolo Amato,Daniela Ruggeri. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory channel selection in a multi-channel memory system

Номер патента: US20130326158A1. Автор: Lin Chen,Long Chen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-12-05.

Techniques for memory system standby mode control

Номер патента: US20240281158A1. Автор: Junam Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Distributed autonomous power management in a memory system

Номер патента: WO2008017625B1. Автор: Kevin Gower,Robert Tremaine. Владелец: Robert Tremaine. Дата публикации: 2008-05-29.

Partitioning of memory system resources or performance monitoring

Номер патента: EP3568763A1. Автор: Steven Douglas KRUEGER. Владелец: Advanced Risc Machines Ltd. Дата публикации: 2019-11-20.

Data processing system and method for accessing heterogeneous memory system

Номер патента: EP4102377A1. Автор: Gun KO,Seokmin LEE,Wonseb Jeong,Hongju KAL,Wonwoo RO. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2022-12-14.

Memory system host data reset function

Номер патента: US20240281373A1. Автор: Yanhua Bi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Techniques to configure zonal architectures of memory systems

Номер патента: US20240281156A1. Автор: Christian M. Gyllenskog. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Performance in a fragmented memory system

Номер патента: US12079514B2. Автор: Sharath Chandra Ambula,Vanaja Urrinkala. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Cache memory system and method of a computer

Номер патента: US6173365B1. Автор: Nai-Shung Chang. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2001-01-09.

Memory system, memory controller and operating method of the memory system operating as read boost mode

Номер патента: US12099751B2. Автор: Eu Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Data replication in memory systems

Номер патента: US20180121099A1. Автор: Luis Miguel Vaquero Gonzalez,Suksant SAE LOR. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2018-05-03.

Data replication in memory systems.

Номер патента: EP3311280A1. Автор: Luis Miguel Vaquero Gonzalez,Suksant SAE LOR. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2018-04-25.

Enhanced performance memory systems and methods

Номер патента: WO2009032152A1. Автор: David K. Ovard,Roy E. Greeff. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2009-03-12.

Enhanced performance memory systems and methods

Номер патента: US9154131B2. Автор: David K. Ovard,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-10-06.

Enhanced performance memory systems and methods

Номер патента: US8400810B2. Автор: David K. Ovard,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-03-19.

Performance in a fragmented memory system

Номер патента: US20230289096A1. Автор: Sharath Chandra Ambula,Vanaja Urrinkala. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Memory system including memory controller and memory device and method for recovering from an error thereof

Номер патента: US20240168846A1. Автор: Sung-Joon Kim,Ho-Young Lee,Kyung-Hee Han,Insu Choi,Changho YUN,Kyungjin PARK,Ilho Kim,Jinhun JEONG,Yunmi HWANG,Jongwon Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Memory system, memory controller, and operation method of memory system for loading and updating mapping information to host memory area

Номер патента: US12072809B2. Автор: Kyu Ho Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Cyclic redundancy check (crc) retry for memory systems in compute express link (cxl) devices

Номер патента: US20230259424A1. Автор: Marco Sforzin,Paolo Amato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

High speed memory systems and methods for designing hierarchical memory systems

Номер патента: US20160328170A1. Автор: Sundar Iyer,Shang-Tse Chuang. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-10.

Memory system, method of controlling memory system, and host system

Номер патента: US20230305986A1. Автор: Naoki Kimura,Nana Kawamoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Determining reference voltage offsets for read operations in a memory system

Номер патента: US20240272798A1. Автор: Jianying Zhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Critical data management within a memory system

Номер патента: US20240281324A1. Автор: Deping He,Caixia Yang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Command prioritization techniques for reducing latency in a memory system

Номер патента: US20240220161A1. Автор: Olivier DUVAL,Christopher Joseph Bueb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Error tracking by a memory system

Номер патента: US20240248781A1. Автор: Sai Krishna Mylavarapu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Plane balancing in a memory system

Номер патента: US20240302991A1. Автор: John J. Kane,Byron D. Harris,Vivek Shivhare. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Physical interface configuration buffer in a flash memory system

Номер патента: US20240319916A1. Автор: Hung Vuong,Benish Babu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Error evaluation for a memory system

Номер патента: US20230222032A1. Автор: Matthew D. Jenkinson,Christopher G. Wieduwilt,Seth A. Eichmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Memory system, memory controller, and operation method of memory system

Номер патента: US20210389903A1. Автор: Seung Gu JI,Hyung Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

Three tiered hierarchical memory systems

Номер патента: US20210056025A1. Автор: Richard C. Murphy,Anton Korzh,Vijay S. Ramesh,Scott Matthew STEPHENS. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

Memory controller and method for use in memory controller of memory system

Номер патента: WO2023072381A1. Автор: Assaf Natanzon,Zvi Schneider. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-05-04.

Flash-based memory system with robust backup and restart features and removable modules

Номер патента: WO2011082362A1. Автор: Charles J. Camp,Timothy J. Fisher,Holloway H. Frost,Don D. Davis,Adrian P. Glover,Josh H. Morris. Владелец: TEXAS MEMORY SYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2011-07-07.

Allocating variable media types of memory devices in a memory system

Номер патента: US20190332290A1. Автор: Michael B. Danielson,Paul A. Suhler,James H. Meeker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Unmap backlog in a memory system

Номер патента: US12039194B2. Автор: Tian Liang,Xu Zhang,Xing Wang,Junjun Wang,Huachen Li,Guan Zhong Wang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Data processing method and apparatus, processor, and hybrid memory system

Номер патента: EP4390648A1. Автор: Huan Chen,Xiaoping Zhu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Hierarchical memory systems

Номер патента: US20210055884A1. Автор: Richard C. Murphy,Anton Korzh,Vijay S. Ramesh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

Hierarchical memory systems

Номер патента: WO2021034654A1. Автор: Richard C. Murphy,Anton Korzh,Vijay S. Ramesh. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-02-25.

Application programming interface enabling application programs to control allocation of physical memory in a virtual memory system

Номер патента: EP1023661A1. Автор: G. Eric Engstrom,Craig G. Eisler. Владелец: Microsoft Corp. Дата публикации: 2000-08-02.

Memory system and operating method of memory system

Номер патента: US20170371548A1. Автор: Gi-Pyo UM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-28.

Memory system in a dual processor device and a method of initialising memory in a dual processor device

Номер патента: WO2004074977A3. Автор: Michal Polak. Владелец: Michal Polak. Дата публикации: 2005-03-03.

Memory system in a dual processor device and a method of initialising memory in a dual processor device

Номер патента: WO2004074977A2. Автор: Michal Polak. Владелец: Advanced Digital Broadcast Polska Sp. Z O.O.. Дата публикации: 2004-09-02.

Scalable architecture enabling large memory system for in-memory computations

Номер патента: US12099736B2. Автор: Hongzhong Zheng,Dongyan Jiang,Qiang Peng. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Inter-memory movement in a multi-memory system

Номер патента: US20240201885A1. Автор: Sourabh Dhir,Kang-Yong Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory system, memory controller and method for operating memory system

Номер патента: US20210004330A1. Автор: Byung Jun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-07.

Memory system with first cache for storing uncompressed look-up table segments and second cache for storing compressed look-up table segments

Номер патента: US11455256B2. Автор: Tomonori Yokoyama,Mitsunori Tadokoro,Satoshi Kaburaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-27.

Memory system and method of operating the same

Номер патента: US10922200B2. Автор: Jin Woong Kim,Se Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-02-16.

Memory system including a nonvolatile memory and control method

Номер патента: US20220066640A1. Автор: Masahiro Takeshita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Memory system including a nonvolatile memory and control method

Номер патента: US11314412B2. Автор: Masahiro Takeshita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-04-26.

Synchronizing operations between decks of a memory system

Номер патента: US20240281162A1. Автор: Amiya Banerjee,Thibash Rajamani Balakrishnan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Scalable architecture enabling large memory system for in-memory computations

Номер патента: US20200065017A1. Автор: Hongzhong Zheng,Dongyan Jiang,Qiang Peng. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-27.

Non-volatile memory system, memory card having the same, and operating method of non-volatile memory system

Номер патента: US10095303B2. Автор: Hwa-Seok Oh,Seok-Won Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-10-09.

Packed commands for communicating with flash memory system

Номер патента: US20240302965A1. Автор: Madhu Yashwanth Boenapalli,Surendra Paravada,Sai Praneeth Sreeram. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Data processing arrangement and memory system

Номер патента: EP1084466A1. Автор: Marc Duranton. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-03-21.

Runtime selection of memory devices and storage devices in a disaggregated memory system

Номер патента: US20220214805A1. Автор: Richard C. Murphy,Reshmi Basu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-07-07.

Hybrid memory system and accelerator including the same

Номер патента: US20240045588A1. Автор: Jie Zhang,Myoungsoo Jung,Hanyeoreum BAE. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2024-02-08.

Memory system with selective access to first and second memories

Номер патента: US20200065000A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Memory system with selective access to first and second memories

Номер патента: US20210208784A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-07-08.

Memory system with selective access to first and second memories

Номер патента: US9280461B2. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-08.

Memory system with selective access to first and second memories

Номер патента: US20240118804A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Memory system with selective access to first and second memories

Номер патента: US20230049754A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-02-16.

Runtime selection of memory devices and storage devices in a disaggregated memory system

Номер патента: US11762553B2. Автор: Richard C. Murphy,Reshmi Basu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Memory system having system buffer and method of operating the memory system

Номер патента: US20220334761A1. Автор: In Jong Jang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-20.

Memory system with selective access to first and second memories

Номер патента: US10474360B2. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-11-12.

Memory system with selective access to first and second memories

Номер патента: US10956039B2. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-03-23.

Memory system with selective access to first and second memories

Номер патента: US20160147455A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-05-26.

Memory system

Номер патента: US20170109073A1. Автор: Chang-Hyun Kim,Jae-Jin Lee,Yong-Woo Lee,Min-Chang Kim,Do-Yun LEE,Hoe-Kwon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-20.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US11747989B2. Автор: Hideki Yoshida,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Memory system and bus switch

Номер патента: US20140331005A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-11-06.

Memory system and bus switch

Номер патента: US20140052903A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-02-20.

Memory system and bus switch

Номер патента: US8595410B2. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-11-26.

Memory system, method of controlling access to memory system, and mobile computing device

Номер патента: US20220091759A1. Автор: Yoshiyuki Kudoh,Kentaro Umesawa,Hirotomo Kobayashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Memory systems and operation methods thereof

Номер патента: US20240281147A1. Автор: Yufei FENG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory system, memory controller and operating method of the memory system for controlling garbage collection

Номер патента: US20230297502A1. Автор: Gi Pyo UM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Convolutional hierarchical temporal memory system and method

Номер патента: US20220237453A1. Автор: Max Lee,Teja Veeramacheneni. Владелец: Sonasoft Corp. Дата публикации: 2022-07-28.

Page merging for buffer efficiency in hybrid memory systems

Номер патента: US20130042059A1. Автор: Xiaochen Guo,Arun Jagatheesan. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-02-14.

Memory system controlling load capacity

Номер патента: US8832362B2. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-09.

Controller, operating method of the controller and memory system

Номер патента: US20210303176A1. Автор: Hee Chan Shin,Do Hyeong LEE,Yong Seok Oh,Young Ho AHN,Jae Gwang Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20210064290A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Optimization of data access and communication in memory systems

Номер патента: US20230362280A1. Автор: Gurpreet Anand,Anirban Ray,Parag R. Maharana. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Memory system and operating method of memory system

Номер патента: US12050533B2. Автор: In Jong Jang,Kyu Min LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Memory system, information processing apparatus, and information processing system

Номер патента: US11775184B2. Автор: Teruji Yamakawa,Kentaro Umesawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Apparatus and methods for direct co-processor access to prestored file system data in a non-volatile memory system

Номер патента: US20240220115A1. Автор: Paul Blinzer,David Livingstain Ziman. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Data type identification schemes for memory systems

Номер патента: US20240289053A1. Автор: Giuseppe Cariello. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory and for reducing a buffer size

Номер патента: US20240264776A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory system with multiple memory ranks and method of operating the memory system with multiple memory ranks

Номер патента: US20240289020A1. Автор: Dong-Gun KIM,Da Yeon Yun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Assigning blocks of memory systems

Номер патента: US20240319899A1. Автор: Deping He,Caixia Yang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory system related to selectively storing data and a corresponding map, and an operating method of the memory system

Номер патента: US20240143193A1. Автор: Kyung Hoon Lee,Tae Yeon Hwang,Sung Kwan Hong,Sung Hun JEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200081632A1. Автор: Chan-Jong WOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-03-12.

Method for operating memory system, memory controller, memory system and electronic device

Номер патента: US20240168886A1. Автор: Tao Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Memory system for supporting internal dq termination of data buffer

Номер патента: US20180329850A1. Автор: Young-Ho Lee,In-su Choi,Hui-chong Shin,Sun-Young Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-11-15.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory and for reducing a buffer size

Номер патента: US20220334771A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-10-20.

Memory device, memory system including the same, and operating method of memory system

Номер патента: EP4411551A1. Автор: Jungho Park,Insu Kim,Jaeyong Jeong,Beomkyu Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-07.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20190102086A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-04-04.

Alleviating interconnect traffic in a disaggregated memory system

Номер патента: US12019904B2. Автор: Sergey Blagodurov,Seyedmohammad Seyedzadehdelcheh,Vamsee Reddy Kommareddy. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Memory system, computing system, and methods thereof

Номер патента: US20190310944A1. Автор: Rajat Agarwal,Wei P. CHEN,Chet R. Douglas,Tiffany J. Kasanicky,Andy Rudoff. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-10-10.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory and for reducing a buffer size

Номер патента: US20230297288A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory system and information processing system

Номер патента: US12099732B2. Автор: Hiroshi KATOUGI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Controller, memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200057728A1. Автор: Sang Hyun Kim,Duck Hoi KOO,Soong Sun SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-02-20.

Fault tolerant memory systems and components with interconnected and redundant data interfaces

Номер патента: US20170091040A1. Автор: Frederick A. Ware,Kenneth L. Wright. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-03-30.

Memory system and integrated management method for plurality of dma channels

Номер патента: US20110153878A1. Автор: Jong Dae Kim,Tae Moon Roh,Jong Kee Kwon,Chun Gi Lyuh,Ik Jae CHUN,Se Wan HEO,Sang Hun Yoon. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2011-06-23.

Memory systems and operation methods thereof

Номер патента: US20240311237A1. Автор: Yufei FENG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Managing operations in memory systems

Номер патента: WO2024182999A1. Автор: Weilin Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory with checking a total size indicative of a sum of data length specified by a write command

Номер патента: US12045513B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Memory system and method

Номер патента: US20240248645A1. Автор: Takashi Ishiguro. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory system and method of operating the same

Номер патента: US20220326873A1. Автор: Jin Woo Kim,Jin Won JANG,Hyo Byung HAN,Young Wu CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-13.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory with checking a total size indicative of a sum of data length specified by a write command

Номер патента: US20240295991A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Controller and memory system controlling garbage collection operation at power-on, and method of operating the controller and memory system

Номер патента: US20240160564A1. Автор: Wan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Memory system, memory controller and operating method thereof

Номер патента: US20210103405A1. Автор: Dae Hoon Jang,Young Guen CHOI,Dong Ham YIM,Young Hoon CHA,Jeong Sun PARK,Cheon Ok JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-08.

Managing operations in memory systems

Номер патента: US20240302966A1. Автор: Weilin Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Data separation configurations for memory systems

Номер патента: US20240289031A1. Автор: Nicola Colella,Nitul Gohain. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Performance optimization device of memory system and operating method thereof

Номер патента: US12093526B2. Автор: Ki Tae Kim,In Ho Jung,Seon Ju Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Hierarchical network for stacked memory system

Номер патента: US20240211166A1. Автор: William James Dally,Carl Thomas Gray,Stephen W. Keckler,James Michael O'connor. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Apparatus and method for performing garbage collection in a memory system

Номер патента: US12039184B2. Автор: Hyoung Pil CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory system

Номер патента: US20180275875A1. Автор: Shinji Yonezawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Memory controller and memory system including the memory controller and memory device

Номер патента: US20240264744A1. Автор: Se Chang PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory system, memory controller and operating method thereof for determining garbage collection victim block

Номер патента: US12056047B2. Автор: Jung Woo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory systems for automated computing machinery

Номер патента: WO2007135077B1. Автор: Daniel Dreps,Kevin Gower,Warren Maule,Robert Tremaine. Владелец: Robert Tremaine. Дата публикации: 2008-01-17.

Memory system, firmware update method, and program field

Номер патента: US20240302961A1. Автор: Mariko Matsumoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory system and method

Номер патента: US20240094904A1. Автор: Yifan Tang. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Memory systems having a cache system

Номер патента: US20200151103A1. Автор: Jung Hyun Kwon,Jin Woong SUH,Seung Gyu JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-05-14.

Memory system and control method

Номер патента: US20230376433A1. Автор: Mitsunori Tadokoro,Haruka MORI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Memory system and control method

Номер патента: US12045515B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20240256184A1. Автор: Hideki Yoshida,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory system

Номер патента: US20160216887A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Shinichiro Nakazumi,Tohru Fukuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-07-28.

Memory system that stores data designated by a deletion request in nonvolatile memory

Номер патента: US10949090B2. Автор: Shinji Yonezawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-03-16.

Hierarchical memory systems

Номер патента: US12079139B2. Автор: Vijay S. Ramesh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory system and control method of memory system for shared memory based message routing module

Номер патента: US12067238B2. Автор: Mitsunori Tadokoro. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory programming method, memory device, and memory system

Номер патента: US20240295960A1. Автор: Yao Chen,Zhiliang Xia,Yifan Li. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Memory system and control method

Номер патента: US20240319924A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory system and method for controlling the same

Номер патента: US20230418760A1. Автор: Fumio Hara. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Memory system capable of accessing memory cell arrays in parallel

Номер патента: US20190095108A1. Автор: Riki SUZUKI,Toshikatsu Hida,Sayano AGA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-28.

Memory and an operating method thereof, a memory system

Номер патента: US20230297521A1. Автор: Jiawei Chen,Shu Xie,Wenjie MU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory controller and memory system including same

Номер патента: US20180113641A1. Автор: Shi Hye KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-26.

Techniques for managing temporarily retired blocks of a memory system

Номер патента: US20230045990A1. Автор: Jonathan S. Parry,Deping He,Chun Sum Yeung. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Notifying memory system of host events via modulated reset signals

Номер патента: US12056518B2. Автор: Qing Liang,Jonathan S. Parry,Stephen Hanna,Kulachet Tanpairoj. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory device and memory system for direct communication between the memory devices

Номер патента: US20200104060A1. Автор: Young Geun Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-02.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20200125487A1. Автор: Hideki Yoshida,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-04-23.

Error-tolerant memory system for machine learning systems

Номер патента: US12066890B2. Автор: Sudhanva Gurumurthi,Ganesh Suryanarayan Dasika. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20200241799A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-07-30.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US11392323B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-07-19.

Memory system and storage system

Номер патента: US20240272810A1. Автор: Hirotomo Kobayashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory system

Номер патента: US20230093251A1. Автор: Tomiyuki Yamada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20240295969A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Suguru NISHIKAWA,Toshikatsu Hida,Takehiko Amaki,Shunichi IGAHARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Memory controller managing temperature of memory device and memory system having the memory controller

Номер патента: US20200409608A1. Автор: Young Jae JIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-31.

Memory system and information processing system

Номер патента: US20240086096A1. Автор: Yuki Sasaki,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Memory system capable of accessing memory cell arrays in parallel

Номер патента: US20200089415A1. Автор: Riki SUZUKI,Toshikatsu Hida,Sayano AGA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Flash memory system providing both bios and user storage capability

Номер патента: IL108867A. Автор: . Владелец: SYSTEMS Ltd M. Дата публикации: 1996-12-05.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20180004439A1. Автор: Eu-Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-04.

Memory system, memory controller, and operation method of memory controller for scheduling commands based on power consumption

Номер патента: US11461022B2. Автор: Jung Hyun Kwon,Won Gyu SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-04.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20240248648A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory system and method for operating the same

Номер патента: US12099727B2. Автор: Dong Kyu Lee,Jae Hyun Yoo,Seon Ju Lee,Seung Geol BAEK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Operating method, memory controller, and memory system

Номер патента: US20240211144A1. Автор: Jin Cai,Xianwu Luo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20240201865A1. Автор: Kwang Hun Lee,Won Jun Choi,Jae Gwan Kim,Dong Young Seo,Ye Rin Kim,Bu Yong SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Data processing method and apparatus, processor, and hybrid memory system

Номер патента: US20240231669A1. Автор: Huan Chen,Xiaoping Zhu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory system, memory controller, and method for operating memory system

Номер патента: US11960888B2. Автор: Seok-jun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Memory system and method for operating the same

Номер патента: US20190258577A1. Автор: Jong-Min Lee,Beom-Rae JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-08-22.

Memory system for supporting a merge operation and method for operating the same

Номер патента: US10671538B2. Автор: Jong-Min Lee,Beom-Rae JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-06-02.

Memory system and method for operating the same

Номер патента: US20230297253A1. Автор: Dong Kyu Lee,Jae Hyun Yoo,Seon Ju Lee,Seung Geol BAEK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Nonvolatile memory system

Номер патента: WO2008100415A4. Автор: Pantas Sutardja,Zining Wu,Tony Yoon,Chi-Kong Lee,Lau Nguyen. Владелец: Lau Nguyen. Дата публикации: 2009-01-08.

Memory System and Method for Efficient Padding of Memory Pages

Номер патента: US20160283110A1. Автор: Abhijeet Manohar,Aaron Lee,Vimal Jain,Anne Pao-Ling Koh. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-29.

Asymmetric-channel memory system

Номер патента: US20170249265A1. Автор: Ian P. Shaeffer,Arun Vaidyanath,Sanku Mukherjee. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-08-31.

Memory system

Номер патента: US20240289057A1. Автор: Yoshikazu Takeyama. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory system using host memory buffer and operation method thereof

Номер патента: US20240295988A1. Автор: Kihyun Park,Hyunseok Kim,Shin-Ho Choi,Sooyun LEE,Bumhee LEE,Wooram KIM,Hyeongyu Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-05.

Non-volatile memory system

Номер патента: US20130046919A1. Автор: Bong-Gwan Seol,Jun-Seok Park,Wan-soo Choi,Hee-tak Shin,Won-Jin Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-02-21.

Memory system and storage device

Номер патента: US20230305953A1. Автор: Nobuaki Tojo,Shogo Ochiai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Memory system, memory controller, and operation method of memory controller

Номер патента: US20220113882A1. Автор: Jung Hyun Kwon,Won Gyu SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-04-14.

Cache memory system

Номер патента: EP1231539A3. Автор: Hiroshi c/o Fujitsu Limited Okano,Fumihiko c/o Fujitsu Limited Hayakawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-01-21.

Memory system using host memory buffer and operation method thereof

Номер патента: US12014080B2. Автор: Kihyun Park,Hyunseok Kim,Shin-Ho Choi,Sooyun LEE,Bumhee LEE,Wooram KIM,Hyeongyu Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-18.

Memory system

Номер патента: US20230004306A1. Автор: Shohei Onishi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-01-05.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US12052034B2. Автор: Takahiro Kubota,Yuki Kondo. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Cache memory systems having a flexible buffer memory portion and methods of operating the same

Номер патента: US8443161B2. Автор: Woo-young Jung,Sang-Yeun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-05-14.

Memory system supporting redundant logical domain

Номер патента: US12067298B2. Автор: Hideki Yoshida,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory system

Номер патента: US20240272799A1. Автор: Takashi Nakagawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory system and nonvolatile memory

Номер патента: US20240320089A1. Автор: Daisuke Arizono. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory system and method for controlling the same, and method for maintaining data coherency

Номер патента: US20070186051A1. Автор: Nobuyuki Harada. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-08-09.

Memory system and method

Номер патента: US20230305748A1. Автор: Hotaka Ueki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Memory system with secured performance and reliability, memory controller and method of operating the same

Номер патента: US20240184469A1. Автор: Kwang Su Kim,Youn Won PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Method and apparatus for fragment processing in a vitual memory system

Номер патента: EP1866772A2. Автор: Robert A. Drebin,Wade K. Smith,W. Fritz Kruger. Владелец: ATI TECHNOLOGIES ULC. Дата публикации: 2007-12-19.

Analog rf memory system

Номер патента: EP3152588A1. Автор: John P. Gianvittorio,Harry B. Marr,Walter B SCHULTE, Jr.. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2017-04-12.

Memory system and method

Номер патента: US11928364B2. Автор: Hotaka Ueki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-12.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US20190108136A1. Автор: Jongju Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-04-11.

Protecting shared variables in a software transactional memory system

Номер патента: EP1960879A1. Автор: Bratin Saha,Ali-Reza Adl-Tabatabai. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-08-27.

Memory system and method of controlling memory system

Номер патента: US20180188963A1. Автор: Hiroshi Yao,Kazuhiro Fukutomi,Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-07-05.

Selective decoding for super chip-kill recovery and method of operating such memory system

Номер патента: US20240264903A1. Автор: Fan Zhang,Meysam Asadi,Ahmad Golmohammadi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory system

Номер патента: US20210081275A1. Автор: Yuta Kumano,Hironori Uchikawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Techniques for error detection and correction in a memory system

Номер патента: WO2022046440A1. Автор: Steffen Buch,Aaron P. Boehm. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-03-03.

Memory system and controller

Номер патента: US20230288973A1. Автор: Katsuhiko Ueki,Yoshihisa Kojima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Memory system and method of controlling memory system

Номер патента: US20190294539A1. Автор: Hiroki Matsudaira. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-26.

Method and apparatus for fragment processing in a vitual memory system

Номер патента: WO2006106428A3. Автор: Robert A Drebin,W Fritz Kruger,Wade K Smith. Владелец: Wade K Smith. Дата публикации: 2007-01-18.

Memory system capable of controlling wireless communication function

Номер патента: US20190272228A1. Автор: Kuniaki Ito,Takashi Wakutsu,Shuichi Sakurai,Yasufumi Tsumagari. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-05.

Memory system

Номер патента: US20200293198A1. Автор: Mitsuru ANAZAWA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Memory system and control method

Номер патента: US20180217753A1. Автор: Shinichiro Nakazumi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-08-02.

Memory system

Номер патента: US20240281370A1. Автор: Kohei Oikawa,Yu Nakanishi,Hirotsugu KAJIHARA,Kazuhiro Hiwada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory system and method of controlling memory system

Номер патента: US20200409555A1. Автор: Hiroshi Yao,Kazuhiro Fukutomi,Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-12-31.

Cache Memory System and Method for Accessing Cache Line

Номер патента: US20170262372A1. Автор: Jing Xia,Zhenxi Tu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-14.

Memory system including multiple memories connected in series

Номер патента: US11334286B2. Автор: Hiroyuki Kobayashi,Junji Wadatsumi,Takashi Toi,Jun Deguchi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-05-17.

Memory system including multiple memories connected in series

Номер патента: US10838655B2. Автор: Hiroyuki Kobayashi,Junji Wadatsumi,Takashi Toi,Jun Deguchi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-11-17.

Memory system

Номер патента: US20240193080A1. Автор: Masaru Ogawa,Kenji Sakaue,Noriyuki Moriyasu. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Memory system

Номер патента: US20240143236A1. Автор: Shintaro HABA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Memory system capable of controlling wireless communication function

Номер патента: US20160299696A1. Автор: Kuniaki Ito,Takashi Wakutsu,Shuichi Sakurai,Yasufumi Tsumagari. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-13.

Memory system capable of controlling wireless communication function

Номер патента: US20170344471A1. Автор: Kuniaki Ito,Takashi Wakutsu,Shuichi Sakurai,Yasufumi Tsumagari. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-30.

Memory system including multiple memories connected in series

Номер патента: US20210064276A1. Автор: Hiroyuki Kobayashi,Junji Wadatsumi,Takashi Toi,Jun Deguchi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Sparse coding in a dual memory system for lifelong learning

Номер патента: EP4354345A1. Автор: Elahe Arani,Bahram Zonooz,Fahad Sarfraz. Владелец: Navinfo Europe BV. Дата публикации: 2024-04-17.

Sparse Coding in a Dual Memory System for Lifelong Learning

Номер патента: NL2033752B1. Автор: Arani Elahe,Sarfraz Fahad,Zonooz Bahram. Владелец: Navinfo Europe B V. Дата публикации: 2024-04-26.

Memory system performing cache bypassing operation and cache management method thereof

Номер патента: US20240256452A1. Автор: Shinhaeng KANG,Kyomin Sohn,Suk Han Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory system

Номер патента: US20240311039A1. Автор: Mitsunori Tadokoro,Haruka MORI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Data recovery with enhanced super chip-kill recovery and method of operating such memory system

Номер патента: US20240289028A1. Автор: Fan Zhang,Meysam Asadi,Ahmad Golmohammadi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Sparse coding in a dual memory system for lifelong learning

Номер патента: US20240135169A1. Автор: Elahe Arani,Bahram Zonooz,Fahad Sarfraz. Владелец: Navinfo Europe BV. Дата публикации: 2024-04-25.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20180024774A1. Автор: Beom Ju Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-25.

Memory system for adjusting difference between operation time points in sequential command operations performed in memory device, and operation method thereof

Номер патента: US20210303209A1. Автор: Dong Yeob CHUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Apparatus and method for securing a free memory block in a memory system

Номер патента: US11775426B2. Автор: Dong Young Seo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Memory device and memory system having the same

Номер патента: US20180067693A1. Автор: Byung Ryul Kim,Yong Hwan HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-08.

Grouping requests to reduce inter-process communication in memory systems

Номер патента: US20190370097A1. Автор: Alex Frolikov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-05.

Memory system and memory controller

Номер патента: US8819331B2. Автор: Haruki Toda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-26.

Memory system and method of operating the same

Номер патента: US20240211169A1. Автор: Hyeong Soo Kim,Joon Seop Sim,Soo Hong Ahn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Memory system and non-transitory computer readable recording medium

Номер патента: US12072797B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20240264757A1. Автор: Duck Joo Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory controller and memory system including the same

Номер патента: US20240281321A1. Автор: Dae Sung Kim,Min Su Choi,Jae yong Son. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Electronically moveable terminator and method for using same in a memory system

Номер патента: EP1226502A1. Автор: James A. Gasbarro. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2002-07-31.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200183599A1. Автор: Eu-Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-06-11.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200097401A1. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-03-26.

Memory systems and operating methods thereof

Номер патента: US12079085B2. Автор: Youxin He,Xianwu Luo,Jiangwei Shi. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20240202135A1. Автор: Hideki Yoshida,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory systems and operating methods thereof

Номер патента: US20240168849A1. Автор: Youxin He,Xianwu Luo,Jiangwei Shi. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Controller and memory system including the controller operating memory allocation

Номер патента: US12001885B2. Автор: Duk Joon JEON,Changhwan Youn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Apparatus and method for handling a firmware error in operation of a memory system

Номер патента: US20210064471A1. Автор: Sung-Jin Park,Dong-Hyun Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-03-04.

Apparatus and method for managing map data between host and memory system

Номер патента: US12050795B2. Автор: Jung Woo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Monotonic counter memory system

Номер патента: US20220345135A1. Автор: Chuen-Der Lien,Chi-Shun Lin. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-10-27.

Memory system and information processing system

Номер патента: US20230297254A1. Автор: Takuya Onodera. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory system and information processing system

Номер патента: US12073098B2. Автор: Takuya Onodera. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US10712962B2. Автор: Se-Hyun Kim,Jung-Woo Kim,Kyung-hoon Lee,Sung-Hun JEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-07-14.

Memory system and control method

Номер патента: US20240264749A1. Автор: Takahiro Kubota,Hironori Uchikawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory system and power supply control circuit

Номер патента: US20240281153A1. Автор: Kengo Kumagai,Daiki KAMADA,Yuta HIBE. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US11748012B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Spatio-temporal intelligent digital memory systems and methods

Номер патента: US20240104362A1. Автор: Swarup Bhunia,Prabuddha CHAKRABORTY. Владелец: University of Florida Research Foundation Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US12086444B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory system and method of controlling the memory system

Номер патента: US20240311291A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory system and method of controlling memory chips

Номер патента: US20240302997A1. Автор: Hajime Yamazaki,Konosuke Watanabe,Shinji Yonezawa,Mitsusato Hara,Haruka MORI,Eiji SUKIGARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory system

Номер патента: US20240302994A1. Автор: Yasuhiko Kurosawa,Kenji Sakaue. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory system and computer program product

Номер патента: US8812774B2. Автор: Shigehiro Asano,Kazuhiro Fukutomi,Shinichi Kanno,Akira Yamaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-19.

Operating methods of semiconductor device and memory system each including multi-connection port, and communication method of storage system

Номер патента: US20170199673A1. Автор: Hwa-Seok Oh,Jin-Hyeok Choi,Hyun-Tae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-13.

Memory system

Номер патента: US20140082263A1. Автор: Shigeaki Iwasa,Kohei Oikawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-03-20.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory by controlling the writing of data to and reading of data from a plurality of blocks in the nonvolatile memory

Номер патента: US11762591B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

DDR DIMM, memory system and operation method thereof

Номер патента: US12026050B2. Автор: Ming Huang,Liang Zhang. Владелец: Innosilicon Microelectronics Wuhan Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Memory system and method

Номер патента: US20240201866A1. Автор: Kiyotaka Iwasaki,Atsuo Shono. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Managing Write-to-Read Turnarounds in an Early Read After Write Memory System

Номер патента: US20090119442A1. Автор: Tolga Ozguner,Paul Allen Ganfield,Mark David Bellows,Kent Harold Haselhorst,Ryan Abel Heckendorf. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-05-07.

Managing write-to-read turnarounds in an early read after write memory system

Номер патента: US7752379B2. Автор: Tolga Ozguner,Paul Allen Ganfield,Mark David Bellows,Kent Harold Haselhorst,Ryan Abel Heckendorf. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-07-06.

Memory system and control method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20230299794A1. Автор: Yuki Kondo,Hironori Uchikawa,Naoaki Kokubun. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

High-performance, high-capacity memory systems and modules

Номер патента: US11755508B2. Автор: Frederick A. Ware,Craig E. Hampel,John Eric Linstadt,Ely Tsern,John Yan,Scott C. Best,Thomas J. Giovannini. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2023-09-12.

Adaptive internal table backup for non-volatile memory system

Номер патента: US20120331208A1. Автор: Robert C. Chang,Bahman Qawami,Farshid Sabet-Sharghi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2012-12-27.

Memory system

Номер патента: WO2012137372A1. Автор: Shigeaki Iwasa,Kohei Oikawa. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-10-11.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20180113650A1. Автор: Eu-Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-26.

Memory system controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20230305704A1. Автор: Naoki Esaka,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Memory system controlling nonvolatile memory

Номер патента: US12079473B2. Автор: Naoki Esaka,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20180196744A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-07-12.

Memory system

Номер патента: US20160216894A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Takahiro Nango,Tohru Fukuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-07-28.

Memory system and method

Номер патента: US20190087324A1. Автор: Hiroshi Yao,Naomi Takeda,Kenta Yasufuku. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Memory system and block management method

Номер патента: US20240086111A1. Автор: Yu Nakanishi,Kazuhiro Hiwada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Apparatus for transmitting map information in memory system

Номер патента: US20240241834A1. Автор: Eu-Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Memory system with in stream data encryption/decryption and error correction

Номер патента: WO2006069273A3. Автор: Matthew Davidson,Michael Holtzman,Baruch B Cohen,Muhammed R Islam. Владелец: Muhammed R Islam. Дата публикации: 2006-11-16.

Memory system

Номер патента: US20230305718A1. Автор: Takashi Takemoto,Kensaku Yamaguchi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Controller, memory system and operating method of the controller

Номер патента: US20200310982A1. Автор: Eu Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-10-01.

Memory system

Номер патента: US20240248644A1. Автор: Shuichi Watanabe. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Apparatus and method for transmitting map information and read count in memory system

Номер патента: US20210004167A1. Автор: Jong-Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-07.

Memory system

Номер патента: US20190364093A1. Автор: Masaki Nakagawa,Yoshinari Kumaki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-11-28.

Memory system

Номер патента: US20210344360A1. Автор: Yasuyuki Imaizumi,Takashi Ishiguro,Yifan Tang,Mitsunori Tadokoro,Satoshi Shoji. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-11-04.

Memory system

Номер патента: US20200371867A1. Автор: Yasuyuki Imaizumi,Takashi Ishiguro,Yifan Tang,Mitsunori Tadokoro,Satoshi Shoji. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-11-26.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US12066931B2. Автор: Hideki Yoshida,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory system for processing a delegated task and an operation method thereof

Номер патента: US11740813B2. Автор: Su Won MOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Memory system having a plurality of writing modes

Номер патента: US20170109050A1. Автор: Hiroshi Yao,Kazuhiro Fukutomi,Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-20.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US12079131B2. Автор: Jooyoung Lee,Hoeseung Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory system

Номер патента: US20170242585A1. Автор: Yasuyuki Eguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-24.

Memory system

Номер патента: US20160352809A1. Автор: Masaki Nakagawa,Yoshinari Kumaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-01.

Efficient data management for memory system error handling

Номер патента: US20240289236A1. Автор: Jonathan S. Parry,Jameer Mulani,Nitul Gohain. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory system

Номер патента: US20240320097A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Riki SUZUKI,Toshikatsu Hida. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory system and method

Номер патента: US20240320076A1. Автор: Hiroki Kobayashi,Hirokazu Nagashima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory system and method for operating the same

Номер патента: US20200034299A1. Автор: Hui-Won LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-01-30.

Data relocation scheme selection for a memory system

Номер патента: US12032853B2. Автор: Nicola Colella,Rakeshkumar Dayabhai Vaghasiya,Dhruv Chauhan,Mani Raghavendra Aravapalli,Anil Sindhi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Variable nesting control parameter for table structure providing access control information for controlling access to a memory system

Номер патента: EP4139806A1. Автор: Andrew Brookfield Swaine,Jason Parker,Yuval Elad,Carlos Garcia-Tobin,Alexander Donald Charles CHADWICK. Владелец: Advanced Risc Machines Ltd. Дата публикации: 2023-03-01.

Method for allocation of address space in a virtual memory system

Номер патента: WO1995029446A1. Автор: Patrick W. Penzias Dirks. Владелец: APPLE COMPUTER, INC.. Дата публикации: 1995-11-02.

Distributed memory system, device and process

Номер патента: US20200162549A1. Автор: Pavel Shamis,Alejandro Rico Carro. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2020-05-21.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200379681A1. Автор: Joo-young Lee,Hoe-Seung JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20230305754A1. Автор: Koichi Nagai,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20190089377A1. Автор: Yoshiyuki Sakamaki,Yuta Kumano,Hironori Uchikawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Variable nesting control parameter for table structure providing access control information for controlling access to a memory system

Номер патента: GB2594258A. Автор: PARKER Jason,Elad Yuval,GARCIA-TOBIN Carlos,Brookfield Swaine Andrew,Donald Charles Chadwick Alexander. Владелец: Advanced Risc Machines Ltd. Дата публикации: 2021-10-27.

Variable nesting control parameter for table structure providing access control information for controlling access to a memory system

Номер патента: WO2021214428A1. Автор: Andrew Brookfield Swaine,Jason Parker,Yuval Elad,Carlos Garcia-Tobin,Alexander Donald Charles CHADWICK. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2021-10-28.

Controller and memory system having the controller

Номер патента: US20210165736A1. Автор: Young Ho Kim,Duck Hoi KOO,Suk Ho Jung,Seung Geol BAEK,Gun Woo Yeon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-06-03.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US11768632B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-26.

Memory system, memory controller and control device

Номер патента: US20160259575A1. Автор: Takayuki Tamura,Akira Hikimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-08.

Identifying Memory System Sensitivity to Timing Parameters

Номер патента: US20230350715A1. Автор: Amitabh Mehra,Anil Harwani,William Robert Alverson,Jerry Anton Ahrens,Grant Evan Ley,Joshua Taylor Knight,Jayesh Hari Joshi. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Memory system and control method

Номер патента: US20230315310A1. Автор: Tetsuya Yasuda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Deferred zone adjustment in zone memory system

Номер патента: US20240302984A1. Автор: Nathaniel WESSEL,Byron Harris,Oyvind Hachre. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory system and operating method for increasing data protection in storage failure scenarios and electronic device including the same

Номер патента: EP4336337A1. Автор: Sean Christopher KOCOL. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-13.

Memory system

Номер патента: US20150241952A1. Автор: Hirokazu Morita,Toshikatsu Hida,Mitsunori Tadokoro,Shohei Asami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-08-27.

Memory system and data protection method thereof

Номер патента: US20160034331A1. Автор: Ki Hong Kim,Kee Moon CHUN,Ji Myung Na. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-04.

Dependence prediction in a memory system

Номер патента: WO2010147857A2. Автор: Doug Burger,Robert McDonald,Franziska Roesner,Lakshminarasimhan Sethumadhavan,Stephen W. Keckler. Владелец: Board of Regents, University of Texas System. Дата публикации: 2010-12-23.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20190179743A1. Автор: Jang-Hyun KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-06-13.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20180300200A1. Автор: Young-jun Yoon,Joon-Yong Choi,Kang-Sub Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-10-18.

Electronic device for modeling non-linear memory system and operation method therefor

Номер патента: US20240106692A1. Автор: Hongmin Choi,Sumin KIM,Hyung Sun Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Partial linearly tagged cache memory system

Номер патента: WO2004081796A1. Автор: James K. Pickett. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2004-09-23.

Memory system

Номер патента: US20240319917A1. Автор: Kiyotaro Itagaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Dependence prediction in a memory system

Номер патента: WO2010147857A3. Автор: Doug Burger,Robert McDonald,Franziska Roesner,Lakshminarasimhan Sethumadhavan,Stephen W. Keckler. Владелец: Board of Regents, University of Texas System. Дата публикации: 2011-11-24.

Memory block utilization in memory systems

Номер патента: US20230418491A1. Автор: Bo Zhou,Deping He,Caixia Yang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Address map caching for a memory system

Номер патента: US11966329B2. Автор: Alex Frolikov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

Techniques for managed NAND translation with embedded memory systems

Номер патента: US12001727B2. Автор: Wanmo Wong,Brady L. Keays. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Maintenance command interfaces for a memory system

Номер патента: US11880276B2. Автор: Daniele Balluchi,Danilo Caraccio. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Maintenance command interfaces for a memory system

Номер патента: WO2022026235A1. Автор: Daniele Balluchi,Danilo Caraccio. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-02-03.

Distributed power up for a memory system

Номер патента: US20230359370A1. Автор: Giuseppe Cariello. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Systems and methods for masking latency of memory reorganization work in a compressed memory system

Номер патента: WO2008030672A3. Автор: Michael Ignatowski,Peter Anthony Franaszek,Michael Raymond Trombley,Luis Alfonso Lastras-Montano,David Michael Daly. Владелец: David Michael Daly. Дата публикации: 2008-05-08.

Transferring memory system data to an auxiliary array

Номер патента: US11748005B2. Автор: Qing Liang,Nadav Grosz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

High-availability shared-memory system

Номер патента: WO2002008929A3. Автор: Lynn West,Karlon West. Владелец: Karlon West. Дата публикации: 2003-06-12.

Maintenance command interfaces for a memory system

Номер патента: US20230153204A1. Автор: Daniele Balluchi,Danilo Caraccio. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

Maintenance command interfaces for a memory system

Номер патента: US20220035701A1. Автор: Daniele Balluchi,Danilo Caraccio. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

System and method for conserving power consumption in a memory system

Номер патента: WO2015061541A1. Автор: Dexter Chun,Haw-Jing Lo. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-04-30.

Method and system for utilizing a memory control circuit for controlling data transfer to and from a memory system

Номер патента: US8129947B2. Автор: Ligong Wang,John J. Breen,Shane Chiasson. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2012-03-06.

Memory system having flexible bus structure and method

Номер патента: US6021459A. Автор: Christophe J. Chevallier,Vinod C. Lakhani,Robert D. Norman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-02-01.

Expandable memory system and method for interleaving addresses among memory banks of different speeds and sizes

Номер патента: US5684973A. Автор: Timothy J. Sullivan,Cynthia J. Burns,Ralph C. Frangioso, Jr.,Albert T. Andrade. Владелец: Data General Corp. Дата публикации: 1997-11-04.

Object management in tiered memory systems

Номер патента: WO2022132481A1. Автор: Reshmi Basu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-06-23.

Triple modular redundancy (TMR) radiation hardened memory system

Номер патента: US11861181B1. Автор: Daniel L. Stanley,Richard J. FERGUSON,David D. Moser. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Predictive data storage hierarchical memory systems and methods

Номер патента: US11748262B2. Автор: Anton Korzh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Data storage during power state transition of a memory system

Номер патента: US20240028215A1. Автор: Nicola Colella,Rakeshkumar Dayabhai Vaghasiya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Reducing or avoiding buffering of evicted cache data from an uncompressed cache memory in a compression memory system when stalled write operations occur

Номер патента: EP3577566A1. Автор: Christopher Porter,Christopher Edward Koob,Richard Senior,Gurvinder Singh CHHABRA,Andres Alejandro OPORTUS VALENZUELA,Nieyan Geng,Raghuveer RAGHAVENDRA,Anand Janakiraman. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-12-11.

Memory system and method of operating the same

Номер патента: US11972136B2. Автор: Hyun-seok Kim,Dae-Ho Kim,Yong-Geun Oh,Sung-Jin Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-30.

Triple modular redundancy (tmr) radiation hardened memory system

Номер патента: WO2024035534A1. Автор: Daniel L. Stanley,Richard J. FERGUSON,David D. Moser. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc.. Дата публикации: 2024-02-15.

Information processing system and memory system

Номер патента: US20220334734A1. Автор: Hisashi Fujikawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-10-20.

Memory system and method of operating the same

Номер патента: US11960752B2. Автор: Hyun-seok Kim,Dae-Ho Kim,Yong-Geun Oh,Sung-Jin Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-16.

Predictive data storage hierarchical memory systems and methods

Номер патента: US20200285577A1. Автор: Anton Korzh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-09-10.

Predictive data storage hierarchical memory systems and methods

Номер патента: US20210382821A1. Автор: Anton Korzh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Reducing or avoiding buffering of evicted cache data from an uncompressed cache memory in a compression memory system when stalled write operations occur

Номер патента: WO2018144184A1. Автор: Christopher Porter,Christopher Edward Koob,Richard Senior,Gurvinder Singh CHHABRA,Andres Alejandro OPORTUS VALENZUELA,Nieyan Geng,Raghuveer RAGHAVENDRA,Anand Janakiraman. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-08-09.

Provisioning memory in a memory system for mirroring

Номер патента: US9411695B2. Автор: Raghuswamyreddy Gundam,Mehul M. Shah,Wingcheung Tam,Shiva R. Dasari,Newton P. Liu,Douglas W. Oliver. Владелец: Lenovo Enterprise Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Memory system and information processing system

Номер патента: US11853599B2. Автор: Minoru Uchida,Koichi Inoue,Akira Aoki,Yasuaki Nakazato,Kouji Saitou,Takeshi Nakano,Masaru Ogawa,Shinji Maeda,Shinya Takeda,Mikio Takasugi,Hironori Nagai,Takumi Sasaki,Kenji Sakaue,Shingo TANIMOTO,Akihito TOUHATA,Akihiko ISHIHARA,Yosuke KINO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-26.

Memory cell access techniques for memory systems

Номер патента: US11880595B2. Автор: Benjamin Rivera,Joseph A. DE LA CERDA,Nicolas Soberanes,Bruce J. Ford. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Memory system and method for controlling memory system

Номер патента: US8667228B2. Автор: Kazuya Takaku. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-03-04.

Measurement command for memory systems

Номер патента: US20240070089A1. Автор: Lance W. Dover. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Partitioning of memory system resources or performance monitoring

Номер патента: US20180203609A1. Автор: Steven Douglas KRUEGER. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-07-19.

Erase operation for a memory system

Номер патента: US20240176491A1. Автор: Sridhar Prudviraj Gunda,Amiya Banerjee,Ritesh Tiwari,Shreesha Prabhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Resetting memory locks in a transactional memory system

Номер патента: US20160070660A1. Автор: Michael Thomas Strosaker,Joel Howard Schopp,Nathan Fontenot,Ryan Patrick Grimm,Robert Cory Jennings, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-03-10.

Instruction memory system

Номер патента: CA1275504C. Автор: Alan Lynn Davis,William Stuart Coates. Владелец: Schlumberger Technology Corp. Дата публикации: 1990-10-23.

Easily upgradable video memory system and method

Номер патента: CA1314331C. Автор: Thomas C. Furlong. Владелец: Digital Equipment Corp. Дата публикации: 1993-03-09.

High-performance dynamic memory system

Номер патента: AU2476192A. Автор: Donald A Lieberman,John J Nemec. Владелец: Multichip Technology. Дата публикации: 1993-03-16.

Cache memory system with variable block-size mechanism

Номер патента: US6349364B1. Автор: Koji Inoue,Koji Kai,Kazuaki Murakami. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-02-19.

System and method for error correction and detection in a memory system

Номер патента: WO2009000639A2. Автор: William Clarke,Luis Lastras-Montano,Timothy Dell,Kevin Gower,Luiz Alves,Thomas Dewkett,James O`Connor. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2008-12-31.

Memory system and information processing system

Номер патента: US20240061620A1. Автор: Minoru Uchida,Koichi Inoue,Akira Aoki,Yasuaki Nakazato,Kouji Saitou,Takeshi Nakano,Masaru Ogawa,Shinji Maeda,Shinya Takeda,Mikio Takasugi,Hironori Nagai,Takumi Sasaki,Kenji Sakaue,Shingo TANIMOTO,Akihito TOUHATA,Akihiko ISHIHARA,Yosuke KINO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Data integrity protection for relocating data in a memory system

Номер патента: US20240086337A1. Автор: Lucien J. Bissey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Memory controller, memory buffer chip and memory system

Номер патента: US20180004446A1. Автор: Hong-Sik Kim,Young-Suk Moon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-04.

Memory buffer chip, memory system and method of controlling the memory buffer chip

Номер патента: US20190278522A1. Автор: Hong-Sik Kim,Young-Suk Moon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-09-12.

Data integrity protection for relocating data in a memory system

Номер патента: US11822489B2. Автор: Lucien J. Bissey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Memory system, memory controller and operating method of the memory system operating as read boost mode

Номер патента: US20230376246A1. Автор: Eu Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Systems and Methods for Utilizing Wear Leveling Windows with Non-Volatile Memory Systems

Номер патента: US20160335178A1. Автор: Leena Patel. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-11-17.

Commanded device states for a memory system

Номер патента: US20230376205A1. Автор: Luca Porzio,Roberto IZZI,Nadav Grosz,Marco Onorato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Cyclic redundancy check (CRC) retry for memory systems in compute express link (CXL) devices

Номер патента: US11775387B2. Автор: Marco Sforzin,Paolo Amato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Memory system for a data processing system

Номер патента: WO1980001424A1. Автор: N Patel. Владелец: Ncr Co. Дата публикации: 1980-07-10.

Memory system and operating method of memory system

Номер патента: US11775190B2. Автор: Geu Rim LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Computer memory systems

Номер патента: GB1532798A. Автор: . Владелец: Sperry Rand Corp. Дата публикации: 1978-11-22.

Auxiliary rom memory system

Номер патента: CA1100646A. Автор: Philip Richardson,George E. Mager,Steven L. Reid,Donald S. Post,Frank M. Nelson,Vernon E. Rochat. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 1981-05-05.

Cache memory system for multiple processors with collectively arranged cache tag memories

Номер патента: US5634027A. Автор: Mitsuo Saito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-05-27.

Data path sequencing in memory systems

Номер патента: US20230393784A1. Автор: Rohitkumar Makhija. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Extended super memory blocks in memory systems

Номер патента: US11922040B2. Автор: Youn Won PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Memory system with shared buffer architecture for multiple decoders and method of operating such memory system

Номер патента: US20190065123A1. Автор: Johnson Yen,Ngok Ying Chu,Abhiram Prabhakar. Владелец: SK Hynix Memory Solutions America Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Memory system and method for use in the memory system

Номер патента: EP4323874A1. Автор: Assaf Natanzon,Zvi Schneider,Dor SHMOISH. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-21.

Enhanced performance memory systems and methods

Номер патента: US20110248743A1. Автор: David K. Ovard,Roy E. Greeff. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-10-13.

Flash memory system startup operation

Номер патента: EP1700207A1. Автор: Andrew Tomlin,Carlos J. Gonzalez. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2006-09-13.

Method for reducing power consumption of memory system, and memory controller

Номер патента: US20150220135A1. Автор: Mingyu Chen,Yongbing HUANG,Yuan RUAN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-06.

Enhanced performance memory systems and methods

Номер патента: US20130187679A1. Автор: David K. Ovard,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-07-25.

Instruction memory system

Номер патента: WO1987004543A1. Автор: Alan Lynn Davis,William Stuart Coates. Владелец: SCHLUMBERGER TECHNOLOGY CORPORATION. Дата публикации: 1987-07-30.

System and method for providing reliable transmission in a buffered memory system

Номер патента: WO2002023352A2. Автор: Michael Williams,James Dodd,John Halbert,Randy Bonella. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2002-03-21.

Performing cryptographic functions at a memory system

Номер патента: US20230367489A1. Автор: Lance W. Dover. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Data processing system and method for accessing heterogeneous memory system including processing unit

Номер патента: US11880590B2. Автор: Gun KO,Won Woo Ro,Seokmin LEE,Wonseb Jeong,Hongju KAL. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2024-01-23.

Dynamic error control configuration for memory systems

Номер патента: US11782787B2. Автор: Zhengang Chen,Deping He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Method and apparatus for adaptive data transfer in a memory system

Номер патента: WO2020071745A1. Автор: Abhishek Kumar Singh,Yunas Rashid,Manjunath JAYRAM,Ekansh Gupta,Mahantesh Mallikarjun KOTHIWALE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-04-09.

Data processing system and method for accessing heterogeneous memory system including processing unit

Номер патента: US20240103755A1. Автор: Gun KO,Won Woo Ro,Seokmin LEE,Wonseb Jeong,Hongju KAL. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2024-03-28.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20240143192A1. Автор: Jung Woo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Techniques for memory system configuration using queue refill time

Номер патента: US11768629B2. Автор: Jonathan S. Parry,Luca Porzio,Roberto IZZI,Nadav Grosz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Memory system workload allocation

Номер патента: WO2022150122A1. Автор: Vijay S. Ramesh. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-07-14.

Partitioned cryptographic protection for a memory system

Номер патента: US20240061963A1. Автор: Lance W. Dover. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Method and apparatus for adaptive data transfer in a memory system

Номер патента: US20220043603A1. Автор: Abhishek Kumar Singh,Yunas Rashid,Manjunath JAYRAM,Ekansh Gupta,Mahantesh Mallikarjun KOTHIWALE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-10.

Prefetch memory system having next-instruction buffer which stores target tracks of jumps prior to CPU access of instruction

Номер патента: US4755935A. Автор: Alan L. Davis,William Coates. Владелец: Schlumberger Technology Corp. Дата публикации: 1988-07-05.

One word buffer memory system

Номер патента: US4292674A. Автор: James H. Scheuneman. Владелец: Sperry Corp. Дата публикации: 1981-09-29.

Buttonless memory system for an electronic measurement device

Номер патента: CA2125806C. Автор: David Fox. Владелец: Bayer Corp. Дата публикации: 1999-04-20.

Multi-phase multi-access pipeline memory system in which the pipeline memory can decode addresses issued by one processor while simultaneously accessing memory array by other processor

Номер патента: US6513125B1. Автор: Douglas Garde. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2003-01-28.

Memory system and operating method of memory system

Номер патента: US11941272B2. Автор: Jung Woo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Memory system

Номер патента: US20170255564A1. Автор: Satoshi Arai,Yoshihisa Kojima,Kazuya Kitsunai,Shunitsu KOHARA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

Performance of memory system background operations

Номер патента: US11892956B2. Автор: Kulachet Tanpairoj,David Aaron Palmer,Christian M. Gyllenskog. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Memory system and method of operating the same

Номер патента: US20230333763A1. Автор: Jeong Su Park,In Mo KWAK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Inter-memory movement in a multi-memory system

Номер патента: US11868638B2. Автор: Sourabh Dhir,Kang-Yong Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Memory system performing garbage collection operation by exchanging information related to garbage collection with host and method of operating the memory system

Номер патента: US11853202B2. Автор: Hye Mi KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Memory system for managing namespace using write pointer and write count, memory controller, and method for operating memory system

Номер патента: US20240004566A1. Автор: Hung Yung CHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Performance monitoring for a memory system

Номер патента: US20230350598A1. Автор: David Andrew Roberts. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Plane balancing in a memory system

Номер патента: US20230393779A1. Автор: John J. Kane,Byron D. Harris,Vivek Shivhare. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Memory system and computing system including the same

Номер патента: US20230376427A1. Автор: Jaewook Lee,Jongsung Lee,Kiseok Oh,Wenjing Jin,Juyun JUNG. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2023-11-23.

Memory system, memory controller and operation method thereof

Номер патента: US20240020224A1. Автор: Eu Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Dynamic memory management in mixed mode cache and shared memory systems

Номер патента: US11797451B1. Автор: Valerio Catalano,Sridhar Gurumurthy Isukapalli Sharma. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2023-10-24.

Prefetch signaling in memory system or sub-system

Номер патента: US20190347040A1. Автор: Robert Nasry Hasbun,Dean D. Gans,Sharookh Daruwalla. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Prefetch signaling in memory system or sub-system

Номер патента: US20210326072A1. Автор: Robert Nasry Hasbun,Dean D. Gans,Sharookh Daruwalla. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US10310810B2. Автор: Naoya Fukuchi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-06-04.

Memory system with sector buffers

Номер патента: US8006031B2. Автор: Reinhard KÜHNE. Владелец: HYPERSTONE GMBH. Дата публикации: 2011-08-23.

Three tiered hierarchical memory systems

Номер патента: US20210349822A1. Автор: Richard C. Murphy,Anton Korzh,Vijay S. Ramesh,Scott Matthew STEPHENS. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-11.

Three tiered hierarchical memory systems

Номер патента: WO2021034792A1. Автор: Richard C. Murphy,Anton Korzh,Vijay S. Ramesh,Scott Matthew STEPHENS. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-02-25.

Managing regions of a memory system

Номер патента: US20230367706A1. Автор: Lingyun Wang,Bin Zhao. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Memory system, method of controlling memory system, and host system

Номер патента: US11914544B2. Автор: Naoki Kimura,Nana Kawamoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-27.

Centralized reference and change table for a multiprocessor virtual memory system

Номер патента: WO1991010956A1. Автор: Robert P. Ryan,Kin Ling Cheung. Владелец: Wang Laboratories, Inc.. Дата публикации: 1991-07-25.

Performance of memory system background operations

Номер патента: US20240168895A1. Автор: Kulachet Tanpairoj,David Aaron Palmer,Christian M. Gyllenskog. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Plane balancing in a memory system

Номер патента: US11995345B2. Автор: Vivek Shivhare,John J Kane,Byron D Harris. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US11875059B2. Автор: Hisashi Otani. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-16.

Error evaluation for a memory system

Номер патента: US11829243B2. Автор: Matthew D. Jenkinson,Christopher G. Wieduwilt,Seth A. Eichmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Memory system performing garbage collection operation by exchanging information related to garbage collection with host and method of operating the memory system

Номер патента: US20240086318A1. Автор: Hye Mi KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Performance monitoring for a memory system

Номер патента: WO2023212433A1. Автор: David Andrew Roberts. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-11-02.

System and method for memory allocation in a multiclass memory system

Номер патента: US20150324131A1. Автор: Michael Ignatowski,Mark Nutter,Gabriel Loh,Mitesh Meswani. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2015-11-12.

System and method for memory allocation in a multiclass memory system

Номер патента: EP3140746A1. Автор: Michael Ignatowski,Mark Nutter,Gabriel Loh,Mitesh Meswani. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2017-03-15.

Meta data protection against unexpected power loss in a memory system

Номер патента: US12013762B2. Автор: Alex Frolikov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Fault tolerant computer memory systems and components employing dual level error correction and detection with disablement feature

Номер патента: CA2002361C. Автор: Howard L. Kalter,John A. Fifield,Robert M. Blake,Douglas C. Bossen,Chin L. Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1993-12-21.

Method of operating disaggregated memory system for context-aware prefetch and disaggregated memory system preforming the same

Номер патента: US20230153245A1. Автор: Insoon JO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-18.

Shadow memory system

Номер патента: CA1228929A. Автор: John E. Davis. Владелец: Ampex Corp. Дата публикации: 1987-11-03.

Power throttling in a memory system

Номер патента: US20070083701A1. Автор: Sanjiv Kapil. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2007-04-12.

Memory system

Номер патента: US20200174942A1. Автор: Dong Ha JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-06-04.

Memory system including a nonvolatile memory and a volatile memory, and processing method using the memory system

Номер патента: US10140060B2. Автор: Gi Ho Park. Владелец: INDUSTRY ACADEMY COOPERATION FOUNDATION OF SEJONG UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-11-27.

Command prioritization techniques for reducing latency in a memory system

Номер патента: US11886740B2. Автор: Olivier DUVAL,Christopher Joseph Bueb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Hierarchical memory systems

Номер патента: US20210390060A1. Автор: Richard C. Murphy,Anton Korzh,Vijay S. Ramesh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

Unmap backlog in a memory system

Номер патента: US20230342077A1. Автор: Tian Liang,Xu Zhang,Xing Wang,Junjun Wang,Huachen Li,Guan Zhong Wang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Prioritization of background media management operations in memory systems

Номер патента: US20230401007A1. Автор: Luca Porzio,Ciro Feliciano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Hierarchical memory systems

Номер патента: WO2021034599A1. Автор: Richard C. Murphy,Anton Korzh,Vijay S. Ramesh. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-02-25.

Memory system

Номер патента: US20230259307A1. Автор: Daisuke Uchida,Tasuku Kobayashi,Michita FUJII. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Memory system

Номер патента: US20220113907A1. Автор: Daisuke Uchida,Tasuku Kobayashi,Michita FUJII. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-04-14.

Memory system and operation thereof

Номер патента: US20240126450A1. Автор: Mo CHENG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Object management in tiered memory systems

Номер патента: US11861222B2. Автор: Reshmi Basu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Prefetch signaling in memory system or sub-system

Номер патента: US20190347043A1. Автор: Robert Nasry Hasbun,Dean D. Gans,Sharookh Daruwalla. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Adapting in-memory database in hybrid memory systems and operating system interface

Номер патента: US11977484B2. Автор: Ahmad Hassan. Владелец: SAP SE. Дата публикации: 2024-05-07.

Prefetch signaling in memory system or sub-system

Номер патента: EP4276637A3. Автор: Robert Nasry Hasbun,Dean D. Gans,Sharookh Daruwalla. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-24.

Hierarchical memory systems

Номер патента: US11782843B2. Автор: Richard C. Murphy,Anton Korzh,Vijay S. Ramesh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Non-volatile memory system

Номер патента: US20190354293A1. Автор: Seok Cheon Kwon,Seung hyun HAN. Владелец: THE-AIO Inc. Дата публикации: 2019-11-21.

Memory system for cascading region-based filters

Номер патента: US8261034B1. Автор: Weining Li. Владелец: Ambarella Inc. Дата публикации: 2012-09-04.

Low-power boot-up for memory systems

Номер патента: US20240045596A1. Автор: Jonathan S. Parry,Luca Porzio,Stephen Hanna,Giuseppe Cariello,David Aaron Palmer,Reshmi Basu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Latency reduction of boot procedures for memory systems

Номер патента: US20240176549A1. Автор: Luca Porzio,Roberto IZZI,Marco Onorato,Massimo Zucchinali,Andrea Vigilante,Sean L. Manion,Bryan D. Butler,Alfredo Palazzo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Performance of memory system background operations

Номер патента: EP4085323A1. Автор: Jianmin Huang,Kulachet Tanpairoj,David Aaron Palmer,Christian M. Gyllenskog. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-11-09.

Performance of memory system background operations

Номер патента: WO2021138424A1. Автор: Jianmin Huang,Kulachet Tanpairoj,David Aaron Palmer,Christian M. Gyllenskog. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-07-08.

Mechanism for reducing page migration overhead in memory systems

Номер патента: EP3642722A1. Автор: Gabriel H. Loh,Yasuko ECKERT,Thiruvengadam Vijayaraghavan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2020-04-29.

Mechanism for reducing page migration overhead in memory systems

Номер патента: WO2018236657A1. Автор: Gabriel H. Loh,Yasuko ECKERT,Thiruvengadam Vijayaraghavan. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2018-12-27.

Write quality in memory systems

Номер патента: US20240053895A1. Автор: Giuseppe Cariello,David Aaron Palmer,Nitul Gohain. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Prefetch signaling in memory system or sub-system

Номер патента: EP4276637A2. Автор: Robert Nasry Hasbun,Dean D. Gans,Sharookh Daruwalla. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-15.

Prefetch signaling in memory system or sub-system

Номер патента: EP3791255A1. Автор: Robert Nasry Hasbun,Dean D. Gans,Sharookh Daruwalla. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-17.

Memory system

Номер патента: US20210081329A1. Автор: Tomonori Yokoyama,Mitsunori Tadokoro,Satoshi Kaburaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Non-volatile memory system

Номер патента: US10613767B2. Автор: Seok Cheon Kwon,Seung hyun HAN. Владелец: THE-AIO Inc. Дата публикации: 2020-04-07.

Word oriented high speed buffer memory system connected to a system bus

Номер патента: US4214303A. Автор: Thomas F. Joyce,Thomas O. Holtey,William Panepinto, Jr.. Владелец: Honeywell Information Systems Inc. Дата публикации: 1980-07-22.

Virtual memory system and methods

Номер патента: US6760909B1. Автор: Gilad Odinak,Richard P. Draves. Владелец: Microsoft Corp. Дата публикации: 2004-07-06.

Memory system including a main memory and a cache memory

Номер патента: CA1186804A. Автор: Wing N. Toy,Benjamin Zee,Lee E. Gallaher. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1985-05-07.

Ultra-high bandwidth multi-port memory system for image scaling applications

Номер патента: US6903733B1. Автор: Michael G. West,Robert Y. Greenberg. Владелец: Pixelworks Inc. Дата публикации: 2005-06-07.

Implementing Redundant Memory Access Using Multiple Controllers for Memory System

Номер патента: US20090300411A1. Автор: Philip Raymond Germann,John Michael Borkenhagen,Gerald Keith Bartley,Paul Eric Dahlen,William Paul Hovis,Darryl John Becker,Mark Owen Maxson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-12-03.

Fault tolerant computer memory systems and components employing dual level error correction and detection with lock-up feature.

Номер патента: MY105251A. Автор: Chen Chin-Long,Leo Kalter Howard,Martin Blake Robert,Atkinson Fifield John,Craig Bossen Douglas,Lo Tin-Chee. Владелец: Ibm. Дата публикации: 1994-09-30.

Memory system, data processing system including the same, and operating method thereof

Номер патента: US11941246B2. Автор: Hye Mi KANG,Eu Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Memory device and memory system having the memory device

Номер патента: US11782646B2. Автор: Seung Hyun Chung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Memory system and memory system control method

Номер патента: US11954357B2. Автор: Yoshihisa Kojima,Riki SUZUKI,Toshikatsu Hida,Takehiko Amaki,Shunichi IGAHARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Memory system and operating method supporting fast boot using host memory buffer and default enabled information

Номер патента: US20240020052A1. Автор: Jeong Hyun Kim,Sung Ju Yoo,Ji Hun Choi,Byong Woo Ryu,Son Hong MIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Pcie traffic tracking hardware in a unified virtual memory system

Номер патента: US20180232332A1. Автор: Jerôme F. DULUK, Jr.,John Mashey,Mark HAIRGROVE,Cameron Buschardt,Brian Fahs,James Leroy Deming. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2018-08-16.

Pcie traffic tracking hardware in a unified virtual memory system

Номер патента: US20190340145A1. Автор: Jerôme F. DULUK, Jr.,John Mashey,Mark HAIRGROVE,Cameron Buschardt,Brian Fahs,James Leroy Deming. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2019-11-07.

Zero read on trimmed blocks in a non-volatile memory system

Номер патента: WO2017058301A1. Автор: Vered Kelner,Gadi Vishne,Ravit KRAYF. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-06.

Hierarchical memory systems

Номер патента: WO2021035121A1. Автор: Richard C. Murphy,Anton Korzh,Vijay S. Ramesh. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-02-25.

Memory system including a nonvolatile memory and a volatile memory, and processing method using the memory system

Номер патента: US20160321013A1. Автор: Gi Ho Park. Владелец: INDUSTRY ACADEMY COOPERATION FOUNDATION OF SEJONG UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-11-03.

Memory system including a nonvolatile memory and a volatile memory, and processing method using the memory system

Номер патента: US20190056889A1. Автор: Gi Ho Park. Владелец: INDUSTRY ACADEMY COOPERATION FOUNDATION OF SEJONG UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-02-21.

Memory system including a nonvolatile memory and a volatile memory, and processing method using the memory system

Номер патента: US20200125296A1. Автор: Gi Ho Park. Владелец: INDUSTRY ACADEMY COOPERATION FOUNDATION OF SEJONG UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-04-23.

Memory system and operating method supporting fast boot using host memory buffer and default enabled information

Номер патента: US11803322B2. Автор: Jeong Hyun Kim,Sung Ju Yoo,Ji Hun Choi,Byong Woo Ryu,Son Hong MIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Memory system for executing a target operation based on a program state of a super memory block and operating method thereof

Номер патента: US11954349B2. Автор: Young Soo Lim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Memory system

Номер патента: US20170109060A1. Автор: Chang-Hyun Kim,Jae-Jin Lee,Yong-Woo Lee,Min-Chang Kim,Do-Yun LEE,Hoe-Kwon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-20.

Memory system for determining usage of a buffer based on i/o throughput and operation method thereof

Номер патента: US20210011642A1. Автор: Seok-jun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-14.

Memory system package structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240178089A1. Автор: Peng Chen,Zhen Xu,XinRu Zeng,Weisong QIAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Copper-bonded memory stacks with copper-bonded interconnection memory systems

Номер патента: US11721685B2. Автор: Thomas Edward Dungan. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2023-08-08.

Memory system, memory controller, and method of controlling non-volatile memory

Номер патента: US20240275408A1. Автор: Yuki Kondo,Kosuke Morinaga. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory system and data encrypting method

Номер патента: US20240323007A1. Автор: Tadashi Nagahara. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory system

Номер патента: US12041719B2. Автор: Gen Watari. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Integrated memory system for driving position and method of controlling same

Номер патента: US11834094B2. Автор: In Sik Hwang,Se Hoon Park. Владелец: Yura Corp. Дата публикации: 2023-12-05.

Semiconductor devices and fabrication methods thereof, memory systems

Номер патента: US20240164117A1. Автор: LAN Yao,CHENG Chen,Jing Li,Quan Zhang,Yanwei Shi,Boru Xie. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Thermal isolation for memory systems

Номер патента: US20240196569A1. Автор: Suresh Reddy Yarragunta,Deepu Narasimiah Subhash. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof, memory and memory system

Номер патента: US20240194607A1. Автор: Wei Xu,BIN Yuan,Zongke Xu,Zongliang Huo,Lei Xue,Yali Guo,Qiangwei Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Integrated memory system for driving position and method of controlling same

Номер патента: US20220017136A1. Автор: In Sik Hwang,Se Hoon Park. Владелец: Yura Corp. Дата публикации: 2022-01-20.

3-dimensional non-volatile memory device, memory system including the same, and method of manufacturing the device

Номер патента: US20130161724A1. Автор: Dong Kee Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-27.

Conductive bridge memory system and method of manufacture thereof

Номер патента: US20150090947A1. Автор: Eugene Marsh,Tim Quick. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-04-02.

Conductive bridge memory system and method of manufacture thereof

Номер патента: US20160104836A1. Автор: Eugene Marsh,Tim Quick. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-04-14.

Integrated circuit memory system with dummy active region

Номер патента: US20070207558A1. Автор: Xiaoyu Chen,Sung Mun Jung,Donghua Liu,Ching Dong Wang,Swee Tuck Woo,Louis Yoke Leng Lim. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2007-09-06.

Remote provisioning of certificates for memory system provenance

Номер патента: US20230353391A1. Автор: Lance W. Dover. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Memory system packaging structure, and method for forming the same

Номер патента: US20230209842A1. Автор: Peng Chen,XinRu Zeng,Houde Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Memory system packaging structure, and method for forming the same

Номер патента: WO2023124816A1. Автор: Peng Chen,XinRu Zeng,Houde Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-07-06.

Physical interface configuration buffer in a flash memory system

Номер патента: WO2024196515A1. Автор: Hung Vuong,Benish Babu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-09-26.

Auxiliary rom memory system

Номер патента: CA1108770A. Автор: Philip Richardson,George E. Mager,Steven L. Reid,Donald S. Post,Frank M. Nelson,Vernon E. Rochat. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 1981-09-08.

Auxiliary rom memory system

Номер патента: CA1108771A. Автор: Philip Richardson,George E. Mager,Steven L. Reid,Donald S. Post,Frank M. Nelson,Vernon E. Rochat. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 1981-09-08.

Auxiliary rom memory system

Номер патента: CA1108769A. Автор: Philip Richardson,George E. Mager,Steven L. Reid,Donald S. Post,Frank M. Nelson,Vernon E. Rochat. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 1981-09-08.

Auxiliary rom memory system

Номер патента: CA1108768A. Автор: Philip Richardson,George E. Mager,Steven L. Reid,Donald S. Post,Frank M. Nelson,Vernon E. Rochat. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 1981-09-08.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.