Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Plane balancing in a memory system

Номер патента: US20230393779A1
Опубликовано: 07-12-2023
Автор(ы): Byron D. Harris, John J. Kane, Vivek Shivhare
Принадлежит: Micron Technology Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Zero read on trimmed blocks in a non-volatile memory system

Номер патента: WO2017058301A1. Автор: Vered Kelner,Gadi Vishne,Ravit KRAYF. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-06.

Plane balancing in a memory system

Номер патента: US20240302991A1. Автор: John J. Kane,Byron D. Harris,Vivek Shivhare. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

BACKGROUND MITIGATION READS IN A NON-VOLATILE MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20190391746A1. Автор: Papandreou Nikolaos,Pozidis Charalampos,PLETKA Roman A.,Fisher Timothy,Ioannou Nikolas,Tomic Sasa,FRY AARON D.. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-26.

Plane balancing in a memory system

Номер патента: US11995345B2. Автор: Vivek Shivhare,John J Kane,Byron D Harris. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Burn-in solid state drives through generation of proof of space plots in a manufacturing facility

Номер патента: US12045504B2. Автор: Luca Bert,Joseph Harold Steinmetz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Memory system for data storage and retrieval

Номер патента: US20030070036A1. Автор: Sergey Gorobets. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-10.

ZERO READ ON TRIMMED BLOCKS IN A NON-VOLATILE MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20170090815A1. Автор: Vishne Gadi,Kelner Vered,Krayif Ravit. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2017-03-30.

Techniques for efficient memory system programming

Номер патента: US20240289019A1. Автор: Dionisio Minopoli,Luca Porzio,Paolo Amato,Daniela Ruggeri. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20240256184A1. Автор: Hideki Yoshida,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20200241799A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-07-30.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20240201865A1. Автор: Kwang Hun Lee,Won Jun Choi,Jae Gwan Kim,Dong Young Seo,Ye Rin Kim,Bu Yong SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US11768632B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-26.

Deferred zone adjustment in zone memory system

Номер патента: US20240302984A1. Автор: Nathaniel WESSEL,Byron Harris,Oyvind Hachre. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Data separation configurations for memory systems

Номер патента: US20240289031A1. Автор: Nicola Colella,Nitul Gohain. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory system and method for operating the same

Номер патента: US20230297253A1. Автор: Dong Kyu Lee,Jae Hyun Yoo,Seon Ju Lee,Seung Geol BAEK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory system and method

Номер патента: US20230305748A1. Автор: Hotaka Ueki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Memory system and method

Номер патента: US11928364B2. Автор: Hotaka Ueki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-12.

Page retirement in a nand flash memory system

Номер патента: WO2015083308A1. Автор: Roman A. Pletka,Andrew Dale Walls,Ioannis Koltsidas,Charles John Camp. Владелец: Ibm Japan, Ltd.. Дата публикации: 2015-06-11.

Apparatus and methods for direct co-processor access to prestored file system data in a non-volatile memory system

Номер патента: US20240220115A1. Автор: Paul Blinzer,David Livingstain Ziman. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Operation coherency in a non-volatile memory system

Номер патента: US20200387449A1. Автор: Mark Ish,Horia C. Simionescu,Lyle E. Adams,Yongcai XU. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-10.

Managing collisions in a non-volatile memory system with a coherency checker

Номер патента: US11513959B2. Автор: Mark Ish,Horia C. Simionescu,Lyle E. Adams,Yongcai XU. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-11-29.

Operation coherency in a non-volatile memory system

Номер патента: US20210182199A1. Автор: Mark Ish,Horia C. Simionescu,Lyle E. Adams,Yongcai XU. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Operation coherency in a non-volatile memory system

Номер патента: WO2020247211A1. Автор: Mark Ish,Horia C. Simionescu,Lyle E. Adams,Yongcai XU. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-12-10.

Systems and methods for decoupling host commands in a non-volatile memory system

Номер патента: US10019171B2. Автор: Yiftach Tzori. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-07-10.

Systems and Methods for Decoupling Host Commands in a Non-Volatile Memory System

Номер патента: US20170249081A1. Автор: Yiftach Tzori. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-31.

SYSTEM AND METHOD FOR DYNAMIC FOLDING OR DIRECT WRITE BASED ON BLOCK HEALTH IN A NON-VOLATILE MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20180217751A1. Автор: Agarwal Dinesh,Golechchha Hitesh,Ganesh Guruswamay. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-08-02.

RECORDING DWELL TIME IN A NON-VOLATILE MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20160124656A1. Автор: FISHER TIMOTHY J.. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-05.

Concept for Controlling a Memory Performance in a Computer System

Номер патента: US20210048958A1. Автор: Francesc Guim Bernat. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-02-18.

Allocating variable media types of memory devices in a memory system

Номер патента: US20190332290A1. Автор: Michael B. Danielson,Paul A. Suhler,James H. Meeker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Memory system including a nonvolatile memory and control method

Номер патента: US20220066640A1. Автор: Masahiro Takeshita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Memory system including a nonvolatile memory and control method

Номер патента: US11314412B2. Автор: Masahiro Takeshita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-04-26.

Memory system related to selectively storing data and a corresponding map, and an operating method of the memory system

Номер патента: US20240143193A1. Автор: Kyung Hoon Lee,Tae Yeon Hwang,Sung Kwan Hong,Sung Hun JEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory with checking a total size indicative of a sum of data length specified by a write command

Номер патента: US12045513B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory with checking a total size indicative of a sum of data length specified by a write command

Номер патента: US20240295991A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Memory system and information processing system

Номер патента: US20240086096A1. Автор: Yuki Sasaki,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Memory system, memory controller, and method for operating memory system

Номер патента: US20210279000A1. Автор: Chan Hyeok CHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-09.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20180004439A1. Автор: Eu-Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-04.

Memory system

Номер патента: US20230004306A1. Автор: Shohei Onishi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-01-05.

Memory system and control method

Номер патента: US20180217753A1. Автор: Shinichiro Nakazumi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-08-02.

Apparatus and method for managing map data between host and memory system

Номер патента: US12050795B2. Автор: Jung Woo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Data recovery with enhanced super chip-kill recovery and method of operating such memory system

Номер патента: US20240289028A1. Автор: Fan Zhang,Meysam Asadi,Ahmad Golmohammadi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory system and method

Номер патента: US20190087324A1. Автор: Hiroshi Yao,Naomi Takeda,Kenta Yasufuku. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Semiconductor device with a plurality of write conditions and memory system

Номер патента: US20110161386A1. Автор: Takafumi Ito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-30.

Memory system and memory control method

Номер патента: US20230297273A1. Автор: Takahiro Kubota,Yuta Kumano,Hironori Uchikawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory block utilization in memory systems

Номер патента: US12099734B2. Автор: Bo Zhou,Deping He,Caixia Yang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Synchronizing operations between decks of a memory system

Номер патента: US20240281162A1. Автор: Amiya Banerjee,Thibash Rajamani Balakrishnan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Data type identification schemes for memory systems

Номер патента: US20240289053A1. Автор: Giuseppe Cariello. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Shuffle manager in a distributed memory object architecture

Номер патента: WO2020024586A1. Автор: Yue Li,WEI Kang,Haiyan Wang,Yue Zhao,Jie Yu,Peiyu Zhuang,Kunwu Huang. Владелец: Memverge, Inc.. Дата публикации: 2020-02-06.

Command batching for a memory sub-system

Номер патента: US20210278985A1. Автор: Ning Zhao,Yun Li,Scheheresade Virani,John Paul Traver,Tom Victor Maria Geukens. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-09.

Memory system with secured performance and reliability, memory controller and method of operating the same

Номер патента: US20240184469A1. Автор: Kwang Su Kim,Youn Won PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Memory system and method of controlling memory system

Номер патента: US20200409555A1. Автор: Hiroshi Yao,Kazuhiro Fukutomi,Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-12-31.

Memory system and method of controlling memory system

Номер патента: US20180188963A1. Автор: Hiroshi Yao,Kazuhiro Fukutomi,Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-07-05.

Managing allocation of sub-blocks in a memory sub-system

Номер патента: US20240231641A1. Автор: Yu-Chung Lien,Zhenming Zhou,Tomer Tzvi Eliash. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Adaptive time sense parameters and overdrive voltage parameters for respective groups of wordlines in a memory sub-system

Номер патента: US12014050B2. Автор: Ching-Huang Lu,Zhenming Zhou,Murong Lang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Multi-pass data programming in a memory sub-system having multiple dies and planes

Номер патента: US12050809B2. Автор: Mark Ish,Steven S. Williams,Sanjay Subbarao,John Edward Maroney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Data duplication in a non-volatile memory

Номер патента: US11048580B2. Автор: Justin Eno,Samuel E. Bradshaw,Sean Stephen Eilert,Sai Krishna Mylavarapu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-29.

Data duplication in a non-volatile memory

Номер патента: US20190354429A1. Автор: Justin Eno,Samuel E. Bradshaw,Sean Stephen Eilert,Sai Krishna Mylavarapu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-21.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20240264757A1. Автор: Duck Joo Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

BLOCK MANAGEMENT IN A DUAL WRITE MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20170031612A1. Автор: Ravimohan Narendhiran Chinnaanangur,Manohar Abhijeet,Jayaraman Muralitharan. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2017-02-02.

Block management in a dual write memory system

Номер патента: US9891847B2. Автор: Narendhiran Chinnaanangur Ravimohan,Muralitharan Jayaraman,Abhijeet Manohar. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-02-13.

Arrangement and method for efficient calculation of memory addresses in a block storage memory system

Номер патента: US5860079A. Автор: David Lee Smith,Carl David Sutton. Владелец: Apple Computer Inc. Дата публикации: 1999-01-12.

Determining reference voltage offsets for read operations in a memory system

Номер патента: US20240272798A1. Автор: Jianying Zhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Scalable architecture enabling large memory system for in-memory computations

Номер патента: US12099736B2. Автор: Hongzhong Zheng,Dongyan Jiang,Qiang Peng. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Scalable architecture enabling large memory system for in-memory computations

Номер патента: US20200065017A1. Автор: Hongzhong Zheng,Dongyan Jiang,Qiang Peng. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-27.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US11747989B2. Автор: Hideki Yoshida,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Memory controller and memory system including the memory controller and memory device

Номер патента: US20240264744A1. Автор: Se Chang PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory system

Номер патента: US20180276073A1. Автор: Takashi Ide,Yoshihisa Kojima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Memory system

Номер патента: US20160216887A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Shinichiro Nakazumi,Tohru Fukuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-07-28.

Managing operations in memory systems

Номер патента: US20240302966A1. Автор: Weilin Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Managing operations in memory systems

Номер патента: WO2024182999A1. Автор: Weilin Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20240295969A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Suguru NISHIKAWA,Toshikatsu Hida,Takehiko Amaki,Shunichi IGAHARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Memory system

Номер патента: US20240272799A1. Автор: Takashi Nakagawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory system, memory controller, and operation method of memory controller for scheduling commands based on power consumption

Номер патента: US11461022B2. Автор: Jung Hyun Kwon,Won Gyu SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-04.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20240248648A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory system, memory controller, and operation method of memory controller

Номер патента: US20220113882A1. Автор: Jung Hyun Kwon,Won Gyu SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-04-14.

Methods to re-use stuck cells in data storage, and associated memory systems

Номер патента: EP4432098A1. Автор: Raffaele Costa,Matthieu Deloge,Maurits Mario Nicolaas Storms,Andrea Castelnuovo,Sergio Masferrer Oncala. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-09-18.

Memory system controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20230305704A1. Автор: Naoki Esaka,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Memory system controlling nonvolatile memory

Номер патента: US12079473B2. Автор: Naoki Esaka,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Apparatus and method for transmitting map information and read count in memory system

Номер патента: US20210004167A1. Автор: Jong-Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-07.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US12066931B2. Автор: Hideki Yoshida,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory system and control method thereof

Номер патента: US20200019314A1. Автор: Hiroyuki Yamaguchi,Ryoichi Kato. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-01-16.

Separate link and array error correction in a memory system

Номер патента: EP3377974A1. Автор: Jungwon Suh,David Ian West. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-09-26.

Separate link and array error correction in a memory system

Номер патента: WO2017087076A1. Автор: Jungwon Suh,David Ian West. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-05-26.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20230305754A1. Автор: Koichi Nagai,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Memory system, memory controller and operating method of the memory system operating as read boost mode

Номер патента: US12099751B2. Автор: Eu Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Hybrid memory system and accelerator including the same

Номер патента: US20240045588A1. Автор: Jie Zhang,Myoungsoo Jung,Hanyeoreum BAE. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2024-02-08.

Memory systems and operation methods thereof

Номер патента: US20240281147A1. Автор: Yufei FENG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory system

Номер патента: US20170109073A1. Автор: Chang-Hyun Kim,Jae-Jin Lee,Yong-Woo Lee,Min-Chang Kim,Do-Yun LEE,Hoe-Kwon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-20.

Assigning blocks of memory systems

Номер патента: US20240319899A1. Автор: Deping He,Caixia Yang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory pre-allocation for forward calculation in a neural network

Номер патента: US12026604B2. Автор: Ji Zhou,Haijiao Cai,Xinpeng Feng,Jun PANG. Владелец: NextVPU Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Memory system and control method of memory system for shared memory based message routing module

Номер патента: US12067238B2. Автор: Mitsunori Tadokoro. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Operating method, memory controller, and memory system

Номер патента: US20240211144A1. Автор: Jin Cai,Xianwu Luo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

System and method to control temperature in a memory device

Номер патента: US12026373B2. Автор: Yi-Jhong HUANG. Владелец: Acer Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Host timeout avoidance in a memory device

Номер патента: US20200004459A1. Автор: David Aaron Palmer,Nadav Grosz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-01-02.

Memory controller, flash memory system having the same, and flash memory control method

Номер патента: US20210064235A1. Автор: Kenichi TAKUBO. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20200125487A1. Автор: Hideki Yoshida,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-04-23.

Memory System and Method for Efficient Padding of Memory Pages

Номер патента: US20160283110A1. Автор: Abhijeet Manohar,Aaron Lee,Vimal Jain,Anne Pao-Ling Koh. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-29.

Manipulation of data in a memory

Номер патента: GB2599053A. Автор: Escobar Fernando,Vines Alan,Spain Stephen. Владелец: Imagination Technologies Ltd. Дата публикации: 2022-03-23.

Memory system and method for operating the same

Номер патента: US12099727B2. Автор: Dong Kyu Lee,Jae Hyun Yoo,Seon Ju Lee,Seung Geol BAEK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Virtual management unit scheme for two-pass programming in a memory sub-system

Номер патента: EP4396688A1. Автор: Johnny A. LAM,Daniel A. Boals,Byron D. Harris,Sanjay Subbarao,Samyukta Mudugal. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-10.

Virtual management unit scheme for two-pass programming in a memory sub-system

Номер патента: WO2023034535A8. Автор: Johnny A. LAM,Daniel A. Boals,Byron D. Harris,Sanjay Subbarao,Samyukta Mudugal. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor memory devices, memory systems including the same and methods of operating memory systems

Номер патента: US11994948B2. Автор: Ho-young Song,Hyun-Joong Kim,Hoi-Ju CHUNG,Sang-Uhn CHA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-28.

Current management during data burst operations in a multi-die memory device

Номер патента: US20240241643A1. Автор: Liang Yu,Walter Di Francesco,Ali Mohammadzadeh,Jeremy Binfet,Luca Nubile,Biagio Iorio,Yankang He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Trim value loading management in a memory sub-system

Номер патента: US20220113890A1. Автор: Steven Michael Kientz,Vamsi Pavan Rayaprolu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-04-14.

Managing Memory Devices in a Storage Network

Номер патента: US20230280911A1. Автор: Gary W. Grube,Manish Motwani,Jason K. Resch,Ilya Volvovski,Timothy W. Markison. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Manipulation of data in a memory

Номер патента: GB2592087A. Автор: Escobar Fernando,Vines Alan,Spain Stephen. Владелец: Imagination Technologies Ltd. Дата публикации: 2021-08-18.

Manipulation of data in a memory

Номер патента: EP3920038A1. Автор: Stephen Spain,Alan Vines,Fernando Escobar. Владелец: Imagination Technologies Ltd. Дата публикации: 2021-12-08.

Manipulation of data in a memory

Номер патента: EP4425348A2. Автор: Stephen Spain,Alan Vines,Fernando Escobar. Владелец: Imagination Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-09-04.

Memory system for determining read wait time, memory controller, and method for operating memory system

Номер патента: US12086416B2. Автор: Seon Ju Lee,Jeong Sun PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Multi-tier health status in a memory device

Номер патента: US20240220110A1. Автор: LU Tong,Lawrence Celso Miranda,Ashish Ghai,Ekamdeep Singh,Lakshmi Kalpana Vakati,Sheng-Huang Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20210255781A1. Автор: Chol Su CHAE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-19.

Memory system

Номер патента: US20240143236A1. Автор: Shintaro HABA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20180024774A1. Автор: Beom Ju Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-25.

Program voltage selection during all levels programming of a memory device

Номер патента: US20240295970A1. Автор: Lee-Eun Yu,Tomoko Ogura Iwasaki,Sheyang NING,Lawrence Celso Miranda,Jeffrey S. McNeil,Yeang Meng Hern. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Page retirement in a nand flash memory system

Номер патента: US20190163592A1. Автор: Roman A. Pletka,Charles J. Camp,Andrew D. Walls,Ioannis Koltsidas. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-30.

Recording dwell time in a non-volatile memory system

Номер патента: US20160124656A1. Автор: Timothy J. Fisher. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-05.

System and method for dynamic folding or direct writing based on block freedom in a non-volatile memory system

Номер патента: DE102017128940A1. Автор: Dinesh Agarwal,Hitesh Golechchha,Guruswamy Ganesh. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-08-02.

System and method for dynamic folding or direct write based on block health in a non-volatile memory system

Номер патента: US10209914B2. Автор: Dinesh Agarwal,Hitesh Golechchha,Guruswamy Ganesh. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-02-19.

Techniques for Creating a Notion of Privileged Data Access in a Unified Virtual Memory System

Номер патента: US20160188251A1. Автор: Swoboda Dwayne,DUNNING Lucien,Buschardt Cameron,GOPALAKRISHNAN Arvind. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-30.

PAGE RETIREMENT IN A NAND FLASH MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20160162196A1. Автор: Koltsidas Ioannis,Camp Charles J.,PLETKA Roman A.,Walls Andrew D.. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-09.

INSTRUCTION AND LOGIC FOR FLUSHING MEMORY RANGES IN A DISTRIBUTED SHARED MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20180165196A1. Автор: Kumar Mohan J.,Blankenship Robert G.,Kumar Karthik,Willhalm Thomas,Bernat Francesc Guim. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-14.

Partial page access in a low power memory system

Номер патента: US20180188988A1. Автор: Nikhil Jain,Umesh Rao,Ankit SHAMBHU,Srinivasarao MOLA. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-07-05.

EFFICIENT COMPLEX NETWORK TRAFFIC MANAGEMENT IN A NON-UNIFORM MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20140330991A1. Автор: Harper John Anthony. Владелец: Netronome Systems, Inc.. Дата публикации: 2014-11-06.

EFFICIENT COMPLEX NETWORK TRAFFIC MANAGEMENT IN A NON-UNIFORM MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20150309755A1. Автор: Harper John Anthony. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-29.

Physical interface configuration buffer in a flash memory system

Номер патента: US20240319916A1. Автор: Hung Vuong,Benish Babu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Page migration acceleration using a two-level bloom filter on high bandwidth memory systems

Номер патента: US20180081585A1. Автор: Mauricio Breternitz,Leonardo Piga. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2018-03-22.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20210064290A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory and for reducing a buffer size

Номер патента: US20220334771A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-10-20.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory and for reducing a buffer size

Номер патента: US20240264776A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory and for reducing a buffer size

Номер патента: US20230297288A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory system including memory device and memory controller, and operating method thereof

Номер патента: US20230266893A1. Автор: Taehun Kim,Wooil Kim,Taewoo HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-24.

Memory system including memory device and memory controller, and operating method thereof

Номер патента: US12079491B2. Автор: Taehun Kim,Wooil Kim,Taewoo HAN. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Dongguk University. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory system, firmware update method, and program field

Номер патента: US20240302961A1. Автор: Mariko Matsumoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory system and control method

Номер патента: US20240319924A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Reset verification in a memory system

Номер патента: US20210173562A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

Reset verification in a memory system

Номер патента: US20230014955A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Memory device and memory system having the same

Номер патента: US20180067693A1. Автор: Byung Ryul Kim,Yong Hwan HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-08.

Memory system

Номер патента: US20140237320A1. Автор: Junji Yano,Hidenori Matsuzaki,Kosuke Hatsuda,Hiroki Matsudaira. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-21.

Memory system

Номер патента: US20230305718A1. Автор: Takashi Takemoto,Kensaku Yamaguchi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Signalling for heterogeneous memory systems

Номер патента: US11748034B2. Автор: James R. Magro,Kedarnath Balakrishnan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Arbiter circuit for commands from multiple physical functions in a memory sub-system

Номер патента: US11126375B2. Автор: Jiangli Zhu,Ying Yu Kai. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-21.

Memory controller and flash memory system

Номер патента: US20240295964A1. Автор: Kenichi TAKUBO. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Optimize Information Requests to a Memory System

Номер патента: US20200050391A1. Автор: Dhawal Bavishi,Trevor Conrad Meyerowitz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-02-13.

Data processing system and method for accessing heterogeneous memory system

Номер патента: EP4102377A1. Автор: Gun KO,Seokmin LEE,Wonseb Jeong,Hongju KAL,Wonwoo RO. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2022-12-14.

Techniques to configure zonal architectures of memory systems

Номер патента: US20240281156A1. Автор: Christian M. Gyllenskog. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Optimize Information Requests to a Memory System

Номер патента: US20240248641A1. Автор: Dhawal Bavishi,Trevor Conrad Meyerowitz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Testing operations for memory systems

Номер патента: US12067257B2. Автор: Yuan He,Sujeet V. Ayyapureddi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Optimize information requests to a memory system

Номер патента: WO2020033152A1. Автор: Dhawal Bavishi,Trevor Conrad Meyerowitz. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-02-13.

Voltage detection for managed memory systems

Номер патента: US20240274211A1. Автор: Yoav Weinberg,Evgeni Bassin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Base die, memory system, and semiconductor structure

Номер патента: US11983416B2. Автор: Shu-Liang NING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Memory system, method of controlling access to memory system, and mobile computing device

Номер патента: US20220091759A1. Автор: Yoshiyuki Kudoh,Kentaro Umesawa,Hirotomo Kobayashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Memory system having system buffer and method of operating the memory system

Номер патента: US20220334761A1. Автор: In Jong Jang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-20.

Memory system, memory controller and operating method of the memory system for controlling garbage collection

Номер патента: US20230297502A1. Автор: Gi Pyo UM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory system with multiple memory ranks and method of operating the memory system with multiple memory ranks

Номер патента: US20240289020A1. Автор: Dong-Gun KIM,Da Yeon Yun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory system and information processing system

Номер патента: US12099732B2. Автор: Hiroshi KATOUGI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Memory systems having a cache system

Номер патента: US20200151103A1. Автор: Jung Hyun Kwon,Jin Woong SUH,Seung Gyu JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-05-14.

Memory system

Номер патента: US20180275875A1. Автор: Shinji Yonezawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Memory system and method

Номер патента: US20240248645A1. Автор: Takashi Ishiguro. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory system that stores data designated by a deletion request in nonvolatile memory

Номер патента: US10949090B2. Автор: Shinji Yonezawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-03-16.

Memory programming method, memory device, and memory system

Номер патента: US20240295960A1. Автор: Yao Chen,Zhiliang Xia,Yifan Li. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Memory system and method

Номер патента: US20240094904A1. Автор: Yifan Tang. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Byte addressable memory system for a neural network and method thereof

Номер патента: US20190073127A1. Автор: Anil Ravindranath. Владелец: RaptAi Inc. Дата публикации: 2019-03-07.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US11392323B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-07-19.

Managing write command execution during a power failure in a memory sub-system

Номер патента: US20240319873A1. Автор: Yoav Weinberg,Raja V.S. HALAHARIVI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Using a memory controller to manage access to a memory based on a memory initialization state indicator

Номер патента: EP3262518A1. Автор: William G. Horne,Pratyusa K. Manadhata,Amro J. AWAD. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2018-01-03.

Headroom management during parallel plane access in a multi-plane memory device

Номер патента: US20230105208A1. Автор: Nathan Joseph Sirocka. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-04-06.

Systems and methods for enhanced data recovery in a solid state memory system

Номер патента: US20160041874A1. Автор: Shu Li,Fan Zhang,Jun Xiao,Haitao Xia. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2016-02-11.

Systems and Methods for Enhanced Data Recovery in a Solid State Memory System

Номер патента: US20150089330A1. Автор: Shu Li,Fan Zhang,Jun Xiao,Haitao Xia. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2015-03-26.

Systems and methods for enhanced data recovery in a solid state memory system

Номер патента: US20170004038A1. Автор: Shu Li,Fan Zhang,Jun Xiao,Haitao Xia. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-01-05.

SYSTEMS AND METHODS FOR ENHANCED DATA RECOVERY IN A SOLID STATE MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20170004038A1. Автор: Zhang Fan,Xia Haitao,Xiao Jun,Li Shu. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR DETECTING AND CORRECTING MAPPING TABLE ERRORS IN A NON-VOLATILE MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20180067799A1. Автор: FRID MARINA,GENSHAFT IGOR,Journo Jonathan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-03-08.

Systems and Methods for Decoupling Host Commands in a Non-Volatile Memory System

Номер патента: US20170249081A1. Автор: TZORI YIFTACH. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2017-08-31.

FRAME BUFFER ACCESS TRACKING VIA A SLIDING WINDOW IN A UNIFIED VIRTUAL MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20170199689A1. Автор: Duluk,JR. Jerome F.,FAHS Brian,DEMING James Leroy,Buschardt Cameron,MASHEY John. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-13.

DISTRIBUTED RAID IN A FLASH BASED MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20150261460A1. Автор: LIAO YU FENG,WU ZUOYING,ZHOU ZHENGNING. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-17.

Idle mode temperature control for memory systems

Номер патента: US12039189B2. Автор: Francesco Basso,Francesco Falanga,Massimo Iaculo,Antonino Pollio. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory system for binding data to a memory namespace

Номер патента: US20240248854A1. Автор: Hongyu Wang,Samuel E. Bradshaw,Shivasankar Gunasekaran,Justin M. Eno. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory system, memory controller, and memory control method

Номер патента: US20200357472A1. Автор: Yi-Chun Liu,Yiching Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-12.

Memory system, memory controller, and memory control method

Номер патента: EP3736699A1. Автор: Yi-Chun Liu,Yiching Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-11.

Non-volative memory system configured to mitigate errors in read and write operations

Номер патента: EP4266311A2. Автор: Soenke Ostertun. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-10-25.

Memory controller and method for use in memory controller of memory system

Номер патента: WO2023072381A1. Автор: Assaf Natanzon,Zvi Schneider. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-05-04.

Inter-memory movement in a multi-memory system

Номер патента: US20240201885A1. Автор: Sourabh Dhir,Kang-Yong Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Command prioritization techniques for reducing latency in a memory system

Номер патента: US20240220161A1. Автор: Olivier DUVAL,Christopher Joseph Bueb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Non-volative memory system configured to mitigate errors in read and write operations

Номер патента: EP4266311A3. Автор: Soenke Ostertun. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-01-03.

Controller, operating method of the controller and memory system

Номер патента: US20210303176A1. Автор: Hee Chan Shin,Do Hyeong LEE,Yong Seok Oh,Young Ho AHN,Jae Gwang Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Memory controller and memory system

Номер патента: US20200159411A1. Автор: Naoki Mukaida,Kenichi TAKUBO. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Apparatus and method for performing garbage collection in a memory system

Номер патента: US12039184B2. Автор: Hyoung Pil CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory system and operating method of the memory system for calibrating a history read bias based on a number of error bits generated in a read operation

Номер патента: US12039190B2. Автор: Min Hwan MOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20210241834A1. Автор: Sang Sik Kim,Dae Sung Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-05.

Memory system

Номер патента: US20230093251A1. Автор: Tomiyuki Yamada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Memory system, memory controller and operating method thereof

Номер патента: US20210103405A1. Автор: Dae Hoon Jang,Young Guen CHOI,Dong Ham YIM,Young Hoon CHA,Jeong Sun PARK,Cheon Ok JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-08.

Flexible memory system

Номер патента: US12067237B2. Автор: Richard E. George,Vidyashankar Viswanathan,Michael Y. Chow. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20180068731A1. Автор: Soo-Nyun KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-08.

Memory system

Номер патента: US20240005969A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Shohei Asami. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Memory system

Номер патента: US12094541B2. Автор: Yoshihisa Kojima,Masanobu Shirakawa,Marie Takada,Kengo Kurose,Kiyotaka Iwasaki,Ryo Yamaki,Tsukasa TOKUTOMI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory system for adjusting difference between operation time points in sequential command operations performed in memory device, and operation method thereof

Номер патента: US20210303209A1. Автор: Dong Yeob CHUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Memory system

Номер патента: US20230259287A1. Автор: Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Memory system for programming dummy data to a portion of a storage region in a program mode

Номер патента: US12068047B2. Автор: Junho Seo,Juwon LEE,Dogyeong LEE,Sukeun KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Managing sub-block erase operations in a memory sub-system

Номер патента: US12068037B2. Автор: Yunfei Xu,Hong-yan Chen,Tomoko Ogura Iwasaki,Erwin E. Yu,Kalyan Chakravarthy Kavalipurapu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Apparatus and method for performing recovery operation of memory system

Номер патента: US20200159455A1. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-05-21.

Memory device, a controller for controlling the same, a memory system including the same, and a method of operating the same

Номер патента: US20220068366A1. Автор: Sukhan Lee,Seongil O,Namsung KIM,Jaeyoun Youn,Youngcheon Kwon,Kyomin Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-03.

Apparatus and method for performing recovery operation of memory system

Номер патента: US20210382660A1. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Memory system

Номер патента: US20170242585A1. Автор: Yasuyuki Eguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-24.

Controller, memory system and operating method of the controller

Номер патента: US20200310982A1. Автор: Eu Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-10-01.

Multidimensional pseudorandom binary sequence analysis for a memory device

Номер патента: US20200411121A1. Автор: Ravi Kumar,Richard Galbraith,Niranjay RAVINDRAN,Henry Yip,Jonas Goode. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-12-31.

Memory controller and memory system including the same

Номер патента: US20210208967A1. Автор: Kijun Lee,Sanguhn CHA,Sunghye CHO,Myungkyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-08.

ECC buffer reduction in a memory device

Номер патента: US12040033B2. Автор: Amit Berman. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Managing sub-block erase operations in a memory sub-system

Номер патента: US11749353B2. Автор: Yunfei Xu,Hong-yan Chen,Tomoko Ogura Iwasaki,Erwin E. Yu,Kalyan Chakravarthy Kavalipurapu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Ecc buffer reduction in a memory device

Номер патента: US20230238074A1. Автор: Amit Berman. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-27.

Memory controller with improved mapping information management, memory system including the same, and operating method of memory controller

Номер патента: EP4350526A1. Автор: Kyungbo Yang,Hyeonwu Kim,Dongik Jeon,Soonsuk HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-10.

Semiconductor device and memory system including the same

Номер патента: EP4187538A3. Автор: ChiWeon Yoon,Tongsung KIM,Byunghoon Jeong,Youngmin Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-13.

Memory controller and memory system for allocating memory based on the ratio of hot/cold pages

Номер патента: US12086437B2. Автор: Jun Hee Ryu,Chang Hyun Park,Young Pyo Joo,Kwang Jin KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Diagonal page mapping in memory systems

Номер патента: US20230049877A1. Автор: Sampath K. Ratnam,Michael G. Miller,Vamsi Pavan Rayaprolu,Renato C. Padilla,Gary F. Besinga,Christopher M. Smitchger,Tawalin Opastrakoon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Method of identifying information related to an eye open monitor (EOM) operation performed in a memory device, and memory system performing the method

Номер патента: US12067292B2. Автор: Won Ho Kang,Chang Min Jeon,Young San KANG,Sung Tack HONG,Kwang Won Park,YeJin Cho,Hyunsoo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: US20210104267A1. Автор: Jangwoo Lee,KyungTae KANG,Byunghoon Jeong,Jeongdon Ihm. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-08.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: EP3800641A1. Автор: Jangwoo Lee,KyungTae KANG,Byunghoon Jeong,Jeongdon Ihm. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-07.

Techniques for memory system standby mode control

Номер патента: US20240281158A1. Автор: Junam Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory controller adjusting power, memory system including same, and operating method for memory system

Номер патента: US12086428B2. Автор: Hyunseok Kim,Jingyu HEO,Inhae KANG,Jaeyoul OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Partitioning of memory system resources or performance monitoring

Номер патента: EP3568763A1. Автор: Steven Douglas KRUEGER. Владелец: Advanced Risc Machines Ltd. Дата публикации: 2019-11-20.

Memory system and operating method for increasing data protection in storage failure scenarios and electronic device including the same

Номер патента: EP4336337A1. Автор: Sean Christopher KOCOL. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-13.

Adaptive temperature protection for a memory controller

Номер патента: US12050780B2. Автор: Federica Cresci,Massimiliano Patriarca. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Memory system, memory controller, and operation method of memory system for loading and updating mapping information to host memory area

Номер патента: US12072809B2. Автор: Kyu Ho Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Operating method for memory system

Номер патента: EP4180917A3. Автор: Hyunseok Kim,Jingyu HEO,Inhae KANG,Jaeyoul OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-18.

High speed memory systems and methods for designing hierarchical memory systems

Номер патента: US20160328170A1. Автор: Sundar Iyer,Shang-Tse Chuang. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-10.

Operating method for memory system

Номер патента: EP4180917A2. Автор: Hyunseok Kim,Jingyu HEO,Inhae KANG,Jaeyoul OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-17.

Memory system and method

Номер патента: US20230315312A1. Автор: Kenji Takahashi,Makoto Kuribara,Shin TAKASAKA,Rintaro ARAI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Memory system, memory controller and method for operating memory system

Номер патента: US20210004330A1. Автор: Byung Jun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-07.

Memory system and operating method of memory system

Номер патента: US20170371548A1. Автор: Gi-Pyo UM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-28.

Overwriting at a memory system

Номер патента: US11755237B2. Автор: Jonathan S. Parry,Giuseppe Cariello,Reshmi Basu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Mirrored disaggregated memory in a clustered environment

Номер патента: US20240201861A1. Автор: Ryan K. Cradick,Adam Thomas Stallman,Suresh Guduru. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Non-volatile memory device, memory system including the same and read method of memory system

Номер патента: US12020755B2. Автор: Sung Hun Kim,Hyo Jae Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Mirrored disaggregated memory in a clustered environment

Номер патента: WO2024126125A1. Автор: Ryan Cradick,Adam Thomas Stallman,Suresh Guduru. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory system, information processing apparatus, and information processing system

Номер патента: US11775184B2. Автор: Teruji Yamakawa,Kentaro Umesawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Corrective read of a memory device with reduced latency

Номер патента: US20240264771A1. Автор: Tao Liu,Zhengang Chen,Ting Luo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US10818365B2. Автор: Jung-Hyun Kwon,Seung-Gyu JEONG,Do-Sun HONG,Won-Gyu SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-10-27.

Memory system and operating method of the memory system

Номер патента: US20190066794A1. Автор: Jong Woo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Memory system including a non-volatile memory chip and method for performing a read operation on the non-volatile memory chip

Номер патента: US20210349664A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Suguru NISHIKAWA,Riki SUZUKI,Marie Sia. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory during command processing without replacing defective blocks

Номер патента: US12038834B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Adaptive Memory System

Номер патента: US20220113881A1. Автор: David Andrew Roberts. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-04-14.

Memory system and method of operating the same

Номер патента: US20220326873A1. Автор: Jin Woo Kim,Jin Won JANG,Hyo Byung HAN,Young Wu CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-13.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20170287564A1. Автор: Byoung Jun PARK,Seong Jo Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-05.

Memory system for mapping SCSI commands from client device to memory space of server via SSD

Номер патента: US8463866B2. Автор: Yaron Haviv. Владелец: Mellanox Technologies TLV Ltd. Дата публикации: 2013-06-11.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20190237150A1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Seung-Gyu JEONG,Do-Sun HONG,Won-Gyu SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

Memory system and operating method thereof for performing urgent fine program operation

Номер патента: US12056367B2. Автор: Sang Sik Kim,Chung Un NA. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Controller and memory system controlling garbage collection operation at power-on, and method of operating the controller and memory system

Номер патента: US20240160564A1. Автор: Wan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Memory controlling device and memory system including the same

Номер патента: US20200004669A1. Автор: Myoungsoo Jung,Gyuyoung PARK. Владелец: Memray Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Power-down test of firmware of a memory system

Номер патента: US20230064884A1. Автор: Yaofeng Jiang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Memory controller calculating optimal read level, memory system including the same, and operating method of memory controller

Номер патента: US20230057932A1. Автор: Dongmin Shin,Wijik LEE,Hongrak Son,Kwanwoo NOH,Seonghyeog Choi,Hyeonjong Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-23.

Memory system capable of accessing memory cell arrays in parallel

Номер патента: US20200089415A1. Автор: Riki SUZUKI,Toshikatsu Hida,Sayano AGA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Memory system capable of accessing memory cell arrays in parallel

Номер патента: US20190095108A1. Автор: Riki SUZUKI,Toshikatsu Hida,Sayano AGA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-28.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20190198119A1. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Peak power management in a memory device

Номер патента: US20230067294A1. Автор: Liang Yu,Luigi Pilolli,Jonathan Scott Parry. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Memory controller partitioning for hybrid memory system

Номер патента: US12032845B2. Автор: Frederick A. Ware,John Eric Linstadt. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-07-09.

Operating a memory array based on an indicated temperature

Номер патента: US11762585B2. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Power-down test of firmware of a memory system

Номер патента: US12039187B2. Автор: Yaofeng Jiang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory system, control method, and power control circuit

Номер патента: US20230010785A1. Автор: Takashi Ooshima,Megumi Shibatani. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-01-12.

Techniques for managing temporarily retired blocks of a memory system

Номер патента: US20230045990A1. Автор: Jonathan S. Parry,Deping He,Chun Sum Yeung. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Memory system and method for operating the same

Номер патента: US20190258577A1. Автор: Jong-Min Lee,Beom-Rae JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-08-22.

Memory system for supporting a merge operation and method for operating the same

Номер патента: US10671538B2. Автор: Jong-Min Lee,Beom-Rae JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-06-02.

Memory system

Номер патента: US11740965B2. Автор: Yoshihisa Kojima,Suguru NISHIKAWA,Takehiko Amaki,Shunichi IGAHARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Memory system with a zoned namespace and an operating method thereof

Номер патента: US20220261180A1. Автор: Hee Chan Shin,Yong Seok Oh,Young Ho AHN,Jhu Yeong Jhin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-08-18.

Memory device, a memory system and an operation method

Номер патента: US12056355B2. Автор: Ying Huang,Hongtao Liu,Ke Liang,Ling Chu,Zhipeng DONG,Manxi Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory system and method of performing background operation

Номер патента: US20240289039A1. Автор: Yong Seok WON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory access optimization for an i/o adapter in a processor complex

Номер патента: US20180314447A1. Автор: Patricia G. Driever,Jerry W. Stevens. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-01.

Memory system using host memory buffer and operation method thereof

Номер патента: US20240295988A1. Автор: Kihyun Park,Hyunseok Kim,Shin-Ho Choi,Sooyun LEE,Bumhee LEE,Wooram KIM,Hyeongyu Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-05.

Memory system using host memory buffer and operation method thereof

Номер патента: US12014080B2. Автор: Kihyun Park,Hyunseok Kim,Shin-Ho Choi,Sooyun LEE,Bumhee LEE,Wooram KIM,Hyeongyu Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-18.

Memory system

Номер патента: US20220391130A1. Автор: Terufumi Takasaki,Kenji Sakaue,Taro IWASHIRO,Sachiyo MIYAMOTO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-12-08.

Memory system and method of controlling memory system

Номер патента: US20190294539A1. Автор: Hiroki Matsudaira. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-26.

Method for performing access management in a memory device, associated memory device and controller thereof, and associated electronic device

Номер патента: US12038849B2. Автор: Jie-Hao LEE,Cheng-Yu Yu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory system and control method of memory system

Номер патента: US20210082513A1. Автор: Masahiro Ogawa,Norio Aoyama. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

In-place write techniques without erase in a memory device

Номер патента: US20240069803A1. Автор: Xiang Yang,Wei Cao. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-29.

In-place write techniques without erase in a memory device

Номер патента: US12045511B2. Автор: Xiang Yang,Wei Cao. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-23.

Timed data transfer between a host system and a memory sub-system

Номер патента: US12045168B2. Автор: Sanjay Subbarao. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Memory system

Номер патента: US20200293198A1. Автор: Mitsuru ANAZAWA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Setting Durations for which Data is Stored in a Non-Volatile Memory based on Data Types

Номер патента: US20210334012A1. Автор: Steven E. Raasch,Andrew G. Kegel. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

On-die cross-temperature management for a memory device

Номер патента: US12067290B2. Автор: Jung Sheng Hoei,Kishore Kumar Muchherla,Violante Moschiano,Akira Goda,Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick R. KHAYAT,Jeffrey S. McNeil. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory access optimization in a processor complex

Номер патента: US20180314455A1. Автор: Patricia G. Driever,Jerry W. Stevens. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-01.

Power efficient codeword scrambling in a non-volatile memory device

Номер патента: US12067264B2. Автор: Zhengang Chen,Yoav Weinberg,Eyal EN GAD. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory system

Номер патента: US12046300B2. Автор: Tomoya Kamata,Yoshihisa Kojima,Suguru NISHIKAWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Reduced-voltage operation of a memory device

Номер патента: US20220415410A1. Автор: Vipul Patel,Ezra E. Hartz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-29.

Memory controller and memory system

Номер патента: US20220147273A1. Автор: Won Gyu SHIN,Ju Yeong YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-05-12.

Programming selective word lines during an erase operation in a memory device

Номер патента: US20230289062A1. Автор: Jonathan S. Parry,Kishore Kumar Muchherla,Violante Moschiano,Akira Goda,Ugo Russo,Silvia Beltrami,Niccolo' Righetti,Jeffrey S. McNeil. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Memory system and method of operating the same

Номер патента: US20240211169A1. Автор: Hyeong Soo Kim,Joon Seop Sim,Soo Hong Ahn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Method and apparatus for optimizing dynamic memory assignments in a multi-tier memory system

Номер патента: CN110658984B. Автор: A·科林,K·杜什,H·塞恩. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-03-02.

Correction of communication line errors in a memory system

Номер патента: RU2710977C1. Автор: Дзунгвон СУХ. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2020-01-14.

Performance optimization of read functions in a memory system

Номер патента: US20160132412A1. Автор: Saravanan Sethuraman,Timothy J. Dell,Diyanesh B.C. Vidyapoornachary. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-12.

Performance optimization of read functions in a memory system

Номер патента: US9542110B2. Автор: Saravanan Sethuraman,Timothy J. Dell,Diyanesh B.C. Vidyapoornachary. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Runtime selection of memory devices and storage devices in a disaggregated memory system

Номер патента: US20220214805A1. Автор: Richard C. Murphy,Reshmi Basu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-07-07.

Memory system and method of operating memory system

Номер патента: US20240241646A1. Автор: Hyunseok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Runtime selection of memory devices and storage devices in a disaggregated memory system

Номер патента: US11762553B2. Автор: Richard C. Murphy,Reshmi Basu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Methods for asynchronously signaling updated information from a memory device to a host and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20240289060A1. Автор: Frank F. Ross. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory, memory system and operation method of memory system

Номер патента: US12026392B2. Автор: Woongrae Kim,Chul Moon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Memory controller, memory system including the memory controller, and method of operating the memory controller

Номер патента: US10719269B2. Автор: Dong Yeob CHUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-07-21.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20190102086A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-04-04.

Memory system and control method

Номер патента: US12045515B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Garbage collection strategy for memory system and method of executing such garbage collection

Номер патента: US20190310936A1. Автор: Andrei Konan,Igor NOVOGRAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-10.

Memory system supporting redundant logical domain

Номер патента: US12067298B2. Автор: Hideki Yoshida,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

A memory matrix and method of operating the same

Номер патента: WO2002091382A3. Автор: Yan Chiew Chow,James R Hsia. Владелец: James R Hsia. Дата публикации: 2003-05-01.

Memory system and method for detecting error section and reprocessing tasks

Номер патента: US10416908B2. Автор: Jeen PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-09-17.

Memory system and method for operating the same

Номер патента: US20180150247A1. Автор: Jeen PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-31.

Operating methods, memory controllers, and memory systems

Номер патента: US20240176519A1. Автор: Jin Cai,Xianwu Luo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Selectively powered embedded memory systems and methods

Номер патента: GB2626651A. Автор: Shahbazi Maryam,L Mclaury Loren,A Sharpe-Geisler Brradley. Владелец: Lattice Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-07-31.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200012603A1. Автор: Hae-Gi CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-01-09.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US11163689B2. Автор: Hae-Gi CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-11-02.

Memory controllers and memory systems

Номер патента: US20240281323A1. Автор: Jiho Kim,Kijun Lee,Myungkyu Lee,Kyomin Sohn,Seongmuk Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Host identification for a memory system

Номер патента: US11748003B2. Автор: Qing Liang,Jun Huang. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2023-09-05.

Memory system and operating method of the memory system

Номер патента: US20210098071A1. Автор: Ju Hyeon HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Memory device, memory system including the memory device, and method of operating the memory system

Номер патента: US20200133501A1. Автор: Hyun Woo Lee,Young Gyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-04-30.

Memory system for supporting internal dq termination of data buffer

Номер патента: US20180329850A1. Автор: Young-Ho Lee,In-su Choi,Hui-chong Shin,Sun-Young Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-11-15.

Read operations for active regions of a memory device

Номер патента: US12050786B2. Автор: Lingyun Wang,Bin Zhao. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Memory system

Номер патента: US11086573B2. Автор: Masanobu Shirakawa,Marie Takada,Tsukasa TOKUTOMI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-08-10.

Memory system and method of operating the same

Номер патента: US12079488B2. Автор: Kwanho KIM,Jehyun PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory controller managing temperature of memory device and memory system having the memory controller

Номер патента: US20200409608A1. Автор: Young Jae JIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-31.

Memory systems and devices including examples of accessing memory and generating access codes using an authenticated stream cipher

Номер патента: US20240201871A1. Автор: Jeremy Chritz,David Hulton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory system including a memory controller

Номер патента: US11995334B2. Автор: Jae-Han Park,Hyun-Woo KWACK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Memory, operating method therefor, and memory system

Номер патента: EP4202938A1. Автор: Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-28.

Row hammer protection for a memory device

Номер патента: US11625170B2. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-04-11.

Access schemes for activity-based data protection in a memory device

Номер патента: US20210335407A1. Автор: Corrado Villa,Andrea Martinelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Providing memory bandwidth compression using compression indicator (ci) hint directories in a central processing unit (cpu)-based system

Номер патента: WO2017172334A1. Автор: Natarajan Vaidhyanathan,Colin Beaton Verrilli,Mattheus Cornelis Antonius Adrianus Heddes. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-10-05.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20170052737A1. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-23.

Locating a memory unit associated with a memory address utilizing a mapper

Номер патента: US20230297499A1. Автор: William James Dally,Carl Thomas Gray,Stephen William Keckler,James Michael O’Connor. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Operating method of memory system including memory controller and nonvolatile memory device

Номер патента: US20220208271A1. Автор: Joonsuc Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-30.

Memory system

Номер патента: US20240289057A1. Автор: Yoshikazu Takeyama. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory system and storage system

Номер патента: US20240272810A1. Автор: Hirotomo Kobayashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Cross point array memory in a non-volatile dual in-line memory module

Номер патента: WO2019209876A1. Автор: Ying Yu Tai,Samir Mittal,Edward McGlaughlin. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-10-31.

Systems and methods for load balancing in a heterogeneous memory system

Номер патента: EP4120089A1. Автор: Rekha Pitchumani,Heekwon PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-18.

Wear-Leveling Scheme and Implementation for a Storage Class Memory System

Номер патента: US20200183606A1. Автор: CHAOHONG HU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-11.

Memory system, operating method thereof, and electronic device

Номер патента: US20190347196A1. Автор: Kyung Min Kim,Dae Hong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Memory system, memory controller, and method for operating same

Номер патента: US20210173587A1. Автор: Woong Sik SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

Programmable on-die termination timing in a multi-rank system

Номер патента: WO2017052853A1. Автор: Kuljit Bains,Alexey KOSTINSKY,Nadav Bonen. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-03-30.

Memory system including multiple memories connected in series

Номер патента: US11334286B2. Автор: Hiroyuki Kobayashi,Junji Wadatsumi,Takashi Toi,Jun Deguchi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-05-17.

Memory system including multiple memories connected in series

Номер патента: US10838655B2. Автор: Hiroyuki Kobayashi,Junji Wadatsumi,Takashi Toi,Jun Deguchi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-11-17.

Memory system including multiple memories connected in series

Номер патента: US20210064276A1. Автор: Hiroyuki Kobayashi,Junji Wadatsumi,Takashi Toi,Jun Deguchi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Exit-less host memory locking in a virtualized environment

Номер патента: US20160350018A1. Автор: Michael Tsirkin,Andrea Arcangeli. Владелец: Red Hat Israel Ltd. Дата публикации: 2016-12-01.

Dynamic temperature compensation in a memory component

Номер патента: EP3871218A1. Автор: Bruce A. Liikanen,Larry J. Koudele,Steve Kientz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-01.

Dynamic temperature compensation in a memory component

Номер патента: WO2020086213A1. Автор: Bruce A. Liikanen,Larry J. Koudele,Steve Kientz. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-04-30.

Dynamic temperature compensation in a memory component

Номер патента: US20220269420A1. Автор: Bruce A. Liikanen,Larry J. Koudele,Steve Kientz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-25.

Dynamic temperature compensation in a memory component

Номер патента: US20210042041A1. Автор: Bruce A. Liikanen,Larry J. Koudele,Steve Kientz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-11.

Hybrid memory system configurable to store neural memory weight data in analog form or digital form

Номер патента: EP4385016A1. Автор: Hieu Van Tran. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-19.

Hybrid memory system configurable to store neural memory weight data in analog form or digital form

Номер патента: US11989440B2. Автор: Hieu Van Tran. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Hybrid memory system configurable to store neural memory weight data in analog form or digital form

Номер патента: WO2023018432A1. Автор: Hieu Van Tran. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2023-02-16.

Semi receiver side write training for non-volatile memory system

Номер патента: US11829281B2. Автор: Jang Woo Lee,Venkatesh Ramachandra,Srinivas Rajendra,Anil Pai. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-28.

PAGE RETIREMENT IN A NAND FLASH MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20200057702A9. Автор: Koltsidas Ioannis,Camp Charles J.,PLETKA Roman A.,Walls Andrew D.. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-20.

PAGE RETIREMENT IN A NAND FLASH MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20190163592A1. Автор: Koltsidas Ioannis,Camp Charles J.,PLETKA Roman A.,Walls Andrew D.. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-30.

Unmap backlog in a memory system

Номер патента: US12039194B2. Автор: Tian Liang,Xu Zhang,Xing Wang,Junjun Wang,Huachen Li,Guan Zhong Wang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200081632A1. Автор: Chan-Jong WOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-03-12.

Memory system performing cache bypassing operation and cache management method thereof

Номер патента: US20240256452A1. Автор: Shinhaeng KANG,Kyomin Sohn,Suk Han Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory system and method of controlling memory chips

Номер патента: US20240302997A1. Автор: Hajime Yamazaki,Konosuke Watanabe,Shinji Yonezawa,Mitsusato Hara,Haruka MORI,Eiji SUKIGARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

High capacity, high performance memory system

Номер патента: US20230266923A1. Автор: Frederick Ware. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2023-08-24.

Apparatus and method for sanitizing a shared memory device or a memory expander

Номер патента: US20240231615A1. Автор: Jung Min Choi,Sun Woong Kim,Min Ho Ha,Byung Il Koh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Nonvolatile memory system

Номер патента: WO2008100415A4. Автор: Pantas Sutardja,Zining Wu,Tony Yoon,Chi-Kong Lee,Lau Nguyen. Владелец: Lau Nguyen. Дата публикации: 2009-01-08.

Memory module with reduced ecc overhead and memory system

Номер патента: US20220093203A1. Автор: Jangseok Choi,Taekwoon Kim,Wonhyung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-24.

Memory and memory system inclduing the memory

Номер патента: US20230282302A1. Автор: Hoiju CHUNG,Yoonna OH,Sang Woo YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Memory controller and memory system including the same

Номер патента: US20240281321A1. Автор: Dae Sung Kim,Min Su Choi,Jae yong Son. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory system including memory controller and memory device and method for recovering from an error thereof

Номер патента: US20240168846A1. Автор: Sung-Joon Kim,Ho-Young Lee,Kyung-Hee Han,Insu Choi,Changho YUN,Kyungjin PARK,Ilho Kim,Jinhun JEONG,Yunmi HWANG,Jongwon Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Memory system, memory controller, and method for operating memory system

Номер патента: US20210248032A1. Автор: Chul Sung KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-12.

Memory system, method of controlling memory system having volatile memory and nonvolatile memory, and controller

Номер патента: US20160266638A1. Автор: Toshikatsu Hida,Shohei Asami,Mitsuru ANAZAWA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Isolated performance domains in a memory system

Номер патента: EP3821332A1. Автор: Anirban Ray,Parag Maharana. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-19.

Isolated performance domains in a memory system

Номер патента: WO2020014054A1. Автор: Anirban Ray,Parag Maharana. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-01-16.

Isolated performance domains in a memory system

Номер патента: US12001342B2. Автор: Anirban Ray,Parag R. Maharana. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Isolated performance domains in a memory system

Номер патента: US20200301848A1. Автор: Anirban Ray,Parag R. Maharana. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-09-24.

Latency indication in memory system or sub-system

Номер патента: EP4425340A2. Автор: Robert Nasry Hasbun,Dean D. Gans,Sharookh Daruwalla. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-04.

Memory, memory module, memory system, and operation method of memory system

Номер патента: US12034457B2. Автор: Seok Woo Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Garbage collection in a memory sub-system during a low battery state

Номер патента: EP4018316A1. Автор: Jianmin Huang,Aparna U. Limaye,Tomoko Ogura Iwasaki,Avani F. Trivedi,Tracy D. Evans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-29.

Spare substitution in memory system

Номер патента: US12093129B2. Автор: Joseph Thomas Pawlowski. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-09-17.

Apparatus and method for handling a firmware error in operation of a memory system

Номер патента: US20210064471A1. Автор: Sung-Jin Park,Dong-Hyun Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-03-04.

Apparatus and method for securing a free memory block in a memory system

Номер патента: US11775426B2. Автор: Dong Young Seo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Memory system storing management information and method of controlling same

Номер патента: US9164896B2. Автор: Junji Yano,Hidenori Matsuzaki,Kosuke Hatsuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-10-20.

Memory system storing management information and method of controlling same

Номер патента: US20240281149A1. Автор: Junji Yano,Hidenori Matsuzaki,Kosuke Hatsuda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory system

Номер патента: US20130290659A1. Автор: Shigehiro Asano,Junji Yano,Shinichi Kanno,Hidenori Matsuzaki,Kosuke Hatsuda,Toshikatsu Hida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-10-31.

Memory device, memory system, and operation method thereof

Номер патента: US10740226B2. Автор: Jung-Hyun Kwon,Sung-Eun Lee,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-08-11.

Memory system

Номер патента: EP2111583A1. Автор: designation of the inventor has not yet been filed The. Владелец: . Дата публикации: 2009-10-28.

Memory device, memory system, and operation method thereof

Номер патента: US20180210826A1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Sung-Eun Lee,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-07-26.

Memory system

Номер патента: US12032831B2. Автор: Junji Yano,Hidenori Matsuzaki,Kosuke Hatsuda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Error evaluation for a memory system

Номер патента: US20230222032A1. Автор: Matthew D. Jenkinson,Christopher G. Wieduwilt,Seth A. Eichmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Memory system and method of operating the same

Номер патента: US10922200B2. Автор: Jin Woong Kim,Se Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-02-16.

Memory system with selective access to first and second memories

Номер патента: US20200065000A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Memory system and bus switch

Номер патента: US20140331005A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-11-06.

Memory system with selective access to first and second memories

Номер патента: US20210208784A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-07-08.

Memory system and bus switch

Номер патента: US20140052903A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-02-20.

Memory system with selective access to first and second memories

Номер патента: US9280461B2. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-08.

Memory system controlling load capacity

Номер патента: US8832362B2. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-09.

Memory system and bus switch

Номер патента: US8595410B2. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-11-26.

Memory system with selective access to first and second memories

Номер патента: US20240118804A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Memory system with selective access to first and second memories

Номер патента: US20230049754A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-02-16.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US12032854B2. Автор: Beom Rae JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Memory system and operating method of the same

Номер патента: US20210375347A1. Автор: Seungwon Lee,Daeseok Byeon,Youngmin Jo,Taehyo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-02.

Memory system with selective access to first and second memories

Номер патента: US10474360B2. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-11-12.

Memory system with selective access to first and second memories

Номер патента: US10956039B2. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-03-23.

Memory system with selective access to first and second memories

Номер патента: US20160147455A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-05-26.

Controller, memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200057728A1. Автор: Sang Hyun Kim,Duck Hoi KOO,Soong Sun SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-02-20.

Fault tolerant memory systems and components with interconnected and redundant data interfaces

Номер патента: US20170091040A1. Автор: Frederick A. Ware,Kenneth L. Wright. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-03-30.

Operating method of memory system including nand flash memory, variable resistance memory and controller

Номер патента: US20160004469A1. Автор: Eun-Jin Yun,BoGeun Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-01-07.

Memory controller and memory system including same

Номер патента: US20180113641A1. Автор: Shi Hye KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-26.

Page buffer, memory device including page buffer and memory system including memory device

Номер патента: US20240177786A1. Автор: Kang Woo Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Memory System and Method for Power Management for Reducing a Variable Credit Value By a Computed Consumed Energy Value for Each Corresponding Updated Cycle

Номер патента: US20170192722A1. Автор: Eran Erez. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-07-06.

Memory device and memory system for direct communication between the memory devices

Номер патента: US20200104060A1. Автор: Young Geun Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-02.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200089581A1. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-03-19.

System and method for host volume mapping for shared storage volumes in a multi-host computing environment

Номер патента: EP1221100A1. Автор: William G. Deitz,Walter A. Hubis. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-07-10.

System and method for host volume mapping for shared storage volumes in a multi-host computing environment

Номер патента: EP1221100A4. Автор: Walter A Hubis,William G Deitz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-07-18.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20210295933A1. Автор: Eui Cheol Lim,Myoung Seo KIM,Mi Seon HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-23.

Address Hashing in a Multiple Memory Controller System

Номер патента: US20220342588A1. Автор: Steven Fishwick. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2022-10-27.

Spike current suppression in a memory array

Номер патента: US20220319592A1. Автор: Iniyan Soundappa Elango,Robert Douglas Cassel,Sundaravadivel Rajarajan,Srivatsan Venkatesan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Memory system performing performance adjusting operation

Номер патента: US20230063640A1. Автор: Duksoo Kim,Doil Kong,Daesung CHEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-02.

Fault tolerant memory system

Номер патента: US20200034230A1. Автор: Roxana RUSITORU,Jonathan Curtis Beard,Reiley JEYAPAUL. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2020-01-30.

Memory channel selection in a multi-channel memory system

Номер патента: US20130326158A1. Автор: Lin Chen,Long Chen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-12-05.

A method of synchronizing read timing in a high speed memory system

Номер патента: EP1374244A2. Автор: Troy A. Manning,Brent Keeth,Chris G. Martin,Jeffery W. Janzen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-01-02.

A method of synchronizing read timing in a high speed memory system

Номер патента: WO2002069341A3. Автор: Brent Keeth,Troy A Manning,Chris G Martin,Jeffery W Janzen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-11-28.

A method of synchronizing read timing in a high speed memory system

Номер патента: EP1374244B1. Автор: Troy A. Manning,Brent Keeth,Chris G. Martin,Jeffery W. Janzen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-08-31.

A method of synchronizing read timing in a high speed memory system

Номер патента: WO2002069341A2. Автор: Troy A. Manning,Brent Keeth,Chris G. Martin,Jeffery W. Janzen. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2002-09-06.

Read data flow control in a cascade interconnect memory system

Номер патента: EP2294577A1. Автор: Kevin Gower,Michael Trombley,Steven Hnatko. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-03-16.

Apparatus and method for direct memory access in a hub-based memory system

Номер патента: US7966430B2. Автор: Joseph M. Jeddeloh. Владелец: Round Rock Research LLC. Дата публикации: 2011-06-21.

Pcie traffic tracking hardware in a unified virtual memory system

Номер патента: US20180232332A1. Автор: Jerôme F. DULUK, Jr.,John Mashey,Mark HAIRGROVE,Cameron Buschardt,Brian Fahs,James Leroy Deming. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2018-08-16.

Pcie traffic tracking hardware in a unified virtual memory system

Номер патента: US20190340145A1. Автор: Jerôme F. DULUK, Jr.,John Mashey,Mark HAIRGROVE,Cameron Buschardt,Brian Fahs,James Leroy Deming. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2019-11-07.

Systems and methods for latency based data recycling in a solid state memory system

Номер патента: US9740432B2. Автор: Ning Chen,Yu Cai,Zhengang Chen,Erich F. Haratsch,Yunxiang Wu. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-08-22.

Read data flow control in a cascade interconnect memory system

Номер патента: WO2010000554A4. Автор: Kevin Gower,Michael Trombley,Steven Hnatko. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2010-02-25.

Read data flow control in a cascade interconnect memory system

Номер патента: WO2010000554A1. Автор: Kevin Gower,Michael Trombley,Steven Hnatko. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2010-01-07.

Protecting shared variables in a software transactional memory system

Номер патента: EP1960879A1. Автор: Bratin Saha,Ali-Reza Adl-Tabatabai. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-08-27.

Techniques for implementing barriers to efficiently support cumulativity in a weakly-ordered memory system

Номер патента: US20150286570A1. Автор: Guy L. Guthrie,William J. Starke,Derek E. Williams,Hugh Shen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-10-08.

Techniques for implementing barriers to efficiently support cumulativity in a weakly-ordered memory system

Номер патента: US9563558B2. Автор: Guy L. Guthrie,William J. Starke,Derek E. Williams,Hugh Shen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Collision detection in a multi-port memory system

Номер патента: WO2005093758A8. Автор: Tzong-Kwang Henry Yeh,Wei-Ling Chang,Chung-Han Lin,Bill Beane. Владелец: Bill Beane. Дата публикации: 2005-11-24.

Managing serial miss requests for load operations in a non-coherent memory system

Номер патента: US20210056024A1. Автор: Brian R. Mestan,Gideon N. Levinsky,Mridul Agarwal,Deepak Limaye. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

Architectures for storing and retrieving system data in a non-volatile memory system

Номер патента: US20220208277A1. Автор: Chunming Wang,Hieu Van Tran,Nhan Do,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-30.

Improved architectures for storing and retrieving system data in a non-volatile memory system

Номер патента: EP4272214A1. Автор: Chunming Wang,Hieu Van Tran,Nhan Do,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-08.

Method and apparatus for merging sorted lists in a multiprocessor shared memory system

Номер патента: US5307485A. Автор: Joel Goldman,David B. Lindquist,Frank G. Bordonaro,Glen A. Brent,Roger J. Edwards,Kushal A. Patel,Peyton R. Williams, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1994-04-26.

Implementing barriers to efficiently support cumulativity in a weakly-ordered memory system

Номер патента: US20170315919A1. Автор: Guy L. Guthrie,Derek E. Williams,Hugh Shen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-02.

Collision detection in a multi-port memory system

Номер патента: WO2005093758A1. Автор: Tzong-Kwang Henry Yeh,Wei-Ling Chang,Chung-Han Lin,Bill Beane. Владелец: Integrated Device Technology, Inc.. Дата публикации: 2005-10-06.

Implementing barriers to efficiently support cumulativity in a weakly-ordered memory system

Номер патента: US20170315922A1. Автор: Guy L. Guthrie,Derek E. Williams,Hugh Shen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-02.

Implementing barriers to efficiently support cumulativity in a weakly-ordered memory system

Номер патента: US10019374B2. Автор: Guy L. Guthrie,Derek E. Williams,Hugh Shen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-10.

Implementing barriers to efficiently support cumulativity in a weakly ordered memory system

Номер патента: US10318432B2. Автор: Guy L. Guthrie,Derek E. Williams,Hugh Shen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-11.

Implementing barriers to efficiently support cumulativity in a weakly-ordered memory system

Номер патента: US9959213B2. Автор: Guy L. Guthrie,Derek E. Williams,Hugh Shen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Implementing barriers to efficiently support cumulativity in a weakly ordered memory system

Номер патента: US20180329826A1. Автор: Guy L. Guthrie,Derek E. Williams,Hugh Shen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Collision detection in a multi-port memory system

Номер патента: EP1738371A1. Автор: Tzong-Kwang Henry Yeh,Wei-Ling Chang,Chung-Han Lin,Bill Beane. Владелец: Integrated Device Technology Inc. Дата публикации: 2007-01-03.

Centralized reference and change table for a multiprocessor virtual memory system

Номер патента: WO1991010956A1. Автор: Robert P. Ryan,Kin Ling Cheung. Владелец: Wang Laboratories, Inc.. Дата публикации: 1991-07-25.

Protocol-based memory system for initializing bus interfaces using device identifiers after memory sizes are increased

Номер патента: US6256718B1. Автор: Katsunori Uchida. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-07-03.

Tracking the least frequently erased blocks in non-volatile memory systems

Номер патента: EP1559017A1. Автор: Robert C. Chang,Bahman Qawami,Farshid Sabet-Sharghi. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2005-08-03.

Reducing access contention in flash-based memory systems

Номер патента: US20110145475A1. Автор: Peter Mueller,Evangelos S. Eleftheriou,Robert Haas,Roman A. Pletka. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-06-16.

Systems and methods for soft data utilization in a solid state memory system

Номер патента: US20160085623A1. Автор: Yu Cai,Erich F. Haratsch,Yunxiang Wu. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2016-03-24.

Data mirroring in serial -connected memory system

Номер патента: WO2010048711A1. Автор: Hakjune Oh,William Petrie. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2010-05-06.

Cache architecture using way ID to reduce near memory traffic in a two-level memory system

Номер патента: US10884927B2. Автор: Zhe Wang,Alaa R. Alameldeen. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-01-05.

Arbitration system having a packet memory and method for memory responses in a hub-based memory system

Номер патента: US20080294862A1. Автор: Joseph M. Jeddeloh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-11-27.

Method and system for recovery of the state of a failed CPU/cache/memory node in a distributed shared memory system

Номер патента: US6675316B1. Автор: Richard E. Harper. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-01-06.

Arbitration system having a packet memory and method for memory responses in a hub-based memory system

Номер патента: EP1723527A4. Автор: Joseph M Jeddeloh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-10-03.

Off-chip micro control and interface in a multichip integrated memory system

Номер патента: US20090287896A1. Автор: Vijay P. Adusumilli. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2009-11-19.

SYSTEMS AND METHODS FOR ENHANCED DATA RECOVERY IN A SOLID STATE MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20160041874A1. Автор: Zhang Fan,Xia Haitao,Xiao Jun,Li Shu. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2016-02-11.

SYSTEMS AND METHODS FOR SOFT DATA UTILIZATION IN A SOLID STATE MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20160085623A1. Автор: Haratsch Erich F.,WU Yunxiang,CAI Yu. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2016-03-24.

Systems and Methods for Enhanced Data Recovery in a Solid State Memory System

Номер патента: US20150089330A1. Автор: Zhang Fan,Xia Haitao,Xiao Jun,Li Shu. Владелец: LSI Corporation. Дата публикации: 2015-03-26.

SYSTEMS AND METHODS FOR SOFT DATA UTILIZATION IN A SOLID STATE MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20170093427A1. Автор: Haratsch Erich F.,WU Yunxiang,CAI Yu. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-03-30.

Systems and Methods for Latency Based Data Recycling in a Solid State Memory System

Номер патента: US20150113205A1. Автор: Chen Zhengang,Haratsch Erich F.,Chen Ning,WU Yunxiang,CAI Yu. Владелец: LSI Corporation. Дата публикации: 2015-04-23.

Systems and Methods for Soft Data Utilization in a Solid State Memory System

Номер патента: US20150113318A1. Автор: Haratsch Erich F.,WU Yunxiang,CAI Yu. Владелец: LSI Corporation. Дата публикации: 2015-04-23.

Systems and Methods for Soft Decision Generation in a Solid State Memory System

Номер патента: US20150143202A1. Автор: Zhengang Chen,Erich F. Haratsch,Yunxiang Wu. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2015-05-21.

SYSTEMS AND METHODS FOR SOFT DECISION GENERATION IN A SOLID STATE MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20160182086A1. Автор: Chen Zhengang,Haratsch Erich F.,WU Yunxiang. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2016-06-23.

System And Method For Storing Multiple Copies of Data In A High Speed Memory System

Номер патента: US20140310482A1. Автор: Iyer Sundar,Chuang Shang-Tse. Владелец: MEMOIR SYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2014-10-16.

SYSTEMS AND METHODS FOR SOFT DECISION GENERATION IN A SOLID STATE MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20180226991A1. Автор: Chen Zhengang,Haratsch Erich F.,WU Yunxiang. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-08-09.

SYSTEMS AND METHODS FOR LATENCY BASED DATA RECYCLING IN A SOLID STATE MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20170322750A1. Автор: Chen Zhengang,Haratsch Erich F.,Chen Ning,WU Yunxiang,CAI Yu. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-11-09.

Systems and methods for latency based data recycling in a solid state memory system

Номер патента: US20160357485A1. Автор: Ning Chen,Yu Cai,Zhengang Chen,Erich F. Haratsch,Yunxiang Wu. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2016-12-08.

Method and system for terminating write commands in a hub-based memory system

Номер патента: EP2562653A3. Автор: designation of the inventor has not yet been filed The. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-03-06.

Method and system for terminating write commands in a hub-based memory system

Номер патента: US20070300023A1. Автор: Jeffrey Cronin,Douglas Larson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-12-27.

Method and system for capturing and bypassing memory transactions in a hub-based memory system

Номер патента: US7133991B2. Автор: Ralph James. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-11-07.

Method and system for terminating write commands in a hub-based memory system

Номер патента: EP1769361B1. Автор: Douglas A. Larson,Jeffrey J. Cronin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-01-15.

Method and system for capturing and bypassing memory transactions in a hub-based memory system

Номер патента: US20050044304A1. Автор: Ralph James. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-02-24.

Method and system for capturing and bypassing memory transactions in a hub-based memory system

Номер патента: US20060200602A1. Автор: Ralph James. Владелец: Ralph James. Дата публикации: 2006-09-07.

System and Method for Providing Data Integrity in a Non-Volatile Memory System

Номер патента: US20090024899A1. Автор: Robert Alan Reid. Владелец: Denali Software Inc. Дата публикации: 2009-01-22.

FRAME BUFFER ACCESS TRACKING VIA A SLIDING WINDOW IN A UNIFIED VIRTUAL MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20140281365A1. Автор: Duluk,JR. Jerome F.,FAHS Brian,DEMING James Leroy,Buschardt Cameron,MASHEY John. Владелец: NVIDIA CORPORATION. Дата публикации: 2014-09-18.

SELECTIVE FAULT STALLING FOR A GPU MEMORY PIPELINE IN A UNIFIED VIRTUAL MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20140281679A1. Автор: GADRE Shirish,GIROUX Olivier. Владелец: NVIDIA CORPORATION. Дата публикации: 2014-09-18.

MANAGING MEMORY TRANSACTIONS IN A DISTRIBUTED SHARED MEMORY SYSTEM SUPPORTING CACHING ABOVE A POINT OF COHERENCY

Номер патента: US20150331796A1. Автор: Williams Derek E.,GUTHRIE Guy L.,Shen Hugh. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-11-19.

MANAGING MEMORY TRANSACTIONS IN A DISTRIBUTED SHARED MEMORY SYSTEM SUPPORTING CACHING ABOVE A POINT OF COHERENCY

Номер патента: US20150331798A1. Автор: Williams Derek E.,GUTHRIE Guy L.,Shen Hugh. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-11-19.

Partitioning a crossbar interconnect in a multi-channel memory system

Номер патента: WO2011017628A1. Автор: Feng Wang,Matthew Michael Nowak,Jonghae Kim. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2011-02-10.

Partitioning a crossbar interconnect in a multi-channel memory system

Номер патента: TW201111997A. Автор: Feng Wang,Matthew Michael Nowak,Jong-Hae Kim. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2011-04-01.

CACHE ARCHITECTURE USING WAY ID TO REDUCE NEAR MEMORY TRAFFIC IN A TWO-LEVEL MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20190042422A1. Автор: Wang Zhe,ALAMELDEEN Alaa R.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-02-07.

TECHNIQUES FOR IMPLEMENTING BARRIERS TO EFFICIENTLY SUPPORT CUMULATIVITY IN A WEAKLY-ORDERED MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20170046264A1. Автор: Williams Derek E.,GUTHRIE Guy L.,STARKE William J.,Shen Hugh. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-16.

MANAGING SERIAL MISS REQUESTS FOR LOAD OPERATIONS IN A NON-COHERENT MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20210056024A1. Автор: Mestan Brian R.,Levinsky Gideon N.,Limaye Deepak,Agarwal Mridul. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-25.

PAGE RETIREMENT IN A NAND FLASH MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20150154061A1. Автор: Koltsidas Ioannis,Camp Charles J.,PLETKA Roman A.,Walls Andrew D.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-06-04.

RECORDING DWELL TIME IN A NON-VOLATILE MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20150161034A1. Автор: FISHER TIMOTHY J.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-06-11.

OPERATION COHERENCY IN A NON-VOLATILE MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20210182199A1. Автор: Ish Mark,Simionescu Horia C.,ADAMS Lyle E.,XU Yongcai. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-17.

BANDWIDTH OPTIMIZATION IN A NON-VOLATILE MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20140237318A1. Автор: Fitzpatrick James,Rafati Amirhossein. Владелец: SanDisk Enterprise IP LLC. Дата публикации: 2014-08-21.

ISOCHRONOUS AGENT DATA PINNING IN A MULTI-LEVEL MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20150169439A1. Автор: Koker Altug,Ray Joydeep,Fanning Blaise,White Bryan,Puffer David,Witter Todd,Torrant Marc,Schaper Neil,Sreenivas Aditya. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-18.

PCIE TRAFFIC TRACKING HARDWARE IN A UNIFIED VIRTUAL MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20140281110A1. Автор: Duluk,JR. Jerome F.,FAHS Brian,DEMING James Leroy,HAIRGROVE Mark,Buschardt Cameron,MASHEY John. Владелец: NVIDIA CORPORATION. Дата публикации: 2014-09-18.

MIGRATION COUNTERS FOR HYBRID MEMORIES IN A UNIFIED VIRTUAL MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20140281264A1. Автор: Duluk,JR. Jerome F.,FAHS Brian,DEMING James Leroy,Buschardt Cameron. Владелец: NVIDIA CORPORATION. Дата публикации: 2014-09-18.

OPPORTUNISTIC MIGRATION OF MEMORY PAGES IN A UNIFIED VIRTUAL MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20140281299A1. Автор: Duluk,JR. Jerome F.,FAHS Brian,DEMING James Leroy,DUNNING Lucien,HAIRGROVE Mark,Buschardt Cameron,MASHEY John. Владелец: NVIDIA CORPORATION. Дата публикации: 2014-09-18.

MIGRATION DIRECTIVES IN A UNIFIED VIRTUAL MEMORY SYSTEM ARCHITECTURE

Номер патента: US20140281323A1. Автор: Duluk,JR. Jerome F.. Владелец: NVIDIA CORPORATION. Дата публикации: 2014-09-18.

Memory apparatus and methods thereof for preventing read errors on weak pages in a non-volatile memory system

Номер патента: US20140304456A1. Автор: Sandeep Sharma,Ajith Kumar,Ashwin Narasimha,Vibhor Patel. Владелец: HGST Inc. Дата публикации: 2014-10-09.

SHUTDOWNS AND DATA RECOVERY TO AVOID READ ERRORS WEAK PAGES IN A NON-VOLATILE MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20140304560A1. Автор: Sharma Sandeep,Kumar Ajith,Narasimha Ashwin,Patel Vibhor. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-09.

PCIE TRAFFIC TRACKING HARDWARE IN A UNIFIED VIRTUAL MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20180232332A1. Автор: Duluk,JR. Jerome F.,FAHS Brian,DEMING James Leroy,HAIRGROVE Mark,Buschardt Cameron,MASHEY John. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-16.

Enabling Maximum Concurrency In A Hybrid Transactional Memory System

Номер патента: US20150277967A1. Автор: Gottschlich Justin E.,Shpeisman Tatiana,Pokam Gilles A.,CALCIU Irina. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-01.

BOOT MANAGEMENT IN A NON-VOLATILE MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20150280749A1. Автор: Gjorup Karsten. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-01.

TECHNIQUES FOR IMPLEMENTING BARRIERS TO EFFICIENTLY SUPPORT CUMULATIVITY IN A WEAKLY-ORDERED MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20150286569A1. Автор: Williams Derek E.,GUTHRIE Guy L.,STARKE William J.,Shen Hugh. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-10-08.

TECHNIQUES FOR IMPLEMENTING BARRIERS TO EFFICIENTLY SUPPORT CUMULATIVITY IN A WEAKLY-ORDERED MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20150286570A1. Автор: Williams Derek E.,GUTHRIE Guy L.,STARKE William J.,Shen Hugh. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-10-08.

IMPLEMENTING BARRIERS TO EFFICIENTLY SUPPORT CUMULATIVITY IN A WEAKLY-ORDERED MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20170315919A1. Автор: Williams Derek E.,GUTHRIE Guy L.,Shen Hugh. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-02.

IMPLEMENTING BARRIERS TO EFFICIENTLY SUPPORT CUMULATIVITY IN A WEAKLY-ORDERED MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20170315922A1. Автор: Williams Derek E.,GUTHRIE Guy L.,Shen Hugh. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-02.

IMPLEMENTING BARRIERS TO EFFICIENTLY SUPPORT CUMULATIVITY IN A WEAKLY ORDERED MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20180329826A1. Автор: Williams Derek E.,GUTHRIE Guy L.,Shen Hugh. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-15.

PCIE TRAFFIC TRACKING HARDWARE IN A UNIFIED VIRTUAL MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20190340145A1. Автор: Duluk,JR. Jerome F.,FAHS Brian,DEMING James Leroy,HAIRGROVE Mark,Buschardt Cameron,MASHEY John. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-07.

Pcie traffic tracking hardware in a unified virtual memory system

Номер патента: US20170371822A9. Автор: Jerôme F. DULUK, Jr.,John Mashey,Mark HAIRGROVE,Cameron Buschardt,Brian Fahs,James Leroy Deming. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2017-12-28.

OPERATION COHERENCY IN A NON-VOLATILE MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20200387449A1. Автор: Ish Mark,Simionescu Horia C.,ADAMS Lyle E.,XU Yongcai. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-10.

Power management block for use in a non-volatile memory system

Номер патента: KR101004876B1. Автор: 로버트 씨. 창,바만 콰와미,파시드 사벳-샤기,세르게이 유딘. Владелец: 샌디스크 코포레이션. Дата публикации: 2010-12-28.

Pipelined parallel programming operation in a non-volatile memory system

Номер патента: CN1647049A. Автор: 凯文·M·康利,约拉姆·锡达. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2005-07-27.

Pipelined parallel programming operation in a non-volatile memory system

Номер патента: CN1323356C. Автор: 凯文·M·康利,约拉姆·锡达. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2007-06-27.

Method and apparatus for performing block caching in a non-volatile memory system

Номер патента: US20040083348A1. Автор: Ping Li,Robert Chang,Bahman Qawami,Farshid Sabet-Sharghi. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2004-04-29.

Method and apparatus for performing multi-page write operations in a non-volatile memory system

Номер патента: TW200424846A. Автор: Ping Li,Bahman Qawami,Robert C Chang,Farshid Sabet-Sharghi. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2004-11-16.

Apparatus and method for direct memory access in a hub-based memory system

Номер патента: CN100595720C. Автор: 约瑟夫·M·杰德罗. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-03-24.

Pipelined parallel programming operation in a non-volatile memory system

Номер патента: EP1476812B1. Автор: Kevin M. Conley,Yoram Cedar. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-11-29.

Enabling maximum concurrency in a hybrid transactional memory system

Номер патента: US9971627B2. Автор: Tatiana Shpeisman,Irina Calciu,Justin E. Gottschlich,Gilles A. POKAM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Enabling maximum concurrency in a hybrid transactional memory system

Номер патента: EP3123306A1. Автор: Tatiana Shpeisman,Irina Calciu,Justin E. Gottschlich,Gilles A. POKAM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-01.

Apparatus and method for direct memory access in a hub-based memory system

Номер патента: CN1965285A. Автор: 约瑟夫·M·杰德罗. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-05-16.

Method for synchronizing read timing in a high-speed memory system

Номер патента: JP4030875B2. Автор: キース ブレント,ダブリュー．ジャンゼン ジェフリー,エイ．マニング トロイ,ジー．マーティン クリス. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-01-09.

Automatic read data flow control in a cascade interconnect memory system

Номер патента: TW201015568A. Автор: Kevin C Gower,Michael R Trombley,Steven J Hnatko. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2010-04-16.

Multi-pump memory system access circuits for sequentially executing parallel memory operations

Номер патента: WO2019051446A1. Автор: Francois Ibrahim Atallah,Jihoon Jeong,Keith Alan Bowman,Hoan Huu Nguyen. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-03-14.

Purging data from a memory device

Номер патента: WO2022115828A1. Автор: Jonathan S. Parry,Christian M. Gyllenskog. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-06-02.

Memory controller, an operation method thereof, a memory device, and a memory system

Номер патента: US20240212782A1. Автор: Sungjoon Kim,Changho YUN,Chaeeun LEE,Yukyoung KIM,Jongwon Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Distributed autonomous power management in a memory system

Номер патента: WO2008017625B1. Автор: Kevin Gower,Robert Tremaine. Владелец: Robert Tremaine. Дата публикации: 2008-05-29.

Memory system host data reset function

Номер патента: US20240281373A1. Автор: Yanhua Bi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory system with first cache for storing uncompressed look-up table segments and second cache for storing compressed look-up table segments

Номер патента: US11455256B2. Автор: Tomonori Yokoyama,Mitsunori Tadokoro,Satoshi Kaburaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-27.

Temperature compensation in a memory system

Номер патента: EP3844754A1. Автор: Shane Nowell,Sampath K. Ratnam,Vamsi Pavan Rayaprolu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-07.

Temperature compensation in a memory system

Номер патента: WO2020046970A1. Автор: Shane Nowell,Sampath K. Ratnam,Vamsi Pavan Rayaprolu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-03-05.

Memory system in a dual processor device and a method of initialising memory in a dual processor device

Номер патента: WO2004074977A3. Автор: Michal Polak. Владелец: Michal Polak. Дата публикации: 2005-03-03.

Memory system in a dual processor device and a method of initialising memory in a dual processor device

Номер патента: WO2004074977A2. Автор: Michal Polak. Владелец: Advanced Digital Broadcast Polska Sp. Z O.O.. Дата публикации: 2004-09-02.

Memory system and operation method of the memory system

Номер патента: US20230152981A1. Автор: In Jong Jang,Kyu Min LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

Memory system

Номер патента: US20210158885A1. Автор: Hongseok Kim,EHyun NAM,Kyoungseok RHA. Владелец: Fadu Inc. Дата публикации: 2021-05-27.

Memory controllers and memory systems including the same

Номер патента: US20240178861A1. Автор: Daehyun Kim,Jiho Kim,Kijun Lee,Sunghye CHO,Myungkyu Lee,Kyomin Sohn,Seongmuk Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-30.

Adaptive error correction in a memory system

Номер патента: US20160344427A1. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Warren E. Maule,John K. DeBrosse,Hillery C. Hunter,Charles A. Kilmer,Rona Yaari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-24.

Temperature compensation in a memory system

Номер патента: US20210397232A1. Автор: Shane Nowell,Sampath K. Ratnam,Vamsi Pavan Rayaprolu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Temperature compensation in a memory system

Номер патента: US11662786B2. Автор: Shane Nowell,Sampath K. Ratnam,Vamsi Pavan Rayaprolu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-30.

System and method for storing data in a virtualized memory system with destructive reads

Номер патента: US8838934B2. Автор: Shang-Tse Chuang,Sundar Iver. Владелец: Memoir Systems LLC. Дата публикации: 2014-09-16.

Memory system

Номер патента: US20210295931A1. Автор: Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Memory System with Multi-Level Status Signaling and Method for Operating the Same

Номер патента: US20120182780A1. Автор: Steven Cheng. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2012-07-19.

Memory system with multi-level status signaling and method for operating the same

Номер патента: WO2011002626A1. Автор: Steven Cheng. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2011-01-06.

Memory system with multi-level status signaling and method for operating the same

Номер патента: EP2449474A1. Автор: Steven Cheng. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2012-05-09.

Managing data placement for direct assigned virtual machines in a memory sub-system

Номер патента: US20240320029A1. Автор: Luca Bert. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory system

Номер патента: US20190287640A1. Автор: Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Memory system and method for controlling the same

Номер патента: US20230418760A1. Автор: Fumio Hara. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Memory System and Method for Transferring Data Therein

Номер патента: US20080022037A1. Автор: Hermann Ruckerbauer. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-01-24.

Memory system and method for transferring data therein

Номер патента: US7293151B2. Автор: Hermann Ruckerbauer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-11-06.

Memory system and memory controller

Номер патента: US20120151123A1. Автор: Haruki Toda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-06-14.

Method and apparatus for fast context cloning in a data processing system

Номер патента: WO2019012252A1. Автор: Curtis Glenn DUNHAM,Roxana RUSITORU,Jonathan Curtis Beard. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2019-01-17.

Memory system

Номер патента: US20240281370A1. Автор: Kohei Oikawa,Yu Nakanishi,Hirotsugu KAJIHARA,Kazuhiro Hiwada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Error-tolerant memory system for machine learning systems

Номер патента: US12066890B2. Автор: Sudhanva Gurumurthi,Ganesh Suryanarayan Dasika. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory system and method for transferring data therein

Номер патента: US7831797B2. Автор: Hermann Ruckerbauer. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2010-11-09.

Apparatus and method for handling a data error in a memory system

Номер патента: US11762734B2. Автор: Jaeyoon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Adaptive error correction in a memory system

Номер патента: US20160036466A1. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Warren E. Maule,John K. DeBrosse,Hillery C. Hunter,Charles A. Kilmer,Rona Yaari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-02-04.

Memory device supporting a high-efficient input/output interface and a memory system including the memory device

Номер патента: US12061561B2. Автор: YoungHoon SON,Youngdon CHOI,Junghwan Choi,Jindo BYUN,Hyungmin Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Memory system and controller

Номер патента: US20230288973A1. Автор: Katsuhiko Ueki,Yoshihisa Kojima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Memory system capable of controlling wireless communication function

Номер патента: US20160299696A1. Автор: Kuniaki Ito,Takashi Wakutsu,Shuichi Sakurai,Yasufumi Tsumagari. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-13.

Memory system capable of controlling wireless communication function

Номер патента: US20170344471A1. Автор: Kuniaki Ito,Takashi Wakutsu,Shuichi Sakurai,Yasufumi Tsumagari. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-30.

Memory system capable of controlling wireless communication function

Номер патента: US20190272228A1. Автор: Kuniaki Ito,Takashi Wakutsu,Shuichi Sakurai,Yasufumi Tsumagari. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-05.

Memory device having physical unclonable function and memory system including the memory device

Номер патента: US20240145002A1. Автор: Daeseok Byeon,Jooyong PARK,Pansuk Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Dynamic index selection in a hardware cache

Номер патента: US20130036271A1. Автор: Shaul Yifrach,MVV A. Krishna. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-02-07.

Memory system

Номер патента: US20140281154A1. Автор: Hajime Matsumoto,Daisuke Hashimoto,Toyokazu Eguchi,Daisuke Ide. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Managing open blocks in memory systems

Номер патента: US11656934B2. Автор: Zheng Wu,Yi-Chun Liu,Wei Jie Chen,Ching Ting Lu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-23.

Asymmetric-channel memory system

Номер патента: US20170249265A1. Автор: Ian P. Shaeffer,Arun Vaidyanath,Sanku Mukherjee. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-08-31.

Adaptive scan frequency for detecting errors in a memory system

Номер патента: WO2019222488A1. Автор: Michael G. McNeeley,Kishore K. Muchherla,Sampath K. Ratnam,Akira Goda,Todd A. Marquart,Kevin R. Brandt,William C. Filipiak. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-11-21.

Adaptive scan frequency for detecting errors in a memory system

Номер патента: US20190354421A1. Автор: Michael G. McNeeley,Kishore K. Muchherla,Sampath K. Ratnam,Akira Goda,Todd A. Marquart,Kevin R. Brandt,William C. Filipiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-21.

Memory systems for automated computing machinery

Номер патента: WO2007135077B1. Автор: Daniel Dreps,Kevin Gower,Warren Maule,Robert Tremaine. Владелец: Robert Tremaine. Дата публикации: 2008-01-17.

Memory system and memory control method

Номер патента: US20160267966A1. Автор: Taku Ooneda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Memory systems and operating methods thereof

Номер патента: US20240168849A1. Автор: Youxin He,Xianwu Luo,Jiangwei Shi. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Techniques for error detection and correction in a memory system

Номер патента: WO2022046440A1. Автор: Steffen Buch,Aaron P. Boehm. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-03-03.

Memory system verification

Номер патента: US20230140975A1. Автор: Jason Parker,Yuval Elad. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2023-05-11.

Memory device having physical unclonable function and memory system including the memory device

Номер патента: EP4105933A1. Автор: Daeseok Byeon,Jooyong PARK,Pansuk Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-21.

Memory system and non-transitory computer readable recording medium

Номер патента: US12072797B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200192759A1. Автор: Yong-Tae Kim,Duck-Hoi KOO,Soong-Sun SHIN,Nam Oh HWANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-06-18.

Adaptive scan frequency for detecting errors in a memory system

Номер патента: EP3794454A1. Автор: Michael G. McNeeley,Kishore K. Muchherla,Sampath K. Ratnam,Akira Goda,Todd A. Marquart,Kevin R. Brandt,William C. Filipiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-24.

Memory systems and operating methods thereof

Номер патента: US12079085B2. Автор: Youxin He,Xianwu Luo,Jiangwei Shi. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Apparatus and method for handling error in volatile memory of memory system

Номер патента: US20200226039A1. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-07-16.

DDR DIMM, memory system and operation method thereof

Номер патента: US12026050B2. Автор: Ming Huang,Liang Zhang. Владелец: Innosilicon Microelectronics Wuhan Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Memory system

Номер патента: EP2248026A1. Автор: Junji Yano,Hidenori Matsuzaki,Kosuke Hatsuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-11-10.

Memory system

Номер патента: US20110185108A1. Автор: Junji Yano,Hidenori Matsuzaki,Kosuke Hatsuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-07-28.

Memory system

Номер патента: WO2009107505A1. Автор: Junji Yano,Hidenori Matsuzaki,Kosuke Hatsuda. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2009-09-03.

Improved system and method for detecting cross-domain instruction calls and data references especiallly adapted for code interface jacketing in a multi-code execution and debugging system within a multi-architecture environment

Номер патента: WO1992015961A3. Автор: Scott G Robinson,Ronald F Brender,Michael V Iles,Mark A Herdeg. Владелец: Digital Equipment Corp. Дата публикации: 1992-12-10.

System and method for detecting cross-domain instruction¹calls and data references especially adapted for code and¹interface jacketing in a multi-code execution and debugging¹system within a multi-architecture environment

Номер патента: IE920747A1. Автор: Scott G Robinson,Ronald F Brender,Michael V Iles,Mark A Herdeg. Владелец: Digital Equipment Corp. Дата публикации: 1992-09-09.

Address mapping method of memory system

Номер патента: US10025724B1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Jong-hyun Park,Ja-Hyun Koo,Seung-Gyu JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-07-17.

Method and apparatus for forcing idle cycles to enable refresh operations in a semiconductor memory

Номер патента: EP1374247A2. Автор: Wingyu Leung. Владелец: Monolithic System Technology Inc. Дата публикации: 2004-01-02.

Electronically moveable terminator and method for using same in a memory system

Номер патента: EP1226502A1. Автор: James A. Gasbarro. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2002-07-31.

Address mapping method of memory system

Номер патента: US20180196756A1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Jong-hyun Park,Ja-Hyun Koo,Seung-Gyu JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-07-12.

Memory system with adaptive refresh

Номер патента: US12038855B2. Автор: Jungwon Suh,Subbarao Palacharla,Shyamkumar Thoziyoor,Pankaj Deshmukh,Vishakh BALAKUNTALAM VISWESWARA. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory system with adaptive refresh

Номер патента: US20240311317A1. Автор: Jungwon Suh,Subbarao Palacharla,Shyamkumar Thoziyoor,Pankaj Deshmukh,Vishakh BALAKUNTALAM VISWESWARA. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory system and method

Номер патента: US20240320076A1. Автор: Hiroki Kobayashi,Hirokazu Nagashima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Symbol frequency leveling in a data storage system

Номер патента: EP1532739A1. Автор: Geoffrey S. Gongwer,Stephen J. Gross. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2005-05-25.

Symbol frequency leveling in a data storage system

Номер патента: AU2003268341A1. Автор: Geoffrey S. Gongwer,Stephen J. Gross. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2004-03-19.

Symbol frequency leveling in a data storage system

Номер патента: EP1532739B1. Автор: Geoffrey S. Gongwer,Stephen J. Gross. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2012-02-01.

Nonvolatile memory devices, memory systems and methods of operating nonvolatile memory devices for processing user data

Номер патента: US10672479B2. Автор: Chan-Ik Park,Sang-Hoan Chang,Taek-Soo Kim,Hyun-Sung Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-02.

Memory devices, memory systems and methods of operating memory devices

Номер патента: US20200211671A1. Автор: Yong-Jun Lee,Tae-Hui Na,Chea-Ouk Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-02.

Semiconductor memory devices, memory systems and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20190229753A1. Автор: Sang-Uhn CHA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-25.

Memory system having improved signal integrity

Номер патента: US20110032740A1. Автор: Kwang-soo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-02-10.

Memory controller and flash memory system

Номер патента: US20240256466A1. Автор: Kenichi TAKUBO. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Variable nesting control parameter for table structure providing access control information for controlling access to a memory system

Номер патента: GB2594258A. Автор: PARKER Jason,Elad Yuval,GARCIA-TOBIN Carlos,Brookfield Swaine Andrew,Donald Charles Chadwick Alexander. Владелец: Advanced Risc Machines Ltd. Дата публикации: 2021-10-27.

Variable nesting control parameter for table structure providing access control information for controlling access to a memory system

Номер патента: EP4139806A1. Автор: Andrew Brookfield Swaine,Jason Parker,Yuval Elad,Carlos Garcia-Tobin,Alexander Donald Charles CHADWICK. Владелец: Advanced Risc Machines Ltd. Дата публикации: 2023-03-01.

Variable nesting control parameter for table structure providing access control information for controlling access to a memory system

Номер патента: WO2021214428A1. Автор: Andrew Brookfield Swaine,Jason Parker,Yuval Elad,Carlos Garcia-Tobin,Alexander Donald Charles CHADWICK. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2021-10-28.

Dynamic memory cache size adjustment in a memory device

Номер патента: EP2715548A2. Автор: Siamack Nemazie,Berhanu Iman,Michael George,Ruchir Shah,William E. Benson,Farshid TABRIZI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-04-09.

Method for allocation of address space in a virtual memory system

Номер патента: WO1995029446A1. Автор: Patrick W. Penzias Dirks. Владелец: APPLE COMPUTER, INC.. Дата публикации: 1995-11-02.

Controlling method of a memory card

Номер патента: US20210026765A1. Автор: Kuniaki Ito,Takashi Wakutsu,Shuichi Sakurai,Yasufumi Tsumagari. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-01-28.

Controlling method of a memory card

Номер патента: US20240061771A1. Автор: Kuniaki Ito,Takashi Wakutsu,Shuichi Sakurai,Yasufumi Tsumagari. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Method and apparatus for accelerating retrieval of data from a memory system with cache by reducing latency

Номер патента: US7318123B2. Автор: Nagi Nassief Mekhiel. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2008-01-08.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20140380008A1. Автор: Yeong Sik YI,Jong Ju PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-12-25.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US9684352B2. Автор: Yeong Sik YI,Jong Ju PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Memory system, memory access interface device and operation method thereof

Номер патента: US20240231416A9. Автор: Chih-Wei Chang,Fu-Chin Tsai,Ger-Chih Chou,Chun-Chi Yu,Min-Han TSAI. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Multiple precision memory system

Номер патента: US12026104B2. Автор: Craig E. Hampel,Thomas Vogelsang. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-07-02.

Byte execution unit for carrying out byte instructions in a processor

Номер патента: US20050015576A1. Автор: Silvia Mueller,Sang Dhong,Hwa-Joon Oh,Brad Michael,Kevin Tran. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-01-20.

Efficient data management for memory system error handling

Номер патента: US20240289236A1. Автор: Jonathan S. Parry,Jameer Mulani,Nitul Gohain. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory system and operation method thereof and power management module

Номер патента: US20240295916A1. Автор: MeiFa CHEN,Guiyuan Duan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Memory controller and flash memory system

Номер патента: US20210248034A1. Автор: Kenichi TAKUBO. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-08-12.

Interrupt-responsive non-volatile memory system and method

Номер патента: WO2006138522A2. Автор: Stephane Lavastre,Kiernan Heffernan,Patrick Crowe. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 2006-12-28.

Enhanced performance memory systems and methods

Номер патента: WO2009032152A1. Автор: David K. Ovard,Roy E. Greeff. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2009-03-12.

Enhanced performance memory systems and methods

Номер патента: US9154131B2. Автор: David K. Ovard,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-10-06.

Enhanced performance memory systems and methods

Номер патента: US8400810B2. Автор: David K. Ovard,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-03-19.

Dependence prediction in a memory system

Номер патента: WO2010147857A2. Автор: Doug Burger,Robert McDonald,Franziska Roesner,Lakshminarasimhan Sethumadhavan,Stephen W. Keckler. Владелец: Board of Regents, University of Texas System. Дата публикации: 2010-12-23.

Memory system and data processing system including the same

Номер патента: US12056027B2. Автор: Hyung-sup KIM,Eung-Bo SHIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Address map caching for a memory system

Номер патента: US20240264938A1. Автор: Alex Frolikov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Logical counters for a memory system

Номер патента: US20240264904A1. Автор: Sai Krishna Mylavarapu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Cyclic redundancy check (crc) retry for memory systems in compute express link (cxl) devices

Номер патента: US20230259424A1. Автор: Marco Sforzin,Paolo Amato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Dependence prediction in a memory system

Номер патента: WO2010147857A3. Автор: Doug Burger,Robert McDonald,Franziska Roesner,Lakshminarasimhan Sethumadhavan,Stephen W. Keckler. Владелец: Board of Regents, University of Texas System. Дата публикации: 2011-11-24.

Memory device for supporting cache read operation, operating method thereof, and memory system including the same

Номер патента: US20220342817A1. Автор: Gwan Park,Jeong Gil CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-27.

Method for managing data stored in a page within a memory element

Номер патента: EP4390697A1. Автор: Thomas Eberhardt,Stéphanie Salgado. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2024-06-26.

Memory system, method of controlling memory system, and host system

Номер патента: US20230305986A1. Автор: Naoki Kimura,Nana Kawamoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Error tracking by a memory system

Номер патента: US20240248781A1. Автор: Sai Krishna Mylavarapu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory device storing parity and memory system including the same

Номер патента: US20220130485A1. Автор: Dongmin Shin,Geunyeong YU,Youngjun Hwang,Hongrak Son,Bohwan Jun,Heeyoul KWAK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-28.

Critical data management within a memory system

Номер патента: US20240281324A1. Автор: Deping He,Caixia Yang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Managing open blocks in memory systems

Номер патента: US11340980B2. Автор: Zheng Wu,Yi-Chun Liu,Wei Jie Chen,Ching Ting Lu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-24.

Techniques for retiring blocks of a memory system

Номер патента: US20230049201A1. Автор: Jonathan S. Parry,Deping He,Chun Sum Yeung. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Remote Direct Memory Access in Multi-Tier Memory Systems

Номер патента: US20240272835A1. Автор: Samir Mittal,Gurpreet Anand,Anirban Ray,Parag R. Maharana. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory system related to clock synchronization

Номер патента: US20230305592A1. Автор: Sang Sic Yoon,Kyu Dong HWANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Non-volatile memory system, memory card having the same, and operating method of non-volatile memory system

Номер патента: US10095303B2. Автор: Hwa-Seok Oh,Seok-Won Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-10-09.

Data processing arrangement and memory system

Номер патента: EP1084466A1. Автор: Marc Duranton. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-03-21.

Memory controller, memory system, and method of operating memory system

Номер патента: US20210005267A1. Автор: Min Kee Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-07.

Extended capacity memory system with load relieved memory and method of manufacture thereof

Номер патента: US20160070316A1. Автор: Robert S. Pauley, Jr.,Victor Mahran. Владелец: Smart Modular Technologies Inc. Дата публикации: 2016-03-10.

System and Method to Provide Non-Coherent Access to a Coherent Memory System

Номер патента: US20140372709A1. Автор: Gregg A. Bouchard,Richard E. Kessler,Rajan Goyal,Jeffrey A. Pangborn,Aseem Maheshwari. Владелец: Cavium LLC. Дата публикации: 2014-12-18.

System and method to provide non-coherent access to a coherent memory system

Номер патента: US20130103909A1. Автор: Gregg A. Bouchard,Richard E. Kessler,Rajan Goyal,Aseem Maheshwari,Jeffrey Pangborn. Владелец: Cavium LLC. Дата публикации: 2013-04-25.

Memory system for selecting counter-error operation through error analysis and data process system including the same

Номер патента: US20210208966A1. Автор: Nam Young AHN,Eung Bo Shim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-07-08.

Memory system and information processing system

Номер патента: US20160350182A1. Автор: Naoaki Tsutsui. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-01.

Memory system and operating method of the same

Номер патента: US20240282349A1. Автор: Meng-Fan Chang,Win-San Khwa,Tai-Hao Wen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20190006379A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-01-03.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US10418371B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-17.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US10103158B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-10-16.

Method and apparatus for accessing a memory core multiple times in a single clock cycle

Номер патента: US20040109381A1. Автор: Eric Badi,Jean-Marc Bachot. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-10.

Imprint recovery management for memory systems

Номер патента: US12019506B2. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

System, Apparatus And Method For Memory Mirroring In A Buffered Memory Architecture

Номер патента: US20190278721A1. Автор: Ishwar AGARWAL,Theodros Yigzaw. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-09-12.

Optimization of data access and communication in memory systems

Номер патента: US20230362280A1. Автор: Gurpreet Anand,Anirban Ray,Parag R. Maharana. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Memory controller and memory system including adjustment of scrub cycle rate

Номер патента: EP4390939A2. Автор: Sung-Joon Kim,Ho-Young Lee,Kyung-Hee Han,Kyung Jin Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-26.

Memory system with activate-leveling method

Номер патента: US20240232064A1. Автор: Frederick A. Ware,Craig E. Hampel. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for operating memory system, memory controller, memory system and electronic device

Номер патента: US20240168886A1. Автор: Tao Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Memory controller and memory system including the same

Номер патента: US20240202069A1. Автор: Sung-Joon Kim,Ho-Young Lee,Kyung-Hee Han,Kyung Jin Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory system and operating method of memory system

Номер патента: US12050533B2. Автор: In Jong Jang,Kyu Min LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Hardware processor core having a memory sliced by linear address

Номер патента: US20240126702A1. Автор: Ryan Carlson,Richard Klass,Mark Dechene,Paula Petrica,Sudeepto Majumdar,Rafael Trapani Possignolo,Meenakshi Marathe. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Memory system capable of enhancing writing protection and related method

Номер патента: US20110289259A1. Автор: Hsu-Ming Lee. Владелец: Wistron Corp. Дата публикации: 2011-11-24.

Memory device, memory system including the same, and operating method of memory system

Номер патента: EP4411551A1. Автор: Jungho Park,Insu Kim,Jaeyong Jeong,Beomkyu Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-07.

Memory system and method for operating the same

Номер патента: US20180107597A1. Автор: Yong-Ju Kim,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-19.

Memory systems having memory devices therein with enhanced error correction capability and methods of operating same

Номер патента: US12057184B2. Автор: Junhyung Kim,Kijun Lee,Sanguhn CHA,Sunghye CHO,Myungkyu Lee,Kiheung KIM,Sungrae Kim,Changyong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory system and integrated management method for plurality of dma channels

Номер патента: US20110153878A1. Автор: Jong Dae Kim,Tae Moon Roh,Jong Kee Kwon,Chun Gi Lyuh,Ik Jae CHUN,Se Wan HEO,Sang Hun Yoon. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2011-06-23.

Semiconductor memory system and method of repairing the semiconductor memory system

Номер патента: US20190303253A1. Автор: Jung Hyun Kwon,Wongyu SHIN,Seunggyu JEONG,Do Sun HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-03.

Memory access unit and method including generating memory selects to concurrently access a plurality of memories in a multi-dimensional array

Номер патента: US10592406B2. Автор: Matthias Gruenewald. Владелец: Renesas Electronics Europe Ltd. Дата публикации: 2020-03-17.

Memory system, computing system, and methods thereof

Номер патента: US20190310944A1. Автор: Rajat Agarwal,Wei P. CHEN,Chet R. Douglas,Tiffany J. Kasanicky,Andy Rudoff. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-10-10.

Memory system capable of enhancing writing protection and related method

Номер патента: US8650366B2. Автор: Hsu-Ming Lee. Владелец: Wistron Corp. Дата публикации: 2014-02-11.

Method and apparatus for enabling access to two contiguous addresses in units of a memory segment simultaneously

Номер патента: US5761693A. Автор: Myung-Sik Yim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-06-02.

Memory consistency protection in a multiprocessor computing system

Номер патента: EP2097817A1. Автор: Geraint North,Gavin Barraclough,Miles Howson,Gisle Dankel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-09-09.

Memory consistency protection in a multiprocessor computing system

Номер патента: WO2008062225A1. Автор: Geraint North,Gavin Barraclough,Miles Howson,Gisle Dankel. Владелец: Transitive Limited. Дата публикации: 2008-05-29.

Internal log management in memory systems

Номер патента: US20240311288A1. Автор: Steven Gaskill,Scheheresade Virani,Kyle Brock-Petersen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory systems and operation methods thereof

Номер патента: US20240311237A1. Автор: Yufei FENG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory device reducing i/o signal lines through i/o mapping connection and memory system including the same

Номер патента: EP4398117A1. Автор: Sang-Won Park,Jooyong PARK,Bongsoon LIM,Seokmin Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-10.

Memory device reducing i/o signal lines through i/o mapping connection and memory system including the same

Номер патента: US20240232066A1. Автор: Sang-Won Park,Jooyong PARK,Bongsoon LIM,Seokmin Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory system

Номер патента: US20210096949A1. Автор: Masanobu Shirakawa,Marie Takada,Kengo Kurose. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-04-01.

Memory system

Номер патента: US20230297473A1. Автор: Masanobu Shirakawa,Marie Takada,Kengo Kurose. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Performing a separable operation on a two-dimensional array of values at a processing unit comprising a memory

Номер патента: EP4391376A1. Автор: Szabolcs Csefalvay. Владелец: Imagination Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Memory system and control method

Номер патента: US20230376433A1. Автор: Mitsunori Tadokoro,Haruka MORI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US20230079939A1. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-16.

Memory system

Номер патента: US20200089565A1. Автор: Teruo Takagiwa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Fairness in memory systems

Номер патента: WO2009014896A3. Автор: Thomas Moscibroda,Onur Mutlu. Владелец: Microsoft Corp. Дата публикации: 2009-03-26.

Memory System Performance Configuration

Номер патента: US20150052289A1. Автор: Preeti Yadav,Abhijeet Bhalerao,Barys Sarana,Frederick Fernandez,Namita Joshi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-02-19.

Tamper detection and response in a memory device

Номер патента: US20150356322A1. Автор: THOMAS Andre,Syed M. Alam,Chitra K. Subramanian,Halbert S. Lin. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2015-12-10.

Memory system, memory controller and operating method thereof for determining garbage collection victim block

Номер патента: US12056047B2. Автор: Jung Woo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory system and control method of memory system

Номер патента: US12046272B2. Автор: Mel Stychen Sanchez TAN. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

System and method for initializing a memory system and memory device and processor-based system using same

Номер патента: WO2009009339A1. Автор: A. Kent Porterfield. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2009-01-15.

Circuit for use in a multiple block memory

Номер патента: US20080186797A1. Автор: Hamed Ghassemi,Huy B. Nguyen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-08-07.

Prioritization of successful read recovery operations for a memory device

Номер патента: US20240231985A1. Автор: Tingjun Xie,Naveen Bolisetty. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Information processing system, information processing method and memory system

Номер патента: WO2013185625A1. Автор: Kenneth ChengHao Lin. Владелец: Shanghai XinHao Microelectronics Co. Ltd.. Дата публикации: 2013-12-19.

Systems and methods for using memory-mapped memories in a microcontroller-based instrument

Номер патента: CA3215985A1. Автор: Brooks Read. Владелец: Schneider Electric Systems USA Inc. Дата публикации: 2024-04-10.

Memory system

Номер патента: WO2019106484A1. Автор: Christian Jacobi,Barry Trager,Patrick Meaney. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2019-06-06.

System on chip and method of executing a process in a system on chip

Номер патента: US20150248358A1. Автор: Michael Johnston,Manfred Thanner,Alan Devine,Alistair Paul Robertson. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-09-03.

Method for performing power saving control in a memory device, associated memory device and memory controller thereof, and associated electronic device

Номер патента: US20190377402A1. Автор: Wen-Chi Chao,Kuo-Cyuan Kuo. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

Methods and systems for managing physical information of memory units in a memory device

Номер патента: US20190272231A1. Автор: Yi-Chun Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-05.

Memory and an operating method thereof, a memory system

Номер патента: US20230297521A1. Автор: Jiawei Chen,Shu Xie,Wenjie MU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US20200319953A1. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-08.

Accessing a memory in a logical partition

Номер патента: CA2568747A1. Автор: Bruce Mealey,Vishal Chittranjan Aslot. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-15.

Memory system

Номер патента: US20170301402A1. Автор: Katsuhiko Ueki,Yoshihisa Kojima,Makoto Kuribara. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-19.

System and method for managing a memory hierarchy

Номер патента: US20240256459A1. Автор: Rajesh Venkatasubramanian,Pratap Subrahmanyam,Andreas Georg Nowatzyk,Venkata Subhash Reddy Peddamallu,Isam Wadih Akkawi,Adarsh Seethanadi NAYAK,Nishchay DUA,Sreekanth SETTY,Yijiang YUAN. Владелец: VMware LLC. Дата публикации: 2024-08-01.

System and method for managing a memory hierarchy

Номер патента: EP4407472A1. Автор: Rajesh Venkatasubramanian,Pratap Subrahmanyam,Andreas Georg Nowatzyk,Venkata Subhash Reddy Peddamallu,Isam Wadih Akkawi,Adarsh Seethanadi NAYAK,Nishchay DUA,Sreekanth SETTY,Yijiang YUAN. Владелец: VMware LLC. Дата публикации: 2024-07-31.

Trusted local memory management in a virtualized GPU

Номер патента: US12050702B2. Автор: Reshma Lal,Pradeep M. Pappachan,Luis S. Kida. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Prefetch management in a hierarchical cache system

Номер патента: US20200057720A1. Автор: Hung Ong,David Matthew Thompson,Abhijeet Ashok Chachad,Bipin Prasad Heremagalur Ramaprasad. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-02-20.

Enabling functions of a memory device in a plurality of phases

Номер патента: EP3563214A1. Автор: Zeljko Zupanc,Andrew Morning-Smith,Adrian MOCANU. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-11-06.

Enabling functions of a memory device in a plurality of phases

Номер патента: WO2018125475A1. Автор: Zeljko Zupanc,Andrew Morning-Smith,Adrian MOCANU. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-07-05.

Cryptographic isolation of memory compartments in a computing environment

Номер патента: US12050701B2. Автор: David M. Durham,Santosh Ghosh,Sergej Deutsch,Michael E. Kounavis,Michael LeMay. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Trusted local memory management in a virtualized GPU

Номер патента: US11755748B2. Автор: Reshma Lal,Pradeep M. Pappachan,Luis S. Kida. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Embedded micro computer unit (MCU) for high-speed testing using a memory emulation module and a method of testing the same

Номер патента: US7222282B2. Автор: Jin-Kwon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-22.

Prefetch management in a hierarchical cache system

Номер патента: US20230176975A1. Автор: Hung Ong,David Matthew Thompson,Abhijeet Ashok Chachad,Bipin Prasad Heremagalur Ramaprasad. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-06-08.

Memory system

Номер патента: US20230297272A1. Автор: Fuminori Kimura. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory system

Номер патента: US20190286571A1. Автор: Takayuki Mori,Satoshi Kaburaki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Information processing system, information processing method and memory system

Номер патента: EP2862088A1. Автор: Kenneth ChengHao Lin. Владелец: Shanghai Xinhao Bravechips Micro Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-22.

Method and apparatus for optimizing translation of a virtual memory address into a physical memory address in a processor having virtual memory

Номер патента: US9619402B1. Автор: Rong Zhang,Frank O'Bleness,Tom Hameenanttila. Владелец: Marvell International Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Method and system for managing memory leaks in a linear memory model

Номер патента: US11755473B2. Автор: TUSHAR Vrind,Surendra Singh,Venkata Raju Indukuri,Raju Udava SIDDAPPA,Mallikarjun Shivappa BIDARI,Dinesh GEHLOT,Shashank Vimal,Shreya GANATRA,Sujay Shankar GAITONDE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-12.

Notifying memory system of host events via modulated reset signals

Номер патента: US12056518B2. Автор: Qing Liang,Jonathan S. Parry,Stephen Hanna,Kulachet Tanpairoj. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory system

Номер патента: US20210064345A1. Автор: Norio Aoyama,Ryuji Nishikubo,Aurelien Nam Phong TRAN,Mel Stychen Sanchez TAN. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Memory access optimization for an i/o adapter in a processor complex

Номер патента: US20200019525A1. Автор: Patricia G. Driever,Jerry W. Stevens. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-16.

Non-volatile memory device, a memory system that includes the non-volatile memory device, and an operating method of the non-volatile memory device

Номер патента: US11749356B2. Автор: Jinyoung Kim,Dongmin Shin,Sehwan Park,Youngdeok SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-05.

Method in a memory management unit for managing address translations in two stages

Номер патента: US10025726B2. Автор: Loic Pallardy,Herve Sibert. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2018-07-17.

Bus bridge including a memory controller having an improved memory request arbitration mechanism

Номер патента: WO2001075620A1. Автор: Steve Novak. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2001-10-11.

Approach for managing near-memory processing commands and non-near-memory processing commands in a memory controller

Номер патента: US12066950B2. Автор: John Kalamatianos,Niti Madan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory pools in a memory model for a unified computing system

Номер патента: US20190303302A1. Автор: Mark Hummel,Anthony Asaro,Kevin Normoyle. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2019-10-03.

Method and system for controlling the memory access operation by central processing unit in a computer system (2)

Номер патента: US20020062421A1. Автор: Nai-Shung Chang. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2002-05-23.

Methods and apparatus for byte alignment operations for a memory device that stores an odd number of bytes

Номер патента: US20010032302A1. Автор: Raymond Chan,Mario Au. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-18.

Non-volatile memory system

Номер патента: US20130046919A1. Автор: Bong-Gwan Seol,Jun-Seok Park,Wan-soo Choi,Hee-tak Shin,Won-Jin Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-02-21.

Memory system

Номер патента: US20240282389A1. Автор: Hiroyuki Nagashima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory system and storage device

Номер патента: US20230305953A1. Автор: Nobuaki Tojo,Shogo Ochiai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Memory system and non-volatile memory

Номер патента: US20240311294A1. Автор: Mitsuaki Honma,Daisuke Arizono,Keisuke Azuma. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Bus bridge including a memory controller having an improved memory request arbitration mechanism

Номер патента: EP1269330A1. Автор: Steve Novak. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-01-02.

Memory system

Номер патента: US20210183455A1. Автор: Hideki Yamada,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Apparatuses and methods for allocating memory in a data center

Номер патента: EP3642720A1. Автор: Amir ROOZBEH,Mozhgan MAHLOO. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2020-04-29.

Page buffer program command and methods to reprogram pages without re-inputting data to a memory device

Номер патента: EP2351040A1. Автор: Luca Fasoli,Yuheng Zhang,Gopinath Balakrishnan. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2011-08-03.

Memory system and method for controlling the same, and method for maintaining data coherency

Номер патента: US20070186051A1. Автор: Nobuyuki Harada. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-08-09.

Performing a separable operation on a two-dimensional array of values at a processing unit comprising a memory

Номер патента: US20240231913A1. Автор: Szabolcs Csefalvay. Владелец: Imagination Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory system

Номер патента: US20210081275A1. Автор: Yuta Kumano,Hironori Uchikawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Apparatus and method to reduce memory power consumption in a memory phy in a memory controller

Номер патента: US20240193109A1. Автор: Jing Ling,Victor Lau,Kambiz R. Munshi,Michelle M. WIGTON,Zhongyao Linda GU,Mohammad M. RASHID. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Memory checking device and method for checking a memory

Номер патента: US7620884B2. Автор: Udo Ausserlechner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2009-11-17.

Apparatus and method for detecting errors in a memory device

Номер патента: US12009041B2. Автор: Siddharth Gupta,Antony John Penton,Sachin Gulyani,Cyrille Nicolas Dray,Luc Olivier PALAU. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2024-06-11.

Systems and methods for using memory-mapped memories in a microcontroller-based instrument

Номер патента: US20240118671A1. Автор: Brooks Read. Владелец: Schneider Electric Systems USA Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Global redundant column select implementation for boundary faults in a memory device

Номер патента: US20220343993A1. Автор: Harish V. Gadamsetty. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-27.

Scheduling volatile memory maintenance events in a multi-processor system

Номер патента: WO2016130440A1. Автор: Dexter Tamio Chun,Yanru Li,Subrato Kumar De,Richard Alan STEWART. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-08-18.

Memory access method and access controller for a memory

Номер патента: US20110187729A1. Автор: Yu Liu,Jun Huang. Владелец: HiSilicon Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-04.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US12052034B2. Автор: Takahiro Kubota,Yuki Kondo. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Managing data disturbance in a memory with asymmetric disturbance effects

Номер патента: US11087859B2. Автор: Justin Eno,Samuel E. Bradshaw. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-08-10.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US20190108136A1. Автор: Jongju Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-04-11.

System, apparatus and method for simultaneous read and precharge of a memory

Номер патента: EP3570286A3. Автор: KAUSHIK Vaidyanathan,Tanay Karnik,Sreenivas Subramoney,Anant Nori,Lavanya Subramanian. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-02-26.

Memory system, reading method, program, and memory controller

Номер патента: US10600489B2. Автор: Takayuki Itoh,Tomoya Kodama. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-24.

Memory system including on-die termination and method of controlling on-die termination thereof

Номер патента: US20190050352A1. Автор: Sung-Joon Kim,Changho YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-02-14.

Process dedicated in-memory translation lookaside buffers (tlbs) (mtlbs) for augmenting memory management unit (mmu) tlb for translating virtual addresses (vas) to physical addresses (pas) in a processor-based system

Номер патента: WO2021096678A1. Автор: Thomas Philip Speier,Madhavan Thirukkurungudi VENKATARAMAN. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2021-05-20.

Hybrid memory system with increased bandwidth

Номер патента: US12073901B2. Автор: Jungwon Suh. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Memory system including on-die termination and method of controlling on-die termination thereof

Номер патента: US10108563B2. Автор: Sung-Joon Kim,Changho YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-10-23.

Communicating prefetchers in a microprocessor

Номер патента: US20140258641A1. Автор: Rodney E. Hooker,John Michael Greer. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2014-09-11.

Memory, memory system, operation method of the memory, and operation of the memory system

Номер патента: US12073902B2. Автор: Ah Reum Han,Kyung Whan Kim,Sun Hwa Park,Sung Joo Ha,Kee Yun KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Utilizing memories of different operational speeds in a vast storage network

Номер патента: US12072763B2. Автор: Manish Motwani,Ilya Volvovski,Ravi V. Khadiwala,Ethan S. Wozniak,Bruno H. Cabral,Joseph M. Kaczmarek. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Remote node broadcast of requests in a multinode data processing system

Номер патента: US20190220410A1. Автор: Jeffrey A. Stuecheli,Eric E. Retter,Michael S. Siegel,Derek E. Williams. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-18.

Controlling memory usage in a cache

Номер патента: US20190179755A1. Автор: Jayant Kumar,Gopi Krishna MUDUMBAI. Владелец: Salesforce com Inc. Дата публикации: 2019-06-13.

Handling of single-copy-atomic load/store instruction with a memory access request shared by micro-operations

Номер патента: US11748101B2. Автор: Raja Abhishek,Albin Pierrick TONNERRE. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2023-09-05.

Selective decoding for super chip-kill recovery and method of operating such memory system

Номер патента: US20240264903A1. Автор: Fan Zhang,Meysam Asadi,Ahmad Golmohammadi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory system including an error correction function

Номер патента: US11003528B2. Автор: Daiki Watanabe,Yuchieh Lin. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-05-11.

Establishing dependency in a resource retry queue

Номер патента: US20200050548A1. Автор: Neeraj Parik,Sridhar Kotha. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2020-02-13.

Apparatuses and methods for setting operational parameters of a memory included in a memory module based on location information

Номер патента: US20210050041A1. Автор: Elancheren Durai,Quincy R. Holton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

Shared Memory Space in a Unified Memory Model

Номер патента: US20140040565A1. Автор: Mark D. Hummel,Anthony Asaro,Mark Fowler,Kevin Normoyle. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-02-06.

Memory system configured to determine a write voltage applied to memory cells based on the number of erase operations

Номер патента: US11501839B2. Автор: Hideki Yamada,Masanobu Shirakawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-11-15.

Memory consistency protection in a multiprocessor computing system

Номер патента: US7895407B2. Автор: Gavin Barraclough,Miles Philip Howson,Geraint M. North,Gisle Dankel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-02-22.

A memory device including an associative memory for the storage of data belonging to a plurality of classes

Номер патента: US20020038295A1. Автор: Alan Kramer,Roberto Canegallo,Mauro Chinosi,Giovanni Gozzini,Pierluigi Rolandi,Loris Navoni. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 2002-03-28.

Creating column coherency for burst building in a memory access command stream

Номер патента: US20030080965A1. Автор: Jon L. Ashburn,Bryan G. Prouty. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2003-05-01.

Apparatus and method for controlling an interleaver/deinterleaver memory in a mobile communication system

Номер патента: US20070150775A1. Автор: Jong-Han Lim,Seung-Chul Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-06-28.

Protocol For Refresh Between A Memory Controller And A Memory Device

Номер патента: US20240242751A1. Автор: Frederick A. Ware,Brent Haukness. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-07-18.

Voting scheme in a memory page

Номер патента: US20240281322A1. Автор: Makoto Kitagawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Increasing invalid to modified protocol occurences in a computing system

Номер патента: WO2018017348A1. Автор: Stanislav Shwartsman,Igor Yanover,Raanan Sade,Liron Zur,Joseph Nuzman. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-01-25.

Process dedicated in-memory translation lookaside buffers (TLBs) (mTLBs) for augmenting memory management unit (MMU) TLB for translating virtual addresses (VAs) to physical addresses (PAs) in a processor-based system

Номер патента: US12093186B2. Автор: Thomas Philip Speier,Madhavan Thirukkurungudi VENKATARAMAN. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-09-17.

Hybrid memory system with increased bandwidth

Номер патента: US20240304271A1. Автор: Jungwon Suh. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory system and nonvolatile memory

Номер патента: US20240320089A1. Автор: Daisuke Arizono. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Low power management for sleep mode operation of a memory device

Номер патента: US12027227B2. Автор: Jun Shen,June Lee,Qisong Lin,Shuai Xu,Michele Piccardi,Scott A. Stoller,Arvind Muralidharan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Parity protected memory blocks merged with error correction code (ecc) protected blocks in a codeword for increased memory utilization

Номер патента: US20240220356A1. Автор: Sandeep Brahmadathan,Nagi Aboulenein,Massimo Sutera. Владелец: Ampere Computing LLC. Дата публикации: 2024-07-04.

Varied validity bit placement in tag bits of a memory

Номер патента: US12026094B2. Автор: Karthik Thucanakkenpalayam Sundararajan. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Long-term memory in a video analysis system

Номер патента: EP2342647A2. Автор: Gang Xu,Wesley Kenneth Cobb,Ming-Jung Seow,John Eric Eaton,David Samuel Friedlander. Владелец: Behavioral Recognition Systems Inc. Дата публикации: 2011-07-13.

Pushed prefetching in a memory hierarchy

Номер патента: US20240111678A1. Автор: Gabriel H. Loh,John Kalamatianos,Paul MOYER,Jagadish B. Kotra. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20200081774A1. Автор: Yuta Kumano,Hironori Uchikawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Memory system

Номер патента: US20240193080A1. Автор: Masaru Ogawa,Kenji Sakaue,Noriyuki Moriyasu. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Peak power management connectivity check in a memory device

Номер патента: US11990197B2. Автор: Massimo Rossini,Eleuterio Mannella. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Dynamic allocation of a capacitive component in a memory device

Номер патента: US20240257841A1. Автор: Thomas H. Kinsley,Fuad Badrieh,Baekkyu Choi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Peak power management connectivity check in a memory device

Номер патента: US20240257892A1. Автор: Massimo Rossini,Eleuterio Mannella. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Pre-fetch in a multi-stage memory management system

Номер патента: US20150081983A1. Автор: Gilles Ries,Ennio Salemi,Sana Ben Alaya. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2015-03-19.

Management of data processing security in a secondary processor

Номер патента: US20130275701A1. Автор: Donald Felton,Dominic Hugo Symes,Ola Hugosson,Sean Tristram Ellis. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2013-10-17.

Memory system and controller

Номер патента: US9478293B2. Автор: Toshihiro Suzuki,Masanobu Shirakawa,Tetsufumi YANAGIDA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Method and apparatus for managing a memory for storing potentially configurable entries in a list

Номер патента: EP2053517A3. Автор: Paul Andrew Erb,Michael James Conner. Владелец: MITEL NETWORKS CORP. Дата публикации: 2010-03-31.

Method and apparatus for managing a memory for storing potentially configurable entries in a list

Номер патента: US20090113163A1. Автор: Paul Andrew Erb,Michael James Conner. Владелец: MITEL NETWORKS CORP. Дата публикации: 2009-04-30.

Memory system and error correcting method of the same

Номер патента: US20180165151A1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Sung-Eun Lee,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-14.

Grouping requests to reduce inter-process communication in memory systems

Номер патента: US20190370097A1. Автор: Alex Frolikov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-05.

Apparatus for storing/reading data in a memory array of a transponder

Номер патента: US20140215166A1. Автор: Francesco Gallo,Hauke Meyn. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2014-07-31.

Memory system and memory controller

Номер патента: US8819331B2. Автор: Haruki Toda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-26.

System and method for independently downloading features into a set of storage locations in a wireless communication device

Номер патента: EP1161845A1. Автор: Eric J. Lekven,James A. Hutchison, IV. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2001-12-12.

Load/store unit and method for non-blocking completion of loads in a superscalar microprocessor

Номер патента: EP1005672A1. Автор: Rajiv M. Hattangadi,H. S. Ramagopal,Muralidharan S. Chinnakonda. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-06-07.

Apparatus and method for memory management in a graphics processing environment

Номер патента: US11768781B2. Автор: Balaji Vembu,Rajesh M. Sankaran,Joydeep Ray,Altug Koker,David Puffer,Abhishek R. Appu,David J. Cowperthwaite,Ankur N. Shah,Kun Tian,Niranjan L. Cooray,Pattabhiraman K,Satyeshwar Singh,Sameer Kp. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-26.

Memory system

Номер патента: US11749333B2. Автор: Woongrae Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Memory system

Номер патента: US20030177331A1. Автор: Hiroyuki Yamauchi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-18.

Adaptive error recovery when program status failure occurs in a memory device

Номер патента: US20240272983A1. Автор: Kyungjin Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for partial permanent write protection of a memory card and corresponding memory card

Номер патента: EP1615225B1. Автор: Kimmo Mylly,Jani Hyvonen,Marko Ahvenainen. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2009-01-28.

Method for maintaining memory sharing in a computer cluster

Номер патента: US20200233826A1. Автор: Ching-Wen Hsu,Hung-Tar LIN,Thanh-Tu THAI. Владелец: Mitac Computing Technology Corp. Дата публикации: 2020-07-23.

Apparatus and method for memory migration in a distributed memory multiprocessor system

Номер патента: US20090198925A1. Автор: Takeo Hosomi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2009-08-06.

Power management for memory accesses in a system-on-chip

Номер патента: WO2016048513A2. Автор: Philip Abraham,Stefan Macher,Vasudev Bibikar,Manan Kathuria,Suketu R. Partiwala,Verma R. ROHIT,Irwin J. Vaz. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2016-03-31.

Non-volatile memory system including a partial decoder and event detector for video streams

Номер патента: EP3681164A1. Автор: Ramanathan Muthiah. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-07-15.

Non-volatile memory system including a partial decoder and event detector for video streams

Номер патента: US20200228812A1. Автор: Ramanathan Muthiah. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-07-16.

Method and apparatus for reducing power dissipation in a precharge/discharge memory system

Номер патента: US5896335A. Автор: Nathan Elnathan,Jeffrey Van Myers. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-04-20.

Transceiver for providing high voltages for erase or program operations in a non-volatile memory system

Номер патента: EP4385018A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Duc Nguyen,Kha Nguyen,Hien Pham. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-19.

Transceiver for providing high voltages for erase or program operations in a non-volatile memory system

Номер патента: US12062397B2. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Duc Nguyen,Kha Nguyen,Hien Pham. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Systems and methods for managing a financial account in a low-cash mode

Номер патента: US12099980B1. Автор: Todd Tkach,Urich T. Bowers,Mecal McDade. Владелец: PNC Financial Services Group Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

System and Method for Updating Memories used to Store Information in a Printing System

Номер патента: US20120194868A1. Автор: John Willoughby Gravely, JR.,Richard J. Stievenart,Michael Larkin Shelby. Владелец: Static Control Components Inc. Дата публикации: 2012-08-02.

Neuromorphic computing device, memory device, system, and method to maintain a spike history for neurons in a neuromorphic computing environment

Номер патента: US20180082176A1. Автор: Wei Wu,Somnath Paul,Charles Augustine. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-03-22.

Method for writing to multiple banks of a memory device

Номер патента: US20020027824A1. Автор: Jeffrey Wright,Timothy Cowles. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-07.

Method for writing to multiple banks of a memory device

Номер патента: US20030099142A1. Автор: Jeffrey Wright,Timothy Cowles. Владелец: Cowles Timothy B.. Дата публикации: 2003-05-29.

Voltage regulator in a non-volatile memory device

Номер патента: US20080089141A1. Автор: Prajit Nandi. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2008-04-17.

Apparatus and method for programming voltage protection in a non-volatile memory system

Номер патента: US6272048B1. Автор: Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-08-07.

Apparatus and method for programming voltage protection in a non-volatile memory system

Номер патента: US6438033B2. Автор: Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-08-20.

Apparatus and method for programming voltage protection in a non-volatile memory system

Номер патента: US6542408B2. Автор: Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-04-01.

Defective block isolation in a non-volatile memory system

Номер патента: CN101512669B. Автор: 蔡万刚,洛克·杜. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2013-03-06.

Method and apparatus for controlling the timing of precharge in a content addressable memory system

Номер патента: US7167385B2. Автор: Yuen Hung Chan,Michael Ju Hyeok Lee,Masood Ahmed Khan,Ed Seewann. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-01-23.

Method for defective block isolation in a non-volatile memory system and non-volatile memory device related to the same

Номер патента: TWI467591B. Автор: Loc Tu,Wangang Tsai. Владелец: SanDisk Technologies Inc. Дата публикации: 2015-01-01.

Method and apparatus for improving the read access time in a non-volatile memory system

Номер патента: WO2003105155A1. Автор: Stephen J. Gross,Khandker N. Quader,Alexander K. Mak,Long C. Pham,Edward P. Tuers. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2003-12-18.

Method and apparatus for improving the read access time in a non-volatile memory system

Номер патента: AU2003230560A1. Автор: Stephen J. Gross,Khandker N. Quader,Alexander K. Mak,Long C. Pham,Edward P. Tuers. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2003-12-22.

Separate read and write address decoding in a memory system to support simultaneous memory read and write operations

Номер патента: SG11201901324QA. Автор: Manish Garg. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-04-29.

Transient and stable state read operations of a memory device

Номер патента: US20240062829A1. Автор: Ugo Russo,Shyam Sunder Raghunathan,Karan Banerjee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Memory system and method of controlling memory system

Номер патента: US20200090742A1. Автор: Yasuhiko Kurosawa,Shingo Yanagawa,Ryo Sekiguchi,Eriko AKAIHATA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Method for adjusting programming/erasing time in memory system

Номер патента: US20080037348A1. Автор: PingFu Hsieh,KuoCheng Weng,LiangHung Wang,HsinFu Luo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-02-14.

Efficient performance of error rate detection procedures in a memory system

Номер патента: US20240282396A1. Автор: Sridhar Prudviraj Gunda,Thibash Rajamani Balakrishnan,Saurav Pundir,Sunil Singh Dhanik. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory system and nonvolatile memory

Номер патента: US20200303018A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Kazutaka Takizawa,Masaaki Niijima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Separate read and write address decoding in a memory system to support simultaneous memory read and write operations

Номер патента: EP3523804A1. Автор: Manish Garg. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-08-14.

Semiconductor memory device, memory system having semiconductor memory device, and method for testing memory system

Номер патента: US7634697B2. Автор: Jin-Soo Park,Dong-Jun Kim,Kae-Won Ha,Keun-Soo Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-12-15.

Semiconductor memory system and method for the transfer of write and read data signals in a semiconductor memory system

Номер патента: US20060104132A1. Автор: Dominique Savignac,Christian Sichert,Paul Wallner,Peter Gregorius,Hermann Ruckerbauer. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2006-05-18.

Memory system, control method thereof, and program

Номер патента: US12033705B2. Автор: Yoshihisa Kojima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Memory system and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060239061A1. Автор: Shunichi Iwanari. Владелец: McDermott Will and Emery LLP. Дата публикации: 2006-10-26.

Memory system and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20070279960A1. Автор: Shunichi Iwanari. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-06.

Memory system and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20090016093A1. Автор: Shunichi Iwanari. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-15.

Control device and memory system

Номер патента: US20210295891A1. Автор: Yu-Chieh Chen,Liang-Hsiang Chiu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Memory test system with advance features for completed memory system

Номер патента: US20110302467A1. Автор: Chia-hao Lee,Ming-Chuan Huang. Владелец: Sunplus Technology Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-08.

Memory system and control method

Номер патента: US20150364206A1. Автор: Yuichiro Mitani,Jiezhi Chen. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-12-17.

Semiconductor memory system and semiconductor memory chip

Номер патента: US20070047372A1. Автор: Paul Wallner,Peter Gregorius,Andre Schäfer. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-03-01.

Multi-column addressing mode memory system including an intergrated circuit memory device

Номер патента: EP1800311A1. Автор: Frederick A. c/o Rambus Inc. WARE,Lawrence c/o Rambus Inc. LAI,Chad A. c/o Rambus Inc. BELLOWS,Wayne S. c/o Rambus Inc. RICHARDSON. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2007-06-27.

Memory system

Номер патента: US20240274185A1. Автор: Naomi Takeda,Masanobu Shirakawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory system

Номер патента: EP4418272A1. Автор: Naomi Takeda,Masanobu Shirakawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-21.

Address fault detection in a memory system

Номер патента: US20230162794A1. Автор: Hieu Van Tran. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-25.

Memory system and management method of characteristic information of semiconductor device

Номер патента: US20220005543A1. Автор: Junji Mori. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-01-06.

Managing trap-up in a memory system

Номер патента: US20240233842A1. Автор: Kenneth W. Marr,Ching-Huang Lu,Pitamber Shukla,Avinash Rajagiri,Chi Ming W. Chu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory system including nonvolatile memory and method of operating nonvolatile memory

Номер патента: US20140119108A1. Автор: Jung Hyuk Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-01.

Method and apparatus for simultaneously accessing a plurality of memory cells in a memory array to perform a read operation and/or a write operation

Номер патента: US20140204682A1. Автор: Pantas Sutardja,Winston Lee. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2014-07-24.

Memory system

Номер патента: US20230223090A1. Автор: Masanobu Shirakawa,Marie Takada,Tsukasa TOKUTOMI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

Memory system

Номер патента: US12073890B2. Автор: Masanobu Shirakawa,Marie Takada,Tsukasa TOKUTOMI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Method and apparatus for connecting memory dies to form a memory system

Номер патента: US20130193582A1. Автор: Byoung Jin Choi. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2013-08-01.

Memory system

Номер патента: US20090238023A1. Автор: Jui-Lung Chen,Chia-Chiuan Chang,Wei-Shung Chen,Yi-Hsun Chung. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2009-09-24.

Memory system and semiconductor memory device

Номер патента: US10797073B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-10-06.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US20150270005A1. Автор: Yoon-hee Choi,Daeseok Byeon,Byunggil JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-09-24.

Memory system and refresh method

Номер патента: US20230307031A1. Автор: Rei Kasedo. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Mitigation of runaway programming of a memory device

Номер патента: US20100039863A1. Автор: Vishal Sarin,Frankie F. Roohparvar,Jonathan Pabustan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-02-18.

Systems and methods for writing and reading data stored in a polymer

Номер патента: US11600324B2. Автор: John Stuart Foster,Paul F. Predki. Владелец: Iridia Inc. Дата публикации: 2023-03-07.

Memory system controlling data erase for nonvolatile memory and control method for erasing data

Номер патента: US20180286485A1. Автор: Kazutaka Takizawa,Masaaki Niijima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Memory device and memory system

Номер патента: US20230057303A1. Автор: Hiroyuki Ishii,Yuji Nagai,Makoto Miakashi,Tomoko KAJIYAMA,Hayato Konno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-02-23.

Mitigation of runaway programming of a memory device

Номер патента: US20110096608A1. Автор: Vishal Sarin,Frankie F. Roohparvar,Jonathan Pabustan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-04-28.

Memory device and memory system with a self-refresh function

Номер патента: US12094514B2. Автор: Chih-Chiang LAI. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory device, memory system including the same and operating method thereof

Номер патента: US20240257886A1. Автор: Sung Yong Lim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Concurrent compensation in a memory system

Номер патента: US20240274720A1. Автор: Hiroshi Akamatsu,Kenji Yoshida,WonJun CHOI,Jacob Rice. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Method and apparatus for reducing the number of programmed bits in a memory array

Номер патента: US20030046481A1. Автор: Alexander Kushnarenko. Владелец: Tower Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2003-03-06.

Memory, memory system including the same and method for operating memory

Номер патента: US20150043292A1. Автор: Choung-Ki Song,Yo-Sep LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-02-12.

Memory device and memory system for executing a test

Номер патента: US20220262448A1. Автор: Hyun Seung Kim,Hyeong Soo JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-08-18.

Memory systems with vertical integration

Номер патента: US20230282247A1. Автор: Yih Wang,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Jen-Yuan Chang,Chieh Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Memory system, computer system and memory

Номер патента: US7949852B2. Автор: Shinji Tanaka. Владелец: MegaChips Corp. Дата публикации: 2011-05-24.

Multiple level program verify in a memory device

Номер патента: EP2427885A1. Автор: Deping He,Taehoon Kim,Jeffrey Alan Kessenich. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-03-14.

Method and memory system for writing in data

Номер патента: US20020136061A1. Автор: Helmut Schneider,Robert Kaiser,Florian Schamberger. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-26.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20050259492A1. Автор: Shinya Fujioka,Kotoku Sato. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-11-24.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: US20210383848A1. Автор: Jangwoo Lee,KyungTae KANG,Byunghoon Jeong,Jeongdon Ihm. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-09.

Read circuit and memory system

Номер патента: US20240274166A1. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Shizuoka University NUC. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory system

Номер патента: US20160225441A1. Автор: Haruki Toda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-04.

Memory controller and flash memory system

Номер патента: US20210249098A1. Автор: Kenichi TAKUBO. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-08-12.

Memory device, memory system including the same, and method of operating the memory system

Номер патента: US20190237144A1. Автор: Kwang Su Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

Memory device, a memory system having the same and an operating method thereof in which a row address is not separated depending on pages in a byte mode operation

Номер патента: US12080332B2. Автор: Seungki HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Generating test data for a memory system design based on operation of a test system, and related methods, devices, and systems

Номер патента: US11721406B2. Автор: Won Ho Choi,Randall J. Rooney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-08.

Using split word lines and switches for reducing capacitive loading on a memory system

Номер патента: US20240274179A1. Автор: Sheng-Chen Wang,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory system

Номер патента: US20240244839A1. Автор: Kazutaka IKEGAMI,Shingo NAKAZAWA,Hidehiro Shiga. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Memory system using schottky diodes to reduce load capacitance

Номер патента: US5699541A. Автор: Kenichi Kurosawa,Michio Morioka,Shin Kokura,Tetsuaki Nakamikawa,Sakou Ishikawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1997-12-16.

Memory system, operating method of the memory system, and interface circuit of the memory system

Номер патента: US20240282378A1. Автор: ChiWeon Yoon,Anil KAVALA,Youngmin Jo,Jungjune PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory system, operating method of the memory system, and interface circuit of the memory system

Номер патента: US20240257850A1. Автор: ChiWeon Yoon,Anil KAVALA,Youngmin Jo,Jungjune PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Resistive memory system and method of operating the resistive memory system

Номер патента: US20160240252A1. Автор: Young Bae Kim,Han Shin Shin,Jun Jin Kong,Hong Rak Son,Eun Chu Oh,Pil Sang Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-18.

Flash memory system having cross-coupling compensation during read operation

Номер патента: WO2011080564A1. Автор: Idan Alrod,Eran Sharon. Владелец: SANDISK IL LTD.. Дата публикации: 2011-07-07.

Superconducting memory system with stacked drivers and differential transformers

Номер патента: EP3766069A1. Автор: Donald L. Miller,Quentin P. Herr,Randall M. Burnett,Henry Y. Luo. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2021-01-20.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US10453550B2. Автор: Hyungsup KIM,Hyung-Sik Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-22.

Semiconductor memory device, memory system including the same, and operating method thereof

Номер патента: US9384846B1. Автор: Keon Soo Shim,Bong Yeol PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-05.

Memory system and associated methodology

Номер патента: US20050195641A1. Автор: Scott Anderson,Samuel Naffziger. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2005-09-08.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200005888A1. Автор: Hyungsup KIM,Hyung-Sik Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-01-02.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20190130992A1. Автор: Hyungsup KIM,Hyung-Sik Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-05-02.

Memory cell structure, method of manufacturing a memory, and memory apparatus

Номер патента: US9595562B2. Автор: Masanori Hosomi,Yutaka Higo,Takashi Yokoyama,Shunichi Sukegawa,Taku Umebayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Memory cell structure, method of manufacturing a memory, and memory apparatus

Номер патента: US20170141298A1. Автор: Masanori Hosomi,Yutaka Higo,Takashi Yokoyama,Shunichi Sukegawa,Taku Umebayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-05-18.

Compensating a long read time of a memory device in data comparison and write operations

Номер патента: EP1649468A1. Автор: Eric H. J. Persoon. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-04-26.

Erase-verify method for three-dimensional memories and memory system

Номер патента: US20190139615A1. Автор: Atsuhiro Suzuki,Wen-Jer Tsai,Yu-Hung Huang,Cheng-Hsien Cheng,Chih-Wei Lee,Shaw-Hung Ku. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-09.

Indicating a status of a memory built-in self-test for multiple memory device ranks

Номер патента: US12051477B2. Автор: Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Techniques for reading memory cells in a memory device during a multi-pass programming operation

Номер патента: US12057169B2. Автор: Huiwen Xu,Jun Wan,Zhenni Wan,Bo Lei,Nidhi AGRAWAL. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory system

Номер патента: US20140010020A1. Автор: Koichi Fukuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-01-09.

Memory system

Номер патента: US20210065771A1. Автор: Toshifumi Hashimoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Pre-boosting scheme during a program operation in a memory sub-system

Номер патента: US11183245B1. Автор: Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-23.

Memory system

Номер патента: US20040246774A1. Автор: Kenneth Smith,Kenneth Eldredge,Andrew Van Brocklin,Peter Fricke. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2004-12-09.

Eliminating write disturb for system metadata in a memory sub-system

Номер патента: WO2023028166A1. Автор: Tingjun Xie,Zhenlei Shen,Zhenming Zhou,Charles See Yeung Kwong. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-03-02.

Memory system

Номер патента: US20220068402A1. Автор: Hideki Yamada,Masanobu Shirakawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Interrupting a memory built-in self-test

Номер патента: US12040037B2. Автор: Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory system

Номер патента: US20210241833A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Kazutaka Takizawa,Masaaki Niijima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-08-05.

Read techniques to reduce read errors in a memory device

Номер патента: US11972806B2. Автор: Xiang Yang,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-30.

Memory system, memory controller, and semiconductor storage device

Номер патента: US12040027B2. Автор: Junji Yamada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

In-place write techniques without erase in a memory device

Номер патента: US20240071508A1. Автор: Xiang Yang,Takayuki Inoue,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-29.

In-place write techniques without erase in a memory device

Номер патента: US20240071509A1. Автор: Xiang Yang,Jiacen Guo,Shubhajit Mukherjee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory system and operation method of memory system

Номер патента: US20240257894A1. Автор: Woongrae Kim,Chul Moon JUNG,Uk Song Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory system and operation method of memory system

Номер патента: US20240257895A1. Автор: Woongrae Kim,Chul Moon JUNG,Uk Song Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory chip and memory system

Номер патента: US20230178123A1. Автор: Shu-Liang NING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-08.

Multiple port memory having a plurality of parallel connected trench capacitors in a cell

Номер патента: WO2007082227A3. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Jack A Mandelman,Carl J Radens,Ramachandra Divakaruni. Владелец: Ramachandra Divakaruni. Дата публикации: 2008-09-25.

Memory Programming Methods and Memory Systems

Номер патента: US20160118119A1. Автор: Adam Johnson,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Xiaonan Chen,Jonathan Strand. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-04-28.

Method for programming memory system

Номер патента: US20210151100A1. Автор: Ke Liang,Qiang Tang,Chun Yuan Hou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-20.

Memory systems with flexible erase suspend-resume operations, and associated systems, devices, and methods

Номер патента: US20230360708A1. Автор: Ching-Huang Lu,Pitamber Shukla,Fulvio Rori,Scott A. Stoller,Jiun-Horng Lai,Wai Ying Lo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Short program verify recovery with reduced programming disturbance in a memory sub-system

Номер патента: US11749359B2. Автор: Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

In-line programming adjustment of a memory cell in a memory sub-system

Номер патента: US20240290389A1. Автор: Zhengyi Zhang,Tomoko Ogura Iwasaki,Sheyang NING,Lawrence Celso Miranda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Apparatus, system and method to log memory commands and associated addresses of a memory array

Номер патента: US20210407616A1. Автор: Sebastian T. Uribe. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-12-30.

Memory device with modular design and memory system comprising the same

Номер патента: US12080369B2. Автор: Christopher Cox,Leechung Yiu,Robert Xi Jin,Zheng QIU,Leonard DATUS,Lizhi Jin. Владелец: Montage Electronics Shanghai Co. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory system

Номер патента: US20190252024A1. Автор: Kiwamu Watanabe. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-08-15.

All levels dynamic start voltage programming of a memory device in a memory sub-system

Номер патента: US11756612B2. Автор: Jun Xu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Method and device for multi-level programming of a memory cell

Номер патента: EP1020870A1. Автор: Chin Hsi Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2000-07-19.

Write error counter for media management in a memory device

Номер патента: US20240321351A1. Автор: John Christopher M. Sancon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory programming method, memory device, and memory system

Номер патента: US20240304247A1. Автор: XiangNan Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory system

Номер патента: US11410735B2. Автор: Yoshihisa Kojima,Kazutaka Takizawa,Masaaki Niijima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-09.

Electrical distance-based wave shaping for a memory device

Номер патента: WO2021257260A1. Автор: John Christopher Sancon. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC. Дата публикации: 2021-12-23.

Control circuit of a resistive memory cell of a memory array

Номер патента: US20190115075A1. Автор: Meng-Fan Chang,Wen-Zhang Lin,Li-Ya LAI. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2019-04-18.

In-line programming adjustment of a memory cell in a memory sub-system

Номер патента: US12014778B2. Автор: Zhengyi Zhang,Tomoko Ogura Iwasaki,Sheyang NING,Lawrence Celso Miranda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Memory system and method of controlling the same

Номер патента: US7596048B2. Автор: Yohei Kamiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-09-29.

Programming techniques in a memory device to reduce a hybrid slc ratio

Номер патента: US20240242764A1. Автор: JIA Li,Huiwen Xu,Ken Oowada,Bo Lei,Deepanshu Dutta. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-18.

Method and apparatus for increasing yield in a memory circuit

Номер патента: US20070195621A1. Автор: Yu Lu,Mark Lamorey,Janusz Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-08-23.

Electrical distance-based wave shaping for a memory device

Номер патента: US20220013168A1. Автор: John Christopher Sancon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Thin film transistor deck selection in a memory device

Номер патента: US20220375950A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-11-24.

Embedded memory device and method for embedding memory device in a substrate

Номер патента: US20200075567A1. Автор: Andrew Collins. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Erasing method for flash memory using a memory management apparatus

Номер патента: US10424386B2. Автор: Chih-hao Chen. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-24.

Memory system and control method therefor

Номер патента: US20130286750A1. Автор: Toru Ishikawa. Владелец: PS5 Luxco SARL. Дата публикации: 2013-10-31.

Memory system and control method therefor

Номер патента: US20130279270A1. Автор: Toru Ishikawa. Владелец: PS5 Luxco SARL. Дата публикации: 2013-10-24.

Memory System and Control Method Therefor

Номер патента: US20140286107A1. Автор: Toru Ishikawa. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2014-09-25.

Method of operating a memory system having an erase control unit

Номер патента: US9437310B2. Автор: Junjin Kong,Hong Rak Son,Eun Chu Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-06.

Method and system for defining a redundancy window around a particular column in a memory array

Номер патента: EP1568045A1. Автор: Pau-Ling Chen,Binh Quang Le. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-08-31.

Source bias temperature compensation for read and program verify operations on a memory device

Номер патента: US20230197175A1. Автор: Ching-Huang Lu,Ronit Roneel Prakash. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Electrical distance-based wave shaping for a memory device

Номер патента: US20230111770A1. Автор: John Christopher Sancon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-04-13.

Thin film transistor deck selection in a memory device

Номер патента: US20240276736A1. Автор: Daniele Vimercati,Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

System and method for testing a memory for a memory failure exhibited by a failing memory

Номер патента: US20060107132A1. Автор: Valerie Crump,Brad Van Roosendaal. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-05-18.

Thin film transistor deck selection in a memory device

Номер патента: US12069847B2. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Time-based access of a memory cell

Номер патента: US11735244B2. Автор: Umberto Di Vincenzo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Ganged single level cell verify in a memory device

Номер патента: US12073895B2. Автор: Eric N. Lee,Tomoko Ogura Iwasaki. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Method for testing a memory device and memory device for carrying out the method

Номер патента: US7219029B2. Автор: Sven Boldt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-05-15.

Apparatus, system and method to sense a logic state of a memory cell in a three-dimensional memory device

Номер патента: US12062410B2. Автор: Balaji Srinivasan,Ashraf B. Islam,Nicolas L. IRIZARRY,Yasir Mohsin Husain,Jaydip Bharatkumar Patel. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Memory Circuitry Comprising Strings Of Memory Cells And Method Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230255023A1. Автор: Lifang Xu,Yoshiaki Fukuzumi,Paolo Tessariol,Richard J. Hill. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Short program verify recovery with reduced programming disturbance in a memory sub-system

Номер патента: US20210391024A1. Автор: Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

Short program verify recovery with reduced programming disturbance in a memory sub-system

Номер патента: US20220189565A1. Автор: Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-16.

Multi-stage erase operation for a memory device

Номер патента: US20220051724A1. Автор: Shinji Sato,Foroozan S. Koushan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-17.

Method for improving the read signal in a memory having passive memory elements

Номер патента: US20050128796A1. Автор: Kurt Hoffmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-06-16.

Semiconductor memory system

Номер патента: US20020196662A1. Автор: Luigi Pascucci. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-12-26.

Selective data pattern write scrub for a memory system

Номер патента: US20240233843A1. Автор: Zhenming Zhou,Murong Lang,Zhongguang Xu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US12027194B2. Автор: Seungki HONG,Geuntae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-02.

Nonvolatile memory devices, operating methods thereof and memory systems including the same

Номер патента: US20230268017A1. Автор: Jae-Hoon Jang,Jaehun Jeong,Hansoo Kim,Donghyuk Chae,Sun-Il Shim,Youngho Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-24.

Access to a memory

Номер патента: US12073880B2. Автор: Thomas Kern,Sebastian Kiesel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-27.

Memory Systems and Methods for Improved Power Management

Номер патента: US20230360695A1. Автор: Frederick A. Ware,James E. Harris. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2023-11-09.

Managing write disturb for units of memory in a memory sub-system using a randomized refresh period

Номер патента: US11756604B2. Автор: Charles See Yeung Kwong,Seungjune Jeon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Method for activating a plurality of word lines in a refresh cycle, and electronic memory device

Номер патента: US20060126414A1. Автор: Manfred Moser,Richard Antretter. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2006-06-15.

Defective memory block identification in a memory device

Номер патента: US20100017665A1. Автор: Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-01-21.

Multi-stage erase operation for a memory device

Номер патента: US20220351782A1. Автор: Shinji Sato,Foroozan S. Koushan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-11-03.

Memory system

Номер патента: US20240284668A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Riki SUZUKI,Toshikatsu Hida,Takehiko Amaki,Shohei Asami,Marie Grace Izabelle Angeles Sia. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240274198A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Alyssa N. SCARBROUGH,Andrew Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Corrective read with partial block offset in a memory device

Номер патента: US20240312529A1. Автор: Shyam Sunder Raghunathan,Karan Banerjee,Waing Pyie Soe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Generation of quick pass write biases in a memory device

Номер патента: US20240304251A1. Автор: Xiang Yang,Abhijith Prakash. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Write Assist for a Memory Device and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20190295632A1. Автор: Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Sahil Preet Singh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-09-26.

Write Assist for a Memory Device and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20210201991A1. Автор: Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Sahil Preet Singh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Bitline voltage adjustment for program operation in a memory device

Номер патента: US20240203502A1. Автор: Yu-Chung Lien,Zhenming Zhou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Pass voltage adjustment for program operation in a memory device

Номер патента: US20240203513A1. Автор: Yu-Chung Lien,Zhenming Zhou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Program verify level adjustment for program operation in a memory device

Номер патента: US20240203503A1. Автор: Yu-Chung Lien,Zhenming Zhou,Christina Papagianni. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Sensing time adjustment for program operation in a memory device

Номер патента: US20240203504A1. Автор: Yu-Chung Lien,Zhenming Zhou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory device, method for programming memory device, program verification method and memory system

Номер патента: US20230148366A1. Автор: Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Apparatus and method for programming data in a non-volatile memory device

Номер патента: US11990191B2. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Read latency reduction in a memory device

Номер патента: US10726888B2. Автор: Gideon Intrater,Bard Pedersen,Ishai Naveh. Владелец: Adesto Technologies Corp. Дата публикации: 2020-07-28.

Enhanced valley tracking with trim setting updates in a memory device

Номер патента: US20240096408A1. Автор: Yingda Dong,Ching-Huang Lu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Voltage equalization for pillars of a memory array

Номер патента: US20220180926A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Corrado Villa,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-09.

Voltage equalization for pillars of a memory array

Номер патента: WO2022126065A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Corrado Villa,Paolo Fantini. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-06-16.

Program verify operation in a memory device

Номер патента: US20150049556A1. Автор: Giovanni Santin,Violante Moschiano,Michele Incarnati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-02-19.

Parallel access in a memory array

Номер патента: US20230282270A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Andrea Martinelli,Christophe Vincent Antoine Laurent,Efrem Bolandrina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Method for programming a memory device

Номер патента: WO2007008477A3. Автор: Yi He,Zhizheng Liu,Shankar Sinha. Владелец: Shankar Sinha. Дата публикации: 2007-04-26.

Boost-assisted memory cell selection in a memory array

Номер патента: US11776625B2. Автор: Hongmei Wang,Hari Giduturi,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Apparatus to suppress concurrent read and write word line access of the same memory element in a memory array

Номер патента: US20140177346A1. Автор: Greg M. Hess,Hitesh Gupta,Aravind Kandala. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2014-06-26.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20240249782A1. Автор: Joonsuc Jang,Ji-Sang LEE,Minkyeong CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory arrays comprising vertically-alternating tiers of insulative material and memory cells and methods of forming a memory array

Номер патента: US11778838B2. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Quick pass write programming techniques in a memory device

Номер патента: US20230307072A1. Автор: Gerrit Jan Hemink,Deepanshu Dutta,Muhammad Masuduzzaman. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-09-28.

Capacitive sensing with a micro pump in a memory device

Номер патента: US20240257842A1. Автор: Tomoharu Tanaka,Yoshihiko Kamata,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Charge loss compensation during read operations in a memory device

Номер патента: US12057174B2. Автор: Theodore T. Pekny,Taehyun Kim,Michele Piccardi,Vivek Venkata Kalluru. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory device and memory system

Номер патента: US20200279612A1. Автор: Hyungsup KIM,Hyung-Sik Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-09-03.

Performing block-level media management operations for block stripes in a memory device

Номер патента: US12062401B2. Автор: Yang Liu,Wei Wang,Charles See Yeung Kwong,Seungjune Jeon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Apparatus and method for reducing write recovery time in a random access memory

Номер патента: US4744059A. Автор: Roger V. Rufford. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1988-05-10.

Analog read and write paths in a solid state memory device

Номер патента: EP2263154A2. Автор: Vishal Sarin,Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-12-22.

Analog read and write paths in a solid state memory device

Номер патента: US20120057408A1. Автор: Vishal Sarin,Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-03-08.

Analog read and write paths in a solid state memory device

Номер патента: WO2009126516A2. Автор: Vishal Sarin,Frankie F. Roohparvar. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2009-10-15.

Memory system including nonvolatile memory

Номер патента: US20150063034A1. Автор: Hidetaka Tsuji,Hiroki Tagawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-05.

Discharge current mitigation in a memory array

Номер патента: EP4078590A1. Автор: Andrea Ghetti,Hongmei Wang,Jin Seung SON. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-26.

Parallel access in a memory array

Номер патента: US20240274183A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Andrea Martinelli,Christophe Vincent Antoine Laurent,Efrem Bolandrina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

3-dimensional non-volatile memory device, memory system including the same, and method of manufacturing the device

Номер патента: US20130161724A1. Автор: Dong Kee Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-27.

Semiconductor structures and fabrication methods thereof, three-dimensional memories, and memory systems

Номер патента: US20240172439A1. Автор: Wei Xu,QI Hao,BIN Yuan,Zongke Xu,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Memory system package structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240178089A1. Автор: Peng Chen,Zhen Xu,XinRu Zeng,Weisong QIAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Copper-bonded memory stacks with copper-bonded interconnection memory systems

Номер патента: US11721685B2. Автор: Thomas Edward Dungan. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2023-08-08.

Memory cell protective layers in a three-dimensional memory array

Номер патента: WO2024123561A2. Автор: Farrell M. Good. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-06-13.

Memory access for a user application in a wireless communication device

Номер патента: US20230319831A1. Автор: Lyle Walter Paczkowski,Marouane BALMAKHTAR. Владелец: T Mobile Innovations LLC. Дата публикации: 2023-10-05.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12068255B2. Автор: John D. Hopkins,Richard J. Hill,Kar Wui Thong,Indra V. Chary,M. Jared Barclay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Capacitor in a three-dimensional memory structure

Номер патента: US12068240B2. Автор: June Lee,Naveen KAUSHIK,Shuai Xu,Xiaojiang Guo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Selective floating gate semiconductor material deposition in a three-dimensional memory structure

Номер патента: EP3227920A1. Автор: Hiroyuki Kamiya,Kensuke Yamaguchi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-10-11.

Three-dimensional memory device and method of making thereof by non-conformal selective deposition of insulating spacers in a memory opening

Номер патента: US20240237346A1. Автор: Bing Zhou,Fei Zhou,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Senaka Kanakamedala,Adarsh RAJASHEKHAR,Kartik SONDHI,Roshan Jayakhar TIRUKKONDA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-11.

Method and apparatus for separating data packets in a memory buffer

Номер патента: US20030214973A1. Автор: Rajeev Grover,Kenneth Duisenberg. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2003-11-20.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12040253B2. Автор: John D. Hopkins,Chet E. Carter,Collin Howder,Alyssa N. SCARBROUGH,Justin D. Shepherdson,Joshua Wolanyk. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210384208A1. Автор: John D. Hopkins,Nancy M. LOMELI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Method for fabricating memory cells for a memory device

Номер патента: US20060046317A1. Автор: Rainer Bruchhaus,Martin Gutsche. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-03-02.

Multi-layer memory structure for behavioral modeling in a pre-distorter

Номер патента: US20130241645A1. Автор: Chunlong Bai. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2013-09-19.

Memory system, memory controller, and method of controlling non-volatile memory

Номер патента: US20240275408A1. Автор: Yuki Kondo,Kosuke Morinaga. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

FAILURE RECOVERY USING CONSENSUS REPLICATION IN A DISTRIBUTED FLASH MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20120011398A1. Автор: Eckhardt Andrew D.,Koster Michael J.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-12.

MEMORY CHANNEL SELECTION IN A MULTI-CHANNEL MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20130326158A1. Автор: Chen Lin,Chen Long. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2013-12-05.

Physical interface configuration buffer in a flash memory system

Номер патента: WO2024196515A1. Автор: Hung Vuong,Benish Babu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-09-26.

Managing data placement for direct assigned virtual machines in a memory sub-system

Номер патента: WO2024197080A1. Автор: Luca Bert. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-09-26.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.