Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Host identification for a memory system

Номер патента: US11748003B2
Опубликовано: 05-09-2023
Автор(ы): Jun Huang, Qing Liang
Принадлежит: Lodestar Licensing Group LLC
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Host identification for a memory system

Номер патента: US20240028226A1. Автор: Qing Liang,Jun Huang. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-01-25.

Host identification for a memory system

Номер патента: US20210382639A1. Автор: Qing Liang,Jun Huang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Memory systems and devices including examples of accessing memory and generating access codes using an authenticated stream cipher

Номер патента: US20240201871A1. Автор: Jeremy Chritz,David Hulton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory system, information processing apparatus, and information processing system

Номер патента: US11775184B2. Автор: Teruji Yamakawa,Kentaro Umesawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Memory system

Номер патента: US11086573B2. Автор: Masanobu Shirakawa,Marie Takada,Tsukasa TOKUTOMI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-08-10.

Memory device, a memory system and an operation method

Номер патента: US12056355B2. Автор: Ying Huang,Hongtao Liu,Ke Liang,Ling Chu,Zhipeng DONG,Manxi Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory system

Номер патента: US12094541B2. Автор: Yoshihisa Kojima,Masanobu Shirakawa,Marie Takada,Kengo Kurose,Kiyotaka Iwasaki,Ryo Yamaki,Tsukasa TOKUTOMI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory system including multiple memories connected in series

Номер патента: US11334286B2. Автор: Hiroyuki Kobayashi,Junji Wadatsumi,Takashi Toi,Jun Deguchi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-05-17.

Memory system including multiple memories connected in series

Номер патента: US10838655B2. Автор: Hiroyuki Kobayashi,Junji Wadatsumi,Takashi Toi,Jun Deguchi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-11-17.

Memory system including multiple memories connected in series

Номер патента: US20210064276A1. Автор: Hiroyuki Kobayashi,Junji Wadatsumi,Takashi Toi,Jun Deguchi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Performing multiple write operations to a memory using a pending write queue/cache

Номер патента: US20180173436A1. Автор: Sha Ma,Wei-Jen Huang,Chih-Tsung Huang,Sachin Agarwal. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-21.

Memory device adjusting duty cycle and memory system having the same

Номер патента: US12033686B2. Автор: Jung-hwan Choi,Ki-Seok OH,Kyung-Soo Ha,Seok-Hun Hyun,Yeon-Kyu Choi,Chang-kyo LEE,Dae-Sik Moon,Gil-Hoon Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Memory device adjusting duty cycle and memory system having the same

Номер патента: US20220383931A1. Автор: Jung-hwan Choi,Ki-Seok OH,Kyung-Soo Ha,Seok-Hun Hyun,Yeon-Kyu Choi,Chang-kyo LEE,Dae-Sik Moon,Gil-Hoon Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-01.

Memory device adjusting duty cycle and memory system having the same

Номер патента: US20220122648A1. Автор: Jung-hwan Choi,Ki-Seok OH,Kyung-Soo Ha,Seok-Hun Hyun,Yeon-Kyu Choi,Chang-kyo LEE,Dae-Sik Moon,Gil-Hoon Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-21.

Memory device adjusting duty cycle and memory system having the same

Номер патента: US20220310151A1. Автор: Jung-hwan Choi,Kyung-Soo Ha,Seok-Hun Hyun,Yeon-Kyu Choi,Chang-kyo LEE,Dae-Sik Moon,Gil-Hoon Cha,Ki-Seonk OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-09-29.

Memory device adjusting duty cycle and memory system having the same

Номер патента: US20230317138A1. Автор: Jung-hwan Choi,Ki-Seok OH,Kyung-Soo Ha,Seok-Hun Hyun,Yeon-Kyu Choi,Chang-kyo LEE,Dae-Sik Moon,Gil-Hoon Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-05.

Memory device adjusting duty cycle and memory system having the same

Номер патента: US11749337B2. Автор: Jung-hwan Choi,Ki-Seok OH,Kyung-Soo Ha,Seok-Hun Hyun,Yeon-Kyu Choi,Chang-kyo LEE,Dae-Sik Moon,Gil-Hoon Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-05.

Memory device adjusting duty cycle and memory system having the same

Номер патента: US11749338B2. Автор: Jung-hwan Choi,Ki-Seok OH,Kyung-Soo Ha,Seok-Hun Hyun,Yeon-Kyu Choi,Chang-kyo LEE,Dae-Sik Moon,Gil-Hoon Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-05.

Memory, memory module, memory system, and operation method of memory system

Номер патента: US12034457B2. Автор: Seok Woo Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Memory device with microbumps to transmit data for a machine learning operation

Номер патента: US20210173583A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

Memory system

Номер патента: US20190364093A1. Автор: Masaki Nakagawa,Yoshinari Kumaki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-11-28.

Memory system

Номер патента: US20160352809A1. Автор: Masaki Nakagawa,Yoshinari Kumaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-01.

Wear-Leveling Scheme and Implementation for a Storage Class Memory System

Номер патента: US20200183606A1. Автор: CHAOHONG HU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-11.

Remote Direct Memory Access in Multi-Tier Memory Systems

Номер патента: US20240272835A1. Автор: Samir Mittal,Gurpreet Anand,Anirban Ray,Parag R. Maharana. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory Controller for a Network on a Chip Device

Номер патента: US20160224508A1. Автор: Douglas A. Palmer,Ramon Zuniga. Владелец: Intellisis Corp. Дата публикации: 2016-08-04.

Memory system

Номер патента: US20210064345A1. Автор: Norio Aoyama,Ryuji Nishikubo,Aurelien Nam Phong TRAN,Mel Stychen Sanchez TAN. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Memory device supporting a high-efficient input/output interface and a memory system including the memory device

Номер патента: US12061561B2. Автор: YoungHoon SON,Youngdon CHOI,Junghwan Choi,Jindo BYUN,Hyungmin Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Memory system verification

Номер патента: US20230140975A1. Автор: Jason Parker,Yuval Elad. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2023-05-11.

Wear-Leveling Scheme and Implementation for a Storage Class Memory System

Номер патента: US20200183606A1. Автор: Hu Chaohong. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-11.

Correction of communication line errors in a memory system

Номер патента: RU2710977C1. Автор: Дзунгвон СУХ. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2020-01-14.

Address/Command Chip Synchronized Autonomous Data Chip Address Sequencer for A Distributed Buffer Memory System

Номер патента: US20190163378A1. Автор: Jie Zheng,Gary A. Van Huben,Steven R. Carlough,Patrick J. Meaney,Stephen J. Powell,Susan M. Eickhoff. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-30.

Memory system

Номер патента: US20170242585A1. Автор: Yasuyuki Eguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-24.

Memory controller and memory system including the same

Номер патента: US20210208967A1. Автор: Kijun Lee,Sanguhn CHA,Sunghye CHO,Myungkyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-08.

Memory controller adjusting power, memory system including same, and operating method for memory system

Номер патента: US12086428B2. Автор: Hyunseok Kim,Jingyu HEO,Inhae KANG,Jaeyoul OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Adaptive temperature protection for a memory controller

Номер патента: US12050780B2. Автор: Federica Cresci,Massimiliano Patriarca. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Operating method for memory system

Номер патента: EP4180917A2. Автор: Hyunseok Kim,Jingyu HEO,Inhae KANG,Jaeyoul OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-17.

Operating method for memory system

Номер патента: EP4180917A3. Автор: Hyunseok Kim,Jingyu HEO,Inhae KANG,Jaeyoul OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-18.

Non-volative memory system configured to mitigate errors in read and write operations

Номер патента: EP4266311A2. Автор: Soenke Ostertun. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-10-25.

Non-volative memory system configured to mitigate errors in read and write operations

Номер патента: EP4266311A3. Автор: Soenke Ostertun. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-01-03.

Overwriting at a memory system

Номер патента: US11755237B2. Автор: Jonathan S. Parry,Giuseppe Cariello,Reshmi Basu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Corrective read of a memory device with reduced latency

Номер патента: US20240264771A1. Автор: Tao Liu,Zhengang Chen,Ting Luo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Non-volatile memory device, memory system including the same and read method of memory system

Номер патента: US12020755B2. Автор: Sung Hun Kim,Hyo Jae Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Power-down test of firmware of a memory system

Номер патента: US20230064884A1. Автор: Yaofeng Jiang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Power-down test of firmware of a memory system

Номер патента: US12039187B2. Автор: Yaofeng Jiang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory system with a zoned namespace and an operating method thereof

Номер патента: US20220261180A1. Автор: Hee Chan Shin,Yong Seok Oh,Young Ho AHN,Jhu Yeong Jhin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-08-18.

Memory controller and memory system

Номер патента: US20220147273A1. Автор: Won Gyu SHIN,Ju Yeong YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-05-12.

Memory system for accessing data in stripe form and operating method thereof

Номер патента: US20210382787A1. Автор: Dong Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Memory system for write operation and method thereof

Номер патента: US20210240384A1. Автор: Siarhei Kryvaltsevich. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-05.

Multidimensional pseudorandom binary sequence analysis for a memory device

Номер патента: US20200411121A1. Автор: Ravi Kumar,Richard Galbraith,Niranjay RAVINDRAN,Henry Yip,Jonas Goode. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-12-31.

Nonvolatile memory device for invalidating data stored therein, memory system including the same, and operating method thereof

Номер патента: US20200090746A1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Sang-Gu JO,Jae-Min Jang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-03-19.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US20170109273A1. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-20.

Idle mode temperature control for memory systems

Номер патента: US12039189B2. Автор: Francesco Basso,Francesco Falanga,Massimo Iaculo,Antonino Pollio. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Optimize Information Requests to a Memory System

Номер патента: US20200050391A1. Автор: Dhawal Bavishi,Trevor Conrad Meyerowitz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-02-13.

Memory system and operating method of the memory system

Номер патента: US20210098071A1. Автор: Ju Hyeon HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Optimize Information Requests to a Memory System

Номер патента: US20240248641A1. Автор: Dhawal Bavishi,Trevor Conrad Meyerowitz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory system, memory controller, and memory control method

Номер патента: US20200357472A1. Автор: Yi-Chun Liu,Yiching Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-12.

Memory system, memory controller, and memory control method

Номер патента: EP3736699A1. Автор: Yi-Chun Liu,Yiching Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-11.

Performance optimization of read functions in a memory system

Номер патента: US20160132412A1. Автор: Saravanan Sethuraman,Timothy J. Dell,Diyanesh B.C. Vidyapoornachary. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-12.

Performance optimization of read functions in a memory system

Номер патента: US9542110B2. Автор: Saravanan Sethuraman,Timothy J. Dell,Diyanesh B.C. Vidyapoornachary. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Testing operations for memory systems

Номер патента: US12067257B2. Автор: Yuan He,Sujeet V. Ayyapureddi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Optimize information requests to a memory system

Номер патента: WO2020033152A1. Автор: Dhawal Bavishi,Trevor Conrad Meyerowitz. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-02-13.

Memory, memory system and operation method of memory system

Номер патента: US12026392B2. Автор: Woongrae Kim,Chul Moon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Memory system and method

Номер патента: US20230315312A1. Автор: Kenji Takahashi,Makoto Kuribara,Shin TAKASAKA,Rintaro ARAI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Voltage detection for managed memory systems

Номер патента: US20240274211A1. Автор: Yoav Weinberg,Evgeni Bassin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory system and method of operating memory system

Номер патента: US20240241646A1. Автор: Hyunseok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Memory system power management

Номер патента: US20170308313A1. Автор: Diyanesh B. Chinnakkonda Vidyapoornachary,Marc A. Gollub,Tony E. Sawan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-26.

Memory device, memory system including the memory device, and method of operating the memory system

Номер патента: US20200133501A1. Автор: Hyun Woo Lee,Young Gyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-04-30.

Fault tolerant memory systems and components with interconnected and redundant data interfaces

Номер патента: US20170091040A1. Автор: Frederick A. Ware,Kenneth L. Wright. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-03-30.

Memory system, memory controller, and method for operating memory system

Номер патента: US20210279000A1. Автор: Chan Hyeok CHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-09.

Methods for asynchronously signaling updated information from a memory device to a host and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20240289060A1. Автор: Frank F. Ross. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US10818365B2. Автор: Jung-Hyun Kwon,Seung-Gyu JEONG,Do-Sun HONG,Won-Gyu SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-10-27.

Memory system and operating method of the memory system

Номер патента: US20190066794A1. Автор: Jong Woo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Memory system including a non-volatile memory chip and method for performing a read operation on the non-volatile memory chip

Номер патента: US20210349664A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Suguru NISHIKAWA,Riki SUZUKI,Marie Sia. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory during command processing without replacing defective blocks

Номер патента: US12038834B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory system and operating method of the memory system for calibrating a history read bias based on a number of error bits generated in a read operation

Номер патента: US12039190B2. Автор: Min Hwan MOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Adaptive Memory System

Номер патента: US20220113881A1. Автор: David Andrew Roberts. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-04-14.

Garbage collection strategy for memory system and method of executing such garbage collection

Номер патента: US20190310936A1. Автор: Andrei Konan,Igor NOVOGRAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-10.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20170287564A1. Автор: Byoung Jun PARK,Seong Jo Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-05.

Memory system

Номер патента: US20180276073A1. Автор: Takashi Ide,Yoshihisa Kojima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20190237150A1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Seung-Gyu JEONG,Do-Sun HONG,Won-Gyu SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

Memory controller, memory system including the memory controller, and method of operating the memory controller

Номер патента: US10719269B2. Автор: Dong Yeob CHUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-07-21.

Memory system and operating method thereof for performing urgent fine program operation

Номер патента: US12056367B2. Автор: Sang Sik Kim,Chung Un NA. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Flexible memory system

Номер патента: US12067237B2. Автор: Richard E. George,Vidyashankar Viswanathan,Michael Y. Chow. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20180068731A1. Автор: Soo-Nyun KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-08.

Memory system including memory device and memory controller, and operating method thereof

Номер патента: US20230266893A1. Автор: Taehun Kim,Wooil Kim,Taewoo HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-24.

Memory system including memory device and memory controller, and operating method thereof

Номер патента: US12079491B2. Автор: Taehun Kim,Wooil Kim,Taewoo HAN. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Dongguk University. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory system and method of operating the same

Номер патента: US12079488B2. Автор: Kwanho KIM,Jehyun PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory controlling device and memory system including the same

Номер патента: US20200004669A1. Автор: Myoungsoo Jung,Gyuyoung PARK. Владелец: Memray Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Memory controller calculating optimal read level, memory system including the same, and operating method of memory controller

Номер патента: US20230057932A1. Автор: Dongmin Shin,Wijik LEE,Hongrak Son,Kwanwoo NOH,Seonghyeog Choi,Hyeonjong Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-23.

Memory system and method for detecting error section and reprocessing tasks

Номер патента: US10416908B2. Автор: Jeen PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-09-17.

Peak power management in a memory device

Номер патента: US20230067294A1. Автор: Liang Yu,Luigi Pilolli,Jonathan Scott Parry. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Memory controller partitioning for hybrid memory system

Номер патента: US12032845B2. Автор: Frederick A. Ware,John Eric Linstadt. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-07-09.

Memory, operating method therefor, and memory system

Номер патента: EP4202938A1. Автор: Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-28.

Memory system, control method, and power control circuit

Номер патента: US20230010785A1. Автор: Takashi Ooshima,Megumi Shibatani. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-01-12.

Row hammer protection for a memory device

Номер патента: US11625170B2. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-04-11.

Access schemes for activity-based data protection in a memory device

Номер патента: US20210335407A1. Автор: Corrado Villa,Andrea Martinelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20170052737A1. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-23.

Memory system and method for operating the same

Номер патента: US20180150247A1. Автор: Jeen PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-31.

Memory system

Номер патента: US11740965B2. Автор: Yoshihisa Kojima,Suguru NISHIKAWA,Takehiko Amaki,Shunichi IGAHARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Memory system and method of performing background operation

Номер патента: US20240289039A1. Автор: Yong Seok WON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Operating method of memory system including memory controller and nonvolatile memory device

Номер патента: US20220208271A1. Автор: Joonsuc Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-30.

Memory system

Номер патента: US20220391130A1. Автор: Terufumi Takasaki,Kenji Sakaue,Taro IWASHIRO,Sachiyo MIYAMOTO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-12-08.

Memory system, operating method thereof, and electronic device

Номер патента: US20190347196A1. Автор: Kyung Min Kim,Dae Hong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Memory system

Номер патента: US20140237320A1. Автор: Junji Yano,Hidenori Matsuzaki,Kosuke Hatsuda,Hiroki Matsudaira. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-21.

Reset verification in a memory system

Номер патента: US20210173562A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

Reset verification in a memory system

Номер патента: US20230014955A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Memory system and control method of memory system

Номер патента: US20210082513A1. Автор: Masahiro Ogawa,Norio Aoyama. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor memory devices, memory systems including the same and methods of operating memory systems

Номер патента: US11994948B2. Автор: Ho-young Song,Hyun-Joong Kim,Hoi-Ju CHUNG,Sang-Uhn CHA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-28.

Memory system

Номер патента: US20240005969A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Shohei Asami. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Memory system, memory controller, and method for operating same

Номер патента: US20210173587A1. Автор: Woong Sik SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

On-die cross-temperature management for a memory device

Номер патента: US12067290B2. Автор: Jung Sheng Hoei,Kishore Kumar Muchherla,Violante Moschiano,Akira Goda,Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick R. KHAYAT,Jeffrey S. McNeil. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory system

Номер патента: US12046300B2. Автор: Tomoya Kamata,Yoshihisa Kojima,Suguru NISHIKAWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Memory system for determining read wait time, memory controller, and method for operating memory system

Номер патента: US12086416B2. Автор: Seon Ju Lee,Jeong Sun PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Methods to re-use stuck cells in data storage, and associated memory systems

Номер патента: EP4432098A1. Автор: Raffaele Costa,Matthieu Deloge,Maurits Mario Nicolaas Storms,Andrea Castelnuovo,Sergio Masferrer Oncala. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-09-18.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20210255781A1. Автор: Chol Su CHAE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-19.

Memory system

Номер патента: US20230259287A1. Автор: Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Communication via a memory interface

Номер патента: US20150324309A1. Автор: Lawrence Lai,Steven C. Woo,Pradeep Batra,Wayne Frederick Ellis,Liji GOPALAKRISHNAN,Vlad Fruchter. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2015-11-12.

Scanning techniques for a media-management operation of a memory sub-system

Номер патента: US20210064248A1. Автор: Wei Wang,Fangfang Zhu,Ying Yu Tai,Jiangli Zhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-04.

Memory system

Номер патента: US20230282257A1. Автор: Zhao Lu,Yuji Nagai,Mitsuhiro Abe,Hisashi Fujikawa,Akio SUGAHARA,Takehisa KUROSAWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Memory system

Номер патента: US20180081542A1. Автор: Masanobu Shirakawa,Kenji Sakurada,Hitoshi Shiga. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-22.

Scanning techniques for a media-management operation of a memory sub-system

Номер патента: US20220326856A1. Автор: Wei Wang,Fangfang Zhu,Ying Yu Tai,Jiangli Zhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-13.

Memory system and method for managing number of read operations using two counters

Номер патента: US12050812B2. Автор: Yoshihisa Kojima,Suguru NISHIKAWA,Takehiko Amaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Memory, memory system, and operation method of memory

Номер патента: US20210397513A1. Автор: Munseon JANG,Hoiju CHUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Memory systems having controllers embedded in packages of integrated circuit memory

Номер патента: EP4400979A2. Автор: Ying Yu Tai,Samir Mittal,Gurpreet Anand,Cheng Yuan Wu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-17.

Memory system managing number of read operations using two counters

Номер патента: US20230280943A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Suguru NISHIKAWA,Takehiko Amaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Memory systems having controllers embedded in packages of integrated circuit memory

Номер патента: EP4400979A3. Автор: Ying Yu Tai,Samir Mittal,Gurpreet Anand,Cheng Yuan Wu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

Memory system for programming dummy data to a portion of a storage region in a program mode

Номер патента: US12068047B2. Автор: Junho Seo,Juwon LEE,Dogyeong LEE,Sukeun KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Managing sub-block erase operations in a memory sub-system

Номер патента: US12068037B2. Автор: Yunfei Xu,Hong-yan Chen,Tomoko Ogura Iwasaki,Erwin E. Yu,Kalyan Chakravarthy Kavalipurapu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory system

Номер патента: US20200409610A1. Автор: Hajime Yamazaki,Yasunori Nakamura,Takahiro Miomo,Prashob Ramachandran Nair,Makoto DOMON. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-12-31.

Memory system

Номер патента: US12087396B2. Автор: Zhao Lu,Yuji Nagai,Mitsuhiro Abe,Hisashi Fujikawa,Akio SUGAHARA,Takehisa KUROSAWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Parameter table protection for a memory system

Номер патента: US11861191B2. Автор: Binbin Huo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Parameter table protection for a memory system

Номер патента: US20240176518A1. Автор: Binbin Huo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Debug interface between a host system and a memory system

Номер патента: US20240061611A1. Автор: Haihong Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Initializing memory systems

Номер патента: WO2023004267A1. Автор: Won Ho Choi,Erik V. Pohlmann,Scott SCHLACHTER. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-01-26.

Identifying center of valley in memory systems

Номер патента: US20240231673A9. Автор: Kyungjin Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200012603A1. Автор: Hae-Gi CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-01-09.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US20210149581A1. Автор: Hyeon Cheol Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-05-20.

Apparatus and method for performing recovery operation of memory system

Номер патента: US20200159455A1. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-05-21.

ECC buffer reduction in a memory device

Номер патента: US12040033B2. Автор: Amit Berman. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory device, a controller for controlling the same, a memory system including the same, and a method of operating the same

Номер патента: US20220068366A1. Автор: Sukhan Lee,Seongil O,Namsung KIM,Jaeyoun Youn,Youngcheon Kwon,Kyomin Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-03.

Memory system and method for optimizing read threshold

Номер патента: US20200027519A1. Автор: Fan Zhang,Yu Cai,Chenrong Xiong,Xuanxuan Lu. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-01-23.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US11163689B2. Автор: Hae-Gi CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-11-02.

Memory system with dynamic calibration using a trim management mechanism

Номер патента: US11721399B2. Автор: Larry J. Koudele,Michael Sheperek,Steve Kientz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-08.

Apparatus and method for performing recovery operation of memory system

Номер патента: US20210382660A1. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Memory controller, memory system including the same, and operation method of memory controller

Номер патента: US20240272808A1. Автор: Younsoo Cheon,Haedong No,Youjin JEON,Minjin JO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Ecc buffer reduction in a memory device

Номер патента: US20230238074A1. Автор: Amit Berman. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-27.

Memory system in which extended function can easily be set

Номер патента: USRE50101E1. Автор: Hiroyuki Sakamoto,Akihisa Fujimoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Non-volative memory system configured to mitigate errors in read and write operations

Номер патента: US20230315325A1. Автор: Soenke Ostertun. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-10-05.

Memory system for optimizing on-die termination settings of multi-ranks, method of operation of memory system, and memory controller

Номер патента: US20230342050A1. Автор: Taeyoung Oh,Youngdo Um,Hoseok Seol. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-26.

Non-volative memory system configured to mitigate errors in read and write operations

Номер патента: US11941281B2. Автор: Soenke Ostertun. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-03-26.

Memory controller searching for data input/output voltage, memory system, and operating method of the memory system

Номер патента: US20230384955A1. Автор: Byungwook SO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-30.

Adaptive temperature protection for a memory controller

Номер патента: US20240078021A1. Автор: Federica Cresci,Massimiliano Patriarca. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Memory system

Номер патента: US11907579B2. Автор: Hidekazu Nanzawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Flash memory device and memory system including the same

Номер патента: US20120166714A1. Автор: Kui-Yon Mun,Jongkeun Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-06-28.

Separate link and array error correction in a memory system

Номер патента: EP3377974A1. Автор: Jungwon Suh,David Ian West. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-09-26.

Separate link and array error correction in a memory system

Номер патента: WO2017087076A1. Автор: Jungwon Suh,David Ian West. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-05-26.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20210241834A1. Автор: Sang Sik Kim,Dae Sung Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-05.

Latency indication in memory system or sub-system

Номер патента: EP4425340A2. Автор: Robert Nasry Hasbun,Dean D. Gans,Sharookh Daruwalla. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-04.

Page buffer, memory device including page buffer and memory system including memory device

Номер патента: US20240177786A1. Автор: Kang Woo Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Operating method of memory system including nand flash memory, variable resistance memory and controller

Номер патента: US20160004469A1. Автор: Eun-Jin Yun,BoGeun Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-01-07.

Fault tolerant memory system

Номер патента: US20200034230A1. Автор: Roxana RUSITORU,Jonathan Curtis Beard,Reiley JEYAPAUL. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2020-01-30.

Memory system, memory controller, and method for operating memory system

Номер патента: US20210248032A1. Автор: Chul Sung KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-12.

Memory system, method of controlling memory system having volatile memory and nonvolatile memory, and controller

Номер патента: US20160266638A1. Автор: Toshikatsu Hida,Shohei Asami,Mitsuru ANAZAWA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US12032854B2. Автор: Beom Rae JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Memory system and operating method of the same

Номер патента: US20210375347A1. Автор: Seungwon Lee,Daeseok Byeon,Youngmin Jo,Taehyo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-02.

Refresh rate control for a memory device

Номер патента: EP3924968A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-22.

Refresh rate control for a memory device

Номер патента: WO2020167817A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-08-20.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20190198119A1. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Memory system including a memory controller

Номер патента: US11995334B2. Автор: Jae-Han Park,Hyun-Woo KWACK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Memory System and Method for Power Management for Reducing a Variable Credit Value By a Computed Consumed Energy Value for Each Corresponding Updated Cycle

Номер патента: US20170192722A1. Автор: Eran Erez. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-07-06.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200089581A1. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-03-19.

Extended utilization area for a memory device

Номер патента: US20240168635A1. Автор: Jani Hyvonen,Kimmo J. Mylly,Yevgen Gyl,Jussi Hakkinen. Владелец: Memory Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-23.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20210295933A1. Автор: Eui Cheol Lim,Myoung Seo KIM,Mi Seon HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-23.

Spare substitution in memory system

Номер патента: US12093129B2. Автор: Joseph Thomas Pawlowski. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory system performing performance adjusting operation

Номер патента: US20230063640A1. Автор: Duksoo Kim,Doil Kong,Daesung CHEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-02.

Memory module with reduced ecc overhead and memory system

Номер патента: US20220093203A1. Автор: Jangseok Choi,Taekwoon Kim,Wonhyung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-24.

Memory and memory system inclduing the memory

Номер патента: US20230282302A1. Автор: Hoiju CHUNG,Yoonna OH,Sang Woo YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Apparatus for controlling access to a memory device and memory system comprising the same

Номер патента: US11935623B2. Автор: Christopher Cox,Yibo Jiang,Leechung Yiu,Robert Xi Jin,Leonard DATUS,Lizhi Jin. Владелец: Montage Technology Kunshan Co. Дата публикации: 2024-03-19.

Page retirement in a nand flash memory system

Номер патента: US20190163592A1. Автор: Roman A. Pletka,Charles J. Camp,Andrew D. Walls,Ioannis Koltsidas. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-30.

Memory system processing request based on inference and operating method of the same

Номер патента: US20210366562A1. Автор: Kangho Roh,Hyunkyo Oh,Jinbaek SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-25.

Controller and memory system having the same

Номер патента: US20220165329A1. Автор: Min Kang,Dong Keun Kim,Jun Hyun Chun,Dong Uc KO,Young Su OH,Hyun Ju YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-05-26.

Memory system storing management information and method of controlling same

Номер патента: US20240281149A1. Автор: Junji Yano,Hidenori Matsuzaki,Kosuke Hatsuda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory device, memory system, and operation method thereof

Номер патента: US10740226B2. Автор: Jung-Hyun Kwon,Sung-Eun Lee,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-08-11.

Memory device, memory system, and operation method thereof

Номер патента: US20180210826A1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Sung-Eun Lee,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-07-26.

Memory system storing management information and method of controlling same

Номер патента: US9164896B2. Автор: Junji Yano,Hidenori Matsuzaki,Kosuke Hatsuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-10-20.

Integrated circuit memory devices having efficient row hammer management and memory systems including the same

Номер патента: US20240233798A9. Автор: Kijun Lee,Sunghye CHO,Myungkyu Lee,Kyomin Sohn,Eunae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory system and method of operating method thereof

Номер патента: US20220012181A1. Автор: Yeong Dong GIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Host Controller Apparatus, Host Controller Device, and Method for a Host Controller for Determining Information Related to a Time Shift for Transmitting Instructions on a Command and Address Bus, Host Controller and Computer System

Номер патента: US20190042519A1. Автор: David Ellis,Daniel Becerra,Tonia Morris,Zhenglong Wu,Christina Jue. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

Memory system

Номер патента: US20130290659A1. Автор: Shigehiro Asano,Junji Yano,Shinichi Kanno,Hidenori Matsuzaki,Kosuke Hatsuda,Toshikatsu Hida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-10-31.

Memory system

Номер патента: EP2111583A1. Автор: designation of the inventor has not yet been filed The. Владелец: . Дата публикации: 2009-10-28.

Memory controller, memory system and application processor comprising the memory controller

Номер патента: US20190050316A1. Автор: Tae-hun Kim,Nak-Hee Seong,Ji-Woong Kim,Man-Hwee Jo,Min-young JOE,Yong-sang YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-02-14.

Memory controller, memory system and application processor comprising the memory controller

Номер патента: US20200183778A1. Автор: Tae-hun Kim,Nak-Hee Seong,Ji-Woong Kim,Man-Hwee Jo,Min-young JOE,Yong-sang YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-11.

Memory controllers having simplified bisr logic circuit, methods of operating the memory controller, and memory systems including the memory controller

Номер патента: US20220101941A1. Автор: Jae Il Lim,Bo Ra Kim,Su Hae WOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Techniques associated with a read and write window budget for a two level memory system

Номер патента: EP2901286A1. Автор: Prashant Damle,Kiran Pangal. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-08-05.

Techniques associated with a read and write window budget for a two level memory system

Номер патента: WO2014051776A1. Автор: Prashant Damle,Kiran Pangal. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2014-04-03.

Triple modular redundancy (TMR) radiation hardened memory system

Номер патента: US11861181B1. Автор: Daniel L. Stanley,Richard J. FERGUSON,David D. Moser. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Triple modular redundancy (tmr) radiation hardened memory system

Номер патента: WO2024035534A1. Автор: Daniel L. Stanley,Richard J. FERGUSON,David D. Moser. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc.. Дата публикации: 2024-02-15.

Memory system design for signal integrity crosstalk reduction with asymmetry

Номер патента: US20200395051A1. Автор: Sunil Gupta. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-12-17.

Memory system design for signal integrity crosstalk reduction with asymmetry

Номер патента: EP3983926A1. Автор: Sunil Gupta. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-04-20.

Memory system design for signal integrity crosstalk reduction with asymmetry

Номер патента: WO2020252373A1. Автор: Sunil Gupta. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2020-12-17.

Purging data from a memory device

Номер патента: WO2022115828A1. Автор: Jonathan S. Parry,Christian M. Gyllenskog. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-06-02.

Extended capacity memory system with load relieved memory and method of manufacture thereof

Номер патента: US20160070316A1. Автор: Robert S. Pauley, Jr.,Victor Mahran. Владелец: Smart Modular Technologies Inc. Дата публикации: 2016-03-10.

Memory system and information processing system

Номер патента: US20160350182A1. Автор: Naoaki Tsutsui. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-01.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20190006379A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-01-03.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US10418371B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-17.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US10103158B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-10-16.

Optimization of data access and communication in memory systems

Номер патента: US20230362280A1. Автор: Gurpreet Anand,Anirban Ray,Parag R. Maharana. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Adaptive error correction in a memory system

Номер патента: US20160344427A1. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Warren E. Maule,John K. DeBrosse,Hillery C. Hunter,Charles A. Kilmer,Rona Yaari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-24.

Memory system

Номер патента: US20200089565A1. Автор: Teruo Takagiwa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Memory controllers and memory systems including the same

Номер патента: US20240178861A1. Автор: Daehyun Kim,Jiho Kim,Kijun Lee,Sunghye CHO,Myungkyu Lee,Kyomin Sohn,Seongmuk Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-30.

Adaptive error correction in a memory system

Номер патента: US20160036466A1. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Warren E. Maule,John K. DeBrosse,Hillery C. Hunter,Charles A. Kilmer,Rona Yaari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-02-04.

Memory system

Номер патента: WO2019106484A1. Автор: Christian Jacobi,Barry Trager,Patrick Meaney. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2019-06-06.

Memory system

Номер патента: US20230297272A1. Автор: Fuminori Kimura. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Non-volatile memory device, a memory system that includes the non-volatile memory device, and an operating method of the non-volatile memory device

Номер патента: US11749356B2. Автор: Jinyoung Kim,Dongmin Shin,Sehwan Park,Youngdeok SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-05.

Memory system

Номер патента: US20190287640A1. Автор: Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Apparatus and method for handling a data error in a memory system

Номер патента: US11762734B2. Автор: Jaeyoon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Memory system including an error correction function

Номер патента: US11003528B2. Автор: Daiki Watanabe,Yuchieh Lin. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-05-11.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20200081774A1. Автор: Yuta Kumano,Hironori Uchikawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Memory device having physical unclonable function and memory system including the memory device

Номер патента: EP4105933A1. Автор: Daeseok Byeon,Jooyong PARK,Pansuk Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-21.

Memory device having physical unclonable function and memory system including the memory device

Номер патента: US20240145002A1. Автор: Daeseok Byeon,Jooyong PARK,Pansuk Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Memory system and error correcting method of the same

Номер патента: US20180165151A1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Sung-Eun Lee,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-14.

Memory system and decoding method

Номер патента: US10778258B2. Автор: Daiki Watanabe. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-15.

Clock driver, operating method thereof, memory device including clock driver, and memory system

Номер патента: US20240248511A1. Автор: Bumsoo LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Measurement command for memory systems

Номер патента: US20240070089A1. Автор: Lance W. Dover. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory system

Номер патента: US12014794B2. Автор: Seiichi Tajima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Memory system

Номер патента: US20230026365A1. Автор: Seiichi Tajima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-01-26.

Nonvolatile memory devices, memory systems and methods of operating nonvolatile memory devices for processing user data

Номер патента: US10672479B2. Автор: Chan-Ik Park,Sang-Hoan Chang,Taek-Soo Kim,Hyun-Sung Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-02.

Semiconductor memory devices, memory systems and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20190229753A1. Автор: Sang-Uhn CHA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-25.

Memory controller and flash memory system

Номер патента: US20240256466A1. Автор: Kenichi TAKUBO. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

ADDRESS/COMMAND CHIP SYNCHRONIZED AUTONOMOUS DATA CHIP ADDRESS SEQUENCER FOR A DISTRIBUTED BUFFER MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20200042205A1. Автор: POWELL STEPHEN J.,Carlough Steven R.,Meaney Patrick J.,Eickhoff Susan M.,Zheng Jie,Van Huben Gary A.. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-06.

Host synchronized autonomous data chip address sequencer for a distributed buffer memory system

Номер патента: US20200073565A1. Автор: Jie Zheng,Gary A. Van Huben,Steven R. Carlough,Patrick J. Meaney,Stephen J. Powell,Susan M. Eickhoff. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

ADDRESS/COMMAND CHIP SYNCHRONIZED AUTONOMOUS DATA CHIP ADDRESS SEQUENCER FOR A DISTRIBUTED BUFFER MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20210191630A1. Автор: POWELL STEPHEN J.,Carlough Steven R.,Meaney Patrick J.,Eickhoff Susan M.,Zheng Jie,Van Huben Gary A.. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-24.

Address/Command Chip Synchronized Autonomous Data Chip Address Sequencer for A Distributed Buffer Memory System

Номер патента: US20190163378A1. Автор: POWELL STEPHEN J.,Carlough Steven R.,Meaney Patrick J.,Eickhoff Susan M.,Zheng Jie,Van Huben Gary A.. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-30.

Host Synchronized Autonomous Data Chip Address Sequencer for A Distributed Buffer Memory System

Номер патента: US20190163384A1. Автор: POWELL STEPHEN J.,Carlough Steven R.,Meaney Patrick J.,Eickhoff Susan M.,Zheng Jie,Van Huben Gary A.. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-30.

Address/command chip synchronized autonomous data chip address sequencer for a distributed buffer memory system

Номер патента: GB202008475D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-22.

Memory device and method for embedding host-identification information into content

Номер патента: WO2010151444A8. Автор: Jason T. Lin,Alexander Kanaris,Joseph E. Halpern. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2011-03-03.

Memory device and method for embedding host-identification information into content

Номер патента: EP2446387A1. Автор: Jason T. Lin,Alexander Kanaris,Joseph E. Halpern. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2012-05-02.

Memory system capable of controlling wireless communication function

Номер патента: US20190272228A1. Автор: Kuniaki Ito,Takashi Wakutsu,Shuichi Sakurai,Yasufumi Tsumagari. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-05.

Memory system capable of controlling wireless communication function

Номер патента: US20160299696A1. Автор: Kuniaki Ito,Takashi Wakutsu,Shuichi Sakurai,Yasufumi Tsumagari. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-13.

Memory system capable of controlling wireless communication function

Номер патента: US20170344471A1. Автор: Kuniaki Ito,Takashi Wakutsu,Shuichi Sakurai,Yasufumi Tsumagari. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-30.

Controlling method of a memory card

Номер патента: US20210026765A1. Автор: Kuniaki Ito,Takashi Wakutsu,Shuichi Sakurai,Yasufumi Tsumagari. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-01-28.

Controlling method of a memory card

Номер патента: US20240061771A1. Автор: Kuniaki Ito,Takashi Wakutsu,Shuichi Sakurai,Yasufumi Tsumagari. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Centralized reference and change table for a multiprocessor virtual memory system

Номер патента: WO1991010956A1. Автор: Robert P. Ryan,Kin Ling Cheung. Владелец: Wang Laboratories, Inc.. Дата публикации: 1991-07-25.

Concept for Controlling a Memory Performance in a Computer System

Номер патента: US20210048958A1. Автор: Francesc Guim Bernat. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-02-18.

Determining reference voltage offsets for read operations in a memory system

Номер патента: US20240272798A1. Автор: Jianying Zhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Allocating variable media types of memory devices in a memory system

Номер патента: US20190332290A1. Автор: Michael B. Danielson,Paul A. Suhler,James H. Meeker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Random tag setting instruction for a tag-guarded memory system

Номер патента: EP3769209A1. Автор: Graeme Peter BARNES,Jasen Milov BORISOV. Владелец: Advanced Risc Machines Ltd. Дата публикации: 2021-01-27.

Random tag setting instruction for a tag-guarded memory system

Номер патента: US20210019268A1. Автор: Graeme Peter BARNES,Jasen Milov BORISOV. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2021-01-21.

Memory system, memory controller and method for operating memory system

Номер патента: US20210004330A1. Автор: Byung Jun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-07.

Assigning blocks of memory systems

Номер патента: US20240319899A1. Автор: Deping He,Caixia Yang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory system and method of operating the same

Номер патента: US20220326873A1. Автор: Jin Woo Kim,Jin Won JANG,Hyo Byung HAN,Young Wu CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-13.

Managing operations in memory systems

Номер патента: US20240302966A1. Автор: Weilin Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Managing operations in memory systems

Номер патента: WO2024182999A1. Автор: Weilin Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory system using host memory buffer and operation method thereof

Номер патента: US12014080B2. Автор: Kihyun Park,Hyunseok Kim,Shin-Ho Choi,Sooyun LEE,Bumhee LEE,Wooram KIM,Hyeongyu Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-18.

Byte addressable memory system for a neural network and method thereof

Номер патента: US20190073127A1. Автор: Anil Ravindranath. Владелец: RaptAi Inc. Дата публикации: 2019-03-07.

Memory system with secured performance and reliability, memory controller and method of operating the same

Номер патента: US20240184469A1. Автор: Kwang Su Kim,Youn Won PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Techniques for managing temporarily retired blocks of a memory system

Номер патента: US20230045990A1. Автор: Jonathan S. Parry,Deping He,Chun Sum Yeung. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Memory system using host memory buffer and operation method thereof

Номер патента: US20240295988A1. Автор: Kihyun Park,Hyunseok Kim,Shin-Ho Choi,Sooyun LEE,Bumhee LEE,Wooram KIM,Hyeongyu Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-05.

Memory system and method of operating the same

Номер патента: US20240211169A1. Автор: Hyeong Soo Kim,Joon Seop Sim,Soo Hong Ahn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Data relocation scheme selection for a memory system

Номер патента: US12032853B2. Автор: Nicola Colella,Rakeshkumar Dayabhai Vaghasiya,Dhruv Chauhan,Mani Raghavendra Aravapalli,Anil Sindhi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Memory system, memory controller and method of operating the same

Номер патента: US20210303464A1. Автор: Joung Young LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Memory block utilization in memory systems

Номер патента: US12099734B2. Автор: Bo Zhou,Deping He,Caixia Yang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Techniques for memory system standby mode control

Номер патента: US20240281158A1. Автор: Junam Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Techniques for efficient memory system programming

Номер патента: US20240289019A1. Автор: Dionisio Minopoli,Luca Porzio,Paolo Amato,Daniela Ruggeri. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory system and operating method for increasing data protection in storage failure scenarios and electronic device including the same

Номер патента: EP4336337A1. Автор: Sean Christopher KOCOL. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-13.

Memory system, memory controller, and operation method of memory system for loading and updating mapping information to host memory area

Номер патента: US12072809B2. Автор: Kyu Ho Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Data processing system and method for accessing heterogeneous memory system

Номер патента: EP4102377A1. Автор: Gun KO,Seokmin LEE,Wonseb Jeong,Hongju KAL,Wonwoo RO. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2022-12-14.

Techniques to configure zonal architectures of memory systems

Номер патента: US20240281156A1. Автор: Christian M. Gyllenskog. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory system, memory controller and operating method of the memory system operating as read boost mode

Номер патента: US12099751B2. Автор: Eu Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

System and method for supporting a hot-word-first request policy for a multi-heirarchical memory system

Номер патента: WO2007113757A3. Автор: Miland Manohar Kulkarni. Владелец: Miland Manohar Kulkarni. Дата публикации: 2007-12-13.

Command prioritization techniques for reducing latency in a memory system

Номер патента: US20240220161A1. Автор: Olivier DUVAL,Christopher Joseph Bueb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

High speed memory systems and methods for designing hierarchical memory systems

Номер патента: US20160328170A1. Автор: Sundar Iyer,Shang-Tse Chuang. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-10.

Memory system for binding data to a memory namespace

Номер патента: US20240248854A1. Автор: Hongyu Wang,Samuel E. Bradshaw,Shivasankar Gunasekaran,Justin M. Eno. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Plane balancing in a memory system

Номер патента: US20240302991A1. Автор: John J. Kane,Byron D. Harris,Vivek Shivhare. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Physical interface configuration buffer in a flash memory system

Номер патента: US20240319916A1. Автор: Hung Vuong,Benish Babu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory system including a nonvolatile memory and control method

Номер патента: US20220066640A1. Автор: Masahiro Takeshita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Memory system including a nonvolatile memory and control method

Номер патента: US11314412B2. Автор: Masahiro Takeshita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-04-26.

Synchronizing operations between decks of a memory system

Номер патента: US20240281162A1. Автор: Amiya Banerjee,Thibash Rajamani Balakrishnan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Scalable architecture enabling large memory system for in-memory computations

Номер патента: US20200065017A1. Автор: Hongzhong Zheng,Dongyan Jiang,Qiang Peng. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-27.

Memory system and operating method of memory system

Номер патента: US20170371548A1. Автор: Gi-Pyo UM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-28.

Scalable architecture enabling large memory system for in-memory computations

Номер патента: US12099736B2. Автор: Hongzhong Zheng,Dongyan Jiang,Qiang Peng. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Hybrid memory system and accelerator including the same

Номер патента: US20240045588A1. Автор: Jie Zhang,Myoungsoo Jung,Hanyeoreum BAE. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2024-02-08.

Memory system, method of controlling access to memory system, and mobile computing device

Номер патента: US20220091759A1. Автор: Yoshiyuki Kudoh,Kentaro Umesawa,Hirotomo Kobayashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Memory system having system buffer and method of operating the memory system

Номер патента: US20220334761A1. Автор: In Jong Jang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-20.

Memory systems and operation methods thereof

Номер патента: US20240281147A1. Автор: Yufei FENG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory system, memory controller and operating method of the memory system for controlling garbage collection

Номер патента: US20230297502A1. Автор: Gi Pyo UM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory system

Номер патента: US20170109073A1. Автор: Chang-Hyun Kim,Jae-Jin Lee,Yong-Woo Lee,Min-Chang Kim,Do-Yun LEE,Hoe-Kwon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-20.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US11747989B2. Автор: Hideki Yoshida,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Memory system related to selectively storing data and a corresponding map, and an operating method of the memory system

Номер патента: US20240143193A1. Автор: Kyung Hoon Lee,Tae Yeon Hwang,Sung Kwan Hong,Sung Hun JEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20210064290A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Read operations for active regions of a memory device

Номер патента: US12050786B2. Автор: Lingyun Wang,Bin Zhao. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory and for reducing a buffer size

Номер патента: US20220334771A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-10-20.

Data type identification schemes for memory systems

Номер патента: US20240289053A1. Автор: Giuseppe Cariello. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory and for reducing a buffer size

Номер патента: US20240264776A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory system with multiple memory ranks and method of operating the memory system with multiple memory ranks

Номер патента: US20240289020A1. Автор: Dong-Gun KIM,Da Yeon Yun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory and for reducing a buffer size

Номер патента: US20230297288A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory system and information processing system

Номер патента: US12099732B2. Автор: Hiroshi KATOUGI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Memory systems having a cache system

Номер патента: US20200151103A1. Автор: Jung Hyun Kwon,Jin Woong SUH,Seung Gyu JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-05-14.

Memory controller and memory system

Номер патента: US20200159411A1. Автор: Naoki Mukaida,Kenichi TAKUBO. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Apparatus and method for performing garbage collection in a memory system

Номер патента: US12039184B2. Автор: Hyoung Pil CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory with checking a total size indicative of a sum of data length specified by a write command

Номер патента: US12045513B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Memory system and control method

Номер патента: US12045515B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Memory system

Номер патента: US20180275875A1. Автор: Shinji Yonezawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Memory system and method

Номер патента: US20240248645A1. Автор: Takashi Ishiguro. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20240256184A1. Автор: Hideki Yoshida,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory controller and memory system including the memory controller and memory device

Номер патента: US20240264744A1. Автор: Se Chang PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory system for mapping SCSI commands from client device to memory space of server via SSD

Номер патента: US8463866B2. Автор: Yaron Haviv. Владелец: Mellanox Technologies TLV Ltd. Дата публикации: 2013-06-11.

Memory system

Номер патента: US20160216887A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Shinichiro Nakazumi,Tohru Fukuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-07-28.

Memory system that stores data designated by a deletion request in nonvolatile memory

Номер патента: US10949090B2. Автор: Shinji Yonezawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-03-16.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory with checking a total size indicative of a sum of data length specified by a write command

Номер патента: US20240295991A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Memory system and control method of memory system for shared memory based message routing module

Номер патента: US12067238B2. Автор: Mitsunori Tadokoro. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory system, firmware update method, and program field

Номер патента: US20240302961A1. Автор: Mariko Matsumoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory programming method, memory device, and memory system

Номер патента: US20240295960A1. Автор: Yao Chen,Zhiliang Xia,Yifan Li. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Controller and memory system controlling garbage collection operation at power-on, and method of operating the controller and memory system

Номер патента: US20240160564A1. Автор: Wan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Memory system and method

Номер патента: US20240094904A1. Автор: Yifan Tang. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Memory system, memory controller and operating method thereof

Номер патента: US20210103405A1. Автор: Dae Hoon Jang,Young Guen CHOI,Dong Ham YIM,Young Hoon CHA,Jeong Sun PARK,Cheon Ok JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-08.

Memory system and control method

Номер патента: US20240319924A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Data separation configurations for memory systems

Номер патента: US20240289031A1. Автор: Nicola Colella,Nitul Gohain. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Operating method, memory controller, and memory system

Номер патента: US20240211144A1. Автор: Jin Cai,Xianwu Luo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Memory controller managing temperature of memory device and memory system having the memory controller

Номер патента: US20200409608A1. Автор: Young Jae JIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-31.

Memory system and information processing system

Номер патента: US20240086096A1. Автор: Yuki Sasaki,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20240201865A1. Автор: Kwang Hun Lee,Won Jun Choi,Jae Gwan Kim,Dong Young Seo,Ye Rin Kim,Bu Yong SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory system capable of accessing memory cell arrays in parallel

Номер патента: US20200089415A1. Автор: Riki SUZUKI,Toshikatsu Hida,Sayano AGA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Memory system capable of accessing memory cell arrays in parallel

Номер патента: US20190095108A1. Автор: Riki SUZUKI,Toshikatsu Hida,Sayano AGA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-28.

Memory controller, flash memory system having the same, and flash memory control method

Номер патента: US20210064235A1. Автор: Kenichi TAKUBO. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Address verification for a memory device

Номер патента: WO2021126457A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-24.

Cluster namespace for a memory device

Номер патента: US20240231610A9. Автор: Marco Redaelli,Gaurav Sinha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory system and method for operating the same

Номер патента: US20190258577A1. Автор: Jong-Min Lee,Beom-Rae JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-08-22.

Memory system for supporting a merge operation and method for operating the same

Номер патента: US10671538B2. Автор: Jong-Min Lee,Beom-Rae JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-06-02.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20180004439A1. Автор: Eu-Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-04.

Memory system and method for operating the same

Номер патента: US20230297253A1. Автор: Dong Kyu Lee,Jae Hyun Yoo,Seon Ju Lee,Seung Geol BAEK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Inline encryption/decryption for a memory controller

Номер патента: EP4083842A1. Автор: Thomas E. Tkacik,James Andrew Welker,Geoffrey Paul Waters,Mohit Mongia,Srdjan Coric. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2022-11-02.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20200125487A1. Автор: Hideki Yoshida,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-04-23.

Command batching for a memory sub-system

Номер патента: US20210278985A1. Автор: Ning Zhao,Yun Li,Scheheresade Virani,John Paul Traver,Tom Victor Maria Geukens. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-09.

Locating a memory unit associated with a memory address utilizing a mapper

Номер патента: US20230297499A1. Автор: William James Dally,Carl Thomas Gray,Stephen William Keckler,James Michael O’Connor. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory System and Method for Efficient Padding of Memory Pages

Номер патента: US20160283110A1. Автор: Abhijeet Manohar,Aaron Lee,Vimal Jain,Anne Pao-Ling Koh. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-29.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20200241799A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-07-30.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US11392323B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-07-19.

Memory system and storage system

Номер патента: US20240272810A1. Автор: Hirotomo Kobayashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory system, memory controller, and operation method of memory controller for scheduling commands based on power consumption

Номер патента: US11461022B2. Автор: Jung Hyun Kwon,Won Gyu SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-04.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20240248648A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory system

Номер патента: US20230093251A1. Автор: Tomiyuki Yamada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20240295969A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Suguru NISHIKAWA,Toshikatsu Hida,Takehiko Amaki,Shunichi IGAHARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Memory system, memory controller, and operation method of memory controller

Номер патента: US20220113882A1. Автор: Jung Hyun Kwon,Won Gyu SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-04-14.

Memory system and method for operating the same

Номер патента: US12099727B2. Автор: Dong Kyu Lee,Jae Hyun Yoo,Seon Ju Lee,Seung Geol BAEK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Memory system

Номер патента: US20230004306A1. Автор: Shohei Onishi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-01-05.

Performance control for a memory sub-system

Номер патента: US20240192866A1. Автор: Peng Xu,Yun Li,Jiangang WU,James P. CROWLEY. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Memory system and method

Номер патента: US20230305748A1. Автор: Hotaka Ueki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

A memory matrix and method of operating the same

Номер патента: WO2002091382A3. Автор: Yan Chiew Chow,James R Hsia. Владелец: James R Hsia. Дата публикации: 2003-05-01.

Memory system and method of controlling memory system

Номер патента: US20190294539A1. Автор: Hiroki Matsudaira. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-26.

Scheduling memory requests for a ganged memory device

Номер патента: EP4361827A3. Автор: James Raymond Magro. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-07-17.

Memory system and method

Номер патента: US11928364B2. Автор: Hotaka Ueki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-12.

Memory system

Номер патента: US20200293198A1. Автор: Mitsuru ANAZAWA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Interrupt signaling for a memory device

Номер патента: WO2021126656A1. Автор: Heinz Hoenigschmid,Thomas Hein,Markus Balb. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-24.

Scheduling memory requests for a ganged memory device

Номер патента: US20190196721A1. Автор: James Raymond Magro. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Memory system and control method

Номер патента: US20180217753A1. Автор: Shinichiro Nakazumi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-08-02.

Memory system and method of controlling memory system

Номер патента: US20200409555A1. Автор: Hiroshi Yao,Kazuhiro Fukutomi,Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-12-31.

Memory system and method of controlling memory system

Номер патента: US20180188963A1. Автор: Hiroshi Yao,Kazuhiro Fukutomi,Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-07-05.

Usage level identification for memory device addresses

Номер патента: US20240281371A1. Автор: Luca Porzio,Giuseppe Cariello,Roberto IZZI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory system

Номер патента: US20240272799A1. Автор: Takashi Nakagawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Interrupt signaling for a memory device

Номер патента: US12099746B2. Автор: Heinz Hoenigschmid,Thomas Hein,Markus Balb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Memory system for adjusting difference between operation time points in sequential command operations performed in memory device, and operation method thereof

Номер патента: US20210303209A1. Автор: Dong Yeob CHUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Memory system

Номер патента: US20240143236A1. Автор: Shintaro HABA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Memory device and memory system having the same

Номер патента: US20180067693A1. Автор: Byung Ryul Kim,Yong Hwan HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-08.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20180024774A1. Автор: Beom Ju Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-25.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20240264757A1. Автор: Duck Joo Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200183599A1. Автор: Eu-Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-06-11.

Memory system

Номер патента: US20240311039A1. Автор: Mitsunori Tadokoro,Haruka MORI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Data recovery with enhanced super chip-kill recovery and method of operating such memory system

Номер патента: US20240289028A1. Автор: Fan Zhang,Meysam Asadi,Ahmad Golmohammadi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Fragmentation management for memory systems

Номер патента: WO2024129864A1. Автор: Nicola Colella,Nitul Gohain. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-06-20.

Apparatus and method for managing map data between host and memory system

Номер патента: US12050795B2. Автор: Jung Woo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Selectively powered embedded memory systems and methods

Номер патента: GB2626651A. Автор: Shahbazi Maryam,L Mclaury Loren,A Sharpe-Geisler Brradley. Владелец: Lattice Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-07-31.

Operating methods of semiconductor device and memory system each including multi-connection port, and communication method of storage system

Номер патента: US20170199673A1. Автор: Hwa-Seok Oh,Jin-Hyeok Choi,Hyun-Tae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-13.

Memory system and information processing system

Номер патента: US20230297254A1. Автор: Takuya Onodera. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory system and information processing system

Номер патента: US12073098B2. Автор: Takuya Onodera. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Memory system

Номер патента: US20140082263A1. Автор: Shigeaki Iwasa,Kohei Oikawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-03-20.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory by controlling the writing of data to and reading of data from a plurality of blocks in the nonvolatile memory

Номер патента: US11762591B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US10712962B2. Автор: Se-Hyun Kim,Jung-Woo Kim,Kyung-hoon Lee,Sung-Hun JEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-07-14.

Memory system and control method

Номер патента: US20240264749A1. Автор: Takahiro Kubota,Hironori Uchikawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Direct cache hit and transfer in a memory sub-system that programs sequentially

Номер патента: US20220269611A1. Автор: Johnny A. LAM,Chandra M. Guda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-25.

Memory system and power supply control circuit

Номер патента: US20240281153A1. Автор: Kengo Kumagai,Daiki KAMADA,Yuta HIBE. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US11748012B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US12086444B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory system

Номер патента: US20240302994A1. Автор: Yasuhiko Kurosawa,Kenji Sakaue. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Managing free space in a compressed memory system

Номер патента: US11922016B2. Автор: Angelos Arelakis,Per Stenström,Chloe ALVERTI,Ioannis NIKOLAKOPOULOS,Pedro PETERSEN MOURA TRANCOSO. Владелец: Zeropoint Technologies AB. Дата публикации: 2024-03-05.

Distributed power up for a memory system

Номер патента: US20230359370A1. Автор: Giuseppe Cariello. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Memory system and method

Номер патента: US20240201866A1. Автор: Kiyotaka Iwasaki,Atsuo Shono. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Associating a processing thread and memory section to a memory device

Номер патента: US20180373640A1. Автор: Andrew D. Baptist,Yogesh R. Vedpathak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-12-27.

Memory system

Номер патента: WO2012137372A1. Автор: Shigeaki Iwasa,Kohei Oikawa. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-10-11.

Signalling for heterogeneous memory systems

Номер патента: US11748034B2. Автор: James R. Magro,Kedarnath Balakrishnan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20180113650A1. Автор: Eu-Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-26.

Memory system controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20230305704A1. Автор: Naoki Esaka,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Memory system controlling nonvolatile memory

Номер патента: US12079473B2. Автор: Naoki Esaka,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20180196744A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-07-12.

Computer memory system and method for memory segmentation

Номер патента: EP4407469A1. Автор: Uri Kaluzhny. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-31.

Erase operation for a memory system

Номер патента: US20240176491A1. Автор: Sridhar Prudviraj Gunda,Amiya Banerjee,Ritesh Tiwari,Shreesha Prabhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Memory controller and operation method thereof, memory system and electronic device

Номер патента: US20240160369A1. Автор: Youxin He,Huadong HUANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Separate cores for media management of a memory sub-system

Номер патента: US12001330B2. Автор: John Paul Traver,Antonio David Bianco. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Memory system and method

Номер патента: US20190087324A1. Автор: Hiroshi Yao,Naomi Takeda,Kenta Yasufuku. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Separate cores for media management of a memory sub-sytem

Номер патента: US20210200669A1. Автор: John Paul Traver,Antonio David Bianco. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Incomplete superblock management for memory systems

Номер патента: US20240192879A1. Автор: Tomer Eliash. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Memory system

Номер патента: US20230305718A1. Автор: Takashi Takemoto,Kensaku Yamaguchi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Controller, memory system and operating method of the controller

Номер патента: US20200310982A1. Автор: Eu Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-10-01.

Memory system

Номер патента: US20240248644A1. Автор: Shuichi Watanabe. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Apparatus and method for transmitting map information and read count in memory system

Номер патента: US20210004167A1. Автор: Jong-Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-07.

Memory system

Номер патента: US20160216894A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Takahiro Nango,Tohru Fukuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-07-28.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US12066931B2. Автор: Hideki Yoshida,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory system for processing a delegated task and an operation method thereof

Номер патента: US11740813B2. Автор: Su Won MOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Memory system and method for operating the same

Номер патента: US20200034299A1. Автор: Hui-Won LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-01-30.

Memory system having a plurality of writing modes

Номер патента: US20170109050A1. Автор: Hiroshi Yao,Kazuhiro Fukutomi,Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-20.

Direct cache hit and transfer in a memory sub-system that programs sequentially

Номер патента: US20210406185A1. Автор: Johnny A. LAM,Chandra M. Guda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Separate cores for media management of a memory sub-system

Номер патента: US20240281372A1. Автор: John Paul Traver,Antonio David Bianco. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Commanded device states for a memory system

Номер патента: US20230376205A1. Автор: Luca Porzio,Roberto IZZI,Nadav Grosz,Marco Onorato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US11875059B2. Автор: Hisashi Otani. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-16.

Application defined multi-tiered wear-leveling for storage class memory systems

Номер патента: EP3752923A1. Автор: CHAOHONG HU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-23.

Semiconductor device with a plurality of write conditions and memory system

Номер патента: US20110161386A1. Автор: Takafumi Ito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-30.

Memory controller, memory system and operating method of memory device

Номер патента: US20210374053A1. Автор: Hung Yung CHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-12-02.

Memory controller, memory system and operating method of memory device

Номер патента: US20210357320A1. Автор: Hung Yung CHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-11-18.

Arbiter circuit for commands from multiple physical functions in a memory sub-system

Номер патента: US11126375B2. Автор: Jiangli Zhu,Ying Yu Kai. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-21.

Memory controller, memory system and operating method of memory device

Номер патента: US11775427B2. Автор: Hung Yung CHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Memory module, memory system including memory module, and method of operating the same

Номер патента: US20230063123A1. Автор: Sung Woo HYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Memory system and memory control method

Номер патента: US20230297273A1. Автор: Takahiro Kubota,Yuta Kumano,Hironori Uchikawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory controller and flash memory system

Номер патента: US20230297276A1. Автор: Kenichi TAKUBO. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory device, operating method of memory device and memory system

Номер патента: US20240311054A1. Автор: Eun Chu Oh,Beomkyu Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Read/write device for a hard-disk memory system, and corresponding manufacturing process

Номер патента: US20230019422A1. Автор: Domenico Giusti,Marco Ferrera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-01-19.

Read/write device for a hard-disk memory system, and corresponding manufacturing process

Номер патента: US20210166726A1. Автор: Domenico Giusti,Marco Ferrera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-06-03.

Read/write device for a hard-disk memory system, and corresponding manufacturing process

Номер патента: US11810604B2. Автор: Domenico Giusti,Marco Ferrera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-11-07.

Controller and memory system including the controller operating memory allocation

Номер патента: US12001885B2. Автор: Duk Joon JEON,Changhwan Youn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Multi-rank collision reduction in a hybrid parallel-serial memory system

Номер патента: EP3427153A1. Автор: Javid Jaffari,Dexter Tamio Chun,Yanru Li,Amin Ansari. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-01-16.

Multi-rank collision reduction in a hybrid parallel-serial memory system

Номер патента: WO2017155662A1. Автор: Javid Jaffari,Dexter Tamio Chun,Yanru Li,Amin Ansari. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-09-14.

Collision detection in a multi-port memory system

Номер патента: WO2005093758A8. Автор: Tzong-Kwang Henry Yeh,Wei-Ling Chang,Chung-Han Lin,Bill Beane. Владелец: Bill Beane. Дата публикации: 2005-11-24.

Rapid restart protection for a non-volatile memory system

Номер патента: US20200381060A1. Автор: Vadim Khmelnitsky,Matthew J. Byom,Alexander Paley,Yuhua Liu,Muhammad N. Ashraf. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Partitioning of memory system resources or performance monitoring

Номер патента: EP3568763A1. Автор: Steven Douglas KRUEGER. Владелец: Advanced Risc Machines Ltd. Дата публикации: 2019-11-20.

Error evaluation for a memory system

Номер патента: US20230222032A1. Автор: Matthew D. Jenkinson,Christopher G. Wieduwilt,Seth A. Eichmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Apparatus and method for sanitizing a shared memory device or a memory expander

Номер патента: US20240231615A1. Автор: Jung Min Choi,Sun Woong Kim,Min Ho Ha,Byung Il Koh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory controller and memory system including the same

Номер патента: US20240281321A1. Автор: Dae Sung Kim,Min Su Choi,Jae yong Son. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory system and method of controlling memory chips

Номер патента: US20240302997A1. Автор: Hajime Yamazaki,Konosuke Watanabe,Shinji Yonezawa,Mitsusato Hara,Haruka MORI,Eiji SUKIGARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Collision detection in a multi-port memory system

Номер патента: WO2005093758A1. Автор: Tzong-Kwang Henry Yeh,Wei-Ling Chang,Chung-Han Lin,Bill Beane. Владелец: Integrated Device Technology, Inc.. Дата публикации: 2005-10-06.

Collision detection in a multi-port memory system

Номер патента: EP1738371A1. Автор: Tzong-Kwang Henry Yeh,Wei-Ling Chang,Chung-Han Lin,Bill Beane. Владелец: Integrated Device Technology Inc. Дата публикации: 2007-01-03.

Techniques associated with a read and write window budget for a two level memory system

Номер патента: EP2901286B1. Автор: Prashant Damle,Kiran Pangal. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-11-04.

RAPID RESTART PROTECTION FOR A NON-VOLATILE MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20200381060A1. Автор: Paley Alexander,Khmelnitsky Vadim,Byom Matthew J.,LIU Yuhua,Ashraf Muhammad N.. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-03.

Memory system including memory controller and memory device and method for recovering from an error thereof

Номер патента: US20240168846A1. Автор: Sung-Joon Kim,Ho-Young Lee,Kyung-Hee Han,Insu Choi,Changho YUN,Kyungjin PARK,Ilho Kim,Jinhun JEONG,Yunmi HWANG,Jongwon Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Memory controller and method for use in memory controller of memory system

Номер патента: WO2023072381A1. Автор: Assaf Natanzon,Zvi Schneider. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-05-04.

Inter-memory movement in a multi-memory system

Номер патента: US20240201885A1. Автор: Sourabh Dhir,Kang-Yong Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Unmap backlog in a memory system

Номер патента: US12039194B2. Автор: Tian Liang,Xu Zhang,Xing Wang,Junjun Wang,Huachen Li,Guan Zhong Wang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory system and method of operating the same

Номер патента: US10922200B2. Автор: Jin Woong Kim,Se Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-02-16.

Runtime selection of memory devices and storage devices in a disaggregated memory system

Номер патента: US20220214805A1. Автор: Richard C. Murphy,Reshmi Basu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-07-07.

Memory system with selective access to first and second memories

Номер патента: US20200065000A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Memory system and bus switch

Номер патента: US20140331005A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-11-06.

Memory system with selective access to first and second memories

Номер патента: US20210208784A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-07-08.

Memory system and bus switch

Номер патента: US20140052903A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-02-20.

Memory system with selective access to first and second memories

Номер патента: US9280461B2. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-08.

Memory system controlling load capacity

Номер патента: US8832362B2. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-09.

Memory system and bus switch

Номер патента: US8595410B2. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-11-26.

Memory system with selective access to first and second memories

Номер патента: US20240118804A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Memory system with selective access to first and second memories

Номер патента: US20230049754A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-02-16.

Isolated performance domains in a memory system

Номер патента: US12001342B2. Автор: Anirban Ray,Parag R. Maharana. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Isolated performance domains in a memory system

Номер патента: US20200301848A1. Автор: Anirban Ray,Parag R. Maharana. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-09-24.

Isolated performance domains in a memory system

Номер патента: EP3821332A1. Автор: Anirban Ray,Parag Maharana. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-19.

Isolated performance domains in a memory system

Номер патента: WO2020014054A1. Автор: Anirban Ray,Parag Maharana. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-01-16.

Runtime selection of memory devices and storage devices in a disaggregated memory system

Номер патента: US11762553B2. Автор: Richard C. Murphy,Reshmi Basu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Controller, operating method of the controller and memory system

Номер патента: US20210303176A1. Автор: Hee Chan Shin,Do Hyeong LEE,Yong Seok Oh,Young Ho AHN,Jae Gwang Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Memory system with selective access to first and second memories

Номер патента: US10474360B2. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-11-12.

Memory system with selective access to first and second memories

Номер патента: US10956039B2. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-03-23.

Memory system with selective access to first and second memories

Номер патента: US20160147455A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-05-26.

Page migration acceleration using a two-level bloom filter on high bandwidth memory systems

Номер патента: US20180081585A1. Автор: Mauricio Breternitz,Leonardo Piga. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2018-03-22.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200081632A1. Автор: Chan-Jong WOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-03-12.

Memory system for supporting internal dq termination of data buffer

Номер патента: US20180329850A1. Автор: Young-Ho Lee,In-su Choi,Hui-chong Shin,Sun-Young Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-11-15.

Controller, memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200057728A1. Автор: Sang Hyun Kim,Duck Hoi KOO,Soong Sun SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-02-20.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20190102086A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-04-04.

Memory controller and memory system including same

Номер патента: US20180113641A1. Автор: Shi Hye KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-26.

Nonvolatile memory system

Номер патента: WO2008100415A4. Автор: Pantas Sutardja,Zining Wu,Tony Yoon,Chi-Kong Lee,Lau Nguyen. Владелец: Lau Nguyen. Дата публикации: 2009-01-08.

Memory device and memory system for direct communication between the memory devices

Номер патента: US20200104060A1. Автор: Young Geun Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-02.

Memory system

Номер патента: US20240289057A1. Автор: Yoshikazu Takeyama. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Garbage collection in a memory sub-system during a low battery state

Номер патента: EP4018316A1. Автор: Jianmin Huang,Aparna U. Limaye,Tomoko Ogura Iwasaki,Avani F. Trivedi,Tracy D. Evans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-29.

Memory system supporting redundant logical domain

Номер патента: US12067298B2. Автор: Hideki Yoshida,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Operating methods, memory controllers, and memory systems

Номер патента: US20240176519A1. Автор: Jin Cai,Xianwu Luo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Apparatus and method for securing a free memory block in a memory system

Номер патента: US11775426B2. Автор: Dong Young Seo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Memory system performing cache bypassing operation and cache management method thereof

Номер патента: US20240256452A1. Автор: Shinhaeng KANG,Kyomin Sohn,Suk Han Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200097401A1. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-03-26.

Cache management in a memory subsystem

Номер патента: US20240311045A1. Автор: Chinnakrishnan Ballapuram,Taeksang Song,Saira S. Malik,Akhila Gundu,Kimberly Judy Lobo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20240202135A1. Автор: Hideki Yoshida,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Apparatus and method for handling a firmware error in operation of a memory system

Номер патента: US20210064471A1. Автор: Sung-Jin Park,Dong-Hyun Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-03-04.

High capacity, high performance memory system

Номер патента: US20230266923A1. Автор: Frederick Ware. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2023-08-24.

Page retirement in a nand flash memory system

Номер патента: WO2015083308A1. Автор: Roman A. Pletka,Andrew Dale Walls,Ioannis Koltsidas,Charles John Camp. Владелец: Ibm Japan, Ltd.. Дата публикации: 2015-06-11.

Memory controller, memory system and memory control method

Номер патента: US20170075623A1. Автор: Takashi Ogasawara,Ikuo Magaki,Naoto Oshiyama,Satoshi Kaburaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Partitioning of memory system resources or performance monitoring

Номер патента: US20180203609A1. Автор: Steven Douglas KRUEGER. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-07-19.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US12079131B2. Автор: Jooyoung Lee,Hoeseung Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory system, memory controller and operation method thereof

Номер патента: US20240020224A1. Автор: Eu Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Error evaluation for a memory system

Номер патента: US11829243B2. Автор: Matthew D. Jenkinson,Christopher G. Wieduwilt,Seth A. Eichmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Memory system

Номер патента: US20210081275A1. Автор: Yuta Kumano,Hironori Uchikawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Enhanced performance memory systems and methods

Номер патента: WO2009032152A1. Автор: David K. Ovard,Roy E. Greeff. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2009-03-12.

Enhanced performance memory systems and methods

Номер патента: US9154131B2. Автор: David K. Ovard,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-10-06.

Enhanced performance memory systems and methods

Номер патента: US8400810B2. Автор: David K. Ovard,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-03-19.

Performing a separable operation on a two-dimensional array of values at a processing unit comprising a memory

Номер патента: US20240231913A1. Автор: Szabolcs Csefalvay. Владелец: Imagination Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Techniques for error detection and correction in a memory system

Номер патента: WO2022046440A1. Автор: Steffen Buch,Aaron P. Boehm. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-03-03.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US12052034B2. Автор: Takahiro Kubota,Yuki Kondo. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Memory system and nonvolatile memory

Номер патента: US20240320089A1. Автор: Daisuke Arizono. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory system and memory controller

Номер патента: US8819331B2. Автор: Haruki Toda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-26.

Monotonic counter memory system

Номер патента: US20220345135A1. Автор: Chuen-Der Lien,Chi-Shun Lin. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-10-27.

Memory system and control method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20230299794A1. Автор: Yuki Kondo,Hironori Uchikawa,Naoaki Kokubun. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory system

Номер патента: US20210344360A1. Автор: Yasuyuki Imaizumi,Takashi Ishiguro,Yifan Tang,Mitsunori Tadokoro,Satoshi Shoji. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-11-04.

Memory system

Номер патента: US20200371867A1. Автор: Yasuyuki Imaizumi,Takashi Ishiguro,Yifan Tang,Mitsunori Tadokoro,Satoshi Shoji. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-11-26.

Error detection and correction scheme for a memory device

Номер патента: US20140189475A1. Автор: William H. Radke,Shuba Swaminathan,Brady L. Keays. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-03.

Logical counters for a memory system

Номер патента: US20240264904A1. Автор: Sai Krishna Mylavarapu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Techniques for retiring blocks of a memory system

Номер патента: US20230049201A1. Автор: Jonathan S. Parry,Deping He,Chun Sum Yeung. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Memory system

Номер патента: US20210295931A1. Автор: Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200192759A1. Автор: Yong-Tae Kim,Duck-Hoi KOO,Soong-Sun SHIN,Nam Oh HWANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-06-18.

Memory system and method for controlling the same

Номер патента: US20240202111A1. Автор: Mitsunori Tadokoro,Akinori NAGAOKA,Haruka MORI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Multi-pump memory system access circuits for sequentially executing parallel memory operations

Номер патента: WO2019051446A1. Автор: Francois Ibrahim Atallah,Jihoon Jeong,Keith Alan Bowman,Hoan Huu Nguyen. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-03-14.

Memory system with adaptive read-threshold scheme and method of operating such memory system

Номер патента: US20190066803A1. Автор: Fan Zhang,Naveen Kumar,Yu Cai,Aman BHATIA,Chenrong Xiong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Memory system and data processing system including the same

Номер патента: US12056027B2. Автор: Hyung-sup KIM,Eung-Bo SHIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory controller, an operation method thereof, a memory device, and a memory system

Номер патента: US20240212782A1. Автор: Sungjoon Kim,Changho YUN,Chaeeun LEE,Yukyoung KIM,Jongwon Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Memory device for supporting cache read operation, operating method thereof, and memory system including the same

Номер патента: US20220342817A1. Автор: Gwan Park,Jeong Gil CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-27.

Memory device storing parity and memory system including the same

Номер патента: US20220130485A1. Автор: Dongmin Shin,Geunyeong YU,Youngjun Hwang,Hongrak Son,Bohwan Jun,Heeyoul KWAK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-28.

Managing open blocks in memory systems

Номер патента: US11340980B2. Автор: Zheng Wu,Yi-Chun Liu,Wei Jie Chen,Ching Ting Lu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-24.

Memory system related to clock synchronization

Номер патента: US20230305592A1. Автор: Sang Sic Yoon,Kyu Dong HWANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Temperature compensation in a memory system

Номер патента: EP3844754A1. Автор: Shane Nowell,Sampath K. Ratnam,Vamsi Pavan Rayaprolu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-07.

Temperature compensation in a memory system

Номер патента: WO2020046970A1. Автор: Shane Nowell,Sampath K. Ratnam,Vamsi Pavan Rayaprolu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-03-05.

Memory controller, memory system, and method of operating memory system

Номер патента: US20210005267A1. Автор: Min Kee Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-07.

Memory system and operation method of the memory system

Номер патента: US20230152981A1. Автор: In Jong Jang,Kyu Min LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

Memory system for selecting counter-error operation through error analysis and data process system including the same

Номер патента: US20210208966A1. Автор: Nam Young AHN,Eung Bo Shim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-07-08.

Memory system and operating method of the same

Номер патента: US20240282349A1. Автор: Meng-Fan Chang,Win-San Khwa,Tai-Hao Wen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Imprint recovery management for memory systems

Номер патента: US12019506B2. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Memory controller and memory system including adjustment of scrub cycle rate

Номер патента: EP4390939A2. Автор: Sung-Joon Kim,Ho-Young Lee,Kyung-Hee Han,Kyung Jin Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-26.

Memory controller and memory system including the same

Номер патента: US20240202069A1. Автор: Sung-Joon Kim,Ho-Young Lee,Kyung-Hee Han,Kyung Jin Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Controller for a solid-state drive, and related solid-state drive

Номер патента: US20170004059A1. Автор: Margherita Maffeis. Владелец: Nandext Srl. Дата публикации: 2017-01-05.

Memory system capable of enhancing writing protection and related method

Номер патента: US20110289259A1. Автор: Hsu-Ming Lee. Владелец: Wistron Corp. Дата публикации: 2011-11-24.

Memory system and method for operating the same

Номер патента: US20180107597A1. Автор: Yong-Ju Kim,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-19.

A method of synchronizing read timing in a high speed memory system

Номер патента: EP1374244A2. Автор: Troy A. Manning,Brent Keeth,Chris G. Martin,Jeffery W. Janzen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-01-02.

Memory systems having memory devices therein with enhanced error correction capability and methods of operating same

Номер патента: US12057184B2. Автор: Junhyung Kim,Kijun Lee,Sanguhn CHA,Sunghye CHO,Myungkyu Lee,Kiheung KIM,Sungrae Kim,Changyong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory system

Номер патента: US20210158885A1. Автор: Hongseok Kim,EHyun NAM,Kyoungseok RHA. Владелец: Fadu Inc. Дата публикации: 2021-05-27.

Semiconductor memory system and method of repairing the semiconductor memory system

Номер патента: US20190303253A1. Автор: Jung Hyun Kwon,Wongyu SHIN,Seunggyu JEONG,Do Sun HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-03.

Memory system capable of enhancing writing protection and related method

Номер патента: US8650366B2. Автор: Hsu-Ming Lee. Владелец: Wistron Corp. Дата публикации: 2014-02-11.

Memory device reducing i/o signal lines through i/o mapping connection and memory system including the same

Номер патента: EP4398117A1. Автор: Sang-Won Park,Jooyong PARK,Bongsoon LIM,Seokmin Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-10.

Memory device reducing i/o signal lines through i/o mapping connection and memory system including the same

Номер патента: US20240232066A1. Автор: Sang-Won Park,Jooyong PARK,Bongsoon LIM,Seokmin Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US20230079939A1. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-16.

Method and apparatus in memory for input and output parameters optimization in a memory system during operation

Номер патента: US20200364049A1. Автор: Elancheren Durai. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-19.

Memory System and Method for Transferring Data Therein

Номер патента: US20080022037A1. Автор: Hermann Ruckerbauer. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-01-24.

Memory system and method for transferring data therein

Номер патента: US7293151B2. Автор: Hermann Ruckerbauer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-11-06.

Memory System Performance Configuration

Номер патента: US20150052289A1. Автор: Preeti Yadav,Abhijeet Bhalerao,Barys Sarana,Frederick Fernandez,Namita Joshi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-02-19.

A method of synchronizing read timing in a high speed memory system

Номер патента: WO2002069341A3. Автор: Brent Keeth,Troy A Manning,Chris G Martin,Jeffery W Janzen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-11-28.

A method of synchronizing read timing in a high speed memory system

Номер патента: EP1374244B1. Автор: Troy A. Manning,Brent Keeth,Chris G. Martin,Jeffery W. Janzen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-08-31.

A method of synchronizing read timing in a high speed memory system

Номер патента: WO2002069341A2. Автор: Troy A. Manning,Brent Keeth,Chris G. Martin,Jeffery W. Janzen. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2002-09-06.

Temperature compensation in a memory system

Номер патента: US20210397232A1. Автор: Shane Nowell,Sampath K. Ratnam,Vamsi Pavan Rayaprolu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Temperature compensation in a memory system

Номер патента: US11662786B2. Автор: Shane Nowell,Sampath K. Ratnam,Vamsi Pavan Rayaprolu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-30.

Memory system and control method of memory system

Номер патента: US12046272B2. Автор: Mel Stychen Sanchez TAN. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

System and method for initializing a memory system and memory device and processor-based system using same

Номер патента: WO2009009339A1. Автор: A. Kent Porterfield. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2009-01-15.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US20200319953A1. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-08.

Memory system

Номер патента: US20170301402A1. Автор: Katsuhiko Ueki,Yoshihisa Kojima,Makoto Kuribara. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-19.

Memory system and memory controller

Номер патента: US20120151123A1. Автор: Haruki Toda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-06-14.

Memory system

Номер патента: US20190286571A1. Автор: Takayuki Mori,Satoshi Kaburaki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Staggered refresh counters for a memory device

Номер патента: US20210304814A1. Автор: James S. Rehmeyer,Christopher G. Wieduwilt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Current monitor for a memory device

Номер патента: US20210098046A1. Автор: Debra M. Bell,Aaron P. Boehm,Kristen M. HOPPER. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Managing open blocks in memory systems

Номер патента: US11656934B2. Автор: Zheng Wu,Yi-Chun Liu,Wei Jie Chen,Ching Ting Lu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-23.

Memory system and method for transferring data therein

Номер патента: US7831797B2. Автор: Hermann Ruckerbauer. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2010-11-09.

Memory System with Multi-Level Status Signaling and Method for Operating the Same

Номер патента: US20120182780A1. Автор: Steven Cheng. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2012-07-19.

Memory system with multi-level status signaling and method for operating the same

Номер патента: WO2011002626A1. Автор: Steven Cheng. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2011-01-06.

Memory system with multi-level status signaling and method for operating the same

Номер патента: EP2449474A1. Автор: Steven Cheng. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2012-05-09.

Read data flow control in a cascade interconnect memory system

Номер патента: EP2294577A1. Автор: Kevin Gower,Michael Trombley,Steven Hnatko. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-03-16.

Memory system

Номер патента: US20240282389A1. Автор: Hiroyuki Nagashima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory system and non-volatile memory

Номер патента: US20240311294A1. Автор: Mitsuaki Honma,Daisuke Arizono,Keisuke Azuma. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory system

Номер патента: US20210183455A1. Автор: Hideki Yamada,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Apparatus and method for detecting errors in a memory device

Номер патента: US12009041B2. Автор: Siddharth Gupta,Antony John Penton,Sachin Gulyani,Cyrille Nicolas Dray,Luc Olivier PALAU. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2024-06-11.

Memory system

Номер патента: US20140281154A1. Автор: Hajime Matsumoto,Daisuke Hashimoto,Toyokazu Eguchi,Daisuke Ide. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Memory system, reading method, program, and memory controller

Номер патента: US10600489B2. Автор: Takayuki Itoh,Tomoya Kodama. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-24.

Memory system including on-die termination and method of controlling on-die termination thereof

Номер патента: US20190050352A1. Автор: Sung-Joon Kim,Changho YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-02-14.

Hybrid memory system with increased bandwidth

Номер патента: US12073901B2. Автор: Jungwon Suh. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Memory system including on-die termination and method of controlling on-die termination thereof

Номер патента: US10108563B2. Автор: Sung-Joon Kim,Changho YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-10-23.

Memory, memory system, operation method of the memory, and operation of the memory system

Номер патента: US12073902B2. Автор: Ah Reum Han,Kyung Whan Kim,Sun Hwa Park,Sung Joo Ha,Kee Yun KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Adaptive scan frequency for detecting errors in a memory system

Номер патента: US20190354421A1. Автор: Michael G. McNeeley,Kishore K. Muchherla,Sampath K. Ratnam,Akira Goda,Todd A. Marquart,Kevin R. Brandt,William C. Filipiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-21.

Memory system configured to determine a write voltage applied to memory cells based on the number of erase operations

Номер патента: US11501839B2. Автор: Hideki Yamada,Masanobu Shirakawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-11-15.

Hybrid memory system with increased bandwidth

Номер патента: US20240304271A1. Автор: Jungwon Suh. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory system and controller

Номер патента: US9478293B2. Автор: Toshihiro Suzuki,Masanobu Shirakawa,Tetsufumi YANAGIDA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Memory system

Номер патента: US11749333B2. Автор: Woongrae Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Memory system

Номер патента: US20030177331A1. Автор: Hiroyuki Yamauchi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-18.

Storing highly read data at low impact read disturb pages of a memory device

Номер патента: US11762767B2. Автор: Ashutosh Malshe,Kishore Kumar Muchherla,Violante Moschiano,Giuseppina Puzzilli,Tecla Ghilardi,Vamsi Pavan Rayaprolu,James Fitzpatrick,Shyam Sunder Raghunathan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Adaptive scan frequency for detecting errors in a memory system

Номер патента: EP3794454A1. Автор: Michael G. McNeeley,Kishore K. Muchherla,Sampath K. Ratnam,Akira Goda,Todd A. Marquart,Kevin R. Brandt,William C. Filipiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-24.

Adaptive scan frequency for detecting errors in a memory system

Номер патента: WO2019222488A1. Автор: Michael G. McNeeley,Kishore K. Muchherla,Sampath K. Ratnam,Akira Goda,Todd A. Marquart,Kevin R. Brandt,William C. Filipiak. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-11-21.

System and method for providing client-side address translation in a memory management system

Номер патента: WO2015085247A1. Автор: Pavan Kumar,Azzedine Touzni,Olav Haugan,Tarek Zghal,Satyaki MUKHERJEE,Victor K. Wong,Thomas M. Zeng,Tzung Ren TZENG,Pawan Chhabra,Stephen A. Molloy,Zhurang Zhao,Abhirami SENTHILKUMARAN,Jean-louis O. TARDIEUX,Ajay UPADHYAYA,Subrahmanyam MOOLA,Jaydeep R. CHOKSHI,Vipul C. GANDHI. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-06-11.

Non-volatile memory and memory system

Номер патента: US20240274219A1. Автор: Mitsuaki Honma. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Non-volatile memory and memory system

Номер патента: EP4418122A1. Автор: Mitsuaki Honma. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-21.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US12093172B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Apparatus and method for handling error in volatile memory of memory system

Номер патента: US20200226039A1. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-07-16.

Memory system and memory device

Номер патента: US12033693B2. Автор: Naomi Takeda,Masanobu Shirakawa,Akio SUGAHARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Memory system

Номер патента: EP2248026A1. Автор: Junji Yano,Hidenori Matsuzaki,Kosuke Hatsuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-11-10.

Memory system

Номер патента: US20110185108A1. Автор: Junji Yano,Hidenori Matsuzaki,Kosuke Hatsuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-07-28.

Memory system with multiple striping of raid groups and method for performing the same

Номер патента: EP4361815A3. Автор: Jon C.R. Bennett. Владелец: VIOLIN SYSTEMS LLC. Дата публикации: 2024-06-19.

Scan synchronous-write-through testing architectures for a memory device

Номер патента: US20220171688A1. Автор: Ching-Wei Wu,Kao-Cheng LIN,Chia-En HUANG,Ming-Hung Chang,Atul Katoch,Uppu Sharath Chandra,Donald G. Mikan, Jr.,Hao-I Yang,Ming-Chien Tsai,Tsung-Yung Chang,Saman M.I. Adham. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-02.

Scan synchronous-write-through testing architectures for a memory device

Номер патента: US20200293417A1. Автор: Ching-Wei Wu,Kao-Cheng LIN,Chia-En HUANG,Ming-Hung Chang,Atul Katoch,Uppu Sharath Chandra,Donald G. Mikan, Jr.,Hao-I Yang,Ming-Chien Tsai,Tsung-Yung Chang,Saman M.I. Adham. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Clock and data recovery device, memory system, and data recovery method

Номер патента: US20210351908A1. Автор: Hiroyuki Kobayashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Scan synchronous-write-through testing architectures for a memory device

Номер патента: US11734142B2. Автор: Ching-Wei Wu,Kao-Cheng LIN,Chia-En HUANG,Ming-Hung Chang,Atul Katoch,Uppu Sharath Chandra,Donald G. Mikan, Jr.,Hao-I Yang,Saman M. I. Adham,Ming-Chien Tsai,Tsung-Yung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Scan synchronous-write-through testing architectures for a memory device

Номер патента: US11256588B2. Автор: Ching-Wei Wu,Kao-Cheng LIN,Chia-En HUANG,Ming-Hung Chang,Atul Katoch,Uppu Sharath Chandra,Donald G. Mikan, Jr.,Hao-I Yang,Saman M. I. Adham,Ming-Chien Tsai,Tsung-Yung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-22.

Memory system and memory control method

Номер патента: US10388402B2. Автор: Sang Min Lee,Jae Hyung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-08-20.

Memory system and data processing system including the same

Номер патента: US12073217B2. Автор: Dong Ha JUNG,Dong Uk Lee,Seung Gyu JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Disabling outbound drivers for a last memory buffer on a memory channel

Номер патента: US20130097371A1. Автор: Pete Vogt,Warren Morrow,Dennis W. Brzezinski. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-04-18.

Memory system with address conversion based on inherent performance condition

Номер патента: US20020112138A1. Автор: Hiroyuki Yamauchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-15.

Memory system and memory control method

Номер патента: US20160267966A1. Автор: Taku Ooneda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Clock and data recovery device, memory system, and data recovery method

Номер патента: US20190296888A1. Автор: Hiroyuki Kobayashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-26.

Address mapping method of memory system

Номер патента: US20180196756A1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Jong-hyun Park,Ja-Hyun Koo,Seung-Gyu JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-07-12.

Memory devices and operating methods thereof, memory system

Номер патента: US20240203514A1. Автор: Lu GUO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory system

Номер патента: WO2009107505A1. Автор: Junji Yano,Hidenori Matsuzaki,Kosuke Hatsuda. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2009-09-03.

Dynamic memory cache size adjustment in a memory device

Номер патента: EP2715548A2. Автор: Siamack Nemazie,Berhanu Iman,Michael George,Ruchir Shah,William E. Benson,Farshid TABRIZI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-04-09.

Semiconductor memory device with memory cell having charge accumulation layer and control gate and memory system

Номер патента: US20100271876A1. Автор: Tomoji Takada,Hidetaka Tsuji. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-10-28.

Semiconductor memory device with memory cell having charge accumulation layer and control gate and memory system

Номер патента: US20090010057A1. Автор: Tomoji Takada,Hidetaka Tsuji. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-08.

Clock driver, operating method thereof, memory device including clock driver, and memory system

Номер патента: EP4407619A1. Автор: Bumsoo LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-31.

Error correction management for a memory device

Номер патента: US11720443B2. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-08.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US20150089327A1. Автор: Chul-woo Park,Hak-soo Yu,Jae-Youn Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-03-26.

Address mapping method of memory system

Номер патента: US10025724B1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Jong-hyun Park,Ja-Hyun Koo,Seung-Gyu JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-07-17.

Memory system and method for read operation based on grouping of word lines

Номер патента: US20200185040A1. Автор: Fan Zhang,Naveen Kumar,Yu Cai,Aman BHATIA,Chenrong Xiong,Xuanxuan Lu. Владелец: SK Hynix Memory Solutions America Inc. Дата публикации: 2020-06-11.

Memory system with adaptive refresh

Номер патента: US12038855B2. Автор: Jungwon Suh,Subbarao Palacharla,Shyamkumar Thoziyoor,Pankaj Deshmukh,Vishakh BALAKUNTALAM VISWESWARA. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US9684352B2. Автор: Yeong Sik YI,Jong Ju PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20140380008A1. Автор: Yeong Sik YI,Jong Ju PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-12-25.

Channel modulation for a memory device

Номер патента: EP3912043A1. Автор: Peter Mayer,Martin Brox,Thomas Hein,Timothy M. Hollis,Roy E. Greeff,Michael Dieter RICHTER,Wolfgang Anton SPIRKL. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-24.

Memory system having improved signal integrity

Номер патента: US20110032740A1. Автор: Kwang-soo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-02-10.

Memory system with adaptive refresh

Номер патента: US20240311317A1. Автор: Jungwon Suh,Subbarao Palacharla,Shyamkumar Thoziyoor,Pankaj Deshmukh,Vishakh BALAKUNTALAM VISWESWARA. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Heterogeneous memory systems, and related methods and computer-readable media for supporting heterogeneous memory access requests in processor-based systems

Номер патента: EP2946302A1. Автор: Jungwon Suh,Xiangyu Dong. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-11-25.

Heterogeneous memory systems, and related methods and computer-readable media for supporting heterogeneous memory access requests in processor-based systems

Номер патента: WO2014113374A1. Автор: Jungwon Suh,Xiangyu Dong. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-07-24.

Lifetime mixed level non-volatile memory system

Номер патента: US20240013832A1. Автор: G.R. Mohan Rao. Владелец: Vervain LLC. Дата публикации: 2024-01-11.

Lifetime mixed level non-volatile memory system

Номер патента: US11854612B1. Автор: G. R. Mohan Rao. Владелец: Vervain LLC. Дата публикации: 2023-12-26.

Temperature exception tracking in a temperature log for a memory system

Номер патента: US20220228925A1. Автор: David Aaron Palmer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-07-21.

Temperature exception tracking in a temperature log for a memory system

Номер патента: US11988563B2. Автор: David Aaron Palmer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Reduced power consumption by memory system

Номер патента: US20230350482A1. Автор: Jun Shen,Guang Chang Ye,Tao Xiong,Jizhe Xing. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Memory system with error detection

Номер патента: US20230307079A1. Автор: Frederick A. Ware,John Eric Linstadt. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2023-09-28.

Memory device and memory system including the same, and operation method of memory device

Номер патента: US20140317338A1. Автор: Choung-Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-10-23.

Self-optimized power management for ddr-compatible memory systems

Номер патента: US20170365305A1. Автор: Mu-Tien Chang,Dimin Niu,Hongzhong Zheng,Craig Hanson,Jangseok Choi,Indong KIM,Sun Young Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-21.

Arithmetic control device, memory system including the same, information processing device, and arithmetic control method

Номер патента: US20160371057A1. Автор: Kazuya Matsuzawa,Takao Marukame,Yuuichiro Mitani,Jiezhi Chen. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-22.

Memory devices, memory systems and methods of operating memory devices

Номер патента: US20200211671A1. Автор: Yong-Jun Lee,Tae-Hui Na,Chea-Ouk Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-02.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US12080334B2. Автор: Taeyoung Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Managing performance and service life prediction for a memory subsystem using environmental factors

Номер патента: US12068055B2. Автор: Shiva PAHWA,Suresh Reddy Yarragunta,Abhilash Ramamurthy Nag. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Self-timing for a multi-ported memory system

Номер патента: WO2010111394A3. Автор: Nan Chen,Sei Seung Yoon,Chang Ho Jung,Hari Rao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2011-01-20.

Self-Timing For A Multi-Ported Memory System

Номер патента: US20100250865A1. Автор: Nan Chen,Sei Seung Yoon,Chang Ho Jung,Hari Rao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2010-09-30.

Self-timing for a multi-ported memory system

Номер патента: WO2010111394A2. Автор: Nan Chen,Sei Seung Yoon,Chang Ho Jung,Hari Rao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2010-09-30.

Method and apparatus for a low power self-timed memory control system

Номер патента: WO1997024726A1. Автор: Gordon W. Priebe,Ronald D. Isliefson,I. Ross Mactaggart,Kevin R. LeClair,Robin W. Passow. Владелец: Lsi Logic Corporation. Дата публикации: 1997-07-10.

Hardware acceleration for a software transactional memory system

Номер патента: WO2007092422A2. Автор: Bratin Saha,Ali-Reza Adl-Tabatabai,Quinn Jacobson. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2007-08-16.

Random tag setting instruction for a tag-guarded memory system

Номер патента: IL276897B1. Автор: . Владелец: Advanced Risc Mach Ltd. Дата публикации: 2023-09-01.

Random tag setting instruction for a tag-guarded memory system

Номер патента: EP3769209B1. Автор: Graeme Peter BARNES,Jasen Milov BORISOV. Владелец: Advanced Risc Machines Ltd. Дата публикации: 2022-07-27.

Method and system for a disaggregated persistent memory system using persistent memory servers

Номер патента: US20230385213A1. Автор: Adrian Michaud. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2023-11-30.

Hardware acceleration for a software transactional memory system

Номер патента: EP1989619A2. Автор: Bratin Saha,Ali-Reza Adl-Tabatabai,Quinn Jacobson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-11-12.

Self-timed sensing architecture for a non-volatile memory system

Номер патента: EP4154252A1. Автор: Massimiliano Frulio. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-29.

Self-timed sensing architecture for a non-volatile memory system

Номер патента: WO2021236152A1. Автор: Massimiliano Frulio. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2021-11-25.

Techniques Associated with a Read and Write Window Budget for a Two Level Memory System

Номер патента: US20140089762A1. Автор: Damle Prashant,Pangal Kiran. Владелец: . Дата публикации: 2014-03-27.

RANDOM TAG SETTING INSTRUCTION FOR A TAG-GUARDED MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20210019268A1. Автор: BARNES Graeme Peter,BORISOV Jasen Milov. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-21.

Data acceleration mechanism for a multiprocessor shared memory system

Номер патента: US6973548B1. Автор: Kelvin S. Vartti,Ross M. Weber,Mitchell A. Bauman,Ronald G. Arnold. Владелец: Unisys Corp. Дата публикации: 2005-12-06.

Cache controller for a secondary cache memory system

Номер патента: DE4218003C2. Автор: Peter D Macwilliams,Robert L Farrell,Adalberto Golbert,Itzik Silas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1997-08-21.

Centralized reference and change table for a multiprocessor virtual memory system

Номер патента: CA2073677A1. Автор: Robert P. Ryan,Kin Ling Cheung. Владелец: Kin Ling Cheung. Дата публикации: 1991-07-12.

Power-on initialization and test for a cascade interconnect memory system

Номер патента: TW201013417A. Автор: Frank D Ferraiolo,Robert J Reese,Eric E Retter,Kevin C Gower,Martin L Schmatz,Peter L Buchmann,Michael B Spear,Peter M Thomsen,Michael R Trombley. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2010-04-01.

Centralized reference and change table for a multiprocessor virtual memory system

Номер патента: AU6079490A. Автор: Robert P. Ryan,Kin Ling Cheung. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 1991-08-05.

Random tag setting instruction for a tag-guarded memory system

Номер патента: IL276897B2. Автор: . Владелец: Advanced Risc Mach Ltd. Дата публикации: 2024-01-01.

Random tag setting instruction for a tag-guarded memory system

Номер патента: IL276897A. Автор: . Владелец: Advanced Risc Mach Ltd. Дата публикации: 2020-10-29.

Kernel identification for space management in compressed memory systems

Номер патента: US6279092B1. Автор: Philip Heidelberger,Peter A. Franaszek,Dan E. Poff. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2001-08-21.

Read/write device for a hard-disk memory system, and corresponding manufacturing process

Номер патента: US20210166726A1. Автор: Domenico Giusti,Marco Ferrera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-06-03.

Read window management in a memory system

Номер патента: US20240021264A1. Автор: Ting Luo,Li-Te Chang,Zhenming Zhou,Murong Lang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Distributed autonomous power management in a memory system

Номер патента: WO2008017625B1. Автор: Kevin Gower,Robert Tremaine. Владелец: Robert Tremaine. Дата публикации: 2008-05-29.

Address map caching for a memory system

Номер патента: US20240264938A1. Автор: Alex Frolikov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory system host data reset function

Номер патента: US20240281373A1. Автор: Yanhua Bi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory system and integrated management method for plurality of dma channels

Номер патента: US20110153878A1. Автор: Jong Dae Kim,Tae Moon Roh,Jong Kee Kwon,Chun Gi Lyuh,Ik Jae CHUN,Se Wan HEO,Sang Hun Yoon. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2011-06-23.

Fairness in memory systems

Номер патента: WO2009014896A3. Автор: Thomas Moscibroda,Onur Mutlu. Владелец: Microsoft Corp. Дата публикации: 2009-03-26.

Handling of single-copy-atomic load/store instruction with a memory access request shared by micro-operations

Номер патента: US11748101B2. Автор: Raja Abhishek,Albin Pierrick TONNERRE. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2023-09-05.

Variable nesting control parameter for table structure providing access control information for controlling access to a memory system

Номер патента: GB2594258A. Автор: PARKER Jason,Elad Yuval,GARCIA-TOBIN Carlos,Brookfield Swaine Andrew,Donald Charles Chadwick Alexander. Владелец: Advanced Risc Machines Ltd. Дата публикации: 2021-10-27.

Variable nesting control parameter for table structure providing access control information for controlling access to a memory system

Номер патента: EP4139806A1. Автор: Andrew Brookfield Swaine,Jason Parker,Yuval Elad,Carlos Garcia-Tobin,Alexander Donald Charles CHADWICK. Владелец: Advanced Risc Machines Ltd. Дата публикации: 2023-03-01.

Variable nesting control parameter for table structure providing access control information for controlling access to a memory system

Номер патента: WO2021214428A1. Автор: Andrew Brookfield Swaine,Jason Parker,Yuval Elad,Carlos Garcia-Tobin,Alexander Donald Charles CHADWICK. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2021-10-28.

Method for allocation of address space in a virtual memory system

Номер патента: WO1995029446A1. Автор: Patrick W. Penzias Dirks. Владелец: APPLE COMPUTER, INC.. Дата публикации: 1995-11-02.

Memory system and operation method thereof and power management module

Номер патента: US20240295916A1. Автор: MeiFa CHEN,Guiyuan Duan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Memory channel selection in a multi-channel memory system

Номер патента: US20130326158A1. Автор: Lin Chen,Long Chen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-12-05.

Dependence prediction in a memory system

Номер патента: WO2010147857A2. Автор: Doug Burger,Robert McDonald,Franziska Roesner,Lakshminarasimhan Sethumadhavan,Stephen W. Keckler. Владелец: Board of Regents, University of Texas System. Дата публикации: 2010-12-23.

Cyclic redundancy check (crc) retry for memory systems in compute express link (cxl) devices

Номер патента: US20230259424A1. Автор: Marco Sforzin,Paolo Amato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Dependence prediction in a memory system

Номер патента: WO2010147857A3. Автор: Doug Burger,Robert McDonald,Franziska Roesner,Lakshminarasimhan Sethumadhavan,Stephen W. Keckler. Владелец: Board of Regents, University of Texas System. Дата публикации: 2011-11-24.

Identifying Memory System Sensitivity to Timing Parameters

Номер патента: US20230350715A1. Автор: Amitabh Mehra,Anil Harwani,William Robert Alverson,Jerry Anton Ahrens,Grant Evan Ley,Joshua Taylor Knight,Jayesh Hari Joshi. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Memory system, method of controlling memory system, and host system

Номер патента: US20230305986A1. Автор: Naoki Kimura,Nana Kawamoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Error tracking by a memory system

Номер патента: US20240248781A1. Автор: Sai Krishna Mylavarapu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory device, memory system including the same, and method of operating the memory system

Номер патента: US20190237144A1. Автор: Kwang Su Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

Controller for managing sequence for map data, operating method thereof and memory system

Номер патента: US10831671B2. Автор: Eu-Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-11-10.

Critical data management within a memory system

Номер патента: US20240281324A1. Автор: Deping He,Caixia Yang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory system with first cache for storing uncompressed look-up table segments and second cache for storing compressed look-up table segments

Номер патента: US11455256B2. Автор: Tomonori Yokoyama,Mitsunori Tadokoro,Satoshi Kaburaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-27.

Non-volatile memory system, memory card having the same, and operating method of non-volatile memory system

Номер патента: US10095303B2. Автор: Hwa-Seok Oh,Seok-Won Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-10-09.

Using split word lines and switches for reducing capacitive loading on a memory system

Номер патента: US20240274179A1. Автор: Sheng-Chen Wang,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory system in a dual processor device and a method of initialising memory in a dual processor device

Номер патента: WO2004074977A3. Автор: Michal Polak. Владелец: Michal Polak. Дата публикации: 2005-03-03.

Memory system in a dual processor device and a method of initialising memory in a dual processor device

Номер патента: WO2004074977A2. Автор: Michal Polak. Владелец: Advanced Digital Broadcast Polska Sp. Z O.O.. Дата публикации: 2004-09-02.

Data processing arrangement and memory system

Номер патента: EP1084466A1. Автор: Marc Duranton. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-03-21.

Memory system

Номер патента: US20240244839A1. Автор: Kazutaka IKEGAMI,Shingo NAKAZAWA,Hidehiro Shiga. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

System and Method to Provide Non-Coherent Access to a Coherent Memory System

Номер патента: US20140372709A1. Автор: Gregg A. Bouchard,Richard E. Kessler,Rajan Goyal,Jeffrey A. Pangborn,Aseem Maheshwari. Владелец: Cavium LLC. Дата публикации: 2014-12-18.

System and method to provide non-coherent access to a coherent memory system

Номер патента: US20130103909A1. Автор: Gregg A. Bouchard,Richard E. Kessler,Rajan Goyal,Aseem Maheshwari,Jeffrey Pangborn. Владелец: Cavium LLC. Дата публикации: 2013-04-25.

Memory system, operating method of the memory system, and interface circuit of the memory system

Номер патента: US20240282378A1. Автор: ChiWeon Yoon,Anil KAVALA,Youngmin Jo,Jungjune PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

System and method for storing data in a virtualized memory system with destructive reads

Номер патента: US8838934B2. Автор: Shang-Tse Chuang,Sundar Iver. Владелец: Memoir Systems LLC. Дата публикации: 2014-09-16.

Method and apparatus for accessing a memory core multiple times in a single clock cycle

Номер патента: US20040109381A1. Автор: Eric Badi,Jean-Marc Bachot. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-10.

Method for operating memory system, memory controller, memory system and electronic device

Номер патента: US20240168886A1. Автор: Tao Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Superconducting memory system with stacked drivers and differential transformers

Номер патента: EP3766069A1. Автор: Donald L. Miller,Quentin P. Herr,Randall M. Burnett,Henry Y. Luo. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2021-01-20.

Memory system and operating method of memory system

Номер патента: US12050533B2. Автор: In Jong Jang,Kyu Min LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Hardware processor core having a memory sliced by linear address

Номер патента: US20240126702A1. Автор: Ryan Carlson,Richard Klass,Mark Dechene,Paula Petrica,Sudeepto Majumdar,Rafael Trapani Possignolo,Meenakshi Marathe. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

A memory arrangement for multi-processor systems

Номер патента: EP1896983A2. Автор: Suk Jin Kim,Bingfeng Mei,Osman Allam. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2008-03-12.

Memory device, memory system including the same, and operating method of memory system

Номер патента: EP4411551A1. Автор: Jungho Park,Insu Kim,Jaeyong Jeong,Beomkyu Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-07.

Memory system, computing system, and methods thereof

Номер патента: US20190310944A1. Автор: Rajat Agarwal,Wei P. CHEN,Chet R. Douglas,Tiffany J. Kasanicky,Andy Rudoff. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-10-10.

Internal log management in memory systems

Номер патента: US20240311288A1. Автор: Steven Gaskill,Scheheresade Virani,Kyle Brock-Petersen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory systems and operation methods thereof

Номер патента: US20240311237A1. Автор: Yufei FENG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory system and control method

Номер патента: US20230376433A1. Автор: Mitsunori Tadokoro,Haruka MORI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Memory system and nonvolatile memory

Номер патента: US20200303018A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Kazutaka Takizawa,Masaaki Niijima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Memory system, memory controller and operating method thereof for determining garbage collection victim block

Номер патента: US12056047B2. Автор: Jung Woo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory systems for automated computing machinery

Номер патента: WO2007135077B1. Автор: Daniel Dreps,Kevin Gower,Warren Maule,Robert Tremaine. Владелец: Robert Tremaine. Дата публикации: 2008-01-17.

Prioritization of successful read recovery operations for a memory device

Номер патента: US20240231985A1. Автор: Tingjun Xie,Naveen Bolisetty. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Address fault detection in a memory system

Номер патента: US20230162794A1. Автор: Hieu Van Tran. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-25.

Memory protection system for a multi-tasking system.

Номер патента: MY117539A. Автор: Allan L Samson,Thomas C Green. Владелец: Micro Motion Inc. Дата публикации: 2004-07-31.

Memory protection system for a multi-tasking system

Номер патента: WO1999031595A1. Автор: Allan L. Samson,Thomas C. Green. Владелец: Micro Motion, Inc.. Дата публикации: 1999-06-24.

Information processing system, information processing method and memory system

Номер патента: WO2013185625A1. Автор: Kenneth ChengHao Lin. Владелец: Shanghai XinHao Microelectronics Co. Ltd.. Дата публикации: 2013-12-19.

Memory system

Номер патента: US20220068402A1. Автор: Hideki Yamada,Masanobu Shirakawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Memory system and method for controlling the same

Номер патента: US20230418760A1. Автор: Fumio Hara. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Memory and an operating method thereof, a memory system

Номер патента: US20230297521A1. Автор: Jiawei Chen,Shu Xie,Wenjie MU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Information processing system, information processing method and memory system

Номер патента: EP2862088A1. Автор: Kenneth ChengHao Lin. Владелец: Shanghai Xinhao Bravechips Micro Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-22.

Notifying memory system of host events via modulated reset signals

Номер патента: US12056518B2. Автор: Qing Liang,Jonathan S. Parry,Stephen Hanna,Kulachet Tanpairoj. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Error-tolerant memory system for machine learning systems

Номер патента: US12066890B2. Автор: Sudhanva Gurumurthi,Ganesh Suryanarayan Dasika. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Asymmetric-channel memory system

Номер патента: US20170249265A1. Автор: Ian P. Shaeffer,Arun Vaidyanath,Sanku Mukherjee. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-08-31.

Arbitration sub-queues for a memory circuit

Номер патента: US12079144B1. Автор: Sebastian Werner,Amir KLEEN,Jeonghee Shin,Peter A. Lisherness. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory access bounds checking for a programmable atomic operator

Номер патента: US11734173B2. Автор: Tony Brewer,Chris Baronne,Dean E. Walker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Memory device with modular design and memory system comprising the same

Номер патента: US12080369B2. Автор: Christopher Cox,Leechung Yiu,Robert Xi Jin,Zheng QIU,Leonard DATUS,Lizhi Jin. Владелец: Montage Electronics Shanghai Co. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory pools in a memory model for a unified computing system

Номер патента: US20190303302A1. Автор: Mark Hummel,Anthony Asaro,Kevin Normoyle. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2019-10-03.

Methods and apparatus for byte alignment operations for a memory device that stores an odd number of bytes

Номер патента: US20010032302A1. Автор: Raymond Chan,Mario Au. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-18.

Non-volatile memory system

Номер патента: US20130046919A1. Автор: Bong-Gwan Seol,Jun-Seok Park,Wan-soo Choi,Hee-tak Shin,Won-Jin Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-02-21.

Memory system and storage device

Номер патента: US20230305953A1. Автор: Nobuaki Tojo,Shogo Ochiai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Managing data placement for direct assigned virtual machines in a memory sub-system

Номер патента: US20240320029A1. Автор: Luca Bert. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory system and method for controlling the same, and method for maintaining data coherency

Номер патента: US20070186051A1. Автор: Nobuyuki Harada. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-08-09.

Memory system and controller

Номер патента: US20230288973A1. Автор: Katsuhiko Ueki,Yoshihisa Kojima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Preconditioning operation for a memory cell with a spontaneously-polarizable memory element

Номер патента: US11996131B2. Автор: Johannes Ocker,Foroozan Koushan. Владелец: Ferroelectric Memory GmbH. Дата публикации: 2024-05-28.

Memory access method and access controller for a memory

Номер патента: US20110187729A1. Автор: Yu Liu,Jun Huang. Владелец: HiSilicon Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-04.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US20190108136A1. Автор: Jongju Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-04-11.

Memory system

Номер патента: US20240281370A1. Автор: Kohei Oikawa,Yu Nakanishi,Hirotsugu KAJIHARA,Kazuhiro Hiwada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Method and apparatus for a high density magnetic random access memory (MRAM) with stackable architecture

Номер патента: EP1553601A3. Автор: Heinrich Maglabs Inc. Sussner. Владелец: Maglabs Inc. Дата публикации: 2007-07-18.

Selective decoding for super chip-kill recovery and method of operating such memory system

Номер патента: US20240264903A1. Автор: Fan Zhang,Meysam Asadi,Ahmad Golmohammadi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Nonvolatile memory devices, operating methods thereof and memory systems including the same

Номер патента: US20230268017A1. Автор: Jae-Hoon Jang,Jaehun Jeong,Hansoo Kim,Donghyuk Chae,Sun-Il Shim,Youngho Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-24.

Memory system

Номер патента: US20240284668A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Riki SUZUKI,Toshikatsu Hida,Takehiko Amaki,Shohei Asami,Marie Grace Izabelle Angeles Sia. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Controller for a memory component

Номер патента: US11334377B2. Автор: Antonino Mondello,Alberto Troia. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-05-17.

Controller for a memory component

Номер патента: US11755350B2. Автор: Antonino Mondello,Alberto Troia. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Controller for a memory component

Номер патента: WO2020240235A1. Автор: Antonino Mondello,Alberto Troia. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC. Дата публикации: 2020-12-03.

Memory system

Номер патента: US20240193080A1. Автор: Masaru Ogawa,Kenji Sakaue,Noriyuki Moriyasu. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Memory device, method for programming memory device, program verification method and memory system

Номер патента: US20230148366A1. Автор: Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

System and method for error protection of a memory

Номер патента: WO2009024886A3. Автор: Markus Baumeister,Manfred Zinke,Wageningen Andries Van. Владелец: Wageningen Andries Van. Дата публикации: 2009-04-30.

Controller for a memory component

Номер патента: US20220276885A1. Автор: Antonino Mondello,Alberto Troia. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-01.

Controller for a memory component

Номер патента: US20210333327A1. Автор: Antonino Mondello,Alberto Troia. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Grouping requests to reduce inter-process communication in memory systems

Номер патента: US20190370097A1. Автор: Alex Frolikov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-05.

A mechanism for sequestering memory for a bus device

Номер патента: EP1759295A1. Автор: Priya Rajagopal,David Durham,Ravi Sahita. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2007-03-07.

A mechanism for sequestering memory for a bus device

Номер патента: EP1759295B1. Автор: David Durham,Ravi Sahita,Priya c/o Intel Corp. RAJAGOPAL. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-11-12.

Configurable burst optimization for a parameterizable buffer

Номер патента: US11599465B2. Автор: Michael Ou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-07.

Capacitive pillar architecture for a memory array

Номер патента: US11729999B2. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-15.

Design method for a dma-compatible peripheral

Номер патента: US20110022738A1. Автор: Andre Roger. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2011-01-27.

Design method for a DMA-compatible peripheral

Номер патента: US20060288152A1. Автор: Andre Roger. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2006-12-21.

Versioned progressive chunked queue for a scalable multi-producer and multi-consumer queue

Номер патента: US20210342190A1. Автор: Francesco Nigro. Владелец: Red Hat Inc. Дата публикации: 2021-11-04.

Memory system and non-transitory computer readable recording medium

Номер патента: US12072797B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Method and apparatus for connecting memory dies to form a memory system

Номер патента: US20130193582A1. Автор: Byoung Jin Choi. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2013-08-01.

Electronically moveable terminator and method for using same in a memory system

Номер патента: EP1226502A1. Автор: James A. Gasbarro. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2002-07-31.

Memory heaps in a memory model for a unified computing system

Номер патента: US20160371197A1. Автор: Mark Hummel,Anthony Asaro,Kevin Normoyle. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2016-12-22.

Memory heaps in a memory model for a unified computing system

Номер патента: US9448930B2. Автор: Mark Hummel,Anthony Asaro,Kevin Normoyle. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Memory systems and operating methods thereof

Номер патента: US12079085B2. Автор: Youxin He,Xianwu Luo,Jiangwei Shi. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Address decoder unit for a memory cell array

Номер патента: US20240127875A1. Автор: Yves Godat,Lubomir Plavec. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2024-04-18.

Memory systems and operating methods thereof

Номер патента: US20240168849A1. Автор: Youxin He,Xianwu Luo,Jiangwei Shi. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Apparatus and method for controlling access to a memory device

Номер патента: US20160357688A1. Автор: Mark Andrew Brittain,Michael Andrew Campbell. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2016-12-08.

Memory system

Номер патента: US20230223090A1. Автор: Masanobu Shirakawa,Marie Takada,Tsukasa TOKUTOMI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

Memory system and computer program product

Номер патента: US8812774B2. Автор: Shigehiro Asano,Kazuhiro Fukutomi,Shinichi Kanno,Akira Yamaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-19.

Memory system

Номер патента: US12073890B2. Автор: Masanobu Shirakawa,Marie Takada,Tsukasa TOKUTOMI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Method and apparatus for using unused bits in a memory pointer

Номер патента: US20120246437A1. Автор: Zoran Radovic,Graham Ricketson Murphy,Paul J. Jordan,John G. Johnson. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Dynamic address translation for a virtual machine

Номер патента: US20190163643A1. Автор: Rui Yang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-30.

Memory system

Номер патента: US20220301625A1. Автор: Takashi Maeda,Tomoya Sanuki,Yasuhito Yoshimizu,Keisuke Nakatsuka,Hideto Horii. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-22.

Memory system and semiconductor memory device

Номер патента: US10797073B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-10-06.

Memory system and method of controlling the memory system

Номер патента: US20240311291A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Maintenance command interfaces for a memory system

Номер патента: US11880276B2. Автор: Daniele Balluchi,Danilo Caraccio. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Address map caching for a memory system

Номер патента: US11966329B2. Автор: Alex Frolikov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

Maintenance command interfaces for a memory system

Номер патента: US20230153204A1. Автор: Daniele Balluchi,Danilo Caraccio. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

Maintenance command interfaces for a memory system

Номер патента: US20220035701A1. Автор: Daniele Balluchi,Danilo Caraccio. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Disaggregating a memory side cache data array and cache controller

Номер патента: US20240211400A1. Автор: Randy B. Osborne,Israel Diamand,Aravindh V. Anantaraman,Nadav Bonen. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

DDR DIMM, memory system and operation method thereof

Номер патента: US12026050B2. Автор: Ming Huang,Liang Zhang. Владелец: Innosilicon Microelectronics Wuhan Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Apparatuses and methods for parallel i/o operations in a memory

Номер патента: WO2019074796A1. Автор: Timothy M. Hollis. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-04-18.

Multiplexor for a semiconductor device

Номер патента: WO2022186865A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Yuan He. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-09-09.

Cache memory, cache memory system, and method program for using the cache memory

Номер патента: US20110153950A1. Автор: Takashi Miyazaki,Kazuhisa Ishizaka. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2011-06-23.

Adaptive internal table backup for non-volatile memory system

Номер патента: US20120331208A1. Автор: Robert C. Chang,Bahman Qawami,Farshid Sabet-Sharghi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2012-12-27.

Rearrangement management for a shared pool of configurable computing resources

Номер патента: US20180032360A1. Автор: Amit Agarwal,Chetan L. Gaonkar,Shailaja Mallya,Uma Maheswara R. Chandolu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-01.

Semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US20200273528A1. Автор: Dae Seok Byeon,Young Sun Min,Young Ho Na. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-27.

Buffer chip, and semiconductor package including the buffer chip and a memory chip

Номер патента: US20240249753A1. Автор: Choung Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory modules, memory systems including the same, and methods of calibrating multi-die impedance of the memory modules

Номер патента: US20190052268A1. Автор: Yoon-Joo EOM,Jun-Ha Lee,Chang-kyo LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-02-14.

Apparatuses, methods, and systems for a device translation lookaside buffer pre-translation instruction and extensions to input/output memory management unit protocols

Номер патента: US20240320161A1. Автор: Ashok Raj,Weigang Li,Junyuan Wang,Kaijie Guo,Zijuan FAN,Qianjun XIE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Maintenance command interfaces for a memory system

Номер патента: WO2022026235A1. Автор: Daniele Balluchi,Danilo Caraccio. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-02-03.

Memory system for a data processing system

Номер патента: WO1980001424A1. Автор: N Patel. Владелец: Ncr Co. Дата публикации: 1980-07-10.

Inductive energy harvesting and signal development for a memory device

Номер патента: US20220037920A1. Автор: Dmitri A. Yudanov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Apparatus for transmitting map information in memory system

Номер патента: US20240241834A1. Автор: Eu-Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Memory system and method

Номер патента: US20110252162A1. Автор: Jun Li,Gabriel Li. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-10-13.

Memory and method for operating a memory with interruptible command sequence

Номер патента: US20170351636A1. Автор: Kuen-Long Chang,Ken-Hui Chen,Su-Chueh Lo,Chun-Yu Liao. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-07.

Power converter for a memory module

Номер патента: US20140369147A1. Автор: Ashraf W. Lotfi,Douglas Dean Lopata,Narciso Mera. Владелец: Enpirion Inc. Дата публикации: 2014-12-18.

Efficient data management for memory system error handling

Номер патента: US20240289236A1. Автор: Jonathan S. Parry,Jameer Mulani,Nitul Gohain. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory system

Номер патента: US20240320097A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Riki SUZUKI,Toshikatsu Hida. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory system and method

Номер патента: US20240320076A1. Автор: Hiroki Kobayashi,Hirokazu Nagashima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Discharge circuits for a nand flash memory

Номер патента: US20240296894A1. Автор: Liang Qiao,Weiwei He,Mingxian LEI. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Apparatus and method for direct memory access in a hub-based memory system

Номер патента: US7966430B2. Автор: Joseph M. Jeddeloh. Владелец: Round Rock Research LLC. Дата публикации: 2011-06-21.

Cache memory system for multiple processors with collectively arranged cache tag memories

Номер патента: US5634027A. Автор: Mitsuo Saito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-05-27.

Partitioned cryptographic protection for a memory system

Номер патента: US20240061963A1. Автор: Lance W. Dover. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Multiple precision memory system

Номер патента: US12026104B2. Автор: Craig E. Hampel,Thomas Vogelsang. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-07-02.

Configurable cache for a microprocessor

Номер патента: EP2095242A1. Автор: Joseph W. Triece,Rodney J. Pesavento,Gregg D. Lahti. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2009-09-02.

Adaptive idle timer for a memory device

Номер патента: US20040098550A1. Автор: Mihir Shah,Zohar Bogin,Suryaprasad Kareenahalli. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-05-20.

Systems, methods and devices for a memory having a buried select line

Номер патента: US20140003158A1. Автор: Badih El-Kareh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-01-02.

Determining A Desirable Number Of Segments For A Multi-Segment Single Error Correcting Coding Scheme

Номер патента: US20130145119A1. Автор: Yervant Zorian,Gurgen Harutyunyan,Samvel Shoukourian,Valery Vardanian,Hayk Grigoryan. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2013-06-06.

Method and apparatus for accelerating retrieval of data from a memory system with cache by reducing latency

Номер патента: US7318123B2. Автор: Nagi Nassief Mekhiel. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2008-01-08.

Configurable cache for a microprocessor

Номер патента: EP2095243A2. Автор: Joseph W. Triece,Rodney J. Pesavento,Gregg D. Lahti. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2009-09-02.

Determining a desirable number of segments for a multi-segment single error correcting coding scheme

Номер патента: WO2013082521A1. Автор: Yervant Zorian,Gurgen Harutyunyan,Samvel Shoukourian,Valery Vardanian,Hayk Grigoryan. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2013-06-06.

Apparatuses and methods for a multi-bit duty cycle monitor

Номер патента: US20240194244A1. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-06-13.

Memory mapping management method for nonvolatile main memory system

Номер патента: US10185654B2. Автор: Ji Won Kim,Jung Sik Choi,Hwan Soo Han. Владелец: Research & Businessfoundation Sungkyunkwan University. Дата публикации: 2019-01-22.

Image signal processor for a printer

Номер патента: US5990922A. Автор: Boem-ro Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-11-23.

Self-timing for a multi-ported memory system

Номер патента: TW201104699A. Автор: Nan Chen,Sei-Seung Yoon,Chang Ho Jung,Hari Rao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2011-02-01.

Self-timing for a multi-ported memory system

Номер патента: US8082401B2. Автор: Nan Chen,Sei Seung Yoon,Chang Ho Jung,Hari Rao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2011-12-20.

Hub and spindle assembly having asymmetrical seals for a disc drive memory system

Номер патента: US20060291757A1. Автор: Troy Herndon,Jeffry LeBlanc,Robert Nottingham. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2006-12-28.

Computer-implemented method for a recycling company to increase recycling demand

Номер патента: US20240257078A1. Автор: Elijah Dumas,Elisha Dumas. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-08-01.

Separate read and write address decoding in a memory system to support simultaneous memory read and write operations

Номер патента: SG11201901324QA. Автор: Manish Garg. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-04-29.

Generating test data for a memory system design based on operation of a test system, and related methods, devices, and systems

Номер патента: US11721406B2. Автор: Won Ho Choi,Randall J. Rooney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-08.

Efficient performance of error rate detection procedures in a memory system

Номер патента: US20240282396A1. Автор: Sridhar Prudviraj Gunda,Thibash Rajamani Balakrishnan,Saurav Pundir,Sunil Singh Dhanik. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Separate read and write address decoding in a memory system to support simultaneous memory read and write operations

Номер патента: EP3523804A1. Автор: Manish Garg. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-08-14.

Memory system, memory controller, and semiconductor storage device

Номер патента: US12040027B2. Автор: Junji Yamada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Erase-verify method for three-dimensional memories and memory system

Номер патента: US20190139615A1. Автор: Atsuhiro Suzuki,Wen-Jer Tsai,Yu-Hung Huang,Cheng-Hsien Cheng,Chih-Wei Lee,Shaw-Hung Ku. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-09.

Memory systems with flexible erase suspend-resume operations, and associated systems, devices, and methods

Номер патента: US20230360708A1. Автор: Ching-Huang Lu,Pitamber Shukla,Fulvio Rori,Scott A. Stoller,Jiun-Horng Lai,Wai Ying Lo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Selective data pattern write scrub for a memory system

Номер патента: US20240233843A1. Автор: Zhenming Zhou,Murong Lang,Zhongguang Xu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Managing trap-up in a memory system

Номер патента: US20240233842A1. Автор: Kenneth W. Marr,Ching-Huang Lu,Pitamber Shukla,Avinash Rajagiri,Chi Ming W. Chu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Operating method for a memory, a memory and a memory system

Номер патента: US20240233834A9. Автор: Boxuan Cheng,Lu GUO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory controller, memory controller control method, and memory system

Номер патента: US20240112740A1. Автор: Yasuyuki Ushijima,Hisaki Niikura,Eriko AKAIHATA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Transient and stable state read operations of a memory device

Номер патента: US20240062829A1. Автор: Ugo Russo,Shyam Sunder Raghunathan,Karan Banerjee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Memory system using schottky diodes to reduce load capacitance

Номер патента: US5699541A. Автор: Kenichi Kurosawa,Michio Morioka,Shin Kokura,Tetsuaki Nakamikawa,Sakou Ishikawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1997-12-16.

Memory system and method of controlling memory system

Номер патента: US20200090742A1. Автор: Yasuhiko Kurosawa,Shingo Yanagawa,Ryo Sekiguchi,Eriko AKAIHATA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Method for adjusting programming/erasing time in memory system

Номер патента: US20080037348A1. Автор: PingFu Hsieh,KuoCheng Weng,LiangHung Wang,HsinFu Luo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-02-14.

Memory test system with advance features for completed memory system

Номер патента: US20110302467A1. Автор: Chia-hao Lee,Ming-Chuan Huang. Владелец: Sunplus Technology Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-08.

Semiconductor memory device, memory system having semiconductor memory device, and method for testing memory system

Номер патента: US7634697B2. Автор: Jin-Soo Park,Dong-Jun Kim,Kae-Won Ha,Keun-Soo Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-12-15.

Memory system, operating method of the memory system, and interface circuit of the memory system

Номер патента: US20240257850A1. Автор: ChiWeon Yoon,Anil KAVALA,Youngmin Jo,Jungjune PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Resistive memory system and method of operating the resistive memory system

Номер патента: US20160240252A1. Автор: Young Bae Kim,Han Shin Shin,Jun Jin Kong,Hong Rak Son,Eun Chu Oh,Pil Sang Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-18.

Flash memory system having cross-coupling compensation during read operation

Номер патента: WO2011080564A1. Автор: Idan Alrod,Eran Sharon. Владелец: SANDISK IL LTD.. Дата публикации: 2011-07-07.

Memory system and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060239061A1. Автор: Shunichi Iwanari. Владелец: McDermott Will and Emery LLP. Дата публикации: 2006-10-26.

Memory system and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20070279960A1. Автор: Shunichi Iwanari. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-06.

Memory system and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20090016093A1. Автор: Shunichi Iwanari. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-15.

Circuitry and method for selecting a drain programming voltage for a nonvolatile memory

Номер патента: WO1995007536A1. Автор: Albert Fazio,Gregory E. Atwood,James Brennan, Jr.,Marc E. Landgraf. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 1995-03-16.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US10453550B2. Автор: Hyungsup KIM,Hyung-Sik Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-22.

Semiconductor memory device, memory system including the same, and operating method thereof

Номер патента: US9384846B1. Автор: Keon Soo Shim,Bong Yeol PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-05.

Memory system and associated methodology

Номер патента: US20050195641A1. Автор: Scott Anderson,Samuel Naffziger. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2005-09-08.

Semiconductor memory system and method for the transfer of write and read data signals in a semiconductor memory system

Номер патента: US20060104132A1. Автор: Dominique Savignac,Christian Sichert,Paul Wallner,Peter Gregorius,Hermann Ruckerbauer. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2006-05-18.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200005888A1. Автор: Hyungsup KIM,Hyung-Sik Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-01-02.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20190130992A1. Автор: Hyungsup KIM,Hyung-Sik Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-05-02.

Memory system

Номер патента: US20140010020A1. Автор: Koichi Fukuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-01-09.

Memory system

Номер патента: US20210065771A1. Автор: Toshifumi Hashimoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Memory system

Номер патента: US20040246774A1. Автор: Kenneth Smith,Kenneth Eldredge,Andrew Van Brocklin,Peter Fricke. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2004-12-09.

Memory system, control method thereof, and program

Номер патента: US12033705B2. Автор: Yoshihisa Kojima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Memory system and control method

Номер патента: US20150364206A1. Автор: Yuichiro Mitani,Jiezhi Chen. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-12-17.

Control device and memory system

Номер патента: US20210295891A1. Автор: Yu-Chieh Chen,Liang-Hsiang Chiu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Memory system

Номер патента: US20210241833A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Kazutaka Takizawa,Masaaki Niijima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-08-05.

Memory system and operation method of memory system

Номер патента: US20240257894A1. Автор: Woongrae Kim,Chul Moon JUNG,Uk Song Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory system and operation method of memory system

Номер патента: US20240257895A1. Автор: Woongrae Kim,Chul Moon JUNG,Uk Song Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Pattern generator for a packet-based memory tester

Номер патента: EP1141736A1. Автор: Peter Reichert,Chris Reed,Bill Sopkin. Владелец: Teradyne Inc. Дата публикации: 2001-10-10.

Memory chip and memory system

Номер патента: US20230178123A1. Автор: Shu-Liang NING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-08.

Bank selector circuit for a simultaneous operation flash memory device with a flexible bank partition architecture

Номер патента: EP1116238A1. Автор: Johnny Chen,Tiao-Hua Kuo,Nancy Leong,Michael Van Buskirk,Administration Department Of Fujitsu Ltd Patent. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-07-18.

Semiconductor memory system and semiconductor memory chip

Номер патента: US20070047372A1. Автор: Paul Wallner,Peter Gregorius,Andre Schäfer. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-03-01.

Memory Programming Methods and Memory Systems

Номер патента: US20160118119A1. Автор: Adam Johnson,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Xiaonan Chen,Jonathan Strand. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-04-28.

Method for programming memory system

Номер патента: US20210151100A1. Автор: Ke Liang,Qiang Tang,Chun Yuan Hou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-20.

Memory system

Номер патента: US20190252024A1. Автор: Kiwamu Watanabe. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-08-15.

Redundant column read in a memory array

Номер патента: US20070022330A1. Автор: Srinivas Perisetty. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-25.

Memory programming method, memory device, and memory system

Номер патента: US20240304247A1. Автор: XiangNan Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory system

Номер патента: US11410735B2. Автор: Yoshihisa Kojima,Kazutaka Takizawa,Masaaki Niijima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-09.

Sensing scheme for a memory with shared sense components

Номер патента: US20230148359A1. Автор: Yuan He,Tae H. Kim,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-11.

Pattern generator for a packet-based memory tester

Номер патента: WO2000040986A1. Автор: Peter Reichert,Chris Reed,Bill Sopkin. Владелец: Teradyne, Inc.. Дата публикации: 2000-07-13.

Test method for a semiconductor memory

Номер патента: US20050232040A1. Автор: Jun AN. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-10-20.

Memory system and method of controlling the same

Номер патента: US7596048B2. Автор: Yohei Kamiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-09-29.

Electrical distance-based wave shaping for a memory device

Номер патента: US20220013168A1. Автор: John Christopher Sancon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Memory system and control method therefor

Номер патента: US20130286750A1. Автор: Toru Ishikawa. Владелец: PS5 Luxco SARL. Дата публикации: 2013-10-31.

Memory system and control method therefor

Номер патента: US20130279270A1. Автор: Toru Ishikawa. Владелец: PS5 Luxco SARL. Дата публикации: 2013-10-24.

Memory System and Control Method Therefor

Номер патента: US20140286107A1. Автор: Toru Ishikawa. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2014-09-25.

Method of operating a memory system having an erase control unit

Номер патента: US9437310B2. Автор: Junjin Kong,Hong Rak Son,Eun Chu Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-06.

System and method for testing a memory for a memory failure exhibited by a failing memory

Номер патента: US20060107132A1. Автор: Valerie Crump,Brad Van Roosendaal. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-05-18.

Memory system

Номер патента: US20240274185A1. Автор: Naomi Takeda,Masanobu Shirakawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Sensing scheme for a memory with shared sense components

Номер патента: US20240274180A1. Автор: Yuan He,Tae H. Kim,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Multi-stage erase operation for a memory device

Номер патента: US20220051724A1. Автор: Shinji Sato,Foroozan S. Koushan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor memory system

Номер патента: US20020196662A1. Автор: Luigi Pascucci. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-12-26.

Test method for a semiconductor memory

Номер патента: US7120071B2. Автор: Jun Kwon An. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-10-10.

Semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US12027194B2. Автор: Seungki HONG,Geuntae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-02.

Memory Systems and Methods for Improved Power Management

Номер патента: US20230360695A1. Автор: Frederick A. Ware,James E. Harris. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2023-11-09.

Defective memory block identification in a memory device

Номер патента: US20100017665A1. Автор: Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-01-21.

Multi-stage erase operation for a memory device

Номер патента: US20220351782A1. Автор: Shinji Sato,Foroozan S. Koushan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-11-03.

Memory system

Номер патента: EP4418272A1. Автор: Naomi Takeda,Masanobu Shirakawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-21.

Link evaluation for a memory device

Номер патента: US20210193252A1. Автор: Heinz Hoenigschmid,Thomas Hein,Markus Balb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-24.

Link evaluation for a memory device

Номер патента: WO2021126838A1. Автор: Heinz Hoenigschmid,Thomas Hein,Markus Balb. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-24.

Sensing techniques for a memory cell

Номер патента: US20210020221A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Efrem Bolandrina,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-21.

Adjustable programming pulses for a multi-level cell

Номер патента: US20220392560A1. Автор: Karthik Sarpatwari,Nevil N. Gajera,Amitava Majumdar,Xuan-Anh Tran. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-08.

Memory system including nonvolatile memory and method of operating nonvolatile memory

Номер патента: US20140119108A1. Автор: Jung Hyuk Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-01.

Memory device including decoder for a program pulse and related methods

Номер патента: US20180330787A1. Автор: Vikas RANA,Marco Pasotti,Marcella CARISSIMI. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2018-11-15.

Link evaluation for a memory device

Номер патента: US20230197181A1. Автор: Heinz Hoenigschmid,Thomas Hein,Markus Balb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Boost-assisted memory cell selection in a memory array

Номер патента: US11776625B2. Автор: Hongmei Wang,Hari Giduturi,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Apparatus to suppress concurrent read and write word line access of the same memory element in a memory array

Номер патента: US20140177346A1. Автор: Greg M. Hess,Hitesh Gupta,Aravind Kandala. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2014-06-26.

Memory system and management method of characteristic information of semiconductor device

Номер патента: US20220005543A1. Автор: Junji Mori. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-01-06.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20240249782A1. Автор: Joonsuc Jang,Ji-Sang LEE,Minkyeong CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Multi-column addressing mode memory system including an intergrated circuit memory device

Номер патента: EP1800311A1. Автор: Frederick A. c/o Rambus Inc. WARE,Lawrence c/o Rambus Inc. LAI,Chad A. c/o Rambus Inc. BELLOWS,Wayne S. c/o Rambus Inc. RICHARDSON. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2007-06-27.

Method for accessing a memory and memory access circuit

Номер патента: US20150332756A1. Автор: Gerd Dirscherl,Thomas Kuenemund,Gunther Fenzl,Joel Hatsch,Nikolai Sefzik. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-11-19.

Memory device and memory system

Номер патента: US20200279612A1. Автор: Hyungsup KIM,Hyung-Sik Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-09-03.

Memory system including nonvolatile memory

Номер патента: US20150063034A1. Автор: Hidetaka Tsuji,Hiroki Tagawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-05.

Boost-assisted memory cell selection in a memory array

Номер патента: EP4413570A1. Автор: Hongmei Wang,Hari Giduturi,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-14.

High speed protocol memory test head for a memory tester

Номер патента: WO2001095339A3. Автор: Vasily Grigorievich Atyunin,Igor Anatolievich Abrosimov. Владелец: Igor Anatolievich Abrosimov. Дата публикации: 2002-08-08.

Memory system

Номер патента: US20090238023A1. Автор: Jui-Lung Chen,Chia-Chiuan Chang,Wei-Shung Chen,Yi-Hsun Chung. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2009-09-24.

Memory system

Номер патента: US20090141552A1. Автор: Hiroshi Sukegawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-04.

Enabling or disabling on-die error-correcting code for a memory built-in self-test

Номер патента: US20240274216A1. Автор: Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Timing signal delay for a memory device

Номер патента: US20220157365A1. Автор: Dong Pan,Zhi Qi Huang,Wei Lu CHU. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-05-19.

Memory system

Номер патента: US20230197125A1. Автор: Junichiro Noda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Apparatuses, sense circuits, and methods for compensating for a wordline voltage increase

Номер патента: EP2959486A1. Автор: Daniele Vimercati,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-12-30.

Dynamic programming time for a memory device

Номер патента: US20240221804A1. Автор: Yue Wang,Jingcheng Yuan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Memory device for selectively operating multiple memory groups in different speeds and memory system including the same

Номер патента: US12020763B2. Автор: Hyungsup KIM,Hyung-Sik Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Write control method for a memory array configured with multiple memory subarrays

Номер патента: US20080247245A1. Автор: Donald W. Plass,John D. Davis,Kenneth J. Reyer,Paul A. Bunce. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-10-09.

Method and apparatus for simultaneously accessing a plurality of memory cells in a memory array to perform a read operation and/or a write operation

Номер патента: US20140204682A1. Автор: Pantas Sutardja,Winston Lee. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2014-07-24.

Architecture for a fast frame store using dynamic rams

Номер патента: WO1987002819A2. Автор: Billy Ernest Cates. Владелец: EASTMAN KODAK COMPANY. Дата публикации: 1987-05-07.

Read operations for a memory array and register

Номер патента: US20240242746A1. Автор: Vijayakrishna J. Vankayala. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Bank selector circuit for a simultaneous operation flash memory device with a flexible bank partition architecture

Номер патента: US20020010828A1. Автор: Johnny Chen,Yasushi Kasa,Tiao-Hua Kuo,Nancy Leong,Michael Buskirk. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-24.

Control and timing structure for a memory

Номер патента: US6549485B2. Автор: Luigi Pascucci. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2003-04-15.

Memory system controlling data erase for nonvolatile memory and control method for erasing data

Номер патента: US20180286485A1. Автор: Kazutaka Takizawa,Masaaki Niijima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

ADAPTIVE REFRESHING AND READ VOLTAGE CONTROL SCHEME FOR A MEMORY DEVICE SUCH AS AN FeDRAM

Номер патента: US20170337962A1. Автор: Yiran Chen,Ismail Bayram. Владелец: University of Pittsburgh. Дата публикации: 2017-11-23.

Mimicking multi-voltage domain wordline decoding logic for a memory array

Номер патента: WO2013109680A1. Автор: Chiaming Chai,Jeffrey Herbert Fischer,Shaoping Ge,Stephen E. Liles,Lam V. Nguyen. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2013-07-25.

Method for programming memory system

Номер патента: EP3853854A1. Автор: Ke Liang,Qiang Tang,Chun Yuan Hou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-28.

Control and timing structure for a memory

Номер патента: US20020067655A1. Автор: Luigi Pascucci. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-06-06.

Intermediate re-verify for achieving tighter threshold voltage distributions in a memory device

Номер патента: US20240290402A1. Автор: Xiang Yang,Abhijith Prakash. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Decoding for a memory device

Номер патента: US20220189549A1. Автор: Fabio Pellizzer,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini,Thomas M. Graettinger. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-16.

Power control method for a memory storage device and a memory storage system

Номер патента: US20210391022A1. Автор: Ming Feng Hsieh,Chun-Chih Kuo,Tz-Yu FU,Guan-Yu HOU. Владелец: Acer Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

Receiver for a memory controller and method thereof

Номер патента: US20030149853A1. Автор: Ming-Hsien Lee,Chih-Chiang Wen,Tsan Chen. Владелец: SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP. Дата публикации: 2003-08-07.

Loop dependent bit line and read biases in a memory device

Номер патента: US20240304262A1. Автор: Xiang Yang,Abhijith Prakash. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Methods for programming a memory device and memory devices

Номер патента: US20150117111A9. Автор: Giovanni Santin,Violante Moschiano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-04-30.

Memory device capable of operation in a burn in stress mode, method for performing burn in stress on a memory device, and method for detecting leakage current of a memory device

Номер патента: US20120163107A1. Автор: Shi-Huei Liu,Ming-Hong Kuo,Te-Yi Yu,Tzu-Hao Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-06-28.

Voltage kick for improved erase efficiency in a memory device

Номер патента: US20230223086A1. Автор: Liang Li,Xuan Tian. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor memory device and file memory system

Номер патента: US20150279456A1. Автор: Haruki Toda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-10-01.

Reflow protection for a module semiconductor device

Номер патента: US20240221792A1. Автор: Minjian Wu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Voltage regulation system for a multiword programming of a low integration area non volatile memory

Номер патента: US20040233723A1. Автор: Ignazio Martines,Massimo Scardaci. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2004-11-25.

Scalable Interface for a Memory Array

Номер патента: US20090177813A1. Автор: Gene Leung,Wayne M. Barrett,Todd A. Greenfield. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-07-09.

Techniques for a multi-step current profile for a phase change memory

Номер патента: US20210391005A1. Автор: Sanjay Rangan,Hemant P. Rao,Shylesh Umapathy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-12-16.

Write techniques for a memory device with a charge transfer device

Номер патента: US20210151093A1. Автор: John F. Schreck,George B. Raad. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-20.

Equivalent fuse circuit for a one-time programmable read-only memory array

Номер патента: US20150310930A1. Автор: Juergen Boldt,Stephan Hay. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2015-10-29.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US20150270005A1. Автор: Yoon-hee Choi,Daeseok Byeon,Byunggil JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-09-24.

Techniques for a multi-step current profile for a phase change memory

Номер патента: US20220165335A1. Автор: Sanjay Rangan,Hemant P. Rao,Shylesh Umapathy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Single ended row select for a MRAM device

Номер патента: US20030043619A1. Автор: Mirmajid Seyyedy,Tom Voshell. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-06.

Read-out circuit for a dynamic memory circuit, memory cell array, and method for amplifying and reading data stored in a memory cell array

Номер патента: US20040090833A1. Автор: Peter Beer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-05-13.

Single ended row select for a MRAM device

Номер патента: US20030202401A1. Автор: Mirmajid Seyyedy,Tom Voshell. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-30.

Charge leakage detection for memory system reliability

Номер патента: US11749330B2. Автор: Angelo Visconti,Riccardo Pazzocco,Jonathan J. Strand,Kevin T. Majerus. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Testing circuit for a memory device

Номер патента: US20230077784A1. Автор: Jingwei CHENG,Chunqiang Weng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-16.

Charge leakage detection for memory system reliability

Номер патента: EP4128237A1. Автор: Angelo Visconti,Riccardo Pazzocco,Jonathan J. Strand,Kevin T. Majerus. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-08.

Memory system and refresh method

Номер патента: US20230307031A1. Автор: Rei Kasedo. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Memory system

Номер патента: US20230087475A1. Автор: Akira Katayama. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Non-volatile memory device and method for programming the device, and memory system

Номер патента: US20130279260A1. Автор: Sung-Won Yun,Dong-Hyuk Chae,Sang-Wan Nam,Chi-Weon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-10-24.

Memory device including page buffer, memory system including page buffer, and operating method thereof

Номер патента: US20240242745A1. Автор: Yan Wang,Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Nonvolatile memory device, memory system including nonvolatile memory device, and method of controlling nonvolatile memory device

Номер патента: US20200135281A1. Автор: Minsoo Kim,Kyunghoon Sung,Deahan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-30.

Resistive memory device and a memory system including the same

Номер патента: US20170309330A1. Автор: Suk-Soo Pyo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-26.

Non-volatile memory device and method for programming the device, and memory system

Номер патента: US8472247B2. Автор: Sung-Won Yun,Dong-Hyuk Chae,Sang-Wan Nam,Chi-Weon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-06-25.

Memory System for seamless switching

Номер патента: US20090282280A1. Автор: Hoe-ju Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-11-12.

Timing circuit and method for a compilable dram

Номер патента: US20020191448A1. Автор: Louis Hsu,John Fifield,Wayne Ellis. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-12-19.

Power management in semiconductor memory system

Номер патента: US20130028039A1. Автор: David T. Wang. Владелец: Inphi Corp. Дата публикации: 2013-01-31.

Methods for programming a memory device and memory devices

Номер патента: US20140219032A1. Автор: Giovanni Santin,Violante Moschiano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-08-07.

Memory component for a system-on-chip device

Номер патента: US20220277776A1. Автор: Antonino Mondello,Alberto Troia. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-01.

Method of reducing program operation time in 3d nand memory systems

Номер патента: US20240296889A1. Автор: Hongtao Liu,XiangNan Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Memory device, a memory system and an operating method of the memory device

Номер патента: US12073914B2. Автор: Kyungryun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Stacked memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US20120294059A1. Автор: Kwang-Il Park,Tae-Young Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-11-22.

Methods and apparatus to provide refresh for local out of range read requests to a memory device

Номер патента: US20080056054A1. Автор: Steven Richard Jahnke,Hiromichi Hamakawa. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-03-06.

Method And System For Obtaining A Reference Block For A MLC Flash Memory

Номер патента: US20100321997A1. Автор: Han-Lung Huang,Ming-Hung Chou,Chien-Fu Huang,Shih-Keng Cho. Владелец: Skymedi Corp. Дата публикации: 2010-12-23.

Mitigation of runaway programming of a memory device

Номер патента: US20110096608A1. Автор: Vishal Sarin,Frankie F. Roohparvar,Jonathan Pabustan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-04-28.

Memory device and memory system with a self-refresh function

Номер патента: US12094514B2. Автор: Chih-Chiang LAI. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Model for predicting memory system performance

Номер патента: US20240055046A1. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Aswin Thiruvengadam. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Data erase operations for a memory system

Номер патента: US20230005548A1. Автор: Jonathan Tanguy,Adam J. Hieb,Preston A. Thomson,Kevin R. Brandt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Environmental condition tracking for a memory system

Номер патента: US11817168B2. Автор: Olivier DUVAL. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Charge leakage detection for memory system reliability

Номер патента: US20230114735A1. Автор: Angelo Visconti,Riccardo Pazzocco,Jonathan J. Strand,Kevin T. Majerus. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-04-13.

Data erase operations for a memory system

Номер патента: US20210035645A1. Автор: Jonathan Tanguy,Adam J. Hieb,Preston A. Thomson,Kevin R. Brandt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Memory system and memory access interface device thereof including single data rate (SDR) and double data rate (DDR) modes

Номер патента: US12020773B2. Автор: Fu-Chin Tsai. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor storage device, host controlling the same, and memory system including the semiconductor storage device and the host

Номер патента: US20130155779A1. Автор: Makoto Hamada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-20.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20170062058A1. Автор: Kosuke Yanagidaira,Shouichi Ozaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-02.

Memory package performing training operation using address-delay mapping and memory system including the same

Номер патента: US20240257848A1. Автор: ChiWeon Yoon,Anil KAVALA,Youngmin Jo,Jungjune PARK,Hwanseok KU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory device including a filtering circuit and memory system including the memory device and filtering circuit

Номер патента: US20240257844A1. Автор: Hae Rang Choi,Jong Soon WON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Mitigation of runaway programming of a memory device

Номер патента: US20100039863A1. Автор: Vishal Sarin,Frankie F. Roohparvar,Jonathan Pabustan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-02-18.

Memory device, operating method of memory device, and memory system

Номер патента: US20240265974A1. Автор: Chan Sik Park,Hyung Jin Choi,Chan Hui Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor memory, memory system and method of controlling semiconductor memory

Номер патента: US20160064061A1. Автор: Naoki Shimizu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-03-03.

Switches to reduce routing rails of memory system

Номер патента: US12062408B2. Автор: Yih Wang,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Memory device and memory system

Номер патента: US20230057303A1. Автор: Hiroyuki Ishii,Yuji Nagai,Makoto Miakashi,Tomoko KAJIYAMA,Hayato Konno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-02-23.

Nonvolatile memory, memory system, and method of driving

Номер патента: US20090161419A1. Автор: Kwang-Jin Lee,Joon-Min Park,Woo-Yeong Cho,Du-Eung Kim,Hui-Kwon Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-06-25.

Reducing memory size and bandwidth requirements for a non-rectangular display and apparatus

Номер патента: US20230169933A1. Автор: Vincent Aubineau,Michael Andreas Staudenmaier,Bastien Alain Depp. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-06-01.

Correction device for a timepiece

Номер патента: US20200249628A1. Автор: Samuel VUILLEMEZ,Séverin DONZE. Владелец: RICHEMONT INTERNATIONAL SA. Дата публикации: 2020-08-06.

Correction device for a timepiece

Номер патента: US11635732B2. Автор: Samuel VUILLEMEZ,Séverin DONZE. Владелец: RICHEMONT INTERNATIONAL SA. Дата публикации: 2023-04-25.

Memory system and data encrypting method

Номер патента: US20240323007A1. Автор: Tadashi Nagahara. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Two stage egress scheduler for a network device

Номер патента: EP1347602A3. Автор: Shekhar Ambe,Laxman Shankar. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2004-05-06.

Memory access for a user application in a wireless communication device

Номер патента: US20230319831A1. Автор: Lyle Walter Paczkowski,Marouane BALMAKHTAR. Владелец: T Mobile Innovations LLC. Дата публикации: 2023-10-05.

Motion control method and apparatus for a flat bed scanner

Номер патента: US20060072179A1. Автор: Brian Owens,Gregory Caster,Donald Spitz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-04-06.

Memory system package structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240178089A1. Автор: Peng Chen,Zhen Xu,XinRu Zeng,Weisong QIAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Copper-bonded memory stacks with copper-bonded interconnection memory systems

Номер патента: US11721685B2. Автор: Thomas Edward Dungan. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2023-08-08.

Process integration flow for embedded memory enabled by decoupling processing of a memory area from a non-memory area

Номер патента: US11765909B1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Noriyuki Sato,Niloy Mukherjee,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Tanay GOSAVI. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Top electrode for a dram capacitor

Номер патента: WO2006020828A3. Автор: Thomas M Graettinger. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-04-13.

Top electrode for a dram capacitor

Номер патента: WO2006020828A2. Автор: Thomas M. Graettinger. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2006-02-23.

Method for fabricating memory cells for a memory device

Номер патента: US20060046317A1. Автор: Rainer Bruchhaus,Martin Gutsche. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-03-02.

Manufacturing method for a semiconductor device

Номер патента: US11462627B2. Автор: Xiang Peng,Haoyu Chen,Qiwei Wang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-10-04.

Memory system, memory controller, and method of controlling non-volatile memory

Номер патента: US20240275408A1. Автор: Yuki Kondo,Kosuke Morinaga. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory system

Номер патента: US12041719B2. Автор: Gen Watari. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Minority carrier sink for a memory cell array comprising nonvolatile semiconductor memory cells

Номер патента: US20080277717A1. Автор: Elard Stein Von Kamienski. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-11-13.

Programmable memory positioner and calibration system for a crimp tool and related methods

Номер патента: US20190326720A1. Автор: Walt Simmons,William David Kelly,Aron Bacs, Jr.. Владелец: Daniels Manufacturing Co. Дата публикации: 2019-10-24.

Ammonia pre-treatment in the fabrication of a memory cell

Номер патента: US20100155815A1. Автор: Bernard John Fischer. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-06-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof, memory and memory system

Номер патента: US20240194607A1. Автор: Wei Xu,BIN Yuan,Zongke Xu,Zongliang Huo,Lei Xue,Yali Guo,Qiangwei Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Device and method for making a memory device at a control unit of a motor vehicle unusable

Номер патента: EP2928763A1. Автор: Ortwin SCHLÜTER,Rasmus Backman. Владелец: SCANIA CV AB. Дата публикации: 2015-10-14.

Device and method for making a memory device at a control unit of a motor vehicle unusable

Номер патента: WO2014088489A1. Автор: Ortwin SCHLÜTER,Rasmus Backman. Владелец: SCANIA CV AB. Дата публикации: 2014-06-12.

Programmable memory positioner and calibration system for a crimp tool and related methods

Номер патента: WO2019209810A3. Автор: Walt Simmons,William David Kelly,Aron BACS JR. Владелец: Daniels Manufacturing Corporation. Дата публикации: 2019-12-19.

Esd protecting device for a memory card device

Номер патента: EP1243053B1. Автор: Evald Koitsalu. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2007-07-18.

Esd protecting device for a memory card device

Номер патента: EP1243053A1. Автор: Evald Koitsalu. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2002-09-25.

3-dimensional non-volatile memory device, memory system including the same, and method of manufacturing the device

Номер патента: US20130161724A1. Автор: Dong Kee Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-27.

Integrated circuit system with memory system

Номер патента: US20080150042A1. Автор: Kuo-Tung Chang,Hidehiko Shiraiwa,Angela T. Hui,Simon Siu-Sing Chan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2008-06-26.

Physical interface configuration buffer in a flash memory system

Номер патента: WO2024196515A1. Автор: Hung Vuong,Benish Babu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-09-26.

Managing data placement for direct assigned virtual machines in a memory sub-system

Номер патента: WO2024197080A1. Автор: Luca Bert. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-09-26.

Host interface for a compute express link dram + nand system solution

Номер патента: WO2024196603A1. Автор: Rohit Sehgal,Vishal TANNA,Krishna SIDDHAREDDY,Eishan MIRAKHUR. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-09-26.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.