Wear leveling in a memory system

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Memory system and information processing system

Номер патента: US09880939B2. Автор: Konosuke Watanabe,Tetsuhiko Azuma,Satoshi Kaburaki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20190278706A1. Автор: Jung Hyun Kwon,Do-Sun HONG,Won Gyu SHIN,Seung Gyu JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-09-12.

Apparatus and method for securing a free memory block in a memory system

Номер патента: US11775426B2. Автор: Dong Young Seo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Accelerated address indirection table lookup for wear-leveled non-volatile memory

Номер патента: US09952801B2. Автор: Jun Zhu,Raj K. Ramanujan,Mohamed Arafa,Woojong Han,Jordan A. Horwich. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US11182289B1. Автор: Hye Mi KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-11-23.

Techniques for managed nand translation with embedded memory systems

Номер патента: US20240361961A1. Автор: Wanmo Wong,Brady L. Keays. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Memory system

Номер патента: US20230093251A1. Автор: Tomiyuki Yamada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Memory system, memory controller and method for operating memory system

Номер патента: US20210004330A1. Автор: Byung Jun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-07.

Distributed raid in a flash based memory system

Номер патента: US09639285B2. Автор: Zhengning Zhou,Yu Feng Liao,Zuoying Wu. Владелец: Aupera Technologies Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Page retirement in a nand flash memory system

Номер патента: US20190163592A1. Автор: Roman A. Pletka,Charles J. Camp,Andrew D. Walls,Ioannis Koltsidas. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-30.

Hybrid memory systems for autonomous non-volatile memory save and restore operations

Номер патента: US09817610B1. Автор: Aws Shallal,Dan Kunkel. Владелец: Inphi Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Isolated performance domains in a memory system

Номер патента: EP3821332A1. Автор: Anirban Ray,Parag Maharana. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-19.

Isolated performance domains in a memory system

Номер патента: WO2020014054A1. Автор: Anirban Ray,Parag Maharana. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-01-16.

Isolated performance domains in a memory system

Номер патента: US12001342B2. Автор: Anirban Ray,Parag R. Maharana. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Isolated performance domains in a memory system

Номер патента: US20200301848A1. Автор: Anirban Ray,Parag R. Maharana. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-09-24.

Meta Data Arrangement for Wear Leveling of Storage Class Memory

Номер патента: US20190102290A1. Автор: Chuen-Shen Bernard Shung. Владелец: Wolley Inc. Дата публикации: 2019-04-04.

Memory access requests in hybrid memory system

Номер патента: US09477591B2. Автор: Sumanth Jannyavula Venkata,James David Sawin. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2016-10-25.

Adaptive over-provisioning in memory systems

Номер патента: US09292440B2. Автор: Ofir Shalvi,Naftali Sommer,Yoav Kasorla. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-03-22.

Memory system

Номер патента: US12032831B2. Автор: Junji Yano,Hidenori Matsuzaki,Kosuke Hatsuda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Memory system, memory controller and operation method thereof

Номер патента: US12066928B2. Автор: Eu Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Operation coherency in a non-volatile memory system

Номер патента: US20200387449A1. Автор: Mark Ish,Horia C. Simionescu,Lyle E. Adams,Yongcai XU. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-10.

Managing collisions in a non-volatile memory system with a coherency checker

Номер патента: US11513959B2. Автор: Mark Ish,Horia C. Simionescu,Lyle E. Adams,Yongcai XU. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-11-29.

Operation coherency in a non-volatile memory system

Номер патента: US20210182199A1. Автор: Mark Ish,Horia C. Simionescu,Lyle E. Adams,Yongcai XU. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Operation coherency in a non-volatile memory system

Номер патента: WO2020247211A1. Автор: Mark Ish,Horia C. Simionescu,Lyle E. Adams,Yongcai XU. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-12-10.

Arrangement and method for efficient calculation of memory addresses in a block storage memory system

Номер патента: US5860079A. Автор: David Lee Smith,Carl David Sutton. Владелец: Apple Computer Inc. Дата публикации: 1999-01-12.

Inter-memory movement in a multi-memory system

Номер патента: US20240201885A1. Автор: Sourabh Dhir,Kang-Yong Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory apparatus, memory system and memory controlling method

Номер патента: US09921779B2. Автор: Masaru Itoh,Yoshitsugu Goto,Osamu Ishibashi,Sadao Miyazaki,Jin Abe. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Recording dwell time in a non-volatile memory system

Номер патента: US09684468B2. Автор: Timothy J. Fisher. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Recording dwell time in a non-volatile memory system

Номер патента: US20160124656A1. Автор: Timothy J. Fisher. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-05.

Memory system and wear-leveling method thereof

Номер патента: US09990153B2. Автор: Jung-Hyun Kwon,Dong-Gun KIM,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Wear leveling in solid state devices

Номер патента: US20180300062A1. Автор: Kanishk Rastogi,Anand MITRA,Sanoj Kizhakkekara UNNIKRISHNAN. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-10-18.

Application defined multi-tiered wear-leveling for storage class memory systems

Номер патента: EP3752923A1. Автор: CHAOHONG HU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-23.

Sub-sector wear leveling in memories

Номер патента: US09747045B2. Автор: Massimo Montanaro,Marco Giovanni Fontana,Anthony R. CABRERA,Gerald A. KREIFELS. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Memory controller, memory system, information processing system, and memory control method

Номер патента: US20210081136A1. Автор: Kenichi Nakanishi. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Wear leveling in solid state devices

Номер патента: US20160231947A1. Автор: Kanishk Rastogi,Anand MITRA,Sanoj Kizhakkekara UNNIKRISHNAN. Владелец: HGST NETHERLANDS BV. Дата публикации: 2016-08-11.

Intelligent memory wear leveling

Номер патента: US11409443B2. Автор: Ravi Kumar,Mark Shlick,Niles Yang,Deepanshu Dutta. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2022-08-09.

Memory system

Номер патента: US20230409229A1. Автор: Kenta Yasufuku,Akifumi FUKUDA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Application defined multi-tiered wear-leveling for storage class memory systems

Номер патента: WO2019165926A1. Автор: CHAOHONG HU. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-09-06.

Dynamic wear leveling techniques

Номер патента: US20240069741A1. Автор: Luigi Esposito,Paolo Papa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US20220121375A1. Автор: Ju Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Wear-level control circuit for memory module

Номер патента: US20240045796A1. Автор: Shay FUX,Sagie GOLDENBERG,Amotz Yagev. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Memory controller and memory system including the same

Номер патента: US20240028219A1. Автор: Seon Ju Lee,Dong Min BHAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Writing an address conversion table for nonvolatile memory wear leveling

Номер патента: US09710378B2. Автор: Norio Fujita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Writing an address conversion table for nonvolatile memory wear leveling

Номер патента: US09710375B2. Автор: Norio Fujita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Multi-level wear leveling for non-volatile memory

Номер патента: EP3841478A1. Автор: Ning Chen,Ying Yu Tai,Jiangli Zhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-30.

Wear-Leveling Scheme for Memory Subsystems

Номер патента: US20200409837A1. Автор: Justin Eno,Samuel E. Bradshaw. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-31.

Wear-leveling scheme for memory subsystems

Номер патента: US11768764B2. Автор: Justin Eno,Samuel E. Bradshaw. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Memory system and wear-leveling method using the same

Номер патента: US20180321878A1. Автор: Yong-Ju Kim,Dong-Gun KIM,Do-Sun HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-11-08.

Intelligent memory wear leveling

Номер патента: US20220171541A1. Автор: Ravi Kumar,Mark Shlick,Niles Yang,Deepanshu Dutta. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2022-06-02.

Performing hybrid wear leveling operations based on a sub-total write counter

Номер патента: US20210089218A1. Автор: Ning Chen,Fangfang Zhu,Ying Yu Tai,Jiangli Zhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Maintaining wear spread by dynamically adjusting wear-leveling frequency

Номер патента: US09710176B1. Автор: Zheng Wu,Lingqi Zeng,Xiangyu Tang. Владелец: SK Hynix Memory Solutions America Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Performing hybrid wear leveling operations based on a sub-total write counter

Номер патента: EP3861449A1. Автор: Ning Chen,Fangfang Zhu,Ying Yu Tai,Jiangli Zhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-08-11.

Performing hybrid wear leveling operations based on a sub-total write counter

Номер патента: WO2020072960A1. Автор: Ning Chen,Fangfang Zhu,Ying Yu Tai,Jiangli Zhu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-04-09.

Writing an address conversion table for nonvolatile memory wear leveling

Номер патента: US20170052888A1. Автор: Norio Fujita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-23.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20180004439A1. Автор: Eu-Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-04.

Memory system

Номер патента: US20160216887A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Shinichiro Nakazumi,Tohru Fukuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-07-28.

Memory system for storing and processing translation information

Номер патента: US09798470B2. Автор: Yoshihisa Kojima,Shinichiro Nakazumi,Tohru Fukuda. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Memory system and information processing system

Номер патента: US20240086096A1. Автор: Yuki Sasaki,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Memory system and control method

Номер патента: US20180217753A1. Автор: Shinichiro Nakazumi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-08-02.

Apparatus and method for erasing data programmed in a non-volatile memory block in a memory system multiple times

Номер патента: US12131053B2. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Apparatus and method for managing map data between host and memory system

Номер патента: US12050795B2. Автор: Jung Woo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Memory system controlling nonvolatile memory

Номер патента: US12079473B2. Автор: Naoki Esaka,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Maintaining data consistency in a memory sub-system that uses hybrid wear leveling operations

Номер патента: US20210096986A1. Автор: Ning Chen,Ying Yu Tai,Jiangli Zhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Maintaining data consistency in a memory sub-system that uses hybrid wear leveling operations

Номер патента: US11874769B2. Автор: Ning Chen,Ying Yu Tai,Jiangli Zhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Memory system controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20230305704A1. Автор: Naoki Esaka,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Method of operating memory system and memory system performing the same

Номер патента: US20240319882A1. Автор: Young Bong KIM,Changho Choi,Eun-Kyung CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Intra-block memory wear leveling

Номер патента: US20110138103A1. Автор: Roy D. Cideciyan,Xiao-yu HU,Roman Pletka,IIias IIiadis,Theodoros A. Antonakopoulos. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-06-09.

Memory system and method

Номер патента: US20190087324A1. Автор: Hiroshi Yao,Naomi Takeda,Kenta Yasufuku. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Semiconductor device with a plurality of write conditions and memory system

Номер патента: US20110161386A1. Автор: Takafumi Ito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-30.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US12066931B2. Автор: Hideki Yoshida,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20240362162A1. Автор: Hideki Yoshida,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-31.

Memory sub-system for performing wear-leveling adjustments based on memory component endurance estimations

Номер патента: US20200159448A1. Автор: Zoltan Szubbocsev. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-05-21.

Memory system and control method thereof

Номер патента: US20200019314A1. Автор: Hiroyuki Yamaguchi,Ryoichi Kato. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-01-16.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20230305754A1. Автор: Koichi Nagai,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Memory block utilization in memory systems

Номер патента: US12099734B2. Автор: Bo Zhou,Deping He,Caixia Yang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US12056399B2. Автор: Koichi Nagai,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory sub-system for performing wear-leveling adjustments based on memory component endurance estimations

Номер патента: US11868663B2. Автор: Zoltan Szubbocsev. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Memory sub-system for performing wear-leveling adjustments based on memory component endurance estimations

Номер патента: US20210200480A1. Автор: Zoltan Szubbocsev. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Memory system, memory controller and operating method of the memory system operating as read boost mode

Номер патента: US12099751B2. Автор: Eu Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Adaptive wear leveling for a memory system

Номер патента: US20240012751A1. Автор: John J. Kane,Byron D. Harris,Vivek Shivhare. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US10818365B2. Автор: Jung-Hyun Kwon,Seung-Gyu JEONG,Do-Sun HONG,Won-Gyu SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-10-27.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20190237150A1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Seung-Gyu JEONG,Do-Sun HONG,Won-Gyu SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

Memory storage device and wear leveling method thereof

Номер патента: US20240264932A1. Автор: Sanghoon Yoo,Wan-soo Choi,Hee Yeon TAK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory storage device and wear leveling method thereof

Номер патента: EP4411736A1. Автор: Sanghoon Yoo,Wan-soo Choi,Hee Yeon TAK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-07.

Scanning techniques for a media-management operation of a memory sub-system

Номер патента: US20210064248A1. Автор: Wei Wang,Fangfang Zhu,Ying Yu Tai,Jiangli Zhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-04.

Scanning techniques for a media-management operation of a memory sub-system

Номер патента: US20220326856A1. Автор: Wei Wang,Fangfang Zhu,Ying Yu Tai,Jiangli Zhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-13.

Balancing the block wearing leveling for optimum ssd endurance

Номер патента: US20200241765A1. Автор: Niles Yang,Phil Reusswig,Sahil Sharma,Rohit Sehgal. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-07-30.

Pool level garbage collection and wear leveling of solid state devices

Номер патента: US09606915B2. Автор: Yaron Klein,Nigel D. HORSPOOL. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Wear leveling for non-volatile memory using data write counters

Номер патента: US20240036737A1. Автор: Gil Golov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Wear leveling for non-volatile memory using data write counters

Номер патента: US11782605B2. Автор: Gil Golov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Wear-leveling system and method for reducing stress on memory device using erase counters

Номер патента: US09971682B2. Автор: Jian Zhou,Xinjie Chen,Xiaoxiang Geng,Yaoqiao LI. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Controller and memory system

Номер патента: US20210294739A1. Автор: Joon Ho Lee,Yong Seok Oh,Youngho Ahn,Chang Eun Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-23.

Memory system, memory controller, and memory control method

Номер патента: US20200357472A1. Автор: Yi-Chun Liu,Yiching Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-12.

Memory system, memory controller, and memory control method

Номер патента: EP3736699A1. Автор: Yi-Chun Liu,Yiching Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-11.

Memory system for binding data to a memory namespace

Номер патента: US20240248854A1. Автор: Hongyu Wang,Samuel E. Bradshaw,Shivasankar Gunasekaran,Justin M. Eno. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Address verification at a memory system

Номер патента: US12124738B2. Автор: Stephen Hanna. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Method and system for predicting block failure in a non-volatile memory

Номер патента: US09423970B2. Автор: Neil Richard Darragh. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-08-23.

Memory system and method for wear-leveling by swapping memory cell groups

Номер патента: US10360157B2. Автор: Yong-Ju Kim,Dong-Gun KIM,Do-Sun HONG,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-07-23.

Memory system and method of operating memory system

Номер патента: US20240241646A1. Автор: Hyunseok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Controller, operating method of the controller and memory system

Номер патента: US20210303176A1. Автор: Hee Chan Shin,Do Hyeong LEE,Yong Seok Oh,Young Ho AHN,Jae Gwang Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Memory controller and memory system

Номер патента: US20200159411A1. Автор: Naoki Mukaida,Kenichi TAKUBO. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Non-volatile memory systems utilizing storage address tables

Номер патента: US09870153B2. Автор: Alan Welsh Sinclair. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-16.

Apparatus and method for performing garbage collection in a memory system

Номер патента: US12039184B2. Автор: Hyoung Pil CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory system and control method

Номер патента: US12045515B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Garbage collection strategy for memory system and method of executing such garbage collection

Номер патента: US20190310936A1. Автор: Andrei Konan,Igor NOVOGRAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-10.

Scanning techniques for a media-management operation of a memory sub-system

Номер патента: US11782606B2. Автор: Wei Wang,Fangfang Zhu,Ying Yu Tai,Jiangli Zhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US12147673B2. Автор: Hideki Yoshida,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-11-19.

Memory system and write and read operation method for the same

Номер патента: US09886197B2. Автор: Dong-Gun KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Memory system and data control method

Номер патента: US09811275B2. Автор: Fumio Hara,Ju Chen Chen. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200012603A1. Автор: Hae-Gi CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-01-09.

Controller, memory system and operating method of the controller

Номер патента: US20200310982A1. Автор: Eu Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-10-01.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US11163689B2. Автор: Hae-Gi CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-11-02.

Non-volatile multi-level cell memory system and method of performing adaptive data back-up in the system

Номер патента: US09747170B2. Автор: Jae Il LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Memory controller, memory system, and memory control method

Номер патента: US09703495B2. Автор: Kenichi TAKUBO,Kazuaki KISHI. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

System and method for managing data in a memory device

Номер патента: US09690491B2. Автор: Alan Welsh Sinclair. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-06-27.

Memory system and control method thereof

Номер патента: US09933941B2. Автор: Junji Yano,Shinichi Kanno,Hirokuni Yano,Kazuya Kitsunai,Toshikatsu Hida. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Memory system and control method thereof

Номер патента: US09483192B2. Автор: Junji Yano,Shinichi Kanno,Hirokuni Yano,Kazuya Kitsunai,Toshikatsu Hida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Method, device, and computer program product for managing wear level of storage system

Номер патента: US20220129167A1. Автор: CHI Chen,Huijuan Fan. Владелец: Credit Suisse AG Cayman Islands Branch. Дата публикации: 2022-04-28.

Memory system

Номер патента: US12135898B2. Автор: Kensuke Yamamoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-11-05.

Memory controller and memory system

Номер патента: US09514041B2. Автор: Kazuaki Takeuchi,Yoshihisa Kojima,Mitsunori Tadokoro,Norio Aoyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Implementing paging device selection based on wear-level data

Номер патента: US20180189189A1. Автор: Maria R. Ward,Chethan Jain. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-05.

Memory system and operating method of memory system

Номер патента: US20170371548A1. Автор: Gi-Pyo UM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-28.

Method and apparatus for wear-levelling non-volatile memory

Номер патента: US20160092122A1. Автор: Dinesh Agarwal,Vijay Sivasankaran,Chetan Agrawal. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-03-31.

Method and apparatus for wear-levelling non-volatile memory

Номер патента: US20180129428A1. Автор: Dinesh Agarwal,Vijay Sivasankaran,Chetan Agrawal. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-05-10.

Memory system, information processing system, and host device

Номер патента: US12086426B2. Автор: Yuki Sasaki,Shinichi Kanno,Takahiro Kurita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory system and method of operating the same

Номер патента: US20210247933A1. Автор: Jung Sik Choi,Na Ra Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-12.

Data access in hybrid main memory systems

Номер патента: US09804803B2. Автор: Ahmad Hassan. Владелец: SAP SE. Дата публикации: 2017-10-31.

Scrubber driven wear leveling in out of place media translation

Номер патента: US20210034515A1. Автор: Justin Eno,Samuel E. Bradshaw. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Intra-code word wear leveling techniques

Номер патента: US11688477B2. Автор: Joseph T. Pawlowski. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-27.

Intra-code word wear leveling techniques

Номер патента: US20220108756A1. Автор: Joseph T. Pawlowski. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-04-07.

Scrubber driven wear leveling in out of place media translation

Номер патента: US20200097394A1. Автор: Justin Eno,Samuel E. Bradshaw. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-03-26.

Method and system for controlling wear level operations in solid state memory

Номер патента: US09710180B1. Автор: Richard H. Van Gaasbeck. Владелец: EMC IP Holding Co LLC. Дата публикации: 2017-07-18.

Wear leveling based on sub-group write counts in a memory sub-system

Номер патента: US11789861B2. Автор: Ning Chen,Fangfang Zhu,Paul Stonelake,Alex Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Zone swapping for wear leveling memory

Номер патента: EP4022442A1. Автор: Joseph T. Pawlowski. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-07-06.

Zone swapping for wear leveling memory

Номер патента: US20220208284A1. Автор: Joseph T. Pawlowski. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-30.

Zone swapping for wear leveling memory

Номер патента: US20210210151A1. Автор: Joseph T. Pawlowski. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-08.

Zone swapping for wear leveling memory

Номер патента: WO2021041148A1. Автор: Joseph T. Pawlowski. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-03-04.

Biased sampling methodology for wear leveling

Номер патента: US20200334137A1. Автор: Ying Yu Tai,Jiangli Zhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-22.

Intra-code word wear leveling techniques

Номер патента: US20210090669A1. Автор: Joseph T. Pawlowski. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Intra-code word wear leveling techniques

Номер патента: EP4022443A1. Автор: Joseph T. Pawlowski. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-07-06.

Memory system, memory controller, and method for operating memory system

Номер патента: US20210248032A1. Автор: Chul Sung KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-12.

Scalable architecture enabling large memory system for in-memory computations

Номер патента: US20200065017A1. Автор: Hongzhong Zheng,Dongyan Jiang,Qiang Peng. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-27.

Biased sampling methodology for wear leveling

Номер патента: WO2020018827A1. Автор: Ying Yu Tai,Jiangli Zhu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-01-23.

Unmap backlog in a memory system

Номер патента: US12039194B2. Автор: Tian Liang,Xu Zhang,Xing Wang,Junjun Wang,Huachen Li,Guan Zhong Wang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory system and operating method of a controller of the memory system

Номер патента: US20230305952A1. Автор: Jin Woong Kim,Jin Woo Kim,Hui Jae YU,Ik Sung OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20190102086A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-04-04.

Latency indication in memory system or sub-system

Номер патента: EP4425340A2. Автор: Robert Nasry Hasbun,Dean D. Gans,Sharookh Daruwalla. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-04.

Method of controlling a memory system

Номер патента: US09720624B2. Автор: Kyung-Ho Kim,Dong-Sub Kim,Kyung-Ryun Kim,Sang-Kwon Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-01.

Memory system

Номер патента: US20230004306A1. Автор: Shohei Onishi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-01-05.

Memory system performing cache bypassing operation and cache management method thereof

Номер патента: US20240256452A1. Автор: Shinhaeng KANG,Kyomin Sohn,Suk Han Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory system with memory and controller

Номер патента: US12067250B2. Автор: Shohei Onishi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

System and method for precision interleaving of data writes in a non-volatile memory

Номер патента: US09778855B2. Автор: Alan Welsh Sinclair. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-10-03.

Memory system storing management information and method of controlling same

Номер патента: US9164896B2. Автор: Junji Yano,Hidenori Matsuzaki,Kosuke Hatsuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-10-20.

Memory system storing management information and method of controlling same

Номер патента: US20240281149A1. Автор: Junji Yano,Hidenori Matsuzaki,Kosuke Hatsuda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory system

Номер патента: US20130290659A1. Автор: Shigehiro Asano,Junji Yano,Shinichi Kanno,Hidenori Matsuzaki,Kosuke Hatsuda,Toshikatsu Hida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-10-31.

Memory system

Номер патента: EP2111583A1. Автор: designation of the inventor has not yet been filed The. Владелец: . Дата публикации: 2009-10-28.

Apparatus and method for transmitting map information and read count in memory system

Номер патента: US20210004167A1. Автор: Jong-Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-07.

Atomic rights in a distributed memory system

Номер патента: US09760295B2. Автор: Noritsugu Yoshimura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Memory device, memory system, and operation method thereof

Номер патента: US10740226B2. Автор: Jung-Hyun Kwon,Sung-Eun Lee,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-08-11.

Memory device, memory system, and operation method thereof

Номер патента: US20180210826A1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Sung-Eun Lee,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-07-26.

Redundant data storage schemes for multi-die memory systems

Номер патента: US09983929B2. Автор: Ofir Shalvi,Naftali Sommer,Uri Perlmutter,Julian Vlaiko,Moshe Neerman. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Redundant data storage schemes for multi-die memory systems

Номер патента: US09400710B2. Автор: Ofir Shalvi,Naftali Sommer,Uri Perlmutter,Julian Vlaiko,Moshe Neerman. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-07-26.

System and method of selecting source and destination blocks for wear-leveling

Номер патента: US09792058B2. Автор: Jin-woong Kim,Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Wear-Leveling Scheme and Implementation for a Storage Class Memory System

Номер патента: US20200183606A1. Автор: CHAOHONG HU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-11.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20180068731A1. Автор: Soo-Nyun KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-08.

A memory matrix and method of operating the same

Номер патента: WO2002091382A3. Автор: Yan Chiew Chow,James R Hsia. Владелец: James R Hsia. Дата публикации: 2003-05-01.

Signalling for heterogeneous memory systems

Номер патента: US11748034B2. Автор: James R. Magro,Kedarnath Balakrishnan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Hierarchical pre-fetch pipelining in a hybrid memory server

Номер патента: US09952774B2. Автор: Rajaram B. Krishnamurthy,Carl Joseph Parris,Yuk Lung Chan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Hierarchical pre-fetch pipelining in a hybrid memory server

Номер патента: US09418235B2. Автор: Rajaram B. Krishnamurthy,Carl Joseph Parris,Yuk Lung Chan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Memory controller and flash memory system

Номер патента: US20240295964A1. Автор: Kenichi TAKUBO. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Partitioning of memory system resources or performance monitoring

Номер патента: EP3568763A1. Автор: Steven Douglas KRUEGER. Владелец: Advanced Risc Machines Ltd. Дата публикации: 2019-11-20.

High speed memory systems and methods for designing hierarchical memory systems

Номер патента: US20160328170A1. Автор: Sundar Iyer,Shang-Tse Chuang. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-10.

High speed memory systems and methods for designing hierarchical memory systems

Номер патента: US09442846B2. Автор: Sundar Iyer,Shang-Tse Chuang. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Memory system and operating method of memory system

Номер патента: US09996277B2. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Systems and methods for memory system management based on thermal information of a memory system

Номер патента: US09767012B2. Автор: David A. Roberts,Robert Walker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Runtime selection of memory devices and storage devices in a disaggregated memory system

Номер патента: US20220214805A1. Автор: Richard C. Murphy,Reshmi Basu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-07-07.

Runtime selection of memory devices and storage devices in a disaggregated memory system

Номер патента: US11762553B2. Автор: Richard C. Murphy,Reshmi Basu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Single-stage arbiter/scheduler for a memory system comprising a volatile memory and a shared cache

Номер патента: US09703493B2. Автор: Olivier Alavoine. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Sense operation flags in a memory device

Номер патента: US09519582B2. Автор: Mark A. Helm,Shafqat Ahmed,Krishna Parat,Pranav Kalavade,Aaron Yip,Andrew Bicksler,Khaled Hasnat. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Zero read on trimmed blocks in a non-volatile memory system

Номер патента: WO2017058301A1. Автор: Vered Kelner,Gadi Vishne,Ravit KRAYF. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-06.

Method for reducing power consumption of memory system, and memory controller

Номер патента: US09927860B2. Автор: Mingyu Chen,Yongbing HUANG,Yuan RUAN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Command prioritization techniques for reducing latency in a memory system

Номер патента: US20240220161A1. Автор: Olivier DUVAL,Christopher Joseph Bueb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Memory system, host system, and method of performing write operation in memory system

Номер патента: US09904628B2. Автор: Kwang-Hoon KIM,Sang-Kyoo Jeong,Man-keun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Method of operating a flash memory system using a migration operation

Номер патента: US09507530B2. Автор: Young Bong KIM,Dongeun Shin,Dong-young Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-29.

Method and apparatus for performing block caching in a non-volatile memory system

Номер патента: US20040083348A1. Автор: Ping Li,Robert Chang,Bahman Qawami,Farshid Sabet-Sharghi. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2004-04-29.

Migration directives in a unified virtual memory system architecture

Номер патента: US09430400B2. Автор: Jerôme F. DULUK, Jr.. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Managing serial miss requests for load operations in a non-coherent memory system

Номер патента: US20210056024A1. Автор: Brian R. Mestan,Gideon N. Levinsky,Mridul Agarwal,Deepak Limaye. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

Method and apparatus for calibrating write timing in a memory system

Номер патента: US09881662B2. Автор: Steven C. Woo,Ian Shaeffer,Thomas J. Giovannini,Alok Gupta. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-01-30.

Method and apparatus for calibrating write timing in a memory system

Номер патента: US09552865B2. Автор: Steven C. Woo,Ian Shaeffer,Thomas J. Giovannini,Alok Gupta. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-01-24.

High capacity, high performance memory system

Номер патента: US20230266923A1. Автор: Frederick Ware. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2023-08-24.

High capacity, high performance memory system

Номер патента: US20180074758A1. Автор: Frederick Ware. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-03-15.

High capacity, high performance memory system

Номер патента: US20220147478A1. Автор: Frederick Ware. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2022-05-12.

High capacity, high performance memory system

Номер патента: US12014089B2. Автор: Frederick Ware. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-06-18.

High capacity, high performance memory system

Номер патента: US09778877B1. Автор: Frederick Ware. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-10-03.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20220083471A1. Автор: Do Hun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

Page retirement in a nand flash memory system

Номер патента: WO2015083308A1. Автор: Roman A. Pletka,Andrew Dale Walls,Ioannis Koltsidas,Charles John Camp. Владелец: Ibm Japan, Ltd.. Дата публикации: 2015-06-11.

Page retirement in a NAND flash memory system

Номер патента: US09952795B2. Автор: Roman A. Pletka,Charles J. Camp,Andrew D. Walls,Ioannis Koltsidas. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Managing memory systems containing components with asymmetric characteristics

Номер патента: US09514038B2. Автор: Vijay Karamcheti,Kenneth A. Okin. Владелец: Virident Systems LLC. Дата публикации: 2016-12-06.

Memory and operation method thereof, and memory system

Номер патента: US20240345948A1. Автор: Yufei FENG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory system

Номер патента: US09959212B2. Автор: Susumu Takeda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Memory system and method for controlling the same

Номер патента: US20230418760A1. Автор: Fumio Hara. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Managing open blocks in memory systems

Номер патента: US11656934B2. Автор: Zheng Wu,Yi-Chun Liu,Wei Jie Chen,Ching Ting Lu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-23.

Memory system changing write mode and method of controlling nonvolatile memory by changing write mode

Номер патента: US12147333B2. Автор: Naoki Esaka,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-11-19.

Systems and methods for decoupling host commands in a non-volatile memory system

Номер патента: US10019171B2. Автор: Yiftach Tzori. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-07-10.

Systems and Methods for Decoupling Host Commands in a Non-Volatile Memory System

Номер патента: US20170249081A1. Автор: Yiftach Tzori. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-31.

Address map caching for a memory system

Номер патента: US20240264938A1. Автор: Alex Frolikov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Managing open blocks in memory systems

Номер патента: US11340980B2. Автор: Zheng Wu,Yi-Chun Liu,Wei Jie Chen,Ching Ting Lu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-24.

Memory channel selection in a multi-channel memory system

Номер патента: US20130326158A1. Автор: Lin Chen,Long Chen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-12-05.

System and method for wear leveling utilizing a relative wear counter

Номер патента: WO2009064542A1. Автор: Narayanan Krishnan,Robert Pierce,Robert Reid,Amit Bhardwaj. Владелец: Denali Software, Inc.. Дата публикации: 2009-05-22.

Wear leveling in non-volatile storage systems

Номер патента: EP1559018A2. Автор: Robert Chang,Bahman Qawami,Farshid Sabet-Sharghi. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2005-08-03.

Tracking the least frequently erased blocks in non-volatile memory systems

Номер патента: EP1559017A1. Автор: Robert C. Chang,Bahman Qawami,Farshid Sabet-Sharghi. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2005-08-03.

Erase management in memory systems

Номер патента: US09483397B2. Автор: Xin Guo,Yogesh B. Wakchaure,David J. Pelster. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

ZERO READ ON TRIMMED BLOCKS IN A NON-VOLATILE MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20170090815A1. Автор: Vishne Gadi,Kelner Vered,Krayif Ravit. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2017-03-30.

RECORDING DWELL TIME IN A NON-VOLATILE MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20150161034A1. Автор: FISHER TIMOTHY J.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-06-11.

SHUTDOWNS AND DATA RECOVERY TO AVOID READ ERRORS WEAK PAGES IN A NON-VOLATILE MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20140304560A1. Автор: Sharma Sandeep,Kumar Ajith,Narasimha Ashwin,Patel Vibhor. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-09.

IMPLEMENTING BARRIERS TO EFFICIENTLY SUPPORT CUMULATIVITY IN A WEAKLY-ORDERED MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20170315919A1. Автор: Williams Derek E.,GUTHRIE Guy L.,Shen Hugh. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-02.

IMPLEMENTING BARRIERS TO EFFICIENTLY SUPPORT CUMULATIVITY IN A WEAKLY ORDERED MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20180329826A1. Автор: Williams Derek E.,GUTHRIE Guy L.,Shen Hugh. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-15.

Method and apparatus for accelerating retrieval of data from a memory system with cache by reducing latency

Номер патента: US7318123B2. Автор: Nagi Nassief Mekhiel. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2008-01-08.

Forward caching memory systems and methods

Номер патента: US12111764B2. Автор: Harold Robert George TROUT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Memory device for supporting cache read operation, operating method thereof, and memory system including the same

Номер патента: US20220342817A1. Автор: Gwan Park,Jeong Gil CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-27.

Reliable wear-leveling for non-volatile memory and method therefor

Номер патента: US09811456B2. Автор: David A. Roberts. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Centralized reference and change table for a multiprocessor virtual memory system

Номер патента: WO1991010956A1. Автор: Robert P. Ryan,Kin Ling Cheung. Владелец: Wang Laboratories, Inc.. Дата публикации: 1991-07-25.

Cache architecture using way ID to reduce near memory traffic in a two-level memory system

Номер патента: US10884927B2. Автор: Zhe Wang,Alaa R. Alameldeen. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-01-05.

CACHE ARCHITECTURE USING WAY ID TO REDUCE NEAR MEMORY TRAFFIC IN A TWO-LEVEL MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20190042422A1. Автор: Wang Zhe,ALAMELDEEN Alaa R.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-02-07.

MANAGING SERIAL MISS REQUESTS FOR LOAD OPERATIONS IN A NON-COHERENT MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20210056024A1. Автор: Mestan Brian R.,Levinsky Gideon N.,Limaye Deepak,Agarwal Mridul. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-25.

OPERATION COHERENCY IN A NON-VOLATILE MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20210182199A1. Автор: Ish Mark,Simionescu Horia C.,ADAMS Lyle E.,XU Yongcai. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-17.

MIGRATION DIRECTIVES IN A UNIFIED VIRTUAL MEMORY SYSTEM ARCHITECTURE

Номер патента: US20140281323A1. Автор: Duluk,JR. Jerome F.. Владелец: NVIDIA CORPORATION. Дата публикации: 2014-09-18.

PCIE TRAFFIC TRACKING HARDWARE IN A UNIFIED VIRTUAL MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20180232332A1. Автор: Duluk,JR. Jerome F.,FAHS Brian,DEMING James Leroy,HAIRGROVE Mark,Buschardt Cameron,MASHEY John. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-16.

IMPLEMENTING BARRIERS TO EFFICIENTLY SUPPORT CUMULATIVITY IN A WEAKLY-ORDERED MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20170315922A1. Автор: Williams Derek E.,GUTHRIE Guy L.,Shen Hugh. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-02.

PCIE TRAFFIC TRACKING HARDWARE IN A UNIFIED VIRTUAL MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20190340145A1. Автор: Duluk,JR. Jerome F.,FAHS Brian,DEMING James Leroy,HAIRGROVE Mark,Buschardt Cameron,MASHEY John. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-07.

OPERATION COHERENCY IN A NON-VOLATILE MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20200387449A1. Автор: Ish Mark,Simionescu Horia C.,ADAMS Lyle E.,XU Yongcai. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-10.

Systems and methods for utilizing wear leveling windows with non-volatile memory systems

Номер патента: US09514043B1. Автор: Leena Patel. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-06.

Implementing enhanced wear leveling in 3D flash memories

Номер патента: US09489276B2. Автор: Gary A. Tressler,Diyanesh Babu C. Vidyapoornachary. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Implementing enhanced wear leveling in 3D flash memories

Номер патента: US09471451B2. Автор: Gary A. Tressler,Diyanesh Babu C. Vidyapoornachary. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Systems and Methods for Utilizing Wear Leveling Windows with Non-Volatile Memory Systems

Номер патента: US20160335178A1. Автор: Leena Patel. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-11-17.

Wear leveling techniques using data characteristics

Номер патента: US20240345951A1. Автор: Giuseppe Cariello. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Wear leveling for a memory device

Номер патента: US09710376B2. Автор: Robert Baltar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Encryption of memory device with wear leveling

Номер патента: WO2012138865A1. Автор: Simon Hunt. Владелец: MCAFEE, INC.. Дата публикации: 2012-10-11.

Encryption of memory device with wear leveling

Номер патента: EP2695067A1. Автор: Simon Hunt. Владелец: McAfee LLC. Дата публикации: 2014-02-12.

Relocating data in a memory device

Номер патента: US11093383B2. Автор: Walter Allen,Robert France. Владелец: Monterey Research LLC. Дата публикации: 2021-08-17.

Relocating data in a memory device

Номер патента: US20210374052A1. Автор: Walter Allen,Robert France. Владелец: Monterey Research LLC. Дата публикации: 2021-12-02.

Relocating data in a memory device

Номер патента: US20180137046A1. Автор: Walter Allen,Robert France. Владелец: Monterey Research LLC. Дата публикации: 2018-05-17.

Relocating data in a memory device

Номер патента: US20230401147A1. Автор: Walter Allen,Robert France. Владелец: Monterey Research LLC. Дата публикации: 2023-12-14.

Relocating data in a memory device

Номер патента: US20190171562A1. Автор: Walter Allen,Robert France. Владелец: Monterey Research LLC. Дата публикации: 2019-06-06.

Relocating data in a memory device

Номер патента: US09734049B2. Автор: Walter Allen,Robert France. Владелец: Monterey Research LLC. Дата публикации: 2017-08-15.

Wear leveling in solid state memory

Номер патента: GB2490991A. Автор: Ilias Iliadis,Giovanni Cherubini. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-11-21.

Wear leveling in eeprom emulator formed of flash memory cells

Номер патента: EP4107728A1. Автор: Vipin Tiwari,Xiaozhou QIAN,Guangming Lin,Xiao Yan Pi,Zhenlin Ding. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-28.

Wear leveling in eeprom emulator formed of flash memory cells

Номер патента: WO2021167648A1. Автор: Vipin Tiwari,Xiaozhou QIAN,Guangming Lin,Xiao Yan Pi,Zhenlin Ding. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2021-08-26.

Wear-leveling method for cross-point memory for multiple data temperature zones

Номер патента: WO2018036394A1. Автор: Yunxiang Wu,Xiaobing Lee,Xiangyu Tang,Ken Hu. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2018-03-01.

Wear-leveling method for cross-point memory for multiple data temperature zones

Номер патента: EP3497575A1. Автор: Yunxiang Wu,Xiaobing Lee,Xiangyu Tang,Ken Hu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-19.

Weave sequence counter for non-volatile memory systems

Номер патента: US09477590B2. Автор: Vadim Khmelnitsky,Nir Jacob Wakrat,Daniel J. Post. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Memory device wear leveling

Номер патента: US20230343402A1. Автор: Rainer Frank Bonitz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Memory device wear leveling

Номер патента: US12009038B2. Автор: Rainer Frank Bonitz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Wear leveling in eeprom emulator formed of flash memory cells

Номер патента: US20220130477A1. Автор: Vipin Tiwari,Xiaozhou QIAN,Guangming Lin,Zhenlin Ding,Xiao Yan Pl. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-04-28.

Memory apparatus and method of wear-leveling of a memory apparatus

Номер патента: US20190171561A1. Автор: Do Sun HONG,Donggun Kim,Yong Ju Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-06-06.

Memory apparatus and method of wear-leveling of a memory apparatus

Номер патента: US20180260321A1. Автор: Do Sun HONG,Donggun Kim,Yong Ju Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-09-13.

Memory apparatus and method of wear-leveling of a memory apparatus

Номер патента: US10223255B2. Автор: Do Sun HONG,Donggun Kim,Yong Ju Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-03-05.

Purging data from a memory device

Номер патента: WO2022115828A1. Автор: Jonathan S. Parry,Christian M. Gyllenskog. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-06-02.

Purging data at a memory device

Номер патента: US20240330519A1. Автор: Jonathan S. Parry,Christian M. Gyllenskog. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory system with high speed non-volatile memory backup using pre-aged flash memory devices

Номер патента: US09747200B1. Автор: Rino Micheloni. Владелец: Microsemi Solutions US Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Wear leveling and management in an electronic environment

Номер патента: US09450876B1. Автор: Michael David Marr. Владелец: Amazon Technologies Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Memory system in which data is written to memory chips based on a distance from a memory controller

Номер патента: US09390000B2. Автор: Naoki Matsunaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-07-12.

Wear leveling for storage or memory device

Номер патента: US20170256305A1. Автор: Mu-Tien Chang,Dimin Niu,Hongzhong Zheng,Kyung-Chang Ryoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-07.

Wear leveling in eeprom emulator formed of flash memory cells

Номер патента: US20210264996A1. Автор: Vipin Tiwari,Xiaozhou QIAN,Guangming Lin,Xiao Yan Pi,Zhenlin Ding. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-08-26.

Memory system host data reset function

Номер патента: US20240281373A1. Автор: Yanhua Bi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Variability aware wear leveling

Номер патента: US9846641B2. Автор: Ashish Jagmohan,Luis A. Lastras,Michele Franceschini,Moinuddin K. Qureshi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US11747989B2. Автор: Hideki Yoshida,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Wear leveling and improved efficiency for a non-volatile memory device

Номер патента: US09612958B1. Автор: Mehdi Asnaashari. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Method and system for wear leveling in a solid state drive

Номер патента: GB201104299D0. Автор: . Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2011-04-27.

System and method for efficient processing of queued read commands in a memory system

Номер патента: US09720860B2. Автор: Matthew Stephens,Philip David ROSE. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Memory system

Номер патента: US20240281370A1. Автор: Kohei Oikawa,Yu Nakanishi,Hirotsugu KAJIHARA,Kazuhiro Hiwada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Nonvolatile memory system with block managing unit and method of operating the same

Номер патента: US09484104B2. Автор: Byung-Ki Lee,Hee-Tai Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-01.

Bit error rate mapping in a memory system

Номер патента: US09478315B2. Автор: Jianmin Huang,Nian Niles Yang,Alexandra Bauche. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-10-25.

Wear leveling technique for storage devices

Номер патента: US8301830B2. Автор: Timothy R. Feldman,Jonathan W. Haines. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2012-10-30.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20240201865A1. Автор: Kwang Hun Lee,Won Jun Choi,Jae Gwan Kim,Dong Young Seo,Ye Rin Kim,Bu Yong SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory system and controller

Номер патента: US20230288973A1. Автор: Katsuhiko Ueki,Yoshihisa Kojima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Memory system

Номер патента: US20140281154A1. Автор: Hajime Matsumoto,Daisuke Hashimoto,Toyokazu Eguchi,Daisuke Ide. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Asymmetric-channel memory system

Номер патента: US20170249265A1. Автор: Ian P. Shaeffer,Arun Vaidyanath,Sanku Mukherjee. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-08-31.

Asymmetric-channel memory system

Номер патента: US09996485B2. Автор: Ian P. Shaeffer,Arun Vaidyanath,Sanku Mukherjee. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-06-12.

Systems and methods for performing variable flash wear leveling

Номер патента: WO2013096189A1. Автор: Ltai DROR,Alon KIPNIS. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2013-06-27.

Systems and Methods for Performing Variable Flash Wear Leveling

Номер патента: US20130159600A1. Автор: Itai Dror,Alon KIPNIS. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2013-06-20.

Memory system and non-transitory computer readable recording medium

Номер патента: US12072797B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Self-adaptive wear leveling method and algorithm

Номер патента: US20210406169A1. Автор: Dionisio Minopoli,Daniele Balluchi,Gianfranco Ferrante. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Memory system that controls power state of buffer memory

Номер патента: US09875051B2. Автор: Hirotaka Suzuki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Non-volatile memory system with end of life calculation

Номер патента: EP2024839A2. Автор: Sergey Anatolievich Gorobets,Kevin M. Conley. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2009-02-18.

Memory system and method for writing data to a block of an erased page

Номер патента: US09811477B2. Автор: David Meyer,Satish VASUDEVA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-11-07.

Wear leveling with marching strategy

Номер патента: US09501396B2. Автор: Yuan-Hao Chang,Tei-Wei Kuo,Hung-Sheng Chang,Hsiang-Pang Li,Cheng-Yuan Wang,Pi-Cheng HSIU. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Interrupt-responsive non-volatile memory system and method

Номер патента: WO2006138522A2. Автор: Stephane Lavastre,Kiernan Heffernan,Patrick Crowe. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 2006-12-28.

Static wear leveling

Номер патента: US20120089768A1. Автор: Arunprasad Ramiya Mothilal. Владелец: Imation Corp. Дата публикации: 2012-04-12.

Memory device wear-leveling techniques

Номер патента: WO2011090547A2. Автор: Yen Lin,Howard Tsai,Nirmal Saxena,Dimitry Vyshetsky. Владелец: NVIDIA CORPORATION. Дата публикации: 2011-07-28.

Memory wear leveling

Номер патента: US09830087B2. Автор: Massimo Montanaro,Marco Giovanni Fontana. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Memory system for data storage and retrieval

Номер патента: US20030070036A1. Автор: Sergey Gorobets. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-10.

RECORDING DWELL TIME IN A NON-VOLATILE MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20160124656A1. Автор: FISHER TIMOTHY J.. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-05.

Method for improving memory system performance in virtual machine systems

Номер патента: US09529728B2. Автор: Alexander Garthwaite,Yury BASKAKOV,Jesse POOL. Владелец: VMware LLC. Дата публикации: 2016-12-27.

Apparatus, method and system for determining reference voltages for a memory

Номер патента: US09552164B2. Автор: James A. McCall,Kuljit S. Bains. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Systems and methods for enhanced data recovery in a solid state memory system

Номер патента: US20160041874A1. Автор: Shu Li,Fan Zhang,Jun Xiao,Haitao Xia. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2016-02-11.

Systems and methods for enhanced data recovery in a solid state memory system

Номер патента: US09996416B2. Автор: Shu Li,Fan Zhang,Jun Xiao,Haitao Xia. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-06-12.

Systems and methods for enhanced data recovery in a solid state memory system

Номер патента: US09448882B2. Автор: Shu Li,Fan Zhang,Jun Xiao,Haitao Xia. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2016-09-20.

Throttling command execution in non-volatile memory systems based on power usage

Номер патента: US09582211B2. Автор: Robert W. Ellis,James M. Higgins,Mark Dancho. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-02-28.

Systems and Methods for Enhanced Data Recovery in a Solid State Memory System

Номер патента: US20150089330A1. Автор: Shu Li,Fan Zhang,Jun Xiao,Haitao Xia. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2015-03-26.

Systems and methods for enhanced data recovery in a solid state memory system

Номер патента: US20170004038A1. Автор: Shu Li,Fan Zhang,Jun Xiao,Haitao Xia. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-01-05.

SYSTEMS AND METHODS FOR ENHANCED DATA RECOVERY IN A SOLID STATE MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20170004038A1. Автор: Zhang Fan,Xia Haitao,Xiao Jun,Li Shu. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-01-05.

BLOCK MANAGEMENT IN A DUAL WRITE MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20170031612A1. Автор: Ravimohan Narendhiran Chinnaanangur,Manohar Abhijeet,Jayaraman Muralitharan. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2017-02-02.

PAGE RETIREMENT IN A NAND FLASH MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20160162196A1. Автор: Koltsidas Ioannis,Camp Charles J.,PLETKA Roman A.,Walls Andrew D.. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-09.

Partial page access in a low power memory system

Номер патента: US20180188988A1. Автор: Nikhil Jain,Umesh Rao,Ankit SHAMBHU,Srinivasarao MOLA. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-07-05.

EFFICIENT COMPLEX NETWORK TRAFFIC MANAGEMENT IN A NON-UNIFORM MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20140330991A1. Автор: Harper John Anthony. Владелец: Netronome Systems, Inc.. Дата публикации: 2014-11-06.

EFFICIENT COMPLEX NETWORK TRAFFIC MANAGEMENT IN A NON-UNIFORM MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20150309755A1. Автор: Harper John Anthony. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-29.

Block management in a dual write memory system

Номер патента: US9891847B2. Автор: Narendhiran Chinnaanangur Ravimohan,Muralitharan Jayaraman,Abhijeet Manohar. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-02-13.

System and method for storing data in a virtualized memory system with destructive reads

Номер патента: US8838934B2. Автор: Shang-Tse Chuang,Sundar Iver. Владелец: Memoir Systems LLC. Дата публикации: 2014-09-16.

System and Method for Storing Data in a Virtualized Memory System With Destructive Reads

Номер патента: US20130311748A1. Автор: Sundar Iyer,Shang-Tse Chuang. Владелец: Memoir Systems LLC. Дата публикации: 2013-11-21.

Memory system and memory device

Номер патента: US20190180800A1. Автор: Toshiya Matsuda,Hiroyuki Kawano,Kousuke Fujita. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Systems and methods for performing data recovery in a memory system

Номер патента: US09965362B2. Автор: Abhijeet Manohar,Chris Avila. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-05-08.

Method and apparatus for fast context cloning in a data processing system

Номер патента: WO2019012252A1. Автор: Curtis Glenn DUNHAM,Roxana RUSITORU,Jonathan Curtis Beard. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2019-01-17.

Dynamic index selection in a hardware cache

Номер патента: US20130036271A1. Автор: Shaul Yifrach,MVV A. Krishna. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-02-07.

Region probe filter for distributed memory system

Номер патента: US09792210B2. Автор: Patrick N. Conway. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Memory device and memory system

Номер патента: US09425828B2. Автор: Jun-Jin Kong,Kyoung-lae Cho,Man-keun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-23.

Address mapping method of memory system

Номер патента: US20180196756A1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Jong-hyun Park,Ja-Hyun Koo,Seung-Gyu JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-07-12.

Address mapping method of memory system

Номер патента: US10025724B1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Jong-hyun Park,Ja-Hyun Koo,Seung-Gyu JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-07-17.

Method for managing multi-layered data structures in a pipelined memory architecture

Номер патента: US20120191919A1. Автор: Mikael Sundstrom. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-26.

Method for allocation of address space in a virtual memory system

Номер патента: WO1995029446A1. Автор: Patrick W. Penzias Dirks. Владелец: APPLE COMPUTER, INC.. Дата публикации: 1995-11-02.

On-chip memory system for a reconfigurable parallel processor

Номер патента: US12093214B2. Автор: YUAN Li,Toshio Nagata,Jianbin Zhu,Ryan Braidwood. Владелец: Azurengine Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Enhanced pre-fetch in a memory management system

Номер патента: US09436610B2. Автор: Gilles Ries,Ennio Salemi,Sana Ben Alaya. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2016-09-06.

Multiple precision memory system

Номер патента: US12026104B2. Автор: Craig E. Hampel,Thomas Vogelsang. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-07-02.

Asynchronous forward caching memory systems and methods

Номер патента: US12061554B2. Автор: Harold Robert George TROUT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Generating approximate usage measurements for shared cache memory systems

Номер патента: US09697126B2. Автор: Harold Wade Cain, Iii,Derek Robert Hower. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Secure wear levelling of non-volatile memory based on galois field circuit

Номер патента: US20230410867A1. Автор: Martin Hassner,Mark Branstad. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-21.

System and Method for Simultaneously Storing and Reading Data from a Memory System

Номер патента: US20150339227A1. Автор: Sundar Iyer,Shang-Tse Chuang. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2015-11-26.

System and Method for Simultaneously Storing and Read Data From A Memory System

Номер патента: US20150106584A1. Автор: Sundar Iyer,Shang-Tse Chuang. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2015-04-16.

Managed energy-efficient hybrid main memory systems

Номер патента: US09841914B2. Автор: Ahmad Hassan. Владелец: SAP SE. Дата публикации: 2017-12-12.

Protocol-based memory system for initializing bus interfaces using device identifiers after memory sizes are increased

Номер патента: US6256718B1. Автор: Katsunori Uchida. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-07-03.

Hybrid memory system configurable to store neural memory weight data in analog form or digital form

Номер патента: EP4385016A1. Автор: Hieu Van Tran. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-19.

Hybrid memory system configurable to store neural memory weight data in analog form or digital form

Номер патента: US11989440B2. Автор: Hieu Van Tran. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Hybrid memory system configurable to store neural memory weight data in analog form or digital form

Номер патента: WO2023018432A1. Автор: Hieu Van Tran. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2023-02-16.

Arbitration system having a packet memory and method for memory responses in a hub-based memory system

Номер патента: US20080294862A1. Автор: Joseph M. Jeddeloh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-11-27.

Arbitration system having a packet memory and method for memory responses in a hub-based memory system

Номер патента: EP1723527A4. Автор: Joseph M Jeddeloh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-10-03.

Semi receiver side write training for non-volatile memory system

Номер патента: US11829281B2. Автор: Jang Woo Lee,Venkatesh Ramachandra,Srinivas Rajendra,Anil Pai. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-28.

Systems and Methods for Decoupling Host Commands in a Non-Volatile Memory System

Номер патента: US20170249081A1. Автор: TZORI YIFTACH. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2017-08-31.

Method and system for terminating write commands in a hub-based memory system

Номер патента: US20070300023A1. Автор: Jeffrey Cronin,Douglas Larson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-12-27.

Method and system for terminating write commands in a hub-based memory system

Номер патента: EP1769361B1. Автор: Douglas A. Larson,Jeffrey J. Cronin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-01-15.

PAGE RETIREMENT IN A NAND FLASH MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20200057702A9. Автор: Koltsidas Ioannis,Camp Charles J.,PLETKA Roman A.,Walls Andrew D.. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-20.

PAGE RETIREMENT IN A NAND FLASH MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20190163592A1. Автор: Koltsidas Ioannis,Camp Charles J.,PLETKA Roman A.,Walls Andrew D.. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-30.

DISTRIBUTED RAID IN A FLASH BASED MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20150261460A1. Автор: LIAO YU FENG,WU ZUOYING,ZHOU ZHENGNING. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-17.

Pipelined parallel programming operation in a non-volatile memory system

Номер патента: CN1647049A. Автор: 凯文·M·康利,约拉姆·锡达. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2005-07-27.

Pipelined parallel programming operation in a non-volatile memory system

Номер патента: CN1323356C. Автор: 凯文·M·康利,约拉姆·锡达. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2007-06-27.

Pipelined parallel programming operation in a non-volatile memory system

Номер патента: EP1476812B1. Автор: Kevin M. Conley,Yoram Cedar. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-11-29.

Method and apparatus for optimizing dynamic memory assignments in a multi-tier memory system

Номер патента: CN110658984B. Автор: A·科林,K·杜什,H·塞恩. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-03-02.

Tag-based wear leveling for a data storage device

Номер патента: US09740425B2. Автор: Nian Niles Yang,Xinde Hu,Swati Bakshi,Alexei Naberezhnov. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-22.

Wear Leveling Methods For Zoned Namespace Solid State Drive

Номер патента: US20220261160A1. Автор: Chao Sun,Dejan Vucinic,Xinde Hu. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2022-08-18.

Optimizing data access in a dsn memory for wear leveling

Номер патента: US20200097186A1. Автор: Ilya Volvovski,Praveen Viraraghavan,Trent W. Johnson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Techniques for efficient memory system programming

Номер патента: US20240289019A1. Автор: Dionisio Minopoli,Luca Porzio,Paolo Amato,Daniela Ruggeri. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Performing wear leveling between storage systems of a storage cluster

Номер патента: US11740824B2. Автор: CHI Chen,Hailan Dong. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2023-08-29.

Concept for Controlling a Memory Performance in a Computer System

Номер патента: US20210048958A1. Автор: Francesc Guim Bernat. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-02-18.

Memory system and operating method of memory system

Номер патента: US12093554B2. Автор: Hee Chan Shin,Young Ho AHN,Jae Gwang Lee,Gi Gyun Yoo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

System and method for conserving power consumption in a memory system

Номер патента: US09864536B2. Автор: Dexter Chun,Haw-Jing Lo. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Allocating variable media types of memory devices in a memory system

Номер патента: US20190332290A1. Автор: Michael B. Danielson,Paul A. Suhler,James H. Meeker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Plane balancing in a memory system

Номер патента: US20240302991A1. Автор: John J. Kane,Byron D. Harris,Vivek Shivhare. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Topology-based retirement in a memory system

Номер патента: US20240290411A1. Автор: Jonathan S. Parry,Deping He,Chun S. Yeung. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory system including a nonvolatile memory and control method

Номер патента: US20220066640A1. Автор: Masahiro Takeshita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Memory system including a nonvolatile memory and control method

Номер патента: US11314412B2. Автор: Masahiro Takeshita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-04-26.

Scalable architecture enabling large memory system for in-memory computations

Номер патента: US12099736B2. Автор: Hongzhong Zheng,Dongyan Jiang,Qiang Peng. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Method and apparatus for configuring a memory device

Номер патента: US09606865B2. Автор: Abhijeet Manohar,Nian Yang,Daniel Edward Tuers. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-03-28.

Memory system and a data managing method thereof

Номер патента: US09652179B2. Автор: Chun-Ta Lin,Yuan-Hao Chang,Tei-Wei Kuo,Hung-Sheng Chang,Hsiang-Pang Li. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Memory system

Номер патента: US12099735B2. Автор: Tomoyuki KANTANI,Kousuke Fujita,Iku ENDO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20240256184A1. Автор: Hideki Yoshida,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory system, memory controller, and method for operating memory system

Номер патента: US20210279000A1. Автор: Chan Hyeok CHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-09.

Memory system

Номер патента: US20180276073A1. Автор: Takashi Ide,Yoshihisa Kojima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Memory system including memory device and memory controller, and operating method thereof

Номер патента: US20230266893A1. Автор: Taehun Kim,Wooil Kim,Taewoo HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-24.

Managing data placement based on flash drive wear level

Номер патента: US09811288B1. Автор: Qin Tao,Xiangping Chen,Dennis T. Duprey,Thomas E. Linnell,Mark K. Ku. Владелец: EMC IP Holding Co LLC. Дата публикации: 2017-11-07.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20200241799A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-07-30.

Apparatus and method for transferring data in memory system

Номер патента: US12056392B2. Автор: Chan Hyeok CHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Temperature based flash memory system maintenance

Номер патента: US09535614B2. Автор: Nian Niles Yang,Gautham Reddy,Alexandra Bauche. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-01-03.

Data recovery with enhanced super chip-kill recovery and method of operating such memory system

Номер патента: US20240289028A1. Автор: Fan Zhang,Meysam Asadi,Ahmad Golmohammadi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory system and memory control method

Номер патента: US20230297273A1. Автор: Takahiro Kubota,Yuta Kumano,Hironori Uchikawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US11768632B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-26.

Separate link and array error correction in a memory system

Номер патента: EP3377974A1. Автор: Jungwon Suh,David Ian West. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-09-26.

Separate link and array error correction in a memory system

Номер патента: WO2017087076A1. Автор: Jungwon Suh,David Ian West. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-05-26.

Separate link and array error correction in a memory system

Номер патента: US09965352B2. Автор: Jungwon Suh,David Ian West. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Adaptive super block wear leveling

Номер патента: US20240111431A1. Автор: Ying Yu Tai,Seungjune Jeon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Deferred zone adjustment in zone memory system

Номер патента: US20240302984A1. Автор: Nathaniel WESSEL,Byron Harris,Oyvind Hachre. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory system and method for delta writes

Номер патента: US09904472B2. Автор: Abhijeet Manohar,Judah Gamliel Hahn,Daniel E. Tuers. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-02-27.

Correction of communication line errors in a memory system

Номер патента: RU2710977C1. Автор: Дзунгвон СУХ. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2020-01-14.

Idle mode temperature control for memory systems

Номер патента: US12039189B2. Автор: Francesco Basso,Francesco Falanga,Massimo Iaculo,Antonino Pollio. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US09824763B2. Автор: Eu-Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Determining reference voltage offsets for read operations in a memory system

Номер патента: US20240272798A1. Автор: Jianying Zhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Physical interface configuration buffer in a flash memory system

Номер патента: US20240319916A1. Автор: Hung Vuong,Benish Babu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Non-volative memory system configured to mitigate errors in read and write operations

Номер патента: EP4266311A2. Автор: Soenke Ostertun. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-10-25.

Non-volative memory system configured to mitigate errors in read and write operations

Номер патента: EP4266311A3. Автор: Soenke Ostertun. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-01-03.

Memory controller and method for use in memory controller of memory system

Номер патента: WO2023072381A1. Автор: Assaf Natanzon,Zvi Schneider. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-05-04.

Managing power consumption associated with communicating data in a memory system

Номер патента: US20240311053A1. Автор: Jonathan S. Parry,Deping He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Detection and latency reduction of write-intensive procedures in a memory system

Номер патента: US20240345732A1. Автор: Hao Yu,Luca Porzio,Yanhua Bi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20210064290A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory and for reducing a buffer size

Номер патента: US20220334771A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-10-20.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory and for reducing a buffer size

Номер патента: US20240264776A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory and for reducing a buffer size

Номер патента: US20230297288A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Suspending operations of a memory system

Номер патента: US12105959B2. Автор: Giuseppe Cariello,David Aaron Palmer,Fulvio Rori. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Memory, memory system and operation method of memory system

Номер патента: US12026392B2. Автор: Woongrae Kim,Chul Moon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Memory system and data encoding and decoding method to mitigate inter-cell interference

Номер патента: US09984752B2. Автор: Hironori Uchikawa,Kenji Sakurada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20210241834A1. Автор: Sang Sik Kim,Dae Sung Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-05.

Memory controller and memory system including the memory controller and memory device

Номер патента: US20240264744A1. Автор: Se Chang PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory controller, memory system including the memory controller, and method of operating the memory controller

Номер патента: US10719269B2. Автор: Dong Yeob CHUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-07-21.

Flexible memory system

Номер патента: US12067237B2. Автор: Richard E. George,Vidyashankar Viswanathan,Michael Y. Chow. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20240295969A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Suguru NISHIKAWA,Toshikatsu Hida,Takehiko Amaki,Shunichi IGAHARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Memory system, firmware update method, and program field

Номер патента: US20240302961A1. Автор: Mariko Matsumoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Managing operations in memory systems

Номер патента: US20240302966A1. Автор: Weilin Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory system and control method

Номер патента: US20240319924A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Managing operations in memory systems

Номер патента: WO2024182999A1. Автор: Weilin Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory system and method of controlling non-volatile memory

Номер патента: US20240302959A1. Автор: Shizuka SEKIGAWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Managing operations in memory systems

Номер патента: EP4453707A1. Автор: Weilin Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-30.

Accessing multiple segments of memory systems

Номер патента: US20240370205A1. Автор: Martin Brox. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Memory system

Номер патента: US20240005969A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Shohei Asami. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Memory system

Номер патента: US20240272799A1. Автор: Takashi Nakagawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory system for controlling semiconductor memory devices through plurality of channels

Номер патента: US09841916B2. Автор: Sung Yeob Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Memory system and method for power-based operation scheduling

Номер патента: US09658790B2. Автор: Eran Erez,Alex Mostovoy. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-23.

Memory system and method for detecting error section and reprocessing tasks

Номер патента: US10416908B2. Автор: Jeen PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-09-17.

Reset verification in a memory system

Номер патента: US20210173562A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

Reset verification in a memory system

Номер патента: US20230014955A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Memory system and method for operating the same

Номер патента: US20180150247A1. Автор: Jeen PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-31.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20240248648A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory system, memory controller, and operation method of memory controller

Номер патента: US20220113882A1. Автор: Jung Hyun Kwon,Won Gyu SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-04-14.

Memory system

Номер патента: US12094541B2. Автор: Yoshihisa Kojima,Masanobu Shirakawa,Marie Takada,Kengo Kurose,Kiyotaka Iwasaki,Ryo Yamaki,Tsukasa TOKUTOMI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory system and method

Номер патента: US09971522B2. Автор: Koichi Nagai,Yukimasa Miyamoto. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Memory system

Номер патента: US20230259287A1. Автор: Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Memory device and memory system having the same

Номер патента: US20180067693A1. Автор: Byung Ryul Kim,Yong Hwan HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-08.

Memory system and control method of memory system

Номер патента: US09940274B2. Автор: Masashi Nakata,Daisuke Nakata,Shigeo Kurakata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

One-pass programming in a multi-level nonvolatile memory device with improved write amplification

Номер патента: US09811284B2. Автор: Eyal Gurgi,Charan Srinivasan. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Memory system

Номер патента: US20140237320A1. Автор: Junji Yano,Hidenori Matsuzaki,Kosuke Hatsuda,Hiroki Matsudaira. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-21.

Selectively powered embedded memory systems and methods

Номер патента: GB2626651A. Автор: Shahbazi Maryam,L Mclaury Loren,A Sharpe-Geisler Brradley. Владелец: Lattice Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-07-31.

Memory system and method for reducing peak current consumption

Номер патента: US09875049B2. Автор: Eran Erez,Jonathan H. Hsu,Ken Q. Nguyen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-23.

Memory system

Номер патента: US20230305718A1. Автор: Takashi Takemoto,Kensaku Yamaguchi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Memory controller and memory system with data strobe signal calibration circuit

Номер патента: US20240302978A1. Автор: Seon Ha PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Apparatus and method for performing recovery operation of memory system

Номер патента: US20200159455A1. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-05-21.

Arbiter circuit for commands from multiple physical functions in a memory sub-system

Номер патента: US11126375B2. Автор: Jiangli Zhu,Ying Yu Kai. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-21.

Apparatus and method for performing recovery operation of memory system

Номер патента: US20210382660A1. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Memory controller and memory system including the same

Номер патента: US20210208967A1. Автор: Kijun Lee,Sanguhn CHA,Sunghye CHO,Myungkyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-08.

Memory system

Номер патента: US20170242585A1. Автор: Yasuyuki Eguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-24.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US09704583B2. Автор: Min-O SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

ECC buffer reduction in a memory device

Номер патента: US12040033B2. Автор: Amit Berman. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Ecc buffer reduction in a memory device

Номер патента: US20230238074A1. Автор: Amit Berman. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor device and memory system including the same

Номер патента: EP4187538A3. Автор: ChiWeon Yoon,Tongsung KIM,Byunghoon Jeong,Youngmin Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-13.

Memory system for controlling input command priority and operation method therefor

Номер патента: US09965221B2. Автор: Byung-Soo Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Weighted wear leveling for improving uniformity

Номер патента: US11875867B2. Автор: Karthik Sarpatwari,Nevil N. Gajera,Zhongyuan Lu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Weighted wear leveling for improving uniformity

Номер патента: US20240096433A1. Автор: Karthik Sarpatwari,Nevil N. Gajera,Zhongyuan Lu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Memory controllers, operating methods thereof, and memory systems including the same

Номер патента: US09990162B2. Автор: Ji-soo Kim,Moon-sang Kwon,Yoo-chan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: US20210104267A1. Автор: Jangwoo Lee,KyungTae KANG,Byunghoon Jeong,Jeongdon Ihm. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-08.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: EP3800641A1. Автор: Jangwoo Lee,KyungTae KANG,Byunghoon Jeong,Jeongdon Ihm. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-07.

Adaptive temperature protection for a memory controller

Номер патента: US12050780B2. Автор: Federica Cresci,Massimiliano Patriarca. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Techniques for memory system standby mode control

Номер патента: US20240281158A1. Автор: Junam Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Techniques to configure zonal architectures of memory systems

Номер патента: US20240281156A1. Автор: Christian M. Gyllenskog. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Host identification for a memory system

Номер патента: US11748003B2. Автор: Qing Liang,Jun Huang. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2023-09-05.

Storage device including memory controller and memory system including the same

Номер патента: US09846543B2. Автор: Dong Jae Shin,Dong Yeob CHUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Method for transmitting extended commands to a memory system

Номер патента: US09501223B2. Автор: Martin Roeder,Martin Preiser. Владелец: HYPERSTONE GMBH. Дата публикации: 2016-11-22.

Optimize Information Requests to a Memory System

Номер патента: US20200050391A1. Автор: Dhawal Bavishi,Trevor Conrad Meyerowitz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-02-13.

Testing operations for memory systems

Номер патента: US12067257B2. Автор: Yuan He,Sujeet V. Ayyapureddi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory system and operating method of the memory system

Номер патента: US20210098071A1. Автор: Ju Hyeon HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Optimize information requests to a memory system

Номер патента: WO2020033152A1. Автор: Dhawal Bavishi,Trevor Conrad Meyerowitz. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-02-13.

Optimize Information Requests to a Memory System

Номер патента: US20240248641A1. Автор: Dhawal Bavishi,Trevor Conrad Meyerowitz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Access operation status signaling for memory systems

Номер патента: US12124322B2. Автор: Qing Liang,Jonathan S. Parry,Deping He,Giuseppe Cariello. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Memory system and operating method of memory system

Номер патента: US12124718B2. Автор: Heung Tae Jin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Memory systems

Номер патента: US09747993B2. Автор: Hyoung-Gon Lee. Владелец: EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC. Дата публикации: 2017-08-29.

Operating method for memory system

Номер патента: EP4180917A2. Автор: Hyunseok Kim,Jingyu HEO,Inhae KANG,Jaeyoul OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-17.

Memory system and method

Номер патента: US20230315312A1. Автор: Kenji Takahashi,Makoto Kuribara,Shin TAKASAKA,Rintaro ARAI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Operating method for memory system

Номер патента: EP4180917A3. Автор: Hyunseok Kim,Jingyu HEO,Inhae KANG,Jaeyoul OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-18.

Memory system with dynamic calibration using a trim management mechanism

Номер патента: US11721399B2. Автор: Larry J. Koudele,Michael Sheperek,Steve Kientz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-08.

Voltage detection for managed memory systems

Номер патента: US20240274211A1. Автор: Yoav Weinberg,Evgeni Bassin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

A method of synchronizing read timing in a high speed memory system

Номер патента: EP1374244A2. Автор: Troy A. Manning,Brent Keeth,Chris G. Martin,Jeffery W. Janzen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-01-02.

A method of synchronizing read timing in a high speed memory system

Номер патента: WO2002069341A3. Автор: Brent Keeth,Troy A Manning,Chris G Martin,Jeffery W Janzen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-11-28.

A method of synchronizing read timing in a high speed memory system

Номер патента: EP1374244B1. Автор: Troy A. Manning,Brent Keeth,Chris G. Martin,Jeffery W. Janzen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-08-31.

A method of synchronizing read timing in a high speed memory system

Номер патента: WO2002069341A2. Автор: Troy A. Manning,Brent Keeth,Chris G. Martin,Jeffery W. Janzen. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2002-09-06.

Read data flow control in a cascade interconnect memory system

Номер патента: EP2294577A1. Автор: Kevin Gower,Michael Trombley,Steven Hnatko. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-03-16.

Selective fault stalling for a GPU memory pipeline in a unified virtual memory system

Номер патента: US09830224B2. Автор: Olivier Giroux,Shirish Gadre. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Apparatus and method for direct memory access in a hub-based memory system

Номер патента: US7966430B2. Автор: Joseph M. Jeddeloh. Владелец: Round Rock Research LLC. Дата публикации: 2011-06-21.

Read data flow control in a cascade interconnect memory system

Номер патента: WO2010000554A4. Автор: Kevin Gower,Michael Trombley,Steven Hnatko. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2010-02-25.

Read data flow control in a cascade interconnect memory system

Номер патента: WO2010000554A1. Автор: Kevin Gower,Michael Trombley,Steven Hnatko. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2010-01-07.

Protecting shared variables in a software transactional memory system

Номер патента: EP1960879A1. Автор: Bratin Saha,Ali-Reza Adl-Tabatabai. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-08-27.

Collision detection in a multi-port memory system

Номер патента: WO2005093758A8. Автор: Tzong-Kwang Henry Yeh,Wei-Ling Chang,Chung-Han Lin,Bill Beane. Владелец: Bill Beane. Дата публикации: 2005-11-24.

Collision detection in a multi-port memory system

Номер патента: WO2005093758A1. Автор: Tzong-Kwang Henry Yeh,Wei-Ling Chang,Chung-Han Lin,Bill Beane. Владелец: Integrated Device Technology, Inc.. Дата публикации: 2005-10-06.

Collision detection in a multi-port memory system

Номер патента: EP1738371A1. Автор: Tzong-Kwang Henry Yeh,Wei-Ling Chang,Chung-Han Lin,Bill Beane. Владелец: Integrated Device Technology Inc. Дата публикации: 2007-01-03.

Symbol frequency leveling in a data storage system

Номер патента: EP1532739A1. Автор: Geoffrey S. Gongwer,Stephen J. Gross. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2005-05-25.

Symbol frequency leveling in a data storage system

Номер патента: AU2003268341A1. Автор: Geoffrey S. Gongwer,Stephen J. Gross. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2004-03-19.

Symbol frequency leveling in a data storage system

Номер патента: EP1532739B1. Автор: Geoffrey S. Gongwer,Stephen J. Gross. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2012-02-01.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200081632A1. Автор: Chan-Jong WOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-03-12.

Memory rank and ODT configuration in a memory system

Номер патента: US09747230B2. Автор: Amir Amirkhany,Ravindranath Kollipara,Minghui HAN,Ralf Michael SCHMITT. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-08-29.

Memory device, memory system including the same and operation method of the memory system

Номер патента: US09666297B1. Автор: Sang-Hyun Song,Chang-Wan Ha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Nonvolatile memory system and related method of operation

Номер патента: US09665425B2. Автор: Dong-young Seo,Dukyoung Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Nonvolatile memory system and related method of operation

Номер патента: US09563503B2. Автор: Dong-young Seo,Dukyoung Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Reestablishing synchronization in a memory system

Номер патента: US09495231B2. Автор: Patrick J. Meaney,Glenn D. Gilda,John S. Dodson,Vesselina K. Papazova. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Memory system, method for controlling the same, and information processing device

Номер патента: US09465727B2. Автор: Shinji Takashima. Владелец: Sony Interactive Entertainment Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Memory, memory module, memory system, and operation method of memory system

Номер патента: US12034457B2. Автор: Seok Woo Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Memory system supporting redundant logical domain

Номер патента: US12067298B2. Автор: Hideki Yoshida,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Spare substitution in memory system

Номер патента: US12093129B2. Автор: Joseph Thomas Pawlowski. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory, memory module, memory system, and operation method of memory system

Номер патента: US20240333308A1. Автор: Seok Woo Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory system with command mixing for timing control

Номер патента: US09754649B2. Автор: Tae-Young Oh,Seung-jun Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Programming dummy data into bad pages of a memory system and operating method thereof

Номер патента: US09570177B2. Автор: Haegi CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Operating methods, memory controllers, and memory systems

Номер патента: US20240176519A1. Автор: Jin Cai,Xianwu Luo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Apparatus and method for handling a firmware error in operation of a memory system

Номер патента: US20210064471A1. Автор: Sung-Jin Park,Dong-Hyun Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-03-04.

Memory system and method of controlling memory chips

Номер патента: US20240302997A1. Автор: Hajime Yamazaki,Konosuke Watanabe,Shinji Yonezawa,Mitsusato Hara,Haruka MORI,Eiji SUKIGARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Managing asset placement using a set of wear leveling data

Номер патента: US09886324B2. Автор: Maria R. Ward,Chethan Jain. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor memory device, memory system and access method to semiconductor memory device

Номер патента: US09633705B2. Автор: Yoshihiro Ueda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Reestablishing synchronization in a memory system

Номер патента: US09594646B2. Автор: Patrick J. Meaney,Glenn D. Gilda,John S. Dodson,Vesselina K. Papazova. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Memory system and method of operating the same

Номер патента: US09940030B2. Автор: Won Sun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Systems and methods for data alignment in a memory system

Номер патента: US09563384B2. Автор: Bhyrav M. Mutnury,Stuart Allen Berke,Vadhiraj Sankaranarayanan. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2017-02-07.

Systems and methods for data alignment in a memory system

Номер патента: US09417802B1. Автор: Bhyrav M. Mutnury,Stuart Allen Berke,Vadhiraj Sankaranarayanan. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2016-08-16.

Memory controllers and memory systems

Номер патента: US20240281323A1. Автор: Jiho Kim,Kijun Lee,Myungkyu Lee,Kyomin Sohn,Seongmuk Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Error correcting memory systems

Номер патента: US12124332B2. Автор: Yu Lu,Richard Stewart,Chieh-Yu Lin. Владелец: Supermem Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Block behavior tracking in a memory system

Номер патента: US09547571B2. Автор: Niles Yang,Rohit Sehgal,Abhi Kashyap. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-01-17.

Memory system facilitating high bandwidth and high capacity memory

Номер патента: US09804978B2. Автор: Jonathan R. Hinkle. Владелец: Lenovo Enterprise Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Error evaluation for a memory system

Номер патента: US20230222032A1. Автор: Matthew D. Jenkinson,Christopher G. Wieduwilt,Seth A. Eichmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Memory system and method of operating the same

Номер патента: US10922200B2. Автор: Jin Woong Kim,Se Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-02-16.

System And Method For Storing Multiple Copies of Data In A High Speed Memory System

Номер патента: US20140310482A1. Автор: Iyer Sundar,Chuang Shang-Tse. Владелец: MEMOIR SYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2014-10-16.

Enabling Maximum Concurrency In A Hybrid Transactional Memory System

Номер патента: US20150277967A1. Автор: Gottschlich Justin E.,Shpeisman Tatiana,Pokam Gilles A.,CALCIU Irina. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-01.

Systems and methods for soft data utilization in a solid state memory system

Номер патента: US20160085623A1. Автор: Yu Cai,Erich F. Haratsch,Yunxiang Wu. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2016-03-24.

Systems and methods for soft decision generation in a solid state memory system

Номер патента: US09941901B2. Автор: Zhengang Chen,Erich F. Haratsch,Yunxiang Wu. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-04-10.

Systems and methods for soft data utilization in a solid state memory system

Номер патента: US09575832B2. Автор: Yu Cai,Erich F. Haratsch,Yunxiang Wu. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-02-21.

Optimization of memory bandwidth in a multi-display system

Номер патента: US20130016111A1. Автор: Subir Ghosh. Владелец: nComputing Inc. Дата публикации: 2013-01-17.

Data mirroring in serial -connected memory system

Номер патента: WO2010048711A1. Автор: Hakjune Oh,William Petrie. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2010-05-06.

Coding method and decoding method in memory system

Номер патента: US09570174B2. Автор: Jun-Jin Kong,Avner Dor,Hong-rak Son,Moshe Twitto,Young-Geon YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Off-chip micro control and interface in a multichip integrated memory system

Номер патента: US20090287896A1. Автор: Vijay P. Adusumilli. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2009-11-19.

SYSTEMS AND METHODS FOR ENHANCED DATA RECOVERY IN A SOLID STATE MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20160041874A1. Автор: Zhang Fan,Xia Haitao,Xiao Jun,Li Shu. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2016-02-11.

SYSTEMS AND METHODS FOR SOFT DATA UTILIZATION IN A SOLID STATE MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20160085623A1. Автор: Haratsch Erich F.,WU Yunxiang,CAI Yu. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2016-03-24.

Systems and Methods for Enhanced Data Recovery in a Solid State Memory System

Номер патента: US20150089330A1. Автор: Zhang Fan,Xia Haitao,Xiao Jun,Li Shu. Владелец: LSI Corporation. Дата публикации: 2015-03-26.

SYSTEMS AND METHODS FOR SOFT DATA UTILIZATION IN A SOLID STATE MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20170093427A1. Автор: Haratsch Erich F.,WU Yunxiang,CAI Yu. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-03-30.

Systems and Methods for Soft Data Utilization in a Solid State Memory System

Номер патента: US20150113318A1. Автор: Haratsch Erich F.,WU Yunxiang,CAI Yu. Владелец: LSI Corporation. Дата публикации: 2015-04-23.

Systems and Methods for Soft Decision Generation in a Solid State Memory System

Номер патента: US20150143202A1. Автор: Zhengang Chen,Erich F. Haratsch,Yunxiang Wu. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2015-05-21.

SYSTEMS AND METHODS FOR SOFT DECISION GENERATION IN A SOLID STATE MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20160182086A1. Автор: Chen Zhengang,Haratsch Erich F.,WU Yunxiang. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2016-06-23.

SYSTEMS AND METHODS FOR SOFT DECISION GENERATION IN A SOLID STATE MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20180226991A1. Автор: Chen Zhengang,Haratsch Erich F.,WU Yunxiang. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-08-09.

Method and system for capturing and bypassing memory transactions in a hub-based memory system

Номер патента: US7133991B2. Автор: Ralph James. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-11-07.

Method and system for capturing and bypassing memory transactions in a hub-based memory system

Номер патента: US20050044304A1. Автор: Ralph James. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-02-24.

Method and system for capturing and bypassing memory transactions in a hub-based memory system

Номер патента: US20060200602A1. Автор: Ralph James. Владелец: Ralph James. Дата публикации: 2006-09-07.

System and Method for Providing Data Integrity in a Non-Volatile Memory System

Номер патента: US20090024899A1. Автор: Robert Alan Reid. Владелец: Denali Software Inc. Дата публикации: 2009-01-22.

SELECTIVE FAULT STALLING FOR A GPU MEMORY PIPELINE IN A UNIFIED VIRTUAL MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20140281679A1. Автор: GADRE Shirish,GIROUX Olivier. Владелец: NVIDIA CORPORATION. Дата публикации: 2014-09-18.

Partitioning a crossbar interconnect in a multi-channel memory system

Номер патента: WO2011017628A1. Автор: Feng Wang,Matthew Michael Nowak,Jonghae Kim. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2011-02-10.

Partitioning a crossbar interconnect in a multi-channel memory system

Номер патента: TW201111997A. Автор: Feng Wang,Matthew Michael Nowak,Jong-Hae Kim. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2011-04-01.

PAGE RETIREMENT IN A NAND FLASH MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20150154061A1. Автор: Koltsidas Ioannis,Camp Charles J.,PLETKA Roman A.,Walls Andrew D.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-06-04.

BANDWIDTH OPTIMIZATION IN A NON-VOLATILE MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20140237318A1. Автор: Fitzpatrick James,Rafati Amirhossein. Владелец: SanDisk Enterprise IP LLC. Дата публикации: 2014-08-21.

BOOT MANAGEMENT IN A NON-VOLATILE MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20150280749A1. Автор: Gjorup Karsten. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-01.

Apparatus and method for direct memory access in a hub-based memory system

Номер патента: CN100595720C. Автор: 约瑟夫·M·杰德罗. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-03-24.

Enabling maximum concurrency in a hybrid transactional memory system

Номер патента: US9971627B2. Автор: Tatiana Shpeisman,Irina Calciu,Justin E. Gottschlich,Gilles A. POKAM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Enabling maximum concurrency in a hybrid transactional memory system

Номер патента: EP3123306A1. Автор: Tatiana Shpeisman,Irina Calciu,Justin E. Gottschlich,Gilles A. POKAM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-01.

Apparatus and method for direct memory access in a hub-based memory system

Номер патента: CN1965285A. Автор: 约瑟夫·M·杰德罗. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-05-16.

Automatic read data flow control in a cascade interconnect memory system

Номер патента: TW201015568A. Автор: Kevin C Gower,Michael R Trombley,Steven J Hnatko. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2010-04-16.

Memory wear leveling

Номер патента: WO2023137317A1. Автор: David P. Reed,Isaac R. NASSI,Gary Smerdon. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2023-07-20.

Device based wear leveling using intrinsic endurance

Номер патента: US09430322B2. Автор: Jonathan Hsu,Dana Lee,Jonathan Wolfman. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-08-30.

Systems and methods for code protection in non-volatile memory systems

Номер патента: US09390278B2. Автор: Ross S. Scouller,Jeffrey C. Cunningham,Daniel L. Andre. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-07-12.

Memory controller and flash memory system

Номер патента: US20240256466A1. Автор: Kenichi TAKUBO. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20140380008A1. Автор: Yeong Sik YI,Jong Ju PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-12-25.

Method and apparatus for providing thermal wear leveling

Номер патента: US12068215B2. Автор: Greg Sadowski,David A. Roberts,Steven Raasch. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory system performing wear leveling using average erase count value and operating method thereof

Номер патента: US09805814B2. Автор: Jin-woong Kim,Byeong-Gyu PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Method and apparatus for providing thermal wear leveling

Номер патента: US20230143622A1. Автор: Greg Sadowski,David A. Roberts,Steven Raasch. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2023-05-11.

Method and apparatus for providing thermal wear leveling

Номер патента: US20190051576A1. Автор: Greg Sadowski,David A. Roberts,Steven Raasch. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2019-02-14.

Temperature compensation in a memory system

Номер патента: US20210397232A1. Автор: Shane Nowell,Sampath K. Ratnam,Vamsi Pavan Rayaprolu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Temperature compensation in a memory system

Номер патента: US11662786B2. Автор: Shane Nowell,Sampath K. Ratnam,Vamsi Pavan Rayaprolu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-30.

Memory system performing wear leveling using average erase count value and operating method thereof

Номер патента: US20170186494A1. Автор: Jin-woong Kim,Byeong-Gyu PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-29.

Memory system and method capable of performing wear leveling

Номер патента: US20210304827A1. Автор: Chun-Lien Su. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Wear leveling for programmable logic devices

Номер патента: WO2024188446A1. Автор: Patrik Åberg,Farrokh GHANI ZADEGAN. Владелец: Telefonaktiebolaget lM Ericsson (publ). Дата публикации: 2024-09-19.

Distributed autonomous power management in a memory system

Номер патента: WO2008017625B1. Автор: Kevin Gower,Robert Tremaine. Владелец: Robert Tremaine. Дата публикации: 2008-05-29.

Temperature exception tracking in a temperature log for a memory system

Номер патента: US20240369416A1. Автор: David Aaron Palmer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Temperature compensation in a memory system

Номер патента: EP3844754A1. Автор: Shane Nowell,Sampath K. Ratnam,Vamsi Pavan Rayaprolu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-07.

Temperature compensation in a memory system

Номер патента: WO2020046970A1. Автор: Shane Nowell,Sampath K. Ratnam,Vamsi Pavan Rayaprolu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-03-05.

Memory system in a dual processor device and a method of initialising memory in a dual processor device

Номер патента: WO2004074977A3. Автор: Michal Polak. Владелец: Michal Polak. Дата публикации: 2005-03-03.

System and method for dynamic switching between batteries in a dual battery system

Номер патента: US11755088B2. Автор: Yan Ning,Qinghong He,John Robert Lerma,Louis Michael Davis. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2023-09-12.

Memory system and operation method of the memory system

Номер патента: US20230152981A1. Автор: In Jong Jang,Kyu Min LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

Memory system

Номер патента: US20210158885A1. Автор: Hongseok Kim,EHyun NAM,Kyoungseok RHA. Владелец: Fadu Inc. Дата публикации: 2021-05-27.

Memory system

Номер патента: US20210295931A1. Автор: Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Clock mode determination in a memory system

Номер патента: US09740407B2. Автор: Peter B. Gillingham,Graham Allan. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Clock mode determination in a memory system

Номер патента: US09552889B2. Автор: Peter B. Gillingham,Graham Allan. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Clock mode determination in a memory system

Номер патента: US09384847B2. Автор: Peter B. Gillingham,Graham Allan. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2016-07-05.

Memory System and Method for Transferring Data Therein

Номер патента: US20080022037A1. Автор: Hermann Ruckerbauer. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-01-24.

Memory system and method for transferring data therein

Номер патента: US7293151B2. Автор: Hermann Ruckerbauer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-11-06.

Memory system and memory controller

Номер патента: US20120151123A1. Автор: Haruki Toda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-06-14.

Error-tolerant memory system for machine learning systems

Номер патента: US12066890B2. Автор: Sudhanva Gurumurthi,Ganesh Suryanarayan Dasika. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory system and method for transferring data therein

Номер патента: US7831797B2. Автор: Hermann Ruckerbauer. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2010-11-09.

Memory System with Multi-Level Status Signaling and Method for Operating the Same

Номер патента: US20120182780A1. Автор: Steven Cheng. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2012-07-19.

Memory system with multi-level status signaling and method for operating the same

Номер патента: WO2011002626A1. Автор: Steven Cheng. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2011-01-06.

Memory system with multi-level status signaling and method for operating the same

Номер патента: EP2449474A1. Автор: Steven Cheng. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2012-05-09.

Managing data placement for direct assigned virtual machines in a memory sub-system

Номер патента: US20240320029A1. Автор: Luca Bert. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory system

Номер патента: US09929750B2. Автор: Yoshihisa Kojima,Erika KAKU. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Memory system

Номер патента: US09928138B2. Автор: Katsuhiko Ueki,Yoshihisa Kojima,Shinichiro Nakazumi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Memory system

Номер патента: US20190287640A1. Автор: Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Apparatus and method for handling a data error in a memory system

Номер патента: US11762734B2. Автор: Jaeyoon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Memory systems for automated computing machinery

Номер патента: WO2007135077B1. Автор: Daniel Dreps,Kevin Gower,Warren Maule,Robert Tremaine. Владелец: Robert Tremaine. Дата публикации: 2008-01-17.

Multiple concurrent modulation schemes in a memory system

Номер патента: EP4411555A2. Автор: Robert Nasry Hasbun,Dean D. Gans,Jeffrey P. Wright,Timothy M. Hollis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

Multiple concurrent modulation schemes in a memory system

Номер патента: EP4411555A3. Автор: Robert Nasry Hasbun,Dean D. Gans,Jeffrey P. Wright,Timothy M. Hollis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-09.

Memory system and method of generating a seed value

Номер патента: US09875085B2. Автор: Abhijeet Manohar,Rishi Mukhopadhyay,Rajesh Neermarga. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-23.

Memory system

Номер патента: US09460813B2. Автор: Hajime Matsumoto,Daisuke Hashimoto,Toyokazu Eguchi,Daisuke Ide. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Memory system and memory control method

Номер патента: US09460781B1. Автор: Taku Ooneda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Techniques for error detection and correction in a memory system

Номер патента: WO2022046440A1. Автор: Steffen Buch,Aaron P. Boehm. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-03-03.

Memory system verification

Номер патента: US20230140975A1. Автор: Jason Parker,Yuval Elad. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2023-05-11.

Memory system capable of controlling wireless communication function

Номер патента: US20160299696A1. Автор: Kuniaki Ito,Takashi Wakutsu,Shuichi Sakurai,Yasufumi Tsumagari. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-13.

Memory system capable of controlling wireless communication function

Номер патента: US20170344471A1. Автор: Kuniaki Ito,Takashi Wakutsu,Shuichi Sakurai,Yasufumi Tsumagari. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-30.

Memory system capable of controlling wireless communication function

Номер патента: US20190272228A1. Автор: Kuniaki Ito,Takashi Wakutsu,Shuichi Sakurai,Yasufumi Tsumagari. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-05.

Memory system and memory control method

Номер патента: US20160267966A1. Автор: Taku Ooneda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Memory systems and operating methods thereof

Номер патента: US12079085B2. Автор: Youxin He,Xianwu Luo,Jiangwei Shi. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Adaptive wear leveling for endurance compensation

Номер патента: US20240320077A1. Автор: Wei Wang,Zhenming Zhou,Charles See Yeung Kwong,Seungjune Jeon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory system with point-to point request interconnect

Номер патента: EP4451270A2. Автор: Frederick A. Ware,Richard E. Perego. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-10-23.

Memory system, memory controller and memory control method

Номер патента: US09852022B2. Автор: Daiki Watanabe,Ryo Yamaki,Yuma YOSHINAGA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Memory system capable of controlling wireless communication function

Номер патента: US09760483B2. Автор: Kuniaki Ito,Takashi Wakutsu,Shuichi Sakurai,Yasufumi Tsumagari. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Systems and methods for reordering packet transmissions in a scalable memory system protocol

Номер патента: US09600191B2. Автор: J. Thomas Pawlowski. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Memory system capable of controlling wireless communication function

Номер патента: US09501399B2. Автор: Kuniaki Ito,Takashi Wakutsu,Shuichi Sakurai,Yasufumi Tsumagari. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Memory devices, memory systems, and related operating methods

Номер патента: US09406359B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Hyun-Kook PARK,Yeong-Taek Lee,Chi-Weon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-02.

Apparatus and method for handling error in volatile memory of memory system

Номер патента: US20200226039A1. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-07-16.

Memory systems and operating methods thereof

Номер патента: US20240168849A1. Автор: Youxin He,Xianwu Luo,Jiangwei Shi. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Memory system

Номер патента: EP2248026A1. Автор: Junji Yano,Hidenori Matsuzaki,Kosuke Hatsuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-11-10.

Memory system

Номер патента: US20110185108A1. Автор: Junji Yano,Hidenori Matsuzaki,Kosuke Hatsuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-07-28.

Memory system

Номер патента: WO2009107505A1. Автор: Junji Yano,Hidenori Matsuzaki,Kosuke Hatsuda. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2009-09-03.

Method and apparatus for forcing idle cycles to enable refresh operations in a semiconductor memory

Номер патента: EP1374247A2. Автор: Wingyu Leung. Владелец: Monolithic System Technology Inc. Дата публикации: 2004-01-02.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200192759A1. Автор: Yong-Tae Kim,Duck-Hoi KOO,Soong-Sun SHIN,Nam Oh HWANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-06-18.

Memory system

Номер патента: US20240311232A1. Автор: Masahiro Saito,Kiwamu Watanabe,Yoshiki Takai,Yuko NODA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

DDR DIMM, memory system and operation method thereof

Номер патента: US12026050B2. Автор: Ming Huang,Liang Zhang. Владелец: Innosilicon Microelectronics Wuhan Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Memory system with adaptive refresh

Номер патента: US12038855B2. Автор: Jungwon Suh,Subbarao Palacharla,Shyamkumar Thoziyoor,Pankaj Deshmukh,Vishakh BALAKUNTALAM VISWESWARA. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Electronically moveable terminator and method for using same in a memory system

Номер патента: EP1226502A1. Автор: James A. Gasbarro. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2002-07-31.

Memory system with adaptive refresh

Номер патента: US20240311317A1. Автор: Jungwon Suh,Subbarao Palacharla,Shyamkumar Thoziyoor,Pankaj Deshmukh,Vishakh BALAKUNTALAM VISWESWARA. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Systems and methods for segmenting data structures in a memory system

Номер патента: US09690502B2. Автор: J. Thomas Pawlowski. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Memory modules with reduced rank loading and memory systems including same

Номер патента: US09542343B2. Автор: Jung-hwan Choi,In-Dal Song,Jeong-Kyoum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-10.

Memory devices, memory systems and methods of operating memory devices

Номер патента: US20200211671A1. Автор: Yong-Jun Lee,Tae-Hui Na,Chea-Ouk Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-02.

Semiconductor memory devices, memory systems and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20190229753A1. Автор: Sang-Uhn CHA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-25.

Memory system having improved signal integrity

Номер патента: US20110032740A1. Автор: Kwang-soo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-02-10.

Memory system and method

Номер патента: US20240320076A1. Автор: Hiroki Kobayashi,Hirokazu Nagashima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Systems and methods for transmitting packets in a scalable memory system protocol

Номер патента: US09733847B2. Автор: J. Thomas Pawlowski. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

System and method for providing a command buffer in a memory system

Номер патента: US09552175B2. Автор: Riccardo Badalone,Michael L. Takefman,Maher Amer. Владелец: Diablo Technologies Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Memory system and method of generating management information

Номер патента: US09450761B2. Автор: Masaki Saito,Kentaro Umesawa,Takeyuki Minamimoto,Masamitsu OHHASHI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Controlling method of a memory card

Номер патента: US20210026765A1. Автор: Kuniaki Ito,Takashi Wakutsu,Shuichi Sakurai,Yasufumi Tsumagari. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-01-28.

Controlling method of a memory card

Номер патента: US20240061771A1. Автор: Kuniaki Ito,Takashi Wakutsu,Shuichi Sakurai,Yasufumi Tsumagari. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Controlling method of a memory card

Номер патента: US12135641B2. Автор: Kuniaki Ito,Takashi Wakutsu,Shuichi Sakurai,Yasufumi Tsumagari. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-11-05.

Memory system

Номер патента: US09990246B2. Автор: Jun Zhu,Bill Nale,Murugasamy K. Nachimuthu,Tuan M. Quach. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Wear leveling for random access and ferroelectric memory

Номер патента: US20190392882A1. Автор: Daniele Vimercati,Richard E. Fackenthal,Duane R. Mills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-26.

Wear leveling for random access and ferroelectric memory

Номер патента: US20210264960A1. Автор: Daniele Vimercati,Richard E. Fackenthal,Duane R. Mills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-08-26.

Wear leveling for random access and ferroelectric memory

Номер патента: US20190066752A1. Автор: Daniele Vimercati,Richard E. Fackenthal,Duane R. Mills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Wear leveling for random access and ferroelectric memory

Номер патента: US10971203B2. Автор: Daniele Vimercati,Richard E. Fackenthal,Duane R. Mills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-06.

Wear leveling for random access and ferroelectric memory

Номер патента: WO2019046104A1. Автор: Daniele Vimercati,Richard E. Fackenthal,Duane R. Mills. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-03-07.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US9684352B2. Автор: Yeong Sik YI,Jong Ju PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Systems and methods for packing data in a scalable memory system protocol

Номер патента: US09747048B2. Автор: J. Thomas Pawlowski. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Operating method of flash memory system

Номер патента: US09639421B2. Автор: Dae-sung Kim,Jeong-Seok Ha,Su-Hwang JEONG. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2017-05-02.

Memory system and method of reading data thereof

Номер патента: US09478298B2. Автор: Heung-Soo Lim,Hyun-Ho Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-25.

Wear leveling for random access and ferroelectric memory

Номер патента: EP3676837A1. Автор: Daniele Vimercati,Richard E. Fackenthal,Duane R. Mills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-08.

Efficient data management for memory system error handling

Номер патента: US20240289236A1. Автор: Jonathan S. Parry,Jameer Mulani,Nitul Gohain. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory system and operation method thereof and power management module

Номер патента: US20240295916A1. Автор: MeiFa CHEN,Guiyuan Duan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Soft error detection in a memory system

Номер патента: US09823962B2. Автор: Andrew C. Russell. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Memory controller and flash memory system

Номер патента: US20210248034A1. Автор: Kenichi TAKUBO. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-08-12.

Logical counters for a memory system

Номер патента: US20240264904A1. Автор: Sai Krishna Mylavarapu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Cyclic redundancy check (crc) retry for memory systems in compute express link (cxl) devices

Номер патента: US20230259424A1. Автор: Marco Sforzin,Paolo Amato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Method and apparatus for detecting or correcting multi-bit errors in computer memory systems

Номер патента: US09703625B1. Автор: Steven Lee Shrader,Marc Greenberg. Владелец: Cadence Design Systems Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Preserving data integrity in a memory system

Номер патента: US09563501B2. Автор: Sean Eilert,Christopher Bueb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Enhanced performance memory systems and methods

Номер патента: WO2009032152A1. Автор: David K. Ovard,Roy E. Greeff. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2009-03-12.

Enhanced performance memory systems and methods

Номер патента: US9154131B2. Автор: David K. Ovard,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-10-06.

Enhanced performance memory systems and methods

Номер патента: US8400810B2. Автор: David K. Ovard,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-03-19.

Method for managing data stored in a page within a memory element

Номер патента: EP4390697A1. Автор: Thomas Eberhardt,Stéphanie Salgado. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2024-06-26.

Memory system, method of controlling memory system, and host system

Номер патента: US20230305986A1. Автор: Naoki Kimura,Nana Kawamoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Error tracking by a memory system

Номер патента: US20240248781A1. Автор: Sai Krishna Mylavarapu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory system and data processing system including the same

Номер патента: US12056027B2. Автор: Hyung-sup KIM,Eung-Bo SHIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Critical data management within a memory system

Номер патента: US20240281324A1. Автор: Deping He,Caixia Yang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Reset techniques for protocol layers of a memory system

Номер патента: US20240297928A1. Автор: Junjun Wang,Zhanqiang Su. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Memory system and data processing system including the same

Номер патента: US20240354210A1. Автор: Hyung-sup KIM,Eung-Bo SHIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Bus access controller, hardware engine, controller, and memory system

Номер патента: US09880952B2. Автор: Tetsuhiko Azuma. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Systems and methods for throttling packet transmission in a scalable memory system protocol

Номер патента: US09823864B2. Автор: J. Thomas Pawlowski. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Techniques for retiring blocks of a memory system

Номер патента: US20230049201A1. Автор: Jonathan S. Parry,Deping He,Chun Sum Yeung. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Remote Direct Memory Access in Multi-Tier Memory Systems

Номер патента: US20240272835A1. Автор: Samir Mittal,Gurpreet Anand,Anirban Ray,Parag R. Maharana. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory system related to clock synchronization

Номер патента: US20230305592A1. Автор: Sang Sic Yoon,Kyu Dong HWANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Signal monitoring by memory system

Номер патента: WO2024168574A1. Автор: Deping He,Huachen Li. Владелец: MICRON tECHNOLOGY , iNC.. Дата публикации: 2024-08-22.

Host apparatus and memory system

Номер патента: US12112061B2. Автор: Akihisa Fujimoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Techniques for retiring blocks of a memory system

Номер патента: US20240363185A1. Автор: Jonathan S. Parry,Deping He,Chun Sum Yeung. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Non-volatile memory system including a partial decoder and event detector for video streams

Номер патента: EP3681164A1. Автор: Ramanathan Muthiah. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-07-15.

Non-volatile memory system including a partial decoder and event detector for video streams

Номер патента: US20200228812A1. Автор: Ramanathan Muthiah. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-07-16.

Method and apparatus for reducing power dissipation in a precharge/discharge memory system

Номер патента: US5896335A. Автор: Nathan Elnathan,Jeffrey Van Myers. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-04-20.

Method for writing to multiple banks of a memory device

Номер патента: US20020027824A1. Автор: Jeffrey Wright,Timothy Cowles. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-07.

Method for writing to multiple banks of a memory device

Номер патента: US20030099142A1. Автор: Jeffrey Wright,Timothy Cowles. Владелец: Cowles Timothy B.. Дата публикации: 2003-05-29.

Voltage regulator in a non-volatile memory device

Номер патента: US20080089141A1. Автор: Prajit Nandi. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2008-04-17.

Apparatus and method for programming voltage protection in a non-volatile memory system

Номер патента: US6272048B1. Автор: Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-08-07.

Apparatus and method for programming voltage protection in a non-volatile memory system

Номер патента: US6438033B2. Автор: Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-08-20.

Apparatus and method for programming voltage protection in a non-volatile memory system

Номер патента: US6542408B2. Автор: Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-04-01.

Defective block isolation in a non-volatile memory system

Номер патента: CN101512669B. Автор: 蔡万刚,洛克·杜. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2013-03-06.

Flash memory and wear leveling method thereof

Номер патента: US20240265964A1. Автор: Masato Ono,Masaru Yano,Takehiro Kaminaga. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Systems and methods for counting program-erase cycles of a cell block in a memory system

Номер патента: US20220399064A1. Автор: Xiang Yang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-12-15.

Memory system

Номер патента: US20230223090A1. Автор: Masanobu Shirakawa,Marie Takada,Tsukasa TOKUTOMI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

Memory system

Номер патента: US12073890B2. Автор: Masanobu Shirakawa,Marie Takada,Tsukasa TOKUTOMI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Memory system and operating method of the memory system

Номер патента: US12073896B2. Автор: Moon Sik SEO,Gil Bok CHOI,Dae Hwan YUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Separate read and write address decoding in a memory system to support simultaneous memory read and write operations

Номер патента: SG11201901324QA. Автор: Manish Garg. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-04-29.

Media scan in memory systems

Номер патента: US20240371458A1. Автор: Bo Yu,Hua Tan,Xing Wang,Zhe Sun,Yaolong Gao,Fanya Bi. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Transient and stable state read operations of a memory device

Номер патента: US20240062829A1. Автор: Ugo Russo,Shyam Sunder Raghunathan,Karan Banerjee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Memory system and method of controlling memory system

Номер патента: US20200090742A1. Автор: Yasuhiko Kurosawa,Shingo Yanagawa,Ryo Sekiguchi,Eriko AKAIHATA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Method for adjusting programming/erasing time in memory system

Номер патента: US20080037348A1. Автор: PingFu Hsieh,KuoCheng Weng,LiangHung Wang,HsinFu Luo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-02-14.

Reduced transport energy in a memory system

Номер патента: US09875787B2. Автор: Frederick A. Ware,John Eric Linstadt,Thomas Vogelsang. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-01-23.

Packaging of high performance system topology for NAND memory systems

Номер патента: US09728526B2. Автор: Eugene Jinglun Tam. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-08.

Memory system and nonvolatile memory

Номер патента: US20200303018A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Kazutaka Takizawa,Masaaki Niijima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Separate read and write address decoding in a memory system to support simultaneous memory read and write operations

Номер патента: EP3523804A1. Автор: Manish Garg. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-08-14.

Memory module and memory system

Номер патента: US09990982B2. Автор: Hiroaki Ikeda,Yoshinori Matsui,Toshio Sugano. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2018-06-05.

Detecting data integrity in memory systems

Номер патента: US09984759B1. Автор: NaiPing Kuo,Yi-Chun Liu,Yuchih Yeh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Separate read and write address decoding in a memory system to support simultaneous memory read and write operations

Номер патента: US09870818B1. Автор: Manish Garg. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Memory system and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060239061A1. Автор: Shunichi Iwanari. Владелец: McDermott Will and Emery LLP. Дата публикации: 2006-10-26.

Memory system and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20070279960A1. Автор: Shunichi Iwanari. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-06.

Memory system and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20090016093A1. Автор: Shunichi Iwanari. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-15.

Control device and memory system

Номер патента: US20210295891A1. Автор: Yu-Chieh Chen,Liang-Hsiang Chiu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Memory test system with advance features for completed memory system

Номер патента: US20110302467A1. Автор: Chia-hao Lee,Ming-Chuan Huang. Владелец: Sunplus Technology Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-08.

System method and apparatus for screening a memory system

Номер патента: US09653180B1. Автор: Bhuvan Khurana,Niles Yang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-16.

Memory system, control method thereof, and program

Номер патента: US12033705B2. Автор: Yoshihisa Kojima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Memory system and control method

Номер патента: US20150364206A1. Автор: Yuichiro Mitani,Jiezhi Chen. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-12-17.

Semiconductor memory system and semiconductor memory chip

Номер патента: US20070047372A1. Автор: Paul Wallner,Peter Gregorius,Andre Schäfer. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-03-01.

Memory system

Номер патента: US20240274185A1. Автор: Naomi Takeda,Masanobu Shirakawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory system

Номер патента: EP4418272A1. Автор: Naomi Takeda,Masanobu Shirakawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-21.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US09653157B1. Автор: Ki-Sung Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Memory system and method of determining a failure in the memory system

Номер патента: US09412453B2. Автор: Yoon-hee Choi,Daeseok Byeon,Byunggil JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-09.

Address fault detection in a memory system

Номер патента: US20230162794A1. Автор: Hieu Van Tran. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-25.

Memory system and management method of characteristic information of semiconductor device

Номер патента: US20220005543A1. Автор: Junji Mori. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-01-06.

Address fault detection in a memory system

Номер патента: EP4413571A1. Автор: Hieu Van Tran. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-14.

Memory, programming method therefor and memory system

Номер патента: US12068035B2. Автор: Zhipeng DONG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Method for manufacturing memory system including a storage device

Номер патента: US12148469B2. Автор: Tadashi Miyakawa,Katsuhiko Hoya. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-11-19.

Managing trap-up in a memory system

Номер патента: US20240233842A1. Автор: Kenneth W. Marr,Ching-Huang Lu,Pitamber Shukla,Avinash Rajagiri,Chi Ming W. Chu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory system

Номер патента: US20090238023A1. Автор: Jui-Lung Chen,Chia-Chiuan Chang,Wei-Shung Chen,Yi-Hsun Chung. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2009-09-24.

Memory system and semiconductor memory device

Номер патента: US10797073B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-10-06.

Memory system

Номер патента: US09761325B1. Автор: Osamu Torii,Tokumasa Hara,Hironori Uchikawa,Juan Shi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Memory system and control method

Номер патента: US09601197B2. Автор: Shingo Akita,Takahiro Nango. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Memory system including nonvolatile memory and method of operating nonvolatile memory

Номер патента: US20140119108A1. Автор: Jung Hyuk Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-01.

Method and apparatus for connecting memory dies to form a memory system

Номер патента: US20130193582A1. Автор: Byoung Jin Choi. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2013-08-01.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US20150270005A1. Автор: Yoon-hee Choi,Daeseok Byeon,Byunggil JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-09-24.

Memory system having combined high density, low bandwidth and low density, high bandwidth memories

Номер патента: EP4432354A2. Автор: Farid Nemati,Sukalpa Biswas. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-09-18.

Memory device, memory system, and method of operating

Номер патента: EP4449417A1. Автор: Ke Liang,Zhipeng DONG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Time-based access of a memory cell

Номер патента: US11735244B2. Автор: Umberto Di Vincenzo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Memory device, memory system, and method for operating memory device

Номер патента: US09818493B2. Автор: Dong-Uk Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor memory device including dummy memory cells and memory system including the same

Номер патента: US09691490B2. Автор: Eun Seok Choi,Jung Seok Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Memory system and assembling method of memory system

Номер патента: US09620218B2. Автор: Yuji Nagai,Yoshikazu Takeyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Memory system including semiconductor memory device and program method thereof

Номер патента: US09564189B2. Автор: Ju Hyeon HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Memory system and refresh method

Номер патента: US20230307031A1. Автор: Rei Kasedo. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Apparatus and method for programming and verifying data in a nonvolatile memory device

Номер патента: US20240177773A1. Автор: Hyung Jin Choi,Gwi Han KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Mitigation of runaway programming of a memory device

Номер патента: US20100039863A1. Автор: Vishal Sarin,Frankie F. Roohparvar,Jonathan Pabustan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-02-18.

Systems and methods for writing and reading data stored in a polymer

Номер патента: US11600324B2. Автор: John Stuart Foster,Paul F. Predki. Владелец: Iridia Inc. Дата публикации: 2023-03-07.

Memory system controlling data erase for nonvolatile memory and control method for erasing data

Номер патента: US20180286485A1. Автор: Kazutaka Takizawa,Masaaki Niijima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Memory device and memory system

Номер патента: US20230057303A1. Автор: Hiroyuki Ishii,Yuji Nagai,Makoto Miakashi,Tomoko KAJIYAMA,Hayato Konno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-02-23.

Mitigation of runaway programming of a memory device

Номер патента: US20110096608A1. Автор: Vishal Sarin,Frankie F. Roohparvar,Jonathan Pabustan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-04-28.

Memory device and memory system with a self-refresh function

Номер патента: US12094514B2. Автор: Chih-Chiang LAI. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Brake pad wear level monitoring

Номер патента: US20220243778A1. Автор: Mark Duffy,Aditya Balasubramanian,Nevin R. Molyneaux,Nicholas J. Heeder,Nashiru Alhassan. Владелец: Sensata Technologies Inc. Дата публикации: 2022-08-04.

Brake pad wear level monitoring

Номер патента: EP4036432A1. Автор: Mark Duffy,Aditya Balasubramanian,Nevin Molyneaux,Nashiru Alhassan,Nicholas Heeder. Владелец: Sensata Technologies Inc. Дата публикации: 2022-08-03.

Apparatus and method for programming and verifying data in a non-volatile memory device

Номер патента: US20220328113A1. Автор: Jin Haeng Lee,Sung Hyun Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-13.

Memory device, memory system including the same and operating method thereof

Номер патента: US20240257886A1. Автор: Sung Yong Lim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Concurrent compensation in a memory system

Номер патента: US20240274720A1. Автор: Hiroshi Akamatsu,Kenji Yoshida,WonJun CHOI,Jacob Rice. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Method and apparatus for reducing the number of programmed bits in a memory array

Номер патента: US20030046481A1. Автор: Alexander Kushnarenko. Владелец: Tower Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2003-03-06.

Memory, memory system including the same and method for operating memory

Номер патента: US20150043292A1. Автор: Choung-Ki Song,Yo-Sep LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-02-12.

Hierarchical rom encoder system for performing address fault detection in a memory system

Номер патента: EP4413572A1. Автор: Xiaozhou QIAN,Yaohua Zhu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-14.

Memory system, semiconductor device and methods of operating the same

Номер патента: US09922687B2. Автор: Jee Yul KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Flash memory system using memory cell as source line pull down circuit

Номер патента: US09564238B1. Автор: Hieu Van Tran,Parviz Ghazavi,Kai Man Yue,Ning BAI,Qing Rao. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Memory system, semiconductor device and methods of operating the same

Номер патента: US09431076B2. Автор: Jee Yul KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Arrangement of memory devices in a multi-rank memory module

Номер патента: US09426916B1. Автор: Son H. Nguyen,Jayesh R. Bhakta. Владелец: Netlist Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Data Storage Device with Wear Level Identification

Номер патента: US20160148652A1. Автор: Tim Rausch,Jon D. Trantham,Mehmet F. Erden,Troy de Jongh. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2016-05-26.

Memory device and memory system for executing a test

Номер патента: US20220262448A1. Автор: Hyun Seung Kim,Hyeong Soo JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-08-18.

Memory systems with vertical integration

Номер патента: US20230282247A1. Автор: Yih Wang,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Jen-Yuan Chang,Chieh Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Row decoder and row address scheme in a memory system

Номер патента: WO2024210913A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Kha Nguyen,Hien Pham,Henry Tran. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2024-10-10.

Row decoder and row address scheme in a memory system

Номер патента: US20240339136A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Kha Nguyen,Hien Pham,Henry Tran. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Memory device, memory system, and method of operating the same

Номер патента: EP4437539A1. Автор: Yue Sheng,Weijun Wan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Memory system including plurality of DRAM devices operating selectively

Номер патента: US09792974B2. Автор: Jonghwan KIM,Daekyoung Kim,Byungchul KO,Taewoong HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor memory device, memory system including the same and operating method thereof

Номер патента: US09761287B2. Автор: Jin Su Park,Min gi HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor memory device, memory system including the same and operating method thereof

Номер патента: US09601169B2. Автор: Jin Su Park,Min gi HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor memory device, control method, and memory system

Номер патента: US09543033B1. Автор: Koichi Shinohara,Yoshikazu Takeyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Memory system, computer system and memory

Номер патента: US7949852B2. Автор: Shinji Tanaka. Владелец: MegaChips Corp. Дата публикации: 2011-05-24.

Multiple level program verify in a memory device

Номер патента: EP2427885A1. Автор: Deping He,Taehoon Kim,Jeffrey Alan Kessenich. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-03-14.

Method and memory system for writing in data

Номер патента: US20020136061A1. Автор: Helmut Schneider,Robert Kaiser,Florian Schamberger. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-26.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20050259492A1. Автор: Shinya Fujioka,Kotoku Sato. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-11-24.

Multi-communication device in a memory system

Номер патента: US09934830B2. Автор: Jongmin Park,Do-Han Kim,Tae-Kyeong Ko,Sungup Moon,Kyoyeon Won. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-03.

Threshold voltage compensation in a memory

Номер патента: US09520183B2. Автор: Vishal Sarin,Theodore T. Pekny,Violante Moschiano,Tommaso Vali,William Henry Radke,Giovanni Naso. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: US20210383848A1. Автор: Jangwoo Lee,KyungTae KANG,Byunghoon Jeong,Jeongdon Ihm. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-09.

Read circuit and memory system

Номер патента: US20240274166A1. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Shizuoka University NUC. Дата публикации: 2024-08-15.

Techniques and devices to reduce bus cross talk for memory systems

Номер патента: US20240321340A1. Автор: Martin Brox,Natalija Jovanovic,Milena Tsvetkova Ivanov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Techniques and devices to reduce bus cross talk for memory systems

Номер патента: WO2024205813A1. Автор: Martin Brox,Natalija Jovanovic,Milena Tsvetkova Ivanov. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory device, memory system, and method of operating the same

Номер патента: EP4437540A1. Автор: Yue Sheng,Weijun Wan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Apparatus, systems, and methods to operate a memory

Номер патента: US09972391B2. Автор: Mark Helm,Koji Sakui,Takehiro Hasegawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Nonvolatile memory device, nonvolatile memory system including the same, and method of operating the same

Номер патента: US09941014B2. Автор: Chulho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US09767920B2. Автор: Young-Il Kim,Hoi-Ju CHUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Adjustment method of signal level in semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09548090B2. Автор: Tomoyuki Yamada,Morimi Arita,Tomoya Tsuruta. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Memory system

Номер патента: US20160225441A1. Автор: Haruki Toda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-04.

Memory device, memory system including the same, and method of operating the memory system

Номер патента: US20190237144A1. Автор: Kwang Su Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

Reducing injection type of read disturb in a cold read of a memory device

Номер патента: WO2019147326A1. Автор: Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-08-01.

Memory controller and flash memory system

Номер патента: US20210249098A1. Автор: Kenichi TAKUBO. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-08-12.

Memory system

Номер патента: US09691474B2. Автор: Haruki Toda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Calibration device and memory system having the same

Номер патента: US09660647B2. Автор: Jenn-Gang Chern,Yukeun Sim. Владелец: SK Hynix Memory Solutions America Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Device selection schemes in multi chip package NAND flash memory system

Номер патента: US09524778B2. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Determining a wear level of a treatment head of a personal care device

Номер патента: WO2024088813A1. Автор: Jan Martijn Krans,Klaus Schaefers,Adithya VIJAYKUMAR. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS N.V.. Дата публикации: 2024-05-02.

Memory system packaging structure, and method for forming the same

Номер патента: EP4437588A1. Автор: Peng Chen,XinRu Zeng,Houde Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Three-dimensional memories, manufacturing methods thereof, and memory systems

Номер патента: US20240365544A1. Автор: Jie Yuan,Yali SONG,Quanshan Lv. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

3-dimensional non-volatile memory device, memory system including the same, and method of manufacturing the device

Номер патента: US20130161724A1. Автор: Dong Kee Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-27.

Determining a wear level of a treatment head of a personal care device

Номер патента: EP4360499A1. Автор: Jan Martijn Krans,Klaus Schaefers,Adithya VIJAYKUMAR. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2024-05-01.

Semiconductor package structure, fabrication method and memory system

Номер патента: US20240332269A1. Автор: Peng Chen,XinRu Zeng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory system

Номер патента: US12108064B2. Автор: Takashi Miura,Keiri NAKANISHI,Masato Sumiyoshi,Kohei Oikawa,Sho Kodama,Youhei Fukazawa,Daisuke Yashima,Zheye WANG. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Chip package devices and memory systems

Номер патента: US20240363588A1. Автор: Xuhui Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

FAILURE RECOVERY USING CONSENSUS REPLICATION IN A DISTRIBUTED FLASH MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20120011398A1. Автор: Eckhardt Andrew D.,Koster Michael J.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-12.

MEMORY CHANNEL SELECTION IN A MULTI-CHANNEL MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20130326158A1. Автор: Chen Lin,Chen Long. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2013-12-05.

FLATBAND VOLTAGE ADJUSTMENT IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001253A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MULTICASTING TRAFFIC MANAGER IN A NETWORK COMMUNICATIONS PROCESSOR ARCHITECTURE

Номер патента: US20120002546A1. Автор: Aulakh Shailendra,Sundararaman Balakrishnan,Sonnier David P.,Flood Rachel. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ARRANGEMENT FOR SENSING WEIGHT OF AN OCCUPYING ITEM IN A VEHICULAR SEAT

Номер патента: US20120001463A1. Автор: Breed David S.,Johnson Wendell C.,DuVall Wilbur E.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

FAVOR TRACKING IN A SOCIAL GAME ENVIRONMENT

Номер патента: US20120004038A1. Автор: Van Luchene Andrew. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Physical interface configuration buffer in a flash memory system

Номер патента: WO2024196515A1. Автор: Hung Vuong,Benish Babu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-09-26.

SYSTEM AND ASSOCIATED METHOD FOR PREVENTING OVERFILLING IN A DISHWASHER

Номер патента: US20120000535A1. Автор: Poyner Dennis A.,Mitchell Glen,Duckworth Jason,DeFilippi John,Francisco Virgil J.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Managing data placement for direct assigned virtual machines in a memory sub-system

Номер патента: WO2024197080A1. Автор: Luca Bert. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-09-26.

Recessed Access Device for a Memory

Номер патента: US20120001245A1. Автор: Beigel Kurt D.,Trivedi Jigish D.,Duesman Kevin G.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

CHARGE EQUILIBRIUM ACCELERATION IN A FLOATING GATE MEMORY DEVICE VIA A REVERSE FIELD PULSE

Номер патента: US20120002482A1. Автор: Kalavade Pranav,Franklin Nathan R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.