Semiconductor memory systems using regression analysis and read methods thereof.

Semiconductor memory systems using regression analysis and read methods thereof

Номер патента: US09552887B2
Опубликовано: 24-01-2017
Автор(ы): Changkyu Seol, Hong Rak Son, Jun Jin Kong, Kwanghoon Kim
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

NAND flash memory and reading method thereof

Номер патента: US09564236B2. Автор: Katsutoshi Suito. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09607698B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Analog sensing of memory cells with a source follower driver in a semiconductor memory device

Номер патента: US20130272070A1. Автор: Vishal Sarin,Jung-Sheng Hoei,Frankie F. Rooparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-10-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240290407A1. Автор: Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor memory device including peripheral circuit for performing program and read opeartions and operating method thereof

Номер патента: US09558794B2. Автор: Ho Seok Lee,Won Hee Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor memory device, control method, and memory system

Номер патента: US09543033B1. Автор: Koichi Shinohara,Yoshikazu Takeyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150357042A1. Автор: Kenji Sawamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-12-10.

Flash memory device having multi-level cell and reading and programming method thereof

Номер патента: US7254064B2. Автор: Yeong-Taek Lee,Dong-Hwan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-07.

Flash memory device having multi-level cell and reading and programming method thereof

Номер патента: US7489544B2. Автор: Yeong-Taek Lee,Dong-Hwan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-10.

Flash memory device having multi-level cell and reading and programming method thereof

Номер патента: US7035144B2. Автор: Yeong-Taek Lee,Dong-Hwan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-25.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20170263318A1. Автор: SANAD Bushnaq,Takayuki Akamine,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09767910B1. Автор: SANAD Bushnaq,Takayuki Akamine,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Non-volatile semiconductor memory with high reliability and data erasing method thereof

Номер патента: US09715935B2. Автор: Riichiro Shirota. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20240249782A1. Автор: Joonsuc Jang,Ji-Sang LEE,Minkyeong CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Flash memory system capable of operating in a random access mode and data reading method thereof

Номер патента: US7889555B2. Автор: Ki-Hong Kim,Byeong-Hoon Lee,Seung-Won Lee,Sun-Kwon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-02-15.

Semiconductor memory device and writing operation method thereof

Номер патента: US09911498B2. Автор: Masanobu Shirakawa,Kenta Yasufuku,Akira Yamaga. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09478301B1. Автор: Yoshikazu Harada,Masaki Yoshimura,Masanobu Shirakawa,Marie Takada,Kiichi Tachi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Memory system and operating method of the memory system

Номер патента: US12073896B2. Автор: Moon Sik SEO,Gil Bok CHOI,Dae Hwan YUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor memory device having memory strings coupled to bit lines and operating method thereof

Номер патента: US09899093B2. Автор: Jong Won Lee,Jin Su Park,Hyun Su WOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Memory system

Номер патента: US09721666B2. Автор: Masanobu Shirakawa,Kenta Yasufuku,Akira Yamaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09570178B2. Автор: Byoung In JOO,Byoung Young KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US12068045B2. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor memory device and reading method

Номер патента: US11978515B2. Автор: Riichiro Shirota,Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20160260483A1. Автор: Tokumasa Hara,Masanobu Shirakawa,Toshifumi Shano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-08.

Semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US8493788B2. Автор: Mitsuaki Honma,Yuko NAMIKI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-07-23.

Semiconductor memory medium and memory system

Номер патента: US11342026B2. Автор: Yoshihisa Kojima,Suguru NISHIKAWA,Takehiko Amaki,Shunichi IGAHARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-05-24.

Semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US20110216599A1. Автор: Mitsuaki Honma,Yuko NAMIKI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-08.

Non-volatile semiconductor memory device and memory system in which write operation is resumed after being suspended for an interrupt operation

Номер патента: US09583200B2. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09859011B1. Автор: Yoshikazu Harada,Yuko Utsunomiya,Kosuke Yanagidaira,Hayato Konno,Jiyun Nakai,Hiroe Kami. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Memory system in which controller acquires status of nonvolatile memory and control method thereof

Номер патента: US10998060B2. Автор: Takashi Kondo. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-05-04.

Semiconductor memory device performing program operation and operating method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20240265981A1. Автор: Yeong Jo MUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor memory device and verification method for input data

Номер патента: US20170256322A1. Автор: Hidemitsu Kojima. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

Memory system including a memory chip configured to receive an erase suspend command and a program suspend command from a controller chip

Номер патента: US09947411B2. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor memory device and verification method for input data

Номер патента: US09842656B2. Автор: Hidemitsu Kojima. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Memory system and operating method of the memory system

Номер патента: US20230307073A1. Автор: Moon Sik SEO,Gil Bok CHOI,Dae Hwan YUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12020753B2. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor memory device for performing program operation

Номер патента: US20240290393A1. Автор: Kang Woo Park,Yeong Jo MUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory system

Номер патента: US09548127B1. Автор: Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

NAND flash memory system storing multi-bit data and read/write control method thereof

Номер патента: US10714171B2. Автор: Manabu Tamiya,Yasuyuki Ushijima,Akihisa Ohta. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-07-14.

Solid state storage device and read table management method thereof

Номер патента: CN110767253B. Автор: 陈冠群,曾士家,郭俊纬,傅仁傑. Владелец: Jianxing Storage Technology Guangzhou Co ltd. Дата публикации: 2021-08-03.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09672914B1. Автор: Eun Young Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09607711B1. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Nonvolatile semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US9899095B2. Автор: Koji Hosono. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Non-volatile semiconductor memory device and a programming method thereof

Номер патента: US20110228610A1. Автор: Naoyuki Shigyo,Kunihiro Yamada,Hideto Horii,Michiru Hogyoku. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-09-22.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20130235671A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-12.

Non-volatile semiconductor memory device and improved verification and programming method for the same

Номер патента: US09646701B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09633732B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: US09583203B2. Автор: Young-Il Kim,Sung-Wook Choi,Sang-Sun Lee,Jung-Hoon HAM. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2017-02-28.

Multi-bit memory system with adaptive read voltage controller

Номер патента: US20210104282A1. Автор: Masanobu Shirakawa,Marie Takada,Tsukasa TOKUTOMI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-04-08.

Multi-bit memory system with adaptive read voltage controller

Номер патента: US20220270687A1. Автор: Masanobu Shirakawa,Marie Takada,Tsukasa TOKUTOMI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-25.

Multi-bit memory system with adaptive read voltage controller

Номер патента: US20190259459A1. Автор: Masanobu Shirakawa,Marie Takada,Tsukasa TOKUTOMI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-08-22.

Memory system

Номер патента: US20180277226A1. Автор: Masanobu Shirakawa,Marie Takada,Tsukasa TOKUTOMI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09564228B2. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Memory system and read method

Номер патента: US12062400B2. Автор: Yuki Komatsu,Katsuyuki Shimada,Shingo Yanagawa,Yasuyuki Ushijima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20160172048A1. Автор: Kyung Sik Mun,Moon Sik SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-16.

Memory system

Номер патента: US20210065771A1. Автор: Toshifumi Hashimoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor memory device which stores multilevel data

Номер патента: US20130286730A1. Автор: Noboru Shibata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-10-31.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11810624B2. Автор: Koji KATO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Semiconductor memory device for performing program operation

Номер патента: US20240312524A1. Автор: Hyung Jin Choi,In Gon YANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of searching read voltage of nonvolatile memory device using regression analysis and method of reading data from nonvolatile memory device using the same

Номер патента: US11961553B2. Автор: Wijik LEE,Kwanwoo NOH,Hyeonjong Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor memory device, memory system including the same, and operating method thereof

Номер патента: US9384846B1. Автор: Keon Soo Shim,Bong Yeol PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-05.

Memory system including semiconductor memory and controller capable of determining necessary shifted boundary read voltages in a short period of time

Номер патента: US12068044B2. Автор: Masanobu Shirakawa,Tsukasa TOKUTOMI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor memory and operating method thereof

Номер патента: US20210104281A1. Автор: Moon Sik SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-08.

Memory system and semiconductor memory device

Номер патента: US10797073B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-10-06.

Non-volatile semiconductor memory device and erasing method thereof

Номер патента: US09786376B2. Автор: Pin-Yao Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Non-volatile semiconductor memory device and erase method thereof

Номер патента: US09779830B2. Автор: Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor memory device having dummy word lines and operating method thereof

Номер патента: US09741408B2. Автор: Yeonghun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Non-volatile semiconductor memory device with multiple pass voltage and improved verification and programming operating method thereof

Номер патента: US09761313B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20230282276A1. Автор: Noboru Shibata,Tokumasa Hara. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09990998B2. Автор: Noboru OOIKE,Go SHIKATA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09911499B2. Автор: Kenichi Abe,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09853040B2. Автор: Tsutomu Tezuka,Tomoya Kawai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor memory device and data write method thereof

Номер патента: US09754662B2. Автор: Yukio Komatsu. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09704570B2. Автор: Kenichi Abe,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US09484106B2. Автор: Katsuaki Matsui. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Non-volatile semiconductor memory device and writing method thereof

Номер патента: US09424934B2. Автор: Mathias Yves Gilbert BAYLE. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor memory device, memory system including the same, and operating method thereof

Номер патента: US20150187420A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-07-02.

Method of controlling a semiconductor memory including memory cells and a word line

Номер патента: US11682464B2. Автор: Masanobu Shirakawa,Tsukasa TOKUTOMI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-06-20.

Method of controlling a semiconductor memory including memory cells and a word line

Номер патента: US20230274784A1. Автор: Masanobu Shirakawa,Tsukasa TOKUTOMI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20210327532A1. Автор: Jong Wook Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09997248B2. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09899098B1. Автор: Mizuki Kaneko,Junji Musha. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09543022B2. Автор: Yusuke Umezawa,Toshifumi Hashimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20210366551A1. Автор: Jong Hoon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor memory device and control method of semiconductor memory device

Номер патента: US20190267097A1. Автор: Tomoya Sanuki,Yusuke Higashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-08-29.

Non-volatile semiconductor memory device adapted to store a multi-valued data in a single memory cell

Номер патента: US09990987B2. Автор: Jian Chen,Tomoharu Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Control circuit, peripheral circuit, semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09859008B1. Автор: Da U Ni Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Non-volatile semiconductor memory device adapted to store a multi-valued data in a single memory cell

Номер патента: US09734899B2. Автор: Jian Chen,Tomoharu Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor memory device having memory strings including drain-side and source-side memory cells connected to pipe transistor and peripheral circuit suitable for applying pipe gate voltage to pipe transistor during read operation

Номер патента: US09558827B2. Автор: Kyung Sik Mun,Moon Sik SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Non-volatile semiconductor memory adapted to store a multi-valued data in a single memory cell

Номер патента: US09508422B2. Автор: Jian Chen,Tomoharu Tanaka. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09454999B2. Автор: Han Soo Joo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor memory device and data erasing method

Номер патента: US9355731B2. Автор: Kenichi Abe,Masanobu Shirakawa,Hidehiro Shiga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20230410913A1. Автор: Kazutaka IKEGAMI,Reiko SUMI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Charge trap-type 3-level non-volatile semiconductor memory device and method of driving the same

Номер патента: US20070030756A1. Автор: Jung-Dal Choi,Ki-tae Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-02-08.

Semiconductor memory device, memory system having the same, and method of operating the same

Номер патента: US09490015B2. Автор: Jum Soo Kim,Jung Ryul Ahn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Memory system

Номер патента: US20230223090A1. Автор: Masanobu Shirakawa,Marie Takada,Tsukasa TOKUTOMI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

Memory system

Номер патента: US12073890B2. Автор: Masanobu Shirakawa,Marie Takada,Tsukasa TOKUTOMI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20160055913A1. Автор: Hee Youl Lee,Kyung Sik Mun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-02-25.

Semiconductor memory device which includes memory cell having charge accumulation layer and control gate

Номер патента: US20100296345A1. Автор: Hiroshi Maejima,Makoto Hamada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-25.

Non-volatile semiconductor memory device and reading method for non-volatile semiconductor memory device that includes charging of data latch input node prior to latching of sensed data

Номер патента: US09543029B2. Автор: Takuyo Kodama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09710328B2. Автор: Hyung-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09620221B1. Автор: Myeong Cheol SON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Memory system

Номер патента: US20220068402A1. Автор: Hideki Yamada,Masanobu Shirakawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor memory device and controlling method thereof

Номер патента: US09589651B1. Автор: Muneyuki TSUDA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20240321382A1. Автор: Junji Yamada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor memory device, memory system having the same and operating method thereof

Номер патента: US09508438B2. Автор: Min Kyu Lee,Chi Wook An. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor memory device including multi-level cell and programming method thereof

Номер патента: US09859014B2. Автор: Sung Ho Kim,Min Sang Park,Gil Bok CHOI,Kyong Taek LEE,Yun Bong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Memory system including semiconductor memory device and program method thereof

Номер патента: US09564189B2. Автор: Ju Hyeon HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Memory system including semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09607699B2. Автор: Tae Hoon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor memory device, memory system including the same and operating method thereof

Номер патента: US20150155041A1. Автор: Min Kyu Lee,Chi Wook An. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-04.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09640269B2. Автор: Yasushi Nakajima,Hideaki Yamamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor memory device that varies voltage levels depending on which of different memory regions thereof is accessed

Номер патента: US09852786B2. Автор: Kazutaka Takizawa,Masaaki Niijima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor memory device, memory system including the same and operating method thereof

Номер патента: US09761287B2. Автор: Jin Su Park,Min gi HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor memory device, memory system including the same and operating method thereof

Номер патента: US09601169B2. Автор: Jin Su Park,Min gi HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor memory device, memory system including the same and operating method thereof

Номер патента: US20170032829A1. Автор: Jin Su Park,Min gi HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-02.

Memory system

Номер патента: US20240284668A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Riki SUZUKI,Toshikatsu Hida,Takehiko Amaki,Shohei Asami,Marie Grace Izabelle Angeles Sia. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor memory device with memory cell having charge accumulation layer and control gate and memory system

Номер патента: US20100271876A1. Автор: Tomoji Takada,Hidetaka Tsuji. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-10-28.

Semiconductor memory device with memory cell having charge accumulation layer and control gate and memory system

Номер патента: US20090010057A1. Автор: Tomoji Takada,Hidetaka Tsuji. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-08.

Non-volatile semiconductor memory and erasing method thereof

Номер патента: US09870828B2. Автор: Riichiro Shirota,Katsutoshi Suito. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor memory device including three-dimensional array structure and memory system including the same

Номер патента: US09767906B2. Автор: Jung Ryul Ahn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Flash memory system

Номер патента: US09779804B2. Автор: Hong Beom Pyeon,Jin-Ki Kim,Hakjune Oh. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Flash memory system

Номер патента: US09524783B2. Автор: Hong Beom Pyeon,Jin-Ki Kim,Hakjune Oh. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Non-volatile semiconductor memory device having a memory cell capable of establishing multi-level information and data writing method thereof

Номер патента: KR100281668B1. Автор: 도시오 다께시마. Владелец: 닛본 덴기 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2001-02-15.

Semiconductor memory device having source areas of memory cells supplied with a common voltage

Номер патента: US20020031009A1. Автор: Toshiro Futatsugi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-03-14.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20220199168A1. Автор: Yusuke Umezawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-06-23.

Semiconductor memory device to selectively perform a single sensing operation or a multi-sensing operation

Номер патента: US09570190B2. Автор: Ka Young CHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Self-management memory system and operating method thereof

Номер патента: US20170329703A1. Автор: Yungcheng LO. Владелец: SK Hynix Memory Solutions America Inc. Дата публикации: 2017-11-16.

Self-management memory system and operating method thereof

Номер патента: US20190384702A1. Автор: Yungcheng LO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-12-19.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240257876A1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US12075617B2. Автор: Toshiyuki Kanaya. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

A semiconductor memory device with mos transistors, each including a floating gate and a control gate, control method thereof and a memory card including the same

Номер патента: KR100677802B1. Автор: 노조미 가사이,다꾸야 후지모또,요시하루 히라따. Владелец: 가부시끼가이샤 도시바. Дата публикации: 2007-02-02.

SOLID STATE STORAGE DEVICE AND READ TABLE MANAGEMENT METHOD THEREOF

Номер патента: US20200035307A1. Автор: CHEN Kuan-Chun,KUO CHUN-WEI,ZENG Shih-Jia,FU Jen-Chien. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-30.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09478304B2. Автор: Dong Wook Lee,Myung Su KIM,Hwang Huh,Min Sang Park,Sung Hoon Cho,Sang Jo Lee,Gil Bok CHOI,Suk Kwang PARK,Yun Bong Lee,Chang Jin SUNWOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09552883B1. Автор: SUNG Wook Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor memory device including three-dimensional array structure

Номер патента: US09633731B2. Автор: Jung Ryul Ahn,Yun Kyoung Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor memory device improving threshold voltage of unselected memory block and operating method thereof

Номер патента: US09466372B2. Автор: Chi Wook An. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20160148690A1. Автор: Chi Wook An. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-26.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09704587B1. Автор: Eun Young Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09824758B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09741437B2. Автор: Min Kyu Lee,Kyoung Hoon LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09627071B2. Автор: Min Kyu Lee,Kyoung Hoon LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor memory device including three-dimensional memory cell array structure and operating method thereof

Номер патента: US09520198B2. Автор: Eun Seok Choi,Jung Seok Oh,Se Kyoung Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09576665B2. Автор: Hiroshi Sukegawa,Takayuki Akamine,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Method for erasing and verifying nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US5400287A. Автор: Keisuke Fuchigami. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-03-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240304257A1. Автор: Hidehiro Shiga,Yuki Inuzuka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240321359A1. Автор: Yoichi MINEMURA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor memory device tunnel insulating layers included in the plurality of memory cells having different thicknesses according to distances of the plurality of memory cells from the X-decoder

Номер патента: US09646698B2. Автор: Yeonghun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20170200504A1. Автор: Eun Young Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-13.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20160284410A1. Автор: Yeonghun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-29.

Memory system

Номер патента: US20170301402A1. Автор: Katsuhiko Ueki,Yoshihisa Kojima,Makoto Kuribara. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-19.

Memory system

Номер патента: US09711240B2. Автор: Katsuhiko Ueki,Yoshihisa Kojima,Makoto Kuribara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Memory system, semiconductor device and methods of operating the same

Номер патента: US09922687B2. Автор: Jee Yul KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Memory system, semiconductor device and methods of operating the same

Номер патента: US09431076B2. Автор: Jee Yul KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20230307050A1. Автор: Ryota Suzuki,Kenta Yamada,Keisuke SUDA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Multi-level type nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20020145161A1. Автор: Yasuo Sato,Hirotomo Miura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-10.

STORAGE DEVICE, MEMORY SYSTEM, AND READ VOLTAGE DECISION METHOD THEREOF

Номер патента: US20180108422A1. Автор: LEE Heewon,Lee Donggi,RO SEUNGKYUNG,OH Hyunkyo,KWON SEONGNAM,KIM OAK-HA. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-19.

Memory system

Номер патента: US20210295931A1. Автор: Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Memory system

Номер патента: US11322210B2. Автор: Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-05-03.

Semiconductor memory apparatus and operating method thereof, and semiconductor memory system

Номер патента: US20210391020A1. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09524793B1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050270845A1. Автор: Keita Takahashi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-08.

Memory system and controller

Номер патента: US9478293B2. Автор: Toshihiro Suzuki,Masanobu Shirakawa,Tetsufumi YANAGIDA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor memory system

Номер патента: US20020196662A1. Автор: Luigi Pascucci. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-12-26.

Memory, and erasing method, programming method and reading method thereof

Номер патента: US9396801B1. Автор: Guangjun Yang. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Semiconductor memory device including dummy memory cells and memory system including the same

Номер патента: US09691490B2. Автор: Eun Seok Choi,Jung Seok Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US09502126B1. Автор: Dong Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09466376B1. Автор: Hee Youl Lee,Hyun Seung Yoo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09478261B1. Автор: Seung Hwan Baek,Sung Yong Lim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20170062058A1. Автор: Kosuke Yanagidaira,Shouichi Ozaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-02.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09570182B1. Автор: Kosuke Yanagidaira,Shouichi Ozaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor memory device outputting status signal and operating method thereof

Номер патента: US09424901B1. Автор: Chi Wook An,Ju Yeab Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Memory system and read reclaim method thereof

Номер патента: US09672104B2. Автор: Bong-Gwan Seol,Hwan-Chung Kim,Young Woo Jung,Eunju Park,Kyoungkuy Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Three-dimensional semiconductor devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US09601204B2. Автор: Youngwoo Park,Jintaek Park,Jaeduk LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

Memory system and read reclaim method thereof

Номер патента: US09431117B2. Автор: Bong-Gwan Seol,Hwan-Chung Kim,Young Woo Jung,Eunju Park,Kyoungkuy Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200006381A1. Автор: Shinya Arai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230413562A1. Автор: Shinya Arai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20230317816A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Non-volatile semiconductor memory device, electronic card using the same and electronic apparatus

Номер патента: US20060077712A1. Автор: Atsushi Inoue,Tomoharu Tanaka,Takeaki Sato,Khandker Quader,Hiroyuki Dohmae. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-04-13.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20240321360A1. Автор: Masaru Koyanagi,Yasuhiro HIRASHIMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor memory device and method of verifying the same

Номер патента: US20080123428A1. Автор: Makoto Senoo,Kazunari Kido,Yoshihiro Tsukidate,Shunichi Toyama. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-29.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20230307359A1. Автор: Tadayoshi Watanabe,Kouji Matsuo. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Nonvolatile semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US20100008143A1. Автор: Akira Umezawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-14.

Semiconductor memory device and method for writing data into the semiconductor memory device

Номер патента: US20070064499A1. Автор: Thomas Kern,Luca Ambroggi. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-03-22.

Method of fabricating a three-dimensional semiconductor memory device having a plurality of memory blocks on a peripheral logic structure

Номер патента: US09837429B2. Автор: Youngwoo Park,Shinhwan Kang,Jaeduk LEE,Yunghwan Son,Jaesung SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09780170B2. Автор: Tsutomu Tezuka,Daisuke Matsushita,Tomoya Kawai,Kensuke Ota,Toshifumi Irisawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor memory device, controller, and method of operating the semiconductor memory device and controller

Номер патента: US20230317183A1. Автор: Byoung Sung You. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor memory device, semiconductor device, and data write method

Номер патента: US7570522B2. Автор: Tokumasa Hara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-08-04.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US09515087B2. Автор: Youngwoo Park,Shinhwan Kang,Jaeduk LEE,Yunghwan Son,Jaesung SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor memory and operating method thereof

Номер патента: US11798624B2. Автор: Kyung Min Kim,Dong Uk Lee,Hae Chang Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200183776A1. Автор: Dong Kyu Kim,Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-06-11.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20200176033A1. Автор: Fumitaka Arai,Keiji Hosotani,Keisuke Nakatsuka. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-06-04.

Memory system including test circuit

Номер патента: US09959937B2. Автор: Tetsuya Iwata,Shinya Takeda,Mikio Takasugi,Yoshio Furuyama,Shunsuke KODERA,Toshihiko KITAZUME,Kenichirou KADA,Nobuhiro Tsuji,Hirosuke NARAI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09627069B1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor memory device and production method thereof

Номер патента: US20160247571A1. Автор: Hideto Takekida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-25.

Semiconductor memory device detecting defect, and operating method thereof

Номер патента: US12100463B2. Автор: Sangwan Nam,KeeHo JUNG,Bongkil Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor memory

Номер патента: US20020041534A1. Автор: Giovanni Campardo,Rino Micheloni,Roberto Gastaldi,Giulio Casagrande,Paolo Cappelletti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-04-11.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US09412454B2. Автор: Kunihiro Yamada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20100246256A1. Автор: Kenji Sawamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-09-30.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20130234222A1. Автор: Naoki Yasuda,Masaaki Higuchi,Katsuyuki Sekine,Masao Shingu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240221833A1. Автор: SUNG Wook Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Controller, semiconductor memory system and operating method thereof

Номер патента: US09778980B2. Автор: Do-Hun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Techniques for reducing disturbance in a semiconductor memory device

Номер патента: US20140056090A1. Автор: David Kim,Jungtae Kwon,Sunil Bhardwaj. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-02-27.

Techniques for reducing disturbance in a semiconductor memory device

Номер патента: US09812179B2. Автор: David Kim,Jungtae Kwon,Sunil Bhardwaj. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor memory device having selective ECC function

Номер патента: US09646718B2. Автор: Jong-Wook Park,Ki-Won Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor memory device, memory system including the same, and operating method thereof

Номер патента: US09754677B2. Автор: Jong Won Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor storage device having nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US09946472B2. Автор: Takashi Tsunehiro,Akifumi Suzuki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor memory device, memory system including the same, and operating method thereof

Номер патента: US20160224440A1. Автор: Jong Won Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-04.

Memory system performing read of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09767913B2. Автор: Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09748260B2. Автор: Akihiro Nitayama,Masaru Kito,Mitsuru Sato,Yasuyuki Matsuoka,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09530467B1. Автор: Jin Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Memory system

Номер патента: US20240282389A1. Автор: Hiroyuki Nagashima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US20200273528A1. Автор: Dae Seok Byeon,Young Sun Min,Young Ho Na. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-27.

Controller controlling semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09542269B1. Автор: Se Chun Park,Young Dong Roh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor memory device that determines a deterioration level of memory cells and an operation method thereof

Номер патента: US20170169895A1. Автор: Yoshiki Terabayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09972397B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor memory device that determines a deterioration level of memory cells and an operation method thereof

Номер патента: US09786381B2. Автор: Yoshiki Terabayashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Operating method of semiconductor memory device, controller, and memory system having the same

Номер патента: US11550495B2. Автор: Ju Hee Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-01-10.

Nonvolatile semiconductor memory and programming methods thereof

Номер патента: US20030178669A1. Автор: Yuichi Kunori. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2003-09-25.

Semiconductor memory device outputting status fail signal and operating method thereof

Номер патента: US09959938B2. Автор: Chan Woo Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09449697B2. Автор: Masaru Yano,Pin-Yao Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor memory device and test method thereof

Номер патента: US20040223384A1. Автор: Kenichi Imamiya,Koichi Kawai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-11-11.

Semiconductor memory device and test method thereof

Номер патента: US20050213402A1. Автор: Kenichi Imamiya,Koichi Kawai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-09-29.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070076482A1. Автор: Juri Kato. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-04-05.

Controller for storing performance information based on test operation result, operating method thereof and computing system including the same

Номер патента: US12039185B2. Автор: Jeong Ho Jeon,Kang Rak KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Storage device and read methods thereof

Номер патента: US09836219B2. Автор: Yoon Kim,Kyungryun Kim,Sangyong Yoon,Kyehyun Kyung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-05.

Nonvolatile semiconductor memory and a fabrication method thereof

Номер патента: US20060131638A1. Автор: Atsuhiro Sato,Makoto Sakuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-06-22.

Nonvolatile semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09792983B2. Автор: Masaru Koyanagi,Yasuhiro HIRASHIMA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor memory device, method of operating the same and memory system including the same

Номер патента: US09466345B2. Автор: Se Kyoung Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor memory having volatile and multi-bit non-volatile functionality and method of operating

Номер патента: US09928910B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor memory having volatile and multi-bit non-volatile functionality and method of operating

Номер патента: US09646693B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Non-volatile semiconductor memory cell with control gate and floating gate and select gate located above the channel

Номер патента: US5859455A. Автор: Shih-Chiang Yu. Владелец: Individual. Дата публикации: 1999-01-12.

Semiconductor memory devices and a method thereof

Номер патента: US20080151635A1. Автор: Dae-Han Kim,Sang-Kug Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-06-26.

Ldpc decoder, semiconductor memory system, and operating method thereof

Номер патента: US20200136653A1. Автор: Dae-sung Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-04-30.

Semiconductor memory device

Номер патента: US8797777B2. Автор: Yoshihisa Iwata,Tomoo Hishida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-05.

Semiconductor memory and method of operating semiconductor memory

Номер патента: EP1059673A3. Автор: Hideharu Nagasawa,Takashi Hiroshima,Hideaki Fujiwara,Shoji Sudo. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-14.

Method of controlling a semiconductor memory device

Номер патента: US09929173B2. Автор: Fumihiro Kono. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor memory device with a three-dimensional stacked memory cell structure

Номер патента: US09576968B2. Автор: Yoshihisa Iwata,Tomoo Hishida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US8228737B2. Автор: Ryouhei Kirisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-24.

Nonvolatile Semiconductor Memory Device

Номер патента: US20100149875A1. Автор: Yoshiki Kawajiri,Natsuo Ajika,Masaaki Mihara,Shoji Shukuri. Владелец: Genusion Inc. Дата публикации: 2010-06-17.

Non-volatile semiconductor memory device and fabricating method thereof

Номер патента: US6809966B2. Автор: Hung-Jin Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2004-10-26.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240138150A1. Автор: Akihiro Nitayama,Masaru Kito,Mitsuru Sato,Yasuyuki Matsuoka,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Non-volatile semiconductor memory device having multiple different sized floating gates

Номер патента: US6188102B1. Автор: Masaru Tsukiji. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-02-13.

Process for producing semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: US20020036316A1. Автор: MASUOKA Fujio,Kenichi Tanaka,Hiroaki Shimizu,Yoshihisa Wada,Takuji Tanigami. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-28.

Semiconductor memory device and portable electronic apparatus

Номер патента: US20050002240A1. Автор: Hiroshi Iwata,Akihide Shibata,Masaru Nawaki,Koji Hamaguchi,Yoshinao Morikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-01-06.

Semiconductor memory device with a stacked gate including a floating gate and a control gate

Номер патента: US20070020852A1. Автор: Akira Umezawa,Kazuhiko Kakizoe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-25.

Semiconductor memory device including capacitor

Номер патента: EP3823022A3. Автор: Dong Ku Kang,Chan Ho Kim,Bong Soon LIM,Kyung Hwa YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-14.

Semiconductor memory apparatus and method for outputting data

Номер патента: US20020005547A1. Автор: Kenji Hibino. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-01-17.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US9252289B2. Автор: Ayako Inoue,Kazuhiro Tsumura. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2016-02-02.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US20100080065A1. Автор: Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Jun Fujiki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-04-01.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20190325969A1. Автор: JiMan Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Semiconductor memory, memory system and method of controlling semiconductor memory

Номер патента: US20160064061A1. Автор: Naoki Shimizu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-03-03.

Semiconductor memory, memory system and method of controlling semiconductor memory

Номер патента: US09443571B2. Автор: Naoki Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Nonvolatile semiconductor memory capable of generating read-mode reference current and verify-mode reference current from the same reference cell

Номер патента: US20040062072A1. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-01.

Semiconductor memory device for preventing mal-operation induced by misrecognizing addresses/data as commands and operating method thereof

Номер патента: US7944763B2. Автор: Ji-Hyae Bae. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-05-17.

Semiconductor memory device capable of controlling a floating state of adjacent word lines and an operating method thereof

Номер патента: US12124702B2. Автор: Hyunkook Park,Sara Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor memory and semiconductor system using the same

Номер патента: US09804914B2. Автор: Min Jeong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Stack type semiconductor memory and semiconductor system using the same

Номер патента: US09773569B2. Автор: Ki Hun KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor memory and semiconductor system using the same

Номер патента: US20170084311A1. Автор: Min Jeong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-23.

Semiconductor memory apparatus and system using the same

Номер патента: US9659609B2. Автор: Yun Gi Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor memory apparatus and system using the same

Номер патента: US20150287446A1. Автор: Yun Gi Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-10-08.

One time programmable (otp) memory array and read and write method thereof

Номер патента: US20230124460A1. Автор: Jack Zezhong Peng,Junhua Mao. Владелец: Chengdu Kiloway Electronics Co ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

One time programmable (OTP) memory array and read and write method thereof

Номер патента: US11990193B2. Автор: Jack Zezhong Peng,Junhua Mao. Владелец: Chengdu Kiloway Electronics Co ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09472297B2. Автор: Sang Oh Lim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20230352099A1. Автор: Koji KATO,Yuki Shimizu,Shuhei Oketa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09836216B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Controller, semiconductor memory system, data storage system and operating method thereof

Номер патента: US09680504B2. Автор: Jae-Bum Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Memory system

Номер патента: US20200089565A1. Автор: Teruo Takagiwa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Memory system

Номер патента: US20180081542A1. Автор: Masanobu Shirakawa,Kenji Sakurada,Hitoshi Shiga. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-22.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20030030087A1. Автор: Makoto Ooi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-02-13.

Precharge control signal generator and semiconductor memory device therewith

Номер патента: US09437314B2. Автор: Hyun-Jin Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor memory devices that support enhanced data recovery operations

Номер патента: US20240071545A1. Автор: Dae-won Kim,Kyungduk Lee,Seungjun Oh,Youn-Soo CHEON,Seong Geon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Source line high voltage driver circuit with improved reliability and read performance

Номер патента: US20030117756A1. Автор: Yue-Der Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2003-06-26.

Semiconductor memory apparatus optimized for setting operation parameter and operating parameter setting method thereof

Номер патента: US09489993B2. Автор: Eun Kyu IN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor memory device

Номер патента: US8503214B2. Автор: Yasuo Kobayashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-08-06.

Semiconductor memory apparatus, operation method of the semiconductor memory apparatus and system including the semiconductor memory apparatus

Номер патента: US20200058350A1. Автор: Dong Keun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-02-20.

Resistive semiconductor memory capable of performing incremental step pulse programming (ISPP) based on digital code values of memory cells

Номер патента: US09548114B2. Автор: Jongmin Baek,Keewon Kwon,Dongjin Seo. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2017-01-17.

Controller, semiconductor memory system and operating method thereof

Номер патента: US20160328287A1. Автор: Do-Hun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-10.

Semiconductor memory device, controller and memory system having the same

Номер патента: US20210294503A1. Автор: Hyo Jae Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor memory device, and read method and read circuit for the same

Номер патента: US20080008007A1. Автор: Toshiki Mori. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-01-10.

Semiconductor memory device having bit line pre-charge unit separated from data register

Номер патента: US20090180331A1. Автор: Shigekazu Yamada. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-07-16.

Management of write-protected data in a semiconductor memory

Номер патента: US09437312B2. Автор: Donald Ray Bryant-Rich,Tal Sagy. Владелец: Sandisk IL Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor memory, memory system, and operation method of semiconductor memory

Номер патента: TWI313003B. Автор: Hiroyuki Kobayashi. Владелец: Fujitsu Microelectronics Ltd. Дата публикации: 2009-08-01.

Semiconductor memory, memory system and refresh method of semiconductor memory

Номер патента: EP1833057B1. Автор: Hiroyuki Kobayashi. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-08-19.

Semiconductor memory device capable of data processing speed and efficiency of data pin and read-write control method thereof

Номер патента: KR100287188B1. Автор: 이정배,김건태. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-04-16.

Semiconductor memory device capable of improving data processing speed and data input / output pin efficiency, and read / write control method thereof

Номер патента: JP3839638B2. Автор: 健兌金,禎培李. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-11-01.

Memory device based on domain wall memory and reading and writing method thereof, and apparatus for digital signal processing using the same

Номер патента: US09691460B2. Автор: Jin-Il Chung,Jongsun Park. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2017-06-27.

Memory systems and methods for dynamically phase adjusting a write strobe and data to account for receive-clock drift

Номер патента: US09431090B2. Автор: Frederick A. Ware. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2016-08-30.

SEMICONDUCTOR MEMORY, MEMORY SYSTEM AND METHOD OF CONTROLLING SEMICONDUCTOR MEMORY

Номер патента: US20160064061A1. Автор: SHIMIZU Naoki. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-03.

Semiconductor memory, memory system, and operation method of memory system

Номер патента: US7483331B2. Автор: Toshiya Uchida. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-01-27.

Semiconductor memory, memory system, and operation method of memory system

Номер патента: KR100869984B1. Автор: 토시야 우치다. Владелец: 후지쯔 마이크로일렉트로닉스 가부시키가이샤. Дата публикации: 2008-11-21.

Memory device based on domain wall memory and reading and writing method thereof, and apparatus for digital signal processing using the same

Номер патента: US20170103793A1. Автор: Jin-Il Chung,Jongsun Park. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2017-04-13.

Static random access memory circuit and read/write operation method thereof

Номер патента: US20230215492A1. Автор: Chung-chieh Chen,Shuo-Hong Hung,Bing-Chen Wu. Владелец: Upbeat Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-06.

Memory device based on domain wall memory and reading and writing method thereof, and apparatus for digital signal processing using the same

Ferroelectric random access memory(fram) device, and read and write method thereof

Номер патента: KR100290281B1. Автор: 홍성철,임규남,이귀로. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-05-15.

MRAM circuit using grinding reference unit and reading and writing method thereof

Номер патента: CN110097904B. Автор: 郭一民,王春林,戴瑾. Владелец: Shanghai Information Technologies Co ltd. Дата публикации: 2022-02-22.

Semiconductor storage device, nonvolatile semiconductor memory test method, and medium

Номер патента: US20130159814A1. Автор: Daisuke Hashimoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-20.

Semiconductor storage device, nonvolatile semiconductor memory test method, and medium

Номер патента: US20130332802A1. Автор: Daisuke Hashimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-12-12.

Semiconductor memory system including reed-solomon low density parity check decoder and read method thereof

Номер патента: KR102058499B1. Автор: 김남식,이한호,황성인. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2020-01-22.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120241828A1. Автор: Seung Hyun Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-09-27.

SEMICONDUCTOR MEMORY, MEMORY SYSTEM, AND OPERATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20140185396A1. Автор: KWEAN Ki-Chang,BYUN Hee-Jin. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2014-07-03.

Semiconductor memory device and system using semiconductor memory device

Номер патента: US20090254784A1. Автор: Hideaki Arima,Masatoshi Sonoda,Yuujirou Shimizu. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-10-08.

SEMICONDUCTOR MEMORY AND SEMICONDUCTOR SYSTEM USING THE SAME

Номер патента: US20170084311A1. Автор: Kim Min Jeong. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-23.

Semiconductor memory and semiconductor system using the same

Номер патента: KR102236572B1. Автор: 김지환. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2021-04-07.

Semiconductor memory, memory system, and method of controlling the same

Номер патента: US20130215692A1. Автор: Sang Sic Yoon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-08-22.

Semiconductor memory, memory system, and method of controlling the same

Номер патента: US20130227240A1. Автор: Sang Sic Yoon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-08-29.

STACK TYPE SEMICONDUCTOR MEMORY AND SEMICONDUCTOR SYSTEM USING THE SAME

Номер патента: US20170133103A1. Автор: KWON Ki Hun. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-11.

Semiconductor memory, memory system and control method the same

Номер патента: KR101038994B1. Автор: 윤상식. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-06-03.

Semiconductor memory, memory system, and method of controlling the same

Номер патента: CN102054525B. Автор: 尹相植. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2015-06-17.

Semiconductor memory, memory system, and method of controlling the same

Номер патента: US8429370B2. Автор: Sang Sic Yoon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-04-23.

Semiconductor memory device having column direction data in-out line and fail cell reparing circuit and method thereof

Номер патента: KR100252053B1. Автор: 문병식,경계현. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-05-01.

Anti-fuse memory cell circuit, array circuit and reading and writing method thereof

Номер патента: US11887682B2. Автор: Xin Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

SEMICONDUCTOR MEMORY APPARATUS AND SYSTEM USING THE SAME

Номер патента: US20150287446A1. Автор: HONG Yun Gi. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-08.

Architectures and Layouts for an Array Of Resistive Random Access Memory Cells and Read and Write Methods Thereof

Номер патента: US20190080753A1. Автор: Tran Hieu Van,Ly Anh,Vu Thuan,Zhou Feng,Do Nhan,Liu Xian,Hong Stanley. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-14.

Anti-fuse memory cell circuit, array circuit and reading and writing method thereof

Номер патента: US20220122680A1. Автор: Xin Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Magnetic semiconductor memory and the reading method using spin-polarized electron beam

Номер патента: US6912148B2. Автор: Eric C. Hannah,Michael A. Brown. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-06-28.

Semiconductor memory device and manufacturing method and read/write method therefor, and electronic device and memory circuit

Номер патента: EP4395490A1. Автор: Chao Zhao,Zhengyong Zhu,Guilei Wang,BokMoon Kang. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US09767920B2. Автор: Young-Il Kim,Hoi-Ju CHUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Memory access method and semiconductor memory device

Номер патента: US20090296498A1. Автор: Hiroshi Nakadai. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-12-03.

Integrated semiconductor memory with determination of a chip temperature

Номер патента: US7440349B2. Автор: Georg Braun,Aaron Nygren. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-10-21.

Integrated semiconductor memory with determination of a chip temperature

Номер патента: US20070133329A1. Автор: Georg Braun,Aaron Nygren. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-06-14.

Memory systems that adjust an auto-refresh operation responsive to a self-refresh operation history

Номер патента: US09767050B2. Автор: Kwang-Il Park,Tae-Young Oh,Su-yeon Doo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor memory device and writing method thereof

Номер патента: US20240347103A1. Автор: Hsi-Yuan Wang,Ying-Te Tu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor memory systems with on-die data buffering

Номер патента: US20240345971A1. Автор: Frederick A. Ware,Suresh Rajan,Mohammad Hekmat,Amir Amirkhany,Dinesh Patil. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor memory systems with on-die data buffering

Номер патента: US09501433B2. Автор: Frederick A. Ware,Suresh Rajan,Mohammad Hekmat,Amir Amirkhany,Dinesh Patil. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: EP1750272A3. Автор: Syusuke Iwata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-23.

Semiconductor memory device that can stably perform writing and reading without increasing current consumption even with a low power supply voltage

Номер патента: US09767893B2. Автор: Hiroshi Makino,Koichiro Ishibashi,Shigeki Obayashi,Hirofumi Shinohara,Koji Nii. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Volatile semicondcutor memory device, refresh control circuit and method thereof

Номер патента: US09653142B1. Автор: Yuji Kihara. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor memory device that can stably perform writing and reading without increasing current consumption even with a low power supply voltage

Номер патента: US09496028B2. Автор: Hiroshi Makino,Koichiro Ishibashi,Shigeki Obayashi,Hirofumi Shinohara,Koji Nii. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Memory system and method of operating the same

Номер патента: US12079488B2. Автор: Kwanho KIM,Jehyun PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor memory device that controls refresh period, memory system and operating method thereof

Номер патента: US09490001B2. Автор: Cheol Kim,Jung-Sik Kim,Sang-Ho Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US12027194B2. Автор: Seungki HONG,Geuntae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240282365A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor memory device with reduced chip area

Номер патента: US5724291A. Автор: Tatsuya Matano. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-03-03.

Semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US09842641B2. Автор: Nak-Kyu Park,Sun-Hye Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor memory devices, memory systems including the same and method of correcting errors in the same

Номер патента: US09786387B2. Автор: Kwang-Il Park,Seong-Jin Jang,Jong-Pil Son,Hoi-Ju CHUNG,Sang-Uhn CHA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US09640245B2. Автор: Nak-Kyu Park,Sun-Hye Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor memory device and memory system including same

Номер патента: US09607678B2. Автор: Seung Hoon Oh,Jong Ho Lee,Tae Young Oh,Kwang Il Park,Su Yeon Doo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor memory device controlling refresh cycle, memory system, and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US09490004B2. Автор: In-Chul Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Read operation circuit, semiconductor memory, and read operation method

Номер патента: US20210249055A1. Автор: Liang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-08-12.

Semiconductor memory device and driving method thereof

Номер патента: US20050249004A1. Автор: Ju-Young Seo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-11-10.

Ferroelectric-type nonvolatile semiconductor memory and operation method thereof

Номер патента: US20050174832A1. Автор: Toshiyuki Nishihara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-08-11.

Semiconductor memory device for performing remaining bank refresh operation and refresh method thereof

Номер патента: US20240233802A9. Автор: Jongpil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor memory device for performing remaining bank refresh operation and refresh method thereof

Номер патента: US20240135982A1. Автор: Jongpil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US12118221B2. Автор: Taeyoung Oh,Kyungho Lee,Jongcheol Kim,Kiheung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Electronic device having increased read margin by compensating for sneak current and operating method thereof

Номер патента: US09830986B2. Автор: Hyun-Sik Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor memory device, memory system and access method to semiconductor memory device

Номер патента: US09633705B2. Автор: Yoshihiro Ueda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor memory devices, memory systems including refresh control circuit and method of performing weak refresh operation on the weak pages thereof

Номер патента: US09620193B2. Автор: Jong-Hyun Choi,Dong-yang Lee,Jae-Yeon Choi,Sang-Kyu Kang,Doo-Hee Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor memory device, semiconductor memory system and method for controlling self refresh cycle thereof

Номер патента: US09564207B2. Автор: Kwi-Dong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09508458B2. Автор: Sung-Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor memory device with dummy memory mat and refresh operating method thereof

Номер патента: US09472259B2. Автор: Ga-Ram Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: US09396818B2. Автор: Choung-Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-19.

Read operation circuit, semiconductor memory, and read operation method

Номер патента: US11928067B2. Автор: Liang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Read operation circuit, semiconductor memory, and read operation method

Номер патента: US11880597B2. Автор: Liang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20180190366A1. Автор: Jung-Ho LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-07-05.

Controller and operating method thereof

Номер патента: US20190206457A1. Автор: Byoung Jun PARK,Seong Jo Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-07-04.

Semiconductor memory device and weak cell detection method thereof

Номер патента: US09824776B1. Автор: Youk-Hee Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor memory devices, memory systems including the same and methods of operating the same

Номер патента: US09805827B2. Автор: Chul-woo Park,Seong-Jin Jang,Jong-Pil Son,Hoi-Ju CHUNG,Sang-Uhn CHA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor memory device

Номер патента: US5440511A. Автор: Hiroshi Yamamoto,Takashi Horii,Kiyonori Ogura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1995-08-08.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US09552867B2. Автор: Chul-woo Park,Kwang-Il Park,Uk-Song KANG,Young-Soo Sohn,Hak-soo Yu,Jae-Youn Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-24.

Bit-line sense amplifier, semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US09449670B2. Автор: Jung-Bae Lee,Hyung-Sik You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-20.

Memory systems and methods of managing failed memory cells of semiconductor memories

Номер патента: US09330791B2. Автор: Sangyeun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-03.

Read operation circuit, semiconductor memory and read operation method

Номер патента: EP3893241A1. Автор: Liang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-10-13.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20120014191A1. Автор: Tomoaki Yabe,Azuma Suzuki,Fumihiko Tachibana. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-01-19.

Methods of operating semiconductor memory devices and semiconductor memory devices

Номер патента: US20190172512A1. Автор: Ki-Seok OH,Seong-Hwan Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-06.

Semiconductor memory device capable of reading data of signature fuse through normal read operation and method of reading data of signature fuse in semiconductor memory device through normal read operation

Номер патента: US20040151048A1. Автор: Sung-Bum Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-08-05.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US12080334B2. Автор: Taeyoung Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor memory devices, memory systems including the same and methods of operating the same

Номер патента: US09953702B2. Автор: Jong-Pil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Refresh control circuit for target refresh operation of semiconductor memory device, and operating method thereof

Номер патента: US09953696B2. Автор: Jung-Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor memory system including semiconductor memory device for performing refresh operation

Номер патента: US09830984B2. Автор: Jung-Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US09792978B2. Автор: Ho-young Song,Jong-Pil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor memory device for performing refresh operation and semiconductor memory system including the same

Номер патента: US09508415B2. Автор: Jung-Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09455024B1. Автор: Toshiaki DOZAKA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US4409678A. Автор: Yoshihiro Takemae,Fumio Baba. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1983-10-11.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US20230307022A1. Автор: Youngdon CHOI,Junghwan Choi,Hojun Yoon,Youngchul Cho,Changsik YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20050259492A1. Автор: Shinya Fujioka,Kotoku Sato. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-11-24.

Echo clock generating circuit of semiconductor memory device and method thereof

Номер патента: US6353575B2. Автор: Kwang-Jin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-03-05.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09741455B1. Автор: Mun-Phil Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor memory and memory system

Номер патента: US09741406B2. Автор: Kazutaka KIKUCHI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09691469B2. Автор: Seung-chan Kim,Hyeng-Ouk Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor memory device and refresh control method thereof

Номер патента: US09672889B2. Автор: Sung-Soo Chi,Sung-Yub LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor memory device and testing method thereof

Номер патента: US09583215B2. Автор: Hoiju CHUNG,Yonghwan JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor memory

Номер патента: RU2643629C2. Автор: Наоки СИМИДЗУ. Владелец: Тосиба Мемори Корпорейшн. Дата публикации: 2018-02-02.

Semiconductor memory device for providing burst mode control signal, device comprising plural serial transition registers

Номер патента: US6023177A. Автор: Chul-Min Jung,Eun-cheol Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-02-08.

Semiconductor memory device, operational processing device and storage system

Номер патента: US20080225622A1. Автор: Hideto Hidaka. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-09-18.

Semiconductor memory, test method of semiconductor memory and system

Номер патента: US20090040850A1. Автор: Kaoru Mori,Toshikazu Nakamura,Jun Ohno,Masaki Okuda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-02-12.

Method and apparatus for forcing idle cycles to enable refresh operations in a semiconductor memory

Номер патента: EP1374247A2. Автор: Wingyu Leung. Владелец: Monolithic System Technology Inc. Дата публикации: 2004-01-02.

Semiconductor memory device

Номер патента: US9401385B2. Автор: Yongkyu Lee,Keemoon Chun,BoYoung Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-26.

Method of Operating Semiconductor Memory Device with Floating Body Transistor Using Silicon Controlled Rectifier Principle

Номер патента: US20210257365A1. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2021-08-19.

Semiconductor memory devices with open bitline architectures and methods of controlling the bitlines of such semiconductor memory devices

Номер патента: US20070047350A1. Автор: Ji-hoon Park,Chang-Yeong Jeong,Sung-Wan Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-01.

Method of operating semiconductor memory device with floating body transisor using silicon controlled rectifier principle

Номер патента: US09960166B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor memory devices and methods of operating the same

Номер патента: US09905288B2. Автор: Seung-Woo Ryu,Sang-Kyu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Method of operating semiconductor memory device with floating body transistor using silicon controlled rectifier principle

Номер патента: US09761589B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor memory device, method of performing a refresh for semiconductor memory device and refresh counter in semiconductor memory device

Номер патента: US09601179B2. Автор: Young-Yong Byun,Whi-Young Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

Method of operating semiconductor memory device with floating body transistor using silicon controlled rectifier principle

Номер патента: US09484082B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor memory device and method for refreshing memory cells

Номер патента: US09466351B2. Автор: In Chul JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09401385B2. Автор: Yongkyu Lee,Keemoon Chun,BoYoung Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-26.

Semiconductor memory apparatus, operating method thereof, and semiconductor memory system including the same

Номер патента: US11804258B2. Автор: Yo Sep Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Semiconductor memory apparatus, operating method thereof, and semiconductor memory system including the same

Номер патента: US20230040958A1. Автор: Yo Sep Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-02-09.

Semiconductor memory and method for operating a semiconductor memory

Номер патента: US7944725B2. Автор: Michael Otto,Helmut Schneider,Roland Thewes. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2011-05-17.

Semiconductor memory device for reducing data read time difference between memory banks

Номер патента: US11983413B2. Автор: Jae Jin Lee. Владелец: FIDELIX Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Integrated circuit memory devices having efficient row hammer management and memory systems including the same

Номер патента: US20240233798A9. Автор: Kijun Lee,Sunghye CHO,Myungkyu Lee,Kyomin Sohn,Eunae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor memory device including cell isolation structure using inactive transistors

Номер патента: US8022499B2. Автор: Sang Min Hwang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-09-20.

Semiconductor memory device and driving method thereof

Номер патента: US20120294097A1. Автор: Jin-Hong An,Myoung-Jin Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-22.

Semiconductor memory device and driving method thereof

Номер патента: US20080002514A1. Автор: Kwang-Myoung Rho,Young-Hoon Oh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-01-03.

Semiconductor memory device and driving method thereof

Номер патента: US7746723B2. Автор: Kwang-Myoung Rho,Young-Hoon Oh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-06-29.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20210257019A1. Автор: Jungho LIM,Nogeun Joo,Byeongchan Choi,Jeongtae HWANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-19.

Semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US12009048B2. Автор: Sanghak Shin,Woongdai KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-11.

Non-volatile semiconductor memory device and its reading method

Номер патента: US20100080054A1. Автор: Keiko Abe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-04-01.

Semiconductor memory device and driving method thereof

Номер патента: US20120314525A1. Автор: Jin-Hong An,Myoung-Jin Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-12-13.

Semiconductor memory device and driving method thereof

Номер патента: USRE44632E1. Автор: Kwang-Myoung Rho,Young-Hoon Oh. Владелец: 658868 N B Inc. Дата публикации: 2013-12-10.

Sense amplifier and driving method thereof, and semiconductor memory device having the sense amplifier

Номер патента: US20100302878A1. Автор: Hee Bok Kang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-02.

Semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US20240282346A1. Автор: Sanghak Shin,Woongdai KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor memory devices including a discharge circuit

Номер патента: US20140101395A1. Автор: Jae Ho Park,Jong Hoon Jung,Gyu Hong Kim,Tae Joong Song,Gi Young Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-04-10.

Semiconductor memory device and method for operating semiconductor memory device

Номер патента: US7898835B2. Автор: Kotaro Kashiwa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-03-01.

Semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US20230139579A1. Автор: Sanghak Shin,Woongdai KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-04.

Semiconductor memory device, method of manufacturing semiconductor memory device and method of writing data into semiconductor memory device

Номер патента: US20100046271A1. Автор: Yuki Yamada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-02-25.

Semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US20240339150A1. Автор: Takuya Kadowaki. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor memory device including a sense amplifier on a semiconductor substrate, a memory cell including a capacitor and a transistor including conductive lines electrically connected to the sense amplifier

Номер патента: US09806082B2. Автор: Yoshihiro Ueda,Tsutomu Tezuka,Keiji Ikeda,Chika Tanaka,Toshinori Numata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Circuit for driving sense amplifier of semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09620197B1. Автор: Young-Seok Park,Soo-bong Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US09412431B2. Автор: Jung-Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US09396809B2. Автор: Choung-Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-19.

Integrated semiconductor memory

Номер патента: US20050117442A1. Автор: Michael Sommer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-06-02.

Semiconductor memory of the dynamic random access type (DRAM) and method for actuating a memory cell

Номер патента: US20010028597A1. Автор: HELMUT Fischer,Thoralf Grätz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2001-10-11.

Integrated semiconductor memory and method for operating an integrated semiconductor memory

Номер патента: US7471584B2. Автор: Jens Christoph Egerer. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-12-30.

Dynamic type semiconductor memory apparatus

Номер патента: US20050213395A1. Автор: Masaru Koyanagi,Mikihiko Ito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-09-29.

Semiconductor memory device for reducing data read time difference between memory banks

Номер патента: US20230266882A1. Автор: Jae Jin Lee. Владелец: FIDELIX Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Refresh method capable of reducing memory cell access time in semiconductor memory device

Номер патента: US20020141269A1. Автор: Jong-Yul Park,Seong-kue Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-10-03.

Semiconductor memory integrated device having a precharge circuit with thin-film transistors gated by a voltage higher than a power supply voltage

Номер патента: US20130279281A1. Автор: Hiroyuki Takahashi,Tetsuo FUKUSHI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-10-24.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20220050748A1. Автор: Junhyung Kim,Sungchul Park,Yesin RYU,Kiheung KIM,HyunGi Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor memory device having output driver for high frequency operation

Номер патента: US20040004893A1. Автор: Dong-Su Lee,Ki-whan Song,Ho-sung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-01-08.

Semiconductor memory integrated device having a precharge circuit with thin-film transistors gated by a voltage higher than a power supply voltage

Номер патента: US20140119145A1. Автор: Hiroyuki Takahashi,Tetsuo FUKUSHI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-05-01.

Semiconductor memory device and control device for semiconductor memory device

Номер патента: US20230154532A1. Автор: Satoru Araki,Hiroshi Yoshida,Toshimasa Namekawa,Etsuo Fukuda,Tetsuo Endoh. Владелец: Power Spin Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

Semiconductor Memory Devices Including Redundancy Memory Cells

Номер патента: US20160247553A1. Автор: Sang-Bo Lee,Sang-joon Hwang,Sung-Min Seo,Yun-Young Lee,Kyo-Min Sohn,Nak-Won Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-25.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20230223095A1. Автор: Junhyung Kim,Sungchul Park,Sanguhn CHA,Kiheung KIM,Hyojin JUNG,Kyungsoo Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor memory device

Номер патента: US7433257B2. Автор: Yoshinobu Yamagami. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-07.

Semiconductor memory device with substrate voltage biasing

Номер патента: IE50955B1. Автор: . Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1986-08-20.

Semiconductor memory device and method for operating semiconductor memory device

Номер патента: US20080320215A1. Автор: Kotaro Kashiwa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-12-25.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US12136463B2. Автор: Junhyung Kim,Sungchul Park,Sanguhn CHA,Kiheung KIM,Hyojin JUNG,Kyungsoo Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor memory device capable of reducing peak current with respect to external power in multi-memory die structures

Номер патента: US09990979B2. Автор: Minsang PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor memory devices including redundancy memory cells

Номер патента: US09858981B2. Автор: Sang-Bo Lee,Sang-joon Hwang,Sung-Min Seo,Yun-Young Lee,Kyo-Min Sohn,Nak-Won Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Dual-port semiconductor memory and first in first out (FIFO) memory having electrically floating body transistor

Номер патента: US09812456B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor memory having both volatile and non-volatile functionality

Номер патента: US09761311B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US12148494B2. Автор: Junhyung Kim,Sungchul Park,Sanguhn CHA,Kiheung KIM,Hyojin JUNG,Kyung-Soo Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-19.

Techniques for providing a direct injection semiconductor memory device

Номер патента: US09679612B2. Автор: Eric Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Collision detection systems for detecting read-write collisions in memory systems after word line activation, and related systems and methods

Номер патента: US09666269B2. Автор: Manish Garg,Joshua Lance Puckett,Rahul Krishnakumar Nadkarni,Harish Shankar. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Dual-port semiconductor memory and first in first out (FIFO) memory having electrically floating body transistor

Номер патента: US09589963B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor memory device, method of controlling read preamble signal thereof, and data transmission system

Номер патента: US09576640B2. Автор: Atsuo Koshizuka. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor memory devices including redundancy memory cells

Номер патента: US09524770B2. Автор: Sang-Bo Lee,Sang-joon Hwang,Sung-Min Seo,Yun-Young Lee,Kyo-Min Sohn,Nak-Won Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor memory having both volatile and non-volatile functionality and method of operating

Номер патента: US09460790B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor memory device and method of controlling semiconductor memory device

Номер патента: US09406366B2. Автор: Masaki Aoki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Write and read control circuit for semiconductor memories

Номер патента: US4272811A. Автор: Thomas S. Wong. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1981-06-09.

Input/output line sense amplifiers and/or input/output line drivers in semiconductor memory devices and methods of operating such devices

Номер патента: US20050068833A1. Автор: Jung-hwan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-03-31.

Semiconductor memory apparatus

Номер патента: US20200381038A1. Автор: Chang Ki Baek,Joon Woo CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Reduced leakage dram memory cells with vertically oriented nanorods and manufacturing methods thereof

Номер патента: WO2008036371A2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Chandra Mouli. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2008-03-27.

Semiconductor memory device and refresh control method

Номер патента: US20100246304A1. Автор: Gen Koshita. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2010-09-30.

Semiconductor memory and method for operating a semiconductor memory

Номер патента: US7936628B2. Автор: Helmut Schneider,Roland Thewes. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2011-05-03.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20080159037A1. Автор: Jong-Cheol Lee,Myeong-o Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-03.

Static type semiconductor memory device

Номер патента: IE54486B1. Автор: . Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1989-10-25.

Multi-channel semiconductor memory device and method of refreshing the same

Номер патента: US20110007594A1. Автор: Ho-Young Kim,Woo-pyo Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-01-13.

Semiconductor memory device

Номер патента: EP1619690A3. Автор: Hitoshi Ikeda,Shinya Fujioka,Masato Matsumiya. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-10-17.

Semiconductor memory

Номер патента: WO2020094072A1. Автор: Weibing SHANG,Kangling JI. Владелец: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2020-05-14.

Memory cell and semiconductor memory device having thereof memory cell

Номер патента: US20090059655A1. Автор: Shinobu Asayama. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-03-05.

Semiconductor Memory and Method for Operating a Semiconductor Memory

Номер патента: US20090040803A1. Автор: Helmut Schneider,Roland Thewes. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-02-12.

Method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US8624313B2. Автор: Kazuhiko Kajigaya. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2014-01-07.

Semiconductor memory device

Номер патента: US8611174B2. Автор: Hiroyuki Imoto. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-12-17.

Techniques for controlling a direct injection semiconductor memory device

Номер патента: US20120176845A1. Автор: Eric Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-07-12.

Techniques for refreshing a semiconductor memory device

Номер патента: WO2011140033A2. Автор: Yogesh Luthra. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2011-11-10.

Semiconductor memory device and refresh control method

Номер патента: US7760572B2. Автор: Gen Koshita. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2010-07-20.

Semiconductor memory apparatus

Номер патента: US20180047441A1. Автор: Ho Seok EM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-15.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20120155209A1. Автор: Hiroyuki Imoto. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-06-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20080056036A1. Автор: Jong-Won Lee,Sung-Kwon Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-03-06.

Integrated semiconductor memory device

Номер патента: US20070211552A1. Автор: Simon Muff. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-09-13.

Apparatus and method for detecting leakage current of semiconductor memory device, and internal voltage generating circuit using the same

Номер патента: US20080219061A1. Автор: Yoon-Jae Shin,Jun-Gi Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-09-11.

Semiconductor memory device having a short reset time

Номер патента: US20080186792A1. Автор: Kwun-Soo Cheon,Byong-Wook Na. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-08-07.

Device and method generating internal voltage in semiconductor memory device

Номер патента: US20090207674A1. Автор: Doo-Young Kim,Soo-bong Chang,Jung-Im Huh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-08-20.

Semiconductor memory devices having hierarchical bit-line structures

Номер патента: US20100124135A1. Автор: Jin-Young Kim,Ki-whan Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-05-20.

Device and method generating internal voltage in semiconductor memory device

Номер патента: US20110090746A1. Автор: Doo-Young Kim,Soo-bong Chang,Jung-Im Huh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-04-21.

Semiconductor memory unit

Номер патента: US20030056042A1. Автор: Takeo Miki,Takeshi Hamamoto,Mikio Asakura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-03-20.

Semiconductor memory system and method for the transfer of write and read data signals in a semiconductor memory system

Номер патента: US20060104132A1. Автор: Dominique Savignac,Christian Sichert,Paul Wallner,Peter Gregorius,Hermann Ruckerbauer. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2006-05-18.

Semiconductor memory device and method for reading the same using a memory cell array including resistive memory cells to perform a single read command

Номер патента: US09424916B2. Автор: Jongmin Baek,Keewon Kwon,Dongjin Seo. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor memory device, semiconductor system and reading method

Номер патента: US09953170B2. Автор: Takehiro Kaminaga. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20170287564A1. Автор: Byoung Jun PARK,Seong Jo Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-05.

Memory system using schottky diodes to reduce load capacitance

Номер патента: US5699541A. Автор: Kenichi Kurosawa,Michio Morioka,Shin Kokura,Tetsuaki Nakamikawa,Sakou Ishikawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1997-12-16.

Memory system and method of controlling the same

Номер патента: US7596048B2. Автор: Yohei Kamiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-09-29.

Read operation circuit, semiconductor memory, and read operation method

Номер патента: US11762579B2. Автор: Liang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Composite semiconductor memory device with error correction

Номер патента: EP2550661A1. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2013-01-30.

Semiconductor memory device and method for reading data therefrom

Номер патента: US5459692A. Автор: Yasuhiro Shin,Hidetaka Kodama. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1995-10-17.

Read operation circuit, semiconductor memory, and read operation method

Номер патента: US20210247925A1. Автор: Liang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-08-12.

Memory system

Номер патента: US20180081575A1. Автор: Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-22.

Semiconductor memory system having a data clock system for reliable high-speed data transfers

Номер патента: US20030137893A1. Автор: Louis Hsu,Jeremy Stephens,Li-Kong Wang,Daniel Storaska. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-07-24.

Read operation circuit, semiconductor memory, and read operation method

Номер патента: EP3926631A1. Автор: Liang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-22.

Method for detecting resistive bridge defects in the global data bus of semiconductor memories

Номер патента: EP1728254A1. Автор: Mohamed Azimane,Ananta Majhi. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-12-06.

Method for detecting resistive bridge defects in the global data bus of semiconductor memories

Номер патента: WO2005088643A1. Автор: Mohamed Azimane,Ananta Majhi. Владелец: U.S. Philips Corporation. Дата публикации: 2005-09-22.

Controller, semiconductor memory system and operating method thereof

Номер патента: US20180341543A1. Автор: Dae-sung Kim,Jeong-Seok Ha,Su-Hwang JEONG. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2018-11-29.

Semiconductor memory apparatus and testing method thereof

Номер патента: US20240282397A1. Автор: Shao-Ching Liao,Chien-Min Wu,Kuang-Chih Hsieh. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor memory device, memory system having semiconductor memory device, and method for testing memory system

Номер патента: US7634697B2. Автор: Jin-Soo Park,Dong-Jun Kim,Kae-Won Ha,Keun-Soo Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-12-15.

Memory system for controlling semiconductor memory devices through plurality of channels

Номер патента: US09841916B2. Автор: Sung Yeob Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Test method of semiconductor memory device and semiconductor memory system transferring fail address data from a volatile to a non-volatile memory array using an error-correction code engine

Номер патента: US9747998B2. Автор: Sua Kim,Sung Hyun Lee,Hak-soo Yu,Jun Hee Yoo,Chulwoo PARK,Jaeyoun Youn,Hyojin Choi,Dongsoo Kang,Jinsu JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Memory system and method for operating the same

Номер патента: US20190138392A1. Автор: Yong Il JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-05-09.

Memory system and method of operating memory system

Номер патента: US20240241646A1. Автор: Hyunseok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Memory system

Номер патента: US11086573B2. Автор: Masanobu Shirakawa,Marie Takada,Tsukasa TOKUTOMI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-08-10.

Semiconductor memory system and semiconductor memory chip

Номер патента: US20070047372A1. Автор: Paul Wallner,Peter Gregorius,Andre Schäfer. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-03-01.

Semiconductor memory device in which a BIT line pair having a high load is electrically separated from a sense amplifier

Номер патента: US6118718A. Автор: Yoshikazu Yabe. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-09-12.

Semiconductor memory device and its testing method

Номер патента: US20030058730A1. Автор: Katsushige Hayashi,Takanobu Suzuki,Tamaki Tsuruda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-03-27.

Memory system

Номер патента: US20240005969A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Shohei Asami. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20100277968A1. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-04.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20170052737A1. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-23.

Semiconductor memory device and method thereof

Номер патента: US20080165596A1. Автор: Chang-yong Lee,Won-kyung Chung,Kwun-Soo Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-10.

Semiconductor memory device and arrangement method thereof

Номер патента: US20080013397A1. Автор: Chul-woo Park,Sung-Hoon Kim,Jung-Bae Lee,Hyuk-joon Kwon,Youn-Sik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-17.

Semiconductor memory device and arrangement method thereof

Номер патента: US20080013357A1. Автор: Chul-woo Park,Sung-Hoon Kim,Jung-Bae Lee,Hyuk-joon Kwon,Youn-Sik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-17.

Semiconductor memory device and arrangement method thereof

Номер патента: US7679985B2. Автор: Chul-woo Park,Sung-Hoon Kim,Jung-Bae Lee,Hyuk-joon Kwon,Youn-Sik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-03-16.

Semiconductor memory system and method of repairing the semiconductor memory system

Номер патента: US20190303253A1. Автор: Jung Hyun Kwon,Wongyu SHIN,Seunggyu JEONG,Do Sun HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-03.

Method of fabricating a semiconductor memory having an address decoder

Номер патента: US5733807A. Автор: Yasutaka Shiozawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-03-31.

Semiconductor memory and method of fabricating the same

Номер патента: US5661676A. Автор: Yasutaka Shiozawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-08-26.

Semiconductor Memory Device and Operating Method Thereof

Номер патента: US20100277994A1. Автор: Ji-Hyae Bae. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-11-04.

Semiconductor memory and memory system including the semiconductor memory

Номер патента: US09659621B2. Автор: Chul Woo Park,Seong-Young Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Memory system

Номер патента: US09569111B2. Автор: Shinken Okamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: US09508454B2. Автор: Seong-Sik PARK,Ho-Youb Cho,Yo-Han JEONG,Seong-Je Park,Chang-Won Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor memory device with data and local redundancy memory cell arrays, and redundancy method thereof

Номер патента: US20080049526A1. Автор: Seung-Bum Ko,Han-Gyun Jung,Nak-Won Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-02-28.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09672913B1. Автор: Byoung In JOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor memory capable of performing through-chip via test and system using the same

Номер патента: US09613721B2. Автор: Ji Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Controller, semiconductor memory system and operating method thereof

Номер патента: US09575833B2. Автор: Myeong-Woon JEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor memory device internally provided with logic circuit which can be readily controlled and controlling method thereof

Номер патента: US20020040437A1. Автор: Tadaaki Yamauchi,Kunihiko Kozaru. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-04-04.

Semiconductor memory device, controller, and operating method thereof

Номер патента: US20220262442A1. Автор: Un Sang Lee,Moon Sik SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-08-18.

Memory system

Номер патента: US12079060B2. Автор: Akihiro Kimura,Hiroki Matsushita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory system and management table

Номер патента: US09996139B2. Автор: Akihiro Kimura,Hiroki Matsushita. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Memory system

Номер патента: US09652377B2. Автор: Akihiro Kimura,Hiroki Matsushita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09575880B2. Автор: Yong Deok Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor memory apparatus, and impedance calibration circuit and method thereof

Номер патента: US09478267B1. Автор: Kwan Su SHON,Yo Han JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Background reads to condition programmed semiconductor memory cells

Номер патента: US20180225164A1. Автор: Antoine Khoueir,Stacey Secatch,Kevin Gomez,Ryan Goss. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-08-09.

Semiconductor memory device with security function and control method thereof

Номер патента: US20110182101A1. Автор: Ji Hyae Bae. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-07-28.

Memory device and reading method thereof

Номер патента: US20240371456A1. Автор: Wen-Jer Tsai,Chun-Chang LU,You-Liang CHOU. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Controller, semiconductor memory system and operating method thereof

Номер патента: US09825651B2. Автор: Sung-Gun CHO,Jun-Rye RHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Controller, semiconductor memory system and operating method thereof

Номер патента: US09798614B2. Автор: Do-Hun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09772803B2. Автор: So-Young Kim,Bu-Il Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Controller, semiconductor memory system and operating method thereof

Номер патента: US09698827B2. Автор: Jae-Bum Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Resistive memory apparatus and reading method thereof

Номер патента: US09412445B1. Автор: Frederick Chen,Meng-Hung Lin,Ping-Kun Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor memory devices, memory systems including the same and methods of operating memory systems

Номер патента: US11994948B2. Автор: Ho-young Song,Hyun-Joong Kim,Hoi-Ju CHUNG,Sang-Uhn CHA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-28.

Semiconductor memory device and layout method of the same

Номер патента: US20040095836A1. Автор: Hyun-su Choi,Nak-woo Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-05-20.

Data output circuit of semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: US20070133313A1. Автор: Kwang Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-06-14.

Semiconductor memory device, controller, memory system and method of operating the same

Номер патента: US20240274217A1. Автор: Jin Sub Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor memory device outputting read-busy signal and memory system including the same

Номер патента: US09911479B2. Автор: Kwang Hyun Kim,Jae Hyeong Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Read operation circuit, semiconductor memory, and read operation method

Номер патента: US11875053B2. Автор: Liang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Memory device and test operation method thereof

Номер патента: US20200381070A1. Автор: Dong Hyun Lee,Seung Jin PARK,Chang Kyun PARK,Young Sik KOH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20170263293A1. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US20150089327A1. Автор: Chul-woo Park,Hak-soo Yu,Jae-Youn Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-03-26.

Semiconductor memory devices, memory systems and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20200151053A1. Автор: Nam-Sung Kim,Sang-Uhn CHA,Kyo-Min Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-14.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240268109A1. Автор: Yusuke Shima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Reconfigurable semiconductor memory apparatus and operating method thereof

Номер патента: US9691456B2. Автор: Bo Ra Choi,Ji Hyae Bae,Jun Gi Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Reconfigurable semiconductor memory apparatus and operating method thereof

Номер патента: US20160217841A1. Автор: Bo Ra Choi,Ji Hyae Bae,Jun Gi Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-28.

Semiconductor memory device and controlling method thereof

Номер патента: US20120250393A1. Автор: Masanobu Shirakawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-04.

Semiconductor memory devices, memory systems and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20190229753A1. Автор: Sang-Uhn CHA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-25.

Semiconductor memory package structure and semiconductor memory system

Номер патента: US20220293137A1. Автор: Bing-Lian Lin,Chao-Wei Ko. Владелец: Transcend Information Inc. Дата публикации: 2022-09-15.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09997215B2. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Reconfigurable semiconductor memory apparatus and operating method thereof

Номер патента: US09691456B2. Автор: Bo Ra Choi,Ji Hyae Bae,Jun Gi Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09478289B1. Автор: Byung Ryul Kim,Yong Hwan HONG,Dae Il Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US09460816B2. Автор: Chul-woo Park,Hak-soo Yu,Jae-Youn Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor memory device with cache memory addressable by block within each column

Номер патента: US4926385A. Автор: Hideto Hidaka,Kazuyasu Fujishima,Yoshio Matsuda,Mikio Asakura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1990-05-15.

Non-volatile memory device, memory system including the same and read method of memory system

Номер патента: US12020755B2. Автор: Sung Hun Kim,Hyo Jae Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor memory device including command log register and command log output method thereof

Номер патента: US20230335209A1. Автор: Donghee Kim,Jun-Ho Jo,Youngsan Kang,Jungho Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor memory device performing recursive zq calibration and calibration method thereof

Номер патента: US20240223187A1. Автор: Taesung Lee,Tongsung KIM,Seungjun Bae,Seonkyoo Lee,Younggyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor memory device and file memory system

Номер патента: US20150279456A1. Автор: Haruki Toda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-10-01.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US20170200512A1. Автор: Ho-Jun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-13.

Semiconductor memory device, semiconductor memory module and operation methods thereof

Номер патента: US20150124542A1. Автор: Jeong-Tae Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-05-07.

Non-volatile memory device, memory system including the same and read method of memory system

Номер патента: US20240304260A1. Автор: Sung Hun Kim,Hyo Jae Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US09852815B2. Автор: Ho-Jun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

Metal-oxide-semiconductor (MOS) transistor structure integrated with a resistance random access memory (RRAM) and the manufacturing methods thereof

Номер патента: US09431506B2. Автор: Wei Zhang,Pengfei Wang,Xi Lin,Qingqing Sun. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor memory device having first and second memory architecture and memory system using the same

Номер патента: US20030076702A1. Автор: Kye-Hyun Kyung,Byung-sick Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-04-24.

Nonvolatile semiconductor memory device and reading method of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8248837B2. Автор: Kentaro Kinoshita. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-08-21.

Semiconductor memory device and a memory system having the same

Номер патента: US20210082478A1. Автор: Jeonghyeon Cho,Seonghoon JOO,llhan CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09818461B1. Автор: Yun-gi Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor memory device, operating method thereof, and data storage device including the same

Номер патента: US09588708B2. Автор: Gi Pyo UM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Electronic device and operation method thereof

Номер патента: US09564586B2. Автор: Tae-Jung HA. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor memory device, operating method thereof, and data storage device including the same

Номер патента: US09424922B2. Автор: Gi Pyo UM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US09384796B2. Автор: Yong-Ki Cho,Du-Yeul Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US5436863A. Автор: Kanari Kogure. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-07-25.

Semiconductor memory device having mask rom structure

Номер патента: US5140597A. Автор: Sunao Araki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1992-08-18.

Circuit for checking memory cells of programmable MOS-integrated semiconductor memories

Номер патента: US4458338A. Автор: Burkhard Giebel,Lothar Schrader,Hans Moormann. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1984-07-03.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20160357472A1. Автор: Min Sang Park,Gil Bok CHOI,Suk Kwang PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-08.

Memory system for performing read retry operation and operating method thereof

Номер патента: US10394652B2. Автор: Min Sang Park,Gil Bok CHOI,Suk Kwang PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-08-27.

Semiconductor memory devices and memory systems with enhanced error detection and correction

Номер патента: US20210191810A1. Автор: Kijun Lee,Sanguhn CHA,Sunghye CHO,Chanki Kim,Myungkyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-24.

Semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: US20170076792A1. Автор: Shigeki Kobayashi,Takeshi Yamaguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Semiconductor memory device with operation limit controller

Номер патента: US12040043B2. Автор: Jaejun Lee,Seonghoon JOO,Ilhan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Intergrated semiconductor circuit with a semiconductor memory configuration embedded in a semiconductor chip

Номер патента: US20020047167A1. Автор: Andreas Bänisch,Marco Troost. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-25.

Memory system and control method of memory system

Номер патента: US20210082513A1. Автор: Masahiro Ogawa,Norio Aoyama. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor memory apparatus and data input and output method thereof

Номер патента: US20110271063A1. Автор: Seung Wook Kwak. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-11-03.

Semiconductor memory device capable of recovering defective bit and a system having the same semiconductor memory device

Номер патента: US20010022750A1. Автор: Yukihiro Urakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-09-20.

Resistive semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: US09779809B2. Автор: Shigeki Kobayashi,Takeshi Yamaguchi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Data storage device and error correction method thereof

Номер патента: US09697076B2. Автор: Chun-Yi Chen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor memory device for performing test operation of circuits related to repair scheme and operating method thereof

Номер патента: US09589668B2. Автор: Sang-Hee Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: US09520166B2. Автор: Shigeki Kobayashi,Takeshi Yamaguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Dynamic semiconductor memory device and method for initializing a dynamic semiconductor memory device

Номер патента: US6175531B1. Автор: HELMUT Fischer,Martin Buck,Bret Johnson,Sebastian Kühne,Heinrich Hemmert. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2001-01-16.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20220199149A1. Автор: Kaoru Mori. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-06-23.

Semiconductor memory stacks connected to processing units and associated systems and methods

Номер патента: US12046559B2. Автор: Kyle K. Kirby. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor memory device having improved redundancy scheme

Номер патента: US20040047222A1. Автор: Duk-ha Park,Hi-choon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-03-11.

Semiconductor memory system

Номер патента: US10607979B2. Автор: Naoki Kimura,Manabu Matsumoto,Hayato Masubuchi,Toyota Morimoto. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-31.

Semiconductor memory system

Номер патента: US10388640B2. Автор: Naoki Kimura,Manabu Matsumoto,Hayato Masubuchi,Toyota Morimoto. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-08-20.

Semiconductor memory system

Номер патента: US9859264B2. Автор: Naoki Kimura,Manabu Matsumoto,Hayato Masubuchi,Toyota Morimoto. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor memory system

Номер патента: US9754632B2. Автор: Naoki Kimura,Manabu Matsumoto,Hayato Masubuchi,Toyota Morimoto. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor memory system

Номер патента: US9437533B2. Автор: Naoki Kimura,Manabu Matsumoto,Hayato Masubuchi,Toyota Morimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Pad arrangement in semiconductor memory device and method of driving semiconductor device

Номер патента: US20040256641A1. Автор: Jung-Bae Lee,Mee-Hyun Ahn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-23.

Semiconductor memory system

Номер патента: US12094866B2. Автор: Naoki Kimura,Manabu Matsumoto,Hayato Masubuchi,Toyota Morimoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor memory device, electronic device and method for setting the same

Номер патента: US20240361823A1. Автор: Ki-Seok OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor memory device and method providing log information

Номер патента: US12045496B2. Автор: Kwanghyun KIM,Boayeong Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor memory system

Номер патента: US09859264B2. Автор: Naoki Kimura,Manabu Matsumoto,Hayato Masubuchi,Toyota Morimoto. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor memory device, a memory module including the same, and a memory system including the same

Номер патента: US09805774B2. Автор: Seung Jun BAE,Joon Young Park,Ki Won Lee,Yong Cheol Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor memory device having a heat insulating mechanism

Номер патента: US09788463B2. Автор: Kazuhiro Yoshida,Yasuyuki Ozawa,Yoshiharu Matsuda,Masahiro Iijima,Kenichi SAWANAKA,Fuminori Kimura,Masaaki Niijima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor memory system

Номер патента: US09754632B2. Автор: Naoki Kimura,Manabu Matsumoto,Hayato Masubuchi,Toyota Morimoto. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor memory device, memory system including the same, and method of operating the same

Номер патента: US09747058B2. Автор: Hyun-Joong Kim,Ju-Yun JUNG,Soo-Hyeong KIM,Gi-Won Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09595324B1. Автор: Takashi Izumida,Hiroki TOKUHIRA,Hiroyoshi Tanimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09548085B2. Автор: Masumi SAITOH. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor memory system with the function of the replacement to the other chips

Номер патента: US5469390A. Автор: Toshio Sasaki,Toshihiro Tanaka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1995-11-21.

Semiconductor memory devices that are resistant to power attacks and methods of operating semiconductor memory devices that are resistant to power attacks

Номер патента: US8230234B2. Автор: Odile Derouet,Joong Chul Yoon,Gae Won Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-07-24.

Semiconductor memory device

Номер патента: US8400814B2. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-03-19.

Semiconductor memory devices that are resistant to power attacks and methods of operating semiconductor memory devices that are resistant to power attacks

Номер патента: US20090043969A1. Автор: Odile Derouet,Joong Chul Yoon,Gae Won Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-12.

Method for detecting resistive-open defects in semiconductor memories

Номер патента: EP1738375A1. Автор: Mohamed Azimane. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-01-03.

Method for detecting resistive-open defects in semiconductor memories

Номер патента: US20050216799A1. Автор: Mohamed Azimane. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-09-29.

Method for detecting resistive-open defects in semiconductor memories

Номер патента: EP1738375B1. Автор: Mohamed c/o NXP Semiconductors AZIMANE. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2008-05-21.

Semiconductor memory device, memory system, and method

Номер патента: US20230410857A1. Автор: Tomoaki Suzuki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor memory apparatus and operating method of semiconductor system using the same

Номер патента: US20160232957A1. Автор: Hyun Woo Lee,Soo Young JANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-11.

Semiconductor memory device and word line driving method thereof

Номер патента: US20100061177A1. Автор: Kang-Seol Lee,Tae-Sik Yun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-03-11.

Semiconductor device and search circuit for and method of searching for erasure count in semiconductor memory

Номер патента: US20160180955A1. Автор: Satoshi Miyazaki,Takuya Matsumoto,Tomoyuki Maeda. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-23.

Semiconductor memory device and test method thereof

Номер патента: US20090016121A1. Автор: Yasushi Matsubara. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-01-15.

Multi-chip package semiconductor memory device

Номер патента: US20110309525A1. Автор: Satoshi Miyazaki,Hidekazu Nasu. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-22.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US5177575A. Автор: Yutaka Ikeda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-01-05.

Memory system in which extended function can easily be set

Номер патента: USRE50101E1. Автор: Hiroyuki Sakamoto,Akihisa Fujimoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Apparatus for testing semiconductor memory device

Номер патента: US6034905A. Автор: Kunihiko Suzuki,Kazuhiro Shibano. Владелец: Asia Electronics Inc. Дата публикации: 2000-03-07.

Semiconductor memory and its test method

Номер патента: US20020054526A1. Автор: Kiyoshi Adachi,Takashi Utsumi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-05-09.

Multi-chip package semiconductor memory device

Номер патента: US8723303B2. Автор: Satoshi Miyazaki,Hidekazu Nasu. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-13.

Semiconductor memory device, electronic device and method for setting the same

Номер патента: US12086011B2. Автор: Ki-Seok OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09953709B2. Автор: Yuji Nagai,Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor memory device for performing a post package repair operation and operating method thereof

Номер патента: US09870837B1. Автор: Young-Bo Shim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Method for repairing defective memory cells in semiconductor memory device

Номер патента: US09704601B2. Автор: Ki-Seok Park,Ji-Hyuk OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor memory device and test operation method thereof

Номер патента: US09607718B2. Автор: Sung-Soo Chi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09502103B1. Автор: Takashi Izumida,Hiroyoshi Tanimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor memory device and test method thereof

Номер патента: US09472308B1. Автор: Jeong-Tae Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Systems and methods for stacked semiconductor memory devices

Номер патента: US09472243B2. Автор: Anthony Fai,Nicholas C. Seroff. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor memory device mapping external address as internal address wherein internal addresses of spare cells of two blocks differ by upper most bit and internal addresses of main cells of two blocks differ by upper most bit and the internal addresses of main cell and spare cell of each block differ by one bit and operating method for the same

Номер патента: US09443618B2. Автор: Sang-Oh LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor memory system

Номер патента: US09437533B2. Автор: Naoki Kimura,Manabu Matsumoto,Hayato Masubuchi,Toyota Morimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor memory device and operation setting method thereof

Номер патента: US10817189B2. Автор: Makoto Senoo,Hiroki Murakami. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-10-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20080117659A1. Автор: Hajime Sato. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-05-22.

Semiconductor memory device, memory test method and computer program for designing program of semiconductor memory device

Номер патента: US20100313085A1. Автор: Hiroshi Tomiyama. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-12-09.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20040062113A1. Автор: Yoshimasa Sekino. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-01.

Semiconductor memory and method for operating the semiconductor memory

Номер патента: US20020176316A1. Автор: HELMUT Fischer,Alexander Benedix,Johann Pfeiffer,Kazimierz Szczypinski. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-11-28.

Integrated semiconductor memory

Номер патента: US7206980B2. Автор: Manfred Pröll,Jurgen Auge,Jörg Kliewer,Frank Schroeppel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-04-17.

Semiconductor memory device for reducing chip size

Номер патента: US6804163B2. Автор: Yun-sang Lee,Jung-Bae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-10-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240250026A1. Автор: Nobuaki OKADA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor memory device

Номер патента: US7864618B2. Автор: Yoshinori Matsui,Yoshinori Haraguchi,Yoshiro Riho,Hayato Oishi. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-01-04.

Semiconductor memory device and method for adjusting internal voltage thereof

Номер патента: US20050270868A1. Автор: Jae-Hyuk Im,Kee-Teok Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-12-08.

Information Processing Apparatus and Nonvolatile Semiconductor Memory Drive

Номер патента: US20090222703A1. Автор: Takehiko Kurashige. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-09-03.

Semiconductor memory device and erasing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20210327805A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Memory apparatus and memory testing method thereof for correcting ROM code having error by ECC processing unit after determined to transition to safe mode

Номер патента: US12067283B2. Автор: Makoto Senoo,Katsutoshi Suito. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor Memory Having Both Volatile and Non-Volatile Functionality Including Resistance Change Material and Method of Operating

Номер патента: US20210110872A1. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2021-04-15.

Semiconductor memory test circuit and method for the same

Номер патента: US6389563B1. Автор: Young Hee Kim,Jin Keun Oh. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-14.

Integrated semiconductor memory

Номер патента: US20050249002A1. Автор: Manfred Pröll,Jurgen Auge,Jörg Kliewer,Frank Schroeppel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-11-10.

Nonvolatile semiconductor memory test circuit and method, nonvolatile semiconductor memory and method for fabricating nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20020024862A1. Автор: Yoshinori Odake,Takahiko Hashidzume. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-28.

Semiconductor memory device employing processing in memory (pim) and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: EP4379608A3. Автор: Seongil O,Shinhaeng KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-31.

Non-volatile semiconductor memory and data processing method in non-volatile semiconductor memory

Номер патента: US20130182488A1. Автор: Shigeki Kobayashi,Hideyuki Tabata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-07-18.

Method of arranging fuses in a fuse box of a semiconductor memory device and a semiconductor memory device including such an arrangement

Номер патента: US20080101141A1. Автор: Chul-Hwan Choo,Hi-choon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-01.

Semiconductor memory having both volatile and non-volatile functionality including resistance change material and method of operating

Номер патента: US09812203B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09798600B2. Автор: Yoshikazu Saito,Yuichiro Ishii,Atsushi Miyanishi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Method of measuring refractive index of semiconductor memory device and method of classifying product group using the same

Номер патента: US20240331788A1. Автор: Ho Jung KANG,Tae Un Youn,Nam Cheol JEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09502112B2. Автор: Koji Nii. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor memory having both volatile and non-volatile functionality including resistance change material and method of operating

Номер патента: US09490012B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor memory circuit

Номер патента: CA1320576C. Автор: Toshikazu Ishii,Norimitsu Sako. Владелец: Kawasaki Steel Corp. Дата публикации: 1993-07-20.

Semiconductor system including semiconductor memory apparatus and temperature control method thereof

Номер патента: US9437295B2. Автор: Se Ho LEE,Hae Chan PARK,Seung Yun Lee,Myoung Sub KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor memory apparatus and data reading method thereof

Номер патента: US20120051126A1. Автор: Hyun Joo Lee,Dong Keun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-03-01.

Semiconductor memory apparatus, memory system, and programming method thereof

Номер патента: US20120106279A1. Автор: Kie Bong Ku. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-05-03.

Address decoding method, and memory controller and semiconductor memory system using the same

Номер патента: US20240177746A1. Автор: Cholmin Kim,Tae-Kyeong Ko,Chinam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor system including semiconductor memory apparatus and temperature control method thereof

Номер патента: US20160086663A1. Автор: Se Ho LEE,Hae Chan PARK,Seung Yun Lee,Myoung Sub KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-03-24.

Memory system and method of operating the memory system

Номер патента: US20200348886A1. Автор: Dong Hyun Lee,Seung Jin PARK,Chang Kyun PARK,Young Sik KOH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-11-05.

Reading of start-up information from different memory regions of a memory system

Номер патента: US20190332285A1. Автор: Riki SUZUKI,Toshikatsu Hida,Takehiko Amaki,Shunichi IGAHARA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-10-31.

Address decoding method, and memory controller and semiconductor memory system using the same

Номер патента: EP4379721A1. Автор: Cholmin Kim,Tae-Kyeong Ko,Chinam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-05.

Semiconductor memory device having write column select line or read column select line for shielding signal line

Номер патента: US20030133332A1. Автор: Yun-sang Lee,Won-Chang Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-07-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20050047225A1. Автор: Hidekazu Noguchi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-03.

Semiconductor memory device for reducing chip size

Номер патента: US20030174571A1. Автор: Yun-sang Lee,Jung-Bae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-09-18.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20060262615A1. Автор: Yasuo Gotoh. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-11-23.

Semiconductor memory redundancy circuit

Номер патента: GB8505764D0. Автор: . Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1985-04-11.

Semiconductor memory

Номер патента: US20100080073A1. Автор: Hideo Akiyoshi. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-04-01.

Semiconductor memory device and data masking method of the same

Номер патента: US20090161445A1. Автор: Sang Hee Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-25.

Semiconductor memory device having row repair circuitry

Номер патента: US20020167850A1. Автор: Jung Seop Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-11-14.

Semiconductor memory

Номер патента: US7978550B2. Автор: Hideo Akiyoshi. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-07-12.

Semiconductor memory device comprising one or more injecting bilayer electrodes

Номер патента: WO2007035259A1. Автор: Aaron Mandell,Igor Sokolik,Richard P. Kingsborough. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2007-03-29.

Semiconductor memory device comprising one or more injecting bilayer electrodes

Номер патента: EP1949383A1. Автор: Aaron Mandell,Igor Sokolik,Richard P. Kingsborough. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-07-30.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20040223360A1. Автор: Toshiki Yamanaka. Владелец: Axiohm Transaction Solutions Inc. Дата публикации: 2004-11-11.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20210191809A1. Автор: Kijun Lee,Yeonggeol Song,Sungrae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-24.

Semiconductor integrated circuit with a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20200251174A1. Автор: Yoshihiro Yamaguchi,Ryouta Niwa,Katsumichi Katou,Nobuyuki Ishigooka,Masaki Sekimizu. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2020-08-06.

Semiconductor memory device in which redundancy (RD) of adjacent column is automatically repaired

Номер патента: US7643362B2. Автор: Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-01-05.

Testing architecture for a semiconductor memory device

Номер патента: US20030005372A1. Автор: K. T. Hsiao,Hao-Liang Lo,Li-Yang Yang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2003-01-02.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20120069628A1. Автор: Hiroshi Ito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-03-22.

Semiconductor memory sensing architecture

Номер патента: US9633703B2. Автор: Steve Wang,Jeong-Duk Sohn,Charlie Cheng. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor memory arrangement

Номер патента: US20030011003A1. Автор: Esther Vega Ordonez. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-01-16.

Semiconductor memory device and method of testing the same

Номер патента: US20140050035A1. Автор: Shin Ho Chu. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-02-20.

Integrated Semiconductor Memory and Method for Operating an Integrated Semiconductor Memory

Номер патента: US20080049525A1. Автор: Peter Beer. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-02-28.

A semiconductor memory device with an on-chip error correction circuit and a method of correcting a data error therein

Номер патента: GB9910278D0. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-06-30.

Semiconductor memory device having compression test mode

Номер патента: US20140301149A1. Автор: Jen-Shou Hsu. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2014-10-09.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20140006648A1. Автор: Eui Cheol Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-01-02.

Semiconductor memory module

Номер патента: US20050036349A1. Автор: Maksim Kuzmenka,Hermann Ruckerbauer,Andreas Jakobs. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-02-17.

Semiconductor memory device and method for initializing the same

Номер патента: EP1488424A2. Автор: Hiroshige Hirano,Yasuo Murakuki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-22.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20130229852A1. Автор: Hiroshi Kanno,Takayuki Tsukamoto,Tomonori KUROSAWA,Yoichi MINEMURA,Takafumi SHIMOTORI,Mizuki Kaneko. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-05.

Semiconductor Memory Sensing Architecture

Номер патента: US20170011781A1. Автор: Steve Wang,Jeong-Duk Sohn,Charlie Cheng. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-12.

Semiconductor memory device, method for fabricating the same and electronic system including the same

Номер патента: US20240306383A1. Автор: Ki Joon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Large-scale information reading and storing system and reading and storing method thereof

Номер патента: CN112259132A. Автор: 邵登科. Владелец: Jiangsu Kuanchuang Information Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-01-22.

OPTICAL DATA RECORDING SYSTEM ON DISC AND READING AND WRITING METHODS THEREOF.

Номер патента: FR2661769B1. Автор: Jean-Pierre Huignard,Claude Puech,Jean-Claude Lehureau,Paul-Louis Meunier,Christian Maillot. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1995-04-21.

Accelerated access apparatus and reading and writing methods thereof

Номер патента: US20110099296A1. Автор: Jin-Min Lin. Владелец: Genesys Logic Inc. Дата публикации: 2011-04-28.

Accelerated access apparatus and reading and writing methods thereof

Номер патента: US8392620B2. Автор: Jin-Min Lin. Владелец: Genesys Logic Inc. Дата публикации: 2013-03-05.

Solid-state disk and reading and writing method thereof

Номер патента: US20220156142A1. Автор: Ke Wei,Jie Chen,Tao Wei,Jing Gao,Zhengtian FENG. Владелец: Innogrit Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-19.

Memory system including data-width aware encoder and data-width aware decoder and operating method thereof

Номер патента: US20230259422A1. Автор: Sungwoo Chung,Youngseo LEE. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2023-08-17.

Network user behavior analysis and result presenting system and method thereof

Номер патента: US20200160390A1. Автор: Wei-Yu Wang. Владелец: Adbert Tech Media Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-21.

Optical disc recording and reproducing semiconductor integrated circuit and operating method thereof

Номер патента: US20120236699A1. Автор: Tomokazu Yokoyama,Misuzu Mochizuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-09-20.

Device for accessing semiconductor memory card, computer- readable data carrier, initialization method and semiconductor memory card

Номер патента: RU2257609C2. Автор: Теруто ХИРОТА,Такудзи МАЕДА. Владелец: МАЦУСИТА ЭЛЕКТРИК ИНДАСТРИАЛ КО., ЛТД.. Дата публикации: 2005-07-27.

SEMICONDUCTOR MEMORY SYSTEM INCLUDING REED-SOLOMON LOW DENSITY PARITY CHECK DECODER AND READ METHOD THEREOF

Номер патента: US20130254628A1. Автор: LEE Hanho,KIM Namshik,HWANG SEONG IN. Владелец: . Дата публикации: 2013-09-26.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20240202135A1. Автор: Hideki Yoshida,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor memory device, controller, and read/write control method thereof

Номер патента: US20070156948A1. Автор: Masahiro Nakanishi,Tomoaki Izumi,Tetsushi Kasahara,Kazuaki Tamura,Kiminori Matsuno. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-07-05.

CONTROL CIRCUIT OF SEMICONDUCTOR MEMORY, MEMORY SYSTEM AND CONTROL SYSTEM OF SEMICONDUCTOR MEMORY

Номер патента: US20150253827A1. Автор: YANAGIDAIRA Kosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2015-09-10.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US10552336B2. Автор: Hideki Yoshida,Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-02-04.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US11954043B2. Автор: Hideki Yoshida,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Memory apparatus to write and read data, and method thereof

Номер патента: EP1980940A3. Автор: Sang-Hoon Lee,Geun-Soo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-09-30.

SEMICONDUCTOR MEMORY, MEMORY SYSTEM, AND METHOD OF CONTROLLING THE SAME

Номер патента: US20130227230A1. Автор: Yoon Sang Sic. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2013-08-29.

Accelerated access apparatus and reading and writing methods thereof

Номер патента: TW201115351A. Автор: Jin-Min Lin. Владелец: Genesys Logic Inc. Дата публикации: 2011-05-01.

MEMORY SYSTEM AND READ REQUEST MANAGEMENT METHOD THEREOF

Номер патента: US20170123727A1. Автор: KIM Dong-uk,KIM Hanjoon,LEE DuckJoo. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-04.

Electronic device and reading mode identification method thereof, and controller

Номер патента: WO2021068303A1. Автор: 王增. Владелец: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司. Дата публикации: 2021-04-15.

MEMORY SYSTEM, MEMORY DEVICE THEREOF, AND METHOD FOR WRITING TO AND READING FROM MEMORY DEVICE THEREOF

Номер патента: US20180095699A1. Автор: Liu Ren-Shuo,HUANG Jian-Hao. Владелец: National Tsing Hua University. Дата публикации: 2018-04-05.

EFFECTIVE KEYWORD SELECTION SYSTEM USING KEYWORD ADVERTISEMENT FOR INTERNET SEARCH AND AN EFFECTIVE KEYWORD SELECTION METHOD THEREOF

Номер патента: US20140114750A1. Автор: JUNG JIN-WOO. Владелец: . Дата публикации: 2014-04-24.

THREE-DIMENSIONAL (3D) HUMAN-COMPUTER INTERACTION SYSTEM USING COMPUTER MOUSE AS A 3D POINTING DEVICE AND AN OPERATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20140359536A1. Автор: Cheng Kai Michael,Tsai Yushiuan. Владелец: AMCHAEL VISUAL TECHNOLOGY CORPORATION. Дата публикации: 2014-12-04.

Smart emergency bell system using directional speaker capable of active sound pressure control and control method thereof

Номер патента: KR102468532B1. Автор: 김태영,강원식,서정국,석동호,김걸주. Владелец: (주)그린아이티코리아. Дата публикации: 2022-11-18.

A toll information communication system, a traffic information receiving route guidance system using the toll charge information communication system and traffic information receiving method thereof

Номер патента: DE102011006177A1. Автор: Kyung Hwan Kang. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2012-05-24.

A seismic wave auto-detection system using time-frequency domain changes and variable threshold values and the method thereof

Номер патента: KR101028779B1. Автор: 김영민,최훈,임용석,박윤호,김학열. Владелец: (주)에이케이지씨. Дата публикации: 2011-04-14.

Bluetooth 4.0-based inertia motion capturing system used for realizing low-power wireless data transmission, and data transmission method thereof

Номер патента: CN105592535A. Автор: 侯学辉,赵森,陈涤,梁昊,范聪聪,常银惠. Владелец: Shandong University. Дата публикации: 2016-05-18.

Collaboration system using information of design technique based on 3D viewer and operation method thereof

Номер патента: KR20160019575A. Автор: 김동현,강용태,반기동. Владелец: (주)코에버정보기술. Дата публикации: 2016-02-22.

Advertising system using skin image applied to windows of client terminal and advertising method thereof, and computer readable media for recording advertising method program

Номер патента: WO2001097121A1. Автор: Seon Yong Yun. Владелец: Seon Yong Yun. Дата публикации: 2001-12-20.

System using eye tracking data for analysis and validation of data

Номер патента: US20210386313A1. Автор: Madhusudhanan Krishnamoorthy. Владелец: Bank of America Corp. Дата публикации: 2021-12-16.

NETWORK USER BEHAVIOR ANALYSIS AND RESULT PRESENTING SYSTEM AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20200160390A1. Автор: WANG WEI-YU. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-21.

Computer aided designing method for architecture of e.g. aircraft navigation system, involves constructing architectural model of system using functional and non-functional analysis, and analyzing model by evaluating analysis rule on model

Номер патента: FR2922665A1. Автор: Jean Luc Voirin,Franck Tailliez. Владелец: Thales SA. Дата публикации: 2009-04-24.

Semiconductor memory device using silicon nitride film as charge storage layer of storage transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090184365A1. Автор: Yoshio Ozawa,Masaru Kito,Katsuyuki Sekine. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-23.

Method for selecting mattress model using regression analysis

Номер патента: WO2012008670A1. Автор: Jung Ho Ahn,Jung Yong Kim,Seung Nam Min,Young Sung Shin,Joo Hyun Jeong. Владелец: Simmons-K.Co.,Ltd. Дата публикации: 2012-01-19.

Memory system performing cache bypassing operation and cache management method thereof

Номер патента: US20240256452A1. Автор: Shinhaeng KANG,Kyomin Sohn,Suk Han Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor memory device, memory system including the same, and operating method thereof

Номер патента: US09529536B2. Автор: Hong-Sik Kim,Young-Ook SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240302982A1. Автор: Jae Woong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Data reading method for semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: US20090077337A1. Автор: Daisuke Oda. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-19.

Memory system allowing host to easily transmit and receive data

Номер патента: US09712636B2. Автор: Kuniaki Ito,Takashi Wakutsu,Shuichi Sakurai,Yasufumi Tsumagari. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US09477593B2. Автор: Hong-Sik Kim,Dong-Gun KIM,Yong-Kee KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device with a plurality of write conditions and memory system

Номер патента: US20110161386A1. Автор: Takafumi Ito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-30.

Semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US20160342332A1. Автор: Tai Kyu Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-24.

Memory system, firmware update method, and program field

Номер патента: US20240302961A1. Автор: Mariko Matsumoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Controller and memory system controlling garbage collection operation at power-on, and method of operating the controller and memory system

Номер патента: US20240160564A1. Автор: Wan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US09875179B2. Автор: Tai Kyu Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Memory system capable of controlling wireless communication function

Номер патента: US20160299696A1. Автор: Kuniaki Ito,Takashi Wakutsu,Shuichi Sakurai,Yasufumi Tsumagari. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-13.

Memory system capable of controlling wireless communication function

Номер патента: US20170344471A1. Автор: Kuniaki Ito,Takashi Wakutsu,Shuichi Sakurai,Yasufumi Tsumagari. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-30.

Memory system capable of controlling wireless communication function

Номер патента: US20190272228A1. Автор: Kuniaki Ito,Takashi Wakutsu,Shuichi Sakurai,Yasufumi Tsumagari. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-05.

Memory system, method of controlling memory system, and host system

Номер патента: US20230305986A1. Автор: Naoki Kimura,Nana Kawamoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Memory system and method of controlling memory system

Номер патента: US20200409555A1. Автор: Hiroshi Yao,Kazuhiro Fukutomi,Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-12-31.

Memory system and method of controlling memory system

Номер патента: US20180188963A1. Автор: Hiroshi Yao,Kazuhiro Fukutomi,Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-07-05.

Memory system capable of controlling wireless communication function

Номер патента: US09760483B2. Автор: Kuniaki Ito,Takashi Wakutsu,Shuichi Sakurai,Yasufumi Tsumagari. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor system and operating method thereof

Номер патента: US09575888B2. Автор: Eui Jin Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Memory system capable of controlling wireless communication function

Номер патента: US09501399B2. Автор: Kuniaki Ito,Takashi Wakutsu,Shuichi Sakurai,Yasufumi Tsumagari. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor memory system having a snapshot function

Номер патента: US20140173191A1. Автор: Nagamasa Mizushima. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2014-06-19.

Memory system and computer program product

Номер патента: US8812774B2. Автор: Shigehiro Asano,Kazuhiro Fukutomi,Shinichi Kanno,Akira Yamaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-19.

Semiconductor memory system having a snapshot function

Номер патента: EP1927920B1. Автор: Nagamasa c/o Hitachi Ltd IPGroup Mizushima. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2010-10-20.

Memory system having a plurality of writing modes

Номер патента: US20170109050A1. Автор: Hiroshi Yao,Kazuhiro Fukutomi,Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-20.

Memory system having a plurality of writing modes

Номер патента: US09910597B2. Автор: Hiroshi Yao,Kazuhiro Fukutomi,Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Magnetic bar code chip and reading method thereof

Номер патента: US09721126B2. Автор: Weifeng Shen,Songsheng Xue,Zhimin Zhou. Владелец: MultiDimension Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor memory device, semiconductor wafer, and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20120161206A1. Автор: Hiroshi SHIMODE. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-06-28.

Method of operating semiconductor memory device and memory system including semiconductor memory device

Номер патента: US09727401B2. Автор: Ju Hyeon HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor memory system and operating method thereof

Номер патента: US20180129809A1. Автор: Yibo Zhang,Andrei Konan. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-10.

Semiconductor memory card, method for controlling the same, and semiconductor memory system

Номер патента: US20110153896A1. Автор: Hiroshi Endo,Hiroko Okabayashi,Tatsuya KAISE,Yoshihito Sugiyama,Masahiko Murohashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-06-23.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US09977744B2. Автор: Hae-Gi CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Information processing device including host device and semiconductor memory device having a block rearrangement to secure free blocks

Номер патента: US09870155B2. Автор: Kenichi Maeda,Atsushi Kunimatsu. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Information processing device including host device and semiconductor memory device having a plurality of address conversion information

Номер патента: US09542117B2. Автор: Kenichi Maeda,Atsushi Kunimatsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Nonvolatile memory capable of outputting data using wraparound scheme, computing system having the same, and read method thereof

Номер патента: US20200183619A1. Автор: Jinwoo Kim,Youngjin Cho,Jaegeun PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-11.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20020001173A1. Автор: Shiro Hayano,Kazuyoshi Nishiyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-03.

Controller which controls operation of nonvolatile semiconductor memory and semiconductor memory device including nonvolatile semiconductor memory and controller therefore

Номер патента: US20100241791A1. Автор: Seiichi Tomita,Tarou Iwashiro,Takahide Nishiyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-09-23.

Memory system and computing system including the same

Номер патента: US20230376427A1. Автор: Jaewook Lee,Jongsung Lee,Kiseok Oh,Wenjing Jin,Juyun JUNG. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2023-11-23.

Prediction model for lip sticking force of cigarette tipping paper, construction method and prediction method thereof

Номер патента: US20220043949A1. Автор: Chen Yang,Tao Zhang,Wei Jiang,JI Yang,Fengmei Zhang,Pei He,Chunbo Liu,Ruizhi Zhu,Xiaoxi Si,Zhihua Liu,Zhenjie Li,Zhongbi SU,Kunming JIANG. Владелец: China Tobacco Yunnan Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-10.

Prediction model for lip sticking force of cigarette tipping paper, construction method and prediction method thereof

Номер патента: US11281823B2. Автор: Tao Zhang,Wei Jiang,JI Yang,Fengmei Zhang,Pei He,Chunbo Liu,Ruizhi Zhu,Xiaoxi Si,Zhihua Liu,Zhenjie Li,Zhongbi SU. Владелец: China Tobacco Yunnan Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-22.

Multi-chip package device including a semiconductor memory chip

Номер патента: US20040061516A1. Автор: Nobukazu Murata. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-01.

Semiconductor memory apparatus and operating method thereof

Номер патента: US09740556B2. Автор: Jae Il Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Controller including map table, memory system including semiconductor memory device, and method of operating the same

Номер патента: US09690698B2. Автор: Jong Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Memory system including cache

Номер патента: US09558065B2. Автор: Hideki Yoshida,Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor memory device having ram and rom areas

Номер патента: US20080016306A1. Автор: Byung-Gil Jeon,Han-Joo Lee,Byung-Jun Min,Kang-Woon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-17.

Semiconductor memory device including a selection element pattern confined to a hole

Номер патента: US20190157346A1. Автор: JONG CHUL LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-05-23.

Method to reduce soft error rate in semiconductor memory

Номер патента: US20060036913A1. Автор: Keith Krasnansky. Владелец: Telogy Networks Inc. Дата публикации: 2006-02-16.

Semiconductor system and operating method thereof

Номер патента: US20170083264A1. Автор: Kyung-Min Lee,Yong-Ju Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-23.

Apparatus and method for generating descriptors to reaccess a non-volatile semiconductor memory of a storage drive due to an error

Номер патента: WO2014144043A4. Автор: Wei Xu,Fei Sun. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD.. Дата публикации: 2014-11-20.

Image photographing apparatus, image photographing system for performing photographing by using multiple image photographing apparatuses, and image photographing methods thereof

Номер патента: US09813629B2. Автор: Yong-Hee Lee,Jin-Won Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Quaternary dot structure imaging sensor and reading and control method thereof

Номер патента: CN110336953A. Автор: 徐辰,莫要武,任冠京,侯金剑. Владелец: SmartSens Technology Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-15.

Weight calculation unit for forward beamforming in a direct spread CDMA base station system using an array antenna, system for forward beamforming using it and method thereof

Номер патента: KR100375826B1. Автор: 경문건,박형근. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2003-03-15.

COMMUNICATION SYSTEM USING NETWORK BASE IP MOBILITY PROTOCOL, CONTROL APPARATUS, ROUTER AND COMMUNICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20150172960A1. Автор: Aramoto Masafumi,TOYOKAWA Suguru. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2015-06-18.

Braking system using a braking device having eletro mechanical parking function and control method thereof

Номер патента: KR101655169B1. Автор: 김종성,심재훈,전갑배,이중희,심상현. Владелец: 현대모비스 주식회사. Дата публикации: 2016-09-07.

Image tracking system using object recognition information based on Virtual Reality, and image tracking method thereof

Номер патента: KR101634966B1. Автор: 이상환. Владелец: 삼성지투비 주식회사. Дата публикации: 2016-06-30.

Collaboration system using information of design technique based on 3D viewer and operation method thereof

Номер патента: KR101644947B1. Автор: 김동현,강용태,반기동. Владелец: (주)코에버정보기술. Дата публикации: 2016-08-04.

Communication system using network base ip mobility protocol, control device, router, and communication method thereof

Номер патента: WO2008146810A1. Автор: Suguru Toyokawa. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2008-12-04.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12063779B2. Автор: Ryota Katsumata,Yoshihiro AKUTSU. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Non-volatile semiconductor memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20020145155A1. Автор: Kenji Yamada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-10-10.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230007879A1. Автор: Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240298445A1. Автор: Yusuke Morikawa,Tatsufumi Hamada,Yosuke MITSUNO,Tomohiro KUKI,Ryouji MASUDA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09768185B2. Автор: Ryota Katsumata,Yoshihiro AKUTSU. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230320102A1. Автор: Zhiqiang Wu,Han-Jong Chia,Chun-Fu CHENG,Meng-Han LIN,Chung-Wei Wu,Yu-Chien Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11751376B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100301405A1. Автор: Shigeto Oota,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-02.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12100651B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010020710A1. Автор: Jiro Matsufusa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-09-13.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030080374A1. Автор: Hajime Arai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-01.

Semiconductor memory device and production method thereof

Номер патента: US09679911B2. Автор: Kei Sakamoto,Shigeki Kobayashi,Takamasa OKAWA,Ryosuke SAWABE. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor memory device and production method thereof

Номер патента: US09646987B2. Автор: Takashi Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor memory devices and manufacturing methods thereof

Номер патента: US09443734B2. Автор: Jung-Hwan Park,Kyu-Hyun Lee,Ki-Seok Lee,Hyo-Jin Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200083204A1. Автор: Poho TAM. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080296647A1. Автор: Tomohiko Tatsumi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-04.

Semiconductor memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20220310697A1. Автор: Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Chen-Yi Weng,Ching-Hua Hsu,Si-Han Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-09-29.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090065844A1. Автор: Toshihiko Iinuma. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-12.

Semiconductor Memory Device and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20240244824A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Yifei Yan,Ken-Li Chen. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090294827A1. Автор: Motoi Ashida. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-12-03.

Semiconductor memory device and method for forming the same

Номер патента: US20230164974A1. Автор: PENG Guo,Yuanbao WANG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030011025A1. Автор: Naoki Tsuji. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-01-16.

Semiconductor memory device using a ferroelectric characteristic of charge storage layer and operating method thereof

Номер патента: US12120883B2. Автор: Jin-Hong Park,Sang-Yong Park,Sungjoo Lee. Владелец: Research And Business Foundation Sungky. Дата публикации: 2024-10-15.

Pixel processing circuit and reading method thereof, and image sensor

Номер патента: US20230412946A1. Автор: Tian Xia,Yong Wang,Hua Cai. Владелец: Chengdu Image Design Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor memory device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20180190586A1. Автор: Feng-Yi Chang,Shih-Fang Tzou,Fu-Che Lee,Feng-Ming Huang,Chien-Cheng Tsai. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-05.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US7145200B2. Автор: Kazuo Saito,Shogo Takamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-12-05.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140252453A1. Автор: Yoshio Ozawa,Masaaki Higuchi,Katsuyuki Sekine,Ryota Fujitsuka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-11.

Semiconductor memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240315048A1. Автор: Hui-Lin WANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240315142A1. Автор: Hui-Lin WANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09991272B2. Автор: Hiroshi Kanno,Shinya Naito,Yoshiaki Fukuzumi,Tatsufumi Hamada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor memory cell, semiconductor memory device, and method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US09865693B1. Автор: Wang Xiang,Weichang Liu,Zhen Chen,Shen-De Wang,Wei Ta. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12137561B2. Автор: Sung-Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-05.

Bit line structure, manufacturing method thereof and semiconductor memory

Номер патента: US12150293B2. Автор: ChihCheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-11-19.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20120068244A1. Автор: Yoshiki Kato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-03-22.

Semiconductor memory having a plurality of memory-cell arrays

Номер патента: US20030011021A1. Автор: Helmut Schneider. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-01-16.

Semiconductor memory having a plurality of memory-cell arrays

Номер патента: US6686618B2. Автор: Helmut Schneider. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-02-03.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180261603A1. Автор: Li-Wei Feng,Ying-Chiao Wang,Wen-Chieh Lu,Chien-Ting Ho,Li-Wei Liu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-13.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10074656B1. Автор: Li-Wei Feng,Ying-Chiao Wang,Wen-Chieh Lu,Chien-Ting Ho,Li-Wei Liu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-11.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030011024A1. Автор: Naho Nishioka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-01-16.

Semiconductor memory device and semiconductor memory array comprising the same

Номер патента: US09991266B2. Автор: Zhibiao Zhou,Ding-Lung Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device having a sealing layer covering a semiconductor memory unit and a memory controller

Номер патента: US09543271B2. Автор: Manabu Matsumoto,Isao Ozawa,Akira Tanimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09508739B2. Автор: Naoki Yasuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09443868B1. Автор: Toshiyuki Takewaki,Ming Hu,Masahisa Sonoda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20170278862A1. Автор: Hideaki Aochi,Jun Fujiki,Takeshi Kamigaichi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-28.

Semiconductor memory device and method for fabricating semiconductor memory device

Номер патента: US7821049B2. Автор: Hiroyuki Kanaya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-10-26.

Semiconductor memory device and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20230307369A1. Автор: Susumu Hashimoto,Koichi Sakata,Shinya Arai,Keisuke Nakatsuka,Nobuhito Ichiki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Minority carrier sink for a memory cell array comprising nonvolatile semiconductor memory cells

Номер патента: US20080277717A1. Автор: Elard Stein Von Kamienski. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-11-13.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8106445B2. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-01-31.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100084702A1. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-04-08.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8836010B2. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-16.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120168851A1. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-05.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7608488B2. Автор: Susumu Yoshikawa,Yasuyuki Baba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240312911A1. Автор: Takafumi Masuda,Keiji Ikeda,Mutsumi Okajima,Nobuyoshi Saito. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09978770B2. Автор: Shigeki Kobayashi,Atsushi Konno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09876029B2. Автор: Hideaki Aochi,Jun Fujiki,Takeshi Kamigaichi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US12144179B2. Автор: Eun Seok Choi,Seo Hyun Kim,Dong Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09691786B1. Автор: Masaki Tsuji,Hideaki Aochi,Jun Fujiki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210020654A1. Автор: Dong Hyuk Kim,Sung Lae OH,Soo Nam JUNG,Tae Sung Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-21.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US20220208856A1. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-06-30.

Semiconductor memory structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220216235A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-07.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100133613A1. Автор: Hironobu FURUHASHI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-06-03.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US12048155B2. Автор: Eun Seok Choi,Seo Hyun Kim,Dong Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US11895927B2. Автор: Chia-Chang Hsu,Yung-Shen Chen,Cheng-Yi Lin,Chia-hung Lin,Tang-Chun Weng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210175241A1. Автор: Ki Hong Lee,Seung Wook Ryu. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120135593A1. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-05-31.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11769727B2. Автор: Feng-Yi Chang,Shih-Fang Tzou,Fu-Che Lee,Feng-Ming Huang,Chien-Cheng Tsai. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12052854B2. Автор: Mutsumi Okajima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140048761A1. Автор: Shigeki Kobayashi,Hiroyuki Fukumizu,Yasuhiro Nojiri,Masaki Yamato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-02-20.

Semiconductor memory structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230276632A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Integrated semiconductor memory and fabrication method

Номер патента: US20030011010A1. Автор: Peter Beer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-01-16.

Semiconductor memory structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US11683936B2. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-20.

Semiconductor memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240122078A1. Автор: Chia-Chang Hsu,Yung-Shen Chen,Cheng-Yi Lin,Chia-hung Lin,Tang-Chun Weng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240260253A1. Автор: Takafumi Masuda,Keiji Ikeda,Mutsumi Okajima,Nobuyoshi Saito. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150069491A1. Автор: Takamasa Usui,Yoshiaki Himeno,Jun Iijima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20130292758A1. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-11-07.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20230129734A1. Автор: Dong Won Choi,Kyung Min Park,Jun Hyuk Park,Sung Gon Jin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Semiconductor memory device, method for fabricating semiconductor memory device, semiconductor integrated circuit and semiconductor memory integrated circuit

Номер патента: US20230209817A1. Автор: Kenichiro Kusano. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20230029468A1. Автор: LIANG Yi,Zhiguo Li,Chi REN,Xiaojuan GAO. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-02-02.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240324174A1. Автор: Takafumi Masuda,Keiji Ikeda,Mutsumi Okajima,Nobuyoshi Saito. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US12096704B2. Автор: YUAN Zhou,Guoan Du,Guohai ZHANG,Xian Feng Du. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US12133479B2. Автор: Chia-Ching Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20240341098A1. Автор: Eun Seok Choi,Seo Hyun Kim,Dong Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US12040369B2. Автор: LIANG Yi,Chi REN. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US11955565B2. Автор: Chi REN,Chun-Sung Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US09922985B2. Автор: Hae Wan Yang,Sheng Fen Chiu,Guan Hua LI. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor memory device having memory cells provided in a height direction

Номер патента: US09812398B2. Автор: Toshiyuki Takewaki,Ming Hu,Seiichi Omoto. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Stacked type semiconductor memory device

Номер патента: US09716103B2. Автор: Kotaro Noda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09627400B2. Автор: Kenji Koshiishi,Junji Kataoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09620515B2. Автор: Tatsuya Kato,Satoshi Nagashima,Keisuke Kikutani. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09589974B2. Автор: Takamasa Usui,Yoshiaki Himeno,Jun Iijima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Nonvolatile semiconductor memory device comprising memory gate and peripheral gate having different thicknesses

Номер патента: US09530782B2. Автор: Shoichi Watanabe,Satoshi Nagashima,Kazunari TOYONAGA,Karin TAKAYAMA,Shotaro Murata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Identifying line faults using regression analysis on near and far end errors

Номер патента: US09525772B2. Автор: Philip Martin Bull,David Michael Rohlfing,Paul Robert BENYON. Владелец: British Telecommunications plc. Дата публикации: 2016-12-20.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20240237353A1. Автор: Jeehoon HAN,YoungHwan Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20160276362A1. Автор: Kotaro Noda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-22.

Nonvolatile semiconductor memory capable of storing data of two bits or more per cell

Номер патента: US20060081891A1. Автор: Kenichirou Nakagawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-04-20.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20240237342A1. Автор: Dong Uk Lee,Hae Chang Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12048150B2. Автор: Hyun Cheol Kim,Yong Seok Kim,Kyung Hwan Lee,Jae Ho Hong,Il Gweon Kim,Sung Won YOO,Hyeoung Won SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US12052864B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20210028104A1. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11769808B2. Автор: Tetsuaki Utsumi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-26.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150372003A1. Автор: Kotaro Noda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-12-24.

Semiconductor memory device having stack of polycrystalline semiconductor layers with diverse average crystal grain sizes

Номер патента: US12052872B2. Автор: Takayuki Kashima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150263014A1. Автор: Shoichi Watanabe,Satoshi Nagashima,Kazunari TOYONAGA,Karin TAKAYAMA,Shotaro Murata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20140027836A1. Автор: Tadashi Iguchi,Ryota Katsumata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-01-30.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240276722A1. Автор: In Su Park,Jung Dal Choi,Jung Shik JANG,Mi Seong PARK,Won Geun CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240266339A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor memory device and method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20230309305A1. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor memory and method of manufacturing same

Номер патента: US6326659B1. Автор: Takashi Ichikawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-12-04.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US12035533B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US10411137B2. Автор: Tomomitsu Risaki. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2019-09-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12082410B2. Автор: Hyung Joon Kim,Hyun Jung Lee,Yong-Hoon Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020000590A1. Автор: Shintaro Yamamichi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-01-03.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12062704B2. Автор: Tetsuaki Utsumi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210202263A1. Автор: Takashi Shimizu,Masaaki Higuchi,Takahiro Hirai,Takeshi SONEHARA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-07-01.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US7750394B2. Автор: Tatsuo Shimizu,Koichi Muraoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-07-06.

Non-volatile semiconductor memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050161730A1. Автор: Hideo Kurihara,Satoshi Shinozaki,Mitsuteru Iijima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-07-28.

Non-volatile semiconductor memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060249771A1. Автор: Hideo Kurihara,Satoshi Shinozaki,Mitsuteru Iijima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-11-09.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110287624A1. Автор: Hiroyuki Nitta. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-11-24.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020175358A1. Автор: Shintaro Yamamichi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-11-28.

Semiconductor memory

Номер патента: US20240251561A1. Автор: Sadatoshi Murakami,Masao Iwase,Ryota Katsumata,Tomoo Hishida. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US12087686B2. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor memory device, method for fabricating the same and electronic system including the same

Номер патента: US20240357824A1. Автор: Won Jun Park,Dong Hwa Lee,Jae Min Jung,Dong Sung CHOI,Byong Ju KIM,Chang Heon CHEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20240341097A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US12133379B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240334704A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240357810A1. Автор: Hyun Cheol Kim,Yong Seok Kim,Kyung Hwan Lee,Jae Ho Hong,Il Gweon Kim,Sung Won YOO,Hyeoung Won SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20240373634A1. Автор: Jae Young Oh,Eun Seok Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Nonvolatile semiconductor memory device having electron scattering and electron accumulation capacities in charge accumulation layer

Номер патента: US09935122B2. Автор: Akira Takashima,Yasushi Nakasaki,Daisuke Matsushita,Tsunehiro Ino,Kenichiro TORATANI,Misako Morota. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Three dimensional vertical channel semiconductor memory device

Номер патента: US09935121B2. Автор: Masaru Kito,Yoshihiro AKUTSU,Satoshi KONAGAI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09805927B2. Автор: Shosuke Fujii,Kiwamu Sakuma,Masumi SAITOH. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor memory

Номер патента: US09768188B2. Автор: Sadatoshi Murakami,Masao Iwase,Ryota Katsumata,Tomoo Hishida. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09754888B2. Автор: Toshiyuki Sasaki,Kazuhito FURUMOTO. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09748337B2. Автор: Shigeki Kobayashi,Mitsuru Sato,Tomohiro Yamada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09748312B2. Автор: Hikari TAJIMA,Takashi Izumida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor memory with U-shaped channel

Номер патента: US09741727B2. Автор: WEI Liu,Pengfei Wang,LEI Liu,Yi Gong. Владелец: Suzhou Oriental Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor memory device and method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US12150305B2. Автор: Hyo Sub YEOM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-19.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09455269B1. Автор: Kotaro Noda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor memory device with guard pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US11785765B2. Автор: Chang-Hung Lin. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-10-10.

Non-volatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090325351A1. Автор: Junya Maneki,Toshiyuki Orita. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-31.

Semiconductor memory device with a buried drain and its memory array

Номер патента: US8994095B2. Автор: Wei Zhang,Pengfei Wang,Qingqing Sun,Shijin Ding. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-03-31.

Non-volatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070126047A1. Автор: Junya Maneki,Toshiyuki Orita. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-07.

Non-volatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US7608887B2. Автор: Junya Maneki,Toshiyuki Orita. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2009-10-27.

Semiconductor Memory Device with a Buried Drain and Its Memory Array

Номер патента: US20120273866A1. Автор: Wei Zhang,Pengfei Wang,Qingqing Sun,Shijin Ding. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-11-01.

Semiconductor memory device with selection patterns, storage patterns, and a gap fill layer and method for fabricating the same

Номер патента: US11856794B2. Автор: Jae Ho Jung,Jong Uk Kim,Kwang Min Park,Zhe Wu,Ja Bin LEE,Dong Sung CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-26.

Delay locked loop circuit for a synchronous semiconductor memory device and a method of generating information about a load connected to a data pin of a synchronous semiconductor memory device

Номер патента: US20080219065A1. Автор: Jae-Jun Lee,Hoe-ju Chung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-11.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Номер патента: RU2524858C2. Автор: Денис Анатольевич Строганов,Григорий Владимирович Шишкин,Алескандр Владимирович Руткевич. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственное предприятие "Цифровые решения". Дата публикации: 2014-08-10.

Self-tuning voltage generator for non-volatile semiconductor memory unit, non-volatile semiconductor memory unit, and method for self- tuning generation of voltage in said memory unit

Номер патента: RU2146398C1. Автор: Ким Джин-ки,Лим Хьюнг-Кью,Ли Сунг-Соо. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2000-03-10.

Semiconductor memory systems using regression analysis and read methods thereof

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты