Memory system including data-width aware encoder and data-width aware decoder and operating method thereof.

Memory system including data-width aware encoder and data-width aware decoder and operating method thereof

Номер патента: US20230259422A1
Опубликовано: 17-08-2023
Автор(ы): Sungwoo Chung, Youngseo LEE
Принадлежит: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University, SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20180300200A1. Автор: Young-jun Yoon,Joon-Yong Choi,Kang-Sub Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-10-18.

Memory device, system including the same, and operating method of memory device

Номер патента: US20240248850A1. Автор: Daehyun Kim,Jiho Kim,Sukhan Lee,Kijun Lee,Yeonggeol Song,Myungkyu Lee,Kyomin Sohn,Seongmuk Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Nonvolatile memory system

Номер патента: WO2008100415A4. Автор: Pantas Sutardja,Zining Wu,Tony Yoon,Chi-Kong Lee,Lau Nguyen. Владелец: Lau Nguyen. Дата публикации: 2009-01-08.

Memory module with reduced ecc overhead and memory system

Номер патента: US20220093203A1. Автор: Jangseok Choi,Taekwoon Kim,Wonhyung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-24.

Memory system, memory controller and memory control method

Номер патента: US09927990B2. Автор: Osamu Torii,Tokumasa Hara,Hironori Uchikawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Memory system

Номер патента: US20140237320A1. Автор: Junji Yano,Hidenori Matsuzaki,Kosuke Hatsuda,Hiroki Matsudaira. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-21.

Page retirement in a nand flash memory system

Номер патента: WO2015083308A1. Автор: Roman A. Pletka,Andrew Dale Walls,Ioannis Koltsidas,Charles John Camp. Владелец: Ibm Japan, Ltd.. Дата публикации: 2015-06-11.

Memory system and operating method of the memory system for calibrating a history read bias based on a number of error bits generated in a read operation

Номер патента: US12039190B2. Автор: Min Hwan MOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory system and operating method of the memory system

Номер патента: US20210098071A1. Автор: Ju Hyeon HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Memory system, memory controller and operating method thereof

Номер патента: US20210103405A1. Автор: Dae Hoon Jang,Young Guen CHOI,Dong Ham YIM,Young Hoon CHA,Jeong Sun PARK,Cheon Ok JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-08.

Memory system having system buffer and method of operating the memory system

Номер патента: US20220334761A1. Автор: In Jong Jang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-20.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US12112046B2. Автор: Eujoon Byun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Memory system having system buffer and method of storing data by using the system buffer

Номер патента: US12131061B2. Автор: In Jong Jang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20180068731A1. Автор: Soo-Nyun KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-08.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20220156144A1. Автор: In Jong Jang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-05-19.

Memory system

Номер патента: US20180276073A1. Автор: Takashi Ide,Yoshihisa Kojima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Operation method of nonvolatile memory system

Номер патента: US09690654B2. Автор: Sangkwon Moon,Heewon Lee,Suejin Kim,Hyery No. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Memory module and memory system including row hammer counter chip and operating method thereof

Номер патента: EP4207203A3. Автор: Youngsoo Sohn,Taekwoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-09.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20160357472A1. Автор: Min Sang Park,Gil Bok CHOI,Suk Kwang PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-08.

Memory system and data encoding and decoding method to mitigate inter-cell interference

Номер патента: US09984752B2. Автор: Hironori Uchikawa,Kenji Sakurada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US10324627B2. Автор: JiMan Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-06-18.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20190325969A1. Автор: JiMan Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US20190018594A1. Автор: JiMan Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-01-17.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20190236005A1. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

Memory, memory module, memory system, and operation method of memory system

Номер патента: US12034457B2. Автор: Seok Woo Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Performance optimization of read functions in a memory system

Номер патента: US20160132412A1. Автор: Saravanan Sethuraman,Timothy J. Dell,Diyanesh B.C. Vidyapoornachary. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-12.

Performance optimization of read functions in a memory system

Номер патента: US9542110B2. Автор: Saravanan Sethuraman,Timothy J. Dell,Diyanesh B.C. Vidyapoornachary. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Memory system including memory controller and memory device and method for recovering from an error thereof

Номер патента: US20240168846A1. Автор: Sung-Joon Kim,Ho-Young Lee,Kyung-Hee Han,Insu Choi,Changho YUN,Kyungjin PARK,Ilho Kim,Jinhun JEONG,Yunmi HWANG,Jongwon Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Memory, memory module, memory system, and operation method of memory system

Номер патента: US20240333308A1. Автор: Seok Woo Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory, memory system having the same and operating method thereof

Номер патента: US11664083B2. Автор: Dongjun Kim,Byoungsul Kim,Hokyong LEE,Byungmin CHOI,Kideok HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-30.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200019496A1. Автор: Jong-Min Lee,Hyeong-Ju NA. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-01-16.

Error correcting memory systems

Номер патента: US12124332B2. Автор: Yu Lu,Richard Stewart,Chieh-Yu Lin. Владелец: Supermem Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20210011651A1. Автор: Min Soo LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-14.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20190087129A1. Автор: Byoung Sung You. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-03-21.

Memory system and method of operating the same

Номер патента: US20220326873A1. Автор: Jin Woo Kim,Jin Won JANG,Hyo Byung HAN,Young Wu CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-13.

Controller and operating method thereof

Номер патента: US11693729B2. Автор: Joung Young LEE,Dong Sop LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-07-04.

Data processing system for securing atomicity of transactions without generating separate commit command, and operating method thereof

Номер патента: US10733056B2. Автор: Su-Chang Kim,Hae-Gi CHOI,Kyeong-Rho KIM,Sung-Kwan HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-08-04.

Memory system, memory module, and operation method of memory system

Номер патента: US20200142772A1. Автор: Hoiju CHUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-05-07.

Memory controller, memory module, and memory system and operation methods thereof

Номер патента: US20180129418A1. Автор: Young-Ook SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-10.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US20190354288A1. Автор: Jang-Hwan JUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-11-21.

Controller and operating method thereof

Номер патента: US20210326201A1. Автор: Joung Young LEE,Dong Sop LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Data processing system for securing atomicity of transactions without generating separate commit command, and operating method thereof

Номер патента: US20200341850A1. Автор: Su-Chang Kim,Hae-Gi CHOI,Kyeong-Rho KIM,Sung-Kwan HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-10-29.

Data processing system for securing atomicity of transactions without generating separate commit command, and operating method thereof

Номер патента: US11403177B2. Автор: Su-Chang Kim,Hae-Gi CHOI,Kyeong-Rho KIM,Sung-Kwan HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-08-02.

Memory system

Номер патента: US20240005969A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Shohei Asami. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Memory controller, memory system including the memory controller, and method of operating the memory controller

Номер патента: US10719269B2. Автор: Dong Yeob CHUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-07-21.

Memory system and method of operating the same

Номер патента: US12079488B2. Автор: Kwanho KIM,Jehyun PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory controller for reducing the number of error bits in read data and memory system including the same

Номер патента: US12105988B2. Автор: Jong Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Off-memory-module ECC-supplemental memory system

Номер патента: US09921911B2. Автор: Siamak Tavallaei,Matthew SCHUMACHER,Chanh HUA,Harvey White, JR.. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2018-03-20.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US09891848B2. Автор: Hiroshi Yao,Osamu Torii,Tokumasa Hara,Kenichiro Yoshii,Riki SUZUKI,Toshikatsu Hida,Shohei Asami. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Memory device and operating method for setting and repairing data errors

Номер патента: US11966625B2. Автор: Sangwon Park,Jinkyu Kang,Jaeduk LEE,Raeyoung LEE,Guyeon HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-23.

Memory system

Номер патента: US20230259287A1. Автор: Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Memory system

Номер патента: US11740965B2. Автор: Yoshihisa Kojima,Suguru NISHIKAWA,Takehiko Amaki,Shunichi IGAHARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Memory controller and memory system including the same

Номер патента: US20240281321A1. Автор: Dae Sung Kim,Min Su Choi,Jae yong Son. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US20230350577A1. Автор: Eujoon Byun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US20200012563A1. Автор: Chan-Woo YANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-01-09.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200192746A1. Автор: Young-jun Yoon,Joon-Yong Choi,Kang-Sub Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-06-18.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200192748A1. Автор: Young-jun Yoon,Joon-Yong Choi,Kang-Sub Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-06-18.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200192747A1. Автор: Young-jun Yoon,Joon-Yong Choi,Kang-Sub Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-06-18.

Operating method of semiconductor memory device, controller, and memory system having the same

Номер патента: US11550495B2. Автор: Ju Hee Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-01-10.

Apparatus and method for handling a firmware error in operation of a memory system

Номер патента: US20210064471A1. Автор: Sung-Jin Park,Dong-Hyun Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-03-04.

Memory and memory system inclduing the memory

Номер патента: US20230282302A1. Автор: Hoiju CHUNG,Yoonna OH,Sang Woo YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200089581A1. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-03-19.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200081632A1. Автор: Chan-Jong WOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-03-12.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US11954347B2. Автор: Sung Jin Park,Mi Hee Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Memory system for updating firmware when SPO occurs and operating method thereof

Номер патента: US11966603B2. Автор: Joo Young Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20180181325A1. Автор: Chan-Jong WOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-28.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20230289059A1. Автор: Sung Jin Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Memory system and operating method of the same

Номер патента: US20200265911A1. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-08-20.

Configuration information backup in memory systems

Номер патента: US09817600B2. Автор: Ning Wu,Xin Guo,Robert E. Frickey,Hanmant P. Belgal. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Method of operating a memory system having a meta data manager

Номер патента: US09891838B2. Автор: Sungyong SEO,Yeong-Jae WOO,Otae Bae,Hyun-Seung Jei. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Hybrid memory systems for autonomous non-volatile memory save and restore operations

Номер патента: US09817610B1. Автор: Aws Shallal,Dan Kunkel. Владелец: Inphi Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US12032832B2. Автор: Chang Hwan Kim,Young-Sik Lee,Sung Jin Moon,Eun Ju Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Memory system, data processing system and operating method thereof

Номер патента: US11194587B2. Автор: Joo-young Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-12-07.

Data processing system and operating method thereof

Номер патента: US20200057653A1. Автор: Joo-young Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-02-20.

Memory system and a data managing method thereof

Номер патента: US09652179B2. Автор: Chun-Ta Lin,Yuan-Hao Chang,Tei-Wei Kuo,Hung-Sheng Chang,Hsiang-Pang Li. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Operating method of memory system including nand flash memory, variable resistance memory and controller

Номер патента: US20160004469A1. Автор: Eun-Jin Yun,BoGeun Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-01-07.

Memory system, memory controller and operation method thereof

Номер патента: US12066928B2. Автор: Eu Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory systems and operation methods thereof

Номер патента: US20240281147A1. Автор: Yufei FENG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US09946586B2. Автор: Jun-Seo Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Memory system and operating method for increasing data protection in storage failure scenarios and electronic device including the same

Номер патента: EP4336337A1. Автор: Sean Christopher KOCOL. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-13.

Memory system, memory controller and operation method thereof

Номер патента: US20240020224A1. Автор: Eu Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Memory system, electronic system, and operating method thereof

Номер патента: US20240303144A1. Автор: Eun Jae Ock. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory for performing counting operation, memory system, and operation method of memory

Номер патента: US12086423B1. Автор: Jeong Jun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory for performing counting operation, memory system, and operation method of memory

Номер патента: US20240319889A1. Автор: Jeong Jun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200090778A1. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-03-19.

Memory controller, memory system and operating method of the memory system using a channel arbitration circuit

Номер патента: US12013797B2. Автор: Soongmann Shin,Ikkyun Park,Gyuseok Choe. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-18.

Memory system and method of operating method thereof

Номер патента: US20220012181A1. Автор: Yeong Dong GIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20180052724A1. Автор: Jun-Seo Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-22.

Memory system for handling a bad block and operation method thereof

Номер патента: US20210405888A1. Автор: Jeen PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20230333932A1. Автор: Kwang Su Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US11803307B2. Автор: Byung Min HA. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Memory controller, memory system and operation method thereof

Номер патента: US20240168651A1. Автор: Kang Li,Zhen Huang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20220019499A1. Автор: Kyu Ho Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20190196958A1. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Fault tolerant memory systems and components with interconnected and redundant data interfaces

Номер патента: US20170091040A1. Автор: Frederick A. Ware,Kenneth L. Wright. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-03-30.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20240295969A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Suguru NISHIKAWA,Toshikatsu Hida,Takehiko Amaki,Shunichi IGAHARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Controller and memory system controlling garbage collection operation at power-on, and method of operating the controller and memory system

Номер патента: US20240160564A1. Автор: Wan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Systems and methods for protection of reflective memory systems

Номер патента: US09928181B2. Автор: Gregory S. Droba,Oscar L. Meek. Владелец: GE HITACHI NUCLEAR ENERGY AMERICAS LLC. Дата публикации: 2018-03-27.

Memory system with non-volatile memory device that is capable of single or simulataneous multiple word line selection

Номер патента: US09865351B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Memory system and operating method of memory system

Номер патента: US20240118839A1. Автор: Jeong Hyun Kim,Ji Hun Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Operating methods, memory controllers, and memory systems

Номер патента: US20240176519A1. Автор: Jin Cai,Xianwu Luo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Memory system and control method

Номер патента: US12045515B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Memory controller and memory system including the same

Номер патента: US20210208967A1. Автор: Kijun Lee,Sanguhn CHA,Sunghye CHO,Myungkyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-08.

Memory system and control method

Номер патента: US20240319924A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory system, data processing system and operation method of the same

Номер патента: US11822426B2. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20230376370A1. Автор: Gi Bbeum HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Controller and memory system and operating method of memory system

Номер патента: US20180349045A1. Автор: Yong-Tae Kim,Duck-Hoi KOO,Soong-Sun SHIN,Cheon-Ok Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-12-06.

Memory system for securing reliability and operating method thereof

Номер патента: US20240201864A1. Автор: Seung Hwan SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor system and operating method thereof

Номер патента: US20230153016A1. Автор: Sung Yeob Cho,Moon Soo Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

Apparatus and method for performing recovery operation of memory system

Номер патента: US20200159455A1. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-05-21.

Page retirement in a nand flash memory system

Номер патента: US20190163592A1. Автор: Roman A. Pletka,Charles J. Camp,Andrew D. Walls,Ioannis Koltsidas. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-30.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20240201865A1. Автор: Kwang Hun Lee,Won Jun Choi,Jae Gwan Kim,Dong Young Seo,Ye Rin Kim,Bu Yong SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200097401A1. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-03-26.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US09996292B2. Автор: Jung-Hyun Kwon,Dong-Gun KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Nonvolatile memory system and operation method of the same

Номер патента: US09760308B2. Автор: Nam Wook Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-12.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20180024774A1. Автор: Beom Ju Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-25.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US20240345749A1. Автор: Jung Hyun Kwon,Min Seob Lee,Dong Gun KIM,Kwang Hyo JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Nonvolatile memory system and operation method of a memory controller that manages page serial numbers according to program elapsed times of pages

Номер патента: US09727250B2. Автор: In-Hwan Choi,Bomi KIM,Byungjune SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Nonvolatile memory system for creating and updating program time stamp and operating method thereof

Номер патента: US09798478B2. Автор: In-Hwan Choi,Byungjune SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Memory systems and operation methods thereof

Номер патента: US20240168649A1. Автор: Jingsheng Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Memory system for determining usage of a buffer based on i/o throughput and operation method thereof

Номер патента: US20210011642A1. Автор: Seok-jun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-14.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200012601A1. Автор: Seung-Gyu JEONG,Su-Hae WOO,Chang-Soo HA. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-01-09.

Memory system and operating method thereof for performing re-ordering operation based on temperature increment

Номер патента: US12014054B2. Автор: Sung Yeob Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Memory system for efficiently managing memory block and operating method thereof

Номер патента: US11354051B2. Автор: Eujoon Byun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-06-07.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20160116972A1. Автор: Young-Jin Park,Dong-Jae Shin,Jong-Ju PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-04-28.

Memory system, memory controller, and operation method of memory controller for scheduling commands based on power consumption

Номер патента: US11461022B2. Автор: Jung Hyun Kwon,Won Gyu SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-04.

Memory system, memory controller, and operation method of memory controller

Номер патента: US20220113882A1. Автор: Jung Hyun Kwon,Won Gyu SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-04-14.

Memory system for controlling input command priority and operation method therefor

Номер патента: US09965221B2. Автор: Byung-Soo Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Memory system including nonvolatile and volatile memory and operating method thereof

Номер патента: US9411719B2. Автор: Gi Ho Park. Владелец: Seong University Industry Academy Cooperation Foundation. Дата публикации: 2016-08-09.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200097400A1. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-03-26.

Memory system

Номер патента: US20170109073A1. Автор: Chang-Hyun Kim,Jae-Jin Lee,Yong-Woo Lee,Min-Chang Kim,Do-Yun LEE,Hoe-Kwon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-20.

Memory system

Номер патента: US09977604B2. Автор: Chang-Hyun Kim,Jae-Jin Lee,Min-Chang Kim,Do-Yun LEE,Hoe-Kwon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Data access in hybrid main memory systems

Номер патента: US09804803B2. Автор: Ahmad Hassan. Владелец: SAP SE. Дата публикации: 2017-10-31.

Memory system adaptive to health condition, and memory controller for memory system and operating method of the memory system

Номер патента: US20240168653A1. Автор: Sang Sik Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Memory systems having a cache system

Номер патента: US20200151103A1. Автор: Jung Hyun Kwon,Jin Woong SUH,Seung Gyu JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-05-14.

Memory controller and memory system including the memory controller and memory device

Номер патента: US20240264744A1. Автор: Se Chang PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory system

Номер патента: US20240289057A1. Автор: Yoshikazu Takeyama. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory system and control method of memory system for shared memory based message routing module

Номер патента: US12067238B2. Автор: Mitsunori Tadokoro. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Apparatus and method for transferring data in memory system

Номер патента: US12056392B2. Автор: Chan Hyeok CHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory system

Номер патента: US09891837B2. Автор: Hiroyuki Moro,Yohei Hasegawa,Yoshiki Saito,Tokumasa Hara,Yoshihisa Kojima,Tatsuhiro Suzumura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US20170153844A1. Автор: Yong-Ju Kim,Hong-Sik Kim,Do-Sun HONG,Sang-Gu JO,Yong-Kee KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-01.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20180018111A1. Автор: Eu-Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-18.

Memory system supporting redundant logical domain

Номер патента: US12067298B2. Автор: Hideki Yoshida,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Managing operations in memory systems

Номер патента: US20240302966A1. Автор: Weilin Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Managing operations in memory systems

Номер патента: WO2024182999A1. Автор: Weilin Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory system and method

Номер патента: US09971522B2. Автор: Koichi Nagai,Yukimasa Miyamoto. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20240118810A1. Автор: Kwang Ho Choi,Moon Hyeok Choi,Nam Hyeok JEONG,Yong Wan HWANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Memory system for suspending and resuming execution of command according to lock or unlock request, and operating method thereof

Номер патента: US11775214B2. Автор: Hye Mi KANG,Eu Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US10437489B2. Автор: Gi-Pyo UM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-08.

Memory systems, operation methods thereof, and electronic devices

Номер патента: US20240168643A1. Автор: Zhen Huang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20170322741A1. Автор: Gi-Pyo UM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-09.

Memory controller, memory device, memory system and operation method thereof

Номер патента: US20240168652A1. Автор: Kang Li,Zhen Huang,Zhe Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Operating method, memory controller, and memory system

Номер патента: US20240211144A1. Автор: Jin Cai,Xianwu Luo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Memory system and method

Номер патента: US20190087324A1. Автор: Hiroshi Yao,Naomi Takeda,Kenta Yasufuku. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Memory system and method

Номер патента: US20230305748A1. Автор: Hotaka Ueki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Memory system and method

Номер патента: US11928364B2. Автор: Hotaka Ueki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-12.

Memory system

Номер патента: US20240143236A1. Автор: Shintaro HABA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Memory system executing garbage collection

Номер патента: US09811462B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20240143192A1. Автор: Jung Woo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Memory system and block management method

Номер патента: US20240086111A1. Автор: Yu Nakanishi,Kazuhiro Hiwada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Memory system for supporting internal dq termination of data buffer

Номер патента: US20180329850A1. Автор: Young-Ho Lee,In-su Choi,Hui-chong Shin,Sun-Young Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-11-15.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20190102086A1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-04-04.

Memory system with multiple memory ranks and method of operating the memory system with multiple memory ranks

Номер патента: US20240289020A1. Автор: Dong-Gun KIM,Da Yeon Yun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Page migration acceleration using a two-level bloom filter on high bandwidth memory systems

Номер патента: US20180081585A1. Автор: Mauricio Breternitz,Leonardo Piga. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2018-03-22.

Memory system

Номер патента: US20240302994A1. Автор: Yasuhiko Kurosawa,Kenji Sakaue. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory system

Номер патента: US12099735B2. Автор: Tomoyuki KANTANI,Kousuke Fujita,Iku ENDO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Memory system, memory module, and methods of operating the same

Номер патента: US09753651B2. Автор: Jung-hwan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Memory system and operating method of a controller of the memory system

Номер патента: US20230305952A1. Автор: Jin Woong Kim,Jin Woo Kim,Hui Jae YU,Ik Sung OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

DDR DIMM, memory system and operation method thereof

Номер патента: US12026050B2. Автор: Ming Huang,Liang Zhang. Владелец: Innosilicon Microelectronics Wuhan Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Ddr dimm, memory system and operation method thereof

Номер патента: US20230367671A1. Автор: Ming Huang,Liang Zhang. Владелец: Innosilicon Microelectronics Wuhan Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US09824763B2. Автор: Eu-Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US12131045B2. Автор: Myung Hyun Rhee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20210255781A1. Автор: Chol Su CHAE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-19.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US12032854B2. Автор: Beom Rae JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20210241834A1. Автор: Sang Sik Kim,Dae Sung Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-05.

Memory system and operating method thereof for performing urgent fine program operation

Номер патента: US12056367B2. Автор: Sang Sik Kim,Chung Un NA. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Data processing system allocating memory area in host as extension of memory and operating method thereof

Номер патента: US20230244616A1. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-03.

Data processing system allocating memory area in host as extension of memory and operating method thereof

Номер патента: US20210097008A1. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US10818365B2. Автор: Jung-Hyun Kwon,Seung-Gyu JEONG,Do-Sun HONG,Won-Gyu SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-10-27.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20190237150A1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Seung-Gyu JEONG,Do-Sun HONG,Won-Gyu SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

Memory controller adjusting power, memory system including same, and operating method for memory system

Номер патента: US12086428B2. Автор: Hyunseok Kim,Jingyu HEO,Inhae KANG,Jaeyoul OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory system includes a memory controller coupled to a non-volatile memory array configured to provide special write operation to write data in the non-volatile memory array before a board mount operation is applied and provde a regular write operation after a board mount operation is applied

Номер патента: US09798481B1. Автор: Chuen-Der Lien,Ming-Huei Shieh,Chi-Shun Lin. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20190198119A1. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Controller, memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200057728A1. Автор: Sang Hyun Kim,Duck Hoi KOO,Soong Sun SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-02-20.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200379681A1. Автор: Joo-young Lee,Hoe-Seung JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US09640281B1. Автор: Won-Jin Jung,Yoon-Seong Seo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Memory system for accessing data in stripe form and operating method thereof

Номер патента: US20210382787A1. Автор: Dong Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Operation method of nonvolatile memory system and operation method of user system including the same

Номер патента: US09696911B2. Автор: Hyun-Ju Kim,Young Woo Jung,Jeonghoon Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Memory system including memory device and memory controller, and operating method thereof

Номер патента: US20230266893A1. Автор: Taehun Kim,Wooil Kim,Taewoo HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-24.

Memory system including memory device and memory controller, and operating method thereof

Номер патента: US12079491B2. Автор: Taehun Kim,Wooil Kim,Taewoo HAN. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Dongguk University. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory controller calculating optimal read level, memory system including the same, and operating method of memory controller

Номер патента: US20230057932A1. Автор: Dongmin Shin,Wijik LEE,Hongrak Son,Kwanwoo NOH,Seonghyeog Choi,Hyeonjong Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-23.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20170287564A1. Автор: Byoung Jun PARK,Seong Jo Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-05.

Memory controller calculating optimal read level, memory system including the same, and operating method of memory controller

Номер патента: US12067287B2. Автор: Dongmin Shin,Wijik LEE,Hongrak Son,Kwanwoo NOH,Seonghyeog Choi,Hyeonjong Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US09704583B2. Автор: Min-O SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Memory system using host memory buffer and operation method thereof

Номер патента: US12014080B2. Автор: Kihyun Park,Hyunseok Kim,Shin-Ho Choi,Sooyun LEE,Bumhee LEE,Wooram KIM,Hyeongyu Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-18.

Data processing system and operating method thereof

Номер патента: US10922016B2. Автор: Hui-Won LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-02-16.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20210295933A1. Автор: Eui Cheol Lim,Myoung Seo KIM,Mi Seon HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-23.

Data processing system and operating method thereof

Номер патента: US20210141569A1. Автор: Hui-Won LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-05-13.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20240264757A1. Автор: Duck Joo Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory system using host memory buffer and operation method thereof

Номер патента: US20240295988A1. Автор: Kihyun Park,Hyunseok Kim,Shin-Ho Choi,Sooyun LEE,Bumhee LEE,Wooram KIM,Hyeongyu Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-05.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US20210149581A1. Автор: Hyeon Cheol Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-05-20.

Memory system for adjusting difference between operation time points in sequential command operations performed in memory device, and operation method thereof

Номер патента: US20210303209A1. Автор: Dong Yeob CHUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Controller, memory system and operating method of the controller

Номер патента: US20200310982A1. Автор: Eu Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-10-01.

Performance optimization device of memory system and operating method thereof

Номер патента: US12093526B2. Автор: Ki Tae Kim,In Ho Jung,Seon Ju Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory system for reducing program preparation operation time and operation method thereof

Номер патента: US09984001B2. Автор: Jin-woong Kim,Jong-Min Lee,Byoung-Sung YOU. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Memory, memory system and operation method of memory system

Номер патента: US12026392B2. Автор: Woongrae Kim,Chul Moon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20180004439A1. Автор: Eu-Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-04.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200066348A1. Автор: Joo-young Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-02-27.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US09927994B2. Автор: Eu-Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Memory system, memory controller, and operation method of memory system

Номер патента: US20210389903A1. Автор: Seung Gu JI,Hyung Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200012603A1. Автор: Hae-Gi CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-01-09.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US11163689B2. Автор: Hae-Gi CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-11-02.

Memory system and operation method for the same

Номер патента: US09703487B2. Автор: Hae-Gi CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Operating method for memory system

Номер патента: EP4180917A2. Автор: Hyunseok Kim,Jingyu HEO,Inhae KANG,Jaeyoul OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-17.

Operating method for memory system

Номер патента: EP4180917A3. Автор: Hyunseok Kim,Jingyu HEO,Inhae KANG,Jaeyoul OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-18.

Memory system and operating method of memory system

Номер патента: US12124718B2. Автор: Heung Tae Jin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Memory device, memory system including the same and operation method of the memory system

Номер патента: US09666297B1. Автор: Sang-Hyun Song,Chang-Wan Ha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Memory system and operating method of the same

Номер патента: US20210375347A1. Автор: Seungwon Lee,Daeseok Byeon,Youngmin Jo,Taehyo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-02.

Memory system, memory controller and operating method of the memory system operating as read boost mode

Номер патента: US12099751B2. Автор: Eu Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Memory system for storing data corresponding to logical addresses into physical location accessible using interleaving, and operation method thereof

Номер патента: US09892035B2. Автор: Hae-Gi CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Nonvolatile memory system including nonvolatile memory device and memory controller and operating method of memory controller

Номер патента: US09741441B2. Автор: Kyungryun Kim,Sangyong Yoon,Kiwhan Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-22.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20180113650A1. Автор: Eu-Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-26.

Memory device, memory system including the same, and operating method of memory system

Номер патента: US20240264934A1. Автор: Jungho Park,Insu Kim,Jaeyong Jeong,Beomkyu Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory system and operating method of memory system

Номер патента: US09996277B2. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US09886381B2. Автор: Eun-Soo Jang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US09798480B2. Автор: Jeen PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Memory systems and operation methods thereof, memory controllers and memories

Номер патента: US20240126478A1. Автор: Hua Tan,Yufei FENG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Memory system and operating method of memory system

Номер патента: US12093554B2. Автор: Hee Chan Shin,Young Ho AHN,Jae Gwang Lee,Gi Gyun Yoo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Data processing systems including a data encoder that reads in data from and returns data to an external memory system

Номер патента: US12086454B2. Автор: Olof Henrik Uhrenholt,Andreas Due Engh-Halstvedt. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20170301400A1. Автор: Eu-Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-19.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20190332324A1. Автор: Do Hun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Memory system and operating method of the memory system

Номер патента: US20190066794A1. Автор: Jong Woo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Memory system, memory controller, and operation method of memory system for loading and updating mapping information to host memory area

Номер патента: US12072809B2. Автор: Kyu Ho Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Memory system processing request based on inference and operating method of the same

Номер патента: US20210366562A1. Автор: Kangho Roh,Hyunkyo Oh,Jinbaek SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-25.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US10712962B2. Автор: Se-Hyun Kim,Jung-Woo Kim,Kyung-hoon Lee,Sung-Hun JEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-07-14.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200183599A1. Автор: Eu-Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-06-11.

Memory system and operating method supporting fast boot using host memory buffer and default enabled information

Номер патента: US12118239B2. Автор: Jeong Hyun Kim,Sung Ju Yoo,Ji Hun Choi,Byong Woo Ryu,Son Hong MIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US12131179B2. Автор: Hyeong Jae CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Memory controllers, operating methods thereof, and memory systems including the same

Номер патента: US09990162B2. Автор: Ji-soo Kim,Moon-sang Kwon,Yoo-chan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20210181952A1. Автор: Kyung Bum Kim,JiMan Hong,Gi Bbeum HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US12079131B2. Автор: Jooyoung Lee,Hoeseung Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory system and wear-leveling method thereof

Номер патента: US09990153B2. Автор: Jung-Hyun Kwon,Dong-Gun KIM,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Memory device and memory system performing request-based refresh, and operating method of the memory device

Номер патента: US09940991B2. Автор: Ho-young Song,Hyun-Joong Kim,Hoi-Ju CHUNG,Sang-Uhn CHA,Ju-Yun JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200192816A1. Автор: Eu Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-06-18.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20220197530A1. Автор: Myung Hyun Rhee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US20170109273A1. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-20.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US11036273B2. Автор: Dong Yeob CHUN,Dong Sop LEE,In Jae YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-06-15.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200310691A1. Автор: Eu Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-10-01.

Memory system for processing a delegated task and an operation method thereof

Номер патента: US11740813B2. Автор: Su Won MOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Memory system for performing migration operation and operating method thereof

Номер патента: US20210117122A1. Автор: Eujoon Byun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-22.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200125292A1. Автор: Eu-Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-04-23.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US10445019B2. Автор: Ho-Jung YUN,Dong-Yeob CHUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-15.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US20220121375A1. Автор: Ju Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20180067696A1. Автор: Ho-Jung YUN,Dong-Yeob CHUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-08.

Memory system and operating method of memory system

Номер патента: US20170371548A1. Автор: Gi-Pyo UM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-28.

Controller, operating method of the controller and memory system

Номер патента: US20210303176A1. Автор: Hee Chan Shin,Do Hyeong LEE,Yong Seok Oh,Young Ho AHN,Jae Gwang Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Operating method of memory system including memory controller and nonvolatile memory device

Номер патента: US20220208271A1. Автор: Joonsuc Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-30.

Memory system performing cache bypassing operation and cache management method thereof

Номер патента: US20240256452A1. Автор: Shinhaeng KANG,Kyomin Sohn,Suk Han Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory system and operation thereof

Номер патента: EP4459473A2. Автор: Mo CHENG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-06.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200012597A1. Автор: Jong-Min Lee,Hyeong-Ju NA. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-01-09.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20190205246A1. Автор: Jin-woong Kim,Su-Chang Kim,Eun-Soo Jang,Hae-Gi CHOI,Kyeong-Rho KIM,Hui-Won LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-07-04.

Computing system and operating method thereof

Номер патента: US20240020252A1. Автор: Joon Seop Sim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Memorye system and operating method thereof

Номер патента: US20220171533A1. Автор: Young Mi Yoon,Hyoung Suk JANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-06-02.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20190146712A1. Автор: Dong Sop LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-05-16.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20240012755A1. Автор: Jae Hoon Kim,Myoung Seo KIM,Sung Woo HYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US20200183608A1. Автор: Eu Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-06-11.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20170344263A1. Автор: Young-Kyun Shin,Ki-Sung Kim,Keun-Hyung KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-30.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200159457A1. Автор: Joo-young Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-05-21.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20240184487A1. Автор: WooSeong Cheong,Kyungeun CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-06.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200075103A1. Автор: Ji Ho Park,Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-03-05.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: EP4379561A1. Автор: WooSeong Cheong,Kyungeun CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-05.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US12019545B2. Автор: Jae Hoon Kim,Myoung Seo KIM,Sung Woo HYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20190354436A1. Автор: Hyuk Lee,Hoiju CHUNG,Young-Do Hur,Jang-Ryul Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-11-21.

Memory system, memory controller and operating method of the memory system for controlling garbage collection

Номер патента: US20230297502A1. Автор: Gi Pyo UM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory system, data processing system including the same, and operating method thereof

Номер патента: US11941246B2. Автор: Hye Mi KANG,Eu Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20210303456A1. Автор: Yong Tae Kim,Soong Sun SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Memory system for executing a target operation based on a program state of a super memory block and operating method thereof

Номер патента: US11954349B2. Автор: Young Soo Lim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Memory system executing background operation using external device and operation method thereof

Номер патента: US11972127B2. Автор: Jung Woo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-30.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200104254A1. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-04-02.

Memory device, memory system having the same, and operating method thereof

Номер патента: US20180052638A1. Автор: Byoung Sung You. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-22.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200192792A1. Автор: Byeong-Gyu PARK,Young-Ick CHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-06-18.

Memory system for executing a target operation based on a program state of a super memory block and operating method thereof

Номер патента: US20240211153A1. Автор: Young Soo Lim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Memory system, operating method thereof, and electronic device

Номер патента: US20190347196A1. Автор: Kyung Min Kim,Dae Hong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Memory system with a zoned namespace and an operating method thereof

Номер патента: US20220261180A1. Автор: Hee Chan Shin,Yong Seok Oh,Young Ho AHN,Jhu Yeong Jhin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-08-18.

Allocating variable media types of memory devices in a memory system

Номер патента: US20190332290A1. Автор: Michael B. Danielson,Paul A. Suhler,James H. Meeker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Memory system with a zoned namespace and an operating method thereof

Номер патента: US12118237B2. Автор: Hee Chan Shin,Yong Seok Oh,Young Ho AHN,Jhu Yeong Jhin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20220179796A1. Автор: Min Gu Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-06-09.

Memory system and operating method of the same

Номер патента: US10795609B2. Автор: Jung-Hyun Kwon,Jong-hyun Park,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-10-06.

Memory system and operating method of the same

Номер патента: US20190056888A1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Jong-hyun Park,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-02-21.

Memory system and operating method of memory system

Номер патента: US20170199685A1. Автор: Jee-Yul Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-13.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200201557A1. Автор: Beom Rae JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-06-25.

Memory controller calculating optimal read level, memory system including the same, and operating method of memory controller

Номер патента: EP4138081A1. Автор: Dongmin Shin,Wijik LEE,Hongrak Son,Kwanwoo NOH,Seonghyeog Choi,Hyeonjong Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-22.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20160179385A1. Автор: Eu-Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-23.

Memory system including memory device and memory controller, and operating method thereof

Номер патента: EP4231162A1. Автор: Taehun Kim,Wooil Kim,Taewoo HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-23.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20160274791A1. Автор: Min-O SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-22.

Memory system including semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: US11942138B2. Автор: Woongrae Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20190339868A1. Автор: Seung Gu JI,Byeong Gyu Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-11-07.

Memory system, memory controller, and memory control method

Номер патента: US20200357472A1. Автор: Yi-Chun Liu,Yiching Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-12.

Memory system, memory controller, and memory control method

Номер патента: EP3736699A1. Автор: Yi-Chun Liu,Yiching Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-11.

Packet routing between memory devices and related apparatuses, methods, and memory systems

Номер патента: US20240241641A1. Автор: John D. Leidel. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Memory system including a nonvolatile memory and control method

Номер патента: US20220066640A1. Автор: Masahiro Takeshita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Memory system including a nonvolatile memory and control method

Номер патента: US11314412B2. Автор: Masahiro Takeshita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-04-26.

Memory system for write operation and method thereof

Номер патента: US20210240384A1. Автор: Siarhei Kryvaltsevich. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-05.

Memory system for programming dummy data to a portion of a storage region in a program mode

Номер патента: US12068047B2. Автор: Junho Seo,Juwon LEE,Dogyeong LEE,Sukeun KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory system and control method thereof

Номер патента: US09933941B2. Автор: Junji Yano,Shinichi Kanno,Hirokuni Yano,Kazuya Kitsunai,Toshikatsu Hida. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Memory system and operation method for the same

Номер патента: US20180039447A1. Автор: Joo-young Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-08.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US11403015B2. Автор: Eu-Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-08-02.

Memory system using host memory buffer and operation method thereof

Номер патента: EP4180938A1. Автор: Kihyun Park,Hyunseok Kim,Shin-Ho Choi,Sooyun LEE,Bumhee LEE,Wooram KIM,Hyeongyu Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-17.

Memory controllers and operating methods thereof, memory systems, and electronic devices

Номер патента: US20240160381A1. Автор: Zhenran Lu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Memory controller and operation method thereof, and memory system

Номер патента: US20240168648A1. Автор: Kang Li,Zhen Huang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Memory controller and operation method thereof, memory system and electronic device

Номер патента: US20240160385A1. Автор: Zhenran Lu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Data processing system and operation method thereof

Номер патента: US20230061626A1. Автор: Jung Woo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Controller, operating method thereof, and memory system including the same

Номер патента: US20200356289A1. Автор: Do Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-11-12.

Cache system and operating method thereof

Номер патента: US11016892B2. Автор: Jiin Lai,Weilin Wang,Zhongmin Chen,Mengchen Yang,Xianpei ZHENG. Владелец: Shanghai Zhaoxin Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-25.

Hybrid memory system and accelerator including the same

Номер патента: US20240045588A1. Автор: Jie Zhang,Myoungsoo Jung,Hanyeoreum BAE. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2024-02-08.

Memory system including a memory controller

Номер патента: US11995334B2. Автор: Jae-Han Park,Hyun-Woo KWACK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Page buffer, memory device including page buffer and memory system including memory device

Номер патента: US20240177786A1. Автор: Kang Woo Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Memory device, memory system including the memory device, and method of operating the memory system

Номер патента: US20200133501A1. Автор: Hyun Woo Lee,Young Gyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-04-30.

Memory system

Номер патента: US20170109076A1. Автор: Chang-Hyun Kim,Jae-Jin Lee,Yong-Woo Lee,Min-Chang Kim,Do-Yun LEE,Hun-Sam Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-20.

Memory system

Номер патента: US09990143B2. Автор: Chang-Hyun Kim,Jae-Jin Lee,Yong-Woo Lee,Min-Chang Kim,Do-Yun LEE,Hoe-Kwon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Memory system

Номер патента: US09977606B2. Автор: Chang-Hyun Kim,Jae-Jin Lee,Yong-Woo Lee,Min-Chang Kim,Do-Yun LEE,Hoe-Kwon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Memory systems including an input/output buffer circuit

Номер патента: US09971505B2. Автор: Kilsoo Kim,Jinman Han,Youngjin Jeon,Jeongdon Ihm. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Memory system and method for error correction of memory

Номер патента: US09886340B2. Автор: Jung Ho Ahn,Namsung KIM. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2018-02-06.

Memory system and write and read operation method for the same

Номер патента: US09886197B2. Автор: Dong-Gun KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Memory system includes a memory controller

Номер патента: US09841922B2. Автор: Jae-Han Park,Hyun-Woo KWACK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Memory system

Номер патента: US09786389B2. Автор: Chang-Hyun Kim,Jae-Jin Lee,Yong-Woo Lee,Min-Chang Kim,Do-Yun LEE,Hoe-Kwon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Memory system for accurately predicting power required for sequential command operations performed in memory device, and operation method thereof

Номер патента: US20210278999A1. Автор: Dong Yeob CHUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-09.

Memory system for managing data corresponding to a plurality of zones and operating method thereof

Номер патента: US11893255B2. Автор: Bo Kyeong KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Memory system and operating method thereof performing garbage collection and write operations in parallel on different dies

Номер патента: US11360889B2. Автор: Eu-Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-06-14.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US20190286561A1. Автор: Jong-Min Lee,Beom-Rae JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-09-19.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20190187923A1. Автор: Kwang Su Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20220374170A1. Автор: Jae Hoon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-11-24.

Memory system and operation method for the same

Номер патента: US20200042243A1. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: Zaxcom Inc. Дата публикации: 2020-02-06.

Memory controller, memory system having the same, and operating method thereof

Номер патента: US20190079860A1. Автор: Min Kee Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-03-14.

Memory system and operating method of the same

Номер патента: US20190107972A1. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-04-11.

Controller, memory system, and operating method thereof

Номер патента: US20200272571A1. Автор: Do Hun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-08-27.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US11941292B2. Автор: Jae Hoon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Memory system and operating method of a memory system

Номер патента: US20200285397A1. Автор: Min Soo LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-09-10.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20170322849A1. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-09.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200019497A1. Автор: Jong-Min Lee,Hyeong-Ju NA. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-01-16.

Memory system, memory controller and operating method thereof

Номер патента: US20210103406A1. Автор: Min Hwan MOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-08.

Hierarchical network for stacked memory system

Номер патента: US20240211166A1. Автор: William James Dally,Carl Thomas Gray,Stephen W. Keckler,James Michael O'connor. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Non-volatile memory device, memory system including the same and read method of memory system

Номер патента: US12020755B2. Автор: Sung Hun Kim,Hyo Jae Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Memory system and method

Номер патента: US20230315312A1. Автор: Kenji Takahashi,Makoto Kuribara,Shin TAKASAKA,Rintaro ARAI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Memory system with selective access to first and second memories

Номер патента: US20200065000A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Memory system and bus switch

Номер патента: US20140331005A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-11-06.

Memory system with selective access to first and second memories

Номер патента: US20210208784A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-07-08.

Memory system and bus switch

Номер патента: US20140052903A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-02-20.

Memory system with selective access to first and second memories

Номер патента: US9280461B2. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-08.

Memory system and bus switch

Номер патента: US8595410B2. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-11-26.

Memory system with selective access to first and second memories

Номер патента: US20240118804A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Memory system with selective access to first and second memories

Номер патента: US20230049754A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-02-16.

Memory system including a non-volatile memory chip and method for performing a read operation on the non-volatile memory chip

Номер патента: US20210349664A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Suguru NISHIKAWA,Riki SUZUKI,Marie Sia. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Apparatus and method for performing garbage collection in a memory system

Номер патента: US12039184B2. Автор: Hyoung Pil CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Data processing method and apparatus, processor, and hybrid memory system

Номер патента: EP4390648A1. Автор: Huan Chen,Xiaoping Zhu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Memory controller and memory system including same

Номер патента: US20180113641A1. Автор: Shi Hye KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-26.

Memory system, information processing apparatus, and information processing system

Номер патента: US11775184B2. Автор: Teruji Yamakawa,Kentaro Umesawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20170052737A1. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-23.

Memory system and control method

Номер патента: US20180217753A1. Автор: Shinichiro Nakazumi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-08-02.

Apparatus and method for managing meta data for engagement of plural memory system to store data

Номер патента: US20200042460A1. Автор: Ik-sung OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-02-06.

Memory system with selective access to first and second memories

Номер патента: US10474360B2. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-11-12.

Memory system with selective access to first and second memories

Номер патента: US10956039B2. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-03-23.

Memory system with selective access to first and second memories

Номер патента: US20160147455A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-05-26.

Memory controlling device and memory system including the same

Номер патента: US20200004669A1. Автор: Myoungsoo Jung,Gyuyoung PARK. Владелец: Memray Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Non-volatile memory device, memory system including the same and read method of memory system

Номер патента: US20240304260A1. Автор: Sung Hun Kim,Hyo Jae Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Systems and methods for initializing a memory system

Номер патента: US09983819B2. Автор: Matthew Sanchez,Brian D. HATFIELD,Richard A. Ripberger,Ellen J. GRUSY,Kurt A. Lovrien. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Memory system

Номер патента: US09965214B2. Автор: Jae-Han Park,Hyun-Woo KWACK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Memory system and method including determining a read voltage based on program order information and a plurality of mapping tables

Номер патента: US09921749B2. Автор: Kyung-Ryun Kim,Joon-Suc JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-20.

Memory system and information processing system

Номер патента: US09880939B2. Автор: Konosuke Watanabe,Tetsuhiko Azuma,Satoshi Kaburaki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Memory system that handles access to bad blocks

Номер патента: US09728275B2. Автор: Tetsuya Iwata,Shinya Takeda,Yoshio Furuyama,Shunsuke KODERA,Toshihiko KITAZUME,Kenichirou KADA,Nobuhiro Tsuji,Hirosuke NARAI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US11922065B2. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20180267708A1. Автор: Beom-Ju Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-09-20.

Memory system including a sub-controller and operating method of the sub-controller

Номер патента: US11901027B2. Автор: Jong Joo Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Memory system and operation method for the same

Номер патента: US20170060424A1. Автор: Hae-Gi CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-02.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20220365682A1. Автор: Won Hyoung Lee,Ji Yeun KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-11-17.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US11822819B2. Автор: Jung Woo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Memory system having sleep mode and wake up mode and operation method thereof

Номер патента: US9804860B2. Автор: Kwang-su Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Memory system for garbage collection operation and operating method thereof

Номер патента: US20200387447A1. Автор: Eu-Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-10.

Memory system for read operation and operating method thereof

Номер патента: US20210286556A1. Автор: Yu Mi Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-16.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200341687A1. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-10-29.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200133882A1. Автор: Min-O SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-04-30.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200201755A1. Автор: Eu-Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-06-25.

Memory system including plural regions storing data and operating method thereof

Номер патента: US20200334144A1. Автор: Eu-Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-10-22.

Memory system, memory controller, and operation method of memory system

Номер патента: US20210334009A1. Автор: In Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Controller, operating method thereof, and memory system including the same

Номер патента: US20200334159A1. Автор: Joung Young LEE,Dong Sop LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-10-22.

Memory system, memory controller and operating method thereof

Номер патента: US20200310987A1. Автор: Hyoung-Pil CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-10-01.

Memory system including a sub-controller and operating method of the sub-controller

Номер патента: US20240212779A1. Автор: Jong Joo Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200126624A1. Автор: Jin-Pyo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-04-23.

Memory system controlling load capacity

Номер патента: US8832362B2. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-09.

Controller and memory system including the controller operating memory allocation

Номер патента: US12001885B2. Автор: Duk Joon JEON,Changhwan Youn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Memory system and control method of memory system

Номер патента: US20210082513A1. Автор: Masahiro Ogawa,Norio Aoyama. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Memory system for binding data to a memory namespace

Номер патента: US20240248854A1. Автор: Hongyu Wang,Samuel E. Bradshaw,Shivasankar Gunasekaran,Justin M. Eno. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory system managing number of read operations using two counters

Номер патента: US20230280943A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Suguru NISHIKAWA,Takehiko Amaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Memory, operating method therefor, and memory system

Номер патента: EP4202938A1. Автор: Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-28.

Memory system and method for managing number of read operations using two counters

Номер патента: US12050812B2. Автор: Yoshihisa Kojima,Suguru NISHIKAWA,Takehiko Amaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Physical interface configuration buffer in a flash memory system

Номер патента: US20240319916A1. Автор: Hung Vuong,Benish Babu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for controlling memory device asynchronously with respect to system clock, and related memory device and memory system

Номер патента: US20150287445A1. Автор: Tah-Kang Joseph Ting,Gyh-Bin Wang,Yung-Ching Hsieh. Владелец: PieceMakers Tech Inc. Дата публикации: 2015-10-08.

Memory system and method of controlling non-volatile memory

Номер патента: US20240302959A1. Автор: Shizuka SEKIGAWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Apparatus and method for erasing data programmed in a non-volatile memory block in a memory system multiple times

Номер патента: US12131053B2. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Managing operations in memory systems

Номер патента: EP4453707A1. Автор: Weilin Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-30.

Memory system, including memory device capable of overwrite operation, and method of operating the memory system

Номер патента: US09952766B2. Автор: Sung-Yong Seo,Kyoung-il Bang,Moon-sang Kwon,Yeong-Jae WOO,Eun-Chu Oh,Han-Shin Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Method for reducing power consumption of memory system, and memory controller

Номер патента: US09927860B2. Автор: Mingyu Chen,Yongbing HUANG,Yuan RUAN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Non-volatile memory systems and methods of managing power of the same

Номер патента: US09817596B2. Автор: Young Joon Choi,Hyo Jin Jeong,Jae-Hyeon Ju,Han Gu Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-14.

Memory system facilitating high bandwidth and high capacity memory

Номер патента: US09804978B2. Автор: Jonathan R. Hinkle. Владелец: Lenovo Enterprise Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of operation for a nonvolatile memory system and method of operating a memory controller

Номер патента: US09778851B2. Автор: Young-Ho Park,Chanik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Memory rank and ODT configuration in a memory system

Номер патента: US09747230B2. Автор: Amir Amirkhany,Ravindranath Kollipara,Minghui HAN,Ralf Michael SCHMITT. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-08-29.

Memory system including memory buffer

Номер патента: US09696941B1. Автор: Won-ha Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Method for controlling memory device asynchronously with respect to system clock, and related memory device and memory system

Номер патента: US09679622B2. Автор: Tah-Kang Joseph Ting,Gyh-Bin Wang,Yung-Ching Hsieh. Владелец: PieceMakers Tech Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Systems and methods for immediate physical erasure of data stored in a memory system in response to a user command

Номер патента: US09658788B2. Автор: Konstantin Stelmakh,Gabi Brontvein,Menaham Lasser,Long Cuu Pham. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-23.

Method and apparatus for calibrating write timing in a memory system

Номер патента: US09552865B2. Автор: Steven C. Woo,Ian Shaeffer,Thomas J. Giovannini,Alok Gupta. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-01-24.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US11182289B1. Автор: Hye Mi KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-11-23.

Data processing system and operating method thereof

Номер патента: US20170322738A1. Автор: Do-Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-09.

Memory system, operation method thereof, and database system including the memory system

Номер патента: US11182300B2. Автор: Yong-Seok Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-11-23.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US11853206B2. Автор: Jong-Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Memory device, memory controller, and memory system including the same

Номер патента: US20230333782A1. Автор: Wontaeck Jung,Jaeyong Jeong,Bohchang Kim,Kuihan KO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

Memory system performing reference voltage training operation and operating method of memory system

Номер патента: US20200020362A1. Автор: Sang-Geun Bae. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-01-16.

Memory controller including address translation module, memory system including the memory controller, and operating method of the memory controller

Номер патента: US11055229B2. Автор: Eun Chu Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-06.

Memory system, operation method thereof, and database system including the memory system

Номер патента: US11782840B2. Автор: Yong-Seok Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Hign-bandwidth ddr dimm, memory system, and operation method thereof

Номер патента: US20240053898A1. Автор: Ming Huang,Liang Zhang,Jiayun Zhang,Chuanhao Xu,Jiechen Shou. Владелец: Innosilicon Microelectronics Zhuhai Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Memory controller, memory system including the same, and operating method of the memory controller

Номер патента: US20200167290A1. Автор: Eun Chu Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-28.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US11599476B2. Автор: Sang Don YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-03-07.

Memory system, operation method thereof, and database system including the memory system

Номер патента: US20200104261A1. Автор: Yong-Seok Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-04-02.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20210240613A1. Автор: Hyeong Ju NA. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-05.

Memory device, memory system including the same, and operating method of the memory system

Номер патента: US12001683B2. Автор: Heehyun Nam,Wansoo Choi,Sumin Ahn,Heeyeon TAK,Hyunseon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-04.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20190278706A1. Автор: Jung Hyun Kwon,Do-Sun HONG,Won Gyu SHIN,Seung Gyu JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-09-12.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20180129445A1. Автор: Soong-Sun SHIN,Young-Mi YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-10.

Memory controller, memory device, memory system, and operating method thereof

Номер патента: US20210019086A1. Автор: Dong Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-21.

Memory system and information processing system

Номер патента: US20240086096A1. Автор: Yuki Sasaki,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Memory system performing performance adjusting operation

Номер патента: US20230063640A1. Автор: Duksoo Kim,Doil Kong,Daesung CHEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-02.

Memory system capable of accessing memory cell arrays in parallel

Номер патента: US20200089415A1. Автор: Riki SUZUKI,Toshikatsu Hida,Sayano AGA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Memory system capable of accessing memory cell arrays in parallel

Номер патента: US20190095108A1. Автор: Riki SUZUKI,Toshikatsu Hida,Sayano AGA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-28.

Memory system, memory controller and method for operating memory system

Номер патента: US20210004330A1. Автор: Byung Jun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-07.

Memory system and method of operating memory system

Номер патента: US20240241646A1. Автор: Hyunseok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Apparatus and method for managing map data between host and memory system

Номер патента: US12050795B2. Автор: Jung Woo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Electronic system, operating method thereof, and operating method of memory device

Номер патента: EP4213021A1. Автор: Seung Jun Yang,Hye Joon YI,Mi Jung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-19.

Memory system

Номер патента: EP2111583A1. Автор: designation of the inventor has not yet been filed The. Владелец: . Дата публикации: 2009-10-28.

Memory device, a memory system and an operation method

Номер патента: US12056355B2. Автор: Ying Huang,Hongtao Liu,Ke Liang,Ling Chu,Zhipeng DONG,Manxi Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory system and method of controlling memory system

Номер патента: US20200409555A1. Автор: Hiroshi Yao,Kazuhiro Fukutomi,Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-12-31.

Memory system and method of controlling memory system

Номер патента: US20180188963A1. Автор: Hiroshi Yao,Kazuhiro Fukutomi,Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-07-05.

Memory system and storage system

Номер патента: US20240272810A1. Автор: Hirotomo Kobayashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Packed commands for communicating with flash memory system

Номер патента: US20240302965A1. Автор: Madhu Yashwanth Boenapalli,Surendra Paravada,Sai Praneeth Sreeram. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory system and nonvolatile memory

Номер патента: US20240320089A1. Автор: Daisuke Arizono. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Packed commands for communicating with flash memory system

Номер патента: WO2024186388A1. Автор: Madhu Yashwanth Boenapalli,Surendra Paravada,Sai Praneeth Sreeram. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory system, information processing system, and host device

Номер патента: US12086426B2. Автор: Yuki Sasaki,Shinichi Kanno,Takahiro Kurita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

High performance transaction-based memory systems

Номер патента: US09904635B2. Автор: LIANG Yin,Mu-Tien Chang,Hongzhong Zheng. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Memory system, host system, and method of performing write operation in memory system

Номер патента: US09904628B2. Автор: Kwang-Hoon KIM,Sang-Kyoo Jeong,Man-keun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Method and apparatus for calibrating write timing in a memory system

Номер патента: US09881662B2. Автор: Steven C. Woo,Ian Shaeffer,Thomas J. Giovannini,Alok Gupta. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-01-30.

Memory system and operating method of the memory system

Номер патента: US20230359393A1. Автор: Se Ho LEE,Min Gu Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Memory system, method of operating the same and storage device using the same

Номер патента: US11829633B2. Автор: Jiwoon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-28.

Memory system and operating method of the memory system

Номер патента: US20220214831A1. Автор: Hyun Tae Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-07-07.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20210042233A1. Автор: Joo-young Lee,Hoe-Seung JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-02-11.

Memory system, method of operating the same and storage device using the same

Номер патента: EP3955124A1. Автор: Jiwoon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-16.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20180121096A1. Автор: Gi-Pyo UM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-03.

Solid state drive (ssd) memory system improving the speed of a read operation using parallel dma data transfers

Номер патента: US20210326075A1. Автор: Do Hun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Memory system, data processing system and operation method of the same

Номер патента: US20210098070A1. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Memory system including multiple memories connected in series

Номер патента: US11334286B2. Автор: Hiroyuki Kobayashi,Junji Wadatsumi,Takashi Toi,Jun Deguchi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-05-17.

Memory system related to selectively storing data and a corresponding map, and an operating method of the memory system

Номер патента: US20240143193A1. Автор: Kyung Hoon Lee,Tae Yeon Hwang,Sung Kwan Hong,Sung Hun JEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Memory system including multiple memories connected in series

Номер патента: US10838655B2. Автор: Hiroyuki Kobayashi,Junji Wadatsumi,Takashi Toi,Jun Deguchi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-11-17.

Semiconductor device and memory system including the same

Номер патента: EP4187538A3. Автор: ChiWeon Yoon,Tongsung KIM,Byunghoon Jeong,Youngmin Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-13.

Memory system

Номер патента: US20130290659A1. Автор: Shigehiro Asano,Junji Yano,Shinichi Kanno,Hidenori Matsuzaki,Kosuke Hatsuda,Toshikatsu Hida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-10-31.

Memory system, method of controlling memory system having volatile memory and nonvolatile memory, and controller

Номер патента: US20160266638A1. Автор: Toshikatsu Hida,Shohei Asami,Mitsuru ANAZAWA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Memory system and method

Номер патента: US20240248645A1. Автор: Takashi Ishiguro. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory device and operating method including a partial program operation and a partial erase operation thereof

Номер патента: US20180322925A1. Автор: Ji Ho Park,Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-11-08.

Memory device and operating method including a partial program operation and a partial erase operation thereof

Номер патента: US10503439B2. Автор: Ji Ho Park,Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-12-10.

Memory device and operating method including a partial program operation and a partial erase operation thereof

Номер патента: US10049746B2. Автор: Ji Ho Park,Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-08-14.

Adaptive Memory System

Номер патента: US20220113881A1. Автор: David Andrew Roberts. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-04-14.

Memory system including multiple memories connected in series

Номер патента: US20210064276A1. Автор: Hiroyuki Kobayashi,Junji Wadatsumi,Takashi Toi,Jun Deguchi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Memory system

Номер патента: US20230282257A1. Автор: Zhao Lu,Yuji Nagai,Mitsuhiro Abe,Hisashi Fujikawa,Akio SUGAHARA,Takehisa KUROSAWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Apparatus and method for securing a free memory block in a memory system

Номер патента: US11775426B2. Автор: Dong Young Seo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Memory system, method of controlling access to memory system, and mobile computing device

Номер патента: US20220091759A1. Автор: Yoshiyuki Kudoh,Kentaro Umesawa,Hirotomo Kobayashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Memory system

Номер патента: US11086573B2. Автор: Masanobu Shirakawa,Marie Takada,Tsukasa TOKUTOMI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-08-10.

Operating methods of semiconductor device and memory system each including multi-connection port, and communication method of storage system

Номер патента: US20170199673A1. Автор: Hwa-Seok Oh,Jin-Hyeok Choi,Hyun-Tae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-13.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US12066931B2. Автор: Hideki Yoshida,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory system and method for operating the same

Номер патента: US20200034299A1. Автор: Hui-Won LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-01-30.

Memory system and power supply control circuit

Номер патента: US20240281153A1. Автор: Kengo Kumagai,Daiki KAMADA,Yuta HIBE. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory system

Номер патента: US20240311039A1. Автор: Mitsunori Tadokoro,Haruka MORI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory system and method of estimating read voltages thereof

Номер патента: US20240319907A1. Автор: Yuki Komatsu,Katsuyuki Shimada,Yasuyuki Ushijima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20240362162A1. Автор: Hideki Yoshida,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-31.

Memory system and information processing system

Номер патента: US09904807B2. Автор: Kiyotaka Matsuo. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Memory system with garbage collection

Номер патента: US09857984B2. Автор: Hiroyuki Nemoto,Katsuhiko Ueki,Yoshihisa Kojima,Kazuya Kitsunai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09836216B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Memory system controlling peak current generation for a plurality of memories by synchronizing internal clock of each memory with a processor clock at different times to avoid peak current generation period overlapping

Номер патента: US09817434B2. Автор: Kye-Hyun Kyung,Jae-Yong Jeong,Seok-Cheon Kwon,Chul-ho Lee,Bo-Geun Kim,Seung-hun Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-14.

Non-volatile multi-level cell memory system and method of performing adaptive data back-up in the system

Номер патента: US09747170B2. Автор: Jae Il LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20170031836A1. Автор: Eu-Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-02.

Memory system and operating method of the memory system inputting an additional read enable toggle signal to output status information of memory device

Номер патента: US11880599B2. Автор: Dae Sung Kim,Sung Ho Ahn,Jae Hyeong Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Memory system, memory controller and operating method of the memory system operating as read boost mode

Номер патента: US20230376246A1. Автор: Eu Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US11921630B2. Автор: Eu-Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Memory system, memory controller and operation method thereof

Номер патента: US20240078322A1. Автор: Gi Jo Jeong,Seung Duk Cho,Woo tae CHANG,Jung Hyun JOH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US20160259585A1. Автор: Jong-Ju PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-08.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US20200174667A1. Автор: Young-Gyun Kim,Geu-Rim LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-06-04.

Memory controller searching for data input/output voltage, memory system, and operating method of the memory system

Номер патента: US20230384955A1. Автор: Byungwook SO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-30.

Memory system, computing apparatus and operation method thereof

Номер патента: US20200301852A1. Автор: Eu Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-09-24.

Scale-out high bandwidth memory system

Номер патента: US12032497B2. Автор: Dimin Niu,Hongzhong Zheng,Peng GU,Krishna T. MALLADI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Memory system

Номер патента: US20230004306A1. Автор: Shohei Onishi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-01-05.

Memory system

Номер патента: US20220391130A1. Автор: Terufumi Takasaki,Kenji Sakaue,Taro IWASHIRO,Sachiyo MIYAMOTO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-12-08.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US20220004338A1. Автор: Jun Ho Lee,Bo Hyun Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-01-06.

Data processing method and apparatus, processor, and hybrid memory system

Номер патента: US20240231669A1. Автор: Huan Chen,Xiaoping Zhu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20190051357A1. Автор: Ji Ho Park,Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-02-14.

Memory controller partitioning for hybrid memory system

Номер патента: US12032845B2. Автор: Frederick A. Ware,John Eric Linstadt. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-07-09.

Memory system

Номер патента: US20200293198A1. Автор: Mitsuru ANAZAWA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Memory system, control method, and power control circuit

Номер патента: US20230010785A1. Автор: Takashi Ooshima,Megumi Shibatani. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-01-12.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200192759A1. Автор: Yong-Tae Kim,Duck-Hoi KOO,Soong-Sun SHIN,Nam Oh HWANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-06-18.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US09983916B2. Автор: Kwang-su Kim,Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Memory systems and operation methods thereof

Номер патента: US20240311237A1. Автор: Yufei FENG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Controller, semiconductor memory system and operating method thereof

Номер патента: US09778980B2. Автор: Do-Hun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09710328B2. Автор: Hyung-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Memory systems and operating methods thereof

Номер патента: US20240168849A1. Автор: Youxin He,Xianwu Luo,Jiangwei Shi. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Memory systems and operating methods thereof

Номер патента: US12079085B2. Автор: Youxin He,Xianwu Luo,Jiangwei Shi. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Flash memory system and operating method thereof

Номер патента: US09710327B2. Автор: Dae-sung Kim,Jeong-Seok Ha,Su-Hwang JEONG. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2017-07-18.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20220083471A1. Автор: Do Hun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20190179743A1. Автор: Jang-Hyun KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-06-13.

Controller, semiconductor memory system, data storage system and operating method thereof

Номер патента: US09680504B2. Автор: Jae-Bum Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Controller, semiconductor memory system and operating method thereof

Номер патента: US09825651B2. Автор: Sung-Gun CHO,Jun-Rye RHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Memory system performing wear leveling using average erase count value and operating method thereof

Номер патента: US09805814B2. Автор: Jin-woong Kim,Byeong-Gyu PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Memory system and operating method of memory system

Номер патента: US12050533B2. Автор: In Jong Jang,Kyu Min LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Memory system and read reclaim method thereof

Номер патента: US09672104B2. Автор: Bong-Gwan Seol,Hwan-Chung Kim,Young Woo Jung,Eunju Park,Kyoungkuy Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US11934271B2. Автор: Yong-Tae Kim,Duck-Hoi KOO,Soong-Sun SHIN,Nam Oh HWANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Memory system for performing read retry operation and operating method thereof

Номер патента: US10394652B2. Автор: Min Sang Park,Gil Bok CHOI,Suk Kwang PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-08-27.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US20200050515A1. Автор: Yeong Dong GIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-02-13.

Semiconductor memory device, memory system including the same, and operating method thereof

Номер патента: US20150187420A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-07-02.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200183776A1. Автор: Dong Kyu Kim,Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-06-11.

Nonvolatile memory system and data recovery method thereof

Номер патента: US09824778B2. Автор: Hyung-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Memory system with memory region read counts and a memory group read count and operating method thereof

Номер патента: US20200051647A1. Автор: Yong Il JUNG,Dae Seok SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-02-13.

Memory system and memory controller

Номер патента: US20120151123A1. Автор: Haruki Toda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-06-14.

Cyclic redundancy check (crc) retry for memory systems in compute express link (cxl) devices

Номер патента: US20230259424A1. Автор: Marco Sforzin,Paolo Amato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Operating method of flash memory system

Номер патента: US09639421B2. Автор: Dae-sung Kim,Jeong-Seok Ha,Su-Hwang JEONG. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2017-05-02.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20180113758A1. Автор: Heon Jin CHOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-26.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US10678633B2. Автор: Tae-hoon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-06-09.

Memory, memory system and operation method of memory system

Номер патента: US20240029810A1. Автор: Munseon JANG,Hoiju CHUNG,Jang Ryul KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Memory, memory system and operation method of memory system

Номер патента: US11817169B2. Автор: Munseon JANG,Hoiju CHUNG,Jang Ryul KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Semiconductor memory system and method of repairing the semiconductor memory system

Номер патента: US20190303253A1. Автор: Jung Hyun Kwon,Wongyu SHIN,Seunggyu JEONG,Do Sun HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-03.

Memory system having overwrite operation control method thereof

Номер патента: US09627388B2. Автор: Heewon Lee,Hee-Woong Kang,Suejin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20200081774A1. Автор: Yuta Kumano,Hironori Uchikawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Memory system and information processing system

Номер патента: US20160350182A1. Автор: Naoaki Tsutsui. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-01.

Memory system including an error correction function

Номер патента: US11003528B2. Автор: Daiki Watanabe,Yuchieh Lin. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-05-11.

Memory system

Номер патента: US09929750B2. Автор: Yoshihisa Kojima,Erika KAKU. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US10923192B2. Автор: Kyung-Bum KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-02-16.

Ldpc decoder, semiconductor memory system, and operating method thereof

Номер патента: US20200136653A1. Автор: Dae-sung Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-04-30.

Memory systems and operating methods of memory systems

Номер патента: US20190310905A1. Автор: Jongyoung Lee,Sung-Joon Kim,Dae-Jeong Kim,Chanik Park,Wonjae Shin,Yongjun Yu,Hui-Chung BYUN,Tae-Kyeong Ko,Wooseop Kim,lnsu CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-10.

Controller, semiconductor memory system and operating method thereof

Номер патента: US20160328287A1. Автор: Do-Hun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-10.

Memory system

Номер патента: US20200089565A1. Автор: Teruo Takagiwa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Memory system

Номер патента: US20190287640A1. Автор: Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Memory controller and memory system including adjustment of scrub cycle rate

Номер патента: EP4390939A2. Автор: Sung-Joon Kim,Ho-Young Lee,Kyung-Hee Han,Kyung Jin Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-26.

Memory controller and memory system including the same

Номер патента: US20240202069A1. Автор: Sung-Joon Kim,Ho-Young Lee,Kyung-Hee Han,Kyung Jin Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory system

Номер патента: US20240282389A1. Автор: Hiroyuki Nagashima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Resistive memory device, resistive memory system, and method of operating the resistive memory system

Номер патента: US09881671B2. Автор: Jun Jin Kong,Eun Chu Oh,Hong-rak Son,Young-Geon YOO,Han-Shin Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-30.

Memory system performing read of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09767913B2. Автор: Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Memory system and control method

Номер патента: US09569355B2. Автор: Shigehiro Asano,Yohei Hasegawa,Tokumasa Hara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Memory systems and operation method thereof

Номер патента: US10191807B2. Автор: Jung-Hyun Kwon,Sung-Eun Lee,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-01-29.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US20240168892A1. Автор: Xianwu Luo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20180253345A1. Автор: Tae-hoon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-09-06.

Apparatus and method for handling error in volatile memory of memory system

Номер патента: US20200226039A1. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-07-16.

Memory system

Номер патента: WO2019106484A1. Автор: Christian Jacobi,Barry Trager,Patrick Meaney. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2019-06-06.

Memory system

Номер патента: US20190286571A1. Автор: Takayuki Mori,Satoshi Kaburaki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Memory system

Номер патента: US20210344360A1. Автор: Yasuyuki Imaizumi,Takashi Ishiguro,Yifan Tang,Mitsunori Tadokoro,Satoshi Shoji. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-11-04.

Memory system

Номер патента: US20200371867A1. Автор: Yasuyuki Imaizumi,Takashi Ishiguro,Yifan Tang,Mitsunori Tadokoro,Satoshi Shoji. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-11-26.

Flash-based memory system with robust backup and restart features and removable modules

Номер патента: WO2011082362A1. Автор: Charles J. Camp,Timothy J. Fisher,Holloway H. Frost,Don D. Davis,Adrian P. Glover,Josh H. Morris. Владелец: TEXAS MEMORY SYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2011-07-07.

Memory system for selecting counter-error operation through error analysis and data process system including the same

Номер патента: US20210208966A1. Автор: Nam Young AHN,Eung Bo Shim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-07-08.

Memory system and memory control method

Номер патента: US20160267966A1. Автор: Taku Ooneda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Adaptive error correction in a memory system

Номер патента: US20160344427A1. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Warren E. Maule,John K. DeBrosse,Hillery C. Hunter,Charles A. Kilmer,Rona Yaari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-24.

Memory systems having memory devices therein with enhanced error correction capability and methods of operating same

Номер патента: US12057184B2. Автор: Junhyung Kim,Kijun Lee,Sanguhn CHA,Sunghye CHO,Myungkyu Lee,Kiheung KIM,Sungrae Kim,Changyong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory systems having memory devices therein with enhanced error correction capability and methods of operating same

Номер патента: US20240339168A1. Автор: Junhyung Kim,Kijun Lee,Sanguhn CHA,Sunghye CHO,Myungkyu Lee,Kiheung KIM,Sungrae Kim,Changyong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-10.

Systems and methods for soft decision generation in a solid state memory system

Номер патента: US09941901B2. Автор: Zhengang Chen,Erich F. Haratsch,Yunxiang Wu. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-04-10.

Adaptive error correction in a memory system

Номер патента: US09917601B2. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Warren E. Maule,John K. DeBrosse,Hillery C. Hunter,Charles A. Kilmer,Rona Yaari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Memory system, memory controller and memory control method

Номер патента: US09852022B2. Автор: Daiki Watanabe,Ryo Yamaki,Yuma YOSHINAGA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Memory system

Номер патента: US20210295931A1. Автор: Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Systems and methods for soft data utilization in a solid state memory system

Номер патента: US20160085623A1. Автор: Yu Cai,Erich F. Haratsch,Yunxiang Wu. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2016-03-24.

Memory system and computer program product

Номер патента: US8812774B2. Автор: Shigehiro Asano,Kazuhiro Fukutomi,Shinichi Kanno,Akira Yamaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-19.

Memory system

Номер патента: US20170301402A1. Автор: Katsuhiko Ueki,Yoshihisa Kojima,Makoto Kuribara. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-19.

Input device and operation state switching method thereof

Номер патента: CN111381695A. Автор: 刘成,边毅,郭冠出,郭思佳. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-07.

Display panel and operation and control method thereof, and display device

Номер патента: WO2013139152A1. Автор: 周伟峰. Владелец: 京东方科技集团股份有限公司. Дата публикации: 2013-09-26.

Memory controller, an operation method thereof, a memory device, and a memory system

Номер патента: US20240212782A1. Автор: Sungjoon Kim,Changho YUN,Chaeeun LEE,Yukyoung KIM,Jongwon Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Memory system and operating method of memory system

Номер патента: US20210082498A1. Автор: Dong-Wook Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-03-18.

Memory system and operating method of memory system

Номер патента: US20190325951A1. Автор: Dong-Wook Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Memory system and operating method of memory system

Номер патента: US10861535B2. Автор: Dong-Wook Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-08.

Fifo memory system and fifo memory control method

Номер патента: US20240078201A1. Автор: Liming Xiu,Xiangye Wei. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Memory system

Номер патента: EP2248026A1. Автор: Junji Yano,Hidenori Matsuzaki,Kosuke Hatsuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-11-10.

Memory system

Номер патента: US20110185108A1. Автор: Junji Yano,Hidenori Matsuzaki,Kosuke Hatsuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-07-28.

Memory system

Номер патента: WO2009107505A1. Автор: Junji Yano,Hidenori Matsuzaki,Kosuke Hatsuda. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2009-09-03.

Capacitive touch panel and recognition method and fabrication method thereof

Номер патента: US20130038562A1. Автор: Te-Mu CHEN,Hsin-Hao Lee. Владелец: HTC Corp. Дата публикации: 2013-02-14.

Electronic Apparatus and Operation Mode Enabling Method Thereof

Номер патента: US20160239256A1. Автор: Chun-Tang Hsu,Shou-Kuo Tai. Владелец: Avermedia Technologies Inc. Дата публикации: 2016-08-18.

Electronic whiteboard system and operation method thereof

Номер патента: US12124693B2. Автор: Wen-Tai Wang. Владелец: Optoma Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

NONVOLATILE MEMORY SYSTEM, SYSTEM INCLUDING THE SAME, AND METHOD OF ADAPTIVELY ADJUSTING USER STORAGE REGION IN THE SAME

Номер патента: US20140281173A1. Автор: IM HYUNG JIN,CHOI SANG HOON,KANG JEONG UK,KWON MOON SANG. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-18.

Secure access system and operating method method thereof

Номер патента: EP2953078B1. Автор: JO Geon You. Владелец: LG CNS Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-11.

Server for cloud big data operation architecture and operation resource optimization method thereof

Номер патента: CN108089921B. Автор: 周志远,林展逸,吕世佑,陈振群,吕欣泽. Владелец: INSTITUTE FOR INFORMATION INDUSTRY. Дата публикации: 2022-01-21.

Computer system and electronic apparatus having secure boot mechanism and operation status restoring method thereof

Номер патента: US20220067167A1. Автор: CHEN YI-RUEI. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-03.

Speech recognition function-equipped electronic device and operation-related notification method thereof

Номер патента: US20200258520A1. Автор: Jinwoong Kim,Minsung Kim,Hojun JAYGARL,Kwangbin Lee,Youngbin Kim,Donghee SUH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-13.

Electronic device and operating system switching method thereof

Номер патента: TWI522924B. Автор: 江威,林榮隆,高啓修,陳衍文. Владелец: 宏碁股份有限公司. Дата публикации: 2016-02-21.

Mobile terminal and operating system switching method thereof

Номер патента: CN105843681A. Автор: 金鑫. Владелец: JRD Communication Shenzhen Ltd. Дата публикации: 2016-08-10.

Computer system and operating system switching method thereof

Номер патента: CN102122250B. Автор: 黄宗庆,吴青晃,张国航,林泰余. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2013-09-25.

Speech recognition function-equipped electronic device and operation-related notification method thereof

Номер патента: WO2020166809A1. Автор: Jinwoong Kim,Minsung Kim,Hojun JAYGARL,Kwangbin Lee,Youngbin Kim,Donghee SUH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-08-20.

Electronic apparatus and operation mode control method thereof

Номер патента: JP3601205B2. Автор: 淳二加藤,幸彦青木. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-12-15.

Electronic whiteboard system and operation method thereof

Номер патента: US20240143159A1. Автор: Wen-Tai Wang. Владелец: Optoma Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Capacitive touch system using differential sensing and operating method thereof

Номер патента: US09740356B1. Автор: Thomas Patrick Murphy,Hsin-Chia Chen,Kenneth Crandall. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Memory system and operation method of the memory system

Номер патента: US20230152981A1. Автор: In Jong Jang,Kyu Min LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

Memory system and operation method of the same

Номер патента: US09990312B2. Автор: Jung-Hyun Kwon,Yong-Ju Kim,Sung-Eun Lee,Jing-Zhe Xu. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Controller, memory system, and operating methods thereof

Номер патента: US20210026767A1. Автор: Jeen PARK,Hyeong Ju NA. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Vehicle memory system based on 3d memory and method operating thereof

Номер патента: US20220293202A1. Автор: Hong Yeol Lim,Myung Hyun Koo. Владелец: Hyundai AutoEver Corp. Дата публикации: 2022-09-15.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20190004895A1. Автор: Jun-Seo Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-01-03.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US20230079939A1. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-16.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US20200319953A1. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-08.

Managing open blocks in memory systems

Номер патента: US11340980B2. Автор: Zheng Wu,Yi-Chun Liu,Wei Jie Chen,Ching Ting Lu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-24.

Memory system and data protection method thereof

Номер патента: US20160034331A1. Автор: Ki Hong Kim,Kee Moon CHUN,Ji Myung Na. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-04.

Memory system and data processing system including the same

Номер патента: US12056027B2. Автор: Hyung-sup KIM,Eung-Bo SHIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory system and data processing system including the same

Номер патента: US20240354210A1. Автор: Hyung-sup KIM,Eung-Bo SHIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US11263102B2. Автор: Byoung Sung You. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-01.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200233770A1. Автор: Byoung Sung You. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-07-23.

Server for generating integrated usage log data and operation method thereof

Номер патента: AU2020281077A1. Автор: Young Jin Kim,Jin Su Lee,Suk Min Ahn,Su Ji Woo. Владелец: Coupang Corp. Дата публикации: 2021-10-14.

Memory system with error detection and retry modes of operation

Номер патента: US09665430B2. Автор: Frederick A. Ware,Mark A. Horowitz,Ely K. Tsern. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-05-30.

Electronic device, memory system having the same, and operating method thereof

Номер патента: US20190294370A1. Автор: Dong Yeob CHUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-09-26.

Traffic rate control for inter-class data migration in a multiclass memory system

Номер патента: US09916265B2. Автор: Gabriel H. Loh,Yasuko ECKERT,Sergey Blagodurov. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Memory system and operation method of the memory system

Номер патента: US11822794B2. Автор: In Jong Jang,Kyu Min LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Memory system and operation method of the same

Номер патента: US20170329726A1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Yong-Ju Kim,Sung-Eun Lee,Jing-Zhe Xu. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-16.

Memory system and operation method of the memory system

Номер патента: US20240020026A1. Автор: In Jong Jang,Kyu Min LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Microcomputer and operation method thereof

Номер патента: RU2520399C2. Автор: Исао ТАЦУНО. Владелец: Эл И ТЕК КО., ЛТД.. Дата публикации: 2014-06-27.

Memory system, memory controller and operating method of memory system

Номер патента: US11960359B2. Автор: Geu Rim LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Voltage regulator, memory system having the same and operating method thereof

Номер патента: US09886986B2. Автор: Ki Soo Kim,Jin Seong KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Voltage regulator, memory system having the same and operating method thereof

Номер патента: US09647538B2. Автор: Ki Soo Kim,Jin Seong KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US09977744B2. Автор: Hae-Gi CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Memory system and operation method thereof and power management module

Номер патента: US20240295916A1. Автор: MeiFa CHEN,Guiyuan Duan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Memory and operation method thereof, and memory system

Номер патента: US20240345948A1. Автор: Yufei FENG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Accelerator system for training deep neural network model using nand flash memory and operating method thereof

Номер патента: US20230259747A1. Автор: Yunho Jin,Jae W. Lee,Jong Hyun BAE,Tae Jun Ham,Gin A Sohn. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2023-08-17.

System for slowdown status notification and operating method thereof

Номер патента: US20190065289A1. Автор: Seong Won SHIN,Kyoungsun HONG. Владелец: SK Hynix Memory Solutions America Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US20190108136A1. Автор: Jongju Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-04-11.

Nonvolatile memory system and operating method thereof

Номер патента: US09582439B2. Автор: Myung Hyun JO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-28.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US9684352B2. Автор: Yeong Sik YI,Jong Ju PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20140380008A1. Автор: Yeong Sik YI,Jong Ju PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-12-25.

Data processing system and operating method thereof

Номер патента: US09652380B2. Автор: Eu-Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Non-volatile memory system, memory card having the same, and operating method of non-volatile memory system

Номер патента: US10095303B2. Автор: Hwa-Seok Oh,Seok-Won Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-10-09.

Memory system and operating method of the same

Номер патента: US20240282349A1. Автор: Meng-Fan Chang,Win-San Khwa,Tai-Hao Wen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Controller, semiconductor memory system and operating method thereof

Номер патента: US20180341543A1. Автор: Dae-sung Kim,Jeong-Seok Ha,Su-Hwang JEONG. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2018-11-29.

Memory device, memory system, and operating method of memory system

Номер патента: US09569371B2. Автор: Jun-Jin Kong,Pil-Sang Yoon,Chang-kyu Seol,Seong-Hyeog CHOI,Hong-rak Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Memory device, memory system including the same, and operating method of memory system

Номер патента: EP4411551A1. Автор: Jungho Park,Insu Kim,Jaeyong Jeong,Beomkyu Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-07.

Memory system, memory controller and operating method thereof for determining garbage collection victim block

Номер патента: US12056047B2. Автор: Jung Woo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory system having address synchronizer and operation method thereof

Номер патента: US09990974B2. Автор: Min-Su Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US09754675B2. Автор: Jong-Ju PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Cache memory system and operating method for the same

Номер патента: US09830264B2. Автор: Kwon-taek Kwon,Jeong-Soo Park,Jeong-ae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Memory and an operating method thereof, a memory system

Номер патента: US20230297521A1. Автор: Jiawei Chen,Shu Xie,Wenjie MU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Controller, semiconductor memory system and operating method thereof

Номер патента: US09698827B2. Автор: Jae-Bum Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US09946644B2. Автор: Curtis LEHMAN,Frank Liao. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Controller, semiconductor memory system and operating method thereof

Номер патента: US09798614B2. Автор: Do-Hun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Method and apparatus for encoding and decoding data in memory system

Номер патента: US09792176B2. Автор: Jun Jin Kong,Shay Landis,Avner Dor,Yaron Shany,Elona Erez,Evgeny BLAICHMAN,Moshe Twitto,Yoav Shereshevski. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Clock driver, operating method thereof, memory device including clock driver, and memory system

Номер патента: EP4407619A1. Автор: Bumsoo LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-31.

Clock driver, operating method thereof, memory device including clock driver, and memory system

Номер патента: US20240248511A1. Автор: Bumsoo LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US10146709B2. Автор: Chan-Jong WOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-12-04.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20190196964A1. Автор: Eu-Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20180173650A1. Автор: Chan-Jong WOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-21.

Data processing system and operating method thereof

Номер патента: US20180052710A1. Автор: Jun-Seop Chung,An-Ho CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-22.

Forward caching memory systems and methods

Номер патента: US12111764B2. Автор: Harold Robert George TROUT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Asynchronous forward caching memory systems and methods

Номер патента: US12061554B2. Автор: Harold Robert George TROUT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Memory system with MLC memory cells and partial page compression or reduction

Номер патента: US09858994B2. Автор: Jun Jin Kong,Uri Beitler,Amit Berman. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Non-volatile memory device, a memory system that includes the non-volatile memory device, and an operating method of the non-volatile memory device

Номер патента: US11749356B2. Автор: Jinyoung Kim,Dongmin Shin,Sehwan Park,Youngdeok SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-05.

Memory device, memory system including the same, operation method of the memory system

Номер патента: US09892778B1. Автор: Sang-Jin Byeon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Operation method of memory controller and nonvolatile memory system including the memory controller

Номер патента: US09760503B2. Автор: Jisoo Kim,Seung-jae Lee,Sang-Jin Oh,Moonsang Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-12.

Data processing system and operating method thereof

Номер патента: US11080198B2. Автор: Eu-Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-03.

Data processing system and operating method thereof

Номер патента: US20200285581A1. Автор: Eu-Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-09-10.

Texture cache memory system of non-blocking for texture mapping pipeline and operation method of texture cache memory

Номер патента: US09727474B2. Автор: Youngsik Kim,Seok Yoon Jung,Sang Oak Woo,Woo Chan Park,Kwon Taek Kwon,Duk Ki Hong,Young Duke Seo. Владелец: INDUSTRY ACADEMY COOPERATION FOUNDATION OF SEJONG UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-08-08.

Memory device and computing system including the same

Номер патента: US20150169333A1. Автор: Do-Geun Kim,Dong-yang Lee,Ju-Yun JUNG,Bu-Il Jung,Min-Yeab CHOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-06-18.

Multi-pump memory system access circuits for sequentially executing parallel memory operations

Номер патента: WO2019051446A1. Автор: Francois Ibrahim Atallah,Jihoon Jeong,Keith Alan Bowman,Hoan Huu Nguyen. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-03-14.

User system including first and second devices sharing shared voltage and power management integrated circuit generating shared voltage, and operation method thereof

Номер патента: US12073865B2. Автор: Joonmin Park,Byoungsul Kim,Hyunsoo Shim,Sungtack HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor memory device outputting read-busy signal and memory system including the same

Номер патента: US09911479B2. Автор: Kwang Hyun Kim,Jae Hyeong Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Memory controller and memory system including the same

Номер патента: US09792206B2. Автор: Dawoon Jung,Moosung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Self-management memory system and operating method thereof

Номер патента: US20170329703A1. Автор: Yungcheng LO. Владелец: SK Hynix Memory Solutions America Inc. Дата публикации: 2017-11-16.

Memory system having resistive memory device and operating method thereof

Номер патента: US20190164604A1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Seung-Gyu JEONG,Do-Sun HONG,Won-Gyu SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-05-30.

Memory system managing mapping information corresponding to write data and operation method thereof

Номер патента: US10838874B2. Автор: Su-Chang Kim,Hae-Gi CHOI,Kyeong-Rho KIM,Sung-Kwan HONG,Yeong-Sik YI,Ji-Hoon YIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-11-17.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20190206501A1. Автор: Sang Hune JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-07-04.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US10431316B2. Автор: Sang Hune JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-01.

Self-management memory system and operating method thereof

Номер патента: US20190384702A1. Автор: Yungcheng LO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-12-19.

Memory system to determine inference of a memory cell by adjacent memory cells, and operating method thereof

Номер патента: US20140185375A1. Автор: Yong June Kim,Jaehong Kim,Kijun Lee,Heeseok Eun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-07-03.

Enhanced performance memory systems and methods

Номер патента: WO2009032152A1. Автор: David K. Ovard,Roy E. Greeff. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2009-03-12.

Enhanced performance memory systems and methods

Номер патента: US9154131B2. Автор: David K. Ovard,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-10-06.

Enhanced performance memory systems and methods

Номер патента: US8400810B2. Автор: David K. Ovard,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-03-19.

Memory controllers and memory systems including the same

Номер патента: US20240178861A1. Автор: Daehyun Kim,Jiho Kim,Kijun Lee,Sunghye CHO,Myungkyu Lee,Kyomin Sohn,Seongmuk Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-30.

Distributed autonomous power management in a memory system

Номер патента: WO2008017625B1. Автор: Kevin Gower,Robert Tremaine. Владелец: Robert Tremaine. Дата публикации: 2008-05-29.

Rack Server System and Operating Method Thereof

Номер патента: US20140088788A1. Автор: Hao-Hao WANG. Владелец: Inventec Pudong Technology Corp. Дата публикации: 2014-03-27.

Memory system

Номер патента: US09990283B2. Автор: Chang-Hyun Kim,Jae-Jin Lee,Yong-Woo Lee,Min-Chang Kim,Do-Yun LEE,Hoe-Kwon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20120290813A1. Автор: In Wook Kong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-11-15.

Memory device reducing i/o signal lines through i/o mapping connection and memory system including the same

Номер патента: EP4398117A1. Автор: Sang-Won Park,Jooyong PARK,Bongsoon LIM,Seokmin Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-10.

Memory device reducing i/o signal lines through i/o mapping connection and memory system including the same

Номер патента: US20240232066A1. Автор: Sang-Won Park,Jooyong PARK,Bongsoon LIM,Seokmin Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory system with first cache for storing uncompressed look-up table segments and second cache for storing compressed look-up table segments

Номер патента: US11455256B2. Автор: Tomonori Yokoyama,Mitsunori Tadokoro,Satoshi Kaburaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-27.

Extended capacity memory system with load relieved memory and method of manufacture thereof

Номер патента: US20160070316A1. Автор: Robert S. Pauley, Jr.,Victor Mahran. Владелец: Smart Modular Technologies Inc. Дата публикации: 2016-03-10.

Memory system including on-die termination and method of controlling on-die termination thereof

Номер патента: US20190050352A1. Автор: Sung-Joon Kim,Changho YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-02-14.

Memory system including on-die termination and method of controlling on-die termination thereof

Номер патента: US10108563B2. Автор: Sung-Joon Kim,Changho YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-10-23.

Printed circuit board facilitating expansion of number of memory modules and memeory system including the same

Номер патента: US20070134968A1. Автор: Hyun-Jin Choi,Young-chan Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-06-14.

Extended capacity memory system with load relieved memory and method of manufacture thereof

Номер патента: US09939855B2. Автор: Robert S. Pauley, Jr.,Victor Mahran. Владелец: Smart Modular Technologies Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor memory system and operating method thereof

Номер патента: US20180129809A1. Автор: Yibo Zhang,Andrei Konan. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-10.

Memory system

Номер патента: US20210183455A1. Автор: Hideki Yamada,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Placement of instructions in a memory system

Номер патента: US20140130022A1. Автор: Tong Chen,John K. O'Brien,Zehra Sura. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-05-08.

Memory system and control method

Номер патента: US20230376433A1. Автор: Mitsunori Tadokoro,Haruka MORI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Memory device having physical unclonable function and memory system including the memory device

Номер патента: EP4105933A1. Автор: Daeseok Byeon,Jooyong PARK,Pansuk Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-21.

Memory device having physical unclonable function and memory system including the memory device

Номер патента: US20240145002A1. Автор: Daeseok Byeon,Jooyong PARK,Pansuk Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Memory system, method of controlling memory system, and host system

Номер патента: US20230305986A1. Автор: Naoki Kimura,Nana Kawamoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Server for generating integrated usage log data and operation method thereof

Номер патента: PH12020552150A1. Автор: Young Jin Kim,Jin Su Lee,Suk Min Ahn,Su Ji Woo. Владелец: Coupang Corp. Дата публикации: 2021-07-05.

Memory system and method for operating the same

Номер патента: US20180107597A1. Автор: Yong-Ju Kim,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-19.

Memory system

Номер патента: US20240281370A1. Автор: Kohei Oikawa,Yu Nakanishi,Hirotsugu KAJIHARA,Kazuhiro Hiwada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Wearable device adaptively controllable based on bioinformation, system including the same, and operating method thereof

Номер патента: US20160206239A1. Автор: Ui Kun Kwon,Changmok CHOI,Seungkeun YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-21.

Memory system and peak power management for memory dies of the memory system

Номер патента: US11709535B2. Автор: Qiang Tang,Daesik Song. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-25.

Memory system, computing system, and methods thereof

Номер патента: US20190310944A1. Автор: Rajat Agarwal,Wei P. CHEN,Chet R. Douglas,Tiffany J. Kasanicky,Andy Rudoff. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-10-10.

Memory system configured to determine a write voltage applied to memory cells based on the number of erase operations

Номер патента: US11501839B2. Автор: Hideki Yamada,Masanobu Shirakawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-11-15.

Cache Memory System and Method for Accessing Cache Line

Номер патента: US20170262372A1. Автор: Jing Xia,Zhenxi Tu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-14.

Computing array based on 1t1r device, operation circuits and operating methods thereof

Номер патента: US20210327505A1. Автор: Yi Li,LONG Cheng,Yaxiong Zhou,Xiangshui Miao,Zhuorui WANG. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor memory systems with on-die data buffering

Номер патента: US20240345971A1. Автор: Frederick A. Ware,Suresh Rajan,Mohammad Hekmat,Amir Amirkhany,Dinesh Patil. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory system and information processing system

Номер патента: US09852023B2. Автор: Naoaki Tsutsui. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Memory systems that adjust an auto-refresh operation responsive to a self-refresh operation history

Номер патента: US09767050B2. Автор: Kwang-Il Park,Tae-Young Oh,Su-yeon Doo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Storage device, nonvolatile memory system including memory controller, and operating method of the storage device

Номер патента: US11947466B2. Автор: SEUNGJAE LEE,Myeongjong Ju,Mingon Shin,Hwasoo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-02.

Storage system supporting offloading function and operating method thereof

Номер патента: US20240160484A1. Автор: Heeseok Eun,Seunghan Lee,Dongouk MOON,Sooyoung Ji. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-16.

Memory system and method for controlling the same, and method for maintaining data coherency

Номер патента: US20070186051A1. Автор: Nobuyuki Harada. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-08-09.

Projection system and operation method thereof

Номер патента: US11871158B2. Автор: Yun-lin MIAO. Владелец: Coretronic Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Projection system and operation method thereof

Номер патента: US20220417477A1. Автор: Yun-lin MIAO. Владелец: Coretronic Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Memory system

Номер патента: US12014794B2. Автор: Seiichi Tajima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Storage system supporting offloading function and operating method thereof

Номер патента: EP4372569A1. Автор: Heeseok Eun,Seunghan Lee,Dongouk MOON,Sooyoung Ji. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-22.

Memory system

Номер патента: US20230026365A1. Автор: Seiichi Tajima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-01-26.

Cache memory systems having a flexible buffer memory portion and methods of operating the same

Номер патента: US8443161B2. Автор: Woo-young Jung,Sang-Yeun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-05-14.

Memory system

Номер патента: US20140281154A1. Автор: Hajime Matsumoto,Daisuke Hashimoto,Toyokazu Eguchi,Daisuke Ide. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Memory system related to clock synchronization

Номер патента: US20230305592A1. Автор: Sang Sic Yoon,Kyu Dong HWANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Electronic device for modeling non-linear memory system and operation method therefor

Номер патента: US20240106692A1. Автор: Hongmin Choi,Sumin KIM,Hyung Sun Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Quantum computing system based on quantum dot qubits and operation method thereof

Номер патента: US20230097026A1. Автор: Taewan Kim,Chungheon BAEK,Byung-Soo Choi,Yongsoo HWANG. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2023-03-30.

Memory System with Multi-Level Status Signaling and Method for Operating the Same

Номер патента: US20120182780A1. Автор: Steven Cheng. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2012-07-19.

Memory system with multi-level status signaling and method for operating the same

Номер патента: WO2011002626A1. Автор: Steven Cheng. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2011-01-06.

Memory system with multi-level status signaling and method for operating the same

Номер патента: EP2449474A1. Автор: Steven Cheng. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2012-05-09.

Memory device supporting a high-efficient input/output interface and a memory system including the memory device

Номер патента: US12061561B2. Автор: YoungHoon SON,Youngdon CHOI,Junghwan Choi,Jindo BYUN,Hyungmin Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Memory system and non-volatile memory

Номер патента: US20240311294A1. Автор: Mitsuaki Honma,Daisuke Arizono,Keisuke Azuma. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory system and non-volatile memory

Номер патента: EP4439300A1. Автор: Mitsuaki Honma,Daisuke Arizono,Keisuke Azuma. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-02.

Memory device supporting a high-efficient input/output interface and a memory system including the memory device

Номер патента: US20240370386A1. Автор: YoungHoon SON,Youngdon CHOI,Junghwan Choi,Jindo BYUN,Hyungmin Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Cloud service system and operation method thereof for providing computing resources for task execution

Номер патента: US12106152B2. Автор: XIN Wang. Владелец: Shanghai Biren Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Memory system with point-to point request interconnect

Номер патента: EP4451270A2. Автор: Frederick A. Ware,Richard E. Perego. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-10-23.

Memory system including key-value store

Номер патента: US09953107B2. Автор: Atsuhiro Kinoshita,Kosuke Tatsumura,Takao Marukame. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Message-based memory access apparatus and access method thereof

Номер патента: US09870327B2. Автор: Zehan CUI,Mingyu Chen,Yongbing HUANG,Yuan RUAN,Licheng CHEN,Mingyang CHEN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Maintaining coherence when removing nodes from a directory-based shared memory system

Номер патента: US09632934B2. Автор: Brian J. Johnson. Владелец: Silicon Graphics International Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Memory system including semiconductor memory device and refresh operation method thereof

Номер патента: US20150235693A1. Автор: Choung-Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-08-20.

Memory system with ldpc decoder and method of operating such memory system and ldpc decoder

Номер патента: US20190068220A1. Автор: Fan Zhang,Naveen Kumar,Yu Cai,Aman BHATIA,Chenrong Xiong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Memory system and operating method of memory system

Номер патента: US20230317124A1. Автор: Tung Ying Lee,Meng-Fan Chang,Win-San Khwa,Ping-Chun Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Memory device and operation method thereof for performing multiply accumulate operation

Номер патента: US12033699B2. Автор: Po-Kai Hsu,Hang-Ting Lue. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Apparatus for outputting sound source for minimizing power consumption and operating method thereof

Номер патента: US12032427B2. Автор: Seung Ho YU. Владелец: Dreamus Co Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Method for operating memory system, memory controller, memory system and electronic device

Номер патента: US20240168886A1. Автор: Tao Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Secure booting system and operation method thereof

Номер патента: US20240078315A1. Автор: Jisoo Kim,Sungho Yoon,Younsung CHU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-07.

Underwater network management system and operation method thereof

Номер патента: US20230308341A1. Автор: Jinyoung Lee,Soohyun PARK,Sooyoung Shin,Delphinraj KESARI,Eunbi KO,Sunho YUM. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kookmin University. Дата публикации: 2023-09-28.

Monotonic counter memory system

Номер патента: US20220345135A1. Автор: Chuen-Der Lien,Chi-Shun Lin. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-10-27.

Apparatus for outputting sound source for minimizing power consumption and operating method thereof

Номер патента: US20230066400A1. Автор: Seung Ho YU. Владелец: Dreamus Co Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Memory system capable of enhancing writing protection and related method

Номер патента: US20110289259A1. Автор: Hsu-Ming Lee. Владелец: Wistron Corp. Дата публикации: 2011-11-24.

Deterministic Quantum Emitter Operating At Room Temperature In Optical Communication Wavelength Using Intersubband Transition Of Nitride-Based Semiconductor Quantum Dot, Method Of Fabricating Same, And Operating Method Thereof

Номер патента: US20190027645A1. Автор: Yong-Hoon Cho,Hwanseop Yeo,JongHoi Cho. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2019-01-24.

Memory system

Номер патента: US20030177331A1. Автор: Hiroyuki Yamauchi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-18.

Memory system and data processing system including the same

Номер патента: US12073217B2. Автор: Dong Ha JUNG,Dong Uk Lee,Seung Gyu JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Memory system and non-transitory computer readable recording medium

Номер патента: US12072797B2. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Memory system and integrated management method for plurality of dma channels

Номер патента: US20110153878A1. Автор: Jong Dae Kim,Tae Moon Roh,Jong Kee Kwon,Chun Gi Lyuh,Ik Jae CHUN,Se Wan HEO,Sang Hun Yoon. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2011-06-23.

Memory system and control method of memory system

Номер патента: US12046272B2. Автор: Mel Stychen Sanchez TAN. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

System and method for initializing a memory system and memory device and processor-based system using same

Номер патента: WO2009009339A1. Автор: A. Kent Porterfield. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2009-01-15.

Memory system capable of enhancing writing protection and related method

Номер патента: US8650366B2. Автор: Hsu-Ming Lee. Владелец: Wistron Corp. Дата публикации: 2014-02-11.

Memory system with address conversion based on inherent performance condition

Номер патента: US20020112138A1. Автор: Hiroyuki Yamauchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-15.

Memory system and data processing system including the same

Номер патента: US20240338215A1. Автор: Dong Ha JUNG,Dong Uk Lee,Seung Gyu JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Nonvolatile memory system using control signals to transmit varied signals via data pins

Номер патента: US09886378B2. Автор: Hyotaek Leem. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Termination topology of memory system and associated memory module and control method

Номер патента: US09812187B2. Автор: Shang-Pin Chen,Bo-Wei Hsieh. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

System and method for efficient processing of queued read commands in a memory system

Номер патента: US09720860B2. Автор: Matthew Stephens,Philip David ROSE. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Controller including map table, memory system including semiconductor memory device, and method of operating the same

Номер патента: US09690698B2. Автор: Jong Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US20170133068A1. Автор: Min-Su Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-11.

Memory system, memory controller and operating method thereof for determining garbage collection victim block

Номер патента: US20230385193A1. Автор: Jung Woo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Information processing system, information processing method and memory system

Номер патента: WO2013185625A1. Автор: Kenneth ChengHao Lin. Владелец: Shanghai XinHao Microelectronics Co. Ltd.. Дата публикации: 2013-12-19.

Memory system and method for controlling the same

Номер патента: US20230418760A1. Автор: Fumio Hara. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Storage device for managing map data in a host and operation method thereof

Номер патента: US20240256457A1. Автор: Ki Young Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Terminal try-on simulation system and operating and applying method thereof

Номер патента: US20080163344A1. Автор: Cheng-Hsien Yang. Владелец: Cheng-Hsien Yang. Дата публикации: 2008-07-03.

Recording apparatus and operating environment setting method thereof

Номер патента: JP3159223B2. Автор: 隆加藤,克彦西澤. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2001-04-23.

Convolutional hierarchical temporal memory system and method

Номер патента: US20220237453A1. Автор: Max Lee,Teja Veeramacheneni. Владелец: Sonasoft Corp. Дата публикации: 2022-07-28.

Building access control system and operating method thereof

Номер патента: US20220092980A1. Автор: Sang Yong SHIN,Won Jin HEO. Владелец: Parkingcloud Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-24.

Neuromorphic interface circuit and operating method thereof and neuromorphic interface system

Номер патента: US20240112002A1. Автор: Hyuk Kim,Jae-Jin Lee,Sung Eun Kim,Kwang Il Oh,Tae Wook Kang,Kyung Jin Byun,In San Jeon,Young Hwan Bae. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2024-04-04.

Sports center system and operation method thereof

Номер патента: EP4398181A1. Автор: Jae Sang Park,Seon Kyung YOO. Владелец: Drax Inc. Дата публикации: 2024-07-10.

Augmented reality system and operation method thereof

Номер патента: US12106395B2. Автор: Yu Fu,Chih-Wen Huang,Chao-Kuang Yang,Wen-Cheng Hsu. Владелец: Acer Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Artificial intelligence washing machine and operation method thereof

Номер патента: US11739458B2. Автор: Sanghyun Lee,Hyunji Park,Bonkwon Koo,Seungchul Cha. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-08-29.

Method for increasing operation speed in virtual three dimensional (3d) application and operational method thereof

Номер патента: US20090201300A1. Автор: Yu Cheng Liao. Владелец: Generalplus Technology Inc. Дата публикации: 2009-08-13.

Indoor environment control system and operation method thereof

Номер патента: US20240219050A1. Автор: Hyeun Jun MOON. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Dankook University. Дата публикации: 2024-07-04.

Flat panel display device and operating voltage adjusting method thereof

Номер патента: TW201227694A. Автор: Pin-Miao Liu,Pei-Chun Liao,Sung-Hui Lin. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-07-01.

NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND OPERATION AND FABRICATING METHODS THEREOF

Номер патента: US20150049557A1. Автор: Watanabe Hiroshi. Владелец: PHISON ELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2015-02-19.

NONVOLATILE MEMORY DEVICE, STORAGE DEVICE HAVING THE SAME, AND OPERATION AND READ METHODS THEREOF

Номер патента: US20160247578A1. Автор: YUN Sung-Won. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-25.

NONVOLATILE MEMORY DEVICE, STORAGE DEVICE HAVING THE SAME, AND OPERATION AND READ METHODS THEREOF

Номер патента: US20150318045A1. Автор: YUN Sung-Won. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-05.

Reactive power compensation device and operation test control method thereof

Номер патента: KR102369643B1. Автор: 최호석. Владелец: 엘에스일렉트릭(주). Дата публикации: 2022-03-04.

Panel source driver having data register structure using common data demultiplexing and operation mode control method thereof

Номер патента: KR100604917B1. Автор: 강창식. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-07-28.

Automatic control system and operation and maintenance method thereof

Номер патента: CN110531678B. Автор: 张振宇,牟桂贤,申伟刚. Владелец: Gree Electric Appliances Inc of Zhuhai. Дата публикации: 2020-10-02.

Nonvolatile memory device, storage device having the same, and operation and read methods thereof

Номер патента: US9837164B2. Автор: Sung-Won Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-05.

Non-volatile memory device and operation and fabricating methods thereof

Номер патента: US20150049557A1. Автор: Hiroshi Watanabe. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

Audio encoder and decoder for interlace waveform encoding

Номер патента: RU2665228C1. Автор: Хейко ПУРНХАГЕН,Робин Тезинг,Кристофер ЧЕРЛИНГ,Харальд МУНДТ,Карл Йонас РЕДЕН. Владелец: Долби Интернэшнл Аб. Дата публикации: 2018-08-28.

FPGA (Field Programmable Gate Array)-based S-mode secondary radar decoder and testing and error correction method thereof

Номер патента: CN104330774A. Автор: 王为,李朋,徐瑾. Владелец: Anhui Sun Create Electronic Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-04.

Portable telephone alarm arrangement has transmitter with encoder and antenna connected to transmission circuit, and receiver with decoder and alarm generator connected to alarm control circuit

Номер патента: DE19843405A1. Автор: Tonny Chen. Владелец: E Lead Electronic Co Ltd. Дата публикации: 2000-03-23.

Semiconductor memory device, memory system including the same, and operating method thereof

Номер патента: US9384846B1. Автор: Keon Soo Shim,Bong Yeol PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-05.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US09761282B2. Автор: Dong Yeob CHUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Memories and operation methods thereof, memory systems and electronic devices

Номер патента: US20240312536A1. Автор: LEI Jin,An ZHANG,Kaikai You,Xinlei Jia,Jiayin HAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory system and operating method of the memory system

Номер патента: US12073896B2. Автор: Moon Sik SEO,Gil Bok CHOI,Dae Hwan YUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US09653157B1. Автор: Ki-Sung Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US10453550B2. Автор: Hyungsup KIM,Hyung-Sik Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-22.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200005888A1. Автор: Hyungsup KIM,Hyung-Sik Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-01-02.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20190130992A1. Автор: Hyungsup KIM,Hyung-Sik Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-05-02.

Storage device, memory system having the same, and operating method thereof

Номер патента: US09627079B1. Автор: Byung Ryul Kim,Yong Hwan HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20240249782A1. Автор: Joonsuc Jang,Ji-Sang LEE,Minkyeong CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Nonvolatile memory devices, operating methods thereof and memory systems including the same

Номер патента: US20230268017A1. Автор: Jae-Hoon Jang,Jaehun Jeong,Hansoo Kim,Donghyuk Chae,Sun-Il Shim,Youngho Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-24.

Memory device and operation method thereof, and memory system

Номер патента: US20240355399A1. Автор: Li Xiang,Shuai Wang,Zhuo Chen,Chunyuan HOU,Zhipeng DONG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Nonvolatile memory devices, operating methods thereof and memory systems including the same

Номер патента: US09747995B2. Автор: Jae-Hoon Jang,Jaehun Jeong,Hansoo Kim,Donghyuk Chae,Sun-Il Shim,Youngho Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US20150270005A1. Автор: Yoon-hee Choi,Daeseok Byeon,Byunggil JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-09-24.

Flash memory, flash memory system and operating method of the same

Номер патента: US09812213B2. Автор: Kyung-Ryun Kim,Sang-Yong Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Memory device for performing target refresh operation, memory system and operating method of memory system

Номер патента: US20240339146A1. Автор: Saeng Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Memory system with uniform decoder and operating method of same

Номер патента: US09633702B2. Автор: Hsiang-Pang Li,Kin-Chu Ho. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: WO2024197764A1. Автор: Li Xiang,Ke Liang,Jinchi HAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory controller, memory system and operating method of memory system

Номер патента: US20240347097A1. Автор: Young Ook SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US20240331775A1. Автор: Li Xiang,Ke Liang,Jinchi HAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Controller, memory system and operating method of memory system

Номер патента: US20240363189A1. Автор: Young Ook SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Memory system and operation method of memory system

Номер патента: US20240257894A1. Автор: Woongrae Kim,Chul Moon JUNG,Uk Song Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory system and operation method of memory system

Номер патента: US20240257895A1. Автор: Woongrae Kim,Chul Moon JUNG,Uk Song Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor memory device, memory system including the same and operating method thereof

Номер патента: US20150155041A1. Автор: Min Kyu Lee,Chi Wook An. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-04.

Flash memory system and word line interleaving method thereof

Номер патента: US09792990B2. Автор: Yongjune Kim,Junjin Kong,Hong Rak Son,Seonghyeog Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Memory device and operation method thereof, memory system, and operation method thereof

Номер патента: US20240161827A1. Автор: Jingsheng Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor memory device and writing operation method thereof

Номер патента: US09911498B2. Автор: Masanobu Shirakawa,Kenta Yasufuku,Akira Yamaga. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Memory device and memory system supporting interleaving operation and operation method thereof

Номер патента: US11854657B2. Автор: Beom Ju Shin,Tae Hee YOU. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Memory system, control method thereof, and program

Номер патента: US12033705B2. Автор: Yoshihisa Kojima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Memory system, operating method of the memory system, and interface circuit of the memory system

Номер патента: US20240257850A1. Автор: ChiWeon Yoon,Anil KAVALA,Youngmin Jo,Jungjune PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US11164617B1. Автор: Hitoshi Ikeda. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-11-02.

Operation method of nonvolatile memory system and operation method of nonvolatile memory device

Номер патента: US20180005700A1. Автор: Ju Seok Lee,Daeseok Byeon,Donghun Kwak,Hee-Woong Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-04.

Memory system, operating method of the memory system, and interface circuit of the memory system

Номер патента: US20240282378A1. Автор: ChiWeon Yoon,Anil KAVALA,Youngmin Jo,Jungjune PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory device, memory system, and program operation method thereof

Номер патента: EP4460822A1. Автор: Ying Cui,Yali SONG,XiangNan Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-13.

Memory system and operating method of the memory system

Номер патента: US20230307073A1. Автор: Moon Sik SEO,Gil Bok CHOI,Dae Hwan YUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Memory device, memory system having the same and operating method thereof

Номер патента: US20240212776A1. Автор: Jongpil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Memory system including nonvolatile memory and method of operating nonvolatile memory

Номер патента: US20140119108A1. Автор: Jung Hyuk Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-01.

Memory system and operating method of the memory system

Номер патента: US11915790B2. Автор: Dong Hyun Lee,Seung Jin PARK,Chang Kyun PARK,Young Sik KOH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20140126304A1. Автор: Hyunsu YOON,Youncheol Kim,Jeongsu JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-05-08.

Memory system and operating method of the memory system

Номер патента: US11972839B2. Автор: Dong Hyun Lee,Seung Jin PARK,Chang Kyun PARK,Young Sik KOH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-30.

Memory system and operating method of the memory system

Номер патента: US20240177754A1. Автор: Dong Hyun Lee,Seung Jin PARK,Chang Kyun PARK,Young Sik KOH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Media scan in memory systems

Номер патента: US20240371458A1. Автор: Bo Yu,Hua Tan,Xing Wang,Zhe Sun,Yaolong Gao,Fanya Bi. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Memory system with diagnose command and operating method thereof

Номер патента: US20180277236A1. Автор: Young Tack JIN. Владелец: SK Hynix Memory Solutions America Inc. Дата публикации: 2018-09-27.

Memory system with diagnose command and operating method thereof

Номер патента: US20200013477A1. Автор: Young Tack JIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-01-09.

Superconducting memory system with stacked drivers and differential transformers

Номер патента: EP3766069A1. Автор: Donald L. Miller,Quentin P. Herr,Randall M. Burnett,Henry Y. Luo. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2021-01-20.

Semiconductor memory system having a data clock system for reliable high-speed data transfers

Номер патента: US20030137893A1. Автор: Louis Hsu,Jeremy Stephens,Li-Kong Wang,Daniel Storaska. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-07-24.

Semiconductor manufacturing apparatus and operating method thereof

Номер патента: US20240251496A1. Автор: Jinhong Park,Dohyung Kim,Insung Kim,Jungchul Lee,Seongchul HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory device, memory system including the same, and method of operating the memory system

Номер патента: US20190237144A1. Автор: Kwang Su Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

Nonvolatile memory device and program method thereof

Номер патента: US20160358657A1. Автор: Jinwoo Kim,Youngjin Cho,Seong Yeon Kim,Hyo-Deok Shin,Younggeun LEE,Jaegeun PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-08.

Photon memory system

Номер патента: US09875797B1. Автор: Alex DIGGINS. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-01-23.

Memory system for rapidly testing data lane integrity

Номер патента: US09837169B2. Автор: Matthew Weber,Timothy M. Wiwel,Paul D. Kangas,Robert Diokno. Владелец: Lenovo Enterprise Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Nonvolatile memory device and program method thereof

Номер патента: US09799402B2. Автор: Jinwoo Kim,Youngjin Cho,Seong Yeon Kim,Hyo-Deok Shin,Younggeun LEE,Jaegeun PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Memory system

Номер патента: US09761325B1. Автор: Osamu Torii,Tokumasa Hara,Hironori Uchikawa,Juan Shi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US20220122645A1. Автор: Kaoru Mori. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-04-21.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US11636888B2. Автор: Kaoru Mori. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-04-25.

System for assisting right turn of vehicle based on uwb communication and v2x communication at intersection, and operation method thereof

Номер патента: US20240203261A1. Автор: Song Nam BAEK. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Assembly system for automotive lamps and operation method thereof

Номер патента: US11926382B2. Автор: TAO Hu,WEI Hu,Ingo Engler,Jun YUE,Miguel Lebrato-Rastrojo,Thomas Albert Röbbecke,Ludger-Josef GRÜNE. Владелец: Hella GmbH and Co KGaA. Дата публикации: 2024-03-12.

Memory system

Номер патента: US20240244839A1. Автор: Kazutaka IKEGAMI,Shingo NAKAZAWA,Hidehiro Shiga. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Memory system and method of controlling memory system

Номер патента: US20200090742A1. Автор: Yasuhiko Kurosawa,Shingo Yanagawa,Ryo Sekiguchi,Eriko AKAIHATA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Assembly system for automotive lamps and operation method thereof

Номер патента: US20210206441A1. Автор: TAO Hu,WEI Hu,Ingo Engler,Jun YUE,Miguel Lebrato-Rastrojo,Thomas Albert Röbbecke,Ludger-Josef GRÜNE. Владелец: Hella GmbH and Co KGaA. Дата публикации: 2021-07-08.

Memory system

Номер патента: US20140010020A1. Автор: Koichi Fukuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-01-09.

Using split word lines and switches for reducing capacitive loading on a memory system

Номер патента: US20240274179A1. Автор: Sheng-Chen Wang,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory device, a memory system having the same and an operating method thereof in which a row address is not separated depending on pages in a byte mode operation

Номер патента: US12080332B2. Автор: Seungki HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory system with a content addressable superconducting memory

Номер патента: US09741419B1. Автор: William R Reohr,Brian R Konigsburg. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2017-08-22.

Processing-in-memory (pim) system and operating methods of the pim system

Номер патента: US20210210123A1. Автор: Choung Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-07-08.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US20170154682A1. Автор: Jaekyun Moon,Jaehyeong NO. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2017-06-01.

Memory system and nonvolatile memory

Номер патента: US20200303018A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Kazutaka Takizawa,Masaaki Niijima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240257843A1. Автор: Jungyu Lee,Jihyun Park,ChiWeon Yoon,Yumin KIM,Eunchan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Method of operating a memory system having an erase control unit

Номер патента: US9437310B2. Автор: Junjin Kong,Hong Rak Son,Eun Chu Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-06.

Method for programming memory system

Номер патента: US20210151100A1. Автор: Ke Liang,Qiang Tang,Chun Yuan Hou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-20.

Memory system

Номер патента: US20210065771A1. Автор: Toshifumi Hashimoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Integrated circuit memory system with high speed non-volatile memory data transfer capability

Номер патента: US20080192560A1. Автор: Seung Won Lee,Byeong Hoon Lee,Sun Kwon Kim,Ki Hong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-08-14.

Memory system and associated methodology

Номер патента: US20050195641A1. Автор: Scott Anderson,Samuel Naffziger. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2005-09-08.

Memory system and associated methodology

Номер патента: US7035134B2. Автор: Samuel D. Naffziger,Scott A. Anderson. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2006-04-25.

Memory device, memory system including the memory device, and test operation of the memory device

Номер патента: US12125550B2. Автор: Jun Hyuk Lee,Min Kyu Lee,Deung Kak YOO,Dong Jae JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Memory system

Номер патента: US09799406B2. Автор: Manabu Sato,Noboru Shibata,Hiroshi Sukegawa,Hiroshi Yao,Takahiro Shimizu,Daiki Watanabe,Naomi Takeda,Tokumasa Hara. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Memory controller, memory system including the same, and electronic device including the memory system

Номер патента: US09767869B2. Автор: In Sung Joe,Dong Jae Shin,Hyunil Byun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Memory system

Номер патента: US20220068402A1. Автор: Hideki Yamada,Masanobu Shirakawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Assembly system for automotive lamps and operating method thereof

Номер патента: EP3852971A1. Автор: TAO Hu,WEI Hu,Ingo Engler,Petr Chladek,Jun YUE,Miguel Lebrato-Rastrojo,Thomas Albert ROEBBECKE,Frantisek Jane. Владелец: Hella GmbH and Co KGaA. Дата публикации: 2021-07-28.

Memory system

Номер патента: US20230223090A1. Автор: Masanobu Shirakawa,Marie Takada,Tsukasa TOKUTOMI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

Memory system, memory controller, and semiconductor storage device

Номер патента: US12040027B2. Автор: Junji Yamada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Multi-column addressing mode memory system including an intergrated circuit memory device

Номер патента: EP1800311A1. Автор: Frederick A. c/o Rambus Inc. WARE,Lawrence c/o Rambus Inc. LAI,Chad A. c/o Rambus Inc. BELLOWS,Wayne S. c/o Rambus Inc. RICHARDSON. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2007-06-27.

Assembly system for automotive lamps and operating method thereof

Номер патента: WO2020057007A1. Автор: TAO Hu,WEI Hu,Chladek Petri,Jane Frantisek,Ingo Engler,Jun YUE,Thomas Röbbecke,Lebrato-Rastrojo MIQUEL. Владелец: Jiaxing Hella Lighting Co., Ltd. Дата публикации: 2020-03-26.

Memory system

Номер патента: US12073890B2. Автор: Masanobu Shirakawa,Marie Takada,Tsukasa TOKUTOMI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Assembly system for automotive lamps and operating method thereof

Номер патента: WO2020057008A1. Автор: TAO Hu,WEI Hu,Ingo Engler,Jun YUE,Thomas Röbbecke,Lebrato-Rastrojo MIQUEL,Ludger Josef GRUNE. Владелец: Jiaxing Hella Lighting Co., Ltd. Дата публикации: 2020-03-26.

Memory system

Номер патента: US20240274185A1. Автор: Naomi Takeda,Masanobu Shirakawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor memory system

Номер патента: US20020196662A1. Автор: Luigi Pascucci. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-12-26.

Memory system

Номер патента: EP4418272A1. Автор: Naomi Takeda,Masanobu Shirakawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-21.

Memory system including test circuit

Номер патента: US09959937B2. Автор: Tetsuya Iwata,Shinya Takeda,Mikio Takasugi,Yoshio Furuyama,Shunsuke KODERA,Toshihiko KITAZUME,Kenichirou KADA,Nobuhiro Tsuji,Hirosuke NARAI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Memory device, memory system, and operating method thereof

Номер патента: US20230420062A1. Автор: Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Memory device, memory system, and operating method thereof

Номер патента: WO2023246931A1. Автор: Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-12-28.

English unit memory system based on forgetting curve and method thereof

Номер патента: LU505091B1. Автор: MIN Su. Владелец: Jiaxing Vocational & Technical College. Дата публикации: 2024-03-14.

Detection system for estimating state of battery device and operating method thereof

Номер патента: US20230417836A1. Автор: Chin Sheng Wang. Владелец: Amidas Energy Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Vessel power safety control system and operating method thereof

Номер патента: US20220169347A1. Автор: Yu-Wei Lin,Sheng-Hua Chen,Chung-Ching Lin,Hung-Hsi Lin,Hsiao-Yu Hsu,Wei-Chun Cheng,Bing-Xian Chen,Han-Chun Kao. Владелец: Ship and Ocean Industries R&D Center. Дата публикации: 2022-06-02.

Analog rf memory system

Номер патента: EP3152588A1. Автор: John P. Gianvittorio,Harry B. Marr,Walter B SCHULTE, Jr.. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2017-04-12.

Memory system and control method therefor

Номер патента: US20130286750A1. Автор: Toru Ishikawa. Владелец: PS5 Luxco SARL. Дата публикации: 2013-10-31.

Memory system and control method therefor

Номер патента: US20130279270A1. Автор: Toru Ishikawa. Владелец: PS5 Luxco SARL. Дата публикации: 2013-10-24.

Memory System and Control Method Therefor

Номер патента: US20140286107A1. Автор: Toru Ishikawa. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2014-09-25.

Semiconductor memory system and semiconductor memory chip

Номер патента: US20070047372A1. Автор: Paul Wallner,Peter Gregorius,Andre Schäfer. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-03-01.

Generating test data for a memory system design based on operation of a test system, and related methods, devices, and systems

Номер патента: US11721406B2. Автор: Won Ho Choi,Randall J. Rooney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-08.

Driving apparatus and operating method thereof

Номер патента: US20240210945A1. Автор: Ho Young Lee,Seung Chan Lee,Sun Oh Kim,Wang Hyeon SON,Woo Sang KWON. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Memory device and memory system

Номер патента: US20200279612A1. Автор: Hyungsup KIM,Hyung-Sik Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-09-03.

Memory system including nonvolatile memory

Номер патента: US20150063034A1. Автор: Hidetaka Tsuji,Hiroki Tagawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-05.

Josephson magnetic random access memory system and method

Номер патента: EP2564390A1. Автор: Quentin P Herr,Anna Y Herr. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2013-03-06.

Josephson magnetic random access memory system and method

Номер патента: WO2011136889A1. Автор: Quentin P Herr,Anna Y Herr. Владелец: Northrop Grumman Systems Corporation. Дата публикации: 2011-11-03.

Memory system

Номер патента: US20240284668A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Riki SUZUKI,Toshikatsu Hida,Takehiko Amaki,Shohei Asami,Marie Grace Izabelle Angeles Sia. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Operation method of memory device, memory device, memory system, and electronic apparatus

Номер патента: US20240321364A1. Автор: An ZHANG,Jianquan Jia,Kaiwei LI,Yali SONG,Junbao WANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory system and read method

Номер патента: US12062400B2. Автор: Yuki Komatsu,Katsuyuki Shimada,Shingo Yanagawa,Yasuyuki Ushijima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Attachable digital photographing system and operation method thereof

Номер патента: US09979873B2. Автор: Sang-Tae Kim,Yun-Je Oh,Dong-Jun Kum. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-22.

Anti-theft system and operating method thereof

Номер патента: US09959721B1. Автор: Wen-Pin Hsieh,shi-jie Zhang,Ying-Che Tseng,Che-Yen Huang. Владелец: Primax Electronics Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Memory systems and memory programming methods

Номер патента: US09837151B2. Автор: Richard E. Fackenthal,Simone Lombardo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Infrared control system and operation method thereof

Номер патента: US09830810B2. Автор: Chun-Liang Kuo. Владелец: ASUSTeK Computer Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Nonvolatile memory system that erases memory cells when changing their mode of operation

Номер патента: US09767912B2. Автор: Hyun-Wook Park,Kitae Park,Jaeyong Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Memory device to alleviate the effects of row hammer condition and memory system including the same

Номер патента: US09685240B1. Автор: Min su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09672913B1. Автор: Byoung In JOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor memory and memory system including the semiconductor memory

Номер патента: US09659621B2. Автор: Chul Woo Park,Seong-Young Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Memory systems and memory programming methods

Номер патента: US09633728B2. Автор: Makoto Kitagawa,Yogesh Luthra. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Memory system controlling power supply and control circuit for controlling power supply

Номер патента: US09620178B1. Автор: Ryosuke Tomioka,Fuminori Kimura,Takahiro Masakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Memory system with uniform decoder and operating method of same

Номер патента: US20170032826A1. Автор: Hsiang-Pang Li,Kin-Chu Ho. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-02.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20160314842A1. Автор: Young-Jin Park,Gi-Pyo UM,Jong-Ju PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-27.

Self-selecting memory device, memory system having the same, and operating method thereof

Номер патента: US20240177771A1. Автор: Zhe Wu,Chungman Kim,Seunggeun Yu,Jabin LEE,Soyeon CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-30.

Memory system and management method of characteristic information of semiconductor device

Номер патента: US20220005543A1. Автор: Junji Mori. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-01-06.

Method for programming memory system

Номер патента: EP3853854A1. Автор: Ke Liang,Qiang Tang,Chun Yuan Hou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-28.

Memory system

Номер патента: US20090141552A1. Автор: Hiroshi Sukegawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-04.

Memory system and semiconductor memory device

Номер патента: US10797073B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-10-06.

Node-precise voltage regulation for a mos memory system

Номер патента: WO1999000797A3. Автор: Fu-Chang Hsu,Hsing-Ya Tsao,Peter W Lee. Владелец: Aplus Flash Technology Inc. Дата публикации: 1999-03-25.

Memory system

Номер патента: US20230197125A1. Автор: Junichiro Noda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Memory system

Номер патента: US12094566B2. Автор: Junichiro Noda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor memory and operating method thereof

Номер патента: US20210104281A1. Автор: Moon Sik SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-08.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09741437B2. Автор: Min Kyu Lee,Kyoung Hoon LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Collision detection systems for detecting read-write collisions in memory systems after word line activation, and related systems and methods

Номер патента: US09666269B2. Автор: Manish Garg,Joshua Lance Puckett,Rahul Krishnakumar Nadkarni,Harish Shankar. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US09653172B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09627071B2. Автор: Min Kyu Lee,Kyoung Hoon LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Memory system and operation method of memory system

Номер патента: US11990198B2. Автор: Woongrae Kim,Chul Moon JUNG,Uk Song Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Memory system

Номер патента: US11410735B2. Автор: Yoshihisa Kojima,Kazutaka Takizawa,Masaaki Niijima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-09.

Memory system and method of controlling the same

Номер патента: US7596048B2. Автор: Yohei Kamiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-09-29.

Memory system

Номер патента: US20210241833A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Kazutaka Takizawa,Masaaki Niijima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-08-05.

Micro total analysis system, operating method and manufacturing method thereof

Номер патента: US11703478B2. Автор: Qi Yao,Feng Zhang,Liwen Dong,Zhijun LV,Libo Wang,Wenqu Liu,Xiaoxin Song,Zhao CUI,Detian MENG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-18.

Memory System for seamless switching

Номер патента: US20090282280A1. Автор: Hoe-ju Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-11-12.

Image processing apparatus and operation condition setting method thereof

Номер патента: EP1804490B1. Автор: Yuji Omron Corp. Suzuki,Yutaka Omron Corp. Kato. Владелец: Omron Tateisi Electronics Co. Дата публикации: 2014-12-17.

Portable air conditioner and operation mode switching method thereof

Номер патента: US11859839B2. Автор: Ming-Tsung Chiu. Владелец: New Widetech Industries Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Portable air conditioner and operation mode switching method thereof

Номер патента: US20230204237A1. Автор: Ming-Tsung Chiu. Владелец: New Widetech Industries Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Safe operation and maintenance gateway and operation and maintenance method thereof

Номер патента: CN109617918B. Автор: 李骏,鲁大军. Владелец: Anchor Ding Science And Technology Wuhan Co ltd. Дата публикации: 2021-11-05.

Operation control apparatus for air conditioner and oper ation control method thereof

Номер патента: KR100248765B1. Автор: 최광수. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-04-01.

OSCILLATION CIRCUIT AND OPERATING CURRENT CONTROL METHOD THEREOF

Номер патента: US20130082789A1. Автор: Inoue Fumihiro. Владелец: . Дата публикации: 2013-04-04.

Distributed direct-current backup power supply device for station and operation and installation method thereof

Номер патента: CN110571905A. Автор: 刘彬,徐磊,刘健,赵树仁,张台华,左宝峰,豆敏娜. Владелец: Jiangsu Zhaohe Electric Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-13.

Material for improving mortar coagulating time and operability and use method thereof

Номер патента: CN102030493B. Автор: 李云龙,朱宇,张宝田,刘兮,魏晓冬,苏敬,李京川,武廷超,钱选清,郭顺祥. Владелец: BEIJING UNI-CONSTRUCTION SIXTH DEVELOPMENT AND CONSTRUCTION Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-03.

Running machine and operating system and method thereof

Номер патента: KR100408989B1. Автор: Hee Joo Yeo,Kwang Sik Eom. Владелец: Robopia Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-11.

Power generation apparatus with integrated clp and sofc and operation and control method thereof

Номер патента: AU2016269456A1. Автор: Wen-Sheng Chang,Jar-Lu Huang,Hsi-Chuan Chen,Cheng-Hsien Shen,Chun-I Lee,Yu-Ching Chang,Fu-Pin Ting. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2017-06-22.

Hydrogen power system based on automatic power generation control and operation and inspection method thereof

Номер патента: CN114744652A. Автор: 魏炜,李文武,罗坚,谭轶童,饶文涛,蔡方伟,吴亦伟,宋君花,周佃民,杨建夏. Владелец: Baowu Clean Energy Co ltd. Дата публикации: 2022-07-12.

Image sensor having multiple sensing layers and operation and fabrication method thereof

Номер патента: CN102177585B. Автор: 约翰·P·麦卡滕,克里斯蒂安·亚历山德鲁·蒂瓦鲁斯,约瑟夫·苏马. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2014-01-15.

Zero-carbon intelligent public toilet and operation and maintenance method thereof

Номер патента: CN115199091A. Автор: 李晶,杨强,田文超,邢晨,贺小峰,冯丰,齐贺,王欣博,苟堂,梁丞玮,田中省,黄静仪,黄晓南,杨仪广. Владелец: China Construction Science and Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-18.

Flue gas recirculation Combustion System of Boiler Burning Fine and operating mode changing method thereof

Номер патента: CN103968415B. Автор: 程强,柳朝晖,罗自学. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2016-04-13.

Wind load sensing node device and operating state control method thereof

Номер патента: CN105025556A. Автор: 王冰,许海燕,王文襄,毛超民,马明鸿,孙晋玲. Владелец: Kunshan Shuangqiao Sensor Measurement Controlling Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-04.

Material for improving mortar coagulating time and operability and use method thereof

Номер патента: CN102030493A. Автор: 李云龙,朱宇,张宝田,刘兮,魏晓冬,苏敬,李京川,武廷超,钱选清,郭顺祥. Владелец: BEIJING UNI-CONSTRUCTION SIXTH DEVELOPMENT AND CONSTRUCTION Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-27.

Bioreactor and operating and cleaning method thereof

Номер патента: CN101851581A. Автор: 陈文庆,王建超,刘俊生. Владелец: Beijing Skywing Technology Co Ltd. Дата публикации: 2010-10-06.

The optical module being applied in wide temperature range and operating temperature control method thereof

Номер патента: CN103281132B. Автор: 王斌,张华�,赵平,吴锡贵. Владелец: Hisense Broadband Multimedia Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-07.

Apparatus and method for processing transmit data in a transmit data path including parallel fec encoding and data width conversion

Номер патента: WO2024077168A3. Автор: Sailaja Akkem. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2024-05-16.

Image encoding apparatus, method of image encoding, and recording medium, image decoding apparatus, method of image decoding, and recording medium

Номер патента: US09979978B2. Автор: Koji Okawa. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Image encoding apparatus, method of image encoding, and recording medium, image decoding apparatus, method of image decoding, and recording medium

Номер патента: US20180242009A1. Автор: Koji Okawa. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-08-23.

Image encoding apparatus, method of image encoding, and recording medium, image decoding apparatus, method of image decoding, and recording medium

Номер патента: EP2868087A1. Автор: Koji Okawa. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-05-06.

Image encoding apparatus, method of image encoding, and recording medium, image decoding apparatus, method of image decoding, and recording medium

Номер патента: WO2014002497A1. Автор: Koji Okawa. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2014-01-03.

IMAGE ENCODING APPARATUS, METHOD OF IMAGE ENCODING, AND RECORDING MEDIUM, IMAGE DECODING APPARATUS, METHOD OF IMAGE DECODING, AND RECORDING MEDIUM

Номер патента: US20150181218A1. Автор: Okawa Koji. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2015-06-25.

IMAGE ENCODING APPARATUS, METHOD OF IMAGE ENCODING, AND RECORDING MEDIUM, IMAGE DECODING APPARATUS, METHOD OF IMAGE DECODING, AND RECORDING MEDIUM

Номер патента: US20180242009A1. Автор: Okawa Koji. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-23.

IMAGE ENCODING APPARATUS, METHOD OF IMAGE ENCODING, AND RECORDING MEDIUM, IMAGE DECODING APPARATUS, METHOD OF IMAGE DECODING, AND RECORDING MEDIUM

Номер патента: US20170324970A1. Автор: Okawa Koji. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-09.

System on chip, autonomous driving system including the same, and operating method thereof

Номер патента: US20240270278A1. Автор: Seungcheol Lee,Seunghan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory system package structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240178089A1. Автор: Peng Chen,Zhen Xu,XinRu Zeng,Weisong QIAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Sleep aid system and operation method thereof

Номер патента: US9566410B2. Автор: Shao-Chin Chang,Hsu-Hsuan Wu. Владелец: Amtran Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Peripheral circuit assemblies, memory systems and fabrication methods of memory systems

Номер патента: US20240315056A1. Автор: Lei Ren,Yuxuan Ren,Hu DING,Yanwei Shi,Xuelian Yu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Chiller operation system for ess batteries and operating method thereof

Номер патента: US20240222738A1. Автор: Gi Bum Park,Hyung Kyun SHIN,Hwan Sik Kim,Hwan Seob KIM. Владелец: HanjungncsCo Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Rack server system and operating method thereof

Номер патента: US9037309B2. Автор: Hao-Hao WANG. Владелец: Inventec Pudong Technology Corp. Дата публикации: 2015-05-19.

System and operating method thereof

Номер патента: US12015508B2. Автор: Jong Heon JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Chemical looping combustion and carbon dioxide direct reduction (clc-cdr) integration system and operation method thereof

Номер патента: US20230349548A1. Автор: Ho-Jung Ryu,Sung-Ho Jo,Seung-Yong Lee,Young Cheol Park,Daewook Kim,Yu Ri Lee,Hana Kim,Byung Wook HWANG,Yooseob WON. Владелец: Korea Institute of Energy Research KIER. Дата публикации: 2023-11-02.

Tunnel and vibration transverse propagation characteristic monitoring system and operation safety monitoring method thereof

Номер патента: CN114323247A. Автор: 刘博�,张世杰,孙立,张泽,叶松,罗伟,许国平,林超,潘建军,朱彬,李秋义. Владелец: China Railway Construction Corp Ltd CRCC. Дата публикации: 2022-04-12.

Номер патента: RU2596077C2. Автор: Михаил Иванович Ярославцев,Александр Михайлович Лазарев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт теоретической и прикладной механики им. С.А. Христиановича Сибирского отделения Российской академии наук (ИТПМ СО РАН). Дата публикации: 2016-08-27.

Fuel supply control system and operating method thereof

Номер патента: RU2389898C1. Автор: Юрий Дмитриевич Погуляев,Валерий Николаевич Наумов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Уральский государственный университет" (ГОУ ВПО "ЮУрГУ"). Дата публикации: 2010-05-20.

Memory system including data-width aware encoder and data-width aware decoder and operating method thereof

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты