NAND flash memory system storing multi-bit data and read/write control method thereof.

NAND flash memory system storing multi-bit data and read/write control method thereof

Номер патента: US10714171B2
Опубликовано: 14-07-2020
Автор(ы): Akihisa Ohta, Manabu Tamiya, Yasuyuki Ushijima
Принадлежит: Toshiba Memory Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Operating method of NAND flash memory unit

Номер патента: US9437309B2. Автор: Wei Lin,Yu-Cheng Hsu,Kuo-Yi Cheng. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Operating method of nand flash memory unit

Номер патента: US20160078952A1. Автор: Wei Lin,Yu-Cheng Hsu,Kuo-Yi Cheng. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Nand flash memory unit, operating method and reading method

Номер патента: US20140286105A1. Автор: Wei Lin,Yu-Cheng Hsu,Kuo-Yi Cheng. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2014-09-25.

NAND flash memory unit, operating method and reading method

Номер патента: US9245636B2. Автор: Wei Lin,Yu-Cheng Hsu,Kuo-Yi Cheng. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2016-01-26.

Flash memory address decoder with novel latch

Номер патента: WO1997049086A1. Автор: Fu-Chang Hsu,Hsing-Ya Tsao,Peter W. Lee. Владелец: APLUS FLASH TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 1997-12-24.

Method for nand flash memory to complete convolution operation of multi-bit data

Номер патента: US20240194230A1. Автор: Qiang Tang. Владелец: Unim Innovation Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

NAND flash memory having multiple cell substrates

Номер патента: US09583204B2. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Nand flash operating techniques

Номер патента: US20200118630A1. Автор: Wei-Liang Lin,Yao-Wen Chang,Wen-Jer Tsai,Guan-Wei Wu,Chun-Chang LU. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Super short channel nor flash cell array and programming method thereof

Номер патента: US20240233829A9. Автор: Lee Wang. Владелец: Fs Semi Semiconductor Corp Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Cell operation methods using gate-injection for floating gate nand flash memory

Номер патента: US20080080248A1. Автор: Tzu-Hsuan Hsu,Erh-Kun Lai,Hang-Ting Lue. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-03.

Super short channel nor flash cell array and programming method thereof

Номер патента: US20240135997A1. Автор: Lee Wang. Владелец: Fs Semi Semiconductor Corp Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Flash memory system and word line interleaving method thereof

Номер патента: US09792990B2. Автор: Yongjune Kim,Junjin Kong,Hong Rak Son,Seonghyeog Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Area efficient differential EEPROM cell with improved data retention and read/write endurance

Номер патента: US7457173B2. Автор: Xiaoju Wu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-11-25.

Flash memory

Номер патента: US20230386574A1. Автор: Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

A unified non-volatile memory device and method for integrating nor and nand-type flash memory and eeprom device on a single substrate

Номер патента: WO2006060600A1. Автор: Peter Lee. Владелец: APLUS FLASH TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2006-06-08.

Flash memory device capable of storing multi-bit data and single-bit data

Номер патента: US20080316819A1. Автор: Jin-Yub Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-12-25.

NAND flash memory having multiple cell substrates

Номер патента: US09899096B2. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Method for programming nand flash memory

Номер патента: US20220084598A1. Автор: Hong Nie,Jingwei CHEN. Владелец: China Flash Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-17.

Nand flash memory array with cut-off gate line and methods for operating and fabricating the same

Номер патента: US20110256680A1. Автор: Byung-gook Park,Seongjae Cho. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY INDUSTRY FOUNDATION. Дата публикации: 2011-10-20.

Vertical NAND flash memory array

Номер патента: US7148538B2. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-12-12.

Nand flash memory

Номер патента: US20130286734A1. Автор: Chun-Yen Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-10-31.

Vertical nand flash memory device

Номер патента: EP4398286A1. Автор: Sunho Kim,Minhyun LEE,Kwangmin Park,Gukhyon Yon,Seungyeul YANG,Seokhoon CHOI,Kyunghun KIM,Seungdam HYUN,Hyungyung KIM,Hoseok HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-10.

High density flash memory cell device, cell string and fabrication method therefor

Номер патента: US20110254076A1. Автор: Jong-ho Lee. Владелец: SNU R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2011-10-20.

Flash memory cell string

Номер патента: US20090184362A1. Автор: Jong-ho Lee. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of KNU. Дата публикации: 2009-07-23.

Methods for active boosting to minimize capacitive coupling effect between adjacent gates of flash memory devices

Номер патента: US20080144384A1. Автор: Hao Fang,Masaaki Higashitani,Gerrit Jan Hemink,Tuan D. Pham. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2008-06-19.

Methods for active boosting to minimize capacitive coupling effect between adjacent gates of flash memory devices

Номер патента: US7672165B2. Автор: Masaaki Higashitani,Gerrit Jan Hemink,Tuan D Pham,Hao Fang Fang. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2010-03-02.

Vertical nand flash memory device

Номер патента: US20240224530A1. Автор: Sunho Kim,Minhyun LEE,Kwangmin Park,Gukhyon Yon,Seungyeul YANG,Seokhoon CHOI,Kyunghun KIM,Seungdam HYUN,Hyungyung KIM,Hoseok HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Nand flash memory with vertical cell stack structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20210408301A1. Автор: Hyoung Seub Rhie. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Nand flash memory with vertical cell stack structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20200381566A1. Автор: Hyoung Seub Rhie. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Nand flash memory with vertical cell stack structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20190348544A1. Автор: Hyoung Seub Rhie. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Nand flash memory with vertical cell stack structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20230268447A1. Автор: Hyoung Seub Rhie. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

NAND flash memory with vertical cell stack structure and method for manufacturing same

Номер патента: US12119411B2. Автор: Hyoung Seub Rhie. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

EPROM device for storing multi-bit data and read circuit of EPROM device

Номер патента: US09865354B1. Автор: Hyun Min Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

EPROM device for storing multi-bit data and read circuit of the EPROM device

Номер патента: KR102469810B1. Автор: 송현민. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2022-11-24.

Non-volatile multi-level semiconductor flash memory device and method of driving same

Номер патента: US20030214850A1. Автор: Naoki Yamada,Hiroshi Sato,Kazuyuki Miyazawa,Tetsuya Tsujikawa. Владелец: Tetsuya Tsujikawa. Дата публикации: 2003-11-20.

Non-volatile multi-level, semiconductor flash memory device and method of driving same

Номер патента: US20050013167A1. Автор: Naoki Yamada,Hiroshi Sato,Kazuyuki Miyazawa,Tetsuya Tsujikawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-20.

Detecting data integrity in memory systems

Номер патента: US09984759B1. Автор: NaiPing Kuo,Yi-Chun Liu,Yuchih Yeh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

NAND flash memory devices having shielding lines between wordlines and selection lines

Номер патента: US7821825B2. Автор: Jung-Dal Choi,Ki-tae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-10-26.

Nand flash memory devices having shielding lines between wordlines and selection lines

Номер патента: US20090135647A1. Автор: Jung-Dal Choi,Ki-tae Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-05-28.

Read/write control device of resistive type memory

Номер патента: US09607675B1. Автор: Ling-Yueh Chang,Peng-Ju Huang. Владелец: Lyontek Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Control method for nand flash memory to complete xnor operation

Номер патента: US20240194271A1. Автор: Qiang Tang. Владелец: Unim Innovation Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Control method and controller of 3D NAND flash

Номер патента: US20210350853A1. Автор: Ying Huang,Hongtao Liu,Qiguang Wang,Wenzhe WEI. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Flash memory and associated methods

Номер патента: WO2008083125A1. Автор: Giovanni Santin,Violante Moschiano,Michele Incarnati,Daniel Elmhurst,Ercole Diiorio. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2008-07-10.

A unified non-volatile memory device and method for integrating nor and nand-type flash memory and eeprom device on a single substrate

Номер патента: WO2006060600A9. Автор: Peter Lee. Владелец: Peter Lee. Дата публикации: 2006-08-03.

Dual edge access nand flash memory

Номер патента: WO2008093947A1. Автор: Un Sik Seo. Владелец: Mgine Co., Ltd.. Дата публикации: 2008-08-07.

NAND flash memory array architecture having low read latency and low program disturb

Номер патента: US9245639B1. Автор: Dae Hyun Kim,Anil Gupta,Jong Oh Lee. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-01-26.

Method for controlling nand flash memory to complete neural network operation

Номер патента: US20240194249A1. Автор: Qiang Tang. Владелец: Unim Innovation Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US20240331775A1. Автор: Li Xiang,Ke Liang,Jinchi HAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Interruptible nand flash memory

Номер патента: CA2768212C. Автор: John G. Bennett. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2016-09-13.

Non-volatile semiconductor memory capable of storing 1-bit data or multi-bit data

Номер патента: US6122193A. Автор: Tomoharu Tanaka,Susumu Fujimura,Noboru Shibata,Hiroto Nakai,Toshio Yamamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-09-19.

Methods and apparatus for nand flash memory

Номер патента: WO2022047084A1. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: NEO Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2022-03-03.

Non-destructive mode cache programming in NAND flash memory devices

Номер патента: US11894075B2. Автор: Jason Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

3d nand flash and operation method thereof

Номер патента: US20210366545A1. Автор: Ying Huang,Hongtao Liu,Wenzhe WEI,Dejia Huang,Song Min Jiang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

3D NAND flash and operation method thereof

Номер патента: US11342023B2. Автор: Ying Huang,Hongtao Liu,Wenzhe WEI,Dejia Huang,Song Min Jiang. Владелец: Yangzte Memory Technologies Ltd. Дата публикации: 2022-05-24.

Nand flash memory comprising a current sensing page buffer

Номер патента: US20170140823A1. Автор: Osama Khouri,Chiara Missiroli. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-18.

3D NAND flash and operation method thereof

Номер патента: US10978153B1. Автор: Ying Huang,Hongtao Liu,Wenzhe WEI,Dejia Huang,Song Min Jiang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-13.

Semiconductor memory device and manufacturing method and read/write method therefor, and electronic device and memory circuit

Номер патента: EP4395490A1. Автор: Chao Zhao,Zhengyong Zhu,Guilei Wang,BokMoon Kang. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-07-03.

Split gate NAND flash memory structure and array, method of programming, erasing and reading thereof, and method of manufacturing

Номер патента: US09449693B2. Автор: Yuniarto Widjaja,Feng Gao,Dana Lee,John W. Cooksey,Changyuan Chen,Ya-Fen Lin. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Method of programming a continuous-channel flash memory device

Номер патента: US09892790B2. Автор: Yuniarto Widjaja,Feng Gao,Dana Lee,John W. Cooksey,Changyuan Chen,Ya-Fen Lin. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Split gate NAND flash memory structure and array, method of programming, erasing and reading thereof, and method of manufacturing

Номер патента: US8780642B2. Автор: Yuniarto Widjaja,Feng Gao,Dana Lee,John W. Cooksey,Changyuan Chen,Ya-Fen Lin. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-15.

Memory system, program method thereof, and computing system including the same

Номер патента: US09460796B2. Автор: Song-ho Yoon,Woon-Jae Chung,In-Hwan Choi,Jun-Ho Jang,Kyung-wook Ye. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20210241834A1. Автор: Sang Sik Kim,Dae Sung Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-05.

Storage device and program method thereof

Номер патента: US20240120019A1. Автор: Jae Hun JANG,Hyeonwu Kim,Hojun Jo,Jihwan Mun,Yoonjin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-11.

Flash memory device capable of storing multi-bit data, memory controller controlling it, and memory system including the same

Номер патента: KR100874441B1. Автор: 이승재. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-12-17.

Flash memory device capable of storing multi-bit data and single-bit data

Номер патента: CN1905070B. Автор: 李真烨. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-10-13.

Flash memory device capable of storing multi-bit data and single-big data

Номер патента: US7433246B2. Автор: Jin-Yub Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-10-07.

Memory system

Номер патента: US20240311232A1. Автор: Masahiro Saito,Kiwamu Watanabe,Yoshiki Takai,Yuko NODA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Flash memory device including bit line voltage clamp circuit for controlling bit line voltage during programming, and bit line voltage control method thereof

Номер патента: TWI279809B. Автор: Se-Eun O. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-04-21.

Flash memory device including bit line voltage clamp circuit for controlling bit line voltage during programming, and bit line voltage control method thereof

Номер патента: US7251163B2. Автор: Se-Eun O. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-07-31.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US20170154682A1. Автор: Jaekyun Moon,Jaehyeong NO. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2017-06-01.

Semiconductor memory device and method of programming multi bit data of the same

Номер патента: US10522219B2. Автор: Yoo Nam Jeon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-12-31.

NAND flash memory and reading method thereof

Номер патента: US09564236B2. Автор: Katsutoshi Suito. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Nand flash memory device with enhanced data retention characteristics and operating method thereof

Номер патента: US20240265975A1. Автор: Sung Ho Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: WO2024197764A1. Автор: Li Xiang,Ke Liang,Jinchi HAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-10-03.

Methods and apparatus for NAND flash memory

Номер патента: US12100460B2. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Neo Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Method and circuit for performing read operation in a nand flash memory

Номер патента: US20090003079A1. Автор: Jiro Kishimoto. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-01-01.

Method and circuit for performing read operation in a NAND flash memory

Номер патента: US7577033B2. Автор: Jiro Kishimoto. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-08-18.

Methods and apparatus for NAND flash memory

Номер патента: US11972811B2. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Neo Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-04-30.

Methods and apparatus for nand flash memory

Номер патента: US20210327519A1. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-10-21.

Method for controlling nand flash memory to implement xnor operation

Номер патента: US20240194246A1. Автор: Qiang Tang. Владелец: Unim Innovation Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070228455A1. Автор: Tomoyuki Ishii,Toshiyuki Mine,Yoshitaka Sasago. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-10-04.

Read/write control method and device for ddr dynamic random access memory, and system

Номер патента: US20220093163A1. Автор: Xitong Ma. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-24.

Non-volatile memory having 3D array of read/write elements and read/write circuits and method thereof

Номер патента: TW201230041A. Автор: Yan Li,George Samachisa,Luca Fasoli,Tianhong Yan. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2012-07-16.

Non-Volatile Memory Having 3d Array of Read/Write Elements and Read/Write Circuits and Method Thereof

Номер патента: US20110299340A1. Автор: Yan Li,George Samachisa,Luca Fasoli,Tianhong Yan. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2011-12-08.

Flash memory device with structure for increasing input and output speed of data and data input and output operation method of the same

Номер патента: KR100694978B1. Автор: 박진수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-03-14.

Phase change memory read-write control method and system based on dual-threshold gate tube

Номер патента: CN110189785B. Автор: 阮鑫,雷鑑铭,毛奕陶,刘黛眉. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2020-11-24.

Semiconductor device including memory cells storing multi-bit data and operating method of the semiconductor device

Номер патента: US10796775B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-10-06.

Interface protocols between memory controller and nand flash memory for cache programming

Номер патента: US20240161840A1. Автор: Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Interface protocols between memory controller and nand flash memory for cache programming

Номер патента: WO2024103238A1. Автор: Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-23.

Apparatus for controlling nand flash memory device and method for controlling same

Номер патента: US20240290397A1. Автор: Sang Hoon Shin,Hyoung Ki Nam. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

NAND flash word line management using multiple fragment pools

Номер патента: US09455048B2. Автор: Yigal Eli,Yong Peng,Damian Yurzola,Rajeev Nagabhirava,Tal Heller,Krishnamurthy Dhakshinamurthy,Talal Ahwal,Tucker Dean BERCKMANN,Arjun Hary. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-27.

Nand flash memory device capable of selectively erasing one flash memory cell and operation method thereof

Номер патента: US20230128347A1. Автор: Jong-ho Lee,Honam YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Error characterization and mitigation for 16nm mlc nand flash memory under total ionizing dose effect

Номер патента: US20190172545A1. Автор: Yue Li,Jehoshua Bruck. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2019-06-06.

Page buffer circuit for NAND flash memory

Номер патента: US09305649B1. Автор: Jong Oh Lee. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-04-05.

Charge packet programming for nand flash non-volatile memory

Номер патента: EP4345825A1. Автор: Maarten Rosmeulen,Devin Verreck. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-04-03.

Apparatus for controlling nand flash memory device and method for controlling same

Номер патента: US20220343983A1. Автор: Sang Hoon Shin,Hyoung Ki Nam. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-27.

Apparatus for controlling NAND flash memory device and method for controlling same

Номер патента: US12009035B2. Автор: Sang Hoon Shin,Hyoung Ki Nam. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Memory computing chip based on NAND Flash and control method thereof

Номер патента: CN111128279A. Автор: 王绍迪. Владелец: Hangzhou Zhicun Intelligent Technology Co ltd. Дата публикации: 2020-05-08.

Nand flash word line management

Номер патента: WO2014209624A1. Автор: Yigal Eli,Yong Peng,Damian Yurzola,Rajeev Nagabhirava,Tal Heller,Krishnamurthy Dhakshinamurthy,Talal Ahwal,Tucker Dean BERCKMANN,Arjun Hary. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2014-12-31.

Managing programming errors in nand flash memory

Номер патента: US20200234780A1. Автор: Thomas Mittelholzer,Nikolaos Papandreou,Roman Alexander Pletka. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-23.

Methods and apparatus for nand flash memory

Номер патента: EP4392975A1. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Neo Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-07-03.

Methods and apparatus for reading NAND flash memory

Номер патента: US11232835B2. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Neo Semiconductor Inc. Дата публикации: 2022-01-25.

Nand flash memory and program method thereof

Номер патента: US20170140826A1. Автор: Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-18.

基于nand flash的文件数据存取方法、装置、设备及存储介质

Номер патента: CN115359825. Автор: 王心侠,林杯淋. Владелец: Huierfeng Information System Co ltd. Дата публикации: 2022-11-18.

Error characterization and mitigation for 16nm MLC NAND flash memory under total ionizing dose effect

Номер патента: US10665310B2. Автор: Yue Li,Jehoshua Bruck. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2020-05-26.

基于NAND Flash的存内计算芯片及其控制方法

Номер патента: CN111128279. Автор: 王绍迪. Владелец: Hangzhou Zhicun Intelligent Technology Co ltd. Дата публикации: 2020-05-08.

Method of programming flash memory

Номер патента: US20240112737A1. Автор: Maarten Rosmeulen,Devin Verreck. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-04-04.

Error characterization and mitigation for 16nm mlc nand flash memory under total ionizing dose effect

Номер патента: US20180197617A1. Автор: Yue Li,Jehoshua Bruck. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2018-07-12.

Error characterization and mitigation for 16nm MLC NAND flash memory under total ionizing dose effect

Номер патента: US09870834B2. Автор: Yue Li,Jehoshua Bruck. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2018-01-16.

Nand flash memory devices and methods of lsb/msb programming the same

Номер патента: US20090080251A1. Автор: Hyung-Gon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-03-26.

Methods and apparatus for nand flash memory

Номер патента: WO2023028410A1. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: NEO Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2023-03-02.

基于nand flash的文件数据存取方法、装置、设备及存储介质

Номер патента: CN115359825A. Автор: 王心侠,林杯淋. Владелец: Huierfeng Information System Co ltd. Дата публикации: 2022-11-18.

Memory system that uses NAND flash memory as a memory chip

Номер патента: US11309051B2. Автор: Takehiko Amaki,Shohei Asami. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-04-19.

Self-boosting system for flash memory cells

Номер патента: EP1714291A2. Автор: Gerrit Jan Hemink. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2006-10-25.

Self-boosting system for flash memory cells

Номер патента: EP2341506A3. Автор: Gerrit Jan Hemink. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2012-03-21.

NAND flash memory with worldline voltage compensation using compensated temperature coefficients

Номер патента: US10366760B1. Автор: Minyi Chen. Владелец: GigaDevice Semiconductor Shanghai Inc. Дата публикации: 2019-07-30.

Nand flash memory with wordline voltage compensation using compensated temperature coefficients

Номер патента: US20190221266A1. Автор: Minyi Chen. Владелец: Shine Bright Technology Ltd. Дата публикации: 2019-07-18.

基于读电压表设置Nand Flash读电压的方法及装置

Номер патента: CN117854563. Автор: 张用,郭静颖,曾添友. Владелец: Chengdu Xinyilian Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

基于读电压表设置Nand Flash读电压的方法及装置

Номер патента: CN117854563A. Автор: 张用,郭静颖,曾添友. Владелец: Chengdu Xinyilian Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor memory apparatus adopting new ISPP method with sacrificial programming pulse and programming method thereof

Номер патента: US11798628B2. Автор: Masaru Yano,Toshiaki Takeshita. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

Method and system for processing data in flash memories

Номер патента: CN106601293A. Автор: 任军,李政达. Владелец: Hefei Hengshuo Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-26.

Coding type flash memory device and coding method

Номер патента: CN111710356B. Автор: 黄鹏,康晋锋,刘晓彦,项亚臣. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-07-05.

Magnetic memory and reading/writing method thereof

Номер патента: US12035539B2. Автор: XIAOGUANG WANG,Baolei Wu,Yulei Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Memory system including a memory controller and error correction circuit for reading multi-bit data and for detecting and correcting read data errors

Номер патента: US10803930B2. Автор: Yoshihisa Kojima,Toshikatsu Hida,Masahiro Kiyooka. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-10-13.

Memory system

Номер патента: US8315098B2. Автор: Tokumasa Hara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-11-20.

Memory system

Номер патента: US20120092927A1. Автор: Tokumasa Hara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-04-19.

Program method for flash memory capable of compensating for the reduction of read margin between states

Номер патента: US20070171709A1. Автор: Young-Ho Lim,Sang-Gu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-07-26.

Memory controller for controlling flash memory device capable of storing multi-bit data and memory system including the same

Номер патента: KR100813627B1. Автор: 이성수,권오석,변대석. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-03-14.

Memory system including test circuit

Номер патента: US09959937B2. Автор: Tetsuya Iwata,Shinya Takeda,Mikio Takasugi,Yoshio Furuyama,Shunsuke KODERA,Toshihiko KITAZUME,Kenichirou KADA,Nobuhiro Tsuji,Hirosuke NARAI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Memory system and control method

Номер патента: US20240053903A1. Автор: Masahiro Saito,Kiwamu Watanabe,Yoshiki Takai,Yuko NODA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Read/write controller of flash memory

Номер патента: KR100273268B1. Автор: 박정주. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2001-01-15.

Method for controlling semiconductor storage device comprising memory cells each configured to hold multi-bit data, and memory card provided with semiconductor storage device

Номер патента: US20070245098A1. Автор: Tomoji Takada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-10-18.

Magnetic memory and reading/writing method thereof

Номер патента: US20220208853A1. Автор: XIAOGUANG WANG,Baolei Wu,Yulei Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-06-30.

Ferroelectric memory and forming method thereof, and electronic device

Номер патента: US20240172450A1. Автор: Zhengbo Wang,Weiliang JING,Kailiang HUANG,Junxiao FENG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Multi-Level Memory Array Having Resistive Elements For Multi-Bit Data Storage

Номер патента: US20140177315A1. Автор: Tim Minvielle,Takeshi Yamaguchi,Dipankar Pramanik,David E. Lazovsky. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2014-06-26.

Multi-level memory array having resistive elements for multi-bit data storage

Номер патента: US8995166B2. Автор: Tim Minvielle,Takeshi Yamaguchi,Dipankar Pramanik,David E Lazovsky. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2015-03-31.

Nand flash memory and method for destroying information from the nand flash memory

Номер патента: US20190206496A1. Автор: Minyi Chen. Владелец: Shine Bright Technology Ltd. Дата публикации: 2019-07-04.

Hierarchical common source line structure in nand flash memory

Номер патента: WO2009079783A1. Автор: Hong Beom Pyeon,Jin-Ki Kim. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2009-07-02.

On-chip copying of data between nand flash memory and reram of a memory die

Номер патента: WO2016004317A1. Автор: Sergey Anatolievich Gorobets,Manuel Antonio d'Abreu,Xinde Hu. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2016-01-07.

Flash memory device and method of operation

Номер патента: US20110255337A1. Автор: Franz Michael Schuette. Владелец: OCZ Technology Group Inc. Дата публикации: 2011-10-20.

Method for Erasing Data of NAND Flash Memory Device

Номер патента: US20080158994A1. Автор: Hea Jong Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-07-03.

Dual Sense Bin Balancing In NAND Flash

Номер патента: US20210407598A1. Автор: Idan Alrod,Eran Sharon,Richard Galbraith,Henry Yip,Jonas Goode. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Dual sense bin balancing in nand flash

Номер патента: WO2022005517A1. Автор: Idan Alrod,Eran Sharon,Richard Galbraith,Henry Yip,Jonas Goode. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2022-01-06.

NAND flash memory and blank page search method therefor

Номер патента: US20060083065A1. Автор: Chin Lin,Hitoshi Shiga,Chin-Hung Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-04-20.

一种nand flash存储芯片坏区检测管理方法

Номер патента: CN114627932. Автор: 吴智慧,胡红伟,邵星明. Владелец: Nanjing Changfeng Space Electronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-14.

一种nand flash存储芯片坏区检测管理方法

Номер патента: CN114627932A. Автор: 吴智慧,胡红伟,邵星明. Владелец: Nanjing Changfeng Space Electronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-14.

Flash memory device

Номер патента: US20080259690A1. Автор: Young-Ho Lim,Dong-Hyuk Chae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-10-23.

Bit line sense amplifier, semiconductor memory device and multi bit data sensing method thereof

Номер патента: US20190189192A1. Автор: Kyungryun Kim,Younghun Seo,Soobong Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-20.

Efuse bit cell, and read/write method thereof, and efuse array

Номер патента: US09830996B2. Автор: Chia Chi Yang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Methods and apparatus for read/write control and bit selection with false read suppression in an SRAM

Номер патента: US20070195617A1. Автор: Rajiv Joshi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-08-23.

Read/write control method and circuit for a sound recording/reproducing device

Номер патента: US5842169A. Автор: Yoshikazu Sakashita. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1998-11-24.

EPROM DEVICE FOR STORING MULTI-BIT DATA AND READ CIRCUIT OF EPROM DEVICE

Номер патента: US20180012661A1. Автор: Song Hyun Min. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2018-01-11.

EPROM DEVICE FOR STORING MULTI-BIT DATA AND READ CIRCUIT OF EPROM DEVICE

Номер патента: US20180082749A1. Автор: Song Hyun Min. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2018-03-22.

Magnetic device having magnetic tunnel junction, memory array, and read / write method using the same

Номер патента: JP2005510047A. Автор: ベルナール・ディエニー,オリビエール・レドン. Владелец: コミツサリアタレネルジーアトミーク. Дата публикации: 2005-04-14.

Magnetic device with magnetic tunnel junction, memory array and read/write methods using same

Номер патента: EP1466329B1. Автор: Bernard Dieny,Olivier Redon. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2007-04-11.

Magnetic device with magnetic tunnel junction, memory array and read/write methods using same

Номер патента: WO2003043017A3. Автор: Bernard Dieny,Olivier Redon. Владелец: Olivier Redon. Дата публикации: 2003-12-11.

Device selection schemes in multi chip package NAND flash memory system

Номер патента: US09524778B2. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Two-terminal memory compatibility with NAND flash memory set features type mechanisms

Номер патента: US09727258B1. Автор: Kuk-Hwan Kim,Hagop Nazarian. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

System and method for pre-soft-decoding tracking for NAND flash memories

Номер патента: US12039191B2. Автор: Hanan Weingarten. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Method of characterizing errors in nand flash memory, and error estimation method and storage system control method using the same

Номер патента: US20230297471A1. Автор: Do Hee KIM,Ha Young LIM,Ji Yoon JUNG,Sung Gil Hong. Владелец: Fadu Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Systems and methods of implementing a calibration wordline to compensate for voltage threshold shift in nand flash memory

Номер патента: US20220115074A1. Автор: Chai Im Teoh,Lip Vui Kan. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2022-04-14.

Method and apparatus for protecting lower page data during programming in NAND flash

Номер патента: US09703494B1. Автор: Pranav Kalavade,Shantanu R. Rajwade. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Digital Neutron Dosimeter Based On 3D NAND Flash Memory

Номер патента: US20230408715A1. Автор: Mark Samuilovich Akselrod,Vasiliy Vasilyevich Fomenko,Jonathan Mitchell Harrison. Владелец: Landauer Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

System and method for pre-soft-decoding tracking for nand flash memories

Номер патента: US20230221879A1. Автор: Hanan Weingarten. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

Digital neutron dosimeter based on three dimensional not-and (nand) flash memory

Номер патента: WO2023250394A1. Автор: Mark Samuilovich Akselrod,Vasiliy Vasilyevich Fomenko,Jonathan Mitchell Harrison. Владелец: Landauer, Inc.. Дата публикации: 2023-12-28.

A kind of NAND-FLASH memory write operations method and device

Номер патента: CN108573729A. Автор: 苏志强. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2018-09-25.

Dynamically adjusting read voltage in a NAND flash memory

Номер патента: US09934865B2. Автор: Thomas J. Griffin,Steven J. Hnatko. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Dynamically adjusting read voltage in a NAND flash memory

Номер патента: US09934863B2. Автор: Thomas J. Griffin,Steven J. Hnatko. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Dynamically adjusting read voltage in a NAND flash memory

Номер патента: US09691488B1. Автор: Thomas J. Griffin,Steven J. Hnatko. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Dynamically adjusting read voltage in a NAND flash memory

Номер патента: US09659664B1. Автор: Thomas J. Griffin,Steven J. Hnatko. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

一种双路8位并口nand flash存储电路

Номер патента: CN115206382. Автор: 李刚,王小波,张永安,张明,田力,李晶晶,周晓琳,段海龙,崔洁,王文艳,陈羽,赵海滨,侯安贵,陈永鹏. Владелец: Henan Pingyuan Optical & Electronic Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-18.

一种双路8位并口nand flash存储电路

Номер патента: CN115206382A. Автор: 李刚,王小波,张永安,张明,田力,李晶晶,周晓琳,段海龙,崔洁,王文艳,陈羽,赵海滨,侯安贵,陈永鹏. Владелец: Henan Pingyuan Optical & Electronic Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-18.

一种3D NAND Flash减小数据保留错误的编程方法

Номер патента: CN114765043. Автор: 杨洋,沙金,邓上鹏. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-07-19.

一种3D NAND Flash减小数据保留错误的编程方法

Номер патента: CN114765043A. Автор: 杨洋,沙金,邓上鹏. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-07-19.

NAND flash memory and method of erasing, programming, and copy-back programming thereof

Номер патента: US6813184B2. Автор: June Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-11-02.

Dynamically adjusting read voltage in a nand flash memory

Номер патента: US20170169894A1. Автор: Thomas J. Griffin,Steven J. Hnatko. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Dynamically adjusting read voltage in a nand flash memory

Номер патента: US20170169893A1. Автор: Thomas J. Griffin,Steven J. Hnatko. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Dynamically adjusting read voltage in a nand flash memory

Номер патента: US20170169890A1. Автор: Thomas J. Griffin,Steven J. Hnatko. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Dynamically adjusting read voltage in a nand flash memory

Номер патента: US20170169891A1. Автор: Thomas J. Griffin,Steven J. Hnatko. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

一种nand flash的最优固定电压轴的筛选方法

Номер патента: CN115295048A. Автор: 曹成,蒋书斌,石法圣. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-04.

一种nand flash的最优固定电压轴的筛选方法

Номер патента: CN115295048. Автор: 曹成,蒋书斌,石法圣. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-04.

一种控制读操作的方法、装置以及Nand flash存储器

Номер патента: CN111951864. Автор: 张晓伟. Владелец: Beijing Zhaoyi Innovation Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-17.

NAND Flash坏块内数据重读的方法、电子设备及存储介质

Номер патента: CN113223583A. Автор: 李晓强,吴大畏,罗挺,陈斯煜. Владелец: SHENZHEN SILICONGO MICROELECTRONICS CO Ltd. Дата публикации: 2021-08-06.

嵌入式设备NAND Flash的ECC码存储方法

Номер патента: CN113571121. Автор: 戴志,刘怡雄. Владелец: Hangzhou Nationalchip Science & Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-10-29.

NAND Flash坏块内数据重读的方法、电子设备及存储介质

Номер патента: CN113223583. Автор: 李晓强,吴大畏,罗挺,陈斯煜. Владелец: SHENZHEN SILICONGO MICROELECTRONICS CO Ltd. Дата публикации: 2021-08-06.

On-device data analytics using nand flash based intelligent memory

Номер патента: WO2014074483A2. Автор: Yan Li,Steven T. Sprouse,Johann George. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2014-05-15.

NAND Flash坏块内数据重读的方法、电子设备及存储介质

Номер патента: CN113223583B. Автор: 李晓强,吴大畏,罗挺,陈斯煜. Владелец: SHENZHEN SILICONGO MICROELECTRONICS CO Ltd. Дата публикации: 2024-05-17.

Key-value addressed storage drive using nand flash based content addressable memory

Номер патента: WO2014074153A1. Автор: Yan Li,Stephen T. SPROUSE. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2014-05-15.

Nand flash based content addressable memory

Номер патента: WO2014074131A1. Автор: Stephen T. SPROUSE. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2014-05-15.

Programming mode for multi-layer storage flash memory array and switching control method thereof

Номер патента: US9542311B2. Автор: Jipeng Xing,Wenjie Huo,Dongxia Zhou. Владелец: Memoright Wuhan Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Flash memory device and programming method thereof

Номер патента: US8194463B2. Автор: Jong-Hwa Kim,Young-Joon Choi,Seok-Cheon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-06-05.

NON-VOLATILE MEMORY HAVING 3D ARRAY OF READ/WRITE ELEMENTS AND READ/WRITE CIRCUITS AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20140022848A1. Автор: Li Yan,Samachisa George,Yan Tianhong,Fasoli Luca. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2014-01-23.

Stored multi-bit data characterized by multi-dimensional memory state

Номер патента: JP5700635B2. Автор: エーカルブヨハネス,エーカルブヨハネス,カウデーチャン,スパディーニジャンパオロ. Владелец: マイクロンテクノロジー，インク．. Дата публикации: 2015-04-15.

Storing multi-bit data by multidimensional memory state characterization

Номер патента: CN102110469B. Автор: 约翰内斯·卡尔布,德场·考,吉安波罗·斯帕蒂尼. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-06-29.

Semiconductor memory device having multi-bit data latch circuit capable of highly integrated

Номер патента: JPH11265582A. Автор: 秉淳崔,Byeng-Soon Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-09-28.

Resistive memory structure for single or multi-bit data storage

Номер патента: US09805791B2. Автор: Pinaki Mazumder,Yalcin YILMAZ. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2017-10-31.

Memory system for processing data efficiently by searching segments of data and operating method thereof

Номер патента: US9952793B2. Автор: Jeen PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Resistive memory structure for single or multi-bit data storage

Номер патента: US20150332763A1. Автор: Pinaki Mazumder,Yalcin YILMAZ. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2015-11-19.

Bonded semiconductor devices having processor and nand flash memory and methods for forming the same

Номер патента: EP3891798A1. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-13.

NAND flash memory with reduced planar size

Номер патента: US11778819B2. Автор: Riichiro Shirota. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Nand Flash封装方法及封装装置

Номер патента: CN117042470. Автор: 付文明,弗兰克·陈,石环,熊小明. Владелец: Zhiyu Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-11-10.

Nand Flash封装方法及封装装置

Номер патента: CN117042470A. Автор: 付文明,弗兰克·陈,石环,熊小明. Владелец: Zhiyu Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-11-10.

Optical disk drive and read/write apparatus

Номер патента: GB2260019A. Автор: Katsuhiko Tanaka,Tetsuji Aoyagi,Michihiro Kuramochi,Hideki Okatani. Владелец: NSK LTD. Дата публикации: 1993-03-31.

一种控制擦除操作的方法、装置以及Nand flash存储器

Номер патента: CN111951853. Автор: 张晓伟,马思博. Владелец: Beijing Zhaoyi Innovation Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-17.

Memory based on magnetic tunnel junction and read-write method and manufacturing method thereof

Номер патента: CN110277115B. Автор: 罗军,许静,崔岩,杨美音. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2021-01-01.

Multilevel unit magnetic storage structure and read-write method thereof

Номер патента: CN110164902B. Автор: 赵巍胜,吴比,徐岩松,王昭昊. Владелец: BEIHANG UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-03-09.

Three-terminal magnetic random access memory and read-write method thereof

Номер патента: CN107785481B. Автор: 刘波,陈志刚,喻涛,刘瑞盛,左正笏. Владелец: CETHIK Group Ltd. Дата публикации: 2021-10-29.

In-plane magnetic random access memory and read-write method thereof

Номер патента: CN107369467B. Автор: 郭一民,肖荣福. Владелец: Shanghai Ciyu Information Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-03.

Multi-bit nonvolatile ferroelectric memory device having fail cell repair circuit and repair method thereof

Номер патента: US20060242538A1. Автор: Hee Kang,Jin Ahn. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-10-26.

Memory and reading/writing of data to/from same

Номер патента: EP1065882A1. Автор: Tetsujiro Intell. Prop. Dept. Sony Corp. Kondo. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-01-03.

Random data generation circuit and read/write training circuit

Номер патента: US20230420005A1. Автор: Tianchen LU,Biao Cheng. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20180113758A1. Автор: Heon Jin CHOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-26.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: US20210377080A1. Автор: Jaewoo Park,Youngdon CHOI,Junghwan Choi,Changsik YOO. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2021-12-02.

Semiconductor storage device and memory system

Номер патента: US20190267090A1. Автор: Noboru Shibata,Takahiro Shimizu,Weihan Wang. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-08-29.

Semiconductor storage device and memory system

Номер патента: US20200090753A1. Автор: Noboru Shibata,Takahiro Shimizu,Weihan Wang. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Memory system with ecc-unit and further processing arrangement

Номер патента: EP2095234A1. Автор: Davor Bogavac,Michael Rohleder. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2009-09-02.

Multi-bit data output buffer for semiconductor memory device

Номер патента: GB9613752D0. Автор: . Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1996-09-04.

Multi-bit data output buffer for semiconductor memory device

Номер патента: GB2303008B. Автор: Myung Sun Ryu. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2000-01-12.

Devices containing multi-bit data

Номер патента: TW200710852A. Автор: Charles R Szmanda,Edward C Greer,Charlotte Cutler. Владелец: Rohm & Haas. Дата публикации: 2007-03-16.

Devices containing multi-bit data

Номер патента: SG128668A1. Автор: . Владелец: Rohm & Haas Elect Mat. Дата публикации: 2007-01-30.

Operating Method of Controller Controlling Nonvolatile Memory Device and Mapping Pattern Selecting Method of Selecting Mapping Pattern Mapping Polar Coded Code Word with Multi Bit Data of Nonvolatile Memory Device

Номер патента: US20130283128A1. Автор: Junjin Kong,Kijun Lee,Myungkyu Lee,Dong-Min Shin,Seung-Chan Lim,Kyeongcheol Yang. Владелец: Academy Industry Foundation of POSTECH. Дата публикации: 2013-10-24.

TRANSMITTER FOR TRANSMITTING MULTI-BIT DATA

Номер патента: US20200382121A1. Автор: Kim Suhwan,JEONG Yongun. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-03.

Devices containing multi-bit data

Номер патента: CA2550963A1. Автор: Charles R. Szmanda,Edward C. Greer,Charlotte Cutler. Владелец: Charlotte Cutler. Дата публикации: 2007-01-08.

Multi-bit data output buffer apparatus

Номер патента: KR0172238B1. Автор: 유명선. Владелец: 김주용. Дата публикации: 1999-03-30.

A multi-level memory array having resistive elements for multi-bit data storage

Номер патента: WO2014100749A2. Автор: Tim Minvielle,Takeshi Yamaguchi,Dipankar Pramanik,David Lazovsky. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2014-06-26.

Operating method of memory system including nand flash memory, variable resistance memory and controller

Номер патента: US20160004469A1. Автор: Eun-Jin Yun,BoGeun Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-01-07.

Method and apparatus for reducing data program completion overhead in NAND flash

Номер патента: US09852065B1. Автор: Violante Moschiano,Pranav Kalavade,Shantanu R. Rajwade,Andrea D'Alessandro. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Method for regulating reading voltage of NAND flash memory device

Номер патента: US09558816B2. Автор: Seung-Hyun Han,Sun-Mo Hwang. Владелец: THE-AIO Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Error Checking and Correction for NAND Flash Devices

Номер патента: US20160283324A1. Автор: Jente B. Kuang,Gi-Joon Nam,Shawn P. Authement. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-29.

Driving circuits for a memory cell array in a NAND-type flash memory device

Номер патента: EP1191542A3. Автор: Young-Ho Lim,Jung-Hoon Park,Suk-Cheon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-01-07.

Nand flash memory with integrated bit line capacitance

Номер патента: WO2010138219A1. Автор: Chulmin Jung,Brian Lee,Dadi Setiadi,Yong Lu,Hongyue Liu. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2010-12-02.

NAND FLASH memory-based verification method, terminal equipment and storage medium

Номер патента: CN110277131B. Автор: 董时舫. Владелец: PAX Computer Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-23.

一种提高 nand flash 可靠性的方法及装置

Номер патента: WO2018040969A1. Автор: 吴旋. Владелец: 福建联迪商用设备有限公司. Дата публикации: 2018-03-08.

一种NAND Flash单元数据的读取方法和装置

Номер патента: CN112309476. Автор: 邸士伟. Владелец: Beijing Zhaoyi Innovation Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-02.

一种NAND Flash单元数据的读取方法和装置

Номер патента: CN112309476A. Автор: 邸士伟. Владелец: Beijing Zhaoyi Innovation Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-02.

Nand flash的cg分组方法和cg分组装置

Номер патента: CN108053857A. Автор: 胡旭,苏志强,程莹,李建新,刘会娟. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2018-05-18.

基于nand flash存储器的校验方法、终端设备及存储介质

Номер патента: CN110277131. Автор: 董时舫. Владелец: PAX Computer Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-24.

一种nand flash的数据传输方法、装置及电路

Номер патента: CN110164493. Автор: 刘会娟,束庆冉. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2019-08-23.

一种提高nand flash可靠性的方法及装置

Номер патента: CN106409321A. Автор: 吴旋. Владелец: Fujian Landi Commercial Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-15.

提高slc nand flash存储器重读效率及准确性的方法

Номер патента: CN116434808. Автор: 胡锦涛. Владелец: Pengti Storage Technology Nanjing Co ltd. Дата публикации: 2023-07-14.

一种SSD中在线校准NAND Flash读参考电压的方法

Номер патента: CN110473588. Автор: 刘凯,王璞. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-19.

多通道的nand flash差错控制方法

Номер патента: CN113241110A. Автор: 李金�,潘乐乐,濮建福,杨津浦,林闽佳. Владелец: Shanghai Spaceflight Institute of TT&C and Telecommunication. Дата публикации: 2021-08-10.

多通道的nand flash差错控制方法

Номер патента: CN113241110. Автор: 李金�,潘乐乐,濮建福,杨津浦,林闽佳. Владелец: Shanghai Spaceflight Institute of TT&C and Telecommunication. Дата публикации: 2021-08-10.

多通道的nand flash差错控制方法

Номер патента: CN113241110B. Автор: 李金�,潘乐乐,濮建福,杨津浦,林闽佳. Владелец: Shanghai Spaceflight Institute of TT&C and Telecommunication. Дата публикации: 2024-10-25.

提高slc nand flash存储器重读效率及准确性的方法

Номер патента: CN116434808A. Автор: 胡锦涛. Владелец: Pengti Storage Technology Nanjing Co ltd. Дата публикации: 2023-07-14.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE FOR STORING A MULTI-BIT DATA

Номер патента: KR100282707B1. Автор: 임영호,최병순. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-02-15.

Nand flash闪存中状态码的验证方法及装置

Номер патента: CN105654989A. Автор: 刘会娟. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2016-06-08.

Disk information carrier, writing device, reading device and reading-writing device

Номер патента: RU2107954C1. Автор: Охга Норио,Тсурусима Катсуаки,Есида Тадао. Владелец: Сони Корпорейшн. Дата публикации: 1998-03-27.

Method for reducing effective raw bit error rate in multi-level cell NAND flash memory

Номер патента: US8935599B2. Автор: Siamack Nemazie,Anilkumar Mandapuram. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2015-01-13.

Method for Reducing Effective Raw Bit Error Rate in Multi-Level Cell NAND Flash Memory

Номер патента: US20140281825A1. Автор: Siamack Nemazie,Anilkumar Mandapuram. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2014-09-18.

Error mitigation for 3d nand flash memory

Номер патента: US20180068726A1. Автор: Seung-Hwan Song,Zvonimir Z. Bandic,Viacheslav Anatolyevich DUBEYKO. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-03-08.

NAND flash memory systems with efficient soft information interface

Номер патента: US09467170B2. Автор: Gregory Burd,Shashi Kiran CHILAPPAGARI. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Method of erasing NAND flash memory device

Номер патента: US20050185471A1. Автор: Keun Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-08-25.

NAND Flash数据保护电路

Номер патента: WO2019007112A1. Автор: 郭坚湖. Владелец: 深圳市英蓓特科技有限公司. Дата публикации: 2019-01-10.

Nand Flash Phy参数配置方法和装置

Номер патента: CN109686394. Автор: 冯元元,马越,周晨杰. Владелец: Shenzhen Union Memory Information System Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-26.

Method for optimizing polar-rnna quantizer of mlc-type nand flash memory on basis of deep learning

Номер патента: US20230127404A1. Автор: FENG CHEN,Yi Fang,Xu Luo,Zhijian Lin,Pingping CHEN,Zhen Mei,Riqing CHEN. Владелец: FUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-04-27.

Nand flash memory

Номер патента: US20100277977A1. Автор: Dai Nakamura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-04.

Method for optimizing polar-RNNA quantizer of MLC-type NAND flash memory on basis of deep learning

Номер патента: US11966587B2. Автор: FENG CHEN,Yi Fang,Xu Luo,Zhijian Lin,Pingping CHEN,Zhen Mei,Riqing CHEN. Владелец: FUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-04-23.

Nand Flash Phy parameter configuration method and device

Номер патента: CN109686394B. Автор: 冯元元,马越,周晨杰. Владелец: Shenzhen Union Memory Information System Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-01.

Nand Flash Phy method for parameter configuration and device

Номер патента: CN109686394A. Автор: 冯元元,马越,周晨杰. Владелец: Shenzhen Union Memory Information System Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-26.

一种Nand Flash测试方法、系统及装置

Номер патента: CN111508550A. Автор: 李栋. Владелец: Suzhou Inspur Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-07.

一种基于擦除时间判断NAND Flash对浅擦除处理的方法

Номер патента: CN112786097. Автор: 曹成,蒋书斌. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-11.

一种Nand Flash测试方法、系统及装置

Номер патента: CN111508550. Автор: 李栋. Владелец: Suzhou Inspur Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-07.

时序控制全数字DLL控制电路、NAND FLash控制器控制方法

Номер патента: CN106374916B. Автор: 杨燕,李卓,李英祥. Владелец: Shenzhen Fuxintong Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-08-18.

一种基于擦除时间判断NAND Flash对浅擦除处理的方法

Номер патента: CN112786097B. Автор: 曹成,蒋书斌. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

一种基于擦除时间判断NAND Flash对浅擦除处理的方法

Номер патента: CN112786097A. Автор: 曹成,蒋书斌. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-11.

Nand Flash的电压控制方法及非易失性存储器

Номер патента: CN112825263A. Автор: 朱长峰,束庆冉. Владелец: Shanghai Geyi Electronic Co ltd. Дата публикации: 2021-05-21.

一种灵敏放大器、控制方法及Nand Flash

Номер патента: CN112825254A. Автор: 李琪,谢瑞杰,朱长峰. Владелец: Shanghai Geyi Electronic Co ltd. Дата публикации: 2021-05-21.

Nand Flash的电压控制方法及非易失性存储器

Номер патента: CN112825262A. Автор: 谢瑞杰,朱长峰. Владелец: Shanghai Geyi Electronic Co ltd. Дата публикации: 2021-05-21.

Nand Flash的电压控制方法及非易失性存储器

Номер патента: CN112825263B. Автор: 朱长峰,束庆冉. Владелец: Zhaoyi Innovation Technology Group Co ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Computer storage device having separate read-only space and read-write space, removable media component, system management interface, and network interface

Номер патента: KR101487865B1. Автор: 케이시 케이 정. Владелец: 케이시 케이 정. Дата публикации: 2015-01-29.

Cartridge-external preamplifier for read/write control of media library

Номер патента: US20210326062A1. Автор: Peng Peng,Krishnan Subramanian,Jon D. Trantham,Brett R. Herdendorf,Riyan Alex Mendonsa. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor memory device capable of controlling a floating state of adjacent word lines and an operating method thereof

Номер патента: US12124702B2. Автор: Hyunkook Park,Sara Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Memory system with a zoned namespace and an operating method thereof

Номер патента: US20220261180A1. Автор: Hee Chan Shin,Yong Seok Oh,Young Ho AHN,Jhu Yeong Jhin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-08-18.

Memory system with a zoned namespace and an operating method thereof

Номер патента: US12118237B2. Автор: Hee Chan Shin,Yong Seok Oh,Young Ho AHN,Jhu Yeong Jhin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Static random access memory circuit and read/write operation method thereof

Номер патента: US20230215492A1. Автор: Chung-chieh Chen,Shuo-Hong Hung,Bing-Chen Wu. Владелец: Upbeat Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-06.

Memory system with a zoned namespace and an operating method thereof

Номер патента: US20210263674A1. Автор: Hee Chan Shin,Yong Seok Oh,Young Ho AHN,Jhu Yeong Jhin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-26.

Memory device and read/write method of memory device

Номер патента: US12051392B2. Автор: Chang Sue Seo. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor memory device capable of data processing speed and efficiency of data pin and read-write control method thereof

Номер патента: KR100287188B1. Автор: 이정배,김건태. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-04-16.

Semiconductor memory device capable of improving data processing speed and data input / output pin efficiency, and read / write control method thereof

Номер патента: JP3839638B2. Автор: 健兌金,禎培李. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-11-01.

Memory Device and Read/Write Method of Memory Device

Номер патента: US20220199053A1. Автор: Chang Sue Seo. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Anti-fuse storage unit circuit and array circuit, and read/write method thereof

Номер патента: EP3926634B1. Автор: Xin Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-19.

Operating method of memory system including memory controller and nonvolatile memory device

Номер патента: US20220208271A1. Автор: Joonsuc Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-30.

Multiport cache memory having read-only parts and read-write parts

Номер патента: US5619674A. Автор: Nobuyuki Ikumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-04-08.

Semiconductor memory apparatus and read/write control method of the same

Номер патента: KR101124321B1. Автор: 박햇빛. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2012-03-28.

Read-write circuit and read-write method of memristor

Номер патента: US11238928B2. Автор: Xingsheng Wang,Enming HUANG,Xiangshui Miao. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2022-02-01.

Read-write circuit and read-write method for memristor

Номер патента: WO2021051548A1. Автор: 缪向水,王兴晟,黄恩铭. Владелец: 华中科技大学. Дата публикации: 2021-03-25.

Magnetic random access memory and read-write method thereof

Номер патента: CN113555046A. Автор: 徐征,吴巍. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-10-26.

Stored multi-bit data characterized by multi-dimensional storage states

Номер патента: DE102010060804A1. Автор: DerChang Kau,Gianpaolo Spadini,Johannes Kalb. Владелец: Spadini Gianpaolo Campbell. Дата публикации: 2011-06-01.

Efuse bit cell, and read/write method thereof, and efuse array

Номер патента: US20170117059A1. Автор: Chia Chi Yang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-04-27.

Anti-fuse memory cell circuit, array circuit and read-write method thereof

Номер патента: CN112582013A. Автор: 李新. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-03-30.

Uni-transistor random access memory device and read, write and refresh methods thereof

Номер патента: KR100419992B1. Автор: 조성규. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-02-26.

Ferroelectric memory cell and reading/writing method thereof

Номер патента: EP0720172A2. Автор: Atsushi c/o NEC Corp. Yamashita. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-07-03.

Superconducting magnetic flux storage unit and read-write method thereof

Номер патента: CN111724836B. Автор: 王镇,陈垒. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2022-06-07.

Ferroelectric memory cell and reading/writing method thereof

Номер патента: KR0182813B1. Автор: 아츠시 야마시타. Владелец: 닛폰 덴키 주식회사. Дата публикации: 1999-04-15.

Magnetic random access memory cell array, memory and reading/writing method thereof

Номер патента: CN102314927A. Автор: 韩秀峰,李海,王译. Владелец: Institute of Physics of CAS. Дата публикации: 2012-01-11.

Efuse bit cell, and read/write method thereof, and efuse array

Номер патента: EP3163579A1. Автор: Chia Chi YANG (Nationality: CA). Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-05-03.

Three-state spintronic device, memory cell, memory array and read-write circuit

Номер патента: US20240071451A1. Автор: LING Li,Cheng Lu,Ming Liu,Huai Lin,Di Wang,Long Liu,Changqing Xie,Guozhong XING,Peiwen ZHANG,Zuheng WU. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: US20120254528A1. Автор: Jae-il Kim,Hyoung-Jun Na. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-10-04.

Anti-fuse storage unit circuit and array circuit, and read/write method therefor

Номер патента: EP3926634A4. Автор: Xin Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-05-25.

SRAM (static random Access memory) storage unit, memory and read-write method of SRAM storage unit

Номер патента: CN112992224B. Автор: 李博,罗家俊,宿晓慧,韩郑生,杨灿,苏泽鑫,刘凡宇. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2022-12-30.

Operating method of memory system including memory controller and nonvolatile memory device

Номер патента: US11915763B2. Автор: Joonsuc Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-27.

Sense amplifier, storage device and read-write method

Номер патента: US11862283B2. Автор: YING Wang,Sunsoo Chi. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Operating method of memory system including memory controller and nonvolatile memory device

Номер патента: EP3832468A1. Автор: Joonsuc Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-09.

Sense amplifier, storage device and read-write method

Номер патента: US20210407558A1. Автор: YING Wang,Sunsoo Chi. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Memory interface with independent arbitration of precharge, activate, and read/write

Номер патента: TW200818193A. Автор: Dyke James M Van,Brian D Hutsell. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2008-04-16.

BIT LINE SENSE AMPLIFIER, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MULTI BIT DATA SENSING METHOD THEREOF

Номер патента: US20190189192A1. Автор: Kim Kyungryun,SEO Younghun,CHANG SOOBONG. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-20.

System and method of read/write control for dual channel memory modules for robust performance

Номер патента: US09772913B1. Автор: Bhyrav M. Mutnury,Stuart Allen Berke,Vadhiraj Sankaranarayanan. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2017-09-26.

Memory system and data processing system

Номер патента: US11782782B2. Автор: Seung Hun Kim,Young Kyu JEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Circuit for reading out data, method for reading out data and memory

Номер патента: US20230282268A1. Автор: Weibing SHANG,Xianjun Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Circuit for reading out data, method for reading out data and memory

Номер патента: US12009024B2. Автор: Weibing SHANG,Xianjun Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

READ/WRITE CONTROL METHOD AND DEVICE FOR DDR DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY, AND SYSTEM

Номер патента: US20220093163A1. Автор: MA Xitong. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-24.

Read-write controlling method, device and system for synchronous dynamic memory

Номер патента: WO2012065472A1. Автор: 陈红旗,周昶. Владелец: 中兴通讯股份有限公司. Дата публикации: 2012-05-24.

Multi-Level Memory Array Having Resistive Elements for Multi-Bit Data Storage

Номер патента: US20150310910A1. Автор: Pramanik Dipankar,YAMAGUCHI Takeshi,Minvielle Tim,Lazovsky David E.. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-29.

RESISTIVE MEMORY STRUCTURE FOR SINGLE OR MULTI-BIT DATA STORAGE

Номер патента: US20150332763A1. Автор: Mazumder Pinaki,YILMAZ Yalcin. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-19.

Multi bit data recording control circuit

Номер патента: KR100299872B1. Автор: 윤민호. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-10-27.

Operating method for realizing multi-bit data storage of ferroelectric memory

Номер патента: CN101620879A. Автор: 陈志辉,江安全,万海军,沈臻魁. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2010-01-06.

Semiconductor memory device capable of compensating delay time of multi-bit data

Номер патента: KR100564596B1. Автор: 김찬경. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-03-28.

Mapping resistance level states to multi-bit data values

Номер патента: WO2017026998A1. Автор: Gregg B. Lesartre. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-02-16.

Control signal generator in multi-bit data out-put buffer

Номер патента: KR0125298B1. Автор: 윤찬수. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1997-12-09.

Sram cell configured to perform multiply-accumulate (mac) operation on multi-bit data based on charge sharing and method of operating the same

Номер патента: US20230395132A1. Автор: Hyunjun Kim,Kyeongho Lee,Jongsun Park. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2023-12-07.

Read/write control device of memory

Номер патента: KR0182644B1. Автор: 이대영. Владелец: 대우통신주식회사. Дата публикации: 1999-05-15.

Dynamic random access memory allowing determination of a read/write control type at the final step of manufacturing process

Номер патента: EP0513968A3. Автор: Tetsuya Aono. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-06-30.

Method and circuit arrangement for read / write control of a synchronous memory

Номер патента: DE10004110B4. Автор: CHRISTIAN Weis,Peter Schrögmeier,Stefan Dr. Dietrich,Sabine Schöninger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-12-08.

NAND flash reliability with rank modulation

Номер патента: US09983808B2. Автор: Yue Li,Jehoshua Bruck,Anxiao Jiang,Eyal EN GAD. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2018-05-29.

Bit error rate estimation for NAND flash memory

Номер патента: US10366770B1. Автор: Yasuhiko Kurosawa,Hanan Weingarten,Avi STEINER. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-07-30.

Bit error rate estimation for NAND flash memory

Номер патента: US10658058B1. Автор: Yasuhiko Kurosawa,Hanan Weingarten,Avi STEINER. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-05-19.

一种面向TLC型NAND Flash的阈值电压获取方法

Номер патента: CN111341375. Автор: 冯骅,彭喜元,乔立岩,魏德宝,陈肖钰. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2020-06-26.

一种NAND Flash芯片的掉电保护电路、方法及固态硬盘

Номер патента: CN108389596A. Автор: 刘青,林世清,周成亮. Владелец: Beijing Purple Light Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-10.

Threshold voltage obtaining method for TLC type NAND Flash

Номер патента: CN111341375B. Автор: 冯骅,彭喜元,乔立岩,魏德宝,陈肖钰. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2020-12-01.

一种NAND Flash芯片的掉电保护电路、方法及固态硬盘

Номер патента: CN108389596B. Автор: 刘青,林世清,周成亮. Владелец: Beijing Dera Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-22.

Flash memory device with NAND architecture with reduced capacitive coupling effect

Номер патента: US7394694B2. Автор: Rino Micheloni,Ilaria Motta,Roberto Ravasio. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2008-07-01.

一种NAND Flash的操作检测方法

Номер патента: CN110473583. Автор: 刘凯. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-19.

一种NAND Flash芯片掉电保护电路及保护方法

Номер патента: CN112652348. Автор: 杨彬,邓玉良,朱晓锐,李昂阳,庄伟坚. Владелец: Shenzhen State Micro Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-13.

一种NAND Flash芯片掉电保护电路及保护方法

Номер патента: CN112652348A. Автор: 杨彬,邓玉良,朱晓锐,李昂阳,庄伟坚. Владелец: Shenzhen State Micro Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-13.

一种NAND Flash错误率的分组测试装置

Номер патента: CN111276179. Автор: 王敏,王彦伟,阚宏伟. Владелец: Suzhou Inspur Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-12.

一种NAND Flash芯片掉电保护电路及保护方法

Номер патента: CN112652348B. Автор: 杨彬,邓玉良,朱晓锐,李昂阳,庄伟坚. Владелец: STMicroelectronics Shenzhen R&D Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-22.

一种NAND Flash错误率的分组测试装置

Номер патента: CN111276179A. Автор: 王敏,王彦伟,阚宏伟. Владелец: Suzhou Inspur Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-12.

Multi-Bit Data Converter Using Data Weight Averaging

Номер патента: US20090085783A1. Автор: Sang-Ho Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-04-02.

Multi-bit data converter using data weight averaging

Номер патента: US7463175B2. Автор: Sang-Ho Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-12-09.

System that appropriately synthesizes output data and code provided by external settlement service, control method for system, and storage medium

Номер патента: US11683436B2. Автор: Tateki Narita. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-06-20.

RFID-tag reading/writing method and reading/writing device

Номер патента: US09734364B2. Автор: ATSUSHI Watanabe. Владелец: Sato Holdings Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Method and device for storing and reading/writing composite document

Номер патента: US8788784B2. Автор: Yi Chen,Libo Deng. Владелец: Tencent Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-22.

Method and device for storing and reading/writing composite document

Номер патента: US20120272034A1. Автор: Yi Chen,Libo Deng. Владелец: Tencent Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-25.

Rfid-tag reading/writing method and reading/writing device

Номер патента: US20160283758A1. Автор: ATSUSHI Watanabe. Владелец: Sato Holdings Corp. Дата публикации: 2016-09-29.

Read/write control method and device for ddr dynamic random access memory, and system

Номер патента: US20230251982A1. Автор: Xitong Ma. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Read-write control method for memory, and corresponding memory and server

Номер патента: US09990276B2. Автор: Ming Xie,Jianfeng Xu,Yue Wu,Wenzheng Li,Chaoyu ZHONG. Владелец: Tencent Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Read-write control method for memory, and corresponding memory and server

Номер патента: US20180260318A1. Автор: Ming Xie,Jianfeng Xu,Yue Wu,Wenzheng Li,Chaoyu ZHONG. Владелец: Tencent Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-13.

Dynamic Management of a NAND Flash Memory

Номер патента: US20190228827A1. Автор: Po-Chien Chang,Jia-Jyun Syu,Bo-Shian Hsu. Владелец: Goke US Research Laboratory. Дата публикации: 2019-07-25.

Solid-state drive and control method for solid-state drive

Номер патента: EP4095666A1. Автор: Yongjun TANG,Yongke TANG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-30.

NAND Flash Memory Device

Номер патента: US20160189788A1. Автор: Hui Chen,Oron Michael,Robin John Jigour. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-30.

NAND flash memory device

Номер патента: US9627082B2. Автор: Hui Chen,Oron Michael,Robin John Jigour. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Method of Operating a NAND Flash Memory Device

Номер патента: US20160189789A1. Автор: Hui Chen,Oron Michael,Robin John Jigour. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-30.

Method of operating a NAND flash memory device

Номер патента: US9620231B2. Автор: Hui Chen,Oron Michael,Robin John Jigour. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Nand flash memory and reading method thereof

Номер патента: US20180053568A1. Автор: Kazuki Yamauchi,Katsutoshi Suito. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-22.

Flash memory storage device for adjusting efficiency in accessing flash memory

Номер патента: US20090204746A1. Автор: Nei-Chiung Perng,Ju-Peng Chen. Владелец: Genesys Logic Inc. Дата публикации: 2009-08-13.

Nand flash memory controller and storage apparatus applying the same

Номер патента: US20200075107A1. Автор: Shih-Fu Huang,Cheng-Yu Chen,Shu-Min Lin,Jo-Hua WU. Владелец: RayMX Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Managing open blocks in memory systems

Номер патента: US11340980B2. Автор: Zheng Wu,Yi-Chun Liu,Wei Jie Chen,Ching Ting Lu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-24.

Nand flash memory and method for managing data thereof

Номер патента: US20110099435A1. Автор: Kai-Ping Wu. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-28.

Electronic device, vehicle, and control method for controlling a non-volatile memory based on a detected voltage drop

Номер патента: US11782827B2. Автор: Kazuyuki Takaki,Toshikazu Hiramoto. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2023-10-10.

Serial NAND flash with XIP capability

Номер патента: US12086615B2. Автор: Chun-Lien Su. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Solid-state storage drive and solid-state storage drive control method

Номер патента: US20220391087A1. Автор: Yongjun TANG,Yongke TANG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-08.

Flash memory with programmable endurance

Номер патента: EP1891529A2. Автор: Menachem Lasser,Dani Dariel. Владелец: Sandisk IL Ltd. Дата публикации: 2008-02-27.

Managing open blocks in memory systems

Номер патента: US11656934B2. Автор: Zheng Wu,Yi-Chun Liu,Wei Jie Chen,Ching Ting Lu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-23.

一种Nand Flash颗粒功耗测试系统及方法

Номер патента: CN114121137A. Автор: 李栋. Владелец: Suzhou Inspur Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-01.

一种基于SOC通用测试平台的Nand Flash测试方法

Номер патента: CN114220472. Автор: 耿敏敏. Владелец: Shanghai Xianfang Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-22.

测试Nand-flash坏块的控制方法及控制系统

Номер патента: CN113270136. Автор: 陈月玲,刘宇洋,唐畅,谢启友. Владелец: Hunan Bojiang Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-17.

一种调整nand flash频率的方法及装置

Номер патента: CN112799980. Автор: 李骊,申红磊. Владелец: Beijing HJIMI Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-14.

闪存Nand Flash的动态测试方法、装置、电子设备及存储介质

Номер патента: CN111816240. Автор: 杨彬,邓玉良,方晓伟,朱晓锐,殷中云,庄伟坚. Владелец: Shenzhen State Micro Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-23.

Command Queuing Smart Storage Transfer Manager for Striping Data to Raw-NAND Flash Modules

Номер патента: US20090204872A1. Автор: Abraham C. Ma,Charles C. Lee,Frank Yu. Владелец: Super Talent Electronics Inc. Дата публикации: 2009-08-13.

一种实现nand flash电流测试的系统及方法

Номер патента: CN117558333. Автор: 徐晖,王嵩,刘晓健,秦东润,康雷. Владелец: Beijing Dera Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

一种Nand Flash颗粒功耗测试系统及方法

Номер патента: CN114121137. Автор: 李栋. Владелец: Suzhou Inspur Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-01.

一种通用的Nand Flash比特位反转纠错方法

Номер патента: CN111061592. Автор: 张鹏,李�杰,赵波,于俊杰,栾晓娜,马宗峰. Владелец: Shandong Institute of Space Electronic Technology. Дата публикации: 2020-04-24.

Method, device and operating system for processing and using burn data of NAND flash

Номер патента: US09524212B2. Автор: Tao Zhou. Владелец: MStar Semiconductor Inc Taiwan. Дата публикации: 2016-12-20.

SDRAM memory device with an embedded NAND flash controller

Номер патента: US20050027928A1. Автор: Meir Avraham,Dan Inbar,Ziv Paz. Владелец: M Systems Flash Disk Pionners Ltd. Дата публикации: 2005-02-03.

Sdram memory device with an embedded nand flash controller

Номер патента: EP1649378A2. Автор: Meir Avraham,Dan Inbar,Ziv Paz. Владелец: M Systems Flash Disk Pionners Ltd. Дата публикации: 2006-04-26.

Sdram memory device with an embedded nand flash controller

Номер патента: EP1649378A4. Автор: Meir Avraham,Dan Inbar,Ziv Paz. Владелец: M Systems Flash Disk Pionners Ltd. Дата публикации: 2006-08-23.

一种基于SOC通用测试平台的Nand Flash测试方法

Номер патента: CN114220472A. Автор: 耿敏敏. Владелец: Shanghai Xianfang Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-22.

一种基于Matlab的Nand Flash测试系统及方法

Номер патента: CN108109670A. Автор: 魏超,刘升. Владелец: Xi'an Qiwei Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-01.

NAND Flash颗粒模拟装置、读写方法和系统

Номер патента: CN117497036. Автор: 陆震熙. Владелец: Shenzhen Dapu Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-02.

一种nand flash芯片读写寿命的快速测试方法

Номер патента: CN112466387. Автор: 刘洋,申珅,范源泉. Владелец: Wuhan Zhongyuan Electronic Information Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-09.

Nand Flash坏块检测方法及装置、存储介质、终端、烧录器

Номер патента: CN112382330. Автор: 陈文超. Владелец: Spreadtrum Xiamen Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-02-19.

Nand Flash的数据纠错方法、装置、电子设备及存储介质

Номер патента: CN111813591. Автор: 邓玉良,苏通,唐越,朱晓锐,陈佩纯,殷中云. Владелец: Shenzhen State Micro Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-23.

3D NAND Flash存储器的测试算法及其装置

Номер патента: CN111653305. Автор: 刘飞,霍宗亮,王颀,张桔萍. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2020-09-11.

Data record formatting system and reading/writing system for optical recording medium

Номер патента: US4881214A. Автор: Takashi Hasemi,Shigeru Izawa. Владелец: CSK Corp. Дата публикации: 1989-11-14.

SPI flash memory test system and method based on FT4222

Номер патента: CN107633867B. Автор: 黄欢,施冠良. Владелец: Heyangtek Cooperation Ltd. Дата публикации: 2020-12-01.

测试Nand-flash坏块的控制方法及控制系统

Номер патента: CN113270136A. Автор: 陈月玲,刘宇洋,唐畅,谢启友. Владелец: Hunan Bojiang Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-17.

一种调整nand flash频率的方法及装置

Номер патента: CN112799980A. Автор: 李骊,申红磊. Владелец: Beijing HJIMI Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-14.

一种基于FPGA的高可靠性NAND-Flash控制器及其数据处理方法

Номер патента: CN117891759B. Автор: 殷晓斌,胡易成,解歆钰. Владелец: Sanya Institute Of Oceanography Ocean University Of China. Дата публикации: 2024-07-02.

一种用于加密Nand Flash仿真模型的注错系统及方法

Номер патента: CN115080330. Автор: 沈力,王建利,姚香君,夏丽媛. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-20.

固态硬盘的Nand Flash测试方法、装置及固态硬盘

Номер патента: CN118098326. Автор: 陈力,薛红军,刘婧天,秘慧洁. Владелец: Beijing Dera Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

一种基于FPGA的高可靠性NAND-Flash控制器及其数据处理方法

Номер патента: CN117891759. Автор: 殷晓斌,胡易成,解歆钰. Владелец: Sanya Institute Of Oceanography Ocean University Of China. Дата публикации: 2024-04-16.

一种nand flash的ecc功能测试方法、系统、设备及存储介质

Номер патента: CN116913359. Автор: 王海程,陈宗廷,朱放中. Владелец: Shenzhen Dawei Chuangxin Microelectronics Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-10-20.

固态硬盘的Nand Flash测试方法、装置及固态硬盘

Номер патента: CN118098326A. Автор: 陈力,薛红军,刘婧天,秘慧洁. Владелец: Beijing Dera Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

一种nand flash的ecc功能测试方法、系统、设备及存储介质

Номер патента: CN116913359A. Автор: 王海程,陈宗廷,朱放中. Владелец: Shenzhen Dawei Chuangxin Microelectronics Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-10-20.

Nand flash存储器的数字验证方法及系统

Номер патента: CN114242153. Автор: 田淼. Владелец: IPGoal Microelectronics Sichuan Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-25.

一种NAND Flash时序测试方法

Номер патента: CN110797076. Автор: 刘琦,韦亚一,董立松. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2020-02-14.

一种NAND Flash存储器读阈值电压修复方法

Номер патента: CN110706735. Автор: 刘琦,韦亚一,董立松. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2020-01-17.

一种nand flash类芯片测试系统

Номер патента: CN109448776. Автор: 赵俊,范旭阳,姜胜林,张薄军,罗朝凤. Владелец: Shenzhen Kingcos Automation Robot Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-08.

Magnetic disk drive and read/write method to reduce read error rate

Номер патента: US7369351B2. Автор: Masayoshi Shimokoshi,Kazuyuki Date. Владелец: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV. Дата публикации: 2008-05-06.

Magnetic disk drive and read/write method to reduce read error rate

Номер патента: US20060139791A1. Автор: Masayoshi Shimokoshi,Kazuyuki Date. Владелец: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV. Дата публикации: 2006-06-29.

一种Nand Flash颗粒功耗测试系统及方法

Номер патента: CN114121137B. Автор: 李栋. Владелец: Suzhou Inspur Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-10.

一种通用的Nand Flash比特位反转纠错方法

Номер патента: CN111061592B. Автор: 张鹏,李�杰,赵波,于俊杰,栾晓娜,马宗峰. Владелец: Shandong Institute of Space Electronic Technology. Дата публикации: 2023-10-20.

Nand Flash的数据纠错方法、装置、电子设备及存储介质

Номер патента: CN111813591B. Автор: 邓玉良,苏通,唐越,朱晓锐,陈佩纯,殷中云. Владелец: STMicroelectronics Shenzhen R&D Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-29.

一种实现nand flash电流测试的系统及方法

Номер патента: CN117558333A. Автор: 徐晖,王嵩,刘晓健,秦东润,康雷. Владелец: Beijing Dera Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Managing Open Blocks in Memory Systems

Номер патента: US20210397510A1. Автор: Zheng Wu,Yi-Chun Liu,Wei Jie Chen,Ching Ting Lu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Flash memory with programmable endurance

Номер патента: WO2006131915A2. Автор: Menachem Lasser,Dani Dariel. Владелец: SANDISK IL LTD.. Дата публикации: 2006-12-14.

Nand Flash坏块检测方法及装置、存储介质、终端、烧录器

Номер патента: CN112382330B. Автор: 陈文超. Владелец: Xiamen Ziguang Zhanrui Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-09-09.

Nand Flash坏块检测方法及装置、存储介质、终端、烧录器

Номер патента: CN112382330A. Автор: 陈文超. Владелец: Spreadtrum Xiamen Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-02-19.

一种Nand flash元件及其低格控制方法和装置

Номер патента: CN108231124A. Автор: 庄开锋. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2018-06-29.

多变量的Nand Flash Ecc变化预测方法、设备及存储介质

Номер патента: CN117594109. Автор: 李晓强,吴大畏,潘治锟. Владелец: SHENZHEN SILICONGO MICROELECTRONICS CO Ltd. Дата публикации: 2024-02-23.

基于3d nand flash存储阵列的tcam及其操作方法

Номер патента: CN115273924. Автор: 黄鹏,康晋锋,刘晓彦,刘力锋,项亚臣,韩润泽,杨昊璋. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-11-01.

Recording medium, read/write method thereof and read/write apparatus thereof

Номер патента: TW200540834A. Автор: Jin-Yong Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2005-12-16.

Flash memory system with address-based subdivision selection by host and metadata management in storage drive

Номер патента: US11899575B1. Автор: Mike Jadon,Andrey V. Kuzmin,Richard M. Mathews. Владелец: Radian Memory Systems Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Memory system provided with nand flash memory and method including simultaneously writing data to first and second districts

Номер патента: US20150248330A1. Автор: Hiroshi Sukegawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-03.

NAND Flash颗粒模拟装置、读写方法和系统

Номер патента: CN117497036A. Автор: 陆震熙. Владелец: Shenzhen Dapu Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-02.

Systems and methods for booting from nand flash using squashfs to maximize memory

Номер патента: WO2021158438A1. Автор: David L. Berger,Richard P. Rementilla,Walter H. Anderes. Владелец: ARRIS Enterprises LLC. Дата публикации: 2021-08-12.

Systems and methods for booting from NAND flash using squashfs to maximize memory

Номер патента: US11934680B2. Автор: David L. Berger,Richard P. Rementilla,Walter H. Anderes. Владелец: ARRIS Enterprises LLC. Дата публикации: 2024-03-19.

一种nand flash芯片读写寿命的快速测试方法

Номер патента: CN112466387B. Автор: 刘洋,申珅,范源泉. Владелец: Wuhan Zhongyuan Electronic Information Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Nand flash存储器的数字验证方法及系统

Номер патента: CN114242153A. Автор: 田淼. Владелец: IPGoal Microelectronics Sichuan Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-25.

Managing Open Blocks in Memory Systems

Номер патента: US20220253352A1. Автор: Zheng Wu,Yi-Chun Liu,Wei Jie Chen,Ching Ting Lu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

测试nand flash ecc纠错功能的方法

Номер патента: CN115394342. Автор: 何奇,黄俊斌,刘怡雄. Владелец: Hangzhou Nationalchip Science & Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-11-25.

一种提高NAND Flash读写操作验证效率的方法和系统

Номер патента: CN115394341. Автор: 王雷. Владелец: Shandong Yunhai Guochuang Cloud Computing Equipment Industry Innovation Center Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-25.

Nand Flash页面数据纠错方法及系统

Номер патента: CN115019870. Автор: 孙飞,陶俊. Владелец: Shanghai Yingcun Semiconductor Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-09-06.

测试nand flash ecc纠错功能的方法

Номер патента: CN115394342A. Автор: 何奇,黄俊斌,刘怡雄. Владелец: Hangzhou Nationalchip Science & Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-11-25.

一种NAND Flash存储架构及存储方法

Номер патента: CN112365916. Автор: 温靖康,南钟基. Владелец: XTX Technology Shenzhen Ltd. Дата публикации: 2021-02-12.

多变量的Nand Flash Ecc变化预测方法、设备及存储介质

Номер патента: CN117594109A. Автор: 李晓强,吴大畏,潘治锟. Владелец: SHENZHEN SILICONGO MICROELECTRONICS CO Ltd. Дата публикации: 2024-02-23.

一种Nand flash元件及其低格控制方法和装置

Номер патента: CN108231124B. Автор: 庄开锋. Владелец: Beijing Zhaoyi Innovation Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-06.

一种用于加密Nand Flash仿真模型的注错系统及方法

Номер патента: CN115080330A. Автор: 沈力,王建利,姚香君,夏丽媛. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-20.

一种统计nand flash busy时间的装置和方法

Номер патента: CN110993012. Автор: 王彬,曹成,朱苏雁. Владелец: Xian Unilc Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-10.

Magnetic disk device and read/write processing method

Номер патента: US20190362752A1. Автор: Takayuki Kawabe. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2019-11-28.

Read/write head, read/write head positioning mechanism, and read/write system.

Номер патента: HK1017126A1. Автор: Isamu Sato,Shinji Ichikawa,Takamitsu Tsuna,Yoshikazu Soeno. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 1999-11-12.

Method and system for improving read-write operation verification efficiency of NAND Flash

Номер патента: CN115394341A. Автор: 王雷. Владелец: Shandong Yunhai Guochuang Cloud Computing Equipment Industry Innovation Center Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-25.

基于3d nand flash存储阵列的tcam及其操作方法

Номер патента: CN115273924A. Автор: 黄鹏,康晋锋,刘晓彦,刘力锋,项亚臣,韩润泽,杨昊璋. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-11-01.

一种测试Nand flash生命周期的方法

Номер патента: CN106205737A. Автор: 张翔,李振华,叶欣,孙成思,孙日欣,黄善勇,邝祖智. Владелец: Shenzhen Bai Dimensional Storage Polytron Technologies Inc. Дата публикации: 2016-12-07.

一种nand-flash的块修复方法及装置

Номер патента: CN108573735A. Автор: 苏志强. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2018-09-25.

一种nand flash存储器并行测试及坏块回写方法

Номер патента: CN112530508. Автор: 杨超,张金凤,马成英. Владелец: Beijing Zhenxing Metrology and Test Institute. Дата публикации: 2021-03-19.

Nand-flash page位翻转控制方法及控制模块

Номер патента: CN111737042. Автор: 王磊,张亚兵,吴纪铎. Владелец: DIAS Automotive Electronic Systems Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-02.

基于3d nand flash存储阵列的tcam及其操作方法

Номер патента: CN111462792. Автор: 黄鹏,康晋锋,刘晓彦,刘力锋,项亚臣,韩润泽,杨昊璋. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-07-28.

一种SSD中优化NAND Flash读参考电压的方法

Номер патента: CN111192620. Автор: 刘凯,曹成,王璞. Владелец: Xian Unilc Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-22.

基于nand flash存储器的纠错方法及装置

Номер патента: CN110750381. Автор: 董时舫. Владелец: PAX Computer Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-04.

一种具有检错纠错机制的NAND Flash控制器

Номер патента: CN109036493. Автор: 王晓东,杨欢,郭阳明,艾江红. Владелец: Northwestern Polytechnical University. Дата публикации: 2018-12-18.

Nand Flash页面数据纠错方法及系统

Номер патента: CN115019870A. Автор: 孙飞,陶俊. Владелец: Shanghai Yingcun Semiconductor Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-09-06.

一种SSD中优化NAND Flash读参考电压的方法

Номер патента: CN111192620B. Автор: 刘凯,曹成,王璞. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-08.

一种NAND Flash固态存储自适应差错控制方法

Номер патента: CN109087683. Автор: 张婷,王祖良. Владелец: Xijing University. Дата публикации: 2018-12-25.

基于nand flash存储器的纠错方法及装置

Номер патента: CN110750381A. Автор: 董时舫. Владелец: PAX Computer Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-04.

一种统计nand flash busy时间的装置和方法

Номер патента: CN110993012B. Автор: 王彬,曹成,朱苏雁. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-25.

串口型nand flash数据清零处理方法及系统

Номер патента: CN109656580. Автор: 袁满. Владелец: Shenzhen Skyworth Digital Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-19.

Read/write apparatus and read/write method

Номер патента: US20140029133A1. Автор: Naoki Tagami,Masahide Kanegae. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-01-30.

READ/WRITE APPARATUS AND READ/WRITE METHOD

Номер патента: US20140071559A1. Автор: Toda Seiji,Adachi Satoru,Inoue Kenji,YAMAMOTO Michio,Sugawara Nobuhiro,FUJITA Isao,KITAHARA Masakazu,Kanno Hironori,Sasaki Kiyotaka,SHITARA Masataka,KAKUYA Takumi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2014-03-13.

Read/write apparatus and read/write method

Номер патента: US8929019B2. Автор: Naoki Tagami,Masahide Kanegae. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-01-06.

一种nand flash存储器并行测试及坏块回写方法

Номер патента: CN112530508B. Автор: 杨超,张金凤,马成英. Владелец: Beijing Zhenxing Metrology and Test Institute. Дата публикации: 2023-10-20.

基于nand flash存储器的纠错方法及装置

Номер патента: WO2021047472A1. Автор: 董时舫. Владелец: 百富计算机技术（深圳）有限公司. Дата публикации: 2021-03-18.

一种用于NAND Flash不良区块的查找方法、固态硬盘

Номер патента: CN109243517A. Автор: 廖启宏,张佑全,王荣諆. Владелец: Li Ding Technology (shenzhen) Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-18.

用于NAND Flash测试电路和测试方法

Номер патента: CN112071354A. Автор: 李斌. Владелец: Shenzhen Hongwang Microelectronics Co ltd. Дата публикации: 2020-12-11.

基于寿命测试的NAND Flash磨损均衡方法

Номер патента: CN117809724. Автор: 邹飞,邱杰,黄泽诚. Владелец: Sichuan Yunhai Core Microelectronics Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

基于寿命测试的NAND Flash磨损均衡方法

Номер патента: CN117809724A. Автор: 邹飞,邱杰,黄泽诚. Владелец: Sichuan Yunhai Core Microelectronics Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

一种NAND Flash控制器多命令混合测试方法

Номер патента: CN115440294. Автор: 唐汉钊,徐源长. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-06.

Magnetic head and read/write apparatus having reduced stress in a slider and supporter

Номер патента: US20010050832A1. Автор: Mitsuru Watanabe,Hidezi Sato. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2001-12-13.

Magnetic disk device and read/write processing method

Номер патента: US20220293129A1. Автор: Nobuhiro Maeto. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2022-09-15.

Magnetic disk device and read/write offset correction method

Номер патента: US20190198050A1. Автор: Naoki Tagami,Takeyori Hara,Gaku KOIZUMI. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2019-06-27.

MAGNETIC DISK DEVICE AND READ/WRITE PROCESSING METHOD

Номер патента: US20190362752A1. Автор: KAWABE Takayuki. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-28.

Dual element magnetoresistance sensing heads and read / write magnetic heads with sensing sense heads

Номер патента: KR940012244A. Автор: 에이. 네펠라 다니엘,피. 발스틴 에릭. Владелец: 리드-라이트 코포레이션(Read-Rite Corporation). Дата публикации: 1994-06-23.

Auxiliary storage device and read/write method

Номер патента: US20070220402A1. Автор: Akira Kojima,Takeshi Shikama,Eiji Hagi,Takayuki Umemoto. Владелец: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV. Дата публикации: 2007-09-20.

Transport device for recording media library with support for cassette transfer between store and read/write section

Номер патента: DE10059071A1. Автор: Masanori Iwabuchi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-06-07.

Method of recording a digital information signal on a record carrier, record carrier provided with such an information signal, and read/write apparatus for such a record carrier

Номер патента: DE3370220D1. Автор: Albert Maria Arnold Rijckaert,Niet Edmond De,Martijn Hector Hendrik Hofelt. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1987-04-16.

Magnetic disk device and read / write method

Номер патента: JP4261430B2. Автор: 聡一磯野,義勝藤井,稔塚田,知樹大浦. Владелец: ヒタチグローバルストレージテクノロジーズネザーランドビーブイ. Дата публикации: 2009-04-30.

Magnetic disk device and read/write processing method

Номер патента: US11508399B2. Автор: Nobuhiro Maeto. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2022-11-22.

Magnetoresistive head and read/write separation-type magnetic head

Номер патента: US7623323B2. Автор: Koichi Nishioka,Koji Kataoka,Shuichi Kojima,Takayoshi Ohtsu. Владелец: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV. Дата публикации: 2009-11-24.

Optical storage apparatus and read/write method for optical storage medium

Номер патента: US20050041538A1. Автор: Yasuaki Morimoto,Nobuhide Aoyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-02-24.

Magnetic disk drive and read / write offset correction method

Номер патента: JP6813474B2. Автор: 原　武生,武生原,岳小泉,尚基田上. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-01-13.

Magnetic disk device and read/write processing method

Номер патента: US20220392487A1. Автор: Nobuhiro Maeto. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2022-12-08.

Magnetic disk device and read/write processing method

Номер патента: CN115440256A. Автор: 前东信宏. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2022-12-06.

Positioning system and reading/writing apparatus including the positioning system

Номер патента: KR100648151B1. Автор: 아케르만스안토니우스에이치.엠.,헤제만스코르넬리우스에이.,레엔크넥트게오르그에이.엘.. Владелец: 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이.. Дата публикации: 2006-12-21.

Magnetoresistive head and read/write separation-type magnetic head

Номер патента: US20060067013A1. Автор: Koichi Nishioka,Koji Kataoka,Shuichi Kojima,Takayoshi Ohtsu. Владелец: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV. Дата публикации: 2006-03-30.

Wobble signal detector including the signal processor, optical disk apparatus including the wobble signal detector and read-write optical disk drive including the wobble signal detector

Номер патента: US20100074076A1. Автор: Byung Ki MOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-03-25.

Magnetic disk apparatus, read/write control method, and controller

Номер патента: US09514787B2. Автор: Yoriharu Takai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Data read/write control method

Номер патента: KR100228796B1. Автор: 정용석. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-11-01.

Network storage device and data read-write control method

Номер патента: CN101459679A. Автор: 王黎明,庞鑫,于浩,肖钧,熊建刚,刘亚红,胡光,时成阁. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2009-06-17.

Disk subsystem read write control

Номер патента: CA1235805A. Автор: Donald J. Rathbun,Bruce H. Tarbox,Taian Su. Владелец: Honeywell Information Systems Inc. Дата публикации: 1988-04-26.

Magnetic disk apparatus having a read/write control circuit

Номер патента: US5153784A. Автор: Yoshiji Kitamura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1992-10-06.

Recording medium read/write control system

Номер патента: GB8408577D0. Автор: . Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1984-05-16.

CARTRIDGE-EXTERNAL PREAMPLIFIER FOR READ/WRITE CONTROL OF MEDIA LIBRARY

Номер патента: US20210157515A1. Автор: Peng Peng,Trantham Jon D.,Subramanian Krishnan,Herdendorf Brett R.,MENDONSA Riyan Alex. Владелец: . Дата публикации: 2021-05-27.

Read/write control for disk drive

Номер патента: WO1992000589A1. Автор: Nicolas C. Assouad,Marvin C. Deforest. Владелец: Maxtor Corporation. Дата публикации: 1992-01-09.

Recording medium read/write control system

Номер патента: GB2170026A. Автор: Masami Ishikura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1986-07-23.

Safe storage method and system based on Nand Flash flash-memory

Номер патента: CN105975878A. Автор: 张国柱,林璟锵,夏鲁宁,嵇亚飞,贾世杰,汤胜军,张琼露. Владелец: Institute of Information Engineering of CAS. Дата публикации: 2016-09-28.

Antenna for a read/write unit for radio frequency identification (RFID) arrangements, and read/write unit for operation with an external antenna

Номер патента: US09904823B2. Автор: Dieter Horst,Martin Schiefer,Leopold Resel,Lukas Walter Mayer. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2018-02-27.

Antenna for a read/write device for RFID assemblies and read/write device for operation with an external antenna

Номер патента: EP2712021B1. Автор: Dieter Horst,Martin Schiefer,Lukas W. Mayer,Leopold Resel. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2018-04-04.

Non-contact method for writing / reading between memory substrate and read / write device

Номер патента: JP2567219B2. Автор: 信二大木. Владелец: 高圧ガス工業株式会社. Дата публикации: 1996-12-25.

Electrical connector for electronic memory cards, process for producing such a connector and read-write device incorporating such a connector

Номер патента: EP0366513A1. Автор: Alain Janniere,Bernard Juret. Владелец: ITT Composants et Instruments SA. Дата публикации: 1990-05-02.

Transmitter for transmitting multi-bit data

Номер патента: US20210367598A1. Автор: Suhwan Kim,Changho Hyun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-11-25.

Method and read/write device for selecting a wireless data medium

Номер патента: US09754140B2. Автор: Markus Weinlaender. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2017-09-05.

Memory control module and control method

Номер патента: US09985657B2. Автор: Szu-Chun Wang,Shin-Lin Shieh. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Memory controllers and flash memory reading methods

Номер патента: US09647695B2. Автор: Kyung-Jin Kim,Jun-Jin Kong,Eun-cheol Kim,Se-jin Lim,Ung-Hwan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Image forming apparatus and image forming method thereof

Номер патента: US20120062958A1. Автор: Kyeong-Man Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-03-15.

Distributed storage system and read-write method thereof

Номер патента: CN113312009A. Автор: 王中原,陈靓. Владелец: Nanjing Peng Yun Network Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-08-27.

COMPUTER STORAGE DEVICE HAVING SEPARATE READ-ONLY SPACE AND READ-WRITE SPACE, REMOVABLE MEDIA COMPONENT, SYSTEM MANAGEMENT INTERFACE, AND NETWORK INTERFACE

Номер патента: US20140317399A1. Автор: CHUNG Keicy. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-23.

Apparatus for access control and read/write device

Номер патента: IL195936A. Автор: . Владелец: Evva Werke. Дата публикации: 2014-05-28.

Apparatus for access control, and read/write device

Номер патента: WO2008011643A1. Автор: Reinhard Pollabauer. Владелец: EVVA-WERK SPEZIALERZEUGUNG von Zylinder- und Sicherheitsschlössern Gesellschaft m.b.H. & Co. KG. Дата публикации: 2008-01-31.

Access control device and read-write device

Номер патента: EP2362359B1. Автор: Reinhard J. Enne. Владелец: EVVA Sicherheitstechnologie GmbH. Дата публикации: 2014-12-17.

Apparatus for access control, and read/write device

Номер патента: RU2464641C2. Автор: Райнхард ПЁЛЛАБАУЭР. Владелец: Эвва-Верк Специалерцойгунг Фон Цилиндр-Унд Зихерхайтсшлёссерн Гезельшафт М.Б.Х. Унд Ко.Кг. Дата публикации: 2012-10-20.

Programmable device configuration memory system

Номер патента: WO2021086469A1. Автор: David P. Schultz,Shidong Zhou,Weiguang Lu,Karthy Rajasekharan,Jing Jing CHEN,Michael Tsivyan,Sourabh Goyal. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2021-05-06.

Read-write control system and method thereof

Номер патента: CN111984560B. Автор: 胡耀中,林升平. Владелец: Genesys Logic Inc. Дата публикации: 2022-03-15.

Multi-Bit Data Flip-Flop With Scan Initialization

Номер патента: US20170292995A1. Автор: Malashevich Denis Borisovich,Kalashnikov Viacheslav Sergeyevich,Semenov Mikhail Yurievich,Kornilov Alexander Ivanovich,Mikhailov Victor Mikhailovich. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-12.

Calibration apparatus and method for data communication in a memory system

Номер патента: US11861189B2. Автор: Duk Joon JEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Processor and read/write head incorporated in disk for communicating data to host directly from processor read/write head to read/write head of host disk drive

Номер патента: US5423054A. Автор: Robert Cordery,Alfred C. Schmidt. Владелец: Pitney Bowes Inc. Дата публикации: 1995-06-06.

Semiconductor memory device, controller, and read/write control method thereof

Номер патента: US20070156948A1. Автор: Masahiro Nakanishi,Tomoaki Izumi,Tetsushi Kasahara,Kazuaki Tamura,Kiminori Matsuno. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-07-05.

Remote management intelligent electronic tag safety read-write system and read-write method thereof

Номер патента: CN112800407B. Автор: 陈永林. Владелец: Shenzhen Xinspatiotemporal Intelligent System Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-02.

SRAM controller for parallel processor architecture and method for controlling access to a RAM using read and read/write queues

Номер патента: US6728845B2. Автор: Matthew J. Adiletta,Gilbert Wolrich,William Wheeler,Daniel Cutter,James Redfield. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-04-27.

Data writing and recovery method for use in quadruple-level cell flash memory and related and memory controller and storage device

Номер патента: US20240211175A1. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Antenna for a Read/Write Unit for Radio Frequency Identification (RFID) Arrangements, and Read/Write Unit for Operation with an External Antenna

Номер патента: US20140085057A1. Автор: Horst Dieter,Mayer Lukas Walter,Resel Leopold,Schiefer Martin. Владелец: . Дата публикации: 2014-03-27.

METHOD AND READ/WRITE UNIT FOR CONFIGURING A READ/WRITE UNIT IN A RADIO FREQUENCY IDENTIFICATION (RFID) ARRANGEMENT

Номер патента: US20140085058A1. Автор: Horst Dieter,Neidig Joerg. Владелец: . Дата публикации: 2014-03-27.

RFID-TAG READING/WRITING METHOD AND READING/WRITING DEVICE

Номер патента: US20160283758A1. Автор: Watanabe Atsushi. Владелец: SATO HOLDINGS KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2016-09-29.

READ/WRITE METHOD AND READ/WRITE SYSTEM FOR FRU

Номер патента: US20180357060A1. Автор: Chen Zhao. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-13.

Read/write method and read/write system for FRU

Номер патента: US10877744B2. Автор: Zhao Chen. Владелец: Inventec Pudong Technology Corp. Дата публикации: 2020-12-29.

Read-write operation multi-data request decoupling circuit structure and read-write method

Номер патента: CN114168199B. Автор: 张春焱. Владелец: Moore Threads Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-15.

Multi-frequency RFID (radio identification) label, read/write device and read/write method

Номер патента: CN102496048A. Автор: 王勇,白剑,陈春,程科. Владелец: ZHEJIANG INSIGMA TECHNOLOGY CO LTD. Дата публикации: 2012-06-13.

Device for realizing data read-write by simulating contact type IC card and read-write method

Номер патента: CN108108801B. Автор: 刘渊,王鑫宇,武敬彬,王长民. Владелец: Xi'an Prepaid Meter Technology Co ltd. Дата публикации: 2020-11-06.

A kind of portable security alarm IC card read-write equipment and reading/writing method

Номер патента: CN107103344B. Автор: 崔杰,王志,林东海,吴树军. Владелец: XINCHEN SCIENCE AND TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-22.

READ / WRITE DEVICE FOR USE WITH A CONTACTLESS INTEGRATED CIRCUIT CARD AND READ / WRITE SYSTEM.

Номер патента: FR2723456B1. Автор: Etsushi Takebayashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-06-16.

Read-and-write device, system and reading/writing method

Номер патента: CN110414288A. Автор: 周剑,谭宁,向锡坚,赖章勇. Владелец: Guangzhou Jiadu Marketing Data Services Ltd. Дата публикации: 2019-11-05.

Rfid-tag reading/writing method and reading/writing device

Номер патента: EP3067832A4. Автор: ATSUSHI Watanabe. Владелец: Sato Holdings Corp. Дата публикации: 2017-07-05.

Rfid-tag reading/writing method and reading/writing device

Номер патента: EP3067832B1. Автор: ATSUSHI Watanabe. Владелец: Sato Holdings Corp. Дата публикации: 2019-08-28.

Prom compatible processor and read/write method thereof

Номер патента: WO1992014217A1. Автор: Susumu Ishiguro,Hajime Nishidai,Junichi Kodama,Kazuhisa Shimizu,Fumikazu Imae. Владелец: Omron Corporation. Дата публикации: 1992-08-20.

Memory system for determining usage of a buffer based on i/o throughput and operation method thereof

Номер патента: US20210011642A1. Автор: Seok-jun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-14.

Prom compatible processor and read/write method thereof

Номер патента: AU1220792A. Автор: Susumu Ishiguro,Hajime Nishidai,Junichi Kodama,Kazuhisa Shimizu,Fumikazu Imae. Владелец: Omron Tateisi Electronics Co. Дата публикации: 1992-09-07.

Method and read/write device for configuring a write/reader in an RFID assembly

Номер патента: EP2713305A1. Автор: Dieter Horst,Jörg Dr. Neidig. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2014-04-02.

Maintenance of a file version set including read-only and read-write snapshot copies of a production file

Номер патента: US20050065986A1. Автор: Xiaoye Jiang,Jiannan Zheng,Sorin Faibish,Peter Bixby,Sachin Mullick. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-03-24.

DEVICE FOR WRITING AND READING WRITING SIMULTANEOUSLY

Номер патента: DE3143383A1. Автор: Torgny 72440 Västerås Brogårdh,Christer Dr.-techn. 72243 Västerås Ovrén. Владелец: ASEA AB. Дата публикации: 1982-09-16.

Dynamic gpu frame generation and read/write scaling using command buffer predication

Номер патента: US20240311951A1. Автор: Nilesh Jain,John Feit,Selvakumar Panneer,Sarthak Rajesh Shah. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Dynamic gpu frame generation and read/write scaling using command buffer predication

Номер патента: EP4432209A1. Автор: Nilesh Jain,John Feit,Selvakumar Panneer,Sarthak Shah. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-18.

Memory system, memory controller and operation method thereof

Номер патента: US12066928B2. Автор: Eu Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Method and Read/Write Device for Interchanging Data Between a Wirelessly Accessible Data Memory and an Industrial Automation Component

Номер патента: US20130241713A1. Автор: Weinländer Markus. Владелец: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Дата публикации: 2013-09-19.

MEMORY CONTROLLER ARBITER WITH STREAK AND READ/WRITE TRANSACTION MANAGEMENT

Номер патента: US20180018133A1. Автор: Balakrishnan Kedarnath. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2018-01-18.

METHOD AND READ/WRITE DEVICE FOR SELECTING A WIRELESS DATA MEDIUM

Номер патента: US20160063289A1. Автор: WEINLAENDER Markus. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-03.

DEVICE AND PROCESS FOR DATA STORAGE AND READ/WRITE EFFICIENCY

Номер патента: US20170123713A1. Автор: Fisher Yuval,Gutman Ron. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-04.

Method and Read/Write Device for Detecting, Selecting and Reporting at least one of a Plurality of Contactlessly Readable Transponders

Номер патента: US20140292497A1. Автор: Weinländer Markus,Horst Dieter. Владелец: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Дата публикации: 2014-10-02.

Secure device and read/write device

Номер патента: WO2007119594A1. Автор: Yasuo Takeuchi,Masamoto Tanabiki,Emi Tsurukiri,Yasuhisa Tokuda. Владелец: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.. Дата публикации: 2007-10-25.

System for processor board redundancy using FIFO memory and reading/writing duplication data method using it

Номер патента: KR100404318B1. Автор: 이형호,이형섭,신동범,김기민. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2003-11-01.

Information protecting method, device, mobile terminal and read/write memory medium

Номер патента: CN107229846A. Автор: 李春林. Владелец: Qiku Internet Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

CONNECTION ASSEMBLY FOR ELECTRONIC MEMORY CARDS AND READ / WRITE DEVICE USING THE SAME

Номер патента: FR2607291A1. Автор: Jean-Claude Maillot. Владелец: Flonic SA. Дата публикации: 1988-05-27.

Prefetch instruction specifying destination functional unit and read/write access mode

Номер патента: US6321326B1. Автор: David B. Witt. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-11-20.

Information exchange system with information carrier and read / write unit

Номер патента: JP3126758B2. Автор: バレンドファンサントブリンクロナルド. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2001-01-22.

Random data generation circuit and read-write training circuit

Номер патента: CN115220694A. Автор: 陆天辰. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-21.

CONNECTION ASSEMBLY FOR ELECTRONIC MEMORY CARDS AND READ / WRITE DEVICE USING THE SAME

Номер патента: FR2607291B1. Автор: Jean-Claude Maillot. Владелец: Flonic SA. Дата публикации: 1991-04-19.

Electronic wallet for smartcards, comprises battery, short distance radio communication with mobile telephone and an electrically interconnected smartcard selection and read/write means

Номер патента: FR2810435A1. Автор: Patrice Senn,Jacky Bouvier,Scan Patrice Le,Andre Abrial. Владелец: France Telecom SA. Дата публикации: 2001-12-21.

Tag unit and reading / writing apparatus therefor

Номер патента: EP1589470A1. Автор: Nobuo Int. Prop. Div. Toshiba Tec Corp. Murofushi,Kouichi Int. Prop. Div. Toshiba Tec Corp. Sano,Yasuo Int. Prop. Div. Toshiba Tec Corp. Matsumoto,Yasuhito Int. Prop. Div. Toshiba Tec Corp. Kiji. Владелец: Toshiba TEC Corp. Дата публикации: 2005-10-26.

Memory controller arbiter with streak and read/write transaction management

Номер патента: EP3474150B1. Автор: Kedernath BALAKRISHNAN. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2023-09-13.

Memory controller arbiter with streak and read/write transaction management

Номер патента: WO2018013690A2. Автор: Kedarnath Balakrishnan. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2018-01-18.

Unit comprising data memory card and reading/writing device

Номер патента: TW334547B. Автор: Horster Patrick,Hartmann Georg,Weikert Gunnar. Владелец: Bayer AG. Дата публикации: 1998-06-21.

Memory controller arbiter with streak and read/write transaction management

Номер патента: WO2018013690A3. Автор: Kedarnath Balakrishnan. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2018-07-26.

Image forming apparatus and control method

Номер патента: US11080575B2. Автор: Setsuo Takada. Владелец: Toshiba TEC Corp. Дата публикации: 2021-08-03.

Nonvolatile memory control device, nonvolatile memory control method and computer readable storage medium

Номер патента: US09898211B2. Автор: Takashi Hasebe,Kosuke MASUMOTO. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2018-02-20.

Apparatus for storing multi-bit pixel data

Номер патента: EP0182375A3. Автор: Charles B. Schnarel, Jr.. Владелец: Tektronix Inc. Дата публикации: 1988-11-09.

Device for storing multi-bit picture element data.

Номер патента: DE3587765D1. Автор: Charles B Schnarel. Владелец: Tektronix Inc. Дата публикации: 1994-04-07.

Data processing display system - has main memory storage device comprising addressable storage locations storing multi-bit display words

Номер патента: DE2759127A1. Автор: Charles P Thacker,Edward M Mccreight. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 1979-07-12.

Memory system and method of estimating read voltages thereof

Номер патента: US20240319907A1. Автор: Yuki Komatsu,Katsuyuki Shimada,Yasuyuki Ushijima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory system, memory controller and operation method thereof

Номер патента: US20240020224A1. Автор: Eu Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

System for reducing skew in the parallel transmission of multi-bit data slices

Номер патента: US5101347A. Автор: Ramanatha V. Balakrishnan,Desmond W. L. Young. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1992-03-31.

Image forming apparatus and control method

Номер патента: US20200242435A1. Автор: Setsuo Takada. Владелец: Toshiba TEC Corp. Дата публикации: 2020-07-30.

Image forming apparatus and control method

Номер патента: US20190180155A1. Автор: Setsuo Takada. Владелец: Toshiba TEC Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Image forming apparatus and control method

Номер патента: US10657429B2. Автор: Setsuo Takada. Владелец: Toshiba TEC Corp. Дата публикации: 2020-05-19.

SYSTEM FOR TRACKING AND MONITORING PERSONAL MEDICAL DATA AND ENCOURAGING TO FOLLOW PERSONALIZED CONDITION-BASED PROFILE AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20170061823A1. Автор: COHEN Maayan,MELTZER Ziv. Владелец: HELLO DOCTOR LTD.. Дата публикации: 2017-03-02.

Simultaneous read/write control of data storage disk units

Номер патента: US6108750A. Автор: Akira Yamamoto,Shigeo Honma,Hiroyuki Kitajima,Takao Satoh,Yoshihiro Asaka,Yoshiaki Kuwahara. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2000-08-22.

Communication protocol in directional drilling system, apparatus and method utilizing multi-bit data symbol transmission

Номер патента: US09739140B2. Автор: Rudolf Zeller,John E. Mercer,Timothy Bayliss,Gary Garrabrant. Владелец: Merlin Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Method for controlling nand flash memory to implement convolution operation

Номер патента: US20240193224A1. Автор: Qiang Tang. Владелец: Unim Innovation Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

READ-WRITE CONTROL METHOD FOR MEMORY, AND CORRESPONDING MEMORY AND SERVER

Номер патента: US20180260318A1. Автор: Xu Jianfeng,Wu Yue,XIE Ming,ZHONG Chaoyu,LI Wenzheng. Владелец: TENCENT TECHNOLOGY (SHENZHEN) COMPANY LIMITED. Дата публикации: 2018-09-13.

READ-WRITE CONTROL METHOD FOR MEMORY, AND CORRESPONDING MEMORY AND SERVER

Номер патента: US20140359233A1. Автор: Xu Jianfeng,Wu Yue,XIE Ming,ZHONG Chaoyu,LI Wenzheng. Владелец: TENCENT TECHNOLOGY (SHENZHEN) COMPANY LIMITED. Дата публикации: 2014-12-04.

Data read-write control method

Номер патента: CN108898036B. Автор: 王春华. Владелец: Nanjing Qinheng Microelectronics Co ltd. Дата публикации: 2021-06-29.

Read-write control method and device for distributed database and electronic equipment

Номер патента: CN111291112B. Автор: 周正中. Владелец: Alibaba Group Holding Ltd. Дата публикации: 2023-04-28.

Asynchronous FIFO memory read-write control method, device and equipment

Номер патента: CN113760795A. Автор: 孙旭,李维杰,周玉龙. Владелец: Inspur Electronic Information Industry Co Ltd . Дата публикации: 2021-12-07.

Data read-write control method, device, medium and electronic equipment

Номер патента: CN111290701A. Автор: 孙建良,佟光勋. Владелец: Hangzhou Langhe Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-16.

Read-write control method and system for distributed storage system

Номер патента: CN113253932A. Автор: 侯斌,彭超峰. Владелец: Jinan Inspur Data Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-13.

Disk data read-write control method and device based on FPGA and storage terminal

Номер патента: CN115269455A. Автор: 曹成,李旭勇,徐术,熊帮发,朱国定,凡奇. Владелец: Hunan Xingtian Electronic Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-11-01.

Communication protocol in directional drilling system, apparatus and method utilizing multi-bit data symbol transmission

Номер патента: US20180010447A1. Автор: Rudolf Zeller,John E. Mercer,Timothy Bayliss,Gary Garrabrant. Владелец: Merlin Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-11.

Communication protocol in directional drilling system, apparatus and method utilizing multi-bit data symbol transmission

Номер патента: US20160069180A1. Автор: Rudolf Zeller,John E. Mercer,Timothy Bayliss,Gary Garrabrant. Владелец: Merlin Technology Inc. Дата публикации: 2016-03-10.

Multi-bit data representation framework to enable dual program operation on solid-state flash devices

Номер патента: US20170344487A1. Автор: Vijay Balakrishnan,Tameesh Suri,Manu Awasthi,Narges SHAHIDI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-30.

ARRANGEMENT AND METHOD FOR DETERMINING ACCURACY ERRORS IN MULTI-BIT DATA WORDS

Номер патента: DE3103009A1. Автор: Maurice G. Redwood City Calif. Lemoine. Владелец: Ampex Corp. Дата публикации: 1981-12-17.

Smart card with read-write control zone

Номер патента: FR2770010A1. Автор: Jean Pierre Mounier. Владелец: France Telecom SA. Дата публикации: 1999-04-23.

Device for realizing I2C repeated read-write control

Номер патента: CN107168897B. Автор: 丁锐,王荣雁. Владелец: Shenzhen Core Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-13.

Adaptive read recovery for NAND flash memory devices

Номер патента: US12107603B1. Автор: Nedeljko Varnica,Nirmal Shende. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

一种基于极化码和元数据信息的nand flash差错控制方法

Номер патента: CN109358978B. Автор: 郭锐,陈康妮. Владелец: Hangzhou Dianzi University. Дата публикации: 2022-03-25.

一种基于极化码和元数据信息的nand flash差错控制方法

Номер патента: CN109358978. Автор: 郭锐,陈康妮. Владелец: Hangzhou Electronic Science and Technology University. Дата публикации: 2019-02-19.

一种基于极化码和元数据信息的nand flash差错控制方法

Номер патента: CN109358978A. Автор: 郭锐,陈康妮. Владелец: Hangzhou Electronic Science and Technology University. Дата публикации: 2019-02-19.

针对MLC型NAND-Flash的基于变量节点动态分块更新的LDPC码译码方法

Номер патента: CN110098895. Автор: 梁硕,郭婷,刘星成. Владелец: Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2019-08-06.

Nonvolatile memory device for storing multi-bit data

Номер патента: US20060166449A1. Автор: Tsutomu Nakai. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-07-27.

NAND flash memory system with programmable connections between a NAND flash memory controller and a plurality of NAND flash memory modules and method thereof

Номер патента: US20080294836A1. Автор: Satoshi Sugawa,Fuja Shone,Ching-Chang Chen,Chuang Cheng,Kai-Hsun Lin. Владелец: Skymedi Corp. Дата публикации: 2008-11-27.

Accelerator system for training deep neural network model using nand flash memory and operating method thereof

Номер патента: US20230259747A1. Автор: Yunho Jin,Jae W. Lee,Jong Hyun BAE,Tae Jun Ham,Gin A Sohn. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2023-08-17.

Method for using nand flash memory sram in solid state drive controller

Номер патента: US20230152999A1. Автор: CHAOHONG HU,Chun Liu,Jea Woong Hyun,Xin LIAO. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-18.

Nand flash storage device and methods using non-nand storage cache

Номер патента: US20180314434A1. Автор: Dana L. Simonson. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-11-01.

Non-volatile memory system

Номер патента: US20190354293A1. Автор: Seok Cheon Kwon,Seung hyun HAN. Владелец: THE-AIO Inc. Дата публикации: 2019-11-21.

Non-volatile memory system

Номер патента: US10613767B2. Автор: Seok Cheon Kwon,Seung hyun HAN. Владелец: THE-AIO Inc. Дата публикации: 2020-04-07.

A mobile communication terminal including NAND flash memory and method for booting the same

Номер патента: EP1607834A3. Автор: Hyung-Hoon Samsung Electronics Co. Ltd. Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-04-04.

System and method of protecting metadata from nand flash failures

Номер патента: WO2012177515A3. Автор: Douglas Alan Prins,Paul Roger Stonelake,Anand Krishnamurthi Kulkarni. Владелец: SanDisk Enterprise IP LLC. Дата публикации: 2013-06-27.

Service life prediction method, device and medium of NAND Flash memory

Номер патента: CN112256462B. Автор: 王敏,张闯,任智新. Владелец: Inspur Beijing Electronic Information Industry Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-14.

Jump page cache read method in nand flash memory and nand flash memory

Номер патента: US20190220226A1. Автор: Minyi Chen. Владелец: Shine Bright Technology Ltd. Дата публикации: 2019-07-18.

Information processing apparatus including NAND flash memory, and information processing method for the same

Номер патента: US20050157554A1. Автор: Katsuhiko Yanagawa. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2005-07-21.

Novel memory-based embedded file system and realization method thereof

Номер патента: CN106445398A. Автор: 闫栓. Владелец: Shenzhen ZTE Microelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-22.

Hardware acceleration method and device for automatic read retry based on NAND flash memory controller

Номер патента: CN109582228B. Автор: 汤晓东,余桉. Владелец: Shenzhen Union Memory Information System Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-01.

Method and data processing apparatus for restructuring input data to be stored in a multi-level nand flash memory

Номер патента: US20240329851A1. Автор: Sami ALSALAMIN. Владелец: HYPERSTONE GMBH. Дата публикации: 2024-10-03.

Apparatus and method for optimized NAND flash memory management for devices with limited resources

Номер патента: US20100241786A1. Автор: Fan Zhang,Satpreet Singh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-09-23.

NAND flash memory controller

Номер патента: US20230384938A1. Автор: Yen-Chung Chen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Nand flash的数据处理方法、装置和一种Nand flash

Номер патента: WO2018166258A1. Автор: 朱细平. Владелец: 深圳市江波龙电子有限公司. Дата публикации: 2018-09-20.

一种nand flash阵列的掉电处理方法

Номер патента: CN107329912A. Автор: 姜凯,李朋,赵鑫鑫,尹超. Владелец: Jinan Inspur Hi Tech Investment and Development Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

一种MicroBlaze访问Nand Flash的装置及方法

Номер патента: CN117435530. Автор: 胡志强,陈洲,宫文峰,马雨岚,朱祥路,房海松. Владелец: Hubei Jiuzhiyang Information Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-01-23.

Nand flash的数据处理方法、装置和一种Nand flash

Номер патента: CN107015764A. Автор: 朱细平. Владелец: Shenzhen Netcom Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-04.

一种nand flash文件数据存取方法、装置及存储介质

Номер патента: CN113495681B. Автор: 郭磊,周东峰,徐石雄. Владелец: Hangzhou Ezviz Network Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

一种MicroBlaze访问Nand Flash的装置及方法

Номер патента: CN117435530A. Автор: 胡志强,陈洲,宫文峰,马雨岚,朱祥路,房海松. Владелец: Hubei Jiuzhiyang Information Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-01-23.

Nand flash存储器的坏块处理方法、电子设备及存储介质

Номер патента: CN114415961. Автор: 段程浩. Владелец: Zhuhai Pantum Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-29.

一种nand flash文件数据存取方法、装置及存储介质

Номер патента: CN113495681. Автор: 郭磊,周东峰,徐石雄. Владелец: Hangzhou Ezviz Network Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-12.

一种NAND Flash的烧录方法及装置

Номер патента: CN112486506. Автор: 张鹏. Владелец: Embedway Technologies Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-03-12.

一种星载NAND Flash存储管理系统

Номер патента: CN112181304. Автор: 王慧泉,金仲和,楼海君,涂实磊. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2021-01-05.

闪存Nand Flash的数据写入方法、装置、电子设备及存储介质

Номер патента: CN111813339. Автор: 邓玉良,唐越,朱晓锐,李昂阳,殷中云,郑伟坤. Владелец: Shenzhen State Micro Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-23.

一种Nand flash接口工作协议自适应方法、系统、设备及存储介质

Номер патента: CN111414322. Автор: 段小康. Владелец: Jiangsu Xinsheng Intelligent Technology Co ltd. Дата публикации: 2020-07-14.

The calculation method and system of NAND FLASH service life

Номер патента: CN106951701B. Автор: 赵世伟,宋荆汉. Владелец: Allwinner Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-05.

Mixed-Mode ROM/RAM Booting Using an Integrated Flash Controller with NAND-Flash, RAM, and SD Interfaces

Номер патента: US20100146256A1. Автор: Charles C. Lee,Ming-Shiang Shen,Jianjun Luo,Chris Tsu. Владелец: Super Talent Electronics Inc. Дата публикации: 2010-06-10.

Manufacture bad block processing method based on NAND flash and NAND flash storage devices

Номер патента: CN108614745A. Автор: 陈诚. Владелец: Beijing Jingcun Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-02.

Modified B+ tree to map logical addresses to physical addresses in NAND flash memory

Номер патента: GB2476536A. Автор: Nathanial Kiel Boyle. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2011-06-29.

一种Nand flash元件及其载入控制方法和装置

Номер патента: CN108255540A. Автор: 庄开锋. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2018-07-06.

基于FPGA的nand flash接口控制器及读写方法

Номер патента: CN115080471A. Автор: 王维,徐克兴,杨永进. Владелец: Dfine Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-20.

基于FPGA的nand flash接口控制器及读写方法

Номер патента: CN115080471. Автор: 王维,徐克兴,杨永进. Владелец: Dfine Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-20.

一种NAND Flash介质剩余寿命预测的方法、装置、设备及介质

Номер патента: CN114489498. Автор: 周文强,曹琪. Владелец: Suzhou Inspur Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-13.

一种基于并行使用的双片nand flash坏块管理方法

Номер патента: CN113311989. Автор: 杨诚. Владелец: Beijing Ingenic Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-27.

具有DDR高传输介面的新型SPI-NAND Flash存储芯片及操作方法

Номер патента: CN112395218. Автор: 黄欢,郑文豪,施冠良,刘安伟,朱纯莹. Владелец: Heyangtek Cooperation Ltd. Дата публикации: 2021-02-23.

NAND Flash存储器的寿命预估方法、装置及介质

Номер патента: CN112256462. Автор: 王敏,张闯,任智新. Владелец: Inspur Beijing Electronic Information Industry Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-22.

一种贴片式SD NAND Flash IC存储器

Номер патента: CN111882018. Автор: 刘纯彬. Владелец: Shenzhen Yiyou Innovation Technology Co ltd. Дата публикации: 2020-11-03.

用于测量ssd单次进入ps4状态时所造成的nand flash写入量的方法

Номер патента: CN110716833. Автор: 罗发治. Владелец: Dongguan Memory Storage Technology Co ltd. Дата публикации: 2020-01-21.

Mobile device capacity detecting method based on Nand Flash

Номер патента: CN105760266A. Автор: 陈伟. Владелец: SHENZHEN CHIPSBANK TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-13.

A kind of implementation method of NAND FLASH simulator

Номер патента: CN106681893B. Автор: 罗胜. Владелец: Ramaxel Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-12.

Method and system for nand flash support in an autonomously loaded secure reprogrammable system

Номер патента: US20110197054A1. Автор: Qiang Ye,Xuemin Chen,Iue-Shuenn Chen,Andrew Dellow,Stephane Rodgers. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2011-08-11.

Method and system for NAND flash support in an autonomously loaded secure reprogrammable system

Номер патента: US8417931B2. Автор: Qiang Ye,Xuemin Chen,Iue-Shuenn Chen,Andrew Dellow,Stephane Rodgers. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-04-09.

Method and apparatus for data access of nand flash file, and storage medium

Номер патента: US20230168830A1. Автор: Lei Guo,Shixiong XU,Dongfeng ZHOU. Владелец: Hangzhou Ezviz Software Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

一种降低nand flash控制器功耗的方法

Номер патента: CN104598160A. Автор: 李骥,李宝,金文�,宋蔚皓,胡光东. Владелец: Beijing Aerospace Changzheng Aircraft Institute. Дата публикации: 2015-05-06.

一种Nand flash元件及其载入控制方法和装置

Номер патента: CN108255540B. Автор: 庄开锋. Владелец: Beijing Zhaoyi Innovation Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-05.

Method and system of high-throughput high-capacity storage appliance with flash translation layer escalation and global optimization on raw nand flash

Номер патента: US20180173434A1. Автор: Shu Li. Владелец: Alibaba Group Holding Ltd. Дата публикации: 2018-06-21.

一种Nand flash元件

Номер патента: CN108345429B. Автор: 庄开锋. Владелец: Beijing Zhaoyi Innovation Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-31.

一种Nand flash元件

Номер патента: CN108345429A. Автор: 庄开锋. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2018-07-31.

一种nand flash异常掉电的数据保护方法及装置

Номер патента: CN118260126. Автор: 李良,曾铭毅. Владелец: Zhuhai Eeasy Electronic Tech Co ltd. Дата публикации: 2024-06-28.

一种基于Nand Flash写后立即读方法及装置

Номер патента: CN117369728. Автор: 杨文华,李文彬,姜鑫杜. Владелец: Chengdu Xinyilian Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

一种基于NAND Flash的电能表数据存储管理方法及系统

Номер патента: CN117331494. Автор: 李琦,张扬,魏巍,金锐,舒畅,左勇,吴海,熊剑,许金宇,田丽媛,全巧艳,菅利彬,于添灏. Владелец: Anhui Nanrui Zhongtian Electric Power Electronics Co ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Nand Flash数据块分类方法、系统和使用方法

Номер патента: CN116185885. Автор: 孙飞. Владелец: Shanghai Yingcun Semiconductor Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-05-30.

一种基于Linux的Nand Flash镜像读取与升级的方法、介质及终端

Номер патента: CN115357275. Автор: 罗强,吴志鹏,彭水明,余伟峰,陈超鑫. Владелец: Willfar Information Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-11-18.

一种基于NAND Flash的电能表数据存储管理方法及系统

Номер патента: CN117331494A. Автор: 李琦,张扬,魏巍,金锐,舒畅,左勇,吴海,熊剑,许金宇,田丽媛,全巧艳,菅利彬,于添灏. Владелец: Anhui Nanrui Zhongtian Electric Power Electronics Co ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

一种基于Nand Flash写后立即读方法及装置

Номер патента: CN117369728A. Автор: 杨文华,李文彬,姜鑫杜. Владелец: Chengdu Xinyilian Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

一种确保nand flash写均衡的方法

Номер патента: CN114527945. Автор: 潘菊平. Владелец: Taicang T&W Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-24.

一种基于人工智能算法的NAND Flash存储磨损平衡管理方法

Номер патента: CN114489507. Автор: 苏莹莹,李元章. Владелец: Suzhou Hongcunxinjie Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-05-13.

Nand Flash数据块分类方法、系统和使用方法

Номер патента: CN116185885A. Автор: 孙飞. Владелец: Shanghai Yingcun Semiconductor Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-05-30.

Nand flash分组调换方法、装置、设备及介质

Номер патента: CN114968106A. Автор: 徐光明,徐明揆,虞安华. Владелец: Xtx Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-30.

一种基于人工智能算法的NAND Flash存储磨损平衡管理方法

Номер патента: CN114489507A. Автор: 苏莹莹,李元章. Владелец: Suzhou Hongcunxinjie Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-05-13.

一种减少nand flash擦写次数的方法及系统

Номер патента: CN111273864. Автор: 刘强,张瑞金,孙志正. Владелец: Jinan Inspur Hi Tech Investment and Development Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-12.

Nand flash分组调换方法、装置、设备及介质

Номер патента: CN114968106B. Автор: 徐光明,徐明揆,虞安华. Владелец: Xtx Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-05.

A kind of block message mark implementation method of NAND FLASH chips

Номер патента: CN107247563A. Автор: 姜凯,李朋,赵鑫鑫,尹超. Владелец: Jinan Inspur Hi Tech Investment and Development Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-13.

A kind of NAND Flash memory reliability optimization method based on self- recoverage effect

Номер патента: CN109582224A. Автор: 冯骅,彭喜元,乔立岩,魏德宝,郝梦琪. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2019-04-05.

A kind of Nand flash data calibration method and system

Номер патента: CN106528323B. Автор: 杨涛. Владелец: Zhengzhou Yunhai Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-30.

Techniques for supporting erasure coding with flash memory controller

Номер патента: US11023315B1. Автор: Robert Lercari,Mike Jadon,Craig Robertson. Владелец: Radian Memory Systems Inc. Дата публикации: 2021-06-01.

Nand Flash controller and Nand Flash control method

Номер патента: CN106528465A. Автор: 宋相培. Владелец: Zhengzhou Yunhai Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-22.

具有DDR高传输介面的SPI-NAND Flash存储芯片及操作方法

Номер патента: CN112395218B. Автор: 黄欢,郑文豪,施冠良,刘安伟,朱纯莹. Владелец: Nanjing Heyangtek Co ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

一种NAND Flash的烧录方法及装置

Номер патента: CN112486506B. Автор: 张鹏. Владелец: Embedway Technologies Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-02-02.

具有DDR高传输介面的新型SPI-NAND Flash存储芯片及操作方法

Номер патента: CN112395218A. Автор: 黄欢,郑文豪,施冠良,刘安伟,朱纯莹. Владелец: Heyangtek Cooperation Ltd. Дата публикации: 2021-02-23.

一种基于 Nand flash 芯片的数据擦写方法及系统

Номер патента: WO2023226192A1. Автор: 熊俊,陈辉阳. Владелец: 深圳市芯存科技有限公司. Дата публикации: 2023-11-30.

Nand flash存储器的坏块处理方法、电子设备及存储介质

Номер патента: CN114415961B. Автор: 段程浩. Владелец: Zhuhai Pantum Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-27.

Method and system for nand flash support in an autonomously loaded secure reprogrammable system

Номер патента: US20130185550A1. Автор: Qiang Ye,Xuemin Chen,Iue-Shuenn Chen,Andrew Dellow,Stephane Rodgers. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-07-18.

一种Nand flash接口工作协议自适应方法、系统、设备及存储介质

Номер патента: CN111414322A. Автор: 段小康. Владелец: Jiangsu Xinsheng Intelligent Technology Co ltd. Дата публикации: 2020-07-14.

一种动态的、离散的、碎片化的嵌入式系统nand flash使用方法

Номер патента: WO2023169161A1. Автор: 潘菊平. Владелец: 太仓市同维电子有限公司. Дата публикации: 2023-09-14.

一种nand flash阵列的掉电处理方法

Номер патента: CN107329912B. Автор: 姜凯,李朋,赵鑫鑫,尹超. Владелец: Inspur Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-26.

一种nand flash异常掉电的数据保护方法及装置

Номер патента: CN118260126A. Автор: 李良,曾铭毅. Владелец: Zhuhai Eeasy Electronic Tech Co ltd. Дата публикации: 2024-06-28.

Nand flash分组调换方法、装置、设备及介质

Номер патента: CN114968106. Автор: 徐光明,徐明揆,虞安华. Владелец: Xtx Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-30.

一种加快Nand Flash控制命令执行速度的方法及系统

Номер патента: CN114721978. Автор: 兰健. Владелец: Chengdu Chuxun Science And Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-07-08.

数据存储管理方法、NAND Flash控制器及计算机存储介质

Номер патента: CN113094295. Автор: 谢长华,余恒昌. Владелец: Chipsbank Technologies Shenzhen Co ltd. Дата публикации: 2021-07-09.

一种Nand Flash中干扰页的检测方法、系统

Номер патента: CN110750467. Автор: 何宁波. Владелец: SHENZHEN CHIPSBANK TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-04.

一种NAND Flash PHY

Номер патента: CN110399319. Автор: 杨波,马勇,唐先芝,谷卫青,吴楚怀,何觉,陈帮红. Владелец: Yaoyun Technology (xi'an) Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-01.

Method, device, equipment and medium for predicting residual life of NAND Flash medium

Номер патента: CN114489498A. Автор: 周文强,曹琪. Владелец: Suzhou Inspur Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-13.

一种基于NAND Flash的SOC启动方法

Номер патента: CN105117652A. Автор: 王勇,肖佐楠,郑茳. Владелец: TIANJIN TIANXIN TECHNOLOGY CO LTD. Дата публикации: 2015-12-02.

一种减少nand flash擦写次数的方法及系统

Номер патента: CN111273864B. Автор: 刘强,张瑞金,孙志正. Владелец: Shandong Inspur Scientific Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-08.

一种基于并行使用的双片nand flash坏块管理方法

Номер патента: CN113311989B. Автор: 杨诚. Владелец: Beijing Ingenic Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-22.

一种nand flash的数据源区块回收方法及固态硬盘

Номер патента: CN108509349A. Автор: 林昱纬,吕绍宏. Владелец: Li Ding Technology (shenzhen) Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-07.

Method and apparatus to reduce memory in a nand flash device to store page related information

Номер патента: US20230185453A1. Автор: Aliasgar S. Madraswala,Pratyush CHANDRAPATI,Naveen Prabhu VITTAL PRABHU,Shanmathi MOOKIAH. Владелец: Intel NDTM US LLC. Дата публикации: 2023-06-15.

一种提高nand-flash存储可靠性的fpga控制方法

Номер патента: CN111596860A. Автор: 刘春香,司国良,石俊霞,袁航飞,宁永慧. Владелец: Changchun Institute of Optics Fine Mechanics and Physics of CAS. Дата публикации: 2020-08-28.

用于访问集成NAND Flash的控制电路和控制方法

Номер патента: CN118245408B. Автор: 何亚军,黄芸佳. Владелец: Hefei Kuixian Integrated Circuit Design Co ltd. Дата публикации: 2024-08-09.

Method and apparatus to reduce memory in a nand flash device to store page related information

Номер патента: WO2024167516A1. Автор: Aliasgar S. Madraswala,Pratyush CHANDRAPATI,Naveen Prabhu VITTAL PRABHU,Shanmathi MOOKIAH. Владелец: Intel NDTM US LLC. Дата публикации: 2024-08-15.

一种基于支持向量机的nand flash块读写阈值管理方法及装置

Номер патента: CN117149072. Автор: 安阳,赵天石,马淑香,周永旺. Владелец: Shandong Yunhai Guochuang Cloud Computing Equipment Industry Innovation Center Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-01.

用于访问集成NAND Flash的控制电路和控制方法

Номер патента: CN118245408. Автор: 何亚军,黄芸佳. Владелец: Hefei Kuixian Integrated Circuit Design Co ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

用于访问集成NAND Flash的控制电路和控制方法

Номер патента: CN118245408A. Автор: 何亚军,黄芸佳. Владелец: Hefei Kuixian Integrated Circuit Design Co ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Nand Flash芯片数据存储方法及装置

Номер патента: CN117331491. Автор: 秦燕婷. Владелец: CICT Mobile Communication Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

一种基于NAND Flash的前照灯数据存储方法

Номер патента: CN117331508. Автор: 唐金腾,贾强强,孙加勇,朱润辰. Владелец: Changzhou Xingyu Automotive Lighting Systems Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

用于NAND Flash的通用控制模块及方法

Номер патента: CN116679887. Автор: 朱志强,华庆明. Владелец: Hefei Kuixian Integrated Circuit Design Co ltd. Дата публикации: 2023-09-01.

一种基于支持向量机的nand flash块读写阈值管理方法及装置

Номер патента: CN117149072A. Автор: 安阳,赵天石,马淑香,周永旺. Владелец: Shandong Yunhai Guochuang Cloud Computing Equipment Industry Innovation Center Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-01.

一种基于Nand Flash AIPR的命令预处理方法

Номер патента: CN115407944. Автор: 沈力,安阳,马淑香,周永旺. Владелец: Shandong Yunhai Guochuang Cloud Computing Equipment Industry Innovation Center Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-29.

一种基于NAND Flash的前照灯数据存储方法

Номер патента: CN117331508A. Автор: 唐金腾,贾强强,孙加勇,朱润辰. Владелец: Changzhou Xingyu Automotive Lighting Systems Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

应用于spi nand flash芯片的功能测试方法和spi测试平台

Номер патента: CN115061865. Автор: 郑文豪. Владелец: Nanjing Heyangtek Co ltd. Дата публикации: 2022-09-16.

一种NAND Flash读DQS采样方法

Номер патента: CN114528239. Автор: 李瑞东,刘奇浩,王运哲,李绪金. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-24.

一种NAND Flash读DQS采样方法

Номер патента: CN114528239B. Автор: 李瑞东,刘奇浩,王运哲,李绪金. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-18.

一种并行双片nand flash中物理擦除块动态关联的方法

Номер патента: CN113391755. Автор: 杨诚. Владелец: Beijing Ingenic Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-14.

车载终端NAND Flash的存储管理方法和系统、车载终端、车辆

Номер патента: CN113377296. Автор: 钱志,周卫,刘迎午. Владелец: Shenzhen Yuwei Information & Technology Development Co ltd. Дата публикации: 2021-09-10.

采用NAND Flash作为存储器时坏块管理的方法

Номер патента: CN112711501. Автор: 刘建华,张令,向跃. Владелец: Hangzhou Nationalchip Science & Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-04-27.

采用NAND Flash作为存储器时坏块管理的方法

Номер патента: CN112711501A. Автор: 刘建华,张令,向跃. Владелец: Hangzhou Nationalchip Science & Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-04-27.

应用于spi nand flash芯片的功能测试方法和spi测试平台

Номер патента: CN115061865A. Автор: 郑文豪. Владелец: Nanjing Heyangtek Co ltd. Дата публикации: 2022-09-16.

一种SSD中处理NAND Flash读干扰的方法

Номер патента: CN111797033. Автор: 刘凯,吴斌,王璞. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-20.

一种提高nand-flash存储可靠性的fpga控制方法

Номер патента: CN111596860. Автор: 刘春香,司国良,石俊霞,袁航飞,宁永慧. Владелец: Changchun Institute of Optics Fine Mechanics and Physics of CAS. Дата публикации: 2020-08-28.

一种nand flash垃圾回收动态优化方法

Номер патента: CN111026673. Автор: 刘婷婷,王闯,刘硕,贺莹. Владелец: Xian Aeronautics Computing Technique Research Institute of AVIC. Дата публикации: 2020-04-17.

自适应的Nand Flash读写速度调整系统

Номер патента: CN110765041. Автор: 李岩,赵斌,仇旭东,刘慧婕. Владелец: Tianjin Jinhang Computing Technology Research Institute. Дата публикации: 2020-02-07.

自适应的Nand Flash读写速度调整方法

Номер патента: CN110765042. Автор: 李岩,赵斌,仇旭东,刘慧婕. Владелец: Tianjin Jinhang Computing Technology Research Institute. Дата публикации: 2020-02-07.

一种nand flash的坏块处理方法

Номер патента: CN110597458. Автор: 郑继清. Владелец: Wuhu Hongjing Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-20.

基于nand flash存储器的校验方法、终端设备及存储介质

Номер патента: CN109542668. Автор: 董时舫. Владелец: PAX Computer Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-29.

Method and system for detecting interference page in Nand Flash

Номер патента: CN110750467B. Автор: 何宁波. Владелец: Chipsbank Technologies Shenzhen Co ltd. Дата публикации: 2021-11-02.

A kind of Nand Flash abrasion equilibrium methods, device and memory

Номер патента: CN106775474A. Автор: 郑静,王杰华,刘冬好. Владелец: Zhengzhou Yunhai Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-31.

Memory controller with at least one address segment defined for which data is striped across flash memory dies, with a common address offset being used to obtain physical addresses for the data in each of the dies

Номер патента: US10445229B1. Автор: Andrey V. Kuzmin,James G. Wayda. Владелец: Radian Memory Systems Inc. Дата публикации: 2019-10-15.

Nand Flash wear leveling method and device and memory

Номер патента: CN106775474B. Автор: 郑静,王杰华,刘冬好. Владелец: Suzhou Wave Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-10.

Pointer type logical address mapping table implementation method for Nand Flash

Номер патента: CN107291625B. Автор: 姜凯,李朋,赵鑫鑫,尹超. Владелец: Jinan Inspur Hi Tech Investment and Development Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-09.

一种加快Nand Flash控制命令执行速度的方法及系统

Номер патента: CN114721978B. Автор: 兰健. Владелец: Chengdu Chuxun Science And Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-08-25.

一种加快Nand Flash控制命令执行速度的方法及系统

Номер патента: CN114721978A. Автор: 兰健. Владелец: Chengdu Chuxun Science And Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-07-08.

一种确保nand flash写均衡的方法

Номер патента: CN114527945A. Автор: 潘菊平. Владелец: Taicang T&W Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-24.

nand flash设备管理的方法和系统

Номер патента: CN106354486A. Автор: 李良. Владелец: Allwinner Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-25.

一种基于Linux的Nand Flash镜像读取与升级的方法、介质及终端

Номер патента: CN115357275A. Автор: 罗强,吴志鹏,彭水明,余伟峰,陈超鑫. Владелец: Willfar Information Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-11-18.

数据存储管理方法、NAND Flash控制器及计算机存储介质

Номер патента: CN113094295A. Автор: 谢长华,余恒昌. Владелец: Chipsbank Technologies Shenzhen Co ltd. Дата публикации: 2021-07-09.

基于nand flash的启动版本生成方法、设备及存储介质

Номер патента: CN117539686. Автор: 王月鹏. Владелец: Anhui Wantong Post And Telecommunications Co ltd. Дата публикации: 2024-02-09.

Nand Flash地址映射管理方法、管理系统、终端设备及介质

Номер патента: CN117149668. Автор: 杨硕,贺东旭,白雅玲. Владелец: Tianjin Jinhang Computing Technology Research Institute. Дата публикации: 2023-12-01.

基于nand flash的启动版本生成方法、设备及存储介质

Номер патента: CN117539686A. Автор: 王月鹏. Владелец: Anhui Wantong Post And Telecommunications Co ltd. Дата публикации: 2024-02-09.

Nand Flash地址映射管理方法、管理系统、终端设备及介质

Номер патента: CN117149668A. Автор: 杨硕,贺东旭,白雅玲. Владелец: Tianjin Jinhang Computing Technology Research Institute. Дата публикации: 2023-12-01.

一种基于Nand Flash AIPR的命令预处理方法

Номер патента: CN115407944A. Автор: 沈力,安阳,马淑香,周永旺. Владелец: Shandong Yunhai Guochuang Cloud Computing Equipment Industry Innovation Center Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-29.

NAND Flash的温度获取方法、装置、计算机设备及存储介质

Номер патента: CN111552617. Автор: 冯元元,臧鑫,汪汉国. Владелец: Shenzhen Union Memory Information System Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-18.

基于nand flash的实时嵌入式系统及其启动方法

Номер патента: CN111190648. Автор: 黄峰,李婷,宋凯林,赵葵银. Владелец: Hunan Institute of Engineering. Дата публикации: 2020-05-22.

NAND Flash storage reliability evaluation method

Номер патента: CN107817954B. Автор: 乔立岩,魏德宝,郝梦琪,李绪金. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2020-07-24.

A kind of Nand Flash memory mapped systems based on FPGA

Номер патента: CN106909519A. Автор: 李朋,赵鑫鑫,尹超. Владелец: Jinan Inspur Hi Tech Investment and Development Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-30.

A kind of Nand Flash controller and method

Номер патента: CN106528465B. Автор: 宋相培. Владелец: Zhengzhou Yunhai Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-02.

一种并行双片nand flash中物理擦除块动态关联的方法

Номер патента: CN113391755B. Автор: 杨诚. Владелец: Beijing Ingenic Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-22.

用于NAND Flash的通用控制模块及方法

Номер патента: CN116679887A. Автор: 朱志强,华庆明. Владелец: Hefei Kuixian Integrated Circuit Design Co ltd. Дата публикации: 2023-09-01.

用于NAND Flash的通用控制模块及方法

Номер патента: CN116679887B. Автор: 朱志强,华庆明. Владелец: Hefei Kuixian Integrated Circuit Design Co ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

一种SSD中处理NAND Flash读干扰的方法

Номер патента: CN111797033A. Автор: 刘凯,吴斌,王璞. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-20.

一种nand flash垃圾回收动态优化方法

Номер патента: CN111026673A. Автор: 刘婷婷,王闯,刘硕,贺莹. Владелец: Xian Aeronautics Computing Technique Research Institute of AVIC. Дата публикации: 2020-04-17.

Nand Flash芯片数据存储方法及装置

Номер патента: CN117331491A. Автор: 秦燕婷. Владелец: CICT Mobile Communication Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

NAND flash数据损坏后的恢复方法、装置、计算机设备及存储介质

Номер патента: CN118193294. Автор: 张帆,刘浪,陈文伟. Владелец: Qianxun Si Network Zhejiang Co ltd. Дата публикации: 2024-06-14.

一种基于DQS恢复时钟的多Die封装Nand Flash的读数据方法

Номер патента: CN118151846. Автор: 陈健,张俊杰,李迎春,宋英雄,曹炳尧,张倩武,谭家乐. Владелец: UNIVERSITY OF SHANGHAI FOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-06-07.

NAND Flash中块的处理方法、装置、设备、介质

Номер патента: CN117931049. Автор: 陶伟,孔维镇. Владелец: Shanghai Jiangbolong Digital Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-04-26.

面向FPGA平台的NAND Flash BCH纠检错模块

Номер патента: CN117349077. Автор: 李欣,王丹,许志宏,刘伟伟,蒋帅,刘戈,郭佳鑫,田苗苗,禹霁阳,汪路元,于敏芳. Владелец: Beijing Institute of Spacecraft System Engineering. Дата публикации: 2024-01-05.

Spi Nand flash坏块管理方法和系统

Номер патента: CN116383097. Автор: 张波,黄柱光. Владелец: Shenzhen Xincun Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-07-04.

一种用于Nand Flash控制器仿真验证中避免读空页的方法与系统

Номер патента: CN115543206. Автор: 李瑞东,沈力,姚香君,夏丽煖. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-30.

一种基于NAND Flash的星载固存高可靠数据存取方法

Номер патента: CN115357185. Автор: 王鹏,肖化超,师勇,王元乐,袁素春,璩泽旭,方火能,丁跃利. Владелец: Xian Institute of Space Radio Technology. Дата публикации: 2022-11-18.

面向FPGA平台的NAND Flash BCH纠检错模块

Номер патента: CN117349077A. Автор: 李欣,王丹,许志宏,刘伟伟,蒋帅,刘戈,郭佳鑫,田苗苗,禹霁阳,汪路元,于敏芳. Владелец: Beijing Institute of Spacecraft System Engineering. Дата публикации: 2024-01-05.

nand flash重读定位方法

Номер патента: CN113672178. Автор: 贺乐. Владелец: Zhuhai Miaocun Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-11-19.

一种确保nand flash中序列号和mac地址存储正确的方法

Номер патента: CN113311988. Автор: 王崇吉. Владелец: Beijing Ingenic Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-27.

一种NAND Flash控制器接口电路及闪存系统

Номер патента: CN112925483. Автор: 刘飞,霍宗亮,叶甜春,曹小天. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2021-06-08.

与非型闪存Nand Flash存储管理方法及装置

Номер патента: CN112486854. Автор: 刘晓波,许晓梦,韩国梁. Владелец: Weichai Power Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-12.

一种nand flash垃圾回收均衡优化方法

Номер патента: CN111090595. Автор: 张锐,刘婷婷,王闯,贺莹,邓豹. Владелец: Xian Aeronautics Computing Technique Research Institute of AVIC. Дата публикации: 2020-05-01.

提升3D NAND Flash性能的方法

Номер патента: CN109669638. Автор: 汤仁君,肖孟,李皓智,谢汇,管冬生. Владелец: Hefei Core Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-23.

一种NAND Flash控制器接口电路及闪存系统

Номер патента: CN112925483B. Автор: 刘飞,霍宗亮,叶甜春,曹小天. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-11-08.

一种NAND Flash控制器接口电路及闪存系统

Номер патента: CN112925483A. Автор: 刘飞,霍宗亮,叶甜春,曹小天. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2021-06-08.

一种并行双片nand flash中物理擦除块动态关联的方法

Номер патента: CN113391755A. Автор: 杨诚. Владелец: Beijing Ingenic Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-14.

NAND Flash的温度获取方法、装置、计算机设备及存储介质

Номер патента: CN111552617A. Автор: 冯元元,臧鑫,汪汉国. Владелец: Shenzhen Union Memory Information System Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-18.

一种基于NAND Flash存储芯片的块管理方法

Номер патента: CN116339629. Автор: 刘传富,曾德崇. Владелец: Matrix Data Technology Shanghai Co ltd. Дата публикации: 2023-06-27.

NAND Flash中块的处理方法、装置、设备、介质

Номер патента: CN117931049A. Автор: 陶伟,孔维镇. Владелец: Shanghai Jiangbolong Digital Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-04-26.

一种nand flash坏块管理方法及系统

Номер патента: CN114546292. Автор: 陈世伟,吴�灿,袁结全,詹晋川,罗仁昌. Владелец: Shenzhen Forward Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-27.

一种基于NAND Flash存储芯片的块管理方法

Номер патента: CN116339629A. Автор: 刘传富,曾德崇. Владелец: Matrix Data Technology Shanghai Co ltd. Дата публикации: 2023-06-27.

一种基于nand flash的序列号和mac地址储存方法

Номер патента: CN113312273. Автор: 王崇吉. Владелец: Beijing Ingenic Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-27.

一种用于Nand Flash控制器仿真验证中避免读空页的方法与系统

Номер патента: CN115543206A. Автор: 李瑞东,沈力,姚香君,夏丽煖. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-30.

一种提高Nand flash数据稳定性的方法以及装置

Номер патента: CN110764693. Автор: 李虎,罗胜. Владелец: Shenzhen Demingli Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-07.

一种基于自恢复效应的NAND Flash存储可靠性优化方法

Номер патента: CN109582224. Автор: 冯骅,彭喜元,乔立岩,魏德宝,郝梦琪. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2019-04-05.

Eliminating garbage collection in nand flash devices

Номер патента: US09891833B2. Автор: Jongman Yoon,Sushma Devendrappa,Xiangyong Ouyang. Владелец: Honeycombdata Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Multi-CE NAND Flash dynamic block model based on multi-channel master control and bad block processing method

Номер патента: CN105786407A. Автор: 彭鹏,马翼,向平,黄雪峰,周士兵,田达海,杨万云. Владелец: Hunan Goke Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-20.

Method and apparatus to select a plane in a nand flash die to store a read-only reserved block

Номер патента: WO2023163815A1. Автор: Chang Wan Ha,Pranav Kalavade,Aliasgar MADRASWALA,Zengtao Liu,Simerjeet SINGH,Bharat M. Pathak,Hoon Koh,Quincy S. Chiu,Kristopher H. Gaewsky,Akshay Jayaraj. Владелец: Intel NDTM US LLC. Дата публикации: 2023-08-31.

提升3D NAND Flash性能的方法

Номер патента: CN109669638A. Автор: 汤仁君,肖孟,李皓智,谢汇,管冬生. Владелец: Hefei Core Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-23.

执行Nand Flash操作指令的实现方法、系统、设备及存储介质

Номер патента: CN115437568. Автор: 沈力,安阳,周永旺. Владелец: Shandong Yunhai Guochuang Cloud Computing Equipment Industry Innovation Center Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-06.

一种基于wordline分组优化NAND Flash性能的方法

Номер патента: CN116610264. Автор: 李瑞东,曹成,蒋书斌. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-18.

执行Nand Flash操作指令的实现方法、系统、设备及存储介质

Номер патента: CN115437568A. Автор: 沈力,安阳,周永旺. Владелец: Shandong Yunhai Guochuang Cloud Computing Equipment Industry Innovation Center Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-06.

一种基于wordline分组优化NAND Flash性能的方法

Номер патента: CN116610264A. Автор: 李瑞东,曹成,蒋书斌. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-18.

Verfahren Und Datenverarbeitungsgerät Zum Umstrukturieren Von In Einem Multi-Level-NAND-Flash-Speicher Zu Speichernden Eingangsdaten

Номер патента: DE102024109367A1. Автор: Sami ALSALAMIN. Владелец: HYPERSTONE GMBH. Дата публикации: 2024-10-10.

Method and device for data verification of Nand Flash

Номер патента: CN107203436B. Автор: 王志浩. Владелец: Zhengzhou Yunhai Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-06.

A kind of method and apparatus of Nand Flash datas verification

Номер патента: CN107203436A. Автор: 王志浩. Владелец: Zhengzhou Yunhai Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

The dynamic block models of many CE NAND Flash based on multichannel master control and bad block processing method

Номер патента: CN105786407B. Автор: 彭鹏,马翼,向平,黄雪峰,周士兵,田达海,杨万云. Владелец: Hunan Goke Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-14.

A kind of data buffer storage transmission method and its controller based on Nand Flash chips

Номер патента: CN104461966B. Автор: 陈元,孙长江,谢文刚,任民. Владелец: ShenZhen Guowei Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-21.

A kind of double channel A TA agreement bridge-sets based on NAND FLASH interfaces

Номер патента: CN105786749B. Автор: 李文军,孙晓宁,刘大铕,刘奇浩,徐毅松. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-07.

Self-programming method and device of file system based on NAND flash

Номер патента: CN102467522A. Автор: 陈亮. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2012-05-23.

NAND FLASH garbage recovery balance optimization method

Номер патента: CN111090595A. Автор: 张锐,刘婷婷,王闯,贺莹,邓豹. Владелец: Xian Aeronautics Computing Technique Research Institute of AVIC. Дата публикации: 2020-05-01.

Method and apparatus to select a plane in a nand flash die to store a read-only reserved block

Номер патента: US20230266910A1. Автор: Chang Wan Ha,Pranav Kalavade,Aliasgar S. Madraswala,Zengtao Liu,Simerjeet SINGH,Bharat M. Pathak,Hoon Koh,Quincy S. Chiu,Kristopher H. Gaewsky,Akshay Jayaraj. Владелец: Intel NDTM US LLC. Дата публикации: 2023-08-24.

Spi Nand flash坏块管理方法和系统

Номер патента: CN116383097A. Автор: 张波,黄柱光. Владелец: Shenzhen Xincun Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-07-04.

nand flash重读定位方法

Номер патента: CN113672178A. Автор: 贺乐. Владелец: Zhuhai Miaocun Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-11-19.

Spi Nand flash坏块管理方法和系统

Номер патента: CN116383097B. Автор: 张波,黄柱光. Владелец: Shenzhen Xincun Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-05-17.

一种nand flash坏块管理方法及系统

Номер патента: CN114546292B. Автор: 陈世伟,吴�灿,袁结全,詹晋川,罗仁昌. Владелец: Shenzhen Forward Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-15.

Detect multifold disturbance and minimize read-disturb errors in NAND flash

Номер патента: US11748195B2. Автор: Subhojit Roy,Sarvesh S. Patel,Kushal S. Patel,Puja Leekha. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

一种用于nand flash的日志块快速命中方法

Номер патента: CN107832234A. Автор: 刘银萍,张志永,赵微,宗宇,谢俊玲,谷羽. Владелец: Mxtronics Corp. Дата публикации: 2018-03-23.

用于NAND Flash坏块的混合管理方法及装置

Номер патента: CN116755642A. Автор: 邹飞,黄泽诚. Владелец: Sichuan Yunhai Core Microelectronics Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-09-15.

应用于NAND Flash损耗均衡的优化方法

Номер патента: CN109684119B. Автор: 杨阳,杨硕,李明洋,王晓璐. Владелец: Tianjin Jinhang Computing Technology Research Institute. Дата публикации: 2022-05-17.

一种星载nand flash型固态存储器及分配存储空间的方法

Номер патента: CN111324307A. Автор: 孙璐,郑艳,池骋,周梦,高亚南,邵明强. Владелец: Xian Microelectronics Technology Institute. Дата публикации: 2020-06-23.

NAND Flash中块的擦除方法、装置、设备、介质

Номер патента: CN117931048. Автор: 陶伟,孔维镇. Владелец: Shanghai Jiangbolong Digital Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-04-26.

用于NAND Flash坏块的混合管理方法及装置

Номер патента: CN116755642. Автор: 邹飞,黄泽诚. Владелец: Sichuan Yunhai Core Microelectronics Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-09-15.

METHOD FOR SHORT-RANGE OPTICAL COMMUNICATION, OPTOELECTRONIC DATA CARRIER AND READ/WRITE DEVICE

Номер патента: US20170012706A1. Автор: LIVSHITS Vladimir Iosifovich. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-12.

Facsimile transmission system using telephone lines - uses fibre=optics to provide coupling between document and read-write system

Номер патента: FR2390866A1. Автор: Joseph Hascoet,Dominique Laroche. Владелец: Societe des Telephones Ericsson SA. Дата публикации: 1978-12-08.

Wireless communication system, information communication terminal and method, portable phone and read write line

Номер патента: CN101179303B. Автор: 佐藤理,关谷秀一,荻岛淳,竹内武,太田礼一,若狭繁基,椎木大辅. Владелец: Felica Networks Inc. Дата публикации: 2016-01-06.

Digital Phase Equalizer for Serial Link Receiver and Method Thereof

Номер патента: US20130177063A1. Автор: Chi-Liang Lin. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2013-07-11.

Dual-line protocol read-write control chip, system and method

Номер патента: WO2021196902A1. Автор: 李照华. Владелец: 深圳市明微电子股份有限公司. Дата публикации: 2021-10-07.

Semiconductor process flow for nand flash memory products

Номер патента: EP1145308A1. Автор: Hao Fang,John Jianshi Wang,Masaaki Higashitani,Kent Kuohua Chang,Salvatore F. Cagnina. Владелец: Fujitsu AMD Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2001-10-17.

NAND flash memory and fabrication methods thereof

Номер патента: US09911593B2. Автор: SHILIANG Ji,YIYING Zhang,Erhu ZHENG. Владелец: Seimconductor Manufacturing International (beijing) Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

NAND flash memory and fabrication method thereof

Номер патента: US09741573B2. Автор: Guo Bin Yu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Vertical NAND flash memory device

Номер патента: US09899406B2. Автор: Kyoung-hoon Kim,HongSoo KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

一种大容量立体堆叠的Nand Flash芯片

Номер патента: CN114843252. Автор: 顾林,郑利华,江飞,胡德福,黎蕾. Владелец: CETC 58 Research Institute. Дата публикации: 2022-08-02.

Floating Gate Separation in NAND Flash Memory

Номер патента: US20160336182A1. Автор: Atsushi Shimoda,Takuya Sakurai,Toshiya Yokota. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-11-17.

Method of fabricating a charge trap nand flash memory device

Номер патента: US20130087849A1. Автор: Marcello Mariani,Giulio Albini,Paolo Tessariol,Umberto M. Meotto,Paola Bacciaglia. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-04-11.

Triple patterning NAND flash memory

Номер патента: US09613806B2. Автор: Tuan Duc Pham,Jongsun Sel,Mun Pyo Hong. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-04.

Floating gate separation in NAND flash memory

Номер патента: US09595444B2. Автор: Atsushi Shimoda,Takuya Sakurai,Toshiya Yokota. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-03-14.

一种大容量立体堆叠的Nand Flash芯片

Номер патента: CN114843252A. Автор: 顾林,郑利华,江飞,胡德福,黎蕾. Владелец: CETC 58 Research Institute. Дата публикации: 2022-08-02.

Method of manufacturing NAND flash memory device

Номер патента: US7727839B2. Автор: Jae Chul Om,Nam Kyeong Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-06-01.

Method of fabricating a charge trap NAND flash memory device

Номер патента: US9224873B2. Автор: Marcello Mariani,Giulio Albini,Paolo Tessariol,Umberto M. Meotto,Paola Bacciaglia. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-12-29.

Method of manufacturing NAND flash memory device

Номер патента: US20070117318A1. Автор: In Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-05-24.

Process for Fabricating a 3D-NAND Flash Memory

Номер патента: US20230335496A1. Автор: Frédéric Raynal,Vincent Mevellec,Mikaïlou Thiam,Amine LAKHDARI. Владелец: MacDermid Enthone Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Processes for nand flash memory fabrication

Номер патента: WO2014042960A3. Автор: Tuan Pham,Jongsun Sel. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2014-07-17.

Processes for nand flash memory fabrication

Номер патента: WO2014042960A2. Автор: Tuan Pham,Jongsun Sel. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2014-03-20.

Triple Patterning NAND Flash Memory with Stepped Mandrel

Номер патента: US20150064907A1. Автор: Tuan Duc Pham,Jongsun Sel,Mun Pyo Hong. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-03-05.

Process for fabricating a 3d-nand flash memory

Номер патента: EP4225977A1. Автор: Frédéric Raynal,Vincent Mevellec,Mikaïlou Thiam,Amine LAKHDARI. Владелец: MacDermid Enthone Inc. Дата публикации: 2023-08-16.

Process for fabricating a 3d-nand flash memory

Номер патента: WO2022074221A1. Автор: Frédéric Raynal,Vincent Mevellec,Mikaïlou Thiam,Amine LAKHDARI. Владелец: Aveni. Дата публикации: 2022-04-14.

Vertical nand flash memory device

Номер патента: US20240215249A1. Автор: Seyun KIM,Sunho Kim,Minhyun LEE,Gukhyon Yon,Seungyeul YANG,Seokhoon CHOI,Kyunghun KIM,Hyungyung KIM,Hoseok HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Vertical nand flash memory device

Номер патента: EP4391761A1. Автор: Seyun KIM,Sunho Kim,Minhyun LEE,Gukhyon Yon,Seungyeul YANG,Seokhoon CHOI,Kyunghun KIM,Hyungyung KIM,Hoseok HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-26.

3-dimensional nand flash memory device, method of fabricating the same, and method of driving the same

Номер патента: US20220384481A1. Автор: Woo Young Choi. Владелец: SOGANG UNIVERSITY RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2022-12-01.

一种容量为8G×8bit的立体封装NAND FLASH存储器

Номер патента: CN203644768U. Автор: 颜军,黄小虎,蒋晓华,叶振荣,王烈洋. Владелец: ZHUHAI ORBITA CONTROL ENGINEERING Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-11.

3-dimensional nand flash memory device, method of fabricating the same, and method of driving the same

Номер патента: US20210288070A1. Автор: Woo Young Choi. Владелец: SOGANG UNIVERSITY RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2021-09-16.

一种容量为4G×8bit的立体封装NAND FLASH存储器

Номер патента: CN203644762U. Автор: 颜军,黄小虎,蒋晓华,叶振荣,王烈洋. Владелец: ZHUHAI ORBITA CONTROL ENGINEERING Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-11.

容量为8G×8bit的立体封装NAND FLASH存储器

Номер патента: CN203644770U. Автор: 颜军,黄小虎,蒋晓华,叶振荣,王烈洋. Владелец: ZHUHAI ORBITA CONTROL ENGINEERING Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-11.

一种优化NAND flash双重曝光关键尺寸的方法

Номер патента: CN110379706. Автор: 何理,黄冠群,巨晓华. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-10-25.

一种容量为16G×8bit的立体封装NAND FLASH存储器

Номер патента: CN203644767U. Автор: 颜军,黄小虎,蒋晓华,叶振荣,王烈洋. Владелец: ZHUHAI ORBITA CONTROL ENGINEERING Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-11.

一种容量为4G×16bit的立体封装NAND FLASH存储器

Номер патента: CN203746837U. Автор: 颜军,黄小虎,蒋晓华,叶振荣,王烈洋. Владелец: ZHUHAI ORBITA CONTROL ENGINEERING Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-30.

3-dimensional NAND flash memory device, method of fabricating the same, and method of driving the same

Номер патента: US11956963B2. Автор: Woo Young Choi. Владелец: SOGANG UNIVERSITY RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2024-04-09.

Method for optimizing double exposure key size of NAND flash

Номер патента: CN110379706B. Автор: 何理,黄冠群,巨晓华. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-08-13.

Method for manufacturing gate of nand flash

Номер патента: US20230170392A1. Автор: Fulong Qiao,Pengkai Xu. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-06-01.

一种封装基板制作方法、NAND Flash封装基板及存储颗粒

Номер патента: CN116721926. Автор: 龚晖,王闻师,赖鼐,胡秋勇. Владелец: Zhuhai Miaocun Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-09-08.

一种封装基板制作方法、NAND Flash封装基板及存储颗粒

Номер патента: CN116721926B. Автор: 龚晖,王闻师,赖鼐,胡秋勇. Владелец: Zhuhai Miaocun Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-07-26.

一种改善NAND flash空气间隙中介质材料残留的方法

Номер патента: CN114999999. Автор: 张磊,陈昊瑜,陈彩云. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-02.

Method for realizing multi-bit data convolution operation of NAND flash memory

Номер патента: CN115660058A. Автор: 汤强. Владелец: Zhixun Innovation Technology Wuxi Co ltd. Дата публикации: 2023-01-31.

Non-contact information medium and read/write device

Номер патента: JPH1125237A. Автор: Yuji Igata,裕司井形,Masahiro Maki,昌弘牧,Michinori Kishimoto,倫典岸本. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1999-01-29.

Nand flash memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090294829A1. Автор: Mutsuo Morikado. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-12-03.

High density flash memory device , cell string fabricating method thereof

Номер патента: US20100038698A1. Автор: Jong-ho Lee. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of KNU. Дата публикации: 2010-02-18.

具有nand flash走线的刚柔结合板及实现方法

Номер патента: CN116406080A. Автор: 梁磊,秦清松. Владелец: Suzhou Inspur Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-07.

具有nand flash走线的刚柔结合板及实现方法

Номер патента: CN116406080. Автор: 梁磊,秦清松. Владелец: Suzhou Inspur Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-07.

具有纠错能力的NAND Flash控制器及控制方法

Номер патента: CN113014269. Автор: 罗梓源,李润峰,虞志益,肖山林,谢清伊,陈靖康,谢继章,古文康. Владелец: Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2021-06-22.

NAND flash memory device having a contact for controlling a well potential

Номер патента: US20090152614A1. Автор: Byung-Jun Hwang,Jae-Kwan Park,Nam-su Lim,Jee-hoon Han,So-wi Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-06-18.

LDPC code decoding method for NAND-Flash storage medium

Номер патента: CN108809330B. Автор: 杨国俊,刘星成. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2020-09-22.

Method of Forming an Integrated Circuit with NAND Flash Array Segments and Intra Array Multiplexers and Corresponding Integrated Circuit with NAND Flash Array Segments and Intra Array Multiplexers

Номер патента: US20090296473A1. Автор: Steffen Meyer. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-12-03.

NAND type flash memory controller, and clock control method therefor

Номер патента: KR100878527B1. Автор: 박향숙. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2009-01-13.

NAND Flash的存储纠错方法、设备及存储介质

Номер патента: CN117724888. Автор: 李晓强,陈斌,聂蒙,吴大畏,陈寄福. Владелец: SHENZHEN SILICONGO MICROELECTRONICS CO Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

NAND Flash的存储纠错方法、设备及存储介质

Номер патента: CN117724888A. Автор: 李晓强,陈斌,聂蒙,吴大畏,陈寄福. Владелец: SHENZHEN SILICONGO MICROELECTRONICS CO Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

一种将小容量nand flash芯片扩展成大容量模块的方法

Номер патента: CN101901116A. Автор: 李伟,梁华勇,邓昕岳. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-01.

基于NAND flash的高可靠性文件系统设计方法

Номер патента: CN115981560. Автор: 王瑞,曹春雨,祁宝刚. Владелец: Beijing Tianyu Yunan Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-04-18.

nand flash掉电测试装置、掉电测试方法及存储介质

Номер патента: CN115954042. Автор: 贺乐,胡鸿源,赖鼐. Владелец: Zhuhai Miaocun Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-04-11.

Nand Flash健康度检测方法、装置和计算机设备

Номер патента: CN116013398A. Автор: 伍旭东,张少壮,朱银波. Владелец: Chengdu Xinyilian Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-25.

Nand Flash健康度检测方法、装置和计算机设备

Номер патента: CN116013398. Автор: 伍旭东,张少壮,朱银波. Владелец: Chengdu Xinyilian Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-25.

nand flash掉电测试装置、掉电测试方法及存储介质

Номер патента: CN115954042A. Автор: 贺乐,胡鸿源,赖鼐. Владелец: Zhuhai Miaocun Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-04-11.

一种Nand Flash参数数据的校验方法和装置

Номер патента: CN118737248A. Автор: 张旭,姚敏,董婷,陈志�,夏渊. Владелец: Accelink Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

一种基于FPGA的高可靠性NAND-Flash控制器及其数据处理方法

Номер патента: CN117891759A. Автор: 殷晓斌,胡易成,解歆钰. Владелец: Sanya Institute Of Oceanography Ocean University Of China. Дата публикации: 2024-04-16.

NAND Flash的数据处理方法、装置、电子设备及存储介质

Номер патента: CN117215480. Автор: 郑鑫. Владелец: Shenzhen Jingcun Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

一种用于NAND Flash随机化的随机序列种子生成方法及其系统

Номер патента: CN115878048. Автор: 龚晖,赖鼐,温佳强. Владелец: Zhuhai Miaocun Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-03-31.

用于NAND Flash主控芯片的Greedy垃圾回收系统

Номер патента: CN109739776. Автор: 杨阳,杨硕,李明洋,王晓璐. Владелец: Tianjin Jinhang Computing Technology Research Institute. Дата публикации: 2019-05-10.

针对NAND Flash主控芯片Greedy垃圾回收的优化方法

Номер патента: CN109710541. Автор: 杨阳,杨硕,李明洋,王晓璐. Владелец: Tianjin Jinhang Computing Technology Research Institute. Дата публикации: 2019-05-03.

NAND Flash的数据处理方法、装置、电子设备及存储介质

Номер патента: CN117215480B. Автор: 郑鑫. Владелец: Shenzhen Jingcun Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Random sequence seed generation method and system for NAND Flash randomization

Номер патента: CN115878048A. Автор: 龚晖,赖鼐,温佳强. Владелец: Zhuhai Miaocun Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-03-31.

Random sequence seed generation method and system for NAND Flash randomization

Номер патента: CN115878048B. Автор: 龚晖,赖鼐,温佳强. Владелец: Zhuhai Miaocun Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-05-12.

NAND Flash的数据处理方法、装置、电子设备及存储介质

Номер патента: CN117215480A. Автор: 郑鑫. Владелец: Shenzhen Jingcun Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

与非型闪存Nand Flash存储管理方法与装置

Номер патента: CN115933990. Автор: 刘硕,高梦杰,黄瑞霞,房骁. Владелец: Weifang Weichai Power Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-07.

TEST MODE CONTROL CIRCUIT IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND TEST MODE ENTERING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002494A1. Автор: Jo Jun-Ho,PARK Kyu-Min,KIM BYOUNGSUL,LEE Hakyong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Reading-writing module for handheld type RFID reading-writing device and reading-writing device

Номер патента: CN203070320U. Автор: 胡建军,魏刚,戴攀,武岳山,万端,田有强. Владелец: Invengo Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2013-07-17.

METHOD AND APPARATUS FOR UTILIZING NAND FLASH IN A MEMORY SYSTEM HIERARCHY

Номер патента: US20130091321A1. Автор: Nishtala Satyanarayana,Monclus Pere. Владелец: CISCO TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-04-11.

Non-destructive read-out ferroelectric memory and preparation method thereof and read/write operation method

Номер патента: CN104637948B. Автор: 江安全,江钧,白子龙. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-11-17.

LED display and the control method thereof of storage and read-write data on module can be realized

Номер патента: CN103996372B. Автор: 周锦志,何志民. Владелец: Shenzhen Municipal Ancient Cooking Vessel Photoelectricity Technology Corp Ltd. Дата публикации: 2016-06-22.

Register circuit realizing grouping addressing and read write control method for register files

Номер патента: CN101930355B. Автор: 赵翠华,张洵颖,裴茹霞,李红桥,肖建青. Владелец: 771 Research Institute of 9th Academy of CASC. Дата публикации: 2013-07-24.

Air conditioner capable of adjusting control parameters intelligently and read-write method thereof

Номер патента: CN102878638A. Автор: 徐林,袁龙,林崐,陈斐,杜帅飞. Владелец: Guangdong Chigo Air Conditioning Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-16.

Anti-fake seal and read-write method thereof

Номер патента: CN101352979A. Автор: 方凌云. Владелец: BEIJING KEFUXING SCIENCE AND TECHNOLOGY CO LTD. Дата публикации: 2009-01-28.

Radio frequency identification tag and read-write method thereof

Номер патента: CN102915459A. Автор: 陈海龙,阎世豪. Владелец: SHANGHAI TD TELECOM TECHNOLOGY DEVELOPMENT Co Ltd. Дата публикации: 2013-02-06.

I2C bus repeater and read-write method thereof

Номер патента: CN102193889A. Автор: 梁俊,郑臻,唐路,鲁金虎. Владелец: Hangzhou National Chip Science & Technology Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-21.

Financial self-service terminal equipment with electronic log storage function and read-write method thereof

Номер патента: CN104574689A. Автор: 江浩然. Владелец: Cashway Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-29.

RFID tag and reading/writing method thereof

Номер патента: CN102915459B. Автор: 陈海龙,阎世豪. Владелец: SHANGHAI TD TELECOM TECHNOLOGY DEVELOPMENT Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-10.

METHOD AND DEVICE FOR STORING AND READING/WRITING COMPOSITE DOCUMENT

Номер патента: US20120272034A1. Автор: CHEN Yi,Deng Libo. Владелец: TENCENT TECHNOLOGY (SHENZHEN) COMPANY LIMITED. Дата публикации: 2012-10-25.

MULTI-INTERFACE MEMORY CARD AND READ/WRITE DEVICE AND SYSTEM THEREOF

Номер патента: US20130262764A1. Автор: Jow En-Min. Владелец: APTOS TECHNOLOGY INC.. Дата публикации: 2013-10-03.

A kind of memory and reading/writing method

Номер патента: CN107039067A. Автор: 陈岚,陈巍巍,龙爽. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-08-11.

A kind of storage system and reading/writing method with secondary cache structure

Номер патента: CN105630700B. Автор: 戴瑾. Владелец: Shanghai Ciyu Information Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-19.

Entrance / exit management method, entrance / exit management system, and read / write device

Номер патента: JP4474147B2. Автор: 秀明高橋,正茂常野. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-06-02.

Programmable logic controller (PLC) output data refresh and read-write and time schedule controller

Номер патента: CN102929590A. Автор: 李克俭,潘绍明,张炜,余玲,黄丽敏,蒋玉新,蔡启仲. Владелец: GUANGXI UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2013-02-13.

A kind of array construction method and read-write system based on verification RAID addition mirror-image structures

Номер патента: CN104714758B. Автор: 曹强,吴思,姚杰,谢长生. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2017-07-07.

Identification system and read / write head

Номер патента: JP2946635B2. Автор: 和徳森川,昭光小形. Владелец: Omron Corp. Дата публикации: 1999-09-06.

Asynchronous index and read-write method of massive files applied to search engine

Номер патента: CN103106233A. Автор: 刘浩,孙松林,陆月明. Владелец: BEIJING UNIVERSITY OF POSTS AND TELECOMMUNICATIONS. Дата публикации: 2013-05-15.

Amusement arcade management system, amusement arcade management method and read/write device and display unit using the method

Номер патента: TW200416582A. Автор: Akihiko Takahashi,Osamu Komori,Hiroyuki Komatsu,Atsuo Tabuchi. Владелец: Toshiba Engineering Co. Дата публикации: 2004-09-01.

MAGNETIC DISK APPARATUS, READ/WRITE CONTROL METHOD, AND CONTROLLER

Номер патента: US20130194689A1. Автор: TAKAI Yoriharu. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-08-01.

READING/WRITING CONTROL METHOD AND SYSTEM FOR NONVOLATILE MEMORY STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120066443A1. Автор: Li Zhixiong,Deng Enhua,Guo Dan. Владелец: SHENZHEN NETCOM ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-03-15.

Disk data read-write control method, related components and front-end shared card

Номер патента: CN115657975B. Автор: 刘清林,李辉,赵帅. Владелец: Inspur Electronic Information Industry Co Ltd . Дата публикации: 2023-03-31.

Magnetic bubble memory device and its read/write control system

Номер патента: JPS5587374A. Автор: Shigeru Takai,Harumi Maekawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1980-07-02.

Read-write control circuit, method and apparatus for two-port RAM

Номер патента: CN101226767B. Автор: 赵宇翔,王小璐. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-09.

Read/write control system

Номер патента: JPS5599629A. Автор: Yuko Hosokawa,Hidemitsu Ninomiya. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1980-07-29.

Read write control circuit of dual-ported memory

Номер патента: CN103730149A. Автор: 杨海钢,秋小强. Владелец: Institute of Electronics of CAS. Дата публикации: 2014-04-16.

Read write controlling system

Номер патента: JPS61262890A. Автор: Susumu Kamimura,上村　進. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1986-11-20.

Ic card read/write controller in mouse pad

Номер патента: KR200259339Y1. Автор: 배동국. Владелец: 배동국. Дата публикации: 2001-12-29.

Intelligent tableware read-write control device

Номер патента: CN210515308U. Автор: 董佳尉. Владелец: HANGZHOU SOVELL TECHNOLOGY DEVELOPMENT Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-12.

File read-write control device, system and method

Номер патента: CN101261588A. Автор: 尹本清. Владелец: Shenzhen Coship Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-10.

Compact flash (CF) card reading-writing control intellectual property (IP) core special for digital signal processor (DSP)

Номер патента: CN102866970A. Автор: 许永辉,张集慧,钱科威. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2013-01-09.

NAND flash memory system storing multi-bit data and read/write control method thereof

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты