一种基于支持向量回归法的NAND Flash位错误率预测方法.

一种基于支持向量回归法的NAND Flash位错误率预测方法

Номер патента: CN109947588A
Опубликовано: 28-06-2019
Автор(ы): 乔立岩, 刘娜, 彭喜元, 陈肖钰, 魏德宝
Принадлежит: Harbin Institute of Technology
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method for controlling nand flash memory to implement convolution operation

Номер патента: US20240193224A1. Автор: Qiang Tang. Владелец: Unim Innovation Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Process for fabricating a 3d-nand flash memory

Номер патента: EP4225977A1. Автор: Frédéric Raynal,Vincent Mevellec,Mikaïlou Thiam,Amine LAKHDARI. Владелец: MacDermid Enthone Inc. Дата публикации: 2023-08-16.

Process for fabricating a 3d-nand flash memory

Номер патента: WO2022074221A1. Автор: Frédéric Raynal,Vincent Mevellec,Mikaïlou Thiam,Amine LAKHDARI. Владелец: Aveni. Дата публикации: 2022-04-14.

Process for Fabricating a 3D-NAND Flash Memory

Номер патента: US20230335496A1. Автор: Frédéric Raynal,Vincent Mevellec,Mikaïlou Thiam,Amine LAKHDARI. Владелец: MacDermid Enthone Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Method for optimizing polar-RNNA quantizer of MLC-type NAND flash memory on basis of deep learning

Номер патента: US11966587B2. Автор: FENG CHEN,Yi Fang,Xu Luo,Zhijian Lin,Pingping CHEN,Zhen Mei,Riqing CHEN. Владелец: FUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-04-23.

Method for optimizing polar-rnna quantizer of mlc-type nand flash memory on basis of deep learning

Номер патента: US20230127404A1. Автор: FENG CHEN,Yi Fang,Xu Luo,Zhijian Lin,Pingping CHEN,Zhen Mei,Riqing CHEN. Владелец: FUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-04-27.

时序控制全数字DLL控制电路、NAND FLash控制器控制方法

Номер патента: CN106374916B. Автор: 杨燕,李卓,李英祥. Владелец: Shenzhen Fuxintong Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-08-18.

Method of Forming an Integrated Circuit with NAND Flash Array Segments and Intra Array Multiplexers and Corresponding Integrated Circuit with NAND Flash Array Segments and Intra Array Multiplexers

Номер патента: US20090296473A1. Автор: Steffen Meyer. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-12-03.

Method for controlling nand flash memory to implement xnor operation

Номер патента: US20240194246A1. Автор: Qiang Tang. Владелец: Unim Innovation Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Nand Flash封装方法及封装装置

Номер патента: CN117042470. Автор: 付文明,弗兰克·陈,石环,熊小明. Владелец: Zhiyu Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-11-10.

Nand Flash封装方法及封装装置

Номер патента: CN117042470A. Автор: 付文明,弗兰克·陈,石环,熊小明. Владелец: Zhiyu Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-11-10.

Nand flash memory array with cut-off gate line and methods for operating and fabricating the same

Номер патента: US20110256680A1. Автор: Byung-gook Park,Seongjae Cho. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY INDUSTRY FOUNDATION. Дата публикации: 2011-10-20.

NAND flash memory having multiple cell substrates

Номер патента: US09583204B2. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Nand flash memory

Номер патента: US20130286734A1. Автор: Chun-Yen Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-10-31.

Vertical NAND flash memory array

Номер патента: US7148538B2. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-12-12.

Operating method of NAND flash memory unit

Номер патента: US9437309B2. Автор: Wei Lin,Yu-Cheng Hsu,Kuo-Yi Cheng. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Split gate NAND flash memory structure and array, method of programming, erasing and reading thereof, and method of manufacturing

Номер патента: US09449693B2. Автор: Yuniarto Widjaja,Feng Gao,Dana Lee,John W. Cooksey,Changyuan Chen,Ya-Fen Lin. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

一种MicroBlaze访问Nand Flash的装置及方法

Номер патента: CN117435530. Автор: 胡志强,陈洲,宫文峰,马雨岚,朱祥路,房海松. Владелец: Hubei Jiuzhiyang Information Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-01-23.

Operating method of nand flash memory unit

Номер патента: US20160078952A1. Автор: Wei Lin,Yu-Cheng Hsu,Kuo-Yi Cheng. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Nand flash memory unit, operating method and reading method

Номер патента: US20140286105A1. Автор: Wei Lin,Yu-Cheng Hsu,Kuo-Yi Cheng. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2014-09-25.

NAND flash memory unit, operating method and reading method

Номер патента: US9245636B2. Автор: Wei Lin,Yu-Cheng Hsu,Kuo-Yi Cheng. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2016-01-26.

NAND flash memory with reduced planar size

Номер патента: US11778819B2. Автор: Riichiro Shirota. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

一种MicroBlaze访问Nand Flash的装置及方法

Номер патента: CN117435530A. Автор: 胡志强,陈洲,宫文峰,马雨岚,朱祥路,房海松. Владелец: Hubei Jiuzhiyang Information Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-01-23.

一种NAND Flash的烧录方法及装置

Номер патента: CN112486506. Автор: 张鹏. Владелец: Embedway Technologies Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-03-12.

一种Nand flash接口工作协议自适应方法、系统、设备及存储介质

Номер патента: CN111414322. Автор: 段小康. Владелец: Jiangsu Xinsheng Intelligent Technology Co ltd. Дата публикации: 2020-07-14.

NAND Flash存储器的寿命预估方法、装置及介质

Номер патента: CN112256462. Автор: 王敏,张闯,任智新. Владелец: Inspur Beijing Electronic Information Industry Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-22.

用于测量ssd单次进入ps4状态时所造成的nand flash写入量的方法

Номер патента: CN110716833. Автор: 罗发治. Владелец: Dongguan Memory Storage Technology Co ltd. Дата публикации: 2020-01-21.

Nand flash operating techniques

Номер патента: US20200118630A1. Автор: Wei-Liang Lin,Yao-Wen Chang,Wen-Jer Tsai,Guan-Wei Wu,Chun-Chang LU. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Vertical nand flash memory device

Номер патента: EP4398286A1. Автор: Sunho Kim,Minhyun LEE,Kwangmin Park,Gukhyon Yon,Seungyeul YANG,Seokhoon CHOI,Kyunghun KIM,Seungdam HYUN,Hyungyung KIM,Hoseok HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-10.

具有nand flash走线的刚柔结合板及实现方法

Номер патента: CN116406080. Автор: 梁磊,秦清松. Владелец: Suzhou Inspur Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-07.

Split gate NAND flash memory structure and array, method of programming, erasing and reading thereof, and method of manufacturing

Номер патента: US8780642B2. Автор: Yuniarto Widjaja,Feng Gao,Dana Lee,John W. Cooksey,Changyuan Chen,Ya-Fen Lin. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-15.

具有nand flash走线的刚柔结合板及实现方法

Номер патента: CN116406080A. Автор: 梁磊,秦清松. Владелец: Suzhou Inspur Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-07.

Nand Flash数据块分类方法、系统和使用方法

Номер патента: CN116185885. Автор: 孙飞. Владелец: Shanghai Yingcun Semiconductor Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-05-30.

Nand Flash数据块分类方法、系统和使用方法

Номер патента: CN116185885A. Автор: 孙飞. Владелец: Shanghai Yingcun Semiconductor Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-05-30.

一种动态的、离散的、碎片化的嵌入式系统nand flash使用方法

Номер патента: WO2023169161A1. Автор: 潘菊平. Владелец: 太仓市同维电子有限公司. Дата публикации: 2023-09-14.

一种加快Nand Flash控制命令执行速度的方法及系统

Номер патента: CN114721978. Автор: 兰健. Владелец: Chengdu Chuxun Science And Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-07-08.

一种基于 Nand flash 芯片的数据擦写方法及系统

Номер патента: WO2023226192A1. Автор: 熊俊,陈辉阳. Владелец: 深圳市芯存科技有限公司. Дата публикации: 2023-11-30.

一种Nand flash接口工作协议自适应方法、系统、设备及存储介质

Номер патента: CN111414322A. Автор: 段小康. Владелец: Jiangsu Xinsheng Intelligent Technology Co ltd. Дата публикации: 2020-07-14.

Service life prediction method, device and medium of NAND Flash memory

Номер патента: CN112256462B. Автор: 王敏,张闯,任智新. Владелец: Inspur Beijing Electronic Information Industry Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-14.

Vertical nand flash memory device

Номер патента: US20240224530A1. Автор: Sunho Kim,Minhyun LEE,Kwangmin Park,Gukhyon Yon,Seungyeul YANG,Seokhoon CHOI,Kyunghun KIM,Seungdam HYUN,Hyungyung KIM,Hoseok HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

一种NAND Flash的烧录方法及装置

Номер патента: CN112486506B. Автор: 张鹏. Владелец: Embedway Technologies Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-02-02.

一种基于极化码和元数据信息的nand flash差错控制方法

Номер патента: CN109358978B. Автор: 郭锐,陈康妮. Владелец: Hangzhou Dianzi University. Дата публикации: 2022-03-25.

一种基于极化码和元数据信息的nand flash差错控制方法

Номер патента: CN109358978. Автор: 郭锐,陈康妮. Владелец: Hangzhou Electronic Science and Technology University. Дата публикации: 2019-02-19.

一种NAND Flash单元数据的读取方法和装置

Номер патента: CN112309476. Автор: 邸士伟. Владелец: Beijing Zhaoyi Innovation Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-02.

一种NAND Flash单元数据的读取方法和装置

Номер патента: CN112309476A. Автор: 邸士伟. Владелец: Beijing Zhaoyi Innovation Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-02.

采用NAND Flash作为存储器时坏块管理的方法

Номер патента: CN112711501. Автор: 刘建华,张令,向跃. Владелец: Hangzhou Nationalchip Science & Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-04-27.

采用NAND Flash作为存储器时坏块管理的方法

Номер патента: CN112711501A. Автор: 刘建华,张令,向跃. Владелец: Hangzhou Nationalchip Science & Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-04-27.

Method for manufacturing gate of nand flash

Номер патента: US20230170392A1. Автор: Fulong Qiao,Pengkai Xu. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-06-01.

Adaptive read recovery for NAND flash memory devices

Номер патента: US12107603B1. Автор: Nedeljko Varnica,Nirmal Shende. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

一种双路8位并口nand flash存储电路

Номер патента: CN115206382A. Автор: 李刚,王小波,张永安,张明,田力,李晶晶,周晓琳,段海龙,崔洁,王文艳,陈羽,赵海滨,侯安贵,陈永鹏. Владелец: Henan Pingyuan Optical & Electronic Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-18.

一种双路8位并口nand flash存储电路

Номер патента: CN115206382. Автор: 李刚,王小波,张永安,张明,田力,李晶晶,周晓琳,段海龙,崔洁,王文艳,陈羽,赵海滨,侯安贵,陈永鹏. Владелец: Henan Pingyuan Optical & Electronic Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-18.

一种加快Nand Flash控制命令执行速度的方法及系统

Номер патента: CN114721978A. Автор: 兰健. Владелец: Chengdu Chuxun Science And Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-07-08.

一种加快Nand Flash控制命令执行速度的方法及系统

Номер патента: CN114721978B. Автор: 兰健. Владелец: Chengdu Chuxun Science And Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-08-25.

NAND Flash的温度获取方法、装置、计算机设备及存储介质

Номер патента: CN111552617. Автор: 冯元元,臧鑫,汪汉国. Владелец: Shenzhen Union Memory Information System Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-18.

Error mitigation for 3d nand flash memory

Номер патента: US20180068726A1. Автор: Seung-Hwan Song,Zvonimir Z. Bandic,Viacheslav Anatolyevich DUBEYKO. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-03-08.

一种nand flash的ecc功能测试方法、系统、设备及存储介质

Номер патента: CN116913359. Автор: 王海程,陈宗廷,朱放中. Владелец: Shenzhen Dawei Chuangxin Microelectronics Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-10-20.

一种nand flash的ecc功能测试方法、系统、设备及存储介质

Номер патента: CN116913359A. Автор: 王海程,陈宗廷,朱放中. Владелец: Shenzhen Dawei Chuangxin Microelectronics Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-10-20.

针对MLC型NAND-Flash的基于变量节点动态分块更新的LDPC码译码方法

Номер патента: CN110098895. Автор: 梁硕,郭婷,刘星成. Владелец: Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2019-08-06.

一种SSD中优化NAND Flash读参考电压的方法

Номер патента: CN111192620. Автор: 刘凯,曹成,王璞. Владелец: Xian Unilc Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-22.

一种基于极化码和元数据信息的nand flash差错控制方法

Номер патента: CN109358978A. Автор: 郭锐,陈康妮. Владелец: Hangzhou Electronic Science and Technology University. Дата публикации: 2019-02-19.

多变量的Nand Flash Ecc变化预测方法、设备及存储介质

Номер патента: CN117594109. Автор: 李晓强,吴大畏,潘治锟. Владелец: SHENZHEN SILICONGO MICROELECTRONICS CO Ltd. Дата публикации: 2024-02-23.

一种SSD中优化NAND Flash读参考电压的方法

Номер патента: CN111192620B. Автор: 刘凯,曹成,王璞. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-08.

一种基于擦除时间判断NAND Flash对浅擦除处理的方法

Номер патента: CN112786097. Автор: 曹成,蒋书斌. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-11.

提高slc nand flash存储器重读效率及准确性的方法

Номер патента: CN116434808. Автор: 胡锦涛. Владелец: Pengti Storage Technology Nanjing Co ltd. Дата публикации: 2023-07-14.

Apparatus for controlling nand flash memory device and method for controlling same

Номер патента: US20240290397A1. Автор: Sang Hoon Shin,Hyoung Ki Nam. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

NAND Flash的温度获取方法、装置、计算机设备及存储介质

Номер патента: CN111552617A. Автор: 冯元元,臧鑫,汪汉国. Владелец: Shenzhen Union Memory Information System Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-18.

一种nand flash坏块管理方法及系统

Номер патента: CN114546292. Автор: 陈世伟,吴�灿,袁结全,詹晋川,罗仁昌. Владелец: Shenzhen Forward Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-27.

一种Nand Flash测试方法、系统及装置

Номер патента: CN111508550A. Автор: 李栋. Владелец: Suzhou Inspur Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-07.

一种Nand Flash测试方法、系统及装置

Номер патента: CN111508550. Автор: 李栋. Владелец: Suzhou Inspur Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-07.

多变量的Nand Flash Ecc变化预测方法、设备及存储介质

Номер патента: CN117594109A. Автор: 李晓强,吴大畏,潘治锟. Владелец: SHENZHEN SILICONGO MICROELECTRONICS CO Ltd. Дата публикации: 2024-02-23.

Method for controlling nand flash memory to complete neural network operation

Номер патента: US20240194249A1. Автор: Qiang Tang. Владелец: Unim Innovation Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

一种统计nand flash busy时间的装置和方法

Номер патента: CN110993012. Автор: 王彬,曹成,朱苏雁. Владелец: Xian Unilc Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-10.

一种nand flash文件数据存取方法、装置及存储介质

Номер патента: CN113495681B. Автор: 郭磊,周东峰,徐石雄. Владелец: Hangzhou Ezviz Network Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

一种nand flash文件数据存取方法、装置及存储介质

Номер патента: CN113495681. Автор: 郭磊,周东峰,徐石雄. Владелец: Hangzhou Ezviz Network Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-12.

一种基于擦除时间判断NAND Flash对浅擦除处理的方法

Номер патента: CN112786097A. Автор: 曹成,蒋书斌. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-11.

一种基于擦除时间判断NAND Flash对浅擦除处理的方法

Номер патента: CN112786097B. Автор: 曹成,蒋书斌. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

闪存Nand Flash的数据写入方法、装置、电子设备及存储介质

Номер патента: CN111813339. Автор: 邓玉良,唐越,朱晓锐,李昂阳,殷中云,郑伟坤. Владелец: Shenzhen State Micro Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-23.

Apparatus for controlling NAND flash memory device and method for controlling same

Номер патента: US12009035B2. Автор: Sang Hoon Shin,Hyoung Ki Nam. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

一种控制擦除操作的方法、装置以及Nand flash存储器

Номер патента: CN111951853. Автор: 张晓伟,马思博. Владелец: Beijing Zhaoyi Innovation Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-17.

一种nand flash坏块管理方法及系统

Номер патента: CN114546292B. Автор: 陈世伟,吴�灿,袁结全,詹晋川,罗仁昌. Владелец: Shenzhen Forward Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-15.

Apparatus for controlling nand flash memory device and method for controlling same

Номер патента: US20220343983A1. Автор: Sang Hoon Shin,Hyoung Ki Nam. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-27.

提高slc nand flash存储器重读效率及准确性的方法

Номер патента: CN116434808A. Автор: 胡锦涛. Владелец: Pengti Storage Technology Nanjing Co ltd. Дата публикации: 2023-07-14.

一种3D NAND Flash

Номер патента: CN110046105. Автор: 霍宗亮,叶甜春,侯旭,高帅,王颀. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2019-07-23.

一种基于FPGA的高可靠性NAND-Flash控制器及其数据处理方法

Номер патента: CN117891759B. Автор: 殷晓斌,胡易成,解歆钰. Владелец: Sanya Institute Of Oceanography Ocean University Of China. Дата публикации: 2024-07-02.

一种基于FPGA的高可靠性NAND-Flash控制器及其数据处理方法

Номер патента: CN117891759. Автор: 殷晓斌,胡易成,解歆钰. Владелец: Sanya Institute Of Oceanography Ocean University Of China. Дата публикации: 2024-04-16.

一种基于并行使用的双片nand flash坏块管理方法

Номер патента: CN113311989. Автор: 杨诚. Владелец: Beijing Ingenic Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-27.

一种nand flash的数据传输方法、装置及电路

Номер патента: CN110164493. Автор: 刘会娟,束庆冉. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2019-08-23.

一种减少nand flash擦写次数的方法及系统

Номер патента: CN111273864. Автор: 刘强,张瑞金,孙志正. Владелец: Jinan Inspur Hi Tech Investment and Development Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-12.

一种统计nand flash busy时间的装置和方法

Номер патента: CN110993012B. Автор: 王彬,曹成,朱苏雁. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-25.

Method and apparatus for data access of nand flash file, and storage medium

Номер патента: US20230168830A1. Автор: Lei Guo,Shixiong XU,Dongfeng ZHOU. Владелец: Hangzhou Ezviz Software Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

一种基于NAND Flash的电能表数据存储管理方法及系统

Номер патента: CN117331494. Автор: 李琦,张扬,魏巍,金锐,舒畅,左勇,吴海,熊剑,许金宇,田丽媛,全巧艳,菅利彬,于添灏. Владелец: Anhui Nanrui Zhongtian Electric Power Electronics Co ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

一种基于NAND Flash的电能表数据存储管理方法及系统

Номер патента: CN117331494A. Автор: 李琦,张扬,魏巍,金锐,舒畅,左勇,吴海,熊剑,许金宇,田丽媛,全巧艳,菅利彬,于添灏. Владелец: Anhui Nanrui Zhongtian Electric Power Electronics Co ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

用于NAND Flash闪存纠错的并行BCH解码方法

Номер патента: CN110908827. Автор: 何全,周津,曾永红. Владелец: Tianjin Jinhang Computing Technology Research Institute. Дата публикации: 2020-03-24.

On-chip copying of data between nand flash memory and reram of a memory die

Номер патента: WO2016004317A1. Автор: Sergey Anatolievich Gorobets,Manuel Antonio d'Abreu,Xinde Hu. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2016-01-07.

3D NAND Flash

Номер патента: CN110046105B. Автор: 霍宗亮,叶甜春,侯旭,高帅,王颀. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2021-10-22.

一种并行双片nand flash中物理擦除块动态关联的方法

Номер патента: CN113391755. Автор: 杨诚. Владелец: Beijing Ingenic Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-14.

NAND flash memory having multiple cell substrates

Номер патента: US09899096B2. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

一种基于并行使用的双片nand flash坏块管理方法

Номер патента: CN113311989B. Автор: 杨诚. Владелец: Beijing Ingenic Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-22.

一种基于支持向量机的nand flash块读写阈值管理方法及装置

Номер патента: CN117149072. Автор: 安阳,赵天石,马淑香,周永旺. Владелец: Shandong Yunhai Guochuang Cloud Computing Equipment Industry Innovation Center Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-01.

自适应的Nand Flash读写速度调整系统

Номер патента: CN110765041. Автор: 李岩,赵斌,仇旭东,刘慧婕. Владелец: Tianjin Jinhang Computing Technology Research Institute. Дата публикации: 2020-02-07.

用于NAND Flash的通用控制模块及方法

Номер патента: CN116679887. Автор: 朱志强,华庆明. Владелец: Hefei Kuixian Integrated Circuit Design Co ltd. Дата публикации: 2023-09-01.

Nand flash数据的掉电保护方法、装置及介质

Номер патента: CN114242125. Автор: 苏界伟. Владелец: Zhuhai Miaocun Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-03-25.

一种减少nand flash擦写次数的方法及系统

Номер патента: CN111273864B. Автор: 刘强,张瑞金,孙志正. Владелец: Shandong Inspur Scientific Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-08.

一种基于支持向量机的nand flash块读写阈值管理方法及装置

Номер патента: CN117149072A. Автор: 安阳,赵天石,马淑香,周永旺. Владелец: Shandong Yunhai Guochuang Cloud Computing Equipment Industry Innovation Center Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-01.

自适应的Nand Flash读写速度调整方法

Номер патента: CN110765042. Автор: 李岩,赵斌,仇旭东,刘慧婕. Владелец: Tianjin Jinhang Computing Technology Research Institute. Дата публикации: 2020-02-07.

基于nand flash的启动版本生成方法、设备及存储介质

Номер патента: CN117539686A. Автор: 王月鹏. Владелец: Anhui Wantong Post And Telecommunications Co ltd. Дата публикации: 2024-02-09.

基于nand flash的启动版本生成方法、设备及存储介质

Номер патента: CN117539686. Автор: 王月鹏. Владелец: Anhui Wantong Post And Telecommunications Co ltd. Дата публикации: 2024-02-09.

NAND Flash坏块内数据重读的方法、电子设备及存储介质

Номер патента: CN113223583A. Автор: 李晓强,吴大畏,罗挺,陈斯煜. Владелец: SHENZHEN SILICONGO MICROELECTRONICS CO Ltd. Дата публикации: 2021-08-06.

NAND Flash坏块内数据重读的方法、电子设备及存储介质

Номер патента: CN113223583. Автор: 李晓强,吴大畏,罗挺,陈斯煜. Владелец: SHENZHEN SILICONGO MICROELECTRONICS CO Ltd. Дата публикации: 2021-08-06.

Nand flash数据的掉电保护方法、装置及介质

Номер патента: CN114242125B. Автор: 苏界伟. Владелец: Zhuhai Miaocun Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-11-08.

一种并行双片nand flash中物理擦除块动态关联的方法

Номер патента: CN113391755B. Автор: 杨诚. Владелец: Beijing Ingenic Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-22.

NAND Flash中块的处理方法、装置、设备、介质

Номер патента: CN117931049. Автор: 陶伟,孔维镇. Владелец: Shanghai Jiangbolong Digital Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-04-26.

Nand flash数据的掉电保护方法、装置及介质

Номер патента: CN114242125A. Автор: 苏界伟. Владелец: Zhuhai Miaocun Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-03-25.

用于NAND Flash的通用控制模块及方法

Номер патента: CN116679887A. Автор: 朱志强,华庆明. Владелец: Hefei Kuixian Integrated Circuit Design Co ltd. Дата публикации: 2023-09-01.

用于NAND Flash的通用控制模块及方法

Номер патента: CN116679887B. Автор: 朱志强,华庆明. Владелец: Hefei Kuixian Integrated Circuit Design Co ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

一种并行双片nand flash中物理擦除块动态关联的方法

Номер патента: CN113391755A. Автор: 杨诚. Владелец: Beijing Ingenic Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-14.

NAND Flash中块的处理方法、装置、设备、介质

Номер патента: CN117931049A. Автор: 陶伟,孔维镇. Владелец: Shanghai Jiangbolong Digital Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-04-26.

Method for programming nand flash memory

Номер патента: US20220084598A1. Автор: Hong Nie,Jingwei CHEN. Владелец: China Flash Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-17.

Vertical nand flash type semiconductor device and method of operating the same

Номер патента: US20240046080A1. Автор: Jong Ho Lee,Jong Won Back. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

一种基于NAND Flash存储芯片的块管理方法

Номер патента: CN116339629. Автор: 刘传富,曾德崇. Владелец: Matrix Data Technology Shanghai Co ltd. Дата публикации: 2023-06-27.

一种基于NAND Flash存储芯片的块管理方法

Номер патента: CN116339629A. Автор: 刘传富,曾德崇. Владелец: Matrix Data Technology Shanghai Co ltd. Дата публикации: 2023-06-27.

NAND Flash坏块内数据重读的方法、电子设备及存储介质

Номер патента: CN113223583B. Автор: 李晓强,吴大畏,罗挺,陈斯煜. Владелец: SHENZHEN SILICONGO MICROELECTRONICS CO Ltd. Дата публикации: 2024-05-17.

一种基于wordline分组优化NAND Flash性能的方法

Номер патента: CN116610264A. Автор: 李瑞东,曹成,蒋书斌. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-18.

一种大容量立体堆叠的Nand Flash芯片

Номер патента: CN114843252. Автор: 顾林,郑利华,江飞,胡德福,黎蕾. Владелец: CETC 58 Research Institute. Дата публикации: 2022-08-02.

一种基于wordline分组优化NAND Flash性能的方法

Номер патента: CN116610264. Автор: 李瑞东,曹成,蒋书斌. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-18.

一种SSD中提升NAND Flash读稳定性的方法

Номер патента: CN112114747. Автор: 刘凯,王璞. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-22.

Method for nand flash memory to complete convolution operation of multi-bit data

Номер патента: US20240194230A1. Автор: Qiang Tang. Владелец: Unim Innovation Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

NAND Flash存储器的坏块管理方法和系统

Номер патента: CN110795044. Автор: 李康养,夏超仁. Владелец: You Hua Telecom Technology Co Ltd Of Shenzhen. Дата публикации: 2020-02-14.

A mobile communication terminal including NAND flash memory and method for booting the same

Номер патента: EP1607834A3. Автор: Hyung-Hoon Samsung Electronics Co. Ltd. Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-04-04.

一种大容量立体堆叠的Nand Flash芯片

Номер патента: CN114843252A. Автор: 顾林,郑利华,江飞,胡德福,黎蕾. Владелец: CETC 58 Research Institute. Дата публикации: 2022-08-02.

一种优化NAND flash双重曝光关键尺寸的方法

Номер патента: CN110379706. Автор: 何理,黄冠群,巨晓华. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-10-25.

Nand flash device

Номер патента: US20240179899A1. Автор: NAKJIN SON,Dongjin Lee,Junhee LIM,Seongsu Kim,Hakseon KIM,Hanmin CHO,Chiwoong HAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-30.

一种SSD中提升NAND Flash读稳定性的方法

Номер патента: CN112114747B. Автор: 刘凯,王璞. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-09.

一种SSD中提升NAND Flash读稳定性的方法

Номер патента: CN112114747A. Автор: 刘凯,王璞. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-22.

NAND Flash存储器的坏块管理方法和系统

Номер патента: CN110795044A. Автор: 李康养,夏超仁. Владелец: You Hua Telecom Technology Co Ltd Of Shenzhen. Дата публикации: 2020-02-14.

Caching data from a mass storage device in a NAND flash device without using atomic metadata writes

Номер патента: GB2469193A. Автор: Sanjeev Trika. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-10-06.

Method for optimizing double exposure key size of NAND flash

Номер патента: CN110379706B. Автор: 何理,黄冠群,巨晓华. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-08-13.

一种容量为8G×8bit的立体封装NAND FLASH存储器

Номер патента: CN203644768U. Автор: 颜军,黄小虎,蒋晓华,叶振荣,王烈洋. Владелец: ZHUHAI ORBITA CONTROL ENGINEERING Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-11.

一种容量为4G×8bit的立体封装NAND FLASH存储器

Номер патента: CN203644762U. Автор: 颜军,黄小虎,蒋晓华,叶振荣,王烈洋. Владелец: ZHUHAI ORBITA CONTROL ENGINEERING Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-11.

Semiconductor process flow for nand flash memory products

Номер патента: EP1145308A1. Автор: Hao Fang,John Jianshi Wang,Masaaki Higashitani,Kent Kuohua Chang,Salvatore F. Cagnina. Владелец: Fujitsu AMD Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2001-10-17.

NAND flash memory and fabrication methods thereof

Номер патента: US09911593B2. Автор: SHILIANG Ji,YIYING Zhang,Erhu ZHENG. Владелец: Seimconductor Manufacturing International (beijing) Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

NAND flash memory and fabrication method thereof

Номер патента: US09741573B2. Автор: Guo Bin Yu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Method of fabricating a charge trap nand flash memory device

Номер патента: US20130087849A1. Автор: Marcello Mariani,Giulio Albini,Paolo Tessariol,Umberto M. Meotto,Paola Bacciaglia. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-04-11.

Vertical NAND flash memory device

Номер патента: US09899406B2. Автор: Kyoung-hoon Kim,HongSoo KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

容量为8G×8bit的立体封装NAND FLASH存储器

Номер патента: CN203644770U. Автор: 颜军,黄小虎,蒋晓华,叶振荣,王烈洋. Владелец: ZHUHAI ORBITA CONTROL ENGINEERING Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-11.

一种容量为4G×16bit的立体封装NAND FLASH存储器

Номер патента: CN203746837U. Автор: 颜军,黄小虎,蒋晓华,叶振荣,王烈洋. Владелец: ZHUHAI ORBITA CONTROL ENGINEERING Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-30.

一种容量为16G×8bit的立体封装NAND FLASH存储器

Номер патента: CN203644767U. Автор: 颜军,黄小虎,蒋晓华,叶振荣,王烈洋. Владелец: ZHUHAI ORBITA CONTROL ENGINEERING Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-11.

Method of fabricating a charge trap NAND flash memory device

Номер патента: US9224873B2. Автор: Marcello Mariani,Giulio Albini,Paolo Tessariol,Umberto M. Meotto,Paola Bacciaglia. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-12-29.

Triple patterning NAND flash memory

Номер патента: US09613806B2. Автор: Tuan Duc Pham,Jongsun Sel,Mun Pyo Hong. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-04.

Method of erasing NAND flash memory device

Номер патента: US20050185471A1. Автор: Keun Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-08-25.

Floating Gate Separation in NAND Flash Memory

Номер патента: US20160336182A1. Автор: Atsushi Shimoda,Takuya Sakurai,Toshiya Yokota. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-11-17.

一种封装基板制作方法、NAND Flash封装基板及存储颗粒

Номер патента: CN116721926B. Автор: 龚晖,王闻师,赖鼐,胡秋勇. Владелец: Zhuhai Miaocun Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-07-26.

一种改善NAND flash空气间隙中介质材料残留的方法

Номер патента: CN114999999. Автор: 张磊,陈昊瑜,陈彩云. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-02.

一种改善NAND flash控制栅极间形貌的方法

Номер патента: CN112530962. Автор: 王奇伟,巨晓华,吴一姗. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-03-19.

Floating gate separation in NAND flash memory

Номер патента: US09595444B2. Автор: Atsushi Shimoda,Takuya Sakurai,Toshiya Yokota. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-03-14.

一种封装基板制作方法、NAND Flash封装基板及存储颗粒

Номер патента: CN116721926. Автор: 龚晖,王闻师,赖鼐,胡秋勇. Владелец: Zhuhai Miaocun Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-09-08.

Processes for nand flash memory fabrication

Номер патента: WO2014042960A2. Автор: Tuan Pham,Jongsun Sel. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2014-03-20.

Triple Patterning NAND Flash Memory with Stepped Mandrel

Номер патента: US20150064907A1. Автор: Tuan Duc Pham,Jongsun Sel,Mun Pyo Hong. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-03-05.

Processes for nand flash memory fabrication

Номер патента: WO2014042960A3. Автор: Tuan Pham,Jongsun Sel. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2014-07-17.

NAND Flash叠层结构栅极制造方法

Номер патента: CN114220814. Автор: 乔夫龙,孙文彦,许鹏凯. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-03-22.

NAND Flash叠层结构栅极制造方法

Номер патента: CN114220814A. Автор: 乔夫龙,孙文彦,许鹏凯. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-03-22.

Method of manufacturing NAND flash memory device

Номер патента: US20070117318A1. Автор: In Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-05-24.

一种改善NAND flash空气间隙中介质材料残留的方法

Номер патента: CN114999999A. Автор: 张磊,陈昊瑜,陈彩云. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-02.

一种改善NAND flash控制栅极间形貌的方法

Номер патента: CN112530962A. Автор: 王奇伟,巨晓华,吴一姗. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-03-19.

NAND Flash的存储纠错方法、设备及存储介质

Номер патента: CN117724888A. Автор: 李晓强,陈斌,聂蒙,吴大畏,陈寄福. Владелец: SHENZHEN SILICONGO MICROELECTRONICS CO Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Method of manufacturing NAND flash memory device

Номер патента: US7727839B2. Автор: Jae Chul Om,Nam Kyeong Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-06-01.

Method of manufacturing NAND flash device

Номер патента: US20050106814A1. Автор: Young Shin. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-05-19.

NAND Flash的存储纠错方法、设备及存储介质

Номер патента: CN117724888. Автор: 李晓强,陈斌,聂蒙,吴大畏,陈寄福. Владелец: SHENZHEN SILICONGO MICROELECTRONICS CO Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

一种封装基板制作方法、NAND Flash封装基板及存储颗粒

Номер патента: CN116721926A. Автор: 龚晖,王闻师,赖鼐,胡秋勇. Владелец: Zhuhai Miaocun Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-09-08.

一种将小容量nand flash芯片扩展成大容量模块的方法

Номер патента: CN101901116A. Автор: 李伟,梁华勇,邓昕岳. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-01.

一种基于SOC通用测试平台的Nand Flash测试方法

Номер патента: CN114220472. Автор: 耿敏敏. Владелец: Shanghai Xianfang Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-22.

NAND flash memory system with programmable connections between a NAND flash memory controller and a plurality of NAND flash memory modules and method thereof

Номер патента: US20080294836A1. Автор: Satoshi Sugawa,Fuja Shone,Ching-Chang Chen,Chuang Cheng,Kai-Hsun Lin. Владелец: Skymedi Corp. Дата публикации: 2008-11-27.

一种nand flash存储芯片坏区检测管理方法

Номер патента: CN114627932. Автор: 吴智慧,胡红伟,邵星明. Владелец: Nanjing Changfeng Space Electronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-14.

一种调整nand flash频率的方法及装置

Номер патента: CN112799980. Автор: 李骊,申红磊. Владелец: Beijing HJIMI Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-14.

Vertical nand flash memory device

Номер патента: US20240215249A1. Автор: Seyun KIM,Sunho Kim,Minhyun LEE,Gukhyon Yon,Seungyeul YANG,Seokhoon CHOI,Kyunghun KIM,Hyungyung KIM,Hoseok HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Vertical nand flash memory device

Номер патента: EP4391761A1. Автор: Seyun KIM,Sunho Kim,Minhyun LEE,Gukhyon Yon,Seungyeul YANG,Seokhoon CHOI,Kyunghun KIM,Hyungyung KIM,Hoseok HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-26.

Method for using nand flash memory sram in solid state drive controller

Номер патента: US20230152999A1. Автор: CHAOHONG HU,Chun Liu,Jea Woong Hyun,Xin LIAO. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-18.

测试Nand-flash坏块的控制方法及控制系统

Номер патента: CN113270136. Автор: 陈月玲,刘宇洋,唐畅,谢启友. Владелец: Hunan Bojiang Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-17.

Dynamic Management of a NAND Flash Memory

Номер патента: US20190228827A1. Автор: Po-Chien Chang,Jia-Jyun Syu,Bo-Shian Hsu. Владелец: Goke US Research Laboratory. Дата публикации: 2019-07-25.

Nand flash memory controller and storage apparatus applying the same

Номер патента: US20200075107A1. Автор: Shih-Fu Huang,Cheng-Yu Chen,Shu-Min Lin,Jo-Hua WU. Владелец: RayMX Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

基于NAND flash的高可靠性文件系统设计方法

Номер патента: CN115981560. Автор: 王瑞,曹春雨,祁宝刚. Владелец: Beijing Tianyu Yunan Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-04-18.

Nand flash storage device and methods using non-nand storage cache

Номер патента: US20180314434A1. Автор: Dana L. Simonson. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-11-01.

一种通用的Nand Flash比特位反转纠错方法

Номер патента: CN111061592. Автор: 张鹏,李�杰,赵波,于俊杰,栾晓娜,马宗峰. Владелец: Shandong Institute of Space Electronic Technology. Дата публикации: 2020-04-24.

nand flash掉电测试装置、掉电测试方法及存储介质

Номер патента: CN115954042. Автор: 贺乐,胡鸿源,赖鼐. Владелец: Zhuhai Miaocun Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-04-11.

基于NAND Flash的存内计算芯片及其控制方法

Номер патента: CN111128279. Автор: 王绍迪. Владелец: Hangzhou Zhicun Intelligent Technology Co ltd. Дата публикации: 2020-05-08.

Nand flash的数据处理方法、装置和一种Nand flash

Номер патента: WO2018166258A1. Автор: 朱细平. Владелец: 深圳市江波龙电子有限公司. Дата публикации: 2018-09-20.

Nand flash的数据处理方法、装置和一种Nand flash

Номер патента: CN107015764A. Автор: 朱细平. Владелец: Shenzhen Netcom Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-04.

NAND Flash数据保护电路

Номер патента: WO2019007112A1. Автор: 郭坚湖. Владелец: 深圳市英蓓特科技有限公司. Дата публикации: 2019-01-10.

Nand Flash的数据纠错方法、装置、电子设备及存储介质

Номер патента: CN111813591. Автор: 邓玉良,苏通,唐越,朱晓锐,陈佩纯,殷中云. Владелец: Shenzhen State Micro Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-23.

NAND Flash颗粒模拟装置、读写方法和系统

Номер патента: CN117497036. Автор: 陆震熙. Владелец: Shenzhen Dapu Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-02.

一种nand flash阵列的掉电处理方法

Номер патента: CN107329912A. Автор: 姜凯,李朋,赵鑫鑫,尹超. Владелец: Jinan Inspur Hi Tech Investment and Development Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Nand Flash健康度检测方法、装置和计算机设备

Номер патента: CN116013398A. Автор: 伍旭东,张少壮,朱银波. Владелец: Chengdu Xinyilian Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-25.

Nand Flash健康度检测方法、装置和计算机设备

Номер патента: CN116013398. Автор: 伍旭东,张少壮,朱银波. Владелец: Chengdu Xinyilian Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-25.

Nand flash存储器的坏块处理方法、电子设备及存储介质

Номер патента: CN114415961. Автор: 段程浩. Владелец: Zhuhai Pantum Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-29.

一种星载NAND Flash存储管理系统

Номер патента: CN112181304. Автор: 王慧泉,金仲和,楼海君,涂实磊. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2021-01-05.

一种基于SOC通用测试平台的Nand Flash测试方法

Номер патента: CN114220472A. Автор: 耿敏敏. Владелец: Shanghai Xianfang Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-22.

一种贴片式SD NAND Flash IC存储器

Номер патента: CN111882018. Автор: 刘纯彬. Владелец: Shenzhen Yiyou Innovation Technology Co ltd. Дата публикации: 2020-11-03.

Manufacture bad block processing method based on NAND flash and NAND flash storage devices

Номер патента: CN108614745A. Автор: 陈诚. Владелец: Beijing Jingcun Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-02.

具有DDR高传输介面的新型SPI-NAND Flash存储芯片及操作方法

Номер патента: CN112395218. Автор: 黄欢,郑文豪,施冠良,刘安伟,朱纯莹. Владелец: Heyangtek Cooperation Ltd. Дата публикации: 2021-02-23.

测试Nand-flash坏块的控制方法及控制系统

Номер патента: CN113270136A. Автор: 陈月玲,刘宇洋,唐畅,谢启友. Владелец: Hunan Bojiang Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-17.

Operating method of memory system including nand flash memory, variable resistance memory and controller

Номер патента: US20160004469A1. Автор: Eun-Jin Yun,BoGeun Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-01-07.

基于FPGA的nand flash接口控制器及读写方法

Номер патента: CN115080471. Автор: 王维,徐克兴,杨永进. Владелец: Dfine Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-20.

一种nand flash存储芯片坏区检测管理方法

Номер патента: CN114627932A. Автор: 吴智慧,胡红伟,邵星明. Владелец: Nanjing Changfeng Space Electronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-14.

基于FPGA的nand flash接口控制器及读写方法

Номер патента: CN115080471A. Автор: 王维,徐克兴,杨永进. Владелец: Dfine Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-20.

一种NAND Flash介质剩余寿命预测的方法、装置、设备及介质

Номер патента: CN114489498. Автор: 周文强,曹琪. Владелец: Suzhou Inspur Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-13.

一种Nand flash元件及其载入控制方法和装置

Номер патента: CN108255540A. Автор: 庄开锋. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2018-07-06.

一种NAND Flash时序测试方法

Номер патента: CN110797076. Автор: 刘琦,韦亚一,董立松. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2020-02-14.

A kind of implementation method of NAND FLASH simulator

Номер патента: CN106681893B. Автор: 罗胜. Владелец: Ramaxel Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-12.

一种降低nand flash控制器功耗的方法

Номер патента: CN104598160A. Автор: 李骥,李宝,金文�,宋蔚皓,胡光东. Владелец: Beijing Aerospace Changzheng Aircraft Institute. Дата публикации: 2015-05-06.

一种Nand flash元件及其载入控制方法和装置

Номер патента: CN108255540B. Автор: 庄开锋. Владелец: Beijing Zhaoyi Innovation Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-05.

一种基于人工智能算法的NAND Flash存储磨损平衡管理方法

Номер патента: CN114489507. Автор: 苏莹莹,李元章. Владелец: Suzhou Hongcunxinjie Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-05-13.

一种调整nand flash频率的方法及装置

Номер патента: CN112799980A. Автор: 李骊,申红磊. Владелец: Beijing HJIMI Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-14.

一种用于加密Nand Flash仿真模型的注错系统及方法

Номер патента: CN115080330. Автор: 沈力,王建利,姚香君,夏丽媛. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-20.

一种面向TLC型NAND Flash的阈值电压获取方法

Номер патента: CN111341375. Автор: 冯骅,彭喜元,乔立岩,魏德宝,陈肖钰. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2020-06-26.

Method and system of high-throughput high-capacity storage appliance with flash translation layer escalation and global optimization on raw nand flash

Номер патента: US20180173434A1. Автор: Shu Li. Владелец: Alibaba Group Holding Ltd. Дата публикации: 2018-06-21.

NAND Flash Memory Device

Номер патента: US20160189788A1. Автор: Hui Chen,Oron Michael,Robin John Jigour. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-30.

NAND flash memory device

Номер патента: US9627082B2. Автор: Hui Chen,Oron Michael,Robin John Jigour. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Method of Operating a NAND Flash Memory Device

Номер патента: US20160189789A1. Автор: Hui Chen,Oron Michael,Robin John Jigour. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-30.

Method of operating a NAND flash memory device

Номер патента: US9620231B2. Автор: Hui Chen,Oron Michael,Robin John Jigour. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Two-terminal memory compatibility with NAND flash memory set features type mechanisms

Номер патента: US09727258B1. Автор: Kuk-Hwan Kim,Hagop Nazarian. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

nand flash掉电测试装置、掉电测试方法及存储介质

Номер патента: CN115954042A. Автор: 贺乐,胡鸿源,赖鼐. Владелец: Zhuhai Miaocun Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-04-11.

一种Nand Flash参数数据的校验方法和装置

Номер патента: CN118737248A. Автор: 张旭,姚敏,董婷,陈志�,夏渊. Владелец: Accelink Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Digital neutron dosimeter based on three dimensional not-and (nand) flash memory

Номер патента: WO2023250394A1. Автор: Mark Samuilovich Akselrod,Vasiliy Vasilyevich Fomenko,Jonathan Mitchell Harrison. Владелец: Landauer, Inc.. Дата публикации: 2023-12-28.

Mobile device capacity detecting method based on Nand Flash

Номер патента: CN105760266A. Автор: 陈伟. Владелец: SHENZHEN CHIPSBANK TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-13.

一种nand flash异常掉电的数据保护方法及装置

Номер патента: CN118260126. Автор: 李良,曾铭毅. Владелец: Zhuhai Eeasy Electronic Tech Co ltd. Дата публикации: 2024-06-28.

一种确保nand flash写均衡的方法

Номер патента: CN114527945. Автор: 潘菊平. Владелец: Taicang T&W Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-24.

一种基于人工智能算法的NAND Flash存储磨损平衡管理方法

Номер патента: CN114489507A. Автор: 苏莹莹,李元章. Владелец: Suzhou Hongcunxinjie Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-05-13.

NAND flash reliability with rank modulation

Номер патента: US09983808B2. Автор: Yue Li,Jehoshua Bruck,Anxiao Jiang,Eyal EN GAD. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2018-05-29.

一种基于Nand Flash写后立即读方法及装置

Номер патента: CN117369728. Автор: 杨文华,李文彬,姜鑫杜. Владелец: Chengdu Xinyilian Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

一种基于Linux的Nand Flash镜像读取与升级的方法、介质及终端

Номер патента: CN115357275. Автор: 罗强,吴志鹏,彭水明,余伟峰,陈超鑫. Владелец: Willfar Information Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-11-18.

Nand flash分组调换方法、装置、设备及介质

Номер патента: CN114968106A. Автор: 徐光明,徐明揆,虞安华. Владелец: Xtx Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-30.

一种通用的Nand Flash比特位反转纠错方法

Номер патента: CN111061592B. Автор: 张鹏,李�杰,赵波,于俊杰,栾晓娜,马宗峰. Владелец: Shandong Institute of Space Electronic Technology. Дата публикации: 2023-10-20.

基于nand flash的文件数据存取方法、装置、设备及存储介质

Номер патента: CN115359825. Автор: 王心侠,林杯淋. Владелец: Huierfeng Information System Co ltd. Дата публикации: 2022-11-18.

闪存Nand Flash的动态测试方法、装置、电子设备及存储介质

Номер патента: CN111816240. Автор: 杨彬,邓玉良,方晓伟,朱晓锐,殷中云,庄伟坚. Владелец: Shenzhen State Micro Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-23.

Digital Neutron Dosimeter Based On 3D NAND Flash Memory

Номер патента: US20230408715A1. Автор: Mark Samuilovich Akselrod,Vasiliy Vasilyevich Fomenko,Jonathan Mitchell Harrison. Владелец: Landauer Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

一种Nand flash元件

Номер патента: CN108345429B. Автор: 庄开锋. Владелец: Beijing Zhaoyi Innovation Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-31.

一种Nand flash元件

Номер патента: CN108345429A. Автор: 庄开锋. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2018-07-31.

一种基于Nand Flash写后立即读方法及装置

Номер патента: CN117369728A. Автор: 杨文华,李文彬,姜鑫杜. Владелец: Chengdu Xinyilian Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Nand flash分组调换方法、装置、设备及介质

Номер патента: CN114968106B. Автор: 徐光明,徐明揆,虞安华. Владелец: Xtx Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-05.

Interface protocols between memory controller and nand flash memory for cache programming

Номер патента: US20240161840A1. Автор: Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

一种提高 nand flash 可靠性的方法及装置

Номер патента: WO2018040969A1. Автор: 吴旋. Владелец: 福建联迪商用设备有限公司. Дата публикации: 2018-03-08.

Nand flash分组调换方法、装置、设备及介质

Номер патента: CN114968106. Автор: 徐光明,徐明揆,虞安华. Владелец: Xtx Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-30.

数据存储管理方法、NAND Flash控制器及计算机存储介质

Номер патента: CN113094295. Автор: 谢长华,余恒昌. Владелец: Chipsbank Technologies Shenzhen Co ltd. Дата публикации: 2021-07-09.

一种Nand Flash中干扰页的检测方法、系统

Номер патента: CN110750467. Автор: 何宁波. Владелец: SHENZHEN CHIPSBANK TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-04.

Memory computing chip based on NAND Flash and control method thereof

Номер патента: CN111128279A. Автор: 王绍迪. Владелец: Hangzhou Zhicun Intelligent Technology Co ltd. Дата публикации: 2020-05-08.

Nand Flash的数据纠错方法、装置、电子设备及存储介质

Номер патента: CN111813591B. Автор: 邓玉良,苏通,唐越,朱晓锐,陈佩纯,殷中云. Владелец: STMicroelectronics Shenzhen R&D Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-29.

一种Nand Flash颗粒功耗测试系统及方法

Номер патента: CN114121137A. Автор: 李栋. Владелец: Suzhou Inspur Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-01.

一种nand flash异常掉电的数据保护方法及装置

Номер патента: CN118260126A. Автор: 李良,曾铭毅. Владелец: Zhuhai Eeasy Electronic Tech Co ltd. Дата публикации: 2024-06-28.

一种基于FPGA的高可靠性NAND-Flash控制器及其数据处理方法

Номер патента: CN117891759A. Автор: 殷晓斌,胡易成,解歆钰. Владелец: Sanya Institute Of Oceanography Ocean University Of China. Дата публикации: 2024-04-16.

一种NAND Flash PHY

Номер патента: CN110399319. Автор: 杨波,马勇,唐先芝,谷卫青,吴楚怀,何觉,陈帮红. Владелец: Yaoyun Technology (xi'an) Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-01.

一种Nand Flash颗粒功耗测试系统及方法

Номер патента: CN114121137. Автор: 李栋. Владелец: Suzhou Inspur Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-01.

A kind of block message mark implementation method of NAND FLASH chips

Номер патента: CN107247563A. Автор: 姜凯,李朋,赵鑫鑫,尹超. Владелец: Jinan Inspur Hi Tech Investment and Development Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-13.

A kind of Nand flash data calibration method and system

Номер патента: CN106528323B. Автор: 杨涛. Владелец: Zhengzhou Yunhai Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-30.

Nand flash存储器的坏块处理方法、电子设备及存储介质

Номер патента: CN114415961B. Автор: 段程浩. Владелец: Zhuhai Pantum Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-27.

一种nand flash阵列的掉电处理方法

Номер патента: CN107329912B. Автор: 姜凯,李朋,赵鑫鑫,尹超. Владелец: Inspur Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-26.

NAND Flash颗粒模拟装置、读写方法和系统

Номер патента: CN117497036A. Автор: 陆震熙. Владелец: Shenzhen Dapu Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-02.

Error Checking and Correction for NAND Flash Devices

Номер патента: US20160283324A1. Автор: Jente B. Kuang,Gi-Joon Nam,Shawn P. Authement. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-29.

一种实现nand flash电流测试的系统及方法

Номер патента: CN117558333. Автор: 徐晖,王嵩,刘晓健,秦东润,康雷. Владелец: Beijing Dera Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

具有DDR高传输介面的SPI-NAND Flash存储芯片及操作方法

Номер патента: CN112395218B. Автор: 黄欢,郑文豪,施冠良,刘安伟,朱纯莹. Владелец: Nanjing Heyangtek Co ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

具有DDR高传输介面的新型SPI-NAND Flash存储芯片及操作方法

Номер патента: CN112395218A. Автор: 黄欢,郑文豪,施冠良,刘安伟,朱纯莹. Владелец: Heyangtek Cooperation Ltd. Дата публикации: 2021-02-23.

Systems and methods of implementing a calibration wordline to compensate for voltage threshold shift in nand flash memory

Номер патента: US20220115074A1. Автор: Chai Im Teoh,Lip Vui Kan. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2022-04-14.

Method and apparatus for reducing data program completion overhead in NAND flash

Номер патента: US09852065B1. Автор: Violante Moschiano,Pranav Kalavade,Shantanu R. Rajwade,Andrea D'Alessandro. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Hierarchical common source line structure in nand flash memory

Номер патента: WO2009079783A1. Автор: Hong Beom Pyeon,Jin-Ki Kim. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2009-07-02.

Method and apparatus to reduce memory in a nand flash device to store page related information

Номер патента: WO2024167516A1. Автор: Aliasgar S. Madraswala,Pratyush CHANDRAPATI,Naveen Prabhu VITTAL PRABHU,Shanmathi MOOKIAH. Владелец: Intel NDTM US LLC. Дата публикации: 2024-08-15.

Nand Flash芯片数据存储方法及装置

Номер патента: CN117331491. Автор: 秦燕婷. Владелец: CICT Mobile Communication Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

一种提高nand-flash存储可靠性的fpga控制方法

Номер патента: CN111596860. Автор: 刘春香,司国良,石俊霞,袁航飞,宁永慧. Владелец: Changchun Institute of Optics Fine Mechanics and Physics of CAS. Дата публикации: 2020-08-28.

Nand Flash页面数据纠错方法及系统

Номер патента: CN115019870. Автор: 孙飞,陶俊. Владелец: Shanghai Yingcun Semiconductor Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-09-06.

Method, device, equipment and medium for predicting residual life of NAND Flash medium

Номер патента: CN114489498A. Автор: 周文强,曹琪. Владелец: Suzhou Inspur Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-13.

应用于spi nand flash芯片的功能测试方法和spi测试平台

Номер патента: CN115061865. Автор: 郑文豪. Владелец: Nanjing Heyangtek Co ltd. Дата публикации: 2022-09-16.

应用于spi nand flash芯片的功能测试方法和spi测试平台

Номер патента: CN115061865A. Автор: 郑文豪. Владелец: Nanjing Heyangtek Co ltd. Дата публикации: 2022-09-16.

Nand Flash Phy参数配置方法和装置

Номер патента: CN109686394. Автор: 冯元元,马越,周晨杰. Владелец: Shenzhen Union Memory Information System Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-26.

Method and apparatus to reduce memory in a nand flash device to store page related information

Номер патента: US20230185453A1. Автор: Aliasgar S. Madraswala,Pratyush CHANDRAPATI,Naveen Prabhu VITTAL PRABHU,Shanmathi MOOKIAH. Владелец: Intel NDTM US LLC. Дата публикации: 2023-06-15.

一种提高nand-flash存储可靠性的fpga控制方法

Номер патента: CN111596860A. Автор: 刘春香,司国良,石俊霞,袁航飞,宁永慧. Владелец: Changchun Institute of Optics Fine Mechanics and Physics of CAS. Дата публикации: 2020-08-28.

用于访问集成NAND Flash的控制电路和控制方法

Номер патента: CN118245408. Автор: 何亚军,黄芸佳. Владелец: Hefei Kuixian Integrated Circuit Design Co ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

一种NAND Flash读DQS采样方法

Номер патента: CN114528239. Автор: 李瑞东,刘奇浩,王运哲,李绪金. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-24.

一种NAND Flash读DQS采样方法

Номер патента: CN114528239B. Автор: 李瑞东,刘奇浩,王运哲,李绪金. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-18.

一种SSD中处理NAND Flash读干扰的方法

Номер патента: CN111797033. Автор: 刘凯,吴斌,王璞. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-20.

一种nand flash垃圾回收动态优化方法

Номер патента: CN111026673. Автор: 刘婷婷,王闯,刘硕,贺莹. Владелец: Xian Aeronautics Computing Technique Research Institute of AVIC. Дата публикации: 2020-04-17.

一种nand flash的坏块处理方法

Номер патента: CN110597458. Автор: 郑继清. Владелец: Wuhu Hongjing Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-20.

一种基于Matlab的Nand Flash测试系统及方法

Номер патента: CN108109670A. Автор: 魏超,刘升. Владелец: Xi'an Qiwei Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-01.

具有纠错能力的NAND Flash控制器及控制方法

Номер патента: CN113014269. Автор: 罗梓源,李润峰,虞志益,肖山林,谢清伊,陈靖康,谢继章,古文康. Владелец: Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2021-06-22.

一种基于NAND Flash的SOC启动方法

Номер патента: CN105117652A. Автор: 王勇,肖佐楠,郑茳. Владелец: TIANJIN TIANXIN TECHNOLOGY CO LTD. Дата публикации: 2015-12-02.

用于访问集成NAND Flash的控制电路和控制方法

Номер патента: CN118245408A. Автор: 何亚军,黄芸佳. Владелец: Hefei Kuixian Integrated Circuit Design Co ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

一种基于NAND Flash的前照灯数据存储方法

Номер патента: CN117331508. Автор: 唐金腾,贾强强,孙加勇,朱润辰. Владелец: Changzhou Xingyu Automotive Lighting Systems Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

一种基于NAND Flash的前照灯数据存储方法

Номер патента: CN117331508A. Автор: 唐金腾,贾强强,孙加勇,朱润辰. Владелец: Changzhou Xingyu Automotive Lighting Systems Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

车载终端NAND Flash的存储管理方法和系统、车载终端、车辆

Номер патента: CN113377296. Автор: 钱志,周卫,刘迎午. Владелец: Shenzhen Yuwei Information & Technology Development Co ltd. Дата публикации: 2021-09-10.

基于nand flash存储器的校验方法、终端设备及存储介质

Номер патента: CN109542668. Автор: 董时舫. Владелец: PAX Computer Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-29.

Method of characterizing errors in nand flash memory, and error estimation method and storage system control method using the same

Номер патента: US20230297471A1. Автор: Do Hee KIM,Ha Young LIM,Ji Yoon JUNG,Sung Gil Hong. Владелец: Fadu Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Nand Flash坏块检测方法及装置、存储介质、终端、烧录器

Номер патента: CN112382330. Автор: 陈文超. Владелец: Spreadtrum Xiamen Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-02-19.

一种nand flash的数据源区块回收方法及固态硬盘

Номер патента: CN108509349A. Автор: 林昱纬,吕绍宏. Владелец: Li Ding Technology (shenzhen) Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-07.

一种基于Nand Flash AIPR的命令预处理方法

Номер патента: CN115407944. Автор: 沈力,安阳,马淑香,周永旺. Владелец: Shandong Yunhai Guochuang Cloud Computing Equipment Industry Innovation Center Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-29.

一种用于加密Nand Flash仿真模型的注错系统及方法

Номер патента: CN115080330A. Автор: 沈力,王建利,姚香君,夏丽媛. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-20.

一种nand flash芯片读写寿命的快速测试方法

Номер патента: CN112466387. Автор: 刘洋,申珅,范源泉. Владелец: Wuhan Zhongyuan Electronic Information Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-09.

NAND Flash的数据处理方法、装置、电子设备及存储介质

Номер патента: CN117215480. Автор: 郑鑫. Владелец: Shenzhen Jingcun Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

一种用于NAND Flash随机化的随机序列种子生成方法及其系统

Номер патента: CN115878048. Автор: 龚晖,赖鼐,温佳强. Владелец: Zhuhai Miaocun Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-03-31.

针对NAND Flash主控芯片Greedy垃圾回收的优化方法

Номер патента: CN109710541. Автор: 杨阳,杨硕,李明洋,王晓璐. Владелец: Tianjin Jinhang Computing Technology Research Institute. Дата публикации: 2019-05-03.

用于访问集成NAND Flash的控制电路和控制方法

Номер патента: CN118245408B. Автор: 何亚军,黄芸佳. Владелец: Hefei Kuixian Integrated Circuit Design Co ltd. Дата публикации: 2024-08-09.

3D NAND Flash存储器的测试算法及其装置

Номер патента: CN111653305. Автор: 刘飞,霍宗亮,王颀,张桔萍. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2020-09-11.

用于NAND Flash主控芯片的Greedy垃圾回收系统

Номер патента: CN109739776. Автор: 杨阳,杨硕,李明洋,王晓璐. Владелец: Tianjin Jinhang Computing Technology Research Institute. Дата публикации: 2019-05-10.

Hardware acceleration method and device for automatic read retry based on NAND flash memory controller

Номер патента: CN109582228B. Автор: 汤晓东,余桉. Владелец: Shenzhen Union Memory Information System Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-01.

一种基于Nand Flash AIPR的命令预处理方法

Номер патента: CN115407944A. Автор: 沈力,安阳,马淑香,周永旺. Владелец: Shandong Yunhai Guochuang Cloud Computing Equipment Industry Innovation Center Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-29.

一种NAND Flash芯片的掉电保护电路、方法及固态硬盘

Номер патента: CN108389596A. Автор: 刘青,林世清,周成亮. Владелец: Beijing Purple Light Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-10.

NAND Flash的数据处理方法、装置、电子设备及存储介质

Номер патента: CN117215480B. Автор: 郑鑫. Владелец: Shenzhen Jingcun Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Nand Flash controller and Nand Flash control method

Номер патента: CN106528465A. Автор: 宋相培. Владелец: Zhengzhou Yunhai Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-22.

nand flash设备管理的方法和系统

Номер патента: CN106354486A. Автор: 李良. Владелец: Allwinner Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-25.

Interface protocols between memory controller and nand flash memory for cache programming

Номер патента: WO2024103238A1. Автор: Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-23.

A kind of Nand Flash abrasion equilibrium methods, device and memory

Номер патента: CN106775474A. Автор: 郑静,王杰华,刘冬好. Владелец: Zhengzhou Yunhai Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-31.

一种确保nand flash写均衡的方法

Номер патента: CN114527945A. Автор: 潘菊平. Владелец: Taicang T&W Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-24.

Accelerator system for training deep neural network model using nand flash memory and operating method thereof

Номер патента: US20230259747A1. Автор: Yunho Jin,Jae W. Lee,Jong Hyun BAE,Tae Jun Ham,Gin A Sohn. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2023-08-17.

一种NAND Flash芯片的掉电保护电路、方法及固态硬盘

Номер патента: CN108389596B. Автор: 刘青,林世清,周成亮. Владелец: Beijing Dera Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-22.

Nand Flash wear leveling method and device and memory

Номер патента: CN106775474B. Автор: 郑静,王杰华,刘冬好. Владелец: Suzhou Wave Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-10.

一种基于Linux的Nand Flash镜像读取与升级的方法、介质及终端

Номер патента: CN115357275A. Автор: 罗强,吴志鹏,彭水明,余伟峰,陈超鑫. Владелец: Willfar Information Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-11-18.

The calculation method and system of NAND FLASH service life

Номер патента: CN106951701B. Автор: 赵世伟,宋荆汉. Владелец: Allwinner Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-05.

Threshold voltage obtaining method for TLC type NAND Flash

Номер патента: CN111341375B. Автор: 冯骅,彭喜元,乔立岩,魏德宝,陈肖钰. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2020-12-01.

Nand flash存储器的数字验证方法及系统

Номер патента: CN114242153. Автор: 田淼. Владелец: IPGoal Microelectronics Sichuan Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-25.

一种nand flash类芯片测试系统

Номер патента: CN109448776. Автор: 赵俊,范旭阳,姜胜林,张薄军,罗朝凤. Владелец: Shenzhen Kingcos Automation Robot Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-08.

Pointer type logical address mapping table implementation method for Nand Flash

Номер патента: CN107291625B. Автор: 姜凯,李朋,赵鑫鑫,尹超. Владелец: Jinan Inspur Hi Tech Investment and Development Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-09.

数据存储管理方法、NAND Flash控制器及计算机存储介质

Номер патента: CN113094295A. Автор: 谢长华,余恒昌. Владелец: Chipsbank Technologies Shenzhen Co ltd. Дата публикации: 2021-07-09.

Nand Flash地址映射管理方法、管理系统、终端设备及介质

Номер патента: CN117149668A. Автор: 杨硕,贺东旭,白雅玲. Владелец: Tianjin Jinhang Computing Technology Research Institute. Дата публикации: 2023-12-01.

固态硬盘的Nand Flash测试方法、装置及固态硬盘

Номер патента: CN118098326. Автор: 陈力,薛红军,刘婧天,秘慧洁. Владелец: Beijing Dera Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

固态硬盘的Nand Flash测试方法、装置及固态硬盘

Номер патента: CN118098326A. Автор: 陈力,薛红军,刘婧天,秘慧洁. Владелец: Beijing Dera Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Method and system for detecting interference page in Nand Flash

Номер патента: CN110750467B. Автор: 何宁波. Владелец: Chipsbank Technologies Shenzhen Co ltd. Дата публикации: 2021-11-02.

Nand Flash地址映射管理方法、管理系统、终端设备及介质

Номер патента: CN117149668. Автор: 杨硕,贺东旭,白雅玲. Владелец: Tianjin Jinhang Computing Technology Research Institute. Дата публикации: 2023-12-01.

基于nand flash的实时嵌入式系统及其启动方法

Номер патента: CN111190648. Автор: 黄峰,李婷,宋凯林,赵葵银. Владелец: Hunan Institute of Engineering. Дата публикации: 2020-05-22.

一种NAND Flash存储器读阈值电压修复方法

Номер патента: CN110706735. Автор: 刘琦,韦亚一,董立松. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2020-01-17.

Nand flash memory and method for managing data thereof

Номер патента: US20110099435A1. Автор: Kai-Ping Wu. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-28.

基于nand flash存储器的校验方法、终端设备及存储介质

Номер патента: CN110277131. Автор: 董时舫. Владелец: PAX Computer Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-24.

A kind of Nand Flash controller and method

Номер патента: CN106528465B. Автор: 宋相培. Владелец: Zhengzhou Yunhai Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-02.

基于nand flash的文件数据存取方法、装置、设备及存储介质

Номер патента: CN115359825A. Автор: 王心侠,林杯淋. Владелец: Huierfeng Information System Co ltd. Дата публикации: 2022-11-18.

Control method for nand flash memory to complete xnor operation

Номер патента: US20240194271A1. Автор: Qiang Tang. Владелец: Unim Innovation Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Dual edge access nand flash memory

Номер патента: WO2008093947A1. Автор: Un Sik Seo. Владелец: Mgine Co., Ltd.. Дата публикации: 2008-08-07.

Nand flash的cg分组方法和cg分组装置

Номер патента: CN108053857A. Автор: 胡旭,苏志强,程莹,李建新,刘会娟. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2018-05-18.

一种3D NAND Flash减小数据保留错误的编程方法

Номер патента: CN114765043. Автор: 杨洋,沙金,邓上鹏. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-07-19.

Nand-flash page位翻转控制方法及控制模块

Номер патента: CN111737042. Автор: 王磊,张亚兵,吴纪铎. Владелец: DIAS Automotive Electronic Systems Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-02.

基于nand flash存储器的纠错方法及装置

Номер патента: CN110750381. Автор: 董时舫. Владелец: PAX Computer Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-04.

Method and apparatus for protecting lower page data during programming in NAND flash

Номер патента: US09703494B1. Автор: Pranav Kalavade,Shantanu R. Rajwade. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

一种Nand Flash颗粒功耗测试系统及方法

Номер патента: CN114121137B. Автор: 李栋. Владелец: Suzhou Inspur Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-10.

一种Nand flash元件及其低格控制方法和装置

Номер патента: CN108231124A. Автор: 庄开锋. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2018-06-29.

Nand flash memory and method for destroying information from the nand flash memory

Номер патента: US20190206496A1. Автор: Minyi Chen. Владелец: Shine Bright Technology Ltd. Дата публикации: 2019-07-04.

一种3D NAND Flash减小数据保留错误的编程方法

Номер патента: CN114765043A. Автор: 杨洋,沙金,邓上鹏. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-07-19.

Nand Flash页面数据纠错方法及系统

Номер патента: CN115019870A. Автор: 孙飞,陶俊. Владелец: Shanghai Yingcun Semiconductor Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-09-06.

Serial NAND flash with XIP capability

Номер патента: US12086615B2. Автор: Chun-Lien Su. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Method, device and operating system for processing and using burn data of NAND flash

Номер патента: US09524212B2. Автор: Tao Zhou. Владелец: MStar Semiconductor Inc Taiwan. Дата публикации: 2016-12-20.

一种提高nand flash可靠性的方法及装置

Номер патента: CN106409321A. Автор: 吴旋. Владелец: Fujian Landi Commercial Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-15.

Jump page cache read method in nand flash memory and nand flash memory

Номер патента: US20190220226A1. Автор: Minyi Chen. Владелец: Shine Bright Technology Ltd. Дата публикации: 2019-07-18.

Spi Nand flash坏块管理方法和系统

Номер патента: CN116383097. Автор: 张波,黄柱光. Владелец: Shenzhen Xincun Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-07-04.

Nand Flash Phy method for parameter configuration and device

Номер патента: CN109686394A. Автор: 冯元元,马越,周晨杰. Владелец: Shenzhen Union Memory Information System Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-26.

一种nand flash垃圾回收动态优化方法

Номер патента: CN111026673A. Автор: 刘婷婷,王闯,刘硕,贺莹. Владелец: Xian Aeronautics Computing Technique Research Institute of AVIC. Дата публикации: 2020-04-17.

Nand Flash芯片数据存储方法及装置

Номер патента: CN117331491A. Автор: 秦燕婷. Владелец: CICT Mobile Communication Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

面向FPGA平台的NAND Flash BCH纠检错模块

Номер патента: CN117349077. Автор: 李欣,王丹,许志宏,刘伟伟,蒋帅,刘戈,郭佳鑫,田苗苗,禹霁阳,汪路元,于敏芳. Владелец: Beijing Institute of Spacecraft System Engineering. Дата публикации: 2024-01-05.

与非型闪存Nand Flash存储管理方法及装置

Номер патента: CN112486854. Автор: 刘晓波,许晓梦,韩国梁. Владелец: Weichai Power Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-12.

Nand Flash Phy parameter configuration method and device

Номер патента: CN109686394B. Автор: 冯元元,马越,周晨杰. Владелец: Shenzhen Union Memory Information System Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-01.

一种实现nand flash电流测试的系统及方法

Номер патента: CN117558333A. Автор: 徐晖,王嵩,刘晓健,秦东润,康雷. Владелец: Beijing Dera Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Nand Flash坏块检测方法及装置、存储介质、终端、烧录器

Номер патента: CN112382330B. Автор: 陈文超. Владелец: Xiamen Ziguang Zhanrui Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-09-09.

一种NAND Flash的操作检测方法

Номер патента: CN110473583. Автор: 刘凯. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-19.

NAND flash memory and reading method thereof

Номер патента: US09564236B2. Автор: Katsutoshi Suito. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

NAND Flash storage reliability evaluation method

Номер патента: CN107817954B. Автор: 乔立岩,魏德宝,郝梦琪,李绪金. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2020-07-24.

一种SSD中处理NAND Flash读干扰的方法

Номер патента: CN111797033A. Автор: 刘凯,吴斌,王璞. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-20.

一种基于DQS恢复时钟的多Die封装Nand Flash的读数据方法

Номер патента: CN118151846. Автор: 陈健,张俊杰,李迎春,宋英雄,曹炳尧,张倩武,谭家乐. Владелец: UNIVERSITY OF SHANGHAI FOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-06-07.

一种基于NAND Flash的星载固存高可靠数据存取方法

Номер патента: CN115357185. Автор: 王鹏,肖化超,师勇,王元乐,袁素春,璩泽旭,方火能,丁跃利. Владелец: Xian Institute of Space Radio Technology. Дата публикации: 2022-11-18.

nand flash重读定位方法

Номер патента: CN113672178. Автор: 贺乐. Владелец: Zhuhai Miaocun Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-11-19.

一种确保nand flash中序列号和mac地址存储正确的方法

Номер патента: CN113311988. Автор: 王崇吉. Владелец: Beijing Ingenic Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-27.

一种nand flash垃圾回收均衡优化方法

Номер патента: CN111090595. Автор: 张锐,刘婷婷,王闯,贺莹,邓豹. Владелец: Xian Aeronautics Computing Technique Research Institute of AVIC. Дата публикации: 2020-05-01.

提升3D NAND Flash性能的方法

Номер патента: CN109669638. Автор: 汤仁君,肖孟,李皓智,谢汇,管冬生. Владелец: Hefei Core Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-23.

一种NAND Flash控制器接口电路及闪存系统

Номер патента: CN112925483B. Автор: 刘飞,霍宗亮,叶甜春,曹小天. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-11-08.

NAND flash数据损坏后的恢复方法、装置、计算机设备及存储介质

Номер патента: CN118193294. Автор: 张帆,刘浪,陈文伟. Владелец: Qianxun Si Network Zhejiang Co ltd. Дата публикации: 2024-06-14.

一种用于Nand Flash控制器仿真验证中避免读空页的方法与系统

Номер патента: CN115543206. Автор: 李瑞东,沈力,姚香君,夏丽煖. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-30.

面向FPGA平台的NAND Flash BCH纠检错模块

Номер патента: CN117349077A. Автор: 李欣,王丹,许志宏,刘伟伟,蒋帅,刘戈,郭佳鑫,田苗苗,禹霁阳,汪路元,于敏芳. Владелец: Beijing Institute of Spacecraft System Engineering. Дата публикации: 2024-01-05.

一种NAND Flash控制器接口电路及闪存系统

Номер патента: CN112925483. Автор: 刘飞,霍宗亮,叶甜春,曹小天. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2021-06-08.

一种NAND Flash控制器接口电路及闪存系统

Номер патента: CN112925483A. Автор: 刘飞,霍宗亮,叶甜春,曹小天. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2021-06-08.

基于3d nand flash存储阵列的tcam及其操作方法

Номер патента: CN115273924. Автор: 黄鹏,康晋锋,刘晓彦,刘力锋,项亚臣,韩润泽,杨昊璋. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-11-01.

一种基于nand flash的序列号和mac地址储存方法

Номер патента: CN113312273. Автор: 王崇吉. Владелец: Beijing Ingenic Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-27.

一种基于自恢复效应的NAND Flash存储可靠性优化方法

Номер патента: CN109582224. Автор: 冯骅,彭喜元,乔立岩,魏德宝,郝梦琪. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2019-04-05.

Eliminating garbage collection in nand flash devices

Номер патента: US09891833B2. Автор: Jongman Yoon,Sushma Devendrappa,Xiangyong Ouyang. Владелец: Honeycombdata Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Nand Flash坏块检测方法及装置、存储介质、终端、烧录器

Номер патента: CN112382330A. Автор: 陈文超. Владелец: Spreadtrum Xiamen Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-02-19.

LDPC code decoding method for NAND-Flash storage medium

Номер патента: CN108809330B. Автор: 杨国俊,刘星成. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2020-09-22.

Random sequence seed generation method and system for NAND Flash randomization

Номер патента: CN115878048A. Автор: 龚晖,赖鼐,温佳强. Владелец: Zhuhai Miaocun Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-03-31.

System and method of protecting metadata from nand flash failures

Номер патента: WO2012177515A3. Автор: Douglas Alan Prins,Paul Roger Stonelake,Anand Krishnamurthi Kulkarni. Владелец: SanDisk Enterprise IP LLC. Дата публикации: 2013-06-27.

一种用于Nand Flash控制器仿真验证中避免读空页的方法与系统

Номер патента: CN115543206A. Автор: 李瑞东,沈力,姚香君,夏丽煖. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-30.

NAND flash memory array architecture having low read latency and low program disturb

Номер патента: US9245639B1. Автор: Dae Hyun Kim,Anil Gupta,Jong Oh Lee. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-01-26.

一种nand flash的最优固定电压轴的筛选方法

Номер патента: CN115295048A. Автор: 曹成,蒋书斌,石法圣. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-04.

一种nand flash的最优固定电压轴的筛选方法

Номер патента: CN115295048. Автор: 曹成,蒋书斌,石法圣. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-04.

Random sequence seed generation method and system for NAND Flash randomization

Номер патента: CN115878048B. Автор: 龚晖,赖鼐,温佳强. Владелец: Zhuhai Miaocun Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-05-12.

NAND Flash的数据处理方法、装置、电子设备及存储介质

Номер патента: CN117215480A. Автор: 郑鑫. Владелец: Shenzhen Jingcun Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Interruptible nand flash memory

Номер патента: CA2768212C. Автор: John G. Bennett. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2016-09-13.

Control method and controller of 3D NAND flash

Номер патента: US20210350853A1. Автор: Ying Huang,Hongtao Liu,Qiguang Wang,Wenzhe WEI. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

一种提高NAND Flash读写操作验证效率的方法和系统

Номер патента: CN115394341. Автор: 王雷. Владелец: Shandong Yunhai Guochuang Cloud Computing Equipment Industry Innovation Center Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-25.

一种NAND Flash芯片掉电保护电路及保护方法

Номер патента: CN112652348. Автор: 杨彬,邓玉良,朱晓锐,李昂阳,庄伟坚. Владелец: Shenzhen State Micro Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-13.

一种提高Nand flash数据稳定性的方法以及装置

Номер патента: CN110764693. Автор: 李虎,罗胜. Владелец: Shenzhen Demingli Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-07.

基于读电压表设置Nand Flash读电压的方法及装置

Номер патента: CN117854563. Автор: 张用,郭静颖,曾添友. Владелец: Chengdu Xinyilian Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

测试nand flash ecc纠错功能的方法

Номер патента: CN115394342. Автор: 何奇,黄俊斌,刘怡雄. Владелец: Hangzhou Nationalchip Science & Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-11-25.

测试nand flash ecc纠错功能的方法

Номер патента: CN115394342A. Автор: 何奇,黄俊斌,刘怡雄. Владелец: Hangzhou Nationalchip Science & Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-11-25.

一种控制读操作的方法、装置以及Nand flash存储器

Номер патента: CN111951864. Автор: 张晓伟. Владелец: Beijing Zhaoyi Innovation Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-17.

一种nand flash芯片读写寿命的快速测试方法

Номер патента: CN112466387B. Автор: 刘洋,申珅,范源泉. Владелец: Wuhan Zhongyuan Electronic Information Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

基于读电压表设置Nand Flash读电压的方法及装置

Номер патента: CN117854563A. Автор: 张用,郭静颖,曾添友. Владелец: Chengdu Xinyilian Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Nand flash存储器的数字验证方法及系统

Номер патента: CN114242153A. Автор: 田淼. Владелец: IPGoal Microelectronics Sichuan Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-25.

一种NAND Flash存储架构及存储方法

Номер патента: CN112365916. Автор: 温靖康,南钟基. Владелец: XTX Technology Shenzhen Ltd. Дата публикации: 2021-02-12.

一种SSD中在线校准NAND Flash读参考电压的方法

Номер патента: CN110473588. Автор: 刘凯,王璞. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-19.

Verfahren Und Datenverarbeitungsgerät Zum Umstrukturieren Von In Einem Multi-Level-NAND-Flash-Speicher Zu Speichernden Eingangsdaten

Номер патента: DE102024109367A1. Автор: Sami ALSALAMIN. Владелец: HYPERSTONE GMBH. Дата публикации: 2024-10-10.

Command Queuing Smart Storage Transfer Manager for Striping Data to Raw-NAND Flash Modules

Номер патента: US20090204872A1. Автор: Abraham C. Ma,Charles C. Lee,Frank Yu. Владелец: Super Talent Electronics Inc. Дата публикации: 2009-08-13.

多通道的nand flash差错控制方法

Номер патента: CN113241110A. Автор: 李金�,潘乐乐,濮建福,杨津浦,林闽佳. Владелец: Shanghai Spaceflight Institute of TT&C and Telecommunication. Дата публикации: 2021-08-10.

基于nand flash存储器的纠错方法及装置

Номер патента: CN110750381A. Автор: 董时舫. Владелец: PAX Computer Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-04.

串口型nand flash数据清零处理方法及系统

Номер патента: CN109656580. Автор: 袁满. Владелец: Shenzhen Skyworth Digital Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-19.

多通道的nand flash差错控制方法

Номер патента: CN113241110. Автор: 李金�,潘乐乐,濮建福,杨津浦,林闽佳. Владелец: Shanghai Spaceflight Institute of TT&C and Telecommunication. Дата публикации: 2021-08-10.

多通道的nand flash差错控制方法

Номер патента: CN113241110B. Автор: 李金�,潘乐乐,濮建福,杨津浦,林闽佳. Владелец: Shanghai Spaceflight Institute of TT&C and Telecommunication. Дата публикации: 2024-10-25.

基于nand flash存储器的纠错方法及装置

Номер патента: WO2021047472A1. Автор: 董时舫. Владелец: 百富计算机技术（深圳）有限公司. Дата публикации: 2021-03-18.

NAND FLASH memory-based verification method, terminal equipment and storage medium

Номер патента: CN110277131B. Автор: 董时舫. Владелец: PAX Computer Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-23.

一种Nand flash元件及其低格控制方法和装置

Номер патента: CN108231124B. Автор: 庄开锋. Владелец: Beijing Zhaoyi Innovation Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-06.

执行Nand Flash操作指令的实现方法、系统、设备及存储介质

Номер патента: CN115437568. Автор: 沈力,安阳,周永旺. Владелец: Shandong Yunhai Guochuang Cloud Computing Equipment Industry Innovation Center Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-06.

Managing programming errors in nand flash memory

Номер патента: US20200234780A1. Автор: Thomas Mittelholzer,Nikolaos Papandreou,Roman Alexander Pletka. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-23.

执行Nand Flash操作指令的实现方法、系统、设备及存储介质

Номер патента: CN115437568A. Автор: 沈力,安阳,周永旺. Владелец: Shandong Yunhai Guochuang Cloud Computing Equipment Industry Innovation Center Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-06.

On-device data analytics using nand flash based intelligent memory

Номер патента: WO2014074483A2. Автор: Yan Li,Steven T. Sprouse,Johann George. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2014-05-15.

与非型闪存Nand Flash存储管理方法与装置

Номер патента: CN115933990. Автор: 刘硕,高梦杰,黄瑞霞,房骁. Владелец: Weifang Weichai Power Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-07.

Multi-CE NAND Flash dynamic block model based on multi-channel master control and bad block processing method

Номер патента: CN105786407A. Автор: 彭鹏,马翼,向平,黄雪峰,周士兵,田达海,杨万云. Владелец: Hunan Goke Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-20.

Method and apparatus to select a plane in a nand flash die to store a read-only reserved block

Номер патента: WO2023163815A1. Автор: Chang Wan Ha,Pranav Kalavade,Aliasgar MADRASWALA,Zengtao Liu,Simerjeet SINGH,Bharat M. Pathak,Hoon Koh,Quincy S. Chiu,Kristopher H. Gaewsky,Akshay Jayaraj. Владелец: Intel NDTM US LLC. Дата публикации: 2023-08-31.

提升3D NAND Flash性能的方法

Номер патента: CN109669638A. Автор: 汤仁君,肖孟,李皓智,谢汇,管冬生. Владелец: Hefei Core Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-23.

Method and device for data verification of Nand Flash

Номер патента: CN107203436B. Автор: 王志浩. Владелец: Zhengzhou Yunhai Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-06.

A kind of method and apparatus of Nand Flash datas verification

Номер патента: CN107203436A. Автор: 王志浩. Владелец: Zhengzhou Yunhai Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

The dynamic block models of many CE NAND Flash based on multichannel master control and bad block processing method

Номер патента: CN105786407B. Автор: 彭鹏,马翼,向平,黄雪峰,周士兵,田达海,杨万云. Владелец: Hunan Goke Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-14.

A kind of double channel A TA agreement bridge-sets based on NAND FLASH interfaces

Номер патента: CN105786749B. Автор: 李文军,孙晓宁,刘大铕,刘奇浩,徐毅松. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-07.

Self-programming method and device of file system based on NAND flash

Номер патента: CN102467522A. Автор: 陈亮. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2012-05-23.

NAND FLASH garbage recovery balance optimization method

Номер патента: CN111090595A. Автор: 张锐,刘婷婷,王闯,贺莹,邓豹. Владелец: Xian Aeronautics Computing Technique Research Institute of AVIC. Дата публикации: 2020-05-01.

Spi Nand flash坏块管理方法和系统

Номер патента: CN116383097A. Автор: 张波,黄柱光. Владелец: Shenzhen Xincun Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-07-04.

nand flash重读定位方法

Номер патента: CN113672178A. Автор: 贺乐. Владелец: Zhuhai Miaocun Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-11-19.

Spi Nand flash坏块管理方法和系统

Номер патента: CN116383097B. Автор: 张波,黄柱光. Владелец: Shenzhen Xincun Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-05-17.

A kind of NAND Flash memory reliability optimization method based on self- recoverage effect

Номер патента: CN109582224A. Автор: 冯骅,彭喜元,乔立岩,魏德宝,郝梦琪. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2019-04-05.

Method and apparatus to select a plane in a nand flash die to store a read-only reserved block

Номер патента: US20230266910A1. Автор: Chang Wan Ha,Pranav Kalavade,Aliasgar S. Madraswala,Zengtao Liu,Simerjeet SINGH,Bharat M. Pathak,Hoon Koh,Quincy S. Chiu,Kristopher H. Gaewsky,Akshay Jayaraj. Владелец: Intel NDTM US LLC. Дата публикации: 2023-08-24.

基于3d nand flash存储阵列的tcam及其操作方法

Номер патента: CN111462792. Автор: 黄鹏,康晋锋,刘晓彦,刘力锋,项亚臣,韩润泽,杨昊璋. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-07-28.

A kind of data buffer storage transmission method and its controller based on Nand Flash chips

Номер патента: CN104461966B. Автор: 陈元,孙长江,谢文刚,任民. Владелец: ShenZhen Guowei Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-21.

基于3d nand flash存储阵列的tcam及其操作方法

Номер патента: CN115273924A. Автор: 黄鹏,康晋锋,刘晓彦,刘力锋,项亚臣,韩润泽,杨昊璋. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-11-01.

Dynamically adjusting read voltage in a NAND flash memory

Номер патента: US09934863B2. Автор: Thomas J. Griffin,Steven J. Hnatko. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

A kind of NAND-FLASH memory write operations method and device

Номер патента: CN108573729A. Автор: 苏志强. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2018-09-25.

Method and circuit for performing read operation in a NAND flash memory

Номер патента: US7577033B2. Автор: Jiro Kishimoto. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-08-18.

Method and system for improving read-write operation verification efficiency of NAND Flash

Номер патента: CN115394341A. Автор: 王雷. Владелец: Shandong Yunhai Guochuang Cloud Computing Equipment Industry Innovation Center Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-25.

Charge packet programming for nand flash non-volatile memory

Номер патента: EP4345825A1. Автор: Maarten Rosmeulen,Devin Verreck. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-04-03.

Methods and apparatus for nand flash memory

Номер патента: WO2022047084A1. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: NEO Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2022-03-03.

Method and circuit for performing read operation in a nand flash memory

Номер патента: US20090003079A1. Автор: Jiro Kishimoto. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-01-01.

Methods and apparatus for NAND flash memory

Номер патента: US12100460B2. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Neo Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

一种nand flash存储器并行测试及坏块回写方法

Номер патента: CN112530508. Автор: 杨超,张金凤,马成英. Владелец: Beijing Zhenxing Metrology and Test Institute. Дата публикации: 2021-03-19.

NAND flash word line management using multiple fragment pools

Номер патента: US09455048B2. Автор: Yigal Eli,Yong Peng,Damian Yurzola,Rajeev Nagabhirava,Tal Heller,Krishnamurthy Dhakshinamurthy,Talal Ahwal,Tucker Dean BERCKMANN,Arjun Hary. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-27.

一种具有检错纠错机制的NAND Flash控制器

Номер патента: CN109036493. Автор: 王晓东,杨欢,郭阳明,艾江红. Владелец: Northwestern Polytechnical University. Дата публикации: 2018-12-18.

Page buffer circuit for NAND flash memory

Номер патента: US09305649B1. Автор: Jong Oh Lee. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-04-05.

Nand flash based content addressable memory

Номер патента: WO2014074131A1. Автор: Stephen T. SPROUSE. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2014-05-15.

Dynamically adjusting read voltage in a NAND flash memory

Номер патента: US09934865B2. Автор: Thomas J. Griffin,Steven J. Hnatko. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Dynamically adjusting read voltage in a NAND flash memory

Номер патента: US09691488B1. Автор: Thomas J. Griffin,Steven J. Hnatko. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Methods and apparatus for NAND flash memory

Номер патента: US11972811B2. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Neo Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-04-30.

一种NAND Flash芯片掉电保护电路及保护方法

Номер патента: CN112652348A. Автор: 杨彬,邓玉良,朱晓锐,李昂阳,庄伟坚. Владелец: Shenzhen State Micro Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-13.

一种测试Nand flash生命周期的方法

Номер патента: CN106205737A. Автор: 张翔,李振华,叶欣,孙成思,孙日欣,黄善勇,邝祖智. Владелец: Shenzhen Bai Dimensional Storage Polytron Technologies Inc. Дата публикации: 2016-12-07.

一种nand-flash的块修复方法及装置

Номер патента: CN108573735A. Автор: 苏志强. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2018-09-25.

一种NAND Flash错误率的分组测试装置

Номер патента: CN111276179. Автор: 王敏,王彦伟,阚宏伟. Владелец: Suzhou Inspur Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-12.

Key-value addressed storage drive using nand flash based content addressable memory

Номер патента: WO2014074153A1. Автор: Yan Li,Stephen T. SPROUSE. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2014-05-15.

Dynamically adjusting read voltage in a NAND flash memory

Номер патента: US09659664B1. Автор: Thomas J. Griffin,Steven J. Hnatko. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

一种NAND Flash芯片掉电保护电路及保护方法

Номер патента: CN112652348B. Автор: 杨彬,邓玉良,朱晓锐,李昂阳,庄伟坚. Владелец: STMicroelectronics Shenzhen R&D Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-22.

嵌入式设备NAND Flash的ECC码存储方法

Номер патента: CN113571121. Автор: 戴志,刘怡雄. Владелец: Hangzhou Nationalchip Science & Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-10-29.

一种NAND Flash固态存储自适应差错控制方法

Номер патента: CN109087683. Автор: 张婷,王祖良. Владелец: Xijing University. Дата публикации: 2018-12-25.

Nand flash memory and reading method thereof

Номер патента: US20180053568A1. Автор: Kazuki Yamauchi,Katsutoshi Suito. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-22.

串口型nand flash数据清零处理方法及系统

Номер патента: CN109656580A. Автор: 袁满. Владелец: Shenzhen Skyworth Digital Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-19.

用于NAND Flash坏块的混合管理方法及装置

Номер патента: CN116755642. Автор: 邹飞,黄泽诚. Владелец: Sichuan Yunhai Core Microelectronics Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-09-15.

一种用于Nand Flash的磨损均衡方法及装置

Номер патента: CN111966299. Автор: 张如宏,胡来胜,曾庆聪. Владелец: Shenzhen Sandiyi Core Electronics Co ltd. Дата публикации: 2020-11-20.

一种适用于NAND Flash控制器的索引表保护方法

Номер патента: CN109189328. Автор: 李拓,王朝辉,邹晓峰,周玉龙,刘同强,周恒钊. Владелец: Zhengzhou Yunhai Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-11.

与非型闪存Nand Flash存储管理方法与装置

Номер патента: CN115933990A. Автор: 刘硕,高梦杰,黄瑞霞,房骁. Владелец: Weifang Weichai Power Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-07.

用于NAND Flash坏块的混合管理方法及装置

Номер патента: CN116755642A. Автор: 邹飞,黄泽诚. Владелец: Sichuan Yunhai Core Microelectronics Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-09-15.

Information processing apparatus including NAND flash memory, and information processing method for the same

Номер патента: US20050157554A1. Автор: Katsuhiko Yanagawa. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2005-07-21.

一种星载nand flash型固态存储器及分配存储空间的方法

Номер патента: CN111324307A. Автор: 孙璐,郑艳,池骋,周梦,高亚南,邵明强. Владелец: Xian Microelectronics Technology Institute. Дата публикации: 2020-06-23.

一种星载nand flash型固态存储器及分配存储空间的方法

Номер патента: CN111324307. Автор: 孙璐,郑艳,池骋,周梦,高亚南,邵明强. Владелец: Xian Microelectronics Technology Institute. Дата публикации: 2020-06-23.

应用于NAND Flash损耗均衡的优化方法

Номер патента: CN109684119. Автор: 杨阳,杨硕,李明洋,王晓璐. Владелец: Tianjin Jinhang Computing Technology Research Institute. Дата публикации: 2019-04-26.

一种大容量NAND Flash数据存储方法

Номер патента: CN109240940. Автор: 曾建军. Владелец: Jun Chuang (xiamen) Automation Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-18.

一种用于nand flash的日志块快速命中方法

Номер патента: CN107832234A. Автор: 刘银萍,张志永,赵微,宗宇,谢俊玲,谷羽. Владелец: Mxtronics Corp. Дата публикации: 2018-03-23.

NAND flash memory controller

Номер патента: US20230384938A1. Автор: Yen-Chung Chen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

应用于NAND Flash损耗均衡的优化方法

Номер патента: CN109684119B. Автор: 杨阳,杨硕,李明洋,王晓璐. Владелец: Tianjin Jinhang Computing Technology Research Institute. Дата публикации: 2022-05-17.

NAND Flash中块的擦除方法、装置、设备、介质

Номер патента: CN117931048. Автор: 陶伟,孔维镇. Владелец: Shanghai Jiangbolong Digital Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-04-26.

一种Nand Flash存储器的管理方法和装置

Номер патента: CN111443873. Автор: 邓应如,谢爱明,汤奇龙. Владелец: Shenzhen Tianyue Innovation Technology Co ltd. Дата публикации: 2020-07-24.

一种基于nand flash的数据存储方法、终端设备及存储介质

Номер патента: CN109343790. Автор: 董时舫. Владелец: PAX Computer Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-15.

NAND Flash中块的擦除方法、装置、设备、介质

Номер патента: CN117931048A. Автор: 陶伟,孔维镇. Владелец: Shanghai Jiangbolong Digital Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-04-26.

一种NAND Flash垃圾回收方法及系统

Номер патента: CN109086001. Автор: 李拓,王朝辉,邹晓峰,周玉龙,刘同强,周恒钊. Владелец: Zhengzhou Yunhai Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-25.

Safe storage method and system based on Nand Flash flash-memory

Номер патента: CN105975878A. Автор: 张国柱,林璟锵,夏鲁宁,嵇亚飞,贾世杰,汤胜军,张琼露. Владелец: Institute of Information Engineering of CAS. Дата публикации: 2016-09-28.

Sdram memory device with an embedded nand flash controller

Номер патента: EP1649378A4. Автор: Meir Avraham,Dan Inbar,Ziv Paz. Владелец: M Systems Flash Disk Pionners Ltd. Дата публикации: 2006-08-23.

Systems and methods for booting from NAND flash using squashfs to maximize memory

Номер патента: US11934680B2. Автор: David L. Berger,Richard P. Rementilla,Walter H. Anderes. Владелец: ARRIS Enterprises LLC. Дата публикации: 2024-03-19.

Dynamically adjusting read voltage in a nand flash memory

Номер патента: US20170169893A1. Автор: Thomas J. Griffin,Steven J. Hnatko. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Systems and methods for booting from nand flash using squashfs to maximize memory

Номер патента: WO2021158438A1. Автор: David L. Berger,Richard P. Rementilla,Walter H. Anderes. Владелец: ARRIS Enterprises LLC. Дата публикации: 2021-08-12.

SDRAM memory device with an embedded NAND flash controller

Номер патента: US20050027928A1. Автор: Meir Avraham,Dan Inbar,Ziv Paz. Владелец: M Systems Flash Disk Pionners Ltd. Дата публикации: 2005-02-03.

Dynamically adjusting read voltage in a nand flash memory

Номер патента: US20170169894A1. Автор: Thomas J. Griffin,Steven J. Hnatko. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Dynamically adjusting read voltage in a nand flash memory

Номер патента: US20170169890A1. Автор: Thomas J. Griffin,Steven J. Hnatko. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Sdram memory device with an embedded nand flash controller

Номер патента: EP1649378A2. Автор: Meir Avraham,Dan Inbar,Ziv Paz. Владелец: M Systems Flash Disk Pionners Ltd. Дата публикации: 2006-04-26.

Methods and apparatus for reading NAND flash memory

Номер патента: US11232835B2. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Neo Semiconductor Inc. Дата публикации: 2022-01-25.

Dual Sense Bin Balancing In NAND Flash

Номер патента: US20210407598A1. Автор: Idan Alrod,Eran Sharon,Richard Galbraith,Henry Yip,Jonas Goode. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Nand flash word line management

Номер патента: WO2014209624A1. Автор: Yigal Eli,Yong Peng,Damian Yurzola,Rajeev Nagabhirava,Tal Heller,Krishnamurthy Dhakshinamurthy,Talal Ahwal,Tucker Dean BERCKMANN,Arjun Hary. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2014-12-31.

Dual sense bin balancing in nand flash

Номер патента: WO2022005517A1. Автор: Idan Alrod,Eran Sharon,Richard Galbraith,Henry Yip,Jonas Goode. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2022-01-06.

Error characterization and mitigation for 16nm mlc nand flash memory under total ionizing dose effect

Номер патента: US20190172545A1. Автор: Yue Li,Jehoshua Bruck. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2019-06-06.

Dynamically adjusting read voltage in a nand flash memory

Номер патента: US20170169891A1. Автор: Thomas J. Griffin,Steven J. Hnatko. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Methods and apparatus for nand flash memory

Номер патента: US20210327519A1. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-10-21.

一种NAND Flash错误率的分组测试装置

Номер патента: CN111276179A. Автор: 王敏,王彦伟,阚宏伟. Владелец: Suzhou Inspur Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-12.

一种nand flash存储器并行测试及坏块回写方法

Номер патента: CN112530508B. Автор: 杨超,张金凤,马成英. Владелец: Beijing Zhenxing Metrology and Test Institute. Дата публикации: 2023-10-20.

Modified B+ tree to map logical addresses to physical addresses in NAND flash memory

Номер патента: GB2476536A. Автор: Nathanial Kiel Boyle. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2011-06-29.

Method and system for NAND flash support in an autonomously loaded secure reprogrammable system

Номер патента: US8417931B2. Автор: Qiang Ye,Xuemin Chen,Iue-Shuenn Chen,Andrew Dellow,Stephane Rodgers. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-04-09.

Access method for NAND Flash redundant code

Номер патента: CN101425342B. Автор: 邹铮贤,周防. Владелец: IPGoal Microelectronics Sichuan Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-08.

A kind of Nand Flash memory mapped systems based on FPGA

Номер патента: CN106909519A. Автор: 李朋,赵鑫鑫,尹超. Владелец: Jinan Inspur Hi Tech Investment and Development Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-30.

一种用于Nand Flash的磨损均衡方法及装置

Номер патента: CN111966299A. Автор: 张如宏,胡来胜,曾庆聪. Владелец: Shenzhen Sandiyi Core Electronics Co ltd. Дата публикации: 2020-11-20.

SPI Nand Flash的坏块管理方式

Номер патента: CN107894872A. Автор: 廖炳隆,黄亚龙. Владелец: Nanjing Yang Yang Microelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

A kind of date storage method based on NAND FLASH, terminal device and storage medium

Номер патента: CN109343790A. Автор: 董时舫. Владелец: PAX Computer Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-15.

一种适用于NAND Flash控制器的索引表保护方法

Номер патента: CN109189328A. Автор: 李拓,王朝辉,邹晓峰,周玉龙,刘同强,周恒钊. Владелец: Zhengzhou Yunhai Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-11.

Method and system for nand flash support in an autonomously loaded secure reprogrammable system

Номер патента: US20110197054A1. Автор: Qiang Ye,Xuemin Chen,Iue-Shuenn Chen,Andrew Dellow,Stephane Rodgers. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2011-08-11.

用于NAND Flash坏块的混合管理方法及装置

Номер патента: CN116755642B. Автор: 邹飞,黄泽诚. Владелец: Sichuan Yunhai Core Microelectronics Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-10-27.

Method and system for nand flash support in an autonomously loaded secure reprogrammable system

Номер патента: US20130185550A1. Автор: Qiang Ye,Xuemin Chen,Iue-Shuenn Chen,Andrew Dellow,Stephane Rodgers. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-07-18.

Nand flash memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090294829A1. Автор: Mutsuo Morikado. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-12-03.

Nand Flash的电压控制方法及非易失性存储器

Номер патента: CN112825263A. Автор: 朱长峰,束庆冉. Владелец: Shanghai Geyi Electronic Co ltd. Дата публикации: 2021-05-21.

用于NAND Flash测试电路和测试方法

Номер патента: CN112071354A. Автор: 李斌. Владелец: Shenzhen Hongwang Microelectronics Co ltd. Дата публикации: 2020-12-11.

Method for Erasing Data of NAND Flash Memory Device

Номер патента: US20080158994A1. Автор: Hea Jong Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-07-03.

一种基于NAND Flash的坏块管理方法

Номер патента: CN113921071. Автор: 高美洲,季亚男. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-11.

一种基于NAND Flash的坏块管理方法

Номер патента: CN113921071A. Автор: 高美洲,季亚男. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-11.

3D NAND flash and operation method thereof

Номер патента: US11342023B2. Автор: Ying Huang,Hongtao Liu,Wenzhe WEI,Dejia Huang,Song Min Jiang. Владелец: Yangzte Memory Technologies Ltd. Дата публикации: 2022-05-24.

Nand Flash的电压控制方法及非易失性存储器

Номер патента: CN112825262. Автор: 谢瑞杰,朱长峰. Владелец: Shanghai Geyi Electronic Co ltd. Дата публикации: 2021-05-21.

一种用于NAND Flash不良区块的查找方法、固态硬盘

Номер патента: CN109243517A. Автор: 廖启宏,张佑全,王荣諆. Владелец: Li Ding Technology (shenzhen) Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-18.

Nand Flash的电压控制方法及非易失性存储器

Номер патента: CN112825262A. Автор: 谢瑞杰,朱长峰. Владелец: Shanghai Geyi Electronic Co ltd. Дата публикации: 2021-05-21.

基于寿命测试的NAND Flash磨损均衡方法

Номер патента: CN117809724. Автор: 邹飞,邱杰,黄泽诚. Владелец: Sichuan Yunhai Core Microelectronics Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

基于寿命测试的NAND Flash磨损均衡方法

Номер патента: CN117809724A. Автор: 邹飞,邱杰,黄泽诚. Владелец: Sichuan Yunhai Core Microelectronics Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

一种NAND Flash控制器多命令混合测试方法

Номер патента: CN115440294. Автор: 唐汉钊,徐源长. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-06.

Nand flash闪存中状态码的验证方法及装置

Номер патента: CN105654989A. Автор: 刘会娟. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2016-06-08.

Modulation of source voltage in nand-flash array read

Номер патента: US20240363173A1. Автор: Narayanan RAMANAN. Владелец: Intel NDTM US LLC. Дата публикации: 2024-10-31.

用于NAND Flash测试电路和测试方法

Номер патента: CN112071354. Автор: 李斌. Владелец: Shenzhen Hongwang Microelectronics Co ltd. Дата публикации: 2020-12-11.

一种位线电压的控制电路及Nand Flash

Номер патента: CN110729015. Автор: 陈俊,舒清明,马思博. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2020-01-24.

一种基于NAND Flash的坏块管理方法

Номер патента: CN113921071B. Автор: 高美洲,季亚男. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-08.

一种灵敏放大器、控制方法及Nand Flash

Номер патента: CN112825254A. Автор: 李琪,谢瑞杰,朱长峰. Владелец: Shanghai Geyi Electronic Co ltd. Дата публикации: 2021-05-21.

Nand Flash的电压控制方法及非易失性存储器

Номер патента: CN112825263B. Автор: 朱长峰,束庆冉. Владелец: Zhaoyi Innovation Technology Group Co ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Nand Flash的电压控制方法及非易失性存储器

Номер патента: CN112825263. Автор: 朱长峰,束庆冉. Владелец: Shanghai Geyi Electronic Co ltd. Дата публикации: 2021-05-21.

一种灵敏放大器、控制方法及Nand Flash

Номер патента: CN112825254. Автор: 李琪,谢瑞杰,朱长峰. Владелец: Shanghai Geyi Electronic Co ltd. Дата публикации: 2021-05-21.

一种nand flash的读操作方法和装置

Номер патента: CN110223724. Автор: 谢瑞杰,朱长峰,马思博. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2019-09-10.

一种用于NAND Flash不良区块的查找方法、固态硬盘

Номер патента: CN109243517. Автор: 廖启宏,张佑全,王荣諆. Владелец: Li Ding Technology (shenzhen) Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-18.

Method for regulating reading voltage of NAND flash memory device

Номер патента: US09558816B2. Автор: Seung-Hyun Han,Sun-Mo Hwang. Владелец: THE-AIO Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Error characterization and mitigation for 16nm MLC NAND flash memory under total ionizing dose effect

Номер патента: US10665310B2. Автор: Yue Li,Jehoshua Bruck. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2020-05-26.

Methods and apparatus for nand flash memory

Номер патента: EP4392975A1. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Neo Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-07-03.

3d nand flash and operation method thereof

Номер патента: US20210366545A1. Автор: Ying Huang,Hongtao Liu,Wenzhe WEI,Dejia Huang,Song Min Jiang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Modulation of source voltage in NAND-flash array read

Номер патента: US12087365B2. Автор: Narayanan RAMANAN. Владелец: Intel NDTM US LLC. Дата публикации: 2024-09-10.

一种位线电压的控制电路及Nand Flash

Номер патента: CN110729015A. Автор: 陈俊,舒清明,马思博. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2020-01-24.

Device selection schemes in multi chip package NAND flash memory system

Номер патента: US09524778B2. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

一种Nand Flash坏块的使用方法

Номер патента: CN108231133A. Автор: 郭芳芳,李招远. Владелец: Ramaxel Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-29.

NAND flash memory device having a contact for controlling a well potential

Номер патента: US20090152614A1. Автор: Byung-Jun Hwang,Jae-Kwan Park,Nam-su Lim,Jee-hoon Han,So-wi Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-06-18.

A kind of method recovering Nand Flash wrong data

Номер патента: CN106205720A. Автор: 印中举. Владелец: Ramaxel Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-07.

NAND flash memory with worldline voltage compensation using compensated temperature coefficients

Номер патента: US10366760B1. Автор: Minyi Chen. Владелец: GigaDevice Semiconductor Shanghai Inc. Дата публикации: 2019-07-30.

NAND flash memory and method of erasing, programming, and copy-back programming thereof

Номер патента: US6813184B2. Автор: June Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-11-02.

Non-destructive mode cache programming in NAND flash memory devices

Номер патента: US11894075B2. Автор: Jason Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Nand flash memory

Номер патента: US20100277977A1. Автор: Dai Nakamura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-04.

Methods and apparatus for nand flash memory

Номер патента: WO2023028410A1. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: NEO Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2023-03-02.

3D NAND flash and operation method thereof

Номер патента: US10978153B1. Автор: Ying Huang,Hongtao Liu,Wenzhe WEI,Dejia Huang,Song Min Jiang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-13.

Burst programming of a NAND flash cell

Номер патента: US11935599B2. Автор: Hua-Ling Cynthia Hsu,Victor Avila,Fanglin Zhang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-19.

一种3D Nand Flash扫描检测方法和系统

Номер патента: CN107481764A. Автор: 龙承东. Владелец: SHENZHEN CHIPSBANK TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-15.

Nand flash memory with wordline voltage compensation using compensated temperature coefficients

Номер патента: US20190221266A1. Автор: Minyi Chen. Владелец: Shine Bright Technology Ltd. Дата публикации: 2019-07-18.

Burst programming of a nand flash cell

Номер патента: US20230343397A1. Автор: Hua-Ling Cynthia Hsu,Victor Avila,Fanglin Zhang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-10-26.

Nand flash memory devices and methods of lsb/msb programming the same

Номер патента: US20090080251A1. Автор: Hyung-Gon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-03-26.

Junctionless TFT NAND flash memory

Номер патента: US8395942B2. Автор: ANDREI Mihnea,George Samachisa,Johann Alsmeier. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2013-03-12.

Self-aligned nanodots for 3d nand flash memory

Номер патента: US20180233359A1. Автор: Er-Xuan Ping,Saurabh Chopra,Thomas Jongwan Kwon,Sungwon JUN. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-08-16.

Self-aligned nanodots for 3d nand flash memory

Номер патента: WO2018148170A1. Автор: SUNG Won Jun,Er-Xuan Ping,Saurabh Chopra,Thomas Jongwan Kwon. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2018-08-16.

Producing method of nand flash module capable of protecting illegal copy of operation system and computer system including nand flash module

Номер патента: KR100852199B1. Автор: 임전택. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-08-13.

NAND flash memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: KR101192359B1. Автор: 박재관,박장호,임남수,곽동화,황병준,진소위. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2012-10-18.

Bonded semiconductor devices having processor and nand flash memory and methods for forming the same

Номер патента: EP3891798A1. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-13.

Bonded semiconductor devices having processor and NAND flash memory and methods for forming the same

Номер патента: US11864367B2. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

The preparation method of 3D NAND flash memory device and its cladded type nano-tube

Номер патента: CN110197829A. Автор: 王升,童浩,缪向水. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2019-09-03.

Bonded semiconductor device with processor and NAND flash memory and method of forming the same

Номер патента: CN110720143B. Автор: 刘峻,程卫华. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-29.

3D NAND flash memory device and integration method thereof

Номер патента: CN114093874A. Автор: 陈嘉伟,李跃平,侯春源,顾沂. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-25.

Cell operation methods using gate-injection for floating gate nand flash memory

Номер патента: US20080080248A1. Автор: Tzu-Hsuan Hsu,Erh-Kun Lai,Hang-Ting Lue. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-03.

Bidirectional split gate nand flash memory structure/array, programming, erasing reading and manufacturing

Номер патента: CN1945836B. Автор: D·李,C·陈,Y·威德贾杰,J·W·库克西,F·高,Y·-F·林. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2012-01-18.

Garbage recovery method of NAND flash memory and NAND flash memory

Номер патента: CN110187828B. Автор: 李创锋,李嘉伦. Владелец: Shenzhen Tigo Semiconductor Co ltd. Дата публикации: 2023-03-28.

Nand flash memory with vertical cell stack structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20230268447A1. Автор: Hyoung Seub Rhie. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

NAND flash memory with vertical cell stack structure and method for manufacturing same

Номер патента: US12119411B2. Автор: Hyoung Seub Rhie. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Nand flash memory with vertical cell stack structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20210408301A1. Автор: Hyoung Seub Rhie. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Nand flash memory with vertical cell stack structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20200381566A1. Автор: Hyoung Seub Rhie. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Nand flash memory with vertical cell stack structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20190348544A1. Автор: Hyoung Seub Rhie. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Bonded semiconductor device with programmable logic device and NAND flash memory and method of forming the same

Номер патента: CN110870062A. Автор: 刘峻,程卫华. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-06.

Methods of manufacturing nand flash memory devices

Номер патента: US20140210095A1. Автор: Byung-Jun Hwang,Jae-Kwan Park,Nam-su Lim,Dong-Hwa Kwak,So-wi Jin,Jang-Ho Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-07-31.

NONVOLATILE MEMORY DEVICE, VERTICAL NAND FLASH MEMORY DEVICE AND SSD DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20200135758A1. Автор: NAM Sang-Wan,PARK Sang-Won,LIM Bong-soon. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

3D NAND flash memory devices, and related electronic systems

Номер патента: US12096626B2. Автор: Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

3D STACKED NAND FLASH MEMORY ARRAY ENABLING TO OPERATE BY LSM AND OPERATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20130223142A1. Автор: Park Byung-Gook,Kim Wandong. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2013-08-29.

NAND FLASH MEMORY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20220028880A1. Автор: Shirota Riichiro. Владелец: WINBOND ELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2022-01-27.

NAND FLASH OPERATING TECHNIQUES

Номер патента: US20200118630A1. Автор: CHANG Yao-Wen,Tsai Wen-Jer,LIN Wei-Liang,Wu Guan-Wei,LU Chun-Chang. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2020-04-16.

NAND flash memory having multiple cell substrates

Номер патента: US9070461B2. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2015-06-30.

Method for Reducing Effective Raw Bit Error Rate in Multi-Level Cell NAND Flash Memory

Номер патента: US20140281825A1. Автор: Siamack Nemazie,Anilkumar Mandapuram. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2014-09-18.

NAND flash memory systems with efficient soft information interface

Номер патента: US09467170B2. Автор: Gregory Burd,Shashi Kiran CHILAPPAGARI. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Method for reducing effective raw bit error rate in multi-level cell NAND flash memory

Номер патента: US8935599B2. Автор: Siamack Nemazie,Anilkumar Mandapuram. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2015-01-13.

NAND flash memory unit, NAND flash memory array, and methods for operating them

Номер патента: CN103226973A. Автор: 林纬,白田理一郎,毛妮娜,郭才豪. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2013-07-31.

NAND memory cell array, NAND flash memory having NAND memory cell array, data processing method for NAND flash memory

Номер патента: TW200917260A. Автор: Woong-Lim Choi. Владелец: Woong-Lim Choi. Дата публикации: 2009-04-16.

NFTL算法适配NAND Flash的方法、存储设备

Номер патента: CN112765050. Автор: 王志奇,何卫国,何欣霖. Владелец: Chengdu 30javee Microelectronics Co ltd. Дата публикации: 2021-05-07.

一种动态的、离散的、碎片化的嵌入式系统nand flash使用方法

Номер патента: CN114911716. Автор: 潘菊平. Владелец: Taicang T&W Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-16.

Non-destructive mode cache programming in NAND flash memory devices

Номер патента: CN112154505B. Автор: J·郭. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-30.

Structure for testing an NAND flash memory and method of measuring a channel voltage of the NAND flash memory using the same

Номер патента: KR100475541B1. Автор: 이근우. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-03-10.

Operation Method for 3D NAND Flash and 3D NAND Flash

Номер патента: WO2021189185A1. Автор: Gang Liu,Kaijin Huang,Jin LYU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-09-30.

Dynamic neighbor and bitline assisted correction for nand flash storage

Номер патента: US20200042384A1. Автор: Fan Zhang,Naveen Kumar,Yu Cai,Aman BHATIA. Владелец: SK Hynix Memory Solutions America Inc. Дата публикации: 2020-02-06.

Turbo product codes for NAND flash

Номер патента: US09673840B2. Автор: Naveen Kumar. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

PAGE HEALTH PREDICTION USING PRODUCT CODES DECODER IN NAND FLASH STORAGE

Номер патента: US20180048434A1. Автор: Lin Yi-Min,Kumar Naveen,Bhatia Aman. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-15.

SYSTEM AND METHOD FOR FACILITATING EFFICIENT UTILIZATION OF NAND FLASH MEMORY

Номер патента: US20210141721A1. Автор: Li Shu. Владелец: ALIBABA GROUP HOLDING LIMITED. Дата публикации: 2021-05-13.

SYSTEM AND METHOD FOR ADAPTIVE MULTIPLE READ OF NAND FLASH

Номер патента: US20200012561A1. Автор: LU Guangming. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-09.

Error mitigation for 3d nand flash memory

NAND Flash阈值电压波形优化方法、装置和计算机设备

Номер патента: CN115223627. Автор: 张敏,罗宗扬,刘孟雄. Владелец: Suzhou Yilian Information System Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-21.

NAND FLASH MEMORY SYSTEMS WITH EFFICIENT SOFT INFORMATION INTERFACE

Номер патента: US20140344647A1. Автор: Chilappagari Shashi Kiran,Burd Gregory. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD.. Дата публикации: 2014-11-20.

ERROR CHARACTERISTIC ESTIMATION FOR NAND FLASH

Номер патента: US20200403634A1. Автор: Zhang Fan,XIONG Chenrong,LU Xuanxuan,ASADI Meysam. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-24.

NAND falsh memory device and method of forming well of NAND flash memory device

Номер патента: TW200537650A. Автор: Hee-Youl Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-11-16.

Discharge circuits for a nand flash memory

Номер патента: EP4443747A2. Автор: Liang Qiao,Weiwei He,Mingxian LEI. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Discharge circuits for a nand flash memory

Номер патента: US20240296894A1. Автор: Liang Qiao,Weiwei He,Mingxian LEI. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

A kind of production method and 3D nand flash memory of high stacking number 3D nand flash memory

Номер патента: CN110010620A. Автор: 李超,吴关平,陈子琪. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-12.

NAND flash memory devices having shielding lines between wordlines and selection lines

Номер патента: US7821825B2. Автор: Jung-Dal Choi,Ki-tae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-10-26.

A nand flash memory comprising a discharge circuit

Номер патента: EP4252233B1. Автор: Liang Qiao,Weiwei He,Mingxian LEI. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-16.

Nand flash memory devices having shielding lines between wordlines and selection lines

Номер патента: US20090135647A1. Автор: Jung-Dal Choi,Ki-tae Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-05-28.

The method for controlling raceway groove critical size in 3D NAND flash memory structures

Номер патента: CN107946311A. Автор: 王鹏,何佳,霍宗亮,夏志良,刘藩东,张若芳. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-20.

NAND flash memory with enhanced program and erase performance, and fabrication process

Номер патента: TW200524144A. Автор: Chiou-Feng Chen,Der-Tsyr Fan,Prateep Tuntasood. Владелец: Actrans System Inc USA. Дата публикации: 2005-07-16.

Methods of Programming Data in a Non-Volatile Memory Device and Methods of Operating a Nand Flash Memory Device Using the Same

Номер патента: US20110170356A1. Автор: Dong-Uk Choi,Hee-Soo Kang,Choong-ho Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-07-14.

And-type SGVC architecture for 3D NAND flash

Номер патента: US09530503B2. Автор: Kuo-Pin Chang,Hang-Ting Lue. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

A kind of method of improvement 3D nand flash memory SEG growth qualities

Номер патента: CN107731841A. Автор: 王鹏,何佳,霍宗亮,夏志良,刘藩东,杨要华,吴林春. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-23.

Vertical NROM NAND flash memory array

Номер патента: TW200522070A. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-07-01.

NAND flash memory device with oblique architecture and memory cell array

Номер патента: US09613702B1. Автор: Kuan-Fu Chen,Ya-Jui Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

3d stacked nand flash memory array having ssl status check building for monitoring threshold voltage of string selection transistors and methods for monitoring and operating the same

Номер патента: KR101415744B1. Автор: 박병국,김필종,김완동,손선익. Владелец: 서울대학교산학협력단. Дата публикации: 2014-07-09.

The forming method of air-gap, nand flash memory and forming method thereof

Номер патента: CN108695234A. Автор: 郑二虎. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-10-23.

NAND FLASH MEMORY UNIT AND NAND FLASH MEMORY ARRAY

Номер патента: US20140239380A1. Автор: Lin Wei,Shirota Riichiro,Kuo Tsai-Hao,Mitiukhina Nina. Владелец: PHISON ELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2014-08-28.

A kind of flatening process in 3D nand flash memories raceway groove hole

Номер патента: CN107658222A. Автор: 张坤,夏志良,刘藩东,杨要华. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-02.

Planarization process of 3D NAND flash memory channel hole

Номер патента: CN107658222B. Автор: 张坤,夏志良,刘藩东,杨要华. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-24.

3-dimensional nand flash memory device, method of fabricating the same, and method of driving the same

Номер патента: US20220384481A1. Автор: Woo Young Choi. Владелец: SOGANG UNIVERSITY RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2022-12-01.

3-dimensional nand flash memory device, method of fabricating the same, and method of driving the same

Номер патента: US20210288070A1. Автор: Woo Young Choi. Владелец: SOGANG UNIVERSITY RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2021-09-16.

Word line architecture for three dimensional nand flash memory

Номер патента: US20210134828A1. Автор: Hiroki Yabe,Koichiro Hayashi,Toru Miwa,Naoki Ookuma,Takuya Ariki. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-05-06.

Nand flash memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20070048922A1. Автор: Sung-Hoi Hur,Ji-Hwon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-01.

NAND flash memory devices having 3-dimensionally arranged memory cells and methods of fabricating the same

Номер патента: CN101162721A. Автор: 郑舜文,孙良锈,罗暎燮,赵源锡,张在焄,张永哲. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-16.

Formation method of an array source line in nand flash memory

Номер патента: CN101164169A. Автор: S·鸟居. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-04-16.

The construction method of the step contact hole of 3D nand flash memories

Номер патента: CN107833889A. Автор: 张文杰,周文华,宋宏光,陈保友,盖晨光. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-23.

Edge packaging process and structure of NAND flash memory chip

Номер патента: CN113644046B. Автор: 张光明,蒋达,王延,华毅,陈登兵,朱云康. Владелец: Taiji Semiconductor Suzhou Co ltd. Дата публикации: 2022-10-14.

3-dimensional NAND flash memory device, method of fabricating the same, and method of driving the same

Номер патента: US11956963B2. Автор: Woo Young Choi. Владелец: SOGANG UNIVERSITY RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2024-04-09.

Nand flash memory and fabrication methods thereof

Номер патента: EP3179503A1. Автор: SHILIANG Ji,YIYING Zhang,Erhu ZHENG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-06-14.

Nand flash memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: CN1893086A. Автор: 严在哲,金世埈,金南经. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-01-10.

Multi-bit finfet type flash memory, method of manufactoring the same, and nand flash memory of using the same

Номер патента: KR20100086556A. Автор: 오세웅,김태환. Владелец: 한양대학교 산학협력단. Дата публикации: 2010-08-02.

Nand flash block architecture enhancement to prevent block lifting

Номер патента: US20220045015A1. Автор: Martin Jared Barclay,Mark Tunik. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-10.

一种改善NAND flash字线间漏电的工艺集成方法

Номер патента: CN114005831. Автор: 王奇伟,姚邵康,吴一姗. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-02-01.

Processes for NAND Flash Memory Fabrication

Номер патента: US20140080299A1. Автор: Tuan Pham,Jongsun Sel. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2014-03-20.

High yield high performance semiconductor fabrication method for NAND flash memory products

Номер патента: TW471170B. Автор: Hao Fang,John Jianshi Wang,Masaaki Higashitani,Kent Kuohua Chang,Salvatore F Cagnina. Владелец: Fujitsu AMD Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2002-01-01.

Nand flash thermal alerting

Номер патента: US20200019337A1. Автор: Aliasgar S. Madraswala,Naveen Vittal Prabhu,Simon RAMAGE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-16.

Nand flash thermal alerting

Номер патента: US20200301601A1. Автор: Aliasgar S. Madraswala,Naveen Vittal Prabhu,Simon RAMAGE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-09-24.

Nand flash thermal alerting

Номер патента: US20190129648A1. Автор: Aliasgar S. Madraswala,Naveen Vittal Prabhu,Simon RAMAGE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-05-02.

集成nand flash闪存功能的emmc存储器

Номер патента: CN203038913U. Автор: 刘纪文,王树锋. Владелец: SHENZHEN JINGKAI ELECTRONICS TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2013-07-03.

Recovery method of nand flash memory device

Номер патента: CN1848438A. Автор: 李柱烨. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-10-18.

Floating Gate Separation in NAND Flash Memory

Номер патента: US20160336182A1. Автор: SHIMODA Atsushi,SAKURAI Takuya,Yokota Toshiya. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-17.

BONDED SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING PROGRAMMABLE LOGIC DEVICE AND NAND FLASH MEMORY AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20200350321A1. Автор: Liu Jun,CHENG Weihua. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-05.

NAND Flash Memory Integrated Circuits and Processes with Controlled Gate Height

Номер патента: US20150380420A1. Автор: Okazaki Susumu,FUTASE TAKUYA,Toyama Fumiaki,Fujikura Eiichi,Koketsu Hiroaki. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-31.

Nand flash memory device having facing bar and fabricating method therefor

Номер патента: KR101999902B1. Автор: 김진호,강태경. Владелец: 도실리콘 씨오., 엘티디.. Дата публикации: 2019-10-01.

Method of forming a drain contact plug in NAND flash memory device

Номер патента: KR100833430B1. Автор: 김세준,김남경. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-05-29.

Method of forming a dielectric spacer in a NAND flash memory device

Номер патента: KR100680487B1. Автор: 권일영. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-02-08.

Method of manufacturing NAND flash memory device

Номер патента: US7335558B2. Автор: Chan Sun Hyun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-02-26.

THREE-DIMENSIONAL VERTICAL GATE NAND FLASH MEMORY INCLUDING DUAL-POLARITY SOURCE PADS

Номер патента: US20160005758A1. Автор: Hu Chih-Wei,Yeh Teng-Hao. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2016-01-07.

METHODS OF MANUFACTURING NAND FLASH MEMORY DEVICES

Номер патента: US20140159246A1. Автор: Park Jae-Kwan,PARK Jang-Ho,Kwak Dong-hwa,Jin So-wi,Hwang Byung-jun,Lim Nam-su. Владелец: . Дата публикации: 2014-06-12.

3d nand flash memory

Номер патента: US20140231954A1. Автор: Hang-Ting Lue. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-21.

Method of manufacturing a nand flash memory device

Номер патента: KR100812942B1. Автор: 최은석,김남경. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-03-11.

A nand flash memory controller exporting a nand interface

Номер патента: KR20080050433A. Автор: 메나헴 라세르. Владелец: 샌디스크 아이엘 엘티디. Дата публикации: 2008-06-05.

Protokollunabhängige steuerung von nand flash

Номер патента: DE112023000514T5. Автор: Jack WYNNE,Nima Nikuie. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Nand flash storage device with nand buffer

Номер патента: TWI727160B. Автор: 摩納許夏. Владелец: 美商谷歌有限責任公司. Дата публикации: 2021-05-11.

System and method for pre-soft-decoding tracking for NAND flash memories

Номер патента: US12039191B2. Автор: Hanan Weingarten. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Bit error rate estimation for NAND flash memory

Номер патента: US10366770B1. Автор: Yasuhiko Kurosawa,Hanan Weingarten,Avi STEINER. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-07-30.

Bit error rate estimation for NAND flash memory

Номер патента: US10658058B1. Автор: Yasuhiko Kurosawa,Hanan Weingarten,Avi STEINER. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-05-19.

Nand flash memory device capable of selectively erasing one flash memory cell and operation method thereof

Номер патента: US20230128347A1. Автор: Jong-ho Lee,Honam YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Safe NAND flash memory device

Номер патента: CN114625323A. Автор: 吴涛,韩健,王子奇,马永坤,李汝峰,张体奎. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-06-14.

Row replacement method, device and NAND memory device based on nand flash memory

Номер патента: CN108536389A. Автор: 苏志强,李建新,刘会娟. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2018-09-14.

Nand flash memory control system based on adaptive protograph LDPC code

Номер патента: CN109491829A. Автор: 陈平平,陈嘉栎,谢肇鹏,欧建辉. Владелец: FUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-03-19.

Mixed-Mode ROM/RAM Booting Using an Integrated Flash Controller with NAND-Flash, RAM, and SD Interfaces

Номер патента: US20100146256A1. Автор: Charles C. Lee,Ming-Shiang Shen,Jianjun Luo,Chris Tsu. Владелец: Super Talent Electronics Inc. Дата публикации: 2010-06-10.

NAND flash memory equipment and data recovery method thereof

Номер патента: CN103365739A. Автор: 楚一兵. Владелец: RENICE TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-23.

Method and data processing apparatus for restructuring input data to be stored in a multi-level nand flash memory

Номер патента: US20240329851A1. Автор: Sami ALSALAMIN. Владелец: HYPERSTONE GMBH. Дата публикации: 2024-10-03.

System and method for pre-soft-decoding tracking for nand flash memories

Номер патента: US20230221879A1. Автор: Hanan Weingarten. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

Controller for One Type of NAND Flash Memory for Emulating Another Type of NAND Flash Memory

Номер патента: US20110271045A1. Автор: Dan Inbar,Shahar Bar-Or,Alon Marcu,Ori Stern. Владелец: Ori Stern. Дата публикации: 2011-11-03.

Apparatus and method for optimized NAND flash memory management for devices with limited resources

Номер патента: US20100241786A1. Автор: Fan Zhang,Satpreet Singh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-09-23.

Nand flash memory parameter automatic detecting system

Номер патента: CN102063943A. Автор: 林志豪,何家良. Владелец: Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute ASTRI. Дата публикации: 2011-05-18.

A controller for a multiple bit per cell nand flash memory for emulating a single bit per cell nand flash memory

Номер патента: KR101517416B1. Автор: 샤하르 바-오르,알론 마르쿠,오리 스테른,단 인바르. Владелец: 샌디스크 아이엘 엘티디. Дата публикации: 2015-05-04.

Controller for one type of nand flash memory for emulating another type of nand flash memory

Номер патента: US20090172247A1. Автор: Dan Inbar,Shahar Bar-Or,Alon Marcu,Ori Stern. Владелец: Sandisk IL Ltd. Дата публикации: 2009-07-02.

Method for realizing multi-bit data convolution operation of NAND flash memory

Номер патента: CN115660058A. Автор: 汤强. Владелец: Zhixun Innovation Technology Wuxi Co ltd. Дата публикации: 2023-01-31.

Nand flash memory device with enhanced data retention characteristics and operating method thereof

Номер патента: US20240265975A1. Автор: Sung Ho Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Asynchronous bad block management in nand flash memory

Номер патента: US20130205072A1. Автор: Saugata Das Purkayastha,Mahesh Sreekandath. Владелец: St Ericsson SA. Дата публикации: 2013-08-08.

Asynchronous bad block management in nand flash memory

Номер патента: EP2577472A1. Автор: Saugata Das Purkayastha,Mahesh Sreekandath. Владелец: St Ericsson SA. Дата публикации: 2013-04-10.

Asynchronous bad block management in NAND flash memory

Номер патента: US09483395B2. Автор: Saugata Das Purkayastha,Mahesh Sreekandath. Владелец: St Ericsson SA. Дата публикации: 2016-11-01.

Erase and soft program for vertical NAND flash

Номер патента: US10290356B2. Автор: Koichi Kawai,Krishna K. Parat,Akira Goda,Pranav Kalavade. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-05-14.

JUMP PAGE CACHE READ METHOD IN NAND FLASH MEMORY AND NAND FLASH MEMORY

Номер патента: US20190220226A1. Автор: CHEN Minyi. Владелец: Shine Bright Technology Limited. Дата публикации: 2019-07-18.

A kind of nand flash memory verification device and verification system

Номер патента: CN108231132A. Автор: 韩飞,王永成,蔡德智. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2018-06-29.

Nand flash memory with integrated bit line capacitance

Номер патента: WO2010138219A1. Автор: Chulmin Jung,Brian Lee,Dadi Setiadi,Yong Lu,Hongyue Liu. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2010-12-02.

Erase and soft program for vertical nand flash

Номер патента: US20190287627A1. Автор: Koichi Kawai,Krishna K. Parat,Akira Goda,Pranav Kalavade. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Erase and soft program for vertical nand flash

Номер патента: US20160336073A1. Автор: Koichi Kawai,Krishna K. Parat,Akira Goda,Pranav Kalavade. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-17.

Interruptible nand flash memory

Номер патента: KR20120092561A. Автор: 존 지 베네트. Владелец: 마이크로소프트 코포레이션. Дата публикации: 2012-08-21.

Memory system having NAND-based NOR and NAND flashes and SRAM integrated in one chip for hybrid data, code and cache

Номер патента: TW201113698A. Автор: Peter Wung Lee,Fu-Chang Hsu,Ke-Sheng Wang. Владелец: Aplus Flash Technology Inc. Дата публикации: 2011-04-16.

NFTL data storage system and method applied to NAND flash

Номер патента: CN105740162A. Автор: 魏巍,王大岁,皮小军. Владелец: SHANGHAI INFOTM MICROELECTRONICS CO Ltd. Дата публикации: 2016-07-06.

Flash programmer for programming NAND flash and NOR/NAND combined flash

Номер патента: US7360137B2. Автор: Greg Topham,Greg Amidon,Samil Asim Addemir. Владелец: Westell Technologies Inc. Дата публикации: 2008-04-15.

Read operation method, electronic equipment and the computer-readable recording medium of NAND-flash memory

Номер патента: CN107437433A. Автор: 霍宗亮,叶甜春,杜智超,王颀. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-12-05.

Nand flash memory device with burst read latency function

Номер патента: CN1933028A. Автор: 黄相元. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-21.

3D nand flash memory and preparation method thereof

Номер патента: CN110061008A. Автор: 肖莉红. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-26.

3D NAND preparation method for preventing silicon damage of selective epitaxial growth and obtained 3D NAND flash memory

Номер патента: CN107482016B. Автор: 陆智勇. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-17.

3D nand flash memory and preparation method

Номер патента: CN110137176A. Автор: 肖莉红. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-16.

Nand flash memory device and method for fabricating nand flash memory device

Номер патента: KR100650837B1. Автор: 박성조,박희식. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-11-27.

Nand flash architecture with multi-level row decoding

Номер патента: CN102341864B. Автор: 金镇祺. Владелец: Examine Vincent Zhi Cai Management Co. Дата публикации: 2015-02-11.

A kind of 3D nand flash memory preparation method stacked based on oxide-graphene film and flash memory

Номер патента: CN107994030B. Автор: 方振,陈保友,黄竹青. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-22.

Variable bit encoding per NAND flash cell to improve device endurance and extend life of flash-based storage devices

Номер патента: US09639282B2. Автор: Linh Tien Truong,Navneeth Kankani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-02.

Method and apparatus for repairing defects in NAND flash memory device

Номер патента: CN105097045A. Автор: 刘洋,张新果,拉兹·吉夫. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2015-11-25.

Erase and soft program for vertical NAND flash

Номер патента: US10699790B2. Автор: Koichi Kawai,Krishna K. Parat,Akira Goda,Pranav Kalavade. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-06-30.

METHOD OF PROGRAMMING MULTILEVEL CELL NAND FLASH MEMORY DEVICE AND MLC NAND FLASH MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200372963A1. Автор: Wan Wei Jun. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-26.

3D NAND flash memory programming method

Номер патента: CN112365913A. Автор: 聂虹,陈精纬. Владелец: China Flash Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-12.

Sensing of memory cells in NAND flash

Номер патента: CN101828237B. Автор: 维沙尔·萨林,弗朗姬·F·鲁帕尔瓦尔. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-12-25.

Sensing of memory cells in NAND flash

Номер патента: CN101828237A. Автор: 维沙尔·萨林,弗朗姬·F·鲁帕尔瓦尔. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-09-08.

NAND flash memory controller exporting a NAND interface

Номер патента: US8291295B2. Автор: Eliyahou Harari,Robert D. Selinger,Richard R. Heye,Menahem Lasser. Владелец: Sandisk IL Ltd. Дата публикации: 2012-10-16.

A nand flash memory controller exporting a nand interface

Номер патента: WO2007034481A2. Автор: Menachem Lasser. Владелец: SANDISK IL LTD.. Дата публикации: 2007-03-29.

NAND FLASH MEMORY AND METHOD FOR DESTROYING INFORMATION FROM THE NAND FLASH MEMORY

Номер патента: US20190206496A1. Автор: CHEN Minyi. Владелец: Shine Bright Technology Limited. Дата публикации: 2019-07-04.

NAND flash architecture with multi-level row decoding

Номер патента: JP2012519347A. Автор: ジン−キ・キム. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2012-08-23.

NAND Flash Memory Controller Exporting a NAND Interface

Номер патента: US20100023800A1. Автор: Eliyahou Harari,Robert D. Selinger,Richard R. Heye,Menahem Lasser. Владелец: Sandisk IL Ltd. Дата публикации: 2010-01-28.

A kind of 3D NAND flash memory structure and preparation method thereof

Номер патента: CN107731839B. Автор: 张坤,夏志良,刘藩东. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-19.

Double-top-layer selection grid electrode 3D NAND flash memory and forming method thereof

Номер патента: CN104392964B. Автор: 朱明�,丰伟,吴华强,朱一明,舒清明,邓宁,钱鹤. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2017-02-15.

NAND flash memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: CN112242399A. Автор: 王奇伟,刘天舒,巨晓华. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-01-19.

A kind of preparation technology in 3D nand flash memories raceway groove hole

Номер патента: CN107482017A. Автор: 王鹏,何佳,霍宗亮,夏志良,刘藩东,张若芳,吴林春. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-15.

NAND Flash Memory Controller Exporting a NAND Interface

Номер патента: US20130111113A1. Автор: Harari Eliyahou,LASSER MENAHEM,Selinger Robert D.,Heye Richard R.. Владелец: . Дата публикации: 2013-05-02.

NAND FLASH STORAGE DEVICE WITH NAND BUFFER

Номер патента: US20180373440A1. Автор: Shah Monish. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-27.

The method and apparatus of dynamic partition information is generated in Nand flash memory

Номер патента: CN102999436B. Автор: 秦绍天. Владелец: Huawei Device Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-09.

Nand flash storage device with nand buffer

Номер патента: EP3418897A1. Автор: Monish Shah. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2018-12-26.

One kind reduces heat load method in prepared by 3D nand flash memories

Номер патента: CN107731825A. Автор: 何佳,霍宗亮,夏志良,刘藩东,杨要华,吴林春. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-23.

Method for improving cross-page memory address mapping efficiency in NAND flash memory

Номер патента: CN107861884B. Автор: 吴非,张猛,谢长生,刘伟华. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2020-06-02.

3D NAND flash memory and operation method thereof

Номер патента: CN113823347A. Автор: 魏文喆,刘红涛,黄莹,黄德佳. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-21.

Method and device for measuring threshold voltage distribution in NAND flash memory and storage medium

Номер патента: CN111899784B. Автор: 方毅,朱广平,韩国军,黄三维. Владелец: GUANGDONG UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2022-07-12.

NAND FLASH STORAGE DEVICE AND METHODS USING NON-NAND STORAGE CACHE

Номер патента: US20180314434A1. Автор: Simonson Dana L.. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-11-01.

A kind of programmed method and device of nand flash memory

Номер патента: CN108665932A. Автор: 苏志强,李建新,刘会娟. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2018-10-16.

Method and apparatus for NAND flash memory

Номер патента: CN113711310A. Автор: 许富菖. Владелец: Neo Semiconductor Inc. Дата публикации: 2021-11-26.

Nand flash memory device and program method thereof

Номер патента: CN101430934B. Автор: 李昌炫. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-11-26.

Hot/cold test equipment for nand flash memory

Номер патента: KR101183690B1. Автор: 김두한. Владелец: (주)이엔씨테크. Дата публикации: 2012-09-17.

METHOD AND SYSTEM OF HIGH-THROUGHPUT HIGH-CAPACITY STORAGE APPLIANCE WITH FLASH TRANSLATION LAYER ESCALATION AND GLOBAL OPTIMIZATION ON RAW NAND FLASH

Номер патента: US20180173434A1. Автор: Li Shu. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-21.

Variable Bit Encoding Per NAND Flash Cell to Improve Device Endurance and Extend Life of Flash-Based Storage Devices

Номер патента: US20160342345A1. Автор: Kankani Navneeth,Truong Linh Tien. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-24.

Variable bit encoding per NAND flash cell to extend life of flash-based storage devices and preserve over-provisioning

Номер патента: US9864525B2. Автор: Linh Tien Truong,Navneeth Kankani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-09.

FLASH-AWARE STORAGE OPTIMIZED FOR MOBILE AND EMBEDDED DBMS ON NAND FLASH MEMORY

Номер патента: US20130246693A1. Автор: LEE Sangcheol,KO BongSoo,YOO HyungGook,KANG SongHee. Владелец: ORACLE INTERNATIONAL CORPORATION. Дата публикации: 2013-09-19.

Variable Bit Encoding Per NAND Flash Cell to Extend Life of Flash-Based Storage Devices and Preserve Over-Provisioning

Номер патента: US20170168713A1. Автор: Kankani Navneeth,Truong Linh Tien. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-15.

Variable Bit Encoding Per NAND Flash Cell to Improve Device Endurance and Extend Life of Flash-Based Storage Devices

Номер патента: US20170220269A1. Автор: Kankani Navneeth,Truong Linh Tien. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-03.

Variable Bit Encoding Per NAND Flash Cell to Extend Life of Flash-Based Storage Devices and Preserve Over-Provisioning

Номер патента: US20160342344A1. Автор: Kankani Navneeth,Truong Linh Tien. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-24.

Variable bit encoding per NAND flash cell to improve device endurance and extend life of flash-based storage devices

Номер патента: US9891844B2. Автор: Linh Tien Truong,Navneeth Kankani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-02-13.

Variable bit encoding per NAND flash cell to extend life of flash-based storage devices and preserve over-provisioning

Номер патента: US9606737B2. Автор: Linh Tien Truong,Navneeth Kankani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-03-28.

Detect multifold disturbance and minimize read-disturb errors in NAND flash

Номер патента: US11748195B2. Автор: Subhojit Roy,Sarvesh S. Patel,Kushal S. Patel,Puja Leekha. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Method and device for measuring threshold voltage distribution in NAND flash memory and storage medium

Номер патента: CN111899784A. Автор: 方毅,朱广平,韩国军,黄三维. Владелец: GUANGDONG UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2020-11-06.

NAND Flash中查询数据、存储数据的方法、装置和设备

Номер патента: CN115826868. Автор: 王�琦,李富民,陈娜娜,张增仁,潘小峰. Владелец: Weifang Weichai Power Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-21.

Error characterization and mitigation for 16nm MLC NAND flash memory under total ionizing dose effect

Номер патента: US09870834B2. Автор: Yue Li,Jehoshua Bruck. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2018-01-16.

Nand flash memory and program method thereof

Номер патента: US20170140826A1. Автор: Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-18.

Error characterization and mitigation for 16nm mlc nand flash memory under total ionizing dose effect

Номер патента: US20180197617A1. Автор: Yue Li,Jehoshua Bruck. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2018-07-12.

Nand flash storage error mitigation systems and methods

Номер патента: WO2017117007A1. Автор: Shu Li. Владелец: ALIBABA GROUP HOLDING LIMITED. Дата публикации: 2017-07-06.

Flexible memory operations in NAND flash devices

Номер патента: TW200947444A. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2009-11-16.

A kind of 3D nand flash memories raceway groove hole polysilicon articulamentum forming method

Номер патента: CN107706191A. Автор: 王猛,赵治国,唐兆云,王家友,程媛,王香凝,陆智勇,赵新梅,李冠男,隋翔宇. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-16.

Efficient redundancy management in key-value NAND flash storage

Номер патента: US11914470B2. Автор: Moshe Twitto. Владелец: Pliops Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Page retirement in a nand flash memory system

Номер патента: US20190163592A1. Автор: Roman A. Pletka,Charles J. Camp,Andrew D. Walls,Ioannis Koltsidas. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-30.

Enhanced digital signal processor (dsp) nand flash

Номер патента: WO2022265691A1. Автор: Karin Inbar,Judah Gamliel Hahn,Ariel Navon,Eran Sharon,Shay Benisty,Alon Marcu. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2022-12-22.

Data recovery due to transient effects in nand flash memories

Номер патента: US20210109807A1. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Sasa Tomic,Nikolas Ioannou,Roman Alexander Pletka. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-15.

Systems and methods for generating soft information in nand flash

Номер патента: US20140160855A1. Автор: Zhengang Chen,Xueshi Yang,Gregory Burd,Shashi Kiran CHILAPPAGARI. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2014-06-12.

Defect management policies for NAND flash memory

Номер патента: US09535777B2. Автор: FENG ZHU,Pranav Kalavade,Ravi H. MOTWANI,Shyam Sunder Raghunathan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

The data cell array structure and its manufacture method of a kind of nand flash memory

Номер патента: CN107230677A. Автор: 刘红霞,肖磊,沈磊,刘岐,黄新运,沈晔晖. Владелец: Shanghai Fudan Microelectronics Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

The forming method of 3D NAND flash memory structure

Номер патента: CN108417577B. Автор: 肖莉红,杨号号,董金文,王恩博,周玉婷,汤召辉. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-29.

Mass storage device using NAND flash memory

Номер патента: TW200849016A. Автор: Un-Sik Seo. Владелец: Mgine Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-16.

Erweiterter digitaler signalprozessor (dsp) nand-flash

Номер патента: DE112022000520T5. Автор: Karin Inbar,Judah Gamliel Hahn,Ariel Navon,Eran Sharon,Shay Benisty,Alon Marcu. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Detection and localization of failures in 3D NAND flash memory

Номер патента: US09529663B1. Автор: Eyal Gurgi,Charan Srinivasan. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

NAND flash memory having an enhanced buffer read capability and method of operation thereof

Номер патента: US09442798B2. Автор: Anil Gupta,Oron Michael. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

一种nand flash坏块标记方法

Номер патента: CN116909483. Автор: 黄俊斌,刘怡雄,谈小柱. Владелец: Hangzhou Nationalchip Science & Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-10-20.

NOR and nand flash memory performance measuring and evaluating method

Номер патента: CN106683709B. Автор: 徐帅,朱怡安,李联,任佩琪,罗殊彦. Владелец: Northwestern Polytechnical University. Дата публикации: 2019-08-09.

Page retirement in a nand flash memory system

Номер патента: WO2015083308A1. Автор: Roman A. Pletka,Andrew Dale Walls,Ioannis Koltsidas,Charles John Camp. Владелец: Ibm Japan, Ltd.. Дата публикации: 2015-06-11.

一种nand flash坏块标记方法

Номер патента: CN116909483A. Автор: 黄俊斌,刘怡雄,谈小柱. Владелец: Hangzhou Nationalchip Science & Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-10-20.

Method and apparatus for implementing compatibility between different nand flash memories

Номер патента: EP2940589A4. Автор: Zhiyuan CAO,Yanjun HUANG,Xianzhang Ruan. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2016-03-02.

Method and apparatus of automatically selecting error correction algorithms by a NAND flash controller

Номер патента: TW200921689A. Автор: Santosh Kumar,Arunprasad Ramiya Mothilal,Sree Iyer. Владелец: MCM PORTFOLIO LLC. Дата публикации: 2009-05-16.

Look-ahead garbage collection for NAND flash based storage

Номер патента: US09652382B1. Автор: Zheng Wu,Arunkumar Subramanian. Владелец: SK Hynix Memory Solutions America Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

NAND flash memory

Номер патента: CN1324480C. Автор: 李永宅,徐康德. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-07-04.

Electrical mirroring by nand flash controller

Номер патента: US20210382624A1. Автор: Lin Chen,Jie Chen,Wei Jiang,Gang Zhao. Владелец: Innogrit Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-09.

Page retirement in a NAND flash memory system

Номер патента: US09952795B2. Автор: Roman A. Pletka,Charles J. Camp,Andrew D. Walls,Ioannis Koltsidas. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Architecture and method for NAND flash memory

Номер патента: US7542336B2. Автор: Jin-Man Han. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-06-02.

Nand flash memory comprising a current sensing page buffer

Номер патента: US20170140823A1. Автор: Osama Khouri,Chiara Missiroli. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-18.

Apparatus and Method for Programming ECC-Enabled NAND Flash Memory

Номер патента: US20160034351A1. Автор: Michael Oron. Владелец: WINBOND ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2016-02-04.

NAND Flash Memory Having an Enhanced Buffer Read Capability and Method of Operation Thereof

Номер патента: US20160034352A1. Автор: Gupta Anil,Michael Oron. Владелец: WINBOND ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2016-02-04.

Flexible interface for nand flash memory

Номер патента: US20170046102A1. Автор: Jie Chen,Wei Xu,Young-Ta Wu,Xueting YU,Jinjin He,Ka-Ming Keung,Dongwan Zhao,Rohitkumar Makhija,Madhu Kalluri,Qinghua Fu. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2017-02-16.

CALIBRATION OF OPEN BLOCKS IN NAND FLASH MEMORY

Номер патента: US20200051621A1. Автор: Papandreou Nikolaos,Pozidis Charalampos,PLETKA Roman A.,Fisher Timothy,Ioannou Nikolas,Tomic Sasa,FRY AARON D.. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-13.

DE-DUPLICATION SYSTEM USING NAND FLASH BASED CONTENT ADDRESSABLE MEMORY

Номер патента: US20140136760A1. Автор: Li Yan,Sprouse Steven T.. Владелец: SanDisk Techologies Inc.. Дата публикации: 2014-05-15.

BAD BLOCK DETECTION AND PREDICTIVE ANALYTICS IN NAND FLASH STORAGE DEVICES

Номер патента: US20180060148A1. Автор: "OGrady Patrick",Rudy David,Kechriotis George,Gemmell James. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-01.

ERROR RECOVERY USING ERASURES FOR NAND FLASH

Номер патента: US20150089323A1. Автор: Kou Yu,Tang Xiangyu. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-26.

NAND FLASH MEMORY

Номер патента: US20170110196A1. Автор: Chen Hui,Michael Oron,Jigour Robin John. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-20.

Serial NAND Flash With XIP Capability

Номер патента: US20220269513A1. Автор: SU Chun-Lien. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2022-08-25.

Dynamically adjusting read voltage in a nand flash memory

Non-binary eccs for low latency read, fractional bits per cell of nand flash

Номер патента: US20180181317A1. Автор: Kiran Kumar Gunnam,Minghai Qin,Zvonimir Z. Bandic. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-06-28.

SYSTEM AND METHOD FOR FACILITATING IMPROVED UTILIZATION OF NAND FLASH BASED ON PAGE-WISE OPERATION

Номер патента: US20210216218A1. Автор: Li Shu. Владелец: ALIBABA GROUP HOLDING LIMITED. Дата публикации: 2021-07-15.

READING AND WRITING TO NAND FLASH MEMORIES USING CHARGE CONSTRAINED CODES

Номер патента: US20160217034A1. Автор: Zeng Lingqi,Bellorado Jason,Subramanian Arunkumar,Tang Xiangyu,Lee Frederick K.H.. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-28.

Dynamic Management of a NAND Flash Memory

Номер патента: US20190228827A1. Автор: Chang Po-Chien,Hsu Bo-Shian,Syu Jia-Jyun. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-25.

Error Checking and Correction for NAND Flash Devices

Номер патента: US20150254129A1. Автор: Jente B. Kuang,Gi-Joon Nam,Shawn P. Authement. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-09-10.

Semiconductor Memory Device and Programming Method of NAND Flash Memory

Номер патента: US20150261605A1. Автор: YAMAUCHI Kazuki. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-17.

REFLOW ENDURANCE IMPROVEMENTS IN TRIPLE-LEVEL CELL NAND FLASH

Номер патента: US20200272363A1. Автор: Sato Junichi. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-27.

NAND Flash Reset Control

Номер патента: US20180349301A1. Автор: Canepa Timothy. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-06.

Command Queuing Smart Storage Transfer Manager for Striping Data to Raw-NAND Flash Modules

Номер патента: US20090037652A1. Автор: Abraham C. Ma,Charles C. Lee,Frank Yu. Владелец: Super Talent Electronics Inc. Дата публикации: 2009-02-05.

Method for operating a NAND flash memory device in multiple operational modes

Номер патента: US8687422B2. Автор: Theodore T. Pekny,Victor Y. Tsai. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-04-01.

Direct boot arrangement using a nand flash memory

Номер патента: EP2005295B1. Автор: Stephen Wu. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-11-08.

NAND flash memory access with relaxed timing constraints

Номер патента: TW200937425A. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2009-09-01.

NAND FLASH MEMORY HAVING C/A PIN AND FLASH MEMORY SYSTEM INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20130286737A1. Автор: IM JEON-TAEK. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-31.

Method of programming a flash memory cell and method of programming an nand flash memory using the same

Номер патента: TW200428396A. Автор: Sung-Bo Shim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-12-16.

Nand flash memory device capable of selectively erasing one flash memory cell and operating method thereof

Номер патента: KR20230059673A. Автор: 이종호,유호남. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2023-05-03.

A start-up circuit for bandgap references in a nand flash

Номер патента: EP4439561A1. Автор: Arvind Thakur,Subodh Prakash Taigor,Shubham Raj SINGH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-02.

ARCHITECTURE TO ALLOW EFFICIENT STORAGE OF DATA ON NAND FLASH MEMORY

Номер патента: US20130246890A1. Автор: Shin Hyunsuk,Lee Chi Kong,Au Siu-Hung Frederick,Sun Fei. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD.. Дата публикации: 2013-09-19.

NAND Flash Based Content Addressable Memory

Номер патента: US20140136757A1. Автор: Li Yan,Sprouse Steven T.. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2014-05-15.

DE-DUPLICATION TECHNIQUES USING NAND FLASH BASED CONTENT ADDRESSABLE MEMORY

Номер патента: US20140136759A1. Автор: Li Yan,Sprouse Steven T.. Владелец: SanDisk Techologies Inc.. Дата публикации: 2014-05-15.

DETERMINISTIC READ DISTURB COUNTER-BASED DATA CHECKING FOR NAND FLASH

Номер патента: US20190079684A1. Автор: BUXTON Neil. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-14.

INTELLIGENT DETECTION DEVICE OF SOLID STATE HARD DISK COMBINING A PLURALITY OF NAND FLASH MEMORY CARDS AND DETECTING METHOD FOR THE SAME

Номер патента: US20140164678A1. Автор: CHANG Yu-Shun,LAN Chien-Hung. Владелец: KEY TECHNOLOGY CORPORATION. Дата публикации: 2014-06-12.

PAGE RETIREMENT IN A NAND FLASH MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20150154061A1. Автор: Koltsidas Ioannis,Camp Charles J.,PLETKA Roman A.,Walls Andrew D.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-06-04.

NAND FLASH RELIABILITY WITH RANK MODULATION

Номер патента: US20160170672A1. Автор: LI Yue,Bruck Jehoshua,Jiang Anxiao,En Gad Eyal. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-16.

DELAYED TRIM OF MANAGED NAND FLASH MEMORY IN COMPUTING DEVICES

Номер патента: US20160179378A1. Автор: Redondo Ramon C.,Kent Klair. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-23.

NAND Flash memory interface controller with GNSS receiver firmware booting capability

Номер патента: US20150234742A1. Автор: Vasilyuk Nikolay. Владелец: TOPCON POSITIONING SYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2015-08-20.

QUALITY OF SERVICE AWARE STORAGE CLASS MEMORY/NAND FLASH HYBRID SOLID STATE DRIVE

Номер патента: US20180373626A1. Автор: Sun Chao,Qin Minghai,Vucinic Dejan,CHU Frank R.,MANZANARES Adam. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-27.

Storage system based on nand flash and data retention improving method

Номер патента: KR101653999B1. Автор: 이동희,김재호,박희진. Владелец: 서울시립대학교 산학협력단. Дата публикации: 2016-09-09.

Method and system for operating NAND flash physical space to extend memory capacity

Номер патента: US10891239B2. Автор: Shu Li. Владелец: Alibaba Group Holding Ltd. Дата публикации: 2021-01-12.

Start-up circuit for bandgap references in a nand flash

Номер патента: US20240331787A1. Автор: Arvind Thakur,Subodh Prakash Taigor,Shubham Raj SINGH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory devices including staircase structures, and related 3d nand flash memory devices

Номер патента: US20240015971A1. Автор: Xuan Li,Shuangqiang Luo,Adeline Yii. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-01-11.

Memory devices including staircase structures, and related 3D NAND flash memory devices

Номер патента: US12108600B2. Автор: Xuan Li,Shuangqiang Luo,Adeline Yii. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-10-01.

3d nand flash and operation method thereof

Номер патента: US20230335194A1. Автор: Ying Huang,Hongtao Liu,Wenzhe WEI,Dejia Huang,Song Min Jiang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Nand flash memory programming with floating substrate

Номер патента: WO2008027409A3. Автор: Qiang Tang,Ramin Ghodsi. Владелец: Ramin Ghodsi. Дата публикации: 2008-07-03.

Hierarchical common source line structure in NAND flash memory

Номер патента: TW200947443A. Автор: Hong Beom Pyeon,Jin-Ki Kim. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2009-11-16.

P channel NAND flash memory and operating method of the same

Номер патента: TWI236141B. Автор: Chih-Wei Hung,Cheng-Yuan Hsu. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2005-07-11.

Method of measuring threshold voltage for a NAND flash memory device

Номер патента: TWI254800B. Автор: Doe-Cook Kim,Jin-Su Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-05-11.

NAND flash memory and blank page search method therefor

Номер патента: US20060083065A1. Автор: Chin Lin,Hitoshi Shiga,Chin-Hung Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-04-20.

Efficient erase algorithm for SONOS-type NAND flash

Номер патента: TW200919477A. Автор: Hang-Ting Lue. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-01.

Nand flash memory programming

Номер патента: US20100202217A1. Автор: Qiang Tang,Ramin Ghodsi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-12.

Nand flash memory programming with floating substrate

Номер патента: WO2008027409A2. Автор: Qiang Tang,Ramin Ghodsi. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2008-03-06.

NAND flash memory device and method of improving characteristic of a cell in the same

Номер патента: TW200832422A. Автор: Duck-Ju Kim,Jun-Seop Chung,Ji-Hye Son. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-08-01.

Storage of read thresholds for NAND flash storage using linear approximation

Номер патента: US9064595B2. Автор: Arunkumar Subramanian,Jason Bellorado,Lingqi Zeng,Xiangyu Tang,Frederick K. H. Lee. Владелец: SK Hynix Memory Solutions America Inc. Дата публикации: 2015-06-23.

一种Nand Flash存储器的坏块判断与数据存储方法

Номер патента: CN118197388. Автор: 张龙,杨斌,周俊,吕伟,王尉,刘梦瑶,宋殿光,刘焕雨,唐雅琴. Владелец: Aerospace Science and Industry Inertia Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-14.

Boosting voltage technique fpr programming nand flash memory devices

Номер патента: WO2007130832A3. Автор: Masaaki Higashitani. Владелец: Masaaki Higashitani. Дата публикации: 2008-01-03.

Method of reading multi-level nand flash memory cell and circuit for the same

Номер патента: TWI295062B. Автор: Seung Ho Chang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-03-21.

一种Nand Flash存储器的坏块判断与数据存储方法

Номер патента: CN118197388A. Автор: 张龙,杨斌,周俊,吕伟,王尉,刘梦瑶,宋殿光,刘焕雨,唐雅琴. Владелец: Aerospace Science and Industry Inertia Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-14.

NAND flash memory programming

Номер патента: US20080049518A1. Автор: Qiang Tang,Ramin Ghodsi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-02-28.

Page buffer for NAND flash memory

Номер патента: TWI249745B. Автор: Doe-Cook Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-02-21.

Switching architecture for a nand flash memory device and a high voltage switch circuit

Номер патента: US20210287747A1. Автор: Moon Soo Sung,Miriam Sangalli,Yong Tae Kim,Marco Passerini,Dario Melchionni,Giulio Maria Iadicicco. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-16.

Page buffer for NAND flash memory

Номер патента: TW200418035A. Автор: Doe-Cook Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-09-16.

Nand flash memory device

Номер патента: KR100624949B1. Автор: 심근수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-09-15.

Nand flash memory having stacked array structure and fabrication method for the same

Номер патента: KR101036155B1. Автор: 박병국,윤장근,박일한. Владелец: 서울대학교산학협력단. Дата публикации: 2011-05-23.

Reduction of Read Disturb Errors in NAND FLASH Memory

Номер патента: US20120236639A1. Автор: Charles J. Camp,Holloway H. Frost. Владелец: Texas Memory Systems Inc. Дата публикации: 2012-09-20.

Charge Cycling By Equalizing and Regulating the Source, Well, and Bit Line Levels During Write Operations for NAND Flash Memory: Program to Verify Transition

Номер патента: US20130176776A1. Автор: Jongmin Park,Sung-En Wang,Masahide Matsumoto,Hao Thai Nguyen,Man Lung Mui,Seungpil Lee,Juan Carlos Lee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2013-07-11.

APPARATUS AND METHOD FOR REDUCED PEAK POWER CONSUMPTION DURING COMMON OPERATION OF MULTI-NAND FLASH MEMORY DEVICES

Номер патента: US20130308388A1. Автор: Nguyen Dzung. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-11-21.

NAND FLASH BIASING OPERATION

Номер патента: US20130343130A1. Автор: Hung Shuo-Nan,Lue Hang-Ting,HUANG Shih-Lin,Hsieh Chih-Chang,Chang Kuo-Pin,CHEN TI-WEN. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-26.

NAND FLASH WORD LINE MANAGEMENT

Номер патента: US20150003156A1. Автор: Nagabhirava Rajeev,Heller Tal,Peng Yong,Berckmann Tucker Dean,Ahwal Talal,Yurzola Damian,Dhakshinamurthy Krishnamurthy,Hary Arjun,Eli Yigal. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-01.

AUTOMATED VOLTAGE AND TIMING MARGIN MEASUREMENT FOR NAND FLASH INTERFACE

Номер патента: US20200035276A1. Автор: Sirajudeen Shajith Musaliar,SIJHER Taninder. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-30.

HIERARCHICAL COMMON SOURCE LINE STRUCTURE IN NAND FLASH MEMORY

Номер патента: US20140133236A1. Автор: KIM Jin-Ki,PYEON Hong Beom. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2014-05-15.

On-Device Data Analytics Using NAND Flash Based Intelligent Memory

Номер патента: US20140133237A1. Автор: Yan Li,Steven T. Sprouse,Johann George. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2014-05-15.

SYSTEMS AND METHODS FOR GENERATING SOFT INFORMATION IN NAND FLASH

Номер патента: US20140160855A1. Автор: Yang Xueshi,Chilappagari Shashi Kiran,Chen Zhengang,Burd Gregory. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD.. Дата публикации: 2014-06-12.

CONTROL METHOD AND CONTROLLER OF 3D NAND FLASH

Номер патента: US20220101922A1. Автор: Huang Ying,Liu Hongtao,WANG Qiguang,Wei Wenzhe. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-31.

METHOD FOR PROGRAMMING 3D NAND FLASH MEMORY

Номер патента: US20220101925A1. Автор: NIE Hong,CHEN Jingwei. Владелец: CHINA FLASH CO., LTD.. Дата публикации: 2022-03-31.

ERASE AND SOFT PROGRAM FOR VERTICAL NAND FLASH

Номер патента: US20140169093A1. Автор: Goda Akira,Parat Krishna K.,Kawai Koichi,Kalavade Pranav. Владелец: . Дата публикации: 2014-06-19.

ERROR CHARACTERIZATION AND MITIGATION FOR 16NM MLC NAND FLASH MEMORY UNDER TOTAL IONIZING DOSE EFFECT

Номер патента: US20170110199A1. Автор: LI Yue,Bruck Jehoshua. Владелец: California Institute of Technology. Дата публикации: 2017-04-20.

FAST-READING NAND FLASH MEMORY

Номер патента: US20150170752A1. Автор: Li Yan,Lee Seungpil,Marcu Alon,Mui Man,Duzly Yacov,Kenan Yuval. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-18.

METHOD FOR REGULATING READING VOLTAGE OF NAND FLASH MEMORY DEVICE

Номер патента: US20160225440A1. Автор: HAN Seung-Hyun,Hwang Sun-Mo. Владелец: THE-AIO INC.. Дата публикации: 2016-08-04.

NAND FLASH MEMORY WITH WORDLINE VOLTAGE COMPENSATION USING COMPENSATED TEMPERATURE COEFFICIENTS

Номер патента: US20190221266A1. Автор: CHEN Minyi. Владелец: Shine Bright Technology Limited. Дата публикации: 2019-07-18.

Split Gate NAND Flash Memory Structure And Array, Method Of Programming, Erasing And Reading Thereof, And Method Of Manufacturing

Номер патента: US20140340967A1. Автор: Gao Feng,Widjaja Yuniarto,Lee Dana,Chen Changyuan,LIN Ya-Fen,Cooksey John W.. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-20.

ERASE AND SOFT PROGRAM FOR VERTICAL NAND FLASH

Номер патента: US20160336073A1. Автор: Goda Akira,Parat Krishna K.,Kawai Koichi,Kalavade Pranav. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2016-11-17.

NAND FLASH MEMORY HAVING MULTIPLE CELL SUBSTRATES

Номер патента: US20150364207A1. Автор: KIM Jin-Ki. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-17.

NAND FLASH ARRAY DEFECT REAL TIME DETECTION

Номер патента: US20220367000A1. Автор: Hoei Jung Sheng,Guo Xiaojiang,Piccardi Michele,Tripathi Manan. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-17.

NAND flash architecture with multi-level row decoding

Номер патента: US8189390B2. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2012-05-29.

Method for improving read disturb characteristics of nand flash memory array

Номер патента: KR20080038656A. Автор: 강형석,한경수,이진엽,김후성,한의규. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-05-07.

Nand flash memory device applying erase voltage of different level to each word line

Номер патента: KR100706797B1. Автор: 김무성. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-04-12.

Method of erasing nand flash memory device

Номер патента: KR100811277B1. Автор: 노금환. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-03-07.

Method for reading nand flash memory element using self-boosting

Номер патента: JP2008165958A. Автор: Min Kyu Lee,キューリーミン. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-07-17.

Interruptible nand flash memory

Номер патента: AU2010292898B2. Автор: John G. Bennett. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2014-06-05.

NAND flash memory

Номер патента: US7697333B2. Автор: Katsuaki Isobe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-04-13.

Memory module having a plurality of phase change memories, buffer RAM and nand flash memory

Номер патента: US20100214813A1. Автор: Jangseok Choi,Dongyang Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-08-26.

NAND flash memory device having dummy memory cells and methods of operating same

Номер патента: US7480178B2. Автор: Jung-Dal Choi,Jong-Sun Sel,Yoo-Cheol Shin,Ki-tae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-01-20.

NAND flash memory

Номер патента: JP4881401B2. Автор: 田浩一福,永泰彦松. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-02-22.

Device selection schemes in multi chip package nand flash memory system

Номер патента: CA2865019A1. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2013-07-11.

On-device data analytics using NAND flash based intelligent memory

Номер патента: US8811085B2. Автор: Yan Li,Steven T. Sprouse,Johann George. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2014-08-19.

NAND flash memory test interface apparatus and operating method thereof

Номер патента: KR101527690B1. Автор: 오세경. Владелец: (주) 에이블리. Дата публикации: 2015-06-11.

一种基于NAND Flash的系统检测方法及装置

Номер патента: CN102789408A. Автор: 王征宇. Владелец: Xiamen Overseas Chinese Electronic Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-21.

一种确定nand flash纠错模式的方法、装置及电子设备

Номер патента: CN116028261. Автор: 柴昊. Владелец: Zhejiang Dahua Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-28.

一种快速烧写NAND flash的装置

Номер патента: CN201465564U. Автор: 张根林,徐旭斌. Владелец: ZHEJIANG ZHENGYUAN ELECTRIC CO Ltd. Дата публикации: 2010-05-12.

一种提高nand flash器件文件存取速度的方法及系统

Номер патента: CN109710181. Автор: 杨磊,唐琪,邱礼胜. Владелец: CHENGDU LATEST ELECTRONIC TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-03.

一种nand flash封装设计方法

Номер патента: CN118888459A. Автор: 唐旭,万国春. Владелец: TONGJI UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-11-01.

一种基于NAND Flash的系统检测方法及装置

Номер патента: CN102789408B. Автор: 王征宇. Владелец: Xiamen Xiahua Investment Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-22.

一种基于NAND Flash的系统检测装置

Номер патента: CN202720634U. Автор: 王征宇. Владелец: Xiamen Overseas Chinese Electronic Co Ltd. Дата публикации: 2013-02-06.

NAND Flash的扫描方法、设备及存储介质

Номер патента: CN117727354. Автор: 李晓强,陈斌,聂蒙,吴大畏,陈寄福. Владелец: SHENZHEN SILICONGO MICROELECTRONICS CO Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

NAND Flash的扫描方法、设备及存储介质

Номер патента: CN117727354A. Автор: 李晓强,陈斌,聂蒙,吴大畏,陈寄福. Владелец: SHENZHEN SILICONGO MICROELECTRONICS CO Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

一种用于MLC NAND Flash存储器的嵌入ECC读取电路装置

Номер патента: CN207742939U. Автор: 杨燕,王滨,王天宝,陈霞,杜江,王海时,李英祥,彭映杰. Владелец: Chengdu University of Information Technology. Дата публикации: 2018-08-17.

一种nand flash存储器件

Номер патента: CN100477009. Автор: 骆建军,楚传仁. Владелец: LUO JIANJUN CHU CHUANREN. Дата публикации: 2009-04-08.

一种用于测试nand flash的PCB板

Номер патента: CN214311714U. Автор: 宗成强,范宣荣,尹相彦. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-28.

一种基于NAND Flash可靠性的数据处理方法

Номер патента: CN117215476. Автор: 杨柳,张博,李前辉,霍宗亮,叶甜春,于晓磊,王先良,王颀,何菁. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-12-12.

一种NAND Flash特性模型建立方法

Номер патента: CN109871594. Автор: 刘尚,朱苏雁,孙中琳,刘大铕,刘奇浩,王运哲. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-11.

一种基于NAND Flash可靠性的数据处理方法

Номер патента: CN117215476A. Автор: 杨柳,张博,李前辉,霍宗亮,叶甜春,于晓磊,王先良,王颀,何菁. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-12-12.

一种选择最佳NAND Flash读操作电平的方法

Номер патента: CN109741783. Автор: 李铁,王彬. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-10.

Bad queue management device for Nand Flash

Номер патента: CN203311409U. Автор: 黎健,陈文捷,庞荣,魏益新,郑灼荣. Владелец: Jianrong Integrated Circuit Technology Zhuhai Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-27.

一种axi总线访问nand flash的方法及装置

Номер патента: CN109726149. Автор: 杨海波,赵强,王泉,曹朋朋,霍卫涛,胡小婷. Владелец: Xian Aeronautics Computing Technique Research Institute of AVIC. Дата публикации: 2019-05-07.

Large-capacity NAND FLASH expansion module

Номер патента: CN201741409U. Автор: 李伟,梁华勇,邓昕岳. Владелец: Langchao Electronic Information Industry Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-09.

Method for establishing large-page NAND Flash storage system under Windows CE condition

Номер патента: CN101923570B. Автор: 汪玮,廖颖,陈一新,莫家贵. Владелец: CETC 38 Research Institute. Дата публикации: 2012-07-04.

一种在Nand Flash存储器中直接建立只读文件系统的方法

Номер патента: CN1737759A. Автор: 赵玉峰. Владелец: Hisense Mobile Communications Technology Co Ltd. Дата публикации: 2006-02-22.

一种容量为4G×8bit的非气密三维封装NAND FLASH存储器

Номер патента: CN209401621U. Автор: 余欢,牛士敏. Владелец: Xian Microelectronics Technology Institute. Дата публикации: 2019-09-17.

一种在Nand Flash存储器中直接建立只读文件系统的方法

Номер патента: CN100395704. Автор: 赵玉峰. Владелец: Hisense Mobile Communications Technology Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-18.

一种多个nand Flash存储芯片同步高温测试装置

Номер патента: CN116013399. Автор: 李斌,李芳�,胡文婷,任朝建. Владелец: Shenzhen Maide'er Semiconductor Co ltd. Дата публикации: 2023-04-25.

Nand Flash parameter reading method

Номер патента: CN105280240A. Автор: 李烨,刘方,庹凌云,卜弋天,谢长武. Владелец: Analog Microelectronics (shanghai) Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-27.

一种多个nand Flash存储芯片同步高温测试装置

Номер патента: CN219040077U. Автор: 李斌,李芳�,胡文婷,任朝建. Владелец: Shenzhen Maide'er Semiconductor Co ltd. Дата публикации: 2023-05-16.

一种基于nand flash的电子盘及其运行控制方法

Номер патента: CN101751978A. Автор: 王玉章,马先明. Владелец: BEIJING EVOC INTELLIGENT TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-23.

基于fpga的快速nand flash控制器及其控制方法

Номер патента: CN103226977A. Автор: 刘鹏,鞠磊,贾智平,申兆岩. Владелец: Shandong University. Дата публикации: 2013-07-31.

一种多个nand Flash存储芯片同步高温测试装置

Номер патента: CN116013399A. Автор: 李斌,李芳�,胡文婷,任朝建. Владелец: Shenzhen Maide'er Semiconductor Co ltd. Дата публикации: 2023-04-25.

一种获取NAND Flash存储器浅擦除特性规律的方法

Номер патента: CN109785891. Автор: 王彬,曹成. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-21.

Nand Flash storer and realize the method for the continuous read operation of Nand Flash storer

Номер патента: CN103377686B. Автор: 苏志强,丁冲,张现聚. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2016-03-30.

A kind of highly reliable linear file access method based on Nand Flash

Номер патента: CN103577121B. Автор: 袁松,毛先俊,何冲. Владелец: CSIC (WUHAN) LINCOM ELECTRONICS Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-06.

Nand flash测试设备

Номер патента: CN220290466U. Автор: 孙文琪. Владелец: Lianhe Storage Technology Jiangsu Co ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

High-reliability linear file access method based on nand flash

Номер патента: CN103577121A. Автор: 袁松,毛先俊,何冲. Владелец: CSIC (WUHAN) LINCOM ELECTRONICS Co Ltd. Дата публикации: 2014-02-12.

一种提高通道内3d nand flash并行度的方法及系统

Номер патента: CN114333948. Автор: 沈力,刘奇浩,李绪金. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-12.

一种提高通道内3d nand flash并行度的方法及系统

Номер патента: CN114333948B. Автор: 沈力,刘奇浩,李绪金. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-20.

Nand Flash脱机裸片烧程设备

Номер патента: CN214202348U. Автор: 黄野,孟卓,王冰洁,梅红争. Владелец: Ningbo Henglida Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-14.

一种提高通道内3d nand flash并行度的方法及系统

Номер патента: CN114333948A. Автор: 沈力,刘奇浩,李绪金. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-12.

NAND Flash characteristic model establishing method

Номер патента: CN109871594B. Автор: 刘尚,朱苏雁,孙中琳,刘大铕,刘奇浩,王运哲. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-03.

一种基于单片机的nand-flash写操作方法

Номер патента: CN104166627A. Автор: 田星星,焦来宾,何刚. Владелец: KEDA INTELLIGENT ELECTRICAL TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-26.

一种axi总线访问nand flash的方法及装置

Номер патента: CN109726149A. Автор: 杨海波,赵强,王泉,曹朋朋,霍卫涛,胡小婷. Владелец: Xian Aeronautics Computing Technique Research Institute of AVIC. Дата публикации: 2019-05-07.

基于Nand Flash多版本程序的FPGA加载技术

Номер патента: CN102750175A. Автор: 刘剑,翟刚毅. Владелец: 724th Research Institute of CSIC. Дата публикации: 2012-10-24.

一种SPI NAND Flash芯片性能测试方法及装置

Номер патента: CN118366531A. Автор: 徐培根. Владелец: Guangzhou V Solution Telecommunication Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-07-19.

提高NAND Flash存储可靠性的数据存储方法

Номер патента: CN104467871B. Автор: 赵浩然,乔立岩,邓立宝,魏德宝. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2018-03-27.

一种小型Nand Flash多功能测试装置

Номер патента: CN215868650U. Автор: 朱言言. Владелец: Suzhou Jiecun Electronic Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-02-18.

一种容量为16G×32bit的非气密三维封装NAND FLASH存储器

Номер патента: CN209249457U. Автор: 李晗,余欢. Владелец: Xian Microelectronics Technology Institute. Дата публикации: 2019-08-13.

用於NAND Flash的通用控制模組及其方法

Номер патента: TWI859110B. Автор: 朱志強,華慶明. Владелец: 大陸商合肥奎芯集成電路設計有限公司. Дата публикации: 2024-10-11.

一种nand flash数据校验方法及相关装置

Номер патента: CN109857586. Автор: 王磊,李冰,陈晓彤,王广军,许云龙,安志远. Владелец: Kangtai Medical System (qinhuangdao) Ltd By Share Ltd. Дата публикации: 2019-06-07.

Method and apparatus for accelerating write operation of Nand Flash

Номер патента: CN105138465A. Автор: 贾天亮. Владелец: Beijing Techshino Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-09.

一种嵌入式CPU在NAND Flash上启动的方法

Номер патента: CN103279399A. Автор: 倪成钢. Владелец: Beijing Hanbang Gaoke Digital Technology Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-04.

Balanced loss achievement method for NAND FLASH

Номер патента: CN103092766A. Автор: 张志永,宗宇. Владелец: Mxtronics Corp. Дата публикации: 2013-05-08.

A kind of access method of NAND Flash interface and device

Номер патента: CN104750430B. Автор: 马翼,祝博,田达海. Владелец: Hunan Goke Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-16.

Write operation method and device of Nand-flash memory

Номер патента: CN103455427A. Автор: 苏志强,丁冲,张现聚,刘奎伟. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2013-12-18.

嵌入式系统中NAND Flash存储器上建立文件系统的方法

Номер патента: CN100449549. Автор: 吴宁宁,吴明光,安庆敏. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2009-01-07.

一种Nand-Flash错误数据冗余替换方法

Номер патента: CN109840163. Автор: 龙晓东,薛小飞,李乾男. Владелец: Xian Unilc Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-04.

Method and device for write operation of NAND Flash storage device with differential storage

Номер патента: CN103680610A. Автор: 苏志强,舒清明. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2014-03-26.

一种快速烧写NAND flash的方法和装置

Номер патента: CN101527161A. Автор: 张根林,徐旭斌. Владелец: ZHEJIANG ZHENGYUAN ELECTRIC CO Ltd. Дата публикации: 2009-09-09.

一种延长NAND Flash数据可靠存储时间的编码方法

Номер патента: CN105204958B. Автор: 王世元,彭喜元,乔立岩,邓立宝,魏德宝. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2018-03-13.

一种NAND Flash弱块筛选的方法

Номер патента: CN109830257. Автор: 王彬,吴斌,曹成. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-31.

Multi-channel Nand Flash controller and control method for same

Номер патента: CN103778013A. Автор: 房亮,闫蕾,宫永生,曹丽剑,吴少俊,曹素芝. Владелец: Technology and Engineering Center for Space Utilization of CAS. Дата публикации: 2014-05-07.

NAND Flash存储系统高磨损区域数据预加重方法

Номер патента: CN105405462A. Автор: 潘立阳,高忠义,麻昊志. Владелец: Shenzhen Graduate School Tsinghua University. Дата публикации: 2016-03-16.

一种基于DQS恢复时钟的多Die封装Nand Flash的读数据方法

Номер патента: CN118151846A. Автор: 陈健,张俊杰,李迎春,宋英雄,曹炳尧,张倩武,谭家乐. Владелец: UNIVERSITY OF SHANGHAI FOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-06-07.

NAND Flash存储系统保存期间数据分步加重方法

Номер патента: CN105427886A. Автор: 潘立阳,高忠义,麻昊志. Владелец: Shenzhen Graduate School Tsinghua University. Дата публикации: 2016-03-23.

一种NAND Flash存储器的动态管理方法

Номер патента: CN100565477. Автор: 王新华,王建芬. Владелец: Zhejiang Lover Health Science and Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-02.

基于NAND Flash存储器文件系统的实现方法

Номер патента: CN100501868. Автор: 王祥生,谢斌,胡威,陈天洲. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2009-06-17.

一种针对NAND Flash最大保存时间错误数的分析方法

Номер патента: CN114283865. Автор: 李瑞东,曹成,蒋书斌. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-05.

一种基于支持向量回归法的NAND Flash位错误率预测方法

Номер патента: CN109947588. Автор: 刘娜,彭喜元,乔立岩,魏德宝,陈肖钰. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2019-06-28.

纠正NAND Flash中多比特错误的ECC装置和方法

Номер патента: CN109785895. Автор: 吕晶,周小锋,江喜平. Владелец: Xian Unilc Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-21.

Nand flash的数据处理方法

Номер патента: CN101794254A. Автор: 张彦伟,罗胜,李发生,成晓华. Владелец: SHENZHEN SILICONGO SEMICONDUCTOR CO Ltd. Дата публикации: 2010-08-04.

一种对NAND flash存储器进行物理损坏模拟的系统及其方法

Номер патента: CN100337285. Автор: 刘刚. Владелец: Qingdao Hisense Communication Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-12.

Method for realizing memory file system based on NAND Flash

Номер патента: CN100501868C. Автор: 王祥生,谢斌,胡威,陈天洲. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2009-06-17.

Bad block management system for satellite-based NAND FLASH solid memory

Номер патента: CN105005453A. Автор: 刘波,刘辉,张恒,郑莲玉. Владелец: Shanghai Institute of Satellite Engineering. Дата публикации: 2015-10-28.

一种针对NAND Flash最大保存时间错误数的分析方法

Номер патента: CN114283865A. Автор: 李瑞东,曹成,蒋书斌. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-05.

Nand-Flash error data redundancy replacement method

Номер патента: CN109840163B. Автор: 龙晓东,薛小飞,李乾男. Владелец: Xian Unilc Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-24.

A kind of method of weak piece of NAND Flash screening

Номер патента: CN109830257A. Автор: 王彬,吴斌,曹成. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-31.

Error correction method for the electric power acquisition terminal for employing NAND FLASH

Номер патента: CN105242982B. Автор: 陈杰,刘宁,郑坚江. Владелец: Ningbo Sanxing Medical and Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

纠正NAND Flash中多比特错误的ECC装置和方法

Номер патента: CN109785895A. Автор: 吕晶,周小锋,江喜平. Владелец: Xian Unilc Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-21.

NAND flash数据损坏后的恢复方法、装置、计算机设备及存储介质

Номер патента: CN118193294A. Автор: 张帆,刘浪,陈文伟. Владелец: Qianxun Si Network Zhejiang Co ltd. Дата публикации: 2024-06-14.

NAND FLASH data storage method

Номер патента: CN106354662A. Автор: 王勇,屠晓涛. Владелец: Shaanxi Qianshan Avionics Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-25.

Boot loading method and device based on NAND FLASH

Номер патента: CN104077167A. Автор: 赵志宇,康向艳. Владелец: HANGZHOU H3C TECHNOLOGIES CO LTD. Дата публикации: 2014-10-01.

Checking algorithm of NAND Flash memory chip

Номер патента: CN102789817A. Автор: 刘绍海,万籁民,韦献康. Владелец: PAX Computer Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-21.

纠正NAND Flash中多比特错误的ECC装置和方法

Номер патента: CN109785895B. Автор: 吕晶,周小锋,江喜平. Владелец: Xi'an Ziguang Guoxin Semiconductor Co ltd. Дата публикации: 2024-03-01.

Nand flash存储器件及其制备方法

Номер патента: CN118284049A. Автор: 高伟,金汉洙,申女. Владелец: Lianhe Storage Technology Jiangsu Co ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

BCH decoder for configuring error correcting capability according to Nand Flash extra space

Номер патента: CN101483442A. Автор: 周华,诸烜程,姜启军. Владелец: VERISILICON HOLDINGS CO Ltd. Дата публикации: 2009-07-15.

NAND FLASH file system

Номер патента: CN102981965A. Автор: 宗竞. Владелец: JIANGSU LEMAIDAO NETWORK TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-20.

一种用于nand flash的ldpc测试平台

Номер патента: CN208298556U. Автор: 徐光明,后嘉伟,虞安华. Владелец: Nanjing Yang Yang Microelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-28.

NAND flash栅形成方法

Номер патента: CN109727987. Автор: 王一,任佳,乔夫龙,巨晓华. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-07.

一种nand-flash存储芯片测试系统

Номер патента: CN118887987A. Автор: 李斌,李宁,胡文婷. Владелец: Shenzhen Maide'er Semiconductor Co ltd. Дата публикации: 2024-11-01.

一种NAND Flash固态硬盘的可靠性检测方法及装置

Номер патента: CN109857607. Автор: 杜刚,刘晓彦,王坤亮. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-06-07.

一种NAND Flash的数据处理装置

Номер патента: CN205281481U. Автор: 刘会娟. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2016-06-01.

一种位线电压的控制电路及Nand Flash

Номер патента: CN208637142U. Автор: 陈俊,舒清明,马思博. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2019-03-22.

嵌有阶段性动态阈值损耗均衡模块的NAND Flash主控芯片

Номер патента: CN109712662. Автор: 杨阳,杨硕,李明洋,王晓璐. Владелец: Tianjin Jinhang Computing Technology Research Institute. Дата публикации: 2019-05-03.

一种Nand Flash存储器可靠性测试装置

Номер патента: CN220065194U. Автор: 张建锋,邱金辉,张春义. Владелец: Zhongke Ruice Tianjin Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

NAND flash栅形成方法

Номер патента: CN109727987A. Автор: 王一,任佳,乔夫龙,巨晓华. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-07.

一种用于nand flash的不对称稳压电路

Номер патента: CN105242735B. Автор: 邓龙利. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2017-03-15.

NAND Flash main control chip embedded with staged dynamic threshold value loss balancing module

Номер патента: CN109712662B. Автор: 杨阳,杨硕,李明洋,王晓璐. Владелец: Tianjin Jinhang Computing Technology Research Institute. Дата публикации: 2020-10-13.

High-reliability NAND Flash reading method and system

Номер патента: CN103811071A. Автор: 苏志强,朱一明,丁冲,张君宇. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2014-05-21.

用于文件系统向Nand Flash写数据的驱动装置及方法

Номер патента: CN102331911B. Автор: 张颖,赵志宇,段琳,钱嘉林,李星爽. Владелец: HANGZHOU H3C TECHNOLOGIES CO LTD. Дата публикации: 2014-07-16.

一种NAND Flash芯片存储介质的固定装置

Номер патента: CN221200765U. Автор: 陈兵兵,庄杰,徐健健,卢万进,董梓琪. Владелец: Xisu Technology Jiangsu Co ltd. Дата публикации: 2024-06-21.

Method for detecting and mapping states of NAND FLASH

Номер патента: CN102541676B. Автор: 郭鑫俊. Владелец: Fujian Newland Communication Science Technology Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-05.

Method for detecting and mapping states of NAND FLASH

Номер патента: CN102541676A. Автор: 郭鑫俊. Владелец: Fujian Newland Communication Science Technology Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-04.

Method of programming nand flash memory ic and apparatus for realising said method

Номер патента: RU2454739C1. Автор: Андрей Константинович Иванов,Андрей Михайлович Прокопенко,Евгений Андреевич Тарутин,Андрей Михайлович Прокопенко (RU),Евгений Андреевич Тарутин (RU),Андрей Константинович Иванов (RU). Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Курский научно-исследовательский институт" Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2012-06-27.

一种基于支持向量回归法的NAND Flash位错误率预测方法

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты