Efficient erase algorithm for SONOS-type NAND flash

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

一种nand flash存储芯片坏区检测管理方法

Номер патента: CN114627932. Автор: 吴智慧,胡红伟,邵星明. Владелец: Nanjing Changfeng Space Electronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-14.

Nand flash memory and method for destroying information from the nand flash memory

Номер патента: US20190206496A1. Автор: Minyi Chen. Владелец: Shine Bright Technology Ltd. Дата публикации: 2019-07-04.

一种nand flash存储芯片坏区检测管理方法

Номер патента: CN114627932A. Автор: 吴智慧,胡红伟,邵星明. Владелец: Nanjing Changfeng Space Electronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-14.

一种基于擦除时间判断NAND Flash对浅擦除处理的方法

Номер патента: CN112786097. Автор: 曹成,蒋书斌. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-11.

Interruptible nand flash memory

Номер патента: CA2768212C. Автор: John G. Bennett. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2016-09-13.

一种控制擦除操作的方法、装置以及Nand flash存储器

Номер патента: CN111951853. Автор: 张晓伟,马思博. Владелец: Beijing Zhaoyi Innovation Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-17.

NAND flash memory having multiple cell substrates

Номер патента: US09899096B2. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Non-volatile semiconductor memory device with improved erase algorithm

Номер патента: US6442071B2. Автор: Ki-hwan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-08-27.

一种基于擦除时间判断NAND Flash对浅擦除处理的方法

Номер патента: CN112786097B. Автор: 曹成,蒋书斌. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Charge packet programming for nand flash non-volatile memory

Номер патента: EP4345825A1. Автор: Maarten Rosmeulen,Devin Verreck. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-04-03.

一种基于擦除时间判断NAND Flash对浅擦除处理的方法

Номер патента: CN112786097A. Автор: 曹成,蒋书斌. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-11.

Method of erasing NAND flash memory device

Номер патента: US20050185471A1. Автор: Keun Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-08-25.

Method for Erasing Data of NAND Flash Memory Device

Номер патента: US20080158994A1. Автор: Hea Jong Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-07-03.

Nand flash memory

Номер патента: US20100277977A1. Автор: Dai Nakamura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-04.

Nand flash memory device capable of selectively erasing one flash memory cell and operation method thereof

Номер патента: US20230128347A1. Автор: Jong-ho Lee,Honam YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Block and zone erase algorithm for memory

Номер патента: US09449698B1. Автор: Jagdish Sabde,Sagar Magia,Rajan Paudel. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-20.

NAND FLASH MEMORY AND METHOD FOR DESTROYING INFORMATION FROM THE NAND FLASH MEMORY

Номер патента: US20190206496A1. Автор: CHEN Minyi. Владелец: Shine Bright Technology Limited. Дата публикации: 2019-07-04.

Erase algorithm for flash memory

Номер патента: US20150200018A1. Автор: Kyoung Chon Jin,Hounien Chen,Jong Sang Lee. Владелец: Integrated Silicon Solution Inc. Дата публикации: 2015-07-16.

Erase algorithm for flash memory

Номер патента: US20150200018A1. Автор: Kyoung Chon Jin,Hounien Chen,Jong Sang Lee. Владелец: Integrated Silicon Solution Inc. Дата публикации: 2015-07-16.

ERASE ALGORITHM FOR FLASH MEMORY

Номер патента: US20150380101A1. Автор: Lee Jong Sang,Jin Kyoung Chon,Chen Hounien. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-31.

Page—EXE erase algorithm for flash memory

Номер патента: US7415646B1. Автор: Darlene Hamilton,Ken Cheong Cheah,Mimi Lee. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-08-19.

Erase and soft program for vertical nand flash

Номер патента: US20190287627A1. Автор: Koichi Kawai,Krishna K. Parat,Akira Goda,Pranav Kalavade. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Erase and soft program for vertical NAND flash

Номер патента: US10290356B2. Автор: Koichi Kawai,Krishna K. Parat,Akira Goda,Pranav Kalavade. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-05-14.

Erase and soft program for vertical nand flash

Номер патента: US20160336073A1. Автор: Koichi Kawai,Krishna K. Parat,Akira Goda,Pranav Kalavade. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-17.

NAND flash memory and blank page search method therefor

Номер патента: US20060083065A1. Автор: Chin Lin,Hitoshi Shiga,Chin-Hung Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-04-20.

Interface protocols between memory controller and nand flash memory for cache programming

Номер патента: US20240161840A1. Автор: Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

一种提高 nand flash 可靠性的方法及装置

Номер патента: WO2018040969A1. Автор: 吴旋. Владелец: 福建联迪商用设备有限公司. Дата публикации: 2018-03-08.

Hierarchical common source line structure in nand flash memory

Номер патента: WO2009079783A1. Автор: Hong Beom Pyeon,Jin-Ki Kim. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2009-07-02.

基于NAND Flash的存内计算芯片及其控制方法

Номер патента: CN111128279. Автор: 王绍迪. Владелец: Hangzhou Zhicun Intelligent Technology Co ltd. Дата публикации: 2020-05-08.

Operating method of memory system including nand flash memory, variable resistance memory and controller

Номер патента: US20160004469A1. Автор: Eun-Jin Yun,BoGeun Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-01-07.

Control method for nand flash memory to complete xnor operation

Номер патента: US20240194271A1. Автор: Qiang Tang. Владелец: Unim Innovation Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Dual edge access nand flash memory

Номер патента: WO2008093947A1. Автор: Un Sik Seo. Владелец: Mgine Co., Ltd.. Дата публикации: 2008-08-07.

一种3D NAND Flash减小数据保留错误的编程方法

Номер патента: CN114765043A. Автор: 杨洋,沙金,邓上鹏. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-07-19.

一种3D NAND Flash减小数据保留错误的编程方法

Номер патента: CN114765043. Автор: 杨洋,沙金,邓上鹏. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-07-19.

多通道的nand flash差错控制方法

Номер патента: CN113241110. Автор: 李金�,潘乐乐,濮建福,杨津浦,林闽佳. Владелец: Shanghai Spaceflight Institute of TT&C and Telecommunication. Дата публикации: 2021-08-10.

基于nand flash存储器的校验方法、终端设备及存储介质

Номер патента: CN110277131. Автор: 董时舫. Владелец: PAX Computer Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-24.

多通道的nand flash差错控制方法

Номер патента: CN113241110B. Автор: 李金�,潘乐乐,濮建福,杨津浦,林闽佳. Владелец: Shanghai Spaceflight Institute of TT&C and Telecommunication. Дата публикации: 2024-10-25.

多通道的nand flash差错控制方法

Номер патента: CN113241110A. Автор: 李金�,潘乐乐,濮建福,杨津浦,林闽佳. Владелец: Shanghai Spaceflight Institute of TT&C and Telecommunication. Дата публикации: 2021-08-10.

Interface protocols between memory controller and nand flash memory for cache programming

Номер патента: WO2024103238A1. Автор: Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-23.

Apparatus for controlling nand flash memory device and method for controlling same

Номер патента: US20240290397A1. Автор: Sang Hoon Shin,Hyoung Ki Nam. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

NAND flash memory and reading method thereof

Номер патента: US09564236B2. Автор: Katsutoshi Suito. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

NAND flash memory array architecture having low read latency and low program disturb

Номер патента: US9245639B1. Автор: Dae Hyun Kim,Anil Gupta,Jong Oh Lee. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-01-26.

Memory computing chip based on NAND Flash and control method thereof

Номер патента: CN111128279A. Автор: 王绍迪. Владелец: Hangzhou Zhicun Intelligent Technology Co ltd. Дата публикации: 2020-05-08.

一种提高nand flash可靠性的方法及装置

Номер патента: CN106409321A. Автор: 吴旋. Владелец: Fujian Landi Commercial Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-15.

Control method and controller of 3D NAND flash

Номер патента: US20210350853A1. Автор: Ying Huang,Hongtao Liu,Qiguang Wang,Wenzhe WEI. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

NAND FLASH memory-based verification method, terminal equipment and storage medium

Номер патента: CN110277131B. Автор: 董时舫. Владелец: PAX Computer Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-23.

Method for controlling nand flash memory to complete neural network operation

Номер патента: US20240194249A1. Автор: Qiang Tang. Владелец: Unim Innovation Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Method for nand flash memory to complete convolution operation of multi-bit data

Номер патента: US20240194230A1. Автор: Qiang Tang. Владелец: Unim Innovation Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Operating method of NAND flash memory unit

Номер патента: US9437309B2. Автор: Wei Lin,Yu-Cheng Hsu,Kuo-Yi Cheng. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Method and circuit for performing read operation in a nand flash memory

Номер патента: US20090003079A1. Автор: Jiro Kishimoto. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-01-01.

Method and circuit for performing read operation in a NAND flash memory

Номер патента: US7577033B2. Автор: Jiro Kishimoto. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-08-18.

Methods and apparatus for NAND flash memory

Номер патента: US12100460B2. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Neo Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Page buffer circuit for NAND flash memory

Номер патента: US09305649B1. Автор: Jong Oh Lee. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-04-05.

A kind of NAND-FLASH memory write operations method and device

Номер патента: CN108573729A. Автор: 苏志强. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2018-09-25.

Apparatus for controlling nand flash memory device and method for controlling same

Номер патента: US20220343983A1. Автор: Sang Hoon Shin,Hyoung Ki Nam. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-27.

Methods and apparatus for NAND flash memory

Номер патента: US11972811B2. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Neo Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-04-30.

Methods and apparatus for nand flash memory

Номер патента: WO2022047084A1. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: NEO Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2022-03-03.

Apparatus for controlling NAND flash memory device and method for controlling same

Номер патента: US12009035B2. Автор: Sang Hoon Shin,Hyoung Ki Nam. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Method for programming nand flash memory

Номер патента: US20220084598A1. Автор: Hong Nie,Jingwei CHEN. Владелец: China Flash Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-17.

NAND flash memory unit, operating method and reading method

Номер патента: US9245636B2. Автор: Wei Lin,Yu-Cheng Hsu,Kuo-Yi Cheng. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2016-01-26.

Methods and apparatus for nand flash memory

Номер патента: US20210327519A1. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-10-21.

Operating method of nand flash memory unit

Номер патента: US20160078952A1. Автор: Wei Lin,Yu-Cheng Hsu,Kuo-Yi Cheng. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Nand flash memory unit, operating method and reading method

Номер патента: US20140286105A1. Автор: Wei Lin,Yu-Cheng Hsu,Kuo-Yi Cheng. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2014-09-25.

Nand Flash的电压控制方法及非易失性存储器

Номер патента: CN112825263A. Автор: 朱长峰,束庆冉. Владелец: Shanghai Geyi Electronic Co ltd. Дата публикации: 2021-05-21.

Nand Flash的电压控制方法及非易失性存储器

Номер патента: CN112825262A. Автор: 谢瑞杰,朱长峰. Владелец: Shanghai Geyi Electronic Co ltd. Дата публикации: 2021-05-21.

Nand Flash的电压控制方法及非易失性存储器

Номер патента: CN112825263B. Автор: 朱长峰,束庆冉. Владелец: Zhaoyi Innovation Technology Group Co ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

3D NAND flash and operation method thereof

Номер патента: US11342023B2. Автор: Ying Huang,Hongtao Liu,Wenzhe WEI,Dejia Huang,Song Min Jiang. Владелец: Yangzte Memory Technologies Ltd. Дата публикации: 2022-05-24.

Nand flash闪存中状态码的验证方法及装置

Номер патента: CN105654989A. Автор: 刘会娟. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2016-06-08.

Nand Flash的电压控制方法及非易失性存储器

Номер патента: CN112825262. Автор: 谢瑞杰,朱长峰. Владелец: Shanghai Geyi Electronic Co ltd. Дата публикации: 2021-05-21.

Modulation of source voltage in nand-flash array read

Номер патента: US20240363173A1. Автор: Narayanan RAMANAN. Владелец: Intel NDTM US LLC. Дата публикации: 2024-10-31.

Dynamically adjusting read voltage in a NAND flash memory

Номер патента: US09934865B2. Автор: Thomas J. Griffin,Steven J. Hnatko. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Dynamically adjusting read voltage in a NAND flash memory

Номер патента: US09934863B2. Автор: Thomas J. Griffin,Steven J. Hnatko. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Dynamically adjusting read voltage in a NAND flash memory

Номер патента: US09691488B1. Автор: Thomas J. Griffin,Steven J. Hnatko. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Methods and apparatus for nand flash memory

Номер патента: EP4392975A1. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Neo Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-07-03.

3d nand flash and operation method thereof

Номер патента: US20210366545A1. Автор: Ying Huang,Hongtao Liu,Wenzhe WEI,Dejia Huang,Song Min Jiang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Modulation of source voltage in NAND-flash array read

Номер патента: US12087365B2. Автор: Narayanan RAMANAN. Владелец: Intel NDTM US LLC. Дата публикации: 2024-09-10.

Nand Flash的电压控制方法及非易失性存储器

Номер патента: CN112825263. Автор: 朱长峰,束庆冉. Владелец: Shanghai Geyi Electronic Co ltd. Дата публикации: 2021-05-21.

Dynamically adjusting read voltage in a NAND flash memory

Номер патента: US09659664B1. Автор: Thomas J. Griffin,Steven J. Hnatko. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

NAND flash memory and method of erasing, programming, and copy-back programming thereof

Номер патента: US6813184B2. Автор: June Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-11-02.

Non-destructive mode cache programming in NAND flash memory devices

Номер патента: US11894075B2. Автор: Jason Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Dynamically adjusting read voltage in a nand flash memory

Номер патента: US20170169894A1. Автор: Thomas J. Griffin,Steven J. Hnatko. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Dynamically adjusting read voltage in a nand flash memory

Номер патента: US20170169893A1. Автор: Thomas J. Griffin,Steven J. Hnatko. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Dynamically adjusting read voltage in a nand flash memory

Номер патента: US20170169890A1. Автор: Thomas J. Griffin,Steven J. Hnatko. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Dynamically adjusting read voltage in a nand flash memory

Номер патента: US20170169891A1. Автор: Thomas J. Griffin,Steven J. Hnatko. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Burst programming of a nand flash cell

Номер патента: US20230343397A1. Автор: Hua-Ling Cynthia Hsu,Victor Avila,Fanglin Zhang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-10-26.

Nand flash memory devices and methods of lsb/msb programming the same

Номер патента: US20090080251A1. Автор: Hyung-Gon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-03-26.

Methods and apparatus for nand flash memory

Номер патента: WO2023028410A1. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: NEO Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2023-03-02.

3D NAND flash and operation method thereof

Номер патента: US10978153B1. Автор: Ying Huang,Hongtao Liu,Wenzhe WEI,Dejia Huang,Song Min Jiang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-13.

Burst programming of a NAND flash cell

Номер патента: US11935599B2. Автор: Hua-Ling Cynthia Hsu,Victor Avila,Fanglin Zhang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-19.

Nand flash operating techniques

Номер патента: US20200118630A1. Автор: Wei-Liang Lin,Yao-Wen Chang,Wen-Jer Tsai,Guan-Wei Wu,Chun-Chang LU. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Nand flash memory device with enhanced data retention characteristics and operating method thereof

Номер патента: US20240265975A1. Автор: Sung Ho Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Flash programmer for programming NAND flash and NOR/NAND combined flash

Номер патента: US7360137B2. Автор: Greg Topham,Greg Amidon,Samil Asim Addemir. Владелец: Westell Technologies Inc. Дата публикации: 2008-04-15.

Nand flash memory and program method thereof

Номер патента: US20170140826A1. Автор: Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-18.

METHOD OF PROGRAMMING MULTILEVEL CELL NAND FLASH MEMORY DEVICE AND MLC NAND FLASH MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200372963A1. Автор: Wan Wei Jun. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-26.

Controller for One Type of NAND Flash Memory for Emulating Another Type of NAND Flash Memory

Номер патента: US20110271045A1. Автор: Dan Inbar,Shahar Bar-Or,Alon Marcu,Ori Stern. Владелец: Ori Stern. Дата публикации: 2011-11-03.

Cell operation methods using gate-injection for floating gate nand flash memory

Номер патента: US20080080248A1. Автор: Tzu-Hsuan Hsu,Erh-Kun Lai,Hang-Ting Lue. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-03.

Operation Method for 3D NAND Flash and 3D NAND Flash

Номер патента: WO2021189185A1. Автор: Gang Liu,Kaijin Huang,Jin LYU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-09-30.

NAND flash memory unit, NAND flash memory array, and methods for operating them

Номер патента: CN103226973A. Автор: 林纬,白田理一郎,毛妮娜,郭才豪. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2013-07-31.

Controller for one type of nand flash memory for emulating another type of nand flash memory

Номер патента: US20090172247A1. Автор: Dan Inbar,Shahar Bar-Or,Alon Marcu,Ori Stern. Владелец: Sandisk IL Ltd. Дата публикации: 2009-07-02.

Nand flash memory comprising a current sensing page buffer

Номер патента: US20170140823A1. Автор: Osama Khouri,Chiara Missiroli. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-18.

NAND flash memory devices having shielding lines between wordlines and selection lines

Номер патента: US7821825B2. Автор: Jung-Dal Choi,Ki-tae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-10-26.

Nand flash memory devices having shielding lines between wordlines and selection lines

Номер патента: US20090135647A1. Автор: Jung-Dal Choi,Ki-tae Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-05-28.

NAND memory cell array, NAND flash memory having NAND memory cell array, data processing method for NAND flash memory

Номер патента: TW200917260A. Автор: Woong-Lim Choi. Владелец: Woong-Lim Choi. Дата публикации: 2009-04-16.

Erase algorithm for multi-level bit flash memory

Номер патента: TWI363345B. Автор: Darlene Hamilton,Edward Hsia,Fatima Bathul,Masato Horiike. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2012-05-01.

Nand flash memory programming

Номер патента: US20100202217A1. Автор: Qiang Tang,Ramin Ghodsi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-12.

Nand flash memory programming with floating substrate

Номер патента: WO2008027409A3. Автор: Qiang Tang,Ramin Ghodsi. Владелец: Ramin Ghodsi. Дата публикации: 2008-07-03.

NAND flash memory programming

Номер патента: US20080049518A1. Автор: Qiang Tang,Ramin Ghodsi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-02-28.

3d nand flash and operation method thereof

Номер патента: US20230335194A1. Автор: Ying Huang,Hongtao Liu,Wenzhe WEI,Dejia Huang,Song Min Jiang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Hierarchical common source line structure in NAND flash memory

Номер патента: TW200947443A. Автор: Hong Beom Pyeon,Jin-Ki Kim. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2009-11-16.

P channel NAND flash memory and operating method of the same

Номер патента: TWI236141B. Автор: Chih-Wei Hung,Cheng-Yuan Hsu. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2005-07-11.

Flexible memory operations in NAND flash devices

Номер патента: TW200947444A. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2009-11-16.

Nand flash memory programming with floating substrate

Номер патента: WO2008027409A2. Автор: Qiang Tang,Ramin Ghodsi. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2008-03-06.

一种面向TLC型NAND Flash的阈值电压获取方法

Номер патента: CN111341375. Автор: 冯骅,彭喜元,乔立岩,魏德宝,陈肖钰. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2020-06-26.

NAND flash reliability with rank modulation

Номер патента: US09983808B2. Автор: Yue Li,Jehoshua Bruck,Anxiao Jiang,Eyal EN GAD. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2018-05-29.

NAND Flash数据保护电路

Номер патента: WO2019007112A1. Автор: 郭坚湖. Владелец: 深圳市英蓓特科技有限公司. Дата публикации: 2019-01-10.

基于nand flash的文件数据存取方法、装置、设备及存储介质

Номер патента: CN115359825. Автор: 王心侠,林杯淋. Владелец: Huierfeng Information System Co ltd. Дата публикации: 2022-11-18.

一种NAND Flash单元数据的读取方法和装置

Номер патента: CN112309476. Автор: 邸士伟. Владелец: Beijing Zhaoyi Innovation Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-02.

Nand Flash Phy参数配置方法和装置

Номер патента: CN109686394. Автор: 冯元元,马越,周晨杰. Владелец: Shenzhen Union Memory Information System Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-26.

一种NAND Flash单元数据的读取方法和装置

Номер патента: CN112309476A. Автор: 邸士伟. Владелец: Beijing Zhaoyi Innovation Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-02.

一种NAND Flash芯片的掉电保护电路、方法及固态硬盘

Номер патента: CN108389596B. Автор: 刘青,林世清,周成亮. Владелец: Beijing Dera Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-22.

一种NAND Flash芯片的掉电保护电路、方法及固态硬盘

Номер патента: CN108389596A. Автор: 刘青,林世清,周成亮. Владелец: Beijing Purple Light Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-10.

Nand flash的cg分组方法和cg分组装置

Номер патента: CN108053857A. Автор: 胡旭,苏志强,程莹,李建新,刘会娟. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2018-05-18.

一种nand flash的数据传输方法、装置及电路

Номер патента: CN110164493. Автор: 刘会娟,束庆冉. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2019-08-23.

Two-terminal memory compatibility with NAND flash memory set features type mechanisms

Номер патента: US09727258B1. Автор: Kuk-Hwan Kim,Hagop Nazarian. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Threshold voltage obtaining method for TLC type NAND Flash

Номер патента: CN111341375B. Автор: 冯骅,彭喜元,乔立岩,魏德宝,陈肖钰. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2020-12-01.

基于nand flash的文件数据存取方法、装置、设备及存储介质

Номер патента: CN115359825A. Автор: 王心侠,林杯淋. Владелец: Huierfeng Information System Co ltd. Дата публикации: 2022-11-18.

Error Checking and Correction for NAND Flash Devices

Номер патента: US20160283324A1. Автор: Jente B. Kuang,Gi-Joon Nam,Shawn P. Authement. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-29.

基于读电压表设置Nand Flash读电压的方法及装置

Номер патента: CN117854563. Автор: 张用,郭静颖,曾添友. Владелец: Chengdu Xinyilian Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

提高slc nand flash存储器重读效率及准确性的方法

Номер патента: CN116434808. Автор: 胡锦涛. Владелец: Pengti Storage Technology Nanjing Co ltd. Дата публикации: 2023-07-14.

基于读电压表设置Nand Flash读电压的方法及装置

Номер патента: CN117854563A. Автор: 张用,郭静颖,曾添友. Владелец: Chengdu Xinyilian Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

一种NAND Flash芯片掉电保护电路及保护方法

Номер патента: CN112652348. Автор: 杨彬,邓玉良,朱晓锐,李昂阳,庄伟坚. Владелец: Shenzhen State Micro Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-13.

一种控制读操作的方法、装置以及Nand flash存储器

Номер патента: CN111951864. Автор: 张晓伟. Владелец: Beijing Zhaoyi Innovation Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-17.

一种NAND Flash的操作检测方法

Номер патента: CN110473583. Автор: 刘凯. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-19.

一种SSD中在线校准NAND Flash读参考电压的方法

Номер патента: CN110473588. Автор: 刘凯,王璞. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-19.

Nand Flash Phy parameter configuration method and device

Номер патента: CN109686394B. Автор: 冯元元,马越,周晨杰. Владелец: Shenzhen Union Memory Information System Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-01.

Nand Flash Phy method for parameter configuration and device

Номер патента: CN109686394A. Автор: 冯元元,马越,周晨杰. Владелец: Shenzhen Union Memory Information System Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-26.

一种nand flash的最优固定电压轴的筛选方法

Номер патента: CN115295048A. Автор: 曹成,蒋书斌,石法圣. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-04.

NAND Flash坏块内数据重读的方法、电子设备及存储介质

Номер патента: CN113223583A. Автор: 李晓强,吴大畏,罗挺,陈斯煜. Владелец: SHENZHEN SILICONGO MICROELECTRONICS CO Ltd. Дата публикации: 2021-08-06.

一种nand flash的最优固定电压轴的筛选方法

Номер патента: CN115295048. Автор: 曹成,蒋书斌,石法圣. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-04.

嵌入式设备NAND Flash的ECC码存储方法

Номер патента: CN113571121. Автор: 戴志,刘怡雄. Владелец: Hangzhou Nationalchip Science & Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-10-29.

NAND Flash坏块内数据重读的方法、电子设备及存储介质

Номер патента: CN113223583. Автор: 李晓强,吴大畏,罗挺,陈斯煜. Владелец: SHENZHEN SILICONGO MICROELECTRONICS CO Ltd. Дата публикации: 2021-08-06.

一种NAND Flash错误率的分组测试装置

Номер патента: CN111276179. Автор: 王敏,王彦伟,阚宏伟. Владелец: Suzhou Inspur Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-12.

Method and apparatus for protecting lower page data during programming in NAND flash

Номер патента: US09703494B1. Автор: Pranav Kalavade,Shantanu R. Rajwade. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

NAND flash memory having multiple cell substrates

Номер патента: US09583204B2. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

一种NAND Flash芯片掉电保护电路及保护方法

Номер патента: CN112652348B. Автор: 杨彬,邓玉良,朱晓锐,李昂阳,庄伟坚. Владелец: STMicroelectronics Shenzhen R&D Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-22.

Digital Neutron Dosimeter Based On 3D NAND Flash Memory

Номер патента: US20230408715A1. Автор: Mark Samuilovich Akselrod,Vasiliy Vasilyevich Fomenko,Jonathan Mitchell Harrison. Владелец: Landauer Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Nand flash memory

Номер патента: US20130286734A1. Автор: Chun-Yen Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-10-31.

一种NAND Flash芯片掉电保护电路及保护方法

Номер патента: CN112652348A. Автор: 杨彬,邓玉良,朱晓锐,李昂阳,庄伟坚. Владелец: Shenzhen State Micro Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-13.

提高slc nand flash存储器重读效率及准确性的方法

Номер патента: CN116434808A. Автор: 胡锦涛. Владелец: Pengti Storage Technology Nanjing Co ltd. Дата публикации: 2023-07-14.

Vertical NAND flash memory array

Номер патента: US7148538B2. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-12-12.

Methods and apparatus for reading NAND flash memory

Номер патента: US11232835B2. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Neo Semiconductor Inc. Дата публикации: 2022-01-25.

Managing programming errors in nand flash memory

Номер патента: US20200234780A1. Автор: Thomas Mittelholzer,Nikolaos Papandreou,Roman Alexander Pletka. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-23.

Dual Sense Bin Balancing In NAND Flash

Номер патента: US20210407598A1. Автор: Idan Alrod,Eran Sharon,Richard Galbraith,Henry Yip,Jonas Goode. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Dual sense bin balancing in nand flash

Номер патента: WO2022005517A1. Автор: Idan Alrod,Eran Sharon,Richard Galbraith,Henry Yip,Jonas Goode. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2022-01-06.

NAND Flash坏块内数据重读的方法、电子设备及存储介质

Номер патента: CN113223583B. Автор: 李晓强,吴大畏,罗挺,陈斯煜. Владелец: SHENZHEN SILICONGO MICROELECTRONICS CO Ltd. Дата публикации: 2024-05-17.

一种NAND Flash错误率的分组测试装置

Номер патента: CN111276179A. Автор: 王敏,王彦伟,阚宏伟. Владелец: Suzhou Inspur Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-12.

Method for controlling nand flash memory to implement xnor operation

Номер патента: US20240194246A1. Автор: Qiang Tang. Владелец: Unim Innovation Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

一种灵敏放大器、控制方法及Nand Flash

Номер патента: CN112825254A. Автор: 李琪,谢瑞杰,朱长峰. Владелец: Shanghai Geyi Electronic Co ltd. Дата публикации: 2021-05-21.

一种灵敏放大器、控制方法及Nand Flash

Номер патента: CN112825254. Автор: 李琪,谢瑞杰,朱长峰. Владелец: Shanghai Geyi Electronic Co ltd. Дата публикации: 2021-05-21.

一种位线电压的控制电路及Nand Flash

Номер патента: CN110729015. Автор: 陈俊,舒清明,马思博. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2020-01-24.

Method for regulating reading voltage of NAND flash memory device

Номер патента: US09558816B2. Автор: Seung-Hyun Han,Sun-Mo Hwang. Владелец: THE-AIO Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Nand flash数据的掉电保护方法、装置及介质

Номер патента: CN114242125. Автор: 苏界伟. Владелец: Zhuhai Miaocun Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-03-25.

一种位线电压的控制电路及Nand Flash

Номер патента: CN110729015A. Автор: 陈俊,舒清明,马思博. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2020-01-24.

一种nand flash的读操作方法和装置

Номер патента: CN110223724. Автор: 谢瑞杰,朱长峰,马思博. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2019-09-10.

Device selection schemes in multi chip package NAND flash memory system

Номер патента: US09524778B2. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

On-device data analytics using nand flash based intelligent memory

Номер патента: WO2014074483A2. Автор: Yan Li,Steven T. Sprouse,Johann George. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2014-05-15.

A kind of method recovering Nand Flash wrong data

Номер патента: CN106205720A. Автор: 印中举. Владелец: Ramaxel Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-07.

Vertical nand flash type semiconductor device and method of operating the same

Номер патента: US20240046080A1. Автор: Jong Ho Lee,Jong Won Back. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Key-value addressed storage drive using nand flash based content addressable memory

Номер патента: WO2014074153A1. Автор: Yan Li,Stephen T. SPROUSE. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2014-05-15.

Nand flash based content addressable memory

Номер патента: WO2014074131A1. Автор: Stephen T. SPROUSE. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2014-05-15.

NAND flash memory with worldline voltage compensation using compensated temperature coefficients

Номер патента: US10366760B1. Автор: Minyi Chen. Владелец: GigaDevice Semiconductor Shanghai Inc. Дата публикации: 2019-07-30.

Nand flash数据的掉电保护方法、装置及介质

Номер патента: CN114242125B. Автор: 苏界伟. Владелец: Zhuhai Miaocun Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-11-08.

Nand flash device

Номер патента: US20240179899A1. Автор: NAKJIN SON,Dongjin Lee,Junhee LIM,Seongsu Kim,Hakseon KIM,Hanmin CHO,Chiwoong HAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-30.

Nand flash数据的掉电保护方法、装置及介质

Номер патента: CN114242125A. Автор: 苏界伟. Владелец: Zhuhai Miaocun Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-03-25.

Nand flash memory with wordline voltage compensation using compensated temperature coefficients

Номер патента: US20190221266A1. Автор: Minyi Chen. Владелец: Shine Bright Technology Ltd. Дата публикации: 2019-07-18.

NAND Flash颗粒模拟装置、读写方法和系统

Номер патента: CN117497036. Автор: 陆震熙. Владелец: Shenzhen Dapu Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-02.

一种基于SOC通用测试平台的Nand Flash测试方法

Номер патента: CN114220472. Автор: 耿敏敏. Владелец: Shanghai Xianfang Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-22.

测试Nand-flash坏块的控制方法及控制系统

Номер патента: CN113270136. Автор: 陈月玲,刘宇洋,唐畅,谢启友. Владелец: Hunan Bojiang Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-17.

Dynamic Management of a NAND Flash Memory

Номер патента: US20190228827A1. Автор: Po-Chien Chang,Jia-Jyun Syu,Bo-Shian Hsu. Владелец: Goke US Research Laboratory. Дата публикации: 2019-07-25.

一种Nand Flash颗粒功耗测试系统及方法

Номер патента: CN114121137A. Автор: 李栋. Владелец: Suzhou Inspur Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-01.

一种实现nand flash电流测试的系统及方法

Номер патента: CN117558333. Автор: 徐晖,王嵩,刘晓健,秦东润,康雷. Владелец: Beijing Dera Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

一种Nand Flash颗粒功耗测试系统及方法

Номер патента: CN114121137. Автор: 李栋. Владелец: Suzhou Inspur Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-01.

一种调整nand flash频率的方法及装置

Номер патента: CN112799980. Автор: 李骊,申红磊. Владелец: Beijing HJIMI Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-14.

Nand Flash坏块检测方法及装置、存储介质、终端、烧录器

Номер патента: CN112382330. Автор: 陈文超. Владелец: Spreadtrum Xiamen Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-02-19.

Nand Flash的数据纠错方法、装置、电子设备及存储介质

Номер патента: CN111813591. Автор: 邓玉良,苏通,唐越,朱晓锐,陈佩纯,殷中云. Владелец: Shenzhen State Micro Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-23.

一种通用的Nand Flash比特位反转纠错方法

Номер патента: CN111061592. Автор: 张鹏,李�杰,赵波,于俊杰,栾晓娜,马宗峰. Владелец: Shandong Institute of Space Electronic Technology. Дата публикации: 2020-04-24.

Nand flash memory controller and storage apparatus applying the same

Номер патента: US20200075107A1. Автор: Shih-Fu Huang,Cheng-Yu Chen,Shu-Min Lin,Jo-Hua WU. Владелец: RayMX Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

一种基于Matlab的Nand Flash测试系统及方法

Номер патента: CN108109670A. Автор: 魏超,刘升. Владелец: Xi'an Qiwei Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-01.

Nand Flash封装方法及封装装置

Номер патента: CN117042470. Автор: 付文明,弗兰克·陈,石环,熊小明. Владелец: Zhiyu Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-11-10.

Nand Flash封装方法及封装装置

Номер патента: CN117042470A. Автор: 付文明,弗兰克·陈,石环,熊小明. Владелец: Zhiyu Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-11-10.

Nand flash存储器的数字验证方法及系统

Номер патента: CN114242153. Автор: 田淼. Владелец: IPGoal Microelectronics Sichuan Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-25.

一种nand flash芯片读写寿命的快速测试方法

Номер патента: CN112466387. Автор: 刘洋,申珅,范源泉. Владелец: Wuhan Zhongyuan Electronic Information Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-09.

3D NAND Flash存储器的测试算法及其装置

Номер патента: CN111653305. Автор: 刘飞,霍宗亮,王颀,张桔萍. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2020-09-11.

一种nand flash类芯片测试系统

Номер патента: CN109448776. Автор: 赵俊,范旭阳,姜胜林,张薄军,罗朝凤. Владелец: Shenzhen Kingcos Automation Robot Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-08.

一种基于SOC通用测试平台的Nand Flash测试方法

Номер патента: CN114220472A. Автор: 耿敏敏. Владелец: Shanghai Xianfang Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-22.

测试Nand-flash坏块的控制方法及控制系统

Номер патента: CN113270136A. Автор: 陈月玲,刘宇洋,唐畅,谢启友. Владелец: Hunan Bojiang Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-17.

一种Nand flash元件及其低格控制方法和装置

Номер патента: CN108231124A. Автор: 庄开锋. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2018-06-29.

一种用于加密Nand Flash仿真模型的注错系统及方法

Номер патента: CN115080330. Автор: 沈力,王建利,姚香君,夏丽媛. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-20.

固态硬盘的Nand Flash测试方法、装置及固态硬盘

Номер патента: CN118098326. Автор: 陈力,薛红军,刘婧天,秘慧洁. Владелец: Beijing Dera Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

多变量的Nand Flash Ecc变化预测方法、设备及存储介质

Номер патента: CN117594109. Автор: 李晓强,吴大畏,潘治锟. Владелец: SHENZHEN SILICONGO MICROELECTRONICS CO Ltd. Дата публикации: 2024-02-23.

固态硬盘的Nand Flash测试方法、装置及固态硬盘

Номер патента: CN118098326A. Автор: 陈力,薛红军,刘婧天,秘慧洁. Владелец: Beijing Dera Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

基于3d nand flash存储阵列的tcam及其操作方法

Номер патента: CN115273924. Автор: 黄鹏,康晋锋,刘晓彦,刘力锋,项亚臣,韩润泽,杨昊璋. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-11-01.

一种NAND Flash时序测试方法

Номер патента: CN110797076. Автор: 刘琦,韦亚一,董立松. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2020-02-14.

一种NAND Flash存储器读阈值电压修复方法

Номер патента: CN110706735. Автор: 刘琦,韦亚一,董立松. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2020-01-17.

一种Nand Flash颗粒功耗测试系统及方法

Номер патента: CN114121137B. Автор: 李栋. Владелец: Suzhou Inspur Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-10.

NAND Flash颗粒模拟装置、读写方法和系统

Номер патента: CN117497036A. Автор: 陆震熙. Владелец: Shenzhen Dapu Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-02.

Nand Flash坏块检测方法及装置、存储介质、终端、烧录器

Номер патента: CN112382330B. Автор: 陈文超. Владелец: Xiamen Ziguang Zhanrui Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-09-09.

测试nand flash ecc纠错功能的方法

Номер патента: CN115394342. Автор: 何奇,黄俊斌,刘怡雄. Владелец: Hangzhou Nationalchip Science & Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-11-25.

Nand Flash页面数据纠错方法及系统

Номер патента: CN115019870. Автор: 孙飞,陶俊. Владелец: Shanghai Yingcun Semiconductor Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-09-06.

测试nand flash ecc纠错功能的方法

Номер патента: CN115394342A. Автор: 何奇,黄俊斌,刘怡雄. Владелец: Hangzhou Nationalchip Science & Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-11-25.

一种NAND Flash存储架构及存储方法

Номер патента: CN112365916. Автор: 温靖康,南钟基. Владелец: XTX Technology Shenzhen Ltd. Дата публикации: 2021-02-12.

基于3d nand flash存储阵列的tcam及其操作方法

Номер патента: CN111462792. Автор: 黄鹏,康晋锋,刘晓彦,刘力锋,项亚臣,韩润泽,杨昊璋. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-07-28.

一种统计nand flash busy时间的装置和方法

Номер патента: CN110993012. Автор: 王彬,曹成,朱苏雁. Владелец: Xian Unilc Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-10.

一种通用的Nand Flash比特位反转纠错方法

Номер патента: CN111061592B. Автор: 张鹏,李�杰,赵波,于俊杰,栾晓娜,马宗峰. Владелец: Shandong Institute of Space Electronic Technology. Дата публикации: 2023-10-20.

Nand Flash的数据纠错方法、装置、电子设备及存储介质

Номер патента: CN111813591B. Автор: 邓玉良,苏通,唐越,朱晓锐,陈佩纯,殷中云. Владелец: STMicroelectronics Shenzhen R&D Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-29.

一种实现nand flash电流测试的系统及方法

Номер патента: CN117558333A. Автор: 徐晖,王嵩,刘晓健,秦东润,康雷. Владелец: Beijing Dera Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

NAND Flash Memory Device

Номер патента: US20160189788A1. Автор: Hui Chen,Oron Michael,Robin John Jigour. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-30.

一种nand flash芯片读写寿命的快速测试方法

Номер патента: CN112466387B. Автор: 刘洋,申珅,范源泉. Владелец: Wuhan Zhongyuan Electronic Information Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

NAND flash memory device

Номер патента: US9627082B2. Автор: Hui Chen,Oron Michael,Robin John Jigour. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Method of Operating a NAND Flash Memory Device

Номер патента: US20160189789A1. Автор: Hui Chen,Oron Michael,Robin John Jigour. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-30.

Method of operating a NAND flash memory device

Номер патента: US9620231B2. Автор: Hui Chen,Oron Michael,Robin John Jigour. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Nand flash存储器的数字验证方法及系统

Номер патента: CN114242153A. Автор: 田淼. Владелец: IPGoal Microelectronics Sichuan Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-25.

Nand Flash坏块检测方法及装置、存储介质、终端、烧录器

Номер патента: CN112382330A. Автор: 陈文超. Владелец: Spreadtrum Xiamen Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-02-19.

一种调整nand flash频率的方法及装置

Номер патента: CN112799980A. Автор: 李骊,申红磊. Владелец: Beijing HJIMI Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-14.

时序控制全数字DLL控制电路、NAND FLash控制器控制方法

Номер патента: CN106374916B. Автор: 杨燕,李卓,李英祥. Владелец: Shenzhen Fuxintong Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-08-18.

Error mitigation for 3d nand flash memory

Номер патента: US20180068726A1. Автор: Seung-Hwan Song,Zvonimir Z. Bandic,Viacheslav Anatolyevich DUBEYKO. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-03-08.

基于3d nand flash存储阵列的tcam及其操作方法

Номер патента: CN115273924A. Автор: 黄鹏,康晋锋,刘晓彦,刘力锋,项亚臣,韩润泽,杨昊璋. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-11-01.

多变量的Nand Flash Ecc变化预测方法、设备及存储介质

Номер патента: CN117594109A. Автор: 李晓强,吴大畏,潘治锟. Владелец: SHENZHEN SILICONGO MICROELECTRONICS CO Ltd. Дата публикации: 2024-02-23.

一种Nand flash元件及其低格控制方法和装置

Номер патента: CN108231124B. Автор: 庄开锋. Владелец: Beijing Zhaoyi Innovation Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-06.

一种用于加密Nand Flash仿真模型的注错系统及方法

Номер патента: CN115080330A. Автор: 沈力,王建利,姚香君,夏丽媛. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-20.

一种测试Nand flash生命周期的方法

Номер патента: CN106205737A. Автор: 张翔,李振华,叶欣,孙成思,孙日欣,黄善勇,邝祖智. Владелец: Shenzhen Bai Dimensional Storage Polytron Technologies Inc. Дата публикации: 2016-12-07.

Nand flash memory and method for managing data thereof

Номер патента: US20110099435A1. Автор: Kai-Ping Wu. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-28.

一种SSD中优化NAND Flash读参考电压的方法

Номер патента: CN111192620B. Автор: 刘凯,曹成,王璞. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-08.

Serial NAND flash with XIP capability

Номер патента: US12086615B2. Автор: Chun-Lien Su. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

一种nand-flash的块修复方法及装置

Номер патента: CN108573735A. Автор: 苏志强. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2018-09-25.

一种nand flash存储器并行测试及坏块回写方法

Номер патента: CN112530508. Автор: 杨超,张金凤,马成英. Владелец: Beijing Zhenxing Metrology and Test Institute. Дата публикации: 2021-03-19.

Nand-flash page位翻转控制方法及控制模块

Номер патента: CN111737042. Автор: 王磊,张亚兵,吴纪铎. Владелец: DIAS Automotive Electronic Systems Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-02.

一种SSD中优化NAND Flash读参考电压的方法

Номер патента: CN111192620. Автор: 刘凯,曹成,王璞. Владелец: Xian Unilc Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-22.

基于nand flash存储器的纠错方法及装置

Номер патента: CN110750381. Автор: 董时舫. Владелец: PAX Computer Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-04.

串口型nand flash数据清零处理方法及系统

Номер патента: CN109656580. Автор: 袁满. Владелец: Shenzhen Skyworth Digital Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-19.

Method, device and operating system for processing and using burn data of NAND flash

Номер патента: US09524212B2. Автор: Tao Zhou. Владелец: MStar Semiconductor Inc Taiwan. Дата публикации: 2016-12-20.

一种NAND Flash固态存储自适应差错控制方法

Номер патента: CN109087683. Автор: 张婷,王祖良. Владелец: Xijing University. Дата публикации: 2018-12-25.

一种具有检错纠错机制的NAND Flash控制器

Номер патента: CN109036493. Автор: 王晓东,杨欢,郭阳明,艾江红. Владелец: Northwestern Polytechnical University. Дата публикации: 2018-12-18.

一种统计nand flash busy时间的装置和方法

Номер патента: CN110993012B. Автор: 王彬,曹成,朱苏雁. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-25.

Nand Flash页面数据纠错方法及系统

Номер патента: CN115019870A. Автор: 孙飞,陶俊. Владелец: Shanghai Yingcun Semiconductor Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-09-06.

基于nand flash存储器的纠错方法及装置

Номер патента: CN110750381A. Автор: 董时舫. Владелец: PAX Computer Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-04.

Nand flash memory and reading method thereof

Номер патента: US20180053568A1. Автор: Kazuki Yamauchi,Katsutoshi Suito. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-22.

NAND flash memory with reduced planar size

Номер патента: US11778819B2. Автор: Riichiro Shirota. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

一种nand flash存储器并行测试及坏块回写方法

Номер патента: CN112530508B. Автор: 杨超,张金凤,马成英. Владелец: Beijing Zhenxing Metrology and Test Institute. Дата публикации: 2023-10-20.

基于nand flash存储器的纠错方法及装置

Номер патента: WO2021047472A1. Автор: 董时舫. Владелец: 百富计算机技术(深圳)有限公司. Дата публикации: 2021-03-18.

串口型nand flash数据清零处理方法及系统

Номер патента: CN109656580A. Автор: 袁满. Владелец: Shenzhen Skyworth Digital Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-19.

一种Nand Flash坏块的使用方法

Номер патента: CN108231133A. Автор: 郭芳芳,李招远. Владелец: Ramaxel Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-29.

一种用于NAND Flash不良区块的查找方法、固态硬盘

Номер патента: CN109243517A. Автор: 廖启宏,张佑全,王荣諆. Владелец: Li Ding Technology (shenzhen) Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-18.

用于NAND Flash测试电路和测试方法

Номер патента: CN112071354A. Автор: 李斌. Владелец: Shenzhen Hongwang Microelectronics Co ltd. Дата публикации: 2020-12-11.

基于寿命测试的NAND Flash磨损均衡方法

Номер патента: CN117809724. Автор: 邹飞,邱杰,黄泽诚. Владелец: Sichuan Yunhai Core Microelectronics Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

一种NAND Flash控制器多命令混合测试方法

Номер патента: CN115440294. Автор: 唐汉钊,徐源长. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-06.

一种Nand Flash测试方法、系统及装置

Номер патента: CN111508550A. Автор: 李栋. Владелец: Suzhou Inspur Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-07.

一种基于NAND Flash的坏块管理方法

Номер патента: CN113921071. Автор: 高美洲,季亚男. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-11.

一种SSD中提升NAND Flash读稳定性的方法

Номер патента: CN112114747. Автор: 刘凯,王璞. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-22.

用于NAND Flash测试电路和测试方法

Номер патента: CN112071354. Автор: 李斌. Владелец: Shenzhen Hongwang Microelectronics Co ltd. Дата публикации: 2020-12-11.

一种Nand Flash测试方法、系统及装置

Номер патента: CN111508550. Автор: 李栋. Владелец: Suzhou Inspur Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-07.

用于NAND Flash闪存纠错的并行BCH解码方法

Номер патента: CN110908827. Автор: 何全,周津,曾永红. Владелец: Tianjin Jinhang Computing Technology Research Institute. Дата публикации: 2020-03-24.

一种基于NAND Flash的坏块管理方法

Номер патента: CN113921071B. Автор: 高美洲,季亚男. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-08.

一种基于NAND Flash的坏块管理方法

Номер патента: CN113921071A. Автор: 高美洲,季亚男. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-11.

基于寿命测试的NAND Flash磨损均衡方法

Номер патента: CN117809724A. Автор: 邹飞,邱杰,黄泽诚. Владелец: Sichuan Yunhai Core Microelectronics Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

一种用于NAND Flash不良区块的查找方法、固态硬盘

Номер патента: CN109243517. Автор: 廖启宏,张佑全,王荣諆. Владелец: Li Ding Technology (shenzhen) Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-18.

SDRAM memory device with an embedded NAND flash controller

Номер патента: US20050027928A1. Автор: Meir Avraham,Dan Inbar,Ziv Paz. Владелец: M Systems Flash Disk Pionners Ltd. Дата публикации: 2005-02-03.

一种SSD中提升NAND Flash读稳定性的方法

Номер патента: CN112114747A. Автор: 刘凯,王璞. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-22.

Sdram memory device with an embedded nand flash controller

Номер патента: EP1649378A2. Автор: Meir Avraham,Dan Inbar,Ziv Paz. Владелец: M Systems Flash Disk Pionners Ltd. Дата публикации: 2006-04-26.

Sdram memory device with an embedded nand flash controller

Номер патента: EP1649378A4. Автор: Meir Avraham,Dan Inbar,Ziv Paz. Владелец: M Systems Flash Disk Pionners Ltd. Дата публикации: 2006-08-23.

一种SSD中提升NAND Flash读稳定性的方法

Номер патента: CN112114747B. Автор: 刘凯,王璞. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-09.

一种3D Nand Flash扫描检测方法和系统

Номер патента: CN107481764A. Автор: 龙承东. Владелец: SHENZHEN CHIPSBANK TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-15.

Adaptive read algorithm for a nonvolatile medium

Номер патента: US10175892B1. Автор: Truong Nguyen,Kevin Kim,Wenzhou Chen,Jingyu Kang,Sujan Biswas. Владелец: Amazon Technologies Inc. Дата публикации: 2019-01-08.

Read algorithm for memory device

Номер патента: US11869565B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Data register with efficient erase, program verify, and direct bit-line memory access features

Номер патента: US20080005416A1. Автор: Nicola Telecco. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2008-01-03.

Data register with efficient erase, program verify, and direct bit-line memory access features

Номер патента: WO2007146532A3. Автор: Nicola Telecco. Владелец: Nicola Telecco. Дата публикации: 2008-05-08.

System and method for pre-soft-decoding tracking for NAND flash memories

Номер патента: US12039191B2. Автор: Hanan Weingarten. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Protokollunabhängige steuerung von nand flash

Номер патента: DE112023000514T5. Автор: Jack WYNNE,Nima Nikuie. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Bit error rate estimation for NAND flash memory

Номер патента: US10366770B1. Автор: Yasuhiko Kurosawa,Hanan Weingarten,Avi STEINER. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-07-30.

Bit error rate estimation for NAND flash memory

Номер патента: US10658058B1. Автор: Yasuhiko Kurosawa,Hanan Weingarten,Avi STEINER. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-05-19.

System and method for pre-soft-decoding tracking for nand flash memories

Номер патента: US20230221879A1. Автор: Hanan Weingarten. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

Nand flash memory with integrated bit line capacitance

Номер патента: WO2010138219A1. Автор: Chulmin Jung,Brian Lee,Dadi Setiadi,Yong Lu,Hongyue Liu. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2010-12-02.

Nand flash memory with vertical cell stack structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20230268447A1. Автор: Hyoung Seub Rhie. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Nand flash memory with vertical cell stack structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20210408301A1. Автор: Hyoung Seub Rhie. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

NAND flash memory with vertical cell stack structure and method for manufacturing same

Номер патента: US12119411B2. Автор: Hyoung Seub Rhie. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

NAND FLASH MEMORY HAVING C/A PIN AND FLASH MEMORY SYSTEM INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20130286737A1. Автор: IM JEON-TAEK. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-31.

Method of programming a flash memory cell and method of programming an nand flash memory using the same

Номер патента: TW200428396A. Автор: Sung-Bo Shim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-12-16.

NAND flash memory device and method of improving characteristic of a cell in the same

Номер патента: TW200832422A. Автор: Duck-Ju Kim,Jun-Seop Chung,Ji-Hye Son. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-08-01.

Vertical NROM NAND flash memory array

Номер патента: TW200522070A. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-07-01.

Method of measuring threshold voltage for a NAND flash memory device

Номер патента: TWI254800B. Автор: Doe-Cook Kim,Jin-Su Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-05-11.

Systems and methods for generating soft information in nand flash

Номер патента: US20140160855A1. Автор: Zhengang Chen,Xueshi Yang,Gregory Burd,Shashi Kiran CHILAPPAGARI. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2014-06-12.

Boosting voltage technique fpr programming nand flash memory devices

Номер патента: WO2007130832A3. Автор: Masaaki Higashitani. Владелец: Masaaki Higashitani. Дата публикации: 2008-01-03.

Method of reading multi-level nand flash memory cell and circuit for the same

Номер патента: TWI295062B. Автор: Seung Ho Chang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-03-21.

Page buffer for NAND flash memory

Номер патента: TW200418035A. Автор: Doe-Cook Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-09-16.

NAND Flash阈值电压波形优化方法、装置和计算机设备

Номер патента: CN115223627. Автор: 张敏,罗宗扬,刘孟雄. Владелец: Suzhou Yilian Information System Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-21.

Discharge circuits for a nand flash memory

Номер патента: EP4443747A2. Автор: Liang Qiao,Weiwei He,Mingxian LEI. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

A start-up circuit for bandgap references in a nand flash

Номер патента: EP4439561A1. Автор: Arvind Thakur,Subodh Prakash Taigor,Shubham Raj SINGH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-02.

Start-up circuit for bandgap references in a nand flash

Номер патента: US20240331787A1. Автор: Arvind Thakur,Subodh Prakash Taigor,Shubham Raj SINGH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

And-type SGVC architecture for 3D NAND flash

Номер патента: US09530503B2. Автор: Kuo-Pin Chang,Hang-Ting Lue. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

NAND flash memory with enhanced program and erase performance, and fabrication process

Номер патента: TW200524144A. Автор: Chiou-Feng Chen,Der-Tsyr Fan,Prateep Tuntasood. Владелец: Actrans System Inc USA. Дата публикации: 2005-07-16.

Method for reducing effective raw bit error rate in multi-level cell NAND flash memory

Номер патента: US8935599B2. Автор: Siamack Nemazie,Anilkumar Mandapuram. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2015-01-13.

Method for Reducing Effective Raw Bit Error Rate in Multi-Level Cell NAND Flash Memory

Номер патента: US20140281825A1. Автор: Siamack Nemazie,Anilkumar Mandapuram. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2014-09-18.

NAND flash memory systems with efficient soft information interface

Номер патента: US09467170B2. Автор: Gregory Burd,Shashi Kiran CHILAPPAGARI. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Nand flash thermal alerting

Номер патента: US20200019337A1. Автор: Aliasgar S. Madraswala,Naveen Vittal Prabhu,Simon RAMAGE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-16.

Nand flash thermal alerting

Номер патента: US20200301601A1. Автор: Aliasgar S. Madraswala,Naveen Vittal Prabhu,Simon RAMAGE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-09-24.

Nand flash thermal alerting

Номер патента: US20190129648A1. Автор: Aliasgar S. Madraswala,Naveen Vittal Prabhu,Simon RAMAGE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-05-02.

Dynamic neighbor and bitline assisted correction for nand flash storage

Номер патента: US20200042384A1. Автор: Fan Zhang,Naveen Kumar,Yu Cai,Aman BHATIA. Владелец: SK Hynix Memory Solutions America Inc. Дата публикации: 2020-02-06.

Turbo product codes for NAND flash

Номер патента: US09673840B2. Автор: Naveen Kumar. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Detection and localization of failures in 3D NAND flash memory

Номер патента: US09529663B1. Автор: Eyal Gurgi,Charan Srinivasan. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Efficient redundancy management in key-value NAND flash storage

Номер патента: US11914470B2. Автор: Moshe Twitto. Владелец: Pliops Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Nand flash storage error mitigation systems and methods

Номер патента: WO2017117007A1. Автор: Shu Li. Владелец: ALIBABA GROUP HOLDING LIMITED. Дата публикации: 2017-07-06.

Defect management policies for NAND flash memory

Номер патента: US09535777B2. Автор: FENG ZHU,Pranav Kalavade,Ravi H. MOTWANI,Shyam Sunder Raghunathan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

一种nand flash阵列的掉电处理方法

Номер патента: CN107329912A. Автор: 姜凯,李朋,赵鑫鑫,尹超. Владелец: Jinan Inspur Hi Tech Investment and Development Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Method for using nand flash memory sram in solid state drive controller

Номер патента: US20230152999A1. Автор: CHAOHONG HU,Chun Liu,Jea Woong Hyun,Xin LIAO. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-18.

Nand flash的数据处理方法、装置和一种Nand flash

Номер патента: WO2018166258A1. Автор: 朱细平. Владелец: 深圳市江波龙电子有限公司. Дата публикации: 2018-09-20.

一种MicroBlaze访问Nand Flash的装置及方法

Номер патента: CN117435530. Автор: 胡志强,陈洲,宫文峰,马雨岚,朱祥路,房海松. Владелец: Hubei Jiuzhiyang Information Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-01-23.

Nand flash的数据处理方法、装置和一种Nand flash

Номер патента: CN107015764A. Автор: 朱细平. Владелец: Shenzhen Netcom Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-04.

一种nand flash文件数据存取方法、装置及存储介质

Номер патента: CN113495681B. Автор: 郭磊,周东峰,徐石雄. Владелец: Hangzhou Ezviz Network Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

一种MicroBlaze访问Nand Flash的装置及方法

Номер патента: CN117435530A. Автор: 胡志强,陈洲,宫文峰,马雨岚,朱祥路,房海松. Владелец: Hubei Jiuzhiyang Information Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-01-23.

一种基于人工智能算法的NAND Flash存储磨损平衡管理方法

Номер патента: CN114489507. Автор: 苏莹莹,李元章. Владелец: Suzhou Hongcunxinjie Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-05-13.

一种nand flash文件数据存取方法、装置及存储介质

Номер патента: CN113495681. Автор: 郭磊,周东峰,徐石雄. Владелец: Hangzhou Ezviz Network Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-12.

一种并行双片nand flash中物理擦除块动态关联的方法

Номер патента: CN113391755. Автор: 杨诚. Владелец: Beijing Ingenic Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-14.

一种NAND Flash的烧录方法及装置

Номер патента: CN112486506. Автор: 张鹏. Владелец: Embedway Technologies Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-03-12.

NAND Flash存储器的寿命预估方法、装置及介质

Номер патента: CN112256462. Автор: 王敏,张闯,任智新. Владелец: Inspur Beijing Electronic Information Industry Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-22.

一种星载NAND Flash存储管理系统

Номер патента: CN112181304. Автор: 王慧泉,金仲和,楼海君,涂实磊. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2021-01-05.

一种Nand flash接口工作协议自适应方法、系统、设备及存储介质

Номер патента: CN111414322. Автор: 段小康. Владелец: Jiangsu Xinsheng Intelligent Technology Co ltd. Дата публикации: 2020-07-14.

一种基于人工智能算法的NAND Flash存储磨损平衡管理方法

Номер патента: CN114489507A. Автор: 苏莹莹,李元章. Владелец: Suzhou Hongcunxinjie Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-05-13.

一种Nand flash元件及其载入控制方法和装置

Номер патента: CN108255540B. Автор: 庄开锋. Владелец: Beijing Zhaoyi Innovation Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-05.

一种Nand flash元件及其载入控制方法和装置

Номер патента: CN108255540A. Автор: 庄开锋. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2018-07-06.

一种基于极化码和元数据信息的nand flash差错控制方法

Номер патента: CN109358978B. Автор: 郭锐,陈康妮. Владелец: Hangzhou Dianzi University. Дата публикации: 2022-03-25.

基于FPGA的nand flash接口控制器及读写方法

Номер патента: CN115080471A. Автор: 王维,徐克兴,杨永进. Владелец: Dfine Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-20.

Nand flash storage device and methods using non-nand storage cache

Номер патента: US20180314434A1. Автор: Dana L. Simonson. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-11-01.

基于FPGA的nand flash接口控制器及读写方法

Номер патента: CN115080471. Автор: 王维,徐克兴,杨永进. Владелец: Dfine Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-20.

一种NAND Flash介质剩余寿命预测的方法、装置、设备及介质

Номер патента: CN114489498. Автор: 周文强,曹琪. Владелец: Suzhou Inspur Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-13.

Nand flash存储器的坏块处理方法、电子设备及存储介质

Номер патента: CN114415961. Автор: 段程浩. Владелец: Zhuhai Pantum Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-29.

一种基于并行使用的双片nand flash坏块管理方法

Номер патента: CN113311989. Автор: 杨诚. Владелец: Beijing Ingenic Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-27.

具有DDR高传输介面的新型SPI-NAND Flash存储芯片及操作方法

Номер патента: CN112395218. Автор: 黄欢,郑文豪,施冠良,刘安伟,朱纯莹. Владелец: Heyangtek Cooperation Ltd. Дата публикации: 2021-02-23.

一种贴片式SD NAND Flash IC存储器

Номер патента: CN111882018. Автор: 刘纯彬. Владелец: Shenzhen Yiyou Innovation Technology Co ltd. Дата публикации: 2020-11-03.

用于测量ssd单次进入ps4状态时所造成的nand flash写入量的方法

Номер патента: CN110716833. Автор: 罗发治. Владелец: Dongguan Memory Storage Technology Co ltd. Дата публикации: 2020-01-21.

一种NAND Flash PHY

Номер патента: CN110399319. Автор: 杨波,马勇,唐先芝,谷卫青,吴楚怀,何觉,陈帮红. Владелец: Yaoyun Technology (xi'an) Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-01.

一种基于极化码和元数据信息的nand flash差错控制方法

Номер патента: CN109358978. Автор: 郭锐,陈康妮. Владелец: Hangzhou Electronic Science and Technology University. Дата публикации: 2019-02-19.

The calculation method and system of NAND FLASH service life

Номер патента: CN106951701B. Автор: 赵世伟,宋荆汉. Владелец: Allwinner Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-05.

Manufacture bad block processing method based on NAND flash and NAND flash storage devices

Номер патента: CN108614745A. Автор: 陈诚. Владелец: Beijing Jingcun Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-02.

一种nand flash阵列的掉电处理方法

Номер патента: CN107329912B. Автор: 姜凯,李朋,赵鑫鑫,尹超. Владелец: Inspur Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-26.

一种降低nand flash控制器功耗的方法

Номер патента: CN104598160A. Автор: 李骥,李宝,金文�,宋蔚皓,胡光东. Владелец: Beijing Aerospace Changzheng Aircraft Institute. Дата публикации: 2015-05-06.

Method for controlling nand flash memory to implement convolution operation

Номер патента: US20240193224A1. Автор: Qiang Tang. Владелец: Unim Innovation Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

一种Nand flash元件

Номер патента: CN108345429B. Автор: 庄开锋. Владелец: Beijing Zhaoyi Innovation Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-31.

一种Nand flash元件

Номер патента: CN108345429A. Автор: 庄开锋. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2018-07-31.

一种基于Nand Flash写后立即读方法及装置

Номер патента: CN117369728. Автор: 杨文华,李文彬,姜鑫杜. Владелец: Chengdu Xinyilian Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Nand Flash数据块分类方法、系统和使用方法

Номер патента: CN116185885. Автор: 孙飞. Владелец: Shanghai Yingcun Semiconductor Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-05-30.

一种基于Linux的Nand Flash镜像读取与升级的方法、介质及终端

Номер патента: CN115357275. Автор: 罗强,吴志鹏,彭水明,余伟峰,陈超鑫. Владелец: Willfar Information Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-11-18.

一种基于Nand Flash写后立即读方法及装置

Номер патента: CN117369728A. Автор: 杨文华,李文彬,姜鑫杜. Владелец: Chengdu Xinyilian Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Nand flash分组调换方法、装置、设备及介质

Номер патента: CN114968106. Автор: 徐光明,徐明揆,虞安华. Владелец: Xtx Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-30.

一种加快Nand Flash控制命令执行速度的方法及系统

Номер патента: CN114721978. Автор: 兰健. Владелец: Chengdu Chuxun Science And Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-07-08.

一种确保nand flash写均衡的方法

Номер патента: CN114527945. Автор: 潘菊平. Владелец: Taicang T&W Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-24.

Nand Flash数据块分类方法、系统和使用方法

Номер патента: CN116185885A. Автор: 孙飞. Владелец: Shanghai Yingcun Semiconductor Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-05-30.

数据存储管理方法、NAND Flash控制器及计算机存储介质

Номер патента: CN113094295. Автор: 谢长华,余恒昌. Владелец: Chipsbank Technologies Shenzhen Co ltd. Дата публикации: 2021-07-09.

Nand flash分组调换方法、装置、设备及介质

Номер патента: CN114968106A. Автор: 徐光明,徐明揆,虞安华. Владелец: Xtx Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-30.

一种减少nand flash擦写次数的方法及系统

Номер патента: CN111273864. Автор: 刘强,张瑞金,孙志正. Владелец: Jinan Inspur Hi Tech Investment and Development Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-12.

一种Nand Flash中干扰页的检测方法、系统

Номер патента: CN110750467. Автор: 何宁波. Владелец: SHENZHEN CHIPSBANK TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-04.

Nand flash分组调换方法、装置、设备及介质

Номер патента: CN114968106B. Автор: 徐光明,徐明揆,虞安华. Владелец: Xtx Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-05.

A kind of block message mark implementation method of NAND FLASH chips

Номер патента: CN107247563A. Автор: 姜凯,李朋,赵鑫鑫,尹超. Владелец: Jinan Inspur Hi Tech Investment and Development Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-13.

Mobile device capacity detecting method based on Nand Flash

Номер патента: CN105760266A. Автор: 陈伟. Владелец: SHENZHEN CHIPSBANK TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-13.

A kind of implementation method of NAND FLASH simulator

Номер патента: CN106681893B. Автор: 罗胜. Владелец: Ramaxel Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-12.

Service life prediction method, device and medium of NAND Flash memory

Номер патента: CN112256462B. Автор: 王敏,张闯,任智新. Владелец: Inspur Beijing Electronic Information Industry Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-14.

一种动态的、离散的、碎片化的嵌入式系统nand flash使用方法

Номер патента: WO2023169161A1. Автор: 潘菊平. Владелец: 太仓市同维电子有限公司. Дата публикации: 2023-09-14.

Method and apparatus for data access of nand flash file, and storage medium

Номер патента: US20230168830A1. Автор: Lei Guo,Shixiong XU,Dongfeng ZHOU. Владелец: Hangzhou Ezviz Software Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

一种基于NAND Flash的SOC启动方法

Номер патента: CN105117652A. Автор: 王勇,肖佐楠,郑茳. Владелец: TIANJIN TIANXIN TECHNOLOGY CO LTD. Дата публикации: 2015-12-02.

一种nand flash的数据源区块回收方法及固态硬盘

Номер патента: CN108509349A. Автор: 林昱纬,吕绍宏. Владелец: Li Ding Technology (shenzhen) Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-07.

一种nand flash异常掉电的数据保护方法及装置

Номер патента: CN118260126. Автор: 李良,曾铭毅. Владелец: Zhuhai Eeasy Electronic Tech Co ltd. Дата публикации: 2024-06-28.

Nand Flash芯片数据存储方法及装置

Номер патента: CN117331491. Автор: 秦燕婷. Владелец: CICT Mobile Communication Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

一种基于NAND Flash的前照灯数据存储方法

Номер патента: CN117331508. Автор: 唐金腾,贾强强,孙加勇,朱润辰. Владелец: Changzhou Xingyu Automotive Lighting Systems Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Nand Flash地址映射管理方法、管理系统、终端设备及介质

Номер патента: CN117149668. Автор: 杨硕,贺东旭,白雅玲. Владелец: Tianjin Jinhang Computing Technology Research Institute. Дата публикации: 2023-12-01.

用于NAND Flash的通用控制模块及方法

Номер патента: CN116679887. Автор: 朱志强,华庆明. Владелец: Hefei Kuixian Integrated Circuit Design Co ltd. Дата публикации: 2023-09-01.

一种基于NAND Flash存储芯片的块管理方法

Номер патента: CN116339629. Автор: 刘传富,曾德崇. Владелец: Matrix Data Technology Shanghai Co ltd. Дата публикации: 2023-06-27.

一种nand flash异常掉电的数据保护方法及装置

Номер патента: CN118260126A. Автор: 李良,曾铭毅. Владелец: Zhuhai Eeasy Electronic Tech Co ltd. Дата публикации: 2024-06-28.

一种基于NAND Flash的前照灯数据存储方法

Номер патента: CN117331508A. Автор: 唐金腾,贾强强,孙加勇,朱润辰. Владелец: Changzhou Xingyu Automotive Lighting Systems Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

应用于spi nand flash芯片的功能测试方法和spi测试平台

Номер патента: CN115061865. Автор: 郑文豪. Владелец: Nanjing Heyangtek Co ltd. Дата публикации: 2022-09-16.

Nand Flash地址映射管理方法、管理系统、终端设备及介质

Номер патента: CN117149668A. Автор: 杨硕,贺东旭,白雅玲. Владелец: Tianjin Jinhang Computing Technology Research Institute. Дата публикации: 2023-12-01.

一种nand flash坏块管理方法及系统

Номер патента: CN114546292. Автор: 陈世伟,吴�灿,袁结全,詹晋川,罗仁昌. Владелец: Shenzhen Forward Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-27.

一种NAND Flash读DQS采样方法

Номер патента: CN114528239. Автор: 李瑞东,刘奇浩,王运哲,李绪金. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-24.

一种NAND Flash读DQS采样方法

Номер патента: CN114528239B. Автор: 李瑞东,刘奇浩,王运哲,李绪金. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-18.

一种基于NAND Flash存储芯片的块管理方法

Номер патента: CN116339629A. Автор: 刘传富,曾德崇. Владелец: Matrix Data Technology Shanghai Co ltd. Дата публикации: 2023-06-27.

采用NAND Flash作为存储器时坏块管理的方法

Номер патента: CN112711501. Автор: 刘建华,张令,向跃. Владелец: Hangzhou Nationalchip Science & Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-04-27.

采用NAND Flash作为存储器时坏块管理的方法

Номер патента: CN112711501A. Автор: 刘建华,张令,向跃. Владелец: Hangzhou Nationalchip Science & Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-04-27.

应用于spi nand flash芯片的功能测试方法和spi测试平台

Номер патента: CN115061865A. Автор: 郑文豪. Владелец: Nanjing Heyangtek Co ltd. Дата публикации: 2022-09-16.

一种SSD中处理NAND Flash读干扰的方法

Номер патента: CN111797033. Автор: 刘凯,吴斌,王璞. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-20.

Adaptive read recovery for NAND flash memory devices

Номер патента: US12107603B1. Автор: Nedeljko Varnica,Nirmal Shende. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

一种nand flash垃圾回收动态优化方法

Номер патента: CN111026673. Автор: 刘婷婷,王闯,刘硕,贺莹. Владелец: Xian Aeronautics Computing Technique Research Institute of AVIC. Дата публикации: 2020-04-17.

自适应的Nand Flash读写速度调整系统

Номер патента: CN110765041. Автор: 李岩,赵斌,仇旭东,刘慧婕. Владелец: Tianjin Jinhang Computing Technology Research Institute. Дата публикации: 2020-02-07.

自适应的Nand Flash读写速度调整方法

Номер патента: CN110765042. Автор: 李岩,赵斌,仇旭东,刘慧婕. Владелец: Tianjin Jinhang Computing Technology Research Institute. Дата публикации: 2020-02-07.

一种nand flash的坏块处理方法

Номер патента: CN110597458. Автор: 郑继清. Владелец: Wuhu Hongjing Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-20.

基于nand flash存储器的校验方法、终端设备及存储介质

Номер патента: CN109542668. Автор: 董时舫. Владелец: PAX Computer Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-29.

Method, device, equipment and medium for predicting residual life of NAND Flash medium

Номер патента: CN114489498A. Автор: 周文强,曹琪. Владелец: Suzhou Inspur Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-13.

A kind of Nand flash data calibration method and system

Номер патента: CN106528323B. Автор: 杨涛. Владелец: Zhengzhou Yunhai Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-30.

Nand Flash controller and Nand Flash control method

Номер патента: CN106528465A. Автор: 宋相培. Владелец: Zhengzhou Yunhai Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-22.

一种并行双片nand flash中物理擦除块动态关联的方法

Номер патента: CN113391755B. Автор: 杨诚. Владелец: Beijing Ingenic Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-22.

一种并行双片nand flash中物理擦除块动态关联的方法

Номер патента: CN113391755A. Автор: 杨诚. Владелец: Beijing Ingenic Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-14.

具有DDR高传输介面的SPI-NAND Flash存储芯片及操作方法

Номер патента: CN112395218B. Автор: 黄欢,郑文豪,施冠良,刘安伟,朱纯莹. Владелец: Nanjing Heyangtek Co ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

一种NAND Flash的烧录方法及装置

Номер патента: CN112486506B. Автор: 张鹏. Владелец: Embedway Technologies Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-02-02.

具有DDR高传输介面的新型SPI-NAND Flash存储芯片及操作方法

Номер патента: CN112395218A. Автор: 黄欢,郑文豪,施冠良,刘安伟,朱纯莹. Владелец: Heyangtek Cooperation Ltd. Дата публикации: 2021-02-23.

一种基于 Nand flash 芯片的数据擦写方法及系统

Номер патента: WO2023226192A1. Автор: 熊俊,陈辉阳. Владелец: 深圳市芯存科技有限公司. Дата публикации: 2023-11-30.

Nand flash存储器的坏块处理方法、电子设备及存储介质

Номер патента: CN114415961B. Автор: 段程浩. Владелец: Zhuhai Pantum Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-27.

一种Nand flash接口工作协议自适应方法、系统、设备及存储介质

Номер патента: CN111414322A. Автор: 段小康. Владелец: Jiangsu Xinsheng Intelligent Technology Co ltd. Дата публикации: 2020-07-14.

一种基于并行使用的双片nand flash坏块管理方法

Номер патента: CN113311989B. Автор: 杨诚. Владелец: Beijing Ingenic Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-22.

一种基于极化码和元数据信息的nand flash差错控制方法

Номер патента: CN109358978A. Автор: 郭锐,陈康妮. Владелец: Hangzhou Electronic Science and Technology University. Дата публикации: 2019-02-19.

Method and system for detecting interference page in Nand Flash

Номер патента: CN110750467B. Автор: 何宁波. Владелец: Chipsbank Technologies Shenzhen Co ltd. Дата публикации: 2021-11-02.

A kind of Nand Flash abrasion equilibrium methods, device and memory

Номер патента: CN106775474A. Автор: 郑静,王杰华,刘冬好. Владелец: Zhengzhou Yunhai Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-31.

Nand Flash wear leveling method and device and memory

Номер патента: CN106775474B. Автор: 郑静,王杰华,刘冬好. Владелец: Suzhou Wave Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-10.

A kind of Nand Flash controller and method

Номер патента: CN106528465B. Автор: 宋相培. Владелец: Zhengzhou Yunhai Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-02.

一种加快Nand Flash控制命令执行速度的方法及系统

Номер патента: CN114721978B. Автор: 兰健. Владелец: Chengdu Chuxun Science And Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-08-25.

一种加快Nand Flash控制命令执行速度的方法及系统

Номер патента: CN114721978A. Автор: 兰健. Владелец: Chengdu Chuxun Science And Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-07-08.

一种确保nand flash写均衡的方法

Номер патента: CN114527945A. Автор: 潘菊平. Владелец: Taicang T&W Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-24.

nand flash设备管理的方法和系统

Номер патента: CN106354486A. Автор: 李良. Владелец: Allwinner Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-25.

一种减少nand flash擦写次数的方法及系统

Номер патента: CN111273864B. Автор: 刘强,张瑞金,孙志正. Владелец: Shandong Inspur Scientific Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-08.

Jump page cache read method in nand flash memory and nand flash memory

Номер патента: US20190220226A1. Автор: Minyi Chen. Владелец: Shine Bright Technology Ltd. Дата публикации: 2019-07-18.

数据存储管理方法、NAND Flash控制器及计算机存储介质

Номер патента: CN113094295A. Автор: 谢长华,余恒昌. Владелец: Chipsbank Technologies Shenzhen Co ltd. Дата публикации: 2021-07-09.

NAND flash数据损坏后的恢复方法、装置、计算机设备及存储介质

Номер патента: CN118193294. Автор: 张帆,刘浪,陈文伟. Владелец: Qianxun Si Network Zhejiang Co ltd. Дата публикации: 2024-06-14.

NAND Flash中块的处理方法、装置、设备、介质

Номер патента: CN117931049. Автор: 陶伟,孔维镇. Владелец: Shanghai Jiangbolong Digital Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-04-26.

基于nand flash的启动版本生成方法、设备及存储介质

Номер патента: CN117539686. Автор: 王月鹏. Владелец: Anhui Wantong Post And Telecommunications Co ltd. Дата публикации: 2024-02-09.

Spi Nand flash坏块管理方法和系统

Номер патента: CN116383097. Автор: 张波,黄柱光. Владелец: Shenzhen Xincun Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-07-04.

NAND Flash中块的处理方法、装置、设备、介质

Номер патента: CN117931049A. Автор: 陶伟,孔维镇. Владелец: Shanghai Jiangbolong Digital Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-04-26.

一种用于Nand Flash控制器仿真验证中避免读空页的方法与系统

Номер патента: CN115543206. Автор: 李瑞东,沈力,姚香君,夏丽煖. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-30.

基于nand flash的启动版本生成方法、设备及存储介质

Номер патента: CN117539686A. Автор: 王月鹏. Владелец: Anhui Wantong Post And Telecommunications Co ltd. Дата публикации: 2024-02-09.

nand flash重读定位方法

Номер патента: CN113672178. Автор: 贺乐. Владелец: Zhuhai Miaocun Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-11-19.

一种确保nand flash中序列号和mac地址存储正确的方法

Номер патента: CN113311988. Автор: 王崇吉. Владелец: Beijing Ingenic Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-27.

一种基于nand flash的序列号和mac地址储存方法

Номер патента: CN113312273. Автор: 王崇吉. Владелец: Beijing Ingenic Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-27.

一种NAND Flash控制器接口电路及闪存系统

Номер патента: CN112925483. Автор: 刘飞,霍宗亮,叶甜春,曹小天. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2021-06-08.

一种用于Nand Flash控制器仿真验证中避免读空页的方法与系统

Номер патента: CN115543206A. Автор: 李瑞东,沈力,姚香君,夏丽煖. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-30.

与非型闪存Nand Flash存储管理方法及装置

Номер патента: CN112486854. Автор: 刘晓波,许晓梦,韩国梁. Владелец: Weichai Power Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-12.

基于nand flash的实时嵌入式系统及其启动方法

Номер патента: CN111190648. Автор: 黄峰,李婷,宋凯林,赵葵银. Владелец: Hunan Institute of Engineering. Дата публикации: 2020-05-22.

一种nand flash垃圾回收均衡优化方法

Номер патента: CN111090595. Автор: 张锐,刘婷婷,王闯,贺莹,邓豹. Владелец: Xian Aeronautics Computing Technique Research Institute of AVIC. Дата публикации: 2020-05-01.

针对MLC型NAND-Flash的基于变量节点动态分块更新的LDPC码译码方法

Номер патента: CN110098895. Автор: 梁硕,郭婷,刘星成. Владелец: Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2019-08-06.

提升3D NAND Flash性能的方法

Номер патента: CN109669638. Автор: 汤仁君,肖孟,李皓智,谢汇,管冬生. Владелец: Hefei Core Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-23.

一种基于自恢复效应的NAND Flash存储可靠性优化方法

Номер патента: CN109582224. Автор: 冯骅,彭喜元,乔立岩,魏德宝,郝梦琪. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2019-04-05.

Eliminating garbage collection in nand flash devices

Номер патента: US09891833B2. Автор: Jongman Yoon,Sushma Devendrappa,Xiangyong Ouyang. Владелец: Honeycombdata Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

一种NAND Flash控制器接口电路及闪存系统

Номер патента: CN112925483B. Автор: 刘飞,霍宗亮,叶甜春,曹小天. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-11-08.

一种NAND Flash控制器接口电路及闪存系统

Номер патента: CN112925483A. Автор: 刘飞,霍宗亮,叶甜春,曹小天. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2021-06-08.

NAND Flash storage reliability evaluation method

Номер патента: CN107817954B. Автор: 乔立岩,魏德宝,郝梦琪,李绪金. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2020-07-24.

一种nand flash坏块管理方法及系统

Номер патента: CN114546292B. Автор: 陈世伟,吴�灿,袁结全,詹晋川,罗仁昌. Владелец: Shenzhen Forward Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-15.

用于NAND Flash的通用控制模块及方法

Номер патента: CN116679887A. Автор: 朱志强,华庆明. Владелец: Hefei Kuixian Integrated Circuit Design Co ltd. Дата публикации: 2023-09-01.

用于NAND Flash的通用控制模块及方法

Номер патента: CN116679887B. Автор: 朱志强,华庆明. Владелец: Hefei Kuixian Integrated Circuit Design Co ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

一种SSD中处理NAND Flash读干扰的方法

Номер патента: CN111797033A. Автор: 刘凯,吴斌,王璞. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-20.

一种nand flash垃圾回收动态优化方法

Номер патента: CN111026673A. Автор: 刘婷婷,王闯,刘硕,贺莹. Владелец: Xian Aeronautics Computing Technique Research Institute of AVIC. Дата публикации: 2020-04-17.

Nand Flash芯片数据存储方法及装置

Номер патента: CN117331491A. Автор: 秦燕婷. Владелец: CICT Mobile Communication Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Method and device for data verification of Nand Flash

Номер патента: CN107203436B. Автор: 王志浩. Владелец: Zhengzhou Yunhai Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-06.

A kind of method and apparatus of Nand Flash datas verification

Номер патента: CN107203436A. Автор: 王志浩. Владелец: Zhengzhou Yunhai Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Self-programming method and device of file system based on NAND flash

Номер патента: CN102467522A. Автор: 陈亮. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2012-05-23.

NAND FLASH garbage recovery balance optimization method

Номер патента: CN111090595A. Автор: 张锐,刘婷婷,王闯,贺莹,邓豹. Владелец: Xian Aeronautics Computing Technique Research Institute of AVIC. Дата публикации: 2020-05-01.

Spi Nand flash坏块管理方法和系统

Номер патента: CN116383097A. Автор: 张波,黄柱光. Владелец: Shenzhen Xincun Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-07-04.

nand flash重读定位方法

Номер патента: CN113672178A. Автор: 贺乐. Владелец: Zhuhai Miaocun Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-11-19.

Spi Nand flash坏块管理方法和系统

Номер патента: CN116383097B. Автор: 张波,黄柱光. Владелец: Shenzhen Xincun Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-05-17.

提升3D NAND Flash性能的方法

Номер патента: CN109669638A. Автор: 汤仁君,肖孟,李皓智,谢汇,管冬生. Владелец: Hefei Core Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-23.

NAND flash memory controller

Номер патента: US20230384938A1. Автор: Yen-Chung Chen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

用于访问集成NAND Flash的控制电路和控制方法

Номер патента: CN118245408B. Автор: 何亚军,黄芸佳. Владелец: Hefei Kuixian Integrated Circuit Design Co ltd. Дата публикации: 2024-08-09.

Information processing apparatus including NAND flash memory, and information processing method for the same

Номер патента: US20050157554A1. Автор: Katsuhiko Yanagawa. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2005-07-21.

一种星载nand flash型固态存储器及分配存储空间的方法

Номер патента: CN111324307A. Автор: 孙璐,郑艳,池骋,周梦,高亚南,邵明强. Владелец: Xian Microelectronics Technology Institute. Дата публикации: 2020-06-23.

用于访问集成NAND Flash的控制电路和控制方法

Номер патента: CN118245408. Автор: 何亚军,黄芸佳. Владелец: Hefei Kuixian Integrated Circuit Design Co ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

NAND Flash中块的擦除方法、装置、设备、介质

Номер патента: CN117931048. Автор: 陶伟,孔维镇. Владелец: Shanghai Jiangbolong Digital Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-04-26.

一种基于wordline分组优化NAND Flash性能的方法

Номер патента: CN116610264A. Автор: 李瑞东,曹成,蒋书斌. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-18.

一种用于Nand Flash的磨损均衡方法及装置

Номер патента: CN111966299. Автор: 张如宏,胡来胜,曾庆聪. Владелец: Shenzhen Sandiyi Core Electronics Co ltd. Дата публикации: 2020-11-20.

NAND Flash的温度获取方法、装置、计算机设备及存储介质

Номер патента: CN111552617. Автор: 冯元元,臧鑫,汪汉国. Владелец: Shenzhen Union Memory Information System Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-18.

一种Nand Flash存储器的管理方法和装置

Номер патента: CN111443873. Автор: 邓应如,谢爱明,汤奇龙. Владелец: Shenzhen Tianyue Innovation Technology Co ltd. Дата публикации: 2020-07-24.

一种星载nand flash型固态存储器及分配存储空间的方法

Номер патента: CN111324307. Автор: 孙璐,郑艳,池骋,周梦,高亚南,邵明强. Владелец: Xian Microelectronics Technology Institute. Дата публикации: 2020-06-23.

NAND Flash存储器的坏块管理方法和系统

Номер патента: CN110795044. Автор: 李康养,夏超仁. Владелец: You Hua Telecom Technology Co Ltd Of Shenzhen. Дата публикации: 2020-02-14.

一种3D NAND Flash

Номер патента: CN110046105. Автор: 霍宗亮,叶甜春,侯旭,高帅,王颀. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2019-07-23.

应用于NAND Flash损耗均衡的优化方法

Номер патента: CN109684119. Автор: 杨阳,杨硕,李明洋,王晓璐. Владелец: Tianjin Jinhang Computing Technology Research Institute. Дата публикации: 2019-04-26.

一种基于nand flash的数据存储方法、终端设备及存储介质

Номер патента: CN109343790. Автор: 董时舫. Владелец: PAX Computer Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-15.

一种大容量NAND Flash数据存储方法

Номер патента: CN109240940. Автор: 曾建军. Владелец: Jun Chuang (xiamen) Automation Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-18.

一种用于nand flash的日志块快速命中方法

Номер патента: CN107832234A. Автор: 刘银萍,张志永,赵微,宗宇,谢俊玲,谷羽. Владелец: Mxtronics Corp. Дата публикации: 2018-03-23.

用于NAND Flash坏块的混合管理方法及装置

Номер патента: CN116755642A. Автор: 邹飞,黄泽诚. Владелец: Sichuan Yunhai Core Microelectronics Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-09-15.

应用于NAND Flash损耗均衡的优化方法

Номер патента: CN109684119B. Автор: 杨阳,杨硕,李明洋,王晓璐. Владелец: Tianjin Jinhang Computing Technology Research Institute. Дата публикации: 2022-05-17.

用于访问集成NAND Flash的控制电路和控制方法

Номер патента: CN118245408A. Автор: 何亚军,黄芸佳. Владелец: Hefei Kuixian Integrated Circuit Design Co ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

用于NAND Flash坏块的混合管理方法及装置

Номер патента: CN116755642. Автор: 邹飞,黄泽诚. Владелец: Sichuan Yunhai Core Microelectronics Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-09-15.

一种基于wordline分组优化NAND Flash性能的方法

Номер патента: CN116610264. Автор: 李瑞东,曹成,蒋书斌. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-18.

NAND Flash中块的擦除方法、装置、设备、介质

Номер патента: CN117931048A. Автор: 陶伟,孔维镇. Владелец: Shanghai Jiangbolong Digital Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-04-26.

一种提高Nand flash数据稳定性的方法以及装置

Номер патента: CN110764693. Автор: 李虎,罗胜. Владелец: Shenzhen Demingli Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-07.

一种适用于NAND Flash控制器的索引表保护方法

Номер патента: CN109189328. Автор: 李拓,王朝辉,邹晓峰,周玉龙,刘同强,周恒钊. Владелец: Zhengzhou Yunhai Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-11.

一种NAND Flash垃圾回收方法及系统

Номер патента: CN109086001. Автор: 李拓,王朝辉,邹晓峰,周玉龙,刘同强,周恒钊. Владелец: Zhengzhou Yunhai Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-25.

Access method for NAND Flash redundant code

Номер патента: CN101425342B. Автор: 邹铮贤,周防. Владелец: IPGoal Microelectronics Sichuan Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-08.

A kind of date storage method based on NAND FLASH, terminal device and storage medium

Номер патента: CN109343790A. Автор: 董时舫. Владелец: PAX Computer Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-15.

3D NAND Flash

Номер патента: CN110046105B. Автор: 霍宗亮,叶甜春,侯旭,高帅,王颀. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2021-10-22.

A kind of Nand Flash memory mapped systems based on FPGA

Номер патента: CN106909519A. Автор: 李朋,赵鑫鑫,尹超. Владелец: Jinan Inspur Hi Tech Investment and Development Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-30.

Caching data from a mass storage device in a NAND flash device without using atomic metadata writes

Номер патента: GB2469193A. Автор: Sanjeev Trika. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-10-06.

Modified B+ tree to map logical addresses to physical addresses in NAND flash memory

Номер патента: GB2476536A. Автор: Nathanial Kiel Boyle. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2011-06-29.

NAND Flash的温度获取方法、装置、计算机设备及存储介质

Номер патента: CN111552617A. Автор: 冯元元,臧鑫,汪汉国. Владелец: Shenzhen Union Memory Information System Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-18.

一种适用于NAND Flash控制器的索引表保护方法

Номер патента: CN109189328A. Автор: 李拓,王朝辉,邹晓峰,周玉龙,刘同强,周恒钊. Владелец: Zhengzhou Yunhai Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-11.

用于NAND Flash坏块的混合管理方法及装置

Номер патента: CN116755642B. Автор: 邹飞,黄泽诚. Владелец: Sichuan Yunhai Core Microelectronics Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-10-27.

NAND Flash存储器的坏块管理方法和系统

Номер патента: CN110795044A. Автор: 李康养,夏超仁. Владелец: You Hua Telecom Technology Co Ltd Of Shenzhen. Дата публикации: 2020-02-14.

一种用于Nand Flash的磨损均衡方法及装置

Номер патента: CN111966299A. Автор: 张如宏,胡来胜,曾庆聪. Владелец: Shenzhen Sandiyi Core Electronics Co ltd. Дата публикации: 2020-11-20.

SPI Nand Flash的坏块管理方式

Номер патента: CN107894872A. Автор: 廖炳隆,黄亚龙. Владелец: Nanjing Yang Yang Microelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Hardware-software complex designed for training and (or) re-training of processing algorithms for aerial photographs of the territory for detection, localization and classification up to type of aviation and ground equipment

Номер патента: RU2747044C1. Автор: Дмитрий Александрович Гаврилов,Андрей Борисович Семенов,Леонид Моисеевич Местецкий,Андрей Владимирович Федоров,Дмитрий Александрович Маслов,Николай Николаевич Ефанов,Антон Александрович Фортунатов,Виктор Сергеевич Балакчин,Анастасия Викторовна Балакчина,Евгения Владимировна Гасникова,Лариса Желалудиновна Благушина,Сергей Витальевич Гамиловский,Артем Геннадьевич Еременко,Мария Александровна Гутор,Вячеслав Юрьевич Ефимов,Илья Леонидович Каврецкий,Владимир Петрович Косицын,Андрей Георгиевич Лапушкин,Александр Моисеевич Местецкий,Андрей Богданович Пунь,Павел Борисович Родионов,Глеб Михайлович Соколов,Елена Александровна Татаринова,Владимир Николаевич Фонин,Юрий Николаевич Фонин. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает ФОНД ПЕРСПЕКТИВНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ. Дата публикации: 2021-04-23.

Exact fbp type algorithm for arbitrary trajectories

Номер патента: WO2007004196A3. Автор: Thomas Koehler,Roland Proksa,Claas Bontus. Владелец: Claas Bontus. Дата публикации: 2007-05-03.

Fast algorithm for streaming wavefront

Номер патента: US20110007945A1. Автор: Gerhard Youssefi,Hans-Joachim Polland. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-13.

Fast algorithm for streaming wavefront

Номер патента: EP2252195A1. Автор: Gerhard Youssefi,Hans-Joachim Polland. Владелец: Bausch and Lomb Inc. Дата публикации: 2010-11-24.

Global quantum optimization algorithm for combinatorial optimization problems in nisq devices

Номер патента: US20240265289A1. Автор: Mitsuharu Takeori. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of developing a fast algorithm for double precision shift operation

Номер патента: US20050050120A1. Автор: Yang-Ming Shih. Владелец: King Billion Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-03.

Method of N-division algorithm for switching operation voltage of CPU

Номер патента: US7509503B2. Автор: Tung-Ho Shih. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2009-03-24.

Hybrid numerical/machine-learning algorithm for fast and accurate simulation of engineering systems

Номер патента: AU2023200837A1. Автор: Abdul Rahman Mallah. Владелец: Alawi Omer Adnan Dr. Дата публикации: 2024-08-29.

Hybrid amplitude adjustment algorithm for resistivity logging tools

Номер патента: US09772424B2. Автор: Qi Cao,William J. Schaecher,Alberto Quintero,Chi Wei Lim. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Method and automatic recognition algorithm for sulfur content in fuel

Номер патента: NL2028253B1. Автор: Su Ning,HU Jianbo,Peng Shitao. Владелец: Tianjin Research Inst Water Transp Engineering Mot. Дата публикации: 2021-11-18.

Computer software and algorithms for systems biologically linked to cellular phenotype

Номер патента: EP1664994A2. Автор: Mohammad A. Heidaran,Perry D. Haaland. Владелец: Becton Dickinson and Co. Дата публикации: 2006-06-07.

Algorithm for prioritization of event datum in generic asynchronous telemetric streams

Номер патента: WO2002073352A3. Автор: Ned Mcclain,Trent R Hein. Владелец: Xor Inc. Дата публикации: 2002-12-27.

Algorithm for the Non-exact Matching of Large Datasets

Номер патента: US20230051025A1. Автор: Kaiyu Pan,Richard Diekema, JR.,Mark G. Kane. Владелец: Bottomline Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Two Step Algorithm for Non-exact Matching of Large Datasets

Номер патента: US20210279238A1. Автор: Kaiyu Pan,Mark G. Kane,Richard J. Diekema, Jr.. Владелец: Bottomline Technologies Inc. Дата публикации: 2021-09-09.

Detection algorithm for an infrared proximity sensor of a touch screen mobile phone

Номер патента: US09459723B2. Автор: Yuanqing ZENG. Владелец: GUANGDONG OPPO MOBILE TELECOMMUNICATIONS CORP LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Apparatus for using a Leroux-Gueguen algorithm for coding a signal by linear prediction

Номер патента: US4750190A. Автор: Nicolas Moreau,Henri Barral. Владелец: Individual. Дата публикации: 1988-06-07.

Block placing tool for building a user-defined algorithm for electronic trading

Номер патента: US11900458B2. Автор: Richard Lane,Daniel Lidor. Владелец: Trading Technologies International Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Adjusting weights of weighted consensus algorithms for blockchains

Номер патента: WO2021188260A1. Автор: Prasanth Mathew Varghese,Sindhu Pasumarthy. Владелец: PayPal, Inc.. Дата публикации: 2021-09-23.

Block Placing Tool for Building a User-Defined Algorithm for Electronic Trading

Номер патента: US20230077108A1. Автор: Richard Lane,Daniel Lidor. Владелец: Trading Technologies International Inc. Дата публикации: 2023-03-09.

Scalable expandable system and method for optimizing a random system of algorithms for image quality

Номер патента: EP1433134A2. Автор: Walid Ali. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-06-30.

Systems and methods for configuring a watermark unit with watermark algorithms for a data processing accelerator

Номер патента: US20210149733A1. Автор: Yong Liu,Yueqiang Cheng. Владелец: Baidu USA LLC. Дата публикации: 2021-05-20.

Systems and methods for learning new watermark algorithms for a data processing accelerator

Номер патента: US20210150406A1. Автор: Yong Liu,Yueqiang Cheng. Владелец: Baidu USA LLC. Дата публикации: 2021-05-20.

Metapopulation genetic algorithm for combinatorial optimisation problems

Номер патента: WO2003105080A3. Автор: Philippe Gabant,Cedric Szpirer,Michel C Milinkovitch,Allan R Lemmon. Владелец: Allan R Lemmon. Дата публикации: 2004-06-03.

Block Placing Tool for Building a User-Defined Algorithm for Electronic Trading

Номер патента: US20240112262A1. Автор: Richard Lane,Daniel Lidor. Владелец: Trading Technologies International Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Adjusting weights of weighted consensus algorithms for blockchains

Номер патента: US20230410129A1. Автор: Prasanth Mathew Varghese,Sindhu Pasumarthy. Владелец: PayPal Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Adjusting weights of weighted consensus algorithms for blockchains

Номер патента: AU2021237392A1. Автор: Prasanth Mathew Varghese,Sindhu Pasumarthy. Владелец: PayPal Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Adjusting weights of weighted consensus algorithms for blockchains

Номер патента: AU2021237392B2. Автор: Prasanth Mathew Varghese,Sindhu Pasumarthy. Владелец: PayPal Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Matrix algorithm for scheduling operations

Номер патента: US8825988B2. Автор: Jeff Rupley,Rajagopalan Desikan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2014-09-02.

Division algorithm for floating point or integer numbers

Номер патента: US5784307A. Автор: Gad S. Sheaffer. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1998-07-21.

Clock synchronization algorithm for address independent networks

Номер патента: US5001730A. Автор: Peter A. Franaszek,Thomas K. Philips. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1991-03-19.

Algorithm for sorting bit sequences in linear complexity

Номер патента: US7509309B2. Автор: Dennis J. Carroll. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-03-24.

Digital computer algorithm for processing sonar signals

Номер патента: US5566134A. Автор: Robert A. DuFault. Владелец: Lockheed Martin Corp. Дата публикации: 1996-10-15.

Iterative algorithm for proton CT image reconstruction

Номер патента: US11908045B2. Автор: Don Frederic DEJONGH,Ethan Alan DEJONGH. Владелец: ProtonVDA LLC. Дата публикации: 2024-02-20.

Normalized probability of change algorithm for image processing

Номер патента: AU2016256681B2. Автор: Robert James Klein. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2021-03-25.

Evaluating an inspection algorithm for inspecting a semiconductor specimen

Номер патента: US20210374935A1. Автор: Ilya Blayvas. Владелец: Applied Materials Israel Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Digital encoding algorithm for pixelated detectors

Номер патента: US11729345B2. Автор: Michael P. Hammer,Chris J. Jacobsen,Antonino Miceli. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2023-08-15.

Method and apparatus for configuring deep learning algorithm for autonomous driving

Номер патента: US20230331250A1. Автор: Dongjoo Shin. Владелец: Mobilint Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Detection Algorithm for an Infrared Proximity Sensor of a Touch Screen Mobile Phone

Номер патента: US20160179265A1. Автор: Yuanqing ZENG. Владелец: GUANGDONG OPPO MOBILE TELECOMMUNICATIONS CORP LTD. Дата публикации: 2016-06-23.

Algorithm for decreasing the number of the unnecessary checkpoints in the cellular search

Номер патента: US20050271143A1. Автор: Jiann-Der Lee,Su-Yen Wang. Владелец: Chang Gung University CGU. Дата публикации: 2005-12-08.

Audio time scale modification algorithm for dynamic playback speed control

Номер патента: EP2001013A3. Автор: Juin-Hwey Chen,Robert Zopf. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2012-03-07.

Anti-hopping algorithm for indoor localization systems

Номер патента: US20230123804A1. Автор: Bhavesh Patel,Tadeusz WITCZAK. Владелец: Carrier Corp. Дата публикации: 2023-04-20.

Algorithm for Three-Dimensional Space Fitting of Seismic Data

Номер патента: AU2020102024A4. Автор: HAO LI,YING Liang,Manli Zhang,Changsong Lin,Zhenhu NING. Владелец: China University of Geosciences Beijing. Дата публикации: 2020-10-01.

Algorithm for prioritization of event datum in generic asynchronous telemetric streams

Номер патента: WO2002073352A2. Автор: Ned Mcclain,Trent R. Hein. Владелец: Seurat Company. Дата публикации: 2002-09-19.

Using a container image to determine a caching algorithm for a software application

Номер патента: US20230169002A1. Автор: Gabriel Zvi BenHanokh,Orit Wasserman,Yehoshua Salomon. Владелец: Red Hat Inc. Дата публикации: 2023-06-01.

Tiling algorithm for a matrix math instruction set

Номер патента: EP3899716A1. Автор: Hua Zhang. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2021-10-27.

Max-flow/min-cut solution algorithm for early terminating push-relabel algorithm

Номер патента: US20240112443A1. Автор: Yajun Ha,Xinzhe Liu,Guangyao YAN. Владелец: ShanghaiTech University. Дата публикации: 2024-04-04.

Fast reconstruction algorithm for cone-beam ct

Номер патента: WO2006131872A3. Автор: Hermann Schomberg. Владелец: Hermann Schomberg. Дата публикации: 2008-03-13.

Evolving algorithms for telecommunications network nodes by genetic programming

Номер патента: WO2010142464A1. Автор: Louis Gwyn Samuel,Holger Claussen,Lester Tse Wee Ho. Владелец: Ashraf, Lmran. Дата публикации: 2010-12-16.

Algorithm for decreasing the number of unnecessary checkpoints in the cellular search

Номер патента: US7426237B2. Автор: Jiann-Der Lee,Su-Yen Wang. Владелец: Chang Gung University CGU. Дата публикации: 2008-09-16.

Algorithm for Converting Discrete Hashing to Continuous Hashing

Номер патента: AU2021102262A4. Автор: FENG CHEN,Rui Hu. Владелец: SOUTHWEST UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-06-17.

Fast algorithm for mining high utility itemsets

Номер патента: US8880451B2. Автор: Chia-Ching Chen,Show-Jane Yen,Yue-Shi Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-11-04.

Hierarchical reinforcement learning algorithm for NFV server power management

Номер патента: US12001932B2. Автор: ZHU Zhou,Atul Kwatra,Chris Macnamara,Stephen Doyle,Xiaotian Gao. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-04.

Apparatus and method for optimized NAND flash memory management for devices with limited resources

Номер патента: US20100241786A1. Автор: Fan Zhang,Satpreet Singh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-09-23.

Method and data processing apparatus for restructuring input data to be stored in a multi-level nand flash memory

Номер патента: US20240329851A1. Автор: Sami ALSALAMIN. Владелец: HYPERSTONE GMBH. Дата публикации: 2024-10-03.

Asynchronous bad block management in nand flash memory

Номер патента: US20130205072A1. Автор: Saugata Das Purkayastha,Mahesh Sreekandath. Владелец: St Ericsson SA. Дата публикации: 2013-08-08.

Asynchronous bad block management in nand flash memory

Номер патента: EP2577472A1. Автор: Saugata Das Purkayastha,Mahesh Sreekandath. Владелец: St Ericsson SA. Дата публикации: 2013-04-10.

Asynchronous bad block management in NAND flash memory

Номер патента: US09483395B2. Автор: Saugata Das Purkayastha,Mahesh Sreekandath. Владелец: St Ericsson SA. Дата публикации: 2016-11-01.

Variable Bit Encoding Per NAND Flash Cell to Improve Device Endurance and Extend Life of Flash-Based Storage Devices

Номер патента: US20170220269A1. Автор: Kankani Navneeth,Truong Linh Tien. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-03.

JUMP PAGE CACHE READ METHOD IN NAND FLASH MEMORY AND NAND FLASH MEMORY

Номер патента: US20190220226A1. Автор: CHEN Minyi. Владелец: Shine Bright Technology Limited. Дата публикации: 2019-07-18.

Variable Bit Encoding Per NAND Flash Cell to Improve Device Endurance and Extend Life of Flash-Based Storage Devices

Номер патента: US20160342345A1. Автор: Kankani Navneeth,Truong Linh Tien. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-24.

Garbage recovery method of NAND flash memory and NAND flash memory

Номер патента: CN110187828B. Автор: 李创锋,李嘉伦. Владелец: Shenzhen Tigo Semiconductor Co ltd. Дата публикации: 2023-03-28.

Page retirement in a nand flash memory system

Номер патента: WO2015083308A1. Автор: Roman A. Pletka,Andrew Dale Walls,Ioannis Koltsidas,Charles John Camp. Владелец: Ibm Japan, Ltd.. Дата публикации: 2015-06-11.

一种nand flash坏块标记方法

Номер патента: CN116909483A. Автор: 黄俊斌,刘怡雄,谈小柱. Владелец: Hangzhou Nationalchip Science & Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-10-20.

一种nand flash坏块标记方法

Номер патента: CN116909483. Автор: 黄俊斌,刘怡雄,谈小柱. Владелец: Hangzhou Nationalchip Science & Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-10-20.

一种动态的、离散的、碎片化的嵌入式系统nand flash使用方法

Номер патента: CN114911716. Автор: 潘菊平. Владелец: Taicang T&W Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-16.

NFTL算法适配NAND Flash的方法、存储设备

Номер патента: CN112765050. Автор: 王志奇,何卫国,何欣霖. Владелец: Chengdu 30javee Microelectronics Co ltd. Дата публикации: 2021-05-07.

Page retirement in a NAND flash memory system

Номер патента: US09952795B2. Автор: Roman A. Pletka,Charles J. Camp,Andrew D. Walls,Ioannis Koltsidas. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Look-ahead garbage collection for NAND flash based storage

Номер патента: US09652382B1. Автор: Zheng Wu,Arunkumar Subramanian. Владелец: SK Hynix Memory Solutions America Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Electrical mirroring by nand flash controller

Номер патента: US20210382624A1. Автор: Lin Chen,Jie Chen,Wei Jiang,Gang Zhao. Владелец: Innogrit Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-09.

一种将小容量nand flash芯片扩展成大容量模块的方法

Номер патента: CN101901116A. Автор: 李伟,梁华勇,邓昕岳. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-01.

NAND Flash的存储纠错方法、设备及存储介质

Номер патента: CN117724888. Автор: 李晓强,陈斌,聂蒙,吴大畏,陈寄福. Владелец: SHENZHEN SILICONGO MICROELECTRONICS CO Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

NAND Flash的存储纠错方法、设备及存储介质

Номер патента: CN117724888A. Автор: 李晓强,陈斌,聂蒙,吴大畏,陈寄福. Владелец: SHENZHEN SILICONGO MICROELECTRONICS CO Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

一种大容量立体堆叠的Nand Flash芯片

Номер патента: CN114843252. Автор: 顾林,郑利华,江飞,胡德福,黎蕾. Владелец: CETC 58 Research Institute. Дата публикации: 2022-08-02.

具有nand flash走线的刚柔结合板及实现方法

Номер патента: CN116406080A. Автор: 梁磊,秦清松. Владелец: Suzhou Inspur Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-07.

具有nand flash走线的刚柔结合板及实现方法

Номер патента: CN116406080. Автор: 梁磊,秦清松. Владелец: Suzhou Inspur Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-07.

基于NAND flash的高可靠性文件系统设计方法

Номер патента: CN115981560. Автор: 王瑞,曹春雨,祁宝刚. Владелец: Beijing Tianyu Yunan Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-04-18.

一种大容量立体堆叠的Nand Flash芯片

Номер патента: CN114843252A. Автор: 顾林,郑利华,江飞,胡德福,黎蕾. Владелец: CETC 58 Research Institute. Дата публикации: 2022-08-02.

Nand Flash健康度检测方法、装置和计算机设备

Номер патента: CN116013398A. Автор: 伍旭东,张少壮,朱银波. Владелец: Chengdu Xinyilian Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-25.

Nand Flash健康度检测方法、装置和计算机设备

Номер патента: CN116013398. Автор: 伍旭东,张少壮,朱银波. Владелец: Chengdu Xinyilian Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-25.

一种容量为8G×8bit的立体封装NAND FLASH存储器

Номер патента: CN203644768U. Автор: 颜军,黄小虎,蒋晓华,叶振荣,王烈洋. Владелец: ZHUHAI ORBITA CONTROL ENGINEERING Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-11.

一种容量为4G×8bit的立体封装NAND FLASH存储器

Номер патента: CN203644762U. Автор: 颜军,黄小虎,蒋晓华,叶振荣,王烈洋. Владелец: ZHUHAI ORBITA CONTROL ENGINEERING Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-11.

nand flash掉电测试装置、掉电测试方法及存储介质

Номер патента: CN115954042. Автор: 贺乐,胡鸿源,赖鼐. Владелец: Zhuhai Miaocun Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-04-11.

具有纠错能力的NAND Flash控制器及控制方法

Номер патента: CN113014269. Автор: 罗梓源,李润峰,虞志益,肖山林,谢清伊,陈靖康,谢继章,古文康. Владелец: Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2021-06-22.

一种Nand Flash参数数据的校验方法和装置

Номер патента: CN118737248A. Автор: 张旭,姚敏,董婷,陈志�,夏渊. Владелец: Accelink Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

NAND Flash的数据处理方法、装置、电子设备及存储介质

Номер патента: CN117215480B. Автор: 郑鑫. Владелец: Shenzhen Jingcun Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

NAND Flash的数据处理方法、装置、电子设备及存储介质

Номер патента: CN117215480. Автор: 郑鑫. Владелец: Shenzhen Jingcun Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

一种用于NAND Flash随机化的随机序列种子生成方法及其系统

Номер патента: CN115878048. Автор: 龚晖,赖鼐,温佳强. Владелец: Zhuhai Miaocun Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-03-31.

一种优化NAND flash双重曝光关键尺寸的方法

Номер патента: CN110379706. Автор: 何理,黄冠群,巨晓华. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-10-25.

用于NAND Flash主控芯片的Greedy垃圾回收系统

Номер патента: CN109739776. Автор: 杨阳,杨硕,李明洋,王晓璐. Владелец: Tianjin Jinhang Computing Technology Research Institute. Дата публикации: 2019-05-10.

针对NAND Flash主控芯片Greedy垃圾回收的优化方法

Номер патента: CN109710541. Автор: 杨阳,杨硕,李明洋,王晓璐. Владелец: Tianjin Jinhang Computing Technology Research Institute. Дата публикации: 2019-05-03.

Vertical NAND flash memory device

Номер патента: US09899406B2. Автор: Kyoung-hoon Kim,HongSoo KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

LDPC code decoding method for NAND-Flash storage medium

Номер патента: CN108809330B. Автор: 杨国俊,刘星成. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2020-09-22.

nand flash掉电测试装置、掉电测试方法及存储介质

Номер патента: CN115954042A. Автор: 贺乐,胡鸿源,赖鼐. Владелец: Zhuhai Miaocun Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-04-11.

一种容量为16G×8bit的立体封装NAND FLASH存储器

Номер патента: CN203644767U. Автор: 颜军,黄小虎,蒋晓华,叶振荣,王烈洋. Владелец: ZHUHAI ORBITA CONTROL ENGINEERING Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-11.

一种容量为4G×16bit的立体封装NAND FLASH存储器

Номер патента: CN203746837U. Автор: 颜军,黄小虎,蒋晓华,叶振荣,王烈洋. Владелец: ZHUHAI ORBITA CONTROL ENGINEERING Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-30.

容量为8G×8bit的立体封装NAND FLASH存储器

Номер патента: CN203644770U. Автор: 颜军,黄小虎,蒋晓华,叶振荣,王烈洋. Владелец: ZHUHAI ORBITA CONTROL ENGINEERING Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-11.

Method for optimizing double exposure key size of NAND flash

Номер патента: CN110379706B. Автор: 何理,黄冠群,巨晓华. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-08-13.

Random sequence seed generation method and system for NAND Flash randomization

Номер патента: CN115878048A. Автор: 龚晖,赖鼐,温佳强. Владелец: Zhuhai Miaocun Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-03-31.

Random sequence seed generation method and system for NAND Flash randomization

Номер патента: CN115878048B. Автор: 龚晖,赖鼐,温佳强. Владелец: Zhuhai Miaocun Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-05-12.

NAND Flash的数据处理方法、装置、电子设备及存储介质

Номер патента: CN117215480A. Автор: 郑鑫. Владелец: Shenzhen Jingcun Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Floating Gate Separation in NAND Flash Memory

Номер патента: US20160336182A1. Автор: Atsushi Shimoda,Takuya Sakurai,Toshiya Yokota. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-11-17.

Nand flash memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090294829A1. Автор: Mutsuo Morikado. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-12-03.

与非型闪存Nand Flash存储管理方法与装置

Номер патента: CN115933990. Автор: 刘硕,高梦杰,黄瑞霞,房骁. Владелец: Weifang Weichai Power Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-07.

一种封装基板制作方法、NAND Flash封装基板及存储颗粒

Номер патента: CN116721926B. Автор: 龚晖,王闻师,赖鼐,胡秋勇. Владелец: Zhuhai Miaocun Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-07-26.

一种改善NAND flash空气间隙中介质材料残留的方法

Номер патента: CN114999999. Автор: 张磊,陈昊瑜,陈彩云. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-02.

一种改善NAND flash控制栅极间形貌的方法

Номер патента: CN112530962. Автор: 王奇伟,巨晓华,吴一姗. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-03-19.

NAND Flash叠层结构栅极制造方法

Номер патента: CN114220814A. Автор: 乔夫龙,孙文彦,许鹏凯. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-03-22.

NAND flash memory and fabrication methods thereof

Номер патента: US09911593B2. Автор: SHILIANG Ji,YIYING Zhang,Erhu ZHENG. Владелец: Seimconductor Manufacturing International (beijing) Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

NAND flash memory and fabrication method thereof

Номер патента: US09741573B2. Автор: Guo Bin Yu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Floating gate separation in NAND flash memory

Номер патента: US09595444B2. Автор: Atsushi Shimoda,Takuya Sakurai,Toshiya Yokota. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-03-14.

Method for manufacturing gate of nand flash

Номер патента: US20230170392A1. Автор: Fulong Qiao,Pengkai Xu. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-06-01.

一种封装基板制作方法、NAND Flash封装基板及存储颗粒

Номер патента: CN116721926. Автор: 龚晖,王闻师,赖鼐,胡秋勇. Владелец: Zhuhai Miaocun Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-09-08.

NAND Flash叠层结构栅极制造方法

Номер патента: CN114220814. Автор: 乔夫龙,孙文彦,许鹏凯. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-03-22.

Triple patterning NAND flash memory

Номер патента: US09613806B2. Автор: Tuan Duc Pham,Jongsun Sel,Mun Pyo Hong. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-04.

Method of manufacturing NAND flash memory device

Номер патента: US7727839B2. Автор: Jae Chul Om,Nam Kyeong Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-06-01.

一种封装基板制作方法、NAND Flash封装基板及存储颗粒

Номер патента: CN116721926A. Автор: 龚晖,王闻师,赖鼐,胡秋勇. Владелец: Zhuhai Miaocun Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-09-08.

Method of manufacturing NAND flash memory device

Номер патента: US20070117318A1. Автор: In Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-05-24.

Process for Fabricating a 3D-NAND Flash Memory

Номер патента: US20230335496A1. Автор: Frédéric Raynal,Vincent Mevellec,Mikaïlou Thiam,Amine LAKHDARI. Владелец: MacDermid Enthone Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Processes for nand flash memory fabrication

Номер патента: WO2014042960A3. Автор: Tuan Pham,Jongsun Sel. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2014-07-17.

Processes for nand flash memory fabrication

Номер патента: WO2014042960A2. Автор: Tuan Pham,Jongsun Sel. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2014-03-20.

Triple Patterning NAND Flash Memory with Stepped Mandrel

Номер патента: US20150064907A1. Автор: Tuan Duc Pham,Jongsun Sel,Mun Pyo Hong. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-03-05.

一种改善NAND flash空气间隙中介质材料残留的方法

Номер патента: CN114999999A. Автор: 张磊,陈昊瑜,陈彩云. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-02.

一种改善NAND flash控制栅极间形貌的方法

Номер патента: CN112530962A. Автор: 王奇伟,巨晓华,吴一姗. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-03-19.

与非型闪存Nand Flash存储管理方法与装置

Номер патента: CN115933990A. Автор: 刘硕,高梦杰,黄瑞霞,房骁. Владелец: Weifang Weichai Power Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-07.

Process for fabricating a 3d-nand flash memory

Номер патента: EP4225977A1. Автор: Frédéric Raynal,Vincent Mevellec,Mikaïlou Thiam,Amine LAKHDARI. Владелец: MacDermid Enthone Inc. Дата публикации: 2023-08-16.

Process for fabricating a 3d-nand flash memory

Номер патента: WO2022074221A1. Автор: Frédéric Raynal,Vincent Mevellec,Mikaïlou Thiam,Amine LAKHDARI. Владелец: Aveni. Дата публикации: 2022-04-14.

Method of manufacturing NAND flash device

Номер патента: US20050106814A1. Автор: Young Shin. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-05-19.

Vertical nand flash memory device

Номер патента: EP4391761A1. Автор: Seyun KIM,Sunho Kim,Minhyun LEE,Gukhyon Yon,Seungyeul YANG,Seokhoon CHOI,Kyunghun KIM,Hyungyung KIM,Hoseok HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-26.

Resolution algorithms for multi-radio coexistence

Номер патента: EP2452538A1. Автор: Ashok Mantravadi,Tamer A. Kadous. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2012-05-16.

Adaptive algorithms for optimal control of contention access

Номер патента: EP1215851A3. Автор: Jin-Meng Ho,Donald P. Shaver. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2004-03-10.

Precision-time energy-based control algorithm for electric vehicle charging

Номер патента: EP4360941A1. Автор: Ka-Leung AU,Chi Wai Edwin CHAN,Ka Wing Kelvin WONG. Владелец: New World Development Co ltd. Дата публикации: 2024-05-01.

Efficient topology-aware tree search algorithm for a broadcast operation

Номер патента: US20220217071A1. Автор: Maria Garzaran,Gengbin ZHENG. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-07-07.

Control algorithm for an electronic dimming ballast of a uv lamp

Номер патента: US20180077784A1. Автор: Reiner Fietzek,Dirk Riepe. Владелец: Xylem IP Management SARL. Дата публикации: 2018-03-15.

A control algorithm for an electronic dimming ballast of a uv lamp

Номер патента: NZ734551A. Автор: Fietzek Reiner,Riepe Dirk. Владелец: Xylem Ip Man Sarl. Дата публикации: 2019-01-25.

Instability detection algorithm for an implantable blood pump

Номер патента: EP2890420A1. Автор: Andre Siebenhaar. Владелец: Thoratec LLC. Дата публикации: 2015-07-08.

Using a Single Phase Error Algorithm for Coarse and Fine Signal Timing Synchronisation

Номер патента: US20150180645A1. Автор: Neil Taylor. Владелец: Imagination Technologies Ltd. Дата публикации: 2015-06-25.

Multidimensional algorithm for roaming

Номер патента: US09974013B2. Автор: Sandip Homchaudhuri,Shu Du,Sumeet KUMAR,Paul Husted,Sohani Ganesh Rao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Algorithm for preliminary firing of ink droplets through inkjet nozzles prior to inkjet printing operation

Номер патента: US7614720B2. Автор: Naoki Otsuka. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2009-11-10.

Method and algorithm for stabilizing the output state of an optical transceiver

Номер патента: US9059834B2. Автор: Xiaoyi ZHENG,Xiaojun Zhou,Meiling Lu,Jifeng WAN. Владелец: Source Photonics Inc. Дата публикации: 2015-06-16.

A Method and Algorithm for Stabilizing the Output State of an Optical Transceiver

Номер патента: US20140140706A1. Автор: Xiaoyi ZHENG,Xiaojun Zhou,Meiling Lu,Jifeng WAN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-05-22.

Optimizing algorithm for controlling drill string driver

Номер патента: US11814942B2. Автор: Jian Wu,Benjamin Peter Jeffryes,Nathaniel Wicks. Владелец: Schlumberger Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-14.

Decentralized Relaying Algorithm for Mobile Devices

Номер патента: US20120309358A1. Автор: Alexandre Proutiere,Thomas Karagiannis,Dinan Gunawardena,Milan Vojnovic. Владелец: Microsoft Corp. Дата публикации: 2012-12-06.

Endpoint detection algorithm for atomic layer etching (ale)

Номер патента: SG11201901731WA. Автор: Yan Chen,Jason Ferns,Xinkang Tian. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Flow control algorithm for high speed networks

Номер патента: US5748901A. Автор: Yehuda Afek,Yishay Mansour,Zvi Ostfeld. Владелец: Ramot at Tel Aviv University Ltd. Дата публикации: 1998-05-05.

Supplemental inflatable restraint system having a rear impact algorithm for seat belt pretensioner

Номер патента: US5461567A. Автор: Jon P. Kelley,Jiyao Liu. Владелец: Delco Electronics LLC. Дата публикации: 1995-10-24.

Effective control algorithm for optical polarization mode dispersion compensators

Номер патента: US20070133997A1. Автор: Dieter Werner,Chongjin Xie. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2007-06-14.

Pointing Algorithm for Endpoint Nodes

Номер патента: US20180337452A1. Автор: Joseph Thaddeus Lipowski. Владелец: Starry Inc. Дата публикации: 2018-11-22.

Sensing algorithm for anti-tachycardia devices using dual chamber sensing

Номер патента: AU5060993A. Автор: Masood Akhtar. Владелец: Individual. Дата публикации: 1994-06-02.

Multidimensional algorithm for roaming

Номер патента: EP3056048A1. Автор: Sandip Homchaudhuri,Shu Du,Sumeet KUMAR,Paul Husted,Sohani Ganesh Rao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-08-17.

Algorithm for preliminary firing of ink droplets through inkjet nozzles prior to inkjet printing operation

Номер патента: US20070229583A1. Автор: Naoki Otsuka. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2007-10-04.

Multidimensional algorithm for roaming

Номер патента: US20160234770A1. Автор: Sandip Homchaudhuri,Shu Du,Sumeet KUMAR,Paul Husted,Sohani Ganesh Rao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-08-11.

Multidimensional algorithm for roaming

Номер патента: WO2015053972A1. Автор: Sandip Homchaudhuri,Shu Du,Sumeet KUMAR,Paul Husted,Sohani Ganesh Rao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-04-16.

Algorithm for verification of correct abs controller installation

Номер патента: WO1998055348A1. Автор: Scott E. Carpenter. Владелец: KELSEY-HAYES COMPANY. Дата публикации: 1998-12-10.

NAND FLASH MEMORY UNIT AND NAND FLASH MEMORY ARRAY

Номер патента: US20140239380A1. Автор: Lin Wei,Shirota Riichiro,Kuo Tsai-Hao,Mitiukhina Nina. Владелец: PHISON ELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2014-08-28.

Nand flash memory device and method for fabricating nand flash memory device

Номер патента: KR100650837B1. Автор: 박성조,박희식. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-11-27.

Memory devices including staircase structures, and related 3d nand flash memory devices

Номер патента: US20240015971A1. Автор: Xuan Li,Shuangqiang Luo,Adeline Yii. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-01-11.

集成nand flash闪存功能的emmc存储器

Номер патента: CN203038913U. Автор: 刘纪文,王树锋. Владелец: SHENZHEN JINGKAI ELECTRONICS TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2013-07-03.

Nand flash memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20070048922A1. Автор: Sung-Hoi Hur,Ji-Hwon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-01.

Nand flash block architecture enhancement to prevent block lifting

Номер патента: US20220045015A1. Автор: Martin Jared Barclay,Mark Tunik. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-10.

Word line architecture for three dimensional nand flash memory

Номер патента: US20210134828A1. Автор: Hiroki Yabe,Koichiro Hayashi,Toru Miwa,Naoki Ookuma,Takuya Ariki. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-05-06.

Memory devices including staircase structures, and related 3D NAND flash memory devices

Номер патента: US12108600B2. Автор: Xuan Li,Shuangqiang Luo,Adeline Yii. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-10-01.

一种基于NAND Flash的系统检测装置

Номер патента: CN202720634U. Автор: 王征宇. Владелец: Xiamen Overseas Chinese Electronic Co Ltd. Дата публикации: 2013-02-06.

NAND Flash的扫描方法、设备及存储介质

Номер патента: CN117727354. Автор: 李晓强,陈斌,聂蒙,吴大畏,陈寄福. Владелец: SHENZHEN SILICONGO MICROELECTRONICS CO Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

一种基于NAND Flash的系统检测方法及装置

Номер патента: CN102789408A. Автор: 王征宇. Владелец: Xiamen Overseas Chinese Electronic Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-21.

一种确定nand flash纠错模式的方法、装置及电子设备

Номер патента: CN116028261. Автор: 柴昊. Владелец: Zhejiang Dahua Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-28.

NAND Flash的扫描方法、设备及存储介质

Номер патента: CN117727354A. Автор: 李晓强,陈斌,聂蒙,吴大畏,陈寄福. Владелец: SHENZHEN SILICONGO MICROELECTRONICS CO Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

一种提高nand flash器件文件存取速度的方法及系统

Номер патента: CN109710181. Автор: 杨磊,唐琪,邱礼胜. Владелец: CHENGDU LATEST ELECTRONIC TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-03.

一种nand flash封装设计方法

Номер патента: CN118888459A. Автор: 唐旭,万国春. Владелец: TONGJI UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-11-01.

一种快速烧写NAND flash的装置

Номер патента: CN201465564U. Автор: 张根林,徐旭斌. Владелец: ZHEJIANG ZHENGYUAN ELECTRIC CO Ltd. Дата публикации: 2010-05-12.

一种基于NAND Flash的系统检测方法及装置

Номер патента: CN102789408B. Автор: 王征宇. Владелец: Xiamen Xiahua Investment Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-22.

一种nand flash存储器件

Номер патента: CN100477009. Автор: 骆建军,楚传仁. Владелец: LUO JIANJUN CHU CHUANREN. Дата публикации: 2009-04-08.

嵌入式系统中NAND Flash存储器上建立文件系统的方法

Номер патента: CN100449549. Автор: 吴宁宁,吴明光,安庆敏. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2009-01-07.

一种基于NAND Flash可靠性的数据处理方法

Номер патента: CN117215476. Автор: 杨柳,张博,李前辉,霍宗亮,叶甜春,于晓磊,王先良,王颀,何菁. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-12-12.

一种基于NAND Flash可靠性的数据处理方法

Номер патента: CN117215476A. Автор: 杨柳,张博,李前辉,霍宗亮,叶甜春,于晓磊,王先良,王颀,何菁. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-12-12.

一种NAND Flash特性模型建立方法

Номер патента: CN109871594. Автор: 刘尚,朱苏雁,孙中琳,刘大铕,刘奇浩,王运哲. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-11.

一种选择最佳NAND Flash读操作电平的方法

Номер патента: CN109741783. Автор: 李铁,王彬. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-10.

Bad queue management device for Nand Flash

Номер патента: CN203311409U. Автор: 黎健,陈文捷,庞荣,魏益新,郑灼荣. Владелец: Jianrong Integrated Circuit Technology Zhuhai Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-27.

一种用于测试nand flash的PCB板

Номер патента: CN214311714U. Автор: 宗成强,范宣荣,尹相彦. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-28.

一种在Nand Flash存储器中直接建立只读文件系统的方法

Номер патента: CN1737759A. Автор: 赵玉峰. Владелец: Hisense Mobile Communications Technology Co Ltd. Дата публикации: 2006-02-22.

一种多个nand Flash存储芯片同步高温测试装置

Номер патента: CN219040077U. Автор: 李斌,李芳�,胡文婷,任朝建. Владелец: Shenzhen Maide'er Semiconductor Co ltd. Дата публикации: 2023-05-16.

一种在Nand Flash存储器中直接建立只读文件系统的方法

Номер патента: CN100395704. Автор: 赵玉峰. Владелец: Hisense Mobile Communications Technology Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-18.

一种多个nand Flash存储芯片同步高温测试装置

Номер патента: CN116013399A. Автор: 李斌,李芳�,胡文婷,任朝建. Владелец: Shenzhen Maide'er Semiconductor Co ltd. Дата публикации: 2023-04-25.

一种多个nand Flash存储芯片同步高温测试装置

Номер патента: CN116013399. Автор: 李斌,李芳�,胡文婷,任朝建. Владелец: Shenzhen Maide'er Semiconductor Co ltd. Дата публикации: 2023-04-25.

一种提高通道内3d nand flash并行度的方法及系统

Номер патента: CN114333948. Автор: 沈力,刘奇浩,李绪金. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-12.

一种提高通道内3d nand flash并行度的方法及系统

Номер патента: CN114333948B. Автор: 沈力,刘奇浩,李绪金. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-20.

一种提高通道内3d nand flash并行度的方法及系统

Номер патента: CN114333948A. Автор: 沈力,刘奇浩,李绪金. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-12.

一种获取NAND Flash存储器浅擦除特性规律的方法

Номер патента: CN109785891. Автор: 王彬,曹成. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-21.

A kind of highly reliable linear file access method based on Nand Flash

Номер патента: CN103577121B. Автор: 袁松,毛先俊,何冲. Владелец: CSIC (WUHAN) LINCOM ELECTRONICS Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-06.

Nand Flash parameter reading method

Номер патента: CN105280240A. Автор: 李烨,刘方,庹凌云,卜弋天,谢长武. Владелец: Analog Microelectronics (shanghai) Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-27.

Large-capacity NAND FLASH expansion module

Номер патента: CN201741409U. Автор: 李伟,梁华勇,邓昕岳. Владелец: Langchao Electronic Information Industry Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-09.

Method for establishing large-page NAND Flash storage system under Windows CE condition

Номер патента: CN101923570B. Автор: 汪玮,廖颖,陈一新,莫家贵. Владелец: CETC 38 Research Institute. Дата публикации: 2012-07-04.

基于fpga的快速nand flash控制器及其控制方法

Номер патента: CN103226977A. Автор: 刘鹏,鞠磊,贾智平,申兆岩. Владелец: Shandong University. Дата публикации: 2013-07-31.

Nand Flash脱机裸片烧程设备

Номер патента: CN214202348U. Автор: 黄野,孟卓,王冰洁,梅红争. Владелец: Ningbo Henglida Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-14.

一种容量为4G×8bit的非气密三维封装NAND FLASH存储器

Номер патента: CN209401621U. Автор: 余欢,牛士敏. Владелец: Xian Microelectronics Technology Institute. Дата публикации: 2019-09-17.

一种基于nand flash的电子盘及其运行控制方法

Номер патента: CN101751978A. Автор: 王玉章,马先明. Владелец: BEIJING EVOC INTELLIGENT TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-23.

一种容量为16G×32bit的非气密三维封装NAND FLASH存储器

Номер патента: CN209249457U. Автор: 李晗,余欢. Владелец: Xian Microelectronics Technology Institute. Дата публикации: 2019-08-13.

基于Nand Flash多版本程序的FPGA加载技术

Номер патента: CN102750175A. Автор: 刘剑,翟刚毅. Владелец: 724th Research Institute of CSIC. Дата публикации: 2012-10-24.

Nand flash的数据处理方法

Номер патента: CN101794254A. Автор: 张彦伟,罗胜,李发生,成晓华. Владелец: SHENZHEN SILICONGO SEMICONDUCTOR CO Ltd. Дата публикации: 2010-08-04.

一种嵌入式CPU在NAND Flash上启动的方法

Номер патента: CN103279399A. Автор: 倪成钢. Владелец: Beijing Hanbang Gaoke Digital Technology Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-04.

一种SPI NAND Flash芯片性能测试方法及装置

Номер патента: CN118366531A. Автор: 徐培根. Владелец: Guangzhou V Solution Telecommunication Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-07-19.

用於NAND Flash的通用控制模組及其方法

Номер патента: TWI859110B. Автор: 朱志強,華慶明. Владелец: 大陸商合肥奎芯集成電路設計有限公司. Дата публикации: 2024-10-11.

一种nand flash数据校验方法及相关装置

Номер патента: CN109857586. Автор: 王磊,李冰,陈晓彤,王广军,许云龙,安志远. Владелец: Kangtai Medical System (qinhuangdao) Ltd By Share Ltd. Дата публикации: 2019-06-07.

Method and apparatus for accelerating write operation of Nand Flash

Номер патента: CN105138465A. Автор: 贾天亮. Владелец: Beijing Techshino Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-09.

High-reliability linear file access method based on nand flash

Номер патента: CN103577121A. Автор: 袁松,毛先俊,何冲. Владелец: CSIC (WUHAN) LINCOM ELECTRONICS Co Ltd. Дата публикации: 2014-02-12.

NAND Flash characteristic model establishing method

Номер патента: CN109871594B. Автор: 刘尚,朱苏雁,孙中琳,刘大铕,刘奇浩,王运哲. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-03.

Bad block management system for satellite-based NAND FLASH solid memory

Номер патента: CN105005453A. Автор: 刘波,刘辉,张恒,郑莲玉. Владелец: Shanghai Institute of Satellite Engineering. Дата публикации: 2015-10-28.

Nand flash测试设备

Номер патента: CN220290466U. Автор: 孙文琪. Владелец: Lianhe Storage Technology Jiangsu Co ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

提高NAND Flash存储可靠性的数据存储方法

Номер патента: CN104467871B. Автор: 赵浩然,乔立岩,邓立宝,魏德宝. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2018-03-27.

一种小型Nand Flash多功能测试装置

Номер патента: CN215868650U. Автор: 朱言言. Владелец: Suzhou Jiecun Electronic Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-02-18.

一种基于单片机的nand-flash写操作方法

Номер патента: CN104166627A. Автор: 田星星,焦来宾,何刚. Владелец: KEDA INTELLIGENT ELECTRICAL TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-26.

Balanced loss achievement method for NAND FLASH

Номер патента: CN103092766A. Автор: 张志永,宗宇. Владелец: Mxtronics Corp. Дата публикации: 2013-05-08.

NAND Flash存储系统保存期间数据分步加重方法

Номер патента: CN105427886A. Автор: 潘立阳,高忠义,麻昊志. Владелец: Shenzhen Graduate School Tsinghua University. Дата публикации: 2016-03-23.

一种NAND Flash存储器的动态管理方法

Номер патента: CN100565477. Автор: 王新华,王建芬. Владелец: Zhejiang Lover Health Science and Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-02.

基于NAND Flash存储器文件系统的实现方法

Номер патента: CN100501868. Автор: 王祥生,谢斌,胡威,陈天洲. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2009-06-17.

一种针对NAND Flash最大保存时间错误数的分析方法

Номер патента: CN114283865. Автор: 李瑞东,曹成,蒋书斌. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-05.

一种基于支持向量回归法的NAND Flash位错误率预测方法

Номер патента: CN109947588. Автор: 刘娜,彭喜元,乔立岩,魏德宝,陈肖钰. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2019-06-28.

一种Nand-Flash错误数据冗余替换方法

Номер патента: CN109840163. Автор: 龙晓东,薛小飞,李乾男. Владелец: Xian Unilc Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-04.

一种NAND Flash弱块筛选的方法

Номер патента: CN109830257. Автор: 王彬,吴斌,曹成. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-31.

纠正NAND Flash中多比特错误的ECC装置和方法

Номер патента: CN109785895. Автор: 吕晶,周小锋,江喜平. Владелец: Xian Unilc Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-21.

Method and device for write operation of NAND Flash storage device with differential storage

Номер патента: CN103680610A. Автор: 苏志强,舒清明. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2014-03-26.

NAND FLASH file system

Номер патента: CN102981965A. Автор: 宗竞. Владелец: JIANGSU LEMAIDAO NETWORK TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-20.

Write operation method and device of Nand-flash memory

Номер патента: CN103455427A. Автор: 苏志强,丁冲,张现聚,刘奎伟. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2013-12-18.

NAND Flash存储系统高磨损区域数据预加重方法

Номер патента: CN105405462A. Автор: 潘立阳,高忠义,麻昊志. Владелец: Shenzhen Graduate School Tsinghua University. Дата публикации: 2016-03-16.

一种快速烧写NAND flash的方法和装置

Номер патента: CN101527161A. Автор: 张根林,徐旭斌. Владелец: ZHEJIANG ZHENGYUAN ELECTRIC CO Ltd. Дата публикации: 2009-09-09.

一种用于nand flash的ldpc测试平台

Номер патента: CN208298556U. Автор: 徐光明,后嘉伟,虞安华. Владелец: Nanjing Yang Yang Microelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-28.

一种延长NAND Flash数据可靠存储时间的编码方法

Номер патента: CN105204958B. Автор: 王世元,彭喜元,乔立岩,邓立宝,魏德宝. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2018-03-13.

NAND FLASH data storage method

Номер патента: CN106354662A. Автор: 王勇,屠晓涛. Владелец: Shaanxi Qianshan Avionics Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-25.

Method for realizing memory file system based on NAND Flash

Номер патента: CN100501868C. Автор: 王祥生,谢斌,胡威,陈天洲. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2009-06-17.

Nand-Flash error data redundancy replacement method

Номер патента: CN109840163B. Автор: 龙晓东,薛小飞,李乾男. Владелец: Xian Unilc Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-24.

A kind of method of weak piece of NAND Flash screening

Номер патента: CN109830257A. Автор: 王彬,吴斌,曹成. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-31.

A kind of access method of NAND Flash interface and device

Номер патента: CN104750430B. Автор: 马翼,祝博,田达海. Владелец: Hunan Goke Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-16.

Boot loading method and device based on NAND FLASH

Номер патента: CN104077167A. Автор: 赵志宇,康向艳. Владелец: HANGZHOU H3C TECHNOLOGIES CO LTD. Дата публикации: 2014-10-01.

BCH decoder for configuring error correcting capability according to Nand Flash extra space

Номер патента: CN101483442A. Автор: 周华,诸烜程,姜启军. Владелец: VERISILICON HOLDINGS CO Ltd. Дата публикации: 2009-07-15.

Checking algorithm of NAND Flash memory chip

Номер патента: CN102789817A. Автор: 刘绍海,万籁民,韦献康. Владелец: PAX Computer Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-21.

纠正NAND Flash中多比特错误的ECC装置和方法

Номер патента: CN109785895B. Автор: 吕晶,周小锋,江喜平. Владелец: Xi'an Ziguang Guoxin Semiconductor Co ltd. Дата публикации: 2024-03-01.

纠正NAND Flash中多比特错误的ECC装置和方法

Номер патента: CN109785895A. Автор: 吕晶,周小锋,江喜平. Владелец: Xian Unilc Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-21.

一种针对NAND Flash最大保存时间错误数的分析方法

Номер патента: CN114283865A. Автор: 李瑞东,曹成,蒋书斌. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-05.

一种基于支持向量回归法的NAND Flash位错误率预测方法

Номер патента: CN109947588A. Автор: 刘娜,彭喜元,乔立岩,魏德宝,陈肖钰. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2019-06-28.

NAND flash数据损坏后的恢复方法、装置、计算机设备及存储介质

Номер патента: CN118193294A. Автор: 张帆,刘浪,陈文伟. Владелец: Qianxun Si Network Zhejiang Co ltd. Дата публикации: 2024-06-14.

Nand flash存储器件及其制备方法

Номер патента: CN118284049A. Автор: 高伟,金汉洙,申女. Владелец: Lianhe Storage Technology Jiangsu Co ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

一种NAND Flash的数据处理装置

Номер патента: CN205281481U. Автор: 刘会娟. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2016-06-01.

一种对NAND flash存储器进行物理损坏模拟的系统及其方法

Номер патента: CN100337285. Автор: 刘刚. Владелец: Qingdao Hisense Communication Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-12.

一种nand-flash存储芯片测试系统

Номер патента: CN118887987A. Автор: 李斌,李宁,胡文婷. Владелец: Shenzhen Maide'er Semiconductor Co ltd. Дата публикации: 2024-11-01.

一种位线电压的控制电路及Nand Flash

Номер патента: CN208637142U. Автор: 陈俊,舒清明,马思博. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2019-03-22.

一种NAND Flash固态硬盘的可靠性检测方法及装置

Номер патента: CN109857607. Автор: 杜刚,刘晓彦,王坤亮. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-06-07.

NAND flash栅形成方法

Номер патента: CN109727987. Автор: 王一,任佳,乔夫龙,巨晓华. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-07.

一种Nand Flash存储器可靠性测试装置

Номер патента: CN220065194U. Автор: 张建锋,邱金辉,张春义. Владелец: Zhongke Ruice Tianjin Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

NAND flash栅形成方法

Номер патента: CN109727987A. Автор: 王一,任佳,乔夫龙,巨晓华. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-07.

一种用于nand flash的不对称稳压电路

Номер патента: CN105242735B. Автор: 邓龙利. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2017-03-15.

嵌有阶段性动态阈值损耗均衡模块的NAND Flash主控芯片

Номер патента: CN109712662. Автор: 杨阳,杨硕,李明洋,王晓璐. Владелец: Tianjin Jinhang Computing Technology Research Institute. Дата публикации: 2019-05-03.

Method for detecting and mapping states of NAND FLASH

Номер патента: CN102541676B. Автор: 郭鑫俊. Владелец: Fujian Newland Communication Science Technology Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-05.

High-reliability NAND Flash reading method and system

Номер патента: CN103811071A. Автор: 苏志强,朱一明,丁冲,张君宇. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2014-05-21.

Method for detecting and mapping states of NAND FLASH

Номер патента: CN102541676A. Автор: 郭鑫俊. Владелец: Fujian Newland Communication Science Technology Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-04.

用于文件系统向Nand Flash写数据的驱动装置及方法

Номер патента: CN102331911B. Автор: 张颖,赵志宇,段琳,钱嘉林,李星爽. Владелец: HANGZHOU H3C TECHNOLOGIES CO LTD. Дата публикации: 2014-07-16.

一种NAND Flash芯片存储介质的固定装置

Номер патента: CN221200765U. Автор: 陈兵兵,庄杰,徐健健,卢万进,董梓琪. Владелец: Xisu Technology Jiangsu Co ltd. Дата публикации: 2024-06-21.

Instant speaker algorithm for digital conference bridge

Номер патента: CA1232663A. Автор: Do Q. Phiet. Владелец: Australian Telecommunications Commission. Дата публикации: 1988-02-09.

High-efficient erasing and writing flash memory in grating

Номер патента: CN101419972A. Автор: 张博,张�雄,曹子贵. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2009-04-29.

Memory Device With Vertically Embedded Non Flash Non Volatile Memory For Emulation Of Nand Flash Memory

Номер патента: US20120069665A1. Автор: NORMAN ROBERT. Владелец: UNITY SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2012-03-22.

Controller for One Type of NAND Flash Memory for Emulating Another Type of NAND Flash Memory

Номер патента: US20130024611A1. Автор: Marcu Alon,Stern Ori,Bar-Or Shahar,Inbar Dan. Владелец: . Дата публикации: 2013-01-24.

NAND flash controller capable of supporting different types of NAND flashes

Номер патента: CN102096555A. Автор: 迟志刚. Владелец: Shanghai Huahong Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-15.

NAND flash information extraction method and NAND flash automatic identification method

Номер патента: CN101000580A. Автор: 何菊. Владелец: Vimicro Corp. Дата публикации: 2007-07-18.

一种nand flash数据存储方法

Номер патента: CN104391804A. Автор: 贾宁,程金,文建国. Владелец: Shaanxi Qianshan Avionics Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-04.

The method of nand flash storage for high capacity

Номер патента: TWI316719B. Автор: Bill Lin. Владелец: Efortune Technology Corp. Дата публикации: 2009-11-01.

Protector and shutdown method for NAND flash memory

Номер патента: TW200727130A. Автор: Yu-Ting Lin. Владелец: Mitac Int Corp. Дата публикации: 2007-07-16.

Nand flash storage technology for high capacity

Номер патента: TW200805395A. Автор: Bill Lin. Владелец: Efortune Technology Corp. Дата публикации: 2008-01-16.

Hot carrier programming of NAND flash memory

Номер патента: TW201244017A. Автор: Shaw-Hung Ku,I-Chen Yang. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-01.

Method for manufacturing NAND flash memory

Номер патента: TW200741887A. Автор: Chun-Lien Su,Yin-Jen Chen,Ming-Shang Chen,Kuei-Yun Chen. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-01.

Protector and shutdown method for nand flash memory

Номер патента: TWI301237B. Автор: Yuting Lin. Владелец: Mitac Int Corp. Дата публикации: 2008-09-21.