Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Jump page cache read method in nand flash memory and nand flash memory

Jump page cache read method in nand flash memory and nand flash memory

Номер патента: US20190220226A1
Опубликовано: 18-07-2019
Автор(ы): Minyi Chen
Принадлежит: Shine Bright Technology Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Nand flash storage device and methods using non-nand storage cache

Номер патента: US20180314434A1. Автор: Dana L. Simonson. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-11-01.

Flash memory apparatus and storage management method for flash memory

Номер патента: US09910772B2. Автор: Tsung-Chieh Yang,Hong-Jung Hsu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Control method for flash memory controller and associated flash memory controller and storage device

Номер патента: US12014063B2. Автор: Ching-Hui Lin. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Method for using nand flash memory sram in solid state drive controller

Номер патента: US20230152999A1. Автор: CHAOHONG HU,Chun Liu,Jea Woong Hyun,Xin LIAO. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-18.

一种基于并行使用的双片nand flash坏块管理方法

Номер патента: CN113311989. Автор: 杨诚. Владелец: Beijing Ingenic Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-27.

一种基于并行使用的双片nand flash坏块管理方法

Номер патента: CN113311989B. Автор: 杨诚. Владелец: Beijing Ingenic Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-22.

Method and apparatus for caching address mapping information in flash memory based storage device

Номер патента: US20230289091A1. Автор: Yi-Kai Pai. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Control method of flash memory controller and associated flash memory controller and electronic device

Номер патента: US20230289098A1. Автор: Chia-Chi Liang,Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Flash memory controller and method capable of sending data toggle set-feature signal to enable, disable, or configure data toggle operation of flash memory device

Номер патента: US20230266895A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Control method of flash memory controller and associated flash memory controller and electronic device

Номер патента: US11809748B2. Автор: Chia-Chi Liang,Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Flash memory controller and method capable of sending data toggle set-feature signal to enable, disable, or configure data toggle operation of flash memory device

Номер патента: US11977752B2. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

METHOD, FLASH MEMORY CONTROLLER, MEMORY DEVICE FOR ACCESSING 3D FLASH MEMORY HAVING MULTIPLE MEMORY CHIPS

Номер патента: US20190050326A1. Автор: Yang Tsung-Chieh,HSU Hong-Jung. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-14.

Method, flash memory controller, memory device for accessing 3D flash memory having multiple memory chips

Номер патента: US10133664B2. Автор: Tsung-Chieh Yang,Hong-Jung Hsu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2018-11-20.

Techniques for supporting erasure coding with flash memory controller

Номер патента: US11023315B1. Автор: Robert Lercari,Mike Jadon,Craig Robertson. Владелец: Radian Memory Systems Inc. Дата публикации: 2021-06-01.

Method and storage device for improving NAND flash memory performance for intensive read workloads

Номер патента: US11886741B2. Автор: Tushar Tukaram Patil,Anantha Sharma,Sharath Kumar Kodase. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-30.

Computing device and method for inferring a predicted number of physical blocks erased from a flash memory

Номер патента: US20190155520A1. Автор: Francois Gervais. Владелец: Distech Controls Inc. Дата публикации: 2019-05-23.

一种nand flash文件数据存取方法、装置及存储介质

Номер патента: CN113495681B. Автор: 郭磊,周东峰,徐石雄. Владелец: Hangzhou Ezviz Network Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

一种nand flash文件数据存取方法、装置及存储介质

Номер патента: CN113495681. Автор: 郭磊,周东峰,徐石雄. Владелец: Hangzhou Ezviz Network Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-12.

Method and apparatus for data access of nand flash file, and storage medium

Номер патента: US20230168830A1. Автор: Lei Guo,Shixiong XU,Dongfeng ZHOU. Владелец: Hangzhou Ezviz Software Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

Flash memory apparatus and storage management method for flash memory

Номер патента: US20180121347A1. Автор: Tsung-Chieh Yang,Hong-Jung Hsu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2018-05-03.

Flash memory apparatus and storage management method for flash memory

Номер патента: TWI771151B. Автор: 楊宗杰,許鴻榮. Владелец: 慧榮科技股份有限公司. Дата публикации: 2022-07-11.

Flash memory apparatus and storage management method for flash memory

Номер патента: TWI740629B. Автор: 楊宗杰,許鴻榮. Владелец: 慧榮科技股份有限公司. Дата публикации: 2021-09-21.

Flash memory apparatus and storage management method for flash memory

Номер патента: TW201810280A. Автор: 楊宗杰,許鴻榮. Владелец: 慧榮科技股份有限公司. Дата публикации: 2018-03-16.

Flash memory apparatus and storage management method for flash memory

Номер патента: TWI618070B. Автор: 楊宗杰,許鴻榮. Владелец: 慧榮科技股份有限公司. Дата публикации: 2018-03-11.

Flash memory apparatus and storage management method for flash memory

Номер патента: TWI650755B. Автор: 楊宗杰,許鴻榮. Владелец: 慧榮科技股份有限公司. Дата публикации: 2019-02-11.

Flash memory with programmable endurance

Номер патента: EP1891529A2. Автор: Menachem Lasser,Dani Dariel. Владелец: Sandisk IL Ltd. Дата публикации: 2008-02-27.

Dynamic Management of a NAND Flash Memory

Номер патента: US20190228827A1. Автор: Po-Chien Chang,Jia-Jyun Syu,Bo-Shian Hsu. Владелец: Goke US Research Laboratory. Дата публикации: 2019-07-25.

Nand flash memory and reading method thereof

Номер патента: US20180053568A1. Автор: Kazuki Yamauchi,Katsutoshi Suito. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-22.

Flash memory with programmable endurance

Номер патента: WO2006131915A2. Автор: Menachem Lasser,Dani Dariel. Владелец: SANDISK IL LTD.. Дата публикации: 2006-12-14.

Memory controller with at least one address segment defined for which data is striped across flash memory dies, with a common address offset being used to obtain physical addresses for the data in each of the dies

Номер патента: US10445229B1. Автор: Andrey V. Kuzmin,James G. Wayda. Владелец: Radian Memory Systems Inc. Дата публикации: 2019-10-15.

Flash memory system with address-based subdivision selection by host and metadata management in storage drive

Номер патента: US11899575B1. Автор: Mike Jadon,Andrey V. Kuzmin,Richard M. Mathews. Владелец: Radian Memory Systems Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Method for accessing flash memory and associated controller and memory device

Номер патента: US09489143B2. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Flash memory initialization scheme for writing boot up information into selected storage locations averagely and randomly distributed over more storage locations and correspondingly method for reading boot up information from selected storage locations

Номер патента: US20210223970A1. Автор: Sheng-Yuan Huang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2021-07-22.

Flash memory initialization scheme for writing boot up information into selected storage locations averagely and randomly distributed over more storage locations and correspondingly method for reading boot up information from selected storage locations

Номер патента: US20210365197A1. Автор: Sheng-Yuan Huang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor device and continuous reading method

Номер патента: US20210034304A1. Автор: Makoto Senoo,Tsutomu Taniguchi,Sho Okabe,Katsutoshi Suito. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-02-04.

Semiconductor device and continuous reading method

Номер патента: US11315640B2. Автор: Makoto Senoo,Tsutomu Taniguchi,Sho Okabe,Katsutoshi Suito. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-04-26.

Writing data using DMA by specifying a buffer address and a flash memory address

Номер патента: US09395921B2. Автор: Xiangfeng LU. Владелец: Beijing Memblaze Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-19.

Method of handling host write commands requesting to write dummy pattern on flash memory and related memory controller and storage system

Номер патента: US12061792B1. Автор: Chia-Chi Liang,Meng-Hua Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Data storage device and flash memory control method

Номер патента: US09870321B2. Автор: Wen-Sheng Lin. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Methods for controlling data storage device, and associated flash memory controller

Номер патента: EP4014121A1. Автор: Hong-Jung Hsu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2022-06-22.

Method and apparatus to reduce memory in a nand flash device to store page related information

Номер патента: US20230185453A1. Автор: Aliasgar S. Madraswala,Pratyush CHANDRAPATI,Naveen Prabhu VITTAL PRABHU,Shanmathi MOOKIAH. Владелец: Intel NDTM US LLC. Дата публикации: 2023-06-15.

Method and apparatus to reduce memory in a nand flash device to store page related information

Номер патента: WO2024167516A1. Автор: Aliasgar S. Madraswala,Pratyush CHANDRAPATI,Naveen Prabhu VITTAL PRABHU,Shanmathi MOOKIAH. Владелец: Intel NDTM US LLC. Дата публикации: 2024-08-15.

Concurrent page cache resource access in a multi-plane memory device

Номер патента: US20240311307A1. Автор: Eric N. Lee,Sundararajan Sankaranarayanan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Flash memory management system and method

Номер патента: EP1509845A1. Автор: James Chow,Thomas K. Gender. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2005-03-02.

Flash memory management system and method

Номер патента: WO2003102782A1. Автор: James Chow,Thomas K. Gender. Владелец: HONEYWELL INTERNATION INC.. Дата публикации: 2003-12-11.

Packed commands for communicating with flash memory system

Номер патента: US20240302965A1. Автор: Madhu Yashwanth Boenapalli,Surendra Paravada,Sai Praneeth Sreeram. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Packed commands for communicating with flash memory system

Номер патента: WO2024186388A1. Автор: Madhu Yashwanth Boenapalli,Surendra Paravada,Sai Praneeth Sreeram. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-09-12.

Methods for controlling data storage device, and associated flash memory controller

Номер патента: US20220137874A1. Автор: Hong-Jung Hsu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2022-05-05.

Eliminating garbage collection in nand flash devices

Номер патента: US09891833B2. Автор: Jongman Yoon,Sushma Devendrappa,Xiangyong Ouyang. Владелец: Honeycombdata Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Data storage device and flash memory control method

Номер патента: US09727271B2. Автор: Chia-Chi Liang,Chien-Cheng Lin,Chang-Chieh HUANG,Jie-Hao LEE. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Data storage device and flash memory control method

Номер патента: US09645896B2. Автор: Chia-Chi Liang,Chien-Cheng Lin,Chang-Chieh HUANG,Jie-Hao LEE. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Data storage device and flash memory control method

Номер патента: US09632880B2. Автор: Chia-Chi Liang,Chien-Cheng Lin,Chang-Chieh HUANG,Jie-Hao LEE. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Data storage device and flash memory control method

Номер патента: US09645895B2. Автор: Chia-Chi Liang,Chien-Cheng Lin,Chang-Chieh HUANG,Jie-Hao LEE. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

System managing a plurality of flash memory devices

Номер патента: US09495105B2. Автор: Kazuhisa Fujimoto,Shuji Nakamura,Akira Fujibayashi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Method and system of high-throughput high-capacity storage appliance with flash translation layer escalation and global optimization on raw nand flash

Номер патента: US20180173434A1. Автор: Shu Li. Владелец: Alibaba Group Holding Ltd. Дата публикации: 2018-06-21.

Methods and apparatus for multiple memory maps and multiple page caches in tiered memory

Номер патента: US09478274B1. Автор: Kenneth J. Taylor,Adrian Michaud,Roy E. Clark. Владелец: EMC Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Flash memory controller

Номер патента: US20240152288A1. Автор: Ching-Hui Lin,Tsung-Chieh Yang,Chun-Chieh Kuo,Yang-Chih Shen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Flash memory controller

Номер патента: US20160351255A1. Автор: Ching-Hui Lin,Tsung-Chieh Yang,Chun-Chieh Kuo,Yang-Chih Shen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2016-12-01.

FLASH MEMORY APPARATUS AND STORAGE MANAGEMENT METHOD FOR FLASH MEMORY

Номер патента: US20170315908A1. Автор: Yang Tsung-Chieh,HSU Hong-Jung. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-02.

Memory controller and flash memory system

Номер патента: US20240295964A1. Автор: Kenichi TAKUBO. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

一种并行双片nand flash中物理擦除块动态关联的方法

Номер патента: CN113391755. Автор: 杨诚. Владелец: Beijing Ingenic Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-14.

一种并行双片nand flash中物理擦除块动态关联的方法

Номер патента: CN113391755B. Автор: 杨诚. Владелец: Beijing Ingenic Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-22.

一种并行双片nand flash中物理擦除块动态关联的方法

Номер патента: CN113391755A. Автор: 杨诚. Владелец: Beijing Ingenic Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-14.

Data management method in flash translation layer and flash memory apparatus performing the same

Номер патента: KR100994052B1. Автор: 구덕회,신동군. Владелец: 성균관대학교산학협력단. Дата публикации: 2010-11-11.

Command Queuing Smart Storage Transfer Manager for Striping Data to Raw-NAND Flash Modules

Номер патента: US20090204872A1. Автор: Abraham C. Ma,Charles C. Lee,Frank Yu. Владелец: Super Talent Electronics Inc. Дата публикации: 2009-08-13.

Flash memory control chip and data storage device and flash memory control method

Номер патента: US09465538B2. Автор: Yi-Lin Lai. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Data cache scheme for high performance flash memories

Номер патента: US12141479B2. Автор: XIANG Gao,Fei Xue,Yuming Xu,Jifeng Wang,Wentao Wu,Jiajing JIN. Владелец: T Head Shanghai Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Data storage device and method for host-initiated cached read to recover corrupted data within timeout constraints

Номер патента: US11650758B2. Автор: Dattatreya Nayak,Arun Kumar Shukla,Akash Dungrani. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-16.

Page cache management during migration

Номер патента: US20180239707A1. Автор: Michael Tsirkin. Владелец: Red Hat Inc. Дата публикации: 2018-08-23.

Dedicated interface for coupling flash memory and dynamic random access memory

Номер патента: US09547447B2. Автор: James Bauman. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Paging cache for storage system

Номер патента: US09940069B1. Автор: Orit Levin-Michael,Scott C. Auchmoody,Scott H. Ogata. Владелец: EMC IP Holding Co LLC. Дата публикации: 2018-04-10.

A kind of block message mark implementation method of NAND FLASH chips

Номер патента: CN107247563A. Автор: 姜凯,李朋,赵鑫鑫,尹超. Владелец: Jinan Inspur Hi Tech Investment and Development Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-13.

Priority-based flash memory control apparatus for XIP in serial flash memory, memory management method using the same, and flash memory chip thereof

Номер патента: EP1522928A3. Автор: Chan-Ik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-12-03.

Flash memory apparatus and storage management method for flash memory

Номер патента: US11916569B2. Автор: Tsung-Chieh Yang,Hong-Jung Hsu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Flash memory apparatus and storage management method for flash memory

Номер патента: US20240154624A1. Автор: Tsung-Chieh Yang,Hong-Jung Hsu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Method for managing data stored in flash memory and associated memory device and controller

Номер патента: US20140032993A1. Автор: Tsung-Chieh Yang,Li-Sheng Kan. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2014-01-30.

Method for managing data stored in flash memory and associated memory device and controller

Номер патента: US09811414B2. Автор: Tsung-Chieh Yang,Li-Sheng Kan. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Flash memory device for storing sensitive information and other data

Номер патента: US20160232109A1. Автор: Jeffrey B. Canter. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2016-08-11.

Method and data processing apparatus for restructuring input data to be stored in a multi-level nand flash memory

Номер патента: US20240329851A1. Автор: Sami ALSALAMIN. Владелец: HYPERSTONE GMBH. Дата публикации: 2024-10-03.

A kind of NAND Flash memory reliability optimization method based on self- recoverage effect

Номер патента: CN109582224A. Автор: 冯骅,彭喜元,乔立岩,魏德宝,郝梦琪. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2019-04-05.

Method for detecting temperature in a flash memory device and the flash memory device thereof

Номер патента: US20240329850A1. Автор: Akhilesh Kumar Jaiswal,Puneet Kukreja,Vinay Kumar M N. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

一种基于自恢复效应的NAND Flash存储可靠性优化方法

Номер патента: CN109582224. Автор: 冯骅,彭喜元,乔立岩,魏德宝,郝梦琪. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2019-04-05.

Control method of flash memory controller and associated flash memory controller and storage device

Номер патента: US20240319897A1. Автор: Yen-Yu Jou,Kun-Cheng Lai. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Control method of memory device and associated flash memory controller

Номер патента: US20240329871A1. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

THERMALLY SENSITIVE WEAR LEVELING FOR A FLASH MEMORY DEVICE THAT INCLUDES A PLURALITY OF FLASH MEMORY MODULES

Номер патента: US20160062676A1. Автор: Megarity William M.,REMIS LUKE D.,SELLMAN GREGORY D.,Campbell Keith M.,Wood Christopher L.. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-03.

Optimized flash memory solid-state disk heating method and flash memory solid-state disk

Номер патента: CN111459409B. Автор: 刘俊伟,刘伟光,杨天若,崔金华. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2021-07-02.

Nand flash memory controller and storage apparatus applying the same

Номер патента: US20200075107A1. Автор: Shih-Fu Huang,Cheng-Yu Chen,Shu-Min Lin,Jo-Hua WU. Владелец: RayMX Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Flash memory device

Номер патента: US20180061498A1. Автор: Junji Ogawa,Kenta Ninose,Yohei HAZAMA. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2018-03-01.

Flash memory controller and associated memory device and control method

Номер патента: US20240184484A1. Автор: Ming-Yu Tsai. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Printer configured to control printing operation using information stored in flash memories

Номер патента: US11537302B2. Автор: Fumiharu Iwasaki. Владелец: Toshiba TEC Corp. Дата публикации: 2022-12-27.

Semiconductor storage device and reading method

Номер патента: US11775205B2. Автор: Makoto Senoo,Takamichi Kasai,Fujimi Kaneko. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Flash memory controller, control method of flash memory controller and associated electronic device

Номер патента: US20200110543A1. Автор: Yu-Chih Lin,Chang-Wei SHEN,Guan-Yao HUANG. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2020-04-09.

Flash memory controller and associated memory device and control method

Номер патента: US20240184485A1. Автор: Ming-Yu Tsai. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Solid-state drive (ssd) with a storage controller employing differential two-wire serial buses to access flash memory

Номер патента: WO2021108098A1. Автор: Dillip Dash. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2021-06-03.

Method and device for adaptively identifying type of flash memory

Номер патента: US20210124489A1. Автор: Cheng Zheng,Shuangxi Chen. Владелец: RayMX Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-04-29.

Flash memory polling

Номер патента: US20200401339A1. Автор: Chao Sun,Dejan Vucinic,Xinde Hu. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-12-24.

Flash memory chip that modulates its program step voltage as a function of chip temperature

Номер патента: US11923010B2. Автор: Arash Hazeghi,Pranav Kalavade,Rohit S. Shenoy,Hsiao-Yu Chang. Владелец: Intel NDTM US LLC. Дата публикации: 2024-03-05.

Flash memory chip that modulates its program step voltage as a function of chip temperature

Номер патента: US20240135995A1. Автор: Arash Hazeghi,Pranav Kalavade,Rohit S. Shenoy,Hsiao-Yu Chang. Владелец: Intel NDTM US LLC. Дата публикации: 2024-04-25.

FLASH MEMORY CONTROLLER AND MEMORY DEVICE FOR ACCESSING FLASH MEMORY MODULE, AND ASSOCIATED METHOD

Номер патента: US20170046225A1. Автор: Yang Tsung-Chieh. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-16.

Flash memory apparatus and storage management method for flash memory

Номер патента: US20190173492A1. Автор: Tsung-Chieh Yang,Hong-Jung Hsu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-06-06.

Flash memory apparatus and storage management method for flash memory

Номер патента: US11323133B2. Автор: Tsung-Chieh Yang,Hong-Jung Hsu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2022-05-03.

Flash Memory, and Method for Operating a Flash Memory

Номер патента: US20090049233A1. Автор: Chia-Hsin Chen,Chun-Kun Lee. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2009-02-19.

Method for managing flash memory module and associated flash memory controller and electronic device based on timing of dummy read operations

Номер патента: US11074174B2. Автор: Tsung-Chieh Yang,Jian-Dong Du,Chia-Jung HSIAO. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2021-07-27.

Data writing and recovery method for use in quadruple-level cell flash memory and related and memory controller and storage device

Номер патента: US20240211175A1. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Predicting lifespan of flash memory based on actual usage profile

Номер патента: US20220276790A1. Автор: Wei Zhang,Yu Zhu,Edward A. Naddeo. Владелец: Continental Automotive Systems Inc. Дата публикации: 2022-09-01.

一种基于人工智能算法的NAND Flash存储磨损平衡管理方法

Номер патента: CN114489507. Автор: 苏莹莹,李元章. Владелец: Suzhou Hongcunxinjie Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-05-13.

闪存Nand Flash的数据写入方法、装置、电子设备及存储介质

Номер патента: CN111813339. Автор: 邓玉良,唐越,朱晓锐,李昂阳,殷中云,郑伟坤. Владелец: Shenzhen State Micro Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-23.

一种基于人工智能算法的NAND Flash存储磨损平衡管理方法

Номер патента: CN114489507A. Автор: 苏莹莹,李元章. Владелец: Suzhou Hongcunxinjie Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-05-13.

Data programming method, data reading method, and memory device

Номер патента: US20210216247A1. Автор: Hao Zhou,Hong Chang,Xiao-Lin Luo. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-07-15.

Nand flash存储器的坏块处理方法、电子设备及存储介质

Номер патента: CN114415961. Автор: 段程浩. Владелец: Zhuhai Pantum Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-29.

一种贴片式SD NAND Flash IC存储器

Номер патента: CN111882018. Автор: 刘纯彬. Владелец: Shenzhen Yiyou Innovation Technology Co ltd. Дата публикации: 2020-11-03.

一种Nand flash元件

Номер патента: CN108345429B. Автор: 庄开锋. Владелец: Beijing Zhaoyi Innovation Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-31.

一种Nand flash元件

Номер патента: CN108345429A. Автор: 庄开锋. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2018-07-31.

Nand flash分组调换方法、装置、设备及介质

Номер патента: CN114968106. Автор: 徐光明,徐明揆,虞安华. Владелец: Xtx Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-30.

Nand flash分组调换方法、装置、设备及介质

Номер патента: CN114968106A. Автор: 徐光明,徐明揆,虞安华. Владелец: Xtx Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-30.

Flash memory device that simulates operations of EEPROM and data programming and reading method thereof

Номер патента: US11403040B2. Автор: Hao Zhou,Hong Chang,Xiao-Lin Luo. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-08-02.

Nand flash分组调换方法、装置、设备及介质

Номер патента: CN114968106B. Автор: 徐光明,徐明揆,虞安华. Владелец: Xtx Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-05.

Nand flash存储器的坏块处理方法、电子设备及存储介质

Номер патента: CN114415961B. Автор: 段程浩. Владелец: Zhuhai Pantum Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-27.

一种提高nand-flash存储可靠性的fpga控制方法

Номер патента: CN111596860A. Автор: 刘春香,司国良,石俊霞,袁航飞,宁永慧. Владелец: Changchun Institute of Optics Fine Mechanics and Physics of CAS. Дата публикации: 2020-08-28.

Nand Flash芯片数据存储方法及装置

Номер патента: CN117331491. Автор: 秦燕婷. Владелец: CICT Mobile Communication Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

一种基于NAND Flash的前照灯数据存储方法

Номер патента: CN117331508. Автор: 唐金腾,贾强强,孙加勇,朱润辰. Владелец: Changzhou Xingyu Automotive Lighting Systems Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

一种基于NAND Flash存储芯片的块管理方法

Номер патента: CN116339629. Автор: 刘传富,曾德崇. Владелец: Matrix Data Technology Shanghai Co ltd. Дата публикации: 2023-06-27.

一种基于NAND Flash的前照灯数据存储方法

Номер патента: CN117331508A. Автор: 唐金腾,贾强强,孙加勇,朱润辰. Владелец: Changzhou Xingyu Automotive Lighting Systems Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

一种nand flash坏块管理方法及系统

Номер патента: CN114546292. Автор: 陈世伟,吴�灿,袁结全,詹晋川,罗仁昌. Владелец: Shenzhen Forward Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-27.

一种基于NAND Flash存储芯片的块管理方法

Номер патента: CN116339629A. Автор: 刘传富,曾德崇. Владелец: Matrix Data Technology Shanghai Co ltd. Дата публикации: 2023-06-27.

车载终端NAND Flash的存储管理方法和系统、车载终端、车辆

Номер патента: CN113377296. Автор: 钱志,周卫,刘迎午. Владелец: Shenzhen Yuwei Information & Technology Development Co ltd. Дата публикации: 2021-09-10.

一种提高nand-flash存储可靠性的fpga控制方法

Номер патента: CN111596860. Автор: 刘春香,司国良,石俊霞,袁航飞,宁永慧. Владелец: Changchun Institute of Optics Fine Mechanics and Physics of CAS. Дата публикации: 2020-08-28.

Verfahren Und Datenverarbeitungsgerät Zum Umstrukturieren Von In Einem Multi-Level-NAND-Flash-Speicher Zu Speichernden Eingangsdaten

Номер патента: DE102024109367A1. Автор: Sami ALSALAMIN. Владелец: HYPERSTONE GMBH. Дата публикации: 2024-10-10.

一种nand flash的坏块处理方法

Номер патента: CN110597458. Автор: 郑继清. Владелец: Wuhu Hongjing Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-20.

NAND Flash中块的处理方法、装置、设备、介质

Номер патента: CN117931049. Автор: 陶伟,孔维镇. Владелец: Shanghai Jiangbolong Digital Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-04-26.

NAND Flash中块的处理方法、装置、设备、介质

Номер патента: CN117931049A. Автор: 陶伟,孔维镇. Владелец: Shanghai Jiangbolong Digital Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-04-26.

一种用于Nand Flash控制器仿真验证中避免读空页的方法与系统

Номер патента: CN115543206. Автор: 李瑞东,沈力,姚香君,夏丽煖. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-30.

一种确保nand flash中序列号和mac地址存储正确的方法

Номер патента: CN113311988. Автор: 王崇吉. Владелец: Beijing Ingenic Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-27.

一种用于Nand Flash控制器仿真验证中避免读空页的方法与系统

Номер патента: CN115543206A. Автор: 李瑞东,沈力,姚香君,夏丽煖. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-30.

一种nand flash坏块管理方法及系统

Номер патента: CN114546292B. Автор: 陈世伟,吴�灿,袁结全,詹晋川,罗仁昌. Владелец: Shenzhen Forward Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-15.

Information processing apparatus equipped with storage using flash memory, control method therefor, and storage medium

Номер патента: US20200333967A1. Автор: Tatsuya Ogawa. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2020-10-22.

Nand Flash芯片数据存储方法及装置

Номер патента: CN117331491A. Автор: 秦燕婷. Владелец: CICT Mobile Communication Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Two-terminal memory compatibility with NAND flash memory set features type mechanisms

Номер патента: US09727258B1. Автор: Kuk-Hwan Kim,Hagop Nazarian. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Flash memory card-based storage devices with changeable capacity

Номер патента: US8635403B2. Автор: Yingju Sun,Joe Zheng. Владелец: O C K Investment B V LLC. Дата публикации: 2014-01-21.

Systems and methods of implementing a calibration wordline to compensate for voltage threshold shift in nand flash memory

Номер патента: US20220115074A1. Автор: Chai Im Teoh,Lip Vui Kan. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2022-04-14.

Method and apparatus for protecting lower page data during programming in NAND flash

Номер патента: US09703494B1. Автор: Pranav Kalavade,Shantanu R. Rajwade. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Correcting power loss in nand memory devices

Номер патента: US20190065108A1. Автор: Peter Sean Feeley,Kishore Kumar Muchherla,Sampath Ratnam,Michael G. Miller,Gary F. Besinga,Harish Singidi,Renan Padilla. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-02-28.

System and method for pre-soft-decoding tracking for NAND flash memories

Номер патента: US12039191B2. Автор: Hanan Weingarten. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Nand flash memory and method for managing data thereof

Номер патента: US20110099435A1. Автор: Kai-Ping Wu. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-28.

NAND flash reliability with rank modulation

Номер патента: US09983808B2. Автор: Yue Li,Jehoshua Bruck,Anxiao Jiang,Eyal EN GAD. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2018-05-29.

NAND Flash Memory Device

Номер патента: US20160189788A1. Автор: Hui Chen,Oron Michael,Robin John Jigour. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-30.

NAND flash memory device

Номер патента: US9627082B2. Автор: Hui Chen,Oron Michael,Robin John Jigour. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Method of Operating a NAND Flash Memory Device

Номер патента: US20160189789A1. Автор: Hui Chen,Oron Michael,Robin John Jigour. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-30.

Method of operating a NAND flash memory device

Номер патента: US9620231B2. Автор: Hui Chen,Oron Michael,Robin John Jigour. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

System and method for pre-soft-decoding tracking for nand flash memories

Номер патента: US20230221879A1. Автор: Hanan Weingarten. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

Detect multifold disturbance and minimize read-disturb errors in NAND flash

Номер патента: US11748195B2. Автор: Subhojit Roy,Sarvesh S. Patel,Kushal S. Patel,Puja Leekha. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

NAND flash memory controller

Номер патента: US20230384938A1. Автор: Yen-Chung Chen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Hardware acceleration method and device for automatic read retry based on NAND flash memory controller

Номер патента: CN109582228B. Автор: 汤晓东,余桉. Владелец: Shenzhen Union Memory Information System Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-01.

Method and apparatus for staggered start-up of a predefined, random or dynamic number of flash memory devices

Номер патента: US9036423B2. Автор: Kenneth Alan Okin,Gregory Charles Yancey,Bradley Edman SUNDAHL,Sean Michael O'Mullan. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2015-05-19.

Control method for requesting status of flash memory, flash memory system

Номер патента: US12086474B2. Автор: Shih Chou Juan,Min Zhi Ji. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Method and apparatus for staggered start-up of a predefined, random, or dynamic number of flash memory devices

Номер патента: US09928919B1. Автор: Kenneth Alan Okin,Gregory Charles Yancey,Bradley Edman SUNDAHL,Sean Michael O'Mullan. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Systems and methods for booting from nand flash using squashfs to maximize memory

Номер патента: WO2021158438A1. Автор: David L. Berger,Richard P. Rementilla,Walter H. Anderes. Владелец: ARRIS Enterprises LLC. Дата публикации: 2021-08-12.

Systems and methods for booting from NAND flash using squashfs to maximize memory

Номер патента: US11934680B2. Автор: David L. Berger,Richard P. Rementilla,Walter H. Anderes. Владелец: ARRIS Enterprises LLC. Дата публикации: 2024-03-19.

Method of managing independent word line read operation in flash memory and related memory controller and storage device

Номер патента: US20240192856A1. Автор: Tzu-Yi Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Method of managing independent word line read operation in flash memory and related memory controller and storage device

Номер патента: US12067247B2. Автор: Tzu-Yi Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

System with mcu and flash memory and control method for deep power down control thereof

Номер патента: US20240201877A1. Автор: Yang Gao. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

一种nand flash阵列的掉电处理方法

Номер патента: CN107329912A. Автор: 姜凯,李朋,赵鑫鑫,尹超. Владелец: Jinan Inspur Hi Tech Investment and Development Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Data storage device and flash memory voltage protection method thereof

Номер патента: US09997249B2. Автор: Yi-Hua Pao. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Refresh method for flash memory and related memory controller thereof

Номер патента: US09627085B2. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Nand flash的数据处理方法、装置和一种Nand flash

Номер патента: WO2018166258A1. Автор: 朱细平. Владелец: 深圳市江波龙电子有限公司. Дата публикации: 2018-09-20.

Nand flash的数据处理方法、装置和一种Nand flash

Номер патента: CN107015764A. Автор: 朱细平. Владелец: Shenzhen Netcom Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-04.

测试Nand-flash坏块的控制方法及控制系统

Номер патента: CN113270136. Автор: 陈月玲,刘宇洋,唐畅,谢启友. Владелец: Hunan Bojiang Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-17.

一种星载NAND Flash存储管理系统

Номер патента: CN112181304. Автор: 王慧泉,金仲和,楼海君,涂实磊. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2021-01-05.

一种nand flash阵列的掉电处理方法

Номер патента: CN107329912B. Автор: 姜凯,李朋,赵鑫鑫,尹超. Владелец: Inspur Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-26.

一种Nand flash元件及其载入控制方法和装置

Номер патента: CN108255540B. Автор: 庄开锋. Владелец: Beijing Zhaoyi Innovation Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-05.

一种Nand flash元件及其载入控制方法和装置

Номер патента: CN108255540A. Автор: 庄开锋. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2018-07-06.

一种NAND Flash介质剩余寿命预测的方法、装置、设备及介质

Номер патента: CN114489498. Автор: 周文强,曹琪. Владелец: Suzhou Inspur Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-13.

测试Nand-flash坏块的控制方法及控制系统

Номер патента: CN113270136A. Автор: 陈月玲,刘宇洋,唐畅,谢启友. Владелец: Hunan Bojiang Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-17.

一种基于Nand Flash写后立即读方法及装置

Номер патента: CN117369728. Автор: 杨文华,李文彬,姜鑫杜. Владелец: Chengdu Xinyilian Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

一种基于NAND Flash的电能表数据存储管理方法及系统

Номер патента: CN117331494. Автор: 李琦,张扬,魏巍,金锐,舒畅,左勇,吴海,熊剑,许金宇,田丽媛,全巧艳,菅利彬,于添灏. Владелец: Anhui Nanrui Zhongtian Electric Power Electronics Co ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

一种基于NAND Flash的电能表数据存储管理方法及系统

Номер патента: CN117331494A. Автор: 李琦,张扬,魏巍,金锐,舒畅,左勇,吴海,熊剑,许金宇,田丽媛,全巧艳,菅利彬,于添灏. Владелец: Anhui Nanrui Zhongtian Electric Power Electronics Co ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

一种基于Nand Flash写后立即读方法及装置

Номер патента: CN117369728A. Автор: 杨文华,李文彬,姜鑫杜. Владелец: Chengdu Xinyilian Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

一种确保nand flash写均衡的方法

Номер патента: CN114527945. Автор: 潘菊平. Владелец: Taicang T&W Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-24.

一种减少nand flash擦写次数的方法及系统

Номер патента: CN111273864. Автор: 刘强,张瑞金,孙志正. Владелец: Jinan Inspur Hi Tech Investment and Development Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-12.

Method, device, equipment and medium for predicting residual life of NAND Flash medium

Номер патента: CN114489498A. Автор: 周文强,曹琪. Владелец: Suzhou Inspur Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-13.

一种基于支持向量机的nand flash块读写阈值管理方法及装置

Номер патента: CN117149072. Автор: 安阳,赵天石,马淑香,周永旺. Владелец: Shandong Yunhai Guochuang Cloud Computing Equipment Industry Innovation Center Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-01.

用于NAND Flash的通用控制模块及方法

Номер патента: CN116679887. Автор: 朱志强,华庆明. Владелец: Hefei Kuixian Integrated Circuit Design Co ltd. Дата публикации: 2023-09-01.

一种基于支持向量机的nand flash块读写阈值管理方法及装置

Номер патента: CN117149072A. Автор: 安阳,赵天石,马淑香,周永旺. Владелец: Shandong Yunhai Guochuang Cloud Computing Equipment Industry Innovation Center Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-01.

A kind of Nand Flash abrasion equilibrium methods, device and memory

Номер патента: CN106775474A. Автор: 郑静,王杰华,刘冬好. Владелец: Zhengzhou Yunhai Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-31.

Nand Flash wear leveling method and device and memory

Номер патента: CN106775474B. Автор: 郑静,王杰华,刘冬好. Владелец: Suzhou Wave Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-10.

一种确保nand flash写均衡的方法

Номер патента: CN114527945A. Автор: 潘菊平. Владелец: Taicang T&W Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-24.

一种减少nand flash擦写次数的方法及系统

Номер патента: CN111273864B. Автор: 刘强,张瑞金,孙志正. Владелец: Shandong Inspur Scientific Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-08.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller without making memory cell array generating errors

Номер патента: US20240231625A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller with making memory cell array generating errors

Номер патента: US20240231638A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

NAND Flash坏块内数据重读的方法、电子设备及存储介质

Номер патента: CN113223583A. Автор: 李晓强,吴大畏,罗挺,陈斯煜. Владелец: SHENZHEN SILICONGO MICROELECTRONICS CO Ltd. Дата публикации: 2021-08-06.

Determining locations in nand memory for boot-up code

Номер патента: US20240241790A1. Автор: Giuseppe Cariello,Jameer Mulani,Nitul Gohain. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

一种基于DQS恢复时钟的多Die封装Nand Flash的读数据方法

Номер патента: CN118151846. Автор: 陈健,张俊杰,李迎春,宋英雄,曹炳尧,张倩武,谭家乐. Владелец: UNIVERSITY OF SHANGHAI FOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-06-07.

Spi Nand flash坏块管理方法和系统

Номер патента: CN116383097. Автор: 张波,黄柱光. Владелец: Shenzhen Xincun Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-07-04.

一种基于Nand Flash AIPR的命令预处理方法

Номер патента: CN115407944. Автор: 沈力,安阳,马淑香,周永旺. Владелец: Shandong Yunhai Guochuang Cloud Computing Equipment Industry Innovation Center Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-29.

nand flash重读定位方法

Номер патента: CN113672178. Автор: 贺乐. Владелец: Zhuhai Miaocun Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-11-19.

NAND Flash坏块内数据重读的方法、电子设备及存储介质

Номер патента: CN113223583. Автор: 李晓强,吴大畏,罗挺,陈斯煜. Владелец: SHENZHEN SILICONGO MICROELECTRONICS CO Ltd. Дата публикации: 2021-08-06.

一种NAND Flash控制器接口电路及闪存系统

Номер патента: CN112925483. Автор: 刘飞,霍宗亮,叶甜春,曹小天. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2021-06-08.

一种基于Nand Flash AIPR的命令预处理方法

Номер патента: CN115407944A. Автор: 沈力,安阳,马淑香,周永旺. Владелец: Shandong Yunhai Guochuang Cloud Computing Equipment Industry Innovation Center Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-29.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller without making memory cell array generating errors

Номер патента: US12105958B2. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

提升3D NAND Flash性能的方法

Номер патента: CN109669638. Автор: 汤仁君,肖孟,李皓智,谢汇,管冬生. Владелец: Hefei Core Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-23.

一种NAND Flash控制器接口电路及闪存系统

Номер патента: CN112925483B. Автор: 刘飞,霍宗亮,叶甜春,曹小天. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-11-08.

一种NAND Flash控制器接口电路及闪存系统

Номер патента: CN112925483A. Автор: 刘飞,霍宗亮,叶甜春,曹小天. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2021-06-08.

NAND Flash storage reliability evaluation method

Номер патента: CN107817954B. Автор: 乔立岩,魏德宝,郝梦琪,李绪金. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2020-07-24.

用于NAND Flash的通用控制模块及方法

Номер патента: CN116679887A. Автор: 朱志强,华庆明. Владелец: Hefei Kuixian Integrated Circuit Design Co ltd. Дата публикации: 2023-09-01.

用于NAND Flash的通用控制模块及方法

Номер патента: CN116679887B. Автор: 朱志强,华庆明. Владелец: Hefei Kuixian Integrated Circuit Design Co ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Micro Controller Unit System Including Flash Memory and Method of Accessing the Flash Memory By the Micro Controller Unit

Номер патента: US20080195805A1. Автор: Kyoung Hwan Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-08-14.

Method for processing data of flash memory by separating levels and flash memory device thereof

Номер патента: US20100180071A1. Автор: Tsung-Ming Chang,Chin-Tung Hsu. Владелец: Innostor Tech Corp. Дата публикации: 2010-07-15.

Device and method of controlling flash memory

Номер патента: EP2329381A1. Автор: Jongmin Lee,Donghee Lee,Hanmook Park. Владелец: Indilinx Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-08.

Device and method of controlling flash memory

Номер патента: WO2010018886A1. Автор: Jongmin Lee,Donghee Lee,Hanmook Park. Владелец: Indilinx Co., Ltd.. Дата публикации: 2010-02-18.

一种SSD中处理NAND Flash读干扰的方法

Номер патента: CN111797033. Автор: 刘凯,吴斌,王璞. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-20.

一种SSD中处理NAND Flash读干扰的方法

Номер патента: CN111797033A. Автор: 刘凯,吴斌,王璞. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-20.

Control method of flash memory controller and associated flash memory controller and storage device

Номер патента: US20240320142A1. Автор: Yen-Yu Jou,Kun-Cheng Lai. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Implementing enhanced wear leveling in 3D flash memories

Номер патента: US09489276B2. Автор: Gary A. Tressler,Diyanesh Babu C. Vidyapoornachary. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Implementing enhanced wear leveling in 3D flash memories

Номер патента: US09471451B2. Автор: Gary A. Tressler,Diyanesh Babu C. Vidyapoornachary. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Method, system, and apparatus for flash memory endurance management

Номер патента: WO2022139622A1. Автор: Petr Sergeevich KRINOV,Vitaliy KHARIN,Aleksandr TARASOV,Sergey ILISAVSKII. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-06-30.

System and Methods for Extending Operational Lifetime of Flash Memory

Номер патента: US20150161041A1. Автор: Joseph Sullivan,Conor Maurice Ryan. Владелец: NATIONAL DIGITAL RESEARCH CENTRE Ltd. Дата публикации: 2015-06-11.

Adusting flash memory operating parameters based on historical analysis of multiple indicators of degradation

Номер патента: US9262319B2. Автор: Joseph Sullivan,Conor Maurice Ryan. Владелец: NATIONAL DIGITAL RESEARCH CENTRE Ltd. Дата публикации: 2016-02-16.

Flash Memory Device and Data Protection Method Thereof

Номер патента: US20120271986A1. Автор: Hsu-Ping Ou,Chun-Yi Lo. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2012-10-25.

Apparatus, systems and methods for securely storing media content events on a flash memory device

Номер патента: US9218300B2. Автор: Matthew Stephens,Greg Blythe,David Burton. Владелец: EchoStar UK Holdings Ltd. Дата публикации: 2015-12-22.

Flash memory device and method for operating a flash memory device

Номер патента: TW201037515A. Автор: Shui-Hua Hu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2010-10-16.

Control circuit of flash memory device and method of operating the flash memory device

Номер патента: TW200847167A. Автор: Seok-Jin JOO. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-12-01.

MEMORY CONTROLLER, FLASH MEMORY SYSTEM PROVIDED WITH MEMORY CONTROLLER, AND FLASH MEMORY CONTROL METHOD

Номер патента: JP4153535B2. Автор: 直樹 向田. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2008-09-24.

FLASH MEMORY APPARATUS AND DATA ACCESS METHOD FOR FLASH MEMORY WITH REDUCED DATA ACCESS TIME

Номер патента: US20130326125A1. Автор: Chang Hsiao-Te,Chen Chun-Yi. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-05.

FLASH MEMORY CONTROLLER AND DATA STORAGE DEVICE AND FLASH MEMORY CONTROL METHOD

Номер патента: US20150309886A1. Автор: LAI YI-LIN,TSAI Chin-Yin. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-29.

Adaptive flash memory controller employing multiple mapping techniques and flash memory system including the same

Номер патента: JP4988215B2. Автор: 辰赫 金,永準 崔,贊▲益▼ 朴. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-08-01.

Flash memory apparatus and method for operating a flash memory apparatus

Номер патента: TWI431627B. Автор: Chao Hsin Lu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2014-03-21.

Flash memory controller and method for accessing a flash memory

Номер патента: TW201044404A. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2010-12-16.

Unusable column mapping in flash memory devices

Номер патента: US09952775B2. Автор: Fan Zhang,Yu Cai,Hyungseok Kim,June Lee,Chenrong Xiong,Jaesung SIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Ldpc erasure decoding for flash memories

Номер патента: EP2545554A2. Автор: Yan Li,Hao ZHONG,Radoslav Danilak,Earl T Cohen. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2013-01-16.

LDPC Erasure Decoding for Flash Memories

Номер патента: US20170155409A1. Автор: Yan Li,Hao ZHONG,Earl T. Cohen,Radoslav Danilak. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-06-01.

Method and apparatus for reading data stored in flash memory by referring to binary digit distribution characteristics of bit sequences read from flash memory

Номер патента: US11742030B2. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Apparatus and method for optimized NAND flash memory management for devices with limited resources

Номер патента: US20100241786A1. Автор: Fan Zhang,Satpreet Singh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-09-23.

Data reading method, memory storage device and memory controlling circuit unit

Номер патента: US09507658B2. Автор: Hong-Lipp Ko,Chih-Wei Tsai,Kheng-Joo Tan. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Memory and operation method thereof, and memory system

Номер патента: US20240345948A1. Автор: Yufei FENG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Increasing the Available Flash Memory of a Microcontroller

Номер патента: US20160357484A1. Автор: Arnd Schaffert. Владелец: Bayerische Motoren Werke AG. Дата публикации: 2016-12-08.

Method of managing semiconductor memories, corresponding interface, memory and device

Номер патента: US20180240523A1. Автор: Michele Alessandro CARRANO,Daniele Mangano,Gaetano Di Stefano,Roberto Sebastiano RUGGIRELLO. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-08-23.

Nand Flash地址映射管理方法、管理系统、终端设备及介质

Номер патента: CN117149668. Автор: 杨硕,贺东旭,白雅玲. Владелец: Tianjin Jinhang Computing Technology Research Institute. Дата публикации: 2023-12-01.

Nand Flash地址映射管理方法、管理系统、终端设备及介质

Номер патента: CN117149668A. Автор: 杨硕,贺东旭,白雅玲. Владелец: Tianjin Jinhang Computing Technology Research Institute. Дата публикации: 2023-12-01.

一种基于NAND Flash的星载固存高可靠数据存取方法

Номер патента: CN115357185. Автор: 王鹏,肖化超,师勇,王元乐,袁素春,璩泽旭,方火能,丁跃利. Владелец: Xian Institute of Space Radio Technology. Дата публикации: 2022-11-18.

与非型闪存Nand Flash存储管理方法及装置

Номер патента: CN112486854. Автор: 刘晓波,许晓梦,韩国梁. Владелец: Weichai Power Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-12.

Reducing write amplification in a cache with flash memory used as a write cache

Номер патента: US20130132655A1. Автор: Binny S. Gill,Wendy A. Belluomini,Michael A. Ko. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-23.

Operating method of memory system including nand flash memory, variable resistance memory and controller

Номер патента: US20160004469A1. Автор: Eun-Jin Yun,BoGeun Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-01-07.

Serial NAND flash with XIP capability

Номер патента: US12086615B2. Автор: Chun-Lien Su. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Method for optimizing polar-rnna quantizer of mlc-type nand flash memory on basis of deep learning

Номер патента: US20230127404A1. Автор: FENG CHEN,Yi Fang,Xu Luo,Zhijian Lin,Pingping CHEN,Zhen Mei,Riqing CHEN. Владелец: FUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-04-27.

Method for optimizing polar-RNNA quantizer of MLC-type NAND flash memory on basis of deep learning

Номер патента: US11966587B2. Автор: FENG CHEN,Yi Fang,Xu Luo,Zhijian Lin,Pingping CHEN,Zhen Mei,Riqing CHEN. Владелец: FUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-04-23.

DRAM having SDRAM interface and flash memory consolidated memory module

Номер патента: US09658783B2. Автор: Satoru Watanabe,Yutaka Uematsu,Takayuki Ono,Masabumi Shibata,Yuichi Fukuda,Hitoshi Ueno,Hideki Osaka,Takashi Miyagawa,Akio Idei,Michinori Naito,Hiroshi Kakita,Yuusuke FUKUMURA,Satoshi Muraoka,Taishi SUMIKURA. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Flash memory device having physical destroy means

Номер патента: US09704586B1. Автор: Chih-Chieh Kao. Владелец: Innodisk Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Method and device for protecting data of flash memory

Номер патента: US09455041B2. Автор: Kwang-Sun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor memory device, semiconductor system and reading method

Номер патента: US09953170B2. Автор: Takehiro Kaminaga. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

一种降低nand flash控制器功耗的方法

Номер патента: CN104598160A. Автор: 李骥,李宝,金文�,宋蔚皓,胡光东. Владелец: Beijing Aerospace Changzheng Aircraft Institute. Дата публикации: 2015-05-06.

Techniques for preventing read disturb in NAND memory

Номер патента: US11769557B2. Автор: Shankar Natarajan,Yihua Zhang,Sriram Natarajan,Suresh Nagarajan,Arun Sitaram ATHREYA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-26.

Techniques for preventing read disturb in nand memory

Номер патента: US20230395166A1. Автор: Shankar Natarajan,Yihua Zhang,Sriram Natarajan,Suresh Nagarajan,Arun Sitaram ATHREYA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Method and apparatus for reducing data program completion overhead in NAND flash

Номер патента: US09852065B1. Автор: Violante Moschiano,Pranav Kalavade,Shantanu R. Rajwade,Andrea D'Alessandro. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Modified B+ tree to map logical addresses to physical addresses in NAND flash memory

Номер патента: GB2476536A. Автор: Nathanial Kiel Boyle. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2011-06-29.

Method and system for detecting interference page in Nand Flash

Номер патента: CN110750467B. Автор: 何宁波. Владелец: Chipsbank Technologies Shenzhen Co ltd. Дата публикации: 2021-11-02.

Flash memory storage device for adjusting efficiency in accessing flash memory

Номер патента: US20090204746A1. Автор: Nei-Chiung Perng,Ju-Peng Chen. Владелец: Genesys Logic Inc. Дата публикации: 2009-08-13.

Method and apparatus for reducing write cycles in nand-based flash memory devices

Номер патента: US20100312953A1. Автор: William J. Allen,Franz Michael Schuette. Владелец: OCZ Technology Group Inc. Дата публикации: 2010-12-09.

Nor Flash Memory Controller

Номер патента: US20120151259A1. Автор: Peng Zhan. Владелец: Mediatek Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2012-06-14.

Recording control apparatus and method for recording in UDF format for a camera with flash memory and optical disk

Номер патента: EP1739677A3. Автор: Shunji c/o Sony Corporation Okada,Katsumi c/o Corporation Matsuno. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-01-10.

Method for enhancing performance of a flash memory, and associated portable memory device and controller thereof

Номер патента: US20100235563A1. Автор: Hsu-Ping Ou. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2010-09-16.

Start-up method for USB flash disk with synchronous flash memory and control system

Номер патента: US09645921B2. Автор: Jian Tang. Владелец: IPGoal Microelectronics Sichuan Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Data writing method for a flash memory, and flash memory controller and flash memory storage system using the same

Номер патента: US20110107015A1. Автор: Chien-Hua Chu. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2011-05-05.

Sharing serial peripheral interface flash memory in a multi-node server system on chip platform environment

Номер патента: US09703697B2. Автор: Ramamurthy Krithivas,Palsamy Sakthikumar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Data storage device and data fetching method for flash memory

Номер патента: US09563551B2. Автор: Chang-Kai Cheng. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Simulator and simulating method for flash memory background

Номер патента: US09858366B2. Автор: Kuo-Yi Cheng,Yi-Hong Huang,Huang-Heng Cheng. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Flash memory and method for controlling the memory

Номер патента: US7487286B2. Автор: Osamu Nagano,Isamu Nakajima. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2009-02-03.

Data Managing Method for Flash Memory and Flash Memory Device Using the Same

Номер патента: US20100153623A1. Автор: Pang-Mei Lo. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2010-06-17.

Method of handling trim command in flash memory and related memory controller and storage system thereof

Номер патента: US20240256465A1. Автор: Tzu-Yi Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for mapping page address based on flash memory and system therefor

Номер патента: US09830260B2. Автор: Ho Young JUNG,Se Jin Kwon,Tae Sun Chung,Jae Kwang BAN. Владелец: Ajou University Industry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2017-11-28.

Method to control the access in a flash memory and system for the implementation of such a method

Номер патента: EP1692592A1. Автор: Alain Boudou,Laurent Castillo,Van Tai Ngo. Владелец: Axalto SA. Дата публикации: 2006-08-23.

Nand Flash数据块分类方法、系统和使用方法

Номер патента: CN116185885. Автор: 孙飞. Владелец: Shanghai Yingcun Semiconductor Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-05-30.

Nand Flash数据块分类方法、系统和使用方法

Номер патента: CN116185885A. Автор: 孙飞. Владелец: Shanghai Yingcun Semiconductor Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-05-30.

数据存储管理方法、NAND Flash控制器及计算机存储介质

Номер патента: CN113094295. Автор: 谢长华,余恒昌. Владелец: Chipsbank Technologies Shenzhen Co ltd. Дата публикации: 2021-07-09.

一种Nand Flash中干扰页的检测方法、系统

Номер патента: CN110750467. Автор: 何宁波. Владелец: SHENZHEN CHIPSBANK TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-04.

一种基于 Nand flash 芯片的数据擦写方法及系统

Номер патента: WO2023226192A1. Автор: 熊俊,陈辉阳. Владелец: 深圳市芯存科技有限公司. Дата публикации: 2023-11-30.

一种动态的、离散的、碎片化的嵌入式系统nand flash使用方法

Номер патента: WO2023169161A1. Автор: 潘菊平. Владелец: 太仓市同维电子有限公司. Дата публикации: 2023-09-14.

一种nand flash垃圾回收动态优化方法

Номер патента: CN111026673. Автор: 刘婷婷,王闯,刘硕,贺莹. Владелец: Xian Aeronautics Computing Technique Research Institute of AVIC. Дата публикации: 2020-04-17.

Memory system with high speed non-volatile memory backup using pre-aged flash memory devices

Номер патента: US09747200B1. Автор: Rino Micheloni. Владелец: Microsemi Solutions US Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Data storage device and data management method in data storage device

Номер патента: US20090216943A1. Автор: Toshio Kakihara,Akihiko Mouri,Shuhji Yamada,Katsuhiro Imoto. Владелец: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV. Дата публикации: 2009-08-27.

数据存储管理方法、NAND Flash控制器及计算机存储介质

Номер патента: CN113094295A. Автор: 谢长华,余恒昌. Владелец: Chipsbank Technologies Shenzhen Co ltd. Дата публикации: 2021-07-09.

一种基于nand flash的序列号和mac地址储存方法

Номер патента: CN113312273. Автор: 王崇吉. Владелец: Beijing Ingenic Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-27.

一种nand flash垃圾回收均衡优化方法

Номер патента: CN111090595. Автор: 张锐,刘婷婷,王闯,贺莹,邓豹. Владелец: Xian Aeronautics Computing Technique Research Institute of AVIC. Дата публикации: 2020-05-01.

串口型nand flash数据清零处理方法及系统

Номер патента: CN109656580. Автор: 袁满. Владелец: Shenzhen Skyworth Digital Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-19.

Control apparatus and control method with multiple flash memory card channels

Номер патента: US09658958B2. Автор: MIAO Chen,Yuanlong Wang. Владелец: NOREL SYSTEMS Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Memory modules with multi-chip packaged integrated circuits having flash memory

Номер патента: US09536609B2. Автор: Kumar Ganapathy,Vijay Karamcheti. Владелец: Virident Systems LLC. Дата публикации: 2017-01-03.

Method, device and operating system for processing and using burn data of NAND flash

Номер патента: US09524212B2. Автор: Tao Zhou. Владелец: MStar Semiconductor Inc Taiwan. Дата публикации: 2016-12-20.

一种nand flash垃圾回收动态优化方法

Номер патента: CN111026673A. Автор: 刘婷婷,王闯,刘硕,贺莹. Владелец: Xian Aeronautics Computing Technique Research Institute of AVIC. Дата публикации: 2020-04-17.

Nor flash memory controller

Номер патента: WO2012079216A1. Автор: Peng Zhan. Владелец: MEDIATEK SINGAPORE PTE. LTD.. Дата публикации: 2012-06-21.

Memory device for supporting cache read operation, operating method thereof, and memory system including the same

Номер патента: US20220342817A1. Автор: Gwan Park,Jeong Gil CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-27.

具有DDR高传输介面的新型SPI-NAND Flash存储芯片及操作方法

Номер патента: CN112395218. Автор: 黄欢,郑文豪,施冠良,刘安伟,朱纯莹. Владелец: Heyangtek Cooperation Ltd. Дата публикации: 2021-02-23.

具有DDR高传输介面的SPI-NAND Flash存储芯片及操作方法

Номер патента: CN112395218B. Автор: 黄欢,郑文豪,施冠良,刘安伟,朱纯莹. Владелец: Nanjing Heyangtek Co ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

具有DDR高传输介面的新型SPI-NAND Flash存储芯片及操作方法

Номер патента: CN112395218A. Автор: 黄欢,郑文豪,施冠良,刘安伟,朱纯莹. Владелец: Heyangtek Cooperation Ltd. Дата публикации: 2021-02-23.

一种nand flash的数据源区块回收方法及固态硬盘

Номер патента: CN108509349A. Автор: 林昱纬,吕绍宏. Владелец: Li Ding Technology (shenzhen) Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-07.

Pointer type logical address mapping table implementation method for Nand Flash

Номер патента: CN107291625B. Автор: 姜凯,李朋,赵鑫鑫,尹超. Владелец: Jinan Inspur Hi Tech Investment and Development Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-09.

Device and method for configuring a flash memory controller

Номер патента: WO2007026346A2. Автор: Menachem Lasser. Владелец: SANDISK IL LTD.. Дата публикации: 2007-03-08.

Safe storage method and system based on Nand Flash flash-memory

Номер патента: CN105975878A. Автор: 张国柱,林璟锵,夏鲁宁,嵇亚飞,贾世杰,汤胜军,张琼露. Владелец: Institute of Information Engineering of CAS. Дата публикации: 2016-09-28.

Flash memory controller and memory device for accessing flash memory module, and associated method

Номер патента: US20180373593A1. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2018-12-27.

Flash memory controller, data processing system with flash memory controller and method of operating a flash memory controller

Номер патента: US09720797B2. Автор: Damon Peter Broderick,Dirk Heisswolf,Andreas Ralph Pachl. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Flash memory apparatus and method for securing a flash memory from data damage

Номер патента: WO2010000205A1. Автор: Wei-Yi Hsiao. Владелец: SILICON MOTION, INC.. Дата публикации: 2010-01-07.

Flash memory apparatus and storage management method for flash memory

Номер патента: US11847023B2. Автор: Tsung-Chieh Yang,Hong-Jung Hsu,Jian-Dong Du. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Flash memory apparatus and storage management method for flash memory

Номер патента: US20240061745A1. Автор: Tsung-Chieh Yang,Hong-Jung Hsu,Jian-Dong Du. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Non-volatile cache for providing data integrity in operation with a volatile demand paging cache in a data storage system

Номер патента: US5732238A. Автор: Andras Sarkozy. Владелец: Storage Computer Corp. Дата публикации: 1998-03-24.

Extended main memory hierarchy having flash memory for page fault handling

Номер патента: EP2449471A1. Автор: Ricky C. Hetherington,Sanjiv Kapil. Владелец: Oracle America Inc. Дата публикации: 2012-05-09.

Extended main memory hierarchy having flash memory for page fault handling

Номер патента: WO2011008507A1. Автор: Ricky C. Hetherington,Sanjiv Kapil. Владелец: ORACLE AMERICA, INC.. Дата публикации: 2011-01-20.

Instructions and logic to interrupt and resume paging in a secure enclave page cache

Номер патента: US09990314B2. Автор: Shay Gueron,Gilbert Neiger,Vedvyas Shanbhogue,Francis X. McKeen,Carlos V. Rozas,Ilya Alexandrovich,Ittai Anati. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Instructions and logic to interrupt and resume paging in a secure enclave page cache

Номер патента: US09703733B2. Автор: Shay Gueron,Gilbert Neiger,Vedvyas Shanbhogue,Francis X. McKeen,Carlos V. Rozas,Ilya Alexandrovich,Ittai Anati. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

一种nand flash存储芯片坏区检测管理方法

Номер патента: CN114627932. Автор: 吴智慧,胡红伟,邵星明. Владелец: Nanjing Changfeng Space Electronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-14.

System and method of optimizing vm disk data transfer time for cold migration by preloading page-cache

Номер патента: US20220214905A1. Автор: KANNAN Balakumaran,Krishna Kumar,Vasudeva Sathish KAMATH B. Владелец: Flipkart Internet Pvt Ltd. Дата публикации: 2022-07-07.

Methods and apparatuses for managing page cache in virtualization service

Номер патента: US11237982B2. Автор: Young Ik Eom,Jong Gyu PARK,Kwon Je OH. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2022-02-01.

Instructions and logic to provide advanced paging capabilities for secure enclave page caches

Номер патента: US09430384B2. Автор: Gilbert Neiger,Vedvyas Shanbhogue,Francis X. McKeen,Scott Dion Rodgers,Vincent R. Scarlata,Rebekah M. Leslie-Hurd,Ilya Alexandrovich,Uday R. Savagaonkar,Ittai Anati,Simon P Johnson,Alex Berenzon,Carlos V Rozas,Michael A Goldsmith,Anton Ivanov,Rinat Rappoport,Wesley H Smith,William Colin Wood,Barry E Huntley. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

一种nand flash存储芯片坏区检测管理方法

Номер патента: CN114627932A. Автор: 吴智慧,胡红伟,邵星明. Владелец: Nanjing Changfeng Space Electronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-14.

Method and apparatus for managing page cache for multiple foreground applications

Номер патента: US20210117331A1. Автор: Young Ik Eom,Jong Gyu PARK. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2021-04-22.

Distributed vfs with shared page cache

Номер патента: US20220027327A1. Автор: Hao Zhou,James Park. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-27.

Distributed virtual file system with shared page cache

Номер патента: WO2020231392A1. Автор: Hao Zhou,James Park. Владелец: Futurewei Technologies, Inc.. Дата публикации: 2020-11-19.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller without making memory cell array generating errors

Номер патента: US20240232085A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory and method for data compression and management

Номер патента: US20080133855A1. Автор: Soon-Yong Jeong,Chang-Woo MIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-06-05.

Accelerator system for training deep neural network model using nand flash memory and operating method thereof

Номер патента: US20230259747A1. Автор: Yunho Jin,Jae W. Lee,Jong Hyun BAE,Tae Jun Ham,Gin A Sohn. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2023-08-17.

Mixed-Mode ROM/RAM Booting Using an Integrated Flash Controller with NAND-Flash, RAM, and SD Interfaces

Номер патента: US20100146256A1. Автор: Charles C. Lee,Ming-Shiang Shen,Jianjun Luo,Chris Tsu. Владелец: Super Talent Electronics Inc. Дата публикации: 2010-06-10.

SDRAM memory device with an embedded NAND flash controller

Номер патента: US20050027928A1. Автор: Meir Avraham,Dan Inbar,Ziv Paz. Владелец: M Systems Flash Disk Pionners Ltd. Дата публикации: 2005-02-03.

Sdram memory device with an embedded nand flash controller

Номер патента: EP1649378A2. Автор: Meir Avraham,Dan Inbar,Ziv Paz. Владелец: M Systems Flash Disk Pionners Ltd. Дата публикации: 2006-04-26.

Sdram memory device with an embedded nand flash controller

Номер патента: EP1649378A4. Автор: Meir Avraham,Dan Inbar,Ziv Paz. Владелец: M Systems Flash Disk Pionners Ltd. Дата публикации: 2006-08-23.

Flash memory device and method

Номер патента: WO2007057886A3. Автор: Mark Murin,Arik Eyal. Владелец: Arik Eyal. Дата публикации: 2009-04-09.

Flash memory device and method

Номер патента: WO2007057886A2. Автор: Mark Murin,Arik Eyal. Владелец: SANDISK IL LTD.. Дата публикации: 2007-05-24.

采用NAND Flash作为存储器时坏块管理的方法

Номер патента: CN112711501. Автор: 刘建华,张令,向跃. Владелец: Hangzhou Nationalchip Science & Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-04-27.

采用NAND Flash作为存储器时坏块管理的方法

Номер патента: CN112711501A. Автор: 刘建华,张令,向跃. Владелец: Hangzhou Nationalchip Science & Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-04-27.

Combination flash memory and dram memory board interleave-bypass memory access method, and memory access device incorporating both the same

Номер патента: US5966727A. Автор: Kenjiro Nishino. Владелец: Dux Inc. Дата публикации: 1999-10-12.

Flash memory device

Номер патента: US20240045815A1. Автор: Jawad Benhammadi. Владелец: STMicroelectronics Alps SAS. Дата публикации: 2024-02-08.

Managing programming errors in nand flash memory

Номер патента: US20200234780A1. Автор: Thomas Mittelholzer,Nikolaos Papandreou,Roman Alexander Pletka. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-23.

一种基于NAND Flash的SOC启动方法

Номер патента: CN105117652A. Автор: 王勇,肖佐楠,郑茳. Владелец: TIANJIN TIANXIN TECHNOLOGY CO LTD. Дата публикации: 2015-12-02.

一种NAND Flash读DQS采样方法

Номер патента: CN114528239. Автор: 李瑞东,刘奇浩,王运哲,李绪金. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-24.

一种NAND Flash读DQS采样方法

Номер патента: CN114528239B. Автор: 李瑞东,刘奇浩,王运哲,李绪金. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-18.

Method and apparatus for refreshing flash memory device

Номер патента: US20180374546A1. Автор: Liang Shi,Dongfang SHAN,Yuangang WANG,Yejia DI,Hsing Mean Sha. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-27.

Method for repeatedly recording program in flash memory

Номер патента: US20030236940A1. Автор: Sam Chang,Vincent Wu. Владелец: GVC Corp. Дата публикации: 2003-12-25.

Apparatus and method for controlling flash memory

Номер патента: EP1843357A3. Автор: Song-ho Yoon,Jae-hyuck Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-10-06.

Usb device with connector having integrated flash memory card slot

Номер патента: WO2016142934A1. Автор: Ronen Sharon,Mike Varmaz. Владелец: Safenet Data Security (Israel) Ltd.. Дата публикации: 2016-09-15.

Address Fault Detection In A Flash Memory System

Номер патента: US20190378548A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

FLASH MEMORY CONTROLLER, DATA PROCESSING SYSTEM WITH FLASH MEMORY CONTROLLER AND METHOD OF OPERATING A FLASH MEMORY CONTROLLER

Номер патента: US20170004063A1. Автор: HEISSWOLF DIRK,PACHL ANDREAS RALPH,BRODERICK DAMON PETER. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-05.

FLASH MEMORY CONTROLLER AND MEMORY DEVICE FOR ACCESSING FLASH MEMORY MODULE, AND ASSOCIATED METHOD

Номер патента: US20180373593A1. Автор: Yang Tsung-Chieh. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-27.

Flash memory control method, flash memory system using the control method and flash memory device using the control method

Номер патента: USRE40252E1. Автор: Tomoharu Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-04-22.

Flash memory device, method and circuit for processing a user command in a flash memory device and computer system comprising a flash memory device.

Номер патента: FR2708763B1. Автор: Mickey Lee Fandrich,Richard J Durante,Rodney R Rozman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2002-04-05.

Flash memory apparatus and storage management method for flash memory

Номер патента: US20190073263A1. Автор: Tsung-Chieh Yang,Hong-Jung Hsu,Jian-Dong Du. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-03-07.

FLASH MEMORY APPARATUS AND STORAGE MANAGEMENT METHOD FOR FLASH MEMORY

Номер патента: US20220182074A1. Автор: Yang Tsung-Chieh,HSU Hong-Jung. Владелец: SILICON MOTION, INC.. Дата публикации: 2022-06-09.

FLASH MEMORY APPARATUS AND STORAGE MANAGEMENT METHOD FOR FLASH MEMORY

Номер патента: US20180143876A1. Автор: Yang Tsung-Chieh,HSU Hong-Jung,Du Jian-Dong. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-24.

FLASH MEMORY APPARATUS AND STORAGE MANAGEMENT METHOD FOR FLASH MEMORY

Номер патента: US20180143877A1. Автор: Yang Tsung-Chieh,HSU Hong-Jung,Du Jian-Dong. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-24.

FLASH MEMORY APPARATUS AND STORAGE MANAGEMENT METHOD FOR FLASH MEMORY

Номер патента: US20210248036A1. Автор: Yang Tsung-Chieh,HSU Hong-Jung,Du Jian-Dong. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-12.

FLASH MEMORY APPARATUS AND STORAGE MANAGEMENT METHOD FOR FLASH MEMORY

Номер патента: US20200233745A1. Автор: Yang Tsung-Chieh,HSU Hong-Jung,Du Jian-Dong. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-23.

FLASH MEMORY APPARATUS AND STORAGE MANAGEMENT METHOD FOR FLASH MEMORY

Номер патента: US20180285195A1. Автор: Yang Tsung-Chieh,HSU Hong-Jung,Du Jian-Dong. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-04.

FLASH MEMORY APPARATUS AND STORAGE MANAGEMENT METHOD FOR FLASH MEMORY

Номер патента: US20200304148A1. Автор: Yang Tsung-Chieh,HSU Hong-Jung. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-24.

FLASH MEMORY APPARATUS AND STORAGE MANAGEMENT METHOD FOR FLASH MEMORY

Номер патента: US20170317693A1. Автор: Yang Tsung-Chieh,HSU Hong-Jung. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-02.

Flash memory apparatus and storage management method for flash memory

Номер патента: US10019314B2. Автор: Tsung-Chieh Yang,Hong-Jung Hsu,Jian-Dong Du. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2018-07-10.

Flash memory apparatus and storage management method for flash memory

Номер патента: US11030042B2. Автор: Tsung-Chieh Yang,Hong-Jung Hsu,Jian-Dong Du. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2021-06-08.

Memory controller and flash memory system

Номер патента: US20240256466A1. Автор: Kenichi TAKUBO. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

NAND Flash数据保护电路

Номер патента: WO2019007112A1. Автор: 郭坚湖. Владелец: 深圳市英蓓特科技有限公司. Дата публикации: 2019-01-10.

A kind of Nand Flash memory mapped systems based on FPGA

Номер патента: CN106909519A. Автор: 李朋,赵鑫鑫,尹超. Владелец: Jinan Inspur Hi Tech Investment and Development Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-30.

Portable electronic device capable of protecting specific block of flash memory chip

Номер патента: US20040264231A1. Автор: Chun-Chang Chen,Show-Nan Chung,Chin-Peng Tsai. Владелец: Tatung Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-30.

Method of characterizing errors in nand flash memory, and error estimation method and storage system control method using the same

Номер патента: US20230297471A1. Автор: Do Hee KIM,Ha Young LIM,Ji Yoon JUNG,Sung Gil Hong. Владелец: Fadu Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Data protection in NAND memory using internal firmware to perform self-verification

Номер патента: US11887679B2. Автор: Youxin He. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Method for controlling nand flash memory to implement convolution operation

Номер патента: US20240193224A1. Автор: Qiang Tang. Владелец: Unim Innovation Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Bit error rate estimation for NAND flash memory

Номер патента: US10366770B1. Автор: Yasuhiko Kurosawa,Hanan Weingarten,Avi STEINER. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-07-30.

Bit error rate estimation for NAND flash memory

Номер патента: US10658058B1. Автор: Yasuhiko Kurosawa,Hanan Weingarten,Avi STEINER. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-05-19.

NAND flash memory system with programmable connections between a NAND flash memory controller and a plurality of NAND flash memory modules and method thereof

Номер патента: US20080294836A1. Автор: Satoshi Sugawa,Fuja Shone,Ching-Chang Chen,Chuang Cheng,Kai-Hsun Lin. Владелец: Skymedi Corp. Дата публикации: 2008-11-27.

Information processing apparatus including NAND flash memory, and information processing method for the same

Номер патента: US20050157554A1. Автор: Katsuhiko Yanagawa. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2005-07-21.

NAND flash memory systems with efficient soft information interface

Номер патента: US09467170B2. Автор: Gregory Burd,Shashi Kiran CHILAPPAGARI. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor storage apparatus and ECC related information reading method

Номер патента: US12079075B2. Автор: Takehiro Kaminaga. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

A mobile communication terminal including NAND flash memory and method for booting the same

Номер патента: EP1607834A3. Автор: Hyung-Hoon Samsung Electronics Co. Ltd. Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-04-04.

System and method of protecting metadata from nand flash failures

Номер патента: WO2012177515A3. Автор: Douglas Alan Prins,Paul Roger Stonelake,Anand Krishnamurthi Kulkarni. Владелец: SanDisk Enterprise IP LLC. Дата публикации: 2013-06-27.

Error mitigation for 3d nand flash memory

Номер патента: US20180068726A1. Автор: Seung-Hwan Song,Zvonimir Z. Bandic,Viacheslav Anatolyevich DUBEYKO. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-03-08.

Error Checking and Correction for NAND Flash Devices

Номер патента: US20160283324A1. Автор: Jente B. Kuang,Gi-Joon Nam,Shawn P. Authement. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-29.

Adaptive read recovery for NAND flash memory devices

Номер патента: US12107603B1. Автор: Nedeljko Varnica,Nirmal Shende. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Memory controllers and flash memory reading methods

Номер патента: US09647695B2. Автор: Kyung-Jin Kim,Jun-Jin Kong,Eun-cheol Kim,Se-jin Lim,Ung-Hwan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Dynamically adjusting read voltage in a NAND flash memory

Номер патента: US09934865B2. Автор: Thomas J. Griffin,Steven J. Hnatko. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Dynamically adjusting read voltage in a NAND flash memory

Номер патента: US09934863B2. Автор: Thomas J. Griffin,Steven J. Hnatko. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Dynamically adjusting read voltage in a NAND flash memory

Номер патента: US09691488B1. Автор: Thomas J. Griffin,Steven J. Hnatko. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Dynamically adjusting read voltage in a NAND flash memory

Номер патента: US09659664B1. Автор: Thomas J. Griffin,Steven J. Hnatko. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Method of emulating eeprom-memory in flash-memory

Номер патента: RU2716899C1. Автор: Константин Анатольевич Черников,Антон Олегович Таршиков,Игорь Олегович Коваленко,Сергей Александрович Поскряков. Владелец: Акционерное общество "Актив-софт". Дата публикации: 2020-03-17.

Clustering for read thresholds history table compression in NAND storage systems

Номер патента: US11790984B1. Автор: Ofir Kanter,Nimrod Bregman. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-17.

Clustering for read thresholds history table compression in nand storage systems

Номер патента: US20230307037A1. Автор: Ofir Kanter,Nimrod Bregman. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Service life prediction method, device and medium of NAND Flash memory

Номер патента: CN112256462B. Автор: 王敏,张闯,任智新. Владелец: Inspur Beijing Electronic Information Industry Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-14.

Secure digital certificate storing scheme for flash memory and electronic apparatus

Номер патента: WO2007062955A1. Автор: Stefan Andersson,Stefan Lindgren,Werner Johansson. Владелец: SONY ERICSSON MOBILE COMMUNICATIONS AB. Дата публикации: 2007-06-07.

Data line disturbance free memory block divided flash memory and microcomputer having flash memory therein

Номер патента: US20010015912A1. Автор: Kenichi Kuroda,Takashi Ito,Shiro Baba,Kiyoshi Matsubara,Naoki Yashiki,Masaaki Terasawa,Kazuyoshi Shiba,Masanao Sato,Hirofumi Mukai. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2001-08-23.

Method and system for nand flash support in an autonomously loaded secure reprogrammable system

Номер патента: US20130185550A1. Автор: Qiang Ye,Xuemin Chen,Iue-Shuenn Chen,Andrew Dellow,Stephane Rodgers. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-07-18.

Data Storage with Improved Cache Read

Номер патента: US20240112706A1. Автор: Refael BEN-RUBI. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Computer having flash memory and method of operating flash memory

Номер патента: US20090024843A1. Автор: Byung Yoon CHOI. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2009-01-22.

Dynamically adjusting read voltage in a nand flash memory

Номер патента: US20170169894A1. Автор: Thomas J. Griffin,Steven J. Hnatko. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Dynamically adjusting read voltage in a nand flash memory

Номер патента: US20170169893A1. Автор: Thomas J. Griffin,Steven J. Hnatko. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Dynamically adjusting read voltage in a nand flash memory

Номер патента: US20170169890A1. Автор: Thomas J. Griffin,Steven J. Hnatko. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Dynamically adjusting read voltage in a nand flash memory

Номер патента: US20170169891A1. Автор: Thomas J. Griffin,Steven J. Hnatko. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Method and system for nand flash support in an autonomously loaded secure reprogrammable system

Номер патента: US20110197054A1. Автор: Qiang Ye,Xuemin Chen,Iue-Shuenn Chen,Andrew Dellow,Stephane Rodgers. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2011-08-11.

Method and system for NAND flash support in an autonomously loaded secure reprogrammable system

Номер патента: US8417931B2. Автор: Qiang Ye,Xuemin Chen,Iue-Shuenn Chen,Andrew Dellow,Stephane Rodgers. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-04-09.

Executing sub-programs stored in an on-chip memory and charging a device via USB before enumeration process

Номер патента: US09772857B2. Автор: Shilin Pan,Yingguo Chen. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Method and apparatus for recovering deleted data on low flash memory formatted with ubifs

Номер патента: US20240281333A1. Автор: WOO Sung Yun,Sang Jin Lee,Youngki Jung,Junho Kim,Jungheum PARK. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2024-08-22.

一种基于SOC通用测试平台的Nand Flash测试方法

Номер патента: CN114220472. Автор: 耿敏敏. Владелец: Shanghai Xianfang Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-22.

Methods for accessing a storage unit of a flash memory and apparatuses using the same

Номер патента: US09459962B2. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Method and device for providing and external interface using a programmed configuration bit in flash memory

Номер патента: US20030065831A1. Автор: Lu Yuan,Hugo Cheung,Terence Chiu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2003-04-03.

NAND Flash颗粒模拟装置、读写方法和系统

Номер патента: CN117497036. Автор: 陆震熙. Владелец: Shenzhen Dapu Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-02.

一种MicroBlaze访问Nand Flash的装置及方法

Номер патента: CN117435530. Автор: 胡志强,陈洲,宫文峰,马雨岚,朱祥路,房海松. Владелец: Hubei Jiuzhiyang Information Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-01-23.

一种MicroBlaze访问Nand Flash的装置及方法

Номер патента: CN117435530A. Автор: 胡志强,陈洲,宫文峰,马雨岚,朱祥路,房海松. Владелец: Hubei Jiuzhiyang Information Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-01-23.

一种调整nand flash频率的方法及装置

Номер патента: CN112799980. Автор: 李骊,申红磊. Владелец: Beijing HJIMI Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-14.

一种NAND Flash的烧录方法及装置

Номер патента: CN112486506. Автор: 张鹏. Владелец: Embedway Technologies Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-03-12.

NAND Flash存储器的寿命预估方法、装置及介质

Номер патента: CN112256462. Автор: 王敏,张闯,任智新. Владелец: Inspur Beijing Electronic Information Industry Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-22.

Nand Flash的数据纠错方法、装置、电子设备及存储介质

Номер патента: CN111813591. Автор: 邓玉良,苏通,唐越,朱晓锐,陈佩纯,殷中云. Владелец: Shenzhen State Micro Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-23.

一种Nand flash接口工作协议自适应方法、系统、设备及存储介质

Номер патента: CN111414322. Автор: 段小康. Владелец: Jiangsu Xinsheng Intelligent Technology Co ltd. Дата публикации: 2020-07-14.

基于NAND Flash的存内计算芯片及其控制方法

Номер патента: CN111128279. Автор: 王绍迪. Владелец: Hangzhou Zhicun Intelligent Technology Co ltd. Дата публикации: 2020-05-08.

一种通用的Nand Flash比特位反转纠错方法

Номер патента: CN111061592. Автор: 张鹏,李�杰,赵波,于俊杰,栾晓娜,马宗峰. Владелец: Shandong Institute of Space Electronic Technology. Дата публикации: 2020-04-24.

Methods for accessing a storage unit of a flash memory and apparatuses using the same

Номер патента: US09411686B2. Автор: Tsung-Chieh Yang,Yang-Chih Shen,Sheng-I Hsu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Coding type flash memory device and coding method

Номер патента: CN111710356B. Автор: 黄鹏,康晋锋,刘晓彦,项亚臣. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-07-05.

Semiconductor device and continuous reading method

Номер патента: US11776593B2. Автор: Sho Okabe. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

一种基于FPGA的高可靠性NAND-Flash控制器及其数据处理方法

Номер патента: CN117891759B. Автор: 殷晓斌,胡易成,解歆钰. Владелец: Sanya Institute Of Oceanography Ocean University Of China. Дата публикации: 2024-07-02.

Method for managing a zone of sensitive data in a flash memory

Номер патента: US20230384953A1. Автор: Jawad Benhammadi. Владелец: STMicroelectronics Alps SAS. Дата публикации: 2023-11-30.

一种基于极化码和元数据信息的nand flash差错控制方法

Номер патента: CN109358978B. Автор: 郭锐,陈康妮. Владелец: Hangzhou Dianzi University. Дата публикации: 2022-03-25.

基于FPGA的nand flash接口控制器及读写方法

Номер патента: CN115080471A. Автор: 王维,徐克兴,杨永进. Владелец: Dfine Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-20.

一种基于FPGA的高可靠性NAND-Flash控制器及其数据处理方法

Номер патента: CN117891759. Автор: 殷晓斌,胡易成,解歆钰. Владелец: Sanya Institute Of Oceanography Ocean University Of China. Дата публикации: 2024-04-16.

基于FPGA的nand flash接口控制器及读写方法

Номер патента: CN115080471. Автор: 王维,徐克兴,杨永进. Владелец: Dfine Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-20.

用于测量ssd单次进入ps4状态时所造成的nand flash写入量的方法

Номер патента: CN110716833. Автор: 罗发治. Владелец: Dongguan Memory Storage Technology Co ltd. Дата публикации: 2020-01-21.

一种NAND Flash PHY

Номер патента: CN110399319. Автор: 杨波,马勇,唐先芝,谷卫青,吴楚怀,何觉,陈帮红. Владелец: Yaoyun Technology (xi'an) Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-01.

一种基于极化码和元数据信息的nand flash差错控制方法

Номер патента: CN109358978. Автор: 郭锐,陈康妮. Владелец: Hangzhou Electronic Science and Technology University. Дата публикации: 2019-02-19.

A kind of implementation method of NAND FLASH simulator

Номер патента: CN106681893B. Автор: 罗胜. Владелец: Ramaxel Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-12.

Manufacture bad block processing method based on NAND flash and NAND flash storage devices

Номер патента: CN108614745A. Автор: 陈诚. Владелец: Beijing Jingcun Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-02.

NAND Flash颗粒模拟装置、读写方法和系统

Номер патента: CN117497036A. Автор: 陆震熙. Владелец: Shenzhen Dapu Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-02.

一种基于SOC通用测试平台的Nand Flash测试方法

Номер патента: CN114220472A. Автор: 耿敏敏. Владелец: Shanghai Xianfang Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-22.

一种用于加密Nand Flash仿真模型的注错系统及方法

Номер патента: CN115080330. Автор: 沈力,王建利,姚香君,夏丽媛. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-20.

一种基于Linux的Nand Flash镜像读取与升级的方法、介质及终端

Номер патента: CN115357275. Автор: 罗强,吴志鹏,彭水明,余伟峰,陈超鑫. Владелец: Willfar Information Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-11-18.

一种加快Nand Flash控制命令执行速度的方法及系统

Номер патента: CN114721978. Автор: 兰健. Владелец: Chengdu Chuxun Science And Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-07-08.

一种NAND Flash时序测试方法

Номер патента: CN110797076. Автор: 刘琦,韦亚一,董立松. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2020-02-14.

一种nand flash的数据传输方法、装置及电路

Номер патента: CN110164493. Автор: 刘会娟,束庆冉. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2019-08-23.

Mobile device capacity detecting method based on Nand Flash

Номер патента: CN105760266A. Автор: 陈伟. Владелец: SHENZHEN CHIPSBANK TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-13.

A kind of Nand flash data calibration method and system

Номер патента: CN106528323B. Автор: 杨涛. Владелец: Zhengzhou Yunhai Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-30.

Nand Flash controller and Nand Flash control method

Номер патента: CN106528465A. Автор: 宋相培. Владелец: Zhengzhou Yunhai Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-22.

Memory computing chip based on NAND Flash and control method thereof

Номер патента: CN111128279A. Автор: 王绍迪. Владелец: Hangzhou Zhicun Intelligent Technology Co ltd. Дата публикации: 2020-05-08.

一种通用的Nand Flash比特位反转纠错方法

Номер патента: CN111061592B. Автор: 张鹏,李�杰,赵波,于俊杰,栾晓娜,马宗峰. Владелец: Shandong Institute of Space Electronic Technology. Дата публикации: 2023-10-20.

一种NAND Flash的烧录方法及装置

Номер патента: CN112486506B. Автор: 张鹏. Владелец: Embedway Technologies Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-02-02.

Nand Flash的数据纠错方法、装置、电子设备及存储介质

Номер патента: CN111813591B. Автор: 邓玉良,苏通,唐越,朱晓锐,陈佩纯,殷中云. Владелец: STMicroelectronics Shenzhen R&D Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-29.

一种Nand flash接口工作协议自适应方法、系统、设备及存储介质

Номер патента: CN111414322A. Автор: 段小康. Владелец: Jiangsu Xinsheng Intelligent Technology Co ltd. Дата публикации: 2020-07-14.

一种基于极化码和元数据信息的nand flash差错控制方法

Номер патента: CN109358978A. Автор: 郭锐,陈康妮. Владелец: Hangzhou Electronic Science and Technology University. Дата публикации: 2019-02-19.

一种调整nand flash频率的方法及装置

Номер патента: CN112799980A. Автор: 李骊,申红磊. Владелец: Beijing HJIMI Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-14.

一种nand flash异常掉电的数据保护方法及装置

Номер патента: CN118260126. Автор: 李良,曾铭毅. Владелец: Zhuhai Eeasy Electronic Tech Co ltd. Дата публикации: 2024-06-28.

一种nand flash异常掉电的数据保护方法及装置

Номер патента: CN118260126A. Автор: 李良,曾铭毅. Владелец: Zhuhai Eeasy Electronic Tech Co ltd. Дата публикации: 2024-06-28.

应用于spi nand flash芯片的功能测试方法和spi测试平台

Номер патента: CN115061865. Автор: 郑文豪. Владелец: Nanjing Heyangtek Co ltd. Дата публикации: 2022-09-16.

Nand Flash页面数据纠错方法及系统

Номер патента: CN115019870. Автор: 孙飞,陶俊. Владелец: Shanghai Yingcun Semiconductor Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-09-06.

应用于spi nand flash芯片的功能测试方法和spi测试平台

Номер патента: CN115061865A. Автор: 郑文豪. Владелец: Nanjing Heyangtek Co ltd. Дата публикации: 2022-09-16.

自适应的Nand Flash读写速度调整系统

Номер патента: CN110765041. Автор: 李岩,赵斌,仇旭东,刘慧婕. Владелец: Tianjin Jinhang Computing Technology Research Institute. Дата публикации: 2020-02-07.

自适应的Nand Flash读写速度调整方法

Номер патента: CN110765042. Автор: 李岩,赵斌,仇旭东,刘慧婕. Владелец: Tianjin Jinhang Computing Technology Research Institute. Дата публикации: 2020-02-07.

基于nand flash存储器的校验方法、终端设备及存储介质

Номер патента: CN109542668. Автор: 董时舫. Владелец: PAX Computer Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-29.

A kind of double channel A TA agreement bridge-sets based on NAND FLASH interfaces

Номер патента: CN105786749B. Автор: 李文军,孙晓宁,刘大铕,刘奇浩,徐毅松. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-07.

A kind of Nand Flash controller and method

Номер патента: CN106528465B. Автор: 宋相培. Владелец: Zhengzhou Yunhai Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-02.

一种加快Nand Flash控制命令执行速度的方法及系统

Номер патента: CN114721978B. Автор: 兰健. Владелец: Chengdu Chuxun Science And Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-08-25.

一种加快Nand Flash控制命令执行速度的方法及系统

Номер патента: CN114721978A. Автор: 兰健. Владелец: Chengdu Chuxun Science And Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-07-08.

nand flash设备管理的方法和系统

Номер патента: CN106354486A. Автор: 李良. Владелец: Allwinner Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-25.

一种基于Linux的Nand Flash镜像读取与升级的方法、介质及终端

Номер патента: CN115357275A. Автор: 罗强,吴志鹏,彭水明,余伟峰,陈超鑫. Владелец: Willfar Information Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-11-18.

一种用于加密Nand Flash仿真模型的注错系统及方法

Номер патента: CN115080330A. Автор: 沈力,王建利,姚香君,夏丽媛. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-20.

Synchronous flash memory

Номер патента: WO2001075897A3. Автор: Frankie F Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-05-30.

Method of correcting error of flash memory device, and, flash memory device and storage system using the same

Номер патента: US8612830B2. Автор: Jun Kitahara,Nagamasa Mizushima. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2013-12-17.

Flash memory block retirement policy

Номер патента: US20210019241A1. Автор: Harish Reddy Singidi,Deping He,Giuseppe Cariello,Scott Anthony Stoller,Preston Allen Thomson,Devin Batutis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-21.

Integrated circuit with flash memory

Номер патента: EP1203379A1. Автор: Stefan Koch,Axel Hertwig,Hans-Joachim Gelke. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-05-08.

一种SSD中优化NAND Flash读参考电压的方法

Номер патента: CN111192620B. Автор: 刘凯,曹成,王璞. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-08.

NAND flash数据损坏后的恢复方法、装置、计算机设备及存储介质

Номер патента: CN118193294. Автор: 张帆,刘浪,陈文伟. Владелец: Qianxun Si Network Zhejiang Co ltd. Дата публикации: 2024-06-14.

基于nand flash的启动版本生成方法、设备及存储介质

Номер патента: CN117539686. Автор: 王月鹏. Владелец: Anhui Wantong Post And Telecommunications Co ltd. Дата публикации: 2024-02-09.

面向FPGA平台的NAND Flash BCH纠检错模块

Номер патента: CN117349077. Автор: 李欣,王丹,许志宏,刘伟伟,蒋帅,刘戈,郭佳鑫,田苗苗,禹霁阳,汪路元,于敏芳. Владелец: Beijing Institute of Spacecraft System Engineering. Дата публикации: 2024-01-05.

基于nand flash的启动版本生成方法、设备及存储介质

Номер патента: CN117539686A. Автор: 王月鹏. Владелец: Anhui Wantong Post And Telecommunications Co ltd. Дата публикации: 2024-02-09.

面向FPGA平台的NAND Flash BCH纠检错模块

Номер патента: CN117349077A. Автор: 李欣,王丹,许志宏,刘伟伟,蒋帅,刘戈,郭佳鑫,田苗苗,禹霁阳,汪路元,于敏芳. Владелец: Beijing Institute of Spacecraft System Engineering. Дата публикации: 2024-01-05.

Nand-flash page位翻转控制方法及控制模块

Номер патента: CN111737042. Автор: 王磊,张亚兵,吴纪铎. Владелец: DIAS Automotive Electronic Systems Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-02.

一种SSD中优化NAND Flash读参考电压的方法

Номер патента: CN111192620. Автор: 刘凯,曹成,王璞. Владелец: Xian Unilc Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-22.

基于nand flash的实时嵌入式系统及其启动方法

Номер патента: CN111190648. Автор: 黄峰,李婷,宋凯林,赵葵银. Владелец: Hunan Institute of Engineering. Дата публикации: 2020-05-22.

基于nand flash存储器的纠错方法及装置

Номер патента: CN110750381. Автор: 董时舫. Владелец: PAX Computer Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-04.

针对MLC型NAND-Flash的基于变量节点动态分块更新的LDPC码译码方法

Номер патента: CN110098895. Автор: 梁硕,郭婷,刘星成. Владелец: Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2019-08-06.

Flash memory device

Номер патента: US09966133B2. Автор: Hong Beom Pyeon,Jin-Ki Kim,Hakjune Oh. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Flash memory system

Номер патента: US09779804B2. Автор: Hong Beom Pyeon,Jin-Ki Kim,Hakjune Oh. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Flash memory system

Номер патента: US09524783B2. Автор: Hong Beom Pyeon,Jin-Ki Kim,Hakjune Oh. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Flash memory control method, controller and electronic apparatus

Номер патента: US09417958B2. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor memory system for flash memory

Номер патента: US20080126678A1. Автор: Nagamasa Mizushima. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2008-05-29.

Nand Flash页面数据纠错方法及系统

Номер патента: CN115019870A. Автор: 孙飞,陶俊. Владелец: Shanghai Yingcun Semiconductor Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-09-06.

Method and apparatus with flash memory control

Номер патента: EP4216221A1. Автор: Sang Joon Kim,Seok Ju Yun,Daekun YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-26.

Method and apparatus with flash memory control

Номер патента: US20230298675A1. Автор: Sang Joon Kim,Seok Ju Yun,Daekun YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Flash memory block retirement policy

Номер патента: WO2019046548A1. Автор: Harish Reddy Singidi,Preston Thomson,Deping He,Giuseppe Cariello,Scott Anthony Stoller,Devin Batutis. Владелец: Luo, Ting. Дата публикации: 2019-03-07.

Flash memory block retirement policy

Номер патента: US20190324876A1. Автор: Harish Reddy Singidi,Deping He,Giuseppe Cariello,Scott Anthony Stoller,Preston Allen Thomson,Devin Batutis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Partial page fail bit detection in flash memory devices

Номер патента: WO2008005735A2. Автор: Gerrit Jan Hemink. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2008-01-10.

Integrated circuit chip with flash memory and identification function

Номер патента: US20060118640A1. Автор: Gordon Yu,Yi-Hua Ho,Hung-Tse Ho,Ching-Lung Wu. Владелец: C One Tech Corp. Дата публикации: 2006-06-08.

Nand flash memory device capable of selectively erasing one flash memory cell and operation method thereof

Номер патента: US20230128347A1. Автор: Jong-ho Lee,Honam YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Read enable signal adjusting flash memory device and read control method of flash memory device

Номер патента: EP2232500A1. Автор: Hyunmo Chung,Hanmook Park. Владелец: Indilinx Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-29.

Read enable signal adjusting flash memory device and read control method of flash memory device

Номер патента: WO2009084796A1. Автор: Hyunmo Chung,Hanmook Park. Владелец: Indilinx Co., Ltd.. Дата публикации: 2009-07-09.

Card having flash memory and display, reader of reading the card, paying method using the reader and card, art card and dispaly using the art card

Номер патента: WO2009072849A3. Автор: Young Sun Cho,Sue Hee Park,Jin Man Chung. Владелец: Slimdisc Corp. Дата публикации: 2009-07-23.

Optimizing bandwidth usage and improving performance for web page caching

Номер патента: US09749439B2. Автор: Siddharth Cuduvalli Ravikanth Rao,Guru Prasad Shamanna. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Optimizing bandwidth usage and improving performance for web page caching

Номер патента: US09749437B2. Автор: Siddharth Cuduvalli Ravikanth Rao,Guru Prasad Shamanna. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Optimizing bandwidth usage and improving performance for web page caching

Номер патента: US09596316B2. Автор: Siddharth Cuduvalli Ravikanth Rao,Guru Prasad Shamanna. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Modular flash memory card expansion system

Номер патента: WO2009067721A1. Автор: Kam Cheong Chin,Choon Tak TANG. Владелец: Kingston Technology Corporation. Дата публикации: 2009-05-28.

Electronic signal adapter module of flash memory card

Номер патента: US20030081388A1. Автор: Wen-Ji Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-01.

Flash memory and associated methods

Номер патента: WO2008083125A1. Автор: Giovanni Santin,Violante Moschiano,Michele Incarnati,Daniel Elmhurst,Ercole Diiorio. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2008-07-10.

Method for programming nand flash memory

Номер патента: US20220084598A1. Автор: Hong Nie,Jingwei CHEN. Владелец: China Flash Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-17.

Nand flash memory

Номер патента: US20130286734A1. Автор: Chun-Yen Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-10-31.

Data read method for flash memory

Номер патента: US09570162B2. Автор: Chien-Ting Huang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Nand flash memory device capable of selectively erasing one flash memory cell and operating method thereof

Номер патента: KR20230059673A. Автор: 이종호,유호남. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2023-05-03.

Method for programming and verifying cells of a non-volatile memory and a corresponding NAND flash memory

Номер патента: DE602005011628D1. Автор: Jacopo Mulatti,Kuhong Jeong,Hyungsang Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-01-22.

Flash memory device with increase of efficiency during an apde (automatic program disturb after erase) process

Номер патента: WO2002095762A3. Автор: Richard Fastow,Zhigang Wang,Chi Chang,Sameer Haddad,Sheung-Hee Park. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-02-20.

Flash memory device with increase of efficiency during an apde (automatic program disturb after erase) process

Номер патента: WO2002095762A2. Автор: Richard Fastow,Zhigang Wang,Chi Chang,Sameer Haddad,Sheung-Hee Park. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2002-11-28.

Flash memory array, and write method and erasure method therefor

Номер патента: EP4394771A1. Автор: Jiayong JIANG,Zhendong SHI. Владелец: Beijing Panxin Microelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Flash memory device and programming method thereof

Номер патента: US8194463B2. Автор: Jong-Hwa Kim,Young-Joon Choi,Seok-Cheon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-06-05.

Data storage device and flash memory control method

Номер патента: US9318213B2. Автор: Yi-Lin Lai,Chin-Yin Tsai. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2016-04-19.

Flash memory device and method for driving the same

Номер патента: US20080247247A1. Автор: Sang-Gu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-10-09.

Flash memory device configurable to provide real only memory functionality

Номер патента: EP3259758A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Hung Quoc Nguyen. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-27.

Flash Memory Device Configurable To Provide Read Only Memory Functionality

Номер патента: US20160240255A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Hung Quoc Nguyen. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-18.

Flash memory device configurable to provide real only memory functionality

Номер патента: WO2016133705A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Hung Quoc Nguyen. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2016-08-25.

Inlayed flash memory module

Номер патента: US20080126658A1. Автор: Chih-ling Wang. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2008-05-29.

Flash Memory Device and Method for Handling Power Failure Thereof

Номер патента: US20150003154A1. Автор: Hung-Chiang Chen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2015-01-01.

Flash memory device and method for handling power failure thereof

Номер патента: US9013929B2. Автор: Hung-Chiang Chen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2015-04-21.

Systems and methods for sensing radiation using flash memory

Номер патента: US11238943B1. Автор: Biswajit Ray. Владелец: University of Alabama in Huntsville. Дата публикации: 2022-02-01.

Systems and methods for sensing radiation using flash memory

Номер патента: US11978517B1. Автор: Biswajit Ray. Владелец: University of Alabama in Huntsville. Дата публикации: 2024-05-07.

Power circuit, flash memory system provided with the power circuit, and power supply method

Номер патента: US20130051151A1. Автор: Kotaro Suzuki,Katsuya Uematsu,Norikazu Okako,Yugi Ito. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2013-02-28.

Method for extracting substrate coupling coefficient of a flash memory

Номер патента: US6292393B1. Автор: Chih-Mu Huang,Chuan-Jane Chao,Chi-Hung Kao,Jung-Yu Tsai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2001-09-18.

Method for writing data into flash memory and associated memory device and flash memory

Номер патента: US20150228332A1. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2015-08-13.

Method for writing data into flash memory and associated memory device and flash memory

Номер патента: KR101731408B1. Автор: 충-치에 양. Владелец: 실리콘 모션 인코포레이티드. Дата публикации: 2017-04-28.

Method for writing data into flash memory and associated memory device and flash memory

Номер патента: CN104835526A. Автор: 杨宗杰. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2015-08-12.

Data storage device and flash memory control method

Номер патента: US20150016191A1. Автор: Yi-Lin Lai,Chin-Yin Tsai. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2015-01-15.

Flash memory controller utilizing multiple voltages and a method of use

Номер патента: US8040749B2. Автор: Ben Wei Chen,David Sun,David Hong-Dien Chen. Владелец: Kingston Technology Corp. Дата публикации: 2011-10-18.

Flash memory controller utilizing multiple voltages and a method of use

Номер патента: US20100268873A1. Автор: Ben Wei Chen,David Sun,David Hong-Dien Chen. Владелец: Kingston Technology Corp. Дата публикации: 2010-10-21.

Flash Memory Controller Utilizing Multiple Voltages and a Method of Use

Номер патента: US20080049510A1. Автор: David Chen,Ben Wei Chen,David Sun. Владелец: Kingston Technology Corp. Дата публикации: 2008-02-28.

Flash memory controller utilizing multiple voltages and a method of use

Номер патента: US7760574B2. Автор: Ben Wei Chen,David Sun,David Hong-Dien Chen. Владелец: Kingston Technology Corp. Дата публикации: 2010-07-20.

Read enable signal adjusting flash memory device and read control method of flash memory device

Номер патента: EP2232500A4. Автор: Hyunmo Chung,Hanmook Park. Владелец: Indilinx Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-23.

Flash memory device, method of erasing the flash memory device, and memory system including the flash memory device

Номер патента: KR101178122B1. Автор: 박기태,최정달. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2012-08-29.

NAND based NMOS NOR flash memory cell, a NAND based NMOS NOR flash memory array, and a method of forming a NAND based NMOS flash memory array

Номер патента: US20120044770A1. Автор: Peter Wung Lee,Fu-Chang Hsu,Hsing-Ya Tsao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-02-23.

Row decoder in a flash memory and erasure method for a flash memory cell in it

Номер патента: DE10332590A1. Автор: Ki Seog Ichon Kim,Keun Woo Yongin Lee,Sung Kee Ichon Park,Yoo Nam Ichon Jeon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-03-25.

Flash memory device and layout method of the flash memory device

Номер патента: KR101469097B1. Автор: 곽판석. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2014-12-04.

Flash memory device and method of testing the flash memory device

Номер патента: US8149621B2. Автор: Dae-Yong Kim,Bo-Geun Kim,Jun-Yong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-04-03.

Emulating one tape protocol of flash memory to a different type protocol of flash memory

Номер патента: US6434660B1. Автор: Grady Lambert,Craig Henricksen,Jonathan Minko. Владелец: Centennial Technologies Inc. Дата публикации: 2002-08-13.

Flash memory cell and method of forming a flash memory array

Номер патента: TWI264089B. Автор: Everett B Lee. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-10-11.

Erase and program method of flash memory device for increasing program speed of flash memory device

Номер патента: US7539057B2. Автор: Min Kyu Lee,Sook Kyung Kim,Seok Jin Joo,Hyung Seok Kim,Kyung Pil Hwang,Keum Hwan Noh,Ju In KIM. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-05-26.

Flash memory unit and method of programming a flash memory device

Номер патента: WO2006022908A1. Автор: Zhigang Wang,Nian Yang,Zhizheng Liu. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2006-03-02.

Flash memory unit and method of programming a flash memory device

Номер патента: EP1774530B1. Автор: Zhigang Wang,Nian Yang,Zhizheng Liu. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-01-23.

Flash memory device and layout method of the flash memory device

Номер патента: US8040726B2. Автор: Pan-Suk Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-10-18.

Hierarchical common source line structure in nand flash memory

Номер патента: WO2009079783A1. Автор: Hong Beom Pyeon,Jin-Ki Kim. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2009-07-02.

Vertical NAND flash memory array

Номер патента: US7148538B2. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-12-12.

NAND flash memory and reading method thereof

Номер патента: US09564236B2. Автор: Katsutoshi Suito. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Dual Sense Bin Balancing In NAND Flash

Номер патента: US20210407598A1. Автор: Idan Alrod,Eran Sharon,Richard Galbraith,Henry Yip,Jonas Goode. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Dual sense bin balancing in nand flash

Номер патента: WO2022005517A1. Автор: Idan Alrod,Eran Sharon,Richard Galbraith,Henry Yip,Jonas Goode. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2022-01-06.

A unified non-volatile memory device and method for integrating nor and nand-type flash memory and eeprom device on a single substrate

Номер патента: WO2006060600A1. Автор: Peter Lee. Владелец: APLUS FLASH TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2006-06-08.

A unified non-volatile memory device and method for integrating nor and nand-type flash memory and eeprom device on a single substrate

Номер патента: WO2006060600A9. Автор: Peter Lee. Владелец: Peter Lee. Дата публикации: 2006-08-03.

On-chip copying of data between nand flash memory and reram of a memory die

Номер патента: WO2016004317A1. Автор: Sergey Anatolievich Gorobets,Manuel Antonio d'Abreu,Xinde Hu. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2016-01-07.

Apparatus for controlling nand flash memory device and method for controlling same

Номер патента: US20240290397A1. Автор: Sang Hoon Shin,Hyoung Ki Nam. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Nand flash memory and method for destroying information from the nand flash memory

Номер патента: US20190206496A1. Автор: Minyi Chen. Владелец: Shine Bright Technology Ltd. Дата публикации: 2019-07-04.

Non-destructive mode cache programming in NAND flash memory devices

Номер патента: US11894075B2. Автор: Jason Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Interface protocols between memory controller and nand flash memory for cache programming

Номер патента: US20240161840A1. Автор: Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Operating method of NAND flash memory unit

Номер патента: US9437309B2. Автор: Wei Lin,Yu-Cheng Hsu,Kuo-Yi Cheng. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Nand flash memory device with enhanced data retention characteristics and operating method thereof

Номер патента: US20240265975A1. Автор: Sung Ho Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Control method for nand flash memory to complete xnor operation

Номер патента: US20240194271A1. Автор: Qiang Tang. Владелец: Unim Innovation Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Method for nand flash memory to complete convolution operation of multi-bit data

Номер патента: US20240194230A1. Автор: Qiang Tang. Владелец: Unim Innovation Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Nand flash memory array with cut-off gate line and methods for operating and fabricating the same

Номер патента: US20110256680A1. Автор: Byung-gook Park,Seongjae Cho. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY INDUSTRY FOUNDATION. Дата публикации: 2011-10-20.

NAND flash word line management using multiple fragment pools

Номер патента: US09455048B2. Автор: Yigal Eli,Yong Peng,Damian Yurzola,Rajeev Nagabhirava,Tal Heller,Krishnamurthy Dhakshinamurthy,Talal Ahwal,Tucker Dean BERCKMANN,Arjun Hary. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-27.

NAND flash memory having multiple cell substrates

Номер патента: US09583204B2. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Interface protocols between memory controller and nand flash memory for cache programming

Номер патента: WO2024103238A1. Автор: Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-23.

Error characterization and mitigation for 16nm mlc nand flash memory under total ionizing dose effect

Номер патента: US20190172545A1. Автор: Yue Li,Jehoshua Bruck. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2019-06-06.

Nand flash memory with integrated bit line capacitance

Номер патента: WO2010138219A1. Автор: Chulmin Jung,Brian Lee,Dadi Setiadi,Yong Lu,Hongyue Liu. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2010-12-02.

Driving circuits for a memory cell array in a NAND-type flash memory device

Номер патента: EP1191542A3. Автор: Young-Ho Lim,Jung-Hoon Park,Suk-Cheon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-01-07.

Flash memory device and method of operation

Номер патента: US20110255337A1. Автор: Franz Michael Schuette. Владелец: OCZ Technology Group Inc. Дата публикации: 2011-10-20.

Dual edge access nand flash memory

Номер патента: WO2008093947A1. Автор: Un Sik Seo. Владелец: Mgine Co., Ltd.. Дата публикации: 2008-08-07.

Methods and apparatus for NAND flash memory

Номер патента: US12100460B2. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Neo Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Modulation of source voltage in nand-flash array read

Номер патента: US20240363173A1. Автор: Narayanan RAMANAN. Владелец: Intel NDTM US LLC. Дата публикации: 2024-10-31.

NAND flash memory having multiple cell substrates

Номер патента: US09899096B2. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Device selection schemes in multi chip package NAND flash memory system

Номер патента: US09524778B2. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Charge packet programming for nand flash non-volatile memory

Номер патента: EP4345825A1. Автор: Maarten Rosmeulen,Devin Verreck. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-04-03.

Apparatus for controlling nand flash memory device and method for controlling same

Номер патента: US20220343983A1. Автор: Sang Hoon Shin,Hyoung Ki Nam. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-27.

Apparatus for controlling NAND flash memory device and method for controlling same

Номер патента: US12009035B2. Автор: Sang Hoon Shin,Hyoung Ki Nam. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Method for Erasing Data of NAND Flash Memory Device

Номер патента: US20080158994A1. Автор: Hea Jong Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-07-03.

High density flash memory cell device, cell string and fabrication method therefor

Номер патента: US20110254076A1. Автор: Jong-ho Lee. Владелец: SNU R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2011-10-20.

Modulation of source voltage in NAND-flash array read

Номер патента: US12087365B2. Автор: Narayanan RAMANAN. Владелец: Intel NDTM US LLC. Дата публикации: 2024-09-10.

NAND flash memory array architecture having low read latency and low program disturb

Номер патента: US9245639B1. Автор: Dae Hyun Kim,Anil Gupta,Jong Oh Lee. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-01-26.

Method for controlling nand flash memory to complete neural network operation

Номер патента: US20240194249A1. Автор: Qiang Tang. Владелец: Unim Innovation Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Method and circuit for performing read operation in a nand flash memory

Номер патента: US20090003079A1. Автор: Jiro Kishimoto. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-01-01.

Method and circuit for performing read operation in a NAND flash memory

Номер патента: US7577033B2. Автор: Jiro Kishimoto. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-08-18.

Page buffer circuit for NAND flash memory

Номер патента: US09305649B1. Автор: Jong Oh Lee. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-04-05.

Interruptible nand flash memory

Номер патента: CA2768212C. Автор: John G. Bennett. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2016-09-13.

Nand flash memory unit, operating method and reading method

Номер патента: US20140286105A1. Автор: Wei Lin,Yu-Cheng Hsu,Kuo-Yi Cheng. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2014-09-25.

Control method and controller of 3D NAND flash

Номер патента: US20210350853A1. Автор: Ying Huang,Hongtao Liu,Qiguang Wang,Wenzhe WEI. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Error characterization and mitigation for 16nm mlc nand flash memory under total ionizing dose effect

Номер патента: US20180197617A1. Автор: Yue Li,Jehoshua Bruck. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2018-07-12.

Error characterization and mitigation for 16nm MLC NAND flash memory under total ionizing dose effect

Номер патента: US09870834B2. Автор: Yue Li,Jehoshua Bruck. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2018-01-16.

Method for regulating reading voltage of NAND flash memory device

Номер патента: US09558816B2. Автор: Seung-Hyun Han,Sun-Mo Hwang. Владелец: THE-AIO Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

NAND flash memory unit, operating method and reading method

Номер патента: US9245636B2. Автор: Wei Lin,Yu-Cheng Hsu,Kuo-Yi Cheng. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2016-01-26.

Flash memory cell string

Номер патента: US20090184362A1. Автор: Jong-ho Lee. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of KNU. Дата публикации: 2009-07-23.

Nand flash word line management

Номер патента: WO2014209624A1. Автор: Yigal Eli,Yong Peng,Damian Yurzola,Rajeev Nagabhirava,Tal Heller,Krishnamurthy Dhakshinamurthy,Talal Ahwal,Tucker Dean BERCKMANN,Arjun Hary. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2014-12-31.

Nand flash memory and program method thereof

Номер патента: US20170140826A1. Автор: Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-18.

Operating method of nand flash memory unit

Номер патента: US20160078952A1. Автор: Wei Lin,Yu-Cheng Hsu,Kuo-Yi Cheng. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Method of programming flash memory

Номер патента: US20240112737A1. Автор: Maarten Rosmeulen,Devin Verreck. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-04-04.

Methods and apparatus for nand flash memory

Номер патента: EP4392975A1. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Neo Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-07-03.

Digital Neutron Dosimeter Based On 3D NAND Flash Memory

Номер патента: US20230408715A1. Автор: Mark Samuilovich Akselrod,Vasiliy Vasilyevich Fomenko,Jonathan Mitchell Harrison. Владелец: Landauer Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Methods and apparatus for NAND flash memory

Номер патента: US11972811B2. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Neo Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-04-30.

Methods and apparatus for nand flash memory

Номер патента: WO2022047084A1. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: NEO Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2022-03-03.

Digital neutron dosimeter based on three dimensional not-and (nand) flash memory

Номер патента: WO2023250394A1. Автор: Mark Samuilovich Akselrod,Vasiliy Vasilyevich Fomenko,Jonathan Mitchell Harrison. Владелец: Landauer, Inc.. Дата публикации: 2023-12-28.

Methods for active boosting to minimize capacitive coupling effect between adjacent gates of flash memory devices

Номер патента: US20080144384A1. Автор: Hao Fang,Masaaki Higashitani,Gerrit Jan Hemink,Tuan D. Pham. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2008-06-19.

Methods for active boosting to minimize capacitive coupling effect between adjacent gates of flash memory devices

Номер патента: US7672165B2. Автор: Masaaki Higashitani,Gerrit Jan Hemink,Tuan D Pham,Hao Fang Fang. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2010-03-02.

NAND flash memory with reduced planar size

Номер патента: US11778819B2. Автор: Riichiro Shirota. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Methods and apparatus for nand flash memory

Номер патента: US20210327519A1. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-10-21.

Error characterization and mitigation for 16nm MLC NAND flash memory under total ionizing dose effect

Номер патента: US10665310B2. Автор: Yue Li,Jehoshua Bruck. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2020-05-26.

Methods and apparatus for reading NAND flash memory

Номер патента: US11232835B2. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Neo Semiconductor Inc. Дата публикации: 2022-01-25.

Vertical nand flash memory device

Номер патента: EP4398286A1. Автор: Sunho Kim,Minhyun LEE,Kwangmin Park,Gukhyon Yon,Seungyeul YANG,Seokhoon CHOI,Kyunghun KIM,Seungdam HYUN,Hyungyung KIM,Hoseok HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-10.

Nand flash memory with vertical cell stack structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20210408301A1. Автор: Hyoung Seub Rhie. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Nand flash memory with vertical cell stack structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20200381566A1. Автор: Hyoung Seub Rhie. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Nand flash memory with vertical cell stack structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20190348544A1. Автор: Hyoung Seub Rhie. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Nand flash memory with vertical cell stack structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20230268447A1. Автор: Hyoung Seub Rhie. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

NAND flash memory with vertical cell stack structure and method for manufacturing same

Номер патента: US12119411B2. Автор: Hyoung Seub Rhie. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Method of programming a continuous-channel flash memory device

Номер патента: US09892790B2. Автор: Yuniarto Widjaja,Feng Gao,Dana Lee,John W. Cooksey,Changyuan Chen,Ya-Fen Lin. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Split gate NAND flash memory structure and array, method of programming, erasing and reading thereof, and method of manufacturing

Номер патента: US09449693B2. Автор: Yuniarto Widjaja,Feng Gao,Dana Lee,John W. Cooksey,Changyuan Chen,Ya-Fen Lin. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Method and system for processing data in flash memories

Номер патента: CN106601293A. Автор: 任军,李政达. Владелец: Hefei Hengshuo Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-26.

Semiconductor device and reading method

Номер патента: US11961568B2. Автор: Makoto Senoo,Sho Okabe. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-04-16.

Nand flash memory devices and methods of lsb/msb programming the same

Номер патента: US20090080251A1. Автор: Hyung-Gon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-03-26.

Method of erasing NAND flash memory device

Номер патента: US20050185471A1. Автор: Keun Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-08-25.

Method for controlling nand flash memory to implement xnor operation

Номер патента: US20240194246A1. Автор: Qiang Tang. Владелец: Unim Innovation Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

NAND flash memory and method of erasing, programming, and copy-back programming thereof

Номер патента: US6813184B2. Автор: June Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-11-02.

Flash memory device with NAND architecture with reduced capacitive coupling effect

Номер патента: US7394694B2. Автор: Rino Micheloni,Ilaria Motta,Roberto Ravasio. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2008-07-01.

Nand flash memory

Номер патента: US20100277977A1. Автор: Dai Nakamura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-04.

Methods and apparatus for nand flash memory

Номер патента: WO2023028410A1. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: NEO Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2023-03-02.

Nonvolatile memory and its operation method thereof

Номер патента: US20180294406A1. Автор: Steve S. Chung,E-Ray HSIEH. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2018-10-11.

Method and apparatus for driving flash memory

Номер патента: US7215578B2. Автор: Chin-Yi Chiang,Chun-Hua Tseng. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2007-05-08.

Method and apparatus for driving flash memory

Номер патента: US20060176741A1. Автор: Chin-Yi Chiang,Chun-Hua Tseng. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2006-08-10.

Flash memory and erase method thereof

Номер патента: US12040024B2. Автор: Kuan-Fu Chen,Ya-Jui Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

High speed sequential read method for flash memory

Номер патента: US09496046B1. Автор: Kyoung Chon Jin. Владелец: Integrated Silicon Solution Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

NAND FLASH memory-based verification method, terminal equipment and storage medium

Номер патента: CN110277131B. Автор: 董时舫. Владелец: PAX Computer Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-23.

NAND flash memory devices having shielding lines between wordlines and selection lines

Номер патента: US7821825B2. Автор: Jung-Dal Choi,Ki-tae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-10-26.

Flash memory device

Номер патента: US20080259690A1. Автор: Young-Ho Lim,Dong-Hyuk Chae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-10-23.

Semiconductor memory device and reading method

Номер патента: US11978515B2. Автор: Riichiro Shirota,Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Nand flash operating techniques

Номер патента: US20200118630A1. Автор: Wei-Liang Lin,Yao-Wen Chang,Wen-Jer Tsai,Guan-Wei Wu,Chun-Chang LU. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Nand flash memory devices having shielding lines between wordlines and selection lines

Номер патента: US20090135647A1. Автор: Jung-Dal Choi,Ki-tae Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-05-28.

Nonvolatile memory and method of restoring of failure memory cell

Номер патента: US20040264245A1. Автор: Ken Matsubara,Tomoyuki Fujisawa,Takayuki Tamura. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-12-30.

Writing method of flash memory and memory storage device

Номер патента: US12040023B2. Автор: Koying Huang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Integration of split gate flash memory array and logic devices

Номер патента: US09793280B2. Автор: Chun-Ming Chen,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Flexible clock scheme of flash memory, memory module, computer-readable recording medium and operating method using the same

Номер патента: US09449704B2. Автор: Hiroki Murakami. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Flash memory apparatus and initialization method for programming operation thereof

Номер патента: US09437311B1. Автор: Tsai-Ko Teng. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

SPI flash memory test system and method based on FT4222

Номер патента: CN107633867B. Автор: 黄欢,施冠良. Владелец: Heyangtek Cooperation Ltd. Дата публикации: 2020-12-01.

Cell operation methods using gate-injection for floating gate nand flash memory

Номер патента: US20080080248A1. Автор: Tzu-Hsuan Hsu,Erh-Kun Lai,Hang-Ting Lue. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-03.

A kind of NAND-FLASH memory write operations method and device

Номер патента: CN108573729A. Автор: 苏志强. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2018-09-25.

Nonvolatile semiconductor memory test circuit and method, nonvolatile semiconductor memory and method for fabricating nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20020024862A1. Автор: Yoshinori Odake,Takahiko Hashidzume. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-28.

Flash memory and wear leveling method thereof

Номер патента: US20240265964A1. Автор: Masato Ono,Masaru Yano,Takehiro Kaminaga. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Split gate NAND flash memory structure and array, method of programming, erasing and reading thereof, and method of manufacturing

Номер патента: US8780642B2. Автор: Yuniarto Widjaja,Feng Gao,Dana Lee,John W. Cooksey,Changyuan Chen,Ya-Fen Lin. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-15.

Nand flash memory comprising a current sensing page buffer

Номер патента: US20170140823A1. Автор: Osama Khouri,Chiara Missiroli. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-18.

Self-boosting system for flash memory cells

Номер патента: EP1714291A2. Автор: Gerrit Jan Hemink. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2006-10-25.

Self-boosting system for flash memory cells

Номер патента: EP2341506A3. Автор: Gerrit Jan Hemink. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2012-03-21.

NAND flash memory with worldline voltage compensation using compensated temperature coefficients

Номер патента: US10366760B1. Автор: Minyi Chen. Владелец: GigaDevice Semiconductor Shanghai Inc. Дата публикации: 2019-07-30.

Vertical nand flash memory device

Номер патента: US20240224530A1. Автор: Sunho Kim,Minhyun LEE,Kwangmin Park,Gukhyon Yon,Seungyeul YANG,Seokhoon CHOI,Kyunghun KIM,Seungdam HYUN,Hyungyung KIM,Hoseok HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Nand flash memory with wordline voltage compensation using compensated temperature coefficients

Номер патента: US20190221266A1. Автор: Minyi Chen. Владелец: Shine Bright Technology Ltd. Дата публикации: 2019-07-18.

Group based read reference voltage management in flash memory

Номер патента: US8971122B1. Автор: Xueshi Yang,Gregory Burd. Владелец: Marvell International Ltd. Дата публикации: 2015-03-03.

Method of monitoring a source contact in a flash memory

Номер патента: US6391665B1. Автор: Keun Woo Lee,Jin Shin,Ki Seog Kim,Sang Hoan Chang. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-21.

System-level test method for flash memory

Номер патента: US20200273533A1. Автор: Yuegui He. Владелец: Amlogic Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-27.

Flash memory unit and memory array, and programming, erasing and reading method thereof

Номер патента: US09406685B2. Автор: HONG Jiang,Jian Hu,Jun Xiao,Weiran Kong,Guangjun Yang,Binghan Li. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Flash memory and read recovery method thereof

Номер патента: US20240290399A1. Автор: Jinsu Kim,Byungsoo Kim,Hyunggon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Flash memory and read recovery method thereof

Номер патента: EP4421810A1. Автор: Jinsu Kim,Byungsoo Kim,Hyunggon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-28.

Adaptive threshold for bad flash memory blocks

Номер патента: US12087382B2. Автор: John Roper,John Boyle,Matthew D. Fleming,Eric Mueller,Nenad Miladinovic,Hari Kannan,Eric Michael Verwillow. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

一种面向TLC型NAND Flash的阈值电压获取方法

Номер патента: CN111341375. Автор: 冯骅,彭喜元,乔立岩,魏德宝,陈肖钰. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2020-06-26.

Voltage mode sensing for low power flash memory

Номер патента: US09607708B2. Автор: Jeffrey D. Wilkinson,Kevin K. Walsh,Paul B. PATTERSON,Glen W. BENTON. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2017-03-28.

Flash memory and flash memory cell thereof

Номер патента: US11804269B2. Автор: Feng-Min Lee,Yu-Hsuan Lin,Ming-Hsiu Lee,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Nand-type flash memory and nand-type flash memory controlling method

Номер патента: US20100067302A1. Автор: Yoshihisa Watanabe,Yuka Furuta. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-03-18.

一种提高 nand flash 可靠性的方法及装置

Номер патента: WO2018040969A1. Автор: 吴旋. Владелец: 福建联迪商用设备有限公司. Дата публикации: 2018-03-08.

Flash memory and flash memory cell thereof

Номер патента: US20230095392A1. Автор: Feng-Min Lee,Yu-Hsuan Lin,Ming-Hsiu Lee,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

一种Nand Flash颗粒功耗测试系统及方法

Номер патента: CN114121137A. Автор: 李栋. Владелец: Suzhou Inspur Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-01.

一种实现nand flash电流测试的系统及方法

Номер патента: CN117558333. Автор: 徐晖,王嵩,刘晓健,秦东润,康雷. Владелец: Beijing Dera Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

基于nand flash的文件数据存取方法、装置、设备及存储介质

Номер патента: CN115359825. Автор: 王心侠,林杯淋. Владелец: Huierfeng Information System Co ltd. Дата публикации: 2022-11-18.

一种Nand Flash颗粒功耗测试系统及方法

Номер патента: CN114121137. Автор: 李栋. Владелец: Suzhou Inspur Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-01.

Nand Flash坏块检测方法及装置、存储介质、终端、烧录器

Номер патента: CN112382330. Автор: 陈文超. Владелец: Spreadtrum Xiamen Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-02-19.

一种NAND Flash单元数据的读取方法和装置

Номер патента: CN112309476. Автор: 邸士伟. Владелец: Beijing Zhaoyi Innovation Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-02.

闪存Nand Flash的动态测试方法、装置、电子设备及存储介质

Номер патента: CN111816240. Автор: 杨彬,邓玉良,方晓伟,朱晓锐,殷中云,庄伟坚. Владелец: Shenzhen State Micro Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-23.

Nand Flash Phy参数配置方法和装置

Номер патента: CN109686394. Автор: 冯元元,马越,周晨杰. Владелец: Shenzhen Union Memory Information System Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-26.

Nonvolatile memory device and read method thereof

Номер патента: US09564237B2. Автор: Byeong-In Choe,Changhyun LEE,Jungdal CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Programming method for NAND-type flash memory

Номер патента: US09514826B2. Автор: Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

一种基于Matlab的Nand Flash测试系统及方法

Номер патента: CN108109670A. Автор: 魏超,刘升. Владелец: Xi'an Qiwei Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-01.

Ferroelectric material-based three-dimensional flash memory, and manufacture thereof

Номер патента: US20220130863A1. Автор: Yun Heub Song,Jae Kyeong Jeong,Chang Wan Choi. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2022-04-28.

Flash memory and flash memory cell thereof

Номер патента: US20220246218A1. Автор: Feng-Min Lee,Yu-Hsuan Lin,Ming-Hsiu Lee,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-04.

Apparatus and method of measuring reliability for flash memory material through a current measurement

Номер патента: US20240159818A1. Автор: Tae Un Youn,Hea Jong Yang,Nam Cheol JEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Nand Flash封装方法及封装装置

Номер патента: CN117042470. Автор: 付文明,弗兰克·陈,石环,熊小明. Владелец: Zhiyu Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-11-10.

一种双路8位并口nand flash存储电路

Номер патента: CN115206382. Автор: 李刚,王小波,张永安,张明,田力,李晶晶,周晓琳,段海龙,崔洁,王文艳,陈羽,赵海滨,侯安贵,陈永鹏. Владелец: Henan Pingyuan Optical & Electronic Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-18.

Nand Flash封装方法及封装装置

Номер патента: CN117042470A. Автор: 付文明,弗兰克·陈,石环,熊小明. Владелец: Zhiyu Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-11-10.

Nand flash存储器的数字验证方法及系统

Номер патента: CN114242153. Автор: 田淼. Владелец: IPGoal Microelectronics Sichuan Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-25.

一种nand flash芯片读写寿命的快速测试方法

Номер патента: CN112466387. Автор: 刘洋,申珅,范源泉. Владелец: Wuhan Zhongyuan Electronic Information Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-09.

一种双路8位并口nand flash存储电路

Номер патента: CN115206382A. Автор: 李刚,王小波,张永安,张明,田力,李晶晶,周晓琳,段海龙,崔洁,王文艳,陈羽,赵海滨,侯安贵,陈永鹏. Владелец: Henan Pingyuan Optical & Electronic Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-18.

3D NAND Flash存储器的测试算法及其装置

Номер патента: CN111653305. Автор: 刘飞,霍宗亮,王颀,张桔萍. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2020-09-11.

一种NAND Flash单元数据的读取方法和装置

Номер патента: CN112309476A. Автор: 邸士伟. Владелец: Beijing Zhaoyi Innovation Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-02.

一种nand flash类芯片测试系统

Номер патента: CN109448776. Автор: 赵俊,范旭阳,姜胜林,张薄军,罗朝凤. Владелец: Shenzhen Kingcos Automation Robot Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-08.

Method and apparatus for defect repair in NAND memory device

Номер патента: US09558852B2. Автор: Yang Liu,Xinguo Zhang,Ze'ev RAZ. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Method for writing data into flash memory and related control apparatus

Номер патента: US09536602B2. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Threshold voltage obtaining method for TLC type NAND Flash

Номер патента: CN111341375B. Автор: 冯骅,彭喜元,乔立岩,魏德宝,陈肖钰. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2020-12-01.

The calculation method and system of NAND FLASH service life

Номер патента: CN106951701B. Автор: 赵世伟,宋荆汉. Владелец: Allwinner Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-05.

一种NAND Flash芯片的掉电保护电路、方法及固态硬盘

Номер патента: CN108389596B. Автор: 刘青,林世清,周成亮. Владелец: Beijing Dera Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-22.

Dummy cell resistance tuning in nand strings

Номер патента: US20230410906A1. Автор: Xiang Yang,Yi Song,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-21.

Dummy cell resistance tuning in NAND strings

Номер патента: US11935593B2. Автор: Xiang Yang,Yi Song,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-19.

一种NAND Flash芯片的掉电保护电路、方法及固态硬盘

Номер патента: CN108389596A. Автор: 刘青,林世清,周成亮. Владелец: Beijing Purple Light Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-10.

一种Nand flash元件及其低格控制方法和装置

Номер патента: CN108231124A. Автор: 庄开锋. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2018-06-29.

Nand flash的cg分组方法和cg分组装置

Номер патента: CN108053857A. Автор: 胡旭,苏志强,程莹,李建新,刘会娟. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2018-05-18.

固态硬盘的Nand Flash测试方法、装置及固态硬盘

Номер патента: CN118098326. Автор: 陈力,薛红军,刘婧天,秘慧洁. Владелец: Beijing Dera Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

多变量的Nand Flash Ecc变化预测方法、设备及存储介质

Номер патента: CN117594109. Автор: 李晓强,吴大畏,潘治锟. Владелец: SHENZHEN SILICONGO MICROELECTRONICS CO Ltd. Дата публикации: 2024-02-23.

一种nand flash的ecc功能测试方法、系统、设备及存储介质

Номер патента: CN116913359. Автор: 王海程,陈宗廷,朱放中. Владелец: Shenzhen Dawei Chuangxin Microelectronics Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-10-20.

一种3D NAND Flash减小数据保留错误的编程方法

Номер патента: CN114765043A. Автор: 杨洋,沙金,邓上鹏. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-07-19.

固态硬盘的Nand Flash测试方法、装置及固态硬盘

Номер патента: CN118098326A. Автор: 陈力,薛红军,刘婧天,秘慧洁. Владелец: Beijing Dera Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

基于3d nand flash存储阵列的tcam及其操作方法

Номер патента: CN115273924. Автор: 黄鹏,康晋锋,刘晓彦,刘力锋,项亚臣,韩润泽,杨昊璋. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-11-01.

一种3D NAND Flash减小数据保留错误的编程方法

Номер патента: CN114765043. Автор: 杨洋,沙金,邓上鹏. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-07-19.

一种nand flash的ecc功能测试方法、系统、设备及存储介质

Номер патента: CN116913359A. Автор: 王海程,陈宗廷,朱放中. Владелец: Shenzhen Dawei Chuangxin Microelectronics Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-10-20.

多通道的nand flash差错控制方法

Номер патента: CN113241110. Автор: 李金�,潘乐乐,濮建福,杨津浦,林闽佳. Владелец: Shanghai Spaceflight Institute of TT&C and Telecommunication. Дата публикации: 2021-08-10.

一种NAND Flash存储器读阈值电压修复方法

Номер патента: CN110706735. Автор: 刘琦,韦亚一,董立松. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2020-01-17.

基于nand flash存储器的校验方法、终端设备及存储介质

Номер патента: CN110277131. Автор: 董时舫. Владелец: PAX Computer Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-24.

多通道的nand flash差错控制方法

Номер патента: CN113241110B. Автор: 李金�,潘乐乐,濮建福,杨津浦,林闽佳. Владелец: Shanghai Spaceflight Institute of TT&C and Telecommunication. Дата публикации: 2024-10-25.

多通道的nand flash差错控制方法

Номер патента: CN113241110A. Автор: 李金�,潘乐乐,濮建福,杨津浦,林闽佳. Владелец: Shanghai Spaceflight Institute of TT&C and Telecommunication. Дата публикации: 2021-08-10.

Structure and method of operation for improved gate capacity for 3D NOR flash memory

Номер патента: US09589982B1. Автор: Cheng-Hsien Cheng,Chih-Wei Lee,Wen-Pin Lu,Shaw-Hung Ku. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Nand Flash Phy parameter configuration method and device

Номер патента: CN109686394B. Автор: 冯元元,马越,周晨杰. Владелец: Shenzhen Union Memory Information System Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-01.

Decoding method in an NROM flash memory array

Номер патента: US7881121B2. Автор: Cheng-Jye Liu,Jongoh Kim,Yi-Jin Kwon. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-01.

Nand Flash Phy method for parameter configuration and device

Номер патента: CN109686394A. Автор: 冯元元,马越,周晨杰. Владелец: Shenzhen Union Memory Information System Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-26.

一种Nand Flash颗粒功耗测试系统及方法

Номер патента: CN114121137B. Автор: 李栋. Владелец: Suzhou Inspur Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-10.

一种提高nand flash可靠性的方法及装置

Номер патента: CN106409321A. Автор: 吴旋. Владелец: Fujian Landi Commercial Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-15.

一种实现nand flash电流测试的系统及方法

Номер патента: CN117558333A. Автор: 徐晖,王嵩,刘晓健,秦东润,康雷. Владелец: Beijing Dera Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

一种nand flash芯片读写寿命的快速测试方法

Номер патента: CN112466387B. Автор: 刘洋,申珅,范源泉. Владелец: Wuhan Zhongyuan Electronic Information Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

基于nand flash的文件数据存取方法、装置、设备及存储介质

Номер патента: CN115359825A. Автор: 王心侠,林杯淋. Владелец: Huierfeng Information System Co ltd. Дата публикации: 2022-11-18.

Nand flash存储器的数字验证方法及系统

Номер патента: CN114242153A. Автор: 田淼. Владелец: IPGoal Microelectronics Sichuan Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-25.

Nand Flash坏块检测方法及装置、存储介质、终端、烧录器

Номер патента: CN112382330B. Автор: 陈文超. Владелец: Xiamen Ziguang Zhanrui Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-09-09.

Nand Flash坏块检测方法及装置、存储介质、终端、烧录器

Номер патента: CN112382330A. Автор: 陈文超. Владелец: Spreadtrum Xiamen Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-02-19.

Erase and soft program for vertical nand flash

Номер патента: US20190287627A1. Автор: Koichi Kawai,Krishna K. Parat,Akira Goda,Pranav Kalavade. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Erasing method for flash memory using a memory management apparatus

Номер патента: US10424386B2. Автор: Chih-hao Chen. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-24.

Erase and soft program for vertical NAND flash

Номер патента: US10290356B2. Автор: Koichi Kawai,Krishna K. Parat,Akira Goda,Pranav Kalavade. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-05-14.

Erase and soft program for vertical nand flash

Номер патента: US20160336073A1. Автор: Koichi Kawai,Krishna K. Parat,Akira Goda,Pranav Kalavade. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-17.

基于读电压表设置Nand Flash读电压的方法及装置

Номер патента: CN117854563. Автор: 张用,郭静颖,曾添友. Владелец: Chengdu Xinyilian Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

提高slc nand flash存储器重读效率及准确性的方法

Номер патента: CN116434808. Автор: 胡锦涛. Владелец: Pengti Storage Technology Nanjing Co ltd. Дата публикации: 2023-07-14.

基于读电压表设置Nand Flash读电压的方法及装置

Номер патента: CN117854563A. Автор: 张用,郭静颖,曾添友. Владелец: Chengdu Xinyilian Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

测试nand flash ecc纠错功能的方法

Номер патента: CN115394342. Автор: 何奇,黄俊斌,刘怡雄. Владелец: Hangzhou Nationalchip Science & Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-11-25.

一种提高NAND Flash读写操作验证效率的方法和系统

Номер патента: CN115394341. Автор: 王雷. Владелец: Shandong Yunhai Guochuang Cloud Computing Equipment Industry Innovation Center Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-25.

Flash memory device having multi-stack structure and channel separation method thereof

Номер патента: US12119066B2. Автор: Ho-Jun Lee,Yohan Lee,Hyebin KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

一种基于擦除时间判断NAND Flash对浅擦除处理的方法

Номер патента: CN112786097. Автор: 曹成,蒋书斌. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-11.

一种NAND Flash芯片掉电保护电路及保护方法

Номер патента: CN112652348. Автор: 杨彬,邓玉良,朱晓锐,李昂阳,庄伟坚. Владелец: Shenzhen State Micro Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-13.

测试nand flash ecc纠错功能的方法

Номер патента: CN115394342A. Автор: 何奇,黄俊斌,刘怡雄. Владелец: Hangzhou Nationalchip Science & Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-11-25.

一种NAND Flash存储架构及存储方法

Номер патента: CN112365916. Автор: 温靖康,南钟基. Владелец: XTX Technology Shenzhen Ltd. Дата публикации: 2021-02-12.

一种控制读操作的方法、装置以及Nand flash存储器

Номер патента: CN111951864. Автор: 张晓伟. Владелец: Beijing Zhaoyi Innovation Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-17.

基于3d nand flash存储阵列的tcam及其操作方法

Номер патента: CN111462792. Автор: 黄鹏,康晋锋,刘晓彦,刘力锋,项亚臣,韩润泽,杨昊璋. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-07-28.

一种统计nand flash busy时间的装置和方法

Номер патента: CN110993012. Автор: 王彬,曹成,朱苏雁. Владелец: Xian Unilc Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-10.

一种NAND Flash的操作检测方法

Номер патента: CN110473583. Автор: 刘凯. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-19.

一种SSD中在线校准NAND Flash读参考电压的方法

Номер патента: CN110473588. Автор: 刘凯,王璞. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-19.

Page erasing mode in flash-memory array

Номер патента: RU2222058C2. Автор: Анил ГУПТА,Стивен Дж. ШУМАНН. Владелец: Этмел Корпорейшн. Дата публикации: 2004-01-20.

时序控制全数字DLL控制电路、NAND FLash控制器控制方法

Номер патента: CN106374916B. Автор: 杨燕,李卓,李英祥. Владелец: Shenzhen Fuxintong Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-08-18.

基于3d nand flash存储阵列的tcam及其操作方法

Номер патента: CN115273924A. Автор: 黄鹏,康晋锋,刘晓彦,刘力锋,项亚臣,韩润泽,杨昊璋. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-11-01.

多变量的Nand Flash Ecc变化预测方法、设备及存储介质

Номер патента: CN117594109A. Автор: 李晓强,吴大畏,潘治锟. Владелец: SHENZHEN SILICONGO MICROELECTRONICS CO Ltd. Дата публикации: 2024-02-23.

一种Nand flash元件及其低格控制方法和装置

Номер патента: CN108231124B. Автор: 庄开锋. Владелец: Beijing Zhaoyi Innovation Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-06.

Flash memory storage apparatus and a biasing method thereof, which can reduce a gate induced drain leakage (gidl) and improve reliability of memory cells

Номер патента: US20220366963A1. Автор: Chih-Yuan Wang,Chien-Hung Lien. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-11-17.

Flash memory with multiple status reading capability

Номер патента: US20030117860A1. Автор: Frankie Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-06-26.

一种测试Nand flash生命周期的方法

Номер патента: CN106205737A. Автор: 张翔,李振华,叶欣,孙成思,孙日欣,黄善勇,邝祖智. Владелец: Shenzhen Bai Dimensional Storage Polytron Technologies Inc. Дата публикации: 2016-12-07.

一种nand flash的最优固定电压轴的筛选方法

Номер патента: CN115295048A. Автор: 曹成,蒋书斌,石法圣. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-04.

Flash memory storage apparatus and a biasing method thereof, which can reduce a gate induced drain leakage (gidl) and improve reliability of memory cells

Номер патента: US20220246194A1. Автор: Chih-Yuan Wang,Chien-Hung Lien. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Erasing method used in flash memory

Номер патента: US20190325968A1. Автор: Chih-hao Chen. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Bank selector circuit for a simultaneous operation flash memory device with a flexible bank partition architecture

Номер патента: EP1116238A1. Автор: Johnny Chen,Tiao-Hua Kuo,Nancy Leong,Michael Van Buskirk,Administration Department Of Fujitsu Ltd Patent. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-07-18.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller with making memory cell array generating errors.

Номер патента: US20240233849A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Flash memory

Номер патента: US8331146B2. Автор: Koichi Fukuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-12-11.

Flash memory device and a method of verifying the same

Номер патента: US9196372B2. Автор: Seungwon Lee,Byeonghoon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-11-24.

Flash memory device and method of operating the same

Номер патента: US20090040826A1. Автор: Jae Won Cha,Sam Kyu Won,Kwang Ho Baek. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-02-12.

Erasing method used in flash memory

Номер патента: US20190259461A1. Автор: Chih-hao Chen. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-22.

Low-voltage flash memory integrated with a vertical field effect transistor

Номер патента: EP4226424A1. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-08-16.

Flash Memory Device and a Method of Verifying the Same

Номер патента: US20140071769A1. Автор: Seungwon Lee,Byeonghoon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-03-13.

Flash memory

Номер патента: US20110002165A1. Автор: Koichi Fukuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-01-06.

Preventing erase disturb in NAND

Номер патента: US12087371B2. Автор: Yanli Zhang,Johann Alsmeier,James K. Kai. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-10.

一种nand-flash的块修复方法及装置

Номер патента: CN108573735A. Автор: 苏志强. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2018-09-25.

Three-dimensional flash memory having structure with extended memory cell area

Номер патента: US20240312520A1. Автор: Yun Heub Song. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-09-19.

一种nand flash的最优固定电压轴的筛选方法

Номер патента: CN115295048. Автор: 曹成,蒋书斌,石法圣. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-04.

Flash memory with integrated rom memory cells

Номер патента: WO2013134097A1. Автор: Jeffrey D. Wilkinson,Kevin K. Walsh,Paul B. PATTERSON,Glen W. BENTON. Владелец: Medtronic, Inc.. Дата публикации: 2013-09-12.

嵌入式设备NAND Flash的ECC码存储方法

Номер патента: CN113571121. Автор: 戴志,刘怡雄. Владелец: Hangzhou Nationalchip Science & Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-10-29.

一种nand flash存储器并行测试及坏块回写方法

Номер патента: CN112530508. Автор: 杨超,张金凤,马成英. Владелец: Beijing Zhenxing Metrology and Test Institute. Дата публикации: 2021-03-19.

一种控制擦除操作的方法、装置以及Nand flash存储器

Номер патента: CN111951853. Автор: 张晓伟,马思博. Владелец: Beijing Zhaoyi Innovation Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-17.

一种NAND Flash错误率的分组测试装置

Номер патента: CN111276179. Автор: 王敏,王彦伟,阚宏伟. Владелец: Suzhou Inspur Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-12.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller with making memory cell array generating errors

Номер патента: US12112816B2. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Flash memory apparatus for physical unclonable function and embodying method of the same

Номер патента: US09870829B2. Автор: Jong Sun Park,Sang Kyu Lee. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2018-01-16.

Flash memory arrangement with a common read-write circuit shared by partial matrices of a memory column

Номер патента: US09754669B2. Автор: Stefan Guenther. Владелец: Anvo-Systems Dresden GmbH. Дата публикации: 2017-09-05.

Method of operating flash memory unit

Номер патента: US09640252B1. Автор: Guangjun Yang. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Flash memory system using memory cell as source line pull down circuit

Номер патента: US09564238B1. Автор: Hieu Van Tran,Parviz Ghazavi,Kai Man Yue,Ning BAI,Qing Rao. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Method for reading data stored in a flash memory according to a physical characteristic and memory controller and system thereof

Номер патента: US09508436B2. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

一种NAND Flash固态存储自适应差错控制方法

Номер патента: CN109087683. Автор: 张婷,王祖良. Владелец: Xijing University. Дата публикации: 2018-12-25.

一种具有检错纠错机制的NAND Flash控制器

Номер патента: CN109036493. Автор: 王晓东,杨欢,郭阳明,艾江红. Владелец: Northwestern Polytechnical University. Дата публикации: 2018-12-18.

Method and apparatus for writing and erasing flash memory

Номер патента: US5650967A. Автор: Michael J. Seibert. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1997-07-22.

Method and system for improving read-write operation verification efficiency of NAND Flash

Номер патента: CN115394341A. Автор: 王雷. Владелец: Shandong Yunhai Guochuang Cloud Computing Equipment Industry Innovation Center Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-25.

Sectored flash memory comprising means for controlling and for refreshing memory cells

Номер патента: US6965526B2. Автор: Bruno Leconte,Sebastien Zink,Paola Cavaleri. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2005-11-15.

一种基于擦除时间判断NAND Flash对浅擦除处理的方法

Номер патента: CN112786097B. Автор: 曹成,蒋书斌. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

一种NAND Flash芯片掉电保护电路及保护方法

Номер патента: CN112652348B. Автор: 杨彬,邓玉良,朱晓锐,李昂阳,庄伟坚. Владелец: STMicroelectronics Shenzhen R&D Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-22.

一种统计nand flash busy时间的装置和方法

Номер патента: CN110993012B. Автор: 王彬,曹成,朱苏雁. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-25.

Preventing erase disturb in nand

Номер патента: US20240105271A1. Автор: Yanli Zhang,Johann Alsmeier,James K. Kai. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-28.

一种基于擦除时间判断NAND Flash对浅擦除处理的方法

Номер патента: CN112786097A. Автор: 曹成,蒋书斌. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-11.

Nor flash memory circuit and data writing method

Номер патента: US20220084602A1. Автор: Hong Nie,Yue Zhao. Владелец: China Flash Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-17.

一种NAND Flash芯片掉电保护电路及保护方法

Номер патента: CN112652348A. Автор: 杨彬,邓玉良,朱晓锐,李昂阳,庄伟坚. Владелец: Shenzhen State Micro Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-13.

提高slc nand flash存储器重读效率及准确性的方法

Номер патента: CN116434808A. Автор: 胡锦涛. Владелец: Pengti Storage Technology Nanjing Co ltd. Дата публикации: 2023-07-14.

Flash Memory Device

Номер патента: US20130077406A1. Автор: Guangjun Yang. Владелец: Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2013-03-28.

Method of erasing data in flash memory device

Номер патента: US7986565B2. Автор: Jae-Yong Jeong,Jin-Young Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-26.

Flash memory erase method

Номер патента: US20020154544A1. Автор: Ming-Hung Chou,Hsin-Yi Ho,Smile Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-24.

Flash memory data read/write processing method

Номер патента: WO2008145070A1. Автор: HE Huang. Владелец: Memoright Memoritech (Shenzhen) Co., Ltd. Дата публикации: 2008-12-04.

Method and system for reducing program disturb degradation in flash memory

Номер патента: WO2019112712A1. Автор: Han Zhao,Krishna Parat,Pranav Kalavade. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-06-13.

Method and system for reducing program disturb degradation in flash memory

Номер патента: US20200350028A1. Автор: Krishna K. Parat,Han Zhao,Pranav Kalavade. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-11-05.

Flash memory device and method of erasing

Номер патента: US20030128591A1. Автор: ANDREI Mihnea,Chun Chen,Paul Rudeck,Andrew Bicksler. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-07-10.

Memory cell, memory using the memory cell, memory cell manufacturing method, and memory recording/reading method

Номер патента: US7436697B2. Автор: Motoyoshi Murakami,Yasuhiro Gotoh. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-14.

Flash memory programming check circuit

Номер патента: US20220068411A1. Автор: Mingyong Huang. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Flash memory cell adapted for low voltage and/or non-volatile performance

Номер патента: US20200388334A1. Автор: Bomy Chen,Matthew Martin,Sonu Daryanani. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-10.

Memory, and erasing method, programming method and reading method thereof

Номер патента: US9396801B1. Автор: Guangjun Yang. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Circuit and method for programming and reading multi-level flash memory

Номер патента: US20020085436A1. Автор: Seung Ho Chang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-07-04.

Programming algorithm for improved flash memory endurance and retention

Номер патента: US9514823B2. Автор: Ashot Melik-Martirosian. Владелец: HGST Technologies Santa Ana Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

System and method of writing data in a flash memory on the basis of additional removable contact pads

Номер патента: WO2009027216A1. Автор: François-Xavier Marseille,Philippe Guignard,Michel Thill,Pierre Gravez. Владелец: Axalto S.A.. Дата публикации: 2009-03-05.

P-channel dynamic flash memory cells with ultrathin tunnel oxides

Номер патента: US20020093045A1. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-07-18.

Redundancy circuit and method for flash memory devices

Номер патента: US20030026129A1. Автор: Luca Fasoli,Stella Matarrese. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2003-02-06.

Flash memory with integrated male and female connectors and wireless capability

Номер патента: EP1856613A2. Автор: Alan L. Pocrass. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-21.

Flash memory with integrated male and female connectors and wireless capability

Номер патента: WO2006074167A3. Автор: Alan L Pocrass. Владелец: Alan L Pocrass. Дата публикации: 2009-04-09.

Method and apparatus achieving memory and transmission overhead reductions in a content routing network

Номер патента: WO2005098863A3. Автор: Julio C Navas. Владелец: Ct Board Inc. Дата публикации: 2007-08-02.

Flash memory and method of manufacturing a flash memory

Номер патента: US20100140686A1. Автор: Daisuke Arizono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-06-10.

Interdigitated capacitor to integrate with flash memory

Номер патента: US09590059B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Chen-Chin Liu,Yu-Hsiung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

3D flash memory device with integrated passive device

Номер патента: US11844221B2. Автор: Teng-Hao Yeh,Li-Yen Liang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

UV-blocking layer for reducing UV-induced charging of sonos dual-bit flash memory devices in beol processing

Номер патента: GB2413438A. Автор: Minh Van Ngo,Ning Cheng,Arvind Halliyal,Jaeyong Park,Tazrien Kamal,Mark T Ramsbey,Tyagamohan Gottipati,Jeff P Erhardt,Jeffrey A Shields,Clarence Ferguson,Angela T Hui,Robert A Huertas. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-10-26.

Method of manufacturing ferroelectric-based 3-dimensional flash memory

Номер патента: US20240196624A1. Автор: Changhwan Choi,Yunheub Song,JaeMin SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

USB interface flash memory card reader with a built-in flash memory

Номер патента: TW540768U. Автор: Tony Lin. Владелец: Power Quotient Int Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-01.

Verify read method for use in a nand-type flash memory device

Номер патента: KR20010092073A. Автор: 권석천,신덕준. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-10-24.

Floating Gate Separation in NAND Flash Memory

Номер патента: US20160336182A1. Автор: Atsushi Shimoda,Takuya Sakurai,Toshiya Yokota. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-11-17.

Floating gate separation in NAND flash memory

Номер патента: US09595444B2. Автор: Atsushi Shimoda,Takuya Sakurai,Toshiya Yokota. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-03-14.

Nand flash memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090294829A1. Автор: Mutsuo Morikado. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-12-03.

NAND flash memory and fabrication methods thereof

Номер патента: US09911593B2. Автор: SHILIANG Ji,YIYING Zhang,Erhu ZHENG. Владелец: Seimconductor Manufacturing International (beijing) Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

NAND flash memory and fabrication method thereof

Номер патента: US09741573B2. Автор: Guo Bin Yu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor process flow for nand flash memory products

Номер патента: EP1145308A1. Автор: Hao Fang,John Jianshi Wang,Masaaki Higashitani,Kent Kuohua Chang,Salvatore F. Cagnina. Владелец: Fujitsu AMD Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2001-10-17.

NAND type flash memory controller, and clock control method therefor

Номер патента: KR100878527B1. Автор: 박향숙. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2009-01-13.

Vertical NAND flash memory device

Номер патента: US09899406B2. Автор: Kyoung-hoon Kim,HongSoo KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

High density flash memory device , cell string fabricating method thereof

Номер патента: US20100038698A1. Автор: Jong-ho Lee. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of KNU. Дата публикации: 2010-02-18.

3-dimensional nand flash memory device, method of fabricating the same, and method of driving the same

Номер патента: US20220384481A1. Автор: Woo Young Choi. Владелец: SOGANG UNIVERSITY RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2022-12-01.

3-dimensional nand flash memory device, method of fabricating the same, and method of driving the same

Номер патента: US20210288070A1. Автор: Woo Young Choi. Владелец: SOGANG UNIVERSITY RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2021-09-16.

Method of fabricating a charge trap nand flash memory device

Номер патента: US20130087849A1. Автор: Marcello Mariani,Giulio Albini,Paolo Tessariol,Umberto M. Meotto,Paola Bacciaglia. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-04-11.

Triple patterning NAND flash memory

Номер патента: US09613806B2. Автор: Tuan Duc Pham,Jongsun Sel,Mun Pyo Hong. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-04.

HK embodied flash memory and methods of forming the same

Номер патента: US9620372B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Wei-Hang Huang,Ming-Chyi Liu,Ru-Liang Lee,Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Wei Cheng Wu,Chang-Ming Wu,Yu-Hsing Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

HK embodied flash memory and methods of forming the same

Номер патента: US09620372B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Wei-Hang Huang,Ming-Chyi Liu,Ru-Liang Lee,Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Wei Cheng Wu,Chang-Ming Wu,Yu-Hsing Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Method of manufacturing NAND flash memory device

Номер патента: US20070117318A1. Автор: In Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-05-24.

Triple Patterning NAND Flash Memory with Stepped Mandrel

Номер патента: US20150064907A1. Автор: Tuan Duc Pham,Jongsun Sel,Mun Pyo Hong. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-03-05.

Flash memory and method of forming flash memory

Номер патента: US20030064563A1. Автор: Graham Wolstenholme. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-03.

Semiconductor structure for 3d memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240268112A1. Автор: Chia-Jung Chiu,Kuan-Yuan SHEN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor structure for 3d memory and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4412423A1. Автор: Chia-Jung Chiu,Kuan-Yuan SHEN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Flash memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US09660106B2. Автор: Weichang Liu,Zhen Chen,Yuan-Hsiang Chang,Yi-Shan Chiu,Shen-De Wang,Wei Ta. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Method of manufacturing NAND flash memory device

Номер патента: US7727839B2. Автор: Jae Chul Om,Nam Kyeong Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-06-01.

Method of fabricating a charge trap NAND flash memory device

Номер патента: US9224873B2. Автор: Marcello Mariani,Giulio Albini,Paolo Tessariol,Umberto M. Meotto,Paola Bacciaglia. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-12-29.

NAND flash memory device having a contact for controlling a well potential

Номер патента: US20090152614A1. Автор: Byung-Jun Hwang,Jae-Kwan Park,Nam-su Lim,Jee-hoon Han,So-wi Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-06-18.

Process for Fabricating a 3D-NAND Flash Memory

Номер патента: US20230335496A1. Автор: Frédéric Raynal,Vincent Mevellec,Mikaïlou Thiam,Amine LAKHDARI. Владелец: MacDermid Enthone Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Processes for nand flash memory fabrication

Номер патента: WO2014042960A3. Автор: Tuan Pham,Jongsun Sel. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2014-07-17.

Processes for nand flash memory fabrication

Номер патента: WO2014042960A2. Автор: Tuan Pham,Jongsun Sel. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2014-03-20.

3-dimensional NAND flash memory device, method of fabricating the same, and method of driving the same

Номер патента: US11956963B2. Автор: Woo Young Choi. Владелец: SOGANG UNIVERSITY RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2024-04-09.

Process for fabricating a 3d-nand flash memory

Номер патента: EP4225977A1. Автор: Frédéric Raynal,Vincent Mevellec,Mikaïlou Thiam,Amine LAKHDARI. Владелец: MacDermid Enthone Inc. Дата публикации: 2023-08-16.

Process for fabricating a 3d-nand flash memory

Номер патента: WO2022074221A1. Автор: Frédéric Raynal,Vincent Mevellec,Mikaïlou Thiam,Amine LAKHDARI. Владелец: Aveni. Дата публикации: 2022-04-14.

Vertical nand flash memory device

Номер патента: US20240215249A1. Автор: Seyun KIM,Sunho Kim,Minhyun LEE,Gukhyon Yon,Seungyeul YANG,Seokhoon CHOI,Kyunghun KIM,Hyungyung KIM,Hoseok HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Vertical nand flash memory device

Номер патента: EP4391761A1. Автор: Seyun KIM,Sunho Kim,Minhyun LEE,Gukhyon Yon,Seungyeul YANG,Seokhoon CHOI,Kyunghun KIM,Hyungyung KIM,Hoseok HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-26.

NOR flash memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US10811425B2. Автор: Riichiro Shirota,Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-10-20.

Flash memory cell and method for manufacturing the same

Номер патента: US20050142743A1. Автор: Myung-jin Jung. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-30.

Nor flash memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200303384A1. Автор: Riichiro Shirota,Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

NOR flash memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US11271005B2. Автор: Riichiro Shirota,Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-03-08.

NOR structure flash memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US09520400B2. Автор: Hao Fang,Yong Gu,Shizhen Sun. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Method of fabricating a flash memory and an isolating structure applied to a flash memory

Номер патента: US20100230778A1. Автор: Shen-De Wang,Tzeng-Fei Wen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2010-09-16.

Flash memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240237335A9. Автор: Yu-Jen Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Metal-ono-vacuum tube charge trap flash (VTCTF) nonvolatile memory and the method for making the same

Номер патента: US9793285B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Flash memory and method for forming the same

Номер патента: US20240250149A1. Автор: Wen-Chieh Tsai,Yung-Han Chiu,Shu-Ming Li. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Manufacturing process for a flash memory and flash memory thus produced

Номер патента: US7183160B2. Автор: Olivier Pizzuto,Jean-Michel Mirabel,Romain Laffont. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2007-02-27.

Manufacturing process for a flash memory and flash memory thus produced

Номер патента: US20050087816A1. Автор: Olivier Pizzuto,Jean-Michel Mirabel,Romain Laffont. Владелец: Universite de Provence Aix Marseille I. Дата публикации: 2005-04-28.

一种将小容量nand flash芯片扩展成大容量模块的方法

Номер патента: CN101901116A. Автор: 李伟,梁华勇,邓昕岳. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-01.

Semiconductor structure for 3d memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240258250A1. Автор: Yu-Tang Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Metal-ono-vacuum tube charge trap flash (vtctf) nonvolatile memory and the method for making the same

Номер патента: US20180053777A1. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-02-22.

Metal-ono-vacuum tube charge trap flash (VTCTF) nonvolatile memory and the method for making the same

Номер патента: US9972637B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Metal-ono-vacuum tube charge trap flash (vtctf) nonvolatile memory and the method for making the same

Номер патента: US20170256557A1. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

Methods of forming FLASH memories

Номер патента: US20030027390A1. Автор: Graham Wolstenholme. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-06.

NAND Flash的存储纠错方法、设备及存储介质

Номер патента: CN117724888. Автор: 李晓强,陈斌,聂蒙,吴大畏,陈寄福. Владелец: SHENZHEN SILICONGO MICROELECTRONICS CO Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

一种大容量立体堆叠的Nand Flash芯片

Номер патента: CN114843252. Автор: 顾林,郑利华,江飞,胡德福,黎蕾. Владелец: CETC 58 Research Institute. Дата публикации: 2022-08-02.

Three-dimensional flash memory and method of forming the same

Номер патента: US12120873B2. Автор: Chia-Tze Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Flash memory and method for fabricating the same

Номер патента: US20130207173A1. Автор: Jing Wang,Jun Xu,Renrong Liang,Ning Cui. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-08-15.

Split-gate flash memory having mirror structure and method for forming the same

Номер патента: US09831354B2. Автор: Binghan Li. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Integration techniques for MIM or MIP capacitors with flash memory and/or high-κ metal gate CMOS technology

Номер патента: US09570539B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Chen-Chin Liu,Yu-Hsiung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor transistor and flash memory, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160293616A1. Автор: Yukihiro Nagai. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Flash memory structure using sidewall floating gate having one side thereof surrounded by control gate

Номер патента: US20010014501A1. Автор: Louis L. Hsu,Jack A. Mandelman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2001-08-16.

NAND Flash的存储纠错方法、设备及存储介质

Номер патента: CN117724888A. Автор: 李晓强,陈斌,聂蒙,吴大畏,陈寄福. Владелец: SHENZHEN SILICONGO MICROELECTRONICS CO Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Metal-ono-vacuum tube charge trap flash (VTCTF) nonvolatile memory and the method for making the same

Номер патента: US09972637B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor transistor and flash memory, and manufacturing method thereof

Номер патента: US09536890B2. Автор: Yukihiro Nagai. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Stack gate with tip vertical memory and method for fabricating the same

Номер патента: US6870216B2. Автор: Ying-Cheng Chuang,Chi-Hui Lin,Ching-Nan Hsiao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-03-22.

Flash memories and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20190181148A1. Автор: ANKIT Kumar,Manoj Kumar,Chia-hao Lee. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

具有nand flash走线的刚柔结合板及实现方法

Номер патента: CN116406080A. Автор: 梁磊,秦清松. Владелец: Suzhou Inspur Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-07.

具有nand flash走线的刚柔结合板及实现方法

Номер патента: CN116406080. Автор: 梁磊,秦清松. Владелец: Suzhou Inspur Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-07.

基于NAND flash的高可靠性文件系统设计方法

Номер патента: CN115981560. Автор: 王瑞,曹春雨,祁宝刚. Владелец: Beijing Tianyu Yunan Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-04-18.

一种大容量立体堆叠的Nand Flash芯片

Номер патента: CN114843252A. Автор: 顾林,郑利华,江飞,胡德福,黎蕾. Владелец: CETC 58 Research Institute. Дата публикации: 2022-08-02.

Nand Flash健康度检测方法、装置和计算机设备

Номер патента: CN116013398A. Автор: 伍旭东,张少壮,朱银波. Владелец: Chengdu Xinyilian Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-25.

Nand Flash健康度检测方法、装置和计算机设备

Номер патента: CN116013398. Автор: 伍旭东,张少壮,朱银波. Владелец: Chengdu Xinyilian Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-25.

Embedded memory and methods of forming the same

Номер патента: US09929168B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei Cheng Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Si recess method in HKMG replacement gate technology

Номер патента: US09865610B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Chin-Yi Huang,Wei Cheng Wu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

一种容量为8G×8bit的立体封装NAND FLASH存储器

Номер патента: CN203644768U. Автор: 颜军,黄小虎,蒋晓华,叶振荣,王烈洋. Владелец: ZHUHAI ORBITA CONTROL ENGINEERING Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-11.

一种容量为4G×8bit的立体封装NAND FLASH存储器

Номер патента: CN203644762U. Автор: 颜军,黄小虎,蒋晓华,叶振荣,王烈洋. Владелец: ZHUHAI ORBITA CONTROL ENGINEERING Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-11.

nand flash掉电测试装置、掉电测试方法及存储介质

Номер патента: CN115954042. Автор: 贺乐,胡鸿源,赖鼐. Владелец: Zhuhai Miaocun Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-04-11.

具有纠错能力的NAND Flash控制器及控制方法

Номер патента: CN113014269. Автор: 罗梓源,李润峰,虞志益,肖山林,谢清伊,陈靖康,谢继章,古文康. Владелец: Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2021-06-22.

Self-aligned flash memory device

Номер патента: US09978761B2. Автор: Ming-Chyi Liu,Shih-Chang Liu,Sheng-Chieh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Self-aligned flash memory device with word line having reduced height at outer edge opposite to gate stack

Номер патента: US09646978B2. Автор: Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

一种Nand Flash参数数据的校验方法和装置

Номер патента: CN118737248A. Автор: 张旭,姚敏,董婷,陈志�,夏渊. Владелец: Accelink Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

一种基于FPGA的高可靠性NAND-Flash控制器及其数据处理方法

Номер патента: CN117891759A. Автор: 殷晓斌,胡易成,解歆钰. Владелец: Sanya Institute Of Oceanography Ocean University Of China. Дата публикации: 2024-04-16.

NAND Flash的数据处理方法、装置、电子设备及存储介质

Номер патента: CN117215480B. Автор: 郑鑫. Владелец: Shenzhen Jingcun Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

NAND Flash的数据处理方法、装置、电子设备及存储介质

Номер патента: CN117215480. Автор: 郑鑫. Владелец: Shenzhen Jingcun Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

一种用于NAND Flash随机化的随机序列种子生成方法及其系统

Номер патента: CN115878048. Автор: 龚晖,赖鼐,温佳强. Владелец: Zhuhai Miaocun Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-03-31.

一种优化NAND flash双重曝光关键尺寸的方法

Номер патента: CN110379706. Автор: 何理,黄冠群,巨晓华. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-10-25.

用于NAND Flash主控芯片的Greedy垃圾回收系统

Номер патента: CN109739776. Автор: 杨阳,杨硕,李明洋,王晓璐. Владелец: Tianjin Jinhang Computing Technology Research Institute. Дата публикации: 2019-05-10.

针对NAND Flash主控芯片Greedy垃圾回收的优化方法

Номер патента: CN109710541. Автор: 杨阳,杨硕,李明洋,王晓璐. Владелец: Tianjin Jinhang Computing Technology Research Institute. Дата публикации: 2019-05-03.

Salicided structure to integrate a flash memory device with a high K, metal gate logic device

Номер патента: US09711519B2. Автор: Ming Chyi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Salicided structure to integrate a flash memory device with a high κ, metal gate logic device

Номер патента: US09431257B2. Автор: Ming Chyi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Flash memory semiconductor device and method thereof

Номер патента: US09412597B2. Автор: Jen-Yuan Chang,Chia-Ping Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

LDPC code decoding method for NAND-Flash storage medium

Номер патента: CN108809330B. Автор: 杨国俊,刘星成. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2020-09-22.

nand flash掉电测试装置、掉电测试方法及存储介质

Номер патента: CN115954042A. Автор: 贺乐,胡鸿源,赖鼐. Владелец: Zhuhai Miaocun Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-04-11.

一种容量为16G×8bit的立体封装NAND FLASH存储器

Номер патента: CN203644767U. Автор: 颜军,黄小虎,蒋晓华,叶振荣,王烈洋. Владелец: ZHUHAI ORBITA CONTROL ENGINEERING Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-11.

一种容量为4G×16bit的立体封装NAND FLASH存储器

Номер патента: CN203746837U. Автор: 颜军,黄小虎,蒋晓华,叶振荣,王烈洋. Владелец: ZHUHAI ORBITA CONTROL ENGINEERING Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-30.

容量为8G×8bit的立体封装NAND FLASH存储器

Номер патента: CN203644770U. Автор: 颜军,黄小虎,蒋晓华,叶振荣,王烈洋. Владелец: ZHUHAI ORBITA CONTROL ENGINEERING Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-11.

Method of Forming an Integrated Circuit with NAND Flash Array Segments and Intra Array Multiplexers and Corresponding Integrated Circuit with NAND Flash Array Segments and Intra Array Multiplexers

Номер патента: US20090296473A1. Автор: Steffen Meyer. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-12-03.

Flash memory device and manufacturing method the same

Номер патента: US20100163969A1. Автор: Cheon-Man Shim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

Flash memory layout to eliminate floating gate bridge

Номер патента: US12063776B2. Автор: Ching-Hung Kao,Tung-Huang Chen,Shun-Neng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Flash memory device with a plurality of source plates

Номер патента: US8217447B2. Автор: Cheon-Man Shim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2012-07-10.

Flash Memory Having Multi-Level Architecture

Номер патента: US20130147045A1. Автор: Giulio Albini,Alessandro Grossi,Anna Maria Conti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-06-13.

Fabrication method for a flash memory device

Номер патента: US20040203204A1. Автор: Chun-Lein Su,Tzung-Ting Han. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-14.

Novel embedded NOR flash memory process with NAND cell and true logic compatible low voltage device

Номер патента: US20120001233A1. Автор: Lee Peter Wung,Hsu Fu-Chang,Ma Han-Rei. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORIES AND THEIR FORMATION

Номер патента: US20120002477A1. Автор: Sinha Nishant,Tang Sanh D.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

And non flash memory device and management method thereof

Номер патента: CN101281493A. Автор: 陈颖,王娟,王志忠,周昶. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2008-10-08.

一种用于MLC NAND Flash存储器的嵌入ECC读取电路装置

Номер патента: CN207742939U. Автор: 杨燕,王滨,王天宝,陈霞,杜江,王海时,李英祥,彭映杰. Владелец: Chengdu University of Information Technology. Дата публикации: 2018-08-17.

一种提高通道内3d nand flash并行度的方法及系统

Номер патента: CN114333948. Автор: 沈力,刘奇浩,李绪金. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-12.

一种提高通道内3d nand flash并行度的方法及系统

Номер патента: CN114333948B. Автор: 沈力,刘奇浩,李绪金. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-20.

一种提高通道内3d nand flash并行度的方法及系统

Номер патента: CN114333948A. Автор: 沈力,刘奇浩,李绪金. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-12.

一种基于单片机的nand-flash写操作方法

Номер патента: CN104166627A. Автор: 田星星,焦来宾,何刚. Владелец: KEDA INTELLIGENT ELECTRICAL TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-26.

一种嵌入式CPU在NAND Flash上启动的方法

Номер патента: CN103279399A. Автор: 倪成钢. Владелец: Beijing Hanbang Gaoke Digital Technology Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-04.

Method for erasing a flash memory sector and method for erasing a flash memory group

Номер патента: TW200802385A. Автор: Yang-Chieh Lin. Владелец: Elite Semiconductor Esmt. Дата публикации: 2008-01-01.

MEMORY CONTROLLER, FLASH MEMORY SYSTEM PROVIDED WITH MEMORY CONTROLLER, AND FLASH MEMORY CONTROL METHOD

Номер патента: JP3999959B2. Автор: 健三 木田,直樹 向田. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2007-10-31.

MEMORY CONTROLLER, FLASH MEMORY SYSTEM PROVIDED WITH MEMORY CONTROLLER, AND FLASH MEMORY CONTROL METHOD

Номер патента: JP4561110B2. Автор: 琢真 光永. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2010-10-13.

MEMORY CONTROLLER, FLASH MEMORY SYSTEM PROVIDED WITH MEMORY CONTROLLER, AND FLASH MEMORY CONTROL METHOD

Номер патента: JP4000124B2. Автор: 幸夫 寺崎,直樹 向田. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2007-10-31.

MEMORY CONTROLLER, FLASH MEMORY SYSTEM PROVIDED WITH MEMORY CONTROLLER, AND FLASH MEMORY CONTROL METHOD

Номер патента: JP4222879B2. Автор: 健三 木田,直樹 向田. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2009-02-12.

MEMORY CONTROLLER, FLASH MEMORY SYSTEM PROVIDED WITH MEMORY CONTROLLER, AND FLASH MEMORY CONTROL METHOD

Номер патента: JP4251950B2. Автор: 健三 木田. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2009-04-08.

Flash memory control circuit, and memory controller and flash memory system provided with the control circuit

Номер патента: JP4282401B2. Автор: 剛 小柳津. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2009-06-24.

Data memory and data writing method for flash memory

Номер патента: CN102109964B. Автор: 萧惟益. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2012-11-28.

Flash memory device and method for managing a flash memory device

Номер патента: TW201205277A. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2012-02-01.

Flash memory card and method for securing a flash memory against data damage

Номер патента: TW201003399A. Автор: Wei-Yi Hsiao. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2010-01-16.

For reading method and the equipment of NAND quick-flash memory

Номер патента: CN103578535B. Автор: 安尼尔·古普特,欧龙·麦可,罗宾·约翰·吉高尔. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-15.

Non-Volatile Memory And Method With Reduced Neighboring Field Errors

Номер патента: US20120002483A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MULTI-CHANNEL SENSING METHODS IN IMPLANTABLE CARDIOVERTOR DEFIBRILLATORS

Номер патента: US20120004515A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Parallel Use of Integrated Non-Volatile Memory and Main Volatile Memory within a Mobile Device

Номер патента: US20120004011A1. Автор: CHUN Christopher Kong Yee. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for concealed storage of confidential data in secure non-volatile memory and device therefor

Номер патента: RU2527758C2. Автор: Владимир Евгеньевич Мешков,Антон Валерьевич Семенов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "18 Центральный научно-исследовательский институт" Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2014-09-10.

A kind of method and system chip that flash memory is operated

Номер патента: CN103150184B. Автор: 李栋梁. Владелец: QINGDAO VIMICRO ELECTRONICS CO Ltd. Дата публикации: 2016-11-09.

BASE STATION APPARATUS AND METHOD IN MOBILE COMMUNICATION SYSTEM

Номер патента: US20120002616A1. Автор: Kiyoshima Kohei,Okubo Naoto,Ishii Hiroyuki. Владелец: NTT DOCOMO, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Write operation method and device of Nand-flash memory

Номер патента: CN103455427A. Автор: 苏志强,丁冲,张现聚,刘奎伟. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2013-12-18.

Method, system, and flash memory of ECC dynamic adjustment

Номер патента: CN102969028A. Автор: 雷伟,安辉. Владелец: Ramaxel Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-13.

A kind of on flash memory the system and method for access data

Номер патента: CN100555246C. Автор: 侯建文,朱晓斌,廖粤东. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2009-10-28.

Checking algorithm of NAND Flash memory chip

Номер патента: CN102789817A. Автор: 刘绍海,万籁民,韦献康. Владелец: PAX Computer Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-21.

一种基于NAND Flash的系统检测方法及装置

Номер патента: CN102789408A. Автор: 王征宇. Владелец: Xiamen Overseas Chinese Electronic Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-21.

Nand Flash parameter reading method

Номер патента: CN105280240A. Автор: 李烨,刘方,庹凌云,卜弋天,谢长武. Владелец: Analog Microelectronics (shanghai) Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-27.

一种快速烧写NAND flash的装置

Номер патента: CN201465564U. Автор: 张根林,徐旭斌. Владелец: ZHEJIANG ZHENGYUAN ELECTRIC CO Ltd. Дата публикации: 2010-05-12.

一种基于NAND Flash的系统检测方法及装置

Номер патента: CN102789408B. Автор: 王征宇. Владелец: Xiamen Xiahua Investment Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-22.

一种基于NAND Flash的系统检测装置

Номер патента: CN202720634U. Автор: 王征宇. Владелец: Xiamen Overseas Chinese Electronic Co Ltd. Дата публикации: 2013-02-06.

一种nand flash存储器件

Номер патента: CN100477009. Автор: 骆建军,楚传仁. Владелец: LUO JIANJUN CHU CHUANREN. Дата публикации: 2009-04-08.

NAND Flash的扫描方法、设备及存储介质

Номер патента: CN117727354. Автор: 李晓强,陈斌,聂蒙,吴大畏,陈寄福. Владелец: SHENZHEN SILICONGO MICROELECTRONICS CO Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

一种确定nand flash纠错模式的方法、装置及电子设备

Номер патента: CN116028261. Автор: 柴昊. Владелец: Zhejiang Dahua Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-28.

NAND Flash的扫描方法、设备及存储介质

Номер патента: CN117727354A. Автор: 李晓强,陈斌,聂蒙,吴大畏,陈寄福. Владелец: SHENZHEN SILICONGO MICROELECTRONICS CO Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

一种提高nand flash器件文件存取速度的方法及系统

Номер патента: CN109710181. Автор: 杨磊,唐琪,邱礼胜. Владелец: CHENGDU LATEST ELECTRONIC TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-03.

一种nand flash封装设计方法

Номер патента: CN118888459A. Автор: 唐旭,万国春. Владелец: TONGJI UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-11-01.

嵌入式系统中NAND Flash存储器上建立文件系统的方法

Номер патента: CN100449549. Автор: 吴宁宁,吴明光,安庆敏. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2009-01-07.

一种基于NAND Flash可靠性的数据处理方法

Номер патента: CN117215476. Автор: 杨柳,张博,李前辉,霍宗亮,叶甜春,于晓磊,王先良,王颀,何菁. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-12-12.

一种基于NAND Flash可靠性的数据处理方法

Номер патента: CN117215476A. Автор: 杨柳,张博,李前辉,霍宗亮,叶甜春,于晓磊,王先良,王颀,何菁. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-12-12.

一种NAND Flash特性模型建立方法

Номер патента: CN109871594. Автор: 刘尚,朱苏雁,孙中琳,刘大铕,刘奇浩,王运哲. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-11.

一种选择最佳NAND Flash读操作电平的方法

Номер патента: CN109741783. Автор: 李铁,王彬. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-10.

CODE READING APPARATUS AND CODE READING METHOD

Номер патента: US20120000980A1. Автор: . Владелец: TOSHIBA TEC KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

PRINTING SYSTEM, SHEET PROCESSING METHOD IN THE PRINTING SYSTEM, AND STORAGE MEDIUM

Номер патента: US20120001387A1. Автор: . Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

CIRCUIT FOR THE OPTIMIZATION OF THE PROGRAMMING OF A FLASH MEMORY

Номер патента: US20120002479A1. Автор: . Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2012-01-05.

Nand Flash storer and realize the method for the continuous read operation of Nand Flash storer

Номер патента: CN103377686B. Автор: 苏志强,丁冲,张现聚. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2016-03-30.

Bad queue management device for Nand Flash

Номер патента: CN203311409U. Автор: 黎健,陈文捷,庞荣,魏益新,郑灼荣. Владелец: Jianrong Integrated Circuit Technology Zhuhai Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-27.

Large-capacity NAND FLASH expansion module

Номер патента: CN201741409U. Автор: 李伟,梁华勇,邓昕岳. Владелец: Langchao Electronic Information Industry Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-09.

Method for establishing large-page NAND Flash storage system under Windows CE condition

Номер патента: CN101923570B. Автор: 汪玮,廖颖,陈一新,莫家贵. Владелец: CETC 38 Research Institute. Дата публикации: 2012-07-04.

一种用于测试nand flash的PCB板

Номер патента: CN214311714U. Автор: 宗成强,范宣荣,尹相彦. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-28.

一种容量为4G×8bit的非气密三维封装NAND FLASH存储器

Номер патента: CN209401621U. Автор: 余欢,牛士敏. Владелец: Xian Microelectronics Technology Institute. Дата публикации: 2019-09-17.

一种在Nand Flash存储器中直接建立只读文件系统的方法

Номер патента: CN1737759A. Автор: 赵玉峰. Владелец: Hisense Mobile Communications Technology Co Ltd. Дата публикации: 2006-02-22.

一种多个nand Flash存储芯片同步高温测试装置

Номер патента: CN219040077U. Автор: 李斌,李芳�,胡文婷,任朝建. Владелец: Shenzhen Maide'er Semiconductor Co ltd. Дата публикации: 2023-05-16.

一种在Nand Flash存储器中直接建立只读文件系统的方法

Номер патента: CN100395704. Автор: 赵玉峰. Владелец: Hisense Mobile Communications Technology Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-18.

一种多个nand Flash存储芯片同步高温测试装置

Номер патента: CN116013399A. Автор: 李斌,李芳�,胡文婷,任朝建. Владелец: Shenzhen Maide'er Semiconductor Co ltd. Дата публикации: 2023-04-25.

一种多个nand Flash存储芯片同步高温测试装置

Номер патента: CN116013399. Автор: 李斌,李芳�,胡文婷,任朝建. Владелец: Shenzhen Maide'er Semiconductor Co ltd. Дата публикации: 2023-04-25.

一种获取NAND Flash存储器浅擦除特性规律的方法

Номер патента: CN109785891. Автор: 王彬,曹成. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-21.

A kind of highly reliable linear file access method based on Nand Flash

Номер патента: CN103577121B. Автор: 袁松,毛先俊,何冲. Владелец: CSIC (WUHAN) LINCOM ELECTRONICS Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-06.

High-reliability linear file access method based on nand flash

Номер патента: CN103577121A. Автор: 袁松,毛先俊,何冲. Владелец: CSIC (WUHAN) LINCOM ELECTRONICS Co Ltd. Дата публикации: 2014-02-12.

Flash memory element for electrically programmable read-only memory

Номер патента: RU2402083C1. Автор: Владимир Алексеевич Гриценко. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН (ИФП СО РАН). Дата публикации: 2010-10-20.

NAND Flash characteristic model establishing method

Номер патента: CN109871594B. Автор: 刘尚,朱苏雁,孙中琳,刘大铕,刘奇浩,王运哲. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-03.

Bad block management system for satellite-based NAND FLASH solid memory

Номер патента: CN105005453A. Автор: 刘波,刘辉,张恒,郑莲玉. Владелец: Shanghai Institute of Satellite Engineering. Дата публикации: 2015-10-28.

Nand flash测试设备

Номер патента: CN220290466U. Автор: 孙文琪. Владелец: Lianhe Storage Technology Jiangsu Co ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

提高NAND Flash存储可靠性的数据存储方法

Номер патента: CN104467871B. Автор: 赵浩然,乔立岩,邓立宝,魏德宝. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2018-03-27.

基于fpga的快速nand flash控制器及其控制方法

Номер патента: CN103226977A. Автор: 刘鹏,鞠磊,贾智平,申兆岩. Владелец: Shandong University. Дата публикации: 2013-07-31.

一种小型Nand Flash多功能测试装置

Номер патента: CN215868650U. Автор: 朱言言. Владелец: Suzhou Jiecun Electronic Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-02-18.

Nand Flash脱机裸片烧程设备

Номер патента: CN214202348U. Автор: 黄野,孟卓,王冰洁,梅红争. Владелец: Ningbo Henglida Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-14.

一种基于nand flash的电子盘及其运行控制方法

Номер патента: CN101751978A. Автор: 王玉章,马先明. Владелец: BEIJING EVOC INTELLIGENT TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-23.

一种容量为16G×32bit的非气密三维封装NAND FLASH存储器

Номер патента: CN209249457U. Автор: 李晗,余欢. Владелец: Xian Microelectronics Technology Institute. Дата публикации: 2019-08-13.

基于Nand Flash多版本程序的FPGA加载技术

Номер патента: CN102750175A. Автор: 刘剑,翟刚毅. Владелец: 724th Research Institute of CSIC. Дата публикации: 2012-10-24.

Nand flash的数据处理方法

Номер патента: CN101794254A. Автор: 张彦伟,罗胜,李发生,成晓华. Владелец: SHENZHEN SILICONGO SEMICONDUCTOR CO Ltd. Дата публикации: 2010-08-04.

一种SPI NAND Flash芯片性能测试方法及装置

Номер патента: CN118366531A. Автор: 徐培根. Владелец: Guangzhou V Solution Telecommunication Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-07-19.

用於NAND Flash的通用控制模組及其方法

Номер патента: TWI859110B. Автор: 朱志強,華慶明. Владелец: 大陸商合肥奎芯集成電路設計有限公司. Дата публикации: 2024-10-11.

一种nand flash数据校验方法及相关装置

Номер патента: CN109857586. Автор: 王磊,李冰,陈晓彤,王广军,许云龙,安志远. Владелец: Kangtai Medical System (qinhuangdao) Ltd By Share Ltd. Дата публикации: 2019-06-07.

一种axi总线访问nand flash的方法及装置

Номер патента: CN109726149. Автор: 杨海波,赵强,王泉,曹朋朋,霍卫涛,胡小婷. Владелец: Xian Aeronautics Computing Technique Research Institute of AVIC. Дата публикации: 2019-05-07.

Flash memory element for electrically reprogrammable read-only memory

Номер патента: RU2403631C1. Автор: Владимир Алексеевич Гриценко,Камиль Ахметович Насыров. Владелец: Институт автоматики и электрометрии Сибирского отделения Российской Академии наук (ИАиЭ СО РАН). Дата публикации: 2010-11-10.

Method and apparatus for accelerating write operation of Nand Flash

Номер патента: CN105138465A. Автор: 贾天亮. Владелец: Beijing Techshino Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-09.

Flash memory element for electrically programmable read-only memory

Номер патента: RU2357324C1. Автор: Юрий Николаевич Новиков. Владелец: Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2009-05-27.

Balanced loss achievement method for NAND FLASH

Номер патента: CN103092766A. Автор: 张志永,宗宇. Владелец: Mxtronics Corp. Дата публикации: 2013-05-08.

一种基于DQS恢复时钟的多Die封装Nand Flash的读数据方法

Номер патента: CN118151846A. Автор: 陈健,张俊杰,李迎春,宋英雄,曹炳尧,张倩武,谭家乐. Владелец: UNIVERSITY OF SHANGHAI FOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-06-07.

NAND Flash存储系统保存期间数据分步加重方法

Номер патента: CN105427886A. Автор: 潘立阳,高忠义,麻昊志. Владелец: Shenzhen Graduate School Tsinghua University. Дата публикации: 2016-03-23.

一种NAND Flash存储器的动态管理方法

Номер патента: CN100565477. Автор: 王新华,王建芬. Владелец: Zhejiang Lover Health Science and Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-02.

基于NAND Flash存储器文件系统的实现方法

Номер патента: CN100501868. Автор: 王祥生,谢斌,胡威,陈天洲. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2009-06-17.

一种针对NAND Flash最大保存时间错误数的分析方法

Номер патента: CN114283865. Автор: 李瑞东,曹成,蒋书斌. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-05.

一种基于支持向量回归法的NAND Flash位错误率预测方法

Номер патента: CN109947588. Автор: 刘娜,彭喜元,乔立岩,魏德宝,陈肖钰. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2019-06-28.

一种Nand-Flash错误数据冗余替换方法

Номер патента: CN109840163. Автор: 龙晓东,薛小飞,李乾男. Владелец: Xian Unilc Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-04.

一种NAND Flash弱块筛选的方法

Номер патента: CN109830257. Автор: 王彬,吴斌,曹成. Владелец: Shandong Sinochip Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-31.

纠正NAND Flash中多比特错误的ECC装置和方法

Номер патента: CN109785895. Автор: 吕晶,周小锋,江喜平. Владелец: Xian Unilc Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-21.

Flash memory element of electrically alterable read-only memory

Номер патента: RU2368037C1. Автор: Юрий Николаевич Новиков. Владелец: Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2009-09-20.

Method and device for write operation of NAND Flash storage device with differential storage

Номер патента: CN103680610A. Автор: 苏志强,舒清明. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2014-03-26.

Multi-channel Nand Flash controller and control method for same

Номер патента: CN103778013A. Автор: 房亮,闫蕾,宫永生,曹丽剑,吴少俊,曹素芝. Владелец: Technology and Engineering Center for Space Utilization of CAS. Дата публикации: 2014-05-07.

NAND FLASH file system

Номер патента: CN102981965A. Автор: 宗竞. Владелец: JIANGSU LEMAIDAO NETWORK TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-20.

一种axi总线访问nand flash的方法及装置

Номер патента: CN109726149A. Автор: 杨海波,赵强,王泉,曹朋朋,霍卫涛,胡小婷. Владелец: Xian Aeronautics Computing Technique Research Institute of AVIC. Дата публикации: 2019-05-07.

NAND Flash存储系统高磨损区域数据预加重方法

Номер патента: CN105405462A. Автор: 潘立阳,高忠义,麻昊志. Владелец: Shenzhen Graduate School Tsinghua University. Дата публикации: 2016-03-16.

一种快速烧写NAND flash的方法和装置

Номер патента: CN101527161A. Автор: 张根林,徐旭斌. Владелец: ZHEJIANG ZHENGYUAN ELECTRIC CO Ltd. Дата публикации: 2009-09-09.

一种用于nand flash的ldpc测试平台

Номер патента: CN208298556U. Автор: 徐光明,后嘉伟,虞安华. Владелец: Nanjing Yang Yang Microelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-28.

一种延长NAND Flash数据可靠存储时间的编码方法

Номер патента: CN105204958B. Автор: 王世元,彭喜元,乔立岩,邓立宝,魏德宝. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2018-03-13.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.