Methods of fabricating different thickness silicon-germanium layers on semiconductor integrated circuit devices and semiconductor integrated circuit devices fabricated thereby.

Methods of fabricating different thickness silicon-germanium layers on semiconductor integrated circuit devices and semiconductor integrated circuit devices fabricated thereby

Номер патента: US8207033B2
Опубликовано: 26-06-2012
Автор(ы): Ho Lee, Hwa-Sung Rhee, Ji-Hye Yi, Myung-sun Kim
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method of manufacturing integrated circuit device

Номер патента: US20240222467A1. Автор: Ji Young Park,Sangmoon Lee,Gyeom KIM,Sunhye HWANG,Jieun Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Integrated circuits having source/drain structure and method of making

Номер патента: US20200350432A1. Автор: Shih-Hsien Huang,Chien-Chang Su,Yi-Fang Pai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-05.

Integrated circuits having source/drain structure and method of making

Номер патента: US20220285157A1. Автор: Shih-Hsien Huang,Chien-Chang Su,Yi-Fang Pai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Structure and method of making strained semiconductor CMOS transistors having lattice-mismatched semiconductor regions underlying source and drain regions

Номер патента: US6891192B2. Автор: Dureseti Chidambarrao,Huajie Chen,Haining S. Yang,Oleg G. Gluschenkov,An L. Steegen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-05-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230402529A1. Автор: Sang Hoon Kim,Jeong Woo Park,Dongwoo Suh,Jinha Kim,Wangjoo Lee,Seong Hyun LEE. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2023-12-14.

Integrated circuits having source/drain structure and method of making

Номер патента: US11923200B2. Автор: Shih-Hsien Huang,Chien-Chang Su,Yi-Fang Pai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Integrated circuits having source/drain structure

Номер патента: US20180033887A1. Автор: Shih-Hsien Huang,Chien-Chang Su,Yi-Fang Pai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-01.

Method of Forming a Semiconductor Device Having a Strained Silicon Layer on a Silicon-Germanium Layer

Номер патента: US20090130826A1. Автор: Jong-wook Lee,Young-Pil Kim,Yu-Gyun Shin,In-Soo Jung,Sun-Ghil Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-05-21.

Thin low defect relaxed silicon germanium layers on bulk silicon substrates

Номер патента: US10396165B2. Автор: Oscar van der Straten,Alexander Reznicek,Keith E. Fogel,Praneet Adusumilli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-27.

Devices having a silicon-germanium layer

Номер патента: US20200044030A1. Автор: Chun-Chieh Lin,Chao-Hsiung Wang,Yee-Chia Yeo,Chenming Hu,Chien-Chao Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-06.

Cobalt silicidation process for substrates comprised with a silicon-germanium layer

Номер патента: US20160240372A9. Автор: Chun-Chieh Lin,Chao-Hsiung Wang,Yee-Chia Yeo,Chenming Hu,Chien-Chao Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-18.

Cobalt Silicidation Process for Substrates Comprised with a Silicon-Germanium Layer

Номер патента: US20170271449A1. Автор: Chun-Chieh Lin,Chao-Hsiung Wang,Yee-Chia Yeo,Chenming Hu,Chien-Chao Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

Graphene device and method of fabricating a graphene device

Номер патента: US20240213351A1. Автор: Elías Torres Alonso. Владелец: Graphenea Semiconductor SLU. Дата публикации: 2024-06-27.

Method of patterning two-dimensional material layer on substrate, and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US11961898B2. Автор: Minsu Seol,Hyeonjin Shin,Yeonchoo CHO,JunYoung KWON,Van Luan NGUYEN,Minseok YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor Substrate and Semiconductor Device Including the Same

Номер патента: US20160218181A1. Автор: Hyun-Jung Lee,Seung Hun Lee,Moon Seung Yang,Sun Jung Kim,Eun Hye Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-28.

THIN LOW DEFECT RELAXED SILICON GERMANIUM LAYERS ON BULK SILICON SUBSTRATES

Номер патента: US20180082958A1. Автор: Reznicek Alexander,Fogel Keith E.,van der Straten Oscar,Adusumilli Praneet. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-22.

THIN LOW DEFECT RELAXED SILICON GERMANIUM LAYERS ON BULK SILICON SUBSTRATES

Номер патента: US20180182720A1. Автор: Reznicek Alexander,Fogel Keith E.,van der Straten Oscar,Adusumilli Praneet. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-28.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING SILICON-GERMANIUM LAYER ON FIN AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20180019324A1. Автор: Lin Yu-Shu,Chen Chun-Yu,Chan Shu-Yen,Li Yi-Fan,Chan Tien-Chen,Huang Chung-Ting,Chen Yen-Hsing,Chang Ming-Hua,Huang Zih-Hsuan. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-18.

METHODS FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH CONDENSED SILICON GERMANIUM LAYER

Номер патента: US20160254145A1. Автор: Triyoso Dina H.,Wahl Jeremy Austin,SHI Haoran,TONG Wei Hua,CHILD Amy Lynn. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2016-09-01.

Method of forming p-type doped silicon-germanium layers and system for forming same

Номер патента: US20240006176A1. Автор: Qi Xie,Charles DEZELAH,Giuseppe Alessio Verni,Lucas Petersen Barbosa Lima,Rami KHAZAKA. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-01-04.

Method of forming a thick strained silicon layer and semiconductor structures incorporating a thick strained silicon layer

Номер патента: EP1579485A2. Автор: Qi Xiang,Minh Van Ngo,Eric N. Paton,Paul R. Besser,HaiHong Wang,Jung-Suk Goo. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-09-28.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230317791A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Chii-Horng Li,Chien-I Kuo,Yan-Ting Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Integrated circuits with fets having nanowires and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20160254382A1. Автор: Jan Hoentschel,Stefan Flachowsky,Gerd Zschaetzsch. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-01.

Methods of fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20180151376A1. Автор: Yoon Tae Hwang,Sangjin Hyun,Moonkyun Song,Kyumin Lee,Soojung CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-31.

Method for manufacturing semiconductor, integrated circuit, electro-optic device and electronic instrument

Номер патента: TWI235421B. Автор: Satoshi Inoue. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-07-01.

Gate-all-around integrated circuit structures including varactors

Номер патента: US20210305436A1. Автор: Tahir Ghani,Chung-Hsun Lin,Biswajeet Guha,Brian Greene,Saurabh MORARKA,Ayan KAR,Kalyan KOLLURU,Carlos NIEVA-LOZANO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Nanosheet with graded silicon germanium layer under isolation region and with buried tapered inner spacer

Номер патента: US20240145238A1. Автор: Ravikumar Ramachandran,Shogo Mochizuki,Ruilong Xie,Julien Frougier,Reinaldo Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Gate-all-around integrated circuit structures including varactors

Номер патента: US20220344519A1. Автор: Tahir Ghani,Chung-Hsun Lin,Biswajeet Guha,Brian Greene,Saurabh MORARKA,Ayan KAR,Kalyan KOLLURU,Carlos NIEVA-LOZANO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-10-27.

Gate-all-around integrated circuit structures including varactors

Номер патента: US11869987B2. Автор: Tahir Ghani,Chung-Hsun Lin,Biswajeet Guha,Brian Greene,Saurabh MORARKA,Ayan KAR,Kalyan KOLLURU,Carlos NIEVA-LOZANO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Devices having a silicon-germanium layer

Cobalt Silicidation Process for Substrates Comprised with a Silicon-Germanium Layer

Номер патента: US20170271449A1. Автор: Huang Chien-Chao,Yeo Yee-Chia,LIN Chun-Chieh,Wang Chao-Hsiung,Hu Chenming. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-21.

Cobalt silicidation process for substrates comprised with a silicon-germanium layer

Номер патента: US10446646B2. Автор: Chun-Chieh Lin,Chao-Hsiung Wang,Yee-Chia Yeo,Chenming Hu,Chien-Chao Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-10-15.

Integrated circuit system with carbon and non-carbon silicon

Номер патента: SG140550A1. Автор: Liu Jin Ping,Richard J Murphy,Anita Madan,Ashima B Chakravarti. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-03-28.

Semiconductor substrate for transistor manufacture, has silicon-germanium layer and silicon layer sequentially formed on substrate containing silicon as main component

Номер патента: DE10253895A1. Автор: Fumihiko Hirose. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2003-06-26.

Low temperature selective epitaxial growth of silicon germanium layers

Номер патента: WO2006041630A2. Автор: Ce Ma,Qing Min Wang. Владелец: The Boc Group, Inc.. Дата публикации: 2006-04-20.

Extended-drain metal-oxide-semiconductor devices with a silicon-germanium layer beneath a portion of the gate

Номер патента: US11888062B2. Автор: Peter Baars,Felix Holzmüller,Ruchil K. Jain. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Structures with boron- and gallium-doped silicon germanium layers and methods and systems for forming same

Номер патента: US20230349069A1. Автор: Michael Givens,Charles DEZELAH,Rami KHAZAKA,Wonjong KIM. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-11-02.

Integrated circuits having cross-couple constructs and semiconductor devices including integrated circuits

Номер патента: US11955471B2. Автор: Jong-Hoon Jung,Tae-Joong Song,Jung-Ho Do,Dal-Hee LEE,Jin-young Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-09.

Integrated circuits having cross-couple constructs and semiconductor devices including integrated circuits

Номер патента: US20240203974A1. Автор: Jong-Hoon Jung,Tae-Joong Song,Jung-Ho Do,Dal-Hee LEE,Jin-young Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Integrated circuits with diffusion barrier layers and processes for preparing integrated circuits including diffusion barrier layers

Номер патента: US20160056253A1. Автор: Hoon Kim,Rohit Galatage. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-02-25.

Method for depositing a silicon germanium layer on a substrate

Номер патента: WO2022048908A1. Автор: Peter Storck,Lucas Becker. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2022-03-10.

Method for depositing a silicon germanium layer on a substrate

Номер патента: US20230326750A1. Автор: Peter Storck,Lucas Becker. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2023-10-12.

Method for depositing boron containing silicon germanium layers

Номер патента: US11946157B2. Автор: Qi Xie,Rami KHAZAKA. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20100244051A1. Автор: Hideto Ohnuma. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-30.

Methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20190148397A1. Автор: Do Hyung Kim,Keun Lee,Hyun Seok Lim,Jeong Gil Lee,Sung Nam Lyu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-16.

Manufacturing method of array substrate, array substrate and display device

Номер патента: US11749693B2. Автор: En-Tsung Cho,Yuming XIA,Lidan YE. Владелец: Beihai HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Method of Forming a Trench Using Epitaxial Lateral Overgrowth

Номер патента: US20160308028A1. Автор: Ravi Joshi,Martin Poelzl,Johannes Baumgartl,Matthias Kuenle,Christoph Gruber,Georg Ehrentraut,Juergen Steinbrenner,Andreas Haghofer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-10-20.

Semiconductor Device Cleaning Solution, Method of Use, and Method of Manufacture

Номер патента: US20230365903A1. Автор: Chun-Wei Hsu,Chi-Jen Liu,Yi-Sheng Lin,Liang-Guang Chen,Ling-Fu Nieh,Pinlei Edmund CHU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device cleaning solution, method of use, and method of manufacture

Номер патента: US11773353B2. Автор: Chun-Wei Hsu,Chi-Jen Liu,Yi-Sheng Lin,Liang-Guang Chen,Ling-Fu Nieh,Pinlei Edmund CHU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

INTEGRATED CIRCUITS WITH STRESSED SEMICONDUCTOR SUBSTRATES AND PROCESSES FOR PREPARING INTEGRATED CIRCUITS INCLUDING THE STRESSED SEMICONDUCTOR SUBSTRATES

Номер патента: US20150287824A1. Автор: Ray Shishir,Liu Jin Ping,KRISHNAN Bharat. Владелец: GLOBALFOUNDRIES, Inc.. Дата публикации: 2015-10-08.

METHOD FOR FORMING COMPONENTS ON A SILICON-GERMANIUM LAYER

Номер патента: US20140363953A1. Автор: Dutartre Didier. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-11.

Method of producing high quality relaxed silicon germanium layers

Номер патента: EP1604391A1. Автор: Eugene A. Fitzgerald,Matthew T. Currie,Thomas A. Langdo,Richard Westhoff,Christopher J Vineis. Владелец: Amber Wave Systems Inc. Дата публикации: 2005-12-14.

Method of Producing High Quality Relaxed Silicon Germanium Layers

Номер патента: US20110177681A1. Автор: Eugene A. Fitzgerald,Christopher J. Vineis,Matthew T. Currie,Thomas A. Langdo,Richard Westhoff. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-07-21.

Method of producing high quality relaxed silicon germanium layers

Номер патента: US8187379B2. Автор: Eugene Fitzgerald,Christopher J. Vineis,Matthew T. Currie,Thomas A. Langdo,Richard Westhoff. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-05-29.

Method of forming a novel gate electrode structure comprised of a silicon-germanium layer located between random grained polysilicon layers

Номер патента: US20040132270A1. Автор: Shih-Chang Chen,Liang-Gi Yao,Chia-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-07-08.

INTEGRATED CIRCUITS HAVING CROSS-COUPLE CONSTRUCTS AND SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20220149032A1. Автор: JUNG Jong-hoon,DO Jung-ho,Song Tae-Joong,LEE Dal-hee,Lim Jin-Young. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-12.

INTEGRATED CIRCUITS HAVING CROSS-COUPLE CONSTRUCTS AND SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20190198491A1. Автор: JUNG Jong-hoon,DO Jung-ho,Song Tae-Joong,LEE Dal-hee,Lim Jin-Young. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-27.

Integrated circuits with cross-coupling constructs and semiconductor devices containing integrated circuits

Номер патента: DE102018130328A1. Автор: Jong-Hoon Jung,Tae-Joong Song,Jung-Ho Do,Dal-Hee LEE,Jin-young Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-27.

Devices and Methods for Radiation Hardening Integrated Circuits Using Shallow Trench Isolation

Номер патента: US20200357681A1. Автор: Emily Ann Donnelly. Владелец: Tallannquest dba Apogee Semiconductor LLC. Дата публикации: 2020-11-12.

Devices and Methods for Radiation Hardening Integrated Circuits Using Shallow Trench Isolation

Номер патента: US20200090981A1. Автор: Emily Ann Donnelly. Владелец: Tallannquest dba Apogee Semiconductor LLC. Дата публикации: 2020-03-19.

Method of manufacturing strained source/drain structures

Номер патента: US8835982B2. Автор: Kuan-Yu Chen,Hsueh-Chang Sung,Tsz-Mei Kwok,Hsien-Hsin Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-09-16.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20090045470A1. Автор: Yoshinobu Kimura,Masao Kondo,Nobuyuki Sugii. Владелец: Nobuyuki Sugii. Дата публикации: 2009-02-19.

Fin smoothing and integrated circuit structures resulting therefrom

Номер патента: US20240274718A1. Автор: Tahir Ghani,Cory BOMBERGER,Anand S. Murthy,Anupama Bowonder. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Fin smoothing and integrated circuit structures resulting therefrom

Номер патента: US20230275157A1. Автор: Tahir Ghani,Cory BOMBERGER,Anand S. Murthy,Anupama Bowonder. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Fin smoothing and integrated circuit structures resulting therefrom

Номер патента: US12021149B2. Автор: Tahir Ghani,Cory BOMBERGER,Anand S. Murthy,Anupama Bowonder. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Substrate-less vertical diode integrated circuit structures

Номер патента: EP4020597A1. Автор: Brian Greene,Avyaya Jayanthinarasimham,Suresh Vishwanath. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-06-29.

Implementing a hybrid finfet device and nanowire device utilizing selective sgoi

Номер патента: US20190288012A1. Автор: Josephine B. Chang,Isaac Lauer,Jeffrey W. Sleight,Leland Chang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Integrated circuits including a FinFET and a nanostructure FET

Номер патента: US10439039B2. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Jeffrey Junhao XU,Choh fei Yeap. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-10-08.

Ldmos transistor structures and integrated circuits including ldmos transistor structures

Номер патента: US20180053842A1. Автор: Ming Zhu,Pinghui Li,Yiang Aun Nga,Shi Ya Phyllis Lim. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-02-22.

Epitaxial growth of relaxed silicon germanium layers

Номер патента: US20090189185A1. Автор: Matthias BAUER,Chantal Arena,Pierre Tomasini,Nyles Cody. Владелец: ASM America Inc. Дата публикации: 2009-07-30.

Epitaxial growth of relaxed silicon germanium layers

Номер патента: US7514372B2. Автор: Matthias BAUER,Chantal Arena,Pierre Tomasini,Nyles Cody. Владелец: ASM America Inc. Дата публикации: 2009-04-07.

Method of fabricating a charge trap nand flash memory device

Номер патента: US20130087849A1. Автор: Marcello Mariani,Giulio Albini,Paolo Tessariol,Umberto M. Meotto,Paola Bacciaglia. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-04-11.

Method of forming aluminum oxide layer and method of manufacturing charge trap memory device using the same

Номер патента: US8043952B2. Автор: Sang-jin Park,Eun-ha Lee,Sang-Moo Choi,Woong-Chul Shin,Kwang-Soo Seol,Jung-hun Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-10-25.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device obtained by means of said method

Номер патента: EP1880415A1. Автор: Jan Sonsky,Philippe Meunier-Beillard. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-01-23.

Devices and methods for reducing stress on circuit components

Номер патента: US20220328426A1. Автор: Jonathan Ephraim David Hurwitz,Padraig Fitzgerald,Michael J. Flynn,George Redfield Spalding, JR.. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2022-10-13.

Method of forming aluminum oxide layer and method of manufacturing charge trap memory device using the same

Номер патента: US20090061613A1. Автор: Sang-jin Park,Eun-ha Lee,Sang-Moo Choi,Woong-Chul Shin,Kwang-Soo Seol,Jung-hun Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-03-05.

Semiconductor device and fabrication method for the same

Номер патента: US20170345760A1. Автор: Yoshihiro Sato,Hisashi Ogawa,Tsutomu OOSUKA. Владелец: Pannova Semic. Дата публикации: 2017-11-30.

Semiconductor device and fabrication method for the same

Номер патента: US20160163649A1. Автор: Yoshihiro Sato,Hisashi Ogawa,Tsutomu OOSUKA. Владелец: Pannova Semic LLC. Дата публикации: 2016-06-09.

Semiconductor device and fabrication method for the same

Номер патента: US20130087862A1. Автор: Yoshihiro Sato,Hisashi Ogawa,Tsutomu OOSUKA. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-04-11.

Semiconductor device and fabrication method for the same

Номер патента: US20110227168A1. Автор: Yoshihiro Sato,Hisashi Ogawa,Tsutomu OOSUKA. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-09-22.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same, integrated circuit, electro-optical device, and electronic apparatus

Номер патента: US20060017053A1. Автор: Daisuke Abe. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-01-26.

Semiconductor substrate, semiconductor device, and manufacturing methods thereof

Номер патента: WO2011099772A2. Автор: Shiro Sakai. Владелец: Seoul Opto Device Co., Ltd.. Дата публикации: 2011-08-18.

Semiconductor substrate, semiconductor device, and manufacturing methods thereof

Номер патента: EP2534705A2. Автор: Shiro Sakai. Владелец: Seoul Optodevice Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-19.

Epitaxial wafer, method of manufacturing the epitaxial wafer, and method of manufacturing a semiconductor device using the epitaxial wafer

Номер патента: US20230232608A1. Автор: Ki Seok Lee,Dong Chan SEO,Dae Hong Ko,Choong Hee CHO. Владелец: Industry Academic Coopertion Foundation Yonsei University. Дата публикации: 2023-07-20.

Method of producing high quality relaxed silicon germanium layers

Номер патента: EP1604391B1. Автор: Eugene A. Fitzgerald,Matthew T. Currie,Thomas A. Langdo,Richard Westhoff,Christopher J Vineis. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-07-24.

Method of manufacturing large area gallium nitride substrate

Номер патента: US20140073115A1. Автор: Sung-soo Park,Young-soo Park,Moon-sang Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-03-13.

Method of producing high quality relaxed silicon germanium layers

Номер патента: US7674335B2. Автор: Eugene A. Fitzgerald,Christopher J. Vineis,Matthew T. Currie,Thomas A. Langdo,Richard Westhoff. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2010-03-09.

Low resistance power MOSFET or other device containing silicon-germanium layer

Номер патента: US6239463B1. Автор: Richard K. Williams,Mohamed Darwish,Michael E. Cornell,Wayne Grabowski. Владелец: Siliconix Inc. Дата публикации: 2001-05-29.

Method for forming integrated circuit having monos device and mixed-signal circuit

Номер патента: US20030036275A1. Автор: Erh-Kun Lai,Ying-Tso Chen,Hsin-Huei Chen,Shou-Wei Hwang,Yu-Ping Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-02-20.

Methods of Fabricating Application Specific Integrated Circuit (ASIC) Devices that Include Both Pre-Existing and New Integrated Circuit Functionality and Related ASIC Devices

Номер патента: US20070240092A1. Автор: Jong-woo Park,Yun-Tae Lee,Seon-Wook Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-10-11.

CMOS integrated circuit devices and substrates having buried silicon germanium layers therein and methods of forming same

Номер патента: GB2400730B. Автор: Nae-in Lee,Geum-Jong Bae,Hwa-Sung Rhee,Sang-Su Kim,Tae-Hee Choe,Kyung-Wook Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-12-08.

CMOS integrated circuit devices and substrates having buried silicon germanium layers therein and methods of forming same

Номер патента: GB2400729B. Автор: Nae-in Lee,Geum-Jong Bae,Hwa-Sung Rhee,Sang-Su Kim,Tae-Hee Choe,Kyung-Wook Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-12-08.

CMOS integrated circuit devices and substrates having buried silicon germanium layers therein and methods of forming same

Номер патента: GB2365214B. Автор: Nae-in Lee,Geum-Jong Bae,Hwa-Sung Rhee,Sang-Su Kim,Tae-Hee Choe,Kyung-Wook Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-09-15.

Rf switch device and method of manufacturing same

Номер патента: US20230040844A1. Автор: Hyun Jin Kim,Jin Hyo Jung,Sang Gil Kim,Ki Hun Lee,Seung Ki KO,Tae Ryoong PARK,Kyong Rok KIM. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures

Номер патента: EP3869547A1. Автор: Walid M. Hafez,Jeong Dong KIM,Ting Chang,Rahul RAMASWAMY,Hsu-Yu Chang,Babak Fallahazad,Tanuj Trivedi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-08-25.

Contact over active gate structures with etch stop layers for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20200105672A1. Автор: Hiten KOTHARI,Mohit K. HARAN,Atul Madhavan,Nicholas J. KYBERT. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-04-02.

Contact over active gate structures with etch stop layers for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240006322A1. Автор: Hiten KOTHARI,Mohit K. HARAN,Atul Madhavan,Nicholas J. KYBERT. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Contact over active gate structures with etch stop layers for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: EP3629369A1. Автор: Hiten KOTHARI,Mohit K. HARAN,Atul Madhavan,Nicholas Kybert. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-04-01.

Method of forming a semiconductor structure

Номер патента: WO2007003220A1. Автор: Terry Sparks. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. Дата публикации: 2007-01-11.

Methods of formation of a sige/si superlattice

Номер патента: EP4374417A1. Автор: John Tolle,Joe Margetis,Patricia M. Liu,Zuoming Zhu,Flora Fong-Song Chang,Thomas KIRSCHENHEITER. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-05-29.

Production of silicon-on-insulator substrate for high frequency devices involves forming surface-oxidized monocrystalline silicon layer on monocrystalline silicon-germanium layer formed on silicon monocrystal silicon assembly layer

Номер патента: FR2796757A1. Автор: Junji Nakanishi,Satoshi Yamakawa,Nobuyoshi Hattori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-01-26.

Integrated circuits with FinFET gate structures

Номер патента: US11855084B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Huan-Chieh Su,Zhi-Chang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Integrated circuits with FinFET gate structures

Номер патента: US11855082B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Huan-Chieh Su,Zhi-Chang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Integrated circuits with finfet gate structures

Номер патента: US20240105719A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Huan-Chieh Su,Zhi-Chang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Rf switch device and method of manufacturing same

Номер патента: US20230042805A1. Автор: Jin Hyo Jung. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Doped Diamond SemiConductor and Method of Manufacture

Номер патента: US20180301535A1. Автор: Eric David Bauswell. Владелец: Adamantite Technologies LLC. Дата публикации: 2018-10-18.

Doped Diamond SemiConductor and Method of Manufacture Using Laser Abalation

Номер патента: US20200335586A1. Автор: Eric David Bauswell. Владелец: Adamantite Technologies LLC. Дата публикации: 2020-10-22.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170033216A1. Автор: Felix Ying-Kit Tsui,Yu-Chi Chang,Hsin-Li Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11948970B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Kuo-Cheng Ching,Ching-Wei Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Non-destructive testing of integrated circuit chips

Номер патента: WO2019011457A1. Автор: John Cotte,David Abraham. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2019-01-17.

METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE WITH A SELECTIVE REMOVAL STEP FROM A SILICON GERMANIUM LAYER

Номер патента: FR2980637B1. Автор: Nicolas Posseme,Laurent Grenouillet,Tiec Yannick Le,Maud Vinet. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2014-05-16.

Photoresist composition and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20170199456A1. Автор: Jin Park,Hyun Woo Kim,Jin Kyu Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-13.

Integrated circuit system with clean surfaces

Номер патента: SG141379A1. Автор: Chiew Sin Ping,Goh Yin-Min Felicia,Zainab Ismail,Tan Yong Siang,Tan Ling Zhi. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-04-28.

Method for depositing a silicon germanium layer on a substrate

Номер патента: IL300901A. Автор: . Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2023-04-01.

LDMOS DEVICES, INTEGRATED CIRCUITS INCLUDING LDMOS DEVICES, AND METHODS FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20200126990A1. Автор: ZHANG Guowei. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-23.

INTEGRATED CIRCUITS WITH DUMMY CONTACTS AND METHODS FOR PRODUCING SUCH INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20150171008A1. Автор: Zhang Fan,TAN Juan Boon,Luo Laiqiang,Liang Jianfang,Chen Aaron,Chang Tian-Lin. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-18.

FLUORINE-DOPED CHANNEL SILICON-GERMANIUM LAYER

Номер патента: US20140264484A1. Автор: Hoentschel Jan,Ong Shiang Yang,Yan Ran,Sassiat Nicolas. Владелец: GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte. Ltd.. Дата публикации: 2014-09-18.

Cobalt silicidation process for substrates comprised with a silicon-germanium layer

Номер патента: US20160240372A9. Автор: Huang Chien-Chao,Yeo Yee-Chia,LIN Chun-Chieh,Wang Chao-Hsiung,Hu Chenming. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2016-08-18.

Cleaning solution for silicon germanium layer and cleaning method using the same

Номер патента: KR100554517B1. Автор: 홍창기,최상준,문창섭,고형호,권두원. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-03-03.

Molecular hydrogen implantation method for forming a relaxed silicon germanium layer with high germanium content

Номер патента: US6562703B1. Автор: Sheng Teng Hsu,Jer-shen Maa,Douglas J. Tweet,Jong-Jan Lee. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2003-05-13.

Methods for forming interconnect structures and semiconductor structures and integrated circuits

Номер патента: TW201839913A. Автор: 張宏睿,柯宇倫,郭昱緯,邱意為. Владелец: 台灣積體電路製造股份有限公司. Дата публикации: 2018-11-01.

Method for depositing boron and gallium containing silicon germanium layers

Номер патента: US20210375622A1. Автор: John Tolle,Qi Xie,Joe Margetis,Lucas Petersen Barbosa Lima,Rami KHAZAKA. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2021-12-02.

Integrated Circuit of Driving Device and Manufacture Method thereof

Номер патента: US20160005812A1. Автор: Yu-Hao Hsu,Jui-Chang Lin. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2016-01-07.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20110079852A1. Автор: Robert James Pascoe Lander. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-04-07.

Semiconductor integrated circuit and method of producing the same

Номер патента: US20150194436A1. Автор: SEO Moon-Sik,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2015-07-09.

Semiconductor integrated circuit and method of producing the same

Номер патента: US9184171B2. Автор: SEO Moon-Sik,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2015-11-10.

Semiconductor integrated circuit and method of producing the same

Номер патента: US20160104714A1. Автор: SEO Moon-Sik,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2016-04-14.

Method of Making Nanosheet Local Capacitors and NVM Devices

Номер патента: US20220278226A1. Автор: Anirban Roy,Mark Douglas Hall,Tushar Praful Merchant. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2022-09-01.

Semiconductor integrated circuit and method of producing the same

Номер патента: US9466607B2. Автор: SEO Moon-Sik,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2016-10-11.

Three-dimensional memory device with horizontal silicon channels and method of making the same

Номер патента: US20200286901A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Shigeki Shimomura,Satoru Mayuzumi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-09-10.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same, integrated circuit, electro-optical device, and electronic apparatus

Номер патента: TWI269372B. Автор: Daisuke Abe. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-12-21.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same, integrated circuit, electro-optical device, and electronic apparatus

Номер патента: TW200620417A. Автор: Daisuke Abe. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-06-16.

Fin-based nonvolatile memory structures, integrated circuits with such structures, and methods for fabricating same

Номер патента: US20180006158A1. Автор: Khee Yong Lim,Kiok Boone Elgin Quek,Ming-Tsang Tsai. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-01-04.

Fin shaping and integrated circuit structures resulting therefrom

Номер патента: US11901457B2. Автор: Szuya S. LIAO,Pratik Patel,Rishabh Mehandru,Anupama Bowonder,Rahul Pandey. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Integrated circuits with standard cell

Номер патента: US20190088638A1. Автор: Wei-Jen Wang,Chin-Sheng Yang,Chien-Fu Chen,Chao-Wei Lin,Chen-Hsien Hsu,Zhi-Hong HUANG,Cheng-Yang Tsai,Cheng-Tsung Ku. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof, integrated circuit, electro-optic device, and electronic equipment

Номер патента: KR100647102B1. Автор: 다이스케 아베. Владелец: 세이코 엡슨 가부시키가이샤. Дата публикации: 2006-11-23.

Methods of etching intermediate silicon germanium layers using ion implantation to promote selectivity

Номер патента: US7037768B2. Автор: Sung-min Kim,Sung-Young Lee,Eun-Jung Yun,Dong-gun Park,Chang-Sub Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-02.

Methods of etching intermediate silicon germanium layers using ion implantation to promote selectivity

Номер патента: US20050003628A1. Автор: Sung-min Kim,Sung-Young Lee,Eun-Jung Yun,Dong-gun Park,Chang-Sub Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-01-06.

Method of integrating optical devices and electronic devices on an integrated circuit

Номер патента: US20060105488A1. Автор: Omar Zia,Lawrence Gunn,Nigel Cave. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-05-18.

Integrated circuit, portable device and method for manufacturing an integrated circuit

Номер патента: WO2003023847A3. Автор: Joachim C Reiner,Paul G M Gradenwitz. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2003-10-02.

Novel methods for gas phase selective etching of silicon-germanium layers

Номер патента: EP4139952A1. Автор: Ce Ma,Ashwini K. SINHA,Atul M. Athalye,Aaron Reinicker. Владелец: Praxair Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-01.

Integrated circuit device, device, and manufacturing method

Номер патента: US11854957B2. Автор: Yosuke ITASAKA,Naoki Il. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2023-12-26.

Method of manufacturing a redistribution layer, redistribution layer, integrated circuit and methods for electrically testing and protecting the integrated circuit

Номер патента: EP4199055A1. Автор: Paolo Colpani,Samuele Sciarrillo. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-06-21.

Apparatus For Implementing Multiple Integrated Circuits Using Different Gate Oxide Thicknesses On A Single Integrated Circuit Die

Номер патента: US20090289323A1. Автор: Ronald John Tessitore. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2009-11-26.

Hybrid bonding with photonic integrated circuits for high bandwidth reticle stitching of reticle sized integrated circuit dies

Номер патента: US20240004129A1. Автор: Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,John Heck,Debendra Mallik,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Pushkar Sharad RANADE,Ravindranath Vithal MAHAJAN,Thomas Liljeberg. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Integrated circuit package and method to manufacture the integrated circuit package to reduce bond wire defects in the integrated circuit package

Номер патента: US11784112B2. Автор: Jun Li,Jian Song,Xuesong Xu,Jinzhong Yao,Xingshou Pang,Mingchuan Han. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Apparatus comprising multiple integrated circuits using different gate oxide thickness on a single integrated circuit die

Номер патента: WO2009142930A1. Автор: Ronald John Tessitore. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2009-11-26.

Hybrid bonding with photonic integrated circuits for high bandwidth reticle stitching of reticle sized integrated circuit dies

Номер патента: EP4300153A1. Автор: Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,John Heck,Debendra Mallik,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Pushkar Sharad RANADE,Ravindranath Vithal MAHAJAN,Thomas Liljeberg. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-03.

Apparatus comprising multiple integrated circuits using different gate oxide thickness on a single integrated circuit die

Номер патента: EP2300891A1. Автор: Ronald John Tessitore. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2011-03-30.

Method of Fabricating a Semiconductor Device

Номер патента: US20150031195A1. Автор: Jihoon Kim,Eun Tae Kim,Jin Ho Oh,Jongmyeong Lee,Heesook Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-01-29.

Integrated circuit structures with deep via structure

Номер патента: EP4246563A1. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-20.

Method of fabricating recess transistor in integrated circuit device recess transistor and recess transistor in integrated circuit device fabricated by the same

Номер патента: KR100604816B1. Автор: 김지영. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-07-28.

Method of fabricating diode structure

Номер патента: US11996464B2. Автор: Yu Zhu,Chieh-Fang Chen,Chung-Hon Lam,Kuo-Feng Lo. Владелец: Jiangsu Advanced Memory Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Method of fabricating diode structure

Номер патента: US20210376110A1. Автор: Yu Zhu,Chieh-Fang Chen,Chung-Hon Lam,Kuo-Feng Lo. Владелец: Jiangsu Advanced Memory Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Method of fabricating diode structure

Номер патента: US20220278219A1. Автор: Yu Zhu,Chieh-Fang Chen,Chung-Hon Lam,Kuo-Feng Lo. Владелец: Jiangsu Advanced Memory Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-01.

Method of preparing active silicon regions for cmos or other devices

Номер патента: US20090170279A1. Автор: Willy Rachmady,Peter L. D. Chang,Seiyon Kim,Ibrahim Ban. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-07-02.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US20120064709A1. Автор: Kyung-yub Jeon,Je-woo Han,Jun-ho Yoon,Kyoung-sub Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-03-15.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12020935B2. Автор: Koichi Nishi,Kazuya Konishi,Shinya SONEDA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Methods of fabricating integrated circuit field effect transistors by performing multiple implants prior to forming the gate insulating layer thereof

Номер патента: US6117715A. Автор: Dae-Won Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-09-12.

Integrated Circuit Devices and Methods for Making Such Devices

Номер патента: US20240213312A1. Автор: Gaspard Hiblot,Boon Teik CHAN,Gioele Mirabelli. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20090289310A1. Автор: Toshikazu Fukuda,Takayuki Hiraoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-11-26.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20110312142A1. Автор: Toshikazu Fukuda,Takayuki Hiraoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-12-22.

Semiconductor integrated circuit device manufacturing method and semiconductor device titanium silicide forming apparatus

Номер патента: JP2847645B2. Автор: ▲ボ▼ ▲ヒヨン▼ 朴. Владелец: GENDAI DENSHI SANGYO KK. Дата публикации: 1999-01-20.

Integrated circuit with depletion mode JFET

Номер патента: US20070069250A1. Автор: David Kelly,Alan Chen,Stephen Kuehne,Daniel Kerr,Daniel Dolan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-29.

Semiconductor integrated circuit device, production thereof, and semiconductor wafer

Номер патента: WO1996042112A1. Автор: Akihisa Uchida,Shinichiro Wada,Tamotsu Miyake,Nobuo Tamba. Владелец: Hitachi, Ltd.. Дата публикации: 1996-12-27.

Nonvolatile memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20100187595A1. Автор: Young-sun Kim,Sung-Hae Lee,Byong-sun Ju,Suk-Jin Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-07-29.

Integrated circuit and formation method thereof

Номер патента: US20240258435A1. Автор: Chih-Yang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220310396A1. Автор: Koichi Nishi,Kazuya Konishi,Shinya SONEDA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-09-29.

METHOD OF FORMING NICKEL SALICIDE ON A SILICON-GERMANIUM LAYER

Номер патента: US20150004767A1. Автор: CHEN Chienwei,CHANG Hsusheng,Han Xiaogang,Cai Junsheng,Kong Xiangtao. Владелец: SHANGHAI HUALI MICROELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2015-01-01.

METHODS OF FORMING REPLACEMENT GATE STRUCTURES USING A GATE HEIGHT REGISTER PROCESS TO IMPROVE GATE HEIGHT UNIFORMITY AND THE RESULTING INTEGRATED CIRCUIT PRODUCTS

Номер патента: US20150279742A1. Автор: Cheng Kangguo,Khakifirooz Ali,Xie Ruilong,Cai Xiuyu,Wedlake Michael. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-10-01.

Cobalt silicidation process for substrates with a silicon—germanium layer

Номер патента: US7202122B2. Автор: Chun-Chieh Lin,Chao-Hsiung Wang,Yee-Chia Yeo,Chenming Hu,Chien-Chao Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-04-10.

Fabrication method of semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070259522A1. Автор: Shinichi Nakabayashi,Hirofumi Tsuchiyama,Ryousei Kawai,Toshiyuki Arai,Fumiyuki Kanai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-08.

Semiconductor integrated circuit device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020140048A1. Автор: Keiichi Yamada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-10-03.

Integrated circuit device, method for forming and operating an integrated circuit, method for forming and operating a semiconductor device

Номер патента: TW200830475A. Автор: Shih-Wei Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-07-16.

Method of determining the active region width between shallow trench isolation structures using a c-v measurement technique for fabricating a flash memory semiconductor device and a device thereby formed

Номер патента: US6818462B1. Автор: Zhigang Wang,Tien-Chun Yang,Nian Yang. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-11-16.

Integrated circuit, attaching a die to a substrate in an integrated circuit package and method of adapting an attachment layer

Номер патента: WO2022164317A3. Автор: Sander Dorrestein. Владелец: Chip Integration Technology Centre. Дата публикации: 2022-10-27.

Interlayer filler composition for three-dimensional integrated circuit, coating fluid and process for producing three-dimensional integrated circuit

Номер патента: US20140030848A1. Автор: Makoto Ikemoto,Yasuhiro Kawase,Makoto Takahashi,Tomohide Murase,Takayoshi Hirai,Iho Kamimura. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2014-01-30.

Nonvolatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20060186462A1. Автор: Seung-Hyun Lee,Ju-Hyung Kim,Sang-Hun Jeon,Chung-woo Kim,Jeong-hee Han,Youn-seok Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-08-24.

Substrate-less nanowire-based lateral diode integrated circuit structures

Номер патента: EP4109561A1. Автор: Rui Ma,Lin Hu,Chung-Hsun Lin,Biswajeet Guha,Sabih OMAR,Brian Greene,Nicholas Thomson,Ayan KAR,Kalyan KOLLURU,Nathan Jack,Benjamin Orr. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-28.

Method of manufacturing a hybrid integrated circuit component having a laminated body

Номер патента: US5643804A. Автор: Michio Arai,Katsuto Nagano,Naoya Sakamoto,Yukio Yamauchi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1997-07-01.

Thin film apparatus, a manufacturing method of the thin film apparatus, an active matrix substrate, a manufacturing method of the active matrix substrate, and an electro-optical apparatus having the active matrix substrate

Номер патента: US20050156244A1. Автор: Yoshikazu Akiyama. Владелец: Yoshikazu Akiyama. Дата публикации: 2005-07-21.

Integrated circuit with dynamic threshold voltage

Номер патента: US20010014494A1. Автор: Brian Doyle,Rafael Rios,Brian Roberds. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-16.

Method of forming an integrated circuit having nanocluster devices and non-nanocluster devices

Номер патента: US20060160311A1. Автор: Rajesh Rao,Robert Steimle. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-07-20.

Integrated circuit chip, semiconductor device and forming method thereof

Номер патента: TWI638432B. Автор: 廖忠志. Владелец: 台灣積體電路製造股份有限公司. Дата публикации: 2018-10-11.

Integrated Circuit Device Having Defined Gate Spacing And Method Of Designing And Fabricating Thereof

Номер патента: US20140332893A1. Автор: Ming Zhu,Harry-Hak-Lay Chuang,Bao-Ru Young,Po-Nien Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-11-13.

Photo mask, semiconductor integrated circuit device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080054354A1. Автор: Jee-Eun JUNG,Ho-Jin Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-06.

Methods of forming metal interconnections including thermally treated barrier layers

Номер патента: US6077772A. Автор: Sung-Tae Kim,In-Seon Park,Won-Goo Hur,Du-Hwan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-06-20.

Nonvolatile memory device and method of forming the same

Номер патента: US8420482B2. Автор: Sungkweon Baek,Kihyun Hwang,Kwangmin Park,Juwan Lim,Seungjae Baik. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-04-16.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150021735A1. Автор: Zhengfeng WEN. Владелец: Founder Microelectronics International Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-22.

Enhancing Integrated Circuit Density with Active Atomic Reservoir

Номер патента: US20180218976A1. Автор: Ming-Hsien Lin,Ta-Pen Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-08-02.

Integrated Circuit of Driving Device and Manufacture Method thereof

Номер патента: US20160005812A1. Автор: Hsu Yu-Hao,Lin Jui-Chang. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-07.

Devices and Methods for Radiation Hardening Integrated Circuits Using Shallow Trench Isolation

Номер патента: US20200090981A1. Автор: Donnelly Emily Ann. Владелец: TallannQuest LLC DBA Apogee Semiconductor. Дата публикации: 2020-03-19.

Devices and Methods for Radiation Hardening Integrated Circuits Using Shallow Trench Isolation

Номер патента: US20200357681A1. Автор: Donnelly Emily Ann. Владелец: TallannQuest LLC DBA Apogee Semiconductor. Дата публикации: 2020-11-12.

Dc/dc converter using bipolar transistor, method of manufacturing the same and dc power supply module using the same

Номер патента: EP1559187A1. Автор: Koji Mitsubishi Heavy Ind. Ltd. Nakano,Osamu c/o Mitsubishi Heavy Ind. Ltd. Kawabata,Jun Mitsubishi Heavy Ind. Ltd. Utsumi. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2005-08-03.

Mask generation technique for producing an integrated circuit with optimal metal interconnect layout for achieving global planarization

Номер патента: US5766803A. Автор: Robert Dawson,H. Jim Fulford, Jr.,Fred N. Hause,Basab Bandyopadhyay,Mark W. Michael,William S. Brennan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1998-06-16.

Improvements in or relating to devices for regulating the threshold voltages of IGFET transistors of integrated circuits

Номер патента: GB2001494A. Автор: . Владелец: Ebauches SA. Дата публикации: 1979-01-31.

Test structure of integrated circuit

Номер патента: US20220375802A1. Автор: QIAN Xu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-11-24.

Integrated circuit that emits light, optical head that incorporates the integrated circuit, and image forming apparatus that uses the optical head

Номер патента: EP1763139B1. Автор: Akira c/o Oki Digital Imaging Corp. Nagumo. Владелец: Oki Data Corp. Дата публикации: 2009-11-25.

Enhancing Integrated Circuit Density with Active Atomic Reservoir

Номер патента: US20190287897A1. Автор: Ming-Hsien Lin,Ta-Pen Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-09-19.

Integrated circuit chip assembling signal source and semiconductor strucutre used therefor

Номер патента: JPS5558563A. Автор: Jiei Kiyubineku Jieemusu. Владелец: Mitel Corp. Дата публикации: 1980-05-01.

Method of mounting semiconductor chips on a gold-coated surface

Номер патента: RU2714538C1. Автор: Александр Сергеевич Ионов,Нина Демьяновна Худякова,Татьяна Николаевна Забегина. Владелец: Акционерное общество "ОКБ-Планета" АО "ОКБ-Планета". Дата публикации: 2020-02-18.

Method of using platinum metallization in system of redistribution of contact pads of crystals of integrated microcircuits and semiconductor devices

Номер патента: RU2717264C1. Автор: Никита Владимирович Рогозин,Виталий Владимирович Побединский. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт электронной техники". Дата публикации: 2020-03-19.

Semiconductor integrated circuit device and process for producing the same

Номер патента: US20050014326A1. Автор: Takashi Kobayashi,Hideaki Kurata,Hitoshi Kume,Katsutaka Kimura,Tokuo Kure,Yasushi Goto,Syunichi Saeki. Владелец: Hitachi Device Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-20.

Manufacturing method for forming an integrated circuit device and corresponding integrated circuit device

Номер патента: US20090121314A1. Автор: Grit Bonsdorf,Goetz Springer,Detlef Weber,Frank Pietzschmann,Marco Lepper,Ole Bosholm. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-05-14.

Silicide pattern structures and methods of fabricating the same

Номер патента: US20020155696A1. Автор: Salman Akram,Y. Hu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-24.

Silicide pattern structures and methods of fabricating the same

Номер патента: US20010010971A1. Автор: Salman Akram,Y. Hu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-02.

Method of interconnecting semiconductor devices and assembly of interconnected semiconductor devices

Номер патента: US20240266320A1. Автор: Yifan Guo. Владелец: Yibu Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Electrically conductive barriers for integrated circuits

Номер патента: US20170052082A1. Автор: Andrew C. McNeil,Jinbang Tang,Chad S. Dawson. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-02-23.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20060228856A1. Автор: Hung-Wen Su,Yung-Cheng Lu,Keng-Chu Lin,Yi-Chi Liao,H. Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-10-12.

Integrated circuit package and method of forming same

Номер патента: US20190237454A1. Автор: Chen-Hua Yu,Shang-Yun Hou,Hsien-Pin Hu,Hsing-Kuo Hsia,Ying-Ching Shih,Chin-Fu Kao,Sung-Hui Huang,Kuan-Yu Huang,Chi-Hsi Wu,Li-Chung Kuo,Wen-Hsin Wei,Heh-Chang Huang,Yushun Lin,Chih-Chieh Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-01.

Integrated circuit package and method of forming same

Номер патента: US20240297166A1. Автор: Chen-Hua Yu,Shang-Yun Hou,Hsien-Pin Hu,Hsing-Kuo Hsia,Ying-Ching Shih,Chin-Fu Kao,Sung-Hui Huang,Kuan-Yu Huang,Chi-Hsi Wu,Li-Chung Kuo,Wen-Hsin Wei,Heh-Chang Huang,Yushun Lin,Chih-Chieh Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Integrated Circuit Constructions Having Through Substrate Vias And Methods Of Forming Integrated Circuit Constructions Having Through Substrate Vias

Номер патента: US20130175698A1. Автор: Yangyang Sun,Brandon P. Wirz,Jaspreet S. Gandhi,Josh D. Woodland. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-07-11.

Integrated circuit constructions having through substrate vias and methods of forming integrated circuit constructions having through substrate vias

Номер патента: EP2801111A1. Автор: Yangyang Sun,Brandon P. Wirz,Jaspreet S. Gandhi,Josh D. Woodland. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-11-12.

Integrated circuit packaging system with film assistance mold and method of manufacture thereof

Номер патента: US20130154121A1. Автор: Jaehyun Lee,DokOk Yu,Ki Youn Jang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-20.

Packaged microelectronic imagers and methods of packaging microelectronic imagers

Номер патента: EP2093800A3. Автор: Salman Akram,Alan G. Wood,William M. Hiatt,Charles M. Watkins,Kyle K. Kirkby. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-03-31.

Packaged microelectronic imagers and methods of packaging microelectronic imagers

Номер патента: EP1763897A1. Автор: Salman Akram,Alan G. Wood,William M. Hiatt,Kyle K. Kirby,Charles M. Watkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-03-21.

Packaged microelectronic imagers and methods of packaging microelectronic imagers

Номер патента: EP2093800B1. Автор: Salman Akram,Alan G. Wood,William M. Hiatt,Charles M. Watkins,Kyle K. Kirkby. Владелец: Round Rock Research LLC. Дата публикации: 2011-07-06.

Packaged microelectronic imagers and methods of packaging microelectronic imagers

Номер патента: SG153876A1. Автор: Salman Akram,Kyle K Kirby,Alan G Wood,William M Hiatt,Charles M Watkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-07-29.

Packaged microelectronic imagers and methods of packaging microelectronic imagers

Номер патента: EP1763897B1. Автор: Salman Akram,Alan G. Wood,William M. Hiatt,Kyle K. Kirby,Charles M. Watkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-09-02.

Packaged microelectronic imagers and methods of packaging microelectronic imagers

Номер патента: WO2006011897A1. Автор: Salman Akram,Alan G. Wood,William M. Hiatt,Kyle K. Kirby,Charles M. Watkins. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2006-02-02.

Integrated circuit system employing low-k dielectrics and method of manufacture thereof

Номер патента: US20100314763A1. Автор: WEI Liu,Fan Zhang,Yeow Kheng Lim,Dong Kyun Sohn,Bei Chao Zhang,Juan Boon Tan,Wuping Liu,Jing Hui Li,Luying Du. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2010-12-16.

Integrated circuit packaging system with vertical interconnects and method of manufacture thereof

Номер патента: US20120326325A1. Автор: Dongsam Park,A Leam Choi,Yongduk Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-12-27.

Package and method of forming same

Номер патента: US20230266528A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Hao-Yi Tsai,Hung-Yi Kuo,Cheng-chieh Hsieh,Chih-Hsuan Tai,Chung-Ming Weng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050263910A1. Автор: Eisaku Maeda,Masahiko Sasada,Hiroki Matsunaga,Jinsaku Kaneda,Akihiro Maejima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-01.

Package structure and method of fabricating the same

Номер патента: US11855003B2. Автор: Szu-Wei Lu,Li-Hui Cheng,Hsien-Ju Tsou,Pu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Method of forming solder bumps

Номер патента: US20020064933A1. Автор: Yoshito Ueoka. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-05-30.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20050026314A1. Автор: Koji Yamaguchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-02-03.

Integrated devices in semiconductor packages and methods of forming same

Номер патента: US11749626B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Chao-Wen Shih,Kai-Chiang Wu,Shou Zen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Method of patterning contact holes

Номер патента: US20080085598A1. Автор: Kuang-Jung Chen,Wu-Song Huang,Wai-Kin Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-04-10.

Method of producing semiconductor element

Номер патента: US7998876B2. Автор: Toshiyuki Orita. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-16.

Method of producing semiconductor element

Номер патента: US20100248483A1. Автор: Toshiyuki Orita. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-30.

Packaged integrated circuit devices

Номер патента: EP1751793A2. Автор: Jian Chen,Appolonius Jacobus Van Der Wiel. Владелец: Melexis NV. Дата публикации: 2007-02-14.

Semiconductor device with curved conductive lines and method of forming the same

Номер патента: US11749644B2. Автор: Ming-Chih Yew,Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Shu-Shen Yeh,Chia-Kuei Hsu,Che-Chia Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Methods of Forming a Semiconductor Device Having a Contact Structure

Номер патента: US20110151658A1. Автор: Changhun Lee,Keemoon Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-06-23.

Semiconductor device with curved conductive lines and method of forming the same

Номер патента: US12100664B2. Автор: Ming-Chih Yew,Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Shu-Shen Yeh,Chia-Kuei Hsu,Che-Chia Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Method of fabricating metal lines in a semiconductor device

Номер патента: US20020090811A1. Автор: Byung-hee Kim,Gil-heyun Choi,Jong-Myeong Lee,Myoung-Bum Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-07-11.

Integrated circuit packages

Номер патента: US20240282720A1. Автор: Chung-Shi Liu,Chien-Hsun Lee,Jiun Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Integrated circuit substrate with contacts thereon for a packaging structure

Номер патента: US5010389A. Автор: Helmut Schettler,Volker Kreuter,Peter Gansauge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1991-04-23.

Integrated Circuit Package and Method

Номер патента: US20230245939A1. Автор: Ming-Che Ho,Chi-Ming Tsai,Chung-Shi Liu,Hao-Yi Tsai,Chih-Wei Lin,Ming Hung TSENG,Yen-Liang Lin,Tzu-Sung Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-03.

Method of manufacturing spotwise partial clad material

Номер патента: US5234150A. Автор: Kazuhiro Yamamoto,Susumu Okazaki,Jun Okamoto,Shin Nemoto. Владелец: Sumitomo Special Metals Co Ltd. Дата публикации: 1993-08-10.

Integrated circuit package and method

Номер патента: US11848246B2. Автор: Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen,Sung-Feng Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Integrated circuit package and method

Номер патента: US20230378015A1. Автор: Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen,Sung-Feng Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Method of protection against electrostatic discharge in device of three-dimensional (3-d) multilevel integral circuit, device of three-dimensional (3-d) multilevel integral circuit and method of its manufacturing

Номер патента: RU2469434C1. Автор: Шицюнь ГУ,Кеннет КАСКУН,Мэтью НОВАК. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2012-12-10.

Integrated Circuit Packages and Methods of Forming Same

Номер патента: US20190006354A1. Автор: Ming-Che Ho,Yi-Wen WU,Hung-Jui Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-03.

Integrated circuit with constrained metal line arrangement, method of using, and system for using

Номер патента: US20230367949A1. Автор: Yuan Ma,Li-Chun Tien,Xinyong Wang,Qiquan Wang. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Integrated Circuit Package and Method

Номер патента: US20200212018A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Hao-Yi Tsai,Tin-Hao Kuo,Chi-Hui Lai,Shu-Rong Chun,Kuo Lung Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-07-02.

Integrated circuit package and method of forming same

Номер патента: US12015023B2. Автор: Chen-Hua Yu,Shang-Yun Hou,Hsien-Pin Hu,Hsing-Kuo Hsia,Ying-Ching Shih,Chin-Fu Kao,Sung-Hui Huang,Kuan-Yu Huang,Chi-Hsi Wu,Li-Chung Kuo,Wen-Hsin Wei,Heh-Chang Huang,Yushun Lin,Chih-Chieh Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20190115321A1. Автор: Chen-Hua Yu,Ming-Fa Chen,Ching-Pin Yuan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-18.

Integrated circuit package having heat dissipation structure

Номер патента: US11309289B2. Автор: Chen-Hua Yu,Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-19.

Die Structures and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20240079364A1. Автор: Sung-Feng Yeh,Chia-Hao Hsu,Kuo-Chiang Ting,Jian-Wei Hong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Integrated Circuit Packages and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20230378012A1. Автор: Sung-Feng Yeh,Chao-Wen Shih,Min-Chien Hsiao,Der-Chyang Yeh,Tsung-Shu Lin,Chun-Chiang Kuo,Ta Hao Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Integrated circuit package and method of forming same

Номер патента: US11862605B2. Автор: Chen-Hua Yu,Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Integrated circuit packaging system with encapsulation and underfill and method of manufacture thereof

Номер патента: US20110312133A1. Автор: Sang-Ho Lee,Daesik Choi,Soo-San Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-22.

Integrated Circuit Packages and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20230335534A1. Автор: Sung-Feng Yeh,Der-Chyang Yeh,Jian-Wei Hong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Package Assembly and Method of Attaching Multi-Height Dies/Modules to Multi-Chip Active/Passive Substrate

Номер патента: US20230411174A1. Автор: Michael Su,Bryan Black,Michael Alfano,Siddharth Ravichandran. Владелец: Chipletz Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Method for Forming Contact in an Integrated Circuit

Номер патента: US20130072014A1. Автор: Paul R. Besser. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2013-03-21.

Method for manufacturing complementary metal-oxide-semiconductor transistor of integrated circuit, involves subjecting silicon-germanium layer to epitaxy process to form silicon layer, and oxidizing silicon layer using oxidation process

Номер патента: FR2974236A1. Автор: Didier Dutartre,Nicolas Breil,Joseph Shepard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-10-19.

Semiconductor package and method of forming same

Номер патента: US11817380B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Jiun Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Integrated circuit packaging system with interconnects and method of manufacture thereof

Номер патента: US20120326281A1. Автор: Reza Argenty Pagaila. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2012-12-27.

Semiconductor package and manufacturing method of semiconductor package

Номер патента: US20210305112A1. Автор: Ming-Che Ho,Hung-Jui Kuo,Shih-Hao Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor Package and Method of Forming Same

Номер патента: US20240021511A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Jiun Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Integrated circuit package and method

Номер патента: US12002767B2. Автор: Chung-Shi Liu,Chien-Hsun Lee,Jiun Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Semiconductor package and method of manufacturing semiconductor package

Номер патента: US20200135710A1. Автор: Dong-Kwan Kim,Won-Keun Kim,Jae-choon Kim,Yeong-seok KIM,Hwa-Il Jin,Kyung-suk OH,Seung-Tae HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-30.

Deposition of gate stacks including silicon germanium layers

Номер патента: WO2001041544B1. Автор: Majiid M Mansoori. Владелец: ASM Inc. Дата публикации: 2002-01-31.

Integrated circuit packaging

Номер патента: US20200251440A1. Автор: Jason Chien,Byron Lovell Williams,Jeffrey Alan West,Honglin Guo,Arvin Nono VERDEFLOR,Anderson LI. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-08-06.

Integrated Circuit Package and Method

Номер патента: US20210020584A1. Автор: Chen-Hua Yu,Ming-Che Ho,Hung-Jui Kuo,Tzu Yun Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

Method for manufacturing integrated circuits from a semiconductor substrate wafer

Номер патента: US20230223358A1. Автор: Alexandre Malherbe,David Parker,Stephan Niel,Carlos Augusto Suarez Segovia,Chantal TROUILLER. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2023-07-13.

Power Routing for 2.5D or 3D Integrated Circuits Including a Buried Power Rail and Interposer with Power Delivery Network

Номер патента: US20240258206A1. Автор: Xi-Wei Lin,Victor Moroz. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Integrated Devices in Semiconductor Packages and Methods of Forming Same

Номер патента: US20230369259A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Chao-Wen Shih,Kai-Chiang Wu,Shou Zen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Integrated circuit package and method

Номер патента: US11935804B2. Автор: Ming-Che Ho,Chi-Ming Tsai,Chung-Shi Liu,Hao-Yi Tsai,Chih-Wei Lin,Ming Hung TSENG,Yen-Liang Lin,Tzu-Sung Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Method of forming a semiconductor package

Номер патента: US20190252277A1. Автор: Chung-Chih Chen,Hsien-Liang Meng,Ying-Shin HAN,Yen-Miao LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-15.

Integrated Devices in Semiconductor Packages and Methods of Forming Same

Номер патента: US20190341363A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Chao-Wen Shih,Kai-Chiang Wu,Shou Zen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-11-07.

Integrated Devices in Semiconductor Packages and Methods of Forming Same

Номер патента: US20210225786A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Chao-Wen Shih,Kai-Chiang Wu,Shou Zen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Integrated Circuit Package and Method

Номер патента: US20240178091A1. Автор: Ming-Che Ho,Chi-Ming Tsai,Chung-Shi Liu,Hao-Yi Tsai,Chih-Wei Lin,Ming Hung TSENG,Yen-Liang Lin,Tzu-Sung Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Integrated circuit packaging

Номер патента: US20190206828A1. Автор: Jason Chien,Byron Lovell Williams,Jeffrey Alan West,Honglin Guo,Arvin Nono VERDEFLOR,Anderson LI. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-07-04.

Method and structure for interconnecting different polysilicon zones on semiconductor substrates for integrated circuits

Номер патента: EP0463458A1. Автор: Randy W. Mann,Paul C. Parries,John R. Abernathey,Julie A. Springer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1992-01-02.

Method of manufacturing semiconductor device having hybrid bonding interface

Номер патента: US11894247B2. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor Device with Curved Conductive Lines and Method of Forming the Same

Номер патента: US20230361080A1. Автор: Ming-Chih Yew,Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Shu-Shen Yeh,Chia-Kuei Hsu,Che-Chia Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Trench forming method, metal wiring forming method, and method of manufacturing thin film transistor array panel

Номер патента: US20130252384A1. Автор: Dae Ho Kim,Yong-Hwan Ryu,Shin Il Choi,Hong Sick Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-26.

Method of manufacturing semiconductor device having hybrid bonding interface

Номер патента: US20220059372A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

Dummy Features in Redistribution Layers (RDLS) and Methods of Forming Same

Номер патента: US20190295955A1. Автор: Chen-Hua Yu,Hsien-Wei Chen,Wei-Cheng Wu,Der-Chyang Yeh,Li-Han Hsu,Chi-Hsi Wu,Cheng-Hsien Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-09-26.

Dummy Features in Redistribution Layers (RDLS) and Methods of Forming Same

Номер патента: US20180294228A1. Автор: Chen-Hua Yu,Hsien-Wei Chen,Wei-Cheng Wu,Der-Chyang Yeh,Li-Han Hsu,Chi-Hsi Wu,Cheng-Hsien Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-11.

Three dimensional integrated circuit having redundant through silicon via base on rotatable cube

Номер патента: US20190181061A1. Автор: Minho Cheong,Sungho Kang. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2019-06-13.

Integrated circuit system employing back end of line via techniques

Номер патента: SG192318A1. Автор: Fan Zhang,Shaoqing Zhang,Bei Chao Zhang,Shao-Fu Sanford Chu. Владелец: Globalfoundries Sg Pte Ltd. Дата публикации: 2013-08-30.

Integrated device comprising flexible connector between integrated circuit (IC) packages

Номер патента: US9633950B1. Автор: Dong Wook Kim,Jae Sik Lee,Hong Bok We. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Integrated circuit chip, electronic device and method of manufacturing the same, and electronic instrument

Номер патента: KR100562098B1. Автор: 하시모토노부아키. Владелец: 세이코 엡슨 가부시키가이샤. Дата публикации: 2006-03-17.

Integrated device comprising flexible connector between integrated circuit (ic) packages

Номер патента: WO2017139285A1. Автор: Dong Wook Kim,Jae Sik Lee,Hong Bok We. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-08-17.

Integrated circuit package and medical device including same

Номер патента: WO2023248083A1. Автор: Randolph E. Crutchfield,Jeff M. Wheeler. Владелец: Medtronic, Inc.. Дата публикации: 2023-12-28.

Technique for handling diced wafers of integrated circuits

Номер патента: US11881425B2. Автор: Antonius Hendrikus Jozef Kamphuis,Guido Albermann,Johannes Cobussen. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-01-23.

Power routing for 2.5d or 3d integrated circuits

Номер патента: WO2023038647A1. Автор: Xi-Wei Lin,Victor Moroz. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2023-03-16.

Integrated circuit chips, integrated circuit packages including the integrated circuit chips, and display apparatuses including the integrated circuit chips

Номер патента: US20200235091A1. Автор: Woon-bae Kim,Young-Mok Kim,Dae-cheol Seong,Yune-seok CHUNG,Jung-Gu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-23.

Power routing for 2.5d or 3d integrated circuits

Номер патента: EP4371151A1. Автор: Xi-Wei Lin,Victor Moroz. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2024-05-22.

Power routing for 2.5D or 3D integrated circuits including a buried power rail and interposer with power delivery network

Номер патента: US11984384B2. Автор: Xi-Wei Lin,Victor Moroz. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

A packaging apparatus and method for transferring integrated circuits to a packaging

Номер патента: WO2013162475A1. Автор: Meng Yeow Tan,Chin Sin NG,Sing Keong CHANG. Владелец: Ust Technology Pte. Ltd.. Дата публикации: 2013-10-31.

Method and apparatus for identifying integrated circuits

Номер патента: EP1004142A1. Автор: Leland R. Nevill. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-05-31.

Ac/dc converters and methods of manufacturing same

Номер патента: US20090273376A1. Автор: Alan Wang,Siarhei KALODKA,Sergey Gaitukevich,Vitali Maziarkin,Chen-Hui Tsay. Владелец: Shamrock Micro Devices Corp. Дата публикации: 2009-11-05.

Method and equipment for exposing the surface of an integrated circuit

Номер патента: MY156014A. Автор: Desplats Romain,Obein Michaël. Владелец: Centre Nat Etd Spatiales. Дата публикации: 2015-12-31.

Inline integrated circuit system

Номер патента: US20090258494A1. Автор: Jae Hak Yee,Junwoo Myung,Byoung Wook Jang,YoungChul KIM. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-10-15.

Drop-mold conformable material as an encapsulation for an integrated circuit package system

Номер патента: US20090127720A1. Автор: Rui Huang,Byung Tai Do,Heap Hoe Kuan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-05-21.

Drop-mold conformable material as an encapsulation for an integrated circuit package system and method for manufacturing thereof

Номер патента: US20110037152A1. Автор: Rui Huang,Byung Tai Do,Heap Hoe Kuan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-02-17.

Mechanisms for forming radio frequency (rf) area of integrated circuit structure

Номер патента: US20150115381A1. Автор: Chung-Long Chang,Chun-Hung Chen,Tsung-Yu Yang,Chih-Ping Chao,Kuan-Chi Tsai,Kuo-Yu Cheng,Wei-Kung Tsai,Keng-Yu CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-04-30.

Method for manufacture of inline integrated circuit system

Номер патента: US20110244635A1. Автор: Jae Hak Yee,Junwoo Myung,Byoung Wook Jang,YoungChul KIM. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-10-06.

Semiconductor integrated injection logic circuit device

Номер патента: JPS6267855A. Автор: Toshiyuki Okoda,敏幸大古田,Teruo Tabata,田端　輝夫. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1987-03-27.

Three dimensional integrated circuit having redundant through silicon via base on rotatable cube

Номер патента: US10403555B2. Автор: Minho Cheong,Sungho Kang. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2019-09-03.

Integrated circuit layout method, device, and system

Номер патента: US20200104446A1. Автор: Tzu-Ying LIN,Jian-Sing LI,Hui-Zhong ZHUANG,Li-Chun Tien,Ting-Wei Chiang,Jung-Chan YANG,Ting Yu CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Multi-chip packaging positioning device and method for mobile phone integrated circuit

Номер патента: CN113178421B. Автор: 李文科,鲁伟,杨传奇,吴继承,欧文灏,徐思通,曾风平. Владелец: Shenzhen Panfeng Precision Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-29.

Semiconductor device, display driver integrated circuit including the device, and display device including the device

Номер патента: US9520359B2. Автор: Myoung-Soo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-13.

Method for fabricating an integrated circuit arrangement which contains a metal nitride layer, and integrated circuit arrangement

Номер патента: TW200414432A. Автор: Herbert Obermeier,Reinhard Goellner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-08-01.

Method for fabricating an integrated circuit arrangement which contains a metal nitride layer, and integrated circuit arrangement

Номер патента: TWI250611B. Автор: Herbert Obermeier,Reinhard Goellner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-03-01.

Three-dimensional integrated circuit laminate and interlayer filler material for three-dimensional integrated circuit laminate

Номер патента: TW201250972A. Автор: Makoto Ikemoto,Yasuhiro Kawase,Hideki KIRITANI. Владелец: Mitsubishi Chem Corp. Дата публикации: 2012-12-16.

Apparatus for implementing multiple integrated circuits using different gate oxide thicknesses on a single integrated circuit die

Номер патента: TW201003897A. Автор: Ronald J Tessitore. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2010-01-16.

METHODS FOR SHALLOW TRENCH ISOLATION FORMATION IN A SILICON GERMANIUM LAYER

Номер патента: US20150371889A1. Автор: Kim Hun Sang,Choi Jinhan,Koseki Shinichi,Kang Sean,AHN WONMO. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-24.

Integrated circuit having cross couple construct and semiconductor including the same

Номер патента: KR102419646B1. Автор: 정종훈,송태중,이달희,도정호,임진영. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-07-11.

Polycrystalline silicon@-germanium@ layer production

Номер патента: FR2765245A1. Автор: Jorge Luis Regolini. Владелец: France Telecom SA. Дата публикации: 1998-12-31.

STRAINED SILICON-ON-INSULATOR BY ANODIZATION OF A BURIED p+ SILICON GERMANIUM LAYER

Номер патента: US20070111463A1. Автор: Thomas Adam,Devendra Sadana,Ghavam Shahidi,Alexander Reznicek,Stephen Bedell,Keith Fogel,Joel de Souza. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-05-17.

Strained silicon-on-insulator by anodic oxidation of buried p + silicon-germanium layer

Номер патента: JP5089383B2. Автор: アダム、トーマス、エヌ,ベデル、ステファン、ダヴリュ,デソウザ、ジョエル、ピー,フォゲル、キース、イー,レツニセク、アレキサンダー,サダナ、デヴェンドラ、ケイ,シャヒディ、ガヴァム. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-12-05.

Strained silicon-on-insulator by anodization of a buried p+ silicon germanium layer

Номер патента: US7592671B2. Автор: Ghavam Shahidi,Alexander Reznicek,Devendra K. Sadana,Stephen W. Bedell,Keith E. Fogel,Thomas N. Adam,Joel P. de Souza. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-09-22.

Novel methods for gas phase selective etching of silicon-germanium layers

Номер патента: IL296563A. Автор: Ce Ma,Aaron Reinicker,Ashwini K Sinha,Atul M Athalye. Владелец: Atul M Athalye. Дата публикации: 2022-11-01.

Monolithic semiconductor integrated circuit ferroelectric memory device, and methods of fabricating and utilizing same

Номер патента: US4707897A. Автор: George A. Rohrer,Larry McMillan. Владелец: Ramtron International Corp. Дата публикации: 1987-11-24.

Integrated circuit device including low resistivity tungsten and methods of fabrication

Номер патента: US20140024208A1. Автор: Martin M. Frank,Vijay Narayanan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

Methods of manufacturing semiconductor memory devices

Номер патента: US20100184282A1. Автор: Albert Fayrushin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-07-22.

Method of fabricating non-volatile memory integrated circuit device and non-volatile memory integrated circuit device fabricated using the same

Номер патента: US20090159952A1. Автор: Bo-Un Yoon,Chang-ki Hong,Jun-Yong Kim,Byoung-Ho Kwon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-25.

Method of Fabricating Non-Volatile Memory Integrated Circuit Device and Non-Volatile Memory Integrated Circuit Device Fabricated Using the Same

Номер патента: US20080017915A1. Автор: Bo-Un Yoon,Chang-ki Hong,Jun-Yong Kim,Byoung-Ho Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-24.

Optical integrated circuit device, fabrication method of the same and module of optical communication transmission and receiving apparatus using the same

Номер патента: US20030153117A1. Автор: Ki Shin. Владелец: Iljin Corp. Дата публикации: 2003-08-14.

Optical integrated circuit device, fabrication method of the same and module of optical communication transmission and receiving apparatus using the same

Номер патента: WO2002042811A1. Автор: Ki Chul Shin. Владелец: Iljin Corporation. Дата публикации: 2002-05-30.

Method of fabricating non-volatile memory integrated circuit device and non-volatile memory integrated circuit device fabricated using the same

Номер патента: US7535052B2. Автор: Bo-Un Yoon,Chang-ki Hong,Jun-Yong Kim,Byoung-Ho Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-05-19.

Semiconductor integrated circuit device, current control device using semiconductor integrated circuit device, and automatic transmission control device using current control device

Номер патента: US20200381454A1. Автор: Yoichiro Kobayashi,Shinichirou WADA,Masato Kita. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2020-12-03.

Semiconductor integrated circuit device, current control device using semiconductor integrated circuit device, and automatic transmission control device using current control device

Номер патента: US11043508B2. Автор: Yoichiro Kobayashi,Shinichirou WADA,Masato Kita. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2021-06-22.

Additively manufactured structures for heat dissipation from integrated circuit devices

Номер патента: US12080620B2. Автор: Feras Eid,Xavier Brun,Joe Walczyk,Paul Diglio,Sergio Antonio Chan Arguedas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor integrated circuit devices having particular terminal geometry and mounting method

Номер патента: US5773321A. Автор: Atsushi Kitamura,Kenji Hirayama,Toshimitsu Ishikawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-06-30.

Method of adding fabrication monitors to integrated circuit chips

Номер патента: WO2006107356A2. Автор: David P. Vallett,Matthew S. Grady,James W. Adkisson,John M. Cohn,Greg Bazan,Thomas G. Sopchak. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2006-10-12.

Architectures for backside power delivery with stacked integrated circuit devices

Номер патента: US20240213235A1. Автор: Gang Duan,Srinivas PIETAMBARAM,Suddhasattwa NAD,Brandon Marin,Jeremy ECTON. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor integrated circuit devices having particular terminal geometry

Номер патента: US5616962A. Автор: Atsushi Kitamura,Kenji Hirayama,Toshimitsu Ishikawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-04-01.

Separation of a multi-layer integrated circuit device and package

Номер патента: US6304792B1. Автор: Mehrdad Mahanpour. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-10-16.

Electronic device including processor executing defect detection module, operating method of electronic device, and method for fabricating semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20230214990A1. Автор: Sooryong Lee,Kyen-Hee Lee,Min-Cheol Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-06.

Method of using an integrated circuit

Номер патента: US20020080656A1. Автор: Tapio Kuiri. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-27.

Semiconductor integrated circuit wafer, semiconductor integrated circuit chip, and method of testing semiconductor integrated circuit wafer

Номер патента: US20090251160A1. Автор: Manabu Miyazaki. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-10-08.

Optical integrated circuit device, fabrication method of the same and module of optical communication transmission and receiving apparatus using the same

Номер патента: US20020106824A1. Автор: Ki Shin. Владелец: Iljin Corp. Дата публикации: 2002-08-08.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230146012A1. Автор: Dong-wan Kim,Dong-Sik Park,Jihoon Chang,Hyeon-Woo Jang,Sooho Shin,Keonhee Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-11.

Integrated circuit packages and methods

Номер патента: US20240234340A1. Автор: Tsung-Shu Lin,Hsin-Yu Pan,Yi-Che CHIANG,Yuan Sheng Chiu,Hong-Yu Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for manufacturing organic light-emitting device and method of manufacturing display unit

Номер патента: US20160181532A1. Автор: Toshio Fukuda,Jun Yamaguchi,Makoto Ando,Masanobu Tanaka,Tomoo Fukuda,Ryo Yasumatsu. Владелец: Joled Inc. Дата публикации: 2016-06-23.

Spacer for die-to-die communication in an integrated circuit

Номер патента: GB2596693A. Автор: Weiss Thomas,Singh Bhupender,Leon Arvin Charles,Francis Indyk Richard,Paul Ostrander Steven,Williams Kapfhammer Mark. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-01-05.

Semiconductor die package and methods of formation

Номер патента: US20240258302A1. Автор: Shu-Hui SU,Hsin-Li Cheng,Yingkit Felix Tsui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Method of manufacturing substrate for display device, substrate for display device, and display device

Номер патента: US20150076460A1. Автор: Yong-Kwan Kim,Yong-Hwan Park,Jin Gyu Kang,Jae Seob Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-19.

Semiconductor integrated circuit device having clock signal wiring construction for suppressing clock skew

Номер патента: US5532500A. Автор: Hitoshi Okamura,Shin-ichi Ohkawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-07-02.

Semiconductor integrated circuit device, semiconductor integrated circuit device pattern generation method, semiconductor integrated circuit device manufacturing method, and semiconductor integrated circuit device pattern generation device

Номер патента: JP4243214B2. Автор: 洋行辻川,清士向井. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-03-25.

Method of fabricating integrated circuits, providing improved so-called 'saw bow' conductive tracks

Номер патента: WO2002009153A2. Автор: Josef Preishuber-Pfluegl,Ewald Bergler,Reinhard Fetzer,Klepzig Haiko. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2002-01-31.

Method of fabricating integrated circuits, providing improved so-called "saw bow" conductive tracks

Номер патента: EP1360724A2. Автор: Josef Preishuber-Pfluegl,Ewald Bergler,Reinhard Fetzer,Klepzig Haiko. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-11-12.

Method of fabricating integrated circuits, providing improved so-called saw bows

Номер патента: US20020016033A1. Автор: Josef Preishuber-Pfluegl,Ewald Bergler,Reinhard Fetzer,Haiko Klepzig. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-07.

Method of fabricating integrated circuits, providing improved so-called 'saw bow' conductive tracks

Номер патента: WO2002009153A3. Автор: Josef Preishuber-Pfluegl,Ewald Bergler,Reinhard Fetzer,Klepzig Haiko. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2003-09-04.

Semiconductor integrated circuit device, design method for semiconductor integrated circuit device, design aiding device for semiconductor integrated circuit device, program, and program recording medium

Номер патента: US20030001269A1. Автор: Masahide Kakeda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-02.

Semiconductor integrated circuit device, design method for semiconductor integrated circuit device, design aiding device for semiconductor integrated circuit device, program, and program recording medium

Номер патента: US20040036083A1. Автор: Masahide Kakeda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-26.

Semiconductor integrated circuit device, design method for semiconductor integrated circuit device, design aiding device for semiconductor integrated circuit device, program, and program recording medium

Номер патента: US6777269B2. Автор: Masahide Kakeda. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-17.

Semiconductor integrated circuit device, design method for semiconductor integrated circuit device, design aiding device for semiconductor integrated circuit device, program, and program recording medium

Номер патента: US6573605B2. Автор: Masahide Kakeda. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-03.

Optical semiconductor element and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200098567A1. Автор: Takehiko Kikuchi,Nobuhiko Nishiyama,Morihiro Seki. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-03-26.

Thin film transistor array and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110014737A1. Автор: Hong-Sick Park,Jong-Hyun Choung,Bong-Kyun Kim,Byeong-Jin Lee,Won-Suk Shin,Joo-Ae Youn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-20.

Method of manufacturing solar cell and plasma treatment apparatus

Номер патента: US20100248409A1. Автор: Akinao Kitahara. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-30.

Method of designing semiconductor integrated circuit device, designing apparatus, and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20090193374A1. Автор: Kenji Yokoyama,Kazuhisa Fujita,Kazuhiko Fujimoto,Takeya Fujino,Takako Ohashi,Hiromasa Fukazawa,Yohei Takagi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Method of forming an integrated circuit package

Номер патента: US20150064845A1. Автор: Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-03-05.

Integrated circuit heater for reducing stress in the integrated circuit material and chip leads of the integrated circit, and for optimizing performance of devices of the integrated circuit

Номер патента: US20160093549A1. Автор: Edward O. Travis,Mehul D. Shroff,Douglas M. Reber. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-03-31.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE, CURRENT CONTROL DEVICE USING SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE, AND AUTOMATIC TRANSMISSION CONTROL DEVICE USING CURRENT CONTROL DEVICE

Номер патента: US20200381454A1. Автор: KOBAYASHI Yoichiro,WADA Shinichirou,KITA Masato. Владелец: HITACHI AUTMOTIVE SYSTEMS, LTD.. Дата публикации: 2020-12-03.

Method of making photovoltaic devices

Номер патента: WO2014140875A2. Автор: Jinbo Cao,William Hullinger Huber,Sheng Xu,Yong Liang. Владелец: First Solar Malaysia Sdn. Bhd.. Дата публикации: 2014-09-18.

Method of making photovoltaic devices

Номер патента: WO2014140875A3. Автор: Jinbo Cao,William Hullinger Huber,Sheng Xu,Yong Liang. Владелец: First Solar Malaysia Sdn. Bhd.. Дата публикации: 2015-01-29.

Method of fabricating semiconductor memory device

Номер патента: US20230217649A1. Автор: Yuna Lee,Chanmi LEE,Jungpyo Hong,Sangwuk PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-06.

Driving apparatus, display apparatus, and method of fabricating driving apparatus

Номер патента: US20240194689A1. Автор: FEI Yang,Yi Chen,Yu Wang,Jingbo Xu,Zhiqiang Dong,Lirong WANG,Mingi CHU,Tianji Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

An integrated circuit package having interchip bonding and method therefor

Номер патента: WO1999045591A9. Автор: Steve V Drehobl,Joseph D Fernandez,Mike Charles. Владелец: Microchip Tech Inc. Дата публикации: 1999-11-11.

Fabrication method of resistance variable memory apparatus

Номер патента: US9306166B1. Автор: Young Ho Lee,Jun Kwan Kim,Su Jin Chae. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-04-05.

Semiconductor integrated circuit device inspection method and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20130082260A1. Автор: Tomonori Nakamura. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2013-04-04.

Method of designing a semiconductor integrated circuit having a dummy area and the semiconductor integrated circuit thereof

Номер патента: US20090064078A1. Автор: Yoshitaka Kimura. Владелец: Kawasaki Microelectronics Inc. Дата публикации: 2009-03-05.

Method of fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20190288204A1. Автор: Jaeho Jung,Jeonghee Park,Changyup Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-19.

Photonic integrated circuit packaging architectures

Номер патента: WO2023048869A1. Автор: Nitin Deshpande,Xiaoqian Li,Srinivas PIETAMBARAM,Omkar Karhade. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2023-03-30.

Photonic integrated circuit packaging architectures

Номер патента: EP4406022A1. Автор: Nitin Deshpande,Xiaoqian Li,Srinivas PIETAMBARAM,Omkar Karhade. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-31.

Implanted led array and method of fabrication

Номер патента: US5663581A. Автор: Paige Holm,Benjamin W. Gable. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1997-09-02.

Integrated circuit assemblies having interconnection bridges spanning integrated circuit devices therein

Номер патента: US20230387073A1. Автор: Kai-Chiang Wu,Han-Wen LIN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT INCLUDING A PROTECTION CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURE

Номер патента: US20200273856A1. Автор: LEE Hyeng Ouk,LEE Chang Hwi,CHOI Joung Cheul,MOON Jung Eon. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2020-08-27.

Circuit device value controlling circuit of semiconductor integrated circuit and method thereof

Номер патента: KR960011261B1. Автор: 신영호,이정인. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1996-08-21.

Bonded debugging elements for integrated circuits and methods for debugging integrated circuits using same

Номер патента: WO2024035717A1. Автор: Belgacem Haba,Thomas Workman. Владелец: Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc.. Дата публикации: 2024-02-15.

Bonded debugging elements for integrated circuits and methods for debugging integrated circuits using same

Номер патента: US20240055407A1. Автор: Belgacem Haba,Thomas Workman. Владелец: Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor package, printed circuit board substrate and semiconductor device

Номер патента: US20150340335A1. Автор: Tsuguto Maruko. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-11-26.

Semiconductor package, printed circuit board substrate and semiconductor device

Номер патента: US9418957B2. Автор: Tsuguto Maruko. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-08-16.

Method of making high critical temperature metal nitride layer

Номер патента: US20220013707A1. Автор: Nag B. Patibandla,Yong Cao,Zihao Yang,Mingwei Zhu,Zhebo CHEN,Shane Lavan,Mohammad Kamruzzaman CHOWDHURY,Shriram Mangipudi. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Method of batch-fabricating flip-chip bonded dual integrated circuit arrays

Номер патента: US4416054A. Автор: Richard N. Thomas,Michael M. Sopira. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1983-11-22.

Automatic wiring method for semiconductor integrated circuit, program for the same, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20040251535A1. Автор: Shunya Nagata,Akiko Tooyama. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-12-16.

Method of making an electrical interconnection having angular lead design

Номер патента: US5162265A. Автор: Norman J. Roth. Владелец: Delco Electronics LLC. Дата публикации: 1992-11-10.

Variable-configuration semiconductor integrated circuit, multibit adder, and method for producing semiconductor integrated circuit configuration

Номер патента: RU95102140A. Автор: Gb],Остин Кеннет. Владелец: Пилкингтон Джомани (N 2) Лимитед (GB). Дата публикации: 1997-01-10.

Power source circuit device

Номер патента: US20040026770A1. Автор: Kenji Ikeda,Mitsuho Tsuchida,Makoda Nishikawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-12.

Thermoelectric spot coolers for rf and microwave communication integrated circuits

Номер патента: WO2002049105A3. Автор: Uttam Shyamalindu Ghoshal. Владелец: Ibm Uk. Дата публикации: 2002-12-05.

Thermoelectric spot coolers for rf and microwave communication integrated circuits

Номер патента: EP1342267A2. Автор: Uttam Shyamalindu Ghoshal. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-09-10.

Integrated circuit package having stacked integrated circuits and method therefor

Номер патента: WO2005001935A2. Автор: Soochok Kee. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2005-01-06.

Integrated circuit devices with capacitors

Номер патента: WO2021041490A1. Автор: Clive Bittlestone,Abhijit Kumar Das,Suman BELLARY. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2021-03-04.

Packaged integrated circuits and methods of producing thereof

Номер патента: EP1356718A2. Автор: Avner Badihi. Владелец: Shellcase Ltd. Дата публикации: 2003-10-29.

Flexible electronic device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230317904A1. Автор: Tsung-Han Tsai,Kuan-Feng Lee,Yuan-Lin Wu,Cheng-Hsu Chou. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Active interconnects and control points in integrated circuits

Номер патента: WO2006115968A3. Автор: Duncan Stewart,Frederick A Perner,R Stanley Williams,Gregory S Snider,Phillip J Kuekes. Владелец: Phillip J Kuekes. Дата публикации: 2007-08-16.

Active interconnects and control points in integrated circuits

Номер патента: EP1872398A2. Автор: Duncan Stewart,R. Stanley Williams,Frederick A. Perner,Gregory S. Snider,Phillip J. Kuekes. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2008-01-02.

Active interconnects and control points in integrated circuits

Номер патента: WO2006115968A2. Автор: Duncan Stewart,R. Stanley Williams,Frederick A. Perner,Gregory S. Snider,Phillip J. Kuekes. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2006-11-02.

Integrated circuit chip and package

Номер патента: EP1818988A3. Автор: Bo-Eun Kim,Kyung Oh Kim,Seok Phyo Sangrok Apt. 706-105 Sinjeong Maeul Tchun. Владелец: Integrant Technologies Inc. Дата публикации: 2008-12-31.

90 degree bump placement layout for an integrated circuit power grid

Номер патента: US6541873B1. Автор: Dean Liu,Sudhakar Bobba,Tyler Thorp. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2003-04-01.

120 degree bump placement layout for an integrated circuit power grid

Номер патента: US6617699B2. Автор: Dean Liu,Sudhakar Bobba,Tyler Thorp. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2003-09-09.

Integrated circuit with millimeter wave and inductive coupling and methods for use therewith

Номер патента: US20130171933A1. Автор: Ahmadreza Rofougaran. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-07-04.

Integrated circuit for preventing chip swapping and/or device cloning in a host device

Номер патента: US8650633B2. Автор: Love Kothari,Paul Chou. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2014-02-11.

120 Degree bump placement layout for an integrated circuit power grid

Номер патента: US20030098508A1. Автор: Dean Liu,Sudhakar Bobba,Tyler Thorp. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2003-05-29.

Selective cooling of an integrated circuit for minimizing power loss

Номер патента: US20040041582A1. Автор: Siva Narendra,Vivek De,Ali Keshavarzi,Jaume Segura. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-03-04.

Enhanced jet impingement leak prevention for integrated circuit

Номер патента: US20240175917A1. Автор: Kelly Lofgreen,Joseph Petrini,Paul Diglio,Sami Alelyani,Craig Yost,Ruben NUNEZ BLANCO,Christopher Ackerman,Varun NARAYAN,Jensen STENBERG. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor integrated circuit including fuse device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20040150054A1. Автор: Shinji Hirano. Владелец: Kawasaki Microelectronics Inc. Дата публикации: 2004-08-05.

Semiconductor package comprising stacked integrated circuit chips having connection terminals and through electrodes symmetrically arranged

Номер патента: US9824954B2. Автор: Takayuki Kamiya. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Internally generating patterns for testing in an integrated circuit device

Номер патента: US7313740B2. Автор: Adrian E. Ong. Владелец: Inapac Technology Inc. Дата публикации: 2007-12-25.

Method and apparatus for protecting wiring and integrated circuit device

Номер патента: EP1391420A3. Автор: Robert L. Anderson,David Reyes. Владелец: PTS Corp. Дата публикации: 2006-06-21.

Resilient electrical connectors for electromagnetic interference shielding structures in integrated circuit assemblies

Номер патента: WO2020206625A1. Автор: Chen Zhang,Guangying Zhang,Wei Liao,Jun Lu,Michael Leddige,Weimin Shi,Chuansheng Liu,Liguang DU,Eduardo MICHEL,Guillermo RENTERIA ZAMUDIO. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-10-15.

Manufacturing method of capacitive structure, and capacitor

Номер патента: US11869932B2. Автор: Chaojun Sheng. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Manufacturing method of capacitive structure, and capacitor

Номер патента: US11784216B2. Автор: Chaojun Sheng. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Manufacturing method of capacitive structure, and capacitor

Номер патента: US20220077280A1. Автор: Chaojun Sheng. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Method of manufacturing substrate for display device, substrate for display device, and display device

Номер патента: US9406911B2. Автор: Yong-Kwan Kim,Yong-Hwan Park,Jin Gyu Kang,Jae Seob Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8796104B2. Автор: Chang Eun Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2014-08-05.

Antenna-on-package integrated circuit device

Номер патента: US20200259239A1. Автор: Meysam Moallem,Ross Allan KULAK. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-08-13.

Manufacturing method of capacitive structure, and capacitor

Номер патента: US20220077281A1. Автор: Chaojun Sheng. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Semiconductor Device and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20130093054A1. Автор: Chang Eun Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2013-04-18.

Antenna-on-package integrated circuit device

Номер патента: US12015191B2. Автор: Meysam Moallem. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Thermal management of integrated circuits using phase change material and heat spreaders

Номер патента: EP2842161A1. Автор: LIANG Cheng,Zhongping Bao,James D. BURRELL. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-03-04.

Integrated circuit leadframe and fabrication method therefor

Номер патента: SG173394A1. Автор: Pandi Chelvam Marimuthu,Byung Hoon Ahn. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2011-08-29.

Integrated circuit suitable for use in radio receivers

Номер патента: WO2005034179A3. Автор: Charles D Thompson,Andrew W Dornbusch. Владелец: Silicon Lab Inc. Дата публикации: 2006-01-12.

Integrated circuit with adjusting elements and method for its manufacture

Номер патента: US8338970B2. Автор: Alexander Kurz,Ulrich Wicke,Juergen Haefner,Wolfgang Sinderhauf,Matthias Tortschanoff. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2012-12-25.

Integrated circuit with adjusting elements and method for its manufacture

Номер патента: US20060255887A1. Автор: Alexander Kurz,Ulrich Wicke,Juergen Haefner,Wolfgang Sinderhauf,Matthias Tortschanoff. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-16.

Mountable integrated circuit package system with substrate

Номер патента: US20090243067A1. Автор: Lionel Chien Hui Tay,Zigmund Ramirez Camacho,Henry Descalzo Bathan,Abelardo Jr. Advincula. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-10-01.

Integrated Circuit with Adjusting Elements and Method for Its Manufacture

Номер патента: US20110147065A1. Автор: Alexander Kurz,Ulrich Wicke,Juergen Haefner,Wolfgang Sinderhauf,Matthias Tortschanoff. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-23.

Systems and methods for providing distributed batteries in integrated circuits

Номер патента: US20240234345A1. Автор: Swarup Bhunia,Peyman Dehghanzadeh. Владелец: University of Florida Research Foundation Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Integrated circuit device having structure considering heat, three-dimensional integrated circuit, three-dimensional processor device, and process scheduler

Номер патента: JPWO2013080426A1. Автор: 高志森本,甲斐　康司,康司甲斐. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-27.

Wire bonding methods and integrated circuit devices on the active circuit area of integrated circuit devices

Номер патента: KR100335591B1. Автор: 캐더린지.하이넨,로저제이.스티어맨,라파엘시.알파로. Владелец: 텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드. Дата публикации: 2002-08-24.

Method of manufacturing an image sensor device

Номер патента: WO2017031109A1. Автор: Byung-Kyu Park,Shawn Michael O'rourke,Robert Rodriquez. Владелец: dpiX, LLC. Дата публикации: 2017-02-23.

Integrated circuits with multiple I/O regions

Номер патента: US20110260318A1. Автор: Robert Eisenstadt. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-10-27.

Solid state imaging device having a photoelectric conversion layer with plural silicon germanium layers, and method of manufacturing

Номер патента: US9006634B2. Автор: Hiroki Sasaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-14.

Bonding agent sheet for semiconductor device, semiconductor integrated circuit connection substrate using that and semiconductor device

Номер патента: JPH10144736A. Автор: Taiji Sawamura,Shoji Kigoshi,将次木越,泰司澤村,Yutaka Enomoto,裕榎本. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 1998-05-29.

3D integrated circuit structure, semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US9064849B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2015-06-23.

Substrate connector for integrated circuit devices

Номер патента: US20070001277A1. Автор: Kinya Ichikawa. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2007-01-04.

Multilayer film substrate, method of manufacturing multilayer film substrate, method of manufacturing semiconductor device, method of manufacturing display unit, and method of manufacturing electronic apparatus

Номер патента: US20130328071A1. Автор: Masanobu Tanaka. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-12-12.

Organic light-emitting apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170222190A1. Автор: YoungGil KWON,Sungwoong Kim,Jinbaek CHOI. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-03.

Antenna-on-package integrated circuit device

Номер патента: US11799190B2. Автор: Meysam Moallem,Ross Allan KULAK. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Image processing device and control method therefor

Номер патента: US20180138153A1. Автор: Takayuki Kamiya,Ayaka Kinoshita. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-05-17.

Organic light-emitting apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190198823A1. Автор: YoungGil KWON,Sungwoong Kim,Jinbaek CHOI. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-27.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20090239361A1. Автор: Hiroyuki Fujiwara,Takahito Suzuki,Mitsuhiko Ogihara,Hironori Furuta,Yusuke Nakai,Tomoki Igari,Tomohiko Sagimori. Владелец: Oki Data Corp. Дата публикации: 2009-09-24.

Manufacturing method of vertically structured gan led device

Номер патента: WO2009002045A3. Автор: Meoung Whan Cho,Pil Guk Jang,Hyun Chul Ko,Byung Il Cho. Владелец: Byung Il Cho. Дата публикации: 2009-02-26.

Mask, method of manufacturing the same, and method of manufacturing display panel

Номер патента: US20220165951A1. Автор: Minsuk KO,Bogeon JEON,Kabjong SEO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-26.

Organic light-emitting apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200303688A1. Автор: YoungGil KWON,Sungwoong Kim,Jinbaek CHOI. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Organic light-emitting apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220052305A1. Автор: YoungGil KWON,Sungwoong Kim,Jinbaek CHOI. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-17.

Thin film transistor array and method of manufacturing the same

Номер патента: US7816712B2. Автор: Hong-Sick Park,Jong-Hyun Choung,Sun-Young Hong,Bong-Kyun Kim,Byeong-Jin Lee,Won-Suk Shin,Joo-Ae Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-10-19.

Multisided integrated circuit assembly

Номер патента: US20240112966A1. Автор: David Lee. Владелец: AZIMUTH INDUSTRIAL COMPANY Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Integrated circuit leadframe and fabrication method therefor

Номер патента: SG139758A1. Автор: Pandi Chelvam Marimuthu,Byung Hoon Ahn. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2008-02-29.

Integrated circuit and operating method thereof

Номер патента: US20210082495A1. Автор: Yih Wang,Yen-Huei Chen,Chia-En HUANG,Hidehiro Fujiwara,Jui-che Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Integrated Circuit Device, Device, And Manufacturing Method

Номер патента: US20220310504A1. Автор: ITASAKA Yosuke,II Naoki. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-29.

Integrated circuit device having an opening exposing die of integrated circuit and manufacturing method thereof

Номер патента: JP4024335B2. Автор: エムサラティノマシュー,ジェームズスチュードベイカーエス. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 2007-12-19.

Image pickup device, integrated circuit of imaging device and processing method of imaging result

Номер патента: TW200614805A. Автор: Takahiro Fukuhara,Tadakuni Narabu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-05-01.

Method of integrating optical devices and electronic devices on an integrated circuit

Номер патента: EP1854128A2. Автор: Omar Zia,Nigel G. Cave. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2007-11-14.

Method of integrating optical devices and electronic devices on an integrated circuit

Номер патента: EP1854128A4. Автор: Omar Zia,Nigel G Cave. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2010-12-15.

Integrated circuit package having stacked integrated circuits and method therefor

Номер патента: US20060267173A1. Автор: Hem Takiar,Shrikar Bhagath,Ken Ming Wang. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2006-11-30.

Integrated circuit heat dissipator

Номер патента: US4254447A. Автор: Patrick D. Griffis. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1981-03-03.

Method of integrating optical devices and electronic devices on an integrated circuit

Номер патента: US20060105479A1. Автор: Omar Zia,Nigel Cave. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-05-18.

High-performance integrated circuit packaging platform compatible with surface mount assembly

Номер патента: US20200211950A1. Автор: John Westerman,Philipp Pahl,Colin March. Владелец: Keysight Technologies Inc. Дата публикации: 2020-07-02.

Integrated circuit and electronic device comprising a plurality of integrated circuits electrically coupled through a synchronization signal

Номер патента: US11742311B2. Автор: Nicola Marinelli,Angelo Scuderi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-08-29.

Interface bridge between integrated circuit die

Номер патента: US20210109883A1. Автор: Keith Duwel,David W. Mendel,Jeffrey Erik Schulz,Dinesh D. Patil,Gary Brian Wallichs,Jacob Raymond Jones. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-04-15.

Interface bridge between integrated circuit die

Номер патента: US20230305982A1. Автор: Keith Duwel,David W. Mendel,Jeffrey Erik Schulz,Dinesh D. Patil,Gary Brian Wallichs,Jakob Raymond Jones. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Interface bridge between integrated circuit die

Номер патента: EP3618280A1. Автор: Keith Duwel,David W. Mendel,Jeffrey Erik Schulz,Dinesh D. Patil,Gary Brian Wallichs,Jakob Raymond Jones. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-03-04.

Led module, method of manufacturing the same, and led display apparatus

Номер патента: US20240021751A1. Автор: Donggun Lee,Youngjin Choi,Jihye YEON,Hankyu SEONG,Sunghyun SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Integrated circuit and electronic device comprising a plurality of integrated circuits electrically coupled through a synchronization signal

Номер патента: US20230335524A1. Автор: Nicola Marinelli,Angelo Scuderi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-10-19.

Method of forming surface protrusions on an article and the article with the protrusions attached

Номер патента: US20150241476A1. Автор: Yang Liu,Lubomyr T. Romankiw,John Knickerbocker,Bing Dang,Maurice Mason. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-08-27.

Integrated circuit package assembly

Номер патента: US20200144226A1. Автор: Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Integrated circuit package assembly

Номер патента: US20180019229A1. Автор: Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-18.

Method of manufacturing solar cell

Номер патента: US20110183459A1. Автор: Yun-gi Kim,Dong-Kyun Kim,Jin-Wook Lee,Hwa-Young Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-28.

Integrated circuit for preventing chip swapping and/or device cloning in a host device

Номер патента: US20130047272A1. Автор: Love Kothari,Paul Chou. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-02-21.

Integrated circuit element and fabricating method thereof, circuit board, display panel and display device

Номер патента: US20180033629A1. Автор: WEI Liu,Xue Dong,Ping Zhang,Rui Xu,Haisheng Wang,Yingming Liu,Changfeng LI,Xueyou CAO,Xiaoliang DING,Lijun Zhao,Pengpeng Wang,Chunwei Wu,Yanling Han,Yuzhen GUO,Yanan Jia. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-01.

Integrated circuit with sequentially-coupled charge storage and associated techniques

Номер патента: US20230349755A1. Автор: Todd Rearick,Eric A.G. Webster,Thomas Raymond Thurston. Владелец: Quantum Si Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Systems and methods for integrating batteries with stacked integrated circuit die elements

Номер патента: EP3973528A1. Автор: Wei-Ti Liu,Darrel James Guzy. Владелец: Arbor Co LLP. Дата публикации: 2022-03-30.

Integrated circuit floorplan for compact clock distribution

Номер патента: EP2965236A2. Автор: Vaishnav Srinivas,David Ian West,Philip Michael Clovis,Robert Won Chol Kim. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-01-13.

Integrated circuit with sequentially-coupled charge storage and associated techniques

Номер патента: US20240044703A1. Автор: Todd Rearick,Eric A.G. Webster,Thomas Raymond Thurston. Владелец: Quantum Si Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Photonic integrated circuit packaging architectures

Номер патента: US20230089494A1. Автор: Xiaoqian Li,Srinivas V. Pietambaram,Omkar G. Karhade,Nitin A. Deshpande,Mitul Modi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Systems and methods of applying thermal interface materials

Номер патента: US20180009072A1. Автор: Mark D. Kittel,Jason L. Strader. Владелец: Laird Technologies Inc. Дата публикации: 2018-01-11.

Method of forming metal oxide layer and method of manufacturing perovskite solar cell using the same

Номер патента: US20240141499A1. Автор: Changsoon Kim,Sunghoon Han. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2024-05-02.

Integrated circuit and electronic device comprising a plurality of integrated circuits electrically coupled through a synchronization signal

Номер патента: EP3869541A2. Автор: Nicola Marinelli,Angelo Scuderi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-08-25.

Integrated circuit with improved charge transfer efficiency and associated techniques

Номер патента: AU2021394999A9. Автор: Eric A.G. Webster. Владелец: Quantum Si Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Integrated circuit with improved charge transfer efficiency and associated techniques

Номер патента: CA3204999A1. Автор: Eric A.G. Webster. Владелец: Quantum Si Inc. Дата публикации: 2022-06-16.

Integrated circuit with improved charge transfer efficiency and associated techniques

Номер патента: EP4244603A1. Автор: Eric A.G. Webster. Владелец: Quantum Si Inc. Дата публикации: 2023-09-20.

Systems And Methods For Configuring Signal Paths In An Interposer Between Integrated Circuits

Номер патента: US20240213985A1. Автор: Arch Zaliznyak,Gregory Steinke,Archanna Srinivasan. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Integrated circuit floorplan for compact clock distribution

Номер патента: US20140253228A1. Автор: Vaishnav Srinivas,David Ian West,Philip Michael Clovis,Robert Won Chol Kim. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2014-09-11.

Integrated circuit floorplan for compact clock distribution

Номер патента: WO2014137710A2. Автор: Vaishnav Srinivas,David Ian West,Philip Michael Clovis,Robert Won Chol Kim. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-09-12.

Semiconductor package for containing integrated circuits, has ball placed at periphery and remote from integrated circuit chips and connecting plates, and packaging material filled in space between support plates and drowning chips and ball

Номер патента: FR2905520A1. Автор: Julien Vittu. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2008-03-07.

Analog integrated circuit

Номер патента: US5535281A. Автор: Dale Gulick. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1996-07-09.

Microwave integrated circuit immune to adverse shielding effects

Номер патента: CA1230172A. Автор: Hiroshi Saka,Toshihide Tanaka. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1987-12-08.

Heat dissipative integrated circuit chip package

Номер патента: US4612601A. Автор: Toshihiko Watari. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1986-09-16.

Package for integrated circuit

Номер патента: CA1320006C. Автор: Norio Hidaka,Yasutake Hirachi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1993-07-06.

Integrated circuit package system with bump pad

Номер патента: US20070114639A1. Автор: Yaojian Lin,Haijing Cao,Romeo Alvarez,Wan Lay Looi. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2007-05-24.

Integrated Circuit Shielding Film and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20130193566A1. Автор: Chuan-Li Cheng,Hsueh-Tsu Chang. Владелец: Chenming Mold Industrial Corp. Дата публикации: 2013-08-01.

Integrated circuit allowing for testing and isolation of integrated power management unit

Номер патента: US20130047000A1. Автор: Kerry Thompson,Amar Guettaf,Love Kothari,Veronica Alarcon. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-02-21.

Method and apparatus for constructing an isolation capacitor in an integrated circuit

Номер патента: EP2965331A1. Автор: Gregory Dix,Randy Yach. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2016-01-13.

Integrated circuit ferroelectric memory devices including plate lines directly on ferroelectric capacitors

Номер патента: US6828611B2. Автор: Hyun-Ho Kim,Ki-nam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-12-07.

180 degree bump placement layout for an integrated circuit power grid

Номер патента: US20030098500A1. Автор: Pradeep Trivedi,Sudhakar Bobba,Tyler Thorp. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2003-05-29.

Active interconnects and control points in integrated circuits

Номер патента: US20060238217A1. Автор: R. Williams,Duncan Stewart,Philip Kuekes,Frederick Perner,Greg Snider. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-26.

Display panel and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210343792A1. Автор: Xianglong Li. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Sensor and integrated circuit module

Номер патента: US20210063212A1. Автор: Ming-Chih Tsai. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

DRIVER INTEGRATED CIRCUIT FOR DRIVING DISPLAY PANEL, DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR DRIVING DRIVER INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20170186388A1. Автор: Feng Xia,He Jian,ZHENG Liangliang,JIN Tingting. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-29.

Integrated Circuit, a Method and an Assembly for Manufacturing the Integrated Circuit, and a Mobile Phone Having the Integrated Circuit

Номер патента: US20070274058A1. Автор: Alain Cousin. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2007-11-29.

Method for forming an integrated circuit, method for forming a bonding pad in an integrated circuit and an integrated circuit structure

Номер патента: TW200735242A. Автор: Hsien-Wei Chen,Jun-Ren Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-16.

Methods and apparatus utilizing conjugated polymers in integrated circuit packages with glass substrates

Номер патента: US20240107784A1. Автор: Benjamin DUONG,Shayan Kaviani,Miranda Ngan,Mahdi Mohammadighaleni. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Method for Detecting the Repackaging of an Integrated Circuit after it has been Originally Packaged, and Corresponding Integrated Circuit

Номер патента: US20120091553A1. Автор: Pascal Fornara,Christian Rivero. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2012-04-19.

INTERLAYER FILLER COMPOSITION FOR THREE-DIMENSIONAL INTEGRATED CIRCUIT, COATING FLUID AND PROCESS FOR PRODUCING THREE-DIMENSIONAL INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20140030848A1. Автор: Takahashi Makoto,Kawase Yasuhiro,KAMIMURA Iho,IKEMOTO Makoto,Murase Tomohide,Hirai Takayoshi. Владелец: MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION. Дата публикации: 2014-01-30.

INTEGRATED CIRCUIT LAYOUT METHOD, DEVICE, AND SYSTEM

Номер патента: US20200006316A1. Автор: TIEN Li-Chun,LU Lee-Chung,Chen Chien-Ying,GUO Ta-Pen. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

INTEGRATED CIRCUIT DESIGN PROTECTING DEVICE AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20140111245A1. Автор: Kuo Tung-Cheng,Chen Sheng-Kai. Владелец: eMemory Technology Inc.. Дата публикации: 2014-04-24.

Integrated Circuits Including Magnetic Devices, And Associated Methods

Номер патента: US20140152350A1. Автор: Ikriannikov Alexandr,Stratakos Anthony J.,Burstein Andrew J.. Владелец: Volterra Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2014-06-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, DISPLAY DRIVER INTEGRATED CIRCUIT INCLUDING THE DEVICE, AND DISPLAY DEVICE INCLUDING THE DEVICE

Номер патента: US20160125833A1. Автор: Kim Myoung-Soo. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-05.

INTEGRATED CIRCUIT ARRAY AND METHOD FOR MANUFACTURING AN ARRAY OF INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20160256133A1. Автор: Dekker Ronald,Henneken Vincent Adrianus,Savov Angel Metodiev. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-08.

Integrated Circuits Including Magnetic Devices, And Associated Methods

Номер патента: US20150318248A1. Автор: Ikriannikov Alexandr,Stratakos Anthony J.,Burstein Andrew J.. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-05.

Pattern design for integrated circuits and method for inspecting the pattern design for integrated circuits

Номер патента: US20200335407A1. Автор: Min Soo Kang,Jong Soo Baek,Bo Young LEE,Jin Myoung Lee,Hyun Ah Roh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-22.

INTEGRATED CIRCUIT LAYOUT METHOD, DEVICE, AND SYSTEM

Номер патента: US20200350307A1. Автор: TIEN Li-Chun,LU Lee-Chung,Chen Chien-Ying,GUO Ta-Pen. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-05.

High-precision integrated circuit chip packaging device and packaging process thereof

Номер патента: CN114220773A. Автор: 马吉祥,李星星,魏永红,魏霄鸿,王国霖. Владелец: Jiangsu Gaogexin Microelectronics Co ltd. Дата публикации: 2022-03-22.

Integrated circuit for illumination device, and illumination device

Номер патента: CN103098236A. Автор: 增田亮一. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2013-05-08.

METHOD COMPRISING DETECTION OF INTEGRATED CIRCUIT BOX RETRIEVAL AFTER INITIAL SET-UP, AND CORRESPONDING INTEGRATED CIRCUIT.

Номер патента: FR2966268A1. Автор: Pascal Fornara,Christian Rivero. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2012-04-20.

Device and method for protecting an integrated circuit during an ESD event

Номер патента: US6353521B1. Автор: Dean Gans,Ken Marr. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-03-05.

Fabrication of wire bond pads over underlying active devices, passive devices and /or dielectric layers in integrated circuits

Номер патента: US20040070086A1. Автор: Jin-Yuan Lee,Albert Wu,Sehat Sutardja,Mou-Shiung Lin. Владелец: Megica Corp. Дата публикации: 2004-04-15.

Integrated circuit unit, manufacturing method thereof and electronic equipment comprising integrated circuit unit

Номер патента: CN107887386B. Автор: 朱慧珑. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2020-10-27.

Electronic device, wireless communication device, and electronic package device manufacturing method (device and method for packaging an integrated circuit chip having an antenna formed from a package lead wire)

Номер патента: JP5015962B2. Автор: ガウチャー、ブライアン、ピー,リュー、ダイシアン,ファイファー、ウルリッヒ、アール,ツヴィック、トーマス、エム. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-09-05.

Integrated circuit for illumination device, and illumination device

Номер патента: KR101428430B1. Автор: 료오이치 마스다. Владелец: 샤프 가부시키가이샤. Дата публикации: 2014-08-07.

Device and method for preventing an integrated circuit from malfunctioning due to a surge voltage

Номер патента: CN1822362B. Автор: 尹渶奂. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-02-23.

METHOD COMPRISING DETECTION OF INTEGRATED CIRCUIT BOX RETRIEVAL AFTER INITIAL SET-UP, AND CORRESPONDING INTEGRATED CIRCUIT.

Номер патента: FR2966268B1. Автор: Pascal Fornara,Christian Rivero. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2013-08-16.

Integrated circuit, semiconductor memory device and operating method

Номер патента: DE102005045664A1. Автор: Sang-Jib Suwon Han,Chang-Hwan Suwon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-03-30.

Method, device and computer program product for integrated circuit layout generation

Номер патента: KR101776385B1. Автор: 치아밍 호,아다리 라마 바드라 라오,멍카이 쉬,쾅훙 창,커잉 수,원하오 천,시엔신 션 리. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2017-09-07.

Device and method for preventing an integrated circuit from malfunctioning due to a surge voltage

Номер патента: US20060181825A1. Автор: Young-hwan Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-08-17.

METHOD FOR MANUFACTURING AN INTEGRATED CIRCUIT CONTAINING A METAL - INSULATING - METAL CAPACITOR AND CORRESPONDING INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: FR2957459A1. Автор: Simon Jeannot,Michel Marty,Jean-Christophe Giraudin. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2011-09-16.

Method for fabricating a security-protected electronic system, corresponding integrated circuit security protection device and corresponding electronic system

Номер патента: KR101105911B1. Автор: 피에르 그라베즈,미첼 씰. Владелец: 제말토 에스에이. Дата публикации: 2012-01-17.

Integrated circuit design protecting device and method thereof

Номер патента: TW201416903A. Автор: Tung-Cheng Kuo,Sheng-Kai Chen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2014-05-01.

Pattern design for integrated circuits and method for inspecting the pattern design for integrated circuits

Semiconductor unit, method of manufacturing the same, and electronic apparatus

Номер патента: US20180358424A1. Автор: Hironobu Abe. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-12-13.

Semiconductor unit, method of manufacturing the same, and electronic apparatus

Номер патента: US20200219963A1. Автор: Hironobu Abe. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2020-07-09.

Semiconductor unit, method of manufacturing the same, and electronic apparatus

Номер патента: US20160064468A1. Автор: Hironobu Abe. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-03-03.

Semiconductor unit, method of manufacturing the same, and electronic apparatus

Номер патента: US20220181430A1. Автор: Hironobu Abe. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2022-06-09.

Filler composition for space between layers of three-dimensional integrated circuit, coating fluid, and process for producing three-dimensional integrated circuit

Номер патента: EP2631255B1. Автор: Makoto Ikemoto,Yasuhiro Kawase,Makoto Takahashi,Tomohide Murase,Takayoshi Hirai,Iho Kamimura. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2020-03-18.

Semiconductor unit, method of manufacturing the same, and electronic apparatus

Номер патента: US12010887B2. Автор: Hironobu Abe. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-06-11.

Paste composition and method for forming silicon germanium layer

Номер патента: US20180301334A1. Автор: Shota Suzuki,Ken Kikuchi,Marwan Dhamrin,Masahiro Nakahara,Naoya Morishita. Владелец: Toyo Aluminum KK. Дата публикации: 2018-10-18.

Integrated circuit chip, manufacturing method thereof and semiconductor device

Номер патента: CN113725175A. Автор: 盛备备. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-30.

Integrated circuit reroutes layer preparation method and semiconductor devices

Номер патента: CN110444483A. Автор: 赖振楠. Владелец: Hosin Global Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-12.

Paste composition and method for forming silicon germanium layer

Номер патента: US10916423B2. Автор: Shota Suzuki,Ken Kikuchi,Marwan Dhamrin,Masahiro Nakahara,Naoya Morishita. Владелец: Toyo Aluminum KK. Дата публикации: 2021-02-09.

Paste composition and method for forming silicon germanium layer

Номер патента: JPWO2017051775A1. Автор: 健菊地,正博中原,菊地　健,マルワンダムリン,紹太鈴木,直哉森下. Владелец: TOYO ALMINIUM KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2018-07-12.

Semiconductor integrated circuit device having encapsulation film and method of fabricating the same

Номер патента: US20160190439A1. Автор: Se Ho LEE,Hae Chan PARK,Sang Chul Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-30.

METHOD OF MAKING SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURES WITH ATOMICALLY SMOOTH InGaP AND InP STOP LAYERS ON GaAs AND InP SUBSTRATES

Номер патента: RU2690859C1. Автор: Андрей Геннадьевич Гладышев,Антон Юрьевич Егоров. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает ФОНД ПЕРСПЕКТИВНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ. Дата публикации: 2019-06-06.

Integrated circuit devices including device isolation structures and methods of fabricating the same

Номер патента: US20110248357A1. Автор: Tae-jung Lee,Sun-hyun Kim,Oh-Kyum Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-10-13.

Low-resistance conductive pattern structures and methods of fabricating the same

Номер патента: US20110100693A1. Автор: Bo-Un Yoon,Byoung-Ho Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-05-05.

Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20180090437A1. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-03-29.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160260668A1. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2016-09-08.

Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US10014253B2. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-07-03.

Semiconductor integrated circuit device and layout method of patterns for semiconductor integrated circuit device

Номер патента: EP1381085A3. Автор: Hideo c/o NEC Electronics Corporation Sonohara. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-09-23.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same, and cell size calculation method for DRAM memory cells

Номер патента: US20020195669A1. Автор: Kazutami Arimoto,Toshinori Morihara,Hiroki Shimano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Semiconductor integrated circuit device, printed board and manufacturing method of the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20180049323A1. Автор: Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Lithium metal anode protective layer and method of depositing same on lithium metal anode

Номер патента: US20240213460A1. Автор: Jose-Antonio GONZALEZ. Владелец: BELENOS CLEAN POWER HOLDING AG. Дата публикации: 2024-06-27.

All-Solid-State Battery and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20220384785A1. Автор: Yuki Sasaki,Hajime Tsuchiya,Hironari Takase,Yong Sub Yoon. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2022-12-01.

Electromechanical Power Switch Integrated Circuits And Devices And Methods Thereof

Номер патента: US20230298840A1. Автор: Kiyoshi Mori,Ziep Tran,Giang Trung Dao,Michael Edward Ramon. Владелец: INOSO LLC. Дата публикации: 2023-09-21.

Dual-sided Radar Systems and Methods of Formation Thereof

Номер патента: US20210165072A1. Автор: Saverio Trotta,Ashutosh Baheti,Reinhard-Wolfgang Jungmaier,Adrian Mikolajczak. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-06-03.

Dual-sided radar systems and methods of formation thereof

Номер патента: US11733347B2. Автор: Saverio Trotta,Ashutosh Baheti,Reinhard-Wolfgang Jungmaier,Adrian Mikolajczak. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-08-22.

Automated method of circuit analysis

Номер патента: CA2260436C. Автор: Michael Phaneuf,Dick James,Pierrette Breton,Julia Elvidge,Ray Haythornthwaite. Владелец: Chipworks Inc. Дата публикации: 2007-11-27.

Antenna unit and method of producing an antenna unit

Номер патента: EP4343971A1. Автор: Pieter Lok,Andrea Neto,Antonius Johannes Matheus De Graauw,Konstantinos Doris,Giorgio Carluccio,Waqas Hassan SYED,Ralph Matthijs VAN SCHELVEN,Daniele Cavallo. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-03-27.

Energy conversion device and method of forming the same

Номер патента: US10637088B2. Автор: Pei-Chen Su,Jong Dae Baek,Yong Jin Yoon. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-04-28.

Energy conversion device and method of forming the same

Номер патента: WO2016190813A1. Автор: Pei-Chen Su,Jong Dae Baek,Yong Jin Yoon. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-12-01.

Antenna unit and method of producing an antenna unit

Номер патента: US20240106105A1. Автор: Pieter Lok,Andrea Neto,Antonius Johannes Matheus De Graauw,Konstantinos Doris,Giorgio Carluccio,Waqas Hassan SYED,Ralph Matthijs VAN SCHELVEN,Daniele Cavallo. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-03-28.

Energy conversion device and method of forming the same

Номер патента: US20180159162A1. Автор: Pei-Chen Su,Jong Dae Baek,Yong Jin Yoon. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-06-07.

Integrated circuit, battery monitoring device, and battery monitoring system

Номер патента: US11965933B2. Автор: Hitoshi Kobayashi,Keiichi Fujii,Yu Okada,Yosuke Goto,Kazuo Matsukawa. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-04-23.

Addressing for integrated circuits

Номер патента: EP4380071A3. Автор: Mustafa SAYGINER. Владелец: NOKIA SOLUTIONS AND NETWORKS OY. Дата публикации: 2024-07-31.

Dual phased array with single polarity beam steering integrated circuits

Номер патента: WO2019027981A1. Автор: Robert Ian Gresham,Robert Mcmorrow. Владелец: ANOKIWAVE, INC.. Дата публикации: 2019-02-07.

Integrated circuit chip tester with an anti-rotatioin link

Номер патента: PH12016502510B1. Автор: Victor Landa. Владелец: Xcerra Corp. Дата публикации: 2017-04-10.

Integrated circuit chip tester with an anti-rotation link

Номер патента: EP3158610A1. Автор: Victor Landa. Владелец: Xcerra Corp. Дата публикации: 2017-04-26.

Metallic film and manufacturing method of metallic film

Номер патента: US20170137928A1. Автор: Takashi Hara,Kosuke Katayama. Владелец: Aisin Seiki Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-18.

Integrated circuit, battery monitoring device, and battery monitoring system

Номер патента: EP3816639B1. Автор: Hitoshi Kobayashi,Keiichi Fujii,Yu Okada,Yosuke Goto,Kazuo Matsukawa. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2023-09-27.

Battery assembly for supplying power to an integrated circuit

Номер патента: US6141223A. Автор: Tomio Fukushima. Владелец: SMK Manufacturing Inc. Дата публикации: 2000-10-31.

Micro-electromechanical switch, method of manufacturing an integrated circuit including at least one such switch, and an integrated circuit

Номер патента: EP1777721A1. Автор: J Epson Eur. El. GmbH B. R&D Lab Pallarès Cuxart. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-04-25.

Imaging integrated circuits with focused ion beam

Номер патента: US7036109B1. Автор: Chun-Cheng Tsao,William Thompson,Erwan Le Roy,Theodore R. Lundquist,Eugene A. Delenia. Владелец: Credence Systems Corp. Дата публикации: 2006-04-25.

Single-port optical modulation device, integrated circuit including the device, and method of operating an optical modulator

Номер патента: JP3616229B2. Автор: ディー．フューアーマーク,エム．ウィーセンフェルドジェイ. Владелец: ルーセントテクノロジーズインコーポレーテッド. Дата публикации: 2005-02-02.

Dual Phased Array With Single Polarity Beam Steering Integrated Circuits

Номер патента: US20190044251A1. Автор: Robert Ian Gresham,Robert J. McMorrow. Владелец: Anokiwave Inc. Дата публикации: 2019-02-07.

Addressing for integrated circuits

Номер патента: US20240178841A1. Автор: Mustafa SAYGINER. Владелец: NOKIA SOLUTIONS AND NETWORKS OY. Дата публикации: 2024-05-30.

Addressing for integrated circuits

Номер патента: EP4380071A2. Автор: Mustafa SAYGINER. Владелец: NOKIA SOLUTIONS AND NETWORKS OY. Дата публикации: 2024-06-05.

Method of producing a black matrix layer

Номер патента: CA1271077A. Автор: Volker Gerstle,Gerhard Mauz. Владелец: Nokia Graetz GmbH. Дата публикации: 1990-07-03.

Integrated circuit chip tester with an anti-rotation link

Номер патента: WO2015195201A1. Автор: Victor Landa. Владелец: XCERRA CORPORATION. Дата публикации: 2015-12-23.

Optical Integrated Circuit

Номер патента: US20220231476A1. Автор: Yuta Ueda,Mitsuteru Ishikawa. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2022-07-21.

Techniques for laser alignment in photonic integrated circuits

Номер патента: CA3014585C. Автор: Cristian Stagarescu,Richard Robert Grzybowski,Roe Hemenway,Daniel MEEROVICH,Malcolm R. Green,Wolfgang PARZ,Jichi MA,Nathan BICKEL. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Integrated circuit, battery monitoring device, and battery monitoring system

Номер патента: WO2020003850A1. Автор: 小林　仁,松川　和生,岡田　雄,後藤　陽介,藤井　圭一. Владелец: パナソニックＩｐマネジメント株式会社. Дата публикации: 2020-01-02.

Semiconductor integrated circuit, semiconductor storage device, and control method

Номер патента: US11749358B2. Автор: Tomoaki Suzuki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor integrated circuit and abnormal oscillation detection method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US8248169B2. Автор: Masanori Honda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-08-21.

Semiconductor integrated circuit, reception device, memory system, and semiconductor storage device for reducing power consumption of equalizer

Номер патента: US11989442B2. Автор: Shinichi Ikeda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Semiconductor integrated circuit, radio communication device and time to digital converter

Номер патента: US20120063520A1. Автор: Hiroyuki Kobayashi,Jun Deguchi,Daisuke Miyashita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-03-15.

Integrated circuit and display device and anti-interference method thereof

Номер патента: US20190236996A1. Автор: Chin-Hung Hsu,Hsi-Mao Yu. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2019-08-01.

Integrated circuit vertical trench device and method of forming thereof

Номер патента: EP1292981A2. Автор: Alexander Michaelis,Uwe Schroeder,Helmut Horst Tews,Brian S. Lee,Stephan Kudleka. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2003-03-19.

Verifying interconnection between media devices and meters using touch sensing integrated circuits

Номер патента: US20190370140A1. Автор: Andrej Barbis. Владелец: Nielsen Co US LLC. Дата публикации: 2019-12-05.

Verifying interconnection between media devices and meters using touch sensing integrated circuits

Номер патента: US20180160111A1. Автор: Andrej Barbis. Владелец: Nielsen Co US LLC. Дата публикации: 2018-06-07.

Integrated circuit having data output circuit and semiconductor memory system including the same

Номер патента: US11688439B2. Автор: Dong Heon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-06-27.

Method of manufacturing display panel with color control layer including wall bases having reflective layers on sidewalls thereof

Номер патента: US11758788B2. Автор: Sanggab Kim,SungWon Cho,Seon Uk LEE,Kanguk KIM,Tae Hyung HWANG,Donchan Cho,Kyeongsu KO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Clock integrated circuit including heterogeneous oscillators and apparatus including the clock integrated circuit

Номер патента: US11811364B2. Автор: Jaehoon Lee,Seunghyun Oh,Jaehong Jung,Seungjin Kim,Joomyoung Kim,Jinhyeon LEE,Gihyeok HA,Yelim YOUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-07.

Clock integrated circuit including heterogeneous oscillators and apparatus including the clock integrated circuit

Номер патента: EP4113839A1. Автор: Jaehoon Lee,Seunghyun Oh,Seungjin Kim,Joomyoung Kim,Jinhyeon LEE,Gihyeok HA,Yelim YOUN,Jaehong Jaehong JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-04.

Clock integrated circuit including heterogeneous oscillators and apparatus including the clock integrated circuit

Номер патента: US20240030870A1. Автор: Jaehoon Lee,Seunghyun Oh,Jaehong Jung,Seungjin Kim,Joomyoung Kim,Gihyeok HA,Yelim YOUN,Jihnyeon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Method of making high critical temperature metal nitride layer

Номер патента: US12052935B2. Автор: Nag B. Patibandla,Yong Cao,Zihao Yang,Mingwei Zhu,Zhebo CHEN,Shane Lavan,Mohammad Kamruzzaman CHOWDHURY,Shriram Mangipudi. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Method of manufacturing qled device, qled device, and display device

Номер патента: US20240292726A1. Автор: Zhenlei YAO. Владелец: TCL Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

System and method of information control and presentation

Номер патента: RU2628438C1. Автор: Джон ШУЛЬЦ,Кристофер ВУД. Владелец: Экспед Холдингс Пти Лтд. Дата публикации: 2017-08-16.

Manufacturing method for wireless communications devices employing potentially different versions of integrated circuits

Номер патента: EP1155583A1. Автор: Ronald D. Boesch. Владелец: Ericsson Inc. Дата публикации: 2001-11-21.

Control device and method for actuation of vehicle safety means

Номер патента: RU2518200C2. Автор: ЗИВЕРС Фалько,ШУМАХЕР Хартмут,ГШВИНД-ШИЛЛИНГ Райнер,ФЮРСТ Райнер,ЛИСТ Карстен. Владелец: Роберт Бош Гмбх. Дата публикации: 2014-06-10.

Semiconductor integrated circuit, a contactless information medium having the semiconductor integrated circuit, and a method of driving the semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6659352B1. Автор: Taketoshi Matsuura,Hiroaki Asada,Atsuo Inoue,Tatsumi Sumi,Joji Nakane. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-09.

A semiconductor integrated circuit, a contactless information medium having the semiconductor integrated circuit, and a method of driving the semiconductor integrated circuit

Номер патента: KR100700849B1. Автор: 아사다히로아키,나카네죠지,스미다츠미,마츠우라다케토시,이노우에아츠오. Владелец: 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤. Дата публикации: 2007-03-29.

Signal processing integrated circuit, image reading device, and image forming apparatus

Номер патента: EP1954026A3. Автор: Hajime Tsukahara,Tohru Kanno. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2009-09-30.

Gas sensor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150241386A1. Автор: Hyungjun Kim,Jeong-Gyu SONG,Kyung Yong KO. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2015-08-27.

Programmable gain amplifier, integrated circuit, electronic device, and frequency correction method

Номер патента: EP4369600A1. Автор: Min Chen,Peiteng CHEN. Владелец: Chipsea Technologies Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-15.

Integrated circuit devices with receiver chain peak detectors

Номер патента: US12063019B2. Автор: Arnab Das,Harikrishna Parthasarathy. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Vehicle and certificate validation method of vehicle

Номер патента: US20240179012A1. Автор: Hojin JUNG. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Gate-on voltage generation circuit, display panel driving device and display device

Номер патента: US11749174B2. Автор: Mingliang Wang. Владелец: Chongqing Advance Display Technology Research. Дата публикации: 2023-09-05.

Method of fabricating semiconductor memory device

Номер патента: EP4207966A1. Автор: Yuna Lee,Chanmi LEE,Jungpyo Hong,Sangwuk PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-05.

Method of joining and method of fabricating an organic light emitting diode display device using the same

Номер патента: US20110315314A1. Автор: Hyo-Jin Kim,Jae-Seob LEE,Kyu-Sung Lee,Jin-ho Kwack,Jae-Kyeong Jeong. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-29.

Method of making high critical temperature metal nitride layer

Номер патента: US20230329125A1. Автор: Nag B. Patibandla,Yong Cao,Zihao Yang,Mingwei Zhu,Zhebo CHEN,Shane Lavan,Mohammad Kamruzzaman CHOWDHURY,Shriram Mangipudi. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Traffic monitoring method, apparatus, integrated circuit, network device, and network system

Номер патента: US12040959B2. Автор: Wei Song,Jing Hu,Zhengyi Zhang,Haifeng Wu,Feiran Yang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor integrated circuit and abnormal oscillation detection method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20120280757A1. Автор: Masanori Honda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-11-08.

Special-purpose cryptographic integrated circuit, which includes encoded in the circuit conversion function

Номер патента: RU2708358C1. Автор: ДЕ КАСТРО Эдвард Л. РОДРИГЕС,Эдриан Джордж ПОРТ,Сагар В. РЕДДИ. Владелец: БЛОКЧЕЙН АСИКС ЭлЭЛСи. Дата публикации: 2019-12-05.

Relatively unique ID in integrated circuit

Номер патента: US20040181303A1. Автор: Simon Walmsley. Владелец: SILVERBROOK RESEARCH PTY LTD. Дата публикации: 2004-09-16.

Integrated circuit personalisation

Номер патента: US11206145B2. Автор: Jerome Perrine,Marco Macchetti,Claudio Favi,Roan Hautier,Sebastien BELLON. Владелец: Nagravision SA. Дата публикации: 2021-12-21.

Semiconductor integrated circuit and abnormal oscillation detection method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20120280757A1. Автор: Masanori Honda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-11-08.

Semiconductor integrated circuit and abnormal oscillation detection method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US8754715B2. Автор: Masanori Honda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-06-17.

Integrated circuit personalisation

Номер патента: EP3710976A1. Автор: Jerome Perrine,Marco Macchetti,Claudio Favi,Roan Hautier,Sebastien BELLON. Владелец: Nagravision SA. Дата публикации: 2020-09-23.

Integrated circuit personalisation

Номер патента: US20200396090A1. Автор: Jerome Perrine,Marco Macchetti,Claudio Favi,Roan Hautier,Sebastien BELLON. Владелец: Nagravision SA. Дата публикации: 2020-12-17.

Integrated circuit personalisation

Номер патента: WO2019096748A1. Автор: Jerome Perrine,Marco Macchetti,Claudio Favi,Roan Hautier,Sebastien BELLON. Владелец: Nagravision S.A.. Дата публикации: 2019-05-23.

Method of manufacturing Josephson junction integrated circuits

Номер патента: US4498228A. Автор: Don W. Jillie, Jr.,Lawrence N. Smith. Владелец: Sperry Corp. Дата публикации: 1985-02-12.

Multiplexing connection between a key board and an integrated circuit device

Номер патента: US3834616A. Автор: I Washizuka,M Kaumae. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1974-09-10.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20230380147A1. Автор: Shuai Guo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Integrated circuit device timing calibration

Номер патента: EP2580755A1. Автор: Brian S. Leibowitz,Yohan U. Frans,Akash Bansal,Kyung Suk Oh. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2013-04-17.

Method and system for encryption-based design obfuscation for an integrated circuit

Номер патента: WO2007011507A2. Автор: John Fagan. Владелец: ATMEL CORPORATION. Дата публикации: 2007-01-25.

Method and a system for controlling a plurality of electronic components arbitrarily assignable to a plurality of integrated circuits of a mobile communications device

Номер патента: US20170063583A1. Автор: Steffen Reinhardt. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2017-03-02.

Offset modulating circuit for optical disc, integrated circuit, optical disc device and offset modulating method

Номер патента: TW200426809A. Автор: Hideaki Sasaki. Владелец: Sanyo Electric Co. Дата публикации: 2004-12-01.

Offset modulating circuit for optical disk, integrated circuit, optical disk device and offset modulating method

Номер патента: TWI286748B. Автор: Hideaki Sasaki. Владелец: Sanyo Electric Co. Дата публикации: 2007-09-11.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT, INFORMATION PROCESSING DEVICE AND IAMGE FORMING APPARATUS

Номер патента: US20140292391A1. Автор: Takemura Masataka. Владелец: KYOCERA Document Solutions Inc.. Дата публикации: 2014-10-02.

Superconductive tunnel junction integrated circuit

Номер патента: US4430662A. Автор: Don W. Jillie, Jr.,Lawrence N. Smith. Владелец: Sperry Corp. Дата публикации: 1984-02-07.

Semiconductor integrated circuit, semiconductor storage device, and control method

Номер патента: JP2022096389A. Автор: Tomoaki Suzuki,智明鈴木. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-06-29.

A cut-through forwarding module and a method of receiving and transmitting data frames in a cut-through forwarding mode

Номер патента: EP2842277A1. Автор: Graham Edmiston. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-03-04.

Integrated circuit with graduated on-die termination

Номер патента: EP4235446A3. Автор: Kyung Suk Oh,Ian P. Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2023-10-25.

Integrated circuit devices with receiver chain peak detectors

Номер патента: US20240056047A1. Автор: Arnab Das,Harikrishna Parthasarathy. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Integrated circuit devices with receiver chain peak detectors

Номер патента: US11824508B2. Автор: Arnab Das,Harikrishna Parthasarathy. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Verifying interconnection between media devices and meters using touch sensing integrated circuits

Номер патента: US11829272B2. Автор: Andrej Barbis. Владелец: Nielsen Co US LLC. Дата публикации: 2023-11-28.

Integrated circuit devices with parallel power amplifier output paths

Номер патента: US20210288613A1. Автор: Rohit Chatterjee. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-09-16.

Verifying interconnection between media devices and meters using touch sensing integrated circuits

Номер патента: US20240168856A1. Автор: Andrej Barbis. Владелец: Nielsen Co US LLC. Дата публикации: 2024-05-23.

Verifying interconnection between media devices and meters using touch sensing integrated circuits

Номер патента: US20210311849A1. Автор: Andrej Barbis. Владелец: Nielsen Co US LLC. Дата публикации: 2021-10-07.

Integrated circuit devices with parallel power amplifier output paths

Номер патента: US20210075371A1. Автор: Rohit Chatterjee. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-03-11.

Manufacturing method for wireless communications devices employing potentially different versions of integrated circuits

Номер патента: WO2000051379A1. Автор: Ronald D. Boesch. Владелец: Ericsson, Inc.. Дата публикации: 2000-08-31.

Microphone apparatus and electronic device having linear microphone array with non-uniform configuration and method of processing sound signal

Номер патента: US20210051401A1. Автор: Han Yi LIU. Владелец: Wistron Corp. Дата публикации: 2021-02-18.

Information processing apparatus and semiconductor device

Номер патента: US11546485B2. Автор: Kenji Kuroishi,Tsutomu NAKAMINATO,Yuya Hirayama. Владелец: FUJIFILM BUSINESS INNOVATION CORP. Дата публикации: 2023-01-03.

Information processing apparatus and semiconductor device

Номер патента: US20200288038A1. Автор: Kenji Kuroishi,Tsutomu NAKAMINATO,Yuya Hirayama. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Communication control device, radio terminal, memory card, integrated circuit, radio communication device, and radio communication method

Номер патента: EP3139686A4. Автор: Tomoko Adachi,Toshihisa Nabetani,Ryoko Matsuo,Tsuguhide Aoki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-12-13.

Dual universal integrated circuit card (UICC) system for a portable device

Номер патента: NZ544845A. Автор: Chun-Hsin Ho. Владелец: Chun Hsin Ho. Дата публикации: 2006-08-31.

Display driving integrated circuit of display device and method of operating the same

Номер патента: KR20220083421A. Автор: 이종현,정윤석,이종오,권경환. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-06-20.

Dual universal integrated circuit card (uicc) system for a portable device

Номер патента: IL173376A. Автор: . Владелец: Chun Hsin Ho. Дата публикации: 2010-11-30.

Method and apparatus for integrated circuit power up

Номер патента: US20040012263A1. Автор: Hakam Hussein,Sam Bhattarai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-22.

Dual universal integrated circuit card (uicc) system for a portable device

Номер патента: CA2535102C. Автор: Chun-Hsin Ho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-05-03.

Liquid ejecting apparatus, drive circuit, and integrated circuit

Номер патента: EP3842231A3. Автор: Tomokazu Yamada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2021-09-15.

Liquid ejecting apparatus, drive circuit, and integrated circuit

Номер патента: EP3842231A2. Автор: Tomokazu Yamada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2021-06-30.

Modular optical device and modules therefor

Номер патента: US20180292607A1. Автор: Gabriel Charlet,Po Dong. Владелец: Alcatel Lucent Bell Labs France SAS. Дата публикации: 2018-10-11.

Integrated circuit, method for manufacturing an integrated circuit, wafer and method for manufacturing a wafer

Номер патента: US11818900B2. Автор: Hans Taddiken,Christoph Glacer,Christoph Kadow,Dominik Heiss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-11-14.

Integrated Circuit Provisioning Using Physical Unclonable Function

Номер патента: EP2874135A3. Автор: Heyun Zheng,Paul D. Ducharme. Владелец: ViXS Systems Inc. Дата публикации: 2015-05-27.

Integrated circuit vertical trench device and method of forming therof

Номер патента: TW506047B. Автор: Alexander Michaelis,Uwe Schroeder,Helmut Horst Tews,Stephan Kudelka,Brian S Lee. Владелец: Infineon Technologies Corp. Дата публикации: 2002-10-11.

Power-up based integrated circuit configuration

Номер патента: WO2017180779A2. Автор: James E. Bartling,Bryan Kris. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2017-10-19.

Power controlling integrated circuit cell

Номер патента: WO2007012788A1. Автор: David Walter Flynn,David William Howard,Dhrumil Gandhi,John Philip Biggs. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2007-02-01.

Method for increasing the input voltage of an integrated circuit with a two-stage charge pump, and integrated circuit

Номер патента: US20050077949A1. Автор: Michael Hausmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-04-14.

Modular optical device and optoelectronic modules therefor

Номер патента: WO2018191178A1. Автор: Po Dong,Gabriel Charles. Владелец: Nokia Bell Labs France. Дата публикации: 2018-10-18.

Power Controlling Integrated Circuit Cell

Номер патента: US20090066164A1. Автор: David Walter Flynn,David William Howard,Dhrumil Gandhi,John Philip Biggs. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-12.

Integrated circuit for reducing CPU surge, computer system with the integrated circuit, and method for reducing CPU surge

Номер патента: TWI257545B. Автор: Don Nguyen,Alexander Waizman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-07-01.

Inter-integrated circuit-slave interface, and method for operating an inter-integrated circuit-slave interface

Номер патента: US9025716B2. Автор: Dorde CVEJANOVIC. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2015-05-05.

Electronic trigger for protecting electrical network, has integration circuit with analog integration circuit arranged between sensors and analog circuit and digital integration circuit arranged between sensors and processing circuit

Номер патента: FR2897437A1. Автор: Pascal Houbre. Владелец: Schneider Electric Industries SAS. Дата публикации: 2007-08-17.

Initializing components of an integrated circuit

Номер патента: US9484930B2. Автор: Robert Michael Dinkjian,Giang Chau Nguyen,James Mitchell Rakes. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Self-compensating, maximum speed integrated circuit

Номер патента: US4691124A. Автор: Steven P. Allen,Robert C. Ledzius. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1987-09-01.

Integrated circuit and related improvements

Номер патента: GB2374242B. Автор: Stephen Maxwell Parkes. Владелец: UNIVERSITY OF DUNDEE. Дата публикации: 2005-03-16.

System for optimizing routing of communication between devices and resource reallocation in a network

Номер патента: US20220190881A1. Автор: Jeremy Chritz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-16.

System for optimizing routing of communication between devices and resource reallocation in a network

Номер патента: US11784923B2. Автор: John Watson,Jeremy Chritz,David Hulton,John Schroeter. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Error detection on integrated circuit input/output pins

Номер патента: US20210223313A1. Автор: Yuhong Fang,George Gruev,Mark CIOLEK,Harshitha GUDIPATI. Владелец: Signigy Holding BV. Дата публикации: 2021-07-22.

Error detection on integrated circuit input/output pins

Номер патента: EP3465239A1. Автор: Yuhong Fang,George Gruev,Mark CIOLEK,Harshitha GUDIPATI. Владелец: Signify Holding BV. Дата публикации: 2019-04-10.

Method and system for encryption-based design obfuscation for an integrated circuit

Номер патента: WO2007011507A3. Автор: John Fagan. Владелец: John Fagan. Дата публикации: 2007-11-29.

Integrated circuit

Номер патента: EP1374403A2. Автор: Stephen Maxwell Parkes. Владелец: UNIVERSITY OF DUNDEE. Дата публикации: 2004-01-02.

System for optimizing routing of communication between devices and resource reallocation in a network

Номер патента: US20190020581A1. Автор: John Watson,Jeremy Chritz,David Hulton,John Schroeter. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-17.

Traffic monitoring method, apparatus, integrated circuit, network device, and network system

Номер патента: US20230198873A1. Автор: Wei Song,Jing Hu,Zhengyi Zhang,Haifeng Wu,Feiran Yang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

System for optimizing routing of communication between devices and resource reallocation in a network

Номер патента: US20200067571A1. Автор: Jeremy Chritz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-02-27.

System for optimizing routing of communication between devices and resource reallocation in a network

Номер патента: US20190020382A1. Автор: Jeremy Chritz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-17.

System for optimizing routing of communication between devices and resource reallocation in a network

Номер патента: EP3652903A1. Автор: John Watson,Jeremy Chritz,David Hulton,John A. Schroeter. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-05-20.

System for optimizing routing of communication between devices and resource reallocation in a network

Номер патента: WO2019014383A1. Автор: John Watson,Jeremy Chritz,David Hulton,John A. Schroeter. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-01-17.

System for optimizing routing of communication between devices and resource reallocation in a network

Номер патента: US20200112506A1. Автор: John Watson,Jeremy Chritz,David Hulton,John Schroeter. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-09.

Level shifter and integrated circuit system including the same

Номер патента: US20230344418A1. Автор: Hyung Il Kim,Tae Woo Oh. Владелец: Haechitech Corp. Дата публикации: 2023-10-26.

Hearing aid including an integrated circuit and an integrated circuit in a hearing aid

Номер патента: WO2001010167A3. Автор: Joergen Skindhoej,Per Kokholm Soerensen. Владелец: Per Kokholm Soerensen. Дата публикации: 2001-08-09.

Method of transmitting data using mobile station during intermittent reception

Номер патента: RU2453072C2. Автор: Кеннет А. СТЮАРТ,Роберт Т. ЛАВ,Рави КУЧИБХОТЛА. Владелец: Моторола Мобилити, Инк.. Дата публикации: 2012-06-10.

Portable electronic apparatus with near field communication (nfc) application and method of operating the portable electronic apparatus

Номер патента: US20080032626A1. Автор: Shou-Fang Chen. Владелец: MStar Semiconductor Inc Taiwan. Дата публикации: 2008-02-07.

Printed circuit board (PCB) having a plurality of integrated circuits (ICS) interconnected through routing pins in one central integrated circuit

Номер патента: US7480748B2. Автор: Dae-Hyun Sim,Kang-Hoon Lee,Cheong-Sun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-01-20.

Power loss protection integrated circuit using low volatage capacitor

Номер патента: US20240063657A1. Автор: Seonho Kim,Jinup Lim,Jongchul CHAE,Kichang Jang. Владелец: Fadu Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Controller network and method of controlling a controller network

Номер патента: US20120041572A1. Автор: Brian Halsall. Владелец: OXFORD INSTRUMENTS NANOTECHNOLOGY TOOLS LTD. Дата публикации: 2012-02-16.

Integrated Circuit with Improved Logic Cells

Номер патента: US20100219860A1. Автор: Wen Zhou,Fung Fung Lee. Владелец: Agate Logic Beijing Inc. Дата публикации: 2010-09-02.

Device and method for accessing service using authentication of electronic device

Номер патента: US20220158998A1. Автор: Jieun KEUM,Oleksandr ANDRIEIEV. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-19.

Memory controller and method of operating the same

Номер патента: US20220284978A1. Автор: Dae Sung Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-09-08.

System and method of recording and sharing mobile application activities

Номер патента: US9386443B2. Автор: Jonathan K. KIES,Giridhar D. Mandyam,Jee Y. Park. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-07-05.

Method of traffic flow management in wireless communications system with stream classification service, and associated apparatus

Номер патента: US20230047109A1. Автор: Gabor Bajko,Chien-Fang Hsu. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Electronic device for receiving wireless power, and operating method of electronic device

Номер патента: US20210194285A1. Автор: Seho Park,Chihyun CHO,Yusu KIM,Juhyang LEE,Yongsang YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-24.

Electronic device for receiving wireless power, and operating method of electronic device

Номер патента: EP3675324A1. Автор: Seho Park,Chihyun CHO,Yusu KIM,Juhyang LEE,Yongsang YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-01.

Controller network and method of controlling a controller network

Номер патента: EP2404226A2. Автор: Brian Halsall. Владелец: OXFORD INSTRUMENTS NANOTECHNOLOGY TOOLS LTD. Дата публикации: 2012-01-11.

Integrated Circuit with Improved Logic Cells

Номер патента: US20100219861A1. Автор: Wen Zhou,Fung Fung Lee. Владелец: Agate Logic Beijing Inc. Дата публикации: 2010-09-02.

System and method of recording and sharing mobile application activities

Номер патента: WO2010129580A1. Автор: Jonathan K. KIES,Giridhar D. Mandyam,Jee Y. Park. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2010-11-11.

System and method of recording and sharing mobile application activities

Номер патента: EP2430545A1. Автор: Jonathan K. KIES,Giridhar D. Mandyam,Jee Y. Park. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2012-03-21.

INTEGRATED CIRCUIT FOR ILLUMINATION DEVICE, AND ILLUMINATION DEVICE

Номер патента: US20130162150A1. Автор: Masuda Ryohichi. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2013-06-27.

BASE STATION DEVICE, PROGRAM, INTEGRATED CIRCUIT, MOBILE STATION DEVICE, AND COMMUNICATION SYSTEM

Номер патента: US20150043451A1. Автор: Hamaguchi Yasuhiro,Yokomakura Kazunari,Nakamura Osamu,Goto Jungo,Takahashi Hiroki. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2015-02-12.

INTER-INTEGRATED CIRCUIT-SLAVE INTERFACE, AND METHOD FOR OPERATING AN INTER-INTEGRATED CIRCUIT-SLAVE INTERFACE

Номер патента: US20140153681A1. Автор: Cvejanovic Dorde. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2014-06-05.

VERIFYING INTERCONNECTION BETWEEN MEDIA DEVICES AND METERS USING TOUCH SENSING INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20180160111A1. Автор: Barbis Andrej. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-07.

INTEGRATED CIRCUIT AND DISPLAY DEVICE AND ANTI-INTERFERENCE METHOD THEREOF

Номер патента: US20190236996A1. Автор: Hsu Chin-Hung,Yu Hsi-Mao. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2019-08-01.

MANAGEMENT METHOD FOR EMBEDDED UNIVERSAL INTEGRATED CIRCUIT CARD, RELATED DEVICE, AND SYSTEM

Номер патента: US20160286380A1. Автор: Long Shuiping. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-29.

VERIFYING INTERCONNECTION BETWEEN MEDIA DEVICES AND METERS USING TOUCH SENSING INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20190370140A1. Автор: Barbis Andrej. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-05.

Integrated circuit board pressing device and method

Номер патента: CN113543532A. Автор: 王爱国,黄国建. Владелец: SICHUAN SHENBEI CIRCUIT TECHNOLOGY CO LTD. Дата публикации: 2021-10-22.

Electronic tag/badge inductive coupling transmission having short duration pulses magnetic field transmitted and pulse envelope integrated circuit returned/extracted with detector finding amplitude variation near integrated circuit.

Номер патента: FR2833785A1. Автор: Bruno Charrat. Владелец: Inside Technologies SA. Дата публикации: 2003-06-20.

Integrated circuit and method for protecting security features of an integrated circuit

Номер патента: CN108604282B. Автор: B·王,B·佩德森,Y·S·王,T·鲁,A·多世. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2022-04-15.

Adjustment of bias current in a first integrated circuit based on a signal gain of a second integrated circuit

Номер патента: IL155261A. Автор: . Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2009-11-18.

Semiconductor device and data outputting method of the same

Номер патента: US20090167413A1. Автор: Jae-Hyuk Im,Kee-Teok Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-07-02.

Method of decoding entropy-encoded data

Номер патента: CA2628704C. Автор: Guixing Wu,Brian Lamb,Michael Carmody. Владелец: BlackBerry Ltd. Дата публикации: 2014-03-25.

Method for producing an integrated circuit comprising a cavity in a material layer and integrated circuit produced using said method

Номер патента: EP1101389B1. Автор: Robert Aigner,Klaus-Günter Oppermann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-09-24.

Management method for embedded universal integrated circuit card, related device and system

Номер патента: EP3073777A1. Автор: Shuiping Long. Владелец: Huawei Device Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-28.

Audio reproducing device and method, audio amplifier, and integrated circuit for audio amplifier

Номер патента: WO2003005570A1. Автор: Mamoru Kitamura. Владелец: Niigata Seimitsu Co., Ltd.. Дата публикации: 2003-01-16.

Wireless controlling device, wireless terminal, memory card, integrated circuit, wireless communication device and wireless communication method

Номер патента: EP3522645A1. Автор: Tomoko Adachi,Toshihisa Nabetani,Ryoko Matsuo,Tsuguhide Aoki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-08-07.

Audio reproducing device and method, audio amplifier, and integrated circuit for audio amplifier

Номер патента: US20040131193A1. Автор: Mamoru Kitamura. Владелец: NIIGATU SEIMITSU CO Ltd. Дата публикации: 2004-07-08.

TERMINAL, BASE STATION, METHOD FOR TRANSMITTING A RESPONSE SIGNAL FROM A TERMINAL, METHOD FOR RECEIVING A RESPONSE SIGNAL TRANSMITTED FROM A TERMINAL, INTEGRATED CIRCUIT TO CONTROL A PROCESS IN A TERMINAL AND INTEGRATED CIRCUIT IN A PROCESS BASE STATION

Номер патента: BR112012009379B1. Автор: Seigo Nakao,Akihiko Nishio,Daichi Imamura,Ayako Horiuchi. Владелец: Sun Patent Trust. Дата публикации: 2021-08-24.

INTEGRATED CIRCUIT FOR USE ON A TAPE RECORDER USING THE INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: BR8207652A. Автор: Bitting Ricky Francis,Marion Roland Maurice. Владелец: Gen Electric. Дата публикации: 1983-10-25.

Method of adjusting at least one optional setting of a process characteristic of a component placement device, as well as such a component placement device and an electronic key

Номер патента: KR101211382B1. Автор: 알렉산더 안토니우스 프랜시스수스 니스,알베르투스 로베르트 벤드리히,리차드 안토니 빌데르스. Владелец: 아셈블레온 엔. 브이.. Дата публикации: 2012-12-13.

Method of adjusting at least one optional setting of a process characteristic of a component placement device, as well as such a component placement device and an electronic key

Номер патента: EP1734803A1. Автор: Alexander A. F. Nies,Richard A. Wilders,Albertus R. Wendrich. Владелец: Assembleon BV. Дата публикации: 2006-12-20.

Method of adjusting at least one optional setting of a process characteristic of a component placement device, as well as such a component placement device and an electronic key

Номер патента: TW200730046A. Автор: Alexander Antonius Franciscus Nies,Albertus Robert Wendrich,Richard Anthony Wilders. Владелец: Assembleon Nv. Дата публикации: 2007-08-01.

methods of operating a wireless terminal, operating a base station on a radio access network, and operating a wireless terminal or user equipment, wireless device, and base stations on a wireless communication network wireless network and a radio access network

Номер патента: BR112020021118A2. Автор: Icaro L. J. Da Silva,Fredrik Gunnarsson,Pradeepa Ramachandra,Reza Moosavi. Владелец: Telefonaktiebolaget lM Ericsson (publ). Дата публикации: 2021-03-23.

Integrated circuit, dual port sram cell and semiconductor structure

Номер патента: CN101246888A. Автор: 廖忠志. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-08-20.

Integrated circuit, dual port SRAM cell, and semiconductor structure

Номер патента: TW200834887A. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-08-16.

ENCRYPTION SYSTEM, ENCRYPTION PROCESSING METHOD OF ENCRYPTION SYSTEM, ENCRYPTION DEVICE, ENCRYPTION PROGRAM, DECRYPTION DEVICE, DECRYPTION PROGRAM, SETUP DEVICE, SETUP PROGRAM, KEY GENERATION DEVICE, KEY GENERATION PROGRAM, KEY DELEGATION DEVICE, AND KEY DELEGATION PROGRAM

Номер патента: US20130287206A1. Автор: ITO Takashi,Hirano Takato,Matsuda Nori,Hattori Mitsuhiro,Mori Takumi,Sakagami Tsutomu. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2013-10-31.

Chip size estimating apparatus for semiconductor integrated circuit and chip size estimating method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20120297350A1. Автор: Yuji Yamamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-11-22.

System for testing an integrated circuit of a device and its method of use

Номер патента: US20200256917A1. Автор: Scott E. Lindsey,Jovan Jovanovic,II Donald P. Richmond,David S. Hendrickson. Владелец: Aehr Test Systems Inc. Дата публикации: 2020-08-13.

System for testing an integrated circuit of a device and its method of use

Номер патента: US20220373595A1. Автор: Scott E. Lindsey,Jovan Jovanovic,II Donald P. Richmond,David S. Hendrickson. Владелец: Aehr Test Systems Inc. Дата публикации: 2022-11-24.

System for testing an integrated circuit of a device and its method of use

Номер патента: US9250291B2. Автор: Scott E. Lindsey,Jovan Jovanovic,II Donald P. Richmond,David S. Hendrickson. Владелец: Aehr Test Systems Inc. Дата публикации: 2016-02-02.

System for testing an integrated circuit of a device and its method of use

Номер патента: WO2009085710A2. Автор: Scott E. Lindsey,Jovan Jovanovic,David S. Hendrickson,Donald P. Ii Richmond. Владелец: AEHR TEST SYSTEMS. Дата публикации: 2009-07-09.

Integrated circuit with self-test circuit, method for operating an integrated circuit with self-test circuit, multi-core processor device and method for operating a multi-core processor device

Номер патента: US11619668B2. Автор: Jens Rosenbusch,Heiko Ahrens,Daniel Tille. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-04-04.

Semiconductor integrated circuit, semiconductor storage device, and memory system

Номер патента: US20240201903A1. Автор: Kazukuni Kitagaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor integrated circuit simulation apparatus and simulation method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20120245915A1. Автор: Atsushi Kageshima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Method of manufacturing a face with different thickness distribution

Номер патента: US20080040910A1. Автор: Archer C.C. Chen. Владелец: Chen Archer C C. Дата публикации: 2008-02-21.

System for testing an integrated circuit of a device and its method of use

Номер патента: US11977098B2. Автор: Scott E. Lindsey,Jovan Jovanovic,Seang P. Malathong,Junjye Yeh. Владелец: Aehr Test Systems Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

On-chip integrated circuit, data processing device, and data processing method

Номер патента: US11914540B2. Автор: Shan Lu,Jian Wang,Yimin Chen,Junmou Zhang,Chuang Zhang,Yuanlin Cheng. Владелец: Lemon Inc USA. Дата публикации: 2024-02-27.

On-chip integrated circuit, data processing device, and data processing method

Номер патента: US20240152474A1. Автор: Shan Lu,Jian Wang,Yimin Chen,Junmou Zhang,Chuang Zhang,Yuanlin Cheng. Владелец: Lemon Inc USA. Дата публикации: 2024-05-09.

Integrated circuit, data processing device and method

Номер патента: US12013804B2. Автор: Shan Lu,Jian Wang,Yimin Chen,Junmou Zhang,Chuang Zhang,Yuanlin Cheng. Владелец: Lemon Inc USA. Дата публикации: 2024-06-18.

Integrated circuit that extracts data, neural network processor including the integrated circuit, and neural network

Номер патента: US20230289601A1. Автор: Jun-Seok Park,Jae-gon Lee,Jin-Ook Song,Yun-kyo Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Ophthalmic devices and methods with application specific integrated circuits

Номер патента: EP2582313A1. Автор: Jean-Noel Fehr,Urban Schnell,Walter Doll. Владелец: Elenza Inc. Дата публикации: 2013-04-24.

Method of fabricating a semiconductor IC DRAM device enjoying enhanced focus margin

Номер патента: US5670409A. Автор: Atsuyoshi Koike,Kazuyuki Miyazawa,Hiroshi Otori,Fumiyuki Kanai,Kazuhiko Kajigaya,Masaharu Kubo. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1997-09-23.

Semiconductor integrated circuit device and method of detecting delay error in the same

Номер патента: US20040113670A1. Автор: Minari Arai. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2004-06-17.

Semiconductor integrated circuit device and electronic system mounted the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20130138943A1. Автор: Hiroshi Nakayama,Masahiro Nishio,Jin Takahashi,Junji Ichimiya,Shintaro Itozawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-05-30.

Device and method of processing sheet material, mainly banknotes

Номер патента: RU2363986C1. Автор: Виттих КАУЛЕ,Манфред ХАЙМ,Мариус ДИХТЛЬ,Норберт ХОЛЛЬ,Томас ГИРИНГ,Юрген ШЮТЦМАНН,Клаус ФИНКЕНЦЕЛЛЕР,Томас ХИЛЬДЕБРАНДТ,Ральф ХОБМАЙЕР,Ларс ХОФФМАНН,Фридрих КРЕЧМАР,Маркус КРОМБХОЛЬЦ,Ральф ЛИБЛЕР,Торстен ПИЛЛО,Харальд РАЙНЕР,Вальтер ШНАЙДЕР,Эккарт ШРЁДЕР-БЕРГЕН,Мартин ЗЕЙЗЕН,Дитер ШТАЙН,Александер ШТАЙНКОГЛЕР,Кристиан ФЁЛЛЬМЕР,Бернд ВУНДЕРЕР,Фабиола БЕЛЛЕРСХАЙМ. Владелец: Гизеке Унд Девриент Гмбх. Дата публикации: 2009-08-10.

Medical implant component comprising a composite biotextile and method of making

Номер патента: EP3930773A1. Автор: Mandy Maria Jozefina Wiermans,Nicolaes Hubertus Maria De Bont,Noel L. DAVISON. Владелец: DSM IP ASSETS BV. Дата публикации: 2022-01-05.

Device and method for checking printed circuit board power source isolation

Номер патента: EP1635274B1. Автор: Hirotsugu Fusayasu,Shoichi Mimura,Seiji c/o Matsushita IPROC IP Dev. Center HAMADA,Miyoko c/o Matsushita IPROC IP Dev. Cent IRIKIIN. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-07-13.

Electronic apparatus and method of fabricating the same

Номер патента: US20120026102A1. Автор: Chang-Cheng Chen,Shih-Hsiung Lin,Sheng-Hung Wang,Juin-Ming Wu,Yi-Shan Chang,Ying-Cheng Chen,Wen-Hau Lee. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-02-02.

Method of detecting an integrated circuit in failure among integrated circuits, apparatus of doing the same, and recording medium storing program for doing the same

Номер патента: US20030093237A1. Автор: Kazuhiro Sakaguchi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-05-15.

Optical integrated device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20230227960A1. Автор: Won Seok Han,Ho Sung Kim,Seungchul Lee,O-Kyun Kwon,Namje Kim,Miran PARK. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2023-07-20.

Method of automatically generating repeater blocks in HDL and integrating them into a region constrained chip design

Номер патента: US6473889B1. Автор: Robert J. Gluss,Nicholas S. Fiduccia. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2002-10-29.

Device in the form of the expandable body and method of its application

Номер патента: RU2706374C2. Автор: Ф. Николас ФРАНАНО,Кэтрин СТЕФЕНСОН,Стефен БРУНЕЛЛ,Говард М. II ЛОРИ. Владелец: Метэктив Медикал, Инк.. Дата публикации: 2019-11-18.

System and Method of Multi-Frequency Integrated Circuit Testing

Номер патента: US20080282123A1. Автор: Gerard M. Salem,Pedro Martin-de-Nicolas,Charles L. Meissner. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-11-13.

Assignment of select input/output blocks to banks for integrated circuits using integer linear programming with proximity optimization

Номер патента: US8010924B1. Автор: Guenter Stenz,Parivallal Kannan,Victor Z. Slonim. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2011-08-30.

Method of making a capacitive optical modulator

Номер патента: US20230280630A1. Автор: Frederic Boeuf,Cyrille Barrera. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2023-09-07.

Method of hydrocarbons recovery from oil-bearing sands and oil shales

Номер патента: RU2553573C2. Автор: ГЕТТО Джамбаттиста ДЕ,Альберто ДЕЛЬБЬЯНКО. Владелец: Эни С.П.А.. Дата публикации: 2015-06-20.

Device and method of supplying combined medical solution

Номер патента: RU2514541C2. Автор: Ганс-Мартин ЛАУЭР,Матиас ВУФКА,Дорис РОЭТЛЕЙН,Себастьян ХЕРНИГ. Владелец: Б. Браун Мелзунген Аг. Дата публикации: 2014-04-27.

Device and method of making cutting plates

Номер патента: RU2602310C2. Автор: Амир Сатран,Александр ЗИБЕНБЕРГ. Владелец: Искар Лтд.. Дата публикации: 2016-11-20.

Method of designing layout of semiconductor integrated circuit and design system performing same

Номер патента: EP4220471A1. Автор: Jonghyeok Kim,Myungjin Choi,Yoongi Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-02.

Method and system for verifying integrated circuit

Номер патента: US20240256755A1. Автор: Jeongmin Kim,Hoyoung Lee,Eunsun Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Method and end cell library for avoiding substrate noise in an integrated circuit

Номер патента: US20070157145A1. Автор: XIANG Song,Chih-Ju Hung,Kai Lai,Hsiao-Hui Wu,Fredrick Jen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-07-05.

Semiconductor cell for photomask data verification and semiconductor chip

Номер патента: US20090193386A1. Автор: Takayasu Hirai. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-30.

Testing method for permanent electrical removal of an integrated circuit output after packaging

Номер патента: US20030145262A1. Автор: Alan Wheeler. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-31.

Testing method for permanent electrical removal of an integrated circuit output

Номер патента: US20070201293A1. Автор: Alan Wheeler. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-30.

Testing method for permanent electrical removal of an integrated circuit output after packaging

Номер патента: US20050180234A1. Автор: Alan Wheeler. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-18.

Optical recording medium, and method of manufacturing same

Номер патента: US20010017841A1. Автор: Shin Masuhara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-30.

Method of adjusting high-response control lifting device drive motor rpm, and lifting device drive

Номер патента: RU2464222C2. Автор: Юсси КИОВА,Янне САЛОМЯКИ. Владелец: Коункрэйнс Плк. Дата публикации: 2012-10-20.

Method of safety control over facilities of the main gas pipelines and the system for exerting safety control

Номер патента: RU2745128C1. Автор: Елена Юрьевна Кузнецова,Олег Леонидович Мишин,Мурат Айтжанович Жаналинов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Газпром трансгаз Екатеринбург". Дата публикации: 2021-03-22.

Test logic method for an integrated circuit device

Номер патента: EP4256356A1. Автор: Ovidiu SIMA. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2023-10-11.

Computing validation coverage of integrated circuit model

Номер патента: US20130055179A1. Автор: LIANG Chen,Bo Fan,Yongfeng Pan,Fan S.H. Zhou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-02-28.

Drum handling device, hardware for transfer of powders and method of transfer

Номер патента: RU2573494C2. Автор: Иван ПЕРЕССОНИ. Владелец: Арева Нс. Дата публикации: 2016-01-20.

Nanosheet MEMS Sensor Device and Method of Manufacture

Номер патента: US20220274828A1. Автор: Anirban Roy,Mark Douglas Hall,Tushar Praful Merchant. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2022-09-01.

Integrated circuit device for a replaceable printer component

Номер патента: US20200282735A1. Автор: Paul Jeran,Bartley Mark Hirst,Dee Chou. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2020-09-10.

Method and apparatus for defining signal timing for an integrated circuit device

Номер патента: US20020157072A1. Автор: Satyanarayana Nishtala,Jayarama Shenoy,Tai-Yu Chou,Michael Freda. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2002-10-24.

Computer and method of booting computer

Номер патента: US20240231835A9. Автор: Hsin-I Lee. Владелец: Mitac Computing Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Microwave irradiation device and method of producing metal nanoparticles

Номер патента: US20240227010A1. Автор: Jyunya Murai,Reimi YAMADA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of alerting to stationary objects for vehicle

Номер патента: US20240176353A1. Автор: Tsung-Han Lee,Jinn-feng Jiang,Shih-Chun Hsu,Tsu-Kun Chang,Hung-Yuan Wei,Cheng-Tai Lei. Владелец: METAL INDUSTRIES RESEARCH AND DEVELOPMENT CENTRE. Дата публикации: 2024-05-30.

Manufacturing method of liquid discharge head

Номер патента: WO2010071056A1. Автор: Takumi Suzuki,Tamaki Sato,Ryoji Kanri,Hiroe Ishikura,Yoshikazu Saito,Masafumi Morisue,Hirono Naito. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2010-06-24.

Integrated circuit device having optically coupled layers

Номер патента: WO2007002449A1. Автор: Raymond G. Beausoleil,Sean M. Spillane. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2007-01-04.

Infant feeding device with female's breast odour and method of use.

Номер патента: EP1728496B1. Автор: Robert Alexander ÖSTERBAUER. Владелец: Episode 1 Partners Ltd. Дата публикации: 2009-10-21.

Method of erasing a resistive memory device

Номер патента: US20080130392A1. Автор: An Chen,Swaroop Kaza,Sameer Haddad,Yi-Ching Jean Wu. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-06-05.

Bagpipe air pressure regulation device and method

Номер патента: US20230267897A1. Автор: Christopher James Apps,Roxelyn Apps,Patrick N. Wilson,Bryan R. Vatterott. Владелец: Chris Apps Reeds LLC. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor integrated circuit pattern verification method, photomask manufacturing method, semiconductor integrated circuit device manufacturing method, and program for implementing semiconductor integrated circuit pattern verification method

Номер патента: US7895541B2. Автор: Shigeki Nojima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-02-22.

Inertial measurement device and unmanned aerial vehicle

Номер патента: US20210095964A1. Автор: Yu Zhang,Shaobin Li,Liangliang YIN,Lianjie GAO. Владелец: Shanghai Topxgun Robotics Co ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Method of manufacturing magnetic recording medium, and magnetic recording/reproducing device

Номер патента: US8419951B2. Автор: Yuki Hirai,Yoshiko Takahashi,Tomoo Shige. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2013-04-16.

Semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit design support device, and semiconductor integrated circuit manufacturing method

Номер патента: US20080222592A1. Автор: Naohiko Nishigaki,Tomoki Satoi. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-11.

Method of detecting an integrated circuit in failure among integrated circuits, apparatus of doing the same, and recording medium storing program for doing the same

Номер патента: US20030182073A1. Автор: Kazuhiro Sakaguchi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-09-25.

Reference voltage generating device, semiconductor integrated circuit including the same, and testing device and method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: TW200402539A. Автор: Masami Mori,Hideaki Sakaguchi. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2004-02-16.

Method of performing static timing analysis for an integrated circuit

Номер патента: US9977845B2. Автор: Moon-Su Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-22.

Set of masks for projection of structure patterns on each mask to photosensitive layer on semiconductor wafer as trim or correction mask in lithographic process in manufacture of integrated circuits

Номер патента: DE10310136A1. Автор: Rainer Dr. Pforr,Mario Hennig,Jörg Dr. Thiele,Wolfgang Dr. Dettmann,Roderick Dr. Köhle,Markus Hofsäß. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-09-16.

Method of testing an integrated circuit and testing system

Номер патента: US20240094281A1. Автор: Yun-Han Lee,Sandeep Kumar Goel,Ankita Patidar. Владелец: TSMC Nanjing Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Method of testing an integrated circuit and testing system

Номер патента: US11879933B2. Автор: Yun-Han Lee,Sandeep Kumar Goel,Ankita Patidar. Владелец: TSMC Nanjing Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-23.

Operating method of electronic device simulating design of integrated circuit

Номер патента: EP4312145A1. Автор: Hyun-Chul Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-31.

Operating method of electronic device simulating design of integrated circuit

Номер патента: US20240028804A1. Автор: Hyun-Chul Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor integrated circuit simulation apparatus and simulation method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20120245915A1. Автор: Atsushi Kageshima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD FOR SELF TEST OF SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20140289576A1. Автор: MAEKAWA Tomoyuki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2014-09-25.

Semiconductor integrated circuit and temperature drift compensation method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: CN112711290B. Автор: 黄海龙,赵双龙,陈建章. Владелец: Hangzhou Jinghua Microelectronics Co ltd. Дата публикации: 2022-05-13.

Semiconductor integrated circuit test quality evaluation apparatus and semiconductor integrated circuit test quality evaluation method

Номер патента: JP4881332B2. Автор: 泰幸野津山. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-02-22.

Semiconductor integrated circuit and temperature drift compensation method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: CN112711290A. Автор: 黄海龙,赵双龙,陈建章. Владелец: Hangzhou Jinghua Microelectronics Co ltd. Дата публикации: 2021-04-27.

Methods of inter-integrated circuit addressing and devices for performing the same

Номер патента: WO2007127784A2. Автор: Jean Picard,Barry Jon Male. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2007-11-08.

A method of managing memory in an integrated circuit card and corresponding integrated circuit card

Номер патента: EP4261693A1. Автор: Amedeo Veneroso,Carlo Cimino. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-10-18.

Universal burn-in socket for testing integrated circuit chip

Номер патента: WO2002004968A3. Автор: Rafiqul Hussain,Phuc Dinh Do,Benjamin G Tubera. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-11-06.

Apparatus for and a method of making a hierarchical integrated circuit design of an integrated circuit design, a computer program product and a non-transitory tangible computer readable storage medium

Номер патента: US9235673B2. Автор: Asher BERKOVITZ,Amir Grinshpon,Osnat Arad. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-01-12.

System and Method for Generating a Worst Case Current Waveform for Testing of Integrated Circuit Devices

Номер патента: US20090112550A1. Автор: Iwao Takiguchi,Makoto Aikawa,Gilles Gervais,Tetsuji Tamura,Sang H. Dhong,JONATHAN J. DeMENT,Brian K. Flachs. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-04-30.

Integrated circuit design

Номер патента: EP1150222A3. Автор: Robert J. Gluss,Nicholas A. Fiduccia. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2003-04-02.

Apparatus for and a method of making a hierarchical integrated circuit design of an integrated circuit design, a computer program product and a non-transitory tangible computer readable storage medium

Номер патента: US20150347655A1. Автор: Asher BERKOVITZ,Amir Grinshpon,Osnat Arad. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-12-03.

Integrated circuit device having a burn-in mode for which entry into and exit from can be controlled

Номер патента: US20010054909A1. Автор: David McClure. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2001-12-27.

Electrical Screening of Static Random Access Memories at Varying Locations in a Large-Scale Integrated Circuit

Номер патента: US20130176772A1. Автор: Yang Yi,Xiaowei Deng,Wah Kit Loh. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-07-11.

Securing An Integrated Circuit

Номер патента: US20080043558A1. Автор: Robert Dixon,Phil Paone,Kirk Morrow. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-02-21.

Method and apparatus for configuring an integrated circuit with a requested feature set

Номер патента: WO2017172322A1. Автор: Ivan McLean,Stuart Moskovics,Bryan Campbell,Mark Dragicevich. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-10-05.

Relative floorplanning for improved integrated circuit design

Номер патента: WO2007134318A3. Автор: Henrik Esbensen,Roger Carpenter,Eijk Cornelis Van. Владелец: Eijk Cornelis Van. Дата публикации: 2008-07-17.

Integrated circuit having a built-in self test design

Номер патента: US4724380A. Автор: Mark Paraskeva,David F. Burrows,William L. Knight. Владелец: Plessey Overseas Ltd. Дата публикации: 1988-02-09.

Socket for testing of an integrated circuit

Номер патента: EP4407323A1. Автор: Gianluigi Frigerio,Alessandro Copeta. Владелец: Officina Meccanica Di Precisione G3. Дата публикации: 2024-07-31.

Methods and systems for performing timing sign-off of an integrated circuit design

Номер патента: US20120089383A1. Автор: Rajkumar Agrawal. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-04-12.

Relative floorplanning for improved integrated circuit design

Номер патента: WO2007134318A2. Автор: Henrik Esbensen,Roger Carpenter,Cornelis Van Eijk. Владелец: Magma Design Automation, Inc.. Дата публикации: 2007-11-22.

Integrated circuit, optical disk device, and signal processing method

Номер патента: US7898912B2. Автор: Jun Kikuchi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-03-01.

Method and apparatus for configuring an integrated circuit with a requested feature set

Номер патента: EP3437009A1. Автор: Ivan McLean,Stuart Moskovics,Bryan Campbell,Mark Dragicevich. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-02-06.

Integrated circuit, optical disk device, and signal processing method

Номер патента: US20090257333A1. Автор: Jun Kikuchi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-10-15.

Method and apparatus for increasing security in a system using an integrated circuit

Номер патента: US20100244888A1. Автор: Asaf ASHKENAZI,Thomas E. Tkacik. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-09-30.

POWER MANAGEMENT INTEGRATED CIRCUIT FOR MONITORING OUTPUT VOLTAGE, MEMORY MODULE INCLUDING POWER MANAGEMENT INTEGRATED CIRCUIT AND MEMORY DEVICE, AND OPERATING METHOD OF MEMORY MODULE

Номер патента: US20210318705A1. Автор: LEE Kyudong,Lee Jaejun,YUN JINSEONG. Владелец: . Дата публикации: 2021-10-14.

Method of forming a membrane with nanometer scale pores and application to biofiltration

Номер патента: US20030205552A1. Автор: Mauro Ferrari,Derek Hansford. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2003-11-06.

Method of manufacturing optical disc

Номер патента: US4957776A. Автор: Masahiro Higuchi,Sadao Sakamoto,Yoshiharu Uchihara. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1990-09-18.

Liquid crystal display and method of driving the same

Номер патента: GB2466094A. Автор: Mangyu Park,Jincheol Hong,Pilsung Kang,Geunwoo Koh. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-16.

Method of producing foil laminate coverings having double-sided printing

Номер патента: US5653844A. Автор: Richard W. Abrams. Владелец: Johnson and Johnson Vision Products Inc. Дата публикации: 1997-08-05.

Test circuit, integrated circuit, electronic device, and method for generating the test circuit

Номер патента: EP4386396A1. Автор: Yu Zhang,Junlin Huang,Bin Deng,Haitao Fu,Changming CUI. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

Integrated circuit using i2c bus and control method thereof

Номер патента: US20140223041A1. Автор: Xiaolu Yang,Kuo-Han Chang. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2014-08-07.

Performing static timing analysis of an integrated circuit design using dummy edge modeling

Номер патента: US7636905B2. Автор: Craig Marshall Darsow,Todd Edward Obermiller. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-12-22.

Apparatus and method for performing static timing analysis of an integrated circuit design using dummy edge modeling

Номер патента: US20050183050A1. Автор: Craig Darsow,Todd Obermiller. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-08-18.

Apparatus and method for performing static timing analysis of an integrated circuit design using dummy edge modeling

Номер патента: US20070022397A1. Автор: Craig Darsow,Todd Obermiller. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-25.

Integrated circuit capable of communicating using different communication protocols

Номер патента: EP1636705A2. Автор: Pak-Lung Seto,Richard Beckett,Jr. Robert Sheffield. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-03-22.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND SIGNAL PROCESSING METHOD IN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20150347346A1. Автор: LEE JOON-HO. Владелец: SAMSUNG SDS CO., LTD.. Дата публикации: 2015-12-03.

Method of producing a silicon membrane using a silicon alloy etch stop layer

Номер патента: US5413679A. Автор: David J. Godbey. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 1995-05-09.

Characterization of spatial correlation in integrated circuit development

Номер патента: US20200257769A1. Автор: Ning Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-08-13.

Device and method for evaluating electrostatic discharge protection capabilities

Номер патента: US20100225346A1. Автор: Sergey Sofer,Yehim-Haim Fefer. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2010-09-09.

Optically coupled integrated circuit layers

Номер патента: EP1889107A2. Автор: Shih-Yuan Wang. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2008-02-20.

Foreign matter removal device and a method of operating the same

Номер патента: US20240181992A1. Автор: Young Dug Yang. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Integrated circuit and configuration method thereof

Номер патента: US11960402B2. Автор: Xiaolong LIU. Владелец: Xiamen Sigmastar Technology Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Routing of nets of an integrated circuit

Номер патента: US10452800B2. Автор: Wolfram Ziegler,Christian Schulte,Sven Peyer,Manuel Beck. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-22.

Routing of nets of an integrated circuit

Номер патента: US20160371401A1. Автор: Wolfram Ziegler,Christian Schulte,Sven Peyer,Manuel Beck. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-22.

Routing of nets of an integrated circuit

Номер патента: US20160371418A1. Автор: Wolfram Ziegler,Christian Schulte,Sven Peyer,Manuel Beck. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-22.

SYSTEM FOR TESTING AN INTEGRATED CIRCUIT OF A DEVICE AND ITS METHOD OF USE

Номер патента: US20160103179A1. Автор: Richmond,II Donald P.,Jovanovic Jovan,Lindsey Scott E.,Hendrickson David S.. Владелец: AEHR TEST SYSTEMS. Дата публикации: 2016-04-14.

INTEGRATED CIRCUIT WITH SELF-TEST CIRCUIT, METHOD FOR OPERATING AN INTEGRATED CIRCUIT WITH SELF-TEST CIRCUIT, MULTI-CORE PROCESSOR DEVICE AND METHOD FOR OPERATING A MULTI-CORE PROCESSOR DEVICE

Номер патента: US20210263099A1. Автор: AHRENS HEIKO,Rosenbusch Jens,Tille Daniel. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-26.

SYSTEM FOR TESTING AN INTEGRATED CIRCUIT OF A DEVICE AND ITS METHOD OF USE

Номер патента: US20200256917A1. Автор: Richmond,II Donald P.,Jovanovic Jovan,Lindsey Scott E.,Hendrickson David S.. Владелец: AEHR TEST SYSTEMS. Дата публикации: 2020-08-13.

Method of separation of the liquid components mixture

Номер патента: RU2290244C1. Автор: Николай Александрович Чарыков,Валерий Юрьевич Аристович,Юрий Валерьевич Аристович,Елена Валерьевна Соколова,Алексей Николаевич Чарыков. Владелец: Алексей Николаевич Чарыков. Дата публикации: 2006-12-27.

System for testing an integrated circuit of a device and its method of use

Номер патента: EP2411819A1. Автор: Scott E. Lindsey,Jovan Jovanovic,Seang P. Malathong,Junyje Yeh. Владелец: Aehr Test Systems Inc. Дата публикации: 2012-02-01.

Non-contact tester for integrated circuits

Номер патента: CA2404183C. Автор: Steven Harold Slupsky. Владелец: Scanimetrics Inc. Дата публикации: 2008-09-02.

Wafer-level burn-in testing of integrated circuits

Номер патента: US5047711A. Автор: William H. Smith,Chau-Shiong Chen. Владелец: Silicon Connections Corp. Дата публикации: 1991-09-10.

A method and structure for performing integrated circuit wafer testing and assembly

Номер патента: CA2268572A1. Автор: Ralph Dickson Mason. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-10-12.

X-ray mask and method of manufacturing an X-ray mask

Номер патента: US5005075A. Автор: Masato Kobayashi,Minoru Sugawara,Kazuhide Yamashiro,Yoh-Ichi Yamaguchi. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 1991-04-02.

Measuring apparatus for performing positional analysis on an integrated circuit carrier

Номер патента: WO2010019980A1. Автор: Joseph Tharion,William Granger,Jason Mark Thelander,Graeme Kenneth Bowyer,Ralph Lewis Ranger. Владелец: SILVERBROOK RESEARCH PTY LTD. Дата публикации: 2010-02-25.

Method of manufacturing a heat-reflecting filter

Номер патента: US4401693A. Автор: Gunter Frank,Heiner Kostlin,Leo M. Sprengers,Ronald J. Campbell. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1983-08-30.

System for testing an integrated circuit of a device and its method of use

Номер патента: US7800382B2. Автор: Scott E. Lindsey,Jovan Jovanovic,II Donald P. Richmond,David S. Hendrickson. Владелец: Aehr Test Systems Inc. Дата публикации: 2010-09-21.

Method and apparatus for configuring an integrated circuit with a requested feature set

Номер патента: US20170286580A1. Автор: Ivan McLean,Stuart Moskovics,Bryan Campbell,Mark Dragicevich. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-10-05.

Path margin monitor integration with integrated circuit

Номер патента: US20230324949A1. Автор: Firooz Massoudi. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Path margin monitor integration with integrated circuit

Номер патента: WO2023200533A1. Автор: Firooz Massoudi. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2023-10-19.

Integrated circuit system having decoupled logical and physical interfaces

Номер патента: US20140365733A1. Автор: Bartholomew Blaner,William J. Starke,Charles Marino,Michael S. Siegel,Jeff A. Stuecheli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-12-11.

Device and method to generate bias voltages in non-volatile memory

Номер патента: US20220180944A1. Автор: Vikas RANA,Neha DALAL. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2022-06-09.

Integrated circuit, and data processing apparatus and method

Номер патента: EP4322016A1. Автор: Shan Lu,Jian Wang,Yimin Chen,Junmou Zhang,Chuang Zhang,Yuanlin Cheng. Владелец: Lemon Inc. Дата публикации: 2024-02-14.

Two dimensional optical phased arrays using edge-coupled integrated circuits

Номер патента: US11940621B2. Автор: Ehsan SHAH HOSSEINI,Christopher Vincent POULTON,Benjamin Roy MOSS,Michael Robert WATTS. Владелец: ANALOG PHOTONICS LLC. Дата публикации: 2024-03-26.

Photonic integrated circuit packaging architectures

Номер патента: US20230087809A1. Автор: Xiaoqian Li,Omkar G. Karhade,Nitin A. Deshpande. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Path margin monitor integration with integrated circuit

Номер патента: US11983032B2. Автор: Firooz Massoudi. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Method and apparatus for switchably selecting an integrated circuit operating mode

Номер патента: US20020175698A1. Автор: James Goodman. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2002-11-28.

Integrated circuit board with JTAG functions

Номер патента: US7979762B2. Автор: Masayuki Furuta,Satoshi Esaka,Masataka Kushigemachi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2011-07-12.

Integrated circuit board with JTAG functions

Номер патента: US20090307547A1. Автор: Masayuki Furuta,Satoshi Esaka,Masataka Kushigemachi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-12-10.

Securing an integrated circuit

Номер патента: US20070258309A1. Автор: Robert Dixon,Phil Paone,Kirk Morrow. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-11-08.

Integrated circuit and method for obtaining technical information of the integrated circuit

Номер патента: US20070080232A1. Автор: Kuan-Hong Hsieh,Shin-Hong Chung,Han-Che Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-04-12.

Cutting device and method of its operation

Номер патента: RU2537449C2. Автор: Эдвард Ф. НИДЕРРИТЕР. Владелец: Джой ММ Делавэр, Инк.. Дата публикации: 2015-01-10.

Device and method of controlling flow of goods

Номер патента: RU2699576C1. Автор: Юрий Адольфович Занев. Владелец: Юрий Адольфович Занев. Дата публикации: 2019-09-06.

Method of detecting human objects in video (versions)

Номер патента: RU2635066C2. Автор: Чжун ЧЖАН,Вэйхун ИНЬ,Питер ВЕНЕТИАНЕР. Владелец: Авиджилон Фортресс Корпорейшн. Дата публикации: 2017-11-08.

Method of plasma synthesis of powders of inorganic materials and apparatus for implementation thereof

Номер патента: RU2743474C2. Автор: Андрей Анатольевич Николаев,Анатолий Владимирович Николаев,Дмитрий Евгеньевич Кирпичев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук (ИМЕТ РАН). Дата публикации: 2021-02-18.

Saturator and a method of preparation of carbonated water

Номер патента: RU2265477C2. Автор: Скотт НИКОЛ,Дюри РОНА,Янош ОЧЕНАШ. Владелец: Скотт НИКОЛ. Дата публикации: 2005-12-10.

Configuring integrated circuits for information handling systems

Номер патента: GB2433337A. Автор: Gary D Huber,William F Sauber. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2007-06-20.

Measurement structure in a standard cell for controlling process parameters during manufacturing of an integrated circuit

Номер патента: US7930660B2. Автор: Erwin Ruderer,Walther Lutz,Roswitha Deppe. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2011-04-19.

Integrated circuit for achieving pattern recognition

Номер патента: US5262632A. Автор: William O. Camp, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1993-11-16.

Adaptive power control based on pre package characterization of integrated circuits

Номер патента: US20040128090A1. Автор: Andrew Read,Malcolm Wing. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-01.

Method for improving target detection accuracy, and integrated circuit, and radio device

Номер патента: US20230258766A1. Автор: Xiaolong Zhang. Владелец: Calterah Semiconductor Technology Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Integrated circuit with multifunction capability

Номер патента: GB2619568A. Автор: Weber Daniel,HISKY David,Edward Eklund Jonathan,Brickman Adam. Владелец: Cirrus Logic International Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2023-12-13.

An integrated circuit for testing using a high-speed input/output interface

Номер патента: EP2721427A1. Автор: George Alan Wiley,Michael Laisne,Geoffrey Shippee,Baris ARSLAN. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2014-04-23.

Generating a layout for an integrated circuit

Номер патента: US9953124B2. Автор: Michael Koch,Andreas H. A. Arp,Matthias Ringe. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Intelligent dummy metal fill process for integrated circuits

Номер патента: US8397196B2. Автор: Alexander Tetelbaum. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2013-03-12.

Devices, methods and sample holder for testing photonic integrated circuits and photonic integrated circuits

Номер патента: US11782088B2. Автор: Stefan Richter,Philipp Huebner. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2023-10-10.

Implement analyzing device and method for utilizing the same

Номер патента: US11768158B2. Автор: Damon Borich,Nathaniel Banner,Frank Eric Klein,Andrew John Wheeler,Andrew John Denhartigh,William Hoerner,Andrea GRBAVAC,Alejandro SILVEYRA,Michelle SILVEYRA,Zwckxally Obregon. Владелец: Neogen Corp. Дата публикации: 2023-09-26.

Multi-layer fiber reinforcement for a ceramic matrix composite and methods of manufacturing

Номер патента: US20230234892A1. Автор: Shatil Sinha,Younkoo Jeong,Matthew HOCKEMEYER. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2023-07-27.

Method of manufacturing magnetic recording medium, and magnetic recording/reproducing device

Номер патента: US20110261479A1. Автор: Yuki Hirai,Yoshiko Takahashi,Tomoo Shige. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2011-10-27.

Disposition of integrated circuits using performance sort ring oscillator and performance path testing

Номер патента: US20130125076A1. Автор: Vikram Iyengar,JinJun Xiong,Jeanne P. Bickford,Peter A. Habitz,David E. Lackey. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-16.

An integrated circuit for testing using a high-speed input/output interface

Номер патента: WO2012174281A1. Автор: George Alan Wiley,Michael Laisne,Geoffrey Shippee,Baris ARSLAN. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2012-12-20.

Integrated circuit with multifunction capability

Номер патента: US20230409348A1. Автор: Daniel Weber,David HISKY,Jonathan E. Eklund,Adam BRICKMAN. Владелец: Cirrus Logic International Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Generating a layout for an integrated circuit

Номер патента: US20170161423A1. Автор: Michael Koch,Matthias Ringe,Andreas H.A. Arp. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-08.

Generating a layout for an integrated circuit

Номер патента: US20180189437A1. Автор: Michael Koch,Matthias Ringe,Andreas H.A. Arp. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-05.

Generating a layout for an integrated circuit

Номер патента: US20170161421A1. Автор: Michael Koch,Matthias Ringe,Andreas H.A. Arp. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-08.

Printhead integrated circuit

Номер патента: EP1370418A1. Автор: Joseph M Torgerson,Angela White Bakkom,Frank R Bryant. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2003-12-17.

Method for trading and trial running integrated circuit design code

Номер патента: US20120303473A1. Автор: Chia-Fen Huang,Yu-Ju Yeh,Chiao-Leng Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-29.

Statistical test procedure for integrated circuits, comprises complete testing of a first number of integrated circuits followed by a reduced number of critical tests to a second number of circuits

Номер патента: FR2790833A1. Автор: Fabien Roulet. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2000-09-15.

Process for testing integrated circuits with at least one logic circuit and testable integrated circuit

Номер патента: EP0597926A1. Автор: Claus-Peter Zepp. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1994-05-25.

Method and apparatus for integrated circuit design

Номер патента: US5319564A. Автор: Michael C. Smayling,Georges Falessi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1994-06-07.

Offset regulation circuit for optical disk, integrated circuit, optical disk device, and offset regulation method

Номер патента: KR100650068B1. Автор: 사사끼히데아끼. Владелец: 산요덴키가부시키가이샤. Дата публикации: 2006-11-27.

Integrated circuit chip, memory device and e-fuse array circuit

Номер патента: KR102047947B1. Автор: 정정수,황정태,권익수,김연욱. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2019-11-22.

Virtual currency automatic exchange method of virtual currency teller machine

Номер патента: US20230214795A1. Автор: Yuan-Cheng Hsu. Владелец: Numiner Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-07-06.

Touch panel controller, integrated circuit, touch panel device, and electronic device

Номер патента: US9372574B2. Автор: Yusuke Kanazawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2016-06-21.

Touch panel controller, integrated circuit, touch panel device, and electronic device

Номер патента: US20150138140A1. Автор: Yusuke Kanazawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2015-05-21.

Computer and method of booting computer

Номер патента: US20240134652A1. Автор: Hsin-I Lee. Владелец: Mitac Computing Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Integrated circuit arrangement, integrated circuit, matrix array device and electronic device

Номер патента: TW200426570A. Автор: Steven Charles Deane,Alan George Knapp. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2004-12-01.

Drilling system and method of submarine drilling rig

Номер патента: US11428048B2. Автор: Kang Li,Jian Liu,Junguo CUI,Haiyang ZHAO,Yongtian Kang,Wensheng XIAO,Lianpeng MEI,Han Pang,Linchuan ZHANG,Wenqiang Zou,Simiao LIU. Владелец: China University of Petroleum CUP. Дата публикации: 2022-08-30.

Method and integrated circuit for image manipulation

Номер патента: EP2550639A1. Автор: Yuval Itkin,Yaron Bercovitz. Владелец: DSP GROUP LTD. Дата публикации: 2013-01-30.

Driving Instruction Modification Method and Receiver Applied To Display Driver Integrated Circuit

Номер патента: US20240054970A1. Автор: Kevin Nam,Rion Lee,Daniel Ji. Владелец: Beijing Eswin Computing Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Driving instruction modification method and receiver applied to display driver integrated circuit

Номер патента: US11887559B1. Автор: Kevin Nam,Rion Lee,Daniel Ji. Владелец: Beijing Eswin Computing Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Multilevel distributed parallel computing method for integrated circuit board simulation

Номер патента: US20240193333A1. Автор: Jian Zhang,Feng Ling,Wenliang Dai,Liguo Jiang. Владелец: Xpeedic Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

INTEGRATED CIRCUIT HAVING A BUS NETWORK, AND METHOD FOR THE INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20140032808A1. Автор: Prasadh Ramamoorthy Guru. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2014-01-30.

INTEGRATED CIRCUIT, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, AND OPERATING METHOD THEREOF

Номер патента: US20150019886A1. Автор: LIM Sang Oh. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2015-01-15.

INTEGRATED CIRCUIT, AND METHOD AND SYSTEM FOR PROVIDING POWER TO INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20190033904A1. Автор: Kang Sungchan,PARK SANGHA,KIM Cheheung,RHEE Choongho,HONG Hyeokki,YOON Yongseop,KIM Jinmyoung. Владелец: Samsung Electronics Co, Ltd.. Дата публикации: 2019-01-31.

Method for integrated circuit design layout support by computer and apparatus of integrated circuit design layout support by computer

Номер патента: US20150058816A1. Автор: Keishi Sakanushi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-02-26.

OPHTHALMIC DEVICES AND METHODS WITH APPLICATION SPECIFIC INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20140148899A1. Автор: SCHNELL Urban,Fehr Jean-Noel,Doll Walter. Владелец: . Дата публикации: 2014-05-29.

INTEGRATED CIRCUIT THAT EXTRACTS DATA, NEURAL NETWORK PROCESSOR INCLUDING THE INTEGRATED CIRCUIT, AND NEURAL NETWORK DEVICE

Номер патента: US20200082253A1. Автор: PARK Jun-Seok,LEE JAE-GON,SONG Jin-ook,Cho Yun-kyo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-03-12.

INTEGRATED MEMS-CMOS DEVICES AND INTEGRATED CIRCUITS WITH MEMS DEVICES AND CMOS DEVICES

Номер патента: US20170121172A1. Автор: Kumar Rakesh,CHATTERJEE Aveek Nath,XIA Jia Jie,RANGANATHAN Nagarajan. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-04.

TOUCH PANEL CONTROLLER, INTEGRATED CIRCUIT, TOUCH PANEL DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20160132149A1. Автор: Kanazawa Yusuke. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2016-05-12.

TOUCH PANEL CONTROLLER, INTEGRATED CIRCUIT, TOUCH PANEL DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20150138140A1. Автор: Kanazawa Yusuke. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2015-05-21.

DISPLAY DRIVER INTEGRATED CIRCUIT, DISPLAY SYSTEM, AND METHOD FOR DRIVING DISPLAY DRIVER INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20190130845A1. Автор: HAN Ho Seok,PARK Jun Yong,KIM Hyun Gu. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-02.

METHOD, DEVICE AND COMPUTER PROGRAM PRODUCT FOR INTEGRATED CIRCUIT LAYOUT GENERATION

Номер патента: US20160147928A1. Автор: Su Ke-Ying,Chen Wen-Hao,HSU Meng-Kai,HO Chia-Ming,LEE Hsien-Hsin Sean,RAO Adari Rama Bhadra,CHANG Kuang-Hung. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-26.

POSITIONING APPARATUS, INTEGRATED CIRCUIT APPARATUS, ELECTRONIC DEVICE AND PROGRAM

Номер патента: US20140244168A1. Автор: ISOMURA Masakazu. Владелец: SEIKO EPSON CORPORATION. Дата публикации: 2014-08-28.

DEVICE AND METHOD FOR TESTING RF INTEGRATED CIRCUIT IN WIRELESS COMMUNICATION SYSTEM

Номер патента: US20200210658A1. Автор: LEE Sangho,Yoon Youngchang,SON Juho,AN Kyuhwan,Kim Seokhyeon,Minn Donggyu. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-02.

INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD FOR ESTABLISHING SCAN TEST ARCHITECTURE IN INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20150276871A1. Автор: Ren Jianguo,Dai Chong,GAO Fengguo,HUANG Shang-Bin,HSUEH Wen-hao. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-01.

INTEGRATED CIRCUIT, DATA PROCESSING DEVICE AND METHOD

Номер патента: US20220358078A1. Автор: WANG Jian,Lu Shan,Chen Yimin,Zhang Junmou,Zhang Chuang,CHENG Yuanlin. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-10.

Integrated circuit, optical disc device and tracking error signal generating method

Номер патента: CN101689383A. Автор: 山元猛晴,片山刚,坂井满. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-31.

DEVICE AND METHOD FOR SECURING AN INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: DE69909118T2. Автор: Eric Gerbault. Владелец: Schlumberger Systemes SA. Дата публикации: 2004-05-06.

Method for forming sensor for detecting gases and biochemical materials, integrated circuit including the sensor, and method for manufacturing the integrated circuit

Номер патента: KR100799577B1. Автор: 이상훈,박종혁,강광용,윤두협,맹성렬,김상협,주철원. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2008-01-30.

INTEGRATED CIRCUIT INCLUDING A MODIFIED TEST CELL TO RESYNCHRONIZE THE INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: FR2783111B1. Автор: Noel Forget. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2000-10-13.

An inkjet printing device and a method of applying hotmelt ink image-wise to a receiving material, hotmelt ink, and a combination of hotmelt inks suitable for use in a device and method

Номер патента: EP0941855A1. Автор: Mei-Fen Timmermans-Wang,Thomas Petrus Huijgen,Rudolf Antonius Hendricus Marie Sturme. Владелец: Oce Technologies BV. Дата публикации: 1999-09-15.

Integrated circuit and method for establishing scanning test framework in integrated circuit

Номер патента: CN104950241A. Автор: 任建国,戴冲,高峰国,黄上宾,薛文皓. Владелец: Mediatek Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2015-09-30.

Peripheral device, integrated circuit for peripheral device and method for analyzing failure of peripheral device

Номер патента: EP2053514A1. Автор: Kazushi c/o Panasonic Corp. IPROC Yamamoto. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-04-29.

Method for testing integrated circuits in parallel, comprises transmission of test command to integrated circuit chips, desynchronized testing and second delayed command to supply results

Номер патента: FR2850464A1. Автор: Sylvie Wuidart,Claude Zahra. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2004-07-30.

Optical integrated circuit, and method for inspecting optical device in optical integrated circuit

Номер патента: WO2014034238A1. Автор: 大典岡本. Владелец: 日本電気株式会社. Дата публикации: 2014-03-06.

Integrated circuit current detection device and method

Номер патента: CN111426869A. Автор: 张涛,刘永丽,廖振伟. Владелец: Xian Unilc Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-17.

Fixed-logic signal generated in an integrated circuit for testing a function macro integrated in an integrated circuit

Номер патента: US6785857B1. Автор: Katsuya Ishikawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-08-31.

Method of circulating air in a compressor of a turbomachine, device of a compressor using this method, compression stage and compressor incorporating such a device, and aircraft engine equipped with such a compressor

Номер патента: JP5108217B2. Автор: アラン・ラルデリエ. Владелец: SNECMA SAS. Дата публикации: 2012-12-26.

Method, device and equipment for DMA operation, integrated circuit chip and board card

Номер патента: CN114691562A. Автор: 不公告发明人. Владелец: Cambricon Technologies Corp Ltd. Дата публикации: 2022-07-01.

Extended duration high resolution timer contained in two integrated circuits and having alternating data sequences provided from different integrated circuits

Номер патента: US5463761A. Автор: Paul R. Culley. Владелец: Compaq Computer Corp. Дата публикации: 1995-10-31.

Integrated circuit and a method for testing a multi-tap integrated circuit

Номер патента: CN101065679A. Автор: 约西·阿蒙,迪米特里·阿克塞尔罗德,埃亚尔·谢尔盖耶. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2007-10-31.

Integrated circuit and method for testing input/output interface of integrated circuit

Номер патента: CN107797046B. Автор: 林裕翔,高秉佑. Владелец: Ali Corp. Дата публикации: 2020-03-17.

Integrated circuit and method for identifying propagation time errors in integrated circuits

Номер патента: US7689885B2. Автор: Martin Kaibel,Olivier Barondeau. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2010-03-30.

Electronic-integration compatible photonic integrated circuit and method for fabricating electronic-integration compatible photonic integrated circuit

Номер патента: USRE48379E1. Автор: Seng-Tiong Ho,Yingyan Huang. Владелец: Electronic Photonic Ic Inc (epic Inc). Дата публикации: 2021-01-05.

An assembly for and a method of feeding and milking animals, a feed platform, a milking pre-treatment device, a milking post-treatment device, a cleaning device, a separation device and a milking system all suitable for use in such an assembly

Номер патента: CA2484706C. Автор: Karel Van den Berg,Greorgius Rudolphius Bos. Владелец: Lely Enterprises AG. Дата публикации: 2011-12-06.

DEVICE AND METHOD FOR SECURING AN INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: FR2785422A1. Автор: Eric Gerbault. Владелец: Schlumberger SA. Дата публикации: 2000-05-05.

Integrated circuit environment initialization according to information stored within the integrated circuit

Номер патента: US20090094446A1. Автор: Michael Jay Shapiro,Mark Elliott Hack,Louis Bennie Capps, Jr.,Steven Paul Hartman. Владелец: Capps Jr Louis Bennie. Дата публикации: 2009-04-09.

Peripheral device, integrated circuit for peripheral device and method for analyzing failure of peripheral device

Номер патента: CN101501649A. Автор: 山本和司. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-05.

Driving integrated circuit for display device and method for driving the same

Номер патента: KR101070739B1. Автор: 김학윤,신봉조,조태원. Владелец: 충북대학교 산학협력단. Дата публикации: 2011-10-07.

Information updating apparatus and integrated circuit thereof, information updating method, and recording apparatus and integrated circuit thereof

Номер патента: JPWO2010061562A1. Автор: 太田　雄策,雄策太田. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-04-26.

Device and method for providing an integrated circuit with a unique indentification

Номер патента: US20110062240A1. Автор: Anthony K. Stamper,Brent A. Anderson,Andres Bryant,Alain Loiseau,Mickey H. Yu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-03-17.

Ophthalmic devices and methods with application-specific integrated circuits

Номер патента: CA2803128A1. Автор: Jean-Noel Fehr,Urban Schnell,Walter Doll. Владелец: Elenza Inc. Дата публикации: 2011-12-29.

Display driver integrated circuit, display system, and method for driving display driver integrated circuit

Номер патента: US20190130845A1. Автор: Jun Yong Park,Ho Seok HAN,Hyun Gu Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-02.

Signal processing device for optical disc, integrated circuit, optical disc device, and optimum recording focus position detecting method

Номер патента: US20090290462A1. Автор: Katsumi Morita. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-11-26.

METHOD OF REGISTERING A DEVICE AT A REMOTE SITE FEATURING A CLIENT APPLICATION CAPABLE OF ESTABLISHING MULTIPLE WIRELESS CONNECTIONS FOR TRANSMITTING REGISTRATION MESSAGES BETWEEN DEVICE AND REMOTE SITE

Номер патента: US20140375439A1. Автор: Jalili Reza,Rezvani Babak,Kalin Edward B.,Chen Jack L.. Владелец: NEST LABS, INC.. Дата публикации: 2014-12-25.

Method for the deposition of silicon germanium layers

Номер патента: US20030111013A1. Автор: Theodorus Oosterlaken,Peter Zagwijn. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2003-06-19.

A method of monitoring an environment of a trailer device coupled to a motor vehicle using distance sensors of the trailer device, sensor system, trailer device, and trailer

Номер патента: DE102016120162A1. Автор: Markus Spiertz. Владелец: VALEO SCHALTER UND SENSOREN GMBH. Дата публикации: 2018-04-26.

Assembly for and a method of feeding and milking animals, a feed platform, a milking pre-treatment device, a milking post-treatment device, a cleaning device, a separation device and a milking system all suitable for use in such an assembly

Номер патента: US20080017119A1. Автор: Greorgius BOS,Karel Van den Berg. Владелец: Lely Enterprises AG. Дата публикации: 2008-01-24.

An assembly for and a method of feeding and milking animals, a feed platform, a milking pre-treatment device, a milking post-treatment device, a cleaning device, a separation device and a milking system all suitable for use in such an assembly

Номер патента: CA2484706A1. Автор: Karel Van den Berg,Greorgius Rudolphius Bos. Владелец: Lely Enterprises AG. Дата публикации: 2005-04-13.

Probe card for fine pitch circuit probe testing of semiconductor integrated circuit devices and methods of forming the same

Номер патента: US20240272200A1. Автор: Yuan-Li Lin,Hsiao Kang LI,I-Tee LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor integrated circuit and method of fabricating the same

Номер патента: US20070089014A1. Автор: Yoko Shimada,Katsuya Fujimura,Kenichiro Uda,Takashi Ishimura,Kasumi Hamaguchi,Kenichirou Higashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-04-19.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICES HAVING DIFFERENT THICKNESS SILICON-GERMANIUM LAYERS

Номер патента: US20120228720A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-09-13.

Vector magnetometer based on disc yig resonator and method of detection of magnetic field vector

Номер патента: RU2529440C1. Автор: Александр Львович Хвалин. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Саратовский Государственный Университет Имени Н.Г. Чернышевского". Дата публикации: 2014-09-27.

Method of receptor layer formation for hydrogen sulphide determination

Номер патента: RU2537726C1. Автор: Валерий Александрович Толмачев,Валентин Александрович Кутвицкий,Мария Андреевна Васильева,Инна Алексеевна Романова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный университет тонких химических технологий имени М.В. Ломоносова" (МИТХТ им. М.В. Ломоносова). Дата публикации: 2015-01-10.

Cutting segment wheel and method of manufacturing same

Номер патента: RU2073599C1. Автор: Владимир Алексеевич Андреев,Анатолий Иосифович Сафонов,Сергей Александрович Засорин. Владелец: Сергей Александрович Засорин. Дата публикации: 1997-02-20.

WIRING METHOD FOR SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT, SEMICONDUCTOR-CIRCUIT WIRING APPARATUS AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20120161337A1. Автор: Utsumi Tetsuaki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-06-28.

Semiconductor integrated circuit wiring design device and semiconductor integrated circuit wiring design program

Номер патента: JP7139552B2. Автор: 智洋長谷川. Владелец: Toshiba Information Systems Japan Corp. Дата публикации: 2022-09-21.

Chemical-mechanical polishing device, and manufacture of semiconductor integrated circuit device using same

Номер патента: JPH1148122A. Автор: Hidefumi Ito,秀文伊藤,Takeshi Kimura,剛木村,Hiroki Nezu,Ken Okuya,謙奥谷,清彦佐藤,広樹根津,Kiyohiko Sato. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1999-02-23.

Load drive circuit device with delay circuit by semiconductor integrated circuit

Номер патента: JPS6143821A. Автор: Jun Tanaka,純田中. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1986-03-03.

CHIP SIZE ESTIMATING APPARATUS FOR SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND CHIP SIZE ESTIMATING METHOD FOR SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20120297350A1. Автор: Yamamoto Yuji. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-11-22.

Semiconductor integrated circuit testing apparatus, testing board, and semiconductor integrated circuit testing method

Номер патента: JP2003035750A. Автор: Yoshinori Hirano,良則平野. Владелец: Ando Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-02-07.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT, RADIO COMMUNICATION DEVICE AND TIME TO DIGITAL CONVERTER

Номер патента: US20120063520A1. Автор: Kobayashi Hiroyuki,Deguchi Jun,Miyashita Daisuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-03-15.

A Fluid Circuit Device

Номер патента: NZ773577B2. Автор: Thomson Mark,Clark Stuart,McCALLISTER John,AITKEN Murray. Владелец: Holmes Solutions Limited Partnership. Дата публикации: 2024-01-30.

Apparatus for in-circuit programming of an integrated circuit and method for in-circuit programming of an integrated circuit

Номер патента: TW200612245A. Автор: William Chen,Albert C Sun,Jeon-Yung Ray. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2006-04-16.

Method of joining metal strips of different thicknesses

Номер патента: SU471171A1. Автор: Семен Данилович Харитонов,Исаак Меерович Лейбман. Владелец: Предприятие П/Я А-1955. Дата публикации: 1975-05-25.

Bipolar transistor of integrated circuit

Номер патента: RU2108640C1. Автор: А.Н. Сауров. Владелец: Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского института электронной техники. Дата публикации: 1998-04-10.

Manufacturing method of integrated circuit having a portion of redundant through holes and integrated circuit

Номер патента: CN102437104A. Автор: 李磊,陈玉文,胡友存,张亮,姬峰. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-05-02.

Method of preparing strips for rolling different-thickness trough-like cross section shapes

Номер патента: RU2038884C1. Автор: И.В. Зверев,С.Г. Гумиров,С.Ю. Жаринов,А.А. Шарофостов. Владелец: Казанский государственный технический университет им.А.Н.Туполева. Дата публикации: 1995-07-09.

Manufacturing method of plasma tailored blank with different thickness steel plate with excellent gap resistance

Номер патента: JP5193927B2. Автор: 初彦及川,文彦作野,桂小林. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 2013-05-08.

SYSTEM FOR TESTING AN INTEGRATED CIRCUIT OF A DEVICE AND ITS METHOD OF USE

Номер патента: US20120280704A1. Автор: Richmond,II Donald P.,Jovanovic Jovan,Lindsey Scott E.,Hendrickson David S.. Владелец: AEHR TEST SYSTEMS. Дата публикации: 2012-11-08.

Process of inspection of integrated circuits for defects

Номер патента: RU2143704C1. Автор: М.И. Горлов,О.Л. Бордюжа. Владелец: Воронежский государственный технический университет. Дата публикации: 1999-12-27.

Failure analysis device and failure analysis method for integrated circuit device

Номер патента: JP2894078B2. Автор: 清二川,徹辻出,豊一中村. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1999-05-24.

METHOD OF MAKING THIN LAYERS OF OXIDES OF Ni, Nb WITH HOLE CONDUCTIVITY FOR MAKING COMPONENTS OF VERY LARGE SCALE INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: RU2598698C1. Автор: Владислав Игоревич Полькин,Артем Сергеевич Трифонов,Дмитрий Валентинович Лузгин,Александр Владимирович Лубенченко. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС". Дата публикации: 2016-09-27.

A customizable integrated circuit gate reader

Номер патента: MY165054A. Автор: Wee Teck Lim,Yusup Lada Musa,Bin Ab Ghani Sharin,Wei Sen Loi,Shahril Bin Ahmad Khiar Mohd. Владелец: Univ Teknikal Malaysia Melaka. Дата публикации: 2018-02-28.

Method of Increasing the Germanium Concentration in a Silicon-Germanium Layer and Semiconductor Device Comprising Same

Номер патента: US20120280289A1. Автор: Flachowsky Stefan,Hoentschel Jan,Scheiper Thilo,Javorka Peter. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-11-08.

Apparatus for in-circuit programming of an integrated circuit and method for in-circuit programming of an integrated circuit

Номер патента: TWI251742B. Автор: William Chen,Albert C Sun,Jeon-Yung Ray. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2006-03-21.

Matrix conversion circuit, matrix conversion method, integrated circuit chip, computing device and board card

Номер патента: CN114282161A. Автор: 不公告发明人. Владелец: Cambricon Technologies Corp Ltd. Дата публикации: 2022-04-05.

Method for forming integrated circuit having MONOS device and mixed-signal circuit

Номер патента: TW495971B. Автор: Erh-Kun Lai,Ying-Tso Chen,Hsin-Huei Chen,Shou-Wei Hwang,Yu-Ping Huang. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2002-07-21.

INTEGRATED CIRCUIT HAVING A BUS NETWORK, AND METHOD FOR THE INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20130124767A1. Автор: Prasadh Ramamoorthy Guru. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2013-05-16.

Fault diagnosis device and diagnosis method for CMOS integrated circuit

Номер патента: JP2800755B2. Автор: 和宏坂口. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-09-21.

Cell library-based integrated circuit design method and structure of cell library-based integrated circuit

Номер патента: CN103955582A. Автор: 赵立新,庄群峰,俞大立,柳雅琳. Владелец: Galaxycore Shanghai Ltd Corp. Дата публикации: 2014-07-30.

Copper metallized barrier layer structure of integrated circuit or semiconductor device and its preparing method

Номер патента: CN100521188C. Автор: 王颖,曹菲,赵春晖. Владелец: Harbin Engineering University. Дата публикации: 2009-07-29.

Method of training and biocontrolled interactive software and hardware simulator of breathing techniques and skill of buoyancy control in diving with open-circuit devices

Номер патента: RU2517604C2. Автор: Сергей Александрович Чернов,Анатолий Борисович Иванов,Тимур Анатольевич Иванов. Владелец: Тимур Анатольевич Иванов. Дата публикации: 2014-05-27.

The control replacing integrated circuit card shows device and network system

Номер патента: CN101577656B. Автор: 刘文祥. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-10-07.

Blackening method of white fluoride spray coating and fluoride spray coating covering member having black layer on surface

Номер патента: JP5406317B2. Автор: 良夫原田,武馬寺谷,真哉三木. Владелец: Tocalo Co Ltd. Дата публикации: 2014-02-05.

Integrated circuit and electronic device, and method for establishing scanning test architecture

Номер патента: CN105988080A. Автор: 任建国. Владелец: Mediatek Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-10-05.

Wiring method for integrated circuit, wiring method for burying holes or grooves in integrated circuit, and multi-chamber substrate processing apparatus

Номер патента: JP2914644B2. Автор: 正三新宮原,靖浩堀池,秀和岡林,啓藏木下,直吉細川,ビトルド・パサドフスキー,ツビクネフ・ラジムスキー,立男麻蒔. Владелец: ANERUBA KK. Дата публикации: 1999-07-05.

Method for manufacturing vacuum integrated circuit with components of electronic valve type and vacuum integrated circuit

Номер патента: RU2250534C1. Автор: В.В. Волков. Владелец: Ооо "Альбатэк". Дата публикации: 2005-04-20.

Image display device and display packing thereof, program, integrated circuit, glasses type head mounted display, automobile, binoculars and console display

Номер патента: CN101589328A. Автор: 黑塚章,山本格也,杉山圭司. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2009-11-25.

Gallium nitride transistor device and gallium nitride monolithic microwave integrated circuit

Номер патента: CN218182196U. Автор: 王晶晶,张辉,谭杰利. Владелец: Xiamen Sanan Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-30.

Time sequence adjusting method for internal IC (integrated circuit) bus, corresponding device and system thereof

Номер патента: CN101770443B. Автор: 张洪岽,唐烽杰. Владелец: Huawei Symantec Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-23.

BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR HAVING A HIGH GERMANIUM CONCENTRATION IN A SILICON-GERMANIUM LAYER AND A METHOD FOR FORMING THE BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR

Номер патента: US20120115299A1. Автор: Griglione Michelle D.. Владелец: . Дата публикации: 2012-05-10.

INTEGRATED CIRCUIT HAVING POWER GATING FUNCTION AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20120200345A1. Автор: KIM Jung-Sik. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-08-09.

Semiconductor circuit device manufacturing method and semiconductor circuit device

Номер патента: JP6192163B2. Автор: 泰正渡辺,智司久保山,渡辺　泰正,久保山　智司,直美池田. Владелец: Japan Aerospace Exploration Agency JAXA. Дата публикации: 2017-09-06.

Methods of fabricating different thickness silicon-germanium layers on semiconductor integrated circuit devices and semiconductor integrated circuit devices fabricated thereby

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты