Methods of fabricating different thickness silicon-germanium layers on semiconductor integrated circuit devices and semiconductor integrated circuit devices fabricated thereby
Номер патента: US8207033B2
Опубликовано: 26-06-2012
Автор(ы): Ho Lee, Hwa-Sung Rhee, Ji-Hye Yi, Myung-sun Kim
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 26-06-2012
Автор(ы): Ho Lee, Hwa-Sung Rhee, Ji-Hye Yi, Myung-sun Kim
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method of manufacturing integrated circuit device
Номер патента: US20240222467A1. Автор: Ji Young Park,Sangmoon Lee,Gyeom KIM,Sunhye HWANG,Jieun Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.