Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Nanosheet with graded silicon germanium layer under isolation region and with buried tapered inner spacer

Nanosheet with graded silicon germanium layer under isolation region and with buried tapered inner spacer

Номер патента: US20240145238A1
Опубликовано: 02-05-2024
Автор(ы): Julien Frougier, Ravikumar Ramachandran, Reinaldo Vega, Ruilong Xie, Shogo Mochizuki
Принадлежит: International Business Machines Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Nanosheet FET with wrap-around inner spacer

Номер патента: US09842914B1. Автор: Chen Zhang,Chun W. Yeung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

NANOSHEET WITH CHANGING SiGe PECENTAGE FOR SiGe LATERAL RECESS

Номер патента: US20190189780A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-20.

Inner spacer for nanosheet transistors

Номер патента: US20200098860A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Inner spacer and junction formation for integrating extended-gate and standard-gate nanosheet transistors

Номер патента: US11062959B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-07-13.

Inner spacer and junction formation for integrating extended-gate and standard-gate nanosheet transistors

Номер патента: US20190287864A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Semiconductor device with robust inner spacer

Номер патента: US20240006496A1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Field effect transistor (fet) comprising inner spacers and voids between channels

Номер патента: US20210351276A1. Автор: YE Lu,Peijie Feng,Junjing Bao,Chenjie TANG. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-11-11.

Nanowire Stack GAA Device with Inner Spacer and Methods for Producing the Same

Номер патента: US20210313455A1. Автор: Tung Ying Lee,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Tzu-Chung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Nanowire Stack GAA Device with Inner Spacer and Methods for Producing the Same

Номер патента: US20230387265A1. Автор: Tung Ying Lee,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Tzu-Chung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Nanowire stack GAA device with inner spacer

Номер патента: US11929425B2. Автор: Tung Ying Lee,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Tzu-Chung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Semiconductor device including a vertical PN junction between a body region and a drift region

Номер патента: US09793387B2. Автор: Ralf Siemieniec,Michael Hutzler,Matthias Kuenle,Georg Ehrentraut. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-10-17.

Nanosheet with dual isolation regions separated by buried inner spacer

Номер патента: US20240145578A1. Автор: Ravikumar Ramachandran,Shogo Mochizuki,Ruilong Xie,Julien Frougier,Reinaldo Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Inner spacer liner for gate-all-around device

Номер патента: WO2024151387A1. Автор: LIU Jiang,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Abhijit Basu Mallick,Susmit Singha Roy,El Mehdi Bazizi,Benjamin Colombeau,Sai Hooi YEONG. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-07-18.

Inner spacer liner for gate-all-around device

Номер патента: US20240234531A1. Автор: LIU Jiang,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Abhijit Basu Mallick,Susmit Singha Roy,El Mehdi Bazizi,Benjamin Colombeau,Sai Hooi YEONG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Multilayer inner spacer for gate-all-around device

Номер патента: WO2024123430A1. Автор: LIU Jiang,Abhijit Basu Mallick,Susmit Singha Roy,El Mehdi Bazizi,Benjamin Colombeau,Sai Hooi YEONG. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-06-13.

Multilayer inner spacer for gate-all-around device

Номер патента: US20240194757A1. Автор: LIU Jiang,Abhijit Basu Mallick,Susmit Singha Roy,El Mehdi Bazizi,Benjamin Colombeau,Sai Hooi YEONG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device including barrier layer between active region and semiconductor layer and method of forming the same

Номер патента: US20240297215A1. Автор: Yihwan Kim,Sungkeun Lim,Seunghun LEE,Jinbum Kim,Pankwi Park,Unki Kim,Ilgyou Shin,Yuyeong Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-05.

Multi-Layer Inner Spacers and Methods Forming the Same

Номер патента: US20230261080A1. Автор: Che-Hao Chang,Wen-Kai Lin,Tzu-Chieh Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Gate spacer and inner spacer formation for nanosheet transistors having relatively small space between gates

Номер патента: US20190341465A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Zhenxing Bi,Nicolas J. Loubet,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-11-07.

Gate-all-around field effect transistors with robust inner spacers and methods

Номер патента: US20210043727A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2021-02-11.

Inner spacer features for multi-gate transistors

Номер патента: US12087842B2. Автор: Chia-Pin Lin,Chih-Hao Yu,Bone-Fong Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Gate-all-around field-effect-transistor with wrap-around-channel inner spacer

Номер патента: EP4449502A1. Автор: Veeraraghavan Basker,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Andrew Greene,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-23.

Inner spacer structure and methods of forming such

Номер патента: US11862709B2. Автор: Che-Lun Chang,Yuan-Ching Peng,Jiun-Ming Kuo,Ji-Yin Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Inner spacer structure and methods of forming such

Номер патента: US20240105814A1. Автор: Che-Lun Chang,Yuan-Ching Peng,Jiun-Ming Kuo,Ji-Yin Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Gate to source/drain leakage reduction in nanosheet transistors via inner spacer optimization

Номер патента: US20200287021A1. Автор: LAN Yu,Dechao Guo,Heng Wu,Junli Wang,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

Semiconductor device structure with inner spacer layer

Номер патента: US20240021481A1. Автор: Chih-Hao Wang,Min Cao,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Lo-Heng Chang,Jung-Hung CHANG,Pei-Hsun Wang,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

FIELD EFFECT TRANSISTOR (FET) COMPRISING CHANNELS WITH SILICON GERMANIUM (SiGe)

Номер патента: WO2021076241A1. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Jun Yuan,Kwanyong LIM. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2021-04-22.

Inner spacer features for multi-gate transistors

Номер патента: US20230335620A1. Автор: Chia-Pin Lin,Chih-Hao Yu,Bone-Fong Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Gate all around transistor with dual inner spacers

Номер патента: US20240194758A1. Автор: Kuo-Cheng Chiang,Lo-Heng Chang,Zhi-Chang Lin,Jung-Hung CHANG,Shih-Cheng Chen,Kuan-Ting Pan,Chien-Ning YAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Forming gate all around device with silicon-germanium channel

Номер патента: US20240113192A1. Автор: Andrew M. Greene,Shogo Mochizuki,Gen Tsutsui. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Inner Spacer Liner

Номер патента: US20240347624A1. Автор: Yen-Ting Chen,Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Chih-Hao Yu,Jin-Mu Yin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Gate all around transistor with dual inner spacers

Номер патента: US11916122B2. Автор: Kuo-Cheng Chiang,Lo-Heng Chang,Zhi-Chang Lin,Jung-Hung CHANG,Shih-Cheng Chen,Kuan-Ting Pan,Chien-Ning YAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Field effect transistor (fet) comprising channels with silicon germanium (sige)

Номер патента: EP4046202A1. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Jun Yuan,Kwanyong LIM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-08-24.

Semiconductor device including barrier layer between active region and semiconductor layer and method of forming the same

Номер патента: US11996443B2. Автор: Yihwan Kim,Sungkeun Lim,Seunghun LEE,Jinbum Kim,Pankwi Park,Unki Kim,Ilgyou Shin,Yuyeong Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-28.

Gate-all-around field-effect-transistor with wrap-around-channel inner spacer

Номер патента: US20230187516A1. Автор: Kangguo Cheng,Andrew M. Greene,Ruilong Xie,Veeraraghavan S. Basker,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Fin-type field effect transistor having a wrap-around gate with bottom isolation and inner spacers to reduce parasitic capacitance

Номер патента: US12094949B2. Автор: Kangguo Cheng,ChoongHyun Lee,Ruilong Xie,Chanro Park. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Method of forming inner spacers on a nano-sheet/wire device

Номер патента: US09799748B1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Multi-gate device inner spacer and methods thereof

Номер патента: US20240113201A1. Автор: Wei-Yang Lee,Sung-En Lin,Chih-Ching Wang,Bo-Yu Lai,Chung-I Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Inner spacer liner

Номер патента: US12021133B2. Автор: Yen-Ting Chen,Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Chih-Hao Yu,Jin-Mu Yin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Gate-all-around device without dielectric inner spacer

Номер патента: US20240186391A1. Автор: Ruilong Xie,Veeraraghavan S. Basker,Julien Frougier,Sung Dae Suk,Christopher J. Waskiewicz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Nanosheet semiconductor structure with inner spacer formed by oxidation

Номер патента: US20190189741A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-20.

Source/Drain Regions and Methods of Forming Same

Номер патента: US20240379454A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Chii-Horng Li,Li-Li Su,Hui-Lin Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Nanosheet with single epitaxial stack forming off-set dual material channels for gate-all-around cmos

Номер патента: US20190355723A1. Автор: Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang,Xin Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-11-21.

Source and Drain Isolation for CMOS Nanosheet with One Block Mask

Номер патента: US20190214314A1. Автор: Soon-Cheon Seo,ChoongHyun Lee,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-11.

Single stack dual channel gate-all-around nanosheet with strained pfet and bottom dielectric isolation nfet

Номер патента: US20230420457A1. Автор: Kangguo Cheng,Andrew M. Greene,Shogo Mochizuki,Ruilong Xie,Heng Wu,Gen Tsutsui,Min Gyu Sung,Julien Frougier,Liqiao QIN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Nanosheet one transistor dynamic random access device with silicon/silicon germanium channel and common gate structure

Номер патента: US20200251474A1. Автор: Karthik Balakrishnan,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Clint Oteri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-08-06.

Silicon and silicon germanium nanowire formation

Номер патента: US09935016B2. Автор: Jean-Pierre Colinge,Kuo-Cheng Ching,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Silicon and silicon germanium nanowire formation

Номер патента: US09634091B2. Автор: Jean-Pierre Colinge,Kuo-Cheng Ching,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Silicon and silicon germanium nanowire formation

Номер патента: US11854905B2. Автор: Kuo-Cheng Chiang,Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz,Jin-Aun Ng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Silicon and Silicon Germanium Nanowire Formation

Номер патента: US20200273757A1. Автор: Kuo-Cheng Chiang,Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz,Jin-Aun Ng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-08-27.

Nano-sheet-based devices having inner spacer structures or gate portions with variable dimensions

Номер патента: US12148812B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Jui-Chien Huang,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-19.

Transistor having forked nanosheets with wraparound contacts

Номер патента: US20210358911A1. Автор: Alexander Reznicek,Jingyun Zhang,Xin Miao,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-11-18.

Semiconductor device structure with inner spacer

Номер патента: US20230299204A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi-On CHUI,Chien-Ning YAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device structure with inner spacer

Номер патента: US20220190162A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi-On CHUI,Chien-Ning YAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-16.

Nanosheet transistors with thin inner spacers and tight pitch gate

Номер патента: US20200144396A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-07.

Nanowire stack GAA device with inner spacer and methods for producing the same

Номер патента: US11715802B2. Автор: Carlos H Diaz,I-Sheng Chen,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-01.

Nanowire Stack GAA Device with Inner Spacer and Methods for Producing the Same

Номер патента: US20230343876A1. Автор: Carlos H Diaz,I-Sheng Chen,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Methods of fabricating semiconductor devices having gate-all-around structure with inner spacer last process

Номер патента: US20200273964A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chun-Hsiung Lin,Kuo-Cheng Ching,Jui-Chien Huang,Pei-Hsun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-08-27.

Semiconductor device including a layer between a source/drain region and a substrate

Номер патента: US11765878B2. Автор: Yi-Hsun CHIU,Kam-Tou SIO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Transistor Source/Drain Regions and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20230275123A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Chii-Horng Li,Li-Li Su,Wei-Min Liu,Cheng-Yen Wen,Tsz-Mei Kwok,Hui-Lin Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Resistor with doped regions and semiconductor devices having the same

Номер патента: US20210335779A1. Автор: SANGHOON Lee,Woocheol SHIN,Myunggil Kang,Minyi Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-28.

Resistor with doped regions and semiconductor devices having the same

Номер патента: US11075197B2. Автор: SANGHOON Lee,Woocheol SHIN,Myunggil Kang,Minyi Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-27.

Resistor with doped regions and semiconductor devices having the same

Номер патента: US20210028164A1. Автор: SANGHOON Lee,Woocheol SHIN,Myunggil Kang,Minyi Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-28.

Strained silicon germanium fin with block source/drain epitaxy and improved overlay capacitance

Номер патента: US20170221993A1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-03.

Strained silicon germanium fin with block source/drain epitaxy and improved overlay capacitance

Номер патента: US20190229195A1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-25.

Strained silicon germanium fin with block source/drain epitaxy and improved overlay capacitance

Номер патента: US09614040B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Sacrificial silicon germanium channel for inversion oxide thickness scaling with mitigated work function roll-off and improved negative bias temperature instability

Номер патента: US09443953B1. Автор: Takashi Ando,Vijay Narayanan,Kevin K. Chan,Eduard A. Cartier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Integrated device with raised locos insulation regions and process for manufacturing such device

Номер патента: US09640614B2. Автор: Simone Dario Mariani,Paolo Colpani,Alessandro Causio. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-05-02.

MOSFET device with shielding region and manufacturing method thereof

Номер патента: US12148824B2. Автор: Mario Giuseppe Saggio,Edoardo Zanetti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-11-19.

Semiconductor device having gate dielectric surrounding at least some of channel region and gate electrode surrounding at least some of gate dielectric

Номер патента: US09484460B2. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz,Tsung-Hsing Yu,Chia-Wen Liu,Yeh Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Power semiconductor device having counter-doped regions in both an active cell region and an inactive cell region

Номер патента: US20240047517A1. Автор: Ling Ma,Robert Haase,Timothy Henson,Adam Amali,Kishore Lakhmichand Malani. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-02-08.

Integration of silicon channel nanostructures and silicon-germanium channel nanostructures

Номер патента: US11798944B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Integration of silicon channel nanostructures and silicon-germanium channel nanostructures

Номер патента: US20230369326A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Integration of silicon channel nanostructures and silicon-germanium channel nanostructures

Номер патента: US20210407993A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-30.

Integration of silicon channel nanostructures and silicon-germanium channel nanostructures

Номер патента: US11296081B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-05.

Integration of silicon channel nanostructures and silicon-germanium channel nanostructures

Номер патента: US20220231017A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Tall strained high percentage silicon germanium fins for CMOS

Номер патента: US09761587B2. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Tall strained high percentage silicon germanium fins for CMOS

Номер патента: US09496260B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device including fin shaped structure including silicon germanium layer

Номер патента: US09954108B2. Автор: Chao-Hung Lin,Chung-Yi Chiu,Shih-Fang Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device having silicon-germanium layer on fin and method for manufacturing the same

Номер патента: US09680022B1. Автор: Chun-Yu Chen,Tien-Chen Chan,Shu-Yen Chan,Ming-Hua Chang,Yu-Shu Lin,Yen-Hsing Chen,Chung-Ting Huang,Yi-Fan Li,Zih-Hsuan Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Silicon germanium alloy fins with reduced defects

Номер патента: US20160322501A1. Автор: Hong He,Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-03.

Silicon germanium alloy fins with reduced defects

Номер патента: US11201231B2. Автор: Hong He,Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-12-14.

Silicon germanium alloy fins with reduced defects

Номер патента: US09583626B2. Автор: Hong He,Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Method of forming high-germanium content silicon germanium alloy fins on insulator

Номер патента: US20170084731A1. Автор: Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,John A. Ott,Renee T. Mo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-23.

Method of forming high-germanium content silicon germanium alloy fins on insulator

Номер патента: US09680018B2. Автор: Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,John A. Ott,Renee T. Mo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Silicon germanium alloy fins with reduced defects

Номер патента: US10418463B2. Автор: Hong He,Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-09-17.

Silicon germanium alloy fins with reduced defects

Номер патента: US20170170321A1. Автор: Hong He,Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Silicon germanium alloy fins with reduced defects

Номер патента: US20200083357A1. Автор: Hong He,Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Silicon germanium alloy fins with reduced defects

Номер патента: US20170170302A1. Автор: Hong He,Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Depositing and Oxidizing Silicon Liner for Forming Isolation Regions

Номер патента: US20240274465A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Huicheng Chang,Tsai-Yu Huang,Po-Kai Hsiao,Han-De Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Selective oxidation of buried silicon-germanium to form tensile strained silicon FinFETs

Номер патента: US09570590B1. Автор: Bruce B. Doris,Alexander Reznicek,Tenko Yamashita,Joshua M. Rubin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Vertical dmosfets with buried shield for reduced gate-to-drain charge

Номер патента: WO2024206640A1. Автор: Dallas T Morisette,James Albert Cooper. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2024-10-03.

Vertical transistor structure with buried channel and resurf regions and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220093784A1. Автор: Vipindas Pala,Sundarsan UPPILI. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

Silicon-germanium FinFET device with controlled junction

Номер патента: US09922886B2. Автор: Kangguo Cheng,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Kam-Leung Lee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Silicon-germanium FinFET device with controlled junction

Номер патента: US09514997B2. Автор: Kangguo Cheng,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Kam-Leung Lee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Methods for forming isolation regions by depositing and oxidizing a silicon liner

Номер патента: US11996317B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Huicheng Chang,Tsai-Yu Huang,Po-Kai Hsiao,Han-De Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Semiconductor device comprising a main region, a current sense region, and a well region

Номер патента: US9147759B1. Автор: Tatsuji Nagaoka. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2015-09-29.

Field effect transistors including fin structures with different doped regions and semiconductor devices including the same

Номер патента: US09653551B2. Автор: Bomsoo Kim,Myung Gil Kang,Changwoo Oh,Jongshik Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device having a substrate including a first active region and a second active region

Номер патента: US09502417B2. Автор: Jong-Mil Youn,Ju-youn Kim,Hyung-Soon JANG,Tae-Won Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-22.

Bulk Nanosheet with Dielectric Isolation

Номер патента: US20230197781A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Junli Wang. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor device with treated interfacial layer on silicon germanium

Номер патента: US20230282753A1. Автор: Zi-Wei FANG,Chih-Yu Chang,Hsiang-Pi Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Inner spacer formation and contact resistance reduction in nanosheet transistors

Номер патента: US20200091288A1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Semiconductor structure with conductive spacer in shallow trench isolation region

Номер патента: US20240120372A1. Автор: Chih-Chao Yang,Koichi Motoyama,Ruilong Xie,Kisik Choi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

High electron mobility transistors including lightly doped drain regions and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09443968B2. Автор: Jong-Seob Kim,In-jun Hwang,Jai-Kwang Shin,Jae-joon Oh,Hyuk-soon Choi,Ki-ha Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

FinFET CMOS WITH SILICON FIN N-CHANNEL FET AND SILICON GERMANIUM FIN P-CHANNEL FET

Номер патента: US20180076200A1. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-15.

P-fet with graded silicon-germanium channel

Номер патента: US20160064210A1. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Darsen D. Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-03-03.

P-fet with graded silicon-germanium channel

Номер патента: US20150364555A1. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Darsen D. Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-12-17.

Nanosheet with buried gate contact

Номер патента: US20210202749A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-07-01.

Bulk nanosheet with dielectric isolation

Номер патента: US09741792B2. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Silicon germanium-on-insulator formation by thermal mixing

Номер патента: US09418870B2. Автор: Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,Stephen W. Bedell,Joel P. de Souza. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Finfet with a silicon germanium alloy channel and method of fabrication thereof

Номер патента: US20160172448A1. Автор: Hong He,Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-06-16.

Silicon germanium-on-insulator formation by thermal mixing

Номер патента: US20150228501A1. Автор: Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,Stephen W. Bedell,Joel P. de Souza. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-08-13.

Methods to protect nitride layers during formation of silicon germanium nano-wires in microelectronic workpieces

Номер патента: US20200027736A1. Автор: Yusuke Yoshida,Christopher Talone,Sergey Voronin,Christopher Catano,Nicholas Joy. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-01-23.

Finfet with a silicon germanium alloy channel and method of fabrication thereof

Номер патента: US20160064543A1. Автор: Hong He,Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-03-03.

FinFET with a silicon germanium alloy channel and method of fabrication thereof

Номер патента: US9312367B2. Автор: Hong He,Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-04-12.

Finfet with a silicon germanium alloy channel and method of fabricaton thereof

Номер патента: US20160064511A1. Автор: Hong He,Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-03-03.

Memory array with buried bitlines below vertical field effect transistors of memory cells and a method of forming the memory array

Номер патента: US20190035791A1. Автор: Hui Zang,Jerome Ciavatti,Rinus Tek Po Lee. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-01-31.

Semiconductor structure with nitrided inner spacers and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240136427A1. Автор: Man-Nung SU,I-Hsuan LO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor device structure with inner spacer layer

Номер патента: US20240234549A1. Автор: Pinyen Lin,Fang-Wei Lee,Li-Te Lin,Han-Yu Lin,Chansyun David Yang,Tze-Chung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Air gap in inner spacers and methods of fabricating the same in field-effect transistors

Номер патента: US11990529B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Chien Ning Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Air gap in inner spacers and methods of fabricating the same in field-effect transistors

Номер патента: US20240313082A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Chien Ning Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Field effect transistor with inner spacer liner layer and method

Номер патента: US20240355908A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Zhi-Chang Lin,Jung-Hung CHANG,Shih-Cheng Chen,Tsung-Han CHUANG,Chien Ning Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Inner spacer for nanosheet transistors

Номер патента: US09923055B1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Field effect transistor devices with buried well protection regions

Номер патента: US09570585B2. Автор: LIN Cheng,Anant Agarwal,John Palmour,Vipindas Pala. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Field effect transistor with inner spacer liner layer and method

Номер патента: US12051736B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Zhi-Chang Lin,Jung-Hung CHANG,Shih-Cheng Chen,Tsung-Han CHUANG,Chien Ning Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Field effect transistor with inner spacer liner layer and method

Номер патента: US20230065208A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Zhi-Chang Lin,Jung-Hung CHANG,Shih-Cheng Chen,Tsung-Han CHUANG,Chien Ning Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Inner spacer for semiconductor device

Номер патента: US20230326988A1. Автор: Yu-Yun Peng,Fu-Ting Yen,Kuei-Lin Chan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor device structure with inner spacer layer and method for forming the same

Номер патента: US20230215936A1. Автор: Pinyen Lin,Fang-Wei Lee,Li-Te Lin,Han-Yu Lin,Chansyun David Yang,Tze-Chung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-06.

Protective bilayer inner spacer for nanosheet devices

Номер патента: US20210028297A1. Автор: Yao Yao,Ruilong Xie,Andrew Greene,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-01-28.

Semiconductor device structure with inner spacer layer and method for forming the same

Номер патента: US11973129B2. Автор: Pinyen Lin,Fang-Wei Lee,Li-Te Lin,Han-Yu Lin,Chansyun David Yang,Tze-Chung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Confined source/drain epitaxy regions and method forming same

Номер патента: US11948971B2. Автор: Ming-Hua Yu,Tsz-Mei Kwok,Li-Wei Chou,Jeng-Wei Yu,Tsung-Hsi Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Confined Source/Drain Epitaxy Regions and Method Forming Same

Номер патента: US20200176560A1. Автор: Ming-Hua Yu,Tsz-Mei Kwok,Li-Wei Chou,Jeng-Wei Yu,Tsung-Hsi Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-06-04.

Semiconductor fin or nanowire devices with strained source/drain regions and methods of manufacturing thereof

Номер патента: EP3937256A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Yi-Ruei JHAN,Kuang-Ting PAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-12.

Nanosheet semiconductor with t-shaped inner spacer

Номер патента: WO2023110434A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ruilong Xie. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-06-22.

Dual step etch-back inner spacer formation

Номер патента: US20210043728A1. Автор: Yao Yao,Andrew M. Greene,Ruilong Xie,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

Dual step etch-back inner spacer formation

Номер патента: US11990508B2. Автор: Yao Yao,Andrew M. Greene,Ruilong Xie,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Nanosheet device with t-shaped dual inner spacer

Номер патента: US20230187532A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Dual step etch-back inner spacer formation

Номер патента: US20210384296A1. Автор: Yao Yao,Andrew M. Greene,Ruilong Xie,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-12-09.

Integrated circuit structures having fin isolation regions bound by gate cuts

Номер патента: EP4345876A1. Автор: Allen GARDINER,Leonard GULER,Sean Pursel,Jonathan HINKE,Wonil CHUNG,Dan Lavric. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-03.

Integrated circuit structures having fin isolation regions bound by gate cuts

Номер патента: US20240105804A1. Автор: Allen B. Gardiner,Leonard P. GULER,Dan S. Lavric,Sean Pursel,Jonathan HINKE,Wonil CHUNG. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Integrated circuit structures having fin isolation regions recessed for gate contact

Номер патента: US20240113111A1. Автор: Tahir Ghani,Leonard P. GULER,Sukru Yemenicioglu,Clifford Ong. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Integrated circuit structures having fin isolation regions recessed for gate contact

Номер патента: EP4345875A1. Автор: Tahir Ghani,Leonard P. GULER,Sukru Yemenicioglu,Clifford Ong. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-03.

Transistor with phase transition material region between channel region and each source/drain region

Номер патента: US20220140131A1. Автор: Peter Javorka,Mohit Bajaj,Avinash Lahgere,Prashanth Paramahans Manik,Ali Icel. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-05-05.

Methods of forming nanosheet transistor with dielectric isolation of source-drain regions and related structure

Номер патента: US09947804B1. Автор: Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung,Julien Frougier,Steven Bentley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Manufacturing methods of thin film transistor having an ohmic contact region and array substrate including the same

Номер патента: US09935177B2. Автор: Yueping Zuo,Liangjian Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device having group III-V material active region and graded gate dielectric

Номер патента: US09640646B2. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Matthew V. Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device having group III-V material active region and graded gate dielectric

Номер патента: US10090405B2. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Matthew V. Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-10-02.

Composite transistor having overlapping active regions and control electrode

Номер патента: US11004848B2. Автор: Koichi Matsumoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2021-05-11.

LDMOS device with graded body doping

Номер патента: US09698246B1. Автор: Henry Litzmann Edwards,James Robert TODD. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

LDMOS device with graded body doping

Номер патента: US09461046B1. Автор: Henry Litzmann Edwards,James Robert TODD. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Mosfet with graded epi profile and methods of manufacturing thereof

Номер патента: EP3863061A1. Автор: Ralf Siemieniec,David Laforet,Cedric OUVRARD. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2021-08-11.

Method of forming a field effect transistor having a gate structure with a first section having a first effective work function above a center portion of the channel region and with second sections having a second effective work function above opposing sidewalls of the channel region

Номер патента: US20140070330A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Confined Source/Drain Epitaxy Regions and Method Forming Same

Номер патента: US20240204044A1. Автор: Ming-Hua Yu,Tsz-Mei Kwok,Li-Wei Chou,Jeng-Wei Yu,Tsung-Hsi Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor construction with isolation regions for dram cell and production method

Номер патента: SG140608A1. Автор: Steven Cummings,Gordon Haller,Randal W Chance,Shanh D Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-03-28.

Integrated circuit system with a floating dielectric region and method of manufacture thereof

Номер патента: SG166052A1. Автор: Lee Jae Gon,Tan Chung Foong,TEO Lee Wee,Yin Chunshan. Владелец: Globalfoundries Sg Pte Ltd. Дата публикации: 2010-11-29.

FinFET with shorter fin height in drain region than source region and related method

Номер патента: US12132080B2. Автор: Wenjun Li,Man Gu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device having curved gate electrode aligned with curved side-wall insulating film and stress-introducing layer between channel region and source and drain regions

Номер патента: US09947790B2. Автор: Hitoshi Wakabayashi,Satoru Mayuzumi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device comprising a transistor array and a termination region and method of manufacturing such a semiconductor device

Номер патента: US09825170B2. Автор: Till Schloesser,Franz Hirler,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device having buried region and method of fabricating same

Номер патента: US09761656B2. Автор: Ching-Lin Chan,Yu-Chin CHIEN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device having curved gate electrode aligned with curved side-wall insulating film and stress-introducing layer between channel region and source and drain regions

Номер патента: US09601622B2. Автор: Hitoshi Wakabayashi,Satoru Mayuzumi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device with dummy pattern in high-voltage region and method of forming the same

Номер патента: US10068900B1. Автор: Chin Yang,Chao-Sheng Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-09-04.

Semiconductor device having curved gate electrode aligned with curved side-wall insulating film and stress-introducing layer between channel region and source and drain regions

Номер патента: US9337305B2. Автор: Hitoshi Wakabayashi,Satoru Mayuzumi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-05-10.

Semiconductor device including cell region and peripheral region having high breakdown voltage structure

Номер патента: US20110309464A1. Автор: Tsuyoshi Ishikawa,Kensaku Yamamoto,Masahiro Sugimoto,Jun Morimoto,Naohiro Suzuki,Yukihiko Watanabe,Hidefumi Takaya,Narumasa Soejima. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2011-12-22.

Semiconductor device with insulated gate bipolar transistor region and diode region provided on semiconductor substrate and adjacent to each other

Номер патента: US11908954B2. Автор: Tetsuya Nitta,Takahiro Nakatani,Kakeru Otsuka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Device having a shield plate dopant region and method of manufacturing same

Номер патента: US20160181378A1. Автор: Zihao M. Gao,Agni Mitra,David C. Burdeaux. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-06-23.

Multiple work function nanosheet transistors with inner spacer modulation

Номер патента: US20210328013A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

FinFET CMOS with silicon fin N-channel FET and silicon germanium fin P-channel FET

Номер патента: US09947663B2. Автор: Theodorus E Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor structure with a silicon germanium alloy fin and silicon germanium alloy pad structure

Номер патента: US09761667B2. Автор: Kangguo Cheng,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

High acceptor level doping in silicon germanium

Номер патента: US09799736B1. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Mona Abdulkhaleg Ebrish. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Ic device with vertically-graded silicon germanium region adjacent device channel and method for forming

Номер патента: US20240258376A1. Автор: Judson Robert Holt,George Robert MULFINGER. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Ic device with vertically-graded silicon germanium region adjacent device channel and method for forming

Номер патента: EP4407687A1. Автор: Judson Robert Holt,George Robert MULFINGER. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-31.

Semiconductor structure with a silicon germanium alloy fin and silicon germanium alloy pad structure

Номер патента: US20170033182A1. Автор: Kangguo Cheng,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-02.

Method of manufacturing a heterostructure or a stacked semiconductor structure having a silicon-germanium interface

Номер патента: US12027592B2. Автор: Martin Christopher Holland,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

FinFET CMOS WITH SILICON FIN N-CHANNEL FET AND SILICON GERMANIUM FIN P-CHANNEL FET

Номер патента: US20180076202A1. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-15.

Method for manufacturing semiconductor device including annealing a germanium layer to diffuse germanium atoms into a silicon substrate

Номер патента: US11996291B2. Автор: Cheng-Hsien Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Devices having a silicon-germanium layer

Номер патента: US20200044030A1. Автор: Chun-Chieh Lin,Chao-Hsiung Wang,Yee-Chia Yeo,Chenming Hu,Chien-Chao Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-06.

Cobalt silicidation process for substrates comprised with a silicon-germanium layer

Номер патента: US20160240372A9. Автор: Chun-Chieh Lin,Chao-Hsiung Wang,Yee-Chia Yeo,Chenming Hu,Chien-Chao Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-18.

Cobalt Silicidation Process for Substrates Comprised with a Silicon-Germanium Layer

Номер патента: US20170271449A1. Автор: Chun-Chieh Lin,Chao-Hsiung Wang,Yee-Chia Yeo,Chenming Hu,Chien-Chao Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

Cobalt silicidation process for substrates comprised with a silicon-germanium layer

Номер патента: US09673280B2. Автор: Chun-Chieh Lin,Chao-Hsiung Wang,Yee-Chia Yeo,Chenming Hu,Chien-Chao Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device having silicon-germanium layer on fin and method for manufacturing the same

Номер патента: US09899498B2. Автор: Chun-Yu Chen,Tien-Chen Chan,Shu-Yen Chan,Ming-Hua Chang,Yu-Shu Lin,Yen-Hsing Chen,Chung-Ting Huang,Yi-Fan Li,Zih-Hsuan Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Heterojunction bipolar transistor with buried trap rich isolation region

Номер патента: US20230299132A1. Автор: Anthony K. Stamper,John J. Ellis-Monaghan,Vibhor Jain,Steven M. Shank,Rajendran Krishnasamy. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Methods of fabricating different thickness silicon-germanium layers on semiconductor integrated circuit devices and semiconductor integrated circuit devices fabricated thereby

Номер патента: US8207033B2. Автор: Ho Lee,Myung-sun Kim,Hwa-Sung Rhee,Ji-Hye Yi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-06-26.

Semiconductor integrated circuit devices having different thickness silicon-germanium layers

Номер патента: US20120228720A1. Автор: Ho Lee,Myung-sun Kim,Hwa-Sung Rhee,Ji-Hye Yi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-09-13.

Structure and method for compressively strained silicon germanium fins for pFET devices and tensily strained silicon fins for nFET devices

Номер патента: US09997540B2. Автор: Kern Rim,Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Darsen D. Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Structure and method for compressively strained silicon germanium fins for pFET devices and tensily strained silicon fins for nFET devices

Номер патента: US09548386B1. Автор: Kern Rim,Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Darsen D. Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Method of Forming a Semiconductor Device Having a Strained Silicon Layer on a Silicon-Germanium Layer

Номер патента: US20090130826A1. Автор: Jong-wook Lee,Young-Pil Kim,Yu-Gyun Shin,In-Soo Jung,Sun-Ghil Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-05-21.

Tensile strained high percentage silicon germanium alloy FinFETs

Номер патента: US09812571B2. Автор: Bruce B. Doris,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Joshua M. Rubin,Robin M. Schulz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Formation of inner spacer on nanosheet mosfet

Номер патента: US20180248021A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-30.

High percentage silicon germanium alloy fin formation

Номер патента: US20150069465A1. Автор: Kangguo Cheng,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Semiconductor device including a semiconductor fin comprising a silicon germanium portion and an isolation structure at a sidewall of the silicon germanium portion

Номер патента: US11978632B2. Автор: Cheng-Hsien Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Integrated tensile strained silicon NFET and compressive strained silicon-germanium PFET implemented in FINFET technology

Номер патента: US09607901B2. Автор: Qing Liu,Pierre Morin. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-03-28.

Dual channel silicon/silicon germanium complementary metal oxide semiconductor performance with interface engineering

Номер патента: US20190229020A1. Автор: ChoongHyun Lee,Hemanth Jagannathan,Ruqiang Bao,Richard G. Southwick. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-25.

Forming single diffusion break and end isolation region after metal gate replacement, and related structure

Номер патента: US20190148242A1. Автор: Hong Yu,Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-05-16.

Semiconductor devices having a spacer on an isolation region

Номер патента: US09728643B2. Автор: Heonjong Shin,Hagju CHO,ByungJae Park,Kyounghwan YEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Methods of forming a layer of silicon on a layer of silicon/germanium

Номер патента: US20140057415A1. Автор: Stephan Kronholz,Joachim Patzer. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-02-27.

Semiconductor device with buried local interconnects

Номер патента: US09953857B2. Автор: Effendi Leobandung,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Silicon-germanium fin formation

Номер патента: US09721851B2. Автор: Kangguo Cheng,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Silicon germanium fin

Номер патента: US09496341B1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,Judson Holt. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Formation of pure silicon oxide interfacial layer on silicon-germanium channel field effect transistor device

Номер патента: US10008386B2. Автор: Takashi Ando,Vijay Narayanan,Pouya Hashemi,ChoongHyun Lee,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-26.

Silicon germanium fin

Номер патента: US20160359001A1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,Judson Holt. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-12-08.

Etching solution for simultaneously removing silicon and silicon-germanium alloy from a silicon-germanium/silicon stack during manufacture of a semiconductor device

Номер патента: EP3684887A1. Автор: Wen Dar Liu,Yi-Chia Lee,Andrew J. Adamczyk,Jhih Kuei GE,Chi-Hsien Kuo. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2020-07-29.

Threshold voltage adjustment by inner spacer material selection

Номер патента: US20210233818A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-07-29.

Silicon—germanium (SiGe) fin formation

Номер патента: US09390925B1. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Dominic J. Schepis. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-07-12.

Threshold voltage adjustment by inner spacer material selection

Номер патента: US20200381305A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Semiconductor device with buried gate and method for fabricating the same

Номер патента: US20130228859A1. Автор: Se-Aug Jang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-09-05.

Multi-gate devices having a semiconductor layer between an inner spacer and an epitaxial feature

Номер патента: US12009408B2. Автор: Zhiqiang Wu,Chun-Fu CHENG,Chung-Wei Wu,Wei Ju Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Multilayer dielectric structures with graded composition for nano-scale semiconductor devices

Номер патента: US09934963B2. Автор: Son V. Nguyen,Deepika Priyadarshini. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Non-planar semiconductor structure with preserved isolation region

Номер патента: US09666709B2. Автор: Yanxiang Liu,Jerome Ciavatti,Xiaoli He,Myung Hee NAM. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Multilayer dielectric structures with graded composition for nano-scale semiconductor devices

Номер патента: US09431235B1. Автор: Son V. Nguyen,Deepika Priyadarshini. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Selective Inner Spacer Implementations

Номер патента: US20210098605A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Lo-Heng Chang,Jung-Hung CHANG,Pei-Hsun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Methods of forming fin isolation regions on FinFET semiconductor devices using an oxidation-blocking layer of material and by performing a fin-trimming process

Номер патента: US09431306B2. Автор: Kern Rim,Kangguo Cheng,Ajey Poovannummoottil Jacob,Ali Khakifirooz,Bruce Doris. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Air gap spacer with wrap-around etch stop layer under gate spacer

Номер патента: US20190280099A1. Автор: Chen Zhang,Peng Xu,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-09-12.

Semiconductor device including crystal defect region and method for manufacturing the same

Номер патента: US20180006114A1. Автор: Tomonori HOKI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-01-04.

Methods of Forming Silicide Regions and Resulting MOS Devices

Номер патента: US20150044844A1. Автор: Bor-Wen Chan,Tan-Chen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-02-12.

Semiconductor device having a transistor cell region and a termination region with needle-shaped field plate structures

Номер патента: US20210066459A1. Автор: Franz Hirler,Ralf Siemieniec,Michael Hutzler,David Laforet,Oliver Blank,Cedric OUVRARD,Li Juin Yip. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2021-03-04.

Power semiconductor device with alternating source region and body contact region and manufacturing method thereof

Номер патента: US11056575B2. Автор: Soo Chang Kang,Seong Jo HONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2021-07-06.

Lateral thin-film soi device having a lateral drift region and method of making such a device

Номер патента: EP1147561A1. Автор: Mark Simpson,Theodore Letavic,Richard Egloff,Andrew M. Warwick. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-10-24.

Forming silicide regions and resulting MOS devices

Номер патента: US09947758B2. Автор: Bor-Wen Chan,Tan-Chen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Methods of forming silicide regions and resulting MOS devices

Номер патента: US09899494B2. Автор: Bor-Wen Chan,Tan-Chen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device including crystal defect region and method for manufacturing the same

Номер патента: US09768253B2. Автор: Tomonori HOKI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device with composite drift region and related fabrication method

Номер патента: US09666671B2. Автор: Zhihong Zhang,Hongning Yang,Jiang-Kai Zuo. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device with tapering impurity region and method for fabricating the same

Номер патента: US20210351185A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

A scalable flash eeprom memory cell with notched floating gate and graded source region, and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1647026A2. Автор: Ching-Shi Jenq,Ting P. Yen. Владелец: Integrated Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2006-04-19.

Semiconductor device with composite drift region and related fabrication method

Номер патента: US20150333177A1. Автор: Zhihong Zhang,Hongning Yang,Jiang-Kai Zuo. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-11-19.

Method for forming super-junction corner and termination structure with graded sidewalls

Номер патента: US20210257461A1. Автор: Madhur Bobde,Lingpeng Guan,Karthik Padmanabhan. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

Dual-gate trench IGBT with buried floating P-type shield

Номер патента: US09666666B2. Автор: Hamza Yilmaz,Jun Hu,Madhur Bobde. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-05-30.

Silicon germanium source/drain regions

Номер патента: US09887290B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Yao-Tsung Huang,Ji-Yin Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

FinFET devices having silicon germanium channel fin structures with uniform thickness

Номер патента: US09583572B2. Автор: Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Keith E. Fogel,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Transistor isolation regions and methods of forming the same

Номер патента: US11923366B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Huicheng Chang,Tsai-Yu Huang,Po-Kang Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Transistor isolation regions and methods of forming the same

Номер патента: US20240096897A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Huicheng Chang,Tsai-Yu Huang,Po-Kang Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

New dual-gate trench igbt with buried floating p-type shield

Номер патента: US20160336394A1. Автор: Hamza Yilmaz,Jun Hu,Madhur Bobde. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-11-17.

New dual-gate trench igbt with buried floating p-type shield

Номер патента: US20190157384A1. Автор: Hamza Yilmaz,Jun Hu,Madhur Bobde. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2019-05-23.

Finfet with backgate, without punchthrough, and with reduced fin height variation

Номер патента: EP3105796A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Choh fei Yeap,PR Chidambaram. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-12-21.

Finfet with backgate, without punchthrough, and with reduced fin height variation

Номер патента: WO2015123305A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Choh fei Yeap,PR Chidambaram. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-08-20.

Semiconductor structure having enlarged regrowth regions and manufacturing method of the same

Номер патента: US20160365448A1. Автор: Hsiu-Ting Chen,Shih-Chieh Chang,Chin-I Liao,Shih-Hsien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-15.

Semiconductor device including a columnar intermediate region and manufacturing method thereof

Номер патента: US8058686B2. Автор: Tomomi Yamanobe. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-15.

Semiconductor structure having enlarged regrowth regions and manufacturing method of the same

Номер патента: US09614085B2. Автор: Hsiu-Ting Chen,Shih-Chieh Chang,Chin-I Liao,Shih-Hsien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

LDMOS device with step-like drift region and fabrication method thereof

Номер патента: US09478640B2. Автор: Wensheng QIAN. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor structure having enlarged regrowth regions and manufacturing method of the same

Номер патента: US09450047B1. Автор: Hsiu-Ting Chen,Shih-Chieh Chang,Chin-I Liao,Shih-Hsien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Enhanced method of introducing a stress in a transistor channel by means of sacrificial sources/drain regions and gate replacement

Номер патента: US09431538B2. Автор: Pierre Morin,Shay REBOH. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-08-30.

Integrated circuit devices including strained channel regions and methods of forming the same

Номер патента: US20150123075A1. Автор: Mark S. Rodder,Jorge A. Kittl,Robert C. Bowen,Ryan M. Hatcher. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-05-07.

Integrated circuit devices including strained channel regions and methods of forming the same

Номер патента: US09525053B2. Автор: Mark S. Rodder,Jorge A. Kittl,Robert C. Bowen,Ryan M. Hatcher. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device comprising a mosfet having a resurf region and higher peak impurity concentration diffusion region in the resurf region

Номер патента: US20240006476A1. Автор: Kazuhiro Shimizu,Yuji Kawasaki,Manabu Yoshino,Toshihiro Imasaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Method for producing a silicon-germanium film with variable germanium content

Номер патента: US09425051B2. Автор: Yves Morand,Laurent Grenouillet,Maud Vinet. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-08-23.

Forming nanosheet transistor using sacrificial spacer and inner spacers

Номер патента: US20190252516A1. Автор: Kangguo Cheng,Nicolas Loubet,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-15.

Forming nanosheet transistor using sacrificial spacer and inner spacers

Номер патента: US20210399114A1. Автор: Kangguo Cheng,Nicolas Loubet,Julien Frougier. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2021-12-23.

Forming nanosheet transistor using sacrificial spacer and inner spacers

Номер патента: US11121233B2. Автор: Kangguo Cheng,Nicolas Loubet,Julien Frougier. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2021-09-14.

Forming nanosheet transistor using sacrificial spacer and inner spacers

Номер патента: US20240120408A1. Автор: Kangguo Cheng,Nicolas Loubet,Julien Frougier. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2024-04-11.

Fully depleted device with buried insulating layer in channel region

Номер патента: US20160268431A1. Автор: Hans-Peter Moll,Peter Baars,Jan Hoentschel. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-15.

Fully depleted device with buried insulating layer in channel region

Номер патента: US09502564B2. Автор: Hans-Peter Moll,Peter Baars,Jan Hoentschel. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Multi-gate device structure including a fin-embedded isolation region and methods thereof

Номер патента: US09704755B2. Автор: Hou-Yu Chen,Chih-Wei Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Multi-gate device structure including a fin-embedded isolation region and methods thereof

Номер патента: US09397157B2. Автор: Hou-Yu Chen,Chih-Wei Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-19.

Tensile strain source using silicon/germanium in globally strained silicon

Номер патента: US20100187629A1. Автор: Manfred Horstmann,Andy Wei,Karla Romero. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2010-07-29.

Silicon-on-nothing transistor semiconductor structure with channel epitaxial silicon-germanium region

Номер патента: US09620507B2. Автор: Qing Liu,Kangguo Cheng,Nicolas Loubet,Stephane Allegret-Maret,Bruce Doris,Prasanna Khare. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-04-11.

High voltage laterally diffused MOSFET with buried field shield and method to fabricate same

Номер патента: US10170567B2. Автор: Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-01-01.

High Voltage Laterally Diffused MOSFET with Buried Field Shield and Method to Fabricate Same

Номер патента: US20180061953A1. Автор: Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-01.

High voltage laterally diffused MOSFET with buried field shield and method to fabricate same

Номер патента: US10170568B2. Автор: Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-01-01.

High Voltage Laterally Diffused MOSFET with Buried Field Shield and Method to Fabricate Same

Номер патента: US20180047817A1. Автор: Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

High Voltage Laterally Diffused MOSFET With Buried Field Shield and Method to Fabricate Same

Номер патента: US20180012966A1. Автор: Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-11.

High Voltage Laterally Diffused MOSFET with Buried Field Shield and Method to Fabricate Same

Номер патента: US20180047816A1. Автор: Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Structures and methods for equivalent oxide thickness scaling on silicon germanium channel or iii-v channel of semiconductor device

Номер патента: US20170309487A1. Автор: Takashi Ando,Martin M. Frank,Vijay Narayanan,Eduard A. Cartier,John Rozen,John Bruley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-26.

Selective dipole layer modulation using two-step inner spacer

Номер патента: US20230178598A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-08.

Silicide-sandwiched source/drain region and method of fabricating same

Номер патента: US20210376091A1. Автор: Chung-Hui Chen,Jui-Cheng Huang,Tung-Tsun Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Inner spacer reliability macro design and well contact formation

Номер патента: US20240113200A1. Автор: TIAN Shen,Andrew M. Greene,Kai Zhao,Miaomiao Wang,Ruilong Xie,Veeraraghavan S. Basker,Julien Frougier,Huimei Zhou,Barry Paul Linder. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

IC structure including porous semiconductor layer under trench isolation

Номер патента: US12027582B2. Автор: Anthony K. Stamper,Steven M. Shank,Uzma B. Rana. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Integrated circuit structures having conductive structures in fin isolation regions

Номер патента: US20230317731A1. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Allen B. Gardiner,Charles H. Wallace,Marni NABORS,Leonard P. GULER,Mohit K. HARAN,Sukru Yemenicioglu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Asymmetric semiconductor device including LDD region and manufacturing method thereof

Номер патента: US12125909B2. Автор: Yongkyu Lee,Changmin Jeon,Jongsung WOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor structure including a first transistor at a semiconductor-on-insulator region and a second transistor at a bulk region and method for the formation thereof

Номер патента: US09847347B1. Автор: Elliot John Smith,Nigel Chan,Nilesh Kenkare. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor structure including backgate regions and method for the formation thereof

Номер патента: US09583616B2. Автор: John Morgan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device including emitter regions and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US12034065B2. Автор: Akihiro HIKASA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device including emitter regions and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09685544B2. Автор: Akihiro HIKASA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-06-20.

Vertical field effect transistor using linear structure as a channel region and method for fabricating the same

Номер патента: US7586130B2. Автор: Takeshi Takagi,Takahiro Kawashima,Tohru Saitoh. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-09-08.

Semiconductor-on-insulator device having a laterally-graded channel region and method of making

Номер патента: US5670389A. Автор: Marco Racanelli,Wen-Ling Margaret Huang,Hyungcheol Shin. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1997-09-23.

Semiconductor device with thinned channel region and related methods

Номер патента: US20160043177A1. Автор: Qing Liu,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-02-11.

Method of fabricating polycrystalline silicon-germanium thin film transistor

Номер патента: US5753541A. Автор: Kousaku Shimizu. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-05-19.

Method for making a semiconductor structure using silicon germanium

Номер патента: US20050260807A1. Автор: Marius Orlowski,Chun-Li Liu,Choh-Fei Yeap. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-11-24.

Advanced 3d device architecture using nanosheets with 2d materials for speed enhancement

Номер патента: US20230253484A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford,Partha MUKHOPADHYAY. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Transistor with asymmetric silicon germanium source region

Номер патента: US20120003802A1. Автор: Jian Chen,James F. Buller,Akif Sultan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-01-05.

Power MOS device with buried gate

Номер патента: US20030011027A1. Автор: Jun Zeng,Christopher Kocon,Gary Dolny,Linda Brush. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-16.

Non-volatile memories, cards, and systems including shallow trench isolation structures with buried bit lines

Номер патента: US20110302363A1. Автор: Wook Hyun Kwon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-08.

Method for integrating thin-film transistors on an isolation region in an integrated circuit and resulting device

Номер патента: US09419015B1. Автор: Min-Hwa Chi,Xusheng Wu,Changyong Xiao. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

3d-stacked semiconductor device including source/drain inner spacers formed using channel isolation structure including thin silicon layer

Номер патента: US20230343823A1. Автор: Kang-ill Seo,Byounghak Hong,Inchan HWANG,Jaejik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-26.

3d-stacked semiconductor device including source/drain inner spacers formed using channel isolation structure including thin silicon layer

Номер патента: EP4270460A1. Автор: Kang-ill Seo,Byounghak Hong,Inchan HWANG,Jaejik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-01.

Stacked transistors having an isolation region therebetween and a common gate electrode, and related fabrication methods

Номер патента: EP4156243A1. Автор: Harsono Simka,Kang-ill Seo,Ming He,Jaehyun Park,Byounghak Hong,Seungchan Yun,Daewon HA,Jeonghyuk Yim,Gunho JO,Inchan HWANG,Rebecca Park,Mehdi Saremi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-29.

3d-stacked semiconductor device including gate structure with rmg inner spacer protecting lower work-function metal layer

Номер патента: EP4270461A1. Автор: Byounghak Hong,Seungchan Yun,Gunho JO,Jaejik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-01.

3d-stacked semiconductor device including gate structure with rmg inner spacer protecting lower work-function metal layer

Номер патента: US20230343845A1. Автор: Byounghak Hong,Seungchan Yun,Gunho JO,Jaejik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor device including a body contact region and method of forming the same

Номер патента: US20230352536A1. Автор: Anupam DUTTA,Vvss Satyasuresh Choppalli,Aaron Lee VALLETT. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device having adjacent IGBT and diode regions with a shifted boundary plane between a collector region and a cathode region

Номер патента: US09960165B2. Автор: Satoru Kameyama,Yuki Horiuchi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Structure and method for tensile and compressive strained silicon germanium with same germanium concentration by single epitaxy step

Номер патента: US20190157167A1. Автор: Qiqing C. Ouyang,Alexander Reznicek,Dominic J. Schepis,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-23.

Extremely thin silicon-on-insulator silicon germanium device without edge strain relaxation

Номер патента: US09853054B2. Автор: Kangguo Cheng,Xin Miao,Juntao Li,Zuoguang Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Extremely thin silicon-on-insulator silicon germanium device without edge strain relaxation

Номер патента: US09659960B1. Автор: Kangguo Cheng,Xin Miao,Juntao Li,Zuoguang Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Nanosheet with early isolation

Номер патента: US20230290823A1. Автор: Ruilong Xie,Junli Wang,Julien Frougier,Balasubramanian S. Pranatharthiharan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Structure and method for tensile and compressive strained silicon germanium with same germanium concentration by single epitaxy step

Номер патента: US20180233418A1. Автор: Qiqing C. Ouyang,Alexander Reznicek,Dominic J. Schepis,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-16.

Structure and method for tensile and compressive strained silicon germanium with same germanium concentration by single epitaxy step

Номер патента: US9647119B1. Автор: Qiqing C. Ouyang,Alexander Reznicek,Dominic J. Schepis,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Structure and method for tensile and compressive strained silicon germanium with same germanium concentration by single epitaxy step

Номер патента: US10002798B2. Автор: Qiqing C. Ouyang,Alexander Reznicek,Dominic J. Schepis,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-19.

Structure and method for tensile and compressive strained silicon germanium with same germanium concentration by single epitaxy step

Номер патента: US09443873B1. Автор: Qiqing C. Ouyang,Alexander Reznicek,Dominic J. Schepis,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Structure and method for tensile and compressive strained silicon germanium with same germanium concentration by single epitaxy step

Номер патента: US20170207136A1. Автор: Qiqing C. Ouyang,Alexander Reznicek,Dominic J. Schepis,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-20.

Minimization of silicon germanium facets in planar metal oxide semiconductor structures

Номер патента: US20220285554A1. Автор: Yi-Ting Chen,Ching-Hung Kao,Jing-Jyu CHOU,Shan-Yun Cheng,Yi-Sin Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Minimization of silicon germanium facets in planar metal oxide semiconductor structures

Номер патента: US12057504B2. Автор: Yi-Ting Chen,Ching-Hung Kao,Jing-Jyu CHOU,Shan-Yun Cheng,Yi-Sin Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

High germanium content silicon germanium fins

Номер патента: US09812530B2. Автор: Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,John A. Ott,John Bruley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Minimization of silicon germanium facets in planar metal oxide semiconductor structures

Номер патента: US20240363752A1. Автор: Yi-Ting Chen,Ching-Hung Kao,Jing-Jyu CHOU,Shan-Yun Cheng,Yi-Sin Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

High germanium content silicon germanium fins

Номер патента: US09324843B2. Автор: Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,John A. Ott,John Bruley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-04-26.

Forming a carbon containing layer to facilitate silicide stability in a silicon germanium material

Номер патента: US20110147809A1. Автор: Devendra Sadana,Bin Yang,Christian Lavoie,Ahmet Ozcan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-23.

Vertical channel floating gate transistor having silicon germanium channel layer

Номер патента: US6313487B1. Автор: David L. Kencke,Sanjay K. Banerjee. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2001-11-06.

FinFET structures having silicon germanium and silicon fins with suppressed dopant diffusion

Номер патента: US09837415B2. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Minimization of silicon germanium facets in planar metal oxide semiconductor structures

Номер патента: US20210066498A1. Автор: Yi-Ting Chen,Ching-Hung Kao,Jing-Jyu CHOU,Shan-Yun Cheng,Yi-Sin Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

High germanium content silicon germanium fins

Номер патента: US20160197147A1. Автор: Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,John A. Ott,John Bruley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Field effect transistor having channel silicon germanium

Номер патента: SG168481A1. Автор: Hiroyuki Ota,Vincent Sih. Владелец: Toshiba America Electronic. Дата публикации: 2011-02-28.

Vertical silicon/silicon-germanium transistors with multiple threshold voltages

Номер патента: US09984937B1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Single-chip field effect transistor (FET) switch with silicon germanium (SiGe) power amplifier and methods of forming

Номер патента: US09646993B2. Автор: Peng Cheng,Qizhi Liu,James A. Slinkman,Blaine J. Gross,James S. Dunn. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Self-aligned inner spacer on gate-all-around structure and methods of forming the same

Номер патента: US11749742B2. Автор: Pang-Yen Tsai,Pei-Wei Lee,Tsungyu Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor device including an active region and two layers having different stress characteristics

Номер патента: US09847389B2. Автор: Brian A. Winstead,Vance H. Adams,Paul A. Grudowski. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Methods for increasing germanium concentration of surfaces of a silicon germanium portion of a fin and resulting semiconductor devices

Номер патента: US20230343858A1. Автор: Chien-Hung Chen,Wen-Chu Hsiao,Che-Yu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Vertical silicon/silicon-germanium transistors with multiple threshold voltages

Номер патента: US20200105614A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-02.

Vertical silicon/silicon-germanium transistors with multiple threshold voltages

Номер патента: US20180308763A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-25.

Transistors with laterally extended active regions and methods of fabricating same

Номер патента: US20110183482A1. Автор: Min-Hee Cho,Sung-Sam LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-28.

Complementary metal-oxide silicon having silicon and silicon germanium channels

Номер патента: US20160211327A1. Автор: Isaac Lauer,Jeffrey W. Sleight,Alexander Reznicek,Gen P. Lauer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-21.

High-quality, single-crystalline silicon-germanium films

Номер патента: US20190013200A1. Автор: Max G. Lagally,Abhishek Bhat,Thomas Francis Kuech,Shelley A. Scott,Yingxin Guan,Xiaorui Cui. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2019-01-10.

Complementary metal-oxide silicon having silicon and silicon germanium channels

Номер патента: US20160211328A1. Автор: Isaac Lauer,Jeffrey W. Sleight,Alexander Reznicek,Gen P. Lauer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-21.

Forming Isolation Regions for Separating Fins and Gate Stacks

Номер патента: US20240304496A1. Автор: Tze-Liang Lee,Chung-Ting Ko,Tai-Chun Huang,Chi On Chui,Jr-Hung Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Device with a dummy fin contacting a gate isolation region

Номер патента: US20240379818A1. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Complementary metal-oxide silicon having silicon and silicon germanium channels

Номер патента: US09543388B2. Автор: Isaac Lauer,Jeffrey W. Sleight,Alexander Reznicek,Gen P. Lauer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Complementary metal-oxide silicon having silicon and silicon germanium channels

Номер патента: US09466673B2. Автор: Isaac Lauer,Jeffrey W. Sleight,Alexander Reznicek,Gen P. Lauer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Silicon germanium fin formation via condensation

Номер патента: US09698224B2. Автор: Rajasekhar Venigalla,Bruce B. Doris. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Silicon germanium fin formation via condensation

Номер патента: US09601390B2. Автор: Rajasekhar Venigalla,Bruce B. Doris. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

FinFET with silicon germanium stressor and method of forming

Номер патента: US9105663B1. Автор: Raghavasimhan Sreenivasan,Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Nicolas Loubet,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-08-11.

Semiconductor structure with buried power rail and integrated circuit

Номер патента: EP4379812A3. Автор: Po-Chao Tsao. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-09-04.

Method of selectively forming crystalline boron-doped silicon germanium on a surface

Номер патента: US20230352301A1. Автор: Rami KHAZAKA. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-11-02.

Method for source-drain junction formation in silicon-germanium finfet and corresponding finfet apparatus

Номер патента: WO2016048791A1. Автор: Mustafa Badaroglu,Stanley Seungchul SONG,Jeffrey Junhao XU,Vladimir Machkaoutsan,Choh fei Yeap. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-03-31.

SINGLE-CHIP FIELD EFFECT TRANSISTOR (FET) SWITCH WITH SILICON GERMANIUM (SiGe) POWER AMPLIFIER AND METHODS OF FORMING

Номер патента: US20150364492A1. Автор: Peng Cheng,Qizhi Liu,James A. Slinkman,Blaine J. Gross,James S. Dunn. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-12-17.

Silicon germanium fin formation via condensation

Номер патента: US20160372384A1. Автор: Rajasekhar Venigalla,Bruce B. Doris. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-22.

Silicon germanium fin formation via condensation

Номер патента: US20160372551A1. Автор: Rajasekhar Venigalla,Bruce B. Doris. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-22.

Source/drain contacts between transistor gates with abbreviated inner spacers for improved contact area and related method of fabrication

Номер патента: WO2023283502A1. Автор: Haining Yang,YouSeok Suh,Junjing Bao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-01-12.

Self-aligned inner spacer on gate-all-around structure and methods of forming the same

Номер патента: US20230387253A1. Автор: Pang-Yen Tsai,Pei-Wei Lee,Tsungyu Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Single-chip field effect transistor (FET) switch with silicon germanium (SiGe) power amplifier and methods of forming

Номер патента: US09653477B2. Автор: Peng Cheng,Qizhi Liu,James A. Slinkman,Blaine J. Gross,James S. Dunn. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Method for the formation of silicon and silicon-germanium fin structures for FinFET devices

Номер патента: US09461174B2. Автор: Hong He,Nicolas Loubet,James Kuss. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device with buried bit line and method for fabricating the same

Номер патента: US09379117B2. Автор: Heung-Jae Cho,Eui-Seong Hwang,Eun-Shil Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-28.

Semiconductor device including an isolation region having an edge being covered and manufacturing method for the same

Номер патента: US11854863B2. Автор: Meng-Han LIN,Te-An Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device including an active region and two layers having different stress characteristics

Номер патента: US20140054704A1. Автор: Brian A. Winstead,Vance H. Adams,Paul A. Grudowski. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-02-27.

Semiconductor constructions with gated isolation regions having indium-doped sub-regions

Номер патента: WO2004019384A3. Автор: Tran C Luan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-09-16.

Semiconductor devices having a convex active region and methods of forming the same

Номер патента: US7544565B2. Автор: Jae-Hwang Sim,Jae-Kwan Park,Won-Cheol Jeong,Yong-Sik Yim,Dong-Hwa Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-06-09.

Source/drain extension regions and air spacers for nanosheet field-effect transistor structures

Номер патента: US20200286992A1. Автор: Yi Song,Kangguo Cheng,Zhenxing Bi,Chi-chun Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

Forming isolation regions for separating fins and gate stacks

Номер патента: US20210335670A1. Автор: Tze-Liang Lee,Chung-Ting Ko,Tai-Chun Huang,Chi On Chui,Jr-Hung Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-28.

Forming isolation regions for separating fins and gate stacks

Номер патента: US12027423B2. Автор: Tze-Liang Lee,Chung-Ting Ko,Tai-Chun Huang,Chi On Chui,Jr-Hung Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Fabrication of vertical transport fin field effect transistors with a self-aligned separator and an isolation region with an air gap

Номер патента: US20180308743A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Heng Wu,Zuoguang Liu,Sebastian NACZAS. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-25.

Fabrication of vertical transport fin field effect transistors with a self-aligned separator and an isolation region with an air gap

Номер патента: US20180308742A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Heng Wu,Zuoguang Liu,Sebastian NACZAS. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-25.

Fabrication of vertical transport fin field effect transistors with a self-aligned separator and an isolation region with an air gap

Номер патента: US20190311942A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Heng Wu,Zuoguang Liu,Sebastian NACZAS. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-10.

Semiconductor structure with isolation region including combination of deep and shallow trench isolation structures and method

Номер патента: US20240313113A1. Автор: Hong Yu,James P. Mazza,Anton V. Tokranov,Elizabeth A. Strehlow,Eric Scott Kozarsky,Vitor A. Vulcano Rossi. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device including isolation regions

Номер патента: US11830911B2. Автор: Jae Young Park,Min-chul Sun,Dae Won Ha,Young Su Chung,Kwang Yong YANG,Jong Min Jeon,Seung Mo Ha,Dong Hoon Hwang,Jong Hwa Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor structure with buried power rail and integrated circuit

Номер патента: EP4379812A2. Автор: Po-Chao Tsao. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-06-05.

Semiconductor device including isolation regions

Номер патента: US20190096993A1. Автор: Jae Young Park,Min-chul Sun,Dae Won Ha,Young Su Chung,Kwang Yong YANG,Jong Min Jeon,Seung Mo Ha,Dong Hoon Hwang,Jong Hwa Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-03-28.

Semiconductor device including isolation regions

Номер патента: US20210233995A1. Автор: Jae Young Park,Min-chul Sun,Dae Won Ha,Young Su Chung,Kwang Yong YANG,Jong Min Jeon,Seung Mo Ha,Dong Hoon Hwang,Jong Hwa Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor device including isolation regions

Номер патента: US20240047521A1. Автор: Jae Young Park,Min-chul Sun,Dae Won Ha,Young Su Chung,Kwang Yong YANG,Jong Min Jeon,Seung Mo Ha,Dong Hoon Hwang,Jong Hwa Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-08.

Methods of forming a protection layer on an isolation region of IC products comprising FinFET devices

Номер патента: US09876077B1. Автор: Christopher M. Prindle,Ruilong Xie,Min Gyu Sung,Tek Po Rinus Lee. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor structure in which film including germanium oxide is provided on germanium layer, and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US09722026B2. Автор: Toshiyuki Tabata,Tomonori Nishimura,Akira Toriumi,Choong Hyun LEE,Cimang Lu. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor structure having film including germanium oxide on germanium layer and method of fabricating the same

Номер патента: US09691620B2. Автор: Akira Toriumi,Choong-Hyun Lee. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device with graded drift region

Номер патента: US9525059B1. Автор: Kenya Kobayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Silicide-sandwiched source/drain region and method of fabricating same

Номер патента: US11967621B2. Автор: Chung-Hui Chen,Jui-Cheng Huang,Tung-Tsun Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Semiconductor device having LDD-type source/drain regions and fabrication method thereof

Номер патента: US20020163037A1. Автор: Do-Hyung Kim,Jin-Ho Kim,Byung-Jun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-11-07.

Silicide-layer-coupled doped portion of active region and method of fabricating same

Номер патента: US20240234526A1. Автор: Chung-Hui Chen,Jui-Cheng Huang,Tung-Tsun Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device including active region and gate structure

Номер патента: US20210043763A1. Автор: Jinbum Kim,Dongil Bae,Joohee JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-11.

FinFET device having a material formed on reduced source/drain region and method of forming the same

Номер патента: US9673325B2. Автор: Xinyun Xie. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor Devices Having pFET with SiGe Gate Electrode and Embedded SiGe Source/Drain Regions and Methods of Making the Same

Номер патента: US20100297818A1. Автор: Jiang Yan,Roman Knoefler,Alois Gutmann,Jin-Ping Han,Yung Fu Chong,Jingyu Lian,Chris Stapelmann. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-25.

Field effect transistor with elevated active regions and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09859422B2. Автор: Akira Inoue,Masatoshi Nishikawa,Fumiaki TOYAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-02.

Dual Dopant Source/Drain Regions and Methods of Forming Same

Номер патента: US20240379446A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Yu-Chang Lin,Chun-Feng Nieh,Huicheng Chang,Tien-Shun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Power Semiconductor Devices Having Selectively Doped JFET Regions and Related Methods of Forming Such Devices

Номер патента: US20110101375A1. Автор: Qingchun Zhang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-05-05.

Non-planar semiconductor device having omega-fin with doped sub-fin region and method to fabricate same

Номер патента: MY188387A. Автор: Chia-Hong Jan,Weimin Han,Joodong Park,Gopinath Bhimarasetti,Walid M Hafez,Raymond E Cotner. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-12-07.

Semiconductor device including active region and gate structure

Номер патента: US20220231159A1. Автор: Jinbum Kim,Dongil Bae,Joohee JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-21.

Memory cell with isolated well region and associated non-volatile memory

Номер патента: US20210183998A1. Автор: Wein-Town Sun,Wei-Ren Chen,Hsueh-Wei Chen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Silicon germanium fins and integration methods

Номер патента: US20230197849A1. Автор: Haiting Wang,Hong Yu,Zhenyu Hu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Inner spacer liner for gate-all-around device

Номер патента: WO2024151386A1. Автор: LIU Jiang,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,El Mehdi Bazizi,Benjamin Colombeau,Byeong Chan Lee,Sai Hooi YEONG. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-07-18.

Inner spacer liner for gate-all-around device

Номер патента: US20240234544A1. Автор: LIU Jiang,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,El Mehdi Bazizi,Benjamin Colombeau,Byeong Chan Lee,Sai Hooi YEONG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Extended-drain metal-oxide-semiconductor devices with a silicon-germanium layer beneath a portion of the gate

Номер патента: US11888062B2. Автор: Peter Baars,Felix Holzmüller,Ruchil K. Jain. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

High voltage semiconductor device having high breakdown voltage isolation region

Номер патента: US20020175392A1. Автор: Chang-Ki Jeon,Jong-jib Kim,Sung-lyong Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-11-28.

Semiconductor devices with an etch stop layer on gate end-portions located above an isolation region

Номер патента: US09627535B2. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Silicon germanium CMOS channel

Номер патента: US6544854B1. Автор: Helmut Puchner,Gary K. Giust. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2003-04-08.

Silicon germanium finfet formation by ge condensation

Номер патента: EP3090448A1. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Jeffrey Junhao XU,Vladimir Machkaoutsan,Choh fei Yeap. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-11-09.

FinFET device with Silicon-Germanium alloy layer

Номер патента: GB2499314A. Автор: Andres Bryant,Edward Nowak,Brent Alan Anderson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-08-14.

Isolation regions for charge collection and removal

Номер патента: US20230261062A1. Автор: Vibhor Jain,Sebastian Ventrone,Yves Ngu,Johnatan Kantarovsky,Uppili Raghunathan. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Isolation regions for charge collection and removal

Номер патента: EP4227985A2. Автор: Vibhor Jain,Sebastian Ventrone,Yves Ngu,Johnatan Kantarovsky,Uppili Raghunathan. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-08-16.

Three-dimensional stacked vertical transport field effect transistor logic gate with buried power bus

Номер патента: US20190221484A1. Автор: Chen Zhang,Joshua Rubin,Ardasheir Rahman,Terry Hook. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-18.

Semiconductor devices having stressor regions and related fabrication methods

Номер патента: US20130207201A1. Автор: Akif Sultan,Indradeep SEN. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-08-15.

Isolation regions for charge collection and removal

Номер патента: EP4227985A3. Автор: Vibhor Jain,Sebastian Ventrone,Yves Ngu,Johnatan Kantarovsky,Uppili Raghunathan. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-11-15.

Three-dimensional stacked vertical transport field effect transistor logic gate with buried power bus

Номер патента: US20190181054A1. Автор: Chen Zhang,Joshua Rubin,Ardasheir Rahman,Terry Hook. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Semiconductor transistors having high-k gate dielectric layers, metal gate electrode regions, and low fringing capacitances

Номер патента: US20090179284A1. Автор: Jeffrey Peter Gambino. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-16.

Semiconductor transistors having high-k gate dielectric layers, metal gate electrode regions, and low fringing capacitances

Номер патента: US20100096706A1. Автор: Jeffrey Peter Gambino. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-04-22.

Semiconductor device with a fin-shaped active region and a gate electrode

Номер патента: US12015086B2. Автор: Jae-Hoon Lee,Tae-Young Kim,Gi-gwan PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-18.

Multiple conductive plug structure including at least one conductive plug region and at least one between-conductive-plug region for lateral rf mos devices

Номер патента: WO2004073015A3. Автор: Anna Pablo E D,Alan Yan. Владелец: Alan Yan. Дата публикации: 2004-12-02.

Integrated circuit devices including source/drain extension regions and methods of forming the same

Номер патента: US09741811B2. Автор: Borna J. Obradovic,Ryan M. Hatcher. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-22.

Asymmetrical transistor with lightly doped drain region, heavily doped source and drain regions, and ultra-heavily doped source region

Номер патента: US5831306A. Автор: H. Jim Fulford, Jr.,Mark I. Gardner,Derick J. Wristers. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1998-11-03.

MOSFET device with improved LDD region and method of making same

Номер патента: US5780350A. Автор: Ashok K. Kapoor. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 1998-07-14.

Integrated assemblies having threshold-voltage-inducing-structures proximate gated-channel-regions, and methods of forming integrated assemblies

Номер патента: US11177265B2. Автор: Haitao Liu,Kamal M. Karda,Si-Woo Lee,Deepak Chandra Pandey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-16.

Field effect structure including carbon alloyed channel region and source/drain region not carbon alloyed

Номер патента: US20090230475A1. Автор: Xuefeng Liu,Ephrem G. Gebreselasie,William F. Clark, Jr.,Robert Russell Robison. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-17.

Lateral bipolar junction transistors including a graded silicon-germanium intrinsic base

Номер патента: EP4235795A1. Автор: Judson Holt,Arkadiusz Malinowski,Alexander Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-08-30.

Lateral bipolar junction transistors including a graded silicon-germanium intrinsic base

Номер патента: US20230275145A1. Автор: Judson Holt,Arkadiusz Malinowski,Alexander Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-08-31.

Lateral bipolar junction transistors including a graded silicon-germanium intrinsic base

Номер патента: US11916136B2. Автор: Judson Holt,Arkadiusz Malinowski,Alexander Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Semiconductor Device with Buried Conduction Path

Номер патента: US20150097265A1. Автор: XIN Lin,Jiang-Kai Zuo,Daniel J. Blomberg. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-04-09.

Multi-Layer Thyristor Random Access Memory with Silicon-Germanium Bases

Номер патента: US20190326294A1. Автор: Harry Luan. Владелец: TC Lab Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Multi-tier memory structure with graded characteristics

Номер патента: US20230371233A1. Автор: Yang Yang,Cheng Tan,Lorenzo Ferrari,Travis W. LaJoie,Jisoo Kim,Mark Armstrong,Van H. Le,Fatih Hamzaoglu,Abhishek Anil Sharma,Juan G. Alzate-Vinasco,Yue Zhong,Timothy JEN,Shailesh Kumar Madisetti,Albert B. CHEN,Miriam R. Reshotko,Afrin Sultana,Moshe Dolejsi,Vishak Venkatraman,Deepyanti Taneja,Forough Mahmoudabadi,Eva Vo,Yu-Che Chiu,Akash Kannegulla,Kamal H. Baloch,Vamsi Evani. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Multi-Layer Thyristor Random Access Memory with Silicon-Germanium Bases

Номер патента: US20200328214A1. Автор: Harry Luan. Владелец: TC Lab Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Multi-Layer Thyristor Random Access Memory with Silicon-Germanium Bases

Номер патента: US20210233912A1. Автор: Harry Luan. Владелец: TC Lab Inc. Дата публикации: 2021-07-29.

Silicon-controlled rectifiers with wells laterally isolated by trench isolation regions

Номер патента: US20200135715A1. Автор: You Li,Tsung-Che Tsai,Robert J. Gauthier, Jr.,Alain Loiseau,Souvick Mitra,Mickey Yu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-04-30.

Butting contact structure and method incorporating with a silicide inserted between a contact region and a conductor for a small contact window

Номер патента: US20040195689A1. Автор: Wei-Jye Lin,Ming-Jang Lin,Chorng-Wei Liaw. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-07.

Butting contact structure and method incorporating with a silicide inserted between a contact region and a conductor for a small contact window

Номер патента: US20030141555A1. Автор: Wei-Jye Lin,Ming-Jang Lin,Chorng-Wei Liaw. Владелец: Analog and Power Electronics Corp. Дата публикации: 2003-07-31.

Integrated structure with trap rich regions and low resistivity regions

Номер патента: EP4447124A2. Автор: John J. Pekarik,Vibhor Jain,Crystal R. Kenney. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-10-16.

Vertical fin bipolar junction transistor with high germanium content silicon germanium base

Номер патента: US20190165128A1. Автор: Seyoung Kim,Soon-Cheon Seo,ChoongHyun Lee,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-30.

Structure with buried doped region and methods to form same

Номер патента: EP4372818A1. Автор: Jie Zeng,Souvick Mitra,Sagar Premnath KARALKAR. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-22.

Semiconductor device with monocrystalline extrinsic base region and method of fabrication therefor

Номер патента: EP4310914A1. Автор: Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Bernhard Grote,Ljubo Radic. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-01-24.

Structure with buried doped region and methods to form same

Номер патента: US20240170531A1. Автор: Jie Zeng,Souvick Mitra,Sagar Premnath KARALKAR. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor device with extrinsic base region and method of fabrication therefor

Номер патента: US12107143B2. Автор: Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Bernhard Grote,Ljubo Radic. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device with extrinsic base region and method of fabrication therefor

Номер патента: US20240030308A1. Автор: Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Bernhard Grote,Ljubo Radic. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-01-25.

Short channel MOSFET with buried anti-punch through region

Номер патента: US5384476A. Автор: Tadahiro Ohmi,Jun-ichi Nishizawa. Владелец: Zaidan Hojin Handotai Kenkyu Shinkokai. Дата публикации: 1995-01-24.

Electronic device including a heterojunction region and a process for forming the electronic device

Номер патента: US20080111153A1. Автор: Brian A. Winstead,Ted R. White. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2008-05-15.

Semiconductor device having an oxide film formed on a semiconductor substrate sidewall of an element region and on a sidewall of a gate electrode

Номер патента: US8258568B2. Автор: Toshitake Yaegashi,Junichi Shiozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-04.

Semiconductor device having an oxide film formed on a semiconductor substrate sidewall of an element region and on a sidewall of a gate electrode

Номер патента: US20100081250A1. Автор: Toshitake Yaegashi,Junichi Shiozawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-04-01.

Semiconductor device having an oxide film formed on a semiconductor substrate sidewall of an element region and on a sidewall of a gate electrode

Номер патента: US20120302035A1. Автор: Toshitake Yaegashi,Junichi Shiozawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-29.

Semiconductor device having an oxide film formed on a semiconductor substrate sidewall of an element region and on a sidewall of a gate electrode

Номер патента: US20070281428A1. Автор: Toshitake Yaegashi,Junichi Shiozawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-12-06.

Semiconductor device having an oxide film formed on a semiconductor substrate sidewall of an element region and on a sidewall of a gate electrode

Номер патента: US7645674B2. Автор: Toshitake Yaegashi,Junichi Shiozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-01-12.

Semiconductor device having an oxide film formed on a semiconductor substrate sidewall of an element region and on a sidewall of a gate electrode

Номер патента: US8728903B2. Автор: Toshitake Yaegashi,Junichi Shiozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-05-20.

Semiconductor device having an oxide film formed on a semiconductor substrate sidewall of an element region and on a sidewall of a gate electrode

Номер патента: US20110156126A1. Автор: Toshitake Yaegashi,Junichi Shiozawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-30.

Non-planar pMOS structure with a strained channel region and an integrated strained CMOS flow

Номер патента: US7348284B2. Автор: Suman Datta,Robert Chau,Been-Yih Jin,Brian S Doyle,Nancy M Zelick. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-03-25.

HEMT transistor including an improved gate region and related manufacturing process

Номер патента: US11799025B2. Автор: Ferdinando Iucolano,Cristina Tringali. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-10-24.

Silicon germanium finfet with low gate induced drain leakage current

Номер патента: US20200127097A1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-23.

Structure and method for multi-threshold voltage adjusted silicon germanium alloy devices with same silicon germanium content

Номер патента: US09755078B2. Автор: Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Pranita Kerber,Christine Q. Ouyang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Junction gate field-effect transistor (JFET) having source/drain and gate isolation regions

Номер патента: US10658477B2. Автор: Chi-Feng Huang,Chia-Chung Chen,Victor Chiang Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-19.

Junction gate field-effect transistor (JFET) having source/drain and gate isolation regions

Номер патента: US09882012B2. Автор: Chi-Feng Huang,Chia-Chung Chen,Victor Chiang Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device having reduced-damage active region and method of manufacturing the same

Номер патента: US09472466B2. Автор: Ki-chul Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-18.

Junction field effect transistor structure with p-type silicon germanium or silicon germanium carbide gate(s) and method of forming the structure

Номер патента: US20120168820A1. Автор: Xuefeng Liu,Richard A. Phelps,Robert M. Rassel,Xiaowei Tian. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-05.

Transistors with isolation regions

Номер патента: US09437707B2. Автор: Umesh Mishra,Srabanti Chowdhury. Владелец: Transphorm Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Epitaxy regions extending below STI regions and profiles thereof

Номер патента: US12074166B2. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Epitaxy regions extending below sti regions and profiles thereof

Номер патента: US20240363636A1. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Junction field effect transistor structure with p-type silicon germanium or silicon germanium carbide gate(s) and method of forming the structure

Номер патента: US20140235021A1. Автор: Xuefeng Liu,Richard A. Phelps,Robert M. Rassel,Xiaowei Tian. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-08-21.

Method for manufacturing a transistor having a sharp junction by forming raised source-drain regions before forming gate regions and corresponding transistor produced by said method

Номер патента: US09685456B2. Автор: John Hongguang Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-06-20.

Formulations to selectively etch silicon-germanium relative to silicon

Номер патента: US20240096635A1. Автор: Steven M. Bilodeau. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Formulations to selectively etch silicon-germanium relative to silicon

Номер патента: US11875997B2. Автор: Steven M. Bilodeau. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Semiconductor device having reduced-damage active region and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150140749A1. Автор: Ki-chul Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-05-21.

Junction gate field-effect transistor (jfet) having source/drain and gate isolation regions

Номер патента: US20180166547A1. Автор: Chi-Feng Huang,Chia-Chung Chen,Victor Chiang Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-14.

Junction gate field-effect transistor (jfet) having source/drain and gate isolation regions

Номер патента: US20200006507A1. Автор: Chi-Feng Huang,Chia-Chung Chen,Victor Chiang Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Gate Isolation Regions and Fin Isolation Regions and Method Forming the Same

Номер патента: US20240014077A1. Автор: Tai-Chun Huang,Chi On Chui,Bo-Cyuan Lu,Hsin-Che Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Method for manufacturing a transistor having a sharp junction by forming raised source-drain regions before forming gate regions and corresponding transistor produced by said method

Номер патента: US20200119049A1. Автор: John Hongguang Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2020-04-16.

Method for manufacturing a transistor having a sharp junction by forming raised source-drain regions before forming gate regions and corresponding transistor produced by said method

Номер патента: US20180350839A1. Автор: John Hongguang Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-12-06.

Method for manufacturing a transistor having a sharp junction by forming raised source-drain regions before forming gate regions and corresponding transistor produced by said method

Номер патента: US20170069661A1. Автор: John Hongguang Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-03-09.

Method for manufacturing a transistor having a sharp junction by forming raised source-drain regions before forming gate regions and corresponding transistor produced by said method

Номер патента: US20170250198A1. Автор: John Hongguang Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-08-31.

Semiconductor-substrate manufacturing method and semiconductor-device manufacturing method in which germanium layer is heat-treated

Номер патента: US09647074B2. Автор: Tomonori Nishimura,Akira Toriumi,Choong-Hyun Lee. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device having insulating film with different stress levels in adjacent regions and manufacturing method thereof

Номер патента: US8697509B2. Автор: Tatsunori Murata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-04-15.

Semiconductor device having insulating film with different stress levels in adjacent regions and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140175557A1. Автор: Tatsunori Murata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-06-26.

Semiconductor structures with pair(s) of vertical field effect transistors, each pair having a shared source/drain region and methods of forming the structures

Номер патента: US20150221767A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-08-06.

Semiconductor structures with pair(s) of vertical field effect transistors, each pair having a shared source/drain region and methods of forming the structures

Номер патента: US20150243765A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: GlobalFoundries US 2 LLC. Дата публикации: 2015-08-27.

Vertical transistor including a bottom source/drain region, a gate structure, and an air gap formed between the bottom source/drain region and the gate structure

Номер патента: US09748380B1. Автор: Shogo Mochizuki,Junli Wang,Fee Li LIE. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device including a semiconductor sheet interconnecting a source region and a drain region

Номер патента: US09711596B2. Автор: Ching-Wei Tsai,Wen-Hsing Hsieh,Jon-Hsu Ho,Hao-Ling Tang,Shao-Hwang Sia. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device including a channel region and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09704985B2. Автор: Yasushi Hamazawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device having a gate that is buried in an active region and a device isolation film

Номер патента: US09685540B2. Автор: Kang Yoo SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Forming inter-device STI regions and intra-device STI regions using different dielectric materials

Номер патента: US8592918B2. Автор: FENG Yuan,Tsung-Lin Lee,Chang-Yun Chang,Hung-Ming Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-11-26.

Semiconductor integrated circuit device for connecting semiconductor region and electrical wiring metal via titanium silicide layer and method of fabrication thereof

Номер патента: MY115056A. Автор: Masayuki Suzuki,Hideo Miura,Shuji Ikeda,Shinichi Ishida,Hiromi Abe,Hiroyuki Uchiyama,Shinji Nishihara,Atushi Ogishima,Hiromi Todorobaru,Masashi Sahara,Sonoko Abe. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-03-31.

Semiconductor device having a gate that is buried in an active region and a device isolation film

Номер патента: US9401301B2. Автор: Kang Yoo SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-26.

Nonvolatile semiconductor memory device having element isolating region of trench type

Номер патента: US20120168846A1. Автор: Riichiro Shirota,Seiichi Mori,Yuji Takeuchi,Michiharu Matsui,Takeshi Kamigaichi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-05.

Single igfet memory cell with buried storage element

Номер патента: CA1068001A. Автор: Fredrick B. Jenne. Владелец: American Microsystems Holding Corp. Дата публикации: 1979-12-11.

Semiconductor device implemented with buried rails

Номер патента: US20220013522A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Haining Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods

Номер патента: US20240274437A1. Автор: Xin Sun,Joe Margetis,Dieter Pierreux,David Kohen,Amir Kajbafvala. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-08-15.

Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods

Номер патента: US11996289B2. Автор: Xin Sun,Joe Margetis,Dieter Pierreux,David Kohen,Amir Kajbafvala. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-05-28.

FinFET ESD device with fin-cut isolation region

Номер патента: US11742342B2. Автор: Sukjin Kim,Mijin LEE,Chanhee Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-29.

Silicon-germanium heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20120091509A1. Автор: Wensheng QIAN,Donghua Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-04-19.

Self aligned method of forming a semiconductor memory array of floating gate memory cells with buried bit-line and raised source line, and a memory array made thereby

Номер патента: US20030178668A1. Автор: Sohrab Kianian,Chih Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-09-25.

Horizontal Current Bipolar Transistor with Silicon-Germanium base

Номер патента: US12062699B2. Автор: Marko Koricic,Tomislav Suligoj,Josip Zilak,Zeljko Osrecki. Владелец: Zagreb Faculty Of Electrical Engineering And Computing, University of. Дата публикации: 2024-08-13.

Horizontal current bipolar transistor with silicon-germanium base

Номер патента: US20230395666A1. Автор: Marko Koricic,Tomislav Suligoj,Josip Zilak,Zeljko Osrecki. Владелец: Zagreb Faculty Of Electrical Engineering And Computing, University of. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor device with buried conductor and interconnection layer

Номер патента: US5323055A. Автор: Tatsuya Yamazaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1994-06-21.

Parasitic pnp bipolar transistor in a silicon-germanium bicmos process

Номер патента: US20120061793A1. Автор: Wensheng QIAN,Donghua Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-03-15.

Silicon germanium heterojunction bipolar transistor structure and method

Номер патента: US20130210210A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Kathryn T. Schonenberg,Rajendran Krishnasamy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-08-15.

Silicon germanium heterojunction bipolar transistor structure and method

Номер патента: US09450069B2. Автор: Oleg Gluschenkov,Kathryn T. Schonenberg,Rajendran Krishnasamy. Владелец: Ultratech Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Silicon germanium heterojunction bipolar transistor structure and method

Номер патента: US20100159664A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Kathryn T. Schonenberg,Rajendran Krishnasamy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-06-24.

Integrated circuit devices with well regions and methods for forming the same

Номер патента: US11735485B2. Автор: Chi-Feng Huang,Chia-Chung Chen,Victor Chiang Liang,Mingo Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Method of manufacture of silicon-germanium heterobipolar transistors

Номер патента: US5424227A. Автор: Andreas Gruhle,Harry Dietrich. Владелец: Temic Telefunken Microelectronic GmbH. Дата публикации: 1995-06-13.

Silicon germanium emitter

Номер патента: US20070272946A1. Автор: Francois Pagette. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-29.

Silicon-silicon-germanium heterojunction bipolar transistor fabrication method

Номер патента: US5668022A. Автор: Kwang-Eui Pyun,Byung-Ryul Ryum,Tae-Hyeon Han,Deok-Ho Cho,Soo-Min Lee. Владелец: KT Corp. Дата публикации: 1997-09-16.

Field-effect transistors with buried gates and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20200312970A1. Автор: Paul Fischer,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

Self-aligned trench field effect transistors with regrown gates and bipolar junction transistors with regrown base contact regions and methods of making

Номер патента: CA2632233A1. Автор: Igor Sankin,Joseph Neil Merrett. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-14.

Bipolar transistor with embedded epitaxial external base region and method of forming the same

Номер патента: US9012291B2. Автор: Wei Zhang,Jun Fu,Jie Cui,Ping Xu,Yue Zhao,Yu-dong Wang,Zhi-hong Liu,Gao-qing Li,Zheng-li Wu. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-04-21.

Highly integrated bipolar junction transistors having trench-based emitter and base regions and methods of forming same

Номер патента: US6100151A. Автор: Kang-Wook Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-08-08.

Semiconductor device having storage nodes on active regions and method of fabricating the same

Номер патента: US20090073736A1. Автор: Min-Hee Cho,Seung-Bae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-03-19.

Method, apparatus, and system having super steep retrograde well with silicon and silicon germanium fins

Номер патента: US09929159B2. Автор: David Paul Brunco. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Method, apparatus, and system having super steep retrograde well with silicon and silicon germanium fins

Номер патента: US20180175037A1. Автор: David Paul Brunco. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-06-21.

Memory transistors with buried gate electrodes

Номер патента: US09472557B2. Автор: Kazutaka Manabe. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2016-10-18.

Patterned silicon substrate-silicon germanium, thin film composite structure and preparation methods and application thereof

Номер патента: US11769799B2. Автор: Jianjun Zhang,Jieyin Zhang. Владелец: Institute of Physics of CAS. Дата публикации: 2023-09-26.

Patterned silicon substrate-silicon germanium, thin film composite structure and preparation methods and application thereof

Номер патента: US20220157942A1. Автор: Jianjun Zhang,Jieyin Zhang. Владелец: Institute of Physics of CAS. Дата публикации: 2022-05-19.

Finfet structures having silicon germanium and silicon fins

Номер патента: US20150206744A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: GlobalFoundries US 2 LLC. Дата публикации: 2015-07-23.

Junction field effect transistors in germanium and silicon-germanium alloys and method for making and using

Номер патента: WO2008134148A1. Автор: Weimin Zhang,Yujie Liu,Madhukar B. Vora,Ashok Kumar Kapoor,Sachin R. Sonkusale. Владелец: Dsm Solutions, Inc.. Дата публикации: 2008-11-06.

Heterojunction bipolar transistor with buried trap rich isolation region

Номер патента: US20230402453A1. Автор: Anthony K. Stamper,John J. Pekarik,John J. Ellis-Monaghan,Vibhor Jain,Steven M. Shank. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Heterojunction bipolar transistor with buried trap rich isolation region

Номер патента: US11791334B2. Автор: Anthony K. Stamper,John J. Pekarik,John J. Ellis-Monaghan,Vibhor Jain,Steven M. Shank. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Memory Transistors with Buried Gate Electrodes

Номер патента: US20150340367A1. Автор: Kazutaka Manabe. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2015-11-26.

Selective oxidation of buried silicon-germanium to form tensile strained silicon FinFETs

Номер патента: US09761498B2. Автор: Bruce B. Doris,Alexander Reznicek,Tenko Yamashita,Joshua M. Rubin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Isotropic silicon and silicon-germanium etching with tunable selectivity

Номер патента: US09984890B2. Автор: Subhadeep Kal,Kandabara N. Tapily,Aelan Mosden. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor die with buried capacitor, and method of manufacturing the semiconductor die

Номер патента: US20210143286A1. Автор: Marco Morelli,Flavio Francesco Villa,Fabrizio Fausto Renzo Toia,Simone Dario Mariani,Marco Marchesi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-05-13.

Methods for forming germanium and silicon germanium nanowire devices

Номер патента: US09911660B2. Автор: Hyungsuk Alexander Yoon,Zhongwei Zhu. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Method for manufacturing electronic component for heterojunction provided with buried barrier layer

Номер патента: US10522648B2. Автор: Matthew Charles. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2019-12-31.

Method for manufacturing electronic component for heterojunction provided with buried barrier layer

Номер патента: US20190109209A1. Автор: Matthew Charles. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2019-04-11.

Silicon-germanium alloy-based quantum dots with increased alloy disorder and enhanced valley splitting

Номер патента: WO2023278178A3. Автор: Mark G. Friesen,Merritt Losert,Susan Nan Coppersmith. Владелец: NEWSOUTH INNOVATIONS PTY LIMITED. Дата публикации: 2023-04-20.

Methods of forming fin isolation regions on FinFET semiconductor devices by implantation of an oxidation-retarding material

Номер патента: US09673083B2. Автор: Kern Rim,Kangguo Cheng,Ajey Poovannummoottil Jacob,Ali Khakifirooz,Bruce Doris. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

High percentage silicon germanium graded buffer layers with lattice matched Ga(As1-yPy) interlayers

Номер патента: US10741387B1. Автор: Alexander Reznicek,Stephen W. Bedell. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-08-11.

Silicon-germanium alloy-based quantum dots with increased alloy disorder and enhanced valley splitting

Номер патента: EP4305672A2. Автор: Mark G. Friesen,Merritt Losert,Susan Nan Coppersmith. Владелец: NEWSOUTH INNOVATIONS PTY LTD. Дата публикации: 2024-01-17.

Selective oxidation of buried silicon-germanium to form tensile strained silicon finfets

Номер патента: US20170170079A1. Автор: Bruce B. Doris,Alexander Reznicek,Tenko Yamashita,Joshua M. Rubin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Silicon-germanium alloy-based quantum dots with increased alloy disorder and enhanced valley splitting

Номер патента: AU2022301960A1. Автор: Mark G. Friesen,Merritt Losert,Susan Nan Coppersmith. Владелец: NEWSOUTH INNOVATIONS PTY LTD. Дата публикации: 2023-12-14.

Gate tie-down enablement with inner spacer

Номер патента: US10332977B2. Автор: Lars W. Liebmann,Sanjay C. Mehta,Su Chen Fan,Andre P. Labonte. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-25.

Stepped isolation regions

Номер патента: US20240282636A1. Автор: Hsin Fu Lin,Hsin Heng WANG,Hui Hung Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Gate tie-down enablement with inner spacer

Номер патента: US09899259B2. Автор: Lars W. Liebmann,Sanjay C. Mehta,Su Chen Fan,Andre P. Labonte. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor having a source/drain contact with a single inner spacer

Номер патента: US11901434B2. Автор: Haining Yang,YouSeok Suh,Junjing Bao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor having a source/drain contact with a single inner spacer

Номер патента: EP4331013A1. Автор: Haining Yang,YouSeok Suh,Junjing Bao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-03-06.

Gate tie-down enablement with inner spacer

Номер патента: US20180151433A1. Автор: Lars W. Liebmann,Sanjay C. Mehta,Su Chen Fan,Andre P. Labonte. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-31.

Liquid mixture and method for selectively wet etching silicon germanium

Номер патента: US20180277379A1. Автор: Christian Fischer,Dries Dictus. Владелец: LAM RESEARCH AG. Дата публикации: 2018-09-27.

Gate tie-down enablement with inner spacer

Номер патента: US09941163B2. Автор: Lars W. Liebmann,Sanjay C. Mehta,Su Chen Fan,Andre P. Labonte. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Gate tie-down enablement with inner spacer

Номер патента: US20170278753A1. Автор: Lars W. Liebmann,Sanjay C. Mehta,Su Chen Fan,Andre P. Labonte. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-28.

Gate tie-down enablement with inner spacer

Номер патента: US20180374932A1. Автор: Lars W. Liebmann,Sanjay C. Mehta,Su Chen Fan,Andre P. Labonte. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-12-27.

Gate tie-down enablement with inner spacer

Номер патента: US20170162438A1. Автор: Lars W. Liebmann,Sanjay C. Mehta,Su Chen Fan,Andre P. Labonte. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-08.

Gate tie-down enablement with inner spacer

Номер патента: US20170372959A1. Автор: Lars W. Liebmann,Sanjay C. Mehta,Su Chen Fan,Andre P. Labonte. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-28.

Gate tie-down enablement with inner spacer

Номер патента: US20190363178A1. Автор: Lars W. Liebmann,Sanjay C. Mehta,Su Chen Fan,Andre P. Labonte. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-11-28.

Gate tie-down enablement with inner spacer

Номер патента: US9735054B2. Автор: Lars W. Liebmann,Sanjay C. Mehta,Su Chen Fan,Andre P. Labonte. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Gate tie-down enablement with inner spacer

Номер патента: US20170047252A1. Автор: Lars W. Liebmann,Sanjay C. Mehta,Su Chen Fan,Andre P. Labonte. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-16.

Gate tie-down enablement with inner spacer

Номер патента: US20170047254A1. Автор: Lars W. Liebmann,Sanjay C. Mehta,Su Chen Fan,Andre P. Labonte. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-16.

Gate tie-down enablement with inner spacer

Номер патента: US9929049B2. Автор: Lars W. Liebmann,Sanjay C. Mehta,Su Chen Fan,Andre P. Labonte. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Gate tie-down enablement with inner spacer

Номер патента: US9627257B2. Автор: Lars W. Liebmann,Sanjay C. Mehta,Su Chen Fan,Andre P. Labonte. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Methods of fabricating isolation regions of semiconductor devices and structures thereof

Номер патента: US09653543B2. Автор: Roland Hampp,Armin Tilke,Marcus Culmsee,Chris Stapelmann,Bee Kim Hong. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-16.

Method for forming a germanium layer and a heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US5089428A. Автор: Kenneth E. Bean,Douglas P. Verret. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1992-02-18.

Isolation regions for reduced junction leakage

Номер патента: US10636870B2. Автор: Hsin-Chi Chen,Kun-Tsang Chuang,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-28.

Isolation regions for reduced junction leakage

Номер патента: US20200251554A1. Автор: Hsin-Chi Chen,Kun-Tsang Chuang,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

Isolation regions for reduced junction leakage

Номер патента: US20200058736A1. Автор: Hsin-Chi Chen,Kun-Tsang Chuang,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-20.

Method of preparing an isolation region in a high resistivity silicon-on-insulator substrate

Номер патента: US20190214294A1. Автор: Igor Peidous,Jeffrey L. Libbert. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-11.

Method of preparing an isolation region in a high resistivity silicon-on-insulator substrate

Номер патента: US20210035855A1. Автор: Igor Peidous,Jeffrey L. Libbert. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-04.

High resistivity silicon-on-insulator substrate comprising an isolation region

Номер патента: US20180174892A1. Автор: Igor Peidous,Jeffrey L. Libbert. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-21.

Method of preparing an isolation region in a high resistivity silicon-on-insulator substrate

Номер патента: US20210013091A1. Автор: Igor Peidous,Jeffrey L. Libbert. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-14.

High resistivity silicon-on-insulator substrate comprising an isolation region

Номер патента: US20230163022A1. Автор: Igor Peidous,Jeffrey L. Libbert. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Methods of forming fin isolation regions under tensile-strained fins on finfet semiconductor devices

Номер патента: US20160225676A1. Автор: Ajey Poovannummoottil Jacob,Murat Kerem Akarvardar,Jody A. FRONHEISER. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-04.

Integrated assemblies having thicker semiconductor material along one region of a conductive structure than along another region, and methods of forming integrated assemblies

Номер патента: US10756111B2. Автор: Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-25.

Schottky diode having a well with peripherial cathod regions and center andoe region

Номер патента: US09634154B1. Автор: Pei-Lun Wang,Hui-Ting Lu,Yu-Chang Jong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor devices with non-implanted barrier regions and methods of fabricating same

Номер патента: US09466674B2. Автор: Qingchun Zhang,Scott Thomas Allen. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Diode with contact structure including an improved barrier region and related manufacturing process

Номер патента: US20230223458A1. Автор: Ignazio BERTUGLIA,Ettore CHIACCHIO. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-07-13.

High linearity fet with buried gate structures and tapered channel layer

Номер патента: US20230411505A1. Автор: Keisuke Shinohara,Casey King,Dean Regan. Владелец: Teledyne Scientific and Imaging LLC. Дата публикации: 2023-12-21.

Schottky diodes with mesh style region and associated methods

Номер патента: US09583561B2. Автор: Ji-Hyoung Yoo. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor devices with heterojunction barrier regions and methods of fabricating same

Номер патента: US09595618B2. Автор: Qingchun Zhang. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

High Electron Mobility Transistor with Graded Back-Barrier Region

Номер патента: US20180138304A1. Автор: Gilberto Curatola. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-05-17.

Structures with buried fluidic channels

Номер патента: US20240162116A1. Автор: Steven M. Shank,Mark D. Levy,Siva P. Adusumilli. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Formation of an asymmetric trench in a semiconductor substrate and a bipolar semiconductor device having an asymmetric trench isolation region

Номер патента: US20150228769A1. Автор: Qizhi Liu,Mark D. Levy,Robert K. Leidy,Gary L. Milo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-08-13.

Transistors having buried n-type and p-type regions beneath the source region and methods of fabricating the same

Номер патента: CA2590626C. Автор: Saptharishi Sriram. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2014-04-08.

Semiconductor devices with graded dopant regions

Номер патента: US20160172447A1. Автор: G.R. Mohan Rao. Владелец: GREENTHREAD LLC. Дата публикации: 2016-06-16.

Semiconductor devices with graded dopant regions

Номер патента: US20210359086A1. Автор: G.R. Mohan Rao. Владелец: Vervain LLC. Дата публикации: 2021-11-18.

Semiconductor devices with graded dopant regions

Номер патента: US20170243876A1. Автор: G.R. Mohan Rao. Владелец: GREENTHREAD LLC. Дата публикации: 2017-08-24.

Semiconductor devices with graded dopant regions

Номер патента: US20200127095A1. Автор: G.R. Mohan Rao. Владелец: GREENTHREAD LLC. Дата публикации: 2020-04-23.

Semiconductor devices with graded dopant regions

Номер патента: US20210005716A1. Автор: G.R. Mohan Rao. Владелец: GREENTHREAD LLC. Дата публикации: 2021-01-07.

Semiconductor devices with graded dopant regions

Номер патента: US20130221488A1. Автор: G.R. Mohan Rao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-08-29.

Semiconductor devices with graded dopant regions

Номер патента: US09647070B2. Автор: G. R. Mohan Rao. Владелец: GREENTHREAD LLC. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor devices with graded dopant regions

Номер патента: US9190502B2. Автор: G. R. Mohan Rao. Владелец: GREENTHREAD LLC. Дата публикации: 2015-11-17.

Semiconductor devices with graded dopant regions

Номер патента: US20150035004A1. Автор: G.R. Mohan Rao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-02-05.

Junction field effect transistor using silicide connection regions and method of fabrication

Номер патента: WO2010011536A3. Автор: Ashok K. Kapoor,Madhukar B. Vora. Владелец: Dsm Solutions, Inc.. Дата публикации: 2010-04-01.

Junction field effect transistor using silicide connection regions and method of fabrication

Номер патента: WO2010011536A2. Автор: Ashok K. Kapoor,Madhukar B. Vora. Владелец: Dsm Solutions, Inc.. Дата публикации: 2010-01-28.

Three-dimensional memory device with partially discrete charge storage regions and method of making thereof

Номер патента: US09960180B1. Автор: Yanli Zhang,Peng Zhang,Fei Zhou,Rahul Sharangpani,Keerti Shukla,Raghuveer Makala. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-05-01.

Thin low defect relaxed silicon germanium layers on bulk silicon substrates

Номер патента: US09922941B1. Автор: Oscar van der Straten,Alexander Reznicek,Keith E. Fogel,Praneet Adusumilli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Die with buried doped isolation region

Номер патента: US10607880B2. Автор: Saumitra Raj Mehrotra,Bernhard Grote,Ljubo Radic,Tanuj SAXENA. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2020-03-31.

Alternative gate dielectric films for silicon germanium and germanium channel materials

Номер патента: US20150311308A1. Автор: Hoon Kim,Bhagawan Sahu,Shariq Siddiqui,Rohit Galatage. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-10-29.

Semiconductor device having fin active regions and method of fabricating the same

Номер патента: US09991257B2. Автор: Hyunjung Lee,Sunjung Kim,Yong-Suk Tak,Miseon PARK,Jongryeol YOO,Bonyoung Koo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Bulk semiconductor structure with a multi-level polycrystalline semiconductor region and method

Номер патента: US20220051929A1. Автор: Mark D. Levy,Siva P. Adusumilli. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-02-17.

Methods of forming silicon germanium tin films and structures and devices including the films

Номер патента: US09905420B2. Автор: John Tolle,Joe Margetis. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-02-27.

Isolation region fabrication for replacement gate processing

Номер патента: USRE50181E1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Silicon germanium and silicon fins on oxide from bulk wafer

Номер патента: US09418900B1. Автор: Hong He,Nicolas Loubet,Junli Wang,James Kuss. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-08-16.

Strained silicon nfet and silicon germanium pfet on same wafer

Номер патента: US20140264601A1. Автор: Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Method for forming fully relaxed silicon germanium on silicon

Номер патента: US20120299155A1. Автор: Jinping Liu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2012-11-29.

Sealed shallow trench isolation region

Номер патента: US20140015092A1. Автор: Ying Li,Xiang Hu,Byeong Y. Kim,Yong M. Lee,Reinaldo A. Vega,Michael V. Aquilino,Daniel J. JAEGER. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-01-16.

T-shaped fin isolation region and methods of fabrication

Номер патента: US09373535B2. Автор: Zhenyu Hu,Hongliang Shen,Jin Ping Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-21.

Strained silicon nfet and silicon germanium pfet on same wafer

Номер патента: US20140264755A1. Автор: Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Defect reduction in channel silicon germanium on patterned silicon

Номер патента: US09735062B1. Автор: Bruce B. Doris,Alexander Reznicek,Nicolas J. Loubet,Joshua M. Rubin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Silicon germanium and silicon fins on oxide from bulk wafer

Номер патента: US20180315668A1. Автор: Hong He,Nicolas Loubet,Junli Wang,James Kuss. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-11-01.

Silicon germanium and silicon fins on oxide from bulk wafer

Номер патента: US20170018465A1. Автор: Hong He,Nicolas Loubet,Junli Wang,James Kuss. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-01-19.

Hybrid isolation regions having upper and lower portions with seams

Номер патента: US12112988B2. Автор: Chung-Ting Ko,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Hybrid isolation regions having upper and lower portions with seams

Номер патента: US20240363432A1. Автор: Chung-Ting Ko,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Cavity structures under shallow trench isolation regions

Номер патента: US20200219760A1. Автор: Vibhor Jain,Siva P. Adusumilli,Johnatan A. Kantarovsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-07-09.

Formation of hybrid isolation regions through recess and re-deposition

Номер патента: US11837505B2. Автор: Chung-Ting Ko,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Formation of Hybrid Isolation Regions Through Recess and Re-Deposition

Номер патента: US20240021482A1. Автор: Chung-Ting Ko,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Isolation regions for semiconductor structures and methods of forming the same

Номер патента: US20180033682A1. Автор: Mark Chen,King-Yuen Wong,Chan-Hong Chern,Chun-Lin Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-01.

Metal-oxide semiconductor (mos) standard cells employing electrically coupled source regions and supply rails to relax source-drain tip-to-tip spacing between adjacent mos standard cells

Номер патента: US20180301447A1. Автор: John Jianhong ZHU,Jeffrey Junhao XU,Da YANG. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-10-18.

Semiconductor devices including a gate structure between active regions, and methods of forming semiconductor devices including a gate structure between active regions

Номер патента: US20140070291A1. Автор: Jin-Woo Lee,Ja-Young Lee,Seung-Ho Kim,Tae-Yong Song,Hyun-Mi Ji. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-03-13.

Wafers having a die region and a scribe-line region adjacent to the die region

Номер патента: US09865516B2. Автор: Tzung-Han Lee,Chun-Yi Wu,Yi-Ting Cheng,Sheng-Yu YAN. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Test key for checking the window of a doped region and method of using the test key

Номер патента: US09685387B1. Автор: Zhe Wang,Lu Zou,Ching Hwa Tey. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device with metal silicide blocking region and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150187756A1. Автор: Ching-Chen Hao,I-Hsiang Hung,Wei-Der Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-02.

Semiconductor device with metal silicide blocking region and method of manufacturing the same

Номер патента: US09871035B2. Автор: Ching-Chen Hao,I-Hsiang Hung,Wei-Der Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Method for fabricating semiconductor devices which include sources anddrains having metal-containing material regions and the resulting devices

Номер патента: CA1289269C. Автор: William Thomas Lynch,Ruichen Liu,David Slate Williams. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1991-09-17.

Super-junction schottky oxide pin diode having thin P-type layers under the schottky contact

Номер патента: US09577117B2. Автор: Ning Qu,Alfred Goerlach. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor devices having high-resistance region and methods of forming the same

Номер патента: US20160064375A1. Автор: Jae-Hyun Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-03-03.

Field effect transistors having concave drain extension region and method of making the same

Номер патента: US12041770B2. Автор: Masashi Ishida. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-16.

Integrated circuit with guard region and diode circuit

Номер патента: US12040357B2. Автор: Guido Wouter Willem Quax,Dongyong ZHU. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-07-16.

Jfet device with virtual source and drain link regions and method of fabrication

Номер патента: WO2008137294A1. Автор: Ashok K. Kapoor,Samar K. Saha. Владелец: Dsm Solutions, Inc.. Дата публикации: 2008-11-13.

Photovoltaic device having a semiconductor grade silicon layer formed on a metallurgical grade substrate

Номер патента: US5455430A. Автор: Hiroshi Iwata,Keiichi Sano,Shigeru Noguchi. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1995-10-03.

Method for depositing a silicon oxide layer of same thickness on silicon and on silicon-germanium

Номер патента: US8603887B2. Автор: Yves Campidelli,Didier Dutartre,Nicolas Breil,Olivier Gourhant. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-12-10.

Heterojunction field effect transistors using silicon-germanium and silicon-carbon alloys

Номер патента: EP1543565A1. Автор: Douglas Ward,Douglas A. Webb. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2005-06-22.

Heterojunction field effect transistors using silicon-germanium and silicon-carbon alloys

Номер патента: WO2004006341A1. Автор: Douglas Ward,Douglas A. Webb. Владелец: ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.. Дата публикации: 2004-01-15.

Ion-implantation process for forming ic wafer with buried-zener diode and ic structure made with such process

Номер патента: CA1223086A. Автор: Richard S. Payne,Steven M. Hemmah. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 1987-06-16.

High-k dielectric and metal gate stack with minimal overlap with isolation region

Номер патента: US20110227171A1. Автор: Michael P. Chudzik,William K. Henson,Renee T. Mo,Jeffrey Sleight. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-09-22.

Method for fabricating semiconductor device with buried gates

Номер патента: US8334207B2. Автор: Kyung-Ho Hwang,Ji-Min LIM. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-12-18.

Semiconductor device including source pad region and drain pad region configured to improve current uniformity and reduce resistance

Номер патента: US12062716B2. Автор: Chun-Chieh Yang,Li-Fan Lin,Ying-Chen LIU. Владелец: Ancora Semiconductors Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Transistor layout structures for controlling sizes of transistors without changing active regions, and methods of controlling the same

Номер патента: US20080141204A1. Автор: Sung-Hoon Kim,Joung-yeal Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-06-12.

Semiconductor device including line-type active region and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120146121A1. Автор: Kyung Do Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-14.

Method for making a semiconductor structure using silicon germanium

Номер патента: US7163903B2. Автор: Mariam G. Sadaka,Marius K. Orlowski,Ted R. White,Alexander L. Barr. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2007-01-16.

Low temperature selective epitaxial growth of silicon germanium layers

Номер патента: WO2006041630A2. Автор: Ce Ma,Qing Min Wang. Владелец: The Boc Group, Inc.. Дата публикации: 2006-04-20.

Low temperature selective epitaxial growth of silicon germanium layers

Номер патента: EP1800331A2. Автор: Ce Ma,Qing Min Wang. Владелец: Boc Group Inc. Дата публикации: 2007-06-27.

Method for growing germanium/silicon—germanium superlattice

Номер патента: US9255345B2. Автор: Andrew T. Pomerene,Sandra L. Hyland,Daniel J. O'donnell,Robert L. Kamocsai,Vu Anh Vu. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2016-02-09.

Method for depositing a silicon germanium layer on a substrate

Номер патента: WO2022048908A1. Автор: Peter Storck,Lucas Becker. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2022-03-10.

Method for depositing a silicon germanium layer on a substrate

Номер патента: US20230326750A1. Автор: Peter Storck,Lucas Becker. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2023-10-12.

Wafer gettering using relaxed silicon germanium epitaxial proximity layers

Номер патента: US7501329B2. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-03-10.

Methods for silicon germanium uniformity control using multiple precursors

Номер патента: US20240332016A1. Автор: Xin Sun,Joe Margetis,Peter Westrom,Yen Lin Leow,Caleb Miskin,Amir Kajbafvala,Yanfu Lu. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-10-03.

Structures with boron- and gallium-doped silicon germanium layers and methods and systems for forming same

Номер патента: US20230349069A1. Автор: Michael Givens,Charles DEZELAH,Rami KHAZAKA,Wonjong KIM. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-11-02.

Methods for silicon germanium uniformity control using multiple precursors

Номер патента: US12057314B2. Автор: Xin Sun,Joe Margetis,Peter Westrom,Yen Lin Leow,Caleb Miskin,Amir Kajbafvala,Yanfu Lu. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-08-06.

Method of forming p-type doped silicon-germanium layers and system for forming same

Номер патента: US20240006176A1. Автор: Qi Xie,Charles DEZELAH,Giuseppe Alessio Verni,Lucas Petersen Barbosa Lima,Rami KHAZAKA. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-01-04.

Method for producing polycrystalline silicon germanium and suitable for micromachining

Номер патента: US20050037598A1. Автор: Ann Witvrouw. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2005-02-17.

Method for depositing boron containing silicon germanium layers

Номер патента: US11946157B2. Автор: Qi Xie,Rami KHAZAKA. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-04-02.

Low temperature selective epitaxy of silicon germanium alloys employing cyclic deposit and etch

Номер патента: US20120295421A1. Автор: Hong He,Paul D. Brabant,Keith Chung,Devendra K. Sadana,Manabu Shinriki. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-11-22.

Conformal silicon-germanium film deposition

Номер патента: WO2022108868A1. Автор: Abhijit Basu Mallick,Susmit Singha Roy,Huiyuan WANG. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-05-27.

Conformal silicon-germanium film deposition

Номер патента: US12046468B2. Автор: Abhijit Basu Mallick,Susmit Singha Roy,Huiyuan WANG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Selective self-aligned patterning of silicon germanium, germanium and type III/V materials using a sulfur-containing mask

Номер патента: US10741405B2. Автор: Daniel Peter,YANG Pan,Samantha Tan,Reza Arghavani. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2020-08-11.

Graded index silicon germanium on lattice matched silicon germanium

Номер патента: WO2007109403A3. Автор: Yeonjoon Park,Sang H Choi,Diane M Stoakley,Glen C King,James R Elliott Jr. Владелец: James R Elliott Jr. Дата публикации: 2008-11-06.

Method for surface roughness reduction after silicon germanium thin film deposition

Номер патента: US09425046B1. Автор: Steven Patrick MAXWELL,Sundar Narayanan,Natividad VASQUEZ, JR.,Harry Yue Gee. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor structures including a gallium nitride material component and a silicon germanium component

Номер патента: US20030132433A1. Автор: Edwin Piner,T. Weeks,Ricardo Borges,Kevin Linthicum. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-17.

Method and Apparatus for Forming Boron-Doped Silicon Germanium Film, and Storage Medium

Номер патента: US20170287914A1. Автор: Mitsuhiro Okada. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-10-05.

Method of selective silicon germanium epitaxy at low temperatures

Номер патента: EP3830860A1. Автор: Hua Chung,Yi-Chiau Huang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-06-09.

Etchant composition for etching silicon germanium film and method of manufacturing integrated circuit device by using the same

Номер патента: US20230272280A1. Автор: Hyosan Lee,Jaesung Lee,Sangwon BAE,Jungmin Oh,Changjun Park,Junghun Lim. Владелец: Soulbrain Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Methods for forming a gate and a shallow trench isolation region and for planarizing an etched surface of silicon substrate

Номер патента: US20110300688A1. Автор: HAIYANG Zhang,Qiuhua Han,Qingtian Ma. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2011-12-08.

Methods for forming a gate and a shallow trench isolation region and for planarizing an etched surface of silicon substrate

Номер патента: US20110300698A1. Автор: HAIYANG Zhang,Qiuhua Han,Qingtian Ma. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2011-12-08.

Methods for forming a gate and a shallow trench isolation region and for planarizing an etched surface of silicon substrate

Номер патента: US8377827B2. Автор: HAIYANG Zhang,Qiuhua Han,Qingtian Ma. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2013-02-19.

Pre-clean of silicon germanium for pre-metal contact at source and drain and pre-high k at channel

Номер патента: US20190326115A1. Автор: Bo Zheng,Avgerinos V. Gelatos,Raymond Hoiman Hung,Anshul VYAS. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Pre-clean of silicon germanium for pre-metal contact at source and drain and pre-high K at channel

Номер патента: US09735009B2. Автор: Bo Zheng,Avgerinos V. Gelatos,Raymond Hoiman Hung,Anshul VYAS. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Pre-clean of silicon germanium for pre-metal contact at source and drain and pre-high k at channel

Номер патента: US10163630B2. Автор: Bo Zheng,Avgerinos V. Gelatos,Raymond Hoiman Hung,Anshul VYAS. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-12-25.

Method for depositing a strain relaxed graded buffer layer of silicon germanium on a surface of a substrate

Номер патента: WO2023143804A1. Автор: Peter Storck,Lucas Becker. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2023-08-03.

Pre-clean of silicon germanium for pre-metal contact at source and drain and pre-high k at channel

Номер патента: US20170365468A1. Автор: Bo Zheng,Avgerinos V. Gelatos,Raymond Hoiman Hung,Anshul VYAS. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-12-21.

Plasma spraying of semiconductor grade silicon

Номер патента: EP2118920A1. Автор: Raanan Y. Zehavi,James E. Boyle. Владелец: Integrated Photovoltaics Inc. Дата публикации: 2009-11-18.

Method for forming isolation regions on semiconductor device

Номер патента: US20020192961A1. Автор: Motoki Kobayashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-19.

Method for forming isolation regions on semiconductor device

Номер патента: US20020052118A1. Автор: Motoki Kobayashi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-02.

Method for forming isolation regions on semiconductor device

Номер патента: US6579807B2. Автор: Motoki Kobayashi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-17.

Field-effect transistors with a crystalline body embedded in a trench isolation region

Номер патента: US11862511B2. Автор: Steven M. Shank,Siva P. Adusumilli,Alvin Joseph. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Tmah recess for silicon germanium in positive channel region for cmos device

Номер патента: US20130299874A1. Автор: Andreas Ott,Carsten Reichel,Stephan Kronholz,Berthold Reimer,Joanna WASYLUK,Yew Tuck CHOW,Jamie Schaeffer. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2013-11-14.

Methods for Forming a Gate and a Shallow Trench Isolation Region and for Planarizating an Etched Surface of Silicon Substrate

Номер патента: US20090155977A1. Автор: HAIYANG Zhang,Qiuhua Han,Qingtian Ma. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2009-06-18.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device that includes forming dummy patterns in an isolation region prior to filling with insulating material

Номер патента: US7074691B2. Автор: Akira Takamatsu,Norio Suzuki,Hidenori Sato,Takeshi Saikawa,Hiroyuki Maruyama,Katsuhiko Hotta,Hiroyuki Ichizoe. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2006-07-11.

Method for forming isolation regions on semiconductor device

Номер патента: US6479397B2. Автор: Motoki Kobayashi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-12.

Method for preparing a germanium substrate and germanium substrate structure for epitaxial growth of a germanium layer

Номер патента: US20240186141A1. Автор: Stefan Janz,Waldemar Schreiber. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor devices including localized semiconductor-on-insulator (soi) regions and related methods

Номер патента: WO2024229217A1. Автор: Hideki Takeuchi,Keith Doran Weeks,DongHun Kang,Yi-Ann Chen. Владелец: Atomera Incorporated. Дата публикации: 2024-11-07.

Treated substrate having hydrophilic region and water repellent region, and process for producing it

Номер патента: US7919180B2. Автор: Yutaka Furukawa. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-05.

Method for controlling dislocation positions in silicon germanium buffer layers

Номер патента: EP1908097A2. Автор: Ya-Hong Xie,Tae-Sik Yoon. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2008-04-09.

Method for controlling dislocation positions in silicon germanium buffer layers

Номер патента: EP1908097A4. Автор: Ya-Hong Xie,Tae-Sik Yoon. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2009-06-03.

Method for controlling dislocation positions in silicon germanium buffer layers

Номер патента: US20070123008A1. Автор: Ya-Hong Xie,Tae-Sik Yoon. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2007-05-31.

Deposition of gate stacks including silicon germanium layers

Номер патента: WO2001041544B1. Автор: Majiid M Mansoori. Владелец: ASM Inc. Дата публикации: 2002-01-31.

Composition, its use and a process for selectively etching silicon-germanium material

Номер патента: WO2023161058A1. Автор: Andreas Klipp,Francisco Javier Lopez Villanueva,Sven Hildebrandt,Chih Hui LO,Mei Chin SHEN. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2023-08-31.

Method for manufacturing semiconductor structure with buried power line and buried signal line

Номер патента: US20220077148A1. Автор: Jeng-Ping Lin,Chiang-Lin Shih,Tseng-Fu Lu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-10.

Semiconductor structure with buried power line and buried signal line and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220077147A1. Автор: Jeng-Ping Lin,Chiang-Lin Shih,Tseng-Fu Lu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-10.

Semiconductor device with buried metal layer

Номер патента: US09673107B2. Автор: Yun Ik Son,Min Soo Yoo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Methods of fabricating nonvolatile memory devices including voids between active regions and related devices

Номер патента: US20120202335A1. Автор: Young-woo Park,Sung-Hoi Hur,Dong-Sik Lee,Jang-Hyun You,Jee-hoon Han,Sang-Ick Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-08-09.

Methods of fabricating nonvolatile memory devices including voids between active regions and related devices

Номер патента: US20140248755A1. Автор: Young-woo Park,Sung-Hoi Hur,Dong-Sik Lee,Jang-Hyun You,Jee-hoon Han,Sang-Ick Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-09-04.

Semiconductor device with buried bitline and method for fabricating the same

Номер патента: US09484335B2. Автор: Heung-Jae Cho,Tae-Yoon Kim,Eui-Seong Hwang,Eun-Shil Park,Kyu-Hyung YOON,Ju-Hyun Myung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Method of growing silicon-germanium heterostructures

Номер патента: RU2585900C1. Автор: Владимир Геннадьевич Шенгуров,Сергей Александрович Денисов,Вадим Юрьевич Чалков. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского". Дата публикации: 2016-06-10.

Biasing isolation region in semiconductor substrate

Номер патента: US20230335547A1. Автор: Orlando LAZARO,Timothy Bryan Merkin,John Russell Broze. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Deep well structures with single depth shallow trench isolation regions

Номер патента: US20110175190A1. Автор: Charles W. Koburger, III,Mariko Takayanagi,Peter Zeitzoff. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-07-21.

Deep well structures with single depth shallow trench isolation regions

Номер патента: US20120178237A1. Автор: Charles W. Koburger, III,Mariko Takayanagi,Peter Zeitzoff. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-12.

Hall Sensor With Buried Hall Plate

Номер патента: US20190319068A1. Автор: Ajit Sharma,Keith Ryan Green,Rajni J. Aggarwal. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-10-17.

Methods for fabricating integrated circuits with isolation regions having uniform step heights

Номер патента: US20160126132A1. Автор: Martin Trentzsch,Carsten Grass,Sören Jansen. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-05-05.

Semiconductor device assembly with graded modulus underfill and associated methods and systems

Номер патента: US20220068666A1. Автор: Jungbae Lee,Chih Hong Wang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor device assembly with graded modulus underfill and associated methods and systems

Номер патента: US11682563B2. Автор: Jungbae Lee,Chih Hong Wang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-20.

Forming source/drain zones with a dielectric plug over an isolation region between active regions

Номер патента: US09530683B2. Автор: James Matthew,Jie Sun,Gordon Haller,John Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Methods for fabricating integrated circuits with isolation regions having uniform step heights

Номер патента: US09508588B2. Автор: Martin Trentzsch,Carsten Grass,Sören Jansen. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Etching Solution For Selectively Removing Silicon-Germanium Alloy From A Silicon-Germanium/ Silicon Stack During Manufacture Of A Semiconductor Device

Номер патента: US20240271040A1. Автор: Wen Dar Liu,Yi-Chia Lee,Aiping Wu. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-08-15.

Temperature monitoring in a semiconductor device by using a pn junction based on silicon/germanium materials

Номер патента: US20120025276A1. Автор: Anthony Mowry,Rolf Stephan,Gert Burbach,Markus Forsberg. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2012-02-02.

Etching solution for selectively removing silicon-germanium alloy from a silicon-germanium/ silicon stack during manufacture of a semiconductor device

Номер патента: EP4323470A1. Автор: Wen Dar Liu,Yi-Chia Lee,Aiping Wu. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-02-21.

Construction of a hall-effect sensor in an isolation region

Номер патента: US20170125479A1. Автор: Ajit Sharma,Keith Ryan Green,Rajni J. Aggarwal. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-05-04.

Construction of a hall-effect sensor in a buried isolation region

Номер патента: US09728581B2. Автор: Ajit Sharma,Keith Ryan Green,Rajni J. Aggarwal. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Etchant composition for etching silicon and silicon germanium, and preparation method of pattern using the same

Номер патента: US20240263072A1. Автор: Sang Won Bae,Jiwon Kim,Jung-min Oh,Jinkyu ROH,Hyojoong YOON,Heesuk WOO,Kyusang AHN,Kyungmo SUNG. Владелец: Dongwoo Fine Chem Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Methods of forming combined trench and locos-based electrical isolation regions in semiconductor substrates

Номер патента: US5858842A. Автор: Tai-su Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-01-12.

Method of manufacturing an alignment mark with an etched back dielectric layer and a transparent dielectric layer and a device region on a higher plane with a wiring layer and an isolation region

Номер патента: US6100158A. Автор: Tzung-Han Lee,Horng-Nan Chern,Kun-Chi Lin,Alex Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-08-08.

Methods of forming polished material and methods of forming isolation regions

Номер патента: US6204149B1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Shubneesh Batra. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-03-20.

Composition, its use and a process for selectively etching silicon-germanium material

Номер патента: WO2023161055A1. Автор: Andreas Klipp,Francisco Javier Lopez Villanueva,Sven Hildebrandt,Chih Hui LO,Mei Chin SHEN. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2023-08-31.

Composition, its use and a process for selectively etching silicon-germanium material

Номер патента: EP4200895A1. Автор: Andreas Klipp,Francisco Javier Lopez Villanueva,Sabine FRISCHHUT,Chih Hui LO,Mei Chin SHEN. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2023-06-28.

Composition, Its Use And A Process For Selectively Etching Silicon-Germanium Material

Номер патента: US20230326759A1. Автор: Andreas Klipp,Francisco Javier Lopez Villanueva,Sabine FRISCHHUT,Chih Hui LO,Mei Chin SHEN. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2023-10-12.

Composition, its use and a process for selectively etching silicon-germanium material

Номер патента: US11970647B2. Автор: Francisco Javier Lopez Villanueva,Volodymyr Boyko,Jean-Pierre Berkan LINDNER,Yeni BURK,Jan Ole MUELLER,Daniel Loeffler,Patrick WILKE,Marcel BRILL. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2024-04-30.

Deep well structures with single depth shallow trench isolation regions

Номер патента: US8846486B2. Автор: Charles W. Koburger, III,Mariko Takayanagi,Peter Zeitzoff. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-30.

Methods of fabricating nonvolatile memory devices including voids between active regions and related devices

Номер патента: US8753955B2. Автор: Young-woo Park,Sung-Hoi Hur,Dong-Sik Lee,Jang-Hyun You,Jee-hoon Han,Sang-Ick Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-06-17.

Photodetector and method of forming the photodetector on stacked trench isolation regions

Номер патента: US20160005775A1. Автор: John J. Ellis-Monaghan,Steven M. Shank,Qizhi Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-01-07.

Photodetector and method of forming the photodetector on stacked trench isolation regions

Номер патента: US9799693B2. Автор: John J. Ellis-Monaghan,Steven M. Shank,Qizhi Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Photodetector and method of forming the photodetector on stacked trench isolation regions

Номер патента: US09461090B2. Автор: John J. Ellis-Monaghan,Steven M. Shank,Qizhi Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Method of making self-aligned recessed oxide isolation regions

Номер патента: US4675982A. Автор: Roy E. Scheuerlein,Wendell P. Noble, Jr.,William W. Walker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1987-06-30.

Method of manufacturing a semiconductor device having interconnections located both above a semiconductor region and above an isolation region adjoining it

Номер патента: US4973562A. Автор: Hubertus J. den Blanken. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1990-11-27.

Image sensors including an amorphous region and an electron suppression region

Номер патента: US11948956B2. Автор: Kook Tae Kim,JinGyun Kim,Hyungi Hong,Soojin HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-02.

Image sensors including an amorphous region and an electron suppression region

Номер патента: US20200111821A1. Автор: Kook Tae Kim,JinGyun Kim,Hyungi Hong,Soojin HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-09.

Method of making a semiconductor device using trench isolation regions to maintain channel stress

Номер патента: US20150099335A1. Автор: Qing Liu,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2015-04-09.

Self-aligned trench filling for narrow gap isolation regions

Номер патента: EP1949443A1. Автор: Jack H. Yuan. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2008-07-30.

Method of manufacturing an isolation region of a semiconductor device with advanced planarization

Номер патента: US5851901A. Автор: Mark I. Gardner,Mark C. Gilmer. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1998-12-22.

Photodetector and method of forming the photodetector on stacked trench isolation regions

Номер патента: US20160343759A1. Автор: John J. Ellis-Monaghan,Steven M. Shank,Qizhi Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-24.

Process for manufacturing a structure comprising a germanium layer on a substrate

Номер патента: EP2294611A1. Автор: Oleg Kononchuk,Didier Landru,Nicolas Daval,Christophe Figuet,Cecile Aulnette,Eric Guiot,Fabrice Lallement. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2011-03-16.

Double Patterning Method Of Forming Semiconductor Active Areas And Isolation Regions

Номер патента: US20150206788A1. Автор: Chien-Sheng Su,Jeng-Wei Wang. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2015-07-23.

Fin Isolation Regions With Improved Depth Distribution and Methods Forming the Same

Номер патента: US20240312843A1. Автор: Yi-Chun Chen,Jih-Jse Lin,Tzu-Ging LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of making a semiconductor isolation region bounded by a trench and covered with an oxide to improve planarization

Номер патента: US5899727A. Автор: Robert Dawson,H. Jim Fulford, Jr.,Fred N. Hause,Basab Bandyopadhyay,Mark W. Michael,William S. Brennan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1999-05-04.

Recessed sidewall-sealed and sandwiched poly-buffered LOCOS isolation regions, VLSI structures and methods

Номер патента: US5608256A. Автор: Kalipatnam V. Rao. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1997-03-04.

Method of forming semiconductor structure isolation regions

Номер патента: US4876217A. Автор: Peter J. Zdebel. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1989-10-24.

Method of filling a high aspect ratio trench isolation region and resulting structure

Номер патента: WO2007089377A3. Автор: Garo J Derderian. Владелец: Garo J Derderian. Дата публикации: 2007-09-20.

Method of filling a high aspect ratio trench isolation region and resulting structure

Номер патента: WO2007089377A2. Автор: Garo J. Derderian. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2007-08-09.

Method of filling a high aspect ratio trench isolation region and resulting structure

Номер патента: EP1984946A2. Автор: Garo J. Derderian. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-10-29.

Radio-frequency integrated circuits (rfics) including a porosified semiconductor isolation region to reduce noise interference and related fabrication methods

Номер патента: WO2023049559A1. Автор: Je-Hsiung Lan,Jonghae Kim,Ranadeep Dutta. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-03-30.

Isolation regions within a memory die

Номер патента: US20240038577A1. Автор: Yoshiaki Fukuzumi,Raja Kumar Varma Manthena. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Method of forming isolation region in integrated circuit semiconductor device

Номер патента: US5004701A. Автор: Kazumasu Motokawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1991-04-02.

Isolation region in a group III-V semiconductor device and method of making the same

Номер патента: US5399900A. Автор: Samuel Chen,Shuit-Tong Lee,Kei-Yu Ko. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1995-03-21.

Method of forming an isolation region in a semiconductor substrate

Номер патента: US5834359A. Автор: Erik S. Jeng,Fu-Liang Yang. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 1998-11-10.

Improved semiconductor device having a polycrystalline isolation region

Номер патента: US4800417A. Автор: Juri Kato. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 1989-01-24.

Preventing dielectric void over trench isolation region

Номер патента: US20210111065A1. Автор: LIU Jiang,Haiting Wang,Wei Hong,Chun Yu Wong,Yongjun Shi. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-04-15.

Method of vacuum epitaxial growing of doped germanium layers

Номер патента: RU2669159C1. Автор: Владимир Геннадьевич Шенгуров,Сергей Александрович Денисов,Вадим Юрьевич Чалков. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского". Дата публикации: 2018-10-08.

Trench isolation region for semiconductor device

Номер патента: US5945724A. Автор: Li Li,Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-08-31.

Methods of forming oxide isolation regions for integrated circuits substrates using mask and spacer

Номер патента: US5940720A. Автор: Jun-Pyo Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-08-17.

Selective cavity merging for isolation regions in a memory die

Номер патента: US20230395422A1. Автор: David H. Wells,Yoshiaki Fukuzumi,Byeung Chul Kim,Paolo Tessariol,Richard H. Hill. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Process for forming shallow isolating regions in an integrated circuit and an integrated circuit thus formed

Номер патента: WO2002017386A1. Автор: Alain Inard,Franck Arnaud,Walter J. A. De Coster,Meindert M. Lunenborg. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2002-02-28.

Method for forming isolation regions on semiconductor device

Номер патента: US20020076901A1. Автор: Toshiyuki Nakamura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-20.

Method for reducing micro-masking defects in trench isolation regions

Номер патента: US20020182852A1. Автор: Kailash Singh. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-12-05.

Isolation regions

Номер патента: US20110241096A1. Автор: Zailong Bian,Xiaolong Fang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-10-06.

Standard cell and ic structure with trench isolation through active regions and gate electrodes

Номер патента: US20240274603A1. Автор: Hong Yu,James P. Mazza,Navneet K. Jain,David Charles PRITCHARD. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Standard cell and ic structure with trench isolation through active regions and gate electrodes

Номер патента: EP4418320A1. Автор: Hong Yu,James P. Mazza,Navneet K. Jain,David Charles PRITCHARD. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-21.

Static random access memory (sram) bit cell circuits with a minimum distance between a storage circuit active region and a read port circuit active region to reduce area and sram bit cell array circuits

Номер патента: US20220102360A1. Автор: Sunil Sharma,Sonia Ghosh,Rahul Biradar,Channappa Desai. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Static random access memory (sram) bit cell circuits with a minimum distance between a storage circuit active region and a read port circuit active region to reduce area and sram bit cell array circuits

Номер патента: EP4222741A1. Автор: Sunil Sharma,Sonia Ghosh,Rahul Biradar,Channappa Desai. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-08-09.

Integrated Assemblies Having Body Contact Regions Proximate Transistor Body Regions; and Methods Utilizing Bowl Etches During Fabrication of Integrated Assemblies

Номер патента: US20200185390A1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-11.

Printed circuit board including through region and semiconductor package formed by using the same

Номер патента: US20140301055A1. Автор: Sang-uk Han,Chae-Hun Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-10-09.

Integrated circuit devices having contact holes exposing gate electrodes in active regions and methods of fabricating the same

Номер патента: US20060141715A1. Автор: Myoung-kwan Cho,Jeung-Hwan Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-29.

Three-dimensional semiconductor device including a mold structure providing gap regions and an interconnection structure including a plurality of interconnection patterns formed in the gap regions

Номер патента: US8742466B2. Автор: Woojin Cho,Hansoo Kim,Jaehoon Jang,Wonseok Cho,Jae-Joo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-06-03.

Semiconductor device including cell region stacked on peripheral region and method of fabricating the same

Номер патента: US09666289B2. Автор: Sunghoon Kim,Jae-Eun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Printed circuit board including through region and semiconductor package formed by using the same

Номер патента: US09431272B2. Автор: Sang-uk Han,Chae-Hun Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Gettering regions and methods of forming gettering regions within a semiconductor wafer

Номер патента: US20020022346A1. Автор: Fernando Gonzalez,Jeffrey Honeycutt. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-21.

Methods of forming a semiconductor cell array region, method of forming a semiconductor device including the semiconductor cell array region, and method of forming a semiconductor module including the semiconductor device

Номер патента: US20110177671A1. Автор: Yong-Hoon Son,Byeong-Chan Lee,Sun-Ghil Lee,Sung-Woo Hyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-21.

Method for manufacturing semiconductor structure with core and peripheral regions and semiconductor structure thereof

Номер патента: US11864373B2. Автор: Jie Bai,Mengmeng Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Method for growing germanium/silicon-germanium superlattice

Номер патента: US20150028286A1. Автор: Andrew T. Pomerene,Sandra L. Hyland,Daniel J. O'donnell,Robert L. Kamocsai,Vu Anh Vu. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2015-01-29.

Complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) image sensor with silicon and silicon germanium

Номер патента: US09859325B2. Автор: JHY-JYI SZE,Yueh-Chuan Lee,Chia-Chan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Silicon-germanium photoelectric detection apparatus based on on-chip mode converter

Номер патента: US10714639B2. Автор: Lei Wang,Ying Qiu,Miaofeng LI,Xi Xiao,Daigao Chen. Владелец: Wuhan Research Institute of Posts and Telecommunications Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-14.

Four CPP wide memory cell with buried power grid, and method of fabricating same

Номер патента: US12137548B2. Автор: Yen-Huei Chen,Chih-Yu Lin,Hidehiro Fujiwara,Yi-Hsin Nien,Wei-Chang Zhao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Image sensor with buried-channel drain (bcd) transistors

Номер патента: US20160268335A1. Автор: Eric Stevens. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2016-09-15.

Image sensor with buried-channel drain (BCD) transistors

Номер патента: US09685482B2. Автор: Eric Stevens. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-06-20.

Image sensor having different concentration of impurities in the channel regions and isolation elements

Номер патента: US12046616B2. Автор: Seung Ki Baek,Kyung Ho Lee,Doo Sik SEOL,Tae Sub Jung,Seung Ki JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Methods of fabricating image sensors including impurity layer isolation regions

Номер патента: US8415189B2. Автор: Seung-Hun Shin,Doowon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-04-09.

Image sensors including impurity layer adjacent isolation region

Номер патента: US7586170B2. Автор: Seung-Hun Shin,Doowon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-09-08.

Lateral coils used for energy transfer over isolation region in multi-voltage devices

Номер патента: US20240347446A1. Автор: Hermann Gruber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-10-17.

Image sensor isolation region and method of forming the same

Номер патента: US09786707B2. Автор: Kei-Wei Chen,Shiu-Ko Jangjian,Min Hao Hong,Szu-An Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Image sensor isolation region and method of forming the same

Номер патента: US09673244B2. Автор: Kei-Wei Chen,Shiu-Ko Jangjian,Min Hao Hong,Szu-An Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Symmetric SRAM cell with buried N+ local interconnection line

Номер патента: US5354704A. Автор: Ming-Tzong Yang,Chen-Chin Hsue. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1994-10-11.

Low noise silicon germanium image sensor

Номер патента: US20210343882A1. Автор: Sohei Manabe,Mamoru Iesaka,Woon Il Choi. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2021-11-04.

Thin film capacitors on silicon germanium substrate and process for making the same

Номер патента: WO2001009930A2. Автор: Koji Arita,Carlos A. Paz de Araujo,Larry D. McMillan,Masamichi Azuma. Владелец: SYMETRIX CORPORATION. Дата публикации: 2001-02-08.

Thin film capacitors on silicon germanium substrate and process for making the same

Номер патента: WO2001009930A3. Автор: Koji Arita,Masamichi Azuma,Larry D Mcmillan,De Araujo Carlos A Paz. Владелец: Symetrix Corp. Дата публикации: 2001-07-05.

Light emitting device with graded composition hole tunneling layer

Номер патента: US20130228806A1. Автор: Hao-Chung Kuo,Chao-Hsun Wang. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2013-09-05.

Photodetector with buried airgap reflectors

Номер патента: US12027553B2. Автор: Vibhor Jain,Steven M. Shank,Alvin J. Joseph,Siva P. Adusumilli. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Solar cell with graded bandgap

Номер патента: US20120103417A1. Автор: Jr-Hong Chen,Chu-Wan Huang,Kuang-Chen Yeh. Владелец: Du Pont Apollo Ltd. Дата публикации: 2012-05-03.

Method of manufacturing a semiconductor device having a laminated structure comprising a boron-doped silicon germanium film and a metal film

Номер патента: US20130011988A1. Автор: Nobuyuki Sako. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-01-10.

Silicon germanium read port for a static random access memory register file

Номер патента: EP3186831A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri MOJUMDER. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-07-05.

Silicon germanium read port for a static random access memory register file

Номер патента: WO2016032642A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri MOJUMDER. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-03-03.

Multi-crystalline silicon-germanium bulk crystal for use as a solar cell and method of making

Номер патента: US20070006915A1. Автор: Kazuo Nakajima,Kozo Fujiwara,Wugen Pan,Noritaka Usami. Владелец: Sumco Solar Corp. Дата публикации: 2007-01-11.

Method of manufacturing a semiconductor device having a laminated structure comprising a boron-doped silicon germanium film and a metal film

Номер патента: US8883601B2. Автор: Nobuyuki Sako. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2014-11-11.

Silicon germanium read port for a static random access memory register file

Номер патента: US09336864B2. Автор: Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri MOJUMDER. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-05-10.

Charge-coupled device having different light-receiving region and charge isolation layer structures

Номер патента: US5821574A. Автор: Yong Gwan Kim. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1998-10-13.

Multi-crystalline silicon-germanium bulk crystal for use as a solar cell and method of making

Номер патента: US7750232B2. Автор: Kazuo Nakajima,Kozo Fujiwara,Wugen Pan,Noritaka Usami. Владелец: Sumco Solar Corp. Дата публикации: 2010-07-06.

Gas gate for isolating regions of differing gaseous pressure

Номер патента: EP1601471A2. Автор: Joachim Doehler,Vincent Cannella. Владелец: Energy Conversion Devices Inc. Дата публикации: 2005-12-07.

Gas gate for isolating regions of differing gaseous pressure

Номер патента: WO2004073893A2. Автор: Joachim Doehler,Vincent Cannella. Владелец: Energy Conversion Devices, Inc.. Дата публикации: 2004-09-02.

Biasing isolation region in semiconductor substrate

Номер патента: WO2023200661A1. Автор: Orlando LAZARO,Timothy Bryan Merkin,John Russell Broze. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2023-10-19.

Refining of metallurgical grade silicon

Номер патента: CA2393511C. Автор: Bruno Ceccaroli,Kenneth Friestad. Владелец: ELKEM ASA. Дата публикации: 2007-03-20.

Methods of recycling silicon swarf into electronic grade polysilicon or metallurgical-grade silicon

Номер патента: US11791435B2. Автор: Moon Chun,Christoph Sachs,David Verstraeten. Владелец: Maxeon Solar Pte Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Photodetector with buried airgap reflectors

Номер патента: US20220406833A1. Автор: Vibhor Jain,Steven M. Shank,Alvin J. Joseph,Siva P. Adusumilli. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-12-22.

Methods of recycling silicon swarf into electronic grade polysilicon or metallurgical-grade silicon

Номер патента: US11784276B2. Автор: Moon Chun,Christoph Sachs,David Verstraeten. Владелец: Total Solar Intl SAS. Дата публикации: 2023-10-10.

Method and system for forming a silicon ingot using a low-grade silicon feedstock

Номер патента: EP2179078B1. Автор: Kamel Ounadjela,Matthias Heuer,Fritz Kirscht,Jean Patrice Rakotoniaina,Dieter Linke,Vera Abrosimova. Владелец: Silicor Materials Inc. Дата публикации: 2012-03-07.

Photodetector with buried airgap reflectors

Номер патента: US20210313373A1. Автор: Vibhor Jain,Steven M. Shank,Alvin J. Joseph,Siva P. Adusumilli. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-10-07.

Pickup device structure within a device isolation region

Номер патента: US20150041945A1. Автор: Szu-Ying Chen,Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Tzu-Hsuan Hsu,Min-Feng KAO,Wei-Cheng Hsu,Hsiao-Hui Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-02-12.

Method for making isolation region of cis device, and semiconductor device structure

Номер патента: US20220199659A1. Автор: XIAO FAN,Peng Huang,Yuanyuan QUI,Zhenqiang GUO. Владелец: Hua Hong Semiconductor Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Method for making isolation region of CIS device

Номер патента: US12125866B2. Автор: XIAO FAN,Peng Huang,Yuanyuan QUI,Zhenqiang GUO. Владелец: Hua Hong Semiconductor Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Approach for reducing pixel pitch using vertical transfer gates and implant isolation regions

Номер патента: US09659987B2. Автор: Jen-Cheng Liu,Seiji Takahashi,Yuichiro Yamashita,Tzu-Jui WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Pixel isolation regions formed with conductive layers

Номер патента: US09595555B2. Автор: Giovanni De Amicis,Daniel Tekleab. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-03-14.

Resistive memory crossbar array with top electrode inner spacers

Номер патента: US20200220078A1. Автор: Takashi Ando,Shyng-Tsong Chen,Hiroyuki Miyazoe,Iqbal R. Saraf. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-09.

Resistive memory crossbar array with top electrode inner spacers

Номер патента: US20200028076A1. Автор: Takashi Ando,Shyng-Tsong Chen,Hiroyuki Miyazoe,Iqbal R. Saraf. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-23.

Semiconductor structure with composite barrier layer under redistribution layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160322316A1. Автор: Chun-Yu Wu,Yu-Wei SHANG,Chung-Ruei KANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-03.

Semiconductor structrure with composite barrier layer under redistribution layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150333021A1. Автор: Chun-Yu Wu,Yu-Wei SHANG,An-Chi KANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-11-19.

Semiconductor structure with composite barrier layer under redistribution layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US09824987B2. Автор: Chun-Yu Wu,Yu-Wei SHANG,Chung-Ruei KANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor structure with composite barrier layer under redistribution layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US09418951B2. Автор: Chun-Yu Wu,Yu-Wei SHANG,Chung-Reui Kang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

I.I.L. with graded base inversely operated transistor

Номер патента: US4064526A. Автор: Yoshio Nishi,Junichi Nakamura,Masanori Nakai,Satoshi Shinozaki,Shintaro Ito,Yukuya Tokumaru. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1977-12-20.

Image sensor including silicon vertically stacked with germanium layer

Номер патента: US20230352514A1. Автор: JHY-JYI SZE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device using one or more slots added to isolation region surrounding inductor for isolation improvement

Номер патента: US20230317598A1. Автор: Yen-Liang Yeh,Ang-Sheng Lin,Hao-Wei Huang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device using one or more slots added to isolation region surrounding inductor for isolation improvement

Номер патента: EP4258350A1. Автор: Yen-Liang Yeh,Ang-Sheng Lin,Hao-Wei Huang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2023-10-11.

Method of manufacturing graphene by using germanium layer

Номер патента: US8679976B2. Автор: Eun-kyung Lee,Byoung-Iyong Choi,Jae-Hyun Lee,Dong-mok WHANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-03-25.

Electronic devices including pillars in array regions and non-array regions, and related systems and methods

Номер патента: US20210327885A1. Автор: Christopher J. Larsen,Tom J. John,S M Istiaque Hossain,Anilkumar Chandolu,Prakash Rau Mokhna Rau,Arun Kumar Dhayalan,Wesley O. McKinsey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Light-emitting module comprising plurality of light emitting diodes and epitaxial region and manufacturing method thereof and display device

Номер патента: US12062649B2. Автор: LU Yao,Feng Qin,Xupeng Wang,Jine Liu,Wanchun DU. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Devices including independently controllable absorption region and multiplication region electric fields

Номер патента: EP2856505A1. Автор: ZHEN Peng,Raymond G. Beausoleil,Charles M. Santori,Marco Fiorentino,Zhihong Huang,Di Liang. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2015-04-08.

Semiconductor device having fuse circuit on cell region and method of fabricating the same

Номер патента: US6825511B2. Автор: Young-hee Song,Min-Sang Park,Ill-Heung Choi,Min-Young Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-11-30.

Semiconductor device with a wire bonding and a sintered region, and manufacturing process thereof

Номер патента: US20170365577A1. Автор: Agatino Minotti,Gaetano Montalto. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-12-21.

Printed circuit board including warpage offeset regions and semiconductor packages including the same

Номер патента: US20190124761A1. Автор: Youngbae Kim,Shle-Ge Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-04-25.

Printed circuit board including warpage offset regions and semiconductor packages including the same

Номер патента: US20200092989A1. Автор: Youngbae Kim,Shle-Ge Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-03-19.

Vertical array of resistive switching devices having restricted filament regions and tunable top electrode volume

Номер патента: US20190378876A1. Автор: Takashi Ando,Hiroyuki Miyazoe,Robert L. Bruce,John Rozen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-12-12.

Semiconductor device having fuse circuit on cell region and method of fabricating the same

Номер патента: US20080160682A1. Автор: Young-hee Song,Min-Sang Park,Ill-Heung Choi,Min-Young Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-03.

Imaging device with multiple diffusion regions and capacitor element

Номер патента: US12094895B2. Автор: Yoshihiro Sato,Junji Hirase,Hiroyuki AMIKAWA,Yasuyuki Endoh. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Device having rp cell region including l-shape and resident regions and method of manufacturing same

Номер патента: US20240332279A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Jiann-Tyng Tzeng,Chun-Hsuan WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Display device having a first bank defining light emission regions and method of manufacturing the same

Номер патента: US12057526B2. Автор: Jae Hoon Kim,Geun Tak Kim,Sung Jae YUN,Hang Jae Lee,Yuk Hyun NAM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

OLED display panel having opening zone for exposing sub-pixel sub-regions, and method for manufacturing the same

Номер патента: US09960208B2. Автор: Chung-Chun Lee. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor devices including a peripheral circuit region and first and second memory regions, and related programming methods

Номер патента: US09887199B2. Автор: Joon-Sung LIM,Jang-Gn Yun,Hoosung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Method for forming resistive memory cell having a spacer region under an electrolyte region and a top electrode

Номер патента: US09865813B2. Автор: Paul Fest. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Solid state transducer devices with separately controlled regions, and associated systems and methods

Номер патента: US09847372B2. Автор: Robert R. Rhodehouse. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device with a wire bonding and a sintered region, and manufacturing process thereof

Номер патента: US09786626B2. Автор: Agatino Minotti,Gaetano Montalto. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-10-10.

Image sensor having overlapping exposure regions and pixels with misaligned photodiodes

Номер патента: US09761625B2. Автор: Masatoshi Kimura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Solid state photomultiplier having an intermediate region coupled between high and low voltage regions and associated detector

Номер патента: US09754981B2. Автор: Jonathan David Short,Jianjun Guo,Sergei Ivanovich DOLINSKY. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor image sensors having channel stop regions and methods of fabricating the same

Номер патента: US09711557B2. Автор: Kyung-Ho Lee,Jung-Chak Ahn,Seungjoo NAH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Devices including independently controllable absorption region and multiplication region electric fields

Номер патента: US09490385B2. Автор: ZHEN Peng,Raymond G. Beausoleil,Charles M. Santori,Marco Fiorentino,Zhihong Huang,Di Liang. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2016-11-08.

Transparent display panel including gate-in-panel (GIP) input signal line region and GIP output signal line region arranged at different layers, and transparent display device including the same

Номер патента: US11737324B2. Автор: Changsoo Kim,Euitae Kim,Kiseob Shin,Soyi Lee. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Methods for packaging integrated circuit devices including cavities adjacent active regions and related structures

Номер патента: WO2000048251A1. Автор: Walter M. Marcinkiewicz. Владелец: Ericsson, Inc.. Дата публикации: 2000-08-17.

Well contact cell with doped tap region separated from active region, and methods to form same

Номер патента: US10909298B1. Автор: Nigel Chan,Navneet Jain. Владелец: GlobalFoundries Dresden Module One LLC and Co KG. Дата публикации: 2021-02-02.

Semiconductor light emitting device having a reflective material, wavelength converting layer and optical plate with rough and plane surface regions, and method of manufacturing

Номер патента: US8581287B2. Автор: Kazuhiko Ueno,Toshihiro Seko,Kosaburo ITO,Soji Owada,Takeshi WARAGAYA. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-12.

Anti-fuse structure including a sense pad contact region and methods for fabrication and programming thereof

Номер патента: US20090108400A1. Автор: Byeongju Park,Alberto Cestero,John Safran. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-04-30.

Light emitting diode (LED) with three active regions and intensity control unit

Номер патента: GB2497183A. Автор: Eric Dias. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-06-05.

Sram cell layout including arrangement of multiple active regions and multiple gate regions

Номер патента: US20230403838A1. Автор: DHORI Kedar Janardan,Shafquat Jahan Ahmed. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor devices including support region and methods of forming the same

Номер патента: US20200279876A1. Автор: Ji Yoon Kim,Jae Kyu Lee,Seung Sik Kim,Min Woong SEO,Ji Youn Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-09-03.

Bonded assembly with vertical power and control signal connection adjacent to sense amplifier regions and methods of forming the same

Номер патента: WO2021154325A1. Автор: Fumiaki TOYAMA,Yuki Mizutani,Jee-Yeon Kim. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-08-05.

Vacuum degree detection device with buried electrodes in vacuum interrupter and method thereof

Номер патента: US12131878B2. Автор: Jianhua Wang,Yu Du,Hui Ma,Zhiyuan Liu,Jingyu SHEN,Yingsan GENG,Dianyu Chi. Владелец: Xian Jiaotong University. Дата публикации: 2024-10-29.

P-type isolation regions adjacent to semiconductor laser facets

Номер патента: US09917421B2. Автор: Feng Xie,Chung-En Zah,Catherine G. Caneau. Владелец: Thorlabs Quantum Electronics Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Preparation of porous silicon (99.99%) by electro-oxydation of metallurgical grade silicon

Номер патента: WO2017203063A1. Автор: Viatcheslav JOUIKOV,Arturo ZIZUMBO-LOPEZ. Владелец: UNIVERSITE DE RENNES 1. Дата публикации: 2017-11-30.

Preparation of porous silicon (99.99%) by electro-oxydation of metallurgical grade silicon

Номер патента: EP3464178A1. Автор: Viatcheslav JOUIKOV,Arturo ZIZUMBO-LOPEZ. Владелец: UNIVERSITE DE RENNES 1. Дата публикации: 2019-04-10.

Lithium-ion batteries from metallurgical grade silicon rocks

Номер патента: WO2022120492A1. Автор: Mohammad Reza AZIZIYAN,Abderraouf BOUCHERIF,Denis MACHON,Sofiane ABDELOUHAB. Владелец: UNIVERSITE CLAUDE BERNARD LYON 1. Дата публикации: 2022-06-16.

Multi - section quantum cascade laser with p-type isolation regions

Номер патента: EP2686922A1. Автор: Feng Xie,Chung-En Zah,Catherine G Caneau. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2014-01-22.

Multi - section quantum cascade laser with p-type isolation regions

Номер патента: WO2012125398A1. Автор: Feng Xie,Chung-En Zah,Catherine G Caneau. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2012-09-20.

Touch sensor electrode with patterned electrically isolated regions

Номер патента: US09529481B2. Автор: Brock A. Hable,Billy L. Weaver,Roger W. Barton,Matthew W. Gorrell. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2016-12-27.

Battery system suitable for ultralow temperature environment of polar regions, and temperature control method therefor

Номер патента: EP4287358A1. Автор: Wenqian Zhang,Minghu Ding,Fujia DU,Haikun WEN,Changgui LU. Владелец: Nanjing Institute Of Astronomical Optics & Technology Niaot. Дата публикации: 2023-12-06.

Photo-mask having exposure blocking region and methods of designing and fabricating the same

Номер патента: US7560198B2. Автор: Sung-Hoon Jang,Jeong-Yun Lee,Il-yong Jang,Seong-Woon Choi,Seong-yong Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-07-14.

Photo-mask having exposure blocking region and methods of designing and fabricating the same

Номер патента: US20060051684A1. Автор: Sung-Hoon Jang,Jeong-Yun Lee,Il-yong Jang,Seong-Woon Choi,Seong-yong Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-03-09.

Quantum cascade laser with angled active region and related methods

Номер патента: US20180048118A1. Автор: Arkadiy Lyakh. Владелец: University of Central Florida Research Foundation Inc UCFRF. Дата публикации: 2018-02-15.

DRAM with buried gate structure

Номер патента: US11943911B2. Автор: Yukihiro Nagai. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Electronics chassis with a barrier forming a liquid isolation region

Номер патента: US20240334655A1. Автор: Tianyi Gao. Владелец: Lenovo Enterprise Solutions Singapore Ptd Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of controlling frequency correction channel of systems for automatic control of frequency and power of gas-turbine power plants when separating into an isolated region

Номер патента: RU2725910C1. Автор: Юрий Владимирович Шаров,Евгений Петрович Грабчак,Тарас Вячеславович Купчиков,Евгений Иванович Сацук,Геннадий Феликсович Бинько,Роман Гареевич Миляев,Андрей Владимирович Черезов,Борис Игоревич Аюев,Дмитрий Михайлович Езжев,Рамиль Винерович Мухаррямов. Владелец: Рамиль Винерович Мухаррямов. Дата публикации: 2020-07-07.

Using hardware based secure isolated region to prevent piracy and cheating on electronic devices

Номер патента: CA3021094C. Автор: Ling Tony Chen. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-05-21.

Method and apparatus for encoding video by motion prediction using arbitrary region, and method and apparatus for decoding video by motion prediction using arbitrary region

Номер патента: RU2517404C2. Автор: Воо-Дзин ХАН,Сун-Ил ЛИ,Мин-Су ЧЕОН. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2014-05-27.

Method of controllig position of control point in command region and device control method

Номер патента: RU2421776C2. Автор: Ян КНАЙССЛЕР,Эрик ТЕЛЕН. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2011-06-20.

Memory device having ultra-lightly doped region and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240196597A1. Автор: Chung-Lin Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Electronic devices including a seed region and magnetic regions

Номер патента: US12048167B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Witold Kula,Wayne I. Kinney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Display panel including reflection structure facing opening in transition region and display device including the same

Номер патента: US20240054932A1. Автор: Kai Hu. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Memory device with dam structure between peripheral region and memory cell region

Номер патента: US12048146B2. Автор: Sungho Choi,Hyejin Seong,Jisuk Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Image processing apparatus and method to generate image data for printing on skin attachable sheet based on discolored skin region and color of surrounding skin

Номер патента: US10027854B2. Автор: Masayo SHINODA. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-17.

Connection region between adjacent memory arrays for three-dimensional memory device with terrace regions and method of making thereof

Номер патента: EP3631856A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,James Kai. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-04-08.

Display apparatus comprising irradiated regions and dams and method of manufacturing the same

Номер патента: US12069894B2. Автор: Gyoowan Han,Wonyong Kim,Jongki KIM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Systems and methods for automated determination of trust levels associated with regions and securely transporting data between the regions

Номер патента: US11394749B2. Автор: Keith Robert Buck. Владелец: Ent Services Development Corp LP. Дата публикации: 2022-07-19.

Magnetoresistive stack with seed region and method of manufacturing the same

Номер патента: US12089418B2. Автор: Renu Whig,Sanjeev Aggarwal,Jijun Sun,Jon M. Slaughter,Han-Jong Chia. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Pixel array for optimizing dual conversion gain operation of pixels sharing floating diffusion region and image sensor including the same

Номер патента: US20240334088A1. Автор: Heesang KWON,Wonchul Choi,Jinhwa Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for determining small-object region, and method and apparatus for interpolating frame between video frames

Номер патента: US09781382B2. Автор: Lei Zhang,Qingpeng Xie,Zhigang Yao. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Support structure supporting flexible display panel and having bendable region, non-bendable region and transitional region between bendable region and non-bendable region

Номер патента: US12089484B2. Автор: Lei Yang,Ren XIONG,Mingnan ZHOU. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Hearing Device Having a Shell that Includes a Compressible Region and Methods of Manufacturing the Same

Номер патента: US20240323624A1. Автор: Thomas Wessel,Patrizia RICHNER. Владелец: Sonova AG. Дата публикации: 2024-09-26.

Method and apparatus for encoding video by motion prediction using arbitrary region, and method and apparatus for decoding video by motion prediction using arbitrary region

Номер патента: RU2515226C1. Автор: Воо-Дзин ХАН,Сун-Ил ЛИ,Мин-Су ЧЕОН. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2014-05-10.

Method and apparatus for encoding video by motion prediction using arbitrary region, and method and apparatus for decoding video by motion prediction using arbitrary region

Номер патента: RU2517253C1. Автор: Воо-Дзин ХАН,Сун-Ил ЛИ,Мин-Су ЧЕОН. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2014-05-27.

Method and apparatus for generating and encoding projection-based frame that includes at least one padding region and at least one projection face packed in

Номер патента: GB2575175A. Автор: Lin Hung-Chih,Lin Jian-Liang,CHANG Shen-Kai,Lee Ya-Hsuan,Li Chia-Ying. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2020-01-01.

Apparatus for discriminating a moving region and a stationary region in a video signal

Номер патента: CA1287161C. Автор: Akihiro Furukawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1991-07-30.

Method and apparatus for region and texture coding

Номер патента: US5204920A. Автор: David Moran,Octavius J. Morris. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1993-04-20.

Circuit board having general purpose region and programmable region

Номер патента: US6040985A. Автор: Masayuki Arai,Seiji Kobayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2000-03-21.

Cellular telephone system having mobile charging region and area based pricing method and apparatus

Номер патента: CA2157317C. Автор: David Bell,Berislav Hodko,Herve Frager. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2003-10-28.

Method for segmenting a digital image into a foreground region and a key color region

Номер патента: US6011595A. Автор: Douglas W. Couwenhoven,Kevin E. Spaulding,Todd R. Henderson. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2000-01-04.

Position transducer and method for manufacturing the same comprising a pair of photodiodes surround the entirety of a predetermined region and have an annular shape

Номер патента: US11733069B2. Автор: Kazunari OGATA,Shougo Kimura,Kaori FUNATSU. Владелец: Citizen Chiba Precision Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

SRAM cell layout including arrangement of multiple active regions and multiple gate regions

Номер патента: US11758707B2. Автор: Kedar Janardan Dhori,Shafquat Jahan Ahmed. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2023-09-12.

Display device including frame region, and bending region around display region

Номер патента: US11925078B2. Автор: Tokuo Yoshida,Tohru Okabe. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2024-03-05.

Sleeping compartment with a sleeping region and an electrically conducting curtain

Номер патента: US11849856B2. Автор: Ernst Schwarzhans. Владелец: Sh Immobilien GmbH. Дата публикации: 2023-12-26.

Display device with necking region and spacers

Номер патента: US10908717B2. Автор: Kuan-Feng Lee,Chung-Wen Yen,Hsia-Ching Chu,Yu-Sheng Tsai. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2021-02-02.

Electronic device having hidden region and control method thereof

Номер патента: US20190387083A1. Автор: Jun Chen. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-19.

Three-dimensional memory device with off-center or reverse slope staircase regions and methods for forming the same

Номер патента: WO2022216337A1. Автор: Hiroyuki Tanaka,Hiroyuki Ogawa. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-10-13.

Display device having through hole at light blocking region and method of providing the same

Номер патента: US11910685B2. Автор: Seon Uk LEE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Bulk acoustic wave resonator with a heatsink region and electrical insulator region

Номер патента: WO2022039897A1. Автор: Gilles Moulard. Владелец: RF360 Europe GmbH. Дата публикации: 2022-02-24.

Display device with reduced discontinuity of image at boundary between sensor region and display region and method of driving the same

Номер патента: US11893944B2. Автор: Dong Hyun Kim,Seung Chan Lee,Dong Hwan Shim,Yoo Min Ko. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Display device including a light transmission region, and electronic device

Номер патента: US20210241719A1. Автор: Youngseok Kim,Han-Na Ma,Bo-Kyung Choi,Dong-Yeol YEOM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

Electrophotosensitive member having an amorphous silicon-germanium layer

Номер патента: US4681825A. Автор: Toshiya Natsuhara,Isao Doi,Izumi Osawa. Владелец: Minolta Co Ltd. Дата публикации: 1987-07-21.

Composite cellulose nanosheet with excellent transparency and strength and manufacturing method thereof

Номер патента: US11718720B2. Автор: Chae Hwan Hong,Jin Woo Choung,Jungmok You,Kangyun Lee,Youngho Jun,Dabum Kim,Goo Min Kwon. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2023-08-08.

Composite cellulose nanosheet with excellent transparency and strength and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210355289A1. Автор: Chae Hwan Hong,Jin Woo Choung,Jungmok You,Kangyun Lee,Youngho Jun,Dabum Kim,Goo Min Kwon. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2021-11-18.

Two-dimensional material nanosheets with large area and controllable thickness and general preparation method therefor

Номер патента: US11572279B2. Автор: Ying Su,Xinyue ZHANG,Meng Lian,Tun CAO,Jingyuan JIA. Владелец: Dalian University of Technology. Дата публикации: 2023-02-07.

Preparation method of circular nanosheet with high-density sites, and use of circular nanosheet in adsorption of blood lead

Номер патента: GB2609582A8. Автор: CHEN XUEPING,Pan Jianming. Владелец: Jiangsu University. Дата публикации: 2024-03-27.

Two-dimensional material nanosheets with large area and controllable thickness and general preparation method therefor

Номер патента: US20220380219A1. Автор: Ying Su,Xinyue ZHANG,Meng Lian,Tun CAO,Jingyuan JIA. Владелец: Dalian University of Technology. Дата публикации: 2022-12-01.

Silicon germanium thickness and composition determination using combined XPS and XRF technologies

Номер патента: US09952166B2. Автор: Wei Ti Lee,Heath A. Pois. Владелец: Nova Measuring Instruments Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

System and method for transacting with graded prices by users based on a network

Номер патента: US20010011234A1. Автор: Ki Kim. Владелец: E Net Co Ltd. Дата публикации: 2001-08-02.

Device and method for thermal decomposition of volatile compounds of element selected from group comprising silicon, germanium, carbon, titanium, zirconium and mixture thereof

Номер патента: RU2377065C2. Автор: Петер АДЛЕР,Раймунд ЗОННЕНШАЙН,Вольфганг ПИРЦЛ. Владелец: Дегусса Аг. Дата публикации: 2009-12-27.

Fuel rod structures using inner spacer part and methods of their use

Номер патента: RU2473985C2. Автор: Уилльям Эрл II РАССЕЛЛ,Кристофер Дж. МОНЕТТА,Дэвид Грей СМИТ. Владелец: ДжиИ-ХИТАЧИ НЬЮКЛИАР ЭНЕРДЖИ АМЕРИКАС ЭлЭлСи. Дата публикации: 2013-01-27.

Silicon germanium thickness and composition determination using combined xps and xrf technologies

Номер патента: EP3134712A1. Автор: Wei Ti Lee,Heath A. Pois. Владелец: Revera Inc. Дата публикации: 2017-03-01.

Silicon germanium thickness and composition determination using combined xps and xrf technologies

Номер патента: WO2015164417A1. Автор: Wei Ti Lee,Heath A. Pois. Владелец: ReVera, Incorporated. Дата публикации: 2015-10-29.

Power-Gating Techniques with Buried Metal

Номер патента: US20220122656A1. Автор: Yew Keong Chong,Andy Wangkun CHEN,Sriram Thyagarajan,Sony,Ayush Kulshrestha,Rajiv Kumar Sisodia. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2022-04-21.

Container having integrated inner spacer element

Номер патента: EP3122657A1. Автор: Lucas Chatelain,David PITTON. Владелец: PHILIP MORRIS PRODUCTS SA. Дата публикации: 2017-02-01.

Container having inner spacer element

Номер патента: EP3122658A1. Автор: Lucas Chatelain. Владелец: PHILIP MORRIS PRODUCTS SA. Дата публикации: 2017-02-01.

Methods for preparing silicon germanium alloy nanocrystals

Номер патента: US20100068114A1. Автор: Jonathan Gordon Conn Veinot,Eric James Henderson. Владелец: University of Alberta. Дата публикации: 2010-03-18.

Optical coupling structure for coupling an integrated silicon germanium photodetector/transimpedance amplifier and an integrated optics circuit

Номер патента: US20200081202A1. Автор: Lance Thompson,Shibnath PATHAK. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2020-03-12.

Method of making a solar grade silicon wafer

Номер патента: WO2008115539A1. Автор: John Carberry. Владелец: Mossey Creek Technology, Llc. Дата публикации: 2008-09-25.

Solar thermosiphon heating system with graded concentration

Номер патента: NL2036595A. Автор: Wu Ming,JIA Jie,Chen Xingyu,Du Baocun,Lei Yonggang. Владелец: Univ Taiyuan Technology. Дата публикации: 2024-07-16.

Structure including silicon germanium oxide photoresist underlayer and method of forming same

Номер патента: US20240377751A1. Автор: Fanyong Ran,João Ricardo Antunes Afonso. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-11-14.

Method for securing a flexible pupillary intraocular lens of the rsp-3 model after cataract phacoemulsification in patients with grade 3 to 4 lens subluxation associated with traumatic mydriasis

Номер патента: RU2761288C1. Автор: Дмитрий Юрьевич Майчук,Дмитрий Олегович Шкворченко,Кирилл Сергеевич Норман,Светлана Александровна Какунина,Игорь Алексеевич Дроздков,Мария Романовна Образцова. Владелец: федеральное государственное автономное учреждение "Национальный медицинский исследовательский центр "Межотраслевой научно-технический комплекс "Микрохирургия глаза" имени академика С.Н. Федорова" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2021-12-06.

Liquid crystal display apparatus with silicon or silicon-germanium thin films cover spaces between electrodes

Номер патента: US5754263A. Автор: Hisashi Akiyama,Shuji Miyoshi. Владелец: UK Secretary of State for Defence. Дата публикации: 1998-05-19.

Midsole system with graded response

Номер патента: EP4233617A2. Автор: Lee D. Peyton,Zachary M. Elder,Patrick Case. Владелец: Nike Innovate CV USA. Дата публикации: 2023-08-30.

Midsole system with graded response

Номер патента: EP4233617A3. Автор: Lee D. Peyton,Zachary M. Elder,Patrick Case. Владелец: Nike Innovate CV USA. Дата публикации: 2023-09-20.

Syringe with buried tip and protector used with frontal components

Номер патента: RU2501581C2. Автор: Ни Чжу,Тимас Дж. ШО,Гэри ВУД. Владелец: Ритрэктэбл Текнолоджиз, Инк.. Дата публикации: 2013-12-20.

Drill bit with buried teeth and drilling tool for rocky rocks for use with such drilling bit

Номер патента: RU2600119C2. Автор: Конни СЕППЕЛЕ. Владелец: САНДВИК ИНТЕЛЛЕКЧУАЛ ПРОПЕРТИ АБ. Дата публикации: 2016-10-20.

Process for manufacturing silicon-based nanoparticles from metallurgical-grade silicon or refined metallurgical-grade silicon

Номер патента: CA2829147C. Автор: Volodymyr Lysenko,Jed Kraiem,Mahdi Medjaoui. Владелец: Apollon Solar SAS. Дата публикации: 2019-04-30.

Method of purifying metallurgical-grade silicon

Номер патента: CA1116832A. Автор: Josef Dietl,Erhard Sirtl,Claus Holm. Владелец: Heliotronic Forschungs- und Entwicklungsgesellschaft fur Solarzellen-Grundstoffe Mbh. Дата публикации: 1982-01-26.

Method of creating an air layer under the vessel bottom

Номер патента: RU2682373C1. Автор: Владимир Анатольевич Фролов. Владелец: Владимир Анатольевич Фролов. Дата публикации: 2019-03-19.

Purification of metallurgical grade silicon

Номер патента: CA1147698A. Автор: Maher I. Boulos. Владелец: Universite de Sherbrooke. Дата публикации: 1983-06-07.

Work machine with grade control using external field of view system and method

Номер патента: US11976444B2. Автор: Sean A. Mairet,Luke J. Kurth,Billy J. Naderman. Владелец: Deere and Co. Дата публикации: 2024-05-07.

Field effect transistor with buried fluid-based gate and method

Номер патента: US20230324332A1. Автор: Mark D. Levy,Aaron L. Vallett,Siva P. Adusumilli. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Face recognition high transparency food-grade silicone reusable mask

Номер патента: US20210352977A1. Автор: Tak Nam Liu. Владелец: Sdl Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Beta component of a transfer system for a sterile isolation region, sterile isolation region, aseptic filling system, and a method of operating such a filling system

Номер патента: US20230364619A1. Автор: Andreas Bernhard,Ulrich Krauss,Patrick Holl,Markus Ilgenfritz. Владелец: Syntegon Technology GmbH. Дата публикации: 2023-11-16.

Closure assembly for filling a container under isolated conditions

Номер патента: CA3216707A1. Автор: Bradley S. Philip. Владелец: Amcor Rigid Packaging USA LLC. Дата публикации: 2022-10-20.

Closure assembly for filling a container under isolated conditions

Номер патента: EP4323285A1. Автор: Bradley S. Philip. Владелец: Amcor Rigid Packaging USA LLC. Дата публикации: 2024-02-21.

Method and system for predicting the appearance of objects being coated with at least one colored coating layer under different illumination conditions

Номер патента: EP4377899A1. Автор: Alexander Walker,Benjamin LANFER,Mark GUTJAHR,Florina TROST,Jens Wegner,Andreas Pflug,Michaela FINKENZELLER,Julius STEINHAUSER,Matthias WINCKELMANN,Henrik MAULER,Helge KIEHL. Владелец: BASF COATINGS GMBH. Дата публикации: 2024-06-05.

Closure assembly for filling a container under isolated conditions

Номер патента: US20240182215A1. Автор: Bradley S. Philip. Владелец: Amcor Rigid Packaging USA LLC. Дата публикации: 2024-06-06.

Monitoring system for turbulence of atmospheric boundary layer under wind drift sand flow or sand dust storm environment

Номер патента: US09500769B2. Автор: Guohua Wang,Xiaojing Zheng,Tianli Bo,Yirui Liang,Jinghong Zhang. Владелец: LANZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-11-22.

HAMR media structure with intermediate layer underlying a magnetic recording layer having multiple sublayers

Номер патента: US09406329B1. Автор: HUA Yuan,Paul C. Dorsey,Antony Ajan,Tomoko SEKI,Hoan Cong Ho. Владелец: WD Media LLC. Дата публикации: 2016-08-02.

Method of treating post-traumatic scars of peri-orbital region and eyelid region

Номер патента: RU2733576C1. Автор: Юрий Александрович Павленко,Ирина Анатольевна Филатова,Наталья Валерьевна Боровкова,Иван Николаевич Пономарев,Сергей Александрович Шеметов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный медицинский исследовательский центр глазных болезней имени Гельмгольца" Министерства здравоохранения Российской Федерации (ФГБУ "НМИЦ ГБ им. Гельмгольца" Минздрава России). Дата публикации: 2020-10-05.

Socks with opaque regions and smoothly-neighboring sheer regions that are free of yarn tails

Номер патента: WO2024116171A1. Автор: Ahmad MANAA,Rotem NAFTALY. Владелец: Delta Galil Industries Ltd.. Дата публикации: 2024-06-06.

Substance absorbing electromagnetic radiation in the near infrared region and a method the production thereof

Номер патента: RU2657491C2. Автор: Евгений Антонович Лукьянец,Николай Григорьевич Беляков,Геннадий Алексеевич Матюшин,Михаил Исаакович Трибельский. Владелец: Михаил Исаакович Трибельский. Дата публикации: 2018-06-14.

Corner node, structural reinforcement assembly for corner pillar region and pickup truck body assembly

Номер патента: RU2684820C2. Автор: Джек МАРЧЛЕВСКИЙ,Стефен Уилльям ГАЛЛАХЕР. Владелец: ФОРД ГЛОУБАЛ ТЕКНОЛОДЖИЗ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2019-04-15.

Diagnostic technique of chronic abdominal syndrome with localization in right iliac region and acute appendicitis in children

Номер патента: RU2729438C1. Автор: Игорь Николаевич Хворостов,Алексей Геннадиевич Синицын,Григорий Леонидович Снигур,Святослав Сергеевич Сурин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Волгоградский государственный медицинский университет" Министерства здравоохранения Российской Федерации ФГБОУ ВО ВолгГМИ МЗ РФ. Дата публикации: 2020-08-06.

Non-volatile memory with oxygen scavenger regions and methods of making the same

Номер патента: WO2023048649A3. Автор: Wen Siang LEW,Putu Andhita DANANJAYA,Yuanmin DU,Siew Wei HOO. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-05-11.

Apparatus for detecting afterimage candidate region and apparatus including the same for preventing afterimage

Номер патента: US20170091583A1. Автор: Cheol Woo Park,Dong Gyu Lee,Yong Jun Jang,Geun Jeong Park,Gi Geun KIM,Jeong Hun So,Joon Chul Goh,Nam Gon CHOI,Yun Ki Baek. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-30.

Apparatus for detecting afterimage candidate region and apparatus including the same for preventing afterimage

Номер патента: US10354165B2. Автор: Cheol Woo Park,Dong Gyu Lee,Yong Jun Jang,Geun Jeong Park,Gi Geun KIM,Jeong Hun So,Joon Chul Goh,Nam Gon CHOI,Yun Ki Baek. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-16.

Piezoelectric ceramic crystals integrating an impedance matching region and a backing region, methods of designing piezoelectric ceramic crystals, and methods of forming piezoelectric ceramic crystals

Номер патента: EP4393166A1. Автор: Aaron Avagliano,Navin Sakthivel. Владелец: Baker Hughes Oilfield Operations LLC. Дата публикации: 2024-07-03.

System for performing tasks in an operating region and method of controlling autonomous agents for performing tasks in the operating region

Номер патента: EP3201712A1. Автор: Junyang WOON,Weihua Zhao,Soon Hooi CHIEW,Richard EKA. Владелец: Infinium Robotics Pte Ltd. Дата публикации: 2017-08-09.

Methods and systems for adjusting a range feature of an editor tool to automatically adjust a range of data values in a range region and automatically adjust a corresponding field view of a data display

Номер патента: WO2024150055A1. Автор: Matthew Nelson,David Aaron Wilcoxson,Emil BANDY. Владелец: PRECISION PLANTING LLC. Дата публикации: 2024-07-18.

Fusion protein of human IgG1 heavy chain constant region and scFv antibody against equine encephalitis virus

Номер патента: US7622111B2. Автор: Leslie P. Nagata,Weigang Hu,R. Elaine Fulton,Azhar Z. Alvi. Владелец: Minister of National Defence of Canada. Дата публикации: 2009-11-24.

Method and a monitoring device for monitoring a cabin region, and also an aircraft cabin

Номер патента: US9041559B2. Автор: Carsten Kohlmeier-Beckmann. Владелец: AIRBUS OPERATIONS GMBH. Дата публикации: 2015-05-26.

Intruding object detecting apparatus with variable detection region and calibration process

Номер патента: EP1394564A3. Автор: Yoichi Omron Corp. 801 Minamifudodo-cho Toguchi,Yui Omron Corp. 801 Minamifudodo-cho Tada,Shinichiro Omron Corp. 801 Minamifudodo Okamura. Владелец: Omron Tateisi Electronics Co. Дата публикации: 2005-05-18.

Devices and cartridges for extracting bio-sample regions and molecules of interest

Номер патента: EP3172552A1. Автор: Stephen Ritterbush,Ting Pau OEU. Владелец: XMD LLC. Дата публикации: 2017-05-31.

Devices and cartridges for extracting bio-sample regions and molecules of interest

Номер патента: US20150104826A1. Автор: Stephen Ritterbush,Ting Pau Oei. Владелец: XMD LLC. Дата публикации: 2015-04-16.

Devices and cartridges for extracting bio-sample regions and molecules of interest

Номер патента: US20200003665A1. Автор: Stephen Ritterbush,Ting Pau Oei. Владелец: xMD Diagnostics, Inc. Дата публикации: 2020-01-02.

Composite pane with opaque masking region and partially transparent reflective coating

Номер патента: US20240190110A1. Автор: Florence JACQUES,Juliette Pascale JAMART. Владелец: Saint Gobain Glass France SAS. Дата публикации: 2024-06-13.

Golf ball incorporating transition color region and method of making same

Номер патента: US20240269518A1. Автор: Manjari Kuntimaddi,Matthew F. Hogge. Владелец: Acushnet Co. Дата публикации: 2024-08-15.

Near-field transducer with enlarged region, peg region, and heat sink region

Номер патента: US20150043315A1. Автор: Chubing Peng,Werner Scholz,Weibin Chen. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2015-02-12.

Method for determining lesion region, and model training method and apparatus

Номер патента: US20240273720A1. Автор: Xiao Han,Jun Zhang,Sen Yang,Zhongyi Yang,Jinxi XIANG. Владелец: Tencent Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Apparatus for detecting afterimage candidate region and apparatus including the same for preventing afterimage

Номер патента: US9552534B2. Автор: Cheol Woo Park,Dong Gyu Lee,Yong Jun Jang,Geun Jeong Park,Gi Geun KIM,Jeong Hun So,Joon Chul Goh,Nam Gon CHOI,Yun Ki Baek. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Novel fusion protein of human IgG1 heavy chain constant region and scFv antibody against Venezuelan equine encephalitis virus

Номер патента: US20040005333A1. Автор: Weigang Hu,Leslie Nagata,R. Fulton,Azhar Alvi. Владелец: Minister of National Defence of Canada. Дата публикации: 2004-01-08.

Method for dominant color setting of video region and data structure and method of confidence measure extraction

Номер патента: US20100254600A1. Автор: Hyeon Jun Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2010-10-07.

Method for dominant color setting of video region and data structure and method of confidence measure extraction

Номер патента: US20100254599A1. Автор: Hyeon Jun Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2010-10-07.

Glass with modified surface regions and methods and apparatuses for forming the same via electro-thermal poling and field-assisted ion exchange

Номер патента: US20230024221A1. Автор: Michael Thomas Gallagher,Nicholas James Smith,Cody Vic Cushman,Charles Thomas MCLAREN,Mardochee Reveil. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2023-01-26.

Expansion joint for connecting a first region and a second region of a rail system

Номер патента: US20240246763A1. Автор: Trond Austrheim,Børge BEKKEN,Martin Fitje. Владелец: Autostore Technology AS. Дата публикации: 2024-07-25.

Bended display device for controlling function of application through image displayed on sub-region, and control method therefor

Номер патента: US20180024722A1. Автор: Doyoung Lee,Sinae Chun,Sihwa PARK,Juhwan Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2018-01-25.

System, in particular an installation, including a mobile part that is movable along a coding region, and method for operating such a system

Номер патента: US12093778B2. Автор: Frank Erb. Владелец: SEW Eurodrive GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-09-17.

Segmental bearing device comprising an interference region, and swivel level arrangement comprising the segmental bearing device

Номер патента: US12085127B2. Автор: Dieter Jauernig,Richard Frisch. Владелец: Schaeffler Technologies AG and Co KG. Дата публикации: 2024-09-10.

Identification method of stephania tetrandra from different regions, and dna barcode primer, dna barcode, kit and use

Номер патента: NL2031429B1. Автор: Gao Hui,Dong Zhipeng,He Qiumei,Li Yaoyan,Yao Hanya,Lu Wenping,Mo Chuangyu,Yan Guoyue,Tang Guocui,Xie Yangjiao. Владелец: Univ Guangxi Chinese Medicine. Дата публикации: 2023-10-20.

Grafted opthalmic devices containing deactivated regions and processes for their preparation and use

Номер патента: WO2024201156A1. Автор: Michael F. Widman,Ghulam Maharvi. Владелец: JOHNSON & JOHNSON VISION CARE, INC.. Дата публикации: 2024-10-03.

Grafted ophthalmic devices containing deactivated regions and processes for their preparation and use

Номер патента: US20240325597A1. Автор: Michael F. Widman,Ghulam Maharvi. Владелец: Johnson and Johnson Vision Care Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Method and apparatus for classifying a region and an intensity of a contact

Номер патента: WO2024186186A1. Автор: Daewon Lee,Lawrence Jackel,Richard E. Howard,Ibrahim Volkan Isler,Siddharth RUPAVATHARAM,Adarsh K. KOSTA,Alexis M. Burns,Caleb Escobedo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2024-09-12.

Display device having a light spread region between a high and low gray region and a method of driving thereof

Номер патента: US12125452B2. Автор: Dae-Gwang Jang,Byung Ki Chun. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Article of footwear having active regions and secure regions

Номер патента: US09961962B2. Автор: Sang Jeong Lee. Владелец: Action Sports Equipment Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Touch panel for narrowing bezel region and touch display device using the same

Номер патента: US09952463B2. Автор: Chin-Yuan Chen,Ping-Yang Chen. Владелец: General Interface Solution Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Method and apparatus for determining treatment region and mitigating radiation toxicity

Номер патента: US09925393B2. Автор: Zhi Cheng,Todd McNutt,Minoru Nakatsugawa,John Wayne HALLER,Robert Andrew DAVEY,Rachel-Louise Kvertus KOKTAVA,Kosuke SAKAUE,Harry Quon,Scott Patrick ROBERTSON. Владелец: Toshiba Medical Systems Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Anti-dog IgE monoclonal antibody, and light-chain variable region and heavy-chain variable region of anti-dog IgE monoclonal antibody

Номер патента: US09850317B2. Автор: Takahiro Nagase,Osamu Ohara,Kenichi Masuda,Yoshihiro Yamaguchi,Toshihiro Tsukui,Reiko Ohara. Владелец: ANIMAL ALLERGY CLINICAL LABORATORIES Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Portable device including index display region and method for controlling the same

Номер патента: US09811156B2. Автор: Jihwan Kim,Eunhyung Cho,Sinae Chun. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-11-07.

Spreadsheet shared region and cell permissions

Номер патента: US09798889B1. Автор: Sayan Chakraborty,Terry M. Olkin,Brian Sean MORRIS,Leonard Karpel. Владелец: Workday Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Tissue treatment systems and methods having a porous substrate with a compressed region and an expanded region

Номер патента: US09655807B2. Автор: Christopher Brian Locke,Timothy Mark Robinson. Владелец: Kci Licensing Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Display device having a plurality of regions and method of driving the same at different of frequencies

Номер патента: US09633608B2. Автор: Yong Hwan SHIN. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Methods for the identification and targeting of brain regions and structures and treatments related thereto

Номер патента: US09597007B2. Автор: Alejandro Covalin,Antonio Alfonso Ferreira Desalles. Владелец: US Department of Veterans Affairs VA. Дата публикации: 2017-03-21.

Apparatus for detecting afterimage candidate region and apparatus including the same for preventing afterimage

Номер патента: US09552534B2. Автор: Cheol Woo Park,Dong Gyu Lee,Yong Jun Jang,Geun Jeong Park,Gi Geun KIM,Jeong Hun So,Joon Chul Goh,Nam Gon CHOI,Yun Ki Baek. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Liquid crystal display panel wherein heights of spacers within a central region are larger than heights of spacers within a peripheral region and display device

Номер патента: US09541801B2. Автор: Jaikwang Kim,Yongjun Yoon. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Optical article comprising an antireflective coating with a low reflection both in the ultraviolet region and in the visible region

Номер патента: US09488852B2. Автор: Herve Cado,Olivier Pophillat,Francisco De Ayguavives. Владелец: Essilor International Compagnie Generale dOptique SA. Дата публикации: 2016-11-08.

Gasifier configured to electrodynamically agitate charged chemical species in a reaction region and related methods

Номер патента: US09469819B2. Автор: Christopher A. Wiklof. Владелец: Clearsign Combustion Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Method and system for perceiving a boundary between a first region and a second region of a superabrasive volume

Номер патента: US09453802B1. Автор: Michael A. Vail. Владелец: US Synthetic Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Memory device including voltage regions and method of operating same

Номер патента: SG10201804015PA. Автор: Oh Tae-Young,Kim Young-Hwa,CHO SEOK-JIN,JANG JIN-HOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-02-27.

Nail print apparatus including display control unit which distinguishes between printed region and non-printed region in fingernail under printing to display fingernail

Номер патента: US20130106970A1. Автор: Shuichi Yamasaki. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-02.

Marking local regions and providing a snapshot thereof for asynchronous mirroring

Номер патента: US09727626B2. Автор: Michael Keller,Itzhack Goldberg,Orit Nissan-Messing,Eliyahu WEISSBREM,Moriel Lechtman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Primers for human mitochondrial hypervariable region and method for detecting human dna by using the primers

Номер патента: US20090275035A1. Автор: Man Ning Wang. Владелец: Prevision Medical Corp. Дата публикации: 2009-11-05.

Method of accessing structures of different spinal regions and a device for its implementation

Номер патента: RU2720709C1. Автор: Андрей Евгеньевич Боков,Сергей Геннадьевич Млявых,Александр Яковлевич Алейник. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Приволжский исследовательский медицинский университет" Министерства здравоохранения Российской Федерации (ФГБОУ ВО "ПИМУ" Минздрава России). Дата публикации: 2020-05-12.

Composite material based on tripoli of sukholozhskoye deposit of sverdlovsk region and chopped straw

Номер патента: RU2553743C1. Автор: Сергей Сергеевич Радаев,Максим Валерьевич Кудоманов,Константин Николаевич Илюхин,Ольга Игоревна Селезнева,Наталья Зияфатовна Рясная,Константин Сергеевич Иванов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тюменский государственный архитектурно-строительный университет". Дата публикации: 2015-06-20.

Endoprosthesis for umbilical hernia plastic surgery with lifting of muscular aponeurotic tissues of the hypogastric region and urogenital crotch in women and the way of its application

Номер патента: RU2668469C1. Автор: Андрей Алексеевич Нетяга,Нелли Михайловна Валуйская,Борис Семёнович Суковатых,Валерий Анатольевич Жуковский,Тамара Викторовна Мутова,Екатерина Васильевна Герасимчук. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Курский государственный медицинский университет" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2018-10-01.

Method of making implant for replacing defects of skull bones with gross cosmetic defects in temporal region and implant for replacing defects of skull bones with coarse cosmetic defects in temporal region

Номер патента: RU2740567C1. Автор: Вячеслав Владимирович Ступак,Сергей Валерьевич Мишинов,Николай Александрович Копорушко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Новосибирский научно-исследовательский институт травматологии и ортопедии им. Я.Л. Цивьяна" Министерства здравоохранения Российской Федерации (ФГБУ "ННИИТО им. Я.Л. Цивьяна" Минздрава России). Дата публикации: 2021-01-15.

Temporary implant for patients with infected defects in the maxillofacial region and a method for treating them using such an implant

Номер патента: RU2729929C1. Автор: Астемир Икрамович Шайхалиев,Михаил Сергеевич Краснов,Владимир Иосифович Лозинский,Евгений Валерьевич Коршаков,Ольга Юрьевна Колосова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт элементоорганических соединений им. А.Н. Несмеянова Российской академии наук (ИНЭОС РАН). Дата публикации: 2020-08-13.

Multivalent CD20-binding molecules comprising Shiga toxin A subunit effector regions and enriched compositions thereof

Номер патента: US10392425B2. Автор: Eric POMA,Erin WILLERT,Jack Higgins,Jason Kim,Jensing Liu,Rodney Flores-Lefranc. Владелец: Molecular Templates Inc. Дата публикации: 2019-08-27.

Composite material based on rottenstone of sukholozhskoye deposit of sverdlovsk region, and chopped straw

Номер патента: RU2555985C1. Автор: Георгий Автандилович Горгодзе,Сергей Сергеевич Радаев,Максим Валерьевич Кудоманов,Ольга Игоревна Селезнева,Наталья Зияфатовна Рясная,Константин Сергеевич Иванов,Юлия Александровна Алферова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тюменский государственный архитектурно-строительный университет". Дата публикации: 2015-07-10.

Apparatus for morphometry of the human cranio-maxillofacial region and registration of mandibular movement

Номер патента: RU2754290C1. Автор: Михаил Александрович Постников,Ксения Алексеевна Терехова,Денис Андреевич Кузнецов,Людмила Владимировна Буйницкая,Галина Викторовна Кузнецова,Николай Юрьевич Оборотистов. Владелец: Денис Андреевич Кузнецов. Дата публикации: 2021-08-31.

Biorestoration method for accelerated biological decomposition of petroleum hydrocarbons in sea ice-covered polar regions, and bacteria and enzyme mixture as agent for realising said method

Номер патента: RU2426698C2. Автор: Элизабет ХЕЛЬМКЕ,Бирте ГЕРДЕС,Ютта ЮРГЕНС,Кристине РОЙТЕР. Владелец: Штифтунг Альфред-Вегенер-Институт Фюр Полар-Унд Меересфоршунг. Дата публикации: 2011-08-20.

Touch panel including each touch controller for each divided region and liquid crystal display device using the same

Номер патента: US9092097B2. Автор: Hee-Kwang Kang,Deuk-Su Lee,Su-Chang An,Sung-Su Han. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-28.

Tissue treatment systems and methods having a porous substrate with a compressed region and an expanded region

Номер патента: CA2855972A1. Автор: Christopher Brian Locke,Timothy Mark Robinson. Владелец: Kci Licensing Inc. Дата публикации: 2013-05-23.

Bidet with separate units for washing the anal region, pudendal region and oral cavity

Номер патента: US6618865B1. Автор: Ki-chul Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-09-16.

Ion mobility detector having reactor region and drift region formed of insulative tubing having conductive field producing elements on outside of tubing

Номер патента: CA1292811C. Автор: Jacques Y. Landry,Lyle A. Davidson,George E. Vandrish. Владелец: Pylon Electronic Development Co Ltd. Дата публикации: 1991-12-03.

System and method of geospatially mapping topological regions and displaying their attributes

Номер патента: CA2418989A1. Автор: James J. Anderson. Владелец: LEADDOG CONSULTING LLC. Дата публикации: 2003-08-15.

Multifocal lens having a progressive optical power region and a discontinuity

Номер патента: CA2680870C. Автор: Ronald D. Blum,William Kokonaski,Joshua N. Haddock,Venkatramani S. Iyer,Mark-Mattison Shupnick. Владелец: PixelOptics Inc. Дата публикации: 2014-10-21.

Hinged Mounting for a Motor Vehicle Seat and with a Circular Blank

Номер патента: US20080315656A1. Автор: Burckhard Becker,Wilfried Beneker. Владелец: C Rob Hammerstein GmbH. Дата публикации: 2008-12-25.

Cleaning articles comprising a cellulosic fibrous structure having discrete low basis weight regions and an inverse emulsion

Номер патента: CA2295743C. Автор: David William Cabell,Steven Lee Barnholtz,Nicholas James Nissing. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2003-04-22.

Optical article comprising an antireflective coating with a low reflection both in the ultraviolet region and in the visible region

Номер патента: CA2820840C. Автор: Herve Cado,Olivier Pophillat,Francisco De Ayguavives. Владелец: Essilor International Compagnie Generale dOptique SA. Дата публикации: 2017-05-30.

Cleaning articles comprising a cellulosic fibrous structure having discrete low basis weight regions and an inverse emulsion

Номер патента: WO1999001536A1. Автор: David William Cabell,Steven Lee Barnholtz,Nicholas James Nissing. Владелец: The Procter & Gamble Company. Дата публикации: 1999-01-14.

Paper structure having at least three regions, and apparatus and process for making the same

Номер патента: CA2192316C. Автор: Paul Dennis Trokhan,Dean Van Phan. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2001-05-15.

Use of 1-(2-chloroethyl)-1-nitroso-3-(2-hydroxyethyl)-urea for the treatment of pancreatic cancer, soft-tissue sarcoma, testicular tumors, lymphoma, thymoma, wilm's tumors, renal carcinoma, melanoma, lung cancer, intracerebral metastasis, tumors in the head and neck region, and mammary carcinoma

Номер патента: CA2555746A1. Автор: Gerhard Eisenbrand. Владелец: Gerhard Eisenbrand. Дата публикации: 2004-09-10.

Hinged mounting for a motor vehicle seat and with a circular blank

Номер патента: US7837268B2. Автор: Burckhard Becker,Wilfried Beneker. Владелец: C Rob Hammerstein GmbH. Дата публикации: 2010-11-23.

A confectionery product having a salivation region and an oral comfort region

Номер патента: EP1372613A1. Автор: Kevin J. Stanton,Julie Ann Bratton,Sonia Hartunian-Sowa,Jean Lee,Nurhan P. Tutuncu. Владелец: Mars Inc. Дата публикации: 2004-01-02.

Monolithic ceramic body with mixed-oxide marginal region and metallic surface, method for producing it and use thereof

Номер патента: CA2816299C. Автор: Alexander Schreiner,Guenter Ruebig,Sorin Lenz,Christian Mahringer. Владелец: CeramOss GmbH. Дата публикации: 2015-12-22.

Super-abrasive material with enhanced attachment region and methods for formation and use thereof

Номер патента: CA2873053C. Автор: Gary E. Weaver,Ram L. Ladi. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2018-07-03.

Chimeric regulatory regions and gene cassettes for expression of genes in plants

Номер патента: CA2174954C. Автор: Stanton B. Gelvin,Randal Hauptmann,Min Ni,Decai Cui. Владелец: Biotechnology Research and Development Corp. Дата публикации: 2005-03-15.

Tissue treatment systems and methods having a porous substrate with a compressed region and an expanded region

Номер патента: WO2013074829A1. Автор: Christopher Brian Locke,Timothy Mark Robinson. Владелец: KCI Licensing, Inc.. Дата публикации: 2013-05-23.

Methods for drilling a wellbore within a subsurface region and drilling assemblies that include and/or utilize the methods

Номер патента: CA2940263C. Автор: Lei Wang,Jeffrey R. Bailey,Krishnan Kumaran,Paul E. Pastusek,Gregory S. Payette,Darren Pais,Benjamin Spivey. Владелец: ExxonMobil Upstream Research Co. Дата публикации: 2018-04-24.

Devices and cartridges for extracting bio-sample regions and molecules of interest

Номер патента: US11415492B2. Автор: Stephen Ritterbush,Ting Pau Oei. Владелец: XMD LLC. Дата публикации: 2022-08-16.

Method for Discriminating Textures Regions and Homogeneous or Flat Regions in an Image and Methods for Estimating Noise in an Image Sequence

Номер патента: US20090041373A1. Автор: Piergiorgio Sartor,Altfried Dilly,Oliver Erdler,Yalcin Incesu. Владелец: Sony Deutschland GmbH. Дата публикации: 2009-02-12.

Multifocal lens having a progressive optical power region and a discontinuity

Номер патента: US8092016B2. Автор: Ronald D. Blum,William Kokonaski,Joshua N. Haddock,Venkatramani S. Iyer,Mark Mattison-Shupnick. Владелец: PixelOptics Inc. Дата публикации: 2012-01-10.

Simplifying substrate for display panel with waveguide display region and driving of two display regions by one driving system

Номер патента: US11893952B2. Автор: YAO Lu,Long Wang,Liye Duan,Zongmin LIU,Mengjun Hou. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Artificial marble including opaque striped region and transparent base region

Номер патента: US20230406034A1. Автор: Donghee Kim,Yechan KIM,Junyoung Seo,Hongkwan CHO. Владелец: LX Hausys Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Anti-dengue virus antibodies, polypeptides containing variant fc regions, and methods of use

Номер патента: US20240018219A1. Автор: Zenjiro Sampei,Katja Fink,Xing'er Christine KOO,Roland ZUEST. Владелец: Agency for Science Technology and Research Singapore. Дата публикации: 2024-01-18.

Anti-Dengue Virus Antibodies, Polypeptides Containing Variant Fc Regions, and Methods of use

Номер патента: MY194289A. Автор: Sampei Zenjiro,Katja Fink,Xing'er Christine KOO,Roland ZUEST. Владелец: Agency Science Tech & Res. Дата публикации: 2022-11-26.

Anti-dengue virus antibodies, polypeptides containing variant Fc regions, and methods of use

Номер патента: AU2017326922B2. Автор: Zenjiro Sampei,Katja Fink,Xing'er Christine KOO,Roland ZUEST. Владелец: Agency for Science Technology and Research Singapore. Дата публикации: 2024-02-22.

Color film substrate comprising a support layer disposed on a side of a planarization layer away from a base in a non-display region and display device

Номер патента: US11829040B2. Автор: Lei Guo,Xianshu YU. Владелец: Hefei BOE Display Lighting Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Anti-myostatin antibodies, polypeptides containing variant Fc regions, and methods of use

Номер патента: AU2016372934B2. Автор: Tomoyuki Igawa,Yuji Hori,Taichi Kuramochi,Hitoshi KATADA. Владелец: Chugai Pharmaceutical Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Vehicle body roof region and method for fastening a roof surface part to a roof body structure

Номер патента: US11897545B2. Автор: Gwenole Zeo,Sven Ahrens. Владелец: BOS GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-02-13.

Lithium niobate having p-type nanowire region or n-type nanowire region and preparation method therefor, and method for converting carrier type thereof

Номер патента: EP4033013A1. Автор: Fang Bo,Xiaojie Wang,Guoquan Zhang,Jingjun Xu,Yuejian JIAO. Владелец: Nankai University. Дата публикации: 2022-07-27.

ISOLATION REGION, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001198A1. Автор: Zhu Huilong,Yin Haizhou,Luo Zhijiong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for growing silicon-germanium heterostructures

Номер патента: RU2407103C1. Автор: Владислав Васильевич Постников,Алексей Витальевич Новиков. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт физики микроструктур РАН (ИФМ РАН). Дата публикации: 2010-12-20.

Silicon-germanium-carbon compositions and processes thereof

Номер патента: CA2204394C. Автор: Li Ling,Mcdonald Robinson,Richard C. Westhoff,Charles E. Hunt,Ziv Atzmon. Владелец: Lawrence Semiconductor Research Laboratory Inc. Дата публикации: 2000-11-07.

Method for vacuum sputtering of structures for electronic devices, method of controlling dopant concentration when growing said structures and resistive source of vapour of sputtering material and dopant for realising said control method, and method for vacuum sputtering of silicon-germanium structures based on use of said vapour source

Номер патента: RU2511279C1. Автор: Виктор Павлович Кузнецов,Максим Викторович Кузнецов. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Нижегородский Государственный Университет Им. Н.И. Лобачевского". Дата публикации: 2014-04-10.

Arrangement of prefabricated reinforced concrete parapet of cantilever type in multi-storey attic-free building with continuous coupling of coating and wall insulator layers under cantilever part of parapet

Номер патента: RU2418923C1. Автор: Сергей Иванович Береснев,Евгений Сергеевич Береснев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Проектно-строительная компания "БЕйС и К". Дата публикации: 2011-05-20.

METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR REGION AND METHOD FOR MANUFACTURING POWER STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003807A1. Автор: SHIMAZU Takashi,FURUNO Makoto. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Composite material based on tripoli of sukholozhskoye deposit of sverdlovsk region and peat of gusevskoye deposit of tyumen region

Номер патента: RU2553735C1. Автор: Георгий Автандилович Горгодзе,Сергей Сергеевич Радаев,Максим Валерьевич Кудоманов,Ольга Игоревна Селезнева,Наталья Зияфатовна Рясная,Константин Сергеевич Иванов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тюменский государственный архитектурно-строительный университет". Дата публикации: 2015-06-20.

Composite material based on tripoli of sukholozhskoye deposit of sverdlovsk region and peat of gusevskoye deposit of tyumen region

Номер патента: RU2553746C1. Автор: Сергей Сергеевич Радаев,Максим Валерьевич Кудоманов,Константин Николаевич Илюхин,Ольга Игоревна Селезнева,Наталья Зияфатовна Рясная,Константин Сергеевич Иванов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тюменский государственный архитектурно-строительный университет". Дата публикации: 2015-06-20.

System for determining activity of voters during regional and federation level elections

Номер патента: RU2263955C2. Автор: В.Л. Арлазаров,А.Н. Романов,О.А. Славин,Б.Е. Демин. Владелец: ООО "Когнитивные технологии". Дата публикации: 2005-11-10.

Method for repairing soft tissue layer in orbital region and/or face surrounding areas

Номер патента: RU2562134C1. Автор: Марина Борисовна Гущина,Элеонора Валентиновна Егорова. Владелец: федеральное государственное бюджетное учреждение "Межотраслевой научно-технический комплекс "Микрохирургия глаза" имени академика С.Н. Федорова" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2015-09-10.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.