Memory Transistors with Buried Gate Electrodes
Номер патента: US20150340367A1
Опубликовано: 26-11-2015
Автор(ы): Kazutaka Manabe
Принадлежит: Longitude Semiconductor SARL
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 26-11-2015
Автор(ы): Kazutaka Manabe
Принадлежит: Longitude Semiconductor SARL
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Memory transistors with buried gate electrodes
Номер патента: US09472557B2. Автор: Kazutaka Manabe. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2016-10-18.