Memory Transistors with Buried Gate Electrodes

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Memory transistors with buried gate electrodes

Номер патента: US09472557B2. Автор: Kazutaka Manabe. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device having buried gate structure

Номер патента: US20240014278A1. Автор: Jhen-Yu Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor device having buried gate and manufacturing method thereof

Номер патента: US09508723B2. Автор: Sang Gon Lee,Sun Joo PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Dual work function buried gate-type transistor, method for forming the same, and electronic device including the same

Номер патента: US09431496B2. Автор: Dong-Kyun Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Transistor having tungsten-based buried gate structure, method for fabricating the same

Номер патента: US09449830B2. Автор: Dong-Kyun Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Methods of forming a transistor with an integrated metal silicide gate electrode

Номер патента: WO2005020282A3. Автор: Todd R Abbot. Владелец: Todd R Abbot. Дата публикации: 2006-02-09.

Methods of forming a transistor with an integrated metal silicide gate electrode

Номер патента: EP1656696B1. Автор: Todd R. Abbot. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-04-21.

Methods of forming a transistor with an integrated metal silicide gate electrode

Номер патента: WO2005020282A2. Автор: Todd R. Abbot. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2005-03-03.

Thin film transistor, with shaped base device, electronic apparatus and method of manufacturing thin film transistor

Номер патента: US10014324B2. Автор: Akiko Honjo. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-07-03.

2d materials with inverted gate electrode for high density 3d stacking

Номер патента: US20230231057A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor device having buried gate structure and method of fabricating the same

Номер патента: US09893069B2. Автор: Min-Hee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor structure having buried gate structure, method for manufacturing the same, and memory cell having the same

Номер патента: US09917167B2. Автор: Tae-Su JANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor structure having buried gate structure, method for manufacturing the same, and memory cell having the same

Номер патента: US09704961B2. Автор: Tae-Su JANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device including buried-gate MOS transistor with appropriate stress applied thereto

Номер патента: US09515183B2. Автор: Satoshi Inaba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor device having buried gate structure and method for fabricating the same

Номер патента: US10741643B2. Автор: Seong-Wan RYU. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-08-11.

Semiconductor device having buried gate structure and method for fabricating the same

Номер патента: US11923416B2. Автор: Seong-Wan RYU. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Semiconductor device having buried gate structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20200335584A1. Автор: Seong-Wan RYU. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-10-22.

Semiconductor device having buried gate structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20190259839A1. Автор: Seong-Wan RYU. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-08-22.

Semiconductor device having buried gate structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20240213320A1. Автор: Seong-Wan RYU. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device having buried gate structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20180130805A1. Автор: Min-Hee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-10.

Semiconductor device having buried gate structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20160343714A1. Автор: Min-Hee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-24.

Semiconductor device with buried gate and method for fabricating the same

Номер патента: US20130228859A1. Автор: Se-Aug Jang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-09-05.

Method for producing a gate electrode structure

Номер патента: US20120083081A1. Автор: Anton Mauder,Hans Weber,Kurt Sorschag,Roman Knoefler,Stefan Gamerith. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2012-04-05.

Semiconductor device having buried gate structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20230095446A1. Автор: Yoon Jae Nam. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-03-30.

Semiconductor devices having a non-volatile memory transistor and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20020146883A1. Автор: Tomoyuki Furuhata. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-10-10.

Stacked self-aligned transistors with single workfunction metal

Номер патента: US20200105891A1. Автор: Gilbert Dewey,Justin Weber,Willy Rachmady,Rishabh Mehandru,Aaron Lilak. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-04-02.

III-N transistors with epitaxial layers providing steep subthreshold swing

Номер патента: US09660067B2. Автор: Robert S. Chau,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Source-Down Transistor with Vertical Field Plate

Номер патента: US20210151596A1. Автор: Che-Yung Lin,Chiao-Shun Chuang. Владелец: Diodes Inc. Дата публикации: 2021-05-20.

High Electron Mobility Transistor with Varying Semiconductor Layer

Номер патента: US20190115462A1. Автор: Koon Hoo Teo,Nadim CHOWDHURY. Владелец: Mitsubishi Electric Research Laboratories Inc. Дата публикации: 2019-04-18.

Semiconductor device including gate electrode extending between nanosheets

Номер патента: US09825183B2. Автор: Jong Ho Lee,Geum Jong Bae,Ho Jun Kim,Sung Dae Suk. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Electronic device including a multiple channel HEMT and an insulated gate electrode

Номер патента: US09741840B1. Автор: Jia GUO,Peter Moens. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-08-22.

Tunnel field effect transistor with improved subthreshold swing

Номер патента: EP2309544A3. Автор: Anne S. Verhulst. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2012-10-10.

Semiconductor device having mid-gap work function metal gate electrode

Номер патента: US09461132B2. Автор: Dong-won Kim,Il-Ryong Kim,Keon-Yong Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Field effect transistor with lightly doped drain

Номер патента: GB2291741A. Автор: Byung Jin Cho. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1996-01-31.

Buried gate preparation method and semiconductor device preparation method

Номер патента: EP3933889A1. Автор: Er-Xuan Ping,Jie Bai,Mengmeng Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-01-05.

Unitary floating-gate electrode with both N-type and P-type gates

Номер патента: US8716083B2. Автор: Allan T. Mitchell,Michael A. Wu,Imran Mahmood Khan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-05-06.

Unitary Floating-Gate Electrode with Both N-Type and P-Type Gates

Номер патента: US20120244671A1. Автор: Allan T. Mitchell,Michael A. Wu,Imran Mahmood Khan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2012-09-27.

Transistor with an offset gate structure

Номер патента: US5430313A. Автор: Tomohisa Mizuno,Jumpei Kumagai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1995-07-04.

Dishing prevention structure embedded in a gate electrode

Номер патента: US20230094853A1. Автор: Ta-Wei Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

Nanosheet transistors with different gate materials in same stack and method of making

Номер патента: US11776856B2. Автор: Anirban Roy,Mark Douglas Hall,Tushar Praful Merchant. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-10-03.

Three-dimensional semiconductor devices including gate electrodes

Номер патента: US10468433B2. Автор: Kwang Soo Kim,Jae Duk Lee,Young Jin JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-11-05.

Dishing prevention structure embedded in a gate electrode

Номер патента: US20210043463A1. Автор: Ta-Wei Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-11.

Dishing prevention structure embedded in a gate electrode

Номер патента: US20220068660A1. Автор: Ta-Wei Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Field effect transistors with negative capacitance layers

Номер патента: US20230378317A1. Автор: Chan-Lon Yang,Keh-Jeng Chang,Chansyun David Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Field effect transistors with negative capacitance layers

Номер патента: US20220013652A1. Автор: Chan-Lon Yang,Keh-Jeng Chang,Chansyun David Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-13.

Field effect transistors with negative capacitance layers

Номер патента: US11769818B2. Автор: Chan-Lon Yang,Keh-Jeng Chang,Chansyun David Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Field effect transistors with negative capacitance layers

Номер патента: US12027605B2. Автор: Chan-Lon Yang,Keh-Jeng Chang,Chansyun David Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Thin film transistor with selectively doped oxide thin film

Номер патента: US20190305133A1. Автор: Gilbert Dewey,Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Jack Kavalieros,Van Le. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-10-03.

Transistor with fin structure and nanosheet and fabricating method of the same

Номер патента: US20240162291A1. Автор: Yu-Ming Lin,Cheng-Tung Huang,Ching-In Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Trench DMOS transistor with reduced gate-to-drain capacitance

Номер патента: US09716167B2. Автор: Yaojian Leng,Richard Wendell Foote, Jr.,Steven J. Adler. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device with buried gate structures and method for preparing the same

Номер патента: US20240088248A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Field-effect transistors with buried gates and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20200312970A1. Автор: Paul Fischer,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

Method for fabricating hydrogen treated surface of semiconductor device with buried gate

Номер патента: US11929410B2. Автор: Jin Woong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Semiconductor device having buried gate electrode structures

Номер патента: US20150145029A1. Автор: Marko Lemke,Rolf Weis,Stefan Tegen. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2015-05-28.

Method of manufacturing semiconductor device having buried gate electrodes

Номер патента: US20210183689A1. Автор: Ki-Bum Lee,Yun-Jung Kim,Byung-jae Kang,Se-min Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-17.

Method of manufacturing semiconductor device having buried gate electrodes

Номер патента: US20200243375A1. Автор: Ki-Bum Lee,Yun-Jung Kim,Byung-jae Kang,Se-min Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-30.

Dual work function buried gate type transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US09704988B2. Автор: Tae-Kyung Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device including buried gate structure and method for fabricating the same

Номер патента: US11943912B2. Автор: Dong-Soo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Method for manufacturing semiconductor device having buried gate structure

Номер патента: US20240015947A1. Автор: Jhen-Yu Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

Transistor device with buried field electrode connection

Номер патента: US20220052164A1. Автор: Robert Paul Haase. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2022-02-17.

Transistor device with buried field electrode connection

Номер патента: EP3955316A3. Автор: Robert Haase. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2022-07-06.

Vertical-transport field-effect transistors with a damascene gate strap

Номер патента: US09911738B1. Автор: Brent A. Anderson,Junli Wang,Kwan-Yong Lim,Hiroaki Niimi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

HEMT transistor with adjusted gate-source distance, and manufacturing method thereof

Номер патента: US12062715B2. Автор: Ferdinando Iucolano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-08-13.

Transistor with charge enhanced field plate structure and method

Номер патента: US09972703B2. Автор: James A. Teplik,Jenn Hwa Huang. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Transistor with charge enhanced field plate structure and method

Номер патента: US09425267B2. Автор: James A. Teplik,Jenn Hwa Huang. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-08-23.

Transistors with temperature compensating gate structures

Номер патента: US20190355826A1. Автор: Ian A. Young,Uygar E. Avci,Daniel H. Morris. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-11-21.

Fabricating method for a thin film transistor with a negatively sloped gate

Номер патента: US5766988A. Автор: Jong Moon Choi,Seok Won Cho. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1998-06-16.

Field effect transistor having an asymmetric gate electrode

Номер патента: US20120104513A1. Автор: Huilong Zhu,Qingqing Liang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-05-03.

Vertical slit transistor with optimized AC performance

Номер патента: US09515180B2. Автор: Qing Liu,Xiuyu Cai,Ruilong Xie,Chun-Chen Yeh. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-12-06.

MOS transistor with varying channel width

Номер патента: US09484435B2. Автор: Tathagata Chatterjee,Gabriel J. Gomez,Henry Litzmann Edwards,Mohamed Kamel Mahmoud. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Thin film transistor with three dimensional multichannel structure

Номер патента: US5338959A. Автор: Weonkeun Kim,Chulsoo Kim,Jeongin Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1994-08-16.

Vertical thin film transistor with dual gate electrodes

Номер патента: US20240113191A1. Автор: Chong Uk Lee. Владелец: Solsona Enterprise LLC. Дата публикации: 2024-04-04.

HEMT with a metal film between the gate electrode and the drain electrode

Номер патента: US09548383B2. Автор: Kozo Makiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Graphene transistors with self-aligned gates

Номер патента: US20130302963A1. Автор: Ali Afzali-Ardakani,Yu Zhu,Phaedon Avouris,Yu-Ming Lin,Damon B. Farmer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-14.

Vertical transistors with gate connection grid

Номер патента: EP4278387A1. Автор: Thomas Neyer,Herbert DE VLEESCHOUWER,Fredrik Allerstam. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2023-11-22.

Vertical transistors with gate connection grid

Номер патента: WO2022192830A1. Автор: Thomas Neyer,Herbert DE VLEESCHOUWER,Fredrik Allerstam. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2022-09-15.

Semiconductor device having first and second gate electrodes

Номер патента: US09899503B2. Автор: Akio Nakagawa,Manabu Takei,Yusuke Kobayashi,Yuichi Onozawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Nanowire transistor with underlayer etch stops

Номер патента: US09385221B2. Автор: Anand Murthy,Seiyon Kim,Daniel Aubertine,Kelin Kuhn. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-07-05.

High electron mobility transistor with improved barrier layer

Номер патента: US11894453B2. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Method for manufacturing high electron mobility transistor with at least two barrier layers

Номер патента: US11462636B2. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-10-04.

Normally-off iii-nitride transistors with high threshold-voltage and low on-resistance

Номер патента: EP3055885A1. Автор: Rongming Chu,David F. Brown,Adam J. Williams. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2016-08-17.

Transistor with charge enhanced field plate structure and method

Номер патента: US20160343833A1. Автор: James A. Teplik,Jenn Hwa Huang. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2016-11-24.

High electron mobility transistor with improved barrier layer

Номер патента: US20240120416A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor device having air gap between gate electrode and source/drain pattern

Номер патента: US12046632B2. Автор: Seung Hun Lee,Haejun YU,Kyungin Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

FinFET Device with Gate Electrode and Spacers

Номер патента: US20090114979A1. Автор: Thomas Schulz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-05-07.

Transistor with notched gate

Номер патента: GB2359193A. Автор: Charles Chu,Thomas Letson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2001-08-15.

Iii-nitride transistor with non-uniform channel regions

Номер патента: US20220216304A1. Автор: Bin Lu. Владелец: Finwave Semiconductor Inc. Дата публикации: 2022-07-07.

Gate electrode layout

Номер патента: US20200258992A1. Автор: Hirokazu Matsumoto,Makoto Sato,Ryota Suzuki. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-13.

Gate electrode layout

Номер патента: WO2020167788A1. Автор: Hirokazu Matsumoto,Makoto Sato,Ryota Suzuki. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-08-20.

Transistor gate electrodes with voids

Номер патента: US12087839B2. Автор: Shahaji B. More,Chandrashekhar Prakash SAVANT. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor devices with selectively doped gate electrode structure

Номер патента: US20240363748A1. Автор: Pinghai Hao,Henry Litzmann Edwards,Dhanoop Varghese. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor devices with selectively doped gate electrode structure

Номер патента: WO2024228783A1. Автор: Pinghai Hao,Henry Litzmann Edwards,Dhanoop Varghese. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2024-11-07.

Transistor including a gate electrode extending all around one or more channel regions

Номер патента: US09443945B2. Автор: Jan Hoentschel,Stefan Flachowsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Thin film transistors with offset source and drain structures and process for forming such

Номер патента: US11929415B2. Автор: Bernhard Sell,Pei-Hua Wang,Chieh-Jen Ku,Travis W. LaJoie. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-12.

Field effect transistor having an asymmetric gate electrode

Номер патента: US20130178056A1. Автор: Huilong Zhu,Qingqing Liang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-07-11.

Method of producing a t-shaped gate electrode

Номер патента: US5139968A. Автор: Takuji Sonoda,Iwao Hayase. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1992-08-18.

Manufacturing method for semiconductor device having a T-type gate electrode

Номер патента: US20060009032A1. Автор: So Suzuki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-01-12.

Semiconductor device with metal-filled groove in polysilicon gate electrode

Номер патента: US09768290B2. Автор: Ralf Siemieniec,Oliver Blank,Li Juin Yip. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-09-19.

Transistor with a low-k sidewall spacer and method of making same

Номер патента: US09666679B2. Автор: DANIEL Benoit,Clement Gaumer. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2017-05-30.

Recessed access devices and gate electrodes

Номер патента: US09502516B2. Автор: Kunal R. Parekh,Casey Smith,Jasper S. Gibbons,Darren V. Young. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Thin film transistors with raised source and drain contacts and process for forming such

Номер патента: US11908911B2. Автор: Bernhard Sell,Pei-Hua Wang,Chieh-Jen Ku. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Method for forming a gate electrode

Номер патента: US20120135594A1. Автор: ZHONGSHAN Hong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp. Дата публикации: 2012-05-31.

High voltage semiconductor device including a doped gate electrode

Номер патента: US11908916B2. Автор: Yu Shin RYU,Soon Yeol PARK,Yoon Hyung KIM. Владелец: SK Hynix System IC Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Structure and method for forming trench gate transistors with low gate resistance

Номер патента: WO2009079473A1. Автор: James Pan. Владелец: Fairchild Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2009-06-25.

Methods of fabricating transistors including supported gate electrodes and related devices

Номер патента: CA2634068C. Автор: Scott Allen,Scott Thomas Sheppard,Richard Peter Smith. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2015-06-30.

Semiconductor device with increased distance between channel edges and a gate electrode

Номер патента: US5747828A. Автор: Masahiro Adachi,Takashi Funai,Akihiro Hata. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1998-05-05.

Extended-drain metal-oxide-semiconductor devices with a notched gate electrode

Номер патента: US11791392B2. Автор: Upinder Singh,Bong Woong Mun,Jeoung Mo KOO. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor device having a gate electrode embedded in a trench

Номер патента: US10263076B2. Автор: Mitsuhiro Yoshimura,Masahiro HATAKENAKA. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2019-04-16.

Semiconductor device with a gate electrode positioned in a semiconductor substrate

Номер патента: US10319831B2. Автор: Toru Onishi,Tomoharu IKEDA,Shuhei Oki,Rahman MD. TASBIR. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2019-06-11.

Dummy Gate Electrode of Semiconductor Device

Номер патента: US20140349473A1. Автор: MING-CHING Chang,Chih-Han Lin,Jr-Jung LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-11-27.

Method of determining thickness of memory gate electrode during device manufacture

Номер патента: US11676870B2. Автор: Hiroaki Mizushima,Kounosuke TATEISHI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-06-13.

Semiconductor device with low concentration opposite type doping drain end gate electrode

Номер патента: WO2024226119A1. Автор: Henry Litzmann Edwards. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2024-10-31.

Method of fabricating dual gate electrode of CMOS semiconductor device

Номер патента: US7402478B2. Автор: Tae-Hyun AN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-22.

Semiconductor Device with Metal-Filled Groove in Polysilicon Gate Electrode

Номер патента: US20150295078A1. Автор: Ralf Siemieniec,Oliver Blank,Li Juin Yip. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2015-10-15.

Method for forming semiconductor device structure with gate electrode layer

Номер патента: US20210183707A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Jin-Aun Ng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Field effect transistors with gate fins and method of making the same

Номер патента: US12015084B2. Автор: Takashi Kobayashi,Mitsuhiro Togo,Sudarshan Narayanan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-18.

Transistor with pi-gate structure and method for producing the same

Номер патента: US20020063293A1. Автор: Yeon-Sik Chae,Jin-Koo Rhee,Hyun-Sik Park,Dan An. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-30.

Nanoribbon-based transistor with uniform oxide

Номер патента: EP4451340A1. Автор: Robin Chao,Siddharth Gupta,Biswajeet Guha,Aravind Killampalli,Jay Prakash Gupta. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-23.

Nanoribbon-based transistor with uniform oxide

Номер патента: US20240355876A1. Автор: Robin Chao,Siddharth Gupta,Biswajeet Guha,Aravind Killampalli,Jay Prakash Gupta. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Transistor arrangement and method for producing a transistor with a fin structure

Номер патента: US20240128358A1. Автор: Daniel Krebs,Jens Baringhaus. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-04-18.

Transistor with low leakage currents and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240266438A1. Автор: Chao-Chun Lu,Weng-Dah Ken. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Bipolar transistor with self-aligned asymmetric spacer

Номер патента: US20230268401A1. Автор: Hong Yu,Vibhor Jain,Jianwei PENG. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Gate-all-around field-effect transistor with extended source/drain

Номер патента: US20240282839A1. Автор: Sang Uk LEE,Rock-Hyun Baek. Владелец: POSTECH Research and Business Development Foundation. Дата публикации: 2024-08-22.

High-voltage vertical transistor with a multi-layered extended drain structure

Номер патента: US20030197220A1. Автор: Donald Disney. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2003-10-23.

Bipolar transistor with self-aligned asymmetric spacer

Номер патента: US11935928B2. Автор: Hong Yu,Vibhor Jain,Jianwei PENG. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Field-effect transistors with asymmetric gate stacks

Номер патента: US11515424B2. Автор: Bernhard Sell,Qiang Yu,Mark Armstrong,Hyung-Jin Lee,Saurabh MORARKA,Said Rami,Guannan Liu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-11-29.

Transistor with inner-gate spacer

Номер патента: US20200006509A1. Автор: Chia-Hong Jan,Joodong Park,Chen-Guan LEE,Jui-Yen Lin,En-Shao LIU. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Transistor with monocrystalline base structures

Номер патента: US11855173B2. Автор: Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Ljubo Radic,Jay Paul John,James Albert Kirchgessner. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device with buried gate and method for fabricating the same

Номер патента: US8975173B2. Автор: Jong-Han Shin,Bo-Min Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-03-10.

MOS field-effect transistor with modified gate

Номер патента: US10629640B2. Автор: Masaaki Bairo. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2020-04-21.

Methods of forming a transistor with an integrated metal silicide gate electrode

Номер патента: TW200511572A. Автор: Todd R Abbott. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-03-16.

Methods of forming a transistor with an integrated metal silicide gate electrode

Номер патента: TWI245418B. Автор: Todd R Abbott. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-12-11.

METHOD FOR FORMING A TRANSISTOR WITH AN INTEGRATED METAL SILICIDE GATE ELECTRODE

Номер патента: DE602004026737D1. Автор: Todd R Abbot. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-06-02.

High linearity fet with buried gate structures and tapered channel layer

Номер патента: US20230411505A1. Автор: Keisuke Shinohara,Casey King,Dean Regan. Владелец: Teledyne Scientific and Imaging LLC. Дата публикации: 2023-12-21.

Transistors with selectively landed gate array

Номер патента: WO2024102579A3. Автор: Krister Gumaelius,Jimmy Robert Hannes FRANCHI,Jaein An. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2024-07-11.

Transistors with selectively landed gate array

Номер патента: WO2024102579A9. Автор: Krister Gumaelius,Jimmy Robert Hannes FRANCHI,Jaein An. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2024-10-10.

Thin film transistor with concave region in the gate insulating layer thereof

Номер патента: US8766264B2. Автор: Jianfeng Yuan. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-01.

Field-effect transistors with laterally-serpentine gates

Номер патента: US20200357889A1. Автор: Anthony K. Stamper,Steven M. Shank,Siva P. Adusumilli,Michel J. Abou-Khalil. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2020-11-12.

Dishing prevention structure embedded in a gate electrode

Номер патента: US12142488B2. Автор: Ta-Wei Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Transistors with selectively landed gate array

Номер патента: WO2024102579A2. Автор: Krister Gumaelius,Jimmy Robert Hannes FRANCHI,Jaein An. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2024-05-16.

Transistors with selectively landed gate array

Номер патента: US20240153850A1. Автор: Krister Gumaelius,Jimmy Robert Hannes FRANCHI,Jaein An. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-05-09.

Buried gate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230140073A1. Автор: GuangSu SHAO,Yong Gun KIM,Cheong Soo Kim,Xianrui HU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-04.

Wide bandgap transistor layout with l-shaped gate electrodes

Номер патента: US20240113169A1. Автор: Guillaume Alexandre Blin. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Double gate field effect transistor with diamond film

Номер патента: US7244963B2. Автор: Kramadhati V. Ravi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2007-07-17.

Wide bandgap transistor layout with staggered gate electrode fingers and split active regions

Номер патента: US20240113190A1. Автор: Yu Zhu,Guillaume Alexandre Blin. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Wide bandgap transistor layout with unequal gate electrode finger widths

Номер патента: US20240113168A1. Автор: Guillaume Alexandre Blin. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Wide bandgap transistor layout with staggered gate electrode fingers

Номер патента: US20240113181A1. Автор: Guillaume Alexandre Blin. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Field-effect transistors with vertically-serpentine gates

Номер патента: US20200357892A1. Автор: Anthony K. Stamper,Steven M. Shank,Siva P. Adusumilli. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2020-11-12.

Cascode amplifier structures including wide bandgap field effect transistor with field plates

Номер патента: US7126426B2. Автор: Primit Parikh,Umesh Mishra,Yifeng Wu. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2006-10-24.

Fet with buried gate structure

Номер патента: US20190013386A1. Автор: Keisuke Shinohara,Casey King,Miguel Urteaga,Andy Carter. Владелец: Teledyne Scientific and Imaging LLC. Дата публикации: 2019-01-10.

Fet with buried gate structure

Номер патента: EP3649674A1. Автор: Keisuke Shinohara,Casey King,Miguel Urteaga,Andy Carter. Владелец: Teledyne Scientific and Imaging LLC. Дата публикации: 2020-05-13.

Fet with buried gate structure

Номер патента: WO2019010313A1. Автор: Keisuke Shinohara,Casey King,Miguel Urteaga,Andy Carter. Владелец: TELEDYNE SCIENTIFIC & IMAGING, LLC. Дата публикации: 2019-01-10.

Semiconductor device having buried gate structure and method of fabricating the same

Номер патента: US09437697B2. Автор: Min-Hee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device having buried gate structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20150340453A1. Автор: Min-Hee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-11-26.

Thin film transistor with improved carrier mobilty

Номер патента: US09831348B2. Автор: Yung-Ching Wang. Владелец: Hannstar Display Nanjing Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Vertical thin film transistor with single gate electrode with micro-perforations

Номер патента: US11881515B2. Автор: Chong Uk Lee. Владелец: Solsona Enterprise LLC. Дата публикации: 2024-01-23.

Vertical thin film transistor with perforated or comb-gate electrode configuration

Номер патента: US20200006506A1. Автор: Kenji Nomura,Chong Uk Lee. Владелец: Solsona Enterprise LLC. Дата публикации: 2020-01-02.

Process for producing an MOS field effect transistor with a recombination zone

Номер патента: US20020081785A1. Автор: Friedrich Kröner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-06-27.

Semiconductor device having through hole, source and gate electrode structures

Номер патента: US20190165097A1. Автор: Shinji Kudoh,Shunsuke Fukunaga,Taro Kondo. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Semiconductor device comprising a first gate electrode and a second gate electrode

Номер патента: US09985126B2. Автор: Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-29.

Lateral gate electrode TFT switch and liquid crystal display device

Номер патента: US09508860B2. Автор: Yuejun TANG. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Gate electrode with a shrink spacer

Номер патента: US20150091068A1. Автор: Sven Beyer,Alexander Ebermann,Tom Hasche,Gerhard Lembach. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-04-02.

Semiconductor device including a floating gate electrode having stacked structure

Номер патента: US20080171429A1. Автор: Kazuo Hatakeyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-17.

Method for manufacturing buried gate and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11862697B2. Автор: Er-Xuan Ping,Jie Bai,Mengmeng Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Transistor with quantum dots in its tunnelling layer

Номер патента: EP1704598A1. Автор: Cornelis Reinder Ronda,Stefan Peter Grabowski. Владелец: Philips Intellectual Property and Standards GmbH. Дата публикации: 2006-09-27.

Power semiconductor device with an insulated trench gate electrode

Номер патента: US20240021670A1. Автор: Marco Bellini,Lars Knoll,Gianpaolo Romano. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2024-01-18.

Biopolar transistor with a low saturation voltage

Номер патента: EP1654766A1. Автор: David Casey. Владелец: Zetex PLC. Дата публикации: 2006-05-10.

Semiconductor device with buried gate structures

Номер патента: US20240088249A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Method of making a self-aligned ferroelectric memory transistor

Номер патента: US20030071292A1. Автор: Tingkai Li,Sheng Hsu,Fengyan Zhang. Владелец: SHENG LABORATORIES OF AMERICA Inc. Дата публикации: 2003-04-17.

Semiconductor device having a buried gate and method for forming the same

Номер патента: US8536644B2. Автор: Hae Il SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-09-17.

Method of manufacturing semiconductor structure having multi-work function gate electrode

Номер патента: US11943913B2. Автор: Kai Jen,Te-Hsuan Peng,Mei-Yuan CHOU. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

Method of making a semiconductor device having a gate electrode with an hourglass shape

Номер патента: US7091094B2. Автор: Jeong-Hwan Son,Hyeong-Mo Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-08-15.

Semiconductor device with shared contact hole for gate electrode and drain region

Номер патента: EP2075831A3. Автор: Masahiko Renesas Technology Corp. Takeuchi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-09-01.

Nonvolatile semiconductor storage device having silicide in control gate electrode

Номер патента: US7705393B2. Автор: Shoichi Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-04-27.

METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR ARRANGEMENT WITH AT LEAST ONE FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH AT LEAST ONE INSULATED GATE ELECTRODE

Номер патента: ATA994272A. Автор: . Владелец: Philips Nv. Дата публикации: 1975-08-15.

Power MOS device with buried gate

Номер патента: US20030011027A1. Автор: Jun Zeng,Christopher Kocon,Gary Dolny,Linda Brush. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-16.

High Voltage Laterally Diffused MOSFET with Buried Field Shield and Method to Fabricate Same

Номер патента: US20180047817A1. Автор: Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

High Voltage Laterally Diffused MOSFET With Buried Field Shield and Method to Fabricate Same

Номер патента: US20180012966A1. Автор: Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-11.

High Voltage Laterally Diffused MOSFET with Buried Field Shield and Method to Fabricate Same

Номер патента: US20180047816A1. Автор: Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

High voltage laterally diffused MOSFET with buried field shield and method to fabricate same

Номер патента: US10170567B2. Автор: Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-01-01.

High Voltage Laterally Diffused MOSFET with Buried Field Shield and Method to Fabricate Same

Номер патента: US20180061953A1. Автор: Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-01.

High voltage laterally diffused MOSFET with buried field shield and method to fabricate same

Номер патента: US10170568B2. Автор: Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-01-01.

SiC Device with Buried Doped Region

Номер патента: US20200058760A1. Автор: Romain Esteve,Ravi Keshav Joshi,Rudolf Elpelt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-02-20.

Transistor with improved avalanche breakdown behavior

Номер патента: US09673320B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-06-06.

Intra-gate offset high voltage thin film transistor with misalignment immunity

Номер патента: US4907041A. Автор: Tiao-Yuan Huang. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 1990-03-06.

Power transistor with increased avalanche current and energy rating

Номер патента: US10217847B2. Автор: Kyoung Wook SEOK. Владелец: IXYS LLC. Дата публикации: 2019-02-26.

Power transistor with increased avalanche current and energy rating

Номер патента: US20120168861A1. Автор: Kyoung Wook SEOK. Владелец: IXYS LLC. Дата публикации: 2012-07-05.

High-electron-mobility transistor with high voltage endurance capability and preparation method thereof

Номер патента: US20210066481A1. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

High electron mobility transistor with reverse arrangement of channel layer and barrier layer

Номер патента: US20190334023A1. Автор: Ken Nakata. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

High electron mobility transistor with reverse arrangement of channel layer and barrier layer

Номер патента: US20200373423A1. Автор: Ken Nakata. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2020-11-26.

Field-effect transistors with deposited gate dielectric layers

Номер патента: EP4421878A1. Автор: Francois Hebert,James A. Cooper,Hema Lata Rao MADDI. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

Fully silicided gate electrodes and method of making the same

Номер патента: WO2008014038A1. Автор: Kern Rim,William K. Henson. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2008-01-31.

Field-effect transistors with deposited gate dielectric layers

Номер патента: US20240290879A1. Автор: Francois Hebert,James A. Cooper,Hema Lata Rao MADDI. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Methods of Forming CMOS Transistors with High Conductivity Gate Electrodes

Номер патента: US20110136313A1. Автор: JongWon Lee,Boun Yoon,Sang Yeob Han,Chae Lyoung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-06-09.

A semiconductor device with an improved gate electrode pattern and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20020030236A1. Автор: Hisato Oyamatsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-14.

Method of fabricating a top-gate type thin film transistor with dangling bonds of silicon partly combined with hydrogen

Номер патента: US5888856A. Автор: Koji Hamada. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-03-30.

Power transistor with increased avalanche current and energy rating

Номер патента: US20140273384A1. Автор: Kyoung Wook SEOK. Владелец: IXYS LLC. Дата публикации: 2014-09-18.

Semiconductor device having gate electrode and electronic system including the same

Номер патента: EP3968386A1. Автор: SANGHOON Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-16.

Method for manufacturing semiconductor device including metal gate electrode and semiconductor device

Номер патента: US20090321842A1. Автор: Yoshihisa Matsubara. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-12-31.

Multi-step process for patterning a metal gate electrode

Номер патента: US20060115972A1. Автор: Antonio Rotondaro,Trace Hurd,Deborah Riley. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2006-06-01.

Field effect transistor with a hybrid gate spacer including a low-k dielectric material

Номер патента: US11908940B2. Автор: Szuya S. LIAO,Pratik A. Patel. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Transistors with source-connected field plates

Номер патента: EP4199104A2. Автор: Bernhard Grote,Anthony Ciancio,Lawrence Scott Klingbeil,Fred Reece Clayton,Congyong ZHU. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-06-21.

Transistors with source-connected field plates

Номер патента: EP4199104A3. Автор: Bernhard Grote,Anthony Ciancio,Lawrence Scott Klingbeil,Fred Reece Clayton,Congyong ZHU. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-10-18.

Transistor with airgap spacer

Номер патента: EP3326206A1. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Joodong Park,Chen-Guan LEE,En-Shao LIU,Everett S. CASSIDY-COMFORT. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-05-30.

Transistor with airgap spacer

Номер патента: US20180197966A1. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Joodong Park,Chen-Guan LEE,En-Shao LIU,Everett S. CASSIDY-COMFORT. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-07-12.

Semiconductor device having gate electrode and electronic system including the same

Номер патента: US20220085047A1. Автор: SANGHOON Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor device having gate electrode with multi-layers and electronic system including the same

Номер патента: US11937431B2. Автор: SANGHOON Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor device with reduced stress applied to gate electrode

Номер патента: US5448096A. Автор: Yasutaka Kohno. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-09-05.

Semiconductor device with low concentration opposite type doping drain end gate electrode

Номер патента: US20240363720A1. Автор: Henry Litzmann Edwards. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Methods of forming semiconductor device having gate electrode

Номер патента: US09627207B2. Автор: DongSuk Shin,Jeongmin Lee,Juyeon KIM,Sunguk JANG,Hosung SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device having a low-resistance gate electrode

Номер патента: US20050020045A1. Автор: Tetsuya Taguwa. Владелец: Tetsuya Taguwa. Дата публикации: 2005-01-27.

Semiconductor device comprising a gate electrode

Номер патента: WO2006112080A1. Автор: Takeshi Watanabe. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2006-10-26.

Method of forming high-K gate electrode structures after transistor fabrication

Номер патента: GB2468445A. Автор: Andy Wei,Andrew M Waite. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2010-09-08.

Methods of forming semiconductor device having gate electrode

Номер патента: US20160133728A1. Автор: DongSuk Shin,Jeongmin Lee,Juyeon KIM,Sunguk JANG,Hosung SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-12.

Method of fabricating a metal-oxide-semiconductor transistor with a metal gate

Номер патента: US6080646A. Автор: Kun-Chih Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-06-27.

Lateral bipolar transistor with gated collector

Номер патента: US11935923B2. Автор: Vibhor Jain,Judson R. Holt,Jagar Singh,Alexander Derrickson,Mankyu Yang. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Bipolar transistor with collector contact

Номер патента: US11935927B2. Автор: Hong Yu,Vibhor Jain. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Thin film transistor with low contact resistance

Номер патента: RU2662945C1. Автор: Дуи Ву ФАМ,Ко Хуэй СУ. Владелец: Эвоник Дегусса Гмбх. Дата публикации: 2018-07-31.

Method for forming a thin film transistor with a lightly doped drain structure

Номер патента: US20020012883A1. Автор: Chih-Chang Chen,Ji-ho Kung. Владелец: Hannstar Display Corp. Дата публикации: 2002-01-31.

Method for forming semiconductor device with buried gate structure

Номер патента: US20210358798A1. Автор: Chun-Chi Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-18.

Integrated circuits with selective gate electrode recess

Номер патента: US09418898B2. Автор: Christopher J. WIEGAND,Michael L. Hattendorf,Mark Y. Liu,Srijit Mukherjee,Tyler J WEEKS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Transistor with minimal hot electron injection

Номер патента: US20020151146A1. Автор: Dominik Schmidt. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-17.

Integrated circuits with recessed gate electrodes

Номер патента: US10651093B2. Автор: Christopher J. WIEGAND,Michael L. Hattendorf,Mark Y. Liu,Srijit Mukherjee,Tyler J. Weeks. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-05-12.

Sram integrated circuits with buried saddle-shaped finfet and methods for their fabrication

Номер патента: US20140042551A1. Автор: Peter Baars,Matthias Goldbach. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-02-13.

Metal oxide semiconductor field-effect transistor with metal source region

Номер патента: US4631563A. Автор: Tetsuya Iizuka. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1986-12-23.

Work Function Layers For Transistor Gate Electrodes

Номер патента: US20240363711A1. Автор: Huang-Lin Chao,Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang,Chun-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Work function layers for transistor gate electrodes

Номер патента: US12132091B2. Автор: Huang-Lin Chao,Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang,Chun-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device having gate electrodes with dopant of different conductive types

Номер патента: US20230411488A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Method for forming fully silicided gate electrodes and unsilicided poly resistors

Номер патента: SG152242A1. Автор: Chih-Hao Wang,Steve Ming Ting. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2009-05-29.

Semiconductor device including a gate electrode

Номер патента: US20160027915A1. Автор: Il Woong KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-01-28.

Method of manufacturing semiconductor device having gate electrodes with dopant of different conductive types

Номер патента: US20230411395A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Finfet including a gate electrode having an impurity region and methods of forming the finfet

Номер патента: US20230028496A1. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-01-26.

Cap removal for gate electrode structures with reduced complexity

Номер патента: US20190326409A1. Автор: Peter Baars,Hans-Juergen Thees. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Ldmos transistor with implant alignment spacers

Номер патента: US20230231034A1. Автор: Hernan Rueda,Martin Garcia,Rodney Arlan Barksdale,Stephen C. Chew,Wayne Geoffrey Risner. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

LDMOS transistor with implant alignment spacers

Номер патента: US12132099B2. Автор: Hernan Rueda,Martin Garcia,Rodney Arlan Barksdale,Stephen C. Chew,Wayne Geoffrey Risner. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Deep collector vertical bipolar transistor with enhanced gain

Номер патента: US20160079364A1. Автор: Alwin J. Tsao,Amitava Chatterjee,Xiang-Zheng Bo,Brian E. Hornung. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-03-17.

High voltage lateral DMOS transistor with optimized source-side blocking capability

Номер патента: US09831320B2. Автор: Sameer Pendharkar,Marie Denison,Philip Leland HOWER. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

High voltage lateral DMOS transistor with optimized source-side blocking capability

Номер патента: US09793375B2. Автор: Sameer Pendharkar,Marie Denison,Philip Leland HOWER. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Low cost demos transistor with improved CHC immunity

Номер патента: US09577094B2. Автор: Amitava Chatterjee,Kaiping Liu,Shaoping Tang,Imran Mahmood Khan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Deep collector vertical bipolar transistor with enhanced gain

Номер патента: US09397164B2. Автор: Alwin J. Tsao,Amitava Chatterjee,Xiang-Zheng Bo,Brian E. Hornung. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-07-19.

Transistor with current terminal regions and channel region in layer over dielectric

Номер патента: US20230420546A1. Автор: Petrus Hubertus Cornelis Magnee,Jay Paul John. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Field effect transistors with self-aligned metal plugs and methods

Номер патента: US20200035555A1. Автор: Hui Zang,Laertis Economikos,Ruilong Xie. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-01-30.

LDMOS Transistor With Implant Alignment Spacers

Номер патента: US20220359727A1. Автор: Hernan Rueda,Martin Garcia,Rodney Arlan Barksdale,Stephen C. Chew,Wayne Geoffrey Risner. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-11-10.

Transistor with current terminal regions and channel region in layer over dielectric

Номер патента: EP4297099A1. Автор: Petrus Hubertus Cornelis Magnee,Jay Paul John. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-12-27.

Enhancement-mode iii-n transistor with n-polarity and method of fabricating the same

Номер патента: WO2015009249A9. Автор: Ján KUZMÍK. Владелец: Centrum Vedecko-Technickych Informacii Sr (Cvti Sr). Дата публикации: 2015-03-26.

Ldmos transistor with implant alignment spacers

Номер патента: EP4089741A2. Автор: Hernan Rueda,Martin Garcia,Rodney Arlan Barksdale,Stephen C. Chew,Wayne Geoffrey Risner. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-11-16.

Low cost demos transistor with improved CHC immunity

Номер патента: US9202912B2. Автор: Amitava Chatterjee,Kaiping Liu,Shaoping Tang,Imran Mahmood Khan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-12-01.

Transistor having dual work function buried gate electrode and method for fabricating the same

Номер патента: US09818843B2. Автор: Tae-Kyung Oh,Su-ho Kim,Jin-Yul Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Transistor having dual work function buried gate electrode and method for fabricating the same

Номер патента: US09530849B2. Автор: Tae-Kyung Oh,Su-ho Kim,Jin-Yul Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Dual work function buried gate type transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US09472646B2. Автор: Tae-Kyung Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Transistor having dual work function buried gate electrode and method for fabricating the same

Номер патента: US20170069735A1. Автор: Tae-Kyung Oh,Su-ho Kim,Jin-Yul Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-09.

Programmable memory transistor

Номер патента: US20040119113A1. Автор: Jack GLENN,Thomas Simacek,Thomas Kotowski,Alireza Borzabadi. Владелец: Delphi Technologies Inc. Дата публикации: 2004-06-24.

Semiconductor structure with buried power rail and integrated circuit

Номер патента: EP4379812A3. Автор: Po-Chao Tsao. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-09-04.

Method of fabricating a transistor with reduced hot carrier injection effects

Номер патента: US20170243950A1. Автор: Kuan-Liang Liu,Shih-Yin Hsiao,Ching-Chung Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-24.

Semiconductor device with buried local interconnects

Номер патента: US09953857B2. Автор: Effendi Leobandung,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor structure with buried power rail and integrated circuit

Номер патента: EP4379812A2. Автор: Po-Chao Tsao. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-06-05.

Transistors with dual wells

Номер патента: US20230178652A1. Автор: Douglas T. Grider,Xiang-Zheng Bo,Michelle N. NGUYEN. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-06-08.

Method for manufacturing and structure for transistors with reduced gate to contact spacing

Номер патента: US20020106875A1. Автор: Mark Rodder,Keith Joyner. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2002-08-08.

III-nitride transistor with engineered substrate

Номер патента: US09773884B2. Автор: Rongming Chu,Karim Boutros,Zijan Ray LI. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2017-09-26.

Transistor with Diamond Gate

Номер патента: US20160211341A1. Автор: Karl D. Hobart,Andrew D. Koehler,Travis J. Anderson,Tatyana I. Feygelson,Marko J. Tadjer. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2016-07-21.

Semiconductor device implemented with buried rails

Номер патента: US20220013522A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Haining Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Multi-bridge channel field effect transistor with recessed source/drain

Номер патента: US12080797B2. Автор: Dongwoo Kim,Dohyun LEE,Daeyong Kim,Rakhwan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Power semiconductor transistor with improved gate charge

Номер патента: US09673319B2. Автор: Jan Nilsson,Farshid Iravani. Владелец: Kinetic Technologies Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Transistor with diamond gate

Номер патента: US09466684B2. Автор: Karl D. Hobart,Andrew D. Koehler,Travis J. Anderson,Tatyana I. Feygelson,Marko J. Tadjer. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2016-10-11.

Transistor with counter-electrode connection amalgamated with the source/drain contact

Номер патента: EP2599111A1. Автор: Qing Liu,Maud Vinet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2013-06-05.

Transistor with counter-electrode connection amalgamated with the source/drain contact

Номер патента: US20130193494A1. Автор: Qing Liu,Maud Vinet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2013-08-01.

High electron mobility transistors with charge compensation

Номер патента: US20200373383A1. Автор: Yuhao ZHANG. Владелец: Virginia Tech Intellectual Properties Inc. Дата публикации: 2020-11-26.

Vertical transistor with improved robustness

Номер патента: US09431484B2. Автор: Markus Winkler,Rainald Sander,Matthias Stecher,Michael Asam. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-08-30.

Transistor with asymmetric silicon germanium source region

Номер патента: US20120003802A1. Автор: Jian Chen,James F. Buller,Akif Sultan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor device including buried gate, module and system, and method for manufacturing

Номер патента: US09418854B2. Автор: Tae Su Jang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Field effect transistor with nitride compound

Номер патента: US5929467A. Автор: Hiroji Kawai,Shunji Imanaga. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1999-07-27.

Semiconductor device having cell transistor with recess channel structure

Номер патента: US20090085108A1. Автор: Yasushi Yamazaki. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-04-02.

Method for evaluating impurity distribution under gate electrode without damaging silicon substrate

Номер патента: US7691649B2. Автор: Hidekazu Sato,Kazuo Hashimi. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-04-06.

Method of manufacturing semiconductor device with silicide gate electrodes

Номер патента: US7858524B2. Автор: Tomonori Aoyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-12-28.

Transistors with laterally extended active regions and methods of fabricating same

Номер патента: US20110183482A1. Автор: Min-Hee Cho,Sung-Sam LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-28.

MIS field effect transistor with metal oxynitride film

Номер патента: US6803635B2. Автор: Akira Nishiyama,Masato Koyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-10-12.

CMOS Vt control integration by modification of metal-containing gate electrodes

Номер патента: US09698020B2. Автор: Toshio Hasegawa,Genji Nakamura. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Transistor with Multi-Metal Gate

Номер патента: US20200321443A1. Автор: Koon Hoo Teo,Nadim CHOWDHURY. Владелец: Mitsubishi Electric Research Laboratories Inc. Дата публикации: 2020-10-08.

Structures with buried fluidic channels

Номер патента: US20240162116A1. Автор: Steven M. Shank,Mark D. Levy,Siva P. Adusumilli. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Process of forming electron device having gate electrode

Номер патента: US20190088483A1. Автор: Hiroyuki Ichikawa,Tomohiro Yoshida. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2019-03-21.

Gate electrode of field effect transistor

Номер патента: US09589803B2. Автор: Neng-Kuo Chen,Sey-Ping Sun,Clement Hsingjen Wann,Yi-An Lin,Chun-Wei Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Field effect transistors with a gated oxide semiconductor source/drain spacer

Номер патента: US20210193814A1. Автор: Jack T. Kavalieros,Van H. Le,Rafael Rios,Gilbert W. DEWEY. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-06-24.

Semiconductor device with a fin-shaped active region and a gate electrode

Номер патента: US12015086B2. Автор: Jae-Hoon Lee,Tae-Young Kim,Gi-gwan PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor device comprising a gate electrode connected to a source terminal

Номер патента: US09620637B2. Автор: Till Schloesser,Franz Hirler,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-11.

Selectively forming a protective conductive cap on a metal gate electrode

Номер патента: US09379209B2. Автор: Min-Hwa Chi,Xiuyu Cai,Xusheng Wu,Jiajun Mao. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-28.

High-voltage transistor with LDD regions

Номер патента: US5567965A. Автор: Jhang-Rae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1996-10-22.

High voltage transistor with improved driving current

Номер патента: US20070085145A1. Автор: Fu-Hsin Chen,You-Kuo Wu,William Tien,Jui-Wen Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-04-19.

Mesfet transistor with air layer between gate electrode connections and substrate

Номер патента: CA1266132A. Автор: Giampiero Donzelli. Владелец: Telettra Telefonia Elettronica e Radio SpA. Дата публикации: 1990-02-20.

High electron mobility transistor with shortened recovery time

Номер патента: US9117742B2. Автор: Yoshitsugu Yamamoto,Hiroyuki Kinoshita,Tetsuo Kunii. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2015-08-25.

Field-effect transistors with a t-shaped gate electrode

Номер патента: US20180269295A1. Автор: John J. Ellis-Monaghan,Steven M. Shank,Alvin J. Joseph. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-09-20.

Transistor with multi-metal gate

Номер патента: EP3469633A1. Автор: Koon Hoo Teo,Nadim CHOWDHURY. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-04-17.

Method of forming a high-frequency transistor T gate electrode

Номер патента: US5776820A. Автор: Yamato Ishikawa,Tomoyuki Kamiyama. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 1998-07-07.

Semiconductor device having a minimized region of sheild electrode and gate electrode overlap

Номер патента: US9577055B2. Автор: Jin Woo Han. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Gate electrode for a semiconductor fin device

Номер патента: SG173995A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Chenming Hu,Hao-Yu Chen,Fu Liang Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2011-09-29.

I-shaped gate electrode for improved sub-threshold mosfet performance

Номер патента: US20170345929A1. Автор: Amitava Chatterjee. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-11-30.

Dual metal-alloy nitride gate electrodes

Номер патента: US20050035417A1. Автор: Mark Visokay. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-02-17.

Transition metal alloys for use as a gate electrode and devices incorporating these alloys

Номер патента: EP1654767A1. Автор: Kari Harkonen,Mark Doczy,Teemu Lang,Nathan Baxter,Robert Chau. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-05-10.

Transition metal alloys for use as a gate electrode and devices incorporating these alloys

Номер патента: EP1654767B1. Автор: Kari Harkonen,Mark Doczy,Teemu Lang,Nathan Baxter,Robert Chau. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-09-29.

Semiconductor device with silicon-germanium gate electrode and method for manufacturing thereof

Номер патента: US20060138518A1. Автор: Akiyoshi Mutou,Hiroshi Ohji. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-06-29.

Method for adjusting the height of a gate electrode in a semiconductor device

Номер патента: US20090108336A1. Автор: Kai Frohberg,Katrin Reiche,Uwe Griebenow,Heike Berthold. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-04-30.

Transistors with field-shield contacts and base contacts

Номер патента: US20240355872A1. Автор: Francois Hebert,James A. Cooper. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

I-shaped gate electrode for improved sub-threshold MOSFET performance

Номер патента: US09768296B2. Автор: Amitava Chatterjee. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

High power transistor with oxide gate barriers

Номер патента: US09640620B2. Автор: Nicholas Stephen DELLAS. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Silicon carbide field effect transistor with increased avalanche withstand capability

Номер патента: US5895939A. Автор: Katsunori Ueno. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 1999-04-20.

Gate electrode stack with diffusion barrier

Номер патента: US5962904A. Автор: Yongjun Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-10-05.

Field effect transistor with a short channel lenght

Номер патента: CA1153831A. Автор: Hans-Jorg Pfleiderer,Ernst Hebenstreit,Dezso Takacs,Michael Pomper,Heinrich Klar. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1983-09-13.

Method of fabricating silicide layer on gate electrode

Номер патента: US6221725B1. Автор: Claymens Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-04-24.

MOS Poly-Si thin film transistor with a flattened channel interface and method of producing same

Номер патента: US5712496A. Автор: Hiroshi Takahashi,Yoshikazu Kojima. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 1998-01-27.

Power transistor with controllable reverse diode

Номер патента: US20130069710A1. Автор: Martin Feldtkeller,Franz Hirler,Lutz Goergens. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2013-03-21.

High band-gap devices with a doped high band-gap gate electrode extension

Номер патента: US20240055488A1. Автор: Chang Soo Suh,Dong Seup Lee. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

CMOS Vt CONTROL INTEGRATION BY MODIFICATION OF METAL-CONTAINING GATE ELECTRODES

Номер патента: US20160111290A1. Автор: Toshio Hasegawa,Genji Nakamura. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-04-21.

Method of making fully silicided gate electrode

Номер патента: WO2006051090A1. Автор: SunOo Kim,Veit Klee. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-05-18.

High band-gap devices with a doped high band-gap gate electrode extension

Номер патента: WO2024035857A1. Автор: Chang Soo Suh,Dong Seup Lee. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device comprising gate electrode having arsenic and phosphorus

Номер патента: US7714364B2. Автор: Akira Hokazono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-05-11.

Gate electrode(s) and contact structure(s), and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20140183745A1. Автор: Huang Liu,Jialin YU,Jilin XIA. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-07-03.

Variable threshold voltage gate electrode for higher performance mosfets

Номер патента: US6222251B1. Автор: Thomas C. Holloway. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2001-04-24.

Process of fabricating a semiconductor device having cobalt niobate gate electrode structure

Номер патента: US5930632A. Автор: Mark I. Gardner,Mark C. Gilmer. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1999-07-27.

Electronic device including a gate electrode having portions with different conductivity types

Номер патента: US8310008B2. Автор: Burchell B. Baptiste. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2012-11-13.

Electronic Device Including a Gate Electrode Having Portions with Different Conductivity Types

Номер патента: US20100289072A1. Автор: Burchell B. Baptiste. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2010-11-18.

Tungsten gate electrode method and device

Номер патента: EP1258033A1. Автор: Timothy Z. Hossain,Amiya R. Ghatak-Roy,Jason B. Zanotti. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-11-20.

Three-dimensional ferroelectric memory devices including a backside gate electrode and methods of making same

Номер патента: WO2020149937A1. Автор: Koji Sato. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-07-23.

Dual metal gate electrode for reducing threshold voltage

Номер патента: US09577062B2. Автор: Hiroshi Sunamura,Hemanth Jagannathan. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Method for fabricating a metal gate electrode

Номер патента: US09419100B2. Автор: Hsueh Wen Tsau. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Method of making a narrow gate electrode for a field effect transistor

Номер патента: US5538910A. Автор: Tomoki Oku. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1996-07-23.

Production method of T-shaped gate electrode in semiconductor device

Номер патента: US5304511A. Автор: Masayuki Sakai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-04-19.

Method for manufacturing a multi-layer gate electrode for a mos transistor

Номер патента: US5164333A. Автор: Udo Schwalke,Hellmut Joswig. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1992-11-17.

Semiconductor device of MOS structure having p-type gate electrode

Номер патента: US5189504A. Автор: Satoshi Nakayama,Tetsushi Sakai. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1993-02-23.

Method of making semiconductor devices having an implant damage protection film on the gate electrode sidewalls

Номер патента: US5145797A. Автор: Shoji Nakanishi. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 1992-09-08.

Thin film transistor having dual insulation layer with a window above gate electrode

Номер патента: US5828082A. Автор: Biing-Seng Wu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 1998-10-27.

Method of manufacturing aluminum gate electrode

Номер патента: US6110768A. Автор: Ting-Chang Chang,Po-Sheng Shih,Du-Zen Peng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-08-29.

Gate electrode with depletion suppression and tunable workfunction

Номер патента: US20140329378A1. Автор: James F. Gibbons,Steven Hung,Judy L. Hoyt. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2014-11-06.

Dual metal-alloy nitride gate electrodes

Номер патента: US20050098833A1. Автор: Mark Visokay. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-05-12.

A semiconductor device having a silicided gate electrode and method of manufacture therefor

Номер патента: WO2005084342A2. Автор: Jiong-Ping Lu. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2005-09-15.

Transistors with ferroelectric spacer and methods of fabrication

Номер патента: US11784251B2. Автор: ABHISHEK Sharma,Gilbert Dewey,Seung Hoon Sung,Jack Kavalieros,Van H. Le. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-10.

Transistors with multilayered dielectric films

Номер патента: US7615830B2. Автор: Ha-Jin Lim,Jong-ho Lee,Hyung-Suk Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-11-10.

I-shaped gate electrode for improved sub-threshold mosfet performance

Номер патента: US20150380551A1. Автор: Amitava Chatterjee. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-12-31.

Transistors with Multilayered Dielectric Films and Methods of Manufacturing Such Transistors

Номер патента: US20110287622A1. Автор: Ha-Jin Lim,Jong-ho Lee,Hyung-Suk Jung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-24.

Transistors with Multilayered Dielectric Films and Methods of Manufacturing Such Transistors

Номер патента: US20100025781A1. Автор: Ha-Jin Lim,Jong-ho Lee,Hyung-Suk Jung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-02-04.

High-k / metal gate CMOS transistors with TiN gates

Номер патента: US09721847B2. Автор: Hiroaki Niimi,Brian K. Kirkpatrick. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Copper gate electrode of liquid crystal display device and method of fabricating the same

Номер патента: US7829393B2. Автор: Wen-Ching Tsai,Yu-Wei Liu,Kuo-Yu Huang,Hui-Fen Lin. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2010-11-09.

Method for forming gate electrode of semiconductor device

Номер патента: KR100877256B1. Автор: 조은상. Владелец: 주식회사 동부하이텍. Дата публикации: 2009-01-09.

Totally self-aligned transistor with polysilicon shallow trench isolation

Номер патента: US6127717A. Автор: Zoran Krivokapic,Ognjen Milic. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-10-03.

Bipolar transistor with thermal conductor

Номер патента: US20230290868A1. Автор: Hong Yu,Vibhor Jain,Judson R. Holt. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Heterojunction bipolar transistors with reduced base resistance

Номер патента: US8513706B2. Автор: Qizhi Liu,Peter B. Gray,Erik M. Dahlstrom. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-08-20.

Transistor with embedded insulating structure set

Номер патента: US20240266435A1. Автор: Chin-Chia Kuo,Ming-Hua Tsai,Wei-Hsuan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Heterojunction bipolar transistor with stress component

Номер патента: US09825157B1. Автор: Anthony K. Stamper,Vibhor Jain,Renata A. Camillo-Castillo. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Closely packed vertical transistors with reduced contact resistance

Номер патента: US09735253B1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Group III-V transistor with semiconductor field plate

Номер патента: US09673286B2. Автор: Michael A. Briere. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

FinFET transistor with epitaxial structures

Номер патента: US09666715B2. Автор: Chun-Hsien Lin,Chen-Yi Weng,Chung-Fu Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Method of making a graphene base transistor with reduced collector area

Номер патента: US20170125557A1. Автор: Francis J. Kub,Andrew D. Koehler,Travis J. Anderson. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2017-05-04.

High-k/metal gate cmos transistors with tin gates

Номер патента: EP3090445A1. Автор: Hiroaki Niimi,Brian K. Kirkpatrick. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-11-09.

HIGH-K / METAL GATE CMOS TRANSISTORS WITH TiN GATES

Номер патента: US20150187653A1. Автор: Hiroaki Niimi,Brian K. Kirkpatrick. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-07-02.

High-k/metal gate cmos transistors with tin gates

Номер патента: WO2015103412A1. Автор: Hiroaki Niimi,Brian K. Kirkpatrick. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2015-07-09.

HIGH-K / METAL GATE CMOS TRANSISTORS WITH TiN GATES

Номер патента: US20150287643A1. Автор: Hiroaki Niimi,Brian K. Kirkpatrick. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-10-08.

Small geometry mos transistor with thin polycrystalline surface contacts and method for making

Номер патента: WO2008137478A3. Автор: Madhukar B Vora,Ashok Kapoor. Владелец: Ashok Kapoor. Дата публикации: 2008-12-31.

Small geometry mos transistor with thin polycrystalline surface contacts and method for making

Номер патента: WO2008137478A2. Автор: Madhukar B. Vora,Ashok Kapoor. Владелец: Dsm Solutions, Inc.. Дата публикации: 2008-11-13.

High voltage MOS transistors with reduced parasitic current gain

Номер патента: US5218228A. Автор: Richard A. Blanchard,Richard K. Williams,Robert W. Busse. Владелец: Siliconix Inc. Дата публикации: 1993-06-08.

Method of making a graphene base transistor with reduced collector area

Номер патента: US20160087087A1. Автор: Francis J. Kub,Andrew D. Koehler,Travis J. Anderson. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2016-03-24.

Method of making a graphene base transistor with reduced collector area

Номер патента: US9590081B2. Автор: Francis J. Kub,Andrew D. Koehler,Travis J. Anderson. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2017-03-07.

Demos transistors with sti and compensated well in drain

Номер патента: US20100032755A1. Автор: Hisashi Shichijo,Kamel Benaissa. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-02-11.

Bipolar transistor with trench structure

Номер патента: US20190189786A1. Автор: WEI Liu,Qiaozhi ZHU. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-06-20.

Devices having a transistor with a modified channel region

Номер патента: US20230268419A1. Автор: Haitao Liu,Deepak Chandra Pandey,Naveen KAUSHIK,Chittoor Ranganathan Parthasarathy. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-08-24.

Bipolar transistor with trench structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190319115A1. Автор: WEI Liu,Qiaozhi ZHU. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-10-17.

Closely packed vertical transistors with reduced contact resistance

Номер патента: US20200066882A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Display device including a plurality of thin film transistors with different characteristics

Номер патента: US12074260B2. Автор: KyungMo SON,Shunyoung YANG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Protection transistor with improved edge structure

Номер патента: US20030006463A1. Автор: Kenji Ichikawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-09.

Field-effect transistors with a grown silicon-germanium channel

Номер патента: US20200051808A1. Автор: Simeon MORVAN,Berthold Reimer,Carsten Metze. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-02-13.

Charge coupled device with meander channel and elongated, straight, parallel gate electrodes

Номер патента: US4639940A. Автор: Osamu Ohtsuki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1987-01-27.

Thin film transistors with metal oxynitride active channels for electronic displays

Номер патента: US20160126355A1. Автор: Chunong Qiu,Cindy Qiu,Ishiang Shih,Yi-Chi Shih,Andy Shih,Julia Qiu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-05-05.

Field effect transistor with at least one insulated gate electrode

Номер патента: CH475653A. Автор: Hasegawa Toshio,Okumura Tomisaburo,Tsuchitani Akira. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1969-07-15.

Piezoelectronic transistor with co-planar common and gate electrodes

Номер патента: US09444029B2. Автор: Josephine B. Chang,Marcelo A. Kuroda,Brian A. Bryce. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

MIS-field effect transistor with charge carrier injection

Номер патента: US4641163A. Автор: Jeno Tihanyi. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1987-02-03.

Semicondoctor structure with gate electrode doping

Номер патента: US20220216206A1. Автор: Yoshikazu Moriwaki,Mika Yoshida. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-07-07.

Complementary heterojunction field effect transistor with an anisotype N+ ga-channel devices

Номер патента: US5060031A. Автор: Jonathan K. Abrokwah,Jenn-Hwa Huang,Schyi-Yi Wu. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1991-10-22.

Semiconductor device having shared gate electrode and fabrication thereof

Номер патента: WO2000033381A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2000-06-08.

Semiconductor device having P channel high voltage transistors with improved breakdown voltages

Номер патента: US5448101A. Автор: Atsushi Ono,Nobuyuki Saiki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-09-05.

Dual metal CMOS transistors with silicon-metal-silicon stacked gate electrode

Номер патента: US7018887B1. Автор: James Pan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2006-03-28.

Semiconductor device having shared gate electrode and fabrication thereof

Номер патента: EP1142018A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-10-10.

Field effect transistors with gate fins and method of making the same

Номер патента: US11967626B2. Автор: Takashi Kobayashi,Mitsuhiro Togo,Sudarshan Narayanan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-23.

Vertical transistor with uniform fin thickness

Номер патента: US20200035828A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-30.

Reduced capacitance transistor with electro-static discharge protection structure and method for forming the same

Номер патента: WO1999031729A1. Автор: Michael J. Allen. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 1999-06-24.

Reduced capacitance transistor with electro-static discharge protection structure and method for forming the same

Номер патента: EP1042808A1. Автор: Michael J. Allen. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2000-10-11.

P-type-epitaxial-base transistor with base-collector schottky diode clamp

Номер патента: CA1041226A. Автор: Vincent J. Lucarini,Augustine W. Chang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1978-10-24.

Ferroelectric memory transistor

Номер патента: US20030222291A1. Автор: Tingkai Li,Sheng Hsu,Fengyan Zhang. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2003-12-04.

Single igfet memory cell with buried storage element

Номер патента: CA1068001A. Автор: Fredrick B. Jenne. Владелец: American Microsystems Holding Corp. Дата публикации: 1979-12-11.

Semiconductor device having a field effect transistor with improved linearity

Номер патента: US4717944A. Автор: Leonard J. M. Esser,Petrus J. A. M. Van de Wiel. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1988-01-05.

Thin film transistor with integrated connecting portion

Номер патента: US09356052B2. Автор: Yukinobu Nakata,Yoshihito Hara. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Vertical nanowire transistor with axially engineered semiconductor and gate metallization

Номер патента: US09818864B2. Автор: Brian S. Doyle,Uday Shah,Roza Kotlyar,Charles C. Kuo. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Method of manufacturing transistor with channel implant

Номер патента: US5580799A. Автор: Masaki Funaki. Владелец: Victor Company of Japan Ltd. Дата публикации: 1996-12-03.

Display device with driving transistor having upper and lower gate electrodes

Номер патента: US12120915B2. Автор: Yoshinobu Nakamura,Tadayoshi Miyamoto,Kayo Haruguchi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Three-dimensional memory structure having a back gate electrode

Номер патента: US09576971B2. Автор: Yanli Zhang,Johann Alsmeier,Akira MATSUDAIRA,Yingda Dong. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-02-21.

Thin film transistor with a high impurity region overlapping the gate electrode

Номер патента: US8263982B2. Автор: Hidenori Kawata. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2012-09-11.

Semiconductor device having gate electrode overlapping semiconductor film

Номер патента: US09680026B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Three dimensional NAND device having nonlinear control gate electrodes and method of making thereof

Номер патента: US09455267B2. Автор: Yanli Zhang,Johann Alsmeier. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-27.

Gate electrode structure

Номер патента: US8008155B2. Автор: Yungi Kim,KangYoon Lee,Hyeoungwon Seo,Jaeman Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-30.

Transistor with wurtzite channel

Номер патента: US9679961B2. Автор: Hung-Chih Chang,Samuel C. Pan,Chee-Wee Liu,Pin-Shiang Chen. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2017-06-13.

Gate electrode structure

Номер патента: US20080017913A1. Автор: Yungi Kim,KangYoon Lee,Hyeoungwon Seo,Jaeman Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-24.

Transistor with wurtzite channel

Номер патента: US09679961B2. Автор: Hung-Chih Chang,Samuel C. Pan,Chee-Wee Liu,Pin-Shiang Chen. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2017-06-13.

Transistor with wurtzite channel

Номер патента: US09425250B2. Автор: Hung-Chih Chang,Samuel C. Pan,Chee-Wee Liu,Pin-Shiang Chen. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor device having ring-shaped gate electrode, design apparatus, and program

Номер патента: US8552510B2. Автор: Takamitsu Onda. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-10-08.

Methods of forming semiconductor switching devices having trench-gate electrodes

Номер патента: US6051488A. Автор: Tea-Sun Lee,Sung-Kyu Song. Владелец: Fairchild Korea Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2000-04-18.

Silicon-on-insulator transistor with body node to source node connection

Номер патента: US4965213A. Автор: Terence G. W. Blake. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1990-10-23.

Method of fabricating gate electrode of CMOS device

Номер патента: US5567642A. Автор: Hyeon S. Kim,Choong H. Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1996-10-22.

Soi mosfet device having second gate electrodes for threshold voltage control

Номер патента: US20040070031A1. Автор: Shunsuke Baba. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-15.

High-electron mobility transistor with zinc oxide

Номер патента: US7105868B2. Автор: Shanthi Ganesan,Jeff Nause. Владелец: Cermet Inc. Дата публикации: 2006-09-12.

Transistor with wurtzite channel

Номер патента: US20160190233A1. Автор: Hung-Chih Chang,Samuel C. Pan,Chee-Wee Liu,Pin-Shiang Chen. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2016-06-30.

Field effect transistor with self-aligned gate

Номер патента: CA1082371A. Автор: Robert H. Dennard,Vincent L. Rideout. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-07-22.

Bipolar transistor with a sidewall-diffused subcollector

Номер патента: US5003365A. Автор: Robert H. Havemann,Robert H. Eklund. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1991-03-26.

Vertical transistor with field region structure

Номер патента: US20070117328A1. Автор: Jenn-Yu Lin,Ta-Yung Yang,Chih-Feng Huang,Tuo-Hsin Chien. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-24.

Transistors with schottky barriers

Номер патента: US11862725B2. Автор: Yun Shi,John Tzung-Yin LEE. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Switching transistor with memory

Номер патента: US3821784A. Автор: D Heald,Kennedy J Holm. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 1974-06-28.

Field Effect Transistor with Access Region Recharge

Номер патента: US20110062495A1. Автор: Alexei Koudymov. Владелец: Alexei Koudymov. Дата публикации: 2011-03-17.

Field effect transistor with a short channel length

Номер патента: CA1081368A. Автор: Jeno Tihanyi,Joachim Hoepfner. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1980-07-08.

Method of producing a transistor with an insulated control electrode

Номер патента: US3690945A. Автор: Max Kuisl. Владелец: Licentia Patent Verwaltungs GmbH. Дата публикации: 1972-09-12.

Image sensor including a buried gate

Номер патента: US20230144105A1. Автор: Hyuksoon CHOI,Daekun Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-11.

Storage transistor with optical isolation

Номер патента: US09472587B2. Автор: Gang Chen,Duli Mao,Dyson H. Tai,Yuanwei Zheng,Xianmin Yi. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Photodetector with buried airgap reflectors

Номер патента: US12027553B2. Автор: Vibhor Jain,Steven M. Shank,Alvin J. Joseph,Siva P. Adusumilli. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Photodetector with buried airgap reflectors

Номер патента: US20220406833A1. Автор: Vibhor Jain,Steven M. Shank,Alvin J. Joseph,Siva P. Adusumilli. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-12-22.

Photodetector with buried airgap reflectors

Номер патента: US20210313373A1. Автор: Vibhor Jain,Steven M. Shank,Alvin J. Joseph,Siva P. Adusumilli. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-10-07.

Solid state radiation imager with gate electrode plane shield wires

Номер патента: CA2184429C. Автор: George Edward Possin,Jack Dean Kingsley. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2007-10-30.

Thin film transistor with microlens structures

Номер патента: US7205569B2. Автор: Ming-Sung Shih. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2007-04-17.

Thin film transistor with microlens structures

Номер патента: US20060163575A1. Автор: Ming-Sung Shih. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2006-07-27.

Integrated circuit devices having contact holes exposing gate electrodes in active regions

Номер патента: US7034365B2. Автор: Myoung-kwan Cho,Jeung-Hwan Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-25.

Semiconductor transistors having reduced distances between gate electrode regions

Номер патента: US20120126339A1. Автор: Haining S. Yang,Robert C. Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-05-24.

FET semiconductor device with partial annular gate electrodes

Номер патента: EP1863088A3. Автор: Sakae Nakajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-11-24.

Electronic circuit using field effect transistor with compensation means

Номер патента: US4008406A. Автор: Hiroto Kawagoe. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1977-02-15.

Semiconductor integrated circuit device having component transistor with protected gate electrode

Номер патента: US5517050A. Автор: Kunihiro Koyabu. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-05-14.

Method of fabricating a diode protecting a gate electrode of a field effect transistor

Номер патента: US20030224576A1. Автор: Yasuo Yamaguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-12-04.

A bicmos device having a cmos gate electrode and a bipolar emitter each containing two imurities of the same conductivity type

Номер патента: US20020145167A1. Автор: Toru Yamazaki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-10-10.

Semiconductor devices having gate electrodes with ring-shaped segments therein

Номер патента: US20240164106A1. Автор: Dong Jin Lee,Jun Hee Lim,Kang-Oh Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-16.

Insulated gate field effect transistor with integrated safety diode

Номер патента: US3648129A. Автор: Rijkent Jan Nienhuis. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1972-03-07.

Hermetic seal for transistors with metal on both sides

Номер патента: US20230197538A1. Автор: Mohammad Enamul Kabir,Tofizur RAHMAN,Keith Zawadzki,Conor P. PULS,Hannes Greve. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Hermetic seal for transistors with metal on both sides

Номер патента: EP4199046A3. Автор: Mohammad Enamul Kabir,Tofizur RAHMAN,Keith Zawadzki,Conor P. PULS,Hannes Greve. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-15.

Apparatus for biasing a field effect transistor with a single voltage supply

Номер патента: US5646570A. Автор: James Russell Blodgett. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1997-07-08.

Semiconductor memory device with buried contacts and a fence

Номер патента: US20240057323A1. Автор: Dong Sik Park,Jong Min Lee,Hyeon Woo Jang,Soo Ho SHIN,Ji Hoon CHANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor memory device with buried contacts and a fence

Номер патента: US11832442B2. Автор: Dong Sik Park,Jong Min Lee,Hyeon Woo Jang,Soo Ho SHIN,Ji Hoon CHANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-28.

Bottom and Top Gate Organic Transistors with Fluropolymer Banked Crystallization Well

Номер патента: US20140054560A1. Автор: Kurt Ulmer,Lisa Stecker,Kanan Puntambekar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-02-27.

RF-transistors with self-aligned point contacts

Номер патента: US09698363B1. Автор: Shu-Jen Han. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Thin film transistor with a current-induced channel

Номер патента: US09515273B2. Автор: Baquer Mazhari,Ankita Gangwar. Владелец: INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY KANPUR. Дата публикации: 2016-12-06.

High power prematched mmic transistor with improved ground potential continuity

Номер патента: IL130755A. Автор: . Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2002-11-10.

Nonvolatile semiconductor memory with transistor whose gate electrode has bird's beak

Номер патента: US20070012990A1. Автор: Kanji Osari. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-18.

Vertical memory devices having contact plugs contacting stacked gate electrodes

Номер патента: US09899394B2. Автор: Sung-Min Hwang,Dae-Seok Byeon,Jee-Yong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Gate electrode material residual removal process

Номер патента: US09640385B2. Автор: Chentsau Ying,Srinivas D. Nemani,Bhargav Citla. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Rf-transistors with self-aligned point contacts

Номер патента: US20170237007A1. Автор: Shu-Jen Han. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-17.

Rf-transistors with self-aligned point contacts

Номер патента: US20170237008A1. Автор: Shu-Jen Han. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-17.

Rf-transistors with self-aligned point contacts

Номер патента: US20170194582A1. Автор: Shu-Jen Han. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-06.

Method of forming a gate electrode for an igfet

Номер патента: WO1998002913A2. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford,Derick J. Wristers. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 1998-01-22.

Damage free gate dielectric process during gate electrode plasma etching

Номер патента: US5843835A. Автор: Ming-Hsi Liu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 1998-12-01.

Method for making a complementary metal gate electrode technology

Номер патента: US6130123A. Автор: Gang Bai,Chunlin Liang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2000-10-10.

Solid state tissue equivalent detector with gate electrodes

Номер патента: US10923535B2. Автор: Michael Bardash. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-02-16.

Solid State Tissue Equivalent Detector With Gate Electrodes

Номер патента: US20190109179A1. Автор: Michael Bardash. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-04-11.

Solid State Tissue Equivalent Detector With Gate Electrodes

Номер патента: US20200235167A1. Автор: Michael Bardash. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-07-23.

Method for producing a gate electrode for an MOS structure

Номер патента: US5705414A. Автор: Bernhard Lustig. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1998-01-06.

Method of forming gate electrode in semiconductor device

Номер патента: US20040259369A1. Автор: Cha Dong,Ho Son. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-23.

Dual work function gate electrodes obtained through local thickness-limited silicidation

Номер патента: US20060019437A1. Автор: Luigi Colombo,Mark Visokay,Robert Murto. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2006-01-26.

Method for fabricating a mosfet having polycide gate electrode

Номер патента: US20010051419A1. Автор: Se Aug Jang,Tae Kyun Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-12-13.

Field-effect transistor with a trench isolation structure and a method for manufacturing the same

Номер патента: US6063694A. Автор: Mitsuhiro Togo. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-05-16.

Integration method of a semiconductor device having a recessed gate electrode

Номер патента: US6939765B2. Автор: Ji-Young Kim,Hyoung-Sub Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-09-06.

Metal oxide semiconductor device having a common gate electrode for N and P channel MOS transistors

Номер патента: US5438214A. Автор: Yasuo Sato,Yuichi Egawa. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1995-08-01.

RF power transistors with impedance matching circuits, and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09571044B1. Автор: Ning Zhu,Damon G. Holmes,Jeffrey K. Jones. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Method of improving the radiation resistance of silicon transistors with a silicon oxide coating

Номер патента: US3829961A. Автор: R Bauerlein,D Uhl. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1974-08-20.

Rf power transistor with internal bias feed

Номер патента: WO2004057666A2. Автор: Gordon C. Ma,Larry Leighton,Prasanth Perugupalli,Nagaraj Vishwanath Dixit. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-07-08.

Rf power transistor with internal bias feed

Номер патента: EP1573813A2. Автор: Gordon C. Ma,Larry Leighton,Prasanth Perugupalli,Nagaraj Vishwanath Dixit. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-09-14.

Vacuum envelope having niobium oxide gate electrode structure

Номер патента: US5955832A. Автор: Masaharu Tomita,Shigeo Itoh,Hisataka Ochiai,Tsuyoshi Inukai. Владелец: Futaba Corp. Дата публикации: 1999-09-21.

Gate electrode and ion mobility spectrometer

Номер патента: US20180246061A1. Автор: Hideaki Izumi,Akiko IMAZU. Владелец: Shimadzu Corp. Дата публикации: 2018-08-30.

Field emission display device with flexible gate electrode and method for manufacturing the same

Номер патента: US7439666B1. Автор: Chih-Che Kuo,Tien-Sung Liu. Владелец: Teco Nanotech Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-21.

Control Circuit For Transistor With Floating Source Node

Номер патента: US20230133293A1. Автор: Kevin David Moran,Guoming George Zhu. Владелец: Michigan State University MSU. Дата публикации: 2023-05-04.

Nonvolatile schottky barrier memory transistor

Номер патента: WO2017189083A1. Автор: Daniel Bedau. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2017-11-02.

Integrated circuit memory devices having non-volatile memory transistors and methods of fabricating the same

Номер патента: US20020197788A1. Автор: Kazunobu Kuwazawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-12-26.

DRAM with buried gate structure

Номер патента: US11943911B2. Автор: Yukihiro Nagai. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Method, unit and circuit for implementing boolean logic based on computing-in-memory transistor

Номер патента: US20230223939A1. Автор: XIAO Yu,Bing Chen,Chengji Jin,Jiani GU,Genquan HAN. Владелец: Zhejiang Lab. Дата публикации: 2023-07-13.

Buried gate structure for dynamic random access memory and method for forming the same

Номер патента: US20240057316A1. Автор: Yu-Ting Chen,Wei-Che Chang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor differential amplifier having a gain controlled by a memory transistor

Номер патента: US6166978A. Автор: Mitsuhiko Goto. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 2000-12-26.

Organic Transistor with Fluropolymer Banked Crystallization Well

Номер патента: US20120181512A1. Автор: Kurt Ulmer,Lisa H. Stecker,Kanan Puntambekar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-19.

Organic field effect transistor with enhanced gas sensitivity

Номер патента: WO2024182129A1. Автор: Howard Katz,Klaus Seibert,Christopher Riley BOND,Daniel FRYDRYCH. Владелец: W. L. Gore & Associates GmbH. Дата публикации: 2024-09-06.

Thin film transistor with a current-induced channel

Номер патента: WO2014102625A9. Автор: Baquer Mazhari,Ankita Gangwar. Владелец: INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY KANPUR. Дата публикации: 2014-09-12.

Semiconductor memory device and semiconductor device including multilayer gate electrode

Номер патента: US7541654B2. Автор: Fumitaka Arai,Makoto Sakuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-06-02.

Method for forming a vertical transistor with a stacked capacitor DRAM cell

Номер патента: US5429977A. Автор: Horng-Huei Tseng,Chin-Yuan Lu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 1995-07-04.

Differential amplifier circuit using lateral-type bipolar transistors with back gates

Номер патента: US5682120A. Автор: TAKAO Ito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-10-28.

Semiconductor memory device with floating gate electrode

Номер патента: US5687119A. Автор: Keun Hyung Park. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1997-11-11.

Magnetic device with gate electrode

Номер патента: US11730065B2. Автор: Byong Guk Park,Min-Gu Kang,Jong-Guk CHOI. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-08-15.

Method of forming gate electrode pattern in semiconductor device

Номер патента: US7544564B2. Автор: Sung Hoon Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-06-09.

4f2 vertical access transistor with reduced floating body effect

Номер патента: US20240341082A1. Автор: Zhijun CHEN,Milan PESIC,Fredrick FISHBURN. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

4f2 vertical access transistor with reduced floating body effect

Номер патента: WO2024211157A1. Автор: Zhijun CHEN,Milan PESIC,Fredrick FISHBURN. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-10-10.

Transistor amplifier having field effect transistors with stabilized drain bias current

Номер патента: CA1042995A. Автор: Tadao Suzuki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1978-11-21.

Memory transistor gate oxide stress release and improved reliability

Номер патента: US20070206417A1. Автор: Jianguo Wang,David Fong,Harry Luan,Jack Peng. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2007-09-06.

Non-volatile semiconductor memory device with memory transistor

Номер патента: US20050083737A1. Автор: Yoshikazu Miyawaki,Satoru Kishida,Hiromi Okimoto,Daisuke Agawa. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-04-21.

Liquid crystal display including transistor with improved charging rate

Номер патента: US09983453B2. Автор: Seung Hwan Moon,Seong Young Lee,Keum Dong JUNG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Display device including double-gate transistors with reduced deterioration

Номер патента: US09870735B2. Автор: Masataka Kano,Jun Hyung LIM,Ji Hun LIM,Yeon Keon Moon. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Power-Gating Techniques with Buried Metal

Номер патента: US20220122656A1. Автор: Yew Keong Chong,Andy Wangkun CHEN,Sriram Thyagarajan,Sony,Ayush Kulshrestha,Rajiv Kumar Sisodia. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2022-04-21.

Bias control for memory cells with multiple gate electrodes

Номер патента: US12057177B2. Автор: Jaw-Juinn Horng,Szu-chun TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Bias control for memory cells with multiple gate electrodes

Номер патента: US20240355398A1. Автор: Jaw-Juinn Horng,Szu-chun TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Pre-charging a gate electrode before resuming display updating

Номер патента: US09715291B2. Автор: Petr Shepelev. Владелец: Synaptics Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Nano-ring gate electrode nanochannels

Номер патента: US20150276664A1. Автор: Binquan Luan,Sung-wook Nam. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-10-01.

Bias control for memory cells with multiple gate electrodes

Номер патента: US20220130470A1. Автор: Jaw-Juinn Horng,Szu-chun TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Co-gate electrode between pixels structure

Номер патента: US20190228727A1. Автор: I-Ta Jiang,Che-Yao WU,Kai-Ju Chou. Владелец: Giantplus Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-25.

Shift register unit, gate electrode drive circuit and display apparatus

Номер патента: US09524686B2. Автор: Seung Woo Han,Xing Yao,Jiayang ZHAO,Yuanbo Zhang,Haifeng Jin. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Transistor With Embedded Si/Ge Material Having Reduced Offset and Superior Uniformity

Номер патента: US20120001254A1. Автор: Javorka Peter,Kronholz Stephan,Boschke Roman. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

IGBT TRANSISTOR WITH PROTECTION AGAINST PARASITIC COMPONENT ACTIVATION AND MANUFACTURING PROCESS THEREOF

Номер патента: US20120001224A1. Автор: . Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2012-01-05.

Temperature-sensitive element built on transistors with current output

Номер патента: RU2209407C2. Автор: А.В. Ефанов. Владелец: Ефанов Алексей Валерьевич. Дата публикации: 2003-07-27.