Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Charge coupled device with meander channel and elongated, straight, parallel gate electrodes

Charge coupled device with meander channel and elongated, straight, parallel gate electrodes

Номер патента: US4639940A
Опубликовано: 27-01-1987
Автор(ы): Osamu Ohtsuki
Принадлежит: Fujitsu Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Charge coupled device capable of efficiently transferring charge

Номер патента: US4901125A. Автор: Tetsuo Yamada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1990-02-13.

Charge coupled optical scanner

Номер патента: CA1037600A. Автор: Nicholas A. Patrin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1978-08-29.

Charge-coupled device with potential barrier and charge storage regions

Номер патента: US6207981B1. Автор: Yasutaka Nakashiba,Keisuke Hatano. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-03-27.

Two phase charge transfer device with channel stopper regions

Номер патента: CA1072674A. Автор: Hiroshi Yamazaki,Yoshiaki Hagiwara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1980-02-26.

Charge coupled area imaging device with column anti-blooming control

Номер патента: US3896474A. Автор: Gilbert F Amelio,Rudolph H Dyck. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1975-07-22.

Bulk charge coupled device

Номер патента: CA1059627A. Автор: Leonard J.M. Esser. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1979-07-31.

Charge coupled device

Номер патента: US5986295A. Автор: Jung-Hyun Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-11-16.

High dynamic range charge-coupled device

Номер патента: US4873561A. Автор: David D. Wen. Владелец: CLOSERAY Ltd. Дата публикации: 1989-10-10.

Signal detecting apparatus in a charge coupled device having an angled formed transistor

Номер патента: US6320175B1. Автор: Hang Kyoo Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-11-20.

Charge-coupled arrangements

Номер патента: GB1432985A. Автор: . Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1976-04-22.

Imaging charge-coupled device having an all parallel output

Номер патента: CA1289241C. Автор: Denis L. Heidtmann,Larry D. Riley. Владелец: Tektronix Inc. Дата публикации: 1991-09-17.

Charge coupled devices

Номер патента: CA1096496A. Автор: John M. Shannon. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1981-02-24.

Charge coupled circuit arrangement using a punch-through charge introduction effect

Номер патента: US4258376A. Автор: John M. Shannon. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1981-03-24.

Edge passivated charge-coupled device image sensor

Номер патента: US4665420A. Автор: Walter F. Kosonocky,Hammam Elabd. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1987-05-12.

Charge coupled imaging device having selective wavelength sensitivity

Номер патента: US4210922A. Автор: John M. Shannon. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1980-07-01.

Two-phase charge-coupled device

Номер патента: US20100327326A1. Автор: Francois Roy. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2010-12-30.

Method of making charge-coupled device and solid-state imaging device having an ONO transfer gate insulating film

Номер патента: US5302545A. Автор: Yuji Matsuda,Hiroyuki Okada,Wataru Kamisaka,Masaji Asaumi. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1994-04-12.

An integrated electronic shutter for charge-coupled devices

Номер патента: WO1993011568A1. Автор: Bernard B. Kosicki,Robert K. Reich,Eugene D. Savoye. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 1993-06-10.

Imaging element and imaging device with selection and amplication transistor gates formed on same silicon channel

Номер патента: US12136635B2. Автор: Naohiko Kimizuka. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-11-05.

Charge-coupled device having overexposure control

Номер патента: US4849814A. Автор: Martinus J. H. van de Steeg. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1989-07-18.

Bulk charge coupled device with high doping at buried pn-junction

Номер патента: CA1046638A. Автор: Leonard J.M. Esser,Matthias J.J. Theunissen. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1979-01-16.

Charge coupled device

Номер патента: US4216574A. Автор: Wolfgang M. Feist. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 1980-08-12.

Charge coupled device

Номер патента: CA1139879A. Автор: Wolfgang M. Feist. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 1983-01-18.

Light detection device with integrated photodiode and thin film transistor

Номер патента: US09985061B2. Автор: Shigeyasu Mori,Tadayoshi Miyamoto,Kazuatsu Ito,Atsushi Tomyo,Kazuhide Tomiyasu. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Doped oxide buried channel charge-coupled device

Номер патента: US4024563A. Автор: Al F. Tasch, Jr.. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1977-05-17.

3d integrated charge-coupled device memory and method of fabricating the same

Номер патента: US20230262996A1. Автор: Jiwon Lee,Maarten Rosmeulen,Gouri Sankar Kar,Swaraj Bandhu Mahato. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-08-17.

A 3d integrated charge-coupled device memory

Номер патента: EP4231353A1. Автор: Jiwon Lee,Maarten Rosmeulen,Gouri Sankar Kar,Swaraj Bandhu Mahato. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-08-23.

Charged coupled device with bulk transport

Номер патента: CA1102917A. Автор: Leonard J.M. Esser. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1981-06-09.

Input structure for charge coupled devices with controllable input bias

Номер патента: CA1234917A. Автор: Maki Sato. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1988-04-05.

Charge coupled devices

Номер патента: GB1376640A. Автор: . Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1974-12-11.

Charge coupled semiconductor devices

Номер патента: GB1522926A. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1978-08-31.

Method of manufacturing a charge-coupled image sensor

Номер патента: EP1269544A2. Автор: Daniel W. E. Verbugt,Hermanus L. Peek,Monique J. Beenhakkers. Владелец: Dalsa Inc. Дата публикации: 2003-01-02.

Method of manufacturing a charge-coupled image sensor

Номер патента: US20020022296A1. Автор: Daniel VERBUGT,Hermanus Peek,Monique Beenhakkers. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-02-21.

Asymmetrical well charge coupled device

Номер патента: US3967306A. Автор: Robert W. Bower. Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 1976-06-29.

Junctionless high-voltage field-effect device with drift region and graded channel and method for forming the same

Номер патента: TWI587404B. Автор: 肖德元. Владелец: 上海新昇半導體科技有限公司. Дата публикации: 2017-06-11.

Memory device with high-mobility oxide semiconductor channel and methods for forming the same

Номер патента: WO2023224946A1. Автор: Milan PESIC. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-11-23.

Memory device with high-mobility oxide semiconductor channel and methods for forming the same

Номер патента: US20230380165A1. Автор: Milan PESIC. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Charge-coupled device with focused ion beam fabrication

Номер патента: WO1988009059A1. Автор: Mark W. Utlaut,William M. Clark, Jr.,Robert H. Walden. Владелец: Hughes Aircraft Company. Дата публикации: 1988-11-17.

Solid-state image pickup device using charged-coupled devices and method for fabricating the same

Номер патента: WO2006080594A1. Автор: Kyung-sik Kim. Владелец: International Display Solutions Co., Ltd.. Дата публикации: 2006-08-03.

Method for fabricating solid-state image pickup device using charged-coupled devices

Номер патента: WO2006080595A1. Автор: Kyung-sik Kim. Владелец: International Display Solutions Co., Ltd.. Дата публикации: 2006-08-03.

System and method for draining residual charge from charge-coupled device (ccd) shift registers in image sensors having reset drains

Номер патента: US20090278971A1. Автор: Eric J. Meisenzahl. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-11-12.

A method for creating an antiblooming structure in a charge coupled device

Номер патента: EP1289019A3. Автор: Eric Gordon Stevens. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2004-05-19.

Process for fabricating a charge coupled device

Номер патента: US20020155636A1. Автор: Alan D. Conder,Bruce K.F. Young. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-24.

Charge coupled imaging device having multilayer gate electrode wiring

Номер патента: US5449931A. Автор: Hermanus L. Peek,Eleonore J. M. Daemen,Jan T. J. Bosters. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1995-09-12.

Charge-coupled device, manufacturing method thereof, and solid-state imaging element

Номер патента: US9967503B2. Автор: Hisanori Suzuki,Masaharu Muramatsu,Yasuhito Yoneta,Shin-Ichiro Takagi. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2018-05-08.

Charge-coupled device, manufacturing method thereof, and solid-state imaging element

Номер патента: US20160286147A1. Автор: Hisanori Suzuki,Masaharu Muramatsu,Yasuhito Yoneta,Shin-Ichiro Takagi. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2016-09-29.

Gate bias circuit for MOS charge coupled devices

Номер патента: US20050280025A1. Автор: Michael Anthony,Jeff Venuti. Владелец: Kenet LLC. Дата публикации: 2005-12-22.

Gate bias circuit mos charge coupled devices

Номер патента: WO2006009895A3. Автор: Michael P Anthony,Jeff Venuti. Владелец: Kenet Inc. Дата публикации: 2006-08-10.

Gate bias circuit mos charge coupled devices

Номер патента: WO2006009895A2. Автор: Michael P. Anthony,Jeff Venuti. Владелец: Kenet, Inc.. Дата публикации: 2006-01-26.

Intensified charge-coupled image sensor having a charge-coupled device with contact pads on an annular rim thereof

Номер патента: US4639590A. Автор: Gilbert N. Butterwick. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1987-01-27.

Charge coupled device

Номер патента: WO2005064704A1. Автор: William Eccleston. Владелец: THE UNIVERSITY OF LIVERPOOL. Дата публикации: 2005-07-14.

Charge coupled device

Номер патента: EP1700353A1. Автор: William Eccleston. Владелец: University of Liverpool. Дата публикации: 2006-09-13.

Charge Coupled Device

Номер патента: US20070284569A1. Автор: William Eccleston. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-12-13.

Charge coupled device having a back electrode

Номер патента: US7402852B2. Автор: William Eccleston. Владелец: University of Liverpool. Дата публикации: 2008-07-22.

Charge-coupled imaging device having anti-blooming protection and two sets of readout registers

Номер патента: WO1996026546A3. Автор: Jan Theodoor Jozef Bosiers,Bartholomeus Goverdina Dillen. Владелец: Philips Norden Ab. Дата публикации: 1996-11-07.

Image pick-up apparatus having a charge coupled device with multiple electrodes, a buffer layer located below some of the electrodes

Номер патента: US5757427A. Автор: Kazuhisa Miyaguchi. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 1998-05-26.

Charge coupled device exposure control

Номер патента: CA1085500A. Автор: Gilbert F. Amelio. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1980-09-09.

Charge coupled memory system

Номер патента: US4009473A. Автор: Joseph R. Burns. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1977-02-22.

Charge coupled device with high quantum efficiency

Номер патента: EP2052412A2. Автор: Mark Wadsworth. Владелец: Imagerlabs Inc. Дата публикации: 2009-04-29.

Charge-coupled device and camera comprising such a charge-coupled device

Номер патента: CA1256200A. Автор: Albert J.P. Theuwissen. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1989-06-20.

Trench charge-coupled device

Номер патента: US5173756A. Автор: Hon-Sum P. Wong,Ying L. Yao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1992-12-22.

Charge-coupled device having different light-receiving region and charge isolation layer structures

Номер патента: US5821574A. Автор: Yong Gwan Kim. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1998-10-13.

Process for fabrication of split-gate virtual phase charge coupled devices

Номер патента: US20010031517A1. Автор: Jaroslav Hynecek. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2001-10-18.

Device for subtracting/adding a constant amount of charge in a charge-coupled device

Номер патента: CA2571537A1. Автор: Michael P. Anthony,Lawrence J. Kushner,Edward Kohler. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-26.

Charged coupled device with improved coating

Номер патента: US5795617A. Автор: Roy Howard,Yair Talmi. Владелец: Individual. Дата публикации: 1998-08-18.

Large area, fast frame rate charge coupled device

Номер патента: US20040033656A1. Автор: David Wen,Steve Onishi. Владелец: Fairchild Imaging Inc. Дата публикации: 2004-02-19.

Fabrication of infra-red charge coupled devices

Номер патента: US4276099A. Автор: John M. Keen,Arthur F. W. Willoughby. Владелец: UK Secretary of State for Defence. Дата публикации: 1981-06-30.

Color charge-coupled device and method of manufacturing the same

Номер патента: US5677200A. Автор: Chul Ho Park,Kwang Bok Song,Jin Seop Shim. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1997-10-14.

Solid body image sensor having charge coupled semiconductor charge shift elements and method of operation

Номер патента: CA1039398A. Автор: Hans-Jorg Pfleiderer. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1978-09-26.

Charge coupled device with input for direct injection of signal

Номер патента: US4093872A. Автор: Darrell M. Erb,John M. Hartman. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1978-06-06.

Thin film transistor including a vertical channel and display apparatus using the same

Номер патента: US20170330924A1. Автор: Doohyun Kim,Kwangsoo Lee,Jeehoon Kim,Inyoung JUNG,Shinhyuk Yang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-16.

Method of making charge coupled device image sensor

Номер патента: US5246875A. Автор: Uya Shinji,Dong K. Son. Владелец: Goldstar Electron Co Ltd. Дата публикации: 1993-09-21.

Method of preparing a monolithic intrinsic infrared focal plane charge coupled device imager

Номер патента: US4273596A. Автор: William A. Gutierrez,John H. Pollard. Владелец: US Department of Army. Дата публикации: 1981-06-16.

Semiconductor device with a vertical channel, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230269931A1. Автор: Chia-En HUANG,Chun-Ying Lee,Chieh Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Color imaging charge-coupled array with photosensitive layers in potential wells

Номер патента: US5298771A. Автор: David A. Mantell. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 1994-03-29.

Charge-coupled imaging device camera provided with such an imaging device

Номер патента: US5517244A. Автор: Michael A. W. Stekelenburg,Alouisius W. M. Korthout,Hermanus L. Peek,Colm J. Sweeney. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1996-05-14.

Image sensor including a transfer transistor having a vertical channel and pixel transistors having thin film channels

Номер патента: US09735197B1. Автор: Cha-Young LEE,Pyong-Su Kwag,Min-Ki Na. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Organic electroluminescent display device with metal reflective layer

Номер патента: US09660192B2. Автор: Zhangchun Ren. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Structure and Manufacturing Method of Charge Coupled Device

Номер патента: KR960036126A. Автор: 박윤상. Владелец: 엘지반도체 주식회사. Дата публикации: 1996-10-28.

Color coding filter for charge-coupled-device camera

Номер патента: US3982274A. Автор: Sooyoung Chai. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1976-09-21.

Backside illuminated imaging charge coupled device

Номер патента: US4422091A. Автор: Yet-Zen Liu. Владелец: Rockwell International Corp. Дата публикации: 1983-12-20.

Charge coupled imager

Номер патента: CA1068395A. Автор: Walter F. Kosonocky. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1979-12-18.

Blooming control for charge coupled imager

Номер патента: CA1049122A. Автор: Peter A. Levine. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1979-02-20.

Display device with a static electricity discharging circuit

Номер патента: US12113058B2. Автор: KANG Moon Jo,June Whan Choi,An Su LEE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Field-effect transistors having black phosphorus channel and methods of making the same

Номер патента: US09929282B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Ling-Yen Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Low-capacitance contact for long gate-length devices with small contacted pitch

Номер патента: US20070158762A1. Автор: Brent Anderson,Edward Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-07-12.

Low-capacitance contact for long gate-length devices with small contacted pitch

Номер патента: US20070252241A1. Автор: Brent Anderson,Edward Nowak. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-01.

Semiconductor device with anti-fuse memory element

Номер патента: US09837424B2. Автор: Yoshiki Yamamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device with silicon-film fins and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070090468A1. Автор: Hirohisa Kawasaki,Kazunari Ishimaru. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-04-26.

Semiconductor device with silicon-film fins and method of manufacturing the same

Номер патента: US7541245B2. Автор: Hirohisa Kawasaki,Kazunari Ishimaru. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-06-02.

Silicon on insulator semiconductor device with mixed doped regions

Номер патента: US20190371943A1. Автор: Jack Liu,Charles Chew-Yuen Young. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-05.

2d materials with inverted gate electrode for high density 3d stacking

Номер патента: US20230231057A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor device including gate electrode for applying tensile stress to silicon substrate, and method of manufacturing the same

Номер патента: US09847417B2. Автор: Hirokazu Sayama,Hidekazu Oda,Kazunobu Ohta,Kouhei Sugihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Field-effect transistors having black phosphorus channel and methods of making the same

Номер патента: US09620627B1. Автор: Yee-Chia Yeo,Ling-Yen Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device including gate electrode for applying tensile stress to silicon substrate, and method of manufacturing the same

Номер патента: US09614081B2. Автор: Hirokazu Sayama,Hidekazu Oda,Kazunobu Ohta,Kouhei Sugihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device including gate electrode for applying tensile stress to silicon substrate, and method of manufacturing the same

Номер патента: US09412867B2. Автор: Hirokazu Sayama,Hidekazu Oda,Kazunobu Ohta,Kouhei Sugihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Graphitic carbon contacts for devices with oxide channels

Номер патента: EP4152412A1. Автор: Edward Johnson,Noriyuki Sato,Justin Weber,Hui Jae Yoo,Van Le,Matthew Metz,Abhishek Anil Sharma,Arnab SEN GUPTA,Eric Mattson,Yu-Jin Chen,Jason RETASKET. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-22.

Field effect transistor including a downward-protruding gate electrode and methods for forming the same

Номер патента: US12057475B2. Автор: Tsung-Hao YEH,Shiang-Hung HUANG,HsinFu LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Nonvolatile semiconductor storage device having silicide in control gate electrode

Номер патента: US7705393B2. Автор: Shoichi Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-04-27.

Multi-gate semiconductor devices with improved hot-carrier injection immunity

Номер патента: US09614041B1. Автор: Zhihong Zhang,Hongning Yang,Jiang-Kai Zuo. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Vertical power MOS device with increased ruggedness and method of fabrication

Номер патента: US5374571A. Автор: Satyendranath Mukherjee,Manjin J. Kim. Владелец: North American Philips Corp. Дата публикации: 1994-12-20.

Method for fabricating semiconductor devices with localized pocket implantation

Номер патента: US5504023A. Автор: Gary Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1996-04-02.

Charge coupled device having CCIR/EIA mode coversion function

Номер патента: US5862197A. Автор: Sung Hyuk Yoon,Il Nam Hwang. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1999-01-19.

Charge coupled device for obtaining a 3-dimensional digital image

Номер патента: US20100188487A1. Автор: Chung Nam Lee. Владелец: GEOSUNG ENTERPRISE Co Ltd. Дата публикации: 2010-07-29.

Charge coupled device based on atomically layered van der waals solid state film for opto-electronic memory and image capture

Номер патента: US09431565B2. Автор: Antony George,Bo Li,Pulickel M. Ajayan,Sidong Lei,Liehui Ge,Robert Vajtai. Владелец: William Marsh Rice University. Дата публикации: 2016-08-30.

Charge coupled device for obtaining a 3-dimensional digital image

Номер патента: US8542269B2. Автор: Chung Nam Lee. Владелец: Geo Sung Enterprise Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-24.

Charge-coupled semiconductor device with dynamic control

Номер патента: CA1243112A. Автор: Arnoldus J.J. Boudewijns,Leonard J.M. Esser. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1988-10-11.

Method for making self-aligning structure for charge-coupled and bucket brigade devices

Номер патента: US3810795A. Автор: R Troutman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1974-05-14.

Charge-coupled circuits

Номер патента: US3890633A. Автор: Walter Frank Kosonocky. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1975-06-17.

Semiconductor device with burried semiconductor regions

Номер патента: US20060046369A1. Автор: HISANORI Ihara,Hiroshige Goto,Nagataka Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-03-02.

Photoelectric conversion device with dual insulating layer

Номер патента: US5591963A. Автор: Hidemasa Mizutani,Isao Kobayashi,Shinichi Takeda,Noriyuki Kaifu. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1997-01-07.

Silicon carbide device with transistor cell and clamp regions in a well region

Номер патента: US12057473B2. Автор: Ralf Siemieniec,Dethard Peters,Joachim Weyers,David Kammerlander,Wolfgang Jantscher. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-06.

Imaging device with photoelectric converter

Номер патента: US09711558B2. Автор: Yoshihiro Sato,Junji Hirase,Kosaku Saeki,Yoshinori Takami. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Silicon carbide switching device with rectifying-gate

Номер патента: US5396085A. Автор: Bantval J. Baliga. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 1995-03-07.

Charge sensing device with gate voltage selected to operate around the charge neutrality point and tune the quantum capacitance

Номер патента: US11892473B2. Автор: Gerasimos KONSTANTATOS,Frank KOPPENS,Stijn Goossens. Владелец: Institut de Ciencies Fotoniques ICFO. Дата публикации: 2024-02-06.

Charge sensing device with readout of signal by detecting a change of capacitance of combined gate and quantum capacitance compared to a reference capacitance

Номер патента: US20220014699A1. Автор: Gerasimos KONSTANTATOS,Frank KOPPENS,Stijn Goossens. Владелец: Institut de Ciencies Fotoniques ICFO. Дата публикации: 2022-01-13.

Semiconductor device with burried semiconductor regions

Номер патента: US7696547B2. Автор: HISANORI Ihara,Hiroshige Goto,Nagataka Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-04-13.

Semiconductor device with source/drain pattern including buffer layer

Номер патента: US12027596B2. Автор: Yong Seung Kim,Dongwoo Kim,Seung Hun Lee,Gyeom KIM,Pankwi Park,Ryong Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-02.

CMOS image sensors having a transfer gate electrode, and methods of fabricating CMOS image sensors having a transfer gate electrode

Номер патента: US09543349B2. Автор: Kyung-Ho Lee,Hee-Geun Jeong,Young-Sun Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-10.

Light sensing device having offset gate electrode and light sensing panel and light sensing display panel using the same

Номер патента: US11830904B2. Автор: Sheng-chia LIN. Владелец: Hannstouch Solution Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Silicon carbide device with transistor cell and clamp region

Номер патента: US11876133B2. Автор: Franz Hirler,Ralf Siemieniec,Joachim Weyers,David Kammerlander,Wolfgang Jantscher. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-01-16.

Display device with trench

Номер патента: US20190237528A1. Автор: Masakazu Gunji. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

Solid-state imaging device with impurity diffusion element isolation region, method for manufacturing the same, and electronic apparatus incorporating same

Номер патента: US8390706B2. Автор: Hiroaki Seko. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-03-05.

Bi-polar dual-channel charge-coupled device

Номер патента: CA1134037A. Автор: Chakrapani G. Jambotkar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1982-10-19.

Charge-coupled device and process of fabrication thereof

Номер патента: US5189499A. Автор: Katsuyuki Saito,Maki Sato,Akio Izumi,Takaji Otsu,Tadakuni Narabu,Yasuhito Maki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1993-02-23.

Indium tin oxide gate charge coupled device

Номер патента: US20110249160A1. Автор: Paul A. Tittel,Nathan Bluzer,Joseph T. Smith,Bron R. Frias,Robert R. Shiskowski. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2011-10-13.

Charge-coupled device

Номер патента: CA1266125A. Автор: Jan W. Pathuis,Theodorus F. Smit. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1990-02-20.

Charge coupled semiconductor device storing 2-bit information

Номер патента: US4243897A. Автор: Michihiro Yamada,Kazuyasu Fujishima,Kouichi Nagasawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1981-01-06.

Semiconductor device for charge-coupled device

Номер патента: CA1296802C. Автор: Tadakuni Narabu,Yasuhito Maki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1992-03-03.

Co-planar barrier-type charge coupled device with enhanced storage capacity and decreased leakage current

Номер патента: US4365261A. Автор: Pallab K. Chatterjee,Aloysious F. Tasch, Jr.. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1982-12-21.

Complementary input structure for charge coupled device

Номер патента: CA1076700A. Автор: Abd-El-Fattah A. Ibrahim,Carl N. Berglund. Владелец: Northern Telecom Ltd. Дата публикации: 1980-04-29.

Operating circuitry for semiconductor charge coupled devices

Номер патента: CA1089986A. Автор: Thomas W. Collins,Karl R. Hense. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-11-18.

Charge coupled device including a slow-wave structure for providing charge transfer

Номер патента: US3975753A. Автор: Ramasesha Bharat. Владелец: Individual. Дата публикации: 1976-08-17.

Horizontal charge coupled device having a multiple reset gate

Номер патента: US5519749A. Автор: Seo K. Lee. Владелец: Goldstar Electron Co Ltd. Дата публикации: 1996-05-21.

Signal direction change in varied charge-coupled device structures

Номер патента: CA1079402A. Автор: Karl Knauer. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1980-06-10.

Self aligned barrier process for small pixel virtual phase charged coupled devices

Номер патента: US5837563A. Автор: Jaroslav Hynecek. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1998-11-17.

Double-layer, polysilicon, two-phase, charge coupled device

Номер патента: US4001861A. Автор: James E. Carnes. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 1977-01-04.

Charge-coupled device

Номер патента: WO1990002417A1. Автор: Herbert J. Erhardt. Владелец: EASTMAN KODAK COMPANY. Дата публикации: 1990-03-08.

Flat Panel Display Device with Oxide Thin Film Transistors and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20150079732A1. Автор: Ji Eun Chae,Tae Keun Lee. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-19.

Semiconductor device with two transistors and a capacitor

Номер патента: US09660024B2. Автор: Tae-Jung Park,Yong-Ho Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Array substrate having a plurality of gate electrode material lines, source-drain electrode material lines and first metal lines

Номер патента: US09812469B2. Автор: Qi Yao,Feng Zhang,Bin Zhang,Xiaolong He,Zhengliang Li,Jincheng GAO,Zhanfeng CAO,Xiangchun Kong. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Methods of forming transistor devices with different threshold voltages and the resulting devices

Номер патента: US10229855B2. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-03-12.

Methods of forming transistor devices with different threshold voltages and the resulting devices

Номер патента: US20180122702A1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-03.

Methods for forming transistor devices with different threshold voltages and the resulting devices

Номер патента: US20170040220A1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-09.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH GATE INSIDE U-SHAPED CHANNEL AND METHODS OF MAKING SUCH A DEVICE

Номер патента: US20170077297A1. Автор: Pawlak Bartlomiej Jan. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-16.

Charge-coupled devices

Номер патента: US4125818A. Автор: Roger A. Haken,Robert G. Taylor,Peter C. T. Roberts,Christopher P. Traynar. Владелец: National Research Development Corp UK. Дата публикации: 1978-11-14.

Method of fabricating uniphase charge coupled devices

Номер патента: US3918997A. Автор: Amr Mohamed Mohsen,Carlo Heinrich Sequin. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1975-11-11.

Multi-Gate Devices with Replaced-Channels and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20180269112A1. Автор: Yuan-Shun Chao,Hou-Yu Chen,Chih-Wei Kuo,Shyh-Horng Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-09-20.

Multi-Gate Devices with Replaced-Channels and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20160043002A1. Автор: Yuan-Shun Chao,Hou-Yu Chen,Chih-Wei Kuo,Shyh-Horng Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-11.

Semiconductor device with graphene layer as channel

Номер патента: US09741859B2. Автор: Maki Suemitsu,Yasunori Tateno,Hirokazu FUKIDOME. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2017-08-22.

Charge-coupled transversal filter

Номер патента: CA1243734A. Автор: Marcus Kleefstra,Antonius J.M. Montagne,Jan W. Pathuis. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1988-10-25.

Method of manufacturing semiconductor device with silicide gate electrodes

Номер патента: US7858524B2. Автор: Tomonori Aoyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-12-28.

Semiconductor device with contact plugs

Номер патента: US20240243200A1. Автор: Satoshi Iwahashi,So NAGAKURA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device with a fin-shaped active region and a gate electrode

Номер патента: US12015086B2. Автор: Jae-Hoon Lee,Tae-Young Kim,Gi-gwan PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-18.

LDMOS device with graded body doping

Номер патента: US09461046B1. Автор: Henry Litzmann Edwards,James Robert TODD. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device with metal-insulator-semiconductor structure

Номер патента: US09991358B2. Автор: Tatsuo Shimizu,Hisashi Saito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device with stripe-shaped trench gate structures and gate connector structure

Номер патента: US09960243B2. Автор: Wolfgang Bergner,Thomas Aichinger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-01.

LDMOS device with graded body doping

Номер патента: US09698246B1. Автор: Henry Litzmann Edwards,James Robert TODD. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor device with stripe-shaped trench gate structures and gate connector structure

Номер патента: US09530850B2. Автор: Wolfgang Bergner,Thomas Aichinger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-27.

Silicon carbide power device with an enhanced junction field effect transistor region

Номер патента: WO2023278794A3. Автор: Mrinal Kanti Das. Владелец: Mrinal Kanti Das. Дата публикации: 2023-04-06.

Power devices with improved on-resistance

Номер патента: US20240047531A1. Автор: Dallas Todd Morisette,James Albert Cooper. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device with contact plugs

Номер патента: US20220069121A1. Автор: Satoshi Iwahashi,So NAGAKURA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor device with contact plugs

Номер патента: US20230246105A1. Автор: Satoshi Iwahashi,So NAGAKURA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-08-03.

Semiconductor device with contact plugs

Номер патента: US11646370B2. Автор: Satoshi Iwahashi,So NAGAKURA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-05-09.

Device with ferroelectric or negative capacitance material, method of manufacturing device with ferroelectric or negative capacitance material, and electronic apparatus

Номер патента: US20230352585A1. Автор: Huilong Zhu,Weixing Huang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device with a gate electrode positioned in a semiconductor substrate

Номер патента: US10319831B2. Автор: Toru Onishi,Tomoharu IKEDA,Shuhei Oki,Rahman MD. TASBIR. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2019-06-11.

Power devices with a hybrid gate structure

Номер патента: EP4169076A1. Автор: Daniel Jenner Lichtenwalner,Naeem ISLAM. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-04-26.

Semiconductor device with contact plugs

Номер патента: US11984501B2. Автор: Satoshi Iwahashi,So NAGAKURA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-05-14.

Structure and method for forming power devices with carbon-containing region

Номер патента: WO2009079458A1. Автор: James Pan. Владелец: Fairchild Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2009-06-25.

Semiconductor device including partitioning layer extending between gate electrode and source electrode

Номер патента: US20190148487A1. Автор: Shinji Kudo,Shunsuke Fukunaga,Taro Kondo. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

Semiconductor device having first and second gate electrodes and method of manufacturing the same

Номер патента: US09576959B1. Автор: Shigenobu Maeda,Yaoqi Dong,Mun Hyeon Kim,Keun Hwi Cho,Han Su Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device having air gap between gate electrode and source/drain pattern

Номер патента: US12046632B2. Автор: Seung Hun Lee,Haejun YU,Kyungin Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device with voltage resistant structure

Номер патента: US09905635B2. Автор: Yuki Nakano,Ryota Nakamura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device with voltage resistant structure

Номер патента: US09590061B2. Автор: Yuki Nakano,Ryota Nakamura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-03-07.

Gate electrode of field effect transistor

Номер патента: US09589803B2. Автор: Neng-Kuo Chen,Sey-Ping Sun,Clement Hsingjen Wann,Yi-An Lin,Chun-Wei Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Power semiconductor device with an insulated trench gate electrode

Номер патента: US20240021670A1. Автор: Marco Bellini,Lars Knoll,Gianpaolo Romano. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor Device with Stripe-Shaped Trench Gate Structures and Gate Connector Structure

Номер патента: US20160181408A1. Автор: Wolfgang Bergner,Thomas Aichinger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-06-23.

Silicon carbide semiconductor device with trench gate structure and vertical PN junction between body region and drift structure

Номер патента: US10964808B2. Автор: Roland Rupp,Andreas Meiser,Romain Esteve. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-03-30.

Semiconductor device with source/drain epitaxial layer

Номер патента: US11996323B2. Автор: Chi-Feng Huang,Chia-Chung Chen,Victor Chiang Liang,Ching-Yu Yang,Chung-Hao Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Methods of manufacturing semiconductor devices by forming source/drain regions before gate electrode separation

Номер патента: US09935017B2. Автор: Jeong-Yun Lee,Jung-Gun You,Eung-Gwan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-03.

Method of manufacturing a semiconductor device including a gate electrode on a protruding group III-V material layer

Номер патента: US09666706B2. Автор: Young-Jin Cho,Sang-Moon Lee,Ki-ha Hong,Kyoung-Yeon Kim,Eui-chul HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Methods of manufacturing semiconductor devices by forming source/drain regions before gate electrode separation

Номер патента: US09659827B2. Автор: Jeong-Yun Lee,Jung-Gun You,Eung-Gwan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Trenched power device with improved reliability and conduction

Номер патента: EP4241310A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Daniel Jenner Lichtenwalner,Naeem ISLAM,Woongsun Kim. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-09-13.

Semiconductor device having a gate electrode, an interlayer insulating film and a barrier metal provided in a trench

Номер патента: US12094939B2. Автор: Shinsuke Harada,Yusuke Kobayashi,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Device with diffusion blocking layer in source/drain region

Номер патента: US09947788B2. Автор: Shesh Mani Pandey,Pei ZHAO,Baofu ZHU,Francis L. Benistant. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device with electro-static discharge protection device above semiconductor device area

Номер патента: US09530769B2. Автор: Naoya Inoue,Yoshihiro Hayashi,Kishou Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Non-volatile memory device with reduced area

Номер патента: US12052859B2. Автор: Yih Wang,Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG,Yao-Jen Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Non-volatile memory device with reduced area

Номер патента: US20240357804A1. Автор: Yih Wang,Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG,Yao-Jen Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device having vertical channels and method of manufacturing the same

Номер патента: US09966267B2. Автор: Tae-Young Chung,Yong-Sung Kim,Soo-Ho Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device having vertical channels and method of manufacturing the same

Номер патента: US09496336B2. Автор: Tae-Young Chung,Yong-Sung Kim,Soo-Ho Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Quantum dot devices with independent gate control

Номер патента: US11990516B1. Автор: Ravi Pillarisetty,James S. Clarke,Hubert C. George,Brennen Karl Mueller. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Dual gate semiconductor memory device with vertical semiconductor column

Номер патента: US09837155B1. Автор: Sangsig Kim,Minsuk KIM,Doohyeok Lim,Youngin Jeon. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device with current sensor

Номер патента: US09614044B2. Автор: Michael Hutzler,Maximilian Roesch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-04-04.

Method (and related apparatus) for forming a semiconductor device with reduced spacing between nanostructure field-effect transistors

Номер патента: US12034004B2. Автор: Kuo-Cheng Chiang,Huan-Chieh Su,Zhi-Chang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device with active pattern including a transition pattern and method for fabricating the same

Номер патента: US12040324B2. Автор: Jae Hyun Lee,Jong Ha Park,Seong-Ho Song,Jong Han Lee,Jong Hoon BAEK,Da Bok JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

A method (and related apparatus) for forming a semiconductor device with reduced spacing between nanostructure field-effect transistors

Номер патента: US20210134797A1. Автор: Kuo-Cheng Chiang,Huan-Chieh Su,Zhi-Chang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor device with active pattern including a transition pattern and method for fabricating the same

Номер патента: US20240321876A1. Автор: Jae Hyun Lee,Jong Ha Park,Seong-Ho Song,Jong Han Lee,Jong Hoon BAEK,Da Bok JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Method (and related apparatus) for forming a semiconductor device with reduced spacing between nanostructure field-effect transistors

Номер патента: US20240355818A1. Автор: Kuo-Cheng Chiang,Huan-Chieh Su,Zhi-Chang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device with reduced trap defect and method of forming the same

Номер патента: US12119389B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Yu-Ming Lin,Chun Hsiung Tsai,Kuo-Feng Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Insulated gate semiconductor device with soft switching behavior

Номер патента: US20170125407A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Wolfgang Wagner,Franz-Josef Niedernostheide,Francisco Javier Santos Rodriguez,Stephan Voss,Frank Dieter Pfirsch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-04.

Methods of forming a finfet semiconductor device with undoped fins

Номер патента: US20150123214A1. Автор: Teck Jung Tang,Andy C. Wei,Akshey Sehgal,Francis M. Tambwe,Seung Y. Kim. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-05-07.

Insulated gate semiconductor device with soft switching behavior

Номер патента: US09899377B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Wolfgang Wagner,Franz-Josef Niedernostheide,Francisco Javier Santos Rodriguez,Stephan Voss,Frank Dieter Pfirsch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-02-20.

Method for forming nanowires including multiple integrated devices with alternate channel materials

Номер патента: US09831131B1. Автор: Ajey P. Jacob. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Power LDMOS semiconductor device with reduced on-resistance and manufacturing method thereof

Номер патента: US09484436B2. Автор: Antonello Santangelo,Salvatore Cascino,Leonardo Gervasi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2016-11-01.

Power LDMOS semiconductor device with reduced on-resistance and manufacturing method thereof

Номер патента: US09450076B2. Автор: Antonello Santangelo,Salvatore Cascino,Leonardo Gervasi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device with reduced trap defect and method of forming the same

Номер патента: US20240371974A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Yu-Ming Lin,Chun Hsiung Tsai,Kuo-Feng Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device with electro-static discharge protection device above semiconductor device area

Номер патента: US20160172354A1. Автор: Naoya Inoue,Yoshihiro Hayashi,Kishou Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-16.

Transistor Device with a Rectifier Element Between a Field Electrode and a Source Electrode

Номер патента: US20190035915A1. Автор: Ralf Siemieniec,Robert Haase,Martin Poelzl,Gerhard Noebauer. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2019-01-31.

Semiconductor device with doped structure

Номер патента: US20240234506A1. Автор: Ching-Hua Lee,Pei-Wei Lee,Miao-Syuan Fan,Jung-Wei LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device with doped structure

Номер патента: US20210234000A1. Автор: Ching-Hua Lee,Pei-Wei Lee,Miao-Syuan Fan,Jung-Wei LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor device with funnel shape spacer and methods of forming the same

Номер патента: US12051628B2. Автор: Yen-Ming Chen,Yen-Ting Chen,Wei-Yang Lee,Fu-Kai Yang,Cheng-Yu Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device with diffusion suppression and ldd implants and an embedded non-ldd semiconductor device

Номер патента: US20230230975A1. Автор: Mahalingam Nandakumar,Brian Edward Hornung. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Integrated circuit chip including gate electrode with oblique cut surface, and manufacturing method of the same

Номер патента: US20240274540A1. Автор: Deokhan Bae,Juhun PARK,Jinwook Kim,Junghoon Seo,Myungyoon Um,Inyeal Lee,Dongbeen KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device with funnel shape spacer and methods of forming the same

Номер патента: US20240363426A1. Автор: Yen-Ming Chen,Yen-Ting Chen,Wei-Yang Lee,Fu-Kai Yang,Cheng-Yu Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Nonplanar device with thinned lower body portion and method of fabrication

Номер патента: US09741809B2. Автор: Justin K. Brask,Brian S. Doyle,Uday Shah,Robert S. Chau,Thomas A. Letson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Patterning of vertical nanowire transistor channel and gate with directed self assembly

Номер патента: US09653576B2. Автор: Swaminathan Sivakumar,Paul A. Nyhus. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Patterning of vertical nanowire transistor channel and gate with directed self assembly

Номер патента: US09431518B2. Автор: Swaminathan Sivakumar,Paul A. Nyhus. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor device with dummy gate structures

Номер патента: US9362275B1. Автор: Yu-Hao Chang,Chang-Li Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-07.

Semiconductor device with controllable channel length and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230378172A1. Автор: Hyun Kwang Shin. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device with controllable channel length and manufacturing method thereof

Номер патента: US11764216B2. Автор: Hyun Kwang Shin. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Non-volatile memory device with reduced area

Номер патента: US20230114430A1. Автор: Yih Wang,Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG,Yao-Jen Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-13.

Non-volatile memory device with reduced area

Номер патента: US20210257495A1. Автор: Yih Wang,Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG,Yao-Jen Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

Semiconductor device with controllable channel length and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210028166A1. Автор: Hyun Kwang Shin. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-28.

Semicondoctor structure with gate electrode doping

Номер патента: US20220216206A1. Автор: Yoshikazu Moriwaki,Mika Yoshida. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-07-07.

Semiconductor device with novel spacer structures having novel configurations

Номер патента: US20190363173A1. Автор: Peter Baars,Hans-Juergen Thees. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-11-28.

Semiconductor device with reduced trap defect and method of forming the same

Номер патента: US20230369454A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Yu-Ming Lin,Chun Hsiung Tsai,Kuo-Feng Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Non-volatile memory device with reduced area

Номер патента: US20210083065A1. Автор: Yih Wang,Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG,Yao-Jen Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

A method (and related apparatus) for forming a semiconductor device with reduced spacing between nanostructure field-effect transistors

Номер патента: US20230317724A1. Автор: Kuo-Cheng Chiang,Huan-Chieh Su,Zhi-Chang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Unitary floating-gate electrode with both N-type and P-type gates

Номер патента: US8716083B2. Автор: Allan T. Mitchell,Michael A. Wu,Imran Mahmood Khan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-05-06.

Method (and related apparatus) for forming a semiconductor device with reduced spacing between nanostructure field-effect transistors

Номер патента: US11705452B2. Автор: Kuo-Cheng Chiang,Huan-Chieh Su,Zhi-Chang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-18.

Structure and formation method of semiconductor device with metal gate stack

Номер патента: US20200343362A1. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Huiling Shang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-29.

Devices with fully and partially silicided gate structures in gate first cmos technologies

Номер патента: US20160204217A1. Автор: Stefan Flachowsky,Peter Javorka,Gerd Zschatzsch. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-07-14.

Unitary Floating-Gate Electrode with Both N-Type and P-Type Gates

Номер патента: US20120244671A1. Автор: Allan T. Mitchell,Michael A. Wu,Imran Mahmood Khan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2012-09-27.

Semiconductor device having shared gate electrode and fabrication thereof

Номер патента: WO2000033381A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2000-06-08.

Structure and Method for Gate-All-Around Metal-Oxide-Semiconductor Devices With Improved Channel Configurations

Номер патента: US20220336460A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-20.

Semiconductor device including gate electrode extending between nanosheets

Номер патента: US09825183B2. Автор: Jong Ho Lee,Geum Jong Bae,Ho Jun Kim,Sung Dae Suk. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor structure including a transistor including a gate electrode region provided in a substrate and method for the formation thereof

Номер патента: US09786657B1. Автор: Uwe Dersch,Ricardo Pablo. Mikalo. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor memory device with defect detection capability

Номер патента: US20230104520A1. Автор: Seongkyung Kim,Dahye MIN,Ukjin Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-06.

Semiconductor device with fin end spacer dummy gate and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200058763A1. Автор: Tung Ying Lee,Ming-Shiang LIN,Tzu-Chiang CHEN,Wei-Sheng Yun,Chia-Cheng Ho,Tzu-Chung Wang,Kai-Tai Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-20.

Semiconductor device with fin end spacer dummy gate and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220367678A1. Автор: Tung Ying Lee,Ming-Shiang LIN,Tzu-Chiang CHEN,Wei-Sheng Yun,Chia-Cheng Ho,Tzu-Chung Wang,Kai-Tai Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Semiconductor device with reduced trap defect and method of forming the same

Номер патента: US11764284B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Yu-Ming Lin,Chun Hsiung Tsai,Kuo-Feng Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Transistor Device with Gate Resistor

Номер патента: US20190267487A1. Автор: Cesar Augusto Braz,David Laforet,Oliver Blank,Cedric OUVRARD,Gerhard Noebauer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-08-29.

Semiconductor memory device with defect detection capability

Номер патента: US11955195B2. Автор: Seongkyung Kim,Dahye MIN,Ukjin Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor device with reduced trap defect and method of forming the same

Номер патента: US20210020761A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Yu-Ming Lin,Chun Hsiung Tsai,Kuo-Feng Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

Method for forming nanowires including multiple integrated devices with alternate channel materials

Номер патента: US9953882B2. Автор: Ajey P. Jacob. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Contact resistance reduction in transistor devices with metallization on both sides

Номер патента: EP3930003A1. Автор: Gilbert Dewey,Mauro Kobrinsky,Glenn A. Glass,Anand S. Murthy,Ehren Mannebach,Ryan KEECH,Koustav Ganguly,Subrina RAFIQUE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-12-29.

Contact resistance reduction in transistor devices with metallization on both sides

Номер патента: US20240347610A1. Автор: Gilbert Dewey,Mauro Kobrinsky,Glenn A. Glass,Anand S. Murthy,Ehren Mannebach,Ryan KEECH,Koustav Ganguly,Subrina RAFIQUE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Gate electrode having a work-function layer including materials with different average grain sizes

Номер патента: US12113120B2. Автор: Pin Chia Su,Ling-Sung Wang,Ru-Shang Hsiao,Ching-Hwanq Su,Ying Hsin Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device having mid-gap work function metal gate electrode

Номер патента: US09461132B2. Автор: Dong-won Kim,Il-Ryong Kim,Keon-Yong Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Integrated circuit chip including gate electrode with oblique cut surface, and manufacturing method of the same

Номер патента: US20220336357A1. Автор: Deokhan Bae,Juhun PARK,Jinwook Kim,Junghoon Seo,Myungyoon Um,Inyeal Lee,Dongbeen KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-20.

Integrated circuit chip including gate electrode with oblique cut surface, and manufacturing method of the same

Номер патента: US11996364B2. Автор: Deokhan Bae,Juhun PARK,Jinwook Kim,Junghoon Seo,Myungyoon Um,Inyeal Lee,Dongbeen KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-28.

Wide bandgap transistor layout with l-shaped gate electrodes

Номер патента: US20240113169A1. Автор: Guillaume Alexandre Blin. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Method of forming a semiconductor device structure having an isolation layer to isolate a conductive feature and a gate electrode layer

Номер патента: US11756995B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor device with dummy pattern in high-voltage region and method of forming the same

Номер патента: US10068900B1. Автор: Chin Yang,Chao-Sheng Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-09-04.

Semiconductor devices with superlattice and punch-through stop (PTS) layers at different depths and related methods

Номер патента: US09941359B2. Автор: Hideki Takeuchi,Robert J. Mears. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Vertical memory devices with vertical isolation structures and methods of fabricating the same

Номер патента: US09905572B2. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Organic light emitting diode display device with reduced manufacturing cost

Номер патента: US09954048B2. Автор: Eun-Hye Oh,Eui Hoon Hwang,Soon O Jung. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Charge-coupled device

Номер патента: CA1203623A. Автор: Jan W. Slotboom,Hendrik A. Harwig,Marcellinus J.M. Pelgrom. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1986-04-22.

OLED display device with auxiliary electrode and preparation method thereof, display apparatus

Номер патента: US09818971B2. Автор: Yong Qiao,Hongfei Cheng,Yongchun Lu,Jianbo Xian. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device with single step height

Номер патента: US20220122992A1. Автор: Yu-Ting Lin,Mao-Ying Wang,Lai-Cheng TIEN,Hui-Lin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-04-21.

Driving method for a semiconductor device with an oxide semiconductor layer between two gate electrodes

Номер патента: US09449706B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

3D semiconductor device with reduced chip size

Номер патента: US09837419B2. Автор: Sung Lae OH,Dae Sung EOM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device with contacts and metal interconnects and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20150371945A1. Автор: Naoya Inoue,Yoshihiro Hayashi,Kenichiro Hijioka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-12-24.

Organic light emitting display device with shielding pattern configured to improve light transmittance

Номер патента: US12022691B2. Автор: Seunghyun Lee,Sungho Kim,Wangwoo Lee,Seokje Seong,Jinsung An,Minwoo Woo,Hyung Joo Jun. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Display substrate including third gate line between first gate electrode and second active pattern

Номер патента: US12108642B2. Автор: Kiho Bang,Jiseon Lee,Pilsuk Lee,Inhyuck YEO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device with split gate electrode structure and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20050042828A1. Автор: Jae-Hyun Park,Chul-soon Kwon,Jung-Ho Moon,Jae-Min Yu,Don-Woo Lee,In-Gu Yoon,Yong-Sun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-02-24.

Semiconductor device with integrated flash memory and peripheral circuit and its manufacture method

Номер патента: US20060226469A1. Автор: Shinichi Nakagawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-10-12.

Dram cell formed on an insulating layer having a vertical channel and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20010032989A1. Автор: Sang Won Kang,Yo Hwan Koh,Jin Hyeok Choi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-25.

Display device with alternating fan-out lines

Номер патента: US12022699B2. Автор: Chun Gi YOU,Tae Jong EOM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor device with channel layer comprising different types of impurities

Номер патента: US7812396B2. Автор: Masaru Kito,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Masaru Kidoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-10-12.

Structure and method for mosfet gate electrode landing pad

Номер патента: EP1994563A2. Автор: Carl Radens,Lawrence A. Clevenger,Timothy J. Dalton,Kwong-Hon Wong,Louis C. Hsu,Chih-chao c/o IBM United Kingdom Limited YANG. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-11-26.

Structure and method for mosfet gate electrode landing pad

Номер патента: WO2007127503A2. Автор: Carl Radens,Chih-Chao Yang,Lawrence A. Clevenger,Timothy J. Dalton,Kwong-Hon Wong,Louis C. Hsu. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2007-11-08.

Display device with voltage line contact

Номер патента: US11737326B2. Автор: Seung-Hwan Cho,Tetsuhiro Tanaka,WonSuk Choi,Seokje Seong,Jiseon Lee,Seungwoo SUNG,Jiryun Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Devices with gate-to-gate isolation structures and methods of manufacture

Номер патента: US20120306016A1. Автор: Jed H. Rankin,Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-12-06.

Display device with voltage line contact

Номер патента: US20230371326A1. Автор: Seung-Hwan Cho,Tetsuhiro Tanaka,WonSuk Choi,Seokje Seong,Jiseon Lee,Seungwoo SUNG,Jiryun Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Display substrate having gate extension portion protruding from gate electrode of first transistor and display device

Номер патента: US11937480B2. Автор: MENG Li,LANG Liu,Zhidong Yuan,Yongqian Li,Can Yuan,Zhongyuan Wu,Dacheng Zhang. Владелец: Hefei BOE Joint Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor device with single step height and method for fabricating the same

Номер патента: US20220122991A1. Автор: Yu-Ting Lin,Mao-Ying Wang,Lai-Cheng TIEN,Hui-Lin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-04-21.

Linear output stage for charge-coupled circuits

Номер патента: US4302685A. Автор: Ernst Hebenstreit. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1981-11-24.

Semiconductor device with a gate region having overlapping first conduction type and second conduction type dopants

Номер патента: US20080087964A1. Автор: Hirotsugu Takahashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-17.

Three dimensional NAND device with channel located on three sides of lower select gate and method of making thereof

Номер патента: US09876027B2. Автор: Hiroyuki Ogawa,Shinsuke YADA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-23.

Three dimensional NAND device with channel located on three sides of lower select gate and method of making thereof

Номер патента: US09449983B2. Автор: Hiroyuki Ogawa,Shinsuke YADA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device with multiple channels and method of fabricating the same

Номер патента: US20090275177A1. Автор: Ming Li,Sung-min Kim,Dong-won Kim,Sung-dae Suk,Kyoung-hwan Yeo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-11-05.

Oxide semiconductor device with an oxygen-controlling insulating layer

Номер патента: US09859114B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device with elevated source/drain structure and its manufacture method

Номер патента: US6855589B2. Автор: Toshifumi Mori. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-02-15.

Display device with driving transistor having upper and lower gate electrodes

Номер патента: US12120915B2. Автор: Yoshinobu Nakamura,Tadayoshi Miyamoto,Kayo Haruguchi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Three-dimensional memory structure having a back gate electrode

Номер патента: US09576971B2. Автор: Yanli Zhang,Johann Alsmeier,Akira MATSUDAIRA,Yingda Dong. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-02-21.

Flat panel display device with oxide thin film transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US09570483B2. Автор: Ki Tae Kim,Chang Hoon Han,Ki Young Jung. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Power Semiconductor Devices with Low Specific On-Resistance

Номер патента: US20210273095A1. Автор: Zhao Qi,Bo Zhang,Ming Qiao,Longfei LIANG,Yilei LYU. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2021-09-02.

A transistor device with metallic electrodes and a method for use in forming such a device

Номер патента: EP1647047A2. Автор: John Christopher Rudin. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2006-04-19.

Turn-off power semiconductor device with gate runners

Номер патента: EP4107783A1. Автор: Thomas Stiasny,Tobias Wikstroem,Paul Commin. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-12-28.

Vertical device with sidewall spacer, methods of forming sidewall spacers and field effect transistors, and patterning method

Номер патента: US20070254442A1. Автор: Christoph Ludwig,Hans Lindemann,Jyoti Gupta,Dirk Manger. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-11-01.

Desaturable semiconductor device with transistor cells and auxiliary cells

Номер патента: US09899478B2. Автор: Johannes Georg Laven,Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-02-20.

Electronic device including side gate and two-dimensional material channel and method of manufacturing the electronic device

Номер патента: US09735233B2. Автор: Jaeho Lee,Seongjun Park,Jinseong Heo,Kiyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device with recess gate and method for fabricating the same

Номер патента: US20100258861A1. Автор: Tae-Kyun Kim,Yun-Hyuck Ji,Seung-Mi Lee,Jin-Yul Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-10-14.

Flash memory device with three-dimensional half flash structure and methods for forming the same

Номер патента: US20220359760A1. Автор: Yu-Chu Lin,Yi-Ling Liu,Keng-Ying Liao,Wen-Chih Chiang,Huai-Jen Tung,Chi-Chung JEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Semiconductor devices with a sloped surface

Номер патента: US20200328275A1. Автор: Seetharaman Sridhar,Haian Lin,Frank Alexander Baiocchi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Three-Dimensional Memory Device with Ferroelectric Material

Номер патента: US20240365553A1. Автор: Chun-Chieh Lu,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG,Chi On Chui,Chenchen Jacob WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device with field electrode structures in a cell area and termination structures in an edge area

Номер патента: US09620636B2. Автор: Franz Hirler,Ralf Siemieniec,Michael Hutzler,Oliver Blank,Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device with power transistor cells and lateral transistors and method of manufacturing

Номер патента: US09590094B2. Автор: Robert Zink,Sven Lanzerstorfer,Stefan Decker. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device with varying thickness of insulating film between electrode and gate electrode and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09559183B2. Автор: Hiroshi Kawaguchi,Takashi Inoue,Takayuki Nagai,Toshiyuki Takewaki,Yasuhiro Okamoto,Tatsuo Nakayama,Hironobu Miyamoto,Yoshinao Miura,Nobuhiro Nagura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device with oxide semiconductor layer

Номер патента: US09543445B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Daisuke Kawae,Hiromichi Godo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Three dimensional NAND device having nonlinear control gate electrodes and method of making thereof

Номер патента: US09455267B2. Автор: Yanli Zhang,Johann Alsmeier. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-27.

Non-planar field effect transistor devices with low-resistance metallic gate structures

Номер патента: US20200075719A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Extended-drain metal-oxide-semiconductor devices with a multiple-thickness buffer dielectric layer

Номер патента: US20220085211A1. Автор: Upinder Singh,Bong Woong Mun,Jeoung Mo KOO. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor device with trench field plate

Номер патента: WO2006085267A3. Автор: Theodore Letavic,John Petruzzello. Владелец: John Petruzzello. Дата публикации: 2007-03-15.

FinFET Device with Gate Electrode and Spacers

Номер патента: US20090114979A1. Автор: Thomas Schulz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-05-07.

Three-dimensional memory device with ferroelectric material

Номер патента: US12101939B2. Автор: Chun-Chieh Lu,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG,Chi On Chui,Chenchen Jacob WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Display device with pixel including capacitor

Номер патента: US09915843B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Shigeki Komori,Hideki Uochi,Tomoya Futamura,Takahiro Kasahara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device with a trench electrode

Номер патента: US09837527B2. Автор: Wolfgang Bergner,Ralf Siemieniec,Romain Esteve,Dethard Peters. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-12-05.

Method for manufacturing a semiconductor switching device with different local cell geometry

Номер патента: US09583395B2. Автор: Christian Fachmann,Enrique Vecino Vazquez. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device with field electrode and contact structure

Номер патента: US9799738B2. Автор: Ralf Siemieniec,Michael Hutzler,David Laforet,Oliver Blank,Cedric OUVRARD,Li Juin Yip. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-10-24.

Non-planar field effect transistor devices with low-resistance metallic gate structures

Номер патента: US20200075717A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Ferroelectric memory device with multi-level bit cell

Номер патента: EP4421849A1. Автор: Zhixing ZHAO,Dominik M. KLEIMAIER,Stefan Duenkel. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

Ferroelectric memory device with multi-level bit cell

Номер патента: US20240284680A1. Автор: Zhixing ZHAO,Dominik M. KLEIMAIER,Stefan Duenkel. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Method for forming 2-D material semiconductor device with improved source/drain electrodes and gate dielectric

Номер патента: US12080557B2. Автор: Shih-Yen Lin,yu-wei Zhang,Po-Cheng TSAI. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device with reduced flicker noise

Номер патента: US20230299171A1. Автор: Yu-Chi Chang,Hsin-Li Cheng,Liang-Tai Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor devices with selectively doped gate electrode structure

Номер патента: US20240363748A1. Автор: Pinghai Hao,Henry Litzmann Edwards,Dhanoop Varghese. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor devices with selectively doped gate electrode structure

Номер патента: WO2024228783A1. Автор: Pinghai Hao,Henry Litzmann Edwards,Dhanoop Varghese. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2024-11-07.

Transistor device with field-electrode

Номер патента: US09698228B2. Автор: Markus Zundel,Christian Kampen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor integrated circuit device having vertical channel and method of manufacturing the same

Номер патента: US09640587B2. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device with metal gate structure comprising work-function metal layer and work-fuction adjustment layer

Номер патента: US09590065B2. Автор: Weng Chang,Syun-Ming Jang,Wei-Jen Lo,Hsien-Ming Lee,Da-Yuan Lee,Kuan-Ting Liu,Hung-Chin Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Method of forming vertical FET device with low gate to source overlap capacitance

Номер патента: US5087581A. Автор: Mark S. Rodder. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1992-02-11.

Semiconductor device with multiple floating gates for multi-level capacitance changes

Номер патента: US11810983B2. Автор: Tae Sik Yoon. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Three-dimensional memory device with horizontal silicon channels and method of making the same

Номер патента: US20200286901A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Shigeki Shimomura,Satoru Mayuzumi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-09-10.

Memory cell device with thin-film transistor selector and methods for forming the same

Номер патента: US20210399046A1. Автор: Chung-Te Lin,Mauricio Manfrini,Yong-Jie WU,Yen-Chung Ho,Hui-Hsien Wei,Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device with a Metal-Filled Groove in a Polysilicon Gate Electrode

Номер патента: US20180026130A1. Автор: Ralf Siemieniec,Oliver Blank,Li Juin Yip. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-01-25.

Manufacturing process of a vertical-conduction misfet device with gate dielectric structure having differentiated thickness and vertical-conduction misfet device thus manufacture

Номер патента: US20100167481A1. Автор: Giuseppe Arena,Angelo Magri',Domenico Repici,Orazio Battiato,Fabrizio Marco Di Paola. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2010-07-01.

Insulated gate turn-off device with turn-off schottky-barrier mosfet

Номер патента: US20180026121A1. Автор: Richard A. Blanchard,Vladimir Rodov,Hidenori Akiyama,Woytek Tworzydlo. Владелец: Pakal Technologies Inc. Дата публикации: 2018-01-25.

Power semiconductor device with an insulated trench gate electrode and method of producing a power semiconductor device

Номер патента: US20240038879A1. Автор: Chiara Corvasce,Gaurav Gupta,Wolfgang Amadeus VITALE,Elizabeth BUITRAGO,Luca De Michielis. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device with reduced surface field effect and methods of fabrication the same

Номер патента: US20120273891A1. Автор: Michael Andrew Smith. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-01.

Semiconductor Device with Pillar- Shaped Shielded gate structures

Номер патента: US20240186385A1. Автор: LIN Xu,Fu-Yuan Hsieh. Владелец: Shenzhen Puolop Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Gate-All-Around Device with Protective Dielectric Layer and Method of Forming the Same

Номер патента: US20240250142A1. Автор: Hou-Yu Chen,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Ting Chung,Yi-Bo Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Rf switch device with a sidewall spacer having a low dielectric constant

Номер патента: US20220223714A1. Автор: Cheng-ta Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-14.

Semiconductor device with silicon-germanium gate electrode and method for manufacturing thereof

Номер патента: US20060138518A1. Автор: Akiyoshi Mutou,Hiroshi Ohji. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-06-29.

Ferroelectric memory devices containing a two-dimensional charge carrier gas channel and methods of making the same

Номер патента: US20200203381A1. Автор: Peter Rabkin,Masaaki Higashitani,Alan Kalitsov. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-06-25.

Method and Layout of Semiconductor Device with Reduced Parasitics

Номер патента: US20110294273A1. Автор: Qiang Chen,Albert Birner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-01.

Power semiconductor device with alternating source region and body contact region and manufacturing method thereof

Номер патента: US11056575B2. Автор: Soo Chang Kang,Seong Jo HONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2021-07-06.

Method of making a semiconductor device with a stressor

Номер патента: US20080261355A1. Автор: Sinan Goktepeli,Venkat R. Kolagunta. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-10-23.

Semiconductor device with reduced gate-overlap capacitance and method of forming the same

Номер патента: US7791133B2. Автор: Hiroyuki Fujimoto. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2010-09-07.

Semiconductor device with guard ring isolating power device

Номер патента: US12113102B2. Автор: Hyunchul Kim,Taehoon Lee,Kwangil Kim,Insu JUNG,Kyungbae LEE. Владелец: Sk Keyfoundry Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device with multi-finger structure

Номер патента: US09972691B2. Автор: Yoichi Kawano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

MOS devices with mask layers and methods for forming the same

Номер патента: US09947762B2. Автор: Chi-Feng Huang,Chia-Chung Chen,Victor Chiang Liang,Chu-Fu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Insulated gate turn-off device with turn-off Schottky-Barrier MOSFET

Номер патента: US09935188B2. Автор: Richard A. Blanchard,Vladimir Rodov,Hidenori Akiyama,Woytek Tworzydlo. Владелец: Pakal Technologies Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device with an interconnect structure and method for forming the same

Номер патента: US09911650B2. Автор: Chih-Hung Lu,Wei-Chin Chen,Chia-Der Chang,Guo-Chiang CHI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device with metal-filled groove in polysilicon gate electrode

Номер патента: US09768290B2. Автор: Ralf Siemieniec,Oliver Blank,Li Juin Yip. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor devices with self-aligned contacts and low-k spacers

Номер патента: US09543426B2. Автор: Xiuyu Cai,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device with polycrystalline silicon film

Номер патента: US09530855B2. Автор: Masamichi Suzuki,Mitsuhiro Tomita,Kiwamu Sakuma,Yuichiro Mitani,Yusuke Higashi,Riichiro TAKAISHI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Vertical transistor device with halo pocket contacting source

Номер патента: US09496390B2. Автор: Hao Su,Hong Liao,Hang HU. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Transistor device with buried field electrode connection

Номер патента: US20220052164A1. Автор: Robert Paul Haase. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor device with graded drift region

Номер патента: US9525059B1. Автор: Kenya Kobayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Transistor device with buried field electrode connection

Номер патента: EP3955316A3. Автор: Robert Haase. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2022-07-06.

Method for forming integrated semiconductor device with 2D material layer

Номер патента: US11935890B2. Автор: Chun-Chieh Lu,Cheng-Yi Peng,Carlos H. Diaz,Ling-Yen Yeh,Meng-Hsuan Hsiao,Tung-Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Turn-off power semiconductor device with gate runners

Номер патента: WO2021198383A8. Автор: Thomas Stiasny,Tobias Wikstroem,Paul Commin. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-01-20.

Rf switch device with a sidewall spacer having a low dielectric constant

Номер патента: US20210066472A1. Автор: Cheng-ta Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor Device with Multi-Branch Gate Contact Structure

Номер патента: US20200357917A1. Автор: Stefan Mieslinger,Markus Zundel,Andrew Christopher Graeme Wood,Thomas Ostermann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-11-12.

UV-assisted dielectric formation for devices with strained germanium-containing layers

Номер патента: US20080078987A1. Автор: Gert Leusink. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2008-04-03.

Semiconductor device having through hole, source and gate electrode structures

Номер патента: US20190165097A1. Автор: Shinji Kudoh,Shunsuke Fukunaga,Taro Kondo. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Field effect transistor having an asymmetric gate electrode

Номер патента: US20120104513A1. Автор: Huilong Zhu,Qingqing Liang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-05-03.

Mos power device with high integration density and manufacturing process thereof

Номер патента: WO2006122957A3. Автор: Giuseppe Curro'. Владелец: Giuseppe Curro'. Дата публикации: 2007-02-01.

Three-dimensional memory device with ferroelectric material

Номер патента: US12041781B2. Автор: Yu-Ming Lin,Han-Jong Chia,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

High voltage device with gate extensions

Номер патента: US20240136397A1. Автор: Ming Chyi Liu,Jhih-Bin CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Gate electrode and method for manufacturing the same, and method for manufacturing array substrate

Номер патента: US20210242033A1. Автор: Tingting Zhou,Bin Zhang,Yucheng CHAN,Xuefei Sun,Chienhung Liu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

Three-dimensional memory device with ferroelectric material

Номер патента: US20240334708A1. Автор: Yu-Ming Lin,Han-Jong Chia,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device with cut metal gate and method of manufacture

Номер патента: US12112990B2. Автор: Yi-Chun Chen,Ryan Chia-Jen Chen,Shu-Yuan Ku,Ya-Yi Tsai,I-Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device with low concentration opposite type doping drain end gate electrode

Номер патента: US20240363720A1. Автор: Henry Litzmann Edwards. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor Device with Cut Metal Gate and Method of Manufacture

Номер патента: US20240371704A1. Автор: Yi-Chun Chen,Ryan Chia-Jen Chen,Shu-Yuan Ku,Ya-Yi Tsai,I-Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Three dimensional vertical nand device with floating gates

Номер патента: WO2015199994A2. Автор: James Kai,Thomas Jongwan Kwon,Henry Chien,George Matamis,Yao-Sheng Lee. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2015-12-30.

Semiconductor device with low concentration opposite type doping drain end gate electrode

Номер патента: WO2024226119A1. Автор: Henry Litzmann Edwards. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device comprising a first gate electrode and a second gate electrode

Номер патента: US09985126B2. Автор: Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-29.

Transistor having dual work function buried gate electrode and method for fabricating the same

Номер патента: US09818843B2. Автор: Tae-Kyung Oh,Su-ho Kim,Jin-Yul Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device with a trench and method for manufacturing the same

Номер патента: US09773681B2. Автор: Manoj Kumar,Jui-Chun Chang,Chia-hao Lee,Tsung-Hsiung LEE,Pei-Heng HUNG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Thin film transistor array substrate having a gate electrode comprising two conductive layers

Номер патента: US09748282B2. Автор: Jongchan Lee,Myounghwa KIM,Yoonho Khang,Joohee Jeon,Jaewook Kang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Transistor having dual work function buried gate electrode and method for fabricating the same

Номер патента: US09530849B2. Автор: Tae-Kyung Oh,Su-ho Kim,Jin-Yul Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Three dimensional vertical NAND device with floating gates

Номер патента: US09524779B2. Автор: James Kai,Thomas Jongwan Kwon,Henry Chien,George Matamis,Yao-Sheng Lee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-20.

Methods of forming a semiconductor device with a gate stack having tapered sidewalls

Номер патента: US09520474B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yi-Jen Chen,Chang-Yin Chen,Yung Jung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Lateral gate electrode TFT switch and liquid crystal display device

Номер патента: US09508860B2. Автор: Yuejun TANG. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device with an interconnect structure and method for forming the same

Номер патента: US09478626B2. Автор: Chih-Hung Lu,Wei-Chin Chen,Chia-Der Chang,Guo-Chiang CHI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device with mushroom electrode and manufacture method thereof

Номер патента: US20040152289A1. Автор: Kozo Makiyama,Takahiro Tan. Владелец: Fujitsu Quantum Devices Ltd. Дата публикации: 2004-08-05.

Semiconductor floating gate storage device with lateral electrode system

Номер патента: US4019197A. Автор: Jan Lohstroh,Roelof Herman Willem Salters. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1977-04-19.

Semiconductor device with profiled work-function metal gate electrode and method of making

Номер патента: US20230369132A1. Автор: Weng Chang,Syun-Ming Jang,Wei-Jen Lo,Hsien-Ming Lee,Da-Yuan Lee,Kuan-Ting Liu,Hung-Chin Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Extended-drain metal-oxide-semiconductor devices with a notched gate electrode

Номер патента: US11791392B2. Автор: Upinder Singh,Bong Woong Mun,Jeoung Mo KOO. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-10-17.

Three dimensional nand device with channel located on three sides of lower select gate and method of making thereof

Номер патента: WO2015094637A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Shinsuke YADA. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2015-06-25.

Semiconductor device with profiled work-function metal gate electrode and method of making

Номер патента: US11804409B2. Автор: Weng Chang,Syun-Ming Jang,Wei-Jen Lo,Hsien-Ming Lee,Da-Yuan Lee,Kuan-Ting Liu,Hung-Chin Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Semiconductor device with field plate electrode

Номер патента: US11522058B2. Автор: Tsuyoshi Kachi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2022-12-06.

Semiconductor device with fixed charge layers

Номер патента: US8754465B2. Автор: Motoyuki Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-06-17.

Flash Memory Device with Three-Dimensional Half Structure and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20240136444A1. Автор: Yu-Chu Lin,Yi-Ling Liu,Keng-Ying Liao,Wen-Chih Chiang,Huai-Jen Tung,Chi-Chung JEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Flash memory device with three-dimensional half flash structure and methods for forming the same

Номер патента: US11888074B2. Автор: Yu-Chu Lin,Yi-Ling Liu,Keng-Ying Liao,Wen-Chih Chiang,Huai-Jen Tung,Chi-Chung JEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Method for manufacturing semiconductor device with passing gate

Номер патента: US20240014314A1. Автор: Jhen-Yu Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor device with dual trench structure

Номер патента: GB2587646A. Автор: Rahimo Munaf,Nistor Iulian. Владелец: MQSemi AG. Дата публикации: 2021-04-07.

Flash Memory Device with Three Dimensional Half Flash Structure and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20230253508A1. Автор: Yu-Chu Lin,Yi-Ling Liu,Keng-Ying Liao,Wen-Chih Chiang,Huai-Jen Tung,Chi-Chung JEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Stringer-free gate electrode for a suspended semiconductor fin

Номер патента: US20140332892A1. Автор: Josephine B. Chang,Isaac Lauer,Chung-Hsun Lin,Jeffrey N. Sleight. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-11-13.

Stringer-free gate electrode for a suspended semiconductor fin

Номер патента: US20140332890A1. Автор: Josephine B. Chang,Isaac Lauer,Jeffrey W. Sleight,Chung-Hsun Lin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-11-13.

Semiconductor device with multiple channels

Номер патента: US7579657B2. Автор: Ming Li,Sung-min Kim,Dong-won Kim,Sung-dae Suk,Kyoung-hwan Yeo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-08-25.

Array substrate having source and drain transfer portions integrated with channel and liquid crystal display panel including same

Номер патента: US10388679B2. Автор: Zhiwu Wang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-20.

Semiconductor transistors having high-k gate dielectric layers, metal gate electrode regions, and low fringing capacitances

Номер патента: US20090179284A1. Автор: Jeffrey Peter Gambino. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-16.

Thin-film transistor having a floating gate between a control gate and a gate electrode, manufacturing method thereof, display substrate and display device

Номер патента: US10680113B2. Автор: Zhen Song,Guoying Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-09.

Semiconductor devices with metal contacts including crystalline alloys

Номер патента: US20200152781A1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Ian A. Young,Dmitri E. Nikonov,Uygar E. Avci,Christopher J. WIEGAND,Anurag Chaudhry,Jasmeet S. Chawla. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-05-14.

Semiconductor transistors having high-k gate dielectric layers, metal gate electrode regions, and low fringing capacitances

Номер патента: US20100096706A1. Автор: Jeffrey Peter Gambino. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-04-22.

Semiconductor devices with metal contacts including crystalline alloys

Номер патента: EP3682483A1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Ian A. Young,Dmitri E. Nikonov,Uygar E. Avci,Christopher J. WIEGAND,Anurag Chaudhry,Jasmeet S. Chawla. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-07-22.

Semiconductor devices with enhanced substrate isolation

Номер патента: US12080799B2. Автор: Jaeduk LEE,Sohyeon LEE,Sungsu Moon,Ikhyung Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device having first and second gate electrodes

Номер патента: US09899503B2. Автор: Akio Nakagawa,Manabu Takei,Yusuke Kobayashi,Yuichi Onozawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor structure with enlarged gate electrode structure and method for forming the same

Номер патента: US09748350B2. Автор: Yi-Chun Lo,Wen-Jia HSIEH,Bo-Wen HSIEH,Mi-Hua LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device having multi-channel and method of forming the same

Номер патента: US09673279B2. Автор: Jinwook Lee,Yongseok Lee,Kwang-Yong Yang,Jeongyun Lee,Keomyoung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Manufacturing method of transistor with floating gate and application method of transistor with floating gate electrode

Номер патента: US09620532B2. Автор: Wei Guo,Ning Chen,LU Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Power semiconductor device with mesa type structure

Номер патента: US4618877A. Автор: Yoshinari Uetake,Youichi Araki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1986-10-21.

Semiconductor device with increased distance between channel edges and a gate electrode

Номер патента: US5747828A. Автор: Masahiro Adachi,Takashi Funai,Akihiro Hata. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1998-05-05.

MOSFET device with improved LDD region and method of making same

Номер патента: US5780350A. Автор: Ashok K. Kapoor. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 1998-07-14.

Power semiconductor device with mesa type structure

Номер патента: CA1226072A. Автор: Yoshinari Uetake,Youichi Araki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1987-08-25.

Structure and Formation Method of Semiconductor Device with Gate Stack

Номер патента: US20210028296A1. Автор: Che-Cheng Chang,Yi-Jen Chen,Sheng-Chi Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-01-28.

Thin-film transistor structure with three-dimensional fin-shape channel and preparation method thereof

Номер патента: US10431688B2. Автор: HAI Ou,Kai Wang,Jun Chen. Владелец: SYSU CMU Shunde International Joint Research Institute. Дата публикации: 2019-10-01.

Device with a recessed gate electrode that has high thickness uniformity

Номер патента: US11846871B2. Автор: Ming Chyi Liu,Tung-He Chou,Hung-Shu Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Semiconductor device with insulated gate formed within grooved portion formed therein

Номер патента: US8319281B2. Автор: Kazunori Fujita,Yoshikazu Yamaoka,Satoru Shimada,Kazuhiro Sasada. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-27.

Semiconductor device with composite word line structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20230328970A1. Автор: Chun-Chi Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor device with high voltage transistor

Номер патента: US20130189820A1. Автор: Masashi Shima. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-07-25.

Device with a recessed gate electrode that has high thickness uniformity

Номер патента: US20240061320A1. Автор: Ming Chyi Liu,Tung-He Chou,Hung-Shu Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor device with high mobility and high speed

Номер патента: US6855987B2. Автор: Takashi Mimura,Keiji Ikeda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-02-15.

Semiconductor Device with Silicon Carbide Body and Method of Manufacturing

Номер патента: US20190355819A1. Автор: Ralf Siemieniec,Romain Esteve,Thomas Aichinger,Ravi Keshav Joshi,Shiqin Niu. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-11-21.

Semiconductor device with ferroelectric aluminum nitride

Номер патента: US11996451B2. Автор: Miin-Jang Chen,Bo-Ting Lin,Tzong-Lin Jay Shieh. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2024-05-28.

Semiconductor device having buried gate electrode structures

Номер патента: US20150145029A1. Автор: Marko Lemke,Rolf Weis,Stefan Tegen. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2015-05-28.

Vertical transistor devices with composite high-k and low-k spacers with a controlled top junction

Номер патента: US20210119043A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Semiconductor device with ferroelectric aluminum nitride

Номер патента: US20210074817A1. Автор: Miin-Jang Chen,Bo-Ting Lin,Tzong-Lin Jay Shieh. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2021-03-11.

Semiconductor device with ferroelectric aluminum nitride

Номер патента: US10847623B2. Автор: Miin-Jang Chen,Bo-Ting Lin,Tzong-Lin Jay Shieh. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2020-11-24.

Method for fabricating semiconductor device with super junction structure

Номер патента: US20150056771A1. Автор: Tsung-Hsiung LEE. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2015-02-26.

Method for evaluating impurity distribution under gate electrode without damaging silicon substrate

Номер патента: US7691649B2. Автор: Hidekazu Sato,Kazuo Hashimi. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-04-06.

Lateral diffusion field effect transistor with drain region self-aligned to gate electrode

Номер патента: US20120126319A1. Автор: Jeffrey P. Gambino,Xuefeng Liu,Steven H. Voldman,Natalie B. Feilchenfeld,Michael J. Zierak,Benjamin T. Voegeli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-05-24.

Method of enlarging contact area of a gate electrode, semiconductor device having a surface-enlarged gate electrode, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20040169223A1. Автор: Chan-Hyung Cho,Sung-Gyu Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-09-02.

Method for producing a gate electrode structure

Номер патента: US20120083081A1. Автор: Anton Mauder,Hans Weber,Kurt Sorschag,Roman Knoefler,Stefan Gamerith. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2012-04-05.

Semiconductor Devices Having pFET with SiGe Gate Electrode and Embedded SiGe Source/Drain Regions and Methods of Making the Same

Номер патента: US20100297818A1. Автор: Jiang Yan,Roman Knoefler,Alois Gutmann,Jin-Ping Han,Yung Fu Chong,Jingyu Lian,Chris Stapelmann. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-25.

Semiconductor device with ferroelectric aluminum nitride

Номер патента: US20240313060A1. Автор: Miin-Jang Chen,Bo-Ting Lin,Tzong-Lin Jay Shieh. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of manufacturing semiconductor device with a multi-layered gate dielectric

Номер патента: US09984884B2. Автор: Hiroshi Kawaguchi,Takashi Inoue,Takayuki Nagai,Toshiyuki Takewaki,Yasuhiro Okamoto,Tatsuo Nakayama,Hironobu Miyamoto,Yoshinao Miura,Nobuhiro Nagura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device having gate electrode overlapping semiconductor film

Номер патента: US09680026B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device including a gate trench having a gate electrode located above a buried electrode

Номер патента: US09673318B1. Автор: Timothy D. Henson,Ashita Mirchandani. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device with a small off current and oxide semiconductor layer having a function of a channel formation layer

Номер патента: US09553583B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama,Kosei Noda,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor devices including a gate electrode and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09508732B2. Автор: Sung-Wook Park,Gyu-Yeol Lee,Sung-Hun Lee,Ki-Yong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device with an SGT and method for manufacturing the same

Номер патента: US09461165B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device with charge compensation region underneath gate trench

Номер патента: US09443973B2. Автор: Franz Hirler,Martin Vielemeyer,Minghao Jin,Oliver Blank,Li Juin Yip. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-09-13.

Method for fabricating semiconductor device with vertical channel transistor

Номер патента: USRE44473E1. Автор: Sang-Hoon Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-09-03.

Nonplanar semiconductor device with partially or fully wrapped around gate electrode and methods of fabrication

Номер патента: US20110020987A1. Автор: Brian S. Doyle,Robert S. Chau,Suman Datta,Scott A. Hareland,Rafael Rios,Tom Linton. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-27.

Electronic device with asymmetric gate strain

Номер патента: US9780184B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Transistor for non volatile memory devices having a carbon nanotube channel and electrically floating quantum dots in its gate dielectric

Номер патента: US20070114593A1. Автор: Justin Brask,Brian Doyle,Suman Datta,Marko Radosavljevic,Robert Chau,Amlan Majumdar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2007-05-24.

Transistor device with gate bottom isolation and method of making thereof

Номер патента: US9331088B2. Автор: Seje TAKAKI. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2016-05-03.

Method of fabricating semiconductor device with MIS structure

Номер патента: US6027977A. Автор: Toru Mogami. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-02-22.

Vertical thin film transistor with single gate electrode with micro-perforations

Номер патента: US11881515B2. Автор: Chong Uk Lee. Владелец: Solsona Enterprise LLC. Дата публикации: 2024-01-23.

Replacement gate structure on finfet devices with reduced size fin in the channel region

Номер патента: US20150364595A1. Автор: Hui Zang,Bingwu Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-12-17.

Quantum dot devices with diodes for electrostatic discharge protection

Номер патента: US20190252536A1. Автор: Ravi Pillarisetty,David J. Michalak,James S. Clarke,Nicole K. Thomas,Hubert C. George,Kanwaljit Singh,Jeanette M. Roberts,Roman CAUDILLO,Lester Lampert. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-08-15.

Electronic device including side gate and two-dimensional material channel and method of manufacturing the electronic device

Номер патента: US20160300908A1. Автор: Jaeho Lee,Seongjun Park,Jinseong Heo,Kiyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-13.

Semiconductor device with negative capacitance structure and method for forming the same

Номер патента: US10861968B1. Автор: Chih-Hao Wang,Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG,Chi-On CHUI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-08.

RF switch device with a sidewall spacer having a low dielectric constant

Номер патента: US11901435B2. Автор: Cheng-ta Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Method for Manufacturing a Semiconductor Switching Device with Different Local Cell Geometry

Номер патента: US20160099180A1. Автор: Christian Fachmann,Enrique Vecino Vazquez. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-04-07.

Semiconductor Device with Localized Stressor

Номер патента: US20080258233A1. Автор: Min Cao,Chung-Te Lin,Ru-Shang Hsiao,Ta-Ming Kuan,Cheng-Tung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-10-23.

Transistor component having gate electrodes and field electrodes

Номер патента: US11810958B2. Автор: Markus Zundel,Felix Buth,Margarete Deckers,Christian Feuerbaum,Uwe Schmalzbauer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-11-07.

Semiconductor device with gate cut structure

Номер патента: US20210074842A1. Автор: Jiehui SHU. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-03-11.

Electronic device including side gate and two-dimensional material channel and method of manufacturing the electronic device

Номер патента: US20170330935A1. Автор: Jaeho Lee,Seongjun Park,Jinseong Heo,Kiyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-16.

Semiconductor device with negative capacitance structure and method for forming the same

Номер патента: US20200381559A1. Автор: Chih-Hao Wang,Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG,Chi-On CHUI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-03.

Field effect transistor having an asymmetric gate electrode

Номер патента: US20130178056A1. Автор: Huilong Zhu,Qingqing Liang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-07-11.

Gate-all-around semiconductor device with dielectric-all-around capacitor and method for fabricating the same

Номер патента: US11785760B2. Автор: Liang-Pin Chou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-10-10.

Semiconductor device with strain

Номер патента: US20080296635A1. Автор: Shigeo Satoh. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-12-04.

Semiconductor device with strain

Номер патента: US7719090B2. Автор: Shigeo Satoh. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-05-18.

Gate-all-around device with protective dielectric layer and method of forming the same

Номер патента: US11948989B2. Автор: Hou-Yu Chen,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Ting Chung,Yi-Bo Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor device with strain

Номер патента: US8102030B2. Автор: Shigeo Satoh. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-01-24.

Semiconductor device with strain

Номер патента: US20120091534A1. Автор: Shigeo Satoh. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-04-19.

Semiconductor device with strain

Номер патента: US20100193846A1. Автор: Shigeo Satoh. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-08-05.

Semiconductor device with air gap on gate structure and method for forming the same

Номер патента: US20230335584A1. Автор: Chia-Hao Chang,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin,Chia-Lin Chuang,Che-Chen WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Vertical thin film transistor with perforated or comb-gate electrode configuration

Номер патента: US20200006506A1. Автор: Kenji Nomura,Chong Uk Lee. Владелец: Solsona Enterprise LLC. Дата публикации: 2020-01-02.

Semiconductor Devices with Charge Fixing Layers

Номер патента: US20180053775A1. Автор: Jae Young Ahn,Hyung Joon Kim,Ji Hoon Choi,Phil Ouk NAM,Hong Suk Kim,Sung Gil Kim,Seulye KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-22.

Non-planar field effect transistor devices with low-resistance metallice gate structures

Номер патента: US20200075720A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Semiconductor device with reduced gate length

Номер патента: US20150097227A1. Автор: Jean-Pierre Colinge,Kuo-Cheng Ching,Carlos H. Diaz,Ta-Pan Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-04-09.

Semiconductor Device with Metal-Filled Groove in Polysilicon Gate Electrode

Номер патента: US20150295078A1. Автор: Ralf Siemieniec,Oliver Blank,Li Juin Yip. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2015-10-15.

Rf switch device with a sidewall spacer having a low dielectric constant

Номер патента: US20240154023A1. Автор: Cheng-ta Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Power MOS device with low gate charge and a method for manufacturing the same

Номер патента: US11211486B2. Автор: Bo Zhang,Ming Qiao,Shida DONG,Zhengkang Wang. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2021-12-28.

Semiconductor device with deep trench isolation mask layout

Номер патента: US20220384595A1. Автор: Sang Uk LEE,Yang Beom KANG. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Transistor gate electrodes with voids

Номер патента: US12087839B2. Автор: Shahaji B. More,Chandrashekhar Prakash SAVANT. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Gate electrode extending into a shallow trench isolation structure in high voltage devices

Номер патента: US20240339533A1. Автор: Yun-Chi Wu,Yuan-Cheng Yang,Shih-Jung Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Gate electrode extending into a shallow trench isolation structure in high voltage devices

Номер патента: US12040397B2. Автор: Yun-Chi Wu,Yuan-Cheng Yang,Shih-Jung Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Methods of fabricating transistors with a protection layer to improve the insulation between a gate electrode and a junction region

Номер патента: US09786766B2. Автор: Jang Uk Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device comprising a gate electrode connected to a source terminal

Номер патента: US09620637B2. Автор: Till Schloesser,Franz Hirler,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device having gate dielectric surrounding at least some of channel region and gate electrode surrounding at least some of gate dielectric

Номер патента: US09484460B2. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz,Tsung-Hsing Yu,Chia-Wen Liu,Yeh Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Methods of operating and forming semiconductor devices including dual-gate electrode structures

Номер патента: US09449677B2. Автор: Jiyoung Kim,Hyun-Woo CHUNG,HyeongSun HONG,Yoosang Hwang,Dongsoo Woo,Yongchul Oh,Gyoyoung JIN,Sungkwan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-20.

Transistor including a gate electrode extending all around one or more channel regions

Номер патента: US09443945B2. Автор: Jan Hoentschel,Stefan Flachowsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor structure with enlarged gate electrode structure and method for forming the same

Номер патента: US20210305387A1. Автор: Yi-Chun Lo,Wen-Jia HSIEH,Bo-Wen HSIEH,Mi-Hua LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Field-effect transistor with a heat absorber in contact with a surface of the gate electrode on its back side

Номер патента: US11004765B2. Автор: Jun Saito,Yusuke Yamashita,Yasushi Urakami. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2021-05-11.

Semiconductor device having a minimized region of sheild electrode and gate electrode overlap

Номер патента: US9577055B2. Автор: Jin Woo Han. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Work function adjustment in high-k metal gate electrode structures by selectively removing a barrier layer

Номер патента: US20130017679A1. Автор: Robert Binder,Klaus Hempel,Joachim Metzger,Markus Lenski,Vivien Schroeder. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-01-17.

Semiconductor device having ring-shaped gate electrode, design apparatus, and program

Номер патента: US8552510B2. Автор: Takamitsu Onda. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-10-08.

Transistor having dual work function buried gate electrode and method for fabricating the same

Номер патента: US20170069735A1. Автор: Tae-Kyung Oh,Su-ho Kim,Jin-Yul Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-09.

Semiconductor devices having gate electrodes and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20200185383A1. Автор: Jin Woo Kim,Sung Eun Kim,Hyun Chul Sagong,Sang Woo Pae,Choelhwyi Bae,Yang Gyeom KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-11.

Gate electrode for a semiconductor fin device

Номер патента: SG173995A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Chenming Hu,Hao-Yu Chen,Fu Liang Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2011-09-29.

Strain enhancement in transistors comprising an embedded strain-inducing semiconductor alloy by creating a patterning non-uniformity at the bottom of the gate electrode

Номер патента: US20140339604A1. Автор: Stephan Kronholz,Markus Lenski,Vassilios Papageorgiou. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-11-20.

Transistor comprising an air gap positioned adjacent a gate electrode

Номер патента: US20200066899A1. Автор: Haiting Wang,Hui Zang,Laertis Economikos,Jinping Liu,Shesh Mani Pandey. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-02-27.

Manufacturing method for gate electrode and thin film transistor and display panel

Номер патента: US20220037476A1. Автор: Wei Li,En-Tsung Cho,Yuming XIA. Владелец: Beihai HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

Manufacturing method for gate electrode and thin film transistor and display panel

Номер патента: US11901420B2. Автор: Wei Li,En-Tsung Cho,Yuming XIA. Владелец: Beihai HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Multi-state transistor devices with multiple threshold voltage channels

Номер патента: US20200287055A1. Автор: Seyoung Kim,Cheng-Wei Cheng,Ko-Tao Lee,Pierce I-Jen CHUANG. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

Method for manufacturing horizontal-gate-all-around devices with different number of nanowires

Номер патента: US20170373163A1. Автор: Georgios Vellianitis,Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-28.

Power device with high switching speed and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2004102671A1. Автор: Cesare Ronsisvalle. Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2004-11-25.

Strain enhancement in transistors comprising an embedded strain-inducing semiconductor alloy by creating a patterning non-uniformity at the bottom of the gate electrode

Номер патента: US20100301421A1. Автор: Stephan Kronholz,Markus Lenski,Vassilios Papageorgiou. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-02.

Semiconductor device having an oxide film formed on a semiconductor substrate sidewall of an element region and on a sidewall of a gate electrode

Номер патента: US8258568B2. Автор: Toshitake Yaegashi,Junichi Shiozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-04.

Transistor including a high-k metal gate electrode structure formed prior to drain/source regions on the basis of a sacrificial carbon spacer

Номер патента: US20110104863A1. Автор: Jan Hoentschel,Sven Beyer,Thilo Scheiper,Markus Lenski. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-05-05.

Semiconductor device having an oxide film formed on a semiconductor substrate sidewall of an element region and on a sidewall of a gate electrode

Номер патента: US20100081250A1. Автор: Toshitake Yaegashi,Junichi Shiozawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-04-01.

Memory devices with gate all around transistors

Номер патента: US20240292591A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

FinFET device with partial interface dipole formation for reduction of gate induced drain leakage

Номер патента: US11742425B2. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Integrated circuit device with improved reliability

Номер патента: US12074206B2. Автор: Yen-Ming Chen,Hui-Chi CHEN,Chia-Wei Chen,Feng-Cheng Yang,Kuo-Feng Yu,Jian-Hao Chen,Shih-Hao Lin,Chi On Chui,Cheng-Hao Hou,Da-Yuan Lee,Shan-Mei Liao,Chih-Yu Hsu,Tsung-Da Lin,Cheng Hong Yang,Huang-Chin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor devices with fin-top hard mask and methods for fabrication thereof

Номер патента: US11757021B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Kuan-Ting Pan,Yi-Ruei JHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor device having an oxide film formed on a semiconductor substrate sidewall of an element region and on a sidewall of a gate electrode

Номер патента: US20120302035A1. Автор: Toshitake Yaegashi,Junichi Shiozawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-29.

Semiconductor device having an oxide film formed on a semiconductor substrate sidewall of an element region and on a sidewall of a gate electrode

Номер патента: US20070281428A1. Автор: Toshitake Yaegashi,Junichi Shiozawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-12-06.

Semiconductor device having an oxide film formed on a semiconductor substrate sidewall of an element region and on a sidewall of a gate electrode

Номер патента: US7645674B2. Автор: Toshitake Yaegashi,Junichi Shiozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-01-12.

Semiconductor device having an oxide film formed on a semiconductor substrate sidewall of an element region and on a sidewall of a gate electrode

Номер патента: US8728903B2. Автор: Toshitake Yaegashi,Junichi Shiozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-05-20.

Semiconductor device having an oxide film formed on a semiconductor substrate sidewall of an element region and on a sidewall of a gate electrode

Номер патента: US20110156126A1. Автор: Toshitake Yaegashi,Junichi Shiozawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-30.

Semiconductor device with reduced fringe capacitance

Номер патента: US20090001474A1. Автор: Jack T. Kavalieros,Brian S. Doyle,Suman Datta,Titash Rakshit. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-01-01.

Semiconductor device with composite word line structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20240365537A1. Автор: Chun-Chi Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-31.

Field-Effect Transistor Device with Equivalent Source and Drain Region Optimization

Номер патента: US20240371937A1. Автор: Dongli Zhang,Mingxiang WANG,Lekai Chen,Huaisheng WANG,Yeye Guo. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-11-07.

P-channel transistor having an increased channel mobility due to a compressive stress-inducing gate electrode

Номер патента: US09978869B2. Автор: Yusuke Nonaka,Akihiro Shimizu,Nagatoshi Ooki,Katsuhiko Ichinose. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device with improved contact structure and method of forming same

Номер патента: US09564433B2. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor devices with gate electrodes on separate sets of high-k dielectric layers

Номер патента: US09991357B2. Автор: Hyeok-Jun Son,Hoonjoo NA,Suyoung BAE,Jaeyeol Song,Sangjin Hyun,Wandon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device with asymmetric gate structure

Номер патента: US11769826B2. Автор: Chao Wang,King Yuen Wong,Hang Liao,Chunhua ZHOU,Qiyue Zhao,Chang An LI. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Transistor with interdigit electrodes, comprising a gate terminal connected by a plurality of vertical vias to the gate electrodes

Номер патента: US20230253401A1. Автор: Robin Jung. Владелец: Exagan SAS. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor device with asymmetric gate structure

Номер патента: US20230058006A1. Автор: Chao Wang,King Yuen Wong,Hang Liao,Chunhua ZHOU,Qiyue Zhao,Chang An LI. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-23.

Integrated circuits having dummy gate electrodes and methods of forming the same

Номер патента: US9275994B2. Автор: Chan-Hong Chern,mei-hui Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-01.

Electronic device including a HEMT with a segmented gate electrode

Номер патента: US09929261B2. Автор: Jaume Roig-Guitart,Peter Moens,Johan Camiel Julia Janssens,Marnix Tack. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-03-27.

Integrated circuits with selective gate electrode recess

Номер патента: US09418898B2. Автор: Christopher J. WIEGAND,Michael L. Hattendorf,Mark Y. Liu,Srijit Mukherjee,Tyler J WEEKS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Iii-nitride devices with through-via structures

Номер патента: US20230335464A1. Автор: Umesh Mishra,Rakesh K. Lal,Carl Joseph Neufeld,David Michael RHODES,Davide BISI,Geetak GUPTA. Владелец: Transphorm Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Nitride semiconductor device with element isolation area

Номер патента: US20240047533A1. Автор: Hung Hung,Toru Sugiyama,Hitoshi Kobayashi,Akira Yoshioka,Yasuhiro Isobe,Tetsuya Ohno. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Nitride semiconductor device with element isolation area

Номер патента: US11830916B2. Автор: Hung Hung,Toru Sugiyama,Hitoshi Kobayashi,Akira Yoshioka,Yasuhiro Isobe,Tetsuya Ohno. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Integrated circuits having dummy gate electrodes and methods of forming the same

Номер патента: US20140217512A1. Автор: Chan-Hong Chern,mei-hui Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-08-07.

Integrated circuits having dummy gate electrodes and methods of forming the same

Номер патента: US8928088B2. Автор: Chan-Hong Chern,mei-hui Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-01-06.

Nitride semiconductor device with field effect gate

Номер патента: US12113110B2. Автор: Younghwan Park,Jongseob Kim,Woochul Jeon,Jaejoon Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Electronic device including a multiple channel HEMT and an insulated gate electrode

Номер патента: US09741840B1. Автор: Jia GUO,Peter Moens. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-08-22.

Dishing prevention structure embedded in a gate electrode

Номер патента: US12142488B2. Автор: Ta-Wei Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Method of fabricating hemt device with selective etching of gallium arsenide antimonide

Номер патента: US5118637A. Автор: Tomonori Ishikawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1992-06-02.

Semiconductor device with asymmetric gate structure

Номер патента: US20210399124A1. Автор: Chao Wang,King Yuen Wong,Hang Liao,Chunhua ZHOU,Qiyue Zhao,Chang An LI. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Integrated circuits with recessed gate electrodes

Номер патента: US10651093B2. Автор: Christopher J. WIEGAND,Michael L. Hattendorf,Mark Y. Liu,Srijit Mukherjee,Tyler J. Weeks. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-05-12.

Electronic device including a hemt with a segmented gate electrode and a process of forming the same

Номер патента: US20170294530A1. Автор: Jaume Roig-Guitart,Peter Moens,Johan Camiel Julia Janssens,Marnix Tack. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-10-12.

Semiconductor device having gate electrodes with dopant of different conductive types

Номер патента: US20230411488A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Vertical NAND device with low capacitance and silicided word lines

Номер патента: US09449984B2. Автор: Peter Rabkin,Johann Alsmeier. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-20.

Enhancement mode gan device with hole elimination electrode

Номер патента: WO2024168170A1. Автор: Robert Beach,Massimo Grasso,Jianjun Cao,Alexander Lidow,Robert Strittmatter,Sergio Morini,Wen-Chia LIAO,Muskan SHARMA. Владелец: Efficient Power Conversion Corporation. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device with diffusion barrier layer and method of fabrication therefor

Номер патента: US20240347628A1. Автор: Jie Hu. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Nonvolatile semiconductor storage device with charge storage layer and its manufacturing method

Номер патента: US8298900B2. Автор: Fumihiko Hayashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-10-30.

GaN DEVICE WITH HOLE ELIMINATION CENTERS

Номер патента: US20240274681A1. Автор: Robert Beach,Massimo Grasso,Jianjun Cao,Alexander Lidow,Robert Strittmatter,Sergio Morini,Wen-Chia LIAO,Muskan SHARMA. Владелец: Efficient Power Conversion Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device with diffusion barrier layer and method of fabrication therefor

Номер патента: EP4447123A1. Автор: Jie Hu. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-10-16.

Heterojunction semiconductor device with low on-resistance

Номер патента: EP3905339A1. Автор: Li Lu,Chi Zhang,Guipeng Sun,Shengli Lu,Kui Xiao,Weifeng Sun,Siyang Liu,Jiaxing WEI,Dejin Wang. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-03.

Nonvolatile semiconductor memory device with tapered sidewall gate and method of manufacturing the same

Номер патента: US7442986B2. Автор: Kan Yasui,Shinichiro Kimura,Digh Hisamoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-10-28.

Heterojunction semiconductor device with low on-resistance

Номер патента: US20220069115A1. Автор: Li Lu,Chi Zhang,Guipeng Sun,Shengli Lu,Kui Xiao,Weifeng Sun,Siyang Liu,Jiaxing WEI,Dejin Wang. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Non-volatile memory device with reduced distance between control gate electrode and selecting gate electrode and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190043877A1. Автор: Meng-Chun Chen,Ping-Chia Shih,Chih-Hao Pan,Chia-Wen Wang,Wen-Peng Hsu,Kuo-Lung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

Semiconductor device with a field plate having a recessed region and an overhanging portion and method of fabrication therefor

Номер патента: EP4394885A1. Автор: Philippe Renaud,Jie Hu,Bernhard Grote,Bruce McRae Green,Congyong ZHU. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor device with a field plate having a recessed region and an overhanging portion and method of fabrication therefor

Номер патента: US20240222443A1. Автор: Philippe Renaud,Jie Hu,Bernhard Grote,Bruce McRae Green,Congyong ZHU. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

HEMT semiconductor device with a stepped sidewall

Номер патента: US11862721B2. Автор: Wei Huang,Yulong Zhang,Jheng-Sheng You,Jue Ouyang. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

III-n device with dual gates and field plate

Номер патента: US9349805B2. Автор: Yuji Ito,Yuko Matsui,Yoshiyuki Kotani. Владелец: Transphorm Japan Inc. Дата публикации: 2016-05-24.

Nonvolatile semiconductor storage device with charge storage layer and its manufacturing method

Номер патента: US20120058618A1. Автор: Fumihiko Hayashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-03-08.

Three-dimensional memory device including a string selection line gate electrode having a silicide layer

Номер патента: US20210091093A1. Автор: Kohji Kanamori,Jeehoon HAN,Seogoo KANG,Jongseon Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-25.

HEMT with a metal film between the gate electrode and the drain electrode

Номер патента: US09548383B2. Автор: Kozo Makiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

GaN-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE WITH REDUCED LEAKAGE CURRENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20240222423A1. Автор: Xiao Zhang,Wen-Yuan HSIEH,Lijie Zhang,Jue Ouyang. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Non-volatile memory device with charge trapping layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20090108332A1. Автор: Ki Hong Lee,Jae Young Park,Moon Sig Joo,Ki Seon Park,Yong Top Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-04-30.

High electron mobility transistor with gate electrode below the channel

Номер патента: US20230197842A1. Автор: Peter Mueller,Thomas Morf,Cezar Bogdan Zota,Eunjung Cha. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Compound semiconductor device with a particular gate structure

Номер патента: US5391899A. Автор: Yasutaka Kohno. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-02-21.

Nanosheet device with source/drain contacts comprising a silicide mask and manufacturing method using the silicide mask

Номер патента: EP4358150A1. Автор: Sung Hwan Kim,Wan Don KIM,Jun Ki PARK,Heung Seok RYU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-24.

Three-dimensional memory device including a string selection line gate electrode having a silicide layer

Номер патента: US11792994B2. Автор: Kohji Kanamori,Jeehoon HAN,Seogoo KANG,Jongseon Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-17.

Charge-coupled device and method of manufacturing the same

Номер патента: CA1267975A. Автор: Jan W. Slotboom,Henricus G. R. Maas,Geert J. T. Davids,Kazimierz Osinski. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1990-04-17.

Fully silicided gate electrodes and method of making the same

Номер патента: WO2008014038A1. Автор: Kern Rim,William K. Henson. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2008-01-31.

GaN-HEMT device with sandwich structure and method for preparing the same

Номер патента: US12034067B2. Автор: Guoqiang Li,Zhikun Liu,Dingbo Chen,Lijun Wan. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2024-07-09.

Process for fabricating gate insulating structure of a charge coupled device

Номер патента: US5238863A. Автор: Takashi Fukusho,Yoshinori Toshmiya. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1993-08-24.

Charge coupled devices

Номер патента: GB2009503A. Автор: . Владелец: General Electric Co PLC. Дата публикации: 1979-06-13.

Semiconductor device with high-temperature-stable gate electrode for sub-micron applications and fabrication thereof

Номер патента: US20010013600A1. Автор: James Cunningham. Владелец: Philips Semiconductors Inc. Дата публикации: 2001-08-16.

Display device and electronic device with improved driver circuit

Номер патента: US09482919B2. Автор: Hiroyuki Miyake,Hideaki Shishido,Kouhei Toyotaka,Koji KUSUNOKI,Seiko Inoue. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Method for making eutectic charge-coupled devices

Номер патента: US4461070A. Автор: Harvey E. Cline. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1984-07-24.

Semiconductor device with high electron mobility transistor (HEMT) having source field plate

Номер патента: US09704982B2. Автор: Kentaro Chikamatsu,Taketoshi TANAKA,Minoru Akutsu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Three-dimensional memory device with charge-trapping-free gate dielectric for top select gate electrode and method of making thereof

Номер патента: US09679907B1. Автор: Ryosuke Kaneko. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-06-13.

Three-dimensional memory device with ferroelectric material

Номер патента: US20210375929A1. Автор: Chun-Chieh Lu,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG,Chi On Chui,Chenchen Jacob WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Compound semiconductor device with mesa structure

Номер патента: US20140057401A1. Автор: Tsuyoshi Takahashi,Kozo Makiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-02-27.

Semiconductor device with silicon nitride film on nitride semiconductor layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US09761682B2. Автор: Yasuhiro Okamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Three-dimensional ferroelectric memory devices including a backside gate electrode and methods of making same

Номер патента: WO2020149937A1. Автор: Koji Sato. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-07-23.

Method of manufacturing a semiconductor device with wider sidewall spacer for a high voltage MISFET

Номер патента: US09984934B2. Автор: Koji Maekawa,Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Method of manufacturing a semiconductor device with wider sidewall spacer for a high voltage MISFET

Номер патента: US09640440B2. Автор: Koji Maekawa,Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor devices with a thermally conductive layer

Номер патента: US09614046B2. Автор: Lakshminarayan Viswanathan,Bruce M. Green,Darrell G. Hill,L. M. Mahalingam. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Method of manufacturing a semiconductor device with high packing density and having field effect transistors

Номер патента: US5385857A. Автор: Jose Solo De Zaldivar. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1995-01-31.

Method of manufacturing compound semiconductor device with gate electrode forming before source electrode and drain electrode

Номер патента: US8569124B2. Автор: Toshiya Sato,Tsutomu Hosoda,Yoshitaka Watanabe,Kenji Nukui,Shinichi Akiyama,Yoichi Fujisawa,Tetsuya Itou,Yuuichi Satou,Mutsumi Katou. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-10-29.

MOS semiconductor device with breakdown voltage performance and method for manufacturing the same

Номер патента: US6507073B1. Автор: Kuniyuki Hishinuma. Владелец: Nippon Precision Circuits Inc. Дата публикации: 2003-01-14.

Split gate flash memory device with shrunken cell and source line array dimensions

Номер патента: US6538276B2. Автор: Chia-Ta Hsieh,Di-Son Kuo,Hung-Cheng Sung,Yai-Fen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2003-03-25.

Method for fabricating semiconductor device with protection liner for bit line

Номер патента: US12057348B2. Автор: Huan-Yung Yeh,Chun-Chi Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Devices with gate-to-gate isolation structures and methods of manufacture

Номер патента: US20130164910A1. Автор: Jed H. Rankin,Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-06-27.

Devices with gate-to-gate isolation structures and methods of manufacture

Номер патента: US20120086078A1. Автор: Jed H. Rankin,Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-04-12.

Method for fabricating semiconductor device with protection liner for bit line

Номер патента: US20240355674A1. Автор: Huan-Yung Yeh,Chun-Chi Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Integrated circuit device with reduced n-p boundary effect

Номер патента: US20240321887A1. Автор: Yang Zhang,ZHENG GUO,Feng Zhang,Robin Chao,Guowei Xu,Yusung KIM,Yanbin LUO,Chiao-Ti HUANG,Paul Packan,Tao Chu,Minwoo Jang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device with fin transistors and manufacturing method of such semiconductor device

Номер патента: US09741814B2. Автор: Koichi Matsumoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor Device with Biofet and Biometric Sensors

Номер патента: US20240331439A1. Автор: Ching-Hui Lin,Fu-Chun Huang,Shih-Fen Huang,Chen-Ren CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

High band-gap devices with a doped high band-gap gate electrode extension

Номер патента: US20240055488A1. Автор: Chang Soo Suh,Dong Seup Lee. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor devices with a protection layer and methods of fabrication

Номер патента: US20200176389A1. Автор: Jenn Hwa Huang,Darrell Glenn Hill,James Allen Teplik. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2020-06-04.

High band-gap devices with a doped high band-gap gate electrode extension

Номер патента: WO2024035857A1. Автор: Chang Soo Suh,Dong Seup Lee. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device with a recessed field plate and method of fabrication therefor

Номер патента: US20240222442A1. Автор: Philippe Renaud,Jie Hu,Bernhard Grote,Bruce McRae Green,Congyong ZHU. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device with a recessed field plate and method of fabrication therefor

Номер патента: EP4394886A1. Автор: Philippe Renaud,Jie Hu,Bernhard Grote,Bruce McRae Green,Congyong ZHU. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-07-03.

Method of making a diffused lightly doped drain device with built in etch stop

Номер патента: US5518945A. Автор: John A. Bracchitta,Stephen A. Mongeon,Gabriel Hartstein,Anthony C. Speranza. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1996-05-21.

Method and structure for elevated source/drain with polished gate electrode insulated gate field effect transistors

Номер патента: US6140190A. Автор: Thomas E. Spikes, Jr.,Mark I. Gardner,Michael P. Duane. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-10-31.

Semiconductor device manufacture method including process of implanting impurity into gate electrode independently from source /drain and semiconductor device manufactured by the method

Номер патента: US20030098486A1. Автор: Hikaru Kokura,Yasuhiro Sambonsugi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-05-29.

Semiconductor device manufacture method including process of implanting impurity into gate electrode independently from source/drain and semiconductor device manufactured by the method

Номер патента: US20080311721A1. Автор: Hikaru Kokura,Yasuhiro Sambonsugi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-12-18.

Gate electrode with a shrink spacer

Номер патента: US20150091068A1. Автор: Sven Beyer,Alexander Ebermann,Tom Hasche,Gerhard Lembach. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-04-02.

Three-dimensional memory device containing inter-select-gate electrodes and methods of making the same

Номер патента: US20210305384A1. Автор: Masatoshi Nishikawa,Zhixin Cui,Hardwell Chibvongodze. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-09-30.

High breakdown voltage twin well device with source/drain regions widely spaced from fox regions

Номер патента: US6025628A. Автор: Hsiu-Han Liao,Jian-Hsing Lee,Kuo-Reay Peng,Jung-Ke Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2000-02-15.

Semiconductor device with reduced stress applied to gate electrode

Номер патента: US5448096A. Автор: Yasutaka Kohno. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-09-05.

Semiconductor device with lightly doped drain regions

Номер патента: US5606191A. Автор: Chih-Hsien Wang. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 1997-02-25.

Semiconductor devices with a thermally conductive layer and methods of their fabrication

Номер патента: US20150294921A1. Автор: Lakshminarayan Viswanathan,Bruce M. Green,Darrell G. Hill,L. M. Mahalingam. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-10-15.

Semiconductor device having a stacked gate insulation film and a gate electrode and manufacturing method thereof

Номер патента: US6847079B2. Автор: Katsumi Nakamura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2005-01-25.

Semiconductor device having a stacked gate insulation film and a gate electrode and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050093061A1. Автор: Katsumi Nakamura. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-05-05.

Semiconductor device having a stacked gate insulation film and a gate electrode and manufacturing method thereof

Номер патента: US7180131B2. Автор: Katsumi Nakamura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2007-02-20.

Enhanced Patterning Uniformity of Gate Electrodes of a Semiconductor Device by Late Gate Doping

Номер патента: US20120156865A1. Автор: Sven Beyer,Martin Mazur,Hans-Juergen Thees,Steffen Laufer. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-06-21.

Process of forming electron device having gate electrode

Номер патента: US20190088483A1. Автор: Hiroyuki Ichikawa,Tomohiro Yoshida. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2019-03-21.

Device with MOS Device Including a Secondary Metal and PVD Tool with Target for Making Same

Номер патента: US20130334581A1. Автор: Kei-Wei Chen,Ying-Lang Wang,Shih-Chieh Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-12-19.

Method for manufacturing semiconductor device including metal gate electrode and semiconductor device

Номер патента: US20090321842A1. Автор: Yoshihisa Matsubara. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-12-31.

Multi-step process for patterning a metal gate electrode

Номер патента: US20060115972A1. Автор: Antonio Rotondaro,Trace Hurd,Deborah Riley. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2006-06-01.

Semiconductor device with selectively etched surface passivation

Номер патента: US09799760B2. Автор: Bruce M. Green,Darrell G. Hill,Jenn Hwa Huang,Karen E. Moore. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Three-dimensional memory device with select transistor having charge trapping gate dielectric layer and methods of making and operating thereof

Номер патента: US09748266B1. Автор: Yanli Zhang,Yingda Dong,Liang PANG,Ashish Baraskar,Ching-Huang Lu,Matthias Baenninger. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-29.

CMOS Vt control integration by modification of metal-containing gate electrodes

Номер патента: US09698020B2. Автор: Toshio Hasegawa,Genji Nakamura. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor device with fin transistors and manufacturing method of such semiconductor device

Номер патента: US20240047461A1. Автор: Koichi Matsumoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device with buffer layer made of nitride semiconductor

Номер патента: US20150076509A1. Автор: Norikazu Nakamura,Junji Kotani,Tetsuro ISHIGURO. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-03-19.

Vertical memory device with a channel layer in a stacked dielectric layer

Номер патента: US11737277B2. Автор: Jae Young Ahn,Jung Ho Kim,Ji Hoon Choi,Phil Ouk NAM,Hong Suk Kim,Sung Gil Kim,Seulye KIM,Han Jin Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-22.

Analog floating-gate memory manufacturing process implementing n-channel and p-channel mos transistors

Номер патента: US20140154850A1. Автор: Allan T. Mitchell,Michael A. Wu,Imran Mahmood Khan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-06-05.

Semiconductor device with fin-type field effect transistor

Номер патента: US11824057B2. Автор: Koichi Matsumoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Method of manufacturing a HEMT device with reduced gate leakage current, and HEMT device

Номер патента: US11728404B2. Автор: Ferdinando Iucolano,Paolo BADALÁ. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-08-15.

Integrated circuits and methods for fabricating integrated circuits with gate electrode structure protection

Номер патента: US20140273367A1. Автор: Ralf Richter,Stefan Flachowsky,Peter Javorka. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-09-18.

Method of manufacturing a hemt device with reduced gate leakage current, and hemt device

Номер патента: US20200051823A1. Автор: Ferdinando Iucolano,Paolo BADALA'. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2020-02-13.

Devices with gate-to-gate isolation structures and methods of manufacture

Номер патента: US20130200458A1. Автор: Jed H. Rankin,Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-08-08.

Three-dimensional memory devices with channel structures having plum blossom shape and methods for forming the same

Номер патента: US12052865B2. Автор: Xiaoxin LIU,Lei Xue,Tingting Gao,Wanbo Geng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Mos transistors having inverted t-shaped gate electrodes and fabrication methods thereof

Номер патента: US20070096217A1. Автор: Sung-min Kim,Shin-Ae Lee,Dong-gun Park,Seong-Ho Kim,Chang-Sub Lee,Jeong-Dong Choe. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-03.

Gate electrode layout

Номер патента: US20200258992A1. Автор: Hirokazu Matsumoto,Makoto Sato,Ryota Suzuki. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-13.

Gate electrode layout

Номер патента: WO2020167788A1. Автор: Hirokazu Matsumoto,Makoto Sato,Ryota Suzuki. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-08-20.

Semiconductor device including a floating gate electrode having stacked structure

Номер патента: US20080171429A1. Автор: Kazuo Hatakeyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-17.

Selectively forming a protective conductive cap on a metal gate electrode

Номер патента: US09379209B2. Автор: Min-Hwa Chi,Xiuyu Cai,Xusheng Wu,Jiajun Mao. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-28.

Method of producing a t-shaped gate electrode

Номер патента: US5139968A. Автор: Takuji Sonoda,Iwao Hayase. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1992-08-18.

Method of forming a high-frequency transistor T gate electrode

Номер патента: US5776820A. Автор: Yamato Ishikawa,Tomoyuki Kamiyama. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 1998-07-07.

Heterojunction FET having barrier layer consisting of two layers between channel and buffer layers

Номер патента: US5550388A. Автор: Junzi Haruyama. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-08-27.

Method of doping gate electrodes discretely with either P-type or N-type impurities to form discrete semiconductor regions

Номер патента: US5328864A. Автор: Satoshi Kudo,Keiichi Yoshizumi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1994-07-12.

Dual metal-alloy nitride gate electrodes

Номер патента: US20050035417A1. Автор: Mark Visokay. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-02-17.

Semiconductor device n-channel type MOS transistor with gate electrode layer featuring small average polycrystalline silicon grain size

Номер патента: US7442632B2. Автор: Takayuki Suzuki,Mitsuhiro Togo. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-10-28.

Gate electrode structure

Номер патента: US8008155B2. Автор: Yungi Kim,KangYoon Lee,Hyeoungwon Seo,Jaeman Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-30.

Transition metal alloys for use as a gate electrode and devices incorporating these alloys

Номер патента: EP1654767A1. Автор: Kari Harkonen,Mark Doczy,Teemu Lang,Nathan Baxter,Robert Chau. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-05-10.

Transition metal alloys for use as a gate electrode and devices incorporating these alloys

Номер патента: EP1654767B1. Автор: Kari Harkonen,Mark Doczy,Teemu Lang,Nathan Baxter,Robert Chau. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-09-29.

Manufacturing method for semiconductor device having a T-type gate electrode

Номер патента: US20060009032A1. Автор: So Suzuki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-01-12.

Gate electrode structure

Номер патента: US20080017913A1. Автор: Yungi Kim,KangYoon Lee,Hyeoungwon Seo,Jaeman Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-24.

Method for adjusting the height of a gate electrode in a semiconductor device

Номер патента: US20090108336A1. Автор: Kai Frohberg,Katrin Reiche,Uwe Griebenow,Heike Berthold. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-04-30.

Channelized Gate Level Cross-Coupled Transistor Device with Complimentary Pairs of Cross-Coupled Transistors Defined by Physically Separate Gate Electrodes within Gate Electrode Level

Номер патента: US20100187632A1. Автор: Scott T. Becker. Владелец: Tela Innovations Inc. Дата публикации: 2010-07-29.

High-frequency semiconductor device with protection device

Номер патента: US5719428A. Автор: Wilhelmus G. Voncken,Louis Praamsma. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1998-02-17.

Semiconductor device with shared contact hole for gate electrode and drain region

Номер патента: EP2075831A3. Автор: Masahiko Renesas Technology Corp. Takeuchi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-09-01.

Semiconductor device with reference voltage circuit

Номер патента: US20240094756A1. Автор: Takeshi Koyama,Hisashi Hasegawa,Shinjiro Kato,Kohei Kawabata. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Integrated circuit device with performance-enhancing layout

Номер патента: EP4435859A2. Автор: Feng Zhang,Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Robin Chao,Guowei Xu,Yanbin LUO,Chiao-Ti HUANG,Paul Packan,Tao Chu,Minwoo Jang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-25.

Integrated circuit device with performance-enhancing layout

Номер патента: US20240321859A1. Автор: Feng Zhang,Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Robin Chao,Guowei Xu,Yanbin LUO,Chiao-Ti HUANG,Paul Packan,Tao Chu,Minwoo Jang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

FET semiconductor device with partial annular gate electrodes

Номер патента: EP1863088A3. Автор: Sakae Nakajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-11-24.

Transistor devices with extended drain

Номер патента: US20240088136A1. Автор: Ayan KAR,Benjamin Orr,Kalyan C. Kolluru,Nicholas A. Thomson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Integrated circuit devices having contact holes exposing gate electrodes in active regions

Номер патента: US7034365B2. Автор: Myoung-kwan Cho,Jeung-Hwan Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-25.

Integrated circuit devices having contact holes exposing gate electrodes in active regions and methods of fabricating the same

Номер патента: US20060141715A1. Автор: Myoung-kwan Cho,Jeung-Hwan Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-29.

Standard cell and ic structure with trench isolation through active regions and gate electrodes

Номер патента: US20240274603A1. Автор: Hong Yu,James P. Mazza,Navneet K. Jain,David Charles PRITCHARD. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Standard cell and ic structure with trench isolation through active regions and gate electrodes

Номер патента: EP4418320A1. Автор: Hong Yu,James P. Mazza,Navneet K. Jain,David Charles PRITCHARD. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-21.

Semiconductor integrated circuit device with wiring microstructure formed on gates and method of manufacturing the same

Номер патента: US5518961A. Автор: Kazunari Ishimaru. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1996-05-21.

Semiconductor device with sidewall interconnection structure, method of manufacturing the same, and electronic apparatus

Номер патента: US11810902B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-11-07.

SRAM circuits with aligned gate electrodes

Номер патента: US12041761B2. Автор: Fang Chen,Jhon Jhy Liaw,Shih-Chi Fu,Yen-Huei Chen,Ren-Fen Tsui,Min-Chang Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device with protective functions

Номер патента: EP1366552A2. Автор: Takeshi c/o MATSUSHITA ELECTRIC WORKS LTD NOBE,Shigeo c/o MATSUSHITA ELECTRIC WORKS LTD AKIYAMA,Noriteru c/o MATSUSHITA ELEC. WORKS LTD FURUMOTO,Takuya c/o MATSUSHITA ELECTRIC WORKS LTD SUNADA. Владелец: Matsushita Electric Works Ltd. Дата публикации: 2003-12-03.

Semiconductor transistors having reduced distances between gate electrode regions

Номер патента: US20120126339A1. Автор: Haining S. Yang,Robert C. Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-05-24.

Method of making a semiconductor device having a gate electrode with an hourglass shape

Номер патента: US7091094B2. Автор: Jeong-Hwan Son,Hyeong-Mo Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-08-15.

Semiconductor integrated circuit device with electrostatic damage protection

Номер патента: US5486716A. Автор: Yutaka Saito,Masaaki Kamiya,Yoshikazu Kojima,Jun Osanai. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 1996-01-23.

Via-first process for connecting a contact and a gate electrode

Номер патента: US20210265202A1. Автор: Mei-Yun Wang,Chao-Hsun Wang,Kuo-Yi Chao,Wang-Jung HSUEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Via-first process for connecting a contact and a gate electrode

Номер патента: US20240371687A1. Автор: Mei-Yun Wang,Chao-Hsun Wang,Kuo-Yi Chao,Wang-Jung HSUEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Via-first process for connecting a contact and a gate electrode

Номер патента: US12125743B2. Автор: Mei-Yun Wang,Chao-Hsun Wang,Kuo-Yi Chao,Wang-Jung HSUEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Vertical memory device having first contact plugs connected to plurality of staircase gate electrodes, respectively and second contact plugs extending through the staircase gate structure in the pad region

Номер патента: US12063781B2. Автор: Kohji Kanamori,Shin-Hwan Kang,Min-Yeong Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Charge-Coupled Device Monitor and Lighting Device Thereof

Номер патента: US20110062332A1. Автор: Huang-Chen Guo,Hsiang Mei Chiang. Владелец: UPEC Electronics Corp. Дата публикации: 2011-03-17.

Charge-coupled device

Номер патента: AU6506086A. Автор: Jan Willem Pathuis,Theodorus Fernand Smit. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1987-05-21.

Charge coupled circuits

Номер патента: GB1377125A. Автор: . Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1974-12-11.

Charge coupled circuits

Номер патента: GB1377122A. Автор: . Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1974-12-11.

Charge coupled device systems

Номер патента: US3958210A. Автор: Peter Alan Levine. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1976-05-18.

Charged coupled devices

Номер патента: GB1377129A. Автор: . Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1974-12-11.

Charge coupled device systems

Номер патента: CA1065055A. Автор: Peter A. Levine. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1979-10-23.

Surface potential stabilizing circuit for charge-coupled devices radiation hardening

Номер патента: US4011471A. Автор: Leonard R. Rockett, Jr.. Владелец: US Air Force. Дата публикации: 1977-03-08.

Charge coupled device memory

Номер патента: CA1074009A. Автор: Robert W. Brodersen,Al F. Tasch (Jr.),Robert C. Frye,Horng-Sen Fu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1980-03-18.

Multi-level magnetic tunnel junction nor device with wrap-around gate electrodes and methods for forming the same

Номер патента: US20210399045A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG,Meng-Han LIN,Chenchen Jacob WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Method of manufacturing a semiconductor device with a bicmos circuit

Номер патента: WO1996030941A3. Автор: Armand Pruijmboom,Ronald Koster,Alexander Cecilia Leona Jansen,Der Wel Willem Van. Владелец: Philips Norden Ab. Дата публикации: 1997-01-09.

Semiconductor device with improved insulating film and floating gate arrangement to decrease memory cell size without reduction of capacitance

Номер патента: US8212305B2. Автор: Yoshihiro Ikeda,Shunichi Narumi,Tatsuya Fukumura,Izumi Takesue. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-07-03.

Vertical memory devices having support structures to replace dummy channels and methods of manufacturing the same

Номер патента: US12058859B2. Автор: Kangmin KIM,JoongShik SHIN,Hongik SON,Hyeonjoo SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

A semiconductor device with an improved gate electrode pattern and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20020030236A1. Автор: Hisato Oyamatsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-14.

Semiconductor devices with varying support structures and data storage systems including the same

Номер патента: US12137560B2. Автор: Jongsoo Kim,Wonseok Cho,Juyoung Lim,HangKyu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-05.

Three-dimensional memory device with self-aligned drain side select gate electrodes and method of making thereof

Номер патента: US09972640B1. Автор: Jin Liu,James Kai,Johann Alsmeier,Murshed CHOWDHURY. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-05-15.

Z-inversion type display device with ‘T’-shaped electrode and method of manufacturing the same

Номер патента: US09588386B2. Автор: Jiwon Kang,Donggeun Lim,KiTaeg Shin,ChelHee Jo. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Nitride semiconductor device with multi-layer structure electrode having different work functions

Номер патента: US09461135B2. Автор: Masahito Kanamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Manufacturing method of pixel structure with data line, scan line and gate electrode formed on the same layer

Номер патента: US09449998B2. Автор: Hsiang-Lin Lin,Kuo-Yu Huang,Te-Chun Huang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device with surface mounting terminals

Номер патента: US20080315378A1. Автор: Takeshi Otani,Toshiyuki Hata,Ichio Shimizu. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-12-25.

Cascade charge coupled delay line device for compound delays

Номер патента: US4152678A. Автор: Roger D. Melen,John D. Shott,James D. Meindl. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 1979-05-01.

Semiconductor device with a semiconductor chip bonded between a first, plate-shaped electrode with a groove and a second electrode

Номер патента: EP4156247A3. Автор: Masato Nakamura,Naoki Takeda,Tomohiro Onda,Hisashi Tanie,Kisho Ashida,Yu Harubeppu. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2023-06-14.

Semiconductor device with suppressed hump characteristic

Номер патента: US7944021B2. Автор: Kouji Tanaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-05-17.

Method of manufacturing a dual gate semiconductor device with a poly-metal electrode

Номер патента: US6881618B2. Автор: Naoki Yamamoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-04-19.

Method of manufacturing a semiconductor device with a BiCMOS circuit

Номер патента: US5970332A. Автор: Armand Pruijmboom,Willem Van Der Wel,Alexander C. L. Jansen,Ronald Koster. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1999-10-19.

Method of manufacturing a semiconductor device with BICMOS circuit

Номер патента: US5824560A. Автор: Armand Pruijmboom,Willem Van Der Wel,Alexander C. L. Jansen,Ronald Koster. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1998-10-20.

Detection device with thin film transistors

Номер патента: US11776295B2. Автор: Hayato Kurasawa,Toshinori Uehara,Yoshitaka Ozeki,Koshiro Moriguchi. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor device with both memories and logic circuits and its manufacture

Номер патента: US20020185662A1. Автор: Hirofumi Watatani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-12.

Semiconductor device with single step height

Номер патента: US11683928B2. Автор: Yu-Ting Lin,Mao-Ying Wang,Lai-Cheng TIEN,Hui-Lin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-06-20.

Flexible and stretchable semiconductor devices with reduced footprints and methods therefor

Номер патента: US20220293859A1. Автор: Yuxin Liu,Zhenan Bao,Yuqing ZHENG. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2022-09-15.

Three-dimensional memory device with self-aligned drain side select gate electrodes and method of making thereof

Номер патента: US20180138189A1. Автор: Jin Liu,James Kai,Johann Alsmeier,Murshed CHOWDHURY. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-05-17.

Method of manufacturing semiconductor device with reduced junction leakage current and gate electrode resistance of transistor

Номер патента: US20060115936A1. Автор: Keizo Kawakita,Kensuke Okonogi,Kiyonori Oyu. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2006-06-01.

Three-dimensional memory device with self-aligned drain side select gate electrodes and method of making thereof

Номер патента: EP3494596A1. Автор: Jin Liu,James Kai,Johann Alsmeier,Murshed CHOWDHURY. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-06-12.

Dual metal gate electrode semiconductor fabrication process and structure thereof

Номер патента: WO2006104549A1. Автор: Robert E. Jones,Olubunmi O. Adetutu,Ted R. White. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2006-10-05.

Method of manufacturing semiconductor device with separately formed insulating films in main circuit and memory regions

Номер патента: US09947679B2. Автор: Masaaki Shinohara,Takahiro Maruyama,Fukuo Owada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device with self-aligned contact

Номер патента: US09679812B2. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chao-Hsun Wang,Hsien-Cheng WANG,Shih-Wen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Display panel with transistors and sub-pixels, and display device with display panel

Номер патента: US11942053B2. Автор: Li Tian,Jian Wang,Yong Zhang,Zhichao Yang,Jian Lin,Limin Zhang,Xuechao Song,Jing Pang,Lingfang NIE,Yashuai AN,Xianglei QIN,Zepeng SUN,Liangzhen TANG,Zhilong DUAN,Honggui JIN. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Active matrix substrate and liquid crystal display device with touch sensor

Номер патента: US20200387019A1. Автор: Tatsuya Kawasaki,Hajime Imai,Masaki Maeda,Hideki Kitagawa,Yoshihito Hara,Yoshiharu Hirata,Tohru Daitoh,Teruyuki UEDA. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2020-12-10.

Method of a fabricating a semiconductor having a reduced leakage current flow between the accumulation electrode and the gate electrode

Номер патента: US20020055245A1. Автор: Daisuke Matsunaga. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-09.

Vertically stacked nonvolatile NAND type flash memory device with U-shaped strings, method for operating the same, and method for fabricating the same

Номер патента: US09362305B2. Автор: Jun-Hyuk Lee,Seul-Ki Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-07.

Fabrication process of a semiconductor device with a wiring structure

Номер патента: US5578524A. Автор: Tadashi Fukase,Takehiko Hamada. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-11-26.

Field effect transistor device with contact in groove

Номер патента: US5324981A. Автор: Masahiro Yoshida,Takahide Ishikawa,Michihiro Kobiki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-06-28.

Method of manufacturing a dual gate semiconductor device with a poly-metal electrode

Номер патента: US6727132B2. Автор: Naoki Yamamoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-04-27.

Method of manufacturing a dual gate semiconductor device with a poly-metal electrode

Номер патента: US6645799B2. Автор: Naoki Yamamoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-11-11.

Display device with auxiliary bottom line

Номер патента: US11923381B2. Автор: Sun Hwa Lee,Su Jin Lee,Jae Yong Jang,Bon Yong Koo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Semiconductor memory device with a plurality of memory units

Номер патента: US11900986B2. Автор: Mutsumi Okajima,Mamoru ISHIZAKA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Method of manufacturing a dual gate semiconductor device with a poly-metal electrode

Номер патента: US20030203611A1. Автор: Naoki Yamamoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2003-10-30.

Isolation structures for soi devices with ultrathin soi and ultrathin box

Номер патента: US20120302039A1. Автор: Marwan H. Khater,Leathen Shi,Robert H. Dennard,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-11-29.

Semiconductor device having gate electrode and electronic system including the same

Номер патента: EP3968386A1. Автор: SANGHOON Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-16.

Device with MOS device including a secondary metal and PVD tool with target for making same

Номер патента: US9070664B2. Автор: Kei-Wei Chen,Ying-Lang Wang,Shih-Chieh Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-06-30.

Nonvolatile semiconductor memory with transistor whose gate electrode has bird's beak

Номер патента: US20070012990A1. Автор: Kanji Osari. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-18.

Isolation structures for soi devices with ultrathin soi and ultrathin box

Номер патента: WO2011057857A1. Автор: Leathen Shi,Jeng-Bang Yau,Robert Heath Dennard,Marwan Khater. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2011-05-19.

Method of forming a gate electrode, method of manufacturing a semiconductor device having the gate electrode, and method of oxidizing a substrate

Номер патента: US20040092090A1. Автор: Eun-Jung Yun,Kong-Soo Lee,Yong-woo Hyung,Jae-jong Han,Seung-Mok Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-05-13.

Vertical memory devices having contact plugs contacting stacked gate electrodes

Номер патента: US09899394B2. Автор: Sung-Min Hwang,Dae-Seok Byeon,Jee-Yong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Method of manufacturing semiconductor memory device having charge accumulation layer positioned between control gate electrode and semiconductor layer

Номер патента: US09793290B2. Автор: Takuo Ohashi,Fumiki Aiso. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Gate electrode material residual removal process

Номер патента: US09640385B2. Автор: Chentsau Ying,Srinivas D. Nemani,Bhargav Citla. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor memory device with buried contacts and a fence

Номер патента: US20240057323A1. Автор: Dong Sik Park,Jong Min Lee,Hyeon Woo Jang,Soo Ho SHIN,Ji Hoon CHANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor memory device with buried contacts and a fence

Номер патента: US11832442B2. Автор: Dong Sik Park,Jong Min Lee,Hyeon Woo Jang,Soo Ho SHIN,Ji Hoon CHANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-28.

A method of forming differential spacers for individual optimization of n-channel and p-channel transistors

Номер патента: EP1454342A2. Автор: Dong-Hyuk Ju. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-09-08.

Lead frame of optical coupling device and manufacturing method of same

Номер патента: US20030079895A1. Автор: Hideya Takakura,Kazuo Kusuda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-01.

Cooling device with easy-to-weld structure

Номер патента: US12044481B2. Автор: Alex Horng,Ming-Tsung Li,Chi-Ting Yeh. Владелец: Sunonwealth Electric Machine Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor devices having separation regions in gate electrode layers, and data storage systems including the same

Номер патента: US12120874B2. Автор: Seonghun Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Method for fabricating mos device with self-aligned contacts

Номер патента: CA1210528A. Автор: Tarsaim L. Batra. Владелец: American Microsystems Holding Corp. Дата публикации: 1986-08-26.

Method for forming an oxynitride spacer for a metal gate electrode using a pecvd process with a silicon-starving atmosphere

Номер патента: WO2003046971A1. Автор: Minh Van Ngo,Arvind Halliyal. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2003-06-05.

Method for forming an oxynitride spacer for a metal gate electrode using a pecvd process with a silicon-starving atmosphere

Номер патента: EP1449243A1. Автор: Minh Van Ngo,Arvind Halliyal. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-08-25.

Method of forming a gate electrode for an igfet

Номер патента: WO1998002913A2. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford,Derick J. Wristers. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 1998-01-22.

Selective doping and thermal annealing method for forming a gate electrode pair with different work functions

Номер патента: US20060163661A1. Автор: Chih Wang,Yen Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-07-27.

Cutoff gate electrodes for switches for a three-dimensional memory device and method of making the same

Номер патента: US20210391351A1. Автор: Akira Inoue,Masayuki Hiroi,Takuma Takimoto. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-12-16.

Light emitting device, display device, photoelectric conversion device, electronic device, illumination device, and mobile device with first transistor connected to light emitting element anode, second transistor connected to first transistor gate electrode, and third transistor connected to first transistor

Номер патента: US11943970B2. Автор: Hiromasa Tsuboi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Pulse-charging coupling laser apparatus

Номер патента: US3571745A. Автор: Daniel E Altman,Thomas A Detemple. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 1971-03-23.

Field emission device with focusing control electrode and field emission display

Номер патента: US20050189868A1. Автор: Hang-woo Lee,Pil-soo Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-09-01.

Charging coupling

Номер патента: EP3796475A1. Автор: Jie Gao,Jin Cao,Wanghao LI. Владелец: Globe Jiangsu Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-24.

Charging coupling

Номер патента: US20210083490A1. Автор: Jie Gao,Jin Cao,Wanghao LI. Владелец: Globe Jiangsu Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Charging coupling

Номер патента: US11735935B2. Автор: Jie Gao,Jin Cao,Wanghao LI. Владелец: Globe Jiangsu Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Field-emission device with improved beams-convergence

Номер патента: US09666401B2. Автор: So Ra Park,Yoon Ho Song,Jin Woo Jeong,Jae Woo Kim,Min Sik Shin. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2017-05-30.

Flat panel field emission display device with a reflector layer

Номер патента: US5448133A. Автор: Tomokazu Ise. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1995-09-05.

Field emission display device with flexible gate electrode and method for manufacturing the same

Номер патента: US7439666B1. Автор: Chih-Che Kuo,Tien-Sung Liu. Владелец: Teco Nanotech Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-21.

Field emission device with gate having cylindrical part

Номер патента: US7233102B2. Автор: Hang-woo Lee,Pil-soo Ahn,You-Jong Kim,Shang-hyeun Park. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-19.

Waveguide distortion mitigation devices with reduced group delay ripple

Номер патента: US20110234339A1. Автор: Richard D. Breen,Samuel J. Waldbaum. Владелец: Lockheed Martin Corp. Дата публикации: 2011-09-29.

Internal energy supply of energy storage modules for an energy storage device, and energy storage device with such an internal energy supply

Номер патента: US09843075B2. Автор: Bernhard Seubert,Hans Partes,Matthias Heil,Rostislav Rogov. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2017-12-12.

Electrochemical polishing solution, process for electrochemically polishing graphite gate electrode and graphite gate electrode

Номер патента: US09551085B2. Автор: Meiling Liao. Владелец: Beijing BOE Vacuum Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Field emission type cold cathode device with conical emitter electrode and method for fabricating the same

Номер патента: US5739628A. Автор: Naruaki Takada. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-04-14.

CNT X-ray source apparatus including cathode electrode, emitter, gate electrode, focusing electrode and base portion having groove for accommodating cathode electrode

Номер патента: US11791122B2. Автор: Han Sung Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-10-17.

Quick connect device with wire cover

Номер патента: US20240088608A1. Автор: Ran Roland Kohen. Владелец: SKYX Platforms Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Magnetic coupling device with at least one of a sensor arrangement and a degauss capability

Номер патента: US20240269803A1. Автор: David H. MORTON,Thomas R. WHITT,Paul J. KARP,Michael C. BLANCHARD. Владелец: Magswitch Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Lighting device with fan directed airflow and air filtering

Номер патента: US09478406B2. Автор: Jeongseok HA,JungSu Park,Youngmin Jun. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2016-10-25.

Vacuum envelope having niobium oxide gate electrode structure

Номер патента: US5955832A. Автор: Masaharu Tomita,Shigeo Itoh,Hisataka Ochiai,Tsuyoshi Inukai. Владелец: Futaba Corp. Дата публикации: 1999-09-21.

Gate electrode and ion mobility spectrometer

Номер патента: US20180246061A1. Автор: Hideaki Izumi,Akiko IMAZU. Владелец: Shimadzu Corp. Дата публикации: 2018-08-30.

TELEVISION CAMERA IN WHICH THE FLASHING PHENOMENON ARISING IN THE FRAME INTERLOCKING CHARGE-COUPLED IMAGE FORMING DEVICE WITH THREE-PHASE IMAGE REGISTER TIMING

Номер патента: FR2534099A1. Автор: Donald Franklin Battson,Eugene Diedrich Savoye. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1984-04-06.

Method, device and system for connection to cluster of network devices with neighbour recognition

Номер патента: RU2635656C2. Автор: Чжимин ДИН,Пин ФАН,Цзи Чэнь,Чжэнгуо ДУ. Владелец: Хуавей Дивайс (Дунгуань) Ко., Лтд.. Дата публикации: 2017-11-15.

Mask programmable charge coupled device transversal filter

Номер патента: US4612522A. Автор: Rudolph H. Dyck. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1986-09-16.

Driving circuit for charge coupled device

Номер патента: EP1774653A1. Автор: Reinhard Kirschenstein,Matthias Zeidler,Thomas Graen. Владелец: Thomson Licensing SAS. Дата публикации: 2007-04-18.

Charge-coupled device sensing apparatus

Номер патента: US20040207742A1. Автор: Yung-Chuan Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-21.

Driving circuit for charge coupled device

Номер патента: WO2006013149A1. Автор: Reinhard Kirschenstein,Matthias Zeidler,Thomas Graen. Владелец: THOMSON LICENSING. Дата публикации: 2006-02-09.

Light filter adapted for use with a charge-coupled device

Номер патента: US20010028400A1. Автор: Chieh-Jen Lee,Pai-Hung Chien. Владелец: Asia Optical Co Inc. Дата публикации: 2001-10-11.

Correcting charge transfer inefficiency in a charge coupled analog to digital converter

Номер патента: WO2007047872A1. Автор: Michael P. Anthony,Jeffery D. Kurtze. Владелец: Kenet, Inc.. Дата публикации: 2007-04-26.

Correcting charge transfer inefficiency in a charge coupled analog to digital converter

Номер патента: US20070085724A1. Автор: Michael Anthony,Jeffery Kurtze. Владелец: Kenet LLC. Дата публикации: 2007-04-19.

Correcting charge transfer inefficiency in a charge coupled analog to digital converter

Номер патента: USRE43639E1. Автор: Michael P. Anthony,Jeffrey D. Kurtze. Владелец: Kenet LLC. Дата публикации: 2012-09-11.

Smart progressive-scan charge-coupled device camera

Номер патента: MY121985A. Автор: Fan-Ching Tao. Владелец: Microscan Systems Inc. Дата публикации: 2006-03-31.

Capacitive charge coupling with dual connector assemblies and charging system

Номер патента: CA2243111A1. Автор: Joseph A. Cates,Jeffrey A. Rose. Владелец: Individual. Дата публикации: 1997-08-07.

Charge injection device with low noise readout

Номер патента: US4843473A. Автор: Jerome J. Tiemann,Gerald J. Michon,Selim S. Bencuya,James R. Toker,Thomas L. Vogelsong. Владелец: Polaroid Corp. Дата публикации: 1989-06-27.

Method and apparatus for low latency charge coupled decision feedback equalization

Номер патента: EP4397010A1. Автор: Alan C. Rogers,Michael A. Ang. Владелец: Analog Bits Inc. Дата публикации: 2024-07-10.

Method and apparatus for low latency charge coupled decision feedback equalization

Номер патента: US12107707B2. Автор: Alan C. Rogers,Michael A. Ang. Владелец: Analog Bits Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Charge coupled device shift registers having an improved regenerative charge detector

Номер патента: US4060737A. Автор: William Milton Gosney. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1977-11-29.

Formation of sonar channels by charge-coupled devices

Номер патента: CA1131339A. Автор: Jean-Louis Vernet,Joel Guyot. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1982-09-07.

Method and circuit arrangement for the operation of recursive filter circuits or analog storage circuits constructed according to the charge coupled device (CCD) principle

Номер патента: US4283696A. Автор: Karl Goser. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1981-08-11.

Dust remover for charge-coupled device

Номер патента: US20110138569A1. Автор: WATARU Kaihotsu,Jin-Won Lee,Jeong-hyun Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-06-16.

Single electrode sense circuit for charge-coupled transversal filters

Номер патента: US4330769A. Автор: James R. Hellums,Ralph T. Dean,David A. Sealer. Владелец: Mostek Corp. Дата публикации: 1982-05-18.

High resolution biomedical imaging system with direct detection of x-rays via a charge coupled device

Номер патента: US5742659A. Автор: Muzaffer Atac,Timothy A. McKay. Владелец: Universities Research Association Inc. Дата публикации: 1998-04-21.

Photographic camera with rotatable filter assembly having interchangeable filter disks and charge-coupled surface sensor

Номер патента: US5592221A. Автор: Bodo Mielke. Владелец: Rollei Fototechnic GmbH. Дата публикации: 1997-01-07.

Programmable NxM switching system with charge-coupled device multiplexer

Номер патента: US5420534A. Автор: Hammam Elabd. Владелец: Loral Fairchild Corp. Дата публикации: 1995-05-30.

Charge coupled device for overcoming an output voltage difference between different shift registers

Номер патента: US5303053A. Автор: Shigehiro Miyatake,Kenji Takada. Владелец: Minolta Co Ltd. Дата публикации: 1994-04-12.

Charge-coupled analog-to-digital converter

Номер патента: US4306221A. Автор: Chi-Shin Wang,Ching-Lin Jiang. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1981-12-15.

Capacitive charge coupling with dual connector assemblies and charging system

Номер патента: US5714864A. Автор: Joseph A. Cates,Jeffrey A. Rose. Владелец: Electro Dynamics Inc. Дата публикации: 1998-02-03.

Input device with backlight function and backlight color adjustment method thereof

Номер патента: US11706859B2. Автор: Hui-Ling Lin,Ding-Hsiang Pan. Владелец: Primax Electronics Ltd. Дата публикации: 2023-07-18.

Method and apparatus for low latency charge coupled decision feedback equalization

Номер патента: US20240113923A1. Автор: Alan C. Rogers,Michael A. Ang. Владелец: Analog Bits Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Input device with backlight function and backlight color adjustment method thereof

Номер патента: US20230103868A1. Автор: Hui-Ling Lin,Ding-Hsiang Pan. Владелец: Primax Electronics Ltd. Дата публикации: 2023-04-06.

Single charge-coupled-device camera for detection and differentiation of desired objects from undesired objects

Номер патента: US5661817A. Автор: John David Hatlestad,Gerald Francis Sauter. Владелец: Lockheed Martin Corp. Дата публикации: 1997-08-26.

Contact image sensor with meandering data lines connected to opposite switching elements in alternating sensor blocks

Номер патента: US5410146A. Автор: Chang W. Hur. Владелец: Gold Star Co Ltd. Дата публикации: 1995-04-25.

Charge coupled device

Номер патента: US20060209201A1. Автор: Mark Majette,Kurt Spears,Patrick Chase. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2006-09-21.

Flash control method for an interline charge coupled device camera

Номер патента: US5946035A. Автор: Inh-Seok Suh. Владелец: Samsung Aerospace Industries Ltd. Дата публикации: 1999-08-31.

Smart progressive-scan charge-coupled device camera

Номер патента: CA2253820A1. Автор: Fan-Ching Tao. Владелец: Individual. Дата публикации: 1997-11-13.

Charge coupled imaging device, and method of operating such a device

Номер патента: WO1998017051A3. Автор: Edwin Roks,Peter Opmeer,Jan Theodoor Jozef Bosiers,Alouisius Whilhelmus Korthout. Владелец: Korthout Alouisius Wilhelmus M. Дата публикации: 1998-05-28.

Charge-coupled-device based transmitters and receivers

Номер патента: WO1995032572A1. Автор: Aaron Weinberg. Владелец: Stanford Telecommunications, Inc.. Дата публикации: 1995-11-30.

A method and apparatus for high-speed charge-coupled cmos tdi imaging

Номер патента: US20240022835A1. Автор: Hyun Jung Lee,Paul Donegan. Владелец: Teledyne Digital Imaging Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Charge-coupled device image sensor with vertical binning of same-color pixels

Номер патента: US20100097505A1. Автор: Eric J. Meisenzahl. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-04-22.

Semiconductor memory device with floating gate electrode

Номер патента: US5687119A. Автор: Keun Hyung Park. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1997-11-11.

Semiconductor device with high- and low-density regions of transistor elements on single semiconductor substrate, and method of manufacturing such semiconductor device

Номер патента: US20010006834A1. Автор: Toshiyuki Hirota,Natsuki Sato. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-07-05.

Image display device with element driving device for matrix drive of multiple active elements

Номер патента: US6091203A. Автор: Shingo Kawashima,Hiroshi Sasaki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-07-18.

Aerosol delivery device with a reservoir housing and a vaporizer assembly

Номер патента: EP4456665A2. Автор: Eric Taylor Hunt,Stephen Benson Sears,Timothy Brian Nestor,Paul Andrew Brinkley,Michael F. Davis,Kristen Dodds Weight,Matthew C. Ebbs,John Depiano. Владелец: RAI Strategic Holdings Inc. Дата публикации: 2024-10-30.

Method of fabricating nonvolatile semiconductor memory devices with select gates

Номер патента: US5953611A. Автор: Makoto Tanaka. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 1999-09-14.

Pressure sensor device with organic electrochemical transistors

Номер патента: US20240049483A1. Автор: Alireza Khademhosseini,Shiming Zhang. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-02-08.

Multi-level magnetic tunnel junction nor device with wrap-around gate electrodes and methods for forming the same

Номер патента: US20240090236A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG,Meng-Han LIN,Chenchen Jacob WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Multi-level magnetic tunnel junction NOR device with wrap-around gate electrodes and methods for forming the same

Номер патента: US11864392B2. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG,Meng-Han LIN,Chenchen Jacob WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Mems device with movable stage

Номер патента: US20200212826A1. Автор: Chin-Fu Kuo,Chao-Ta Huang,Yu-Wen Hsu,Che-Kai Yeh. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2020-07-02.

Nonvolatile semiconductor storage device with ferroelectric capacitors

Номер патента: US5300799A. Автор: Takashi Nakamura,Hironobu Nakao. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 1994-04-05.

Magnetic device with gate electrode

Номер патента: US11730065B2. Автор: Byong Guk Park,Min-Gu Kang,Jong-Guk CHOI. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor memory device and semiconductor device including multilayer gate electrode

Номер патента: US7541654B2. Автор: Fumitaka Arai,Makoto Sakuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-06-02.

Decentralized data-telecommunication network with element identification by their location, dial-up channel and device for such network

Номер патента: WO2010077184A1. Автор: Sergei Valentinovich Malakhov,Andrei Valerievich Lisitsa,Denis Vladislavovich Vokhmyanin,Grigoriy Yakovlevich Ivanov,Valeriya Yurievna Kistanova,Aleksei Mikhailovich Kudryavtsev,Sergei Andreyevich Tsvetkov. Владелец: Obshchestvo S Ogranichennoi Otvetstvennostyu "Kub". Дата публикации: 2010-07-08.

Method and system of registering a user device with a dynami-cally self-optimizing communication network

Номер патента: US09467337B2. Автор: Parag Naik,Anindya SAHA,Vishwakumara Kayargadde,Sunil Hosur Ramesh. Владелец: Saankhya Labs Pvt Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Manufacturing method of a semiconductor device with a trench capacitor

Номер патента: US5302541A. Автор: Moriaki Akazawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-04-12.

Superconducting device with c-axis channel and a-axis source and drain having a continuous crystal structure

Номер патента: US5447907A. Автор: Hiroshi Inada,Takao Nakamura,Michitomo Iiyama. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1995-09-05.

Electronic device with equalization, integrated circuit and methods therefor

Номер патента: US09912499B2. Автор: Qiang Zhou,Chih-Yuan Lin,Bao-Chi Peng,Charles Chien,Balachander Narasimhan,Cheng-Chou Zhan. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Electronic device with equalization, integrated circuit and methods therefor

Номер патента: US09768984B2. Автор: Qiang Zhou,Chih-Yuan Lin,Bao-Chi Peng,Charles Chien,Balachander Narasimhan,Cheng-Chou Zhan. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Integrated circuit device with field programmable optical array

Номер патента: US09608728B1. Автор: Jon Long,Sergey Yuryevich Shumarayev,Weiqi Ding,Mike Peng Li,Joel Martinez. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Portable communication device with flow through acoustic transducer ports for water management

Номер патента: US09510071B2. Автор: Michael E. Bausch,Kurt E. Jones,James D. Haschmann. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 2016-11-29.

Superconducting field effect device having a superconducting channel and method for manufacturing the same

Номер патента: CA2186840C. Автор: Takao Nakamura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2001-11-20.

Nonvolatile semicondutor memory with metallic silicide film electrically connected to a control gate electrode layer

Номер патента: US7705394B2. Автор: Yasuhiko Matsunaga,Masayuki Ichige,Fumitaka Arai,Atsuhiro Sato,Kikuko Sugimae. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-04-27.

Long-range optical device with image capturing channel

Номер патента: US12010420B2. Автор: Gerd Schreiter,Christoph Heinrich,Christoph Frech,Daniel Nindl,Helmut Wiedermann,Thomas Salzburger. Владелец: Swarovski Optik AG and Co KG. Дата публикации: 2024-06-11.

Long-Range Optical Device With Image Capturing Channel

Номер патента: US20230283882A1. Автор: Gerd Schreiter,Christoph Heinrich,Christoph Frech,Daniel Nindl,Helmut Wiedermann,Thomas Salzburger. Владелец: Swarovski Optik AG and Co KG. Дата публикации: 2023-09-07.

Network devices with multiple direct memory access channels and methods thereof

Номер патента: US20140032695A1. Автор: William R. Baumann,Timothy Michels. Владелец: F5 Networks Inc. Дата публикации: 2014-01-30.

Device with blockable/un-blockable fluid channels and built-in self-test equipment

Номер патента: US11921126B2. Автор: Mengchu Li,Tsun-Ming Tseng,Ulf Schlichtmann. Владелец: Technische Universitaet Muenchen. Дата публикации: 2024-03-05.

Network devices with multiple direct memory access channels and methods thereof

Номер патента: US20120072523A1. Автор: William R. Baumann,Timothy Michels. Владелец: F5 Networks Inc. Дата публикации: 2012-03-22.

FLUIDIC DEVICES WITH REACTION WELLS AND CONSTRICTION CHANNELS AND USES THEREOF

Номер патента: US20220266212A1. Автор: Solomon Deepak. Владелец: Unchained Labs. Дата публикации: 2022-08-25.

Fluidic devices with reaction wells and constriction channels and uses thereof

Номер патента: EP3870369A4. Автор: Deepak SOLOMON. Владелец: Neofluidics LLC. Дата публикации: 2022-11-09.

Fluidic devices with reaction wells and constriction channels and uses thereof

Номер патента: CA3158313A1. Автор: Deepak SOLOMON. Владелец: Unchained Labs Inc. Дата публикации: 2020-04-30.

Fluidic devices with reaction wells and constriction channels and uses thereof

Номер патента: US11998885B2. Автор: Deepak SOLOMON. Владелец: Unchained Labs Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

NETWORK DEVICES WITH MULTIPLE DIRECT MEMORY ACCESS CHANNELS AND METHODS THEREOF

Номер патента: US20140032695A1. Автор: Michels Timothy,Baumann William R.. Владелец: F5 NETWORKS. Дата публикации: 2014-01-30.

Device with Blockable/Un-Blockable Fluid Channels and Built-In Self-Test Equipment

Номер патента: US20220011329A1. Автор: Li Mengchu,Tseng Tsun-Ming,Schlichtmann Ulf. Владелец: . Дата публикации: 2022-01-13.

Clock control method for preventing charge couple device from saturation

Номер патента: US20030108144A1. Автор: Shih-Huang Chen,Summer Tseng. Владелец: Veutron Corp. Дата публикации: 2003-06-12.

Method for forming image signal using charge-coupled matrix devices

Номер патента: RU2766416C1. Автор: Олег Геннадьевич Морозов,Александр Алексеевич Иванов,Ильнур Ильдарович Нуреев,Айрат Жавдатович Сахабутдинов,Артем Анатольевич Кузнецов,Владимир Иванович Анфиногентов,Тимур Артурович Аглиуллин,Сафаа Мохаммед Ридха Хуссейн Хуссейн,Роберт Радикович Губайдуллин,Константин Алексеевич Липатников. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Казанский национальный исследовательский технический университет им. А.Н. Туполева - КАИ". Дата публикации: 2022-03-15.

Charge coupled device

Номер патента: US3864550A. Автор: Harvey George Cragon. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1975-02-04.

Apparatus and method for synchronizing sample stage motion with a time delay integration charge-couple device in a semiconductor inspection tool

Номер патента: US20130270444A1. Автор: Michael Wright,Pradeep Subrahmanyan,David Alles,Daniel Wack. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2013-10-17.

Apparatus and method for synchronizing sample stage motion with a time delay integration charge-couple device in a semiconductor inspection tool

Номер патента: EP2839505A1. Автор: Michael Wright,Pradeep Subrahmanyan,David Alles,Daniel Wack. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2015-02-25.

Data storage device with noise injection

Номер патента: US12051482B2. Автор: Ramanathan Muthiah,Kirubakaran Periyannan,Daniel Joseph Linnen,Grant Chapman Mackey. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-30.

CCD(Charge-coupled device) IC 검사장치

Номер патента: KR19990004443A. Автор: 이상의. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-01-15.

Apparatus for filtering an electrical signal with a charge-coupled device

Номер патента: CA1101940A. Автор: Jean-Edgar Picquendar. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1981-05-26.

Conserving stored charge in apparatus having a charge coupled device

Номер патента: US4597092A. Автор: Toshihiro Furusawa,Nobuhiro Mitani. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1986-06-24.

Charge coupled serial plural shift register string with compensation between registers and self recirculation

Номер патента: CA1043013A. Автор: Gilbert F. Amelio,Jack A. Livezey,Philip J. Salsbury. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1978-11-21.

Multiple laser indicia reader optionally utilizing a charge coupled device (CCD) detector and operating method therefor

Номер патента: US5717221A. Автор: Yajun Li,John Barile,Robert A. Doran. Владелец: Symbol Technologies LLC. Дата публикации: 1998-02-10.

Method of operating a charge-coupled device to reduce spillback

Номер патента: US4891826A. Автор: Kei-Wean C. Yang. Владелец: Tektronix Inc. Дата публикации: 1990-01-02.

Multiple charge-coupled biometric sensor array

Номер патента: US20140286547A1. Автор: Moon J. Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-09-25.

Elongate instrument and elongate instrument guard member compatibility

Номер патента: US20240316319A1. Автор: Lucas S. Gordon,Hans F. Valencia,Peter Fernandez, IV. Владелец: Intuitive Surgical Operations Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Monolithic infrared focal plane charge coupled device imager

Номер патента: US4228365A. Автор: William A. Gutierrez,John H. Pollard. Владелец: US Department of Army. Дата публикации: 1980-10-14.

An optical coupling device with adjustable coupling coefficient

Номер патента: GB2626624A. Автор: Feldmann Johannes,Kewada Vayshnavee. Владелец: Salience Labs Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Apparatus and method for reading indicia using charge coupled device and scanning laser beam technology

Номер патента: CA2150730C. Автор: Yajun Li,Joseph Katz,Edward Barkan,Jerome Swartz,Daniel R. McGlynn. Владелец: Symbol Technologies LLC. Дата публикации: 2006-01-10.

Optical coupling device with adjustable coupling coefficient

Номер патента: US20240248367A1. Автор: Johannes Feldmann,Vayshnavee Kewada. Владелец: Salience Labs Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

An optical coupling device with adjustable coupling coefficient

Номер патента: WO2024156985A1. Автор: Johannes Feldmann,Vayshnavee Kewada. Владелец: Salience Labs Ltd. Дата публикации: 2024-08-02.

Emission spectrometer having charge coupled device detector

Номер патента: CA2452574C. Автор: Mark Leonard Malczewski,Joseph Wegrzyn,Wayne Donald Martin. Владелец: Praxair Technology Inc. Дата публикации: 2008-04-22.

Data storage device with noise injection

Номер патента: US20230420006A1. Автор: Ramanathan Muthiah,Kirubakaran Periyannan,Daniel Joseph Linnen,Grant Chapman Mackey. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Data storage device with noise injection

Номер патента: US20230418481A1. Автор: Ramanathan Muthiah,Kirubakaran Periyannan,Daniel Joseph Linnen. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Method and system for adjusting landing accuracy of unmanned aerial vehicle based on wireless charging coupling mechanism

Номер патента: LU503024B1. Автор: Jing Xiao,Lifang Wu,Xiaoyong Yu,Shaonan CHEN,Xiaorui Wu,Qianyi Chen,Kewen Li,Like Gao,Yuhong Mo,Wenlan Gong,Liwen Qin,Shifeng Ou. Владелец: Electric Power Res Institute Of Guangxi Power Grid Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-23.

Data storage device with noise injection

Номер патента: US12001693B2. Автор: Ramanathan Muthiah,Kirubakaran Periyannan,Daniel Joseph Linnen. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Quantum charge-coupled device

Номер патента: US20230169384A1. Автор: Guin-Dar Lin,Wen-Han Png. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2023-06-01.

Lens system for a head separated type charge coupled device camera

Номер патента: US5715098A. Автор: Sung-Tae Kim. Владелец: Samsung Aerospace Industries Ltd. Дата публикации: 1998-02-03.

CCD(Charge-coupled device) IC 검사장치

Номер патента: KR100247241B1. Автор: 이상의. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-03-15.

Ink jet printing employing reverse charge coupling

Номер патента: CA1166072A. Автор: Robert I. Keur. Владелец: AB Dick Co. Дата публикации: 1984-04-24.

Semiconductor memory employing charge-coupled shift registers with multiplexed refresh amplifiers

Номер патента: US3944990A. Автор: Sunlin Chou. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1976-03-16.

Synthetic turf joining system with water channel and method of joining synthetic turf

Номер патента: US20230256685A1. Автор: S. Kyle EHMAN,William Delaney Lewis,Carl M. Davis, III. Владелец: Watershed Geosynthetics LLC. Дата публикации: 2023-08-17.

Synthetic turf joining system with water channel and method of joining synthetic turf

Номер патента: US12059850B2. Автор: S. Kyle EHMAN,William Delaney Lewis,Carl M. Davis, III. Владелец: Watershed Geos Ynthetics LLC. Дата публикации: 2024-08-13.

Foreskin restoration device with pump and two valves

Номер патента: US12029616B1. Автор: John Richard Henry, Jr.. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-09.

Nonvolatile semiconductor memory device with first and second read operations with different read voltages

Номер патента: US09691489B2. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Safety shut-off device with controlled valve disc (versions)

Номер патента: RU2647577C2. Автор: Кристьян-Тибериу МОЛДОВАН,Роман АЛЕКСАНДРУ-ВЛАД,Стэнли Д. ХОЛЛ,Мишель БУВРИ,Дэвид Е. ВУЛЛАМС,Тун К. НГУЕН. Владелец: Эмерсон Процесс Менеджмент Регьюлэйтор Текнолоджиз, Инк.. Дата публикации: 2018-03-19.

Coupling device with rotary lever and equipment including said device

Номер патента: RU2444433C2. Автор: Роже ПЕЛЛЕНК. Владелец: ПЕЛЛЕНК Рут де Кавайон. Дата публикации: 2012-03-10.

Recuperative spring-hydraulic saddle-coupling device of road train

Номер патента: RU2763220C1. Автор: Валерий Иванович Посметьев,Вадим Олегович Никонов,Виктор Валерьевич Посметьев,Александр Владимирович Авдюхин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный лесотехнический университет имени Г.Ф. Морозова". Дата публикации: 2021-12-28.

Coupling device and method for coupling in an implant system

Номер патента: EP2309946A1. Автор: Marinus Robertus Tuinenburg,Guido Joseph Maria Houg,Klaas Houten. Владелец: ACCURA HOLDING BV. Дата публикации: 2011-04-20.

Conveying and collecting device with a drivable conveying and collecting unit and agricultural crop press with the conveying and collecting device

Номер патента: US12096722B2. Автор: Michael Meiners. Владелец: Maschinenfabrik Bernard Krone GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-09-24.

Coupling device and method for coupling in an implant system

Номер патента: WO2010005305A1. Автор: Marinus Robertus Tuinenburg,Guido Joseph Maria Houg,Klaas Houten. Владелец: Accura Holding B.V.. Дата публикации: 2010-01-14.

Shielding device with a shielding element and at least one temperature and oscillation-decoupled fastening device

Номер патента: US09856904B2. Автор: Bob Bell,Thomas Friedow. Владелец: ELRINGKLINGER AG. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor storage device with reduced current in standby mode

Номер патента: US09711208B2. Автор: Yuichiro Ishii,Yoshisato Yokoyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Method of production of austenite iron-carbon-manganese stell sheets posessing high strength and elongation properties with exeptional homogenity

Номер патента: RU2366727C2. Автор: Колин СКОТТ,Филипп СЮГИ,Мари-Кристин ТЕССЬЕ,Никола ГЕЛЬТОН,Франсуа СТУВЕНО. Владелец: АРСЕЛОР Франс. Дата публикации: 2009-09-10.

Fixation of coupling device with force distribution bracket

Номер патента: RU2622317C2. Автор: АЛЬМЕЙДА Луис Филипе ДЕ,Филипп ЛУТОН. Владелец: Рено С.А.С.. Дата публикации: 2017-06-14.

Device with filler for closing bottle and treating liquid product contained therein

Номер патента: RU2469083C1. Автор: Павел Дмитриевич Жердев. Владелец: Павел Дмитриевич Жердев. Дата публикации: 2012-12-10.

Active matrix liquid crystal display device with divisional common electrodes aligned with divisional regions of TFTs

Номер патента: US5519521A. Автор: Syunichi Sato,Hiroyuki Okimoto. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 1996-05-21.

Multiplexed and interlaced charge-coupled serial-parallel-serial memory device

Номер патента: US4152781A. Автор: Frederick J. Aichelmann, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1979-05-01.

Display device with built-in touch screen and method of fabricating the same

Номер патента: US10394355B2. Автор: Hyunho Kim,Jeongho KIM,Dongmin SEO,SunJa Park. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-27.

Contamination-safe optical coupling device

Номер патента: US20240151920A1. Автор: Reinold Wischnewski. Владелец: Raylase GmbH. Дата публикации: 2024-05-09.

Articulated joint connection device, and coupling device with a coupling bar with coupling bar parts which can be connected via an articulated joint connection device

Номер патента: US20200094859A1. Автор: Dominik Juerss. Владелец: VOITH PATENT GMBH. Дата публикации: 2020-03-26.

Coupling device for use with a bone anchoring element and bone anchoring device with such a coupling device

Номер патента: US20240032973A1. Автор: Lutz Biedermann,Berthold Dannecker. Владелец: Biedermann Technologies GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-02-01.

Coupling device for use with a bone anchoring element and bone anchoring device with such a coupling device

Номер патента: US11751918B2. Автор: Lutz Biedermann,Berthold Dannecker. Владелец: Biedermann Technologies GmbH and Co KG. Дата публикации: 2023-09-12.

Instrument delivery device with integrated scrubbing cap and method of use thereof

Номер патента: WO2024226491A2. Автор: Manish Kumar,Shishir Prasad,Praveen NALAWADE,Karthik Mr. Владелец: BECTON, DICKINSON AND COMPANY. Дата публикации: 2024-10-31.

Vascular coupling device

Номер патента: US20210244939A1. Автор: Azad Najar. Владелец: Scandinavian Real Heart AB. Дата публикации: 2021-08-12.

Valve with parallel gate valve and operating method of valve with parallel gate valve

Номер патента: RU2696665C2. Автор: Ричард Дж. ГРЭДЛ. Владелец: Флоусерв Мениджмент Компани. Дата публикации: 2019-08-05.

Sealing device with tamper indicator

Номер патента: RU2274591C2. Автор: Келли А. СМИТ,Уолтер У. ПИТЕРСОН,Джозеф У. СТАНИШЕВСКИ. Владелец: Сиквист Клоужерз Форин, Инк.. Дата публикации: 2006-04-20.

Hydrogen generating device with stackable assembly type

Номер патента: RU2731617C1. Автор: Хсин-Юйнг Линь. Владелец: Хсин-Юйнг Линь. Дата публикации: 2020-09-07.

Grinding and measuring device with ground coffee dispenser

Номер патента: RU2745812C2. Автор: Джакомо АББЬЯТИ. Владелец: Группо Чимбали С.П.А.. Дата публикации: 2021-04-01.

Device for closing beverages containers and assembly of such device with a beverage container

Номер патента: RU2674623C2. Автор: ДЕН БРУК Лукас Карел Йоханнес ВАН. Владелец: ВИЛЛЕМСЕН Луис Ринзе Хенрикус Адрианус. Дата публикации: 2018-12-12.

Matrix-addressed liquid crystal display device with compensation for potential shift of pixel electrodes

Номер патента: US4789223A. Автор: Toshio Yanagisawa,Motoji Kajimura,Koichi Kasahara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1988-12-06.

Scan driver for a display device with reduced degradation of transistors

Номер патента: US11823626B2. Автор: Jong Hee Kim,Soo Yeon Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Portable Electrodialysis Device With Flow Electrode

Номер патента: US20230264990A1. Автор: John J. Gresens. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-08-24.

Coupling device with coating

Номер патента: WO2023001524A1. Автор: Robert Axelsson,Katarina Hedbeck,Christopher Blacker,Rebecca Bejhed. Владелец: Tada Group Ab. Дата публикации: 2023-01-26.

Tissue excision device with anchor stability rod and anchor stability rod

Номер патента: US20170055962A1. Автор: Martin L. Flatland. Владелец: Siteselect Inc. Дата публикации: 2017-03-02.

Coupling device with coating

Номер патента: US20240230000A1. Автор: Robert Axelsson,Katarina Hedbeck,Christopher Blacker,Rebecca Bejhed. Владелец: Tada Group Ab. Дата публикации: 2024-07-11.

Rotational coupling device with sealed key

Номер патента: WO2009143245A3. Автор: Brenton Charles Bluhm. Владелец: Warner Electric Technology Llc.. Дата публикации: 2010-01-07.

Coupling device for coupling an object, especially a seat or table device, with a first and a second holder

Номер патента: WO1987003193A1. Автор: Anders Lennart Sandell. Владелец: ARJO HOSPITAL EQUIPMENT AB. Дата публикации: 1987-06-04.

Constant rate fluid delivery device with selectable flow rate and titratable bolus button

Номер патента: US09937290B2. Автор: Robert I. Connelly,Kenneth G. Powell. Владелец: Becton Dickinson and Co. Дата публикации: 2018-04-10.

Hydrokinetic torque coupling device with turbine-piston lock-up clutch and epicyclic gearing

Номер патента: US09797494B2. Автор: Alexandre Depraete,Eugene Kozak. Владелец: Valeo Embrayages SAS. Дата публикации: 2017-10-24.

Coupling device with residual pressure relief system

Номер патента: US09395026B2. Автор: Sebastien Lafond,Bernard Brand. Владелец: EATON SAS. Дата публикации: 2016-07-19.

Sheet of high-strength steel having excellent low-temperature fracture toughness and elongation coefficient, and the method for its manufacture

Номер патента: RU2771151C1. Автор: Дзанг-Йонг ЙОО,Моо-Дзонг БАЕ,Йоен-Дзунг ПАРК. Владелец: Поско. Дата публикации: 2022-04-27.

Electrosurgical device with offset conducting element

Номер патента: RU2612863C2. Автор: Дениз ТЕМЕЛЛИ,Нил ГОДАРА. Владелец: Авент Инк.,. Дата публикации: 2017-03-13.

Organic light emitting display device with pixel configured to be driven during frame period and driving method thereof

Номер патента: US8610701B2. Автор: NAOAKI Komiya. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-17.

Micro-metering device with constant flow rate

Номер патента: US20240026992A1. Автор: YI WU,Jin Liu,Xiyuan XIAO. Владелец: Shenzhen Keyto Fluid Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Scintigraphic detection device with a high degree of compactness and simplified electronics

Номер патента: US20240151861A1. Автор: Alessandro Soluri,Roberto Massari. Владелец: Consiglio Nazionale delle Richerche CNR. Дата публикации: 2024-05-09.

Coupling device for coupling a bone anchor to a rod and bone anchoring device with such a coupling device

Номер патента: US20170112542A1. Автор: Wilfried Matthis,Timo Biedermann,Bernd Fischer. Владелец: Biedermann Technologies GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-04-27.

Coupling device for the alignment of an optical waveguide

Номер патента: US20030228111A1. Автор: Gerhard Luz. Владелец: Alcatel SA. Дата публикации: 2003-12-11.

Coupling device with integrated stopcock and device for supplying a flowable substance

Номер патента: US20190234549A1. Автор: Hans Georg Hagleitner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-08-01.

De-coupling device for sheet reversing mechanism

Номер патента: US20070126177A1. Автор: Seiji Sasaki. Владелец: Shinohara Machinery Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-07.

Rotational coupling device with wear compensation structure

Номер патента: EP2347144A2. Автор: James A. Pardee,George P. Gill,Pankaj C. Modi,Charles F. Magers. Владелец: Warner Electric Technology LLC. Дата публикации: 2011-07-27.

Aseptic coupling devices

Номер патента: US09879808B2. Автор: Randall Scott Williams,Patrick Thomas Gerst,Jeremy Henry Nichols,Todd Charles Andrews. Владелец: Colder Products Co. Дата публикации: 2018-01-30.

Cartridge type quick coupling device

Номер патента: US09746114B2. Автор: Philippe Le Quere. Владелец: Parker Hannifin Manufacturing France SAS. Дата публикации: 2017-08-29.

Multi-coupling device with pressure relief circuit

Номер патента: US09726311B2. Автор: Alessandro Danelli,Roberto Sorbi. Владелец: Faster SRL. Дата публикации: 2017-08-08.

Medical device with cmut array and solid state cooling, and associated methods and systems

Номер патента: US20240285980A1. Автор: Butrus T. Khuri-Yakub,John N. Irwin, III,Arif Sanli Ergun,Andre Khoury. Владелец: Orchard Ultrasound Innovation LLC. Дата публикации: 2024-08-29.

Method to control impact device with hydraulic or pneumatic drive and impact device

Номер патента: RU2393955C2. Автор: Маркку КЕСКИНИВА,Йорма МЯКИ,Маури ЭСКО,Эркки АХОЛА,Аймо ХЕЛИН,Юха ПИИСПАНЕН. Владелец: Сандвик Майнинг Энд Констракшн Ой. Дата публикации: 2010-07-10.

Detection of nucleic acid target sequence in analysis without hybridization, depending on cleavage and elongation of the probing and labeling oligonucleotide (pto)

Номер патента: RU2620958C2. Автор: Джон Йоон ЧУН,Янг Джо ЛИ. Владелец: Сиджен, Инк.. Дата публикации: 2017-05-30.

Multi-domain liquid crystal display device with concave portion in color filter and method of manufacturing thereof

Номер патента: US6100953A. Автор: Kyeong Jin Kim,Yun Bok Lee. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2000-08-08.

Display device with internal compensation

Номер патента: US11741884B2. Автор: Hyun Joon Kim,Jang Mi KANG,Jun Hyun Park,Ki Hyun PYO,Min Jae Jeong,Hae Min Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Medication delivery device with sensing system

Номер патента: AU2020229800B2. Автор: Sean Matthew PSZENNY,Jay Mark FRIEDLANDER,Patrick Kevin MURPHY,Labi SHRESTHA. Владелец: Eli Lilly and Co. Дата публикации: 2024-06-20.

Pipe apparatus, coupling devices, and methods

Номер патента: CA3242048A1. Автор: Christopher D. Zook,Andrew J. Midlik,Brian Guhde,Mark Kacik. Владелец: Lubrizol Advanced Materials Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Pipe apparatus, coupling devices, and methods

Номер патента: WO2023114286A1. Автор: Christopher D. Zook,Andrew J. Midlik,Brian Guhde,Mark Kacik. Владелец: LUBRIZOL ADVANCED MATERIALS, INC.. Дата публикации: 2023-06-22.

Medical drainage device with flow restriction feature

Номер патента: EP1144021A1. Автор: Jacky Yam,Alan Ranford. Владелец: Sherwood Service AG. Дата публикации: 2001-10-17.

Medical drainage device with flow restriction feature

Номер патента: EP1144021A4. Автор: Jacky Yam,Alan Ranford. Владелец: Sherwood Service AG. Дата публикации: 2005-09-28.

Underwater device with transmitter

Номер патента: US20050093691A1. Автор: John Kline,Frederick Dental. Владелец: Lockheed Martin Corp. Дата публикации: 2005-05-05.

Bias control for memory cells with multiple gate electrodes

Номер патента: US12057177B2. Автор: Jaw-Juinn Horng,Szu-chun TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Aseptic coupling devices

Номер патента: US12060960B2. Автор: Randall Scott Williams,Patrick Thomas Gerst,Jeremy Henry Nichols,Todd Charles Andrews. Владелец: Colder Products Co. Дата публикации: 2024-08-13.

Microfluidic devices with integrated resistive heater electrodes including systems and methods for controlling and measuring the temperatures of such heater electrodes

Номер патента: US20170067784A1. Автор: Johnathan S. Coursey,Kenton C. Hasson,Gregory H. Owen,Gregory A. Dale. Владелец: Canon US Life Sciences Inc. Дата публикации: 2017-03-09.

Solid-state device with load isolation

Номер патента: US20120297125A1. Автор: IRFAN SYED,Stephen R. BOORMAN,Omid NASIBY. Владелец: Stec Inc. Дата публикации: 2012-11-22.

Axon formation and elongation employing nerve growth cone localized molecule shootin1 or its splicing variants, and applications for nerve regeneration

Номер патента: WO2006016429A1. Автор: Takahiro Nagase,Osamu Ohara,Tadayuki Shimada,Naoyuki Inagaki,Michinori Toriyama. Владелец: KAZUSA DNA RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2006-02-16.

Bias control for memory cells with multiple gate electrodes

Номер патента: US20240355398A1. Автор: Jaw-Juinn Horng,Szu-chun TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Display device with selectable led current levels based on brightness data

Номер патента: US20220180799A1. Автор: Junjie Zheng,Chih-Chang Wei,Richard Landry Gray. Владелец: Huayuan Semiconductor Shenzhen Ltd Co. Дата публикации: 2022-06-09.

Side-firing fiber delivery device with active cooling cap

Номер патента: US09980776B2. Автор: Gerald M. Mitchell,Yihlih Peng. Владелец: Boston Scientific Scimed Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Recycled asphalt concrete with minimized amount of flat and elongated particles, and manufacturing method therefor

Номер патента: US09884786B2. Автор: Hee Jung PARK. Владелец: JUNGANG ASCON Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Microfluidic devices with integrated resistive heater electrodes including systems and methods for controlling and measuring the temperatures of such heater electrodes

Номер патента: US09873122B2. Автор: Johnathan S. Coursey. Владелец: Canon US Life Sciences Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Torsional vibration damper for hydrokinetic torque coupling device with inner and outer elastic damping members connected in series

Номер патента: US09841060B2. Автор: Rabah Arhab,Josip Kovac,Sungchul Lee. Владелец: Valeo Embrayages SAS. Дата публикации: 2017-12-12.

Coupling device for coupling a rod to a bone anchoring element and bone anchoring device with such a coupling device

Номер патента: US09839446B2. Автор: Lutz Biedermann,Wilfried Matthis,Timo Biedermann. Владелец: Biedermann Technologies GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-12-12.

Exhaust gas aftertreatment device with injection section

Номер патента: US09810123B2. Автор: Tobias Wolf,Alexander Kauderer,Kirill KARELIN. Владелец: Eberspaecher Exhaust Technology GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-11-07.

Fluid ejection device with restriction channel, and manufacturing method thereof

Номер патента: US09744765B2. Автор: Domenico Giusti,Lorenzo Colombo,Carlo Luigi PRELINI,Mauro Cattaneo. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-08-29.

Microfluidic devices with integrated resistive heater electrodes including systems and methods for controlling and measuring the temperatures of such heater electrodes

Номер патента: US09527083B2. Автор: Johnathan S. Coursey,Kenton C. Hasson,Gregory H. Owen,Gregory A. Dale. Владелец: Canon US Life Sciences Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Microfluidic devices with integrated resistive heater electrodes including systems and methods for controlling and measuring the temperatures of such heater electrodes

Номер патента: US09492826B2. Автор: Hiroshi Inoue,Kenton C. Hasson,Gregory A. Dale,Takayoshi Hanagata. Владелец: Canon US Life Sciences Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Dielectrophoretic cell chromatography device with spiral microfluidic channels and concentric electrodes, fabricated with MEMS technology

Номер патента: US09409186B2. Автор: Haluk Kulah,Ata Tuna Ciftlik. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-08-09.

Synthetic turf joining system with water channel and method of joining synthetic turf

Номер патента: WO2021216806A1. Автор: Carl M. DAVIS III,S. Kyle EHMAN,William Delaney Lewis. Владелец: WATERSHED GEOSYNTHETICS, LLC. Дата публикации: 2021-10-28.

Apparatus and method for straightening and elongating complex hollow-chamber profile

Номер патента: ZA202210166B. Автор: Jian Chen,Xingyu Ding,Guangbiao Teng,Taotao Ruan,Sentian Gao. Владелец: Foshan Jma Aluminium Ind Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-27.

Clot removal device with steerable element

Номер патента: EP3030165A1. Автор: Yuri Sudin,Shimon Eckhouse,Ronen Eckhouse. Владелец: RAPID MEDICAL LTD. Дата публикации: 2016-06-15.

High strength thin steel sheet having excellent plating and elongation property and the method for manufacturing the same

Номер патента: WO2007066955A1. Автор: Sang-Ho Han. Владелец: POSCO. Дата публикации: 2007-06-14.

Magnetic coupling device with at least one of a sensor arrangement and a degauss capability

Номер патента: US12023770B2. Автор: David H. MORTON,Paul J. KARP,Cengiz Kizilkan. Владелец: Magswitch Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Memory device with status feedback for error correction

Номер патента: US20200394103A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-17.

Memory device with status feedback for error correction

Номер патента: EP3983898A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-04-20.

Memory device with status feedback for error correction

Номер патента: US20220237081A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Memory device with status feedback for error correction

Номер патента: US20230418708A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Stilt device with improved leg pole attachment bracket

Номер патента: US20240226663A9. Автор: Raymond L. Emmert. Владелец: Emmert Second LP. Дата публикации: 2024-07-11.

Hydrokinetic torque coupling device with centered lock-up clutch friction disc, and method for assembling the same

Номер патента: WO2015166338A2. Автор: Rabah Arhab,Alexandre Depraete,Sungchul Lee,Alfonso Medellin,Francois Baert. Владелец: VALEO EMBRAYAGES. Дата публикации: 2015-11-05.

Stilt device with improved leg pole attachment bracket

Номер патента: US20240131398A1. Автор: Raymond L. Emmert. Владелец: Emmert Second LP. Дата публикации: 2024-04-25.

Fan-coupling device with unitary magnetic pole construction

Номер патента: US20190257373A1. Автор: Archibald E. Pinto,Santiago Yepes,Conrado Vargas Cardenas. Владелец: Standard Motor Products Inc. Дата публикации: 2019-08-22.

Scaffolding, coupling device and method for erecting a scaffolding

Номер патента: US12077974B2. Автор: Ralph Gerardus Franciscus Herman Kweens,Petrus Christianus Johannus Maria Van Oers,Antonius Johannus Marinus Van Leent. Владелец: Brand Infrastructure Services BV. Дата публикации: 2024-09-03.

Surgical stapling device with lockout system for preventing actuation in the absence of an installed staple cartridge

Номер патента: US12082814B2. Автор: Michael E. Setser,Richard L. Leimbach. Владелец: Cilag GmbH International. Дата публикации: 2024-09-10.

Coupling device and method

Номер патента: US12123540B2. Автор: Gaëtan COLEIRO,Yan Pennec. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2024-10-22.

Surgical stapling device with lockout system for preventing actuation in the absence of an installed staple cartridge

Номер патента: US20240350140A1. Автор: Michael E. Setser,Richard L. Leimbach. Владелец: Cilag GmbH International. Дата публикации: 2024-10-24.

Tool coupling device, tool coupling device set, robot and manufacturing or handling system

Номер патента: US20240342926A1. Автор: Marc Engelhart,Helge Schneider,Roman BATZ. Владелец: IPR Intelligente Peripherien fuer Roboter GmbH. Дата публикации: 2024-10-17.

Respiratory interface device with flexible cover

Номер патента: US09919120B2. Автор: Peter Chi Fai Ho. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2018-03-20.

Pre-charging a gate electrode before resuming display updating

Номер патента: US09715291B2. Автор: Petr Shepelev. Владелец: Synaptics Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Threaded coupling device with nozzle for GWR measurements in non-metallic tanks

Номер патента: US09518856B2. Автор: Ion Georgescu,Cornel Cobianu,Michael Kon Yew Hughes,Stuart James Heath,Frank Martin Haran. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Fluid ejection device with ACEO pump

Номер патента: US09403372B2. Автор: Sadiq Bengali,Greg Scott Long,Brian M. Taff. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2016-08-02.

Body box and body made with flattened and elongated curved in lengthwise direction c-shaped bottom

Номер патента: RU2612344C2. Автор: ВАЛЬДИВЬЕСО Альфредо ГАРСИЯ-УЙДОБРО. Владелец: Ансар Дисеньо Лимитада. Дата публикации: 2017-03-07.

Large-size unloading skip installed on curvilinear guide having external drive and elongated structure

Номер патента: RU2607137C2. Автор: Вэй Ли,Чжэньцай ЧЖУ,Гунбо Чжоу,Гохуа ЦАО,Чанхуа ХУ,Гоань ЧЭНЬ,Юсин ПЭН,Кингён ДУ,Мяо ВАН. Владелец: Сюйчжоу Коул Майн Сейфти Эквипмент Мануфакчур Ко., Лтд.. Дата публикации: 2017-01-10.

Hopper box and hopper constructed with a collapsed and elongated longitudinally curved c-shaped floor

Номер патента: CA2856260C. Автор: Alfredo GARCIA-HUIDOBRO VALDIVIESO. Владелец: ANSAR DISENO Ltda. Дата публикации: 2017-11-21.

Process for the production of a strip of a chromium stainless steel of a duplex structure having high strength and elongation as well as reduced plane anisotropy

Номер патента: CA1305911C. Автор: Hiroshi Fujimoto,Teruo Tanaka,Katsuhisa Miyakusu. Владелец: Nisshin Steel Co Ltd. Дата публикации: 1992-08-04.

Method for treating waste water with a high concentration of organic matter by using ball shaped circulating and elongated stationary ciliary filter cakes

Номер патента: US6159372A. Автор: Ik-Bae Yang. Владелец: H2L Co Ltd. Дата публикации: 2000-12-12.

B3 transcription factor gene for simultaneously improving length, strength and elongation of cotton fibers and use thereof

Номер патента: US20230323382A1. Автор: Lei Fang,Yan Hu,Tianzhen Zhang,Yiwen Cao,Zegang HAN. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2023-10-12.

Nano-ring gate electrode nanochannels

Номер патента: US20150276664A1. Автор: Binquan Luan,Sung-wook Nam. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-10-01.

Menstrual Device with Pressure Points and Elongated Removal Stem

Номер патента: US20200206019A1. Автор: Christine Beatrice Brown. Владелец: Christine Beatrice Brown. Дата публикации: 2020-07-02.

Vaporization Device with Bottom Cap

Номер патента: AU2020213405A1. Автор: Wanxiang Zou,Ningbo Qiu,XingFu Zhao. Владелец: Bidi Vapor LLC. Дата публикации: 2022-02-24.

Vaporization Device with Heating Component

Номер патента: AU2020213408A1. Автор: Wanxiang Zou,Ningbo Qiu,XingFu Zhao. Владелец: Bidi Vapor LLC. Дата публикации: 2022-02-24.

Heating pump and cleaning device with same

Номер патента: US12049907B2. Автор: Site HU,Xiaowen Hu,Longzhen DAI,Fagang TAN,Richao LIU. Владелец: Guangdong Midea White Goods Technology Innovation Center Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Devices with field effect transistors

Номер патента: EP4176250A1. Автор: Boyan Boyanov,Jeffrey G. MANDELL,Rico OTTO. Владелец: Illumina Inc. Дата публикации: 2023-05-10.

Memory device with source line control

Номер патента: US11776595B2. Автор: Yih Wang,Perng-Fei Yuh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Planar waveguide echelle grating device with astigmatic grating facets

Номер патента: WO2003042736A2. Автор: Andre Delage,Muthukumaran Packirisamy. Владелец: Lnl Optenia Inc.. Дата публикации: 2003-05-22.

Gravitational liquid-splitting device, cell passaging device with the same, and cell passaging method

Номер патента: US20240247225A1. Автор: Hsin-Wu Mi,Hsin-Fei Huang,Chih-Huang Lin,Chia-I Hsu. Владелец: Drsignal Biotechnology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Device with convolutional neural network for acquiring multiple intent words, and method thereof

Номер патента: US20210134274A1. Автор: Kwangyong Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2021-05-06.

Memory device with multiple input/output interfaces

Номер патента: US12079479B2. Автор: Jonathan S. Parry,Chang H. Siau. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Multimodal cooling systems including integrated cooling devices with refrigerant-to-coolant heat exchangers

Номер патента: US20240278623A1. Автор: Michael Andrew Smith,Rolf B. Karlsson,Karl Bo Albert Mikkelsen. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2024-08-22.

Biopsy device with automatic aspiration

Номер патента: US09968340B2. Автор: William Zinnanti. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-15.

NETWORK DEVICES WITH MULTIPLE DIRECT MEMORY ACCESS CHANNELS AND METHODS THEREOF

Номер патента: US20120072523A1. Автор: Michels Timothy,Baumann William R.. Владелец: F5 NETWORKS, INC.. Дата публикации: 2012-03-22.

Method for spatial and temporal processing of images on basis of matrices of photo-sensitive devices with charge-coupled devices and device for realization of said method

Номер патента: RU2313189C2. Автор: Владимир Михайлович Строев,Андрей Витальевич Богословский,Александр Николаевич Пахомов,Ирина Владимировна Жигулина. Владелец: Тамбовское высшее военное авиационное инженерное училище радиоэлектроники (военный институт). Дата публикации: 2007-12-20.

Device for automatic regulation of accumulation time of photodetector matrix on charge coupled devices

Номер патента: RU2420017C1. Автор: Вячеслав Михайлович Смелков. Владелец: Вячеслав Михайлович Смелков. Дата публикации: 2011-05-27.

Overlapping gate buried channel charge coupled device

Номер патента: CA1038080A. Автор: Amr M. Mohsen,Robert W. Bower. Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 1978-09-05.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of generation of high-resolution tv picture in camera on traditional charge-coupled devices and gear for its realization

Номер патента: RU2143789C1. Автор: Я.Б. Розвал,А.И. Разин,Л.С. Виленчик,И.Н. Курков. Владелец: Московское конструкторское бюро "Электрон". Дата публикации: 1999-12-27.

Parallel gate

Номер патента: RU2333408C2. Автор: Владимир Ашотович Куранов,Владимир Васильевич Макаров,Анатолий Петрович Куршин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ИНТЕРАРМ Инжиниринг". Дата публикации: 2008-09-10.

Medical Device with Retractable Needle and Moveable Plunger Seal

Номер патента: US20120004621A1. Автор: Shaw Thomas J.,Zhu Ni. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Television analyzer having matrix of charge-coupling units

Номер патента: RU2040862C1. Автор: В.М. Смелков. Владелец: Научно-исследовательский институт промышленного телевидения "Растр". Дата публикации: 1995-07-25.

Method for manufacturing semiconductor device with submicron-length t-shaped gate electrode

Номер патента: RU2192069C2. Автор: К.А. Валиев,А.А. Орликовский,А.Д. Кривоспицкий,А.А. Окшин,А.А. Горбацевич,Ю.Ф. Семин,С.С. Шмелев. Владелец: Физико-технологический институт РАН. Дата публикации: 2002-10-27.

Videosignal pick-up built around charge-coupled element

Номер патента: RU2012156C1. Автор: В.Е. Шаевич. Владелец: Шаевич Владимир Евгеньевич. Дата публикации: 1994-04-30.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH WELL CONTROLLED SURFACE PROXIMITY AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001238A1. Автор: Ouyang Hui,Fan Wei-Han,Tsai Ming-Huan,Cheng Chun-Fai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Television camera on charge-coupled devices

Номер патента: RU2083056C1. Автор: А.В. Федоров,С.А. Максимов,К.Д. Бузулуцкий. Владелец: Новгородский государственный университет им.Ярослава Мудрого. Дата публикации: 1997-06-27.

MEDICAL DEVICES WITH PROXIMITY DETECTION

Номер патента: US20120003933A1. Автор: . Владелец: WELCH ALLYN, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Compression Device with Structural Support Features

Номер патента: US20120004583A1. Автор: . Владелец: TYCO HEALTHCARE GROUP LP. Дата публикации: 2012-01-05.

DRUG DELIVERY DEVICE WITH NEEDLES AND ROLLER

Номер патента: US20120004638A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

AIR NAVIGATION DEVICE WITH INERTIAL SENSOR UNITS, RADIO NAVIGATION RECEIVERS, AND AIR NAVIGATION TECHNIQUE USING SUCH ELEMENTS

Номер патента: US20120004846A1. Автор: Coatantiec Jacques,Dussurgey Charles. Владелец: THALES. Дата публикации: 2012-01-05.

GATE ELECTRODE AND GATE CONTACT PLUG LAYOUTS FOR INTEGRATED CIRCUIT FIELD EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: US20120001271A1. Автор: YAMADA Satoru,Chae Kyo-Suk,CHOI Young-Jin,Kim Wook-Je,HAN Sang-Yeon. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Inductive Powered Surgical Device with Wireless Control

Номер патента: US20120004652A1. Автор: Moua Tony,Craig Jason L.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Locking-sealing device with twisting

Номер патента: RU2364693C1. Автор: Виктор Владимирович Крылов,Сергей Федорович Горнов,Владимир Михайлович Синицын,Михаил Юрьевич Полоротов. Владелец: Закрытое акционерное общество "Инженерный Промышленный Концерн "Страж". Дата публикации: 2009-08-20.

Linear stepped electromagnetic motor with axial channel and pull-though device with engagement with washers

Номер патента: RU2488212C1. Автор: Константин Михайлович Усанов,Виталий Александрович Каргин,Андрей Валерьевич Волгин,Алексей Петрович Моисеев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Саратовский государственный аграрный университет имени Н.И. Вавилова". Дата публикации: 2013-07-20.

Test Structure for Controlling the Incorporation of Semiconductor Alloys in Transistors Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures

Номер патента: US20120001174A1. Автор: Kronholz Stephan,Wiatr Maciej,Giedigkeit Rainer. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Impact-action air-operated device with throttle air control

Номер патента: RU2334106C2. Автор: Эдуард Александрович Абраменков,Дмитрий Эдуардович Абраменков,Юли Эдуардовна Малышева,Юлия Эдуардовна Малышева,нов Владимир Алексеевич Емель,Владимир Алексеевич Емельянов,Вадим Юрьевич Ильюченко,Василий Владимирович Казаков. Владелец: Дмитрий Эдуардович Абраменков. Дата публикации: 2008-09-20.

Firing device with cooled bottom

Номер патента: RU2464494C1. Автор: Виктор Константинович Любов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Северный (Арктический) федеральный университет" (С(А)ФУ). Дата публикации: 2012-10-20.

Method and elongating plate for osteosynthesis

Номер патента: RU2480179C1. Автор: Олег Анатольевич Каплунов. Владелец: Олег Анатольевич Каплунов. Дата публикации: 2013-04-27.

Method for manufacturing semiconductor device with gate electrode of nanometric length

Номер патента: RU2237947C1. Автор: К.А. Валиев,А.А. Орликовский,А.Д. Кривоспицкий,А.А. Окшин. Владелец: Окшин Алексей Александрович. Дата публикации: 2004-10-10.

X-traction method of traction and elongation of spine and interactive traction-relaxation installation for its realisation

Номер патента: RU2459599C1. Автор: Вадим Николаевич Курюкин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Медицинские машины". Дата публикации: 2012-08-27.

Device for extending and elongating spinal column

Номер патента: RU2271793C1. Автор: Юрий Алексеевич Скултан,Юрий Алексеевич Скултан (RU). Владелец: Юрий Алексеевич Скултан. Дата публикации: 2006-03-20.

Method of release of cavernous and spongy bodies and elongation of penis body visible part

Номер патента: RU2350284C1. Автор: Наталья Александровна Цап,Светлана Анатольевна Мельникова,Леонид Германович Основин,Светлана Анатольевна Мельникова (RU),Наталь Александровна Цап (RU),Леонид Германович Основин (RU). Владелец: Леонид Германович Основин. Дата публикации: 2009-03-27.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.