Transistors with selectively landed gate array.

Transistors with selectively landed gate array

Номер патента: US20240153850A1
Опубликовано: 09-05-2024
Автор(ы): Jaein An, Jimmy Robert Hannes FRANCHI, Krister Gumaelius
Принадлежит: Semiconductor Components Industries LLC
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Transistors with selectively landed gate array

Номер патента: WO2024102579A3. Автор: Krister Gumaelius,Jimmy Robert Hannes FRANCHI,Jaein An. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2024-07-11.

Transistors with selectively landed gate array

Номер патента: WO2024102579A9. Автор: Krister Gumaelius,Jimmy Robert Hannes FRANCHI,Jaein An. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2024-10-10.

Transistors with selectively landed gate array

Номер патента: WO2024102579A2. Автор: Krister Gumaelius,Jimmy Robert Hannes FRANCHI,Jaein An. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2024-05-16.

Transistor with fin structure and nanosheet and fabricating method of the same

Номер патента: US20240162291A1. Автор: Yu-Ming Lin,Cheng-Tung Huang,Ching-In Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Technologies for ribbon field effect transistors with variable fin channel dimensions

Номер патента: US20240222376A1. Автор: Marko Radosavljevic,Evan A. Clinton,Cheng-Ying Huang,Jami A. WIEDEMER,Munzarin F. Qayyum,Rohit V. Galatage. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Logic circuits using vertical transistors with backside source or drain regions

Номер патента: WO2024005789A1. Автор: ABHISHEK Sharma,Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Rishabh Mehandru,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Pushkar Sharad RANADE. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2024-01-04.

Logic circuits using vertical transistors with backside source or drain regions

Номер патента: US20230422496A1. Автор: Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Anand S. Murthy,Rishabh Mehandru,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Pushkar Sharad RANADE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Cascode amplifier structures including wide bandgap field effect transistor with field plates

Номер патента: US7126426B2. Автор: Primit Parikh,Umesh Mishra,Yifeng Wu. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2006-10-24.

Iii-v transistors with resistive gate contacts

Номер патента: US20210167200A1. Автор: Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-06-03.

MOSFET transistors with robust subthreshold operations

Номер патента: US09899376B2. Автор: Xiaoju Wu,C. Matthew Thompson. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Method of fabricating a semiconductor device having a lateral double diffused MOSFET transistor with a lightly doped source and CMOS transistor

Номер патента: US8071436B2. Автор: Marco A. Zuniga,Budong You. Владелец: Volterra Semiconductor LLC. Дата публикации: 2011-12-06.

Nanoribbon-based transistor with uniform oxide

Номер патента: EP4451340A1. Автор: Robin Chao,Siddharth Gupta,Biswajeet Guha,Aravind Killampalli,Jay Prakash Gupta. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-23.

Nanoribbon-based transistor with uniform oxide

Номер патента: US20240355876A1. Автор: Robin Chao,Siddharth Gupta,Biswajeet Guha,Aravind Killampalli,Jay Prakash Gupta. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Field-effect transistors with asymmetric gate stacks

Номер патента: US11515424B2. Автор: Bernhard Sell,Qiang Yu,Mark Armstrong,Hyung-Jin Lee,Saurabh MORARKA,Said Rami,Guannan Liu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-11-29.

Field-effect transistors with asymmetric gate stacks

Номер патента: US20200259018A1. Автор: Bernhard Sell,Qiang Yu,Mark Armstrong,Hyung-Jin Lee,Saurabh MORARKA,Said Rami,Guannan Liu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-08-13.

A lateral surface gate vertical field effect transistor with adjustable output capacitance

Номер патента: US20230369432A1. Автор: Sorin S. Georgescu,Kuo-Chang Robert Yang. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Gate-all-around (gaa) transistors with shallow source/drain regions and methods of fabricating the same

Номер патента: US20220037493A1. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Peijie Feng. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Transistor with monocrystalline base structures

Номер патента: US11855173B2. Автор: Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Ljubo Radic,Jay Paul John,James Albert Kirchgessner. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Source or drain structures with selective silicide contacts thereon

Номер патента: US20230317789A1. Автор: Cory BOMBERGER,Anand S. Murthy,Chi-hing Choi,Mohammad Hasan,Dan S. Lavric,Subrina RAFIQUE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Bipolar transistor with carbon alloyed contacts

Номер патента: US20150236093A1. Автор: Bahman Hekmatshoartabari,Tak H. Ning,Kevin K. Chan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-08-20.

Gate all around transistors with high charge mobility channel materials

Номер патента: US20210226009A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Haining Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-07-22.

Field-effect transistors with buried gates and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20200312970A1. Автор: Paul Fischer,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

High voltage lateral DMOS transistor with optimized source-side blocking capability

Номер патента: US09831320B2. Автор: Sameer Pendharkar,Marie Denison,Philip Leland HOWER. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

High voltage lateral DMOS transistor with optimized source-side blocking capability

Номер патента: US09793375B2. Автор: Sameer Pendharkar,Marie Denison,Philip Leland HOWER. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Bidirectional bipolar transistors with two-surface cellular geometries

Номер патента: US09679999B2. Автор: Richard A. Blanchard. Владелец: Ideal Power Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Transistor arrangement and method for producing a transistor with a fin structure

Номер патента: US20240128358A1. Автор: Daniel Krebs,Jens Baringhaus. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-04-18.

Gate-all-around (gaa) transistors with additional bottom channel for reduced parasitic capacitance and methods of fabrication

Номер патента: US20210384310A1. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Jun Yuan,Peijie Feng. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Transistor with pi-gate structure and method for producing the same

Номер патента: US20020063293A1. Автор: Yeon-Sik Chae,Jin-Koo Rhee,Hyun-Sik Park,Dan An. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-30.

Laterally diffused metal-oxide-semiconductor (LDMOS) transistor with a vertical channel region

Номер патента: US09768293B1. Автор: Chin-Yi Huang,Wan-Jyun Syue,Kuo-Lung Tzeng,Zhuo-Cang YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Gate-all-around field-effect transistor with extended source/drain

Номер патента: US20240282839A1. Автор: Sang Uk LEE,Rock-Hyun Baek. Владелец: POSTECH Research and Business Development Foundation. Дата публикации: 2024-08-22.

Transistor with low leakage currents and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240266438A1. Автор: Chao-Chun Lu,Weng-Dah Ken. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Bipolar transistor with self-aligned asymmetric spacer

Номер патента: US20230268401A1. Автор: Hong Yu,Vibhor Jain,Jianwei PENG. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Trench DMOS transistor with reduced gate-to-drain capacitance

Номер патента: US09716167B2. Автор: Yaojian Leng,Richard Wendell Foote, Jr.,Steven J. Adler. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

MOS transistor with gate trench adjacent to drain extension field insulation

Номер патента: US7893499B2. Автор: Sridhar Seetharaman,Sameer Pendharkar,Marie Denison,Binghua Hu,Taylor Rice Efland. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-02-22.

High-voltage vertical transistor with a multi-layered extended drain structure

Номер патента: US20030197220A1. Автор: Donald Disney. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2003-10-23.

Semiconductor device including vertical transistor with back side power structure

Номер патента: US11948974B2. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor device including vertical transistor with back side power structure

Номер патента: US20240194734A1. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Metal-Gate MOS Transistor and Method of Forming the Transistor with Reduced Gate-to-Source and Gate-to-Drain Overlap Capacitance

Номер патента: US20150179783A1. Автор: Manoj Mehrotra,Hiroaki Niimi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Metal-gate MOS transistor and method of forming the transistor with reduced gate-to-source and gate-to-drain overlap capacitance

Номер патента: US9356131B2. Автор: Manoj Mehrotra,Hiroaki Niimi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-05-31.

Metal-Gate MOS Transistor and Method of Forming the Transistor with Reduced Gate-to-Source and Gate-to-Drain Overlap Capacitance

Номер патента: US20140124874A1. Автор: Manoj Mehrotra,Hiroaki Niimi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-05-08.

Gate-all-around transistor with spacer support and methods of forming same

Номер патента: US20190288117A1. Автор: Christopher M. Prindle,Ruilong Xie,Julien Frougier,Nigel G. Cave. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-09-19.

Technologies for ribbon field effect transistors with variable fin numbers

Номер патента: US20240222521A1. Автор: Jack T. Kavalieros,Marko Radosavljevic,Evan A. Clinton,Cheng-Ying Huang,Jami A. WIEDEMER,Munzarin F. Qayyum,Rohit V. Galatage. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Bipolar transistor with self-aligned asymmetric spacer

Номер патента: US11935928B2. Автор: Hong Yu,Vibhor Jain,Jianwei PENG. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Transistor with inner-gate spacer

Номер патента: US20200006509A1. Автор: Chia-Hong Jan,Joodong Park,Chen-Guan LEE,Jui-Yen Lin,En-Shao LIU. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Bipolar transistor with self-aligned asymmetric spacer

Номер патента: EP4235799A1. Автор: Hong Yu,Vibhor Jain,Jianwei PENG. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-08-30.

Transistor with low leakage currents and manufacturing method thereof

Номер патента: US11990548B2. Автор: Chao-Chun Lu,Weng-Dah Ken. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Methods of forming nanosheet transistor with dielectric isolation of source-drain regions and related structure

Номер патента: US09947804B1. Автор: Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung,Julien Frougier,Steven Bentley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Enhancement-mode iii-n transistor with n-polarity and method of fabricating the same

Номер патента: WO2015009249A9. Автор: Ján KUZMÍK. Владелец: Centrum Vedecko-Technickych Informacii Sr (Cvti Sr). Дата публикации: 2015-03-26.

Transistor with current terminal regions and channel region in layer over dielectric

Номер патента: US20230420546A1. Автор: Petrus Hubertus Cornelis Magnee,Jay Paul John. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Transistor with current terminal regions and channel region in layer over dielectric

Номер патента: EP4297099A1. Автор: Petrus Hubertus Cornelis Magnee,Jay Paul John. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-12-27.

III-N transistors with epitaxial layers providing steep subthreshold swing

Номер патента: US09660067B2. Автор: Robert S. Chau,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Biopolar transistor with a low saturation voltage

Номер патента: EP1654766A1. Автор: David Casey. Владелец: Zetex PLC. Дата публикации: 2006-05-10.

Semiconductor device having P channel high voltage transistors with improved breakdown voltages

Номер патента: US5448101A. Автор: Atsushi Ono,Nobuyuki Saiki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-09-05.

Iii-n transistors with epitaxial layers providing steep subthreshold swing

Номер патента: WO2015147802A1. Автор: Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Robert Chau. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2015-10-01.

InGaAlP schottky field effect transistor with stepped bandgap ohmic contact

Номер патента: US10186620B1. Автор: Cheng-Guan Yuan,Shih-Ming Joseph Liu,Hsi-Tsung Lin,Chia Hsiung Lee. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2019-01-22.

Silicon-on-insulator H-transistor layout for gate arrays

Номер патента: US5298773A. Автор: Richard L. Woodruff. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 1994-03-29.

High Voltage Bipolar Transistor with Trench Field Plate

Номер патента: US20130009252A1. Автор: Thorsten Meyer,Christoph Kadow,Norbert Krischke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2013-01-10.

High-Voltage Bipolar Transistor with Trench Field Plate

Номер патента: US20120007176A1. Автор: Thorsten Meyer,Christoph Kadow,Norbert Krischke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-01-12.

High voltage bipolar transistor with trench field plate

Номер патента: US9112021B2. Автор: Thorsten Meyer,Christoph Kadow,Norbert Krischke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2015-08-18.

Complementary field effect transistor with hybrid nanostructure

Номер патента: US20230307456A1. Автор: Yi-Bo Liao,Chun-Fu CHENG,Yi-Han WANG,Meng-Yu Lin,Szuya Liao,Cheng-Yin WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Trench transistor with chained implanted body

Номер патента: US20040191994A1. Автор: Richard Williams,Wayne Grabowski. Владелец: Advanced Analogic Technologies Inc. Дата публикации: 2004-09-30.

Thin-film transistors with low contact resistance

Номер патента: US11742429B2. Автор: Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Abhishek A. Sharma,Benjamin Chu-Kung,Van H. Le,Tristan A. TRONIC,Li Huey Tan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Integrated circuits with selective gate electrode recess

Номер патента: US09418898B2. Автор: Christopher J. WIEGAND,Michael L. Hattendorf,Mark Y. Liu,Srijit Mukherjee,Tyler J WEEKS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Apparatus and circuits including transistors with different threshold voltages and methods of fabricating the same

Номер патента: US20200135722A1. Автор: Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Apparatus and circuits including transistors with different polarizations and methods of fabricating the same

Номер патента: US20220130989A1. Автор: Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Apparatus and circuits including transistors with different polarizations and methods of fabricating the same

Номер патента: US20200161463A1. Автор: Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-21.

Ldmos transistor with implant alignment spacers

Номер патента: US20230231034A1. Автор: Hernan Rueda,Martin Garcia,Rodney Arlan Barksdale,Stephen C. Chew,Wayne Geoffrey Risner. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Apparatus and circuits including transistors with different threshold voltages and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240274599A1. Автор: Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Transistor with dual spacer and forming method thereof

Номер патента: US20190157418A1. Автор: Chih-Chung Wang,Chia-Ling Wang,Wen-Fang Lee,Ping-Hung Chiang,Chang-Po Hsiung,Nien-Chung Li,Chia-Wen Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-05-23.

LDMOS transistor with implant alignment spacers

Номер патента: US12132099B2. Автор: Hernan Rueda,Martin Garcia,Rodney Arlan Barksdale,Stephen C. Chew,Wayne Geoffrey Risner. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Advanced transistors with punch through suppression

Номер патента: US09508800B2. Автор: Weimin Zhang,Pushkar Ranade,Scott E. Thompson,Lucian Shifren,Sachin R. Sonkusale,Paul E. Gregory. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Vertical transistor with uniform fin thickness

Номер патента: US20200035828A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-30.

Hermetic seal for transistors with metal on both sides

Номер патента: US20230197538A1. Автор: Mohammad Enamul Kabir,Tofizur RAHMAN,Keith Zawadzki,Conor P. PULS,Hannes Greve. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Hermetic seal for transistors with metal on both sides

Номер патента: EP4199046A3. Автор: Mohammad Enamul Kabir,Tofizur RAHMAN,Keith Zawadzki,Conor P. PULS,Hannes Greve. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-15.

Transistor with embedded isolation layer in bulk substrate

Номер патента: US11749717B2. Автор: Anthony K. Stamper,Steven M. Shank,Siva P. Adusumilli,Johnatan A. Kantarovsky,Uzma Rana. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Piezo-resistive resonator device having drive and sense transistors with wells of opposite doping

Номер патента: US20230155550A1. Автор: Ian Alexander Young,Raseong Kim,Dmitri Evgenievich Nikonov,Tanay A. Gosavi,Gary A. Allen. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-05-18.

Transistor with source-drain silicide pullback

Номер патента: US20170200649A1. Автор: Yung Fu Chong,Khee Yong Lim,Kiok Boone Elgin Quek,Jae Han Cha,Chia Ching YEO. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-07-13.

Apparatus and circuits including transistors with different threshold voltages and methods of fabricating the same

Номер патента: US11973078B2. Автор: Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

LDMOS Transistor With Implant Alignment Spacers

Номер патента: US20220359727A1. Автор: Hernan Rueda,Martin Garcia,Rodney Arlan Barksdale,Stephen C. Chew,Wayne Geoffrey Risner. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-11-10.

Ldmos transistor with implant alignment spacers

Номер патента: EP4089741A2. Автор: Hernan Rueda,Martin Garcia,Rodney Arlan Barksdale,Stephen C. Chew,Wayne Geoffrey Risner. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-11-16.

Field effect transistors with self-aligned metal plugs and methods

Номер патента: US20200035555A1. Автор: Hui Zang,Laertis Economikos,Ruilong Xie. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-01-30.

Fabrication of vertical transport fin field effect transistors with a self-aligned separator and an isolation region with an air gap

Номер патента: US20180308743A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Heng Wu,Zuoguang Liu,Sebastian NACZAS. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-25.

Fabrication of vertical transport fin field effect transistors with a self-aligned separator and an isolation region with an air gap

Номер патента: US20180308742A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Heng Wu,Zuoguang Liu,Sebastian NACZAS. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-25.

Fabrication of vertical transport fin field effect transistors with a self-aligned separator and an isolation region with an air gap

Номер патента: US20190311942A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Heng Wu,Zuoguang Liu,Sebastian NACZAS. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-10.

Nanosheet transistors with self-aligned dielectric pillars

Номер патента: KR20220106992A. Автор: 뤼룽 자이,캉궈 청,줄리앙 프루지에르. Владелец: 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션. Дата публикации: 2022-08-01.

Stacked self-aligned transistors with single workfunction metal

Номер патента: US20200105891A1. Автор: Gilbert Dewey,Justin Weber,Willy Rachmady,Rishabh Mehandru,Aaron Lilak. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-04-02.

Integrated circuit chips having field effect transistors with different gate designs

Номер патента: US09425275B2. Автор: Mark S. Rodder,Borna J. Obradovic,Dharmendar Reddy Palle. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-23.

Transistor with sonos structure having barrier wall over adjacent portions of the select transistor well and memory transistor well

Номер патента: US20190198680A1. Автор: Xiaoliang Tang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-06-27.

Source-Down Transistor with Vertical Field Plate

Номер патента: US20210151596A1. Автор: Che-Yung Lin,Chiao-Shun Chuang. Владелец: Diodes Inc. Дата публикации: 2021-05-20.

High electron mobility transistor with gate electrode below the channel

Номер патента: US20230197842A1. Автор: Peter Mueller,Thomas Morf,Cezar Bogdan Zota,Eunjung Cha. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Transistor with a negative capacitance and a method of creating the same

Номер патента: US20220302315A1. Автор: FENG Yuan,Tung Ying Lee,Jin Cai,Ming-Shiang LIN,Chia-Cheng Ho,Tzu-Chung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Technologies for transistors with a thin-film ferroelectric

Номер патента: US20240113220A1. Автор: Uygar E. Avci,Marko Radosavljevic,Scott B. Clendenning,Kevin P. O'brien,Ian Alexander Young,Matthew V. Metz,Shriram SHIVARAMAN,Raseong Kim,John J. Plombon,Sudarat Lee,Arnab SEN GUPTA,Jason C. Retasket,Dmitri Evgenievich Nikonov,Punyashloka Debashis,Rachel A. Steinhardt,Carly ROGAN,Dominique A. Adams,Brandon Holybee. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Field-effect transistors with dual thickness gate dielectrics

Номер патента: US20210167180A1. Автор: Rui Ma,Mark Armstrong,Ayan KAR,Akm A. AHSAN,Kalyan C. Kolluru,Nicholas A. Thomson,Sameer Jayanta Joglekar,Hyuk Ju Ryu,Sayan Saha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-06-03.

Method of fabricating transistor with short gate length by two-step photolithography

Номер патента: US11367615B2. Автор: YI Chang,Yueh-Chin Lin,Po-Sheng Chang. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2022-06-21.

Combined-source Mos Transistor with Comb-shaped Gate, and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120181585A1. Автор: ZHAN Zhan,Ru Huang,Qianqian Huang,Yangyuan Wang. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-07-19.

Inverse T-gate FET transistor with lightly doped source and drain region

Номер патента: US5241203A. Автор: Seiki Ogura,Louis L. Hsu,Joseph F. Shepard,Paul J. Tsang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1993-08-31.

Threshold voltage adjustment in metal oxide semiconductor field effect transistor with silicon oxynitride polysilicon gate stack on fully depleted silicon-on-insulator

Номер патента: US20160133722A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Choh fei Yeap. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-05-12.

Threshold voltage adjustment in metal oxide semiconductor field effect transistor with silicon oxynitride polysilicon gate stack on fully depleted silicon-on-insulator

Номер патента: WO2015081286A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Choh fei Yeap. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-06-04.

Transistor with a negative capacitance and a method of creating the same

Номер патента: US20200273996A1. Автор: FENG Yuan,Tung Ying Lee,Jin Cai,Ming-Shiang LIN,Chia-Cheng Ho,Tzu-Chung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-08-27.

Transistor with a negative capacitance and a method of creating the same

Номер патента: US20200127138A1. Автор: FENG Yuan,Tung Ying Lee,Jin Cai,Ming-Shiang LIN,Chia-Cheng Ho,Tzu-Chung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Transistor with a negative capacitance and a method of creating the same

Номер патента: US20200273997A1. Автор: FENG Yuan,Tung Ying Lee,Jin Cai,Ming-Shiang LIN,Chia-Cheng Ho,Tzu-Chung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-08-27.

Transistor with a negative capacitance and a method of creating the same

Номер патента: US11387360B2. Автор: FENG Yuan,Tung Ying Lee,Jin Cai,Ming-Shiang LIN,Chia-Cheng Ho,Tzu-Chung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-12.

Threshold voltage adjustment in metal oxide semiconductor field effect transistor with silicon oxynitride polysilicon gate stack on fully depleted silicon-on-insulator

Номер патента: US20150155364A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Choh fei Yeap. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-06-04.

Transistor with wrap-around extrinsic base

Номер патента: US11855196B2. Автор: John J. Pekarik,Vibhor Jain,Kenneth J. Stein,Shyue Seng Tan,Qizhi Liu,Yung Fu Chong,Xinshu CAI,Judson R. Holt,Kien Seen Daniel Chong. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-12-26.

Metal oxide thin film transistors with multi-composition gate dielectric

Номер патента: US20220359758A1. Автор: Cheng Tan,Bernhard Sell,Pei-Hua Wang,Chieh-Jen Ku,Shailesh Kumar Madisetti,Wen-Chiang Hong,Harish Ganapathy,Lin-Yung Wang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-11-10.

Method for fabricating vertical channel nanowire transistor with asymmetric stress distribution

Номер патента: US20230387303A1. Автор: Ming Li,Ran Bi. Владелец: Beijing Intellectual Property Operation Management Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Vertical field effect transistors with controlled overlap between gate electrode and source/drain contacts

Номер патента: US20160149054A1. Автор: Anirban Basu,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu,Amlan Majumdar,Wilfried E. Haensch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-26.

Gallium nitride (gan) transistors with lateral drain depletion

Номер патента: US20240021725A1. Автор: AHMAD Zubair,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Pratik KOIRALA,Samuel James Bader,Heli Chetanbhai VORA,Michael S. BEUMER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Method of fabricating transistor with short gate length by two-step photolithography

Номер патента: US20210151316A1. Автор: YI Chang,Yueh-Chin Lin,Po-Sheng Chang. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2021-05-20.

Transistor with wrap-around extrinsic base

Номер патента: US20240006517A1. Автор: John J. Pekarik,Vibhor Jain,Kenneth J. Stein,Shyue Seng Tan,Qizhi Liu,Yung Fu Chong,Xinshu CAI,Judson R. Holt,Kien Seen Daniel Chong. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-01-04.

Methods of Forming Field Effect Transistors, Methods of Forming Field Effect Transistor Gates, Methods of Forming Integrated Circuitry Comprising a Transistor Gate Array and Circuitry Peripheral to the Gate Array, and Methods of Forming Integrated Circuitry Comprising a Transistor Gate Array Including First Gates and Second Grounded Isolation Gates

Номер патента: US20100173456A1. Автор: Young Pil Kim,Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-07-08.

Nanosheet transistor with inner spacers

Номер патента: US11764265B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Bipolar junction transistors with duplicated terminals

Номер патента: EP4156272A1. Автор: Hong Yu,Shesh Mani Pandey,Alexander Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-03-29.

Interconnection arrangement for a gate array

Номер патента: US4999698A. Автор: Yoshihiro Okuno,Yohichi Kuramitsu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1991-03-12.

Field-effect transistor with two-dimensional channel realized with lateral heterostructures based on hybridized graphene

Номер патента: US09620634B2. Автор: Giuseppe IANNACCONE,Fiori Gianluca. Владелец: UNIVERSITÀ DI PISA. Дата публикации: 2017-04-11.

Reduced leakage transistors with germanium-rich channel regions

Номер патента: WO2017111849A1. Автор: Glenn A. Glass,Karthik Jambunathan,Anand S. Murthy,Chandra S. Mohapatra,Seiyon Kim,Jun Sung Kang. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-06-29.

Reduced capacitance transistor with electro-static discharge protection structure and method for forming the same

Номер патента: WO1999031729A1. Автор: Michael J. Allen. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 1999-06-24.

Reduced capacitance transistor with electro-static discharge protection structure and method for forming the same

Номер патента: EP1042808A1. Автор: Michael J. Allen. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2000-10-11.

Insulated gate bipolar transistor with super junction structure, and preparation method therefor

Номер патента: US20240290827A1. Автор: LI Wan,Xiandong Ma,Pengcheng Zhang. Владелец: China Resources Microelectronics Chongqing Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Heterojunction bipolar transistor with stress component

Номер патента: US09825157B1. Автор: Anthony K. Stamper,Vibhor Jain,Renata A. Camillo-Castillo. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Bipolar transistor with trench structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190319115A1. Автор: WEI Liu,Qiaozhi ZHU. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-10-17.

Demos transistors with sti and compensated well in drain

Номер патента: US20100032755A1. Автор: Hisashi Shichijo,Kamel Benaissa. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-02-11.

Bipolar transistor with trench structure

Номер патента: US20190189786A1. Автор: WEI Liu,Qiaozhi ZHU. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-06-20.

Reduced leakage transistors with germanium-rich channel regions

Номер патента: US20180331184A1. Автор: Glenn A. Glass,Karthik Jambunathan,Anand S. Murthy,Chandra S. Mohapatra,Seiyon Kim,Jun Sung Kang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

High-electron-mobility transistor with high voltage endurance capability and preparation method thereof

Номер патента: US20210066481A1. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

P-type-epitaxial-base transistor with base-collector schottky diode clamp

Номер патента: CA1041226A. Автор: Vincent J. Lucarini,Augustine W. Chang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1978-10-24.

Insulated gate bipolar transistor with super junction structure, and preparation method therefor

Номер патента: EP4336561A1. Автор: LI Wan,Xiandong Ma,Pengcheng Zhang. Владелец: China Resources Microelectronics Chongqing Ltd. Дата публикации: 2024-03-13.

Bipolar transistor with collector contact

Номер патента: US11935927B2. Автор: Hong Yu,Vibhor Jain. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Method for forming a transistor with a conductivity doped base structure

Номер патента: US20240079473A1. Автор: Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Ljubo Radic,Jay Paul John,James Albert Kirchgessner. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

P-type-epitaxial-base transistor with base-collector Schottky diode clamp

Номер патента: US4005469A. Автор: Augustine Wei-Chun Chang,Vincent Joseph Lucarini. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1977-01-25.

Lateral bipolar transistor with gated collector

Номер патента: US11935923B2. Автор: Vibhor Jain,Judson R. Holt,Jagar Singh,Alexander Derrickson,Mankyu Yang. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Vertical field effect transistor with strained channel

Номер патента: US20230411523A1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Lateral bipolar transistor with gated collector

Номер патента: US20240136400A1. Автор: Vibhor Jain,Judson R. Holt,Jagar Singh,Alexander Derrickson,Mankyu Yang. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-04-25.

Three-dimensional semiconductor transistor with gate contact in active region

Номер патента: US09691897B2. Автор: Andreas Knorr,Ruilong Xie,Andre Labonte. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Monotonic dynamic-static pseudo-nmos logic circuit and method of forming a logic gate array

Номер патента: WO2002071611A3. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-10-30.

Monotonic dynamic-static pseudo-nmos logic circuit and method of forming a logic gate array

Номер патента: WO2002071611A2. Автор: Leonard Forbes. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2002-09-12.

Monotonic dynamic-static pseudo-nmos logic circuit and method of forming a logic gate array

Номер патента: EP1378060A2. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-01-07.

Monotonic dynamic-static pseudo-NMOS logic circuit and method of forming a logic gate array

Номер патента: US20020110032A1. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-15.

Monotonic dynamic-static pseudo-nmos logic circuit and method of forming a logic gate array

Номер патента: EP1378060B1. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-01-26.

Insulated gate bipolar transistor with a lateral gate structure and gallium nitride substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160111519A1. Автор: Chien-Wei Chiu,Tsung-Yu Yang,Tsung-Yi Huang,Tsung-Chieh Hsiao,Chih-Fang Huang,Ting-Fu Chang,Po-Chin Peng,Ya-Hsien Liu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2016-04-21.

Insulated gate bipolar transistor with a lateral gate structure and gallium nitride substrate

Номер патента: US9252219B2. Автор: Chien-Wei Chiu,Tsung-Yu Yang,Tsung-Yi Huang,Tsung-Chieh Hsiao,Chih-Fang Huang,Ting-Fu Chang,Po-Chin Peng,Ya-Hsien Liu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2016-02-02.

Method for realizing a contact of an integrated well in a semiconductor substrate, in particular for a base terminal of a bipolar transistor, with enhancement of the transistor performances

Номер патента: US7936047B2. Автор: Cesare Ronsisvalle,Vincenzo Enea. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2011-05-03.

Method for realizing a contact of an integrated well in a semiconductor substrate, in particular for a base terminal of a bipolar transistor, with enhancement of the transistor performances

Номер патента: US20080246118A1. Автор: Cesare Ronsisvalle,Vincenzo Enea. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2008-10-09.

Transistor with source field plates under gate runner layers

Номер патента: US09899484B1. Автор: Sameer Pendharkar,Hiroyuki Tomomatsu,Hiroshi Yamasaki. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Iii-n transistors with integrated linearization devices

Номер патента: US20220068910A1. Автор: Nidhi Nidhi,Paul B. Fischer,Walid M. Hafez,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Rahul RAMASWAMY,Johann Christian Rode. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Process for producing an MOS field effect transistor with a recombination zone

Номер патента: US20020081785A1. Автор: Friedrich Kröner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-06-27.

Transistor with performance boost by epitaxial layer

Номер патента: US20160111511A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Yeur-Luen Tu,Ru-Liang Lee,Yu-Hung Cheng,Cheng-ta Wu,Wei-li CHEN,Tung-I Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-04-21.

Transistor with performance boost by epitaxial layer

Номер патента: US09595589B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Yeur-Luen Tu,Ru-Liang Lee,Yu-Hung Cheng,Cheng-ta Wu,Wei-li CHEN,Tung-I Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Bipolar transistor with base horizontally displaced from collector

Номер патента: US11728380B2. Автор: Viorel C. Ontalus. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-08-15.

Deep collector vertical bipolar transistor with enhanced gain

Номер патента: US20160079364A1. Автор: Alwin J. Tsao,Amitava Chatterjee,Xiang-Zheng Bo,Brian E. Hornung. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-03-17.

Low cost demos transistor with improved CHC immunity

Номер патента: US09577094B2. Автор: Amitava Chatterjee,Kaiping Liu,Shaoping Tang,Imran Mahmood Khan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Deep collector vertical bipolar transistor with enhanced gain

Номер патента: US09397164B2. Автор: Alwin J. Tsao,Amitava Chatterjee,Xiang-Zheng Bo,Brian E. Hornung. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-07-19.

Field effect transistor with a short channel lenght

Номер патента: CA1153831A. Автор: Hans-Jorg Pfleiderer,Ernst Hebenstreit,Dezso Takacs,Michael Pomper,Heinrich Klar. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1983-09-13.

Transistor with wrap-around extrinsic base

Номер патента: US12142673B2. Автор: John J. Pekarik,Vibhor Jain,Kenneth J. Stein,Shyue Seng Tan,Qizhi Liu,Yung Fu Chong,Xinshu CAI,Judson R. Holt,Kien Seen Daniel Chong. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-11-12.

Vertical transistor with field region structure

Номер патента: US20070117328A1. Автор: Jenn-Yu Lin,Ta-Yung Yang,Chih-Feng Huang,Tuo-Hsin Chien. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-24.

Low cost demos transistor with improved CHC immunity

Номер патента: US9202912B2. Автор: Amitava Chatterjee,Kaiping Liu,Shaoping Tang,Imran Mahmood Khan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-12-01.

Low cost demos transistor with improved chc immunity

Номер патента: US20160035890A1. Автор: Amitava Chatterjee,Kaiping Liu,Shaoping Tang,Imran Mahmood Khan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-02-04.

InGaAlP Schottky field effect transistor with AlGaAs carrier supply layer

Номер патента: US10361272B2. Автор: Yu-Chi Wang,Cheng-Guan Yuan,Shih-Ming Joseph Liu,Hsi-Tsung Lin,Chia Hsiung Lee. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2019-07-23.

Transistor with wrap-around extrinsic base

Номер патента: US11855195B2. Автор: John J. Pekarik,Vibhor Jain,Kenneth J. Stein,Shyue Seng Tan,Qizhi Liu,Yung Fu Chong,Xinshu CAI,Judson R. Holt,Kien Seen Daniel Chong. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-12-26.

Bipolar transistor with stepped emitter

Номер патента: US20240006491A1. Автор: Vibhor Jain,Qizhi Liu,Alvin J. Joseph,Rajendran Krishnasamy,Ajay RAMAN,Yves T. Ngu,Uppili S. RAGHUNATHAN. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Transistor with threshold voltage set notch and method of fabrication thereof

Номер патента: US09922977B2. Автор: Reza Arghavani,Pushkar Ranade,Scott E. Thompson,Lucian Shifren,Catherine De Villeneuve. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Transistor with threshold voltage set notch and method of fabrication thereof

Номер патента: US09418987B2. Автор: Reza Arghavani,Pushkar Ranade,Scott E. Thompson,Lucian Shifren,Catherine De Villeneuve. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Transistor with implant screen

Номер патента: US11563117B1. Автор: Michael A. Smith. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-24.

Transistor with implant screen

Номер патента: US20230110692A1. Автор: Michael A. Smith. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-04-13.

Transistor with implant screen

Номер патента: US11881528B2. Автор: Michael A. Smith. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Integrated-circuit structure including lateral PNP transistor with polysilicon layer bridging gap in collector field relief electrode

Номер патента: US4319262A. Автор: Mario Foroni,Franco Bertotti,Vincenzo Prestileo. Владелец: SGS ATES Componenti Elettronici SpA. Дата публикации: 1982-03-09.

Bipolar transistor with embedded epitaxial external base region and method of forming the same

Номер патента: US9012291B2. Автор: Wei Zhang,Jun Fu,Jie Cui,Ping Xu,Yue Zhao,Yu-dong Wang,Zhi-hong Liu,Gao-qing Li,Zheng-li Wu. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-04-21.

Transistor with phase transition material region between channel region and each source/drain region

Номер патента: US20220140131A1. Автор: Peter Javorka,Mohit Bajaj,Avinash Lahgere,Prashanth Paramahans Manik,Ali Icel. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-05-05.

Group III-V transistor with semiconductor field plate

Номер патента: US09673286B2. Автор: Michael A. Briere. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Vertical heterojunction bipolar transistors with reduced base-collector junction capacitance

Номер патента: US20120221987A1. Автор: Renata Camillo-Castillo,Qizhi Liu,Erik M. Dahlstrom. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-08-30.

Bipolar transistor with low resistance base contact and method of making the same

Номер патента: US20090283801A1. Автор: Kathryn Turner Schonenberg,Francois Pagette. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-11-19.

Bipolar transistor with embedded epitaxial external base region and method of forming the same

Номер патента: US20140329368A1. Автор: Wei Zhang,Jun Fu,Jie Cui,Ping Xu,Yue Zhao,Yu-dong Wang,Zhi-hong Liu,Gao-qing Li,Zheng-li Wu. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-11-06.

Devices having a transistor with a modified channel region

Номер патента: US20230268419A1. Автор: Haitao Liu,Deepak Chandra Pandey,Naveen KAUSHIK,Chittoor Ranganathan Parthasarathy. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-08-24.

Method of making a graphene base transistor with reduced collector area

Номер патента: US20170125557A1. Автор: Francis J. Kub,Andrew D. Koehler,Travis J. Anderson. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2017-05-04.

Transistor with embedded insulating structure set

Номер патента: US20240266435A1. Автор: Chin-Chia Kuo,Ming-Hua Tsai,Wei-Hsuan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of making a graphene base transistor with reduced collector area

Номер патента: US20160087087A1. Автор: Francis J. Kub,Andrew D. Koehler,Travis J. Anderson. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2016-03-24.

Method of making a graphene base transistor with reduced collector area

Номер патента: US9590081B2. Автор: Francis J. Kub,Andrew D. Koehler,Travis J. Anderson. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2017-03-07.

Method of forming a bipolar transistor with a vertical collector contact

Номер патента: EP4154319A1. Автор: Miguel Urteaga,Andy Carter. Владелец: Teledyne Scientific and Imaging LLC. Дата публикации: 2023-03-29.

Method of forming a bipolar transistor with a vertical collector contact

Номер патента: WO2021262421A1. Автор: Miguel Urteaga,Andy Carter. Владелец: TELEDYNE SCIENTIFIC & IMAGING, LLC. Дата публикации: 2021-12-30.

Mos transistor with a p-field implant overlying each end of a gate thereof

Номер патента: EP2150981A1. Автор: Ching Tee Elizabeth Kho,Michael May,Wenyi Li,Kia Yaw Kee,Mee Guoh Michael Tiong,Wen Jun Li,Chean Chian Alain Liew. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2010-02-10.

Method of fabricating a metal-oxide-semiconductor transistor with a metal gate

Номер патента: US6080646A. Автор: Kun-Chih Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-06-27.

Field Effect Transistor with Access Region Recharge

Номер патента: US20110062495A1. Автор: Alexei Koudymov. Владелец: Alexei Koudymov. Дата публикации: 2011-03-17.

Self-aligned thin film transistor with doping barrier and method of manufacturing the same

Номер патента: US9245978B2. Автор: Sang Hee Park,Chi Sun Hwang,Him Chan Oh. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2016-01-26.

Vertical heterojunction bipolar transistors with reduced base-collector junction capacitance

Номер патента: US20120112244A1. Автор: Renata Camillo-Castillo,Qizhi Liu,Erik M. Dahlstrom. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-05-10.

Nanosheet transistor with ultra low-k spacer and improved patterning robustness

Номер патента: US20220399439A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-12-15.

Gate-all-around (gaa) transistors with additional bottom channel for reduced parasitic capacitance and methods of fabrication

Номер патента: WO2021247167A1. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Jun Yuan,Peijie Feng. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2021-12-09.

Gate-all-around (gaa) transistors with additional bottom channel for reduced parasitic capacitance and methods of fabrication

Номер патента: EP4161868A1. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Jun Yuan,Peijie Feng. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-04-12.

Vertical-transport field-effect transistors with a damascene gate strap

Номер патента: US09911738B1. Автор: Brent A. Anderson,Junli Wang,Kwan-Yong Lim,Hiroaki Niimi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Transistor with metal field plate contact

Номер патента: EP4369408A1. Автор: Judson R. Holt,Chung Foong Tan,Rajendran Krishnasamy,Shesh M. Pandey. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-15.

Transistor with metal field plate contact

Номер патента: US20240162345A1. Автор: Judson R. Holt,Chung Foong Tan,Rajendran Krishnasamy,Shesh M. Pandey. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Transistors with lattice structure

Номер патента: US20210202717A1. Автор: Anthony K. Stamper,John J. Pekarik,Vibhor Jain,Steven M. Shank. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Transistor with interdigit electrodes, comprising a gate terminal connected by a plurality of vertical vias to the gate electrodes

Номер патента: US20230253401A1. Автор: Robin Jung. Владелец: Exagan SAS. Дата публикации: 2023-08-10.

Vertical transistors with merged active area regions

Номер патента: US09761712B1. Автор: Brent A. Anderson,Albert M. Chu,Terence B. Hook,Seong-Dong Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Wide based high voltage bipolar junction transistor with buried collectors as hybrid igbt building block

Номер патента: US20240222476A1. Автор: Hamza Yilmaz. Владелец: IPOWER SEMICONDUCTOR. Дата публикации: 2024-07-04.

Trench-gate field effect transistor with improved electrical performances and corresponding manufacturing process

Номер патента: US12027620B2. Автор: Salvatore Privitera,Davide Giuseppe Patti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-07-02.

LDMOS transistor with enhanced termination region for high breakdown voltage with on-resistance

Номер патента: US7208385B2. Автор: Mohamed Imam,Zia Hossain,Joe Fulton. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2007-04-24.

Multi-Channel High Electron Mobility Transistor with Reduced Input Capacitance

Номер патента: US20240304670A1. Автор: Clemens Ostermaier. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-09-12.

Multi-channel high electron mobility transistor with reduced input capacitance

Номер патента: EP4428927A1. Автор: Clemens Ostermaier. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-09-11.

Gate-all-around field-effect-transistor with wrap-around-channel inner spacer

Номер патента: EP4449502A1. Автор: Veeraraghavan Basker,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Andrew Greene,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-23.

Vertical field effect transistor with undercut buried insulating layer to improve contact resistance

Номер патента: US09761726B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Nanowire transistor with underlayer etch stops

Номер патента: US09385221B2. Автор: Anand Murthy,Seiyon Kim,Daniel Aubertine,Kelin Kuhn. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-07-05.

Nano-ribbon channel transistor with back-bias control

Номер патента: US09614037B2. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Nano-ribbon channel transistor with back-bias control

Номер патента: US09515194B2. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Nanowire transistor with source and drain induced by electrical contacts with negative Schottky barrier height

Номер патента: US12034078B2. Автор: Andreas Goebel,Paul A. Clifton,Walter A. Harrison. Владелец: Acorn Semi LLC. Дата публикации: 2024-07-09.

Transistor with channel material in a stack with insulator material supports

Номер патента: US20240222484A1. Автор: Feng Zhang,Kevin P. O'brien,Chia-Ching Lin,Guowei Xu,Ashish Verma Penumatcha,Uygar Avci,Carl H. Naylor,Chelsey DOROW,Kirby MAXEY,Ande KITAMURA,Tao Chu,Ting-Hsiang Hung,Mahmut Sami KAVRIK. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Nanowire transistor with source and drain induced by electrical contacts with negative schottky barrier height

Номер патента: US20240347641A1. Автор: Andreas Goebel,Paul A. Clifton,Walter A. Harrison. Владелец: Acorn Semi LLC. Дата публикации: 2024-10-17.

CMOS structures with selective tensile strained NFET fins and relaxed PFET fins

Номер патента: US09349798B1. Автор: Hong He,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz,Joshua M. Rubin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-24.

Closely packed vertical transistors with reduced contact resistance

Номер патента: US09735253B1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Field effect transistor with self-aligned gate

Номер патента: CA1082371A. Автор: Robert H. Dennard,Vincent L. Rideout. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-07-22.

Closely packed vertical transistors with reduced contact resistance

Номер патента: US20200066882A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Closely packed vertical transistors with reduced contact resistance

Номер патента: US20180323283A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-08.

Closely packed vertical transistors with reduced contact resistance

Номер патента: US10096695B2. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-09.

Closely packed vertical transistors with reduced contact resistance

Номер патента: US20180061967A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-01.

III-N transistors with local stressors for threshold voltage control

Номер патента: US11670709B2. Автор: Nidhi Nidhi,Paul B. Fischer,Walid M. Hafez,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Rahul RAMASWAMY,Johann Christian Rode. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-06.

Complimentary metal-oxide-semiconductor circuit having transistors with different threshold voltages and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180076199A1. Автор: Wei-E Wang,Joon Goo Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-15.

Bipolar transistor having raised extrinsic base with selectable self-alignment and methods of forming same

Номер патента: WO2005024900A3. Автор: Qizhi Liu,Francois Pagette,David L Harame,Andreas D Stricker,Marwan H Khater,James S Dunn,Onge Stephen A St,Alvin J Joseph. Владелец: Alvin J Joseph. Дата публикации: 2005-06-09.

Programmable interconnect cell for configuring a field programmable gate array

Номер патента: US20040114436A1. Автор: Volker Hecht,Robert Broze,Zhezhong Peng. Владелец: Actel Corp. Дата публикации: 2004-06-17.

Semiconductor device structures including transistors with energy barriers adjacent to transistor channels and associated methods

Номер патента: WO2010065332A2. Автор: Chandra V. Mouli. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2010-06-10.

Bipolar transistor with a raised collector pedastal for reduced capacitance and a method of forming the transistor

Номер патента: US20130134483A1. Автор: John J. Pekarik,John J. Ellis-Monaghan,James W. Adkisson,Qizhi Liu,David L. Harame. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-30.

A bipolar transistor with a raised collector pedestal for reduced capacitance and a method of forming the transistor

Номер патента: GB201220384D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-12-26.

Totally self-aligned transistor with polysilicon shallow trench isolation

Номер патента: US6127717A. Автор: Zoran Krivokapic,Ognjen Milic. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-10-03.

Method for producing a transistor with metallic source and drain

Номер патента: US20110003443A1. Автор: Maud Vinet,Thierry Poiroux,Bernard Previtali. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2011-01-06.

Thin film transistor with low contact resistance

Номер патента: RU2662945C1. Автор: Дуи Ву ФАМ,Ко Хуэй СУ. Владелец: Эвоник Дегусса Гмбх. Дата публикации: 2018-07-31.

Bipolar transistor with a sidewall-diffused subcollector

Номер патента: US5003365A. Автор: Robert H. Havemann,Robert H. Eklund. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1991-03-26.

Method for forming a thin film transistor with a lightly doped drain structure

Номер патента: US20020012883A1. Автор: Chih-Chang Chen,Ji-ho Kung. Владелец: Hannstar Display Corp. Дата публикации: 2002-01-31.

Semiconductor device comprising a channel region of a transistor with a crystalline oxide semiconductor and a specific off-state current for the transistor

Номер патента: US9905596B2. Автор: Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Bipolar transistor with thermal conductor

Номер патента: US20230290868A1. Автор: Hong Yu,Vibhor Jain,Judson R. Holt. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Technologies for transistors with a ferroelectric gate dielectric

Номер патента: US20230352584A1. Автор: Ramamoorthy Ramesh,Uygar E. Avci,Darrell G. Schlom,Hai Li,Chia-Ching Lin,Ian Alexander Young,Raseong Kim,Ashish Verma Penumatcha,Dmitri Evgenievich Nikonov,Tanay A. Gosavi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-11-02.

Thin film transistors with metal oxynitride active channels for electronic displays

Номер патента: US20160126355A1. Автор: Chunong Qiu,Cindy Qiu,Ishiang Shih,Yi-Chi Shih,Andy Shih,Julia Qiu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-05-05.

High voltage MOS transistors with reduced parasitic current gain

Номер патента: US5218228A. Автор: Richard A. Blanchard,Richard K. Williams,Robert W. Busse. Владелец: Siliconix Inc. Дата публикации: 1993-06-08.

Insulated gate field effect transistor with integrated safety diode

Номер патента: US3648129A. Автор: Rijkent Jan Nienhuis. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1972-03-07.

Integrated circuit structures having memory access transistor with backside contact

Номер патента: US20240008253A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Pushkar Ranade,Rishabh Mehandru,Cory Weber,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Switching transistor with memory

Номер патента: US3821784A. Автор: D Heald,Kennedy J Holm. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 1974-06-28.

GaN HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR WITH A P-TYPE STRAINED InGaN BASE LAYER AND FABRICATING METHOD THEREOF

Номер патента: US20070114518A1. Автор: Jinn-Kong Sheu,Yue-Ming Hsin,Kuang-Po Hsueh. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2007-05-24.

Field effect transistor with a short channel length

Номер патента: CA1081368A. Автор: Jeno Tihanyi,Joachim Hoepfner. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1980-07-08.

Method of producing a transistor with an insulated control electrode

Номер патента: US3690945A. Автор: Max Kuisl. Владелец: Licentia Patent Verwaltungs GmbH. Дата публикации: 1972-09-12.

Apparatus for biasing a field effect transistor with a single voltage supply

Номер патента: US5646570A. Автор: James Russell Blodgett. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1997-07-08.

Bipolar transistor with thermal conductor

Номер патента: US11942534B2. Автор: Hong Yu,Vibhor Jain,Judson R. Holt. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Gate array

Номер патента: US20070138510A1. Автор: Hirofumi Uchida. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-21.

Structure for a latchup robust gate array using through wafer via

Номер патента: US20090152593A1. Автор: David S. Collins,Steven H. Voldman,Phillip Francis Chapman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-06-18.

Mapping of gate arrays

Номер патента: US5818728A. Автор: Uzi Yoeli,Zvi Orbach,Meir Janai. Владелец: Chip Express Israel Ltd. Дата публикации: 1998-10-06.

Structure for a latchup robust gate array using through wafer via

Номер патента: US7696541B2. Автор: David S. Collins,Steven H. Voldman,Phillip Francis Chapman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-04-13.

Gate array integrated circuit including a unit cell basic layer having gate terminal regions allowing two contact pads to be disposed laterally

Номер патента: US20060060889A1. Автор: Hirofumi Uchida. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-03-23.

Field-programmable gate array device

Номер патента: US11955972B2. Автор: Martin Andreas OLSSON. Владелец: Epinovatech AB. Дата публикации: 2024-04-09.

Field-programmable gate array device

Номер патента: WO2021180757A1. Автор: Martin Andreas OLSSON. Владелец: Epinovatech AB. Дата публикации: 2021-09-16.

Field-programmable gate array device

Номер патента: EP4362096A2. Автор: Martin Andreas OLSSON. Владелец: Epinovatech AB. Дата публикации: 2024-05-01.

Field-programmable gate array device

Номер патента: EP4118748A1. Автор: Martin Andreas OLSSON. Владелец: Epinovatech AB. Дата публикации: 2023-01-18.

Field-programmable gate array device

Номер патента: US20240250686A1. Автор: Martin Andreas OLSSON. Владелец: Epinovatech AB. Дата публикации: 2024-07-25.

Field-programmable gate array device

Номер патента: EP4362096A3. Автор: Martin Andreas OLSSON. Владелец: Epinovatech AB. Дата публикации: 2024-07-31.

Multiple-bit memory latch cell for integrated circuit gate array

Номер патента: US20040169205A1. Автор: Michael Dillon,Bret Oeltjen. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2004-09-02.

Gate array semiconductor device

Номер патента: US6084255A. Автор: Koichiro Mashiko,Kimio Ueda,Yoshiki Wada,Takanori Hirota. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-07-04.

Gate array architecture

Номер патента: US6753209B2. Автор: Brian D. Possley. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-06-22.

Gate array system in which functional blocks are connected by fixed wiring

Номер патента: US5917206A. Автор: Kazuo Takamori. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-06-29.

Thin film transistor with multiple oxide semiconductor layers

Номер патента: US09887295B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideomi Suzawa,Yuhei Sato,Sachiaki TEZUKA,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Oxide semiconductor thin film transistor with reduced impurity diffusion

Номер патента: US09455349B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideomi Suzawa,Yuhei Sato,Sachiaki TEZUKA,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Vertical transistor with edram

Номер патента: US20190363092A1. Автор: Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-11-28.

Thin film transistor, with shaped base device, electronic apparatus and method of manufacturing thin film transistor

Номер патента: US10014324B2. Автор: Akiko Honjo. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-07-03.

Horizontal Current Bipolar Transistor with Silicon-Germanium base

Номер патента: US12062699B2. Автор: Marko Koricic,Tomislav Suligoj,Josip Zilak,Zeljko Osrecki. Владелец: Zagreb Faculty Of Electrical Engineering And Computing, University of. Дата публикации: 2024-08-13.

Personalizable gate array devices

Номер патента: US5545904A. Автор: Zvi Orbach. Владелец: Quick Tech Ltd. Дата публикации: 1996-08-13.

Manufacturing method of transistor with independent contact to substrate

Номер патента: RU2739861C1. Автор: Александр Сергеевич Мокеев,Тамара Александровна Шоболова. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом"). Дата публикации: 2020-12-29.

Method of manufacturing of powerful silicon shf ldmos transistors with modernized gate node of elementary cells

Номер патента: RU2639579C2. Автор: Виктор Васильевич Бачурин,Станислав Михайлович Романовский,Ирина Петровна Семешина. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2017-12-21.

High-k / metal gate CMOS transistors with TiN gates

Номер патента: US09721847B2. Автор: Hiroaki Niimi,Brian K. Kirkpatrick. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Manufacturing method of transistor with floating gate and application method of transistor with floating gate electrode

Номер патента: US09620532B2. Автор: Wei Guo,Ning Chen,LU Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Stacked nanosheet field-effect transistor with diode isolation

Номер патента: US09847391B1. Автор: Hui Zang,Jae Gon Lee. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Self-aligned trench field effect transistors with regrown gates and bipolar junction transistors with regrown base contact regions and methods of making

Номер патента: CA2632233A1. Автор: Igor Sankin,Joseph Neil Merrett. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-14.

Power transistor with at least partially integrated driver stage

Номер патента: US09978862B2. Автор: Walter Rieger,Martin Vielemeyer,Gerhard Nöbauer,Martin Pölzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-05-22.

Method of forming integrated circuit having plural transistors with work function metal gate structures

Номер патента: US09754841B2. Автор: Chia-Fu Hsu,Yu-Ru Yang,Chih-Wei Yang,En-Chiuan Liou,Jian-Cun KE,Yu-Feng Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Transistor with defect mitigation structures

Номер патента: US20240266406A1. Автор: Darrell Glenn Hill,David Robert Currier,Congyong ZHU. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Heterojunction bipolar transistors with reduced base resistance

Номер патента: US8513706B2. Автор: Qizhi Liu,Peter B. Gray,Erik M. Dahlstrom. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-08-20.

Method of forming a transistor with an active area layout having both wide and narrow area portions and a gate formed over the intersection of the two

Номер патента: US09899364B2. Автор: Thomas J. Aton,James Walter Blatchford. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Integration of vertical transistors with 3D long channel transistors

Номер патента: US09837409B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Integration of vertical transistors with 3D long channel transistors

Номер патента: US09607899B1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Transistor with asymmetric silicon germanium source region

Номер патента: US20120003802A1. Автор: Jian Chen,James F. Buller,Akif Sultan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-01-05.

Integration of vertical transistors with 3d long channel transistors

Номер патента: US20170317080A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-02.

Fabrication of vertical field effect transistors with uniform structural profiles

Номер патента: US09837410B1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Method for manufacturing a transistor with a dependent contact to the substrate

Номер патента: RU2758413C1. Автор: Александр Сергеевич Мокеев,Тамара Александровна Шоболова,Сергей Дмитриевич Рудаков. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом". Дата публикации: 2021-10-28.

Gallium nitride transistors with drain field plates and their methods of fabrication

Номер патента: WO2019066877A1. Автор: Stephan Leuschner,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-04-04.

Schottky barrier field effect transistor with carbon-containing insulation layer and method for fabricating the same

Номер патента: WO2013117028A1. Автор: Wei Wang,Jing Wang,Mei Zhao,Renrong Liang. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-08-15.

Vertical field-effect transistor with wrap-around contact structure

Номер патента: US12119346B2. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Silicon-on-insulator transistor with self-aligned borderless source/drain contacts

Номер патента: US09368590B2. Автор: David V. Horak,Charles W. Koburger,Balasubramanian S. Haran,Susan S. FAN. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-14.

Reducing direct source-to-drain tunneling in field effect transistors with low effective mass channels

Номер патента: US09337255B1. Автор: Jeffrey W. Sleight,Anirban Basu,Amlan Majumdar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-10.

Transistor with source field plates and non-overlapping gate runner layers

Номер патента: US10903320B2. Автор: Sameer Pendharkar,Hiroyuki Tomomatsu,Hiroshi Yamasaki. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-01-26.

Iii-v finfet transistor with v-groove s/d profile for improved access resistance

Номер патента: WO2018009161A1. Автор: Gilbert Dewey,Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Sanaz K. Gardner,Anand S. Murthy,Chandra S. Mohapatra,Willy Rachmady,Matthew V. Metz,Sean T. MA. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-01-11.

Vertical transistor with extended drain region

Номер патента: US20200135916A1. Автор: Saumitra Raj Mehrotra,Bernhard Grote,Ljubo Radic. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2020-04-30.

Small geometry mos transistor with thin polycrystalline surface contacts and method for making

Номер патента: WO2008137478A3. Автор: Madhukar B Vora,Ashok Kapoor. Владелец: Ashok Kapoor. Дата публикации: 2008-12-31.

Small geometry mos transistor with thin polycrystalline surface contacts and method for making

Номер патента: WO2008137478A2. Автор: Madhukar B. Vora,Ashok Kapoor. Владелец: Dsm Solutions, Inc.. Дата публикации: 2008-11-13.

High-k/metal gate cmos transistors with tin gates

Номер патента: EP3090445A1. Автор: Hiroaki Niimi,Brian K. Kirkpatrick. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-11-09.

HIGH-K / METAL GATE CMOS TRANSISTORS WITH TiN GATES

Номер патента: US20150187653A1. Автор: Hiroaki Niimi,Brian K. Kirkpatrick. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-07-02.

High-k/metal gate cmos transistors with tin gates

Номер патента: WO2015103412A1. Автор: Hiroaki Niimi,Brian K. Kirkpatrick. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2015-07-09.

HIGH-K / METAL GATE CMOS TRANSISTORS WITH TiN GATES

Номер патента: US20150287643A1. Автор: Hiroaki Niimi,Brian K. Kirkpatrick. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-10-08.

Method for producing a transistor with a high degree of electron mobility, and produced transistor

Номер патента: US20230420542A1. Автор: Hans-Joachim Würfl,Elke Meissner. Владелец: Ferdinand Braun Institut GgmbH Leibniz Institut fuer Hoechstfrequenztechnik. Дата публикации: 2023-12-28.

Transistor with source field plates and non-overlapping gate runner layers

Номер патента: US20190245047A1. Автор: Sameer Pendharkar,Hiroyuki Tomomatsu,Hiroshi Yamasaki. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-08-08.

Transistor with source field plates and non-overlapping gate runner layers

Номер патента: US11355597B2. Автор: Sameer Pendharkar,Hiroyuki Tomomatsu,Hiroshi Yamasaki. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2022-06-07.

Transistor with source field plates and non-overlapping gate runner layers

Номер патента: US20180190777A1. Автор: Sameer Pendharkar,Hiroyuki Tomomatsu,Hiroshi Yamasaki. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-07-05.

Method of forming field effect transistors with replacement metal gates and contacts and resulting structure

Номер патента: US09911736B1. Автор: Hui Zang,Haigou Huang,Xiaofeng Qiu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Vertical field effect transistors with bottom contact metal directly beneath fins

Номер патента: US09721845B1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Method of fabricating vertical field effect transistors with protective fin liner during bottom spacer recess etch

Номер патента: US09530700B1. Автор: Rajasekhar Venigalla,Reinaldo A. Vega,Hari V. Mallela. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Method of fabricating a transistor with reduced hot carrier injection effects

Номер патента: US20170243950A1. Автор: Kuan-Liang Liu,Shih-Yin Hsiao,Ching-Chung Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-24.

Forming vertical transport field effect transistors with uniform bottom spacer thickness

Номер патента: US09991365B1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Yongan Xu,Xuefeng Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

FinFET transistor with epitaxial structures

Номер патента: US09666715B2. Автор: Chun-Hsien Lin,Chen-Yi Weng,Chung-Fu Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

High voltage lateral extended drain MOS transistor with improved drift layer contact

Номер патента: US09543149B2. Автор: Sameer Pendharkar,Marie Denison,Philip Leland HOWER. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Fabrication of a vertical fin field effect transistor with reduced dimensional variations

Номер патента: US20240249980A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: Adeia Semiconductor Solutions LLC. Дата публикации: 2024-07-25.

Self-aligned trench field effect transistors with regrown gates and bipolar junction transistors with regrown base contact regions and methods of making

Номер патента: US20120305994A1. Автор: Igor Sankin,Joseph Neil Merrett. Владелец: SS SC IP LLC. Дата публикации: 2012-12-06.

Self-aligned trench field effect transistors with regrown gates and bipolar junction transistors with regrown base contact regions and methods of making

Номер патента: EP1969617A1. Автор: Igor Sankin,Joseph Neil Merrett. Владелец: Semisouth Laboratories Inc. Дата публикации: 2008-09-17.

Transistors with schottky barriers

Номер патента: US11862725B2. Автор: Yun Shi,John Tzung-Yin LEE. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

MOS transistor with laser-patterned metal gate, and method for making the same

Номер патента: US8461628B2. Автор: Christopher Gudeman,Joerg Rockenberger,Criswell Choi,J. Devin Mackenzie. Владелец: Kovio Inc. Дата публикации: 2013-06-11.

Method for fabricating a field-effect transistor with a self-aligned gate

Номер патента: CA1271850A. Автор: John Edward Cunningham,Erdmann Fred Schubert,Won Tien Tsang. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1990-07-17.

Heterojunction bipolar transistors with reduced base resistance

Номер патента: US20130062668A1. Автор: Qizhi Liu,Peter B. Gray,Erik M. Dahlstrom. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-03-14.

Heterojunction bipolar transistors with reduced base resistance

Номер патента: US20120126292A1. Автор: Qizhi Liu,Peter B. Gray,Erik M. Dahlstrom. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-05-24.

Method for making heterojunction bipolar transistor with self-aligned retrograde emitter profile

Номер патента: US5656514A. Автор: Martin Revitz,Jack Chu,David Ahlgren,Paul Ronsheim,Mary Saccamango,David Sunderland. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1997-08-12.

Transistor with counter-electrode connection amalgamated with the source/drain contact

Номер патента: EP2599111A1. Автор: Qing Liu,Maud Vinet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2013-06-05.

Transistor with buried insulative layer beneath the channel region

Номер патента: US5930642A. Автор: Robert Dawson,H. Jim Fulford, Jr.,Mark W. Michael,Frederick N. Hause,Mark I. Gardner,Bradley T. Moore,Derick J. Wristers. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1999-07-27.

Mesfet transistor with air layer between gate electrode connections and substrate

Номер патента: CA1266132A. Автор: Giampiero Donzelli. Владелец: Telettra Telefonia Elettronica e Radio SpA. Дата публикации: 1990-02-20.

Forming vertical transport field effect transistors with uniform bottom spacer thickness

Номер патента: US10396179B2. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Yongan Xu,Xuefeng Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-27.

Improved fully-depleted cmos transistors with u-shaped channel

Номер патента: US20190267490A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Terence B. Hook,Robert H. Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-29.

Forming vertical transport field effect transistors with uniform bottom spacer thickness

Номер патента: US20180315834A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Yongan Xu,Xuefeng Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-01.

Forming vertical transport field effect transistors with uniform bottom spacer thickness

Номер патента: US20180315835A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Yongan Xu,Xuefeng Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-01.

Iii-v semiconductor devices with selective oxidation

Номер патента: US20160240613A1. Автор: Effendi Leobandung,Devendra K. Sadana,Cheng-Wei Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-18.

Semiconductor package having a substrate structure with selective surface finishes

Номер патента: US09935066B2. Автор: Robert Hartmann,Thomas Scott Morris. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor package having a substrate structure with selective surface finishes

Номер патента: US20170040273A1. Автор: Robert Hartmann,Thomas Scott Morris. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-02-09.

Method of providing flexibility and alterability in VLSI gate array chips

Номер патента: US5087839A. Автор: Bruce E. Whittaker,Saul Barajas. Владелец: Unisys Corp. Дата публикации: 1992-02-11.

Gate array with reduced isolation

Номер патента: US4602270A. Автор: Leonard S. Finegold,Christopher A. Freymuth. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 1986-07-22.

Antifuse circuit structure for use in a field programmable gate array and method of manufacture thereof

Номер патента: US5384481A. Автор: Richard Klein,Pankaj Dixit,Monta R. Holzworth,William P. Ingram, III. Владелец: Crosspoint Solutions Inc. Дата публикации: 1995-01-24.

Superimposed transistors with auto-aligned active zone of the upper transistor

Номер патента: US09852950B2. Автор: Philippe Coronel,Claire Fenouillet-Beranger. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-12-26.

Transistor with isolation below source and drain

Номер патента: EP3729514A1. Автор: Gilbert Dewey,Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Anand S. Murthy,Willy Rachmady,Matthew V. Metz,Sean T. MA,Cheng-Ying Huang,Nicholas G. MINUTILLO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-10-28.

Field effect transistor with a multilevel gate electrode for integration with a multilevel memory device

Номер патента: US09620512B1. Автор: Masatoshi Nishikawa,Fumiaki TOYAMA,Junji Oh,Hiroaki Koketsu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-11.

Transistor with isolation below source and drain

Номер патента: US20240113161A1. Автор: Gilbert Dewey,Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Anand S. Murthy,Willy Rachmady,Matthew V. Metz,Sean T. MA,Cheng-Ying Huang,Nicholas G. MINUTILLO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Transistor with gate attached field plate

Номер патента: US20230387258A1. Автор: Michael A. Smith. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Transistor with Elevated Drain Termination

Номер патента: US20150295054A1. Автор: Michael A. Briere,Reenu Garg. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2015-10-15.

Vertical field effect transistors with bottom source/drain epitaxy

Номер патента: US09972700B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Vertical field effect transistors with bottom source/drain epitaxy

Номер патента: US09865705B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Transistor with elevated drain termination

Номер патента: US09564498B2. Автор: Michael A. Briere,Reenu Garg. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Schottky gated transistor with interfacial layer

Номер патента: US09455327B2. Автор: Andrew P. Ritenour. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Multi-gate field-effect transistor with enhanced and adaptable low-frequency noise

Номер патента: US20120168868A1. Автор: Hsin Chen,Jeng Gong,Tang-Jung CHIU. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-05.

Bipolar transistor with trenched-groove isolation regions

Номер патента: US20010013635A1. Автор: Hideki Kitahata. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-08-16.

Integrated mos transistor with selective disabling of cells thereof

Номер патента: EP3945602A1. Автор: Davide Giuseppe Patti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2022-02-02.

Integrated MOS transistor with selective disabling of cells thereof

Номер патента: US11843369B2. Автор: Davide Giuseppe Patti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-12-12.

Integrated mos transistor with selective disabling of cells thereof

Номер патента: US20220038094A1. Автор: Davide Giuseppe Patti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2022-02-03.

MOS transistor with reduced kink effect and method for the manufacture thereof

Номер патента: US20060110876A1. Автор: Volker Dudek,Stefan Schwantes. Владелец: Atmel Germany GmbH. Дата публикации: 2006-05-25.

Transistor with charge enhanced field plate structure and method

Номер патента: US09972703B2. Автор: James A. Teplik,Jenn Hwa Huang. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

High electron mobility transistors with field plate electrode

Номер патента: US09577064B2. Автор: Marco Peroni,Paolo Romanini. Владелец: Selex ES SpA. Дата публикации: 2017-02-21.

Transistor with charge enhanced field plate structure and method

Номер патента: US09425267B2. Автор: James A. Teplik,Jenn Hwa Huang. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-08-23.

Method of fabricating a transistor with semiconductor gate combined locally with a metal

Номер патента: WO2008084085A9. Автор: Markus Müller,Gregory Bidal. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2009-09-03.

Method of fabricating a transistor with semiconductor gate combined locally with a metal

Номер патента: EP2115769A1. Автор: Markus Müller,Gregory Bidal. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-11-11.

Method of fabricating a transistor with semiconductor gate combined locally with a metal

Номер патента: US20100102402A1. Автор: Markus Müller,Gregory Bidal. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-04-29.

Method of fabricating a transistor with semiconductor gate combined locally with a metal

Номер патента: EP2115769B1. Автор: Markus Müller,Gregory Bidal. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2011-03-16.

Vertical field effect transistor with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US20200373434A1. Автор: Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang,Xin Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-11-26.

Methods of forming high electron mobility transistors with controlled gate length and high electron mobility transistors with controlled gate length

Номер патента: US20240304678A1. Автор: Won Sang Lee. Владелец: Woflspeed Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Integrated mos transistor with selective disabling of cells thereof

Номер патента: EP3945602B1. Автор: Davide Giuseppe Patti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-08-28.

Horizontal current bipolar transistors with improved breakdown voltages

Номер патента: US09842834B2. Автор: Marko Koricic,Tomislav Suligoj. Владелец: ZAGREB UNIVERSITY OF. Дата публикации: 2017-12-12.

Nitride-based transistors with a cap layer and a recessed gate

Номер патента: US09666707B2. Автор: Scott Sheppard,Richard Peter Smith. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Methods for producing bipolar transistors with improved stability

Номер патента: US09466687B2. Автор: XIN Lin,Hongning Yang,Jiang-Kai Zuo,Daniel J. Blomberg. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-10-11.

Field effect transistor with source-connected field plate

Номер патента: US11749726B2. Автор: Matt King,Scott Sheppard,Jeremy Fisher,Kyle BOTHE,Jia GUO,Qianli MU. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Multi-channel high electron mobility transistor with doped gate fins

Номер патента: US20240332409A1. Автор: Clemens Ostermaier,Korbinian Reiser,Lauri Olavi Knuuttila. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-10-03.

III-N transistors with enhanced breakdown voltage

Номер патента: US09666708B2. Автор: Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Seung Hoon Sung,Benjamin Chu-Kung. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Stacked transistor with separate gate

Номер патента: US20210091079A1. Автор: LAN Yu,Ruilong Xie,Heng Wu,Chun Wing Yeung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Complementary analog bipolar transistors with trench-constrained isolation diffusion

Номер патента: WO2004017373A9. Автор: Richard K Williams,Michael E Cornell,Wai Tien Chan. Владелец: Advanced Analogic Tech Inc. Дата публикации: 2004-06-24.

Complementary analog bipolar transistors with trench-constrained isolation diffusion

Номер патента: WO2004017373A3. Автор: Richard K Williams,Michael E Cornell,Wai Tien Chan. Владелец: Advanced Analogic Tech Inc. Дата публикации: 2005-07-14.

Low-power consumption tunneling field-effect transistor with finger-shaped gate structure

Номер патента: US20120223361A1. Автор: ZHAN Zhan,Ru Huang,Qianqian Huang,Yangyuan Wang. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-09-06.

MOS-Transistor with Separated Electrodes Arranged in a Trench

Номер патента: US20150357437A1. Автор: Antonio Vellei. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-12-10.

Transistor with MIS connections and fabricating process

Номер патента: US09831319B2. Автор: Yves Morand,Fabrice Nemouchi,Heimanu Niebojewski,Louis HUTIN,Julien BORREL. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device with non-isolated power transistor with integrated diode protection

Номер патента: US09559097B2. Автор: Weize Chen,Patrice M. Parris,Hubert M. Bode,Andreas Laudenbach,Kurt U. Neugebauer,Richard J DeSouza. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Thin film transistor with selectively doped oxide thin film

Номер патента: US20190305133A1. Автор: Gilbert Dewey,Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Jack Kavalieros,Van Le. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-10-03.

Field effect transistor with selective channel layer doping

Номер патента: EP4341999A2. Автор: Saptharishi Sriram,Scott Sheppard,Jia GUO. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-03-27.

Method for fast switching on of power transistor with isolated gate and device with use thereof

Номер патента: RU2713559C2. Автор: Евгений Леонидович Пущин. Владелец: Евгений Леонидович Пущин. Дата публикации: 2020-02-05.

Thin film transistor with microlens structures

Номер патента: US7205569B2. Автор: Ming-Sung Shih. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2007-04-17.

Thin film transistor with microlens structures

Номер патента: US20060163575A1. Автор: Ming-Sung Shih. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2006-07-27.

Storage transistor with optical isolation

Номер патента: US09472587B2. Автор: Gang Chen,Duli Mao,Dyson H. Tai,Yuanwei Zheng,Xianmin Yi. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Method for fast switching on of power transistor with isolated gate and device with use thereof

Номер патента: RU2713559C9. Автор: Евгений Леонидович Пущин. Владелец: Евгений Леонидович Пущин. Дата публикации: 2021-02-04.

Dual-gate array substrate and display device

Номер патента: US20230037033A1. Автор: Weiyun HUANG,Tingliang Liu,Pengcheng ZANG,Xiaojing QI. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-02.

Programmable word length and self-testing memory in a gate array with bidirectional symmetry

Номер патента: CA1242276A. Автор: Joseph L. Angleton,Jeffery L. Gutgsell. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1988-09-20.

Dual-Gate Array Substrate, Display Panel and Display Device

Номер патента: US20160372495A1. Автор: Lei Wang,Jian Zhang,Chong Fang,Xuezhu Wang,Jiayuan Yang,Yanbo CHEN. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-22.

Dual-gate array substrate, display panel and display device

Номер патента: US9647007B2. Автор: Lei Wang,Jian Zhang,Chong Fang,Xuezhu Wang,Jiayuan Yang,Yanbo CHEN. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Dual-gate array substrate and display device

Номер патента: US11906864B2. Автор: Weiyun HUANG,Tingliang Liu,Pengcheng ZANG,Xiaojing QI. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Dual-gate array substrate and display device

Номер патента: US20240160070A1. Автор: Weiyun HUANG,Tingliang Liu,Pengcheng ZANG,Xiaojing QI. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Wide spectrum multi-band detection structure with selective absorption enhancement and preparation method thereof

Номер патента: US11948951B2. Автор: Yan An,Jun Han,Jiaxing HU,Huan LIU,Weiguo Liu,Minyu Bai,Changlong Cai,Zhuoman WANG. Владелец: Xian Technological University. Дата публикации: 2024-04-02.

Device package having a lateral power transistor with segmented chip pad

Номер патента: US12040302B2. Автор: Mohamed Imam,Hyeongnam Kim. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-07-16.

Rf power transistor with internal bias feed

Номер патента: WO2004057666A2. Автор: Gordon C. Ma,Larry Leighton,Prasanth Perugupalli,Nagaraj Vishwanath Dixit. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-07-08.

Rf power transistor with internal bias feed

Номер патента: EP1573813A2. Автор: Gordon C. Ma,Larry Leighton,Prasanth Perugupalli,Nagaraj Vishwanath Dixit. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-09-14.

Method of improving the radiation resistance of silicon transistors with a silicon oxide coating

Номер патента: US3829961A. Автор: R Bauerlein,D Uhl. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1974-08-20.

3D field programmable gate array system with reset management and method of manufacture thereof

Номер патента: US09843328B1. Автор: Ping Xiao. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Stacked semiconductor dies with selective capillary under fill

Номер патента: US09935082B2. Автор: Mitsuhisa Watanabe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Substrate structure with selective surface finishes for flip chip assembly

Номер патента: US20170040276A1. Автор: Robert Hartmann,Thomas Scott Morris. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-02-09.

Stacked semiconductor dies with selective capillary under fill

Номер патента: US10083941B2. Автор: Mitsuhisa Watanabe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-09-25.

Stacked semiconductor dies with selective capillary under fill

Номер патента: US20170186729A1. Автор: Mitsuhisa Watanabe. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2017-06-29.

Stacked semiconductor dies with selective capillary under fill

Номер патента: US20180366448A1. Автор: Mitsuhisa Watanabe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-12-20.

Stacked semiconductor dies with selective capillary under fill

Номер патента: US20180182738A1. Автор: Mitsuhisa Watanabe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-28.

Substrate structure with selective surface finishes for flip chip assembly

Номер патента: US20190229087A1. Автор: Robert Hartmann,Thomas Scott Morris. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2019-07-25.

Bipolar transistor with superjunction structure

Номер патента: US20170117394A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Franz-Josef Niedernostheide,Stephan Voss,Frank Dieter Pfirsch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-27.

Transistor with source manifold in non-active die region

Номер патента: US20240339409A1. Автор: Humayun Kabir,Ibrahim Khalil. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Transistor with source manifold in non-active die region

Номер патента: EP4443496A2. Автор: Humayun Kabir,Ibrahim Khalil. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-10-09.

Bipolar transistor with superjunction structure

Номер патента: US09917181B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Franz-Josef Niedernostheide,Stephan Voss,Frank Dieter Pfirsch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-13.

Master slice gate array integrated circuits with basic cells adaptable for both input/output and logic functions

Номер патента: US5367187A. Автор: Alex Yuen. Владелец: Quality Semiconductor Inc. Дата публикации: 1994-11-22.

Gate array core cell for VLSI ASIC devices

Номер патента: US20030178648A1. Автор: Jai Bansal. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2003-09-25.

Transistor with single termination trench having depth more than 10 microns

Номер патента: US20230065066A1. Автор: Noel Hoilien,Peter West,Rajesh Appat. Владелец: Polar Semiconductor LLC. Дата публикации: 2023-03-02.

Field-effect transistors with a high-temperature hardmask and self-aligned p-shield

Номер патента: US20240258421A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Field-effect transistors with a high-temperature hardmask and self-aligned p-type buried shield

Номер патента: EP4411823A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

Field-effect transistor with schottky barrier

Номер патента: RU2743225C1. Автор: Сергей Александрович Богданов,Юрий Михайлович Богданов,Константин Сергеевич Журавлев,Владимир Михайлович Лукашин,Владимир Григорьевич Лапин,Андрей Борисович Пашковский. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина"). Дата публикации: 2021-02-16.

Field-effect transistors with a body pedestal

Номер патента: US11764060B2. Автор: Steven M. Shank,Alvin J. Joseph,Michel J. Abou-Khalil,Michael J. Zierak. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Field-effect transistors with a gate dielectric layer formed on a surface treated by atomic layer etching

Номер патента: US20240290617A1. Автор: Francois Hebert,James A. Cooper,Hema Lata Rao MADDI. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Photodetector on cascade transistors with light emitting p-n-junctions and photosensitive n-p-junctions

Номер патента: RU2673424C1. Автор: Владимир Владимирович Козлов,Хаджимурат Магомедович Гаджиев,Татьяна Алексеевна Челушкина,Солтанат Магомедовна Гаджиева,Анатолий Константинович Михайлов,Александр Александрович Иванченко. Владелец: Ооо "Центральный Научно-Исследовательский Институт "Апертура". Дата публикации: 2018-11-26.

Method for forming local buried dielectric insulation region of active part of transistors with three-dimensional structure of shell (finfet)

Номер патента: RU2670248C1. Автор: Владимир Александрович Нагнойный,Глеб Владимирович Баранов. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт молекулярной электроники". Дата публикации: 2018-10-19.

Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with electrostatic-discharge protection and voltage-stabilizing capacitor and method for manufacturing the same

Номер патента: US8536633B2. Автор: Yi-Lin Chen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2013-09-17.

High-frequency field transistor with the additional field electrode manufacturing method

Номер патента: RU2671312C2. Автор: Николай Анатольевич Торхов,Сергей Владимирович Литвинов,Виктор Геннадьевич Сысуев,Ирина Дмитриевна Халтурина. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов" (АО "НИИПП"). Дата публикации: 2018-10-30.

Method for manufacturing a high-frequency transistor with an additional active field electrode

Номер патента: RU2707402C1. Автор: Николай Анатольевич Торхов,Валентин Натанович Брудный. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет" (ТГУ, НИ ТГУ). Дата публикации: 2019-11-26.

Bipolar semiconductor transistor with thyristor effect

Номер патента: RU2701184C1. Автор: Хаджимурат Магомедович Гаджиев,Татьяна Алексеевна Челушкина,Солтанат Магомедовна Гаджиева,Александр Александрович Иванченко,Елена Ивановна Павлюченко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Инжинирнговый центр микроспутниковых компетенций". Дата публикации: 2019-09-25.

Gallium nitride transistors with source and drain field plates and their methods of fabrication

Номер патента: US20200227545A1. Автор: Stephan Leuschner,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-07-16.

RF power transistors with impedance matching circuits, and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09571044B1. Автор: Ning Zhu,Damon G. Holmes,Jeffrey K. Jones. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Mixed voltage CMOS process for high reliability and high performance core and I/O transistors with reduced mask steps

Номер патента: US6258644B1. Автор: Mahalingam Nandakumar,Manoj Mehrotra,Mark S. Rodder. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2001-07-10.

Inter-tile buffer system for a field programmable gate array

Номер патента: US6800884B1. Автор: Tong Liu,SHENG Feng,Jung-Cheun Lien. Владелец: Actel Corp. Дата публикации: 2004-10-05.

Configurable gate array cell with extended poly gate terminal

Номер патента: US20050189569A1. Автор: Elisabeth Hartwig. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-09-01.

Gate array and manufacturing method of semiconductor integrated circuit using gate array

Номер патента: US20010003052A1. Автор: Shigenobu Maeda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-06-07.

Gate array and manufacturing method of semiconductor integrated circuit using gate array

Номер патента: US20010038107A1. Автор: Shigenobu Maeda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-11-08.

Gate array and manufacturing method of semiconductor integrated circuit using gate array

Номер патента: US6207979B1. Автор: Shigenobu Maeda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-03-27.

Gate array and manufacturing method of semiconductor integrated circuit using gate array

Номер патента: US6538269B2. Автор: Shigenobu Maeda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-03-25.

Gate array and manufacturing method of semiconductor integrated circuit using gate array

Номер патента: US6300230B2. Автор: Shigenobu Maeda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-10-09.

Logic gate array

Номер патента: US20150296611A1. Автор: Gil Bellaiche. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-10-15.

Gate array large scale integrated circuit devices

Номер патента: IE54711B1. Автор: . Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1990-01-17.

Gate array architecture for multiplexer based circuits

Номер патента: US5780883A. Автор: Dzung Joseph Tran,Mark Warren Acuff. Владелец: Translogic Technology Inc. Дата публикации: 1998-07-14.

Backside programmable gate array

Номер патента: US20240162231A1. Автор: Carl Radens,Brent A. Anderson,Albert M. Young,Ruilong Xie,Albert M. Chu,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Solid-state transducer devices with selective wavelength reflectors and associated systems and methods

Номер патента: US11908978B2. Автор: Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Solid-state transducer devices with selective wavelength reflectors and associated systems and methods

Номер патента: US20240234646A1. Автор: Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Photobucket floor colors with selective grafting

Номер патента: WO2018063318A1. Автор: James M. Blackwell,Robert L. Bristol,Rami HOURANI,Eungnak Han,Kevin L. Lin. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-04-05.

Field programmable gate array incorporating dedicated memory stacks

Номер патента: US20050122758A1. Автор: Keith Gann,Volkan Ozguz,John Leon,Randolph Carlson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-09.

Solid state lighting devices with selected thermal expansion and/or surface characteristics, and associated methods

Номер патента: US09806230B2. Автор: Ji-Soo Park. Владелец: Qromis Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Method and apparatus for providing field-programmable gate array (FPGA) integrated circuit (IC) package

Номер патента: US11901895B2. Автор: Jinghui Zhu,Grant Thomas Jennings. Владелец: Gowin Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Method and apparatus for providing field-programmable gate array (fpga) integrated circuit (ic) package

Номер патента: US20210376833A1. Автор: Jinghui Zhu,Grant Thomas Jennings. Владелец: Gowin Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-12-02.

BI-CMOS gate array semiconductor integrated circuits and internal cell structure involved in the same

Номер патента: US5497014A. Автор: Takayuki Momose. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-03-05.

High density rom in a cmos gate array

Номер патента: CA1307049C. Автор: Emdadur R. Khan. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 1992-09-01.

Gate array bases with flexible routing

Номер патента: US5343058A. Автор: II James D. Shiffer. Владелец: VLSI Technology Inc. Дата публикации: 1994-08-30.

Semiconductor gate array device having an improved interconnection structure

Номер патента: US4564773A. Автор: Hitoshi Omichi,Tetsu Tanizawa,Yoshiharu Mitono. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1986-01-14.

Gate array device having macro cells for forming master and slave cells of master-slave flip-flop circuit

Номер патента: US4933576A. Автор: Yoshio Watanabe,Masaya Tamamura,Shinji Emori,Isao Shimotsuhama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1990-06-12.

Gate array arrangement

Номер патента: US4811073A. Автор: Yuji Kitamura,Ichiro Nakatsukasa. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1989-03-07.

Repeatable block producing a non-uniform routing architecture in a field programmable gate array having segmented tracks

Номер патента: US20080246510A1. Автор: William C. Plants,Arunangshu Kundu,Eric Sather. Владелец: Actel Corp. Дата публикации: 2008-10-09.

Dual gate array substrate and display panel

Номер патента: US20240096902A1. Автор: Cong Wang,Xibin Shao,Seungmin Lee,Jiantao Liu,Dongchuan CHEN,Yanping Liao,Yingmeng MIAO. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Interleaved high side and low side power transistors with variable finger spacing

Номер патента: US20240153938A1. Автор: Neil GIBSON,Henry L. Edwards,Archana Venugopal,Jerry L. Doorenbos,Viola Schaeffer,Gerald Gradl. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Bi-directional transistor with by-pass path and method therefor

Номер патента: US20110127573A1. Автор: Stephen P. Robb,Francine Y. Robb. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-02.

Asymmetrical reset transistor with double-diffused source for CMOS image sensor

Номер патента: US7649231B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Shou-Gwo Wuu,Chien-Hsien Tseng,Ho-Ching Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2010-01-19.

Semiconductor device having a field effect transistor with improved linearity

Номер патента: US4717944A. Автор: Leonard J. M. Esser,Petrus J. A. M. Van de Wiel. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1988-01-05.

Electronic chip comprising transistors with front and back gates

Номер патента: US09660034B1. Автор: Philippe Galy. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2017-05-23.

Junction field effect transistor with a hyperabrupt junction

Номер патента: EP2168163A1. Автор: Jeffrey B. Johnson,Richard A. Phelps,Ebenezer E. Eshun,Robert M. Rassel,Michael L. Zierak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-03-31.

Low noise amplifier transistors with decreased noise figure and leakage in silicon-on-insulator technology

Номер патента: US20210184046A1. Автор: Oleksandr Gorbachov,Lisette L. Zhang,Lothar Musiol. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

N-channel double diffusion MOS transistor with p-type buried layer underneath n-type drift and drain layers, and semiconductor composite device

Номер патента: US09812565B2. Автор: Kensuke Sawase,Motohiro TOYONAGA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Fin-type field effect transistors with uniform channel lengths and below-channel isolation on bulk semiconductor substrates and methods

Номер патента: US20200044069A1. Автор: Andreas Knorr,Ruilong Xie,Julien Frougier,Srikanth Balaji Samavedam. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-02-06.

Transistor with improved safe operating area

Номер патента: US20050012148A1. Автор: John Lin,Sameer Pendharkar,Steven Jensen,Philip Hower. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2005-01-20.

Select transistors with tight threshold voltage in 3D memory

Номер патента: US09941293B1. Автор: Yingda Dong,Liang PANG,Jayavel Pachamuthu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-04-10.

Methods of forming a transistor with an integrated metal silicide gate electrode

Номер патента: WO2005020282A3. Автор: Todd R Abbot. Владелец: Todd R Abbot. Дата публикации: 2006-02-09.

Methods of forming a transistor with an integrated metal silicide gate electrode

Номер патента: EP1656696B1. Автор: Todd R. Abbot. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-04-21.

Methods of forming a transistor with an integrated metal silicide gate electrode

Номер патента: WO2005020282A2. Автор: Todd R. Abbot. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2005-03-03.

Silicon carbide transistor with channel counter-doping and pocket-doping

Номер патента: US20240258375A1. Автор: ASHISH Pal,Stephen Weeks,El Mehdi Bazizi,Siddarth Krishnan,Pratik B. Vyas,Ludovico Megalini. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Silicon carbide transistor with channel counter-doping and pocket-doping

Номер патента: WO2024158690A1. Автор: ASHISH Pal,Stephen Weeks,El Mehdi Bazizi,Siddarth Krishnan,Pratik B. Vyas,Ludovico Megalini. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-08-02.

Creation of a transistor with close silicide source and drain from the canal

Номер патента: US20240249945A1. Автор: Shay REBOH,Laurent Brunet,Pablo Acosta Alba,Frederic Milesi. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-07-25.

LDMOS transistor and method of forming the LDMOS transistor with improved Rds*Cgd

Номер патента: US09455332B2. Автор: Jun Cai. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Ferroelectric field-effect transistor with high permittivity interfacial layer

Номер патента: US20240234574A9. Автор: Sayeef Salahuddin,Ava Jiang TAN. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-07-11.

Nanopillar field-effect and junction transistors with functionalized gate and base electrodes

Номер патента: US20150279948A1. Автор: Axel Scherer,Stefan Petry,Aditya Rajagopal,Oliver Plettenburg,Chieh-Feng Chang,Charles L. TSCHIRHART. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2015-10-01.

Nanopillar field-effect and junction transistors with functionalized gate and base electrodes

Номер патента: EP2877845A1. Автор: Axel Scherer,Stefan Petry,Aditya Rajagopal,Oliver Plettenburg,Chieh-Feng Chang,Charles L. TSCHIRHART. Владелец: Sanofi Inc. Дата публикации: 2015-06-03.

Nanopillar field-effect and junction transistors with functionalized gate and base electrodes

Номер патента: US20150279949A1. Автор: Axel Scherer,Stefan Petry,Aditya Rajagopal,Oliver Plettenburg,Chieh-Feng Chang,Charles L. TSCHIRHART. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2015-10-01.

VERTICAL BIPOLAR TRANSISTOR WITH A MAJORITY CARRIER ACCUMULATION LAYER AS A SUBCOLLECTOR FOR SOI BiCMOS WITH REDUCED BURIED OXIDE THICKNESS FOR LOW-SUBSTRATE BIAS OPERATION

Номер патента: US20080261371A1. Автор: Qiging Ouyang,Mahender Kumar,Christopher D. Sheraw,Herbert L. Ho,Paul A. Papworth,Michael D. Steigerwalt. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-10-23.

Bipolar junction transistors with self-aligned terminals

Номер патента: US20150214344A1. Автор: James R. Elliott,Qizhi Liu,Alvin J. Joseph,Peter B. Gray,John J. Benoit,Christa R. Willets. Владелец: GlobalFoundries US 2 LLC. Дата публикации: 2015-07-30.

Vertical power transistor with termination area having doped trenches with variable pitches

Номер патента: US20170250246A1. Автор: Hamza Yilmaz. Владелец: MaxPower Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2017-08-31.

Vertical power transistor with termination area having doped trenches with variable pitches

Номер патента: US09978831B2. Автор: Hamza Yilmaz. Владелец: MaxPower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Nanopillar field-effect and junction transistors with functionalized gate and base electrodes

Номер патента: US09966443B2. Автор: Axel Scherer,Stefan Petry,Aditya Rajagopal,Oliver Plettenburg,Chieh-Feng Chang,Charles L. TSCHIRHART. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2018-05-08.

Nanopillar field-effect and junction transistors with functionalized gate and base electrodes

Номер патента: US09960238B2. Автор: Axel Scherer,Stefan Petry,Aditya Rajagopal,Oliver Plettenburg,Chieh-Feng Chang,Charles L. TSCHIRHART. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2018-05-01.

High voltage field effect transistors with selective gate depletion

Номер патента: US6054354A. Автор: Edward J. Nowak,Minh Ho Tong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2000-04-25.

Replacement metal gate process for vertical transport field-effect transistors with multiple threshold voltages

Номер патента: US20200066603A1. Автор: Brent A. Anderson,ChoongHyun Lee,Hemanth Jagannathan,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Fluctuation Resistant Low Access Resistance Fully Depleted SOI Transistor with Improved Channel Thickness Control and Reduced Access Resistance

Номер патента: US20140027853A1. Автор: Asen ASENOV. Владелец: Gold Standard Simulations Ltd. Дата публикации: 2014-01-30.

High-frequency group iii-nitride-based high electron mobility transistors with high-aluminum concentration barriers and recessed gates

Номер патента: US20240363745A1. Автор: Chirag Gupta,Jiahao Chen,Swarnav Mukhopadhyay,Shubhra Shweta Pasayat. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2024-10-31.

Gallium Nitride high-electron mobility transistors with p-type layers and process for making the same

Номер патента: US12142674B2. Автор: Saptharishi Sriram. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-11-12.

High-frequency group iii-nitride-based high electron mobility transistors with high-aluminum concentration barriers and recessed gates

Номер патента: WO2024226212A2. Автор: Chirag Gupta,Jiahao Chen,Swarnav Mukhopadhyay,Shubhra Shweta Pasayat. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2024-10-31.

Transistor with buffer structure having carbon doped profile

Номер патента: US20230068191A1. Автор: Dong Seup Lee,Nicholas Stephen DELLAS,Andinet Tefera Desalegn. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

High voltage field effect transistors with superjunctions and method of making the same

Номер патента: US20240250119A1. Автор: Masashi Ishida. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-25.

Vertical semiconductor component, in particular vertical transistor, with minimized source-drain leakage currents

Номер патента: US20240234491A1. Автор: Daniel Krebs,Muhammad Alshahed,Dragos Costachescu,Humberto Rodriguez Alvarez. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-11.

Vertical Transistors With Backside Power Delivery

Номер патента: US20240105617A1. Автор: Thomas Hoffmann,Xin Miao,Praveen Raghavan. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Steep-switch field effect transistor with integrated bi-stable resistive system

Номер патента: US10566436B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Nicolas Loubet,Daniel Chanemougame,Julien Frougier,Ali Razavieh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-18.

Steep-switch field effect transistor with integrated bi-stable resistive system

Номер патента: US20200144385A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Nicolas Loubet,Daniel Chanemougame,Julien Frougier,Ali Razavieh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-07.

Steep-switch field effect transistor with integrated bi-stable resistive system

Номер патента: US20190252508A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Nicolas Loubet,Daniel Chanemougame,Julien Frougier,Ali Razavieh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-15.

Display device including a plurality of thin film transistors with different characteristics

Номер патента: US12074260B2. Автор: KyungMo SON,Shunyoung YANG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Three-dimensional integrated circuits (3dics) including bottom gate mos transistors with monocrystalline channel material

Номер патента: US20210202476A1. Автор: Gilbert Dewey,Cory BOMBERGER,Anand Murthy,Jack Kavalieros,Kimin Jun,Willy Rachmady,Ashish Agrawal,Cheng-Ying Huang,Zachary Geiger,Ryan KEECH,Koustav Ganguly. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-07-01.

Transistor structures and transistors with a germanium-containing channel

Номер патента: US20060001126A1. Автор: Chandra Mouli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-05.

Transistor structures and transistors with a germanium-containing channel

Номер патента: US7446351B2. Автор: Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-11-04.

Junction field effect transistor with an epitaxially grown gate structure

Номер патента: US8647936B2. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Tak H. Ning,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-02-11.

Bipolar transistor with improved reverse breakdown characteristics

Номер патента: US6383885B1. Автор: Patrice Parris,Vasudev Venkatesan. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2002-05-07.

Metal oxide thin film transistor with source and drain regions doped at room temperature

Номер патента: US09960281B2. Автор: Lei Lu,Man Wong,Hoi Sing Kwok. Владелец: Hong Kong University of Science and Technology HKUST. Дата публикации: 2018-05-01.

Transistor with group III/VI emitter

Номер патента: US20040061132A1. Автор: Hung Liao,Bao-Sung Yeh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-01.

Fabrication of complementary field-effect transistors with vertical body-material dopant profiles tailored to alleviate punchthrough and reduce current leakage

Номер патента: US7785971B1. Автор: Fu-Cheng Wang,Constantin Bulucea,Prasad Chaparala. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2010-08-31.

Transistor with group III/VI emitter

Номер патента: US20030230762A1. Автор: Hung Liao,Bao-Sung Yeh. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2003-12-18.

Transistor with group III/VI emitter

Номер патента: US6984554B2. Автор: Bao-Sung Bruce Yeh,Hung Liao. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2006-01-10.

Bipolar transistor with a very narrow emitter feature

Номер патента: US20050082642A1. Автор: Francois Pagette,Andreas Stricker,Marwan Khater,Gregory Freeman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-04-21.

Bipolar Transistor with Depleted Emitter

Номер патента: US20100283082A1. Автор: Ho-Yuan Yu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-11.

Bipolar transistors with depleted emitter

Номер патента: US20070267656A1. Автор: Ho-Yuan Yu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-22.

Methods, structures, and circuits for transistors with gate-to-body capacitive coupling

Номер патента: US20030001208A1. Автор: Leonard Forbes,Wendell Noble. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-01-02.

Lateral heterojunction bipolar transistor with improved breakdown voltage and method

Номер патента: US11777019B2. Автор: Hong Yu,Vibhor Jain,Judson R. Holt. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor device having transistor with high electro-static discharge capability and high noise capability

Номер патента: US20040238893A1. Автор: Shin Kiuchi,Yuichi Harada,Tatsuhiko Fujihira,Takeshi Ichimura,Hiroshi Tobisaka,Yoshiaki Minoya,Naoki Yaezawa,Ryu Saitou,Shouichi Furuhata. Владелец: Fuji Electric Device Technology Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-02.

Control Circuit For Transistor With Floating Source Node

Номер патента: US20230133293A1. Автор: Kevin David Moran,Guoming George Zhu. Владелец: Michigan State University MSU. Дата публикации: 2023-05-04.

Dual current switch detection circuit with selective activation

Номер патента: WO2010054177A1. Автор: Justin Joseph Rosen Gagne. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2010-05-14.

Compact vacuum interrupter with selective encapsulation

Номер патента: RU2543984C2. Автор: Хришикеш С БРАМХАПУРИКАР,Дуккаиаппан СУББИАХТХЕВЕР,Шашикант Р. АХИРЕ,Санджай КХАНДАЛКАР,Венкатесан ПРАБАХАРАН,Рамеш ВИСВАНАТХАН,Йогеш Б. ХИНГАНЕ. Владелец: АББ ТЕКНОЛОДЖИ ЛТД. Дата публикации: 2015-03-10.

Transistors with dual wells

Номер патента: US20190207025A1. Автор: Douglas T. Grider,Xiang-Zheng Bo,Michelle N. NGUYEN. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-07-04.

Transistors with dual wells

Номер патента: US20210050445A1. Автор: Douglas T. Grider,Xiang-Zheng Bo,Michelle N. NGUYEN. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

Transistor with InGaAsP collector region and integrated opto-electronic devices employing same

Номер патента: US8692295B1. Автор: Rajesh D. Rajavel,Stephen Thomas, III. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2014-04-08.

Semiconductor device having cell transistor with recess channel structure

Номер патента: US20090085108A1. Автор: Yasushi Yamazaki. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-04-02.

Integrated circuit comprising transistors with different threshold voltages

Номер патента: US09911737B2. Автор: Jean-Philippe Noel,Bastien Giraud,Philippe Flatresse,Bertrand Pelloux-Prayer. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2018-03-06.

Memory chip structure having GAA transistors with different threshold voltages and work functions for improving performances in multiple applications

Номер патента: US12057487B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Method for manufacturing and structure for transistors with reduced gate to contact spacing

Номер патента: US20020106875A1. Автор: Mark Rodder,Keith Joyner. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2002-08-08.

Memory chip structure having GAA transistors with different threshold voltages and work functions for improving performances in multiple applications

Номер патента: US11757014B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

High voltage transistor with a field plate

Номер патента: WO2020257097A1. Автор: Chang Soo Suh,Ramana Tadepalli. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2020-12-24.

Power transistor with internally combined low-pass and band-pass matching stages

Номер патента: EP1356521A1. Автор: Anton W. Roodnat. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-10-29.

Power transistor with internally combined low-pass and band-pass matching stages

Номер патента: US20020109203A1. Автор: Anton Roodnat. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-15.

High voltage transistor with a field plate

Номер патента: EP3987566A1. Автор: Chang Soo Suh,Ramana Tadepalli. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2022-04-27.

Method for testing a high voltage transistor with a field plate

Номер патента: US20200403071A1. Автор: Chang Soo Suh,Ramana Tadepalli. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-12-24.

Transistors with laterally extended active regions and methods of fabricating same

Номер патента: US20110183482A1. Автор: Min-Hee Cho,Sung-Sam LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-28.

High voltage transistor with reduced isolation breakdown

Номер патента: US09614027B2. Автор: Shyue Seng Tan,Ying Keung Leung. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-04-04.

Transistor with cladded electrodes and method of fabrication therefor

Номер патента: EP4343851A1. Автор: Darrell Glenn Hill. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-03-27.

Thin film transistor with UV light absorber layer

Номер патента: US8969868B2. Автор: Po-Tsun Liu,Han-Ping D. Shieh,Li-Feng Teng,Min-Yen Tsai,Yun-Chu TSAI. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2015-03-03.

Thin film Transistor with UV light Absorber Layer

Номер патента: US20140361287A1. Автор: Po-Tsun Liu,Han-Ping D. Shieh,Li-Feng Teng,Min-Yen Tsai,Yun-Chu TSAI. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2014-12-11.

Transistor with cladded structure and method of fabrication therefor

Номер патента: US20240105808A1. Автор: Darrell Glenn Hill. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Transistors with high concentration of boron doped germanium

Номер патента: US09627384B2. Автор: Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Ravi Pillarisetty,Roza Kotlyar,Niloy Mukherjee,Glenn A. Glass,Anand S. Murthy,Willy Rachmady,Mark Y. Liu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Transistor with Reduced Channel Length Variation

Номер патента: US20130001687A1. Автор: WEI Xia,Xiangdong Chen,Henry Kuo-Shun Chen. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-01-03.

Field effect transistor with enhanced insulator structure

Номер патента: WO2005057623A2. Автор: Robert Beach. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2005-06-23.

Method for fabricating a MOS transistor with reduced channel length variation and related structure

Номер патента: US20110089490A1. Автор: WEI Xia,Xiangdong Chen,Henry Kuo-Shun Chen. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2011-04-21.

Field effect transistor with enhanced insulator structure

Номер патента: WO2005057623A3. Автор: Robert Beach. Владелец: Robert Beach. Дата публикации: 2008-01-03.

Thin Film Transistor with Parasitic Capacitance Compensation Structure and Liquid Crystal Display Using Same

Номер патента: US20130242218A1. Автор: Chiayu Lee,Hunglung Hou. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-19.

Method for Fabricating a MOS Transistor with Reduced Channel Length Variation

Номер патента: US20130017658A1. Автор: WEI Xia,Xiangdong Chen,Henry Kuo-Shun Chen. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-01-17.

Fin-type field-effect transistors with strained channels

Номер патента: US20180026137A1. Автор: Henry K. Utomo,Reinaldo A. Vega,Yun Y. Wang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-25.

Transistor with ohmic contacts

Номер патента: WO2023069601A1. Автор: Evan Jones,Kyle BOTHE. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2023-04-27.

Transistor with ohmic contacts

Номер патента: EP4420170A1. Автор: Evan Jones,Kyle BOTHE. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

Fin-type field-effect transistors with strained channels

Номер патента: US09905694B2. Автор: Henry K. Utomo,Reinaldo A. Vega,Yun Y. Wang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device including nanowire transistors with hybrid channels

Номер патента: US09859369B2. Автор: Kangguo Cheng,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Non-planar III-V field effect transistors with conformal metal gate electrode and nitrogen doping of gate dielectric interface

Номер патента: US09818847B2. Автор: Gilbert Dewey,Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Scott B. Clendenning. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Vertical field effect transistor with wrap around metallic bottom contact to improve contact resistance

Номер патента: US09773913B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Fin-type field-effect transistors with strained channels

Номер патента: US09680019B1. Автор: Henry K. Utomo,Reinaldo A. Vega,Yun Y. Wang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device including nanowire transistors with hybrid channels

Номер патента: US09595525B2. Автор: Kangguo Cheng,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Thin film transistor with multiple oxide semiconductor layers

Номер патента: US09437747B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Thin film transistor with integrated connecting portion

Номер патента: US09356052B2. Автор: Yukinobu Nakata,Yoshihito Hara. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Transistor with doped gate dielectric

Номер патента: EP1711959A1. Автор: Hong-Jyh Li. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-10-18.

Transistor with ohmic contacts

Номер патента: US12113114B2. Автор: Evan Jones,Kyle BOTHE. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Nanostructure field-effect transistors with enhanced mobility source/drain regions

Номер патента: US09978836B1. Автор: Bartlomiej J. Pawlak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Transistor with deep Nwell implanted through the gate

Номер патента: US09865599B2. Автор: Mahalingam Nandakumar. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Vertical nanowire transistor with axially engineered semiconductor and gate metallization

Номер патента: US09818864B2. Автор: Brian S. Doyle,Uday Shah,Roza Kotlyar,Charles C. Kuo. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Method for manufacturing oxide semiconductor transistor with low-nitrogen, low-defect insulating film

Номер патента: US09748355B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Toshinari Sasaki,Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Method for manufacturing field-effect transistor with periodically doped channel

Номер патента: RU2191444C1. Автор: В.К. Смирнов,Д.С. Кибалов,В.А. Гергель. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Агентство маркетинга научных разработок". Дата публикации: 2002-10-20.

Method of manufacturing a hetero-junction bipolar transistor with epitaxially grown multi-layer films and annealing at or below 600° C.

Номер патента: US6818521B2. Автор: Kenji Hiratsuka. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2004-11-16.

Nanostructure field-effect transistors with enhanced mobility source/drain regions

Номер патента: US20180130878A1. Автор: Bartlomiej J. Pawlak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-10.

Transistor with Diamond Gate

Номер патента: US20160211341A1. Автор: Karl D. Hobart,Andrew D. Koehler,Travis J. Anderson,Tatyana I. Feygelson,Marko J. Tadjer. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2016-07-21.

Fin field effect transistor with field plating

Номер патента: US20230085365A1. Автор: Ming-Yeh Chuang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-03-16.

Fin field effect transistor with field plating

Номер патента: WO2022008977A1. Автор: Ming-Yeh Chuang. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2022-01-13.

Fin field effect transistor with field plating

Номер патента: US12074216B2. Автор: Ming-Yeh Chuang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Fabrication of a vertical fin field effect transistor with a reduced contact resistance

Номер патента: US20180012969A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-11.

Semiconductor device including transistor with back gate, and memory device including the semiconductor device

Номер патента: US09990997B2. Автор: Kiyoshi Kato,Takanori Matsuzaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Image sensor including a transistor with a vertical channel and a method of manufacturing the same

Номер патента: EP4099387A2. Автор: Wonseok Lee,Eunsub Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-07.

Image sensor including a transistor with a vertical channel and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20220384512A1. Автор: Wonseok Lee,Eunsub Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-01.

Power amplifier modules including bipolar transistor with grading and related systems, devices, and methods

Номер патента: US09520835B2. Автор: Hongxiao Shao,Peter J. Zampardi, JR.,Philip John Lehtola,David Steven Ripley,Tin Myint Ko,Matthew Thomas Ozalas. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Field programmable gate array having internal logic transistors with two different gate insulator thicknesses

Номер патента: US6127845A. Автор: Andre Stolmeijer,Paige A. Kolze,David D. Eaton. Владелец: QuickLogic Corp. Дата публикации: 2000-10-03.

Power transistor with integrated temperature sensor element, power transistor circuit, method for operating a power transistor, and method for operating a power transistor circuit

Номер патента: US09728580B2. Автор: Steffen Thiele,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-08.

Organic thin film transistor with ion exchanged glass substrate

Номер патента: US20130140540A1. Автор: Mingqian He,James Robert Matthews,Jianfeng Li,Michael S. Pambianchi. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2013-06-06.

Broadband voltage-to-current converter on field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2739213C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Андреевич Жук,Алексей Евгеньевич Титов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2020-12-22.

Differential input voltage converter with paraphase current outputs based on complementary field transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2724975C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Евгеньевич Титов,Дмитрий Владимирович Клейменкин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-06-29.

Multifunctional current mirror on complementary field-effect transistors with control pn-junction for operation at low temperatures

Номер патента: RU2720557C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Анна Витальевна Бугакова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-05-12.

Intermediate cascade of operational amplifier with paraphrase output on complementary field transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2720555C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Николай Владимирович Бутырлагин,Алексей Андреевич Жук,Елена Владимировна Овсепян. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-05-12.

Rectifier circuit with multiple cells, each cell having transistors with bulks biased by signals generated in other cells to control threshold voltage, and corresponding device and method

Номер патента: US10312821B2. Автор: Giuseppe Palmisano,Ranieri Guerra,Leandro GRASSO. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-06-04.

High-speed output cascade of analogue microcircuits on complementary field-effect transistors with control p-n junction for operation at low temperatures

Номер патента: RU2711725C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Дмитрий Геннадьевич Дроздов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-21.

Differential amplifier on field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2766861C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Владислав Евгеньевич Чумаков,Алексей Вадимович Кунц,Алексей Арсеньевич Павлючик. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2022-03-16.

Differential cascade on complementary field-effect transistors with control p-n junction of class ab with variable voltage of restriction of pass characteristic

Номер патента: RU2712414C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Петр Сергеевич Будяков,Анна Витальевна Бугакова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-28.

Buffer amplifier of class ab on complementary field-effect transistors with control p-n junction for operation at low temperatures

Номер патента: RU2721940C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Елена Владимировна Овсепян,Екатерина Петровна Никитина. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-05-25.

Semiconductor device having a transistor with an oxide semiconductor layer between a first gate electrode and a second gate electrode

Номер патента: US09524993B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Differential amplifier of class ab on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2736549C1. Автор: Петр Сергеевич Будяков,Илья Викторович Пахомов,Алексей Андреевич Жук,Иван Николаевич Третьяк. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2020-11-18.

Hybrid metal-oxide semiconductor field-effect transistor with variable gate impedance and implementation method thereof

Номер патента: US20230039285A1. Автор: Tung Ming Lai,Wen Nan Huang,Ching Kuo CHEN,Shiu Hui Lee,Cho Lan Peng,Chuo Chien TSAO. Владелец: Potens Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-02-09.

Organic thin film transistor with modified surface of gate-dielectric

Номер патента: EP1481428A1. Автор: Mark J. Pellerite,Dennis E. Vogel,Larry D. Boardman,Terrance P. Smith,Timothy D. Dunbar,Kim M. Vogel,Tommie W. Kelley,Dawn V. Muyres. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2004-12-01.

Differential amplifier based on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2736412C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Олег Владимирович Дворников,Анна Витальевна Бугакова,Дмитрий Геннадьевич Дроздов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-11-17.

Operational amplifier with "floating" input differential cascade on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2741055C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Андреевич Жук,Владислав Евгеньевич Чумаков,Дмитрий Владимирович Клейменкин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2021-01-22.

Non-inverting current mirror on complementary field-effect transistors with pn-junction control for operation at low temperatures

Номер патента: RU2720554C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-05-12.

Differential operational amplifier on field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2739577C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Владислав Евгеньевич Чумаков. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2020-12-28.

Differential stage on complete field transistors with increased temperature stability of the static mode

Номер патента: RU2746888C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Петр Сергеевич Будяков,Алексей Андреевич Жук,Владислав Евгеньевич Чумаков. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2021-04-21.

Low-temperature and radiation-stable voltage follower on complementary field transistors with control p-n junction for tasks of designing active rc-filters

Номер патента: RU2723673C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Евгеньевич Титов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-06-17.

Composite transistor based on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2710846C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Дмитрий Геннадьевич Дроздов,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-14.

Differential amplifier on complimentary field transistors with controlled voltage limitations of passage characteristics

Номер патента: RU2679970C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Олег Владимирович Дворников,Анна Витальевна Бугакова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2019-02-14.

Differential cascade of ab class on complementary field transistors with control p-n junction for operation in low temperature conditions

Номер патента: RU2710847C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Дмитрий Геннадьевич Дроздов,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-14.

Low-temperature and radiation-proof compensation voltage stabilizer on complementary field transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2732950C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Олег Владимирович Дворников,Илья Викторович Пахомов,Дмитрий Геннадьевич Дроздов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-09-24.

Differential amplifier on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2688225C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2019-05-21.

Differential cascade on complementary jfet field-effect transistors with high attenuation of input in-phase signal

Номер патента: RU2710296C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2019-12-25.

Metal-oxide semiconductor field-effect transistor with asymmetric parallel die and implementation method thereof

Номер патента: US20230037951A1. Автор: Tung Ming Lai,Wen Nan Huang,Ching Kuo CHEN,Hsiang Chi Meng,Chih Ming Yu. Владелец: Potens Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-02-09.

Metal-oxide semiconductor field-effect transistor with asymmetric parallel dies and method of using the same

Номер патента: US12101026B2. Автор: Tung Ming Lai,Wen Nan Huang,Ching Kuo CHEN,Hsiang Chi Meng,Chih Ming Yu. Владелец: Potens Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

4f2 vertical access transistor with reduced floating body effect

Номер патента: US20240341082A1. Автор: Zhijun CHEN,Milan PESIC,Fredrick FISHBURN. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

4f2 vertical access transistor with reduced floating body effect

Номер патента: WO2024211157A1. Автор: Zhijun CHEN,Milan PESIC,Fredrick FISHBURN. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-10-10.

Low-temperature two-stage operational amplifier with paraphase output on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2721942C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Дмитрий Геннадьевич Дроздов,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-05-25.

Analogue microcircuit output cascade on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2710917C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Олег Владимирович Дворников,Екатерина Петровна Никитина. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-14.

Low-temperature operational amplifier with high attenuation of input in-phase signal on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2732583C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Петр Сергеевич Будяков,Илья Викторович Пахомов,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-09-21.

Buffer amplifier on complementary field-effect transistors with control p-n junction for operation at low temperatures

Номер патента: RU2684489C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Петр Сергеевич Будяков,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Евгеньевич Титов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2019-04-09.

Buffer amplifier based on complementary field-effect transistors with control p-n junction for operation at low temperatures

Номер патента: RU2710923C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Дмитрий Геннадьевич Дроздов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-14.

Buffer amplifier with low zero-offset voltage on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2712410C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Петр Сергеевич Будяков,Анна Витальевна Бугакова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-28.

Transistor amplifier having field effect transistors with stabilized drain bias current

Номер патента: CA1042995A. Автор: Tadao Suzuki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1978-11-21.

Differential amplifier on complementary field-effect transistors with high stability of static mode

Номер патента: RU2710930C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Петр Сергеевич Будяков,Илья Викторович Пахомов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-14.

Optical gate array device

Номер патента: US20090279830A1. Автор: Goji Nakagawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-11-12.

Superconducting field-effect transistors with inverted misfet structure and method for making the same

Номер патента: CA2058780A1. Автор: Johannes G. Bednorz,Jochen D. Mannhart,Carl A. Mueller. Владелец: Carl A. Mueller. Дата публикации: 1992-07-08.

Configurable gate array based on three-dimensional writable memory

Номер патента: US09838021B2. Автор: Guobiao Zhang. Владелец: Hangzhou Haicun Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Rekonfigurieren eines rekonfigurationsmoduls eines field programmable gate arrays

Номер патента: EP3886391A1. Автор: Fabrizio De Santis,Tolga Sel. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2021-09-29.

Configurable gate array based on three-dimensional printed memory

Номер патента: US09948306B2. Автор: Guobiao Zhang. Владелец: Hangzhou Haicun Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Switching modes of wireless communication network selection with selection of set of wireless cells

Номер патента: RU2480956C2. Автор: Манодж М. ДЕШПАНДЕ,Осок СОНГ,Гэйвин Б. ХОРН,Рамачандран СУБРАМАНИАН,Натан Е. ТЕННИ,Даманджит СИНГ. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2013-04-27.

Method for making a high-temperature superconducting field-effect transistor with thick superconducting channel layer

Номер патента: US5663081A. Автор: Jeong-Dae Suh,Gun-Yong Sung. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 1997-09-02.

Customer load of field programmable gate arrays

Номер патента: US09875367B2. Автор: Mark A. Check,Vincenzo Condorelli,Todd W. Arnold. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Customer load of field programmable gate arrays

Номер патента: US09703973B2. Автор: Mark A. Check,Vincenzo Condorelli,Todd W. Arnold. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Single chip gate array

Номер патента: US5146428A. Автор: Nobuyoshi Tanimura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1992-09-08.

Method for programming a programmable gate array in a distributed computer system

Номер патента: US20210303501A1. Автор: Marc Schlenger,Heiko KALTE,Dominik LUBELEY,Andreas AGNE. Владелец: dSPACE digital signal processing and control engineering GmbH. Дата публикации: 2021-09-30.

Method for programming a programmable gate array in a distributed computer system

Номер патента: US11442884B2. Автор: Marc Schlenger,Heiko KALTE,Dominik LUBELEY,Andreas AGNE. Владелец: dSPACE digital signal processing and control engineering GmbH. Дата публикации: 2022-09-13.

Field Programmable Gate Array

Номер патента: US20180113757A1. Автор: Tsutomu Yamada,Teruaki Sakata. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2018-04-26.

Generating analog output from a field programmable gate array by combining scaled digital outputs

Номер патента: US20190305779A1. Автор: Brian A. Gunn. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2019-10-03.

Generating analog output from a field programmable gate array by combining scaled digital outputs

Номер патента: EP3776860A1. Автор: Brian A. Gunn. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2021-02-17.

Reconfigurable gate array

Номер патента: US20020125911A1. Автор: Rainer Kress,Klaus Buchenrieder. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-09-12.

Heterogeneous segmented and direct routing architecture for field programmable gate array

Номер патента: US09525419B2. Автор: Tony Kai-Kit Ngai. Владелец: Efinix Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

System and method for ensuring distributed receipt with selection of multicast content

Номер патента: RU2322765C2. Автор: Карри РАНТА-АХО,Антти ТОСКАЛА. Владелец: Нокиа Корпорейшн. Дата публикации: 2008-04-20.

METHOD AND INFRASTRUCTURE FOR CYCLE-REPRODUCIBLE SIMULATION ON LARGE SCALE DIGITAL CIRCUITS ON A COORDINATED SET OF FIELD-PROGRAMMABLE GATE ARRAYS (FPGAs)

Номер патента: US20120117413A1. Автор: Jose A. Tierno,Bernard Brezzo,Mohit Kapur,Benjamin D. Parker,Sameh W. Asaad,Ralph E. Bellofatto,Charles L. Haymes,Thomas Roewer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-05-10.

Panoramic television surveillance computer system with selective image scaling

Номер патента: RU2727920C1. Автор: Вячеслав Михайлович Смелков. Владелец: Вячеслав Михайлович Смелков. Дата публикации: 2020-07-27.

Programmable logic module and architecture for field programmable gate array device

Номер патента: US5451887A. Автор: Sinan Kaptanoglu,William C. Plants,King W. Chan,Jung-Cheun Lien,Khaled A. El-Avat. Владелец: Actel Corp. Дата публикации: 1995-09-19.

Configurable Gate Array Based on Three-Dimensional Printed Memory

Номер патента: US20170257100A1. Автор: Guobiao Zhang. Владелец: Hangzhou Haicun Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-07.

Customer load of field programmable gate arrays

Номер патента: US20160321662A1. Автор: Mark A. Check,Vincenzo Condorelli,Todd W. Arnold. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-03.

DC-DC converter with selectable working mode

Номер патента: US12027976B2. Автор: Hua FAN,Kai Xu,Yilin Liu,Guosong WANG,Quanyuan FENG,Huaying Su,Huichao YUE. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2024-07-02.

Device of a computer system for panoramic television surveillance with selective image scaling

Номер патента: RU2756234C1. Автор: Вячеслав Михайлович Смелков. Владелец: Вячеслав Михайлович Смелков. Дата публикации: 2021-09-28.

Customer load of field programmable gate arrays

Номер патента: US20180101689A1. Автор: Mark A. Check,Vincenzo Condorelli,Todd W. Arnold. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-12.

Interconnect circuitry for implementing logic functions in a field programmable gate array and method of operation

Номер патента: US20020101259A1. Автор: Vidyabhusan Gupta. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2002-08-01.

Signature verification of field-programmable gate array programs

Номер патента: EP3568789A1. Автор: Hadden Mark Hoppert,Christopher L. Huybregts. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2019-11-20.

Signature verification of field-programmable gate array programs

Номер патента: WO2018132266A1. Автор: Hadden Mark Hoppert,Christopher L. Huybregts. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2018-07-19.

Signature verification of field-programmable gate array programs

Номер патента: EP3800566A1. Автор: Hadden Mark Hoppert,Christopher L. Huybregts. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2021-04-07.

Interconnecting reconfigurable regions in an field programmable gate array

Номер патента: EP4385133A2. Автор: Ahsan Javed AWAN,Fidan ALIYEVA. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2024-06-19.

Non-volatile field programmable gate array

Номер патента: US20120025869A1. Автор: Chih-Wei Hung,Chia-Ta Hsieh,Luan C. Tran. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-02-02.

Field-programmable gate array precision input timing

Номер патента: EP3846346A1. Автор: Anthony SYZMANSKI. Владелец: ROCKWELL COLLINS INC. Дата публикации: 2021-07-07.

Improved process of programming field programmable gate arrays using partial reconfiguration

Номер патента: US20210255879A1. Автор: Daniel Anthony Shaddock,Danielle Marie Rawles WUCHENICH,Benjamin Paul Coughlan,Timothy Tien-Yue LAM,Max Andrew Gordon Schwenke,Paul Anthony Altin. Владелец: Liquid Instruments Pty Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

Method for programming a field programmable gate array and network configuration

Номер патента: US11171653B2. Автор: Marcelo Samsoniuk,Paolo Henrique BERNARDI,Diogo Wachtel GRANADO. Владелец: Unify Patente GmbH and Co KG. Дата публикации: 2021-11-09.

Interconnecting reconfigurable regions in an field programmable gate array

Номер патента: WO2023016910A3. Автор: Ahsan Javed AWAN,Fidan ALIYEVA. Владелец: Telefonaktiebolaget lM Ericsson (publ). Дата публикации: 2023-03-16.

Field programmable gate array utilizing two-terminal non-volatile memory

Номер патента: EP2737628A2. Автор: Sang Thanh Nguyen,Tanmay Kumar,Hagop Nazarian. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2014-06-04.

Method of forming floating gate array of flash memory device

Номер патента: US20070141785A1. Автор: Jong Choi. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-21.

Programmable gate array apparatus and method for switching circuits

Номер патента: US7301369B2. Автор: Shinichi Kanno,Toshikatsu Hida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-11-27.

Programmable gate array apparatus and method for switching circuits

Номер патента: US20070115150A1. Автор: Shinichi Kanno,Toshikatsu Hida. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-24.

Field programmable gate array with internal phase-locked loop

Номер патента: US12107587B1. Автор: Nima Badizadegan. Владелец: HFT Solutions LLC. Дата публикации: 2024-10-01.

Field programmable gate array with external phase-locked loop

Номер патента: US12113539B1. Автор: Nima Badizadegan. Владелец: HFT Solutions LLC. Дата публикации: 2024-10-08.

Interconnecting reconfigurable regions in a field programmable gate array

Номер патента: US20240354271A1. Автор: Ahsan Javed AWAN,Fidan ALIYEVA. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2024-10-24.

Field programmable gate array with integrated application specific integrated circuit fabric

Номер патента: US09705506B2. Автор: Michael D. Hutton,II James G. Schleicher,Daniel R. Mansur. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Solving constraint satisfaction problems using a field programmable gate array

Номер патента: US09337845B2. Автор: Yehuda Naveh,Oded Margalit,Ilia Averbouch,Amir Nahir,Gil Shurek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-10.

Heterogeneous segmented and direct routing architecture for field programmable gate array

Номер патента: US20140097869A1. Автор: Tony Kai-Kit Ngai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-04-10.

Generating analog output from a field programmable gate array by combining scaled digital outputs

Номер патента: CA3088847A1. Автор: Brian A. Gunn. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2019-10-10.

Heterogeneous segmented and direct routing architecture for field programmable gate array

Номер патента: US9825633B2. Автор: Tony Kai-Kit Ngai. Владелец: Efinix Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Computing system device for panoramic video surveillance with selective image scaling

Номер патента: RU2743571C1. Автор: Вячеслав Михайлович Смелков. Владелец: Вячеслав Михайлович Смелков. Дата публикации: 2021-02-20.

Three Dimensional Microstructures With Selectively Removed Regions For Use In Gyroscopes And Other Devices

Номер патента: US20240019249A1. Автор: Khalil Najafi,Jae Yoong Cho,Sajal SINGH. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2024-01-18.

Switch mode power converter with selectable power paths

Номер патента: US20230299685A1. Автор: Rahul Prabhakar Joshi,Shruti ANAND. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Circuit board structure with selectively corresponding ground layers

Номер патента: US09913369B2. Автор: Chih-Heng Chuo,Gwun-Jin Lin,Kuo-Fu Su. Владелец: Advanced Flexible Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Systems and methods for multiple device interaction with selectably presentable media streams

Номер патента: US09832516B2. Автор: Jonathan Bloch,Barak Feldman,Tal Zubalsky,Yuval Hofshy. Владелец: JBF Interlude 2009 LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Secure fibre-optic transmission system with selection and localisation of emergency situations

Номер патента: RU2586074C1. Автор: Владимир Владимирович Шубин,Кирилл Иванович Балашов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Российский Федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики" - ФГУП "РФЯЦ-ВНИИЭФ". Дата публикации: 2016-06-10.

Floor planning for programmable gate array having embedded fixed logic circuitry

Номер патента: CA2476175C. Автор: Ahmad R. Ansari,Stephen M. Douglass. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2009-05-26.

Successive interference cancellation receiver processing with selection diversity

Номер патента: CA2539966C. Автор: Tamer Kadous,Anand D. Subramaniam. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2010-09-14.

Low current driver for gate array

Номер патента: US5029283A. Автор: Daniel L. Ellsworth,Maurice M. Moll. Владелец: NCR Corp. Дата публикации: 1991-07-02.

Method and structure for providing fast conditional sum in a field programmable gate array

Номер патента: US5898319A. Автор: Bernard J. New. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 1999-04-27.

Three-statable net driver for antifuse field programmable gate array

Номер патента: US6028444A. Автор: Paige A. Kolze,Richard J. Wong. Владелец: QuickLogic Corp. Дата публикации: 2000-02-22.

Field programmable gate array for synchronous and asynchronous operation

Номер патента: US5367209A. Автор: Steven M. Burns,Gaetano Borriello,Scott A. Hauck,William H. C. Ebeling. Владелец: UNIVERSITY OF WASHINGTON. Дата публикации: 1994-11-22.

Multi-buffered configurable logic block output lines in a field programmable gate array

Номер патента: US5815004A. Автор: Stephen M. Trimberger,Khue Duong. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 1998-09-29.

Dedicated input/output first in/first out module for a field programmable gate array

Номер патента: US20060087341A1. Автор: William Plants,Arunangshu Kundu. Владелец: Actel Corp. Дата публикации: 2006-04-27.

Logic module core cell for gate arrays

Номер патента: US5491431A. Автор: Mitra Nasserbakht. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1996-02-13.

Clock pulse generator with selective pulse delay and pulse width control

Номер патента: CA1100195A. Автор: Leland D. Howe, Jr.,Albert E. Paniccia,Vincent A. Scotto. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1981-04-28.

Driver circuit for a three-state gate array using low drivingcurrent

Номер патента: AU4632385A. Автор: Hsienchin W Wang. Владелец: Tandem Computers Inc. Дата публикации: 1986-02-25.

System for enhanced drive in programmable gate arrays

Номер патента: US5694057A. Автор: Scott Whitney Gould. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1997-12-02.

An improved ram-logic tile for field programmable gate arrays

Номер патента: WO1996013099A1. Автор: Michael G. Ahrens. Владелец: Crosspoint Solutions, Inc.. Дата публикации: 1996-05-02.

5-ps-resolution waveform-capture-device on a field-programmable gate-array with dynamic phase-shifting

Номер патента: US20220342023A1. Автор: Daniel Gauthier,Andrew Pomerance,Noeloikeau CHARLOT. Владелец: Potomac Research Llc. Дата публикации: 2022-10-27.

Apparatus and methods for time-multiplex field-programmable gate arrays

Номер патента: US8543955B1. Автор: Sinan Kaptanoglu,David W. Mendel. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2013-09-24.

Methods and apparatus for providing a high-speed universal serial bus (USB) interface for a field-programmable gate array (FPGA)

Номер патента: US11843376B2. Автор: Grant Thomas Jennings. Владелец: Gowin Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-12-12.

Color correction method, field programmable gate array, chip and display device

Номер патента: US20240046901A1. Автор: Tianmin RAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Systems and methods for asynchronous programmable gate array devices

Номер патента: US11886622B2. Автор: John M. Emmert. Владелец: University of Cincinnati. Дата публикации: 2024-01-30.

Concurrent i/o enclosure firmware/field-programmable gate array (fpga) update in a multi-node environment

Номер патента: US20190012165A1. Автор: Gary W. Batchelor,Enrique Q. Garcia,Brian A. Rinaldi,Todd C. Sorenson,Trung N. NGUYEN,Robin Han,Ronald D. MARTENS,Jay T. Kirch,Veronica S. Davila. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-01-10.

Method for remotely updating firmware of field programmable gate array

Номер патента: US20200133654A1. Автор: Peng XIE,Lung-Chiao Chang,Yun-Shan LEI,Cheng-Yu Chuang. Владелец: Mitac Computing Technology Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Field-programmable gate array with updatable security schemes

Номер патента: US20210159902A1. Автор: Adam Duncan,Andrew LUKEFAHR. Владелец: Indiana University. Дата публикации: 2021-05-27.

Methods and apparatus for providing a serializer and deserializer (serdes) block facilitating high-speed data transmissions for a field-programmable gate array (FPGA)

Номер патента: US11874792B2. Автор: Grant Thomas Jennings. Владелец: Gowin Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-01-16.

System and method for address-mapped control of field programmable gate array (fpga) via ethernet

Номер патента: WO2018111362A1. Автор: Brandon H. DAUGHERTY,Jason B. EMERY,Brian D. Sirois,Bradley D. STAAL,Paul J. Lewis,Michael S. Mitchener. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2018-06-21.

Trusted field programmable gate array

Номер патента: EP4315141A1. Автор: Takashi Ando,Arvind Kumar,Dirk Pfeiffer,Jean-Oliver Plouchart. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-07.

Systems and methods for hardware acceleration of data masking using a field programmable gate array

Номер патента: US11934327B2. Автор: Eric S. Chung,Jinwen Xi,Ming Gang Liu. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-03-19.

Improved process of programming field programmable gate arrays using partial reconfiguration

Номер патента: CA3114313C. Автор: Daniel Anthony Shaddock,Danielle Marie Rawles WUCHENICH,Benjamin Paul Coughlan,Timothy Tien-Yue LAM,Max Andrew Gordon Schwenke,Paul Anthony Altin. Владелец: Liquid Instruments Pty Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Field-programmable gate array (FPGA) clusters and methods of using an FPGA cluster for homomorphic encryption acceleration

Номер патента: US11764944B2. Автор: Yin TAN,Zhiwei Shang,Haohao LIAO. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Systems and methods for asynchronous programmable gate array devices

Номер патента: WO2020242844A1. Автор: John M. Emmert. Владелец: University of Cincinnati. Дата публикации: 2020-12-03.

5-PS-resolution waveform-capture-device on a field-programmable gate-array with dynamic phase-shifting

Номер патента: US11994571B2. Автор: Daniel Gauthier,Andrew Pomerance,Noeloikeau CHARLOT. Владелец: Potomac Research Llc. Дата публикации: 2024-05-28.

Field-programmable gate array (fpga) clusters and methods of using an fpga cluster for homomorphic encryption acceleration

Номер патента: WO2023125334A1. Автор: Yin TAN,Zhiwei Shang,Haohao LIAO. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-07-06.

Color correction method, field programmable gate array, chip and display device

Номер патента: GB2611234A. Автор: RAO Tianmin. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-29.

Methods and apparatus for providing a high-speed universal serial bus (usb) interface for a field-programmable gate array (fpga)

Номер патента: US20240178843A1. Автор: Grant Thomas Jennings. Владелец: Gowin Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

System and method for address-mapped control of field programmable gate array (FPGA) via Ethernet

Номер патента: AU2017377898B2. Автор: Brandon H. DAUGHERTY,Jason B. EMERY,Brian D. Sirois,Bradley D. STAAL,Paul J. Lewis,Michael S. Mitchener. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2021-04-01.

Systems and methods for asynchronous programmable gate array devices

Номер патента: EP3977325A1. Автор: John M. Emmert. Владелец: University of Cincinnati. Дата публикации: 2022-04-06.

Solving constraint satisfaction problems using a field programmable gate array

Номер патента: US20150365092A1. Автор: Yehuda Naveh,Oded Margalit,Ilia Averbouch,Amir Nahir,Gil Shurek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-12-17.

Integrated photonic device comprising a field-programmable photonic gate array, a quantum device and programmable circuits

Номер патента: US20230029063A1. Автор: Daniel Perez Lopez,José Capmany Francoy. Владелец: UNIVERSIDAD POLITECNICA DE VALENCIA. Дата публикации: 2023-01-26.

Quantum field programmable photonic gate array integrated photonic and quantum device, and programmable circuits

Номер патента: CA3164744A1. Автор: Daniel Perez Lopez,José Capmany Francoy. Владелец: UNIVERSIDAD POLITECNICA DE VALENCIA. Дата публикации: 2021-06-24.

System and Method for Field Programmable Gate Array-Assisted Binary Translation

Номер патента: US20190272174A1. Автор: Mukund P. Khatri,Ramesh Radhakrishnan. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2019-09-05.

Concurrent i/o enclosure firmware/field-programmable gate array (fpga) update in a multi-node environment

Номер патента: US20200081702A1. Автор: Gary W. Batchelor,Enrique Q. Garcia,Brian A. Rinaldi,Todd C. Sorenson,Trung N. NGUYEN,Robin Han,Ronald D. MARTENS,Jay T. Kirch,Veronica S. Davila. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Bildverarbeitungssystem, verfahren zur rekonfigurierung einer field programmable gate array, informationsverarbeitungsvorrichtung, informationsverarbeitungsverfahren und informationsverarbeitungsprogramm, nicht-transitorisches computerlesbares medium

Номер патента: DE102017130288A1. Автор: Kosuke Watanabe,Toshinori Tamai. Владелец: Omron Tateisi Electronics Co. Дата публикации: 2018-09-13.

Field programmable gate array memory allocation

Номер патента: WO2016149905A1. Автор: Shuai Wang,Xiaofeng Yu,Junqing Xie,Qunyang LIN,Xunteng XU. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2016-09-29.

Memory system including field programmable gate array (fpga) and method of operating same

Номер патента: US20200183785A1. Автор: Hong-rak Son,Dong-Min Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-11.

Device for implementing gated array blockchain protection codes for iot devices

Номер патента: US20220417045A1. Автор: John M. Medellin. Владелец: Medellin Applied Research Concepts LLC. Дата публикации: 2022-12-29.

Methods and apparatus for providing a serializer and deserializer (serdes) block facilitating high-speed data transmissions for a field-programmable gate array (fpga)

Номер патента: US20240152484A1. Автор: Grant Thomas Jennings. Владелец: Gowin Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

System-on-module comprising a field programmable gate array component and a connector for connecting the system-on-module to a carrier board, as well as a carrier board comprising a system-on-module.

Номер патента: WO2015126253A1. Автор: Dirk Otto VAN DEN HEUVEL,René Paul Peter ZENDEN. Владелец: Topic Embedded Systems B.V.. Дата публикации: 2015-08-27.

Server switch system including field-programmable gate array unit for processing data and operation method thereof

Номер патента: US20200386812A1. Автор: Chih-Jen Chin,Lien-Feng Chen,Chung-Chih Li. Владелец: Inventec Pudong Technology Corp. Дата публикации: 2020-12-10.

Field Programmable Gate Array system

Номер патента: US11990904B1. Автор: Kyeongryeol Bong,Juyeong Yoon. Владелец: Rebellions Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Improved process of programming field programmable gate arrays using partial reconfiguration

Номер патента: AU2019327360A1. Автор: Daniel Anthony Shaddock,Danielle Marie Rawles WUCHENICH,Benjamin Paul Coughlan,Timothy Tien-Yue LAM,Max Andrew Gordon Schwenke,Paul Anthony Altin. Владелец: Liquid Instruments Pty Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Improved process of programming field programmable gate arrays using partial reconfiguration

Номер патента: GB2599051A. Автор: Anthony Shaddock Daniel,Marie Rawles Wuchenich Danielle,Paul Coughlan Benjamin,Tien-Yue Lam Timothy,Andrew Gordon Schwenke Max,Anthony Altin Paul. Владелец: Liquid Instruments Pty Ltd. Дата публикации: 2022-03-23.

Improved process of programming field programmable gate arrays using partial reconfiguration

Номер патента: EP3844662A1. Автор: Daniel Anthony Shaddock,Danielle Marie Rawles WUCHENICH,Benjamin Paul Coughlan,Timothy Tien-Yue LAM,Max Andrew Gordon Schwenke,Paul Anthony Altin. Владелец: Liquid Instruments Pty Ltd. Дата публикации: 2021-07-07.

Improved process of programming field programmable gate arrays using partial reconfiguration

Номер патента: WO2020046645A1. Автор: Daniel Anthony Shaddock,Danielle Marie Rawles WUCHENICH,Benjamin Paul Coughlan,Timothy Tien-Yue LAM,Max Andrew Gordon Schwenke,Paul Anthony Altin. Владелец: Liquid Instruments Pty. Ltd.. Дата публикации: 2020-03-05.

Improved process of programming field programmable gate arrays using partial reconfiguration

Номер патента: CA3114313A1. Автор: Daniel Anthony Shaddock,Danielle Marie Rawles WUCHENICH,Benjamin Paul Coughlan,Timothy Tien-Yue LAM,Max Andrew Gordon Schwenke,Paul Anthony Altin. Владелец: Liquid Instruments Pty Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Logic process-based level conversion circuit of flash field programmable gate array (FPGA)

Номер патента: US12015404B2. Автор: Guangming Li,Jing Sun,Yueer SHAN,Zhenkai JI,Chunyan He,Zhengzhou CAO. Владелец: Wuxi Esiontech Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Field programmable gate array (fpga) and fast multi-protocol label switching (mpls) operation administration and maintenance (oam) protection switching method

Номер патента: WO2012065301A1. Автор: Tony Gao. Владелец: TELEFONAKTIEBOLAGET L M ERICSSON (PUBL). Дата публикации: 2012-05-24.

Television system with selective image scaling (embodiments)

Номер патента: RU2736361C1. Автор: Вячеслав Михайлович Смелков. Владелец: Вячеслав Михайлович Смелков. Дата публикации: 2020-11-16.

Device to control overhead transmission line and to distribute electric energy with selective switching of communication circuit of directional antennas with low losses

Номер патента: RU2545343C1. Автор: Кван Хэе НАМ,Ул Лок БЭ. Владелец: Кхватек Ко., Лтд.. Дата публикации: 2015-03-27.

Protective relay with selective phase selection for double lines

Номер патента: CA1312941C. Автор: Sten Bergman,Stefan Ljung. Владелец: Asea Brown Boveri AB. Дата публикации: 1993-01-19.

Recording/reproducing apparatus with selective attenuation of reproduced signals to facilitate comprehension of external speech signals

Номер патента: CA1140476A. Автор: Tetsuji Nakazawa,Toshio Asai. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1983-02-01.

Protective relay with selective phase selection for double lines

Номер патента: US4864453A. Автор: Sten Bergman,Stefan Ljung. Владелец: Asea Brown Boveri AB. Дата публикации: 1989-09-05.

Time synchronization apparatus and method using programmable gate array

Номер патента: KR20210048814A. Автор: 이제희,안의상. Владелец: (주)에이텍티앤. Дата публикации: 2021-05-04.

Superconducting magnetic field programmable gate array

Номер патента: US20190296743A1. Автор: Oleg Mukhanov,Massoud Pedram,Naveen Katam. Владелец: University of Southern California USC. Дата публикации: 2019-09-26.

Integrated photonic device comprising a field-programmable photonic gate array, a quantum device and programmable circuits

Номер патента: EP4080767A1. Автор: Daniel Perez Lopez,José Capmany Francoy. Владелец: UNIVERSIDAD POLITECNICA DE VALENCIA. Дата публикации: 2022-10-26.

Image processing system, method of reconfiguring field programmable gate array, information processing device, information processing method, and non-transitory computer-readable medium

Номер патента: US10440264B2. Автор: Kosuke Watanabe,Toshinori Tamai. Владелец: Omron Corp. Дата публикации: 2019-10-08.

Trusted field programmable gate array

Номер патента: WO2022207328A1. Автор: Takashi Ando,Arvind Kumar,Dirk Pfeiffer,Jean-Oliver Plouchart. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2022-10-06.

Concurrent I/O enclosure firmware/field-programmable gate array (FPGA) update in a multi-node environment

Номер патента: US10540170B2. Автор: Gary W. Batchelor,Enrique Q. Garcia,Brian A. Rinaldi,Todd C. Sorenson,Trung N. NGUYEN,Robin Han,Ronald D. MARTENS,Jay T. Kirch,Veronica S. Davila. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-21.

System and method for address-mapped control of field programmable gate array (fpga) via ethernet

Номер патента: EP3556067A1. Автор: Brandon H. DAUGHERTY,Jason B. EMERY,Brian D. Sirois,Bradley D. STAAL,Paul J. Lewis,Michael S. Mitchener. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2019-10-23.

Field-programmable gate array (fpga) clusters and methods of using an fpga cluster for homomorphic encryption acceleration

Номер патента: US20230216655A1. Автор: Yin TAN,Zhiwei Shang,Haohao LIAO. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-06.

Improved process of programming field programmable gate arrays using partial reconfiguration

Номер патента: GB2590859A8. Автор: Anthony Shaddock Daniel,Marie Rawles Wuchenich Danielle,Paul Coughlan Benjamin,Tien-Yue Lam Timothy,Andrew Gordon Schwenke Max,Anthony Altin Paul. Владелец: Liquid Instruments Pty Ltd. Дата публикации: 2021-07-21.

Method for processing automatic identification system (AIS) baseband signal based on field-programmable gate array (FPGA)

Номер патента: US12009953B1. Автор: Shanshan Wang,Shengli Liu,Zhongli YI,Fuzhai WANG,Weichang Wang,Xinrui Zheng,Xuege Yang. Владелец: Transport Planning And Research Institute Ministry Of Transport. Дата публикации: 2024-06-11.

Control circuit of power supply with selectable current-limiting modes

Номер патента: US20060125419A1. Автор: Tsung-Chun Chen,Chih-Fu Fan. Владелец: Zippy Technology Corp. Дата публикации: 2006-06-15.

Video coding with selectable neural-network-based coding tools

Номер патента: EP4409911A1. Автор: YUE YU,Kazushi Sato. Владелец: GUANGDONG OPPO MOBILE TELECOMMUNICATIONS CORP LTD. Дата публикации: 2024-08-07.

Radio transmitter and receiver devices processing signal waveforms with selected pulse shaping scheme

Номер патента: EP3507955A1. Автор: ZHAO Zhao,Ali Ramadan ALI,Hanwen Cao. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-10.

Supporting multiple protocols with selective amplification

Номер патента: EP4133602A1. Автор: Der-Woei Wu. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2023-02-15.

Monitoring adaptive streaming content with selectable alert sensitivity modes and playlist alerting functionality

Номер патента: US12028584B1. Автор: Kourosh Soroushian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-02.

Power amplifier having biasing with selectable bandwidth

Номер патента: US09774307B2. Автор: Philip H. Thompson,Matthew Lee BANOWETZ,Michael Lynn Gerard,Ramanan Bairavasubramanian. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Headphone with selectable ambient sound admission

Номер патента: US09674596B2. Автор: Nicholas K. Lincoln,Hamish C. Hunt,James K. Hook,Simon A. Briggs. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Multimode power amplifier bias circuit with selectable bandwidth

Номер патента: US09413313B2. Автор: Philip H. Thompson,Matthew Lee BANOWETZ,Michael Lynn Gerard,Ramanan Bairavasubramanian. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Circuit board structure with selectively corresponding ground layers

Номер патента: US20170325331A1. Автор: Chih-Heng Chuo,Gwun-Jin Lin,Kuo-Fu Su. Владелец: Advanced Flexible Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-09.

Reply interface with selectable stickers for messaging system

Номер патента: US11895070B2. Автор: David Whyte,Christie Marie Heikkinen,Ranidu Lankage,David Phillip TAITZ,Jeremy Baker Voss. Владелец: Snap Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Reply interface with selectable stickers for messaging system

Номер патента: US20210385179A1. Автор: David Whyte,Christie Marie Heikkinen,Ranidu Lankage,David Phillip TAITZ,Jeremy Baker Voss. Владелец: Snap Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Reply interface with selectable stickers for messaging system

Номер патента: US20240154923A1. Автор: David Whyte,Christie Marie Heikkinen,Ranidu Lankage,David Phillip TAITZ,Jeremy Baker Voss. Владелец: Snap Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Video motion compensation device and method with selectable interpolation filter

Номер патента: RU2696311C1. Автор: Сергей Юрьевич ИКОНИН,Максим Борисович СЫЧЕВ,Виктор Алексеевич Степин,Роман Игоревич ЧЕРНЯК. Владелец: Хуавэй Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2019-08-01.

Method and system for encoding left and right channels of a stereo audio signal with selection between two and four subframe models depending on the bit budget

Номер патента: RU2730548C2. Автор: Милан ЕЛИНЕК,Томми ВАЙАНКУР. Владелец: Войсэйдж Корпорейшн. Дата публикации: 2020-08-24.

Shared workspaces with selective content item synchronization

Номер патента: EP3278539A1. Автор: Nils Bunger,Sam Jau,Marcio von Muhlen,Anthony Devincenzi,Colin Dunn,Adam Polselli,Nathan Borror,Milton UNDERWOOD, IV. Владелец: Dropbox Inc. Дата публикации: 2018-02-07.

Shared workspaces with selective content item synchronization

Номер патента: WO2016160995A1. Автор: Nils Bunger,Sam Jau,Marcio von Muhlen,Anthony Devincenzi,Colin Dunn,Adam Polselli,Nathan Borror,Milton UNDERWOOD, IV. Владелец: DROPBOX, INC.. Дата публикации: 2016-10-06.

System and method for real-time multi-resolution video stream tile encoding with selective tile delivery by aggregator-server to the client based on user position and depth requirement

Номер патента: CA3228680A1. Автор: Ahmad VAKILI (safa),Alido DI GIOVANI,Geoffrey George WRIGHT. Владелец: SUMMIT-TECH MULTIMEDIA COMMUNICATIONS Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Radio transmitter and receiver devices processing signal waveforms with selected pulse shaping scheme

Номер патента: US20190222453A1. Автор: ZHAO Zhao,Ali Ramadan ALI,Hanwen Cao. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-18.

Method of determination of transient thermal resistance of crystal-housing and thermal resistance of crystal-housing in the state of heat equilibrium of transistors with field control

Номер патента: RU2685769C1. Автор: Николай Николаевич Беспалов,Владислав Геннадьевич Мясин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарёва". Дата публикации: 2019-04-23.

Disordered parallel maximum flow/minimum cut method implemented by energy-efficient field-programmable gate array (fpga)

Номер патента: US20240273273A1. Автор: HUI Wang,Yajun Ha,Xinzhe Liu,Guangyao YAN. Владелец: ShanghaiTech University. Дата публикации: 2024-08-15.

Production selective landing tool

Номер патента: WO2023250050A1. Автор: LI Xue,Mikhail Gotlib,Kjell Revheim,Yi Ming Zhao,Thales DE OLIVEIRA. Владелец: Schlumberger Technology B.V.. Дата публикации: 2023-12-28.

System and method for independent, direct and parallel communication among multiple field programmable gate arrays

Номер патента: US09727510B2. Автор: Gregory M. Edvenson,Corey B. Olson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Method for troubleshooting the program logic of a system of distributed progammable gate arrays

Номер патента: US20200364392A1. Автор: Marc Schlenger,Heiko KALTE,Dominik LUBELEY. Владелец: dSPACE digital signal processing and control engineering GmbH. Дата публикации: 2020-11-19.

Parsing json on field programmable gate arrays

Номер патента: US20230401194A1. Автор: Daniel Ritter,Jonas Dann,Royden Wagner. Владелец: SAP SE. Дата публикации: 2023-12-14.

Improved user interface for displaying selected elements on screen for control of functional resources of software, which comply with selected object

Номер патента: RU2396590C2. Автор: Джесси Клэй САТТЕРФИЛД,Аарон М. БАТЧЕР,Дэвид А. МОРТОН,Дженсен М. ХАРРИС. Владелец: МАЙКРОСОФТ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2010-08-10.

Dual-gate array substrate and display device

Номер патента: US20200050065A1. Автор: Weiyun HUANG,Tingliang Liu,Pengcheng ZANG,Xiaojing QI. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

Reconfigurable gate array cells for automatic engineering change order

Номер патента: WO1998027499A1. Автор: Kuochun Lee,Tsung-Chen Chen,Fong-Jim Wang. Владелец: Cirrus Logic, Inc.. Дата публикации: 1998-06-25.

Circular stapler with selectable motorised and manual control, including control ring

Номер патента: RU2653993C2. Автор: Джеффри С. СВЭЙЗИ,Грегори В. ДЖОНСОН,IV Фредерик Э. ШЕЛТОН,III Честер О. БАКСТЕР. Владелец: Этикон Эндо-Серджери, Инк.. Дата публикации: 2018-05-15.

Fault tolerant gate array using duplication only

Номер патента: US5369654A. Автор: Hugh L. Millis, Jr.. Владелец: Rockwell International Corp. Дата публикации: 1994-11-29.

A method for protecting a programmable gate array design

Номер патента: WO2014182154A1. Автор: Ahmad Hafez BIN NAWI,Smruti Santosh PALAI,Devi PRASAD. Владелец: MIMOS BERHAD. Дата публикации: 2014-11-13.

Field programmable gate array (fpga) emulator for debugging software

Номер патента: WO1999059063A1. Автор: Philip C. Barnett. Владелец: ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.. Дата публикации: 1999-11-18.

Field programmable gate array (fpga) emulator for debugging software

Номер патента: EP1029275A1. Автор: Philip C. Barnett. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2000-08-23.

Field programmable gate array (fpga) emulator for debugging software

Номер патента: EP1029275A4. Автор: Philip C Barnett. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2004-07-21.

Methods and apparatus to facilitate field-programmable gate array support during runtime execution of computer readable instructions

Номер патента: US20190095229A1. Автор: Han Lee,Yipeng Wang,Simonjit Dutta,Xiangyang Guo. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-03-28.

Backlight control method, backlight control device and display apparatus employing a system on chip and a field-programmable gate array

Номер патента: US09837026B2. Автор: Bendeng Lv. Владелец: Beijing BOE Vision Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of prevention of complications with selection of orthokeratologic contact lenses

Номер патента: RU2677370C2. Автор: Виктор Петрович Фокин,Сергей Викторович Балалин,Ирина Александровна Мелихова,Евгения Анатольевна Ежова. Владелец: Федеральное государственное автономное учреждение "Межотраслевой научно-технический комплекс "Микрохирургия глаза" имени академика С.Н. Федорова" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2019-01-16.

Design method for gate array integrated circuit

Номер патента: US20030212977A1. Автор: Satoru Kumagai. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-11-13.

Optical coupling device providing optical coupling of individual gates of an optical gate array to corresponding optical fiber

Номер патента: GB2441155A. Автор: Goji Nakagawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-02-27.

System and Method for Independent, Direct and Parallel Communication Among Multiple Field Programmable Gate Arrays

Номер патента: US20150169489A1. Автор: Gregory M. Edvenson,Corey B. Olson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-06-18.

System and method for independent, direct and parallel communication among multiple field programmable gate arrays

Номер патента: US10983939B2. Автор: Gregory M. Edvenson,Corey B. Olson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-20.

System and Method for Independent, Direct and Parallel Communication Among Multiple Field Programmable Gate Arrays

Номер патента: US20170357605A1. Автор: Gregory M. Edvenson,Corey B. Olson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-14.

Perfusion balloon with selectively actuated valve

Номер патента: RU2717379C2. Автор: ГАРСИА Эдгар САНЧЕЗ. Владелец: С. Р. Бард, Инк.. Дата публикации: 2020-03-23.

Method of development of ore deposits with selective explosive preparation and extraction

Номер патента: RU2683288C1. Автор: Игорь Юрьевич Рассказов,Антон Юрьевич Чебан,Геннадий Валентинович Секисов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт горного дела Дальневосточного отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2019-03-27.

Photopolymerised composition for single-stage obtaining of polymer nanoporous material with hydrophobic pore surface, nanoporous polymer material with selective sorbing properties, method of obtaining thereof, method of single-stage formation based thereon of water-separating filtering elements and method of purifying organic liquids from water

Номер патента: RU2525908C1. Автор: Татьяна Ивановна Куликова,Алексей Николаевич Конев,Сергей Николаевич Менсов,Сергей Артурович Чесноков,Глеб Арсентьевич Абакумов,Роман Сергеевич Ковылин,Максим Александрович Батенькин,Юрий Владимирович Чечет. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлорганической химии им. Г.А. Разуваева Российской академии наук (ИМХ РАН). Дата публикации: 2014-08-20.

Cover for distributor with selectable tanks

Номер патента: RU2491219C1. Автор: Лестер ГРИР,Брайан Гленн УОРТИНГТОН. Владелец: КОЛГЕЙТ-ПАЛМОЛИВ КОМПАНИ. Дата публикации: 2013-08-27.

Memory resource arbitrator for multiple gate arrays

Номер патента: US20020010825A1. Автор: Alex Wilson. Владелец: Celoxica Ltd. Дата публикации: 2002-01-24.

System and Method for Independent, Direct and Parallel Communication Among Multiple Field Programmable Gate Arrays

Номер патента: US20210209045A1. Автор: Gregory M. Edvenson,Corey B. Olson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-08.

Containers with selective dissolved gas content

Номер патента: AU2022283459A1. Автор: Freddy Desbrosses,Zouaoui BOUREZG,Pierpaolo Padula,Caroline Roselyne Dupont,Marin Anh-Thuan Demulier. Владелец: Baxter International Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Non-enzymatic sensor element with selectivity and non-enzymatic sensor

Номер патента: US20230273184A1. Автор: Shih-Hao Lin,Hsiang-Yu Wang. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2023-08-31.

Containers with selective dissolved gas content

Номер патента: US20240245581A1. Автор: Freddy Desbrosses,Zouaoui BOUREZG,Pierpaolo Padula,Caroline Roselyne Dupont,Marin Anh-Thuan Demulier. Владелец: Baxter R&D Europe SPRL. Дата публикации: 2024-07-25.

Column with separating internal elements for separation of mixture of hydrocarbons and/or derivatives of hydrocarbons by way of extraction distillation with selective solvent

Номер патента: RU2694032C2. Автор: Петер РЕНЦЕ,Бернд ХАЙДА,Юлиа ХОФИНГЕР. Владелец: БАСФ СЕ. Дата публикации: 2019-07-08.

Storage system and method for implementing an encoder, decoder, and/or buffer using a field programmable gate array

Номер патента: US11269645B2. Автор: Ariel Navon,Ran ZAMIR,Shay Benisty. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-08.

Operating and diagnostic method of neutralisation system of waste gases with selective catalytic reduction

Номер патента: RU2439343C2. Автор: Уве Хофманн,Михаэль-Райнер БУШ,Дирк ХЕРБСТРИТТ. Владелец: Даймлер Аг. Дата публикации: 2012-01-10.

Surface covering with selectively formed embossment and method for manufacturing the same

Номер патента: RU2310704C2. Автор: Жан-Ив СИМОН,Дунг ДАО-ВИТ. Владелец: Таркетт Сас. Дата публикации: 2007-11-20.

Induction coil with selection of leads

Номер патента: RU2395104C2. Автор: Скотт С. ЧЕССЕР,Ричард Д. УОРД,Булент ФИНЧИ,Андрей И. ДАВЫДЫЧЕВ,Вилльям Б. ВАНДЕРМЕЕР,Джон Ф. ХАНКА,Скотт С. ЧЕССЕР (US),Ричард Д. УОРД (US),Булент ФИНЧИ (US),Андрей И. ДАВЫДЫЧЕВ (US),Вилльям Б. ВАНДЕРМЕЕР (US),Джон Ф. ХАНКА (US). Владелец: Шлюмбергер Текнолоджи Бв. Дата публикации: 2010-07-20.

Light gate array having gates of different areas

Номер патента: US4850675A. Автор: Masaaki Takimoto,Isamu Hatanaka. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 1989-07-25.

15β-SUBSTITUTED STEROIDS WITH SELECTIVE OESTROGENIC ACTIVITY

Номер патента: RU2386637C2. Автор: Хуберт Ян Йозеф ЛОЗЕН,Антониус Герардус Хендрикус ЭДЕРВЕН,Фредерикус Антониус ДЕЙКС. Владелец: Н.В. Органон. Дата публикации: 2010-04-20.

Fraction of dna-hydrolyse secretory immunoglobulins of class a, with selective apoptotic activity in relation to human cancer cells

Номер патента: RU2605321C1. Автор: Георгий Александрович Невинский,Валентина Николаевна Бунева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химической биологии и фундаментальной медицины Сибирского отделения Российской академии наук (ИХБФМ СО РАН). Дата публикации: 2016-12-20.

Garment with selective enlargement and compression

Номер патента: US20240188654A1. Автор: Brett Lindsay Murphy. Владелец: Bittyrina LLC. Дата публикации: 2024-06-13.

Energy-efficient point cloud feature extraction method based on field-programmable gate array (fpga) and application thereof

Номер патента: US20240127466A1. Автор: HAO SUN,Yajun Ha. Владелец: ShanghaiTech University. Дата публикации: 2024-04-18.

System, Method, and Computer Program Product for Encrypting Sensitive Data Using a Field Programmable Gate Array

Номер патента: US20210224427A1. Автор: Shengfei Gu. Владелец: VISA INTERNATIONAL SERVICE ASSOCIATION. Дата публикации: 2021-07-22.

System, Method, and Computer Program Product for Encrypting Sensitive Data Using a Field Programmable Gate Array

Номер патента: US20220343033A1. Автор: Shengfei Gu. Владелец: VISA INTERNATIONAL SERVICE ASSOCIATION. Дата публикации: 2022-10-27.

Field programmable gate array-based low latency disaggregated system orchestrator

Номер патента: US12007915B1. Автор: Michael Gorbovitski,Igor G. Muskatblit,Joshua N. Elijah. Владелец: Morgan Stanley Services Group Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Field-programmable gate array (fpga) for implementing data transfer between different configuration and application processes

Номер патента: US20220113883A1. Автор: Zhan Jing,Yueer SHAN,Yanfeng Xu,Boyin Chen. Владелец: Wuxi Esiontech Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-14.

Field-programmable gate array cards in a streaming environment

Номер патента: US20170161331A1. Автор: James E. Carey,John M. Santosuosso,Jay S. Bryant,Michael J. Branson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-08.

Full-path circuit delay measurement device for field-programmable gate array (FPGA) and measurement method

Номер патента: US11762015B2. Автор: Yajun Ha,Weixiong JIANG. Владелец: ShanghaiTech University. Дата публикации: 2023-09-19.

Field-programmable gate array configuration circuit, radio-frequency unit and magnetic resonance system

Номер патента: US20160321088A1. Автор: Hai Bo Yu,Shu Qun Xie,Wen Bin Zhu. Владелец: Siemens Healthcare GmbH. Дата публикации: 2016-11-03.

Method of high-quality video scaling with real-time x-model/plus-model filter on field programmable gate array(fpga)

Номер патента: US20240212094A1. Автор: Salih ESER. Владелец: Aselsan Elektronik Sanayi ve Ticaret AS. Дата публикации: 2024-06-27.

Field Programmable Gate Array (FPGA) Implementation and Optimization of Augmented Contrast Limited Adaptive Histogram Equalization

Номер патента: US20210042895A1. Автор: Simon X. Griego. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2021-02-11.

Upgrading field programmable gate arrays overs data-communication networks

Номер патента: EP1407550A1. Автор: Peter Karlsson. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2004-04-14.

Field programmable gate array (FPGA) having dissimilar cores

Номер патента: US11157673B2. Автор: Arnaud BOUCHET. Владелец: Ratier Figeac SAS. Дата публикации: 2021-10-26.

Systems and methods for recovering information from NAND gates array memory systems

Номер патента: US8650436B2. Автор: QING Yang,Weijun Xiao. Владелец: Rhode Island Board of Education. Дата публикации: 2014-02-11.

System and Method for Providing Heterogeneous Personality Bitstreams on Field-Programmable Gate Arrays from a Baseboard Management Controller

Номер патента: US20210042149A1. Автор: Rama Rao Bisa,Johan Rahardjo,Pavan Kumar Gavvala,Jeremiah James Bartlett. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2021-02-11.

System and method for building customized trusted execution environments with a system-on-chip field programmable gate array

Номер патента: US20240152601A1. Автор: Ziming Zhao,Md Armanuzzaman. Владелец: Research Foundation of State University of New York. Дата публикации: 2024-05-09.

Multi-micro-organ system data processing system based on field programmable gate array

Номер патента: US20240086535A1. Автор: Yulin CAO. Владелец: Tangyi Holding Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Field programmable gate array (fpga) based neuromorphic computing architecture

Номер патента: US20230122192A1. Автор: Dhaval Shah,Arpan Pal,Sounak Dey,Manoj Nambiar,Meripe Ajay KUMAR. Владелец: Tata Consultancy Services Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Field programmable gate array (fpga) having dissimilar cores

Номер патента: EP3764235A1. Автор: Arnaud BOUCHET. Владелец: Ratier Figeac SAS. Дата публикации: 2021-01-13.

Field programmable gate array (fpga) having dissimilar cores

Номер патента: CA3063586A1. Автор: Arnaud BOUCHET. Владелец: Ratier Figeac SAS. Дата публикации: 2021-01-12.

Field programmable gate array (fpga) having dissimilar cores

Номер патента: US20210012052A1. Автор: Arnaud BOUCHET. Владелец: Ratier Figeac SAS. Дата публикации: 2021-01-14.

Systems and methods for recovering information from NAND gates array memory systems

Номер патента: US8327182B2. Автор: QING Yang,Weijun Xiao. Владелец: Rhode Island Board of Education. Дата публикации: 2012-12-04.

Field programmable gate array (fpga) based neuromorphic computing architecture

Номер патента: EP4167136A1. Автор: Dhaval Shah,Arpan Pal,Sounak Dey,Manoj Nambiar,Meripe Ajay KUMAR. Владелец: Tata Consultancy Services Ltd. Дата публикации: 2023-04-19.

FPGA(field programmable gate array)를 이용한 정밀 하네스 검사 방법

Номер патента: KR20190136158A. Автор: 류환규. Владелец: (주)로뎀기술. Дата публикации: 2019-12-10.

Technologies for optimizing sparse matrix code with field-programmable gate arrays

Номер патента: US09977663B2. Автор: Hongbo Rong,Gilles A. POKAM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Firmware security interface for field programmable gate arrays

Номер патента: US09940483B2. Автор: John Hoffman,William T. Jennings,Matthew C. ARENO. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2018-04-10.

Secure field-programmable gate array (FPGA) architecture

Номер патента: US09911010B2. Автор: Thomas R. Woodall. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2018-03-06.

Decoy with selectively deployable keel

Номер патента: US09872489B2. Автор: Charles L. Smart. Владелец: Huntwise Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Electrosurgical system with selective control of active and return electrodes

Номер патента: US09855090B2. Автор: Philip M. Tetzlaff,Hadar Cadouri. Владелец: Arthrocare Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Real-Time Resampling of Optical Coherence Tomography Signals Using a Field Programmable Gate Array

Номер патента: US20140207418A1. Автор: Kalyanramu Vemishetty. Владелец: National Instruments Corp. Дата публикации: 2014-07-24.

High speed, parallel configuration of multiple field programmable gate arrays

Номер патента: US09658977B2. Автор: Robert Trout,Jeremy B. Chritz,Gregory M. Edvenson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Generating a circuit description for a multi-die field-programmable gate array

Номер патента: US09626470B2. Автор: Frederic Emirian. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Sparse matrix multiplication using a single field programmable gate array module

Номер патента: US09558156B1. Автор: Christoph Hagleitner,Alessandro Curioni,Heiner Giefers,Raphael C. Polig,Costas Bekas,Peter W. J. Staar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Microfluidic device adapted for post-centrifugation use with selective sample extraction and methods for its use

Номер патента: US09494501B2. Автор: Gary P. Durack. Владелец: Sony Corp of America. Дата публикации: 2016-11-15.

Apparatus and methods for producing streams of aromatic compounds c8 with selected amounts of aromatic compounds c9

Номер патента: RU2696589C2. Автор: Раджесвар ГАТТУПАЛЛИ,Джейсон Т. КОРРАДИ,Грегори Верба,Патрик УИТЧЁРЧ. Владелец: Юоп Ллк. Дата публикации: 2019-08-05.

Circular stapler with selectable motorized and manual control

Номер патента: RU2676523C2. Автор: Джеффри С. СВЭЙЗИ,IV Фредерик Э. ШЕЛТОН,III Честер О. БАКСТЕР. Владелец: Этикон Эндо-Серджери, Инк.. Дата публикации: 2018-12-29.

Membrane with selective vapour permeability and method for use thereof for separation of vapour from gas mixture

Номер патента: RU2579125C2. Автор: Осаму ОКАДА,Еидзи КАМИО,Нобуаки ХАНАИ,Мивако ОБАМА. Владелец: Ренессанс Энерджи Рисерч Корпорейшн. Дата публикации: 2016-03-27.

Method of reservoir hydraulic fracturing with selective flow injection

Номер патента: RU2548291C2. Автор: Диана Паола Оларте КАРО,Ренни ЕГЕС. Владелец: Шлюмбергер Текнолоджи Б.В.. Дата публикации: 2015-04-20.

Bus control gate array

Номер патента: CA1252575A. Автор: Shigemi Arima,Etsuo Iijima,Yoshihiko Wadano,Hideji Katayama,Kazuhiro Miyashita,Takaski Nakada. Владелец: Data General Corp. Дата публикации: 1989-04-11.

Brake control system defined by field programable gate array

Номер патента: CA2445534C. Автор: James Hill,Arnold Beck,Ralph Hurley. Владелец: Aircraft Braking Systems Corp. Дата публикации: 2010-11-09.

Interface control logic for embedding a microprocessor in a gate array

Номер патента: US5347181A. Автор: Franz Steininger,Laurin R. Ashby. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1994-09-13.

Read-only sequence controller having a gate array composition

Номер патента: EP1022628A1. Автор: Yoshikazu Kuze. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-07-26.

Semiconductor memory circuit device having memory cells constructed on a Bicmos gate array

Номер патента: US5289405A. Автор: Yoshinori Watanabe,Hiroyuki Hara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-02-22.

Semiconductor test head apparatus using field programmable gate array

Номер патента: US20100102843A1. Автор: Kyunghun Chang,Sekyung Oh,Chulki Jang,Mangil Kang. Владелец: IT&T. Дата публикации: 2010-04-29.

Semiconductor memory device having transfer gate array associated with monitoring circuit for bit line pair

Номер патента: US5235546A. Автор: Hiroshi Nakayama. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1993-08-10.

Methods for nuclear extraction and amplification using a bio-field programmable gate array

Номер патента: WO2023215298A1. Автор: Chen-Yi Lee,Jiajie Diao. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University. Дата публикации: 2023-11-09.

Techniques for accelerating computations using field programmable gate array processors

Номер патента: WO2011142723A1. Автор: NATHAN Darran,Sundar Govindarajan,Vinod Ranganathan Iyer. Владелец: Progeniq Pte Ltd. Дата публикации: 2011-11-17.

Method of converting oxygen-containing compounds to propylene with selective hydrofining recirculating stream of heavy olefins

Номер патента: RU2375337C2. Автор: Том Нельсон КЭЛНЕЗ,Дэниел Хью УЭЙ,Брайан Кент ГЛОУВЕР. Владелец: Юоп Ллк. Дата публикации: 2009-12-10.

Purification of carboxylic acids through complexing with selective solvents

Номер патента: RU2395486C2. Автор: Рэнди Райт УИТЧЕРЛИ,Таи-Ли ЧОУ,Рэнди Райт УИТЧЕРЛИ (US),Таи-Ли ЧОУ (US). Владелец: ДжиТиСи ТЕКНОЛОДЖИ ИНК.. Дата публикации: 2010-07-27.

Improvements relating to Stencils with Selection Perforations and to Selecting Mechanism adapted for use with Addressing Machines and the like.

Номер патента: GB191515194A. Автор: Herbert George Jenkins. Владелец: Individual. Дата публикации: 1916-05-18.

Techniques for accelerating computations using field programmable gate array processors

Номер патента: WO2011142723A9. Автор: NATHAN Darran,Sundar Govindarajan,Vinod Ranganathan Iyer. Владелец: Progeniq Pte Ltd. Дата публикации: 2012-01-19.

Information handling system mouse with selectable input button response

Номер патента: US12039113B2. Автор: Deeder M. Aurongzeb,Peng Lip Goh. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2024-07-16.

Synchronizer actuating system with selectives

Номер патента: US20090031836A1. Автор: Henryk Sowul,John A. Diemer,Fredrik Englund,Robert Roessner,Brian Tooman. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2009-02-05.

Active textile structures with selectively variable surface friction characteristics

Номер патента: US20190194840A1. Автор: Nancy L. Johnson,Paul W. Alexander. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2019-06-27.

Constant rate fluid delivery device with selectable flow rate and titratable bolus button

Номер патента: US09937290B2. Автор: Robert I. Connelly,Kenneth G. Powell. Владелец: Becton Dickinson and Co. Дата публикации: 2018-04-10.

Drive assembly with selective disconnect

Номер патента: US09493230B2. Автор: Derick Balsiger. Владелец: Hamilton Sundstrand Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Undercarriage equipped with selective force transfer device

Номер патента: RU2485015C1. Автор: Арно ЛАФИТТ,Жерар БАЛДУЧЧИ. Владелец: Мессье-Бюгатти-Довти. Дата публикации: 2013-06-20.

Photoflash array with selective pairing of lamps

Номер патента: CA1148602A. Автор: David R. Broadt,Emery G. Audesse. Владелец: GTE Products Corp. Дата публикации: 1983-06-21.

Laminar flow surfaces with selected roughness distributions, and associated methods

Номер патента: WO2008134151A2. Автор: Jeffrey D. Crouch,Lian L. Ng,Mary I. Sutanto. Владелец: The Boeing Company. Дата публикации: 2008-11-06.

Laminar flow surfaces with selected roughness distributions, and associated methods

Номер патента: EP2137068A2. Автор: Jeffrey D. Crouch,Lian L. Ng,Mary I. Sutanto. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2009-12-30.

Method of usage of (halo benzyloxy)benzylamino-propanamide for production of medications with selective modulating activity on sodium and/or calcium channels

Номер патента: RU2391973C2. Автор: Патричия Сальвати,Елена БАРБАНТИ,Флориан ТАЛЕР,Карла КАЧЧЬЯ,Руджеро ФАРЬЕЛЛО. Владелец: Ньюрон Фармасьютикалс С.П.А.. Дата публикации: 2010-06-20.

Combinations of alpha-2-delta-ligand with selective cycloixygenase-2 inhibitor

Номер патента: RU2286151C2. Автор: Чарльз Прайс Мл. ТЭЙЛОР. Владелец: Уорнер-Ламберт Компани Ллс. Дата публикации: 2006-10-27.

Tobacco combine with selective conveyor raising

Номер патента: CA1212245A. Автор: Robert W. Wilson. Владелец: POWELL MANUFACTURING COMPANY Inc. Дата публикации: 1986-10-07.

Photoflash array with selective pairing of lamps and switching of common circuit

Номер патента: CA1148601A. Автор: David R. Broadt. Владелец: GTE Products Corp. Дата публикации: 1983-06-21.

Low latency point target detection and tracking apparatus implemented in field programmable gate array

Номер патента: KR20220067037A. Автор: 장철희,박지우. Владелец: 엘아이지넥스원 주식회사. Дата публикации: 2022-05-24.

Circuit for testing pumped voltage gates in a programmable gate array

Номер патента: US5920201A. Автор: Charles R. Erickson,Alok Mehrotra. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 1999-07-06.

Method and apparatus for testing field programmable gate arrays

Номер патента: CA2271251C. Автор: Miron Abramovici,Charles Eugene Stroud,Sajitha S. Wijesuriya. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2002-03-19.

Cab signal receiver demodulator employing redundant, diverse field programmable gate arrays

Номер патента: CA2625157C. Автор: John E. Lemonovich,William A. Sharp,James C. Werner,Zhu DING,Sean P. Berecek. Владелец: Ansaldo STS USA Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Programmable gate array having interconnecting logic to support embedded fixed logic circuitry

Номер патента: CA2458060C. Автор: Jane W. Sowards,Stephen M. Douglass,Steven P. Young,Mehul R. Vashi,Nigel G. Herron. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2009-09-22.

Containers with selective dissolved gas content

Номер патента: US11944586B2. Автор: Freddy Desbrosses,Zouaoui BOUREZG,Pierpaolo Padula,Caroline Roselyne Dupont,Marin Anh-Thuan Demulier. Владелец: Baxter International Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Harmonic radar based on field programmable gate array (fpga) and deep learning

Номер патента: US20230358856A1. Автор: Song Yang,Jun Wang,Shaoming Wei,Likang Zhu. Владелец: BEIHANG UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-11-09.

Containers with selective dissolved gas content

Номер патента: CA3218001A1. Автор: Freddy Desbrosses,Zouaoui BOUREZG,Pierpaolo Padula,Caroline Roselyne Dupont,Marin Anh-Thuan Demulier. Владелец: Baxter International Inc. Дата публикации: 2022-12-01.

System and Method to Change Field-Programmable Gate Array Personality from a Baseboard Management Controller

Номер патента: US20210042156A1. Автор: Rama Rao Bisa,Johan Rahardjo,Elie Antoun Jreij,Akkiah Choudary Maddukuri,Pavan Kumar Gavvala,Isaac Qin Wang. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2021-02-11.

Scalable bandwidth efficient graph processing on field programmable gate arrays

Номер патента: US11921786B2. Автор: Daniel Ritter,Jonas Dann. Владелец: SAP SE. Дата публикации: 2024-03-05.

Allocating field-programmable gate array (fpga) resources

Номер патента: US20170017539A1. Автор: Steven A. Guccione. Владелец: Bank of America Corp. Дата публикации: 2017-01-19.

Allocating field-programmable gate array (FPGA) resources

Номер патента: US9600356B2. Автор: Steven A. Guccione. Владелец: Bank of America Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Allocating field-programmable gate array (FPGA) resources

Номер патента: US9940166B2. Автор: Steven A. Guccione. Владелец: Bank of America Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Gate array, in particular for a passenger transport system

Номер патента: US20240102335A1. Автор: Thorsten Von Sydow. Владелец: Scheidt and Bachmann GmbH. Дата публикации: 2024-03-28.

Deep neural network on field-programmable gate array

Номер патента: WO2021044241A1. Автор: Raphael Polig,Mitra Purandare,Dionysios Diamantopoulos. Владелец: Ibm (China) Investment Company Ltd.. Дата публикации: 2021-03-11.

Artificial neural network implementation in field-programmable gate arrays

Номер патента: US11783200B2. Автор: Christoph Hagleitner,Heiner Giefers,Dionysios Diamantopoulos. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-10.

Method for improving performance of critical path in field programmable gate arrays

Номер патента: EP1528487A2. Автор: Charles P. Ryan,Russell W. Guenthner,Clinton B. Eckard,Eric E. Conway,David W. Selway. Владелец: Bull HN Information Systems Inc. Дата публикации: 2005-05-04.

Dwelling with selectively adjustable living spaces, and corresponding methods associated thereto

Номер патента: US20230313545A1. Автор: Pierre Leclerc. Владелец: Les Modules Ecologiques Move Home Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Floating-point processor with selectable subprecision

Номер патента: EP1934710B8. Автор: Kenneth Alan Dockser. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-10-28.

Containers with selective dissolved gas content

Номер патента: EP4346759A1. Автор: Freddy Desbrosses,Zouaoui BOUREZG,Pierpaolo Padula,Caroline Roselyne Dupont,Marin Anh-Thuan Demulier. Владелец: Baxter International Inc. Дата публикации: 2024-04-10.

Floating-point processor with selectable subprecision

Номер патента: EP1934710A1. Автор: Kenneth Alan Dockser. Владелец: Qualcomm Mems Technologies Inc. Дата публикации: 2008-06-25.

Floating-point processor with selectable subprecision

Номер патента: IL190644A0. Автор: . Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2008-12-29.

Floating-point processor with selectable subprecision

Номер патента: WO2007044493A1. Автор: Kenneth Alan Dockser. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2007-04-19.

Gate array, in particular for a passenger transport system

Номер патента: CA3214059A1. Автор: Thorsten Von Sydow. Владелец: Scheidt and Bachmann GmbH. Дата публикации: 2024-03-27.

Tool with selectively engagable tool head

Номер патента: AU2023219919A1. Автор: Eduardo Olvera,Ashley Amick,Graham SCHAAFSMA,Joel Fleming. Владелец: TechTronic CordLess GP. Дата публикации: 2024-03-14.

Scalable bandwidth efficient graph processing on field programmable gate arrays

Номер патента: US20230376534A1. Автор: Daniel Ritter,Jonas Dann. Владелец: SAP SE. Дата публикации: 2023-11-23.

Compressed test patterns for a field programmable gate array

Номер патента: US20200003836A1. Автор: Christopher J. Nelson,James Neeb,Timothy J. CALLAHAN,Shelby G. ROLLINS,Hiren V. TILALA,Matthew Hendricks,Sundar V. PATHY,Jared PAGER,Bradly INMAN,Stephen STURGES. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Universal synchronous fifo ip core for field programmable gate arrays

Номер патента: WO2022220887A1. Автор: Vivian V. Huynh-Romine,John Mui,Howard K. Luu. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2022-10-20.

A method for measuring hadron fluence with a field programmable gate array (fpga)

Номер патента: WO2023139489A1. Автор: Raffaele Giordano,Filomena Loffredo,Lorenzo Manti,Maria Quarto,Marcella Salvatore,Rok Pestotnik,Andrej Lozar,Andrej Seljak. Владелец: ISTITUTO NAZIONALE DI FISICA NUCLEARE. Дата публикации: 2023-07-27.

High speed, parallel configuration of multiple field programmable gate arrays

Номер патента: US10990551B2. Автор: Robert Trout,Jeremy B. Chritz,Gregory M. Edvenson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-27.

System, method, and computer program product for encrypting sensitive data using a field programmable gate array

Номер патента: US11755787B2. Автор: Shengfei Gu. Владелец: VISA INTERNATIONAL SERVICE ASSOCIATION. Дата публикации: 2023-09-12.

Method for synthesizing tile interconnection structure of field programmable gate array

Номер патента: US20120167023A1. Автор: Young Hwan Bae. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2012-06-28.

Method for accelerating fast fourier transform based on field programmable gate array

Номер патента: US20230237121A1. Автор: Zhiqun Cheng,Chao LE,Yiteng PAN. Владелец: Hdu Fuyang Electronic Information Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Dwelling with selectively adjustable living spaces, and corresponding methods associated thereto

Номер патента: EP3571363A1. Автор: Pierre Leclerc. Владелец: Les Modules Ecologiques Move Home Inc. Дата публикации: 2019-11-27.

Field-Programmable Gate Array (FPGA) Routing Congestion Prediction Method and System

Номер патента: US20240193342A1. Автор: LU Zhang,Lei Chen,Jing Zhou,Shuo Wang,Chong ZHOU,Xiaojing Ma,Yaowei Zhang,Zhong DU,Chunsheng TIAN,Yongjiang PANG,Peipei XI. Владелец: Mxtronics Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Agriculture composition useful as inhibitor of plant growth and/or herbicide with selectivity to agriculture crop, method of inhibition of plant growth and method of selective inhibition of weed

Номер патента: RU2174753C2. Автор: Йосимити ХОРИБЕ,Тадаси АМАГАСА,Казуо САТО,Такахиро ЦУКИЯМА. Владелец: Санкио Компани, Лимитед. Дата публикации: 2001-10-20.

Method of radar surveying of earth and near-earth space by radar with synthesized antenna aperture in band with ambiguous range with selection of moving targets on background of reflections from underlying surface and radar with synthesized antenna aperture for implementation thereof

Номер патента: RU2740782C1. Автор: Александр Петрович Сонин. Владелец: Александр Петрович Сонин. Дата публикации: 2021-01-21.

Pyrimidine compounds with selective inhibition of "¦-¦" and "l¦l¦" activity

Номер патента: RU2350617C2. Автор: И Чэнь,Апостолос ДЕРМАТАКИС,Цзиньюнь ЛЮ,Киньчунь ЛУК,Кристоф МИШУ,Памела Лорин РОССМАН. Владелец: Ф.Хоффманн-Ля Рош Аг. Дата публикации: 2009-03-27.

Catheter set with selectively removable protective case

Номер патента: RU2738996C2. Автор: Ларс Олав СКЕРТИГЕР. Владелец: Колопласт А/С. Дата публикации: 2020-12-21.

Camera method and apparatus for recording with selected contrast

Номер патента: CA1143983A. Автор: William T. Plummer. Владелец: Polaroid Corp. Дата публикации: 1983-04-05.

Pentose fermentation with selected yeast

Номер патента: CA1199289A. Автор: Henry Schneider,Ryszard Maleszka,Patrick Y. Wang,Ivan A. Veliky,Yiu-Kwok Chan. Владелец: NATIONAL RESEARCH COUNCIL OF CANADA. Дата публикации: 1986-01-14.

Diesel particulate filter coated with selective catalytic reduction and exhaust gas aftertreatment system including the same

Номер патента: US20170122158A1. Автор: Jin Woo Choung. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2017-05-04.

Universal synchronous fifo ip core for field programmable gate arrays

Номер патента: US20220335004A1. Автор: Vivian V. Huynh-Romine,John Mui,Howard K. Luu. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2022-10-20.

Decoy with selectively deployable keel

Номер патента: US20160128319A1. Автор: Charles L. Smart. Владелец: Huntwise Inc. Дата публикации: 2016-05-12.

Apparatus and a method for refilling the filter-holders of an espresso coffee machine with selected doses of ground coffee to order

Номер патента: US20110094391A1. Автор: Roberto Erba,Davide Oresoli. Владелец: Gruppo Cimbali SpA. Дата публикации: 2011-04-28.

Full-path circuit delay measurement device for field-programmable gate array (fpga) and measurement method

Номер патента: US20230194602A1. Автор: Yajun Ha,Weixiong JIANG. Владелец: ShanghaiTech University. Дата публикации: 2023-06-22.

On-line fault tolerant operation via incremental reconfiguration of field programmable gate arrays

Номер патента: EP1170666A3. Автор: Miron Abramovici,Charles E. Stroud,John M. Emmert. Владелец: Lattice Semiconductor Corp. Дата публикации: 2002-06-26.

Combined machine with selective actuation

Номер патента: US20240200638A1. Автор: Marino Pedrazzini Bertolazzi. Владелец: ITAL RESEARCH & INNOVATION Srl. Дата публикации: 2024-06-20.

Field-programmable gate array cards in a streaming environment

Номер патента: US20180373761A1. Автор: James E. Carey,John M. Santosuosso,Jay S. Bryant,Michael J. Branson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-12-27.

Method for production of sorghum hybrids with selected flowering times

Номер патента: US20130298274A1. Автор: William L. Rooney,John E. Mullet. Владелец: TEXAS A&M UNIVERSITY SYSTEM. Дата публикации: 2013-11-07.

Memory devices with selective page-based refresh

Номер патента: US20200342933A1. Автор: Ameen D. Akel. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-29.

Memory devices with selective page-based refresh

Номер патента: EP3659037A1. Автор: Ameen D. Akel. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-03.

Memory devices with selective page-based refresh

Номер патента: WO2019022993A1. Автор: Ameen D. Akel. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-01-31.

Microstructured optical fibre with selectively enlarged spaces of reduced refraction index, especially for the generation of nonlinear effects and stress measurements

Номер патента: EP3105623A1. Автор: Marek Napierala,Lukasz Szostkiewicz,Tomasz Nasilowski,Tadeusz Tenderenda,Michał MURAWSKI,Łukasz OSTROWSKI,Michał SZYMAŃSKI,Zbigniew Holdynski,Katarzyna Joanna Pawlik,Mateusz Slowikowski,Karol Stepien. Владелец: Polskie Centrum Fotoniki I Swiatlowodow. Дата публикации: 2016-12-21.

Microstructured optical fibre with selectively enlarged spaces of reduced refraction index, especially for the generation of nonlinear effects and stress measurements

Номер патента: US20160327736A1. Автор: Marek Napierala,Lukasz Szostkiewicz,Tomasz Nasilowski,Tadeusz Tenderenda,Michał MURAWSKI,Łukasz OSTROWSKI,Michał SZYMAŃSKI,Zbigniew Holdynski,Katarzyna Joanna Pawlik,Mateusz Slowikowski,Anna Katarzyna Ziolowicz. Владелец: Polskie Centrum Fotoniki I Swiatlowodow. Дата публикации: 2016-11-10.

System and Method for Advanced Logic Built-in Self Test with Selection of Scan Channels

Номер патента: US20080052579A1. Автор: Michael Fan Wang,Mack Wayne Riley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-02-28.

Naringenin derivatives with selectivity on ers

Номер патента: WO2007053915A3. Автор: Keukeleire Denis De,Frederik Roelens,Willem Dhooge. Владелец: Willem Dhooge. Дата публикации: 2007-08-02.

Display with selectable viewing angle

Номер патента: WO2007140345A3. Автор: Udayan Kanade,Balaji Ganapathy. Владелец: I2iC Corp. Дата публикации: 2008-05-08.

Display with selectable viewing angle

Номер патента: WO2007140345A9. Автор: Udayan Kanade,Balaji Ganapathy. Владелец: I2iC Corp. Дата публикации: 2008-08-07.

Recovery mechanism with selective ordering and concurrent operations

Номер патента: US12086035B2. Автор: Stephen Wu,Nikhil Mattankot,Parag Sarfare,Asif Pathan,Amit Borase,Sudheer Kumar Vavilapalli. Владелец: NetApp Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Foaming alcohol compositions with selected dimethicone surfactants

Номер патента: US09980483B2. Автор: Cheryl A. Littau,Joseph R. Wegner. Владелец: ECOLAB USA INC. Дата публикации: 2018-05-29.

Magnetic tape appliance with selectably always-leading head assemblies

Номер патента: US09741388B2. Автор: Robert G. Biskeborn. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

System and method for memory channel interleaving with selective power or performance optimization

Номер патента: US09612648B2. Автор: Yanru Li,Dexter Chun,Alex TU,Haw-Jing Lo. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Object reference with selectable scope

Номер патента: US20240378305A1. Автор: Benoit Dageville,Simon Holm Jensen,David Schultz,Kevin Wang,Subramanian Muralidhar,Thierry Cruanes,Damien CARRU,Jeremy Yujui Chen,Tianyi Chen,Eric Robinson,Khalid Zaman Bijon,Wenqi Wei,Lin Chan,Sahaj Saini,Boxin Jiang,Jennifer Wenjun Bi,Zixi Zhang,Suraj P. Acharya,Dmitry A. Lychagin,Shuaishuai Nie,Xingzhe Zhou. Владелец: Snowflake Inc. Дата публикации: 2024-11-14.

Method for production of sorghum hybrids with selected flowering times

Номер патента: US09428762B2. Автор: William L. Rooney,John E. Mullet. Владелец: TEXAS A&M UNIVERSITY SYSTEM. Дата публикации: 2016-08-30.

Foaming alcohol compositions with selected dimethicone surfactants

Номер патента: US09414586B2. Автор: Cheryl A. Littau,Joseph R. Wegner. Владелец: ECOLAB USA INC. Дата публикации: 2016-08-16.

Method of operating system of control over offgas toxicity reduction with selective reduction catalyst and device arranged there ahead to catalyse reduction for offgas toxicity decrease

Номер патента: RU2493383C2. Автор: Александер МАССНЕР. Владелец: Даймлер Аг. Дата публикации: 2013-09-20.

Pentose fermentation with selected yeast

Номер патента: US4477569A. Автор: Henry Schneider,Ryszard Maleszka,Patrick Y. Wang,Ivan A. Veliky,Yui-Kwok Chan. Владелец: Canadian Patents and Development Ltd. Дата публикации: 1984-10-16.

Cookware with selectively bonded layers

Номер патента: CA3110802C. Автор: John Watkins,William A. Groll. Владелец: All Clad Metalcrafters LLC. Дата публикации: 2023-05-23.

Pressure reducing backrest cushion with selective pressure point relief

Номер патента: US5893184A. Автор: Michael Murphy. Владелец: Comfortex Health Care Surfaces. Дата публикации: 1999-04-13.

Source code revision control with selectable file portion synchronization

Номер патента: US10360023B2. Автор: Scott D. Cowan,Evan C. Hughes. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-23.

Dialysis apparatus with selective chemical activity

Номер патента: CA1067830A. Автор: Viktor H. Hyden. Владелец: Individual. Дата публикации: 1979-12-11.

Air seeder/fertilizer apparatus having metering means and distribution manifold with selectively openable ports

Номер патента: CA2635401C. Автор: Patrick M. Beaujot. Владелец: One Pass Implements Inc. Дата публикации: 2009-11-24.

Information handling system mouse with selectable input button response

Номер патента: US20240036663A1. Автор: Deeder M. Aurongzeb,Peng Lip Goh. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2024-02-01.

Method and blockchain-based system for managing credentials in batch with selective attributes disclosure/hiding and auditable merkle tree

Номер патента: US11886557B1. Автор: Tung Thanh Tran. Владелец: International University Iu Vietnam National University Hcm City. Дата публикации: 2024-01-30.

Adaptive fabrics with selective permeability and their uses

Номер патента: EP4314405A1. Автор: Anthony Roberts,Shigeaki Suzuki,Gabriele Nelles,Silvia Rosselli,Dennis CHERCKA,Simon Henning,Diana HENNIG,Elham KHODABAKHSHI SHALAMZARI,Tomoaki Takuma,Simon Stahl,Vitor Angelo FONSECA DEICHMANN,Rikke GERSTEN CONSTEIN,Nami Katayama. Владелец: Sony Europe BV. Дата публикации: 2024-02-07.

Yeast strains with selected or altered mitotypes and methods of making and using the same

Номер патента: WO2020033463A1. Автор: Chris Todd Hittinger,EmilyClare Patricia Baker,David Peris NAVARRO. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2020-02-13.

Adaptive fabrics with selective permeability and their uses

Номер патента: US20240167219A1. Автор: Anthony Roberts,Shigeaki Suzuki,Gabriele Nelles,Silvia Rosselli,Dennis CHERCKA,Simon Henning,Diana HENNIG,Elham KHODABAKHSHI SHALAMZARI,Tomoaki Takuma,Simon Stahl,Vitor Angelo FONSECA DEICHMANN,Rikke GERSTEN CONSTEIN,Nami Katayama. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Method for implementing scheduling mechanisms with selectable resource modes

Номер патента: WO2001029665A2. Автор: Glen D. Stone,Scott D. Smyers,Bruce A. Fairman,Harold A. Ludtke. Владелец: SONY ELECTRONICS INC.. Дата публикации: 2001-04-26.

Yeast strains with selected or altered mitotypes and methods of making and using the same

Номер патента: US12012603B2. Автор: Chris Todd Hittinger,EmilyClare Patricia Baker,David Peris NAVARRO. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2024-06-18.

System and method for memory channel interleaving with selective power or performance optimization

Номер патента: CA2918091C. Автор: Yanru Li,Dexter Chun,Alex TU,Haw-Jing Lo. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-03-02.

Latch bolt assembly with selectively adjustable spindle backset

Номер патента: CA1155150A. Автор: Gary R. Bergen. Владелец: Emhart Industries Inc. Дата публикации: 1983-10-11.

Suspension strut with selectively controllable differential rebound and jounce damping

Номер патента: CA1296025C. Автор: H. Neil Paton. Владелец: Individual. Дата публикации: 1992-02-18.

Foaming alcohol compositions with selected dimethicone surfactants

Номер патента: CA2724530C. Автор: Cheryl A. Littau,Joseph R. Wegner. Владелец: Ecolab Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Integrated circuit memory architecture with selectively offset data and address delays to minimize skew and provide synchronization of signals at the input/output section

Номер патента: US7039822B2. Автор: Jon Allan Faue,Harold Brett Meadows. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2006-05-02.

Signal storage apparatus with a plurality of magnetic read-write heads movable together for cooperation with selected tracks on a signal-storing surface

Номер патента: US3613059A. Автор: Gerhard H Dirks. Владелец: Dirks Electronics Corp. Дата публикации: 1971-10-12.

A method and apparatus for implementing a radiation hardened n-channel transistor with the use of non-radiation hardened transistors

Номер патента: WO2007067576A3. Автор: Steven Summer. Владелец: Steven Summer. Дата публикации: 2007-12-06.

A method and apparatus for implementing a radiation hardened n-channel transistor with the use of non-radiation hardened transistors

Номер патента: WO2007067576A2. Автор: Steven Summer. Владелец: Steven Summer. Дата публикации: 2007-06-14.

Interference-free multivibrator switching circuit using saturated undoped transistors with large base-to-emitter capacity

Номер патента: US3582673A. Автор: Kenneth Hubert Clayson,Anthony Waddington-Morris. Владелец: Wilmot Breeden Ltd. Дата публикации: 1971-06-01.

Transistors with source and word line voltage adjusting circuitry for controlling leakage currents and its method thereof

Номер патента: US09466342B2. Автор: Shinji Miyano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Номер патента: RU2593443C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Хаджимурат Магомедович Гаджиев,Татьяна Алексеевна Челушкина,Солтанат Магомедовна Гаджиева,Дмитрий Алексеевич Челушкин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Дагестанский государственный технический университет". Дата публикации: 2016-08-10.

Method to manufacture microwave field transistor with schottky barrier

Номер патента: RU2465682C1. Автор: Владимир Григорьевич Лапин,Константин Игнатьевич Петров,Наталья Александровна Кувшинова. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП "НПП "Исток"). Дата публикации: 2012-10-27.

Method for manufacturing bsit-transistor with guard rings

Номер патента: RU2524145C1. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Айшат Расуловна Шахмаева,Патимат Расуловна Захарова. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2014-07-27.

High-performance uhf field transistor with schottky barrier

Номер патента: RU2393589C1. Автор: Александр Михайлович Темнов,Владимир Григорьевич Лапин,Константин Игнатьевич Петров. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток"). Дата публикации: 2010-06-27.

Production method of super-high frequency (shf) field-effect transistor with schottki barrier

Номер патента: RU2361319C1. Автор: Александр Михайлович Темнов,Владимир Григорьевич Лапин,Константин Игнатьевич Петров. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток"). Дата публикации: 2009-07-10.

Magnetic transistor with collector current compensation

Номер патента: RU2591736C1. Автор: Антон Викторович Козлов,Роберт Дмитриевич Тихонов,Антон Юрьевич Красюков,Юрий Александрович Чапыгин. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники". Дата публикации: 2016-07-20.

Process of fabrication of self-scaling field-effect transistor with struct ure of superself-aligned bipolar transistor

Номер патента: RU2230392C2. Автор: Н.М. Манжа,Н.А. Щербаков,М.И. Лукасевич,Е.С. Горнев,М.И. Клычников. Владелец: Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон". Дата публикации: 2004-06-10.

Shf high-power transistor with multilayer epitaxial structure

Номер патента: RU2519054C1. Автор: Грачик Хачатурович Аветисян,Алексей Сергеевич Адонин,Юрий Владимирович Колковский,Виктор Алексеевич Курмачев,Вадим Минхатович Миннебаев,Алексей Анатольевич Дарофеев. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Научно-Производственное Предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2014-06-10.

Method to manufacture field transistors with self-aligned gate of submicron length

Номер патента: RU2436186C2. Автор: Вадим Станиславович Арыков,Анастасия Михайловна Гаврилова,Ольга Анатольевна Дедкова,Юрий Викторович Лиленко. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов" (ОАО "НИИПП"). Дата публикации: 2011-12-10.

Method of producing high-frequency transistor with nanometer gates

Номер патента: RU2578517C1. Автор: Николай Анатольевич Торхов. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов" (ОАО "НИИПП"). Дата публикации: 2016-03-27.

Transistor with metal-oxide-semiconductor structure on silicon-on-insulator substrate

Номер патента: RU2477904C1. Автор: Сергей Иванович Бабкин,Святослав Игоревич Волков,Андрей Александрович Глушко. Владелец: Учреждение Российской академии наук Научно-исследовательский институт системных исследований РАН (НИИСИ РАН). Дата публикации: 2013-03-20.

Structure of bipolar transistor with emitter of sub-micron dimensions, and method for manufacturing said structure

Номер патента: RU2279733C2. Автор: Алексей Николаевич Долгов,Александр Николаевич Еременко,Михаил Иванович Клычников,Дмитрий Григорьевич Кравченко,Михаил Иванович Лукасевич,Николай Михайлович Манжа. Владелец: Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон". Дата публикации: 2006-07-10.

Номер патента: RU2427942C1. Автор: Виктор Николаевич Мурашев,Сергей Александрович Леготин,Сергей Иванович Диденко,Светлана Петровна Кобелева,Алексей Сергеевич Корольченко,Олег Михайлович Орлов,Михаил Павлович Коновалов,Дмитрий Леонидович Волков. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС". Дата публикации: 2011-08-27.

Cmos-gate-array-anordnung

Номер патента: DD281289A5. Автор: Siegfried Ritter,Axel Vogt,Lutz Langelueddecke,Torsten Schleinig. Владелец: Erfurt Mikroelektronik. Дата публикации: 1990-08-01.