Integrated mos transistor with selective disabling of cells thereof
Номер патента: EP3945602A1
Опубликовано: 02-02-2022
Автор(ы): Davide Giuseppe Patti
Принадлежит: STMICROELECTRONICS SRL
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 02-02-2022
Автор(ы): Davide Giuseppe Patti
Принадлежит: STMICROELECTRONICS SRL
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Integrated MOS transistor with selective disabling of cells thereof
Номер патента: US11843369B2. Автор: Davide Giuseppe Patti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-12-12.