• Главная
  • Integrated mos transistor with selective disabling of cells thereof

Integrated mos transistor with selective disabling of cells thereof

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Integrated MOS transistor with selective disabling of cells thereof

Номер патента: US11843369B2. Автор: Davide Giuseppe Patti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-12-12.

Integrated mos transistor with selective disabling of cells thereof

Номер патента: US20220038094A1. Автор: Davide Giuseppe Patti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2022-02-03.

Hybrid active-field gap extended drain MOS transistor

Номер патента: US09608088B2. Автор: John Lin,Sameer P. Pendharkar. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Deep collector vertical bipolar transistor with enhanced gain

Номер патента: US20160079364A1. Автор: Alwin J. Tsao,Amitava Chatterjee,Xiang-Zheng Bo,Brian E. Hornung. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-03-17.

Deep collector vertical bipolar transistor with enhanced gain

Номер патента: US09397164B2. Автор: Alwin J. Tsao,Amitava Chatterjee,Xiang-Zheng Bo,Brian E. Hornung. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-07-19.

High voltage lateral DMOS transistor with optimized source-side blocking capability

Номер патента: US09831320B2. Автор: Sameer Pendharkar,Marie Denison,Philip Leland HOWER. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

High voltage lateral DMOS transistor with optimized source-side blocking capability

Номер патента: US09793375B2. Автор: Sameer Pendharkar,Marie Denison,Philip Leland HOWER. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Mos-transistor für strahlentolerante digitale cmos-schaltungen

Номер патента: EP3246952A1. Автор: Roland Sorge. Владелец: IHP GMBH. Дата публикации: 2017-11-22.

Drain extended mos transistors and methods for making the same

Номер патента: WO2006010055A2. Автор: PR Chidambaram. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2006-01-26.

Power MOS transistor die with temperature sensing function and integrated circuit

Номер патента: US09666505B1. Автор: Sheng-An Ko. Владелец: Upl Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Silicon carbide MOSFET with integrated MOS diode

Номер патента: US09324807B1. Автор: Anup Bhalla,Leonid Fursin. Владелец: United Silicon Carbide Inc. Дата публикации: 2016-04-26.

Silicon carbide mosfet with integrated mos diode

Номер патента: WO2017011036A1. Автор: Anup Bhalla,Leonid Fursin. Владелец: UNITED SILICON CARBIDE, INC.. Дата публикации: 2017-01-19.

MOS transistor for withstanding a high voltage

Номер патента: US4819045A. Автор: Koichi Murakami. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 1989-04-04.

Triple-gate MOS transistor and method for manufacturing such a transistor

Номер патента: US12125913B2. Автор: Abderrezak Marzaki,Romeric Gay. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2024-10-22.

MOS transistors and fabrication methods thereof

Номер патента: US09425311B2. Автор: Shukun Yu,Qingsong WEI. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Split-gate trench mos transistor with self-alignment of gate and body regions

Номер патента: US20220208995A1. Автор: Davide Giuseppe Patti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2022-06-30.

Split-gate trench mos transistor with self-alignment of gate and body regions

Номер патента: EP4024439A1. Автор: Davide Giuseppe Patti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2022-07-06.

Linear load MOS transistor circuit

Номер патента: US4197511A. Автор: Edward J. Zimany, Jr.,Carlo H. Sequin. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1980-04-08.

MOS transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050035378A1. Автор: Kwan-Ju Koh. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-02-17.

High voltage MOS transistors

Номер патента: US4811075A. Автор: Klas H. Eklund. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 1989-03-07.

Mos transistors and fabrication methods thereof

Номер патента: US20140346565A1. Автор: Shukun Yu,Qingsong WEI. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2014-11-27.

Semiconductor device comprising a silicon body with bipolar and mos transistors

Номер патента: US20020005555A1. Автор: Ronald Koster,Catharina H.H. Emons. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 2002-01-17.

Substrate contact land for an MOS transistor in an SOI substrate, in particular an FDSOI substrate

Номер патента: US09837413B2. Автор: Philippe Galy,Sotirios Athanasiou. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2017-12-05.

MOS transistor and method for manufacturing MOS transistor

Номер патента: US09472665B2. Автор: Chih-Chang CHENG,Fu-Yu Chu,Ruey-Hsin Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Metal gate mos transistor with reduced gate-to-source and gate-to-drain overlap capacitance

Номер патента: WO2014074777A1. Автор: Manoj Mehrotra,Hiroaki Niimi. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2014-05-15.

MOS transistor, manufacturing method thereof, and semiconductor device

Номер патента: US8395222B2. Автор: Sergey Pidin. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-03-12.

Mos transistor, manufacturing method thereof, and semiconductor device

Номер патента: US20130217194A1. Автор: Sergey Pidin. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-08-22.

MOS transistor, manufacturing method thereof, and semiconductor device

Номер патента: US8703569B2. Автор: Sergey Pidin. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-04-22.

Power lateral diffused mos transistor

Номер патента: US20020089001A1. Автор: Ming-Te Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-07-11.

MOS transistor and fabrication method

Номер патента: US09431516B2. Автор: Meng Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

MOS Transistor mit einem verbesserten Einschaltwiderstand

Номер патента: DE102015003082B4. Автор: Thomas Rotter. Владелец: ELMOS SEMICONDUCTOR SE. Дата публикации: 2020-12-10.

Vertical high-voltage mos transistor

Номер патента: US20170062573A1. Автор: Christopher Boguslaw Kocon,Hideaki Kawahara,John Manning Savidge Neilson,Simon John Molloy. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-03-02.

MOS Transistor mit einem verbesserten Einschaltwiderstand

Номер патента: DE102015003082A1. Автор: Thomas Rotter. Владелец: ELMOS SEMICONDUCTOR SE. Дата публикации: 2016-09-15.

Lateral double diffused MOS transistor

Номер патента: US10840370B2. Автор: Jong Min Kim,Chul Jin Yoon. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-17.

Lateral double diffused mos transistor

Номер патента: US20190245081A1. Автор: Jong Min Kim,Chul Jin Yoon. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-08.

Apparatus and Method for Power MOS Transistor

Номер патента: US20140162422A1. Автор: Ruey-Hsin Liu,Po-Chih Su,Hsueh-Liang Chou,Chun-Wai Ng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-06-12.

Combined MCD and MOS Transistor Semiconductor Device

Номер патента: US20210134792A1. Автор: Steven Peake. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2021-05-06.

High dielectric constant metal gate mos transistor and method for making the same

Номер патента: US20220278217A1. Автор: YONG Li. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-09-01.

High-voltage MOS transistor and corresponding manufacturing method

Номер патента: US20060022294A1. Автор: Klaus Petzold,Steffi Lindenkreuz,Joachim Strauss. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-02.

Split-gate lateral extended drain MOS transistor structure and process

Номер патента: US09905428B2. Автор: Christopher Boguslaw Kocon,Alexei Sadovnikov,Andrew D Strachan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Method of manufacturing stacked nanowire MOS transistor

Номер патента: US09892912B2. Автор: Huaxiang Yin,Xiaolong Ma,Dapeng Chen,Zuozhen Fu,Changliang Qin. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-02-13.

Lateral double diffused MOS transistors

Номер патента: US09853146B2. Автор: Sung Kun Park. Владелец: SK Hynix System IC Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Trench-typed power mos transistor and method for making the same

Номер патента: US20110163374A1. Автор: Ming Tang,Shih-Ping Chiao. Владелец: PTEK Tech Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-07.

Dual trench mos transistor and method for forming the same

Номер патента: US20140374820A1. Автор: Qinhai Jin. Владелец: Chip Integration Tech Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-25.

Dual trench MOS transistor and method for forming the same

Номер патента: US8907413B1. Автор: Qinhai Jin. Владелец: Chip Integration Tech Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-09.

Hochvolt-MOS-Transistor und entsprechendes Herstellungsverfahren

Номер патента: DE102004036387A1. Автор: Klaus Petzold,Steffi Lindenkreuz,Joachim Strauss. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2006-03-23.

Semiconductor device including power MOS transistor

Номер патента: US9923091B2. Автор: Taro Moriya,Hiroyoshi Kudou. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Integrated circuits with selective gate electrode recess

Номер патента: US09418898B2. Автор: Christopher J. WIEGAND,Michael L. Hattendorf,Mark Y. Liu,Srijit Mukherjee,Tyler J WEEKS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor device including a high-breakdown voltage MOS transistor

Номер патента: US20060027880A1. Автор: Masatoshi Taya. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-02-09.

MOS transistor having increased gate-drain capacitance

Номер патента: US5625216A. Автор: Bernard D. Miller. Владелец: Micrel Inc. Дата публикации: 1997-04-29.

Transistors with selectively landed gate array

Номер патента: US20240153850A1. Автор: Krister Gumaelius,Jimmy Robert Hannes FRANCHI,Jaein An. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-05-09.

Method of forming MOS transistor

Номер патента: US20040048427A1. Автор: Myoung-Soo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-03-11.

Apparatus, system and method of a metal-oxide-semiconductor (mos) transistor including a split-gate structure

Номер патента: US20210399634A1. Автор: Erez Sarig. Владелец: Tower Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Electronic chip comprising transistors with front and back gates

Номер патента: US09660034B1. Автор: Philippe Galy. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2017-05-23.

Transistor with Reduced Channel Length Variation

Номер патента: US20130001687A1. Автор: WEI Xia,Xiangdong Chen,Henry Kuo-Shun Chen. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-01-03.

Method for Fabricating a MOS Transistor with Reduced Channel Length Variation

Номер патента: US20130017658A1. Автор: WEI Xia,Xiangdong Chen,Henry Kuo-Shun Chen. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-01-17.

Small geometry mos transistor with thin polycrystalline surface contacts and method for making

Номер патента: WO2008137478A3. Автор: Madhukar B Vora,Ashok Kapoor. Владелец: Ashok Kapoor. Дата публикации: 2008-12-31.

Small geometry mos transistor with thin polycrystalline surface contacts and method for making

Номер патента: WO2008137478A2. Автор: Madhukar B. Vora,Ashok Kapoor. Владелец: Dsm Solutions, Inc.. Дата публикации: 2008-11-13.

MOS-Transistor with Separated Electrodes Arranged in a Trench

Номер патента: US20150357437A1. Автор: Antonio Vellei. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-12-10.

Method for manufacturing a self-aligned MOS transistor

Номер патента: US20030082881A1. Автор: Ting-Chang Chang,Cheng-Jer Yang,Huang-Chung Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2003-05-01.

High voltage MOS transistors with reduced parasitic current gain

Номер патента: US5218228A. Автор: Richard A. Blanchard,Richard K. Williams,Robert W. Busse. Владелец: Siliconix Inc. Дата публикации: 1993-06-08.

Double-gate mos transistor with increased breakdown voltage

Номер патента: US20200176577A1. Автор: Christian Rivero,Julien Delalleau. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2020-06-04.

Mos transistors for thin soi integration and methods for fabricating the same

Номер патента: EP2186123A1. Автор: John A. Iacoponi,Kingsuk Maitra. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2010-05-19.

MOS Transistor and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20090236674A1. Автор: Hyuk Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-24.

Method of removing spacers and fabricating mos transistor

Номер патента: US20060134899A1. Автор: Kuan-Yang Liao,Chih-Ning Wu,Charlie Cj Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-22.

Memory cells and logic cells having transistors with different numbers of nanowires or 2d material strips

Номер патента: EP3158577A1. Автор: Victor Moroz,Jamil Kawa. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2017-04-26.

Verfahren zur herstellung einer speicherzelle mit mos-transistor

Номер патента: EP1060519B1. Автор: Franz Hofmann,Josef Willer. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-04-25.

Detecting and driving load using MOS transistor

Номер патента: US9153688B2. Автор: Sakae Nakajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-10-06.

Vertical mos transistor and method therefor

Номер патента: US20090014784A1. Автор: Prasad Venkatraman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-15.

Vertical mos transistor and method therefor

Номер патента: US20100078717A1. Автор: Prasad Venkatraman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-04-01.

MOS transistors and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20050139875A1. Автор: Hak-Dong Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

High resistance layer for III-V channel deposited on group IV substrates for MOS transistors

Номер патента: US09882009B2. Автор: Glenn A. Glass,Anand S. Murthy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Power MOS transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: US09698248B2. Автор: WEI Liu,Pengfei Wang,LEI Liu,Xi Lin,Yi Gong. Владелец: Suzhou Oriental Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

MOS transistor

Номер патента: US4675713A. Автор: Lewis E. Terry,Emily M. Thompson. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1987-06-23.

Methods of Forming CMOS Transistors with High Conductivity Gate Electrodes

Номер патента: US20110136313A1. Автор: JongWon Lee,Boun Yoon,Sang Yeob Han,Chae Lyoung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-06-09.

Integrated device having mos transistors which enable positive and negative voltages swings

Номер патента: CA2125052C. Автор: Steven A. Buhler,Mohamad M. Mojaradi,Tuan Vo,Jaime Lerma. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 1998-09-01.

MOS transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20050029682A1. Автор: Kwan-Ju Koh. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-02-10.

Method of fabricating lateral MOS transistor

Номер патента: US6071781A. Автор: Chika Nakajima. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-06-06.

High-voltage mos transistor device

Номер патента: US20090039425A1. Автор: Chih-Jen Huang,Chao-Yuan Su,Tun-Jen Cheng,Shih-Ming Shu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2009-02-12.

MOS transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070072379A1. Автор: Hyuk Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-29.

Method for reducing hot carrier effect of mos transistor

Номер патента: US20080038937A1. Автор: Ching-Hsing Hsieh,Min-Hsian Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2008-02-14.

Method for reducing hot carrier effect of MOS transistor

Номер патента: US7579250B2. Автор: Ching-Hsing Hsieh,Min-Hsian Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2009-08-25.

High-voltage-resistant MOS transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US8008721B2. Автор: Norihiro Takahashi. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-30.

High-voltage-resistant MOS transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080079096A1. Автор: Norihiro Takahashi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-03.

MOS transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US7556954B2. Автор: Hyuk Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-07.

MOS transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070158742A1. Автор: Hyung Yun. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-07-12.

Semiconductor device including vertical mos transistors

Номер патента: US20090085098A1. Автор: Kiyonori Oyu. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-04-02.

High voltage mos transistor

Номер патента: WO2016014187A1. Автор: Ranadeep Dutta. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-01-28.

Lateraler hochvolt-mos-transistor mit resurf-struktur

Номер патента: WO2008116877A1. Автор: Thomas Uhlig,Felix FÜRNHAMMER,Christoph Ellmers,Michael Stoisiek. Владелец: X-Fab Semiconductor Foundries AG. Дата публикации: 2008-10-02.

Vertical mos transistor

Номер патента: US20190245054A1. Автор: Shau-Lin Shue,Tai-I Yang,Chih-Wei Lu,Shin-Yi Yang,Hsin-Ping Chen,Yung-Chih Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-08.

Method for fabricating a semiconductor device including a MOS transistor having a silicide layer

Номер патента: US12033858B2. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Mos transistor structure with in-situ doped source and drain and method for forming the same

Номер патента: US20120032231A1. Автор: Lei Guo,Jing Wang,Jun Xu. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-02-09.

Sidewall processes using alkylsilane precursors for MOS transistor fabrication

Номер патента: US20040063260A1. Автор: Haowen Bu,Malcolm Bevan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2004-04-01.

A method for mos transistor manufacture

Номер патента: WO1987002825A1. Автор: David John Foster,Andrew James Pickering. Владелец: Plessey Overseas Limited. Дата публикации: 1987-05-07.

[mos transistor and fabrication thereof]

Номер патента: US20050287727A1. Автор: Chih-Wei Yang,Wen-Tai Chiang,Wei-Tsun Shiau,Wei-Min Lin,Yi-Sheng Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2005-12-29.

Semiconductor device having high voltage MOS transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20060148183A1. Автор: Yong Choi. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-07-06.

Method of fabricating MOS transistor

Номер патента: US20060141720A1. Автор: Yong Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-29.

Method for forming a vertical mos transistor

Номер патента: US20110275187A1. Автор: Jingjing Chen,Pon Sung Ku,Edouard D. De Frèsart,Ganming Qin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-10.

Method for fabricating a semiconductor device including a mos transistor having a silicide layer

Номер патента: US20240312784A1. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

MOS transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09941416B2. Автор: Gregory Bidal. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2018-04-10.

Method of fabricating a vertical MOS transistor

Номер патента: US09941390B2. Автор: Philippe Boivin. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2018-04-10.

MOS transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09530686B1. Автор: Gregory Bidal. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2016-12-27.

MOS transistor having a gate dielectric with multiple thicknesses

Номер патента: US09466715B2. Автор: Chih-Chang CHENG,Fu-Yu Chu,Ruey-Hsin Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

MOS transistor and method of manufacturing thereof

Номер патента: US5684317A. Автор: Hyun Sang Hwang. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 1997-11-04.

Method for fabricating mos transistor

Номер патента: US20120202328A1. Автор: Yu-Ren Wang,Tsuo-Wen Lu,Shu-Yen Chan,Tsai-fu Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-08-09.

Method for fabricating a semiconductor device including a mos transistor having a silicide layer

Номер патента: US20220415658A1. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-12-29.

Mos transistors and fabrication method thereof

Номер патента: US20140191316A1. Автор: Neil Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Corp. Дата публикации: 2014-07-10.

Method for producing integrated mos field effect transistors with an additional interconnect of metal silicides

Номер патента: CA1200616A. Автор: Ulrich Schwabe,Franz Neppl. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1986-02-11.

Transistor with group III/VI emitter

Номер патента: US20040061132A1. Автор: Hung Liao,Bao-Sung Yeh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-01.

Transistor with group III/VI emitter

Номер патента: US20030230762A1. Автор: Hung Liao,Bao-Sung Yeh. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2003-12-18.

Transistor with group III/VI emitter

Номер патента: US6984554B2. Автор: Bao-Sung Bruce Yeh,Hung Liao. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2006-01-10.

Method for making semiconductor device capable of independently forming MOS transistors and bipolar transistor

Номер патента: US5759883A. Автор: Yasushi Kinoshita. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-06-02.

Circuit containing integrated bipolar and complementary mos transistors on a common substrate

Номер патента: CA1282872C. Автор: Franz Neppl,Josef Winnerl. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1991-04-09.

Circuit containing integrated bipolar and complementary MOS transistors on a common substrate

Номер патента: US4884117A. Автор: Franz Neppl,Josef Winnerl. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1989-11-28.

Semiconductor device having an n-channel MOS transistor, a p-channel MOS transistor and a contracting film

Номер патента: US8461652B2. Автор: Ryo Tanabe. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-06-11.

MOS Transistor and Semiconductor Integrated Circuit

Номер патента: US20090166756A1. Автор: Masaki Kasahara. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-02.

Method of making MOS transistor with controlled shallow source/drain junction

Номер патента: US5672530A. Автор: Sheng Teng Hsu. Владелец: Sharp Microelectronics Technology Inc. Дата публикации: 1997-09-30.

Structure and method of MOS transistor having increased substrate resistance

Номер патента: US20030207543A1. Автор: Zhiqiang Wu,Craig Salling,Che-Jen Hu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-11-06.

Semiconductor device having an n-channel mos transistor, a p-channel mos transistor and a contracting film

Номер патента: US20130244435A1. Автор: Ryo Tanabe. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-09-19.

MOS transistor on the basis of quantum interferance effect

Номер патента: US20090072219A1. Автор: Avto Tavkhelidze. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-19.

MOS transistor on the basis of quantum interferance effect

Номер патента: US9105669B2. Автор: Avto Tavkhelidze. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-08-11.

MOS transistor with reduced kink effect and method for the manufacture thereof

Номер патента: US20060110876A1. Автор: Volker Dudek,Stefan Schwantes. Владелец: Atmel Germany GmbH. Дата публикации: 2006-05-25.

Method of fabricating a metal-oxide-semiconductor transistor with a metal gate

Номер патента: US6080646A. Автор: Kun-Chih Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-06-27.

Vertical MOS transistor

Номер патента: US20040188741A1. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-30.

Silicon-on-insulator transistor with body node to source node connection

Номер патента: US4965213A. Автор: Terence G. W. Blake. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1990-10-23.

Electrically programmed mos transistor source/drain series resistance

Номер патента: EP1456888A1. Автор: Qi Xiang,Derick J. Wristers,James F. Buller. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-09-15.

MOS transistor and switching power supply

Номер патента: US6841835B2. Автор: Hitoshi Miyamoto. Владелец: Funai Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-11.

Mos transistors capable of blocking reverse current

Номер патента: US20210119061A1. Автор: Tsung-Yi Huang,Chun-Ming Hsu,Chiung-Fu HUANG. Владелец: Leadtrend Technology Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

MOS transistor and switching power supply

Номер патента: US20030230766A1. Автор: Hitoshi Miyamoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-12-18.

Method for making a closed gate MOS transistor with self-aligned contacts with dual passivation layer

Номер патента: US4272881A. Автор: Rodney L. Angle. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1981-06-16.

Power MOS transistor

Номер патента: US20020145170A1. Автор: Norio Murakami. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-10.

MOS transistor and method for producing the transistor

Номер патента: US20020113255A1. Автор: Stephan Pindl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-08-22.

An arrangement in a power mos transistor

Номер патента: WO2002013274A1. Автор: Jan Johansson,Nils Af Ekenstam,Mikael Zackrisson. Владелец: Telefonaktiebolaget lM Ericsson (publ). Дата публикации: 2002-02-14.

An arrangement in a power mos transistor

Номер патента: EP1314205A1. Автор: Jan Johansson,Nils Af Ekenstam,Mikael Zackrisson. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2003-05-28.

Semiconductor device having MOS transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US5731233A. Автор: Satoshi Shimizu,Tomohiro Yamashita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-03-24.

Method for fabricating a MOS transistor

Номер патента: US6423587B1. Автор: Yong-Hong Chen. Владелец: Amic Technology Inc. Дата публикации: 2002-07-23.

Semiconductor device having MOS transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US5911103A. Автор: Satoshi Shimizu,Tomohiro Yamashita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-06-08.

Vertical type MOS transistor and method of formation thereof

Номер патента: US4845537A. Автор: TADASHI Nishimura,Shigeru Kusunoki,Kazuyuki Sugahara,Akihiko Ohsaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1989-07-04.

Vertical type MOS transistor and its chip

Номер патента: US4819044A. Автор: Koichi Murakami. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 1989-04-04.

Method for manufacturing VLSI MOS-transistor circuits

Номер патента: US4658496A. Автор: Gerhard Enders,Willy Beinvogl,Ernst-Guenter Mohr. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1987-04-21.

Method of producing mos transistors

Номер патента: CA1207469A. Автор: Christoph Werner,Ulrich Schwabe,Franz Neppl,Ulf Burker. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1986-07-08.

Method of reducing leakage current in a MOS transistor

Номер патента: US20020155668A1. Автор: Chien-Hsing Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-10-24.

Damascene formation of borderless contact MOS transistors

Номер патента: US6015727A. Автор: Frank M. Wanlass. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-01-18.

Ultra short channel damascene MOS transistors

Номер патента: US6090672A. Автор: Frank M. Wanlass. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-07-18.

Angled implant to build MOS transistors in contact holes

Номер патента: US5943576A. Автор: Ashok K. Kapoor. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1999-08-24.

Drail-well/extension high voltage MOS transistor structure and method of fabrication

Номер патента: US4978628A. Автор: Bruce D. Rosenthal. Владелец: Teledyne Industries Inc. Дата публикации: 1990-12-18.

MOS-Transistor auf SOI-Substrat mit Source-Durchkontaktierung

Номер патента: DE10250832A1. Автор: Hans Dr. Taddiken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-05-19.

Mos-transistor auf soi-substrat mit source-durchkontaktierung

Номер патента: WO2004040656A1. Автор: Hans Taddiken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-05-13.

Arrangemenet in a power MOS transistor

Номер патента: US20020027242A1. Автор: Jan Johansson,Nils Af Ekenstam,Mikael Zackrisson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-07.

MOS-Transistor und Verfahren zu dessen Herstellung

Номер патента: DE19943114A1. Автор: Stephan Pindl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2001-04-05.

MOS transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US7986007B2. Автор: Ta-Hsun Yeh,Yuh-Sheng Jean,Kai-Yi Huang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-07-26.

Mos transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080251841A1. Автор: Ta-Hsun Yeh,Yuh-Sheng Jean,Kai-Yi Huang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-10-16.

Method of forming a mos transistor of a semiconductor

Номер патента: US20020001910A1. Автор: Tony Lin,Jih-Wen Chou,Chin-Lai Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-01-03.

Trench MOS transistor

Номер патента: US20020093050A1. Автор: Franz Hirler,Frank Pfirsch,Manfred Kotek,Joost Larik. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-07-18.

Reduction of threshold voltage instabilities in a MOS transistor

Номер патента: US20070215919A1. Автор: DANIEL Benoit,Pierre Morin,Jorge Regolini. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2007-09-20.

Trench-mos-transistor

Номер патента: EP1190447A2. Автор: Franz Hirler,Frank Pfirsch,Manfred Kotek,Joost Larik. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-03-27.

Method of forming gate dielectric layer for MOS transistor

Номер патента: US09761687B2. Автор: Po-Lun Cheng,Chun-Liang Chen,Meng-Che Yeh,Shih-Jung Tu,Han-Lin Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Ultra high voltage mos transistor device

Номер патента: US20090072326A1. Автор: Ching-Hung Kao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2009-03-19.

Method of forming a MOS transistor in a semiconductor device and a MOS transistor fabricated thereby

Номер патента: US20020195666A1. Автор: Jae-Kyu Lee,Jae-Goo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-12-26.

Method to increase substrate potential in MOS transistors used in ESD protection circuits

Номер патента: US20040021180A1. Автор: Youngmin Kim,Amitava Chatterjee,Craig Salling. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-05.

Pad structure with parasitic MOS transistor for use with semiconductor devices

Номер патента: US5517048A. Автор: Yasumasa Kosaka. Владелец: VLSI Technology Inc. Дата публикации: 1996-05-14.

Semiconductor apparatus and method of controlling mos transistor

Номер патента: US20170155392A1. Автор: Tsuyoshi Suzuki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-06-01.

Method for the production of mos transistors

Номер патента: US20100219477A1. Автор: Stefan Guenther. Владелец: STMicroelectronics NV. Дата публикации: 2010-09-02.

Method for the production of MOS transistors

Номер патента: US7718501B2. Автор: Stefan Guenther. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-05-18.

MOS transistor circuit

Номер патента: US20060097326A1. Автор: Masanori Tsutsumi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-05-11.

Electronic circuit with mos transistors and manufacturing method

Номер патента: US20240213101A1. Автор: Christian Rivero,Brice Arrazat. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-06-27.

Apparatus and Method for Modeling MOS Transistor

Номер патента: US20090164195A1. Автор: Seok Yong Ko. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-25.

MOS-transistor structure as light sensor

Номер патента: US09721980B2. Автор: Ernst Bretschneider. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-08-01.

Method for manufacture of an integrated mos semiconductor array

Номер патента: US5094983A. Автор: Josef Furthaler,Friedemann Gschwend,Manfred Ohagen,Peter Tomaszewski. Владелец: Telefunken Electronic GmbH. Дата публикации: 1992-03-10.

MOS transistor in a single-transistor memory cell having a locally thickened gate oxide

Номер патента: US20010033006A1. Автор: Lars-Peter Heineck,Giorgio Schweeger. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2001-10-25.

Mos transistor embedded substrate and switching power supply using the same

Номер патента: US20200105677A1. Автор: Toshiyuki Abe,Hironori Chiba. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-04-02.

Method for fabricating at least three MOS transistors having different threshold voltages.

Номер патента: EP2437292A3. Автор: ARNAUD Franck. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2014-05-14.

MOS transistor embedded substrate and switching power supply using the same

Номер патента: US10867931B2. Автор: Toshiyuki Abe,Hironori Chiba. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-12-15.

MOS transistor

Номер патента: US6911699B2. Автор: Giuseppe Croce,Alessandro Moscatelli. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2005-06-28.

Field-width adjustment of cells in a photovoltaic element

Номер патента: US20240306406A1. Автор: Martin PFEIFFER-JACOB. Владелец: HELIATEK GMBH. Дата публикации: 2024-09-12.

Simulation parameter extracting method of mos transistor

Номер патента: US20110144968A1. Автор: Yasuhisa Naruta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-06-16.

Simulation parameter extracting method of MOS transistor

Номер патента: US8423342B2. Автор: Yasuhisa Naruta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-04-16.

Photobucket floor colors with selective grafting

Номер патента: WO2018063318A1. Автор: James M. Blackwell,Robert L. Bristol,Rami HOURANI,Eungnak Han,Kevin L. Lin. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-04-05.

Solid state lighting devices with selected thermal expansion and/or surface characteristics, and associated methods

Номер патента: US09806230B2. Автор: Ji-Soo Park. Владелец: Qromis Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Lightweight battery with selectively strengthened structure

Номер патента: CA1068333A. Автор: Donald C. Briggs,Ronald J. Haas. Владелец: Ford Aerospace and Communications Corp. Дата публикации: 1979-12-18.

Methods and preparations for transfection of cells

Номер патента: RU2691027C2. Автор: Матью ЭНДЖЕЛ,Кристофер РОДЕ. Владелец: Фэктор Байосайенс Инк.. Дата публикации: 2019-06-07.

Preventing propagation of cell failures in battery packs

Номер патента: GB2627254A. Автор: Dobson Matthew. Владелец: Rolls Royce PLC. Дата публикации: 2024-08-21.

Preventing propagation of cell failures in battery packs

Номер патента: US20240283047A1. Автор: Matthew Dobson. Владелец: Rolls Royce PLC. Дата публикации: 2024-08-22.

Preventing propagation of cell failures in battery packs

Номер патента: EP4418406A2. Автор: Matthew Dobson. Владелец: Rolls Royce PLC. Дата публикации: 2024-08-21.

Preventing propagation of cell failures in battery packs

Номер патента: EP4418406A3. Автор: Matthew Dobson. Владелец: Rolls Royce PLC. Дата публикации: 2024-10-09.

Series of Cells for Use in an Electrochemical Device

Номер патента: US20240247383A1. Автор: John H. CUSHMAN. Владелец: Ifbattery Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Metal-supported cell unit with a bank of cells

Номер патента: GB2606849A. Автор: Selby Mark,Domanski Tomasz,Norman Harvey Freeman Euan,James nobbs Christopher. Владелец: Ceres Intellectual Property Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-23.

Method of determining cell cycle stage distribution of cells

Номер патента: US20160379811A1. Автор: Yun Wah LAM,Hong Juan Dong. Владелец: City University of Hong Kong CityU. Дата публикации: 2016-12-29.

Integrated circuit comprising an output transistor with a controlled fall time

Номер патента: US20010017559A1. Автор: Jean Devin,Bertrand Bertrand. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2001-08-30.

Semiconductor integrated circuit having a MOS transistor with a threshold level to enable a level conversion

Номер патента: US4977339A. Автор: Akira Denda. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1990-12-11.

Reverse current throttling of a mos transistor

Номер патента: EP1050106A1. Автор: Richard Edward Boucher. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2000-11-08.

Noise reduction of a mos transistor operating as an amplifier or buffer

Номер патента: US20220109414A1. Автор: Vladimir Koifman,Anatoli Mordakhay. Владелец: Analog Value Ltd. Дата публикации: 2022-04-07.

Noise reduction of a MOS transistor operating as an amplifier or buffer

Номер патента: US11374545B2. Автор: Vladimir Koifman,Anatoli Mordakhay. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2022-06-28.

Electronic device and a method of biasing a mos transistor in an integrated circuit

Номер патента: EP2171839A1. Автор: Zhenhua Wang. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-04-07.

Video information processing system with selective chroma deblock filtering

Номер патента: EP2067265A2. Автор: Zhongli He. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2009-06-10.

Video information processing system with selective chroma deblock filtering

Номер патента: US09374586B2. Автор: Zhongli He. Владелец: North Star Innovations Inc. Дата публикации: 2016-06-21.

Selectively disabling reliability mechanisms on a network connection

Номер патента: EP2543162A4. Автор: Hasan Alkhatib,Deepak Bansal. Владелец: Microsoft Corp. Дата публикации: 2013-11-20.

Selectively disabling reliability mechanisms on a network connection

Номер патента: EP2543162A2. Автор: Hasan Alkhatib,Deepak Bansal. Владелец: Microsoft Corp. Дата публикации: 2013-01-09.

Selectively disabling reliability mechanisms on a network connection

Номер патента: WO2011109565A3. Автор: Hasan Alkhatib,Deepak Bansal. Владелец: MICROSOFT CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Selectively Disabling Reliability Mechanisms on a Network Connection

Номер патента: US20120284403A1. Автор: Hasan Alkhatib,Deepak Bansal. Владелец: Microsoft Corp. Дата публикации: 2012-11-08.

Selectively disabling reliability mechanisms on a network connection

Номер патента: WO2011109565A2. Автор: Hasan Alkhatib,Deepak Bansal. Владелец: MICROSOFT CORPORATION. Дата публикации: 2011-09-09.

Read-only memory cell configuration with trench MOS transistor and widened drain region

Номер патента: US6043543A. Автор: Helmut Klose. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2000-03-28.

Methods and apparatuses for selectively disabling functionality of a device

Номер патента: WO2005076915B1. Автор: Eric Edwards,Clay Fisher,Brian Beaver,Neal Manowitz,Robert Sato. Владелец: Robert Sato. Дата публикации: 2006-05-18.

Methods and apparatuses for selectively disabling functionality of a device

Номер патента: EP1712094A2. Автор: Eric Edwards,Clay Fisher,Brian Beaver,Neal Manowitz,Robert Sato. Владелец: Sony Electronics Inc. Дата публикации: 2006-10-18.

Selective disablement of sip encryption for lawful intercept

Номер патента: US20190349759A1. Автор: Mario Manuel Jardon,William Harry Rosenberg. Владелец: AT&T INTELLECTUAL PROPERTY I LP. Дата публикации: 2019-11-14.

Method of cell selection and mobile station

Номер патента: RU2491774C2. Автор: Такехиро НАКАМУРА,Микио ИВАМУРА. Владелец: Нтт Докомо, Инк.. Дата публикации: 2013-08-27.

Method and terminal for reselection of cell

Номер патента: RU2476011C2. Автор: Яда ХУАН,Чжунда ДУ. Владелец: Зти Корпорейшн. Дата публикации: 2013-02-20.

Method and apparatus for pusch or pdsch scheduling on a plurality of cells

Номер патента: WO2023244859A1. Автор: Sushil Kumar. Владелец: Harfang Ip Investment Corporation. Дата публикации: 2023-12-21.

Delta signaling of cell configuration for inter-cell mobility

Номер патента: US20240007914A1. Автор: Tao Luo,Peter Gaal,Junyi Li,Jelena Damnjanovic,Aleksandar Damnjanovic,Shanyu Zhou. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Grate of photogalvanic cells with mechanical detachment of cells relative to their support

Номер патента: RU2518021C2. Автор: Лоран Д`АБРИЖОН. Владелец: Таль. Дата публикации: 2014-06-10.

Method and system for load sharing between a plurality of cells in a radio network system

Номер патента: EP1402749A1. Автор: Salvador Pedraza,Matias Toril. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2004-03-31.

Release group of cells using l1/l2 signaling for l1-l2 inter-cell mobility under mtrp

Номер патента: US20240121586A1. Автор: Jelena Damnjanovic,Aleksandar Damnjanovic,Shanyu Zhou. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

System for balancing a series of cells

Номер патента: US20200343739A1. Автор: Mor Mordechai PERETZ,Ilya Zeltser. Владелец: BG Negev Technologies and Applications Ltd. Дата публикации: 2020-10-29.

System for balancing a series of cells

Номер патента: EP3571753A1. Автор: Mor Mordechai PERETZ,Ilya Zeltser. Владелец: BG Negev Technologies and Applications Ltd. Дата публикации: 2019-11-27.

Method and device for transmitting and receiving list of cells providing scptm service

Номер патента: US20180077631A1. Автор: Jian Xu,Daewook BYUN. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2018-03-15.

Method and device for transmitting and receiving list of cells providing scptm service

Номер патента: US20190150077A1. Автор: Jian Xu,Daewook BYUN. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2019-05-16.

Configuration and activation of cell discontinuous transmission and reception

Номер патента: US20240267984A1. Автор: JEONGHO JEON,Aristides Papasakellariou,Hongbo Si. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for concurrently accessing plurality of cells and user equipment

Номер патента: US09986590B2. Автор: Daesung HWANG,Joonkui Ahn,Yunjung Yi,Dongyoun Seo. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2018-05-29.

Apparatus and method for implementing collaborative work of cells

Номер патента: US09769729B2. Автор: Peng Lan,Jueping Wang,Si Zhang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Indication of cell mode and CSI feedback rules for cell on-off procedure

Номер патента: US09674727B2. Автор: Tao Luo,Hao Xu,Peter Gaal,Wanshi Chen,Aleksandar Damnjanovic. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Method and system of analyzing a plurality of cells in a cellular telecommunication network

Номер патента: US09648534B2. Автор: Roy MORAD,Idan Cohen. Владелец: Evolution Systems Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Method and apparatus for aggregating plurality of cells

Номер патента: US09577812B2. Автор: Daesung HWANG,Suckchel Yang. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-02-21.

Priority method of identification and measurement of cells

Номер патента: RU2649309C1. Автор: Жуй ХУАН,Ян ТАН,Кэнди ИУ. Владелец: ИНТЕЛ АйПи КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2018-04-02.

Optimizing usage of power using switch off of cells based on bayesian optimisation

Номер патента: EP4395405A1. Автор: Lorenzo MAGGI. Владелец: NOKIA SOLUTIONS AND NETWORKS OY. Дата публикации: 2024-07-03.

Analyzing operation of cells of a communications network

Номер патента: EP4264995A1. Автор: Petteri Lunden,Adriana CHIS. Владелец: Elisa Oyj. Дата публикации: 2023-10-25.

Method of cell placement and related computer program product

Номер патента: US11012867B1. Автор: Ta-Sung Lee,Yu-Shan Chiu. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2021-05-18.

Method and apparatus for composing a set of cells in a radio network

Номер патента: US20100142492A1. Автор: Jörg Huschke,Shyam Chakraborty. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-10.

Method for multi-hierarchical addressing of cells in a cellular communication network

Номер патента: EP2243325A1. Автор: Axel Klatt,Karl-Heinz Nenner,Rifat Can. Владелец: DEUTSCHE TELEKOM AG. Дата публикации: 2010-10-27.

Optimizing Usage of Power Using Switch Off of Cells

Номер патента: FI20226171A1. Автор: Lorenzo MAGGI. Владелец: NOKIA SOLUTIONS & NETWORKS OY. Дата публикации: 2024-06-29.

Method and apparatus for pusch or pdsch scheduling on a plurality of cells

Номер патента: WO2024145559A1. Автор: Sushil Kumar. Владелец: Harfang Ip Investment Corporation. Дата публикации: 2024-07-04.

Method of Cell Reselection for a Mobile Communication System and Related Mobile Device

Номер патента: US20130157608A1. Автор: Ming-Dao Chuang. Владелец: Acer Inc. Дата публикации: 2013-06-20.

Method and apparatus for maximizing network capacity of cell sites in a wireless network

Номер патента: US09924367B2. Автор: ZHI Li,Vibhav Kapnadak. Владелец: AT&T INTELLECTUAL PROPERTY I LP. Дата публикации: 2018-03-20.

Device, system and method of cell specific probability load balancing

Номер патента: US09854591B2. Автор: Candy YIU,Nithin Srinivasan. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Method and user equipment for simultaneously accessing plurality of cells

Номер патента: US09853720B2. Автор: Daesung HWANG,Joonkui Ahn,Suckchel Yang,Yunjung Yi,Dongyoun Seo. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-12-26.

Method and apparatus for maximizing network capacity of cell sites in a wireless network

Номер патента: US09565577B2. Автор: ZHI Li,Vibhav Kapnadak. Владелец: AT&T INTELLECTUAL PROPERTY I LP. Дата публикации: 2017-02-07.

Method and apparatus for composing a set of cells in a radio network

Номер патента: US09379787B2. Автор: Jörg Huschke,Shyam Chakraborty. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2016-06-28.

Selectively disabling anti-replay protection by a network security device

Номер патента: US20210203698A1. Автор: Yixin Pan. Владелец: Fortinet Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Reduction of the number of cells during paging

Номер патента: WO2013055565A1. Автор: Yigal Bejerano,Thyagarajan Nandagopal,Katherine Guo. Владелец: ALCATEL LUCENT. Дата публикации: 2013-04-18.

Method of user equipment power savings using groups of cells, and network node thereof

Номер патента: US12108380B2. Автор: Jorma Kaikkonen,Samuli Turtinen. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2024-10-01.

Acknowledgement information for multiple sets of cells

Номер патента: US20240348380A1. Автор: Aristides Papasakellariou,Ebrahim MolavianJazi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Controlling charging current supplied to plurality of cell modules connected in parallel

Номер патента: US09438061B2. Автор: Akira Takeyama. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Selecting an uplink-downlink configuration for a cluster of cells

Номер патента: US20140307591A1. Автор: Yi Song,Jun Li,Yiping Wang. Владелец: Research in Motion Ltd. Дата публикации: 2014-10-16.

Method and device for managing measurement parameters of cell handover

Номер патента: US20220240137A1. Автор: Wei Hong. Владелец: Beijing Xiaomi Mobile Software Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-28.

Method of cell selection and mobile station

Номер патента: RU2491775C2. Автор: Такехиро НАКАМУРА,Микио ИВАМУРА. Владелец: Нтт Докомо, Инк.. Дата публикации: 2013-08-27.

Method of cell selection and mobile station

Номер патента: RU2491792C2. Автор: Такехиро НАКАМУРА,Микио ИВАМУРА. Владелец: Нтт Досомо, Инк.. Дата публикации: 2013-08-27.

Method for the insertion of cells into an ATM type flow and implementation device

Номер патента: US5724354A. Автор: Bertrand Mathieu,Jean Yves Tremel. Владелец: France Telecom SA. Дата публикации: 1998-03-03.

Abnormality diagnostic device and method of cell balancing circuits

Номер патента: EP2544013A1. Автор: Sang-Hoon Lee,Jee-Ho Kim,Dal-Hoon Lee,Ju-Hyun Kang. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2013-01-09.

Maintaining and searching sets of cells in a wireless communication system

Номер патента: US7286801B2. Автор: Messay Amerga,Chalapathi Rao Emani. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2007-10-23.

Apparatus and method of cell detection

Номер патента: WO2023200445A1. Автор: Jian Gu,Ping Hou. Владелец: Zeku, Inc.. Дата публикации: 2023-10-19.

Method for notifying the change of cell information in multimedia broad cast/multicast service

Номер патента: EP1715699A4. Автор: Hao Hu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-11.

Satellite provisioning of cell service

Номер патента: US11984967B2. Автор: Paul Marko,Craig Wadin. Владелец: Sirius XM Radio Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Transmission of uplink control information in carrier aggregation with a large number of cells

Номер патента: US09876623B2. Автор: Aris Papasakellariou. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-23.

Apparatus for regulating state of charge of cells of battery set

Номер патента: US5998969A. Автор: Tadashi Tsuji,Masato Origuchi. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 1999-12-07.

Network node and method for managing power of cell reference symbols

Номер патента: EP3294012A1. Автор: Christian SKÄRBY,Tomas Lagerqvist. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2018-03-14.

Method of cell reselection in non-public network and related device

Номер патента: US20210400552A1. Автор: Hung-Chen Chen,Mei-Ju Shih,Yung-Lan TSENG. Владелец: FG Innovation Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Analyzing operation of cells of a communications network

Номер патента: US20240098529A1. Автор: Petteri Lunden,Adriana CHIS. Владелец: Elisa Oyj. Дата публикации: 2024-03-21.

Dynamic allocation of cell identifiers in a cellular communication system

Номер патента: EP2263397A1. Автор: KARI HORNEMAN,Vinh Van Phan. Владелец: NOKIA SIEMENS NETWORKS OY. Дата публикации: 2010-12-22.

Method an apparatus for composing a set of cells in a radio network

Номер патента: EP2123076A1. Автор: Joerg Huschke,Shyam Chakraborty. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2009-11-25.

Method of cell reselection in non-public network and related device

Номер патента: WO2021254488A1. Автор: Yunglan TSENG,Meiju SHIH,Hungchen CHEN. Владелец: FG Innovation Company Limited. Дата публикации: 2021-12-23.

Reference voltage generator having diode-connected depletion MOS transistors with same temperature coefficient

Номер патента: US09552009B2. Автор: Hideo Yoshino,Masayuki Hashitani. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Layout overlap detection with selective flattening in computer implemented integrated circuit design

Номер патента: US6011911A. Автор: Hongbo Tang,Wai-Yan Ho. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2000-01-04.

Transistors with source and word line voltage adjusting circuitry for controlling leakage currents and its method thereof

Номер патента: US09466342B2. Автор: Shinji Miyano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Selectively disabled ammunition and remote ammunition disabling system and method of use

Номер патента: US09903694B2. Автор: Joseph Dan Palo. Владелец: Jd Pharma LLC. Дата публикации: 2018-02-27.

Selectively disabled ammunition and remote ammunition disabling system and method of use

Номер патента: CA3056146A1. Автор: Joseph Dan Palo. Владелец: Jd Pharma LLC. Дата публикации: 2017-09-21.

Hybrid charge pump regulation with selectable feedback circuits

Номер патента: WO2008016571A1. Автор: Feng Pan. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2008-02-07.

Memory structures having selectively disabled portions for power conservation

Номер патента: US20020191433A1. Автор: David BROOKS,Vivek Tiwari. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-19.

Ram cells having a substantially balanced number of n-mos and p-mos transistors for improving layout areas

Номер патента: WO2001020612A1. Автор: Huy Nguyen. Владелец: Rosun Technologies, Inc.. Дата публикации: 2001-03-22.

Selective disable of history-based predictors on mode transitions

Номер патента: US20230409335A1. Автор: Martin Licht,Jared Warner Stark, IV,Mathew Lowes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Methods for creation of cells banks with ultrahigh density

Номер патента: RU2723129C2. Автор: Сяося ЦЗИНЬ,Клаудия БАСЕР. Владелец: Джензим Корпорейшн. Дата публикации: 2020-06-08.

Method and apparatus in a data processor for selectively disabling a power-down instruction

Номер патента: US4669059A. Автор: Wendell L. Little,Kenneth R. Burch. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1987-05-26.

Automatic method and machine for preparation and analysis of multitude of cell suspensions

Номер патента: RU2556994C2. Автор: Эрик ПЕЛЬТЬЕ. Владелец: Новаси. Дата публикации: 2015-07-20.

Method of cell recovery from breast secretion

Номер патента: RU2401113C2. Автор: Марк Дерек КРЕГАН,Петер Эдвин ХАРТМАНН. Владелец: Караг Аг. Дата публикации: 2010-10-10.

Composition for modulation of cell adhesion molecule expression

Номер патента: RU2503463C2. Автор: Чарльз Дэвид ЭДЕЙР,Юйпин ВАН. Владелец: Чарльз Дэвид ЭДЕЙР. Дата публикации: 2014-01-10.

Radial piston pump having means for selectively disabling at least one of the pumping chambers

Номер патента: US5823091A. Автор: Peter Collingborn. Владелец: Lucas Industries Ltd. Дата публикации: 1998-10-20.

Selectively disabling power delivery to a grouping of memory devices of an information handling system

Номер патента: US20230065935A1. Автор: Lee Zaretsky,Isaac Q. Wang. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2023-03-02.

Constant current source apparatus including two series depletion-type MOS transistors

Номер патента: US20050174165A1. Автор: Eiji Shimada. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-08-11.

Method and system for subsampling of cells from single-cell genomics dataset

Номер патента: WO2022058339A1. Автор: Goran Karlsson,Parashar DHAPOLA. Владелец: Dhapola Parashar. Дата публикации: 2022-03-24.

Method to improve barrier function of cell-cell junctions

Номер патента: US20080293076A1. Автор: Johannes Lucas Bos,Nadia Marie-Noel Dube,Mattheus Ritske Harm Kooistra. Владелец: UMC Utrecht Holding BV. Дата публикации: 2008-11-27.

Measuring method of cell migration using the rate of cell invasion

Номер патента: US12092575B2. Автор: Dong Woo Lee,Jung Eun Kim,Bo Sung Ku,Man Ki CHUNG. Владелец: MBD Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Method of producing a population of cells

Номер патента: US20100151569A1. Автор: Nicholas Eion Timmins,Lars Keld Nielsen,Emma Louise Palfreyman. Владелец: University of Queensland UQ. Дата публикации: 2010-06-17.

Microfluidic Devices for High Throughput Screening of Cell-Cell Interactions

Номер патента: US20240182849A1. Автор: LI Sun,Kaveh Milaninia,Yih Yang CHEN. Владелец: Shennon Biotechnologies Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Microfluidic devices for high throughput screening of cell-cell interactions

Номер патента: WO2024102720A3. Автор: LI Sun,Kaveh Milaninia,Yih Yang CHEN. Владелец: Shennon Biotechnologies Inc.. Дата публикации: 2024-06-20.

Dielectrophoresis-based cell destruction to eliminate unwanted subpopulations of cells

Номер патента: US20150001081A1. Автор: Abraham P. Lee,Lisa A. FLANAGAN,Jente Lu. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2015-01-01.

Rnai methods and compositions for stimulating proliferation of cells with adherent junctions

Номер патента: EP2066334A1. Автор: Wei Li,Scheffer Tseng,Yingting Zhu. Владелец: TissueTech Inc. Дата публикации: 2009-06-10.

Micromechanical devices for control of cell-cell interaction, and methods of use thereof

Номер патента: US20100167330A1. Автор: Sangeeta N. Bhatia,Elliot Hui. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-07-01.

A method of cell lysis

Номер патента: US20240279592A1. Автор: Patrik Stenner,Silvia BLANK-SHIM,Tobias Karl Hubert MÜLLER,Steliyana DIMITROVA. Владелец: EVONIK OPERATIONS GMBH. Дата публикации: 2024-08-22.

Methods and systems for the culture of cells at liquid-liquid interfaces

Номер патента: US20240200022A1. Автор: Julien Gautrot,Dexu Kong,Yaqi You,Lihui Peng. Владелец: Queen Mary University of London. Дата публикации: 2024-06-20.

Development of cell medium and feed on mammalian cells

Номер патента: WO2024180052A1. Автор: Rose Whelan,Florian Böhl,Suki ROY,Sanjanaa NAGARAJAN,Lingzhi Huang,Kit Yeng WONG. Владелец: EVONIK OPERATIONS GMBH. Дата публикации: 2024-09-06.

Analysis of cell populations

Номер патента: EP3994463A1. Автор: Michael Fehlings. Владелец: Immunoscape Pte Ltd. Дата публикации: 2022-05-11.

Use of cells derived from first trimester umbilical cord tissue

Номер патента: US12129481B2. Автор: Clifford L. Librach,Shangmian Yie,Rong Xiao. Владелец: Reprobiogen Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Dielectrophoresis-based cell destruction to eliminate unwanted subpopulations of cells

Номер патента: US09797862B2. Автор: Abraham P. Lee,Lisa A. FLANAGAN,Jente Lu. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2017-10-24.

Process for the culturing of cells

Номер патента: US09670520B2. Автор: Gerben Meile Zijlstra,Robert Patrick Hof,Jacob Schilder. Владелец: Patheon Holdings I BV. Дата публикации: 2017-06-06.

Methods and compositions for identifying and validating modulators of cell fate

Номер патента: US09657357B2. Автор: Kambiz Shekdar,Dennis J. Sawchuk,Jessica C. Langer. Владелец: Chromocell Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Micromechanical devices for control of cell-cell interaction, and methods of use thereof

Номер патента: US09611453B2. Автор: Sangeeta N. Bhatia,Elliot Hui. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2017-04-04.

Process for the culturing of cells

Номер патента: US09469865B2. Автор: Gerben Meile Zijlstra,Robert Patrick Hof,Jacob Schilder. Владелец: DPX HOLDINGS BV. Дата публикации: 2016-10-18.

Dynamic memory allocation using suballocation of cell blocks

Номер патента: US09442835B1. Автор: Keith Watts. Владелец: CA Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Cells and method of cell culture

Номер патента: EP4446338A2. Автор: Gregory Walter Hiller,Bhanu Chandra MULUKUTLA,Jeffrey Joseph MITCHELL,Pamela Mary PEGMAN. Владелец: PFIZER INC. Дата публикации: 2024-10-16.

Semiconductor circuit of MOS transistors for generation of reference voltage

Номер патента: US4641081A. Автор: Ryoichi Sato,Toshio Mimoto. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1987-02-03.

Compositions and methods for the depletion of cells

Номер патента: US20240207428A1. Автор: Andrew Nixon,Dwight MORROW,Adam HARTIGAN. Владелец: Magenta Therapeutics Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Method of cells surface modification

Номер патента: WO2020191621A1. Автор: Changxiu Li,Wei Sun,Mingken WEI,Yinbo XIANG,Baogui TANG,Hanbing HAN. Владелец: Guangdong University of Petrochemical Technology. Дата публикации: 2020-10-01.

Automated control of cell growth rates for induction and transformation

Номер патента: US20190300836A1. Автор: Phillip Belgrader,Don MASQUELIER. Владелец: Inscripta Inc. Дата публикации: 2019-10-03.

Apparatus and method for determining the mechanical properties of cells

Номер патента: EP3036520A1. Автор: Jochen Guck,Oliver Otto,Philipp ROSENDAHL. Владелец: TECHNISCHE UNIVERSITAET DRESDEN. Дата публикации: 2016-06-29.

User-assisted iteration of cell image segmentation

Номер патента: WO2021046142A1. Автор: Carlos Luna,Caitriona Lyons. Владелец: Leica Biosystems Imaging, Inc.. Дата публикации: 2021-03-11.

Cryopreservation of cell monolayers

Номер патента: US20210345600A1. Автор: Locksley E. Mcgann,Nasim ESKANDARI,John A. NYCHKA,Leah A. MARQUEZ-CURTIS,Janet Anne W. ELLIOTT. Владелец: University of Alberta. Дата публикации: 2021-11-11.

Automated analysis of cell cultures

Номер патента: WO2022053290A1. Автор: Eugenio Martinelli,Arianna MENCATTINI,Maria Carla PARRINI,Irina VEITH. Владелец: Hoffmann-La Roche Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

Method for the separation of cells

Номер патента: EP2217622A2. Автор: Andreas Bosio. Владелец: Miltenyi Biotec GmbH. Дата публикации: 2010-08-18.

Method for the separation of cells

Номер патента: WO2009066180A3. Автор: Andreas Bosio. Владелец: Miltenyi Biotec GmbH. Дата публикации: 2009-11-26.

Method for the separation of cells

Номер патента: WO2009066180A2. Автор: Andreas Bosio. Владелец: Miltenyi Biotec GmbH. Дата публикации: 2009-05-28.

Construction method of cell models for detecting pyrogens, cell models and pyrogen detection kits

Номер патента: US20180313821A1. Автор: Gang Niu,Huanran TAN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-11-01.

Depletion of cells by crispr nucleases

Номер патента: AU2023209132A1. Автор: Paul Scholz,Christian Zurek. Владелец: BRAIN Biotech AG. Дата публикации: 2024-07-18.

Medium and matrix for long-term proliferation of cells

Номер патента: US20010019841A1. Автор: Anton-Lewis Usala,Richard Klann. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-06.

Systems and methods for collection of cell clusters

Номер патента: EP1841364A1. Автор: Eric Larson,Edward Eaton,Peter Diamics Inc. GOMBRICH,Gene Diamics INC DIMONTE. Владелец: Diamics Inc. Дата публикации: 2007-10-10.

Systems and methods for collection of cell clusters

Номер патента: WO2006074195A1. Автор: Eric Larson,Edward Eaton,Peter Gombrich,Gene Dimonte. Владелец: Diamics, Inc.. Дата публикации: 2006-07-13.

Method for controlling binding of cells to a substrate

Номер патента: WO2012062819A3. Автор: Claudia Rosenbaum,Christian Van Den Bos,Judith Schenk,Ying Nie. Владелец: LONZA COLOGNE GMBH. Дата публикации: 2012-07-12.

Use of panel of pairs of primers complementary to reporter genes of cell differentiation

Номер патента: EP1859055B1. Автор: Mikael Kubista,Peter Sartipy,Neven Zoric,Karin Noaksson. Владелец: CELLARTIS AB. Дата публикации: 2009-11-18.

Use of panel of pairs of primers complementary to reporter genes of cell differentiation

Номер патента: EP1859055A2. Автор: Mikael Kubista,Peter Sartipy,Neven Zoric,Karin Noaksson. Владелец: CELLARTIS AB. Дата публикации: 2007-11-28.

Use of panel of pairs of primers complementary to reporter genes of cell differentiation

Номер патента: EP1859055B2. Автор: Mikael Kubista,Peter Sartipy,Neven Zoric,Karin Noaksson. Владелец: CELLARTIS AB. Дата публикации: 2014-05-28.

User-assisted iteration of cell image segmentation

Номер патента: US12131465B2. Автор: Carlos Luna,Caitriona Lyons. Владелец: Leica Biosystems Imaging Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Compounds for Prevention of Cell Injury

Номер патента: US20130203830A1. Автор: Robert Henk Henning,Fatemeh Talaei,Adrianus C. Van der Graaf. Владелец: Sulfateq Bv. Дата публикации: 2013-08-08.

Measuring volume and constituents of cells

Номер патента: US09588033B2. Автор: Michael Zahniser,Russell ZAHNISER. Владелец: Roche Diagnostics Hematology Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Non-static suspension culture of cell aggregates

Номер патента: US09447380B2. Автор: Catherine M. Verfaillie,Kartik Subramanian,Wei-Shou Hu,Yonsil Park. Владелец: University of Minnesota. Дата публикации: 2016-09-20.

Device for cultivation of cell cultures

Номер патента: RU2573922C2. Автор: Лотар ЮСТ,Тимо ШМИДТ,Хольгер БЕККЕР. Владелец: Натурин Вискофан Гмбх. Дата публикации: 2016-01-27.

Data readout circuit for an MOS transistor array

Номер патента: US4592021A. Автор: Hiroaki Suzuki,Itsuo Sasaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1986-05-27.

Early post-transfection isolation of cells (epic) for biologics production

Номер патента: CA3001238C. Автор: Christine Demaria,Victor R. Cairns,Jason VITKO. Владелец: Genzyme Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Preservation of cell-free nucleic acids

Номер патента: US20240218425A1. Автор: M. Rohan Fernando. Владелец: Streck LLC. Дата публикации: 2024-07-04.

Methods and assays with populations of cells

Номер патента: EP4107253A1. Автор: Trevor ROGERS. Владелец: STEMCELL TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2022-12-28.

Methods and assays with populations of cells

Номер патента: AU2021224558A1. Автор: Trevor ROGERS. Владелец: STEMCELL TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2022-09-08.

Enhancer of cell division

Номер патента: EP2673291A1. Автор: Thomas Mock,Rachel Elizabeth Hipkin. Владелец: University of East Anglia. Дата публикации: 2013-12-18.

An incubator for receiving a number of cell culture chamber devices

Номер патента: EP4179058A1. Автор: Stephen John Fey,Hans Henrik Jochumsen,Krzysztof Wrzesinski. Владелец: Celvivo Aps. Дата публикации: 2023-05-17.

Compositions for transportation and/or cryopreservation of cells and/or tissues

Номер патента: US12058997B2. Автор: Patrick G. PUMPUTIS,Steven Ten HOLDER,Drew W. TAYLOR. Владелец: Acorn Biolabs Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Methods for increasing viral transduction of cells

Номер патента: CA3210543A1. Автор: Margaret E. ACKERMAN,Margaret Clark CARPENTER,Yina H. HUANG. Владелец: Dartmouth College. Дата публикации: 2022-08-04.

Separation, dissociation and/or disaggregation of cells using shockwaves or mechanical impacts

Номер патента: AU2022201872B2. Автор: John Chi,Ben-Chen CHI. Владелец: Synova Life Sciences Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

An incubator for receiving a number of cell culture chamber devices

Номер патента: WO2022008292A1. Автор: Stephen John Fey,Hans Henrik Jochumsen,Krzysztof Wrzesinski. Владелец: Celvivo Aps. Дата публикации: 2022-01-13.

An incubator for receiving a number of cell culture chamber devices

Номер патента: AU2021304789A1. Автор: Stephen John Fey,Hans Henrik Jochumsen,Krzysztof Wrzesinski. Владелец: Celvivo Aps. Дата публикации: 2022-12-15.

Aggregate of cell carrier particles and method for preparing same

Номер патента: US20210277380A1. Автор: WEI Liu,Xiaojun YAN. Владелец: Beijing Cytoniche Biotechnology Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-09.

Digital counting of cell fusion events using dna barcodes

Номер патента: AU2023211609A1. Автор: David Younger,Randolph Lopez,Ryan EMERSON,Emily ENGELHART. Владелец: A Alpha Bio Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Separation, dissociation and/or disaggregation of cells using shockwaves or mechanical impacts

Номер патента: AU2023226696A1. Автор: John Chi,Ben-Chen CHI. Владелец: Synova Life Sciences Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Epitope engineering of cell-surface receptors

Номер патента: WO2023159136A2. Автор: Pietro Genovese,Gabriele CASIRATI. Владелец: The Children's Medical Center Corporation. Дата публикации: 2023-08-24.

Protein kinase C activators and their use in decreasing expression of cell antigens

Номер патента: US20020040062A1. Автор: Paul Fisher,Jorge LEON. Владелец: Columbia University in the City of New York. Дата публикации: 2002-04-04.

Protein kinase C activators and their use in increasing expression of cell antigens

Номер патента: US6069174A. Автор: Paul B. Fisher,Jorge A. Leon. Владелец: Columbia University in the City of New York. Дата публикации: 2000-05-30.

Epitope engineering of cell-surface receptors

Номер патента: AU2023222086A1. Автор: Pietro Genovese,Gabriele CASIRATI. Владелец: Dana Farber Cancer Institute Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Electroporation devices and methods of cell transfection

Номер патента: EP4423235A1. Автор: Chihwei CHANG,Wade RICHARDSON,Artin MEHRABI. Владелец: Nanocav LLC. Дата публикации: 2024-09-04.

Methods for increasing viral transduction of cells

Номер патента: EP4284393A1. Автор: Margaret E. ACKERMAN,Margaret Clark CARPENTER,Yina H. HUANG. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-12-06.

Process for producing a substrate for attachment of cells and a substrate for attachment of cells

Номер патента: US20040180435A1. Автор: Shinji Suzuki. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2004-09-16.

Compressive Raman classification of cells using a neural network for optical filter design and cell classification

Номер патента: US20240302283A1. Автор: Stefan Semrau. Владелец: UNIVERSITEIT LEIDEN. Дата публикации: 2024-09-12.

Compositions and methods for promoting in vitro maturation of cells

Номер патента: EP4423254A1. Автор: Lorenz Studer,Gabriele CICERI,Emiliano HERGENREDER. Владелец: Memorial Sloan Kettering Cancer Center. Дата публикации: 2024-09-04.

Compositions for transportation and/or cryopreservation of cells and/or tissues

Номер патента: AU2019316505B2. Автор: Patrick G. PUMPUTIS,Steven Ten HOLDER,Drew W. TAYLOR. Владелец: Acorn Biolabs Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Compressive raman classification of cells using a neural network for optical filter design and cell classification

Номер патента: WO2024184436A1. Автор: Stefan Semrau. Владелец: UNIVERSITEIT LEIDEN. Дата публикации: 2024-09-12.

Device and method for fully enclosed and fully automatic dispensing of cells

Номер патента: US20240352417A1. Автор: LI ZHANG,Li Xie,Fei Wang,Yiwen Zhou,Luyi ZHANG,Jiaqiang REN,Dijun ZHAO. Владелец: Abelzeta Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Device and method for fully enclosed and fully automatic dispensing of cells

Номер патента: EP4393467A1. Автор: LI ZHANG,Li Xie,Fei Wang,Yiwen Zhou,Luyi ZHANG,Jiaqiang REN,Dijun ZHAO. Владелец: Abelzeta Inc. Дата публикации: 2024-07-03.

Regulation of cells and organisms

Номер патента: US20240327889A1. Автор: Georgy Tets,Victor Tets. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-10-03.

Compositions for transportation and/or cryopreservation of cells and/or tissues

Номер патента: US20240358011A1. Автор: Patrick G. PUMPUTIS,Steven Ten HOLDER,Drew W. TAYLOR. Владелец: Acorn Biolabs Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Method for the culturing of cells

Номер патента: US12134780B2. Автор: Simon Werner,Martin Stelzle,Britta Hagmeyer,Michael Pawlak,Zeno von Guttenberg,Christian Schmees. Владелец: ibidi GmbH. Дата публикации: 2024-11-05.

Chromatographic isolation of cells and other complex biological materials

Номер патента: US12066365B2. Автор: Herbert Stadler. Владелец: Juno Therapeutics GmbH. Дата публикации: 2024-08-20.

Devices and compositions for preservation of cell-free nucleic acids

Номер патента: US09926590B2. Автор: M. Rohan Fernando. Владелец: Streck Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Flash command that reports a count of cell program failures

Номер патента: US09922718B2. Автор: Yu Cai,Erich F. Haratsch,Yunxiang Wu. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-03-20.

Cryopreservation of cells and subcellular fractions

Номер патента: US09642355B2. Автор: Maciej Czerwinski. Владелец: XENOTECH LLC. Дата публикации: 2017-05-09.

Compositions and methods for modulating the sensitivity of cells to AHAS inhibitors

Номер патента: US09441238B2. Автор: Jun URANO,Michele M. Champagne. Владелец: Synthetic Genomics Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Perfusion balloon with selectively actuated valve

Номер патента: RU2717379C2. Автор: ГАРСИА Эдгар САНЧЕЗ. Владелец: С. Р. Бард, Инк.. Дата публикации: 2020-03-23.

Apparatus and Method for Modeling MOS Transistor

Номер патента: US20090164181A1. Автор: Seok Yong Ko. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-25.

Heat exchanger comprising a stack of cells

Номер патента: CA3079666A1. Автор: Paulus Maria Smeets,Viktor KORNILOV,Luuk Verbakel. Владелец: MICRO TURBINE Tech BV. Дата публикации: 2019-05-02.

Heat exchanger comprising a stack of cells

Номер патента: EP3701210A1. Автор: Paulus Maria Smeets,Viktor KORNILOV,Luuk Verbakel. Владелец: MICRO TURBINE Tech BV. Дата публикации: 2020-09-02.

PH adjustment to improve thaw recovery of cell banks

Номер патента: US12016328B2. Автор: Steven J. Meier,Kara Calhoun,Phillip Duffy,Angela Meier,Marcia COYNE. Владелец: Genentech Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Purification of Cell Mixtures Using Molecular Beacons Targeting Cell Specific RNA

Номер патента: US20170002326A1. Автор: Gang Bao,Young Sup Yoon,Kiwon Ban,Brin Wile. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2017-01-05.

Device and procedure for the long-term supply of cell cultures with medium

Номер патента: EP2929010A1. Автор: Michaela Aufderheide,Beat Halter. Владелец: Japan Tobacco Inc. Дата публикации: 2015-10-14.

Method and kit for evaluating condition of cell

Номер патента: EP4148140A1. Автор: Masayuki Ono. Владелец: JVCKenwood Corp. Дата публикации: 2023-03-15.

Method and kit for evaluating condition of cell

Номер патента: US20230091622A1. Автор: Masayuki Ono. Владелец: JVCKenwood Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Methods for the harvesting of cell cultures

Номер патента: US20180330043A1. Автор: Sheldon F. Oppenheim,Kevin C. CARRIGAN. Владелец: Millennium Pharmaceuticals Inc. Дата публикации: 2018-11-15.

Two-dimensional code composed of a plurality of types of cells

Номер патента: US20190108429A1. Автор: Toshio Morimoto,Masahiro Hara,Yosuke KANBE,Soutaro TABATA. Владелец: Denso Wave Inc. Дата публикации: 2019-04-11.

Methods and systems for connecting a spreadsheet to external data sources with temporal replication of cell blocks

Номер патента: US20190012306A1. Автор: Robert E. Dvorak. Владелец: Adaptam Inc. Дата публикации: 2019-01-10.

Proteins involved in the regulation of cell-cell adhesion and uses thereof

Номер патента: WO1996016170A2. Автор: James Michael STADDON. Владелец: EISAI CO., LTD.. Дата публикации: 1996-05-30.

Methods and compositions for inhibiting thrombin generation at the surface of cells

Номер патента: US20020039791A1. Автор: Anthony Chan,Leslie Berry,Richard Austin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-04.

Methods of cell therapies

Номер патента: US20240207322A1. Автор: Tomoaki Kato,Erik J. Woods,Megan Sykes,Brian H. Johnstone,Dongsheng GU,Aubrey Marie Sherry,Kelsey Gwen Musall,Jianing Fu. Владелец: Ossium Health Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Methods for the harvesting of cell cultures

Номер патента: US20240029831A1. Автор: Sheldon F. Oppenheim,Kevin C. CARRIGAN. Владелец: Takeda Pharmaceutical Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Ph adjustment to improve thaw recovery of cell banks

Номер патента: NZ727705B2. Автор: Kara Calhoun,Steven J Meier,Phillip Duffy,Angela Meier,Marcia COYNE. Владелец: Genentech Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Method and apparatus for screening of cell strains and culture conditions

Номер патента: US12091700B2. Автор: Keisuke Shibuya,Takeyuki Kondou,Kenichirou Oka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Process for producing a substrate for attachment of cells

Номер патента: US7358089B2. Автор: Shinji Suzuki. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2008-04-15.

Device and method for microdroplet detection of cells

Номер патента: AU2019385743B2. Автор: Tom Isaac,Cameron Frayling. Владелец: Lightcast Discovery Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Ph adjustment to improve thaw recovery of cell banks

Номер патента: NZ765734B2. Автор: Kara Calhoun,Steven J Meier,Phillip Duffy,Angela Meier,Marcia COYNE. Владелец: Genentech Inc. Дата публикации: 2024-04-30.

Purification of cell mixtures using molecular beacons targeting cell specific RNA

Номер патента: US09493742B2. Автор: Gang Bao,Young Sup Yoon,Kiwon Ban,Brian Wile. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Metabolic monitoring of cells in a microplate reader

Номер патента: US5766875A. Автор: Dean G. Hafeman,Kimberly L. Crawford,Anthony J. Sanchez,Henry Garrett Wada. Владелец: Molecular Devices LLC. Дата публикации: 1998-06-16.

Method and system for subsampling of cells from single-cell genomics dataset

Номер патента: US20230352119A1. Автор: Goran Karlsson,Parashar DHAPOLA. Владелец: Nygen Analytics AB. Дата публикации: 2023-11-02.

Method and system for subsampling of cells from single-cell genomics dataset

Номер патента: CA3192447A1. Автор: Goran Karlsson,Parashar DHAPOLA. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-03-24.

Method and system for subsampling of cells from single-cell genomics dataset

Номер патента: AU2021346093A1. Автор: Goran Karlsson,Parashar DHAPOLA. Владелец: Nygen Analytics AB. Дата публикации: 2023-04-27.

Method and system for subsampling of cells from single-cell genomics dataset

Номер патента: EP4214715A1. Автор: Goran Karlsson,Parashar DHAPOLA. Владелец: Nygen Analytics AB. Дата публикации: 2023-07-26.

Non-enzymatic sensor element with selectivity and non-enzymatic sensor

Номер патента: US20230273184A1. Автор: Shih-Hao Lin,Hsiang-Yu Wang. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2023-08-31.

Method for deriving characteristic values of MOS transistor

Номер патента: US09632115B2. Автор: Cheng-Tung Huang,Yi-Ting Wu,Tsung-Han Lee,Yi-Han Ye. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Antibodies directed to protein of programmed death of cell-1 (pd-1)

Номер патента: RU2723050C2. Автор: Дэвид Дж. Кинг,Мэрилин КЕРИ. Владелец: Анаптисбайо, Инк.. Дата публикации: 2020-06-08.

Antigenic modulation of cells

Номер патента: US5908624A. Автор: John W. Eaton,Mark D. Scott. Владелец: ALBANY MEDICAL COLLEGE. Дата публикации: 1999-06-01.

Quantitative DNA Methylation Imaging of Cells and Tissues

Номер патента: US20100304380A1. Автор: Daniel L. Farkas,Jian Tajbakhsh. Владелец: EPILUMINA Inc. Дата публикации: 2010-12-02.

Method of producing a population of cells

Номер патента: CA2711549C. Автор: Nicholas Eion Timmins,Lars Keld Nielsen,Emma Louise Palfreyman. Владелец: University of Queensland UQ. Дата публикации: 2016-08-23.

Co-cultivation of cells in a micropatterned configuration

Номер патента: WO1998051785A1. Автор: Mehmet Toner,Martin Yarmush,Sangeeta Bhatia. Владелец: The General Hospital Corporation. Дата публикации: 1998-11-19.

Improved process for the culturing of cells

Номер патента: CA2657040C. Автор: Gerben Meile Zijlstra,Robert Patrick Hof,Jacob Schilder. Владелец: DSM IP ASSETS BV. Дата публикации: 2013-10-01.

Transduction and expansion of cells

Номер патента: EP4234686A3. Автор: Anastasios Karadimitris,Antonia ROTOLO. Владелец: Imperial College Innovations Ltd. Дата публикации: 2023-11-01.

Cytology cell block preparation devices and methods of cell block prepartaion using same

Номер патента: US11828690B2. Автор: Anjani Shidham. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-11-28.

Cells and method of cell culture

Номер патента: CA3214798A1. Автор: Gregory Walter Hiller,Bhanu Chandra MULUKUTLA,Jeffrey Joseph MITCHELL,Pamela Mary PEGMAN. Владелец: PFIZER INC. Дата публикации: 2017-03-30.

Cells and method of cell culture

Номер патента: US20240093248A1. Автор: Gregory Walter Hiller,Bhanu Chandra MULUKUTLA,Jeffrey Joseph MITCHELL,Pamela Mary PEGMAN. Владелец: PFIZER INC. Дата публикации: 2024-03-21.

Placement and routing of cells using cell-level layout-dependent stress effects

Номер патента: WO2018201012A1. Автор: Victor Moroz. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2018-11-01.

Methods for the cultivation of cells and cell biomass in a filter cake

Номер патента: US11891596B2. Автор: Konrad Mueller-Auffermann. Владелец: Upside Foods Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Methods and systems for the culture of cells at liquid-liquid interfaces

Номер патента: EP3732284A1. Автор: Julien Gautrot,Dexu Kong,Yaqi You,Lihui Peng. Владелец: Queen Mary University of London. Дата публикации: 2020-11-04.

Methods and systems for the culture of cells at liquid-liquid interfaces

Номер патента: WO2019129886A1. Автор: Julien Gautrot,Dexu Kong,Yaqi You,Lihui Peng. Владелец: Queen Mary University of London. Дата публикации: 2019-07-04.

Methods and systems for the culture of cells at liquid-liquid interfaces

Номер патента: US20210071136A1. Автор: Julien Gautrot,Dexu Kong,Yaqi You,Lihui Peng. Владелец: Queen Mary University of London. Дата публикации: 2021-03-11.

Method of cell culture

Номер патента: US20190062704A1. Автор: Keng-Liang Ou. Владелец: 3D Global Biotech Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Placement and routing of cells using cell-level layout-dependent stress effects

Номер патента: US20200184136A1. Автор: Victor Moroz. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2020-06-11.

Phenotypic characterization of cells

Номер патента: AU2018239845B2. Автор: Ove Ohman,Michael Read,Martin Lovmar,Johan ELF,Ozden Baltekin,Petter HAMMAR,Elias AMSELEM,Mikael Olsson. Владелец: Astrego Diagnostics AB. Дата публикации: 2023-11-23.

Method for analyzing behavior of cell, and use thereof

Номер патента: US20210201508A1. Автор: Takuya Hirose,Emi Nishimura,Daisuke Nanba,Junichi Kotoku. Владелец: TEIKYO UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-07-01.

Products and methods for single parameter and multiparameter phenotyping of cells

Номер патента: EP1181551A1. Автор: Dan A. Pankowsky. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-27.

Products and methods for single parameter and multiparameter phenotyping of cells

Номер патента: EP1181551A4. Автор: Dan A Pankowsky. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-12.

Transduction and expansion of cells

Номер патента: AU2019226713A1. Автор: Anastasios Karadimitris,Antonia ROTOLO. Владелец: Imperial College Innovations Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Methods for the cultivation of cells and cell biomass in a filter cake

Номер патента: US20230108652A1. Автор: Konrad Mueller-Auffermann. Владелец: Upside Foods Inc. Дата публикации: 2023-04-06.

Cells and method of cell culture

Номер патента: CA2999224C. Автор: Gregory Walter Hiller,Bhanu Chandra MULUKUTLA,Jeffrey Joseph MITCHELL,Pamela Mary PEGMAN. Владелец: PFIZER INC. Дата публикации: 2023-10-24.

Micromechanical devices for control of cell-cell interaction, and methods of use thereof

Номер патента: EP2137299A2. Автор: Sangeeta N. Bhatia,Elliot Hui. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2009-12-30.

Micromechanical devices for control of cell-cell interaction, and methods of use thereof

Номер патента: EP2137299A4. Автор: Sangeeta N Bhatia,Elliot Hui. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2013-12-25.

Micromechanical devices for control of cell-cell interaction, and methods of use thereof

Номер патента: WO2008109883A3. Автор: Sangeeta N Bhatia,Elliot Hui. Владелец: Elliot Hui. Дата публикации: 2009-04-09.

Method for analyzing behavior of cells, and use thereof

Номер патента: EP3812467A1. Автор: Takuya Hirose,Emi Nishimura,Daisuke Nanba,Junichi Kotoku. Владелец: TEIKYO UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-04-28.

Apparatus and method for modification of cells

Номер патента: CA3229565A1. Автор: Jonathan R. Coppeta,Hesham Azizgolshani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-02-23.

Transduction and expansion of cells

Номер патента: EP3759216A1. Автор: Anastasios Karadimitris,Antonia ROTOLO. Владелец: Imperial College of Science Technology and Medicine. Дата публикации: 2021-01-06.

Transduction and expansion of cells

Номер патента: CA3092651A1. Автор: Anastasios Karadimitris,Antonia ROTOLO. Владелец: Imperial College of Science Technology and Medicine. Дата публикации: 2019-09-06.

Transduction and expansion of cells

Номер патента: US20210108176A1. Автор: Anastasios Karadimitris,Antonia ROTOLO. Владелец: Imperial College Innovations Ltd. Дата публикации: 2021-04-15.

Transduction and expansion of cells

Номер патента: EP4234686A2. Автор: Anastasios Karadimitris,Antonia ROTOLO. Владелец: Imperial College Innovations Ltd. Дата публикации: 2023-08-30.

Phenotypic characterization of cells

Номер патента: US11976316B2. Автор: Ove Ohman,Michael Read,Martin Lovmar,Johan ELF,Ozden Baltekin,Petter HAMMAR,Elias AMSELEM,Mikael Olsson. Владелец: Astrego Diagnostics AB. Дата публикации: 2024-05-07.

Production of cell suspensions

Номер патента: EP1453949A2. Автор: Lizhen Pang,Morey Kraus. Владелец: ViaCell Inc. Дата публикации: 2004-09-08.

Production of cell suspensions

Номер патента: EP1453949A4. Автор: Lizhen Pang,Morey Kraus. Владелец: ViaCell Inc. Дата публикации: 2004-12-22.

A method of cell lysis

Номер патента: EP4352196A1. Автор: Patrik Stenner,Silvia BLANK-SHIM,Tobias Karl Hubert MÜLLER,Steliyana DIMITROVA. Владелец: EVONIK OPERATIONS GMBH. Дата публикации: 2024-04-17.

Filter cake-based systems and methods for the cultivation of cells and cell biomass

Номер патента: AU2022349541B2. Автор: Konrad Mueller-Auffermann. Владелец: Upside Foods Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Filter cake-based systems and methods for the cultivation of cells and cell biomass

Номер патента: AU2022349541A1. Автор: Konrad Mueller-Auffermann. Владелец: Upside Foods Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Filter cake-based systems and methods for the cultivation of cells and cell biomass

Номер патента: AU2024202654A1. Автор: Konrad Mueller-Auffermann. Владелец: Upside Foods Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Filter cake-based systems and methods for the cultivation of cells and cell biomass

Номер патента: CA3232701A1. Автор: Konrad Mueller-Auffermann. Владелец: Upside Foods Inc. Дата публикации: 2023-03-30.

Filter cake-based systems and methods for the cultivation of cells and cell biomass

Номер патента: CA3219050A1. Автор: Konrad Mueller-Auffermann. Владелец: Upside Foods Inc. Дата публикации: 2023-03-30.

Filter cake-based systems and methods for the cultivation of cells and cell biomass

Номер патента: EP4298197A1. Автор: Konrad Mueller-Auffermann. Владелец: Upside Foods Inc. Дата публикации: 2024-01-03.

Use of cells derived from first trimester umbilical cord tissue

Номер патента: US20210246420A1. Автор: Clifford L. Librach,Shangmian Yie,Rong Xiao. Владелец: Reprobiogen Inc. Дата публикации: 2021-08-12.

Microfluidic devices for high throughput screening of cell-cell interactions

Номер патента: WO2024102720A2. Автор: LI Sun,Kaveh Milaninia,Yih Yang CHEN. Владелец: Shennon Biotechnologies Inc.. Дата публикации: 2024-05-16.

Placement and routing of cells using cell-level layout-dependent stress effects

Номер патента: EP3616100A1. Автор: Victor Moroz. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2020-03-04.

Method for regulation of cell cycle

Номер патента: WO1996023511A1. Автор: William James Rea,Bertie B. Griffiths. Владелец: Griffiths Bertie B. Дата публикации: 1996-08-08.

Transduction and expansion of cells

Номер патента: CA3239285A1. Автор: Anastasios Karadimitris,Antonia ROTOLO. Владелец: Imperial College Innovations Ltd. Дата публикации: 2019-09-06.

Apparatus and method for modification of cells

Номер патента: EP4388071A1. Автор: Jonathan R. Coppeta,Hesham Azizgolshani. Владелец: Charles Stark Draper Laboratory Inc. Дата публикации: 2024-06-26.

Apparatus and method for modification of cells

Номер патента: WO2023023375A1. Автор: Jonathan R. Coppeta,Hesham Azizgolshani. Владелец: THE CHARLES STARK DRAPER LABORATORY, INC.. Дата публикации: 2023-02-23.

Method for extending telomere of cell

Номер патента: EP3862428A1. Автор: Yong Seung Lee. Владелец: Stemon Inc. Дата публикации: 2021-08-11.

Filter cake-based systems and methods for the cultivation of cells and cell biomass

Номер патента: AU2024202654B2. Автор: Konrad Mueller-Auffermann. Владелец: Upside Foods Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Production of cell-based vaccines

Номер патента: EP3720450A1. Автор: Damien HALLET. Владелец: Heat Biologics Inc. Дата публикации: 2020-10-14.

Garment with selective enlargement and compression

Номер патента: US20240188654A1. Автор: Brett Lindsay Murphy. Владелец: Bittyrina LLC. Дата публикации: 2024-06-13.

Device for taking samples of cells from the cervix uteri

Номер патента: EP1379174A1. Автор: Samuel George. Владелец: Ashwood Timber and Plastics Ltd. Дата публикации: 2004-01-14.

Methods and compositions for the production of cell-based meat products

Номер патента: AU2023213618A1. Автор: Michelle Seiko LU,Maria Nieves Martinez MARSHALL. Владелец: Novel Farms Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of Coating Surfaces with Nanoparticles for Biological Analysis of Cells

Номер патента: US20190249136A1. Автор: Robert J. Griffin,Michael J. Borrelli,Samir V. Jenkins. Владелец: BioVentures LLC. Дата публикации: 2019-08-15.

Chemorepulsion of cells

Номер патента: WO2008127355A3. Автор: Lopa Bhatt,Hyun Kang,Scott Sacane,Jonathan L Moon,Erica B Goodhew,Stacey L Rose,Milton H Werner. Владелец: Milton H Werner. Дата публикации: 2009-02-26.

Use of 13-hode as a regulator of vascular biocompatibility and an inhibitor of cell hyperplasia

Номер патента: AU2001250194A1. Автор: Michael R. Buchanan,David Horrobin. Владелец: 1411198 Ontario Ltd. Дата публикации: 2001-10-23.

Inhibition of cell surface protein disulfide isomerase

Номер патента: US6949665B2. Автор: Larry A. Sklar,Snezna Rogelj,Robert B. Palmer. Владелец: STC UNM. Дата публикации: 2005-09-27.

Treatment of ocular inflammation by blockage of cell adhesion molecules

Номер патента: AU1632297A. Автор: Chi-Chao Chan,Scott M Whitcup,Robert B. Nussenblatt. Владелец: US Government. Дата публикации: 1997-05-22.

A multi-scaffold system for large scale cultivation of cells

Номер патента: EP4240176A1. Автор: NADAV Tal,Neta LAVON,Sagit Shalel Levanon. Владелец: Aleph Farms Ltd. Дата публикации: 2023-09-13.

Substituted cyclic amidine derivatives as inhibitors of cell adhesion

Номер патента: US20020010199A1. Автор: George Doherty,Shrenik Shah,William Hagmann. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-24.

Methods of cell therapies

Номер патента: US20240252541A1. Автор: Kazuhiko Yamada,Erik J. Woods,Megan Sykes,Brian H. Johnstone,Dongsheng GU,Aubrey Marie Sherry,Kelsey Gwen Musall. Владелец: Ossium Health Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Treatment of ocular inflammation by blockage of cell adhesion molecules

Номер патента: AU711480B2. Автор: Chi-Chao Chan,Scott M Whitcup,Robert B. Nussenblatt. Владелец: US Government. Дата публикации: 1999-10-14.

Compounds and methods for altering cyto-states of cells that express c-type lectin receptors

Номер патента: US12070504B1. Автор: Frederick Oliver Cope. Владелец: Physis International LLC. Дата публикации: 2024-08-27.

Agent for accelerating maturation or aging of cells

Номер патента: US20200318064A1. Автор: Takahiro Shiga,Hideyuki Okano,Wado Akamatsu,Naoko KUZUMAKI. Владелец: Juntendo Educational Foundation. Дата публикации: 2020-10-08.

Medium for the protein-free and serum-free cultivation of cells

Номер патента: US09982286B2. Автор: Friedrich Dorner,Artur Mitterer,Manfred Reiter,Wolfgang Mundt,Leopold Grillberger. Владелец: Baxalta Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Decoy with selectively deployable keel

Номер патента: US09872489B2. Автор: Charles L. Smart. Владелец: Huntwise Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Electrosurgical system with selective control of active and return electrodes

Номер патента: US09855090B2. Автор: Philip M. Tetzlaff,Hadar Cadouri. Владелец: Arthrocare Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Suppressing HF cable oscillations during dynamic measurements of cells and batteries

Номер патента: US09851411B2. Автор: Keith S. Champlin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-12-26.

Chemorepulsion of cells

Номер патента: US09617330B2. Автор: Jonathan L. Moon,Lopa Bhatt,Hyun Kang,Milton H. Werner,Scott Sacane,Erica B. Goodhew,Stacey L. Rose. Владелец: Celtaxsys Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Devices and methods for culture of cells

Номер патента: US09512393B2. Автор: Zami ABERMAN,Harel KASUTO,Eytan Abraham. Владелец: Pluristem Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Microfluidic device adapted for post-centrifugation use with selective sample extraction and methods for its use

Номер патента: US09494501B2. Автор: Gary P. Durack. Владелец: Sony Corp of America. Дата публикации: 2016-11-15.

Method of producing conjugates of cell-binding agent and cytotoxic agent

Номер патента: RU2711930C2. Автор: Бенджамин М. ХАТЧИНС. Владелец: Иммуноджен, Инк.. Дата публикации: 2020-01-23.

Method of cell culture

Номер патента: US10544395B2. Автор: Gregory Walter Hiller,Bhanu Chandra MULUKUTLA. Владелец: PFIZER INC. Дата публикации: 2020-01-28.

Multiple assays of cell specimens

Номер патента: CA2280154C. Автор: Louis A. Kamentsky,Lee D. Kamentsky,Russell J. Gershman,Douglas E. Burger,Ed Luther. Владелец: Compucyte Corp. Дата публикации: 2007-01-23.

Medium for long-term proliferation and development of cells

Номер патента: US5405772A. Автор: Ian L. O. Ponting. Владелец: AMGEN INC. Дата публикации: 1995-04-11.

Apparatus for the precise positioning of cells

Номер патента: US5108926A. Автор: Robert J. Klebe. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 1992-04-28.

Non-static suspension culture of cell aggregates

Номер патента: US8609406B2. Автор: Catherine M. Verfaillie,Kartik Subramanian,Wei-Shou Hu,Yonsil Park. Владелец: University of Minnesota. Дата публикации: 2013-12-17.

Chromatographic isolation of cells and other complex biological materials

Номер патента: AU2013224027A1. Автор: Herbert Stadler. Владелец: Stage Cell Therapeutics GmbH. Дата публикации: 2014-10-02.

Compositions and methods for the depletion of cells

Номер патента: CA3028145A1. Автор: Andrew Nixon,Dwight MORROW,Adam HARTIGAN. Владелец: Magenta Therapeutics Inc. Дата публикации: 2017-12-21.

Multiple assays of cell specimens

Номер патента: EP1007949A1. Автор: Louis A. Kamentsky,Lee D. Kamentsky,Russell J. Gershman,Douglas E. Burger,Ed Luther. Владелец: Compucyte Corp. Дата публикации: 2000-06-14.

Method for mammalian cell separation from a mixture of cell populations

Номер патента: US5409813A. Автор: Richard M. Schwartz. Владелец: Systemix Inc. Дата публикации: 1995-04-25.

Electromagnetic method for the noninvasive analysis of cell membrane physiology and pharmacology

Номер патента: US4240027A. Автор: Lawrence E. Larsen,John H. Jacobi. Владелец: US Department of Army. Дата публикации: 1980-12-16.

Photoflash array with selective pairing of lamps

Номер патента: CA1148602A. Автор: David R. Broadt,Emery G. Audesse. Владелец: GTE Products Corp. Дата публикации: 1983-06-21.

Specific dnas for epigenetic characterisation of cells and tissues

Номер патента: EP1863924A2. Автор: Sven Olek,Ivana Türbachova,Paul Gardina. Владелец: EPIONTIS GMBH. Дата публикации: 2007-12-12.

Controlled aggregation of cells

Номер патента: GB2590721A. Автор: LAPANJE Ales,RIJAVEC Tomaz. Владелец: Institut Za Metagenomiko In Mikrobne Tech d o o. Дата публикации: 2021-07-07.

Method to isolate clusters of cell subtypes from organs

Номер патента: US5079160A. Автор: Camillo Ricordi,David W. Scharp,Paul E. Lacy. Владелец: Scharp David W. Дата публикации: 1992-01-07.

Use of parvovirus capsid particles in the inhibition of cell proliferation and migration

Номер патента: US6818612B2. Автор: Magnus Westgren,Kristina Broliden. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-11-16.

Device for electrofusion of cells

Номер патента: US5007995A. Автор: Kazuo Suzuki,Yasuo Takahashi,Tokio Kano,Toshinobu Niimura. Владелец: Olympus Optical Co Ltd. Дата публикации: 1991-04-16.

Compositions and methods for improving persistence of cells for adoptive transfer

Номер патента: EP3720951A1. Автор: David GILHAM,Simon BORNSCHEIN,Susanna RAITANO. Владелец: Celyad SA. Дата публикации: 2020-10-14.

Medium composition for cryopreservation of cell and use thereof

Номер патента: CA3013187C. Автор: Hana Choi,Yu Kyeong Hwang,Bokyung MIN,Hyojin Kim. Владелец: GC Cell Corp. Дата публикации: 2023-02-28.

Chromatographic isolation of cells and other complex biological materials

Номер патента: CA2865033C. Автор: Herbert Stadler. Владелец: Juno Therapeutics GmbH. Дата публикации: 2021-11-02.

Medium and matrix for long-term proliferation of cells

Номер патента: CA2332701C. Автор: Anton-Lewis Usala,Richard Chris Klann. Владелец: Encelle Inc. Дата публикации: 2010-04-20.

Three-dimensional structuring method and three-dimensional structuring system of cells

Номер патента: US11746316B2. Автор: Yoshiyuki Sankai. Владелец: Cyberdyne Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Analysis of fragmentation patterns of cell-free dna

Номер патента: EP4279612A3. Автор: Kwan Chee Chan,Peiyong Jiang,Yuk-Ming Dennis Lo,Rossa Wai Kwun Chiu. Владелец: Chinese University of Hong Kong CUHK. Дата публикации: 2024-02-28.

Early post-transfection isolation of cells (EPIC) for biologics production

Номер патента: AU2017341028B2. Автор: Christine Demaria,Victor R. Cairns,Jason VITKO. Владелец: Genzyme Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Early post-transfection isolation of cells (epic) for biologics production

Номер патента: US20200299743A1. Автор: Christine Demaria,Victor R. Cairns,Jason VITKO. Владелец: Genzyme Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Imaging-based system for monitoring quality of cells in culture

Номер патента: WO2024025876A1. Автор: Stuart Chambers,Britney L. RAGUNTON,Devin WAKEFIELD. Владелец: Amgen Inc.. Дата публикации: 2024-02-01.

Analysis of fragmentation patterns of cell-free dna

Номер патента: EP4279612A2. Автор: Kwan Chee Chan,Peiyong Jiang,Yuk-Ming Dennis Lo,Rossa Wai Kwun Chiu. Владелец: Chinese University of Hong Kong CUHK. Дата публикации: 2023-11-22.

Device and method for microdroplet detection of cells

Номер патента: EP4336168A2. Автор: Tom Isaac,Cameron Frayling. Владелец: Lightcast Discovery Ltd. Дата публикации: 2024-03-13.

Method for determination of cell viability by using flow cytometry with fixed volume acquisition

Номер патента: US20100075370A1. Автор: Timo Schinköthe. Владелец: TUMORTEC GmbH. Дата публикации: 2010-03-25.

Efficiently using cell libraries with a large number of cells

Номер патента: US9058450B1. Автор: Ole Christian Anderson,Jens Peter Tagore-Brage. Владелец: Nangate Inc. Дата публикации: 2015-06-16.

Method for the separation of cell fractions

Номер патента: EP1576149A1. Автор: Lasse Lehnert. Владелец: IVONEX GmbH. Дата публикации: 2005-09-21.

Electrical dissociation of tissue samples into single cells and/or smaller groups of cells

Номер патента: EP4326867A1. Автор: Anubhav Tripathi,E. Celeste WELCH. Владелец: BROWN UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-02-28.

Method for recording elapsed time in dna of cells

Номер патента: US20220251634A1. Автор: Ji Hye Park,Hyong Bum KIM. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2022-08-11.

Method for controlling binding of cells to a substrate

Номер патента: EP2638147A2. Автор: Claudia Rosenbaum,Christian Van Den Bos,Judith Schenk,Ying Nie. Владелец: LONZA COLOGNE GMBH. Дата публикации: 2013-09-18.

Method for deriving characteristic values of mos transistor

Номер патента: US20140343880A1. Автор: Cheng-Tung Huang,Yi-Ting Wu,Tsung-Han Lee,Yi-Han Ye. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-11-20.

Measuring device and method for measuring characteristics of cells

Номер патента: EP4042154A1. Автор: Hiroyuki Fujita,Dominique Collard,Mehmet Cagatay Tarhan,Stanislav Karsten. Владелец: Junia. Дата публикации: 2022-08-17.

Measuring device and method for measuring characteristics of cells

Номер патента: US20240102915A1. Автор: Hiroyuki Fujita,Dominique Collard,Mehmet Cagatay Tarhan,Stanislav Karsten. Владелец: Junia. Дата публикации: 2024-03-28.

Device and method for microdroplet detection of cells

Номер патента: EP4336168A3. Автор: Tom Isaac,Cameron Frayling. Владелец: Lightcast Discovery Ltd. Дата публикации: 2024-05-29.

Method for controlling binding of cells to a substrate

Номер патента: WO2012062819A2. Автор: Claudia Rosenbaum,Christian Van Den Bos,Judith Schenk,Ying Nie. Владелец: LONZA COLOGNE GMBH. Дата публикации: 2012-05-18.

System and method of cell anomaly detection

Номер патента: WO2023073719A1. Автор: Assaf ZARITSKY,Naor KOLET. Владелец: B. G. NEGEV TECHNOLOGIES AND APPLICATIONS LTD., AT BEN-GURION UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-05-04.

Evaluation method of differentiation state of cells, and cell culture system

Номер патента: EP4092129A1. Автор: Keisuke Shibuya,Masako Kawarai. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2022-11-23.

Imaging-based system for monitoring quality of cells in culture

Номер патента: US20240046478A1. Автор: Stuart Chambers,Britney L. RAGUNTON,Devin WAKEFIELD. Владелец: AMGEN INC. Дата публикации: 2024-02-08.

Methods and kits for tuning permeabilization of cells by three phase partitioning

Номер патента: WO2010046920A1. Автор: Munishwar Nath Gupta,Smita Raghava. Владелец: V.B. Medicare Pvt. Ltd.. Дата публикации: 2010-04-29.

Methods for activating inactive genes and methods for altering the rate of development of cells, tissues and organisms

Номер патента: WO1998054310A3. Автор: Yuying Tan. Владелец: Anticancer Inc. Дата публикации: 1999-03-04.

Method for determination of cell viability by using flow cytometry with fixed volume acquisition

Номер патента: EP2095092A1. Автор: Timo Schinköthe. Владелец: TUMORTEC GmbH. Дата публикации: 2009-09-02.

Methods and assays with populations of cells

Номер патента: US20230082631A1. Автор: Trevor ROGERS. Владелец: STEMCELL TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2023-03-16.

Electrical dissociation of tissue samples into single cells and/or smaller groups of cells

Номер патента: CA3215343A1. Автор: Anubhav Tripathi,E. Celeste WELCH. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-10-27.

Transistor With Embedded Si/Ge Material Having Reduced Offset and Superior Uniformity

Номер патента: US20120001254A1. Автор: Javorka Peter,Kronholz Stephan,Boschke Roman. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

IGBT TRANSISTOR WITH PROTECTION AGAINST PARASITIC COMPONENT ACTIVATION AND MANUFACTURING PROCESS THEREOF

Номер патента: US20120001224A1. Автор: . Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2012-01-05.

Dry cryopreservation of cells on nanofiber scaffold

Номер патента: SG10201902649RA. Автор: Pak Ho Henry Leung,Hengky Chang. Владелец: Nanyang Polytechnic. Дата публикации: 2019-10-30.

Modulator on mos-transistors

Номер патента: RU2500065C2. Автор: Юрий Васильевич Афанасьев. Владелец: Афанасьева Галина Николаевна. Дата публикации: 2013-11-27.

Spray gun with selectable rotating nozzle

Номер патента: CA151309S. Автор: . Владелец: Active Products Inc. Дата публикации: 2015-04-24.

Power mos transistor structure

Номер патента: CA1280221C. Автор: Eugene Tonnel,Gilles Thomas. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SA. Дата публикации: 1991-02-12.

A flicking system and method for microencapsulation of cells

Номер патента: MY192491A. Автор: Prof Dr Soon Chin Fhong Assoc,Soon Chuan Wong. Владелец: Univ Tun Hussein Onn Malaysia. Дата публикации: 2022-08-23.