Method for forming a vertical mos transistor
Номер патента: US20110275187A1
Опубликовано: 10-11-2011
Автор(ы): Edouard D. De Frèsart, Ganming Qin, Jingjing Chen, Pon Sung Ku
Принадлежит: Individual
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 10-11-2011
Автор(ы): Edouard D. De Frèsart, Ganming Qin, Jingjing Chen, Pon Sung Ku
Принадлежит: Individual
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method for manufacturing a semiconductor device
Номер патента: US09806187B2. Автор: Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-10-31.