Process for forming buried oxide regions in processing of mos transistors
Номер патента: HK37990A
Опубликовано: 25-05-1990
Автор(ы): Byron B Siu, Chiu H Ting, J C Tzeng, William Baerg
Принадлежит: Intel Corp
Опубликовано: 25-05-1990
Автор(ы): Byron B Siu, Chiu H Ting, J C Tzeng, William Baerg
Принадлежит: Intel Corp
PROCESS FOR FORMING A BURIED LAYER AND A COLLECTOR REGION IN A MONOLITHIC SEMICONDUCTOR DEVICE
Номер патента: FR2575330B1. Автор: Salvatore Musumeci. Владелец: SGS Microelettronica SpA. Дата публикации: 1989-08-18.