• Главная
  • Closely packed vertical transistors with reduced contact resistance

Closely packed vertical transistors with reduced contact resistance

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Closely packed vertical transistors with reduced contact resistance

Номер патента: US09735253B1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Closely packed vertical transistors with reduced contact resistance

Номер патента: US20200066882A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Closely packed vertical transistors with reduced contact resistance

Номер патента: US20180323283A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-08.

Closely packed vertical transistors with reduced contact resistance

Номер патента: US10096695B2. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-09.

Top metal contact for vertical transistor structures

Номер патента: US09685409B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Vertical transistor with air-gap spacer

Номер патента: US20170294537A1. Автор: Kangguo Cheng,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-12.

Vertical transistor with air-gap spacer

Номер патента: US09698245B2. Автор: Kangguo Cheng,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Vertical transistor with air-gap spacer

Номер патента: US09691850B2. Автор: Kangguo Cheng,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Product that includes a plurality of vertical transistors with a shared conductive gate plug

Номер патента: US20200013684A1. Автор: Steven Bentley,Steven Soss. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-01-09.

Bottom contact formation for vertical transistor devices

Номер патента: US20200111895A1. Автор: Sivananda K. Kanakasabapathy,Su Chen Fan,Ekmini A. De Silva. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-09.

Vertical transistor with edram

Номер патента: US20190363090A1. Автор: Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-11-28.

Vertical transistors with gate connection grid

Номер патента: EP4278387A1. Автор: Thomas Neyer,Herbert DE VLEESCHOUWER,Fredrik Allerstam. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2023-11-22.

Vertical transistors with gate connection grid

Номер патента: WO2022192830A1. Автор: Thomas Neyer,Herbert DE VLEESCHOUWER,Fredrik Allerstam. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2022-09-15.

Self-aligned contact metallization for reduced contact resistance

Номер патента: US09754940B2. Автор: Tahir Ghani,Glenn A. Glass,Anand S. Murthy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

III-V nitride semiconductor device having reduced contact resistance

Номер патента: US09978642B2. Автор: Tatsuo Nakayama,Hironobu Miyamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Vertical transistor with uniform fin thickness

Номер патента: US20200035828A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-30.

Vertical transistor with self-align backside contact

Номер патента: WO2024046738A1. Автор: Brent Anderson,Ruilong Xie,Su Chen Fan,Jay William Strane. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2024-03-07.

Vertical transistor with self- align backside contact

Номер патента: US20240079461A1. Автор: Brent A. Anderson,Ruilong Xie,Su Chen Fan,Jay William Strane. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

Vertical transistor and method of making

Номер патента: US7041556B2. Автор: Fernando Gonzalez. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-05-09.

Semiconductor device with reduced gate height budget

Номер патента: US20190027575A1. Автор: Hui Zang,Haigou Huang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-01-24.

Process integration to reduce contact resistance in semiconductor device

Номер патента: WO2022236026A1. Автор: Pradeep Subrahmanyan,Sankuei Lin. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-11-10.

Process integration to reduce contact resistance in semiconductor device

Номер патента: EP4334980A1. Автор: Pradeep Subrahmanyan,Sankuei Lin. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-03-13.

Integration of vertical transistors with 3D long channel transistors

Номер патента: US09837409B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Integration of vertical transistors with 3d long channel transistors

Номер патента: US20170317080A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-02.

Vertical transistor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20180342480A1. Автор: Chih-Chieh Yeh,Wei-Sheng Yun,Shao-Ming Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-11-29.

Tight pitch inverter using vertical transistors

Номер патента: US09876015B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Techniques for forming vertical transistor architectures

Номер патента: EP3158588A1. Автор: Patrick Morrow,Kimin Jun. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-04-26.

Top contact resistance measurement in vertical fets

Номер патента: US20180025954A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Zuoguang Liu,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-25.

Top contact resistance measurement in vertical FETs

Номер патента: US10002809B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Zuoguang Liu,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-19.

Top contact resistance measurement in vertical FETS

Номер патента: US09997421B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Zuoguang Liu,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Top contact resistance measurement in vertical FETs

Номер патента: US09768085B1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Zuoguang Liu,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Fabrication of a vertical fin field effect transistor with reduced dimensional variations

Номер патента: US20240249980A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: Adeia Semiconductor Solutions LLC. Дата публикации: 2024-07-25.

Fabrication of a vertical fin field effect transistor with reduced dimensional variations

Номер патента: US09768072B1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

High voltage MOS transistors with reduced parasitic current gain

Номер патента: US5218228A. Автор: Richard A. Blanchard,Richard K. Williams,Robert W. Busse. Владелец: Siliconix Inc. Дата публикации: 1993-06-08.

Fabrication of a vertical fin field effect transistor with reduced dimensional variations

Номер патента: US11784095B2. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: Adeia Semiconductor Solutions LLC. Дата публикации: 2023-10-10.

Vertical transistor with self-aligned gate

Номер патента: US11728433B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-08-15.

Vertical transistor with self-aligned gate

Номер патента: US20210057565A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-02-25.

Vtfet with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US20240021609A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Ultrascalable vertical mos transistor with planar contacts

Номер патента: EP1880424A2. Автор: Bohumil Lojek. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2008-01-23.

Ultrascalable vertical mos transistor with planar contacts

Номер патента: WO2006121566A2. Автор: Bohumil Lojek. Владелец: ATMEL CORPORATION. Дата публикации: 2006-11-16.

Devices including vertical transistors

Номер патента: US20240363763A1. Автор: Haitao Liu,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Selector transistor with metal replacement gate wordline

Номер патента: US20210391386A1. Автор: Dafna Beery,Amitay Levi,Andrew J. Walker,Peter Cuevas. Владелец: Spin Assignment for Benefit of Creditors LLC. Дата публикации: 2021-12-16.

Devices including vertical transistors, and related methods

Номер патента: US12040411B2. Автор: Haitao Liu,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Double-gate vertical transistor semiconductor device

Номер патента: US10355128B2. Автор: Praveen Raghavan,Odysseas Zografos. Владелец: KU Leuven Research and Development. Дата публикации: 2019-07-16.

Vertical transistor devices for embedded memory and logic technologies

Номер патента: US09871117B2. Автор: Brian S. Doyle,Uday Shah,Roza Kotlyar,Charles C. Kuo. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Vertical transistors having different gate lengths

Номер патента: US9653465B1. Автор: Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Isolation structure for stacked vertical transistors

Номер патента: US20200335581A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-10-22.

Isolation structure for stacked vertical transistors

Номер патента: US11908890B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Methods of forming gate electrodes on a vertical transistor device

Номер патента: US09966456B1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung,Steven Bentley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Vertical transistor including controlled gate length and a self-aligned junction

Номер патента: US09954109B2. Автор: Kangguo Cheng,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Vertical Transistors With Backside Power Delivery

Номер патента: US20240105617A1. Автор: Thomas Hoffmann,Xin Miao,Praveen Raghavan. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Vertical transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US11961908B2. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Vertical transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240222502A1. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Vertical transistor structures having vertical-surrounding-gates with self-aligned features

Номер патента: US20070020819A1. Автор: Sanh Tang,Grant Huglin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-25.

Programmable device compatible with vertical transistor flow

Номер патента: US20190189625A1. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Juntao Li,Qintao Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-20.

Vertical transistors stressed from various directions

Номер патента: US09947789B1. Автор: Puneet Harischandra Suvarna. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Diode connected vertical transistor

Номер патента: US09953973B1. Автор: Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Vertical transistor devices and techniques

Номер патента: US20200058798A1. Автор: Abhishek A. Sharma,Ravi Pillarisetty,Van H. Le,Willy Rachmady,Gilbert W. DEWEY. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-02-20.

Vertical transistor with back bias and reduced parasitic capacitance

Номер патента: US20180286977A1. Автор: Chen Zhang,Peng Xu,Kangguo Cheng,Xin Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Vertical transistor with back bias and reduced parasitic capacitance

Номер патента: US20180286978A1. Автор: Chen Zhang,Peng Xu,Kangguo Cheng,Xin Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Vertical transistors stressed from various directions

Номер патента: US20180108776A1. Автор: Puneet Harischandra Suvarna. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-19.

Semiconductor device including vertical transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130126964A1. Автор: Kyoung Han LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-05-23.

Methods of Gate Contact Formation for Vertical Transistors

Номер патента: US20220130963A1. Автор: Sang-Yun Lee. Владелец: BeSang Inc. Дата публикации: 2022-04-28.

Structures of gate contact formation for vertical transistors

Номер патента: US11769809B2. Автор: Sang-Yun Lee. Владелец: BeSang Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Methods of gate contact formation for vertical transistors

Номер патента: US11978777B2. Автор: Sang-Yun Lee. Владелец: BeSang Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Methods of Gate Contact Formation for Vertical Transistors

Номер патента: US20240154013A1. Автор: Sang-Yun Lee. Владелец: BeSang Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Structures of Gate Contact Formation for Vertical Transistors

Номер патента: US20240021689A1. Автор: Sang-Yun Lee. Владелец: BeSang Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Methods of simultaneously forming bottom and top spacers on a vertical transistor device

Номер патента: US20180114850A1. Автор: John H. Zhang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-26.

Vertical transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09577091B2. Автор: Ted-Hong Shinn,Chia-Chun Yeh,Cheng-Hang Hsu,Wei-Tsung Chen. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device including vertical transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US8759892B2. Автор: Kyoung Han LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-24.

Vertical transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150076588A1. Автор: Ted-Hong Shinn,Chia-Chun Yeh,Cheng-Hang Hsu,Wei-Tsung Chen. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2015-03-19.

Method for reducing contact resistance in semiconductor structures

Номер патента: US09893189B2. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Multigate device having reduced contact resistivity

Номер патента: US12080771B2. Автор: Georgios Vellianitis,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Finfets with reduced parasitics

Номер патента: US20240055524A1. Автор: Wenjun Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Method for reducing contact resistance in semiconductor structures

Номер патента: US20180019339A1. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-18.

Method for reducing contact resistance in semiconductor structures

Номер патента: US20180166575A1. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-14.

Method for reducing contact resistance in semiconductor structures

Номер патента: US20200052120A1. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

Vertical power transistor with termination area having doped trenches with variable pitches

Номер патента: US20170250246A1. Автор: Hamza Yilmaz. Владелец: MaxPower Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2017-08-31.

Vertical power transistor with termination area having doped trenches with variable pitches

Номер патента: US09978831B2. Автор: Hamza Yilmaz. Владелец: MaxPower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Multigate Device Having Reduced Contact Resistivity

Номер патента: US20210376096A1. Автор: Georgios Vellianitis,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Vertical power transistor with deep trenches and deep regions surrounding cell array

Номер патента: US09941351B2. Автор: Hamza Yilmaz. Владелец: MaxPower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Vertical power transistor with dual buffer regions

Номер патента: US09852910B2. Автор: Hamza Yilmaz. Владелец: MaxPower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Vertical power transistor with deep floating termination regions

Номер патента: US09805933B2. Автор: Hamza Yilmaz. Владелец: MaxPower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

High-voltage vertical transistor with a multi-layered extended drain structure

Номер патента: US20030197220A1. Автор: Donald Disney. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2003-10-23.

Power transistor with soft recovery body diode

Номер патента: US20240266432A1. Автор: Kijeong Han,Sei-Hyung Ryu,Daniel Jenner Lichtenwalner. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Vertical transistor and transistor fabrication method

Номер патента: US20030080346A1. Автор: Rolf Weis. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-05-01.

Power transistor with soft recovery body diode

Номер патента: EP4256617A1. Автор: Kijeong Han,Sei-Hyung Ryu,Daniel Lichtenwalner. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-10-11.

Method of fabricating a transistor with reduced hot carrier injection effects

Номер патента: US20170243950A1. Автор: Kuan-Liang Liu,Shih-Yin Hsiao,Ching-Chung Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-24.

Vertical power transistor with deep trenches and deep regions surrounding cell array

Номер патента: US20170250270A1. Автор: Hamza Yilmaz. Владелец: MaxPower Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2017-08-31.

Vertical power transistor with deep floating termination regions

Номер патента: US20170243745A1. Автор: Hamza Yilmaz. Владелец: MaxPower Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2017-08-24.

Vertical power transistor with dual buffer regions

Номер патента: US20170243746A1. Автор: Hamza Yilmaz. Владелец: MaxPower Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2017-08-24.

Stacked transistors with removed epi barrier

Номер патента: EP4199063A1. Автор: Nitesh Kumar,Gilbert Dewey,Marko Radosavljevic,Scott B. Clendenning,Willy Rachmady,Urusa ALAAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-21.

Thin film transistor with low contact resistance

Номер патента: RU2662945C1. Автор: Дуи Ву ФАМ,Ко Хуэй СУ. Владелец: Эвоник Дегусса Гмбх. Дата публикации: 2018-07-31.

Transistor with source-drain silicide pullback

Номер патента: US20170200649A1. Автор: Yung Fu Chong,Khee Yong Lim,Kiok Boone Elgin Quek,Jae Han Cha,Chia Ching YEO. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-07-13.

Fin-based lateral bipolar junction transistor with reduced base resistance and method

Номер патента: US11967637B2. Автор: Haiting Wang,Jagar Singh,Ali Razavieh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

Power transistor with soft recovery body diode

Номер патента: US11990543B2. Автор: Kijeong Han,Sei-Hyung Ryu,Daniel Jenner Lichtenwalner. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Vertical transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240079468A1. Автор: Kwanghee Lee,Jeeeun YANG,Sangwook Kim,Moonil Jung,EunTae KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-07.

Fet device with reduced overlap capacitance and method of manufacture

Номер патента: CA1049157A. Автор: Ronald P. Esch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1979-02-20.

Stacked transistors with removed epi barrier

Номер патента: US20230187509A1. Автор: Nitesh Kumar,Gilbert Dewey,Marko Radosavljevic,Scott B. Clendenning,Willy Rachmady,Urusa ALAAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Method for fabricating super-junction power device with reduced miller capacitance

Номер патента: US20130260523A1. Автор: Yi-Chun Shih,Yung-Fa Lin,Shou-Yi Hsu,Meng-Wei Wu. Владелец: Anpec Electronics Corp. Дата публикации: 2013-10-03.

Vertical transistors with merged active area regions

Номер патента: US09761712B1. Автор: Brent A. Anderson,Albert M. Chu,Terence B. Hook,Seong-Dong Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Fin cut etch process for vertical transistor devices

Номер патента: US10957783B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-03-23.

Fin cut etch process for vertical transistor devices

Номер патента: US20200083355A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Fabrication method of power semiconductor structure with reduced gate impedance

Номер патента: US20120045877A1. Автор: Hsiu Wen Hsu. Владелец: Great Power Semiconductor Corp. Дата публикации: 2012-02-23.

Vertical transistor with edram

Номер патента: US20190363092A1. Автор: Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-11-28.

Nonlinear gate vertical transistor

Номер патента: EP4391073A1. Автор: Chih-Wei Hsu,Deepak Chandra Pandey. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-06-26.

Nonlinear gate vertical transistor

Номер патента: EP4391075A3. Автор: Chih-Wei Hsu,Deepak Chandra Pandey. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-07-17.

Trench DMOS transistor with reduced gate-to-drain capacitance

Номер патента: US09716167B2. Автор: Yaojian Leng,Richard Wendell Foote, Jr.,Steven J. Adler. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Nonlinear Gate Vertical Transistor

Номер патента: US20240213318A1. Автор: Chih-Wei Hsu,Deepak Chandra Pandey. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-06-27.

Nonlinear Gate Vertical Transistor

Номер патента: US20240213365A1. Автор: Chih-Wei Hsu,Deepak Chandra Pandey. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-06-27.

Nonlinear gate vertical transistor

Номер патента: EP4391075A2. Автор: Chih-Wei Hsu,Deepak Chandra Pandey. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-06-26.

Vertical transistor component

Номер патента: US8093654B2. Автор: Walter Rieger,Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2012-01-10.

Method for producing a vertical transistor component

Номер патента: US20100270612A1. Автор: Walter Rieger,Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2010-10-28.

Vertical transistor having uniform bottom spacers

Номер патента: US09627511B1. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Juntao Li,Qintao Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Low resistance LDMOS with reduced gate charge

Номер патента: US9362398B2. Автор: Sameer P. Pendharkar. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-06-07.

Vertical transistor structure

Номер патента: US4811071A. Автор: Herbert F. Roloff. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1989-03-07.

Stacked thin film transistors with nanowires

Номер патента: US11837648B2. Автор: Gilbert Dewey,Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Abhishek A. Sharma,Seung Hoon Sung,Van H. Le. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-05.

Stacked thin film transistors with nanowires

Номер патента: US20200227535A1. Автор: Gilbert Dewey,Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Abhishek A. Sharma,Seung Hoon Sung,Van H. Le. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-07-16.

Transistor device with reduced gate resistance

Номер патента: US20130337618A1. Автор: Shu-Jen Han,Alberto Valdes Garcia. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-12-19.

Transistor device with reduced gate resistance

Номер патента: US20130082243A1. Автор: Shu-Jen Han,Alberto Valdes Garcia. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-04-04.

Method for reducing contact resistance

Номер патента: US20240105464A1. Автор: Wensheng Xu. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Vertical transistor and variable resistive memory device including the same

Номер патента: US09691819B2. Автор: Nam Kyun PARK,Dong Yean Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Contact module for optimizing emitter and contact resistance

Номер патента: US09892958B2. Автор: Anthony K. Stamper,James W. Adkisson. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Vertical transistor having first and second tensile layers

Номер патента: US8569832B2. Автор: Eun Sung Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-10-29.

Content addressable memory using threshold-adjustable vertical transistors and methods of forming the same

Номер патента: EP3685382A1. Автор: Christopher J. Petti. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-07-29.

Memory arrays with vertical transistors and the formation thereof

Номер патента: US20210028308A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Scott J. Derner,Toby D. Robbs,Steve V. Cole. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

DRAM Arrays, Vertical Transistor Structures, and Methods of Forming Transistor Structures and DRAM Arrays

Номер патента: US20110018045A1. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-01-27.

Vertical transistor and memory cell

Номер патента: US6018176A. Автор: Byung-hak Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-01-25.

MOSFET with reduced leakage current

Номер патента: US5801424A. Автор: Thomas Luich. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1998-09-01.

Carbon-based liner to reduce contact resistance

Номер патента: US20230402321A1. Автор: Chi-Ming Yang,Tze-Liang Lee,Po-Hsien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Vertical transistor with field region structure

Номер патента: US20070117328A1. Автор: Jenn-Yu Lin,Ta-Yung Yang,Chih-Feng Huang,Tuo-Hsin Chien. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-24.

Vertical transistors and method for producing the same

Номер патента: US20240213366A1. Автор: Christian Huber,Roland Puesche,Jens Baringhaus. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-06-27.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20240332232A1. Автор: WEI Liu,Yanhong Wang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory with vertical transistors and wrap-around control lines

Номер патента: US20230200075A1. Автор: Abhishek A. Sharma,Wilfred Gomes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230065806A1. Автор: WEI Liu,Yanhong Wang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230066312A1. Автор: WEI Liu,Yanhong Wang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US12033967B2. Автор: WEI Liu,Yanhong Wang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Memory devices with vertical transistors

Номер патента: US20230276615A1. Автор: Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Anand S. Murthy,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Method of fabricating a semiconductor device with reduced leak paths

Номер патента: US20160218036A1. Автор: Guan-Jie Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-28.

Method of fabricating a semiconductor device with reduced leak paths

Номер патента: US9978640B2. Автор: Guan-Jie Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Producing a vertical transistor including reentrant profile

Номер патента: US20130084681A1. Автор: David H. Levy,Lee W. Tutt,Shelby F. Nelson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-04-04.

On-chip interconnects with reduced capacitance and method of fabrication thereof

Номер патента: US20150014859A1. Автор: Achyut Kumar Dutta. Владелец: Banpil Photonics Inc. Дата публикации: 2015-01-15.

On-chip interconnects with reduced capacitance and method of afbrication

Номер патента: US20120298411A1. Автор: Achyut Kumar Dutta. Владелец: Banpil Photonics Inc. Дата публикации: 2012-11-29.

On-chip interconnects with reduced capacitance and method of fabrication thereof

Номер патента: US9257406B2. Автор: Achyut Kumar Dutta. Владелец: Banpil Photonics Inc. Дата публикации: 2016-02-09.

Semiconductor structures having improved contact resistance

Номер патента: WO2009049963A1. Автор: Anthony Stamper,Carl John Radens,Bruce Doris,Jay William Strane. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2009-04-23.

Memory device with reduced capacitance

Номер патента: US20190043882A1. Автор: Prashant Majhi,Krishna Parat,Khaled Hasnat. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-02-07.

Method for reducing contact resistance

Номер патента: US9786555B1. Автор: MENG Li,Hi Deok Lee,Geon Ho Shin,Jeongchan Lee. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Chungnam National University. Дата публикации: 2017-10-10.

Method of reducing contact resistance of a metal

Номер патента: US20140035143A1. Автор: Hung-Wen Su,Ya-Lien Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-02-06.

Method of making a graphene base transistor with reduced collector area

Номер патента: US20170125557A1. Автор: Francis J. Kub,Andrew D. Koehler,Travis J. Anderson. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2017-05-04.

Heterojunction bipolar transistors with reduced base resistance

Номер патента: US8513706B2. Автор: Qizhi Liu,Peter B. Gray,Erik M. Dahlstrom. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-08-20.

Method of making a graphene base transistor with reduced collector area

Номер патента: US20160087087A1. Автор: Francis J. Kub,Andrew D. Koehler,Travis J. Anderson. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2016-03-24.

Method of making a graphene base transistor with reduced collector area

Номер патента: US9590081B2. Автор: Francis J. Kub,Andrew D. Koehler,Travis J. Anderson. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2017-03-07.

Heterojunction bipolar transistors with reduced base resistance

Номер патента: US20130062668A1. Автор: Qizhi Liu,Peter B. Gray,Erik M. Dahlstrom. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-03-14.

Heterojunction bipolar transistors with reduced base resistance

Номер патента: US20120126292A1. Автор: Qizhi Liu,Peter B. Gray,Erik M. Dahlstrom. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-05-24.

Compound structure for reduced contact resistance

Номер патента: US20030181036A1. Автор: Yongjun Jeff Hu,Ravi Iyer,Luan Tran,Brent Gilgen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-09-25.

Compound structure for reduced contact resistance

Номер патента: US20020171146A1. Автор: Ravi Iyer,Luan Tran,Brent Gilgen,Yongjun Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-11-21.

MOSFETs WITH REDUCED CONTACT RESISTANCE

Номер патента: US20130157423A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-06-20.

Method for reducing contact resistance

Номер патента: US20010001495A1. Автор: Dahcheng Lin,Wan-Yih Lien,Meng-Jaw Cherng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2001-05-24.

Nitride-based transistors with a cap layer and a recessed gate

Номер патента: US09666707B2. Автор: Scott Sheppard,Richard Peter Smith. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

HIGH-DENSITY FIELD-ENHANCED ReRAM INTEGRATED WITH VERTICAL TRANSISTORS

Номер патента: US20200203428A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-06-25.

Metal removal with reduced surface roughness

Номер патента: US09659791B2. Автор: Xikun Wang,Nitin K. Ingle,Anchuan Wang,David Cui. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Method for improved aluminium-copper deposition and robust via contact resistance

Номер патента: US5736458A. Автор: Ming-Chang Teng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1998-04-07.

Method of manufacturing vertical transistors

Номер патента: US8613861B2. Автор: Masahiko Ohuchi,Chien-Hua Tsai,Sheng-Chang Liang,Hsiao-chia Chen. Владелец: Rexchip Electronics Corp. Дата публикации: 2013-12-24.

Pillars for vertical transistors

Номер патента: US20140097479A1. Автор: Patrick Thomas. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-04-10.

High-k / metal gate CMOS transistors with TiN gates

Номер патента: US09721847B2. Автор: Hiroaki Niimi,Brian K. Kirkpatrick. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Memory devices having vertical transistors and fabricating methods thereof

Номер патента: EP4449503A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Chao Sun. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Memory device having vertical transistors and method for forming the same

Номер патента: WO2023216884A1. Автор: He Chen,Ziqun HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-11-16.

Memory devices having vertical transistors and fabricating methods thereof

Номер патента: WO2023217069A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Chao Sun. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-11-16.

Memory devices having vertical transistors and fabricating methods thereof

Номер патента: US20230380142A1. Автор: He Chen,WEI Liu,Yanhong Wang,Ziqun HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Vertical transistor trench capacitor memory cell and method of making the same

Номер патента: WO2002086904A3. Автор: Carl J Radens,Thomas W Dyer,Stephan P Kudelka,Venkatachaiam C Jaiprakash. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2003-11-06.

Vertical transistor fuse latches

Номер патента: US12113015B2. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Adaptive capacitors with reduced variation in value and in-line methods for making same

Номер патента: US9899468B2. Автор: Peter J. Zampardi,Brian Moser. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Adaptive capacitors with reduced variation in value and in-line methods for making same

Номер патента: US09899468B2. Автор: Peter J. Zampardi,Brian Moser. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Adaptive capacitors with reduced variation in value and in-line methods for making same

Номер патента: US09673271B2. Автор: Peter J. Zampardi,Brian Moser. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Transistor with ohmic contacts

Номер патента: EP4420170A1. Автор: Evan Jones,Kyle BOTHE. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

Transistor with ohmic contacts

Номер патента: WO2023069601A1. Автор: Evan Jones,Kyle BOTHE. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2023-04-27.

Load sensor using vertical transistor

Номер патента: US20160202132A1. Автор: Takashi Inoue,Kenichi Sakai,Tetsuya Katoh,Junichi Takeya,Mayumi Uno,Kensuke HATA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2016-07-14.

Load sensor using vertical transistor

Номер патента: US9658121B2. Автор: Takashi Inoue,Kenichi Sakai,Tetsuya Katoh,Junichi Takeya,Mayumi Uno,Kensuke HATA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor integrated circuit with reduced minority carrier storage effect

Номер патента: US3596149A. Автор: Tsugio Makimoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1971-07-27.

Semiconductor device containing conductor plug that can reduce contact resistance

Номер патента: US5641991A. Автор: Takashi Sakoh. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-06-24.

Vertical Transistor Cell Structures Utilizing Topside and Backside Resources

Номер патента: US20240105727A1. Автор: Thomas Hoffmann,Xin Miao,Praveen Raghavan,Saurabh P. Sinha. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Vertical transistor cell structures utilizing topside and backside resources

Номер патента: WO2024063901A1. Автор: Thomas Hoffmann,Xin Miao,Praveen Raghavan,Saurabh P. Sinha. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2024-03-28.

High mobility transistor with opposed-gates

Номер патента: US4839310A. Автор: Mark A. Hollis,William D. Goodhue,Kirby B. Nichols,Normand J. Bergeron, Jr.. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 1989-06-13.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230062141A1. Автор: WEI Liu,Yanhong Wang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Method for industrial manufacturing of a semiconductor structure with reduced bowing

Номер патента: EP3449497A1. Автор: Leonida Miglio. Владелец: PILEGROWTH TECH Srl. Дата публикации: 2019-03-06.

Spatial power-combining devices with reduced size

Номер патента: US20210297048A1. Автор: Patrick Courtney,Soack Dae Yoon,Dana Jay Sturzebecher. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2021-09-23.

For memory on package with reduced thickness

Номер патента: US20240334715A1. Автор: Phani Alaparthi,Samarth Alva,Navneet Kumar SINGH,Gaurav HADA,Aiswarya M. Pious,Ritu Bawa. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Thermal pad structures for led packages with reduced sizes

Номер патента: US20230420325A1. Автор: Robert Wilcox,Colin Blakely. Владелец: Creeled Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Close-packed array of light emitting devices

Номер патента: WO2012040172A2. Автор: Ilia N. Ivanov,John T. Simpson. Владелец: UT-BATTELLE, LLC. Дата публикации: 2012-03-29.

Close-packed array of light emitting devices

Номер патента: WO2012040172A3. Автор: Ilia N. Ivanov,John T. Simpson. Владелец: UT-BATTELLE, LLC. Дата публикации: 2012-06-07.

Lateral/vertical transistor structures and process of making and using same

Номер патента: US09908115B2. Автор: Justin K. Valley,Eric D. Hobbs. Владелец: Berkeley Lights Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Low contact resistance semiconductor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20120241752A1. Автор: Fu-Bang CHEN,Te-Chung Wang,Hsiu-Mu Tang. Владелец: Lextar Electronics Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Self-aligned vertical transistor dram structure and its manufacturing methods

Номер патента: US20040036519A1. Автор: Ching-Yuan Wu. Владелец: Intelligent Sources Development Corp. Дата публикации: 2004-02-26.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US12080665B2. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Yanhong Wang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Field programmable logic arrays with vertical transistors

Номер патента: US6124729A. Автор: Leonard Forbes,Wendell P. Noble. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-09-26.

Diagonal memory with vertical transistors and wrap-around control lines

Номер патента: US20230200084A1. Автор: Abhishek A. Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Programmable logic array with vertical transistors

Номер патента: US20010002109A1. Автор: Leonard Forbes,Wendell Noble. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-05-31.

Programmable logic array with vertical transistors

Номер патента: US20010002108A1. Автор: Leonard Forbes,Wendell Noble. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-05-31.

Systems and methods for reducing contact to gate shorts

Номер патента: US20080150049A1. Автор: Nadia Rahhal-Orabi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-06-26.

Systems and methods for reducing contact to gate shorts

Номер патента: US20100022079A1. Автор: Nadia Rahhal-Orabi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-28.

Systems and methods for reducing contact to gate shorts

Номер патента: US20110136314A1. Автор: Nadia Rahhal-Orabi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-09.

DRAM memory cell and array having pass transistors with recessed channels

Номер патента: US6384439B1. Автор: Darryl Walker. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2002-05-07.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230060149A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Yanhong Wang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Systems and methods for reducing contact to gate shorts

Номер патента: US8168488B2. Автор: Nadia Rahhal-Orabi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2012-05-01.

Method of making dynamic random access memory having a vertical transistor

Номер патента: US5376575A. Автор: Jong S. Kim,Hee-Koo Yoon,Chung G. Choi. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1994-12-27.

Pixel designs with reduced lofic reset and settling times

Номер патента: US20230421922A1. Автор: Chengcheng Xu,Tiejun Dai,Zhe GAO,Dennis Tunglin LEE. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Method for making image sensor with reduced etching damage

Номер патента: EP1746657A3. Автор: Howard E. Rhodes. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2009-10-07.

Laser annealing of gan leds with reduced pattern effects

Номер патента: SG191475A1. Автор: Yun Wang,Andrew M Hawryluk. Владелец: Ultratech Inc. Дата публикации: 2013-07-31.

Optoelectronic device with reduced optical loss

Номер патента: US12100779B2. Автор: Joseph Dion,Devendra DIWAN,Brandon A Robinson,Rakesh B Jain. Владелец: Sensor Electronic Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Contact resistance monitoring device, manufacturing method thereof, and display panel

Номер патента: US11894391B2. Автор: Xiaohui NIE. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Contact resistance monitoring device, manufacturing method thereof, and display panel

Номер патента: US20230138833A1. Автор: Xiaohui NIE. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

Semiconductor laser including tunnel diode for reducing contact resistance

Номер патента: US5751754A. Автор: Kazuhisa Takagi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-05-12.

High-current vacuum switch with reduced contact erosion

Номер патента: CA1084565A. Автор: James M. Lafferty. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1980-08-26.

Stainless steel having excellent contact resistance or pemfc separator an method of manufacturing same

Номер патента: US20240313232A1. Автор: Bosung Seo,Kwangmin Kim,JongHee KIM. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Multi-beam charged particle imaging system with reduced charging effects

Номер патента: WO2024099587A1. Автор: Stefan Schubert. Владелец: Carl Zeiss Multisem Gmbh. Дата публикации: 2024-05-16.

High contact resistance detection

Номер патента: US20180062326A1. Автор: Robert A. Card. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-03-01.

MEMS device having decreased contact resistance

Номер патента: US12077431B2. Автор: Mickael Renault,Shibajyoti Ghosh DASTIDER,Jacques Marcel MUYANGO. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Non-aqueous heat exchange fluid with reduced low-temperature viscosity

Номер патента: RU2701551C2. Автор: Дж. Томас ЛАЙТ. Владелец: Эванс Кулинг Системз, Инк.. Дата публикации: 2019-09-30.

Monolithic nonlinear transmission lines and sampling circuits with reduced shock-wave-to-surface-wave coupling

Номер патента: US6894581B2. Автор: Karam Michael Noujeim. Владелец: Anritsu Co. Дата публикации: 2005-05-17.

Electrochemical battery pack with reduced magnetic field emission and corresponding devices

Номер патента: EP2603945A1. Автор: Hossein Maleki,Jerald A. Hallmark. Владелец: MOTOROLA MOBILITY LLC. Дата публикации: 2013-06-19.

Card edge connector with reduced height

Номер патента: US20240072468A1. Автор: Xiaodong Hu,Kui YANG. Владелец: Amphenol Commercial Products Chengdu Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Process for the production of evaporable getter devices with reduced particle loss

Номер патента: WO2000007209A1. Автор: Corrado Carretti,Marco Guastalla. Владелец: SAES GETTERS S.P.A.. Дата публикации: 2000-02-10.

Evaporable getter device with reduced loss of particles and process for producing the same

Номер патента: WO2000028568A1. Автор: Daniele Martelli,Giuseppe Urso. Владелец: SAES GETTERS S.P.A.. Дата публикации: 2000-05-18.

Stainless steel having excellent contact resistance for pemfc separator and method of manufacturing same

Номер патента: EP4369444A1. Автор: Bosung Seo,Kwangmin Kim,JongHee KIM. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-15.

Stainless steel having excellent contact resistance for pemfc separator and method of manufacturing same

Номер патента: CA3227018A1. Автор: Bosung Seo,Kwangmin Kim,JongHee KIM. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-02.

Helix traveling wave tubes with reduced gain variation

Номер патента: CA1154867A. Автор: Ernest A. Conquest. Владелец: Varian Associates Inc. Дата публикации: 1983-10-04.

Color cathode ray tube with reduced desquamation

Номер патента: US5489816A. Автор: Byeong-yong Lee. Владелец: Samsung Display Devices Co Ltd. Дата публикации: 1996-02-06.

Phased array antenna with reduced phase quantization error

Номер патента: CA1106059A. Автор: Alfred R. Lopez. Владелец: Hazeltine Corp. Дата публикации: 1981-07-28.

Key structure with reduced resonant noise

Номер патента: US9697965B2. Автор: Chun-Lin Chen. Владелец: Lite On Technology Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Battery pack with reduced magnetic field emission

Номер патента: US20180212217A1. Автор: Bruce Hildesheim,David Giessel. Владелец: 9013733 Canada Inc. Дата публикации: 2018-07-26.

Battery pack with reduced magnetic field emission

Номер патента: US10516147B2. Автор: Bruce Hildesheim,David Giessel. Владелец: 9013733 Canada Inc. Дата публикации: 2019-12-24.

Key structure with reduced resonant noise

Номер патента: US20160148763A1. Автор: Chun-Lin Chen. Владелец: Lite On Technology Corp. Дата публикации: 2016-05-26.

Close-Packed Heating Mechanism and Atomization Device Comprising The Same

Номер патента: US20240180249A1. Автор: Ping Chen. Владелец: Shenzhen Huachengda Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Multi-dimensional coding on quasi-close-packed lattices

Номер патента: EP1440514A1. Автор: Willem G. Ophey,Willem M. J. M. Coene. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-07-28.

Multi-dimensional coding on quasi-close-packed lattices

Номер патента: WO2003034596A1. Автор: Willem G. Ophey,Willem M. J. M. Coene. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2003-04-24.

Reduced contact resistance on a SLIC

Номер патента: US5148475A. Автор: Thomas P. Warwick,Robert Rood. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 1992-09-15.

Memory devices having vertical transistors and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240381620A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Chao Sun. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Memory cells with vertical transistor and capacitor and fabrication methods thereof

Номер патента: US7445986B2. Автор: Cheng-Chih Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2008-11-04.

Memory cells with vertical transistor and capacitor and fabrication methods thereof

Номер патента: US20060175650A1. Автор: Cheng-Chih Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2006-08-10.

Memory cells with vertical transistor and capacitor and fabrication methods thereof

Номер патента: US20060270144A1. Автор: Cheng-Chih Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2006-11-30.

Low-speed oscillator with reduced overvoltage

Номер патента: WO2023152722A1. Автор: Eric Bohannon,Zhiwei Mao. Владелец: SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION. Дата публикации: 2023-08-17.

4f2 vertical access transistor with reduced floating body effect

Номер патента: US20240341082A1. Автор: Zhijun CHEN,Milan PESIC,Fredrick FISHBURN. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

4f2 vertical access transistor with reduced floating body effect

Номер патента: WO2024211157A1. Автор: Zhijun CHEN,Milan PESIC,Fredrick FISHBURN. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-10-10.

Off-chip driver circuit with reduced hot-electron degradation

Номер патента: US5726589A. Автор: Robert R. Williams,Joseph J. Cahill. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1998-03-10.

Memory devices having vertical transistors in staggered layouts

Номер патента: US12082399B2. Автор: Tao Yang,Zhiliang Xia,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory device having vertical transistors and method for forming the same

Номер патента: US20230371244A1. Автор: He Chen,Ziqun HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

3d lens with reduced back reflectance

Номер патента: US20170068028A1. Автор: Brian Thomas Sullivan,Peter Hook,Graham Carlow,Michelle Derouin. Владелец: Iridian Spectral Technologies Ltd. Дата публикации: 2017-03-09.

Remote direct memory access with reduced latency

Номер патента: US09774677B2. Автор: Mark S. HEFTY. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: WO2024103343A1. Автор: WEI Liu,Weihua Cheng,Hongbin Zhu,Wenyu HUA,Zichen LIU,Bingjie Yan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-23.

Vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20240172415A1. Автор: WEI Liu,Weihua Cheng,Hongbin Zhu,Wenyu HUA,Zichen LIU,Bingjie Yan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Memory devices having vertical transistors and fabricating methods thereof

Номер патента: US20230371241A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Chao Sun. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Precharged buffer with reduced output voltage swing

Номер патента: WO1992010836A1. Автор: Paul Ta. Владелец: Vlsi Technology, Inc.. Дата публикации: 1992-06-25.

Adaptive processing of video streams with reduced color resolution

Номер патента: US09699469B2. Автор: Laurence Alan Thompson. Владелец: Lattice Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Low contact resistance organic thin film transistors

Номер патента: GB2496334A. Автор: Christopher Newsome. Владелец: Cambridge Display Technology Ltd. Дата публикации: 2013-05-08.

Oscillator for pulse communication with reduced startup latency

Номер патента: WO2021142411A1. Автор: Kumar Anurag SHRIVASTAVA. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2021-07-15.

Voltage controlled oscillator with reduced phase noise

Номер патента: EP3837770A1. Автор: Douglas S. Jansen. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2021-06-23.

Portable communications devices with reduced interference between communication systems

Номер патента: CA3169025A1. Автор: Antonio Faraone,Giorgi Bit-Babik. Владелец: Motorola Solutions Inc. Дата публикации: 2021-09-02.

Multi-Level Sigma-Delta ADC With Reduced Quantization Levels

Номер патента: US20140266829A1. Автор: Carlo Pinna. Владелец: St Ericsson SA. Дата публикации: 2014-09-18.

Voltage controlled oscillator with reduced phase noise

Номер патента: WO2020009833A1. Автор: Douglas S. Jansen. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc.. Дата публикации: 2020-01-09.

Lens module with reduced height and electronic device having the same

Номер патента: US20240142859A1. Автор: Wen-Jie Yi. Владелец: Triple Win Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Phase modulator with reduced residual amplitude modulation

Номер патента: US20180062755A1. Автор: Yves Painchaud,Alexandre D. Simard,Michel Poulin. Владелец: Ciena Corp. Дата публикации: 2018-03-01.

Method And System For Multi-Band Transceiver Front-End Architecture With Reduced Switch Insertion Loss

Номер патента: US20180278274A1. Автор: Branislav Petrovic,Carl De Ranter. Владелец: Maxlinear Inc. Дата публикации: 2018-09-27.

Method and system for multi-band transceiver front-end architecture with reduced switch insertion loss

Номер патента: US09985663B2. Автор: Branislav Petrovic,Carl De Ranter. Владелец: Maxlinear Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Phase modulator with reduced residual amplitude modulation

Номер патента: US09941973B2. Автор: Yves Painchaud,Alexandre D. Simard,Michel Poulin. Владелец: Ciena Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Drive system for a DC motor with reduced power loss

Номер патента: US4527102A. Автор: Makoto Gotou. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1985-07-02.

Image sensor amplifiers with reduced inter-circulation currents

Номер патента: US20220103776A1. Автор: Anilkumar Prathipati. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2022-03-31.

Dual connectivity for wireless devices with reduced capabilities

Номер патента: US11818614B2. Автор: Alireza Babaei. Владелец: PanPsy Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-14.

Light-emitting diode (led) light source with reduced flickering

Номер патента: RU2597326C2. Автор: Тео Геррит ЗЕЙЛМАН. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2016-09-10.

Display with reduced visual discomfort

Номер патента: RU2709389C2. Автор: Скотт ФУЛЛЕМ. Владелец: МАЙКРОСОФТ ТЕКНОЛОДЖИ ЛАЙСЕНСИНГ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2019-12-17.

Coupling with reduced voltage for industrial process transmitter housing

Номер патента: RU2654933C2. Автор: Джоэл Дэвид Вандераа. Владелец: Роузмаунт Инк.. Дата публикации: 2018-05-23.

A receiver with reduced current drain

Номер патента: WO1996024224A1. Автор: Harry David Bush,James Oscar Tomaszewski,George Nicholas Kotzamanis. Владелец: Motorola Inc.. Дата публикации: 1996-08-08.

Access Control for Wireless Devices with Reduced Capabilities

Номер патента: US20210345227A1. Автор: Alireza Babaei. Владелец: PanPsy Technologies LLC. Дата публикации: 2021-11-04.

An apparatus and method for memory encryption with reduced decryption latency

Номер патента: EP1654661A2. Автор: Carlos Rozas,Gary Graunke. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-05-10.

Esm with reduced torque ripple

Номер патента: US20240136870A1. Автор: Florian Bittner. Владелец: Audi AG. Дата публикации: 2024-04-25.

Pas with reduced flash formation and good mechanical properties

Номер патента: US5219908A. Автор: Burkhard Kohler,Hans-Detlef Heinz,Friedrich Jonas,Bahman Sarabi,Sabine Dorf. Владелец: Bayer AG. Дата публикации: 1993-06-15.

Flexible Printed Circuit Assembly With Reduced Dielectric Loss

Номер патента: US20090211792A1. Автор: Matthew Stephen Doyle,John Richard Dangler,Paul V. Abrahamson,Daniel Lee Dawiedezyk. Владелец: MOLEX LLC. Дата публикации: 2009-08-27.

Power managing semiconductor die with reduced power consumption

Номер патента: US20090057665A1. Автор: Wenkwei Lou. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2009-03-05.

Composite switch circuit with reduced power loss and the forming method thereof

Номер патента: US20240243665A1. Автор: Vipin Pala. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Power converter with reduced power consumption and method of operating the same

Номер патента: US20240178740A1. Автор: Yen-Wei Lin,Shang-Kay YANG,Hsien-Kai WANG. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

An efficient encryption method to secure data with reduced number of encryption operations

Номер патента: US20180351730A1. Автор: M. Oguzhan KULEKCI. Владелец: Istanbul Teknik Universitesi ITU. Дата публикации: 2018-12-06.

An efficient encryption method to secure data with reduced number of encryption operations

Номер патента: EP3365884A1. Автор: M. Oguzhan KULEKCI. Владелец: Istanbul Teknik Universitesi ITU. Дата публикации: 2018-08-29.

Rf filter with reduced insertion loss

Номер патента: EP3485568A1. Автор: Werner Ruile,Markus Hauser,Sebastian Bertl,Veit Meister. Владелец: SnapTrack Inc. Дата публикации: 2019-05-22.

Multi-cell scheduling with reduced control overhead

Номер патента: US20230309106A1. Автор: Aris Papasakellariou,Qiongjie LIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-28.

Apparatuses and methods for a level shifter with reduced shoot-through current

Номер патента: US20110115541A1. Автор: Jeffrey G. Barrow. Владелец: Integrated Device Technology Inc. Дата публикации: 2011-05-19.

Dc-dc converter with reduced input current ripples

Номер патента: US20030002300A1. Автор: Toshiaki Nakamura. Владелец: Matsushita Electric Works Ltd. Дата публикации: 2003-01-02.

Sidelink communication with reduced power consumption

Номер патента: US20230209468A1. Автор: Dong Li,Yong Liu. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2023-06-29.

Methods and apparatus for obtaining content with reduced access times

Номер патента: EP2356799A1. Автор: Ramin Rezaiifar,Rohit Kapoor,Bibhu P. Mohanty,Michael Mitrani. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2011-08-17.

Electronic Messaging System for Mobile Devices with Reduced Traceability of Electronic Messages

Номер патента: US20240291793A1. Автор: Joseph Collins,Amit Jindas Shah. Владелец: Vaporstream Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Automatically resolving, with reduced user inputs, a set of activity instances for a group of users

Номер патента: US12126668B2. Автор: Marcos Calvo Lance,Philip Koonce. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-10-22.

MEMS-microphone with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US09980052B2. Автор: Kurt Rasmussen,Pirmin Hermann Otto Rombach,Jan Tue Ravnkilde,Leif Steen Johansen. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Enhanced node B and method for precoding with reduced quantization error

Номер патента: US09843367B2. Автор: Xiaogang Chen,Qinghua Li,Yuan Zhu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Method for testing a GSM (global system for mobile communications) handset with reduced signaling requirements

Номер патента: US09674722B1. Автор: Jeffrey Charles Smolinske. Владелец: Litepoint Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Envelope tracking with reduced circuit area and power consumption

Номер патента: US09634620B2. Автор: Nadim Khlat,Michael R. Kay. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Nonvolatile phase change memory cell having a reduced contact area

Номер патента: US7728318B2. Автор: Usha Raghuram,S. Brad Herner. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2010-06-01.

Dc-to-dc converter with reduced power loss during turn off

Номер патента: CA1150353A. Автор: Neale A. Zellmer. Владелец: GTE Automatic Electric Inc. Дата публикации: 1983-07-19.

Lighting system with reduced standby power

Номер патента: EP2670223A3. Автор: Won Suk Chung. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-12.

Microprocessor tone synthesizer with reduced quantization error

Номер патента: CA1129100A. Автор: James T. Doyle,David L. Muri. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1982-08-03.

Methods and apparatus for generating a three-dimensional reconstruction of an object with reduced distortion

Номер патента: US11954767B2. Автор: Martin Schaffer,Marcus Große. Владелец: Cognex Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Indication of synchronization signal block type for devices with reduced capabilities

Номер патента: WO2024031671A1. Автор: LI ZHANG. Владелец: ZTE CORPORATION. Дата публикации: 2024-02-15.

Optical signal interleaving comb filter with reduced chromatic dispersion and applications therefor

Номер патента: US6829410B1. Автор: An Andrew Zeng. Владелец: WaveSplitter Tech Inc. Дата публикации: 2004-12-07.

Portable communications devices with reduced interference between communication systems

Номер патента: AU2021227529B2. Автор: Antonio Faraone,Giorgi Bit-Babik. Владелец: Motorola Solutions Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

High pass power splitter/combiner with reduced circuit area

Номер патента: US20240063771A1. Автор: Zhengan Yang,Milad Darvishi. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Random access response enhancement for user equipments with reduced capabilities

Номер патента: US20230319898A1. Автор: Jing Lei,Wanshi Chen,Peter Pui Lok Ang,Huilin Xu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Glass substrate with reduced internal reflectance and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2017178166A1. Автор: Pierre Boulanger,Benjamine NAVET. Владелец: Agc Glass Company North America. Дата публикации: 2017-10-19.

Ue behavior and conditions with reduced prs measurement samples

Номер патента: WO2024102301A1. Автор: Hua Li,Rui Huang,In-Seok Hwang,Meng Zhang,Richard Burbidge. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2024-05-16.

Random access response enhancement for user equipments with reduced capabilities

Номер патента: EP4082284A1. Автор: Jing Lei,Wanshi Chen,Peter Pui Lok Ang,Huilin Xu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-11-02.

Optical signal interleaving comb filter with reduced chromatic dispersion and applications therefor

Номер патента: US6836588B1. Автор: An Andrew Zeng. Владелец: WaveSplitter Tech Inc. Дата публикации: 2004-12-28.

Portable communications devices with reduced interference between communication systems

Номер патента: US20210273663A1. Автор: Antonio Faraone,Giorgi Bit-Babik. Владелец: Motorola Solutions Inc. Дата публикации: 2021-09-02.

Portable communications devices with reduced interference between communication systems

Номер патента: CA3169025C. Автор: Antonio Faraone,Giorgi Bit-Babik. Владелец: Motorola Solutions Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Portable communications devices with reduced interference between communication systems

Номер патента: EP4111592A1. Автор: Antonio Faraone,Giorgi Bit-Babik. Владелец: Motorola Solutions Inc. Дата публикации: 2023-01-04.

Portable communications devices with reduced interference between communication systems

Номер патента: WO2021173295A1. Автор: Antonio Faraone,Giorgi Bit-Babik. Владелец: MOTOROLA SOLUTIONS, INC.. Дата публикации: 2021-09-02.

Portable communications devices with reduced interference between communication systems

Номер патента: AU2021227529A1. Автор: Antonio Faraone,Giorgi Bit-Babik. Владелец: Motorola Solutions Inc. Дата публикации: 2022-09-15.

Repeatedly closing packing

Номер патента: RU2347731C2. Автор: Штефан МАТИ,Аннетт КЭДИНГ-КОППЕРС. Владелец: Випак Вальсроде Гмбх Энд Ко. Кг. Дата публикации: 2009-02-27.

Re-closing packing

Номер патента: RU2441825C2. Автор: Рон ЭКСНЕР,Олав ДАГЕСТАД. Владелец: Крафт Фудз Р Унд Д, Инк.. Дата публикации: 2012-02-10.

Contact resistance mitigation

Номер патента: US09875332B2. Автор: Gregory Munson Yeric. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-01-23.

Close-packed bubble propagation device

Номер патента: CA1151291A. Автор: Byron R. Brown. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1983-08-02.

Close packed plastic bearing ball separator

Номер патента: US5387041A. Автор: Frederick E. Lederman. Владелец: Motors Liquidation Co. Дата публикации: 1995-02-07.

Extrusion head for producing sheet material reinforced internally with relatively close-packed cords

Номер патента: CA1319800C. Автор: Diego Minaudo. Владелец: Firestone Tire and Rubber Co. Дата публикации: 1993-07-06.

Mechanism for winding a flexible line in a close-packed monolayer on a drum

Номер патента: US4458856A. Автор: Walter K. Mansel-James. Владелец: Digicor Pty Ltd. Дата публикации: 1984-07-10.

Close-packed fibrous dosage form

Номер патента: US20230381115A1. Автор: Nannaji Saka,Aron H. BLAESI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-11-30.

Method of exfoliation of skin using closely-packed microstructures and apparatus therefor

Номер патента: EP1424928A1. Автор: Faiz Feisal Sherman,Vladimir Gartstein. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2004-06-09.

Method and apparatus for phase shifting an optical beam in an optical device with reduced contact loss

Номер патента: WO2004095116A1. Автор: Ansheng Liu. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2004-11-04.

Use of a substance mixture that reduces contact resistance

Номер патента: AU2020415332A1. Автор: Marcus Lehnen,Dirk Guido Vandenhirtz. Владелец: CropZone GmbH. Дата публикации: 2022-08-04.

Intervertebral implant with reduced contact area and method

Номер патента: CA2324104A1. Автор: Douglas W. Kohrs. Владелец: Individual. Дата публикации: 1999-09-23.

Memory address decode array with vertical transistors

Номер патента: US20030087495A1. Автор: Leonard Forbes,Wendell Noble. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-05-08.

Vehicle with reduced noise emission

Номер патента: RU2603631C2. Автор: Штеффен ТРЕБСТ. Владелец: Ман Трак Унд Бас Аг. Дата публикации: 2016-11-27.

Chemical reactions with reduced moisture content

Номер патента: RU2375298C2. Автор: Эндрю ХИЛЛ,Джон ХИЛЛ. Владелец: Атраверда Лимитед. Дата публикации: 2009-12-10.

Method for production of a dairy product with reduced plasmin activity

Номер патента: RU2703403C2. Автор: Харри КАЛЛИОЙНЕН,Саара ЛЯХТЕВЯНОЯ. Владелец: Валио Лтд. Дата публикации: 2019-10-16.

Measuring hardness by contact resistance of indenter material

Номер патента: WO1986006833A1. Автор: Lech Wieczorek,Hiroshi Julian Goldsmid,Victor Raymond Howes. Владелец: UNISEARCH LIMITED. Дата публикации: 1986-11-20.

Steviol glycoside compositions with reduced surface tension

Номер патента: US12097231B2. Автор: Dan S. GASPARD,Adam T. ZARTH,Adam John STEINBACH. Владелец: Cargill Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Interferometer spectrometer with reduced alignment sensitivity

Номер патента: EP1222446A1. Автор: Robert G. Messerschmidt,Russell E. Abbink. Владелец: Rio Grande Medical Technologies Inc. Дата публикации: 2002-07-17.

Interferometer spectrometer with reduced alignment sensitivity

Номер патента: WO2001027575A1. Автор: Robert G. Messerschmidt,Russell E. Abbink. Владелец: Rio Grande Medical Technologies, Inc.. Дата публикации: 2001-04-19.

Apparatus for applying contact resistance-reducing media and applying current to plants

Номер патента: AU2020414396A1. Автор: Marcus Lehnen,Dirk Guido Vandenhirtz. Владелец: CropZone GmbH. Дата публикации: 2022-08-04.

Methods of treating heart failure with reduced ejection fraction

Номер патента: US20240216404A1. Автор: Anna Maria Langkilde. Владелец: AstraZeneca AB. Дата публикации: 2024-07-04.

Apparatus for applying contact resistance-reducing media and applying current to plants

Номер патента: CA3165849A1. Автор: Marcus Lehnen,Dirk Guido Vandenhirtz. Владелец: Vandenhirtz Dirk Guido. Дата публикации: 2021-07-01.

Filtering grid with reduced diffuse light scattering

Номер патента: RU2725707C2. Автор: Майкл Дж. ТАТАРЕК,Кевин Р. ДАУНИНГ. Владелец: Материон Корпорейшн. Дата публикации: 2020-07-03.

Turbofan gas turbine engine with reduced jet noise

Номер патента: RU2379536C1. Автор: Ален ПОРТ. Владелец: Эрбюс Франс. Дата публикации: 2010-01-20.

Plunger gasket with reduced surface contact

Номер патента: CA3150740A1. Автор: David A. Doornbos,Benjamin M. Davis. Владелец: Neomed Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Plunger gasket with reduced surface contact

Номер патента: AU2020351080A1. Автор: David A. Doornbos,Benjamin M. Davis. Владелец: Neomed Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

Plunger gasket with reduced surface contact

Номер патента: EP4031212A1. Автор: David A. Doornbos,Benjamin M. Davis. Владелец: Neomed Inc. Дата публикации: 2022-07-27.

Plunger gasket with reduced surface contact

Номер патента: WO2021055145A1. Автор: David A. Doornbos,Benjamin M. Davis. Владелец: NEOMED, INC.. Дата публикации: 2021-03-25.

Wholemeal bread with reduced FODMAP content

Номер патента: AU2018317774A1. Автор: Christophe Courtin,Johan Thevelein,Kevin VERSTREPEN,Nore STRUYF. Владелец: Vlaams Instituut voor Biotechnologie VIB. Дата публикации: 2020-04-02.

Wholemeal bread with reduced FODMAP content

Номер патента: AU2018317774B2. Автор: Christophe Courtin,Johan Thevelein,Kevin VERSTREPEN,Nore STRUYF. Владелец: Vlaams Instituut voor Biotechnologie VIB. Дата публикации: 2023-08-31.

Wholemeal bread with reduced fodmap content

Номер патента: US20200205425A1. Автор: Christophe Courtin,Johan Thevelein,Kevin VERSTREPEN,Nore STRUYF. Владелец: Katholieke Universiteit Leuven. Дата публикации: 2020-07-02.

Wholemeal bread with reduced fodmap content

Номер патента: EP3668321A1. Автор: Christophe Courtin,Johan Thevelein,Kevin VERSTREPEN,Nore STRUYF. Владелец: Vlaams Instituut voor Biotechnologie VIB. Дата публикации: 2020-06-24.

Method of reducing contact lens intolerance with non-drying antihistamines

Номер патента: US20130344139A1. Автор: Jason L. Vittitow,Benjamin R. Yerxa,John C. Ice,Ramesh Krisnamoorthy. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-12-26.

Lavatory access for persons with reduced mobility

Номер патента: US20240253783A1. Автор: Mark B. DOWTY,Dylan Shoemaker. Владелец: BE Aerospace Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Lavatory access for persons with reduced mobility

Номер патента: EP4406839A1. Автор: Mark B. DOWTY,Dylan Shoemaker. Владелец: BE Aerospace Inc. Дата публикации: 2024-07-31.

Method of producing lignin with reduced amount of odorous substances

Номер патента: SE1650898A1. Автор: TOMANI Per,ALVARADO Fernando,SEDIN Maria. Владелец: Valmet Oy. Дата публикации: 2017-12-23.

Method of producing lignin with reduced amount of odorous substances

Номер патента: EP3475342A1. Автор: Per Tomani,Fernando Alvarado,Maria SEDIN. Владелец: Valmet Oy. Дата публикации: 2019-05-01.

Tire with reduced noise

Номер патента: US20200047563A1. Автор: Ki Bum Kim,Su Jin Son,Chang Hyo Hong,Il Sik Kim. Владелец: Hankook Tire Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

Electric chair movement motor with reducer mechanism

Номер патента: EP4412866A1. Автор: Sedat HALAC,Anil ARABACI. Владелец: Tanatar Kalip Pres Isleri Sanayi Ve Ticaret Ltd Sirketi. Дата публикации: 2024-08-14.

Bi-directional force sensing device with reduced cross-talk between the sensitive elements

Номер патента: US09989428B2. Автор: Michael Vinogradov-Nurenberg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-06-05.

Optical metrology with reduced focus error sensitivity

Номер патента: US09970863B2. Автор: Xuefeng Liu,David Y. Wang,Shankar Krishnan,Guorong V. Zhuang. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Reducer with reduced play

Номер патента: RU2639831C2. Автор: Бертран ШУР. Владелец: Гудрич Актюасьён Системз Сас. Дата публикации: 2017-12-22.

Antibodies with reduced total positive charge

Номер патента: RU2219949C2. Автор: Лесли А. Ноули,Алан Л. Эпштейн. Владелец: Перигрин Фармасьютикалс Инк.. Дата публикации: 2003-12-27.

Method of detecting heater resistance independent of contact resistance

Номер патента: CA1056013A. Автор: James G. Ottos. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1979-06-05.

Steviol glycoside compositions with reduced surface tension

Номер патента: CA3078214C. Автор: Dan S. GASPARD,Adam T. ZARTH,Adam John STEINBACH. Владелец: Cargill Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

A live bacteria strain with reduced capsules

Номер патента: WO2024002331A1. Автор: Ming-Chun Lee,Mengya ZHANG,Mingrui Wang,Qiubin LIN. Владелец: Shanghai Yuguan Biotech Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-01-04.

Systems, methods, and apparatuses related to vehicles with reduced emissions

Номер патента: US20150033701A1. Автор: Roderick A. Hyde,Lowell L. Wood, JR.. Владелец: ELWHA LLC. Дата публикации: 2015-02-05.

Memory structure with reduced number of reflected signals

Номер патента: US20140192582A1. Автор: Cheng-Lung Lin. Владелец: Eorex Corp. Дата публикации: 2014-07-10.

Atomic force microscopy measurements of contact resistance and current-dependent stiction

Номер патента: US20040016285A1. Автор: Shiva Prakash. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-29.

Atomic force microscopy measurements of contact resistance and current-dependent stiction

Номер патента: US20040016291A1. Автор: Shiva Prakash. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-29.

Atomic force microscopy measurements of contact resistance and current-dependent stiction

Номер патента: US6832508B2. Автор: Shiva Prakash. Владелец: Fidelica Microsystems Inc. Дата публикации: 2004-12-21.

Atomic force microscopy measurements of contact resistance and current-dependent stiction

Номер патента: US6761074B2. Автор: Shiva Prakash. Владелец: Fidelica Microsystems Inc. Дата публикации: 2004-07-13.

Pool lift for the autonomous access to a pool of wheelchair users and persons with reduced mobility

Номер патента: WO2018229516A1. Автор: Nikolaos Ioannou. Владелец: Nikolaos Ioannou. Дата публикации: 2018-12-20.

Projection tv with reduced cabinet dimensions

Номер патента: WO2007067971A3. Автор: Steven M Penn,Dana F Segler. Владелец: Dana F Segler. Дата публикации: 2007-11-15.

Handheld electronic device with reduced keyboard and associated method of providing quick text entry in a message

Номер патента: SG149012A1. Автор: George V Babu. Владелец: Research in Motion Ltd. Дата публикации: 2009-01-29.

Pool lift for the autonomous access to a pool of wheelchair users and persons with reduced mobility

Номер патента: EP3638184A1. Автор: Nikolaos Ioannou. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-04-22.

Method of sintering glass preform with reduced helium consumption

Номер патента: EP3925935A1. Автор: Amjad Khan,Chitra D,Dr. Sudhakar REDDY,Samir BHONGADE. Владелец: Sterlite Technologies Ltd. Дата публикации: 2021-12-22.

Feed unit for feeding products with reduced longitudinal dimensions in machines of the tobacco industry

Номер патента: EP3048907A1. Автор: Massimo Sartoni,Ivan Eusepi,Marco Esposti. Владелец: GD SpA. Дата публикации: 2016-08-03.

Methods for forming a single crystal silicon ingot with reduced crucible erosion

Номер патента: EP4244411A1. Автор: Richard Joseph Phillips,Salvador Zepeda. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-20.

A blood oxygenator with reduced pressure drop

Номер патента: WO2024151238A1. Автор: Kerem Pekkan,Canberk YILDIRIM,Azmat ULLAH,Anil AKSEKI,Easa Aliabbasi MIAVAGHI. Владелец: KOC Universitesi. Дата публикации: 2024-07-18.

Factor viii muteins with reduced immunogenicity

Номер патента: WO2009158511A8. Автор: John Murphy,Richard Harkins,Ying Zhu,Faye Wu,Fred Jullien Aswad,Hsiao-Lai Liu. Владелец: Bayer HealthCare LLC. Дата публикации: 2011-01-13.

Resid upgrading with reduced coke formation

Номер патента: SG11201908353XA. Автор: Stephen Brown,Brian Cunningham,Tien Le,Samia ILIAS,Randolph Smiley,Brenda Raich. Владелец: Exxonmobil Res & Eng Co. Дата публикации: 2019-10-30.

Impeller and housing assembly with reduced noise and improved airflow

Номер патента: EP1220633A2. Автор: Robert N. Mckee,J. Adin Mann, Iii.,Doug S. Zlatic. Владелец: Royal Appliance Manufacturing Co. Дата публикации: 2002-07-10.

Wynn-Dyson imaging system with reduced thermal distortion

Номер патента: US20140176923A1. Автор: Andrew M. Hawryluk. Владелец: Ultratech Inc. Дата публикации: 2014-06-26.

Methods for forming a single crystal silicon ingot with reduced crucible erosion

Номер патента: US12110609B2. Автор: Richard Joseph Phillips,Salvador Zepeda. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Method for preparingpickled roast meat product with reduced free radical and phip contents

Номер патента: LU506797B1. Автор: Junke Li. Владелец: Univ Ludong. Дата публикации: 2024-10-03.

Pyrolysis oil with reduced total acid number (value)

Номер патента: WO2024217699A1. Автор: Ardy TOUSSAINT,Ali NAZARI KHOORASGANI. Владелец: Btg Bioliquids B.V.. Дата публикации: 2024-10-24.

Method of sintering glass preform with reduced helium consumption

Номер патента: US12129198B2. Автор: Sudhakar Reddy,Amjad Khan,Chitra D,Samir BHONGADE. Владелец: Sterlite Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Mark reader with reduced trigger-to-decode response time

Номер патента: US09721134B2. Автор: James A. Negro. Владелец: Cognex Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Systems, methods, and apparatuses related to vehicles with reduced emissions

Номер патента: US09708947B2. Автор: Roderick A. Hyde,Lowell L. Wood, JR.. Владелец: ELWHA LLC. Дата публикации: 2017-07-18.

Systems, methods, and apparatuses related to vehicles with reduced emissions

Номер патента: US09494064B2. Автор: Roderick A. Hyde,Lowell L. Wood, JR.. Владелец: ELWHA LLC. Дата публикации: 2016-11-15.

Barrel drum unit of clock mechanism having core with reduced diameter

Номер патента: RU2557403C1. Автор: Марко РОША,Эдмон КАПТ. Владелец: Бланпэн Са. Дата публикации: 2015-07-20.

Coagulation factor viii with reduced immunogenicity

Номер патента: RU2631801C2. Автор: Жан-Мари СЕН-РЕМИ. Владелец: Имнейт Сарл. Дата публикации: 2017-09-26.

Cigarette with reduced amount of side-stream smoke

Номер патента: RU2279233C2. Автор: Казуко ТАКЕДА,Йосиюки ЯМАДА. Владелец: Джапан Тобакко Инк.. Дата публикации: 2006-07-10.

Connectors of repeated treatment device of endoscope with reduced occlusion

Номер патента: RU2351275C2. Автор: Тодд МОРРИСОН,Ник Нгос НХЬЮЕН. Владелец: Этикон, Инк.. Дата публикации: 2009-04-10.

Smoking article wrapper with reduced ignition propensity

Номер патента: EP2329726A1. Автор: designation of the inventor has not yet been filed The. Владелец: JT INTERNATIONAL SA. Дата публикации: 2011-06-08.

Method for optimizing contact resistance in electrically conductive textiles

Номер патента: CA2900343C. Автор: Simon Adair Mcmaster. Владелец: FOOTFALLS AND HEARTBEATS Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Steviol glycoside compositions with reduced surface tension

Номер патента: US20240050506A1. Автор: Dan S. GASPARD,Adam T. ZARTH,Adam John STEINBACH. Владелец: Cargill Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Systems and Methods for Measuring the Electrical Contact Resistance at an Interface

Номер патента: US20190285675A1. Автор: Shahriar Khosravani. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2019-09-19.

Systems and methods for measuring the electrical contact resistance at an interface

Номер патента: CA3033024C. Автор: Shahriar Khosravani. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2023-08-29.

Tool with reduced hydraulic oil exchange

Номер патента: RU2628517C2. Автор: Рэндалл А. МАРО,Аарон Л. БАРФЕЛЗ. Владелец: ДИР ЭНД КОМПАНИ. Дата публикации: 2017-08-17.

Aircraft turbojet engine thrust reverser with reduced number of latches

Номер патента: RU2594846C2. Автор: Пьер КАРЮЭЛЬ. Владелец: Эрсель. Дата публикации: 2016-08-20.

Formulations with reduced degradation of polysorbate

Номер патента: EP3397287A1. Автор: Brian Connolly,Lydia HAMBURG,Emily HOLZ. Владелец: F Hoffmann La Roche AG. Дата публикации: 2018-11-07.

Piston ring with reduced friction

Номер патента: RU2718653C2. Автор: Айан Грэхем ПЕГГ. Владелец: ФОРД ГЛОБАЛ ТЕКНОЛОДЖИЗ, ЛЛК. Дата публикации: 2020-04-13.

Chocolate glaze with reduced fat content applied by way of spaying

Номер патента: RU2480994C2. Автор: Элейн ЛИС,Гэри Пьер МОЛ,Самнанг НОС. Владелец: НЕСТЕК С.А.. Дата публикации: 2013-05-10.

Bar soap composition with reduced wear properties

Номер патента: RU2356941C2. Автор: Реджина ХАУРИГАН. Владелец: КОЛГЕЙТ-ПАЛМОЛИВ КОМПАНИ. Дата публикации: 2009-05-27.

Method of producing polydienes and polydiene copolymers with reduced cold flow

Номер патента: RU2640800C2. Автор: Стивен ЛУО. Владелец: Бриджстоун Корпорейшн. Дата публикации: 2018-01-12.

Drive belt with reduced degree of extension

Номер патента: RU2261384C2. Автор: Пол С. НАТСОН. Владелец: Дзе Гейтс Корпорейшн. Дата публикации: 2005-09-27.

Pump with reduced vibration

Номер патента: RU2560323C2. Автор: Жиль ГАВИЛЛЕ,Райнер МАЙШ. Владелец: НЕСТЕК С.А.. Дата публикации: 2015-08-20.

Aircraft with reduced environment impact

Номер патента: RU2384479C2. Автор: Кристоф КРО,Пьер-Эммануэль ГАЛЛЬ. Владелец: Эрбюс Франс. Дата публикации: 2010-03-20.

Fluidized bed reduction of laterite fines with reducing gases generated in situ

Номер патента: CA2371159C. Автор: Ron Shonewille,Gary Kaiura,Terry Koehler. Владелец: Falconbrige Ltd. Дата публикации: 2007-01-02.

Heteromultimers with reduced or silenced effector function

Номер патента: CA2913370C. Автор: Eric Escobar-Cabrera. Владелец: Zymeworks Inc Canada. Дата публикации: 2022-12-13.

Compositions with reduced oxidation

Номер патента: RU2707550C2. Автор: Сридхара Алаваттам,Мэри МЭЛЛЭНИ,Парбир ГРЕВАЛ. Владелец: Дженентек, Инк.. Дата публикации: 2019-11-27.

Window glass with reduced tensile stress

Номер патента: RU2764111C2. Автор: Тьерри Оливье,Эрве ТЕЛЛЬЕ. Владелец: СЭН-ГОБЭН ГЛАСС ФРАНС. Дата публикации: 2022-01-13.

Milling tool with reduced noise emission for machining wood or the like

Номер патента: US6039096A. Автор: Uwe Heisel,Johannes Troger. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-03-21.

Method for recovery of paraxylene with reduced crystallization load

Номер патента: US20210371359A1. Автор: Brian Benjamin. Владелец: Ineos US Chemicals Co Inc. Дата публикации: 2021-12-02.

Methods of reducing plaque and gingivitis with reduced staining

Номер патента: US5213790A. Автор: Satyanarayana Majeti,Michael F. Lukacovic. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 1993-05-25.

Heteromultimers with reduced or silenced effector function

Номер патента: WO2014190441A9. Автор: Eric Escobar-Cabrera. Владелец: Zymeworks Inc.. Дата публикации: 2015-02-05.

Method of producing lignin with reduced amount of odorous substances

Номер патента: CA3021990A1. Автор: Per Tomani,Fernando Alvarado,Maria SEDIN. Владелец: VALMET AB. Дата публикации: 2018-01-04.

Methods and compositions for treating thyroid-related medical conditions with reduced folates

Номер патента: MY189270A. Автор: Iii Linzy O Scott. Владелец: Iii Linzy O Scott. Дата публикации: 2022-01-31.

Methods of treating heart failure with reduced ejection fraction

Номер патента: US11903955B2. Автор: Anna Maria Langkilde. Владелец: AstraZeneca AB. Дата публикации: 2024-02-20.

Provision of inorganic powders with reduced hazard

Номер патента: US20160340479A1. Автор: David Christopher Crossley. Владелец: William Blythe Ltd. Дата публикации: 2016-11-24.

Fingerprint sensors with reduced-illumination patterns

Номер патента: WO2021162682A1. Автор: Jean-Marie Bussat,Firas Sammoura. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2021-08-19.

Multimode optical fiber with reduced cladding thickness

Номер патента: US20200271857A1. Автор: Pushkar Tandon,Scott Robertson Bickham,Ruchi Tandon. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2020-08-27.

Method of producing lignin with reduced amount of odorous substances

Номер патента: EP3475341A1. Автор: Henrik Wallmo. Владелец: Valmet Oy. Дата публикации: 2019-05-01.

Rubber composition with reduced odor and good thermal oxidative aging-resistant and anti-fatigue properties

Номер патента: CA3191293A1. Автор: Yang Gao,JIN Zhang,Zhimin TANG. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-04-21.

Rubber composition with reduced odor and good thermal oxidative aging-resistant and anti-fatigue properties

Номер патента: AU2021359501A1. Автор: Yang Gao,JIN Zhang,Zhimin TANG. Владелец: Sennics Co ltd. Дата публикации: 2023-03-09.

Rubber composition with reduced odor and good thermal oxidative aging-resistant and anti-fatigue properties

Номер патента: EP4229128A1. Автор: Yang Gao,JIN Zhang,Zhimin TANG. Владелец: Sennics Co ltd. Дата публикации: 2023-08-23.

Rubber composition with reduced odor and good thermal oxidative aging-resistant and anti-fatigue properties

Номер патента: US12031036B2. Автор: Yang Gao,JIN Zhang,Zhimin TANG. Владелец: Sennics Co ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Low dropout regulator circuit with reduced overshoot and undershoot and the method thereof

Номер патента: US20230400872A1. Автор: YONG ZHOU. Владелец: Chengdu Monolithic Power Systems Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Vehicle clutch auxiliary pneumatic cylinder with reducing response period

Номер патента: WO2001073310A1. Автор: Zvonimir Raimundo Zupan. Владелец: Zvonimir Raimundo Zupan. Дата публикации: 2001-10-04.

Memory write assist with reduced switching power

Номер патента: US12020746B2. Автор: Rahul Sahu,Pradeep Raj,Rejeesh AMMANATH VIJAYAN. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Dual-momentum gradient optimization with reduced memory requirements

Номер патента: US20210326711A1. Автор: Marc Tremblay,Jinwen Xi,Bharadwaj Pudipeddi. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2021-10-21.

Dual-momentum gradient optimization with reduced memory requirements

Номер патента: US20230244945A1. Автор: Marc Tremblay,Jinwen Xi,Bharadwaj Pudipeddi. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-08-03.

Dual-momentum gradient optimization with reduced memory requirements

Номер патента: EP4136587A1. Автор: Marc Tremblay,Jinwen Xi,Bharadwaj Pudipeddi. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-02-22.

Air-cooled pneumatically-actuated brake with reduced diameter multiple discs, particularly for industrial applications

Номер патента: WO2009115417A1. Автор: Ugo Jacopo Re. Владелец: Ugo Jacopo Re. Дата публикации: 2009-09-24.

Air-cooled pneumatically-actuated brake with reduced diameter multiple discs, particularly for industrial applications

Номер патента: EP2265839A1. Автор: Ugo Jacopo Re. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-29.

Systems and methods for parenterally procuring bodily-fluid samples with reduced contamination

Номер патента: US20240164670A1. Автор: Richard G. Patton. Владелец: Magnolia Medical Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Method Of Data Communications With Reduced Latency

Номер патента: US20120124249A1. Автор: Michael A. Blocksome,Jeffrey J. Parker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-05-17.

Adhesive bandage with reduced pain during removal

Номер патента: WO2007084410A3. Автор: Chung-Yu Lin. Владелец: Chen Chung Chin. Дата публикации: 2008-01-17.

Adhesive bandage with reduced pain during removal

Номер патента: EP1976476A2. Автор: Chung-Yu Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-10-08.

Adhesive bandage with reduced pain during removal

Номер патента: WO2007084410A2. Автор: Chung-Yu Lin. Владелец: Chen, Chung, Chin. Дата публикации: 2007-07-26.

Clothing especially for patients and persons with reduced moveability

Номер патента: EP2181615A3. Автор: Antonín Havelka,Zdeněk Kůs. Владелец: Technicka Univerzita v Liberci. Дата публикации: 2011-06-22.

Polyimide resin with reduced mold deposit

Номер патента: WO2004113446A3. Автор: Robert Russell Gallucci,Mark Alan Sanner,William A Kernick Iii,Roy Ray Oldle. Владелец: Roy Ray Oldle. Дата публикации: 2005-09-01.

Polyimide resin with reduced mold deposit

Номер патента: EP1639044A2. Автор: Robert Russell Gallucci,William A. Kernick, Iii,Mark Alan Sanner,Roy Ray Oldle. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2006-03-29.

Fumed alumina powder with reduced moisture content

Номер патента: US20240239679A1. Автор: Frank Menzel,Rainer Golchert,Alexander Lygin,Mareike Giesseler. Владелец: EVONIK OPERATIONS GMBH. Дата публикации: 2024-07-18.

Collapsible protective screen, particularly for covering large surfaces, with reduced footprint during opening and closing

Номер патента: WO2005053455A1. Автор: Marco Fiocchi. Владелец: Marco Fiocchi. Дата публикации: 2005-06-16.

Process for manufacturing fiber boards with reduced voc emissions

Номер патента: AU2022314224A1. Автор: Andre Hennig,Thomas Heine,Christian DÜMICHEN,Martin SCHWENDY,Bernd Bungert. Владелец: Fiberboard GmbH. Дата публикации: 2024-03-07.

Condensate drain pump with reduced noise

Номер патента: EP4269802A1. Автор: Elio Marioni. Владелец: Askoll Holding SRL. Дата публикации: 2023-11-01.

Process for preparing polyurethane sheet/laminate with reduced bubbles

Номер патента: EP4405427A1. Автор: Zhong Kai ZHANG,Dong Liang Wang. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2024-07-31.

Calcitonin peptides with reduced self aggregation activity

Номер патента: WO2005035566A1. Автор: Jesus Zurdo. Владелец: Zyentia Limited. Дата публикации: 2005-04-21.

Lampshade with reducible package volume

Номер патента: US20030107896A1. Автор: Hak Chu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-12.

Lampshade with reducible package volume

Номер патента: US6793377B2. Автор: Hak Kee Chu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-21.

Techniques and devices for efficient montgomery multiplication with reduced dependencies

Номер патента: US20230244445A1. Автор: Chen Yao,XIAO Wu,Shuai Wang,Xixi XIE,Yuji QIAN,Rongzhe ZHU. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2023-08-03.

Signal processing with reduced combinatorial complexity

Номер патента: EP1639385A1. Автор: Simon Richard QinetiQ Malvern MASKELL. Владелец: Qinetiq Ltd. Дата публикации: 2006-03-29.

Use of tryptophan from a seed source for treating diseases associated with reduced serotonin

Номер патента: NZ522318A. Автор: Susan P Hudson,Craig J Hudson. Владелец: Craig J Hudson. Дата публикации: 2003-09-26.

Spandex fiber with reduced visibility

Номер патента: WO2020102044A1. Автор: Steven W. Smith,Robert Dewhurst,Geoffrey D. Hietpas,Mary Wahlstrom,Giovanni PARINI,Ambata M. POE. Владелец: The LYCRA Company LLC. Дата публикации: 2020-05-22.

Organ-on-chip platforms with reduced fluid volume

Номер патента: US12065635B2. Автор: David L. Trumper,Daniel Rodion RATHBONE. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2024-08-20.

Manifold for liquid or gas distribution systems, with reduced overall size

Номер патента: EP1881247B1. Автор: Renato Colombo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-04-07.

Process for co-producing ammonia and methanol with reduced carbon

Номер патента: AU2023237524A1. Автор: Per Juul Dahl. Владелец: Haldor Topsoe AS. Дата публикации: 2024-08-08.

Process for co-producing ammonia and methanol with reduced carbon

Номер патента: WO2023180114A1. Автор: Per Juul Dahl. Владелец: Topsoe A/S. Дата публикации: 2023-09-28.

A polyurethane composition with reduced aldehyde emission

Номер патента: WO2021021098A1. Автор: Renjie JI,Yide Liang. Владелец: Huntsman Petrochemical LLC. Дата публикации: 2021-02-04.

Semiconductor device including memory with reduced current consumption

Номер патента: US20030039160A1. Автор: Kazutami Arimoto,Hiroki Shimano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-02-27.

Method for identifying HIV-1 protease inhibitors with reduced metabolic affects

Номер патента: US20090117535A1. Автор: William J. Geese,Koustubh Ranade. Владелец: Bristol Myers Squibb Co. Дата публикации: 2009-05-07.

Maize plants with reduced gene silencing

Номер патента: US20090265811A1. Автор: Jay B. Hollick,Christopher J. Hale,Jennifer L. STONAKER. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2009-10-22.

Corrective read of a memory device with reduced latency

Номер патента: US20240264771A1. Автор: Tao Liu,Zhengang Chen,Ting Luo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Multi-view display with reduced bezels

Номер патента: US20240126128A1. Автор: Albert Han Ng,David Steven Thompson,Hitesh Ahuja,David Randall Bonds. Владелец: Misapplied Sciences Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Method for identifying hiv-1 protease inhibitors with reduced metabolic affects

Номер патента: WO2008005391A3. Автор: Ranade Koustubh,William J Geese. Владелец: William J Geese. Дата публикации: 2008-03-06.

Method for identifying hiv-1 protease inhibitors with reduced metabolic affects

Номер патента: WO2008005391A2. Автор: Ranade Koustubh,William J. Geese. Владелец: BRISTOL-MYERS SQUIBB COMPANY. Дата публикации: 2008-01-10.

MEMS mirror arrays with reduced crosstalk

Номер патента: US12103843B2. Автор: Scott A. Miller. Владелец: CalientAi Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Implantable cancer therapy electrodes with reduced mri artifacts

Номер патента: EP4456970A1. Автор: Michael J. Kane,Devon N. Arnholt. Владелец: Cardiac Pacemakers Inc. Дата публикации: 2024-11-06.

Alfalfa with reduced lignin composition

Номер патента: AU2018260469B2. Автор: Song Luo,Nicholas J. Baltes. Владелец: CELLECTIS SA. Дата публикации: 2024-09-05.

Solid nanoparticle formulation of water insoluble pharmaceutical substances with reduced Ostwald ripening

Номер патента: US09993454B2. Автор: Chandra Ulagaraj Singh. Владелец: Luminus Biosciences Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Anti-IFNAR1 antibodies with reduced Fc ligand affinity

Номер патента: US09988459B2. Автор: Herren Wu,Peter Kiener,Anthony Coyle,Ricardo Cibotti. Владелец: AstraZeneca AB. Дата публикации: 2018-06-05.

Systems and methods for parenterally procuring bodily-fluid samples with reduced contamination

Номер патента: US09872645B2. Автор: Richard G. Patton. Владелец: Magnolia Medical Technologies Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Multi-threaded processing with reduced context switching

Номер патента: US09870252B2. Автор: John P. Bates. Владелец: Sony Interactive Entertainment Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Systems and methods for parenterally procuring bodily-fluid samples with reduced contamination

Номер патента: US09861306B2. Автор: Richard G. Patton. Владелец: Magnolia Medical Technologies Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Systems and methods for parenterally procuring bodily-fluid samples with reduced contamination

Номер патента: US09855002B2. Автор: Richard G. Patton. Владелец: Magnolia Medical Technologies Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Systems and methods for parenterally procuring bodily-fluid samples with reduced contamination

Номер патента: US09855001B2. Автор: Richard G. Patton. Владелец: Magnolia Medical Technologies Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Oxidation dye with reduced hair damage

Номер патента: US09839596B2. Автор: Gabriele Weser,Ulrike Schumacher. Владелец: Henkel AG and Co KGaA. Дата публикации: 2017-12-12.

Compositions with reduced bitter taste perception

Номер патента: US09827320B2. Автор: Yakang Lin,Koti Sreekrishna. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2017-11-28.

Methods and systems for slurry hydrocracking with reduced feed bypass

Номер патента: US09777226B2. Автор: Robert Haizmann,Trung Pham,Grant YOKOMIZO. Владелец: UOP LLC. Дата публикации: 2017-10-03.

Micromechanical component with a reduced contact surface and its fabrication method

Номер патента: US09731964B2. Автор: Alex Gandelhman,Andre Pin. Владелец: Nivarox Far SA. Дата публикации: 2017-08-15.

Method of designing a conductive pattern with reduced channel break visibility

Номер патента: US09639221B2. Автор: Yieu Chyan. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2017-05-02.

Method of manufacturing a ruminant feedstuff with reduced ruminal protein degradability

Номер патента: US6506423B2. Автор: James S. Drouillard,Conrad M. Coetzer. Владелец: Kansas State University. Дата публикации: 2003-01-14.

Test contact resistance of dry circuit contacts

Номер патента: CA1213324A. Автор: Benne Velsher. Владелец: Northern Telecom Ltd. Дата публикации: 1986-10-28.

Injector with reduced shear force

Номер патента: RU2737325C2. Автор: Микаель ХЕТТИНГ. Владелец: Иньекто Груп А/С. Дата публикации: 2020-11-27.

Staged combustion with reduced generation of both nitrogen oxides and carbon monoxide

Номер патента: CA2178858C. Автор: Ray Paul Chamberland. Владелец: Praxair Technology Inc. Дата публикации: 2000-08-08.

Method of creating plants with reduced level of saturated fatty acid in seed oil

Номер патента: CA2450000A1. Автор: Randall Weselake,Salehuzzaman Shah. Владелец: Alberta Research Council. Дата публикации: 2005-06-18.

Catalytic cracking with reduced emission of noxious gases

Номер патента: CA1110567A. Автор: Iacovos A. Vasalos. Владелец: Standard Oil Co. Дата публикации: 1981-10-13.

CRISPR-associated (Cas) proteins with reduced immunogenicity

Номер патента: US11566052B2. Автор: Jesus Zurdo,Thomas Payne,Noel Hillier SMITH. Владелец: Lonza AG. Дата публикации: 2023-01-31.

Seat belt retractor with reduced spooling

Номер патента: CA1185949A. Автор: Robert L. Stephenson,John W. Frankila. Владелец: Allied Corp. Дата публикации: 1985-04-23.

Nuclear detector system with reduced dead-time processor circuit

Номер патента: CA1226972A. Автор: Robert J. Schwartz. Владелец: Halliburton Co. Дата публикации: 1987-09-15.

Methods for identifying antibodies with reduced immunogenicity

Номер патента: CA2885422A1. Автор: Fiona A. Harding,Olivia Jennifer RAZO. Владелец: AbbVie Biotherapeutics Inc. Дата публикации: 2014-03-27.

Method of producing lignin with reduced amount of odorous substances

Номер патента: SE1451641A1. Автор: TOMANI Per,ALVARADO Fernando. Владелец: INNVENTIA AB. Дата публикации: 2016-06-23.

Solar cell with reduced base diffusion area

Номер патента: AU2012201088B2. Автор: Denis De Ceuster,Peter J. Cousins. Владелец: Maxeon Solar Pte Ltd. Дата публикации: 2012-12-06.

Cigarette with reduced tobacco vapor temperature

Номер патента: CA3020077C. Автор: Huachen LIU,Yikun Chen,Weichang KE,Chenghao LUO,Xianghao LIU. Владелец: China Tobacco Hubei Industrial LLC. Дата публикации: 2022-10-25.

Vehicle windshield defrost apparatus with reduced dashboard space requirements

Номер патента: CA1239173A. Автор: Ronald D. Stouffer. Владелец: Bowles Fluidics Corp. Дата публикации: 1988-07-12.

A composition with reduced aldehyde emission

Номер патента: US20210221942A1. Автор: Joris Karel Peter Bosman,Lies BONAMI,Ingrid WELVAERT,Pengfei Wu,Yuefan Zhang,Xuerong Zhu. Владелец: Huntsman International LLC. Дата публикации: 2021-07-22.

A composition with reduced aldehyde emission

Номер патента: WO2019121273A1. Автор: Joris Karel Peter Bosman,Lies BONAMI,Ingrid WELVAERT,Pengfei Wu,Yuefan Zhang,Xuerong Zhu. Владелец: Huntsman International LLC. Дата публикации: 2019-06-27.

Fibronectin binding domains with reduced immunogenicity

Номер патента: US20230183885A1. Автор: Dasa Lipovsek,Jonathan Davis,Ray Camphausen. Владелец: Bristol Myers Squibb Co. Дата публикации: 2023-06-15.

KpnI Restriction Endonucleases with Reduced Star Activity

Номер патента: US20080227133A1. Автор: Zhenyu Zhu,Valakunja Nagaraja,Matheshwaran Saravanan. Владелец: Indian Institute of Science IISC. Дата публикации: 2008-09-18.

Kpni restriction endonucleases with reduced star activity

Номер патента: WO2007027464A3. Автор: Zhenyu Zhu,Valakunja Nagaraja,Matheshwaran Saravanan. Владелец: Matheshwaran Saravanan. Дата публикации: 2007-05-24.

Kpni restriction endonucleases with reduced star activity

Номер патента: EP1931773A2. Автор: Zhenyu Zhu,Valakunja Nagaraja,Matheshwaran Saravanan. Владелец: Indian Institute of Science IISC. Дата публикации: 2008-06-18.

Method of producing lignin with reduced amount of odorous substances

Номер патента: EP3847206A1. Автор: Henrik Wallmo,Lars-Erik Åkerlund,Anders Littorin,Anders Uhlin. Владелец: Valmet Oy. Дата публикации: 2021-07-14.

Method of producing lignin with reduced amount of odorous substances

Номер патента: SE1851063A1. Автор: Henrik Wallmo,Lars-Erik Åkerlund,Anders Littorin,Anders Uhlin. Владелец: Valmet Oy. Дата публикации: 2020-03-08.

Method of producing lignin with reduced amount of odorous substances

Номер патента: CA3106814A1. Автор: Henrik Wallmo,Lars-Erik Åkerlund,Anders Littorin,Anders Uhlin. Владелец: VALMET AB. Дата публикации: 2020-03-12.

Method of producing lignin with reduced amount of odorous substances

Номер патента: WO2020050767A1. Автор: Henrik Wallmo,Lars-Erik Åkerlund,Anders Littorin,Anders Uhlin. Владелец: VALMET AB. Дата публикации: 2020-03-12.

Ozone generator with reduced NOx and method thereof

Номер патента: US20020058001A1. Автор: Ren-Jang Wu,Shen-Jen Chen,Yih-Fang Lin. Владелец: Yih-Fang Lin. Дата публикации: 2002-05-16.

Projection tv with reduced cabinet dimensions

Номер патента: WO2007067971A2. Автор: Steven M. Penn,Dana F. Segler. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2007-06-14.

Semiconductor Device Including Ultra Low-K (ULK) Metallization Stacks with Reduced Chip-Package Interaction

Номер патента: US20120001323A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

CLOSE-PACKED, UNIFORMLY ADJACENT MULTIRESOLUTIONAL, OVERLAPPING SPATIAL DATA ORDERING

Номер патента: US20120001915A1. Автор: Peterson Perry. Владелец: PYXIS INNOVATION INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Non-Volatile Memory And Method With Reduced Neighboring Field Errors

Номер патента: US20120002483A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Improvements in Close Packing Kits for Campers and the like.

Номер патента: GB189720731A. Автор: William Edward Baxter. Владелец: Individual. Дата публикации: 1897-11-27.

Transistor With Embedded Si/Ge Material Having Reduced Offset and Superior Uniformity

Номер патента: US20120001254A1. Автор: Javorka Peter,Kronholz Stephan,Boschke Roman. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

IMMUNOGLOBULINS WITH REDUCED AGGREGATION

Номер патента: US20120003211A1. Автор: Chennamsetty Naresh,Helk Bernhard,Kayser Veysel,Trout Bernhardt,Voynov Vladimir. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LITHIUM CONDITIONED ENGINE WITH REDUCED CARBON OXIDE EMISSIONS

Номер патента: US20120000449A1. Автор: Taplin,JR. Harry R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

EVOH Barrier Film with Reduced Autoclave Shock

Номер патента: US20120000166A1. Автор: . Владелец: CRYOVAC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Mosfet with reduced leakage current

Номер патента: WO1996025762A9. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1996-11-07.

Methods and compositions for treating thyroid-related medical conditions with reduced folates

Номер патента: AU2021261903A1. Автор: Linzy Scott Iii. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-12-02.

A method for preparing rbdpo with reduced 3-mcpde and ge

Номер патента: MY173784A. Автор: R Unnithan U. Владелец: Sumwin Solutions Malaysia Sdn Bhd. Дата публикации: 2020-02-21.

IGBT TRANSISTOR WITH PROTECTION AGAINST PARASITIC COMPONENT ACTIVATION AND MANUFACTURING PROCESS THEREOF

Номер патента: US20120001224A1. Автор: . Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2012-01-05.

Catalytic cracking with reduced emission of noxious gases

Номер патента: CA1048951A. Автор: Iacovos A. Vasalos. Владелец: Standard Oil Co. Дата публикации: 1979-02-20.

Magnetic bearing with reduced bias-flux-induced rotor loss

Номер патента: WO1997003301B1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1997-02-20.