Semiconductor device having buried gate structure and method for fabricating the same
Номер патента: US11923416B2
Опубликовано: 05-03-2024
Автор(ы): Seong-Wan RYU
Принадлежит: SK hynix Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 05-03-2024
Автор(ы): Seong-Wan RYU
Принадлежит: SK hynix Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor device and method of using
Номер патента: US20220238670A1. Автор: Jia Liang ZHONG,Cun Cun CHEN,Xin Yong WANG,Ming Jian WANG. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-28.