Transistor with airgap spacer.

Transistor with airgap spacer

Номер патента: US20180197966A1
Опубликовано: 12-07-2018
Автор(ы): Chen-Guan LEE, Chia-Hong Jan, En-Shao LIU, Everett S. CASSIDY-COMFORT, Joodong Park, Walid M. Hafez
Принадлежит: Intel Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Transistor with airgap spacer

Номер патента: EP3326206A1. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Joodong Park,Chen-Guan LEE,En-Shao LIU,Everett S. CASSIDY-COMFORT. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-05-30.

Transistor with airgap spacer

Номер патента: WO2017014725A1. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Joodong Park,Chen-Guan LEE,En-Shao LIU,Everett S. CASSIDY-COMFORT. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-01-26.

Transistor with airgap spacer

Номер патента: US20180197966A1. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Joodong Park,Chen-Guan LEE,En-Shao LIU,Everett S. CASSIDY-COMFORT. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-07-12.

Transistor with airgap spacer

Номер патента: EP3326206A4. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Joodong Park,Chen-Guan LEE,En-Shao LIU,Everett S. CASSIDY-COMFORT. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-02-20.

Semiconductor device with airgap spacer formation from backside of wafer

Номер патента: US11848384B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-19.

Closely packed vertical transistors with reduced contact resistance

Номер патента: US09735253B1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Closely packed vertical transistors with reduced contact resistance

Номер патента: US20200066882A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Closely packed vertical transistors with reduced contact resistance

Номер патента: US20180323283A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-08.

Closely packed vertical transistors with reduced contact resistance

Номер патента: US10096695B2. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-09.

Closely packed vertical transistors with reduced contact resistance

Номер патента: US20180061967A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-01.

TRANSISTOR WITH AIRGAP SPACER

Номер патента: US20190123164A1. Автор: Jan Chia-Hong,Park Joodong,Hafez Walid M.,LIU EN-SHAO,LEE CHEN-GUAN,Cassidy-Comfort Everett S.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-04-25.

Small geometry mos transistor with thin polycrystalline surface contacts and method for making

Номер патента: WO2008137478A3. Автор: Madhukar B Vora,Ashok Kapoor. Владелец: Ashok Kapoor. Дата публикации: 2008-12-31.

Small geometry mos transistor with thin polycrystalline surface contacts and method for making

Номер патента: WO2008137478A2. Автор: Madhukar B. Vora,Ashok Kapoor. Владелец: Dsm Solutions, Inc.. Дата публикации: 2008-11-13.

Threshold voltage adjustment in metal oxide semiconductor field effect transistor with silicon oxynitride polysilicon gate stack on fully depleted silicon-on-insulator

Номер патента: US20160133722A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Choh fei Yeap. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-05-12.

Threshold voltage adjustment in metal oxide semiconductor field effect transistor with silicon oxynitride polysilicon gate stack on fully depleted silicon-on-insulator

Номер патента: WO2015081286A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Choh fei Yeap. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-06-04.

Threshold voltage adjustment in metal oxide semiconductor field effect transistor with silicon oxynitride polysilicon gate stack on fully depleted silicon-on-insulator

Номер патента: US20150155364A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Choh fei Yeap. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-06-04.

Transistor with counter-electrode connection amalgamated with the source/drain contact

Номер патента: EP2599111A1. Автор: Qing Liu,Maud Vinet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2013-06-05.

Field effect transistors with self-aligned metal plugs and methods

Номер патента: US20200035555A1. Автор: Hui Zang,Laertis Economikos,Ruilong Xie. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-01-30.

Transistor with inner-gate spacer

Номер патента: US20200006509A1. Автор: Chia-Hong Jan,Joodong Park,Chen-Guan LEE,Jui-Yen Lin,En-Shao LIU. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Reduced leakage transistors with germanium-rich channel regions

Номер патента: WO2017111849A1. Автор: Glenn A. Glass,Karthik Jambunathan,Anand S. Murthy,Chandra S. Mohapatra,Seiyon Kim,Jun Sung Kang. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-06-29.

Transistor with embedded isolation layer in bulk substrate

Номер патента: US11749717B2. Автор: Anthony K. Stamper,Steven M. Shank,Siva P. Adusumilli,Johnatan A. Kantarovsky,Uzma Rana. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Reduced leakage transistors with germanium-rich channel regions

Номер патента: US20180331184A1. Автор: Glenn A. Glass,Karthik Jambunathan,Anand S. Murthy,Chandra S. Mohapatra,Seiyon Kim,Jun Sung Kang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Transistor with buried insulative layer beneath the channel region

Номер патента: US5930642A. Автор: Robert Dawson,H. Jim Fulford, Jr.,Mark W. Michael,Frederick N. Hause,Mark I. Gardner,Bradley T. Moore,Derick J. Wristers. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1999-07-27.

Fabrication of vertical transport fin field effect transistors with a self-aligned separator and an isolation region with an air gap

Номер патента: US20180308743A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Heng Wu,Zuoguang Liu,Sebastian NACZAS. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-25.

Fabrication of vertical transport fin field effect transistors with a self-aligned separator and an isolation region with an air gap

Номер патента: US20180308742A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Heng Wu,Zuoguang Liu,Sebastian NACZAS. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-25.

Fabrication of vertical transport fin field effect transistors with a self-aligned separator and an isolation region with an air gap

Номер патента: US20190311942A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Heng Wu,Zuoguang Liu,Sebastian NACZAS. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-10.

Improved fully-depleted cmos transistors with u-shaped channel

Номер патента: US20190267490A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Terence B. Hook,Robert H. Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-29.

Transistor with metal field plate contact

Номер патента: EP4369408A1. Автор: Judson R. Holt,Chung Foong Tan,Rajendran Krishnasamy,Shesh M. Pandey. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-15.

Transistor with metal field plate contact

Номер патента: US20240162345A1. Автор: Judson R. Holt,Chung Foong Tan,Rajendran Krishnasamy,Shesh M. Pandey. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Airgap spacer and local interconnect configuration with direct backside contact

Номер патента: US20240170545A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Hosadurga Shobha,Huai HUANG,Ruilong Xie,Nicholas Anthony Lanzillo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Device with airgap structure

Номер патента: US20230317627A1. Автор: Vibhor Jain,Sebastian T. Ventrone,Siva P. Adusumilli,Johnatan A. Kantarovsky,Yves T. Ngu,Uppili S. RAGHUNATHAN. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Transistors with lattice structure

Номер патента: US20210202717A1. Автор: Anthony K. Stamper,John J. Pekarik,Vibhor Jain,Steven M. Shank. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Airgap spacer for power via

Номер патента: US20240162152A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Huai HUANG,Ruilong Xie,Kisik Choi,Nicholas Anthony Lanzillo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Three-dimensional semiconductor transistor with gate contact in active region

Номер патента: US09691897B2. Автор: Andreas Knorr,Ruilong Xie,Andre Labonte. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Forksheet transistor with dual depth late cell boundary cut

Номер патента: US20240332294A1. Автор: Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Tsung-Sheng KANG,Sagarika Mukesh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Super junction field effect transistor with internal floating ring

Номер патента: US09590092B2. Автор: Kyoung Wook SEOK. Владелец: IXYS LLC. Дата публикации: 2017-03-07.

Totally self-aligned transistor with polysilicon shallow trench isolation

Номер патента: US6127717A. Автор: Zoran Krivokapic,Ognjen Milic. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-10-03.

Airgap spacers formed in conjunction with a late gate cut

Номер патента: US20200152504A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-05-14.

Method for manufacturing and structure for transistors with reduced gate to contact spacing

Номер патента: US20020106875A1. Автор: Mark Rodder,Keith Joyner. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2002-08-08.

High voltage MOS transistors with reduced parasitic current gain

Номер патента: US5218228A. Автор: Richard A. Blanchard,Richard K. Williams,Robert W. Busse. Владелец: Siliconix Inc. Дата публикации: 1993-06-08.

NANOSHEET TRANSISTOR WITH DUAL INNER AIRGAP SPACERS

Номер патента: US20200144388A1. Автор: Cheng Kangguo,Yamashita Tenko,Yeh Chun-chen,Xie Ruilong. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2020-05-07.

NANOSHEET TRANSISTOR WITH DUAL INNER AIRGAP SPACERS

Номер патента: US20190305104A1. Автор: Cheng Kangguo,Yamashita Tenko,Yeh Chun-chen,Xie Ruilong. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2019-10-03.

Nanosheet transistor with dual inner airgap spacers

Номер патента: US10566438B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-18.

Multi-gate field-effect transistor with enhanced and adaptable low-frequency noise

Номер патента: US20120168868A1. Автор: Hsin Chen,Jeng Gong,Tang-Jung CHIU. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-05.

Silicon-on-insulator transistor with self-aligned borderless source/drain contacts

Номер патента: US09368590B2. Автор: David V. Horak,Charles W. Koburger,Balasubramanian S. Haran,Susan S. FAN. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-14.

Iii-v finfet transistor with v-groove s/d profile for improved access resistance

Номер патента: WO2018009161A1. Автор: Gilbert Dewey,Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Sanaz K. Gardner,Anand S. Murthy,Chandra S. Mohapatra,Willy Rachmady,Matthew V. Metz,Sean T. MA. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-01-11.

VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH TOP AND BOTTOM AIRGAP SPACERS

Номер патента: US20200303497A1. Автор: Basker Veeraraghavan S.,Reznicek Alexander,Wang Junli,Yeh Chun-chen. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-24.

Field effect transistor with spacers and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240355898A1. Автор: Chang-Miao Liu,xu-sheng Wu,Wei-Lun Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Vertical transistor with air-gap spacer

Номер патента: US20170294537A1. Автор: Kangguo Cheng,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-12.

Nanostructure transistors with flush source/drain dopant blocking structures including a superlattice and related methods

Номер патента: WO2024206102A1. Автор: DongHun Kang. Владелец: Atomera Incorporated. Дата публикации: 2024-10-03.

Vertical transistor with air-gap spacer

Номер патента: US09698245B2. Автор: Kangguo Cheng,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Vertical transistor with air-gap spacer

Номер патента: US09691850B2. Автор: Kangguo Cheng,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor structure with airgap

Номер патента: US09917005B2. Автор: Anthony K. Stamper,Mark D. Jaffe,Qizhi Liu,Alvin J. Joseph. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor structure with airgap

Номер патента: US09666475B2. Автор: Anthony K. Stamper,Mark D. Jaffe,Qizhi Liu,Alvin J. Joseph. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

FIELD-EFFECT TRANSISTORS WITH AIRGAPS

Номер патента: US20190229184A1. Автор: SHANK Steven M.,Dongmo Pernell,Luce Cameron. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-25.

Semiconductor structure with airgap

Номер патента: US10211087B2. Автор: Anthony K. Stamper,Mark D. Jaffe,Qizhi Liu,Alvin J. Joseph. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-02-19.

Stacked nanosheet field-effect transistor with diode isolation

Номер патента: US09847391B1. Автор: Hui Zang,Jae Gon Lee. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Three-dimensional integrated circuits (3dics) including bottom gate mos transistors with monocrystalline channel material

Номер патента: US20210202476A1. Автор: Gilbert Dewey,Cory BOMBERGER,Anand Murthy,Jack Kavalieros,Kimin Jun,Willy Rachmady,Ashish Agrawal,Cheng-Ying Huang,Zachary Geiger,Ryan KEECH,Koustav Ganguly. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-07-01.

Transistors with laterally extended active regions and methods of fabricating same

Номер патента: US20110183482A1. Автор: Min-Hee Cho,Sung-Sam LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-28.

High voltage transistor with reduced isolation breakdown

Номер патента: US09614027B2. Автор: Shyue Seng Tan,Ying Keung Leung. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-04-04.

Fabrication of vertical field effect transistors with uniform structural profiles

Номер патента: US09837410B1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Fin-type field effect transistors with uniform channel lengths and below-channel isolation on bulk semiconductor substrates and methods

Номер патента: US20200044069A1. Автор: Andreas Knorr,Ruilong Xie,Julien Frougier,Srikanth Balaji Samavedam. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-02-06.

Method of forming field effect transistors with replacement metal gates and contacts and resulting structure

Номер патента: US09911736B1. Автор: Hui Zang,Haigou Huang,Xiaofeng Qiu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device with non-isolated power transistor with integrated diode protection

Номер патента: US09559097B2. Автор: Weize Chen,Patrice M. Parris,Hubert M. Bode,Andreas Laudenbach,Kurt U. Neugebauer,Richard J DeSouza. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Fin field effect transistor with field plating

Номер патента: US20230085365A1. Автор: Ming-Yeh Chuang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-03-16.

Transistor with improved switching

Номер патента: US20210359115A1. Автор: Noel Hoilien. Владелец: Polar Semiconductor LLC. Дата публикации: 2021-11-18.

Fin field effect transistor with field plating

Номер патента: WO2022008977A1. Автор: Ming-Yeh Chuang. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2022-01-13.

Transistors with source-connected field plates

Номер патента: EP4199105A1. Автор: Bernhard Grote,Bruce McRae Green,Congyong ZHU. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-06-21.

Field effect transistors with reduced leakage current

Номер патента: US11955555B2. Автор: Roda Kanawati,Paul D. Hurwitz,Rula BADARNEH,Kurt Moen. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2024-04-09.

Fin field effect transistor with field plating

Номер патента: US12074216B2. Автор: Ming-Yeh Chuang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Field Effect Transistors with Reduced Leakage Current

Номер патента: US20230395722A1. Автор: Roda Kanawati,Paul D. Hurwitz,Rula BADARNEH,Kurt Moen. Владелец: Newport Fab dba Tower Semiconductor Newport Beach LLC. Дата публикации: 2023-12-07.

Power semiconductor transistor with improved gate charge

Номер патента: US09673319B2. Автор: Jan Nilsson,Farshid Iravani. Владелец: Kinetic Technologies Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Vertical high-voltage mos transistor and method of forming the mos transistor with improved on-state resistance

Номер патента: US20160163804A1. Автор: Christopher Boguslaw Kocon,Hideaki Kawahara,John Manning Savidge Neilson,Simon John Molloy. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-06-09.

Transistors with vertically opposed source and drain metal interconnect layers

Номер патента: US20190198627A1. Автор: Paul B. Fischer,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-06-27.

Field effect transistor with shallow trench isolation features within source/drain regions

Номер патента: US11764225B2. Автор: Anthony K. Stamper,Steven M. Shank,Siva P. Adusumilli,Uzma Rana. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Field-effect transistor with aggressively strained fins

Номер патента: US09859425B2. Автор: Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

High voltage transistor with reduced isolation breakdown

Номер патента: US20170062554A1. Автор: Shyue Seng Tan,Ying Keung Leung. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-03-02.

Three-dimensional integrated circuits (3DICs) including bottom gate MOS transistors with monocrystalline channel material

Номер патента: US11996404B2. Автор: Gilbert Dewey,Cory BOMBERGER,Anand Murthy,Jack Kavalieros,Kimin Jun,Willy Rachmady,Ashish Agrawal,Cheng-Ying Huang,Zachary Geiger,Ryan KEECH,Koustav Ganguly. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-28.

Gate-all-around (gaa) transistors with additional bottom channel for reduced parasitic capacitance and methods of fabrication

Номер патента: US20210384310A1. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Jun Yuan,Peijie Feng. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Laterally diffused metal-oxide-semiconductor (LDMOS) transistor with a vertical channel region

Номер патента: US09768293B1. Автор: Chin-Yi Huang,Wan-Jyun Syue,Kuo-Lung Tzeng,Zhuo-Cang YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Transistor with a negative capacitance and a method of creating the same

Номер патента: US20220302315A1. Автор: FENG Yuan,Tung Ying Lee,Jin Cai,Ming-Shiang LIN,Chia-Cheng Ho,Tzu-Chung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Vertical transistor with uniform fin thickness

Номер патента: US20200035828A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-30.

Transistor with low leakage currents and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240266438A1. Автор: Chao-Chun Lu,Weng-Dah Ken. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Technologies for transistors with a thin-film ferroelectric

Номер патента: US20240113220A1. Автор: Uygar E. Avci,Marko Radosavljevic,Scott B. Clendenning,Kevin P. O'brien,Ian Alexander Young,Matthew V. Metz,Shriram SHIVARAMAN,Raseong Kim,John J. Plombon,Sudarat Lee,Arnab SEN GUPTA,Jason C. Retasket,Dmitri Evgenievich Nikonov,Punyashloka Debashis,Rachel A. Steinhardt,Carly ROGAN,Dominique A. Adams,Brandon Holybee. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Field effect transistor with self-aligned gate

Номер патента: CA1082371A. Автор: Robert H. Dennard,Vincent L. Rideout. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-07-22.

Field-effect transistors with asymmetric gate stacks

Номер патента: US11515424B2. Автор: Bernhard Sell,Qiang Yu,Mark Armstrong,Hyung-Jin Lee,Saurabh MORARKA,Said Rami,Guannan Liu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-11-29.

Field-effect transistors with asymmetric gate stacks

Номер патента: US20200259018A1. Автор: Bernhard Sell,Qiang Yu,Mark Armstrong,Hyung-Jin Lee,Saurabh MORARKA,Said Rami,Guannan Liu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-08-13.

Method of fabricating a metal-oxide-semiconductor transistor with a metal gate

Номер патента: US6080646A. Автор: Kun-Chih Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-06-27.

Metal-Gate MOS Transistor and Method of Forming the Transistor with Reduced Gate-to-Source and Gate-to-Drain Overlap Capacitance

Номер патента: US20150179783A1. Автор: Manoj Mehrotra,Hiroaki Niimi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Metal-gate MOS transistor and method of forming the transistor with reduced gate-to-source and gate-to-drain overlap capacitance

Номер патента: US9356131B2. Автор: Manoj Mehrotra,Hiroaki Niimi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-05-31.

Metal-Gate MOS Transistor and Method of Forming the Transistor with Reduced Gate-to-Source and Gate-to-Drain Overlap Capacitance

Номер патента: US20140124874A1. Автор: Manoj Mehrotra,Hiroaki Niimi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-05-08.

Transistor with a negative capacitance and a method of creating the same

Номер патента: US20200273996A1. Автор: FENG Yuan,Tung Ying Lee,Jin Cai,Ming-Shiang LIN,Chia-Cheng Ho,Tzu-Chung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-08-27.

Transistor with a negative capacitance and a method of creating the same

Номер патента: US20200127138A1. Автор: FENG Yuan,Tung Ying Lee,Jin Cai,Ming-Shiang LIN,Chia-Cheng Ho,Tzu-Chung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Transistor with a negative capacitance and a method of creating the same

Номер патента: US20200273997A1. Автор: FENG Yuan,Tung Ying Lee,Jin Cai,Ming-Shiang LIN,Chia-Cheng Ho,Tzu-Chung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-08-27.

Transistor with a negative capacitance and a method of creating the same

Номер патента: US11387360B2. Автор: FENG Yuan,Tung Ying Lee,Jin Cai,Ming-Shiang LIN,Chia-Cheng Ho,Tzu-Chung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-12.

Nanosheet transistors with self-aligned dielectric pillars

Номер патента: KR20220106992A. Автор: 뤼룽 자이,캉궈 청,줄리앙 프루지에르. Владелец: 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션. Дата публикации: 2022-08-01.

Transistor with low leakage currents and manufacturing method thereof

Номер патента: US11990548B2. Автор: Chao-Chun Lu,Weng-Dah Ken. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Airgap spacers

Номер патента: US09673293B1. Автор: Kangguo Cheng,Chun W. Yeung,Zuoguang Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Airgap spacers

Номер патента: US20170358673A1. Автор: Kangguo Cheng,Chun W. Yeung,Zuoguang Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-14.

Transistor with multi-level self-aligned gate and source/drain terminals and methods

Номер патента: US12119383B2. Автор: Mark D. Levy,Jeonghyun Hwang,Siva P. Adusumilli,Ajay RAMAN,Johnatan A. Kantarovsky. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Airgap spacers

Номер патента: US10217868B2. Автор: Kangguo Cheng,Chun W. Yeung,Zuoguang Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-02-26.

Source-Down Transistor with Vertical Field Plate

Номер патента: US20210151596A1. Автор: Che-Yung Lin,Chiao-Shun Chuang. Владелец: Diodes Inc. Дата публикации: 2021-05-20.

Semiconductor device structures including transistors with energy barriers adjacent to transistor channels and associated methods

Номер патента: WO2010065332A2. Автор: Chandra V. Mouli. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2010-06-10.

Ldmos transistor with implant alignment spacers

Номер патента: US20230231034A1. Автор: Hernan Rueda,Martin Garcia,Rodney Arlan Barksdale,Stephen C. Chew,Wayne Geoffrey Risner. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Transistor with dual spacer and forming method thereof

Номер патента: US20190157418A1. Автор: Chih-Chung Wang,Chia-Ling Wang,Wen-Fang Lee,Ping-Hung Chiang,Chang-Po Hsiung,Nien-Chung Li,Chia-Wen Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-05-23.

Insulated gate bipolar transistor with super junction structure, and preparation method therefor

Номер патента: US20240290827A1. Автор: LI Wan,Xiandong Ma,Pengcheng Zhang. Владелец: China Resources Microelectronics Chongqing Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

LDMOS transistor with implant alignment spacers

Номер патента: US12132099B2. Автор: Hernan Rueda,Martin Garcia,Rodney Arlan Barksdale,Stephen C. Chew,Wayne Geoffrey Risner. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Gallium nitride transistors with drain field plates and their methods of fabrication

Номер патента: WO2019066877A1. Автор: Stephan Leuschner,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-04-04.

Deep collector vertical bipolar transistor with enhanced gain

Номер патента: US20160079364A1. Автор: Alwin J. Tsao,Amitava Chatterjee,Xiang-Zheng Bo,Brian E. Hornung. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-03-17.

Deep collector vertical bipolar transistor with enhanced gain

Номер патента: US09397164B2. Автор: Alwin J. Tsao,Amitava Chatterjee,Xiang-Zheng Bo,Brian E. Hornung. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-07-19.

Low cost demos transistor with improved CHC immunity

Номер патента: US09577094B2. Автор: Amitava Chatterjee,Kaiping Liu,Shaoping Tang,Imran Mahmood Khan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Thin film transistor with low contact resistance

Номер патента: RU2662945C1. Автор: Дуи Ву ФАМ,Ко Хуэй СУ. Владелец: Эвоник Дегусса Гмбх. Дата публикации: 2018-07-31.

Method of fabricating a transistor with reduced hot carrier injection effects

Номер патента: US20170243950A1. Автор: Kuan-Liang Liu,Shih-Yin Hsiao,Ching-Chung Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-24.

Field-effect transistors with buried gates and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20200312970A1. Автор: Paul Fischer,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

Forming vertical transport field effect transistors with uniform bottom spacer thickness

Номер патента: US09991365B1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Yongan Xu,Xuefeng Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

High voltage lateral DMOS transistor with optimized source-side blocking capability

Номер патента: US09831320B2. Автор: Sameer Pendharkar,Marie Denison,Philip Leland HOWER. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

High voltage lateral DMOS transistor with optimized source-side blocking capability

Номер патента: US09793375B2. Автор: Sameer Pendharkar,Marie Denison,Philip Leland HOWER. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

High voltage lateral extended drain MOS transistor with improved drift layer contact

Номер патента: US09543149B2. Автор: Sameer Pendharkar,Marie Denison,Philip Leland HOWER. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Bipolar transistor with trench structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190319115A1. Автор: WEI Liu,Qiaozhi ZHU. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-10-17.

Demos transistors with sti and compensated well in drain

Номер патента: US20100032755A1. Автор: Hisashi Shichijo,Kamel Benaissa. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-02-11.

Bipolar transistor with trench structure

Номер патента: US20190189786A1. Автор: WEI Liu,Qiaozhi ZHU. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-06-20.

High-voltage vertical transistor with a multi-layered extended drain structure

Номер патента: US20030197220A1. Автор: Donald Disney. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2003-10-23.

Self-aligned thin film transistor with doping barrier and method of manufacturing the same

Номер патента: US9245978B2. Автор: Sang Hee Park,Chi Sun Hwang,Him Chan Oh. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2016-01-26.

Transistor with source-drain silicide pullback

Номер патента: US20170200649A1. Автор: Yung Fu Chong,Khee Yong Lim,Kiok Boone Elgin Quek,Jae Han Cha,Chia Ching YEO. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-07-13.

LDMOS Transistor With Implant Alignment Spacers

Номер патента: US20220359727A1. Автор: Hernan Rueda,Martin Garcia,Rodney Arlan Barksdale,Stephen C. Chew,Wayne Geoffrey Risner. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-11-10.

Ldmos transistor with implant alignment spacers

Номер патента: EP4089741A2. Автор: Hernan Rueda,Martin Garcia,Rodney Arlan Barksdale,Stephen C. Chew,Wayne Geoffrey Risner. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-11-16.

Low cost demos transistor with improved CHC immunity

Номер патента: US9202912B2. Автор: Amitava Chatterjee,Kaiping Liu,Shaoping Tang,Imran Mahmood Khan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-12-01.

Low cost demos transistor with improved chc immunity

Номер патента: US20160035890A1. Автор: Amitava Chatterjee,Kaiping Liu,Shaoping Tang,Imran Mahmood Khan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-02-04.

Transistor with current terminal regions and channel region in layer over dielectric

Номер патента: US20230420546A1. Автор: Petrus Hubertus Cornelis Magnee,Jay Paul John. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Transistor with current terminal regions and channel region in layer over dielectric

Номер патента: EP4297099A1. Автор: Petrus Hubertus Cornelis Magnee,Jay Paul John. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-12-27.

Forming vertical transport field effect transistors with uniform bottom spacer thickness

Номер патента: US10396179B2. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Yongan Xu,Xuefeng Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-27.

Gallium nitride (gan) transistors with lateral drain depletion

Номер патента: US20240021725A1. Автор: AHMAD Zubair,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Pratik KOIRALA,Samuel James Bader,Heli Chetanbhai VORA,Michael S. BEUMER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Forming vertical transport field effect transistors with uniform bottom spacer thickness

Номер патента: US20180315834A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Yongan Xu,Xuefeng Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-01.

Forming vertical transport field effect transistors with uniform bottom spacer thickness

Номер патента: US20180315835A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Yongan Xu,Xuefeng Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-01.

Transistor with airgap spacer and tight gate pitch

Номер патента: US20200219989A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-09.

Transistor with sonos structure having barrier wall over adjacent portions of the select transistor well and memory transistor well

Номер патента: US20190198680A1. Автор: Xiaoliang Tang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-06-27.

Device with airgap structure

Номер патента: EP4254476A2. Автор: Vibhor Jain,Sebastian T. Ventrone,Siva P. Adusumilli,Johnatan A. Kantarovsky,Yves T. Ngu,Uppili S. RAGHUNATHAN. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-04.

Device with airgap structure

Номер патента: EP4254476A3. Автор: Vibhor Jain,Sebastian T. Ventrone,Siva P. Adusumilli,Johnatan A. Kantarovsky,Yves T. Ngu,Uppili S. RAGHUNATHAN. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-11.

Transistor arrangement and method for producing a transistor with a fin structure

Номер патента: US20240128358A1. Автор: Daniel Krebs,Jens Baringhaus. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-04-18.

Transistor with asymmetric silicon germanium source region

Номер патента: US20120003802A1. Автор: Jian Chen,James F. Buller,Akif Sultan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-01-05.

Gate-all-around field-effect transistor with extended source/drain

Номер патента: US20240282839A1. Автор: Sang Uk LEE,Rock-Hyun Baek. Владелец: POSTECH Research and Business Development Foundation. Дата публикации: 2024-08-22.

Complementary analog bipolar transistors with trench-constrained isolation diffusion

Номер патента: WO2004017373A9. Автор: Richard K Williams,Michael E Cornell,Wai Tien Chan. Владелец: Advanced Analogic Tech Inc. Дата публикации: 2004-06-24.

Complementary analog bipolar transistors with trench-constrained isolation diffusion

Номер патента: WO2004017373A3. Автор: Richard K Williams,Michael E Cornell,Wai Tien Chan. Владелец: Advanced Analogic Tech Inc. Дата публикации: 2005-07-14.

Transistor with MIS connections and fabricating process

Номер патента: US09831319B2. Автор: Yves Morand,Fabrice Nemouchi,Heimanu Niebojewski,Louis HUTIN,Julien BORREL. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-11-28.

Transistor with fin structure and nanosheet and fabricating method of the same

Номер патента: US20240162291A1. Автор: Yu-Ming Lin,Cheng-Tung Huang,Ching-In Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Transistor with embedded insulating structure set

Номер патента: US20240266435A1. Автор: Chin-Chia Kuo,Ming-Hua Tsai,Wei-Hsuan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Trench DMOS transistor with reduced gate-to-drain capacitance

Номер патента: US09716167B2. Автор: Yaojian Leng,Richard Wendell Foote, Jr.,Steven J. Adler. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Field-effect transistors with dual thickness gate dielectrics

Номер патента: US20210167180A1. Автор: Rui Ma,Mark Armstrong,Ayan KAR,Akm A. AHSAN,Kalyan C. Kolluru,Nicholas A. Thomson,Sameer Jayanta Joglekar,Hyuk Ju Ryu,Sayan Saha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-06-03.

Gate all around transistors with high charge mobility channel materials

Номер патента: US20210226009A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Haining Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-07-22.

MOS transistor with gate trench adjacent to drain extension field insulation

Номер патента: US7893499B2. Автор: Sridhar Seetharaman,Sameer Pendharkar,Marie Denison,Binghua Hu,Taylor Rice Efland. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-02-22.

High-electron-mobility transistor with high voltage endurance capability and preparation method thereof

Номер патента: US20210066481A1. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor device including vertical transistor with back side power structure

Номер патента: US11948974B2. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor device including vertical transistor with back side power structure

Номер патента: US20240194734A1. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Combined-source Mos Transistor with Comb-shaped Gate, and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120181585A1. Автор: ZHAN Zhan,Ru Huang,Qianqian Huang,Yangyuan Wang. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-07-19.

Inverse T-gate FET transistor with lightly doped source and drain region

Номер патента: US5241203A. Автор: Seiki Ogura,Louis L. Hsu,Joseph F. Shepard,Paul J. Tsang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1993-08-31.

Gate-all-around transistor with spacer support and methods of forming same

Номер патента: US20190288117A1. Автор: Christopher M. Prindle,Ruilong Xie,Julien Frougier,Nigel G. Cave. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-09-19.

Bipolar junction transistors with a buried dielectric region in the active device region

Номер патента: US09722057B2. Автор: Marwan H. Khater,Vibhor Jain,Renata Camillo-Castillo. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Transistors with self-aligned source-connected field plates

Номер патента: US20230197795A1. Автор: Philippe Renaud,Humayun Kabir,Ibrahim Khalil,Bernhard Grote,Bruce McRae Green. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Technologies for ribbon field effect transistors with variable fin channel dimensions

Номер патента: US20240222376A1. Автор: Marko Radosavljevic,Evan A. Clinton,Cheng-Ying Huang,Jami A. WIEDEMER,Munzarin F. Qayyum,Rohit V. Galatage. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Technologies for ribbon field effect transistors with variable fin numbers

Номер патента: US20240222521A1. Автор: Jack T. Kavalieros,Marko Radosavljevic,Evan A. Clinton,Cheng-Ying Huang,Jami A. WIEDEMER,Munzarin F. Qayyum,Rohit V. Galatage. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Metal oxide thin film transistors with multi-composition gate dielectric

Номер патента: US20220359758A1. Автор: Cheng Tan,Bernhard Sell,Pei-Hua Wang,Chieh-Jen Ku,Shailesh Kumar Madisetti,Wen-Chiang Hong,Harish Ganapathy,Lin-Yung Wang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-11-10.

Method for fabricating vertical channel nanowire transistor with asymmetric stress distribution

Номер патента: US20230387303A1. Автор: Ming Li,Ran Bi. Владелец: Beijing Intellectual Property Operation Management Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Vertical field effect transistors with controlled overlap between gate electrode and source/drain contacts

Номер патента: US20160149054A1. Автор: Anirban Basu,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu,Amlan Majumdar,Wilfried E. Haensch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-26.

Field-effect transistor with two-dimensional channel realized with lateral heterostructures based on hybridized graphene

Номер патента: US09620634B2. Автор: Giuseppe IANNACCONE,Fiori Gianluca. Владелец: UNIVERSITÀ DI PISA. Дата публикации: 2017-04-11.

Transistor with phase transition material region between channel region and each source/drain region

Номер патента: US20220140131A1. Автор: Peter Javorka,Mohit Bajaj,Avinash Lahgere,Prashanth Paramahans Manik,Ali Icel. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-05-05.

Advanced transistors with punch through suppression

Номер патента: US09508800B2. Автор: Weimin Zhang,Pushkar Ranade,Scott E. Thompson,Lucian Shifren,Sachin R. Sonkusale,Paul E. Gregory. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Method for producing a transistor with metallic source and drain

Номер патента: US20110003443A1. Автор: Maud Vinet,Thierry Poiroux,Bernard Previtali. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2011-01-06.

Schottky barrier field effect transistor with carbon-containing insulation layer and method for fabricating the same

Номер патента: WO2013117028A1. Автор: Wei Wang,Jing Wang,Mei Zhao,Renrong Liang. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-08-15.

Reducing direct source-to-drain tunneling in field effect transistors with low effective mass channels

Номер патента: US09337255B1. Автор: Jeffrey W. Sleight,Anirban Basu,Amlan Majumdar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-10.

Method for producing a transistor with a high degree of electron mobility, and produced transistor

Номер патента: US20230420542A1. Автор: Hans-Joachim Würfl,Elke Meissner. Владелец: Ferdinand Braun Institut GgmbH Leibniz Institut fuer Hoechstfrequenztechnik. Дата публикации: 2023-12-28.

Method for forming a thin film transistor with a lightly doped drain structure

Номер патента: US20020012883A1. Автор: Chih-Chang Chen,Ji-ho Kung. Владелец: Hannstar Display Corp. Дата публикации: 2002-01-31.

Bipolar transistor with self-aligned asymmetric spacer

Номер патента: US20230268401A1. Автор: Hong Yu,Vibhor Jain,Jianwei PENG. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Transistor with wrap-around extrinsic base

Номер патента: US12142673B2. Автор: John J. Pekarik,Vibhor Jain,Kenneth J. Stein,Shyue Seng Tan,Qizhi Liu,Yung Fu Chong,Xinshu CAI,Judson R. Holt,Kien Seen Daniel Chong. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-11-12.

FinFET transistor with epitaxial structures

Номер патента: US09666715B2. Автор: Chun-Hsien Lin,Chen-Yi Weng,Chung-Fu Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Technologies for transistors with a ferroelectric gate dielectric

Номер патента: US20230352584A1. Автор: Ramamoorthy Ramesh,Uygar E. Avci,Darrell G. Schlom,Hai Li,Chia-Ching Lin,Ian Alexander Young,Raseong Kim,Ashish Verma Penumatcha,Dmitri Evgenievich Nikonov,Tanay A. Gosavi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-11-02.

Method of forming a bipolar transistor with a vertical collector contact

Номер патента: EP4154319A1. Автор: Miguel Urteaga,Andy Carter. Владелец: Teledyne Scientific and Imaging LLC. Дата публикации: 2023-03-29.

Method of forming a bipolar transistor with a vertical collector contact

Номер патента: WO2021262421A1. Автор: Miguel Urteaga,Andy Carter. Владелец: TELEDYNE SCIENTIFIC & IMAGING, LLC. Дата публикации: 2021-12-30.

Insulated gate bipolar transistor with super junction structure, and preparation method therefor

Номер патента: EP4336561A1. Автор: LI Wan,Xiandong Ma,Pengcheng Zhang. Владелец: China Resources Microelectronics Chongqing Ltd. Дата публикации: 2024-03-13.

Bipolar transistor with collector contact

Номер патента: US11935927B2. Автор: Hong Yu,Vibhor Jain. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Method for forming a transistor with a conductivity doped base structure

Номер патента: US20240079473A1. Автор: Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Ljubo Radic,Jay Paul John,James Albert Kirchgessner. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Lateral bipolar transistor with gated collector

Номер патента: US11935923B2. Автор: Vibhor Jain,Judson R. Holt,Jagar Singh,Alexander Derrickson,Mankyu Yang. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Bipolar transistor with self-aligned asymmetric spacer

Номер патента: US11935928B2. Автор: Hong Yu,Vibhor Jain,Jianwei PENG. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Transistor with wrap-around extrinsic base

Номер патента: US11855195B2. Автор: John J. Pekarik,Vibhor Jain,Kenneth J. Stein,Shyue Seng Tan,Qizhi Liu,Yung Fu Chong,Xinshu CAI,Judson R. Holt,Kien Seen Daniel Chong. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-12-26.

Transistor with wrap-around extrinsic base

Номер патента: US11855196B2. Автор: John J. Pekarik,Vibhor Jain,Kenneth J. Stein,Shyue Seng Tan,Qizhi Liu,Yung Fu Chong,Xinshu CAI,Judson R. Holt,Kien Seen Daniel Chong. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-12-26.

Vertical field effect transistor with strained channel

Номер патента: US20230411523A1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Bipolar transistor with self-aligned asymmetric spacer

Номер патента: EP4235799A1. Автор: Hong Yu,Vibhor Jain,Jianwei PENG. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-08-30.

Lateral bipolar transistor with gated collector

Номер патента: US20240136400A1. Автор: Vibhor Jain,Judson R. Holt,Jagar Singh,Alexander Derrickson,Mankyu Yang. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-04-25.

Transistor with wrap-around extrinsic base

Номер патента: US20240006517A1. Автор: John J. Pekarik,Vibhor Jain,Kenneth J. Stein,Shyue Seng Tan,Qizhi Liu,Yung Fu Chong,Xinshu CAI,Judson R. Holt,Kien Seen Daniel Chong. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-01-04.

Transistor with air spacer and self-aligned contact

Номер патента: US09721897B1. Автор: Chen Zhang,Peng Xu,Kangguo Cheng,Xin Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device having analog transistor with improved operating and flicker noise characteristics and method of making same

Номер патента: US20080036006A1. Автор: Ho Lee,Tetsuji Ueno,Hwa-Sung Rhee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-02-14.

Transistor with self-aligned source and drain contacts and method of making same

Номер патента: US20170047349A1. Автор: John Hongguang Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-02-16.

Multi-fin fin-type field effect transistor with fine-tuned effective channel width

Номер патента: US20240347638A1. Автор: Hong Yu,James P. Mazza,Navneet K. Jain,Romain H.A. Feuillette,David Charles PRITCHARD. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Transistor with self-aligned source and drain contacts and method of making same

Номер патента: US09922993B2. Автор: John Hongguang Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-03-20.

Transistor with self-aligned source and drain contacts and method of making same

Номер патента: US09496283B1. Автор: John Hongguang Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-11-15.

Transistor with pi-gate structure and method for producing the same

Номер патента: US20020063293A1. Автор: Yeon-Sik Chae,Jin-Koo Rhee,Hyun-Sik Park,Dan An. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-30.

Nanoribbon-based transistor with uniform oxide

Номер патента: EP4451340A1. Автор: Robin Chao,Siddharth Gupta,Biswajeet Guha,Aravind Killampalli,Jay Prakash Gupta. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-23.

Nanoribbon-based transistor with uniform oxide

Номер патента: US20240355876A1. Автор: Robin Chao,Siddharth Gupta,Biswajeet Guha,Aravind Killampalli,Jay Prakash Gupta. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Method of fabricating transistor with short gate length by two-step photolithography

Номер патента: US11367615B2. Автор: YI Chang,Yueh-Chin Lin,Po-Sheng Chang. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2022-06-21.

Transistor with monocrystalline base structures

Номер патента: US11855173B2. Автор: Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Ljubo Radic,Jay Paul John,James Albert Kirchgessner. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Method of fabricating transistor with short gate length by two-step photolithography

Номер патента: US20210151316A1. Автор: YI Chang,Yueh-Chin Lin,Po-Sheng Chang. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2021-05-20.

Iii-v transistors with resistive gate contacts

Номер патента: US20210167200A1. Автор: Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-06-03.

Lateral bipolar junction transistor with controlled junction

Номер патента: US09947778B2. Автор: Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Heterojunction bipolar transistor with buried trap rich isolation region

Номер патента: US20230402453A1. Автор: Anthony K. Stamper,John J. Pekarik,John J. Ellis-Monaghan,Vibhor Jain,Steven M. Shank. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Heterojunction bipolar transistor with buried trap rich isolation region

Номер патента: US11791334B2. Автор: Anthony K. Stamper,John J. Pekarik,John J. Ellis-Monaghan,Vibhor Jain,Steven M. Shank. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Lateral PNP bipolar transistor with narrow trench emitter

Номер патента: US09698237B2. Автор: Shekar Mallikarjunaswamy,Francois Hebert. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-07-04.

Bipolar transistor with embedded epitaxial external base region and method of forming the same

Номер патента: US9012291B2. Автор: Wei Zhang,Jun Fu,Jie Cui,Ping Xu,Yue Zhao,Yu-dong Wang,Zhi-hong Liu,Gao-qing Li,Zheng-li Wu. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-04-21.

High-k / metal gate CMOS transistors with TiN gates

Номер патента: US09721847B2. Автор: Hiroaki Niimi,Brian K. Kirkpatrick. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Self-aligned trench field effect transistors with regrown gates and bipolar junction transistors with regrown base contact regions and methods of making

Номер патента: CA2632233A1. Автор: Igor Sankin,Joseph Neil Merrett. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-14.

Bipolar transistor with low resistance base contact and method of making the same

Номер патента: US20090283801A1. Автор: Kathryn Turner Schonenberg,Francois Pagette. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-11-19.

Vertical heterojunction bipolar transistors with reduced base-collector junction capacitance

Номер патента: US20120221987A1. Автор: Renata Camillo-Castillo,Qizhi Liu,Erik M. Dahlstrom. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-08-30.

Bipolar transistor with a raised collector pedastal for reduced capacitance and a method of forming the transistor

Номер патента: US20130134483A1. Автор: John J. Pekarik,John J. Ellis-Monaghan,James W. Adkisson,Qizhi Liu,David L. Harame. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-30.

A bipolar transistor with a raised collector pedestal for reduced capacitance and a method of forming the transistor

Номер патента: GB201220384D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-12-26.

Heterojunction bipolar transistors with reduced base resistance

Номер патента: US8513706B2. Автор: Qizhi Liu,Peter B. Gray,Erik M. Dahlstrom. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-08-20.

High electron mobility transistor with gate electrode below the channel

Номер патента: US20230197842A1. Автор: Peter Mueller,Thomas Morf,Cezar Bogdan Zota,Eunjung Cha. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Heterojunction bipolar transistor with stress component

Номер патента: US09825157B1. Автор: Anthony K. Stamper,Vibhor Jain,Renata A. Camillo-Castillo. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Bipolar transistor with embedded epitaxial external base region and method of forming the same

Номер патента: US20140329368A1. Автор: Wei Zhang,Jun Fu,Jie Cui,Ping Xu,Yue Zhao,Yu-dong Wang,Zhi-hong Liu,Gao-qing Li,Zheng-li Wu. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-11-06.

High-k/metal gate cmos transistors with tin gates

Номер патента: EP3090445A1. Автор: Hiroaki Niimi,Brian K. Kirkpatrick. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-11-09.

HIGH-K / METAL GATE CMOS TRANSISTORS WITH TiN GATES

Номер патента: US20150187653A1. Автор: Hiroaki Niimi,Brian K. Kirkpatrick. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-07-02.

High-k/metal gate cmos transistors with tin gates

Номер патента: WO2015103412A1. Автор: Hiroaki Niimi,Brian K. Kirkpatrick. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2015-07-09.

HIGH-K / METAL GATE CMOS TRANSISTORS WITH TiN GATES

Номер патента: US20150287643A1. Автор: Hiroaki Niimi,Brian K. Kirkpatrick. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-10-08.

Devices having a transistor with a modified channel region

Номер патента: US20230268419A1. Автор: Haitao Liu,Deepak Chandra Pandey,Naveen KAUSHIK,Chittoor Ranganathan Parthasarathy. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-08-24.

Method of making a graphene base transistor with reduced collector area

Номер патента: US20170125557A1. Автор: Francis J. Kub,Andrew D. Koehler,Travis J. Anderson. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2017-05-04.

Bipolar transistor with thermal conductor

Номер патента: US20230290868A1. Автор: Hong Yu,Vibhor Jain,Judson R. Holt. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Method of making a graphene base transistor with reduced collector area

Номер патента: US20160087087A1. Автор: Francis J. Kub,Andrew D. Koehler,Travis J. Anderson. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2016-03-24.

Method of making a graphene base transistor with reduced collector area

Номер патента: US9590081B2. Автор: Francis J. Kub,Andrew D. Koehler,Travis J. Anderson. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2017-03-07.

Self-aligned trench field effect transistors with regrown gates and bipolar junction transistors with regrown base contact regions and methods of making

Номер патента: US20120305994A1. Автор: Igor Sankin,Joseph Neil Merrett. Владелец: SS SC IP LLC. Дата публикации: 2012-12-06.

Self-aligned trench field effect transistors with regrown gates and bipolar junction transistors with regrown base contact regions and methods of making

Номер патента: EP1969617A1. Автор: Igor Sankin,Joseph Neil Merrett. Владелец: Semisouth Laboratories Inc. Дата публикации: 2008-09-17.

MOS transistor with laser-patterned metal gate, and method for making the same

Номер патента: US8461628B2. Автор: Christopher Gudeman,Joerg Rockenberger,Criswell Choi,J. Devin Mackenzie. Владелец: Kovio Inc. Дата публикации: 2013-06-11.

Method for fabricating a field-effect transistor with a self-aligned gate

Номер патента: CA1271850A. Автор: John Edward Cunningham,Erdmann Fred Schubert,Won Tien Tsang. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1990-07-17.

Heterojunction bipolar transistors with reduced base resistance

Номер патента: US20130062668A1. Автор: Qizhi Liu,Peter B. Gray,Erik M. Dahlstrom. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-03-14.

Heterojunction bipolar transistors with reduced base resistance

Номер патента: US20120126292A1. Автор: Qizhi Liu,Peter B. Gray,Erik M. Dahlstrom. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-05-24.

Vertical heterojunction bipolar transistors with reduced base-collector junction capacitance

Номер патента: US20120112244A1. Автор: Renata Camillo-Castillo,Qizhi Liu,Erik M. Dahlstrom. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-05-10.

GaN HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR WITH A P-TYPE STRAINED InGaN BASE LAYER AND FABRICATING METHOD THEREOF

Номер патента: US20070114518A1. Автор: Jinn-Kong Sheu,Yue-Ming Hsin,Kuang-Po Hsueh. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2007-05-24.

Mesfet transistor with air layer between gate electrode connections and substrate

Номер патента: CA1266132A. Автор: Giampiero Donzelli. Владелец: Telettra Telefonia Elettronica e Radio SpA. Дата публикации: 1990-02-20.

Bipolar transistor with stepped emitter

Номер патента: US20240006491A1. Автор: Vibhor Jain,Qizhi Liu,Alvin J. Joseph,Rajendran Krishnasamy,Ajay RAMAN,Yves T. Ngu,Uppili S. RAGHUNATHAN. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Bipolar transistor with thermal conductor

Номер патента: US11942534B2. Автор: Hong Yu,Vibhor Jain,Judson R. Holt. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Transistor with airgap spacer

Номер патента: US20200388694A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-12-10.

Self-Aligned Wafer Backside Gate Signal with Airgap

Номер патента: US20240113023A1. Автор: Tao Li,Ruilong Xie,Julien Frougier,Nicolas Jean Loubet. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Fluctuation Resistant Low Access Resistance Fully Depleted SOI Transistor with Improved Channel Thickness Control and Reduced Access Resistance

Номер патента: US20140027853A1. Автор: Asen ASENOV. Владелец: Gold Standard Simulations Ltd. Дата публикации: 2014-01-30.

III-N transistors with epitaxial layers providing steep subthreshold swing

Номер патента: US09660067B2. Автор: Robert S. Chau,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Power mos transistor with improved metal contact

Номер патента: WO2014137644A1. Автор: Jacob L. Williams,Gregory Dix,Harold Kline,Dan GRIMM,Roger MELCHER. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2014-09-12.

Iii-n transistors with epitaxial layers providing steep subthreshold swing

Номер патента: WO2015147802A1. Автор: Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Robert Chau. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2015-10-01.

Integrated-circuit structure including lateral PNP transistor with polysilicon layer bridging gap in collector field relief electrode

Номер патента: US4319262A. Автор: Mario Foroni,Franco Bertotti,Vincenzo Prestileo. Владелец: SGS ATES Componenti Elettronici SpA. Дата публикации: 1982-03-09.

Apparatus and circuits including transistors with different threshold voltages and methods of fabricating the same

Номер патента: US20200135722A1. Автор: Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Apparatus and circuits including transistors with different polarizations and methods of fabricating the same

Номер патента: US20220130989A1. Автор: Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Apparatus and circuits including transistors with different polarizations and methods of fabricating the same

Номер патента: US20200161463A1. Автор: Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-21.

Apparatus and circuits including transistors with different threshold voltages and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240274599A1. Автор: Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Bipolar transistor with a sidewall-diffused subcollector

Номер патента: US5003365A. Автор: Robert H. Havemann,Robert H. Eklund. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1991-03-26.

Hermetic seal for transistors with metal on both sides

Номер патента: US20230197538A1. Автор: Mohammad Enamul Kabir,Tofizur RAHMAN,Keith Zawadzki,Conor P. PULS,Hannes Greve. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Hermetic seal for transistors with metal on both sides

Номер патента: EP4199046A3. Автор: Mohammad Enamul Kabir,Tofizur RAHMAN,Keith Zawadzki,Conor P. PULS,Hannes Greve. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-15.

Apparatus and circuits including transistors with different threshold voltages and methods of fabricating the same

Номер патента: US11973078B2. Автор: Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Enhancement-mode iii-n transistor with n-polarity and method of fabricating the same

Номер патента: WO2015009249A9. Автор: Ján KUZMÍK. Владелец: Centrum Vedecko-Technickych Informacii Sr (Cvti Sr). Дата публикации: 2015-03-26.

Method for making heterojunction bipolar transistor with self-aligned retrograde emitter profile

Номер патента: US5656514A. Автор: Martin Revitz,Jack Chu,David Ahlgren,Paul Ronsheim,Mary Saccamango,David Sunderland. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1997-08-12.

Mos transistor with a p-field implant overlying each end of a gate thereof

Номер патента: EP2150981A1. Автор: Ching Tee Elizabeth Kho,Michael May,Wenyi Li,Kia Yaw Kee,Mee Guoh Michael Tiong,Wen Jun Li,Chean Chian Alain Liew. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2010-02-10.

Transistor with gate attached field plate

Номер патента: US20230387258A1. Автор: Michael A. Smith. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Three-dimensional cross field effect self-aligned transistors with frontside and backside power connections

Номер патента: WO2024107583A3. Автор: Richard T. Schultz. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2024-07-04.

Transistor with buried p-field termination region

Номер патента: US20210328054A1. Автор: Noel Hoilien. Владелец: Polar Semiconductor LLC. Дата публикации: 2021-10-21.

Transistors with temperature compensating gate structures

Номер патента: US20190355826A1. Автор: Ian A. Young,Uygar E. Avci,Daniel H. Morris. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-11-21.

Transistors with source-connected field plates

Номер патента: EP4199103A1. Автор: Bernhard Grote,Bruce McRae Green,Congyong ZHU. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-06-21.

Field-effect transistors with deposited gate dielectric layers

Номер патента: EP4421878A1. Автор: Francois Hebert,James A. Cooper,Hema Lata Rao MADDI. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

Field-effect transistors with deposited gate dielectric layers

Номер патента: US20240290879A1. Автор: Francois Hebert,James A. Cooper,Hema Lata Rao MADDI. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Transistor with buried p-field termination region

Номер патента: US11264496B2. Автор: Noel Hoilien. Владелец: Polar Semiconductor LLC. Дата публикации: 2022-03-01.

Vertical field effect transistor with subway etch replacement metal gate

Номер патента: US09859421B1. Автор: Rajasekhar Venigalla,Robert R. Robison,Reinaldo A. Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Transistor with shield structure, packaged device, and method of manufacture

Номер патента: US09653410B1. Автор: Hernan Rueda,Ibrahim Khalil,David Burdeaux,Damon Holmes,Partha Chakraborty. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Complementary field effect transistor with conductive through substrate layer

Номер патента: US20240072115A1. Автор: Wei-De Ho,Wei-Cheng Lin,Jui-Chien Huang,Chun-Fu CHENG,Meng-Yu Lin,Ting-Yun Wu,Hsiang-Hung Huang,Wei-Cheng TZENG,Kuan-Kan HU,Szuya Liao,Szu-Hua Chen,Wei-Xiang YOU,Cheng-Yin WANG,Hsin Yang Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Vertical field effect transistor with abrupt extensions at a bottom source/drain structure

Номер патента: US09991382B1. Автор: Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Vertical field effect transistor with abrupt extensions at a bottom source/drain structure

Номер патента: US09954102B1. Автор: Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Transistor with improved air spacer

Номер патента: US09941352B1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device having cell transistor with recess channel structure

Номер патента: US20090085108A1. Автор: Yasushi Yamazaki. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-04-02.

Methods of forming a transistor with an integrated metal silicide gate electrode

Номер патента: WO2005020282A3. Автор: Todd R Abbot. Владелец: Todd R Abbot. Дата публикации: 2006-02-09.

Methods of forming a transistor with an integrated metal silicide gate electrode

Номер патента: EP1656696B1. Автор: Todd R. Abbot. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-04-21.

Methods of forming a transistor with an integrated metal silicide gate electrode

Номер патента: WO2005020282A2. Автор: Todd R. Abbot. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2005-03-03.

Vertical field effect transistors with bottom source/drain epitaxy

Номер патента: US09972700B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Vertical field effect transistors with bottom source/drain epitaxy

Номер патента: US09865705B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Gate-all-around (gaa) transistors with additional bottom channel for reduced parasitic capacitance and methods of fabrication

Номер патента: WO2021247167A1. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Jun Yuan,Peijie Feng. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2021-12-09.

Gate-all-around (gaa) transistors with additional bottom channel for reduced parasitic capacitance and methods of fabrication

Номер патента: EP4161868A1. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Jun Yuan,Peijie Feng. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-04-12.

Vertical-transport field-effect transistors with a damascene gate strap

Номер патента: US09911738B1. Автор: Brent A. Anderson,Junli Wang,Kwan-Yong Lim,Hiroaki Niimi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Transistor with defect mitigation structures

Номер патента: US20240266406A1. Автор: Darrell Glenn Hill,David Robert Currier,Congyong ZHU. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Transistors with high concentration of boron doped germanium

Номер патента: US09627384B2. Автор: Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Ravi Pillarisetty,Roza Kotlyar,Niloy Mukherjee,Glenn A. Glass,Anand S. Murthy,Willy Rachmady,Mark Y. Liu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Method for fabricating a MOS transistor with reduced channel length variation and related structure

Номер патента: US20110089490A1. Автор: WEI Xia,Xiangdong Chen,Henry Kuo-Shun Chen. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2011-04-21.

Transistor with Reduced Channel Length Variation

Номер патента: US20130001687A1. Автор: WEI Xia,Xiangdong Chen,Henry Kuo-Shun Chen. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-01-03.

Method for Fabricating a MOS Transistor with Reduced Channel Length Variation

Номер патента: US20130017658A1. Автор: WEI Xia,Xiangdong Chen,Henry Kuo-Shun Chen. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-01-17.

Fin-type field-effect transistors with strained channels

Номер патента: US20180026137A1. Автор: Henry K. Utomo,Reinaldo A. Vega,Yun Y. Wang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-25.

Vertical field-effect transistor with wrap-around contact structure

Номер патента: US12119346B2. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Fin-type field-effect transistors with strained channels

Номер патента: US09905694B2. Автор: Henry K. Utomo,Reinaldo A. Vega,Yun Y. Wang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Fin-type field-effect transistors with strained channels

Номер патента: US09680019B1. Автор: Henry K. Utomo,Reinaldo A. Vega,Yun Y. Wang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Method of fabricating a transistor with semiconductor gate combined locally with a metal

Номер патента: WO2008084085A9. Автор: Markus Müller,Gregory Bidal. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2009-09-03.

Method of fabricating a transistor with semiconductor gate combined locally with a metal

Номер патента: EP2115769A1. Автор: Markus Müller,Gregory Bidal. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-11-11.

Method of fabricating a transistor with semiconductor gate combined locally with a metal

Номер патента: US20100102402A1. Автор: Markus Müller,Gregory Bidal. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-04-29.

Method of fabricating a transistor with semiconductor gate combined locally with a metal

Номер патента: EP2115769B1. Автор: Markus Müller,Gregory Bidal. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2011-03-16.

Vertical field effect transistor with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US20200373434A1. Автор: Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang,Xin Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-11-26.

Transistor with performance boost by epitaxial layer

Номер патента: US20160111511A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Yeur-Luen Tu,Ru-Liang Lee,Yu-Hung Cheng,Cheng-ta Wu,Wei-li CHEN,Tung-I Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-04-21.

Transistor with channel material in a stack with insulator material supports

Номер патента: US20240222484A1. Автор: Feng Zhang,Kevin P. O'brien,Chia-Ching Lin,Guowei Xu,Ashish Verma Penumatcha,Uygar Avci,Carl H. Naylor,Chelsey DOROW,Kirby MAXEY,Ande KITAMURA,Tao Chu,Ting-Hsiang Hung,Mahmut Sami KAVRIK. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Vertical field effect transistors with bottom contact metal directly beneath fins

Номер патента: US09721845B1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Nano-ribbon channel transistor with back-bias control

Номер патента: US09614037B2. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Transistor with performance boost by epitaxial layer

Номер патента: US09595589B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Yeur-Luen Tu,Ru-Liang Lee,Yu-Hung Cheng,Cheng-ta Wu,Wei-li CHEN,Tung-I Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Nano-ribbon channel transistor with back-bias control

Номер патента: US09515194B2. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Vertical transistor with enhanced drive current

Номер патента: US20180342617A1. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Xin Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-29.

Low-frequency nosie transistors with curved channels

Номер патента: US20240088289A1. Автор: Shih-Chang Chen,Wen-Chao Shen. Владелец: Taiwen Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Transistor with a body and back gate structure in different material layers

Номер патента: US20240222440A1. Автор: Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Ibrahim Ban,Samuel James Bader,Heli Chetanbhai VORA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Field effect transistor with a high breakdown voltage and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060141726A1. Автор: Ji-Su Kim,Sung-Hoan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-06-29.

Stacked transistors with removed epi barrier

Номер патента: EP4199063A1. Автор: Nitesh Kumar,Gilbert Dewey,Marko Radosavljevic,Scott B. Clendenning,Willy Rachmady,Urusa ALAAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-21.

Strain-enhanced transistors with adjustable layouts

Номер патента: US09634094B1. Автор: Girish Venkitachalam,Peter J. McElheny,Fangyun Richter,Che Ta Hsu. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Transistors with different threshold voltages

Номер патента: US11848368B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Fabricating method for a thin film transistor with a negatively sloped gate

Номер патента: US5766988A. Автор: Jong Moon Choi,Seok Won Cho. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1998-06-16.

Vertical field effect transistors with bottom source/drain epitaxy

Номер патента: US20180114849A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-26.

Vertical field effect transistors with bottom source/drain epitaxy

Номер патента: US20190081157A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-03-14.

Vertical field effect transistors with bottom source/drain epitaxy

Номер патента: US20170352743A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-07.

Vertical field effect transistors with bottom source/drain epitaxy

Номер патента: US20180033869A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-01.

Thin film transistors with trench-defined nanoscale channel lengths

Номер патента: US9704999B2. Автор: Zhenqiang Ma,Jung-Hun Seo. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2017-07-11.

Field-effect transistors with isolation pillars

Номер патента: US20240072050A1. Автор: Tao Li,Brent A. Anderson,Ruilong Xie,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Ultrascalable vertical mos transistor with planar contacts

Номер патента: EP1880424A2. Автор: Bohumil Lojek. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2008-01-23.

Ultrascalable vertical mos transistor with planar contacts

Номер патента: WO2006121566A2. Автор: Bohumil Lojek. Владелец: ATMEL CORPORATION. Дата публикации: 2006-11-16.

Thin film transistors with trench-defined nanoscale channel lengths

Номер патента: US20170098715A1. Автор: Zhenqiang Ma,Jung-Hun Seo. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2017-04-06.

Vertical field effect transistors with bottom source/drain epitaxy

Номер патента: US10134874B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-20.

Structure and method to form a stack field effect transistor with different channel oriented gate-all-around devices

Номер патента: US20240203991A1. Автор: Shogo Mochizuki,Gen Tsutsui. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Method of forming high-voltage transistor with thin gate poly

Номер патента: US12029041B2. Автор: Unsoon Kim,Chun Chen,Sung-taeg Kang,Kuo Tung CHANG,James Pak,Inkuk Kang. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-02.

Bipolar junction transistor with gate over terminals

Номер патента: US12051729B2. Автор: Ying-Keung Leung,Ming-Shuan Li,Zi-Ang Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Transistors with Ballistic or Quasi-Ballistic Carrier Behavior and Low Resistance in Source and Drain Nodes

Номер патента: US20190334026A1. Автор: Ian Young,Raseong Kim,Uygar Avci. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-10-31.

Transistor with Asymmetric Source and Drain Regions

Номер патента: US20170345930A1. Автор: HO-HSIANG Chen,Ru-Gun Liu,Tzu-Jin Yeh,Hua-Chou Tseng,Chien-Chih Ho,Ying-Ta Lu,Chi-Hsien Lin,Hsien-Yuan LIAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-30.

Method of forming high-voltage transistor with thin gate poly

Номер патента: US11690227B2. Автор: Unsoon Kim,Chun Chen,Sung-taeg Kang,Kuo Tung CHANG,James Pak,Inkuk Kang. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-06-27.

Transistor with Asymmetric Source and Drain Regions

Номер патента: US20210184036A1. Автор: HO-HSIANG Chen,Ru-Gun Liu,Tzu-Jin Yeh,Hua-Chou Tseng,Chien-Chih Ho,Ying-Ta Lu,Chi-Hsien Lin,Hsien-Yuan LIAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Bipolar junction transistor with gate over terminals

Номер патента: US20240339508A1. Автор: Ying-Keung Leung,Ming-Shuan Li,Zi-Ang Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Self-aligned vertical transistor with local interconnect

Номер патента: US09917059B2. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Transistor with field electrodes and improved avalanche breakdown behavior

Номер патента: US09812563B2. Автор: Werner Schustereder,Franz Hirler,Markus Zundel,Ralf Siemieniec,Christian Kampen,Karl-Heinz Bach. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-11-07.

Fabrication of nanomaterial T-gate transistors with charge transfer doping layer

Номер патента: US09748334B1. Автор: Michael Engel,Shu-Jen Han,Sarunya Bangsaruntip. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Enhancement-mode transistors with increased threshold voltage

Номер патента: US09704959B2. Автор: Yuhao ZHANG,Tomas Apostol Palacios. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2017-07-11.

Transistor with a low-k sidewall spacer and method of making same

Номер патента: US09666679B2. Автор: DANIEL Benoit,Clement Gaumer. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2017-05-30.

Vertical transistor with a body contact for back-biasing

Номер патента: US09653575B1. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with metal-insulator-semiconductor contact structure to reduce schottky barrier

Номер патента: US09536973B2. Автор: Jeffrey Junhao XU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Vertical slit transistor with optimized AC performance

Номер патента: US09515180B2. Автор: Qing Liu,Xiuyu Cai,Ruilong Xie,Chun-Chen Yeh. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-12-06.

Transistors with channels formed of low-dimensional materials and method forming same

Номер патента: US20240379440A1. Автор: Lain-Jong Li,Chun-Chieh Lu,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Tzu-Ang Chao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Transistors with an extension region having strips of differing conductivity type

Номер патента: US09337333B2. Автор: Puneet Sharma,Michael Smith,Vladimir Mikhalev,Zia Alan Shafi,Henry Jim Fulford. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-05-10.

Method of forming a metal oxide semiconductor transistor with self-aligned channel implant

Номер патента: US6620692B2. Автор: Dan M. Mosher,David B. Scott. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2003-09-16.

Manufacturing method of transistor with independent contact to substrate

Номер патента: RU2739861C1. Автор: Александр Сергеевич Мокеев,Тамара Александровна Шоболова. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом"). Дата публикации: 2020-12-29.

Method for forming local buried dielectric insulation region of active part of transistors with three-dimensional structure of shell (finfet)

Номер патента: RU2670248C1. Автор: Владимир Александрович Нагнойный,Глеб Владимирович Баранов. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт молекулярной электроники". Дата публикации: 2018-10-19.

Gallium nitride transistors with source and drain field plates and their methods of fabrication

Номер патента: US20200227545A1. Автор: Stephan Leuschner,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-07-16.

Logic circuits using vertical transistors with backside source or drain regions

Номер патента: WO2024005789A1. Автор: ABHISHEK Sharma,Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Rishabh Mehandru,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Pushkar Sharad RANADE. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2024-01-04.

Logic circuits using vertical transistors with backside source or drain regions

Номер патента: US20230422496A1. Автор: Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Anand S. Murthy,Rishabh Mehandru,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Pushkar Sharad RANADE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Field effect transistor with a short channel lenght

Номер патента: CA1153831A. Автор: Hans-Jorg Pfleiderer,Ernst Hebenstreit,Dezso Takacs,Michael Pomper,Heinrich Klar. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1983-09-13.

P-type-epitaxial-base transistor with base-collector schottky diode clamp

Номер патента: CA1041226A. Автор: Vincent J. Lucarini,Augustine W. Chang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1978-10-24.

P-type-epitaxial-base transistor with base-collector Schottky diode clamp

Номер патента: US4005469A. Автор: Augustine Wei-Chun Chang,Vincent Joseph Lucarini. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1977-01-25.

Transistors with dual wells

Номер патента: US20190207025A1. Автор: Douglas T. Grider,Xiang-Zheng Bo,Michelle N. NGUYEN. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-07-04.

Transistors with dual wells

Номер патента: US20210050445A1. Автор: Douglas T. Grider,Xiang-Zheng Bo,Michelle N. NGUYEN. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

Stacked self-aligned transistors with single workfunction metal

Номер патента: US20200105891A1. Автор: Gilbert Dewey,Justin Weber,Willy Rachmady,Rishabh Mehandru,Aaron Lilak. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-04-02.

Method of forming integrated circuit having plural transistors with work function metal gate structures

Номер патента: US09754841B2. Автор: Chia-Fu Hsu,Yu-Ru Yang,Chih-Wei Yang,En-Chiuan Liou,Jian-Cun KE,Yu-Feng Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

High-Voltage Bipolar Transistor with Trench Field Plate

Номер патента: US20120007176A1. Автор: Thorsten Meyer,Christoph Kadow,Norbert Krischke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-01-12.

High Voltage Bipolar Transistor with Trench Field Plate

Номер патента: US20130009252A1. Автор: Thorsten Meyer,Christoph Kadow,Norbert Krischke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2013-01-10.

High voltage bipolar transistor with trench field plate

Номер патента: US9112021B2. Автор: Thorsten Meyer,Christoph Kadow,Norbert Krischke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2015-08-18.

LDMOS transistor and method of forming the LDMOS transistor with improved Rds*Cgd

Номер патента: US09455332B2. Автор: Jun Cai. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Integration of vertical transistors with 3D long channel transistors

Номер патента: US09837409B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Integration of vertical transistors with 3D long channel transistors

Номер патента: US09607899B1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Integration of vertical transistors with 3d long channel transistors

Номер патента: US20170317080A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-02.

Field-effect transistors with a body pedestal

Номер патента: US11764060B2. Автор: Steven M. Shank,Alvin J. Joseph,Michel J. Abou-Khalil,Michael J. Zierak. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Vertical power transistor with termination area having doped trenches with variable pitches

Номер патента: US20170250246A1. Автор: Hamza Yilmaz. Владелец: MaxPower Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2017-08-31.

Vertical power transistor with termination area having doped trenches with variable pitches

Номер патента: US09978831B2. Автор: Hamza Yilmaz. Владелец: MaxPower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device including nanowire transistors with hybrid channels

Номер патента: US09859369B2. Автор: Kangguo Cheng,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device including nanowire transistors with hybrid channels

Номер патента: US09595525B2. Автор: Kangguo Cheng,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Field-effect transistors with a gate dielectric layer formed on a surface treated by atomic layer etching

Номер патента: US20240290617A1. Автор: Francois Hebert,James A. Cooper,Hema Lata Rao MADDI. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Non-planar III-V field effect transistors with conformal metal gate electrode and nitrogen doping of gate dielectric interface

Номер патента: US09818847B2. Автор: Gilbert Dewey,Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Scott B. Clendenning. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Vertical field effect transistor with wrap around metallic bottom contact to improve contact resistance

Номер патента: US09773913B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Replacement metal gate process for vertical transport field-effect transistors with multiple threshold voltages

Номер патента: US20200066603A1. Автор: Brent A. Anderson,ChoongHyun Lee,Hemanth Jagannathan,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Vertical transistor with extended drain region

Номер патента: US20200135916A1. Автор: Saumitra Raj Mehrotra,Bernhard Grote,Ljubo Radic. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2020-04-30.

Method for manufacturing oxide semiconductor transistor with low-nitrogen, low-defect insulating film

Номер патента: US09748355B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Toshinari Sasaki,Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Stacked transistor with separate gate

Номер патента: US20210091079A1. Автор: LAN Yu,Ruilong Xie,Heng Wu,Chun Wing Yeung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

MOS-Transistor with Separated Electrodes Arranged in a Trench

Номер патента: US20150357437A1. Автор: Antonio Vellei. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-12-10.

MOS transistor and method of forming the MOS transistor with a SiON etch stop layer that protects the transistor from PID and hot carrier degradation

Номер патента: US7645657B2. Автор: Heather McCulloh,Prasad Chaparala,Denis Finbarr O'Connell,Douglas Brisbin,Sergei Drizlikh. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2010-01-12.

Vertical transport field-effect transistors with uniform threshold voltage

Номер патента: US20200119010A1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-16.

Bipolar junction transistors with duplicated terminals

Номер патента: EP4156272A1. Автор: Hong Yu,Shesh Mani Pandey,Alexander Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-03-29.

Vertical fin field effect transistor with reduced gate length variations

Номер патента: US20190312140A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-10.

Non-planar transistors with channel regions having varying widths

Номер патента: US20200295002A1. Автор: Richard Schenker,Sam Sivakumar,Stephanie A. BOJARSKI,Leonard GULER,Michael K. Harper,Urusa ALAAN,Stephen D. Snyder,Achala Bhuwalka. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Fabrication of a vertical fin field effect transistor with reduced dimensional variations

Номер патента: US20240249980A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: Adeia Semiconductor Solutions LLC. Дата публикации: 2024-07-25.

Dmos transistor with cavity below drift region

Номер патента: WO2012149184A2. Автор: Alexei Sadovnikov,Vladislav Vashchenko,Peter J. Hopper,William French,Richard Wendell FOOTE,Punit BHOLA. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2012-11-01.

Normally-Off Compound Semiconductor Tunnel Transistor with a Plurality of Charge Carrier Gases

Номер патента: US20140034962A1. Автор: Oliver Häberlen,Gilberto Curatola. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-02-06.

Nested and isolated transistors with reduced impedance difference

Номер патента: SG174039A1. Автор: Chen Fang,Liu Huang,Ong Shiang Yang,Chow Yew Tuck,HSIA Liang Choo,LUN Zhao,Lai Chung Woh,Gao Wen Zhi,Shailendra Mishra,Johnny Widodo,Lee Yong Meng James. Владелец: Globalfoundries Sg Pte Ltd. Дата публикации: 2011-09-29.

Transistors with source/drain regions having sections of epitaxial semiconductor material

Номер патента: US20210305103A1. Автор: Haiting Wang,Sipeng Gu,Judson Holt,Bangun Indajang. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Vertical transistor with self-aligned gate

Номер патента: US11728433B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-08-15.

Field-effect transistors with self-aligned p-shield contacts

Номер патента: EP4415051A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-14.

Bipolar junction transistors with duplicated terminals

Номер патента: US11749727B2. Автор: Hong Yu,Shesh Mani Pandey,Alexander Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Transistor with contacted deep well region

Номер патента: US20180026115A1. Автор: George IMTHURN. Владелец: Silanna Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2018-01-25.

Fabrication of a vertical fin field effect transistor with a reduced contact resistance

Номер патента: US20180012969A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-11.

Vertical transistor with self-aligned gate

Номер патента: US20210057565A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-02-25.

Transistors with field-shield contacts and base contacts

Номер патента: US20240355872A1. Автор: Francois Hebert,James A. Cooper. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Method for producing a high-voltage transistor with reduced footprint, and corresponding integrated circuit

Номер патента: US09978847B2. Автор: Christian Rivero,Julien Delalleau. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2018-05-22.

Vertical power transistor with deep trenches and deep regions surrounding cell array

Номер патента: US09941351B2. Автор: Hamza Yilmaz. Владелец: MaxPower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Fabrication of a vertical fin field effect transistor with a reduced contact resistance

Номер патента: US09905663B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Gate cut on a vertical field effect transistor with a defined-width inorganic mask

Номер патента: US09882048B2. Автор: John R. Sporre,Brent A. Anderson,Sivananda K. Kanakasabapathy,Junli Wang,Stuart A. Sieg,Jeffrey C. SHEARER. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Field effect transistor with elevated active regions and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09859422B2. Автор: Akira Inoue,Masatoshi Nishikawa,Fumiaki TOYAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-02.

Vertical power transistor with dual buffer regions

Номер патента: US09852910B2. Автор: Hamza Yilmaz. Владелец: MaxPower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Vertical power transistor with thin bottom emitter layer and dopants implanted in trenches in shield area and termination rings

Номер патента: US09825128B2. Автор: Hamza Yilmaz. Владелец: MaxPower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Vertical power transistor with deep floating termination regions

Номер патента: US09805933B2. Автор: Hamza Yilmaz. Владелец: MaxPower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Transistor with contacted deep well region

Номер патента: US09780189B2. Автор: George IMTHURN. Владелец: Silanna Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Fabrication of a vertical fin field effect transistor with reduced dimensional variations

Номер патента: US09768072B1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Vertical field effect transistors with metallic source/drain regions

Номер патента: US09728466B1. Автор: Rajasekhar Venigalla,Robert R. Robison,Reinaldo Vega,Hari V. Mallela. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

High electron mobility transistor with periodically carbon doped gallium nitride

Номер патента: US09608103B2. Автор: Jeffrey Craig Ramer,Karl Knieriem. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Bidirectional power transistor with shallow body trench

Номер патента: US09472662B2. Автор: Moaniss Zitouni,Evgueniy Stefanov,Edouard Denis DE FRESART. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-10-18.

Pulsed laser anneal process for transistors with partial melt of a raised source-drain

Номер патента: US09443980B2. Автор: ROBERT James,Tahir Ghani,Mark Y. Liu,Harold Kennel,Jacob Jensen. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Transistors with dual wells

Номер патента: WO2019133259A1. Автор: Douglas T. Grider,Xiang-Zheng Bo,Michelle N. NGUYEN. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2019-07-04.

Field-effect transistors with self-aligned p-shield contacts

Номер патента: US20240274712A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Integrated circuit with nanosheet transistors with robust gate oxide

Номер патента: US11869955B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Field effect transistors with a gated oxide semiconductor source/drain spacer

Номер патента: US20210193814A1. Автор: Jack T. Kavalieros,Van H. Le,Rafael Rios,Gilbert W. DEWEY. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-06-24.

Vertical field effect transistor with low-resistance bottom source-drain contact

Номер патента: US20200176611A1. Автор: Soon-Cheon Seo,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-06-04.

FinFET Transistor With Fin Back Biasing

Номер патента: US20170069629A1. Автор: Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Tsung-Yao Wen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-09.

Transistors with dual wells

Номер патента: US20230178652A1. Автор: Douglas T. Grider,Xiang-Zheng Bo,Michelle N. NGUYEN. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-06-08.

Lateral Transistor with Self-Aligned Body Implant

Номер патента: US20240234149A9. Автор: Jurgen Faul,Achim Gratz,Swapnil Pandey. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-07-11.

Extended drain field effect transistor with trench gate(s) and method

Номер патента: US20230223437A1. Автор: Ketankumar Harishbhai Tailor. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor device structures including transistors with energy barriers adjacent to transistor channels and associated methods

Номер патента: TW201030970A. Автор: Chandra V Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-08-16.

Nested and isolated transistors with reduced impedance difference

Номер патента: SG155113A1. Автор: Chen Fang,Liu Huang,Ong Shiang Yang,Chow Yew Tuck,HSIA Liang Choo,LUN Zhao,Lai Chung Woh,Gao Wen Zhi,Shailendra Mishra,Johnny Widodo,Lee Yong Meng James. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2009-09-30.

Double-gate mos transistor with increased breakdown voltage

Номер патента: US20200176577A1. Автор: Christian Rivero,Julien Delalleau. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2020-06-04.

Semiconductor device comprising NMOS and PMOS transistors with embedded Si/Ge material for creating tensile and compressive strain

Номер патента: US7893503B2. Автор: Manfred Horstmann,Sven Beyer,Patrick Press,Wolfgang Buchholtz. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2011-02-22.

Power transistor with increased avalanche current and energy rating

Номер патента: US10217847B2. Автор: Kyoung Wook SEOK. Владелец: IXYS LLC. Дата публикации: 2019-02-26.

Power transistor with increased avalanche current and energy rating

Номер патента: US20120168861A1. Автор: Kyoung Wook SEOK. Владелец: IXYS LLC. Дата публикации: 2012-07-05.

Power transistor with soft recovery body diode

Номер патента: US20240266432A1. Автор: Kijeong Han,Sei-Hyung Ryu,Daniel Jenner Lichtenwalner. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Methods for ldmos and other mos transistors with hybrid contact

Номер патента: US20210134999A1. Автор: Gary M Dolny,Brendan TONER,Zhengchao Liu,William R RICHARDS, Jr.. Владелец: Silicet LLC. Дата публикации: 2021-05-06.

Mosfet transistors with hybrid contact

Номер патента: US20220254914A1. Автор: Gary M Dolny,Brendan TONER,Zhengchao Liu,William R RICHARDS, Jr.. Владелец: Amplexia LLC. Дата публикации: 2022-08-11.

Vertical transport cmos transistors with asymmetric threshold voltage

Номер патента: US20220165850A1. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Vertical transport CMOS transistors with asymmetric threshold voltage

Номер патента: GB2616541A. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Zhang Jingyun,Lee Choonghyun. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-13.

Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with extended gate dielectric layer

Номер патента: US09997601B2. Автор: Shiuan-Jeng Lin,Shyh-Wei Cheng,Che-Jung Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Fin-type field effect transistors with single-diffusion breaks and method

Номер патента: US09935104B1. Автор: Haiting Wang,Hong Yu,Wei Zhao,Hui Zang,Zhenyu Hu,Xusheng Wu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

FinFET transistor with fin back biasing

Номер патента: US09917086B2. Автор: Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Tsung-Yao Wen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Tunnel thin film transistor with hetero-junction structure

Номер патента: US09761732B2. Автор: Kenji Nomura,John Hyunchul Hong. Владелец: SnapTrack Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Vertical thin film transistors with surround gates

Номер патента: US09754999B1. Автор: Tetsuya Yamada,Yusuke Oda,Manabu Hayashi,Seje TAKAKI,Kengo Kajiwara,Ryousuke ITOU,Takuro Maede. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-09-05.

Vertical transistor with uniform bottom spacer formed by selective oxidation

Номер патента: US09741626B1. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Xin Miao,Nicolas J. Loubet. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Transistor with improved avalanche breakdown behavior

Номер патента: US09673320B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-06-06.

Field effect transistors with strained channel features

Номер патента: US09627536B2. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Gate structure of field effect transistor with footing

Номер патента: US09620621B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin,Jr-Jung LIN,Chang-Yin Chen,Yung Jung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Back-end transistors with highly doped low-temperature contacts

Номер патента: US09577065B2. Автор: Ali Khakifirooz,Ghavam G. Shahidi,Davood Shahrjerdi,Tak H. Ning,Wilfried E. Haensch,Bahman Hekmatshoar-Tabari. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Field-effect transistors with source/drain regions of reduced topography

Номер патента: US09536989B1. Автор: Viorel Ontalus,Annie Levesque. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

FinFET transistor with fin back biasing

Номер патента: US09502542B2. Автор: Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Tsung-Yao Wen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Back-end transistors with highly doped low-temperature contacts

Номер патента: US09484430B2. Автор: Ali Khakifirooz,Ghavam G. Shahidi,Davood Shahrjerdi,Tak H. Ning,Wilfried E. Haensch,Bahman Hekmatshoar-Tabari. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Transistor with dopant-bearing metal in source and drain

Номер патента: US20050205896A1. Автор: Nirmal Chaudhary,Hong-Jyh Li. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-09-22.

Transistors with backside field plate structures

Номер патента: US11502191B2. Автор: Nidhi Nidhi,Walid M. Hafez,Han Wui Then,Rahul RAMASWAMY,Johann Christian Rode. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-11-15.

Bipolar transistor with segmented emitter contacts

Номер патента: US20210028300A1. Автор: HIROSHI Yasuda. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Transistors with backside field plate structures

Номер патента: US20200266291A1. Автор: Nidhi Nidhi,Walid M. Hafez,Han Wui Then,Rahul RAMASWAMY,Johann Christian Rode. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-08-20.

Transistors with metal source and drain contacts including a heusler alloy

Номер патента: WO2018004700A1. Автор: Singh Kanwaljit,Chaudhry Anurag,Sasikanth Manipatruni,Ian A. Young,Dmitri E. Nikonov,Uygar E. Avci,Christopher J. WIEGAND,Jasmeet S. Chawla. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-01-04.

Field-effect transistor with a total control of the electrical conductivity on its channel

Номер патента: US11316017B2. Автор: Damien Lenoble. Владелец: Luxembourg Institute of Science and Technology LIST. Дата публикации: 2022-04-26.

Bipolar transistor with segmented emitter contacts

Номер патента: US11923442B2. Автор: HIROSHI Yasuda. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

A lateral surface gate vertical field effect transistor with adjustable output capacitance

Номер патента: US20230369432A1. Автор: Sorin S. Georgescu,Kuo-Chang Robert Yang. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Gate-all-around (gaa) transistors with shallow source/drain regions and methods of fabricating the same

Номер патента: US20220037493A1. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Peijie Feng. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

STACKED NANOSHEET FIELD-EFFECT TRANSISTOR WITH AIRGAP SPACERS

Номер патента: US20180331232A1. Автор: Cheng Kangguo,Yamashita Tenko,Yeh Chun-chen,Xie Ruilong,Zang Hui,Frougier Julien. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-15.

Method of manufacturing of powerful silicon shf ldmos transistors with modernized gate node of elementary cells

Номер патента: RU2639579C2. Автор: Виктор Васильевич Бачурин,Станислав Михайлович Романовский,Ирина Петровна Семешина. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2017-12-21.

Manufacturing method of transistor with floating gate and application method of transistor with floating gate electrode

Номер патента: US09620532B2. Автор: Wei Guo,Ning Chen,LU Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Reduced capacitance transistor with electro-static discharge protection structure and method for forming the same

Номер патента: WO1999031729A1. Автор: Michael J. Allen. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 1999-06-24.

Reduced capacitance transistor with electro-static discharge protection structure and method for forming the same

Номер патента: EP1042808A1. Автор: Michael J. Allen. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2000-10-11.

Method for manufacturing a transistor with a dependent contact to the substrate

Номер патента: RU2758413C1. Автор: Александр Сергеевич Мокеев,Тамара Александровна Шоболова,Сергей Дмитриевич Рудаков. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом". Дата публикации: 2021-10-28.

Biopolar transistor with a low saturation voltage

Номер патента: EP1654766A1. Автор: David Casey. Владелец: Zetex PLC. Дата публикации: 2006-05-10.

Semiconductor device having P channel high voltage transistors with improved breakdown voltages

Номер патента: US5448101A. Автор: Atsushi Ono,Nobuyuki Saiki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-09-05.

Semiconductor device comprising a channel region of a transistor with a crystalline oxide semiconductor and a specific off-state current for the transistor

Номер патента: US9905596B2. Автор: Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Piezo-resistive resonator device having drive and sense transistors with wells of opposite doping

Номер патента: US20230155550A1. Автор: Ian Alexander Young,Raseong Kim,Dmitri Evgenievich Nikonov,Tanay A. Gosavi,Gary A. Allen. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-05-18.

Vertical transistor with field region structure

Номер патента: US20070117328A1. Автор: Jenn-Yu Lin,Ta-Yung Yang,Chih-Feng Huang,Tuo-Hsin Chien. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-24.

Thin film transistors with metal oxynitride active channels for electronic displays

Номер патента: US20160126355A1. Автор: Chunong Qiu,Cindy Qiu,Ishiang Shih,Yi-Chi Shih,Andy Shih,Julia Qiu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-05-05.

Integrated circuit structures having memory access transistor with backside contact

Номер патента: US20240008253A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Pushkar Ranade,Rishabh Mehandru,Cory Weber,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Transistors with schottky barriers

Номер патента: US11862725B2. Автор: Yun Shi,John Tzung-Yin LEE. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Transistor with isolation below source and drain

Номер патента: EP3729514A1. Автор: Gilbert Dewey,Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Anand S. Murthy,Willy Rachmady,Matthew V. Metz,Sean T. MA,Cheng-Ying Huang,Nicholas G. MINUTILLO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-10-28.

Thin film transistor with multiple oxide semiconductor layers

Номер патента: US09887295B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideomi Suzawa,Yuhei Sato,Sachiaki TEZUKA,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Oxide semiconductor thin film transistor with reduced impurity diffusion

Номер патента: US09455349B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideomi Suzawa,Yuhei Sato,Sachiaki TEZUKA,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Transistor with isolation below source and drain

Номер патента: US20240113161A1. Автор: Gilbert Dewey,Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Anand S. Murthy,Willy Rachmady,Matthew V. Metz,Sean T. MA,Cheng-Ying Huang,Nicholas G. MINUTILLO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Nanosheet transistor with ultra low-k spacer and improved patterning robustness

Номер патента: US20220399439A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-12-15.

Field effect transistor with a short channel length

Номер патента: CA1081368A. Автор: Jeno Tihanyi,Joachim Hoepfner. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1980-07-08.

Junction field effect transistor with an epitaxially grown gate structure

Номер патента: US8647936B2. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Tak H. Ning,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-02-11.

Methods of forming nanosheet transistor with dielectric isolation of source-drain regions and related structure

Номер патента: US09947804B1. Автор: Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung,Julien Frougier,Steven Bentley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Gate-all-around field-effect-transistor with wrap-around-channel inner spacer

Номер патента: EP4449502A1. Автор: Veeraraghavan Basker,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Andrew Greene,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-23.

Nanowire transistor with underlayer etch stops

Номер патента: US09385221B2. Автор: Anand Murthy,Seiyon Kim,Daniel Aubertine,Kelin Kuhn. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-07-05.

Trench-gate field effect transistor with improved electrical performances and corresponding manufacturing process

Номер патента: US12027620B2. Автор: Salvatore Privitera,Davide Giuseppe Patti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-07-02.

Vertical transistor with edram

Номер патента: US20190363092A1. Автор: Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-11-28.

Nanosheet transistor with inner spacers

Номер патента: US11764265B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Thin film transistor, with shaped base device, electronic apparatus and method of manufacturing thin film transistor

Номер патента: US10014324B2. Автор: Akiko Honjo. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-07-03.

Steep-switch field effect transistor with integrated bi-stable resistive system

Номер патента: US10566436B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Nicolas Loubet,Daniel Chanemougame,Julien Frougier,Ali Razavieh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-18.

Steep-switch field effect transistor with integrated bi-stable resistive system

Номер патента: US20200144385A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Nicolas Loubet,Daniel Chanemougame,Julien Frougier,Ali Razavieh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-07.

Steep-switch field effect transistor with integrated bi-stable resistive system

Номер патента: US20190252508A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Nicolas Loubet,Daniel Chanemougame,Julien Frougier,Ali Razavieh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-15.

Vertical field effect transistor with undercut buried insulating layer to improve contact resistance

Номер патента: US09761726B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Complementary field effect transistor with hybrid nanostructure

Номер патента: US20230307456A1. Автор: Yi-Bo Liao,Chun-Fu CHENG,Yi-Han WANG,Meng-Yu Lin,Szuya Liao,Cheng-Yin WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Method of fabricating a semiconductor device having a lateral double diffused MOSFET transistor with a lightly doped source and CMOS transistor

Номер патента: US8071436B2. Автор: Marco A. Zuniga,Budong You. Владелец: Volterra Semiconductor LLC. Дата публикации: 2011-12-06.

Full nanosheet airgap spacer

Номер патента: EP4360142A1. Автор: LAN Yu,Kangguo Cheng,Jingyun Zhang,Ruilong Xie,Reinaldo Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-01.

Transistors with a hybrid source or drain

Номер патента: US20210242344A1. Автор: Haiting Wang,Jiehui SHU,Sipeng Gu,Baofu ZHU. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-08-05.

Embedded source or drain region of transistor with downward tapered region under facet region

Номер патента: US12051752B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yung Jung Chang,Tung-Wen CHENG,Zhe-Hao Zhang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Vertical field effect transistors with metallic source/drain regions

Номер патента: US20170317177A1. Автор: Rajasekhar Venigalla,Robert R. Robison,Reinaldo Vega,Hari V. Mallela. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-02.

Thin-film transistors with low contact resistance

Номер патента: US20200235246A1. Автор: Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Abhishek A. Sharma,Benjamin Chu-Kung,Van H. Le,Tristan A. TRONIC,Li Huey Tan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-07-23.

Thin-film transistors with low contact resistance

Номер патента: US20220045220A1. Автор: Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Abhishek A. Sharma,Benjamin Chu-Kung,Van H. Le,Tristan A. TRONIC,Li Huey Tan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-02-10.

Thin-film transistors with low contact resistance

Номер патента: US11742429B2. Автор: Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Abhishek A. Sharma,Benjamin Chu-Kung,Van H. Le,Tristan A. TRONIC,Li Huey Tan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Metal oxide semiconductor (MOS) transistors with increased break down voltages and methods of making the same

Номер патента: US20090184380A1. Автор: Marian Udrea Spenea,Serban Mihai Popescu,Laszlo Lipcsei. Владелец: O2Micro Inc. Дата публикации: 2009-07-23.

Gate all around transistors with different threshold voltages

Номер патента: US12119379B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Vertical field effect transistors with metallic source/drain regions

Номер патента: US09859384B2. Автор: Rajasekhar Venigalla,Robert R. Robison,Reinaldo Vega,Hari V. Mallela. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Embedded source or drain region of transistor with downward tapered region under facet region

Номер патента: US09853154B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yung Jung Chang,Tung-Wen CHENG,Zhe-Hao Zhang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

III-V vertical field effect transistors with tunable bandgap source/drain regions

Номер патента: US09786768B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

III-V vertical field effect transistors with tunable bandgap source/drain regions

Номер патента: US09640667B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

High-mobility multiple-gate transistor with improved on-to-off current ratio

Номер патента: US09590068B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Flexible transistors with near-junction heat dissipation

Номер патента: US20210343618A1. Автор: Zhenqiang Ma,Shaoqin GONG,Huilong Zhang. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2021-11-04.

Multiple planes of transistors with different transistor architectures to enhance 3D logic and memory circuits

Номер патента: US11777015B2. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Flexible transistors with near-junction heat dissipation

Номер патента: WO2021262317A3. Автор: Zhenqiang Ma,Shaoqin GONG,Huilong Zhang. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2022-03-17.

Flexible transistors with near-junction heat dissipation

Номер патента: WO2021262317A9. Автор: Zhenqiang Ma,Shaoqin GONG,Huilong Zhang. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2022-04-21.

Flexible transistors with near-junction heat dissipation

Номер патента: US11996473B2. Автор: Zhenqiang Ma,Shaoqin GONG,Huilong Zhang. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2024-05-28.

Ferroelectric-based field-effect transistor with threshold voltage switching for enhanced on-state and off-state performance

Номер патента: US20200321445A1. Автор: Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-10-08.

Full nanosheet airgap spacer

Номер патента: WO2022268670A1. Автор: LAN Yu,Kangguo Cheng,Jingyun Zhang,Ruilong Xie,Reinaldo Vega. Владелец: IBM Deutschland GmbH. Дата публикации: 2022-12-29.

Closed cell transistor with built-in voltage clamp

Номер патента: US5136349A. Автор: Hamza Yilmaz,Izak Bencuya. Владелец: Siliconix Inc. Дата публикации: 1992-08-04.

INTEGRATING A GATE-ALL-AROUND (GAA) TRANSISTOR WITH A SILICON GERMANIUM (SiGe) HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR (HBT)

Номер патента: US20210398972A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Haining Yang,Kwanyong LIM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Flexible transistors with near-junction heat dissipation

Номер патента: WO2021262317A2. Автор: Zhenqiang Ma,Shaoqin GONG,Huilong Zhang. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2021-12-30.

Gate all around transistors with high charge mobility channel materials

Номер патента: WO2021150392A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Haining Yang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2021-07-29.

Gate all around transistors with high charge mobility channel materials

Номер патента: EP4094287A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Haining Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-11-30.

Transistor with isolation below source and drain

Номер патента: US11923410B2. Автор: Gilbert Dewey,Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Anand S. Murthy,Willy Rachmady,Matthew V. Metz,Sean T. MA,Cheng-Ying Huang,Nicholas G. MINUTILLO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-05.

Three-dimensional integrated circuits (3dics) including upper-level transistors with epitaxial source & drain material

Номер патента: US20210202319A1. Автор: Gilbert Dewey,Cory BOMBERGER,Anand Murthy,Willy Rachmady,Ashish Agrawal,Cheng-Ying Huang,Ryan KEECH. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-07-01.

Transistor with curved active layer

Номер патента: US09812586B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Forksheet transistors with dielectric or conductive spine

Номер патента: EP3985717A3. Автор: Christopher Neumann,Tahir Ghani,Susmita Ghose,Marko Radosavljevic,Seung Hoon Sung,Jack Kavalieros,Cheng-Ying Huang,Cory Weber,Stephen Cea,Varun Mishra. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-04-27.

Transistors with non-vertical gates

Номер патента: US20200006510A1. Автор: Gilbert Dewey,Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Anand S. Murthy,Willy Rachmady,Matthew V. Metz,Harold W. KENNEL,Sean T. MA,Cheng-Ying Huang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Forksheet transistors with dielectric or conductive spine

Номер патента: US11923370B2. Автор: Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Susmita Ghose,Marko Radosavljevic,Seung Hoon Sung,Stephen M. Cea,Cheng-Ying Huang,Cory Weber,Varun Mishra,Christopher M. Neumann. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-05.

Forksheet transistors with dielectric or conductive spine

Номер патента: US20240153956A1. Автор: Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Susmita Ghose,Marko Radosavljevic,Seung Hoon Sung,Stephen M. Cea,Cheng-Ying Huang,Cory Weber,Varun Mishra,Christopher M. Neumann. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Nanosheet Transistors with Reduced Source/Drain Resistance and Associated Method of Manufacture

Номер патента: US20230290862A1. Автор: Asanga H. Perera,Mark Douglas Hall,Craig Allan Cavins,Tushar Praful Merchant. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Nanosheet transistors with reduced source/drain resistance and associated method of manufacture

Номер патента: EP4243078A1. Автор: Mark Douglas Hall,Craig Allan Cavins,Tushar Praful Merchant,Asanga H PERERRA. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-09-13.

Transistor with a passive gate and methods of fabricating the same

Номер патента: WO2010030493A2. Автор: Werner Juengling. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2010-03-18.

Bipolar junction transistor with constricted collector region having high gain and early voltage product

Номер патента: US20210242308A1. Автор: Alexei Sadovnikov,Natalia Lavrovskaya. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-08-05.

Nanosheet transistor with robust source/drain isolation from substrate

Номер патента: US20200006476A1. Автор: CHENG Chi,Kangguo Cheng,John H. Zhang,Ruilong Xie,Robin Hsin Kuo Chao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Method and structure for forming improved single electron transistor with gap tunnel barriers

Номер патента: US20180277669A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Method for making nanostructure transistors with flush source/drain dopant blocking structures including a superlattice

Номер патента: US20240322014A1. Автор: DongHun Kang. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Nanostructure transistors with flush source/drain dopant blocking structures including a superlattice

Номер патента: US20240322025A1. Автор: DongHun Kang. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Gate-all-around field effect transistor with bottom dielectric isolation

Номер патента: WO2023078652A1. Автор: Veeraraghavan Basker,Ruilong Xie,Andrew Greene,Nicolas Loubet,Julien Frougier,Maruf Amin Bhuiyan. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-05-11.

Field effect transistor with reduced parasitic capacitance and resistance

Номер патента: EP4420169A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-28.

Field effect transistor with stacked nanowire-like channels and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09853114B1. Автор: Mark S. Rodder,Borna Obradovic. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

Gate-all-around field effect transistors with horizontal nanosheet conductive channel structures for MOL/inter-channel spacing and related cell architectures

Номер патента: US09685564B2. Автор: RWIK Sengupta,Titash Rakshit,Joon Goo Hong,Mark Stephen Rodder. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-20.

Vertical transistor with air gap spacers

Номер патента: US09443982B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Group III-V transistor with semiconductor field plate

Номер патента: US09673286B2. Автор: Michael A. Briere. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

InGaAlP Schottky field effect transistor with AlGaAs carrier supply layer

Номер патента: US10361272B2. Автор: Yu-Chi Wang,Cheng-Guan Yuan,Shih-Ming Joseph Liu,Hsi-Tsung Lin,Chia Hsiung Lee. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2019-07-23.

Select transistors with tight threshold voltage in 3D memory

Номер патента: US09941293B1. Автор: Yingda Dong,Liang PANG,Jayavel Pachamuthu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-04-10.

Memory chip structure having GAA transistors with different threshold voltages and work functions for improving performances in multiple applications

Номер патента: US12057487B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory chip structure having GAA transistors with different threshold voltages and work functions for improving performances in multiple applications

Номер патента: US11757014B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Bipolar transistor with trenched-groove isolation regions

Номер патента: US20010013635A1. Автор: Hideki Kitahata. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-08-16.

Transistor with single termination trench having depth more than 10 microns

Номер патента: US20230065066A1. Автор: Noel Hoilien,Peter West,Rajesh Appat. Владелец: Polar Semiconductor LLC. Дата публикации: 2023-03-02.

Creation of a transistor with close silicide source and drain from the canal

Номер патента: US20240249945A1. Автор: Shay REBOH,Laurent Brunet,Pablo Acosta Alba,Frederic Milesi. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-07-25.

Field-effect transistors with a high-temperature hardmask and self-aligned p-shield

Номер патента: US20240258421A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Field-effect transistors with a high-temperature hardmask and self-aligned p-type buried shield

Номер патента: EP4411823A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

Metal oxide thin film transistor with source and drain regions doped at room temperature

Номер патента: US09960281B2. Автор: Lei Lu,Man Wong,Hoi Sing Kwok. Владелец: Hong Kong University of Science and Technology HKUST. Дата публикации: 2018-05-01.

Transistor with threshold voltage set notch and method of fabrication thereof

Номер патента: US09922977B2. Автор: Reza Arghavani,Pushkar Ranade,Scott E. Thompson,Lucian Shifren,Catherine De Villeneuve. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Bidirectional bipolar transistors with two-surface cellular geometries

Номер патента: US09679999B2. Автор: Richard A. Blanchard. Владелец: Ideal Power Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

III-N transistors with local stressors for threshold voltage control

Номер патента: US11670709B2. Автор: Nidhi Nidhi,Paul B. Fischer,Walid M. Hafez,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Rahul RAMASWAMY,Johann Christian Rode. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-06.

Methods for producing bipolar transistors with improved stability

Номер патента: US09466687B2. Автор: XIN Lin,Hongning Yang,Jiang-Kai Zuo,Daniel J. Blomberg. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-10-11.

VERTICAL BIPOLAR TRANSISTOR WITH A MAJORITY CARRIER ACCUMULATION LAYER AS A SUBCOLLECTOR FOR SOI BiCMOS WITH REDUCED BURIED OXIDE THICKNESS FOR LOW-SUBSTRATE BIAS OPERATION

Номер патента: US20080261371A1. Автор: Qiging Ouyang,Mahender Kumar,Christopher D. Sheraw,Herbert L. Ho,Paul A. Papworth,Michael D. Steigerwalt. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-10-23.

N-channel double diffusion MOS transistor with p-type buried layer underneath n-type drift and drain layers, and semiconductor composite device

Номер патента: US09812565B2. Автор: Kensuke Sawase,Motohiro TOYONAGA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Transistor with threshold voltage set notch and method of fabrication thereof

Номер патента: US09418987B2. Автор: Reza Arghavani,Pushkar Ranade,Scott E. Thompson,Lucian Shifren,Catherine De Villeneuve. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Transistor with implant screen

Номер патента: US11563117B1. Автор: Michael A. Smith. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-24.

Transistor with implant screen

Номер патента: US20230110692A1. Автор: Michael A. Smith. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-04-13.

Transistor with implant screen

Номер патента: US11881528B2. Автор: Michael A. Smith. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Horizontal Current Bipolar Transistor with Silicon-Germanium base

Номер патента: US12062699B2. Автор: Marko Koricic,Tomislav Suligoj,Josip Zilak,Zeljko Osrecki. Владелец: Zagreb Faculty Of Electrical Engineering And Computing, University of. Дата публикации: 2024-08-13.

Nanostructure field-effect transistors with enhanced mobility source/drain regions

Номер патента: US09978836B1. Автор: Bartlomiej J. Pawlak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Nanostructure field-effect transistors with enhanced mobility source/drain regions

Номер патента: US20180130878A1. Автор: Bartlomiej J. Pawlak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-10.

High mobility field effect transistors with a band-offset semiconductor source/drain spacer

Номер патента: US20180350798A1. Автор: Gilbert Dewey,Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Anand S. Murthy,Chandra S. Mohapatra,Willy Rachmady,Matthew V. Metz,Sean T. MA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-12-06.

Bipolar transistor with improved gain

Номер патента: US20120187538A1. Автор: XIN Lin,Jiang-Kai Zuo,Daniel J. Blomberg. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2012-07-26.

High voltage field effect transistors with superjunctions and method of making the same

Номер патента: US20240250119A1. Автор: Masashi Ishida. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-25.

Vertical semiconductor component, in particular vertical transistor, with minimized source-drain leakage currents

Номер патента: US20240234491A1. Автор: Daniel Krebs,Muhammad Alshahed,Dragos Costachescu,Humberto Rodriguez Alvarez. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-11.

Field effect transistor with narrow bandgap source and drain regions and method of fabrication

Номер патента: US09748391B2. Автор: Justin K. Brask,Robert S. Chau,Suman Datta,Jack Kavalieros,Mark L. Doczy,Matthew Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Bipolar junction transistors with double-tapered emitter fingers

Номер патента: US09728603B2. Автор: Anthony K. Stamper,Hanyi Ding,Vibhor Jain,Alvin J. Joseph. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Gan semiconductor power transistors with stepped metal field plates and methods of fabrication

Номер патента: EP4439676A1. Автор: Thomas MacElwee,Vineet Unni. Владелец: Infineon Technologies Canada Inc. Дата публикации: 2024-10-02.

Self-aligned emitter-base bipolar junction transistor with reduced base resistance and base-collector capacitance

Номер патента: US09570564B2. Автор: Qizhi Liu,Alvin J. Joseph,David L. Harame,Christa R. Willets,Deborah A. Alperstein,Keith J. Machia. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Bipolar junction transistor with multiple emitter fingers

Номер патента: US09543403B2. Автор: Hanyi Ding,Vibhor Jain,Qizhi Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Vertical transistor with flashover protection

Номер патента: US09524960B2. Автор: Bishnu Gogoi. Владелец: EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC. Дата публикации: 2016-12-20.

Thin film transistors with oxide semiconductor having low resistance patterns with oxygen deficiencies

Номер патента: US09406700B2. Автор: Hiroshi Okumura,Je-Hun Lee,Jin-Hyun Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Technologies for transistors with a ferroelectric gate dielectric

Номер патента: EP4273905A1. Автор: Ramamoorthy Ramesh,Uygar E. Avci,Darrell G. Schlom,Hai Li,Chia-Ching Lin,Ian Alexander Young,Raseong Kim,Ashish Verma Penumatcha,Dmitri Evgenievich Nikonov,Tanay A. Gosavi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-08.

Memory chip structure having gaa transistors with different threshold voltages and work functions for improving performances in multiple applications

Номер патента: US20230369434A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

PNP-type lateral transistor with minimal substrate operation interference and method for producing same

Номер патента: US4580331A. Автор: Sidney I. Soclof. Владелец: Rockwell International Corp. Дата публикации: 1986-04-08.

Memory chip structure having gaa transistors with different threshold voltages and work functions for improving performances in multiple applications

Номер патента: US20220231145A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Power transistor with soft recovery body diode

Номер патента: US11769827B2. Автор: Kijeong Han,Sei-Hyung Ryu,Daniel Jenner Lichtenwalner. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Bipolar junction transistors with a link region connecting the intrinsic and extrinsic bases

Номер патента: US20130009280A1. Автор: Marwan H. Khater,Renata Camillo-Castillo,Qizhi Liu,Alvin J. Joseph,David L. Harame,Peter B. Gray. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-01-10.

Bipolar transistor with trenched-groove isolation regions

Номер патента: US20020048892A1. Автор: Hideki Kitahata. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-04-25.

Bipolar junction transistors with a link region connecting the intrinsic and extrinsic bases

Номер патента: US20130147017A1. Автор: Marwan H. Khater,Renata Camillo-Castillo,Qizhi Liu,Alvin J. Joseph,David L. Harame,Peter B. Gray. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-06-13.

Bipolar junction transistors with a link region connecting the intrinsic and extrinsic bases

Номер патента: WO2013006277A3. Автор: Marwan H. Khater,Renata Camillo-Castillo,Qizhi Liu,Alvin J. Joseph,David L. Harame,Peter B. Gray. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-03-07.

Selector transistor with continuously variable current drive

Номер патента: US20210217814A1. Автор: Dafna Beery,Amitay Levi,Andrew J. Walker,Peter Cuevas. Владелец: Spin Assignment for Benefit of Creditors LLC. Дата публикации: 2021-07-15.

Vertical nano-wire complimentary metal-oxide-semiconductor transistor with cylindrical iii-v compound and germanium channel

Номер патента: US20200152798A1. Автор: Soon-Cheon Seo,ChoongHyun Lee,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-14.

SiC bipolar junction transistor with reduced carrier lifetime in collector and a defect termination layer

Номер патента: US09590047B2. Автор: Martin Domeij. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Cascode amplifier structures including wide bandgap field effect transistor with field plates

Номер патента: US7126426B2. Автор: Primit Parikh,Umesh Mishra,Yifeng Wu. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2006-10-24.

Switching transistor with memory

Номер патента: US3821784A. Автор: D Heald,Kennedy J Holm. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 1974-06-28.

Method of producing a transistor with an insulated control electrode

Номер патента: US3690945A. Автор: Max Kuisl. Владелец: Licentia Patent Verwaltungs GmbH. Дата публикации: 1972-09-12.

InGaAlP schottky field effect transistor with stepped bandgap ohmic contact

Номер патента: US10186620B1. Автор: Cheng-Guan Yuan,Shih-Ming Joseph Liu,Hsi-Tsung Lin,Chia Hsiung Lee. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2019-01-22.

Heterojunction bipolar transistors with airgap isolation

Номер патента: US20210091213A1. Автор: John J. Pekarik,Vibhor Jain,Qizhi Liu,Judson Holt. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH AIRGAP SPACER FOR TRANSISTOR AND RELATED METHOD

Номер патента: US20190074364A1. Автор: Stamper Anthony K.,ADUSUMILLI Siva P.,Schutz Laura J.,Dillon Joshua F.. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-07.

Transistor with charge enhanced field plate structure and method

Номер патента: US09972703B2. Автор: James A. Teplik,Jenn Hwa Huang. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

High electron mobility transistors with field plate electrode

Номер патента: US09577064B2. Автор: Marco Peroni,Paolo Romanini. Владелец: Selex ES SpA. Дата публикации: 2017-02-21.

Transistor with charge enhanced field plate structure and method

Номер патента: US09425267B2. Автор: James A. Teplik,Jenn Hwa Huang. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-08-23.

Methods of forming high electron mobility transistors with controlled gate length and high electron mobility transistors with controlled gate length

Номер патента: US20240304678A1. Автор: Won Sang Lee. Владелец: Woflspeed Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Nitride-based transistors with a cap layer and a recessed gate

Номер патента: US09666707B2. Автор: Scott Sheppard,Richard Peter Smith. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Field effect transistor with source-connected field plate

Номер патента: US11749726B2. Автор: Matt King,Scott Sheppard,Jeremy Fisher,Kyle BOTHE,Jia GUO,Qianli MU. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Bipolar transistor with carbon alloyed contacts

Номер патента: US20150236093A1. Автор: Bahman Hekmatshoartabari,Tak H. Ning,Kevin K. Chan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-08-20.

Low-power consumption tunneling field-effect transistor with finger-shaped gate structure

Номер патента: US20120223361A1. Автор: ZHAN Zhan,Ru Huang,Qianqian Huang,Yangyuan Wang. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-09-06.

Multi-channel high electron mobility transistor with doped gate fins

Номер патента: US20240332409A1. Автор: Clemens Ostermaier,Korbinian Reiser,Lauri Olavi Knuuttila. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for manufacturing field-effect transistor with periodically doped channel

Номер патента: RU2191444C1. Автор: В.К. Смирнов,Д.С. Кибалов,В.А. Гергель. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Агентство маркетинга научных разработок". Дата публикации: 2002-10-20.

Methods for fabrication of graphene field-effect transistors with a liquid top-gate and associated componentry

Номер патента: WO2024130332A1. Автор: Mohammad Choucair,Alexander Porkovich,Rhea Cornely,Angela Tanesha,Marta Sanchez-Miranda,Sam Peppou-Chapman. Владелец: Archer Materials Limited. Дата публикации: 2024-06-27.

High electron mobility transistor with reverse arrangement of channel layer and barrier layer

Номер патента: US20190334023A1. Автор: Ken Nakata. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

High electron mobility transistor with reverse arrangement of channel layer and barrier layer

Номер патента: US20200373423A1. Автор: Ken Nakata. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2020-11-26.

Transistors with source-connected field plates

Номер патента: EP4199104A2. Автор: Bernhard Grote,Anthony Ciancio,Lawrence Scott Klingbeil,Fred Reece Clayton,Congyong ZHU. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-06-21.

A high electron mobility transistor with source and drain electrodes below the channel

Номер патента: WO2023100058A1. Автор: Peter Mueller,Thomas Morf,Eunjung Cha,Bogdan ZOTA. Владелец: IBM Deutschland GmbH. Дата публикации: 2023-06-08.

Normally-on gallium nitride based transistor with p-type gate

Номер патента: US20240274705A1. Автор: Shoji Wada,Chang Soo Suh,Dong Seup Lee,Jungwoo Joh,Karen Hildegard Ralston Kirmse. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Field effect transistor with at least partially recessed field plate

Номер патента: EP4428926A2. Автор: Scott Sheppard,Fabian Radulescu,Terry Alcorn,Kyle BOTHE,Jia GUO. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-09-11.

Transistors with source-connected field plates

Номер патента: EP4199104A3. Автор: Bernhard Grote,Anthony Ciancio,Lawrence Scott Klingbeil,Fred Reece Clayton,Congyong ZHU. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-10-18.

Gallium nitride (GaN) based transistor with multiple p-GaN blocks

Номер патента: US12046666B2. Автор: Naveen Tipirneni,Chang Soo Suh,Sameer Prakash Pendharkar,Jungwoo Joh. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Method for manufacturing a HEMT transistor and HEMT transistor with improved electron mobility

Номер патента: US09882040B2. Автор: Ferdinando Iucolano,Alfonso Patti,Andrea Severino,Maria Concetta Nicotra. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-01-30.

Single-electron transistor with wrap-around gate

Номер патента: US09859409B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Field-effect-transistor with self-aligned diffusion contact

Номер патента: US20140091391A1. Автор: Charles W. Koburger, III,Douglas C. LaTulipe, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-04-03.

III-N transistors with contacts of modified widths

Номер патента: US11848362B2. Автор: Nidhi Nidhi,Walid M. Hafez,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Rahul RAMASWAMY,Johann Christian Rode. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-19.

Semiconductor device having a plurality of bipolar transistors with different heights between their respective emitter layers and emitter electrodes

Номер патента: US10964693B2. Автор: Yasunari Umemoto,Takayuki Tsutsui,Isao Obu,Shigeki Koya. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-30.

Semiconductor device having a plurality of bipolar transistors with different heights between their respective emitter layers and emitter electrodes

Номер патента: US20210183854A1. Автор: Yasunari Umemoto,Takayuki Tsutsui,Isao Obu,Shigeki Koya. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Tunneling field-effect transistor with a plurality of nano-wires and fabrication method thereof

Номер патента: US20170194428A1. Автор: Yang-Kyu Choi,Jun-Young Park. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2017-07-06.

Vertical fin bipolar junction transistor with high germanium content silicon germanium base

Номер патента: US20190165128A1. Автор: Seyoung Kim,Soon-Cheon Seo,ChoongHyun Lee,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-30.

Enhancement-mode high electron mobility transistors with small fin isolation features

Номер патента: US20220344457A1. Автор: Jean Lapointe,Alireza LOGHMANY,Elias AL-ALAM. Владелец: NATIONAL RESEARCH COUNCIL OF CANADA. Дата публикации: 2022-10-27.

Lateral bipolar transistors with gate structure aligned to extrinsic base

Номер патента: US20240250158A1. Автор: Vibhor Jain,Judson R. Holt,Alexander M. Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Tunneling field-effect transistor with a plurality of nano-wires and fabrication method thereof

Номер патента: US09997596B2. Автор: Yang-Kyu Choi,Jun-Young Park. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2018-06-12.

High power transistor with oxide gate barriers

Номер патента: US09640620B2. Автор: Nicholas Stephen DELLAS. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Method of manufacturing field-effect transistors with self-aligned grid and transistors thus obtained

Номер патента: US4429452A. Автор: Didier Meignant. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1984-02-07.

Transistor with charge enhanced field plate structure and method

Номер патента: US20160343833A1. Автор: James A. Teplik,Jenn Hwa Huang. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2016-11-24.

Transistors with selectively landed gate array

Номер патента: US20240153850A1. Автор: Krister Gumaelius,Jimmy Robert Hannes FRANCHI,Jaein An. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-05-09.

Field Effect Transistor with Access Region Recharge

Номер патента: US20110062495A1. Автор: Alexei Koudymov. Владелец: Alexei Koudymov. Дата публикации: 2011-03-17.

Lateral bipolar junction transistors with an airgap spacer

Номер патента: EP4170727A1. Автор: Hong Yu,Shesh Mani Pandey. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-04-26.

Lateral bipolar junction transistors with an airgap spacer

Номер патента: US11967636B2. Автор: Hong Yu,Shesh Mani Pandey. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTORS WITH AIRGAP ISOLATION

Номер патента: US20210091213A1. Автор: Liu Qizhi,PEKARIK JOHN J.,Jain Vibhor,Holt Judson. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-25.

Transistor with cladded electrodes and method of fabrication therefor

Номер патента: EP4343851A1. Автор: Darrell Glenn Hill. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-03-27.

Transistor with cladded structure and method of fabrication therefor

Номер патента: US20240105808A1. Автор: Darrell Glenn Hill. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Silicon carbide transistor with channel counter-doping and pocket-doping

Номер патента: US20240258375A1. Автор: ASHISH Pal,Stephen Weeks,El Mehdi Bazizi,Siddarth Krishnan,Pratik B. Vyas,Ludovico Megalini. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Silicon carbide transistor with channel counter-doping and pocket-doping

Номер патента: WO2024158690A1. Автор: ASHISH Pal,Stephen Weeks,El Mehdi Bazizi,Siddarth Krishnan,Pratik B. Vyas,Ludovico Megalini. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-08-02.

Bipolar Transistor with Depleted Emitter

Номер патента: US20100283082A1. Автор: Ho-Yuan Yu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-11.

Bipolar transistors with depleted emitter

Номер патента: US20070267656A1. Автор: Ho-Yuan Yu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-22.

Multi-Channel High Electron Mobility Transistor with Reduced Input Capacitance

Номер патента: US20240304670A1. Автор: Clemens Ostermaier. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-09-12.

Multi-channel high electron mobility transistor with reduced input capacitance

Номер патента: EP4428927A1. Автор: Clemens Ostermaier. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-09-11.

Insulated gate bipolar transistor with a lateral gate structure and gallium nitride substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160111519A1. Автор: Chien-Wei Chiu,Tsung-Yu Yang,Tsung-Yi Huang,Tsung-Chieh Hsiao,Chih-Fang Huang,Ting-Fu Chang,Po-Chin Peng,Ya-Hsien Liu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2016-04-21.

Insulated gate bipolar transistor with a lateral gate structure and gallium nitride substrate

Номер патента: US9252219B2. Автор: Chien-Wei Chiu,Tsung-Yu Yang,Tsung-Yi Huang,Tsung-Chieh Hsiao,Chih-Fang Huang,Ting-Fu Chang,Po-Chin Peng,Ya-Hsien Liu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2016-02-02.

Junction field effect transistor with a hyperabrupt junction

Номер патента: EP2168163A1. Автор: Jeffrey B. Johnson,Richard A. Phelps,Ebenezer E. Eshun,Robert M. Rassel,Michael L. Zierak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-03-31.

Bipolar junction transistors with self-aligned terminals

Номер патента: US20150214344A1. Автор: James R. Elliott,Qizhi Liu,Alvin J. Joseph,Peter B. Gray,John J. Benoit,Christa R. Willets. Владелец: GlobalFoundries US 2 LLC. Дата публикации: 2015-07-30.

Bipolar transistor with a very narrow emitter feature

Номер патента: US20050082642A1. Автор: Francois Pagette,Andreas Stricker,Marwan Khater,Gregory Freeman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-04-21.

Lateral heterojunction bipolar transistor with improved breakdown voltage and method

Номер патента: US11777019B2. Автор: Hong Yu,Vibhor Jain,Judson R. Holt. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Transistor with doped gate dielectric

Номер патента: EP1711959A1. Автор: Hong-Jyh Li. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-10-18.

Gallium Nitride high-electron mobility transistors with p-type layers and process for making the same

Номер патента: US12142674B2. Автор: Saptharishi Sriram. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-11-12.

III-N transistors with enhanced breakdown voltage

Номер патента: US09666708B2. Автор: Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Seung Hoon Sung,Benjamin Chu-Kung. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Power amplifier modules including bipolar transistor with grading and related systems, devices, and methods

Номер патента: US09520835B2. Автор: Hongxiao Shao,Peter J. Zampardi, JR.,Philip John Lehtola,David Steven Ripley,Tin Myint Ko,Matthew Thomas Ozalas. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Self-aligned trench field effect transistors with regrown gates and bipolar junction transistors with regrown base contact regions and methods of making

Номер патента: AU2006322108A1. Автор: Igor Sankin,Joseph Neil Merrett. Владелец: Semisouth Laboratories Inc. Дата публикации: 2007-06-14.

Self-aligned trench field effect transistors with regrown gates and bipolar junction transistors with regrown base contact regions and methods of making

Номер патента: EP1969617B1. Автор: Igor Sankin,Joseph Neil Merrett. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2015-02-25.

Transistor with a primary gate wrapping a floating secondary gate

Номер патента: US20240234533A1. Автор: Shesh Mani Pandey,Santosh Sharma,Rajendran Krishnasamy. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Transistor with buffer structure having carbon doped profile

Номер патента: US20230068191A1. Автор: Dong Seup Lee,Nicholas Stephen DELLAS,Andinet Tefera Desalegn. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor device n-channel type MOS transistor with gate electrode layer featuring small average polycrystalline silicon grain size

Номер патента: US7442632B2. Автор: Takayuki Suzuki,Mitsuhiro Togo. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-10-28.

High electron mobility transistor with semiconductor layer having a thickness varying along the transistor width

Номер патента: WO2019077784A1. Автор: Koon Hoo Teo,Nadim CHOWDHURY. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2019-04-25.

Bipolar junction transistor with high beta

Номер патента: WO2006098868A3. Автор: Moshe Agam,Robert Bartel,Richard Smoak,Adrian Mcdonald. Владелец: Lattice Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-04-12.

Lateral bipolar transistor with emitter and collector regions including portions within in-insulator layer cavities and method

Номер патента: EP4184588A1. Автор: Jeffrey B. Johnson,Shesh Mani Pandey. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-05-24.

Bipolar transistor with base horizontally displaced from collector

Номер патента: US11728380B2. Автор: Viorel C. Ontalus. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-08-15.

Bipolar transistor with graded base layer

Номер патента: WO2003088363A1. Автор: Roger E. Welser,Paul M. Deluca,Charles R. Lutz,Kevin S. Stevens. Владелец: Kopin Corporation. Дата публикации: 2003-10-23.

MIS field effect transistor with metal oxynitride film

Номер патента: US6803635B2. Автор: Akira Nishiyama,Masato Koyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-10-12.

Lateral bipolar junction transistor with abrupt junction and compound buried oxide

Номер патента: US09673307B1. Автор: Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Tak H. Ning,Kevin K. Chan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

HV complementary bipolar transistors with lateral collectors on SOI with resurf regions under buried oxide

Номер патента: US09640611B2. Автор: Jeffrey A. Babcock,Alexei Sadovnikov. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Current aperture vertical electron transistors with ammonia molecular beam epitaxy grown p-type gallium nitride as a current blocking layer

Номер патента: US09590088B2. Автор: Christophe Hurni,Ilan Ben-Yaacov,Srabanti Chowdhury,Umesh K. Mishra,Ramya Yeluri. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2017-03-07.

High-electron-mobility transistor with protective diode

Номер патента: US09589951B2. Автор: Kiyoshi Takeuchi,Takashi Hase,Ippei Kume,Toshiharu Nagumo. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Field effect transistor with higher mobility

Номер патента: WO1997037386A1. Автор: Matthew S. Buynoski. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 1997-10-09.

NPN transistor with P/N closed loop in contact with collector electrode

Номер патента: US4652900A. Автор: Masaru Hashimoto. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1987-03-24.

Vertical bipolar transistor with collector and base extensions

Номер патента: US4982257A. Автор: Seiki Ogura,Nivo Rovedo,Shah Akbar,Patricia L. Kroesen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1991-01-01.

Self-aligned emitter-base-collector bipolar junction transistors with a single crystal raised extrinsic base

Номер патента: US20150311324A1. Автор: Peng Cheng,John J. Pekarik,Vibhor Jain,Renata Camillo-Castillo,Qizhi Liu. Владелец: GlobalFoundries US 2 LLC. Дата публикации: 2015-10-29.

Vertical bipolar transistor with a monocrystalline extrinsic base and method therefor

Номер патента: EP4379807A1. Автор: Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Ljubo Radic,Jay Paul John,James Albert Kirchgessner. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-06-05.

Transistor with a primary gate wrapping a floating secondary gate

Номер патента: EP4401147A1. Автор: Shesh Mani Pandey,Santosh Sharma,Rajendran Krishnasamy. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-17.

Lateral bipolar junction transistor with dual base region

Номер патента: US20190371923A1. Автор: Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-12-05.

IGBT transistor with protection against parasitic component activation and manufacturing process thereof

Номер патента: US9240457B2. Автор: Davide Giuseppe Patti,Giuditta Settanni. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2016-01-19.

Lateral bipolar transistor with thermal conductor underneath the base

Номер патента: EP4243056A1. Автор: Hong Yu,Vibhor Jain,Judson R. Holt. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-09-13.

A bipolar transistor with a raised collector pedestal for reduced capacitance and a method of forming the transistor

Номер патента: GB2497177B. Автор: Qizhi Liu,David Louis Harame,John Joseph Pekarik,James William Adkisson,John Joseph Ellis-Monaghan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-02-18.

High power transistor with interior-fed fingers

Номер патента: US12057484B2. Автор: Haedong Jang,Zulhazmi Mokhti,Frank Trang. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Igbt transistor with protection against parasitic component activation and manufacturing process thereof

Номер патента: US20120001224A1. Автор: Davide Giuseppe Patti,Giuditta Settanni. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2012-01-05.

Igbt transistor with protection against parasitic component activation and manufacturing process thereof

Номер патента: US20140134807A1. Автор: Davide Giuseppe Patti,Giuditta Settanni. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2014-05-15.

Bipolar transistor with lattice matched base layer

Номер патента: WO2002043155A9. Автор: Noren Pan,Roger E Welser,Paul M Deluca. Владелец: Paul M Deluca. Дата публикации: 2003-08-14.

A bipolar transistor with reduced emitter to base capacitance

Номер патента: US20020197808A1. Автор: Klaus Schuegraf. Владелец: Conexant Systems LLC. Дата публикации: 2002-12-26.

Iii-nitride transistor with engineered substrate

Номер патента: EP2973724A1. Автор: Rongming Chu,Karim Boutros,Zijan Ray LI. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2016-01-20.

Heterojunction bipolar transistors with undercut extrinsic base regions

Номер патента: US20220190145A1. Автор: Mark Levy,Vibhor Jain,James R. Elliott,Qizhi Liu,Sarah McTaggart,Paula Fisher. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-06-16.

Gate-all-around field effect transistor with bottom dielectric isolation

Номер патента: US12100746B2. Автор: Andrew M. Greene,Ruilong Xie,Nicolas Loubet,Veeraraghavan S. Basker,Julien Frougier,Maruf Amin Bhuiyan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

SiGe HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR WITH CRYSTALLINE RAISED BASE ON GERMANIUM ETCH STOP LAYER

Номер патента: US20200006537A1. Автор: Edward J. Preisler. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2020-01-02.

Operation of double-base bipolar transistors with additional timing phases at switching transitions

Номер патента: US09787298B2. Автор: Richard A. Blanchard,William C. Alexander. Владелец: Ideal Power Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

III-nitride transistor with engineered substrate

Номер патента: US09773884B2. Автор: Rongming Chu,Karim Boutros,Zijan Ray LI. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2017-09-26.

Self-aligned emitter-base-collector bipolar junction transistors with a single crystal raised extrinsic base

Номер патента: US09496377B2. Автор: Peng Cheng,John J. Pekarik,Vibhor Jain,Renata Camillo-Castillo,Qizhi Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Bipolar transistor with trench-isolated emitter

Номер патента: US5144403A. Автор: Shang-Yi Chiang,Clifford I. Drowley,Wen-Ling M. Huang,Paul V. Voorde. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1992-09-01.

Transistor with odd-mode oscillation stabilization circuit

Номер патента: US11842996B2. Автор: Darrell Glenn Hill. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Heterojunction bipolar transistor with amorphous semiconductor regions

Номер патента: EP4365956A1. Автор: Vibhor Jain,Rajendran Krishnasamy,Anupam DUTTA,Vvss Satyasuresh Choppalli,Robert J. Gauthier Jr.. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-08.

Heterojunction bipolar transistor with amorphous semiconductor regions

Номер патента: US20240145585A1. Автор: Robert J. Gauthier, Jr.,Vibhor Jain,Rajendran Krishnasamy,Anupam DUTTA,Vvss Satyasuresh Choppalli. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Bipolar junction transistor with multiple emitter fingers

Номер патента: US20130119508A1. Автор: John J. Pekarik,Renata Camillo-Castillo,Qizhi Liu,David L. Harame,Ramana M. MALLADI. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-16.

Transistor with odd-mode oscillation stabilization circuit

Номер патента: EP4195260A3. Автор: Darrell Glenn Hill. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-07-19.

TRANSISTOR WITH AIRGAP SPACER AND TIGHT GATE PITCH

Номер патента: US20200219989A1. Автор: Cheng Kangguo. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-09.

Method of improving the radiation resistance of silicon transistors with a silicon oxide coating

Номер патента: US3829961A. Автор: R Bauerlein,D Uhl. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1974-08-20.

Transistor with improved safe operating area

Номер патента: US20050012148A1. Автор: John Lin,Sameer Pendharkar,Steven Jensen,Philip Hower. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2005-01-20.

Device package having a lateral power transistor with segmented chip pad

Номер патента: US12040302B2. Автор: Mohamed Imam,Hyeongnam Kim. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-07-16.

Transistor with Diamond Gate

Номер патента: US20160211341A1. Автор: Karl D. Hobart,Andrew D. Koehler,Travis J. Anderson,Tatyana I. Feygelson,Marko J. Tadjer. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2016-07-21.

Normally-off gallium nitride transistor with insulating gate and method of making same

Номер патента: EP2859589A2. Автор: Rongming Chu,Karim S. Boutros,Andrea Corrion,Brian Hughes,Shawn D. Burnham. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2015-04-15.

Normally-off gallium nitride transistor with insulating gate and method of making same

Номер патента: WO2013184850A4. Автор: Rongming Chu,Karim S. Boutros,Andrea Corrion,Brian Hughes,Shawn D. Burnham. Владелец: HRL LABORATORIES, LLC. Дата публикации: 2014-03-20.

Normally-off gallium nitride transistor with insulating gate and method of making same

Номер патента: WO2013184850A2. Автор: Rongming Chu,Karim S. Boutros,Andrea Corrion,Brian Hughes,Shawn D. Burnham. Владелец: HRL LABORATORIES, LLC. Дата публикации: 2013-12-12.

Transistors with isolation regions

Номер патента: US09437707B2. Автор: Umesh Mishra,Srabanti Chowdhury. Владелец: Transphorm Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Transistor with diamond gate

Номер патента: US09466684B2. Автор: Karl D. Hobart,Andrew D. Koehler,Travis J. Anderson,Tatyana I. Feygelson,Marko J. Tadjer. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2016-10-11.

Method for effective fabrication of a field effect transistor with elevated drain and source contact structures

Номер патента: US6087235A. Автор: Bin Yu. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-07-11.

Ion sensitive field effect transistors with protection diodes and methods of their fabrication

Номер патента: US09978689B2. Автор: Md M. Hoque,Weize Chen,Richard De Souza,Patrice Parris. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device and field effect transistor with controllable threshold voltage

Номер патента: US09530879B2. Автор: Yuji Ando,Takashi Inoue,Yasuhiro Okamoto,Tatsuo Nakayama,Kazuki Ota. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

High-frequency field transistor with the additional field electrode manufacturing method

Номер патента: RU2671312C2. Автор: Николай Анатольевич Торхов,Сергей Владимирович Литвинов,Виктор Геннадьевич Сысуев,Ирина Дмитриевна Халтурина. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов" (АО "НИИПП"). Дата публикации: 2018-10-30.

Method for manufacturing a high-frequency transistor with an additional active field electrode

Номер патента: RU2707402C1. Автор: Николай Анатольевич Торхов,Валентин Натанович Брудный. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет" (ТГУ, НИ ТГУ). Дата публикации: 2019-11-26.

Mixed voltage CMOS process for high reliability and high performance core and I/O transistors with reduced mask steps

Номер патента: US6258644B1. Автор: Mahalingam Nandakumar,Manoj Mehrotra,Mark S. Rodder. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2001-07-10.

Selective ILD deposition for fully aligned via with airgap

Номер патента: US11676854B2. Автор: Benjamin D. Briggs,Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO,Hosadurga Shobha,Huai HUANG,Christopher J. Penny. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2023-06-13.

Selective ild deposition for fully aligned via with airgap

Номер патента: US20240096693A1. Автор: Benjamin D. Briggs,Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO,Hosadurga Shobha,Huai HUANG,Christopher J. Penny. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2024-03-21.

Superimposed transistors with auto-aligned active zone of the upper transistor

Номер патента: US09852950B2. Автор: Philippe Coronel,Claire Fenouillet-Beranger. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-12-26.

Integrated Circuit with Airgaps to Control Capacitance

Номер патента: US20200006115A1. Автор: Manish Chandhok,Nafees A. Kabir,Miriam R. Reshotko. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Integrated electronic circuit with airgaps

Номер патента: US20200152503A1. Автор: Alessio Spessot,Shairfe Muhammad Salahuddin. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-05-14.

Graphene coated interconnects with airgap structures

Номер патента: US20240222278A1. Автор: Son Nguyen,Takeshi Nogami,Cornelius Brown Peethala. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Transistor with source field plates and non-overlapping gate runner layers

Номер патента: US20190245047A1. Автор: Sameer Pendharkar,Hiroyuki Tomomatsu,Hiroshi Yamasaki. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-08-08.

Transistor with source field plates and non-overlapping gate runner layers

Номер патента: US11355597B2. Автор: Sameer Pendharkar,Hiroyuki Tomomatsu,Hiroshi Yamasaki. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2022-06-07.

Transistor with source field plates and non-overlapping gate runner layers

Номер патента: US10903320B2. Автор: Sameer Pendharkar,Hiroyuki Tomomatsu,Hiroshi Yamasaki. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-01-26.

Transistor with source field plates and non-overlapping gate runner layers

Номер патента: US20180190777A1. Автор: Sameer Pendharkar,Hiroyuki Tomomatsu,Hiroshi Yamasaki. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-07-05.

Method of manufacturing a hetero-junction bipolar transistor with epitaxially grown multi-layer films and annealing at or below 600° C.

Номер патента: US6818521B2. Автор: Kenji Hiratsuka. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2004-11-16.

Integrated electronic circuit with airgaps

Номер патента: EP3654372A1. Автор: Alessio Spessot,Shairfe Muhammad Salahuddin. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-05-20.

Field effect transistor with integrated Zener diode

Номер патента: US09543292B2. Автор: Hideaki Tsuchiko. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-01-10.

Junction field-effect transistor with raised source and drain regions formed by selective epitaxy

Номер патента: US9236499B2. Автор: John J. Pekarik,John J. Ellis-Monaghan,Kevin K. Chan,Qizhi Liu,David L. Harame. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-01-12.

Body contacted transistor with reduced parasitic capacitance

Номер патента: WO2011084397A3. Автор: Antonio L.P. Rotondaro. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2011-10-20.

Body contacted transistor with reduced parasitic capacitance

Номер патента: GB2489882B. Автор: Antonio L P Rotondaro. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-12-11.

Body contacted transistor with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US20110163382A1. Автор: Antonio L. P. Rotondaro. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-07-07.

Power transistor with protected channel

Номер патента: WO2009091840A3. Автор: YANG LU,Marco A. Zuniga,Hamza Yilmaz,Budong You. Владелец: Volterra Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2009-09-24.

Spin transistor with ultra-low energy base-collector barrier

Номер патента: US20060267145A1. Автор: David Olson,Paul Anderson,Brian Karr,Janusz Nowak,Eric Linville. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2006-11-30.

Thin film transistor with improved carrier mobilty

Номер патента: US09831348B2. Автор: Yung-Ching Wang. Владелец: Hannstar Display Nanjing Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Structure for hybrid bond crackstop with airgaps

Номер патента: US20240113055A1. Автор: Katsuyuki Sakuma,Mukta Ghate Farooq,Michael P. Belyansky,Spyridon Skordas,Eric Perfecto,Sathyanarayanan Raghavan,Nicholas Alexander POLOMOFF. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Structure for hybrid bond crackstop with airgaps

Номер патента: WO2024066400A1. Автор: Katsuyuki Sakuma,Mukta Ghate Farooq,Michael P. Belyansky,Spyridon Skordas,Eric Perfecto,Sathyanarayanan Raghavan,Nicholas Alexander POLOMOFF. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-04-04.

Rf power transistor with internal bias feed

Номер патента: WO2004057666A2. Автор: Gordon C. Ma,Larry Leighton,Prasanth Perugupalli,Nagaraj Vishwanath Dixit. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-07-08.

Rf power transistor with internal bias feed

Номер патента: EP1573813A2. Автор: Gordon C. Ma,Larry Leighton,Prasanth Perugupalli,Nagaraj Vishwanath Dixit. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-09-14.

MOSFET transistors with robust subthreshold operations

Номер патента: US09899376B2. Автор: Xiaoju Wu,C. Matthew Thompson. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Field-effect transistor with schottky barrier

Номер патента: RU2743225C1. Автор: Сергей Александрович Богданов,Юрий Михайлович Богданов,Константин Сергеевич Журавлев,Владимир Михайлович Лукашин,Владимир Григорьевич Лапин,Андрей Борисович Пашковский. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина"). Дата публикации: 2021-02-16.

Transistor with source manifold in non-active die region

Номер патента: US20240339409A1. Автор: Humayun Kabir,Ibrahim Khalil. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Transistor with source manifold in non-active die region

Номер патента: EP4443496A2. Автор: Humayun Kabir,Ibrahim Khalil. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-10-09.

Photodetector on cascade transistors with light emitting p-n-junctions and photosensitive n-p-junctions

Номер патента: RU2673424C1. Автор: Владимир Владимирович Козлов,Хаджимурат Магомедович Гаджиев,Татьяна Алексеевна Челушкина,Солтанат Магомедовна Гаджиева,Анатолий Константинович Михайлов,Александр Александрович Иванченко. Владелец: Ооо "Центральный Научно-Исследовательский Институт "Апертура". Дата публикации: 2018-11-26.

Schottky gated transistor with interfacial layer

Номер патента: US09455327B2. Автор: Andrew P. Ritenour. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Method for fast switching on of power transistor with isolated gate and device with use thereof

Номер патента: RU2713559C2. Автор: Евгений Леонидович Пущин. Владелец: Евгений Леонидович Пущин. Дата публикации: 2020-02-05.

Bipolar semiconductor transistor with thyristor effect

Номер патента: RU2701184C1. Автор: Хаджимурат Магомедович Гаджиев,Татьяна Алексеевна Челушкина,Солтанат Магомедовна Гаджиева,Александр Александрович Иванченко,Елена Ивановна Павлюченко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Инжинирнговый центр микроспутниковых компетенций". Дата публикации: 2019-09-25.

Stacked transistors with contact last

Номер патента: US11869890B2. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Ravi Pillarisetty,Willy Rachmady,Rishabh Mehandru. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Thin film transistor with microlens structures

Номер патента: US7205569B2. Автор: Ming-Sung Shih. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2007-04-17.

Thin film transistor with microlens structures

Номер патента: US20060163575A1. Автор: Ming-Sung Shih. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2006-07-27.

RF power transistors with impedance matching circuits, and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09571044B1. Автор: Ning Zhu,Damon G. Holmes,Jeffrey K. Jones. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Storage transistor with optical isolation

Номер патента: US09472587B2. Автор: Gang Chen,Duli Mao,Dyson H. Tai,Yuanwei Zheng,Xianmin Yi. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Schottky gated transistor with interfacial layer

Номер патента: US20150357457A1. Автор: Andrew P. Ritenour. Владелец: RF Micro Devices Inc. Дата публикации: 2015-12-10.

Stacked vertical field-effect transistors with sacrificial layer patterning

Номер патента: US20200303263A1. Автор: Chen Zhang,Oleg Gluschenkov,Kangguo Cheng,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Method for fast switching on of power transistor with isolated gate and device with use thereof

Номер патента: RU2713559C9. Автор: Евгений Леонидович Пущин. Владелец: Евгений Леонидович Пущин. Дата публикации: 2021-02-04.

Nanoribbon-based transistors with etch stop layer to assist subfin removal

Номер патента: US20240290835A1. Автор: Chung-Hsun Lin,Robin Chao,Guowei Xu,Brian Greene,Chiao-Ti HUANG,Jaladhi Mehta,Tao Chu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Transistor with bypassed gate structure field

Номер патента: US09786660B1. Автор: Scott Sheppard,Simon Wood,Donald Farrell,Dan Namishia. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Insulated gate field effect transistor with integrated safety diode

Номер патента: US3648129A. Автор: Rijkent Jan Nienhuis. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1972-03-07.

Apparatus for biasing a field effect transistor with a single voltage supply

Номер патента: US5646570A. Автор: James Russell Blodgett. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1997-07-08.

Transistor with Elevated Drain Termination

Номер патента: US20150295054A1. Автор: Michael A. Briere,Reenu Garg. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2015-10-15.

Transistor with elevated drain termination

Номер патента: US09564498B2. Автор: Michael A. Briere,Reenu Garg. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of forming a transistor with an active area layout having both wide and narrow area portions and a gate formed over the intersection of the two

Номер патента: US09899364B2. Автор: Thomas J. Aton,James Walter Blatchford. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Ferroelectric field-effect transistor with high permittivity interfacial layer

Номер патента: US20240234574A9. Автор: Sayeef Salahuddin,Ava Jiang TAN. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-07-11.

Transistor with group III/VI emitter

Номер патента: US20040061132A1. Автор: Hung Liao,Bao-Sung Yeh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-01.

Transistor with group III/VI emitter

Номер патента: US20030230762A1. Автор: Hung Liao,Bao-Sung Yeh. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2003-12-18.

Transistor with group III/VI emitter

Номер патента: US6984554B2. Автор: Bao-Sung Bruce Yeh,Hung Liao. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2006-01-10.

Complimentary metal-oxide-semiconductor circuit having transistors with different threshold voltages and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180076199A1. Автор: Wei-E Wang,Joon Goo Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-15.

LDMOS transistor with enhanced termination region for high breakdown voltage with on-resistance

Номер патента: US7208385B2. Автор: Mohamed Imam,Zia Hossain,Joe Fulton. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2007-04-24.

Wide based high voltage bipolar junction transistor with buried collectors as hybrid igbt building block

Номер патента: US20240222476A1. Автор: Hamza Yilmaz. Владелец: IPOWER SEMICONDUCTOR. Дата публикации: 2024-07-04.

Process for producing an MOS field effect transistor with a recombination zone

Номер патента: US20020081785A1. Автор: Friedrich Kröner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-06-27.

Trench transistor with chained implanted body

Номер патента: US20040191994A1. Автор: Richard Williams,Wayne Grabowski. Владелец: Advanced Analogic Technologies Inc. Дата публикации: 2004-09-30.

Vertical nanowire transistor with axially engineered semiconductor and gate metallization

Номер патента: US09818864B2. Автор: Brian S. Doyle,Uday Shah,Roza Kotlyar,Charles C. Kuo. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Method of fabricating vertical field effect transistors with protective fin liner during bottom spacer recess etch

Номер патента: US09530700B1. Автор: Rajasekhar Venigalla,Reinaldo A. Vega,Hari V. Mallela. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

An electrolyte-gated field-effect transistor with surfactant layer

Номер патента: WO2020216901A1. Автор: Qiaoming ZHANG,Marta Mas Torrent,Francesca LEONARDI. Владелец: CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS. Дата публикации: 2020-10-29.

Semiconductor structure having PMOS transistor with a channel layer and forming method thereof

Номер патента: US12131953B2. Автор: Jie Bai,Juanjuan Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Vertical power transistor with built-in gate control circuitry

Номер патента: WO2014209475A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,David Grider,Charlotte Jonas,Craig Capell. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2014-12-31.

Vertical power transistor with built-in gate buffer

Номер патента: US20140374773A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,David Grider,Charlotte Jonas,Craig Capell. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2014-12-25.

Processes of forming insulated gate field effect transistors with channel lengths of one micron in integrated circuits with component isolated and product

Номер патента: US3996655A. Автор: James A. Cunningham,James E. Schroeder,Mark Roman Guidry. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1976-12-14.

Semiconductor device and insulated gate bipolar transistor with barrier structure

Номер патента: US09553179B2. Автор: Johannes Georg Laven,Roman Baburske,Alexander Philippou,Antonio Vellei. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-01-24.

High power transistor with interior-fed gate fingers

Номер патента: US20200044024A1. Автор: Haedong Jang,Zulhazmi Mokhti,Frank Trang. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2020-02-06.

Vertical Thin-Film Transistor with Enhanced Gate Oxide

Номер патента: US20080224205A1. Автор: John W. Hartzell,Apostolos T. Voutsas,Pooran Chandra Joshi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-18.

Vertical silicon/silicon-germanium transistors with multiple threshold voltages

Номер патента: US09984937B1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

System and method for a field-effect transistor with dual vertical gates

Номер патента: US09972545B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Chih Chieh Yeh,Cheng-Yi Peng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Field-effect transistor with dual vertical gates

Номер патента: US09627531B1. Автор: Yee-Chia Yeo,Chih Chieh Yeh,Cheng-Yi Peng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Thin film transistor with two gates protruding from scan line under a double-layer channel

Номер патента: US09472674B2. Автор: Kuo-Lung Fang,Yi-Chun Kao,Hsin-Hua Lin,Chih-Lung Lee,Po-Li Shih. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Vertical transistor with improved robustness

Номер патента: US09431484B2. Автор: Markus Winkler,Rainald Sander,Matthias Stecher,Michael Asam. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-08-30.

Field effect transistor with a multilevel gate electrode for integration with a multilevel memory device

Номер патента: US09620512B1. Автор: Masatoshi Nishikawa,Fumiaki TOYAMA,Junji Oh,Hiroaki Koketsu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-11.

MOS transistor with reduced kink effect and method for the manufacture thereof

Номер патента: US20060110876A1. Автор: Volker Dudek,Stefan Schwantes. Владелец: Atmel Germany GmbH. Дата публикации: 2006-05-25.

Vertical Transistors With Backside Power Delivery

Номер патента: US20240105617A1. Автор: Thomas Hoffmann,Xin Miao,Praveen Raghavan. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Transistor with interdigit electrodes, comprising a gate terminal connected by a plurality of vertical vias to the gate electrodes

Номер патента: US20230253401A1. Автор: Robin Jung. Владелец: Exagan SAS. Дата публикации: 2023-08-10.

Vertical transistors with merged active area regions

Номер патента: US09761712B1. Автор: Brent A. Anderson,Albert M. Chu,Terence B. Hook,Seong-Dong Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Method for realizing a contact of an integrated well in a semiconductor substrate, in particular for a base terminal of a bipolar transistor, with enhancement of the transistor performances

Номер патента: US7936047B2. Автор: Cesare Ronsisvalle,Vincenzo Enea. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2011-05-03.

Method for realizing a contact of an integrated well in a semiconductor substrate, in particular for a base terminal of a bipolar transistor, with enhancement of the transistor performances

Номер патента: US20080246118A1. Автор: Cesare Ronsisvalle,Vincenzo Enea. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2008-10-09.

Nanowire transistor with source and drain induced by electrical contacts with negative Schottky barrier height

Номер патента: US12034078B2. Автор: Andreas Goebel,Paul A. Clifton,Walter A. Harrison. Владелец: Acorn Semi LLC. Дата публикации: 2024-07-09.

Nanowire transistor with source and drain induced by electrical contacts with negative schottky barrier height

Номер патента: US20240347641A1. Автор: Andreas Goebel,Paul A. Clifton,Walter A. Harrison. Владелец: Acorn Semi LLC. Дата публикации: 2024-10-17.

Field effect transistor with a negative capacitance gate structure

Номер патента: US20220344471A1. Автор: Igor Lukyanchuk,Yurii TIKHONOV,Valerii VINOKOUR,Anna Razumnaya. Владелец: Terra Quantum AG. Дата публикации: 2022-10-27.

Field effect transistor with a negative capacitance gate structure

Номер патента: AU2022202468A1. Автор: Igor Lukyanchuk,Yurii TIKHONOV,Valerii VINOKOUR,Anna Razumnaya. Владелец: Terra Quantum AG. Дата публикации: 2022-11-03.

Field effect transistor with a negative capacitance gate structure

Номер патента: CA3156440A1. Автор: Igor Lukyanchuk,Yurii TIKHONOV,Valerii VINOKOUR,Anna Razumnaya. Владелец: Terra Quantum AG. Дата публикации: 2022-10-15.

Field effect transistor with a negative capacitance gate structure

Номер патента: AU2022202468B2. Автор: Igor Lukyanchuk,Yurii TIKHONOV,Valerii VINOKOUR,Anna Razumnaya. Владелец: Terra Quantum AG. Дата публикации: 2023-11-02.

DMOS transistor with optimized periphery structure

Номер патента: US20070132019A1. Автор: Michael Graf,Franz Dietz,Stefan Schwantes. Владелец: Atmel Germany GmbH. Дата публикации: 2007-06-14.

Field effect transistor with a multilevel gate electrode for integration with a multilevel memory device

Номер патента: EP3326205A1. Автор: Masatoshi Nishikawa,Fumiaki TOYAMA,Junji Oh,Hiroaki Koketsu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-05-30.

Field effect transistor with a multilevel gate electrode for integration with a multilevel memory device

Номер патента: WO2017074546A1. Автор: Masatoshi Nishikawa,Fumiaki TOYAMA,Junji Oh,Hiroaki Koketsu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-04.

Transistors with ion- or fixed charge-based field plate structures

Номер патента: US20200219986A1. Автор: Nidhi Nidhi,Paul B. Fischer,Walid M. Hafez,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Glenn A. Glass,Rahul RAMASWAMY,Johann Christian Rode. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-07-09.

Transistor with base/emitter encirclement configuration

Номер патента: US4024568A. Автор: Masayoshi Yoshimura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1977-05-17.

PMOS transistor with improved mobility of the carriers

Номер патента: US9356090B2. Автор: Denis Rideau,Vincent Fiori,Sébastien GALLOIS-GARREIGNOT,Clement Tavernier. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2016-05-31.

Pmos transistor with improved mobility of the carriers

Номер патента: US20150311277A1. Автор: Denis Rideau,Vincent Fiori,Sébastien GALLOIS-GARREIGNOT,Clement Tavernier. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2015-10-29.

Vertical thin film transistors with surround gates

Номер патента: US09673257B1. Автор: Tetsuya Yamada,Akira Nakada,Manabu Hayashi,Seje TAKAKI,Kengo Kajiwara,Ryousuke ITOU,Takuro Maede. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-06-06.

Display device including a plurality of thin film transistors with different characteristics

Номер патента: US12074260B2. Автор: KyungMo SON,Shunyoung YANG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Power transistor with at least partially integrated driver stage

Номер патента: US09978862B2. Автор: Walter Rieger,Martin Vielemeyer,Gerhard Nöbauer,Martin Pölzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-05-22.

High voltage transistor with a field plate

Номер патента: WO2020257097A1. Автор: Chang Soo Suh,Ramana Tadepalli. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2020-12-24.

High voltage transistor with a field plate

Номер патента: EP3987566A1. Автор: Chang Soo Suh,Ramana Tadepalli. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2022-04-27.

Method for testing a high voltage transistor with a field plate

Номер патента: US20200403071A1. Автор: Chang Soo Suh,Ramana Tadepalli. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-12-24.

Electronic chip comprising transistors with front and back gates

Номер патента: US09660034B1. Автор: Philippe Galy. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2017-05-23.

Thin film Transistor with UV light Absorber Layer

Номер патента: US20140361287A1. Автор: Po-Tsun Liu,Han-Ping D. Shieh,Li-Feng Teng,Min-Yen Tsai,Yun-Chu TSAI. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2014-12-11.

Semiconductor device having a field effect transistor with improved linearity

Номер патента: US4717944A. Автор: Leonard J. M. Esser,Petrus J. A. M. Van de Wiel. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1988-01-05.

Bipolar transistor with improved reverse breakdown characteristics

Номер патента: US6383885B1. Автор: Patrice Parris,Vasudev Venkatesan. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2002-05-07.

Thin film transistor with UV light absorber layer

Номер патента: US8969868B2. Автор: Po-Tsun Liu,Han-Ping D. Shieh,Li-Feng Teng,Min-Yen Tsai,Yun-Chu TSAI. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2015-03-03.

Nanopillar field-effect and junction transistors with functionalized gate and base electrodes

Номер патента: US20150279948A1. Автор: Axel Scherer,Stefan Petry,Aditya Rajagopal,Oliver Plettenburg,Chieh-Feng Chang,Charles L. TSCHIRHART. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2015-10-01.

Thin Film Transistor with Parasitic Capacitance Compensation Structure and Liquid Crystal Display Using Same

Номер патента: US20130242218A1. Автор: Chiayu Lee,Hunglung Hou. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-19.

Nanopillar field-effect and junction transistors with functionalized gate and base electrodes

Номер патента: EP2877845A1. Автор: Axel Scherer,Stefan Petry,Aditya Rajagopal,Oliver Plettenburg,Chieh-Feng Chang,Charles L. TSCHIRHART. Владелец: Sanofi Inc. Дата публикации: 2015-06-03.

Nanopillar field-effect and junction transistors with functionalized gate and base electrodes

Номер патента: US09966443B2. Автор: Axel Scherer,Stefan Petry,Aditya Rajagopal,Oliver Plettenburg,Chieh-Feng Chang,Charles L. TSCHIRHART. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2018-05-08.

Nanopillar field-effect and junction transistors with functionalized gate and base electrodes

Номер патента: US09960238B2. Автор: Axel Scherer,Stefan Petry,Aditya Rajagopal,Oliver Plettenburg,Chieh-Feng Chang,Charles L. TSCHIRHART. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2018-05-01.

Nanopillar field-effect and junction transistors with functionalized gate and base electrodes

Номер патента: US20150279949A1. Автор: Axel Scherer,Stefan Petry,Aditya Rajagopal,Oliver Plettenburg,Chieh-Feng Chang,Charles L. TSCHIRHART. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2015-10-01.

Low noise amplifier transistors with decreased noise figure and leakage in silicon-on-insulator technology

Номер патента: US20210184046A1. Автор: Oleksandr Gorbachov,Lisette L. Zhang,Lothar Musiol. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Transistor with source field plates under gate runner layers

Номер патента: US09899484B1. Автор: Sameer Pendharkar,Hiroyuki Tomomatsu,Hiroshi Yamasaki. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Horizontal current bipolar transistors with improved breakdown voltages

Номер патента: US09842834B2. Автор: Marko Koricic,Tomislav Suligoj. Владелец: ZAGREB UNIVERSITY OF. Дата публикации: 2017-12-12.

Thin film transistor with multiple oxide semiconductor layers

Номер патента: US09437747B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Thin film transistor with integrated connecting portion

Номер патента: US09356052B2. Автор: Yukinobu Nakata,Yoshihito Hara. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with electrostatic-discharge protection and voltage-stabilizing capacitor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080164505A1. Автор: Yi-Lin Chen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-07-10.

Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with electrostatic-discharge protection and voltage-stabilizing capacitor and method for manufacturing the same

Номер патента: US8536633B2. Автор: Yi-Lin Chen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2013-09-17.

Metal oxide semiconductor field effect transistor with reduced surface field folding

Номер патента: US9196680B1. Автор: Vijay Parthasarathy,Vishnu Khemka,Ronghua Zhu,Tahir Arif Khan. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2015-11-24.

Field-effect transistors with interleaved finger configuration

Номер патента: US20240250003A1. Автор: Dylan Charles BARTLE,David Scott Whitefield,Paul T. Dicarlo,Hailing Wang,Hanching Fuh. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Method for fabricating transistor with thinned channel

Номер патента: US09806195B2. Автор: Jack T. Kavalieros,Justin K. Brask,Brian S. Doyle,Robert S. Chau,Suman Datta,Marko Radosavljevic,Amlan Majumdar,Mark L. Doczy,Matthew V. Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

DMOS transistor with trench schottky diode

Номер патента: US09780204B2. Автор: Paul McKay Moore,Jayasimha Swamy Prasad,David Raymond Zinn. Владелец: Micrel Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Transistors with mitigated free body effect

Номер патента: US20240072174A1. Автор: Haitao Liu,Soichi Sugiura,Kamal M. Karda,Si-Woo Lee,Anthony J. Kanago. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Transistor With Reduced Charge Carrier Mobility And Associated Methods

Номер патента: US20130292769A1. Автор: Christian Pacha,Klaus Von Arnim,Joerg Berthold. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2013-11-07.

Semiconductor device comprising transistors with silicon and metal oxide channels

Номер патента: US11948626B2. Автор: Shuhei Nagatsuka,Tatsuya Onuki,Yuto Yakubo,Seiya SAITO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

EEPROM cell and array having stacked nanosheet field effect transistors with a common floating gate

Номер патента: US11145668B2. Автор: Karthik Balakrishnan,Alexander Reznicek,Tak H. Ning,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-10-12.

Thin film transistor with low trap-density material abutting a metal oxide active layer and the gate dielectric

Номер патента: US09911857B2. Автор: Chan-Long Shieh,Gang Yu,Fatt Foong. Владелец: CBRITE Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Transistor with reduced charge carrier mobility and associated methods

Номер патента: US20120224415A1. Автор: Christian Pacha,Klaus Von Arnim,Jörg Berthold. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-09-06.

Transistor with reduced charge carrier mobility and associated methods

Номер патента: US20110170337A1. Автор: Christian Pacha,Klaus Von Arnim,Jörg Berthold. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-07-14.

Vertical backend transistor with ferroelectric material

Номер патента: EP3688805A1. Автор: Ian A. Young,Uygar E. Avci,Daniel H. Morris. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-08-05.

Transistor with a-face conductive channel and trench protecting well region

Номер патента: US20110250737A1. Автор: Qingchun Zhang,Anant Agarwal,Charlotte Jonas. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2011-10-13.

Protection transistor with improved edge structure

Номер патента: US20030006463A1. Автор: Kenji Ichikawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-09.

Thin film storage transistor with silicon oxide nitride charge trapping layer

Номер патента: US20220392529A1. Автор: Scott Brad Herner. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2022-12-08.

Transistor with a-face conductive channel and trench protecting well region

Номер патента: US20120235164A1. Автор: Qingchun Zhang,Anant Agarwal,Charlotte Jonas. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2012-09-20.

Vertical transistors with multiple gate lengths

Номер патента: US20190140053A1. Автор: Peng Xu,ZHENG Xu,Kangguo Cheng,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

Field-effect transistors with a non-relaxed strained channel

Номер патента: US09871057B2. Автор: Karen A. Nummy,Claude Ortolland. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Transistor with multilayer film including oxide semiconductor layer and oxide layer

Номер патента: US9660093B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Watanabe,Hajime Tokunaga,Kenichi Okazaki,Takuya Handa,Mitsuo Mashiyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Select gate transistor with single crystal silicon for three-dimensional memory

Номер патента: WO2017074577A1. Автор: Jin Liu,Yanli Zhang,Raghuveer S. Makala,Johann Alsmeier,Murshed CHOWDHURY. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-04.

Multichannel transistor with improved gate conformation

Номер патента: US12068216B1. Автор: Shahed Reza. Владелец: National Technology and Engineering Solutions of Sandia LLC. Дата публикации: 2024-08-20.

Field effect transistor with frequency dependent gate-channel capacitance

Номер патента: US20090294802A1. Автор: Michael Shur,Remigijus Gaska,Grigory Simin. Владелец: Sensor Electronic Technology Inc. Дата публикации: 2009-12-03.

Bipolar transistor with superjunction structure

Номер патента: US20170117394A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Franz-Josef Niedernostheide,Stephan Voss,Frank Dieter Pfirsch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-27.

Transistor with InGaAsP collector region and integrated opto-electronic devices employing same

Номер патента: US8692295B1. Автор: Rajesh D. Rajavel,Stephen Thomas, III. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2014-04-08.

Bipolar transistor with superjunction structure

Номер патента: US09917181B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Franz-Josef Niedernostheide,Stephan Voss,Frank Dieter Pfirsch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-13.

Power transistor with internally combined low-pass and band-pass matching stages

Номер патента: EP1356521A1. Автор: Anton W. Roodnat. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-10-29.

Power transistor with internally combined low-pass and band-pass matching stages

Номер патента: US20020109203A1. Автор: Anton Roodnat. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-15.

Fabrication of complementary field-effect transistors with vertical body-material dopant profiles tailored to alleviate punchthrough and reduce current leakage

Номер патента: US7785971B1. Автор: Fu-Cheng Wang,Constantin Bulucea,Prasad Chaparala. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2010-08-31.

Inp heterojunction bipolar transistor with intentionally compressivley missmatched base layer

Номер патента: WO2002103803A1. Автор: Quesnell Hartmann. Владелец: Epiworks, Inc.. Дата публикации: 2002-12-27.

Transistor with Integrated Active Protection

Номер патента: US20200337122A1. Автор: Jorge Cerezo,Peter Bredemeier,Thomas Kimmer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-10-22.

Bipolar transistor with superjunction structure

Номер патента: US20180158937A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Franz-Josef Niedernostheide,Stephan Voss,Frank Dieter Pfirsch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-06-07.

Bipolar junction transistor with improved avalanche capability

Номер патента: WO2013152003A1. Автор: LIN Cheng,Qingchun Zhang,Anant Kumar Agarwal. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2013-10-10.

Bipolar junction transistor with improved avalanche capability

Номер патента: US20130264581A1. Автор: LIN Cheng,Qingchun Zhang,Anant K. Agarwal. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2013-10-10.

Power transistor with internally combined low-pass and band-pass matching stages

Номер патента: US6646321B2. Автор: Anton Willem Roodnat. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-11-11.

Transistors with selectively landed gate array

Номер патента: WO2024102579A3. Автор: Krister Gumaelius,Jimmy Robert Hannes FRANCHI,Jaein An. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2024-07-11.

Transistors with selectively landed gate array

Номер патента: WO2024102579A9. Автор: Krister Gumaelius,Jimmy Robert Hannes FRANCHI,Jaein An. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2024-10-10.

Transistor structures and transistors with a germanium-containing channel

Номер патента: US20060001126A1. Автор: Chandra Mouli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-05.

Transistor structures and transistors with a germanium-containing channel

Номер патента: US7446351B2. Автор: Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-11-04.

Field effect transistor with enhanced insulator structure

Номер патента: WO2005057623A2. Автор: Robert Beach. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2005-06-23.

Field effect transistor with enhanced insulator structure

Номер патента: WO2005057623A3. Автор: Robert Beach. Владелец: Robert Beach. Дата публикации: 2008-01-03.

Iii-n transistors with integrated linearization devices

Номер патента: US20220068910A1. Автор: Nidhi Nidhi,Paul B. Fischer,Walid M. Hafez,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Rahul RAMASWAMY,Johann Christian Rode. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

High-frequency group iii-nitride-based high electron mobility transistors with high-aluminum concentration barriers and recessed gates

Номер патента: US20240363745A1. Автор: Chirag Gupta,Jiahao Chen,Swarnav Mukhopadhyay,Shubhra Shweta Pasayat. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2024-10-31.

High-frequency group iii-nitride-based high electron mobility transistors with high-aluminum concentration barriers and recessed gates

Номер патента: WO2024226212A2. Автор: Chirag Gupta,Jiahao Chen,Swarnav Mukhopadhyay,Shubhra Shweta Pasayat. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2024-10-31.

Transistors with selectively landed gate array

Номер патента: WO2024102579A2. Автор: Krister Gumaelius,Jimmy Robert Hannes FRANCHI,Jaein An. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2024-05-16.

Ga/A1GaN Heterostructure Field Effect Transistor with dielectric recessed gate

Номер патента: US20040021152A1. Автор: Paul Hashimoto,Chanh Nguyen,Jeong-Sun Moon,Wah Wong,Miro Micovic. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2004-02-05.

Transistor structures and transistors with a germanium-containing channels

Номер патента: US20060266995A1. Автор: Chandra Mouli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-30.

Battery pack with airgap sizing for preventing ejecta debris clogging

Номер патента: US11967693B1. Автор: Nathan GOLDSBERRY,Sam Wagner. Владелец: Beta Air LLC. Дата публикации: 2024-04-23.

Battery pack with airgap sizing for preventing ejecta debris clogging

Номер патента: US20240128543A1. Автор: Nathan GOLDSBERRY,Sam Wagner. Владелец: Beta Air LLC. Дата публикации: 2024-04-18.

Battery pack with airgap sizing for preventing ejecta debris clogging

Номер патента: US20240222742A1. Автор: Nathan GOLDSBERRY,Sam Wagner. Владелец: Beta Air LLC. Дата публикации: 2024-07-04.

Control Circuit For Transistor With Floating Source Node

Номер патента: US20230133293A1. Автор: Kevin David Moran,Guoming George Zhu. Владелец: Michigan State University MSU. Дата публикации: 2023-05-04.

Integrated circuit chips having field effect transistors with different gate designs

Номер патента: US09425275B2. Автор: Mark S. Rodder,Borna J. Obradovic,Dharmendar Reddy Palle. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-23.

Transistor with ohmic contacts

Номер патента: WO2023069601A1. Автор: Evan Jones,Kyle BOTHE. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2023-04-27.

Transistor with ohmic contacts

Номер патента: EP4420170A1. Автор: Evan Jones,Kyle BOTHE. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

Transistor with ohmic contacts

Номер патента: US12113114B2. Автор: Evan Jones,Kyle BOTHE. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Compound Semiconductor Transistor with Gate Overvoltage Protection

Номер патента: US20160247794A1. Автор: Gilberto Curatola,Martin Vielemeyer,Gianmauro Pozzovivo,Michael Hutzler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-08-25.

Junction field effect transistor with integrated high voltage capacitor

Номер патента: US20220344326A1. Автор: Vipindas Pala. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2022-10-27.

Field effect transistor with conduction band electron channel and uni-terminal response

Номер патента: US09768289B2. Автор: Matthias Passlack. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Compound semiconductor transistor with gate overvoltage protection

Номер патента: US09735141B2. Автор: Gilberto Curatola,Martin Vielemeyer,Gianmauro Pozzovivo,Michael Hutzler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-08-15.

Field effect transistor with conduction band electron channel and uni-terminal response

Номер патента: US09614070B2. Автор: Matthias Passlack. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Integrated circuit comprising transistors with different threshold voltages

Номер патента: US09911737B2. Автор: Jean-Philippe Noel,Bastien Giraud,Philippe Flatresse,Bertrand Pelloux-Prayer. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2018-03-06.

Transistor with deep Nwell implanted through the gate

Номер патента: US09865599B2. Автор: Mahalingam Nandakumar. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Soi bipolar transistors with reduced self heating

Номер патента: US20080102568A1. Автор: Kai Xiu,Qiqing Ouyang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-05-01.

Integrated circuit comprising PMOS transistors with different voltage thresholds

Номер патента: US09520330B2. Автор: François Andrieu,Pierre Perreau,Nicolas Degors. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-12-13.

Method and structure for creating a self-aligned bicmos-compatible bipolar transistor with a laterally graded emitter structure

Номер патента: US5444003A. Автор: Ho-Yuan Yu,Ying-Tsong Loh,Chung S. Wang. Владелец: VLSI Technology Inc. Дата публикации: 1995-08-22.

BiCMOS process for forming double-poly MOS and bipolar transistors with substantially identical device architectures

Номер патента: US5943564A. Автор: Hung-Sheng Chen,Chih Sieh Teng. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1999-08-24.

Field programmable gate array having internal logic transistors with two different gate insulator thicknesses

Номер патента: US6127845A. Автор: Andre Stolmeijer,Paige A. Kolze,David D. Eaton. Владелец: QuickLogic Corp. Дата публикации: 2000-10-03.

Implanted semiconductor circuit for ASIC Integrated Circuits, using amplifier-separators on substrate with unitary cell - has balanced pairs of p-channel and n-channel transistors with line feeds running horizontally and implanted layer connections running vertically.

Номер патента: FR2697109A1. Автор: FUJII Shigeru,Kitagawa Masaya. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1994-04-22.

RF power transistors with video bandwidth circuits, and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09692363B2. Автор: Ning Zhu,Damon G. Holmes,Jeffrey K. Jones. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Method and apparatus for surface mounted power transistor with heat sink

Номер патента: US6812562B2. Автор: Glynn Russell Ashdown. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2004-11-02.

Power transistor with integrated temperature sensor element, power transistor circuit, method for operating a power transistor, and method for operating a power transistor circuit

Номер патента: US09728580B2. Автор: Steffen Thiele,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-08.

Asymmetrical reset transistor with double-diffused source for CMOS image sensor

Номер патента: US7649231B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Shou-Gwo Wuu,Chien-Hsien Tseng,Ho-Ching Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2010-01-19.

Interleaved high side and low side power transistors with variable finger spacing

Номер патента: US20240153938A1. Автор: Neil GIBSON,Henry L. Edwards,Archana Venugopal,Jerry L. Doorenbos,Viola Schaeffer,Gerald Gradl. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor device including transistor with back gate, and memory device including the semiconductor device

Номер патента: US09990997B2. Автор: Kiyoshi Kato,Takanori Matsuzaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Image sensor including a transistor with a vertical channel and a method of manufacturing the same

Номер патента: EP4099387A2. Автор: Wonseok Lee,Eunsub Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-07.

Image sensor including a transistor with a vertical channel and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20220384512A1. Автор: Wonseok Lee,Eunsub Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-01.

Organic thin film transistor with ion exchanged glass substrate

Номер патента: US20130140540A1. Автор: Mingqian He,James Robert Matthews,Jianfeng Li,Michael S. Pambianchi. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2013-06-06.

Methods, structures, and circuits for transistors with gate-to-body capacitive coupling

Номер патента: US20030001208A1. Автор: Leonard Forbes,Wendell Noble. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-01-02.

Method of forming a bi-directional transistor with by-pass path

Номер патента: US8530284B2. Автор: Stephen P. Robb,Francine Y. Robb. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2013-09-10.

Bi-directional transistor with by-pass path and method therefor

Номер патента: US20110127573A1. Автор: Stephen P. Robb,Francine Y. Robb. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-02.

Semiconductor device having transistor with high electro-static discharge capability and high noise capability

Номер патента: US20040238893A1. Автор: Shin Kiuchi,Yuichi Harada,Tatsuhiko Fujihira,Takeshi Ichimura,Hiroshi Tobisaka,Yoshiaki Minoya,Naoki Yaezawa,Ryu Saitou,Shouichi Furuhata. Владелец: Fuji Electric Device Technology Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-02.

GaN TRANSISTOR WITH IMPROVED BONDING PAD STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20150206847A1. Автор: Jong Won Lim,Ho Kyun Ahn,Hyung Sup Yoon,Hae Cheon Kim,Byoung Gue Min. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2015-07-23.

Display device having buffer transistor with control electrode in non-active area

Номер патента: US11683962B2. Автор: Youngjin Cho,Yangwan Kim,Jisu NA,Joong-Soo Moon. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-20.

CNT thin film transistor with high K polymeric dielectric

Номер патента: US09620728B2. Автор: Zhao Li,Naiying Du,Jacques Lefebvre,Patrick Malenfant,Girjesh Dubey,Gregory Lopinski,Shan Zou. Владелец: NATIONAL RESEARCH COUNCIL OF CANADA. Дата публикации: 2017-04-11.

High mobility polymer thin-film transistors with capillarity-mediated self-assembly

Номер патента: US09573158B2. Автор: Alan Heeger,Chan Luo. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2017-02-21.

Piezoelectronic transistor with co-planar common and gate electrodes

Номер патента: US09444029B2. Автор: Josephine B. Chang,Marcelo A. Kuroda,Brian A. Bryce. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Memory with storage cells having SOI drive and access transistors with tied floating body connections

Номер патента: US5943258A. Автор: Patrick W. Bosshart,Theodore W. Houston. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1999-08-24.

DRAM memory cell and array having pass transistors with recessed channels

Номер патента: US6384439B1. Автор: Darryl Walker. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2002-05-07.

Power transistors with a resistor coupled to a sense transistor

Номер патента: US20190204361A1. Автор: Md Abidur Rahman,Vinayak Hegde,Min Chu,Ankur CHAUHAN,Gary Eugene DAUM,Subrato Roy,Eung Jung Kim,Tikno Harjono,Vijay Krishnamurthy,Kuntal Joardar,Sathish VALLAMKONDA. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-07-04.

Semiconductor integrated circuit device having component transistor with protected gate electrode

Номер патента: US5517050A. Автор: Kunihiro Koyabu. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-05-14.

Stacked and non-stacked transistors with double-sided interconnects

Номер патента: US20240196586A1. Автор: Carl Radens,Brent A. Anderson,Ruilong Xie,Albert M. Chu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Carbon nanotube field-effect transistor with sidewall-protected metal contacts

Номер патента: US09972800B2. Автор: Shu-Jen Han,Jianshi Tang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Vertical-type organic light-emitting transistors with reduced leakage current and method for fabricating the same

Номер патента: US09780340B2. Автор: In-Ho Lee,Sin-Doo Lee,Gyujeong LEE. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2017-10-03.

Carbon nanotube field-effect transistor with sidewall-protected metal contacts

Номер патента: US09577204B1. Автор: Shu-Jen Han,Jianshi Tang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Thin film transistor with a current-induced channel

Номер патента: US09515273B2. Автор: Baquer Mazhari,Ankita Gangwar. Владелец: INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY KANPUR. Дата публикации: 2016-12-06.

Light-emitting transistors with improved performance

Номер патента: US09437842B2. Автор: Antonio Facchetti. Владелец: Polyera Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Pixel circuit having a dual gate transistor with voltage stabilization and, manufacturing method thereof

Номер патента: US20230411411A1. Автор: Huijun Li,Siyu Wang,Mengqi WANG. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Vertical transistor with hardening implantation

Номер патента: US20140097400A1. Автор: Young Pil Kim,Maroun Georges Khoury,Peter Nicholas Manos,Chulmin Jung,Dadi Setiadi,Hyung-Kew Lee. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2014-04-10.

Transistor with distributed thermal feedback

Номер патента: US20240146254A1. Автор: Henry Edwards,Orlando LAZARO,Ankur CHAUHAN,Kushal MURTHY,Andres Blanco. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor device having a transistor with an oxide semiconductor layer between a first gate electrode and a second gate electrode

Номер патента: US09524993B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Organic thin film transistor with modified surface of gate-dielectric

Номер патента: EP1481428A1. Автор: Mark J. Pellerite,Dennis E. Vogel,Larry D. Boardman,Terrance P. Smith,Timothy D. Dunbar,Kim M. Vogel,Tommie W. Kelley,Dawn V. Muyres. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2004-12-01.

Broadband voltage-to-current converter on field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2739213C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Андреевич Жук,Алексей Евгеньевич Титов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2020-12-22.

Differential input voltage converter with paraphase current outputs based on complementary field transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2724975C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Евгеньевич Титов,Дмитрий Владимирович Клейменкин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-06-29.

Multifunctional current mirror on complementary field-effect transistors with control pn-junction for operation at low temperatures

Номер патента: RU2720557C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Анна Витальевна Бугакова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-05-12.

Intermediate cascade of operational amplifier with paraphrase output on complementary field transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2720555C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Николай Владимирович Бутырлагин,Алексей Андреевич Жук,Елена Владимировна Овсепян. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-05-12.

Rectifier circuit with multiple cells, each cell having transistors with bulks biased by signals generated in other cells to control threshold voltage, and corresponding device and method

Номер патента: US10312821B2. Автор: Giuseppe Palmisano,Ranieri Guerra,Leandro GRASSO. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-06-04.

High-speed output cascade of analogue microcircuits on complementary field-effect transistors with control p-n junction for operation at low temperatures

Номер патента: RU2711725C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Дмитрий Геннадьевич Дроздов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-21.

Differential amplifier on field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2766861C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Владислав Евгеньевич Чумаков,Алексей Вадимович Кунц,Алексей Арсеньевич Павлючик. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2022-03-16.

Differential cascade on complementary field-effect transistors with control p-n junction of class ab with variable voltage of restriction of pass characteristic

Номер патента: RU2712414C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Петр Сергеевич Будяков,Анна Витальевна Бугакова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-28.

Buffer amplifier of class ab on complementary field-effect transistors with control p-n junction for operation at low temperatures

Номер патента: RU2721940C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Елена Владимировна Овсепян,Екатерина Петровна Никитина. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-05-25.

Differential amplifier based on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2736412C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Олег Владимирович Дворников,Анна Витальевна Бугакова,Дмитрий Геннадьевич Дроздов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-11-17.

Differential amplifier of class ab on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2736549C1. Автор: Петр Сергеевич Будяков,Илья Викторович Пахомов,Алексей Андреевич Жук,Иван Николаевич Третьяк. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2020-11-18.

Hybrid metal-oxide semiconductor field-effect transistor with variable gate impedance and implementation method thereof

Номер патента: US20230039285A1. Автор: Tung Ming Lai,Wen Nan Huang,Ching Kuo CHEN,Shiu Hui Lee,Cho Lan Peng,Chuo Chien TSAO. Владелец: Potens Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-02-09.

Operational amplifier with "floating" input differential cascade on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2741055C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Андреевич Жук,Владислав Евгеньевич Чумаков,Дмитрий Владимирович Клейменкин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2021-01-22.

Non-inverting current mirror on complementary field-effect transistors with pn-junction control for operation at low temperatures

Номер патента: RU2720554C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-05-12.

Differential stage on complete field transistors with increased temperature stability of the static mode

Номер патента: RU2746888C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Петр Сергеевич Будяков,Алексей Андреевич Жук,Владислав Евгеньевич Чумаков. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2021-04-21.

Low-temperature and radiation-stable voltage follower on complementary field transistors with control p-n junction for tasks of designing active rc-filters

Номер патента: RU2723673C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Евгеньевич Титов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-06-17.

Composite transistor based on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2710846C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Дмитрий Геннадьевич Дроздов,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-14.

Differential cascade of ab class on complementary field transistors with control p-n junction for operation in low temperature conditions

Номер патента: RU2710847C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Дмитрий Геннадьевич Дроздов,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-14.

Differential operational amplifier on field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2739577C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Владислав Евгеньевич Чумаков. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2020-12-28.

Low-temperature and radiation-proof compensation voltage stabilizer on complementary field transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2732950C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Олег Владимирович Дворников,Илья Викторович Пахомов,Дмитрий Геннадьевич Дроздов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-09-24.

Differential amplifier on complimentary field transistors with controlled voltage limitations of passage characteristics

Номер патента: RU2679970C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Олег Владимирович Дворников,Анна Витальевна Бугакова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2019-02-14.

Metal-oxide semiconductor field-effect transistor with asymmetric parallel die and implementation method thereof

Номер патента: US20230037951A1. Автор: Tung Ming Lai,Wen Nan Huang,Ching Kuo CHEN,Hsiang Chi Meng,Chih Ming Yu. Владелец: Potens Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-02-09.

Metal-oxide semiconductor field-effect transistor with asymmetric parallel dies and method of using the same

Номер патента: US12101026B2. Автор: Tung Ming Lai,Wen Nan Huang,Ching Kuo CHEN,Hsiang Chi Meng,Chih Ming Yu. Владелец: Potens Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Differential amplifier on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2688225C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2019-05-21.

Differential cascade on complementary jfet field-effect transistors with high attenuation of input in-phase signal

Номер патента: RU2710296C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2019-12-25.

4f2 vertical access transistor with reduced floating body effect

Номер патента: US20240341082A1. Автор: Zhijun CHEN,Milan PESIC,Fredrick FISHBURN. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

4f2 vertical access transistor with reduced floating body effect

Номер патента: WO2024211157A1. Автор: Zhijun CHEN,Milan PESIC,Fredrick FISHBURN. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-10-10.

Low-temperature two-stage operational amplifier with paraphase output on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2721942C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Дмитрий Геннадьевич Дроздов,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-05-25.

Low-temperature operational amplifier with high attenuation of input in-phase signal on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2732583C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Петр Сергеевич Будяков,Илья Викторович Пахомов,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-09-21.

Analogue microcircuit output cascade on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2710917C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Олег Владимирович Дворников,Екатерина Петровна Никитина. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-14.

Buffer amplifier on complementary field-effect transistors with control p-n junction for operation at low temperatures

Номер патента: RU2684489C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Петр Сергеевич Будяков,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Евгеньевич Титов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2019-04-09.

Buffer amplifier based on complementary field-effect transistors with control p-n junction for operation at low temperatures

Номер патента: RU2710923C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Дмитрий Геннадьевич Дроздов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-14.

Transistor amplifier having field effect transistors with stabilized drain bias current

Номер патента: CA1042995A. Автор: Tadao Suzuki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1978-11-21.

Buffer amplifier with low zero-offset voltage on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2712410C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Петр Сергеевич Будяков,Анна Витальевна Бугакова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-28.

Differential amplifier on complementary field-effect transistors with high stability of static mode

Номер патента: RU2710930C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Петр Сергеевич Будяков,Илья Викторович Пахомов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-14.

Superconducting field-effect transistors with inverted misfet structure and method for making the same

Номер патента: CA2058780A1. Автор: Johannes G. Bednorz,Jochen D. Mannhart,Carl A. Mueller. Владелец: Carl A. Mueller. Дата публикации: 1992-07-08.

Method for making a high-temperature superconducting field-effect transistor with thick superconducting channel layer

Номер патента: US5663081A. Автор: Jeong-Dae Suh,Gun-Yong Sung. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 1997-09-02.

Method of determination of transient thermal resistance of crystal-housing and thermal resistance of crystal-housing in the state of heat equilibrium of transistors with field control

Номер патента: RU2685769C1. Автор: Николай Николаевич Беспалов,Владислав Геннадьевич Мясин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарёва". Дата публикации: 2019-04-23.

A method and apparatus for implementing a radiation hardened n-channel transistor with the use of non-radiation hardened transistors

Номер патента: WO2007067576A3. Автор: Steven Summer. Владелец: Steven Summer. Дата публикации: 2007-12-06.

A method and apparatus for implementing a radiation hardened n-channel transistor with the use of non-radiation hardened transistors

Номер патента: WO2007067576A2. Автор: Steven Summer. Владелец: Steven Summer. Дата публикации: 2007-06-14.

Interference-free multivibrator switching circuit using saturated undoped transistors with large base-to-emitter capacity

Номер патента: US3582673A. Автор: Kenneth Hubert Clayson,Anthony Waddington-Morris. Владелец: Wilmot Breeden Ltd. Дата публикации: 1971-06-01.

Номер патента: WO2021163136A1. Автор: Jaehyun Lee,Andrew R. Brown,Binjie CHENG,Salvatore Maria Amoroso,Plamen A. Asenov,Manuel Aldegunde Rodriguez,Andrew John Pender,David T. Reid. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2021-08-19.

Method and apparatus for implementing a radiation hardened N-channel transistor with the use of non-radiation hardened transistors

Номер патента: US7215174B1. Автор: Steven E. Summer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-08.

Transistors with source and word line voltage adjusting circuitry for controlling leakage currents and its method thereof

Номер патента: US09466342B2. Автор: Shinji Miyano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Номер патента: RU2593443C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Хаджимурат Магомедович Гаджиев,Татьяна Алексеевна Челушкина,Солтанат Магомедовна Гаджиева,Дмитрий Алексеевич Челушкин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Дагестанский государственный технический университет". Дата публикации: 2016-08-10.

Production method of super-high frequency (shf) field-effect transistor with schottki barrier

Номер патента: RU2361319C1. Автор: Александр Михайлович Темнов,Владимир Григорьевич Лапин,Константин Игнатьевич Петров. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток"). Дата публикации: 2009-07-10.

Magnetic transistor with collector current compensation

Номер патента: RU2591736C1. Автор: Антон Викторович Козлов,Роберт Дмитриевич Тихонов,Антон Юрьевич Красюков,Юрий Александрович Чапыгин. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники". Дата публикации: 2016-07-20.

Process of fabrication of self-scaling field-effect transistor with struct ure of superself-aligned bipolar transistor

Номер патента: RU2230392C2. Автор: Н.М. Манжа,Н.А. Щербаков,М.И. Лукасевич,Е.С. Горнев,М.И. Клычников. Владелец: Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон". Дата публикации: 2004-06-10.

Shf high-power transistor with multilayer epitaxial structure

Номер патента: RU2519054C1. Автор: Грачик Хачатурович Аветисян,Алексей Сергеевич Адонин,Юрий Владимирович Колковский,Виктор Алексеевич Курмачев,Вадим Минхатович Миннебаев,Алексей Анатольевич Дарофеев. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Научно-Производственное Предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2014-06-10.

Method to manufacture field transistors with self-aligned gate of submicron length

Номер патента: RU2436186C2. Автор: Вадим Станиславович Арыков,Анастасия Михайловна Гаврилова,Ольга Анатольевна Дедкова,Юрий Викторович Лиленко. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов" (ОАО "НИИПП"). Дата публикации: 2011-12-10.

Method of producing high-frequency transistor with nanometer gates

Номер патента: RU2578517C1. Автор: Николай Анатольевич Торхов. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов" (ОАО "НИИПП"). Дата публикации: 2016-03-27.

Transistor with metal-oxide-semiconductor structure on silicon-on-insulator substrate

Номер патента: RU2477904C1. Автор: Сергей Иванович Бабкин,Святослав Игоревич Волков,Андрей Александрович Глушко. Владелец: Учреждение Российской академии наук Научно-исследовательский институт системных исследований РАН (НИИСИ РАН). Дата публикации: 2013-03-20.

Structure of bipolar transistor with emitter of sub-micron dimensions, and method for manufacturing said structure

Номер патента: RU2279733C2. Автор: Алексей Николаевич Долгов,Александр Николаевич Еременко,Михаил Иванович Клычников,Дмитрий Григорьевич Кравченко,Михаил Иванович Лукасевич,Николай Михайлович Манжа. Владелец: Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон". Дата публикации: 2006-07-10.

Номер патента: RU2427942C1. Автор: Виктор Николаевич Мурашев,Сергей Александрович Леготин,Сергей Иванович Диденко,Светлана Петровна Кобелева,Алексей Сергеевич Корольченко,Олег Михайлович Орлов,Михаил Павлович Коновалов,Дмитрий Леонидович Волков. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС". Дата публикации: 2011-08-27.

Transistor With Embedded Si/Ge Material Having Reduced Offset and Superior Uniformity

Номер патента: US20120001254A1. Автор: Javorka Peter,Kronholz Stephan,Boschke Roman. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Planar power mos transistor with schottky barrier for suppressing drain capacitance

Номер патента: RU2229758C1. Автор: Р.Д. Тихонов,М.А. Королев,А.Ю. Красюков. Владелец: Государственное учреждение научно-производственный комплекс "Технологический центр" МИЭТ. Дата публикации: 2004-05-27.

Transistor with airgap spacer

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты