Methods for ldmos and other mos transistors with hybrid contact
Номер патента: US20210134999A1
Опубликовано: 06-05-2021
Автор(ы): Brendan TONER, Gary M Dolny, William R RICHARDS, Jr., Zhengchao Liu
Принадлежит: Silicet LLC, X Fab Global Services GmbH
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 06-05-2021
Автор(ы): Brendan TONER, Gary M Dolny, William R RICHARDS, Jr., Zhengchao Liu
Принадлежит: Silicet LLC, X Fab Global Services GmbH
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Mosfet transistors with hybrid contact
Номер патента: US20220254914A1. Автор: Gary M Dolny,Brendan TONER,Zhengchao Liu,William R RICHARDS, Jr.. Владелец: Amplexia LLC. Дата публикации: 2022-08-11.