Spin transistor with ultra-low energy base-collector barrier.

Spin transistor with ultra-low energy base-collector barrier

Номер патента: US20060267145A1
Опубликовано: 30-11-2006
Автор(ы): Brian Karr, David Olson, Eric Linville, Janusz Nowak, Paul Anderson
Принадлежит: SEAGATE TECHNOLOGY LLC
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Spin injection device having semicondcutor-ferromagnetic-semiconductor structure and spin transistor

Номер патента: WO2008005856A2. Автор: Ya-Hong Xie. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2008-01-10.

Spin injection device having semicondcutor-ferromagnetic-semiconductor structure and spin transistor

Номер патента: WO2008005856A3. Автор: Ya-Hong Xie. Владелец: Univ California. Дата публикации: 2008-06-19.

Spin injection device having semiconductor-ferromagnetic-semiconductor structure and spin transistor

Номер патента: US20100102319A1. Автор: Ya-Hong Xie. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2010-04-29.

Spin injection device having semiconductor-ferromagnetic-semiconductor structure and spin transistor

Номер патента: US8233315B2. Автор: Ya-Hong Xie. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2012-07-31.

Spin injection device having semiconductor-ferromagnetic-semiconductor structure and spin transistor

Номер патента: US8098515B2. Автор: Ya-Hong Xie. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2012-01-17.

Non-magnetic semiconductor spin transistor

Номер патента: US7492022B2. Автор: Kimberley C. Hall,Wayne H. Lau,Kenan Gündo{hacek over (g)}du,Michael E. Flatté,Thomas F. Boggess. Владелец: University of Iowa Research Foundation UIRF. Дата публикации: 2009-02-17.

Spin Transistor Using Epitaxial Ferromagnet-Semiconductor Junction

Номер патента: US20090152606A1. Автор: Kyung Ho Kim,Hyun Cheol Koo,Suk Hee Han,Joon Yeon Chang,Hyung Jun Kim. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2009-06-18.

Method for producing a transistor with metallic source and drain

Номер патента: US20110003443A1. Автор: Maud Vinet,Thierry Poiroux,Bernard Previtali. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2011-01-06.

Method for making heterojunction bipolar transistor with self-aligned retrograde emitter profile

Номер патента: US5656514A. Автор: Martin Revitz,Jack Chu,David Ahlgren,Paul Ronsheim,Mary Saccamango,David Sunderland. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1997-08-12.

Method for fabricating a field-effect transistor with a self-aligned gate

Номер патента: CA1271850A. Автор: John Edward Cunningham,Erdmann Fred Schubert,Won Tien Tsang. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1990-07-17.

Mesfet transistor with air layer between gate electrode connections and substrate

Номер патента: CA1266132A. Автор: Giampiero Donzelli. Владелец: Telettra Telefonia Elettronica e Radio SpA. Дата публикации: 1990-02-20.

Membrane electrode with ultra-low oxygen mass transfer resistance

Номер патента: US12057610B2. Автор: Chao Wang,Xiaojing Cheng,Junliang Zhang,Guanghua Wei,Yutong Liu. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2024-08-06.

Access and communication using near ultra low energy fields

Номер патента: US20220277602A1. Автор: Anthony McFarthing. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-09-01.

Access and communication using near ultra low energy fields

Номер патента: WO2022182420A1. Автор: Anthony McFarthing. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-09-01.

Access and communication using near ultra low energy fields

Номер патента: EP4298729A1. Автор: Anthony McFarthing. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-01-03.

Field effect transistor with self-aligned gate

Номер патента: CA1082371A. Автор: Robert H. Dennard,Vincent L. Rideout. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-07-22.

Method of improving the radiation resistance of silicon transistors with a silicon oxide coating

Номер патента: US3829961A. Автор: R Bauerlein,D Uhl. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1974-08-20.

Electrostatic discharge protecting circuit with ultra-low standby leakage current for twice supply voltage tolerance

Номер патента: US20110026175A1. Автор: Ming-Dou Ker,Chang-Tzu Wang,Chua-Chin Wang. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2011-02-03.

Semiconductor processing system with ultra low-k dielectric

Номер патента: SG144033A1. Автор: HSIA Liang Choo,ZHANG Bei Chao,Yasri Yudhistira,Johnny Widodo. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-07-29.

Micro-leds with ultra-low leakage current

Номер патента: WO2020096859A9. Автор: Steven P. DenBaars,Tal Margalith,Matthew S. WONG,Lesley Chan. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2020-08-13.

Micro-leds with ultra-low leakage current

Номер патента: EP3878020A1. Автор: Steven P. DenBaars,Tal Margalith,Matthew S. WONG,Lesley Chan. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2021-09-15.

Superconducting Interconnects with Ultra-Low Thermal Conductivity

Номер патента: US20200350709A1. Автор: Vyacheslav Solovyov. Владелец: Brookhaven Technology Group Inc. Дата публикации: 2020-11-05.

Spin Transistor Using Stray Magnetic Field

Номер патента: US20080169492A1. Автор: Hyun Cheol Koo,Suk Hee Han,Joon Yeon Chang,Hyung Jun Kim,Jong Hwa Eom. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2008-07-17.

Field effect transistor with higher mobility

Номер патента: WO1997037386A1. Автор: Matthew S. Buynoski. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 1997-10-09.

Field effect transistor with higher mobility

Номер патента: US5729045A. Автор: Matthew S. Buynoski. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1998-03-17.

Insulated gate bipolar transistor with super junction structure, and preparation method therefor

Номер патента: US20240290827A1. Автор: LI Wan,Xiandong Ma,Pengcheng Zhang. Владелец: China Resources Microelectronics Chongqing Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Insulated gate bipolar transistor with super junction structure, and preparation method therefor

Номер патента: EP4336561A1. Автор: LI Wan,Xiandong Ma,Pengcheng Zhang. Владелец: China Resources Microelectronics Chongqing Ltd. Дата публикации: 2024-03-13.

Preparation method of niobium diselenide film with ultra-low friction and low electrical noise under sliding electrical contact in vacuum

Номер патента: US20230227963A1. Автор: Li Ji,Yang Yang,Jianmin Chen,Xiaohong Liu,Hongxuan Li,Huidi ZHOU. Владелец: Lanzhou Institute Of Chemical Physics Cas. Дата публикации: 2023-07-20.

Silicon/germanium-based nanoparticle pastes with ultra low metal contamination

Номер патента: WO2014099978A1. Автор: Uma Srinivasan,Weidong Li,Masaya SOEDA,Ha Thi-Hoang NGUYEN. Владелец: NanoGram Corporation. Дата публикации: 2014-06-26.

Laminating film adhesives with ultra-low moisture permeability

Номер патента: US20200109320A1. Автор: HONG Jiang. Владелец: Henkel IP and Holding GmbH. Дата публикации: 2020-04-09.

Lead-acid battery separators with ultra low resistivity and sustained wettability

Номер патента: US09997756B2. Автор: Richard W. Pekala,Robert Waterhouse,David P. Walker,Chi Thuong-Le La,Cory S. Rogers,Jeffry M. Frenzel. Владелец: Amtek Research International LLC. Дата публикации: 2018-06-12.

Nanosheet transistor with ultra low-k spacer and improved patterning robustness

Номер патента: US20220399439A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-12-15.

Bi-directional esd diode structure with ultra-low capacitance that consumes a small amount of silicon real estate

Номер патента: US20150243757A1. Автор: Akihiko Yamashita,Kentaro Takahashi,Toshiyuki Tani,Motoaki KUSAMAKI. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-08-27.

TRANSISTOR DEVICE WITH ULTRA LOW-K SELF ALIGNED CONTACT CAP AND ULTRA LOW-K SPACER

Номер патента: US20200279745A1. Автор: Cheng Kangguo. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-03.

MOSFET with ultra low drain leakage

Номер патента: US09887265B2. Автор: Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,Keith E. Fogel,Joel P. de Souza. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

MOSFET with ultra low drain leakage

Номер патента: US09536945B1. Автор: Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,Keith E. Fogel,Joel P. de Souza. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

BI-DIRECTIONAL ESD DIODE STRUCTURE WITH ULTRA-LOW CAPACITANCE THAT CONSUMES A SMALL AMOUNT OF SILICON REAL ESTATE

Номер патента: US20150001672A1. Автор: Takahashi Kentaro,Tani Toshiyuki,Yamashita Akihiko,Kusamaki Motoaki. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-01.

MOSFET WITH ULTRA LOW DRAIN LEAKAGE

Номер патента: US20190006466A1. Автор: Sadana Devendra K.,Kim Jeehwan,Fogel Keith E.,de Souza Joel P.. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-03.

Mosfet with ultra low drain leakage

Номер патента: US20170033203A1. Автор: Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,Keith E. Fogel,Joel P. de Souza. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-02.

BI-DIRECTIONAL ESD DIODE STRUCTURE WITH ULTRA-LOW CAPACITANCE THAT CONSUMES A SMALL AMOUNT OF SILICON REAL ESTATE

Номер патента: US20150243757A1. Автор: Takahashi Kentaro,Tani Toshiyuki,Yamashita Akihiko,Kusamaki Motoaki. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-27.

Method of forming junction-leakage free metal salicide in a semiconductor wafer with ultra-low silicon consumption

Номер патента: US6383906B1. Автор: Paul R. Besser,Karsten Wieczorek,Nicholas Kepler,Larry Y. Wang. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-05-07.

Method for fabricating transistor with thinned channel

Номер патента: US09806195B2. Автор: Jack T. Kavalieros,Justin K. Brask,Brian S. Doyle,Robert S. Chau,Suman Datta,Marko Radosavljevic,Amlan Majumdar,Mark L. Doczy,Matthew V. Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of making field effect transistors with opposed source _and gate regions

Номер патента: US4507845A. Автор: Kenichi Nakano,George W. McIver,John J. Berenz. Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 1985-04-02.

NPN transistor with base double doped with arsenic and boron

Номер патента: US4667218A. Автор: Hidekuni Ishida,Toshio Yonezawa,Kouichi Takahashi. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1987-05-19.

Spin transistor, programmable logic circuit, and magnetic memory

Номер патента: KR100686682B1. Автор: 요시아끼 사이또,히데유끼 스기야마. Владелец: 가부시끼가이샤 도시바. Дата публикации: 2007-02-26.

Platform system and method for transmitting video in real time with ultra-low latency

Номер патента: US20240137586A1. Автор: Sang Hoon Lee,Soo Hyun Park,Hack Kyung KIM. Владелец: QUOPIN CO Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Platform system and method for transmitting video in real time with ultra-low latency

Номер патента: US20240236386A9. Автор: Sang Hoon Lee,Soo Hyun Park,Hack Kyung KIM. Владелец: QUOPIN CO Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Apparatus and method for encoding video with ultra-low latency

Номер патента: US20240098132A1. Автор: Sang Hoon Lee,Soo Hyun Park,Hack Kyung KIM. Владелец: QUOPIN CO Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Near ultra-low energy field (nulef) headset communications

Номер патента: US20210204105A1. Автор: Anthony McFarthing,Zafer Boz. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Near ultra low energy field transducer design

Номер патента: US11894885B2. Автор: Anthony McFarthing,Jimmy Andreas Johansson. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Near ultra low energy field transducer design

Номер патента: WO2023229838A1. Автор: Anthony McFarthing,Jimmy Andreas Johansson. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-11-30.

Near ultra low energy field transducer design

Номер патента: US20230379006A1. Автор: Anthony McFarthing,Jimmy Andreas Johansson. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

AIR-GAP STRUCTURE FORMATION WITH ULTRA LOW-K DIELECTRIC LAYER ON PECVD LOW-K CHAMBER

Номер патента: US20160099167A1. Автор: Demos Alexandros T.,Yim Kang Sub,KIM Taewan. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-07.

MOSFET WITH ULTRA LOW DRAIN LEAKAGE

Номер патента: US20170033180A1. Автор: Sadana Devendra K.,Kim Jeehwan,Fogel Keith E.,de Souza Joel P.. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-02.

High-voltage power device with ultra-low specific on-resistance characteristic

Номер патента: CN104201194A. Автор: 张波,陈钢,乔明,李肇基,章文通. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2014-12-10.

Emitter-coupled spin-transistor logic

Номер патента: US09780791B2. Автор: Gokhan Memik,Joseph S. Friedman,Bruce W. Wessels. Владелец: Northwestern University. Дата публикации: 2017-10-03.

Spin transistors based on voltage-controlled magnon transport in multiferroic antiferromagnets

Номер патента: WO2021236200A3. Автор: Chang-Beom Eom,Tianxiang Nan,Jonathon SCHAD. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2022-01-20.

Spin transistors based on voltage-controlled magnon transport in multiferroic antiferromagnets

Номер патента: EP4115455A2. Автор: Chang-Beom Eom,Tianxiang Nan,Jonathon SCHAD. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2023-01-11.

Spin transistors based on voltage-controlled magnon transport in multiferroic antiferromagnets

Номер патента: WO2021236200A2. Автор: Chang-Beom Eom,Tianxiang Nan,Jonathon SCHAD. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2021-11-25.

Spin transistors based on voltage-controlled magnon transport in multiferroic antiferromagnets

Номер патента: US12080783B2. Автор: Chang-Beom Eom,Tianxiang Nan,Jonathon SCHAD. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2024-09-03.

Spin transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US7470551B2. Автор: Ying-Wen Huang,Der-Ray Huang,Jau-Jiu Ju,Yeong-Der Yao,Chi-Kuen Lo,Lan-Chin Hsieh. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2008-12-30.

Emitter-coupled spin-transistor logic

Номер патента: US20160134287A1. Автор: Gokhan Memik,Joseph S. Friedman,Bruce W. Wessels. Владелец: Northwestern University. Дата публикации: 2016-05-12.

Ferromagnet-free spin transistor and method for operating the same

Номер патента: US09337272B2. Автор: Won Young Choi,Hyung-Jun Kim,Hyun Cheol Koo,Suk Hee Han,Joonyeon Chang. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2016-05-10.

Spin transistor based on the spin-filter effect, and non-volatile memory using spin transistors

Номер патента: US20080067501A1. Автор: Masaaki Tanaka,Satoshi Sugahara. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2008-03-20.

Spin Transistors Employing a Piezoelectric Layer and Related Memory, Memory Systems, and Methods

Номер патента: US20130299880A1. Автор: Yang Du. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-11-14.

Spin transistors employing a piezoelectric layer and related memory, memory systems, and methods of manufacturing thereof

Номер патента: EP2847806A2. Автор: Yang Du. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-03-18.

Spin transistors employing a piezoelectric layer and related memory, memory systems, and methods

Номер патента: WO2013170070A2. Автор: Yang Du. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2013-11-14.

Spin transistors and memory

Номер патента: US20130248941A1. Автор: Yoshiaki Saito,Tomoaki Inokuchi,Hideyuki Sugiyama,Mizue ISHIKAWA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-26.

Spin transistor memory

Номер патента: US09842635B2. Автор: Yoshiaki Saito,Tomoaki Inokuchi,Hideyuki Sugiyama,Mizue ISHIKAWA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Bipolar transistor with embedded epitaxial external base region and method of forming the same

Номер патента: US9012291B2. Автор: Wei Zhang,Jun Fu,Jie Cui,Ping Xu,Yue Zhao,Yu-dong Wang,Zhi-hong Liu,Gao-qing Li,Zheng-li Wu. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-04-21.

High-k / metal gate CMOS transistors with TiN gates

Номер патента: US09721847B2. Автор: Hiroaki Niimi,Brian K. Kirkpatrick. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Reduced leakage transistors with germanium-rich channel regions

Номер патента: WO2017111849A1. Автор: Glenn A. Glass,Karthik Jambunathan,Anand S. Murthy,Chandra S. Mohapatra,Seiyon Kim,Jun Sung Kang. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-06-29.

Transistor with pi-gate structure and method for producing the same

Номер патента: US20020063293A1. Автор: Yeon-Sik Chae,Jin-Koo Rhee,Hyun-Sik Park,Dan An. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-30.

III-N transistors with epitaxial layers providing steep subthreshold swing

Номер патента: US09660067B2. Автор: Robert S. Chau,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Field-effect transistor with two-dimensional channel realized with lateral heterostructures based on hybridized graphene

Номер патента: US09620634B2. Автор: Giuseppe IANNACCONE,Fiori Gianluca. Владелец: UNIVERSITÀ DI PISA. Дата публикации: 2017-04-11.

Self-aligned trench field effect transistors with regrown gates and bipolar junction transistors with regrown base contact regions and methods of making

Номер патента: CA2632233A1. Автор: Igor Sankin,Joseph Neil Merrett. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-14.

Source-Down Transistor with Vertical Field Plate

Номер патента: US20210151596A1. Автор: Che-Yung Lin,Chiao-Shun Chuang. Владелец: Diodes Inc. Дата публикации: 2021-05-20.

Bipolar transistor with low resistance base contact and method of making the same

Номер патента: US20090283801A1. Автор: Kathryn Turner Schonenberg,Francois Pagette. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-11-19.

Laterally diffused metal-oxide-semiconductor (LDMOS) transistor with a vertical channel region

Номер патента: US09768293B1. Автор: Chin-Yi Huang,Wan-Jyun Syue,Kuo-Lung Tzeng,Zhuo-Cang YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Transistor with asymmetric silicon germanium source region

Номер патента: US20120003802A1. Автор: Jian Chen,James F. Buller,Akif Sultan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-01-05.

Ldmos transistor with implant alignment spacers

Номер патента: US20230231034A1. Автор: Hernan Rueda,Martin Garcia,Rodney Arlan Barksdale,Stephen C. Chew,Wayne Geoffrey Risner. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

High electron mobility transistor with gate electrode below the channel

Номер патента: US20230197842A1. Автор: Peter Mueller,Thomas Morf,Cezar Bogdan Zota,Eunjung Cha. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Transistor with dual spacer and forming method thereof

Номер патента: US20190157418A1. Автор: Chih-Chung Wang,Chia-Ling Wang,Wen-Fang Lee,Ping-Hung Chiang,Chang-Po Hsiung,Nien-Chung Li,Chia-Wen Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-05-23.

Transistor with phase transition material region between channel region and each source/drain region

Номер патента: US20220140131A1. Автор: Peter Javorka,Mohit Bajaj,Avinash Lahgere,Prashanth Paramahans Manik,Ali Icel. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-05-05.

Nanoribbon-based transistor with uniform oxide

Номер патента: EP4451340A1. Автор: Robin Chao,Siddharth Gupta,Biswajeet Guha,Aravind Killampalli,Jay Prakash Gupta. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-23.

Nanoribbon-based transistor with uniform oxide

Номер патента: US20240355876A1. Автор: Robin Chao,Siddharth Gupta,Biswajeet Guha,Aravind Killampalli,Jay Prakash Gupta. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

LDMOS transistor with implant alignment spacers

Номер патента: US12132099B2. Автор: Hernan Rueda,Martin Garcia,Rodney Arlan Barksdale,Stephen C. Chew,Wayne Geoffrey Risner. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Advanced transistors with punch through suppression

Номер патента: US09508800B2. Автор: Weimin Zhang,Pushkar Ranade,Scott E. Thompson,Lucian Shifren,Sachin R. Sonkusale,Paul E. Gregory. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Reducing direct source-to-drain tunneling in field effect transistors with low effective mass channels

Номер патента: US09337255B1. Автор: Jeffrey W. Sleight,Anirban Basu,Amlan Majumdar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-10.

Apparatus and circuits including transistors with different threshold voltages and methods of fabricating the same

Номер патента: US20200135722A1. Автор: Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Method of fabricating transistor with short gate length by two-step photolithography

Номер патента: US11367615B2. Автор: YI Chang,Yueh-Chin Lin,Po-Sheng Chang. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2022-06-21.

Transistor arrangement and method for producing a transistor with a fin structure

Номер патента: US20240128358A1. Автор: Daniel Krebs,Jens Baringhaus. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-04-18.

Method of fabricating a transistor with reduced hot carrier injection effects

Номер патента: US20170243950A1. Автор: Kuan-Liang Liu,Shih-Yin Hsiao,Ching-Chung Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-24.

Vertical heterojunction bipolar transistors with reduced base-collector junction capacitance

Номер патента: US20120221987A1. Автор: Renata Camillo-Castillo,Qizhi Liu,Erik M. Dahlstrom. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-08-30.

Gate-all-around (gaa) transistors with additional bottom channel for reduced parasitic capacitance and methods of fabrication

Номер патента: US20210384310A1. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Jun Yuan,Peijie Feng. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Apparatus and circuits including transistors with different polarizations and methods of fabricating the same

Номер патента: US20220130989A1. Автор: Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Transistor with fin structure and nanosheet and fabricating method of the same

Номер патента: US20240162291A1. Автор: Yu-Ming Lin,Cheng-Tung Huang,Ching-In Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Field-effect transistors with buried gates and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20200312970A1. Автор: Paul Fischer,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

Method of making a graphene base transistor with reduced collector area

Номер патента: US20170125557A1. Автор: Francis J. Kub,Andrew D. Koehler,Travis J. Anderson. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2017-05-04.

Apparatus and circuits including transistors with different polarizations and methods of fabricating the same

Номер патента: US20200161463A1. Автор: Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-21.

Totally self-aligned transistor with polysilicon shallow trench isolation

Номер патента: US6127717A. Автор: Zoran Krivokapic,Ognjen Milic. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-10-03.

Transistor with a negative capacitance and a method of creating the same

Номер патента: US20220302315A1. Автор: FENG Yuan,Tung Ying Lee,Jin Cai,Ming-Shiang LIN,Chia-Cheng Ho,Tzu-Chung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Bipolar transistor with a raised collector pedastal for reduced capacitance and a method of forming the transistor

Номер патента: US20130134483A1. Автор: John J. Pekarik,John J. Ellis-Monaghan,James W. Adkisson,Qizhi Liu,David L. Harame. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-30.

A bipolar transistor with a raised collector pedestal for reduced capacitance and a method of forming the transistor

Номер патента: GB201220384D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-12-26.

Bipolar transistor with thermal conductor

Номер патента: US20230290868A1. Автор: Hong Yu,Vibhor Jain,Judson R. Holt. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Transistor with embedded isolation layer in bulk substrate

Номер патента: US11749717B2. Автор: Anthony K. Stamper,Steven M. Shank,Siva P. Adusumilli,Johnatan A. Kantarovsky,Uzma Rana. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Method for forming a thin film transistor with a lightly doped drain structure

Номер патента: US20020012883A1. Автор: Chih-Chang Chen,Ji-ho Kung. Владелец: Hannstar Display Corp. Дата публикации: 2002-01-31.

Transistor with low leakage currents and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240266438A1. Автор: Chao-Chun Lu,Weng-Dah Ken. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Heterojunction bipolar transistors with reduced base resistance

Номер патента: US8513706B2. Автор: Qizhi Liu,Peter B. Gray,Erik M. Dahlstrom. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-08-20.

Bipolar transistor with self-aligned asymmetric spacer

Номер патента: US20230268401A1. Автор: Hong Yu,Vibhor Jain,Jianwei PENG. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Transistor with embedded insulating structure set

Номер патента: US20240266435A1. Автор: Chin-Chia Kuo,Ming-Hua Tsai,Wei-Hsuan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Schottky barrier field effect transistor with carbon-containing insulation layer and method for fabricating the same

Номер патента: WO2013117028A1. Автор: Wei Wang,Jing Wang,Mei Zhao,Renrong Liang. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-08-15.

Semiconductor device structures including transistors with energy barriers adjacent to transistor channels and associated methods

Номер патента: WO2010065332A2. Автор: Chandra V. Mouli. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2010-06-10.

Transistor with sonos structure having barrier wall over adjacent portions of the select transistor well and memory transistor well

Номер патента: US20190198680A1. Автор: Xiaoliang Tang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-06-27.

Gate-all-around field-effect transistor with extended source/drain

Номер патента: US20240282839A1. Автор: Sang Uk LEE,Rock-Hyun Baek. Владелец: POSTECH Research and Business Development Foundation. Дата публикации: 2024-08-22.

Apparatus and circuits including transistors with different threshold voltages and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240274599A1. Автор: Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Deep collector vertical bipolar transistor with enhanced gain

Номер патента: US20160079364A1. Автор: Alwin J. Tsao,Amitava Chatterjee,Xiang-Zheng Bo,Brian E. Hornung. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-03-17.

Forming vertical transport field effect transistors with uniform bottom spacer thickness

Номер патента: US09991365B1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Yongan Xu,Xuefeng Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

High voltage lateral DMOS transistor with optimized source-side blocking capability

Номер патента: US09831320B2. Автор: Sameer Pendharkar,Marie Denison,Philip Leland HOWER. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Heterojunction bipolar transistor with stress component

Номер патента: US09825157B1. Автор: Anthony K. Stamper,Vibhor Jain,Renata A. Camillo-Castillo. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

High voltage lateral DMOS transistor with optimized source-side blocking capability

Номер патента: US09793375B2. Автор: Sameer Pendharkar,Marie Denison,Philip Leland HOWER. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Closely packed vertical transistors with reduced contact resistance

Номер патента: US09735253B1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Trench DMOS transistor with reduced gate-to-drain capacitance

Номер патента: US09716167B2. Автор: Yaojian Leng,Richard Wendell Foote, Jr.,Steven J. Adler. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Transistor with wrap-around extrinsic base

Номер патента: US12142673B2. Автор: John J. Pekarik,Vibhor Jain,Kenneth J. Stein,Shyue Seng Tan,Qizhi Liu,Yung Fu Chong,Xinshu CAI,Judson R. Holt,Kien Seen Daniel Chong. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-11-12.

FinFET transistor with epitaxial structures

Номер патента: US09666715B2. Автор: Chun-Hsien Lin,Chen-Yi Weng,Chung-Fu Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Low cost demos transistor with improved CHC immunity

Номер патента: US09577094B2. Автор: Amitava Chatterjee,Kaiping Liu,Shaoping Tang,Imran Mahmood Khan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

High voltage lateral extended drain MOS transistor with improved drift layer contact

Номер патента: US09543149B2. Автор: Sameer Pendharkar,Marie Denison,Philip Leland HOWER. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Deep collector vertical bipolar transistor with enhanced gain

Номер патента: US09397164B2. Автор: Alwin J. Tsao,Amitava Chatterjee,Xiang-Zheng Bo,Brian E. Hornung. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-07-19.

Inverse T-gate FET transistor with lightly doped source and drain region

Номер патента: US5241203A. Автор: Seiki Ogura,Louis L. Hsu,Joseph F. Shepard,Paul J. Tsang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1993-08-31.

High-k/metal gate cmos transistors with tin gates

Номер патента: EP3090445A1. Автор: Hiroaki Niimi,Brian K. Kirkpatrick. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-11-09.

HIGH-K / METAL GATE CMOS TRANSISTORS WITH TiN GATES

Номер патента: US20150187653A1. Автор: Hiroaki Niimi,Brian K. Kirkpatrick. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-07-02.

High-k/metal gate cmos transistors with tin gates

Номер патента: WO2015103412A1. Автор: Hiroaki Niimi,Brian K. Kirkpatrick. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2015-07-09.

HIGH-K / METAL GATE CMOS TRANSISTORS WITH TiN GATES

Номер патента: US20150287643A1. Автор: Hiroaki Niimi,Brian K. Kirkpatrick. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-10-08.

Bipolar transistor with embedded epitaxial external base region and method of forming the same

Номер патента: US20140329368A1. Автор: Wei Zhang,Jun Fu,Jie Cui,Ping Xu,Yue Zhao,Yu-dong Wang,Zhi-hong Liu,Gao-qing Li,Zheng-li Wu. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-11-06.

Thin film transistor with low contact resistance

Номер патента: RU2662945C1. Автор: Дуи Ву ФАМ,Ко Хуэй СУ. Владелец: Эвоник Дегусса Гмбх. Дата публикации: 2018-07-31.

Iii-n transistors with epitaxial layers providing steep subthreshold swing

Номер патента: WO2015147802A1. Автор: Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Robert Chau. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2015-10-01.

Method for producing a transistor with a high degree of electron mobility, and produced transistor

Номер патента: US20230420542A1. Автор: Hans-Joachim Würfl,Elke Meissner. Владелец: Ferdinand Braun Institut GgmbH Leibniz Institut fuer Hoechstfrequenztechnik. Дата публикации: 2023-12-28.

Field effect transistors with self-aligned metal plugs and methods

Номер патента: US20200035555A1. Автор: Hui Zang,Laertis Economikos,Ruilong Xie. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-01-30.

Method of making a graphene base transistor with reduced collector area

Номер патента: US20160087087A1. Автор: Francis J. Kub,Andrew D. Koehler,Travis J. Anderson. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2016-03-24.

Method of making a graphene base transistor with reduced collector area

Номер патента: US9590081B2. Автор: Francis J. Kub,Andrew D. Koehler,Travis J. Anderson. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2017-03-07.

High-electron-mobility transistor with high voltage endurance capability and preparation method thereof

Номер патента: US20210066481A1. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Transistor with counter-electrode connection amalgamated with the source/drain contact

Номер патента: EP2599111A1. Автор: Qing Liu,Maud Vinet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2013-06-05.

Small geometry mos transistor with thin polycrystalline surface contacts and method for making

Номер патента: WO2008137478A3. Автор: Madhukar B Vora,Ashok Kapoor. Владелец: Ashok Kapoor. Дата публикации: 2008-12-31.

Small geometry mos transistor with thin polycrystalline surface contacts and method for making

Номер патента: WO2008137478A2. Автор: Madhukar B. Vora,Ashok Kapoor. Владелец: Dsm Solutions, Inc.. Дата публикации: 2008-11-13.

Demos transistors with sti and compensated well in drain

Номер патента: US20100032755A1. Автор: Hisashi Shichijo,Kamel Benaissa. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-02-11.

Self-aligned trench field effect transistors with regrown gates and bipolar junction transistors with regrown base contact regions and methods of making

Номер патента: US20120305994A1. Автор: Igor Sankin,Joseph Neil Merrett. Владелец: SS SC IP LLC. Дата публикации: 2012-12-06.

Reduced leakage transistors with germanium-rich channel regions

Номер патента: US20180331184A1. Автор: Glenn A. Glass,Karthik Jambunathan,Anand S. Murthy,Chandra S. Mohapatra,Seiyon Kim,Jun Sung Kang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Devices having a transistor with a modified channel region

Номер патента: US20230268419A1. Автор: Haitao Liu,Deepak Chandra Pandey,Naveen KAUSHIK,Chittoor Ranganathan Parthasarathy. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-08-24.

Self-aligned trench field effect transistors with regrown gates and bipolar junction transistors with regrown base contact regions and methods of making

Номер патента: EP1969617A1. Автор: Igor Sankin,Joseph Neil Merrett. Владелец: Semisouth Laboratories Inc. Дата публикации: 2008-09-17.

MOS transistor with gate trench adjacent to drain extension field insulation

Номер патента: US7893499B2. Автор: Sridhar Seetharaman,Sameer Pendharkar,Marie Denison,Binghua Hu,Taylor Rice Efland. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-02-22.

High voltage MOS transistors with reduced parasitic current gain

Номер патента: US5218228A. Автор: Richard A. Blanchard,Richard K. Williams,Robert W. Busse. Владелец: Siliconix Inc. Дата публикации: 1993-06-08.

Transistor with buried insulative layer beneath the channel region

Номер патента: US5930642A. Автор: Robert Dawson,H. Jim Fulford, Jr.,Mark W. Michael,Frederick N. Hause,Mark I. Gardner,Bradley T. Moore,Derick J. Wristers. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1999-07-27.

High-voltage vertical transistor with a multi-layered extended drain structure

Номер патента: US20030197220A1. Автор: Donald Disney. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2003-10-23.

Method for forming a transistor with a conductivity doped base structure

Номер патента: US20240079473A1. Автор: Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Ljubo Radic,Jay Paul John,James Albert Kirchgessner. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Transistor with current terminal regions and channel region in layer over dielectric

Номер патента: US20230420546A1. Автор: Petrus Hubertus Cornelis Magnee,Jay Paul John. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Combined-source Mos Transistor with Comb-shaped Gate, and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120181585A1. Автор: ZHAN Zhan,Ru Huang,Qianqian Huang,Yangyuan Wang. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-07-19.

Bipolar transistor with trench structure

Номер патента: US20190189786A1. Автор: WEI Liu,Qiaozhi ZHU. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-06-20.

LDMOS Transistor With Implant Alignment Spacers

Номер патента: US20220359727A1. Автор: Hernan Rueda,Martin Garcia,Rodney Arlan Barksdale,Stephen C. Chew,Wayne Geoffrey Risner. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-11-10.

Transistor with current terminal regions and channel region in layer over dielectric

Номер патента: EP4297099A1. Автор: Petrus Hubertus Cornelis Magnee,Jay Paul John. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-12-27.

Fabrication of vertical transport fin field effect transistors with a self-aligned separator and an isolation region with an air gap

Номер патента: US20180308743A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Heng Wu,Zuoguang Liu,Sebastian NACZAS. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-25.

Fabrication of vertical transport fin field effect transistors with a self-aligned separator and an isolation region with an air gap

Номер патента: US20180308742A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Heng Wu,Zuoguang Liu,Sebastian NACZAS. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-25.

Fabrication of vertical transport fin field effect transistors with a self-aligned separator and an isolation region with an air gap

Номер патента: US20190311942A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Heng Wu,Zuoguang Liu,Sebastian NACZAS. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-10.

Enhancement-mode iii-n transistor with n-polarity and method of fabricating the same

Номер патента: WO2015009249A9. Автор: Ján KUZMÍK. Владелец: Centrum Vedecko-Technickych Informacii Sr (Cvti Sr). Дата публикации: 2015-03-26.

Field-effect transistors with dual thickness gate dielectrics

Номер патента: US20210167180A1. Автор: Rui Ma,Mark Armstrong,Ayan KAR,Akm A. AHSAN,Kalyan C. Kolluru,Nicholas A. Thomson,Sameer Jayanta Joglekar,Hyuk Ju Ryu,Sayan Saha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-06-03.

Bipolar transistor with trench structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190319115A1. Автор: WEI Liu,Qiaozhi ZHU. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-10-17.

Ldmos transistor with implant alignment spacers

Номер патента: EP4089741A2. Автор: Hernan Rueda,Martin Garcia,Rodney Arlan Barksdale,Stephen C. Chew,Wayne Geoffrey Risner. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-11-16.

Technologies for ribbon field effect transistors with variable fin channel dimensions

Номер патента: US20240222376A1. Автор: Marko Radosavljevic,Evan A. Clinton,Cheng-Ying Huang,Jami A. WIEDEMER,Munzarin F. Qayyum,Rohit V. Galatage. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Technologies for ribbon field effect transistors with variable fin numbers

Номер патента: US20240222521A1. Автор: Jack T. Kavalieros,Marko Radosavljevic,Evan A. Clinton,Cheng-Ying Huang,Jami A. WIEDEMER,Munzarin F. Qayyum,Rohit V. Galatage. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

MOS transistor with laser-patterned metal gate, and method for making the same

Номер патента: US8461628B2. Автор: Christopher Gudeman,Joerg Rockenberger,Criswell Choi,J. Devin Mackenzie. Владелец: Kovio Inc. Дата публикации: 2013-06-11.

Method of fabricating a metal-oxide-semiconductor transistor with a metal gate

Номер патента: US6080646A. Автор: Kun-Chih Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-06-27.

Lateral bipolar transistor with gated collector

Номер патента: US11935923B2. Автор: Vibhor Jain,Judson R. Holt,Jagar Singh,Alexander Derrickson,Mankyu Yang. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Bipolar transistor with self-aligned asymmetric spacer

Номер патента: US11935928B2. Автор: Hong Yu,Vibhor Jain,Jianwei PENG. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Bipolar transistor with collector contact

Номер патента: US11935927B2. Автор: Hong Yu,Vibhor Jain. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Forming vertical transport field effect transistors with uniform bottom spacer thickness

Номер патента: US10396179B2. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Yongan Xu,Xuefeng Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-27.

Improved fully-depleted cmos transistors with u-shaped channel

Номер патента: US20190267490A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Terence B. Hook,Robert H. Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-29.

Threshold voltage adjustment in metal oxide semiconductor field effect transistor with silicon oxynitride polysilicon gate stack on fully depleted silicon-on-insulator

Номер патента: US20160133722A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Choh fei Yeap. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-05-12.

Threshold voltage adjustment in metal oxide semiconductor field effect transistor with silicon oxynitride polysilicon gate stack on fully depleted silicon-on-insulator

Номер патента: WO2015081286A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Choh fei Yeap. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-06-04.

Low cost demos transistor with improved CHC immunity

Номер патента: US9202912B2. Автор: Amitava Chatterjee,Kaiping Liu,Shaoping Tang,Imran Mahmood Khan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-12-01.

Field-effect transistors with asymmetric gate stacks

Номер патента: US11515424B2. Автор: Bernhard Sell,Qiang Yu,Mark Armstrong,Hyung-Jin Lee,Saurabh MORARKA,Said Rami,Guannan Liu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-11-29.

Transistor with wrap-around extrinsic base

Номер патента: US11855195B2. Автор: John J. Pekarik,Vibhor Jain,Kenneth J. Stein,Shyue Seng Tan,Qizhi Liu,Yung Fu Chong,Xinshu CAI,Judson R. Holt,Kien Seen Daniel Chong. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-12-26.

Transistor with wrap-around extrinsic base

Номер патента: US11855196B2. Автор: John J. Pekarik,Vibhor Jain,Kenneth J. Stein,Shyue Seng Tan,Qizhi Liu,Yung Fu Chong,Xinshu CAI,Judson R. Holt,Kien Seen Daniel Chong. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-12-26.

Metal oxide thin film transistors with multi-composition gate dielectric

Номер патента: US20220359758A1. Автор: Cheng Tan,Bernhard Sell,Pei-Hua Wang,Chieh-Jen Ku,Shailesh Kumar Madisetti,Wen-Chiang Hong,Harish Ganapathy,Lin-Yung Wang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-11-10.

Closely packed vertical transistors with reduced contact resistance

Номер патента: US20200066882A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Transistor with inner-gate spacer

Номер патента: US20200006509A1. Автор: Chia-Hong Jan,Joodong Park,Chen-Guan LEE,Jui-Yen Lin,En-Shao LIU. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Transistor with monocrystalline base structures

Номер патента: US11855173B2. Автор: Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Ljubo Radic,Jay Paul John,James Albert Kirchgessner. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Vertical field effect transistor with strained channel

Номер патента: US20230411523A1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Self-aligned thin film transistor with doping barrier and method of manufacturing the same

Номер патента: US9245978B2. Автор: Sang Hee Park,Chi Sun Hwang,Him Chan Oh. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2016-01-26.

Heterojunction bipolar transistors with reduced base resistance

Номер патента: US20130062668A1. Автор: Qizhi Liu,Peter B. Gray,Erik M. Dahlstrom. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-03-14.

Heterojunction bipolar transistors with reduced base resistance

Номер патента: US20120126292A1. Автор: Qizhi Liu,Peter B. Gray,Erik M. Dahlstrom. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-05-24.

Metal-Gate MOS Transistor and Method of Forming the Transistor with Reduced Gate-to-Source and Gate-to-Drain Overlap Capacitance

Номер патента: US20150179783A1. Автор: Manoj Mehrotra,Hiroaki Niimi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Metal-gate MOS transistor and method of forming the transistor with reduced gate-to-source and gate-to-drain overlap capacitance

Номер патента: US9356131B2. Автор: Manoj Mehrotra,Hiroaki Niimi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-05-31.

Metal-Gate MOS Transistor and Method of Forming the Transistor with Reduced Gate-to-Source and Gate-to-Drain Overlap Capacitance

Номер патента: US20140124874A1. Автор: Manoj Mehrotra,Hiroaki Niimi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-05-08.

Transistor with source-drain silicide pullback

Номер патента: US20170200649A1. Автор: Yung Fu Chong,Khee Yong Lim,Kiok Boone Elgin Quek,Jae Han Cha,Chia Ching YEO. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-07-13.

Gate-all-around transistor with spacer support and methods of forming same

Номер патента: US20190288117A1. Автор: Christopher M. Prindle,Ruilong Xie,Julien Frougier,Nigel G. Cave. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-09-19.

Transistor with a negative capacitance and a method of creating the same

Номер патента: US20200273996A1. Автор: FENG Yuan,Tung Ying Lee,Jin Cai,Ming-Shiang LIN,Chia-Cheng Ho,Tzu-Chung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-08-27.

Transistor with a negative capacitance and a method of creating the same

Номер патента: US20200127138A1. Автор: FENG Yuan,Tung Ying Lee,Jin Cai,Ming-Shiang LIN,Chia-Cheng Ho,Tzu-Chung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Transistor with a negative capacitance and a method of creating the same

Номер патента: US20200273997A1. Автор: FENG Yuan,Tung Ying Lee,Jin Cai,Ming-Shiang LIN,Chia-Cheng Ho,Tzu-Chung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-08-27.

Transistor with a negative capacitance and a method of creating the same

Номер патента: US11387360B2. Автор: FENG Yuan,Tung Ying Lee,Jin Cai,Ming-Shiang LIN,Chia-Cheng Ho,Tzu-Chung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-12.

Technologies for transistors with a ferroelectric gate dielectric

Номер патента: US20230352584A1. Автор: Ramamoorthy Ramesh,Uygar E. Avci,Darrell G. Schlom,Hai Li,Chia-Ching Lin,Ian Alexander Young,Raseong Kim,Ashish Verma Penumatcha,Dmitri Evgenievich Nikonov,Tanay A. Gosavi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-11-02.

Bipolar transistor with self-aligned asymmetric spacer

Номер патента: EP4235799A1. Автор: Hong Yu,Vibhor Jain,Jianwei PENG. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-08-30.

Lateral bipolar transistor with gated collector

Номер патента: US20240136400A1. Автор: Vibhor Jain,Judson R. Holt,Jagar Singh,Alexander Derrickson,Mankyu Yang. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-04-25.

Method for fabricating vertical channel nanowire transistor with asymmetric stress distribution

Номер патента: US20230387303A1. Автор: Ming Li,Ran Bi. Владелец: Beijing Intellectual Property Operation Management Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Bipolar transistor with stepped emitter

Номер патента: US20240006491A1. Автор: Vibhor Jain,Qizhi Liu,Alvin J. Joseph,Rajendran Krishnasamy,Ajay RAMAN,Yves T. Ngu,Uppili S. RAGHUNATHAN. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Transistor with metal field plate contact

Номер патента: EP4369408A1. Автор: Judson R. Holt,Chung Foong Tan,Rajendran Krishnasamy,Shesh M. Pandey. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-15.

Transistor with metal field plate contact

Номер патента: US20240162345A1. Автор: Judson R. Holt,Chung Foong Tan,Rajendran Krishnasamy,Shesh M. Pandey. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Bipolar transistor with thermal conductor

Номер патента: US11942534B2. Автор: Hong Yu,Vibhor Jain,Judson R. Holt. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Threshold voltage adjustment in metal oxide semiconductor field effect transistor with silicon oxynitride polysilicon gate stack on fully depleted silicon-on-insulator

Номер патента: US20150155364A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Choh fei Yeap. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-06-04.

Method of forming a bipolar transistor with a vertical collector contact

Номер патента: EP4154319A1. Автор: Miguel Urteaga,Andy Carter. Владелец: Teledyne Scientific and Imaging LLC. Дата публикации: 2023-03-29.

Method of forming a bipolar transistor with a vertical collector contact

Номер патента: WO2021262421A1. Автор: Miguel Urteaga,Andy Carter. Владелец: TELEDYNE SCIENTIFIC & IMAGING, LLC. Дата публикации: 2021-12-30.

Vertical field effect transistors with controlled overlap between gate electrode and source/drain contacts

Номер патента: US20160149054A1. Автор: Anirban Basu,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu,Amlan Majumdar,Wilfried E. Haensch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-26.

Closely packed vertical transistors with reduced contact resistance

Номер патента: US20180323283A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-08.

Closely packed vertical transistors with reduced contact resistance

Номер патента: US10096695B2. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-09.

Closely packed vertical transistors with reduced contact resistance

Номер патента: US20180061967A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-01.

Technologies for transistors with a thin-film ferroelectric

Номер патента: US20240113220A1. Автор: Uygar E. Avci,Marko Radosavljevic,Scott B. Clendenning,Kevin P. O'brien,Ian Alexander Young,Matthew V. Metz,Shriram SHIVARAMAN,Raseong Kim,John J. Plombon,Sudarat Lee,Arnab SEN GUPTA,Jason C. Retasket,Dmitri Evgenievich Nikonov,Punyashloka Debashis,Rachel A. Steinhardt,Carly ROGAN,Dominique A. Adams,Brandon Holybee. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Gallium nitride (gan) transistors with lateral drain depletion

Номер патента: US20240021725A1. Автор: AHMAD Zubair,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Pratik KOIRALA,Samuel James Bader,Heli Chetanbhai VORA,Michael S. BEUMER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Forming vertical transport field effect transistors with uniform bottom spacer thickness

Номер патента: US20180315834A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Yongan Xu,Xuefeng Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-01.

Forming vertical transport field effect transistors with uniform bottom spacer thickness

Номер патента: US20180315835A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Yongan Xu,Xuefeng Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-01.

Transistor with low leakage currents and manufacturing method thereof

Номер патента: US11990548B2. Автор: Chao-Chun Lu,Weng-Dah Ken. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Apparatus and circuits including transistors with different threshold voltages and methods of fabricating the same

Номер патента: US11973078B2. Автор: Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Method of fabricating transistor with short gate length by two-step photolithography

Номер патента: US20210151316A1. Автор: YI Chang,Yueh-Chin Lin,Po-Sheng Chang. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2021-05-20.

GaN HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR WITH A P-TYPE STRAINED InGaN BASE LAYER AND FABRICATING METHOD THEREOF

Номер патента: US20070114518A1. Автор: Jinn-Kong Sheu,Yue-Ming Hsin,Kuang-Po Hsueh. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2007-05-24.

Transistor with wrap-around extrinsic base

Номер патента: US20240006517A1. Автор: John J. Pekarik,Vibhor Jain,Kenneth J. Stein,Shyue Seng Tan,Qizhi Liu,Yung Fu Chong,Xinshu CAI,Judson R. Holt,Kien Seen Daniel Chong. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor device including vertical transistor with back side power structure

Номер патента: US11948974B2. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Transistors with lattice structure

Номер патента: US20210202717A1. Автор: Anthony K. Stamper,John J. Pekarik,Vibhor Jain,Steven M. Shank. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Low cost demos transistor with improved chc immunity

Номер патента: US20160035890A1. Автор: Amitava Chatterjee,Kaiping Liu,Shaoping Tang,Imran Mahmood Khan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-02-04.

Iii-v transistors with resistive gate contacts

Номер патента: US20210167200A1. Автор: Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-06-03.

Field-effect transistors with asymmetric gate stacks

Номер патента: US20200259018A1. Автор: Bernhard Sell,Qiang Yu,Mark Armstrong,Hyung-Jin Lee,Saurabh MORARKA,Said Rami,Guannan Liu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-08-13.

Vertical heterojunction bipolar transistors with reduced base-collector junction capacitance

Номер патента: US20120112244A1. Автор: Renata Camillo-Castillo,Qizhi Liu,Erik M. Dahlstrom. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-05-10.

Semiconductor device including vertical transistor with back side power structure

Номер патента: US20240194734A1. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Gate all around transistors with high charge mobility channel materials

Номер патента: US20210226009A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Haining Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-07-22.

Organic thin film transistor with modified surface of gate-dielectric

Номер патента: EP1481428A1. Автор: Mark J. Pellerite,Dennis E. Vogel,Larry D. Boardman,Terrance P. Smith,Timothy D. Dunbar,Kim M. Vogel,Tommie W. Kelley,Dawn V. Muyres. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2004-12-01.

Method for producing oriented electrical steel sheet with ultra-low iron loss

Номер патента: US20210054472A1. Автор: Sang-Won Lee,Jin-Su Bae,Min-Serk KWON. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-25.

Electrostatic discharge protecting circuit with ultra-low standby leakage current for twice supply voltage tolerance

Номер патента: TW201104827A. Автор: Ming-Dou Ker,Chang-Tzu Wang,Chua-Chin Wang. Владелец: Univ Nat Sun Yat Sen. Дата публикации: 2011-02-01.

Mechanical translator with ultra low friction ferrofluid bearings

Номер патента: AU2003216328A8. Автор: Jeffrey T Cheung. Владелец: Innovative Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2003-09-09.

Integrated circuit system with ultra-low k dielectric and method of manufacture thereof

Номер патента: US20120168203A1. Автор: Ravi Prakash Srivastava. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2012-07-05.

MICRO-LEDS WITH ULTRA-LOW LEAKAGE CURRENT

Номер патента: US20220005980A1. Автор: DenBaars Steven P.,Margalith Tal,Chan Lesley,Wong Matthew S.. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2022-01-06.

SILICON/GERMANIUM-BASED NANOPARTICLE PASTES WITH ULTRA LOW METAL CONTAMINATION

Номер патента: US20140179049A1. Автор: Srinivasan Uma,Li Weidong,Soeda Masaya,Nguyen Ha Thi-Hoang. Владелец: . Дата публикации: 2014-06-26.

Superconducting Interconnects with Ultra-Low Thermal Conductivity

Номер патента: US20200350709A1. Автор: Solovyov Vyacheslav. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-05.

Integrating metal with ultra low-k dielectrics

Номер патента: EP1325516A2. Автор: HUI Wang. Владелец: ACM Research Inc. Дата публикации: 2003-07-09.

Integrating metal with ultra low-k dielectrics

Номер патента: EP1325516A4. Автор: HUI Wang. Владелец: ACM Research Inc. Дата публикации: 2007-06-06.

Integrating metal with ultra low-k dielectrics

Номер патента: KR101031682B1. Автор: 후이 왕. Владелец: 에이씨엠 리서치, 인코포레이티드. Дата публикации: 2011-04-29.

Semiconductor device with ultra low k spacer and method for fabricating the same

Номер патента: KR102444707B1. Автор: 지연혁,김인상,문범호. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2022-09-19.

Integrated circuit system with ultra-low k dielectric and method of manufacture thereof

Номер патента: KR101333306B1. Автор: 라비 프라카쉬 스리바스타바. Владелец: 글로벌파운드리즈 싱가포르 피티이. 엘티디.. Дата публикации: 2013-11-27.

Integrated circuit system with ultra-low K dielectric and method of manufacture thereof

Номер патента: CN102569174B. Автор: R·P·斯里瓦斯塔瓦. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2015-06-10.

Lateral transient voltage suppressor with ultra low capacitance

Номер патента: US8169000B2. Автор: Kun-Hsien LIN,Ryan Hsin-Chin Jiang,Che-Hao Chuang. Владелец: Amazing Microelectronic Corp. Дата публикации: 2012-05-01.

Integrated circuit system with ultra-low k dielectric and method of manufacture thereof

Номер патента: TWI458044B. Автор: Ravi Prakash Srivastava. Владелец: Globalfoundries Sg Pte Ltd. Дата публикации: 2014-10-21.

Integrating metal with ultra low-k dielectrics

Номер патента: CA2421799A1. Автор: HUI Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-21.

METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR DEVICE WITH AIR GAPS FOR CONNECTIONS WITH ULTRA-LOW CAPACITY

Номер патента: DE69820232D1. Автор: Qiang Zhao,A Kohl,Ann Allen. Владелец: Georgia Tech Research Institute. Дата публикации: 2004-01-15.

Mechanical translator with ultra low friction ferrofluid bearings

Номер патента: AU2003216328A1. Автор: Jeffrey T. Cheung. Владелец: Innovative Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2003-09-09.

Micro-leds with ultra-low leakage current

Номер патента: EP3878020A4. Автор: Steven P. DenBaars,Tal Margalith,Matthew S. WONG,Lesley Chan. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2021-12-29.

Superconducting field-effect transistors with inverted misfet structure and method for making the same

Номер патента: CA2058780A1. Автор: Johannes G. Bednorz,Jochen D. Mannhart,Carl A. Mueller. Владелец: Carl A. Mueller. Дата публикации: 1992-07-08.

Method for making a high-temperature superconducting field-effect transistor with thick superconducting channel layer

Номер патента: US5663081A. Автор: Jeong-Dae Suh,Gun-Yong Sung. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 1997-09-02.

Method for producing ferromanganese with ultra-low content of phosphorus and carbon as result of using ferromanganese slag

Номер патента: RU2453625C1. Автор: Донг-Шик МИН,Чан-Соо ПАРК,Йоунг-Еун ЛИ,Хаи-Чанг ЧО,Кванг-Дзунг ЛИ,Сунг-Хван ХОНГ. Владелец: Донгбу Метал Ко., Лтд.. Дата публикации: 2012-06-20.

A method for comprehensive recovery of gold and silver from lead-zinc tailings with ultra-low gold content

Номер патента: ZA202310224B. Автор: Zhang Hongliang,Sun Wei,Liu Weiping,Sun Lei,Jiang Feng,Zhou Shuang,ZHANG Chenyang,HAN Haisheng,TANG Honghu,LIN Shangyong,Liu Runqing,Meng Xiangsong,Chai Xujian. Владелец: Univ Central South. Дата публикации: 2024-05-30.

Microelectronics package with ultra-low-K dielectric region between stacked antenna elements

Номер патента: US11502400B2. Автор: Benjamin V. Fasano,Koushik Ramachandran,Selaka B. Bulumulla. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-11-15.

Microelectronics package with ultra-low-k dielectric region between stacked antenna elements

Номер патента: US20210273323A1. Автор: Benjamin V. Fasano,Koushik Ramachandran,Selaka B. Bulumulla. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-09-02.

Tamdem crossbar switch with ultra low crosstalk

Номер патента: US20030076190A1. Автор: William Clarke,Stan Freske,Jules Levine. Владелец: TERABURST NETWORKS. Дата публикации: 2003-04-24.

LEAD-ACID BATTERY SEPARATORS WITH ULTRA LOW RESISTIVITY AND SUSTAINED WETTABILITY

Номер патента: US20160028060A1. Автор: Walker David P.,Pekala Richard W.,La Chi Thuong-Le,Rogers Cory S.,Frenzel Jeffry M.,Waterhouse Robert. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-28.

SYSTEMS AND METHODS FOR STABILIZED STIMULATED BRILLOUIN SCATTERING LASERS WITH ULTRA-LOW PHASE NOISE

Номер патента: US20150288135A1. Автор: Wu Jianfeng,Sanders Glen A.,Qiu Tiequn. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2015-10-08.

ACCESS AND COMMUNICATION USING NEAR ULTRA LOW ENERGY FIELDS

Номер патента: US20220277602A1. Автор: McFARTHING Anthony. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-01.

Spin transistor and method of operating the same

Номер патента: CN101855727B. Автор: 李晟熏,洪起夏,金钟燮,申在光. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-02-13.

Manufacturing method of spin transistor

Номер патента: JP4738499B2. Автор: 智明井口,瑞恵石川,英行杉山,好昭斉藤,孝生丸亀. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-08-03.

Spin transistor and magnetic memory

Номер патента: US20090059659A1. Автор: Yoshiaki Saito,Tomoaki Inokuchi,Hideyuki Sugiyama,Mizue ISHIKAWA. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-05.

AC direct drive system for light emitting diodes with ultra-low flicker, low harmonic distortion, dimming compatibility and power line regulation

Номер патента: US10426008B2. Автор: Jon Elliott Cronk. Владелец: Exar Corp. Дата публикации: 2019-09-24.

Ac direct drive system for light emitting diodes with ultra-low flicker, low harmonic distortion, dimming compatibility and power line regulation

Номер патента: US20180343717A1. Автор: Jon Elliott Cronk. Владелец: Exar Corp. Дата публикации: 2018-11-29.

AC Direct Drive system for Light Emitting Diodes with Ultra-Low Flicker, Low Harmonic Distortion, Dimming Compatibility and Power Line Regulation

Номер патента: US20190150241A1. Автор: Jon Elliott Cronk. Владелец: Exar Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

Switching Power Converter Having Optimal Dynamic Load Response with Ultra-Low No Load Power Consumption

Номер патента: US20120176820A1. Автор: YONG Li,David Nguyen,Fuqiang Shi,Xiaolin Gao. Владелец: iWatt Inc. Дата публикации: 2012-07-12.

Switching power converter having optimal dynamic load response with ultra-low no load power consumption

Номер патента: TW201236335A. Автор: YONG Li,David Nguyen,fu-qiang Shi,xiao-lin Gao. Владелец: iWatt Inc. Дата публикации: 2012-09-01.

Managing ultra low energy (ule) devices using a base station capable of entering a no emission mode (nemo)

Номер патента: US20150049658A1. Автор: Jochen Kilian,Otmar Rengert. Владелец: DSP Group Israel Ltd. Дата публикации: 2015-02-19.

Managing ultra low energy (ULE) devices using a base station capable of entering a no emission mode (NEMO)

Номер патента: US9565632B2. Автор: Jochen Kilian,Otmar Rengert. Владелец: DSP Group Israel Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Manufacturing method of transistor with independent contact to substrate

Номер патента: RU2739861C1. Автор: Александр Сергеевич Мокеев,Тамара Александровна Шоболова. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом"). Дата публикации: 2020-12-29.

Method of manufacturing of powerful silicon shf ldmos transistors with modernized gate node of elementary cells

Номер патента: RU2639579C2. Автор: Виктор Васильевич Бачурин,Станислав Михайлович Романовский,Ирина Петровна Семешина. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2017-12-21.

Manufacturing method of transistor with floating gate and application method of transistor with floating gate electrode

Номер патента: US09620532B2. Автор: Wei Guo,Ning Chen,LU Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Vertical transistor with uniform fin thickness

Номер патента: US20200035828A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-30.

Biopolar transistor with a low saturation voltage

Номер патента: EP1654766A1. Автор: David Casey. Владелец: Zetex PLC. Дата публикации: 2006-05-10.

Reduced capacitance transistor with electro-static discharge protection structure and method for forming the same

Номер патента: WO1999031729A1. Автор: Michael J. Allen. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 1999-06-24.

Gallium nitride transistors with drain field plates and their methods of fabrication

Номер патента: WO2019066877A1. Автор: Stephan Leuschner,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-04-04.

Semiconductor device having P channel high voltage transistors with improved breakdown voltages

Номер патента: US5448101A. Автор: Atsushi Ono,Nobuyuki Saiki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-09-05.

Reduced capacitance transistor with electro-static discharge protection structure and method for forming the same

Номер патента: EP1042808A1. Автор: Michael J. Allen. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2000-10-11.

Group III-V transistor with semiconductor field plate

Номер патента: US09673286B2. Автор: Michael A. Briere. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Method for manufacturing a transistor with a dependent contact to the substrate

Номер патента: RU2758413C1. Автор: Александр Сергеевич Мокеев,Тамара Александровна Шоболова,Сергей Дмитриевич Рудаков. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом". Дата публикации: 2021-10-28.

Field effect transistor with a short channel lenght

Номер патента: CA1153831A. Автор: Hans-Jorg Pfleiderer,Ernst Hebenstreit,Dezso Takacs,Michael Pomper,Heinrich Klar. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1983-09-13.

Bipolar transistor with a sidewall-diffused subcollector

Номер патента: US5003365A. Автор: Robert H. Havemann,Robert H. Eklund. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1991-03-26.

Logic circuits using vertical transistors with backside source or drain regions

Номер патента: WO2024005789A1. Автор: ABHISHEK Sharma,Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Rishabh Mehandru,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Pushkar Sharad RANADE. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2024-01-04.

Logic circuits using vertical transistors with backside source or drain regions

Номер патента: US20230422496A1. Автор: Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Anand S. Murthy,Rishabh Mehandru,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Pushkar Sharad RANADE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Thin film transistors with metal oxynitride active channels for electronic displays

Номер патента: US20160126355A1. Автор: Chunong Qiu,Cindy Qiu,Ishiang Shih,Yi-Chi Shih,Andy Shih,Julia Qiu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-05-05.

Transistors with selectively landed gate array

Номер патента: US20240153850A1. Автор: Krister Gumaelius,Jimmy Robert Hannes FRANCHI,Jaein An. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-05-09.

InGaAlP Schottky field effect transistor with AlGaAs carrier supply layer

Номер патента: US10361272B2. Автор: Yu-Chi Wang,Cheng-Guan Yuan,Shih-Ming Joseph Liu,Hsi-Tsung Lin,Chia Hsiung Lee. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2019-07-23.

Integrated-circuit structure including lateral PNP transistor with polysilicon layer bridging gap in collector field relief electrode

Номер патента: US4319262A. Автор: Mario Foroni,Franco Bertotti,Vincenzo Prestileo. Владелец: SGS ATES Componenti Elettronici SpA. Дата публикации: 1982-03-09.

P-type-epitaxial-base transistor with base-collector schottky diode clamp

Номер патента: CA1041226A. Автор: Vincent J. Lucarini,Augustine W. Chang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1978-10-24.

Semiconductor device comprising a channel region of a transistor with a crystalline oxide semiconductor and a specific off-state current for the transistor

Номер патента: US9905596B2. Автор: Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Vertical transistor with field region structure

Номер патента: US20070117328A1. Автор: Jenn-Yu Lin,Ta-Yung Yang,Chih-Feng Huang,Tuo-Hsin Chien. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-24.

Transistors with schottky barriers

Номер патента: US11862725B2. Автор: Yun Shi,John Tzung-Yin LEE. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Piezo-resistive resonator device having drive and sense transistors with wells of opposite doping

Номер патента: US20230155550A1. Автор: Ian Alexander Young,Raseong Kim,Dmitri Evgenievich Nikonov,Tanay A. Gosavi,Gary A. Allen. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-05-18.

Nanosheet transistors with self-aligned dielectric pillars

Номер патента: KR20220106992A. Автор: 뤼룽 자이,캉궈 청,줄리앙 프루지에르. Владелец: 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션. Дата публикации: 2022-08-01.

Cascode amplifier structures including wide bandgap field effect transistor with field plates

Номер патента: US7126426B2. Автор: Primit Parikh,Umesh Mishra,Yifeng Wu. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2006-10-24.

Switching transistor with memory

Номер патента: US3821784A. Автор: D Heald,Kennedy J Holm. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 1974-06-28.

Field Effect Transistor with Access Region Recharge

Номер патента: US20110062495A1. Автор: Alexei Koudymov. Владелец: Alexei Koudymov. Дата публикации: 2011-03-17.

P-type-epitaxial-base transistor with base-collector Schottky diode clamp

Номер патента: US4005469A. Автор: Augustine Wei-Chun Chang,Vincent Joseph Lucarini. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1977-01-25.

Field effect transistor with a short channel length

Номер патента: CA1081368A. Автор: Jeno Tihanyi,Joachim Hoepfner. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1980-07-08.

Method of producing a transistor with an insulated control electrode

Номер патента: US3690945A. Автор: Max Kuisl. Владелец: Licentia Patent Verwaltungs GmbH. Дата публикации: 1972-09-12.

A lateral surface gate vertical field effect transistor with adjustable output capacitance

Номер патента: US20230369432A1. Автор: Sorin S. Georgescu,Kuo-Chang Robert Yang. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Integrated circuit structures having memory access transistor with backside contact

Номер патента: US20240008253A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Pushkar Ranade,Rishabh Mehandru,Cory Weber,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Gate-all-around (gaa) transistors with shallow source/drain regions and methods of fabricating the same

Номер патента: US20220037493A1. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Peijie Feng. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

InGaAlP schottky field effect transistor with stepped bandgap ohmic contact

Номер патента: US10186620B1. Автор: Cheng-Guan Yuan,Shih-Ming Joseph Liu,Hsi-Tsung Lin,Chia Hsiung Lee. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2019-01-22.

Field-effect transistor with schottky barrier

Номер патента: RU2743225C1. Автор: Сергей Александрович Богданов,Юрий Михайлович Богданов,Константин Сергеевич Журавлев,Владимир Михайлович Лукашин,Владимир Григорьевич Лапин,Андрей Борисович Пашковский. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина"). Дата публикации: 2021-02-16.

Method for fast switching on of power transistor with isolated gate and device with use thereof

Номер патента: RU2713559C2. Автор: Евгений Леонидович Пущин. Владелец: Евгений Леонидович Пущин. Дата публикации: 2020-02-05.

Photodetector on cascade transistors with light emitting p-n-junctions and photosensitive n-p-junctions

Номер патента: RU2673424C1. Автор: Владимир Владимирович Козлов,Хаджимурат Магомедович Гаджиев,Татьяна Алексеевна Челушкина,Солтанат Магомедовна Гаджиева,Анатолий Константинович Михайлов,Александр Александрович Иванченко. Владелец: Ооо "Центральный Научно-Исследовательский Институт "Апертура". Дата публикации: 2018-11-26.

Method for forming local buried dielectric insulation region of active part of transistors with three-dimensional structure of shell (finfet)

Номер патента: RU2670248C1. Автор: Владимир Александрович Нагнойный,Глеб Владимирович Баранов. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт молекулярной электроники". Дата публикации: 2018-10-19.

Thin film transistor with microlens structures

Номер патента: US7205569B2. Автор: Ming-Sung Shih. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2007-04-17.

Thin film transistor with microlens structures

Номер патента: US20060163575A1. Автор: Ming-Sung Shih. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2006-07-27.

Gallium nitride transistors with source and drain field plates and their methods of fabrication

Номер патента: US20200227545A1. Автор: Stephan Leuschner,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-07-16.

RF power transistors with impedance matching circuits, and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09571044B1. Автор: Ning Zhu,Damon G. Holmes,Jeffrey K. Jones. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Storage transistor with optical isolation

Номер патента: US09472587B2. Автор: Gang Chen,Duli Mao,Dyson H. Tai,Yuanwei Zheng,Xianmin Yi. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

High-frequency field transistor with the additional field electrode manufacturing method

Номер патента: RU2671312C2. Автор: Николай Анатольевич Торхов,Сергей Владимирович Литвинов,Виктор Геннадьевич Сысуев,Ирина Дмитриевна Халтурина. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов" (АО "НИИПП"). Дата публикации: 2018-10-30.

Method for manufacturing a high-frequency transistor with an additional active field electrode

Номер патента: RU2707402C1. Автор: Николай Анатольевич Торхов,Валентин Натанович Брудный. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет" (ТГУ, НИ ТГУ). Дата публикации: 2019-11-26.

Bipolar semiconductor transistor with thyristor effect

Номер патента: RU2701184C1. Автор: Хаджимурат Магомедович Гаджиев,Татьяна Алексеевна Челушкина,Солтанат Магомедовна Гаджиева,Александр Александрович Иванченко,Елена Ивановна Павлюченко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Инжинирнговый центр микроспутниковых компетенций". Дата публикации: 2019-09-25.

Method for fast switching on of power transistor with isolated gate and device with use thereof

Номер патента: RU2713559C9. Автор: Евгений Леонидович Пущин. Владелец: Евгений Леонидович Пущин. Дата публикации: 2021-02-04.

Hermetic seal for transistors with metal on both sides

Номер патента: US20230197538A1. Автор: Mohammad Enamul Kabir,Tofizur RAHMAN,Keith Zawadzki,Conor P. PULS,Hannes Greve. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Hermetic seal for transistors with metal on both sides

Номер патента: EP4199046A3. Автор: Mohammad Enamul Kabir,Tofizur RAHMAN,Keith Zawadzki,Conor P. PULS,Hannes Greve. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-15.

Insulated gate field effect transistor with integrated safety diode

Номер патента: US3648129A. Автор: Rijkent Jan Nienhuis. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1972-03-07.

Control Circuit For Transistor With Floating Source Node

Номер патента: US20230133293A1. Автор: Kevin David Moran,Guoming George Zhu. Владелец: Michigan State University MSU. Дата публикации: 2023-05-04.

Rf power transistor with internal bias feed

Номер патента: WO2004057666A2. Автор: Gordon C. Ma,Larry Leighton,Prasanth Perugupalli,Nagaraj Vishwanath Dixit. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-07-08.

Rf power transistor with internal bias feed

Номер патента: EP1573813A2. Автор: Gordon C. Ma,Larry Leighton,Prasanth Perugupalli,Nagaraj Vishwanath Dixit. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-09-14.

Mixed voltage CMOS process for high reliability and high performance core and I/O transistors with reduced mask steps

Номер патента: US6258644B1. Автор: Mahalingam Nandakumar,Manoj Mehrotra,Mark S. Rodder. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2001-07-10.

Apparatus for biasing a field effect transistor with a single voltage supply

Номер патента: US5646570A. Автор: James Russell Blodgett. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1997-07-08.

Coating with ultra-low friction for assembled drilling strings

Номер патента: RU2509865C2. Автор: Мехмет Дениз Эртас,Аднан ОЗЕКЦИН,Джеффри Р. БЭЙЛИ,Вишвас Гупта,Нарасимха-Рао Венката БАНГАРУ,ХьюнВоо ДЖИН,Эрика А. Оотен БИДИГЕР,Уилльям К. ЭЛКС. Владелец: ЭкссонМобил Рисерч энд Энджиниринг Компани. Дата публикации: 2014-03-20.

Method for slag release during production of steel with ultra-low phosphorus content and method for production of steel with ultra-low phosphorus content

Номер патента: RU2761852C1. Автор: Лян ЧЭНЬ,Тао Чжан,Ян Ян,И Жэнь,Ян ВАН,Си Чэнь,Шучэн Чжу,Ху ЧЖАО,Шаопу СЮЙ,Чжунбо Ли,Хунъян ЛИ,Чжэнлэй ТАН,Цинбо ЛЮ,Чжаньцзе ЧЖАН,Цзихэн ЮАНЬ,Са ЮЙ,Вэньцзю КАН,Шуай Чжан,Бо ЛИ,Чжицюань ДУ,Ди ЧЖАО,Лян ЛИ,Пэн ЦЗЯН,Яньшэн СЮЭ,Кэи ФУ,Инцзе ВАН,Янци ЮАНЬ,Чжэньчжэнь ДУН,Баймин ПАН,Хаймин ЧЖЭН,Вэйбо ЦЮАНЬ,Сяньсин ЧЖУ,Гаоцзянь ЮАНЬ,Чунь ЯН,Ибо БАЙ,Гацзы ЛИ,Юйлян ЛЮЙ,Сибинь Ван. Владелец: Наньян Ханье Спешал Стил Ко., Лтд. Дата публикации: 2021-12-13.

Magnesium-stabilized cracking catalysts with ultra-low content of sodium

Номер патента: RU2700409C2. Автор: Юйин ШУ,Ву-Чэн ЧЭН,Ричард Ф. ВОРМСБЕХЕР,Кевин Дж. СЮТОВИЧ,Ранджит КУМАР,Майкл С. ЗИБАРТ. Владелец: В.Р.Грейс Энд Ко.-Конн.. Дата публикации: 2019-09-17.

Anti-wear additive to diesel fuel with ultra-low content of sulfur

Номер патента: RU2723116C1. Автор: Наталья Константиновна Кондрашева,Савелий Яковлевич Нелькенбаум,Константин Савельевич Нелькенбаум,Анжелика Михайловна Еремеева. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский горный университет". Дата публикации: 2020-06-08.

Method for the production of hydrocarbon fuels with ultra-low sulfur content

Номер патента: CA2398764C. Автор: Michio Ikura,Maria Stanciulescu. Владелец: Canada Minister of Natural Resources. Дата публикации: 2008-09-23.

Single mode optical fiber with ultra-low attenuation and bend insensibility

Номер патента: US20180128967A1. Автор: Lei Zhang,Jun Wu,Ruichun Wang,Shengya LONG,Jihong Zhu,Liang AI. Владелец: Yangtze Optical Fibre and Cable Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-10.

Bandgap reference starting circuit with ultra-low power consumption

Номер патента: US11815924B2. Автор: Xiaoyu Li,Xiangyang Guo. Владелец: IPGoal Microelectronics Sichuan Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

ETHYLENE POLYMERS WITH ULTRA-LOW MOLECULAR WEIGHT

Номер патента: DE69736462D1. Автор: R Parikh,W Kolthammer,F Finlayson,C Garrison,E Guerra,J Guest,M Ueligger. Владелец: Dow Global Technologies LLC. Дата публикации: 2006-09-21.

Coupling for use with ultra low permeation hose

Номер патента: WO2010129504A1. Автор: Cary Haramoto,Eugene Dianetti. Владелец: PARKER HANNIFIN CORPORATION. Дата публикации: 2010-11-11.

Organic thin film transistor with ion exchanged glass substrate

Номер патента: US20130140540A1. Автор: Mingqian He,James Robert Matthews,Jianfeng Li,Michael S. Pambianchi. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2013-06-06.

Metal-oxide semiconductor field-effect transistor with asymmetric parallel die and implementation method thereof

Номер патента: US20230037951A1. Автор: Tung Ming Lai,Wen Nan Huang,Ching Kuo CHEN,Hsiang Chi Meng,Chih Ming Yu. Владелец: Potens Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-02-09.

Metal-oxide semiconductor field-effect transistor with asymmetric parallel dies and method of using the same

Номер патента: US12101026B2. Автор: Tung Ming Lai,Wen Nan Huang,Ching Kuo CHEN,Hsiang Chi Meng,Chih Ming Yu. Владелец: Potens Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Magneto-Electric Voltage Controlled Spin Transistors

Номер патента: US20140231888A1. Автор: Jeffry A. Kelber,Christian Binek,Kirill Belashchenko,Peter Arnold Bowden. Владелец: QUANTUM DEVICES LLC. Дата публикации: 2014-08-21.

Architectures for high temperature TBCs with ultra low thermal conductivity and abradability and method of making

Номер патента: US09816392B2. Автор: Krishnamurthy Anand,James Anthony Ruud,Surinder Singh Pabla,Joshua Lee Margolies,Padmaja Parakala,Jon Conrad Schaeffer. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-11-14.

Multilayer matte biaxially oriented polypropylene film with ultra low seal initiation temperature

Номер патента: US10022941B2. Автор: Rafael E. Bayona P.,Gregory G. Gillis. Владелец: Inteplast Group Corp. Дата публикации: 2018-07-17.

Architectures for high temperature TBCs with ultra low thermal conductivity and abradability and method of making

Номер патента: EP2799588A3. Автор: Krishnamurthy Anand,James Anthony Ruud,Joshua Lee Margolies,Padmaja Parakala,Jon Conrad Schaeffer,Surinder S. Pabla. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2015-04-29.

Powder coating with ultra-low curing temperature

Номер патента: RU2629288C2. Автор: Вэньцзин ЧЖОУ,Томас Е. РЕНО,Карлос КОНЧА,Джордж О'ДЕЛЛ. Владелец: Вэлспар Сорсинг, Инк.. Дата публикации: 2017-08-28.

Vertical spin transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: JP5072392B2. Автор: 藤好昭斉,山直治杉. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-11-14.

Spin transistor and integrated circuit

Номер патента: US20110284938A1. Автор: Yoshiyuki Kondo,Kanna Adachi,Shigeru Kawanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-11-24.

Ultra-low energy micro-fluid ejection device

Номер патента: WO2006053221A2. Автор: Frank E. Anderson,Robert W. Cornell,Daniel L. Huber. Владелец: Lexmark International, Inc.. Дата публикации: 2006-05-18.

Ultra-low energy micro-fluid ejection device

Номер патента: TW200628318A. Автор: Frank E Anderson,Robert W Cornell,Daniel L Huber. Владелец: Lexmark Int Inc. Дата публикации: 2006-08-16.

Ultra-low energy micro-fluid ejection device

Номер патента: US7178904B2. Автор: Frank E. Anderson,Robert W. Cornell,Daniel L. Huber. Владелец: Lexmark International Inc. Дата публикации: 2007-02-20.

Radar target detection system for autonomous vehicles with ultra-low phase noise frequency synthesizer

Номер патента: US09831881B2. Автор: Yekutiel Josefsberg,Tal Lavian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-11-28.

Successive-approximation register (SAR) analog-to-digital converter (ADC) with ultra low burst error rate

Номер патента: US09614539B2. Автор: Yongjian Tang. Владелец: Maxlinear Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Intelligent Umbrella and/or Robotic Shading System with Ultra-Low Energy Transceivers

Номер патента: US20190158303A1. Автор: Gharabegian Armen Sevada. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-23.

Intelligent umbrella and/or robotic shading system with ultra-low energy transceivers

Номер патента: US10554436B2. Автор: Armen Sevada Gharabegian. Владелец: ShadeCraft Inc. Дата публикации: 2020-02-04.

Successive-approximation register (sar) analog-to-digital converter (adc) with ultra low burst error rate

Номер патента: US20170272091A1. Автор: Yongjian Tang. Владелец: Maxlinear Inc. Дата публикации: 2017-09-21.

Successive-approximation register (SAR) analog-to-digital converter (ADC) with ultra low burst error rate

Номер патента: US9929740B2. Автор: Yongjian Tang. Владелец: Maxlinear Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Successive-approximation register (sar) analog-to-digital converter (adc) with ultra low burst error rate

Номер патента: US20180234106A1. Автор: Yongjian Tang. Владелец: Maxlinear Inc. Дата публикации: 2018-08-16.

Capacitive digital isolator circuit with ultra-low power consumption based on pulse-coding

Номер патента: US20220077860A1. Автор: Wanxin Ding. Владелец: Shanghai Chipanalog Microelectronics Ltd. Дата публикации: 2022-03-10.

AC Direct Drive system for Light Emitting Diodes with Ultra-Low Flicker, Low Harmonic Distortion, Dimming Compatibility and Power Line Regulation

Номер патента: US20190150241A1. Автор: Cronk Jon Elliott. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-16.

Low Frequency Oscillator with Ultra-low Short Circuit Current

Номер патента: US20190319614A1. Автор: Menezes Vinod Joseph,CHAUHAN Rajat,MEHENDALE Mahesh Madhukar,Singhal Vipul Kumar. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-17.

AC DIRECT DRIVE SYSTEM FOR LIGHT EMITTING DIODES WITH ULTRA-LOW FLICKER, LOW HARMONIC DISTORTION, DIMMING COMPATIBILITY AND POWER LINE REGULATION

Номер патента: US20180343717A1. Автор: Cronk Jon Elliott. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-29.

RADAR TARGET DETECTION SYSTEM FOR AUTONOMOUS VEHICLES WITH ULTRA-LOW PHASE NOISE FREQUENCY SYNTHESIZER

Номер патента: US20180019755A1. Автор: Josefsberg Yekutiel,Lavian TaI. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-18.

SUCCESSIVE-APPROXIMATION REGISTER (SAR) ANALOG-TO-DIGITAL CONVERTER (ADC) WITH ULTRA LOW BURST ERROR RATE

Номер патента: US20200036387A1. Автор: Tang Yongjian. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-30.

CAPACITIVE DIGITAL ISOLATOR CIRCUIT WITH ULTRA-LOW POWER CONSUMPTION BASED ON PULSE-CODING

Номер патента: US20220077860A1. Автор: Ding Wanxin. Владелец: Shanghai ChipAnalog Microelectronics Ltd.. Дата публикации: 2022-03-10.

RADAR TARGET DETECTION AND IMAGING SYSTEM FOR AUTONOMOUS VEHICLES WITH ULTRA-LOW PHASE NOISE FREQUENCY SYNTHESIZER

Номер патента: US20190128998A1. Автор: Lavian Tal,Josefsberg Yekutiel. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-02.

METHOD AND SYSTEM FOR ENCRYPTING/DECRYPTING DATA WITH ULTRA-LOW LATENCY FOR SECURE DATA STORAGE AND/OR COMMUNICATION

Номер патента: US20190166105A1. Автор: Romain Jacotin. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-30.

RADAR TARGET DETECTION SYSTEM FOR AUTONOMOUS VEHICLES WITH ULTRA-LOW PHASE-NOISE FREQUENCY SYNTHESIZER

Номер патента: US20210208272A1. Автор: Lavian Tal,Dor Eran,Josefsberg Yekutiel. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-08.

SUCCESSIVE-APPROXIMATION REGISTER (SAR) ANALOG-TO-DIGITAL CONVERTER (ADC) WITH ULTRA LOW BURST ERROR RATE

Номер патента: US20180234106A1. Автор: Tang Yongjian. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-16.

Successive-approximation register (sar) analog-to-digital converter (adc) with ultra low burst error rate

Номер патента: US20170272091A1. Автор: Yongjian Tang. Владелец: Maxlinear Inc. Дата публикации: 2017-09-21.

Successive-approximation register (sar) analog-to-digital converter (adc) with ultra low burst error rate

Номер патента: US20160308550A1. Автор: Yongjian Tang. Владелец: Maxlinear Inc. Дата публикации: 2016-10-20.

RADAR TARGET DETECTION SYSTEM FOR AUTONOMOUS VEHICLES WITH ULTRA-LOW PHASE NOISE FREQUENCY SYNTHESIZER

Номер патента: US20170302282A1. Автор: Lavian Tal,Josefsberg Yekutiel. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-19.

BLUETOOTH APPARATUS WITH ULTRA-LOW STANDBY POWER CONSUMPTION AND METHOD FOR IMPLEMENTING SAME

Номер патента: US20150312862A1. Автор: PEI Weicai. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-29.

HIGH STABILITY GAIN STRUCTURE AND FILTER REALIZATION WITH LESS THAN 50 PPM/°C TEMPERATURE VARIATION WITH ULTRA-LOW POWER CONSUMPTION USING SWITCHED-CAPACITOR AND SUB-THRESHOLD BIASING

Номер патента: US20200313636A1. Автор: Shrivastava Aatmesh. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-01.

FREQUENCY SYNTHESIZER WITH ULTRA LOW PHASE NOISE

Номер патента: RU2018101470A. Автор: Йекутиэль ЙОЗЕФСБЕРГ,Таль И. ЛАВИАН. Владелец: Таль И. ЛАВИАН. Дата публикации: 2019-07-18.

voltage transform circuit with ultra low power

Номер патента: KR100629520B1. Автор: 이동현,구자남,민영훈,송일종,김청월. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-09-28.

Power-rail ESD protection circuit with ultra low gate leakage

Номер патента: US7817390B2. Автор: Ming-Dou Ker,Ryan Hsin-Chin Jiang,Chin-Hao Chen. Владелец: Amazing Microelectronic Corp. Дата публикации: 2010-10-19.

Receiver circuit with ultra-low power consumption

Номер патента: CN110912571B. Автор: 朱敏,谭毅,刘泽学,沈正坤. Владелец: Elownipmicroelectronics Beijing Co ltd. Дата публикации: 2022-02-22.

Reference voltage providing circuit with ultra low power consumption

Номер патента: KR100605258B1. Автор: 이동현,구자남,민영훈,송일종,김청월. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-07-31.

Sporadic network traffic with ultra-low transmission delay

Номер патента: TWI651951B. Автор: 克里斯多夫曼金. Владелец: 日商三菱電機股份有限公司. Дата публикации: 2019-02-21.

Highly conductive carbon nanotube having bundle moieties with ultra-low bulk density and highly conductive polymer nano-composite using the same

Номер патента: KR101327812B1. Автор: 장영찬,김동환,이완성,정우람. Владелец: 금호석유화학 주식회사. Дата публикации: 2013-11-11.

Buffer with ultra-low static power consumption

Номер патента: CN112468101B. Автор: 吴忠洁,唐成伟,邹鹏良. Владелец: Shanghai Mindmotion Microelectronics Co ltd. Дата публикации: 2021-04-30.

Energy harvesting electronic devices with ultra-low power consumption

Номер патента: WO2023118850A1. Автор: Nathan James Smith,Mathieu BELLANGER,Matthias Kauer,Julien Pierre Raymond CAMPOS. Владелец: Lightricity Limited. Дата публикации: 2023-06-29.

High stability gain structure and filter realization with less than 50 ppm/° c. temperature variation with ultra-low power consumption using switched-capacitor and sub-threshold biasing

Номер патента: US11239806B2. Автор: Aatmesh Shrivastava. Владелец: Northeastern University Boston. Дата публикации: 2022-02-01.

Video reconstruction from videos with ultra-low frame-per-second

Номер патента: EP4322101A2. Автор: Vikas Chandra,Rakesh Ranjan,Ingrid Anda COTOROS,Xiaoyu XIANG. Владелец: Meta Platforms Inc. Дата публикации: 2024-02-14.

Ferroelectric organic memories with ultra-low voltage operation

Номер патента: EP2294578A1. Автор: Alain Jonas,Zhijun Hu. Владелец: Universite Catholique de Louvain UCL. Дата публикации: 2011-03-16.

Video reconstruction from videos with ultra-low frame-per-second

Номер патента: EP4322101A3. Автор: Vikas Chandra,Rakesh Ranjan,Ingrid Anda COTOROS,Xiaoyu XIANG. Владелец: Meta Platforms Inc. Дата публикации: 2024-03-13.

Video Reconstruction from Videos with Ultra-low Frame-per-second

Номер патента: US20240054664A1. Автор: Vikas Chandra,Rakesh Ranjan,Ingrid Anda COTOROS,Xiaoyu XIANG. Владелец: Meta Platforms Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Ultra-low energy per cycle oscillator topology

Номер патента: US12149248B2. Автор: Manikandan R R. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-11-19.

Ultra-low Energy per Cycle Oscillator Topology

Номер патента: US20190028089A1. Автор: R R Manikandan. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

ULTRA-LOW ENERGY PER CYCLE OSCILLATOR TOPOLOGY

Номер патента: US20220294426A1. Автор: R R Manikandan. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-15.

NEAR ULTRA-LOW ENERGY FIELD (NULEF) HEADSET COMMUNICATIONS

Номер патента: US20210204105A1. Автор: McFARTHING Anthony,Boz Zafer. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-01.

Ultra-low energy per cycle oscillator topology

Номер патента: US11349456B2. Автор: Manikandan R R. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2022-05-31.

Spin transistor using spin filter effect and nonvolatile memory using spin transistor

Номер патента: CN100470844C. Автор: 菅原聪,田中雅明. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2009-03-18.

Spin transistor based on the spin-filter effect, and non-volatile memory using spin transistors

Номер патента: US20110031545A1. Автор: Masaaki Tanaka,Satoshi Sugahara. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2011-02-10.

Spin transistor using spin filter effect and nonvolatile memory using spin transistor

Номер патента: EP1555694B1. Автор: Masaaki Tanaka,Satoshi c/o Tokyo Inst. Technology SUGAHARA. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2012-02-29.

Graphene Spin Transistor and Graphene Rashba Spin Logic Gate for All-Electrical Operation at Room Temperature

Номер патента: US20210036133A1. Автор: CHO Sungjae. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-04.

Spin transistors based on voltage-controlled magnon transport in multiferroic antiferromagnets

Номер патента: EP4115455A4. Автор: Chang-Beom Eom,Tianxiang Nan,Jonathon SCHAD. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2024-04-24.

SEMICONDUCTOR ELEMENT, MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC SENSOR AND SPIN TRANSISTOR

Номер патента: US20200098979A1. Автор: Koike Hayato. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2020-03-26.

EMITTER-COUPLED SPIN-TRANSISTOR LOGIC

Номер патента: US20160134287A1. Автор: Wessels Bruce W.,Friedman Joseph S.,Memik Gokhan. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-12.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC SENSOR AND SPIN TRANSISTOR

Номер патента: US20200279938A1. Автор: Koike Hayato. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2020-09-03.

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC SENSOR AND SPIN TRANSISTOR

Номер патента: US20190305214A1. Автор: Koike Hayato. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2019-10-03.

Magnetic memory element, magnetic memory device, spin transistor, and integrated circuit

Номер патента: KR101375389B1. Автор: 요시아끼 사이또,히데유끼 스기야마,도모아끼 이노꾸찌,다까오 마루까메,미즈에 이시까와,마사히꼬 나까야마,다쯔야 기시,히로아끼 요다. Владелец: 가부시끼가이샤 도시바. Дата публикации: 2014-03-17.

Spin transistor using perpendicular magnetization

Номер патента: KR100855105B1. Автор: 김형준,구현철,장준연,한석희,마진석. Владелец: 한국과학기술연구원. Дата публикации: 2008-08-29.

Spin transistor using ferromagnet

Номер патента: KR100709395B1. Автор: 김형준,이현정,구현철,장준연,한석희,엄종화. Владелец: 한국과학기술연구원. Дата публикации: 2007-04-20.

Spin transistor

Номер патента: AU4081201A. Автор: John Francis Gregg. Владелец: Oxford University Innovation Ltd. Дата публикации: 2001-09-24.

Spin transistor and method of forming the same

Номер патента: JP4574367B2. Автор: 瀛文黄,志権 ▲ろ▼,藍青謝,永徳姚,得瑞黄,朝居朱. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2010-11-04.

Spin transistor based on multiferroic or ferroelectric material

Номер патента: CN103515426A. Автор: 韩秀峰,陶玲玲,刘东屏,刘厚方. Владелец: Institute of Physics of CAS. Дата публикации: 2014-01-15.

Vertical Spin Transistors and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: KR100929315B1. Автор: 정수옥. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-11-27.

Spin transistor

Номер патента: US20030164509A1. Автор: John Gregg. Владелец: Oxford University Innovation Ltd. Дата публикации: 2003-09-04.

Spin transistor

Номер патента: JP2003092412A. Автор: Koichi Mizushima,利江佐藤,公一水島,Toshie Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-03-28.

Semiconductor element, magnetoresistance effect element, magnetic sensor and spin transistor

Номер патента: US20200098979A1. Автор: Hayato Koike. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Logical circuit and single electron spin transistor

Номер патента: TW200703905A. Автор: Masaaki Tanaka,Satoshi Sugahara,Nam-Hai Pham. Владелец: Japan Science & Tech Agency. Дата публикации: 2007-01-16.

Transistor with isolation below source and drain

Номер патента: EP3729514A1. Автор: Gilbert Dewey,Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Anand S. Murthy,Willy Rachmady,Matthew V. Metz,Sean T. MA,Cheng-Ying Huang,Nicholas G. MINUTILLO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-10-28.

Transistors with dual wells

Номер патента: US20190207025A1. Автор: Douglas T. Grider,Xiang-Zheng Bo,Michelle N. NGUYEN. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-07-04.

Transistors with dual wells

Номер патента: US20210050445A1. Автор: Douglas T. Grider,Xiang-Zheng Bo,Michelle N. NGUYEN. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

Selector transistor with continuously variable current drive

Номер патента: US20210217814A1. Автор: Dafna Beery,Amitay Levi,Andrew J. Walker,Peter Cuevas. Владелец: Spin Assignment for Benefit of Creditors LLC. Дата публикации: 2021-07-15.

Fin-type field-effect transistors with strained channels

Номер патента: US20180026137A1. Автор: Henry K. Utomo,Reinaldo A. Vega,Yun Y. Wang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-25.

Vertical field effect transistor with low-resistance bottom source-drain contact

Номер патента: US20200176611A1. Автор: Soon-Cheon Seo,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-06-04.

Vertical field effect transistors with bottom source/drain epitaxy

Номер патента: US09972700B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Fin-type field-effect transistors with strained channels

Номер патента: US09905694B2. Автор: Henry K. Utomo,Reinaldo A. Vega,Yun Y. Wang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Vertical field effect transistors with bottom source/drain epitaxy

Номер патента: US09865705B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Fabrication of vertical field effect transistors with uniform structural profiles

Номер патента: US09837410B1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Transistor with curved active layer

Номер патента: US09812586B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Fin-type field-effect transistors with strained channels

Номер патента: US09680019B1. Автор: Henry K. Utomo,Reinaldo A. Vega,Yun Y. Wang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Method of fabricating a transistor with semiconductor gate combined locally with a metal

Номер патента: WO2008084085A9. Автор: Markus Müller,Gregory Bidal. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2009-09-03.

Method of fabricating a transistor with semiconductor gate combined locally with a metal

Номер патента: EP2115769A1. Автор: Markus Müller,Gregory Bidal. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-11-11.

Method of fabricating a transistor with semiconductor gate combined locally with a metal

Номер патента: US20100102402A1. Автор: Markus Müller,Gregory Bidal. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-04-29.

Method of fabricating a transistor with semiconductor gate combined locally with a metal

Номер патента: EP2115769B1. Автор: Markus Müller,Gregory Bidal. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2011-03-16.

Vertical nano-wire complimentary metal-oxide-semiconductor transistor with cylindrical iii-v compound and germanium channel

Номер патента: US20200152798A1. Автор: Soon-Cheon Seo,ChoongHyun Lee,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-14.

Trench-gate field effect transistor with improved electrical performances and corresponding manufacturing process

Номер патента: US12027620B2. Автор: Salvatore Privitera,Davide Giuseppe Patti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-07-02.

Mos transistor with a p-field implant overlying each end of a gate thereof

Номер патента: EP2150981A1. Автор: Ching Tee Elizabeth Kho,Michael May,Wenyi Li,Kia Yaw Kee,Mee Guoh Michael Tiong,Wen Jun Li,Chean Chian Alain Liew. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2010-02-10.

Insulated gate bipolar transistor with a lateral gate structure and gallium nitride substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160111519A1. Автор: Chien-Wei Chiu,Tsung-Yu Yang,Tsung-Yi Huang,Tsung-Chieh Hsiao,Chih-Fang Huang,Ting-Fu Chang,Po-Chin Peng,Ya-Hsien Liu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2016-04-21.

Insulated gate bipolar transistor with a lateral gate structure and gallium nitride substrate

Номер патента: US9252219B2. Автор: Chien-Wei Chiu,Tsung-Yu Yang,Tsung-Yi Huang,Tsung-Chieh Hsiao,Chih-Fang Huang,Ting-Fu Chang,Po-Chin Peng,Ya-Hsien Liu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2016-02-02.

Vertical transistor with edram

Номер патента: US20190363092A1. Автор: Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-11-28.

Fin-type field effect transistors with uniform channel lengths and below-channel isolation on bulk semiconductor substrates and methods

Номер патента: US20200044069A1. Автор: Andreas Knorr,Ruilong Xie,Julien Frougier,Srikanth Balaji Samavedam. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-02-06.

VERTICAL BIPOLAR TRANSISTOR WITH A MAJORITY CARRIER ACCUMULATION LAYER AS A SUBCOLLECTOR FOR SOI BiCMOS WITH REDUCED BURIED OXIDE THICKNESS FOR LOW-SUBSTRATE BIAS OPERATION

Номер патента: US20080261371A1. Автор: Qiging Ouyang,Mahender Kumar,Christopher D. Sheraw,Herbert L. Ho,Paul A. Papworth,Michael D. Steigerwalt. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-10-23.

Junction field effect transistor with a hyperabrupt junction

Номер патента: EP2168163A1. Автор: Jeffrey B. Johnson,Richard A. Phelps,Ebenezer E. Eshun,Robert M. Rassel,Michael L. Zierak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-03-31.

Method for manufacturing and structure for transistors with reduced gate to contact spacing

Номер патента: US20020106875A1. Автор: Mark Rodder,Keith Joyner. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2002-08-08.

Nanosheet transistor with inner spacers

Номер патента: US11764265B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Steep-switch field effect transistor with integrated bi-stable resistive system

Номер патента: US10566436B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Nicolas Loubet,Daniel Chanemougame,Julien Frougier,Ali Razavieh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-18.

Vertical field effect transistor with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US20200373434A1. Автор: Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang,Xin Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-11-26.

Bipolar transistor with a very narrow emitter feature

Номер патента: US20050082642A1. Автор: Francois Pagette,Andreas Stricker,Marwan Khater,Gregory Freeman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-04-21.

Method for making nanostructure transistors with flush source/drain dopant blocking structures including a superlattice

Номер патента: US20240322014A1. Автор: DongHun Kang. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Nanostructure transistors with flush source/drain dopant blocking structures including a superlattice

Номер патента: US20240322025A1. Автор: DongHun Kang. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Steep-switch field effect transistor with integrated bi-stable resistive system

Номер патента: US20200144385A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Nicolas Loubet,Daniel Chanemougame,Julien Frougier,Ali Razavieh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-07.

Steep-switch field effect transistor with integrated bi-stable resistive system

Номер патента: US20190252508A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Nicolas Loubet,Daniel Chanemougame,Julien Frougier,Ali Razavieh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-15.

Nanostructure transistors with flush source/drain dopant blocking structures including a superlattice and related methods

Номер патента: WO2024206102A1. Автор: DongHun Kang. Владелец: Atomera Incorporated. Дата публикации: 2024-10-03.

Vertical-transport field-effect transistors with a damascene gate strap

Номер патента: US09911738B1. Автор: Brent A. Anderson,Junli Wang,Kwan-Yong Lim,Hiroaki Niimi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Stacked nanosheet field-effect transistor with diode isolation

Номер патента: US09847391B1. Автор: Hui Zang,Jae Gon Lee. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Non-planar III-V field effect transistors with conformal metal gate electrode and nitrogen doping of gate dielectric interface

Номер патента: US09818847B2. Автор: Gilbert Dewey,Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Scott B. Clendenning. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

N-channel double diffusion MOS transistor with p-type buried layer underneath n-type drift and drain layers, and semiconductor composite device

Номер патента: US09812565B2. Автор: Kensuke Sawase,Motohiro TOYONAGA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Vertical field effect transistor with wrap around metallic bottom contact to improve contact resistance

Номер патента: US09773913B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Vertical field effect transistor with undercut buried insulating layer to improve contact resistance

Номер патента: US09761726B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Silicon-on-insulator transistor with self-aligned borderless source/drain contacts

Номер патента: US09368590B2. Автор: David V. Horak,Charles W. Koburger,Balasubramanian S. Haran,Susan S. FAN. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-14.

Field effect transistor with strained channels and method

Номер патента: US20240234530A1. Автор: Yu-Ting Lin,Chun-Hsiung Tsai,Yu-Ming Lin,Kuo-Feng Yu,Ming-Te Chen,Yi-Hsiu Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Transistor with cladded electrodes and method of fabrication therefor

Номер патента: EP4343851A1. Автор: Darrell Glenn Hill. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-03-27.

Transistor with isolation below source and drain

Номер патента: US20240113161A1. Автор: Gilbert Dewey,Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Anand S. Murthy,Willy Rachmady,Matthew V. Metz,Sean T. MA,Cheng-Ying Huang,Nicholas G. MINUTILLO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Cmos transistors with identical active semiconductor region shapes

Номер патента: US20160172362A1. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-06-16.

Embedded source or drain region of transistor with laterally extended portion

Номер патента: US20190123203A1. Автор: Che-Cheng Chang,Chang-Yin Chen,Yung Jung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-25.

Transistor with single termination trench having depth more than 10 microns

Номер патента: US20230065066A1. Автор: Noel Hoilien,Peter West,Rajesh Appat. Владелец: Polar Semiconductor LLC. Дата публикации: 2023-03-02.

Method and structure for forming vertical transistors with shared gates and separate gates

Номер патента: US20200083111A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Stacked transistors with different channel widths

Номер патента: US20230298941A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Kangguo Cheng,John Zhang,Balasubramanian S. Pranatharthiharan. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2023-09-21.

Stacked transistor with separate gate

Номер патента: US20210091079A1. Автор: LAN Yu,Ruilong Xie,Heng Wu,Chun Wing Yeung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Self-Aligned Gate and Drift Design for High-Critical Field Strength Semiconductor Power Transistors with Ion Implantation

Номер патента: US20200357887A1. Автор: Kelson D Chabak,Andrew J Green,Gregg H Jessen. Владелец: US Air Force. Дата публикации: 2020-11-12.

Complementary analog bipolar transistors with trench-constrained isolation diffusion

Номер патента: WO2004017373A9. Автор: Richard K Williams,Michael E Cornell,Wai Tien Chan. Владелец: Advanced Analogic Tech Inc. Дата публикации: 2004-06-24.

Transistor with channel material in a stack with insulator material supports

Номер патента: US20240222484A1. Автор: Feng Zhang,Kevin P. O'brien,Chia-Ching Lin,Guowei Xu,Ashish Verma Penumatcha,Uygar Avci,Carl H. Naylor,Chelsey DOROW,Kirby MAXEY,Ande KITAMURA,Tao Chu,Ting-Hsiang Hung,Mahmut Sami KAVRIK. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Junction field effect transistor with an epitaxially grown gate structure

Номер патента: US8647936B2. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Tak H. Ning,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-02-11.

Creation of a transistor with close silicide source and drain from the canal

Номер патента: US20240249945A1. Автор: Shay REBOH,Laurent Brunet,Pablo Acosta Alba,Frederic Milesi. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-07-25.

Field-effect transistors with a high-temperature hardmask and self-aligned p-shield

Номер патента: US20240258421A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Transistor with cladded structure and method of fabrication therefor

Номер патента: US20240105808A1. Автор: Darrell Glenn Hill. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Transistor with gate attached field plate

Номер патента: US20230387258A1. Автор: Michael A. Smith. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Lateral heterojunction bipolar transistor with improved breakdown voltage and method

Номер патента: US11777019B2. Автор: Hong Yu,Vibhor Jain,Judson R. Holt. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Bipolar transistor with carbon alloyed contacts

Номер патента: US20150236093A1. Автор: Bahman Hekmatshoartabari,Tak H. Ning,Kevin K. Chan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-08-20.

Complementary analog bipolar transistors with trench-constrained isolation diffusion

Номер патента: WO2004017373A3. Автор: Richard K Williams,Michael E Cornell,Wai Tien Chan. Владелец: Advanced Analogic Tech Inc. Дата публикации: 2005-07-14.

Low-power consumption tunneling field-effect transistor with finger-shaped gate structure

Номер патента: US20120223361A1. Автор: ZHAN Zhan,Ru Huang,Qianqian Huang,Yangyuan Wang. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-09-06.

Method of manufacturing a hetero-junction bipolar transistor with epitaxially grown multi-layer films and annealing at or below 600° C.

Номер патента: US6818521B2. Автор: Kenji Hiratsuka. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2004-11-16.

Field-effect transistors with a high-temperature hardmask and self-aligned p-type buried shield

Номер патента: EP4411823A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

MOS-Transistor with Separated Electrodes Arranged in a Trench

Номер патента: US20150357437A1. Автор: Antonio Vellei. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-12-10.

Horizontal Current Bipolar Transistor with Silicon-Germanium base

Номер патента: US12062699B2. Автор: Marko Koricic,Tomislav Suligoj,Josip Zilak,Zeljko Osrecki. Владелец: Zagreb Faculty Of Electrical Engineering And Computing, University of. Дата публикации: 2024-08-13.

Vertical field effect transistor with self-aligned source and drain top junction

Номер патента: US20210273077A1. Автор: Chen Zhang,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-09-02.

Tunnel field-effect transistor with reduced trap-assisted tunneling leakage

Номер патента: US11728418B2. Автор: Gerben Doornbos,Matthias Passlack,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Nanostructure transistors with source/drain trench contact liners

Номер патента: US20240321981A1. Автор: DongHun Kang. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for making nanostructure transistors with source/drain trench contact liners

Номер патента: US20240322015A1. Автор: DongHun Kang. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for making nanostructure transistors with offset source/drain dopant blocking structures including a superlattice

Номер патента: US20240322005A1. Автор: DongHun Kang. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Nanostructure transistors with offset source/drain dopant blocking structures including a superlattice

Номер патента: US20240322026A1. Автор: DongHun Kang. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Nanostructure transistors with source/drain trench contact liners and associated methods

Номер патента: WO2024206106A1. Автор: DongHun Kang. Владелец: Atomera Incorporated. Дата публикации: 2024-10-03.

Multi-channel high electron mobility transistor with doped gate fins

Номер патента: US20240332409A1. Автор: Clemens Ostermaier,Korbinian Reiser,Lauri Olavi Knuuttila. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-10-03.

Nanostructure transistors with offset source/drain dopant blocking structures including a superlattice and related methods

Номер патента: WO2024206104A1. Автор: DongHun Kang. Владелец: Atomera Incorporated. Дата публикации: 2024-10-03.

Nanostructure field-effect transistors with enhanced mobility source/drain regions

Номер патента: US09978836B1. Автор: Bartlomiej J. Pawlak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Metal oxide thin film transistor with source and drain regions doped at room temperature

Номер патента: US09960281B2. Автор: Lei Lu,Man Wong,Hoi Sing Kwok. Владелец: Hong Kong University of Science and Technology HKUST. Дата публикации: 2018-05-01.

Method of forming field effect transistors with replacement metal gates and contacts and resulting structure

Номер патента: US09911736B1. Автор: Hui Zang,Haigou Huang,Xiaofeng Qiu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Thin film transistor with multiple oxide semiconductor layers

Номер патента: US09887295B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideomi Suzawa,Yuhei Sato,Sachiaki TEZUKA,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device and reverse conducting insulated gate bipolar transistor with isolated source zones

Номер патента: US09876100B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Matteo Dainese,Peter Lechner,Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-23.

Nanostructure field-effect transistors with enhanced mobility source/drain regions

Номер патента: US20180130878A1. Автор: Bartlomiej J. Pawlak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-10.

Transistor with MIS connections and fabricating process

Номер патента: US09831319B2. Автор: Yves Morand,Fabrice Nemouchi,Heimanu Niebojewski,Louis HUTIN,Julien BORREL. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-11-28.

Bidirectional bipolar transistors with two-surface cellular geometries

Номер патента: US09679999B2. Автор: Richard A. Blanchard. Владелец: Ideal Power Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Field effect transistor with multi-metal gate via and method

Номер патента: US20240379422A1. Автор: Sung-Li Wang,Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

High electron mobility transistors with field plate electrode

Номер патента: US09577064B2. Автор: Marco Peroni,Paolo Romanini. Владелец: Selex ES SpA. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device and insulated gate bipolar transistor with source zones formed in semiconductor mesas

Номер патента: US09570577B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Matteo Dainese,Peter Lechner,Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-02-14.

CMOS transistors with identical active semiconductor region shapes

Номер патента: US09570444B2. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device with non-isolated power transistor with integrated diode protection

Номер патента: US09559097B2. Автор: Weize Chen,Patrice M. Parris,Hubert M. Bode,Andreas Laudenbach,Kurt U. Neugebauer,Richard J DeSouza. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Memory transistors with buried gate electrodes

Номер патента: US09472557B2. Автор: Kazutaka Manabe. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2016-10-18.

Oxide semiconductor thin film transistor with reduced impurity diffusion

Номер патента: US09455349B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideomi Suzawa,Yuhei Sato,Sachiaki TEZUKA,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

LDMOS transistor and method of forming the LDMOS transistor with improved Rds*Cgd

Номер патента: US09455332B2. Автор: Jun Cai. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Field effect transistor with heterostructure channel

Номер патента: US09437738B2. Автор: Chien-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Stacked transistors with stepped contacts

Номер патента: US20240203984A1. Автор: Su Chen Fan,Indira Seshadri,Jay William Strane,Stuart Sieg. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Fin field effect transistor with field plating

Номер патента: US20230085365A1. Автор: Ming-Yeh Chuang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-03-16.

Complementary metal oxide semiconductor device having fin field effect transistors with a common metal gate

Номер патента: US20210183710A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Low-frequency nosie transistors with curved channels

Номер патента: US20240088289A1. Автор: Shih-Chang Chen,Wen-Chao Shen. Владелец: Taiwen Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

FinFET Transistor with Fin Back Biasing

Номер патента: US20180197857A1. Автор: Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Tsung-Yao Wen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-07-12.

Self-aligned trench field effect transistors with regrown gates and bipolar junction transistors with regrown base contact regions and methods of making

Номер патента: AU2006322108A1. Автор: Igor Sankin,Joseph Neil Merrett. Владелец: Semisouth Laboratories Inc. Дата публикации: 2007-06-14.

Self-aligned trench field effect transistors with regrown gates and bipolar junction transistors with regrown base contact regions and methods of making

Номер патента: EP1969617B1. Автор: Igor Sankin,Joseph Neil Merrett. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2015-02-25.

High mobility field effect transistors with a band-offset semiconductor source/drain spacer

Номер патента: US20180350798A1. Автор: Gilbert Dewey,Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Anand S. Murthy,Chandra S. Mohapatra,Willy Rachmady,Matthew V. Metz,Sean T. MA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-12-06.

Non-planar transistors with channel regions having varying widths

Номер патента: US20200295002A1. Автор: Richard Schenker,Sam Sivakumar,Stephanie A. BOJARSKI,Leonard GULER,Michael K. Harper,Urusa ALAAN,Stephen D. Snyder,Achala Bhuwalka. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Transistor with a body and back gate structure in different material layers

Номер патента: US20240222440A1. Автор: Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Ibrahim Ban,Samuel James Bader,Heli Chetanbhai VORA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Methods for fabrication of graphene field-effect transistors with a liquid top-gate and associated componentry

Номер патента: WO2024130332A1. Автор: Mohammad Choucair,Alexander Porkovich,Rhea Cornely,Angela Tanesha,Marta Sanchez-Miranda,Sam Peppou-Chapman. Владелец: Archer Materials Limited. Дата публикации: 2024-06-27.

Improved contacts to n-type transistors with l-valley channels

Номер патента: US20200411690A1. Автор: Benjamin Chu-Kung,Rishabh Mehandru,Cory E. Weber,Harold Kennel,Dax M. CRUM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-12-31.

Gate-all-around (gaa) transistors with additional bottom channel for reduced parasitic capacitance and methods of fabrication

Номер патента: WO2021247167A1. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Jun Yuan,Peijie Feng. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2021-12-09.

Gate-all-around (gaa) transistors with additional bottom channel for reduced parasitic capacitance and methods of fabrication

Номер патента: EP4161868A1. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Jun Yuan,Peijie Feng. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-04-12.

Transistors with temperature compensating gate structures

Номер патента: US20190355826A1. Автор: Ian A. Young,Uygar E. Avci,Daniel H. Morris. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-11-21.

Fin field effect transistor with field plating

Номер патента: WO2022008977A1. Автор: Ming-Yeh Chuang. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2022-01-13.

Multi-gate field-effect transistor with enhanced and adaptable low-frequency noise

Номер патента: US20120168868A1. Автор: Hsin Chen,Jeng Gong,Tang-Jung CHIU. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-05.

High electron mobility transistor with reverse arrangement of channel layer and barrier layer

Номер патента: US20190334023A1. Автор: Ken Nakata. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

High electron mobility transistor with reverse arrangement of channel layer and barrier layer

Номер патента: US20200373423A1. Автор: Ken Nakata. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2020-11-26.

Embedded source or drain region of transistor with downward tapered region under facet region

Номер патента: US12051752B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yung Jung Chang,Tung-Wen CHENG,Zhe-Hao Zhang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Methods of forming a transistor with an integrated metal silicide gate electrode

Номер патента: WO2005020282A3. Автор: Todd R Abbot. Владелец: Todd R Abbot. Дата публикации: 2006-02-09.

Methods of forming a transistor with an integrated metal silicide gate electrode

Номер патента: EP1656696B1. Автор: Todd R. Abbot. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-04-21.

Methods of forming a transistor with an integrated metal silicide gate electrode

Номер патента: WO2005020282A2. Автор: Todd R. Abbot. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2005-03-03.

Semiconductor device having cell transistor with recess channel structure

Номер патента: US20090085108A1. Автор: Yasushi Yamazaki. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-04-02.

Field effect transistors with reduced leakage current

Номер патента: US11955555B2. Автор: Roda Kanawati,Paul D. Hurwitz,Rula BADARNEH,Kurt Moen. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2024-04-09.

Stacked transistors with removed epi barrier

Номер патента: EP4199063A1. Автор: Nitesh Kumar,Gilbert Dewey,Marko Radosavljevic,Scott B. Clendenning,Willy Rachmady,Urusa ALAAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-21.

Vertical transistor with self-aligned gate

Номер патента: US11728433B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-08-15.

Bipolar junction transistor with high beta

Номер патента: WO2006098868A3. Автор: Moshe Agam,Robert Bartel,Richard Smoak,Adrian Mcdonald. Владелец: Lattice Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-04-12.

Vertical Transistors with Different Gate Lengths

Номер патента: US20190148372A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

High Electron Mobility Transistor with Graded Back-Barrier Region

Номер патента: US20180138304A1. Автор: Gilberto Curatola. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-05-17.

Thin film transistor, with shaped base device, electronic apparatus and method of manufacturing thin film transistor

Номер патента: US10014324B2. Автор: Akiko Honjo. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-07-03.

Bipolar junction transistors with self-aligned terminals

Номер патента: US20150214344A1. Автор: James R. Elliott,Qizhi Liu,Alvin J. Joseph,Peter B. Gray,John J. Benoit,Christa R. Willets. Владелец: GlobalFoundries US 2 LLC. Дата публикации: 2015-07-30.

Nanosheet transistor with fully isolated source and drain regions and spacer pinch off

Номер патента: US20200303500A1. Автор: Nicolas Loubet,Pietro Montanini. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Lateral bipolar transistor with emitter and collector regions including portions within in-insulator layer cavities and method

Номер патента: EP4184588A1. Автор: Jeffrey B. Johnson,Shesh Mani Pandey. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-05-24.

Bipolar transistor with base horizontally displaced from collector

Номер патента: US11728380B2. Автор: Viorel C. Ontalus. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-08-15.

Stacked self-aligned transistors with single workfunction metal

Номер патента: US20200105891A1. Автор: Gilbert Dewey,Justin Weber,Willy Rachmady,Rishabh Mehandru,Aaron Lilak. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-04-02.

Vertical power transistor with termination area having doped trenches with variable pitches

Номер патента: US20170250246A1. Автор: Hamza Yilmaz. Владелец: MaxPower Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2017-08-31.

Vertical field effect transistors with metallic source/drain regions

Номер патента: US20170317177A1. Автор: Rajasekhar Venigalla,Robert R. Robison,Reinaldo Vega,Hari V. Mallela. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-02.

III-N transistors with local stressors for threshold voltage control

Номер патента: US11670709B2. Автор: Nidhi Nidhi,Paul B. Fischer,Walid M. Hafez,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Rahul RAMASWAMY,Johann Christian Rode. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-06.

Field-effect transistors with a gate dielectric layer formed on a surface treated by atomic layer etching

Номер патента: US20240290617A1. Автор: Francois Hebert,James A. Cooper,Hema Lata Rao MADDI. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Thin-film transistors with low contact resistance

Номер патента: US20200235246A1. Автор: Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Abhishek A. Sharma,Benjamin Chu-Kung,Van H. Le,Tristan A. TRONIC,Li Huey Tan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-07-23.

Thin-film transistors with low contact resistance

Номер патента: US20220045220A1. Автор: Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Abhishek A. Sharma,Benjamin Chu-Kung,Van H. Le,Tristan A. TRONIC,Li Huey Tan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-02-10.

Thin-film transistors with low contact resistance

Номер патента: US11742429B2. Автор: Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Abhishek A. Sharma,Benjamin Chu-Kung,Van H. Le,Tristan A. TRONIC,Li Huey Tan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Fin field effect transistor with field plating

Номер патента: US12074216B2. Автор: Ming-Yeh Chuang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Vertical vacuum channel transistor with minimized air gap between tip and gate

Номер патента: US20190378675A1. Автор: Seyoung Kim,Soon-Cheon Seo,ChoongHyun Lee,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-12-12.

Transistor with contacted deep well region

Номер патента: US20180026115A1. Автор: George IMTHURN. Владелец: Silanna Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2018-01-25.

Lateral diffusion field effect transistor with drain region self-aligned to gate electrode

Номер патента: US20120126319A1. Автор: Jeffrey P. Gambino,Xuefeng Liu,Steven H. Voldman,Natalie B. Feilchenfeld,Michael J. Zierak,Benjamin T. Voegeli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-05-24.

Bipolar transistor with improved gain

Номер патента: US20120187538A1. Автор: XIN Lin,Jiang-Kai Zuo,Daniel J. Blomberg. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2012-07-26.

A high electron mobility transistor with source and drain electrodes below the channel

Номер патента: WO2023100058A1. Автор: Peter Mueller,Thomas Morf,Eunjung Cha,Bogdan ZOTA. Владелец: IBM Deutschland GmbH. Дата публикации: 2023-06-08.

Single-electron transistor with self-aligned coulomb blockade

Номер патента: US20170352751A1. Автор: Fei Liu,Kangguo Cheng,Qing Cao,Zhengwen Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-07.

Field effect transistors with ferroelectric dielectric materials

Номер патента: US11282940B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Ziwei Fang,Chi On Chui,Cheng-Ming Lin,Kai Tak Lam. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-22.

Field Effect Transistors with Reduced Leakage Current

Номер патента: US20230395722A1. Автор: Roda Kanawati,Paul D. Hurwitz,Rula BADARNEH,Kurt Moen. Владелец: Newport Fab dba Tower Semiconductor Newport Beach LLC. Дата публикации: 2023-12-07.

Fabrication of a vertical fin field effect transistor with a reduced contact resistance

Номер патента: US20180012969A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-11.

Three-dimensional integrated circuits (3dics) including bottom gate mos transistors with monocrystalline channel material

Номер патента: US20210202476A1. Автор: Gilbert Dewey,Cory BOMBERGER,Anand Murthy,Jack Kavalieros,Kimin Jun,Willy Rachmady,Ashish Agrawal,Cheng-Ying Huang,Zachary Geiger,Ryan KEECH,Koustav Ganguly. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-07-01.

Nanosheet transistor with asymmetric junction and robust structure stability

Номер патента: US20230095447A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-03-30.

Metal oxide semiconductor (MOS) transistors with increased break down voltages and methods of making the same

Номер патента: US20090184380A1. Автор: Marian Udrea Spenea,Serban Mihai Popescu,Laszlo Lipcsei. Владелец: O2Micro Inc. Дата публикации: 2009-07-23.

Bipolar Transistor with Depleted Emitter

Номер патента: US20100283082A1. Автор: Ho-Yuan Yu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-11.

Transistors with laterally extended active regions and methods of fabricating same

Номер патента: US20110183482A1. Автор: Min-Hee Cho,Sung-Sam LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-28.

Bipolar transistors with depleted emitter

Номер патента: US20070267656A1. Автор: Ho-Yuan Yu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-22.

Normally-on gallium nitride based transistor with p-type gate

Номер патента: US20240274705A1. Автор: Shoji Wada,Chang Soo Suh,Dong Seup Lee,Jungwoo Joh,Karen Hildegard Ralston Kirmse. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Silicon carbide transistor with channel counter-doping and pocket-doping

Номер патента: US20240258375A1. Автор: ASHISH Pal,Stephen Weeks,El Mehdi Bazizi,Siddarth Krishnan,Pratik B. Vyas,Ludovico Megalini. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

High voltage field effect transistors with superjunctions and method of making the same

Номер патента: US20240250119A1. Автор: Masashi Ishida. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-25.

Vertical semiconductor component, in particular vertical transistor, with minimized source-drain leakage currents

Номер патента: US20240234491A1. Автор: Daniel Krebs,Muhammad Alshahed,Dragos Costachescu,Humberto Rodriguez Alvarez. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-11.

MIS field effect transistor with metal oxynitride film

Номер патента: US6803635B2. Автор: Akira Nishiyama,Masato Koyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-10-12.

Multi-Channel High Electron Mobility Transistor with Reduced Input Capacitance

Номер патента: US20240304670A1. Автор: Clemens Ostermaier. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-09-12.

Normally-off gallium nitride transistor with insulating gate and method of making same

Номер патента: EP2859589A2. Автор: Rongming Chu,Karim S. Boutros,Andrea Corrion,Brian Hughes,Shawn D. Burnham. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2015-04-15.

Multi-channel high electron mobility transistor with reduced input capacitance

Номер патента: EP4428927A1. Автор: Clemens Ostermaier. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-09-11.

Silicon carbide transistor with channel counter-doping and pocket-doping

Номер патента: WO2024158690A1. Автор: ASHISH Pal,Stephen Weeks,El Mehdi Bazizi,Siddarth Krishnan,Pratik B. Vyas,Ludovico Megalini. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-08-02.

Vertical transistor with self-aligned gate

Номер патента: US20210057565A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-02-25.

Normally-off gallium nitride transistor with insulating gate and method of making same

Номер патента: WO2013184850A4. Автор: Rongming Chu,Karim S. Boutros,Andrea Corrion,Brian Hughes,Shawn D. Burnham. Владелец: HRL LABORATORIES, LLC. Дата публикации: 2014-03-20.

Normally-off gallium nitride transistor with insulating gate and method of making same

Номер патента: WO2013184850A2. Автор: Rongming Chu,Karim S. Boutros,Andrea Corrion,Brian Hughes,Shawn D. Burnham. Владелец: HRL LABORATORIES, LLC. Дата публикации: 2013-12-12.

Field effect transistor with narrowed spacer and method

Номер патента: US20240355907A1. Автор: Kuo-Cheng Chiang,Jung-Hung CHANG,Shih-Cheng Chen,Tsung-Han CHUANG,Chien Ning Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Methods of forming high electron mobility transistors with controlled gate length and high electron mobility transistors with controlled gate length

Номер патента: US20240304678A1. Автор: Won Sang Lee. Владелец: Woflspeed Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Vertical power transistor with termination area having doped trenches with variable pitches

Номер патента: US09978831B2. Автор: Hamza Yilmaz. Владелец: MaxPower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Lateral bipolar junction transistor with controlled junction

Номер патента: US09947778B2. Автор: Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Tunneling fin type field effect transistor with epitaxial source and drain regions

Номер патента: US09947586B2. Автор: Tenko Yamashita,Zuoguang Liu,Chun-Chen Yeh,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Select transistors with tight threshold voltage in 3D memory

Номер патента: US09941293B1. Автор: Yingda Dong,Liang PANG,Jayavel Pachamuthu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-04-10.

Transistor with threshold voltage set notch and method of fabrication thereof

Номер патента: US09922977B2. Автор: Reza Arghavani,Pushkar Ranade,Scott E. Thompson,Lucian Shifren,Catherine De Villeneuve. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Fabrication of a vertical fin field effect transistor with a reduced contact resistance

Номер патента: US09905663B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Gate cut on a vertical field effect transistor with a defined-width inorganic mask

Номер патента: US09882048B2. Автор: John R. Sporre,Brent A. Anderson,Sivananda K. Kanakasabapathy,Junli Wang,Stuart A. Sieg,Jeffrey C. SHEARER. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

High-voltage transistor with high current load capacity and method for its production

Номер патента: US09876095B2. Автор: Georg Roehrer. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2018-01-23.

Field effect transistor with elevated active regions and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09859422B2. Автор: Akira Inoue,Masatoshi Nishikawa,Fumiaki TOYAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-02.

Vertical field effect transistor with subway etch replacement metal gate

Номер патента: US09859421B1. Автор: Rajasekhar Venigalla,Robert R. Robison,Reinaldo A. Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Single-electron transistor with wrap-around gate

Номер патента: US09859409B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Vertical field effect transistors with metallic source/drain regions

Номер патента: US09859384B2. Автор: Rajasekhar Venigalla,Robert R. Robison,Reinaldo Vega,Hari V. Mallela. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Embedded source or drain region of transistor with downward tapered region under facet region

Номер патента: US09853154B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yung Jung Chang,Tung-Wen CHENG,Zhe-Hao Zhang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

III-V vertical field effect transistors with tunable bandgap source/drain regions

Номер патента: US09786768B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Transistor with contacted deep well region

Номер патента: US09780189B2. Автор: George IMTHURN. Владелец: Silanna Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Field-effect transistor with integrated Schottky contact

Номер патента: US09780086B2. Автор: Filip Bauwens,Jaume Roig Guitart,Samir Mouhoubi. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-10-03.

Heterostructure power transistor with AlSiN passivation layer

Номер патента: US09761704B2. Автор: Michael Murphy,Jamal Ramdani,John Paul Edwards. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

High-voltage normally-off field effect transistor with channel having multiple adjacent sections

Номер патента: US09748362B2. Автор: Michael Shur,Remigijus Gaska,Grigory Simin. Владелец: Sensor Electronic Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Vertical field effect transistors with metallic source/drain regions

Номер патента: US09728466B1. Автор: Rajasekhar Venigalla,Robert R. Robison,Reinaldo Vega,Hari V. Mallela. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Lateral bipolar junction transistor with abrupt junction and compound buried oxide

Номер патента: US09673307B1. Автор: Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Tak H. Ning,Kevin K. Chan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Nitride-based transistors with a cap layer and a recessed gate

Номер патента: US09666707B2. Автор: Scott Sheppard,Richard Peter Smith. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

III-V vertical field effect transistors with tunable bandgap source/drain regions

Номер патента: US09640667B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

HV complementary bipolar transistors with lateral collectors on SOI with resurf regions under buried oxide

Номер патента: US09640611B2. Автор: Jeffrey A. Babcock,Alexei Sadovnikov. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Strain-enhanced transistors with adjustable layouts

Номер патента: US09634094B1. Автор: Girish Venkitachalam,Peter J. McElheny,Fangyun Richter,Che Ta Hsu. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Gan semiconductor power transistors with stepped metal field plates and methods of fabrication

Номер патента: EP4439676A1. Автор: Thomas MacElwee,Vineet Unni. Владелец: Infineon Technologies Canada Inc. Дата публикации: 2024-10-02.

High voltage transistor with reduced isolation breakdown

Номер патента: US09614027B2. Автор: Shyue Seng Tan,Ying Keung Leung. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-04-04.

High electron mobility transistor with periodically carbon doped gallium nitride

Номер патента: US09608103B2. Автор: Jeffrey Craig Ramer,Karl Knieriem. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Current aperture vertical electron transistors with ammonia molecular beam epitaxy grown p-type gallium nitride as a current blocking layer

Номер патента: US09590088B2. Автор: Christophe Hurni,Ilan Ben-Yaacov,Srabanti Chowdhury,Umesh K. Mishra,Ramya Yeluri. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2017-03-07.

High-electron-mobility transistor with protective diode

Номер патента: US09589951B2. Автор: Kiyoshi Takeuchi,Takashi Hase,Ippei Kume,Toshiharu Nagumo. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Vertical transistor with flashover protection

Номер патента: US09524960B2. Автор: Bishnu Gogoi. Владелец: EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC. Дата публикации: 2016-12-20.

Method for fabricating a field effect transistor with local isolations on raised source/drain trench sidewalls

Номер патента: US09478656B2. Автор: Hualong Song. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Bidirectional power transistor with shallow body trench

Номер патента: US09472662B2. Автор: Moaniss Zitouni,Evgueniy Stefanov,Edouard Denis DE FRESART. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-10-18.

Pulsed laser anneal process for transistors with partial melt of a raised source-drain

Номер патента: US09443980B2. Автор: ROBERT James,Tahir Ghani,Mark Y. Liu,Harold Kennel,Jacob Jensen. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Transistor with threshold voltage set notch and method of fabrication thereof

Номер патента: US09418987B2. Автор: Reza Arghavani,Pushkar Ranade,Scott E. Thompson,Lucian Shifren,Catherine De Villeneuve. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Thin film transistors with oxide semiconductor having low resistance patterns with oxygen deficiencies

Номер патента: US09406700B2. Автор: Hiroshi Okumura,Je-Hun Lee,Jin-Hyun Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Nanowire transistor with underlayer etch stops

Номер патента: US09385221B2. Автор: Anand Murthy,Seiyon Kim,Daniel Aubertine,Kelin Kuhn. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-07-05.

Method of fabricating a top-gate type thin film transistor with dangling bonds of silicon partly combined with hydrogen

Номер патента: US5888856A. Автор: Koji Hamada. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-03-30.

Field effect transistor with corner diffusions for reduced leakage

Номер патента: US6974998B1. Автор: Yowjuang (Bill) Liu,Francois Gregoire. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2005-12-13.

Intra-gate offset high voltage thin film transistor with misalignment immunity

Номер патента: US4907041A. Автор: Tiao-Yuan Huang. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 1990-03-06.

Method of fabricating a semiconductor device having a lateral double diffused MOSFET transistor with a lightly doped source and CMOS transistor

Номер патента: US8071436B2. Автор: Marco A. Zuniga,Budong You. Владелец: Volterra Semiconductor LLC. Дата публикации: 2011-12-06.

High breakdown enhancement mode gallium nitride based high electron mobility transistors with integrated slant field plate

Номер патента: WO2008021544A3. Автор: Yuvaraj Dora,Chang Soo Suh,Umesh K Mishra. Владелец: Umesh K Mishra. Дата публикации: 2008-06-19.

High voltage demos transistor with improved threshold voltage matching

Номер патента: US11257907B2. Автор: Doug Weiser. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2022-02-22.

Vertical bipolar transistor with a majority carrier accumulation layer as a subcollector for SOI BiCMOS with reduced buried oxide thickness for low-substrate bias operation

Номер патента: US20060043530A1. Автор: Herbert Ho,Mahender Kumar,Michael Steigerwalt,Qiqing Ouyang,Paul Papworth,Christopher Sheraw. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-03-02.

Elevated temperature gallium arsenide field effect transistor with aluminum arsenide to aluminum gallium arsenide mole fractioned buffer layer

Номер патента: US5594262A. Автор: Chris Ito,Hyong Y. Lee,Belinda Johnson,Rocky Reston,Gerald Trombley,Charles Havasy. Владелец: US Air Force. Дата публикации: 1997-01-14.

Vertical bipolar transistor with collector and base extensions

Номер патента: US4982257A. Автор: Seiki Ogura,Nivo Rovedo,Shah Akbar,Patricia L. Kroesen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1991-01-01.

Vertical field effect transistors with bottom source/drain epitaxy

Номер патента: US20180114849A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-26.

Vertical field effect transistors with bottom source/drain epitaxy

Номер патента: US20190081157A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-03-14.

Vertical field effect transistors with bottom source/drain epitaxy

Номер патента: US20170352743A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-07.

Vertical field effect transistors with bottom source/drain epitaxy

Номер патента: US20180033869A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-01.

Vertical field effect transistors with bottom source/drain epitaxy

Номер патента: US10134874B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-20.

Bipolar junction transistors with reduced base-collector junction capacitance

Номер патента: US20150311283A1. Автор: John J. Pekarik,Marwan H. Khater,James R. Elliott,James W. Adkisson,Qizhi Liu,Robert K. Leidy,David L. Harame. Владелец: GlobalFoundries US 2 LLC. Дата публикации: 2015-10-29.

Vertical field effect transistor with self-aligned source and drain top junction

Номер патента: US20220059677A1. Автор: Chen Zhang,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

Drain extended transistor with trench gate

Номер патента: US20200365727A1. Автор: Christopher Boguslaw Kocon. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-11-19.

Drain extended transistor with trench gate

Номер патента: US20200152788A1. Автор: Christopher Boguslaw Kocon. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-05-14.

Vertical transistor with edram

Номер патента: US20190363090A1. Автор: Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-11-28.

Method of fabricating a dram transistor with a dual gate oxide technique

Номер патента: US20020119619A1. Автор: Fernando Gonzalez. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-29.

MAGNETO-RESISTANCE ELEMENT IN WHICH I-III-VI2 COMPOUND SEMICONDUCTOR IS USED, METHOD FOR MANUFACTURING SAID MAGNETO-RESISTANCE ELEMENT, AND MAGNETIC STORAGE DEVICE AND SPIN TRANSISTOR IN WHICH SAID MAGNETO-RESISTANCE ELEMENT IS USED

Номер патента: US20190237099A1. Автор: TAKAHASHI Yukiko,HONO Kazuhiro,Kasai Shinya,Mitani Seiji,OHKUBO Tadakatsu,Ikhtiar ,CHENG Pohan. Владелец: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE. Дата публикации: 2019-08-01.

Building envelope with ultra-low energy consumption

Номер патента: CN216664604U. Автор: 帅嘉成. Владелец: Huaming Design Group Co ltd. Дата публикации: 2022-06-03.

Method to manufacture steel with ultra low carbon

Номер патента: UA94624U. Автор: Юрій Володимирович Садовник,Людмила Петрівна Казакова,Юрій Андрійович Нефедов,Сергій Миколайович Підгорний,Олексій Юрійович Садовник,Андрій Вікторович Лисаков. Владелец: Національна Металургійна Академія України. Дата публикации: 2014-11-25.

Power adaptor with ultra-low standby power consumption

Номер патента: CN201830135U. Автор: 涂志雄,杨军治. Владелец: Shenzhen Skyworth RGB Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2011-05-11.

Material taking and running device with ultra-low rail

Номер патента: CN217197830U. Автор: 不公告发明人. Владелец: Shenzhen Yiwei Automobile Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-08-16.

Method for manufacturing expanded graphite with ultra-low microelement

Номер патента: CN1557705A. Автор: 岳敏,敏岳. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-29.

DH36 steel plate with ultra-low compression ratio and thickness specification and production method thereof

Номер патента: CN114686767A. Автор: 郑飞,孙卫华,张亚彬,王淑华,李国宝,周兰聚,李东岳,赵攀峰,杨建勋,王润港. Владелец: SD Steel Rizhao Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-01.

Austenitic stainless steel billet with ultra-low carbide content and manufacturing method thereof

Номер патента: CN115652210A. Автор: 田斌,胡海洋,张海明,李黎明,邢梦楠,胡昕明,欧阳鑫,杨雨泽,隋松言,贾春堂. Владелец: Angang Steel Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-31.

Deep sea generating set with ultra-low starting flow speed

Номер патента: CN101975137B. Автор: 雷军,张云海,周丽霞,田应元. Владелец: 710th Research Institute of CSIC. Дата публикации: 2013-03-13.

Application of synergized-pgm with ultra-low pgm loadings as close-coupled three-way catalysts for internal combustion engines

Номер патента: WO2017195134A1. Автор: Stephen J. Golden,Zahra Nazarpoor,Maxime Launois. Владелец: Clean Diesel Technologies, Inc.. Дата публикации: 2017-11-16.

Methods of making and using a cementitious composition with ultra-low portland cement

Номер патента: WO2023075946A1. Автор: Thomas Jason Pisklak,Samuel J. Lewis,John Paul Bir Singh. Владелец: HALLIBURTON ENERGY SERVICES, INC. Дата публикации: 2023-05-04.

Methods of Making and Using a Cementitious Composition with Ultra-Low Portland Cement

Номер патента: US20230138857A1. Автор: Thomas Jason Pisklak,Samuel J. Lewis,John Paul Bir Singh. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2023-05-04.

ARCHITECTURE WITH ULTRA-LOW POWER TO SUPPORT A CONSTANTLY INCLUDED WAY TO MEMORY

Номер патента: RU2016150184A. Автор: Джойдип РЭЙ,Сукету ПАРТИВАЛА,Прашантх КАЛЛУРАЯ,Брюс ФЛЕМИНГ,Шрикант ТХАККАР,Кеннет ШУМЭЙКЕР,Сридхар ЛАКШМАНАМУРТХИ,Сами ЙЕХИА. Владелец: Интел Корпорейшн. Дата публикации: 2018-06-22.

Universal tire crown rubber with ultra-low rolling resistance, preparation method thereof and tire

Номер патента: CN113637239A. Автор: 刘敏,马浩,宁振威,向婵. Владелец: Zhongce Rubber Jiande Co ltd. Дата публикации: 2021-11-12.

Stage lamp with ultra-low temperature starts function

Номер патента: CN217356616U. Автор: 其他发明人请求不公开姓名,蒋伟楷. Владелец: Guangzhou Haoyang Electronic Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-02.

Methods of making and using a cementitious composition with ultra-low portland cement

Номер патента: AU2022377185A1. Автор: Thomas Jason Pisklak,Samuel J. Lewis,John Paul Bir Singh. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Methods of making and using a cementitious composition with ultra-low portland cement

Номер патента: GB202403118D0. Автор: . Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2024-04-17.

Methods of making and using a cementitious composition with ultra-low portland cement

Номер патента: GB202403082D0. Автор: . Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2024-04-17.

Methods of making and using a cementitious composition with ultra-low portland cement

Номер патента: GB202403083D0. Автор: . Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2024-04-17.

Methods of making and using a cementitious composition with ultra-low Portland cement

Номер патента: GB2624604A. Автор: Jason Pisklak Thomas,J Lewis Samuel,Paul Bir Singh John. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2024-05-22.

Methods of making and using a cementitious composition with ultra-low portland cement

Номер патента: NO20240216A1. Автор: Thomas Jason Pisklak,Samuel J Lewis,John Paul Bir Singh. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2024-03-06.

Structure of assembled ultra-low energy consumption building precast concrete exterior wall cladding

Номер патента: CN217299358U. Автор: 陈旭,高庆,马伊硕,曹恒瑞,郝生鑫. Владелец: Beijing Kangju Certification Center Co ltd. Дата публикации: 2022-08-26.

Connecting structure of ultra-low energy consumption CLT building wall and foundation

Номер патента: CN211817148U. Автор: 康曦. Владелец: Duolou Mingdi Construction Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-30.

Sandwich heat-insulating structure system meeting ultra-low energy consumption building requirements

Номер патента: CN209760427U. Автор: 宋晓玲. Владелец: Hebei Xiaoling Engineering Design Consulting Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-10.

Broken bridge ultra-low energy consumption external wall panel and construction method thereof

Номер патента: CN111980199A. Автор: 姚攀峰. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-11-24.

Passive ultra-low energy-consumption green building for recyclable materials

Номер патента: CN104675147A. Автор: 杨怡,王建智. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-06-03.

Ultra-low energy consumption wood structure house

Номер патента: CN210798017U. Автор: 张帅,朱能. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-06-19.

Splicing device of ultra-low energy consumption integrated heat preservation assembled multi-storey house

Номер патента: CN216305536U. Автор: 王洁,张俊伟,张文东,张明慧,李宝琦,关泽尘. Владелец: Henan Xunlong Industrial Co ltd. Дата публикации: 2022-04-15.

Passive constant-temperature ultra-low energy consumption automobile heat preservation method

Номер патента: CN109318826B. Автор: 王玉龙. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-03-21.

Ultra-low energy consumption clean building heating system

Номер патента: CN107781889B. Автор: 刘福,黄河平,么宁辉. Владелец: Qinghai Ainengji Energy Saving Technology Service Co ltd. Дата публикации: 2020-05-22.

Passive ultra-low energy consumption building external window and implementation method thereof

Номер патента: CN114482782A. Автор: 徐方广. Владелец: Huaming Design Group Co ltd. Дата публикации: 2022-05-13.

Multifunctional current mirror on complementary field-effect transistors with control pn-junction for operation at low temperatures

Номер патента: RU2720557C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Анна Витальевна Бугакова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-05-12.

Differential cascade on complementary field-effect transistors with control p-n junction of class ab with variable voltage of restriction of pass characteristic

Номер патента: RU2712414C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Петр Сергеевич Будяков,Анна Витальевна Бугакова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-28.

Intermediate cascade of operational amplifier with paraphrase output on complementary field transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2720555C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Николай Владимирович Бутырлагин,Алексей Андреевич Жук,Елена Владимировна Овсепян. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-05-12.

Differential input voltage converter with paraphase current outputs based on complementary field transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2724975C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Евгеньевич Титов,Дмитрий Владимирович Клейменкин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-06-29.

Broadband voltage-to-current converter on field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2739213C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Андреевич Жук,Алексей Евгеньевич Титов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2020-12-22.

Rectifier circuit with multiple cells, each cell having transistors with bulks biased by signals generated in other cells to control threshold voltage, and corresponding device and method

Номер патента: US10312821B2. Автор: Giuseppe Palmisano,Ranieri Guerra,Leandro GRASSO. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-06-04.

High-speed output cascade of analogue microcircuits on complementary field-effect transistors with control p-n junction for operation at low temperatures

Номер патента: RU2711725C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Дмитрий Геннадьевич Дроздов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-21.

4f2 vertical access transistor with reduced floating body effect

Номер патента: US20240341082A1. Автор: Zhijun CHEN,Milan PESIC,Fredrick FISHBURN. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

4f2 vertical access transistor with reduced floating body effect

Номер патента: WO2024211157A1. Автор: Zhijun CHEN,Milan PESIC,Fredrick FISHBURN. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-10-10.

Buffer amplifier of class ab on complementary field-effect transistors with control p-n junction for operation at low temperatures

Номер патента: RU2721940C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Елена Владимировна Овсепян,Екатерина Петровна Никитина. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-05-25.

Differential amplifier on field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2766861C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Владислав Евгеньевич Чумаков,Алексей Вадимович Кунц,Алексей Арсеньевич Павлючик. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2022-03-16.

Hybrid metal-oxide semiconductor field-effect transistor with variable gate impedance and implementation method thereof

Номер патента: US20230039285A1. Автор: Tung Ming Lai,Wen Nan Huang,Ching Kuo CHEN,Shiu Hui Lee,Cho Lan Peng,Chuo Chien TSAO. Владелец: Potens Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-02-09.

Differential cascade of ab class on complementary field transistors with control p-n junction for operation in low temperature conditions

Номер патента: RU2710847C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Дмитрий Геннадьевич Дроздов,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-14.

Differential amplifier based on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2736412C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Олег Владимирович Дворников,Анна Витальевна Бугакова,Дмитрий Геннадьевич Дроздов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-11-17.

Operational amplifier with "floating" input differential cascade on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2741055C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Андреевич Жук,Владислав Евгеньевич Чумаков,Дмитрий Владимирович Клейменкин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2021-01-22.

Low-temperature two-stage operational amplifier with paraphase output on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2721942C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Дмитрий Геннадьевич Дроздов,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-05-25.

Low-temperature and radiation-proof compensation voltage stabilizer on complementary field transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2732950C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Олег Владимирович Дворников,Илья Викторович Пахомов,Дмитрий Геннадьевич Дроздов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-09-24.

Differential amplifier on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2688225C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2019-05-21.

Non-inverting current mirror on complementary field-effect transistors with pn-junction control for operation at low temperatures

Номер патента: RU2720554C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-05-12.

Differential amplifier of class ab on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2736549C1. Автор: Петр Сергеевич Будяков,Илья Викторович Пахомов,Алексей Андреевич Жук,Иван Николаевич Третьяк. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2020-11-18.

Buffer amplifier on complementary field-effect transistors with control p-n junction for operation at low temperatures

Номер патента: RU2684489C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Петр Сергеевич Будяков,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Евгеньевич Титов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2019-04-09.

Differential operational amplifier on field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2739577C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Владислав Евгеньевич Чумаков. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2020-12-28.

Differential stage on complete field transistors with increased temperature stability of the static mode

Номер патента: RU2746888C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Петр Сергеевич Будяков,Алексей Андреевич Жук,Владислав Евгеньевич Чумаков. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2021-04-21.

Low-temperature and radiation-stable voltage follower on complementary field transistors with control p-n junction for tasks of designing active rc-filters

Номер патента: RU2723673C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Евгеньевич Титов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-06-17.

Composite transistor based on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2710846C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Дмитрий Геннадьевич Дроздов,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-14.

Analogue microcircuit output cascade on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2710917C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Олег Владимирович Дворников,Екатерина Петровна Никитина. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-14.

Differential cascade on complementary jfet field-effect transistors with high attenuation of input in-phase signal

Номер патента: RU2710296C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2019-12-25.

Buffer amplifier with low zero-offset voltage on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2712410C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Петр Сергеевич Будяков,Анна Витальевна Бугакова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-28.

Differential amplifier on complimentary field transistors with controlled voltage limitations of passage characteristics

Номер патента: RU2679970C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Олег Владимирович Дворников,Анна Витальевна Бугакова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2019-02-14.

Low-temperature operational amplifier with high attenuation of input in-phase signal on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2732583C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Петр Сергеевич Будяков,Илья Викторович Пахомов,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-09-21.

Differential amplifier on complementary field-effect transistors with high stability of static mode

Номер патента: RU2710930C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Петр Сергеевич Будяков,Илья Викторович Пахомов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-14.

Buffer amplifier based on complementary field-effect transistors with control p-n junction for operation at low temperatures

Номер патента: RU2710923C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Дмитрий Геннадьевич Дроздов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-14.

Transistor amplifier having field effect transistors with stabilized drain bias current

Номер патента: CA1042995A. Автор: Tadao Suzuki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1978-11-21.

SPIN TRANSISTORS AND MEMORY

Номер патента: US20130248941A1. Автор: Saito Yoshiaki,Inokuchi Tomoaki,Sugiyama Hideyuki,Ishikawa Mizue. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-09-26.

Magneto-Electric Voltage Controlled Spin Transistors

Номер патента: US20140231888A1. Автор: KELBER JEFFRY A.,Binek Christian,Bowden Peter Arnold,Belashchenko Kirill. Владелец: . Дата публикации: 2014-08-21.

SPIN TRANSISTORS BASED ON VOLTAGE-CONTROLLED MAGNON TRANSPORT IN MULTIFERROIC ANTIFERROMAGNETS

Номер патента: US20210280772A1. Автор: Eom Chang-Beom,Nan Tianxiang,SCHAD Jonathon. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-09.

SPIN TRANSISTOR MEMORY

Номер патента: US20160276007A1. Автор: Saito Yoshiaki,Inokuchi Tomoaki,Sugiyama Hideyuki,Ishikawa Mizue. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2016-09-22.

Magnetoresistance effect element, magnetic sensor and spin transistor

Номер патента: US20190305118A1. Автор: Hayato Koike. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-10-03.

FERROMAGNET-FREE SPIN TRANSISTOR AND METHOD FOR OPERATING THE SAME

Номер патента: US20150333123A1. Автор: CHANG Joonyeon,KIM Hyung-Jun,KOO Hyun Cheol,HAN Suk Hee,CHOI Won Young. Владелец: KOREA INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2015-11-19.

Complementary spin transistor logic circuit

Номер патента: US20110279146A1. Автор: Hyun Cheol Koo,Suk Hee Han,Joon Yeon Chang,Hyung Jun Kim,Jun Woo Choi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-17.

Magnetoresistance effect element, magnetic sensor and spin transistor

Номер патента: US20200279938A1. Автор: Hayato Koike. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-09-03.

Magnetoresistance effect element, magnetic sensor and spin transistor

Номер патента: US20190305118A1. Автор: Hayato Koike. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-10-03.

Magnetoresistance effect element, magnetic sensor and spin transistor

Номер патента: US11024727B2. Автор: Hayato Koike. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-06-01.

Magnetoresistance effect element, magnetic sensor and spin transistor

Номер патента: US10707335B2. Автор: Hayato Koike. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-07-07.

Method of forming a transistor with an active area layout having both wide and narrow area portions and a gate formed over the intersection of the two

Номер патента: US09899364B2. Автор: Thomas J. Aton,James Walter Blatchford. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Method for realizing a contact of an integrated well in a semiconductor substrate, in particular for a base terminal of a bipolar transistor, with enhancement of the transistor performances

Номер патента: US7936047B2. Автор: Cesare Ronsisvalle,Vincenzo Enea. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2011-05-03.

Transistor with InGaAsP collector region and integrated opto-electronic devices employing same

Номер патента: US8692295B1. Автор: Rajesh D. Rajavel,Stephen Thomas, III. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2014-04-08.

Method for realizing a contact of an integrated well in a semiconductor substrate, in particular for a base terminal of a bipolar transistor, with enhancement of the transistor performances

Номер патента: US20080246118A1. Автор: Cesare Ronsisvalle,Vincenzo Enea. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2008-10-09.

Thin film transistor with low trap-density material abutting a metal oxide active layer and the gate dielectric

Номер патента: US09911857B2. Автор: Chan-Long Shieh,Gang Yu,Fatt Foong. Владелец: CBRITE Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

MOSFET transistors with robust subthreshold operations

Номер патента: US09899376B2. Автор: Xiaoju Wu,C. Matthew Thompson. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device and insulated gate bipolar transistor with barrier structure

Номер патента: US09553179B2. Автор: Johannes Georg Laven,Roman Baburske,Alexander Philippou,Antonio Vellei. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-01-24.

Wide based high voltage bipolar junction transistor with buried collectors as hybrid igbt building block

Номер патента: US20240222476A1. Автор: Hamza Yilmaz. Владелец: IPOWER SEMICONDUCTOR. Дата публикации: 2024-07-04.

Transistors with selectively landed gate array

Номер патента: WO2024102579A3. Автор: Krister Gumaelius,Jimmy Robert Hannes FRANCHI,Jaein An. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2024-07-11.

Bipolar transistor with superjunction structure

Номер патента: US20170117394A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Franz-Josef Niedernostheide,Stephan Voss,Frank Dieter Pfirsch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-27.

Low noise amplifier transistors with decreased noise figure and leakage in silicon-on-insulator technology

Номер патента: US20210184046A1. Автор: Oleksandr Gorbachov,Lisette L. Zhang,Lothar Musiol. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Transistors with selectively landed gate array

Номер патента: WO2024102579A9. Автор: Krister Gumaelius,Jimmy Robert Hannes FRANCHI,Jaein An. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2024-10-10.

Transistor with improved air spacer

Номер патента: US09941352B1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Bipolar transistor with superjunction structure

Номер патента: US09917181B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Franz-Josef Niedernostheide,Stephan Voss,Frank Dieter Pfirsch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-13.

Horizontal current bipolar transistors with improved breakdown voltages

Номер патента: US09842834B2. Автор: Marko Koricic,Tomislav Suligoj. Владелец: ZAGREB UNIVERSITY OF. Дата публикации: 2017-12-12.

Electronic chip comprising transistors with front and back gates

Номер патента: US09660034B1. Автор: Philippe Galy. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2017-05-23.

Thin film transistor with multiple oxide semiconductor layers

Номер патента: US09437747B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Thin film transistor with integrated connecting portion

Номер патента: US09356052B2. Автор: Yukinobu Nakata,Yoshihito Hara. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Transistor with Elevated Drain Termination

Номер патента: US20150295054A1. Автор: Michael A. Briere,Reenu Garg. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2015-10-15.

MOS transistor with reduced kink effect and method for the manufacture thereof

Номер патента: US20060110876A1. Автор: Volker Dudek,Stefan Schwantes. Владелец: Atmel Germany GmbH. Дата публикации: 2006-05-25.

Nanowire transistor with source and drain induced by electrical contacts with negative Schottky barrier height

Номер патента: US12034078B2. Автор: Andreas Goebel,Paul A. Clifton,Walter A. Harrison. Владелец: Acorn Semi LLC. Дата публикации: 2024-07-09.

Thin film transistor with UV light absorber layer

Номер патента: US8969868B2. Автор: Po-Tsun Liu,Han-Ping D. Shieh,Li-Feng Teng,Min-Yen Tsai,Yun-Chu TSAI. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2015-03-03.

Thin film Transistor with UV light Absorber Layer

Номер патента: US20140361287A1. Автор: Po-Tsun Liu,Han-Ping D. Shieh,Li-Feng Teng,Min-Yen Tsai,Yun-Chu TSAI. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2014-12-11.

Bipolar transistor with base drive circuit protection

Номер патента: US6603186B2. Автор: Tetsuya Hayashi. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2003-08-05.

Vertical Transistors With Backside Power Delivery

Номер патента: US20240105617A1. Автор: Thomas Hoffmann,Xin Miao,Praveen Raghavan. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Trench transistor with chained implanted body

Номер патента: US20040191994A1. Автор: Richard Williams,Wayne Grabowski. Владелец: Advanced Analogic Technologies Inc. Дата публикации: 2004-09-30.

Transistor with source field plates and non-overlapping gate runner layers

Номер патента: US20190245047A1. Автор: Sameer Pendharkar,Hiroyuki Tomomatsu,Hiroshi Yamasaki. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-08-08.

Transistor with source field plates and non-overlapping gate runner layers

Номер патента: US11355597B2. Автор: Sameer Pendharkar,Hiroyuki Tomomatsu,Hiroshi Yamasaki. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2022-06-07.

Transistor with source field plates and non-overlapping gate runner layers

Номер патента: US10903320B2. Автор: Sameer Pendharkar,Hiroyuki Tomomatsu,Hiroshi Yamasaki. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-01-26.

Transistor with source field plates and non-overlapping gate runner layers

Номер патента: US20180190777A1. Автор: Sameer Pendharkar,Hiroyuki Tomomatsu,Hiroshi Yamasaki. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-07-05.

Field effect transistor with multi-metal gate via and method

Номер патента: US12074061B2. Автор: Sung-Li Wang,Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

High temperature transistor with reduced risk of electromigration

Номер патента: EP1129487A1. Автор: John Burt Mckitterick,Joseph Cheung-Sang Tsang. Владелец: AlliedSignal Inc. Дата публикации: 2001-09-05.

High temperature transistor with reduced risk of electromigration

Номер патента: WO2000030179A1. Автор: John Burt Mckitterick,Joseph Cheung-Sang Tsang. Владелец: Alliedsignal Inc.. Дата публикации: 2000-05-25.

3d memory having nand strings switched by transistors with elongated polysilicon gates

Номер патента: US20160087055A1. Автор: Raul Adrian Cernea. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-03-24.

Bipolar transistor with improved reverse breakdown characteristics

Номер патента: US6383885B1. Автор: Patrice Parris,Vasudev Venkatesan. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2002-05-07.

Transistor with source manifold in non-active die region

Номер патента: US20240339409A1. Автор: Humayun Kabir,Ibrahim Khalil. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Nanowire transistor with source and drain induced by electrical contacts with negative schottky barrier height

Номер патента: US20240347641A1. Автор: Andreas Goebel,Paul A. Clifton,Walter A. Harrison. Владелец: Acorn Semi LLC. Дата публикации: 2024-10-17.

Transistor with source manifold in non-active die region

Номер патента: EP4443496A2. Автор: Humayun Kabir,Ibrahim Khalil. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-10-09.

High-frequency group iii-nitride-based high electron mobility transistors with high-aluminum concentration barriers and recessed gates

Номер патента: US20240363745A1. Автор: Chirag Gupta,Jiahao Chen,Swarnav Mukhopadhyay,Shubhra Shweta Pasayat. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2024-10-31.

High-frequency group iii-nitride-based high electron mobility transistors with high-aluminum concentration barriers and recessed gates

Номер патента: WO2024226212A2. Автор: Chirag Gupta,Jiahao Chen,Swarnav Mukhopadhyay,Shubhra Shweta Pasayat. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2024-10-31.

Vertical transistors with merged active area regions

Номер патента: US09761712B1. Автор: Brent A. Anderson,Albert M. Chu,Terence B. Hook,Seong-Dong Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Vertical field effect transistors with bottom contact metal directly beneath fins

Номер патента: US09721845B1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Transistors with high concentration of boron doped germanium

Номер патента: US09627384B2. Автор: Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Ravi Pillarisetty,Roza Kotlyar,Niloy Mukherjee,Glenn A. Glass,Anand S. Murthy,Willy Rachmady,Mark Y. Liu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Field effect transistor with a multilevel gate electrode for integration with a multilevel memory device

Номер патента: US09620512B1. Автор: Masatoshi Nishikawa,Fumiaki TOYAMA,Junji Oh,Hiroaki Koketsu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-11.

Transistor with elevated drain termination

Номер патента: US09564498B2. Автор: Michael A. Briere,Reenu Garg. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of fabricating vertical field effect transistors with protective fin liner during bottom spacer recess etch

Номер патента: US09530700B1. Автор: Rajasekhar Venigalla,Reinaldo A. Vega,Hari V. Mallela. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Integrating transistors with different poly-silicon heights on the same die

Номер патента: US09431503B2. Автор: Simon S. Chan,Kenichi Ohtsuka,Chuan Lin,Hidehiko Shiraiwa,Lei Xue,Angela T. Hui,Bradley Marc Davis,Scott Allan Bell. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Field effect transistor with merged epitaxy backside cut and method

Номер патента: US20240379803A1. Автор: Zhiqiang Wu,Zhi-Chang Lin,Chun-Fu CHENG,Chung-Wei Wu,Wei Ju Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Junction Field Effect Transistor with Vertical PN Junction

Номер патента: US20150076568A1. Автор: Ralf Siemieniec,Cedric OUVRARD. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-03-19.

Three-dimensional cross field effect self-aligned transistors with frontside and backside power connections

Номер патента: WO2024107583A3. Автор: Richard T. Schultz. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2024-07-04.

Vertical fin field effect transistor with reduced gate length variations

Номер патента: US20190312140A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-10.

Nanopillar field-effect and junction transistors with functionalized gate and base electrodes

Номер патента: US20150279948A1. Автор: Axel Scherer,Stefan Petry,Aditya Rajagopal,Oliver Plettenburg,Chieh-Feng Chang,Charles L. TSCHIRHART. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2015-10-01.

Read-amplifier-arrangement with field-effect-transistor with short channel-length and adjustable turn-on voltage

Номер патента: TW498460B. Автор: Helmut Schneider,Jürgen Lindolf,Hermann Ruckerbauer,Thomas Borst. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-08-11.

Field effect transistor with enhanced insulator structure

Номер патента: WO2005057623A2. Автор: Robert Beach. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2005-06-23.

Power transistor with internally combined low-pass and band-pass matching stages

Номер патента: EP1356521A1. Автор: Anton W. Roodnat. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-10-29.

Power transistor with internally combined low-pass and band-pass matching stages

Номер патента: US20020109203A1. Автор: Anton Roodnat. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-15.

Field effect transistor with enhanced insulator structure

Номер патента: WO2005057623A3. Автор: Robert Beach. Владелец: Robert Beach. Дата публикации: 2008-01-03.

Thin Film Transistor with Parasitic Capacitance Compensation Structure and Liquid Crystal Display Using Same

Номер патента: US20130242218A1. Автор: Chiayu Lee,Hunglung Hou. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-19.

Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with electrostatic-discharge protection and voltage-stabilizing capacitor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080164505A1. Автор: Yi-Lin Chen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-07-10.

Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with electrostatic-discharge protection and voltage-stabilizing capacitor and method for manufacturing the same

Номер патента: US8536633B2. Автор: Yi-Lin Chen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2013-09-17.

Fabrication of a vertical fin field effect transistor with reduced dimensional variations

Номер патента: US20240249980A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: Adeia Semiconductor Solutions LLC. Дата публикации: 2024-07-25.

Device topology for lateral power transistors with low common source inductance

Номер патента: US12040257B2. Автор: Ahmad Mizan,Edward MacRobbie. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Metal oxide semiconductor field effect transistor with reduced surface field folding

Номер патента: US9196680B1. Автор: Vijay Parthasarathy,Vishnu Khemka,Ronghua Zhu,Tahir Arif Khan. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2015-11-24.

Nanopillar field-effect and junction transistors with functionalized gate and base electrodes

Номер патента: EP2877845A1. Автор: Axel Scherer,Stefan Petry,Aditya Rajagopal,Oliver Plettenburg,Chieh-Feng Chang,Charles L. TSCHIRHART. Владелец: Sanofi Inc. Дата публикации: 2015-06-03.

Nanopillar field-effect and junction transistors with functionalized gate and base electrodes

Номер патента: US20150279949A1. Автор: Axel Scherer,Stefan Petry,Aditya Rajagopal,Oliver Plettenburg,Chieh-Feng Chang,Charles L. TSCHIRHART. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2015-10-01.

ESD robust silicon germanium transistor with emitter NP-block mask extrinsic base ballasting resistor with doped facet region

Номер патента: TW516132B. Автор: Steven Howard Voldman. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2003-01-01.

Junction field effect transistor with vertical PN junction

Номер патента: US9276135B2. Автор: Ralf Siemieniec,Cedric OUVRARD. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-03-01.

Transistor with interdigit electrodes, comprising a gate terminal connected by a plurality of vertical vias to the gate electrodes

Номер патента: US20230253401A1. Автор: Robin Jung. Владелец: Exagan SAS. Дата публикации: 2023-08-10.

Field-effect transistors with a body pedestal

Номер патента: US11764060B2. Автор: Steven M. Shank,Alvin J. Joseph,Michel J. Abou-Khalil,Michael J. Zierak. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Display device including a plurality of thin film transistors with different characteristics

Номер патента: US12074260B2. Автор: KyungMo SON,Shunyoung YANG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device having a field effect transistor with improved linearity

Номер патента: US4717944A. Автор: Leonard J. M. Esser,Petrus J. A. M. Van de Wiel. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1988-01-05.

DMOS transistor with optimized periphery structure

Номер патента: US20070132019A1. Автор: Michael Graf,Franz Dietz,Stefan Schwantes. Владелец: Atmel Germany GmbH. Дата публикации: 2007-06-14.

LDMOS transistor with enhanced termination region for high breakdown voltage with on-resistance

Номер патента: US7208385B2. Автор: Mohamed Imam,Zia Hossain,Joe Fulton. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2007-04-24.

Transistor with improved safe operating area

Номер патента: US20050012148A1. Автор: John Lin,Sameer Pendharkar,Steven Jensen,Philip Hower. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2005-01-20.

Junction field effect transistor with integrated high voltage capacitor

Номер патента: US20220344326A1. Автор: Vipindas Pala. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2022-10-27.

Field-effect transistors with interleaved finger configuration

Номер патента: US20240250003A1. Автор: Dylan Charles BARTLE,David Scott Whitefield,Paul T. Dicarlo,Hailing Wang,Hanching Fuh. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Transistor with integrated short circuit protection

Номер патента: EP4369414A3. Автор: John Pigott,Vishnu Khemka,Ganming Qin,Ljubo Radic,Tanuj SAXENA. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-08-14.

Vertical field-effect transistor with wrap-around contact structure

Номер патента: US12119346B2. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Nanopillar field-effect and junction transistors with functionalized gate and base electrodes

Номер патента: US09966443B2. Автор: Axel Scherer,Stefan Petry,Aditya Rajagopal,Oliver Plettenburg,Chieh-Feng Chang,Charles L. TSCHIRHART. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2018-05-08.

Nanopillar field-effect and junction transistors with functionalized gate and base electrodes

Номер патента: US09960238B2. Автор: Axel Scherer,Stefan Petry,Aditya Rajagopal,Oliver Plettenburg,Chieh-Feng Chang,Charles L. TSCHIRHART. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2018-05-01.

Insulated gate bipolar transistor with improved on/off resistance

Номер патента: US09905686B2. Автор: Masahiro Sugimoto,Yukihiko Watanabe,Shinichiro Miyahara. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Transistor with source field plates under gate runner layers

Номер патента: US09899484B1. Автор: Sameer Pendharkar,Hiroyuki Tomomatsu,Hiroshi Yamasaki. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Fabrication of a vertical fin field effect transistor with reduced dimensional variations

Номер патента: US09768072B1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Fabrication of nano-sheet transistors with different threshold voltages

Номер патента: US09653289B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Field effect transistor with integrated Zener diode

Номер патента: US09543292B2. Автор: Hideaki Tsuchiko. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-01-10.

Schottky gated transistor with interfacial layer

Номер патента: US09455327B2. Автор: Andrew P. Ritenour. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device including transistor with doped oxide semiconductor and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US11810858B2. Автор: Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou,Toshimitsu Obonai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Ga/A1GaN Heterostructure Field Effect Transistor with dielectric recessed gate

Номер патента: US20040021152A1. Автор: Paul Hashimoto,Chanh Nguyen,Jeong-Sun Moon,Wah Wong,Miro Micovic. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2004-02-05.

Transistor with quantum dots in its tunnelling layer

Номер патента: EP1704598A1. Автор: Cornelis Reinder Ronda,Stefan Peter Grabowski. Владелец: Philips Intellectual Property and Standards GmbH. Дата публикации: 2006-09-27.

Transistor with multilayer film including oxide semiconductor layer and oxide layer

Номер патента: US9660093B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Watanabe,Hajime Tokunaga,Kenichi Okazaki,Takuya Handa,Mitsuo Mashiyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Complementary heterojunction field effect transistor with an anisotype N+ ga-channel devices

Номер патента: US5060031A. Автор: Jonathan K. Abrokwah,Jenn-Hwa Huang,Schyi-Yi Wu. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1991-10-22.

Method of manufacturing transistor with channel implant

Номер патента: US5580799A. Автор: Masaki Funaki. Владелец: Victor Company of Japan Ltd. Дата публикации: 1996-12-03.

Insulated gate thin film transistor with amorphous or microcrystalline semiconductor film

Номер патента: US5340999A. Автор: Makoto Takeda,Tadanori Hishida. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1994-08-23.

N-face high electron mobility transistors with low buffer leakage and low parasitic resistance

Номер патента: US7935985B2. Автор: Yi Pei,Umesh K. Mishra,Siddharth Rajan,Man Hoi Wong. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2011-05-03.

Display apparatus comprising different types of thin film transistors with compact design and method for manufacturing the same

Номер патента: US11903283B2. Автор: Yewon Hong. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Vertical thin film transistor with single gate electrode with micro-perforations

Номер патента: US11881515B2. Автор: Chong Uk Lee. Владелец: Solsona Enterprise LLC. Дата публикации: 2024-01-23.

SPIN TRANSISTOR, AND SEMICONDUCTOR DEVICE, MEMORY DEVICE, MICROPROCESSOR, PROCESSOR, SYSTEM, DATA STORAGE SYSTEM AND MEMORY SYSTEM INCLUDING THE SPIN TRANSISTOR

Номер патента: US20140332870A1. Автор: Park Ji-Ho. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2014-11-13.

Spin Transistors Employing a Piezoelectric Layer and Related Memory, Memory Systems, and Methods

Номер патента: US20130299880A1. Автор: Du Yang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2013-11-14.

STACKED STRUCTURE, SPIN TRANSISTOR, AND RECONFIGURABLE LOGIC CIRCUIT

Номер патента: US20140117427A1. Автор: Saito Yoshiaki,TANAMOTO Tetsufumi,Inokuchi Tomoaki,Sugiyama Hideyuki,Ishikawa Mizue. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2014-05-01.

THREE-TERMINAL SPIN TRANSISTOR MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY AND THE METHOD TO MAKE THE SAME

Номер патента: US20150364676A1. Автор: Guo Yimin. Владелец: T3MEMORY, INC.. Дата публикации: 2015-12-17.

Magnetic spin transistor

Номер патента: US5432373A. Автор: Mark B. Johnson. Владелец: Bell Communications Research Inc. Дата публикации: 1995-07-11.

Integrated circuit comprising transistors with different threshold voltages

Номер патента: US09911737B2. Автор: Jean-Philippe Noel,Bastien Giraud,Philippe Flatresse,Bertrand Pelloux-Prayer. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2018-03-06.

Superimposed transistors with auto-aligned active zone of the upper transistor

Номер патента: US09852950B2. Автор: Philippe Coronel,Claire Fenouillet-Beranger. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-12-26.

Power amplifier modules including bipolar transistor with grading and related systems, devices, and methods

Номер патента: US09520835B2. Автор: Hongxiao Shao,Peter J. Zampardi, JR.,Philip John Lehtola,David Steven Ripley,Tin Myint Ko,Matthew Thomas Ozalas. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

3D memory having NAND strings switched by transistors with elongated polysilicon gates

Номер патента: US09496272B2. Автор: Raul Adrian Cernea. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-11-15.

Asymmetrical reset transistor with double-diffused source for CMOS image sensor

Номер патента: US7649231B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Shou-Gwo Wuu,Chien-Hsien Tseng,Ho-Ching Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2010-01-19.

Soi bipolar transistors with reduced self heating

Номер патента: US20080102568A1. Автор: Kai Xiu,Qiqing Ouyang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-05-01.

Semiconductor transistors with contact holes close to gates

Номер патента: EP1952433A1. Автор: David Vaclav Horak,Charles William Koburger, III,Mark Charles Hakey,Toshiharu Furukawa,William Robert Tonti,Steven John Holmes. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-08-06.

Method of manufacturing SEMICONDUCTOR TRANSISTORS WITH CONTACT HOLES CLOSE TO GATES

Номер патента: EP1952433B1. Автор: David Vaclav Horak,Charles William Koburger, III,Mark Charles Hakey,Toshiharu Furukawa,William Robert Tonti,Steven John Holmes. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-25.

Electronic device having a transistor with increased contact area and method for fabricating the same

Номер патента: US09865683B2. Автор: Hyung-Suk Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Power transistor with integrated temperature sensor element, power transistor circuit, method for operating a power transistor, and method for operating a power transistor circuit

Номер патента: US09728580B2. Автор: Steffen Thiele,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-08.

CNT thin film transistor with high K polymeric dielectric

Номер патента: US09620728B2. Автор: Zhao Li,Naiying Du,Jacques Lefebvre,Patrick Malenfant,Girjesh Dubey,Gregory Lopinski,Shan Zou. Владелец: NATIONAL RESEARCH COUNCIL OF CANADA. Дата публикации: 2017-04-11.

High mobility polymer thin-film transistors with capillarity-mediated self-assembly

Номер патента: US09573158B2. Автор: Alan Heeger,Chan Luo. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2017-02-21.

Piezoelectronic transistor with co-planar common and gate electrodes

Номер патента: US09444029B2. Автор: Josephine B. Chang,Marcelo A. Kuroda,Brian A. Bryce. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Method and structure for creating a self-aligned bicmos-compatible bipolar transistor with a laterally graded emitter structure

Номер патента: US5444003A. Автор: Ho-Yuan Yu,Ying-Tsong Loh,Chung S. Wang. Владелец: VLSI Technology Inc. Дата публикации: 1995-08-22.

Semiconductor device having a transistor with an oxide semiconductor layer between a first gate electrode and a second gate electrode

Номер патента: US09524993B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Memory compiler with ultra low power feature and method of use

Номер патента: US20050149891A1. Автор: Hung-jen Liao,Ruei-chin Luo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-07-07.

Methods and system for treating human body part with ultra-low magneto-electric field

Номер патента: US20230293902A1. Автор: PV Shyam Sunder. Владелец: Aether Mindtech Solutions Private Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Methods and system for treating human body part with ultra-low magneto-electric field

Номер патента: WO2023175635A1. Автор: PV Shyam Sunder. Владелец: Aether Mindtech Solutions Private Limited. Дата публикации: 2023-09-21.

Alkali-resistant flame-retardant waterproof air-permeable agent and film for building with ultra-low energy consumption and preparation method thereof

Номер патента: CN111648133A. Автор: 路国忠. Владелец: Beijing Building Materials Academy of Sciences Research. Дата публикации: 2020-09-11.

Alkali-resistant flame-retardant waterproof air-permeable agent and film for building with ultra-low energy consumption and preparation method thereof

Номер патента: CN111648133B. Автор: 路国忠. Владелец: Beijing Building Materials Academy of Sciences Research. Дата публикации: 2021-06-25.

Slider air bearing designs with ultra-low pressure for low power-consumption data storage devices

Номер патента: WO2023163736A1. Автор: Yong Hu. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2023-08-31.

Isolation forest with ultra-low ram footprint for edge

Номер патента: EP4413509A1. Автор: Prasanna Chalapathy,Ashwin Kumar MURUGANANDAM,Anila JOSHI. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2024-08-14.

Method for producing oriented electrical steel sheet with ultra-low iron loss

Номер патента: US11773490B2. Автор: Sang-Won Lee,Jin-Su Bae,Min-Serk KWON. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Underhung crane with ultra-low end beam with double drive wheels for preventing deviation

Номер патента: LU504004B1. Автор: XU Hu,Changyu Guo,Xiangyang Cao,Taiqiang Xiao,Yongyao Zhao. Владелец: Henan Dafang Heavy Machinery Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-20.

Memory compiler with ultra low power feature and method of use

Номер патента: TW200523940A. Автор: Hung-jen Liao,Ruei-chin Luo. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2005-07-16.

Adiabatic waveguide couplers with ultra-low back-reflection

Номер патента: EP3923047B1. Автор: Matthew Wade Puckett,Neil A. KRUEGER. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2023-08-30.

Aqueous polyglycidol synthesis with ultra-low branching

Номер патента: US11161936B2. Автор: Benjamin R. Spears,Eva M. Harth. Владелец: VANDERBILT UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-11-02.

Aqueous polyglycidol synthesis with ultra-low branching

Номер патента: US10308763B2. Автор: Benjamin R. Spears,Eva M. Harth. Владелец: VANDERBILT UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-06-04.

Memory compiler with ultra low power feature and method of use

Номер патента: TWI276110B. Автор: Hung-jen Liao,Ruei-chin Luo. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2007-03-11.

Removable, single side fastener with ultra-low stack height grip range, and methods for making and using the same

Номер патента: EP3430275B1. Автор: Travis Mcclure. Владелец: Centrix Inc. Дата публикации: 2023-08-23.

Adiabatic waveguide couplers with ultra-low back-reflection

Номер патента: EP3923047A1. Автор: Matthew Wade Puckett,Neil A. KRUEGER. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2021-12-15.

Aqueous polyglycidol synthesis with ultra-low branching

Номер патента: US09745419B2. Автор: Benjamin R. Spears,Eva M. Harth. Владелец: VANDERBILT UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-08-29.

Highly Conductive Carbon Nanotube Having Bundle Moieties With Ultra-Low Bulk Density and Its Manufacturing Method

Номер патента: US20130207026A1. Автор: KIM Dong Hwan,Lee Wan Sung,JUNG Woo Ram,JANG Youngchan. Владелец: KOREA KUMHO PETROCHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2013-08-15.

BENDING-INSENSITIVE SINGLE-MODE FIBER WITH ULTRA LOW ATTENUATION

Номер патента: US20180039019A1. Автор: Zhang Rui,ZHANG LEI,Wu Jun,Zhou Hongyan,Wang Ruichun,LONG Shengya,ZHU Jihong. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-08.

SINGLE-MODE FIBER WITH ULTRA LOW ATTENUATION

Номер патента: US20180039020A1. Автор: Zhang Rui,ZHANG LEI,Wu Jun,Wang Ruichun,LONG Shengya,ZHU Jihong. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-08.

METHOD FOR PRODUCING ORIENTED ELECTRICAL STEEL SHEET WITH ULTRA-LOW IRON LOSS

Номер патента: US20210054472A1. Автор: Lee Sang-Won,KWON Min-Serk,BAE Jin-Su. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-25.

DOPING OPTIMIZED SINGLE-MODE OPTICAL FIBER WITH ULTRA LOW ATTENUATION

Номер патента: US20180052280A1. Автор: ZHANG LEI,Wu Jun,Wang Ruichun,LONG Shengya,ZHU Jihong. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-22.

METHOD FOR PRODUCING ORIENTED ELECTRICAL STEEL SHEET WITH ULTRA-LOW IRON LOSS

Номер патента: US20210062342A1. Автор: Lee Sang-Won,KWON Min-Serk,BAE Jin-Su. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-04.

MULTILAYER MATTE BIAXIALLY ORIENTED POLYPROPYLENE FILM WITH ULTRA LOW SEAL INITIATION TEMPERATURE

Номер патента: US20150072127A1. Автор: Bayona P. Rafael E.,Gillis Gregory G.. Владелец: INTEPLAST GROUP, LTD.. Дата публикации: 2015-03-12.

GAS FIRED PROCESS HEATER WITH ULTRA-LOW POLLUTANT EMISSIONS

Номер патента: US20200064021A1. Автор: Nikolaev Vladimir,Kozlov Aleksandr,Kalensky David,Khinkis Mark,Shmelev Vladimir. Владелец: GAS TECHNOLOGY INSTITUTE. Дата публикации: 2020-02-27.

Aqueous polyglycidol synthesis with ultra-low branching

Номер патента: US20200087454A1. Автор: Benjamin R. Spears,Eva M. Harth. Владелец: VANDERBILT UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-03-19.

PSA COMPOSITION WITH ULTRA-LOW TEMPERATURE PERFORMANCE

Номер патента: US20220169900A1. Автор: Yang Yurun,Zhao Ke. Владелец: . Дата публикации: 2022-06-02.

ANTIGLARE SURFACE WITH ULTRA-LOW SPARKLE AND THE METHOD OF MAKING THE SAME

Номер патента: US20220267195A1. Автор: Chen Ling,Jin Yuhui,Feng Jiangwei,Zhu Jianqiang,Chen Haixing. Владелец: . Дата публикации: 2022-08-25.

Aqueous polyglycidol synthesis with ultra-low branching

Номер патента: US20220267517A1. Автор: Benjamin R. Spears,Eva M. Harth. Владелец: VANDERBILT UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-08-25.

SINGLE MODE OPTICAL FIBER WITH ULTRA-LOW ATTENUATION AND BEND INSENSIBILITY

Номер патента: US20180128967A1. Автор: ZHANG LEI,Wu Jun,Wang Ruichun,LONG Shengya,ZHU Jihong,AI Liang. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-10.

SINGLE-MODE OPTICAL FIBER WITH ULTRA LOW ATTENUATION AND LARGE EFFECTIVE AREA

Номер патента: US20180128968A1. Автор: ZHANG LEI,Wu Jun,Wang Ruichun,LONG Shengya,ZHU Jihong. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-10.

AQUEOUS POLYGLYCIDOL SYNTHESIS WITH ULTRA-LOW BRANCHING

Номер патента: US20180134843A1. Автор: Harth Eva M.,Spears Benjamin R.. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-17.

Confocal and Concave 1D Photonic Crystal Resonant Cavities with Ultra-low Mode Volume

Номер патента: US20140270671A1. Автор: Salleo Alberto,Mustafeez Waqas. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-18.

AQUEOUS POLYGLYCIDOL SYNTHESIS WITH ULTRA-LOW BRANCHING

Номер патента: US20150210805A1. Автор: Harth Eva M.,Spears Benjamin R.. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-30.

ARCHITECTURES FOR HIGH TEMPERATURE TBCs WITH ULTRA LOW THERMAL CONDUCTIVITY AND ABRADABILITY AND METHOD OF MAKING

Номер патента: US20140308479A1. Автор: PABLA Surinder Singh,MARGOLIES Joshua Lee,Schaeffer Jon Conrad,Anand Krishnamurthy,Ruud James Anthony,Parakala Padmaja. Владелец: General Electronic Company. Дата публикации: 2014-10-16.

REMOVABLE, SINGLE SIDE FASTENER WITH ULTRA-LOW STACK HEIGHT GRIP RANGE, COMPONENTS, AND METHODS FOR MAKING AND USING THE SAME

Номер патента: US20170268552A1. Автор: McClure Travis. Владелец: Centrix Inc.. Дата публикации: 2017-09-21.

APPLICATION OF SYNERGIZED-PGM WITH ULTRA-LOW PGM LOADINGS AS UNDERFLOOR THREE-WAY CATALYSTS FOR INTERNAL COMBUSTION ENGINES

Номер патента: US20170328249A1. Автор: Nazarpoor Zahra,Golden Stephen J.,Launois Maxime. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-16.

APPLICATION OF SYNERGIZED-PGM WITH ULTRA-LOW PGM LOADINGS AS CLOSE-COUPLED THREE-WAY CATALYSTS FOR INTERNAL COMBUSTION ENGINES

Номер патента: US20170328250A1. Автор: Nazarpoor Zahra,Golden Stephen J.,Launois Maxime. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-16.

Method for preparation of graft modified ammonium polyphosphate with ultra-low hydroplaning and resistance to hydrolysis and application thereof

Номер патента: US20180354796A1. Автор: Xiuqin Zhang,Yanling HE. Владелец: Zhongshan Complord New Materials Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-13.

Incorporate the mild hydrogenation desulfurization of catalytic gas phase oxidation to produce the fuel of the organosulfur compound with ultra low levels

Номер патента: CN104204146B. Автор: A·布雷恩,O·R·克塞奥格卢,Z·伊斯玛基洛夫,S·亚士尼克,M·克尔任采夫,V·帕尔默. Владелец: Bo Er Si Ke Fu Catalytic Institute. Дата публикации: 2016-06-29.

Highly conductive carbon nanotube having bundle moieties with ultra-low bulk density and its manufacturing method

Номер патента: KR20130094364A. Автор: 장영찬,김동환,이완성,정우람. Владелец: 금호석유화학 주식회사. Дата публикации: 2013-08-26.

Indoor positioning system and method with ultra-low deployment

Номер патента: CN107014375B. Автор: 李勇,叶葛旺,李元秋,汪培春. Владелец: Shanghai Qzs Networking Technology Co ltd. Дата публикации: 2020-05-22.

Aluminum foil blank with ultra-low pinhole count for aseptic packaging and preparation process thereof

Номер патента: CN112921213A. Автор: 王强,陈德波,吴劲草,叶映才. Владелец: Weihai Haixin New Material Co ltd. Дата публикации: 2021-06-08.

Process for producing petroleum oils with ultra-low nitrogen content

Номер патента: CN101243161A. Автор: 林棕斌,吴光宇,沈彦俊. Владелец: AMT International Inc. Дата публикации: 2008-08-13.

Transdermal treatment of post-menopausal women with ultra-low estrogen doses

Номер патента: DE69839026T2. Автор: Steven Mill Valley Cummings,Herman Mountain Lakes Ellman,Bruce San Francisco Ettinger. Владелец: Permanente Medical Group Inc Oakland. Дата публикации: 2009-01-08.

Methods for treating postmenopausal women with ultra-low doses of estrogen

Номер патента: EE200000307A. Автор: Ellman Herman,Cummings Steven,Ettinger Bruce. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2001-10-15.

Transdermal treatment of post-menopausal women with ultra-low estrogen doses

Номер патента: DE69839026D1. Автор: Steven Cummings,Herman Ellman,Bruce Ettinger. Владелец: Permanente Medical Group Inc. Дата публикации: 2008-03-06.

Optical isolators with ultra-low polarization mode dispersion

Номер патента: US6553156B1. Автор: Wei-Zhong Li. Владелец: OPLINK COMMUNICATIONS Inc. Дата публикации: 2003-04-22.

Master batch for polypropylene with ultra-low linear expansion coefficient and use thereof

Номер патента: WO2021057357A1. Автор: 钱志军,杨波,黄险波,叶南飚,李振华,罗忠富,吴国峰,李志鹏,俞飞,陈嘉杰. Владелец: 金发科技股份有限公司. Дата публикации: 2021-04-01.

Voltage differential circuit with ultra-low power consumption

Номер патента: CN113778166A. Автор: 张波,王卓,周泽坤,王佳文,彭栎郴,龚州. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2021-12-10.

Process for producing petroleum oils with ultra-low nitrogen content

Номер патента: US20070000809A1. Автор: Tzong-Bin Lin,Hung-Chung Shen,Kuang-Yeu Wu. Владелец: AMT International Inc. Дата публикации: 2007-01-04.

Single-mode fiber with ultra-low attenuation and large effective area

Номер патента: WO2016074602A1. Автор: 张磊,吴俊�,王瑞春,龙胜亚,朱继红. Владелец: 长飞光纤光缆股份有限公司. Дата публикации: 2016-05-19.

needle and syringe system with ultra-low dosage residues that automatically and passively provides a safe needle during the injection process

Номер патента: BR112021007857A2. Автор: Barry Berler,Gregory Udovich,Gil Katz,Niv Yaari,Kevin Corely,Anthony F. Mulone Jr.. Владелец: Sharps Technology Inc.. Дата публикации: 2021-08-03.

Single-mode optical fibre with ultra-low attenuation and large effective area

Номер патента: RU2769089C1. Автор: Тао Чжан,Вэй Ли,Или КЭ,Чэн ДУ,Вэньюн ЛО,Хуан ЮЙ,Чжицян ЮЙ,Шуцзянь ВУ,Цяо ЧЖУ,Фанцю ЦЗЭН. Владелец: Файберхоум Фуцзикура Оптик Текнолоджи Ко., Лтд. Дата публикации: 2022-03-28.

Process and vaporizer for producing ammonia with ultra-low metals content

Номер патента: WO2002051752A3. Автор: Curtis Dove,Daniel J Dershowitz,Ryan L Mears,Jay F Schnaith,Sadhana Mahapatra,Kevin K Wadsworth. Владелец: Ashland Inc. Дата публикации: 2003-02-06.

Process for improving the processability of polymers with ultra-low melt viscosity

Номер патента: DE69603099D1. Автор: Charles Chiu-Hsiung Hwo,Chin-Yuan George Ma,J R James Douglas Mccullough. Владелец: Shell Oil Co. Дата публикации: 1999-08-12.

Toners with ultra-low melting point

Номер патента: RU2566819C2. Автор: Ке ЖО,Гуэрино Г. САКРИПАНТЕ,Мишель Н. КРЕТИЕН,Хади К. МАХАБАДИ,Эдвард Дж. ЦВАРТЦ. Владелец: Ксерокс Корпорэйшн. Дата публикации: 2015-10-27.

Cemented carbide with ultra-low thermal conductivity

Номер патента: KR20100017830A. Автор: 데방슈 배너르지. Владелец: 케나메탈 아이엔씨.. Дата публикации: 2010-02-16.

Process for producing ammonia with ultra-low metals content

Номер патента: US20030108473A1. Автор: Curtis Dove,Sadhana Mahapatra,Daniel Dershowitz,Ryan Mears,Jay Schnaith,Kevin Wadsworth. Владелец: Ashland Inc. Дата публикации: 2003-06-12.

Micro-temperature-variation energy-saving and smoke-eliminating system with ultra-low SO2 emission

Номер патента: CN106000068A. Автор: 王宏亮,薛建明,付森林,戴伟伟,许月阳,管一明,陈书建,管明. Владелец: State Power Environmental Protection Research Institute. Дата публикации: 2016-10-12.

Hollow-core photonic bandgap fiber with ultra-low thermal coefficient of propagation delay

Номер патента: KR101732010B1. Автор: 박창용,이원규,허명선,김휘동,유대혁. Владелец: 한국표준과학연구원. Дата публикации: 2017-05-04.

Doping Optimized Singlemode Optical Fiber with Ultra Low Attenuation

Номер патента: ES2920807T3. Автор: Lei Zhang,Jun Wu,Ruichun Wang,Shengya LONG,Jihong Zhu. Владелец: Yangtze Optical Fibre and Cable Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-09.

SOY WITH ULTRA LOW TRIPSINE INHIBITOR

Номер патента: AR080376A1. Автор: . Владелец: Schillinger Genetics Inc. Дата публикации: 2012-04-04.

Lifting stand column with ultra-low installation distance

Номер патента: CN106430030A. Автор: 胡仁昌,陆小健,程云山,裘凯峰. Владелец: Zhejiang Jiecang Linear Motion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-22.

Anti-glare surface with ultra-low glare and method of making same

Номер патента: CN114341074A. Автор: 朱建强,陈玲,冯江蔚,陈海星,宇辉金. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2022-04-12.

Hydrophobic coating with ultra-low reflectivity and method of its production

Номер патента: RU2721531C2. Автор: Бен Поул ЙЕНСЕН,Др Фиона-Мэред МАККЕННА,Гай Александер ХОУЛЕТТ. Владелец: Суррей Наносистемз Лимитед. Дата публикации: 2020-05-19.

Antiglare surface with ultra‐low sparkle and the method of making the same

Номер патента: TW202104127A. Автор: 宇輝金,朱建強,江蔚馮,陳海星,陳玲. Владелец: 美商康寧公司. Дата публикации: 2021-02-01.

Process for Producing Petroleum Oils With Ultra-Low Nitrogen Content

Номер патента: KR101310987B1. Автор: 쿠앙-유 우,총-빙 린,흥-청 션. Владелец: 씨피씨 코포레이션, 타이완. Дата публикации: 2013-09-24.

Process for producing petroleum oils with ultra-low nitrogen content

Номер патента: WO2007005298A2. Автор: Hung-Chung Shen,Kuang-Yeu Wu,Tzong-Bing Lin. Владелец: AMT International Inc.. Дата публикации: 2007-01-11.

Isolation forest with ultra-low ram footprint for edge

Номер патента: WO2023057798A1. Автор: Prasanna Chalapathy,Ashwin Kumar MURUGANANDAM,Anila JOSHI. Владелец: Telefonaktiebolaget lM Ericsson (publ). Дата публикации: 2023-04-13.

Method for preparing hyaluronic acid oligosaccharide with ultra-low molecular weight and salt thereof by combining solid-liquid two-phase enzymolysis and ultrafiltration

Номер патента: CN108220364B. Автор: 郭学平,石艳丽,薛蔚,陆震,申凤同,范馨仪,乔莉苹,吕旸. Владелец: Shandong Huaxi Haiyu Biological Medicine Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-05.

Alphahydroxyacids with ultra-low metal concentration

Номер патента: WO2005090278A1. Автор: Michael Thomas Sheehan,Charles Clinton Allgood,Stephen Thomas Breske,Michael Harry Willard. Владелец: E.I. DUPONT DE NEMOURS AND COMPANY. Дата публикации: 2005-09-29.

Polymers with ultra-low photoelastic birefringence constants

Номер патента: WO2016137553A2. Автор: Weijun Zhou,Shih-Wei Chang,Kathleen M. O'Connell,Praveen Agarwal,Roy R. RAGHUNATH. Владелец: Rohm and Haas Electronic Materials LLC. Дата публикации: 2016-09-01.

Aqueous polyglycidol synthesis with ultra-low branching

Номер патента: US20180134843A1. Автор: Benjamin R. Spears,Eva M. Harth. Владелец: VANDERBILT UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-05-17.

Aqueous polyglycidol synthesis with ultra-low branching

Номер патента: US20220267517A1. Автор: Benjamin R. Spears,Eva M. Harth. Владелец: VANDERBILT UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-08-25.

Aqueous polyglycidol synthesis with ultra-low branching

Номер патента: US20200087454A1. Автор: Benjamin R. Spears,Eva M. Harth. Владелец: VANDERBILT UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-03-19.

Aqueous polyglycidol synthesis with ultra-low branching

Номер патента: US11820864B2. Автор: Benjamin R. Spears,Eva M. Harth. Владелец: VANDERBILT UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-11-21.

Psa composition with ultra-low temperature performance

Номер патента: EP3931637A1. Автор: Yurun Yang,Ke Zhao. Владелец: Avery Dennison Corp. Дата публикации: 2022-01-05.

Ratiometric fluorescent oxygen detection material with ultra-low detection limit and high sensitivity

Номер патента: EP4169926A4. Автор: Shuangquan Zang,Xiyan Dong. Владелец: ZHENGZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-01-10.

Alphahydroxyacids with ultra-low metal concentration

Номер патента: TWI347937B. Автор: Michael Thomas Sheehan,Charles Clinton Allgood,Stephen Thomas Breske,Michael Harry Willard. Владелец: Du Pont. Дата публикации: 2011-09-01.

Polymers with ultra-low photoelastic birefringence constants

Номер патента: EP3245237A2. Автор: Weijun Zhou,Shih-Wei Chang,Kathleen M. O'Connell,Praveen Agarwal,Roy R. RAGHUNATH. Владелец: Rohm and Haas Electronic Materials LLC. Дата публикации: 2017-11-22.

Polymers with ultra-low photoelastic birefringence constants

Номер патента: US20190031809A1. Автор: Weijun Zhou,Shih-Wei Chang,Kathleen M. O'Connell,Praveen Agarwal,Roy R. RAGHUNATH. Владелец: Rohm and Haas Electronic Materials LLC. Дата публикации: 2019-01-31.

Polymers with ultra-low photoelastic birefringence constants

Номер патента: WO2016137553A3. Автор: Weijun Zhou,Shih-Wei Chang,Kathleen M. O'Connell,Praveen Agarwal,Roy R. RAGHUNATH. Владелец: Rohm and Haas Electronic Materials LLC. Дата публикации: 2016-09-22.

Passive Vehicle Cabin Insulation Method with Constant Temperature and Ultra-Low Energy Consumption

Номер патента: US20200094754A1. Автор: WANG Yulong. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-26.

Ultra-low energy consumption building treatment method for assembled steel structure

Номер патента: CN111305377A. Автор: 杜金,郝雨杭,付素娟,时元元,崔少华,李尚飞. Владелец: Hebei Academy Of Architectural Sciences Co ltd. Дата публикации: 2020-06-19.

Heat-insulation pasting structure of heat-insulation bridge of independent foundation of ultra-low energy consumption building and construction method

Номер патента: CN110761311A. Автор: 李斌,张应杰,赵艺蒙,董爱,温耀琦,眭佳明,雷远德. Владелец: Beijing No 3 Construction Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-07.

Organic thin film transistor with ion exchanged glass substrate

Номер патента: EP2789026A1. Автор: Mingqian He,James Robert Matthews,Jianfeng Li,Michael S. Pambianchi. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2014-10-15.

Method of determination of transient thermal resistance of crystal-housing and thermal resistance of crystal-housing in the state of heat equilibrium of transistors with field control

Номер патента: RU2685769C1. Автор: Николай Николаевич Беспалов,Владислав Геннадьевич Мясин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарёва". Дата публикации: 2019-04-23.

Organic spin transistor

Номер патента: WO2013043225A1. Автор: Christoph Boehme. Владелец: UNIVERSITY OF UTAH RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2013-03-28.

Organic light emitting ambipolar field effect transistor with distributed light emission

Номер патента: EP2786437A1. Автор: Raffaella Capelli,Stefano Toffanin,Michele Muccini,Gianluca GENERALI. Владелец: ETC SRL. Дата публикации: 2014-10-08.

Organic Transistor with Fluropolymer Banked Crystallization Well

Номер патента: US20120181512A1. Автор: Kurt Ulmer,Lisa H. Stecker,Kanan Puntambekar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-19.

Driver for insulated gate transistor with circuit for compensating for time delays

Номер патента: US12047057B2. Автор: Francis Abdesselam. Владелец: Thales SA. Дата публикации: 2024-07-23.

SWITCHING DEVICE WITH SERIAL CONNECTION OF FIELD TRANSISTORS WITH CONTROLLING RN TRANSITION

Номер патента: RU2012146465A. Автор: Йюрген БИЛА,Даниэль АГГЕЛЕР,Иоганн Вальтер КОЛАР. Владелец: Этх Цюрих. Дата публикации: 2014-05-20.

A method and apparatus for implementing a radiation hardened n-channel transistor with the use of non-radiation hardened transistors

Номер патента: WO2007067576A3. Автор: Steven Summer. Владелец: Steven Summer. Дата публикации: 2007-12-06.

A method and apparatus for implementing a radiation hardened n-channel transistor with the use of non-radiation hardened transistors

Номер патента: WO2007067576A2. Автор: Steven Summer. Владелец: Steven Summer. Дата публикации: 2007-06-14.

Magnetic Transistor with the OR/NOR/NAND/AND Functions

Номер патента: US20070152713A1. Автор: James Lai,Tom Agan. Владелец: Northern Lights Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-07-05.

Organic thin film transistor with contact hole and method for fabricating the same

Номер патента: US20070057252A1. Автор: Cheng-Chung Hsieh,Jia-Chong Ho,Tarng-Shiang Hu,Ming-Chun Hsiao. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2007-03-15.

Field effect transistor with intermediate-impedance body-source tie

Номер патента: WO2024173142A1. Автор: Xiaoling Guo,Sivakumar Ganesan,Nebojsa Stanic. Владелец: pSemi Corporation. Дата публикации: 2024-08-22.

Integrated circuit comprising an output transistor with a controlled fall time

Номер патента: US20010017559A1. Автор: Jean Devin,Bertrand Bertrand. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2001-08-30.

Semiconductor memory device including pass transistors with variable sizes

Номер патента: US12133389B2. Автор: SUNG Wook Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

RF circuit with switch transistor with body connection

Номер патента: US09900001B2. Автор: Clint Kemerling,Max Samuel Aubain. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Configuration of JFET for base drive bipolar junction transistor with automatic compensation of beta variation

Номер патента: US09595953B2. Автор: Shivaling Shrishail Mahant Shetti,Vithal Dalawayi Shankar,Ameensab Mujavar Yamanursab,Nagesh Turadi Mudakappa,Bharthi Patil Shekar,Kashinath Shekugol Satyappa,Venkappa Bhajantri Hanumantappa,Suma Patil Manjanagouda,Nastheen Mokhashi Ismail. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-14.

RF circuit with switch transistor with body connection

Номер патента: US09503074B2. Автор: Clint Kemerling,Max Samuel Aubain. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Circuit arrangement for e.g. direct current/direct current converter, has control transistor with two terminals that are coupled with input and potential connection, and series transistor with third terminal that is coupled with input

Номер патента: DE102005056338A1. Автор: Peter Trattler. Владелец: austriamicrosystems AG. Дата публикации: 2007-05-31.

Ion-sensitive field-effect transistor with sawtooth well to enhance sensitivity

Номер патента: US20200292491A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Vertical alignment liquid crystal display device that has transistors with different switch-on resistance and method

Номер патента: US09507219B2. Автор: Chao-Yi Hung,Yueh-Ping Chang. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Transistors with source and word line voltage adjusting circuitry for controlling leakage currents and its method thereof

Номер патента: US09466342B2. Автор: Shinji Miyano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Method for manufacturing of improved multilevel copper metallisation using dielectrics with ultra low dielectric constant (ultra low-k)

Номер патента: RU2486632C2. Автор: Адиль Салихович Валеев,Геннадий Яковлевич Красников,Владимир Александрович Гвоздев. Владелец: Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон". Дата публикации: 2013-06-27.

External wall panel with ultra-low energy consumption and bridge cut-off connection

Номер патента: CN214461393U. Автор: 姚攀峰. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-10-22.

Preparation method of ultra-light foam concrete waterproof coating and ultra-light foam concrete with ultra-low water absorption rate

Номер патента: CN109761643B. Автор: 杨清,张颖,张洁,张秀芝,薛瑞,张冬久. Владелец: University of Jinan. Дата публикации: 2021-03-30.

Steel making with ultra-low carbon iron and scrap

Номер патента: GB201603854D0. Автор: . Владелец: Warner Noel A. Дата публикации: 2016-04-20.

Low-temperature cured conductive paste with ultra-low silver content and preparation method thereof

Номер патента: CN101950595B. Автор: 朱万超. Владелец: Irico Group Corp. Дата публикации: 2012-07-04.

Special spoon-shaped wing section with ultra-low Reynolds number, high lift-drag ratio and low speed

Номер патента: CN104118556B. Автор: 朱敏,宋笔锋,杨旭东,王海峰,许建华,宋文萍,宋超,张玉刚,李育斌,张顺磊,安伟刚. Владелец: Northwestern Polytechnical University. Дата публикации: 2015-03-18.

LATERAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR WITH ULTRA LOW CAPACITANCE

Номер патента: US20120012973A1. Автор: LIN Kun-Hsien,Chuang Che-Hao,Jiang Ryan Hsin-Chin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-19.

COUPLING FOR USE WITH ULTRA LOW PERMEATION HOSE

Номер патента: US20120060959A1. Автор: Dianetti Eugene,Haramoto Cary. Владелец: PARKER-HANNIFIN CORPORATION. Дата публикации: 2012-03-15.

METAL CAP WITH ULTRA-LOW k DIELECTRIC MATERIAL FOR CIRCUIT INTERCONNECT APPLICATIONS

Номер патента: US20120149191A1. Автор: Yang Chih-Chao,EDELSTEIN Daniel C.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-06-14.

Dynamic compensation circuit with ultra-low power consumption and linear regulator with the same

Номер патента: CN101847028B. Автор: 张建强,徐肯. Владелец: RISING MICRO ELECTRONICS CO Ltd. Дата публикации: 2012-03-28.

Double-component fireproof silicone foamed material with ultra-low density and preparation technology thereof

Номер патента: CN103665891A. Автор: 严玉,戴金华,段佳巍. Владелец: Hailong Nuclear Material Technology (jiangsu) Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-26.

Linear dropout regulator (LDO) with ultra-low power consumption and without output filtering capacitor

Номер патента: CN202995523U. Автор: 王建军,朱家训,朱定飞. Владелец: ZHUHAI ZHONGHUI MICROELECTRONICS CO Ltd. Дата публикации: 2013-06-12.

Efficient coupling hydro-upgrading method for producing gasoline with ultra-low sulfur and high octane number

Номер патента: CN101885983B. Автор: 王芳,鲍晓军,刘海燕,郭琳,范煜,石冈. Владелец: China University of Petroleum Beijing. Дата публикации: 2013-04-24.

Environment-friendly styrene-acrylic emulsion with ultra-low VOC (Volatile Organic Compound) content and preparation method thereof

Номер патента: CN103450409A. Автор: 马莹,韩鑫,董辉,罗琼,李盛彪,廖日南. Владелец: LUODING NEW DECORATION MATERIAL FACTORY. Дата публикации: 2013-12-18.