Fabrication of nanomaterial t-gate transistors with charge transfer doping layer
Номер патента: US20170244054A1
Опубликовано: 24-08-2017
Автор(ы): Michael Engel, Sarunya Bangsaruntip, Shu-Jen Han
Принадлежит: International Business Machines Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 24-08-2017
Автор(ы): Michael Engel, Sarunya Bangsaruntip, Shu-Jen Han
Принадлежит: International Business Machines Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Fabrication of nanomaterial T-gate transistors with charge transfer doping layer
Номер патента: US09748334B1. Автор: Michael Engel,Shu-Jen Han,Sarunya Bangsaruntip. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-29.