Semiconductor memory device that does not require a sense amplifier.

Главная
Semiconductor memory device that does not require a sense amplifier

Semiconductor memory device that does not require a sense amplifier

Номер патента: US20150016197A1
Опубликовано: 15-01-2015
Автор(ы): Chih-Cheng Hsiao
Принадлежит: Individual
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Circuit for driving sense amplifier of semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09620197B1. Автор: Young-Seok Park,Soo-bong Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-11.

Sense amplifier and semiconductor memory device employing the same

Номер патента: US09576623B2. Автор: Seongook JUNG,Hanwool Jeong,Young Hwi YANG,Kyoman KANG. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2017-02-21.

Circuit for driving sense amplifier of semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20170103799A1. Автор: Young-Seok Park,Soo-bong Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-13.

Reduced area sense amplifier isolation layout in a dynamic RAM architecture

Номер патента: US20020191461A1. Автор: Brent Keeth. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-19.

Reduced area sense amplifier isolation layout in a dynamic ram architecture

Номер патента: WO1997008700A1. Автор: Brent Keeth. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 1997-03-06.

Reduced area sense amplifier isolation layout in a dynamic ram architecture

Номер патента: US20020110015A1. Автор: Brent Keeth. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-15.

Semiconductor memory device and method of driving the same

Номер патента: US20110188333A1. Автор: Jung-han Kim,Jong Doo Joo,Cheol Ha Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-04.

Memory device and operation methods thereof

Номер патента: US09978435B1. Автор: San-Ha Park. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor memory device

Номер патента: US5095463A. Автор: Haruki Toda,Mitsugi Ogura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1992-03-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20080159037A1. Автор: Jong-Cheol Lee,Myeong-o Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-03.

Semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20030227808A1. Автор: Atsumasa Sako. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-12-11.

Semiconductor memory device

Номер патента: US4409678A. Автор: Yoshihiro Takemae,Fumio Baba. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1983-10-11.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20100177576A1. Автор: Dong-Hyuk Lee,Jung-Bae Lee,Chi-Sung Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-07-15.

Semiconductor memory device with substrate voltage biasing

Номер патента: IE50955B1. Автор: . Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1986-08-20.

Reference circuit to compensate for PVT variations in single-ended sense amplifiers

Номер патента: US09478275B2. Автор: Roland Thewes. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor memory device

Номер патента: EP1619690A3. Автор: Hitoshi Ikeda,Shinya Fujioka,Masato Matsumiya. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-10-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US5619465A. Автор: Hiroshi Yamamoto,Masami Nakashima,Hidenori Nomura,Kenji Nagai,Isaya Sobue. Владелец: Fujitsu Vlsi Ltd. Дата публикации: 1997-04-08.

Semiconductor memory device including a sense amplifier having a reduced operating current

Номер патента: US20080112244A1. Автор: Yoji Idei,Kazuhiro Teramoto. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-05-15.

Data sense amplification circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US09947385B1. Автор: Hae-Rang Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US20110158023A1. Автор: Kang-Seol Lee,Tae-Sik Yun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-06-30.

Sense amplifier control circuit of semiconductor memory device

Номер патента: US20020089888A1. Автор: Daisuke Kato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-11.

Sense amplifier circuit, method for operating same, and fabrication method for same

Номер патента: US12100440B2. Автор: Qinghua Han. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Reference circuit to compensate for pvt variations in single-ended sense amplifiers

Номер патента: WO2014057033A1. Автор: Roland Thewes. Владелец: SOITEC. Дата публикации: 2014-04-17.

Sense amplifier and driving method thereof, and semiconductor memory device having the sense amplifier

Номер патента: US20100302878A1. Автор: Hee Bok Kang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-02.

Bit line sense amplifier and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US12051461B2. Автор: Sunyoung Kim,Younghun Seo,Hoseok LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-30.

Bit line sense amplifier and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20240339153A1. Автор: Sunyoung Kim,Younghun Seo,Hoseok LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor memory and method of operating the same

Номер патента: US20020097622A1. Автор: Kuninori Kawabata. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-07-25.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20160163364A1. Автор: Sung-Soo Chi,Sung-Yub LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-09.

Semiconductor memory apparatus having open bit line structure in which a sense amplifier array shared between a dummy array and normal array,comparing one bit line of the normal array with two or more bit lines of the dummy array

Номер патента: US09666254B1. Автор: Jai Yong WOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09478265B2. Автор: Sung-Soo Chi,Sung-Yub LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20110149663A1. Автор: Soichiro Yoshida. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-06-23.

Semiconductor memory devices having hierarchical bit-line structures

Номер патента: US20100124135A1. Автор: Jin-Young Kim,Ki-whan Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-05-20.

Quasi-volatile memory with enhanced sense amplifier operation

Номер патента: US11848056B2. Автор: Raul Adrian Cernea. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2023-12-19.

Quasi-volatile memory with enhanced sense amplifier operation

Номер патента: US20220180943A1. Автор: Raul Adrian Cernea. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2022-06-09.

Integrated semiconductor memory with sense amplifier

Номер патента: US20050207251A1. Автор: Helmut Schneider,Michael Sommer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-09-22.

Semiconductor memory device and driving method thereof

Номер патента: US20050249004A1. Автор: Ju-Young Seo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-11-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: EP2793231A3. Автор: Hitoshi Ikeda,Shinya Fujioka,Masato Matsumiya. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-02-25.

Semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20040004890A1. Автор: Hiroki Fujisawa,Hideyuki Yokou. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2004-01-08.

Bit line sense amplifier of semiconductor memory device having open bit line structure

Номер патента: US20090310432A1. Автор: Hyang-Ja Yang,Su-Yeon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-12-17.

Bit line sense amplifier of semiconductor memory device having open bit line structure

Номер патента: US7889532B2. Автор: Hyang-Ja Yang,Su-Yeon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-02-15.

Semiconductor memory device using VSS or VDD bit line precharge approach without reference cell

Номер патента: US7031213B2. Автор: Kyong-Jun Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-18.

Semiconductor dynamic memory device

Номер патента: USRE35953E. Автор: Tomio Nakano,Yoshiro Takemae. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1998-11-10.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20210005243A1. Автор: Whiyoung BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-07.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20110216616A1. Автор: Tai-Young Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-08.

Semiconductor memory device using tapered arrangement of local input and output sense amplifiers

Номер патента: US20050169079A1. Автор: Youn-cheul Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-08-04.

Sense amplifier and driving method thereof, and semiconductor memory device having the sense amplifier

Номер патента: US7755963B2. Автор: Hee Bok Kang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-07-13.

Sense amplifier and driving method thereof, and semiconductor memory device having the sense amplifier

Номер патента: US20090147604A1. Автор: Hee Bok Kang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-06-11.

Memory device with test mode for controlling of bitline sensing margin time

Номер патента: US20040218438A1. Автор: Chang-Ho Do. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-11-04.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20140064005A1. Автор: Woong-Ju JANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-03-06.

Semiconductor memory device and data read method thereof

Номер патента: US20110080795A1. Автор: Suk-Soo Pyo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-04-07.

Sense amplifier, memory and method for controlling sense amplifier

Номер патента: US11894047B2. Автор: Jun He,Zhan Ying,Xin Li,Junning Chen,Rumin JI,Wenjuan Lu,Chunyu PENG,Zhiting Lin,Xiulong Wu,Yangkuo Zhao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Method and apparatus for stress testing a semiconductor memory

Номер патента: US5999467A. Автор: Lucien J. Bissey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-12-07.

Memory device with dynamically operated reference circuits

Номер патента: US09576642B2. Автор: Richard Ferrant,Roland Thewes. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2017-02-21.

Signal sensing circuit and semiconductor memory device using the same

Номер патента: US20080279026A1. Автор: Chun Shiah,Cheng-Nan CHANG,Chun-Peng Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-13.

Dynamic semiconductor memory device with banks capable of operating independently

Номер патента: US5970016A. Автор: Takashi Ohsawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-10-19.

Sense amplifier, memory and data readout method

Номер патента: US11862284B2. Автор: YING Wang,Weibing SHANG,Kanyu Cao,Sungsoo CHI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor memory device with sense amplifier and bitline isolation

Номер патента: US20130265839A1. Автор: Byoung Jin Choi. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2013-10-10.

Sense amplifiers for sensing multilevel cells and memory devices including the same

Номер патента: US20200143869A1. Автор: Dong-Il Lee,Young-Hun Seo,Hye-Jung KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-07.

Semiconductor memory and system

Номер патента: US20090016133A1. Автор: Hiroyuki Kobayashi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-01-15.

Dynamic random access memory device

Номер патента: US6295241B1. Автор: Fujio Masuoka,Koji Sakui,Kenji Numata,Tsuneaki Fuse,Shigeyoshi Watanabe,Yukihito Oowaki,Masako Ohta. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-09-25.

Semiconductor memory device for low power system

Номер патента: US20060092738A1. Автор: Jin-Hong Ahn,Hee-bok Kang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-05-04.

Power supply circuit for sense amplifier of semiconductor memory device

Номер патента: US20080123457A1. Автор: Kang Youl Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-05-29.

Sub-sense amplifier and semiconductor memory device

Номер патента: US20220399051A1. Автор: Hisayuki Nagamine. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-12-15.

Semiconductor memory

Номер патента: US6091655A. Автор: Toshio Yamada,Akinori Shibayama. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 2000-07-18.

Multi-level sensing circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US20200234742A1. Автор: Tae Hun Kim,Hyung Sik WON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-07-23.

Multi-level sensing circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US20200234741A1. Автор: Tae Hun Kim,Hyung Sik WON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-07-23.

Multi-level sensing circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US20190237114A1. Автор: Tae Hun Kim,Hyung Sik WON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

Multi-level sensing circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US10839869B2. Автор: Tae Hun Kim,Hyung Sik WON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-11-17.

Semiconductor memory apparatus having open bit line structure

Номер патента: US20170133069A1. Автор: Jai Yong WOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-11.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20200265889A1. Автор: Mi-Hyun Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-08-20.

Systems and methods for controlling common mode level for sense amplifier circuitry

Номер патента: US12094521B2. Автор: Ki-Jun Nam. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory device layout with intersecting region between sub-wordline and sense amplifier

Номер патента: US12094520B2. Автор: Harish Gadamsetty,John A. Winegard. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Non-destructive pattern identification at a memory device

Номер патента: US11935617B2. Автор: Takamasa Suzuki,Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Dynamic type semiconductor memory device having function of compensating for threshold value

Номер патента: US6130845A. Автор: Isao Naritake,Tetsuya Ootsuki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-10-10.

Non-destructive pattern identification at a memory device

Номер патента: US20230326494A1. Автор: Takamasa Suzuki,Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Bit-line sense amplifier capable of compensating mismatch between transistors, and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US09431071B2. Автор: Jong-Ho Moon,Tai-Young Ko,Hyung-Sik You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Layout of a sense amplifier with accelerated signal evaluation

Номер патента: US20010048620A1. Автор: HELMUT Fischer,Michael Markert,Helmut Schneider,Sabine Schöniger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2001-12-06.

Sense amplifier optimized lay-out from dynamic random access memories on complementary metal oxide semicondutor

Номер патента: US4825417A. Автор: Seung M. Seo. Владелец: Samsung Semiconductor and Telecomunications Co Ltd. Дата публикации: 1989-04-25.

Local sense amplifier and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20060291313A1. Автор: Kee-won Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-12-28.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20010015930A1. Автор: Tsukasa Ooishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-08-23.

Semiconductor memory device with sense amplifiers

Номер патента: US4748596A. Автор: Yasuo Itoh,Mitsugi Ogura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1988-05-31.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20140063992A1. Автор: Soichiro Yoshida. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2014-03-06.

Bit line sense amplifier, semiconductor memory device and multi bit data sensing method thereof

Номер патента: US20190189192A1. Автор: Kyungryun Kim,Younghun Seo,Soobong Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-20.

Memory device, sense amplifier and method for mismatch compensation

Номер патента: US20230123830A1. Автор: Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Memory device, sense amplifier and method for mismatch compensation

Номер патента: US11854650B2. Автор: Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20180082733A1. Автор: Tsutomu Tezuka,Keiji Ikeda,Chika Tanaka,Toshinori Numata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-22.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09978441B2. Автор: Tsutomu Tezuka,Keiji Ikeda,Chika Tanaka,Toshinori Numata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Amplifying circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US09455002B2. Автор: Sung-Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Input/output line sense amplifiers and/or input/output line drivers in semiconductor memory devices and methods of operating such devices

Номер патента: US20050068833A1. Автор: Jung-hwan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-03-31.

Apparatuses and methods for performing operations using sense amplifiers and intermediary circuitry

Номер патента: US11783872B2. Автор: Glen E. Hush,Richard C. Murphy,Honglin Sun. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Apparatuses and methods for performing operations using sense amplifiers and intermediary circuitry

Номер патента: US20210035615A1. Автор: Glen E. Hush,Richard C. Murphy,Honglin Sun. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Apparatuses and methods for performing operations using sense amplifiers and intermediary circuitry

Номер патента: EP4004920A1. Автор: Glen E. Hush,Richard C. Murphy,Honglin Sun. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-01.

Apparatuses and methods for performing operations using sense amplifiers and intermediary circuitry

Номер патента: WO2021021288A1. Автор: Glen E. Hush,Richard C. Murphy,Honglin Sun. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-02-04.

A memory device and method of performing a read operation within such a memory device

Номер патента: GB2520291A. Автор: Yew Keong Chong,Sanjay Mangal. Владелец: Advanced Risc Machines Ltd. Дата публикации: 2015-05-20.

Sense amplifier circuit, method for operating same, and fabrication method for same

Номер патента: US20230253030A1. Автор: Qinghua Han. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Techniques for reducing disturbance in a semiconductor memory device

Номер патента: US20140056090A1. Автор: David Kim,Jungtae Kwon,Sunil Bhardwaj. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-02-27.

Techniques for reducing disturbance in a semiconductor memory device

Номер патента: US09812179B2. Автор: David Kim,Jungtae Kwon,Sunil Bhardwaj. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor memory device for reducing bit line coupling noise

Номер патента: US8467216B2. Автор: Sang-Yun Kim,Tai-Young Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-06-18.

Semiconductor memory device for reducing bit line coupling noise

Номер патента: US20110182099A1. Автор: Sang-Yun Kim,Tai-Young Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-28.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20200372947A1. Автор: Wan Seob LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-11-26.

Semiconductor Memory Device for Simultaneously Performing Read Access and Write Access

Номер патента: US20080259692A1. Автор: Sang Hoon Hong. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2008-10-23.

Semiconductor memory device

Номер патента: US5392240A. Автор: Kazuyoshi Muraoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1995-02-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20090180343A1. Автор: Tomonori Sekiguchi,Satoru Akiyama,Takayuki Kawahara,Riichiro Takemura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-16.

Semiconductor memory

Номер патента: US20160163357A1. Автор: Hiroyuki Takahashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-09.

Semiconductor memory

Номер патента: US09620175B2. Автор: Hiroyuki Takahashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor memory device capable of reducing a load imposed upon a sense amplifier to shorten a sensing time

Номер патента: US6021062A. Автор: Syouzi Matsuki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-02-01.

Semiconductor memory device

Номер патента: US5687123A. Автор: Shigeki Tomishima,Masaki Tsukude,Tsukasa Ooishi,Hideto Hidaka,Kazutami Arimoto,Kazuyasu Fujishima,Mikio Asakura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1997-11-11.

Semiconductor memory device and method of testing the same

Номер патента: US20140226422A1. Автор: Suk Min Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-08-14.

Semiconductor memory device having segmented cell bit line

Номер патента: EP4326023A2. Автор: Sang-Yun Kim,Younghun Seo,Juwon LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-21.

Semiconductor memory device having segmented cell bit line

Номер патента: EP4326023A3. Автор: Sang-Yun Kim,Younghun Seo,Juwon LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-05.

Semiconductor memory device having segmented cell bit line

Номер патента: US20240064973A1. Автор: Sang-Yun Kim,Younghun Seo,Juwon LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-22.

Techniques for refreshing a semiconductor memory device

Номер патента: WO2011140033A2. Автор: Yogesh Luthra. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2011-11-10.

Integrated semiconductor memory device

Номер патента: US20070211552A1. Автор: Simon Muff. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-09-13.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20070297208A1. Автор: Tatsuya Matano. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-12-27.

Semiconductor memory device and test method thereof

Номер патента: US20090268534A1. Автор: Jun Suzuki,Shuichi Kubouchi. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-10-29.

Semiconductor memory device and refresh method thereof

Номер патента: US20130176803A1. Автор: Jong-ho Lee,Kyu-Chang KANG,Jae-Youn Youn,Sang-Jae Rhee,Hyo-chang KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-07-11.

Semiconductor memory device

Номер патента: US7542364B2. Автор: Tatsuya Matano. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-06-02.

Semiconductor memory device and weak cell detection method thereof

Номер патента: US09824776B1. Автор: Youk-Hee Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor memory device and method of controlling timing

Номер патента: EP1903578A1. Автор: Toshikazu c/o FUJITSU LIMITED NAKAMURA,Hiroyuki c/o Fujitsu Limited Kobayashi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-03-26.

Sense amplifier control circuit for semiconductor memory device and method for controlling sense amplifier control circuit

Номер патента: US7813200B2. Автор: Ju-Young Seo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-10-12.

Semiconductor memory device having bit line disturbance preventing unit

Номер патента: US20100110772A1. Автор: Hyun-Bae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-05-06.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20080008014A1. Автор: Tatsuya Matano. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-01-10.

Semiconductor memory device with column to be selected by bit line selection signal

Номер патента: US20060171226A1. Автор: Daisuke Kato,Yasuyuki Kajitani,Mariko Kaku. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-03.

Semiconductor memory having a first and second sense amplifier for sensing a memory cell voltage during a normal mode and a refresh mode

Номер патента: US7009902B2. Автор: Jean-Marc Dortu. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-03-07.

Semiconductor memory apparatus and method for operating a semiconductor memory apparatus

Номер патента: US20050195670A1. Автор: Jean-Marc Dortu. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-09-08.

Programmable Sense Amplifier Multiplexer Circuit with Dynamic Latching Mode

Номер патента: US20080151647A1. Автор: Christopher Miller,Michael Killian. Владелец: Qimonda North America Corp. Дата публикации: 2008-06-26.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US20080219073A1. Автор: Khil-Ohk Kang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-09-11.

Semiconductor memory apparatus

Номер патента: US9865327B1. Автор: Akihiro Hirota. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor memory device capable of reading data of signature fuse through normal read operation and method of reading data of signature fuse in semiconductor memory device through normal read operation

Номер патента: US20040151048A1. Автор: Sung-Bum Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-08-05.

Voltage generation circuit, semiconductor memory device including the same, and method for driving the same

Номер патента: US09508398B1. Автор: Jae-Boum Park,Yoon-Jae Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Sense amplifier and semiconductor memory device employing the same

Номер патента: US20160181993A1. Автор: Seongook JUNG,Hanwool Jeong,Young Hwi YANG,Kyoman KANG. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2016-06-23.

Timed sense amplifier circuits and methods in a semiconductor memory

Номер патента: US20170221551A1. Автор: Chulmin Jung,Sei Seung Yoon,Fahad Ahmed,Keejong Kim. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-08-03.

Timed sense amplifier circuits and methods in a semiconductor memory

Номер патента: US09959912B2. Автор: Chulmin Jung,Sei Seung Yoon,Fahad Ahmed,Keejong Kim. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20070127301A1. Автор: Tomoko Nobutoki,Kyoichi Nagata. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-06-07.

Semiconductor memory apparatus

Номер патента: US20180114563A1. Автор: Sang Hoon Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-26.

Dynamic semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US20200176052A1. Автор: Kwang Hyun Kim,Chul Hwan Choo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-04.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20030151085A1. Автор: Kohichi Kuroki. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-08-14.

Sense amplifier, memory and method for controlling sense amplifier

Номер патента: US11315610B1. Автор: Jun He,Zhan Ying,Xin Li,Junning Chen,Kanyu Cao,Zijian Wang,Wenjuan Lu,Chunyu PENG,Zhiting Lin,Xiulong Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-04-26.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20140104971A1. Автор: Hiroyuki Takahashi,Satoshi Mochimaru. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-04-17.

Bit line sense amplifier and bit line sensing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20230395102A1. Автор: Keewon Kwon,Chaehwan PARK. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-12-07.

Sense amplifier, memory and method for controlling sense amplifier

Номер патента: US11929716B2. Автор: Li Zhao,Jun He,Zhan Ying,Xin Li,Junning Chen,Kanyu Cao,Wenjuan Lu,Chunyu PENG,Zhiting Lin,Xiulong Wu,Yangkuo Zhao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Control amplification circuit, sense amplifier and semiconductor memory

Номер патента: EP4276829A1. Автор: Weibing SHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-15.

Memory device and method for performing consecutive memory accesses

Номер патента: US12027200B2. Автор: CHRISTIAN Weis,Andre GUNTORO,Leonardo Luiz Ecco,Norbert Wehn,Chirag SUDARSHAN,Taha Ibrahim Ibrahim Soliman. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor memory device and a method of operating a bit line sense amplifier of the same

Номер патента: US9704545B2. Автор: Ki-Seok OH,Jonghyun Choi,Seong-Heon Yu,Dongwoo Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Memory device having I/O sense amplifier with variable current gain

Номер патента: US6314029B1. Автор: Sang-Jae Rhee,Tae-Young Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-11-06.

Semiconductor memory device controlling refresh cycle, memory system, and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US09490004B2. Автор: In-Chul Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor memory device that controls refresh period, memory system and operating method thereof

Номер патента: US09490001B2. Автор: Cheol Kim,Jung-Sik Kim,Sang-Ho Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor memory device and memory system including memory cell arrays and column selection transistors arranged to improve size efficiency

Номер патента: US11881283B2. Автор: Soo Bong CHANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-23.

Semiconductor memory device with reduced coupling noise

Номер патента: US20090175064A1. Автор: Tomonori Sekiguchi,Yasutoshi Yamada,Kazuhiko Kajigaya,Riichiro Takemura. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-07-09.

Semiconductor memory device

Номер патента: US5311469A. Автор: Kazuhiko Takahashi,Masami Masuda,Satoru Hoshi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-05-10.

Semiconductor memory device having memory chip bonded to a cmos chip including a peripheral circuit

Номер патента: US20230402087A1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor memory device and method for operating semiconductor memory device

Номер патента: US7898835B2. Автор: Kotaro Kashiwa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-03-01.

Sense amplifier for non-volatile memory devices and related methods

Номер патента: US20170178722A1. Автор: Marco Pasotti,Chantal Auricchio,Marcella CARISSIMI,Rajat Kulshrestha. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2017-06-22.

Sense amplifier for non-volatile memory devices and related methods

Номер патента: US10068643B2. Автор: Marco Pasotti,Chantal Auricchio,Marcella CARISSIMI,Rajat Kulshrestha. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2018-09-04.

Sense amplifier for non-volatile memory devices and related methods

Номер патента: US09613692B1. Автор: Marco Pasotti,Chantal Auricchio,Marcella CARISSIMI,Rajat Kulshrestha. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2017-04-04.

Internal voltage generation circuit of semiconductor memory device, and semiconductor memory device

Номер патента: US20130188432A1. Автор: Takahiko Sato. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-07-25.

Semiconductor memory device for minimizing mismatch of sense amplifier

Номер патента: US20120213025A1. Автор: Dong Chul Koo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-08-23.

Semiconductor memory device having memory chip bonded to a CMOS chip including a peripheral circuit

Номер патента: US11783888B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-10.

Sense amplifier random noise stress

Номер патента: EP3411879A1. Автор: Chulmin Jung,Sei Seung Yoon,Fahad Ahmed,Keejong Kim. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-12-12.

Sense amplifier random noise stress

Номер патента: WO2017136106A1. Автор: Chulmin Jung,Sei Seung Yoon,Fahad Ahmed,Keejong Kim. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-08-10.

Sense amplifier and operation method thereof

Номер патента: US20230298660A1. Автор: Han-Wen Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Method for detecting a leakage current of a semiconductor memory

Номер патента: US20070047355A1. Автор: Manfred Proell,Tobias Graf,Stephan Schroeder,Herbert Benzinger,Joerg Kliewer. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-03-01.

Semiconductor memory device having transfer gate array associated with monitoring circuit for bit line pair

Номер патента: US5235546A. Автор: Hiroshi Nakayama. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1993-08-10.

Voltage sense amplifier and methods for implementing the same

Номер патента: WO1998048424A1. Автор: Scott T. Becker,Steve P. Kornachuk. Владелец: Artisan Components, Inc.. Дата публикации: 1998-10-29.

Static type semiconductor memory device

Номер патента: IE54486B1. Автор: . Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1989-10-25.

Semiconductor memory

Номер патента: US09754664B2. Автор: Hiroki Noguchi,Shinobu Fujita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Potential difference transmission device and semiconductor memory device using the same

Номер патента: US5672987A. Автор: Tsuguyasu Hatsuda,Isao Tanaka. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1997-09-30.

Apparatus and method for detecting leakage current of semiconductor memory device, and internal voltage generating circuit using the same

Номер патента: US20080219061A1. Автор: Yoon-Jae Shin,Jun-Gi Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-09-11.

Semiconductor memory devices with open bitline architectures and methods of controlling the bitlines of such semiconductor memory devices

Номер патента: US20070047350A1. Автор: Ji-hoon Park,Chang-Yeong Jeong,Sung-Wan Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-01.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09741426B2. Автор: Nak-Kyu Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Bit-line sense amplifier, semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US09449670B2. Автор: Jung-Bae Lee,Hyung-Sik You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor memory device compensating difference of bitline interconnection resistance

Номер патента: US09595315B2. Автор: Junhee LIM,Sungho Jang,Won-Kyung Park,Joon HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20220246197A1. Автор: Mario Sako. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Semiconductor memory device and writing method thereof

Номер патента: US20240347103A1. Автор: Hsi-Yuan Wang,Ying-Te Tu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Dynamic Semiconductor memory device

Номер патента: US4481610A. Автор: Yoshihiro Takemae,Hatsuo Miyahara. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1984-11-06.

Coupling capacitor and semiconductor memory device using the same

Номер патента: US7602043B2. Автор: Jin-Woo Lee,Eun-Cheol Lee,Won-suk Yang,Tae-Young Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-10-13.

Semiconductor memory device having sense amplifier

Номер патента: US09472264B2. Автор: Tetsuaki Okahiro,Ryuji Takishita. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Dynamic semiconductor memory device

Номер патента: IE55282B1. Автор: . Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1990-08-01.

Dynamic semiconductor memory device and method of controlling refresh thereof

Номер патента: US20030112690A1. Автор: Shyuichi Tsukada. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2003-06-19.

Sense amplifying circuit and method, and semiconductor memory

Номер патента: US12112791B2. Автор: Dong Liu,Tianhao DIWU,Xikun CHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Bit line sense amplifier of semiconductor memory device

Номер патента: US5566116A. Автор: Kyung-Woo Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1996-10-15.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20220310153A1. Автор: Masaharu Wada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-29.

Sense amplifier, semiconductor memory device using thereof and read method thereof

Номер патента: US09672895B2. Автор: Artur ANTONYAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Sense amplifier activation timing scheme to suppress disturbance in memory cells of dram memory device

Номер патента: US11735250B2. Автор: Takahiko Sato. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-08-22.

Bit line sense amplifier of semiconductor memory device and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20240233811A9. Автор: Donggeon Kim,Bok-yeon Won,Jonghyuk Kim,Selyung Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US20240339150A1. Автор: Takuya Kadowaki. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor memory device equipped with step-down power voltage supply system for sense amplifier circuit arrays

Номер патента: US5272677A. Автор: Ryuji Yamamura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1993-12-21.

Stored charge differential sense amplifier

Номер патента: CA1088668A. Автор: Scott C. Lewis. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-10-28.

Volatile semicondcutor memory device, refresh control circuit and method thereof

Номер патента: US09653142B1. Автор: Yuji Kihara. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Control device for controlling semiconductor memory device

Номер патента: US20180047431A1. Автор: Yu-Fen Lin,Nan-Chun Lien. Владелец: M31 Technology Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Semiconductor memory device having a sense amplifier circuit with decreased offset

Номер патента: US20110079858A1. Автор: Tomonori Sekiguchi,Satoru Akiyama,Hiroaki Nakaya,Yuko Watanabe,Shinichi Miyatake,Riichiro Takemura. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-04-07.

Semiconductor memory device having a sense amplifier circuit with decreased offset

Номер патента: US7876627B2. Автор: Tomonori Sekiguchi,Satoru Akiyama,Hiroaki Nakaya,Yuko Watanabe,Shinichi Miyatake,Riichiro Takemura. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-01-25.

Semiconductor memory devices having adjustable i/o signal line loading that supports reduced power consumption during read and write operations

Номер патента: US20240105255A1. Автор: Seung-Jun Lee,Sang-Yun Kim,Bok-yeon Won,Jonghyuk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor memory device that varies voltage levels depending on which of different memory regions thereof is accessed

Номер патента: US09852786B2. Автор: Kazutaka Takizawa,Masaaki Niijima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Input/output line sense amplifier and semiconductor memory device using the same

Номер патента: US20080316840A1. Автор: Chang-Il Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-12-25.

Sense amplifier circuit and semiconductor memory device

Номер патента: US20240105253A1. Автор: Osamu Hirabayashi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Sense amplifying circuit and method, and semiconductor memory

Номер патента: US20230230633A1. Автор: Dong Liu,Tianhao DIWU,Xikun CHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor memory device

Номер патента: US5363339A. Автор: Mamoru Fujita. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-11-08.

Memory device with post package repair function and method for operating the same

Номер патента: US20210366568A1. Автор: Nung Yen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-25.

Reference voltage modification in a memory device

Номер патента: US09349432B2. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Joab D. Henderson,Edgar R. Cordero,Anuwat Saetow,Jeffrey A. Sabrowski. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-24.

Semiconductor memory with refresh and method for operating the semiconductor memory

Номер патента: US20020136077A1. Автор: Wolfgang Spirkl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-09-26.

Semiconductor memory structure

Номер патента: US20230352079A1. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

DRAM memory device with oxide semiconductor access transistor and method of controlling plate line potential

Номер патента: US11776616B2. Автор: Masaharu Wada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Memory device and sense amplifier capable of performing logical not operation

Номер патента: US20240304236A1. Автор: Shu-Sen Lin. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Bit line sense amplifier of semiconductor memory device and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20240135987A1. Автор: Donggeon Kim,Bok-yeon Won,Jonghyuk Kim,Selyung Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor memory device having dummy sense amplifiers and methods of utilizing the same

Номер патента: US20100118633A1. Автор: Dong-Min Kim,Sang-Seok Kang,Min-Ki HONG. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-05-13.

Sense amplifier, method of operating the same, and volatile memory device including the same

Номер патента: US20240339151A1. Автор: Dongil LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-10.

Memory device capable of performing in-memory computing

Номер патента: US20240304232A1. Автор: Shu-Sen Lin. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US5535169A. Автор: Tetsuya Endo,Yoshihiro Takemae,Yukinori Kodama,Hirohiko Mochizuki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1996-07-09.

Synchronous semiconductor memory device and method of controlling sensing process of synchronous dynamic RAM

Номер патента: US6061294A. Автор: Yasuji Koshikawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-05-09.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20020113253A1. Автор: Toru Ishikawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-08-22.

Semiconductor memory device capable of relieving defective cell

Номер патента: US20040196703A1. Автор: Ryo Fukuda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-07.

Echo clock generating circuit of semiconductor memory device and method thereof

Номер патента: US6353575B2. Автор: Kwang-Jin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-03-05.

Semiconductor memory circuit including a data output circuit

Номер патента: US20010048633A1. Автор: Hidekazu Noguchi. Владелец: Lockheed Missiles and Space Co Inc. Дата публикации: 2001-12-06.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20020141245A1. Автор: Masaaki Kuroki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-03.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20120147687A1. Автор: Toshiaki Douzaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-06-14.

Memory device that recycles a signal charge

Номер патента: US20050195669A1. Автор: Jae-Yoon Sim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-09-08.

Semiconductor memory having barrier transistors connected between sense and restore circuits

Номер патента: US4931992A. Автор: Yoshio Okada,Masaki Ogihara,Syuso Fujii. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1990-06-05.

DRAM Semiconductor Memory Device with Increased Reading Accuracy

Номер патента: US20070091709A1. Автор: Ulrich Zimmermann,Ralf Gerber. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-04-26.

Semiconductor memory device with sub-amplifiers having a variable current source

Номер патента: US7304910B1. Автор: Tomonori Sekiguchi,Satoru Akiyama,Kazuhiko Kajigaya,Satoru Hanzawa,Riichiro Takemura. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-12-04.

Semiconductor memory device

Номер патента: US6243312B1. Автор: Kang Yong Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-06-05.

Bit line bridge detecting method in semiconductor memory device

Номер патента: US20100128544A1. Автор: Hyun-Ki Kim,Chi-wook Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-05-27.

Semiconductor memory device having write column select gate

Номер патента: US20030123317A1. Автор: Takeshi Fujino. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-07-03.

Semiconductor memory device having bit lines capable of partial operation

Номер патента: US5189639A. Автор: Hideshi Miyatake. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-02-23.

Semiconductor memory device for performing remaining bank refresh operation and refresh method thereof

Номер патента: US20240233802A9. Автор: Jongpil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor memory device for performing remaining bank refresh operation and refresh method thereof

Номер патента: US20240135982A1. Автор: Jongpil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor memory

Номер патента: US5170374A. Автор: Hiroo Masuda,Katsuhiro Shimohigashi,Kunihiko Ikuzaki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1992-12-08.

Semiconductor memory

Номер патента: US4709353A. Автор: Hiroshi Kawamoto,Hiroo Masuda,Katsuhiro Shimohigashi,Kunihiko Ikuzaki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1987-11-24.

Semiconductor memory

Номер патента: US5448520A. Автор: Hiroshi Kawamoto,Hiroo Masuda,Katsuhiro Shimohigashi,Kunihiko Ikuzaki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1995-09-05.

Semiconductor memory structure

Номер патента: US20240023323A1. Автор: Chun Shiah,Chao-Chun Lu. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Dynamic RAM semiconductor memory and method for operating the memory

Номер патента: US20040109343A1. Автор: Stephan Schroder,Manfred Pröll,Jörg Kliewer,Claus Engelhardt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-06-10.

Semiconductor memory device including refresh operations having first and second cycles

Номер патента: US09786352B2. Автор: Kenji Yoshida,Hiroki Fujisawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Methods for supplying power supply voltages in semiconductor memory devices and semiconductor memory devices using the same

Номер патента: US7936615B2. Автор: Jung Sunwoo,Yun-sang Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-05-03.

Semiconductor memory device and method of controlling the semiconductor memory device

Номер патента: US7495990B2. Автор: Yoshiharu Kato,Satoru Kawamoto,Kazufumi Komura. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-02-24.

Semiconductor memory device

Номер патента: US5644527A. Автор: Yasushi Kubota. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1997-07-01.

Semiconductor memory device

Номер патента: US5291432A. Автор: Kiyohiro Furutani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-03-01.

Semiconductor memory device, method of controlling read preamble signal thereof, and data transmission system

Номер патента: US09576640B2. Автор: Atsuo Koshizuka. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2017-02-21.

Method and apparatus for reading/writing data from/into semiconductor memory device

Номер патента: US5596533A. Автор: Kee W. Park. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1997-01-21.

Semiconductor memory circuit

Номер патента: US6914840B2. Автор: Masashi Agata. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-07-05.

Semiconductor memory device having bitline coupling scheme capable of preventing deterioration of sensing speed

Номер патента: US20040125662A1. Автор: Sung-Ho Choi,Tae-Seong Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-07-01.

Semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: US20240177750A1. Автор: Duk Sung Kim,Jangseok Choi,Byoungkon JO,Gyesik OH,Wangyong IM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: EP4379720A1. Автор: Duk Sung Kim,Jangseok Choi,Byoungkon JO,Gyesik OH,Wangyong IM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-05.

Semiconductor memory device, semiconductor memory system and method for controlling self refresh cycle thereof

Номер патента: US09564207B2. Автор: Kwi-Dong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US12027194B2. Автор: Seungki HONG,Geuntae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20080056036A1. Автор: Jong-Won Lee,Sung-Kwon Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-03-06.

Semiconductor memory devices, memory systems including the same and methods of operating the same

Номер патента: US09805827B2. Автор: Chul-woo Park,Seong-Jin Jang,Jong-Pil Son,Hoi-Ju CHUNG,Sang-Uhn CHA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor memory device

Номер патента: US7719905B2. Автор: Hee Bok Kang,Suk Kyoung Hong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-05-18.

Method of Operating Semiconductor Memory Device with Floating Body Transistor Using Silicon Controlled Rectifier Principle

Номер патента: US20230413511A1. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor memory with built-in cache

Номер патента: US20010053103A1. Автор: Yasuhiro Tanaka,Tetsuya Tanabe,Satoru Tanoi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2001-12-20.

Semiconductor memory with built-in cache

Номер патента: US20010050873A1. Автор: Yasuhiro Tanaka,Tetsuya Tanabe,Satoru Tanoi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2001-12-13.

Method of operating semiconductor memory device with floating body transistor using silicon controlled rectifier principle

Номер патента: US11785758B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Semiconductor memory with built-in cache

Номер патента: US20020060920A1. Автор: Yasuhiro Tanaka,Tetsuya Tanabe,Satoru Tanoi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-23.

Semiconductor memory device including a sense amplifier on a semiconductor substrate, a memory cell including a capacitor and a transistor including conductive lines electrically connected to the sense amplifier

Номер патента: US09806082B2. Автор: Yoshihiro Ueda,Tsutomu Tezuka,Keiji Ikeda,Chika Tanaka,Toshinori Numata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Method and apparatus for parallel redundancy in semiconductor memories

Номер патента: EP1014267A1. Автор: Toshiaki Kirihata,Gabriel Daniel. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2000-06-28.

Semiconductor memory device and method

Номер патента: US5877990A. Автор: Tae-Hyoung Kim. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1999-03-02.

Device and method generating internal voltage in semiconductor memory device

Номер патента: US20090207674A1. Автор: Doo-Young Kim,Soo-bong Chang,Jung-Im Huh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-08-20.

Systems and methods for testing a semiconductor memory device having a reference memory array

Номер патента: US09767919B1. Автор: Yutaka Ito,Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor memory device including a sense amplifier on a semiconductor substrate, a memory cell including a capacitor and a transistor including conductive lines electrically connected to the sense amplifier

Номер патента: US20170271341A1. Автор: Yoshihiro Ueda,Tsutomu Tezuka,Keiji Ikeda,Chika Tanaka,Toshinori Numata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-21.

Device and method generating internal voltage in semiconductor memory device

Номер патента: US20110090746A1. Автор: Doo-Young Kim,Soo-bong Chang,Jung-Im Huh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-04-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20020172078A1. Автор: Jae Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-11-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20130193507A1. Автор: Tomonori Sekiguchi,Soichiro Yoshida,Yoshimitsu Yanagawa,Akira Kotabe. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-08-01.

Method of Operating Semiconductor Memory Device with Floating Body Transistor Using Silicon Controlled Rectifier Principle

Номер патента: US20210257365A1. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2021-08-19.

Method of operating semiconductor memory device with floating body transisor using silicon controlled rectifier principle

Номер патента: US09960166B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Method of operating semiconductor memory device with floating body transistor using silicon controlled rectifier principle

Номер патента: US09761589B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of operating semiconductor memory device with floating body transistor using silicon controlled rectifier principle

Номер патента: US09484082B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor memory device including internal clock doubler

Номер патента: US20050226091A1. Автор: Tae Kwon,Duk Jeong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-10-13.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20230352099A1. Автор: Koji KATO,Yuki Shimizu,Shuhei Oketa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Read/write buffers for complete hiding of the refresh of a semiconductor memory and method of operating same

Номер патента: EP1119862A1. Автор: Wingyu Leung,Fu-Chieh Hsu. Владелец: Monolithic System Technology Inc. Дата публикации: 2001-08-01.

Semiconductor memory device having boosted voltage stabilization circuit

Номер патента: US20010050867A1. Автор: Ho-young Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-12-13.

Semiconductor memory cell having information storage transistor and switching transistor

Номер патента: US5581106A. Автор: Takeshi Matsushita,Yutaka Hayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1996-12-03.

Semiconductor memory cell having information storage transistor and switching transistor

Номер патента: US5578852A. Автор: Takeshi Matsushita,Yutaka Hayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1996-11-26.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20050128786A1. Автор: Tomonori Fujimoto,Kiyoto Ohta,Hidefumi Ohtsuka. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-16.

Semiconductor memory

Номер патента: US20200302993A1. Автор: Keiji Ikeda,Chika Tanaka. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Sense amplifier and semiconductor memory device including the sense amplifier

Номер патента: US11776588B2. Автор: Seok Jae LEE,Kyoung Min Kim,Dong Geon Kim,Bok-yeon Won,In Seok BAEK,Myeong Sik Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor memory device with reduced chip area

Номер патента: US5724291A. Автор: Tatsuya Matano. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-03-03.

Semiconductor memory

Номер патента: US20210074370A1. Автор: Kosuke Yanagidaira,Mario Sako. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-03-11.

Methods of operating semiconductor memory devices and semiconductor memory devices

Номер патента: US20190172512A1. Автор: Ki-Seok OH,Seong-Hwan Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-06.

Systems and methods for testing a semiconductor memory device having a reference memory array

Номер патента: US20170372795A1. Автор: Yutaka Ito,Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-28.

Method for testing an integrated semiconductor memory

Номер патента: US20060044900A1. Автор: Martin Versen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-03-02.

Semiconductor memory device allowing easy characteristics evaluation

Номер патента: US20020176295A1. Автор: Masaki Tsukude,Takafumi Takatsuka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-11-28.

Refresh operation type semiconductor memory device capable of smoothly transferring special state to normal active state and its driving method

Номер патента: US20050232050A1. Автор: Hiroyuki Takahashi,Yoshiyuki Katoh. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2005-10-20.

In-memory computing method and circuit, semiconductor memory, and memory structure

Номер патента: US20230153067A1. Автор: Li Ding,Heng-Chia Chang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

Semiconductor memory devices and methods of operating the same

Номер патента: US09905288B2. Автор: Seung-Woo Ryu,Sang-Kyu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor memory device and memory system including same

Номер патента: US09607678B2. Автор: Seung Hoon Oh,Jong Ho Lee,Tae Young Oh,Kwang Il Park,Su Yeon Doo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconducotr memory device including non-volatile memory cell array

Номер патента: US09436545B2. Автор: Dong-hyun Sohn,Sang-Bo Lee,Chul-Sung Park,Chi-Sung Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor memory device including cell isolation structure using inactive transistors

Номер патента: US8022499B2. Автор: Sang Min Hwang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-09-20.

Semiconductor memory device for maintaining level of signal line

Номер патента: USRE36842E. Автор: Shigeki Tomishima,Hideto Hidaka,Kazutami Arimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-08-29.

Semiconductor memory device having selective ECC function

Номер патента: US09646718B2. Автор: Jong-Wook Park,Ki-Won Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor memory device, method of performing a refresh for semiconductor memory device and refresh counter in semiconductor memory device

Номер патента: US09601179B2. Автор: Young-Yong Byun,Whi-Young Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor memory device and method for refreshing memory cells

Номер патента: US09466351B2. Автор: In Chul JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor memory having dual port cell supporting hidden refresh

Номер патента: EP1323168A2. Автор: Brent Keeth,Chuck Dennison. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-07-02.

Semiconductor memory device for reducing data read time difference between memory banks

Номер патента: US11983413B2. Автор: Jae Jin Lee. Владелец: FIDELIX Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor memory device for reducing data read time difference between memory banks

Номер патента: US20230266882A1. Автор: Jae Jin Lee. Владелец: FIDELIX Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Refresh method capable of reducing memory cell access time in semiconductor memory device

Номер патента: US20020141269A1. Автор: Jong-Yul Park,Seong-kue Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-10-03.

Semiconductor memory device having output driver for high frequency operation

Номер патента: US20040004893A1. Автор: Dong-Su Lee,Ki-whan Song,Ho-sung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-01-08.

Semiconductor memory device that performs a refresh operation

Номер патента: US09767883B2. Автор: Taeyoung Oh,Chulsung Park,Suyeon Doo,Namjong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Techniques for providing a direct injection semiconductor memory device

Номер патента: US09679612B2. Автор: Eric Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Memory device and semiconductor device

Номер патента: US09478276B2. Автор: Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Memory device for selectively operating multiple memory groups in different speeds and memory system including the same

Номер патента: US12020763B2. Автор: Hyungsup KIM,Hyung-Sik Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor memory device and manufacturing method and read/write method therefor, and electronic device and memory circuit

Номер патента: EP4395490A1. Автор: Chao Zhao,Zhengyong Zhu,Guilei Wang,BokMoon Kang. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20220050748A1. Автор: Junhyung Kim,Sungchul Park,Yesin RYU,Kiheung KIM,HyunGi Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-17.

Techniques for controlling a direct injection semiconductor memory device

Номер патента: US20120176845A1. Автор: Eric Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-07-12.

Semiconductor Memory Devices Including Redundancy Memory Cells

Номер патента: US20160247553A1. Автор: Sang-Bo Lee,Sang-joon Hwang,Sung-Min Seo,Yun-Young Lee,Kyo-Min Sohn,Nak-Won Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-25.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20230223095A1. Автор: Junhyung Kim,Sungchul Park,Sanguhn CHA,Kiheung KIM,Hyojin JUNG,Kyungsoo Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor memory device and method for operating semiconductor memory device

Номер патента: US20080320215A1. Автор: Kotaro Kashiwa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-12-25.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US12118221B2. Автор: Taeyoung Oh,Kyungho Lee,Jongcheol Kim,Kiheung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US12136463B2. Автор: Junhyung Kim,Sungchul Park,Sanguhn CHA,Kiheung KIM,Hyojin JUNG,Kyungsoo Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor memory device capable of reducing peak current with respect to external power in multi-memory die structures

Номер патента: US09990979B2. Автор: Minsang PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor memory devices including redundancy memory cells

Номер патента: US09858981B2. Автор: Sang-Bo Lee,Sang-joon Hwang,Sung-Min Seo,Yun-Young Lee,Kyo-Min Sohn,Nak-Won Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US12148494B2. Автор: Junhyung Kim,Sungchul Park,Sanguhn CHA,Kiheung KIM,Hyojin JUNG,Kyung-Soo Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-19.

Semiconductor memory devices, memory systems including refresh control circuit and method of performing weak refresh operation on the weak pages thereof

Номер патента: US09620193B2. Автор: Jong-Hyun Choi,Dong-yang Lee,Jae-Yeon Choi,Sang-Kyu Kang,Doo-Hee Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor memory devices including redundancy memory cells

Номер патента: US09524770B2. Автор: Sang-Bo Lee,Sang-joon Hwang,Sung-Min Seo,Yun-Young Lee,Kyo-Min Sohn,Nak-Won Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Write Assist for a Memory Device and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20190295632A1. Автор: Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Sahil Preet Singh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-09-26.

Write Assist for a Memory Device and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20210201991A1. Автор: Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Sahil Preet Singh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Semiconductor memory device and refresh control method

Номер патента: US20100246304A1. Автор: Gen Koshita. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2010-09-30.

Semiconductor memory devices and electronic devices including the semiconductor memory devices

Номер патента: US20230335181A1. Автор: Seunghan Kim,Gunhee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor memory device and refresh control method

Номер патента: US7760572B2. Автор: Gen Koshita. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2010-07-20.

Semiconductor memory device having a short reset time

Номер патента: US20080186792A1. Автор: Kwun-Soo Cheon,Byong-Wook Na. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-08-07.

Semiconductor memory devices and electronic devices including the semiconductor memory devices

Номер патента: US12119048B2. Автор: Seunghan Kim,Gunhee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Synchronous semiconductor memory device allowing data to be satisfactorily rewritten therein

Номер патента: US20010052602A1. Автор: Yasuhiro Konishi,Kiyohiro Furutani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-12-20.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20020093865A1. Автор: Masashi Agata. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-07-18.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11810624B2. Автор: Koji KATO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20230307050A1. Автор: Ryota Suzuki,Kenta Yamada,Keisuke SUDA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor memory and system

Номер патента: US20120257464A1. Автор: Shinichi Moriwaki. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-10-11.

Static type semiconductor memory circuit

Номер патента: US4612631A. Автор: Kiyofumi Ochii. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1986-09-16.

Semiconductor memory device that can stably perform writing and reading without increasing current consumption even with a low power supply voltage

Номер патента: US09767893B2. Автор: Hiroshi Makino,Koichiro Ishibashi,Shigeki Obayashi,Hirofumi Shinohara,Koji Nii. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor memory device that can stably perform writing and reading without increasing current consumption even with a low power supply voltage

Номер патента: US09496028B2. Автор: Hiroshi Makino,Koichiro Ishibashi,Shigeki Obayashi,Hirofumi Shinohara,Koji Nii. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor memory devices including a discharge circuit

Номер патента: US20140101395A1. Автор: Jae Ho Park,Jong Hoon Jung,Gyu Hong Kim,Tae Joong Song,Gi Young Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-04-10.

Semiconductor memory with improved write function

Номер патента: US4858188A. Автор: Yasuo Kobayashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1989-08-15.

Semiconductor memory device controlling the supply voltage on BIT lines

Номер патента: US5363336A. Автор: Tomoaki Yabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-11-08.

Semiconductor memory device allowing high-speed data reading

Номер патента: US20060023555A1. Автор: Chikayoshi Morishima. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-02-02.

Synchronous semiconductor memory device and method for operating same

Номер патента: US20020060946A1. Автор: Yong-Hwan Noh,Kyo-Min Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-05-23.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20020015333A1. Автор: Kazuto Furumochi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-02-07.

High speed semiconductor memory device having a high gain sense amplifier

Номер патента: USRE34060E. Автор: Sho Yamamoto,Isao Akima,Kazuo Yoshizaki,Nobuyoshi Tanimura. Владелец: Hitachi Microcomputer Engineering Ltd. Дата публикации: 1992-09-08.

Semiconductor memory device having a plurality of mosfets controlled to be in an active state or a standby state

Номер патента: US09922698B2. Автор: Kazumasa Yanagisawa,Kenichi Osada,Masanao Yamaoka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11805635B2. Автор: Hiroaki Yamamoto,Kenichi Kawabata,Takahiro Shimokawa,Haruyuki Miyata,Takaco UMEZAWA,Shinichi Asou,Syunsuke Sasaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-31.

Semiconductor memory device

Номер патента: US7433257B2. Автор: Yoshinobu Yamagami. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-07.

Memory cell and semiconductor memory device having thereof memory cell

Номер патента: US20090059655A1. Автор: Shinobu Asayama. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-03-05.

High speed semiconductor memory apparatus including circuitry to increase writing and reading speed

Номер патента: US6091629A. Автор: Koichiro Ishibashi,Hisayuki Higuchi,Kenichi Osada. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2000-07-18.

Semiconductor memory devices having separate sensing circuits and related sensing methods

Номер патента: US09865342B2. Автор: Jaekyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09472297B2. Автор: Sang Oh Lim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Reading circuit, reference circuit, and semiconductor memory device

Номер патента: EP1387362A3. Автор: Takeshi Nojima,Shinsuke Anzai,Yasumichi Mori,Takahiko Yoshimoto. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-02-28.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09728239B2. Автор: Masahiro Takahashi,Tsuneo Inaba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20180268897A1. Автор: Yoshihiro Ueda. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-20.

Nonvolatile semiconductor memory circuit including a reliable sense amplifier

Номер патента: US5058062A. Автор: Yukio Wada,Tadashi Maruyama,Toshimasa Nakamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1991-10-15.

Semiconductor memory device

Номер патента: EP1387361A3. Автор: Hidehiko Tanaka,Shinsuke Anzai,Yasumichi Mori. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-12-14.

Sense amplifier systems and a matrix-addressable memory device provided therewith

Номер патента: WO2004086406A8. Автор: Geirr I Leistad,Robert Schweickert. Владелец: Robert Schweickert. Дата публикации: 2006-04-20.

Sense amplifier systems and a matrix-addressable memory device provided therewith

Номер патента: EP1606820A1. Автор: Geirr I. Leistad,Robert Schweickert. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2005-12-21.

Sense amplifier systems and a matrix-addressable memory device provided therewith

Номер патента: AU2004222869A1. Автор: Geirr I. Leistad,Robert Schweickert. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2004-10-07.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20210118481A1. Автор: HIROSHI Yoshioka. Владелец: Fujitsu Semiconductor Memory Solution Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Memory sense amplifier trimming

Номер патента: US20240170031A1. Автор: Yi-Chun Shih,Chia-Fu Lee,Yu-Der Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor memory device and method with two sense amplifiers

Номер патента: US8050124B2. Автор: Yukio Fuji,Yasuko Tonomura,Satoshi Katagiri. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-11-01.

Semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US20080247227A1. Автор: Yukio Fuji,Yasuko Tonomura,Satoshi Katagiri. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-10-09.

Semiconductor memory apparatus, semiconductor apparatus, data processing apparatus and computer system

Номер патента: MY120703A. Автор: Koichiro Ishibashi,Hisayuki Higuchi,Kenichi Osada. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2005-11-30.

Semiconductor memory device including clock-independent sense amplifier

Номер патента: EP1298668A3. Автор: Yasuhiro Watanabe,Kiyoharu Oikawa,Kimio Maruyama,Naokazu Kuzuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-10-04.

Semiconductor memory device in which a BIT line pair having a high load is electrically separated from a sense amplifier

Номер патента: US6118718A. Автор: Yoshikazu Yabe. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-09-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20110103152A1. Автор: Koji Hosono,Masahiro Yoshihara,Toshiaki Edahiro. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-05-05.

Sense amplifier circuit and semiconductor memory device

Номер патента: US09659607B2. Автор: Kazutaka Taniguchi,Hidetoshi Ozoe,Yasuhiro Tonda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor memory sensing architecture

Номер патента: US9633703B2. Автор: Steve Wang,Jeong-Duk Sohn,Charlie Cheng. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor Memory Sensing Architecture

Номер патента: US20170011781A1. Автор: Steve Wang,Jeong-Duk Sohn,Charlie Cheng. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-12.

Semiconductor memory sensing architecture

Номер патента: US09633703B2. Автор: Steve Wang,Jeong-Duk Sohn,Charlie Cheng. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor memory device capable of detecting write completion at high speed

Номер патента: US8040735B2. Автор: Mitsuaki Honma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-10-18.

Semiconductor memory device having calibration circuitry for dual-gate transistors associated with a memory array

Номер патента: US09455001B1. Автор: Michael C. Stephens, Jr.. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor memory device including a control circuit for controlling a read operation

Номер патента: US20200013459A1. Автор: Deog-Kyoon Jeong,Hong Seok Choi,Hyungrok DO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-01-09.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20140016420A1. Автор: In-Chul Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-01-16.

Semiconductor memory device for reducing chip size

Номер патента: US6804163B2. Автор: Yun-sang Lee,Jung-Bae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-10-12.

Sense amplifier with reduced area occupation for semiconductor memories

Номер патента: US7843738B2. Автор: Ignazio Martines,Michele La Placa,Antonio Giambartino. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2010-11-30.

Test circuit, nonvolatile semiconductor memory appratus using the same, and test method

Номер патента: US20110128805A1. Автор: Jung Hyuk YOON,Yoon Jae Shin. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-06-02.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09530467B1. Автор: Jin Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US5848011A. Автор: Yoshiaki Takeuchi,Masaru Koyanagi,Kazuyoshi Muraoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-12-08.

Semiconductor memory device having power line arranged in a meshed shape

Номер патента: US5815454A. Автор: Shigeki Tomishima,Hideto Hidaka,Kazutami Arimoto,Mikio Asakura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-09-29.

Sense amplifier driving device

Номер патента: US20180144809A1. Автор: Duk Ju Jeong. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-05-24.

Sense amplifier having a high operation speed and a low power consumption

Номер патента: US5675535A. Автор: Toshikatsu Jinbo. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-10-07.

Semiconductor memory having a sense amplifier with load transistors having different load characteristics

Номер патента: US5592427A. Автор: Hisayoshi Watanabe,Hirokazu Yamazaki,Yasushi Kasa,Sinsuke Kumakura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1997-01-07.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20010005325A1. Автор: Takashi Obara,Yasushi Matsubara,Yasuji Koshikawa,Yukio Fukuzo,Makoto Kitayama,Toru Chonan,Hideki Mitou. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-06-28.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240105270A1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Low power memory device

Номер патента: US20150279435A1. Автор: Chih-Cheng Hsiao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-10-01.

Low power memory device

Номер патента: US09431073B2. Автор: Chih-Cheng Hsiao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-08-30.

ROM type semiconductor memory device with large operating margin

Номер патента: US5717640A. Автор: Kiyokazu Hashimoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-02-10.

Semiconductor memory device and sense amplifier

Номер патента: US20130064028A1. Автор: Atsushi Kawasumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-03-14.

Semiconductor memory device

Номер патента: US5555210A. Автор: Yoshiharu Kato. Владелец: Fujitsu Vlsi Ltd. Дата публикации: 1996-09-10.

Semiconductor memory device with improved sense amplifier driver

Номер патента: US6075736A. Автор: Tae-Hyoung Kim,Jae-Goo Lee,Chang-Man Khang,Ha-Soo Kim. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2000-06-13.

Semiconductor memory device operating at a low level power supply voltage

Номер патента: US6088275A. Автор: Hidehiko Tanaka. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2000-07-11.

Sense amplifier, memory and method for controlling a sense amplifier

Номер патента: US20220208235A1. Автор: Jun He,Zhan Ying,Xin Li,Junning Chen,Kanyu Cao,Wenjuan Lu,Junlin GE,Chunyu PENG,Zhiting Lin,Xiulong Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-06-30.

Semiconductor memory device

Номер патента: US10910043B2. Автор: Shinichi Sasaki,Jun Deguchi,Daisuke Miyashita. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-02-02.

Semiconductor memory device with a triple well structure

Номер патента: US20010006247A1. Автор: Akemi Maruyama. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-07-05.

Semiconductor memory device with a triple well structure

Номер патента: US6404036B2. Автор: Akemi Maruyama. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-06-11.

Bitline senseamplifier and semiconductor memory apparatus using the same

Номер патента: US09830962B2. Автор: Hee Sang Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Bitline senseamplifier and semiconductor memory apparatus using the same

Номер патента: US09646659B2. Автор: Hee Sang Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Data read circuit for use in a semiconductor memory and a memory thereof

Номер патента: US6982913B2. Автор: Hyung-rok Oh,Woo-Yeong Cho,Choong-Keun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-01-03.

Semiconductor memory device capable of detecting write completion at high speed

Номер патента: US20100008157A1. Автор: Mitsuaki Honma. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-14.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20080084770A1. Автор: Chang-Hyuk Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-04-10.

Data output circuit of semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: US20070133313A1. Автор: Kwang Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-06-14.

Circuit and method of controlling input/output sense amplifier of a semiconductor memory device

Номер патента: US20080008011A1. Автор: Jong-Hyoung Lim,Jang-Won Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-10.

Semiconductor memory apparatus having sense amplifier

Номер патента: US20120026773A1. Автор: Myoung Jin LEE. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-02-02.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20020024853A1. Автор: Koji Matsuura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-02-28.

Semiconductor memory device having a second voltage supplier supplying transfer gates with a second voltage higher than a first voltage

Номер патента: US20020024868A1. Автор: Koichi Nishimura,Shinya Fujioka,Hiroyoshi Tsuboi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-02-28.

Semiconductor memory device having sensing power driver

Номер патента: US20020097614A1. Автор: Jae Cha. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-07-25.

Semiconductor memory device for reducing chip size

Номер патента: US20030174571A1. Автор: Yun-sang Lee,Jung-Bae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-09-18.

Precharge control signal generator and semiconductor memory device therewith

Номер патента: US09437314B2. Автор: Hyun-Jin Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20230317184A1. Автор: Toshifumi Watanabe,Takeshi Hioka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11810629B2. Автор: Toshifumi Watanabe,Takeshi Hioka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Semiconductor memory device

Номер патента: US4974207A. Автор: Kiyokazu Hashimoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1990-11-27.

Input circuit of a non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US7710791B2. Автор: Qi Wang,Hye-jin Kim,Kwang-Jin Lee,Won-seok Lee,Joon Yong Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-05-04.

Data output buffer of a semiconductor memory device

Номер патента: US5384735A. Автор: Yun-Ho Choi,Churoo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1995-01-24.

Page buffer and semiconductor memory device having the page buffer

Номер патента: US20220044734A1. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-02-10.

Semiconductor memory device, method for designing semiconductor memory device, and recording medium having designing method recorded therein

Номер патента: US09639649B2. Автор: Satoshi Yamano,Jumpei Sato,Tsuyoshi ETOU,Osamu OOTO,Souichi MINEMURA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Fast-sensing amplifier for flash memory

Номер патента: US20030112683A1. Автор: Michael Briner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-06-19.

Sense amplifier circuit for semiconductor memory device

Номер патента: US4658159A. Автор: Junichi Miyamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1987-04-14.

Devices and methods for a finfet sense amplifier

Номер патента: US20240203462A1. Автор: Wenjun Li,Christopher G. Wieduwilt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Sense amplifier layout

Номер патента: EP1320891A2. Автор: Gunther Lehmann,Armin Reith,Tina Leidinger. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2003-06-25.

Sense amplifier layout

Номер патента: WO2002029894A3. Автор: Gunther Lehmann,Armin Reith,Tina Leidinger. Владелец: Infineon Technologies Corp. Дата публикации: 2003-02-06.

Sense amplifier layout

Номер патента: WO2002029894A2. Автор: Gunther Lehmann,Armin Reith,Tina Leidinger. Владелец: Infineon Technologies North America Corp.. Дата публикации: 2002-04-11.

Pre-charge circuit and method for memory devices with shared sense amplifiers

Номер патента: US20030043666A1. Автор: Michael Killian,Mark Jacunski. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-03-06.

Sense amplifying circuit capable of operating with lower voltage and nonvolatile memory device including the same

Номер патента: US20080089122A1. Автор: Se-Eun O. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-17.

Self adjusting sense amplifier clock delay circuit

Номер патента: US5682353A. Автор: Boaz Eitan,Larry Willis Petersen,Yaron Slezak. Владелец: Waferscale Integration Inc. Дата публикации: 1997-10-28.

Sense amplifier circuit for large-capacity semiconductor memory

Номер патента: US5051957A. Автор: Hiroyuki Yamauchi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1991-09-24.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11894095B2. Автор: Hiromitsu Komai,Yuji Satoh. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Sense timing generation circuit and semiconductor memory device

Номер патента: US20230326534A1. Автор: Osamu Hirabayashi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor memory apparatus, semiconductor system and electronic device including the semiconductor memory apparatus

Номер патента: US20200058351A1. Автор: Min Chul Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-02-20.

Semiconductor memory device having a develop reference voltage generator for sense amplifiers

Номер патента: US20070047331A1. Автор: Dong-Su Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-01.

Page buffer circuit, semiconductor memory apparatus including page buffer circuit, and operating method of semiconductor memory apparatus

Номер патента: US12062399B2. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Sensing circuit and method utilizing voltage replication for non-volatile memory device

Номер патента: US09754640B1. Автор: Shang-Chi Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor memory with improved transfer gate drivers

Номер патента: US5521869A. Автор: Tamihiro Ishimura,Sampei Miyamoto. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1996-05-28.

Semiconductor memory device having improved data output circuit

Номер патента: US4761765A. Автор: Kiyokazu Hashimoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1988-08-02.

Sense amplifier and method for generating variable reference level

Номер патента: US20050201171A1. Автор: Hong-Seok Kim,Sang-Won Kim,Jeong-Un Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-09-15.

Memory device including sense amplifying circuit

Номер патента: US20240233851A1. Автор: Woongrae Kim,Yeonsu JANG,Jung Min Yoon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Pad arrangement in semiconductor memory device and method of driving semiconductor device

Номер патента: US20040256641A1. Автор: Jung-Bae Lee,Mee-Hyun Ahn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-23.

Semiconductor memory device

Номер патента: US8902675B2. Автор: Teruo Takagiwa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-12-02.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20130235676A1. Автор: Teruo Takagiwa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-12.

Semiconductor memory device having input/output sense amplification circuit with reduced junction loading and circuit layout area

Номер патента: US20080198680A1. Автор: Ki Chon PARK. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-08-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US8111560B2. Автор: Sun Young Hwang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-02-07.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20100085818A1. Автор: Sun Young Hwang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-04-08.

Memory device with charge-recycling arrangement

Номер патента: US20210295881A1. Автор: Hung-Chang Yu,Ta-Ching Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20020018359A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Hiroyuki Mizuno,Kenichi Osada,Suguru Tachibana. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-14.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20180366201A1. Автор: Hiroki Murakami,Hidemitsu Kojima. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-12-20.

Read circuit for semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: US20100118624A1. Автор: Tetsuya Kaneko. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-05-13.

Data input circuit of semiconductor memory apparatus and data input method using the same

Номер патента: US20080285364A1. Автор: Kwang Hyun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-11-20.

Sense amplifier

Номер патента: US20010038564A1. Автор: Michael Verbeck. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-08.

Sense amplifier, and nonvolatile memory device and system including the same

Номер патента: US09997243B2. Автор: Seung Han OAK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Memory device and method thereof

Номер патента: US09530463B1. Автор: Bruce Lee Morton. Владелец: TAGMATECH LLC. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09454999B2. Автор: Han Soo Joo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20200051640A1. Автор: Takuya Futatsuyama,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-02-13.

Semiconductor memory arrangement

Номер патента: US20030011003A1. Автор: Esther Vega Ordonez. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-01-16.

Non-volatile memory device with a plurality of cache latches and switches and method for operating non-volatile memory device

Номер патента: US09997250B2. Автор: Kang-Woo PARK,Eun-Ji Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Mask rom semiconductor memory device capable of synchronizing the activation of the sense amplfier and of the word line

Номер патента: US20010053107A1. Автор: Takaki Kohno. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-12-20.

Semiconductor memory device having write column select line or read column select line for shielding signal line

Номер патента: US20030133332A1. Автор: Yun-sang Lee,Won-Chang Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-07-17.

Sense Amplifier

Номер патента: US20160380596A1. Автор: Lorenzo Bedarida,Xiaobao Wang,Sheng Huang,Emmanuel Racape. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2016-12-29.

Sense Amplifier

Номер патента: US20160204746A1. Автор: Lorenzo Bedarida,Xiaobao Wang,Sheng Huang,Emmanuel Racape. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2016-07-14.

Sense amplifier

Номер патента: WO2015042752A1. Автор: Lorenzo Bedarida,Xiaobao Wang,Sheng Huang,Emmanuel Racape. Владелец: ATMEL CORPORATION. Дата публикации: 2015-04-02.

Memory device with recycling arrangement for gleaned charge

Номер патента: US20200098403A1. Автор: Hung-Chang Yu,Ta-Ching Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-26.

Sense-amplifier monotizer

Номер патента: US20120154188A1. Автор: Samuel D. Naffziger,Visvesh S. Sathe,Srikanth Arekapudi. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2012-06-21.

Semiconductor memory device and method of testing the same

Номер патента: US20140050035A1. Автор: Shin Ho Chu. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-02-20.

Semiconductor memory device and arrangement method thereof

Номер патента: US20080013357A1. Автор: Chul-woo Park,Sung-Hoon Kim,Jung-Bae Lee,Hyuk-joon Kwon,Youn-Sik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-17.

Sense amplifier circuit with offset compensation for a non-volatile memory device

Номер патента: US09627011B1. Автор: Francesco La Rosa,Antonino Conte. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-04-18.

Sense amplifier

Номер патента: US09621112B2. Автор: Lorenzo Bedarida,Xiaobao Wang,Sheng Huang,Emmanuel Racape. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09575880B2. Автор: Yong Deok Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Sense amplifier

Номер патента: US09444408B2. Автор: Lorenzo Bedarida,Xiaobao Wang,Sheng Huang,Emmanuel Racape. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US6108259A. Автор: Young-Ho Lim,Soo-Hwan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-08-22.

Semiconductor memory device having sense amplifier having improved activation timing thereof and operating method thereof

Номер патента: US4916671A. Автор: Tetsuichiro Ichiguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1990-04-10.

Single ended sense amplifier

Номер патента: US6813206B2. Автор: Cheng-Hsin Chang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2004-11-02.

Semiconductor memory device including plurality of memory mats

Номер патента: US20070183239A1. Автор: Koji Kishi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-08-09.

Single ended sense amplifier

Номер патента: US20030107934A1. Автор: Cheng-Hsin Chang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2003-06-12.

Sense amp circuit, and semiconductor memory device using the same

Номер патента: US20090303823A1. Автор: Toshimasa Namekawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-12-10.

Memory device

Номер патента: US4445203A. Автор: Hiroshi Iwahashi. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1984-04-24.

Settable digital cmos differential sense amplifier

Номер патента: US20020030514A1. Автор: Daniel Bailey,Mark Matson. Владелец: Compaq Information Technologies Group LP. Дата публикации: 2002-03-14.

Semiconductor memory device for sensing memory cell with variable resistance

Номер патента: US09747966B2. Автор: Katsuyuki Fujita. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20180277201A1. Автор: Yoshihisa Iwata,Megumu HORI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20160042800A1. Автор: Noboru Shibata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-11.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09558837B2. Автор: Yoshikazu Harada,Masahiro Yoshihara,Akio SUGAHARA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Ferroelectric-type nonvolatile semiconductor memory and operation method thereof

Номер патента: US20050174832A1. Автор: Toshiyuki Nishihara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-08-11.

Semiconductor memory device including circuits with data holding capability and bus for data transmission

Номер патента: US09472296B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor memory device and method of controlling semiconductor memory device

Номер патента: US09406366B2. Автор: Masaki Aoki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Non-volatile semiconductor memory device and method of controlling the non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140269097A1. Автор: Yoshikazu Harada,Masahiro Yoshihara,Hiroyuki Kaga,Naofumi ABIKO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Semiconductor memory device and method of reading data

Номер патента: US20050128849A1. Автор: HIROSHI Yoshioka. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-06-16.

Semiconductor memory device with dual address memory read amplifiers

Номер патента: US5619473A. Автор: Yasuhiro Hotta. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1997-04-08.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating semiconductor memory device

Номер патента: US20060028856A1. Автор: Kinya Ashikaga. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-09.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating semiconductor memory device

Номер патента: US6972980B2. Автор: Kinya Ashikaga. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-06.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating semiconductor memory device

Номер патента: US20050098810A1. Автор: Kinya Ashikaga. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-12.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120002475A1. Автор: Hiroyuki Nagashima,Koki Ueno. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09418732B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20020071313A1. Автор: Toru Tanzawa,Yoshinori Takano,Tadayuki Taura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-06-13.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20110235402A1. Автор: Yoshihiro Ueda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-09-29.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20080084730A1. Автор: Daisaburo Takashima,Katsuhiko Hoya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-10.

Nonvolatile semiconductor memory capable of generating read-mode reference current and verify-mode reference current from the same reference cell

Номер патента: US20040062072A1. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-01.

Semiconductor memory device comprising memory cell having charge accumulation layer and control gate and method of erasing data thereof

Номер патента: US20120243312A1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Hiroshi Maejima. Дата публикации: 2012-09-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20080123410A1. Автор: Naoya Tokiwa,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-05-29.

Ferroelectric FET nonvolatile sense-amplifier-based flip-flop

Номер патента: US12087344B2. Автор: Seong Ook Jung,Tae Woo Oh,Dong Han KO,Se Hee LIM,Se Keon KIM. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20140233309A1. Автор: Noboru Shibata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09542988B1. Автор: Satoshi Inaba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US20060065920A1. Автор: Taro Osabe,Takeshi Sakata,Hideaki Kurata,Tomoyuki Ishii. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-03-30.

Semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US20070257306A1. Автор: Taro Osabe,Takeshi Sakata,Hideaki Kurata,Tomoyuki Ishii. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-11-08.

Semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US7238570B2. Автор: Taro Osabe,Takeshi Sakata,Hideaki Kurata,Tomoyuki Ishii. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-07-03.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09330732B2. Автор: Kosuke Hatsuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-05-03.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20080180984A1. Автор: Daisaburo Takashima,Ryu Ogiwara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-07-31.

Semiconductor memory device with volatile memory and non-volatile memory in latched arrangement

Номер патента: US5262986A. Автор: Yoshimitsu Yamauchi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1993-11-16.

Semiconductor memory device and driving method of the same

Номер патента: US09606743B2. Автор: Ryousuke Takizawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20200013446A1. Автор: Hyo-Jin Kim,Seunghan Park,Keun Hwi Cho,Gukil AN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-09.

Charge trap-type 3-level non-volatile semiconductor memory device and method of driving the same

Номер патента: US20070030756A1. Автор: Jung-Dal Choi,Ki-tae Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-02-08.

Semiconductor memory device

Номер патента: US9401385B2. Автор: Yongkyu Lee,Keemoon Chun,BoYoung Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-26.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09401385B2. Автор: Yongkyu Lee,Keemoon Chun,BoYoung Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-26.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20050195628A1. Автор: Kazuhiko Takahashi,Shinzo Sakuma,Shoichi Kokubo. Владелец: Shoichi Kokubo. Дата публикации: 2005-09-08.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20130322163A1. Автор: Yoshihiro Ueda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-12-05.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150357042A1. Автор: Kenji Sawamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-12-10.

Semiconductor memory device and control device for semiconductor memory device

Номер патента: US20230154532A1. Автор: Satoru Araki,Hiroshi Yoshida,Toshimasa Namekawa,Etsuo Fukuda,Tetsuo Endoh. Владелец: Power Spin Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

Semiconductor memory device, method of manufacturing semiconductor memory device and method of writing data into semiconductor memory device

Номер патента: US20100046271A1. Автор: Yuki Yamada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-02-25.

Semiconductor memory devices, memory systems including the same and method of correcting errors in the same

Номер патента: US09786387B2. Автор: Kwang-Il Park,Seong-Jin Jang,Jong-Pil Son,Hoi-Ju CHUNG,Sang-Uhn CHA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor memory device for performing program operation

Номер патента: US20240312524A1. Автор: Hyung Jin Choi,In Gon YANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor memory device including multi-level cell and programming method thereof

Номер патента: US09859014B2. Автор: Sung Ho Kim,Min Sang Park,Gil Bok CHOI,Kyong Taek LEE,Yun Bong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor memory device including three-dimensional array structure

Номер патента: US09633731B2. Автор: Jung Ryul Ahn,Yun Kyoung Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor memory device, memory system and access method to semiconductor memory device

Номер патента: US09633705B2. Автор: Yoshihiro Ueda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor memory device, memory system having the same, and method of operating the same

Номер патента: US09490015B2. Автор: Jum Soo Kim,Jung Ryul Ahn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Nonvolatile memory device using serial diode cell

Номер патента: US20050169036A1. Автор: Hee Kang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-08-04.

Semiconductor memory device and operating method for a semiconductor memory device

Номер патента: US20060275928A1. Автор: Siegfried Schwarzl,Stefan Wurm. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-12-07.

Memory device

Номер патента: US20140286082A1. Автор: Masahiro Takahashi,Tsuneo Inaba,Dong Keun Kim,Ji Wang Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-09-25.

Semiconductor memory device which includes memory cell having charge accumulation layer and control gate

Номер патента: US20100296345A1. Автор: Hiroshi Maejima,Makoto Hamada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-25.

Memory device

Номер патента: US09824736B1. Автор: Akira Katayama. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Memory device

Номер патента: US09548111B2. Автор: Masahiro Takahashi,Tsuneo Inaba,Dong Keun Kim,Ji Wang Lee. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Method of operating semiconductor memory device

Номер патента: US09424905B2. Автор: Jungwoo Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-23.

Line memory device and image sensor including the same

Номер патента: US09978431B2. Автор: Min-Ho Kwon,Won-Ho Choi,Dong-Hun Lee,Seog-Heon Ham,Kwi-sung Yoo,Wun-ki Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-22.

Sense amplifier circuit

Номер патента: US20130336066A1. Автор: André Luis VILAS BOAS,Walter Luis Tercariol,Fernando Zampronho NETO. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2013-12-19.

Flash memory device and program method thereof

Номер патента: US20240153569A1. Автор: Wen-Chiao Ho. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Memory device with high content density

Номер патента: US20230282292A1. Автор: Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Memory device with high content density

Номер патента: US12057179B2. Автор: Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: EP4443434A1. Автор: Yohan Lee,Taeyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-09.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240331783A1. Автор: Yohan Lee,Taeyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240321326A1. Автор: Koji Tabata. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09524789B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor memory devices and a method thereof

Номер патента: US20080151635A1. Автор: Dae-Han Kim,Sang-Kug Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-06-26.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09589608B2. Автор: Akiyoshi Seko. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2017-03-07.

Apparatus for controlling i/o strobe signal in semiconductor memory apparatus

Номер патента: US20100118629A1. Автор: Kwi Dong Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-05-13.

Data read-out circuit in semiconductor memory device and method of data reading in semiconductor memory device

Номер патента: US20120072804A1. Автор: Satoru Oku. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-03-22.

Semiconductor memory device

Номер патента: US9324442B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-04-26.

Semiconductor memory

Номер патента: US20120092938A1. Автор: Akira Akahori. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-19.

Data bus architecture for a semiconductor memory

Номер патента: US20060140033A1. Автор: Rino Micheloni,Miriam Sangalli,Luca Crippa. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2006-06-29.

Data bus architecture for a semiconductor memory

Номер патента: US7260005B2. Автор: Rino Micheloni,Miriam Sangalli,Luca Crippa. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2007-08-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12062412B2. Автор: Zhao Lu,Yuji Nagai,Masaru Koyanagi,Akio SUGAHARA,Takehisa KUROSAWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240347087A1. Автор: Zhao Lu,Yuji Nagai,Masaru Koyanagi,Akio SUGAHARA,Takehisa KUROSAWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20050157527A1. Автор: Masanobu Hirose,Masahisa Iida,Kiyoto Ohta. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-07-21.

Phase change random access memory device

Номер патента: US20120081955A1. Автор: Dong Keun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-04-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20080117659A1. Автор: Hajime Sato. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-05-22.

Semiconductor memory device, memory system including the same, and operating method thereof

Номер патента: US9384846B1. Автор: Keon Soo Shim,Bong Yeol PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-05.

Semiconductor memory

Номер патента: US8411515B2. Автор: Akira Akahori. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-02.

Memory device and wrap around read method thereof

Номер патента: US20240265954A1. Автор: Chung-Zen Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Apparatuses and methods for accessing memory including sense amplifier sections and coupled sources

Номер патента: US09390770B2. Автор: Harish Venkata. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-07-12.

Semiconductor memory device with sense amplifier

Номер патента: US20040141349A1. Автор: Satoshi Kawasaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-07-22.

Semiconductor memory device with sense amplifier

Номер патента: US6879539B2. Автор: Satoshi Kawasaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-04-12.

Non-volatile semiconductor memory device and reading method for non-volatile semiconductor memory device that includes charging of data latch input node prior to latching of sensed data

Номер патента: US09543029B2. Автор: Takuyo Kodama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor memory device which includes memory cell having charge accumulation layer and control gate

Номер патента: US8219744B2. Автор: Takahiro Suzuki,Tokumasa Hara,Masuji Nishiyama,Shinya Fujisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-10.

Semiconductor memory apparatus and method for outputting data

Номер патента: US20020005547A1. Автор: Kenji Hibino. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-01-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20110090736A1. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-04-21.

Semiconductor memory device and controlling method thereof

Номер патента: US20120250393A1. Автор: Masanobu Shirakawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-04.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09640274B1. Автор: Shigeo Kondo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

semiconductor memory device

Номер патента: US20030001233A1. Автор: Hiroyuki Yamauchi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-02.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20080025101A1. Автор: Koichi Fukuda,Midori Morooka,Hiroyuki Dohmae. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-01-31.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11756632B2. Автор: Kosuke Yanagidaira,Hiroshi TSUBOUCHI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20070236985A1. Автор: Haruki Toda,Toshiaki Edahiro. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-10-11.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09524788B1. Автор: Shizuka Kutsukake. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Non-volatile semiconductor memory device having a stable read margin

Номер патента: US20020018369A1. Автор: Taku Ogura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-14.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09761318B1. Автор: Shigeo Kondo. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Test method for a semiconductor memory

Номер патента: US20050232040A1. Автор: Jun AN. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-10-20.

Test method for a semiconductor memory

Номер патента: US7120071B2. Автор: Jun Kwon An. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-10-10.

Page buffer and memory device including the same

Номер патента: US09990969B2. Автор: In Gon YANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor memory device which controls sense amplifier for detecting bit line bridge and method of controlling the semiconductor memory device

Номер патента: US6396754B1. Автор: Hyong-yong Lee,Suk-bae Jun,Choong-Sun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-05-28.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20040223360A1. Автор: Toshiki Yamanaka. Владелец: Axiohm Transaction Solutions Inc. Дата публикации: 2004-11-11.

Semiconductor memory device having compression test mode

Номер патента: US20140301149A1. Автор: Jen-Shou Hsu. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2014-10-09.

Sensing control signal generation circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US09659665B1. Автор: Young-Il Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor memory device having compression test mode

Номер патента: US09484117B2. Автор: Jen-Shou Hsu. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor memory device which includes memory cell having charge accumulation layer and control gate

Номер патента: US20080177928A1. Автор: Takahiro Suzuki,Tokumasa Hara,Masuji Nishiyama,Shinya Fujisawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-24.

Semiconductor memory device which includes memory cell having charge accumulation layer and control gate

Номер патента: US8082383B2. Автор: Takahiro Suzuki,Tokumasa Hara,Masuji Nishiyama,Shinya Fujisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-12-20.

Semiconductor memory device which includes memory cell having charge accumulation layer and control gate

Номер патента: US20120246422A1. Автор: Takahiro Suzuki,Tokumasa Hara,Masuji Nishiyama,Shinya Fujisawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-09-27.

Semiconductor memory device which includes memory cell having charge accumulation layer and control gate

Номер патента: US20120063229A1. Автор: Takahiro Suzuki,Tokumasa Hara,Masuji Nishiyama,Shinya Fujisawa. Владелец: Shinya Fujisawa. Дата публикации: 2012-03-15.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US11751384B2. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US6233189B1. Автор: Shigeru Atsumi,Toru Tanzawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-05-15.

Nonvolatile semiconductor memory device and verification control method for the same

Номер патента: US20130176791A1. Автор: Mitsuharu Sakakibara. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-07-11.

Nonvolatile semiconductor memory device detecting sign of data transformation

Номер патента: US20020105832A1. Автор: Yukitoshi Kawakami. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-08-08.

Semiconductor memory device and data storage method

Номер патента: US20090027993A1. Автор: Hironori Nakamura,Takayuki Kurokawa,Tatsuya Ishizaki,Kenichi Ushikoshi. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-01-29.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09953709B2. Автор: Yuji Nagai,Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20160365154A1. Автор: Satoru Hoshi,Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-15.

Semiconductor memory device including sensing verification unit

Номер патента: US20130242635A1. Автор: Ho-young Song,Sang-joon Hwang,Sung-Min Seo,Je-Min Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-09-19.

Memory device, memory device read method

Номер патента: US20060034135A1. Автор: Fumi Kambara. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-02-16.

Stacked layered type semiconductor memory device

Номер патента: US20050162946A1. Автор: Yasunori Koide. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-07-28.

Memory device, memory device read method

Номер патента: US7065002B2. Автор: Fumi Kambara. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-06-20.

Semiconductor memory device with internal power supply potential genaration circuit

Номер патента: US20020060942A1. Автор: Fukashi Morishita,Akira Yamazaki,Yasuhiko Taito,Nobuyuki Fujii,Mihoko Akiyama,Mako Okamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-05-23.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09748260B2. Автор: Akihiro Nitayama,Masaru Kito,Mitsuru Sato,Yasuyuki Matsuoka,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Non-volatile semiconductor memory device with improved layout

Номер патента: US5166900A. Автор: Ichirou Kondo. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1992-11-24.

Semiconductor memory device mapping external address as internal address wherein internal addresses of spare cells of two blocks differ by upper most bit and internal addresses of main cells of two blocks differ by upper most bit and the internal addresses of main cell and spare cell of each block differ by one bit and operating method for the same

Номер патента: US09443618B2. Автор: Sang-Oh LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor memory device and method of inspecting the same

Номер патента: US20100054042A1. Автор: Kazuhiko Miki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-03-04.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09478261B1. Автор: Seung Hwan Baek,Sung Yong Lim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor memory device

Номер патента: US5101380A. Автор: Kazuo Tanaka,Hirofumi Yasuda,Toshihiko Kondo. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 1992-03-31.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20150364200A1. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-12-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20160314848A1. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US9627080B2. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor memory device

Номер патента: US9412458B2. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor memory device

Номер патента: US9147494B2. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-29.

Semiconductor memory device

Номер патента: US9818487B2. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240321363A1. Автор: Kiichi Tachi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20200294600A1. Автор: Taira SHIBUYA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Non-volatile semiconductor memory device capable of high-speed data reading

Номер патента: US20030210570A1. Автор: Hiroshi Kato,Tsukasa Ooishi,Jun Ohtani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-11-13.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20200161320A1. Автор: Koichiro Yamaguchi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Semiconductor memory device, memory system having semiconductor memory device, and method for testing memory system

Номер патента: US7634697B2. Автор: Jin-Soo Park,Dong-Jun Kim,Kae-Won Ha,Keun-Soo Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-12-15.

Semiconductor memory apparatus and operating method thereof, and semiconductor memory system

Номер патента: US20210391020A1. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09798600B2. Автор: Yoshikazu Saito,Yuichiro Ishii,Atsushi Miyanishi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Page buffer and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US09792966B2. Автор: Yeonghun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US09728235B2. Автор: TaeHyung Jung,Kwanweon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Redundant means of a semiconductor memory device and method thereof

Номер патента: US5255234A. Автор: Yong-Sik Seok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1993-10-19.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240064989A1. Автор: Jumpei Sato. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor memory device and method of testing the same

Номер патента: US20110164464A1. Автор: Tomohiro Sawada. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-07-07.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20180277222A1. Автор: Shigeo Kondo. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Semiconductor memory device having layout area reduced

Номер патента: US20090065874A1. Автор: Yuichiro Ishii. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-03-12.

Nonvolatile semiconductor memory device and overerase correction method

Номер патента: EP1316965A9. Автор: Makoto Yamamoto,Susumu Takeuchi,Kiyohiko Sakakibara,Yukio Nakamoto,Kunio Tani,Tomohisa c/o Mitsubishi Electric Engineering Iba. Владелец: Mitsubishi Electric Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-01.

Semiconductor memory devices with ballasts

Номер патента: WO2018125237A1. Автор: Gilbert Dewey,Abhishek A. Sharma,Ravi Pillarisetty,Van H. Le. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-07-05.

Integrated semiconductor memory device with test circuit for sense amplifier

Номер патента: US20060152982A1. Автор: Martin Perner. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2006-07-13.

Semiconductor memory system including a plurality of semiconductor memory devices

Номер патента: US09928913B2. Автор: Noboru Shibata,Hiroshi Sukegawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor memory system including a plurality of semiconductor memory devices

Номер патента: US09601206B2. Автор: Noboru Shibata,Hiroshi Sukegawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US5557570A. Автор: Hiroshi Iwahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1996-09-17.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140286103A1. Автор: Mitsuhiro Noguchi,Yu Suzuki,Masayuki Akou,Akimichi Goyo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-25.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20230119989A1. Автор: Kosuke Yanagidaira,Hiroshi TSUBOUCHI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-04-20.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20230377662A1. Автор: Kosuke Yanagidaira,Hiroshi TSUBOUCHI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor memory device

Номер патента: US8923074B2. Автор: Katsumi Abe,Masahiro Yoshihara,Naofumi ABIKO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-12-30.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20190295640A1. Автор: Yoshinori Suzuki,Yuki Inuzuka. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-26.

Semiconductor memory device having bit line pre-charge unit separated from data register

Номер патента: US20090180331A1. Автор: Shigekazu Yamada. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-07-16.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240304245A1. Автор: Kazutaka IKEGAMI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory device that performs an advance reading operation

Номер патента: US09620230B2. Автор: Tetsuya Iwata,Shinya Takeda,Yoshio Furuyama,Shunsuke KODERA,Toshihiko KITAZUME,Kenichirou KADA,Nobuhiro Tsuji,Hirosuke NARAI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor memory

Номер патента: US20240055057A1. Автор: Toshifumi Watanabe,Teppei Higashitsuji. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Nonvolatile Semiconductor Memory

Номер патента: US20080043539A1. Автор: Bunsho Kuramori. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20060262615A1. Автор: Yasuo Gotoh. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-11-23.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20040062113A1. Автор: Yoshimasa Sekino. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-01.

Electrically programmable and electrically erasable semiconductor memory device

Номер патента: US20040223372A1. Автор: Hiroshi Iwata,Akihide Shibata,Masaru Nawaki,Nobuaki Matsuoka,Yoshinao Morikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-11-11.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20190378561A1. Автор: Takashi Kubo,Kenichi Yasuda,Yasuhiko Tsukikawa,Takeshi Hamamoto,Masaru Haraguchi,Hironori Iga. Владелец: Zentel Japan Corp. Дата публикации: 2019-12-12.

Sense amplifying methods and sense amplification and output buffer integrated circuits

Номер патента: WO1998035354A1. Автор: Scott T. Becker,Dhrumil Gandhi,Daniel F. LaBouve. Владелец: Artisan Components, Inc.. Дата публикации: 1998-08-13.

Write error counter for media management in a memory device

Номер патента: US20240321351A1. Автор: John Christopher M. Sancon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Multi-chip non-volatile semiconductor memory package including heater and sensor elements

Номер патента: US09928925B1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-03-27.

Power-on reset circuit and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US09899065B1. Автор: Hyun Chul Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Memory system for controlling semiconductor memory devices through plurality of channels

Номер патента: US09841916B2. Автор: Sung Yeob Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Method of fabricating a three-dimensional semiconductor memory device having a plurality of memory blocks on a peripheral logic structure

Номер патента: US09837429B2. Автор: Youngwoo Park,Shinhwan Kang,Jaeduk LEE,Yunghwan Son,Jaesung SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-05.

Multi-chip non-volatile semiconductor memory package including heater and sensor elements

Номер патента: US09613719B1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor memory apparatus and data processing method

Номер патента: US09612753B2. Автор: Naoaki Sudo. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Multi-chip non-volatile semiconductor memory package including heater and sensor elements

Номер патента: US09548126B1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-01-17.

Page buffer and memory device including the same

Номер патента: US20170358335A1. Автор: In Gon YANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-14.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12033702B2. Автор: Yoshikazu Harada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor memory device capable of recovering defective bit and a system having the same semiconductor memory device

Номер патента: US20010022750A1. Автор: Yukihiro Urakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-09-20.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US09515087B2. Автор: Youngwoo Park,Shinhwan Kang,Jaeduk LEE,Yunghwan Son,Jaesung SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor memory device capable of generating internal data read timing precisely

Номер патента: US20030231527A1. Автор: Yasunobu Nakase,Koji Nii. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2003-12-18.

Semiconductor memory device with operation limit controller

Номер патента: US12040043B2. Автор: Jaejun Lee,Seonghoon JOO,Ilhan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12068263B2. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Integrated circuit memory devices with per-bit redundancy and methods of operation thereof

Номер патента: US20020110029A1. Автор: Jae-Goo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-08-15.

Semiconductor memory device, electronic device and method for setting the same

Номер патента: US12086011B2. Автор: Ki-Seok OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor memory device, electronic device and method for setting the same

Номер патента: US20240361823A1. Автор: Ki-Seok OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240363555A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor memory device and method providing log information

Номер патента: US12045496B2. Автор: Kwanghyun KIM,Boayeong Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor memory device that applies an initial pass voltage followed by a final pass voltage to non-selected word lines during a write operation

Номер патента: US09767908B2. Автор: SANAD Bushnaq,Masanobu Shirakawa,Hidehiro Shiga. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20060203547A1. Автор: Ken Takeuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-09-14.

Dynamic semiconductor memory device and method for initializing a dynamic semiconductor memory device

Номер патента: US6175531B1. Автор: HELMUT Fischer,Martin Buck,Bret Johnson,Sebastian Kühne,Heinrich Hemmert. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2001-01-16.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20220199149A1. Автор: Kaoru Mori. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-06-23.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20230317816A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor memory device having improved redundancy scheme

Номер патента: US20040047222A1. Автор: Duk-ha Park,Hi-choon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-03-11.

Method and Apparatus for Implementing Efuse Sense Amplifier Testing Without Blowing the Efuse

Номер патента: US20080170449A1. Автор: Louis Bernard Bushard,Anthony Gus Aipperspach,David Howard Allen,Gregory John Uhlmann,Phil Christopher Felice Paone. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-17.

Semiconductor memory device that determines a deterioration level of memory cells and an operation method thereof

Номер патента: US20170169895A1. Автор: Yoshiki Terabayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Memory system and semiconductor memory device

Номер патента: US10797073B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-10-06.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20030053360A1. Автор: Masashi Agata. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-03-20.

Semiconductor memory device having redundancy means

Номер патента: WO2004090910A1. Автор: Nikolaas K. J. Van Winkelhoff. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-10-21.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09824758B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor memory device that determines a deterioration level of memory cells and an operation method thereof

Номер патента: US09786381B2. Автор: Yoshiki Terabayashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Memory system performing read of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09767913B2. Автор: Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20230397415A1. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Non-volatile semiconductor memory device, electronic card using the same and electronic apparatus

Номер патента: US20060077712A1. Автор: Atsushi Inoue,Tomoharu Tanaka,Takeaki Sato,Khandker Quader,Hiroyuki Dohmae. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-04-13.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20170052737A1. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-23.

Semiconductor memory device and method for writing data into the semiconductor memory device

Номер патента: US20070064499A1. Автор: Thomas Kern,Luca Ambroggi. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-03-22.

Semiconductor memory device having source areas of memory cells supplied with a common voltage

Номер патента: US20020031009A1. Автор: Toshiro Futatsugi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-03-14.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20210327532A1. Автор: Jong Wook Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Memory device including arrangement of independently and concurrently operable tiles of memory transistors

Номер патента: EP4445369A1. Автор: Tz-yi Liu,Masahiro Yoshihara,Raul Adrian Cernea,Eli Harari,Shay FUX,Sagie GOLDENBERG. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2024-10-16.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09997248B2. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor memory device that applies same voltage to two adjacent word lines for access

Номер патента: US09947408B2. Автор: Tokumasa Hara,Masanobu Shirakawa,Toshifumi Shano. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor memory device and writing operation method thereof

Номер патента: US09911498B2. Автор: Masanobu Shirakawa,Kenta Yasufuku,Akira Yamaga. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor memory device outputting read-busy signal and memory system including the same

Номер патента: US09911479B2. Автор: Kwang Hyun Kim,Jae Hyeong Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09853040B2. Автор: Tsutomu Tezuka,Tomoya Kawai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09620221B1. Автор: Myeong Cheol SON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Systems and methods for stacked semiconductor memory devices

Номер патента: US09472243B2. Автор: Anthony Fai,Nicholas C. Seroff. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Control circuit and method for controlling a data line switching circuit in a semiconductor memory device

Номер патента: US5654936A. Автор: Ho-Yeol Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1997-08-05.

Semiconductor memory device and operational method with reduced well noise

Номер патента: US5321647A. Автор: Gary B. Bronner,Sang H. Dhong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1994-06-14.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240057339A1. Автор: Jumpei Sato. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11861226B2. Автор: Zhao Lu,Yuji Nagai,Akio SUGAHARA,Takehisa KUROSAWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240094959A1. Автор: Zhao Lu,Yuji Nagai,Akio SUGAHARA,Takehisa KUROSAWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Data output circuit of semiconductor memory and related method

Номер патента: US20110188323A1. Автор: Jae Il Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-08-04.

Data output circuit of semiconductor memory and related method

Номер патента: US8369160B2. Автор: Jae Il Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-02-05.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200006381A1. Автор: Shinya Arai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Semiconductor memory device, semiconductor device, and data write method

Номер патента: US7570522B2. Автор: Tokumasa Hara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-08-04.

Single command, multiple column-operation memory device

Номер патента: US20170293552A1. Автор: Liang Peng,Lawrence Lai,Bohuslav Rychlik,Thomas A. Sheffler. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-10-12.

Memory device and method for testing memory devices with repairable redundancy

Номер патента: US20060198215A1. Автор: Martin Perner,Volker Kilian. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2006-09-07.

Semiconductor integrated circuit with a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20200251174A1. Автор: Yoshihiro Yamaguchi,Ryouta Niwa,Katsumichi Katou,Nobuyuki Ishigooka,Masaki Sekimizu. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2020-08-06.

Semiconductor memory device and method for adjusting internal voltage thereof

Номер патента: US20050270868A1. Автор: Jae-Hyuk Im,Kee-Teok Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-12-08.

Semiconductor memory device that can relieve defective address

Номер патента: US20090168478A1. Автор: Ankur Goel,Krishman S. Rengarajan,Sahadevan A. Kumaran,Sanjay Kumar Mishra. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-07-02.

Testing architecture for a semiconductor memory device

Номер патента: US20030005372A1. Автор: K. T. Hsiao,Hao-Liang Lo,Li-Yang Yang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2003-01-02.

Semiconductor memory device, controller, and operating method thereof

Номер патента: US20220262442A1. Автор: Un Sang Lee,Moon Sik SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-08-18.

Semiconductor memory device and erasing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20210327805A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Multi-chip package semiconductor memory device

Номер патента: US20110309525A1. Автор: Satoshi Miyazaki,Hidekazu Nasu. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-22.

Semiconductor memory device and verification method for input data

Номер патента: US20170256322A1. Автор: Hidemitsu Kojima. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

Apparatus for testing semiconductor memory device

Номер патента: US6034905A. Автор: Kunihiko Suzuki,Kazuhiro Shibano. Владелец: Asia Electronics Inc. Дата публикации: 2000-03-07.

Semiconductor memory device having a burst continuous read function

Номер патента: US20050024942A1. Автор: Yasuhiko Honda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-02-03.

Semiconductor memory device with data and local redundancy memory cell arrays, and redundancy method thereof

Номер патента: US20080049526A1. Автор: Seung-Bum Ko,Han-Gyun Jung,Nak-Won Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-02-28.

Method of arranging fuses in a fuse box of a semiconductor memory device and a semiconductor memory device including such an arrangement

Номер патента: US20080101141A1. Автор: Chul-Hwan Choo,Hi-choon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-01.

Multi-chip package semiconductor memory device

Номер патента: US8723303B2. Автор: Satoshi Miyazaki,Hidekazu Nasu. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-13.

Semiconductor memory having volatile and multi-bit non-volatile functionality and method of operating

Номер патента: US09928910B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor memory device that randomizes data and randomizer thereof

Номер патента: US09921772B2. Автор: Yasuhiko Kurosawa,Tsuyoshi Atsumi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Single command, multiple column-operation memory device

Номер патента: US09898400B2. Автор: Liang Peng,Lawrence Lai,Bohuslav Rychlik,Thomas A. Sheffler. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-02-20.

Control circuit, peripheral circuit, semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09859008B1. Автор: Da U Ni Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor memory device and verification method for input data

Номер патента: US09842656B2. Автор: Hidemitsu Kojima. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Peripheral circuit, semiconductor memory device and operating method of the semiconductor device and/or peripheral circuit

Номер патента: US09715934B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Method for repairing defective memory cells in semiconductor memory device

Номер патента: US09704601B2. Автор: Ki-Seok Park,Ji-Hyuk OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Single command, multiple column-operation memory device

Номер патента: US09658953B2. Автор: Liang Peng,Thomas Sheffler,Lawrence Lai,Bohuslav Rychlik. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor memory having volatile and multi-bit non-volatile functionality and method of operating

Номер патента: US09646693B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09595324B1. Автор: Takashi Izumida,Hiroki TOKUHIRA,Hiroyoshi Tanimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor memory device to selectively perform a single sensing operation or a multi-sensing operation

Номер патента: US09570190B2. Автор: Ka Young CHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US09412454B2. Автор: Kunihiro Yamada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Electrically erasable and programmable non-volatile semiconductor memory with automatic write-verify controller

Номер патента: US5627782A. Автор: Hiroshi Nakamura,Yoshiyuki Tanaka,Tomoharu Tanaka,Hideko Odaira. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-05-06.

Multiple precharging semiconductor memory device

Номер патента: US5790466A. Автор: Yasuhiro Hotta. Владелец: Individual. Дата публикации: 1998-08-04.

Page buffer, semiconductor memory device with page buffer, and method of operating semiconductor memory device

Номер патента: US11842773B2. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240062822A1. Автор: Takashi Maeda,Rieko FUNATSUKI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20210366551A1. Автор: Jong Hoon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20160148690A1. Автор: Chi Wook An. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-26.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230413562A1. Автор: Shinya Arai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor memory device and method of verifying the same

Номер патента: US20080123428A1. Автор: Makoto Senoo,Kazunari Kido,Yoshihiro Tsukidate,Shunichi Toyama. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-29.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20230307359A1. Автор: Tadayoshi Watanabe,Kouji Matsuo. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor memory device

Номер патента: US7864618B2. Автор: Yoshinori Matsui,Yoshinori Haraguchi,Yoshiro Riho,Hayato Oishi. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-01-04.

Nonvolatile semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US9899095B2. Автор: Koji Hosono. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor memory device and control method of semiconductor memory device

Номер патента: US20190267097A1. Автор: Tomoya Sanuki,Yusuke Higashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-08-29.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20160172048A1. Автор: Kyung Sik Mun,Moon Sik SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-16.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US5177575A. Автор: Yutaka Ikeda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-01-05.

Semiconductor memory device with security function and control method thereof

Номер патента: US20110182101A1. Автор: Ji Hyae Bae. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-07-28.

Semiconductor memory device employing processing in memory (pim) and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: EP4379608A3. Автор: Seongil O,Shinhaeng KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-31.

Semiconductor memory devices, memory systems and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20190229753A1. Автор: Sang-Uhn CHA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-25.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050270845A1. Автор: Keita Takahashi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-08.

Semiconductor memory device and its testing method

Номер патента: US20030058730A1. Автор: Katsushige Hayashi,Takanobu Suzuki,Tamaki Tsuruda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-03-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240290407A1. Автор: Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240304257A1. Автор: Hidehiro Shiga,Yuki Inuzuka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Page buffer, semiconductor memory having the same, and operating method of the semiconductor memory

Номер патента: US20240363180A1. Автор: Jong Woo Kim,Soo Yeol CHAI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Method of controlling a semiconductor memory device

Номер патента: US09929173B2. Автор: Fumihiro Kono. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor memory device having memory strings coupled to bit lines and operating method thereof

Номер патента: US09899093B2. Автор: Jong Won Lee,Jin Su Park,Hyun Su WOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09865612B2. Автор: Shinya Arai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09836216B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor memory device having a heat insulating mechanism

Номер патента: US09788463B2. Автор: Kazuhiro Yoshida,Yasuyuki Ozawa,Yoshiharu Matsuda,Masahiro Iijima,Kenichi SAWANAKA,Fuminori Kimura,Masaaki Niijima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor memory device tunnel insulating layers included in the plurality of memory cells having different thicknesses according to distances of the plurality of memory cells from the X-decoder

Номер патента: US09646698B2. Автор: Yeonghun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09640269B2. Автор: Yasushi Nakajima,Hideaki Yamamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor memory device with a three-dimensional stacked memory cell structure

Номер патента: US09576968B2. Автор: Yoshihisa Iwata,Tomoo Hishida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor memory device having memory strings including drain-side and source-side memory cells connected to pipe transistor and peripheral circuit suitable for applying pipe gate voltage to pipe transistor during read operation

Номер патента: US09558827B2. Автор: Kyung Sik Mun,Moon Sik SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09548085B2. Автор: Masumi SAITOH. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09543022B2. Автор: Yusuke Umezawa,Toshifumi Hashimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Method of measuring refractive index of semiconductor memory device and method of classifying product group using the same

Номер патента: US20240331788A1. Автор: Ho Jung KANG,Tae Un Youn,Nam Cheol JEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09502112B2. Автор: Koji Nii. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor memory device improving threshold voltage of unselected memory block and operating method thereof

Номер патента: US09466372B2. Автор: Chi Wook An. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor memory device with cache memory addressable by block within each column

Номер патента: US4926385A. Автор: Hideto Hidaka,Kazuyasu Fujishima,Yoshio Matsuda,Mikio Asakura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1990-05-15.

Semiconductor memory device including sensing verification unit

Номер патента: US9165673B2. Автор: Ho-young Song,Sang-joon Hwang,Sung-Min Seo,Je-Min Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-20.

Semiconductor memory device with first and second sense amplifiers

Номер патента: US20230410916A1. Автор: Kosuke Yanagidaira. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor memory having function to determine semiconductor low current

Номер патента: US20080170445A1. Автор: Toshiki Mori. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20160284410A1. Автор: Yeonghun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-29.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240221833A1. Автор: SUNG Wook Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor memory device, controller, and method of operating the semiconductor memory device and controller

Номер патента: US20230317183A1. Автор: Byoung Sung You. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8243539B2. Автор: Katsumi Abe,Makoto Takizawa,Shoichi Ozaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-14.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20050047225A1. Автор: Hidekazu Noguchi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-03.

Semiconductor memory device, memory test method and computer program for designing program of semiconductor memory device

Номер патента: US20100313085A1. Автор: Hiroshi Tomiyama. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-12-09.

Semiconductor memory with current distributor

Номер патента: US20020036929A1. Автор: Masayuki Koizumi,Hiroyuki Shibayama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-03-28.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100296342A1. Автор: Katsumi Abe,Makoto Takizawa,Shoichi Ozaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-11-25.

Semiconductor memory device and data masking method of the same

Номер патента: US20090161445A1. Автор: Sang Hee Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-25.

Process for producing semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: US20020036316A1. Автор: MASUOKA Fujio,Kenichi Tanaka,Hiroaki Shimizu,Yoshihisa Wada,Takuji Tanigami. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-28.

Semiconductor memory device in which redundancy (RD) of adjacent column is automatically repaired

Номер патента: US7643362B2. Автор: Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-01-05.

Nonvolatile semiconductor memory device having multi-level memory cells and page buffer used therefor

Номер патента: US20070195636A1. Автор: Ho Jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-23.

Method for manufacturing non-volatile semiconductor memory and non-volatile semiconductor memory manufactured thereby

Номер патента: US20030008488A1. Автор: Mitsuteru Iijima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-01-09.

Semiconductor memory device

Номер патента: US8797777B2. Автор: Yoshihisa Iwata,Tomoo Hishida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-05.

Semiconductor memory device including capacitor

Номер патента: EP3823022A3. Автор: Dong Ku Kang,Chan Ho Kim,Bong Soon LIM,Kyung Hwa YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-14.

Semiconductor memory device

Номер патента: US8503214B2. Автор: Yasuo Kobayashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-08-06.

Semiconductor memory device performing program operation and operating method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20240265981A1. Автор: Yeong Jo MUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

A semiconductor memory device with an on-chip error correction circuit and a method of correcting a data error therein

Номер патента: GB9910278D0. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-06-30.

Non-volatile semiconductor memory device and a programming method thereof

Номер патента: US20110228610A1. Автор: Naoyuki Shigyo,Kunihiro Yamada,Hideto Horii,Michiru Hogyoku. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-09-22.

Semiconductor memory device and method thereof

Номер патента: US20080165596A1. Автор: Chang-yong Lee,Won-kyung Chung,Kwun-Soo Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-10.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20140006648A1. Автор: Eui Cheol Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-01-02.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US9252289B2. Автор: Ayako Inoue,Kazuhiro Tsumura. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2016-02-02.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20130234222A1. Автор: Naoki Yasuda,Masaaki Higuchi,Katsuyuki Sekine,Masao Shingu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-12.

Semiconductor memory device with row redundancy

Номер патента: US5889710A. Автор: Luigi Pascucci. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1999-03-30.

Method for manufacturing non-volatile semiconductor memory and non-volatile semiconductor memory manufactured thereby

Номер патента: US20010021133A1. Автор: Mitsuteru Iijima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-09-13.

Stacked memory device and method of fabricating same

Номер патента: US20130237019A1. Автор: Chul-woo Park,Dong-hyun Sohn,In-Gyu Baek,Hong-Sun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-09-12.

Stacked memory device and method of fabricating same

Номер патента: US20110228582A1. Автор: Chul-woo Park,Dong-hyun Sohn,In-Gyu Baek,Hong-Sun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-22.

Semiconductor Memory Device and Operating Method Thereof

Номер патента: US20100277994A1. Автор: Ji-Hyae Bae. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-11-04.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20220199168A1. Автор: Yusuke Umezawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-06-23.

Semiconductor memory device, controller, memory system and method of operating the same

Номер патента: US20240274217A1. Автор: Jin Sub Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20230410913A1. Автор: Kazutaka IKEGAMI,Reiko SUMI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor memory device and method for initializing the same

Номер патента: EP1488424A2. Автор: Hiroshige Hirano,Yasuo Murakuki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-22.

Semiconductor memory device for preventing mal-operation induced by misrecognizing addresses/data as commands and operating method thereof

Номер патента: US7944763B2. Автор: Ji-Hyae Bae. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-05-17.

Semiconductor memory device, method for fabricating the same and electronic system including the same

Номер патента: US20240306383A1. Автор: Ki Joon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor memory device and a manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20240373638A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Non-volatile semiconductor memory device adapted to store a multi-valued data in a single memory cell

Номер патента: US09990987B2. Автор: Jian Chen,Tomoharu Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor memory devices and methods of operating the same

Номер патента: US09953725B2. Автор: Hoi-Ju CHUNG,Sang-Uhn CHA,Ye-sin Ryu,Seong-Jin Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20130235671A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-12.

Manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US09935116B2. Автор: Masaru Yano,Pin-Yao Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

3D multi-layer non-volatile memory device with planar string and method of programming

Номер патента: US09859010B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09780170B2. Автор: Tsutomu Tezuka,Daisuke Matsushita,Tomoya Kawai,Kensuke Ota,Toshifumi Irisawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor memory device, memory system including the same and operating method thereof

Номер патента: US09761287B2. Автор: Jin Su Park,Min gi HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09741437B2. Автор: Min Kyu Lee,Kyoung Hoon LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Non-volatile semiconductor memory device adapted to store a multi-valued data in a single memory cell

Номер патента: US09734899B2. Автор: Jian Chen,Tomoharu Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09704587B1. Автор: Eun Young Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09672914B1. Автор: Eun Young Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Non-volatile semiconductor memory device and improved verification and programming method for the same

Номер патента: US09646701B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09627069B1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09607711B1. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09564230B2. Автор: Yoon Soo JANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Controller controlling semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09542269B1. Автор: Se Chun Park,Young Dong Roh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Techniques for providing a semiconductor memory device

Номер патента: US09524971B2. Автор: Timothy Thurgate,Michael A. Van Buskirk,Srinivasa R. Banna. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09524793B1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09502103B1. Автор: Takashi Izumida,Hiroyoshi Tanimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09472291B2. Автор: Jung Ho Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor memory device and memory module having reconfiguration rejecting function

Номер патента: US09412464B2. Автор: Young Duk Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240099033A1. Автор: Toshiaki Sato,Masaki UNNO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: EP4344379A1. Автор: Toshiaki Sato,Masaki UNNO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-27.

Output circuit, semiconductor memory device having the same, and method of expanding a valid output data window

Номер патента: US20070121397A1. Автор: Woo-Jin Lee,Seong-Jin Jang,Hyun-Dong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-31.

Data erasure device for erasing data from non-volatile semiconductor memory device and method for manufacturing non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20190325967A1. Автор: Yoshiaki Nakayama,Koichi Yako. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2019-10-24.

Semiconductor memory device including a capacitor

Номер патента: US20190157292A1. Автор: Chanho Kim,Bongsoon LIM,Pansuk Kwak,ChaeHoon KIM,Hongsoo Jeon,Jeunghwan Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-23.

Techniques for providing a semiconductor memory device

Номер патента: WO2012170409A2. Автор: Timothy Thurgate,Michael A. Van Buskirk,Srinivasa R. Banna. Владелец: Micron Technology Inc.. Дата публикации: 2012-12-13.

Non-volatile semiconductor memory device having multiple different sized floating gates

Номер патента: US6188102B1. Автор: Masaru Tsukiji. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-02-13.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20040125657A1. Автор: Hidenori Mitani. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-07-01.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US6885588B2. Автор: Hidenori Mitani. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-04-26.

Semiconductor memory device having row repair circuitry

Номер патента: US20020167850A1. Автор: Jung Seop Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-11-14.

Semiconductor memory device comprising one or more injecting bilayer electrodes

Номер патента: WO2007035259A1. Автор: Aaron Mandell,Igor Sokolik,Richard P. Kingsborough. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2007-03-29.

Semiconductor memory device comprising one or more injecting bilayer electrodes

Номер патента: EP1949383A1. Автор: Aaron Mandell,Igor Sokolik,Richard P. Kingsborough. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-07-30.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20200176033A1. Автор: Fumitaka Arai,Keiji Hosotani,Keisuke Nakatsuka. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-06-04.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240250026A1. Автор: Nobuaki OKADA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20210191809A1. Автор: Kijun Lee,Yeonggeol Song,Sungrae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-24.

Semiconductor memory device and method of testing the same

Номер патента: US20140269089A1. Автор: Satoshi Inoue,Yuui Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Nonvolatile semiconductor memory device with password unlock function

Номер патента: US20030079099A1. Автор: Junya Kawamata. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-04-24.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240296091A1. Автор: Tetsuro Takizawa. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Universal CMOS single input, low swing sense amplifier without reference voltage

Номер патента: US20020125916A1. Автор: Mark Matson,Robert Dupcak,Randy Allmon. Владелец: Compaq Information Technologies Group LP. Дата публикации: 2002-09-12.

Memory device

Номер патента: US20110296235A1. Автор: Masaru Ogawa,Tarou Iwashiro. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-01.

Single event upset tolerant memory device

Номер патента: US20240201863A1. Автор: Kumar Rahul,Nui Chong,Santosh Yachareni,John J. Wuu,Cheang Whang CHANG. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Single event upset tolerant memory device

Номер патента: US12045469B2. Автор: Kumar Rahul,Nui Chong,Santosh Yachareni,John J. Wuu,Cheang Whang CHANG. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor memory device that switches between states and moves data in accordance with a current state

Номер патента: US09940029B2. Автор: Tatsunori Kanai,Tetsuro Kimura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor memory device and control method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240320109A1. Автор: Yoshihiko Shindo. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20020001173A1. Автор: Shiro Hayano,Kazuyoshi Nishiyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-03.

Semiconductor memory device, semiconductor wafer, and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20120161206A1. Автор: Hiroshi SHIMODE. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-06-28.

Information processing device including host device and semiconductor memory device having a block rearrangement to secure free blocks

Номер патента: US09870155B2. Автор: Kenichi Maeda,Atsushi Kunimatsu. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Information processing device including host device and semiconductor memory device having a plurality of address conversion information

Номер патента: US09542117B2. Автор: Kenichi Maeda,Atsushi Kunimatsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Data reading method for semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: US20090077337A1. Автор: Daisuke Oda. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-19.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240302982A1. Автор: Jae Woong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Storage device that secures a block for a stream or namespace and system having the storage device

Номер патента: US20240134552A1. Автор: Daisuke Hashimoto,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Storage device that secures a block for a stream or namespace and system having the storage device

Номер патента: US09696935B2. Автор: Daisuke Hashimoto,Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor memory device including a selection element pattern confined to a hole

Номер патента: US20190157346A1. Автор: JONG CHUL LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-05-23.

Semiconductor memory device and method of manufacturing semiconductor memory device and method of layouting auxiliary pattern

Номер патента: US09455271B1. Автор: Yuji Setta. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120099374A1. Автор: Yasuhiko Matsunaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-04-26.

Clocked half-rail differential logic with sense amplifier and shut-off

Номер патента: US20040036503A1. Автор: Swee Choe. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2004-02-26.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20110134695A1. Автор: Kazushige Kanda,Katsuaki Isobe,Toshiki Hisada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-06-09.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8498155B2. Автор: Yasuhiko Matsunaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-07-30.

Semiconductor memory having a plurality of memory-cell arrays

Номер патента: US20030011021A1. Автор: Helmut Schneider. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-01-16.

Semiconductor memory having a plurality of memory-cell arrays

Номер патента: US6686618B2. Автор: Helmut Schneider. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-02-03.

Semiconductor memory device and method of reading data

Номер патента: US20050067645A1. Автор: Daisaburo Takashima,Katsuhiko Hoya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-03-31.

Method for clock control of clocked full-rail differential logic circuits with sense amplifier and shut-off

Номер патента: US20040066214A1. Автор: Edgardo Klass,Swee Choe. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2004-04-08.

Semiconductor memory cell, semiconductor memory device, and method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US09865693B1. Автор: Wang Xiang,Weichang Liu,Zhen Chen,Shen-De Wang,Wei Ta. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20230320093A1. Автор: Masamichi Suzuki,Harumi SEKI,Yusuke Higashi,Kensuke Ota,Reika Tanaka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7608488B2. Автор: Susumu Yoshikawa,Yasuyuki Baba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-27.

Methods and Apparatus for Semiconductor Memory Devices Manufacturable Using Bulk CMOS Process Manufacturing

Номер патента: US20080315268A1. Автор: Yiming Zhu. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2008-12-25.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US7145200B2. Автор: Kazuo Saito,Shogo Takamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-12-05.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20240341098A1. Автор: Eun Seok Choi,Seo Hyun Kim,Dong Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US12144179B2. Автор: Eun Seok Choi,Seo Hyun Kim,Dong Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-12.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09508739B2. Автор: Naoki Yasuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US8105907B2. Автор: Shigeru Shiratake,Takeshi Ohgami,Eiji Hasunuma. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2012-01-31.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20120068244A1. Автор: Yoshiki Kato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-03-22.

Semiconductor memory device and manufacturing method therefor

Номер патента: US11069701B2. Автор: Takeshi Murata,Mitsuhiko Noda,Kosei Noda. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-07-20.

Device isolation method of semiconductor memory device and flash memory device fabricating method using the same

Номер патента: US20050142796A1. Автор: Sung Jung,Jum Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US12048155B2. Автор: Eun Seok Choi,Seo Hyun Kim,Dong Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor memory device and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20230307369A1. Автор: Susumu Hashimoto,Koichi Sakata,Shinya Arai,Keisuke Nakatsuka,Nobuhito Ichiki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20230129734A1. Автор: Dong Won Choi,Kyung Min Park,Jun Hyuk Park,Sung Gon Jin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US12087686B2. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09991272B2. Автор: Hiroshi Kanno,Shinya Naito,Yoshiaki Fukuzumi,Tatsufumi Hamada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Stacked type semiconductor memory device

Номер патента: US09716103B2. Автор: Kotaro Noda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Cigarette ignition device that does not need match

Номер патента: WO2005027668A1. Автор: Jong Pil Kim. Владелец: Jong Pil Kim. Дата публикации: 2005-03-31.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20240237353A1. Автор: Jeehoon HAN,YoungHwan Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US20220208856A1. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-06-30.

Semiconductor memory device and method for fabricating semiconductor memory device

Номер патента: US7821049B2. Автор: Hiroyuki Kanaya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-10-26.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20240237342A1. Автор: Dong Uk Lee,Hae Chang Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20210028104A1. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US10431593B2. Автор: Sunyoung Kim,Sung-Min Hwang,Joon-Sung LIM,Jang-Gn Yun,Jaesun Yun,Hoosung Cho,Kyoil KOO,Cheol RYOU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-01.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240266339A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor memory device and method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20230309305A1. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US12035533B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100084702A1. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-04-08.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020000590A1. Автор: Shintaro Yamamichi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-01-03.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210202263A1. Автор: Takashi Shimizu,Masaaki Higuchi,Takahiro Hirai,Takeshi SONEHARA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-07-01.

Method and apparatus for transmitting content to device which does not join domain

Номер патента: EP1974495A1. Автор: Su-Hyun Nam,Bong-seon Kim,Young-sun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-10-01.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020175358A1. Автор: Shintaro Yamamichi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-11-28.

Semiconductor memory device, method for fabricating semiconductor memory device, semiconductor integrated circuit and semiconductor memory integrated circuit

Номер патента: US20230209817A1. Автор: Kenichiro Kusano. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240298445A1. Автор: Yusuke Morikawa,Tatsufumi Hamada,Yosuke MITSUNO,Tomohiro KUKI,Ryouji MASUDA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US12133379B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240334704A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20240373634A1. Автор: Jae Young Oh,Eun Seok Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor memory device and semiconductor memory array comprising the same

Номер патента: US09991266B2. Автор: Zhibiao Zhou,Ding-Lung Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09691786B1. Автор: Masaki Tsuji,Hideaki Aochi,Jun Fujiki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09620515B2. Автор: Tatsuya Kato,Satoshi Nagashima,Keisuke Kikutani. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09443868B1. Автор: Toshiyuki Takewaki,Ming Hu,Masahisa Sonoda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20230411387A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Janbo Zhang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20170278862A1. Автор: Hideaki Aochi,Jun Fujiki,Takeshi Kamigaichi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-28.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20230028009A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Janbo Zhang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-26.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US12052864B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor storage device including staggered semiconductor memory devices on opposed surfaces

Номер патента: US20240260194A1. Автор: BO Yang,Chun Sean Lau,Fu Xing Chan. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120135593A1. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-05-31.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20220173112A1. Автор: Jung Hoon Han,Dong Oh KIM,Gyu Hyun Kil,Doo San Back. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-02.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140048761A1. Автор: Shigeki Kobayashi,Hiroyuki Fukumizu,Yasuhiro Nojiri,Masaki Yamato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-02-20.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240276722A1. Автор: In Su Park,Jung Dal Choi,Jung Shik JANG,Mi Seong PARK,Won Geun CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240292617A1. Автор: In Su Park,Jung Shik JANG,Won Geun CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8106445B2. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-01-31.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12082410B2. Автор: Hyung Joon Kim,Hyun Jung Lee,Yong-Hoon Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240260253A1. Автор: Takafumi Masuda,Keiji Ikeda,Mutsumi Okajima,Nobuyoshi Saito. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8836010B2. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-16.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12100651B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US12101944B2. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Desmond Jia Jun Loy. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120168851A1. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240312911A1. Автор: Takafumi Masuda,Keiji Ikeda,Mutsumi Okajima,Nobuyoshi Saito. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20240341097A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09978770B2. Автор: Shigeki Kobayashi,Atsushi Konno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09876029B2. Автор: Hideaki Aochi,Jun Fujiki,Takeshi Kamigaichi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Three-dimensional semiconductor memory devices including a vertical channel

Номер патента: US09865685B2. Автор: Youngwoo Park,Jaesung SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09748337B2. Автор: Shigeki Kobayashi,Mitsuru Sato,Tomohiro Yamada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09748312B2. Автор: Hikari TAJIMA,Takashi Izumida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor memory device and method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US12150305B2. Автор: Hyo Sub YEOM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-19.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09627400B2. Автор: Kenji Koshiishi,Junji Kataoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Three-dimensional semiconductor memory devices including a vertical channel

Номер патента: US09559115B2. Автор: Youngwoo Park,Jaesung SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20160276362A1. Автор: Kotaro Noda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-22.

Semiconductor memory device having composite dielectric film structure and methods of forming the same

Номер патента: US12014966B2. Автор: Ming Chyi Liu,Sheng-Chieh Chen,Wei-Ming Wang,Chih-Ren Hsieh,Ming-Lun Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor memory device and method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20240098998A1. Автор: Ryota Fujitsuka,Tomonari SHIODA,Takanori Yamanaka,Saori MATSUSHITA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240023332A1. Автор: Jung Shik JANG,Mi Seong PARK,Won Geun CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12048150B2. Автор: Hyun Cheol Kim,Yong Seok Kim,Kyung Hwan Lee,Jae Ho Hong,Il Gweon Kim,Sung Won YOO,Hyeoung Won SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11769808B2. Автор: Tetsuaki Utsumi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor memory device having stack of polycrystalline semiconductor layers with diverse average crystal grain sizes

Номер патента: US12052872B2. Автор: Takayuki Kashima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12052854B2. Автор: Mutsumi Okajima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150263014A1. Автор: Shoichi Watanabe,Satoshi Nagashima,Kazunari TOYONAGA,Karin TAKAYAMA,Shotaro Murata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20020033495A1. Автор: Jeong-Seok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-03-21.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20020089037A1. Автор: Jeong-Seok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-07-11.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070176228A1. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-02.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050164427A1. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-07-28.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7297594B2. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-11-20.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US10411137B2. Автор: Tomomitsu Risaki. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2019-09-10.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US12080791B2. Автор: Ki Seok Lee,Min Hee Cho,Min Su Lee,Sang Hoon Uhm,Min Tae RYU,Won Sok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor memory device having composite dielectric film structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240290672A1. Автор: Ming Chyi Liu,Sheng-Chieh Chen,Wei-Ming Wang,Chih-Ren Hsieh,Ming-Lun Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150221660A1. Автор: Tomomitsu Risaki. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2015-08-06.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: EP1480273A3. Автор: Jung-hyun Lee,Young-soo Park,Won-Tae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-02-08.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12062704B2. Автор: Tetsuaki Utsumi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150069491A1. Автор: Takamasa Usui,Yoshiaki Himeno,Jun Iijima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12063779B2. Автор: Ryota Katsumata,Yoshihiro AKUTSU. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Nonvolatile semiconductor memory device, semiconductor device and manufactoring method of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100171169A1. Автор: Isao Kamioka,Yoshio Ozawa,Daisuke Matsushita,Yuuichiro Mitani,Ryuji Ooba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-07-08.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20130292758A1. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-11-07.

Non-volatile semiconductor memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20020145155A1. Автор: Kenji Yamada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-10-10.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030080374A1. Автор: Hajime Arai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-01.

Delay locked loop circuit for a synchronous semiconductor memory device and a method of generating information about a load connected to a data pin of a synchronous semiconductor memory device

Номер патента: US20080219065A1. Автор: Jae-Jun Lee,Hoe-ju Chung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-11.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090179257A1. Автор: Masaru Kito,Yasuyuki Matsuoka,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-07-16.

Non-volatile semiconductor memory device, and manufacture method for non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100001338A1. Автор: Kenichiro Nakagawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-01-07.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240324174A1. Автор: Takafumi Masuda,Keiji Ikeda,Mutsumi Okajima,Nobuyoshi Saito. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor memory device, method for fabricating the same and electronic system including the same

Номер патента: US20240357824A1. Автор: Won Jun Park,Dong Hwa Lee,Jae Min Jung,Dong Sung CHOI,Byong Ju KIM,Chang Heon CHEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240371994A1. Автор: Ki Seok Lee,Min Hee Cho,Min Su Lee,Sang Hoon Uhm,Min Tae RYU,Won Sok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240357810A1. Автор: Hyun Cheol Kim,Yong Seok Kim,Kyung Hwan Lee,Jae Ho Hong,Il Gweon Kim,Sung Won YOO,Hyeoung Won SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor memory device having memory cells provided in a height direction

Номер патента: US09812398B2. Автор: Toshiyuki Takewaki,Ming Hu,Seiichi Omoto. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09768266B2. Автор: Toshiro Nakanishi,Hanmei Choi,Kihyun Hwang,Sunghoi Hur,Juyul Lee,Kwang Soo SEOL,Chanjin Park,Wansik Hwang,Kwangmin Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09768185B2. Автор: Ryota Katsumata,Yoshihiro AKUTSU. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09754888B2. Автор: Toshiyuki Sasaki,Kazuhito FURUMOTO. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09620521B2. Автор: Kazuhiro Nojima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09589974B2. Автор: Takamasa Usui,Yoshiaki Himeno,Jun Iijima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09564499B2. Автор: Toshiro Nakanishi,Ki-Hyun Hwang,Kwang-Soo Seol,Hanmei Choi,Sunghoi Hur,Chanjin Park,Wansik Hwang,Kwangmin Park,Ju-Yul Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09536970B2. Автор: Toshiro Nakanishi,Hanmei Choi,Kihyun Hwang,Sunghoi Hur,Juyul Lee,Kwang Soo SEOL,Chanjin Park,Wansik Hwang,Kwangmin Park,Dongchul Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Nonvolatile semiconductor memory device comprising memory gate and peripheral gate having different thicknesses

Номер патента: US09530782B2. Автор: Shoichi Watanabe,Satoshi Nagashima,Kazunari TOYONAGA,Karin TAKAYAMA,Shotaro Murata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09455269B1. Автор: Kotaro Noda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor memory devices and manufacturing methods thereof

Номер патента: US09443734B2. Автор: Jung-Hwan Park,Kyu-Hyun Lee,Ki-Seok Lee,Hyo-Jin Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor memory device

Номер патента: US8315094B2. Автор: Kazushige Kanda,Katsuaki Isobe,Toshiki Hisada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-11-20.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230320102A1. Автор: Zhiqiang Wu,Han-Jong Chia,Chun-Fu CHENG,Meng-Han LIN,Chung-Wei Wu,Yu-Chien Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor memory device and method for fabricating thereof

Номер патента: US20210335798A1. Автор: Satoru Yamada,Hyun Cheol Kim,Yong Seok Kim,Kyung Hwan Lee,Jae Ho Hong,Sung Won YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-28.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: EP4369882A1. Автор: Jiwon Kim,Jiyoung Kim,Dohyung Kim,Sukkang SUNG,Woosung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-15.

Semiconductor memory device and method for fabricating thereof

Номер патента: US11711918B2. Автор: Satoru Yamada,Hyun Cheol Kim,Yong Seok Kim,Kyung Hwan Lee,Jae Ho Hong,Sung Won YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-25.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080296647A1. Автор: Tomohiko Tatsumi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-04.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210111181A1. Автор: Sang Bum Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-15.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11444092B2. Автор: Sang Bum Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-09-13.

TEST MODE CONTROL CIRCUIT IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND TEST MODE ENTERING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002494A1. Автор: Jo Jun-Ho,PARK Kyu-Min,KIM BYOUNGSUL,LEE Hakyong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002475A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002485A1. Автор: Ono Takashi,MARUYAMA Takafumi,NISHIKAWA Kazuyo,Suwa Hitoshi,Nitta Tadashi,Ueminami Masahiro. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002469A1. Автор: IMAMOTO Akihiro,Abiko Naofumi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

RESISTANCE-CHANGE SEMICONDUCTOR MEMORY

Номер патента: US20120002462A1. Автор: Inaba Tsuneo. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Memory With Improved Block Switching

Номер патента: US20120002476A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

RESISTANCE CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002458A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Circuit and method for eliminating bit line leakage current in random access memory devices

Номер патента: US20120002496A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002472A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

STRESS-ENGINEERED RESISTANCE-CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120001148A1. Автор: . Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002478A1. Автор: Isobe Katsuaki,Kojima Masatsugu. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND CONTROL METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120002457A1. Автор: KANDA Kazushige. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CHARGE EQUILIBRIUM ACCELERATION IN A FLOATING GATE MEMORY DEVICE VIA A REVERSE FIELD PULSE

Номер патента: US20120002482A1. Автор: Kalavade Pranav,Franklin Nathan R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

TEST SIGNAL GENERATING DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY APPARATUS USING THE SAME AND MULTI-BIT TEST METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002491A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Go/no go margin test circuit for semiconductor memory

Номер патента: CA1198774A. Автор: Robert J. Proebsting. Владелец: Mostek Corp. Дата публикации: 1985-12-31.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002470A1. Автор: Honma Mitsuaki,Futatsuyama Takuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE & METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001249A1. Автор: Alsmeier Johann,Samachisa George. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001252A1. Автор: Alsmeier Johann,Purayath Vinod Robert,Chien Henry,Matamis George,Lee Yao-Sheng,Kai James,Zhang Yuan. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.