Ferroelectric memory device with select gate transistor and method of forming the same
Номер патента: US20200411533A1
Опубликовано: 31-12-2020
Автор(ы): Johann Alsmeier, Yanli Zhang
Принадлежит: SanDisk Technologies LLC
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 31-12-2020
Автор(ы): Johann Alsmeier, Yanli Zhang
Принадлежит: SanDisk Technologies LLC
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Systems and devices including multi-transistor cells and methods of using, making, and operating the same
Номер патента: US09449652B2. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-20.