Nanowire structure with selected stack removed for reduced gate resistance and method of fabricating same
Номер патента: US09461149B2
Опубликовано: 04-10-2016
Автор(ы): Hongmei Li, Junjun Li, Kai Zhao, Xiaoping Liang
Принадлежит: Globalfoundries Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 04-10-2016
Автор(ы): Hongmei Li, Junjun Li, Kai Zhao, Xiaoping Liang
Принадлежит: Globalfoundries Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Gate-all-around (gaa) transistors with additional bottom channel for reduced parasitic capacitance and methods of fabrication
Номер патента: US20210384310A1. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Jun Yuan,Peijie Feng. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-12-09.