LOW BAND GAP SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING REDUCED GATE INDUCED DRAIN LEAKAGE (GIDL) AND THEIR METHODS OF FABRICATION.

LOW BAND GAP SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING REDUCED GATE INDUCED DRAIN LEAKAGE (GIDL) AND THEIR METHODS OF FABRICATION

Номер патента: US20190058053A1
Опубликовано: 21-02-2019
Автор(ы): Chu-Kung Benjamin, Dewey Gilbert, Kavalieros Jack T., Kim Seiyon, Le Van H., Metz Matthew V., Rachmady Willy
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor device having passing gate and method for fabricating the same

Номер патента: US09972627B2. Автор: Tae Su Jang,Jeong Seob KYE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US09741850B1. Автор: Kuan-Liang Liu,Chih-Chung Wang,Kai-Kuen Chang,Shih-Yin Hsiao,Wen-Fang Lee,Ching-Chung Yang,Ping-Hung Chiang,Nien-Chung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Non-planar semiconductor device having channel region with low band-gap cladding layer

Номер патента: US8785909B2. Автор: Gilbert Dewey,Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Sanaz K. Gardner,Benjamin Chu-Kung,Niloy Mukherjee,Dipanjan Basu,Satyarth Suri. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2014-07-22.

Semiconductor device having reduced leakage current at breakdown and method of fabricating thereof

Номер патента: US20140264599A1. Автор: Chien-Chung Chen,Yin-Fu Huang,Shyi-Yuan Wu,Ming-Tung Lee,Shin-Chin Lien. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-18.

Sidewall dopant shielding methods and approaches for trenched semiconductor device structures

Номер патента: US12094926B2. Автор: Sei-Hyung Ryu,Naeem ISLAM,Woongsun Kim,Daniel J. Lichtenwalner. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor on insulator on wide band-gap semiconductor

Номер патента: US12009421B2. Автор: Christopher Boguslaw Kocon. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor nanowire device having cavity spacer and method of fabricating cavity spacer for semiconductor nanowire device

Номер патента: US20200013905A1. Автор: Szuya S. LIAO,Rishabh Mehandru,Stephen M. Cea. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-01-09.

Gate trench power semiconductor devices having improved deep shield connection patterns

Номер патента: US11769828B2. Автор: Thomas E. Harrington, III,Sei-Hyung Ryu. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Wide Band Gap Semiconductor Device and a Method for Forming a Wide Band Gap Semiconductor Device

Номер патента: US20190198621A1. Автор: Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze,Josef Lutz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-06-27.

Wide band gap semiconductor device and a method for forming a wide band gap semiconductor device

Номер патента: US10700168B2. Автор: Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze,Josef Lutz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-06-30.

Semiconductor device having nanosheet transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20240250161A1. Автор: Chun-Sheng Liang,Ta-Chun Lin,Ming-Heng Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Selectively regrown top contact for vertical semiconductor devices

Номер патента: EP3123520A1. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Ravi Pillarisetty,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Benjamin Chu-Kung,Niloy Mukherjee,Van H. Le. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-01.

Semiconductor devices having enhanced key patterns therein and methods of fabricating same

Номер патента: US20240313049A1. Автор: Byounghoon Kim,Myoungki JUNG,Hyunwoong KIM,Sungsik Park,Jonghwa Baek,Hyunju Song,KyungMin SUH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device having metal layer and method of fabricating same

Номер патента: US20160268403A1. Автор: Cheng-Chi Lin,Ching-Lin Chan,Yu-Chin CHIEN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-15.

Power semiconductor devices including angled gate trenches

Номер патента: US12080790B2. Автор: Sei-Hyung Ryu,Daniel Jenner Lichtenwalner,Naeem ISLAM,Woongsun Kim. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Devices and methods of improving device performance through gate cut last process

Номер патента: US09679985B1. Автор: Xusheng Wu,Haigou Huang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

High density fin field effect transistor having low leakage current and method of manufacturing the finfet

Номер патента: KR100823874B1. Автор: 이종호. Владелец: 경북대학교 산학협력단. Дата публикации: 2008-04-21.

Transistors and methods of forming transistors using vertical nanowires

Номер патента: US20180233583A1. Автор: Alexander Reznicek,Dominic J. Schepis. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-08-16.

Semiconductor device having reduced leakage current at breakdown and method of fabricating thereof

Номер патента: US8928095B2. Автор: Chien-Chung Chen,Yin-Fu Huang,Shyi-Yuan Wu,Shih-Chin Lien,Ming-Tung Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-06.

Wide band gap semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: EP4258364A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Jens Peter Konrath,Rudolf Elpelt,Konrad Schraml. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-10-11.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20120282745A1. Автор: Hideo Yamamoto,Kei Takehara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-11-08.

Semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: US20140021490A1. Автор: Hiroshi Watanabe,Kenichi Ohtsuka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20100273304A1. Автор: Hideo Yamamoto,Kei Takehara. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-10-28.

MOS-based power semiconductor device having increased current carrying area and method of fabricating same

Номер патента: US09997599B2. Автор: James A. Cooper. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device having buried region and method of fabricating same

Номер патента: US09761656B2. Автор: Ching-Lin Chan,Yu-Chin CHIEN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Power semiconductor devices having gate trenches and buried termination structures and related methods

Номер патента: WO2018106326A1. Автор: Brett Hull,Edward R. Van Brunt,David J. LICHTENWALNER. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2018-06-14.

Semiconductor on insulator on wide band-gap semiconductor

Номер патента: US20230178649A1. Автор: Christopher Boguslaw Kocon. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-06-08.

Power semiconductor devices having gate trenches and buried edge terminations and related methods

Номер патента: US11837629B2. Автор: Brett Hull,Edward R. Van Brunt,Daniel J. Lichtenwalner. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Asymmetric finfet in memory device, method of fabricating same and semiconductor device

Номер патента: US20200273863A1. Автор: Rongfu ZHU,Dingyou LIN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2020-08-27.

MOS-Based Power Semiconductor Device Having Increased Current Carrying Area and Method of Fabricating Same

Номер патента: US20240282821A1. Автор: James A. Cooper. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2024-08-22.

Method of fabricating semiconductor device and semiconductor device fabricated thereby

Номер патента: US09831251B2. Автор: Jun Tan,Jian Zhong,Qiuming Huang,Jianqin Gao. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09660046B2. Автор: Katsumi Suzuki,Shoji Mizuno,Yukihiko Watanabe,Sachiko Aoi. Владелец: Toyota Central R&D Labs Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Wide band gap semiconductor device

Номер патента: US20160181415A1. Автор: Takeyoshi Masuda. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-06-23.

Wide band gap semiconductor device

Номер патента: US9691891B2. Автор: Takeyoshi Masuda. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240266256A1. Автор: Sangmoon Lee,Jinbum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

High voltage semiconductor device including field shaping layer and method of fabricating the same

Номер патента: US20130196480A1. Автор: Chang-Ki Jeon,Min-Suk Kim,Yong-Cheol Choi. Владелец: Fairchild Korea Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-08-01.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: EP4432340A1. Автор: Taehyun Kim,Junggil YANG,Taewon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-18.

III-V nitride semiconductor device having reduced contact resistance

Номер патента: US09978642B2. Автор: Tatsuo Nakayama,Hironobu Miyamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09859376B2. Автор: Jae-Young Park,Sun-Young Lee,Dong-Hun Lee,Bon-young Koo,Jae-jong Han,Han-Ki Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device with a reduced band gap zone

Номер патента: US09859272B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Franz-Josef Niedernostheide,Stephan Voss,Roman Roth,Christian Philipp Sandow,Frank Dieter Pfirsch,Carsten Schaeffer,Holger Huesken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-02.

Methods of fabricating semiconductor devices

Номер патента: US09825142B2. Автор: Jooyoung Lee,Dongjin Jung,Hyeoungwon Seo,Ilgweon KIM,Daehyun Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Integrated electrostatic discharge (ESD) clamping for an LDMOS transistor device having a bipolar transistor

Номер патента: US09673188B2. Автор: Weize Chen,Patrice M. Parris. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Wide band gap semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: US20230317797A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Jens Peter Konrath,Rudolf Elpelt,Konrad Schraml. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230378344A1. Автор: Kengo OMORI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: EP4386844A2. Автор: Jeongho Lee,Junsun HWANG,Sewoong PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-19.

Methods of forming power semiconductor devices having merged split-well body regions therein and devices formed thereby

Номер патента: EP1027725A2. Автор: Jun Zeng,Carl Franklin Wheatley. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 2000-08-16.

Vertical semiconductor device in narrow slots within trench

Номер патента: US20230178599A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210126092A1. Автор: Motoyoshi KUBOUCHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Thin film cap to lower leakage in low band gap material devices

Номер патента: US20200083354A1. Автор: Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Seung Hoon Sung,Benjamin Chu-Kung,Glenn A. Glass,Anand S. Murthy,Van H. Le,Dipanjan Basu,Ashish Agrawal,Harold W. KENNEL. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

FinFET device with partial interface dipole formation for reduction of gate induced drain leakage

Номер патента: US11742425B2. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Gate Dielectric Of Semiconductor Device

Номер патента: US20140091400A1. Автор: Kuang-Yuan Hsu,Da-Yuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-04-03.

Finfet device with partial interface dipole formation for reduction of gate induced drain leakage

Номер патента: US20230352590A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device with reduced gate height budget

Номер патента: US20190027575A1. Автор: Hui Zang,Haigou Huang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-01-24.

Semiconductor device with extrinsic base region and method of fabrication therefor

Номер патента: US12107143B2. Автор: Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Bernhard Grote,Ljubo Radic. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device having ferroelectric material and method of fabricating the same

Номер патента: US20220123021A1. Автор: Jae Gil Lee,Se Ho LEE,Hyangkeun YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Device having EPI film in substrate trench

Номер патента: US09647118B2. Автор: Jeff J. Xu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Nanocrystal silicon layer structures formed using plasma deposition technique, methods of forming the same, nonvolatile memory devices having the nanocrystal silicon layer structures, and methods of fabricating the nonvolatile memory devices

Номер патента: US8110485B2. Автор: SUNG Wook Jung,Kyung Soo Jang,Jae Hyun Cho,Byoung Deog Choi,Jun Sin Yi. Владелец: Sungkyunkwan University Foundation For Corporate Collaboration. Дата публикации: 2012-02-07.

Field-Effect Semiconductor Device Having a Heterojunction Contact

Номер патента: US20180323189A1. Автор: Wolfgang Werner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-11-08.

Wide band gap semiconductor device

Номер патента: US20230352520A1. Автор: Thomas Aichinger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-11-02.

Manufacturing method of vertical GaN-based semiconductor device and vertical GaN-based semiconductor device

Номер патента: US10903352B2. Автор: Katsunori Ueno,Masaharu Edo,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-26.

Metal gate structures for field effect transistors and method of fabrication

Номер патента: WO2014149128A1. Автор: Naomi Yoshida,Adam Brand. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2014-09-25.

Hetero-Junction Semiconductor Device And Method of Manufacturing a Hetero-Junction Semiconductor Device

Номер патента: US20160343841A1. Автор: Takashi Okawa. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-11-24.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240313097A1. Автор: Taehyun Kim,Junggil YANG,Taewon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device having a buried gate that can realize a reduction in gate-induced drain leakage (gidl) and method for manufacturing the same

Номер патента: US20110275188A1. Автор: Min Soo Yoo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-11-10.

Gate induced drain leakage reduction in finfets

Номер патента: US20210217876A1. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Jingyun Zhang,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-07-15.

Gate induced drain leakage reduction in FinFETs

Номер патента: US11855180B2. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Jingyun Zhang,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-26.

Gate induced drain leakage reduction in finfets

Номер патента: US20240097006A1. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Jingyun Zhang,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US20050139933A1. Автор: Young-Hun Seo. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Method of fabricating multi-fingered semiconductor devices on a common substrate

Номер патента: US20110171801A1. Автор: Akif Sultan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-07-14.

Structure of semiconductor devices and the manufacturing method thereof

Номер патента: KR100223916B1. Автор: 이형주. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1999-10-15.

Fet device with reduced overlap capacitance and method of manufacture

Номер патента: CA1049157A. Автор: Ronald P. Esch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1979-02-20.

Dual threshold voltage (VT) channel devices and their methods of fabrication

Номер патента: US11967615B2. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Neville L. DIAS,Hsu-Yu Chang,Roman W. OLAC-VAW,Chen-Guan LEE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-23.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20070069303A1. Автор: Takeshi Watanabe,Motoyuki Sato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-29.

Methods of fabricating semiconductor device using high-K layer for spacer etch stop and related devices

Номер патента: US8481392B1. Автор: Byung-gook Park,Min-chul Sun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-07-09.

Method of fabricating self aligned schottky junctions for semiconductors devices

Номер патента: EP1958244A1. Автор: Markus Müller. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-08-20.

Method of fabricating gate dielectric layer and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20070093011A1. Автор: Tzyy-Ming Cheng,Tung-Hsing Lee,Li-Shian Jeng,Tzermin Shen,Da-Ching Cho. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-04-26.

Method of fabricating high voltage semiconductor device

Номер патента: US6180471B1. Автор: Gary Hong,Peter Chang,Joe Ko. Владелец: United Semiconductor Corp. Дата публикации: 2001-01-30.

Transistor having reduced gate-induced drain-leakage current

Номер патента: US20190341488A1. Автор: Kangguo Cheng,ChoongHyun Lee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-11-07.

Transistor architecture having extended recessed spacer and source/drain regions and method of making same

Номер патента: US09786783B2. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Jeng-Ya D. YEH,Joodong Park,Curtis Tsai. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Asymmetric high-k dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09922831B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Asymmetric high-k dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09859122B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Asymmetric high-K dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09837319B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Asymmetric high-K dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09768071B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Asymmetric high-k dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09721843B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Asymmetric high-k dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09685379B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Asymmetric high-k dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09559010B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Select gate gate-induced-drain-leakage enhancement

Номер патента: US11742380B2. Автор: Haitao Liu,Matthew J. King,Albert Fayrushin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Dual work function recessed access device and methods of forming

Номер патента: US09543433B2. Автор: Sanh D. Tang,Venkatesan Anathan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Wide-band gap semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230261119A1. Автор: Wei-Fan Chen,Kuo-Chi Tsai. Владелец: Leap Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Power semiconductor devices having gate trenches with implanted sidewalls and related methods

Номер патента: US09887287B1. Автор: Brett Hull,Edward R. Van Brunt,Alexander V. Suvorov,Daniel J. Lichtenwalner,Craig Capell. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device having a breakdown voltage holding region

Номер патента: US09698216B2. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor and its method of fabrication

Номер патента: US5498556A. Автор: Gary Hong,Chen-Chung Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1996-03-12.

Mis device having a trench gate electrode and method of making the same

Номер патента: EP1417717A2. Автор: Mohamed N. Darwish,Kyle Terrill,Kam Hong Lui,Kuo-In Chen,Frederick P. Giles. Владелец: Siliconix Inc. Дата публикации: 2004-05-12.

MOS transistor and method of manufacturing thereof

Номер патента: US5684317A. Автор: Hyun Sang Hwang. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 1997-11-04.

Semiconductor device having buried gate structure and method for fabricating the same

Номер патента: US11935939B2. Автор: Dong-Soo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor device having buried gate structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20200395461A1. Автор: Dong-Soo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-17.

Semiconductor device with low band-to-band tunneling

Номер патента: US09985099B2. Автор: Terence B. Hook,Nicolas Degors. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device with low band-to-band tunneling

Номер патента: US09673221B2. Автор: Terence B. Hook,Nicolas Degors. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device having LDD-type source/drain regions and fabrication method thereof

Номер патента: US20020163037A1. Автор: Do-Hyung Kim,Jin-Ho Kim,Byung-Jun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-11-07.

Semiconductor Devices Having Improved Adhesion and Methods of Fabricating the Same

Номер патента: US20110266557A1. Автор: Van Mieczkowski,Helmut Hagleitner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-03.

Confined epitaxial regions for semiconductor devices and methods of fabricating semiconductor devices having confined epitaxial regions

Номер патента: US09882027B2. Автор: Tahir Ghani,Szuya S. LIAO,Michael L. Hattendorf. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Hole pre-charge scheme using gate induced drain leakage generation

Номер патента: US20210408024A1. Автор: Yanli Zhang,Peng Zhang,Huai-Yuan Tseng,Sarath Puthenthermadam. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-12-30.

Semiconductor Device and Method of Fabricating Same

Номер патента: US20110260251A1. Автор: Harry Chuang,Mong-Song Liang,Kong-Beng Thei,Sheng-Chen Chung,Chung Long Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-10-27.

Methods of fabricating fully silicide gate and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20070077740A1. Автор: Han Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-05.

Semiconductor Device and Method of Fabricating Same

Номер патента: US20130316504A1. Автор: Mong-Song Liang,Harry-Hak-Lay Chuang,Kong-Beng Thei,Sheng-Chen Chung,Chung Long Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-11-28.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: EP4456125A2. Автор: Jongryeol YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-30.

Non-planar semiconductor device having self-aligned fin with top blocking layer

Номер патента: US09780217B2. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Jeng-Ya D. YEH,Joodong Park. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device having a reversed T-shaped profile in the metal gate line-end

Номер патента: US09780213B2. Автор: Chien-Chih Lin,Guan-Jie Shen,Chien-Hung Yeh,Chia-Der Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09685565B2. Автор: Masao Inoue,Hiroshi Umeda,Masaharu Mizutani,Masaru Kadoshima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Green transistor for nano-si ferro-electric ram and method of operating the same

Номер патента: US20110090731A1. Автор: Min-Hwa Chi,Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2011-04-21.

Semiconductor device having an air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US11791390B2. Автор: Dong-Soo Kim,Se-Han Kwon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Selective polysilicon doping for gate induced drain leakage improvement

Номер патента: US20190237485A1. Автор: Ruey-Hsin Liu,Ming-Ta Lei,Chen-Liang Chu,Chih-Wen Albert Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-01.

Semiconductor device having nanosheet transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20220320283A1. Автор: Shu-Wen Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Semiconductor device having nanosheet transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20240250124A1. Автор: Shu-Wen Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semidonductor device having stressed metal gate and methods of manufacturing same

Номер патента: US20120248536A1. Автор: Robert James Pascoe Lander. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-10-04.

Semiconductor device including a field effect transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20240339451A1. Автор: Minju Kim,Junggil YANG,Inhyun SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2024-10-10.

Gate trench power semiconductor devices having trench shielding patterns formed during the well implant and related methods

Номер патента: WO2023249847A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Naeem ISLAM,Woongsun Kim,Madankumar Sampath. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2023-12-28.

Gate trench power semiconductor devices having trench shielding patterns formed during the well implant and related methods

Номер патента: US20230411446A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Naeem ISLAM,Woongsun Kim,Madankumar Sampath. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Single poly plate low on resistance extended drain metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20140332886A1. Автор: Shyi-Yuan Wu,Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-13.

Single poly plate low on resistance extended drain metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20150140764A1. Автор: Shyi-Yuan Wu,Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-21.

Semiconductor device having first and second fin-type patterns and method of fabricating the same

Номер патента: US20200043922A1. Автор: Sung Min Kim,Jae Myoung Lee,Yeon Hwa Lim,Myoung Ho Kang,Gyeongseop Kim,Jeong Lim Kim,Heung Suk Oh,Joong Won Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-06.

Methods of Design and Use of High Mobility P-Type Metal Oxides

Номер патента: US20220115503A1. Автор: Suman Datta,Kyeongjae Cho,Darrell Galen Schlom,Yaoqiao Hu. Владелец: University of Notre Dame . Дата публикации: 2022-04-14.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20110079852A1. Автор: Robert James Pascoe Lander. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-04-07.

Semiconductor device having first and second fin-type patterns and method of fabricating the same

Номер патента: US20200235097A1. Автор: Sung Min Kim,Jae Myoung Lee,Yeon Hwa Lim,Myoung Ho Kang,Gyeongseop Kim,Jeong Lim Kim,Heung Suk Oh,Joong Won Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-23.

Power semiconductor devices having superjunction structures with implanted sidewalls and methods of fabricating such devices

Номер патента: US20160197201A1. Автор: LIN Cheng,Vipindas Pala,Edward Robert Van Brunt,Daniel J. Lichtenwalner. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-07-07.

Semiconductor device having nanosheet transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20230095479A1. Автор: Shu-Wen Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

Wide gap semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09960228B2. Автор: Shunichi Nakamura,Atsushi Ogasawara,Yusuke Maeyama,Ryohei Osawa,Akihiko SHIBUKAWA. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

GE and III-V channel semiconductor devices having maximized compliance and free surface relaxation

Номер патента: US09905651B2. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Sansaptak DASGUPTA,Marko Radosavljevic,Benjamin Chu-Kung,Niloy Mukherjee,Van H. Le,Niti Goel,Willy Rachmady,Matthew V. Metz,Stephen M. Cea,Harold W. KENNEL. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Method of forming pn junction including transition metal dichalcogenide, method of fabricating semiconductor device using the same, and semiconductor device fabricated by the same

Номер патента: US20230245887A1. Автор: Jin-Hong Park,Jin-Hyuk Kim,Sang-Yong Park,Sejin KYUNG. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-08-03.

Confined epitaxial regions for semiconductor devices

Номер патента: US12094955B2. Автор: Tahir Ghani,Szuya S. LIAO,Michael L. Hattendorf. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device with reduced gate-overlap capacitance and method of forming the same

Номер патента: US7791133B2. Автор: Hiroyuki Fujimoto. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2010-09-07.

Semiconductor device having buried gate structure and method of fabricating the same

Номер патента: US09905659B2. Автор: Satoru Yamada,Dongjin Lee,Jiyoung Kim,Moonyoung JEONG,Dongsoo Woo,Junsoo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Method of forming epitaxial buffer layer for finFET source and drain junction leakage reduction and semiconductor device having reduced junction leakage

Номер патента: US09793272B2. Автор: Dechao Guo,Shogo Mochizuki,Andreas Scholze,Chun-Chen Yeh. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Wide band gap semiconductor device

Номер патента: US09761705B2. Автор: Naoki Kumagai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

FinFET devices having different source/drain proximities for input/output devices and non-input/output devices and the method of fabrication thereof

Номер патента: US09711533B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Ching-Wei Tsai,Ying-Keung Leung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device having group III-V material active region and graded gate dielectric

Номер патента: US09640646B2. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Matthew V. Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Reliability in mergeable semiconductor devices

Номер патента: US09640635B2. Автор: Zhihong Zhang,Hongning Yang,Jiang-Kai Zuo,Daniel J. Blomberg. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Power Semiconductor Devices Having Selectively Doped JFET Regions and Related Methods of Forming Such Devices

Номер патента: US20110101375A1. Автор: Qingchun Zhang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-05-05.

Wide-band gap semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11955567B2. Автор: Wei-Fan Chen,Kuo-Chi Tsai. Владелец: Leap Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230292495A1. Автор: Dong Soo Kim,Tae Kyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device with low band-to-band tunneling

Номер патента: US20170133494A1. Автор: Terence B. Hook,Nicolas Degors. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-11.

Three-dimensional memory device having a heterostructure quantum well channel

Номер патента: EP3262687A1. Автор: Peter Rabkin,Johann Alsmeier,Masaaki Higashitani,Jayavel Pachamuthu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-03.

Semiconductor device having a breakdown voltage holding region

Номер патента: US20160329397A1. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-11-10.

Semiconductor device having a breakdown voltage holding region

Номер патента: US20160043167A1. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-02-11.

Semiconductor device with low band-to-band tunneling

Номер патента: US20170133464A1. Автор: Terence B. Hook,Nicolas Degors. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-11.

Semiconductor device with low band-to-band tunneling

Номер патента: US20160260740A1. Автор: Terence B. Hook,Nicolas Degors. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-08.

Method of manufacturing wide-band gap semiconductor device

Номер патента: US20240170583A1. Автор: Wei-Fan Chen,Kuo-Chi Tsai. Владелец: Leap Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Wide band gap semiconductor device with surface insulating film

Номер патента: US20240234529A1. Автор: Yuki Nakano,Ryota Nakamura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device having nanosheet transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20240250125A1. Автор: Kuan-Lun Cheng,Wei-Yang Lee,Wen-Hsing Hsieh,Chih-Ching Wang,Ming-Chang Wen,Jo-Tzu HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device having a multilayer source/drain region and methods of manufacture

Номер патента: US12132118B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Li-Li Su,Wei-Min Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

FinFET semiconductor device having integrated SiGe fin

Номер патента: US09985030B2. Автор: Hong He,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Chun-Chen Yeh,Chiahsun Tseng,Yunpeng Yin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device and a method for fabricating the same

Номер патента: US09779997B2. Автор: Chih-Yang Yeh,Yuan-Sheng Huang,Po-Hsueh Li,Chun-Chan HSIAO,Kuan-Lin Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Nonplanar device with thinned lower body portion and method of fabrication

Номер патента: US09741809B2. Автор: Justin K. Brask,Brian S. Doyle,Uday Shah,Robert S. Chau,Thomas A. Letson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09564368B2. Автор: Jae-Ho Park,Sanghoon Baek,Sang-Kyu Oh,Seolun Yang,Taejoong Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Systems and methods of masking during high-energy implantation when fabricating wide band gap semiconductor devices

Номер патента: US20200105879A1. Автор: Reza Ghandi,Christopher Bauer,Shaoxin Lu,William Gregg Hawkins. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2020-04-02.

Non-volatile memory devices having reduced susceptibility to leakage of stored charges and methods of forming same

Номер патента: US20140197471A1. Автор: Kwang Soo SEOL,Jaeduk LEE,Albert Fayrushin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-07-17.

Isolation Structures Of Semiconductor Devices

Номер патента: US20240250122A1. Автор: I-Sheng Chen,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20220149193A1. Автор: Lain-Jong Li,Chun-Chieh Lu,Chao-Ching Cheng,Tzu-Ang Chao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-12.

Semiconductor device having nanosheet transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20240274604A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device having gate spacers extending below a fin top surface

Номер патента: US12125891B2. Автор: Chih-Han Lin,Chang-Yin Chen,Wei-liang LU,Chia-Yang Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device including separation pattern penetrating gate structure and method of fabricating the same

Номер патента: US12132046B2. Автор: Mirco Cantoro,Dong Il Bae,Ho-jun Kim,Beomjin PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-29.

FinFET devices having fins with a tapered configuration and methods of fabricating the same

Номер патента: US09875905B2. Автор: Ruilong Xie,Min Gyu Sung,Catherine B. Labelle. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Method of fabricating a tunnel oxide layer and a tunnel oxide layer for a semiconductor device

Номер патента: US09875900B2. Автор: Eng Gek Hee,Ka Siong Wisley Ung. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2018-01-23.

High voltage junctionless field effect device and its method of fabrication

Номер патента: US09634151B1. Автор: Richard R. Chang,Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Method of fabricating a tunnel oxide layer and a tunnel oxide layer for a semiconductor device

Номер патента: US09627213B2. Автор: Eng Gek Hee,Ka Siong Wisley Ung. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2017-04-18.

Wide band gap semiconductor electronic device having a junction-barrier Schottky diode

Номер патента: US11949025B2. Автор: Simone Rascuna. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-04-02.

Wide band gap semiconductor electronic device having a junction-barrier schottky diode

Номер патента: US20220020884A1. Автор: Simone Rascuna. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2022-01-20.

Wide band gap semiconductor electronic device having a junction-barrier schottky diode

Номер патента: US20240186424A1. Автор: Simone Rascuna. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor Device Having a Field Termination Structure and a Charge Balance Structure, and Method of Producing the Semiconductor Device

Номер патента: US20240194778A1. Автор: Armin Willmeroth,Frank Hille,Michael Hell,Caspar Leendertz,Rudolf Elpelt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20220059697A1. Автор: Ching-Chung Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

Semiconductor device having improved gate leakage current

Номер патента: US12040394B2. Автор: Chao Wang,King Yuen Wong,Hang Liao,Chunhua ZHOU,Qiyue Zhao,Chang An LI. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20090197378A1. Автор: Satoru Shimada,Seiji Otake,Yasuhiro Takeda. Владелец: Sanyo Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-06.

Methods of fabricating semiconductor devices including fin-shaped active regions

Номер патента: US20170301581A1. Автор: Bo-Un Yoon,Jeong-Nam Han,Jae-Jik Baek,Ji-Hoon Cha,Myung-Geun Song,Young-Sang Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-19.

Transistor of semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20120313183A1. Автор: Ki Bong Nam. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-12-13.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200105765A1. Автор: Yoosang Hwang,Keunnam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor switching devices having ferroelectric layers therein and methods of fabricating same

Номер патента: US20210035989A1. Автор: MUSARRAT Hasan,Jongho Park,Byounghoon Lee,Wandon Kim,Seungkeun Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-04.

Barrier layer for contact structures of semiconductor devices

Номер патента: US20230260792A1. Автор: Tsung-Yu CHIANG,Chi-Ruei YEH,Hsin Hsiang TSENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Transistor, memory and method of forming same

Номер патента: US12069851B2. Автор: Chung-Yen Chou,Chih-Yuan Chen,Jen-Chieh Cheng,Chao-Wei Lin,Qinfu ZHANG,Chia-Yi Chu,Huixian Lai,Jen-Kuo WU. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: EP4246592A1. Автор: Jaejin Lee,Youngjun Kim,Eun-Ok Lee,Taekyung Yoon,Hunyoung Bark,Dongju Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-20.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20110266634A1. Автор: Hae-Jung Lee,Yong-Tae Cho,Eun-Mi Kim,Kyeong-Hyo Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-11-03.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020127785A1. Автор: Naoto Kusumoto,Hongyong Zhang. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-12.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12132106B2. Автор: Shin-Hung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device and method of fabricating thereof

Номер патента: US09997628B1. Автор: Hsin-Chi Chen,Ching-Hung Kao,Jheng-Hong Jiang,Fu-Cheng Chang,Hsin-Hsiang TSENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09972683B2. Автор: Dong-Kwon Kim,Ji-Hoon Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device having milti-height structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US09947759B1. Автор: Kun-Tsang Chuang,Yung-Lung Hsu,Chiang-Ming Chuang,Yu-Shih Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor devices with wider field gates for reduced gate resistance

Номер патента: US09941377B2. Автор: Xiangdong Chen,Haining Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Multi-gate device and method of fabrication thereof

Номер патента: US09899269B2. Автор: Chih-Hao Wang,Wai-Yi Lien,Carlos H Diaz,Kuo-Cheng Ching,Ching-Wei Tsai,Ying-Keung Leung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09887194B2. Автор: Se-Wan Park,Jung-Gun You,Sug-Hyun Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Device with reinforced metal gate spacer and method of fabricating

Номер патента: US09780193B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Methods of fabricating semiconductor devices including fin-shaped active regions

Номер патента: US09728535B2. Автор: Bo-Un Yoon,Jeong-Nam Han,Jae-Jik Baek,Ji-Hoon Cha,Myung-Geun Song,Young-Sang Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09673303B2. Автор: Donghyun Kim,Myeongcheol Kim,Cheol Kim,Daeyong Kim,Chulsung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: US09653600B2. Автор: Yang Zhou,Gangning Wang,Guangli Yang,Guohao Cao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09634144B2. Автор: Gab-jin Nam,Tae-Hyun AN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20070221953A1. Автор: Kozo Sakamoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2007-09-27.

Semiconductor devices having on-chip gate resistors

Номер патента: US20230420451A1. Автор: Jianwen Shao,Rahul R. Potera,Shadi Sabri,Roberto M. Schupbach,Prasanna Obala Bhuvanesh. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Low on-resistance wide band gap semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US8564028B2. Автор: Noriyuki Iwamuro. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-22.

Semiconductor devices having on-chip gate resistors

Номер патента: WO2023249846A2. Автор: Jianwen Shao,Rahul R. Potera,Shadi Sabri,Roberto M. Schupbach,Prasanna Obala Bhuvanesh. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2023-12-28.

Wide band gap semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US20130285072A1. Автор: Noriyuki Iwamuro. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-31.

Semiconductor device and method of forming thereof

Номер патента: EP4394856A1. Автор: Kang-ill Seo,Jongjin Lee,MyungHoon JUNG,Jaejik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-03.

Methods of fabricating semiconductor devices with gate-all-around structure

Номер патента: US20200135571A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chun-Hsiung Lin,Pei-Hsun Wang,Chih-Chao CHOU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Integrated Circuit Device Having Defined Gate Spacing And Method Of Designing And Fabricating Thereof

Номер патента: US20140332893A1. Автор: Ming Zhu,Harry-Hak-Lay Chuang,Bao-Ru Young,Po-Nien Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-11-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060043418A1. Автор: Katsuyoshi Washio,Makoto Miura,Hiromi Shimamoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2006-03-02.

Methods of Fabricating Semiconductor Devices Including Support Patterns

Номер патента: US20180040483A1. Автор: Yong Sun Ko,Sang Jine Park,In Seak Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-08.

Passivation Layers For Semiconductor Devices

Номер патента: US20240243184A1. Автор: Ching-Hua Lee,Cheng-Yi Peng,Song-Bor Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20170092771A1. Автор: Chun-Yuan Wu,Chia-Fu Hsu,Zhibiao Zhou,Qinggang Xing,Xu Yang Shen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-30.

Semiconductor device, display device and method of fabricating the same

Номер патента: US20010020702A1. Автор: Kiichi Hirano,Naoya Sotani,Toshifumi Yamaji,Yoshihiro Morimoto,Kiyoshi Yoneda. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2001-09-13.

Semiconductor Device and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20090065864A1. Автор: Sang Yong Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-03-12.

Semiconductor device including embedded crystalline back-gate bias planes, related design structure and method of fabrication

Номер патента: US20160163879A1. Автор: Raghavasimhan Sreenivasan,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Thomas N. Adam. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-09.

Power semiconductor device having low-k dielectric gaps between adjacent metal contacts

Номер патента: US11777026B2. Автор: Robert Haase,Harsh Naik,Sylvain Leomant,Anita Brazzale. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-10-03.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170323886A1. Автор: Wei Cheng Wu,Harry Hak-Lay Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-09.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230157001A1. Автор: Chih-Wei Huang,Hsu-Cheng Fan,En-Jui Li,Chih-Yu YEN. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-05-18.

Methods for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20120244674A1. Автор: Dong Hyuk Kim,DongSuk Shin,Myungsun Kim,Hoi Sung Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-09-27.

Semiconductor devices and methods of fabrication

Номер патента: US20210366931A1. Автор: Zhenyu Lu,Jie Sun,Gordon Haller,Randy J. Koval,Hongbin Zhu,John Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor device having reduced gate charge and reduced on resistance and method

Номер патента: US20050136587A1. Автор: Prasad Venkatraman,Irene Wan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2005-06-23.

Semiconductor device having reduced gate charge and reduced on resistance and method

Номер патента: US20070117305A1. Автор: Prasad Venkatraman,Irene Wan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-24.

Semiconductor device with transistor cells and a drift structure and method of manufacturing

Номер патента: US10700182B2. Автор: Wolfgang Bergner,Ralf Siemieniec,Romain Esteve,Dethard Peters,Thomas Aichinger,Bernd Zippelius,Daniel Kueck. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-06-30.

Band gap engineered materials

Номер патента: CA3092233A1. Автор: Steven Michael Durbin,Robert A. Makin, Iii. Владелец: Western Michigan University. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor devices and methods of fabrication

Номер патента: US20200227427A1. Автор: Zhenyu Lu,Jie Sun,Gordon Haller,Randy J. Koval,Hongbin Zhu,John Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-16.

Fin-shaped semiconductor device, fabrication method, and application thereof

Номер патента: US12040356B2. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor Device Structures for Bipolar Junction Transistors and Methods of Fabricating Such Structures

Номер патента: US20080003757A1. Автор: Louis Lu-Chen Hsu,Kangguo Cheng,Jack Allan Mandelman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-01-03.

Methods of fabricating semiconductor devices and structures thereof

Номер патента: US09659778B2. Автор: Jin-Ping Han,Knut Stahrenberg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device and methods for fabricating and operating the device

Номер патента: US20240224816A1. Автор: Pavel ASEEV. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-07-04.

Method of fabricating self-aligned silicon carbide semiconductor devices

Номер патента: US7508000B2. Автор: Bart J. Van Zeghbroeck,John T. Torvik. Владелец: Microsemi Corp. Дата публикации: 2009-03-24.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US11887858B2. Автор: Shinji Nunotani,Shinji Onzuka. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20210066130A1. Автор: Shinji Nunotani,Shinji Onzuka. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Diverse band gap energy level semiconductor device

Номер патента: US7049678B2. Автор: Thomas H. Lee. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2006-05-23.

Diverse band gap energy level semiconductor device

Номер патента: US20030155569A1. Автор: Thomas Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-21.

Diverse band gap energy level semiconductor device

Номер патента: US20030164493A1. Автор: Thomas Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-09-04.

Semiconductor device, semiconductor module, and wireless communication apparatus

Номер патента: US20240234564A1. Автор: Kunihiko Tasai. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Ohmic contact structure for group III nitride semiconductor device having improved surface morphology and well-defined edge features

Номер патента: US09548206B2. Автор: Helmut Hagleitner,Jason Gurganus. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20140183749A1. Автор: SANGHOON Lee,Kyong-won An,Woosung Lee,Yongseok CHO,Hyunyong Go,Sunggil Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-07-03.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20070166907A1. Автор: Youichi Momiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US7531435B2. Автор: Youichi Momiyama. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-05-12.

Methods of fabricating a semiconductor device having a metal gate pattern

Номер патента: US20060270205A1. Автор: Chang-Won Lee,Sung-Man Kim,Sun-pil Youn,Ja-hum Ku,Seong-Jun Heo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-30.

Methods of fabricating semiconductor device having a metal gate pattern

Номер патента: US20090250752A1. Автор: Chang-Won Lee,Sung-Man Kim,Sun-pil Youn,Ja-hum Ku,Seong-Jun Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-10-08.

Methods of fabricating a semiconductor device having a metal gate pattern

Номер патента: US7306996B2. Автор: Chang-Won Lee,Sung-Man Kim,Sun-pil Youn,Ja-hum Ku,Seong-Jun Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-12-11.

Semiconductor device having high performance channel

Номер патента: WO2012118566A1. Автор: LIN Cheng,Sei-Hyung Ryu,Anant K. Agarwal,Sarit Dhar. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2012-09-07.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the same

Номер патента: KR101205143B1. Автор: 양희정. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2012-11-26.

Method of fabricating semiconductor device having metal conducting layer

Номер патента: US20030190800A1. Автор: Chang-Won Lee,Sung-Man Kim,Si-Young Choi,Sun-pil Youn,Ja-hum Ku,Seong-Jun Heo,Min-chul Sun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-10-09.

Semiconductor device including dummy gate part and method of fabricating the same

Номер патента: US8053845B2. Автор: Bo-Un Yoon,Chang-ki Hong,Hong-Soo Kim,Jin-Sook Choi,Sang-youn Jo,Byoung-Ho Kwon,Se-rah Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-11-08.

Semiconductor Structure And Method of Making The Same

Номер патента: US20240234202A1. Автор: Jian Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Reduction of gate-induced drain leakage in semiconductor devices

Номер патента: EP1023745A1. Автор: Karanam Balasubramanyam,Jeffrey P. Gambino,Martin Gall,Jack A. Mandelman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2000-08-02.

Method and related apparatus for reducing gate-induced drain leakage in semiconductor devices

Номер патента: US11251286B2. Автор: Alexander Kalnitsky,Kong-Beng Thei,Hsiao-Chin Tuan,Chien-Chih Chou,Yi-huan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-15.

Method of fabricating memory cell in semiconductor device

Номер патента: US20050189581A1. Автор: Tae Park. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-09-01.

Method of forming semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US8227356B2. Автор: Kouichi Muraoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-24.

Method of making a three-dimensional memory device having a heterostructure quantum well channel

Номер патента: US09941295B2. Автор: Peter Rabkin,Johann Alsmeier,Masaaki Higashitani,Jayavel Pachamuthu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-04-10.

Silicon germanium finfet with low gate induced drain leakage current

Номер патента: US20200127097A1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-23.

Method for forming a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US09704750B2. Автор: Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze,Francisco Javier Santos Rodriguez,Wolfgang Lehnert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: WO2004023533A2. Автор: Karsten Wieczorek,Scott Luning,Thorsten Kammler. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2004-03-18.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device fabricated thereby

Номер патента: US20080203440A1. Автор: Masakatsu Tsuchiaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-08-28.

Gallium nitride transistors with drain field plates and their methods of fabrication

Номер патента: WO2019066877A1. Автор: Stephan Leuschner,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-04-04.

Methods of making lateral junction field effect transistors using selective epitaxial growth

Номер патента: EP2277195A2. Автор: Igor Sankin,Joseph Neil Merrett. Владелец: Semisouth Laboratories Inc. Дата публикации: 2011-01-26.

Methods of making lateral junction field effect transistors using selective epitaxial growth

Номер патента: WO2009129049A2. Автор: Igor Sankin,Joseph Neil Merrett. Владелец: SEMISOUTH LABORATORIES, INC.. Дата публикации: 2009-10-22.

Semiconductor device having buried gate structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20200395455A1. Автор: Dong-Soo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-17.

Array substrate with double-gate TFT, method of fabricating the same, and display device

Номер патента: US9837480B2. Автор: Baoxia ZHANG,Cuili Gai,Danna SONG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Array substrate, method of fabricating the same, and display device

Номер патента: US20160307986A1. Автор: Baoxia ZHANG,Cuili Gai,Danna SONG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-20.

Semiconductor devices having a trench isolation layer and methods of fabricating the same

Номер патента: US8823131B2. Автор: Tai Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-09-02.

Methods of fabricating a fully silicided gate and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20070077756A1. Автор: Han Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-05.

Semiconductor devices having a trench isolation layer and methods of fabricating the same

Номер патента: US20140332921A1. Автор: Tai Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-11-13.

Semiconductor device having high-k gate insulation films and fabricating method thereof

Номер патента: US20150325670A1. Автор: Young-hun Kim,Ju-youn Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-11-12.

Method of fabricating semiconductor device including removing impurities from silicon nitride layer

Номер патента: US20060160358A1. Автор: Jae-Hwan Kim,Sang-Kyu Park,Kyong-Min Kim,Sang-Woon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-07-20.

Semiconductor device having groove and method of fabricating the same

Номер патента: US20030068875A1. Автор: Nak-Jin Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-04-10.

Semiconductor devices with backside power rail and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20240258397A1. Автор: Chih-Hao Wang,Huan-Chieh Su,Chun-Yuan Chen,Pei-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device

Номер патента: US12062651B2. Автор: Hung Hung,Toru Sugiyama,Hitoshi Kobayashi,Masaaki Iwai,Akira Yoshioka,Masaaki Onomura,Yasuhiro Isobe,Tetsuya Ohno,Naonori HOSOKAWA. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Devices and methods of forming epi for aggressive gate pitch

Номер патента: US09685384B1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Soon-Cheon Seo,Christopher Prindle,Shogo Mochizuki,Ruilong Xie,Pietro Montanini. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Method of fabrication of a semiconductor device including one or more nanostructures

Номер патента: US20200212179A1. Автор: Kangguo Cheng,Shay REBOH,Remi Coquand,Nicolas Loubet. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2020-07-02.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20140220752A1. Автор: Bo-Un Yoon,Jae-Young Park,Bon-young Koo,Jae-Jik Baek,Ji-Hoon Cha,Kang-Hun Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-08-07.

Semiconductor devices and methods of fabrication

Номер патента: US20180315766A1. Автор: Zhenyu Lu,Jie Sun,Gordon Haller,Randy J. Koval,Hongbin Zhu,John Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-11-01.

Semiconductor devices and methods of fabrication

Номер патента: US20180108669A1. Автор: Zhenyu Lu,Jie Sun,Gordon Haller,Randy J. Koval,Hongbin Zhu,John Hopkins. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-04-19.

Systems and methods for a semiconductor structure having multiple semiconductor-device layers

Номер патента: US12087777B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun-Hsiung Tsai,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device having buried gate structure and method of fabricating the same

Номер патента: US09893069B2. Автор: Min-Hee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

GaN semiconductor device structure and method of fabrication by substrate replacement

Номер патента: US09818692B2. Автор: John Roberts,Greg P. KLOWAK,Cameron MCKNIGHT-MACNEIL. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device, method of fabricating the same, and apparatus used in fabrication thereof

Номер патента: US09735016B2. Автор: Choong-rae Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: KR101186011B1. Автор: 양희정. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2012-09-25.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: KR20130055981A. Автор: 장태수. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2013-05-29.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20240071810A1. Автор: Hoon Han,Byung Keun Hwang,Young Hun Sung,Youn Joung CHO,Eun Hyea Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US11107723B1. Автор: Long Wang,Chin-Chun Huang,Hailong Gu,Wen Yi Tan,Penghui LU,Zijun Sun. Владелец: United Semiconductor Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-31.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20210257249A1. Автор: Long Wang,Chin-Chun Huang,Hailong Gu,Wen Yi Tan,Penghui LU,Zijun Sun. Владелец: United Semiconductor Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20230276718A1. Автор: Peter KROGSTRUP JEPPESEN,Amrita Singh,Elvedin MEMISEVIC. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-08-31.

Methods of fabricating semiconductor devices having gate-all-around structure with oxygen blocking layers

Номер патента: US20200328213A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-15.

Semiconductor Devices Having Reduced Noise

Номер патента: US20190140004A1. Автор: JHY-JYI SZE,Shou-Gwo Wuu,Feng-Chi Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-09.

Method for fabricating a semiconductor device including fin relaxation, and related structures

Номер патента: EP3140858A1. Автор: Pierre Morin,Frederic Allibert. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-03-15.

Semiconductor device having fin active regions and method of fabricating the same

Номер патента: US09991257B2. Автор: Hyunjung Lee,Sunjung Kim,Yong-Suk Tak,Miseon PARK,Jongryeol YOO,Bonyoung Koo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Methods of fabricating semiconductor devices including implanted regions for providing low-resistance contact to buried layers and related devices

Номер патента: US09984881B2. Автор: Scott T. Sheppard,Alexander V. Suvorov. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09911659B2. Автор: Chul Woong Lee,Youngmook Oh,Hanseung KWAK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09842841B2. Автор: Ji Hun Kim,Wonseok Yoo,Jeonghoon Oh,Eun-Sun Lee,Ilgweon KIM,Junhwa SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Methods of fabricating isolation regions of semiconductor devices and structures thereof

Номер патента: US09653543B2. Автор: Roland Hampp,Armin Tilke,Marcus Culmsee,Chris Stapelmann,Bee Kim Hong. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor Device with Biofet and Biometric Sensors

Номер патента: US20240331439A1. Автор: Ching-Hui Lin,Fu-Chun Huang,Shih-Fen Huang,Chen-Ren CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device having a resistor structure

Номер патента: US09640529B2. Автор: Hyun-Seung Song,Hwi-Chan JUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor devices having polysilicon gate patterns and methods of fabricating the same

Номер патента: US09553159B2. Автор: Young Jin Son,Yong Seok Eun,Kyong Bong Rouh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Wide Band Gap Semiconductor Wafers Grown and processed in a Microgravity Environment and Method of Production

Номер патента: US20140353682A1. Автор: William F. Seng,Richard L. Glover. Владелец: MASTERSON INDUSTRIES LLC. Дата публикации: 2014-12-04.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20170025519A1. Автор: Yikun Chen,Duan Quan Liao,Ching Hwa Tey. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-26.

Semiconductor device with a dislocation structure and method of forming the same

Номер патента: US20140103444A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Tsan-Chun Want. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-04-17.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20140124834A1. Автор: Atsushi Nakamura,Dong-jun Lee,Keita Kato,Jae-ho Kim,Yool Kang,Hyung-Rae Lee,Si-Young Lee,Suk-Koo Hong. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2014-05-08.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US8987118B2. Автор: Atsushi Nakamura,Dong-jun Lee,Keita Kato,Jae-ho Kim,Yool Kang,Hyung-Rae Lee,Si-Young Lee,Suk-Koo Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-03-24.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230223306A1. Автор: Wei-Lun Huang,Chia-Ling Wang,Ping-Hung Chiang,Ta-wei Chiu,Chia-Wen Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20010000914A1. Автор: Young Park,Jong Lee,Hyeok Lee. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2001-05-10.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20090035903A1. Автор: Chang-Woo Oh,Ki-whan Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-05.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20090130804A1. Автор: Chen-Pang Kung,Huai-Yuan Tseng,Ming-Hsien Lee,Horng-Chih Lin. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2009-05-21.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12100624B2. Автор: Wei-Lun Huang,Chia-Ling Wang,Ping-Hung Chiang,Ta-wei Chiu,Chia-Wen Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Dual metal capped via contact structures for semiconductor devices

Номер патента: US12100745B2. Автор: Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Dual metal capped via contact structures for semiconductor devices

Номер патента: US20240363708A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09972717B2. Автор: Dong-Suk Shin,Si-Hyung Lee,Jeong-Yun Lee,Yeong-Jong Jeong,Geo-Myung SHIN,Seo-Jin JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09929239B2. Автор: Mohammad Rakib Uddin,Myoung-Jae Lee,Ji-hyun Hur,Dong-Soo Lee,Sang-Moon Lee,Sung-Hun Lee,Seong-Ho Cho,David Seo,Moon-seung YANG,Eui-chul HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09870996B1. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device

Номер патента: US09853122B2. Автор: Masataka Yoshinari. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor devices including active patterns having different pitches and methods of fabricating the same

Номер патента: US09755049B2. Автор: Sung Min Kim,Sunhom Steve Paak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device having mirror-symmetric terminals and methods of forming the same

Номер патента: US09673135B2. Автор: Wei Zhang,John D. Weld,Douglas Dean Lopata. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor devices and methods of fabricating semiconductor devices

Номер патента: US09640443B2. Автор: Nae-in Lee,Jong-ho Lee,Woo-Hee Kim,Kug-Hwan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-02.

III-nitride semiconductor device with doped epi structures

Номер патента: US09608075B1. Автор: Srinivasan Kannan,Peter Kim,Scott Nelson,Mihir Tungare,Jianwei Wan,Seong-Eun Park. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20240222123A1. Автор: Jiho Park,Ji-Eun Lee,Young-Seung Cho,Kang In KIM,Si Nyeon KIM,Youngwoo SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor Devices, and Methods of Forming Semiconductor Devices

Номер патента: US20160211324A1. Автор: SHU QIN,Allen Mcteer,Yongjun Jeff Hu. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2016-07-21.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200144129A1. Автор: Young-hun Kim,Jaeseok Yang,Haewang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-07.

Method of forming contact hole and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20060134910A1. Автор: Pin-Yao Wang,Min-San Huang,Leon Lai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-22.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20160086813A1. Автор: Un-Gyu Paik,Sang-kyun Kim,Dong-jun Lee,Jong-woo Kim,Ye-Hwan Kim,Ji-hoon SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-03-24.

Semiconductor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20210183721A1. Автор: Stefan Rusu,Chih-Tsung Shih,Chewn-Pu Jou,Feng-Wei Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Method of fabricating semiconductor structure with heating element

Номер патента: US20240186204A1. Автор: Stefan Rusu,Chih-Tsung Shih,Chewn-Pu Jou,Feng-Wei Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20100025827A1. Автор: Hidenori Fujii. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2010-02-04.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20180130665A1. Автор: Hyun Park,NaeIn Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-10.

Method of Fabricating a Semiconductor Device

Номер патента: US20150031195A1. Автор: Jihoon Kim,Eun Tae Kim,Jin Ho Oh,Jongmyeong Lee,Heesook Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-01-29.

Method of semiconductor device fabrication

Номер патента: US10446396B2. Автор: Tsung-Yao Wen,Angus Hsiao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-10-15.

Methods of fabricating semiconductor devices

Номер патента: US8906805B2. Автор: Sang-Yong Park,Jin-Taek Park,Woon-kyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-12-09.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20040180502A1. Автор: Young-ok Kim,Cha-Dong Yeo,Sun-ha Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-09-16.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US7651933B2. Автор: Guee-Hwang SIM. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-01-26.

Assemblies used for embedding integrated circuit assemblies, and their uses and method of fabrication thereof

Номер патента: EP4315414A2. Автор: Jayna Sheats. Владелец: Terecircuits Corp. Дата публикации: 2024-02-07.

Assemblies used for embedding integrated circuit assemblies, and their uses and method of fabrication thereof

Номер патента: WO2022212492A3. Автор: Jayna Sheats. Владелец: Terecircuits Corporation. Дата публикации: 2022-11-10.

Memory devices with a connecting region having a band gap lower than a band gap of a body region

Номер патента: US09640260B2. Автор: Haitao Liu,JIAN Li,Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Method of fabricating semiconductor device having dual gate

Номер патента: US20150093888A1. Автор: Yu-Gyun Shin,Sang-Jin Hyun,Hoon-joo Na,Hag-Ju Cho,Sug-Hun Hong,Hong-bae Park,Hyung-seok HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-04-02.

Semiconductor device and method of fabricating metal gate of the same

Номер патента: US20090057783A1. Автор: Sung-Ho Park,Jin-seo Noh,Joong-S. Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-03-05.

Method of fabricating a metal gate semiconductor device

Номер патента: US20130260547A1. Автор: Ming Zhu,Bao-Ru Young,Hak-Lay Chuang,Sheng-Chen Chung,Jyun-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-10-03.

Group iii nitride substrates and their fabrication method

Номер патента: US20160163801A1. Автор: Tadao Hashimoto. Владелец: SixPoint Materials Inc. Дата публикации: 2016-06-09.

Group III nitride substrates and their fabrication method

Номер патента: US09754782B2. Автор: Tadao Hashimoto. Владелец: SixPoint Materials Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Group III nitride substrates and their fabrication method

Номер патента: US09673044B2. Автор: Tadao Hashimoto. Владелец: SixPoint Materials Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and method of manufacturing said device

Номер патента: US3676755A. Автор: Rene Glaise. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1972-07-11.

Methods of forming spacer patterns using assist layer for high density semiconductor devices

Номер патента: WO2008089153A3. Автор: Tuan Duc Pham,James Kai,Takashi Orimoto,Masaaki Higashitani,George Metamis. Владелец: George Metamis. Дата публикации: 2008-09-12.

Semiconductor Devices Having Gate Structures with Conductive Patterns of Different Widths and Methods of Fabricating Such Devices

Номер патента: US20100133604A1. Автор: Young-woo Park,Jung-Dal Choi,Ju-Hyung Kim,Sung-Il Chang,Chang-seok Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-06-03.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20080179648A1. Автор: Dae-Won Ha,Tae-Hyun AN,Min-Young SHIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-31.

Semiconductor device having superlattice semiconductor layer and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1505698B1. Автор: Won-seok Lee,Joon-seop Kwak,Kyoung-ho Ha,Ho-sun Paek,Sung-nam Lee,Tan B-502 Stbobo 2-cha Sakong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-09-09.

Transistor gates including cobalt silicide, semiconductor device structures including the transistor gates, precursor structures, and methods of fabrication

Номер патента: WO2008073776B1. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Yongjun Jeff Hu. Дата публикации: 2008-12-11.

Transistor gates including cobalt silicide, semiconductor device structures including the transistor gates, precursor structures, and methods of fabrication

Номер патента: WO2008073776A3. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Yongjun Jeff Hu. Дата публикации: 2008-09-12.

Semiconductor device having reduced noise and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240371954A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,I-Sheng Chen,Wan-Lin Tsai,Yi-Jing Li,Kai-Qiang Wen,Shih-Chun Fu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device package and method of fabricating the same

Номер патента: US20220148948A1. Автор: Younghwan Park,Sunkyu Hwang,Jongseob Kim,Jaejoon Oh,Soogine Chong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-12.

Semiconductor diode having a rectifying junction and method of manufacturing same

Номер патента: US20020005558A1. Автор: Wiebe B. De Boer,Godefridus A.M. Hurkx,Adam R. Brown,Michael S. Peter,Hendrik G.A. Huizing. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-17.

Semiconductor device having a rectifying junction and method of manufacturing same

Номер патента: WO1999053553A3. Автор: Godefridus A M Hurkx,Hendrik G A Huizing,Adam R Brown,Michael S Peter,Boer Wiebe B De. Владелец: Philips Svenska AB. Дата публикации: 2000-01-20.

Semiconductor device having a rectifying junction and method of manufacturing same

Номер патента: EP1008187A2. Автор: Hendrik G. A. Huizing,Godefridus A. M. Hurkx,Wiebe B. De Boer,Adam R. Brown,Michael S. Peter. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2000-06-14.

Methods of fabricating semiconductor structures or devices using layers of semiconductor material having selected or controlled lattice parameters

Номер патента: US09793360B2. Автор: Chantal Arena. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2017-10-17.

Method of fabricating a semiconductor device including ion implantation at a tilt angle in exposed regions

Номер патента: US20120015510A1. Автор: Min Yong Lee,Yong Soo Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-01-19.

Method of fabricating a semiconductor device including ion implantation at a tilt angle in exposed regions

Номер патента: US20110275204A1. Автор: Min Yong Lee,Yong Soo Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-11-10.

Method of fabricating a semiconductor device including ion implantation at a tilt angle in exposed regions

Номер патента: US7981782B2. Автор: Min Yong Lee,Yong Soo Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-07-19.

Methods for fabricating semiconductor devices that have polycrystalline CVD diamond

Номер патента: US10699896B2. Автор: Daniel Francis,Daniel James Twitchen,Firooz Nasser-Faili,Frank Yantis LOWE. Владелец: RFHIC Corp Korea. Дата публикации: 2020-06-30.

Semiconductor wafer, semiconductor device, and method of producing semiconductor wafer

Номер патента: US20140008698A1. Автор: Hiroyuki Ishii,Masao Shimada,Masahiko Hata,Tomoyuki Takada,Sadanori Yamanaka,Taro Itatani,Eiji Kume. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2014-01-09.

Flexible semiconductor devices based on flexible freestanding epitaxial elements

Номер патента: US20140319533A1. Автор: Scott M. Zimmerman,Karl W. Beeson,William R. Livesay,Richard L. Ross. Владелец: Goldeneye Inc. Дата публикации: 2014-10-30.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US11864370B2. Автор: Mi Na Kim,Kang Yoo SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Method of zinc alloying substrates or layers of indium phosphide

Номер патента: RU2686523C1. Автор: Евгений Александрович Емельянов,Михаил Альбертович Путято,Валерий Владимирович Преображенский,Михаил Олегович Петрушков,Борис Рэмович Семягин,Дмитрий Федорович Феклин,Андрей Васильевич Васев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН). Дата публикации: 2019-04-29.

Power Metallization Structure for Semiconductor Devices

Номер патента: US20200035610A1. Автор: Sven Schmidbauer,Michael Nelhiebel,Ravi Keshav Joshi,Rainer Pelzer,Axel Buerke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-01-30.

Semiconductor device with multi-layer interconnection

Номер патента: US6555887B1. Автор: Masayoshi Shirahata,Takeshi Kitani,Takeru Matsuoka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-04-29.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2688874C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2019-05-22.

Semiconductor device, method of producing the same, and electronic apparatus

Номер патента: US20230343803A1. Автор: Atsushi Fujiwara,Toshiaki Iwafuchi. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-10-26.

Organic light emitting device having three successive light emitting sub-layers with mixture matrix material for the second light emitting sub-layer and method of preparing same and display device thereof

Номер патента: US9166184B2. Автор: TIAN Xiao,Dongfang Yang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-20.

Buffer structure for semiconductor device and methods of fabrication

Номер патента: US20100163848A1. Автор: Prashant Majhi,Jack Kavalieros,Wilman Tsai. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-07-01.

Nonvolatile memory device and method of programming in the same

Номер патента: US11869599B2. Автор: Jungmin Park,Ilhan Park,Sanghyun Joo,Joon Suc Jang,Jisang LEE,Kyunghoon Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-09.

Nonvolatile memory device and method of programming in the same

Номер патента: KR20220046926A. Автор: 박정민,주상현,이지상,장준석,박일한,성경훈. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-04-15.

Reducing gate induced drain leakage in dram wordline

Номер патента: US20200176451A1. Автор: Gill Yong Lee,Jeffrey W. Anthis,Sang Ho Yu,Shih Chung CHEN,Sung-Kwan Kang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-06-04.

Multiple gate-induced drain leakage current generator

Номер патента: SG11201906878SA. Автор: Shuji Tanaka,Masanobu Saito,Shinji Sato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-27.

Vertical semiconductor devices

Номер патента: US10770477B2. Автор: Tae-hun Kim,Bong-Yong Lee,Min-Kyung Bae,Myung-Hun WOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-09-08.

Two-terminal electronic devices and their methods of fabrication

Номер патента: US09741901B2. Автор: Zhao Chen,Chan-Long Shieh,Gang Yu. Владелец: CBRITE Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Antifuse circuit of inverter type and method of programming the same

Номер патента: US20100127731A1. Автор: Jung-hyeon Kim,Hong-Sik Park,Tae-Hun Kang,Jae-Yong Seo,Gu-Gwan Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-05-27.

Low band gap polymer compound, synthesis of thereof, and organic photovoltaic cell containing the same

Номер патента: US09735365B2. Автор: Jin Young Kim,Hyo Sang Lee,Bong Soo Kim,Hong Gon Kim,Hae Jung Son,Doh-Kwon Lee,Min Jae KO. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2017-08-15.

Interconnection of semiconductor devices in extreme environment microelectronic integrated circuit chips

Номер патента: US09978686B1. Автор: Philip G. Neudeck,David J. Spry. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 2018-05-22.

High band gap layer to isolate wells in high voltage power integrated circuits

Номер патента: US20010045615A1. Автор: Janardhanan Ajit. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2001-11-29.

Apparatus for fabricating semiconductor device having upper and lower inlets for supplying supercritical fluids and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US12110593B2. Автор: Yong-jhin Cho,Young Tae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Three dimensional flash memory with hole generation structure during erase operation based on gidl and manufacturing method thereof

Номер патента: KR20220075693A. Автор: 송윤흡. Владелец: 한양대학교 산학협력단. Дата публикации: 2022-06-08.

Memory devices having reduced interference between floating gates and methods of fabricating such devices

Номер патента: EP2036122A2. Автор: Seiichi Aritome. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-03-18.

Method of fabricating hafnium oxide layer and semiconductor device having the same

Номер патента: US09831085B2. Автор: Deok Sin Kil,Jae Sung Roh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Method of making air bridges as interelectrode connections of integrated circuits

Номер патента: RU2685082C1. Автор: Михаил Александрович Тарасов,Артем Михайлович Чекушкин,Ренат Альбертович Юсупов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук. Дата публикации: 2019-04-16.

Method of fabricating semiconductor device having element isolation trench

Номер патента: US6559031B2. Автор: Kazunori Fujita. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-06.

Method of fabricating semiconductor device having capacitor

Номер патента: US20100270647A1. Автор: Chang-jin Kang,Sung-il Cho,Ji-Chul Shin,Seung-Young Son,Keong-Koo Chi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-10-28.

Memory device including multiple gate-induced drain leakage current generator circuits

Номер патента: US20180211710A1. Автор: Shuji Tanaka,Masanobu Saito,Shinji Sato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-07-26.

Multiple gate-induced drain leakage current generator

Номер патента: WO2018140084A1. Автор: Shuji Tanaka,Masanobu Saito,Shinji Sato. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC. Дата публикации: 2018-08-02.

Semiconductor device having optimized shallow junction geometries and method for fabrication thereof

Номер патента: US20050245021A1. Автор: Xin Zhang,Srinivasan Chakravarthi,P.R. Chidambaram,Brian Hornung,Lance Robertson. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2005-11-03.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240355757A1. Автор: Jeonghyun Kim,Sangjin Kim,Jaesuk PARK,Changmin Park,Yigwon Kim,Hyungju RYU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Memory device including multiple gate-induced drain leakage current generator circuits

Номер патента: US09916901B1. Автор: Shuji Tanaka,Masanobu Saito,Shinji Sato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor devices having dummy patterns and methods of fabricating the same

Номер патента: US09748257B2. Автор: Jaehan Lee,Won-Seok Jung,Kyungjoong JOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of fabricating semiconductor device having fine contact holes

Номер патента: US20080096391A1. Автор: Joo-Young Kim,Jae-Hwang Sim,Dong-Hwa Kwak,Sung-Hyun KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-24.

Semiconductor device having a ferroelectric capacitor and a fabrication process thereof

Номер патента: US20020177243A1. Автор: Yoshimasa Horii,Brian Eastep,Katsuyoshi Matsuura,Fan Chu,Mari Tani,Glen Fox. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-11-28.

Integrated method for low-cost wide band gap semiconductor device manufacturing

Номер патента: WO2022115683A3. Автор: Bishnu Prasanna Gogoi,Tirunelveli Subramaniam Ravi. Владелец: Crystal Technologies LLC. Дата публикации: 2022-07-14.

Semiconductor device having improved bias dependability and method of fabricating same

Номер патента: US20020053707A1. Автор: Koichi Yoshikawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-09.

Methods of fabricating a semiconductor device having low contact resistance

Номер патента: US20120208335A1. Автор: Ho Jin Cho,Yong Soo Joung,Kyong Bong Rouh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-08-16.

Integrated method for low-cost wide band gap semiconductor device manufacturing

Номер патента: US12125697B2. Автор: Bishnu Gogoi,Tirunelveli Subramaniam Ravi. Владелец: Thinsic Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Method of manufacturing a semiconductor device having reduced on-state resistance and structure

Номер патента: US09893058B2. Автор: Michael J. Seddon,Francis J. Carney. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-02-13.

Methods of fabricating semiconductor devices having conductive pad structures with multi-barrier films

Номер патента: US20220238467A1. Автор: Po-Han Wang,Ing-Ju Lee,Cheng-Ming Wu,Chao-Lung Chen,Po-Hsun Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-28.

Semiconductor device having an internal-field-guarded active region

Номер патента: WO2017042368A1. Автор: Axel Hoffmann,Gerald PAHN,Gordon CALLSEN. Владелец: TECHNISCHE UNIVERSITAT BERLIN. Дата публикации: 2017-03-16.

Method of fabricating semiconductor device having dummy micro bumps between stacking dies

Номер патента: US12020952B2. Автор: Tsung-Fu Tsai,Shih-Ting Lin,Szu-Wei Lu,Chen-Hsuan Tsai,Chung-Chieh TING. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor device having internal wire and method of fabricating the same

Номер патента: US5550409A. Автор: Takehisa Yamaguchi,Hidekazu Oda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1996-08-27.

I-shaped and L-shaped contact structures and their fabrication methods

Номер патента: US20070032012A1. Автор: Ming Lee,Ruichen Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-08.

Semiconductor device having an internal-field-guarded active region

Номер патента: EP3347922A1. Автор: Axel Hoffmann,Gerald PAHN,Gordon CALLSEN. Владелец: TECHNISCHE UNIVERSITAET BERLIN. Дата публикации: 2018-07-18.

Semiconductor device having an internal-field-guarded active region

Номер патента: US20180261718A1. Автор: Axel Hoffmann,Gerald PAHN,Gordon CALLSEN. Владелец: TECHNISCHE UNIVERSITAET BERLIN. Дата публикации: 2018-09-13.

Semiconductor device having a structure to improve contact processing margin, and method of fabricating the same

Номер патента: US20070037354A1. Автор: Dae Kim,Jeong Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-15.

Method of fabricating semiconductor device having dummy micro bumps between stacking dies

Номер патента: US20240304466A1. Автор: Tsung-Fu Tsai,Shih-Ting Lin,Szu-Wei Lu,Chen-Hsuan Tsai,Chung-Chieh TING. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Methods of fabricating a semiconductor device having a via structure and an interconnection structure

Номер патента: US09905458B2. Автор: Seongho Park,Yongkong SIEW. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device having an airbridge and method of fabricating the same

Номер патента: US09859205B2. Автор: Timothy J. Whetten,Wayne P. Richling. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Method of fabricating semiconductor device having voids between top metal layers of metal interconnects

Номер патента: US09659886B2. Автор: Ying-Cheng Chuang,Chung-Hsin Lin,Ping-Heng Wu,Chao-Wen Lay,Hung-Mo Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Method of fabricating semiconductor device and method of separating substrate

Номер патента: US20230040281A1. Автор: Wonkeun Kim,Myoungchul Eum,Cheonil Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-09.

Semiconductor device having magnetic tunnel junction structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20180226575A1. Автор: Juhyun Kim,Kiwoong Kim,Sechung Oh,Woochang Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-08-09.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060170005A1. Автор: Won Lee,Kyung Hwang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-08-03.

Apparatus for and method of packaging semiconductor devices

Номер патента: US20030124772A1. Автор: Lance Wright. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2003-07-03.

Semiconductor device having a photon absorption layer to prevent plasma damage

Номер патента: US7026662B2. Автор: Seung-Chul Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-11.

Apparatus for and method of packaging semiconductor devices

Номер патента: US20040165975A1. Автор: Lance Wright. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-26.

Semiconductor device having fuse circuit on cell region and method of fabricating the same

Номер патента: US6825511B2. Автор: Young-hee Song,Min-Sang Park,Ill-Heung Choi,Min-Young Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-11-30.

Semiconductor device having magnetic tunnel junction structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20170084821A1. Автор: Juhyun Kim,Kiwoong Kim,Sechung Oh,Woochang Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-23.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20010003050A1. Автор: Sachiko Onozawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2001-06-07.

Semiconductor device having multiple gate pads

Номер патента: EP3443585A1. Автор: Kyle Terrill,Chanho Park,Ayman SHIBIB. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2019-02-20.

Semiconductor device having multiple gate pads

Номер патента: US20170294432A1. Автор: Kyle Terrill,Chanho Park,Ayman SHIBIB. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2017-10-12.

Semiconductor device having multiple gate pads

Номер патента: WO2017180614A1. Автор: Kyle Terrill,Chanho Park,Ayman SHIBIB. Владелец: VISHAY-SILICONIX. Дата публикации: 2017-10-19.

Semiconductor device having polysilicon bit line contact

Номер патента: US7884441B2. Автор: Nam Yoon Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2011-02-08.

Semiconductor device having fuse circuit on cell region and method of fabricating the same

Номер патента: US20080160682A1. Автор: Young-hee Song,Min-Sang Park,Ill-Heung Choi,Min-Young Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-03.

Method of fabricating a semiconductor device having a pre metal dielectric liner

Номер патента: US20070155111A1. Автор: Sung Kyung Jung. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-05.

Molded packaging for wide band gap semiconductor devices

Номер патента: US12087677B2. Автор: Jerome Teysseyre,Romel N Manatad,Bigildis Dosdos,Erwin Ian Vamenta ALMAGRO,Maria Clemens Ypil QUINONES. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device having magnetic tunnel junction structure and method of fabricating the same

Номер патента: US09997699B2. Автор: Juhyun Kim,Kiwoong Kim,Sechung Oh,Woochang Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Method of forming semiconductor device having dielectric layer and related system

Номер патента: US09953827B2. Автор: NaeIn Lee,Hyeoksang Oh,Woochoel NOH,Wonkyu HAN,Gyeongyun HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Metal-insulator-metal diodes and methods of fabrication

Номер патента: US09887271B2. Автор: Aya SEIKE. Владелец: EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC. Дата публикации: 2018-02-06.

Multiple metal layer semiconductor device and low temperature stacking method of fabricating the same

Номер патента: US09887155B2. Автор: Xiaomeng Chen,Ping-Yin Liu,Xin-Hua Huang,Lan-Lin Chao,Chia-Shiung Tsai,Kai-Wen Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Methods of forming semiconductor devices using semi-bidirectional patterning and islands

Номер патента: US09865473B1. Автор: Atsushi Ogino. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Devices and methods of forming SADP on SRAM and SAQP on logic

Номер патента: US09761452B1. Автор: Jinping Liu,Daniel Jaeger,Jiehui SHU,Garo Jacques DERDERIAN,Haifeng Sheng. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Stacked semiconductor apparatus, system and method of fabrication

Номер патента: US09754921B2. Автор: Yun-sang Lee,Young-don Choi,Kang-Wook Lee,Ki-tae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Methods of forming semiconductor devices using semi-bidirectional patterning

Номер патента: US09748251B1. Автор: Atsushi Ogino. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device having stacked semiconductor chips interconnected via TSV and method of fabricating the same

Номер патента: US09721926B2. Автор: Sang-uk Han,Tae-Hong Min,Young-Kun Jee,Tae-Joo Hwang,Yeong-Hwan CHOE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-01.

Multilayered lighting glazing with capacitive sensor device and light-emitting diode and their manufacturing

Номер патента: RU2734937C2. Автор: Паскаль Бойерле,Штефан Дросте,Патрик Вебер. Владелец: СЭН-ГОБЭН ГЛАСС ФРАНС. Дата публикации: 2020-10-26.

Method of fabricating micro-devices

Номер патента: CA2789682C. Автор: Chris C. Yu. Владелец: Anpac Bio Medical Science Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-24.

Method of fabricating micro-devices

Номер патента: CA3068756A1. Автор: Chris C. Yu. Владелец: Anpac Bio Medical Science Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-25.

Method of fabricating micro-devices

Номер патента: EP2537176A1. Автор: Chris C. Yu. Владелец: Anpac Bio Medical Science Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-26.

Semiconductor device and method of producing the same

Номер патента: EP2345061A1. Автор: Shinya Yamazaki. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2011-07-20.

Chuck assembly, semiconductor device fabricating apparatus including the same, and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20220223452A1. Автор: Taemin EARMME,Seungchul Han,Youngjae Son,Guesuk Lee,Hyeongyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-14.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20040075109A1. Автор: Daisuke Inomata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-22.

Substrate output for a semiconductor device and a method of fabricating the same

Номер патента: US5121194A. Автор: Hiroki Hozumi,Kichio Aida. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1992-06-09.

Semiconductor device and method of producing the same

Номер патента: WO2010052561A1. Автор: Shinya Yamazaki. Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2010-05-14.

Method of fabricating semiconductor device having trench interconnection

Номер патента: US6472318B2. Автор: Kazuyoshi Ueno. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-10-29.

Semiconductor device having multiple gate pads

Номер патента: US20190237458A1. Автор: Kyle Terrill,Chanho Park,Ayman SHIBIB. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

Fabrication system of semiconductor device and method of fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US20200348599A1. Автор: Jinhong Park,Seungmin Lee,Suntaek LIM,Jinseok Heo,Keunhee Bai. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-05.

Storage node, method of fabricating the same, semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20070045701A1. Автор: Jung-hyun Lee,Sang-Bong Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-01.

Method of fabricating semiconductor device for preventing polysilicon line being damaged during removal of photoresist

Номер патента: US20020160601A1. Автор: Yi-Chung Sheng,Sheng-Hao Lin,Cheng-Tung Huang,Shih-Chieh Hsu,Chang-Chi Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-10-31.

Semiconductor device having a contact struture using aluminum

Номер патента: US20020014696A1. Автор: Michio Asahina,Junichi Takeuchi,Kazuki Matsumoto,Naohiro Moriya. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-02-07.

Method of fabricating semiconductor device including two-dimensional material layer defining air-gap, and semiconductor device

Номер патента: US20230163023A1. Автор: Soyoung LEE,Keunwook SHIN,Sungjoo An,Jungsoo YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-25.

(AI,Ga,In)N-Based compound semiconductor and method of fabricating the same

Номер патента: EP1772909A3. Автор: Chung Hoon Lee. Владелец: Seoul Optodevice Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-06.

Method of fabricating integrated structure for MEMS device and semiconductor device

Номер патента: US09988264B2. Автор: Wei-Cheng Wu,Min Chen,Bang-Chiang Lan,Chien-Hsin Huang,Hui-Min Wu,Tzung-I Su,Li-Hsun Ho. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Photomasks, methods of fabricating the photomasks, and method of fabricating semiconductor devices by using the photomasks

Номер патента: US09817309B2. Автор: Jung-Hwan Lee,Byung-gook Kim,Sang-Hyeon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-14.

Methods of fabricating silicon-on-insulator (SOI) semiconductor devices using blanket fusion bonding

Номер патента: US09721832B2. Автор: Alexander A. Ned,Sorin Stefanescu,Joseph R. VanDeWeert. Владелец: Kulite Semiconductor Products Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Apparatus including 4-way valve for fabricating semiconductor device, method of controlling valve, and method of fabricating semiconductor device using the apparatus

Номер патента: US09702041B2. Автор: Young-Hoon Kim,Seok-jun Won,Dae-jin Kwon,Weon-Hong Kim,Yong-Min Yoo,Dae-Youn Kim. Владелец: Genitech Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Methods of fabricating semiconductor devices including performing an atomic layer etching process

Номер патента: US09691618B2. Автор: Sejin Oh,Dougyong Sung,Kiho Hwang,Hyunju Lee,Je-Hun WOO,Seungkyu Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the same

Номер патента: KR101139987B1. Автор: 오태경. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2012-05-02.

Memory apparatus using semiconductor devices

Номер патента: US20230420044A1. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20100225401A1. Автор: Hidetoshi Matsumoto,Akira Kuriyama,Masatoshi Hase,Kanji Hayata. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-09-09.

Semiconductor device

Номер патента: US8076976B2. Автор: Hidetoshi Matsumoto,Akira Kuriyama,Masatoshi Hase,Kanji Hayata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-12-13.

Semiconductor device fabrication using a multiple exposure and block mask approach to reduce design rule violations

Номер патента: EP2499660A2. Автор: Richard Schultz. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2012-09-19.

Method of making semiconductor device having reduced bump height variation

Номер патента: US20240222318A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Po-Hao Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device testing apparatus and methods of testing and fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20230366853A1. Автор: Donghyun Lee,Younghoon Sohn,Sung Yoon Ryu,Sooseok LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US11889679B2. Автор: Eunjung Kim,Sungyeon RYU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-30.

Method of fabricating a semiconductor device with reduced oxide film variation

Номер патента: US7947567B2. Автор: Masanori Terahara,Junji Oh. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-05-24.

Semiconductor device and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20050062146A1. Автор: Takashi Noma,Tetsuya Miwa,Takayuki Kaida,Mitsuru Okigawa,Ryu Shimizu. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-24.

Overlay marks, methods of forming the same, and methods of fabricating semiconductor devices using the same

Номер патента: US9711395B2. Автор: Chang-hoon Lee,Tae-Hwan OH,Jong-Su Kim,Yong-Kug Bae,Dong-Woon Park,Tae-hoi Park,Boo-Hyun Ham. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Overlay marks, methods of forming the same, and methods of fabricating semiconductor devices using the same

Номер патента: US20160035617A1. Автор: Chang-hoon Lee,Tae-Hwan OH,Jong-Su Kim,Yong-Kug Bae,Dong-Woon Park,Tae-hoi Park,Boo-Hyun Ham. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-04.

Methods of fabricating buried digit lines

Номер патента: US6555463B2. Автор: Tyler A. Lowrey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-04-29.

Method of fabricating capacitor for semiconductor device

Номер патента: US6190993B1. Автор: Byung Jae Choi,Soo Jin Seo. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-02-20.

Semiconductor devices having silicon-on-insulator (soi) substrates and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20080217689A1. Автор: Jong-wook Lee,Yong-Hoon Son,Hye-Ran Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-09-11.

Method of fabricating conductive straps to interconnect contacts to corresponding digit lines by employing an angled sidewall implant and semiconductor devices fabricated thereby

Номер патента: US20020121704A1. Автор: Shubneesh Batra,Tyler Lowrey. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-05.

Metal line of semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20020058401A1. Автор: CHANG Kim. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-16.

Method of fabricating conductive straps to interconnect contacts to corresponding digit lines by employing an angled sidewall implant and semiconductor devices fabricated thereby

Номер патента: US20010028092A1. Автор: Shubneesh Batra,Tyler Lowrey. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-11.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20220415644A1. Автор: Le Li,Jun Zhou,Sheng Hu. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12094704B2. Автор: Le Li,Jun Zhou,Sheng Hu. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20240332059A1. Автор: Jonghyuk Park,Myungjae JANG,Youngin Kim,Byoungho Kwon,Jin-Woo Bae,Byungsoo JOO,Yeil KIM,Kyoungjoon Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Silicon precursor, method of forming a layer using the same, and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US09899392B2. Автор: Younjoung CHO,Xiaobing Zhou,Michael David Telgenhoff,JunHyun Cho,Kyunghye Jung. Владелец: Dow Corning Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Method of fabricating semiconductor device with an overlay mask pattern

Номер патента: US09812364B2. Автор: Jong-Su Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Composite wafer semiconductor devices using offset via arrangements and methods of fabricating the same

Номер патента: US09780136B2. Автор: Doowon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Method of fabricating semiconductor device and computing system for implementing the method

Номер патента: US09754789B2. Автор: Hwa-Sung Rhee,Yoon-hae Kim,Jong-Shik Yoon,Byung-Sung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Overlay marks, methods of forming the same, and methods of fabricating semiconductor devices using the same

Номер патента: US09711395B2. Автор: Chang-hoon Lee,Tae-Hwan OH,Jong-Su Kim,Yong-Kug Bae,Dong-Woon Park,Tae-hoi Park,Boo-Hyun Ham. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Integrated semiconductor device and wafer level method of fabricating the same

Номер патента: US09691725B2. Автор: Chia-Hua Chu,Alexander Kalnitsky,Chun-Wen Cheng,Kuei-Sung CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Methods for processing a wide band gap semiconductor wafer using a support layer and methods for forming a plurality of thin wide band gap semiconductor wafers using support layers

Номер патента: US11887894B2. Автор: Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze,Martin Huber,Günter Denifl,Francisco Javier Santos Rodriguez,Wolfgang Lehnert,Tobias Hoechbauer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-01-30.

Methods for Processing a Wide Band Gap Semiconductor Wafer Using a Support Layer and Methods for Forming a Plurality of Thin Wide Band Gap Semiconductor Wafers Using Support Layers

Номер патента: US20210351077A1. Автор: Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze,Martin Huber,Günter Denifl,Francisco Javier Santos Rodriguez,Wolfgang Lehnert,Tobias Hoechbauer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-11-11.

Voltage switchable dielectric materials with low band gap polymer binder or composite

Номер патента: WO2009120882A1. Автор: Robert Fleming,Junjun Wu,Ning Shi,Lex Kosowsky. Владелец: Shocking Technologies, Inc.. Дата публикации: 2009-10-01.

Voltage switchable dielectric materials with low band gap polymer binder or composite

Номер патента: EP2257979A1. Автор: Robert Fleming,Junjun Wu,Ning Shi,Lex Kosowsky. Владелец: Shocking Technologies Inc. Дата публикации: 2010-12-08.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US7772131B2. Автор: Jae-Hyun Kang. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-08-10.

Semiconductor device including ferroelectric capacitors and fabricating method thereof

Номер патента: US20030224538A1. Автор: Yoichi Miyasaka. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-12-04.

Method of fabricating semiconductor device, and plating apparatus

Номер патента: US8038864B2. Автор: Koji Arita,Ryohei Kitao. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-10-18.

Oxidation-promoting compositions, methods of forming oxide layers, and methods of fabricating semiconductor devices

Номер патента: US8697583B2. Автор: Gil-heyun Choi,Eunkee Hong,Kyung-Seok Oh,Deok-Young Jung,Kyung-Mun Byun,Shin-Hye Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-04-15.

Method of fabricating capacitor in semiconductor device and semiconductor device using the same

Номер патента: US20050287758A1. Автор: Jea Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-12-29.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20080085472A1. Автор: Hyoung-Joo Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-10.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20160064234A1. Автор: yu chao Lin,Chao-Cheng Chen,Chih-tang Peng,Shun-Hui YANG,Ryan Chia-Jen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-03.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20190074288A1. Автор: Kenichi Yoshikawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20070155175A1. Автор: Keun Soo Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2007-07-05.

Oxidation-promoting compositions, methods of forming oxide layers, and methods of fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20120058647A1. Автор: Gil-heyun Choi,Eunkee Hong,Kyung-Seok Oh,Deok-Young Jung,Kyung-Mun Byun,Shin-Hye Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-03-08.

Method of fabricating semiconductor device, and plating apparatus

Номер патента: US20080023335A1. Автор: Koji Arita,Ryohei Kitao. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-01-31.

Semiconductor device including passivation layer and method of fabricating electronic apparatus

Номер патента: US20230361251A1. Автор: Hyunjoon Kim,Dongkyun KIM,Seogwoo Hong,Junsik Hwang,Kyungwook Hwang,Minchul YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-09.

Color filtering distributed bragg reflector for micro-light emitting diodes and method of fabricating the same

Номер патента: WO2024155513A1. Автор: Peng Feng,XIANG Yu,Ye Tian,Nicolas Poyiatzis,Jack Haggar. Владелец: Snap Inc.. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20240222303A1. Автор: Daehyun Kim,Kunsil Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Method of Fabricating Semiconductor Device

Номер патента: US20120090535A1. Автор: Takashi Nakao,Hiroshi Itokawa,Tsutomu Sato,Shinji Mori,Ichiro Mizushima,Masahiko Murano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-04-19.

Substrate for oled, method of fabricating the same and organic light-emitting device having the same

Номер патента: US20140141958A1. Автор: Jaeho Lee,Jhee-Mann Kim,Seong-Sik PARK,Eun Young Cho,Kiyeon Lee,Joosok Kim,Myeongjin Ahn. Владелец: Samsung Corning Precision Materials Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-22.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US7022624B2. Автор: Choon Kun Ryu. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-04-04.

Method of handling test pad and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20230395440A1. Автор: Jun Zhou,Sheng Hu,Qiong Zhan. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20220406755A1. Автор: Hwail Jin,Sang-sick Park,Jongpa Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-22.

Semiconductor device and fabrication method

Номер патента: US20100171130A1. Автор: Timothy Ashley,Geoffrey Richard Nash. Владелец: Qinetiq Ltd. Дата публикации: 2010-07-08.

Method of fabricating specimen for analyzing defects of semiconductor device

Номер патента: US5840205A. Автор: Doo-Jin Park,Jeong-Hoi Koo. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-11-24.

Method of fabricating a semiconductor device,method of cleaning a crystalline surface of a semiconductor,and semiconductor device

Номер патента: GB9506106D0. Автор: . Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-05-10.

Method of fabricating a semiconductor package

Номер патента: US9524884B2. Автор: Cheol-soo HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Apparatus for and method of fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20190288203A1. Автор: Jiho Park,Jaeho Jung,Jeonghee Park,Kyoung Sun Kim,Changyup Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-19.

Method of fabricating semiconductor device and patterning semiconductor structure

Номер патента: US12062547B2. Автор: Hsing Ou Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US12074142B2. Автор: Hwail Jin,Sang-sick Park,Jongpa Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20020048904A1. Автор: Takahiro Oka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-25.

Formation of ohmic contacts on wide band gap semiconductors

Номер патента: EP3134914A1. Автор: John L. Hostetler. Владелец: United Silicon Carbide Inc. Дата публикации: 2017-03-01.

Board for mounting BGA semiconductor chip thereon, semiconductor device, and methods of fabricating such board and semiconductor device

Номер патента: US20050156326A1. Автор: Toshihide Ito. Владелец: NEC Toppan Circuit Solutions Inc. Дата публикации: 2005-07-21.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US11314919B2. Автор: Bonghyun LEE,Yongdeok Kim,Munjun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-26.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US12080710B2. Автор: Young-Lim Park,Kyooho JUNG,Yukyung Shin,Changmu AN,Hongseon Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device fabricating method and semiconductor device

Номер патента: US20150380479A1. Автор: Takuo Narusawa. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-31.

Semiconductor device fabricating method and semiconductor device

Номер патента: US9660018B2. Автор: Takuo Narusawa. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Compound for filling small gaps in a semiconductor device, composition including the compound, and method of fabricating a semiconductor capacitor

Номер патента: US20110151640A1. Автор: Tae Ho Kim,Chang Soo Woo,Sung Jae Lee,Hee Jae Kim,Sang Geun Yun. Владелец: Cheil Industries Inc. Дата публикации: 2011-06-23.

Method of making a low noise semiconductor device comprising a screening measurement

Номер патента: US5683917A. Автор: Cuong Tran,Ralph Francis Trambarulo,Samuel Suresh Martin. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1997-11-04.

Semiconductor device and fabrication method

Номер патента: WO2010070269A1. Автор: Timothy Ashley,Geoffrey Richard Nash. Владелец: Advantage West Midlands. Дата публикации: 2010-06-24.

Semiconductor device and fabrication method

Номер патента: EP2366198A1. Автор: Timothy Ashley,Geoffrey Richard Nash. Владелец: Advantage West Midlands. Дата публикации: 2011-09-21.

Vertically mountable semiconductor device and methods

Номер патента: US20020031857A1. Автор: Larry Kinsman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-14.

Method of forming a semiconductor device with a multi-layer WSix film with small grain size structure, and a semiconductor device having a polysilicon layer with a multi-layer WSix film formed thereon

Номер патента: US20030100184A1. Автор: Hsiao-Che Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-29.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20040229467A1. Автор: Koki Muto. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-11-18.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20040253800A1. Автор: Yong-Sun Ko,Sang-Sup Jeong,Jae-Woo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-12-16.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20060263982A1. Автор: Koki Muto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-23.

Molecular electronic device having a patterned electrode and method of fabricating the same

Номер патента: US8035137B2. Автор: Dae-Sik Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-10-11.

Three-dimensional semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20160049346A1. Автор: Woojin Cho,Hansoo Kim,Jaehoon Jang,Wonseok Cho,Jae-Joo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-18.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240265188A1. Автор: Bonghyun LEE,Yongdeok Kim,Munjun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2024-08-08.

Composition for semiconductor processing and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US12110421B2. Автор: Han Teo PARK,Seung Chul Hong,Deok Su Han. Владелец: SK Enpulse Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240371863A1. Автор: Young-Lim Park,Kyooho JUNG,Yukyung Shin,Changmu AN,Hongseon Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device packages including conductors electrically connecting stacked semiconductor devices by extending along surfaces of the semiconductor devices

Номер патента: US12062635B2. Автор: Yu Jen Chen,Po Chih Yang,Po Chen Kuo,Shih Wei Liang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Light emitting device having wide beam angle and method of fabricating the same

Номер патента: US20150325752A1. Автор: Chung Hoon Lee,Hyun A Kim,Joon Sup LEE,Min Woo Kang,Jong Min JANG,Jong Hyeon Chae,Daewoong Suh,Won Young Roh,Seon Min Bae. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-12.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20240371835A1. Автор: Hwail Jin,Sang-sick Park,Jongpa Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09991203B2. Автор: Nae-in Lee,Byung-hee Kim,Rak-Hwan Kim,Jin-Nam Kim,Eun-ji Jung,Jong-min Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09978932B2. Автор: KEN Tokashiki,Vladimir Urazaev,Jongchul Park,Sangmin Lee,Gwang-Hyun Baek,Sechung Oh,Jaehun SEO,Hyungjoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09911644B2. Автор: Jongmin Baek,Sanghoon Ahn,Sangho Rha,Wookyung You,NaeIn Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09881809B2. Автор: Hong-Ji Lee,Xin-Guan Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US09847320B2. Автор: Jiun Yi Wu,William Wu Shen,Chien Hsun Lee,Chien Hsun Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US09847266B2. Автор: Kangmin JEON,Jaehyun Lee,Dongsoo Lee,Hyung Joo Lee,Kyounghoon Han,Tae-Hwa Kim,Chanhoon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-19.

Method of manufacturing a semiconductor device having deep wells

Номер патента: US09831134B1. Автор: Chen-Chin Liu,Meng-Han LIN,Chih-Ren Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Interconnect arrangement with stress-reducing structure and method of fabricating the same

Номер патента: US09818666B2. Автор: Yi-Ruei Lin,Yen-Ming Peng,Han-Wei Yang,Chen-Chung Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Integrated fan-out package, semiconductor device, and method of fabricating the same

Номер патента: US09812426B1. Автор: Hsien-Wei Chen,Wei-Cheng Wu,Li-Han Hsu,Cheng-Hsien Hsieh,Tzu-Shiun Sheu,Yan-Fu Lin,Chin-te Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Methods of fabricating memory device with spaced-apart semiconductor charge storage regions

Номер патента: US09793288B2. Автор: Hiroyuki Kamiya,Shinsuke YADA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-10-17.

Methods of fabricating semiconductor devices

Номер патента: US09793165B2. Автор: Kyu-Ha Lee,Taeje Cho,Hogeon SONG,SeYoung JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09768025B2. Автор: Yongkong SIEW,Sung-yup Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Method of fabricating a semiconductor device including a plurality of isolation features

Номер патента: US09685344B2. Автор: yu chao Lin,Chao-Cheng Chen,Chih-tang Peng,Shun-Hui YANG,Ryan Chia-Jen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09679829B2. Автор: Taeseong Kim,Sunghee Kang,Byung Lyul Park,Kwangjin Moon,Sukchul Bang,Yeun-Sang Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device fabricating method and semiconductor device

Номер патента: US09660018B2. Автор: Takuo Narusawa. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device with air gap and method of fabricating the same

Номер патента: US09627252B2. Автор: Myung-Ok Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09607985B1. Автор: Chen-Ming Huang,I-Ming Tseng,Wen-An Liang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09520300B2. Автор: Jongmin Baek,Sanghoon Ahn,Sangho Rha,Wookyung You,NaeIn Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-13.

Method of fabricating semiconductor device having alignment key and semiconductor device fabricated thereby

Номер патента: US7473619B2. Автор: Byung Hyun Lee,Min-Hee Cho,Yoo-Sang Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-01-06.

Method of fabricating semiconductor device having alignment key and semiconductor device fabricated thereby

Номер патента: US20090087962A1. Автор: Min-Hee Cho,Yoo-Sang Hwang,Byung-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-04-02.

A method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: MY151464A. Автор: Lee Hing Wah,Daniel Bien Chia SHENG,Rozina Abdul Rani,Mohd Ismahadi Syono. Владелец: MIMOS BERHAD. Дата публикации: 2014-05-30.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US8241515B2. Автор: Takayuki Izumi,Kazuhiko Ohmuro,Ryoji Shigemasa,Tomoyuki Ohshima. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-14.

Semiconductor device integrated with heat sink and method of fabricating the same

Номер патента: US20070131952A1. Автор: Kuo-Hsin Huang. Владелец: HIGH POWER OPTO Inc. Дата публикации: 2007-06-14.

Method of fabricating memory

Номер патента: US7344938B2. Автор: Yider Wu,Jongoh Kim,Kent Kuohua Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-18.

Method of fabricating a 3-d device

Номер патента: US20110171781A1. Автор: Dong Ho Lee,Jong Ho Lee,Eun Chul Ahn,Yong Chai Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-14.

Semiconductor device with capacitor and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20030067053A1. Автор: Katsunobu Hori,Kenichiro Shiozawa,Moriaki Akazawa,Takeshi Matsunuma. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-04-10.

Process gas for cryogenic etching, plasma etching apparatus, and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20230230840A1. Автор: Hiroshi Sasaki,Dongkyu LEE,Songyun Kang,Younseon Wang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-20.

Method of verifying line reliability and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20080160655A1. Автор: Ji Ho Hong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-07-03.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20080242103A1. Автор: Takayuki Izumi,Kazuhiko Ohmuro,Ryoji Shigemasa,Tomoyuki Ohshima. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-02.

Method of fabricating non-polar and semi-polar devices using epitaxial lateral overgrowth

Номер патента: EP3776672A1. Автор: Takeshi Kamikawa,Hongjian Li,Srinivas GANDROTHULA. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2021-02-17.

Carrier for stacked type semiconductor device and method of fabricating stacked type semiconductor devices

Номер патента: US7846771B2. Автор: Junji Tanaka,Junichi Kasai,Masanori Onodera,Koji Taya,Kouichi Meguro,Yasuhiro Shinma,Murugasan Manikam Achari. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2010-12-07.

Carrier for stacked type semiconductor device and method of fabricating stacked type semiconductor devices

Номер патента: US7414305B2. Автор: Junji Tanaka,Junichi Kasai,Masanori Onodera,Koji Taya,Kouichi Meguro,Yasuhiro Shinma,Murugasan Manikam Achari. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-08-19.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20240244818A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Janbo Zhang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Carrier for stacked type semiconductor device and method of fabricating stacked type semiconductor devices

Номер патента: US20060245908A1. Автор: Junji Tanaka,Junichi Kasai,Masanori Onodera,Koji Taya,Kouichi Meguro,Yasuhiro Shinma,Murugasan Achari. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2006-11-02.

Cleaning composition, cleaning apparatus, and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20190241844A1. Автор: Young-Hoo Kim,Jung-min Oh,Tae Keun Kim,Min Hee Cho,Ji Soo Jeong,Hyo San LEE,Ye Rim YEON,Mi Hyun Park,Hae Rim Oh. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-08.

Methods for regulating surface sensitivity of insulating films in semiconductor devices

Номер патента: WO2000077831A3. Автор: Giovanni Antonio Foggiato,Joseph Ellul,Sasangan Ramanathan,Dilip Vijay,Asharf R Khan,Hariram Krishnamoorthy. Владелец: Quester Technology Inc. Дата публикации: 2001-07-05.

Metal oxide thin film precursor, method of fabricating metal thin film using the same, and semiconductor device including the metal oxide thin film

Номер патента: US20240239817A1. Автор: Woojin JEON,Sang Wook Park,Jongwook Park,SunWoo PARK,Hayoon LEE,Yoona CHOI,Yeong Jae HEO. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2024-07-18.

Manufacturing Method of Semiconductor Device

Номер патента: US20120077310A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-03-29.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20180145001A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-24.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20190057913A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-02-21.

Manufacturing Method of Semiconductor Device

Номер патента: US20160035636A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-02-04.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US8415199B2. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-04-09.

Photoconducting layered material arrangement, method of fabricating the photoconducting layered material arrangement, and use of the photoconducting layered material arrangement

Номер патента: US20210384367A1. Автор: Hong Lu,Arthur C. Gossard,Sascha Preu,Christopher J. Palmstrom. Владелец: TECHNISCHE UNIVERSITAET DARMSTADT. Дата публикации: 2021-12-09.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20210272815A1. Автор: Chong Kwang Chang,Sug Hyun SUNG,Dong Hoon KHANG,Min Hwan JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-02.

Fabricating semiconductor device

Номер патента: US20240023305A1. Автор: Chan Hwang,Sookyung Kim,Jeonghee Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Methods of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20170345679A1. Автор: Sangjin Kim,TaeYong KWON,Yunkyeong JANG,Donghoon HWANG,Sebeom OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-30.

Methods of fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20200227314A1. Автор: Ji Young Kim,Sung Bin Park,Han Seong Kim,Jong Min Baek,Kyu Hee Han,Deok Young Jung,Yeong Gil Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-16.

Method and system supporting production of a semiconductor device using a plurality of fabrication processes

Номер патента: EP2056338A3. Автор: Masood Syaed. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-03-06.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230282248A1. Автор: Yifei Yan,Huixian Lai. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20130034960A1. Автор: HAIYANG Zhang,Dongjiang Wang,Minda Hu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp. Дата публикации: 2013-02-07.

Method Of Manufacturing Semiconductor Device And Semiconductor Device Having Unequal Pitch Vertical Channel Transistors

Номер патента: US20160284764A1. Автор: Teruyuki Mine. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-29.

Semiconductor device having a built-in heat sink and process of manufacturing same

Номер патента: US20010024838A1. Автор: Manny Kin Ma. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-09-27.

Semicondunctor device and method of fabricating the same

Номер патента: WO2012028109A1. Автор: Wei Huang. Владелец: CSMC TECHNOLOGIES FAB1 CO., LTD.. Дата публикации: 2012-03-08.

Isolation structures for semiconductor devices

Номер патента: US12057449B2. Автор: Yi-Jing Lee,Chia-Der Chang,Chao-Shuo Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20070254389A1. Автор: Chang-ki Hong,Jeong-Nam Han,Dae-hyuk Kang,Kun-tack Lee,Sung-il Cho,Jung-min Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-11-01.

Substrate cleaning composition, method for cleaning substrate using the same, and method for fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US12046464B2. Автор: Hyun Jin Kim,Jong Kyoung Park,Hoon Han,Hyo San LEE,Mi Hyun Park,Ga Young SONG,Jung Youl LEE,Han Sol LIM. Владелец: Dongjin Semichem Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20060091401A1. Автор: Noriaki Matsunaga,Naofumi Nakamura,Takahiko Yoshizawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-05-04.

Photoconducting layered material arrangement, method of fabricating the photoconducting layered material arrangement, and use of photoconducting layered material arrangement

Номер патента: US20160240707A1. Автор: Hong Lu,Arthur C. Gossard,Sascha Preu,Christopher J. Palmstrom. Владелец: TECHNISCHE UNIVERSITAET DARMSTADT. Дата публикации: 2016-08-18.

Method of manufacturing a semiconductor device having a pre-metal dielectric liner

Номер патента: US7550397B2. Автор: Sung Kyung Jung. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-23.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US12074031B2. Автор: Chong Kwang Chang,Sug Hyun SUNG,Dong Hoon KHANG,Min Hwan JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20130087876A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hidekazu Takahashi,Hiroki Adachi,Daiki Yamada,Yohei Monma. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-11.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: WO2009093623A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hidekazu Takahashi,Hiroki Adachi,Daiki Yamada,Yohei Monma. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2009-07-30.

Methods of fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20050142736A1. Автор: Hyun Shin. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Group III-V semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US20080149953A1. Автор: Yoshinori Kinoshita,Masanobu Ando,Toshiya Uemura,Shigemi Horiuchi,Ryohei Inazawa. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-26.

Cmos imager with nitrided gate oxide and method of fabrication

Номер патента: EP1929529A2. Автор: Jiutao Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-06-11.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20240280895A1. Автор: Byung-Hyun Lee,Hoin Lee,Dongkyun Lee,Jinnam YEEM,Sangchul Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Method of fabricating semiconductor devices using a two-step gap-fill process

Номер патента: US20210050522A1. Автор: Jaeho Jung,Jonguk KIM,Youngmin KO,Kwangmin Park,Dongsung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-18.

Method of Fabricating Semiconductor Device

Номер патента: US20090163004A1. Автор: Yeong Sil Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-25.

Manufacturing method of semiconductor device having DRAM capacitors

Номер патента: US20020086493A1. Автор: Ken Inoue,Ryo Kubota. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-07-04.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20130280882A1. Автор: Young-Nam Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-10-24.

Nonvolatile memory device having STI structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20020182806A1. Автор: Sun-Young Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-12-05.

Methods of fabricating a semiconductor device with capacitors using mold structure and protection layer

Номер патента: US20140065784A1. Автор: Jaehong Park,Dongchan Kim,Je-woo Han,Gyungjin Min,Junho Yoon,Yongmoon Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-03-06.

Power supply control device for residential houses, commercial and industrial facilities using network, auxiliary and renewable sources of electric energy and their combinations and method of intelligent control of connection of electric power sources

Номер патента: RU2692083C1. Автор: Михаил Валерьевич Ероховец. Владелец: Михаил Валерьевич Ероховец. Дата публикации: 2019-06-21.

A method of making electron emitters

Номер патента: WO2003012819A1. Автор: James Butler,Pehr Pehrsson. Владелец: The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy Naval Research Laboratory. Дата публикации: 2003-02-13.

Low band dipole and multiband multi-port antenna arrangement

Номер патента: US20240235017A9. Автор: Kostyantyn SEMONOV,Chengyu Xu,Yaohuan LI. Владелец: Rfs Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of manufacturing an inp based vertical cavity surface emitting laser and device produced therefrom

Номер патента: EP1790052A2. Автор: Nobuhiko Nishiyama,Chung-En Zah,Catherine G Caneau,Benjamin L Hall. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2007-05-30.

Method of manufacturing an inp based vertical cavity surface emitting laser and device produced therefrom

Номер патента: EP1790052A4. Автор: Nobuhiko Nishiyama,Chung-En Zah,Catherine G Caneau,Benjamin L Hall. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2008-01-23.

Method of manufacturing an inp based vertical cavity surface emitting laser and device produced therefrom

Номер патента: WO2006031984A2. Автор: Nobuhiko Nishiyama,Chung-En Zah,Catherine G Caneau,Benjamin L Hall. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2006-03-23.

Low band and high band dipole designs for triple band antenna systems and related methods

Номер патента: US09966664B2. Автор: Raja Reddy KATIPALLY,Aaron T. Rose. Владелец: Alcatel Lucent Shanghai Bell Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Multi-band antenna systems including a plurality of separate low-band frequency antennas, wireless terminals and radiotelephones incorporating the same

Номер патента: WO2005117536A3. Автор: Scott L Vance. Владелец: Scott L Vance. Дата публикации: 2006-06-22.

Multi-band antenna systems including a plurality of separate low-band frequency antennas, wireless terminals and radiotelephones incorporating the same

Номер патента: EP1754278A2. Автор: Scott L. Vance. Владелец: SONY ERICSSON MOBILE COMMUNICATIONS AB. Дата публикации: 2007-02-21.

Multi-band antenna systems including a plurality of separate low-band frequency antennas, wireless terminals and radiotelephones incorporating the same

Номер патента: WO2005117536A2. Автор: Scott L. Vance. Владелец: SONY ERICSSON MOBILE COMMUNICATIONS AB. Дата публикации: 2005-12-15.

Method of fabricating surface-emitting laser

Номер патента: US20180356459A1. Автор: Ryosuke Kubota. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-12-13.

Semiconductor layer comprising cyclically stacked narrow, intermediate, and wide band gap semiconductor films

Номер патента: CA2032869A1. Автор: Kenichi Kasahara. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1991-06-22.

Semiconductor layer comprising cyclically stacked narrow, intermediate, and wide band gap semiconductor films

Номер патента: CA2032869C. Автор: Kenichi Kasahara. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-10-24.

A method of fabricating waveguide channels

Номер патента: CA2408558A1. Автор: Stig Anders Petersson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-15.

A method of fabricating waveguide channels

Номер патента: EP1297585A1. Автор: Stig Anders Petersson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-02.

Low band dipole and multi-band multi-port antenna arrangement

Номер патента: US11848492B2. Автор: Kostyantyn SEMONOV,Chengyu Xu,Yaohuan LI. Владелец: Rfs Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Low band dipole and multiband multi-port antenna arrangement

Номер патента: US20240136706A1. Автор: Kostyantyn SEMONOV,Chengyu Xu,Yaohuan LI. Владелец: Rfs Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-25.

Optical member, display device having the same, and method of fabricating the same

Номер патента: US09835785B2. Автор: Kyung Jin Kim,Jae Hong Lee,Soon Young Hyun,Ja Ram Kim,June Roh. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of manufacturing and operating the optical modulator

Номер патента: RU2656271C2. Автор: Генри А. БЛАУВЕЛЬТ,Сяогуан ХЭ,Керри ВАХАЛА. Владелец: Эмкор Корпорейшн. Дата публикации: 2018-06-04.

Implantable medical device having specialized anode sheets

Номер патента: EP1307893A2. Автор: Darrel F. Untereker,Jenn-Feng Yan. Владелец: Metronic Inc. Дата публикации: 2003-05-07.

Compositions containing arsenic and their use in methods of treatment

Номер патента: CA2974843C. Автор: Malvin EUTICK. Владелец: EUPHARMA PTY LTD. Дата публикации: 2023-08-08.

Image display device, television receiver, method of controlling image display device and method of controlling television receiver

Номер патента: RU2470381C2. Автор: Хидеки ИТИОКА,Тосихару КУЗУМОТО. Владелец: Шарп Кабусики Кайся. Дата публикации: 2012-12-20.

Compositions containing arsenic and their use in methods of treatment

Номер патента: EP3250213A4. Автор: Malvin EUTICK. Владелец: EUPHARMA PTY LTD. Дата публикации: 2018-08-15.

Flexible heating device and method of making same

Номер патента: US11849511B2. Автор: Xiao Tong,Donglei MA,Hing Lung Jason TSANG. Владелец: Calefact Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Flexible heating device and method of making same

Номер патента: US20230164887A1. Автор: Xiao Tong,Donglei MA,Hing Lung Jason TSANG. Владелец: Calefact Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Flexible heating device and methods of manufacture and use of same

Номер патента: US20220394821A1. Автор: Xiao Tong,Donglei MA,Hing Lung Jason TSANG. Владелец: Calefact Ltd. Дата публикации: 2022-12-08.

Pyrazole compounds and their application in method of fighting invertebrate pests, in method of protection of plant reproduction material, in method of treatment or protection of animals against invasion or infection, in material of plant reproduction and agricultural compositions containing thereof

Номер патента: RU2516290C2. Автор: ГРОСС Штеффен,БРОЙНИНГЕР Дельфина,БАСТИАНС Хенрикус-Мария-Мартинус,ФОН-ДЕЙН Вольфганг,ПУЛЬ Михаэль,КЁРБЕР Карстен,Д. АНСПО Дуглас,Л. КАЛБЕРТСОН Дебора,ОЛОУМИ-САДЕГХИ Хассан. Владелец: БАСФ СЕ. Дата публикации: 2014-05-20.

Novel Interleukin-1 and Tumor Necrosis Factor-Alpha Modulators, Syntheses of Said Modulators and Their Enantiomers and Methods of Using Said Modulators

Номер патента: US20080188475A1. Автор: Emmanuel A. Theodorakis,Michael Palladino. Владелец: Nereus Pharmaceuticals Inc. Дата публикации: 2008-08-07.

Composition comprising caffeoylshikimic acids, protocatechuic acid, hydroxytyrosol, hydroxybenzoic acid and their derivatives and method of preparation thereof

Номер патента: US09962421B2. Автор: Yew Ai TAN,Chokyun Rha,Anthony J. Sinskey,Ravigadevi Sambanthamurthi,Kalyana Sundram P. Manickam,Mohd Basri Wahid,T. G. Sambandan. Владелец: Palm Oil Research and Development Board. Дата публикации: 2018-05-08.

Novel Interleukin-1 and Tumor Necrosis Factor-Alpha Modulators, Syntheses of Said Modulators and Their Enantiomers and Methods of Using Said Modulators

Номер патента: US20080103328A1. Автор: Emmanuel Theodorakis,Michael Palladino. Владелец: Nereus Pharmaceuticals Inc. Дата публикации: 2008-05-01.

Interleukin-1 and tumor necrosis factor-α modulators, synthesis of said modulators and their enantiomers and methods of using said modulators

Номер патента: US7288671B2. Автор: Emmanuel A. Theodorakis,Michael Palladino. Владелец: Nereus Pharmaceuticals Inc. Дата публикации: 2007-10-30.

Polyfluoreno[4,5-cde]oxepine Conjugates and Their Use in Methods of Analyte Detection

Номер патента: US20180171070A1. Автор: Qin Zhao,Zhenjun Diwu,Haitao Guo,Ruogu Peng,Travis Jennings,Castle Funatake. Владелец: AAT Bioquest Inc. Дата публикации: 2018-06-21.

Polyfluoreno[4,5-cde]oxepine conjugates and their use in methods of analyte detection

Номер патента: EP3341377A1. Автор: Qin Zhao,Zhenjun Diwu,Haitao Guo,Ruogu Peng,Travis Jennings,Castle Funatake. Владелец: AAT Bioquest Inc. Дата публикации: 2018-07-04.

Insect attractants and their use in methods of insect control

Номер патента: EP2254409A2. Автор: James Gordon Campbell Hamilton. Владелец: KEELE UNIVERSITY. Дата публикации: 2010-12-01.

Insect attractants and their use in methods of insect control

Номер патента: WO2009103991A3. Автор: James Gordon Campbell Hamilton. Владелец: KEELE UNIVERSITY. Дата публикации: 2010-08-12.

Water soluble cyanine derivatives and their use in methods of sequencing of nucleic acids

Номер патента: WO2024124008A3. Автор: Xi Zhang,Gene Shen,Zhimin Yang,Genhua ZHENG,Njoo Audrey WIBAWA,Marcus James JELLEN. Владелец: Element Biosciences, Inc.. Дата публикации: 2024-07-25.

Insect attractants and their use in methods of insect control

Номер патента: US20100310620A1. Автор: James Gordon Campbell Hamilton. Владелец: KEELE UNIVERSITY. Дата публикации: 2010-12-09.

Insect attractants and their use in methods of insect control

Номер патента: US20120263773A1. Автор: James Gordon Campbell Hamilton. Владелец: KEELE UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-10-18.

Metal-chelating compositions and their use in methods of removing or inhibiting barium scale

Номер патента: US20210221715A1. Автор: Justin WILSON,Nikki Thiele. Владелец: CORNELL UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-07-22.

Film-forming compositions containing zwitterionic functional polymers and their use in methods of reducing adhesion of an organic substance to a substrate

Номер патента: US20180251583A1. Автор: Eric L. Hanson,Eric L. Bruner,Edward W. Hughes. Владелец: Aculon Inc. Дата публикации: 2018-09-06.

Therapeutic compositions comprising microbe-targeting molecules and their use in methods of preventing and treating infectious disease

Номер патента: US20240199719A1. Автор: Keith Crawford,Christopher Velis. Владелец: MIRAKI INNOVATION THINK TANK LLC. Дата публикации: 2024-06-20.

Novel interleukin-1 and tumor necrosis factor-alpha modulators, synthesis of said modulators and their enantiomers and methods of using said modulators

Номер патента: US20060252832A1. Автор: Emmanuel Theodorakis,Michael Palladino. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-09.

Aminoquinazoline derivatives and their salts and methods of use

Номер патента: CA2851151C. Автор: LU Zhang,Bing Liu,Weihong Zhang,Jiquan Zhang,Yingjun Zhang,Jiancun Zhang,Jinlei Liu. Владелец: Sunshine Lake Pharma Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Drug delivery systems based on hyaluronans derivatives thereof and their salts and methods of producing same

Номер патента: US5128326A. Автор: Endre A. Balazs,Adolf Leshchiner,Nancy E. Larsen. Владелец: Biomatrix Inc. Дата публикации: 1992-07-07.

Drug delivery systems based on hyaluronan, derivates thereof and their salts and methods of producing same

Номер патента: CA1340199C. Автор: Endre A. Balazs,Adolf Leshchiner,Nancy E. Larsen. Владелец: Biomatrix Inc. Дата публикации: 1998-12-15.

Analog switch having reduced gate-induced drain leakage

Номер патента: EP3272011A1. Автор: John K. Jennings,Ionut C. CICAL,Chandrika Durbha. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2018-01-24.

Circuit to reduce gate induced drain leakage

Номер патента: EP4395175A1. Автор: Saurabh Goyal,Krishna Thakur. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-07-03.

Circuit to reduce gate induced drain leakage

Номер патента: US20240213978A1. Автор: Saurabh Goyal,Krishna Thakur. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-06-27.

Circuit to reduce gate induced drain leakage

Номер патента: US12113520B2. Автор: Saurabh Goyal,Krishna Thakur. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-10-08.

Erase operation for 3d non volatile memory with controllable gate-induced drain leakage current

Номер патента: WO2013158557A1. Автор: Haibo Li,Masaaki Higashitani,Man L. Mui,Xiying Costa. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2013-10-24.

Erase operation for 3d non volatile memory with controllable gate-induced drain leakage current

Номер патента: EP2839463A1. Автор: Haibo Li,Masaaki Higashitani,Man L. Mui,Xiying Costa. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-02-25.

Semiconductor device having reduced field oxide recess and method of fabrication

Номер патента: US20010051410A1. Автор: Hao Fang,Toru Ishigaki,Masaaki Higashitani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-13.

Semiconductor device having reduced field oxide recess and method of fabrication

Номер патента: US6492229B2. Автор: Hao Fang,Toru Ishigaki,Masaaki Higashitani. Владелец: Fujitsu AMD Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2002-12-10.

Memory device through use of semiconductor device

Номер патента: US12108589B2. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Methods and devices to generate gate induced drain leakage current sink or source path for switch fets

Номер патента: US20220038099A1. Автор: Alper Genc. Владелец: PSemi Corp. Дата публикации: 2022-02-03.

Neighbor bit line coupling enhanced gate-induced drain leakage erase for memory apparatus with on-pitch semi-circle drain side select gate technology

Номер патента: US11881266B2. Автор: Xiang Yang,Ohwon KWON,Kou Tei. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-01-23.

Polymers with low band gaps and high charge mobility

Номер патента: CA2614958A1. Автор: Xiaobo Shi,Russell Gaudiana,Richard Kingsborough,David Waller,Zhengguo Zhu. Владелец: Zhengguo Zhu. Дата публикации: 2007-01-25.

Polymers with low band gaps and high charge mobility

Номер патента: US20070158620A1. Автор: Russell Gaudiana,Richard Kingsborough,David Waller,Zhengguo Zhu. Владелец: Konarka Technologies Inc. Дата публикации: 2007-07-12.

Memory device through use of semiconductor device

Номер патента: US11915757B2. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Semiconductor device, method of fabricating semiconductor device, and semiconductor structure having semiconductor device

Номер патента: US20230371277A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Alexander Kalnitsky,Tien-Wei Chiang,Sheng-Haung Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Memory apparatus using semiconductor devices

Номер патента: US20230380139A1. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Perovskite materials and their use in photovoltaic devices

Номер патента: AU2022357457A1. Автор: Alice Taylor,Laura Miranda PEREZ,Christopher Case,Matthew KLUG,Christina KAMARAKI. Владелец: Oxford Photovoltaics Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Doped narrow band gap nitrides for embedded resistors of resistive random access memory cells

Номер патента: WO2016094233A1. Автор: Milind Weling,Mihir Tendulkar. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2016-06-16.

Perovskite materials and their use in photovoltaic devices

Номер патента: EP4410069A1. Автор: Alice Taylor,Laura Miranda PEREZ,Christopher Case,Matthew KLUG,Christina KAMARAKI. Владелец: Oxford Photovoltaics Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Methods of Manufacturing Memory Units, and Methods of Manufacturing Semiconductor Devices

Номер патента: US20090162998A1. Автор: Man-Hyoung Ryoo,Takahiro YASUE,Byeong Ok Cho,Moon-Sook Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-06-25.

Forming electrodes to small electronic devices having self-assembled organic layers

Номер патента: US20100096623A1. Автор: Nikolai Borisovich Zhitenev. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-04-22.

Method of recording and reproducing digital audio signal and apparatus thereof

Номер патента: US5687157A. Автор: Tadao Suzuki,Kenzo Akagiri,Makoto Akune,Kenichi Imai. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1997-11-11.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240357797A1. Автор: Janbo Zhang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Low-band conversion chrominance signal processing apparatus and method therefor

Номер патента: US5394197A. Автор: Yong-Je Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1995-02-28.

Method of fabricating a miniature device having an acoustic diaphragm

Номер патента: WO2018212933A1. Автор: Wit Bushko,Prateek Nath,Shawn Prevoir. Владелец: Bose Corporation. Дата публикации: 2018-11-22.

Method of fabricating a miniature device having an acoustic diaphragm

Номер патента: US20200021933A1. Автор: Shawn J. Prevoir,Prateek Nath. Владелец: Bose Corp. Дата публикации: 2020-01-16.

Method of fabricating a miniature device having an acoustic diaphragm

Номер патента: EP3659350A1. Автор: Prateek Nath,Shawn Prevoir. Владелец: Bose Corp. Дата публикации: 2020-06-03.

Method of fabricating memeory

Номер патента: US20060270142A1. Автор: Yider Wu,Jongoh Kim,Kent Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2006-11-30.

Method of fabricating memeory

Номер патента: US20070259493A1. Автор: Yider Wu,Jongoh Kim,Kent Kuohua Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-08.

Method of fabricating a miniature device having an acoustic diaphragm

Номер патента: US20200068315A1. Автор: Shawn J. Prevoir,Wit Bushko,Prateek Nath. Владелец: Bose Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Method of fabricating a miniature device having an acoustic diaphragm

Номер патента: EP3625973A1. Автор: Wit Bushko,Prateek Nath,Shawn Prevoir. Владелец: Bose Corp. Дата публикации: 2020-03-25.

Memory device, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: US11737287B2. Автор: Yu-Chao Lin,Jung-Piao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Memory cells, semiconductor structures, semiconductor devices, and methods of fabrication

Номер патента: EP3130014A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Sumeet C. Pandey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-15.

Acidophilic fusarium oxysporum strains, methods of their production and methods of their use

Номер патента: EP4361281A2. Автор: Richard E. MACUR,William P. INSKEEP,Mark KOZUBAL. Владелец: Fynder Group Inc. Дата публикации: 2024-05-01.

Acidophilic fusarium oxysporum strains, methods of their production and methods of their use

Номер патента: EP4361281A3. Автор: Richard E. MACUR,William P. INSKEEP,Mark KOZUBAL. Владелец: Fynder Group Inc. Дата публикации: 2024-08-21.

Acidophilic fusarium oxysporum strains, methods of their production and methods of their use

Номер патента: US09796989B2. Автор: Mark A. Kozubal,Richard E. MACUR,William P. INSKEEP. Владелец: Sustainable Bioproducts Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Compositions and method of treating cattle and pigs' infectious diseases

Номер патента: RU2466726C2. Автор: Роберт Д. СИММОНС,Кэнвол Дж. ВАРМА,Абу ХУК,Кейт А. ФРИХОФ,Рауль Е КОЕН. Владелец: Шеринг Плау Лтд.. Дата публикации: 2012-11-20.

Method of automated determination of thermal resistance transition - body of packed power semiconductor devices

Номер патента: RU2653962C1. Автор: Леонид Алексеевич Потапов. Владелец: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "Брянский государственный технический университет". Дата публикации: 2018-05-15.

Method of dismantling graphite masonry of a reactor core of a channel power nuclear reactor

Номер патента: RU2725621C1. Автор: Анатолий Александрович Петров,Виктор Николаевич Гущин,Николай Владимирович Жуков,Алексей Владимирович Слободчиков,Роман Мансурович Умяров. Владелец: Акционерное Общество "Ордена Ленина Научно-Исследовательский И Конструкторский Институт Энерготехники Имени Н.А. Доллежаля". Дата публикации: 2020-07-03.

Rubber vulcanizates having reduced heat evolution when subjected to dynamic deformation, a process for their preparation and their use

Номер патента: CA1331493C. Автор: Richard Sattelmeyer. Владелец: Hoechst AG. Дата публикации: 1994-08-16.

Antioxidant compounds and methods of their use

Номер патента: EP2344454A1. Автор: Steven Bottle,Kathryn Fairfull-Smith,Farina Schill. Владелец: Queensland University of Technology QUT. Дата публикации: 2011-07-20.

Antioxidant compounds and methods of their use

Номер патента: WO2010037172A1. Автор: Steven Bottle,Kathryn Fairfull-Smith,Farina Schill. Владелец: QUEENSLAND UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2010-04-08.

Low molecular weight protein degraders and their applications

Номер патента: US20240294489A1. Автор: Sylvain Cottens,Katarzyna KACZANOWSKA,Roman PLUTA,Niall Dickinson,Michal WALCZAK,Krzysztofa Odrzywól. Владелец: Captor Therapeutics SA. Дата публикации: 2024-09-05.

Method of laying a channel in the incinerator and a device having such a channel

Номер патента: RU2647752C2. Автор: Йоханнес МАРТИН,Торальф ВЕБЕР. Владелец: Мартин ГмбХ Фюр Умвельт-Унд Энергитехник. Дата публикации: 2018-03-19.

EXTRACT Piper Laetispicum CDC, METHOD OF PRODUCTION AND APPLICATION THEREOF

Номер патента: RU2385160C2. Автор: Ижу ВАНГ,Юи ДЖИАНГ. Владелец: Юи ДЖИАНГ. Дата публикации: 2010-03-27.

Heterocyclic compounds and methods of their use

Номер патента: US09624243B2. Автор: Alan Naylor,Thomas David Mccarthy. Владелец: NOVARTIS AG. Дата публикации: 2017-04-18.

Activated formylglycine-generating enzymes and methods of producing and using the same

Номер патента: US12018308B2. Автор: David Rabuka,Gregory W. DEHART,Jeanne BAKER,Patrick HOLDER. Владелец: RP Scherer Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-25.

Biosensors coated with co-polymers and their uses thereof

Номер патента: CA3070332A1. Автор: FEI Yu. Владелец: Microtech Medical Hangzhou Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-30.

Activated formylglycine-generating enzymes and methods of producing and using the same

Номер патента: US09951367B2. Автор: David Rabuka,Gregory W. DEHART,Jeanne BAKER,Patrick HOLDER. Владелец: RP Scherer Technologies LLC. Дата публикации: 2018-04-24.

Polymer product for protection of farm animals against ectoparasites and method of its production

Номер патента: RU2727341C1. Автор: Владимир Иванович Колесников,Сергей Владимирович Енгашев,Екатерина Сергеевна Енгашева,Михаил Дмитриевич Новак,Денис Николаевич Филимонов,Артем Алексеевич Артемов,Сергей Борисович Германов,Яна Юрьевна Чуркина,Магомед Алиевич Алиев,Валерий Павлович Бритов,Александр Борисович Муромцев,Наталья Анатольевна Кошкина,Алексей Викторович Мироненко,Анна Михайловна Никанорова,Антон Николаевич Токарев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-внедренческий центр Агроветзащита". Дата публикации: 2020-07-21.

Oxazolidinones, their salts, method of their synthesis, pharmaceutical preparation and method of its preparing

Номер патента: RU2145961C1. Автор: Прюхер Хельмут,Раддатц Петер,Ганте Йоахим,Юрачик Хорст,Вурцигер Ханнс,Бернотат-Данеловски Сабине,Мельцер Гвидо. Владелец: Мерк Патент Гмбх. Дата публикации: 2000-02-27.

Method of fixing optical modules of an optical cable on a cassette of a coupling when splicing optical cable lengths

Номер патента: RU2727562C1. Автор: Владимир Александрович Бурдин,Антон Олегович Нижгородов,Николай Иванович Алехин,Иван Николаевич Алехин,Владимир Васильевич Инякин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Поволжский государственный университет телекоммуникаций и информатики". Дата публикации: 2020-07-22.

CATALYTIC COMPOSITIONS AND THEIR APPLICATION IN METHODS OF ALKYLATION OF AROMATIC COMPOUNDS

Номер патента: RU2019133667A. Автор: Дорон Левин,Мэттью С. АЙД,Бретт Т. ЛАВЛЕСС,Уильям У. ЛОНЕРГАН,Мэттью Дж. ВИНСЕНТ,Вэй-Пин ТАЙ,Федерико БАРРАЙ. Владелец: Эксонмобил Кемикэл Пейтентс Инк.. Дата публикации: 2021-04-29.

CATALYTIC COMPOSITIONS AND THEIR APPLICATION IN METHODS OF ALKYLATION OF AROMATIC COMPOUNDS

Номер патента: RU2019129729A. Автор: Дорон Левин,Скотт Дж. ВАЙГЕЛЬ,Мэттью С. АЙД,Вэньи Ф. ЛАЙ,Айви Д. ДЖОНСОН,Бретт Т. ЛАВЛЕСС. Владелец: Эксонмобил Кемикэл Пейтентс Инк.. Дата публикации: 2021-03-30.

Methods of treating cancer with a combination of an anti-pd-1 antibody and an anti-cd30 antibody-drug conjugate

Номер патента: EP4423135A1. Автор: Ryan Heiser,Markus Puhlmann,Scott Knowles. Владелец: Seagen Inc. Дата публикации: 2024-09-04.

Microglial cells and methods of use thereof

Номер патента: WO2020232512A1. Автор: Anthony Robert White,Hazel Qian Yin QUEK. Владелец: The Council of the Queensland Institute of Medical Research. Дата публикации: 2020-11-26.

Crystalline (r)-5-carbamoylpyridin-3-yl-2-methyl-4-(3-(trifluoromethoxy)benzyl) piperazine-1-carboxylate, compositions and methods of use thereof

Номер патента: EP4434583A2. Автор: Jun Xu,Lianfeng Huang,Qun Zhang,Nancy TSOU,Nicole Suzanne White. Владелец: Lundbeck La Jolla Research Center Inc. Дата публикации: 2024-09-25.

Method of cutting of the annular shape composite articles

Номер патента: RU2318660C1. Автор: Александр Александрович Вещев,Григорий Михайлович Гончаров,Роман Сергеевич Плотников. Владелец: Ярославский государственный технический университет. Дата публикации: 2008-03-10.

Novel method of obtaining enteric release system

Номер патента: RU2534573C2. Автор: Анилкумар Ганапати ГАОНКАР,Янь Ван,Ахмад АКАШЕ,Лес ЛОУРЕНС,Амадо Р. ЛОПЕС,Рональд Л. МАЙБАХ,Дана СЕБЕСТА,Джеймс Д. УАЙТ. Владелец: Интерконтинентал Грейт Брэндс ЛЛС. Дата публикации: 2014-11-27.

Acetylene Derivatives And Their Use For Binding And Imaging Amyloid Plaques

Номер патента: US20080166299A1. Автор: Hank F. Kung,Mei Ping Kung. Владелец: University of Pennsylvania Penn. Дата публикации: 2008-07-10.

Acetylene derivatives and their use for binding and imaging amyloid plaques

Номер патента: EP2089110A2. Автор: Hank F. Kung,Mei Ping Kung. Владелец: University of Pennsylvania Penn. Дата публикации: 2009-08-19.

IMMUNOLOGICAL REAGENTS FOR THE DETECTION OF NANB VIRAL HEPATITIS, THEIR PREPARATION METHODS AND THEIR APPLICATIONS IN METHODS OF DETECTION OF NANB VIRAL HEPATITIS AND AS THERAPEUTIC AGENTS

Номер патента: FR2609807B2. Автор: Jacques Pillot. Владелец: Institut Pasteur de Lille. Дата публикации: 1992-05-29.

4-amino-6-(heterocyclic)picolinates and 6-amino-2-(heterocyclic)pyrimidine-4-carboxylates and their use as herbicides

Номер патента: MY175450A. Автор: Stephen Craig Fields,Paul Richard Schmitzer,Jeff Petkus,Nick X Wang,Christian T Lowe,Joshua Roth,Joseph D Eckelbarger,Jeffrey B Epp,Katherine A Guenthenspberger,Thomas L Siddall,Lindsey G Fischer,Natalie C Giampietro,Norbert M Satchivi. Владелец: CORTEVA AGRISCIENCE LLC. Дата публикации: 2020-06-29.

Proteinaceous molecules and methods of use

Номер патента: US20200299339A1. Автор: Frank Bosmans,Steven Petrou,David Julius,Glenn King,Jeremiah OSTEEN,Chuchu ZHANG. Владелец: Florey Institute of Neuroscience and Mental Health. Дата публикации: 2020-09-24.

Fabrication of fluorescent nanoparticles and their conjugates for in vitro and in vivo diagnostics

Номер патента: US20220268764A1. Автор: Benzhong Tang,Ni XIE. Владелец: Auiset Biotechnology Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-25.

Fabrication of fluorescent nanoparticles and their conjugates for in vitro and in vivo diagnostics

Номер патента: WO2021017904A1. Автор: Benzhong Tang,Ni XIE. Владелец: Auiset Biotechnology Co. Ltd.. Дата публикации: 2021-02-04.

ANTIBODIES TO BONE MORPHOGENETIC PROTEINS AND THEIR RECEPTORS AND METHODS OF THEIR APPLICATION

Номер патента: EA200970250A1. Автор: Дебора Циммерман,Марк Селби,Мохан Сринивасан,Алаздэр Белл,Суджата Сингх,Ричард мл. Теолис,Хайди Н. Леблан,Кира Д. Эмори,Тимоти Уилльям Спрул. Владелец: Медарекс, Инк.. Дата публикации: 2010-02-26.

New matrices, processes for their preparation and their use in methods of isolating biomolecules

Номер патента: DE102008010692A1. Автор: Roland Fabis,Ralf Himmelreich. Владелец: QIAGEN GmbH. Дата публикации: 2009-08-27.

New matrix materials, processes for their preparation and their use in methods of isolating biomolecules

Номер патента: DE102008010693A1. Автор: Roland Fabis,Ralf Himmelreich. Владелец: QIAGEN GmbH. Дата публикации: 2009-08-27.

DNA-PK INHIBITORS AND THEIR USES, PHARMACEUTICAL COMPOSITION AND THEIR USES, AND METHOD OF SENSITIZING A CELL

Номер патента: BR112014026703B1. Автор: Pan Li,Jeremy Green,Jinwang Xu,David J. Lauffer,Huai Gao,John P. Duffy,Hongbo Deng,Simon Giroux,Mark A. Morris,Nathan D. Waal,Mark Willem LEDEBOER,John Patrick MAXWELL,Katrina Lee JACKSON,Paul S. Charifson,Kevin Michael Cottrell,Joseph M. Kennedy,Albert Charles Pierce. Владелец: VERTEX PHARMACEUTICALS INCORPORATED. Дата публикации: 2022-10-25.

SUBSTITUTED NITROBENZOPHENONE DERIVATIVES AND THEIR SALT AND THEIR USE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: DE2435816A1. Автор: Edit Toth,Jozsef Toerley,Laszlo Dr Szporny,Eva Dr Palosi,Csilla Dr Meszaros,Sandor Dr Goeroeg,Szabolcs Dr Szeberenyi. Владелец: Richter Gedeon Vegyeszeti Gyar RT. Дата публикации: 1975-02-06.

Methods of synthesis and/or purification of diaminophenothiazinium compounds

Номер патента: CA2657352C. Автор: Colin Marshall,Claude Michel Wischik,John Mervyn David Storey,James Peter Sinclair,Thomas Craven Baddeley. Владелец: Wista Laboratories Ltd. Дата публикации: 2019-06-11.

3'-aminooxy-c5-substituted cytosine nucleotide derivatives and their use in a templated and non-templated enzymatic nucleic acid synthesis

Номер патента: WO2021205156A3. Автор: Martin Fox,Gordon Ross MCINROY,Michal Robert MATUSZEWSKI,Michael Chun Hao Chen. Владелец: Nuclera Nucleics Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Non-steroidal radiolabeled agonist/antagonist compounds and their use in prostate cancer imaging

Номер патента: WO1998055153A9. Автор: Duane D Miller,James T Dalton,Arnab Mukherjee,Leonid I Kirkovsky. Владелец: Univ Tennessee Res Corp. Дата публикации: 1999-04-01.

Activated Formylglycine-Generating Enzymes and Methods of Producing and Using the Same

Номер патента: US20230357814A1. Автор: David Rabuka,Gregory W. DEHART,Jeanne BAKER,Patrick HOLDER. Владелец: RP Scherer Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-09.

Methods of Chemical Synthesis and Purification of Diaminophenothiazinium Compounds Including Methylthioninium Chloride (Mtc)

Номер патента: US20080207603A1. Автор: Colin Marshall,Claude Michel Wischik,John Mervyn David Storey,James Peter Sinclair,Han Wan Tan. Владелец: Wista Laboratories Ltd. Дата публикации: 2008-08-28.

NOVEL COMPOSITIONS COMPRISING A PHOSPHODIESTERASE-5 INHIBITOR AND THEIR USE IN METHODS OF TREATMENT

Номер патента: US20130296324A1. Автор: Held Jerry M.. Владелец: VIVUS, INC.. Дата публикации: 2013-11-07.

AMINOQUINAZOLINE DERIVATIVES AND THEIR SALTS AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20160039838A1. Автор: LIU Bing,ZHANG Yingjun,Zhang Jiancun,CHENG Changchung,LIU Jinlei. Владелец: SUNSHINE LAKE PHARMA CO., LTD.. Дата публикации: 2016-02-11.

AMINOQUINAZOLINE DERIVATIVES AND THEIR SALTS AND METHODS OF USE

Номер патента: US20140228361A1. Автор: Zhang Lu,LIU Bing,Zhang Weihong,ZHANG Yingjun,Zhang Jiancun,LIU Jinlei,Zhang Jiquan. Владелец: SUNSHINE LAKE PHARMA CO., LTD.. Дата публикации: 2014-08-14.

Polyfluoreno[4,5-cde]oxepine Conjugates and Their Use in Methods of Analyte Detection

Номер патента: US20180171070A1. Автор: Diwu Zhenjun,Guo Haitao,ZHAO QIN,Jennings Travis,Peng Ruogu,Funatake Castle. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-21.

Styryl phenols, derivatives and their use in methods of analyte detection

Номер патента: US20200174006A1. Автор: Diwu Zhenjun,LUO Zhen,LIU Jixiang,Dong Pengfei. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-04.

METAL-CHELATING COMPOSITIONS AND THEIR USE IN METHODS OF REMOVING OR INHIBITING BARIUM SCALE

Номер патента: US20210221715A1. Автор: Wilson Justin,THIELE Nikki. Владелец: CORNELL UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-07-22.

COMPOSITIONS COMPRISING NANOSILICA PARTICLES AND THEIR USE IN METHODS OF ACTIVATING T LYMPHOCYTES FOR THERAPY

Номер патента: US20190192555A1. Автор: Powell Jonathan Joseph,Faria Nuno Jorge Rodrigues,VIS Bradley Michael,Hewitt Rachel Elaine,Bastos Carlos. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-27.

COMPOSITION COMPRISING CAFFEOYLSHIKIMIC ACIDS, PROTOCATECHUIC ACID, HYDROXYTYROSOL, HYDROXYBENZOIC ACID AND THEIR DERIVATIVES AND METHOD OF PREPARATION THEREOF

Номер патента: US20200197476A1. Автор: Sambandan T.G.,Rha ChoKyun,Sinskey Anthony J.,Sambanthamurthi Ravigadevi,Tan Yew Ai,Wahid Mohd Basri,Manickam Kalyana Sundram P.. Владелец: Malaysian Palm Oil Board. Дата публикации: 2020-06-25.

COMPOSITION COMPRISING CAFFEOYLSHIKIMIC ACIDS, PROTOCATECHUIC ACID, HYDROXYTYROSOL, HYDROXYBENZOIC ACID AND THEIR DERIVATIVES AND METHOD OF PREPARATION THEREOF

Номер патента: US20180221429A1. Автор: Sambandan T.G.,Rha ChoKyun,Sinskey Anthony J.,Sambanthamurthi Ravigadevi,Tan Yew Ai,P. Manickam Kalyana Sundram,Wahid Mohd Basri. Владелец: Malaysian Palm Oil Board. Дата публикации: 2018-08-09.

FILM-FORMING COMPOSITIONS CONTAINING ZWITTERIONIC FUNCTIONAL POLYMERS AND THEIR USE IN METHODS OF REDUCING ADHESION OF AN ORGANIC SUBSTANCE TO A SUBSTRATE

Номер патента: US20180251583A1. Автор: Hanson Eric L.,Bruner Eric L.,HUGHES EDWARD W.. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-06.

5-sulfanylhistidines and their disulfides and method of preparation thereof

Номер патента: US20180258077A1. Автор: Irene Erdelmeier,Sylvain Daunay. Владелец: Tetrahedron SAS. Дата публикации: 2018-09-13.

Polyfluoreno[4,5-cde]oxepine Conjugates and Their Use in Methods of Analyte Detection

Номер патента: US20170275418A1. Автор: Diwu Zhenjun,Guo Haitao,ZHAO QIN,Jennings Travis,Peng Ruogu,Funatake Castle. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-28.

APPARATUS FOR TRANSFERRING CONTAINERS AND THEIR CONTENTS, AND METHODS OF MAKING AND USING THE SAME

Номер патента: US20200324982A1. Автор: WIEBE Abraham. Владелец: DMM Packaging, Inc.. Дата публикации: 2020-10-15.

COMPOSITION COMPRISING CAFFEOYLSHIKIMIC ACIDS, PROTOCATECHUIC ACID, HYDROXYTYROSOL, HYDROXYBENZOIC ACID AND THEIR DERIVATIVES AND METHOD OF PREPARATION THEREOF

Номер патента: US20170348373A1. Автор: Sambandan T.G.,Rha ChoKyun,Sinskey Anthony J.,Sambanthamurthi Ravigadevi,Tan Yew Ai,P. Manickam Kalyana Sundram,Wahid Mohd Basri. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-07.

COMPOSITIONS CONTAINING ARSENIC AND THEIR USE IN METHODS OF TREATMENT

Номер патента: US20170354680A1. Автор: Utick Malvin. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-14.

COMPOSITIONS COMPRISING ENO1 AND THEIR USE IN METHODS OF TREATING OBESITY OR OVERWEIGHT AND REDUCING WEIGHT GAIN

Номер патента: US20160375113A1. Автор: NARAIN Niven Rajin,SARANGARAJAN Rangaprasad,VISHNUDAS Vivek K.,Gesta Stephane,Jing Enxuan. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-29.

STYRYL PHENOLS, DERIVATIVES AND THEIR USE IN METHODS OF ANALYTE DETECTION

Номер патента: US20200378975A1. Автор: Diwu Zhenjun,LUO Zhen,LIU Jixiang,Dong Pengfei. Владелец: AAT BIOQUEST, INC.. Дата публикации: 2020-12-03.

NEW SEQUENCES OF NUCLEIC ACIDS AND THEIR APPLICATION IN METHODS OF ACHIEVING STABILITY IN PLANT PATHOGENS

Номер патента: RU2004110237A. Автор: Маркус Франк,Карл-Хайнц КОГЕЛЬ,Ральф ХЮКЕЛЬХОФЕН,Хольгер ШУЛЬТХАЙСС,Карл-Хайнц КОГЕЛЬ (DE),Ральф ХЮКЕЛЬХОФЕН (DE),Хольгер ШУЛЬТХАЙСС (DE),Маркус ФРАНК (DE). Владелец: БАСФ ПЛАНТ САЙЕНС ГмбХ (DE). Дата публикации: 2005-04-20.

Novel n-alkylenepiperidino compositions and their enantiomers,the method of preparing them and pharmaceutical compounds containing them

Номер патента: KR100244063B1. Автор: 크샤비예에몽-알뜨,세르쥬마르띠네,빈센조프로이에토,디디에방브로엑. Владелец: 디. 꼬쉬. Дата публикации: 2000-03-02.

COLLOIDAL DISPERSION OF NANOPARTICLES OF CALCIUM PHOSPHATE AND AT LEAST ONE PROTEIN, AS WELL AS REDISPERSABLE NANOPARTICLES AND THEIR CALCINATED PARTICLES, METHOD OF PREPARATION AND USES

Номер патента: FR2839657A1. Автор: Ching Jean Yves Chane. Владелец: Rhodia Chimie SAS. Дата публикации: 2003-11-21.

IMPROVEMENTS IN THE MEANS OF THERMAL INSULATION OF PIPES SUBJECT TO THERMAL, HYDROSTATIC AND MECHANICAL CONSTRAINTS AND THEIR IMPLEMENTATION, AND METHODS OF MAKING SUCH MEANS OF INSULATION

Номер патента: FR2557671B1. Автор: Gilles Argy,Philippe Marchal,Michel Grapin. Владелец: HUTCHINSON SA. Дата публикации: 1986-08-01.

IMPROVEMENTS IN THE MEANS OF THERMAL INSULATION OF PIPES SUBJECT TO THERMAL, HYDROSTATIC AND MECHANICAL CONSTRAINTS AND THEIR IMPLEMENTATION, AND METHODS OF MAKING SUCH MEANS OF INSULATION

Номер патента: FR2588938B2. Автор: Jean Althabegoity,Charles Zermati. Владелец: HUTCHINSON SA. Дата публикации: 1988-01-15.

IMPROVEMENTS IN MEANS OF THERMAL INSULATION OF PIPING SYSTEMS SUBJECTED TO THERMAL, HYDROSTATIC AND MECHANICAL CONSTRAINTS AND THEIR INSTALLATION AND METHODS OF MAKING SAID MEANS OF ISOLATION

Номер патента: FR2557671A1. Автор: Gilles Argy,Philippe Marchal,Michel Grapin. Владелец: HUTCHINSON SA. Дата публикации: 1985-07-05.

Novel (piperazinyl-1 alkyl) -10 substituted phenothiazines and their salts, and method of preparation

Номер патента: FR88237E. Автор: . Владелец: Societe Industrielle pour la Fabrication des Antibiotiques SA SIFA. Дата публикации: 1966-07-22.

IMPROVEMENTS IN MEANS OF THERMAL INSULATION OF PIPING SYSTEMS SUBJECTED TO THERMAL, HYDROSTATIC AND MECHANICAL CONSTRAINTS AND THEIR INSTALLATION AND METHODS OF MAKING SAID MEANS OF ISOLATION

Номер патента: FR2588938A2. Автор: Jean Althabegoity,Charles Zermati. Владелец: HUTCHINSON SA. Дата публикации: 1987-04-24.

POWDERS AND PRODUCTS OF TANTALIUM, NIOBIUM AND THEIR ALLOYS AND METHODS OF PRODUCTION

Номер патента: FR2648826A1. Автор: Prabhat Kumar. Владелец: Cabot Corp. Дата публикации: 1990-12-28.

Novel [(2-diethylaminoethoxy) -4 phenyl] -ketones and their salts and method of preparation

Номер патента: FR1447252A. Автор: . Владелец: Societe Industrielle pour la Fabrication des Antibiotiques SA SIFA. Дата публикации: 1966-07-29.

Novel substituted 5-formyluracils and their salts, and method of preparation

Номер патента: FR1512549A. Автор: . Владелец: Societe Industrielle pour la Fabrication des Antibiotiques SA SIFA. Дата публикации: 1968-02-09.

Epoxy-organosilicon compounds and their derivatives, and method of manufacture

Номер патента: FR1222868A. Автор: . Владелец: Minnesota Mining and Manufacturing Co. Дата публикации: 1960-06-14.

Dispersion of poloxamer-protein particles, methods of manufacturing and uses thereof

Номер патента: CA2701377C. Автор: Jean-Pierre Benoit,Alexandra Paillard,Marie-Claire Venier. Владелец: Universite dAngers. Дата публикации: 2016-11-22.

pharmaceutical compositions and their use and methods of treating vertigo of different origins, kinetosis and vegetative vascular dystonia

Номер патента: BR112013001296A2. Автор: Lliich Epshtein Oleg. Владелец: Lliich Epshtein Oleg. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device test system having reduced current leakage

Номер патента: CN101796424B. Автор: 布拉德利·P·史密斯. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-07-09.

Drug delivery systems based on hyaluronan, derivatives thereof and their salts and method of producing same

Номер патента: EP0224987A3. Автор: Endre A. Balazs,Adolf Leshchiner,Nancy E. Larsen. Владелец: Biomatrix Inc. Дата публикации: 1987-11-19.

Novel substituted benzylamines and their salts, and method of preparation

Номер патента: FR1429306A. Автор: . Владелец: Societe Industrielle pour la Fabrication des Antibiotiques SA SIFA. Дата публикации: 1966-02-25.

Composition comprising caffeoylshikimic acids, protocatechuic acid, hydroxytyrosol, hydroxybenzoic acid and their derivatives and method of preparation thereof

Номер патента: EP2435397B1. Автор: Yew Ai TAN,J. Sinskey ANTHONY,Chokyun Rha,Ravigadevi Sambanthamurthi,T. J. Sambandan,Kalyana Sundram P. Manickam,Mohd Basri Wahid. Владелец: Palm Oil Research and Development Board. Дата публикации: 2018-11-07.

Amides of 4-hydroxyazetidine-2-sulfonic acids and their salts and method of preparation thereof

Номер патента: RU2124003C1. Автор: Ковачевич Миче,Томич Мирьяна,Бркич Зинка,Лукич Ирена,Дж.Херак Джюре,Мандич Зора. Владелец: Плива Фармакойтска, Кемичска, Прерамбена и Козметичка Индустрия Дионичко Друство. Дата публикации: 1998-12-27.

Protofibril binding antibodies and their use in methods of treatment and diagnosis of Parkinson's disease, Lewy body dementia and other alpha-synucleinopathies

Номер патента: JP5894939B2. Автор: エーバノルドストレーム,アレックスカスラヤン,モニカエクバリ,スンドクイストバレンティーナスクレパンティ,スンドクイストバレンティーナスクレパンティ,ラースランフェルト,マッツホルムクイスト. Владелец: バイオアークティックニューロサイエンスアーベー. Дата публикации: 2016-03-30.

Novel compositions comprising a phosphodiesterase-5 inhibitor and their use in methods of treatment

Номер патента: CA2687679A1. Автор: Jerry M. Held. Владелец: Jerry M. Held. Дата публикации: 2008-11-27.

Composition comprising caffeoylshikimic acids, protocatechuic acid, hydroxytyrosol, hydroxybenzoic acid and their derivatives and method of preparation thereof

Номер патента: CN102448925B. Автор: T·J·萨姆班丹,熊祖坚,J·杏斯奇·安东尼,拉维加德维·沙姆巴沙穆提,谭友爱,卡里亚纳·桑德拉姆·P.马尼卡姆,莫哈末·巴斯利·瓦西德. Владелец: Palm Oil Research and Development Board. Дата публикации: 2014-12-10.

Uv excitable polyfluorene based conjugates and their use in methods of analyte detection

Номер патента: EP4097477A1. Автор: Zhenjun Diwu,Haitao Guo,Ruogu Peng,Travis Jennings. Владелец: AAT Bioquest Inc. Дата публикации: 2022-12-07.

Fragments of the human zn-alpha2-glycolprotein and their use in methods of treatment of obesity

Номер патента: WO2003050281A3. Автор: Ilya Chumakov,Chumakov Guerassimenko. Владелец: Chumakov Guerassimenko. Дата публикации: 2003-12-04.

Eating solutions and their use in methods of therapy or pro

Номер патента: NO985306L. Автор: Warwick Murrow Jameson. Владелец: Warwick Murrow Jameson. Дата публикации: 1999-01-14.

Compositions comprising eno1 and their use in methods of treating obesity or overweight and reducing weight gain

Номер патента: WO2016210008A1. Автор: Niven Rajin Narain,Rangaprasad Sarangarajan,Vivek K. Vishnudas,Stephane Gesta,Enxuan Jing. Владелец: Berg LLC. Дата публикации: 2016-12-29.

Dental devices, and their systems and methods of manufacture

Номер патента: MA40100A1. Автор: Marc Ginsburg,Stephen Ginsburg. Владелец: MIRADENT GROUP SALES Inc. Дата публикации: 2017-11-30.

Macrocyclic analogs and their use and methods of preparation

Номер патента: JP4454151B2. Автор: リトルフィールド，ブルース，エイ,パルメ，モニカ,セレトスキー，ボリス，エム,トウル，マレイ，ジェイ,ユー，メルビン，ジェイ,ツェン，ワンジュン. Владелец: Eisai R&D Management Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-21.

tetrapyrrolic compound and pharmaceutically acceptable pharmaceutical composition thereof and their uses and methods of photodynamic therapy and diagnosis and treatment of arthritis and similar inflammatory diseases.

Номер патента: BR112013001576A2. Автор: Volker Albrecht,Susanna Gräfe,Daniel Aicher,Arno Wiehe,Christian B W Stark. Владелец: Ceramoptec Ind Inc. Дата публикации: 2016-07-19.

Novel 2-saccharinylmethyl heterocyclic carboxylates usable as proteolytic enzymes inhibitors and their compositions and method of application

Номер патента: CZ386892A3. Автор: Chakrapani Subramanyam,Richard Paul Dunlap,Ranjit Chimanlal Desai,Lee Hamilton Latimer,Malcolm Rice Bell,Virendra Kumar,John Joseph Court,Denis John Hlasta. Владелец: Sterling Winthrop Inc. Дата публикации: 1993-09-15.

Novel (piperazinyl-1) -9 dihydro-9, 10 ethano-9, 10 anthracenes and their salts and method of preparation

Номер патента: FR1536276A. Автор: . Владелец: Societe Industrielle pour la Fabrication des Antibiotiques SA SIFA. Дата публикации: 1968-08-16.

Semiconductor device test system having reduced current leakage

Номер патента: CN101796424A. Автор: 布拉德利·P·史密斯. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2010-08-04.

Insect attractants and their use in methods of insect control

Номер патента: US8586068B2. Автор: James Gordon Campbell Hamilton. Владелец: KEELE UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-11-19.

Sulfonic acids and their derivatives and methods of preparing same

Номер патента: US3555080A. Автор: Paul Raphael Resnick. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 1971-01-12.

UV Excitable Polyfluorene Based Conjugates and Their Use in Methods of Analyte Detection

Номер патента: US20230131000A1. Автор: Zhenjun Diwu,Haitao Guo,Ruogu Peng,Travis Jennings. Владелец: AAT Bioquest Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Mixed cationic dyes comprising at least one anthraquinone chromophore and their use in methods of hair dyeing

Номер патента: US20070125261A1. Автор: Andrew Greaves,Nicolas Daubresse. Владелец: Nicolas Daubresse. Дата публикации: 2007-06-07.

Fragments of the human zn-alpha2-glycolprotein and their use in methods of treatment of obesity

Номер патента: WO2003050281A2. Автор: Ilya Chumakov,Oxana Guerassimenko. Владелец: Genset S.A.. Дата публикации: 2003-06-19.

Novel interleukin-1 and tumor necrosis factor-alpha modulators, synthesis of said and their enantimoners and methods of using said modulators

Номер патента: US20030050338A1. Автор: Emmanuel Theodorakis,Michael Palladino. Владелец: Nereus Pharmaceuticals Inc. Дата публикации: 2003-03-13.

POLYMER PRECURSORS WITH ISOCYANURATE PATTERNS COMPRISING HYDROXYL, URETHAN, ISOCYANATE OR ACRYLIC FUNCTIONS AND THEIR COMBINATIONS, AND METHODS OF MAKING SAME.

Номер патента: FR2663931A1. Автор: Vanhoye Didier,Grosius Paul. Владелец: Norsolor SA. Дата публикации: 1992-01-03.

Basic substituted amides of n-substituted anthranilic acids and their salts and method of producing said compounds

Номер патента: CA921051A. Автор: Alhede Børge,Neuhold Karl. Владелец: Karl Neuhold. Дата публикации: 1973-02-13.

Styryl phenols, derivatives and their use in methods of analyte detection

Номер патента: US11821901B2. Автор: Zhen Luo,Zhenjun Diwu,Jixiang Liu,Pengfei Dong. Владелец: AAT Bioquest Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Methods of treating cancer with a combination of an anti-pd-1 antibody and an anti-cd30 antibody-drug conjugate

Номер патента: AU2022377628A1. Автор: Ryan Heiser,Markus Puhlmann,Scott Knowles. Владелец: Seagen Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Circular recombinant plasmid dna constructs and their protein products, methods of preparation and immobilisation of proteins onsupport

Номер патента: AU2003219645A1. Автор: Alpay Taralp,Erinc Sahin,Zehra Sayers. Владелец: Sabanci Universitesi. Дата публикации: 2004-10-11.

Dux4 inhibitors and methods of use thereof

Номер патента: US20230348906A1. Автор: Sean Christopher DAUGHERTY,Lishan Chen,Francis Michael SVERDRUP. Владелец: Ultragenyx Pharmaceutical Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Certain dux4 inhibitors and methods of use thereof

Номер патента: WO2023168202A2. Автор: Sean Christopher DAUGHERTY,Lishan Chen,Francis Michael SVERDRUP. Владелец: Ultragenyx Pharmaceutical Inc.. Дата публикации: 2023-09-07.

Methods of treatment with CD80 extracellular domain polypeptides

Номер патента: US11789010B2. Автор: Ursula Jeffry,Thomas Brennan,Susannah D. BARBEE,Barbara Sennino. Владелец: Five Prime Therapeutics Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Methods of treating cancer with a combination of an anti-pd-1 antibody and an anti-cd30 antibody-drug conjugate

Номер патента: CA3236735A1. Автор: Ryan Heiser,Markus Puhlmann,Scott Knowles. Владелец: Seagen Inc. Дата публикации: 2023-05-04.

Compositions comprising nanosilica particles and their use in methods of activating T lymphocytes for therapy

Номер патента: US11980637B2. Автор: Jonathan Joseph Powell,Nuno Jorge Rodrigues Faria,Bradley Michael VIS,Rachel Elaine Hewitt,Carlos Bastos. Владелец: United Kingdom Research and Innovation. Дата публикации: 2024-05-14.

Polyfluoreno[4,5-cde]oxepine conjugates and their use in methods of analyte detection

Номер патента: EP3341377A4. Автор: Qin Zhao,Zhenjun Diwu,Haitao Guo,Ruogu Peng,Travis Jennings,Castle Funatake. Владелец: AAT Bioquest Inc. Дата публикации: 2018-10-24.

Styryl phenols, derivatives and their use in methods of analyte detection

Номер патента: US20200174006A1. Автор: Zhen Luo,Zhenjun Diwu,Jixiang Liu,Pengfei Dong. Владелец: AAT Bioquest Inc. Дата публикации: 2020-06-04.

Styryl phenols, derivatives and their use in methods of analyte detection

Номер патента: US20240077489A1. Автор: Zhen Luo,Zhenjun Diwu,Jixiang Liu,Pengfei Dong. Владелец: AAT Bioquest Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Dux4 inhibitors and methods of use thereof

Номер патента: EP4208548A1. Автор: Sean Christopher DAUGHERTY,Lishan Chen,Francis Michael SVERDRUP. Владелец: Ultragenyx Pharmaceutical Inc. Дата публикации: 2023-07-12.

Certain dux4 inhibitors and methods of use thereof

Номер патента: WO2023168202A3. Автор: Sean Christopher DAUGHERTY,Lishan Chen,Francis Michael SVERDRUP. Владелец: Ultragenyx Pharmaceutical Inc.. Дата публикации: 2023-10-26.

Compositions comprising nanosilica particles and their use in methods of activating t lymphocytes for therapy

Номер патента: EP3496728A1. Автор: Jonathan Joseph Powell,Nuno Jorge Rodrigues Faria,Bradley Michael VIS,Rachel Elaine Hewitt,Carlos Bastos. Владелец: United Kingdom Research and Innovation. Дата публикации: 2019-06-19.

Nerve targeting peptide conjugates and methods of use

Номер патента: US20240207422A1. Автор: Michael Whitney,Quyen Nguyen. Владелец: Alume Biosciences Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Display device having a guard layer configured to prevent interference of signals between a touch screen and a signal line, and method of manufacturing the same

Номер патента: US10386973B2. Автор: Sung Ho Lee. Владелец: G2touch Co ltd. Дата публикации: 2019-08-20.

Flash memory storage apparatus and a biasing method thereof, which can reduce a gate induced drain leakage (gidl) and improve reliability of memory cells

Номер патента: US20220366963A1. Автор: Chih-Yuan Wang,Chien-Hung Lien. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-11-17.

Flash memory storage apparatus and a biasing method thereof, which can reduce a gate induced drain leakage (gidl) and improve reliability of memory cells

Номер патента: US20220246194A1. Автор: Chih-Yuan Wang,Chien-Hung Lien. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Program refresh with gate-induced drain leakage

Номер патента: US20240038316A1. Автор: Tomoharu Tanaka,Eric N. Lee,Kishore Kumar Muchherla,Akira Goda,Huai-Yuan Tseng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Erase method of non-volatile memory device

Номер патента: US11783900B2. Автор: Sang-Won Park,Won Bo Shim,Bong Soon LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-10.

Electrochromic devices having reduced switching times and their methods of manufacture

Номер патента: US09939703B1. Автор: Que Anh S. Nguyen. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Electrochromic devices utilizing very low band gap conjugated polymers: preparation and use

Номер патента: WO2007008978A3. Автор: Gregory Allen Sotzing,Venkataramanan Seshadri. Владелец: Venkataramanan Seshadri. Дата публикации: 2007-04-05.

Semiconductor device having reduced leakage and method of operating the same

Номер патента: US20020181291A1. Автор: Shi-Tron Lin,Wei-Fan Chen,Chen-Hsin Lien. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2002-12-05.

Method of encoding audio signal and encoder, method of decoding audio signal and decoder

Номер патента: US20230230604A1. Автор: Tae Jin Lee,Inseon Jang,Jongwon Shin,Seung Kwon Beack,Jongmo Sung,Sangwook HAN,Woo-taek Lim,Youngwon Choi,Soojoong HWANG,Byeongho CHO,Eunkyun LEE. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2023-07-20.

Gate-induced drain leakage pre-charge in sub-block mode for three or more tier non-volatile memory structure

Номер патента: US20240112743A1. Автор: Yanli Zhang,Peng Zhang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-04.

Selenophene-Based Low Band Gap Active Layers by Chemical Vapor Deposition

Номер патента: US20130089659A1. Автор: Karen K. Gleason,Dhiman Bhattacharyya. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2013-04-11.

Selenophene-based low band gap active layers by chemical vapor deposition

Номер патента: WO2013095733A3. Автор: Karen K. Gleason,Dhiman Bhattacharyya. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2013-08-22.

Selenophene-based low band gap active layers by chemical vapor deposition

Номер патента: WO2013095733A2. Автор: Karen K. Gleason,Dhiman Bhattacharyya. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2013-06-27.

Systems and methods of blind bandwidth extension

Номер патента: WO2015089066A1. Автор: Sen Li,Stephane Pierre Villette,Daniel J. Sinder,Pravin Kumar RAMADAS. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-06-18.

Bandwidth extension for low-band audio signal

Номер патента: RU2568278C2. Автор: Володя ГРАНЧАРОВ,Стефан БРУН,Сигурдур СВЕРРИССОН,Харальд ПОБЛОТ. Владелец: Телефонактиеболагет Лм Эрикссон (Пабл). Дата публикации: 2015-11-20.

Systems and methods of performing filtering for gain determination

Номер патента: US09711156B2. Автор: Vivek Rajendran,Venkatesh Krishnan,Venkatraman Srinivasa Atti,Stephane Pierre Villette. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Method of producing monocrystalline sic

Номер патента: RU2603159C1. Автор: Виктор Викторович Лучинин,Юрий Михайлович Таиров,Алексей Юрьевич Фадеев,Дмитрий Дмитриевич Авров,Андрей Олегович Лебедев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина)" (СПбГЭТУ "ЛЭТИ"). Дата публикации: 2016-11-20.

Low band gap graphene nanoribbon electronic devices

Номер патента: WO2020243435A3. Автор: Dharati Joshi KOENIGS,Felix Raoul FISCHER,Jeffrey Bokor,Gregory Clinton Veber,Zafer MUTLU,Ryan David MCCURDY,Juan Pablo LLINAS. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2021-01-07.

Systems and methods of blind bandwidth extension

Номер патента: EP3080808A1. Автор: Sen Li,Stephane Pierre Villette,Daniel J. Sinder,Pravin Kumar RAMADAS. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-10-19.

Methods for manufacturing microstructured optical fibers with arbitrary core size and photonic band gap fiber

Номер патента: WO2004046054A2. Автор: Natesan Venkataraman,Daniel W. Hawtof,Michael T. Gallagher,Curtis R. Fekety,Iii Karl W. Koch. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2004-06-03.

Polyurethanes, products and coatings made from them and methods of their production

Номер патента: RU2538599C2. Автор: Томас Г. РУКЭЙВИНА,Кэролайн С. ХАРРИС,Роберт М. ХЬЮНИА,Янь Ван,Вероника Л. ФРЕЙН. Владелец: ПиПиДжи ИНДАСТРИЗ ОГАЙО, ИНК.. Дата публикации: 2015-01-10.

METHOD OF GROWING Cd1-xZnxTe, WHERE 0≤х≤1

Номер патента: RU2330126C2. Автор: Владимир Дмитриевич Голышев,Михаил Александрович Гоник,Владимир Борисович Цветовский,Светлана Викторовна Быкова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственное предприятие "Термо А". Дата публикации: 2008-07-27.

Lithographic template having a repaired gap defect method of repair and use

Номер патента: US20040023126A1. Автор: William Dauksher,David Mancini,Kevin Nordquist,Douglas Resnick. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-05.

Semiconductor memory device and semiconductor device

Номер патента: US20070214444A1. Автор: Nobuyuki Nakai,Yuji Yamasaki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-13.

Microfluidic devices for the generation of nano-vapor bubbles and their methods of manufacture and use

Номер патента: US09833780B2. Автор: Chen Li,Yan Tong,Xianming Dai,Fanhao Yang. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH CAROLINA. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of constructing a reconfigurable photonic band gap device

Номер патента: US7454110B1. Автор: Weimin Zhou. Владелец: US Department of Army. Дата публикации: 2008-11-18.

Methods for decomposing circuit design layouts and for fabricating semiconductor devices using decomposed patterns

Номер патента: US20130219347A1. Автор: Peng XIE,Yi Zou,Luigi Capodieci,Vito Dai,Swamy Muddu,Lynn T. Wang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-08-22.

Blast recorder and method of displaying blast energy

Номер патента: CA1315868C. Автор: Rene Schmidt,Gary Loubert. Владелец: Instantel Inc. Дата публикации: 1993-04-06.

Quantum-dot spectrometers for use in biomedical devices and methods of use

Номер патента: RU2665202C2. Автор: Хорхе ГОНСАЛЕС,Рэндалл Б. ПЬЮ,Фредерик А. ФЛИТШ. Владелец: Джонсон Энд Джонсон Вижн Кэа, Инк.. Дата публикации: 2018-08-28.

Novel Raft Agents and their Use in the Development of Polyvinylpyrrolidone Grafted Nanoparticles

Номер патента: US20200002447A1. Автор: Lei Wang,Brian Benicewicz. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH CAROLINA. Дата публикации: 2020-01-02.

Phosphorus modified uzm-35, methods of preparation, and methods of use thereof

Номер патента: US20240228893A9. Автор: Toshiyuki Yokoi,Xingtao Gao,David M. Stockwell,Bilge Yilmaz,Chandrashekhar Kelkar,Christopher John GILBERT. Владелец: BASF Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Virtual reality head-mounted devices having reduced numbers of cameras, and methods of operating the same

Номер патента: WO2017123395A1. Автор: Chung Chun Wan,Choon Ping CHNG. Владелец: GOOGLE INC.. Дата публикации: 2017-07-20.

N-substituted derivatives of l-(l-phenyl-3-aryl)-lff-pyrazol-4-yl)methanainine, method for their production and their applications

Номер патента: WO2024117922A1. Автор: Dariusz Matosiuk,Damian BARTUZI,Tomasz M. Wróbel,Wojciech TUPIK,Sylwia Woźniak,Agnieszka A. KACZOR. Владелец: Uniwersytet Medyczny W Lublinie. Дата публикации: 2024-06-06.

Crosslinked human or animal tissue products and their methods of manufacture and use

Номер патента: US12065480B2. Автор: Keith E. Myers,W. Jerry Mezger. Владелец: HARBOR MEDTECH Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device including plurality of parallel input/output lines and methods of fabricating and using the same

Номер патента: US20090207654A1. Автор: Sung-Hoon Kim. Владелец: SAMSUNG COMPANY Ltd. Дата публикации: 2009-08-20.

Raft agents and their use in the development of polyvinylpyrrolidone grafted nanoparticles

Номер патента: US09732169B2. Автор: Lei Wang,Brian C. Benicewicz. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH CAROLINA. Дата публикации: 2017-08-15.

Method of fabricating a part by selective melting or selective sintering of powder beds by means of a high energy beam

Номер патента: US09707718B2. Автор: Thomas Vilaro,Olivier Chantoiseau,Sebastien Rix. Владелец: SNECMA SAS. Дата публикации: 2017-07-18.

Acetylcholinesterase inhibitors and promnesiant serotonin 5-HT4 receptor agonists, their methods of preparation and the pharmaceutical compositions containing the same

Номер патента: US09663465B2. Автор: Michel Boulouard,Patrick Dallemagne,Christophe Rochais,Cedric Lecoutey,Thomas Freret. Владелец: Université de Caen Normandie. Дата публикации: 2017-05-30.

PLASMA-CHEMICAL METHOD OF PRODUCING CHALCOGENIDE GLASS OF As-S SYSTEM AND DEVICE THEREFOR

Номер патента: RU2585479C1. Автор: Александр Владимирович Костров,Аскольд Витальевич Стриковский,Владимир Михайлович Воротынцев,Леонид Александрович Мочалов,Алексей Сергеевич Лобанов,Андрей Николаевич Степанов,Алексей Владимирович Нежданов,Александр Иванович Машин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт прикладной физики Российской академии наук (ИПФ РАН). Дата публикации: 2016-05-27.

Nanostructured material transport devices and their fabrication by application of molecular coatings to nanoscale channels

Номер патента: WO2005012874A2. Автор: Leonard C. Feldman,Michael J. Ramsey,Tony E. Haynes,David M. Zehner. Владелец: UT-BATTELLE, LLC. Дата публикации: 2005-02-10.

Benzothiazepine derivatives and their method of preparation

Номер патента: US4539151A. Автор: Nobuyuki Fukazawa,Hajime Iizuka,Tsutomu Katakami. Владелец: Mitsui Toatsu Chemicals Inc. Дата публикации: 1985-09-03.

Process and structure for fabrication of mems device having isolated egde posts

Номер патента: EP2021859A1. Автор: David Heald. Владелец: Qualcomm Mems Technologies Inc. Дата публикации: 2009-02-11.

Fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US7220521B2. Автор: Eiichi Kawamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-05-22.

Virtual reality head-mounted devices having reduced numbers of cameras, and methods of operating the same

Номер патента: EP3403163A1. Автор: Chung Chun Wan,Choon Ping CHNG. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2018-11-21.

Cephalotaxanes, their method of preparation and their use in treatment of cancers, leukemias, parasites including those resistant to usual chemotherapeutic agents and as reversal agents

Номер патента: EP1328527A1. Автор: Nina Radosevic,Jean-Pierre Robin,Jean-Pierre Marie,Robert Dhal,Julie Robin,Patricia Bataille,Freddy Drouye,Karine Souchaud. Владелец: Oncopharm Corp. Дата публикации: 2003-07-23.

Cephalotaxanes, their method of preparation and their use in treatment of cancers, leukemias, parasites including those resistant to usual chemotherapeutic agents and as reversal agents

Номер патента: EP1328527B1. Автор: Nina Radosevic,Jean-Pierre Robin,Jean-Pierre Marie,Robert Dhal,Julie Robin,Patricia Bataille,Freddy Drouye,Karine Souchaud. Владелец: Stragen Pharma SA. Дата публикации: 2006-03-08.

Process and structure for fabrication of mems device having isolated edge posts

Номер патента: WO2007142737A8. Автор: David Heald. Владелец: David Heald. Дата публикации: 2008-02-28.

Cephalotaxanes, their method of preparation and their use in treatment of cancers, leukemias, parasites including those resistant to usual chemotherapeutic agents and as reversal agents

Номер патента: US20040006064A1. Автор: Nina Radosevic,Jean-Pierre Robin,Jean-Pierre Marie,Robert Dhal,Julie Robin,Patricia Bataille,Freddy Drouye,Karine Souchaud. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-08.

Substrates, methods of patterning thin films, and their use

Номер патента: US20240264084A1. Автор: Neil Gregory Raphael Broderick,Colin Lee HISEY,Lawrence William CHAMLEY,Mohammadrahim KAZEMZADEH,Miguel Martinez CALDERON,Weiliang (Peter) XU. Владелец: Auckland Uniservices Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Silico-aluminate containing aggregates for production of monolithic refractory compositions, their method of production and their use

Номер патента: US09981882B2. Автор: Jerome Soudier,Camille DROMAIN. Владелец: Calderys France SAS. Дата публикации: 2018-05-29.

Branched nanowires and method of fabrication

Номер патента: US09765445B2. Автор: Michael Julian Brett,Ryan Thomas Tucker,Michael Thomas Taschuk,Allan Leo Beaudry,Joshua Michael LaForge. Владелец: University of Alberta. Дата публикации: 2017-09-19.

Method of producing ballistic fabric for making bulletproof material and bulletproof material

Номер патента: RU2701717C1. Автор: Николай Николаевич Васильев,Никита Михайлович Сильников,Александр Иванович Спивак,Михаил Владимирович Сильников,Дмитрий Дмитриевич Барков. Владелец: Закрытое акционерное общество "Научно-производственное объединение специальных материалов" (ЗАО "НПО СМ"). Дата публикации: 2019-09-30.

Seam for fabric for paper production and industrial fabric and method of its manufacture

Номер патента: RU2482233C2. Автор: Дана ИГЛС. Владелец: Олбани Интернешнл Корп.. Дата публикации: 2013-05-20.

Method of producing fire-resistant textile materials from cellulose and synthetic fibres

Номер патента: RU2714084C1. Автор: Сергей Вениаминович Заикин,Елена Анатольевна Соловьева,Елена Владимировна Сильченко,Вадим Александрович Баранов,Арюхан Васильевна Цыбикдоржиева,Ирина Агзамовна Курмашова,Любовь Еелиевна Абросимова. Владелец: Закрытое акционерное общество "Центр высокопрочных материалов "Армированные композиты" (ЗАО ЦВМ "Армированные композиты"). Дата публикации: 2020-02-11.

Sensor and method of determining type tissue

Номер патента: RU2655021C1. Автор: КРИШНАН Моханкумар ВАЛИЯМБАТХ,ЛиньФан СЮЙ,ВОНГ Вэй Лик УИЛЛЬЯМ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2018-05-23.

Method of manufacturing base fabric containing a waist component, and disposable panty product made thereof

Номер патента: RU2683739C1. Автор: Лукас БЕК,Карин ЛЬЮНГБЕРГ. Владелец: Эссити Хайджин энд Хелт АБ. Дата публикации: 2019-04-01.

A composite material, a structural element comprised of the composite material, an airplane wing spar and their methods of production

Номер патента: WO2012007891A2. Автор: Zigmund Bluvband,Viktor Shkatov. Владелец: Advanced Logistics Development Ltd.. Дата публикации: 2012-01-19.

Apparatus and method of exposing light to a semiconductor device having a curved surface

Номер патента: WO2004063813A1. Автор: Nobuo Takeda,Ikuo Nishimoto,Ichitaroh Satoh. Владелец: YAMATAKE CORPORATION. Дата публикации: 2004-07-29.

Acid macromonomers and their method of preparation

Номер патента: WO2002079271A3. Автор: Peter Murer. Владелец: Peter Murer. Дата публикации: 2003-12-18.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20200143010A1. Автор: Kang-Min Jung,Sangtae Kim,Bong-Soo Kang,Sooyong Lee,Kyoil KOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-07.

Synthetic oligonucleotide primers and their use in method of detection and differentiation of genome of vaccine strain b-82 of myxoma virus of rabbits from field isolates by method of polymerase chain reaction in real time

Номер патента: RU2549705C1. Автор: Содном Жамьянович Цыбанов,Денис Владимирович Колбасов,Ирина Петровна Синдрякова. Владелец: Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт ветеринарной вирусологии и микробиологии. Дата публикации: 2015-04-27.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising Through Hole Vias Having a Stress Relaxation Mechanism

Номер патента: US20120001330A1. Автор: Huisinga Torsten,Grillberger Michael,Hahn Jens. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Including Ultra Low-K (ULK) Metallization Stacks with Reduced Chip-Package Interaction

Номер патента: US20120001323A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making polyfunctional photonic crystals with inverted opal structure

Номер патента: RU2383082C1. Автор: Александр Сергеевич Гусев,Николай Иванович Каргин,Леонид Васильевич Михнев,Евгений Алексеевич Бондаренко,Сергей Алексеевич Бондаренко,Александр Сергеевич Синицкий,Сергей Олегович Климонский,Вера Владимировна Абрамова,Елена Валерьевна Самсонова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Северо-Кавказский государственный технический университет". Дата публикации: 2010-02-27.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of carrying out developmental testing of jet-propulsion engines and system for carrying out developmental tests

Номер патента: RU2344401C1. Автор: Александр Петрович Фадин. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-производственное объединение "Сатурн" (ОАО "НПО "Сатурн"). Дата публикации: 2009-01-20.

Method of conditioning cyanide-containing products prior to floatation extraction of nonferrous and noble metals

Номер патента: RU2598663C2. Автор: Владимир Феофанович Петров,Сергей Владимирович Петров,Сергей Александрович Конашков. Владелец: Открытое акционерное общество "Иркутский научно-исследовательский институт благородных и редких металлов и алмазов" ОАО "Иргиредмет". Дата публикации: 2016-09-27.

Composition for providing temporary anticorrosion protection of metals and their alloys and method of obtaining such composition

Номер патента: PL265437A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1988-11-24.

Measuring probe for measurements of oxygen chemical potential in gases and their mixtures and method of making such probe

Номер патента: PL147345B1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1989-05-31.

Oxygenated vinyl compounds and their polymers,and methods of preparing them

Номер патента: AU159378B2. Автор: . Владелец: International General Electric Company Incorporporated. Дата публикации: 1951-09-27.

Oxygenated vinyl compounds and their polymers,and methods of preparing them

Номер патента: AU402151A. Автор: . Владелец: International General Electric Company Incorporporated. Дата публикации: 1951-09-27.

1,3-oxazine/5,4-cinnolines and their derivatives and method of receiving 1,3-oxazine/5,4-cinnolines and their derivatives

Номер патента: PL354844A1. Автор: Andrzej Stańczak,Zbigniew Ochocki,Wiesława Lewgowd. Владелец: Uniwersytet Medyczny. Дата публикации: 2004-01-12.

COMPOSITION COMPRISING CAFFEOYLSHIKIMIC ACIDS, PROTOCATECHUIC ACID, HYDROXYTYROSOL, HYDROXYBENZOIC ACID AND THEIR DERIVATIVES AND METHOD OF PREPARATION THEREOF

Номер патента: US20120238773A1. Автор: Sambandan T.G.,Rha ChoKyun,Sinskey Anthony J.,Sambanthamurthi Ravigadevi,Tan Yew Ai,P. Manickam Kalyana Sundram,Wahid Mohd Basri. Владелец: . Дата публикации: 2012-09-20.

INSECT ATTRACTANTS AND THEIR USE IN METHODS OF INSECT CONTROL

Номер патента: US20120263773A1. Автор: Hamilton James Gordon Campbell. Владелец: KEELE UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-10-18.

Method of production of germanium for semiconducting materials

Номер патента: RU2270715C1. Автор: Яков Максимович Кравец,Александр Алексеевич Артюхов,Геннадий Юрьевич Григорьев,Александр Вячеславович Курочкин,Андрей Викторович Тихомиров,Александр В чеславович Курочкин. Владелец: Российский научный центр "Курчатовский институт". Дата публикации: 2006-02-27.

Method of making semiconductor device structures based on blank substrate cloning (versions)

Номер патента: RU2546858C1. Автор: Юрий Георгиевич Шретер,Юрий Тоомасович Ребане,Алексей Владимирович Миронов. Владелец: Алексей Владимирович Миронов. Дата публикации: 2015-04-10.

MONO AND MULTI-LAYER PRODUCTS AND THEIR PRODUCTION BY METHODS OF INJECTION PRESS

Номер патента: RU2006140304A. Автор: Саид ФАРХА,Джеральд ХАТЧИНСОН,Роберт ЛИ,Саид ФАРХА (US),Джеральд ХАТЧИНСОН (US),Роберт ЛИ (GB). Владелец: Эдвансид Пластикс Текнолоджиз Лаксемберг С.А. (LU). Дата публикации: 2008-05-27.

LASER-SPECTRO-COMPUTER CONCENTRATOMETER OF LUMINESCENTS, PARTICLES AND THEIR ODOR AND METHOD OF ITS USE

Номер патента: RU2011119952A. Автор: Игорь Иванович Смыслов. Владелец: Игорь Иванович Смыслов. Дата публикации: 2012-11-27.

Polymeric amidoximes and their derivatives anda method of preparing same

Номер патента: AU1229055A. Автор: Leonard Schouteden Ferdinand. Владелец: Gevaert Photo Producten NV. Дата публикации: 1955-03-22.

Polymeric amidoximes and their derivatives anda method of preparing same

Номер патента: AU206401B2. Автор: Leonard Schouteden Ferdinand. Владелец: Gevaert Photo Producten NV. Дата публикации: 1955-03-22.

2,5-dialkoxy-3,4-dihydroxytetrahydrofurans and their hydrolysates, and methods of producing them

Номер патента: CA554091A. Автор: K. F. W. Clauson-Kaas Niels. Владелец: Sadolin and Holmblad AS. Дата публикации: 1958-03-11.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CMOS Image Sensor Including PNP Triple Layer And Method Of Fabricating The CMOS Image Sensor

Номер патента: US20120001241A1. Автор: Park Won-je. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REDUCED SUB-THRESHOLD LEAKAGE

Номер патента: US20120003810A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Transistor With Embedded Si/Ge Material Having Reduced Offset and Superior Uniformity

Номер патента: US20120001254A1. Автор: Javorka Peter,Kronholz Stephan,Boschke Roman. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120003806A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

RINSE ADDED AMINOSILICONE CONTAINING COMPOSITIONS AND METHODS OF USING SAME

Номер патента: US20120004156A1. Автор: Vetter Kerry Andrew,Panandiker Rajan Keshav,"ONeil Julie Ann",VETTER Nicholas David. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

GATE STRUCTURES AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001266A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORIES AND THEIR FORMATION

Номер патента: US20120002477A1. Автор: Sinha Nishant,Tang Sanh D.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001329A1. Автор: Kim Young Lyong,Lee Jongho,AHN EUNCHUL,Kim Hyeongseob. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of fabrication of apparatus for air cooling of gas, method of fabrication of apparatus heat exchanger section (versions), method of fabrication of apparatus chamber for gas inlet or outlet, method of hydraulic pressure testing of apparatus heat exchanger section and method of hydraulic pressure testing of apparatus manifold for gas supply and removal

Номер патента: RU2364811C2. Автор: Николай Павлович Селиванов. Владелец: Николай Павлович Селиванов. Дата публикации: 2009-08-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Package and Method of Forming Similar Structure for Top and Bottom Bonding Pads

Номер патента: US20120001326A1. Автор: . Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Preparing Non-Alcohol Bioactive Esential Oil Mouth Rinses

Номер патента: US20120003162A1. Автор: Mordas Carolyn J.,Queiroz Daniel R.,Tsai Patrick B.. Владелец: McNeil-PPC, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

BACILLUS ISOLATES AND METHODS OF THEIR USE TO PROTECT AGAINST PLANT PATHOGENS AND VIRUS TRANSMISSION

Номер патента: US20120003197A1. Автор: JACOBSEN Barry J.,Bradley Clifford,Zidack Nina K.,Larson Rebecca. Владелец: MONTANA STATE UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-05.

TAGGED OLIGONUCLEOTIDES AND THEIR USE IN NUCLEIC ACID AMPLIFICATION METHODS

Номер патента: US20120003651A1. Автор: BECKER Michael M.,LIVEZEY Kristin W.,LAM Wai-Chung. Владелец: GEN-PROBE INCORPORATED. Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001881A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000518A1. Автор: Tokioka Hidetada,ORITA Tae,YAMARIN Hiroya. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF ARC DETECTION AND SUPPRESSION DURING RF SPUTTERING OF A THIN FILM ON A SUBSTRATE

Номер патента: US20120000765A1. Автор: Halloran Sean Timothy. Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001324A1. Автор: Watabe Hiroshi,AOKI Hideo,MUKAIDA Hideko,Fukuda Masatoshi,Koshio Yasuhiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

WAFER STACKED PACKAGE WAVING BERTICAL HEAT EMISSION PATH AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001348A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Compositions and Methods of Using Living and Non-Living Bioactive Devices with Components Derived from Self-Renewing Colony Forming Cells Cultured and Expanded In Vitro

Номер патента: US20120003188A1. Автор: KOPEN Gene,RAGAGLIA Vanessa,BRAYFIELD Candace. Владелец: Garnet Biotherapeutics, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN ELECTROCHEMICAL DEVICE USING ULTRAFAST PULSED LASER DEPOSITION

Номер патента: US20120003395A1. Автор: CHE Yong,HU Zhendong. Владелец: IMRA AMERICA, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DIODE HAVING A THERMAL CONDUCTIVE SUBSTRATE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003766A1. Автор: . Владелец: Seoul Opto Device Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003772A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003784A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003829A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PHENYLALANINE DERIVATIVES AND THEIR USE AS NON-PEPTIDE GLP-1 RECEPTOR MODULATORS

Номер патента: US20120004198A1. Автор: Wang Yong,Liao Jiayu,Hong Yufeng,von Geldern Thomas W.,Zhang Kanyin E.. Владелец: ARGUSINA INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

CANCER BIOMARKERS AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20120003639A1. Автор: KERLIKOWSKE KARLA,TLSTY THEA D.,GAUTHIER MONA L.,BERMAN HAL K.,BREMER TROY,MOLINARO ANNETTE M.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Estimation of Traffic Information, Device of Estimation of Traffic Information and Car Navigation Device

Номер патента: US20120004836A1. Автор: . Владелец: Xanavi Informatics Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001300A1. Автор: Ito Takayuki,ISHIDA Tatsuya,Yoshino Kenichi,Naito Tatsuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITIONS FOR SITE-SPECIFIC DELIVERY OF IMATINIB AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120003319A9. Автор: Liversidge Gary,Jenkins Scott. Владелец: ELAN PHARMA INTERNATIONAL LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

REDUCED SUCROSE SUGAR COATINGS FOR CEREALS AND METHODS OF PREPARATION

Номер патента: US20120003360A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

POLYMER FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, COMPOSITION FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, AND METHOD OF FORMING PATTERNS OF SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE COMPOSITION

Номер патента: US20120003589A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

VIOLET LASER EXCITABLE DYES AND THEIR METHOD OF USE

Номер патента: US20120004397A1. Автор: . Владелец: LIFE TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

EXPANDABLE SUPPORT DEVICE AND METHOD OF USE

Номер патента: US20120004726A1. Автор: GREENHALGH E. Skott,ROMANO John-Paul. Владелец: STOUT MEDICAL GROUP, L.P.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for making semiconductor device

Номер патента: RU2654960C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2018-05-23.

TIRE PRESSURE MONITORING DEVICE HAVING POWER SUPPLIED BY MAGNETIC INDUCTION

Номер патента: US20120000277A1. Автор: Fischer Uwe. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOVOLTAIC MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000506A1. Автор: Kim Dong-Jin,KANG Ku-Hyun,NAM Yuk-Hyun,Lee Jung-Eun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001179A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Takahashi Masahiro,TOCHIBAYASHI Katsuaki,HIROHASHI Takuya,NAKAZAWA Yasutaka,YOKOYAMA Masatoshi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND LAMP

Номер патента: US20120001220A1. Автор: . Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

RESIN COMPOSITION FOR ENCAPSULATING SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001350A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Field emission electrode, method of manufacturing the same, and field emission device comprising the same

Номер патента: US20120003895A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED WITH A PLURALITY OF MEMORY BANKS AND TEST METHOD OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120002464A1. Автор: MAE Kenji. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY SYSTEM, MEMORY TEST SYSTEM AND METHOD OF TESTING MEMORY SYSTEM AND MEMORY TEST SYSTEM

Номер патента: US20120002495A1. Автор: SUH Sung-Dong,HA Kyoung-Ho,Song Ki-Jae,KIM Seong-gu,JOE In-sung,Cho Soo-Haeng,Kim Yeoung-kum. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE, DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME AND METHOD OF MANUFACTURING THE DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120003769A1. Автор: CHOI Jae-Ho,KIM Sung-Ryul,LEE Czang-Ho,YANG Sung-Hoon,YOON KAP-SOO,Kim Byoung-June,Oh Hwa-Yeul,Choi Yong-Mo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003820A1. Автор: FURUYA Akira,Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF REDUCING EROSION OF A METAL CAP LAYER DURING VIA PATTERNING IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120003832A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of dyeing metha-para-aramidebenzimidazole fibers

Номер патента: RU2255160C1. Автор: Е.А. Манюков,С.Ф. Садова,Н.Н. Баева. Владелец: Московский государственный текстильный университет им. А.Н. Косыгина. Дата публикации: 2005-06-27.

FLATBAND VOLTAGE ADJUSTMENT IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001253A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF DRIVING A LASER DIODE

Номер патента: US20120002690A1. Автор: Watanabe Hideki,Ikeda Masao,Yokoyama Hiroyuki,Miyajima Takao,Oki Tomoyuki,Kono Shunsuke. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF DRIVING A LASER DIODE

Номер патента: US20120002695A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

VEHICLE CONTROL DEVICE AND METHOD OF CONTROLLING VEHICLE

Номер патента: US20120004801A1. Автор: Watanabe Takashi. Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

DTV TRANSMITTING SYSTEM AND METHOD OF PROCESSING BROADCAST DATA THEREIN

Номер патента: US20120002730A1. Автор: Choi In Hwan,Kwak Kook Yeon,Lee Hyoung Gon,Kim Byoung Gill,Kim Jin Woo,Kim Jong Moon,Song Won Gyu,KIM Jae Hyung,HONG Sung Ryong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MATERIALS FOR LITHOGRAPHIC PLATES COATINGS, LITHOGRAPHIC PLATES AND COATINGS CONTAINING SAME, METHODS OF PREPARATION AND USE

Номер патента: US20120003584A1. Автор: . Владелец: AMERICAN DYE SOURCE, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor device

Номер патента: RU2446511C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Витальевич Лукьянов,Андрей Викторович Осипов,Николай Александрович Феоктистов,Василий Николаевич БЕССОЛОВ. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Новые Кремневые Технологии" (ООО НКТ). Дата публикации: 2012-03-27.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE & METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001249A1. Автор: Alsmeier Johann,Samachisa George. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001252A1. Автор: Alsmeier Johann,Purayath Vinod Robert,Chien Henry,Matamis George,Lee Yao-Sheng,Kai James,Zhang Yuan. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001260A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device

Номер патента: US20120001269A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001294A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Номер патента: RU2531381C1. Автор: Алексей Юрьевич Коваленко,Светлана Степановна Асина,Игорь Евгеньевич Кудрявцев. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский электротехнический институт имени В.И. Ленина". Дата публикации: 2014-10-20.

METHOD OF FABRICATING A SOLAR CELL WITH A TUNNEL DIELECTRIC LAYER

Номер патента: US20120000528A1. Автор: Smith David,Dennis Tim,Harrington Scott,Manning Jane,Waldhauer Ann. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001150A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Номер патента: US20120000916A1. Автор: Kleber Richard M.,Kia Hamid G.,Wang Chen-Shih,Carsley John E.,Berger Elisabeth J.,SUN Ce,Schultheis Valentin,Fell Stephan. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells, Non-Volatile Resistive Oxide Memory Arrays, And Methods Of Forming Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells And Memory Arrays

Номер патента: US20120001147A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

INSULATING LAYER, ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR USING THE INSULATING LAYER, AND METHOD OF FABRICATING THE ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20120001159A1. Автор: KANG Seung Youl,Baek Kyu Ha,Yoon Sung Min,Suh Kyung Soo,KIM Gi Heon,YOU In Kyu,AHN Seong Deok. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001342A1. Автор: . Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ASSESSING PEOPLE'S SELF-PRESENTATION AND ACTIONS TO EVALUATE PERSONALITY TYPE, BEHAVIORAL TENDENCIES, CREDIBILITY, MOTIVATIONS AND OTHER INSIGHTS THROUGH FACIAL MUSCLE ACTIVITY AND EXPRESSIONS

Номер патента: US20120002848A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of fabrication of armour cover for insert charge of composite solid propellant for rocket motor and heat-barrier material

Номер патента: RU2557629C1. Автор: Татьяна Иосифовна Пастор,Александр Михайлович Губкин,Вячеслав Александрович Гуськов,Ираида Семеновна Ламзина,Сергей Николаевич Архиреев,Наталья Николаевна Орлова,Юрий Гаврилович Карнаухов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный научно-исследовательский институт химии и механики" (ФГУП "ЦНИИХМ"). Дата публикации: 2015-07-27.

Method of producing semiconductor graphene

Номер патента: RU2544266C2. Автор: Любовь Михайловна Журавлева,Владимир Георгиевич Плеханов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный университет путей сообщения" МГУПС (МИИТ). Дата публикации: 2015-03-20.

Method of forming fabric with variable density of filling thread

Номер патента: RU2495168C2. Автор: Владимир Юрьевич Селиверстов,Александр Павлович Гречухин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Костромской государственный технологический университет". Дата публикации: 2013-10-10.

Method of manufacturing multilayer contour-profiled tissue

Номер патента: RU2466219C1. Автор: Владимир Терентьевич Сергеев,Ирина Юрьевна Павлихина,Марина Николаевна Никулина,Татьяна Леонидовна Доброва. Владелец: Закрытое акционерное общество "ТРИ-Д". Дата публикации: 2012-11-10.

Method of fabric production

Номер патента: RU2516855C2. Автор: Сергей Борисович Шилов. Владелец: Сергей Борисович Шилов. Дата публикации: 2014-05-20.

LOW BAND GAP SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING REDUCED GATE INDUCED DRAIN LEAKAGE (GIDL) AND THEIR METHODS OF FABRICATION

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты