Program refresh with gate-induced drain leakage.

Program refresh with gate-induced drain leakage

Номер патента: US20240038316A1
Опубликовано: 01-02-2024
Автор(ы): Akira Goda, Eric N. Lee, Huai-Yuan Tseng, Kishore Kumar Muchherla, Tomoharu Tanaka
Принадлежит: Micron Technology Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Circuit to reduce gate induced drain leakage

Номер патента: US20240213978A1. Автор: Saurabh Goyal,Krishna Thakur. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-06-27.

Circuit to reduce gate induced drain leakage

Номер патента: US12113520B2. Автор: Saurabh Goyal,Krishna Thakur. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-10-08.

Circuit to reduce gate induced drain leakage

Номер патента: EP4395175A1. Автор: Saurabh Goyal,Krishna Thakur. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-07-03.

Level shift driver circuit capable of reducing gate-induced drain leakage current

Номер патента: US09548122B2. Автор: Po-Hao Huang. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Erase operation for 3d non volatile memory with controllable gate-induced drain leakage current

Номер патента: EP2839463A1. Автор: Haibo Li,Masaaki Higashitani,Man L. Mui,Xiying Costa. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-02-25.

Erase operation for 3d non volatile memory with controllable gate-induced drain leakage current

Номер патента: WO2013158557A1. Автор: Haibo Li,Masaaki Higashitani,Man L. Mui,Xiying Costa. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2013-10-24.

Multiple gate-induced drain leakage current generator

Номер патента: SG11201906878SA. Автор: Shuji Tanaka,Masanobu Saito,Shinji Sato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-27.

Select gate gate-induced-drain-leakage enhancement

Номер патента: US11742380B2. Автор: Haitao Liu,Matthew J. King,Albert Fayrushin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Gate-induced drain leakage pre-charge in sub-block mode for three or more tier non-volatile memory structure

Номер патента: US20240112743A1. Автор: Yanli Zhang,Peng Zhang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-04.

Hole pre-charge scheme using gate induced drain leakage generation

Номер патента: US20210408024A1. Автор: Yanli Zhang,Peng Zhang,Huai-Yuan Tseng,Sarath Puthenthermadam. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-12-30.

Apparatus including memory sub-word driver circuits with reduced gate induced drain leakage and methods for the same

Номер патента: CN115831183A. Автор: 朝木健次. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-21.

Neighbor bit line coupling enhanced gate-induced drain leakage erase for memory apparatus with on-pitch semi-circle drain side select gate technology

Номер патента: US11881266B2. Автор: Xiang Yang,Ohwon KWON,Kou Tei. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-01-23.

Flash memory storage apparatus and a biasing method thereof, which can reduce a gate induced drain leakage (gidl) and improve reliability of memory cells

Номер патента: US20220366963A1. Автор: Chih-Yuan Wang,Chien-Hung Lien. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-11-17.

Memory devices supporting enhanced gate-induced drain leakage (gidl) erase operation

Номер патента: US20240194269A1. Автор: Sang Soo Park,Yohan Lee,Jin-Young Chun,Byungsoo Kim,Bongsoon LIM,Hyunggon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Flash memory storage apparatus and a biasing method thereof, which can reduce a gate induced drain leakage (gidl) and improve reliability of memory cells

Номер патента: US20220246194A1. Автор: Chih-Yuan Wang,Chien-Hung Lien. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Memory device including multiple gate-induced drain leakage current generator circuits

Номер патента: US20180211710A1. Автор: Shuji Tanaka,Masanobu Saito,Shinji Sato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-07-26.

Multiple gate-induced drain leakage current generator

Номер патента: WO2018140084A1. Автор: Shuji Tanaka,Masanobu Saito,Shinji Sato. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC. Дата публикации: 2018-08-02.

Erase operation for 3d non volatile memory with controllable gate-induced drain leakage current

Номер патента: EP2839463B1. Автор: Haibo Li,Masaaki Higashitani,Man L. Mui,Xiying Costa. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-11-02.

Memory device including multiple gate-induced drain leakage current generator circuits

Номер патента: US09916901B1. Автор: Shuji Tanaka,Masanobu Saito,Shinji Sato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE CONTAINING STRUCTURES FOR ENHANCING GATE-INDUCED DRAIN LEAKAGE CURRENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20210159169A1. Автор: Zhang Peng,Dutta Deepanshu,Zhao Dengtao,Zhang Zhiping. Владелец: . Дата публикации: 2021-05-27.

SELECT GATE GATE-INDUCED-DRAIN-LEAKAGE ENHANCEMENT

Номер патента: US20220293726A1. Автор: Liu Haitao,Fayrushin Albert,King Matthew J.. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-15.

Erase Operation For 3D Non-Volatile Memory With Controllable Gate-Induced Drain Leakage Current

Номер патента: US20150170748A1. Автор: Higashitani Masaaki,COSTA Xiying,Li Haibo,Mui Man L.. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2015-06-18.

Pre-Charge During Programming For 3D Memory Using Gate-Induced Drain Leakage

Номер патента: US20140247670A1. Автор: Dong Yingda,Dunga Mohan,Ou Wendy. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2014-09-04.

Memory device including multiple gate-induced drain leakage current generator circuits

Номер патента: US20180211710A1. Автор: Shuji Tanaka,Masanobu Saito,Shinji Sato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-07-26.

Reduction of the gate-induced drain leakage current through voltage regulation of the main word line

Номер патента: DE102006061166A1. Автор: Helmut Schneider,Harald Streif. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-07-19.

Row decoder with low gate induce drain leakage current

Номер патента: US7151712B1. Автор: Cheng-Sheng Lee. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2006-12-19.

Memory device including multiple gate-induced drain leakage current generator circuits

Номер патента: TWI654611B. Автор: 修二田中,慎司佐藤,政信齊藤. Владелец: 美商美光科技公司. Дата публикации: 2019-03-21.

Memory devices supporting enhanced gate-induced drain leakage (gidl) erase operation

Номер патента: EP4383259A1. Автор: Sang Soo Park,Yohan Lee,Jin-Young Chun,Byungsoo Kim,Bongsoon LIM,Hyunggon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-12.

Asymmetric high-K dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09768071B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Asymmetric high-K dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09577061B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Asymmetric high-k dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09922831B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Asymmetric high-k dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09859122B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Asymmetric high-K dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09837319B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Asymmetric high-k dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09721843B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Asymmetric high-k dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09685379B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Asymmetric high-K dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09570354B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Asymmetric high-k dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09559010B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Asymmetric high-k dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09543213B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Asymmetric high-k dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09412667B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Transistor having reduced gate-induced drain-leakage current

Номер патента: US20190341488A1. Автор: Kangguo Cheng,ChoongHyun Lee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-11-07.

Reduction of gate-induced drain leakage in semiconductor devices

Номер патента: EP1023745A1. Автор: Karanam Balasubramanyam,Jeffrey P. Gambino,Martin Gall,Jack A. Mandelman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2000-08-02.

Semiconductor device having a buried gate that can realize a reduction in gate-induced drain leakage (gidl) and method for manufacturing the same

Номер патента: US20110275188A1. Автор: Min Soo Yoo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-11-10.

Reducing gate induced drain leakage in dram wordline

Номер патента: US20200176451A1. Автор: Gill Yong Lee,Jeffrey W. Anthis,Sang Ho Yu,Shih Chung CHEN,Sung-Kwan Kang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-06-04.

Methods and devices to generate gate induced drain leakage current sink or source path for switch fets

Номер патента: US20220038099A1. Автор: Alper Genc. Владелец: PSemi Corp. Дата публикации: 2022-02-03.

Analog switch having reduced gate-induced drain leakage

Номер патента: EP3272011A1. Автор: John K. Jennings,Ionut C. CICAL,Chandrika Durbha. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2018-01-24.

SRAM-LIKE EBI STRUCTURE DESIGN AND IMPLEMENTATION TO CAPTURE MOSFET SOURCE-DRAIN LEAKAGE EARILER

Номер патента: US20170154687A1. Автор: Wong Keith Kwong Hon,Wang Yun-Yu,Patterson Oliver D.,Song Zhigang. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-01.

Using grid induction drain leakage to during 3D memory programs into line precharge

Номер патента: CN105027217B. Автор: 董颖达,莫汉·东加,文迪·奥. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-06-08.

SELECTIVE REFRESH WITH SOFTWARE COMPONENTS

Номер патента: US20140068172A1. Автор: Ware Frederick A.,Zheng Hongzhong,Tringali James. Владелец: RAMBUS INC.. Дата публикации: 2014-03-06.

HYBRID REFRESH WITH HIDDEN REFRESHES AND EXTERNAL REFRESHES

Номер патента: US20170110178A1. Автор: Bains Kuljit S.. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-20.

SELECTIVE REFRESH WITH SOFTWARE COMPONENTS

Номер патента: US20190198081A1. Автор: Ware Frederick A.,Zheng Hongzhong,Tringali James. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-27.

DRAM core refresh with reduced spike current

Номер патента: US6597616B2. Автор: Craig E. Hampel,Richard M. Barth,Paul G. Davis,Ely K. Tsern. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2003-07-22.

Apparatus and method for dynamic memory refresh with multiple clocks

Номер патента: US6366514B1. Автор: Pien Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2002-04-02.

Underwater drain leakage detection apparatus

Номер патента: US20170167944A1. Автор: Steve Lenart. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-06-15.

Silicon germanium finfet with low gate induced drain leakage current

Номер патента: US20200127097A1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-23.

Gate induced drain leakage reduction in finfets

Номер патента: US20210217876A1. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Jingyun Zhang,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-07-15.

Method and related apparatus for reducing gate-induced drain leakage in semiconductor devices

Номер патента: US11251286B2. Автор: Alexander Kalnitsky,Kong-Beng Thei,Hsiao-Chin Tuan,Chien-Chih Chou,Yi-huan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-15.

FinFET device with partial interface dipole formation for reduction of gate induced drain leakage

Номер патента: US11742425B2. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Selective polysilicon doping for gate induced drain leakage improvement

Номер патента: US20190237485A1. Автор: Ruey-Hsin Liu,Ming-Ta Lei,Chen-Liang Chu,Chih-Wen Albert Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-01.

REDUCING GATE-INDUCED-DRAIN-LEAKAGE CURRENT IN A TRANSISTOR BY FORMING AN ENHANCED BAND GAP LAYER AT THE CHANNEL-TO-DRAIN INTERFACE

Номер патента: US20200127122A1. Автор: Cheng Kangguo,Lee Choonghyun,Mochizuki Shogo,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-23.

Gate induced drain leakage reduction in FinFETs

Номер патента: US11855180B2. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Jingyun Zhang,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-26.

Finfet device with partial interface dipole formation for reduction of gate induced drain leakage

Номер патента: US20230352590A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Gate induced drain leakage reduction in finfets

Номер патента: US20240097006A1. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Jingyun Zhang,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Low voltage low power n-channel flash memory cell using gate induced drain leakage current

Номер патента: TW413929B. Автор: Min-Hwa Chi,Chih-Ming Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2000-12-01.

Reduction of gate-induced drain leakage in semiconductor devices

Номер патента: TW396458B. Автор: Karanam Balasubramanyam,Martin Gall,Jack A Mandelman,Jeffrey P Gambino. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2000-07-01.

Transistor and logic circuit on thin silicon-on-insulator wafers based on gate induced drain leakage current

Номер патента: TW428321B. Автор: Ming-Hua Ji. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2001-04-01.

Transistor and logic circuit on thin silicon-on-insulator wafers based on gate induced drain leakage currents

Номер патента: US20050184340A1. Автор: Min-Hwa Chi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-08-25.

LEVEL SHIFT DRIVER CIRCUIT CAPABLE OF REDUCING GATE-INDUCED DRAIN LEAKAGE CURRENT

Номер патента: US20160013776A1. Автор: Huang Po-Hao. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-14.

METHODS AND DEVICES TO GENERATE GATE INDUCED DRAIN LEAKAGE CURRENT SINK OR SOURCE PATH FOR SWITCH FETS

Номер патента: US20220038099A1. Автор: GENC Alper. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-03.

Selective Polysilicon Doping for Gate Induced Drain Leakage Improvement

Номер патента: US20160043188A1. Автор: Liu Ruey-Hsin,Chu Chen-Liang,Yao Chih-Wen,Lei Ming-ta. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-11.

LOW BAND GAP SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING REDUCED GATE INDUCED DRAIN LEAKAGE (GIDL) AND THEIR METHODS OF FABRICATION

Номер патента: US20190058053A1. Автор: Kim Seiyon,Rachmady Willy,Kavalieros Jack T.,Chu-Kung Benjamin,Dewey Gilbert,Metz Matthew V.,Le Van H.. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-21.

ASYMMETRIC HIGH-K DIELECTRIC FOR REDUCING GATE INDUCED DRAIN LEAKAGE

Номер патента: US20180061645A1. Автор: Lin Chung-Hsun,Ortolland Claude,Chou Anthony I.,Kumar Arvind,Narasimha Shreesh,SHAW Jonathan T.. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-01.

Asymmetric high-k dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US20180061646A1. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-01.

GATE INDUCED DRAIN LEAKAGE REDUCTION

Номер патента: US20170063306A1. Автор: Abdelfattah Khaled. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-02.

ASYMMETRIC HIGH-K DIELECTRIC FOR REDUCING GATE INDUCED DRAIN LEAKAGE

Номер патента: US20180076039A1. Автор: Lin Chung-Hsun,Ortolland Claude,Chou Anthony I.,Kumar Arvind,Narasimha Shreesh,SHAW Jonathan T.. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-15.

A METHOD AND RELATED APPARATUS FOR REDUCING GATE-INDUCED DRAIN LEAKAGE IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20200091310A1. Автор: Kalnitsky Alexander,Chou Chien-Chih,Thei Kong-Beng,TUAN Hsiao-Chin,Chen Yi-Huan. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-19.

FINFET DEVICE WITH PARTIAL INTERFACE DIPOLE FORMATION FOR REDUCTION OF GATE INDUCED DRAIN LEAKAGE

Номер патента: US20210126122A1. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Xie Ruilong,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-29.

Asymmetric high-k dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US20170125542A1. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-04.

METHOD AND RELATED APPARATUS FOR REDUCING GATE-INDUCED DRAIN LEAKAGE IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20220271146A1. Автор: Kalnitsky Alexander,Chou Chien-Chih,Thei Kong-Beng,TUAN Hsiao-Chin,Chen Yi-Huan. Владелец: . Дата публикации: 2022-08-25.

SILICON GERMANIUM FINFET WITH LOW GATE INDUCED DRAIN LEAKAGE CURRENT

Номер патента: US20200127097A1. Автор: Cheng Kangguo,Lee Choonghyun,Mochizuki Shogo,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-23.

ASYMMETRIC HIGH-K DIELECTRIC FOR REDUCING GATE INDUCED DRAIN LEAKAGE

Номер патента: US20160149013A1. Автор: Lin Chung-Hsun,Ortolland Claude,Chou Anthony I.,Kumar Arvind,Narasimha Shreesh,SHAW Jonathan T.. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-26.

ASYMMETRIC HIGH-K DIELECTRIC FOR REDUCING GATE INDUCED DRAIN LEAKAGE

Номер патента: US20170178913A1. Автор: Lin Chung-Hsun,Ortolland Claude,Chou Anthony I.,Kumar Arvind,Narasimha Shreesh,SHAW Jonathan T.. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-22.

REDUCING GATE INDUCED DRAIN LEAKAGE IN DRAM WORDLINE

Номер патента: US20200176451A1. Автор: Anthis Jeffrey W.,Chen Shih Chung,YU SANG HO,Kang Sung-Kwan,Lee Gill Yong. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-04.

GATE INDUCED DRAIN LEAKAGE REDUCTION IN FINFETS

Номер патента: US20210217876A1. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Xie Ruilong,Zhang Jingyun. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-15.

ASYMMETRIC HIGH-K DIELECTRIC FOR REDUCING GATE INDUCED DRAIN LEAKAGE

Номер патента: US20160203985A1. Автор: Lin Chung-Hsun,Ortolland Claude,Chou Anthony I.,Kumar Arvind,Narasimha Shreesh,SHAW Jonathan T.. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-14.

ASYMMETRIC HIGH-K DIELECTRIC FOR REDUCING GATE INDUCED DRAIN LEAKAGE

Номер патента: US20160203986A1. Автор: Lin Chung-Hsun,Ortolland Claude,Chou Anthony I.,Kumar Arvind,Narasimha Shreesh,SHAW Jonathan T.. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-14.

ASYMMETRIC HIGH-K DIELECTRIC FOR REDUCING GATE INDUCED DRAIN LEAKAGE

Номер патента: US20160203987A1. Автор: Lin Chung-Hsun,Ortolland Claude,Chou Anthony I.,Kumar Arvind,Narasimha Shreesh,SHAW Jonathan T.. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-14.

ASYMMETRIC HIGH-K DIELECTRIC FOR REDUCING GATE INDUCED DRAIN LEAKAGE

Номер патента: US20160204209A1. Автор: Lin Chung-Hsun,Ortolland Claude,Chou Anthony I.,Kumar Arvind,Narasimha Shreesh,SHAW Jonathan T.. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-14.

ASYMMETRIC HIGH-K DIELECTRIC FOR REDUCING GATE INDUCED DRAIN LEAKAGE

Номер патента: US20160204214A1. Автор: Lin Chung-Hsun,Ortolland Claude,Chou Anthony I.,Kumar Arvind,Narasimha Shreesh,SHAW Jonathan T.. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-14.

Three-dimensional memory devices containing structures for controlling gate-induced drain leakage current and method of making the same

Номер патента: US20210265379A1. Автор: Daisuke Miyake,Tomoyuki OBU. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-08-26.

THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES CONTAINING STRUCTURES FOR CONTROLLING GATE-INDUCED DRAIN LEAKAGE CURRENT AND METHOD OF MAKING THE SAME

Номер патента: US20210265380A1. Автор: YADA Shinsuke,OBU Tomoyuki. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-26.

SELECTIVE POLYSILICON DOPING FOR GATE INDUCED DRAIN LEAKAGE IMPROVEMENT

Номер патента: US20190237485A1. Автор: Liu Ruey-Hsin,Chu Chen-Liang,Lei Ming-ta,Yao Chih-Wen Albert. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-01.

ASYMMETRIC HIGH-K DIELECTRIC FOR REDUCING GATE INDUCED DRAIN LEAKAGE

Номер патента: US20160260618A1. Автор: Lin Chung-Hsun,Ortolland Claude,Chou Anthony I.,Kumar Arvind,Narasimha Shreesh,SHAW Jonathan T.. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-08.

ASYMMETRIC HIGH-K DIELECTRIC FOR REDUCING GATE INDUCED DRAIN LEAKAGE

Номер патента: US20160260638A1. Автор: Lin Chung-Hsun,Ortolland Claude,Chou Anthony I.,Kumar Arvind,Narasimha Shreesh,SHAW Jonathan T.. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-08.

VERTICAL TRANSISTOR WITH REDUCED GATE-INDUCED-DRAIN-LEAKAGE CURRENT

Номер патента: US20180254344A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Peng,Zhang Chen,Miao Xin. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-06.

ASYMMETRIC HIGH-K DIELECTRIC FOR REDUCING GATE INDUCED DRAIN LEAKAGE

Номер патента: US20160268390A1. Автор: Lin Chung-Hsun,Ortolland Claude,Chou Anthony I.,Kumar Arvind,Narasimha Shreesh,SHAW Jonathan T.. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-15.

ANALOG SWITCH HAVING REDUCED GATE-INDUCED DRAIN LEAKAGE

Номер патента: US20160277019A1. Автор: Jennings John K.,Cical Ionut C.,Durbha Chandrika. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2016-09-22.

ASYMMETRIC HIGH-K DIELECTRIC FOR REDUCING GATE INDUCED DRAIN LEAKAGE

Номер патента: US20190296120A1. Автор: Lin Chung-Hsun,Ortolland Claude,Chou Anthony I.,Kumar Arvind,Narasimha Shreesh,SHAW Jonathan T.. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-26.

TRANSISTOR HAVING REDUCED GATE-INDUCED DRAIN-LEAKAGE CURRENT

Номер патента: US20190341488A1. Автор: Cheng Kangguo,Lee Choonghyun. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-07.

ASYMMETRIC HIGH-K DIELECTRIC FOR REDUCING GATE INDUCED DRAIN LEAKAGE

Номер патента: US20200365702A1. Автор: Lin Chung-Hsun,Ortolland Claude,Chou Anthony I.,Kumar Arvind,Narasimha Shreesh,SHAW Jonathan T.. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-19.

REDUCING GATE INDUCED DRAIN LEAKAGE IN DRAM WORDLINE

Номер патента: US20200388621A1. Автор: Anthis Jeffrey W.,Chen Shih Chung,YU SANG HO,Kang Sung-Kwan,Lee Gill Yong. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2020-12-10.

Method and related apparatus for reducing gate-induced drain leakage in semiconductor devices

Номер патента: US20190393322A1. Автор: Alexander Kalnitsky,Kong-Beng Thei,Hsiao-Chin Tuan,Chien-Chih Chou,Yi-huan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-26.

TECHNIQUE FOR REDUCING GATE INDUCED DRAIN LEAKAGE IN DRAM CELLS

Номер патента: US20220359670A1. Автор: Zhang Qintao,Gu Sipeng. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-11-10.

Method for reducing gate-induced drain leakage in semiconductor devices and related apparatus

Номер патента: CN110556425B. Автор: 郑光茗,陈奕寰,段孝勤,周建志,亚历山大·卡利尼斯基. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-29.

Asymmetric high-k dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US10381452B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-13.

CMOS inverter using gate induced drain leakage current

Номер патента: US6144075A. Автор: Min-Hwa Chi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2000-11-07.

A method and related apparatus for reducing gate-induced drain leakage in semiconductor devices

Номер патента: TWI707470B. Автор: 段孝勤,周建志,鄭光茗,陳奕寰,亞歷山大卡利尼克斯. Владелец: 台灣積體電路製造股份有限公司. Дата публикации: 2020-10-11.

Using different work-functions to reduce gate-induced drain leakage current in stacked nanosheet transistors

Номер патента: US20230099254A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-03-30.

Method and related apparatus for reducing gate-induced drain leakage in semiconductor devices

Номер патента: US11011619B2. Автор: Alexander Kalnitsky,Kong-Beng Thei,Hsiao-Chin Tuan,Chien-Chih Chou,Yi-huan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-18.

Transistor and logic circuit on thin silicon-on-insulator wafers based on gate induced drain leakage currents

Номер патента: US20020074599A1. Автор: Min-Hwa Chi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2002-06-20.

Three-dimensional memory devices containing structures for controlling gate-induced drain leakage current and method of making the same

Номер патента: US20210265379A1. Автор: Daisuke Miyake,Tomoyuki OBU. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-08-26.

Three-dimensional memory devices containing structures for controlling gate-induced drain leakage current and method of making the same

Номер патента: US20210265380A1. Автор: Shinsuke YADA,Tomoyuki OBU. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-08-26.

Application program refreshing method and device of ECU

Номер патента: CN106790233B. Автор: 王庆. Владелец: Beijing Jingwei Hirain Tech Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-05.

System and method for equipment automation program refresh and computer readable memory medium

Номер патента: CN1577309A. Автор: 周志明,陆敬仁. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-02-09.

Underwater drain leakage detection apparatus

Номер патента: US20170167944A1. Автор: Lenart Steve. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-15.

Panel Self Refreshing With Changing Dynamic Refresh Rate

Номер патента: US20140055476A1. Автор: XIN Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-02-27.

Integrating autonomous memory subsystem self-refresh with system power management states

Номер патента: US20240211016A1. Автор: Vijay Anand Mathiyalagan,Michelle M. WIGTON. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

MOSFET with ultra low drain leakage

Номер патента: US09887265B2. Автор: Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,Keith E. Fogel,Joel P. de Souza. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

MOSFET with ultra low drain leakage

Номер патента: US09536945B1. Автор: Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,Keith E. Fogel,Joel P. de Souza. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Transistor structures with reduced source/drain leakage through backside treatment of subfin semiconductor material

Номер патента: EP4156294A1. Автор: Rishabh Mehandru,Aaron Lilak,Patrick Keys,Cory Weber,Stephen Cea. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-29.

Vertical semiconductor component, in particular vertical transistor, with minimized source-drain leakage currents

Номер патента: US20240234491A1. Автор: Daniel Krebs,Muhammad Alshahed,Dragos Costachescu,Humberto Rodriguez Alvarez. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-11.

MOSFET WITH ULTRA LOW DRAIN LEAKAGE

Номер патента: US20190006466A1. Автор: Sadana Devendra K.,Kim Jeehwan,Fogel Keith E.,de Souza Joel P.. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-03.

MOSFET WITH ULTRA LOW DRAIN LEAKAGE

Номер патента: US20170033180A1. Автор: Sadana Devendra K.,Kim Jeehwan,Fogel Keith E.,de Souza Joel P.. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-02.

Mosfet with ultra low drain leakage

Номер патента: US20170033203A1. Автор: Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,Keith E. Fogel,Joel P. de Souza. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-02.

REDUCTION OF DRAIN LEAKAGE IN NANOSHEET DEVICE

Номер патента: US20210217846A1. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Xie Ruilong,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-15.

GATE TO SOURCE/DRAIN LEAKAGE REDUCTION IN NANOSHEET TRANSISTORS VIA INNER SPACER OPTIMIZATION

Номер патента: US20200287021A1. Автор: Guo Dechao,Wang Junli,Wu Heng,Bao Ruqiang,Yu Lan. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-10.

Transistor structures with reduced source/drain leakage through backside treatment of subfin semiconductor material

Номер патента: US20230097948A1. Автор: Rishabh Mehandru,Aaron Lilak,Patrick Keys,Cory Weber,Stephen Cea. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-30.

Integrated circuit with bottom dielectric insulators and fin sidewall spacers for reducing source/drain leakage currents

Номер патента: US20230420513A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Zhi-Chang Lin,Jung-Hung CHANG,Shih-Cheng Chen,Tsung-Han CHUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Source/drain leakage prevention

Номер патента: US20230361176A1. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Che-Lun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Gate to source/drain leakage reduction in nanosheet transistors via inner spacer optimization

Номер патента: US20200287021A1. Автор: LAN Yu,Dechao Guo,Heng Wu,Junli Wang,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

Key refreshment with session count for wireless management of modular subsystems

Номер патента: US12108246B2. Автор: Ariton E. Xhafa,Alexis Justine BURNIGHT,Archanaa SANTHANA KRISHNAN. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Gradual decoding refresh with temporal scalability support in video coding

Номер патента: US09571847B2. Автор: Ye-Kui Wang,Adarsh Krishnan RAMASUBRAMONIAN. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Gradual decoding refresh with temporal scalability support in video coding

Номер патента: EP2941879B1. Автор: Ye-Kui Wang,Adarsh Krishnan RAMASUBRAMONIAN. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-08-26.

Gradual decoding refresh with temporal scalability support in video coding

Номер патента: EP2941878A1. Автор: Ye-Kui Wang,Adarsh Krishnan RAMASUBRAMONIAN. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-11-11.

Gradual decoding refresh with temporal scalability support in video coding

Номер патента: EP2941879A1. Автор: Ye-Kui Wang,Adarsh Krishnan RAMASUBRAMONIAN. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-11-11.

Gradual decoding refresh with temporal scalability support in video coding

Номер патента: WO2014107723A1. Автор: Ye-Kui Wang,Adarsh Krishnan RAMASUBRAMONIAN. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-07-10.

Gradual decoding refresh with temporal scalability support in video coding

Номер патента: WO2014107721A1. Автор: Ye-Kui Wang,Adarsh Krishnan RAMASUBRAMONIAN. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-07-10.

Gradual decoding refresh with temporal scalability support in video coding

Номер патента: US20140192896A1. Автор: Ye-Kui Wang,Adarsh Krishnan RAMASUBRAMONIAN. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2014-07-10.

PICTURE REFRESH WITH CONSTANT-BIT BUDGET

Номер патента: US20140169468A1. Автор: Dzik Dariusz,Kustka George. Владелец: LSI Corporation. Дата публикации: 2014-06-19.

Gradual decoding refresh with temporal scalability support in video coding

Номер патента: US20140192896A1. Автор: Ye-Kui Wang,Adarsh Krishnan RAMASUBRAMONIAN. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2014-07-10.

GRADUAL DECODING REFRESH WITH TEMPORAL SCALABILITY SUPPORT IN VIDEO CODING

Номер патента: US20140192897A1. Автор: Wang Ye-Kui,Ramasubramonian Adarsh Krishnan. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-07-10.

Video refresh with error propagation tracking and error feedback from receiver

Номер патента: WO2013033676A1. Автор: Renat Vafin,Mattias Nilsson,Soren Vang ANDERSON. Владелец: MICROSOFT CORPORATION. Дата публикации: 2013-03-07.

Pillar-type field effect transistor having low leakage current

Номер патента: US09564200B2. Автор: Jong-ho Lee. Владелец: SNU R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2017-02-07.

Method for enabling a SONOS transistor to be used as both a switch and a memory

Номер патента: US8427879B2. Автор: Ting-Chang Chang,Te-Chih Chen,Shih-Ching Chen,Fu-Yen Jian,Yong-En Syu. Владелец: Acer Inc. Дата публикации: 2013-04-23.

Method for enabling a sonos transistor to be used as both a switch and a memory

Номер патента: US20110096610A1. Автор: Ting-Chang Chang,Te-Chih Chen,Shih-Ching Chen,Fu-Yen Jian,Yong-En Syu. Владелец: Acer Inc. Дата публикации: 2011-04-28.

Nonvolatile memory device and operation method thereof

Номер патента: US20230352104A1. Автор: Jung Woo Lee,Yang Kyu Choi,Ji Man YU. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-11-02.

Antifuse circuit of inverter type and method of programming the same

Номер патента: US20100127731A1. Автор: Jung-hyeon Kim,Hong-Sik Park,Tae-Hun Kang,Jae-Yong Seo,Gu-Gwan Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-05-27.

circuit for driving word line and driving method used the same

Номер патента: KR101559909B1. Автор: 박현호,변영용,야마다. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2015-10-15.

Circuit for generating negative voltage and a semiconductor memory apparatus using the same

Номер патента: US20100039166A1. Автор: Hong Sok Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-02-18.

Green transistor for nano-si ferro-electric ram and method of operating the same

Номер патента: US20110090731A1. Автор: Min-Hwa Chi,Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2011-04-21.

Adaptive gidl voltage for erasing non-volatile memory

Номер патента: US20240071533A1. Автор: Feng Gao,Yihang Liu,Xiaochen Zhu,Lito De La RAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-29.

Erase Operation With Controlled Select Gate Voltage For 3D Non-Volatile Memory

Номер патента: US20130163336A1. Автор: Haibo Li,Xiying Costa,Chenfeng Zhang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2013-06-27.

Adaptive gidl voltage for erasing non-volatile memory

Номер патента: WO2024049524A1. Автор: Feng Gao,Yihang Liu,Xiaochen Zhu,Lito De La RAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-07.

Erase Operation With Controlled Select Gate Voltage For 3D Non-Volatile Memory

Номер патента: US20140226416A1. Автор: Haibo Li,Xiying Costa,Chenfeng Zhang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2014-08-14.

Select gate transistor with segmented channel fin

Номер патента: US11887667B2. Автор: Darwin A. Clampitt,Matthew J. King,Albert Fayrushin,Madison D Drake. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Select gate transistor with segmented channel fin

Номер патента: US20240112734A1. Автор: Madison D. Drake,Darwin A. Clampitt,Matthew J. King,Albert Fayrushin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Memory controller and decoder

Номер патента: US20100165708A1. Автор: Cheng-Sheng Lee. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2010-07-01.

Gidl 현상에 의한 홀 주입 기반 메모리 동작을 수행하는 3차원 플래시 메모리

Номер патента: KR20210151335A. Автор: 송윤흡,최선준. Владелец: 한양대학교 산학협력단. Дата публикации: 2021-12-14.

Semiconductor element memory device

Номер патента: US20230309288A1. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

난드 플래시 메모리 소자 및 그 제조 방법

Номер патента: KR20060066389A. Автор: 김병국. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-06-16.

Semiconductor element memory device

Номер патента: US12096611B2. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory device using semiconductor elements

Номер патента: US12101925B2. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

비휘발성 메모리 소자 및 그 동작 방법

Номер патента: KR20230140228A. Автор: 이정우,최양규,유지만. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2023-10-06.

Memory device through use of semiconductor device

Номер патента: US12108589B2. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Memory devices with a connecting region having a band gap lower than a band gap of a body region

Номер патента: US09640260B2. Автор: Haitao Liu,JIAN Li,Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Nonvolatile memory device and method of programming in the same

Номер патента: KR20220046926A. Автор: 박정민,주상현,이지상,장준석,박일한,성경훈. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-04-15.

Memory apparatus using semiconductor devices

Номер патента: US20230380139A1. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor element memory device

Номер патента: US20230380138A1. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor element memory device

Номер патента: US20230377634A1. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor element memory device

Номер патента: US20230397397A1. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor element memory device

Номер патента: US20230410894A1. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor element memory device

Номер патента: US20230377658A1. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Memory apparatus using semiconductor devices

Номер патента: US20230420044A1. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor element memory device

Номер патента: US11823727B2. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Memory device using semiconductor element and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220392900A1. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2022-12-08.

Semiconductor element memory device

Номер патента: US11823726B2. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Positive TCO voltage to dummy select transistors in 3D memory

Номер патента: US11901007B2. Автор: Ken Oowada,Natsu Honda. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor element memory device

Номер патента: US20230410893A1. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Memory device with compensation for erase speed variations due to blocking oxide layer thinning

Номер патента: US20200265897A1. Автор: Ashish Baraskar,Ching-Huang Lu,Vinh Diep. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-08-20.

Memory device with compensation for erase speed variations due to blocking oxide layer thinning

Номер патента: WO2020171871A1. Автор: Ashish Baraskar,Ching-Huang Lu,Vinh Diep. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-08-27.

Memory device with compensation for erase speed variations due to blocking oxide layer thinning

Номер патента: US20200335168A1. Автор: Ashish Baraskar,Ching-Huang Lu,Vinh Diep. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-10-22.

메모리 장치 및 그것의 동작 방법

Номер патента: KR102635466B1. Автор: 오해순. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor-element-including memory device

Номер патента: US20230386559A1. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronic Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Nonvolatile memory device and method of programming in the same

Номер патента: US11869599B2. Автор: Jungmin Park,Ilhan Park,Sanghyun Joo,Joon Suc Jang,Jisang LEE,Kyunghoon Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor element memory device

Номер патента: US20230377635A1. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Nonvolatile memory device and erase method thereof

Номер патента: US20200303011A1. Автор: Sang-Won Park,Won Bo Shim,Bong Soon LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-09-24.

Memory device using semiconductor element

Номер патента: US11798616B2. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada,Masakazu Kakumu. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Non-volatile memory with tuning of erase process

Номер патента: WO2023235115A1. Автор: Yi Song,Yanjie Wang,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-07.

Nand flash memory device capable of selectively erasing one flash memory cell and operation method thereof

Номер патента: US20230128347A1. Автор: Jong-ho Lee,Honam YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Erase method of non-volatile memory device

Номер патента: US11783900B2. Автор: Sang-Won Park,Won Bo Shim,Bong Soon LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-10.

Memory device including pillar-shaped semiconductor element

Номер патента: US20230301057A1. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory device using semiconductor element

Номер патента: US20230077140A1. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada,Masakazu Kakumu. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2023-03-09.

Semiconductor-element-including memory device

Номер патента: US11763877B2. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Memory device using semiconductor element

Номер патента: US11980022B2. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada,Masakazu Kakumu. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Memory device using semiconductor element

Номер патента: US20230115447A1. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada,Masakazu Kakumu. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2023-04-13.

Semiconductor element memory cell and semiconductor element memory device

Номер патента: US20230377636A1. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor-element-including memory device

Номер патента: US11937418B2. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor element memory device

Номер патента: US20230389274A1. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor-element-including memory device

Номер патента: US11996136B2. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Memory device through use of semiconductor device

Номер патента: US11915757B2. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Memory device using semiconductor element

Номер патента: US20230039991A1. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada,Masakazu Kakumu. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20200321066A1. Автор: Hae Soon Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-10-08.

Non-volatile memory devices and data erasing methods

Номер патента: US20240105266A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Avoiding unintentional program or erase of a select gate transistor

Номер патента: WO2016028459A1. Автор: Yingda Dong,Liang PANG. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2016-02-25.

Non-volatile memory with tuning of erase process

Номер патента: US20230395157A1. Автор: Yi Song,Yanjie Wang,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-07.

Erase for 3d non-volatile memory with sequential selection of word lines

Номер патента: EP2883229A1. Автор: Haibo Li,Roy E. Scheuerlein,Man L. Mui,Xiying Costa,Seung Yu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-06-17.

Erase For 3D Non-Volatile Memory With Sequential Selection Of Word Lines

Номер патента: US20140247661A1. Автор: Haibo Li,Roy E Scheuerlein,Xiying Costa,Man L Mui,Seung Yu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2014-09-04.

Erase for 3d non-volatile memory with sequential selection of word lines

Номер патента: WO2014028308A1. Автор: Haibo Li,Roy E. Scheuerlein,Man L. Mui,Xiying Costa,Seung Yu. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2014-02-20.

Memory device using semiconductor element

Номер патента: US20240206151A1. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada,Masakazu Kakumu. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Apparatus for controlling access to a memory

Номер патента: US4542454A. Автор: N. Bruce Threewitt,Roy J. Levy,Joseph A. Brcich,Jimmy Madewell. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1985-09-17.

Cell leakage monitoring circuit and monitoring method

Номер патента: US20040228183A1. Автор: Yutaka Ito. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2004-11-18.

System and method of reducing power consumption of dynamic ram by using valid data indicators

Номер патента: RU2435237C1. Автор: Джералд Пол МИЧАЛАК,Барри Джо УОЛФОРД. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2011-11-27.

DRAM memory cell and array having pass transistors with recessed channels

Номер патента: US6384439B1. Автор: Darryl Walker. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2002-05-07.

Memory device including semiconductor element

Номер патента: US20230397395A1. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Method for operating an integrated memory

Номер патента: US20010036100A1. Автор: Thomas Rohr,Robert Esterl,Heinz Hönigschmid,Helmut Kandolf. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2001-11-01.

Techniques for memory error correction

Номер патента: US20230043306A1. Автор: Kai Wang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-09.

Method and apparatus for refreshing and data scrubbing memory device

Номер патента: US09600362B2. Автор: Chul-woo Park,Uk-Song KANG,Hak-soo Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

Display panel and method for driving the same, and display apparatus

Номер патента: US20240135857A1. Автор: Ming Fang,Min Huang,Jiancai Huang,Yuhao ZHONG. Владелец: Xiamen Tianma Optoelectronics Co ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Partial array refresh timing

Номер патента: US11868619B2. Автор: John Eric Linstadt,Thomas Vogelsang,Liji GOPALAKRISHNAN. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-01-09.

Partial array refresh timing

Номер патента: WO2021126541A1. Автор: John Eric Linstadt,Thomas Vogelsang,Liji GOPALAKRISHNAN. Владелец: RAMBUS INC.. Дата публикации: 2021-06-24.

Partial array refresh timing

Номер патента: US20240176497A1. Автор: John Eric Linstadt,Thomas Vogelsang,Liji GOPALAKRISHNAN. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor memory device and erase operation method thereof

Номер патента: US20240220148A1. Автор: Yun-Heub Song,Jae Min SIM,SeonJun CHOI. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-07-04.

Relay-connected semiconductor transistors

Номер патента: US20070041142A1. Автор: Amit Lal,Norimasa Yoshimizu,Shankar Radhakrishnan,Serhan Ardanuc. Владелец: Cornell Research Foundation Inc. Дата публикации: 2007-02-22.

Contactless IC memory on removeable media

Номер патента: US09696909B2. Автор: Glen A. Jaquette,Shinobu Fujihara,Diana J. Hellman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Sram cell with asymmetrical transistors for reduced leakage

Номер патента: WO2007041029A3. Автор: Theodore W Houston,Shyh-Horng Yang,Kayvan Sadra. Владелец: Kayvan Sadra. Дата публикации: 2009-04-16.

Transistor architecture having extended recessed spacer and source/drain regions and method of making same

Номер патента: US09786783B2. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Jeng-Ya D. YEH,Joodong Park,Curtis Tsai. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

SRAM cell with asymmetrical transistors for reduced leakage

Номер патента: US20070069277A1. Автор: Theodore Houston,Shyh-Horng Yang,Kayvan Sadra. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-03-29.

Sram cell with asymmetrical transistors for reduced leakage

Номер патента: WO2007041029A2. Автор: Theodore W. Houston,Shyh-Horng Yang,Kayvan Sadra. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2007-04-12.

Image sensor with fully depleted silicon on insulator substrate

Номер патента: US20210202553A1. Автор: Seong Yeol Mun. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

High mobility field effect transistors with a band-offset semiconductor source/drain spacer

Номер патента: US20180350798A1. Автор: Gilbert Dewey,Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Anand S. Murthy,Chandra S. Mohapatra,Willy Rachmady,Matthew V. Metz,Sean T. MA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-12-06.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US09741850B1. Автор: Kuan-Liang Liu,Chih-Chung Wang,Kai-Kuen Chang,Shih-Yin Hsiao,Wen-Fang Lee,Ching-Chung Yang,Ping-Hung Chiang,Nien-Chung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Memory device, and semiconductor structure and forming method therefor

Номер патента: EP4199042A1. Автор: Shih-hung Lee. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-21.

Three dimensional flash memory with hole generation structure during erase operation based on gidl and manufacturing method thereof

Номер патента: KR20220075693A. Автор: 송윤흡. Владелец: 한양대학교 산학협력단. Дата публикации: 2022-06-08.

Номер патента: US20210390455A1. Автор: John Bledsoe,Evan Chang,Amar Mudrankit,Samuel Clark,Drew Roselli,Lior Amar,Amanda Schierz,Dulcardo Arteaga,Christopher Cozzi,Mykola Novik,Scott Oglesby,Tristan Robert Spaulding. Владелец: Datarobot Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

System, Method, and Choreographic Framework for the Design, Development, Deployment, and Management of Distributed Software and Computing Systems

Номер патента: US20230342126A1. Автор: Christopher Shaun Costello,Donn Scott Sickles,Ryan Edward Souther,Terry Franklin Byrum. Владелец: Spectrum Comm Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Method of reporting content usage metrics

Номер патента: WO2010037698A3. Автор: Frederic Sigal. Владелец: Frederic Sigal. Дата публикации: 2010-07-22.

Method of producing a directory of content

Номер патента: WO2010037697A3. Автор: Frederic Sigal. Владелец: Frederic Sigal. Дата публикации: 2010-07-22.

System, method, and choreographic framework for the design, development, deployment, and management of distributed software and computing systems

Номер патента: US11782689B1. Автор: Christopher Shaun Costello,Donn Scott Sickles,Ryan Edward Souther,Terry Franklin Byrum. Владелец: Spectrum Comm Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Methods of forming a bulk field effect transistor (fet) with sub-source/drain isolation layers and the resulting structures

Номер патента: US20180374946A1. Автор: Bartlomiej J. Pawlak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-12-27.

Номер патента: RU2698979C1. Автор: Лидия Александровна Мирошниченко,Ольга Сергеевна Корнеева,Галина Павловна Шуваева. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Русская Олива" (ООО "Русская Олива"). Дата публикации: 2019-09-02.

Method of bread preparation

Номер патента: RU2621257C1. Автор: Лина Ивановна Кузнецова,Олеся Александровна Савкина,Григорий Валерьевич Терновской,Наталия Сергеевна Лаврентьева,Анатолий Павлович Косован. Владелец: Федеральное государственное автономное научное учреждение "Научно-исследовательский институт хлебопекарной промышленности" (ФГАНУ НИИХП). Дата публикации: 2017-06-01.

Method for forming flash memory of ETOX-cell programmed by band-to-band tunneling induced substrate hot electron and read by gate induced drain leakage current

Номер патента: TW457597B. Автор: Ming-Hua Ji. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2001-10-01.

STRUCTURE AND FABRICATION METHOD OF TUNNEL FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH INCREASED DRIVE CURRENT AND REDUCED GATE INDUCED DRAIN LEAKAGE (GIDL)

Номер патента: US20120256248A1. Автор: Nowak Edward J.,Murali Kota V.R.M.,Bajaj Mohit,Pandey Rajan K.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-10-11.

Method for reducing grid induction drain leakage of semiconductor device and method for manufacturing metal oxide semiconductor (MOS) device

Номер патента: CN102610528B. Автор: 俞柳江. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-08-27.

Номер патента: RU2543259C2. Автор: Лина Ивановна Кузнецова,Олеся Александровна Савкина,Григорий Валерьевич Терновской,Анатолий Павлович Косован,Елена Николаевна Павловская,Анна Григорьевна Шупик. Владелец: Государственное научное учреждение Государственный научно-исследовательский институт хлебопекарной промышленности Российской академии сельскохозяйственных наук (ГНУ ГОСНИИХП Россельхозакадемии). Дата публикации: 2015-02-27.

Program refresh with gate-induced drain leakage

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты