Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Integrated circuit with bottom dielectric insulators and fin sidewall spacers for reducing source/drain leakage currents

Integrated circuit with bottom dielectric insulators and fin sidewall spacers for reducing source/drain leakage currents

Номер патента: US20230420513A1
Опубликовано: 28-12-2023
Автор(ы): Chih-Hao Wang, Jung-Hung CHANG, Kuo-Cheng Chiang, Shih-Cheng Chen, Tsung-Han CHUANG, Zhi-Chang Lin
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method for forming sidewall spacers and semiconductor devices fabricated thereof

Номер патента: US20240297081A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Kuan-Ting Pan,Yi-Ruei JHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Method for forming sidewall spacers and semiconductor devices fabricated thereof

Номер патента: US11990374B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Kuan-Ting Pan,Yi-Ruei JHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Method for forming sidewall spacers and semiconductor devices fabricated thereof

Номер патента: US20230124914A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Kuan-Ting Pan,Yi-Ruei JHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Method for forming sidewall spacers and semiconductor devices fabricated thereof

Номер патента: US20220293769A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Kuan-Ting Pan,Yi-Ruei JHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

Gate cut grid across integrated circuit

Номер патента: US20230275085A1. Автор: Robert Joachim,Stephen M. Cea,Leonard P. GULER,Mohit K. HARAN,Dan S. Lavric,Sukru Yemenicioglu,Shengsi LIU. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Integrated circuit structures having uniform grid metal gate and trench contact plug

Номер патента: US20240105716A1. Автор: Tahir Ghani,Thomas O'Brien,Charles H. Wallace,Stephen M. Cea,Marie T. Conte,Leonard P. GULER,Mohit K. HARAN,Sukru Yemenicioglu,Nidhi KHANDELWAL,Saurabh Acharya,Shengsi LIU,Prabhjot LUTHRA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Integrated circuit structures having uniform grid metal gate and trench contact plug

Номер патента: EP4345879A1. Автор: Tahir Ghani,Thomas O'Brien,Charles H. Wallace,Stephen M. Cea,Leonard P. GULER,Mohit K. HARAN,Sukru Yemenicioglu,Nidhi KHANDELWAL,Saurabh Acharya,Shengsi LIU,Prabhjot LUTHRA,Marie Conte. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-03.

Integrated circuit structures having gate cut plugremoved from trench contact

Номер патента: US20240105802A1. Автор: Robert Joachim,Robert Robinson,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER,Nidhi KHANDELWAL,Saurabh Acharya,Shengsi LIU,Marie Conte,Kyle T. HORAK,Brandon PETERS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Integrated circuit device and preparation method thereof

Номер патента: US12068202B2. Автор: Yu Xia,Daxiang Wang,Yanxiang Liu,Xiaolong Ma,Yongjie Zhou,Huabin Chen,Zanfeng CHEN,Sunhom Steve Paak. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Integrated circuit structures having gate cut plug removed from trench contact using angled directional etch

Номер патента: US20240096881A1. Автор: Leonard P. GULER,Tsuan-Chung CHANG,Ala ALAZIZI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Integrated circuit device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP3863042A1. Автор: Yu Xia,Daxiang Wang,Yanxiang Liu,Xiaolong Ma,Yongjie Zhou,Huabin Chen,Zanfeng CHEN,Sunhom Steve Paak. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-11.

Transistor structures with reduced source/drain leakage through backside treatment of subfin semiconductor material

Номер патента: EP4156294A1. Автор: Rishabh Mehandru,Aaron Lilak,Patrick Keys,Cory Weber,Stephen Cea. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-29.

Transistor structures with reduced source/drain leakage through backside treatment of subfin semiconductor material

Номер патента: US20230097948A1. Автор: Rishabh Mehandru,Aaron Lilak,Patrick Keys,Cory Weber,Stephen Cea. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-30.

Integrated circuit device including integrated insulator and methods of fabrication the same

Номер патента: EP4333039A1. Автор: Kang-ill Seo,Seungchan Yun,Seungmin Song,MyungHoon JUNG,Keumseok PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-06.

Integrated circuits with self-aligned tub architecture

Номер патента: EP4202999A2. Автор: Tahir Ghani,Allen B. Gardiner,Leonard P. GULER,Andy Chih-Hung Wei,Mohit K. HARAN,Dan S. Lavric,YenTing Chiu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-28.

Integrated circuits with self-aligned tub architecture

Номер патента: EP4202999A3. Автор: Tahir Ghani,Allen B. Gardiner,Leonard P. GULER,Andy Chih-Hung Wei,Mohit K. HARAN,Dan S. Lavric,YenTing Chiu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-22.

Nanosheet Transistors with Reduced Source/Drain Resistance and Associated Method of Manufacture

Номер патента: US20230290862A1. Автор: Asanga H. Perera,Mark Douglas Hall,Craig Allan Cavins,Tushar Praful Merchant. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Nanosheet transistors with reduced source/drain resistance and associated method of manufacture

Номер патента: EP4243078A1. Автор: Mark Douglas Hall,Craig Allan Cavins,Tushar Praful Merchant,Asanga H PERERRA. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-09-13.

Method for fabricating a field-effect transistor with size-reduced source/drain epitaxy

Номер патента: US11894424B2. Автор: Seung Hwan Lee,Jin Su Jeong,Rock Hyun Baek,Jun Sik Yoon. Владелец: POSTECH Research and Business Development Foundation. Дата публикации: 2024-02-06.

Integrated circuit device including stacked transistors and methods of fabrication the same

Номер патента: US20240363633A1. Автор: Jaehong Lee,Kang-ill Seo,Sooyoung Park,Seungchan Yun,Myung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Reducing Source/Drain Resistance of III-V Based Transistors

Номер патента: US20130248929A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-09-26.

Integrated circuit with doped low-k sidewall spacers for gate stacks

Номер патента: US12136658B2. Автор: Yen-Ming Chen,Yen-Ting Chen,Feng-Cheng Yang,Wei-Yang Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Integrated circuits having improved gate structures and methods for fabricating same

Номер патента: US09490129B2. Автор: Huang Liu,Xiang Hu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Fin cut and fin trim isolation for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240276698A1. Автор: Tahir Ghani,Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Curtis W. Ward. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Integrated Circuit with Sidewall Spacers for Gate Stacks

Номер патента: US20200075420A1. Автор: Yen-Ming Chen,Yen-Ting Chen,Feng-Cheng Yang,Wei-Yang Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Integrated circuit with doped low-k side wall spacers for gate spacers

Номер патента: US11699737B2. Автор: Yen-Ming Chen,Yen-Ting Chen,Feng-Cheng Yang,Wei-Yang Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-11.

Integrated Circuit with Sidewall Spacers for Gate Spacers

Номер патента: US20210111265A1. Автор: Yen-Ming Chen,Yen-Ting Chen,Feng-Cheng Yang,Wei-Yang Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-15.

Integrated circuit with sidewall spacers for gate stacks

Номер патента: US20230352554A1. Автор: Yen-Ming Chen,Yen-Ting Chen,Feng-Cheng Yang,Wei-Yang Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Fin cut and fin trim isolation for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US12016170B2. Автор: Tahir Ghani,Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Curtis W. Ward. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Devices and Methods for Radiation Hardening Integrated Circuits Using Shallow Trench Isolation

Номер патента: US20200357681A1. Автор: Emily Ann Donnelly. Владелец: Tallannquest dba Apogee Semiconductor LLC. Дата публикации: 2020-11-12.

Integrated circuit with multi-threshold bulk finfets

Номер патента: US20170179121A1. Автор: Brad D. GAYNOR,Soha Hassoun. Владелец: TUFTS UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-06-22.

FinFET-BASED INTEGRATED CIRCUITS WITH REDUCED PARASITIC CAPACITANCE

Номер патента: US20200312843A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

Integrated circuits with guard ring structures for nonplanar transistor devices

Номер патента: US09530835B1. Автор: Chin Hieang Khor. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Integrated circuit and method for forming the same

Номер патента: US20210343645A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Cheng-Chi Chuang,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Source/drain leakage prevention

Номер патента: US20230361176A1. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Che-Lun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Gate to source/drain leakage reduction in nanosheet transistors via inner spacer optimization

Номер патента: US20200287021A1. Автор: LAN Yu,Dechao Guo,Heng Wu,Junli Wang,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

Integrated circuit structures having uniform grid metal gate and trench contact plug for tub gates with pyramidal channel structures

Номер патента: US20240312996A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Anand S. Murthy,Dan S. Lavric,Shao Ming Koh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Integrated circuit

Номер патента: EP4138129A1. Автор: Yu Tian,Xun Gu,Xi QIN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-22.

Integrated circuit device

Номер патента: EP4418327A1. Автор: Kyubong Choi,Jongmin Shin,Junmo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-21.

Integrated Circuit

Номер патента: US20230049723A1. Автор: Yu Tian,Xun Gu,Xi QIN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-16.

DOPED INSULATOR CAP TO REDUCE SOURCE/DRAIN DIFFUSION FOR GERMANIUM NMOS TRANSISTORS

Номер патента: US20210005722A1. Автор: Ghani Tahir,Kavalieros Jack T.,Chu-Kung Benjamin,Glass Glenn A.,Murthy Anand S.,SUNG Seung Hoon,JAMBUNATHAN KARTHIK,Chouksey Siddharth,Bomberger Cory C.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2021-01-07.

Integrated circuits having dummy gate electrodes and methods of forming the same

Номер патента: US9275994B2. Автор: Chan-Hong Chern,mei-hui Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-01.

Doped sti to reduce source/drain diffusion for germanium nmos transistors

Номер патента: WO2019066895A1. Автор: Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Siddharth Chouksey,Seung Hoon Sung,Benjamin Chu-Kung,Glenn A. Glass,Karthik Jambunathan,Anand S. Murthy,Cory C. Bomberger. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-04-04.

Reduced source/drain coupling for cfet

Номер патента: US20210296184A1. Автор: Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Chanro Park,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Field-effect transistor with size-reduced source/drain epitaxy and fabrication method thereof

Номер патента: KR102183131B1. Автор: 이승환,정진수,윤준식,백록현. Владелец: 포항공과대학교 산학협력단. Дата публикации: 2020-11-26.

Gate cut and fin trim isolation for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US12057492B2. Автор: Tahir Ghani,Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Gate cut and fin trim isolation for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240332399A1. Автор: Tahir Ghani,Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Integrated circuit with a power transistor and a driver circuit integrated in a common semiconductor body

Номер патента: US09893175B2. Автор: Anton Mauder,Franz Hirler,Daniel Domes. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-02-13.

Integrated circuit having field-effect trasistors with dielectric fin sidewall structures and manufacturing method thereof

Номер патента: US09922975B2. Автор: Ming-Hua Yu,Kun-Mu Li,Tsz-Mei Kwok,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Continuous gate and fin spacer for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US11837456B2. Автор: Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Subhash Joshi,Heidi M. MEYER,Ahmet TURA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-05.

Continuous gate and fin spacer for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240038578A1. Автор: Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Subhash Joshi,Heidi M. MEYER,Ahmet TURA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Integrated circuit structure with stepped epitaxial region

Номер патента: US20180366372A1. Автор: Steven Bentley,Puneet H. Suvarna,Mark V. Raymond,Peter M. Zeitzoff. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-12-20.

Gate cut and fin trim isolation for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20220223717A1. Автор: Tahir Ghani,Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-07-14.

Gate cut and fin trim isolation for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US11799015B2. Автор: Tahir Ghani,Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

Gate cut and fin trim isolation for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20230420545A1. Автор: Tahir Ghani,Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Trench plug hardmask for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US11887838B2. Автор: Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Anthony St. Amour. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Trench plug hardmask for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240105520A1. Автор: Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Anthony St. Amour. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Integrated circuit and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180175031A1. Автор: Ming-Hua Yu,Kun-Mu Li,Tsz-Mei Kwok,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-21.

Manufacturing method of integrated circuit

Номер патента: US20200119006A1. Автор: Ming-Hua Yu,Kun-Mu Li,Tsz-Mei Kwok,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Integrated circuit layout and integrated circuit layout method for filter

Номер патента: US20230187426A1. Автор: Chia-Wei Yu,Chao-Yang Chen,Yung-Tai Chen,Sheng-Yang Ho. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Integrated circuits with lateral bipolar transistors and methods for fabricating the same

Номер патента: US09761664B1. Автор: Vaddagere Nagaraju Vasantha Kumar,Wei Gao,Chien-Hsin Lee,Manjunatha Prabhu,Xiangxiang LU. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-09-12.

Integrated circuits with resistor structures formed from gate metal and methods for fabricating same

Номер патента: US09530770B2. Автор: Christian Schippel,Alexandru Romanescu,Gerd Zschatzsch. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Integrated circuit device with epitaxial features having adjusted profile and method for manufacturing the same

Номер патента: US11862519B2. Автор: Wen-Hsien TU,Dong-Jie KE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Integrated Circuits with Gate Stacks

Номер патента: US20190259862A1. Автор: Kai-Chieh Yang,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Li-Shyue Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-22.

Memory cell, semiconductor integrated circuit device, and method for manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20180211965A1. Автор: Yasuhiro Taniguchi,Yasuhiko Kawashima,Shinji Yoshida,Kazumasa Yanagisawa,Shoji Yoshida,Daisuke Okada,Fukuo Owada. Владелец: Floadia Corp. Дата публикации: 2018-07-26.

Memory cell, semiconductor integrated circuit device, and method for manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20190371799A1. Автор: Yasuhiro Taniguchi,Yasuhiko Kawashima,Shinji Yoshida,Kazumasa Yanagisawa,Shoji Yoshida,Daisuke Okada,Fukuo Owada. Владелец: Floadia Corp. Дата публикации: 2019-12-05.

Memory cell, semiconductor integrated circuit device, and method for manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US10431589B2. Автор: Yasuhiro Taniguchi,Yasuhiko Kawashima,Shinji Yoshida,Kazumasa Yanagisawa,Shoji Yoshida,Daisuke Okada,Fukuo Owada. Владелец: Floadia Corp. Дата публикации: 2019-10-01.

Unique gate cap and gate cap spacer structures for devices on integrated circuit products

Номер патента: US20200052088A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-02-13.

Unique gate cap and gate cap spacer structures for devices on integrated circuit products

Номер патента: US10770566B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-09-08.

Semiconductor integrated circuit with radiation resistance

Номер патента: US20210021266A1. Автор: Youichi Satou,Masazumi Shiochi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Fin-based nonvolatile memory structures, integrated circuits with such structures, and methods for fabricating same

Номер патента: US09911867B2. Автор: Khee Yong Lim,Kiok Boone Elgin Quek,Ming-Tsang Tsai. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Integrated circuits with laterally diffused metal oxide semiconductor structures and methods for fabricating the same

Номер патента: US09842903B2. Автор: PURAKH Raj Verma,Yi Lu,Dongli Wang,Deyan CHEN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Integrated circuit with NMOS and PMOS transistors having different threshold voltages through channel doping and gate material work function schemes

Номер патента: US09985029B2. Автор: François Andrieu. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2018-05-29.

Integrated circuits with memory cells and methods for producing the same

Номер патента: US20190043992A1. Автор: Shyue Seng Tan,Yuan Sun. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2019-02-07.

Field-effect transistor with size-reduced source/drain epitaxy and fabrication method thereof

Номер патента: US20200403064A1. Автор: LEE Seung Hwan,JEONG Jin Su,BAEK Rock Hyun,YOON Jun Sik. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-24.

FET with FUSI gate and reduced source/drain contact resistance

Номер патента: US8664721B2. Автор: Zhen Zhang,Paul Solomon,Tak H. Ning,Christian Lavoie,Qiqing Ouyang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-03-04.

Finfet devices having a material formed on reduced source/drain region

Номер патента: US20170229559A1. Автор: Xinyun Xie. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

FinFET device having a material formed on reduced source/drain region and method of forming the same

Номер патента: US9673325B2. Автор: Xinyun Xie. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Vertical semiconductor component, in particular vertical transistor, with minimized source-drain leakage currents

Номер патента: US20240234491A1. Автор: Daniel Krebs,Muhammad Alshahed,Dragos Costachescu,Humberto Rodriguez Alvarez. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-11.

FINFET DEVICES HAVING A MATERIAL FORMED ON REDUCED SOURCE/DRAIN REGION

Номер патента: US20170229559A1. Автор: XIE Xinyun. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-10.

Reduced source/drain coupling for cfet

Номер патента: US20210296184A1. Автор: Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Chanro Park,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

System and method for integrated circuits with cylindrical gate structures

Номер патента: US8884363B2. Автор: Su Xing,Roger Lee,De Yuan Xiao,Guo Qing Chen,Chin Fu Yen,Xiao Lu Huang,Yong Sheng Yang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2014-11-11.

Field-Effect Transistor Devices with Sidewall Implant Under Bottom Dielectric Isolation

Номер патента: US20210336056A1. Автор: Alexander Reznicek,Jingyun Zhang,Xin Miao,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-10-28.

Integrated circuits with inactive gates and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20160190012A1. Автор: Ming Zhu,Yiang Aun Nga. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2016-06-30.

Integrated circuits with inactive gates and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09640438B2. Автор: Ming Zhu,Yiang Aun Nga. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-05-02.

Integrated circuits with selective gate electrode recess

Номер патента: US09418898B2. Автор: Christopher J. WIEGAND,Michael L. Hattendorf,Mark Y. Liu,Srijit Mukherjee,Tyler J WEEKS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

GATE TO SOURCE/DRAIN LEAKAGE REDUCTION IN NANOSHEET TRANSISTORS VIA INNER SPACER OPTIMIZATION

Номер патента: US20200287021A1. Автор: Guo Dechao,Wang Junli,Wu Heng,Bao Ruqiang,Yu Lan. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-10.

Integrated circuit with different memory gate work functions

Номер патента: US11424261B2. Автор: Cheng-Bo Shu,Yun-Chi Wu,Chien Hung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-23.

System and method for integrated circuits with cylindrical gate structures

Номер патента: US09673060B2. Автор: Su Xing,Roger Lee,De Yuan Xiao,Guo Qing Chen,Chin Fu Yen,Xiao Lu Huang,Yong Sheng Yang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Integrated circuits including replacement gate structures and methods for fabricating the same

Номер патента: US09761691B2. Автор: Min-Hwa Chi,Xusheng Wu,Dong-woon Shin. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Methods for fabricating integrated circuits with narrow, metal filled openings

Номер патента: US20130224927A1. Автор: HAO Zhang,Robert Binder,Sven Schmidbauer,Dina H. Triyoso,Elke Erben. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-08-29.

Integrated circuit structures with trench contact depopulation structure

Номер патента: US20240105803A1. Автор: Tahir Ghani,Thomas O'Brien,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER,Dan S. Lavric,Saurabh Acharya. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Integrated circuits with capacitors and methods for producing the same

Номер патента: US09978883B2. Автор: Shyue Seng Tan,Yuan Sun,Kiok Boone Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-05-22.

Integrated circuits with capacitors and methods for producing the same

Номер патента: US09646963B1. Автор: Shyue Seng Tan,Yuan Sun,Kiok Boone Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Silicided integrated circuit with data retaining floating-gate capacitor

Номер патента: EP2867921A1. Автор: Amitava Chatterjee,Kaiping Liu,Imran Mahmood Khan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-05-06.

Method and Structure for Reducing Source/Drain Contact Resistance at Wafer Backside

Номер патента: US20220344496A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Chun-Yuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-27.

Structure for reducing source/drain contact resistance at wafer backside

Номер патента: US20230387266A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Chun-Yuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Method and structure for reducing source/drain contact resistance at wafer backside

Номер патента: US11848372B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Chun-Yuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Integrated circuits with diffusion barrier layers and processes for preparing integrated circuits including diffusion barrier layers

Номер патента: US20160056253A1. Автор: Hoon Kim,Rohit Galatage. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-02-25.

Integrated circuits and methods for fabricating integrated circuits with active area protection

Номер патента: US09419126B2. Автор: Xiaodong Yang,Yanxiang Liu,Xusheng Wu,Jin Ping Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Method of reducing the heights of source-drain sidewall spacers of FinFETs through etching and the FinFETs thereof

Номер патента: US09548367B2. Автор: Tsung-Che Tsai,Jam-Wem Lee,Yi-Feng Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Integrated circuit having chemically modified spacer surface

Номер патента: US09496359B2. Автор: Amitabh Jain,Brian K. Kirkpatrick. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Processes for preparing integrated circuits with improved source/drain contact structures and integrated circuits prepared according to such processes

Номер патента: US09466701B2. Автор: Sipeng Gu,Sandeep Gaan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Mid-processing removal of semiconductor fins during fabrication of integrated circuit structures

Номер патента: WO2019055041A1. Автор: Anurag Jain,Szuya S. LIAO,Mehmet O. BAYKAN. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-03-21.

Method of reducing the heights of source-drain sidewall spacers of FinFETs through etching

Номер патента: US09887275B2. Автор: Tsung-Che Tsai,Jam-Wem Lee,Yi-Feng Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Integrated circuits including replacement gate structures and methods for fabricating the same

Номер патента: US20160163824A1. Автор: Min-Hwa Chi,Xusheng Wu,Dong-woon Shin. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-09.

Integrated circuits with dual silicide contacts and methods for fabricating same

Номер патента: US09660075B2. Автор: Guillaume Bouche,Andy C. Wei,Jeremy A. Wahl,Shao Ming Koh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Integrated Circuits with Channel-Strain Liner

Номер патента: US20200006558A1. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Huiling Shang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Rf switch device with a sidewall spacer having a low dielectric constant

Номер патента: US20220223714A1. Автор: Cheng-ta Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-14.

Integrated circuits with flash memory and methods for producing the same

Номер патента: US09780231B1. Автор: Ming Zhu,Danny Pak-Chum Shum,Xinshu CAI,Pinghui Li,Darin Chan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Integrated circuits with laterally diffused metal oxide semiconductor structures and methods for fabricating the same

Номер патента: US09660020B2. Автор: PURAKH Raj Verma,Yi Lu,Dongli Wang,Deyan CHEN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Integrated circuits with shallow trench isolations, and methods for producing the same

Номер патента: US09460955B2. Автор: Kun-Hsien LIN,Ran Yan,Alban Zaka,Nicolas Sassiat. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Integrated circuits with programmable memory and methods for producing the same

Номер патента: US09876019B1. Автор: Xiong Zhang,Siow Lee Chwa,Yudi SETIAWAN,Yoke Leng Lim,Sunny Sadana. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-01-23.

Isotropically etching sidewall spacers to be used for both an NMOS source/drain implant and a PMOS LDD implant

Номер патента: US6316302B1. Автор: Anthony J. Toprac,Derick J. Wristers,Jon D. Cheek. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-11-13.

Integrated circuit having chemically modified spacer surface

Номер патента: WO2012135363A3. Автор: Amitabh Jain,Brian K. Kirkpatrick. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2012-12-06.

Methods for forming integrated circuit systems employing fluorine doping

Номер патента: US20140256097A1. Автор: Ran Yan,Jan Hoentschel,Nicolas Sassiat,Torben Balzer. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-09-11.

Rf switch device with a sidewall spacer having a low dielectric constant

Номер патента: US20210066472A1. Автор: Cheng-ta Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Rf switch device with a sidewall spacer having a low dielectric constant

Номер патента: US20240154023A1. Автор: Cheng-ta Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Maskless method to reduce source-drain contact resistance in cmos devices

Номер патента: US20180061956A1. Автор: Christian Lavoie,Praneet Adusumilli,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-01.

Reducing Source/Drain Resistance of III-V Based Transistors

Номер патента: US20130248929A1. Автор: Wann Clement Hsingjen,KO Chih-Hsin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-09-26.

Integrated circuit structures having self-aligned uniform grid metal gate and trench contact plug for tub gates

Номер патента: US20240312986A1. Автор: Nikhil Mehta,Anand S. Murthy,Leonard P. GULER,Sudipto NASKAR,Dan S. Lavric,Shao Ming Koh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Integrated circuit structures having self-aligned uniform grid metal gate and trench contact plug for tub gates

Номер патента: EP4432339A1. Автор: Nikhil Mehta,Anand S. Murthy,Leonard P. GULER,Sudipto NASKAR,Dan S. Lavric,Shao Ming Koh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-18.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240321980A1. Автор: Seunghyun Hwang,Heonjong Shin,Doohyun Lee,Jaehyun KANG,Seonbae KIM,Wangseop Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuits with gaps

Номер патента: US09899527B2. Автор: Rui Tze TOH,Shaoqiang Zhang,Raj Verma Purakh. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Finfet integrated circuits and methods for their fabrication

Номер патента: US20150179644A1. Автор: Xiuyu Cai,Ajey Poovannummoottil Jacob,Murat Kerem Akarvardar. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Integrated circuits with resistors

Номер патента: US20140367793A1. Автор: Chan-Hong Chern,Fu-Lung Hsueh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-12-18.

Method of forming an integrated circuit (ic) with shallow trench isolation (sti) regions and the resulting ic structure

Номер патента: US20180247956A1. Автор: Anthony K. Stamper,Steven M. Shank,Siva P. Adusumilli. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-08-30.

Electrostatic protection circuit, semiconductor integrated circuit device, and electronic device

Номер патента: US09935096B2. Автор: Masuhide Ikeda. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Integrated circuit with esd structure

Номер патента: US20110089532A1. Автор: Gerhard Prechtl,Andreas Peter Meiser,Nils Jensen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2011-04-21.

Integrated circuit with dynamic threshold voltage

Номер патента: US20010014494A1. Автор: Brian Doyle,Rafael Rios,Brian Roberds. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-16.

Integrated circuit with multiple gallium nitride transistor sets

Номер патента: US20200195122A1. Автор: Jianjun Cao,Alexander Lidow,David C. Reusch. Владелец: Efficient Power Conversion Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

Integrated circuits and methods of forming the same with effective dummy gate cap removal

Номер патента: US09917016B2. Автор: Klaus Hempel,Dina Triyoso. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Integrated circuits with diffusion barrier layers and processes for preparing integrated circuits including diffusion barrier layers

Номер патента: US09484449B2. Автор: Hoon Kim,Rohit Galatage. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Integrated circuits with magnetic random access memory (mram) devices and methods for fabricating such devices

Номер патента: US20190237658A1. Автор: Bin Liu,Eng Huat Toh,Kangho Lee,Elgin Kiok Boone Quek,Yinjie Ding. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2019-08-01.

Methods for fabricating integrated circuits with improved implantation processes

Номер патента: US20160204038A1. Автор: Ran Yan,El Mehdi Bazizi,Jan Hoentschel,Alban Zaka. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-07-14.

Methods for fabricating integrated circuits with improved implantation processes

Номер патента: US20150287646A1. Автор: Ran Yan,El Mehdi Bazizi,Jan Hoentschel,Alban Zaka. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-10-08.

MASKLESS METHOD TO REDUCE SOURCE-DRAIN CONTACT RESISTANCE IN CMOS DEVICES

Номер патента: US20180061956A1. Автор: Lavoie Christian,Jagannathan Hemanth,Adusumilli Praneet. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-01.

MASKLESS METHOD TO REDUCE SOURCE-DRAIN CONTACT RESISTANCE IN CMOS DEVICES

Номер патента: US20180083114A1. Автор: Lavoie Christian,Jagannathan Hemanth,Adusumilli Praneet. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-22.

DOPED STI TO REDUCE SOURCE/DRAIN DIFFUSION FOR GERMANIUM NMOS TRANSISTORS

Номер патента: US20200365711A1. Автор: Ghani Tahir,Kavalieros Jack T.,Chu-Kung Benjamin,Glass Glenn A.,Murthy Anand S.,SUNG Seung Hoon,JAMBUNATHAN KARTHIK,Chouksey Siddharth,Bomberger Cory C.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-11-19.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US20050174141A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2005-08-11.

Semiconductor Integrated Circuit Device with Reduced Leakage Current

Номер патента: US20120113709A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-05-10.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US20060226449A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-12.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US8125017B2. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-02-28.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US6885057B2. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2005-04-26.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US20020179940A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US7388238B2. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-17.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US09530485B2. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US20060076610A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2006-04-13.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US7087942B2. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-08.

Integrated circuits with varying gate structures and fabrication methods

Номер патента: US09576952B2. Автор: Richard J. Carter,Manfred Eller,Srikanth Balaji Samavedam,Manoj Joshi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Methods of forming different spacer structures on integrated circuit products having differing gate pitch dimensions and the resulting products

Номер патента: US09536877B2. Автор: Xiuyu Cai,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US20080203437A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-28.

Integrated circuits with aligned (100) NMOS and (110) PMOS finFET sidewall channels

Номер патента: US9053966B2. Автор: Rick L. Wise,Angelo Pinto,Weize W. Xiong,Cloves R. Cleavelin. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-06-09.

Integrated circuits with aligned (100) NMOS and (110) PMOS FinFET sidewall channels

Номер патента: US8872220B2. Автор: Rick L. Wise,Angelo Pinto,Weize W. Xiong,Cloves R. Cleavelin. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-10-28.

Integrated circuits with aligned (100) NMOS and (110) PMOS FinFET sidewall channels

Номер патента: US8410519B2. Автор: Rick L. Wise,Angelo Pinto,Weize Xiong,Cloves Rinn Cleavelin. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-04-02.

Devices and methods for reducing stress on circuit components

Номер патента: US20220328426A1. Автор: Jonathan Ephraim David Hurwitz,Padraig Fitzgerald,Michael J. Flynn,George Redfield Spalding, JR.. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2022-10-13.

Devices and methods for reducing stress on circuit components

Номер патента: US20210265281A1. Автор: Jonathan Ephraim David Hurwitz,Padraig Fitzgerald,Michael J. Flynn,George Redfield Spalding, JR.. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2021-08-26.

Method for forming integrated circuits with aligned (100) NMOS and (110) PMOS FinFET sidewall channels

Номер патента: US8138035B2. Автор: Rick L. Wise,Angelo Pinto,Weize Xiong,Cloves Rinn Cleavelin. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2012-03-20.

Method for forming integrated circuits with aligned (100) nmos and (110) pmos finfet sidewall channels

Номер патента: US20110151651A1. Автор: Rick L. Wise,Angelo Pinto,Weize Xiong,Cloves Rinn Cleavelin. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-06-23.

Integrated circuits with deep trench isolations and methods for producing the same

Номер патента: US09831304B1. Автор: Jeoung Mo KOO,Shiang Yang Ong,Raj Verma Purakh,Namchil MUN,Mun Tat Yap,Tat Wei Chua. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Method for reducing substrate capacitive coupling of a thin film inductor by reverse P/N junctions

Номер патента: EP1071132A3. Автор: Min Zhu,Kai Chartered Semiconductor Manuf. Pte Ltd. Shao,Shao-fu Chart. Semicond. Manuf. Ltd Sandford Chu. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2004-06-09.

Integrated circuit with reduced stress on circuit components and manufacturing methods thereof

Номер патента: EP3872849A1. Автор: Jonathan Ephraim David Hurwitz,Padraig Fitzgerald,Michael J. Flynn,George Redfield SPALDING. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2021-09-01.

Integrated circuit with backside power rail and backside interconnect

Номер патента: US20240258298A1. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Guo-Huei Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Integrated circuit with multiple cells having different heights

Номер патента: US09478609B2. Автор: Li-Chun Tien,Ting-Wei Chiang,Pin-Dai Sue,Ming-Jin Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Integrated circuits with deep and ultra shallow trench isolations and methods for fabricating the same

Номер патента: US20170330896A1. Автор: PURAKH Raj Verma,Guan Huei See,Rui Tze TOH,Shaoqiang Zhang. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-11-16.

Integrated circuit with guard region and diode circuit

Номер патента: US12040357B2. Автор: Guido Wouter Willem Quax,Dongyong ZHU. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-07-16.

Low-power, high-voltage integrated circuits

Номер патента: US20140002181A1. Автор: Mario Motz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-01-02.

Monolithic inductance-enhancing integrated circuits, complementary metal oxide semiconductor (cmos) inductance-enhancing integrated circuits, inductor assemblies, and inductance-multiplying methods

Номер патента: US20030075764A1. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-24.

Semiconductor integrated circuit with guard ring

Номер патента: US09941358B2. Автор: Akihiko Yoshioka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Standard cell having a capacitor and a power supply capacitor for reducing noise and method of formation

Номер патента: US5631492A. Автор: James R. Lundberg,Richard S. Ramus. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1997-05-20.

Low-Power, High-Voltage Integrated Circuits

Номер патента: US20120038416A1. Автор: Mario Motz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-02-16.

Circuit configuration for protecting an integrated circuit

Номер патента: US4949212A. Автор: Wolfgang Horchler,Michael Lenz,Frank-Lothar Schwertlein. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1990-08-14.

Integrated circuit with zero temperature coefficient capacitor

Номер патента: WO2012061126A2. Автор: Weidong Tian,Imran Kahn. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2012-05-10.

Method for containing a silicided gate within a sidewall spacer in integrated circuit technology

Номер патента: US20100219486A1. Автор: Kelley Kyle Higgins,Ibrahim Khan Burki. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2010-09-02.

Methods for fabricating integrated circuits with robust gate electrode structure protection

Номер патента: US20150132914A1. Автор: Markus Lenski,Joanna WASYLUK,Dominic Thurmer,Ardechir Pakfar. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-05-14.

Methods for fabricating integrated circuits using self-aligned quadruple patterning

Номер патента: US09620380B1. Автор: Huang Liu,Xintuo Dai,Jin Ping Liu,Jiong Li. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Method of forming an integrated circuit with heat-mitigating diamond-filled channels

Номер патента: US09881849B2. Автор: Daniel J. Ewing,Kyle W. Maples. Владелец: Honeywell Federal Manufacturing and Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-30.

Method of forming an integrated circuit with heat-mitigating diamond-filled channels

Номер патента: US09728483B2. Автор: Daniel J. Ewing,Kyle W. Maples. Владелец: Honeywell Federal Manufacturing and Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-08.

Integrated circuits with asymmetric and stacked transistors

Номер патента: US09496268B2. Автор: Jun Liu,Qi Xiang,Irfan Rahim,Andy L. Lee,Yanzhong Xu,Srinivas Perisetty,Albert Ratnakumar,Shankar Sinha,Jeffrey T. Watt,Jeffrey Xiaoqi Tung,Shih-Lin S. Lee. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Integrated circuits with standard cell

Номер патента: US20190088639A1. Автор: Wei-Jen Wang,Chin-Sheng Yang,Chien-Fu Chen,Chao-Wei Lin,Chen-Hsien Hsu,Zhi-Hong HUANG,Cheng-Yang Tsai,Cheng-Tsung Ku. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Removable sidewall spacer for lightly doped drain formation using two mask levels

Номер патента: US4722909A. Автор: Louis C. Parrillo,Richard W. Mauntel,Stephen J. Cosentino. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1988-02-02.

Silicided polysilicon spacer for enhanced contact area

Номер патента: SG142221A1. Автор: Fang Sunfei,Lee Yong Meng,KU Ja-Hum,Thomas W Dyer. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-05-28.

Integrated circuit contact structure having gate electrode protection for self-aligned contacts with zero enclosure

Номер патента: US6057604A. Автор: Loi N. Nguyen. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2000-05-02.

Methods for fabricating integrated circuits with controlled p-channel threshold voltage

Номер патента: US20130109166A1. Автор: Klaus Hempel,Dina Triyoso,Elke Erben. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-05-02.

Fabrication method for reduced-dimension integrated circuits

Номер патента: WO1998034268A3. Автор: Somit Talwar,Karl-Josef Kramer,Kurt Weiner,Guarav Verma. Владелец: Ultratech Stepper Inc. Дата публикации: 1999-02-18.

Fabrication method for reduced-dimension integrated circuits

Номер патента: EP1012879B1. Автор: Somit Talwar,Karl-Josef Kramer,Kurt Weiner,Guarav Verma. Владелец: Ultratech Inc. Дата публикации: 2002-09-04.

Selective cooling of an integrated circuit for minimizing power loss

Номер патента: US20040041582A1. Автор: Siva Narendra,Vivek De,Ali Keshavarzi,Jaume Segura. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-03-04.

Method of reducing charging damage to integrated circuits during semiconductor manufacturing

Номер патента: US20060270161A1. Автор: Ko-Ting Chen,Wen-Bin Lu,Chao-Hu Liang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-30.

Electrostatic discharge protection for integrated circuit during back end-of-line processing

Номер патента: US11764206B2. Автор: Chih-Wei Hsu,Yu-Lin Chu,Tsung-Yuan Chen,Hsi-Yu Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Integrated circuit comprising analog and digital sub-circuits with improved over-voltage protection and reduced substrate -noise coupling

Номер патента: US20020071229A1. Автор: Hans-Ulrich Schröder,Antonius P.G. Welbers. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-13.

Integrated FET circuit with input current cancellation

Номер патента: US4068254A. Автор: George Erdi. Владелец: Precision Monolithics Inc. Дата публикации: 1978-01-10.

Semiconductor integrated circuit with leakage current suppressed

Номер патента: US20080087920A1. Автор: Kenichi Yoda. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-04-17.

Electrostatic protection circuit with impedance matching for radio frequency integrated circuits

Номер патента: US20070264957A1. Автор: John Leete. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2007-11-15.

Computer-implemented method and computer program for generating a layout of a circuit block of an integrated circuit

Номер патента: US09811625B2. Автор: James Edward Myers. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030075771A1. Автор: Masahiro Shiina. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-24.

Semiconductor integrated circuit device, current control device using semiconductor integrated circuit device, and automatic transmission control device using current control device

Номер патента: US20200381454A1. Автор: Yoichiro Kobayashi,Shinichirou WADA,Masato Kita. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2020-12-03.

Semiconductor integrated circuit device, current control device using semiconductor integrated circuit device, and automatic transmission control device using current control device

Номер патента: US11043508B2. Автор: Yoichiro Kobayashi,Shinichirou WADA,Masato Kita. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2021-06-22.

Integrated circuit with protective element

Номер патента: US20240274595A1. Автор: Edgardo Laber,James Edwin Vinson. Владелец: Renesas Electronics America Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Darlington circuit with constant voltage source and integrated circuit device integrated the darlington circuit with constant voltage source

Номер патента: WO2008038998A1. Автор: Ok-Sang Jin. Владелец: Ok-Sang Jin. Дата публикации: 2008-04-03.

Integrated circuit with device for protection against electrostatic discharges

Номер патента: US20110279936A1. Автор: Sergio Pernici,Pierangelo Confalonieri,Riccardo Martignone. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2011-11-17.

Dilution doped integrated circuit resistors

Номер патента: US09991120B2. Автор: Scott R. Summerfelt,Scott K. Montgomery. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Integrated circuit with elongated coupling

Номер патента: US09806071B2. Автор: Chung-Te Lin,Hui-Zhong ZHUANG,Li-Chun Tien,Tung-Heng Hsieh,Ting-Wei Chiang,Sheng-Hsiung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Integrated circuits with electrostatic discharge protection

Номер патента: US09698139B1. Автор: Chien-Hsin Lee,Manjunatha Prabhu,Xiangxiang LU. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Integrated circuit with lateral flux capacitor

Номер патента: US09520461B1. Автор: zhi-qi Li. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Integrated circuit with elongated coupling

Номер патента: US09425141B2. Автор: Chung-Te Lin,Hui-Zhong ZHUANG,Li-Chun Tien,Tung-Heng Hsieh,Ting-Wei Chiang,Sheng-Hsiung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Electronic circuit with electrostatic discharge protection

Номер патента: US20200006320A1. Автор: Philippe Galy,Louise DE CONTI,Thomas Bedecarrats. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2020-01-02.

Integrated circuit with stacked transistors having inductors at both sides of substrate

Номер патента: US20240290779A1. Автор: Ying-Ta Lu,Ming-Long Fan,Szuya Liao,Wei-Xiang YOU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Integrated circuit with modified metal features and method of fabrication therefor

Номер патента: US20040185652A1. Автор: Philip Ireland. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-09-23.

Complete system-on-chip (SOC) using monolithic three dimensional (3D) integrated circuit (IC) (3DIC) technology

Номер патента: US09583473B2. Автор: Yang Du. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Method and apparatus for forming an integrated circuit with a metalized resistor in a standard cell configuration

Номер патента: US09478533B2. Автор: Kuo-Ji Chen,Li-Chun Tien,Bo-Ting Chen,Ting Yu CHEN,Wei Yu Ma. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Integrated circuit and semiconductor module

Номер патента: US20230266784A1. Автор: Masashi AKAHANE. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Fabrication system of semiconductor integrated circuit, fabrication device, fabrication method, integrated circuit and communication system

Номер патента: US20100100219A1. Автор: Takashi Hashimoto,Takahiro Ichinomiya. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-04-22.

Integrated circuit chip with electrostatic discharge protection device

Номер патента: WO2005074027A3. Автор: Wolfgang Schnitt,Hans-Martin Ritter. Владелец: Hans-Martin Ritter. Дата публикации: 2006-12-07.

Self-powered integrated circuit with photovoltaic cell

Номер патента: US20120126298A1. Автор: Yuanning Chen,Nagarajan Sridhar. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2012-05-24.

Integrated circuits with components on both sides of a selected substrate and methods of fabrication

Номер патента: US09947688B2. Автор: James S. Cable,Ronald Eugene Reedy,Anthony Mark Miscione. Владелец: PSemi Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Integrated circuit package with plated heat spreader

Номер патента: US09559036B1. Автор: Yuanlin Xie,Steven Hsieh. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Integrated circuit with 3D partitioning

Номер патента: US11822475B2. Автор: Geert Van Der Plas,Manu Komalan Perumkunnil. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-11-21.

Apparatus and methods for integrated circuit with devices with body contact and devices with electrostatic discharge protection

Номер патента: US20080232011A1. Автор: Minchang Liang,Yowjuang W. Liu. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2008-09-25.

Method of estimating wiring complexity degree in semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060124968A1. Автор: Eiji Nagata,Fumihito Watanuki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-15.

Asymmetrically bonded integrated circuit devices

Номер патента: US20240194670A1. Автор: Fee Li LIE,Ruqiang Bao,Michael P. Belyansky,Matt Malley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor integrated circuit device and inspection method for semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US11808807B2. Автор: Kazunori Nemoto,Akira Kotabe,Akeo Satoh. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Production of integrated circuits comprising different components

Номер патента: EP1982352A1. Автор: Wolfgang Schnitt. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-10-22.

Methods and systems for designing integrated circuits

Номер патента: US20240242014A1. Автор: Taehyun Kim,Hyunjoong Kim,Jichull Jeong,Euihyun Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Integrated circuit with electrostatic discharge protection

Номер патента: US20220037310A1. Автор: Yu-Ti Su,Po-Lin PENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

Integrated circuit with electrostatic discharge protection

Номер патента: EP3945578A1. Автор: Yu-Ti Su,Po-Lin PENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-02.

Integrated circuit having building blocks

Номер патента: US7355443B2. Автор: Katarzyna Leijten-Nowak,Atul Katoch. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-08.

Methods of Fabricating Application Specific Integrated Circuit (ASIC) Devices that Include Both Pre-Existing and New Integrated Circuit Functionality and Related ASIC Devices

Номер патента: US20070240092A1. Автор: Jong-woo Park,Yun-Tae Lee,Seon-Wook Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-10-11.

Production of integrated circuits comprising different components

Номер патента: WO2007086019A1. Автор: Wolfgang Schnitt. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2007-08-02.

High speed element of an integrated circuit with a majority carrier junction having a large current capability

Номер патента: US4015283A. Автор: Yutaka Hayashi,Yasuo Tarui. Владелец: Agency of Industrial Science and Technology. Дата публикации: 1977-03-29.

Integrated circuits including abutted blocks and methods of designing layouts of the integrated circuits

Номер патента: US20230297752A1. Автор: Minjae Jeong,Jungho DO,Sanghoon Baek,Jisu YU,Hyeongyu You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Integrated circuit having building blocks

Номер патента: EP1520298B1. Автор: Katarzyna Leijten-Nowak,Atul Katoch. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-09-29.

Semiconductor integrated circuit with TSV bumps

Номер патента: US8994110B2. Автор: Kenichi Ishikawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-03-31.

Semiconductor integrated circuit with tsv bumps

Номер патента: US20140145266A1. Автор: Kenichi Ishikawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-05-29.

Integrated circuit with increased speed and packing density - has insulating and conducting regions formed on both sides of single crystal layer

Номер патента: DE2752344A1. Автор: Palmir Magometzagirovi Gafarov. Владелец: GAFAROV. Дата публикации: 1979-05-31.

SRAM-LIKE EBI STRUCTURE DESIGN AND IMPLEMENTATION TO CAPTURE MOSFET SOURCE-DRAIN LEAKAGE EARILER

Номер патента: US20170154687A1. Автор: Wong Keith Kwong Hon,Wang Yun-Yu,Patterson Oliver D.,Song Zhigang. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-01.

Apparatus and methods for leakage current reduction in integrated circuits

Номер патента: US09698780B2. Автор: Christophe Vincent Antoine Laurent. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Integrated circuits with a partially-depleted region formed over a bulk silicon substrate and methods for fabricating the same

Номер патента: US20150041910A1. Автор: Jan Hoentschel,Juergen Faul,Stefan Flachowksy. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-02-12.

Integrated circuits with a partially-depleted region formed over a bulk silicon substrate and methods for fabricating the same

Номер патента: US09917087B2. Автор: Jan Hoentschel,Juergen Faul,Stefan Flachowksy. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20050007827A1. Автор: Hiroshi Seki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-01-13.

Biasing device for low parasitic capacitance in integrated circuit applications

Номер патента: US20060237820A1. Автор: Chun-Ying Chen. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2006-10-26.

Apparatus and methods for leakage current reduction in integrated circuits

Номер патента: US20180367142A1. Автор: Christophe Vincent Antoine Laurent. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-12-20.

Apparatus and methods for leakage current reduction in integrated circuits

Номер патента: WO2015038466A1. Автор: Christophe Vincent Antoine Laurent. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2015-03-19.

Packaged integrated circuit devices

Номер патента: EP1751793A2. Автор: Jian Chen,Appolonius Jacobus Van Der Wiel. Владелец: Melexis NV. Дата публикации: 2007-02-14.

Magnetic field sensor integrated circuit with integral ferromagnetic material

Номер патента: US20240222526A1. Автор: William P. Taylor,Ravi Vig,Paul A. David,Andreas P. Friedrich,P. Karl Scheller. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Packaging integrated circuits

Номер патента: EP1854143A1. Автор: Jian Chen. Владелец: Melexis NV. Дата публикации: 2007-11-14.

Alignment of integrated circuit chip stack

Номер патента: US20150024549A1. Автор: Daniel C. Edelstein,Qinghuang Lin,Sri M. Sri-Jayantha,Vijayeshwar D. Khanna,Roy R. Yu,Evan G. Colgan,Robert L. Wisnieff,Peter J. Sorce,Steven A. Cordes,Kenneth Latzko. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-01-22.

Packaging integrated circuits

Номер патента: WO2006092725A1. Автор: Jian Chen. Владелец: Melexis NV. Дата публикации: 2006-09-08.

Integrated circuit with sequentially-coupled charge storage and associated techniques

Номер патента: AU2021366690A9. Автор: Todd Rearick,Eric A. G. Webster,Thomas Raymond Thurston. Владелец: Quantum Si Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Integrated circuit with sequentially-coupled charge storage and associated techniques

Номер патента: US12085442B2. Автор: Todd Rearick,Eric A. G. Webster,Thomas Raymond Thurston. Владелец: Quantum Si Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Hybrid sensor chip assembly and method for reducing radiative transfer between a detector and read-out integrated circuit

Номер патента: US20180190705A1. Автор: Sean P. Kilcoyne,John J. Drab,John L. Vampola,Chad W. Fulk,Christopher L. Mears,Barry M. STARR. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2018-07-05.

Integrated circuit with and method for connection of a plurality of floating diffusion regions

Номер патента: US20240266371A1. Автор: Chen-Jong Wang,Szu-Ying Chen,Dun-Nian Yaung,Chao-Te Liu,Po-Wei Fong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Cmos soi integral circuit with high radiation resistance (versions)

Номер патента: RU2601251C1. Автор: Александр Сергеевич ЛУШНИКОВ,Владимир Дмитриевич МЕЩАНОВ,Егор Сергеевич РЫБАЛКО,Николай Алексеевич Шелепин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "СИТРОНИКС-микродизайн". Дата публикации: 2016-10-27.

Method for producing a packaged integrated circuit with a microcavity

Номер патента: WO2004037712A8. Автор: Oleg Grudin,Leslie M Landsberger. Владелец: Leslie M Landsberger. Дата публикации: 2004-10-14.

Integrated circuit device and image processing apparatus

Номер патента: US20150288916A1. Автор: Takaaki Yokoi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-10-08.

Integrated circuit with sensor and method of manufacturing such an integrated circuit

Номер патента: US09941222B2. Автор: Robertus Adrianus Maria Wolters,Roel Daamen,Youri Victorovitch Ponomarev,Rene Theodora Hubertus Rongen. Владелец: ams International AG. Дата публикации: 2018-04-10.

Microphone device for reducing noise coupling effect

Номер патента: US09491531B2. Автор: Chuan-Wei Wang. Владелец: 3r Semiconductor Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Methods and devices for packaging integrated circuits

Номер патента: US20140291782A1. Автор: Yiyi Ma,Kim-yong Goh,Wei Zhen Goh. Владелец: STMICROELECTRONICS PTE LTD. Дата публикации: 2014-10-02.

Integrating control circuits with light emissive circuits with dissimilar wafer sizes

Номер патента: WO2021183603A1. Автор: Rajendra D. Pendse. Владелец: Facebook Technologies, LLC. Дата публикации: 2021-09-16.

Integrating control circuits with light emissive circuits with dissimilar wafer sizes

Номер патента: EP4118688A1. Автор: Rajendra D. Pendse. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2023-01-18.

Semiconductor integrated circuit, system device including semiconductor integrated circuit, and semiconductor integrated circuit control method

Номер патента: WO2008029903A1. Автор: Mitsushige Baba. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2008-03-13.

Integrated circuits with optical signal propagation

Номер патента: WO2002003113A1. Автор: Charles W. Shanley. Владелец: MOTOROLA, INC.. Дата публикации: 2002-01-10.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit manufacturing method

Номер патента: US20060202230A1. Автор: Hidekichi Shimura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-14.

Additively manufactured structures for heat dissipation from integrated circuit devices

Номер патента: US12080620B2. Автор: Feras Eid,Xavier Brun,Joe Walczyk,Paul Diglio,Sergio Antonio Chan Arguedas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Systems and methods for reducing simultaneous switching noise in an integrated circuit

Номер патента: US20060231947A1. Автор: Eiichi Hosomi,Paul Harvey. Владелец: Toshiba America Electronic Components Inc. Дата публикации: 2006-10-19.

Power grid layout techniques on integrated circuits

Номер патента: EP1503416A3. Автор: John Campbell,Kim R. Stevens,Luigi De Gregorio. Владелец: Telairity Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-21.

RFID integrated circuits with channels for reducing misalignment

Номер патента: US09633302B1. Автор: Harley K. Heinrich. Владелец: Impinj Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Methods of forming fine patterns in integrated circuit devices

Номер патента: US20100096719A1. Автор: Young-Ho Lee,Jae-Hwang Sim,Jae-Kwan Park,Sang-Yong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-04-22.

Methods for fabricating high-density integrated circuit devices

Номер патента: US09547740B2. Автор: Xi-Wei Lin,Victor Moroz. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Case of powerful hybrid ultra-high frequency integrated circuit

Номер патента: RU2659304C1. Автор: Евгений Матвеевич Савченко,Владимир Алексеевич Сидоров,Михаил Сергеевич Попов,Михаил Миронович Крымко,Андрей Анатольевич Пронин,Вадим Владимирович Груздов,Александр Дмитриевич Першин. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации. Дата публикации: 2018-06-29.

Integrated electronic circuit with airgaps

Номер патента: US20200152503A1. Автор: Alessio Spessot,Shairfe Muhammad Salahuddin. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-05-14.

Integrated circuit package system with adhesive segment spacer

Номер патента: US20100072630A1. Автор: Byung Tai Do,Linda Pei Ee CHUA,Reza Argenty Pagaila. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-03-25.

Integrated circuit with intra-chip and extra-chip rf communication

Номер патента: US20130029598A1. Автор: Ahmadreza (Reza) Rofougaran. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-01-31.

An integrated circuit chip assembly and a method of mounting an integrated circuit chip to external circuitry

Номер патента: GB2601989A. Автор: Light Roger,KNIGHT Luke,SUMMERLAND David. Владелец: Search For the Next Ltd. Дата публикации: 2022-06-22.

Systems and methods for fabrication of superconducting integrated circuits

Номер патента: EP4443484A2. Автор: Richard G. Harris,Paul I. Bunyk,Douglas P. Stadtler,Shuiyuan Huang,Byong H. Oh,Edward G. Sterpka,Jed D. Whittaker,Fabio Altomare,Colin C. Enderud,Loren J. Swenson,Nicolas C. Ladizinsky,Jason J. Yao,Eric G. Ladizinsky. Владелец: D Wave Systems Inc. Дата публикации: 2024-10-09.

Module with semiconductor integrated circuits and its manufacturing process

Номер патента: RU2169962C2. Автор: Минг-Тунг ШЕН. Владелец: Минг-Тунг ШЕН. Дата публикации: 2001-06-27.

Electron cyclotron resonance -plasma source to process semiconductor structures, method to process semiconductor structures, process of manufacture of semiconductor devices and integrated circuits ( variants ), semiconductor device or integrated circuit ( variants )

Номер патента: RU2216818C1. Автор: Ю.С. Четверов,В.А. Тулин,С.Ю. Шаповал,ков В.Е. Земл,В.Е. Земляков,В.Л. Гуртовой. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ЭпиЛаб". Дата публикации: 2003-11-20.

Integrated circuit heater for reducing stress in the integrated circuit material and chip leads of the integrated circit, and for optimizing performance of devices of the integrated circuit

Номер патента: US20160093549A1. Автор: Edward O. Travis,Mehul D. Shroff,Douglas M. Reber. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-03-31.

System and method to reduce bond program errors of integrated circuit bonders

Номер патента: US20010044669A1. Автор: Sreenivasan Koduri,David Bon. Владелец: Ford Motor Co. Дата публикации: 2001-11-22.

Stacked superconducting integrated circuits with three dimensional resonant clock networks

Номер патента: EP4268046A1. Автор: Anna Y. Herr,Vladimir V. Talanov. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-11-01.

Integrated circuit with interface circuitry, and an interface cell for such interface circuitry

Номер патента: US09933835B2. Автор: Mikael Rien,Jean-Claude Duby. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-04-03.

Methods for producing integrated circuits with interposers and integrated circuits produced from such methods

Номер патента: US09799571B2. Автор: Juan Boon Tan,Shunqiang Gong. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Integrated circuit with back side inductor

Номер патента: US09716056B2. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Architectures for an implantable stimulator device having a plurality of electrode driver integrated circuits with shorted electrode outputs

Номер патента: US09656081B2. Автор: Jordi Parramon,Emanuel Feldman,Göran MARNFELDT,Paul J. Griffith,Jess Shi,Robert Tong. Владелец: Boston Scientific Neuromodulation Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Dynamic operating surface for integrated circuits

Номер патента: US09563220B1. Автор: Preminder Singh. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Methods of forming integrated circuits and multiple critical dimension self-aligned double patterning processes

Номер патента: US09431264B2. Автор: Linus Jang,Ryan Ryoung Han Kim,Young Joon MOON. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Integrated circuits and methods of forming conductive lines and conductive pads therefor

Номер патента: US09425133B2. Автор: Roger W Lindsay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Method of making air bridges as interelectrode connections of integrated circuits

Номер патента: RU2685082C1. Автор: Михаил Александрович Тарасов,Артем Михайлович Чекушкин,Ренат Альбертович Юсупов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук. Дата публикации: 2019-04-16.

Method of forming submicron contacts and vias in an integrated circuit

Номер патента: US6033980A. Автор: Fu-Tai Liou,Mehdi Zamanian. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2000-03-07.

Systems and methods for fabrication of superconducting integrated circuits with improved coherence

Номер патента: US20240237555A9. Автор: Colin C. Enderud,Loren J. Swenson,Mohammad H. Amin. Владелец: D Wave Systems Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

System and method for venting pressure from an integrated circuit package sealed with a lid

Номер патента: EP1465249A3. Автор: Anthony M Chiu,Tom Q Lao. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2004-10-20.

Methods and apparatus for integrated circuit ball bonding with substantially perpendicular wire bond profiles

Номер патента: US20050176232A1. Автор: Curtis Miller,Nelson Troncoso. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-11.

Integrated circuit

Номер патента: US20200402930A1. Автор: Stefan Schneider,Dennis Tischendorf,Christoph Saas,Albert Missoni. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-12-24.

Noise and temperature shield for an integrated circuit

Номер патента: WO2000003439A1. Автор: Akira Ishikawa. Владелец: Ball Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2000-01-20.

Integrated circuit with millimeter wave and inductive coupling and methods for use therewith

Номер патента: US20130171933A1. Автор: Ahmadreza Rofougaran. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-07-04.

System and method for venting pressure from an integrated circuit package sealed with a lid

Номер патента: US20040195685A1. Автор: Anthony Chiu,Tom Lao. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2004-10-07.

Packaging of an integrated circuit with internal impedance matching

Номер патента: WO2004100263A3. Автор: Wayne Mack Struble,Richard John Giacchino,Norbert Andrew Schmitz. Владелец: MA Com Inc. Дата публикации: 2005-02-17.

Integrated circuits with conductive posts having rough sidewalls

Номер патента: US20240363570A1. Автор: Jose Daniel Carlos TORRES,Katleen Fajardo Timbol. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

High density integrated circuit package structure and integrated circuit

Номер патента: US09768101B2. Автор: Dazhong LIANG. Владелец: CHINA CHIPPACKING TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Integrated circuit with die edge assurance structure

Номер патента: US09741667B2. Автор: Liming Tsau,Rong Zeng. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Integrated circuit with test circuit

Номер патента: US09646954B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Yu-Wen Liu,Shih-Wei Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Integrated circuit package with active interposer

Номер патента: US09633872B2. Автор: Shuxian Chen,Jeffrey T. Watt. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Dual encapsulation integration scheme for fabricating integrated circuits with magnetic random access memory structures

Номер патента: US09564575B2. Автор: HAI Cong,Danny Pak-Chum Shum,Yi Jiang,Juan Boon Tan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Integrated circuits and methods for fabricating integrated circuits with self-aligned vias

Номер патента: US09520321B2. Автор: Errol Todd Ryan,Sean X. Lin. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Sidewall spacers for cmos circuit stress relief/isolation and method for making

Номер патента: CA1245373A. Автор: Jacob Riseman,Seiki Ogura,Nivo Rovedo,Anthony J. Dally. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1988-11-22.

Integrated circuits with leakage current test structure

Номер патента: US20130048980A1. Автор: Hsien-Wei Chen,Chung-Ying Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-02-28.

INTEGRATED CIRCUITS (ICs) EMPLOYING DIRECTLY COUPLED METAL LINES BETWEEN VERTICALLY-ADJACENT INTERCONNECT LAYERS FOR REDUCED COUPLING RESISTANCE, AND RELATED METHODS

Номер патента: US20240203866A1. Автор: John Jianhong ZHU,Giridhar Nallapati,Junjing Bao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Integrated circuit with inductive pickup loop

Номер патента: US20220367571A1. Автор: Alexander Schade,Sergey Miropolskiy. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-11-17.

Integrated circuit package

Номер патента: US20140070421A1. Автор: Martin Mchugh,Michael Anthony Higgins,Piers Tremlett. Владелец: Microsemi Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-03-13.

Production of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20020043679A1. Автор: Hiroshi Miki,Tomoyuki Hamada,Masahiko Hiratani,Yasuhiro Shimamoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-04-18.

Integrated circuits (ics) employing directly coupled metal lines between vertically-adjacent interconnect layers for reduced coupling resistance, and related methods

Номер патента: EP4402720A1. Автор: John Jianhong ZHU,Giridhar Nallapati,Junjing Bao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-07-24.

Monolithic integrated circuit with integrated interference suppression device

Номер патента: US20070013037A1. Автор: Harald Fischer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-18.

Integrated circuit with substantially perpendicular wire bonds

Номер патента: US7465655B2. Автор: Joseph Michael Freund,John M. Brennan,Donald Farrell. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2008-12-16.

Integrated circuit with substantially perpendicular wire bonds

Номер патента: US20060264024A1. Автор: John Brennan,Joseph Freund,Donald Farrell. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2006-11-23.

Power integrated circuit with high insensitivity to parasitic inductances of wires for connection to a package and package for said integrated circuit

Номер патента: US20090073625A1. Автор: Edoardo Botti,Pietro Mario Adduci. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2009-03-19.

Integrated circuits with backside metalization and production method thereof

Номер патента: US20160172202A1. Автор: Antonello Santangelo,Paolo BADALA',Alessandra Alberti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2016-06-16.

Integrated circuit with adjusting elements and method for its manufacture

Номер патента: US8338970B2. Автор: Alexander Kurz,Ulrich Wicke,Juergen Haefner,Wolfgang Sinderhauf,Matthias Tortschanoff. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2012-12-25.

Integrated circuit with adjusting elements and method for its manufacture

Номер патента: US20060255887A1. Автор: Alexander Kurz,Ulrich Wicke,Juergen Haefner,Wolfgang Sinderhauf,Matthias Tortschanoff. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-16.

Integrated Circuit with Adjusting Elements and Method for Its Manufacture

Номер патента: US20110147065A1. Автор: Alexander Kurz,Ulrich Wicke,Juergen Haefner,Wolfgang Sinderhauf,Matthias Tortschanoff. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-23.

A method of determining the location of a defect in an integrated circuit and how to use this integrated circuit

Номер патента: EP1204122A3. Автор: Tapio Kuiri. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2005-02-02.

Method for singulating packaged integrated circuits and resulting structures

Номер патента: US09875913B2. Автор: Yen-Ping Wang,Kai-Chiang Wu,Ming-Kai Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Integrated circuits with backside metalization and production method thereof

Номер патента: US09728412B2. Автор: Antonello Santangelo,Alessandra Alberti,Paolo Badala′. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-08-08.

Integrated circuits with backside metalization and production method thereof

Номер патента: US09728411B2. Автор: Antonello Santangelo,Alessandra Alberti,Paolo Badala′. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-08-08.

Method for singulating packaged integrated circuits and resulting structures

Номер патента: US09653417B2. Автор: Yen-Ping Wang,Kai-Chiang Wu,Ming-Kai Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Transfer molding process for an integrated circuit and pre-formed release film for use in this process

Номер патента: EP1333480A3. Автор: Anthony M. Chiu,Harry Michael Siegel. Владелец: SGS Thomson Microelectronics Inc. Дата публикации: 2004-08-25.

Integrated circuit with micro-bumps and test bumps

Номер патента: WO2023235148A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Yangyang Sun,Lily Zhao,Dongming He,Amer Christophe Gaetan CASSIER. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-12-07.

Integrated circuits with alignment marks and methods of producing the same

Номер патента: US20170092523A1. Автор: Yelehanka Ramachandramurthy Pradeep,Rakesh Kumar,Ying Yu,Jianbo Sun,Derui Yin. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-03-30.

Integrated circuit with circuit elements having different supply voltages

Номер патента: US20020043670A1. Автор: Paul Zehnich. Владелец: Dialog Semiconductor GmbH. Дата публикации: 2002-04-18.

Integrated circuit packaging system with transferable trace lead frame

Номер патента: US20140167236A1. Автор: Byung Tai Do,Linda Pei Ee CHUA,Arnel Senosa Trasporto. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2014-06-19.

Integrated circuit with a reduced pad bump area and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20080093737A1. Автор: Ming-Cheng Chiu,Chien-Pin Chen,Chan-Liang Wu. Владелец: Himax Technologies Ltd. Дата публикации: 2008-04-24.

Integrated circuit with lateral flux capacitor

Номер патента: US20170062553A1. Автор: zhi-qi Li. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-03-02.

Integrated circuits with magnetic tunnel junctions and methods for producing the same

Номер патента: US20170345999A1. Автор: Kangho Lee,Kazutaka Yamane,Seungmo Noh. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-11-30.

Integrated circuits with resistive non-volatile memory cells and methods for producing the same

Номер патента: US20200321396A1. Автор: Eng Huat Toh,Lanxiang Wang,Shyue Seng Tan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2020-10-08.

Method of using an integrated circuit

Номер патента: US20020080656A1. Автор: Tapio Kuiri. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-27.

Integrated circuit (IC) package employing added metal for embedded metal traces in ETS-based substrate for reduced signal path impedance, and related fabrication methods

Номер патента: US12100645B2. Автор: Aniket Patil,Hong Bok We,Joan Rey Villarba Buot. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Integrated circuit (ic) package employing added metal for embedded metal traces in ets-based substrate for reduced signal path impedance, and related fabrication methods

Номер патента: EP4406016A1. Автор: Aniket Patil,Hong Bok We,Joan Rey Villarba Buot. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-07-31.

Integrated circuit with lateral flux capacitor

Номер патента: US09991332B2. Автор: zhi-qi Li. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Integrated circuit with printed bond connections

Номер патента: US09824948B2. Автор: Erick Merle Spory. Владелец: Global Circuit Innovations Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Integrated circuit with interface circuitry, and an interface cell for such interface circuitry

Номер патента: US09800048B2. Автор: Mikael Rien,Jean-Claude Duby. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Integrated circuits with optical modulators and photodetectors and methods for producing the same

Номер патента: US09711662B1. Автор: Ramakanth Alapati,Juan Boon Tan,Benfu Lin,Shunqiang Gong. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Integrated circuit with well and substrate contacts

Номер патента: US09679915B2. Автор: Sang Hoo Dhong,Kuo-Feng Tseng,Cheng-Chung Lin,Hui-Zhong ZHUANG,Lee-Chung Lu,Ho-Chieh Hsieh,Ming-Zhang Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Integrated circuits with alignment marks and methods of producing the same

Номер патента: US09633882B2. Автор: Yelehanka Ramachandramurthy Pradeep,Rakesh Kumar,Ying Yu,Jianbo Sun,Derui Yin. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-04-25.

Method and device for permanent connection of integrated circuit to substrate

Номер патента: RU2381592C2. Автор: Уве АУГСТ. Владелец: Муэлбауэр Аг. Дата публикации: 2010-02-10.

Method for connecting integrated-circuit chip to antenna in radio-frequency device for identifying contactless intelligent card

Номер патента: RU2298254C2. Автор: Кристоф АЛОП,Фабьен ЗЮПАНЕК. Владелец: А.С.К. С.А.. Дата публикации: 2007-04-27.

Thermoelectric spot coolers for rf and microwave communication integrated circuits

Номер патента: WO2002049105A3. Автор: Uttam Shyamalindu Ghoshal. Владелец: Ibm Uk. Дата публикации: 2002-12-05.

Thermoelectric spot coolers for rf and microwave communication integrated circuits

Номер патента: EP1342267A2. Автор: Uttam Shyamalindu Ghoshal. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-09-10.

Architectures for backside power delivery with stacked integrated circuit devices

Номер патента: US20240213235A1. Автор: Gang Duan,Srinivas PIETAMBARAM,Suddhasattwa NAD,Brandon Marin,Jeremy ECTON. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Integrated circuit with hall effect and anisotropic magnetoresistive (amr) sensors

Номер патента: US20180130849A1. Автор: Dok Won Lee,Keith Ryan Green,William David French. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-05-10.

Isolator integrated circuits with package structure cavity and fabrication methods

Номер патента: US20180190628A1. Автор: Benjamin Cook,Steve Kummerl,Robert Alan Neidorff,Barry Jon Male. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-07-05.

Integrated Circuit Interconnect Structures with Air Gaps

Номер патента: US20220157720A1. Автор: Li-Lin Su,Tai-I Yang,Cheng-Chi Chuang,Yung-Hsu WU,Hsin-Ping Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-19.

Integrated circuit (ic) package employing a re-distribution layer (rdl) substrate(s) with photosensitive dielectric layer(s) for increased package rigidity, and related fabrication methods

Номер патента: US20240243056A1. Автор: Wei Wang,Yangyang Sun,Manuel Aldrete. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Thermal management solutions for stacked integrated circuit devices

Номер патента: WO2019240898A1. Автор: Feras Eid,Adel Elsherbini,Johanna Swan. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-12-19.

Integrated circuit with hall effect and anisotropic magnetoresistive (amr) sensors

Номер патента: US20190157342A1. Автор: Dok Won Lee,Keith Ryan Green,William David French. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-05-23.

Integrated circuit device with stacked interface chiplets

Номер патента: EP4407679A2. Автор: Wolfgang Sauter,Aatreya CHAKRAVARTI,Mark William KUEMERLE,Carlos MACIAN RUIZ,Jr. John Edward GREGORY,Eva Shah HOLMES,Samer Michael AKIKI. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Integrated circuit with ribtan interconnects

Номер патента: WO2009158551A2. Автор: Steven Grant Duvall,Pavel I. Lazarev,Pavel Khokhlov. Владелец: Carben Semicon Limited. Дата публикации: 2009-12-30.

Integrated circuit package having stacked integrated circuits and method therefor

Номер патента: WO2005001935A2. Автор: Soochok Kee. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2005-01-06.

Integrated circuit device with stacked interface chiplets

Номер патента: US20240258272A1. Автор: Wolfgang Sauter,Aatreya CHAKRAVARTI,Mark William KUEMERLE,Carlos MACIAN RUIZ,Eva Shah HOLMES,Samer Michael AKIKI,John Edward Gregory, JR.. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Integrated circuit (ic) package employing a re-distribution layer (rdl) substrate(s) with photosensitive dielectric layer(s) for increased package rigidity, and related fabrication methods

Номер патента: WO2024155453A1. Автор: Wei Wang,Yangyang Sun,Manuel Aldrete. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-07-25.

Integrated circuit interconnect structures with air gaps

Номер патента: US12062611B2. Автор: Li-Lin Su,Tai-I Yang,Cheng-Chi Chuang,Yung-Hsu WU,Hsin-Ping Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Package structure of an integrated circuit

Номер патента: US20020096747A1. Автор: Kuang Fan,Yung Chiu,Fu Huang,C. Chen,Mon Ho,C. Cheng,Nai Yeh. Владелец: Kingpak Technology Inc. Дата публикации: 2002-07-25.

Integrated circuit with integrally formed micro-channel oscillating heat pipe

Номер патента: US11769709B2. Автор: Corey Wilson,Christopher D. Smoot,Joe Boswell. Владелец: Thermavant Technologies LLC. Дата публикации: 2023-09-26.

Balanced circuitry for reducing inductive noise of external chip interconnections

Номер патента: US5329170A. Автор: Attilio J. Rainal. Владелец: AT&T Bell Laboratories Inc. Дата публикации: 1994-07-12.

Integrated circuit structure

Номер патента: US20220059400A1. Автор: Hung-Chi Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

Multi-chip module including integrated circuit with receiver circuitry implementing transmit signal cancellation

Номер патента: US20240296139A1. Автор: Ramin Farjadrad. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Method and system for stacking integrated circuits

Номер патента: WO2005117117A1. Автор: Ronald J. Jensen,Richard K. Spielberger. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2005-12-08.

Apparatus and mechanisms for reducing warpage and increasing surface mount technology yields in high performance integrated circuit packages

Номер патента: EP3616239A1. Автор: Woon seong Kwon,Phillip La,Michael Trent Wise. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2020-03-04.

Apparatus and mechanisms for reducing warpage and increasing surface mount technology yields in high performance integrated circuit packages

Номер патента: WO2019112839A1. Автор: Woon seong Kwon,Phillip La,Michael Trent Wise. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2019-06-13.

Integrated circuit with ribtan interconnects

Номер патента: EP2311113A2. Автор: Steven Grant Duvall,Pavel I. Lazarev,Pavel Khokhlov. Владелец: Carben Semicon Ltd. Дата публикации: 2011-04-20.

Fabrication of integrated circuits with borderless vias

Номер патента: US20020158283A1. Автор: Henry Chung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-31.

Thermal management solutions that reduce inductive coupling between stacked integrated circuit devices

Номер патента: WO2020018219A1. Автор: Feras Eid,Adel Elsherbini,Johanna Swan. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-01-23.

Method and system for stacking integrated circuits

Номер патента: EP1756867A1. Автор: Ronald J. Jensen,Richard K. Spielberger. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2007-02-28.

Interface bridge between integrated circuit die

Номер патента: US12135667B2. Автор: Keith Duwel,David W. Mendel,Jeffrey Erik Schulz,Dinesh D. Patil,Gary Brian Wallichs,Jakob Raymond Jones. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2024-11-05.

Interconnection of semiconductor devices in extreme environment microelectronic integrated circuit chips

Номер патента: US09978686B1. Автор: Philip G. Neudeck,David J. Spry. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 2018-05-22.

Integrated circuit stack

Номер патента: US09947609B2. Автор: James Hobbs,Kenneth H. Heffner,James L. Tucker,Gary Roosevelt. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Integrated circuit with hall effect and anisotropic magnetoresistive (AMR) sensors

Номер патента: US09893119B2. Автор: Dok Won Lee,Keith Ryan Green,William David French. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Memory system topologies including a buffer device and an integrated circuit memory device

Номер патента: US09865329B2. Автор: Ely Tsern,Ian Shaeffer,Craig Hampel. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-01-09.

Integrated circuit package assembly

Номер патента: US09786635B2. Автор: Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Integrated circuit device, safety circuit, safety-critical system and method of manufacturing an integrated circuit device

Номер патента: US09638744B2. Автор: Yuan Gao,Valérie BERNON-ENJALBERT,Philippe Givelin,Guillaume FOUNAUD. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Memory system topologies including a buffer device and an integrated circuit memory device

Номер патента: US09563583B2. Автор: Ely Tsern,Ian Shaeffer,Craig Hampel. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-02-07.

Integrated circuits with an insultating layer and methods for producing such integrated circuits

Номер патента: US09443723B2. Автор: Christof Streck,Ronny Pfutzner,Andreia Ioana Popa. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Microwave integrated circuit housing

Номер патента: RU2690092C1. Автор: Алексей Сергеевич Будяков,Евгений Матвеевич Савченко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Центр инновационных разработок ВАО". Дата публикации: 2019-05-30.

Semiconductor integrated circuit device with electric power generation function

Номер патента: CA3131406A1. Автор: Hiroshi Goto,Minoru Sakata. Владелец: GCE Institute Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Method of adding fabrication monitors to integrated circuit chips

Номер патента: WO2006107356A2. Автор: David P. Vallett,Matthew S. Grady,James W. Adkisson,John M. Cohn,Greg Bazan,Thomas G. Sopchak. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2006-10-12.

Integrated circuit packages and methods

Номер патента: US20240234210A1. Автор: Ching-Hua Hsieh,Chih-Wei Lin,Yen-Hung Chen,Kung-Chen Yeh,Sung-Yueh Wu,Jen-Chun Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Integrated circuit with topological semimetal interconnects

Номер патента: US20230030586A1. Автор: HyeukJin Han,Jeeyoung Cha. Владелец: YALE UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-02-02.

Multi-chip module hybrid integrated circuit with multiple power zones that provide cold spare support

Номер патента: EP3977510A1. Автор: Dale A. Rickard,Keith K. Sturcken,Jason F. Ross,Alan F. Dennis,Lori D. Dennis,Jamie A. Bernard,Jane O. Gilliam. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2022-04-06.

Heterogeneous integrated circuit for short wavelengths

Номер патента: US20220270977A1. Автор: Daniel N. Carothers. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-08-25.

Integrated circuit chip and semiconductor device including the same

Номер патента: US20190293711A1. Автор: Dong-Uk Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-09-26.

Integrated circuit chip and semiconductor device including the same

Номер патента: US10761132B2. Автор: Dong-Uk Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-09-01.

Integrated circuit chip package

Номер патента: US20020014684A1. Автор: Edward Douglas. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-07.

Integrated circuit with laminated magnetic core inductor and magnetic flux closure layer

Номер патента: US12048097B2. Автор: Noah STURCKEN,Michael Lekas,Ryan DAVIES. Владелец: FERRIC INC.. Дата публикации: 2024-07-23.

Integrated circuit package and method of forming same

Номер патента: US20230314702A1. Автор: Chen-Hua Yu,Wen-hao Cheng,Chuei-Tang Wang,Chung-Hao Tsai,Tung-Liang Shao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Integrated circuit with an embedded inductor or transformer

Номер патента: US20200365532A1. Автор: Rajarshi Mukhopadhyay,Barry Jon Male. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-11-19.

Mechanical stiffener for integrated circuit package with varying heat dissipation modes

Номер патента: US20240250068A1. Автор: Wolfgang Sauter,Richard Graf,Dwayne Richard Shirley,Alaba Bamido. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Circuit structure for testing through silicon vias in three-dimensional integrated circuit

Номер патента: US11749648B2. Автор: Chun-Cheng Chen,Chun-Lin Lu,Shou-Zen Chang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Method and apparatus for sharing internal power supplies in integrated circuit devices

Номер патента: EP2643835A1. Автор: Peter Gillingham. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2013-10-02.

Through-board decoupling capacitance arrangements for integrated circuit devices

Номер патента: WO2020263422A1. Автор: William Paul Hovis,Garrett Douglas Blankenburg,Andres Felipe Hernandez Mojica,Gregory M. Daly,Rich Tat An. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2020-12-30.

Integrated circuit packages

Номер патента: US12057439B2. Автор: Ming-Fa Chen,Sung-Feng Yeh,Chao-Wen Shih,Tzuan-Horng LIU,Nien-Fang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Integrated Circuit Chip Design Flow Methodology Including Insertion of On-Chip or Scribe Line Wireless Process Monitoring and Feedback Circuitry

Номер патента: US20090239313A1. Автор: Sebastian T. Ventrone,Ezra D.B. Hall,Theodoros Anemikos. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-09-24.

Integrated circuit assemblies having metal foam structures

Номер патента: US11721607B2. Автор: Je-Young Chang,Aastha Uppal. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-08.

Methods for fabricating integrated circuits with isolation regions having uniform step heights

Номер патента: US20160126132A1. Автор: Martin Trentzsch,Carsten Grass,Sören Jansen. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-05-05.

Test device and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20110260161A1. Автор: Sang-jin Lee,Gin-Kyu Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-10-27.

Test device and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7994811B2. Автор: Sang-jin Lee,Gin-Kyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-09.

Test device and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20100013513A1. Автор: Sang-jin Lee,Gin-Kyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-01-21.

Integrated Circuit with Laminated Magnetic Core Inductor and Magnetic Flux Closure Layer

Номер патента: US20180295726A1. Автор: Noah STURCKEN,Michael Lekas,Ryan DAVIES. Владелец: Ferric Inc USA. Дата публикации: 2018-10-11.

Integrated circuit for preventing chip swapping and/or device cloning in a host device

Номер патента: US8650633B2. Автор: Love Kothari,Paul Chou. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2014-02-11.

Methods for processing integrated circuit packages formed using electroplating and apparatus made therefrom

Номер патента: US20060014370A1. Автор: Charles Cohn,Musawir Chowdhury. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-19.

Methods for processing integrated circuit packages formed using electroplating and apparatus made therefrom

Номер патента: US7157361B2. Автор: Charles Cohn,Musawir M. Chowdhury. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2007-01-02.

Integrated circuit with scribe lane patterns for defect reduction

Номер патента: EP4042474A1. Автор: Stephen Arlon Meisner,Adrian Salinas,William Keith McDonald,Scott Alexander JOHANNESMEYER,Robert Paul LUCKIN. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2022-08-17.

Integrated circuit with scribe lane patterns for defect reduction

Номер патента: WO2021067909A1. Автор: Stephen Arlon Meisner,Adrian Salinas,William Keith McDonald,Scott Alexander JOHANNESMEYER,Robert Paul LUCKIN. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2021-04-08.

Method for attaching an integrated circuit chip to a substrate and an integrated circuit chip useful therein

Номер патента: US20010000495A1. Автор: James Lau,Geoffrey Pilkington. Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 2001-04-26.

Laminating method for forming integrated circuit microelectronic fabrication

Номер патента: US20020197775A1. Автор: Syun-Ming Jang,Mong-Song Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2002-12-26.

Power Routing for 2.5D or 3D Integrated Circuits Including a Buried Power Rail and Interposer with Power Delivery Network

Номер патента: US20240258206A1. Автор: Xi-Wei Lin,Victor Moroz. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Hybrid system including photonic and electronic integrated circuits and cooling plate

Номер патента: US12100701B1. Автор: Ramakanth Alapati,Gabriel J. Mendoza. Владелец: Psiquantum Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Method and apparatus for sharing clocks between separate integrated circuit chips

Номер патента: US12095463B1. Автор: Hongwei Dai,Xiaofeng Tang,Gongqiong Li. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Method and apparatus providing optical input/output through the back side of an integrated circuit die

Номер патента: WO1999032910A1. Автор: Mario J. Paniccia,Valluri R. M. Rao. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 1999-07-01.

Integrated circuit packages

Номер патента: US20240355782A1. Автор: Ming-Fa Chen,Sung-Feng Yeh,Chao-Wen Shih,Tzuan-Horng LIU,Nien-Fang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Systems and methods for hybrid flexible electronics with rigid integrated circuits

Номер патента: US09984962B2. Автор: Ujjwal Gupta,Umit Y. Ogras,Md Ali Muztoba. Владелец: Arizona State University ASU. Дата публикации: 2018-05-29.

Integrated circuit packages with detachable interconnect structures

Номер патента: US09893034B2. Автор: Yuanlin Xie. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Methods and apparatus for integrated circuit failsafe fuse package with arc arrest

Номер патента: US09865537B1. Автор: Benjamin Stassen Cook,Steve Kummerl,Barry Jon Male. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Monolithic stacked integrated circuits with a redundant layer for repairing defects

Номер патента: US09847318B2. Автор: Chin-Her Chien,Kuan-Yu Lin,Ji-Jan Chen,Wei-Pin Changchien,Jung-Rung Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Integrated circuit packaging system with a grid array with a leadframe and method of manufacture thereof

Номер патента: US09799589B2. Автор: Byung Tai Do,Linda Pei Ee CHUA,Arnel Senosa Trasporto. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Integrated circuit packaging system with conductive pillars and method of manufacture thereof

Номер патента: US09748203B2. Автор: Kyunghwan Kim,DeokKyung Yang,In Sang Yoon,SeongHun Mun. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Integrated circuits on a wafer and methods for manufacturing integrated circuits

Номер патента: US09620456B2. Автор: Heimo Scheucher. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-04-11.

Donor cores to improve integrated circuit yield

Номер патента: US09612988B2. Автор: Gerald K. Bartley,William P. Hovis,Darryl J. Becker,Philip R. Germann. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Integrated circuit with precision current source

Номер патента: US09608626B1. Автор: Gabriel E. Tanase. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Integrated circuits with self aligned contacts and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09576852B2. Автор: Theodorus Standaert,Jim Kelly,Ming He,Yann Mignot,Seowoo Nam,Raghuveer Patlotta. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-02-21.

Wireless communicating among vertically arranged integrated circuits (ICs) in a semiconductor package

Номер патента: US09570420B2. Автор: Ahmadreza Rofougaran,Arya Reza Behzad,Sam Ziqun Zhao,Michael BOERS,Jesus Alfonso Castaneda. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Multiple depth vias in an integrated circuit

Номер патента: US09455312B2. Автор: Kaiping Liu,Imran Mahmood Khan,Richard Allen Faust. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Integrated circuit package and method of forming the same

Номер патента: US09455241B2. Автор: Kiyoshi Kuwabara,Yonggang Jin,Xavier Baraton. Владелец: STMICROELECTRONICS PTE LTD. Дата публикации: 2016-09-27.

Integrated circuit interposer and method of manufacturing the same

Номер патента: US09455193B2. Автор: Ido Bourstein,Carol Pincu. Владелец: Marvell Israel MISL Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Yield enhancing vertical redundancy method for 3D wafer level packaged (WLP) integrated circuit systems

Номер патента: US09425110B1. Автор: Xianglin Zeng,Jose G. Padilla,Roger S. Tsai,Shih-En Shih,Philip W. HON. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Integrated circuit system with distributed power supply comprising interposer and voltage regulator

Номер патента: US09406597B2. Автор: Yun-Han Lee,Shyh-An Chi,Mark Shane Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Methods for fabricating integrated circuits using designs of integrated circuits adapted to directed self-assembly fabrication to form via and contact structures

Номер патента: US09305834B1. Автор: Ji xU,Azat Latypov. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-04-05.

Integrated-circuit protective system

Номер патента: RU2232420C2. Автор: Михель СМОЛА,Ян ОТТЕРШТЕДТ,Михель РИХТЕР,Мартин АЙЗЕЛЕ. Владелец: Инфинеон Текнолоджиз Аг. Дата публикации: 2004-07-10.

Microwave hybrid integrated circuit

Номер патента: RU2750860C1. Автор: Виктор Анатольевич Иовдальский,Сергей Александрович Самохин,Иван Валентинович Горюнов,Евгений Валентинович Терешкин. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина"). Дата публикации: 2021-07-05.

Integral circuit assembly

Номер патента: RU2145732C1. Автор: Удо Детлеф,Киршбауер Йозеф,Менш Ханс-Георг,Штампка Петер,Штекхан Ханс-Хиннерк. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2000-02-20.

Thin films of ABO3 with excess A-site and B-site modifiers and method of fabricating integrated circuits with same

Номер патента: US5723361A. Автор: Carlos A. Paz de Araujo,Michael C. Scott,Masamichi Azuma. Владелец: Symetrix Corp. Дата публикации: 1998-03-03.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7915932B2. Автор: Takahiro Yamashita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-03-29.

Package to mount chip in integrated circuit and process of its assembly

Номер патента: RU2191445C2. Автор: Стефен Уэсли МАККВЭРРИ,Уэйн Расселл СТОРР,Джеймс Уоррен УИЛСОН. Владелец: Интернэшнл Бизнес Машинз Корпорейшн. Дата публикации: 2002-10-20.

Thin films of ABO3 with excess A-site and B-site modifiers and method of fabricating integrated circuits with same

Номер патента: US6025619A. Автор: Carlos A. Paz de Araujo,Michael C. Scott,Masamichi Azuma. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-02-15.

Thin films of ABO3 with excess B-site modifiers and method of fabricating integrated circuits with same

Номер патента: US5814849A. Автор: Carlos A. Paz de Araujo,Michael C. Scott,Masamichi Azuma. Владелец: Symetrix Corp. Дата публикации: 1998-09-29.

Methods of making integrated circuits

Номер патента: US20140315383A1. Автор: Hsien-Wei Chen,Chung-Ying Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-10-23.

Integrated electronic circuit with airgaps

Номер патента: EP3654372A1. Автор: Alessio Spessot,Shairfe Muhammad Salahuddin. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-05-20.

Stacked integrated circuit chip assembly

Номер патента: WO2007047808A2. Автор: Chad A. Vos. Владелец: LITTELFUSE, INC.. Дата публикации: 2007-04-26.

Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20180090437A1. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-03-29.

Integrated circuit packages and methods

Номер патента: US20240234340A1. Автор: Tsung-Shu Lin,Hsin-Yu Pan,Yi-Che CHIANG,Yuan Sheng Chiu,Hong-Yu Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Integrated circuit package structure with conductive stair structure and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20230268258A1. Автор: Chien-Chung Wang,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Integrated circuit package structure with conductive stair structure and method of manufacturing thereof

Номер патента: US11984389B2. Автор: Chien-Chung Wang,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Integrated circuit package structure with conductive stair structure and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20220375837A1. Автор: Chien-Chung Wang,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-11-24.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160260668A1. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2016-09-08.

Integrated circuit package system with integrated circuit support

Номер патента: US20070108559A1. Автор: Il Kwon Shim,Jeffrey Punzalan,Henry Bathan,Zigmund Camacho. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2007-05-17.

Subtractively patterned interconnect structures for integrated circuits

Номер патента: US12027458B2. Автор: Ramanan Chebiam,Noriyuki Sato,James M. Blackwell,Kevin Lin,Hui Jae Yoo,Matthew Metz,Manish Chandhok,Tristan TRONIC,Michael Christenson,Christopher Jezewski,Jiun-Ruey Chen,Miriam Reshotko,Nafees KABIR,Jeffery Bielefeld,Elijah Karpov,Carl Naylor. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Method of providing a gettering scheme in the manufacture of silicon-on-insulator (soi) integrated circuits

Номер патента: WO1999034432A1. Автор: Rene P. Zingg,Theodore J. Letavic. Владелец: Philips Ab. Дата публикации: 1999-07-08.

Active interconnects and control points in integrated circuits

Номер патента: WO2006115968A3. Автор: Duncan Stewart,Frederick A Perner,R Stanley Williams,Gregory S Snider,Phillip J Kuekes. Владелец: Phillip J Kuekes. Дата публикации: 2007-08-16.

Active interconnects and control points in integrated circuits

Номер патента: EP1872398A2. Автор: Duncan Stewart,R. Stanley Williams,Frederick A. Perner,Gregory S. Snider,Phillip J. Kuekes. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2008-01-02.

Active interconnects and control points in integrated circuits

Номер патента: WO2006115968A2. Автор: Duncan Stewart,R. Stanley Williams,Frederick A. Perner,Gregory S. Snider,Phillip J. Kuekes. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2006-11-02.

Three-dimensional integrated circuit, and process and device for three-dimensional integrated circuit alignment

Номер патента: EP4099369A1. Автор: Jeffrey Junhao XU,Riqing Zhang,Weihua Zhu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-07.

Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US10014253B2. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-07-03.

Semiconductor device and process for reducing damaging breakdown in gate dielectrics

Номер патента: US20120077323A1. Автор: Taeho Kook,Tanya Nigam,Bonnie E. Weir. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2012-03-29.

Integrated circuit chip and package

Номер патента: EP1818988A3. Автор: Bo-Eun Kim,Kyung Oh Kim,Seok Phyo Sangrok Apt. 706-105 Sinjeong Maeul Tchun. Владелец: Integrant Technologies Inc. Дата публикации: 2008-12-31.

Integrated circuit packages to minimize stress on a semiconductor die

Номер патента: US12027472B2. Автор: Bernard Stenson,Padraig Liam FITZGERALD,Michael John Flynn,Michael James TWOHIG,Oliver Kierse,Ramji Sitaraman LAKSHMANAN,Laurence Brendan O'Sullivan. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2024-07-02.

Integrated Circuit Structure and Method for Reducing Polymer Layer Delamination

Номер патента: US20210351173A1. Автор: Hsien-Wen Liu,Jing-Cheng Lin,Jui-Pin Hung,Min-Chen Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Integrated circuit packaging system withmolded interconnects and method ofmanufacture thereof

Номер патента: SG177075A1. Автор: Tai Do Byung,Senosa Trasporto Arnel,Pei Ee Chua Linda. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2012-01-30.

Integrated circuit package architecture

Номер патента: US20120159779A1. Автор: William Y. Hata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-06-28.

Discreet placement of radiation sources on integrated circuit devices

Номер патента: US20090236699A1. Автор: Kenneth P. Rodbell,Michael S. Gordon,Nancy C. Labianca. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-24.

Techniques for clock signal transmission in integrated circuits and interposers

Номер патента: US12026008B2. Автор: Chee Hak Teh,Md Altaf Hossain,Dheeraj Subbareddy,Ankireddy Nalamalpu,Chooi Pei Lim,Jeffrey Chromczak,Lai Guan Tang. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Integrated circuit package system with multiple devices

Номер патента: SG149789A1. Автор: Lionel Chien Hui Tay,Zigmund Ramirez Camacho,Henry Descalzo Bathan,Abelardo Jr Hadap Advincula. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2009-02-27.

Integrated circuit and method for manufacturing same

Номер патента: EP1523784A2. Автор: Stefan Kern. Владелец: Marconi Communications GmbH. Дата публикации: 2005-04-20.

Integrated circuit and method for manufacturing same

Номер патента: EP1523784B1. Автор: Stefan Kern. Владелец: ERICSSON AB. Дата публикации: 2008-03-12.

Separation of a multi-layer integrated circuit device and package

Номер патента: US6304792B1. Автор: Mehrdad Mahanpour. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-10-16.

Stackable integrated circuit package and method therefor

Номер патента: EP1644976A2. Автор: Hem P. Takiar. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2006-04-12.

Integrated circuit package system with interconnect support

Номер патента: US20090250798A1. Автор: Il Kwon Shim,Jeffrey D. Punzalan,Henry D. Bathan,Zigmund Ramirez Camacho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-10-08.

System and method for transferring thermal energy from integrated circuits

Номер патента: US11744039B2. Автор: Adrian Albert Van Wijk,Nikolas Lyman Henderson Radosevic. Владелец: JDi Design Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Optical bus in 3d integrated circuit stack

Номер патента: WO2012003530A9. Автор: Aron Michael,Chee Yee Kwok,Yiwei Xu. Владелец: NEWSOUTH INNOVATIONS PTY LIMITED. Дата публикации: 2012-03-08.

Integrated circuit for driving semiconductor device and power converter

Номер патента: EP1594164A4. Автор: Yoshimasa Takahashi,Masahiro Iwamura,Mutsuhiro Mori,Masashi Yura,Naoki Sakurai. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2010-08-25.

Integrated circuit package structure with conductive stair structure

Номер патента: US20240258220A1. Автор: Chien-Chung Wang,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Integrated Circuit with Multi Recessed Shallow Trench Isolation

Номер патента: US20130267075A1. Автор: Tsung-Lin Lee,Chang-Yun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-10-10.

Method of and device for determining the distance between an integrated circuit and a substrate

Номер патента: EP2225532A1. Автор: Martin Weinberger,Christian Zenz,Dietmar Nessmann,Shafqat Hussain. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-09-08.

System For Shielding Integrated Circuits

Номер патента: US20080093742A1. Автор: John Fleming Walker. Владелец: NDS Ltd. Дата публикации: 2008-04-24.

Integrated circuit with at least one bump

Номер патента: EP1563537B1. Автор: Heimo Scheucher. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-04-09.

Semiconductor integrated circuit patterns

Номер патента: US20010024758A1. Автор: Koji Hashimoto,Satoshi Usui,Tatsuaki Kuji,Shigeki Nojima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-09-27.

Integrated circuit packaging

Номер патента: US20200251440A1. Автор: Jason Chien,Byron Lovell Williams,Jeffrey Alan West,Honglin Guo,Arvin Nono VERDEFLOR,Anderson LI. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-08-06.

Integrated circuit processing system

Номер патента: WO2003049154A2. Автор: Gary Bouchard. Владелец: Intercon Tools, Inc.. Дата публикации: 2003-06-12.

90 degree bump placement layout for an integrated circuit power grid

Номер патента: US6541873B1. Автор: Dean Liu,Sudhakar Bobba,Tyler Thorp. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2003-04-01.

120 degree bump placement layout for an integrated circuit power grid

Номер патента: US6617699B2. Автор: Dean Liu,Sudhakar Bobba,Tyler Thorp. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2003-09-09.

Integrated circuit packaging configuration for rapid customized design and unique test capability

Номер патента: WO1988002553A2. Автор: Robert John Wojnarowski,Charles William Eichelberger,Kenneth Brakeley Ii Welles. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 1988-04-07.

Integrated circuit package with improved electro-static discharge protection

Номер патента: US20050242415A1. Автор: Robert Abraham. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-11-03.

Method for improving prompt dose radiation response of mixed-signal integrated circuits

Номер патента: US20120306050A1. Автор: John C. Rodgers. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2012-12-06.

Photonic integrated circuit package

Номер патента: US20170194309A1. Автор: Jiaming Zhang,Fred A. Kish, Jr.,John W. Osenbach,Peter W. Evans,Miguel Iglesias Olmedo,Maria Anagnosti. Владелец: Infinera Corp. Дата публикации: 2017-07-06.

Apparatus For Implementing Multiple Integrated Circuits Using Different Gate Oxide Thicknesses On A Single Integrated Circuit Die

Номер патента: US20090289323A1. Автор: Ronald John Tessitore. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2009-11-26.

System and method for transferring thermal energy from integrated circuits

Номер патента: EP4208892A1. Автор: Adrian Van Wijk. Владелец: JDi Design Inc. Дата публикации: 2023-07-12.

Integrated Circuit Package and Method

Номер патента: US20210020584A1. Автор: Chen-Hua Yu,Ming-Che Ho,Hung-Jui Kuo,Tzu Yun Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

An integrated circuit package, and a method for producing an integrated circuit package having two dies with input and output terminals of integrated circuits of the dies directly addressable for testing of the package

Номер патента: EP1979757A1. Автор: Noel A. Mcnamara. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2008-10-15.

Method for manufacturing integrated circuits from a semiconductor substrate wafer

Номер патента: US20230223358A1. Автор: Alexandre Malherbe,David Parker,Stephan Niel,Carlos Augusto Suarez Segovia,Chantal TROUILLER. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2023-07-13.

Integrated circuit connection using an electrically conductive adhesive

Номер патента: EP1062848A4. Автор: Steve Garcia. Владелец: Medallion Tech LLC. Дата публикации: 2006-05-31.

Integrated circuit connection using an electrically conductive adhesive

Номер патента: WO1999046965A2. Автор: Steve Garcia. Владелец: Medallion Technology, LLC. Дата публикации: 1999-09-16.

Multiple ball grid array (bga) configurations for a single integrated circuit (ic) package

Номер патента: US20210066178A1. Автор: Dinesh Somasekhar,Md Altaf Hossain,Dheeraj Subbareddy,Ankireddy Nalamalpu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Methods for fabricating integrated circuits with stressed semiconductor material

Номер патента: US20140017903A1. Автор: Abhijeet Paul,Abner Bello. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-01-16.

Method for fabricating an integrated circuit with undercut etching

Номер патента: US6524917B2. Автор: Gerd Lichter. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-02-25.

Beamforming integrated circuit having rf signal ports using a ground-signal transition for high isolation in a phased antenna array system and related methods

Номер патента: US20220285837A1. Автор: Kevin Greene,Vipul Jain,Amr IBRAHIM. Владелец: Anokiwave Inc. Дата публикации: 2022-09-08.

Electrically conductive barriers for integrated circuits

Номер патента: US20170052082A1. Автор: Andrew C. McNeil,Jinbang Tang,Chad S. Dawson. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-02-23.

Transfer molding of integrated circuit packages

Номер патента: US20050275091A1. Автор: Marie-Claude Paquet,Catherine Dufort,Marie-France Boyaud,Real Tetreault. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-12-15.

Integrated circuit package and method of forming same

Номер патента: US20190237454A1. Автор: Chen-Hua Yu,Shang-Yun Hou,Hsien-Pin Hu,Hsing-Kuo Hsia,Ying-Ching Shih,Chin-Fu Kao,Sung-Hui Huang,Kuan-Yu Huang,Chi-Hsi Wu,Li-Chung Kuo,Wen-Hsin Wei,Heh-Chang Huang,Yushun Lin,Chih-Chieh Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-01.

Integrated circuit package system with leadframe substrate

Номер патента: SG142329A1. Автор: Cheonhee Lee,Youngnam Choi. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2008-05-28.

Integrated circuit to dielectric substrate transition

Номер патента: EP4395066A2. Автор: Ekrem Oran,Fatih Kocer,Arun Raj,Santosh Anil Kudtarkar,Christoph Maximilian STEINBRECHER,Sacid Oruc. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2024-07-03.

Integrated circuit and method of designing integrated circuit

Номер патента: US20020031850A1. Автор: Tsutomu Takabayashi,Shizuo Morizane. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-03-14.

High frequency semiconductor integrated circuit capable of switching between characteristics

Номер патента: US20020186089A1. Автор: Ko Kanaya,Shin Chaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-12-12.

120 Degree bump placement layout for an integrated circuit power grid

Номер патента: US20030098508A1. Автор: Dean Liu,Sudhakar Bobba,Tyler Thorp. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2003-05-29.

Integrated circuit metallization using a titanium/alminum alloy

Номер патента: US20040038453A1. Автор: Robert Long,Ricky Snyder,David Hula,Mark Crook. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-26.

Analysis module, integrated circuit, system and method for testing an integrated circuit

Номер патента: US20040064772A1. Автор: Yoav Weizman,Shai Shperber,Ezra Baruch. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-01.

Integrated circuit with self-aligned line and via

Номер патента: US20070075371A1. Автор: Alex See,Randall Cha,Yeow Lim,Wang Goh. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2007-04-05.

Decoupling capacitor closely coupled with integrated circuit

Номер патента: US20070065983A1. Автор: Robert Vinson,Donald Beck,Gregory Jandzio,Joseph Brief. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 2007-03-22.

Apparatus and Method for Preventing Configurable System-on-a-Chip Integrated Circuits from Becoming I/O Limited

Номер патента: US20090273101A1. Автор: Vikram Gupta,Ed Lambert. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2009-11-05.

Electronic device having antenna tuning integrated circuits with sensors

Номер патента: US09960801B2. Автор: LIANG Han,James G. Judkins,Mattia Pascolini,Thomas E. Biedka,Victor Lee,Matthew A. Mow,Ming-Ju Tsai. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Electronic device having antenna tuning integrated circuits with sensors

Номер патента: US09698854B2. Автор: LIANG Han,James G. Judkins,Mattia Pascolini,Thomas E. Biedka,Victor Lee,Matthew A. Mow,Ming-Ju Tsai. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Electronic Device Having Antenna Tuning Circuits With Shared Control Interface Circuitry

Номер патента: US20190027809A1. Автор: Xu Han,Jing Zhu,LIANG Han,James G. Judkins,Thomas E. Biedka,Matthew A. Mow,Ming-Ju Tsai,Victor C. Lee. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2019-01-24.

Semiconductor integrated circuit for detecting leakage current and earth leakage circuit breaker having the same

Номер патента: US11391773B2. Автор: Sun-jung Kim. Владелец: Sunnyic Corp. Дата публикации: 2022-07-19.

Semiconductor integrated circuit for detecting leakage current and earth leakage circuit breaker having the same

Номер патента: US20200333395A1. Автор: Sun-jung Kim. Владелец: Sunnyic Corp. Дата публикации: 2020-10-22.

Integrated circuit with analog connection matrix

Номер патента: CA2563557A1. Автор: Josep Montanya Silvestre. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-10-27.

Integrated circuit with analog connection matrix

Номер патента: WO2005101442A1. Автор: Silvestre Josep Montanyà. Владелец: Baolab Microsystems S.L.. Дата публикации: 2005-10-27.

Power integrated circuit with autonomous limit checking of ADC channel measurements

Номер патента: US09791482B1. Автор: Hiroshi Watanabe,John H. Carpenter, Jr.,Brett E. Smith. Владелец: Active Semi BVI Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Power integrated circuit with autonomous limit checking of ADC channel measurements

Номер патента: US09721742B1. Автор: Hiroshi Watanabe,John H. Carpenter, Jr.,Brett E. Smith. Владелец: Active Semi BVI Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Addressing for integrated circuits

Номер патента: EP4380071A3. Автор: Mustafa SAYGINER. Владелец: NOKIA SOLUTIONS AND NETWORKS OY. Дата публикации: 2024-07-31.

Integrated circuit and systems with tracking

Номер патента: WO2021141667A9. Автор: Vipul Jain,Jonathan P. Comeau,Shmuel Ravid,Hakan Coskun,Saeed Farsi,Zarion Jacobs. Владелец: ANOKIWAVE, INC.. Дата публикации: 2021-09-02.

Integrated circuit to waveguide transitional structures and related sensor assemblies

Номер патента: WO2024005880A1. Автор: Scott B. Doyle. Владелец: Veoneer US, LLC. Дата публикации: 2024-01-04.

Photonic integrated circuit for wavelength division multiplexing

Номер патента: WO2012041776A1. Автор: Romain Brenot,Alexandre Garreau. Владелец: ALCATEL LUCENT. Дата публикации: 2012-04-05.

RF reception system and integrated circuit with programmable filter and methods for use therewith

Номер патента: US20080182540A1. Автор: Ahmadreza (Reza) Rofougaran. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2008-07-31.

Dual phased array with single polarity beam steering integrated circuits

Номер патента: WO2019027981A1. Автор: Robert Ian Gresham,Robert Mcmorrow. Владелец: ANOKIWAVE, INC.. Дата публикации: 2019-02-07.

Systems and methods for reducing electromagnetic interference in robotic devices

Номер патента: EP4302388A1. Автор: Yu Zhang,Liming Liu,Shanghua Li,Zach Z. PAN. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2024-01-10.

Systems and Methods for Reducing Electromagnetic Interference in Robotic Devices

Номер патента: US20240154524A1. Автор: Yu Zhang,Liming Liu,Shanghua Li,Zach Z. PAN. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2024-05-09.

Integrated circuit with sensor printed in situ

Номер патента: WO2016196572A1. Автор: Randy L. Yach,Arthur B. Eck. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2016-12-08.

Integrated circuit with sensor printed in situ

Номер патента: EP3304005A1. Автор: Randy L. Yach,Arthur B. Eck. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-11.

Integrated circuit card type car audio system and operating method

Номер патента: WO1998043851A1. Автор: Jun-Hae Yang. Владелец: Daewoo Electronics Co., Ltd.. Дата публикации: 1998-10-08.

Liquid ejecting apparatus, drive circuit, and integrated circuit

Номер патента: US09849670B2. Автор: Tomokazu Yamada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Reducing leakage currents in integrated circuits

Номер патента: US20020158665A1. Автор: Vivek De,Yibin Ye,James Tschanz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-31.

Power supply switching for reducing power consumption of integrated circuits

Номер патента: WO2009104130A2. Автор: Victor Zieren,Marcel Pelgrom,Hendricus J. M. Veendrick. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2009-08-27.

Special-purpose cryptographic integrated circuit, which includes encoded in the circuit conversion function

Номер патента: RU2708358C1. Автор: ДЕ КАСТРО Эдвард Л. РОДРИГЕС,Эдриан Джордж ПОРТ,Сагар В. РЕДДИ. Владелец: БЛОКЧЕЙН АСИКС ЭлЭЛСи. Дата публикации: 2019-12-05.

Single-ended input-output block with reduced leakage current

Номер патента: US7724026B1. Автор: Sing-Keng Tan. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2010-05-25.

Circuits for and methods of reducing duty-cycle distortion in an integrated circuit implementing dual-edge clocking

Номер патента: US09577615B1. Автор: Ilya K. Ganusov,Benjamin S. Devlin. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Integrated circuit with adaptive speed selection

Номер патента: RU2381543C2. Автор: Раджеев ПРАБХАКАРАН,Ягрут В. ПАТЕЛ,Санат КАПУР,Грегори БУЛЛАРД. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2010-02-10.

High speed pin driver integrated circuit architecture for commercial automatic test equipment applications

Номер патента: WO2000039928A1. Автор: Lloyd F. Linder. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2000-07-06.

High speed pin driver integrated circuit architecture for commercial automatic test equipment applications

Номер патента: EP1057263A1. Автор: Lloyd F. Linder. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2000-12-06.

Lamp with integral voltage converter having phase-controlled dimming circuit with hysteresis control for reducing RMS load voltage

Номер патента: US20060082327A1. Автор: George Kendrick,Matthew Ballenger. Владелец: Osram Sylvania Inc. Дата публикации: 2006-04-20.

Systems and methods for reducing power supply noise or jitter

Номер патента: US09748934B1. Автор: Hae-Chang Lee,Kyung Suk Oh,Tim Tri Hoang,Yujeong Shim,Yanjing Ke. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Circuit for reverse biasing inverters for reducing the power consumption of an SRAM memory

Номер патента: US9099993B2. Автор: Olivier Thomas,Adam Makosiej,Andrei Vladimirescu. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2015-08-04.

Method and apparatus for reducing a magnitude of a rate of current change of an integrated circuit

Номер патента: WO2003017490A8. Автор: Richard L Wheeler,Tyler J Thorp,Brian W Amick,Claude R Gauthier. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2004-06-24.

Circuit for reverse biasing inverters for reducing the power consumption of an sram memory

Номер патента: US20140334226A1. Автор: Olivier Thomas,Adam Makosiej,Andrei Vladimirescu. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2014-11-13.

Method and apparatus for reducing a magnitude of a rate of current change of an integrated circuit

Номер патента: WO2003017490A1. Автор: Tyler J. Thorp,Richard L. Wheeler,Claude R. Gauthier,Brian W. Amick. Владелец: SUN MICROSYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2003-02-27.

Integrated circuit with leakage control and method for leakage control

Номер патента: EP1690102A1. Автор: Petri Vaisanen,Teppo Hemia,Pasi Kolinummi. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2006-08-16.

Integrated circuit having a timing circuit, and method for adjustment of an output signal from the timing circuit

Номер патента: US20020027462A1. Автор: Robert Kaiser,Thilo Schaffroth. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-07.

Envelope tracking integrated circuit for reducing in-rush battery current

Номер патента: US20220360226A1. Автор: Nadim Khlat. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2022-11-10.

One cycle control continuous conduction mode pfc boost converter integrated circuit with integrated power switch and boost converter

Номер патента: WO2004059414A1. Автор: Jonathan Adams,Ron Brown,Frank Athari. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2004-07-15.

One cycle control continuous conduction mode pfc boost converter integrated circuit with integrated power switch and boost converter

Номер патента: EP1576436A1. Автор: Jonathan Adams,Ron Brown,Frank Athari. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2005-09-21.

Integrated circuit for image pickup device

Номер патента: US20020144161A1. Автор: Seiji Takeuchi,Tatsuya Takahashi. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-03.

Integrated circuit for image pickup device

Номер патента: EP1246457A3. Автор: Seiji Takeuchi,Tatsuya Takahashi. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-03-19.

Integrated circuit for image pickup device

Номер патента: US6907536B2. Автор: Seiji Takeuchi,Tatsuya Takahashi. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-14.

Doped sidewall spacer/etch stop layer for memory

Номер патента: US12127483B2. Автор: Hsun-Chung KUANG,Cheng-Yuan Tsai,Hai-Dang Trinh,Bi-Shen LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Integrated circuit with low phase noise clock distribution network

Номер патента: US09531356B1. Автор: Peter L. Delos,Brandon R. Davis,Steven M. Fireman. Владелец: Lockheed Martin Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Doped sidewall spacer/etch stop layer for memory

Номер патента: US20240373760A1. Автор: Hsun-Chung KUANG,Cheng-Yuan Tsai,Hai-Dang Trinh,Bi-Shen LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Integrated circuits with programmable overdrive capabilities

Номер патента: US09444460B1. Автор: Christopher F. Lane. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Integrated circuit with standby mode minimizing current consumption

Номер патента: US20080136505A1. Автор: Alexandre Valentian. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2008-06-12.

Integrated circuit with automatic polarity detection and configuration

Номер патента: US20040051516A1. Автор: Heling Yi,David Olivenbaum. Владелец: Cirrus Logic Inc. Дата публикации: 2004-03-18.

Integrated circuit with automatic polarity detection and configuration

Номер патента: EP1547246A2. Автор: Heling Yi,David Olivenbaum. Владелец: Cirrus Logic Inc. Дата публикации: 2005-06-29.

Integrated circuit with automatic polarity detection and configuration

Номер патента: WO2004027827A2. Автор: Heling Yi,David Olivenbaum. Владелец: Cirrus Logic, Inc.. Дата публикации: 2004-04-01.

Current sensing circuit with integrated resistor and switch matrix

Номер патента: US12040758B2. Автор: Mark Rutherford,Ryan Desrosiers,Jay Ackerman. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Integrated circuit with logic circuitry and multiple concealing circuits

Номер патента: US20130111224A1. Автор: Kiran Kumar Gunnam,Jay Scott Fuller. Владелец: Certicom Corp. Дата публикации: 2013-05-02.

Integrated circuits with reduced leakage current

Номер патента: WO2007022491A2. Автор: Esin Terzioglu,Gil I. Winograd,Morteza Afghahi. Владелец: Novelics. Дата публикации: 2007-02-22.

SYSTEMS FOR REDUCING MAGNETIC COUPLING IN INTEGRATED CIRCUITS (ICs), AND RELATED COMPONENTS AND METHODS

Номер патента: WO2014197364A1. Автор: Je-Hsiung Lan,Changhan Yun,Chengjie Zuo,Jonghae Kim,Mario Francisco Velez,Daeik D. KIM,Robert P. MIKULKA,Matthew M. Nowak. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-12-11.

Electronic circuit with low noise delay circuit

Номер патента: US20090051399A1. Автор: Johannes Petrus Antonius Frambach. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-02-26.

Techniques For Reducing Filter Distortion In Data Using Emphasis

Номер патента: US20230096355A1. Автор: Volker Mauer. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-30.

Circuitry for reducing leakage current in configuration memory

Номер патента: US09972368B2. Автор: Bee Yee Ng,Ping-Chen Liu,Thien Le,Gaik Ming Chan. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Integrated circuit having flexible reference

Номер патента: US09661248B2. Автор: Guangbin Zhang,Dennis Tunglin LEE. Владелец: Cista System Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Method for reducing non-volatile memory fragmentation in integrated circuit cards, corresponding card and apparatus

Номер патента: US20230019427A1. Автор: Francesco CASERTA. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-01-19.

Apparatus for reducing a magnitude of a rate of current change of an integrated circuit

Номер патента: US20030034817A1. Автор: Tyler J. Thorp,Richard L. Wheeler,Brian Amick,Claude R. Gauthier. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2003-02-20.

Information processing apparatus with semiconductor integrated circuit capable of reducing amount of radiation noise and control method therefor

Номер патента: US20160233857A1. Автор: Tadashi Kawaguchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-08-11.

Integrated circuit with a differential amplifier

Номер патента: US20010028585A1. Автор: HELMUT Fischer,Thoai-Thai Le,Sebastian Kühne. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2001-10-11.

Dynamically adjustable circuit with circuit of characterized-path and method for generating circuit of characterized-path

Номер патента: US20150188541A1. Автор: Chi-Tien Sun,Chun-Yuan Cheng,Kuo-Su Hsiao. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2015-07-02.

Integrated circuit performing fast unbreakable cipher

Номер патента: US20210367760A1. Автор: R Paul Mcgough. Владелец: Qwyit LLC. Дата публикации: 2021-11-25.

Integrated circuit performing fast unbreakable cipher

Номер патента: US11711365B2. Автор: R Paul Mcgough. Владелец: Qwyit LLC. Дата публикации: 2023-07-25.

Integrated circuit with internal communication network

Номер патента: WO2006126142A3. Автор: Edwin Rijpkema,John Dielissen. Владелец: John Dielissen. Дата публикации: 2007-02-08.

Integrated circuit with internal communication network

Номер патента: EP1889419A2. Автор: Edwin Rijpkema,John Dielissen. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-02-20.

Electronic device and a method of biasing a mos transistor in an integrated circuit

Номер патента: EP2171839A1. Автор: Zhenhua Wang. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-04-07.

Flexible adder circuits with fast carry chain circuitry

Номер патента: EP2113836A3. Автор: David Lewis,Jeffrey Christopher Chromczak. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2011-08-31.

Semiconductor integrated circuit with reduced current consumption

Номер патента: US20070109036A1. Автор: Atsushi Takeuchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-05-17.

Integrated circuit device including CMOS tri-state drivers suitable for powerdown

Номер патента: US20010054914A1. Автор: Naoto Okumura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-27.

Failsafe interface circuit with extended drain services

Номер патента: US20020070751A1. Автор: James Huffman,Keith Kunz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-13.

Modularized control circuit with signal-capturing function for fan motor and controlling method

Номер патента: US20130249455A1. Автор: Chun-Lung Chiu,Wen-Chih Wang,Wen-Chuan Ma. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2013-09-26.

Methods and structure for reduced layout congestion in a serial attached scsi expander

Номер патента: US20140036699A1. Автор: Tejas Tayade. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2014-02-06.

Integrated circuit and method for operating the integrated circuit

Номер патента: US20030132792A1. Автор: CHRISTIAN Weis,Stefan Dietrich,Peter Schrögmeier,Pramod Acharya. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-07-17.

Method and circuit arrangement for controlling switching transistors of an integrated circuit

Номер патента: US20110133782A1. Автор: Ulrich Theus,Martin Czech. Владелец: TDK Micronas GmbH. Дата публикации: 2011-06-09.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020186067A1. Автор: Isao Yamamoto,Koichi Miyanaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-12-12.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20040145021A1. Автор: Isao Yamamoto,Koichi Miyanaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-07-29.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6687107B2. Автор: Isao Yamamoto,Koichi Miyanaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-02-03.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7009830B2. Автор: Isao Yamamoto,Koichi Miyanaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2006-03-07.

Integrated circuit voltage regulator with adaptive current bleeder circuit

Номер патента: US09917513B1. Автор: Ping-Chen Liu,Thien Le. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Integrated circuit with continuously adaptive equalization circuitry

Номер патента: US09705708B1. Автор: Jihong Ren,Wenyi Jin. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor integrated circuit and high frequency antenna switch

Номер патента: US09685944B1. Автор: Toshiki Seshita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Integrated circuit with separate supply voltage for memory that is different from logic circuit supply voltage

Номер патента: US09672901B2. Автор: Daniel C. Murray,Brian J. Campbell,Sribalan Santhanam,Vincent R. von Kaenel,Gregory S. Scott. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Integrated circuits with improved register circuitry

Номер патента: US09660650B1. Автор: David Lewis,Valavan Manohararajah,Jeffrey Christopher Chromczak. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Integrated circuits with clock selection circuitry

Номер патента: US09515880B1. Автор: Andrew Bellis,Ramanand Venkata,David W. Mendel,Victor Maruri,Henry Y. Lui. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Dynamically adjustable circuit with circuit of characterized-path and method for generating circuit of characterized-path

Номер патента: US09455708B2. Автор: Chi-Tien Sun,Chun-Yuan Cheng,Kuo-Su Hsiao. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2016-09-27.

Input/output circuit with high voltage tolerance and associated apparatus

Номер патента: US09450583B2. Автор: Chih-Tien Chang,Yao-Zhong Zhang,Ju-Ming Chou. Владелец: MStar Semiconductor Inc Taiwan. Дата публикации: 2016-09-20.

Photorepeated integrated circuit with compensation of the propagation delays of signals, notably of clock signals

Номер патента: US09438218B2. Автор: Gregoire Chenebaux. Владелец: Pyxalis SAS. Дата публикации: 2016-09-06.

Programmable integrated circuits with decoupling capacitor circuitry

Номер патента: US09329608B1. Автор: Chris Wysocki,Zahir Parpia. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2016-05-03.

Method and apparatus for reducing skew among input signals within an integrated circuit

Номер патента: US5903174A. Автор: Shailesh Shah,Ashish Pancholy,Greg J. Landry. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 1999-05-11.

Method of and circuit for reducing distortion in a power amplifier

Номер патента: EP2321899A1. Автор: Stephen Summerfield,Christopher H. Dick. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2011-05-18.

Method of and circuit for reducing distortion in a power amplifier

Номер патента: WO2010024952A1. Автор: Stephen Summerfield,Christopher H. Dick. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2010-03-04.

Power supply switching for reducing power consumption of integrated circuits

Номер патента: WO2009104130A3. Автор: Victor Zieren,Marcel Pelgrom,Hendricus J. M. Veendrick. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2009-10-15.

Integrated circuit, method, and electronic device for reducing emi of signal

Номер патента: US20210036709A1. Автор: Cheolho LEE,Seungjoon YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-04.

Manufacturing method for wireless communications devices employing potentially different versions of integrated circuits

Номер патента: EP1155583A1. Автор: Ronald D. Boesch. Владелец: Ericsson Inc. Дата публикации: 2001-11-21.

Integrated circuit with on-state diagnosis for driver channels

Номер патента: US20230266382A1. Автор: Valerio Bendotti,Gaudenzia BAGNATI,Stefano Castorina. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-08-24.

Integrated circuit with independently powered processors booted sequentially, while sharing a common memory unit for loading programs onto processors after booting

Номер патента: US8601251B2. Автор: Hisami Matsui. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-12-03.

Apparatus and methods for reducing common-mode noise in an imaging system

Номер патента: US20140193090A1. Автор: Yoshinori Kusuda,Michael C. Coln,Gary Robert Carreau. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2014-07-10.

Apparatus and method for reducing common-mode error

Номер патента: WO2013009561A1. Автор: Yoshinori Kusuda,Michael C. Coln,Gary Robert Carreau. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 2013-01-17.

Integrated circuit with off-state diagnosis for driver channels

Номер патента: US20230266381A1. Автор: Gaudenzia BAGNATI,Diego Alagna,Marzia Annovazzi,Lucia MAGGIO. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20010026171A1. Автор: Yasuhiko Hagihara. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-10-04.

A method for managing a notification procedure between an integrated circuit card operating in a communication device and a provisioning system, corresponding system and integrated circuit card

Номер патента: EP4422226A1. Автор: Paolo Sepe,Alberto MARZAIOLI. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-08-28.

Integrated circuit

Номер патента: WO2007093598A1. Автор: Werner Elmer,Horst Jungert. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2007-08-23.

Voltage converter integrated circuit with an integrated bootstrap capacitor

Номер патента: US09917584B2. Автор: Jian Jiang,Yike Li,Changjiang Chen,Junyong Gong. Владелец: Chengdu Monolithic Power Systems Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Integrated circuit with dynamically-adjustable buffer space for serial interface

Номер патента: US09680773B1. Автор: Boon Jin Ang,Tat Mun Lui,Zun Yang Tan,Chiang Wei Lee,Richard Jin Guan Saw,Want Sent Khor. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Special purpose cryptographic integrated circuit comprising conversion function encoded in chain

Номер патента: RU2746014C2. Автор: Эдриан Джордж ПОРТ,Сагар В. РЕДДИ,Эдвард Л. РОДРИГЕС ДЕ КАСТРО. Владелец: БЛОКЧЕЙН АСИКС ЭлЭЛСи. Дата публикации: 2021-04-05.

Arrangement for cancelling the input bias current, at picoampere levels, in an integrated circuit

Номер патента: US4575685A. Автор: Robert C. Dobkin,George Erdi,Carl T. Nelson. Владелец: Linear Technology LLC. Дата публикации: 1986-03-11.

Cable assembly and method for reducing impacts of common-mode noise

Номер патента: US10601616B2. Автор: Andrew Joo Kim. Владелец: Andrew Joo Kim. Дата публикации: 2020-03-24.

Cmos i/o circuit with high-voltage input tolerance

Номер патента: WO1998056111A9. Автор: Peter J Lim. Владелец: Oak Technology Inc. Дата публикации: 1999-04-08.

Circuit for providing resistance to single event upset to pulse width modulator integrated circuit

Номер патента: EP1568131A2. Автор: Steve Baker. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2005-08-31.

Circuit for providing resistance to single event upset to pulse width modulator integrated circuit

Номер патента: US20040130368A1. Автор: Steve Baker. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2004-07-08.

Circuit for providing resistance to single event upset to pulse width modulator integrated circuit

Номер патента: WO2004047289A3. Автор: Steve Baker. Владелец: Steve Baker. Дата публикации: 2005-05-26.

Circuit for providing resistance to single event upset to pulse width modulator integrated circuit

Номер патента: WO2004047289A2. Автор: Steve Baker. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2004-06-03.

Integrated circuit and receiver of a global positioning system (gps)

Номер патента: US20080061897A1. Автор: Meik Wilhelm Widmer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-03-13.

Semiconductor integrated circuit and electronic circuit

Номер патента: US20090128210A1. Автор: Takuji Yamamoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-05-21.

Semiconductor integrated circuit with noise reduction circuit

Номер патента: US20050249005A1. Автор: Hiroyuki Nakamoto,Kunihiko Gotoh. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-11-10.

Reconfigurable integrated circuit with on-chip configuration generation

Номер патента: EP3180860A1. Автор: Wayne Luk,Xinyu NIU. Владелец: IMPERIAL INNOVATIONS LTD. Дата публикации: 2017-06-21.

Integrated circuit with switching amplifier output fault detection

Номер патента: US11750992B2. Автор: Mohit Chawla,Venkata Ramanan Ramamurthy. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Methods and circuits for compensating clock signals having different loads in packaged integrated circuits using phase adjustments

Номер патента: US6175258B1. Автор: Sung-Min Yim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-01-16.

Semiconductor integrated circuit device and power supply voltage control system

Номер патента: US20100327961A1. Автор: Masahiro Nomura,Yoshifumi Ikenaga. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2010-12-30.

Integrated circuits

Номер патента: EP2119010A1. Автор: Klaus Melakari,Marko Winblad,Pasi Kolinummi. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2009-11-18.

Method and apparatus for controlling or managing bandwidth of a filter circuit within a system having two integrated circuits

Номер патента: US20140084996A1. Автор: Dale G. Schwent,Ryan J. Goedken. Владелец: MOTOROLA MOBILITY LLC. Дата публикации: 2014-03-27.

Integrated Circuit, Circuit Assembly and a Method for its Operation

Номер патента: US20180269843A1. Автор: Gino Rocca,Anton Leidl,Pirmin Hermann Otto Rombach,Armin Schober. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2018-09-20.

Freeze And Clear Logic Circuits And Methods For Integrated Circuits

Номер патента: US20220216873A1. Автор: Jeffrey Chromczak,Sadegh Yazdanshenas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-07-07.

Amplifier circuit with a first and a second output line

Номер патента: US20100182082A1. Автор: Stefan Koch. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-07-22.

Semiconductor integrated circuit including clock modulation circuit

Номер патента: US20020180496A1. Автор: Yukihiro Yaguchi,Yasuhiro Kitagawa,Sachie Takahashi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-12-05.

Packaged integrated circuit synchronous memory device with circuits for compensating clock signals having different loads using phase adjustments

Номер патента: US6349070B1. Автор: Sung-Min Yim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-02-19.

Integrated circuit-based nano-relay

Номер патента: US12088082B2. Автор: Wei Xi,Yang Yu,Peng Li,Xiaobo Li,Hao Yao,Xiangjun Zeng,Tiantian CAI. Владелец: Digital Grid Research Institute China Southern Power Grid. Дата публикации: 2024-09-10.

Electrically connecting integrated circuits and transducers

Номер патента: EP1284094A2. Автор: Schelto Vandoorn. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2003-02-19.

Integrated circuit system and integrated circuit

Номер патента: US09854531B2. Автор: Kentaro Kawakami. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Integrated circuits with optical flow computation circuitry

Номер патента: US09819841B1. Автор: Dmitry N. Denisenko. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Apparatus and method for providing a public key for authenticating an integrated circuit

Номер патента: US09813392B2. Автор: Ivan Hugh Mclean,Roberto Avanzi,Dean Lorenz,Boris Dolgunov. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Integrated circuits and transponder circuitry with improved ask demodulation

Номер патента: US09762282B1. Автор: Ernst Georg MUELLNER. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2017-09-12.

Method and apparatus for secure provisioning of an integrated circuit device

Номер патента: US09729518B1. Автор: Sean R. Atsatt. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Integrated circuit with distributed clock tampering detectors

Номер патента: US09506981B2. Автор: Fabrice Walter. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2016-11-29.

Radiation hardened chip level integrated recovery apparatus, methods, and integrated circuits

Номер патента: US09438025B1. Автор: Stephan P. Athan. Владелец: Defense Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Voltage regulation circuit for integrated circuits of chip- carrying cards

Номер патента: RU2247465C1. Автор: Уве ВЕДЕР. Владелец: Инфинеон Текнолоджиз Аг. Дата публикации: 2005-02-27.

Method and apparatus for reducing switching noise in a system-on-chip (SoC) integrated circuit including an analog-to-digital converter (ADC)

Номер патента: US7515076B1. Автор: Rahul Singh,Jie Fang,Mohit Sood,Prashanth Drakshapalli,Edwin de Angel. Владелец: Cirrus Logic Inc. Дата публикации: 2009-04-07.

Integrated circuit chip, information processing device, program module control method, information processing system and method

Номер патента: RU2530353C2. Автор: Хироказу СУГИЯМА. Владелец: Сони Корпорейшн. Дата публикации: 2014-10-10.

Semiconductor integrated circuit device, recording medium stored with cell library, and method for designing semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6380764B1. Автор: Kazuo Yano,Mitsuru Hiraki,Naoki Katoh,Yohei Akita. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-04-30.

Semiconductor integrated circuit device, recording medium stored with cell library, and method for designing semiconductor integrated circuit

Номер патента: MY133109A. Автор: Kazuo Yano,Mitsuru Hiraki,Naoki Katoh,Yohei Akita. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2007-10-31.

High performance integrated circuit regulator with substrate transient suppression

Номер патента: US20030050026A1. Автор: Daniel Mccarthy,Lawrence Connell,Michael Bushman,Neal Hollenbeck. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-13.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6617916B1. Автор: Satoru Kurotsu. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-09.

Integrated circuit with clock signal duty cycle control

Номер патента: WO2003090355A3. Автор: Manish Garg,Hendricus J M Veendrick,Kiran B R Rao. Владелец: Kiran B R Rao. Дата публикации: 2004-04-08.

Calibrated biasing of sleep transistor in integrated circuits

Номер патента: US20190044512A1. Автор: Charles Augustine,Muhammad Khellah,Suyoung BANG,Pascal MEINERZHAGEN,Minki Cho. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

Power management integrated circuit including detection circuit with capacitive element

Номер патента: US20210382508A1. Автор: Hyunseok Nam,Sangyoung Lee,Jeongwoon KONG,Junhyun Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-09.

Integrated circuit including back side conductive lines for clock signals

Номер патента: US20210344346A1. Автор: Kam-Tou SIO,Jiun-Wei Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Integrated circuit including phase locked loop circuit

Номер патента: US20200021298A1. Автор: Woo Seok Kim,Tae Ik Kim,Gyu Sik Kim,Hwan Seok YEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-16.

Integrated circuit packages including damming and charge protection cover for harsh environments

Номер патента: US20080112143A1. Автор: Hugh Patton Hanley. Владелец: PathFinder Energy Services Inc. Дата публикации: 2008-05-15.

Integrated circuit

Номер патента: US20240007126A1. Автор: Takeshi Koike. Владелец: Wacom Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Image Enhancement using Integrated Circuit Devices having Analog Inference Capability

Номер патента: US20240089622A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Methods and systems for reducing clamp voltages in surge protection circuitry

Номер патента: US20020159213A1. Автор: Gregory Bentley. Владелец: Northern Technologies Inc. Дата публикации: 2002-10-31.

Adaptive silicon carbide gate drivers in integrated circuit form

Номер патента: US20240072637A1. Автор: Xia DU,H. Alan Mantooth,Yuqi Wei,Liyang Du,Andrea Stratta,Asif Faruque. Владелец: Board Oftrustees Of University Of Arkansas. Дата публикации: 2024-02-29.

Integrated Circuit with Interpolation to Avoid Harmonic Interference

Номер патента: US20110022875A1. Автор: Ahmadreza (Reza) Rofougaran,Arya Reza Behzad,Mark Gonikberg. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2011-01-27.

Integrated circuit with interpolation to avoid harmonic interference

Номер патента: US8266468B2. Автор: Ahmadreza (Reza) Rofougaran,Arya Reza Behzad,Mark Gonikberg. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2012-09-11.

Image enhancement using integrated circuit devices having analog inference capability

Номер патента: US11979674B2. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Method and apparatus for multiplexing pins of an integrated circuit

Номер патента: US20140091728A1. Автор: Donald Pannell. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2014-04-03.

Coupling of speakers with integrated circuit

Номер патента: US20100220868A1. Автор: Srinath Sridharan,Lionel Cimaz,Shyam Somayajula,Ramkishore Ganti,Sanjeev Ranganathan,Arnold D'Souza. Владелец: ST Ericsson India Pvt Ltd. Дата публикации: 2010-09-02.

Method and a system for controlling a plurality of electronic components arbitrarily assignable to a plurality of integrated circuits of a mobile communications device

Номер патента: US20170063583A1. Автор: Steffen Reinhardt. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2017-03-02.

Clock grid for integrated circuit

Номер патента: US9660630B1. Автор: Christopher Lane,Ramanand Venkata,Dana How. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Modifying clock signals output by an integrated circuit

Номер патента: US20060139083A1. Автор: Ban Goh. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-06-29.

Image Enhancement using Integrated Circuit Devices having Analog Inference Capability

Номер патента: US20240267646A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor integrated circuit, dll circuit, and duty cycle correction circuit

Номер патента: US20190081631A1. Автор: Masashi Nakata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-14.

Integrated circuit with plural level shifters

Номер патента: US20080303550A1. Автор: Wen-Liang Liu,Chun-Hsiung Chen,Chun-Ku Lin. Владелец: Holtek Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-12-11.

Method and apparatus for fully integrating a voltage controlled oscillator on an integrated circuit

Номер патента: WO2000067376A1. Автор: Christopher D. Hull,Lars G. Jansson,Lars Henrick Mucke. Владелец: Silicon Wave, Inc.. Дата публикации: 2000-11-09.

Semiconductor integrated circuit device for converting PECL-signal into TTL-signal

Номер патента: US5448183A. Автор: Toshiyuki Koreeda. Владелец: Kyushu Fujitsu Electronics Ltd. Дата публикации: 1995-09-05.

Integrated circuit and power supply device

Номер патента: US12068694B2. Автор: Yuta Endo,Takato Sugawara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Circuits and methods for implementing mode selection in multiple-mode integrated circuits

Номер патента: EP1828868A2. Автор: Kartik Nanda. Владелец: Cirrus Logic Inc. Дата публикации: 2007-09-05.

Integrated circuit package, system comprising printed circuit board and integrated circuit package, method of soldering integrated circuit package to printed circuit board

Номер патента: WO2024155292A1. Автор: Zhiyang Wang,Bianca Kwok,Benson Tu,Adrian Ocampo. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2024-07-25.

Integrated circuit with current sense circuit and associated methods

Номер патента: US20020024786A1. Автор: Salomon Vulih,William Shearon,Donald Preslar. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2002-02-28.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20090160544A1. Автор: Kenichi Osada,Kazuo Otsuga,Yusuke Kanno. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-06-25.

Integrated circuit with an input multiplexer system

Номер патента: US20220166395A1. Автор: Ranga Seshu Paladugu,Hanqing Xing,Soon G. Lim,Carmelo Morello. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-05-26.

Power detector for digital integrated circuits

Номер патента: US20020145455A1. Автор: Kai Wang. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2002-10-10.

Integrated circuit with secure metadata store

Номер патента: US20080044020A1. Автор: Tom Ryan. Владелец: STMicroelectronics Ltd Great Britain. Дата публикации: 2008-02-21.

Circuit for reducing current mirror mismatch due to gate leakage current

Номер патента: US6995612B1. Автор: Yen-Chung T. Chen. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2006-02-07.

Integrated circuit with suppression of spurious acoustic modes and method of producing same

Номер патента: RU2547165C2. Автор: Цзе Чэнь,Уилльям ОССМАН,Берни Дж. СЕЙВОРД,Род Дж. СОЛОМОН. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2015-04-10.

Driving circuit, integrated circuit, and liquid discharge apparatus

Номер патента: US20200164636A1. Автор: Tetsuo Takagi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2020-05-28.

Fail-safe circuit for dynamic smartpower integrated circuits

Номер патента: US20030132976A1. Автор: William Hawkins,Yungran Choi,Christopher Morton,Juan Becerra. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-17.

Circuit layer for a card with integrated circuit

Номер патента: RU2725617C2. Автор: Финн Нильсен. Владелец: Кардлаб Апс. Дата публикации: 2020-07-03.

Integrated circuit device having optically coupled layers

Номер патента: WO2007002449A1. Автор: Raymond G. Beausoleil,Sean M. Spillane. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2007-01-04.

Devices and methods for integrated circuit manufacturing

Номер патента: US20030080362A1. Автор: Simon Dodd,Frank Bryant,Paul Mikulan. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2003-05-01.

Integrated circuit device for a replaceable printer component

Номер патента: US20200282735A1. Автор: Paul Jeran,Bartley Mark Hirst,Dee Chou. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2020-09-10.

Integrated circuit assembly cleaning apparatus and method

Номер патента: US20020134408A1. Автор: John Pratt,William Hanna,Pamela Christison,Lawrence Houdek,Russell Bjorlie,Perry Pierce. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2002-09-26.

Leakage current reduction in standard cells

Номер патента: US6941525B2. Автор: Dhrumil Gandhi. Владелец: Artisan Components Inc. Дата публикации: 2005-09-06.

Reduced power consumption in integrated circuits with fuse controlled redundant circuits

Номер патента: WO2005017913A1. Автор: Wolfgang Hokenmaier. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-02-24.

Apparatus and method for reducing leakage currents of integrated circuits having at least one transistor

Номер патента: US7477552B2. Автор: Josef Haid,Bernd Zimek,Thomas Kuenemund,Thomas Leutgeb. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2009-01-13.

Circuit of measuring leakage current in a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09632126B2. Автор: Kun-Yong Yoon,Jae-Jin Park,Ji-Hwan Hyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor integrated circuit device including a leakage current sensing unit and method of operating the same

Номер патента: US09460786B2. Автор: Seok Joon KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor integrated circuit device including a leakage current sensing unit and method of operating the same

Номер патента: US09455032B2. Автор: Seok Joon KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

System and method for reducing temperature variation during burn in

Номер патента: WO2005085884A9. Автор: DAVID H HOFFMAN,John Laurence Niven,Eric Chien-Li Sheng. Владелец: Eric Chien-Li Sheng. Дата публикации: 2006-02-09.

Integrated circuit card for reducing power consumption

Номер патента: US20060085655A1. Автор: Hyuk-Jun Sung,Ki-Yeol Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-20.

Integrated circuit with on-board power utilization information

Номер патента: US20050285639A1. Автор: Pieter Vorenkamp,Chun-Ying Chen,Sumant Ranganathan,Neil Kim. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2005-12-29.

Power optimization of a mixed-signal system on an integrated circuit

Номер патента: US20060217920A1. Автор: Matthew Felder,Marcus May. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-28.

Efficient method of retesting integrated circuits

Номер патента: US09625524B2. Автор: Teck Seng Eng,Michael Russell Uy Gonzales,Louie Que Hermosura. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Efficient method of retesting integrated circuits

Номер патента: US09494650B2. Автор: Teck Seng Eng,Michael Russell Uy Gonzales,Louie Que Hermosura. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Methods and apparatus for reducing reliability degradation on an integrated circuit

Номер патента: US20190095571A1. Автор: Ning Cheng,Xiangyong Wang,Mahesh A. Iyer. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-03-28.

Methods and system for an integrated circuit

Номер патента: US20200401552A1. Автор: Tomonori Kamiya,Yukihito Takeda. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-12-24.

Electronic circuit with a regulated power supply circuit

Номер патента: EP2387742A1. Автор: Martin Wagner,Clemens Gerhardus Johannes De Haas,Henk Boezen. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-11-23.

Integrated circuit with self-test circuit, method for operating an integrated circuit with self-test circuit, multi-core processor device and method for operating a multi-core processor device

Номер патента: US11619668B2. Автор: Jens Rosenbusch,Heiko Ahrens,Daniel Tille. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-04-04.

Integrated circuit and data processing system supporting address aliasing in an accelerator

Номер патента: US20190332551A1. Автор: Bartholomew Blaner,William J. Starke,Jeffrey A. Stuecheli,John D. Irish,Kenneth M. Valk,Michael S. Siegel,Derek E. Williams,Lakshminarayana Arimilli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-31.

Integrated circuit and data processing system supporting attachment of a real address-agnostic accelerator

Номер патента: US20190332537A1. Автор: Bartholomew Blaner,William J. Starke,Jeffrey A. Stuecheli,John D. Irish,Kenneth M. Valk,Michael S. Siegel,Lakshminarayana Arimilli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-31.

Detecting a defect of an integrated circuit

Номер патента: US20030206293A1. Автор: Daniel Corum,Taylor Lowry. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2003-11-06.

Low power circuits with small voltage swing transmission, voltage regeneration and wide bandwidth architecture

Номер патента: US20060039179A1. Автор: Stephen Kosonocky,Robert Dennard,Wing Luk. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-02-23.

Integrated circuit with on-chip power profiling

Номер патента: US09696775B2. Автор: Thuyen Le,Tian Yan Pu,Lars MELZER,Chenbo Liu. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Clock topology planning for reduced power consumption

Номер патента: US09411912B1. Автор: Ankush Sood,Aaron Paul Hurst. Владелец: Cadence Design Systems Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Integrated circuit with nano-conductive sensors in field transistors, manufactured by chemical method, sensor device, method of measurement and method of manufacture

Номер патента: RU2638132C2. Автор: Йохан Хендрик КЛОТВИЙК,Марлен МЕСХЕР,Мануэль Эдуардо АЛАРКОН-РИВЕРО,ВИЛД Нико Марис Адриан ДЕ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2017-12-11.

AC testing of leakage current in integrated circuits using RC time constant

Номер патента: US20040246017A1. Автор: Tawfik Arabi,Gregory Taylor,Dan Murray,Patrick Elwer,Srirama Pedarla. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-12-09.

Method, circuit library and computer program product for implementing enhanced performance and reduced leakage current for asic designs

Номер патента: US20050160385A1. Автор: Terry Coughlin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-07-21.

Method and apparatus for configuring an integrated circuit with a requested feature set

Номер патента: WO2017172322A1. Автор: Ivan McLean,Stuart Moskovics,Bryan Campbell,Mark Dragicevich. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-10-05.

Path-based congestion reduction in integrated circuit routing

Номер патента: US20160012172A1. Автор: Sourav Saha,Sven Peyer,Harald Folberth. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-01-14.

Method and system for fabricating integrated circuit with aid of programmable circuit synthesis

Номер патента: US20200394279A1. Автор: Yun-Ru Chen,Yung-Chow Peng,Yu-tao YANG,Wen-Shen Chou,Yung-Hsu Chuang,Jie-Ren Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-17.

Testing device and method for reducing vibration in a testing device

Номер патента: WO2022148904A1. Автор: Vesa Henttonen,Ari Kuukkala,Sami Mikola,Matti Remes. Владелец: Afore Oy. Дата публикации: 2022-07-14.

Method and apparatus for configuring an integrated circuit with a requested feature set

Номер патента: EP3437009A1. Автор: Ivan McLean,Stuart Moskovics,Bryan Campbell,Mark Dragicevich. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-02-06.

Interweaved integrated circuit interconnects

Номер патента: US20020112220A1. Автор: Brian Miller. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2002-08-15.

Apparatus and method for flexible visibility in integrated circuits with minimal package impact

Номер патента: US20080170506A1. Автор: William Milton Hurley. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-17.

System for providing large rc time constants in integrated circuits

Номер патента: US20100052734A1. Автор: Zhihao Lao,Llchong Zon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-03-04.

Voxel-based electromagnetic-aware integrated circuit routing

Номер патента: US12067339B2. Автор: Cyrus Behroozi,Raj Apte,Zhigang Pan,Dino Ruic. Владелец: X Development LLC. Дата публикации: 2024-08-20.

Apparatus for three dimensional integrated circuit testing

Номер патента: US09952279B2. Автор: Hao Chen,Mill-Jer Wang,Ching-Nen Peng,Hung-Chih Lin,Ching-Fang Chen,Chung-Sheng Yuan,Chung-Han Huang,Meng-Lin Chung,Wen-Wen Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Voxel-based electromagnetic-aware integrated circuit routing

Номер патента: US20240370630A1. Автор: Cyrus Behroozi,Raj Apte,Zhigang Pan,Dino Ruic. Владелец: X Development LLC. Дата публикации: 2024-11-07.

Optimization of integrated circuit reliability

Номер патента: US09739824B2. Автор: Emmanuel Yashchin,Deborah M. Massey,Carole D. Graas,Nazmul Habib,John G. Massey,Pascal A. Nsame,Ernest Y. Wu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Method and apparatus for broadcasting scan patterns in a scan-based integrated circuit

Номер патента: US09696377B2. Автор: Laung-Terng WANG,Meng-Chyi Lin,Hsin-Po Wang,Xiaoqing Wen,Shyh-Horng Lin,Ta-Chia Yeh,Sen-Wei Tsai,Khader S. Abdel-Hafez. Владелец: Syntest Technologies Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Integrated circuit system with non-volatile memory stress suppression and method of manufacture thereof

Номер патента: US09530469B2. Автор: Makoto Kitagawa,Wataru Otsuka,Tomohito Tsushima,Takafumi Kunihiro. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Bit-corrector circuits for photonic circuits with cascaded photonic gates

Номер патента: US12032023B1. Автор: Bicky A. Marquez. Владелец: Milkshake Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Method and an integrated circuit for performing a test

Номер патента: US7650554B2. Автор: Dieter Wendel,Gottfried Goldrian,Otto Andreas Torreiter. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-01-19.

Reduction of metal fill insertion time in integrated circuit design process

Номер патента: US20140149953A1. Автор: Fulvio Pugliese,Goran Davidovic,Rupert Kleeberger,Juergen Inderst. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2014-05-29.

Integrated circuit and data processing system having a configurable cache directory for an accelerator

Номер патента: US20190332549A1. Автор: Bartholomew Blaner,William J. Starke,Jeffrey A. Stuecheli,John D. Irish,Kenneth M. Valk,Michael S. Siegel,Curtis C. Wollbrink,Lakshminarayana Arimilli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-31.

Latency reduction for transitions between active state and sleep state of an integrated circuit

Номер патента: US20240319781A1. Автор: Ashish Jain,Randall Brown,Gia Tung Phan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Touch panel control circuit and semiconductor integrated circuit using the same

Номер патента: US09811219B2. Автор: Takayuki Noto. Владелец: Synaptics Japan GK. Дата публикации: 2017-11-07.

Method for measuring transient thermal characteristics of digital integrated circuits

Номер патента: RU2697028C2. Автор: Вячеслав Андреевич Сергеев,Виктор Васильевич Юдин,Ярослав Геннадьевич Тетенькин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ульяновский государственный технический университет". Дата публикации: 2019-08-08.

Integrated circuit power management for reducing leakage current in circuit arrays and method therefor

Номер патента: WO2005034189A3. Автор: Christopher K Y Chun,Ryan D Bedwell,Qadeer A Qureshi,John J Vagilca. Владелец: John J Vagilca. Дата публикации: 2007-02-08.

Integrated circuit power management for reducing leakage current in circuit arrays and method therefor

Номер патента: EP1671352A4. Автор: Christopher K Y Chun,Ryan D Bedwell,Qadeer A Qureshi,John J Vagilca. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2008-01-09.

AC testing of leakage current

Номер патента: US20020153914A1. Автор: Tawfik Arabi,Gregory Taylor,Dan Murray,Patrick Elwer,Srirama Pedarla. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2002-10-24.

Integrated circuit with self-testing circuit

Номер патента: EP1472552A2. Автор: Friedrich Hapke. Владелец: Philips Intellectual Property and Standards GmbH. Дата публикации: 2004-11-03.

Integrated circuit with self-testing circuit

Номер патента: WO2003060534A2. Автор: Friedrich Hapke. Владелец: Philips Intellectual Property & Standards Gmbh. Дата публикации: 2003-07-24.

A clock generator for an integrated circuit with a high-speed serial interface

Номер патента: EP1383023A3. Автор: John P. Hill. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2006-02-22.

Method of detecting an integrated circuit in failure among integrated circuits, apparatus of doing the same, and recording medium storing program for doing the same

Номер патента: US20030093237A1. Автор: Kazuhiro Sakaguchi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-05-15.

Semiconductor integrated circuit with a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20200251174A1. Автор: Yoshihiro Yamaguchi,Ryouta Niwa,Katsumichi Katou,Nobuyuki Ishigooka,Masaki Sekimizu. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2020-08-06.

System and method for configuring an integrated circuit

Номер патента: WO2006053320A3. Автор: Andrew S Brown. Владелец: Andrew S Brown. Дата публикации: 2007-06-14.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070011641A1. Автор: Ryota Nishikawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-11.

Semiconductor integrated circuit with voltage drop detector

Номер патента: US20080068045A1. Автор: Yasuhiro Tokunaga. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-20.

Fault coverage and simplified test pattern generation for integrated circuits

Номер патента: US6874112B1. Автор: Lawrence Stanton Schmitz. Владелец: Summit Microelectronics Inc. Дата публикации: 2005-03-29.

Integrated circuit having adaptive uart serial interface

Номер патента: US20230229617A1. Автор: Dong Yeol RYU,Kwang Hyun RYOO,Yeon Hun CHOI. Владелец: Findeachip Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

System, method, and computer readable medium for designing a scalable clustered storage integrated circuit for multi-media processing

Номер патента: WO2010019883A3. Автор: Hsueh Ban Lan. Владелец: OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2010-05-14.

Integrated circuit with transition control circuitry for limiting scan test signal transitions during scan testing

Номер патента: US20130067290A1. Автор: Ramesh C. Tekumalla,Prakash Krishnamoorthy. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2013-03-14.

Technology migration for integrated circuits with radical design restrictions

Номер патента: US20060101357A1. Автор: Xin Yuan,Robert Allen,Robert Walker,Fook-Luen Heng,Jason Hibbeler,Kevin McCullen,Rani Narayan,Cam Endicott. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-05-11.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20100100783A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-04-22.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20150097593A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-04-09.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20090063920A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-03-05.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20080136438A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-06-12.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20090063919A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-03-05.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20100095176A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-04-15.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20070257694A1. Автор: Lee Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-11-08.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20100100784A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-04-22.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20060017453A1. Автор: Lee Whetsel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-26.

Process of making an integrated circuit using parallel scan paths

Номер патента: US20020039804A1. Автор: Lee Whetsel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-04.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20040084747A1. Автор: Lee Whetsel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-05-06.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20090058448A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-03-05.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20020196045A1. Автор: Lee Whetsel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20140245090A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-08-28.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US7863913B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-01-04.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US7852100B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-12-14.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US7876112B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-01-25.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US7629808B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-12-08.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US7733110B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-06-08.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US7659741B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-02-09.

Integrated circuit with actuation circuit for actuating a driver circuit

Номер патента: US6351161B2. Автор: Ralf Schneider,Stephan Schroder. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-02-26.

Integrated circuits with universal serial bus 2.0 and embedded universal serial bus 2 connectivity

Номер патента: US20160162430A1. Автор: Chia-Jen Hsu,Derek Hing Sang Tam,Desheng MA,Preeti MULAGE. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2016-06-09.

Multi-layer semiconductor integrated circuits enabling stabilizing photolithography process parameters, the photomask being used, and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20040087181A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chong-Jen Huang,Hsin-Huei Chen,Kuang-Wen Liu,Jia-Rong Chiou. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-05-06.

Integrated circuit for sram standby power reduction in lcd driver

Номер патента: US20120062541A1. Автор: Szu-Mien WANG. Владелец: FocalTech Systems Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-15.

Method for implementing an integrated circuit comprising a random-access memory-in-logic

Номер патента: US12045553B2. Автор: Babak Mohammadi,Hemanth PRABHU. Владелец: Xenergic AB. Дата публикации: 2024-07-23.

Integrated circuit with self-verification function, verification method and method for generating a BIST signature adjustment code

Номер патента: US09885754B2. Автор: Chun-Yi Kuo,Chi-Shun Weng. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Integrated circuit with nanowire ChemFET-sensors, sensing apparatus, measuring method and manufacturing method

Номер патента: US09823218B2. Автор: Johan Hendrik Klootwijk,Nico Maris Adriaan De Wild,Marleen MESCHER,Manuel Eduardo ALARCON-RIVERO. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2017-11-21.

Integrated circuits with programmable memory cells and methods for programming the same

Номер патента: US09799387B1. Автор: Eng Huat Toh,Kangho Lee,Kiok Boone Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Integrated circuits with universal serial bus 2.0 and embedded universal serial bus 2 connectivity

Номер патента: US09727514B2. Автор: Chia-Jen Hsu,Derek Hing Sang Tam,Desheng MA,Preeti MULAGE. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US09494640B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Image forming system, integrated circuit chip, and image forming apparatus

Номер патента: US09454717B2. Автор: Naoki Abe. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor integrated circuit with bist circuit

Номер патента: US09443611B2. Автор: Kenichi Anzou,Chikako Tokunaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Method and apparatus for tracking power of an integrated circuit

Номер патента: US5915232A. Автор: Brian S. McMinn. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1999-06-22.

Semiconductor integrated circuit device including a leakage current sensing unit and method of operating the same

Номер патента: US20160125940A1. Автор: Seok Joon KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-05.

High data rate integrated circuit with transmitter configuration

Номер патента: EP4354131A3. Автор: Keith G. Fife,Jungwook Yang. Владелец: Life Technologies Corp. Дата публикации: 2024-06-26.

Semiconductor integrated circuit device and electronic system mounted the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20130138943A1. Автор: Hiroshi Nakayama,Masahiro Nishio,Jin Takahashi,Junji Ichimiya,Shintaro Itozawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-05-30.

Radiation detector module including application specific integrated circuit with through-substrate vias

Номер патента: US20240230932A9. Автор: Michael Ayukawa,Krzysztof Iniewski. Владелец: Redlen Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Integrated circuit with electrical contact

Номер патента: EP1110175A1. Автор: Frits Van Der Wateren. Владелец: Chess Engineering BV. Дата публикации: 2001-06-27.

Dynamic structural coupling mechanism for reducing optical degradation in vibrating environments

Номер патента: WO2000048232A9. Автор: Prasad Sabbineni,Neeraj Khurana,Thomas Joseph Kujawa,Ching-Lang Chiang,Daniel T Hurley. Владелец: Hypervision Inc. Дата публикации: 2001-11-15.

Dynamic structural coupling mechanism for reducing optical degradation in vibrating environments

Номер патента: WO2000048232A2. Автор: Prasad Sabbineni,Neeraj Khurana,Daniel T. Hurley,Thomas Joseph Kujawa,Ching-Lang Chiang. Владелец: Hypervision, Inc.. Дата публикации: 2000-08-17.

Integrated circuit

Номер патента: US7203883B2. Автор: Ralf Schneider,Joerg Vollrath,Marcin Gnat,Aurel von Campenhausen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-04-10.

An integrated circuit arrangement with feature control

Номер патента: EP1399828A2. Автор: Neal T. Wingen. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-03-24.

An integrated circuit arrangement with feature control

Номер патента: WO2002097638A3. Автор: Neal T Wingen. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2003-10-23.

An integrated circuit arrangement with feature control

Номер патента: WO2002097638A2. Автор: Neal T. Wingen. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2002-12-05.

Compression of data traces for an integrated circuit with multiple memories

Номер патента: EP1745489A1. Автор: Johnny K. John. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2007-01-24.

Compression of data traces for an integrated circuit with multiple memories

Номер патента: EP2012324B1. Автор: Johnny K. John. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2011-03-02.

Compression of data traces for an integrated circuit with multiple memories

Номер патента: CA2565989A1. Автор: Johnny K. John. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2005-11-24.

Compression of data traces for an integrated circuit with multiple memories

Номер патента: EP1745489B1. Автор: Johnny K. John. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2008-10-01.

Compression of data traces for an integrated circuit with multiple memories

Номер патента: WO2005112040A1. Автор: Johnny K. John. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2005-11-24.

Integrated circuit with improved test capability via reduced pin count

Номер патента: WO2007115218A3. Автор: Srinivas Varadarajan,Michael Laisne,Raghunath R Bhattagiri,Arvid S Sammuli. Владелец: Arvid S Sammuli. Дата публикации: 2007-11-22.

Integrated circuit with improved test capability via reduced pin count

Номер патента: WO2007115196A2. Автор: Srinivas Varadarajan,Michael Laisne,Raghunath R. Bhattagiri,Arvid S. Sammuli. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2007-10-11.

Impedance matching for an integrated circuit of a magnetic disk device

Номер патента: US20170148481A1. Автор: Nobuyoshi Yamasaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-25.

semiconductor integrated circuit device having fuses and fuse latch circuits

Номер патента: US20010030901A1. Автор: Daisuke Kato,Yohji Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-10-18.

Dynamic structural coupling mechanism for reducing optical degradation in vibrating environments

Номер патента: EP1095515A2. Автор: Prasad Sabbineni,Neeraj Khurana,Daniel T. Hurley,Thomas Joseph Kujawa,Ching-Lang Chiang. Владелец: Hypervision Inc. Дата публикации: 2001-05-02.

Dynamic structural coupling mechanism for reducing optical degradation in vibrating environments

Номер патента: WO2000048232A3. Автор: Prasad Sabbineni,Neeraj Khurana,Thomas Joseph Kujawa,Ching-Lang Chiang,Daniel T Hurley. Владелец: Hypervision Inc. Дата публикации: 2001-02-15.

A supervisory integrated circuit with data storage and retrieval of system parameters

Номер патента: WO1999041750A1. Автор: David Susak. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 1999-08-19.

Systems and methods for designing and making integrated circuits with consideration of wiring demand ratio

Номер патента: US8875081B2. Автор: Sheng-Hsiung Chen,Fong-Yuan Chang,Wai-Kei Mak,Ren-Song Tsay,Tung-Chieh Chen. Владелец: Synopsys Taiwan Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-28.

Intrusion detection for integrated circuits

Номер патента: US20190377868A1. Автор: Jan-Peter Schat,Michael Johannes Döscher. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2019-12-12.

Semiconductor integrated circuit and data output method

Номер патента: US20070140021A1. Автор: Kouji Tsunetou. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-06-21.

Integrated circuit comprising a test circuit, related method and computer-program product

Номер патента: US20240295604A1. Автор: Mario Barone,Gianluca TORTORA. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-09-05.

Peripheral access control for secondary communication channels in power management integrated circuits

Номер патента: EP4292006A1. Автор: Chris Rosolowski,Uma Mahesh Revuri,Aruna Kumar Tripathy. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-12-20.

Current generating circuit, semiconductor integrated circuit, electro-optical device, and electronic apparatus

Номер патента: EP1288905A3. Автор: Toshiyuki Kasai. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-07-07.

Circuit design implementations in secure partitions of an integrated circuit

Номер патента: US09946826B1. Автор: Herman Schmit,Ting Lu,Dana How,Sean Atsatt. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Integrated circuit with secure scan enable

Номер патента: US09927490B2. Автор: Wanggen Zhang,Pingli Hao. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Automated layout for integrated circuits with nonstandard cells

Номер патента: US09852253B2. Автор: Rajit Manohar,Robert KARMAZIN,Carlos Tadeo Ortega OTERO. Владелец: CORNELL UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-12-26.

Integrated circuits with built-in self test mechanism

Номер патента: US09728276B2. Автор: Chia-Wei Wang,Shi-Wei Chang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Systems and methods for automatic test pattern generation for integrated circuit technologies

Номер патента: US09726722B1. Автор: Yosef Solt. Владелец: Marvell Israel MISL Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Method for controlling an integrated circuit, integrated circuit and computer including an integrated circuit

Номер патента: US09703556B2. Автор: Bertrand Danet,Stéphane Laborie-Fulchic. Владелец: Continental Automotive France SAS. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor integrated circuit device with reduced power consumption

Номер патента: US09672912B2. Автор: Hideto Matsuoka,Masanobu Kishida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Impedance matching for an integrated circuit of a magnetic disk device

Номер патента: US09666226B1. Автор: Nobuyoshi Yamasaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Emulation of synchronous pipeline registers in integrated circuits with asynchronous interconnection resources

Номер патента: US09665670B1. Автор: Bruce B. Pedersen. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Integrated circuit with a patching function

Номер патента: US09600207B2. Автор: Nikolaos Moschopoulos,Dimitris Chanos,Ioannis Sifnaios,Konstantinos Ninos,Dimitrios Papadopoulos. Владелец: Dialog Semiconductor BV. Дата публикации: 2017-03-21.

Integrated circuit with power network aware metal fill

Номер патента: US09552453B1. Автор: Rishabh Agarwal,Sumit Kumar Jha. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-01-24.

Integrated circuit chip and a method for testing the same

Номер патента: US09506986B2. Автор: Christian Zoellin,Wilhelm Haller,Ulrich Krauch,Markus Kaltenbach,Nicolas Maeding. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Method for provisioning decoupling capacitance in an integrated circuit

Номер патента: US09465899B2. Автор: Savithri Sundareswaran,Benjamin S. Huang,Ravi K. Vaidyanathan. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-10-11.

Integrated circuit system having decoupled logical and physical interfaces

Номер патента: US09454484B2. Автор: Bartholomew Blaner,William J. Starke,Charles Marino,Michael S. Siegel,Jeff A. Stuecheli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Method and device for reducing display brightness

Номер патента: RU2657171C2. Автор: Аньюй ЛЮ,Гошен ЛИ,Юань ЧЗАН. Владелец: Сяоми Инк.. Дата публикации: 2018-06-08.

Integrated circuit and method for reducing violations of a timing constraint

Номер патента: WO2011064620A1. Автор: Roman Mostinski,Lavi Koch,Leonid Smolyansky. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2011-06-03.

Integrated circuit and method for reducing violations of a timing constraint

Номер патента: EP2504768A1. Автор: Roman Mostinski,Lavi Koch,Leonid Smolyansky. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2012-10-03.

System and method for reducing temperature variation during burn in

Номер патента: WO2005085884A2. Автор: David H. Hoffman,John Laurence Niven,Eric Chien-Li Sheng. Владелец: TRANSMETA CORPORATION. Дата публикации: 2005-09-15.

Method for reducing switching activity during a scan operation with limited impact on the test coverage of an integrated circuit

Номер патента: US20030182604A1. Автор: David Hathaway,Brion Keller. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-09-25.

Methodology for testing integrated circuits

Номер патента: WO2015069490A9. Автор: SRIKANTH Srinivasan,Sagar Bhogela,Daisy Cynthia. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-07-02.

Methodology for testing integrated circuits

Номер патента: EP3066485A1. Автор: SRIKANTH Srinivasan,Sagar Bhogela,Daisy Cynthia. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-09-14.

Adapting the usage configuration of integrated circuit input-output pads

Номер патента: WO2016113530A1. Автор: James Edward Myers,Parameshwarappa Anand Kumar SAVANTH. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2016-07-21.

Low power integrating circuit for use with a photodetector and optical sensor including such an integrating circuit

Номер патента: EP1476734A1. Автор: James Harold Lauffenburger,Kevin Scott Buescher. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2004-11-17.

Low power integrating circuit for use with a photodetector and optical sensor including such an integrating circuit

Номер патента: WO2003069287A1. Автор: James Harold Lauffenburger,Kevin Scott Buescher. Владелец: EM MICROELECTRONIC-MARIN SA. Дата публикации: 2003-08-21.

Malfunction prevention circuit for cog-form source driver integrated circuit and flat panel display controller employing the same

Номер патента: US20130300726A1. Автор: Yeong Joon Son,Myung Yu KIM. Владелец: Silicon Works Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-14.

Security system for at least an ic integrated circuit, securely integrated circuit card and method of secure wireless communication

Номер патента: EP2603881A1. Автор: Giovanni Girlando,Alberto Pagani. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2013-06-19.

Integrated circuits with machine learning extensions

Номер патента: US20210240440A1. Автор: Martin Langhammer,Dongdong Chen,Kevin Hurd. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-08-05.

Securing An Integrated Circuit

Номер патента: US20080043558A1. Автор: Robert Dixon,Phil Paone,Kirk Morrow. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-02-21.

Test mode control circuit for reconfiguring a device pin of an integrated circuit chip

Номер патента: WO2004030034A2. Автор: Colin Price,Colin S. Mcintosh. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 2004-04-08.

System and Method of Multi-Frequency Integrated Circuit Testing

Номер патента: US20080282123A1. Автор: Gerard M. Salem,Pedro Martin-de-Nicolas,Charles L. Meissner. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-11-13.

Systems and methods for implementing a machine perception and dense algorithm integrated circuit and enabling a flowing propagation of data within the integrated circuit

Номер патента: US20210224222A1. Автор: Veerbhan Kheterpal,Nigel Drego,Ananth Durbha,Aman Sikka,Mrinalini Ravichandran,Robert Daniel FIRU. Владелец: Quadric IO Inc. Дата публикации: 2021-07-22.

Systems and methods for implementing a machine perception and dense algorithm integrated circuit and enabling a flowing propagation of data within the integrated circuit

Номер патента: US20220358081A1. Автор: Veerbhan Kheterpal,Nigel Drego,Ananth Durbha,Aman Sikka,Mrinalini Ravichandran,Robert Daniel FIRU. Владелец: Quadric IO Inc. Дата публикации: 2022-11-10.

A method for controlling transaction exchanges between two integrated circuits

Номер патента: EP2729863A1. Автор: Abdelaziz Goulahsen,Bipin Balakrishnan. Владелец: ERICSSON MODEMS SA. Дата публикации: 2014-05-14.

Integrated circuit with reduced signaling interface

Номер патента: US11768238B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Partial good integrated circuit and method of testing same

Номер патента: US20080010571A1. Автор: Michael Ouellette,Pamela Gillis,Benjamin LYNCH,Carl Barnhart,Leonard Farnsworth,Michael Felske,Thomas St. Pierre,Tad Wilder. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-01-10.

Test logic method for an integrated circuit device

Номер патента: EP4256356A1. Автор: Ovidiu SIMA. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2023-10-11.

Mixed mode integrated circuit, method of providing a controllable test clock signal to a sub-circuitry of the mixed-mode integrated circuit and method of detecting current paths causing violations of electromagnetic compatibility standards in the mixed mode integrated circuit

Номер патента: US20160061891A1. Автор: Patrice Besse,Pascal Kamel Abouda,Celine Hounaïda Abouda. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-03-03.

Integrated circuit testing device with improved reliability

Номер патента: EP1370883A1. Автор: Stephane Briere. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-12-17.

Integrated circuits with machine learning extensions

Номер патента: US12056461B2. Автор: Martin Langhammer,Dongdong Chen. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

System and method for executing functional scanning in an integrated circuit environment

Номер патента: US20120053924A1. Автор: Zhiyuan WANG,Xinli Gu,Hongxia Fang,Zhanglei Wang. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2012-03-01.

Semiconductor integrated circuit having compression circuitry for compressing test data, and the test system and method for utilizing the semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030110428A1. Автор: Kim Pierce,Roland Ochoa,Gregory Cowan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-12.

Integrated circuit

Номер патента: US20050218960A1. Автор: Ralf Schneider,Joerg Vollrath,Marcin Gnat,Aurel Campenhausen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-10-06.

Method for analyzing voltage drop in power distribution across an integrated circuit

Номер патента: WO2007054925A2. Автор: Mark Turner,Brent Buchanan. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2007-05-18.

Housing with integrated sensing technology for reducing human factor error during pre-surgical skin antisepsis

Номер патента: EP3758786A1. Автор: Michael YARGER,Robert RADFORD. Владелец: CareFusion 2200 Inc. Дата публикации: 2021-01-06.

Failure position system and method for integrated circuit based on continuous laser source

Номер патента: IE20220219A1. Автор: Han Yang,QIAN CHEN,XIANG Zhu,Rui Chen,Jianwei Han,Ya'nan Liang,Yingqi Ma,Shipeng Shangguan. Владелец: Nat Science Center The Chinese Academy Of Sciences. Дата публикации: 2023-11-08.

Low Cost Testing and Sorting of Integrated Circuits

Номер патента: US20120026817A1. Автор: Roger G. Stewart. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-02-02.

Apparatus, method and computer program product for fast simulation of manufacturing effects during integrated circuit design

Номер патента: SG160271A1. Автор: Laertis Economikos,Ruchir Puri,Hua Xiang,Stephen Edward Greco,Mohammed Fazil Fayaz,Neil Patricia A O. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2010-04-29.

Testing circuit for semiconductor integrated circuit and testing method using the same

Номер патента: US10083759B2. Автор: Hiroyuki Nakamura. Владелец: MegaChips Corp. Дата публикации: 2018-09-25.

Chip design method for designing integrated circuit chips with embedded memories

Номер патента: US20030221177A1. Автор: David Morgan,Viswanathan Lakshmanan,Michael Josephides,Tom O'Brien. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2003-11-27.

System and method for marketing integrated circuits

Номер патента: US20060010088A1. Автор: Pieter Vorenkamp,Neil Kim. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2006-01-12.

Externally induced voltage alterations for integrated circuit analysis

Номер патента: US20020163352A1. Автор: Robert Falk. Владелец: Optometrix Inc. Дата публикации: 2002-11-07.

Failure position system and method for integrated circuit based on continuous laser source

Номер патента: IE87492B1. Автор: Han Yang,QIAN CHEN,XIANG Zhu,Rui Chen,Jianwei Han,Ya'nan Liang,Yingqi Ma,Shipeng Shangguan. Владелец: Nat Science Center The Chinese Academy Of Sciences. Дата публикации: 2024-03-27.

Enhanced control in scan tests of integrated circuits with partitioned scan chains

Номер патента: WO2011050292A2. Автор: Srivaths Ravi,Rubin A. Parekhji,Alan D. Hales,Srujan K. Nakidi,Rajesh K. Tiwari. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2011-04-28.

Display driver integrated circuit architecture with shared reference voltages

Номер патента: US09952264B2. Автор: Hopil Bae,Kingsuk Brahma,David A. STRONKS,Wei H. Yao. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Integrated circuits with improved memory controllers

Номер патента: US09805775B1. Автор: Yu Ying Ong,Weizhong Xu. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Thermal management of an integrated circuit

Номер патента: US09665141B2. Автор: Gaurav Kapoor,Kit-Man Wan,Keith Cox. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Method for the characterization and monitoring of integrated circuits

Номер патента: US09568540B2. Автор: Peilin Song,Franco Stellari,Raphael P. Robertazzi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Integrated circuit device packages including optical elements

Номер патента: US09541716B2. Автор: Seung-hyuk Chang,Ho-Chul Ji. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-10.

Method for optical coupling between a photonic integrated circuit and an external optical element

Номер патента: US09529154B2. Автор: Gunther Roelkens,Dries Van Thourhout,Geert Van Steenberge. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-12-27.

Method for testing integrated circuit and integrated circuit configured to facilitate performing such a method

Номер патента: US09494646B2. Автор: Divya Pratap,Sung Jin Jo. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-11-15.

Mixed mode integrated circuit, method of providing a controllable test clock signal to a sub-circuitry of the mixed-mode integrated circuit and method of detecting current paths causing violations of electromagnetic compatibility standards in the mixed mode integrated circuit

Номер патента: US09459317B2. Автор: Patrice Besse,Pascal Kamel Abouda,Celine Hounaïda Abouda. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-10-04.

Device for testing an integrated circuit and method for implementing same

Номер патента: US20120001088A1. Автор: Florent Miller,Cecile Weulersse,Thierry Carriere,Patrick Heins,Antonin Bougerol,Samuel Hazo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of performing an operation on an integrated circuit

Номер патента: US5977784A. Автор: Deepak K. Pai. Владелец: General Dynamics Information Systems Inc. Дата публикации: 1999-11-02.

Integrated circuits, systems, and methods for reducing leakage currents in a retention mode

Номер патента: US20120147688A1. Автор: Yen-Huei Chen,Cheng Hung Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-06-14.

Integrated circuits, systems, and methods for reducing leakage currents in a retention mode

Номер патента: US20100238753A1. Автор: Yen-Huei Chen,Cheng Hung Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2010-09-23.

Integrated circuit generator using a provider

Номер патента: US20240211665A1. Автор: Henry Cook,Megan Wachs,Jack Koenig. Владелец: SiFive Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Time-driven placement and/or cloning of components for an integrated circuit

Номер патента: US20190347380A1. Автор: Gi-Joon Nam,Lakshmi N. Reddy,Woohyun Chung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-11-14.

Time-driven placement and/or cloning of components for an integrated circuit

Номер патента: US20190065657A1. Автор: Gi-Joon Nam,Lakshmi N. Reddy,Woohyun Chung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-02-28.

Time-driven placement and/or cloning of components for an integrated circuit

Номер патента: US20210117608A1. Автор: Gi-Joon Nam,Lakshmi N. Reddy,Woohyun Chung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Time-driven placement and/or cloning of components for an integrated circuit

Номер патента: US10534891B2. Автор: Gi-Joon Nam,Lakshmi N. Reddy,Woohyun Chung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-14.

Time-driven placement and/or cloning of components for an integrated circuit

Номер патента: US10977419B2. Автор: Gi-Joon Nam,Lakshmi N. Reddy,Woohyun Chung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-13.

Tester for integrated circuits on a silicon wafer and integrated circuit

Номер патента: US20160259002A1. Автор: Alexandre Croguennec,Cyrille LAMBERT,Sébastien Bayon. Владелец: Starchip SAS. Дата публикации: 2016-09-08.

Formal verification of integrated circuit hardware designs to implement integer division

Номер патента: US20180203953A1. Автор: Sam Elliott,Emiliano Morini. Владелец: Imagination Technologies Ltd. Дата публикации: 2018-07-19.

Formal verification of integrated circuit hardware designs to implement integer division

Номер патента: US20200074018A1. Автор: Sam Elliott,Emiliano Morini. Владелец: Imagination Technologies Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Formal verification of integrated circuit hardware designs to implement integer division

Номер патента: US10503852B2. Автор: Sam Elliott,Emiliano Morini. Владелец: Imagination Technologies Ltd. Дата публикации: 2019-12-10.

Method for estimating substrate noise in mixed signal integrated circuits

Номер патента: US20040187085A1. Автор: Bipasha Ghosh,Stephen Kiel,Snehamay Sinha,Raghu Srinivasa. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2004-09-23.

Integrated circuit for switching loads, circuit arrangement comprising an integrated circuit and a connected load, and method for operating such a circuit arrangement

Номер патента: US20140320160A1. Автор: Harald Schmauss,Johann Falter,Gunther Wolfarth,Marco Well,Franz Laberer,Sergiu Muresan,Cristian Theil. Владелец: Continental Automotive GmbH. Дата публикации: 2014-10-30.

Reconfiguration of hardware components of an integrated circuit

Номер патента: US20220138391A1. Автор: Austin Walters,Anh Truong,Vincent Pham,Jeremy Goodsitt,Fardin Abdi Taghi Abad. Владелец: Capital One Services LLC. Дата публикации: 2022-05-05.

Check tool and check method for design rule check rule deck of integrated circuit layout

Номер патента: US20210383053A1. Автор: Li Bai,Kang Zhao,Chuanjiang Chen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Recommending changes in the design of an integrated circuit using a rules-based analysis of failures

Номер патента: WO2024078160A1. Автор: Charles Gates,Kerim Kalafala,Steven Joseph Kurtz,Chaitra M. Bhat,Morgan D. Davis,SheshaShayee K. Raghunathan,Debra Dean,Chris Cavitt,Richard William Taggart. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-04-18.

Method for adjusting signal of display panel, time controller integrated circuit, display panel, and storage medium

Номер патента: US20240233663A9. Автор: Yu Quan,Liu He,Jun Wang,Qing Li,Kun Yang,Yanting Huang,Jiantao Liu,Liugang Zhou,Changcheng Liu,Bingbing Yan,Jianwei Sun,Yunyun LIANG,Yunlu CHEN,Zhengru PAN. Владелец: Hefei BOE Display Lighting Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for adjusting signal of display panel, time controller integrated circuit, display panel, and storage medium

Номер патента: US20240135892A1. Автор: Yu Quan,Liu He,Jun Wang,Qing Li,Kun Yang,Yanting Huang,Jiantao Liu,Liugang Zhou,Changcheng Liu,Bingbing Yan,Jianwei Sun,Yunyun LIANG,Yunlu CHEN,Zhengru PAN. Владелец: Hefei BOE Display Lighting Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Test logic method for an integrated circuit device

Номер патента: US20230384363A1. Автор: Ovidiu SIMA. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2023-11-30.

Logic built in self test circuitry for use in an integrated circuit with scan chains

Номер патента: US20170192054A1. Автор: Cedric Lichtenau,Mary P. Kusko,Raghu G. Gopalakrishnasetty,Satya R.S. Bhamidipati. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-06.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020176292A1. Автор: Kozaburo Kurita,Shuichi Miyaoka,Masatoshi Hasegawa,Hiroshi Akasaki,Yuji Yokoyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-11-28.

Apparatus and circuit having reduced leakage current and method therefor

Номер патента: WO2002084468A2. Автор: Eric Hoffman,Lawrence Clark,Neil Deutscher. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2002-10-24.

Integrated circuit with programmable circuitry and an embedded processor system

Номер патента: EP2681670A1. Автор: Sandeep Dutta,Ting Lu,Hy V. Nguyen,Patrick J. Crotty,Bradley L. Taylor,William E. ALLAIRE,Hassan K. Bazargan,Shashank BHONGE. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2014-01-08.

Two-stage signaling for voltage driver coordination in integrated circuit memory devices

Номер патента: US20210118492A1. Автор: Mingdong Cui,Nathan Joseph Sirocka. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-22.

A method and a system for powering an integrated circuit, and an integrated circuit especially designed to be used therein

Номер патента: EP1678594A1. Автор: Emmanuel Société Civile SPID ALIE. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-07-12.

Semiconductor integrated circuit with functional test mode to random access memory unit

Номер патента: US5267206A. Автор: Kunihiro Koyabu. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1993-11-30.

Relative floorplanning for improved integrated circuit design

Номер патента: WO2007134318A3. Автор: Henrik Esbensen,Roger Carpenter,Eijk Cornelis Van. Владелец: Eijk Cornelis Van. Дата публикации: 2008-07-17.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20010046156A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Masayuki Miyazaki,Goichi Ono. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2001-11-29.

Reconfiguration of hardware components of an integrated circuit

Номер патента: US20210248295A1. Автор: Austin Walters,Anh Truong,Vincent Pham,Jeremy Goodsitt,Fardin Abdi Taghi Abad. Владелец: Capital One Services LLC. Дата публикации: 2021-08-12.

Reconfiguration of hardware components of an integrated circuit

Номер патента: US11657200B2. Автор: Austin Walters,Anh Truong,Vincent Pham,Jeremy Goodsitt,Fardin Abdi Taghi Abad. Владелец: Capital One Services LLC. Дата публикации: 2023-05-23.

Method and program for generating layout data of a semiconductor integrated circuit and method for manufacturing a semiconductor integrated circuit with optical proximity correction

Номер патента: US20060184908A1. Автор: Fumihiro Minami,Toshiya Kotani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-17.

Integrated circuit with iddq test facilities and ic iddq test method

Номер патента: WO2008044183A3. Автор: Villagra Luis Elvira,Vazquez Josep Rius,Rinze I M Meijer. Владелец: Rinze I M Meijer. Дата публикации: 2008-06-05.

Method and system for providing interactive testing of integrated circuits

Номер патента: US20050204237A1. Автор: Peilin Song,Franco Motika,Todd Burdine. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-09-15.

System and method for communicating with an integrated circuit

Номер патента: EP1089187A3. Автор: Stephen James Wright,David Alan Edwards,Bernard Ramanadin. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2004-09-29.

System and method for communicating with an integrated circuit

Номер патента: EP1089178A3. Автор: Stephen James Wright,David Alan Edwards,Bernard Ramanadin. Владелец: SGS Thomson Microelectronics Inc. Дата публикации: 2003-07-16.

Photonic integrated circuit distance measuring interferometer

Номер патента: US12050341B2. Автор: Joseph Marron,Richard Lee Kendrick. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2024-07-30.

Power supply semiconductor integrated circuit including a short-circuit-fault detection circuit that detects a short circuit of the voltage-output terminal

Номер патента: US11768510B2. Автор: Kohei Sakurai,Shinichiro Maki. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Initializing and testing integrated circuits with selectable scan chains with exclusive-or outputs

Номер патента: US20170199241A1. Автор: Jun Sawada,Dharmendra S. Modha,John V. Arthur,Paul A. Merolla,Rodrigo Alvarez-Icaza Rivera,Andrew S. Cassidy,Bryan L. Jackson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-13.

Integrated circuit and layout method for the same using blank area of macrocell

Номер патента: US6691292B2. Автор: Koujiro Hatanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-02-10.

System and method for evaluating the electromagnetic compatibility of integrated circuits in an in-situ environment

Номер патента: US8803543B2. Автор: Jeffrey C. Hailey,Todd W. Steigerwald. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2014-08-12.

Tap interface select circuit with AUX1/02-TMS and TMS/RCK-RCK leads

Номер патента: US8375264B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-02-12.

Systems and methods for virtually partitioning a machine perception and dense algorithm integrated circuit

Номер патента: US20210216696A1. Автор: Veerbhan Kheterpal,Nigel Drego,Aman Sikka,Mrinalini Ravichandran,Robert Daniel FIRU. Владелец: Quadric IO Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

Systems and methods for virtually partitioning a machine perception and dense algorithm integrated circuit

Номер патента: US20200264892A1. Автор: Veerbhan Kheterpal,Nigel Drego,Aman Sikka,Mrinalini Ravichandran,Robert Daniel FIRU. Владелец: Quadric IO Inc. Дата публикации: 2020-08-20.

Swept frequency photonic integrated circuit for absolute metrology

Номер патента: WO2022035850A1. Автор: Joseph Marron,Richard Lee Kendrick. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2022-02-17.

Socket for testing of an integrated circuit

Номер патента: EP4407323A1. Автор: Gianluigi Frigerio,Alessandro Copeta. Владелец: Officina Meccanica Di Precisione G3. Дата публикации: 2024-07-31.

Photonic integrated circuit, light detection and ranging system and method for operating the same

Номер патента: WO2021133445A1. Автор: Amnon Yariv,George Rakuljic,Naresh Satyan,Israel Petronius,Yaakov VILENCHIK,Daniel Grodensky,Ron Friedman. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2021-07-01.

Semiconductor integrated circuit, design method of the semiconductor integrated circuit, design support system of the semiconductor integrated circuit, and non-transitory computer readable medium

Номер патента: US20220246228A1. Автор: Takashi Yamagiwa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

TAP domain selection circuit with selected TDI/TDO or TDO lead

Номер патента: US7793182B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-09-07.

TAP interface select circuit with TMS/RCK or RCK lead

Номер патента: US8145962B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2012-03-27.

Methods and systems for performing timing sign-off of an integrated circuit design

Номер патента: US20120089383A1. Автор: Rajkumar Agrawal. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-04-12.

Method of testing multiple modules on an integrated circuit

Номер патента: US20030221150A1. Автор: Prashant Balakrishnan. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-11-27.

Method, computer system and computer-readable storage medium for creating a layout of an integrated circuit

Номер патента: US20150213185A1. Автор: Rainer Mann,Ulrich Hensel. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-07-30.

System, method and associated computer readable medium for designing integrated circuit with pre-layout rc information

Номер патента: US20210303765A1. Автор: Chin-Sheng Chen,Wei-Yi Hu,Ching-Yu CHAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Method of leakage optimization in integrated circuit design

Номер патента: US7448009B2. Автор: Shrikrishna Pundoor. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-11-04.

Management method for information of universal integrated circuit card and device thereof

Номер патента: EP2538374A4. Автор: Heyong WANG. Владелец: Huawei Device Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-16.

Relative floorplanning for improved integrated circuit design

Номер патента: WO2007134318A2. Автор: Henrik Esbensen,Roger Carpenter,Cornelis Van Eijk. Владелец: Magma Design Automation, Inc.. Дата публикации: 2007-11-22.

Photonic integrated circuit distance measuring interferometer

Номер патента: US20240272353A1. Автор: Joseph Marron,Richard Lee Kendrick. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2024-08-15.

Design system of integrated circuit and its design method and program

Номер патента: US20030061585A1. Автор: Sho Matsumoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-03-27.

Apparatuses, test cards and methods for testing photonic integrated circuits, and photonic integrated circuits

Номер патента: WO2023156271A1. Автор: Stefan Richter,Tobias Härter,Heiner Zwickel. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2023-08-24.

System and Method for Evaluating the Electromagnetic Compatibility of Integrated Circuits in an In-Situ Environment

Номер патента: US20120068730A1. Автор: Jeffrey C. Hailey,Todd W. Steigerwald. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2012-03-22.

Parasitic extraction in an integrated circuit with multi-patterning requirements

Номер патента: US20140123086A1. Автор: David J. Hathaway,Natesan Venkateswaran,Eric A. Foreman,Peter A. Habitz,Chandramouli Visweswariah,Vladimir Zolotov,Jeffrey G. Hemmett,John P. Dubuque,Nathan Buck,Brian DREIBELBIS. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-05-01.

Method and apparatus for defining signal timing for an integrated circuit device

Номер патента: US20020157072A1. Автор: Satyanarayana Nishtala,Jayarama Shenoy,Tai-Yu Chou,Michael Freda. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2002-10-24.

System for testing integrated circuits

Номер патента: US20050283331A1. Автор: Yih-Min Lin. Владелец: PROGenic Tech Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-22.

Method and Apparatus for Reducing Charge Trapping in High-K Dielectric Material

Номер патента: US20100054022A1. Автор: Michael Beck,Roland Thewes,Martin Kerber,Peter Lahnor. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2010-03-04.

Method and apparatus for increasing security in a system using an integrated circuit

Номер патента: US20100244888A1. Автор: Asaf ASHKENAZI,Thomas E. Tkacik. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-09-30.

Method for producing layout of semiconductor integrated circuit with radio frequency devices

Номер патента: US20110061031A1. Автор: Tsun-Lai Hsu,Jun-Hong Ou,Jui-Fang Chen,Ji-Wei Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2011-03-10.

Method and apparatus for reducing color conflicts during trim generation for phase shifters

Номер патента: US20020164533A1. Автор: Shao-Po Wu,Seonghun Cho. Владелец: Numerical Technologies Inc. Дата публикации: 2002-11-07.

FET with FUSI Gate and Reduced Source/Drain Contact Resistance

Номер патента: US20120299102A1. Автор: Ning Tak H.,Lavoie Christian,Solomon Paul,Ouyang Qiqing,Zhen Zhang. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-11-29.

MOS transistor having reduced source/drain extension sheet resistance

Номер патента: TWI223897B. Автор: Chin-Cheng Chien,Yu-Kun Chen,Neng-Hui Yang,Hsiang-Ying Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2004-11-11.

Mos transistor having reduced source/drain extension sheet resistance

Номер патента: TW200507266A. Автор: Chin-Cheng Chien,Yu-Kun Chen,Neng-Hui Yang,Hsiang-Ying Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2005-02-16.

Systems and Methods for Minimizing Static Leakage of an Integrated Circuit

Номер патента: US20120001684A1. Автор: Caplan Randy J.,Schwake Steven J.. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2012-01-05.

OPERATION METHODS FOR MEMORY CELL AND ARRAY FOR REDUCING PUNCH THROUGH LEAKAGE

Номер патента: US20120002484A1. Автор: Tsai Wen-Jer,HUANG JYUN-SIANG,OU TIEN-FAN,CHONG LIT-HO. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

GATE ELECTRODE AND GATE CONTACT PLUG LAYOUTS FOR INTEGRATED CIRCUIT FIELD EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: US20120001271A1. Автор: YAMADA Satoru,Chae Kyo-Suk,CHOI Young-Jin,Kim Wook-Je,HAN Sang-Yeon. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

FREQUENCY SPECIFIC CLOSED LOOP FEEDBACK CONTROL OF INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20120001651A1. Автор: Burr James B.,Koniaris Kleanthes G.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Power control of an integrated circuit memory

Номер патента: US20120002499A1. Автор: Chong Yew Keong,Kinkade Martin Jay,Yeung Gus. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD AND SYSTEM FOR ALIGNMENT OF INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20120001340A1. Автор: . Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR REDUCING NOISE IN AN IMAGE

Номер патента: US20120002896A1. Автор: Kim Yeong-Taeg,Lertrattanapanich Surapong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH WELL CONTROLLED SURFACE PROXIMITY AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001238A1. Автор: Ouyang Hui,Fan Wei-Han,Tsai Ming-Huan,Cheng Chun-Fai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Subscriber Line Interface Circuit with DC-DC Converter Current Protection

Номер патента: US20120002800A1. Автор: Lofthouse Sean A.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120003806A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

FILTERING CIRCUIT WITH COUPLED BAW RESONATORS AND HAVING IMPEDANCE MATCHING ADAPTATION

Номер патента: US20120004016A1. Автор: . Владелец: STMicroelectronics S.A.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD AND APPARATUS FOR REDUCING POWER CONSUMPTION USED IN COMMUNICATION SYSTEM HAVING TIME SLOTS

Номер патента: US20120002561A1. Автор: Su Wei-Kun,Huang Po-Chun,Chen Yuan. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for producing multilevel thin-film integrated circuits

Номер патента: RU2264676C1. Автор: А.А. Штурмин,В.Г. Трудников,М.Б. Караулов,А.Б. Челноков. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Нижегородский Научно-Исследовательский Институт Радиотехники". Дата публикации: 2005-11-20.

Integrated circuit housing

Номер патента: RU2457575C2. Автор: Алексей Викторович Горьков,Вячеслав Сергеевич Серегин,Лариса Владимировна Пилавова,Вячеслав Леонидович Троицкий. Владелец: ЗАО "Научно-производственное объединение "НИИТАЛ". Дата публикации: 2012-07-27.

Bipolar transistor of integrated circuit

Номер патента: RU2108640C1. Автор: А.Н. Сауров. Владелец: Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского института электронной техники. Дата публикации: 1998-04-10.

Method for manufacturing thin-film structure of microwave hybrid integrated circuit

Номер патента: RU2293400C1. Автор: Татьяна Николаевна Курбанова,Вера Сергеевна Гвоздаева,Анатолий Юрьевич Павлов,Тать на Николаевна Курбанова (RU),Вера Сергеевна Гвоздаева (RU),Анатолий Юрьевич Павлов (RU). Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Нижегородский Научно-Исследовательский Институт Радиотехники". Дата публикации: 2007-02-10.

Method for determining potentially unstable digital integral circuits

Номер патента: RU2257591C1. Автор: М.И. Горлов,И.А. Шишкин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Воронежский научно-исследовательский институт связи". Дата публикации: 2005-07-27.

Method of monitoring integrated circuits by moisture content in under-casing volume

Номер патента: RU2330301C1. Автор: Митрофан Иванович Горлов,Наталь Александровна Шишкина,Наталья Александровна Шишкина,нов Антон Викторович Емель,Антон Викторович Емельянов,Владимир Иванович Плебанович. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2008-07-27.

METHOD AND APPARATUS FOR REDUCING THE MEMORY REQUIREMENT FOR DETERMINING DISPARITY VALUES FOR AT LEAST TWO STEREOSCOPICALLY RECORDED IMAGES

Номер патента: US20120002866A1. Автор: Hirschmueller Heiko,Boerner Anko,Buder Maximilian,Ernst Ines,Wohlfeil Juergen. Владелец: DEUTSCHES ZENTRUM FUER LUFT- UND RAUMFAHRT E.V.. Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED CIRCUIT WAFER DICING METHOD

Номер патента: US20120003817A1. Автор: Lin Ching-San,Wu Kun-Tai,Wang Chih-Chao. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120001696A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Packaging Electronic Devices and Integrated Circuits

Номер патента: US20120003791A1. Автор: . Владелец: WAFER-LEVEL PACKAGING PORTFOLIO LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

Magnetosensitive integrated circuit

Номер патента: RU2465629C1. Автор: Алексей Владимирович Леонов,Виктор Наумович Мордкович,Михаил Львович Бараночников,Михаил Петрович Карпушин,Дмитрий Михайлович Пажин. Владелец: Михаил Петрович Карпушин. Дата публикации: 2012-10-27.

Device for protecting contacts of integration circuits with metal-dielectric-semiconductor structure from electrostatic discharges

Номер патента: RU2308146C2. Автор: Наталья Михайловна Горшкова,Наталь Михайловна Горшкова,Ярослав Сергеевич Губин,Артур Гини тович Сибагатуллин,Артур Гиниятович Сибагатуллин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Юник Ай Сиз". Дата публикации: 2007-10-10.

REPRODUCER, INTEGRATED CIRCUIT, REPRODUCTION METHOD, APPLICATION PROGRAM, RECORDING MEDIUM, RECORDER, AND RECORDING METHOD

Номер патента: US20120002949A1. Автор: Sasaki Taiji,Matsuura Yasuyuki,Kiyosawa Yuta,Matsumoto Tomohiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for selecting integration circuits of increased reliability

Номер патента: RU2269790C1. Автор: Митрофан Иванович Горлов,нов Антон Викторович Емель,Антон Викторович Емельянов,Николай Николаевич Козьяков,Евгений Николаевич Горлов,ков Николай Николаевич Козь. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2006-02-10.

Device to remove heat from crystal of semiconductor integrated circuit

Номер патента: RU2440641C1. Автор: Дмитрий Павлович Шматов,Игорь Геннадьевич Дроздов,Валерий Александрович Небольсин,Андрей Юрьевич Савинков,Дмитрий Альбертович Коновалов,Николай Николаевич Кожухов,Сергей Викторович Дахин. Владелец: Закрытое акционерное общество "Кодофон". Дата публикации: 2012-01-20.

Method of selecting highly reliable integrated circuits

Номер патента: RU2365930C1. Автор: Митрофан Иванович Горлов,Екатерина Александровна Золотарева,Николай Николаевич Козьяков. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2009-08-27.

Casing of integral circuit

Номер патента: RU2329568C1. Автор: Алексей Викторович Горьков,Вячеслав Сергеевич Серегин,Лариса Владимировна Пилавова,В чеслав Сергеевич Серегин,Анатолий Иванович Василевич,Павел Павлович Куцько. Владелец: Закрытое акционерное общество "Научно-производственное объединение "НИИТАЛ" (ЗАО "НПО "НИИТАЛ"). Дата публикации: 2008-07-20.

Method for nondestructive check for moisture content in under- package space of integrated circuits

Номер патента: RU2263369C2. Автор: А.В. Андреев,М.И. Горлов,Л.П. Ануфриев,Н.А. Золотарева. Владелец: Воронежский государственный технический университет. Дата публикации: 2005-10-27.

Large-scale integrated circuit (version)

Номер патента: RU2006991C1. Автор: Константин Иванович Баринов,Анатолий Демьянович Масляный,Владимир Евгеньевич Власов,Юрий Иванович Горбунов,Татьяна Сергеевна Володина. Владелец: Татьяна Сергеевна Володина. Дата публикации: 1994-01-30.

Hybrid integrated circuit of shf range

Номер патента: RU2450388C1. Автор: Виктор Анатольевич Иовдальский,Александр Генрихович Далингер,Сергей Владимирович Шацкий. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП "НПП "Исток"). Дата публикации: 2012-05-10.

Method for comparative evaluation of reliability of integrated circuit lots

Номер патента: RU2467339C2. Автор: Дмитрий Юрьевич Смирнов,Митрофан Иванович Горлов,Роман Михайлович Тихонов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2012-11-20.

3d integrated circuit package and method of fabrication thereof

Номер патента: SG172704A1. Автор: Subhash Gupta,Sangki Hong. Владелец: Tezzaron Semiconductor S Pte Ltd. Дата публикации: 2011-07-28.

Electrical pin used in integrated circuit test sockets

Номер патента: CA134434S. Автор: . Владелец: Johnstech International Corp. Дата публикации: 2011-03-01.

Method of integrated circuit division upon reliability criterion

Номер патента: RU2324194C1. Автор: Дмитрий Юрьевич Смирнов,Митрофан Иванович Горлов,Дмитрий Леонидович Ануфриев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2008-05-10.

Integrated circuit

Номер патента: RU2065653C1. Автор: Б.А. Гарбуз,В.Л. Опалев,С.А. Коновалов. Владелец: Акционерное общество "Кремний". Дата публикации: 1996-08-20.

Method for wiring integrated circuit with multiple-component photodetector

Номер патента: RU2121731C1. Автор: В.Ю. Иванов,В.И. Стафеев. Владелец: Государственный научный центр Российской Федерации Государственное предприятие Научно-производственное объединение "Орион". Дата публикации: 1998-11-10.

Method for connecting chips of digital silicon semiconductor devices and integrated circuits to package to form silicon-gold eutectic

Номер патента: RU2298252C2. Автор: Борис Анатольевич Спиридонов,Виктор Васильевич Зенин,гузов Александр Владимирович Р,Александр Владимирович Рягузов,Ольга Владимировна Хишко,Таиси Ивановна Шарапова,Таисия Ивановна Шарапова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2007-04-27.

Microwave hybrid integrated circuit

Номер патента: RU2290719C2. Автор: Виктор Анатольевич Иовдальский,Виктор Григорьевич Моргунов,Александр Андреевич Лисицин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток"). Дата публикации: 2006-12-27.

Method for manufacturing microwave integrated circuit

Номер патента: RU2557317C1. Автор: Константин Владимирович Дудинов,Михаил Петрович Духновский,Александр Михайлович Темнов,Александр Юрьевич Городецкий. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И.Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина"). Дата публикации: 2015-07-20.

Integrated circuit case

Номер патента: RU2331138C1. Автор: Алексей Викторович Горьков,Вячеслав Сергеевич Серегин,Лариса Владимировна Пилавова,В чеслав Сергеевич Серегин,Анатолий Иванович Василевич,Павел Павлович Куцько,Вячеслав Леонидович Троицкий,В чеслав Леонидович Троицкий. Владелец: Закрытое акционерное общество "Научно-производственное объединение "НИИТАЛ" (ЗАО "НПО "НИИТАЛ"). Дата публикации: 2008-08-10.

Method to make hybrid integral circuit of shf band

Номер патента: RU2536771C1. Автор: Юрий Николаевич Калашников,Виктор Анатольевич Иовдальский,Константин Владимирович Дудинов,Татьяна Сергеевна Кудрова. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП "НПП "Исток". Дата публикации: 2014-12-27.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.