Integrated circuit and semiconductor module.

Integrated circuit and semiconductor module

Номер патента: US20230266784A1
Опубликовано: 24-08-2023
Автор(ы): Masashi AKAHANE
Принадлежит: Fuji Electric Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor integrated circuit device and inspection method for semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US11808807B2. Автор: Kazunori Nemoto,Akira Kotabe,Akeo Satoh. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Semiconductor integrated circuit device, current control device using semiconductor integrated circuit device, and automatic transmission control device using current control device

Номер патента: US20200381454A1. Автор: Yoichiro Kobayashi,Shinichirou WADA,Masato Kita. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2020-12-03.

Semiconductor integrated circuit device, current control device using semiconductor integrated circuit device, and automatic transmission control device using current control device

Номер патента: US11043508B2. Автор: Yoichiro Kobayashi,Shinichirou WADA,Masato Kita. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2021-06-22.

Semiconductor integrated circuit and electronic instrument

Номер патента: EP3836200A1. Автор: Takashi Hasegawa,Maki Shioda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-06-16.

Semiconductor integrated circuit and electronic apparatus

Номер патента: US20210265269A1. Автор: Takashi Hasegawa,Maki Shioda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-08-26.

Semiconductor Integrated Circuit and Semiconductor Device

Номер патента: US20240162894A1. Автор: Osamu Nishikido. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Dynamic operating surface for integrated circuits

Номер патента: US09563220B1. Автор: Preminder Singh. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor integrated circuit, standard cell, standard cell library, semiconductor integrated circuit designing method, and semiconductor integrated circuit designing equipment

Номер патента: CN1893074A. Автор: 当房哲朗,冈本奈奈,矢野纯一. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-10.

Semiconductor integrated circuit, standard cell, standard cell library, semiconductor integrated circuit designing method, and semiconductor integrated circuit designing equipment

Номер патента: US7685551B2. Автор: Junichi Yano,Tetsurou Toubou,Nana Okamoto. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-03-23.

Integrated circuit manufacturing method and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20120110535A1. Автор: Tokuzo Kiyohara,Masayoshi Tojima,Daisuke Iwahashi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-05-03.

System and method for transferring thermal energy from integrated circuits

Номер патента: US11744039B2. Автор: Adrian Albert Van Wijk,Nikolas Lyman Henderson Radosevic. Владелец: JDi Design Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

System and method for transferring thermal energy from integrated circuits

Номер патента: EP4208892A1. Автор: Adrian Van Wijk. Владелец: JDi Design Inc. Дата публикации: 2023-07-12.

System and method for transferring thermal energy from integrated circuits

Номер патента: ZA202301991B. Автор: Nikolas Radosevic (Deceased),Wijk Adrian Van. Владелец: JDi Design Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

Integrated Circuits, Methods for Manufacturing Integrated Circuits, Integrated Memory Arrays

Номер патента: US20080225587A1. Автор: Josef Willer,Nicolas Nagel. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-09-18.

Integrated circuit and method for manufacturing an integrated circuit on a semiconductor chip

Номер патента: US20060105535A1. Автор: Christoph Bromberger. Владелец: Atmel Germany GmbH. Дата публикации: 2006-05-18.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit apparatus

Номер патента: US20120049292A1. Автор: Yuuichi Ueda. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-01.

Integrated circuits including FINFET devices with lower contact resistance and reduced parasitic capacitance and methods for fabricating the same

Номер патента: US09425319B2. Автор: Xiuyu Cai,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Integrated circuits and methods for power delivery

Номер патента: US20240363537A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Ming Chian TSAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Cells including at least one fin field effect transistor and semiconductor integrated circuits including the same

Номер патента: US09576978B2. Автор: Sang-hoon BAEK,Sang-Kyu Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Integrated circuit and standard cell thereof

Номер патента: WO2020094220A1. Автор: Stephane Badel. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-05-14.

Prevention of alteration of data stored in secure integrated¹circuit chip memory

Номер патента: IE900004L. Автор: Paul Moroney,William Allen Shumate,Robert C Gilberg. Владелец: David McCoy. Дата публикации: 1990-07-12.

Prevention of alteration of data stored in secure integrated circuit chip memory

Номер патента: IE62794B1. Автор: Paul Moroney,William Allen Shumate,Robert C Gilberg. Владелец: Gen Instrument Corp. Дата публикации: 1995-03-08.

Integrated circuit and formation method thereof

Номер патента: US20240258435A1. Автор: Chih-Yang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Integrated circuit and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240186323A1. Автор: Chun-Fu CHENG,Meng-Yu Lin,Hsiang-Hung Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor structure preparation method, semiconductor structure, and semiconductor memory

Номер патента: EP4177934A1. Автор: Pan Yuan,Xiaojie Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-10.

Methods of forming integrated circuits, and DRAM circuitry memory cells

Номер патента: US20060040466A1. Автор: Gurtej Sandhu,Chandra Mouli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-23.

Integrated circuits with capacitors and methods for producing the same

Номер патента: US09978883B2. Автор: Shyue Seng Tan,Yuan Sun,Kiok Boone Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-05-22.

Integrated circuits with capacitors and methods for producing the same

Номер патента: US09646963B1. Автор: Shyue Seng Tan,Yuan Sun,Kiok Boone Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Integrated circuits with varying gate structures and fabrication methods

Номер патента: US09576952B2. Автор: Richard J. Carter,Manfred Eller,Srikanth Balaji Samavedam,Manoj Joshi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Methods of forming integrated circuits, and DRAM circuitry memory cells

Номер патента: US20060040455A1. Автор: Gurtej Sandhu,Chandra Mouli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-23.

Integrated circuits with inactive gates and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20160190012A1. Автор: Ming Zhu,Yiang Aun Nga. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2016-06-30.

Integrated circuits with inactive gates and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09640438B2. Автор: Ming Zhu,Yiang Aun Nga. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-05-02.

Integrated circuits with a partially-depleted region formed over a bulk silicon substrate and methods for fabricating the same

Номер патента: US20150041910A1. Автор: Jan Hoentschel,Juergen Faul,Stefan Flachowksy. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-02-12.

Integrated circuits with a partially-depleted region formed over a bulk silicon substrate and methods for fabricating the same

Номер патента: US09917087B2. Автор: Jan Hoentschel,Juergen Faul,Stefan Flachowksy. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Integrated circuit device with antenna effect protection circuit and method of manufacturing

Номер патента: US12080658B2. Автор: Lei Pan,Xinyong Wang,Jialiang ZHONG,Yaqi Ma,Mingjian WANG,CunCun CHEN. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Contact liners for integrated circuits and fabrication methods thereof

Номер патента: US09431303B2. Автор: Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Integrated circuits and methods of forming the same with effective dummy gate cap removal

Номер патента: US09917016B2. Автор: Klaus Hempel,Dina Triyoso. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Integrated circuit lead frame and semiconductor device thereof

Номер патента: US12062598B2. Автор: Yu-Hsin Wang,Nai-Jen Hsuan. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Method for arranging shield line in semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit design device, and semiconductor integrated circuit design program

Номер патента: WO2007077623A1. Автор: Hiroki Murakami,Shinichi Iida,Takahiro Toda,Katsushi Aoki,Junya Yamasaki. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2007-07-12.

Integrated circuit and semiconductor device

Номер патента: US09905561B2. Автор: Tae-Joong Song,Ha-young Kim,Sang-hoon BAEK,Sung-We Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Integrated circuit and semiconductor device

Номер патента: US09583493B2. Автор: Tae-Joong Song,Ha-young Kim,Sang-hoon BAEK,Sung-We Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-28.

Integrated circuits including abutted blocks and methods of designing layouts of the integrated circuits

Номер патента: US20230297752A1. Автор: Minjae Jeong,Jungho DO,Sanghoon Baek,Jisu YU,Hyeongyu You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Integrated circuit and method of forming the same

Номер патента: US20240332280A1. Автор: Wen-Hao Chen,Ming-Tao Yu,Chun-Yao Ku,Kuan-Ting Chen,Jyun-Hao CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Integrated circuit and method for fabricating an integrated circuit

Номер патента: US20040245618A1. Автор: Albrecht Mayer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-12-09.

Three-dimensionally integrated circuit devices including oxidation suppression layers

Номер патента: US09911745B2. Автор: Youngwoo KIM,Jung Hoon Lee,Jinhyun Shin,Dong-Sik Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030011004A1. Автор: Kenji Kamei,Shinsuke Anzai,Yasumichi Mori. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-16.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6661692B2. Автор: Kenji Kamei,Shinsuke Anzai,Yasumichi Mori. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-12-09.

Integrated circuit

Номер патента: US20230126057A1. Автор: Toshiaki DOZAKA. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-04-27.

Integrated circuit and method of forming the same

Номер патента: US12033998B2. Автор: Kuo-Nan Yang,Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Jung-Chan YANG,Kuang-Ching CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Integrated circuit and method of forming the same

Номер патента: US20230411378A1. Автор: Kuo-Nan Yang,Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Jung-Chan YANG,Kuang-Ching CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor integrated circuit and method of producing the same

Номер патента: US20150194436A1. Автор: SEO Moon-Sik,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2015-07-09.

Semiconductor integrated circuit and method of producing the same

Номер патента: US9184171B2. Автор: SEO Moon-Sik,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2015-11-10.

Semiconductor integrated circuit and method of producing the same

Номер патента: US20160104714A1. Автор: SEO Moon-Sik,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2016-04-14.

Layout for integrated circuit and the integrated circuit

Номер патента: US20200285797A1. Автор: Hui-Zhong ZHUANG,Jung-Chan YANG,Jerry Chang-Jui Kao,Chi-Yu Lu,Chi-Lin Liu,Cheok-Kei LEI,Zhe-Wei Jiang,Yu-Chi Li,Chia-Wei Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Power gate placement techniques in three-dimensional (3D) integrated circuits (ICs) (3DICs)

Номер патента: US09754923B1. Автор: Yang Du,Javid Jaffari,Jing Xie,Kambiz Samadi,Pratyush Kamal. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Layout method for integrated circuit and layout of the integrated circuit

Номер патента: US20170365592A1. Автор: Hui-Zhong ZHUANG,Jung-Chan YANG,Jerry Chang-Jui Kao,Chi-Yu Lu,Chi-Lin Liu,Cheok-Kei LEI,Zhe-Wei Jiang,Yu-Chi Li,Chia-Wei Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-21.

Integrated circuit and method of forming the same

Номер патента: US20240355806A1. Автор: Kuo-Nan Yang,Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Jung-Chan YANG,Kuang-Ching CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Integrated circuit including vertical capacitors

Номер патента: EP3791428A1. Автор: Douglas T. Grider,Patrick R. Smith,Xiang-Zheng Bo. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-03-17.

Semiconductor module having integrated antenna structures

Номер патента: US09797989B2. Автор: Thomas Binzer,Delf Mittelstrass. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2017-10-24.

Integrated circuit chip and semiconductor device including the same

Номер патента: US20190293711A1. Автор: Dong-Uk Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-09-26.

Integrated circuit chip and semiconductor device including the same

Номер патента: US10761132B2. Автор: Dong-Uk Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-09-01.

Integrated circuit device, safety circuit, safety-critical system and method of manufacturing an integrated circuit device

Номер патента: US09638744B2. Автор: Yuan Gao,Valérie BERNON-ENJALBERT,Philippe Givelin,Guillaume FOUNAUD. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Integrated circuit chip and semiconductor package

Номер патента: US20230282624A1. Автор: Kyoung-Min Lee,Eun-Hee Kim,Bong Wee Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-07.

Electrically conductive barriers for integrated circuits

Номер патента: US20170052082A1. Автор: Andrew C. McNeil,Jinbang Tang,Chad S. Dawson. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-02-23.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor integrated circuit wafer

Номер патента: US09431321B2. Автор: Kazuyuki Higashi,Shinya Watanabe,Taku Kamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Integrated circuits and methods for fabricating integrated circuits and electrical interconnects for III-V semiconductor devices

Номер патента: US09991230B2. Автор: Donald Ray Disney. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Three-dimensionally integrated circuit devices including oxidation suppression layers

Номер патента: US09601577B1. Автор: Youngwoo KIM,Jung Hoon Lee,Jinhyun Shin,Dong-Sik Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

Integrated circuits and methods for fabricating integrated circuits with self-aligned vias

Номер патента: US09520321B2. Автор: Errol Todd Ryan,Sean X. Lin. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Hall integrated circuit and corresponding method of manufacturing of a hall integrated circuit using wafer stacking

Номер патента: US12048166B2. Автор: Carsten Schmidt,Gerhard Spitzlsperger,Mario BLASINI,Alessandro MONTAGNA. Владелец: LFoundry SRL. Дата публикации: 2024-07-23.

Method and system for measuring thermal stability factor of magnetic tunnel junction device, semiconductor integrated circuit, and production management method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20190219633A1. Автор: Hideo Sato,Hideo Ohno,Takashi Saito,Kenchi Ito,Tetsuo Endoh,Masakazu Muraguchi. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2019-07-18.

Source driving integrated circuits including an electrostatic discharge circuit and related layout method

Номер патента: US09735053B2. Автор: Young-Jin Cho,Hong-Yeon Kim,Youn-Ho Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor integrated circuit device and system

Номер патента: US09734893B2. Автор: Noriaki Maeda,Masao Morimoto,Yasuyuki Okuma,Masanao Yamaoka,Yasuhisa Shimazaki,Shigenobu Komatsu,Toshiaki Sano. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor integrated circuit device and system with memory cell array

Номер патента: US09368194B2. Автор: Noriaki Maeda,Masao Morimoto,Yasuyuki Okuma,Masanao Yamaoka,Yasuhisa Shimazaki,Shigenobu Komatsu,Toshiaki Sano. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-14.

Fabricating waveguides in conjunction with interconnect fabrication in back-ends of integrated circuits and structures thereof

Номер патента: US8761552B1. Автор: Jeremy Witzens,Michael J. Hochberg. Владелец: University of Washington Center for Commercialization. Дата публикации: 2014-06-24.

Methods of fabricating integrated circuits

Номер патента: US09472465B2. Автор: Bharat Krishnan,Jin Ping Liu,Bongki Lee. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Composition for hardmask, method of forming patterns using the same, and semiconductor integrated circuit device including the patterns

Номер патента: US9244351B2. Автор: Young-Min Kim,Yong-Woon YOON,Sung-Jae Lee,Joon-Young Moon,Youn-Jin Cho. Владелец: Cheil Industries Inc. Дата публикации: 2016-01-26.

Integrated circuits including multi-layer conducting lines

Номер патента: US20210202373A1. Автор: Chan-Ho Lee,Tae-hyung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-01.

Composition for hardmask, method of forming patterns using the same, and semiconductor integrated circuit device including the patterns

Номер патента: US20140335447A1. Автор: Young-Min Kim,Yong-Woon YOON,Sung-Jae Lee,Joon-Young Moon,Youn-Jin Cho. Владелец: Cheil Industries Inc. Дата публикации: 2014-11-13.

Integrated circuit and computer-implemented method of manufacturing the same

Номер патента: US09991249B2. Автор: Hyo-sig Won,Seong-Min Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Integrated circuits having an anti-fuse device and methods of forming the same

Номер патента: US20170125427A1. Автор: Danny Pak-Chum Shum. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-05-04.

Apparatus and methods for leakage current reduction in integrated circuits

Номер патента: US09698780B2. Автор: Christophe Vincent Antoine Laurent. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Integrated circuits and methods for fabricating integrated circuits with active area protection

Номер патента: US09419126B2. Автор: Xiaodong Yang,Yanxiang Liu,Xusheng Wu,Jin Ping Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Heterogeneous integrated circuits and devices thereof with a surrogate substrate and transferred semiconductor devices

Номер патента: US09524872B1. Автор: Andrew T. Hunter,Peter D. Brewer,Yakov Royter. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2016-12-20.

Integrated circuit, semiconductor device based on integrated circuit, and standard cell library

Номер патента: US09837437B2. Автор: Sun-Young Park,Jung-Ho Do,Seung-Young Lee,Hyo-sig Won,Sang-hoon BAEK,Sang-Kyu Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-05.

Integrated circuit, semiconductor device based on integrated circuit, and standard cell library

Номер патента: US09716106B2. Автор: Sun-Young Park,Jung-Ho Do,Seung-Young Lee,Hyo-sig Won,Sang-hoon BAEK,Sang-Kyu Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-25.

Integrated circuits with overlay marks and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09646934B2. Автор: Lei Wang,Alex See,Shijie Wang,Yong Feng Fu,Siew Yong Leong. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Integrated circuit, semiconductor device based on integrated circuit, and standard cell library

Номер патента: US09431383B2. Автор: Sun-Young Park,Jung-Ho Do,Seung-Young Lee,Hyo-sig Won,Sang-hoon BAEK,Sang-Kyu Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Mask set for fabricating integrated circuits and method of fabricating integrated circuits

Номер патента: US8758961B1. Автор: Chooi Pei Lim,Francis Man-Chit Chow,Jordan Plofsky,Danny Biran. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2014-06-24.

Method for connecting integrated-circuit chip to antenna in radio-frequency device for identifying contactless intelligent card

Номер патента: RU2298254C2. Автор: Кристоф АЛОП,Фабьен ЗЮПАНЕК. Владелец: А.С.К. С.А.. Дата публикации: 2007-04-27.

Method for manufacturing an integrated circuit having a particular functionality required by a user of the circuit and having first structures to produce the particular functionality and second structures

Номер патента: US6514780B2. Автор: Zoltan Manyoki. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-02-04.

Semiconductor integrated circuit, system device including semiconductor integrated circuit, and semiconductor integrated circuit control method

Номер патента: WO2008029903A1. Автор: Mitsushige Baba. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2008-03-13.

Multi-dimensional photonic integrated circuits and memory structure for photonic integrated circuits and associated systems and methods

Номер патента: US20230207711A1. Автор: Danny Rittman,Aliza Schnapp. Владелец: GBT Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Integrated circuit including a directional light sensor

Номер патента: US09419043B2. Автор: Roel Daamen,Erik Jan Lous,Nebojsa NENADOVIC. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-08-16.

Circuit and system integration onto a micro-device substrate

Номер патента: US20240243162A1. Автор: Gholamreza Chaji,Yaser Azizi,Ehsanollah Fathi. Владелец: Vuereal Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Display driver integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US09960193B2. Автор: Jin-woo Park,Siwoo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor integrated circuit device and semiconductor device

Номер патента: US20180342269A1. Автор: Hiroyuki Takahashi,Muneaki Matsushige. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-11-29.

Semiconductor integrated circuit device and semiconductor device

Номер патента: US20200185012A1. Автор: Hiroyuki Takahashi,Muneaki Matsushige. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-06-11.

Stacked semiconductor module

Номер патента: US20060160271A1. Автор: Belgacem Haba,Thomas Fox,David Nguyen,Richard Warmke,Xingchao Yuan,Sayeh Khalili. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-07-20.

Hybrid system including photonic and electronic integrated circuits and cooling plate

Номер патента: US12100701B1. Автор: Ramakanth Alapati,Gabriel J. Mendoza. Владелец: Psiquantum Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Method of and device for determining the distance between an integrated circuit and a substrate

Номер патента: EP2225532A1. Автор: Martin Weinberger,Christian Zenz,Dietmar Nessmann,Shafqat Hussain. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-09-08.

Wireless communicating among vertically arranged integrated circuits (ICs) in a semiconductor package

Номер патента: US09570420B2. Автор: Ahmadreza Rofougaran,Arya Reza Behzad,Sam Ziqun Zhao,Michael BOERS,Jesus Alfonso Castaneda. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Heterogeneous integrated circuit for short wavelengths

Номер патента: US20220270977A1. Автор: Daniel N. Carothers. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-08-25.

Integrated circuit heater for reducing stress in the integrated circuit material and chip leads of the integrated circit, and for optimizing performance of devices of the integrated circuit

Номер патента: US20160093549A1. Автор: Edward O. Travis,Mehul D. Shroff,Douglas M. Reber. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-03-31.

Electrically conductive barriers for integrated circuits

Номер патента: US09714879B2. Автор: Andrew C. McNeil,Jinbang Tang,Chad S. Dawson. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Donor cores to improve integrated circuit yield

Номер патента: US09612988B2. Автор: Gerald K. Bartley,William P. Hovis,Darryl J. Becker,Philip R. Germann. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Stacked superconducting integrated circuits with three dimensional resonant clock networks

Номер патента: EP4268046A1. Автор: Anna Y. Herr,Vladimir V. Talanov. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-11-01.

Structural and thermal management of an integrated circuit

Номер патента: US12046534B2. Автор: Brett W. Degner,Michael E. Leclerc,Kevin J. Ryan,Eric R. Prather,Simon J. TRIVETT,Mahesh S. Hardikar. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

System and method for calibrating temperatures sensor for integrated circuits

Номер патента: US09442025B2. Автор: Jun Zhai,Yizhang Yang. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Systems and methods for fabrication of superconducting integrated circuits with improved coherence

Номер патента: US20240237555A9. Автор: Colin C. Enderud,Loren J. Swenson,Mohammad H. Amin. Владелец: D Wave Systems Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Thermal resistance analysis model and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20180075176A1. Автор: Ippei YASUTAKE. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-03-15.

Failure analysis method, apparatus, and program for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100241374A1. Автор: Masafumi Nikaido. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-09-23.

Materials and methods for fabricating superconducting quantum integrated circuits

Номер патента: US20220393089A1. Автор: Daniel Yohannes,John Vivalda,Mario Renzullo,Alexander Kirichenko. Владелец: SeeQC, Inc.. Дата публикации: 2022-12-08.

Discreet placement of radiation sources on integrated circuit devices

Номер патента: US20090236699A1. Автор: Kenneth P. Rodbell,Michael S. Gordon,Nancy C. Labianca. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-24.

Semiconductor integrated circuit, and sensor system and vehicle including the same

Номер патента: US20180069169A1. Автор: Akihiro Ota,Yuji Kaneda,Isao Niwa,Yuzo Mizushima. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-03-08.

Test device and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20110260161A1. Автор: Sang-jin Lee,Gin-Kyu Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-10-27.

Test device and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7994811B2. Автор: Sang-jin Lee,Gin-Kyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-09.

Test device and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20100013513A1. Автор: Sang-jin Lee,Gin-Kyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-01-21.

Enhanced jet impingement leak prevention for integrated circuit

Номер патента: US20240175917A1. Автор: Kelly Lofgreen,Joseph Petrini,Paul Diglio,Sami Alelyani,Craig Yost,Ruben NUNEZ BLANCO,Christopher Ackerman,Varun NARAYAN,Jensen STENBERG. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Integrated circuit with interface circuitry, and an interface cell for such interface circuitry

Номер патента: US09933835B2. Автор: Mikael Rien,Jean-Claude Duby. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor integrated circuit and method for manufacturing the same

Номер патента: US09772461B2. Автор: Yasuyuki Suzuki,Kenichiro Yashiki,Kazuhiko Kurata. Владелец: PHOTONICS ELECTRONICS TECHNOLOGY RESEARCH ASSOCIATION. Дата публикации: 2017-09-26.

A method of determining the location of a defect in an integrated circuit and how to use this integrated circuit

Номер патента: EP1204122A3. Автор: Tapio Kuiri. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2005-02-02.

Compressor circuit and semiconductor integrated circuit including the same

Номер патента: US20240094987A1. Автор: Byoung Gon KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Detecting Thermal Interface Material ('TIM') Between A Heat Sink And An Integrated Circuit

Номер патента: US20130301670A1. Автор: William M. Megarity,Gregory D. Sellman,Luke D. Remis. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-14.

Photo mask, semiconductor integrated circuit device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080054354A1. Автор: Jee-Eun JUNG,Ho-Jin Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-06.

Scan driving circuit and NAND logic operation circuit thereof

Номер патента: US09786692B2. Автор: Chao Dai. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Detecting thermal interface material (‘TIM’) between a heat sink and an integrated circuit

Номер патента: US09435759B2. Автор: William M. Megarity,Gregory D. Sellman,Luke D. Remis. Владелец: Lenovo Enterprise Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Integrated circuit and an operation method thereof

Номер патента: US12034297B2. Автор: Kai Zhou,Lei Pan,Ya-Qi Ma,Zhang-Ying YAN. Владелец: TSMC Nanjing Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Multi-chip module hybrid integrated circuit with multiple power zones that provide cold spare support

Номер патента: EP3977510A1. Автор: Dale A. Rickard,Keith K. Sturcken,Jason F. Ross,Alan F. Dennis,Lori D. Dennis,Jamie A. Bernard,Jane O. Gilliam. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2022-04-06.

Driving integrated circuit for display

Номер патента: US20210319738A1. Автор: Hee Joo Kim. Владелец: Silicon Works Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-14.

Techniques for clock signal transmission in integrated circuits and interposers

Номер патента: US12026008B2. Автор: Chee Hak Teh,Md Altaf Hossain,Dheeraj Subbareddy,Ankireddy Nalamalpu,Chooi Pei Lim,Jeffrey Chromczak,Lai Guan Tang. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Stacked display driver integrated circuit and display device including the same

Номер патента: US12094405B2. Автор: Changju Lee,Kyoungmin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Integrated circuit and an operation method thereof

Номер патента: US20240313528A1. Автор: Kai Zhou,Lei Pan,Ya-Qi Ma,Zhang-Ying YAN. Владелец: TSMC Nanjing Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Co-packaging photonic integrated circuits and application specific integrated circuits

Номер патента: US09874688B2. Автор: Diedrik Vermeulen,Christopher Doerr,Eric Swanson,Saeid Azemati,Jon STAHL. Владелец: Acacia Communications Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Scan driving circuit and NOR gate logic operation circuit thereof

Номер патента: US09805679B2. Автор: Chao Dai. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Integrated circuit with interface circuitry, and an interface cell for such interface circuitry

Номер патента: US09800048B2. Автор: Mikael Rien,Jean-Claude Duby. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Integrated circuit

Номер патента: US09466363B2. Автор: Hiroki Koike,Hideo Ohno,Tetsuo Endoh,Takashi Ohsawa,Takahiro Hanyu. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2016-10-11.

Three-dimensional microfluidic micro-droplet arrays for electronic integrated circuit and component cooling, energy-harvesting, chemical and biochemical microreactors, miniature bioreactors, and other applications

Номер патента: US09441308B2. Автор: Lester F. Ludwig. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-09-13.

Integrated-circuit module to be implanted in card body with built-in microprocessor (alternatives)

Номер патента: RU2193231C2. Автор: Михель Хубер,Петер Штампка,Детлеф Удо,Йозеф ХАЙТЦЕР. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2002-11-20.

Integrated circuit structure, display module, and inspection method thereof

Номер патента: US20180188572A1. Автор: Neng-Yi Lin,Chien-Chih Liu. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2018-07-05.

Methods of routing clock trees, integrated circuits and methods of designing integrated circuits

Номер патента: US12056430B2. Автор: Bonghyun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Stacked semiconductor module

Номер патента: US20040164393A1. Автор: Belgacem Haba,Thomas Fox,David Nguyen,Richard Warmke,Xingchao Yuan,Sayeh Khalili. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2004-08-26.

Semiconductor integrated circuit and design method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20080141186A1. Автор: Mitsuhiro Imaizumi,Takahiro Nagatani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-12.

Integrated circuit and manufacturing method

Номер патента: US20140191348A1. Автор: Roel Daamen,Aurelie Humbert,Youri Victorovitch Ponomarev. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2014-07-10.

Integrated Circuit Chip Design Flow Methodology Including Insertion of On-Chip or Scribe Line Wireless Process Monitoring and Feedback Circuitry

Номер патента: US20090239313A1. Автор: Sebastian T. Ventrone,Ezra D.B. Hall,Theodoros Anemikos. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-09-24.

Integrated circuit tester information processing system

Номер патента: US20090076750A1. Автор: Judy Xilin An,Sushant S. Suryagandh. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2009-03-19.

Integrated circuit and method for fabricating an integrated circuit equipped with a temperature probe

Номер патента: US09543287B2. Автор: Severine Cheramy. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-01-10.

Temperature detecting circuit and temperature detecting apparatus using the same

Номер патента: US20150117492A1. Автор: Shintaro Takahashi,Hirotaka Takihara. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-04-30.

Integrated circuit protection during high-current esd testing

Номер патента: US20180100883A1. Автор: Robert J. Gauthier, Jr.,Souvick Mitra,Nathan Jack,Shunhua Chang,James Paul Di Sarro. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-12.

Integrated circuit and operating method thereof

Номер патента: US20210082495A1. Автор: Yih Wang,Yen-Huei Chen,Chia-En HUANG,Hidehiro Fujiwara,Jui-che Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Integrated circuit protection during high-current esd testing

Номер патента: US20180100884A1. Автор: Robert J. Gauthier, Jr.,Souvick Mitra,Nathan Jack,Shunhua Chang,James Paul Di Sarro. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-12.

Integrated circuit card

Номер патента: US09953257B2. Автор: Simon Blythe. Владелец: Mastercard International Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Integrated circuit protection during high-current ESD testing

Номер патента: US09869708B2. Автор: Robert J. Gauthier, Jr.,Souvick Mitra,Nathan Jack,Shunhua Chang,James Paul Di Sarro. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Integrated circuit and manufacturing method

Номер патента: US09818905B2. Автор: Roel Daamen,Aurelie Humbert,Youri Victorovitch Ponomarev. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-11-14.

Integrated circuit (IC) including semiconductor resistor and resistance compensation circuit and related methods

Номер патента: US09704624B2. Автор: Alberto Pagani,Alessandro MOTTA. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-07-11.

Composite integrated circuits and methods for wireless interactions therewith

Номер патента: US09653927B2. Автор: Hao Chen,Ching-Nen Peng,Hung-Chih Lin,Chewn-Pu Jou,Feng Wei KUO,Huan-Neng CHEN,Tsung-Hsiung LEE,Min-Jer Wang,Kuang-Kai Yen,Ming-Chieh Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Temperature detecting circuit and temperature detecting apparatus using the same

Номер патента: US09523613B2. Автор: Shintaro Takahashi,Hirotaka Takihara. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Integrated circuit protection during high-current ESD testing

Номер патента: US09435841B2. Автор: Robert J. Gauthier, Jr.,Souvick Mitra,Nathan Jack,Shunhua Chang,James Paul Di Sarro. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

A driving circuit of a power circuit and a package structure thereof

Номер патента: EP3734647A1. Автор: Chang-Jing Yang,Liang-Cheng WANG. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2020-11-04.

Integrated circuit comprising a gas sensor

Номер патента: US09865647B2. Автор: Viet Nguyen Hoang,Roel Daamen,Aurelie Humbert. Владелец: ams International AG. Дата публикации: 2018-01-09.

Antenna or a strap for accommodating an integrated circuit, an antenna on a substrate, a strap for an integrated circuit and a transponder

Номер патента: US09425500B2. Автор: Christian Zenz,Dietmar Nessmann. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-08-23.

Circuit and method for testing insulating material

Номер патента: WO2012116119A1. Автор: Michael J. Campbell,Angelo Pinto,Choh-Fei Yeap,Lavakumar Ranganathan,Homyar C. Mogul,Martin L. Villafana,You-Wen Yau,Rohan V. GUPTE,Weijia QI,Kent J. PINGREY,Carlos P. AGUILAR,Paul J. GIOTTA,Leon Y. LEUNG,Jina M. ANTOSZ,Bhupen M. SHAH,Lawrence A. ELUGBADEBO,Allen A.B. HOGAN. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2012-08-30.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit manufacturing method

Номер патента: US20060202230A1. Автор: Hidekichi Shimura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-14.

Semiconductor integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050185440A1. Автор: Shigeru Kawanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-08-25.

Integrated circuits using silicon on insulator substrates and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09922868B2. Автор: Guan Huei See,Rui Tze TOH,Shaoqiang Zhang,Raj Verma Purakh. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor integrated circuit device and semiconductor package structure

Номер патента: US20240355786A1. Автор: Atsushi Okamoto,Hirotaka Takeno,Wenzhen Wang. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor integrated circuit device and semiconductor package structure

Номер патента: US12068288B2. Автор: Atsushi Okamoto,Hirotaka Takeno,Wenzhen Wang. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor integrated circuit device and semiconductor package structure

Номер патента: US20230223381A1. Автор: Atsushi Okamoto,Hirotaka Takeno,Wenzhen Wang. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Integrated circuit with reduced stress on circuit components and manufacturing methods thereof

Номер патента: EP3872849A1. Автор: Jonathan Ephraim David Hurwitz,Padraig Fitzgerald,Michael J. Flynn,George Redfield SPALDING. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2021-09-01.

Integrated circuit and method for forming the same

Номер патента: US20210343645A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Cheng-Chi Chuang,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Cmos integrated circuit and amplifying circuit

Номер патента: US20130127539A1. Автор: Tadamasa Murakami. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-23.

Integrated circuits with deep trench isolations and methods for producing the same

Номер патента: US09831304B1. Автор: Jeoung Mo KOO,Shiang Yang Ong,Raj Verma Purakh,Namchil MUN,Mun Tat Yap,Tat Wei Chua. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Integrated circuit and method of fabricating the same

Номер патента: US09553140B2. Автор: Kuo-Ching Chang,Hung-Sen Wang,Shih-Chi Yang,Ho-Chun Liou,Wei-Sho Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor die, integrated circuits and driver circuits, and methods of maufacturing the same

Номер патента: US20150194421A1. Автор: Rob Van Dalen,Erik Spaan,Priscilla Boos. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2015-07-09.

Stacked semiconductor device including esd protection circuits and method of fabricating the stacked semiconductor device

Номер патента: US20130009278A1. Автор: Hoon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-01-10.

Semiconductor die, integrated circuits and driver circuits, and methods of maufacturing the same

Номер патента: US09570437B2. Автор: Rob Van Dalen,Erik Spaan,Priscilla Boos. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-02-14.

Enhancing Integrated Circuit Density with Active Atomic Reservoir

Номер патента: US20180218976A1. Автор: Ming-Hsien Lin,Ta-Pen Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-08-02.

Integrated circuit and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240243057A1. Автор: Da-Jun Lin,Fu-Yu Tsai,Bin-Siang Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit using a selective disposable spacer technique and semiconductor integrated circuit manufactured thereby

Номер патента: US20060118855A1. Автор: Sang-eun Lee,Yun-Heub Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-06-08.

Programmable integrated circuits and methods of forming the same

Номер патента: US09659943B1. Автор: Eng Huat Toh,Xuan Anh TRAN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit design method, and semiconductor integrated circuit design program

Номер патента: JP4539916B2. Автор: 利和加藤. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-09-08.

Chemical mechanical polishing slurry for semiconductor integrated circuit, polishing method and semiconductor integrated circuit

Номер патента: WO2003005431A1. Автор: Sachie Shinmaru,Katsuyuki Tsugita. Владелец: Seimi Chemical Co., Ltd.. Дата публикации: 2003-01-16.

Chemical mechanical polishing slurry for semiconductor integrated circuit, polishing method and semiconductor integrated circuit

Номер патента: TWI227269B. Автор: Sachie Shinmaru,Katsuyuki Tsugita. Владелец: Seimi Chem Kk. Дата публикации: 2005-02-01.

THIN-FILM CAPACITOR MANUFACTURING METHOD, INTEGRATED CIRCUIT MOUNTING SUBSTRATE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED WITH THE SUBSTRATE

Номер патента: US20180177059A1. Автор: HATTORI Atsunori. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-21.

Integrated circuit lead frame and semiconductor device thereof

Номер патента: TWI761052B. Автор: 王侑信,旋乃仁. Владелец: 瑞昱半導體股份有限公司. Дата публикации: 2022-04-11.

Integrated circuit to waveguide transitional structures and related sensor assemblies

Номер патента: WO2024005880A1. Автор: Scott B. Doyle. Владелец: Veoneer US, LLC. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor module having a tab pin with no tie bar

Номер патента: US09793034B2. Автор: Jong-hyun Seok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Power supply semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20220075004A1. Автор: Kohei Sakurai,Shinichiro Maki. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-10.

Integrated circuit having regulator controlled based on operational speed

Номер патента: US09760103B2. Автор: Eitan Rosen. Владелец: Marvell Israel MISL Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Integrated circuit chip tester with an anti-rotatioin link

Номер патента: PH12016502510B1. Автор: Victor Landa. Владелец: Xcerra Corp. Дата публикации: 2017-04-10.

Integrated circuit chip tester with an anti-rotation link

Номер патента: EP3158610A1. Автор: Victor Landa. Владелец: Xcerra Corp. Дата публикации: 2017-04-26.

Integrated circuit chip tester with an anti-rotation link

Номер патента: US09425529B2. Автор: Victor Landa. Владелец: Xcerra Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240333151A1. Автор: Kinya Matsuda,Haruki KAMIKURA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Integrated circuit and semiconductor module

Номер патента: US11841728B2. Автор: Masashi AKAHANE,Taizo ASANO. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Semiconductor integrated circuit and method for operating the same for a stabilizing power supply

Номер патента: US09600005B2. Автор: Kentaro Hayashi,Yutaka Hayashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Integrated circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US09831877B2. Автор: Jae-Woo Seo,Dal-Hee LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Electrostatic protection circuit and semiconductor integrated circuit apparatus

Номер патента: US09991698B2. Автор: Masuhide Ikeda. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Integrated circuit chip with electrostatic discharge protection device

Номер патента: WO2005074027A3. Автор: Wolfgang Schnitt,Hans-Martin Ritter. Владелец: Hans-Martin Ritter. Дата публикации: 2006-12-07.

Fabrication system of semiconductor integrated circuit, fabrication device, fabrication method, integrated circuit and communication system

Номер патента: US20100100219A1. Автор: Takashi Hashimoto,Takahiro Ichinomiya. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-04-22.

Electrostatic protection circuit with impedance matching for radio frequency integrated circuits

Номер патента: US20070264957A1. Автор: John Leete. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2007-11-15.

Integrated circuit with protective element

Номер патента: US20240274595A1. Автор: Edgardo Laber,James Edwin Vinson. Владелец: Renesas Electronics America Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Integrated circuits having a continuous active area and methods for fabricating same

Номер патента: US20130328205A1. Автор: Frank Johnson,Olivier Menut,Marc Tarabbia,Gregory A. Northrop. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2013-12-12.

Memory device and semiconductor device comprising electrostatic discharge protection element

Номер патента: US12087702B2. Автор: Chun-Lu LEE. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Field-effect transistor including oxide semiconductor, and memory and semiconductor circuit including the same

Номер патента: US09548395B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasuhiko Takemura,Hiromichi Godo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Protection circuit and input circuit suitable for integrated circuit

Номер патента: US09401603B2. Автор: Chieh-Wei He. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-26.

Electrostatic discharge protection for integrated circuit during back end-of-line processing

Номер патента: US11764206B2. Автор: Chih-Wei Hsu,Yu-Lin Chu,Tsung-Yuan Chen,Hsi-Yu Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20200286882A1. Автор: Takanori Kohama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Integrated circuits resistant to electrostatic discharge and methods for producing the same

Номер патента: US09741849B1. Автор: Tsung-Che Tsai,Chien-Hsin Lee,Mahadeva Iyer NATARAJAN,Manjunatha Prabhu,Xiangxiang LU. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-08-22.

Transistor body control circuit and an integrated circuit

Номер патента: US09443845B1. Автор: Evgueniy Stafanov,Edouard Denis DE FRESART,Hubert Michel GRANDRY. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor integrated circuit and method for designing the same

Номер патента: US20080210979A1. Автор: Rika SUWAKI. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-09-04.

Circuit And An Integrated Circuit Including A Transistor And Another Component Coupled Thereto

Номер патента: US20170025405A1. Автор: Chun-Li Liu,Woochul Jeon,Joe Fulton. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-01-26.

Circuit and an integrated circuit including a transistor and another component coupled thereto

Номер патента: US09754931B2. Автор: Chun-Li Liu,Woochul Jeon,Joe Fulton. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-09-05.

On-SOI integrated circuit comprising a subjacent protection transistor

Номер патента: US09337302B2. Автор: Claire Fenouillet-Beranger,Pascal Fonteneau. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-05-10.

Integrated circuit and cell structure in the integrated circuit

Номер патента: US20190123062A1. Автор: Cheng-Jyi Chang,Chuan-Shian FU,Shao-Hwang SHER. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2019-04-25.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09812441B2. Автор: Koichi Taniguchi,Masato Maede. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09576947B2. Автор: Koichi Taniguchi,Masato Maede. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Integrated circuit resistor with passive breakdown protection circuit

Номер патента: US20200312946A1. Автор: Lokesh Kumar Gupta,Basant BOTHRA. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-10-01.

Integrated circuits with deep and ultra shallow trench isolations and methods for fabricating the same

Номер патента: US20170330896A1. Автор: PURAKH Raj Verma,Guan Huei See,Rui Tze TOH,Shaoqiang Zhang. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-11-16.

Semiconductor integrated circuit device including an electro-static discharge protection circuit

Номер патента: US20190379204A1. Автор: Jin Woo Kim,Seung Yeop Lee,Hyun Duck Lee,Ju Hyeong Lee,Chang Hwi LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

Method of using platinum metallization in system of redistribution of contact pads of crystals of integrated microcircuits and semiconductor devices

Номер патента: RU2717264C1. Автор: Никита Владимирович Рогозин,Виталий Владимирович Побединский. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт электронной техники". Дата публикации: 2020-03-19.

Semiconductor Wafer And Semiconductor Die

Номер патента: US20150170985A1. Автор: Hsin-Chi Chen,Ying-Hao Chen,Ying-Lang Wang,Hsi-Jung Wu,Volume Chien,Hung-Ta Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-06-18.

Semiconductor wafer and semiconductor die

Номер патента: US09728511B2. Автор: Hsin-Chi Chen,Ying-Hao Chen,Ying-Lang Wang,Hsi-Jung Wu,Volume Chien,Hung-Ta Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Constant current circuit, timer circuit, one-shot multivibrator circuit, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240329681A1. Автор: Naohiro Nomura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

One cycle control continuous conduction mode pfc boost converter integrated circuit with integrated power switch and boost converter

Номер патента: WO2004059414A1. Автор: Jonathan Adams,Ron Brown,Frank Athari. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2004-07-15.

One cycle control continuous conduction mode pfc boost converter integrated circuit with integrated power switch and boost converter

Номер патента: EP1576436A1. Автор: Jonathan Adams,Ron Brown,Frank Athari. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2005-09-21.

Integrated Circuit with Multi Recessed Shallow Trench Isolation

Номер патента: US20130267075A1. Автор: Tsung-Lin Lee,Chang-Yun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-10-10.

Methods of fabricating different thickness silicon-germanium layers on semiconductor integrated circuit devices and semiconductor integrated circuit devices fabricated thereby

Номер патента: US8207033B2. Автор: Ho Lee,Myung-sun Kim,Hwa-Sung Rhee,Ji-Hye Yi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-06-26.

Dicing method for wafer-level packaging and semiconductor chip with dicing structure adapted for wafer-level packaging

Номер патента: US09917012B2. Автор: Bernhard Stering. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor element, method for manufacturing same, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09711597B2. Автор: Takahiro Mori. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2017-07-18.

Integrated circuit package and method of forming the same

Номер патента: US09455241B2. Автор: Kiyoshi Kuwabara,Yonggang Jin,Xavier Baraton. Владелец: STMICROELECTRONICS PTE LTD. Дата публикации: 2016-09-27.

Integrated circuits and molding approaches therefor

Номер патента: US09842776B2. Автор: Roelf Anco Jacob Groenhuis,Tonny Kamphuis,John Suman Nakka. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-12-12.

Method for singulating packaged integrated circuits and resulting structures

Номер патента: US09875913B2. Автор: Yen-Ping Wang,Kai-Chiang Wu,Ming-Kai Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Method for singulating packaged integrated circuits and resulting structures

Номер патента: US09653417B2. Автор: Yen-Ping Wang,Kai-Chiang Wu,Ming-Kai Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Power supply device and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09614440B2. Автор: Eiji Yoshida,Yasufumi Sakai,Kazuaki Oishi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Processes for preparing integrated circuits with improved source/drain contact structures and integrated circuits prepared according to such processes

Номер патента: US09466701B2. Автор: Sipeng Gu,Sandeep Gaan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Integrated circuit packaging system with photoimagable dielectric-defined trace and method of manufacture thereof

Номер патента: US09406531B1. Автор: HeeJo Chi,Zigmund Ramirez Camacho,Bartholomew Liao Chung Foh,Sheila Marie L. Alvarez,Dao Nguyen Phu Cuong. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Electron cyclotron resonance -plasma source to process semiconductor structures, method to process semiconductor structures, process of manufacture of semiconductor devices and integrated circuits ( variants ), semiconductor device or integrated circuit ( variants )

Номер патента: RU2216818C1. Автор: Ю.С. Четверов,В.А. Тулин,С.Ю. Шаповал,ков В.Е. Земл,В.Е. Земляков,В.Л. Гуртовой. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ЭпиЛаб". Дата публикации: 2003-11-20.

Integrated circuit package system with adhesive segment spacer

Номер патента: US20100072630A1. Автор: Byung Tai Do,Linda Pei Ee CHUA,Reza Argenty Pagaila. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-03-25.

Integrated circuit packaging

Номер патента: US20200251440A1. Автор: Jason Chien,Byron Lovell Williams,Jeffrey Alan West,Honglin Guo,Arvin Nono VERDEFLOR,Anderson LI. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-08-06.

Integrated circuit wafer integration with catalytic laminate or adhesive

Номер патента: US09922951B1. Автор: Konstantine Karavakis,Kenneth S. Bahl. Владелец: Sierra Circuits Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Large scale integrated circuit chip and large scale integrated circuit wafer

Номер патента: US20170278805A1. Автор: Atsushi Obuchi,Hiroshi Kaga,Takashi Yoneoka. Владелец: Wells Fargo Bank NA. Дата публикации: 2017-09-28.

Integrated circuit packaging system with leadframe and method of manufacture thereof

Номер патента: US20110233743A1. Автор: Erwin Aguas Sangalang,Ramona Damalerio,Jayby Agno,Dexter Anonuevo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-29.

Direct cooling device for integrated circuit and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240266253A1. Автор: Hyun Wook Jung,Jong Won Lim,Min Soo Kang,Sung Jae Chang,Ho Kyun Ahn,Sang Heung LEE,Hae Cheon Kim,Seong Il Kim,Hyoung Soon Lee,Il Gyu CHOI,Jun Rae PARK. Владелец: Republic Of Korea Defense Acquisition Program Administration. Дата публикации: 2024-08-08.

Integrated-circuit module with waveguide transition element

Номер патента: US09356332B2. Автор: Walter Hartner,Ernst Seler,Maciej Wojnowski. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-05-31.

Integrated circuit packaging system with interlock and method of manufacture thereof

Номер патента: US20120074548A1. Автор: Zigmund Ramirez Camacho,Henry Descalzo Bathan,Emmanuel Espiritu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-03-29.

Integrated circuit packaging system with a lead and method of manufacture thereof

Номер патента: US20120326285A1. Автор: Zigmund Ramirez Camacho,Henry Descalzo Bathan,Emmanuel Espiritu,Elizar Andres. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-12-27.

Thermally-isolated silicon-based integrated circuits and related methods

Номер патента: US09646874B1. Автор: Roy H. Olsson,Kenneth Wojciechowski,Peggy J. Clews,Todd Bauer. Владелец: Sandia Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Integrated circuit and image sensor including the same

Номер патента: US20240282788A1. Автор: Kyunghoon Kim,Hyeokjong Lee,Yeongseok CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Integrated circuit device including peripheral circuit and cell array structures, and electronic system including same

Номер патента: US12107061B2. Автор: Jooyong PARK,Pansuk Kwak,Hongsoo Jeon,Homoon Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-01.

A controlled collapse chip connection (c4) integrated circuit package that has a filler which seals an underfill material

Номер патента: WO2000052739A3. Автор: Suresh Ramalingam. Владелец: Suresh Ramalingam. Дата публикации: 2001-01-11.

A controlled collapse chip connection (c4) integrated circuit package that has a filler which seals an underfill material

Номер патента: WO2000052739A2. Автор: Suresh Ramalingam. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2000-09-08.

Method for manufacturing integrated circuits from a semiconductor substrate wafer

Номер патента: US20230223358A1. Автор: Alexandre Malherbe,David Parker,Stephan Niel,Carlos Augusto Suarez Segovia,Chantal TROUILLER. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2023-07-13.

Integrated circuit packaging system with shielding and method of manufacturing thereof

Номер патента: US09997468B2. Автор: Il Kwon Shim,Yaojian Lin,Sungsoo Kim,DeokKyung Yang,SungWon Cho,In Sang Yoon,Byung Joon Han,Hun Teak Lee,KyoWang Koo,KyoungHee Park,SeungYong Chai. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Integrated circuits with programmable memory and methods for producing the same

Номер патента: US09876019B1. Автор: Xiong Zhang,Siow Lee Chwa,Yudi SETIAWAN,Yoke Leng Lim,Sunny Sadana. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-01-23.

Method for performing common mode voltage re-biasing in analog front-end circuit of receiver, associated common mode voltage re-biasing circuit, associated receiver and associated integrated circuit

Номер патента: US20230253939A1. Автор: Bing-Hung Chen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-08-10.

Exposed, solderable heat spreader for integrated circuit packages

Номер патента: US20160035644A1. Автор: David Roy Ng,Leonard Shtargot,Edward William Olsen,Jeffrey Kingan Witt. Владелец: Linear Technology LLC. Дата публикации: 2016-02-04.

Integrated circuit package including a direct connect pad, a blind via, and a bond pad electrically coupled to the direct connect pad

Номер патента: US20130026642A1. Автор: Peter R. Harper,Kenneth Robert Rhyner. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-01-31.

Power management circuit and method for integrated circuit having multiple power domains

Номер патента: US20210004030A1. Автор: Ching-Hsiang Chang,Chun-Hsiang Lai,Chih-Chieh Yao. Владелец: M31 Technology Corp. Дата публикации: 2021-01-07.

Power management circuit and method for integrated circuit having multiple power domains

Номер патента: US20230135657A1. Автор: Ching-Hsiang Chang,Chun-Hsiang Lai,Chih-Chieh Yao. Владелец: M31 Technology Corporation. Дата публикации: 2023-05-04.

Method of fabricating integrated circuits having a recessed molding package and corresponding package

Номер патента: US09698027B2. Автор: Fulvio Vittorio Fontana. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-07-04.

Exposed, solderable heat spreader for integrated circuit packages

Номер патента: US09431319B2. Автор: David Roy Ng,Leonard Shtargot,Edward William Olsen,Jeffrey Kingan Witt. Владелец: Linear Technology LLC. Дата публикации: 2016-08-30.

Reconfigurable switched-capacitor voltage converter circuit, integrated circuit (ic) chip including the circuit and method of switching voltage on chip

Номер патента: US20140152382A1. Автор: Leland Chang,Jae-sun Seo,Robert Montoye. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-06-05.

Ultrathin body fully depleted silicon-on-insulator integrated circuits and methods for fabricating same

Номер патента: US20130341722A1. Автор: Ralf Illgen,Stefan Flachowsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-12-26.

Fabrication of an integrated circuit package

Номер патента: US20070178628A1. Автор: Chee Chian Lim. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-08-02.

Integrated circuits including organic interlayer dielectric layers and methods for fabricating the same

Номер патента: US09576894B2. Автор: Sunil Kumar Singh,Xusheng Wu,Teck Jung Tang,Ravi Prakash Srivastava,Akshey Sehgal. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Flexible electronic circuit and method for manufacturing same

Номер патента: US09530708B1. Автор: Keisuke Shinohara,Hasan Sharifi,Jason May,Robert G. Nagele,Jongchan Kang,Charles McGuire,Wonill Ha,Hooman Kazemi,Mary C. Montes. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2016-12-27.

Method of manufacturing a redistribution layer, redistribution layer, integrated circuit and method for electrically testing the integrated circuit

Номер патента: US20220384371A1. Автор: Paolo Colpani,Samuele Sciarrillo. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2022-12-01.

High thermal conductivity, high modulus structure within a mold material layer of an integrated circuit package

Номер патента: US11749585B2. Автор: John Decker,Yiqun Bai,Ziyin LIN,Vipul MEHTA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Contact fill in an integrated circuit

Номер патента: US09691658B1. Автор: Emre Alptekin,Domingo A. Ferrer,Cung D. Tran,Raghu Mangu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Integrated circuits including modified liners and methods for fabricating the same

Номер патента: US09613906B2. Автор: Xunyuan Zhang,Errol Todd Ryan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Integrated circuit and method of manufacturing an integrated circuit

Номер патента: US09496228B2. Автор: Joachim Mahler,Edward Fuergut,Ivan Nikitin. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-11-15.

Integrated circuits including selectively deposited metal capping layers on copper lines and methods for fabricating the same

Номер патента: US09484252B2. Автор: Moosung Chae,Larry Zhao. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Integrated circuits with an insultating layer and methods for producing such integrated circuits

Номер патента: US09443723B2. Автор: Christof Streck,Ronny Pfutzner,Andreia Ioana Popa. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Methods for the production of integrated circuits comprising epitaxially grown replacement structures

Номер патента: US09299775B2. Автор: Kejia Wang,Steven Bentley,Shurong Liang,Sylvie Mignot. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-03-29.

Semiconductor integrated circuit with radiation resistance

Номер патента: US20210021266A1. Автор: Youichi Satou,Masazumi Shiochi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Integrated circuit and manufacturing method thereof

Номер патента: US09721883B1. Автор: Chi-Cherng Jeng,Wen-Lung Lai,Shiu-Ko Jangjian,Chen-Chieh Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Integrated circuits and methods of fabrication thereof

Номер патента: US09620589B2. Автор: Kun-Hsien LIN,Ran Yan,Jan Hoentschel,Nicolas Sassiat. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Integrated circuits with self aligned contacts and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09576852B2. Автор: Theodorus Standaert,Jim Kelly,Ming He,Yann Mignot,Seowoo Nam,Raghuveer Patlotta. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor module

Номер патента: US7893543B2. Автор: Naoya Sato,Akihito Narita. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2011-02-22.

Integrated circuits with memory cells and methods for producing the same

Номер патента: US20190043992A1. Автор: Shyue Seng Tan,Yuan Sun. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2019-02-07.

Circuits and methods for controlling a boost switching regulator based on inductor current

Номер патента: EP3326044A1. Автор: Jiwei Chen,Joseph Rutkowski,Yikai WANG. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-05-30.

Integrated circuit die pad cavity

Номер патента: US20240274569A1. Автор: Hung-Yu Chou,Yuh-Harng Chien,Chung-Hao LIN,Bo-Hsun PAN. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Integrated circuit device

Номер патента: US12114504B2. Автор: Jeehoon HAN,Seungyoon Kim,Jaeryong Sim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

High voltage integrated circuit package with core

Номер патента: US20240355797A1. Автор: William P. Taylor,Vijay Mangtani,Andrew Thompson,Joseph Duigan,Andrew Bernard Keogh,Maurizio Salato. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Integrated circuits having device contacts and methods for fabricating the same

Номер патента: US09941160B2. Автор: Fan Zhang,Wei Shao,Vish SRINIVASAN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Circuits and methods for controlling a boost switching regulator based on inductor current

Номер патента: US09780657B2. Автор: Jiwei Chen,Joseph Rutkowski,Yikai WANG. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Integrated circuits and methods of forming the same with metal layer connection to through-semiconductor via

Номер патента: US09761481B2. Автор: Chun Yu Wong,Sarasvathi Thangaraju,Percival Rayo. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Power gating circuit and integrated circuit

Номер патента: US09496863B2. Автор: Jae-Han Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Method and device for permanent connection of integrated circuit to substrate

Номер патента: RU2381592C2. Автор: Уве АУГСТ. Владелец: Муэлбауэр Аг. Дата публикации: 2010-02-10.

Semiconductor integrated circuit device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020140048A1. Автор: Keiichi Yamada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-10-03.

Integrated circuit and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220115266A1. Автор: Jyu-Horng Shieh,Yu-Yu Chen,Kuan-Wei Huang,Yi-Nien Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-14.

Integrated Circuit and Method of Manufacturing an Integrated Circuit

Номер патента: US20150091088A1. Автор: Till Schloesser,Franz Hirler,Andreas Meiser,Martin Vielemeyer,Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-04-02.

Methods of forming integrated circuit devices using cutting tools to expose metalization pads through a cap structure and related cutting devices

Номер патента: US20210249272A1. Автор: Brook Hosse,Robert C. Dry. Владелец: Akoustis Inc. Дата публикации: 2021-08-12.

Method of forming an integrated circuit with heat-mitigating diamond-filled channels

Номер патента: US09881849B2. Автор: Daniel J. Ewing,Kyle W. Maples. Владелец: Honeywell Federal Manufacturing and Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-30.

Method of forming an integrated circuit with heat-mitigating diamond-filled channels

Номер патента: US09728483B2. Автор: Daniel J. Ewing,Kyle W. Maples. Владелец: Honeywell Federal Manufacturing and Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-08.

Integrated circuit and manufacturing method thereof

Номер патента: US09691667B2. Автор: Herb He Huang,Clifford Ian Drowley. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Integrated circuits with non-volatile memory and methods of producing the same

Номер патента: US09679905B1. Автор: Fan Zhang,Dong Wang,Danny Pak-Chum Shum,Huajun Liu,Juan Boon Tan,Laiqiang LUO,Yew Tuck Clament Chow. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-06-13.

Integrated circuit chip and fabrication method

Номер патента: US09455239B2. Автор: Laurent-Luc Chapelon,Julien Cuzzocrea. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2016-09-27.

Thermal management solutions for stacked integrated circuit devices

Номер патента: WO2019240898A1. Автор: Feras Eid,Adel Elsherbini,Johanna Swan. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-12-19.

Semiconductor storage device and semiconductor integrated circuit

Номер патента: EP1494288A2. Автор: Takashi Intell. Prop. Div. Ohsawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-01-05.

Method of wafer-scale integration of semiconductor devices and semiconductor device

Номер патента: US09608035B2. Автор: Franz Schrank,Cathal Cassidy,Joerg Siegert. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-03-28.

Preventing unauthorized use of integrated circuits for radiation-hard applications

Номер патента: US09741672B2. Автор: Kenneth P. Rodbell,Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Preventing unauthorized use of integrated circuits for radiation-hard applications

Номер патента: US09401334B1. Автор: Kenneth P. Rodbell,Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-26.

Integrated circuit and associated method of manufacture

Номер патента: GB2627043A. Автор: Price Richard,ALKHALIL Feras,Van Fraassen Niels. Владелец: Pragmatic Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-08-14.

Semiconductor integrated circuit, electronic device, solid-state imaging apparatus, and imaging apparatus

Номер патента: US11362131B2. Автор: Yoshiharu Kudoh. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2022-06-14.

Integrated circuit package

Номер патента: US09754913B2. Автор: Jurgen Leonardus Theodorus Maria Raben. Владелец: Sencio BV. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor integrated circuit, electronic device, solid-state imaging apparatus, and imaging apparatus

Номер патента: US09691806B2. Автор: Yoshiharu Kudoh. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor integrated circuit, electronic device, solid-state imaging apparatus, and imaging apparatus

Номер патента: US09627432B2. Автор: Yoshiharu Kudoh. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Method for producing semiconductor integrated circuit devices, and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: EP4235802A2. Автор: Hideo Kasai,Yutaka Shinagawa,Yasuhiro Taniguchi,Yasuhiko Kawashima,Kosuke Okuyama,Ryotaro Sakurai. Владелец: Floadia Corp. Дата публикации: 2023-08-30.

Method for producing semiconductor integrated circuit devices, and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: EP4235802A3. Автор: Hideo Kasai,Yutaka Shinagawa,Yasuhiro Taniguchi,Yasuhiko Kawashima,Kosuke Okuyama,Ryotaro Sakurai. Владелец: Floadia Corp. Дата публикации: 2023-11-01.

Integrated circuit device and image processing apparatus

Номер патента: US20150288916A1. Автор: Takaaki Yokoi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-10-08.

Integrated circuits with image sensors and methods for producing the same

Номер патента: US20200161365A1. Автор: Eng Huat Toh,Ping Zheng. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2020-05-21.

Integrated circuit combination of a target integrated circuit and a plurality of thin film photovoltaic cells connected thereto using a conductive path

Номер патента: US09698299B2. Автор: Shani Keysar,Reuven Holzer,Ofer Navon,Ram Friedlander. Владелец: SOL CHIP Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Power semiconductor module

Номер патента: RU2314597C2. Автор: Стефан КАУФМАНН,Джером АССАЛ. Владелец: АББ ШВАЙЦ АГ. Дата публикации: 2008-01-10.

Integrated circuit device and semiconductor package including the same

Номер патента: US20240234254A9. Автор: Junho Huh,Bongwee YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Power management integrated circuit and semiconductor package including the same

Номер патента: US20240014210A1. Автор: Hoon Chang,Jungkyung KIM,Jung-Hyun Oh,Yeonghun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-11.

Power management integrated circuit and semiconductor package including the same

Номер патента: EP4303934A1. Автор: Hoon Chang,Jungkyung KIM,Jung-Hyun Oh,Yeonghun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-10.

Semiconductor module parallel circuit and semiconductor module connection substrate

Номер патента: US12027464B2. Автор: Yasushi Nakayama,Ryota Hamaguchi,Shuichi Nagamitsu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor package, printed circuit board substrate and semiconductor device

Номер патента: US09698111B2. Автор: Tsuguto Maruko. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Layout design method and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100123252A1. Автор: Kenichi Ushiyama. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-05-20.

Systems and methods for reducing simultaneous switching noise in an integrated circuit

Номер патента: US20060231947A1. Автор: Eiichi Hosomi,Paul Harvey. Владелец: Toshiba America Electronic Components Inc. Дата публикации: 2006-10-19.

Control circuits and methods for transitioning between power converter control modes

Номер патента: US09906121B2. Автор: Jonathan Ross Bernardo Fauni,James Sigamani,Yancy Fontanilla Boncato. Владелец: Astec International Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Method of adding fabrication monitors to integrated circuit chips

Номер патента: WO2006107356A2. Автор: David P. Vallett,Matthew S. Grady,James W. Adkisson,John M. Cohn,Greg Bazan,Thomas G. Sopchak. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2006-10-12.

Integrated circuit with intra-chip and extra-chip rf communication

Номер патента: US20130029598A1. Автор: Ahmadreza (Reza) Rofougaran. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-01-31.

Package structure of an integrated circuit

Номер патента: US20020096747A1. Автор: Kuang Fan,Yung Chiu,Fu Huang,C. Chen,Mon Ho,C. Cheng,Nai Yeh. Владелец: Kingpak Technology Inc. Дата публикации: 2002-07-25.

Integrated circuit with test circuit

Номер патента: US09646954B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Yu-Wen Liu,Shih-Wei Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Integrated circuit system with distributed power supply comprising interposer and voltage regulator

Номер патента: US09406597B2. Автор: Yun-Han Lee,Shyh-An Chi,Mark Shane Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Three-dimensional integrated circuit, and process and device for three-dimensional integrated circuit alignment

Номер патента: EP4099369A1. Автор: Jeffrey Junhao XU,Riqing Zhang,Weihua Zhu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-07.

Integrated circuit and method for manufacturing same

Номер патента: EP1523784A2. Автор: Stefan Kern. Владелец: Marconi Communications GmbH. Дата публикации: 2005-04-20.

Integrated circuit and method for manufacturing same

Номер патента: EP1523784B1. Автор: Stefan Kern. Владелец: ERICSSON AB. Дата публикации: 2008-03-12.

Integrated circuit package having stacked integrated circuits and method therefor

Номер патента: WO2005001935A2. Автор: Soochok Kee. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2005-01-06.

Beamforming integrated circuit having rf signal ports using a ground-signal transition for high isolation in a phased antenna array system and related methods

Номер патента: US20220285837A1. Автор: Kevin Greene,Vipul Jain,Amr IBRAHIM. Владелец: Anokiwave Inc. Дата публикации: 2022-09-08.

Integrated circuits, methods of forming the same, and methods of determining gate dielectric layer electrical thickness in integrated circuits

Номер патента: US09911665B2. Автор: Sung Mun Jung,Ling Wu,Yi Tat Lim,Wenhu Liu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Module with semiconductor integrated circuits and its manufacturing process

Номер патента: RU2169962C2. Автор: Минг-Тунг ШЕН. Владелец: Минг-Тунг ШЕН. Дата публикации: 2001-06-27.

Package to mount chip in integrated circuit and process of its assembly

Номер патента: RU2191445C2. Автор: Стефен Уэсли МАККВЭРРИ,Уэйн Расселл СТОРР,Джеймс Уоррен УИЛСОН. Владелец: Интернэшнл Бизнес Машинз Корпорейшн. Дата публикации: 2002-10-20.

Cooling package structure applied to integrated circuit and method of assembly thereof

Номер патента: US20230317555A1. Автор: Li Yuan,Jiang Zhi,ZHOU JIE,Xiao Yangyang. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

High frequency semiconductor integrated circuit capable of switching between characteristics

Номер патента: US20020186089A1. Автор: Ko Kanaya,Shin Chaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-12-12.

Separation of a multi-layer integrated circuit device and package

Номер патента: US6304792B1. Автор: Mehrdad Mahanpour. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-10-16.

Power integrated circuit with high insensitivity to parasitic inductances of wires for connection to a package and package for said integrated circuit

Номер патента: US20090073625A1. Автор: Edoardo Botti,Pietro Mario Adduci. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2009-03-19.

Integrated circuit and method of designing integrated circuit

Номер патента: US20020031850A1. Автор: Tsutomu Takabayashi,Shizuo Morizane. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-03-14.

Semiconductor integrated circuit and digital camera comprising the same

Номер патента: US6465817B1. Автор: Shinji Furuichi. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-15.

Through-silicon via layout for multi-die integrated circuits

Номер патента: US12107076B2. Автор: Edward Chang,Alan D. Smith,Jasmeet Singh Narang,John Wuu,Wonjun Jung,Tyrone HUANG,Christopher KLEMENT. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Air-cooled heatsink for cooling integrated circuits

Номер патента: US09609785B1. Автор: Gerhard I. Meijer,Eric A. Eckberg,Matthew A. Butterbaugh,David R. Motschman,Raymond F. Babcock. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Integrated circuit structures with spin torque transfer magnetic random access memory having increased memory cell density and methods for fabricating the same

Номер патента: US20160133669A1. Автор: Eng Huat Toh,Elgin Kiok Boone Quek,Xuan Anh TRAN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2016-05-12.

Integrated circuit having main route and detour route for signal transmission and integrated circuit package including the same

Номер патента: US09524922B2. Автор: Taewhan Kim,Bonghyun LEE,Hyoun Soo Park,Jungyun Choi,Chul RIM,Kee Sup Kim,Kyounghwan LIM,Heechun PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Integrated circuit structures with spin torque transfer magnetic random access memory having increased memory cell density and methods for fabricating the same

Номер патента: US09484530B2. Автор: Eng Huat Toh,Elgin Kiok Boone Quek,Xuan Anh TRAN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2016-11-01.

Method and apparatus for integrated circuit protection

Номер патента: EP1616380A1. Автор: Bernardus H. Krabbenborg. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-01-18.

Method and apparatus for integrated circuit protection

Номер патента: WO2004091067A1. Автор: Bernardus H. Krabbenborg. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-10-21.

Integrated circuit with substantially perpendicular wire bonds

Номер патента: US7465655B2. Автор: Joseph Michael Freund,John M. Brennan,Donald Farrell. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2008-12-16.

Integrated circuit with substantially perpendicular wire bonds

Номер патента: US20060264024A1. Автор: John Brennan,Joseph Freund,Donald Farrell. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2006-11-23.

Systems and methods for providing distributed batteries in integrated circuits

Номер патента: US20240234345A1. Автор: Swarup Bhunia,Peyman Dehghanzadeh. Владелец: University of Florida Research Foundation Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Device, method and system for providing a stacked arrangement of integrated circuit dies

Номер патента: US20210074695A1. Автор: Rajesh Kumar,Glenn J. Hinton,Mark Bohr,Wilfred Gomes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-03-11.

Gate Drivers and Voltage Regulators for Gallium Nitride Devices and Integrated Circuits

Номер патента: US20200007119A1. Автор: Yue Fu,Yan-Fei Liu,Zhanming Li. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-01-02.

Integrated circuits using high aspect ratio vias through a semiconductor wafer and method for forming same

Номер патента: US20020127835A1. Автор: Leonard Forbes,Kie Ahn,Joseph Geusic. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-09-12.

Oscillator circuit and temperature compensation method for oscillator circuit

Номер патента: US12088251B2. Автор: Takayuki Sato,Takeshi Hamada. Владелец: Asahi Kasei Microdevices Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Communication between integrated circuit (1c) dies in wafer- level fan-out package

Номер патента: EP4222864A1. Автор: Parag Upadhyaya,Chi Fung Poon,Asma Laraba. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2023-08-09.

Repackaged integrated circuit and assembly method

Номер патента: US09870968B2. Автор: Erick Merle Spory,Timothy Mark Barry. Владелец: Global Circuit Innovations Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Packages for integrated circuits and methods of packaging integrated circuits

Номер патента: US09786838B2. Автор: Angelo V. Ugge. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Integrated circuits with optical modulators and photodetectors and methods for producing the same

Номер патента: US09711662B1. Автор: Ramakanth Alapati,Juan Boon Tan,Benfu Lin,Shunqiang Gong. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Low power, temperature regulated circuit for precision integrated circuits

Номер патента: US09607913B1. Автор: William J. Britz. Владелец: Fluke Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Protection of wire-bond ball grid array packaged integrated circuit chips

Номер патента: US12033925B2. Автор: Pascal Aubry,Andrew MCLAUCHLAN. Владелец: Nagravision SA. Дата публикации: 2024-07-09.

Methods and apparatus for integrated circuit ball bonding with substantially perpendicular wire bond profiles

Номер патента: US20050176232A1. Автор: Curtis Miller,Nelson Troncoso. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-11.

Integrated circuit and method for preparing same, and power amplifier and electronic device

Номер патента: EP4411827A1. Автор: Bin Hu,Min Zhu,Huantao DUAN,Ruxue NI. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Microwave integrated circuit and manufacturing method of the same

Номер патента: US20240347485A1. Автор: Wei Zhao,Shenghou LIU,Xiguo SUN,Zlichen WANG. Владелец: Xiamen Sanan Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Integrated circuit and code generating method

Номер патента: US09966467B2. Автор: Hiroshi Watanabe. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Integrated circuits with flash memory and methods for producing the same

Номер патента: US09780231B1. Автор: Ming Zhu,Danny Pak-Chum Shum,Xinshu CAI,Pinghui Li,Darin Chan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Integrated circuit and method of manufacturing an integrated circuit

Номер патента: US09525058B2. Автор: Britta Wutte. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-12-20.

Dual-gate transistors and their integrated circuits and preparation method thereof

Номер патента: US20200343353A1. Автор: Zhiyong Zhang,Lianmao Peng,Chenyi Zhao,Donglai Zhong. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-10-29.

Method for manufacturing tag integrated circuit flexible board and structure of the same

Номер патента: US20080299360A1. Автор: Pei-Choa Wang. Владелец: Pyroswift Holding Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-04.

Activating reactions in integrated circuits through electrical discharge

Номер патента: US20160133581A1. Автор: Kenneth P. Rodbell,Cyril Cabral, Jr.,Conal E. Murray,Gregory M. Fritz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-12.

Heat dissipation in integrated circuits

Номер патента: US20070064398A1. Автор: Cynthia Lee,Sidhartha Sen. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2007-03-22.

Integrated circuit having a plurality of output drivers

Номер патента: US20050030686A1. Автор: Michael Pfeiffer,Rory Dickmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-02-10.

Radio frequency integrated circuit

Номер патента: US12040290B2. Автор: Walter Tony WOHLMUTH,Shuo-Hung Hsu,Rachit Joshi. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2024-07-16.

Activating reactions in integrated circuits through electrical discharge

Номер патента: US09991214B2. Автор: Kenneth P. Rodbell,Cyril Cabral, Jr.,Conal E. Murray,Gregory M. Fritz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Activating reactions in integrated circuits through electrical discharge

Номер патента: US09431354B2. Автор: Kenneth P. Rodbell,Cyril Cabral, Jr.,Conal E. Murray,Gregory M. Fritz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Integrated circuit with dynamic threshold voltage

Номер патента: US20010014494A1. Автор: Brian Doyle,Rafael Rios,Brian Roberds. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-16.

Integrated Circuit and Method for Manufacturing an Integrated Circuit

Номер патента: US20100033269A1. Автор: Dirk Hesidenz,Markus Klaus Unger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2010-02-11.

Integrated circuits including replacement gate structures and methods for fabricating the same

Номер патента: US09761691B2. Автор: Min-Hwa Chi,Xusheng Wu,Dong-woon Shin. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Integrated circuits with magnetic tunnel junctions and methods for producing the same

Номер патента: US20170345999A1. Автор: Kangho Lee,Kazutaka Yamane,Seungmo Noh. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-11-30.

Semiconductor integrated circuit and wiring method

Номер патента: US20010025365A1. Автор: Sumio Kuwabara. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-09-27.

Integrated circuits with resistive non-volatile memory cells and methods for producing the same

Номер патента: US20200321396A1. Автор: Eng Huat Toh,Lanxiang Wang,Shyue Seng Tan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2020-10-08.

Integrated circuits and coupled inductors with isotropic magnetic cores, and methods for fabricating the same

Номер патента: US09966186B1. Автор: Donald Ray Disney,Lulu Peng. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Integrated circuit and fabricating method and evaluating method of integrated circuit

Номер патента: US20010007356A1. Автор: Kazuyuki Inokuchi,Masahisa Ikeya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-07-12.

Integrated circuit

Номер патента: US20210375520A1. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Ka-Un Chan. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-12-02.

Integrated circuit and wireless IC tag

Номер патента: US20060192276A1. Автор: Takeshi Kamiya. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-31.

Flexible interconnection between integrated circuit chip and substrate or printed circuit board

Номер патента: WO2000036888A1. Автор: Geoffrey Peter. Владелец: Geoffrey Peter. Дата публикации: 2000-06-22.

Integrated circuit

Номер патента: US12112875B2. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Ka-Un Chan. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Integrated circuit and electronic apparatus

Номер патента: US09948305B2. Автор: Shinichi Yasuda,Masato Oda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Method of manufacturing a device comprising an integrated circuit and photovoltaic cells

Номер патента: US09647161B2. Автор: Julien Buckley,Haykel Ben Jamaa. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-05-09.

Systems and methods for improving radio frequency integrated circuits

Номер патента: US20220149957A1. Автор: Naftali Chayat,Nadav Mazor,Jan OREDSSON. Владелец: Vayyar Imaging Ltd. Дата публикации: 2022-05-12.

Thermal test head for an integrated circuit device

Номер патента: US20210325452A1. Автор: See Jean Chan,Zhaomeng Wang,Yao Kun Leonard MAK,MuralliKrishna GOVINDANDHANASEKARAN. Владелец: AEM SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-10-21.

Methods, apparatuses, integrated circuits, and printed circuit boards for power conversion with reduced parasitics

Номер патента: WO2023183819A1. Автор: Gregory Szczeszynski,John Weld,Tim Wen Hui Yu. Владелец: pSemi Corporation. Дата публикации: 2023-09-28.

Voltage-isolated integrated circuit packages

Номер патента: US20240347472A1. Автор: William P. Taylor,Vijay Mangtani,Paul A. David. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Integrated circuit stack

Номер патента: US09947609B2. Автор: James Hobbs,Kenneth H. Heffner,James L. Tucker,Gary Roosevelt. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Power filtering circuit and method

Номер патента: US09893701B1. Автор: John Plasterer,Yuming Tao. Владелец: Microsemi Solutions US Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Integrated circuits with magnetic tunnel junctions and methods for producing the same

Номер патента: US09865801B1. Автор: Kangho Lee,Kazutaka Yamane,Vinayak Bharat Naik. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Integrated circuit package assembly

Номер патента: US09786635B2. Автор: Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Driver integrated circuit

Номер патента: US09698783B2. Автор: Wen Li,Masami Makuuchi,Norio Chujo,Takehito Kamimura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Integrated circuits with memory cells and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09537092B2. Автор: Alex See,Shyue Seng Tan,Zheng Zou. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Architectures for backside power delivery with stacked integrated circuit devices

Номер патента: US20240213235A1. Автор: Gang Duan,Srinivas PIETAMBARAM,Suddhasattwa NAD,Brandon Marin,Jeremy ECTON. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Systems and methods for improving radio frequency integrated circuits

Номер патента: WO2021079325A3. Автор: Naftali Chayat,Nadav Mazor,Jan OREDSSON. Владелец: VAYYAR IMAGING LTD.. Дата публикации: 2021-07-01.

HIGH FREQUENCY ATTENUATOR FOR INTEGRATED CIRCUIT, CIRCUIT AND METHOD FOR ACCURATE REDUCTION OF THE AMPLITUDE OF AN INPUT SIGNAL

Номер патента: FR2647284A1. Автор: Stuart B Shacter. Владелец: Burr Brown Corp. Дата публикации: 1990-11-23.

Semiconductor integrated circuit, semiconductor device, and semiconductor memory device

Номер патента: US20240257884A1. Автор: Mikio Shiraishi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Electronic device having antenna tuning integrated circuits with sensors

Номер патента: US09960801B2. Автор: LIANG Han,James G. Judkins,Mattia Pascolini,Thomas E. Biedka,Victor Lee,Matthew A. Mow,Ming-Ju Tsai. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Electronic device having antenna tuning integrated circuits with sensors

Номер патента: US09698854B2. Автор: LIANG Han,James G. Judkins,Mattia Pascolini,Thomas E. Biedka,Victor Lee,Matthew A. Mow,Ming-Ju Tsai. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Dual phased array with single polarity beam steering integrated circuits

Номер патента: WO2019027981A1. Автор: Robert Ian Gresham,Robert Mcmorrow. Владелец: ANOKIWAVE, INC.. Дата публикации: 2019-02-07.

Addressing for integrated circuits

Номер патента: EP4380071A3. Автор: Mustafa SAYGINER. Владелец: NOKIA SOLUTIONS AND NETWORKS OY. Дата публикации: 2024-07-31.

Radio frequency oscillator with ceramic resonator and surface-mounted integrated circuit package

Номер патента: WO2024205890A1. Автор: Je-Hsiung Lan,Kai Liu,Jonghae Kim,Nosun Park,Jui-Yi Chiu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor integrated circuit and wireless transmitter

Номер патента: US09853606B2. Автор: Shoichi Masui,Kouichi Kanda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Switch circuit and method of switching radio frequency signals

Номер патента: US09780778B2. Автор: Mark L. Burgener,James S. Cable. Владелец: Peregrine Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Stacked electric connector having built-in hub integrated circuit

Номер патента: US20130309909A1. Автор: Nai-Chien Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-11-21.

Battery protection circuit and battery pack including same

Номер патента: US12062933B2. Автор: Youngjun Kim,Jong-Chan HAN,Chul-Seung Lee. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor device

Номер патента: US20190348093A1. Автор: Masashi Nakata,Yohei YASUDA,Nobuhiro Tsuji,Hiroki Ohkouchi,Shota NOTE. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-11-14.

Information processing apparatus and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20190267065A1. Автор: Masato Hayashi,Masanao Yamaoka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2019-08-29.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor storage device

Номер патента: US11742835B2. Автор: Masashi Nakata. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Synchronous processing system and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20150244380A1. Автор: Daisuke Kadota. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-27.

Synchronous processing system and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09882569B2. Автор: Daisuke Kadota. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Integrated circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US09960768B2. Автор: Min-Ho Park,Jae-Woo Seo,Dal-Hee LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Integrated circuit with adaptive speed selection

Номер патента: RU2381543C2. Автор: Раджеев ПРАБХАКАРАН,Ягрут В. ПАТЕЛ,Санат КАПУР,Грегори БУЛЛАРД. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2010-02-10.

Radiation hardened chip level integrated recovery apparatus, methods, and integrated circuits

Номер патента: US09438025B1. Автор: Stephan P. Athan. Владелец: Defense Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Integrated circuit system and integrated circuit

Номер патента: US09854531B2. Автор: Kentaro Kawakami. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

DC impedance detection circuit and method for speaker

Номер патента: US09716954B2. Автор: Hejinsheng Cao. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2017-07-25.

Integrated circuit and an electronic device including integrated circuit

Номер патента: US20230097976A1. Автор: Jae Ho Lee,Jae Seung Choi,Chan Wook Park,Yeon Ho Jung,Jong Wook Kye,Min Woo Kwak,Mi Joung Kim,Do Hoon Byun,Kwan Seong Lee,Je Kyun Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-30.

Interface for data communication between chiplets or other integrated circuits on an interposer

Номер патента: US11809800B2. Автор: Tony M. Brewer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Methods and circuits for compensating clock signals having different loads in packaged integrated circuits using phase adjustments

Номер патента: US6175258B1. Автор: Sung-Min Yim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-01-16.

Slope wave generation circuit and digital-to-analog conversion circuit thereof, fingerprint identification system

Номер патента: US09953203B2. Автор: Songtao Chen. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Integrated circuit, test method for testing integrated circuit, and electronic device

Номер патента: US20210083672A1. Автор: Shinichi Yasuda,Masato Oda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Amplifier circuit, integrating circuit, and light-detection device

Номер патента: US20130038393A1. Автор: Shinya Ito,Haruhiro Funakoshi. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2013-02-14.

Buffer compatible with skew critical protocols implemented in an integrated circuit and methods for routing metal lines to the buffer in the integrated circuit

Номер патента: US20240354483A1. Автор: Gaurav Agarwal,Siddhartha Jain,Amol Agarwal,Himanshu Mangal,Sachin Kalra. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

A buffer compatible with skew critical protocols implemented in an integrated circuit and methods for routing metal lines to the buffer in the integrated circuit

Номер патента: EP4451565A1. Автор: Gaurav Agarwal,Siddhartha Jain,Amol Agarwal,Himanshu Mangal,Sachin Kalra. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-10-23.

Integrated circuit and method

Номер патента: US12100445B2. Автор: Mei-Chen Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Voltage detection circuit and method for integrated circuit, and integrated circuit

Номер патента: US12072356B2. Автор: Shan Lu,Jian Wang,Yimin Chen,Junmou Zhang,Chuang Zhang,Yuanlin Cheng. Владелец: Lemon Inc Cayman Island. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor integrated circuit and method of processing in semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09542266B2. Автор: Hiroaki Watanabe,Yoshiki Okumura,Chikahiro Deguchi,Yutaka Sekino,Hideyuki Negi,Naoki Maezawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Integrated circuit including back side conductive lines for clock signals

Номер патента: US20210344346A1. Автор: Kam-Tou SIO,Jiun-Wei Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

State visibility and manipulation in integrated circuits

Номер патента: US20170103157A1. Автор: Michael Hutton,Sean Atsatt. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-04-13.

Circuits and methods for implementing mode selection in multiple-mode integrated circuits

Номер патента: EP1828868A2. Автор: Kartik Nanda. Владелец: Cirrus Logic Inc. Дата публикации: 2007-09-05.

Integrated circuit including dedicated and programmable logic

Номер патента: EP1219031A1. Автор: David D. Eaton,Ket-Chong Yap,Kevin K. Yee,E. Thomas Hart,Andrew K. Chan,Neal A. Palmer,Michael W Dini,James Apland,Panawalge S. N. Gunaratna. Владелец: QuickLogic Corp. Дата публикации: 2002-07-03.

Integrated circuit including dedicated and programmable logic

Номер патента: WO2001017112A1. Автор: David D. Eaton,Ket-Chong Yap,Kevin K. Yee,E. Thomas Hart,Andrew K. Chan,Neal A. Palmer,Michael W Dini,James Apland,Panawalge S. N. Gunaratna. Владелец: Quicklogic Corporation. Дата публикации: 2001-03-08.

Method and apparatus for secure provisioning of an integrated circuit device

Номер патента: US09729518B1. Автор: Sean R. Atsatt. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

State visibility and manipulation in integrated circuits

Номер патента: US09697318B2. Автор: Michael Hutton,Sean Atsatt. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Circuit and method for detection and compensation of transistor mismatch

Номер патента: US09425795B2. Автор: Tobias Gemmeke,Maryam Ashouei. Владелец: STICHTING IMEC NEDERLAND. Дата публикации: 2016-08-23.

Integrated circuit

Номер патента: US20240007126A1. Автор: Takeshi Koike. Владелец: Wacom Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

A pixel readout circuit and a method for imaging

Номер патента: WO2020079683A2. Автор: Nimrod Ben-Ari,Claudio Gabriel JAKOBSON,Itzhak NEVO,Niv SHILOAH. Владелец: Semi Conductor Devices-An Elbit Systems-Rafael Partnership. Дата публикации: 2020-04-23.

A pixel readout circuit and a method for imaging

Номер патента: EP3864837A2. Автор: Nimrod Ben-Ari,Claudio Gabriel JAKOBSON,Itzhak NEVO,Niv SHILOAH. Владелец: Semi-Conductor Devices. Дата публикации: 2021-08-18.

Clock frequency adjusting circuit and method for adjusting clock frequency

Номер патента: US20240072778A1. Автор: Shinichiro SHIROTA. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor integrated circuit and electronic device

Номер патента: US20090115442A1. Автор: Yoji Nishio,Seiji Funaba. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-05-07.

Transmitter, integrated circuit, detection section and method for testing integrated circuit

Номер патента: US9991974B2. Автор: Yoshinori Takahashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Packaged integrated circuit synchronous memory device with circuits for compensating clock signals having different loads using phase adjustments

Номер патента: US6349070B1. Автор: Sung-Min Yim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-02-19.

Transmitter, integrated circuit, detection section and method for testing integrated circuit

Номер патента: US09991974B2. Автор: Yoshinori Takahashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Integrated circuit calibration system using general purpose processors

Номер патента: US09778312B1. Автор: Edwin Yew Fatt Kok,Wai Tat Wong,Wilfred Wee Kee King,Tee Wee Tan. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Circuits for and methods of reducing duty-cycle distortion in an integrated circuit implementing dual-edge clocking

Номер патента: US09577615B1. Автор: Ilya K. Ganusov,Benjamin S. Devlin. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Circuit and method for powering an integrated circuit having first and second power regulators respectively configured and arranged to provide regulated power at main and standby power levels

Номер патента: US09444456B2. Автор: Andre Gunther,Kevin Mahooti,Peter Robertson. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-09-13.

Built-in self-test circuits and semiconductor integrated circuits including the same

Номер патента: US11867757B2. Автор: Jinwoo Park,Michael Choi,Sungno Lee,Younghyo PARK,Eunhye OH,Heejune Lee,Youngjae CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor integrated circuit, phase locked loop (PLL) circuit, and system

Номер патента: US12040806B2. Автор: Masatomo Eimitsu. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Low frequency two phase oscillator including variable feedback integrator circuits

Номер патента: US3942131A. Автор: Allan I. Bennett. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1976-03-02.

Level detection circuit, phase change detection circuit, and optical disk apparatus

Номер патента: US20040267864A1. Автор: Satoru Kojima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-12-30.

Integrated circuit having a timing circuit, and method for adjustment of an output signal from the timing circuit

Номер патента: US20020027462A1. Автор: Robert Kaiser,Thilo Schaffroth. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-07.

Built-in self-test circuits and semiconductor integrated circuits including the same

Номер патента: US20220187366A1. Автор: Jinwoo Park,Michael Choi,Sungno Lee,Younghyo PARK,Eunhye OH,Heejune Lee,Youngjae CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-16.

Semiconductor Integrated Circuit

Номер патента: US20090102531A1. Автор: Hideo Ito,Kazutero Nanba. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-04-23.

Integrated circuit and method of storing probability tables for video decoding

Номер патента: US20210400282A1. Автор: Wei Wang,Ruiyang Chen,Shuoshuo LIU. Владелец: Glenfly Tech Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Semiconductor integrated circuit, dll circuit, and duty cycle correction circuit

Номер патента: US20190081631A1. Автор: Masashi Nakata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-14.

Inkjet printhead integrated circuit

Номер патента: US20050225603A1. Автор: Kia Silverbrook. Владелец: SILVERBROOK RESEARCH PTY LTD. Дата публикации: 2005-10-13.

Method for controlling message signal within timing controller integrated circuit, timing controller integrated circuit and display panel

Номер патента: US09898993B2. Автор: Jingjing WU,Zhi XIONG. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Proximity integrated circuit card bias adjustment

Номер патента: US09426003B2. Автор: Ghiath Al-Kadi,Massimo Ciacci,Remco Cornelis Herman Van De Beek. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-08-23.

Integrated circuit and timing controller for driving panel

Номер патента: US20210191591A1. Автор: Yong Sung Ahn. Владелец: Silicon Works Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-24.

High speed pin driver integrated circuit architecture for commercial automatic test equipment applications

Номер патента: WO2000039928A1. Автор: Lloyd F. Linder. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2000-07-06.

Semiconductor integrated circuit, A/D converter, delta sigma-type A/D converter, incremental delta sigma-type A/D converter, and switched capacitor

Номер патента: US10985772B2. Автор: Naoya Waki. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-04-20.

Semiconductor integrated circuit that determines power saving mode based on calculated time difference between wakeup signals

Номер патента: US9891689B2. Автор: Yoshihisa KOHARA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

High speed pin driver integrated circuit architecture for commercial automatic test equipment applications

Номер патента: EP1057263A1. Автор: Lloyd F. Linder. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2000-12-06.

Programmable Input And Output Interfaces In Processing Integrated Circuits For Servers And Other Devices

Номер патента: US20230018793A1. Автор: Md Altaf Hossain,Ankireddy Nalamalpu,Sreedhar Ravipalli,Mahesh Kumashikar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-01-19.

Voltage regulator and image forming apparatus that equalize required voltage of a plurality of cores included in integrated circuit

Номер патента: US09964912B2. Автор: Tetsuo Tomimatsu. Владелец: Kyocera Document Solutions Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor integrated circuit that determines power saving mode based on calculated time difference between wakeup signals

Номер патента: US09891689B2. Автор: Yoshihisa KOHARA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Integrated circuit for relying signal over USB connector with signal having notch at frequency of wireless band with transfer rate higher than frequency of USB high-speed interconnect

Номер патента: US09824057B2. Автор: Yan-Bin Luo. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

High sensitivity digital voltage droop monitor for integrated circuits

Номер патента: US09772375B2. Автор: Vijay Srinivasan,Sebastian Turullols,Changku Hwang. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Asynchronous peak hold circuit on an integrated circuit trace to monitor for voltage spikes caused by an electromagnetic pulse

Номер патента: US20240110954A1. Автор: Attila Zólomy,Clayton Daigle,Jeffrey Tindle,DeWitt C. Seward. Владелец: Silicon Laboratories Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Detection and Correction of Single Event Upset (SEU) in Integrated Circuit

Номер патента: US20210091754A1. Автор: Younes Lotfi. Владелец: Cobham Colorado Springs Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Input/output cell for integrated circuits

Номер патента: US10008985B2. Автор: Henricus Hubertus Van Den Berg,Michiel Alexander Hallie,Joannes Theodorus van der Heiden. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2018-06-26.

Power supply circuit and display apparatus

Номер патента: US11043180B2. Автор: Hui Dong,Min Wang,Yuanyuan Liu,Xiaoshi LIU. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-22.

Integrated circuit and electronic tag for processing uhf rfid signal and nfc signal and method for providing data processing service

Номер патента: US20200143218A1. Автор: Sung Wan Kim,Sung Hun Chun,Pyeong Han Lee,Kwang Beom PARK,Chang Ho RYU. Владелец: 3a Logics Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Integrated circuit device, method and system

Номер патента: US20240250671A1. Автор: Jerry Chang Jui Kao,Hui-Zhong ZHUANG,Cheng-Yu Lin,Yung-Chen CHIEN,Jia-Hong Gao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Power supply circuit and display apparatus

Номер патента: US20210012742A1. Автор: Hui Dong,Min Wang,Yuanyuan Liu,Xiaoshi LIU. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-14.

Programmable circuit, integrated circuit, and electronic device

Номер патента: US20240364350A1. Автор: Zhenyuan Wang,Keyong Liu,Xiequn Lin. Владелец: Shenzhen Pango Microsystems Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Communication device, communication method, integrated circuit, and electronic instrument

Номер патента: US09904820B2. Автор: Tetsuro Akaida,Kotaro Masuda. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor integrated circuit and circuit operation method

Номер патента: US09898072B2. Автор: Koji Maeda,Taizo Yamawaki,Yukinori Akamine,Hiroshi Kamizuma. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Integrated circuit chip and its impedance calibration method

Номер патента: US09838011B2. Автор: Rifeng Mai. Владелец: Capital Microelectronics Beijing Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Integrated circuit and method of testing

Номер патента: US09768762B2. Автор: Jinn-Yeh Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor integrated circuit device having delay circuit

Номер патента: US09755626B2. Автор: Jae Hoon Cha,Sung Yub Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09742383B2. Автор: Muneaki Maeno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Integrated circuit with separate supply voltage for memory that is different from logic circuit supply voltage

Номер патента: US09672901B2. Автор: Daniel C. Murray,Brian J. Campbell,Sribalan Santhanam,Vincent R. von Kaenel,Gregory S. Scott. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Special-purpose cryptographic integrated circuit, which includes encoded in the circuit conversion function

Номер патента: RU2708358C1. Автор: ДЕ КАСТРО Эдвард Л. РОДРИГЕС,Эдриан Джордж ПОРТ,Сагар В. РЕДДИ. Владелец: БЛОКЧЕЙН АСИКС ЭлЭЛСи. Дата публикации: 2019-12-05.

Photodiode integrated circuit having multiple gain states

Номер патента: US20060170504A1. Автор: Sang Kim,Jung Gong,Hyeon Hwang,Kyoung Kwon. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-03.

Image Compression using Integrated Circuit Devices having Analog Inference Capability

Номер патента: US20240089628A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Processing system, related integrated circuit and method

Номер патента: US11281807B2. Автор: Nicolas Anquet,Giuseppe Guarnaccia,Rosalino Critelli,Delphine Le-Goascoz. Владелец: STMicroelectronics Grenoble 2 SAS. Дата публикации: 2022-03-22.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070183226A1. Автор: Masashi Horiguchi,Mitsuru Hiraki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-09.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20080290932A1. Автор: Masashi Horiguchi,Mitsuru Hiraki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-27.

Image Compression using Integrated Circuit Devices having Analog Inference Capability

Номер патента: US20240323562A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US12072375B2. Автор: Yoichi Takano. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Circuits and techniques for detecting an open pin condition of an integrated circuit

Номер патента: US09641070B2. Автор: Joshua WIBBEN. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor integrated circuit and operating method for the same

Номер патента: US09502060B2. Автор: Minoru Kurosawa,Kichiya Itagaki,Hideho Koyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Circuits And Methods For Tampering Detection

Номер патента: US20240220671A1. Автор: Atul Maheshwari,Teik Wah Lim,Michael Neve de Mevergnies,Maggie Jauregui,Chandni Bhowmik. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Integrated circuit with sensor printed in situ

Номер патента: WO2016196572A1. Автор: Randy L. Yach,Arthur B. Eck. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2016-12-08.

Integrated circuit with sensor printed in situ

Номер патента: EP3304005A1. Автор: Randy L. Yach,Arthur B. Eck. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-11.

Integrated test circuit, test assembly and method for testing an integrated circuit

Номер патента: US12055587B2. Автор: Heiko Ahrens,Martin Huch,Tobias Kilian,Daniel Tille. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-06.

Integrated circuit and operation method

Номер патента: US20240126929A1. Автор: Yukihiro Shimamoto. Владелец: Sharp Semiconductor Innovation Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Integrated circuit and semiconductor device

Номер патента: US11789061B2. Автор: Isao Saito. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Information processing apparatus and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US10306099B2. Автор: Yoshihisa Nomura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2019-05-28.

Information processing apparatus and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20180167531A1. Автор: Yoshihisa Nomura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-06-14.

Integrated circuit, method, and electronic device for reducing emi of signal

Номер патента: US20210036709A1. Автор: Cheolho LEE,Seungjoon YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-04.

Integrated circuit with on-state diagnosis for driver channels

Номер патента: US20230266382A1. Автор: Valerio Bendotti,Gaudenzia BAGNATI,Stefano Castorina. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-08-24.

Circuit for the generation of a scanning clock in an operational analysis device of the serial type for an integrated circuit

Номер патента: USRE36123E. Автор: Flavio Scarra,Maurizio Gaibotti,Giampiero Trupia. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1999-03-02.

Integrated circuit and signal monitoring method thereof

Номер патента: US20160373095A1. Автор: Shih-Chin Lin,Wen-Hong Hsu,Po-Hua Chen,Yu-Yee Liow,Ya-Nan Mou,Yuan-Hui Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-12-22.

Photosensitive device including an integrator circuit per group of at least two photosensitive elements

Номер патента: US12028639B2. Автор: Nicolas Moeneclaey,Samuel Foulon. Владелец: STMicroelectronics Alps SAS. Дата публикации: 2024-07-02.

Integrated circuit and operating method thereof

Номер патента: US20220269306A1. Автор: Sungcheol PARK,Kiseok Bae,Jieun Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-08-25.

Semiconductor integrated circuit device regarding the detection of degradation

Номер патента: US09960770B2. Автор: Jin Youp CHA,Young Sik HEO,Jeong Tae Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Integrated circuit and storage device including the same

Номер патента: US09748956B2. Автор: Hyunjin Kim,Jangwoo Lee,Jeongdon Ihm,Daehoon Na. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Integrated circuit and operation method thereof

Номер патента: US09575535B2. Автор: Cheng-Chih Wang. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Integrated circuit and signal monitoring method thereof

Номер патента: US09571079B2. Автор: Shih-Chin Lin,Wen-Hong Hsu,Po-Hua Chen,Yu-Yee Liow,Ya-Nan Mou,Yuan-Hui Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor device

Номер патента: US20190080734A1. Автор: Masashi Nakata,Yohei YASUDA,Nobuhiro Tsuji,Hiroki Ohkouchi,Shota NOTE. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-14.

Manufacturing method for wireless communications devices employing potentially different versions of integrated circuits

Номер патента: EP1155583A1. Автор: Ronald D. Boesch. Владелец: Ericsson Inc. Дата публикации: 2001-11-21.

Linear regulator and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20200341499A1. Автор: Makoto Yasusaka,Kotaro Iwata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-10-29.

Semiconductor device and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US11860657B2. Автор: Shuichi Takada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor integrated circuit for regulator

Номер патента: US09606556B2. Автор: Yoichi Takano,Katsuhiro Yokoyama. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Circuit and method for generating reference voltage based on temperature coefficient

Номер патента: US09874886B2. Автор: Jong-Cheol Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-23.

Efficient calibration of circuits in tiled integrated circuits

Номер патента: US20220206552A1. Автор: Miguel Rodriguez,Stephen Victor Kosonocky,Peter T. Hardman. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2022-06-30.

Integrated circuit and electronic device including the same

Номер патента: US12032399B2. Автор: Insuk KIM,Jungmoon Kim,Jeongpyo KIM,Yeonjeong LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Current reference circuit and semiconductor integrated circuit including the same

Номер патента: US09996100B2. Автор: Ho-Young Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor integrated circuit and power supply control system provided with a plurality of semiconductor integrated circuits

Номер патента: US9880572B2. Автор: Yoshinori Okajima,Kazuhisa Tanaka,Takahiro Ichinomiya,Masayuki Taniyama,Takeshi Yado,Hidemi HARAYAMA. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor integrated circuit and power supply control system provided with a plurality of semiconductor integrated circuits

Номер патента: US09880572B2. Автор: Yoshinori Okajima,Kazuhisa Tanaka,Takahiro Ichinomiya,Masayuki Taniyama,Takeshi Yado,Hidemi HARAYAMA. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor integrated circuit and electronic device

Номер патента: US20240329680A1. Автор: Takayuki Iwai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Power supply noise reduction circuit and power supply noise reduction method

Номер патента: US09921596B2. Автор: Liav Ben Artsi. Владелец: Marvell Israel MISL Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor integrated circuit development method and semiconductor integrated circuit development support program

Номер патента: AU2003277604A8. Автор: Hiroaki Sugimoto,Toshiyuki Usui,Hitoshi Sugihara. Владелец: Renesas Eastern Japan Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-06-07.

Semiconductor integrated circuit development method and semiconductor integrated circuit development support program

Номер патента: AU2003277604A1. Автор: Hiroaki Sugimoto,Toshiyuki Usui,Hitoshi Sugihara. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-06-07.

Semiconductor integrated circuit, design method thereof, semiconductor integrated circuit design program, and semiconductor integrated circuit design device

Номер патента: JP2009187354A. Автор: 雄貴樋口,Yuki Higuchi. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-08-20.

Semiconductor integrated circuit designing apparatus, semiconductor integrated circuit designing method and semiconductor device

Номер патента: US20080270957A1. Автор: Hiroshige Orita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-10-30.

Semiconductor integrated circuit test system and semiconductor integrated circuit test device thereof

Номер патента: CN110824330A. Автор: 李炳勋,林士超,陈柏玮,施翔文,叶明昇. Владелец: Chroma ATE Inc. Дата публикации: 2020-02-21.

A kind of encryption method of single-chip microcomputer integrated circuit, circuit and device

Номер патента: CN104272312B. Автор: 韩性峰,郑玮琨. Владелец: SHENZHEN HIGFENG TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Apparatus and method for dynamic thermal management of integrated circuit

Номер патента: US09817454B2. Автор: Wei-Ting Wang,Yingshiuan Pan,Kang-Chih Lin. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Surge protection in semiconductor integrated circuit and semiconductor memory device

Номер патента: US20230198251A1. Автор: Tomohiko Takeuchi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor integrated circuit, transmitter, and semiconductor device

Номер патента: US20240106348A1. Автор: Toshihiro Yagi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit for radio communication

Номер патента: US20070190961A1. Автор: Yutaka Igarashi,Yusaku Katsube,Akio Yamamoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-08-16.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US20190207426A1. Автор: Koji Morita. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-04.

Internal voltage trimming device and semiconductor integrated circuit including the same

Номер патента: US09929644B2. Автор: Jun-Young Park,Ji-Sung Kim,Se-eun OH,Hyeon-seong IM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor module overcurrent detection device, semiconductor module using same, and semiconductor module overcurrent detection method

Номер патента: EP4404454A1. Автор: Takashi Wada,Hiroshi Kageyama,Katsuaki Saito,Daisuke Kawase,Akira Mima,Taiga Arai. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

A/d converter and semiconductor device

Номер патента: US20090027247A1. Автор: Toshio Kumamoto,Takashi Okuda. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-01-29.

Differential amplifier circuit, reception circuit, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US12113494B2. Автор: Hideki Kano,Takuya FUJIMURA. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Radio communication device and semiconductor integrated circuit device used for the same

Номер патента: US09826538B2. Автор: Yoshinori Shigeta,Yoshimitsu Shimojo,Toshiki Kizu,Yasuro Shobatake. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Liquid ejecting apparatus, drive circuit, and integrated circuit

Номер патента: US09849670B2. Автор: Tomokazu Yamada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Electrically connecting integrated circuits and transducers

Номер патента: EP1284094A2. Автор: Schelto Vandoorn. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2003-02-19.

Method and apparatus for controlling or managing bandwidth of a filter circuit within a system having two integrated circuits

Номер патента: US20140084996A1. Автор: Dale G. Schwent,Ryan J. Goedken. Владелец: MOTOROLA MOBILITY LLC. Дата публикации: 2014-03-27.

Operational comparator, differential output circuit, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20090153199A1. Автор: Shinichiro Kobayashi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-06-18.

Oscillation circuit and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240333214A1. Автор: Kenichi Motoki,Nozomu KOJA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Lock detection circuit and phase-locked loop circuit

Номер патента: US20210211134A1. Автор: Koji Tsutsumi,Sho Ikeda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-07-08.

Freeze And Clear Logic Circuits And Methods For Integrated Circuits

Номер патента: US20220216873A1. Автор: Jeffrey Chromczak,Sadegh Yazdanshenas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-07-07.

Integrated circuits

Номер патента: EP2119010A1. Автор: Klaus Melakari,Marko Winblad,Pasi Kolinummi. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2009-11-18.

LED circuit and driving method thereof

Номер патента: US09949332B2. Автор: Chi-Gin Wang. Владелец: Maintech Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Led circuit and driving method thereof

Номер патента: US20150341994A1. Автор: Chi-Gin Wang. Владелец: Maintech Semiconductor Inc. Дата публикации: 2015-11-26.

Integrated circuit and power supply circuit

Номер патента: US12095380B2. Автор: Shinji Matsumoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Adc sampling data identification method and system, integrated circuit and decoding device

Номер патента: US20220123760A1. Автор: Bo Yan,TieJun Wang,Yue Wang,Weisen Li,Chaomin FANG. Владелец: Rigol Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-04-21.

Method and a system for controlling a plurality of electronic components arbitrarily assignable to a plurality of integrated circuits of a mobile communications device

Номер патента: US20170063583A1. Автор: Steffen Reinhardt. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2017-03-02.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240283440A1. Автор: Kang Min Lee,Young Jin Yoon,Sang Min Jun,Kwang Kyung Lee,Seung Cheol Bae,Sun Byeong Yoon. Владелец: Integrated Silicon Solution Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor integrated circuit, electronic device, and method for controlling semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240292126A1. Автор: Takashi Nakamura,Junichiro Shirai,Ushio Mameuda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Method and a system for controlling a plurality of electronic components arbitrarily assignable to a plurality of integrated circuits of a mobile communications device

Номер патента: US09755867B2. Автор: Steffen Reinhardt. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Circuits for and methods of controlling power within an integrated circuit

Номер патента: US09438244B2. Автор: Steven P. Young,Brian C. Gaide,Santosh Kumar Sood. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Apparatus for protecting an integrated circuit and method thereof

Номер патента: US20050117266A1. Автор: Chih-Yuan Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-02.

Apparatus for protecting an integrated circuit and method thereof

Номер патента: US7215523B2. Автор: Chih-Yuan Lin. Владелец: BenQ Corp. Дата публикации: 2007-05-08.

Integrated Circuit and Method of Arbitration in a Network on an Integrated Circuit

Номер патента: US20080186991A1. Автор: Kees Gerard Willem Goossens,Andrei Radulescu,Rikard Lennart Thid. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2008-08-07.

Circuits and methods of generating and controlling signals on an integrated circuit

Номер патента: WO2006078736A3. Автор: Paul William Ronald Self. Владелец: Paul William Ronald Self. Дата публикации: 2006-12-21.

Circuits and methods for transferring two differentially encoded client clock domains over a third carrier clock domain between integrated circuits

Номер патента: WO2021127772A1. Автор: Kamran Rahbar,Peter Meyer,Drew Jenkins. Владелец: Microsemi Semiconductor ULC. Дата публикации: 2021-07-01.

Integrated circuit and method of arbitration in a network on an integrated circuit

Номер патента: WO2006123287A2. Автор: Andrei Radulescu,Rikart L. Thid,Kees G. W. Goosens. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2006-11-23.

Integrated circuit and method of arbitration in a network on an integrated circuit

Номер патента: EP1884084A2. Автор: Andrei Radulescu,Rikart L. Thid,Kees G. W. Goosens. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2008-02-06.

Integrated circuit device of remote control type for driving a D.C. motor

Номер патента: US5218276A. Автор: Hee-Chol Yeom,Tae-Seop Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1993-06-08.

Circuits and methods of generating and controlling signals on an integrated circuit

Номер патента: EP1842288A2. Автор: Paul William Ronald Self. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-10.

Devices and systems having led circuits and methods of driving the same

Номер патента: US20240255110A1. Автор: Michael Miskin. Владелец: Lynk Labs Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor integrated circuit and broadcast receiver

Номер патента: US20110188608A1. Автор: Yasuo Oba. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-08-04.

Liquid discharge apparatus, head unit, capacitive load drive circuit, and integrated circuit device for capacitive load drive

Номер патента: US20160214377A1. Автор: Shunichi SHIMA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-07-28.

Liquid discharge apparatus, head unit, capacitive load drive circuit, and integrated circuit device for capacitive load drive

Номер патента: US20170087831A1. Автор: Shunichi SHIMA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-03-30.

Liquid discharge apparatus, head unit, capacitive load drive circuit, and integrated circuit device for capacitive load drive

Номер патента: US9550356B2. Автор: Shunichi SHIMA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor integrated circuit and image sensor

Номер патента: US20140070975A1. Автор: Jun Deguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Semiconductor integrated circuit device and method of detecting delay error in the same

Номер патента: US20040113670A1. Автор: Minari Arai. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2004-06-17.

Semiconductor integrated circuit, method of controlling semiconductor integrated circuit, and circuit system

Номер патента: US20240097687A1. Автор: Kiyohito Sato. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Integrated circuit and power supply device

Номер патента: US12068694B2. Автор: Yuta Endo,Takato Sugawara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Electronic integration circuit having offset and collected charge reduction circuitries and associated methods

Номер патента: EP4211795A1. Автор: Shimon Elkind,Nadav Melamud. Владелец: Trieye Ltd. Дата публикации: 2023-07-19.

Integrated circuit and power supply circuit

Номер патента: US12101021B2. Автор: Yuta Endo,Takato Sugawara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Liquid discharge apparatus, head unit, capacitive load drive circuit, and integrated circuit device for capacitive load drive

Номер патента: US09862185B2. Автор: Shunichi SHIMA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Battery monitoring and control integrated circuit and battery system

Номер патента: US09853463B2. Автор: Akihiro Machida,Akihiko Kudo,Mutsumi Kikuchi,Akihiko Emori. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

Switching power converter, control circuit and integrated circuit therefor, and constant-current control method

Номер патента: US09819270B2. Автор: Fuhua Deng. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2017-11-14.

Integrated circuit with low phase noise clock distribution network

Номер патента: US09531356B1. Автор: Peter L. Delos,Brandon R. Davis,Steven M. Fireman. Владелец: Lockheed Martin Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Output circuit adapted for integrated circuit and associated control method

Номер патента: US09467146B2. Автор: Shun-Tien Chou. Владелец: MStar Semiconductor Inc Taiwan. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor integrated circuit device and semiconductor device including plurality of semiconductor circuits

Номер патента: US20080094125A1. Автор: Atsushi Kawasumi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-24.

Liquid discharging apparatus, head unit, capacitive load driving circuit, and integrated circuit device for capacitive load driving

Номер патента: US20160167374A1. Автор: Tomokazu Yamada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-06-16.

Oversampling circuit and digital/analog converter

Номер патента: US20020190883A1. Автор: Yukio Koyanagi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-19.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20040113224A1. Автор: Hiroshi Seki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-06-17.

Millimeter wave monolithic integrated circuits and methods of forming such integrated circuits

Номер патента: EP2364524A1. Автор: Kenneth W. Brown,Andrew K. Brown. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2011-09-14.

Millimeter wave monolithic integrated circuits and methods of forming such integrated circuits

Номер патента: WO2010053554A1. Автор: Kenneth W. Brown,Andrew K. Brown. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2010-05-14.

Integrated circuit and driving application circuit for led tunnel lamp using three-phase alternating-current mains power supply

Номер патента: US20240349408A1. Автор: CHAO Xu,Hao Xue,Yifan Dai,Zhengyi WEI. Владелец: Hangzhou Yihuitong Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Integrated circuit with continuously adaptive equalization circuitry

Номер патента: US09705708B1. Автор: Jihong Ren,Wenyi Jin. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Integrated circuit architecture with strongly coupled LC tanks

Номер патента: US09331659B2. Автор: NAGARAJAN Mahalingam,Kiat Seng Yeo,Kai Xue Ma,Shouxian Mou. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-05-03.

Error amplification circuit, control method for error amplification circuit, and switching regulator employing error amplification circuit

Номер патента: US20120187995A1. Автор: Takashi Gotoh. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-26.

Semiconductor integrated circuit including internal circuits and electrostatic discharge protection circuits

Номер патента: US20110310515A1. Автор: Hirofumi Hayashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-12-22.

COUPLING-TYPE SINGLE-POLE DOUBLE-THROW SWITCH ADAPTED fOR RADIO FREQUENCY INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20240259019A1. Автор: Yonggang Mao. Владелец: Xian Keruisheng Innovative Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Integrated circuit and electronic device

Номер патента: US20170272078A1. Автор: Masato Oda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-21.

Liquid discharging apparatus, head unit, capacitive load driving circuit, and integrated circuit device

Номер патента: US20160167370A1. Автор: Hidekazu Uematsu. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-06-16.

Semiconductor integrated circuit device, motor system and vehicle

Номер патента: US20240258945A1. Автор: Yoshinori Oka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Integrated circuit and method for operating the integrated circuit

Номер патента: US20030132792A1. Автор: CHRISTIAN Weis,Stefan Dietrich,Peter Schrögmeier,Pramod Acharya. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-07-17.

Semiconductor integrated circuit and layout design method thereof

Номер патента: US20020003243A1. Автор: Hirotaka Shimoshige. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-10.

Integrated circuit and electronic device

Номер патента: US09954532B2. Автор: Masato Oda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Coupling-type single-pole double-throw switch adapted for radio frequency integrated circuit

Номер патента: US12143102B2. Автор: Yonggang Mao. Владелец: Xian Keruisheng Innovative Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Integrated low voltage differential signaling (LVDS) and high-speed current steering logic (HCSL) circuit and method of use

Номер патента: US09698787B1. Автор: Feng Qiu,Vikas Agrawal,John C. Hsu. Владелец: Integrated Device Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Liquid discharging apparatus, head unit, capacitive load driving circuit, and integrated circuit device

Номер патента: US09573367B2. Автор: Hidekazu Uematsu. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Integrated circuit device with on-board calibration of signal generator circuits, and related methods

Номер патента: US09520888B1. Автор: ASHOK KUMAR,Andrew J. Wright,Ramesh Chettuvetty,Sonal Chandrasekharan,Hiromu Takehara,Tushar Kachhdiya. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Radio frequency integrated circuit and communication device including the integrated circuit

Номер патента: US20220352921A1. Автор: Sang Wook Han,Hyung Gi Kim,Jung Woo Kim,Jae Min Kim,Ho Rang Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-11-03.

Television tuner using integrated circuit

Номер патента: US20050110908A1. Автор: Masaki Yamamoto. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-26.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020005742A1. Автор: Tatsumi Yamauchi,Kazuharu Kuchimachi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-01-17.

Level shifting circuit and integrated circuit

Номер патента: US09859894B1. Автор: Min-Chung Chou. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

PLL-VCO based integrated circuit aging monitor

Номер патента: US09432031B2. Автор: Yuejun Zhang,Pengjun WANG,Zhidi JIANG,Xuelong Zhang. Владелец: Ningbo University. Дата публикации: 2016-08-30.

Integrated Circuit and Related Method for Determining Operation Modes

Номер патента: US20110032024A1. Автор: Yi-Lun Shen,Yi-Shan Chu,Ren-Yi Chen. Владелец: Leadtrend Technology Corp. Дата публикации: 2011-02-10.

Oscillator and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US9344034B2. Автор: Satoshi Onishi,Yasuo Ikeda,Yoichi Iizuka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-17.

Semiconductor integrated circuit and television

Номер патента: US20120072712A1. Автор: Hisami Matsui. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-03-22.

Method and circuit arrangement for controlling switching transistors of an integrated circuit

Номер патента: US20110133782A1. Автор: Ulrich Theus,Martin Czech. Владелец: TDK Micronas GmbH. Дата публикации: 2011-06-09.

Integrated circuit and method of digitally controling critical mode power factor correction circuit

Номер патента: US12119742B2. Автор: Ryuichi Furukoshi,Osamu Ohtake. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Key management for on-the-fly hardware decryption within integrated circuits

Номер патента: US09729319B2. Автор: Joseph C. Circello,Mohit Arora,Lawrence L. Case,David J. Schimke,Rodney D. Ziolkowski. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Reconfigurable semiconductor integrated circuit and electronic device

Номер патента: US09621159B2. Автор: Masato Oda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Protecting circuit and integrated circuit

Номер патента: US09614366B2. Автор: Tomokazu Kojima. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor integrated circuit and control method of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20170201697A1. Автор: Hiroaki Niitsuma. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-07-13.

Semiconductor integrated circuit, apparatus including semiconductor integrated circuit, and method for controlling clock signal in semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20160087617A1. Автор: Hiroaki Niitsuma. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-03-24.

Electronic device and a method of biasing a mos transistor in an integrated circuit

Номер патента: EP2171839A1. Автор: Zhenhua Wang. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-04-07.

Multiple mode radiotelephones including glue circuits and related methods and circuits

Номер патента: AU5021500A. Автор: Sandeep Chennakeshu,Nils Rydbeck. Владелец: Ericsson Inc. Дата публикации: 2001-01-02.

Programmable gain amplifier, integrated circuit, electronic device, and frequency correction method

Номер патента: EP4369600A1. Автор: Min Chen,Peiteng CHEN. Владелец: Chipsea Technologies Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-15.

Semiconductor integrated circuit having an on-chip pll and operating method thereof

Номер патента: US20120242384A1. Автор: Takahiro Kato. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Cascade circuit and corresponding control method and integrated circuit thereof

Номер патента: EP4175154A1. Автор: Yu Qi,Chen Zhao,Wei Chen. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2023-05-03.

Integrated circuit including a combined logic cell

Номер патента: US20230061062A1. Автор: Badarish Mohan Subbannavar,Rakesh DIMRI,Mohammad Asif Farooqui,Somasekar J. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Output Driver Circuits And Methods With Hot-Socket Protection

Номер патента: US20240356548A1. Автор: Pai Ho Bong,Sean Woei Voon,Shyue Loong Lim,Chong Xin Tan. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Filter integrated circuit

Номер патента: US12107565B2. Автор: Shih Hsuan Chen,Ji-Fuh Liang. Владелец: Richwave Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Charging control integrated circuit and operation method thereof

Номер патента: US20240364129A1. Автор: Taejin JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Impedance detection circuit, method, and integrated circuit

Номер патента: US09774954B2. Автор: Peng ZHU,Yongliang Li,Kenneth O'Brien,Jianing Zhou. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor integrated circuit, apparatus including semiconductor integrated circuit, and method for controlling clock signal in semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09419599B2. Автор: Hiroaki Niitsuma. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Input circuit of semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit having input circuit

Номер патента: US5073726A. Автор: Shinichi Kikuchi,Hiroshi Iwahashi,Hideo Kato,Hiroto Nakai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1991-12-17.

Semiconductor integrated circuit device with a stable operating internal circuit

Номер патента: US6140865A. Автор: Yasunori Kawamura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2000-10-31.

Integrated clock gating cell and integrated circuit including the same

Номер патента: US20210194486A1. Автор: Ahreum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-24.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240146300A1. Автор: Kohei Sakurai,Yoichi Takano. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Load-dependent frequency modulation circuit and method for switching power system

Номер патента: US20020027428A1. Автор: Wang Jung. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2002-03-07.

Integrated clock gating cell and integrated circuit including the same

Номер патента: US20210099173A1. Автор: Ahreum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-01.

Cell balancing integrated circuit, cell balancing system, and cell balancing method

Номер патента: US20140070757A1. Автор: Jun Ho Kim,Chol Ho Kim,Ju Pyo Hong,Moon Young Kim,Yong Goo KIM. Владелец: Silicon Works Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-13.

Method and apparatus for powering down analog integrated circuits

Номер патента: EP2151055A1. Автор: Guoqing Miao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2010-02-10.

Integrated circuit and cable assembly including the same

Номер патента: US09871524B2. Автор: Je Kook Kim,Jin Hyuck Yu,You So CHEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor integrated circuit, authentication system, and authentication method

Номер патента: US09729324B2. Автор: Masahiko Takenaka,Dai Yamamoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor integrated circuit and high frequency antenna switch

Номер патента: US09685944B1. Автор: Toshiki Seshita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Cell balancing integrated circuit, cell balancing system, and cell balancing method

Номер патента: US09583957B2. Автор: Jun Ho Kim,Chol Ho Kim,Ju Pyo Hong,Moon Young Kim,Yong Goo KIM. Владелец: Silicon Works Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09455711B2. Автор: NA Li,Yoshihiro Hayashi,Hiroyasu Yoshizawa,Shunsuke Kubota,Tatsuya Odawara. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2016-09-27.

Communication device, communication method, module of electronic circuit and integrated circuit

Номер патента: RU2468523C2. Автор: Нобутака КОДАМА,Хисао КОГА,Стефано ГАЛЛИ,Акио КУРОБЕ. Владелец: ПАНАСОНИК КОРПОРЭЙШН. Дата публикации: 2012-11-27.

Ka-BAND GALLIUM-NITRIDE (GaN) MONOLITHIC-MICROWAVE INTEGRATED CIRCUIT (MMIC) POWER AMPLIFIER CIRCUIT AND AMPLIFIER

Номер патента: US20240267009A1. Автор: Yu Wang,Zhipeng Ren,Hanbin Qu,Zhaotan Cui,Xuelong Jiao,Pengbo Du. Владелец: North China Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Circuits And Methods For Converting Between Data Formats And Data Filtering

Номер патента: US20240113730A1. Автор: Mark Lewis,Maghawan Punde. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Wireless Communication Unit, Integrated Circuit and Biasing Therefor

Номер патента: US20080204146A1. Автор: Jean-Jacques Bouny. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2008-08-28.

System and method for integrated circuit clock distribution

Номер патента: US09490787B1. Автор: Rex Kho,Andreas Weisgerber,Dirk Hesidenz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor integrated circuit and electronic device

Номер патента: US20100225396A1. Автор: Ryota Terauchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-09-09.

Radio frequency switch circuit and switch integrated circuit

Номер патента: US20230318599A1. Автор: Dongil Kang,Wonsun HWANG,Jongmo LIM,Byeonghak JO,Shinhaeng Heo. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Integrated circuit and method for time slot allocation

Номер патента: WO2005122631A1. Автор: Andrei Radulescu,Om P. Gangwal,Kees G. W. Goossens. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2005-12-22.

Semiconductor integrated circuit and high frequency module with the same

Номер патента: US20120229192A1. Автор: TAKASHI Ogawa,Shinichiro Takatani,Yasushi Shigeno,Kaoru Katoh,Shigeki Koya,Akishige Nakajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-09-13.

A driver circuit for a resonant converter, related integrated circuit, electronic converter and method

Номер патента: EP3787172A1. Автор: Claudio Adragna. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-03-03.

Integrated circuit, analog-digital converter and cmos image sensor with the same

Номер патента: US20140346320A1. Автор: Young-chul Sohn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-11-27.

Method and system for a configurable communication integrated circuit and/or chipset

Номер патента: EP2158683A1. Автор: Jeyhan Karaoguz. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2010-03-03.

Dynamic semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20020180485A1. Автор: Masaya Sumita. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-05.

Ad converter device, semiconductor integrated circuit device, and designing method of ad converter device

Номер патента: US20240243752A1. Автор: Minori Yoshida. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor integrated circuit and transmitter apparatus having the same

Номер патента: US20100245663A1. Автор: Toru Iwata,Hirokazu Sugimoto,Ryogo Yanagisawa,Manabu Kawabata. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-09-30.

Semiconductor cell for photomask data verification and semiconductor chip

Номер патента: US20090193386A1. Автор: Takayasu Hirai. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-30.

Failure prediction circuit and method, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7908538B2. Автор: Masayuki Mizuno,Koichi Nose,Toru Nakura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2011-03-15.

Semiconductor integrated circuit, and semiconductor system including that semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7343547B2. Автор: Hisato Yoshida,Kimihiko Aiba,Yoichiro Mae. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-11.

Semiconductor integrated circuit, and semiconductor system including that semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060282721A1. Автор: Hisato Yoshida,Kimihiko Aiba,Yoichiro Mae. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-12-14.

Semiconductor integrated circuit, method of testing the semiconductor integrated circuit, and semiconductor substrate

Номер патента: US11774493B2. Автор: Koichi Iwao,Eiki AOYAMA. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Apparatus for measuring voltage fluctuation waveform in semiconductor integrated circuit, and semiconductor integrated circuit having function for measuring voltage fluctuation waveform

Номер патента: US20040212387A1. Автор: Keisuke Muraya,Yoshitomo Ozeki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-10-28.

Semiconductor device and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09837162B2. Автор: Takafumi Noguchi,Atsuo Yoneyama,Masayuki KAWAE. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Touch panel control circuit and semiconductor integrated circuit using the same

Номер патента: US09811219B2. Автор: Takayuki Noto. Владелец: Synaptics Japan GK. Дата публикации: 2017-11-07.

Touch panel control circuit and semiconductor integrated circuit using the same

Номер патента: US09437169B2. Автор: Takayuki Noto,Akihito Akai. Владелец: Synpatics Japan Gk. Дата публикации: 2016-09-06.

Touch detecting circuit and semiconductor integrated circuit using the same

Номер патента: US09557853B2. Автор: Takayuki Noto,Akihito Akai. Владелец: Synaptics Japan GK. Дата публикации: 2017-01-31.

Integrated circuit chip and a method for testing the same

Номер патента: US09506986B2. Автор: Christian Zoellin,Wilhelm Haller,Ulrich Krauch,Markus Kaltenbach,Nicolas Maeding. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Low power integrating circuit for use with a photodetector and optical sensor including such an integrating circuit

Номер патента: EP1476734A1. Автор: James Harold Lauffenburger,Kevin Scott Buescher. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2004-11-17.

Low power integrating circuit for use with a photodetector and optical sensor including such an integrating circuit

Номер патента: WO2003069287A1. Автор: James Harold Lauffenburger,Kevin Scott Buescher. Владелец: EM MICROELECTRONIC-MARIN SA. Дата публикации: 2003-08-21.

Partial good integrated circuit and method of testing same

Номер патента: US20080010571A1. Автор: Michael Ouellette,Pamela Gillis,Benjamin LYNCH,Carl Barnhart,Leonard Farnsworth,Michael Felske,Thomas St. Pierre,Tad Wilder. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-01-10.

Method of supporting design, computer product, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US9886537B2. Автор: Kenichi Nomura. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Method of supporting design, computer product, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20160224712A1. Автор: Kenichi Nomura. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2016-08-04.

Integrated circuit with on-board power utilization information

Номер патента: US20050285639A1. Автор: Pieter Vorenkamp,Chun-Ying Chen,Sumant Ranganathan,Neil Kim. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2005-12-29.

Peripheral access control for secondary communication channels in power management integrated circuits

Номер патента: EP4292006A1. Автор: Chris Rosolowski,Uma Mahesh Revuri,Aruna Kumar Tripathy. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-12-20.

Method for controlling an integrated circuit, integrated circuit and computer including an integrated circuit

Номер патента: US09703556B2. Автор: Bertrand Danet,Stéphane Laborie-Fulchic. Владелец: Continental Automotive France SAS. Дата публикации: 2017-07-11.

An integrated circuit arrangement with feature control

Номер патента: EP1399828A2. Автор: Neal T. Wingen. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-03-24.

An integrated circuit arrangement with feature control

Номер патента: WO2002097638A3. Автор: Neal T Wingen. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2003-10-23.

System and method for executing functional scanning in an integrated circuit environment

Номер патента: US20120053924A1. Автор: Zhiyuan WANG,Xinli Gu,Hongxia Fang,Zhanglei Wang. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2012-03-01.

Securing An Integrated Circuit

Номер патента: US20080043558A1. Автор: Robert Dixon,Phil Paone,Kirk Morrow. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-02-21.

An integrated circuit arrangement with feature control

Номер патента: WO2002097638A2. Автор: Neal T. Wingen. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2002-12-05.

Method and apparatus for configuring an integrated circuit with a requested feature set

Номер патента: WO2017172322A1. Автор: Ivan McLean,Stuart Moskovics,Bryan Campbell,Mark Dragicevich. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-10-05.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20010046156A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Masayuki Miyazaki,Goichi Ono. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2001-11-29.

Systems and methods for implementing a machine perception and dense algorithm integrated circuit and enabling a flowing propagation of data within the integrated circuit

Номер патента: US20210224222A1. Автор: Veerbhan Kheterpal,Nigel Drego,Ananth Durbha,Aman Sikka,Mrinalini Ravichandran,Robert Daniel FIRU. Владелец: Quadric IO Inc. Дата публикации: 2021-07-22.

Systems and methods for implementing a machine perception and dense algorithm integrated circuit and enabling a flowing propagation of data within the integrated circuit

Номер патента: US20220358081A1. Автор: Veerbhan Kheterpal,Nigel Drego,Ananth Durbha,Aman Sikka,Mrinalini Ravichandran,Robert Daniel FIRU. Владелец: Quadric IO Inc. Дата публикации: 2022-11-10.

Integrated circuit

Номер патента: US20050218960A1. Автор: Ralf Schneider,Joerg Vollrath,Marcin Gnat,Aurel Campenhausen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-10-06.

Method and apparatus for configuring an integrated circuit with a requested feature set

Номер патента: EP3437009A1. Автор: Ivan McLean,Stuart Moskovics,Bryan Campbell,Mark Dragicevich. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-02-06.

Externally induced voltage alterations for integrated circuit analysis

Номер патента: US20020163352A1. Автор: Robert Falk. Владелец: Optometrix Inc. Дата публикации: 2002-11-07.

Display driver integrated circuit architecture with shared reference voltages

Номер патента: US09952264B2. Автор: Hopil Bae,Kingsuk Brahma,David A. STRONKS,Wei H. Yao. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Method for optical coupling between a photonic integrated circuit and an external optical element

Номер патента: US09529154B2. Автор: Gunther Roelkens,Dries Van Thourhout,Geert Van Steenberge. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-12-27.

Method for testing integrated circuit and integrated circuit configured to facilitate performing such a method

Номер патента: US09494646B2. Автор: Divya Pratap,Sung Jin Jo. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-11-15.

Integrated circuits and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09478264B2. Автор: Dong Kyun Kim,Sang Kwon Lee,Keun Soo Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Device for testing an integrated circuit and method for implementing same

Номер патента: US20120001088A1. Автор: Florent Miller,Cecile Weulersse,Thierry Carriere,Patrick Heins,Antonin Bougerol,Samuel Hazo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-01-05.

System and method for communicating with an integrated circuit

Номер патента: EP1089178A3. Автор: Stephen James Wright,David Alan Edwards,Bernard Ramanadin. Владелец: SGS Thomson Microelectronics Inc. Дата публикации: 2003-07-16.

Integrated circuit and semiconductor memory device using the same

Номер патента: US20130031329A1. Автор: Dae-Il CHOI. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-01-31.

Integrated circuit and semiconductor memory device using the same

Номер патента: US8769240B2. Автор: Dae-Il CHOI. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2014-07-01.

Testing circuit for semiconductor integrated circuit and testing method using the same

Номер патента: US10083759B2. Автор: Hiroyuki Nakamura. Владелец: MegaChips Corp. Дата публикации: 2018-09-25.

Touch control apparatus and noise compensating circuit and method thereof

Номер патента: US09830018B2. Автор: Chang-Po Chao,Yi-Chuan Lu,chang-xian Wu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2017-11-28.

Touch detecting circuit and semiconductor integrated circuit using the same

Номер патента: US09727164B2. Автор: Takayuki Noto. Владелец: Synaptics Japan GK. Дата публикации: 2017-08-08.

Efficient method of retesting integrated circuits

Номер патента: US09625524B2. Автор: Teck Seng Eng,Michael Russell Uy Gonzales,Louie Que Hermosura. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Integrated circuit and method for establishing scan test architecture in integrated circuit

Номер патента: US09535120B2. Автор: Jianguo Ren,Chong Dai,Wen-Hao Hsueh,Fengguo GAO,Shang-Bin HUANG. Владелец: Mediatek Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Efficient method of retesting integrated circuits

Номер патента: US09494650B2. Автор: Teck Seng Eng,Michael Russell Uy Gonzales,Louie Que Hermosura. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Time-driven placement and/or cloning of components for an integrated circuit

Номер патента: US20190347380A1. Автор: Gi-Joon Nam,Lakshmi N. Reddy,Woohyun Chung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-11-14.

Time-driven placement and/or cloning of components for an integrated circuit

Номер патента: US20190065657A1. Автор: Gi-Joon Nam,Lakshmi N. Reddy,Woohyun Chung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-02-28.

Time-driven placement and/or cloning of components for an integrated circuit

Номер патента: US20210117608A1. Автор: Gi-Joon Nam,Lakshmi N. Reddy,Woohyun Chung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Time-driven placement and/or cloning of components for an integrated circuit

Номер патента: US10534891B2. Автор: Gi-Joon Nam,Lakshmi N. Reddy,Woohyun Chung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-14.

Time-driven placement and/or cloning of components for an integrated circuit

Номер патента: US10977419B2. Автор: Gi-Joon Nam,Lakshmi N. Reddy,Woohyun Chung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-13.

System and method for communicating with an integrated circuit

Номер патента: EP1089187A3. Автор: Stephen James Wright,David Alan Edwards,Bernard Ramanadin. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2004-09-29.

Mixed mode integrated circuit, method of providing a controllable test clock signal to a sub-circuitry of the mixed-mode integrated circuit and method of detecting current paths causing violations of electromagnetic compatibility standards in the mixed mode integrated circuit

Номер патента: US20160061891A1. Автор: Patrice Besse,Pascal Kamel Abouda,Celine Hounaïda Abouda. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-03-03.

System and method for evaluating the electromagnetic compatibility of integrated circuits in an in-situ environment

Номер патента: US8803543B2. Автор: Jeffrey C. Hailey,Todd W. Steigerwald. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2014-08-12.

Systems and methods for virtually partitioning a machine perception and dense algorithm integrated circuit

Номер патента: US20210216696A1. Автор: Veerbhan Kheterpal,Nigel Drego,Aman Sikka,Mrinalini Ravichandran,Robert Daniel FIRU. Владелец: Quadric IO Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

Systems and methods for virtually partitioning a machine perception and dense algorithm integrated circuit

Номер патента: US20200264892A1. Автор: Veerbhan Kheterpal,Nigel Drego,Aman Sikka,Mrinalini Ravichandran,Robert Daniel FIRU. Владелец: Quadric IO Inc. Дата публикации: 2020-08-20.

Integrated circuit with self-test circuit, method for operating an integrated circuit with self-test circuit, multi-core processor device and method for operating a multi-core processor device

Номер патента: US11619668B2. Автор: Jens Rosenbusch,Heiko Ahrens,Daniel Tille. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-04-04.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20100100783A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-04-22.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20150097593A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-04-09.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20090063920A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-03-05.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20080136438A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-06-12.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20090063919A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-03-05.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20100095176A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-04-15.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20070257694A1. Автор: Lee Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-11-08.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20100100784A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-04-22.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20060017453A1. Автор: Lee Whetsel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-26.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20040084747A1. Автор: Lee Whetsel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-05-06.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20090058448A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-03-05.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20020196045A1. Автор: Lee Whetsel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20140245090A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-08-28.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US7863913B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-01-04.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US7852100B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-12-14.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US7876112B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-01-25.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US7629808B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-12-08.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US7733110B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-06-08.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US7659741B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-02-09.

System and Method for Evaluating the Electromagnetic Compatibility of Integrated Circuits in an In-Situ Environment

Номер патента: US20120068730A1. Автор: Jeffrey C. Hailey,Todd W. Steigerwald. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2012-03-22.

Designing method of semiconductor integrated circuit using library storing mask pattern of macro circuit and designing apparatus executing the same

Номер патента: US20010016934A1. Автор: Kouichi Kumagai. Владелец: Praxair Technology Inc. Дата публикации: 2001-08-23.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US09494640B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Mixed mode integrated circuit, method of providing a controllable test clock signal to a sub-circuitry of the mixed-mode integrated circuit and method of detecting current paths causing violations of electromagnetic compatibility standards in the mixed mode integrated circuit

Номер патента: US09459317B2. Автор: Patrice Besse,Pascal Kamel Abouda,Celine Hounaïda Abouda. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-10-04.

Adapting the usage configuration of integrated circuit input-output pads

Номер патента: WO2016113530A1. Автор: James Edward Myers,Parameshwarappa Anand Kumar SAVANTH. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2016-07-21.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020176292A1. Автор: Kozaburo Kurita,Shuichi Miyaoka,Masatoshi Hasegawa,Hiroshi Akasaki,Yuji Yokoyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-11-28.

Computer readable storage medium and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20060031655A1. Автор: Keiichi Higeta,Shigeru Shimada,Kazumasa Yanagisawa,Yasuo Taguchi,Kei Kato,Yoshihiro Shinozaki,Masanao Yamaoka,Kodo Yamauchi. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2006-02-09.

Integrated circuit and layout method for the same using blank area of macrocell

Номер патента: US6691292B2. Автор: Koujiro Hatanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-02-10.

Semiconductor integrated circuit having compression circuitry for compressing test data, and the test system and method for utilizing the semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030110428A1. Автор: Kim Pierce,Roland Ochoa,Gregory Cowan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-12.

Process of making an integrated circuit using parallel scan paths

Номер патента: US20020039804A1. Автор: Lee Whetsel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-04.

Computer readable storage medium and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030145177A1. Автор: Keiichi Higeta,Shigeru Shimada,Kazumasa Yanagisawa,Yasuo Taguchi,Kei Kato,Yoshihiro Shinozaki,Masanao Yamaoka,Kodo Yamauchi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-07-31.

Power optimization of a mixed-signal system on an integrated circuit

Номер патента: US20060217920A1. Автор: Matthew Felder,Marcus May. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-28.

Apparatus and method for flexible visibility in integrated circuits with minimal package impact

Номер патента: US20080170506A1. Автор: William Milton Hurley. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-17.

Iterative approach to determine failure threshold associated with desired circuit yield in integrated circuits

Номер патента: US20200379041A1. Автор: TONG Li,David Winston,Richard Daniel Kimmel,Pravin Kamdar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Integrated circuit

Номер патента: US20240319266A1. Автор: Takahiro Yoneda. Владелец: Lapis Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for implementing an integrated circuit comprising a random-access memory-in-logic

Номер патента: US12045553B2. Автор: Babak Mohammadi,Hemanth PRABHU. Владелец: Xenergic AB. Дата публикации: 2024-07-23.

Tester for integrated circuits on a silicon wafer and integrated circuit

Номер патента: US20160259002A1. Автор: Alexandre Croguennec,Cyrille LAMBERT,Sébastien Bayon. Владелец: Starchip SAS. Дата публикации: 2016-09-08.

Method and apparatus for generating a solid state circuit layout with in-design variability associated to the setting of analog signal processing parameters, and an integrated circuit design and an integrated circuit produced by applying such method

Номер патента: US20040177329A1. Автор: Wolfdietrich Kasperkobitz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-09.

Semiconductor integrated circuit, design method of the semiconductor integrated circuit, design support system of the semiconductor integrated circuit, and non-transitory computer readable medium

Номер патента: US20220246228A1. Автор: Takashi Yamagiwa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Design system of integrated circuit and its design method and program

Номер патента: US20030061585A1. Автор: Sho Matsumoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-03-27.

Apparatuses, test cards and methods for testing photonic integrated circuits, and photonic integrated circuits

Номер патента: WO2023156271A1. Автор: Stefan Richter,Tobias Härter,Heiner Zwickel. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2023-08-24.

Test arrangement and method for testing an integrated circuit

Номер патента: US12085607B2. Автор: Alessio CIARCIA. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-09-10.

Method for introducing personalization data in non volatile memories of a plurality of integrated circuits, in particular in integrated circuit cards, corresponding system and computer program product

Номер патента: US12093560B2. Автор: Marco ALFARANO,Sofia Massascusa. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-09-17.

Electrical design rule checking method and device for integrated circuit

Номер патента: US12086527B2. Автор: Yaquan TANG. Владелец: Spreadtrum Communications Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Integrated circuit and storage device including integrated circuit

Номер патента: US09897650B2. Автор: Hyunjin Kim,Jangwoo Lee,ChaeHoon KIM,Jeongdon Ihm,Daehoon Na. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Apparatus, system and method for a common unified debug architecture for integrated circuits and SoCs

Номер патента: US09632895B2. Автор: Sridhar Valluru,Sankaran M Menon,Ramana Rachakonda,Eyal Dolev,Rajendra S Yavatkar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Integrated circuit for switching loads, circuit arrangement comprising an integrated circuit and a connected load, and method for operating such a circuit arrangement

Номер патента: US20140320160A1. Автор: Harald Schmauss,Johann Falter,Gunther Wolfarth,Marco Well,Franz Laberer,Sergiu Muresan,Cristian Theil. Владелец: Continental Automotive GmbH. Дата публикации: 2014-10-30.

Circuit configured to determine a test voltage suitable for very low voltage (vlv) testing in an integrated circuit

Номер патента: US20220057448A1. Автор: KUMAR ABHISHEK,Srikanth Jagannathan,Gayathri Bhagavatheeswaran. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-02-24.

Optical disc recording and reproducing semiconductor integrated circuit and operating method thereof

Номер патента: US20120236699A1. Автор: Tomokazu Yokoyama,Misuzu Mochizuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-09-20.

System and method for testing an integrated circuit

Номер патента: US20190128961A1. Автор: Olivier Heron,Boukary Ouattara. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2019-05-02.

Method and apparatus for providing shorted pin information for integrated circuit testing

Номер патента: US7653504B1. Автор: Michael L. Simmons,Tuyet Ngoc Simmons. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2010-01-26.

Method of Achieving Dense-Pitch Interconnect Patterning in Integrated Circuits

Номер патента: US20090101983A1. Автор: James Walter Blatchford,Steven Lee Prins. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-04-23.

Sequence controlled timing controller, bridge integrated circuit, and method of driving thereof

Номер патента: US09965997B2. Автор: Keunho Kim,SuBin YANG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Driving chip, circuit film, chip-on-film type driving circuit, and display device having built-in touchscreen

Номер патента: US09817512B1. Автор: Kiyong Kim,Youngwoo JO. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Method for the characterization and monitoring of integrated circuits

Номер патента: US09568540B2. Автор: Peilin Song,Franco Stellari,Raphael P. Robertazzi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Integrated circuit for switching loads, circuit arrangement comprising an integrated circuit and a connected load, and method for operating such a circuit arrangement

Номер патента: US09435857B2. Автор: Harald Schmauss,Johann Falter,Gunther Wolfarth,Marco Well,Franz Laberer,Sergiu Muresan,Cristian Theil. Владелец: Continental Automotive GmbH. Дата публикации: 2016-09-06.

Integrated circuit package for scan testing semiconductor chip, operating method of integrated circuit package, and integrated circuit

Номер патента: EP4336197A3. Автор: Youngin PARK,Taewoong AHN,Junyeong JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-26.

Photonic integrated circuit-based imaging systems

Номер патента: US20230288634A1. Автор: Richard L. Kendrick,Joseph Marron,Stephen P. Palese. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2023-09-14.

Method of generating a floorplan for an integrated circuit

Номер патента: WO2004068373A1. Автор: Adrianus W. P. G. G. Vaassen,Erwin Waterlander. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-08-12.

A method and a system for powering an integrated circuit, and an integrated circuit especially designed to be used therein

Номер патента: EP1678594A1. Автор: Emmanuel Société Civile SPID ALIE. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-07-12.

Current sensing integrated circuit and corresponding method

Номер патента: EP4417982A1. Автор: Giuseppe Bernacchia. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-08-21.

System and method for disconnecting a portion of an integrated circuit

Номер патента: US20030034825A1. Автор: Louis Hsu,Rajiv Joshi,Paul Parries,Toshiaki Kirihata,Chorng-Lii Hwang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-02-20.

Apparatus for testing integrated circuit

Номер патента: US20080079454A1. Автор: Po Chang Chen. Владелец: Princeton Technology Corp. Дата публикации: 2008-04-03.

Method for supplying reference potential to sense amplifier circuit in semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit, semiconductor device equipped with many of the semiconductor integrated circuits, and electronic apparatus using the simconductor device

Номер патента: US20020015324A1. Автор: Akira Maruyama. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-02-07.

Current Sensing Integrated Circuit and Corresponding Method

Номер патента: US20240280614A1. Автор: Giuseppe Bernacchia. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-08-22.

System for and method of improving the yield of integrated circuits

Номер патента: US20240264227A1. Автор: Manoj Sachdev. Владелец: Zinite Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Integrated circuit, memory device including the integrated circuit, and method of operating the same

Номер патента: US20240310437A1. Автор: Seaeun PARK,Saeeun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

System for and method of improving the yield of integrated circuits

Номер патента: WO2024165935A1. Автор: Manoj Sachdev. Владелец: Zinite Corporation. Дата публикации: 2024-08-15.

Display driver integrated circuit and display device having the same

Номер патента: US09990248B2. Автор: Junho Park,Yanghyo Kim,Dokyung Kim,Sooyoung Woo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Display driver integrated circuit chip

Номер патента: US09659515B2. Автор: Youngjin Cho,HyoJoon AN,Yun ji HUR,YounHo HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Integrated circuit and associated methods for measurement of an external impedance

Номер патента: US09575103B2. Автор: Wei Zhang,Glenn A. Forrest. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Routing analysis method, logic synthesis method and circuit partitioning method for integrated circuit

Номер патента: US20050246676A1. Автор: Yoshio Inoue,Ken Saito,Toshiyuki Sadakane. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-11-03.

Integrated circuit chip and semiconductor memory device

Номер патента: US20130094302A1. Автор: Chang-Ho Do. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-04-18.

Semiconductor integrated circuit and memory checking method

Номер патента: US20080253208A1. Автор: Hiroyuki Sekiguchi,Ryoji Shiota,Tokushi Yamaguchi,Mitsuya Nakano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-10-16.

Arbitration circuit to arbitrate conflict between read/write command and scan command and display driver integrated circuit having the same

Номер патента: US20100177106A1. Автор: Chan-Ho Lee,Tae-Hyoung Kim,Wan-Jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-07-15.

Single Event Effect Test Laser Facility for Integrated Circuits used in Aerospace

Номер патента: NL2028645B1. Автор: Zhu Xiang,Han Jianwei,Ma Yingqi,Shangguan Shipeng. Владелец: Nat Space Science Center Chinese Academy Of Sciences. Дата публикации: 2023-01-12.

Method of searching for wiring route in integrated circuit, automatic wiring device for integrated circuit, and program therefor

Номер патента: US20080209384A1. Автор: Ikuo Ohtsuka. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-08-28.

Testing method and semiconductor integrated circuit to which the same method is applied

Номер патента: US20140040686A1. Автор: Masahiro Yanagida. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-02-06.

Dense photonic integrated circuit optical edge coupling

Номер патента: US20240329320A1. Автор: Richard Laming,Nicholas D. Psaila. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Integrated circuit and operation method and inspection method thereof

Номер патента: US12119073B2. Автор: Hung-Ming Lin,Hung-Ju Huang. Владелец: Aspeed Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Voxel-based electromagnetic-aware integrated circuit routing

Номер патента: US20240370630A1. Автор: Cyrus Behroozi,Raj Apte,Zhigang Pan,Dino Ruic. Владелец: X Development LLC. Дата публикации: 2024-11-07.

Circuits for and methods of processing data in an integrated circuit device

Номер патента: US09606572B2. Автор: Santosh Kumar Sood. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Thermal energy storage, dissipation and EMI suppression for integrated circuits using porous graphite sheets and phase change material

Номер патента: US09501112B2. Автор: Mark Gallina,Steven Lofland,Daryl Nelson,Kevin Daniel,Daniel Chiang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Fractal calculating device and method, integrated circuit and board card

Номер патента: US12026606B2. Автор: Jun Liang,Shaoli Liu,Guang JIANG,Yongwei ZHAO. Владелец: Cambricon Technologies Corp Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Integrated circuit and method for diagnosing an integrated circuit

Номер патента: US11953546B2. Автор: Philippe Sirito-Olivier,Etienne Auvray,Tommaso Melis. Владелец: STMicroelectronics Alps SAS. Дата публикации: 2024-04-09.

Self-test circuit for an integrated circuit, and method for operating a self-test circuit for an integrated circuit

Номер патента: US20220107364A1. Автор: Juergen Alt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-04-07.

Integrated circuit with electrical contact

Номер патента: EP1110175A1. Автор: Frits Van Der Wateren. Владелец: Chess Engineering BV. Дата публикации: 2001-06-27.

Semiconductor integrated circuit and method of testing semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20210063484A1. Автор: Yuki Watanabe,Masato Nakazato,Shohei Morishima. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Method and system for generating an integrated circuit chip facility waveform from a series of chip snapshots

Номер патента: US20100070232A1. Автор: Christopher Smith,Andreas Koenig,Rolf Fritz,Manfred Walz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-03-18.

Hall electromotive force signal detection circuit having a difference calculation circuit and current sensor thereof

Номер патента: US20210199732A1. Автор: Takenobu Nakamura,Shigeki Okatake. Владелец: Asahi Kasei Microdevices Corp. Дата публикации: 2021-07-01.

Integrated circuit internal test circuit and method of testing by using test pattern and signature generations therewith

Номер патента: US7653853B1. Автор: Prabha Jairam,Himanshu J. Verma. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2010-01-26.

Semiconductor integrated circuit and method of fabricating the same

Номер патента: US20070089014A1. Автор: Yoko Shimada,Katsuya Fujimura,Kenichiro Uda,Takashi Ishimura,Kasumi Hamaguchi,Kenichirou Higashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-04-19.

Scan circuitry for testing input and output functional paths of an integrated circuit

Номер патента: US20140143621A1. Автор: Vijay Sharma,Ramesh C. Tekumalla. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2014-05-22.

Semiconductor integrated circuit and power supply control method therefor

Номер патента: US20160077563A1. Автор: Noboru Sakimura,Ayuka Tada,Ryusuke Nebashi,Yukihide Tsuji. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Integrated circuit and data processing system supporting address aliasing in an accelerator

Номер патента: US20190332551A1. Автор: Bartholomew Blaner,William J. Starke,Jeffrey A. Stuecheli,John D. Irish,Kenneth M. Valk,Michael S. Siegel,Derek E. Williams,Lakshminarayana Arimilli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-31.

Integrated circuit and data processing system supporting attachment of a real address-agnostic accelerator

Номер патента: US20190332537A1. Автор: Bartholomew Blaner,William J. Starke,Jeffrey A. Stuecheli,John D. Irish,Kenneth M. Valk,Michael S. Siegel,Lakshminarayana Arimilli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-31.

Semiconductor integrated circuit device and display apparatus

Номер патента: US20090153534A1. Автор: Yasuhiro Ogata,Yasuyuki Yokota. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-06-18.

Fractal calculating device and method, integrated circuit and board card

Номер патента: US12093811B2. Автор: Jun Liang,Shaoli Liu,Guang JIANG,Yongwei ZHAO. Владелец: Cambricon Technologies Corp Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Integrated circuit comprising a test circuit, related method and computer-program product

Номер патента: US20240295604A1. Автор: Mario Barone,Gianluca TORTORA. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-09-05.

Simulation method for estimating power consumption of integrated circuit and integrated circuit simulation system performing the same

Номер патента: US20240346218A1. Автор: Jonggyu KIM,In Hak HAN. Владелец: Baum Design Systems Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Voxel-based electromagnetic-aware integrated circuit routing

Номер патента: US12067339B2. Автор: Cyrus Behroozi,Raj Apte,Zhigang Pan,Dino Ruic. Владелец: X Development LLC. Дата публикации: 2024-08-20.

Processing system, integrated circuit, and printed circuit board for optimizing parameters of deep neural network

Номер патента: US20240330681A1. Автор: Xin Yu,Nan Wang,Yanjun Zhao,Xiaobing Chen,Yongwei ZHAO,Yimin ZHUANG,Lingdong WU,Yehao YU. Владелец: Shanghai Cambricon Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Integrated circuit and method of operating an integrated circuit

Номер патента: US09804224B2. Автор: Ilan Cohen,Eyal Melamed-Kohen,Shlomi Sde-Paz. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Integrated circuit

Номер патента: US09482718B2. Автор: Clive David BITTLESTONE. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Scan path circuit, integrated circuit, and integrated circuit checking method

Номер патента: US20030106002A1. Автор: Takeshi Onodera. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2003-06-05.

Integrated circuit

Номер патента: GB9720988D0. Автор: . Владелец: Advanced Risc Machines Ltd. Дата публикации: 1997-12-03.

Integrated circuit device, electro optical device and electronic apparatus

Номер патента: US8462143B2. Автор: Akira Morita. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2013-06-11.

Semiconductor memory integrated circuit

Номер патента: US20080198684A1. Автор: Tatsuya Sakamoto. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-08-21.

Integrated circuit

Номер патента: GB9317506D0. Автор: . Владелец: Advanced Risc Machines Ltd. Дата публикации: 1993-10-06.

Integrated circuit having a built-in self test design

Номер патента: US4724380A. Автор: Mark Paraskeva,David F. Burrows,William L. Knight. Владелец: Plessey Overseas Ltd. Дата публикации: 1988-02-09.

Integrated circuit and a method for secure testing

Номер патента: EP1817595A1. Автор: Asaf ASHKENAZI,Yossi Amon,Dimitri Akselrod. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2007-08-15.

A method and system for processing integrated circuits

Номер патента: US20020003430A1. Автор: Andres Bryant,William Clark,Edward J Nowak,Minh H Tong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-01-10.

Daisy-chain spi integrated circuit and operation method thereof

Номер патента: EP4198756A1. Автор: Chi-Cheng Lin,Shan-Chieh Wen,Ming-Huai Weng,Guei-Lan Lin,Che-Hao Chiang. Владелец: Himax Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-06-21.

Methods and systems for verifying integrated circuits

Номер патента: US20240337687A1. Автор: Taehwan Kim,Younsik PARK,Hyungjung SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-10.

Thin layer photonic integrated circuit based optical signal manipulators

Номер патента: US09952456B2. Автор: Yingyan Huang. Владелец: Electronic Photonic Ic Inc (epic Inc). Дата публикации: 2018-04-24.

Techniques for clock rate changes during data rate changes in an integrated circuit (IC)

Номер патента: US09891653B2. Автор: Keith Duwel,Gary Wallichs,Ru Yin Ng. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Optical integrated circuit comprising light path turning micro-mirror inside the optical waveguide and method of manufacturing the same

Номер патента: US09671574B2. Автор: Chan Yong Park,Sang Hwan Lee,Young Hye KIM. Владелец: Wooriro Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Method for providing an on-chip variation determination and integrated circuit utilizing the same

Номер патента: US09664737B2. Автор: Yipin WU,Heng-Meng LIU,Kok-Tiong TEE. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Debug circuit for an integrated circuit

Номер патента: US09476937B2. Автор: Sunny Gupta,Garima Sharda,Akshay K. Pathak,Nidhi Sinha. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-10-25.

Method for estimating substrate noise in mixed signal integrated circuits

Номер патента: US20040187085A1. Автор: Bipasha Ghosh,Stephen Kiel,Snehamay Sinha,Raghu Srinivasa. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2004-09-23.

Software defined subsystem creation for heterogeneous integrated circuits

Номер патента: WO2021096710A1. Автор: Gangadhar Budde,Siddharth Rele,Shreegopal S. Agrawal,Subhojit Deb. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2021-05-20.

Data strobe signal noise protection apparatus and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100165760A1. Автор: Sang Ho Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-07-01.

Integrated digital circuit and method of reconfiguring the same

Номер патента: WO2023199016A1. Автор: Taner Dosluoglu. Владелец: 5g3i Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Modular socket of integrated circuit

Номер патента: US20040046583A1. Автор: Wei-Fang Fan,Wann-Chyuan Jou. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-11.

Device and thermal tester for thermal testing dies of an integrated circuit

Номер патента: WO2023048644A2. Автор: See Jean Chan. Владелец: Aem Singapore Pte. Ltd.. Дата публикации: 2023-03-30.

Integrated circuit and a method for secure testing

Номер патента: WO2006053586A1. Автор: Asaf ASHKENAZI,Yossi Amon,Dimitri Akselrod. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2006-05-26.

Integrated circuit and data processing system having a configurable cache directory for an accelerator

Номер патента: US20190332549A1. Автор: Bartholomew Blaner,William J. Starke,Jeffrey A. Stuecheli,John D. Irish,Kenneth M. Valk,Michael S. Siegel,Curtis C. Wollbrink,Lakshminarayana Arimilli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-31.

Integrated circuit and a method for recovering from a low-power period

Номер патента: US20100019836A1. Автор: Sergey Sofer,Avi Elazary,Moshe Lavi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-28.

Integrated circuit, testing system, and operating method thereof

Номер патента: US20240219458A1. Автор: Cheng Jun Yeh,Yi-Te Chen,Hsiao-Chyi Lin. Владелец: Via Labs Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Duty analysis system for a semiconductor integrated circuit and duty analysis method of the same

Номер патента: US20030126568A1. Автор: Hideaki Murakami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-07-03.

Photomask defect testing method, photomask manufacturing method and semiconductor integrated circuit manufacturing method

Номер патента: US20040086791A1. Автор: EIJI Aoki,Shinji Kobayashi,Toshiyuki Marumo,Shinji Akima. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-05-06.

All-resonant actuation of photonic integrated circuits

Номер патента: US20240118537A1. Автор: Dirk Robert Englund,Mark DONG,Gerald Neal GILBERT,Matthew Scott EICHENFIELD. Владелец: Mitre Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Electronic device including a plurality of power management integrated circuits and method of operating the same

Номер патента: US12105661B2. Автор: SEUNGJAE LEE,Younghoon Lee,Jeehye LEE,Minshik SEOK,Jaekyu Jang,Siyoung Ok,Sangjoo Jun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-01.

Optical isolators for photonic integrated circuits

Номер патента: US20240310664A1. Автор: Matthew BYRD,Jordan Goldstein,Michael Robert WATTS,Skylar Deckoff-Jones,Michael Zylstra. Владелец: ANALOG PHOTONICS LLC. Дата публикации: 2024-09-19.

Speech recognition device and method, and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09886947B2. Автор: Tsutomu Nonaka. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Method for determining a condition of pin connection of the integrated circuit and integrated circuit thereof

Номер патента: US09857420B2. Автор: Chun-Kuei Wen,Hung-Min Shih,Che-Yu Kuo. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2018-01-02.

Method of designing an integrated circuit and computer program product

Номер патента: US09846758B2. Автор: Karl Wimmer,Xavier HOURS,David M. Grochowski,Bernd E. Kastenmeier. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Integrated circuit with nanowire ChemFET-sensors, sensing apparatus, measuring method and manufacturing method

Номер патента: US09823218B2. Автор: Johan Hendrik Klootwijk,Nico Maris Adriaan De Wild,Marleen MESCHER,Manuel Eduardo ALARCON-RIVERO. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2017-11-21.

Display drive integrated circuit and image display system capable of controlling a self-refresh display

Номер патента: US09424805B2. Автор: Hye-jin Jung,Jong-Sung Lee,Dustin Yuk Lun Wai,Byung-koan Kim,Se-Moon Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-23.

In line test circuit and method for determining interconnnect electrical properties and integrated circuit incorporating the same

Номер патента: US20100297793A1. Автор: Andrew Marshall,Makarand R. Kulkarni. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-11-25.

Device and method for monitoring functional saffety in integrated circuits (ics)

Номер патента: US20210303379A1. Автор: Radha Krishna Moorthy Sadhu. Владелец: Wipro Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor integrated circuit and test system for testing the same

Номер патента: US7222279B2. Автор: Masaaki Tanimura. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-05-22.

Determining timing associated with an input or output of an embedded circuit in an integrated circuit for testing

Номер патента: US7493543B1. Автор: Arnold Louie,Vickie Wu. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2009-02-17.

Method of detecting an integrated circuit in failure among integrated circuits, apparatus of doing the same, and recording medium storing program for doing the same

Номер патента: US20030093237A1. Автор: Kazuhiro Sakaguchi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-05-15.

Method for modeling power consumption of an integrated circuit and power consumption modeling system performing the same

Номер патента: US20230010159A1. Автор: Jin Hyeong Park,In Hak HAN. Владелец: Baum Design Systems Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

System-on-chip having multiple circuits and memory controller in separate and independent power domains

Номер патента: US20230376248A1. Автор: Ygal Arbel,Sagheer Ahmad,Ian A. Swarbrick. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

In-line test circuit and method for determining interconnect electrical properties and integrated circuit incorporating the same

Номер патента: WO2007137070A3. Автор: Andrew Marshall,Makarand R Kulkarni. Владелец: Makarand R Kulkarni. Дата публикации: 2008-07-24.

In-line test circuit and method for determining interconnect electrical properties and integrated circuit incorporating the same

Номер патента: WO2007137070A2. Автор: Andrew Marshall,Makarand R. Kulkarni. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2007-11-29.

Method, circuit and integrated circuit for detecting resonance frequency

Номер патента: US20140354261A1. Автор: Lei Huang,NA Meng. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2014-12-04.

Electronic circuit and method for testing

Номер патента: WO2003016922A2. Автор: Franciscus G. M. De Jong,Guillaume E. A. Lousberg,Alexander S. Biewenga,Leon M. A. Van De Logt. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2003-02-27.

Semiconductor integrated circuit and method for testing the same

Номер патента: US20090164860A1. Автор: Sadami Takeoka,Takashi Ishimura. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-06-25.

Error Detection in an Integrated Circuit

Номер патента: US20100223520A1. Автор: Stephan Henzler,Dominik Lorenz,Martin Wirnshofer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2010-09-02.

Non-invasiv, low pin count test circuits and methods utilizing emulated stress conditions

Номер патента: US20090179660A1. Автор: John Laurence Melanson,Murari Kejariwal,Sherry Xiaohong Wu,Ammisetti V. Prasad. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-16.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100034040A1. Автор: Hiroshi Furuta,Kenjyu Shimogawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-02-11.

Method of Protecting Sensitive Data in Integrated Circuit and Integrated Circuit Utilizing Same

Номер патента: US20210173793A1. Автор: Alan Maciel Carr. Владелец: Realtek Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2021-06-10.

Automatic generation of sub-cells for an analog integrated circuit

Номер патента: US12118287B2. Автор: Chih-Chiang Chang,Yung-Chow Peng,Yu-tao YANG,Wen-Shen Chou,Yung-Hsu Chuang,Bindu Madhavi Kasina. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Inter-integrated circuit interface circuit and electronic module

Номер патента: WO2024199886A1. Автор: Mark Powers,Louis Williams. Владелец: Ams-Osram Ag. Дата публикации: 2024-10-03.

Machine-learning-based integrated circuit test case selection

Номер патента: US20240320408A1. Автор: Kumar Raj,Gökçe Sarar,Santanu PATTANAYAK,Tushit Jain,Guillaume SHIPPEE,Rhys BUGGY,Suman Kumar GUNNALA,Vatsal Nimeshkumar THAKKAR. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Apparatus for three dimensional integrated circuit testing

Номер патента: US09952279B2. Автор: Hao Chen,Mill-Jer Wang,Ching-Nen Peng,Hung-Chih Lin,Ching-Fang Chen,Chung-Sheng Yuan,Chung-Han Huang,Meng-Lin Chung,Wen-Wen Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Integrated circuit and method for detecting a stress condition in the integrated circuit

Номер патента: US09910087B2. Автор: William P. Taylor,Jeffrey Eagen,Maxim Klebanov. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Source drive integrated circuit and display device including the same

Номер патента: US09734786B2. Автор: Tae-Gon Kim,Jung-Hoon Kim,Kyong-Tae Park,Dong-Yoon So,Seong-Yeun Kang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Diagnostic reporting for sensor integrated circuits

Номер патента: US09652905B2. Автор: Rumen Peev,Stoyan Gaydov,Klaus Wilczek. Владелец: MELEXIS TECHNOLOGIES NV. Дата публикации: 2017-05-16.

Methods and apparatus for detecting memory bit corruption on an integrated circuit

Номер патента: US09582349B1. Автор: David Lewis,Herman Henry Schmit. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Opto-electric integrated circuit and optical interposer

Номер патента: US09500823B2. Автор: Yutaka Urino,Daisuke Okamoto,Tatsuya Usuki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Method for measuring transient thermal characteristics of digital integrated circuits

Номер патента: RU2697028C2. Автор: Вячеслав Андреевич Сергеев,Виктор Васильевич Юдин,Ярослав Геннадьевич Тетенькин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ульяновский государственный технический университет". Дата публикации: 2019-08-08.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor logic circuit used in the integrated circuit

Номер патента: US20020017923A1. Автор: Takeshi Kusunoki,Kunihiko Yamaguchi,Keiichi Higeta,Kazuo Kanetani,Fumihiko Arakawa,Hiroaki Nambu,Kaname Yamasaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-14.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor logic circuit used in the integrated circuit

Номер патента: US20020196053A1. Автор: Takeshi Kusunoki,Kunihiko Yamaguchi,Keiichi Higeta,Kazuo Kanetani,Fumihiko Arakawa,Hiroaki Nambu,Kaname Yamasaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Display driving circuit and operating method thereof

Номер патента: US20230335066A1. Автор: Yongjoo SONG,HaJun LEE,Jeongah Ahn,Youngsub JIN,JiYong Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

Integrated circuit for facilitating optical communication between electronic devices

Номер патента: EP2649528A1. Автор: Richard C. Walker. Владелец: CORNING OPTICAL COMMUNICATIONS LLC. Дата публикации: 2013-10-16.

Integrated circuit for facilitating optical communication between electronic devices

Номер патента: WO2012078571A1. Автор: Richard C. Walker. Владелец: Corning Cable Systems LLC. Дата публикации: 2012-06-14.

Chip size estimating apparatus for semiconductor integrated circuit and chip size estimating method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20120297350A1. Автор: Yuji Yamamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-11-22.

Display control integrated circuit applicable to performing real-time video content text detection and speech automatic generation in display device

Номер патента: US20230113757A1. Автор: Chun-Chieh Chan,Sheng-Ju YANG,Kuan-Ting Chiang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-04-13.

Multifunctional self-sustained hosting apparatus and related bidirectional optical sub assembly based on photonic integrated circuit

Номер патента: US20240272383A1. Автор: António Luís JESUS TEIXEIRA,Francisco Manuel RUIVO RODRIGUES,Nuno Ricardo PEREIRA BASTOS,Hugo Daniel BARBOSA NETO,Yahya SHEIKHNEJAD,Pedro Nuno LOPES SILVA. Владелец: Picadvanced SA. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor integrated circuit and method for testing the same

Номер патента: US20060174176A1. Автор: Sadami Takeoka,Takashi Ishimura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-03.

Design structure of an integration circuit and test method of the integrated circuit

Номер патента: US20090132973A1. Автор: Toshihiko Yokota. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-05-21.

Reconfigurable integrated circuit device for automatic construction of initialization circuit

Номер патента: US20070044065A1. Автор: Kazuaki Imafuku. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-02-22.

Enhanced electron beam (e-beam) apparatus and methodology with nano-scale e-beam probe tips for fault isolation in integrated circuits and other structures

Номер патента: US20240219460A1. Автор: Yunfei WANG,Shuai ZHAO,May Ling Oh,Xianghong Tong,Martin Von Haartman,Hyuk Ju Ryu,Kimberlee CELIO,Prasoon Joshi,Jennifer Huening,Joshua KEVEK,Mitchell SENGER,Tristan DEBORDE. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-04.

Special Purpose Integrated Circuits and Methods for Matrix Multiplication Using Only Addition

Номер патента: US20240192920A1. Автор: Daniel Cussen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20140122950A1. Автор: Naoki Ito,Yuuki Asada. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2014-05-01.

Special purpose integrated circuits and methods for matrix multiplication using only addition

Номер патента: WO2024118816A1. Автор: Daniel Cussen. Владелец: Cussen Daniel. Дата публикации: 2024-06-06.

Integrated circuit and operating method thereof

Номер патента: US20240320410A1. Автор: Ara Cho,Youngsik EOM,Moongyung Kim,Donghyeon HAM,Euiyeon WON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Tile subsystem and method for automated data flow and data processing within an integrated circuit architecture

Номер патента: US20240311194A1. Автор: Scott Johnson,Paul Toth,David Fick,Zainab ZAIDI,Raul Garibay,Bryant Sorensen,Sergio Schuler,Malav Parikh,Vimal Reddy,Adam Caughron,Andrew Morten,Alex Dang-Tran. Владелец: Mythic Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Integrated circuit and operating method thereof

Номер патента: EP4435445A1. Автор: Ara Cho,Youngsik EOM,Moongyung Kim,Donghyeon HAM,Euiyeon WON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-25.

File sharing circuit and computer using the same

Номер патента: US09740273B2. Автор: Yung-Chi Sung,En-Shan Tsuei. Владелец: Wistron Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Integrated circuits with built-in self test mechanism

Номер патента: US09728276B2. Автор: Chia-Wei Wang,Shi-Wei Chang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Reconfigurable integrated circuit device

Номер патента: US09552328B2. Автор: Takashi Hanai,Hayato Higuchi. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Methods for forming area-efficient scan chains in integrated circuits, and integrated circuits embodying the same

Номер патента: US7971170B2. Автор: Bruce Eliot Duewer,Richard Dean Putman. Владелец: Cirrus Logic Inc. Дата публикации: 2011-06-28.

Semiconductor integrated circuit and method for controlling power supply in semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20160109924A1. Автор: Yoshihisa Nomura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-04-21.

Self-aligning photonic interconnections for photonic integrated circuits

Номер патента: US12038608B2. Автор: Dirk Robert Englund,Saumil Bandyopadhyay. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2024-07-16.

Programmable Modular Circuit For Testing and Controlling A System-On-A-Chip Integrated Circuit, and Applications Thereof

Номер патента: US20090177814A1. Автор: Paulo António Ribeiro CARDOSO. Владелец: Chipidea Microelectronica SA. Дата публикации: 2009-07-09.

System and method for communicating with an integrated circuit

Номер патента: EP1089182A3. Автор: David Alan Edwards,Anthony Willis Rich,Bernard Ramanadin. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2004-09-29.

Integrated circuit and memory device including sampling circuit

Номер патента: US20230178137A1. Автор: Woongrae Kim,Yoonna OH,Byeong Yong GO,Chul Moon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-06-08.

Delay diagnosis method for semiconductor integrated circuit, computer program product for diagnosing delay of semiconductor integrated circuit and computer readable recording medium recording program thereon

Номер патента: US20030226126A1. Автор: Yoshihiro Iwai,Hirotake Tokuyama,Tatsuki Ishii,Kenji Shigeoka. Владелец: Hitachi Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-04.

Integrated circuit and memory device including sampling circuit

Номер патента: US12068022B2. Автор: Woongrae Kim,Yoonna OH,Byeong Yong GO,Chul Moon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Path-based congestion reduction in integrated circuit routing

Номер патента: US20160012172A1. Автор: Sourav Saha,Sven Peyer,Harald Folberth. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-01-14.

Testable integrated circuit and test method

Номер патента: EP2191285A1. Автор: Laurent Souef,Emmanuel Alie. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-06-02.

Security circuit and security cancellation method

Номер патента: US20060196934A1. Автор: Takeaki Moto,Kosei Fujisaka. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-07.

Integrated circuit that extracts data, neural network processor including the integrated circuit, and neural network

Номер патента: US20230289601A1. Автор: Jun-Seok Park,Jae-gon Lee,Jin-Ook Song,Yun-kyo Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Tensor mapping unit for a hardware integrated circuit

Номер патента: WO2024167500A1. Автор: Yang Yang,Vishal Anand,Suyog Gupta,Temitayo Fadelu,Xiaoxiao LONG. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-08-15.

System for testing an integrated circuit

Номер патента: US20030028824A1. Автор: Robert Kaiser,Thilo Schaffroth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-02-06.

Electronic device, integrated circuit, and input system

Номер патента: US20240281084A1. Автор: Noriyuki Kitahara,Yuhi Hatano. Владелец: Wacom Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor integrated circuit and IC card

Номер патента: US20060164906A1. Автор: Toshio Yamada,Takeo Kanai,Yoshio Takazawa,Minoru Katoh,Toshihiro Araki,Shinichi Ozawa,Koudou Yamauchi. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2006-07-27.

Integrated Circuit, Cell Arrangement, Method of Manufacturing an Integrated Circuit, Method of Operating an Integrated Circuit, and Memory Module

Номер патента: US20090285012A1. Автор: Rok Dittrich. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-11-19.

Integrated circuit

Номер патента: US20010040475A1. Автор: Hiroki Inohara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-15.

Debug trace fabric for integrated circuit

Номер патента: US12093161B2. Автор: Ori Isachar,Tal Lazmi,Charles J. Fleckenstein. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

System for testing an integrated circuit using multiple test modes

Номер патента: US7165198B2. Автор: Robert Kaiser,Thilo Schaffroth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-01-16.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US12119076B2. Автор: Takayuki Miyazaki,Yuki Ishizaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Integrated circuit and test method thereof

Номер патента: US20220068417A1. Автор: Seung Hyun Chung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Display device with driving intergrated circuit and electronic device

Номер патента: US12136401B2. Автор: Xinbo FU,Ruoqiao CHEN. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Integrated circuit comprising a gas sensor

Номер патента: US09523651B2. Автор: Roel Daamen,Aurelie Humbert. Владелец: ams International AG. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor integrated circuit and method for controlling power supply in semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09519336B2. Автор: Yoshihisa Nomura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor test system, semiconductor test method, method of wiring pattern formation and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US5453994A. Автор: Masahiko Yoshimoto,Kiyofumi Kawamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Engineering Co Ltd. Дата публикации: 1995-09-26.

Semiconductor integrated circuit and a method of testing the same

Номер патента: US20070288817A1. Автор: Toshihiro Tanaka,Yutaka Shinagawa,Isao Nakamura,Masahiko Kimura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-12-13.

Integrated circuit device provided with series-connected TC parallel unit ferroelectric memory and method for testing the same

Номер патента: US7218546B2. Автор: Shinichiro Shiratake,Tadashi Miyakawa,Daisaburo Takashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-05-15.

Semiconductor integrated circuit and a method of testing the same

Номер патента: US20060123299A1. Автор: Toshihiro Tanaka,Yutaka Shinagawa,Isao Nakamura,Masahiko Kimura. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-08.

Method and system for verifying integrated circuit

Номер патента: US20240256755A1. Автор: Jeongmin Kim,Hoyoung Lee,Eunsun Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20090102287A1. Автор: Hidenari Nakashima. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-04-23.

Method and a computer readable medium for analyzing a design of an integrated circuit

Номер патента: WO2007029051A1. Автор: Michael Priel,Dan Kuzmin,Anton Rozen,Eitan Zmora. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2007-03-15.

A media player an integrated circuit for a media player and a method of producing both

Номер патента: WO2008004235A2. Автор: Amir Geva,Rafi Mosseri. Владелец: Musicpump Ltd.. Дата публикации: 2008-01-10.

Method and apparatus for designing a three-dimensional integrated circuit

Номер патента: US7949984B2. Автор: Shinichi Yasuda,Shinobu Fujita,Tetsufumi Tanamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-05-24.

Method for designing semiconductor integrated circuit and program

Номер патента: US20150067630A1. Автор: Hiroaki Fujimoto,Jason Anderson,Hirotaka Tamura,Safeen Huda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-03-05.

Integrated circuit device for a wireless keyboard array

Номер патента: US20030080879A1. Автор: Chih-Jen Lo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-01.

Dense photonic integrated circuit optical coupling

Номер патента: US20240272368A1. Автор: Richard Laming,Nicholas D. Psaila. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Functional Testing of an Integrated Circuit Chip

Номер патента: US20160033575A1. Автор: Andrew Brian Thomas Hopkins,Iain Craig Robertson,Michael Jonathan Thyer. Владелец: UltraSoC Technologies Ltd. Дата публикации: 2016-02-04.

Integrated circuit testing system and method

Номер патента: US6964003B2. Автор: Claude Thibeault. Владелец: Socovar SC. Дата публикации: 2005-11-08.

Packaging design supporting device and packaging design supporting method for semiconductor integrated circuit and recording medium

Номер патента: US8341583B2. Автор: Noriyuki Ito. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-12-25.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030053363A1. Автор: Osamu Wada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-20.

Semiconductor integrated circuit and data output method

Номер патента: US20070140021A1. Автор: Kouji Tsunetou. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-06-21.

Test bus circuit and associated method

Номер патента: US20020067157A1. Автор: Erlend Olson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-06.

Display driver integrated circuit and method of operating the same

Номер патента: US12106736B2. Автор: HyeonSu PARK,Hyunwook LIM,Taewoo Kim,Jinyong Park,Hongki Kwon,Hojun CHUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-01.

Integrated circuit and integrated circuit testing method

Номер патента: US20240329119A1. Автор: Tsung-Yen Tsai,Yu-Chen HSIEH,Jian-Ru LIN,Yung-Tai Chen,Yen-Wei Liu. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

High-speed offloading of trace data from an integrated circuit

Номер патента: US20240330144A1. Автор: Ishita Ghosh,Elessar Taggart,Rishi Bharadwaj Subramanian,Jason Richard Villarreal. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Functional testing of an integrated circuit chip

Номер патента: US09632138B2. Автор: Andrew Brian Thomas Hopkins,Iain Craig Robertson,Michael Jonathan Thyer. Владелец: UltraSoC Technologies Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Circuit and method for monolithic stacked integrated circuit testing

Номер патента: US09599670B2. Автор: Sandeep Kumar Goel. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor storage device

Номер патента: US11450390B2. Автор: Yutaka Shimizu,Masaru Koyanagi,Mikihiko Ito,Fumiya Watanabe,Kei Shiraishi,Yasuhiro HIRASHIMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-20.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor storage device

Номер патента: US20210295930A1. Автор: Yutaka Shimizu,Masaru Koyanagi,Mikihiko Ito,Fumiya Watanabe,Kei Shiraishi,Yasuhiro HIRASHIMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Integrated circuit image sensor for wheel alignment systems

Номер патента: US20030025901A1. Автор: Leigh Burns. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-06.

Semiconductor integrated circuit and compiler

Номер патента: US9348588B2. Автор: Hiroshi Okano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-05-24.

Malfunction prevention circuit for cog-form source driver integrated circuit and flat panel display controller employing the same

Номер патента: US20130300726A1. Автор: Yeong Joon Son,Myung Yu KIM. Владелец: Silicon Works Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-14.

Integrated circuit and method for cleaning valid bits in cache memory of the integrated circuit

Номер патента: US20240070085A1. Автор: Yung-Chi LAN. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Integrated circuit and configuration method thereof

Номер патента: US11960402B2. Автор: Xiaolong LIU. Владелец: Xiamen Sigmastar Technology Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Liquid Discharging Apparatus And Integrated Circuit Device

Номер патента: US20220097362A1. Автор: Tomoko Hara,Kazuhito Fujisawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2022-03-31.

Driving circuit, integrated circuit, and liquid discharge apparatus

Номер патента: US20200164636A1. Автор: Tetsuo Takagi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2020-05-28.

Apparatus and method for demounting and mounting an integrated circuit

Номер патента: US20060005378A1. Автор: Yeh Chan. Владелец: Arima Display Corp. Дата публикации: 2006-01-12.

Driving circuit, integrated circuit, and liquid discharge apparatus

Номер патента: US20200164633A1. Автор: Tetsuo Takagi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2020-05-28.

Integrated circuit device and liquid droplet ejection device

Номер патента: US10940686B2. Автор: Takashi Nakajima,Kazuhiro Adachi,Katsumi Okina. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2021-03-09.

Integrated circuit cooled turbine blade

Номер патента: US09745853B2. Автор: Ching-Pang Lee,Nan Jiang,Steven Koester,Jae Y. Um,Harry Holloman. Владелец: Siemens Energy Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Cell layout, semiconductor integrated circuit device, semiconductor integrated circuit design method, and semiconductor integrated circuit semiconductor manufacturing method

Номер патента: JP4523290B2. Автор: 淳次市宮. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2010-08-11.

Semiconductor integrated circuit design method and semiconductor integrated circuit design program

Номер патента: JP4131119B2. Автор: 卓士藪田. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-08-13.

INTEGRATED CIRCUIT MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20120110535A1. Автор: Kiyohara Tokuzo,Iwahashi Daisuke,TOJIMA Masayoshi. Владелец: . Дата публикации: 2012-05-03.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

REPRODUCER, INTEGRATED CIRCUIT, REPRODUCTION METHOD, APPLICATION PROGRAM, RECORDING MEDIUM, RECORDER, AND RECORDING METHOD

Номер патента: US20120002949A1. Автор: Sasaki Taiji,Matsuura Yasuyuki,Kiyosawa Yuta,Matsumoto Tomohiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.