Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit for radio communication

Semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit for radio communication

Номер патента: US20070190961A1
Опубликовано: 16-08-2007
Автор(ы): Akio Yamamoto, Yusaku Katsube, Yutaka Igarashi
Принадлежит: Renesas Technology Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor integrated circuit for communication and radio communication terminal device using the same

Номер патента: JP4730840B2. Автор: 聡 田中,大造 山脇,幸徳 赤峰,功治 前田,雅広 伊藤. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-07-20.

Transmitter, integrated circuit, detection section and method for testing integrated circuit

Номер патента: US9991974B2. Автор: Yoshinori Takahashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Transmitter, integrated circuit, detection section and method for testing integrated circuit

Номер патента: US09991974B2. Автор: Yoshinori Takahashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Radio frequency integrated circuit and communication device including the integrated circuit

Номер патента: US20220352921A1. Автор: Sang Wook Han,Hyung Gi Kim,Jung Woo Kim,Jae Min Kim,Ho Rang Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-11-03.

Receiver circuit for use in radio communications and communications unit including such a circuit

Номер патента: EP1306977A3. Автор: Gadi Shirazi,Haim Friedlander. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2004-12-22.

Method of testing rf integrated circuit

Номер патента: US20190319717A1. Автор: Sun-Woo Lee,Dooseok CHOI,Thomas Byunghak Cho,Seung-Chan Heo,Dae-Young Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-17.

Integrated photonic integrated circuit (pic) and readout integrated circuit (roic) for high-speed data output from focal plane array

Номер патента: WO2024112367A2. Автор: George T. Paloczi,Justin G. A. Wehner,Shelly J. Mechery. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2024-05-30.

Integrated photonic integrated circuit (pic) and readout integrated circuit (roic) for high-speed data output from focal plane array

Номер патента: US20240162989A1. Автор: George T. Paloczi,Justin G. A. Wehner,Shelly J. Mechery. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2024-05-16.

Programmable spread spectrum signaling over a pin of an integrated circuit device

Номер патента: US11894868B2. Автор: Robert Richard Noel Bielby,Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Programmable Spread Spectrum Signaling over a Pin of an Integrated Circuit Device

Номер патента: US20240162933A1. Автор: Robert Richard Noel Bielby,Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

TRANSMITTER, INTEGRATED CIRCUIT, DETECTION SECTION AND METHOD FOR TESTING INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20180069641A1. Автор: Takahashi Yoshinori. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2018-03-08.

INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURE, METHOD OF CONSTRUCTION OF AN INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURE, AND INITIAL MODULE OF RADIOFREQUENCY, RF

Номер патента: BR112019002343B1. Автор: Richard Hammond,Sinan Goktepeli. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-04-04.

Circuits for use in radio communications

Номер патента: US20030006854A1. Автор: Moshe Ben-Ayun,Mark Rozental,Gabi Nocham. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-09.

Semiconductor integrated circuit device, electronic device, and radio communication device

Номер патента: US9136801B2. Автор: Seiji Yamamoto,Yutaka Uneme,Miki Shiraishi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-09-15.

Integrated circuit and method for operating the integrated circuit

Номер патента: US20040228190A1. Автор: Andreas Wenzel,Thomas Kunemund. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-11-18.

Radio communication device and semiconductor integrated circuit device used for the same

Номер патента: US09826538B2. Автор: Yoshinori Shigeta,Yoshimitsu Shimojo,Toshiki Kizu,Yasuro Shobatake. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor integrated circuit and broadcast receiver

Номер патента: US20110188608A1. Автор: Yasuo Oba. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-08-04.

Semiconductor integrated circuit and wireless transmitter

Номер патента: US09853606B2. Автор: Shoichi Masui,Kouichi Kanda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor Integrated Circuit and Radio Communication Terminal Including the Same

Номер патента: US20160006477A1. Автор: Yutaka Igarashi,Yusaku Katsube. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-01-07.

Electrostatic protection circuit with impedance matching for radio frequency integrated circuits

Номер патента: US20070264957A1. Автор: John Leete. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2007-11-15.

Signal processing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020079958A1. Автор: Kazuaki Hori,Yoshiyasu Tashiro,Nobuhiro Kasa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-06-27.

Signal processing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030060183A1. Автор: Kazuaki Hori,Yoshiyasu Tashiro,Nobuhiro Kasa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-03-27.

Semiconductor integrated circuit, communication module, and smart meter

Номер патента: US09912305B2. Автор: Noriaki Matsuno. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Energy-saving method of accessing channel for radio communication devices in radio communication networks with high density of stations

Номер патента: RU2688267C1. Автор: Ситтабрата ГОШ,Чэнь КОДЗОКАРО,Эльдад ПЕРАХИА,Шарназ АЗИЗИ. Владелец: ИНТЕЛ АйПи КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2019-05-21.

Semiconductor integrated circuit device, electronic device, and radio communication device

Номер патента: US20120309456A1. Автор: Seiji Yamamoto,Yutaka Uneme,Miki Shiraishi. Владелец: Renesas Mobile Corp. Дата публикации: 2012-12-06.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE, ELECTRONIC DEVICE, AND RADIO COMMUNICATION DEVICE

Номер патента: US20150341558A1. Автор: Yamamoto Seiji,Shiraishi Miki,Uneme Yutaka. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-26.

Interface for data communication between chiplets or other integrated circuits on an interposer

Номер патента: US11809800B2. Автор: Tony M. Brewer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Clock forwarding circuit and method of semiconductor integrated circuit device

Номер патента: KR100255664B1. Автор: 김석진. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-05-01.

Autonomous and resilient integrated circuit device

Номер патента: WO2021170974A2. Автор: Richard Benjamin Cunliffe. Владелец: CSL DualCom Limited. Дата публикации: 2021-09-02.

Method and apparatus for secure provisioning of an integrated circuit device

Номер патента: US09729518B1. Автор: Sean R. Atsatt. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Autonomous and resilient integrated circuit device

Номер патента: US11882614B2. Автор: Richard Benjamin Cunliffe. Владелец: CSL DUALCOM Ltd. Дата публикации: 2024-01-23.

Autonomous and resilient integrated circuit device

Номер патента: CA3170526A1. Автор: Richard Benjamin Cunliffe. Владелец: CSL DUALCOM Ltd. Дата публикации: 2021-09-02.

A method of operating an autonomous and resilient universal integrated circuit card, UICC, and corresponding device

Номер патента: AU2021227420A1. Автор: Richard Benjamin Cunliffe. Владелец: CSL DUALCOM Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

A method of operating an autonomous and resilient universal integrated circuit card, uicc, and corresponding device

Номер патента: EP4035311A2. Автор: Richard Benjamin Cunliffe. Владелец: CSL DUALCOM Ltd. Дата публикации: 2022-08-03.

Autonomous and resilient integrated circuit device

Номер патента: US20240121849A1. Автор: Richard Benjamin Cunliffe. Владелец: CSL DUALCOM Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Autonomous and resilient integrated circuit device

Номер патента: US20230121282A1. Автор: Richard Benjamin Cunliffe. Владелец: CSL DUALCOM Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Manufacturing method for wireless communications devices employing potentially different versions of integrated circuits

Номер патента: EP1155583A1. Автор: Ronald D. Boesch. Владелец: Ericsson Inc. Дата публикации: 2001-11-21.

Integrated circuit device and image processing apparatus

Номер патента: US20150288916A1. Автор: Takaaki Yokoi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-10-08.

Apparatus and method for providing a public key for authenticating an integrated circuit

Номер патента: US09813392B2. Автор: Ivan Hugh Mclean,Roberto Avanzi,Dean Lorenz,Boris Dolgunov. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Near field communication integrated circuit and wireless communication device including the same

Номер патента: US11990767B2. Автор: Young-Seok Kim,Seok-hyun Kim,In-Hyuk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-21.

Method for introducing personalization data in non volatile memories of a plurality of integrated circuits, in particular in integrated circuit cards, corresponding system and computer program product

Номер патента: EP3799384A1. Автор: Marco ALFARANO,Sofia Massascusa. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-03-31.

Manufacturing method for wireless communications devices employing potentially different versions of integrated circuits

Номер патента: WO2000051379A1. Автор: Ronald D. Boesch. Владелец: Ericsson, Inc.. Дата публикации: 2000-08-31.

Integrated circuit, memory circuit and method for operating an integrated circuit

Номер патента: CN111723409A. Автор: 黄世昌,洪俊雄,张坤龙,陈耕晖,张钦鸿,范振嘉. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-29.

Protection of integrated circuits

Номер патента: US20230245984A1. Автор: Romain Coffy,Jean-Michel Riviere,Denis Farison. Владелец: STMicroelectronics Grenoble 2 SAS. Дата публикации: 2023-08-03.

Protection of integrated circuits

Номер патента: US20190355674A1. Автор: Romain Coffy,Jean-Michel Riviere,Denis Farison. Владелец: STMicroelectronics Grenoble 2 SAS. Дата публикации: 2019-11-21.

Interface bridge between integrated circuit die

Номер патента: EP3893396A1. Автор: Keith Duwel,David W. Mendel,Jeffrey Erik Schulz,Dinesh D. Patil,Gary Brian Wallichs,Jakob Raymond Jones. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-10-13.

FLEXIBLE FEATURE ENABLING INTEGRATED CIRCUIT AND METHODS TO OPERATE THE INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20170257369A1. Автор: Ito Ken A.. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-07.

A flexible feature enabling integrated circuit and method to operate the integrated circuit

Номер патента: EP3423986A1. Автор: Ken A. Ito. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2019-01-09.

Integrated circuit and method for operating said integrated circuit

Номер патента: WO2003063354A1. Автор: Andreas Wenzel,Thomas Kunemund. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-07-31.

Integrated circuit and method for operating the integrated circuit

Номер патента: TW200303485A. Автор: Andreas Wenzel,Thomas Kuenemund. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-09-01.

Power supply circuit for use with an electrostatic transducer

Номер патента: US3961202A. Автор: Osamu Kono,Noboru Tsuchiya,Atsushi Matsuda,Kiichi Yoshida. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1976-06-01.

Semiconductor integrated circuit, system device including semiconductor integrated circuit, and semiconductor integrated circuit control method

Номер патента: WO2008029903A1. Автор: Mitsushige Baba. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2008-03-13.

Semiconductor integrated circuit, electronic device, and method for controlling semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240292126A1. Автор: Takashi Nakamura,Junichiro Shirai,Ushio Mameuda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor integrated circuit, electronic device, solid-state imaging apparatus, and imaging apparatus

Номер патента: US11362131B2. Автор: Yoshiharu Kudoh. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2022-06-14.

Semiconductor integrated circuit, electronic device, solid-state imaging apparatus, and imaging apparatus

Номер патента: US09691806B2. Автор: Yoshiharu Kudoh. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor integrated circuit, electronic device, solid-state imaging apparatus, and imaging apparatus

Номер патента: US09627432B2. Автор: Yoshiharu Kudoh. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor integrated circuit and method of processing in semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09542266B2. Автор: Hiroaki Watanabe,Yoshiki Okumura,Chikahiro Deguchi,Yutaka Sekino,Hideyuki Negi,Naoki Maezawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor integrated circuit and control method of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20170201697A1. Автор: Hiroaki Niitsuma. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-07-13.

Semiconductor integrated circuit and television

Номер патента: US20120072712A1. Автор: Hisami Matsui. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-03-22.

Method and device for radio communication line failure processing

Номер патента: RU2699244C1. Автор: Тао Чжан,Бо ЛИНЬ,Юнцян ГАО. Владелец: Хуавэй Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2019-09-04.

Semiconductor integrated circuit that determines power saving mode based on calculated time difference between wakeup signals

Номер патента: US9891689B2. Автор: Yoshihisa KOHARA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor integrated circuit that determines power saving mode based on calculated time difference between wakeup signals

Номер патента: US09891689B2. Автор: Yoshihisa KOHARA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Impedance control circuit for controlling multiple different impedances with single control circuit

Номер патента: US20040000926A1. Автор: Takeshi Ooshita. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-01-01.

Semiconductor integrated circuit and circuit operation method

Номер патента: US09898072B2. Автор: Koji Maeda,Taizo Yamawaki,Yukinori Akamine,Hiroshi Kamizuma. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor integrated circuit, authentication system, and authentication method

Номер патента: US09729324B2. Автор: Masahiko Takenaka,Dai Yamamoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor integrated circuit and transmitter apparatus having the same

Номер патента: US20100245663A1. Автор: Toru Iwata,Hirokazu Sugimoto,Ryogo Yanagisawa,Manabu Kawabata. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-09-30.

Semiconductor integrated circuit and image capturing apparatus

Номер патента: US09986185B2. Автор: Tohru Kanno,Yuuya Miyoshi,Sho KAMEZAWA. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor integrated circuit and adjustment method thereof

Номер патента: US7106362B2. Автор: Kenichi Nakajima,Hideo Imaizumi,Takuji Kato. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-12.

Semiconductor integrated circuit and adjustment method thereof

Номер патента: US20030214587A1. Автор: Kenichi Nakajima,Hideo Imaizumi,Takuji Kato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-11-20.

Semiconductor integrated circuit that stops power supply to at least a storage area of a first SRAM in a power-saving mode, and control method of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US10027906B2. Автор: Hiroaki Niitsuma. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-07-17.

Physically unclonable function for an integrated circuit

Номер патента: WO2024142056A1. Автор: Eyal Fayneh,Evelyn Landman,Yahel DAVID,Nir SEVER,Boaz Katz,Shelley LAN. Владелец: Proteantecs Ltd.. Дата публикации: 2024-07-04.

Delay lock loop circuit, timing generator, semiconductor test device, semiconductor integrated circuit, and delay amount calibration method

Номер патента: US8058891B2. Автор: Masakatsu Suda,Takuya Hasumi. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2011-11-15.

Semiconductor integrated circuit and signal processing device

Номер патента: US20230308319A1. Автор: Mitsuyuki ASHIDA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor integrated circuit and test method thereof

Номер патента: US09602384B2. Автор: Fumitoshi Hatori. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

User terminal and method for radio communication

Номер патента: RU2751788C9. Автор: Сатоси НАГАТА,Кадзуки ТАКЕДА,Цинь МУ,Лю ЛЮ. Владелец: Нтт Докомо, Инк.. Дата публикации: 2021-08-17.

Integrated circuit manufacturing method and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20120110535A1. Автор: Tokuzo Kiyohara,Masayoshi Tojima,Daisuke Iwahashi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-05-03.

Boundary scheme for semiconductor integrated circuit and method for forming an integrated circuit

Номер патента: US20210202528A1. Автор: Meng-Han LIN,Te-An Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Semiconductor integrated bipolar switching circuit for controlling passage of signals

Номер патента: US4829202A. Автор: Kenneth Austin. Владелец: Pilkington Micro Electronics Ltd. Дата публикации: 1989-05-09.

Protection circuit and input circuit suitable for integrated circuit

Номер патента: US09401603B2. Автор: Chieh-Wei He. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-26.

Integrated circuit and method for fabricating an integrated circuit

Номер патента: US20040245618A1. Автор: Albrecht Mayer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-12-09.

Integrated circuit and an electronic device including integrated circuit

Номер патента: US20230097976A1. Автор: Jae Ho Lee,Jae Seung Choi,Chan Wook Park,Yeon Ho Jung,Jong Wook Kye,Min Woo Kwak,Mi Joung Kim,Do Hoon Byun,Kwan Seong Lee,Je Kyun Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-30.

Circuit and method for powering an integrated circuit having first and second power regulators respectively configured and arranged to provide regulated power at main and standby power levels

Номер патента: US09444456B2. Автор: Andre Gunther,Kevin Mahooti,Peter Robertson. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-09-13.

Integrated circuit heater for reducing stress in the integrated circuit material and chip leads of the integrated circit, and for optimizing performance of devices of the integrated circuit

Номер патента: US20160093549A1. Автор: Edward O. Travis,Mehul D. Shroff,Douglas M. Reber. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-03-31.

Multi-dimensional photonic integrated circuits and memory structure for photonic integrated circuits and associated systems and methods

Номер патента: US20230207711A1. Автор: Danny Rittman,Aliza Schnapp. Владелец: GBT Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Integrated circuit and method for operating the integrated circuit

Номер патента: US20030132792A1. Автор: CHRISTIAN Weis,Stefan Dietrich,Peter Schrögmeier,Pramod Acharya. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-07-17.

Millimeter wave monolithic integrated circuits and methods of forming such integrated circuits

Номер патента: EP2364524A1. Автор: Kenneth W. Brown,Andrew K. Brown. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2011-09-14.

Millimeter wave monolithic integrated circuits and methods of forming such integrated circuits

Номер патента: WO2010053554A1. Автор: Kenneth W. Brown,Andrew K. Brown. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2010-05-14.

Integrated circuit and method of manufacturing an integrated circuit

Номер патента: US09525058B2. Автор: Britta Wutte. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-12-20.

Cascade circuit and corresponding control method and integrated circuit thereof

Номер патента: EP4175154A1. Автор: Yu Qi,Chen Zhao,Wei Chen. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2023-05-03.

Integrated circuit and cell structure in the integrated circuit

Номер патента: US20190123062A1. Автор: Cheng-Jyi Chang,Chuan-Shian FU,Shao-Hwang SHER. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2019-04-25.

A method of determining the location of a defect in an integrated circuit and how to use this integrated circuit

Номер патента: EP1204122A3. Автор: Tapio Kuiri. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2005-02-02.

Integrated circuit and method for fabricating an integrated circuit equipped with a temperature probe

Номер патента: US09543287B2. Автор: Severine Cheramy. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-01-10.

Integrated Circuit and Method for Manufacturing an Integrated Circuit

Номер патента: US20100033269A1. Автор: Dirk Hesidenz,Markus Klaus Unger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2010-02-11.

Integrated circuit and method of manufacturing an integrated circuit

Номер патента: US09496228B2. Автор: Joachim Mahler,Edward Fuergut,Ivan Nikitin. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-11-15.

Integrated Circuit and Method of Manufacturing an Integrated Circuit

Номер патента: US20150091088A1. Автор: Till Schloesser,Franz Hirler,Andreas Meiser,Martin Vielemeyer,Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-04-02.

Integrated circuit and method for manufacturing an integrated circuit on a semiconductor chip

Номер патента: US20060105535A1. Автор: Christoph Bromberger. Владелец: Atmel Germany GmbH. Дата публикации: 2006-05-18.

Integrated circuit and method of forming an integrated circuit

Номер патента: US09418937B2. Автор: Werner Robl,Michael Rogalli,Johann Gross,Michael Nelhiebel,Robert Illing,Thomas Detzel,Stefan Woehlert,Maximilian Krug,Sven Gustav Lanzerstorfer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-08-16.

Light Sensing Integrated Circuit and Manufacturing Method of Sensing Integrated Circuit

Номер патента: US20150200215A1. Автор: Tzo-Hung Luo,Chin-Hung Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-16.

Circuits for use in radio communications

Номер патента: WO2005107076B1. Автор: Gadi Shirazi,Haim Friedlander,Ariel Luzzatto. Владелец: Ariel Luzzatto. Дата публикации: 2006-02-23.

Method for attaching an integrated circuit chip to a substrate and an integrated circuit chip useful therein

Номер патента: US20010000495A1. Автор: James Lau,Geoffrey Pilkington. Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 2001-04-26.

Protection circuit and input circuit suitable for integrated circuit

Номер патента: US20160164277A1. Автор: Chieh-Wei He. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-09.

Analysis module, integrated circuit, system and method for testing an integrated circuit

Номер патента: US20040064772A1. Автор: Yoav Weizman,Shai Shperber,Ezra Baruch. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-01.

Methods of packaging an integrated circuit and methods of forming an integrated circuit package

Номер патента: USRE42457E1. Автор: Dexin Liang,Lily Zhao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-06-14.

Configuration of aggressor integrated circuit to prevent spur interference at victim integrated circuit

Номер патента: US11777479B2. Автор: Rahmi Hezar,Tim Schoenauer,Helena Deirdre O'Shea,Ali Moaz. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Configuration of Aggressor Integrated Circuit to Prevent Spur Interference at Victim Integrated Circuit

Номер патента: US20240056066A1. Автор: Rahmi Hezar,Tim Schoenauer,Helena Deirdre O'Shea,Ali Moaz. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Configuration of aggressor integrated circuit to prevent spur interference at victim integrated circuit

Номер патента: US20230073376A1. Автор: Rahmi Hezar,Tim Schoenauer,Helena Deirdre O'Shea,Ali Moaz. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2023-03-09.

Method for fabrication of an integrated circuit rendering a reverse engineering of the integrated circuit more difficult and corresponding integrated circuit

Номер патента: US09640493B2. Автор: Pascal Fornara,Christian Rivero,Guilhem Bouton. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2017-05-02.

Integral heat sink-terminal member structure of hybrid integrated circuit assembly and method of fabricating hybrid integrated circuit assembly using such structure

Номер патента: US5291372A. Автор: Hideo Matsumoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-03-01.

Integrated circuit and standard cell for an integrated circuit

Номер патента: US20100321063A1. Автор: Tilo Ferchland,Thorsten Riedel,Matthias Vorwerk. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-23.

Integrated circuit and method for forming and integrated circuit

Номер патента: US5851923A. Автор: J. Brett Rolfson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1998-12-22.

Integrated circuit and standard cell for an integrated circuit

Номер патента: US8030963B2. Автор: Tilo Ferchland,Thorsten Riedel,Matthias Vorwerk. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2011-10-04.

Integrated circuit lead frame and semiconductor device thereof

Номер патента: US12062598B2. Автор: Yu-Hsin Wang,Nai-Jen Hsuan. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Method for detecting a thinning of the semiconductor substrate of an integrated circuit from its back face and corresponding integrated circuit

Номер патента: US09916902B2. Автор: Pascal Fornara,Christian Rivero. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2018-03-13.

Integrated circuit with a low-power mode and clock amplifier circuit for same

Номер патента: US5430393A. Автор: Ravi Shankar,Kin K. Chau-Lee,Phil P. D. Hoang. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1995-07-04.

Identification method of an integrated circuit chip and identfication system of an integrated circuit chip

Номер патента: US20210365651A1. Автор: Chi-Chung Yu,Kai-Hung Lin,Tien-Hung LOU. Владелец: Powertech Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-25.

Integrated circuit and method of manufacturing an integrated circuit

Номер патента: US20090057778A1. Автор: Stefan Slesazeck,Tobias Mono,Jessica Hartwich,Lars Dreeskornfeld,Arnd Scholz. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-03-05.

Integrated circuit chips, integrated circuit packages including the integrated circuit chips, and display apparatuses including the integrated circuit chips

Номер патента: US20200235091A1. Автор: Woon-bae Kim,Young-Mok Kim,Dae-cheol Seong,Yune-seok CHUNG,Jung-Gu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-23.

Integrated circuit and method for fabricating an integrated circuit equipped with a temperature probe

Номер патента: US20140183533A1. Автор: Severine Cheramy. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2014-07-03.

Scannable flip flop circuit and method of operating an integrated circuit

Номер патента: WO2000072444A9. Автор: Joseph A Hoffman,Joseph W Yoder. Владелец: Lockheed Corp. Дата публикации: 2001-07-26.

Scannable flip flop circuit and method of operating an integrated circuit

Номер патента: WO2000072444A3. Автор: Joseph A Hoffman,Joseph W Yoder. Владелец: Lockheed Corp. Дата публикации: 2001-06-28.

Integrated-circuit package configuration for packaging an integrated-circuit die and method of packaging an integrated-circuit die

Номер патента: WO1993017455A3. Автор: Young Il Kwon,Louis H Liang. Владелец: VLSI Technology Inc. Дата публикации: 1993-11-25.

Integrated circuit chip, integrated circuit package and display apparatus including the integrated circuit chip

Номер патента: US20200227359A1. Автор: Woon-bae Kim,Young-Mok Kim,Dae-cheol Seong,Jun-Gu Kang,Yune-seok CHUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-16.

Integrated circuit package and method to manufacture the integrated circuit package to reduce bond wire defects in the integrated circuit package

Номер патента: US11784112B2. Автор: Jun Li,Jian Song,Xuesong Xu,Jinzhong Yao,Xingshou Pang,Mingchuan Han. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Removal of a heat spreader from an integrated circuit package to permit testing of the integrated circuit and other elements of the package

Номер патента: US6117352A. Автор: Kevin Weaver,Steve E. Scott. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2000-09-12.

Integrated circuit chip, method of manufacturing the integrated circuit chip, and integrated circuit package and display apparatus including the integrated circuit chip

Номер патента: US11569206B2. Автор: Sung-Min Kang,Young-Mok Kim,Jun-Gu Kang,Min-hee UH,Seung-hee GO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-31.

Integrated circuit chip, method of manufacturing the integrated circuit chip, and integrated circuit package and display apparatus including the integrated circuit chip

Номер патента: US11049846B2. Автор: Sung-Min Kang,Young-Mok Kim,Jun-Gu Kang,Min-hee UH,Seung-hee GO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-29.

Integrated circuit chip, method of manufacturing the integrated circuit chip, and integrated circuit package and display apparatus including the integrated circuit chip

Номер патента: US20200294970A1. Автор: Sung-Min Kang,Young-Mok Kim,Jun-Gu Kang,Min-hee UH,Seung-hee GO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-09-17.

Integrated circuit chip, method of manufacturing the integrated circuit chip, and integrated circuit package and display apparatus including the integrated circuit chip

Номер патента: US20210296287A1. Автор: Sung-Min Kang,Young-Mok Kim,Jun-Gu Kang,Min-hee UH,Seung-hee GO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-23.

Integrated circuit package and method of assembling an integrated circuit package

Номер патента: US20130175709A1. Автор: Inderjit Singh,Shin S. Low. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2013-07-11.

Integrated circuits having cross-couple constructs and semiconductor devices including integrated circuits

Номер патента: US11955471B2. Автор: Jong-Hoon Jung,Tae-Joong Song,Jung-Ho Do,Dal-Hee LEE,Jin-young Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-09.

Method of forming material film, integrated circuit device, and method of manufacturing the integrated circuit device

Номер патента: US20210193508A1. Автор: Junwon Lee,Jinyong Kim,Kwangtae HWANG,Iksoo Kim,Jiwoon Im,Geumbi Mun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-24.

Process for reforming a plastic packaged integrated circuit die and a reformed plastic packaged integrated circuit die

Номер патента: US20070278676A1. Автор: Timothy B. Dean,Daniel T. Rooney,Bruce C. Deemer. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2007-12-06.

Integrated circuits having cross-couple constructs and semiconductor devices including integrated circuits

Номер патента: US20240203974A1. Автор: Jong-Hoon Jung,Tae-Joong Song,Jung-Ho Do,Dal-Hee LEE,Jin-young Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor integrated circuit and method for designing the same

Номер патента: US20080210979A1. Автор: Rika SUWAKI. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-09-04.

Semiconductor integrated circuit device with electric power generation function

Номер патента: CA3131406A1. Автор: Hiroshi Goto,Minoru Sakata. Владелец: GCE Institute Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Information processing apparatus and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20190267065A1. Автор: Masato Hayashi,Masanao Yamaoka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2019-08-29.

Semiconductor integrated circuit wafer, semiconductor integrated circuit chip, and method of testing semiconductor integrated circuit wafer

Номер патента: US20090251160A1. Автор: Manabu Miyazaki. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-10-08.

Semiconductor integrated circuit with TSV bumps

Номер патента: US8994110B2. Автор: Kenichi Ishikawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-03-31.

Semiconductor integrated circuit with tsv bumps

Номер патента: US20140145266A1. Автор: Kenichi Ishikawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-05-29.

Semiconductor integrated circuit with tsv bumps

Номер патента: US20150145053A1. Автор: Kenichi Ishikawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-05-28.

Semiconductor integrated circuit device with electric power generation function

Номер патента: CA3131377A1. Автор: Hiroshi Goto,Minoru Sakata. Владелец: GCE Institute Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Integrated-circuit module and its manufacturing process

Номер патента: RU2165660C2. Автор: Михель Хубер,Петер Штампка,Франк ПЮШНЕР,Юрген ФИШЕР,Йозеф ХАЙТЦЕР. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2001-04-20.

Semiconductor integrated circuit device having power down mode

Номер патента: US4906862A. Автор: Kiyoshi Itano,Kohji Shimbayashi. Владелец: Fujitsu Vlsi Ltd. Дата публикации: 1990-03-06.

Semiconductor integrated circuit device in which integrated circuit units having different functions are stacked in three dimensional manner

Номер патента: US5138437A. Автор: Shinichi Nakagawa,Masao Nakaya,Toshio Kumamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1992-08-11.

Semiconductor integrated circuit package, semiconductor apparatus provided with a plurality of semiconductor integrated circuit packages, method of inspecting semiconductor integrated circuit package and method of fabricating semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6531769B2. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-03-11.

Semiconductor integrated circuit package, semiconductor apparatus provided with a plurality of semiconductor integrated circuit packages, method of inspecting semiconductor integrated circuit package and method of fabricating semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20010045636A1. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2001-11-29.

Semiconductor integrated circuit package, semiconductor apparatus provided with a plurality of semiconductor integrated circuit packages, method of inspecting semiconductor integrated circuit package and method of fabricating semiconductor integrated circuit package

Номер патента: US20030104655A1. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Tadashi Yamaguchi. Дата публикации: 2003-06-05.

Semiconductor integrated circuit device, semiconductor integrated circuit device pattern generation method, semiconductor integrated circuit device manufacturing method, and semiconductor integrated circuit device pattern generation device

Номер патента: JP4243214B2. Автор: 洋行 辻川,清士 向井. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-03-25.

Semiconductor integrated circuit device, design method for semiconductor integrated circuit device, design aiding device for semiconductor integrated circuit device, program, and program recording medium

Номер патента: US20030001269A1. Автор: Masahide Kakeda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-02.

Semiconductor integrated circuit device, design method for semiconductor integrated circuit device, design aiding device for semiconductor integrated circuit device, program, and program recording medium

Номер патента: US20040036083A1. Автор: Masahide Kakeda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-26.

Semiconductor integrated circuit device, design method for semiconductor integrated circuit device, design aiding device for semiconductor integrated circuit device, program, and program recording medium

Номер патента: US6573605B2. Автор: Masahide Kakeda. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-03.

Semiconductor integrated circuit, device including semiconductor integrated circuit, clock control method in semiconductor integrated circuit, and program.

Номер патента: JP6429549B2. Автор: 央章 新妻. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-11-28.

Method of forming complementary bipolar and MOS transistor having power and logic structures on the same integrated circuit substrate

Номер патента: US5256582A. Автор: Dan M. Mosher,Joe R. Trogolo,Cornelia H. Blanton,Larry Latham,David R. Cotton,Bob Todd. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1993-10-26.

Semiconductor integrated circuit device, design method for semiconductor integrated circuit device, design aiding device for semiconductor integrated circuit device, program, and program recording medium

Номер патента: US6777269B2. Автор: Masahide Kakeda. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-17.

Method for identifying semiconductor integrated circuit device, method for manufacturing semiconductor integrated circuit device, semiconductor integrated circuit device and semiconductor chip

Номер патента: US20040053429A1. Автор: Masaya Muranaka. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2004-03-18.

Method for identifying semiconductor integrated circuit device, method for manufacturing semiconductor integrated circuit device, semiconductor integrated circuit device and semiconductor chip

Номер патента: KR100812850B1. Автор: 무라나카마사야. Владелец: 가부시키가이샤 히타치초에루.에스.아이.시스테무즈. Дата публикации: 2008-03-11.

Semiconductor Integrated Circuit Device and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20100200907A1. Автор: Chan-Hee Park,Eun-ha Lee,Ki-Hyun Hwang,Hyung-ik Lee,Sung Heo,Han-mei Choi,Dong Chul Yoo,Byong-ju Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-08-12.

Abrasive for semiconductor integrated circuit device, method for polishing semiconductor integrated circuit device and semiconductor integrated circuit device manufacturing method

Номер патента: TW200643157A. Автор: Iori Yoshida,Yoshinori Kon. Владелец: Seimi Chem Kk. Дата публикации: 2006-12-16.

Abrasive for semiconductor integrated circuit device, method for polishing semiconductor integrated circuit device and semiconductor integrated circuit device manufacturing method

Номер патента: EP1860688A1. Автор: Iori Yoshida,Yoshinori Kon. Владелец: AGC Seimi Chemical Ltd. Дата публикации: 2007-11-28.

Semiconductor integrated circuit, standard cell, standard cell library, semiconductor integrated circuit designing method, and semiconductor integrated circuit designing equipment

Номер патента: CN1893074A. Автор: 当房哲朗,冈本奈奈,矢野纯一. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-10.

Semiconductor integrated circuit, standard cell, standard cell library, semiconductor integrated circuit designing method, and semiconductor integrated circuit designing equipment

Номер патента: US7685551B2. Автор: Junichi Yano,Tetsurou Toubou,Nana Okamoto. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-03-23.

Test system for vlsi digital circuit and method of testing

Номер патента: CA1222329A. Автор: Francois J. Henley. Владелец: DATAPROBE Corp. Дата публикации: 1987-05-26.

Abrasive for semiconductor integrated circuit device, method for polishing semiconductor integrated circuit device and semiconductor integrated circuit device manufacturing method

Номер патента: EP1860688A4. Автор: Iori Yoshida,Yoshinori Kon. Владелец: AGC Seimi Chemical Ltd. Дата публикации: 2010-08-18.

Abrasive for semiconductor integrated circuit device, method for polishing semiconductor integrated circuit device and semiconductor integrated circuit device manufacturing method

Номер патента: WO2006098141A1. Автор: Iori Yoshida,Yoshinori Kon. Владелец: Asahi Glass Company, Limited. Дата публикации: 2006-09-21.

Semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit design method, and semiconductor integrated circuit design program

Номер патента: JP4539916B2. Автор: 利和 加藤. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-09-08.

Method for arranging shield line in semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit design device, and semiconductor integrated circuit design program

Номер патента: WO2007077623A1. Автор: Hiroki Murakami,Shinichi Iida,Takahiro Toda,Katsushi Aoki,Junya Yamasaki. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2007-07-12.

Method for identifying semiconductor integrated circuit device, method for manufacturing semiconductor integrated circuit device, and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: JPWO2002050910A1. Автор: 村中　雅也. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-22.

Semiconductor integrated circuit device, structure for mounting semiconductor integrated circuit device and method for manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: CN101681893A. Автор: 伊藤优辉. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-24.

Gate array integrated circuit including a unit cell basic layer having gate terminal regions allowing two contact pads to be disposed laterally

Номер патента: US20060060889A1. Автор: Hirofumi Uchida. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-03-23.

Self-aligned integrated circuits

Номер патента: CA1043467A. Автор: Howard L. Kalter,Anatol Furman,Johann W. Nagel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1978-11-28.

Chemical mechanical polishing slurry for semiconductor integrated circuit, polishing method and semiconductor integrated circuit

Номер патента: WO2003005431A1. Автор: Sachie Shinmaru,Katsuyuki Tsugita. Владелец: Seimi Chemical Co., Ltd.. Дата публикации: 2003-01-16.

Chemical mechanical polishing slurry for semiconductor integrated circuit, polishing method and semiconductor integrated circuit

Номер патента: TWI227269B. Автор: Sachie Shinmaru,Katsuyuki Tsugita. Владелец: Seimi Chem Kk. Дата публикации: 2005-02-01.

BOUNDARY SCHEME FOR SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD FOR FORMING AN INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20210202528A1. Автор: Lin Meng-Han,CHEN TE-AN. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-01.

Semiconductor integrated circuit module resin covering connection side of integrated circuit and wrapping around edges for providing resilient protection

Номер патента: FR2782822A1. Автор: Koji Yamaguchi,Ryuzo Fukao,Susumu Imai,Yuichi Sukegawa. Владелец: Hitachi Maxell Ltd. Дата публикации: 2000-03-03.

Grounded die seal integrated circuit structure for RF circuits

Номер патента: US09640494B1. Автор: Vikas Sharma. Владелец: Peregrine Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Integrated circuit system with distributed power supply comprising interposer and voltage regulator

Номер патента: US09406597B2. Автор: Yun-Han Lee,Shyh-An Chi,Mark Shane Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

TEST CIRCUIT AND METHOD OF SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20150123698A1. Автор: Shin Sang Hoon,Lee Tae Yong. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-07.

Test circuit and method of semiconductor integrated circuit

Номер патента: KR101212777B1. Автор: 신상훈,이태용. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2012-12-14.

Oscillation circuit and a communication semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20040056725A1. Автор: Yasuyuki Kimura,Tomomitsu Kitamura,Ken Suyama,Aleksander Dec. Владелец: Epoch Microelectronics Inc. Дата публикации: 2004-03-25.

Charge control circuit and charge controlling semiconductor integrated circuit

Номер патента: EP2214285A2. Автор: Yuji Yamanaka,Hiroki Matsuda,Junji Takeshita. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2010-08-04.

Beamforming integrated circuit having rf signal ports using a ground-signal transition for high isolation in a phased antenna array system and related methods

Номер патента: US20220285837A1. Автор: Kevin Greene,Vipul Jain,Amr IBRAHIM. Владелец: Anokiwave Inc. Дата публикации: 2022-09-08.

Buffer compatible with skew critical protocols implemented in an integrated circuit and methods for routing metal lines to the buffer in the integrated circuit

Номер патента: US20240354483A1. Автор: Gaurav Agarwal,Siddhartha Jain,Amol Agarwal,Himanshu Mangal,Sachin Kalra. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

A buffer compatible with skew critical protocols implemented in an integrated circuit and methods for routing metal lines to the buffer in the integrated circuit

Номер патента: EP4451565A1. Автор: Gaurav Agarwal,Siddhartha Jain,Amol Agarwal,Himanshu Mangal,Sachin Kalra. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-10-23.

Integrated circuit and method

Номер патента: US12100445B2. Автор: Mei-Chen Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

System and method for calibrating temperatures sensor for integrated circuits

Номер патента: US09442025B2. Автор: Jun Zhai,Yizhang Yang. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Integrated circuits having a continuous active area and methods for fabricating same

Номер патента: US20130328205A1. Автор: Frank Johnson,Olivier Menut,Marc Tarabbia,Gregory A. Northrop. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2013-12-12.

Integrated circuit package having stacked integrated circuits and method therefor

Номер патента: WO2005001935A2. Автор: Soochok Kee. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2005-01-06.

Integrated circuit packaging

Номер патента: US20200251440A1. Автор: Jason Chien,Byron Lovell Williams,Jeffrey Alan West,Honglin Guo,Arvin Nono VERDEFLOR,Anderson LI. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-08-06.

Dual phased array with single polarity beam steering integrated circuits

Номер патента: WO2019027981A1. Автор: Robert Ian Gresham,Robert Mcmorrow. Владелец: ANOKIWAVE, INC.. Дата публикации: 2019-02-07.

Integrated circuit and method of forming the same

Номер патента: US20240332280A1. Автор: Wen-Hao Chen,Ming-Tao Yu,Chun-Yao Ku,Kuan-Ting Chen,Jyun-Hao CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Integrated circuit with interface circuitry, and an interface cell for such interface circuitry

Номер патента: US09933835B2. Автор: Mikael Rien,Jean-Claude Duby. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-04-03.

Integrated circuits with optical modulators and photodetectors and methods for producing the same

Номер патента: US09711662B1. Автор: Ramakanth Alapati,Juan Boon Tan,Benfu Lin,Shunqiang Gong. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Integrated circuits including FINFET devices with lower contact resistance and reduced parasitic capacitance and methods for fabricating the same

Номер патента: US09425319B2. Автор: Xiuyu Cai,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Integrated circuits with flash memory and methods for producing the same

Номер патента: US09780231B1. Автор: Ming Zhu,Danny Pak-Chum Shum,Xinshu CAI,Pinghui Li,Darin Chan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Integrated circuits resistant to electrostatic discharge and methods for producing the same

Номер патента: US09741849B1. Автор: Tsung-Che Tsai,Chien-Hsin Lee,Mahadeva Iyer NATARAJAN,Manjunatha Prabhu,Xiangxiang LU. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-08-22.

Integrated circuit and method of fabricating the same

Номер патента: US09553140B2. Автор: Kuo-Ching Chang,Hung-Sen Wang,Shih-Chi Yang,Ho-Chun Liou,Wei-Sho Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Touch display device, driver circuit, and driving method

Номер патента: US20210191561A1. Автор: HyongHwan KIM. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-24.

Integrated circuits with deep trench isolations and methods for producing the same

Номер патента: US09831304B1. Автор: Jeoung Mo KOO,Shiang Yang Ong,Raj Verma Purakh,Namchil MUN,Mun Tat Yap,Tat Wei Chua. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Integrated circuit with interface circuitry, and an interface cell for such interface circuitry

Номер патента: US09800048B2. Автор: Mikael Rien,Jean-Claude Duby. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Input/output cell for integrated circuits

Номер патента: US10008985B2. Автор: Henricus Hubertus Van Den Berg,Michiel Alexander Hallie,Joannes Theodorus van der Heiden. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2018-06-26.

Voltage-isolated integrated circuit packages

Номер патента: US20240347472A1. Автор: William P. Taylor,Vijay Mangtani,Paul A. David. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Contact fill in an integrated circuit

Номер патента: US09691658B1. Автор: Emre Alptekin,Domingo A. Ferrer,Cung D. Tran,Raghu Mangu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Methods for the production of integrated circuits comprising epitaxially grown replacement structures

Номер патента: US09299775B2. Автор: Kejia Wang,Steven Bentley,Shurong Liang,Sylvie Mignot. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-03-29.

Mitigating wire capacitance in an integrated circuit

Номер патента: US9910951B2. Автор: James G. Ballard,Kiran Vedantam,Hsiangwen LIN. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Integrated circuit die pad cavity

Номер патента: US20240274569A1. Автор: Hung-Yu Chou,Yuh-Harng Chien,Chung-Hao LIN,Bo-Hsun PAN. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Mitigating wire capacitance in an integrated circuit

Номер патента: US09910951B2. Автор: James G. Ballard,Kiran Vedantam,Hsiangwen LIN. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Method of forming an integrated circuit with heat-mitigating diamond-filled channels

Номер патента: US09881849B2. Автор: Daniel J. Ewing,Kyle W. Maples. Владелец: Honeywell Federal Manufacturing and Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-30.

Method of forming an integrated circuit with heat-mitigating diamond-filled channels

Номер патента: US09728483B2. Автор: Daniel J. Ewing,Kyle W. Maples. Владелец: Honeywell Federal Manufacturing and Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-08.

Integrated circuit chip and fabrication method

Номер патента: US09455239B2. Автор: Laurent-Luc Chapelon,Julien Cuzzocrea. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2016-09-27.

Integrated circuit package

Номер патента: US09754913B2. Автор: Jurgen Leonardus Theodorus Maria Raben. Владелец: Sencio BV. Дата публикации: 2017-09-05.

Circuits for impedance adjustment having multiple termination devices with switchable resistances and methods of adjusting impedance

Номер патента: US09621160B2. Автор: Qiang Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Circuit and method for testing insulating material

Номер патента: WO2012116119A1. Автор: Michael J. Campbell,Angelo Pinto,Choh-Fei Yeap,Lavakumar Ranganathan,Homyar C. Mogul,Martin L. Villafana,You-Wen Yau,Rohan V. GUPTE,Weijia QI,Kent J. PINGREY,Carlos P. AGUILAR,Paul J. GIOTTA,Leon Y. LEUNG,Jina M. ANTOSZ,Bhupen M. SHAH,Lawrence A. ELUGBADEBO,Allen A.B. HOGAN. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2012-08-30.

Integrated Circuit and Method of Forming an Integrated Circuit

Номер патента: US20190198380A1. Автор: Uwe Rudolph,Marc Probst,Torsten HELM. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-06-27.

Integrated circuit with off-state diagnosis for driver channels

Номер патента: US20230266381A1. Автор: Gaudenzia BAGNATI,Diego Alagna,Marzia Annovazzi,Lucia MAGGIO. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-08-24.

Control of dopant diffusion from buried layers in bipolar integrated circuits

Номер патента: US20100279481A1. Автор: Angelo Pinto,Jeffrey A. Babcock,Scott G. Balster,Gregory E. Howard,Manfred Schiekofer,Alfred Häusler. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-11-04.

Control circuit for power

Номер патента: US6621299B1. Автор: Todd A. Randazzo,Kenneth G. Richardson,Matthew J. Russell,Jonathan A. Schmitt,Kenneth S. Szajda,Timothy P. McGonagle. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2003-09-16.

Integrated circuits with gaps

Номер патента: US09899527B2. Автор: Rui Tze TOH,Shaoqiang Zhang,Raj Verma Purakh. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Integrated circuit for various packaging modes

Номер патента: US20080290375A1. Автор: Tzuo Bo Lin,Hsien Chun Chang,Tsung Chi Lin,Chia Lung Hung. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-11-27.

Integrated circuit for various packaging modes

Номер патента: US8513708B2. Автор: Tzuo Bo Lin,Hsien Chun Chang,Tsung Chi Lin,Chia Lung Hung. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2013-08-20.

Circuit for reduced charge-injection errors

Номер патента: WO2020173918A1. Автор: Ravi Kumar ADUSUMALLI,Rahul Thottathil,Gowri Krishna Kanth AVALUR. Владелец: ams International AG. Дата публикации: 2020-09-03.

Circuit for reduced charge-injection errors

Номер патента: US20220139476A1. Автор: Ravi Kumar ADUSUMALLI,Rahul Thottathil,Gowri Krishna Kanth AVALUR. Владелец: ams International AG. Дата публикации: 2022-05-05.

Engineering multiple threshold voltages in an integrated circuit

Номер патента: US20150214323A1. Автор: Vijay Narayanan,Martin Michael Frank,Catherine Anne Dubourdieu. Владелец: GlobalFoundries US 2 LLC. Дата публикации: 2015-07-30.

Method for connecting integrated-circuit chip to antenna in radio-frequency device for identifying contactless intelligent card

Номер патента: RU2298254C2. Автор: Кристоф АЛОП,Фабьен ЗЮПАНЕК. Владелец: А.С.К. С.А.. Дата публикации: 2007-04-27.

Thermal management solutions for stacked integrated circuit devices

Номер патента: WO2019240898A1. Автор: Feras Eid,Adel Elsherbini,Johanna Swan. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-12-19.

Integrated circuit device with stacked interface chiplets

Номер патента: EP4407679A2. Автор: Wolfgang Sauter,Aatreya CHAKRAVARTI,Mark William KUEMERLE,Carlos MACIAN RUIZ,Jr. John Edward GREGORY,Eva Shah HOLMES,Samer Michael AKIKI. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Integrated circuit device with stacked interface chiplets

Номер патента: US20240258272A1. Автор: Wolfgang Sauter,Aatreya CHAKRAVARTI,Mark William KUEMERLE,Carlos MACIAN RUIZ,Eva Shah HOLMES,Samer Michael AKIKI,John Edward Gregory, JR.. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

A drive circuit for a flash tube and a method for controlling the drive circuit

Номер патента: EP3510841A1. Автор: Johnny Svensson,Carl Johan Grubbstrom. Владелец: PROFOTO AB. Дата публикации: 2019-07-17.

Method and system for stacking integrated circuits

Номер патента: WO2005117117A1. Автор: Ronald J. Jensen,Richard K. Spielberger. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2005-12-08.

Thermal management solutions that reduce inductive coupling between stacked integrated circuit devices

Номер патента: WO2020018219A1. Автор: Feras Eid,Adel Elsherbini,Johanna Swan. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-01-23.

Method and system for stacking integrated circuits

Номер патента: EP1756867A1. Автор: Ronald J. Jensen,Richard K. Spielberger. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2007-02-28.

Integrated circuit stack

Номер патента: US09947609B2. Автор: James Hobbs,Kenneth H. Heffner,James L. Tucker,Gary Roosevelt. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Memory system topologies including a buffer device and an integrated circuit memory device

Номер патента: US09865329B2. Автор: Ely Tsern,Ian Shaeffer,Craig Hampel. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-01-09.

Integrated circuit package assembly

Номер патента: US09786635B2. Автор: Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Memory system topologies including a buffer device and an integrated circuit memory device

Номер патента: US09563583B2. Автор: Ely Tsern,Ian Shaeffer,Craig Hampel. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-02-07.

Liquid ejecting apparatus, drive circuit, and integrated circuit

Номер патента: EP3842233A1. Автор: Tomokazu Yamada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2021-06-30.

Integrated circuit and method of configuring an integrated circuit

Номер патента: TW201014176A. Автор: Thomas Eichler,David Herbison,Marc Hesener,Christopher Schwarzer,Holger Wenske,Armin Hanneberg,Mario Traeber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2010-04-01.

Methods and devices for packaging integrated circuits

Номер патента: US20140291782A1. Автор: Yiyi Ma,Kim-yong Goh,Wei Zhen Goh. Владелец: STMICROELECTRONICS PTE LTD. Дата публикации: 2014-10-02.

Sampling circuit for ADC

Номер патента: US8890732B2. Автор: Baoding Yang. Владелец: IPGoal Microelectronics Sichuan Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-18.

Method and apparatus for sharing internal power supplies in integrated circuit devices

Номер патента: EP2643835A1. Автор: Peter Gillingham. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2013-10-02.

Millimeter wave monolithic integrated circuits and methods of forming such integrated circuits

Номер патента: EP2364524A4. Автор: Kenneth W Brown,Andrew K Brown. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2016-08-10.

Millimeter wave monolithic integrated circuits and methods of forming such integrated circuits

Номер патента: EP2364524B1. Автор: Kenneth W. Brown,Andrew K. Brown. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2020-08-26.

Methods for processing integrated circuit packages formed using electroplating and apparatus made therefrom

Номер патента: US20060014370A1. Автор: Charles Cohn,Musawir Chowdhury. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-19.

Methods for processing integrated circuit packages formed using electroplating and apparatus made therefrom

Номер патента: US7157361B2. Автор: Charles Cohn,Musawir M. Chowdhury. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2007-01-02.

Integrated circuit and method of forming an integrated circuit

Номер патента: TW200832616A. Автор: Peng-Fei Wang. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-08-01.

Integrated circuit and method of treating an integrated circuit

Номер патента: GB2221092B. Автор: Brian L Corrie,Morley M Blouke. Владелец: Tektronix Inc. Дата публикации: 1992-06-03.

Apparatus and Method for Preventing Configurable System-on-a-Chip Integrated Circuits from Becoming I/O Limited

Номер патента: US20090273101A1. Автор: Vikram Gupta,Ed Lambert. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2009-11-05.

Integrated circuits

Номер патента: GB2176352B. Автор: Daniel Vincent Mccaughan,Michael Geoffrey Pitt. Владелец: General Electric Co PLC. Дата публикации: 1988-11-23.

Method and apparatus for sharing clocks between separate integrated circuit chips

Номер патента: US12095463B1. Автор: Hongwei Dai,Xiaofeng Tang,Gongqiong Li. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Apparatus and method for preventing configurable system-on-a-chip integrated circuits from beginning I/O limited

Номер патента: US7982321B2. Автор: Vikram Gupta,Ed Lambert. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2011-07-19.

Integrated circuits

Номер патента: GB8514621D0. Автор: . Владелец: General Electric Co PLC. Дата публикации: 1985-07-10.

Methods and apparatus for integrated circuit failsafe fuse package with arc arrest

Номер патента: US09865537B1. Автор: Benjamin Stassen Cook,Steve Kummerl,Barry Jon Male. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Integrated-circuit protective system

Номер патента: RU2232420C2. Автор: Михель СМОЛА,Ян ОТТЕРШТЕДТ,Михель РИХТЕР,Мартин АЙЗЕЛЕ. Владелец: Инфинеон Текнолоджиз Аг. Дата публикации: 2004-07-10.

Stacked high density interconnected integrated circuit system

Номер патента: US5481134A. Автор: Mohi Sobhani,John M. Brauninger. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1996-01-02.

Method of bonding selected integrated circuit to adhesive substrate

Номер патента: US20100151600A1. Автор: Kia Silverbrook,Roger Mervyn Lloyd Foote. Владелец: SILVERBROOK RESEARCH PTY LTD. Дата публикации: 2010-06-17.

Liquid ejecting apparatus, drive circuit, and integrated circuit

Номер патента: EP3842231A3. Автор: Tomokazu Yamada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2021-09-15.

Liquid ejecting apparatus, drive circuit, and integrated circuit

Номер патента: EP3842231A2. Автор: Tomokazu Yamada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2021-06-30.

Signal transmission circuit and method, and integrated circuit (ic)

Номер патента: US20210270889A1. Автор: You-Hsien Lin. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-09-02.

Signal transmission circuit and method, and integrated circuit (IC)

Номер патента: US11994553B2. Автор: You-Hsien Lin. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Circuit and layout for single gate type precharge circuit for data lines in memory device

Номер патента: US20180108398A1. Автор: Shinichi Miyatake. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-19.

Extending a processor system within an integrated circuit

Номер патента: WO2012096735A1. Автор: Ting Lu,Bradley L. Taylor. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2012-07-19.

Integrated circuit packaging system withmolded interconnects and method ofmanufacture thereof

Номер патента: SG177075A1. Автор: Tai Do Byung,Senosa Trasporto Arnel,Pei Ee Chua Linda. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2012-01-30.

Integrated circuit package system with multiple devices

Номер патента: SG149789A1. Автор: Lionel Chien Hui Tay,Zigmund Ramirez Camacho,Henry Descalzo Bathan,Abelardo Jr Hadap Advincula. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2009-02-27.

Integrated circuit package system with interconnect support

Номер патента: US20090250798A1. Автор: Il Kwon Shim,Jeffrey D. Punzalan,Henry D. Bathan,Zigmund Ramirez Camacho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-10-08.

Integrated circuit processing system

Номер патента: WO2003049154A2. Автор: Gary Bouchard. Владелец: Intercon Tools, Inc.. Дата публикации: 2003-06-12.

Alignment of integrated circuit chip stack

Номер патента: US20150024549A1. Автор: Daniel C. Edelstein,Qinghuang Lin,Sri M. Sri-Jayantha,Vijayeshwar D. Khanna,Roy R. Yu,Evan G. Colgan,Robert L. Wisnieff,Peter J. Sorce,Steven A. Cordes,Kenneth Latzko. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-01-22.

90 degree bump placement layout for an integrated circuit power grid

Номер патента: US6541873B1. Автор: Dean Liu,Sudhakar Bobba,Tyler Thorp. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2003-04-01.

120 degree bump placement layout for an integrated circuit power grid

Номер патента: US6617699B2. Автор: Dean Liu,Sudhakar Bobba,Tyler Thorp. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2003-09-09.

Integrated circuits

Номер патента: WO1988002123A1. Автор: Daniel Vincent Mccaughan,Michael Geoffrey Pitt. Владелец: The General Electric Company, P.L.C.. Дата публикации: 1988-03-24.

120 Degree bump placement layout for an integrated circuit power grid

Номер патента: US20030098508A1. Автор: Dean Liu,Sudhakar Bobba,Tyler Thorp. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2003-05-29.

Integrated circuit with back side inductor

Номер патента: US09716056B2. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Battery assembly for supplying power to an integrated circuit

Номер патента: US6141223A. Автор: Tomio Fukushima. Владелец: SMK Manufacturing Inc. Дата публикации: 2000-10-31.

Group iii nitride based flip-chip integrated circuit and method for fabricating

Номер патента: CA2511005C. Автор: Primit Parikh,Yifeng Wu,Umesh K. Mishra. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-05-17.

Voltage detection integrated circuit and battery management system including same

Номер патента: EP3560748A2. Автор: Yongchun Kim,Wonkyoung CHO. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-30.

Integrated circuit package having stacked integrated circuits and method therefor

Номер патента: US20060267173A1. Автор: Hem Takiar,Shrikar Bhagath,Ken Ming Wang. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2006-11-30.

Mixed-signal control circuit for eliminating degenerate metastable state of bandgap reference circuit

Номер патента: US11892865B2. Автор: Patrick Bian Wu. Владелец: Excelio Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Mixed-signal control circuit for eliminating degenerate metastable state of bandgap reference circuit

Номер патента: US20230179177A1. Автор: Patrick Bian Wu. Владелец: Excelio Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Integrated circuit chip, display apparatus, and method of fabricating integrated circuit chip

Номер патента: US20210212212A1. Автор: Liqiang Chen. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-08.

Method of fabricating non-volatile memory integrated circuit device and non-volatile memory integrated circuit device fabricated using the same

Номер патента: US20090159952A1. Автор: Bo-Un Yoon,Chang-ki Hong,Jun-Yong Kim,Byoung-Ho Kwon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-25.

Method of Fabricating Non-Volatile Memory Integrated Circuit Device and Non-Volatile Memory Integrated Circuit Device Fabricated Using the Same

Номер патента: US20080017915A1. Автор: Bo-Un Yoon,Chang-ki Hong,Jun-Yong Kim,Byoung-Ho Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-24.

Integrated circuit devices having memory and methods of implementing memory in an integrated circuit device

Номер патента: WO2014138479A1. Автор: Ephrem C. Wu. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2014-09-12.

Integrated circuit package comprising a crossed dipole antenna

Номер патента: US12021297B2. Автор: Imran Aziz,Dragos Dancila,Erik Öjefors,Johanna Hanning. Владелец: Sivers Wireless AB. Дата публикации: 2024-06-25.

Embedded photonics integrated circuit in glass core of substrate

Номер патента: US20240027710A1. Автор: Xiaoqian Li,Srinivas V. Pietambaram,Brandon Christian Marin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Integrated circuit system with carbon enhancement

Номер патента: SG146528A1. Автор: Li Wai-Kin,Liu Wuping,Lawrence A Clevenger,Kevin S Petrarca,Johnny Widodo. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-10-30.

Vertical stacking of multiple integrated circuits including soi-based optical components

Номер патента: WO2006084237A9. Автор: Vipulkumar Patel,Kalpendu Shastri,John Fangman,Dave Piede. Владелец: Dave Piede. Дата публикации: 2006-11-09.

Tunable stressed polycrystalline silicon on dielectrics in an integrated circuit

Номер патента: US20080283927A1. Автор: Chandrasekhar Sarma,Matthias Hierlemann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-11-20.

Integrated circuit capable of repeatedly using current

Номер патента: US20110241789A1. Автор: Shuo-Hung Hsu,Wei-Sung Chang. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2011-10-06.

Stress shield for integrated circuit package

Номер патента: US09786609B2. Автор: Padraig L FITZGERALD,Michael J Cusack,Patrick Elebert,Frank Poucher,Oliver J Kierse. Владелец: Analog Devices Global ULC. Дата публикации: 2017-10-10.

Integrated circuit chip customization using backside access

Номер патента: US09431298B2. Автор: Shiqun Gu,Daniel W. Perry. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Integrated circuit comprising at least an integrated antenna

Номер патента: US09419071B2. Автор: Alberto Pagani,Alessandro Finocchiaro. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2016-08-16.

Method of fabrication of an Integrated circuit used mainly for radio-frequency applications, has bipolar transistors especially of the hetero-junction type, and insulated gate field effect transistors

Номер патента: FR2835652A1. Автор: Alain Chantre,Michel Marty. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2003-08-08.

Integrated circuit stacking system and method

Номер патента: US20050041402A1. Автор: James Wehrly,James Cady,James Wilder,David Roper,Russell Rapport,Jeffrey Buchle. Владелец: Entorian Technologies Inc. Дата публикации: 2005-02-24.

Integrated circuit packaging

Номер патента: CA2092371C. Автор: Boris L. Livshits,Kevin E. Harpell. Владелец: Northern Telecom Ltd. Дата публикации: 1999-06-29.

Test structure of integrated circuit

Номер патента: US20220375802A1. Автор: QIAN Xu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-11-24.

Dual Phased Array With Single Polarity Beam Steering Integrated Circuits

Номер патента: US20190044251A1. Автор: Robert Ian Gresham,Robert J. McMorrow. Владелец: Anokiwave Inc. Дата публикации: 2019-02-07.

Bonded debugging elements for integrated circuits and methods for debugging integrated circuits using same

Номер патента: WO2024035717A1. Автор: Belgacem Haba,Thomas Workman. Владелец: Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc.. Дата публикации: 2024-02-15.

Bonded debugging elements for integrated circuits and methods for debugging integrated circuits using same

Номер патента: US20240055407A1. Автор: Belgacem Haba,Thomas Workman. Владелец: Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor element, memory circuit, integrated circuit, and driving method of the integrated circuit

Номер патента: US20120262995A1. Автор: Junichiro Sakata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-18.

Integrated circuit protection against reverse engineering

Номер патента: US20230244820A1. Автор: Stefan Seidl,Artur Wroblewski,Joel Hatsch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-08-03.

Integrated circuit and method

Номер патента: US20230377641A1. Автор: Mei-Chen Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Beamforming integrated circuit having rf signal ports using a ground-signal transition for high isolation in a phased antenna array system and related methods

Номер патента: US20210044017A1. Автор: Kevin Greene,Vipul Jain,Amr IBRAHIM. Владелец: Anokiwave Inc. Дата публикации: 2021-02-11.

Integrated circuit and computing system performing dynamic voltage and frequency scaling and method of operating integrated circuit

Номер патента: US12021523B2. Автор: Gurnrack Moon,Younggwan KIM,Hojin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Differentiated conductive lines for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: EP4345871A1. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-03.

Integrated circuit packaging

Номер патента: US20190206828A1. Автор: Jason Chien,Byron Lovell Williams,Jeffrey Alan West,Honglin Guo,Arvin Nono VERDEFLOR,Anderson LI. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-07-04.

Antenna-on-package integrated circuit device

Номер патента: US20240297433A1. Автор: Meysam Moallem. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Mountable integrated circuit package system with exposed external interconnects

Номер патента: US20090243066A1. Автор: Lionel Chien Hui Tay,Zigmund Ramirez Camacho,Henry Descalzo Bathan,Abelardo Jr. Advincula. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-10-01.

Integrated circuit package pad and methods of forming

Номер патента: US09812337B2. Автор: Chen-Hua Yu,Hsien-Wei Chen,Der-Chyang Yeh,Wei-Yu Chen,An-Jhih Su,Chi-Hsi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Integrated circuit comprising at least an integrated antenna

Номер патента: US09607912B2. Автор: Alberto Pagani,Alessandro Finocchiaro. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-03-28.

Structures, architectures, systems, methods, algorithms and software for configuring an integrated circuit for multiple packaging types

Номер патента: US9524927B1. Автор: Wayne A. Loeb,Huahung Kao,Tyson Leistiko. Владелец: Marvell International Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Structures, architectures, systems, methods, algorithms and software for configuring an integrated circuit for multiple packaging types

Номер патента: US8455347B1. Автор: Huahung Kao,Tyson Leistiko. Владелец: Marvell International Ltd. Дата публикации: 2013-06-04.

Integrated circuit and associated method

Номер патента: US11971445B2. Автор: Anton Salfelner. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-04-30.

Integrated circuit package system

Номер патента: US20100038761A1. Автор: Lionel Chien Hui Tay,Zigmund Ramirez Camacho,Jairus Legaspi Pisigan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-02-18.

Integrated circuit card with two connection modes

Номер патента: AU3944597A. Автор: Christophe Fletout,Benoit Thevenot,Pascal Billebaud,Thierry Bitschnau. Владелец: Solaic SA. Дата публикации: 1998-02-25.

Burn-in resilient integrated circuit for processors

Номер патента: US20200158779A1. Автор: Michael V. Koch,Matthias Ringe,Fatih Cilek,Thomas Makowski,Andreas H.A. Arp. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Integrated circuits with electrostatic discharge protection

Номер патента: US20170194311A1. Автор: Chien-Hsin Lee,Manjunatha Prabhu,Xiangxiang LU. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-07-06.

Integrated circuit package

Номер патента: US20160276304A1. Автор: Jurgen Leonardus Theodorus Maria Raben. Владелец: Sencio BV. Дата публикации: 2016-09-22.

Integrated circuit package assembly

Номер патента: US20200144226A1. Автор: Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Integrated circuit package assembly

Номер патента: US20180019229A1. Автор: Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-18.

Integrated circuit and method of fabricating the same

Номер патента: US20150349045A1. Автор: Kuo-Ching Chang,Hung-Sen Wang,Shih-Chi Yang,Ho-Chun Liou,Wei-Sho Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-12-03.

Burn-in resilient integrated circuit for processors

Номер патента: US11921157B2. Автор: Michael V. Koch,Andreas H. A. Arp,Matthias Ringe,Fatih Cilek,Thomas Makowski. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-05.

Method for controlling a driver circuit, driver circuit, system comprising a driver circuit and method for manufacturing an integrated circuit

Номер патента: WO2021089174A1. Автор: Raik FIEDLER,Marcus PIETZSCH. Владелец: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FORDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.. Дата публикации: 2021-05-14.

Integrated circuit package

Номер патента: EP3058589A2. Автор: Jurgen Leonardus Theodorus Maria Raben. Владелец: Sencio BV. Дата публикации: 2016-08-24.

Lateral trench field-effect transistors in wide bandgap semiconductor materials, methods of making, and integrated circuits incorporating the transistors

Номер патента: CA2589028A1. Автор: Igor Sankin,Joseph N. Merrett,Jeffrey B. Casady. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-08.

Via profile shrink for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: EP4191651A1. Автор: Weimin Han,Charles H. Wallace,Sudipto NASKAR,Shashi Vyas,Tiffany Zink. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-07.

Latch-up immunization techniques for integrated circuits

Номер патента: US20200006339A1. Автор: Vishal Kumar Sharma. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2020-01-02.

Integrated circuit having various operational modes

Номер патента: WO2001071884A2. Автор: Mark A. Yarch. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2001-09-27.

Integrated circuit system employing diffused source/drain extensions

Номер патента: SG172678A1. Автор: TEO Lee Wee,Han Jin-Ping,Liu Jin Ping,Lai Chung Woh,Oleg Gluschenkov,Anita Madan,Henry K Utomo,Rainer Loesing,Choi Hyung-Yoon. Владелец: Globalfoundries Sg Pte Ltd. Дата публикации: 2011-07-28.

Circuits for use in radio communications

Номер патента: GB2413444B. Автор: Gadi Shirazi,Haim Friedlander,Ariel Luzzatto. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2006-06-21.

Power loss protection integrated circuit

Номер патента: US20240305121A1. Автор: Jaeil LEE,Jinup Lim,Jungeui PARK,Kwanseok JUNG. Владелец: Fadu Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Integrated circuits with self-aligned tub architecture

Номер патента: EP4202999A2. Автор: Tahir Ghani,Allen B. Gardiner,Leonard P. GULER,Andy Chih-Hung Wei,Mohit K. HARAN,Dan S. Lavric,YenTing Chiu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-28.

Integrated circuits with self-aligned tub architecture

Номер патента: EP4202999A3. Автор: Tahir Ghani,Allen B. Gardiner,Leonard P. GULER,Andy Chih-Hung Wei,Mohit K. HARAN,Dan S. Lavric,YenTing Chiu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-22.

Three dimensional integrated circuit

Номер патента: US09704835B2. Автор: Theodore E. FONG,Michael I. CURRENT. Владелец: Silicon Genesis Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Power managers for an integrated circuit

Номер патента: US09660616B2. Автор: Daniel L Hillman,Jon Shiell,Barry Alan Hoberman. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

INTEGRATED CIRCUITS INCLUDING CHARGING CIRCUIT AND FLASH DRIVER, METHODS OF OPERATING THE INTEGRATED CIRCUITS, AND ELECTRONIC DEVICES INCLUDING THE INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20200241390A1. Автор: KIM Dong-Joon,Lee Chang-Geun,Kwon Min-kyu,Cho Sang-uk. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-07-30.

Nonvolatile logic circuit, integrated circuit including the nonvolatile logic circuit, and method of operating the integrated circuit

Номер патента: JP5707102B2. Автор: 鎬正 金,順愛 徐,申　在光,在光 申,徐　順愛. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-04-22.

Integrated circuit package-in-package system with leads

Номер патента: US20090072363A1. Автор: Jeffrey D. Punzalan,Zigmund Ramirez Camacho,Arnel Trasporto,Abelardo Jr Advincula. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-19.

Level control circuit for portable radio communication apparatus

Номер патента: CA2163961A1. Автор: Soichi Tsumura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-05-31.

Logic circuit, integrated circuit including the logic circuit, and method of operating the integrated circuit

Номер патента: JP5866207B2. Автор: 鎬正 金,亨洙 丁,賢植 崔. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-17.

Spacer trays for stacking storage trays with integrated circuits

Номер патента: US5335771A. Автор: Robert H. Murphy. Владелец: R H Murphy Co Inc. Дата публикации: 1994-08-09.

Integrated circuit package and method of forming same

Номер патента: US11935802B2. Автор: Chen-Hua Yu,Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Power harvesting for integrated circuits

Номер патента: US11937507B2. Автор: Victor Moroz,Jamil Kawa. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Integrated circuit assemblies having interconnection bridges spanning integrated circuit devices therein

Номер патента: US20230387073A1. Автор: Kai-Chiang Wu,Han-Wen LIN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Integrated circuit with 3D partitioning

Номер патента: US11822475B2. Автор: Geert Van Der Plas,Manu Komalan Perumkunnil. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-11-21.

Integrated Circuit Packages and Methods of Forming Same

Номер патента: US20190006354A1. Автор: Ming-Che Ho,Yi-Wen WU,Hung-Jui Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-03.

Thermal management solutions that reduce inductive coupling between stacked integrated circuit devices

Номер патента: US11823972B2. Автор: Feras Eid,Adel Elsherbini,Johanna Swan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Method of forming an integrated circuit package

Номер патента: US20150064845A1. Автор: Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-03-05.

Integrated Circuit Packages and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20230335534A1. Автор: Sung-Feng Yeh,Der-Chyang Yeh,Jian-Wei Hong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Integrated circuit die pad cavity

Номер патента: US11942448B2. Автор: Hung-Yu Chou,Yuh-Harng Chien,Chung-Hao LIN,Bo-Hsun PAN. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Thermal management solutions for stacked integrated circuit devices using unidirectional heat transfer devices

Номер патента: US20190343017A1. Автор: Feras Eid,Adel Elsherbini,Johanna Swan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-11-07.

Thermal management solutions for stacked integrated circuit devices using jumping drops vapor chambers

Номер патента: US20190393193A1. Автор: Feras Eid,Adel Elsherbini,Johanna Swan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-12-26.

Method of forming an integrated circuit with heat-mitigating diamond-filled channels

Номер патента: US20170170093A1. Автор: Daniel J. Ewing,Kyle W. Maples. Владелец: Honeywell Federal Manufacturing and Technologies LLC. Дата публикации: 2017-06-15.

Antenna-on-package integrated circuit device

Номер патента: US12015191B2. Автор: Meysam Moallem. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Multi-component integrated circuit contacts

Номер патента: US7115998B2. Автор: Warren M. Farnworth,William M. Hiatt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-10-03.

Methods and apparatus for producing integrated circuit devices

Номер патента: CA2144323C. Автор: Pierre Badehi. Владелец: Shellcase Ltd. Дата публикации: 2005-06-28.

Methods of producing integrated circuit devices

Номер патента: US6117707A. Автор: Peirre Badehi. Владелец: Shellcase Ltd. Дата публикации: 2000-09-12.

Semiconductor laser driving circuit, and optical disk device and integrated circuit provided with semiconductor laser driving circuit

Номер патента: JPWO2006137303A1. Автор: 猛晴 山元,謙三 石橋,久司 千賀,山元　猛晴,石橋　謙三. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-01-15.

Decoupling capacitor assembly, integrated circuit/decoupling capacitor assembly and method for fabricating same

Номер патента: CA2639146A1. Автор: Lyall Winger. Владелец: Research in Motion Ltd. Дата публикации: 2009-03-18.

Electrostatic discharge protected integrated circuit module

Номер патента: CA1186418A. Автор: Allen J. Wright. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1985-04-30.

Flexible printed circuit board, integrated circuit chip mounting flexible printed circuit board, display apparatus incorporating, integrated circuit chip mounted structure, bonding method of integrated circuit chip mounting flexible printed circuit board

Номер патента: TW507349B. Автор: Naoki Takao. Владелец: Sharp Kabushikl Kaisha. Дата публикации: 2002-10-21.

Technique for handling diced wafers of integrated circuits

Номер патента: US11881425B2. Автор: Antonius Hendrikus Jozef Kamphuis,Guido Albermann,Johannes Cobussen. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-01-23.

Method and computing system for manufacturing integrated circuit including nanosheet

Номер патента: US20210165946A1. Автор: Kwanyoung Chun,Jinwoo Jeong,Jungkyu CHAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-03.

Integrated circuit and method of forming an integrated circuit

Номер патента: US11790148B2. Автор: Ting-Wei Chang,Hui-Zhong ZHUANG,Li-Chun Tien,Lee-Chung Lu,Shun Li CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Systems and methods for integrating batteries with stacked integrated circuit die elements

Номер патента: EP3973528A1. Автор: Wei-Ti Liu,Darrel James Guzy. Владелец: Arbor Co LLP. Дата публикации: 2022-03-30.

180 degree bump placement layout for an integrated circuit power grid

Номер патента: US20030098500A1. Автор: Pradeep Trivedi,Sudhakar Bobba,Tyler Thorp. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2003-05-29.

Integrated circuit system employing fluorine doping

Номер патента: SG171579A1. Автор: Chen Xiangdong,Tan Shyue Seng,Lee Jae Gon,TEO Lee Wee,Ong Shiang Yang. Владелец: Globalfoundries Sg Pte Ltd. Дата публикации: 2011-06-29.

Power controlling integrated circuit cell

Номер патента: WO2007012788A1. Автор: David Walter Flynn,David William Howard,Dhrumil Gandhi,John Philip Biggs. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2007-02-01.

Integrated circuit and method of forming an integrated circuit

Номер патента: US20210097225A1. Автор: Ting-Wei Chang,Hui-Zhong ZHUANG,Li-Chun Tien,Lee-Chung Lu,Shun Li CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Integrated circuit with back side inductor

Номер патента: US20160218168A1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-28.

Integrated circuit processing system

Номер патента: WO2003049154A3. Автор: Gary Bouchard. Владелец: Intercon Tools Inc. Дата публикации: 2004-06-10.

Method of forming patterns, integrated circuit device, and method of manufacturing the integrated circuit device

Номер патента: US20220293420A1. Автор: Dongjun Lee,Taejin Park,Sunghee Han,Keunnam Kim,Daehyoun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-09-15.

Method of forming patterns, integrated circuit device, and method of manufacturing the integrated circuit device

Номер патента: US11728167B2. Автор: Dongjun Lee,Taejin Park,Sunghee Han,Keunnam Kim,Daehyoun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-15.

Method and apparatus for probing an integrated circuit through the back side of an integrated circuit die

Номер патента: TW425648B. Автор: Richard H Livengood. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2001-03-11.

INTEGRATED CIRCUITS INCLUDING A STATIC RANDOM ACCESS MEMORY CELL HAVING ENHANCED READ/WRITE PERFORMANCE, METHODS OF FORMING THE INTEGRATED CIRCUITS, AND METHODS OF OPERATING THE INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20190108873A1. Автор: Zang Hui,Watts Josef. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-11.

Protection circuit and input circuit suitable for integrated circuit

Номер патента: US20160164277A1. Автор: Chieh-Wei He. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-09.

Fabrication of customized integrated circuits

Номер патента: CA1298669C. Автор: Zvi Orbach,Meir Israel Janai. Владелец: Individual. Дата публикации: 1992-04-07.

Integrated circuit card and electronic apparatus for use therewith

Номер патента: CA2063831C. Автор: Robert G. Hills. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1996-07-09.

Validation technique for integrated circuit manufacture

Номер патента: US3698072A. Автор: Jeffrey G Koens,Robert D Merillat. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1972-10-17.

Method of making a multiple transistor integrated circuit with thick copper interconnect

Номер патента: US5728594A. Автор: Taylor R. Efland,Dale J. Skelton,David Cotton. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1998-03-17.

Integrated Circuit Devices Having Uniform Silicide Junctions

Номер патента: US20080001235A1. Автор: Hyun-Chang Kim,Yong-Chul Oh,Gyo-Young Jin,Se-Myeong Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-03.

External control mode switch voltage stabilizer integrated circuit, power system applying the integrated circuit and control method of the integrated circuit

Номер патента: CN101458536B. Автор: 陈伟. Владелец: Chengdu Monolithic Power Systems Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-29.

Method of manufacturing integrated circuit, and substrate with integrated circuit formed by the method of manufacturing integrated circuit

Номер патента: US20030157272A1. Автор: Michio Komatsu,Toshiharu Hirai,Masayuki Matsuda,Tsuguo Koyanagi,Atsushi Tonai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-21.

Circuit and process for connecting an integrated circuit to a substrate in chip size and wafer level packages uses a frame and elastic contact between electrical contacts

Номер патента: DE10233641A1. Автор: Harry Hedler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-02-12.

Flip-chip package for integrated circuits

Номер патента: US5019673A. Автор: Marc V. Papageorge,Frank J. Juskey,Barry M. Miles. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1991-05-28.

Integrated circuit comprising at least an integrated antenna

Номер патента: US20160049459A1. Автор: Alberto Pagani,Alessandro Finocchiaro. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2016-02-18.

Integrated circuit, chip and electronic device

Номер патента: EP4297086A1. Автор: Yi Zhang,Qiang Wang,Lei Wu,Jianfeng Wu,Binbin Zhang,Yawen ZHANG,Tingzhao Li,Hsianghui CHANG,Zhaoyu Teng. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-27.

Method of fabricating non-volatile memory integrated circuit device and non-volatile memory integrated circuit device fabricated using the same

Номер патента: US7535052B2. Автор: Bo-Un Yoon,Chang-ki Hong,Jun-Yong Kim,Byoung-Ho Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-05-19.

Vertical stacking of multiple integrated circuits including soi-based optical components

Номер патента: WO2006084237A8. Автор: Vipulkumar Patel,Kalpendu Shastri,John Fangman,Dave Piede. Владелец: Dave Piede. Дата публикации: 2007-09-20.

Integrated circuit package comprising a crossed dipole antenna

Номер патента: US20220263223A1. Автор: Imran Aziz,Dragos Dancila,Erik Öjefors,Johanna Hanning. Владелец: Sivers Wireless AB. Дата публикации: 2022-08-18.

NANOWIRE STRESS SENSORS AND STRESS SENSOR INTEGRATED CIRCUITS, DESIGN STRUCTURES FOR A STRESS SENSOR INTEGRATED CIRCUIT, AND RELATED METHODS

Номер патента: US20130145857A1. Автор: Bryant Andres,Sleight Jeffrey W.,Lo Shih-Hsien,Gunawan Oki. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-06-13.

INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD OF FORMING THE INTEGRATED CIRCUIT WITH IMPROVED LOGIC TRANSISTOR PERFORMANCE AND SRAM TRANSISTOR YIELD

Номер патента: US20150021706A1. Автор: Eshun Ebenezer,EKBOTE Shashank S.,Pal Himadri Sekhar. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-22.

METHOD OF MANUFACTURING AN INTEGRATED CIRCUIT WITH IMPRINT, INTEGRATED CIRCUIT WITH IMPRINT, DEVICE FOR FORMING AN INTEGRATED CIRCUIT WITH IMPRINT AND VERIFICATION SYSTEM FOR AN INTEGRATED CIRCUIT WITH IMPRINT

Номер патента: US20160141187A1. Автор: Marbella Carlo Baterna,Kwan Wai Loon,Chai Min King,Tham Veng Leong. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-19.

CIRCUIT AND METHOD FOR ENVELOPE TRACKING AND ENVELOPE-TRACKING TRANSMITTER FOR RADIO-FREQUENCY TRANSMISSION

Номер патента: US20140241462A1. Автор: Bellaouar Abdellatif,BALASUBRAMANIYAN Arul,Elahi Imtinan. Владелец: NVIDIA CORPORATION. Дата публикации: 2014-08-28.

INTEGRATED CIRCUIT CHIPS, INTEGRATED CIRCUIT PACKAGES INCLUDING THE INTEGRATED CIRCUIT CHIPS, AND DISPLAY APPARATUSES INCLUDING THE INTEGRATED CIRCUIT CHIPS

Номер патента: US20200235091A1. Автор: KIM Woon-bae,KIM YOUNG-MOK,KANG JUNG-GU,Seong Dae-cheol,Chung Yune-seok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-07-23.

INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD OF FORMING THE INTEGRATED CIRCUIT WITH IMPROVED LOGIC TRANSISTOR PERFORMANCE AND SRAM TRANSISTOR YIELD

Номер патента: US20150270174A1. Автор: Eshun Ebenezer,EKBOTE Shashank S.,Pal Himadri Sekhar. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-24.

INTEGRATED CIRCUIT CHIP, METHOD OF MANUFACTURING THE INTEGRATED CIRCUIT CHIP, AND INTEGRATED CIRCUIT PACKAGE AND DISPLAY APPARATUS INCLUDING THE INTEGRATED CIRCUIT CHIP

Номер патента: US20200294970A1. Автор: KANG Sung-Min,KIM YOUNG-MOK,UH Min-hee,KANG Jun-gu,GO Seung-hee. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-17.

Integrated circuit including test portion and method for making

Номер патента: US4413271A. Автор: James F. Mayrand,Walter S. Gontowski, Jr.. Владелец: Sprague Electric Co. Дата публикации: 1983-11-01.

Configurable circuit and its operating method and integrated circuit

Номер патента: CN107979360A. Автор: 卡尔·诺林,埃尔温·胡贝尔. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-05-01.

Method of manufacturing an integrated circuit with imprint, integrated circuit with imprint, device for forming integrated circuit with imprint and verification system for integrated circuit with imprint

Номер патента: CN105608248A. Автор: 覃永良,蔡明庆,関伟伦,C.马尔贝拉. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-05-25.

Integrated circuit, integrated circuit device, method of configuration of integrated circuit device, and method of production of integrated circuit device

Номер патента: US20040155345A1. Автор: Minoru Sugawara,Makoto Motoyoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-08-12.

Resilient carrier assembly for an integrated circuit

Номер патента: US7479697B2. Автор: Kia Silverbrook. Владелец: SILVERBROOK RESEARCH PTY LTD. Дата публикации: 2009-01-20.

Integrated circuit with fault reporting structure

Номер патента: US11916064B2. Автор: Tao Zhao,Chiahsin Chang,Xintong Lyu. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Programmable interposers for electrically connecting integrated circuits

Номер патента: US20210090649A1. Автор: Michael Kozicki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-03-25.

Integrated circuit comprising at least an integrated antenna

Номер патента: US20170154948A1. Автор: Alberto Pagani,Alessandro Finocchiaro. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-06-01.

Differentiated conductive lines for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240105598A1. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Integrated circuit heat spreader stacking system

Номер патента: US20100224991A1. Автор: Emmanuel Espiritu,Dario S. Filoteo, Jr.,Philip Lyndon Cablao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-09-09.

Integrated circuit heat spreader stacking system

Номер патента: US8421221B2. Автор: Emmanuel Espiritu,Dario S. Filoteo, Jr.,Philip Lyndon Cablao. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2013-04-16.

Programmable interposers for electrically connecting integrated circuits

Номер патента: US11984157B2. Автор: Michael Kozicki. Владелец: Arizona State University ASU. Дата публикации: 2024-05-14.

Method of forming an integrated circuit package at a wafer level

Номер патента: EP1279193A2. Автор: Ken M. Lam. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2003-01-29.

Method of forming an integrated circuit package at a wafer level

Номер патента: WO2001082361A2. Автор: Ken M. Lam. Владелец: ATMEL CORPORATION. Дата публикации: 2001-11-01.

Integrated circuit

Номер патента: WO2021222051A1. Автор: Kenji Otake,Yuki Sato,Takafumi Ando,Jeffrey Morroni,Kristen Nguyen Parrish,Charles Allen DEVRIES, Jr.. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2021-11-04.

Integrated circuit system with carbon enhancement

Номер патента: SG165342A1. Автор: Li Wai-Kin,Liu Wuping,Lawrence A Clevenger,Kevin S Petrarca,Johnny Widodo. Владелец: Globalfoundries Sg Pte Ltd. Дата публикации: 2010-10-28.

Integrated circuit

Номер патента: EP4143880A1. Автор: Kenji Otake,Yuki Sato,Takafumi Ando,Jeffrey Morroni,Kristen Nguyen Parrish,Charles Allen DEVRIES, Jr.. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-03-08.

Integrated Circuit and Method of Forming an Integrated Circuit

Номер патента: US20130147047A1. Автор: Werner Robl,Michael Rogalli,Johann Gross,Michael Nelhiebel,Robert Illing,Thomas Detzel,Stefan Woehlert,Maximilian Krug,Sven Gustav Lanzerstorfer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2013-06-13.

Integrated Circuit and Method of Manufacturing an Integrated Circuit

Номер патента: US20150028408A1. Автор: Zundel Markus,Schloesser Till,Meiser Andreas. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-29.

INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD OF FORMING AN INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20200034512A1. Автор: Zhuang Hui-Zhong,TIEN Li-Chun,LU Lee-Chung,CHIANG Ting-Wei,CHEN Shun Li. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-30.

METHOD FOR FABRICATION OF AN INTEGRATED CIRCUIT RENDERING A REVERSE ENGINEERING OF THE INTEGRATED CIRCUIT MORE DIFFICULT AND CORRESPONDING INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20160064339A1. Автор: Fornara Pascal,Rivero Christian,Bouton Guilhem. Владелец: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS. Дата публикации: 2016-03-03.

INTEGRATED CIRCUIT CHIP, INTEGRATED CIRCUIT PACKAGE AND DISPLAY APPARATUS INCLUDING THE INTEGRATED CIRCUIT CHIP

Номер патента: US20220093527A1. Автор: KIM Woon-bae,KIM YOUNG-MOK,KANG Jun-gu,Seong Dae-cheol,Chung Yune-seok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2022-03-24.

Integrated Circuit and Method of Manufacturing an Integrated Circuit

Номер патента: US20150091088A1. Автор: Till Schloesser,Franz Hirler,Andreas Meiser,Martin Vielemeyer,Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-04-02.

INTEGRATED CIRCUIT HEATER FOR REDUCING STRESS IN THE INTEGRATED CIRCUIT MATERIAL AND CHIP LEADS OF THE INTEGRATED CIRCIT, AND FOR OPTIMIZING PERFORMANCE OF DEVICES OF THE INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20160093549A1. Автор: Shroff Mehul D.,Reber Douglas M.,Travis Edward O.. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2016-03-31.

INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD OF FORMING AN INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20210097225A1. Автор: Zhuang Hui-Zhong,TIEN Li-Chun,LU Lee-Chung,CHANG TING-WEI,CHEN Shun Li. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-01.

INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD FOR FABRICATING AN INTEGRATED CIRCUIT EQUIPPED WITH A TEMPERATURE PROBE

Номер патента: US20140183533A1. Автор: Cheramy Séverine. Владелец: . Дата публикации: 2014-07-03.

Integrated Circuit and Method of Manufacturing an Integrated Circuit

Номер патента: US20150115351A1. Автор: Wutte Britta. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-30.

INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD OF MAKING AN INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20170125357A1. Автор: Trester Sven. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-04.

INTEGRATED CIRCUIT AND CELL STRUCTURE IN THE INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20190123062A1. Автор: CHANG Cheng-Jyi,Fu Chuan-Shian,Sher Shao-Hwang. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-25.

Lithium Battery, Method for Manufacturing a Lithium Battery, Integrated Circuit and Method of Manufacturing an Integrated Circuit

Номер патента: US20160164134A1. Автор: Bernhard Goller,Guenter Zieger,Magdalena Forster,Michael Sorger,Katharina Schmut,Philemon Schweizer,Michael Sternad. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-06-09.

Light Sensing Integrated Circuit and Manufacturing Method of Sensing Integrated Circuit

Номер патента: US20150200215A1. Автор: LUO Tzo-Hung,CHIANG Chin-Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2015-07-16.

METHOD FOR FABRICATION OF AN INTEGRATED CIRCUIT RENDERING A REVERSE ENGINEERING OF THE INTEGRATED CIRCUIT MORE DIFFICULT AND CORRESPONDING INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20170194267A1. Автор: Fornara Pascal,Rivero Christian,Bouton Guilhem. Владелец: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS. Дата публикации: 2017-07-06.

INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD OF MANUFACTURING AN INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20160211226A1. Автор: Mahler Joachim,Nikitin Ivan,Fuergut Edward. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-21.

Integrated Circuit and Method of Forming an Integrated Circuit

Номер патента: US20190198380A1. Автор: Helm Torsten,Probst Marc,Rudolph Uwe. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-27.

Lithium Battery, Method for Manufacturing a Lithium Battery, Integrated Circuit and Method of Manufacturing an Integrated Circuit

Номер патента: US20140319649A1. Автор: Sorger Michael,Schmut Katharina,Sternad Michael,Goller Bernhard,Zieger Guenter,Forster Magdalena,Schweizer Philemon. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-30.

Integrated circuit chip, integrated circuit package and display apparatus including the integrated circuit chip

Номер патента: US20200227359A1. Автор: Woon-bae Kim,Young-Mok Kim,Dae-cheol Seong,Jun-Gu Kang,Yune-seok CHUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-16.

Integrated Circuit and Method of Forming an Integrated Circuit

Номер патента: US20170256437A1. Автор: Probst Marc,Rudolph Uwe,Helm Torstern. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-07.

INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD OF FORMING AN INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20200411503A1. Автор: CHEN SHENG-HSIUNG,CHANG Fong-Yuan,HUANG Po-Hsiang,CHANG Jyun-Hao,YUAN Lipen. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-31.

Electrically integrated circuit packages

Номер патента: US4084210A. Автор: Nicholas Barnett Forrest. Владелец: Plessey Handel und Investments AG. Дата публикации: 1978-04-11.

Columnar integrated circuit and method for manufacturing columnar integrated circuit

Номер патента: JP5291277B2. Автор: 泰久 金子. Владелец: アバゴ・テクノロジーズ・ジェネラル・アイピー（シンガポール）プライベート・リミテッド. Дата публикации: 2013-09-18.

Semiconductor device, integrated circuit and method of manufacturing an integrated circuit

Номер патента: CN103972301B. Автор: A.迈泽尔,W.施维特利克. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-01-11.

Circuit and method for interconnecting stacked integrated circuit dies

Номер патента: KR20090131684A. Автор: 제이크 앤더슨,윌리암 존스. Владелец: 마이크론 테크놀로지, 인크.. Дата публикации: 2009-12-29.

Integrated circuit and method for manufacturing an integrated circuit array

Номер патента: JP6483679B2. Автор: デッケル，ロナルト,アドリアニュス ハンネケン，フィンセント,メトディエフ サヴォフ，アンゲル. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2019-03-13.

Semiconductor device, integrated circuit and method of manufacturing an integrated circuit

Номер патента: CN103972301A. Автор: A.迈泽尔,W.施维特利克. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-08-06.

Light-reception-purpose integrated circuit and optoelectronic sensor using that integrated circuit

Номер патента: EP2700901A1. Автор: Takehiro Kawai,Ryosuke Tsuzuki,Motoharu Okuno,Tetsu Shimizu. Владелец: Omron Tateisi Electronics Co. Дата публикации: 2014-02-26.

HIGH FREQUENCY ATTENUATOR FOR INTEGRATED CIRCUIT, CIRCUIT AND METHOD FOR ACCURATE REDUCTION OF THE AMPLITUDE OF AN INPUT SIGNAL

Номер патента: FR2647284A1. Автор: Stuart B Shacter. Владелец: Burr Brown Corp. Дата публикации: 1990-11-23.

Integrated circuit and method of making an integrated circuit

Номер патента: DE102015100868B4. Автор: Joachim Mahler,Edward Fürgut,Ivan Nikitin. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-06-17.

Integrated circuit and method for making an integrated circuit

Номер патента: US20090159976A1. Автор: Matthias Goldbach,Tobias Mono. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-06-25.

Transistor device,device manufacturing method, integrated circuit and methods for operating the integrated circuit

Номер патента: TWI521711B. Автор: 呂函庭,陳威臣. Владелец: 旺宏電子股份有限公司. Дата публикации: 2016-02-11.

Integrated circuit and dynamic random access memory integrated circuit

Номер патента: JPH11154739A. Автор: Peter Weigand,ヴァイガント ペーター,Chandrasekhar Narayan,Anthony Michael Palagonia,Edward W Kiewra,ダブリュ キューラ エドワード,ナラヤン チャンドラースクーハ,Kenneth C Arndt,シー アーント ケネス,David Lachtrupp,ラックトラップ デヴィット,Richard Alfred Gilmour,アルフレッド ギルモア リチャード,ミカエル パラゴニア アンソニー. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1999-06-08.

Integrated circuit and method of forming an integrated circuit

Номер патента: US8009477B2. Автор: Dominik Olligs,Matthias Markert,Christoph Kleint,Nicolas Nagel. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2011-08-30.

Circuit and method for interconnecting stacked integrated circuit dies

Номер патента: WO2008137585A3. Автор: William Jones,Jake Anderson. Владелец: Jake Anderson. Дата публикации: 2008-12-31.

Method for fabrication of an integrated circuit rendering a reverse engineering of the integrated circuit more difficult and corresponding integrated circuit

Номер патента: US9780045B2. Автор: Pascal Fornara,Christian Rivero,Guilhem Bouton. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2017-10-03.

Lithium battery, method for manufacturing a lithium battery, integrated circuit and method of manufacturing an integrated circuit

Номер патента: WO2013075810A1. Автор: Bernhard Goller,Magdalena Forster,Michael Sorger,Katharina Schmut,Günter ZIEGER,Philemon Schweizer,Michael Sternad. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2013-05-30.

Integrated circuit and method of forming an integrated circuit

Номер патента: CN113299649A. Автор: 郑光茗,陈奕寰,陈志彬,周建志,刘铭棋,萧世崇,亚历山大·卡尔尼斯基. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-24.

Integrated circuits and methods for forming the integrated circuits

Номер патента: US8617986B2. Автор: Chii-Ping Chen,Ming-Chung Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-12-31.

Light-reception-purpose integrated circuit and optoelectronic sensor using that integrated circuit

Номер патента: EP2700901B1. Автор: Takehiro Kawai,Ryosuke Tsuzuki,Motoharu Okuno,Tetsu Shimizu. Владелец: Omron Tateisi Electronics Co. Дата публикации: 2019-03-06.

Integrated circuit and method of generating the integrated circuit

Номер патента: TWI730716B. Автор: 陳志良,莊惠中,田麗鈞,李健興,吳國暉. Владелец: 台灣積體電路製造股份有限公司. Дата публикации: 2021-06-11.

Integrated circuit and the method for manufacturing integrated circuit

Номер патента: CN104347625B. Автор: M·聪德尔,T·施勒塞尔,A·梅瑟. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-09-01.

Integrated circuit and method of manufacturing an integrated circuit

Номер патента: CN104347625A. Автор: M·聪德尔,T·施勒塞尔,A·梅瑟. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-02-11.

Lithium battery, method for manufacturing a lithium battery, integrated circuit and method of manufacturing an integrated circuit

Номер патента: US9531035B2. Автор: Bernhard Goller,Guenter Zieger,Magdalena Forster,Michael Sorger,Katharina Schmut,Philemon Schweizer,Michael Sternad. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-12-27.

Integrated circuit including a first channel and a second channel

Номер патента: US20090250763A1. Автор: Franz Kuttner,Gerhard Knoblinger. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-10-08.

Integrated Circuit and Method for Operating an Integrated Circuit

Номер патента: US20090115468A1. Автор: Georg Georgakos,Christian Pacha,Doris Schmitt-Landsiedel,Stephan Henzler,Joerg Berthold,Matthias Eireiner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2009-05-07.

Integrated circuit and method for testing the integrated circuit

Номер патента: WO2002101926A2. Автор: Cornelis H. Van Berkel,Adrianus M. G. Peeters. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2002-12-19.

Integrated circuits and methods for forming the integrated circuits

Номер патента: TWI474383B. Автор: Ming Chung Liang,Chii Ping Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-21.

Through-hole semiconductor circuit and method of manufacturing vertically integrated circuits

Номер патента: DE102009004725A1. Автор: Franz Schrank,Jochen Dr. Kraft,Martin Dr. Schrems. Владелец: austriamicrosystems AG. Дата публикации: 2010-07-29.

Cooling unit for integrated circuit, integrated circuit package assembly and method for cooling integrated circuit

Номер патента: JP4495351B2. Автор: 修二 井上,謙三 石田. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-07-07.

Integrated circuit and method of forming an integrated circuit

Номер патента: DE102007002421A1. Автор: Pang-Fei Dr. Wang. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-07-17.

Integrated circuit, cell arrangement, method for manufacturing an integrated circuit and for reading a memory cell status, memory module

Номер патента: US7706176B2. Автор: Rok Dittrich. Владелец: Altis Semiconductor SNC. Дата публикации: 2010-04-27.

Integrated circuit and method for operating an integrated circuit

Номер патента: DE102008062647A1. Автор: Michael Hausmann,Axel Reithofer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2009-07-09.

Electromechanical microswitch for switching an electrical signal, microelectromechanical system, integrated circuit, and method for producing an integrated circuit

Номер патента: WO2011069988A2. Автор: Bernd Tillack,Karl-Ernst Ehwald,Mario Birkholz,René SCHOLZ,Mehmet Kaynak. Владелец: Ihp Gmbh - Innovations For High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut Für Innovative Mikroelektronik. Дата публикации: 2011-06-16.

Integrated circuit device, method for controlling operation of integrated circuit device, and method for manufacturing integrated circuit device

Номер патента: WO2008087756A1. Автор: Norihiko Mizobata,Yuka Takahashi. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2008-07-24.

Circuit and method for interconnecting stacked integrated circuit dies

Номер патента: CN101675515B. Автор: 杰克·安德森,威廉姆·琼斯. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-05-04.

Three dimensional integrated circuit

Номер патента: US20170301657A1. Автор: Theodore E. FONG,Michael I. CURRENT. Владелец: Silicon Genesis Corp. Дата публикации: 2017-10-19.

Three-dimensional integrated circuit structures and method of forming the same

Номер патента: US20230369318A1. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Latch-up immunization techniques for integrated circuits

Номер патента: US20210143151A1. Автор: Vishal Kumar Sharma. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2021-05-13.

Redistribution layer (RDL) layouts for integrated circuits

Номер патента: US11791299B2. Автор: Yun-Wei Cheng,Kuo-Cheng Lee,Yen-Liang Lin,Cheng-Yuan Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Three-dimensional integrated circuit structures and method of forming the same

Номер патента: US11791333B2. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Integrated circuit and method of configuring an integrated circuit

Номер патента: TWI379517B. Автор: Thomas Eichler,David Herbison,Marc Hesener,Holger Wenske,Armin Hanneberg,Mario Traeber,Christoph Schwarzer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-12-11.

Split via structures coupled to conductive lines for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240113019A1. Автор: Tahir Ghani,Nikhil Mehta,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER,Mohit K. HARAN,Sukru Yemenicioglu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Lateral trench field-effect transistors in wide bandgap semiconductor materials, methods of making, and integrated circuits incorporating the transistors

Номер патента: EP2375451A3. Автор: Igor Sankin,Joseph N. Merrett,Jeffrey. B Casady. Владелец: SS SC IP LLC. Дата публикации: 2012-04-18.

Diamond-based heat spreading substrates for integrated circuit dies

Номер патента: US20190074235A1. Автор: Jin Zou,Gary T. Wenger. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2019-03-07.

Three dimensional integrated circuit

Номер патента: US20160204088A1. Автор: Theodore E. FONG,Michael I. CURRENT. Владелец: Silicon Genesis Corp. Дата публикации: 2016-07-14.

Iso-level vias for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: EP4199053A1. Автор: Charles H. Wallace,Mohit K. HARAN,Sukru Yemenicioglu,Seung-June Choi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-21.

Redistribution layer (rdl) layouts for integrated circuits

Номер патента: US20190164924A1. Автор: Yun-Wei Cheng,Kuo-Cheng Lee,Yen-Liang Lin,Cheng-Yuan Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Dielectric plugs for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240105597A1. Автор: Tahir Ghani,Robert Joachim,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER,Shengsi LIU. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Integrated Circuit Devices and Methods for Making Such Devices

Номер патента: US20240213312A1. Автор: Gaspard Hiblot,Boon Teik CHAN,Gioele Mirabelli. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-27.

Split via structures coupled to conductive lines for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: EP4345870A1. Автор: Tahir Ghani,Nikhil Mehta,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER,Mohit K. HARAN,Sukru Yemenicioglu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-03.

Methods for producing integrated circuits using long and short regions and integrated circuits produced from such methods

Номер патента: US20170012107A1. Автор: Chanro Park,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-12.

METHOD FOR DETECTING THINNING OF THE SUBSTRATE OF AN INTEGRATED CIRCUIT FROM ITS BACK SIDE, AND ASSOCIATED INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20190043814A1. Автор: Rivero Christian,Marzaki Abderrezak,Hubert Quentin. Владелец: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS. Дата публикации: 2019-02-07.

Integrated Circuit Device Packages And Methods for Manufacturing Integrated Circuit Device Packages

Номер патента: US20150076683A1. Автор: Kim Ju-Hyung,JEONG JIN-WOOK,KIM Hyun-joo,Lim Jae-Sung,LEE Hyouk. Владелец: HANA MICRON CO., LTD.. Дата публикации: 2015-03-19.

Integrated Circuit Fuse and Method of Fabricating the Integrated Circuit Fuse

Номер патента: US20140167906A1. Автор: Wang Yigong. Владелец: . Дата публикации: 2014-06-19.

SYSTEM FOR DESIGNING INTEGRATED CIRCUIT LAYOUT AND METHOD OF MAKING THE INTEGRATED CIRCUIT LAYOUT

Номер патента: US20210089698A1. Автор: Chen Chun-Fu,Zhuang Hui-Zhong,HSIEH Shang-Chih,CHIANG Ting-Wei,Tseng Hsiang-Jen. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-25.

INTEGRATED CIRCUITS HAVING CROSS-COUPLE CONSTRUCTS AND SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20220149032A1. Автор: JUNG Jong-hoon,DO Jung-ho,Song Tae-Joong,LEE Dal-hee,Lim Jin-Young. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-12.

METHOD OF FORMING PATTERNS, INTEGRATED CIRCUIT DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20220293420A1. Автор: PARK Taejin,Lee Dongjun,KIM KEUNNAM,HAN Sunghee,Kim Daehyoun. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-15.

METHOD FOR DETECTING A THINNING OF THE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE OF AN INTEGRATED CIRCUIT FROM ITS BACK FACE AND CORRESPONDING INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20180158530A1. Автор: Fornara Pascal,Rivero Christian. Владелец: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS. Дата публикации: 2018-06-07.

METHOD OF FORMING MATERIAL FILM, INTEGRATED CIRCUIT DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20210193508A1. Автор: Im Jiwoon,KIM Jinyong,HWANG Kwangtae,LEE Junwon,KIM Iksoo,Mun Geumbi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-06-24.

METHOD FOR DETECTING A THINNING OF THE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE OF AN INTEGRATED CIRCUIT FROM ITS BACK FACE AND CORRESPONDING INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20200160916A1. Автор: Fornara Pascal,Rivero Christian. Владелец: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS. Дата публикации: 2020-05-21.

Wafer, Integrated Circuit Chip and Method for Manufacturing an Integrated Circuit Chip

Номер патента: US20140264767A1. Автор: Gratz Achim,Schindelar Thimo. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-18.

INTEGRATED CIRCUITS HAVING CROSS-COUPLE CONSTRUCTS AND SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20190198491A1. Автор: JUNG Jong-hoon,DO Jung-ho,Song Tae-Joong,LEE Dal-hee,Lim Jin-Young. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-27.

POSITIONING DEVICE FOR AN INTEGRATED CIRCUIT BOARD, AND INSPECTION APPARATUS FOR AN INTEGRATED CIRCUIT BOARD COMPRISING SUCH A POSITIONING DEVICE

Номер патента: US20190219520A1. Автор: PETITGRAND Sylvain. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-18.

METHOD FOR DETECTING A THINNING OF THE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE OF AN INTEGRATED CIRCUIT FROM ITS BACK FACE AND CORRESPONDING INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20170243652A1. Автор: Fornara Pascal,Rivero Christian. Владелец: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS. Дата публикации: 2017-08-24.

SYSTEM FOR DESIGNING INTEGRATED CIRCUIT LAYOUT AND METHOD OF MAKING THE INTEGRATED CIRCUIT LAYOUT

Номер патента: US20170255739A1. Автор: Chen Chun-Fu,Zhuang Hui-Zhong,HSIEH Shang-Chih,CHIANG Ting-Wei,Tseng Hsiang-Jen. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-07.

SYSTEM FOR DESIGNING INTEGRATED CIRCUIT LAYOUT AND METHOD OF MAKING THE INTEGRATED CIRCUIT LAYOUT

Номер патента: US20190258768A1. Автор: Chen Chun-Fu,Zhuang Hui-Zhong,HSIEH Shang-Chih,CHIANG Ting-Wei,Tseng Hsiang-Jen. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-22.

Methods for testing integrated circuits of wafer and testing structures for integrated circuits

Номер патента: US20140367684A1. Автор: Jeffrey P. Gambino,Kirk D. Peterson,Mark A. DiRocco,Michael T. Coster. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-12-18.

METHOD FOR DETECTING AN ATTEMPT TO BREACH THE INTEGRITY OF A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE OF AN INTEGRATED CIRCUIT FROM ITS BACK FACE, AND CORRESPONDING INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20200365528A1. Автор: Marinet Fabrice,DELALLEAU JULIEN,Sarafianos Alexandre. Владелец: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS. Дата публикации: 2020-11-19.

METHOD OF FORMING PATTERNS, INTEGRATED CIRCUIT DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20200411318A1. Автор: PARK Taejin,Lee Dongjun,KIM KEUNNAM,HAN Sunghee,Kim Daehyoun. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-31.

Integrated circuit simulator and method for simulation of integrated circuit

Номер патента: KR0167876B1. Автор: 노리코 다케우치. Владелец: 가부시키가이샤 도시바. Дата публикации: 1999-02-01.

Integrated circuit structure and method of forming an integrated circuit structure

Номер патента: CN111106059A. Автор: 江国诚,朱熙甯,程冠伦,王志豪. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-05.

METHOD FOR ENGRAVING INTEGRATED CIRCUIT LAYERS WITH FIXED DEPTH AND CORRESPONDING INTEGRATED CIRCUIT.

Номер патента: FR2669466B1. Автор: Michel Haond. Владелец: Michel Haond. Дата публикации: 1997-11-07.

METHOD FOR MANUFACTURING INTEGRATED CIRCUIT WITH SEVERAL ACTIVE LAYERS AND CORRESPONDING INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: FR3056824A1. Автор: Maud Vinet,Perrine Batude,Laurent Brunet,Claire Fenouillet-Beranger,Fabien DEPRAT. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2018-03-30.

INTEGRATED CIRCUIT CARD WITH MIXED CONNECTION AND CORRESPONDING INTEGRATED CIRCUIT MODULE

Номер патента: FR2752077B1. Автор: Christophe Fletout,Benoit Thevenot,Pascal Billebaud. Владелец: Solaic SA. Дата публикации: 1998-09-18.

INTEGRATED CIRCUIT CARD COMPRISING MEANS OF PROTECTING THE INTEGRATED CIRCUIT.

Номер патента: FR2684235B1. Автор: Jean-Christophe Fidalgo,Michel Celestin Papapietro,Joel Alain Jerome Turin. Владелец: Gemplus Card International SA. Дата публикации: 1999-12-10.

DEVICE FOR POSITIONING AN INTEGRATED CIRCUIT PLATE, AND APPARATUS FOR INSPECTING AN INTEGRATED CIRCUIT PLATE COMPRISING SUCH A POSITIONING DEVICE

Номер патента: FR3052869B1. Автор: Sylvain PETITGRAND. Владелец: Fogale Nanotech SA. Дата публикации: 2018-06-22.

DEVICE FOR POSITIONING AN INTEGRATED CIRCUIT PLATE, AND APPARATUS FOR INSPECTING AN INTEGRATED CIRCUIT PLATE COMPRISING SUCH A POSITIONING DEVICE

Номер патента: FR3052869A1. Автор: Sylvain PETITGRAND. Владелец: Fogale Nanotech SA. Дата публикации: 2017-12-22.

Method for detecting a possible attack on the integrity of a semiconductor substrate of an integrated circuit from its rear face, and corresponding integrated circuit

Номер патента: FR3096175B1. Автор: Alexandre Sarafianos,Fabrice Marinet,Julien Delalleau. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2021-05-07.

METHOD FOR DETECTING A THINNING OF THE SUBSTRATE OF AN INTEGRATED CIRCUIT THROUGH ITS REAR SIDE, AND ASSOCIATED INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: FR3069954B1. Автор: Quentin Hubert,Abderrezak Marzaki,Christian Rivero. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2020-02-07.

Molecular device, manufacturing method thereof, integrated circuit device, manufacturing method thereof, three-dimensional integrated circuit device, and manufacturing method thereof

Номер патента: JP5181962B2. Автор: 恵理子 松居. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-04-10.

METHOD FOR ETCHING INTEGRATED CIRCUIT LAYERS WITH FIXED DEPTH AND CORRESPONDING INTEGRATED CIRCUIT.

Номер патента: FR2669466A1. Автор: HAOND Michel. Владелец: HAOND Michel. Дата публикации: 1992-05-22.

Integrated circuit device packages and methods for manufacturing integrated circuit device packages

Номер патента: US9559080B2. Автор: Ju-Hyung Kim,Jae-Sung Lim,Jin-Wook Jeong,Hyun-Joo Kim,Hyouk Lee. Владелец: Hana Micron Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Large-scale integrated circuit device manufacturing method and large-scale integrated circuit device

Номер патента: JP3938220B2. Автор: 聡 ▲吉▼川. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-06-27.

System for designing integrated circuit layout and method of making the integrated circuit layout

Номер патента: US10867099B2. Автор: Chun-Fu Chen,Hui-Zhong ZHUANG,Ting-Wei Chiang,Shang-Chih Hsieh,Hsiang-Jen TSENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-15.

Supporting device for integrated circuits used in a selection system for integrated circuits with high permeability

Номер патента: EP0070225B1. Автор: Stephane Charruau. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1985-10-23.

METHOD OF FORMING AT LEAST ONE ELECTRICAL DISCONTINUITY IN AN INTERCONNECTION PART OF AN INTEGRATED CIRCUIT WITHOUT ADDING ADDITIONAL MATERIAL, AND CORRESPONDING INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: FR3059144A1. Автор: Mathieu Lisart,Pascal Fornara,Christian Rivero,Guilhem Bouton. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2018-05-25.

Integrated circuit fuse and method of fabricating the integrated circuit fuse

Номер патента: US9184012B2. Автор: Yigong Wang. Владелец: Allegro Microsystems LLC. Дата публикации: 2015-11-10.

Methods for producing integrated circuits using long and short regions and integrated circuits produced from such methods

Номер патента: US9583584B2. Автор: Chanro Park,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Integrated circuit card assembly method and resulting electronic integrated circuit card

Номер патента: KR960002077A. Автор: 로네이 프랑수와,베낭브르 쟈크. Владелец: 에프. 제이. 스미트. Дата публикации: 1996-01-26.

Integrated circuit arrangement, and method for programming an integrated circuit arrangement

Номер патента: HK1087256A1. Автор: Haiplik Holger,Jessenig Thomas,Buhler Tobias,Leuger Manfred. Владелец: austriamicrosystems AG. Дата публикации: 2006-10-06.

Device for positioning an integrated circuit wafer and equipment for inspecting an integrated circuit wafer comprising such a positioning device

Номер патента: TW201809708A. Автор: 沙梵 波堤宮德. Владелец: 統一半導體公司. Дата публикации: 2018-03-16.

Metal thin film resistor suitable for multilayer metal wiring, integrated circuit using metal thin film resistor and integrated circuit manufacturing method

Номер патента: CN110993582A. Автор: 王飞,刘建,刘青,税国华,胡镜影,阚玲. Владелец: Chongqing Zhongke Yuxin Electronic Co ltd. Дата публикации: 2020-04-10.

Integrated circuit, cell arrangement, method for operating an integrated circuit, memory module

Номер патента: DE102008045542A1. Автор: Ulrich Dr. Klostermann,Rok Dr. Dittrich. Владелец: Altis Semiconductor SNC. Дата публикации: 2009-04-02.

Method of fabricating an integrated circuit including hollow isolating trenches and corresponding integrated circuit

Номер патента: US7309640B2. Автор: Frederic Salvetti,Alexandre Martin,Davy Villanueva. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-12-18.

Integrated Circuit Designing System and Method of Manufacturing Integrated Circuit

Номер патента: KR20180028252A. Автор: 김태일,노우영,최정연,김형옥. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2018-03-16.

Integrated circuit arrangement, and method for programming an integrated circuit arrangement

Номер патента: EP1625663A2. Автор: Holger Haiplik,Thomas Jessenig,Manfred Lueger,Tobias BÜHLER. Владелец: austriamicrosystems AG. Дата публикации: 2006-02-15.

Integrated circuits with cross-coupling constructs and semiconductor devices containing integrated circuits

Номер патента: DE102018130328A1. Автор: Jong-Hoon Jung,Tae-Joong Song,Jung-Ho Do,Dal-Hee LEE,Jin-young Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-27.

Method for detecting the thinning of a substrate of an integrated circuit from the back side and related integrated circuit

Номер патента: CN109326563B. Автор: C·里韦罗,A·马扎基,Q·休伯特. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2023-02-28.

Integrated circuit package and method for manufacturing an integrated circuit package

Номер патента: KR101683688B1. Автор: 크리스티안 뮐러,토르스텐 메이어,안드레아스 어거스틴,제랄드 오프너,레인하드 만코프,크리스티안 게이슬러. Владелец: 인텔 도이칠란드 게엠베하. Дата публикации: 2016-12-07.

Gate line plug structures for advanced integrated circuit structure fabrication and method of fabricating integrated circuit structure

Номер патента: TW202316576A. Автор: 麥可 哈頓朵夫,百榮 何,克里斯多福 奧斯. Владелец: 美商英特爾股份有限公司. Дата публикации: 2023-04-16.

Integrated circuit, method for forming a layout of integrated circuit using standard cells

Номер патента: US20230099326A1. Автор: Wei-Jen Wang,Chien-Hung Chen,Chien-Fu Chen,Chen-Hsien Hsu,Kun-Yuan Wu,Ruei-Yau Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-03-30.

Integrated circuit structure or method of manufacturing an integrated circuit structure

Номер патента: JP7272776B2. Автор: エム． ジョシ サブハッシュ,エス． レイブ ジェフリー,エル． ハッテンドーフ マイケル. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-05-12.

integrated circuit device packages and methods of manufacturing integrated circuit device packages

Номер патента: BR112014026170A2. Автор: Kim Ju-Hyung,JEONG JIN-WOOK,KIM Hyun-joo,Lim Jae-Sung,LEE Hyouk. Владелец: Hana Micron Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Method for producing an integrated circuit with a rewiring device and corresponding integrated circuit

Номер патента: TWI267929B. Автор: Thorsten Meyer,Harry Hedler,Roland Irsigler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-12-01.

Secondary local oscillator circuit for use in radio communication system

Номер патента: CN1184381A. Автор: 李相业,尹铉. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-06-10.

THIN-FILM CAPACITOR MANUFACTURING METHOD, INTEGRATED CIRCUIT MOUNTING SUBSTRATE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED WITH THE SUBSTRATE

Номер патента: US20180177059A1. Автор: HATTORI Atsunori. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-21.

Methods for forming interconnect structures and semiconductor structures and integrated circuits

Номер патента: TW201839913A. Автор: 張宏睿,柯宇倫,郭昱緯,邱意為. Владелец: 台灣積體電路製造股份有限公司. Дата публикации: 2018-11-01.

Integrated circuit lead frame and semiconductor device thereof

Номер патента: TWI761052B. Автор: 王侑信,旋乃仁. Владелец: 瑞昱半導體股份有限公司. Дата публикации: 2022-04-11.

Partially bootstrapped gate driving circuit for reducing switching loss and control method thereof

Номер патента: US20230336071A1. Автор: Cheng Qian,Zhiqiang Wang,Xiaojie Shi,Guoqing Xin. Владелец: Shenzhen Union Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

CIRCUIT AND LAYOUT FOR SINGLE GATE TYPE PRECHARGE CIRCUIT FOR DATA LINES IN MEMORY DEVICE

Номер патента: US20190088654A1. Автор: MIYATAKE Shinichi. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-21.

CIRCUIT AND LAYOUT FOR SINGLE GATE TYPE PRECHARGE CIRCUIT FOR DATA LINES IN MEMORY DEVICE

Номер патента: US20180108398A1. Автор: MIYATAKE Shinichi. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-19.

Semiconductor integrated circuit device and inspection method for semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US11808807B2. Автор: Kazunori Nemoto,Akira Kotabe,Akeo Satoh. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Failure analysis method, apparatus, and program for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100241374A1. Автор: Masafumi Nikaido. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-09-23.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit manufacturing method

Номер патента: US20060202230A1. Автор: Hidekichi Shimura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-14.

Failure analysis method, apparatus, and program for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US8478022B2. Автор: Masafumi Nikaido. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-07-02.

High frequency semiconductor integrated circuit capable of switching between characteristics

Номер патента: US20020186089A1. Автор: Ko Kanaya,Shin Chaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-12-12.

Module with semiconductor integrated circuits and its manufacturing process

Номер патента: RU2169962C2. Автор: Минг-Тунг ШЕН. Владелец: Минг-Тунг ШЕН. Дата публикации: 2001-06-27.

Semiconductor integrated circuit and method of producing the same

Номер патента: US20150194436A1. Автор: SEO Moon-Sik,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2015-07-09.

Semiconductor integrated circuit and method of producing the same

Номер патента: US9184171B2. Автор: SEO Moon-Sik,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2015-11-10.

Semiconductor integrated circuit and method of producing the same

Номер патента: US20160104714A1. Автор: SEO Moon-Sik,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2016-04-14.

Semiconductor integrated circuit and digital camera comprising the same

Номер патента: US6465817B1. Автор: Shinji Furuichi. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-15.

Semiconductor integrated circuit and image sensor

Номер патента: US20140070975A1. Автор: Jun Deguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Surge protection in semiconductor integrated circuit and semiconductor memory device

Номер патента: US20230198251A1. Автор: Tomohiko Takeuchi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Fabrication system of semiconductor integrated circuit, fabrication device, fabrication method, integrated circuit and communication system

Номер патента: US20100100219A1. Автор: Takashi Hashimoto,Takahiro Ichinomiya. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-04-22.

Semiconductor integrated circuit device, current control device using semiconductor integrated circuit device, and automatic transmission control device using current control device

Номер патента: US20200381454A1. Автор: Yoichiro Kobayashi,Shinichirou WADA,Masato Kita. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2020-12-03.

Semiconductor integrated circuit device, current control device using semiconductor integrated circuit device, and automatic transmission control device using current control device

Номер патента: US11043508B2. Автор: Yoichiro Kobayashi,Shinichirou WADA,Masato Kita. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2021-06-22.

Method and system for measuring thermal stability factor of magnetic tunnel junction device, semiconductor integrated circuit, and production management method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20190219633A1. Автор: Hideo Sato,Hideo Ohno,Takashi Saito,Kenchi Ito,Tetsuo Endoh,Masakazu Muraguchi. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2019-07-18.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240283440A1. Автор: Kang Min Lee,Young Jin Yoon,Sang Min Jun,Kwang Kyung Lee,Seung Cheol Bae,Sun Byeong Yoon. Владелец: Integrated Silicon Solution Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor integrated circuit and method for manufacturing the same

Номер патента: US09772461B2. Автор: Yasuyuki Suzuki,Kenichiro Yashiki,Kazuhiko Kurata. Владелец: PHOTONICS ELECTRONICS TECHNOLOGY RESEARCH ASSOCIATION. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor integrated circuit device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020140048A1. Автор: Keiichi Yamada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-10-03.

Semiconductor integrated circuit, method of controlling semiconductor integrated circuit, and circuit system

Номер патента: US20240097687A1. Автор: Kiyohito Sato. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor integrated circuit, and sensor system and vehicle including the same

Номер патента: US20180069169A1. Автор: Akihiro Ota,Yuji Kaneda,Isao Niwa,Yuzo Mizushima. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor integrated circuit, dll circuit, and duty cycle correction circuit

Номер патента: US20190081631A1. Автор: Masashi Nakata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-14.

Semiconductor integrated circuit, transmitter, and semiconductor device

Номер патента: US20240106348A1. Автор: Toshihiro Yagi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor integrated circuit and electronic device

Номер патента: US20090115442A1. Автор: Yoji Nishio,Seiji Funaba. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-05-07.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20040113224A1. Автор: Hiroshi Seki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-06-17.

Photo mask, semiconductor integrated circuit device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080054354A1. Автор: Jee-Eun JUNG,Ho-Jin Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-06.

Semiconductor integrated circuit and radio communication apparatus

Номер патента: US20110227656A1. Автор: Yuji Satoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-09-22.

Semiconductor integrated circuit device and system

Номер патента: US09734893B2. Автор: Noriaki Maeda,Masao Morimoto,Yasuyuki Okuma,Masanao Yamaoka,Yasuhisa Shimazaki,Shigenobu Komatsu,Toshiaki Sano. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor integrated circuit device and system with memory cell array

Номер патента: US09368194B2. Автор: Noriaki Maeda,Masao Morimoto,Yasuyuki Okuma,Masanao Yamaoka,Yasuhisa Shimazaki,Shigenobu Komatsu,Toshiaki Sano. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-14.

Semiconductor integrated circuit, apparatus including semiconductor integrated circuit, and method for controlling clock signal in semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20160087617A1. Автор: Hiroaki Niitsuma. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-03-24.

Semiconductor Integrated Circuit

Номер патента: US20090102531A1. Автор: Hideo Ito,Kazutero Nanba. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-04-23.

Semiconductor integrated circuit device, motor system and vehicle

Номер патента: US20240258945A1. Автор: Yoshinori Oka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020005742A1. Автор: Tatsumi Yamauchi,Kazuharu Kuchimachi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-01-17.

Semiconductor integrated circuit, apparatus including semiconductor integrated circuit, and method for controlling clock signal in semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09419599B2. Автор: Hiroaki Niitsuma. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor integrated circuit device and method of detecting delay error in the same

Номер патента: US20040113670A1. Автор: Minari Arai. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2004-06-17.

Laminating method for forming integrated circuit microelectronic fabrication

Номер патента: US20020197775A1. Автор: Syun-Ming Jang,Mong-Song Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2002-12-26.

Semiconductor integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050185440A1. Автор: Shigeru Kawanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-08-25.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09812441B2. Автор: Koichi Taniguchi,Masato Maede. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09576947B2. Автор: Koichi Taniguchi,Masato Maede. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09455699B2. Автор: Yoshihiko Yasu,Hiroyuki Mizuno,Kenji Hirose,Yusuke Kanno,Takahiro Irita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030011004A1. Автор: Kenji Kamei,Shinsuke Anzai,Yasumichi Mori. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-16.

Semiconductor integrated circuit including internal circuits and electrostatic discharge protection circuits

Номер патента: US20110310515A1. Автор: Hirofumi Hayashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-12-22.

Reset detection circuit in semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20070210834A1. Автор: Akira Suzuki,Hideaki Ishihara,Yasuyuki Ishikawa. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2007-09-13.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor device

Номер патента: US20190348093A1. Автор: Masashi Nakata,Yohei YASUDA,Nobuhiro Tsuji,Hiroki Ohkouchi,Shota NOTE. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-11-14.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit apparatus

Номер патента: US20120049292A1. Автор: Yuuichi Ueda. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-01.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6661692B2. Автор: Kenji Kamei,Shinsuke Anzai,Yasumichi Mori. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-12-09.

Semiconductor integrated circuit and layout design method thereof

Номер патента: US20020003243A1. Автор: Hirotaka Shimoshige. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-10.

Semiconductor integrated circuit and electronic instrument

Номер патента: EP3836200A1. Автор: Takashi Hasegawa,Maki Shioda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-06-16.

Semiconductor integrated circuit and electronic apparatus

Номер патента: US20210265269A1. Автор: Takashi Hasegawa,Maki Shioda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-08-26.

Semiconductor integrated circuit, phase locked loop (PLL) circuit, and system

Номер патента: US12040806B2. Автор: Masatomo Eimitsu. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor integrated circuit and design method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20080141186A1. Автор: Mitsuhiro Imaizumi,Takahiro Nagatani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-12.

Power supply semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20220075004A1. Автор: Kohei Sakurai,Shinichiro Maki. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-10.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20200286882A1. Автор: Takanori Kohama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Semiconductor integrated circuit for power supply, and power supply system

Номер патента: US12095349B2. Автор: Kazuhiro Murakami. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Monitor circuit, semiconductor integrated circuit, semiconductor device, and method of controlling power supply voltage of semiconductor device

Номер патента: US09647654B2. Автор: Hirotaka Hara,Tadashi Kameyama,Yohei Akita,Takanobu Naruse. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor integrated circuit and electronic device

Номер патента: US20100225396A1. Автор: Ryota Terauchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-09-09.

Semiconductor integrated circuit device including an electro-static discharge protection circuit

Номер патента: US20190379204A1. Автор: Jin Woo Kim,Seung Yeop Lee,Hyun Duck Lee,Ju Hyeong Lee,Chang Hwi LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

Semiconductor integrated circuit and electronic circuit

Номер патента: US20090128210A1. Автор: Takuji Yamamoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-05-21.

Semiconductor integrated circuit, A/D converter, delta sigma-type A/D converter, incremental delta sigma-type A/D converter, and switched capacitor

Номер патента: US10985772B2. Автор: Naoya Waki. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-04-20.

Reconfigurable semiconductor integrated circuit and electronic device

Номер патента: US09621159B2. Автор: Masato Oda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20180090437A1. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-03-29.

Semiconductor integrated circuit device with a stable operating internal circuit

Номер патента: US6140865A. Автор: Yasunori Kawamura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2000-10-31.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160260668A1. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2016-09-08.

Semiconductor integrated circuit and electronic apparatus provided with same

Номер патента: US20130136162A1. Автор: Hiroo Yamamoto,Tetsuji Gotou. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-05-30.

Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US10014253B2. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-07-03.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240146300A1. Автор: Kohei Sakurai,Yoichi Takano. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor integrated circuit and layout designing method of the same

Номер патента: US20070061770A1. Автор: Tsutomu Kobayashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-15.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050040869A1. Автор: Satoshi Ueno,Shinichiro Wada,Shinya Kajiyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2005-02-24.

Conductive structure for a semiconductor integrated circuit and method for forming the same

Номер патента: US20120309186A1. Автор: Cheng Tang Huang,J. B. Chyi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-12-06.

Semiconductor integrated circuit and electronic apparatus provided with same

Номер патента: US8774255B2. Автор: Hiroo Yamamoto,Tetsuji Gotou. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-07-08.

Semiconductor integrated circuit patterns

Номер патента: US20010024758A1. Автор: Koji Hashimoto,Satoshi Usui,Tatsuaki Kuji,Shigeki Nojima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-09-27.

Semiconductor integrated circuit having an on-chip pll and operating method thereof

Номер патента: US20120242384A1. Автор: Takahiro Kato. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030222686A1. Автор: Satoshi Ueno,Shinichiro Wada,Shinya Kajiyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-12-04.

Semiconductor integrated circuit device for converting PECL-signal into TTL-signal

Номер патента: US5448183A. Автор: Toshiyuki Koreeda. Владелец: Kyushu Fujitsu Electronics Ltd. Дата публикации: 1995-09-05.

Semiconductor integrated circuit and method of testing same

Номер патента: US20080265934A1. Автор: Hayato Ogawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-10-30.

Semiconductor integrated circuit and wiring method

Номер патента: US20010025365A1. Автор: Sumio Kuwabara. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-09-27.

Semiconductor integrated circuit and a semiconductor device

Номер патента: US7345340B2. Автор: Akihiro Tamura,Toshio Nagasawa,Mitsuharu Hitani. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-03-18.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070183226A1. Автор: Masashi Horiguchi,Mitsuru Hiraki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-09.

Multilayer semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09978717B2. Автор: Tadahiro Kuroda. Владелец: Thruchip Japan Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Internal voltage trimming device and semiconductor integrated circuit including the same

Номер патента: US09929644B2. Автор: Jun-Young Park,Ji-Sung Kim,Se-eun OH,Hyeon-seong IM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor integrated circuit device having delay circuit

Номер патента: US09755626B2. Автор: Jae Hoon Cha,Sung Yub Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09742383B2. Автор: Muneaki Maeno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

A/D converter circuit and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09685968B2. Автор: Keisuke Kimura,Hideo Nakane,Takaya Yamamoto,Yuichi Okuda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor integrated circuit and operating method for the same

Номер патента: US09502060B2. Автор: Minoru Kurosawa,Kichiya Itagaki,Hideho Koyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09455711B2. Автор: NA Li,Yoshihiro Hayashi,Hiroyasu Yoshizawa,Shunsuke Kubota,Tatsuya Odawara. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2016-09-27.

Test circuit for integrated analog-to-digital converters

Номер патента: EP1145442A2. Автор: Jean-Yves Michel. Владелец: Philips Semiconductors Inc. Дата публикации: 2001-10-17.

Test circuit for integrated analog-to-digital converters

Номер патента: WO2001029970A3. Автор: Jean-Yves Michel. Владелец: Philips Semiconductors Inc. Дата публикации: 2001-11-01.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050007846A1. Автор: Masatoshi Hasegawa,Yousuke Tanaka,Tomofumi Hokari. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2005-01-13.

Semiconductor storage device and semiconductor integrated circuit

Номер патента: EP1494288A2. Автор: Takashi Intell. Prop. Div. Ohsawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-01-05.

Semiconductor integrated circuit with radiation resistance

Номер патента: US20210021266A1. Автор: Youichi Satou,Masazumi Shiochi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Semiconductor integrated circuit for sensorless driving and sensorless driving system

Номер патента: US20080203951A1. Автор: Shigeki Murai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-08-28.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20080290932A1. Автор: Masashi Horiguchi,Mitsuru Hiraki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-27.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US12072375B2. Автор: Yoichi Takano. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Signal transmission method of semiconductor integrated circuit for transmitting signal to a plurality of stacked semiconductor chips

Номер патента: US09680460B2. Автор: Chun-Seok Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor integrated circuit and method for operating the same for a stabilizing power supply

Номер патента: US09600005B2. Автор: Kentaro Hayashi,Yutaka Hayashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Methods of Fabricating Application Specific Integrated Circuit (ASIC) Devices that Include Both Pre-Existing and New Integrated Circuit Functionality and Related ASIC Devices

Номер патента: US20070240092A1. Автор: Jong-woo Park,Yun-Tae Lee,Seon-Wook Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-10-11.

Semiconductor integrated circuit and high frequency module with the same

Номер патента: US20120229192A1. Автор: TAKASHI Ogawa,Shinichiro Takatani,Yasushi Shigeno,Kaoru Katoh,Shigeki Koya,Akishige Nakajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-09-13.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor storage device

Номер патента: US11742835B2. Автор: Masashi Nakata. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US9269707B2. Автор: Kunihiko Kato,Masatoshi Taya. Владелец: Synaptics Display Devices GK. Дата публикации: 2016-02-23.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020186067A1. Автор: Isao Yamamoto,Koichi Miyanaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-12-12.

Dynamic semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20020180485A1. Автор: Masaya Sumita. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20040145021A1. Автор: Isao Yamamoto,Koichi Miyanaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-07-29.

Semiconductor integrated circuit and system

Номер патента: US20020053725A1. Автор: Hiroshi Kimura,Hiroshi Shimomura,Jyoji Hayashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-09.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6687107B2. Автор: Isao Yamamoto,Koichi Miyanaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-02-03.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7009830B2. Автор: Isao Yamamoto,Koichi Miyanaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2006-03-07.

Semiconductor integrated circuit device regarding the detection of degradation

Номер патента: US09960770B2. Автор: Jin Youp CHA,Young Sik HEO,Jeong Tae Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor integrated circuit and position detector

Номер патента: US09739587B2. Автор: Osamu Kawatoko,Akio Kawai. Владелец: Mitutoyo Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor integrated circuit and method for desigining the same

Номер патента: US20130305208A1. Автор: Yasuyuki Nozuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-11-14.

Semiconductor integrated circuit and method for designing the same

Номер патента: US20120242368A1. Автор: Yasuyuki Nozuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit control method, and terminal system

Номер патента: US20090273366A1. Автор: Takahiro Ichinomiya. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-11-05.

Semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit control method, and terminal system

Номер патента: EP2053746B1. Автор: Takahiro Ichinomiya. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-08-15.

Semiconductor integrated circuits and method for designing the same

Номер патента: US6675367B1. Автор: Kensuke Torii. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-01-06.

Semiconductor integrated circuit and receiver device

Номер патента: US20240313769A1. Автор: Huy Cu NGO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Constant current circuit, timer circuit, one-shot multivibrator circuit, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240329681A1. Автор: Naohiro Nomura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09882571B2. Автор: Kenichi Nomura,Hiroyuki Homma,Ryusuke Obara. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09818715B2. Автор: Jun Yamada,Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Source driving integrated circuits including an electrostatic discharge circuit and related layout method

Номер патента: US09735053B2. Автор: Young-Jin Cho,Hong-Yeon Kim,Youn-Ho Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-15.

Reconfigurable semiconductor integrated circuit and electronic device

Номер патента: US09525422B2. Автор: Masato Oda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: EP1990835A3. Автор: Fuminori Hashimoto. Владелец: Sanyo Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-07.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US8445943B2. Автор: Hiroshi Furuta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-05-21.

Semiconductor integrated circuit and wiring method

Номер патента: US5960309A. Автор: Midori Takano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-09-28.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20110175197A1. Автор: Hiroshi Furuta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-07-21.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070278580A1. Автор: Masaki Kondo,Mitsutoshi Nakamura,Ryo Fukuda,Yohji Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-12-06.

Three-dimensional semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20210257412A1. Автор: Jin-Hong Park,Sungjoo Lee,Jae Hyeok JU,Sungpyo BAEK. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2021-08-19.

Semiconductor integrated circuit and power-supply control method

Номер патента: USRE49662E1. Автор: Makoto Fujiwara,Yoshinori Tanaka,Ryuji Kaneko,Tetsuo Motomura,Hiromi Ogata,Masahiro Igarashi. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor integrated circuit, semiconductor storage device, memory system, and frequency generation method

Номер патента: US20220416795A1. Автор: Takayuki Tsukamoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor integrated circuit, semiconductor storage device, memory system, and frequency generation method

Номер патента: US11750202B2. Автор: Takayuki Tsukamoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100187573A1. Автор: Shusuke Iwata. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-07-29.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20020049927A1. Автор: Takeshi Yamamura,Kazuhiro Kobayashi,Tadahiro Saitoh. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-04-25.

Thin film semiconductor integrated circuit and method for forming the same

Номер патента: US20020079488A1. Автор: Yasuhiko Takemura,Toshimitsu Konuma. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-27.

Semiconductor integrated circuit, latch circuit, and flip-flop circuit

Номер патента: US09871503B2. Автор: Kazuyuki Nakanishi. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor integrated circuit, latch circuit, and flip-flop circuit

Номер патента: US09755622B2. Автор: Kazuyuki Nakanishi. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09679916B2. Автор: Masahiro Sato,Dwi Antono Danardono. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20080169950A1. Автор: Naoki Yamada,Naoki Kuroda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-17.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7888769B2. Автор: Masaki Kondo,Mitsutoshi Nakamura,Ryo Fukuda,Yohji Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-02-15.

Semiconductor integrated circuit device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20020158277A1. Автор: Jun Osanai,Hirofumi Harada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-31.

Method for semiconductor integrated circuit fabrication and a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20050006709A1. Автор: Takeshi Takagi,Akira Asai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-13.

Memory embedded semiconductor integrated circuit and a method for designing the same

Номер патента: US20010044923A1. Автор: Toshio Kobayashi,Naoshi Ikeda. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-11-22.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20050007827A1. Автор: Hiroshi Seki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-01-13.

Semiconductor integrated circuit for voltage detection

Номер патента: US20080246540A1. Автор: Masaki Okuda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-10-09.

Semiconductor integrated circuit device and electronic device for driving a power semiconductor device

Номер патента: US09835658B2. Автор: Makoto Tsurumaru. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20090146693A1. Автор: Masanori Isoda. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-06-11.

Information processing apparatus with semiconductor integrated circuit capable of reducing amount of radiation noise and control method therefor

Номер патента: US20160233857A1. Автор: Tadashi Kawaguchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-08-11.

Synchronous processing system and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20150244380A1. Автор: Daisuke Kadota. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-27.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US5134455A. Автор: Shigeo Ohshima,Katsuji Tokonami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1992-07-28.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20110043292A1. Автор: Masanori Isoda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-02-24.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US8076957B2. Автор: Masanori Isoda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-12-13.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7843227B2. Автор: Masanori Isoda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-11-30.

Semiconductor integrated circuit device, mounting board, and device and board assembly

Номер патента: US20030006498A1. Автор: Takeshi Hirayama. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-09.

A communication semiconductor integrated circuit device and a wireless communication system

Номер патента: EP1444778A2. Автор: Akira S.&I. Circuits Hitachi Ltd OKASAKA,Koichi S.&I. Circuits Hitachi Ltd YAHAGI,Masakazu S.&I. Circuits Hitachi Ltd SAKAGAMI,Robert Astle TTPCOM Ltd HENSHAW. Владелец: TTPCom Ltd. Дата публикации: 2004-08-11.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20140375379A1. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Hideki Makiyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-12-25.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20040124463A1. Автор: Jun Osanai,Hirofumi Harada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-01.

Semiconductor integrated circuit device, mounting board, and device and board assembly

Номер патента: US20050002153A1. Автор: Takeshi Hirayama. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-06.

Semiconductor integrated circuit device, mounting board, and device and board assembly

Номер патента: US6841864B2. Автор: Takeshi Hirayama. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-11.

Semiconductor integrated circuit device, mounting board, and device and board assembly

Номер патента: EP1274127A3. Автор: Takeshi Hirayama. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-07-29.

Synchronous processing system and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09882569B2. Автор: Daisuke Kadota. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor integrated circuit capable of precisely adjusting delay amount of strobe signal

Номер патента: US09761299B2. Автор: Masaaki Iijima,Mitsuhiro Deguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor integrated circuit and high frequency antenna switch

Номер патента: US09685944B1. Автор: Toshiki Seshita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor integrated circuit capable of precisely adjusting delay amount of strobe signal

Номер патента: US09536579B2. Автор: Masaaki Iijima,Mitsuhiro Deguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor integrated circuit, design method of the semiconductor integrated circuit, design support system of the semiconductor integrated circuit, and non-transitory computer readable medium

Номер патента: US20220246228A1. Автор: Takashi Yamagiwa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Semiconductor integrated circuit, method of testing the semiconductor integrated circuit, and semiconductor substrate

Номер патента: US11774493B2. Автор: Koichi Iwao,Eiki AOYAMA. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor integrated circuit, semiconductor device, and semiconductor memory device

Номер патента: US20240257884A1. Автор: Mikio Shiraishi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor integrated circuit device, method of controlling semiconductor integrated circuit device, and cache device

Номер патента: US20120166721A1. Автор: Hiroaki Inoue. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2012-06-28.

Semiconductor integrated circuit device, method of controlling semiconductor integrated circuit device, and cache device

Номер патента: US9164905B2. Автор: Hiroaki Inoue. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2015-10-20.

Self-test circuit for an integrated circuit, and method for operating a self-test circuit for an integrated circuit

Номер патента: US20220107364A1. Автор: Juergen Alt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-04-07.

Integrated circuit and method for diagnosing an integrated circuit

Номер патента: US11953546B2. Автор: Philippe Sirito-Olivier,Etienne Auvray,Tommaso Melis. Владелец: STMicroelectronics Alps SAS. Дата публикации: 2024-04-09.

Circuit and method for monolithic stacked integrated circuit testing

Номер патента: US09599670B2. Автор: Sandeep Kumar Goel. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Integrated circuit and method of operating an integrated circuit

Номер патента: US09804224B2. Автор: Ilan Cohen,Eyal Melamed-Kohen,Shlomi Sde-Paz. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Design structure of an integration circuit and test method of the integrated circuit

Номер патента: US20090132973A1. Автор: Toshihiko Yokota. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-05-21.

Integrated circuit chip and method for testing an integrated circuit chip

Номер патента: US20080238468A1. Автор: Marc Walter,Thomas Vogelsang,Andre Sturm. Владелец: Qimonda North America Corp. Дата публикации: 2008-10-02.

Integrated Circuit, Cell Arrangement, Method of Manufacturing an Integrated Circuit, Method of Operating an Integrated Circuit, and Memory Module

Номер патента: US20090285012A1. Автор: Rok Dittrich. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-11-19.

Circuit and method for testing an integrated circuit

Номер патента: US20010042233A1. Автор: Daniel Loughmiller. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-11-15.

Integrated circuit and method for testing the integrated circuit

Номер патента: US4975641A. Автор: Shigeki Tanaka,Koji Imura. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1990-12-04.

Self-test circuit for an integrated circuit, and method for operating a self-test circuit for an integrated circuit

Номер патента: US11698413B2. Автор: Juergen Alt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-07-11.

Integrated circuit, test structure and method for testing integrated circuits

Номер патента: US20020020854A1. Автор: Ralf Schneider,Norbert Wirth,Bernhard Ruf,Arndt Gruber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-02-21.

Temperature regulator circuit and precision voltage reference for integrated circuit

Номер патента: US6082115A. Автор: Richard J. Strnad. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2000-07-04.

Electronic control unit having integrated circuit element and standalone test unit for integrated circuit element

Номер патента: US20140365839A1. Автор: Susumu Tanaka,Yuki Iwagami. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2014-12-11.

Monitor, integrated circuit and method for monitoring an integrated circuit

Номер патента: US20170031795A1. Автор: Alistair Paul ROBERSTON,Andrew Edward BIRNIE,Thomas Henry Luedeke. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-02-02.

Circuit And Method For Monolithic Stacked Integrated Circuit Testing

Номер патента: US20150077147A1. Автор: Sandeep Kumar Goel. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-03-19.

Integrated circuit device and signal processing method in integrated circuit device

Номер патента: US09779055B2. Автор: Joon-Ho Lee. Владелец: Samsung SDS Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Circuit And Method For Monolithic Stacked Integrated Circuit Testing

Номер патента: US20150355277A1. Автор: Sandeep Kumar Goel,Ashok Mehta. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-12-10.

Methods and apparatuses including one or more interrupted integrated circuit operations for characterizing radiation effects in integrated circuits

Номер патента: US09620242B1. Автор: Adam Duncan,Matthew Gadlage,Matthew Kay,James David Ingalls,Austin H. Roach. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2017-04-11.

Systems on chips, integrated circuits, and operating methods of the integrated circuits

Номер патента: US20200218604A1. Автор: Suh-Ho Lee,Myung-chul CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-09.

Method of generating an intellectual property block design kit, method of generating an integrated circuit design, and simulation system for the integrated circuit design

Номер патента: US20120131523A1. Автор: Yun-Han Lee,Lee-Chung Lu,Wei-li CHEN,Shi-Hung WANG,Tan-Li Chou,Kheng-Guan TAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-05-24.

Semiconductor integrated circuit device and electronic system mounted the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20130138943A1. Автор: Hiroshi Nakayama,Masahiro Nishio,Jin Takahashi,Junji Ichimiya,Shintaro Itozawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-05-30.

Semiconductor integrated ciruit device

Номер патента: US20040196731A1. Автор: Mitsuhiro Shimamoto. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-10-07.

Semiconductor integrated circuit development method and semiconductor integrated circuit development support program

Номер патента: AU2003277604A8. Автор: Hiroaki Sugimoto,Toshiyuki Usui,Hitoshi Sugihara. Владелец: Renesas Eastern Japan Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-06-07.

Semiconductor integrated circuit development method and semiconductor integrated circuit development support program

Номер патента: AU2003277604A1. Автор: Hiroaki Sugimoto,Toshiyuki Usui,Hitoshi Sugihara. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-06-07.

Semiconductor integrated circuit and memory

Номер патента: US20210398586A1. Автор: Jixing Chen,Weibing SHANG,Xianjun Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Semiconductor integrated circuit, design method of the semiconductor integrated circuit, design support system of the semiconductor integrated circuit, and non-transitory computer readable medium

Номер патента: TW202232501A. Автор: 山際貴志. Владелец: 日商鎧俠股份有限公司. Дата публикации: 2022-08-16.

Semiconductor integrated circuit, design method thereof, semiconductor integrated circuit design program, and semiconductor integrated circuit design device

Номер патента: JP2009187354A. Автор: 雄貴 樋口,Yuki Higuchi. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-08-20.

Bit-corrector circuits for photonic circuits with cascaded photonic gates

Номер патента: US12032023B1. Автор: Bicky A. Marquez. Владелец: Milkshake Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Driving circuit for electrophoretic display, implementation method thereof and electrophoretic display device

Номер патента: US09767739B2. Автор: Yi Zheng,Yao Yu,Zhengxin ZHANG,Shuai Xu. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Memory integrated circuit with local amplifier module and local read-write conversion module to improve operation speed and reduce number of data lines

Номер патента: US11848045B2. Автор: Jixing Chen,Weibing SHANG,Xianjun Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Semiconductor integrated circuit designing apparatus, semiconductor integrated circuit designing method and semiconductor device

Номер патента: US20080270957A1. Автор: Hiroshige Orita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-10-30.

Semiconductor integrated circuit, ink cartridge having this semiconductor integrated circuit, and ink jet recording device mounted with this ink cartridge

Номер патента: EP1156490A1. Автор: Tetsuo Takagi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2001-11-21.

Semiconductor integrated circuit test system and semiconductor integrated circuit test device thereof

Номер патента: CN110824330A. Автор: 李炳勋,林士超,陈柏玮,施翔文,叶明昇. Владелец: Chroma ATE Inc. Дата публикации: 2020-02-21.

Semiconductor integrated circuit device, method of testing semiconductor integrated circuit device, and probe card used for burn-in stress and d/s tests

Номер патента: US20090058443A1. Автор: Yoshio Kaneko,Masanobu Ohashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-03-05.

Integrated circuit chip and a method for testing the same

Номер патента: US09506986B2. Автор: Christian Zoellin,Wilhelm Haller,Ulrich Krauch,Markus Kaltenbach,Nicolas Maeding. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Method for testing integrated circuit and integrated circuit configured to facilitate performing such a method

Номер патента: US09494646B2. Автор: Divya Pratap,Sung Jin Jo. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-11-15.

Display driver integrated circuit chip

Номер патента: US09659515B2. Автор: Youngjin Cho,HyoJoon AN,Yun ji HUR,YounHo HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Frequency measuring test circuit and having this semiconductor integrated circuit

Номер патента: DE60023961D1. Автор: Michimasa Yamaguchi. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-12-22.

Power optimization of a mixed-signal system on an integrated circuit

Номер патента: US20060217920A1. Автор: Matthew Felder,Marcus May. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-28.

Method for controlling an integrated circuit, integrated circuit and computer including an integrated circuit

Номер патента: US09703556B2. Автор: Bertrand Danet,Stéphane Laborie-Fulchic. Владелец: Continental Automotive France SAS. Дата публикации: 2017-07-11.

Apparatus for testing integrated circuit

Номер патента: US20080079454A1. Автор: Po Chang Chen. Владелец: Princeton Technology Corp. Дата публикации: 2008-04-03.

Methods and systems for verifying integrated circuits

Номер патента: US20240337687A1. Автор: Taehwan Kim,Younsik PARK,Hyungjung SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-10.

Thermal energy storage, dissipation and EMI suppression for integrated circuits using porous graphite sheets and phase change material

Номер патента: US09501112B2. Автор: Mark Gallina,Steven Lofland,Daryl Nelson,Kevin Daniel,Daniel Chiang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Display device with driving intergrated circuit and electronic device

Номер патента: US12136401B2. Автор: Xinbo FU,Ruoqiao CHEN. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Method with function parameter setting and integrated circuit using the same

Номер патента: US09964979B2. Автор: Chih-Lien Chang. Владелец: uPI Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Method with function parameter setting and integrated circuit using the same

Номер патента: US09471079B2. Автор: Chih-Lien Chang. Владелец: uPI Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Method for estimating substrate noise in mixed signal integrated circuits

Номер патента: US20040187085A1. Автор: Bipasha Ghosh,Stephen Kiel,Snehamay Sinha,Raghu Srinivasa. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2004-09-23.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED OPTICAL DEVICE, AND METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR INTEGRATED OPTICAL DEVICE

Номер патента: US20200326476A1. Автор: HIRATANI Takuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2020-10-15.

Integrated circuit, in particular integrated memory, and methods for operating an integrated circuit

Номер патента: US20040240262A1. Автор: Stephan Schroder,Koen Van Der Zanden,Evangelos Stavrou,Manfred Pröll. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-12-02.

Quick simulation method and apparatus for integrated circuit, and storage medium

Номер патента: US20240152674A1. Автор: ZHEN Li. Владелец: Batelab Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Contactless integrated circuit reader

Номер патента: US20030169152A1. Автор: Bruno Charrat,Francois Lepron. Владелец: Inside Technologies SA. Дата публикации: 2003-09-11.

Method of detecting an integrated circuit in failure among integrated circuits, apparatus of doing the same, and recording medium storing program for doing the same

Номер патента: US20030093237A1. Автор: Kazuhiro Sakaguchi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-05-15.

Driving method, driver circuit and design method of driver circuit for in-cell touch display panel

Номер патента: US20190250751A1. Автор: Man Li,Jiehui Qin,Jinjie Zhou. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-15.

Integrated circuit modeling method using resistive capacitance information

Номер патента: US09996643B2. Автор: Chin-Sheng Chen,Tsun-Yu YANG,Wei-Yi Hu,Jui-Feng Kuan,Ching-Shun Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Integrated circuit system having decoupled logical and physical interfaces

Номер патента: US09454484B2. Автор: Bartholomew Blaner,William J. Starke,Charles Marino,Michael S. Siegel,Jeff A. Stuecheli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Integrated circuit and method for bringing an integrated circuit to execute instructions

Номер патента: SE9901744D0. Автор: Jan Bengtsson,Kenny Ranerup,Per Zander,Hans-Peter Nilsson,Ronny Ranerup. Владелец: AXIS AB. Дата публикации: 1999-05-11.

System and Method of Multi-Frequency Integrated Circuit Testing

Номер патента: US20080282123A1. Автор: Gerard M. Salem,Pedro Martin-de-Nicolas,Charles L. Meissner. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-11-13.

A method for controlling transaction exchanges between two integrated circuits

Номер патента: EP2729863A1. Автор: Abdelaziz Goulahsen,Bipin Balakrishnan. Владелец: ERICSSON MODEMS SA. Дата публикации: 2014-05-14.

Apparatus, method and computer program product for fast simulation of manufacturing effects during integrated circuit design

Номер патента: SG160271A1. Автор: Laertis Economikos,Ruchir Puri,Hua Xiang,Stephen Edward Greco,Mohammed Fazil Fayaz,Neil Patricia A O. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2010-04-29.

Post-package trimming of analog integrated circuits

Номер патента: US20030038649A1. Автор: Kevin D'Angelo. Владелец: Advanced Analogic Technologies Inc. Дата публикации: 2003-02-27.

Integrated circuit generator using a provider

Номер патента: US20240211665A1. Автор: Henry Cook,Megan Wachs,Jack Koenig. Владелец: SiFive Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Integrated circuit device having optically coupled layers

Номер патента: WO2007002449A1. Автор: Raymond G. Beausoleil,Sean M. Spillane. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2007-01-04.

Method for adjusting signal of display panel, time controller integrated circuit, display panel, and storage medium

Номер патента: US20240233663A9. Автор: Yu Quan,Liu He,Jun Wang,Qing Li,Kun Yang,Yanting Huang,Jiantao Liu,Liugang Zhou,Changcheng Liu,Bingbing Yan,Jianwei Sun,Yunyun LIANG,Yunlu CHEN,Zhengru PAN. Владелец: Hefei BOE Display Lighting Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for adjusting signal of display panel, time controller integrated circuit, display panel, and storage medium

Номер патента: US20240135892A1. Автор: Yu Quan,Liu He,Jun Wang,Qing Li,Kun Yang,Yanting Huang,Jiantao Liu,Liugang Zhou,Changcheng Liu,Bingbing Yan,Jianwei Sun,Yunyun LIANG,Yunlu CHEN,Zhengru PAN. Владелец: Hefei BOE Display Lighting Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Management method for information of universal integrated circuit card and device thereof

Номер патента: EP2538374A4. Автор: Heyong WANG. Владелец: Huawei Device Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-16.

System for and method of checking joule heating of an integrated circuit design

Номер патента: US09619599B2. Автор: Wen-Hao Chen,Ming-Hsien Lin,Chi-Yeh Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Path margin monitor integration with integrated circuit

Номер патента: US20230324949A1. Автор: Firooz Massoudi. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Liquid ejecting apparatus, drive circuit, and integrated circuit

Номер патента: US20200406609A1. Автор: Tomokazu Yamada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2020-12-31.

Detecting Thermal Interface Material ('TIM') Between A Heat Sink And An Integrated Circuit

Номер патента: US20130301671A1. Автор: William M. Megarity,Gregory D. Sellman,Luke D. Remis. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-14.

Path margin monitor integration with integrated circuit

Номер патента: WO2023200533A1. Автор: Firooz Massoudi. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2023-10-19.

Path margin monitor integration with integrated circuit

Номер патента: US11983032B2. Автор: Firooz Massoudi. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Integrated circuit board with JTAG functions

Номер патента: US7979762B2. Автор: Masayuki Furuta,Satoshi Esaka,Masataka Kushigemachi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2011-07-12.

Integrated circuit board with JTAG functions

Номер патента: US20090307547A1. Автор: Masayuki Furuta,Satoshi Esaka,Masataka Kushigemachi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-12-10.

Ate testing system and method for millimetre wave packaged integrated circuits

Номер патента: US20180259574A1. Автор: Abdellatif Zanati,Holger Mahnke. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2018-09-13.

Non-contact tester for integrated circuits

Номер патента: CA2404183C. Автор: Steven Harold Slupsky. Владелец: Scanimetrics Inc. Дата публикации: 2008-09-02.

Testing integrated circuit using an A/D converter built in a semiconductor chip

Номер патента: US5436558A. Автор: Kazuyuki Uchida,Kouji Saitoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1995-07-25.

Adjustable delay circuit for setting the speed grade of a semiconductor device

Номер патента: US5930182A. Автор: Terry R. Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-07-27.

Integrated circuit structure and memory structure

Номер патента: US20230282271A1. Автор: Lingling CAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Optical fiber mounts for printed circuit boards and integrated circuit device packages

Номер патента: US20240345324A1. Автор: Kristof Darmawikarta,Sandeep Gaan,Benjamin DUONG,Marcel SAID,Soham Agarwal. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

An integrated circuit for testing using a high-speed input/output interface

Номер патента: EP2721427A1. Автор: George Alan Wiley,Michael Laisne,Geoffrey Shippee,Baris ARSLAN. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2014-04-23.

Method of attaching printhead integrated circuits to an ink manifold using adhesive film

Номер патента: US20090229744A1. Автор: Kia Silverbrook,Susan Williams,Paul Andrew Papworth,Sarkis Minas Keshishian. Владелец: SILVERBROOK RESEARCH PTY LTD. Дата публикации: 2009-09-17.

An integrated circuit for testing using a high-speed input/output interface

Номер патента: WO2012174281A1. Автор: George Alan Wiley,Michael Laisne,Geoffrey Shippee,Baris ARSLAN. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2012-12-20.

Rfid integrated circuit

Номер патента: US20180300595A1. Автор: Roland Brandl,Thomas Fina. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2018-10-18.

Timing failure remedying apparatus for an integrated circuit, timing failure diagnosing apparatus for an integrated circuit, timing failure diagnosing method for an integrated circuit, integrated circuit, computer readable recording medium recorded thereon a timing failure diagnosing program for an integrated circuit, and computer readable recording medium recorded thereon a timing failure remedying program for an integrated circuit

Номер патента: US7603600B2. Автор: Yoshihiko Satsukawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-10-13.

Integrated circuit operation adjustment using redundant elements

Номер патента: US20190278741A1. Автор: William Paul Hovis,Garrett Douglas Blankenburg,Robert James Ray,Andres Felipe Hernandez,Peter A. Atkinson. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2019-09-12.

Artificial neural network comprising a three-dimensional integrated circuit

Номер патента: WO2023196001A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Mark REITEN. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2023-10-12.

Artificial neural network comprising a three-dimensional integrated circuit

Номер патента: US20230325645A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Mark REITEN. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Scan-mode indication technique for an integrated circuit

Номер патента: US20050050417A1. Автор: Gautham Kamath. Владелец: Cirrus Logic Inc. Дата публикации: 2005-03-03.

Method of detecting an integrated circuit in failure among integrated circuits, apparatus of doing the same, and recording medium storing program for doing the same

Номер патента: US20030182073A1. Автор: Kazuhiro Sakaguchi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-09-25.

Channel less floor-planning in integrated circuits

Номер патента: WO2022093412A1. Автор: Madan Krishnappa,Venugopal Sanaka,Vinod Kumar Lakshmipathi,Babu Suriamoorthy,Pavan Kumar Patibanda. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-05-05.

Channel less floor-planning in integrated circuits

Номер патента: EP4232936A1. Автор: Madan Krishnappa,Venugopal Sanaka,Vinod Kumar Lakshmipathi,Babu Suriamoorthy,Pavan Kumar Patibanda. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-08-30.

Method of restoring encapsulated integrated circuit devices

Номер патента: EP1613970A4. Автор: Timothy Calvin Visser,Gary Michael Uhl. Владелец: Smiths Aerospace LLC. Дата публикации: 2006-12-13.

Method and Apparatus for Performing Stress Modeling of Integrated Circuit Material Undergoing Material Conversion

Номер патента: US20100274376A1. Автор: Victor Moroz,Xiaopeng Xu. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2010-10-28.

Method of restoring encapsulated integrated circuit devices

Номер патента: WO2004097893A3. Автор: Timothy Calvin Visser,Gary Michael Uhl. Владелец: Gary Michael Uhl. Дата публикации: 2005-04-28.

Method of restoring encapsulated integrated circuit devices

Номер патента: WO2004097893A2. Автор: Timothy Calvin Visser,Gary Michael Uhl. Владелец: Smiths Aerospace, Inc.. Дата публикации: 2004-11-11.

Method of restoring encapsulated integrated circuit devices

Номер патента: EP1613970A2. Автор: Timothy Calvin Visser,Gary Michael Uhl. Владелец: Smiths Aerospace LLC. Дата публикации: 2006-01-11.

Systems and methods for generating a multiple patterning lithography compliant integrated circuit layout

Номер патента: US09996657B2. Автор: Sheng-Hsiung Chen,Fong-Yuan Chang,Chun-Chen Chen,Shao-Huan Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Integrated circuit system having decoupled logical and physical interfaces

Номер патента: US20140365733A1. Автор: Bartholomew Blaner,William J. Starke,Charles Marino,Michael S. Siegel,Jeff A. Stuecheli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-12-11.

Dynamically reprogrammable topologically unique integrated circuit identification

Номер патента: US12001362B2. Автор: David Skoglund,Shahriar SHAHRAMIAN. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2024-06-04.

Liquid crystal display driving circuit and liquid crystal display having parallel resonant circuit for reduced power consumption

Номер патента: US6124839A. Автор: Yuzo Usui. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2000-09-26.

Power management apparatus collocated on the same integrated circuit as the functional unit that it manages

Номер патента: US5504909A. Автор: Ehud Pardo,Larry D. Webster. Владелец: Electronics Products Co. Дата публикации: 1996-04-02.

Characterization of spatial correlation in integrated circuit development

Номер патента: US20200257769A1. Автор: Ning Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-08-13.

Integrated circuit design verification with signal forcing

Номер патента: WO2023158531A1. Автор: Adam Moshe IZRAELEVITZ,Albert Pengju CHEN. Владелец: SiFive, Inc.. Дата публикации: 2023-08-24.

Detection of strain direction in an integrated circuit

Номер патента: US20200200618A1. Автор: Steven Bartling,Ralf Peter Brederlow. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-06-25.

System for optimizing buffers in integrated circuit design timing fixes

Номер патента: US20040261046A1. Автор: Umesh Nair. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2004-12-23.

System and method for authenticating an integrated circuit using a diamond-based read-only memory

Номер патента: US20240126865A1. Автор: Omar Besim Hakim. Владелец: Ellansalabs Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Optically coupled integrated circuit layers

Номер патента: EP1889107A2. Автор: Shih-Yuan Wang. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2008-02-20.

System and method authenticating an integrated circuit using a diamond-based read-only memory

Номер патента: WO2024129847A1. Автор: Omar Besim Hakim. Владелец: EllansaLabs Inc.. Дата публикации: 2024-06-20.

Integrated circuit, memory module, method of operating an integrated circuit, method of manufacturing an integrated circuit, and computer program

Номер патента: DE102007032784A1. Автор: Heinz Hönigschmid,Michael Dr. Kund,Bernhard Dr. Ruf. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-10-23.

Compiler that generates configuration information for configuring an integrated circuit to mitigate inductive-induced voltage droop

Номер патента: US20240085966A1. Автор: Gregory Frederick Grohoski,Darshan Gandhi,Raghu Prabhakar,Manish K. Shah,Youngmoon Choi,Jinuk Shin. Владелец: SambaNova Systems Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Generating a layout for an integrated circuit

Номер патента: US20180189437A1. Автор: Michael Koch,Matthias Ringe,Andreas H.A. Arp. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-05.

Retroreflective integrated circuit sealed product

Номер патента: MY141672A. Автор: Ikuo Mimura. Владелец: Nippon Carbide Kogyo Kk. Дата публикации: 2010-05-31.

Method for analyzing the design of an integrated circuit

Номер патента: US20080147373A1. Автор: Thomas Roessler,Markus Hofsaess. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-06-19.

Integrated circuit enclosed retroreflective product

Номер патента: CA2455305C. Автор: Ikuo Mimura. Владелец: Nippon Carbide Industries Co Inc. Дата публикации: 2013-02-19.

Programmable configuration integrated circuit

Номер патента: EP1536345A3. Автор: Albert Sun,Eric Sheu,Shih-Liang Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-01-02.

Photonics integrated circuit device packaging

Номер патента: US20240027706A1. Автор: David Shia,Pooya Tadayon,Tarek A. Ibrahim,Eric J. M. Moret,Nicholas D. Psaila,Russell Childs. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Improved photonics integrated circuit device packaging

Номер патента: EP4310563A1. Автор: Tarek Ibrahim,Pooya Tadayon,Eric Moret,Nicholas PSAILA,Russell Childs,Eric Shia. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-24.

System and method for self-test of integrated circuits

Номер патента: US20080172585A1. Автор: William Milton Hurley. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-17.

Monitor, integrated circuit and method for monitoring an integrated circuit

Номер патента: US20170031795A1. Автор: Alistair Paul ROBERSTON,Andrew Edward BIRNIE,Thomas Henry Luedeke. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-02-02.

Circuit And Method For Monolithic Stacked Integrated Circuit Testing

Номер патента: US20150077147A1. Автор: Goel Sandeep Kumar. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-19.

INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD OF FORMING AN INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20180075182A1. Автор: Zhuang Hui-Zhong,TIEN Li-Chun,LU Lee-Chung,CHIANG Ting-Wei,CHEN Shun Li. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-15.

Circuit and Method for Monolithic Stacked Integrated Circuit Testing

Номер патента: US20150082108A1. Автор: Goel Sandeep Kumar. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-19.

INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD OF OPERATING AN INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20160084903A1. Автор: Cohen Ilan,Melamed-Kohen Eyal,Sde-Paz Shlomi. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2016-03-24.

Circuit And Method For Monolithic Stacked Integrated Circuit Testing

Номер патента: US20150095729A1. Автор: Sandeep Kumar Goel,Ashok Mehta. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-04-02.

Built-In-Self-Test Circuits And Methods In Sectors Of Integrated Circuits

Номер патента: US20220277799A1. Автор: Khor Kok Wah. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2022-09-01.

SYSTEMS ON CHIPS, INTEGRATED CIRCUITS, AND OPERATING METHODS OF THE INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20200218604A1. Автор: CHO Myung-chul,Lee Suh-ho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-07-09.

Circuit And Method For Monolithic Stacked Integrated Circuit Testing

Номер патента: US20150355277A1. Автор: Sandeep Kumar Goel,Ashok Mehta. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-12-10.

METHOD FOR DESIGNING AN INTEGRATED CIRCUIT, AND METHOD OF MANUFACTURING THE INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20180336307A1. Автор: Kim Min-Su,LEE Yong-Seok,SHIN HAN-SHIN. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-22.

Display apparatus, method of driving display apparatus, drive-use integrated circuit, driving method employed by drive-use integrated circuit, and signal processing method

Номер патента: CN101630498A. Автор: 境川亮. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-01-20.

PROCEDURE FOR THE TESTING OF BEARING PROVIDED WITH A MULTIPLE DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT, BEARING PROVIDED WITH A SADANA CIRCUIT, INTEGRATED CIRCUIT LIGHT FOR INSTALLATION ON SUCH BEARER AND TESTING DEVICE FOR TESTING THE SAD

Номер патента: SE8603749L. Автор: W A Sauerwald,Wilde J De,Eerdewijk K J E Van,F P M Deenker,M T M Segers. Владелец: Philips Nv. Дата публикации: 1987-03-12.

Driving Integrated Circuit and Display Apparatus comprising Driving Integrated Circuit

Номер патента: KR101765656B1. Автор: 주승용. Владелец: 삼성디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2017-08-08.

INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD FOR CHECKING AN INTEGRATED CIRCUIT WITH MULTIPLE TROUBLESHOOTING

Номер патента: DE602004016579D1. Автор: Yossi Amon,Dimitri Akselrod,Eyal Segev. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2008-10-23.

Improved integrated circuit and method of using the integrated circuit

Номер патента: JP4015811B2. Автор: ユゴン，ミシエル. Владелец: セー・ペー・８・テクノロジーズ. Дата публикации: 2007-11-28.

Integrated circuit and method of making an integrated circuit

Номер патента: EP1221655A2. Автор: Albrecht Mayer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-07-10.

Integrated circuit and method for operating an integrated circuit

Номер патента: US7167388B2. Автор: Holger Sedlak,Thomas Kunemund. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-01-23.

Integrated circuit and method for diagnosing an integrated circuit

Номер патента: US20220018899A1. Автор: Philippe Sirito-Olivier,Etienne Auvray,Tommaso Melis. Владелец: STMicroelectronics Alps SAS. Дата публикации: 2022-01-20.

Integrated circuit and method for operating an integrated circuit

Номер патента: US20040252550A1. Автор: Holger Sedlak,Thomas Kunemund. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-12-16.

Operation control circuit and operation control method for integrated circuit memory device

Номер патента: JP3648070B2. Автор: 張泰星,李聖根. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-05-18.

Split circuit and split device for splitting integrated circuit device

Номер патента: KR101551201B1. Автор: 신순철,유정현. Владелец: 주식회사 에이디텍. Дата публикации: 2015-09-09.

A kind of encryption method of single-chip microcomputer integrated circuit, circuit and device

Номер патента: CN104272312B. Автор: 韩性峰,郑玮琨. Владелец: SHENZHEN HIGFENG TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Integrated Circuit and Method of Operating an Integrated Circuit

Номер патента: US20090296449A1. Автор: Till Schloesser,Stefan Slesazeck,Ulrike Gruening Von Schwerin. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-12-03.

The method of integrated design circuit, and the method for manufacture integrated circuit

Номер патента: CN108959693A. Автор: 李勇锡,申韩臣,金玟树. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-12-07.

Test assembly for integrated circuits - has test head in form of integrated circuit with test points aligned esp. as mirror image with points on circuit being tested

Номер патента: DE3705714A1. Автор: Robert Dipl Ing Faul. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 1988-09-01.

Integrated circuit and method for operating an integrated circuit

Номер патента: DE10323863A1. Автор: Thomas Dr. Künemund,Holger Dr. Sedlak. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-12-23.

Integrated circuit, method of reading data from an integrated circuit memory device, method of writing data to an integrated circuit memory device, memory module, and computer program

Номер патента: DE102007019825A1. Автор: Jan Keller. Владелец: Altis Semiconductor SNC. Дата публикации: 2008-08-28.

Integrated circuit and method to operate an integrated circuit

Номер патента: US7813169B2. Автор: Andreas Kux,Detlev Richter. Владелец: Qimonda Flash GmbH. Дата публикации: 2010-10-12.

Integrated circuit and method for operating an integrated circuit

Номер патента: DE102008007685B4. Автор: Detlev Richter,Andreas Dr. Kux. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2010-01-21.

Idle phase prediction for integrated circuits

Номер патента: EP2936274A1. Автор: Michael J. Schulte,Yasuko ECKERT,Srilatha Manne,William L. Bircher,Mahdu S.S. Govindan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2015-10-28.

Simultaneous core testing in multi-core integrated circuits

Номер патента: EP1872146A1. Автор: Ting-Yu Kuo,Dwight K. Elvey. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2008-01-02.

Simultaneous core testing in multi-core integrated circuits

Номер патента: WO2006102325A1. Автор: Ting-Yu Kuo,Dwight K. Elvey. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2006-09-28.

Integrated circuit and method for bringing an integrated circuit to execute instructions

Номер патента: SE9801671D0. Автор: Jan Bengtsson,Kenny Ranerup,Per Zander. Владелец: AXIS AB. Дата публикации: 1998-05-13.

Integrated circuit chip device

Номер патента: EP3783477A1. Автор: Yao Zhang,Shaoli Liu,Bingrui WANG,Shuai Hu,Xinkai SONG. Владелец: Cambricon Technologies Corp Ltd. Дата публикации: 2021-02-24.

Integrated circuit chip device

Номер патента: EP3789871A1. Автор: Yao Zhang,Shaoli Liu,Bingrui WANG,Shuai Hu,Xinkai SONG. Владелец: Cambricon Technologies Corp Ltd. Дата публикации: 2021-03-10.

Integrated circuit chip device

Номер патента: US20200311531A1. Автор: Yao Zhang,Shaoli Liu,Bingrui WANG,Shuai Hu,Xinkai SONG. Владелец: Cambricon Technologies Corp Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Integrated circuit chip device

Номер патента: EP3719712A1. Автор: Yao Zhang,Shaoli Liu,Bingrui WANG,Shuai Hu,Xinkai SONG. Владелец: Cambricon Technologies Corp Ltd. Дата публикации: 2020-10-07.

Test structure embedded in a shipping and handlingcover for integrated circuit sockets and method f or testing integrated circuit sockets and circuit assemblies utilizing same.

Номер патента: SG116567A1. Автор: Kenneth P Parker. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2005-11-28.

Integrated circuit design, contextual cells, design migration, and associated methods

Номер патента: US20240028809A1. Автор: Thomas G. Wolf,Kent F. Smith,Thomas L. Wolf,Alec S. Adair,Stuart T. Anderson,Kyler C. Fillerup,Tracy L. Johancsik. Владелец: Silicon Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

METHODS AND APPARATUSES INCLUDING ONE OR MORE INTERRUPTED INTEGRATED CIRCUIT OPERATIONS FOR CHARACTERIZING RADIATION EFFECTS IN INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20170103818A1. Автор: Kay Matthew,Ingalls James David,Gadlage Matthew,Duncan Adam,Roach Austin H.. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-13.

ELECTRONIC CONTROL UNIT HAVING INTEGRATED CIRCUIT ELEMENT AND STANDALONE TEST UNIT FOR INTEGRATED CIRCUIT ELEMENT

Номер патента: US20140365839A1. Автор: IWAGAMI Yuki,TANAKA Susumu. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2014-12-11.

IDENTIFICATION METHOD OF AN INTEGRATED CIRCUIT CHIP AND IDENTFICATION SYSTEM OF AN INTEGRATED CIRCUIT CHIP

Номер патента: US20210365651A1. Автор: Lin Kai-Hung,Yu Chi-Chung,LOU Tien-Hung. Владелец: . Дата публикации: 2021-11-25.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND SIGNAL PROCESSING METHOD IN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20150347346A1. Автор: LEE JOON-HO. Владелец: SAMSUNG SDS CO., LTD.. Дата публикации: 2015-12-03.

INTEGRATED CIRCUIT PROCESSOR AND METHOD OF OPERATING A INTEGRATED CIRCUIT PROCESSOR

Номер патента: US20150370568A1. Автор: Robertson Alistair,SCOTTT JEFFREY W.. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2015-12-24.

Diagnostic system, integrated circuit design layout and method for physical integrated circuit implementation

Номер патента: CN106897477B. Автор: 张简维平,郑宏正,林佩莹,徐欣吴. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-19.

Integrated circuits, memory device, method of producing an integrated circuit, method of producing a memory device, memory module

Номер патента: US20070187744A1. Автор: Franz Kreupl. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-08-16.

Circuit and method for controlling a clock synchronizing circuit for low power refresh operation

Номер патента: US20050078539A1. Автор: Aaron Schoenfeld,Ross Dermott. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-04-14.

Pixels and reference circuits and timing techniques

Номер патента: US10657895B2. Автор: Gholamreza Chaji,Yaser Azizi,Arash Moradi,Hongxin Liu. Владелец: Ignis Innovation Inc. Дата публикации: 2020-05-19.

CIRCUIT AND METHOD FOR PREVENTING SCREEN FLICKERING, DRIVE CIRCUIT FOR DISPLAY PANEL, AND DISPLAY APPARATUS

Номер патента: US20210256927A1. Автор: Ma Jing,ZHAO Peng,Liu Rongcheng,WANG Huiming,KONG Chao,Lu Siying,YANG Xiuqin. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-19.

Circuit and method for controlling a clock synchronizing circuit for low power refresh operation

Номер патента: US7106646B2. Автор: Aaron M. Schoenfeld,Ross E. Dermott. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-09-12.

Circuit and method for controlling a clock synchronizing circuit for low power refresh operation

Номер патента: EP1671357A2. Автор: Aaron M. Schoenfeld,Ross E. Dermott. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-06-21.

Current detection circuit and the waste gas and recycles control circuit for having the current detection circuit

Номер патента: CN110231506A. Автор: 骆明星. Владелец: Hitachi Automotive Systems Suzhou Ltd. Дата публикации: 2019-09-13.

Testing circuit for semiconductor integrated circuit and testing method using the same

Номер патента: US10083759B2. Автор: Hiroyuki Nakamura. Владелец: MegaChips Corp. Дата публикации: 2018-09-25.

Semiconductor integrated circuit and memory checking method

Номер патента: US20080253208A1. Автор: Hiroyuki Sekiguchi,Ryoji Shiota,Tokushi Yamaguchi,Mitsuya Nakano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-10-16.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20010046156A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Masayuki Miyazaki,Goichi Ono. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2001-11-29.

Semiconductor integrated circuit having compression circuitry for compressing test data, and the test system and method for utilizing the semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030110428A1. Автор: Kim Pierce,Roland Ochoa,Gregory Cowan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-12.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020176292A1. Автор: Kozaburo Kurita,Shuichi Miyaoka,Masatoshi Hasegawa,Hiroshi Akasaki,Yuji Yokoyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-11-28.

Semiconductor integrated circuit and power supply control system provided with a plurality of semiconductor integrated circuits

Номер патента: US9880572B2. Автор: Yoshinori Okajima,Kazuhisa Tanaka,Takahiro Ichinomiya,Masayuki Taniyama,Takeshi Yado,Hidemi HARAYAMA. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Designing method of semiconductor integrated circuit using library storing mask pattern of macro circuit and designing apparatus executing the same

Номер патента: US20010016934A1. Автор: Kouichi Kumagai. Владелец: Praxair Technology Inc. Дата публикации: 2001-08-23.

Semiconductor integrated circuit and power supply control system provided with a plurality of semiconductor integrated circuits

Номер патента: US09880572B2. Автор: Yoshinori Okajima,Kazuhisa Tanaka,Takahiro Ichinomiya,Masayuki Taniyama,Takeshi Yado,Hidemi HARAYAMA. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor integrated circuit for regulator

Номер патента: US09606556B2. Автор: Yoichi Takano,Katsuhiro Yokoyama. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Method for supplying reference potential to sense amplifier circuit in semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit, semiconductor device equipped with many of the semiconductor integrated circuits, and electronic apparatus using the simconductor device

Номер патента: US20020015324A1. Автор: Akira Maruyama. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-02-07.

Semiconductor integrated circuit and electronic device

Номер патента: US20240329680A1. Автор: Takayuki Iwai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor cell for photomask data verification and semiconductor chip

Номер патента: US20090193386A1. Автор: Takayasu Hirai. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-30.

Linear regulator and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20200341499A1. Автор: Makoto Yasusaka,Kotaro Iwata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-10-29.

Failure prediction circuit and method, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7908538B2. Автор: Masayuki Mizuno,Koichi Nose,Toru Nakura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2011-03-15.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030053363A1. Автор: Osamu Wada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-20.

Optical disc recording and reproducing semiconductor integrated circuit and operating method thereof

Номер патента: US20120236699A1. Автор: Tomokazu Yokoyama,Misuzu Mochizuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-09-20.

Semiconductor integrated circuit, and semiconductor system including that semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7343547B2. Автор: Hisato Yoshida,Kimihiko Aiba,Yoichiro Mae. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-11.

Semiconductor integrated circuit device having various blocks specifically arranged on a single semiconductor substrate for high speed operation

Номер патента: US5321664A. Автор: Kazuhiro Akimoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1994-06-14.

Semiconductor integrated circuit, and semiconductor system including that semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060282721A1. Автор: Hisato Yoshida,Kimihiko Aiba,Yoichiro Mae. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-12-14.

Semiconductor integrated circuit and IC card

Номер патента: US20060164906A1. Автор: Toshio Yamada,Takeo Kanai,Yoshio Takazawa,Minoru Katoh,Toshihiro Araki,Shinichi Ozawa,Koudou Yamauchi. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2006-07-27.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20140122950A1. Автор: Naoki Ito,Yuuki Asada. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2014-05-01.

Semiconductor integrated circuit device and IC card using the same

Номер патента: US8301915B2. Автор: Kazuki Watanabe,Nobuaki Yoneya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-10-30.

Semiconductor integrated circuit and method of fabricating the same

Номер патента: US20070089014A1. Автор: Yoko Shimada,Katsuya Fujimura,Kenichiro Uda,Takashi Ishimura,Kasumi Hamaguchi,Kenichirou Higashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-04-19.

Semiconductor integrated circuit device and display apparatus

Номер патента: US20090153534A1. Автор: Yasuhiro Ogata,Yasuyuki Yokota. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-06-18.

Apparatus for measuring voltage fluctuation waveform in semiconductor integrated circuit, and semiconductor integrated circuit having function for measuring voltage fluctuation waveform

Номер патента: US20040212387A1. Автор: Keisuke Muraya,Yoshitomo Ozeki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-10-28.

Semiconductor integrated circuit and data output method

Номер патента: US20070140021A1. Автор: Kouji Tsunetou. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-06-21.

Semiconductor integrated circuit and unstable bit detection method for the same

Номер патента: US20090168539A1. Автор: Tomonori Hayashi. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-07-02.

Semiconductor integrated circuit and method of testing semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20210063484A1. Автор: Yuki Watanabe,Masato Nakazato,Shohei Morishima. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor integrated circuit having enhanced acquisition of external signal

Номер патента: US20020036946A1. Автор: Yoshiyuki Ishida,Hiroyuki Sugamoto,Yasushige Ogawa,Satoshi Takashima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-03-28.

Semiconductor integrated circuit including command decoder for receiving control signals

Номер патента: US20030160645A1. Автор: Shinichi Yamada,Satoshi Eto,Satoru Saitoh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-28.

Method for controlling re-writing operation for memory cell in semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit, semiconductor device equpped with many of the semiconductor integrated circuits, and electronic apparatus using the semiconductor device

Номер патента: US20020015325A1. Автор: Akira Maruyama. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-02-07.

Chip size estimating apparatus for semiconductor integrated circuit and chip size estimating method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20120297350A1. Автор: Yuji Yamamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-11-22.

Semiconductor integrated circuit and power supply control method therefor

Номер патента: US20160077563A1. Автор: Noboru Sakimura,Ayuka Tada,Ryusuke Nebashi,Yukihide Tsuji. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Packaging design supporting device and packaging design supporting method for semiconductor integrated circuit and recording medium

Номер патента: US8341583B2. Автор: Noriyuki Ito. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-12-25.

Semiconductor integrated circuit and method for controlling power supply in semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20160109924A1. Автор: Yoshihisa Nomura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-04-21.

Delay diagnosis method for semiconductor integrated circuit, computer program product for diagnosing delay of semiconductor integrated circuit and computer readable recording medium recording program thereon

Номер патента: US20030226126A1. Автор: Yoshihiro Iwai,Hirotake Tokuyama,Tatsuki Ishii,Kenji Shigeoka. Владелец: Hitachi Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-04.

Circuit for efficiently testing memory and shadow logic of a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6263461B1. Автор: Ajay Khoche,Amitava Majumdar,Timothy Ayres. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2001-07-17.

Semiconductor integrated circuit for low and high voltage operations

Номер патента: US20120087180A1. Автор: Krishnakumar Mani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-04-12.

Semiconductor integrated circuit apparatus and circuit board and information readout method

Номер патента: US20040174753A1. Автор: Takahito Nakano,Hiroyuki Kiba,Satoshi Akui. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-09-09.

Semiconductor integrated circuit and method for controlling power supply in semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09519336B2. Автор: Yoshihisa Nomura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor integrated circuit and test system for testing the same

Номер патента: US7222279B2. Автор: Masaaki Tanimura. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-05-22.

Probe card for testing semiconductor integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US20010015650A1. Автор: Masahiro Tanaka,Yoshihiro Kashiba,Shigeki Maekawa,Yoshinori Deguchi,Megumi Takemoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-08-23.

Method and program for generating layout data of a semiconductor integrated circuit and method for manufacturing a semiconductor integrated circuit with optical proximity correction

Номер патента: US20060184908A1. Автор: Fumihiro Minami,Toshiya Kotani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-17.

Method for designing semiconductor integrated circuit and program

Номер патента: US20150067630A1. Автор: Hiroaki Fujimoto,Jason Anderson,Hirotaka Tamura,Safeen Huda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-03-05.

Semiconductor integrated circuit and design method and manufacturing method of the same

Номер патента: US20010044918A1. Автор: Masayuki Sato,Kunio Uchiyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2001-11-22.

Design method of semiconductor integrated circuit and computer readable medium

Номер патента: US20120047480A1. Автор: Hiroaki Yamaoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-02-23.

Semiconductor integrated circuit device, redundancy system, and redundancy method thereof

Номер патента: US20090072886A1. Автор: Atsushi Suzuki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-19.

Semiconductor integrated circuit and method for testing the same

Номер патента: US20090164860A1. Автор: Sadami Takeoka,Takashi Ishimura. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-06-25.

Semiconductor integrated circuit and method for testing the same

Номер патента: US20060174176A1. Автор: Sadami Takeoka,Takashi Ishimura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-03.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100034040A1. Автор: Hiroshi Furuta,Kenjyu Shimogawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-02-11.

Semiconductor integrated circuit and source voltage/substrate bias control circuit

Номер патента: US7551019B2. Автор: Tetsuya Fujita,Hiroyuki Hara,Mototsugu Hamada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-06-23.

Security circuit and security cancellation method

Номер патента: US20060196934A1. Автор: Takeaki Moto,Kosei Fujisaka. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-07.

Semiconductor integrated circuit and method of designing the same

Номер патента: US20010009381A1. Автор: Hiroshi Yamamoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-07-26.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US12119076B2. Автор: Takayuki Miyazaki,Yuki Ishizaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Circuit of measuring leakage current in a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09632126B2. Автор: Kun-Yong Yoon,Jae-Jin Park,Ji-Hwan Hyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20050117445A1. Автор: Kenji Yamamoto. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-06-02.

Semiconductor integrated circuit and a method of testing the same

Номер патента: US20070288817A1. Автор: Toshihiro Tanaka,Yutaka Shinagawa,Isao Nakamura,Masahiko Kimura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-12-13.

Semiconductor integrated circuit device, data processing system and memory system

Номер патента: US20070253277A1. Автор: Yuichi Okuda. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-11-01.

Semiconductor integrated circuit and compiler

Номер патента: US9348588B2. Автор: Hiroshi Okano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-05-24.

Semiconductor integrated circuit and a method of testing the same

Номер патента: US20060123299A1. Автор: Toshihiro Tanaka,Yutaka Shinagawa,Isao Nakamura,Masahiko Kimura. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-08.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20090102287A1. Автор: Hidenari Nakashima. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-04-23.

Semiconductor device and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US11860657B2. Автор: Shuichi Takada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070067699A1. Автор: Mitsuhiro Koga,Hiroshi Shinya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-22.

Semiconductor device and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09837162B2. Автор: Takafumi Noguchi,Atsuo Yoneyama,Masayuki KAWAE. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor integrated circuit and contactless type information system including the same

Номер патента: EP1742172A4. Автор: Tatsumi Sumi,George Nakane. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-07-15.

Touch panel control circuit and semiconductor integrated circuit using the same

Номер патента: US09811219B2. Автор: Takayuki Noto. Владелец: Synaptics Japan GK. Дата публикации: 2017-11-07.

Touch panel control circuit and semiconductor integrated circuit using the same

Номер патента: US09437169B2. Автор: Takayuki Noto,Akihito Akai. Владелец: Synpatics Japan Gk. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor integrated circuit with voltage drop detector

Номер патента: US20080068045A1. Автор: Yasuhiro Tokunaga. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-20.

Semiconductor integrated circuit apparatus

Номер патента: US20070214336A1. Автор: Hidekichi Shimura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-13.

Duty analysis system for a semiconductor integrated circuit and duty analysis method of the same

Номер патента: US20030126568A1. Автор: Hideaki Murakami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-07-03.

Semiconductor integrated circuit device and debugger device for the same

Номер патента: US20040019826A1. Автор: Tsutomu Mikami,Atsushi Ubukata,Motohide Nishibata,Takio Yamashita,Kouichirou Miyawaki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-01-29.

Semiconductor integrated circuit and method of controlling power supply

Номер патента: US09645623B2. Автор: Satoshi Matsubara. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor integrated device and control method thereof

Номер патента: EP2302484A3. Автор: Takao Kondo,Atsushi Takahashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-12-07.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20080183416A1. Автор: Toshihiko Matsuoka. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2008-07-31.

Semiconductor integrated circuit with a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20200251174A1. Автор: Yoshihiro Yamaguchi,Ryouta Niwa,Katsumichi Katou,Nobuyuki Ishigooka,Masaki Sekimizu. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2020-08-06.

Semiconductor integrated circuit and method of driving the same

Номер патента: US20140185356A1. Автор: Jin-Youp Cha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-07-03.

Semiconductor integrated circuit and information processing apparatus

Номер патента: US12057186B2. Автор: Atsushi Kawasumi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Design method of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060095875A1. Автор: Yasuyoshi Noguchi,Kei Mohara. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-05-04.

Semiconductor integrated circuit and power supply voltage control method

Номер патента: US20210311511A1. Автор: Koji Aoki,Mitsuhiro Inagaki,Eiki AOYAMA. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2021-10-07.

Semiconductor integrated circuit apparatus

Номер патента: US20170262226A1. Автор: Masanao Yamaoka,Chihiro Yoshimura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor integrated circuit including at least one master chip and at least one slave chip

Номер патента: US09773535B2. Автор: Young-Ju Kim,Dong-Uk Lee,Keun-Soo Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH WELL CONTROLLED SURFACE PROXIMITY AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001238A1. Автор: Ouyang Hui,Fan Wei-Han,Tsai Ming-Huan,Cheng Chun-Fai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

GATE ELECTRODE AND GATE CONTACT PLUG LAYOUTS FOR INTEGRATED CIRCUIT FIELD EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: US20120001271A1. Автор: YAMADA Satoru,Chae Kyo-Suk,CHOI Young-Jin,Kim Wook-Je,HAN Sang-Yeon. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD AND SYSTEM FOR ALIGNMENT OF INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20120001340A1. Автор: . Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2012-01-05.

FREQUENCY SPECIFIC CLOSED LOOP FEEDBACK CONTROL OF INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20120001651A1. Автор: Burr James B.,Koniaris Kleanthes G.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Systems and Methods for Minimizing Static Leakage of an Integrated Circuit

Номер патента: US20120001684A1. Автор: Caplan Randy J.,Schwake Steven J.. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Packaging Electronic Devices and Integrated Circuits

Номер патента: US20120003791A1. Автор: . Владелец: WAFER-LEVEL PACKAGING PORTFOLIO LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor integrated circuit device manufacturing method, semiconductor integrated circuit device manufacturing apparatus, program, semiconductor integrated circuit device, and automatic placement instruction method for semiconductor integrated circuit device

Номер патента: JP4826055B2. Автор: 祐吉 小野. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 2011-11-30.

Cell layout, semiconductor integrated circuit device, semiconductor integrated circuit design method, and semiconductor integrated circuit semiconductor manufacturing method

Номер патента: JP4523290B2. Автор: 淳次 市宮. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2010-08-11.

Device and method for designing semiconductor integrated circuit, and medium with semiconductor integrated circuit designing program recorded therein

Номер патента: JP2003216673A. Автор: Tetsuyoshi Shioda,哲義 塩田. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-07-31.

Semiconductor integrated circuit, ink cartridge having this semiconductor integrated circuit, and ink jet recording apparatus equipped with this ink cartridge

Номер патента: JP3582471B2. Автор: 哲男 高木. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-10-27.

VOLTAGE LEVEL SHIFT CIRCUITS AND METHODS

Номер патента: US20120001683A1. Автор: . Владелец: PACIFICTECH MICROELECTRONICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Power control of an integrated circuit memory

Номер патента: US20120002499A1. Автор: Chong Yew Keong,Kinkade Martin Jay,Yeung Gus. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED CIRCUIT WAFER DICING METHOD

Номер патента: US20120003817A1. Автор: Lin Ching-San,Wu Kun-Tai,Wang Chih-Chao. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE, METHOD OF CONTROLLING SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE, AND CACHE DEVICE

Номер патента: US20120166721A1. Автор: Inoue Hiroaki. Владелец: . Дата публикации: 2012-06-28.

Semiconductor integrated circuit design method and semiconductor integrated circuit design program

Номер патента: JP4131119B2. Автор: 卓士 藪田. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-08-13.

INTEGRATED CIRCUIT MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20120110535A1. Автор: Kiyohara Tokuzo,Iwahashi Daisuke,TOJIMA Masayoshi. Владелец: . Дата публикации: 2012-05-03.

TEST CIRCUIT AND METHOD OF SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20120274348A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-11-01.

Test circuit and method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: JP2954096B2. Автор: 剛 ▲高▼梨. Владелец: NIPPON DENKI AISHII MAIKON SHISUTEMU KK. Дата публикации: 1999-09-27.

3d integrated circuit package and method of fabrication thereof

Номер патента: SG172704A1. Автор: Subhash Gupta,Sangki Hong. Владелец: Tezzaron Semiconductor S Pte Ltd. Дата публикации: 2011-07-28.

5V TOLERANT CIRCUIT FOR CML TRANSCEIVER IN AC-COUPLE

Номер патента: US20120001671A1. Автор: LIANG Xu,Kai Lei,Han Bi. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DELAY CIRCUIT AND INVERTER FOR SEMICONDUCTOR INTEGRATED DEVICE

Номер патента: US20120081151A1. Автор: . Владелец: OKI SEMICONDUCTOR CO., LTD.. Дата публикации: 2012-04-05.

Microwave integrated circuit

Номер патента: RU2556271C1. Автор: Юрий Михайлович Богданов,Константин Владимирович Дудинов,Александр Михайлович Темнов. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина (АО "НПП "Исток" им. Шокина"). Дата публикации: 2015-07-10.

Logic Circuit, Integrated Circuit Including The Logic Circuit, And Method Of Operating The Integrated Circuit

Номер патента: US20120212255A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-08-23.

An integrated circuit array structure and method of manufacturing integrated circuit packages

Номер патента: SG122849A1. Автор: Cha Wee Lim,Swee Yong Khim,Fong Kok Chin,Michaeljun Camba. Владелец: Infiniti Solutions Ltd. Дата публикации: 2006-06-29.

SEMICONDUCTOR ELEMENT, MEMORY CIRCUIT, INTEGRATED CIRCUIT, AND DRIVING METHOD OF THE INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20120262995A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-10-18.

Electromechanical Microswitch for Switching an Electrical Signal, Microelectromechanical System, Integrated Circuit, and Method for Producing an Integrated Circuit

Номер патента: US20120280393A1. Автор: . Владелец: IHP GMBH. Дата публикации: 2012-11-08.

Lithium Battery, Method for Manufacturing a Lithium Battery, Integrated Circuit and Method of Manufacturing an Integrated Circuit

Номер патента: US20130128488A1. Автор: Sorger Michael,Schmut Katharina,Sternad Michael,Goller Bernhard,Zieger Guenter,Forster Magdalena,Schweizer Philemon. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2013-05-23.

INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD OF FORMING AN INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20130187159A1. Автор: Helm Torsten,Probst Marc,Rudolph Uwe. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2013-07-25.

Initialization circuit and initialization method of programmable integrated circuit

Номер патента: JPH1168550A. Автор: Takashi Toyoda,Yoshiya Okazaki,祥也 岡崎,高史 豊田. Владелец: Suzuka Fuji Xerox Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 1999-03-09.

Optical integrated circuit and control method of optical integrated circuit

Номер патента: JP6871560B2. Автор: 豊 賣野. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2021-05-12.

Superconducting integrated circuit and method of manufacturing superconducting integrated circuit

Номер патента: JP2994304B2. Автор: 二朗 吉田. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-12-27.

Circuit and method for initializing programmable integrated circuit

Номер патента: JPH1165836A. Автор: Masayuki Tanaka,Yoshiya Okazaki,祥也 岡崎,政行 田中. Владелец: Suzuka Fuji Xerox Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 1999-03-09.

Electrostatic discharge protection circuit and its method for silicon integrated circuit on the insulating layer

Номер патента: TW479343B. Автор: Shiau-Shian Chen,Tian-Hau Tang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-03-11.

METHOD OF GENERATING AN INTELLECTUAL PROPERTY BLOCK DESIGN KIT, METHOD OF GENERATING AN INTEGRATED CIRCUIT DESIGN, AND SIMULATION SYSTEM FOR THE INTEGRATED CIRCUIT DESIGN

Номер патента: US20120131523A1. Автор: Lee Yun-Han,LU Lee-Chung,Chen Wei-Li,Chou Tan-Li,Wang Shi-Hung,TAN Kheng-Guan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-05-24.

INTEGRATED CIRCUIT PACKAGE AND METHOD OF ASSEMBLING AN INTEGRATED CIRCUIT PACKAGE

Номер патента: US20130175709A1. Автор: SINGH Inderjit,Low Shin S.. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2013-07-11.

Switching circuit for RF circuit and high-frequency signal transmission / reception switching circuit for magnetic resonance imaging apparatus, RF coil or RF probe for magnetic resonance imaging apparatus, and magnetic resonance imaging apparatus including the same

Номер патента: JP5064826B2. Автор: 伸一郎 鈴木. Владелец: Hitachi Medical Corp. Дата публикации: 2012-10-31.

CLOCK DIVIDER CIRCUIT AND SYSTEM LSI HAVING SAME

Номер патента: US20120001664A1. Автор: . Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120001696A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Device to remove heat from crystal of semiconductor integrated circuit

Номер патента: RU2440641C1. Автор: Дмитрий Павлович Шматов,Игорь Геннадьевич Дроздов,Валерий Александрович Небольсин,Андрей Юрьевич Савинков,Дмитрий Альбертович Коновалов,Николай Николаевич Кожухов,Сергей Викторович Дахин. Владелец: Закрытое акционерное общество "Кодофон". Дата публикации: 2012-01-20.

Hybrid integrated circuit of shf range

Номер патента: RU2450388C1. Автор: Виктор Анатольевич Иовдальский,Александр Генрихович Далингер,Сергей Владимирович Шацкий. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП "НПП "Исток"). Дата публикации: 2012-05-10.

METHODS AND APPARATUS FOR RADIO FREQUENCY (RF) PLASMA PROCESSING

Номер патента: US20120000888A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.