Power gating circuit and integrated circuit
Номер патента: US09496863B2
Опубликовано: 15-11-2016
Автор(ы): Jae-Han Jeon
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 15-11-2016
Автор(ы): Jae-Han Jeon
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Power management circuit and method for integrated circuit having multiple power domains
Номер патента: US20210004030A1. Автор: Ching-Hsiang Chang,Chun-Hsiang Lai,Chih-Chieh Yao. Владелец: M31 Technology Corp. Дата публикации: 2021-01-07.