Ferroelectric memory arrays with low permittivity dielectric barriers.

Ferroelectric memory arrays with low permittivity dielectric barriers

Номер патента: US20230397428A1
Опубликовано: 07-12-2023
Автор(ы): Giorgio Servalli, Kamal Karda, Marcello Mariani
Принадлежит: Micron Technology Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method of manufacture of ferroelectric memory

Номер патента: US20030203511A1. Автор: Kinya Ashikaga. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-30.

Methods of forming and reading ferroelectric memory cells

Номер патента: US20020064065A1. Автор: Craig Salling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-05-30.

Ferroelectric memory devices having expanded plate lines

Номер патента: US20080025065A1. Автор: Hyun-Ho Kim,Kyu-Mann Lee,Dong-Jin Jung,Ki-nam Kim,Sang-don Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-31.

Ferroelectric memory devices having expanded plate lines

Номер патента: US20050035384A1. Автор: Hyun-Ho Kim,Kyu-Mann Lee,Dong-Jin Jung,Ki-nam Kim,Sang-don Nam. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-02-17.

Memory array and operation method thereof

Номер патента: US12048164B2. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Yu-Ming Lin,Yi-Ching Liu,Sheng-Chih Lai,Ya-Yun Cheng,Chen-Jun Wu,Wen-Ling LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Memory array and operation method thereof

Номер патента: US20240090230A1. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Yu-Ming Lin,Yi-Ching Liu,Sheng-Chih Lai,Ya-Yun Cheng,Chen-Jun Wu,Wen-Ling LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Ferroelectric memory cell with shunted ferroelectric capacitor and method of making same

Номер патента: EP1016088A1. Автор: David A. Kamp. Владелец: CELIS SEMICONDUCTER Corp. Дата публикации: 2000-07-05.

Ferroelectric memory device

Номер патента: US5969979A. Автор: Hiroshige Hirano. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1999-10-19.

Ferroelectric memory device and method of making the same

Номер патента: US20030087480A1. Автор: Hee Kang. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-08.

Integration of ferroelectric memory devices with transistors

Номер патента: US11758738B2. Автор: Ramamoorthy Ramesh,Sasikanth Manipatruni,Gaurav Thareja,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Integration of ferroelectric memory devices having stacked electrodes with transistors

Номер патента: US20240099018A1. Автор: Ramamoorthy Ramesh,Sasikanth Manipatruni,Gaurav Thareja,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Integration of ferroelectric memory devices having stacked electrodes with transistors

Номер патента: US12137574B2. Автор: Ramamoorthy Ramesh,Sasikanth Manipatruni,Gaurav Thareja,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-11-05.

Ferroelectric memories

Номер патента: US20210174855A1. Автор: Po-Chun Yeh,Heng-Yuan Lee,Yu-De Lin,Hsin-Yun YANG. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2021-06-10.

Ferroelectric memory architecture with gap region

Номер патента: US20230397436A1. Автор: Marcello Mariani,Giorgio Servalli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Writing to ferroelectric memory devices

Номер патента: US20050231996A1. Автор: Craig Salling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-10-20.

Nonvolatile ferroelectric memory without a separate cell plate line and method of manufacturing the same

Номер патента: US6118687A. Автор: Hee Bok Kang. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2000-09-12.

Method for efficiently waking up ferroelectric memory

Номер патента: US20240363155A1. Автор: Tzu-Yu Chen,Fu-Chen Chang,Wen-Ting Chu,Kuo-Chi Tu,Sheng-Hung SHIH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Ferroelectric memory device

Номер патента: US9190136B2. Автор: Naoharu Shinozaki,Keizo Morita,Tomohisa Hirayama. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-11-17.

Method for efficiently waking up ferroelectric memory

Номер патента: US12057154B2. Автор: Tzu-Yu Chen,Fu-Chen Chang,Wen-Ting Chu,Kuo-Chi Tu,Sheng-Hung SHIH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Non-volatile ferroelectric memory cells with multilevel operation

Номер патента: EP3143650A1. Автор: Ji Hoon Park,Ihab N. Odeh,Husam N. Alshareef,Mohd A. KHAN. Владелец: SABIC Global Technologies BV. Дата публикации: 2017-03-22.

Non-volatile ferroelectric memory cells with multilevel operation

Номер патента: US20170249983A1. Автор: Ji Hoon Park,Ihab N. Odeh,Husam N. Alshareef,Mohd A. KHAN. Владелец: SABIC Global Technologies BV. Дата публикации: 2017-08-31.

Methods of operating ferroelectric memory cells, and related ferroelectric memory cells and capacitors

Номер патента: US09899072B2. Автор: Matthew N. Rocklein,Steven C. Nicholes,Ashonita A. Chavan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Methods of operating ferroelectric memory cells, and related ferroelectric memory cells and capacitors

Номер патента: US09697881B2. Автор: Matthew N. Rocklein,Steven C. Nicholes,Ashonita A. Chavan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Methods of operating ferroelectric memory cells, and related ferroelectric memory cells

Номер патента: US09460770B1. Автор: Matthew N. Rocklein,Steven C. Nicholes,Ashonita A. Chavan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Non-destructive readout ferroelectric memory as well as method of preparing the same and method of operating the same

Номер патента: US09685216B2. Автор: Jun Jiang,Anquan Jiang,Zilong BAI,Wenping GENG. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-06-20.

System on chip (SOC) with processor and integrated ferroelectric memory

Номер патента: US12125513B2. Автор: Mohamad El-Batal,Darshana H. Mehta,Jon D. Trantham,Praveen Viraraghavan,John W. Dykes,Ian J. Gilbert,Sangita Shreedharan Kalarickal,Matthew J. Totin. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2024-10-22.

Stacked ferroelectric memory devices, methods of manufacturing the same, ferroelectric memory circuits and methods of driving the same

Номер патента: US20070189056A1. Автор: Byoung-Jae Bae,Byung-Gil Jeon,Ki-nam Kim,Heung-jin Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-16.

Techniques to manufacture ferroelectric memory devices

Номер патента: US20230395113A1. Автор: Marcello Mariani,Giorgio Servalli,Agostino Pirovano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Multi-bit ferroelectric memory device and methods of forming the same

Номер патента: US09564576B2. Автор: D. V. Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,F. Daniel Gealy,Chandra V. Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Ferroelectric memory structure

Номер патента: US12101941B2. Автор: Hiroshi Yoshida,Shou-Zen Chang,Ming-Han Liao,Min-Cheng Chen. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Multi-bit ferroelectric memory device and methods of forming the same

Номер патента: US09847123B2. Автор: D. V. Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,F. Daniel Gealy,Chandra V. Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Ferroelectric memory structure with different ferroelectric capacitors

Номер патента: US11800721B2. Автор: Hiroshi Yoshida,Shou-Zen Chang,Ming-Han Liao,Min-Cheng Chen. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

Ferroelectric memory structure

Номер патента: US20230038759A1. Автор: Hiroshi Yoshida,Shou-Zen Chang,Ming-Han Liao,Min-Cheng Chen. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2023-02-09.

Ferroelectric memory and storage device

Номер патента: EP4266312A1. Автор: Yu Zhang,Jeffrey Junhao XU,Yichen FANG,Zhaozhao HOU,Sitong BU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-25.

Three-dimensional ferroelectric memory devices

Номер патента: WO2020034809A1. Автор: Qian Tao,Zhenyu Lu,Feng Pan,Yushi Hu. Владелец: Wuxi Petabyte Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-02-20.

Three-dimensional ferroelectric memory devices

Номер патента: EP3827432A1. Автор: Qian Tao,Zhenyu Lu,Feng Pan,Yushi Hu. Владелец: Wuxi Petabyte Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-02.

Ferroelectric memory and storage device

Номер патента: EP4227999A1. Автор: Yu Zhang,Jeffrey Junhao XU,Ying Wu,Heng Zhang,Yichen FANG,Weiliang JING,Zhaozhao HOU,Sitong BU,Wanliang TAN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-16.

Apparatuses, systems, and methods for ferroelectric memory cell operations

Номер патента: US11763870B2. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Ferroelectric memory devices with reduced edge defects and methods for forming the same

Номер патента: US11839087B2. Автор: Yushi Hu. Владелец: Wuxi Petabyte Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Ferroelectric memory and memory element thereof

Номер патента: US11837270B2. Автор: Toshiyuki Kobayashi,Jun Okuno. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-12-05.

Pulse Generator and Ferroelectric Memory Circuit

Номер патента: US20140169060A1. Автор: David Eric Schwartz. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2014-06-19.

Ferroelectric memory and storage device

Номер патента: US20230276636A1. Автор: Yu Zhang,Jeffrey Junhao XU,Ying Wu,Heng Zhang,Yichen FANG,Weiliang JING,Zhaozhao HOU,Sitong BU,Wanliang TAN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Ferroelectric memories

Номер патента: US20200194443A1. Автор: Po-Chun Yeh,Chih-Yao Wang,Heng-Yuan Lee,Yu-De Lin,Hsin-Yun YANG. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2020-06-18.

Ferroelectric memories

Номер патента: US20210242304A1. Автор: Po-Chun Yeh,Chih-Yao Wang,Heng-Yuan Lee,Yu-De Lin,Hsin-Yun YANG. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2021-08-05.

3d ferroelectric memory cell architectures

Номер патента: US20230200080A1. Автор: Abhishek A. Sharma,Uygar Avci,Wilfred Gomes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Ferroelectric memory and storage device

Номер патента: US20240130139A1. Автор: Yu Zhang,Jeffrey Junhao XU,Yichen FANG,Zhaozhao HOU,Sitong BU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Cross-point memory array with access lines

Номер патента: US12035543B2. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Cross-point memory array with access lines

Номер патента: US20240292632A1. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

NAND memory array with mismatched cell and bitline pitch

Номер патента: US09659952B2. Автор: Zengtao Liu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

3D quilt memory array for FeRAM and DRAM

Номер патента: US11790970B2. Автор: Ferdinando Bedeschi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

A cell array with a manufacturable select gate for a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: WO2015051452A1. Автор: Hyoung Seub Rhie. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc.. Дата публикации: 2015-04-16.

Varying channel width in three-dimensional memory array

Номер патента: EP4101004A1. Автор: Yi Li,Chen Wang,Richard Fastow,Dipanjan Basu,Ebony Lynn Mays,Dimitrios Pavlopoulos,Dimitri Kioussis,Junyen TEWG. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-14.

Cross-point memory array and related fabrication techniques

Номер патента: WO2019209441A1. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-10-31.

3d memory devices and structures with memory arrays and metal layers

Номер патента: US20240324166A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240381638A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-14.

Varying channel width in three-dimensional memory array

Номер патента: US20230033086A1. Автор: Yi Li,Chen Wang,Richard Fastow,Dipanjan Basu,Ebony Lynn Mays,Dimitrios Pavlopoulos,Dimitri Kioussis,Junyen TEWG. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-02-02.

NAND type multi-bit charge storage memory array and methods for operating and fabricating the same

Номер патента: US20070115723A1. Автор: Yin Chen,Chih Yeh,Chun SU,Ming Chin,Tzung Han. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-24.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12082409B2. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Mfms-fet, ferroelectric memory device, and methods of manufacturing the same

Номер патента: WO2009054707A3. Автор: Byung-Eun Park. Владелец: Univ Seoul Ind Coop Found. Дата публикации: 2009-07-23.

Memory cell array having ferroelectric capacitors, method of fabricating the same, and ferroelectric memory device.

Номер патента: US6617627B2. Автор: Eiji Natori,Tatsuya Shimoda,Koichi Oguchi,Kazumasa Hasegawa,Takao Nishikawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-09-09.

Ferroelectric memory device containing a series connected select gate transistor and method of forming the same

Номер патента: US20200411553A1. Автор: Yanli Zhang,Johann Alsmeier. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-12-31.

Three-dimensional memory device containing ferroelectric memory elements encapsulated by transition metal nitride materials and method of making thereof

Номер патента: US20210050371A1. Автор: Fei Zhou,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Seung-Yeul Yang,Adarsh RAJASHEKHAR. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-02-18.

Ferroelectric memory device having fatigue averaging

Номер патента: US5978252A. Автор: Tohru Miwa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-11-02.

Apparatuses and methods including ferroelectric memory and for accessing ferroelectric memory

Номер патента: US20200005853A1. Автор: Christopher J. KAWAMURA,Scott J. Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-02.

Apparatuses and methods including ferroelectric memory and for accessing ferroelectric memory

Номер патента: EP3507806A1. Автор: Christopher J. KAWAMURA,Scott J. Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-07-10.

Three-dimensional ferroelectric memory device and method of making thereof

Номер патента: US9941299B1. Автор: Christopher Petti,Yangyin Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-04-10.

Method of forming an amorphous ferroelectric memory device

Номер патента: US7713754B2. Автор: Robert Bicknell,Timothy Mellander. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2010-05-11.

Dual mode memory array security apparatus, systems and methods

Номер патента: US20190019545A1. Автор: Clive Bittlestone,Joyce Kwong,Chiraag Juvekar,Srinath Ramswamy. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-01-17.

1-bit 3-terminal racetrack array with integrated magnetic tunnel junction (mtj)

Номер патента: WO2023046544A1. Автор: See-Hun Yang,Jaewoo JEONG,Stuart S.P. Parkin,Unghwan PI. Владелец: MAX PLANCK GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER WISSENSCHAFTEN EV. Дата публикации: 2023-03-30.

Memory array including dummy regions

Номер патента: US12040006B2. Автор: Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Apparatuses having a ferroelectric field-effect transistor memory array and related method

Номер патента: US09786684B2. Автор: D. V. Nirmal Ramaswamy,Adam D. Johnson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Apparatuses having a ferroelectric field-effect transistor memory array and related method

Номер патента: US09530794B2. Автор: D. V. Nirmal Ramaswamy,Adam D. Johnson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Constructions comprising stacked memory arrays

Номер патента: US09691475B2. Автор: Andrea Redaelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Three-dimensional memory array and operation scheme

Номер патента: US20140160836A1. Автор: Chung H. Lam,Sangbum Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-06-12.

Memory arrays comprising vertically-alternating tiers of insulative material and memory cells and methods of forming a memory array

Номер патента: US11778838B2. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Apparatuses and methods for memory including ferroelectric memory cells and dielectric memory cells

Номер патента: US11901005B2. Автор: Scott J. Derner,Michael A. Shore. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Nonvolatile memory device having ferroelectric memory element and resistive memory element and method of writing signal in nonvolatile memory device having the same

Номер патента: US10283184B2. Автор: Joong Sik Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-05-07.

Three-dimensional memory array with local line selector

Номер патента: US20230262985A1. Автор: Sheng-Chih Lai,Yu-Wei Jiang,Chen-Jun Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Three-dimensional memory array with local line selector

Номер патента: US12035534B2. Автор: Sheng-Chih Lai,Yu-Wei Jiang,Chen-Jun Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Three-dimensional memory array with local line selector

Номер патента: US20220254791A1. Автор: Sheng-Chih Lai,Yu-Wei Jiang,Cheng-Jun Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Rom array with shared bit-lines

Номер патента: US20100315855A1. Автор: Salwa Bouzekri Alami,Lotfi Ben Ammar. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2010-12-16.

Three-dimensional memory array with local line selector

Номер патента: US20240324230A1. Автор: Sheng-Chih Lai,Yu-Wei Jiang,Chen-Jun Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory array with strap cells

Номер патента: US09847120B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Nonvolatile static random access memory (NVSRAM) system having a static random access memory (SRAM) array and a resistive memory array

Номер патента: US09640256B1. Автор: Jon S. Choy,Anirban Roy,Michael A. Sadd. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Multilayer selector device with low holding voltage

Номер патента: US20190074429A1. Автор: Uday Shah,Ravi Pillarisetty,James S. Clarke,Elijah V. KARPOV,Prashant Majhi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-03-07.

Edge memory array mats with sense amplifiers

Номер патента: US11783887B2. Автор: Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Memory devices, memory arrays, and methods of forming memory arrays

Номер патента: US20180182761A1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-28.

Memory device, method for configuring memory cell in N-bit memory unit, and memory array

Номер патента: US12069970B2. Автор: Meng-Fan Chang,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Jer-Fu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Josephson memory array and method of access in the josephson memory array

Номер патента: EP4432284A2. Автор: Quentin P Herr,Anna Y Herr. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2024-09-18.

Method and circuit for controlling programming current in a non-volatile memory array

Номер патента: US09666243B2. Автор: Alexandre Levisse. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-05-30.

3D memory devices and structures with memory arrays and metal layers

Номер патента: US12041791B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory array having air gaps

Номер патента: US20230337441A1. Автор: Enrico Varesi,Paolo Tessariol,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Parallel access in a memory array

Номер патента: US20230282270A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Andrea Martinelli,Christophe Vincent Antoine Laurent,Efrem Bolandrina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Parallel access in a memory array

Номер патента: US20240274183A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Andrea Martinelli,Christophe Vincent Antoine Laurent,Efrem Bolandrina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory array connections

Номер патента: US20230410887A1. Автор: Yih Wang,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Chun-Ying Lee,Jonathan Tsung-Yung Chang,Chieh Lee,Yao-Jen Yang,Rose Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Memory device with peripheral circuitry which extends under a back end memory array

Номер патента: US20230397410A1. Автор: OZDEMIR Akin,Liqiong Wei,Fatih Hamzaoglu,Pulkit JAIN,Juan ALZATE VINASCO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Memory array

Номер патента: US20230232638A1. Автор: Chun-Hao Wang,Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Yi-Yu Lin,Ching-Hua Hsu,Ju-Chun Fan,Dong-Ming Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-20.

Memory array having a programmable word length, and method of operating same

Номер патента: WO2007126830A2. Автор: Eric Carman. Владелец: Innovative Silicon S.A.. Дата публикации: 2007-11-08.

Memory Array Having a Programmable Word Length, and Method of Operating Same

Номер патента: US20110273942A1. Автор: Eric Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-11-10.

Memory Devices which include Memory Arrays

Номер патента: US20180261602A1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-09-13.

3d memory devices and structures with memory arrays and metal layers

Номер патента: US20240206194A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Half density ferroelectric memory and operation

Номер патента: US20200388317A1. Автор: Scott J. Derner,Charles L. Ingalls. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-10.

Half density ferroelectric memory and operation

Номер патента: US20190333564A1. Автор: Scott J. Derner,Charles L. Ingalls. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Half density ferroelectric memory and operation

Номер патента: US20170358338A1. Автор: Scott J. Derner,Charles L. Ingalls. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-14.

Half density ferroelectric memory and operation

Номер патента: US09892776B2. Автор: Scott J. Derner,Charles L. Ingalls. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Cell bottom node reset in memory array

Номер патента: US20200335147A1. Автор: Yasushi Matsubara,Kiyotake Sakurai. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-22.

Cell bottom node reset in a memory array

Номер патента: US20190051343A1. Автор: Yasushi Matsubara,Kiyotake Sakurai. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-14.

Cell bottom node reset in memory array

Номер патента: US20190311757A1. Автор: Yasushi Matsubara,Kiyotake Sakurai. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-10.

Analog ferroelectric memory with improved temperature range

Номер патента: US09697882B1. Автор: Calvin B. Ward,Joseph T. Evans, Jr.. Владелец: Radiant Technologies Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Dual mode ferroelectric memory cell operation

Номер патента: EP3635721A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-15.

Dual mode ferroelectric memory cell operation

Номер патента: US20210050046A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

Dual mode ferroelectric memory cell operation

Номер патента: US20190122718A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-04-25.

Dual mode ferroelectric memory cell operation

Номер патента: US20180358072A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-12-13.

Dual mode ferroelectric memory cell operation

Номер патента: WO2018226478A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-12-13.

Differential storage in memory arrays

Номер патента: US20240127877A1. Автор: Marcello Mariani,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Angelo Visconti,Alessandro Calderoni,Giorgio Servalli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Ferroelectric memory cell apparatuses and methods of operating ferroelectric memory cells

Номер патента: US09767880B1. Автор: Eric Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Apparatus and method for controlling erasing data in ferroelectric memory cells

Номер патента: US20190287602A1. Автор: Yasushi Matsubara,Kiyotake Sakurai. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-19.

Charge extraction from ferroelectric memory cell

Номер патента: US20190096466A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-03-28.

Charge extraction from ferroelectric memory cell

Номер патента: US20190096467A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-03-28.

Ferroelectric memory cell sensing

Номер патента: US20200090727A1. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-03-19.

Ferroelectric memory cell sensing

Номер патента: US20180358077A1. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-12-13.

Ferroelectric memory cell sensing

Номер патента: US09792973B2. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Wear leveling for random access and ferroelectric memory

Номер патента: EP3676837A1. Автор: Daniele Vimercati,Richard E. Fackenthal,Duane R. Mills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-08.

Wear leveling for random access and ferroelectric memory

Номер патента: US20190392882A1. Автор: Daniele Vimercati,Richard E. Fackenthal,Duane R. Mills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-26.

Wear leveling for random access and ferroelectric memory

Номер патента: US20210264960A1. Автор: Daniele Vimercati,Richard E. Fackenthal,Duane R. Mills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-08-26.

Wear leveling for random access and ferroelectric memory

Номер патента: US20190066752A1. Автор: Daniele Vimercati,Richard E. Fackenthal,Duane R. Mills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Wear leveling for random access and ferroelectric memory

Номер патента: US10971203B2. Автор: Daniele Vimercati,Richard E. Fackenthal,Duane R. Mills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-06.

Wear leveling for random access and ferroelectric memory

Номер патента: WO2019046104A1. Автор: Daniele Vimercati,Richard E. Fackenthal,Duane R. Mills. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-03-07.

Virtual ground sensing circuitry and related devices, systems, and methods for crosspoint ferroelectric memory

Номер патента: US09786346B2. Автор: Giulio Giuseppe Marotta,Marco Domenico Tiburzi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Operation methods of ferroelectric memory

Номер патента: US20210142838A1. Автор: Feng Pan. Владелец: Wuxi Petabyte Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-13.

Ferroelectric memory plate power reduction

Номер патента: US20200211613A1. Автор: David L. Pinney,Adam S. El-Mansouri. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-02.

Operation methods of ferroelectric memory

Номер патента: WO2021093263A1. Автор: Feng Pan. Владелец: Wuxi Petabyte Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-05-20.

Ferroelectric memory cell apparatuses and methods of operating ferroelectric memory cells

Номер патента: US20170270992A1. Автор: Eric Carman. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2017-09-21.

Ferroelectric memory cell apparatuses and methods of operating ferroelectric memory cells

Номер патента: US20190027203A1. Автор: Eric Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-24.

Offset compensation for ferroelectric memory cell sensing

Номер патента: US09552864B1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Non-volatile memory cell with multiple ferroelectric memory elements (FMEs)

Номер патента: US11996144B2. Автор: Mohamad El-Batal,Darshana H. Mehta,Jon D. Trantham,Praveen Viraraghavan,John W. Dykes,Ian J. Gilbert,Sangita Shreedharan Kalarickal,Matthew J. Totin. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2024-05-28.

Ferroelectric memory device

Номер патента: US20190147951A1. Автор: Wenliang Chen. Владелец: AP Memory Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

Ferroelectric memory cell access

Номер патента: US12062389B2. Автор: Umberto Di Vincenzo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Charge extraction from ferroelectric memory cell

Номер патента: SG11201808666PA. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-11-29.

Charge mirror-based sensing for ferroelectric memory

Номер патента: US09881661B2. Автор: Daniele Vimercati,Xinwei Guo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Systems and methods for reading ferroelectric memories

Номер патента: US20140085962A1. Автор: David Eric Schwartz. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2014-03-27.

Charge-mirror based sensing for ferroelectric memory

Номер патента: US12027192B2. Автор: Daniele Vimercati,Xinwei Guo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Charge extraction from ferroelectric memory cell

Номер патента: EP3440674A2. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-13.

Charge extraction from ferroelectric memory cell

Номер патента: WO2017176467A2. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2017-10-12.

Ferroelectric memory cell sensing

Номер патента: EP3430626A1. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-23.

Ferroelectric memory cell sensing

Номер патента: WO2017161103A1. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2017-09-21.

Offset compensation for ferroelectric memory cell sensing

Номер патента: SG11201807496XA. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-09-27.

Multi-level storage in ferroelectric memory

Номер патента: US11848042B2. Автор: Christopher John Kawamura. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Offset compensation for ferroelectric memory cell sensing

Номер патента: EP3427266A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-16.

Offset compensation for ferroelectric memory cell sensing

Номер патента: US20180108393A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-19.

Offset compensation for ferroelectric memory cell sensing

Номер патента: US20170263302A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-14.

Offset compensation for ferroelectric memory cell sensing

Номер патента: WO2017156444A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2017-09-14.

Offset compensation for ferroelectric memory cell sensing

Номер патента: US9858978B2. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Ferroelectric memory plate power reduction

Номер патента: US20210312967A1. Автор: David L. Pinney,Adam S. El-Mansouri. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-07.

Offset compensation for ferroelectric memory cell sensing

Номер патента: US20200035285A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-30.

Offset compensation for ferroelectric memory cell sensing

Номер патента: US10600467B2. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-03-24.

Ferroelectric memory device

Номер патента: US20180033486A1. Автор: Wenliang Chen. Владелец: AP Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-01.

Ferroelectric memory cell access

Номер патента: US20210020220A1. Автор: Umberto Di Vincenzo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-21.

Setting of reference voltage for data sensing in ferroelectric memories

Номер патента: US20170345478A1. Автор: Keith A. Remack,John A. Rodriguez,Carl Z. Zhou. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-11-30.

Memory array with multiplexed select lines

Номер патента: US20210304804A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Memory array with multiplexed select lines and two transistor memory cells

Номер патента: US12131766B2. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Memory array with compensated word line access delay

Номер патента: US12080330B2. Автор: John D. Porter,Si Hong Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory array with compensated word line access delay

Номер патента: US20240071456A1. Автор: John D. Porter,Si Hong Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Ferroelectric memory device and method of making the same

Номер патента: US20230262986A1. Автор: Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Ya-Yun Cheng,Huan-Sheng WEI,Chung-Wei Wu,Wen-Ling LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Ferroelectric memory cell recovery

Номер патента: US09842661B1. Автор: Marcello Mariani,Giorgio Servalli,Andrea Locatelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Ferroelectric memory cell recovery

Номер патента: US09697913B1. Автор: Marcello Mariani,Giorgio Servalli,Andrea Locatelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Ferroelectric memory and memory array device with multiple independently controlled gates

Номер патента: US20220278129A1. Автор: Chi-Jen Lin,Darsen Duane Lu. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2022-09-01.

Memory array of three-dimensional nor memory strings with word line select device

Номер патента: US20240347109A1. Автор: Masahiro Yoshihara,Takashi Hirotani. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Methods for nondestructive information reading from ferroelectric memory elements

Номер патента: RU2383945C2. Автор: Юрий Генрихович Кригер. Владелец: Юрий Генрихович Кригер. Дата публикации: 2010-03-10.

Ferroelectric memory and memory array device with multiple independently controlled gates

Номер патента: US11785778B2. Автор: Chi-Jen Lin,Darsen Duane Lu. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2023-10-10.

Memory array of three-dimensional nor memory strings with word line select device

Номер патента: WO2024215669A1. Автор: Masahiro Yoshihara,Takashi Hirotani. Владелец: SUNRISE MEMORY CORPORATION. Дата публикации: 2024-10-17.

Data processor incorporating a ferroelectric memory array selectably configurable as read/write and read only memory

Номер патента: US5890199A. Автор: Jeffery E. Downs. Владелец: Ramtron International Corp. Дата публикации: 1999-03-30.

Ferroelectric memory and formation method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4365901A1. Автор: Jeffrey Junhao XU,Yuxing Li,Hangbing Lv,Jialin CAI,Weigu LI,Wanliang TAN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-08.

Ferroelectric memories based on arrays of autonomous memory bits

Номер патента: WO2011156525A2. Автор: Joseph Tate Evans. Владелец: Radiant Technologies, Inc.. Дата публикации: 2011-12-15.

Ferroelectric memory device containing a series connected select gate transistor and method of forming the same

Номер патента: US20200411072A1. Автор: Yanli Zhang,Johann Alsmeier. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-12-31.

Ferroelectric memory and a test method thereof

Номер патента: US20030063488A1. Автор: Masanori Kasai. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-04-03.

Multilevel ferroelectric memory cell for an integrated circuit

Номер патента: US09830969B2. Автор: Stefan Slesazeck,Halid MULAOSMANOVIC. Владелец: NaMLab GmbH. Дата публикации: 2017-11-28.

Ferroelectric memory device and operation method thereof

Номер патента: US11765907B2. Автор: Masaharu Kobayashi,Toshiro Hiramoto,Fei MO. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2023-09-19.

Process monitoring for ferroelectric memory devices with in-line retention test

Номер патента: US20060146588A1. Автор: Richard Bailey,John Rodriguez. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2006-07-06.

Circuit and method for testing a ferroelectric memory device

Номер патента: EP1333446A3. Автор: David C. McClure. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2004-08-18.

Integration of high value capacitor with ferroelectric memory

Номер патента: US5608246A. Автор: Dennis R. Wilson,Michael W. Yeager. Владелец: Ramtron International Corp. Дата публикации: 1997-03-04.

Ferroelectric memory devices and operating methods thereof

Номер патента: US8385098B2. Автор: Jai-Kwang Shin,Ki-ha Hong,Jeong-Seob Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-02-26.

Short circuit reduction in a ferroelectric memory cell comprising a stack of layers arranged on a flexible substrate

Номер патента: EP2724342A1. Автор: Christer Karlsson,Per Broms,Olle Jonny Hagel,Jakob NILSSON. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2014-04-30.

Methods of fabricating ferroelectric memory devices

Номер патента: US20190019683A1. Автор: Hyangkeun YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-01-17.

Gated ferroelectric memory cells for memory cell array and methods of forming the same

Номер патента: US12069868B2. Автор: Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Short circuit reduction in a ferroelectric memory cell comprising a stack of layers arranged on a flexible substrate

Номер патента: US20160336334A1. Автор: Christer Karlsson,Per Broms,Olle Jonny Hagel,Jakob NILSSON. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2016-11-17.

Gated Ferroelectric Memory Cells for Memory Cell Array and Method for Forming the Same

Номер патента: US20240357834A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Short circuit reduction in a ferroelectric memory cell comprising a stack of layers arranged on a flexible substrate

Номер патента: US09412705B2. Автор: Christer Karlsson,Per Broms,Olle Jonny Hagel,Jakob NILSSON. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2016-08-09.

Method for writing and reading a ferroelectric memory

Номер патента: US20010005326A1. Автор: Georg Braun. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2001-06-28.

Processing system with a ferroelectric memory

Номер патента: US5424976A. Автор: Roger Cuppens. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1995-06-13.

Method for operating a ferroelectric memory configuration and a ferroelectric memory configuration

Номер патента: US6538913B2. Автор: Thomas Rohr,Heinz Hönigschmid. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-03-25.

Ferroelectric memory and formation method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4339950A1. Автор: Zhengbo Wang,Weiliang JING,Kailiang HUANG,Junxiao FENG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-20.

1s-1t ferroelectric memory

Номер патента: US20220130443A1. Автор: Abhishek A. Sharma,Brian S. Doyle,Ravi Pillarisetty,Elijah V. KARPOV,Prashant Majhi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-04-28.

Method for operating a ferroelectric memory configuration and a ferroelectric memory configuration

Номер патента: US20010036099A1. Автор: Thomas Rohr,Heinz Hönigschmid. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2001-11-01.

Ferroelectric memory device and method of forming the same

Номер патента: US20240324235A1. Автор: Chun-Chieh Lu,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Ferroelectric memory chiplet in a multi-dimensional packaging with i/o switch embedded in a substrate or interposer

Номер патента: US20240311006A1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Christopher B. Wilkerson,Debo Olaosebikan. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Ferroelectric memory device with select gate transistor and method of forming the same

Номер патента: EP3881355A1. Автор: Yanli Zhang,Johann Alsmeier. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-09-22.

Ferroelectric memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US10453514B2. Автор: Hyangkeun YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-22.

Ferroelectric memory device with multi-level bit cell

Номер патента: EP4421849A1. Автор: Zhixing ZHAO,Dominik M. KLEIMAIER,Stefan Duenkel. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

Ferroelectric memory device with multi-level bit cell

Номер патента: US20240284680A1. Автор: Zhixing ZHAO,Dominik M. KLEIMAIER,Stefan Duenkel. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Circuit to simulate the polarization relaxation phenomenon of the ferroelectric memory

Номер патента: US20030058682A1. Автор: Ching-Wei Tsai,Ta-Hui Wang,Shyue-Yi Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-27.

Reference circuit for a non-volatile ferroelectric memory

Номер патента: US5424975A. Автор: Tyler A. Lowrey,Wayne I. Kinney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1995-06-13.

Methods for forming ferroelectric memory devices

Номер патента: US20210035994A1. Автор: Zhenyu Lu. Владелец: Wuxi Petabyte Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-04.

Ferroelectric memory and forming method thereof, and electronic device

Номер патента: US20240172450A1. Автор: Zhengbo Wang,Weiliang JING,Kailiang HUANG,Junxiao FENG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Memory configuration including a plurality of resistive ferroelectric memory cells

Номер патента: US20010033516A1. Автор: Kurt Hoffmann,Oskar Kowarik. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2001-10-25.

Ferroelectric memory device and method of forming the same

Номер патента: US12041783B2. Автор: Chun-Chieh Lu,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Column repair circuit in ferroelectric memory

Номер патента: US20030053328A1. Автор: Hee Kang,Duck Kim,Hun Kye,Je Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-03-20.

Ferroelectric memory and electronic apparatus

Номер патента: US20020154554A1. Автор: Setsuya Iwashita,Hiromu Miyazawa,Takamitsu Higuchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-10-24.

Non-volatile ferroelectric memory device with leakage preventing function

Номер патента: US5615144A. Автор: Hiroki Koike,Tohru Kimura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-03-25.

Ferroelectric memory device

Номер патента: US10804295B2. Автор: Yong Soo Choi,Hyangkeun YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-10-13.

Ferroelectric memory devices and methods for forming the same

Номер патента: EP3966864A1. Автор: Zhenyu Lu. Владелец: Wuxi Petabyte Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-16.

Ferroelectric memory transistor

Номер патента: US20030222291A1. Автор: Tingkai Li,Sheng Hsu,Fengyan Zhang. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2003-12-04.

Ferroelectric memory and forming method thereof, and electronic device

Номер патента: US20240206189A1. Автор: Jeffrey Junhao XU,Yuxing Li,Hangbing Lv,Jialin CAI,Weigu LI,Wanliang TAN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Circuit and method for asynchronously accessing a ferroelectric memory device

Номер патента: EP1225594A3. Автор: David C. McClure. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2003-12-03.

A ferroelectric memory device and a nondestructive accessing method thereof

Номер патента: GB2318230A. Автор: Byung-Gil Jeon,Chul-Sung Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-04-15.

Ferroelectric memory devices and method of using ferroelectric capacitors

Номер патента: US5764561A. Автор: Kiyoshi Nishimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 1998-06-09.

Ferroelectric memory and method of testing the same

Номер патента: US20040179385A1. Автор: Ryu Ogiwara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-16.

Ferroelectric memory

Номер патента: US7139187B2. Автор: Hideaki Suzuki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-11-21.

Ferroelectric memory

Номер патента: WO2003096352A2. Автор: Iu-Meng Tom Ho. Владелец: Iota Technology, Inc.. Дата публикации: 2003-11-20.

Process monitoring for ferroelectric memory devices with in-line retention test

Номер патента: US7149137B2. Автор: John Anthony Rodriguez,Richard Allen Bailey. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2006-12-12.

Method of reading data in ferroelectric memory device and ferroelectric memory device

Номер патента: US20040240250A1. Автор: Takeshi Kijima,Eiji Natori,Junichi Karasawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-12-02.

Accelerated test method for ferroelectric memory device

Номер патента: US20040041574A1. Автор: Atsushi Noma,Katsuki Nagahashi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-03-04.

Ferroelectric memory device, electronic device

Номер патента: US20060007725A1. Автор: Hiroyoshi Ozeki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-01-12.

Ferroelectric memory device, electronic device

Номер патента: US7209377B2. Автор: Hiroyoshi Ozeki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-04-24.

Ferroelectric memory

Номер патента: US6038161A. Автор: Takaaki Fuchikami. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2000-03-14.

Test method for ferroelectric memory

Номер патента: US20080013361A1. Автор: Tadashi Miyakawa,Daisaburo Takashima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-01-17.

Ferroelectric memory device

Номер патента: US20200176458A1. Автор: Hyangkeun YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-06-04.

Non-volatile ferroelectric memory and method of preparing the same

Номер патента: US11348943B2. Автор: Jun Jiang,Anquan Jiang,Xiaojie CHAI,Jianwei LIAN,Menghan AO. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-05-31.

Single transistor ferroelectric memory cell

Номер патента: WO2002071448A2. Автор: Alfred P. Gnadinger. Владелец: Cova Technologies Incorporated. Дата публикации: 2002-09-12.

Ferroelectric memory device having a ferroelectric capacitor disposed on an extended active area

Номер патента: US6477076B2. Автор: Jae-Whan Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-05.

Nonvolatile ferroelectric memory device

Номер патента: US20060139986A1. Автор: Hee Kang,Jin Ahn. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-29.

Nonvolatile ferroelectric memory device

Номер патента: US7164594B2. Автор: Hee Bok Kang,Jin Hong Ahn. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-01-16.

Ferroelectric memory

Номер патента: US20080037312A1. Автор: Yasuaki Hamada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-02-14.

Non-volatile ferroelectric memory and method of preparing the same

Номер патента: US20210036017A1. Автор: Jun Jiang,Anquan Jiang,Xiaojie CHAI,Jianwei LIAN,Menghan AO. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-02-04.

Column select circuit of ferroelectric memory

Номер патента: US20040208045A1. Автор: Shinichiro Shiratake. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-21.

Ferroelectric memory device

Номер патента: US20040190324A1. Автор: Mitsuhiro Yamamura. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-09-30.

Ferroelectric memory device having two columns of memory cells precharged to separate voltages

Номер патента: US6097623A. Автор: Takeshi Sakata,Katsutaka Kimura,Tomonori Sekiguchi,Masanori Isoda,Kazuhiko Kajigaya,Hiroki Fujisawa. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2000-08-01.

Ferroelectric memory structure

Номер патента: CA2035128A1. Автор: Jeff A. Bullington,Joseph T. Evans, Jr.,Bruce G. Armstrong,Stephen E. Bernacki. Владелец: Stephen E. Bernacki. Дата публикации: 1991-08-10.

Ultra-dense ferroelectric memory with self-aligned patterning

Номер патента: US20200286687A1. Автор: Ian A. Young,Uygar E. Avci,Seung Hoon Sung,Jack Kavalieros,Chia-Ching Lin,Nazila Haratipour,Sou-Chi Chang,Ashish Verma Penumatcha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

Ferroelectric memory device

Номер патента: US20180277550A1. Автор: Hyangkeun YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-09-27.

Ferroelectric memory device

Номер патента: US10593699B2. Автор: Hyangkeun YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-03-17.

Single transistor ferroelectric memory cell

Номер патента: WO2002071448A3. Автор: Alfred P Gnadinger. Владелец: Cova Technologies Inc. Дата публикации: 2004-01-29.

Ferroelectric memory device and method of forming the same

Номер патента: US20230328997A1. Автор: Chun-Chieh Lu,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Ferroelectric memory device and semiconductor die

Номер патента: US20240081081A1. Автор: Yen-Chieh Huang,Chung-Te Lin,Han-Ting Tsai,Ming-Yi Yang,Ya-Ling Lee,Wei-Gang Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Method for mitigating imprint in a ferroelectric memory

Номер патента: EP2237280A3. Автор: Craig Taylor,Shan Sun,Fan Chu. Владелец: Ramtron International Corp. Дата публикации: 2010-11-17.

Ferroelectric memory device and method for operating ferroelectric memory device

Номер патента: US20010040815A1. Автор: Yasuhiro Tanaka. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2001-11-15.

Method for writing and reading a ferroelectric memory

Номер патента: US6327173B2. Автор: Georg Braun. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2001-12-04.

Memory configuration including a plurality of resistive ferroelectric memory cells

Номер патента: US20020018356A1. Автор: Kurt Hoffmann,Oskar Kowarik. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2002-02-14.

Ferroelectric memory chiplet as unified memory in a multi-dimensional packaging

Номер патента: US11844223B1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Christopher B. Wilkerson,Debo Olaosebikan. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Ferroelectric memory

Номер патента: US8085573B2. Автор: Shinichiro Shiratake. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-12-27.

Ferroelectric memory

Номер патента: US20100118586A1. Автор: Shinichiro Shiratake. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-05-13.

Multi-bit nonvolatile ferroelectric memory device having fail cell repair circuit and repair method thereof

Номер патента: US20060242538A1. Автор: Hee Kang,Jin Ahn. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-10-26.

Ferroelectric memory device and electronic apparatus

Номер патента: US7570506B2. Автор: Yasunori Koide. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-08-04.

Ferroelectric memory device and electronic apparatus

Номер патента: US20060023485A1. Автор: Mitsuhiro Yamamura. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-02-02.

Nonvolatile ferroelectric memory with folded bit line architecture

Номер патента: US5852571A. Автор: Wayne I. Kinney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1998-12-22.

Reference voltage generating circuit of nonvolatile ferroelectric memory device

Номер патента: US20030026154A1. Автор: Hee Kang,Duck Kim,Hun Kye,Je Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-02-06.

Ferroelectric memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180277191A1. Автор: Hyangkeun YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-09-27.

Ferroelectric memory device using back-end-of-line (BEOL) thin film access transistors and methods for forming the same

Номер патента: US11943933B2. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG,Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Ferroelectric memory device

Номер патента: US20020080642A1. Автор: Eiichi Sadayuki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-27.

1s-1t ferroelectric memory

Номер патента: US20200234750A1. Автор: Abhishek A. Sharma,Brian S. Doyle,Ravi Pillarisetty,Elijah V. KARPOV,Prashant Majhi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-07-23.

Ferroelectric memory device using back-end-of-line (beol) thin film access transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20240196625A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG,Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Ferroelectric memory

Номер патента: US20020024839A1. Автор: Yoshitaka Mano. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-02-28.

Ferroelectric memory device

Номер патента: US20050002216A1. Автор: Mitsuhiro Yamamura,Kenya Watanabe. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-01-06.

Ferroelectric memory device

Номер патента: US6947309B2. Автор: Mitsuhiro Yamamura,Kenya Watanabe. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-09-20.

Reference circuit in ferroelectric memory and method for driving the same

Номер патента: US20030002318A1. Автор: Hee Kang,Geun Lee,Duck Kim,Hun Kye,Je Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-01-02.

Ferroelectric memory

Номер патента: US7990750B2. Автор: Daisaburo Takashima,Hidehiro Shiga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-08-02.

Ferroelectric memory device with select gate transistor and method of forming the same

Номер патента: US20200411533A1. Автор: Yanli Zhang,Johann Alsmeier. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-12-31.

Ferroelectric memory device with select gate transistor and method of forming the same

Номер патента: WO2020263338A1. Автор: Yanli Zhang,Johann Alsmeier. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-12-30.

Nonvolatile ferroelectric memory using selective reference cell

Номер патента: US6147896A. Автор: Shi-Ho Kim,Bo-Woo Kim,Won-Jae Lee,Byoung-Gon Yu. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2000-11-14.

Non-volatile ferroelectric memory with section plate line drivers and method for accessing the same

Номер патента: US5991188A. Автор: Byung-Gil Jeon,Yeon-Bae Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-11-23.

Ferroelectric memory device and display driver IC

Номер патента: US20040208041A1. Автор: Akira Maruyama. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-10-21.

Sensing methodology for a 1T/1C ferroelectric memory

Номер патента: EP1265251A2. Автор: Dennis R. Wilson,William F. Kraus,Lark E. Lehman. Владелец: Ramtron International Corp. Дата публикации: 2002-12-11.

Ferroelectric memory device

Номер патента: US5926413A. Автор: Hiroki Koike,Junichi Yamada. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-07-20.

Ferroelectric memory device

Номер патента: US20050286289A1. Автор: Kenya Watanabe. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-12-29.

Ferroelectric memory

Номер патента: US6078516A. Автор: Hideki Hayashi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2000-06-20.

Ferroelectric memory device and electronic device including the same

Номер патента: EP4184511A1. Автор: Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Hagyoul BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-24.

Ferroelectric memory devices containing a two-dimensional charge carrier gas channel and methods of making the same

Номер патента: US20210264959A1. Автор: Peter Rabkin,Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-08-26.

Non-volatile memory having memory array with differential cells

Номер патента: US20200160907A1. Автор: Yu-Shan CHIEN. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2020-05-21.

Ferroelectric memory and method

Номер патента: US6275408B1. Автор: Katsuhiro Aoki,Tomoyuki Sakoda. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2001-08-14.

Two transistor ferroelectric memory cell

Номер патента: US5932904A. Автор: Sheng Teng Hsu,Jong Jan Lee. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 1999-08-03.

Method of making a two transistor ferroelectric memory cell

Номер патента: US6146904A. Автор: Sheng Teng Hsu,Jong Jan Lee. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2000-11-14.

Ferroelectric memory device and electronic apparatus

Номер патента: US20080055961A1. Автор: Yasunori Koide. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-03-06.

Three-dimensional memory arrays with layer selector transistors

Номер патента: US12114479B2. Автор: Rajesh Kumar,Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Mauro J. Kobrinsky,Swaminathan Sivakumar,Kinyip PHOA,Wilfred Gomes,Elliot Tan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Non-volatile memory array with memory gate line and source line scrambling

Номер патента: US09997253B1. Автор: Chun Chen,Yoram Betser,Kuo-Tung Chang,Amichai GIVANT,Shenqing Fang,Shivananda Shetty. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

EEPROM memory cell with low voltage read path and high voltage erase/write path

Номер патента: US09455037B2. Автор: Bomy Chen,Daniel Alvarez,Jeffrey A. Shields,Jack Wong,Mel HYMAS,Kent Hewitt,Sonu Daryanani. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Nonvolatile memory having memory array with differential cells

Номер патента: US20160104535A1. Автор: Yu-Hsiung Tsai. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2016-04-14.

Nand flash memory array with cut-off gate line and methods for operating and fabricating the same

Номер патента: US20110256680A1. Автор: Byung-gook Park,Seongjae Cho. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY INDUSTRY FOUNDATION. Дата публикации: 2011-10-20.

Self-selecting memory array with horizontal access lines

Номер патента: US12100447B2. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano,Lorenzo Fratin,Russell L. Meyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Resistive memory array using P-I-N diode select device and methods of fabrication thereof

Номер патента: US09490126B2. Автор: Seungmoo Choi,Sameer Haddad. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor memory device having calibration circuitry for dual-gate transistors associated with a memory array

Номер патента: US09455001B1. Автор: Michael C. Stephens, Jr.. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-09-27.

Memory array with one shared deep doped region

Номер патента: US09941011B2. Автор: Tsung-Mu Lai,Wen-hao Ching,Chen-Hao Po. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Three-dimensional memory arrays with layer selector transistors

Номер патента: US20210151438A1. Автор: Rajesh Kumar,Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Mauro J. Kobrinsky,Swaminathan Sivakumar,Kinyip PHOA,Wilfred Gomes,Elliot Tan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

Memory arrays with a memory cell adjacent to a smaller size of a pillar having a greater channel length than a memory cell adjacent to a larger size of the pillar and methods

Номер патента: US09391082B2. Автор: Koji Sakui,Peter Feeley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-07-12.

Resistive change element arrays with in situ initialization

Номер патента: US20180033483A1. Автор: Claude L. Bertin,Glen Rosendale. Владелец: Nantero Inc. Дата публикации: 2018-02-01.

Memory arrays with bonded and shared logic circuitry

Номер патента: US20200395328A1. Автор: Richard Fastow,Owen W. Jungroth,Prashant Majhi,Krishna Parat,Khaled Hasnat. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-12-17.

Memory array staircase structure

Номер патента: US11776602B2. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Memory array staircase structure

Номер патента: EP3945582A1. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-02.

Memory array staircase structure

Номер патента: US12148505B2. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-19.

Memory array with memory cells arranged in pages

Номер патента: US09466392B2. Автор: Chih-Hsin Chen,Ching-Sung Yang,Shih-Chen Wang,Wei-Chen Chang,Wen-hao Ching. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Memory array with metal-insulator transition switching devices

Номер патента: US20120099362A1. Автор: Jianhua Yang,Gilberto Medeiros Ribeiro,Matthew D. Pickett. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2012-04-26.

Neural network inference accelerator based on one-time-programmable (otp) memory arrays with one-way selectors

Номер патента: US20210134379A1. Автор: Liang Zhao. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Memory array with graded memory stack resistances

Номер патента: US20210111226A1. Автор: Hongmei Wang,Fabio Pellizzer,Lorenzo Fratin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-15.

Methods for a phase-change memory array

Номер патента: US20140376306A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Claudio Resta,Marco Ferraro. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-12-25.

Memory array data structure for posit operations

Номер патента: US12079589B2. Автор: Vijay S. Ramesh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory array circuits, memory structures, and methods for fabricating a memory array circuit

Номер патента: US12112829B2. Автор: Chia-En HUANG,Chun-Ying Lee,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Constructions comprising stacked memory arrays

Номер патента: US09881973B2. Автор: Andrea Redaelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Nonvolatile memory array logic

Номер патента: US09846644B2. Автор: Frederick Perner. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-12-19.

Monolithic three dimensional memory arrays with staggered vertical bit line select transistors and methods therfor

Номер патента: US09530824B2. Автор: Yoshio Mori,Seje TAKAKI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-27.

Method for using a multi-use memory cell and memory array

Номер патента: US20070070690A1. Автор: Tanmay Kumar,Roy Scheuerlein. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2007-03-29.

Cross point memory array devices

Номер патента: US20110084248A1. Автор: Chang-Rong Wu,Chun-I Hsieh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2011-04-14.

Three-dimensional memory array with dual-level peripheral circuits and methods for forming the same

Номер патента: US20240032299A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Fumiaki TOYAMA,Masanori Tsutsumi,Kazutaka Yoshizawa. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-01-25.

Memory system includes a memory controller coupled to a non-volatile memory array configured to provide special write operation to write data in the non-volatile memory array before a board mount operation is applied and provde a regular write operation after a board mount operation is applied

Номер патента: US09798481B1. Автор: Chuen-Der Lien,Ming-Huei Shieh,Chi-Shun Lin. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Voltage equalization for pillars of a memory array

Номер патента: US20220180926A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Corrado Villa,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-09.

Voltage equalization for pillars of a memory array

Номер патента: WO2022126065A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Corrado Villa,Paolo Fantini. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-06-16.

Spike current suppression in a memory array

Номер патента: US20220319592A1. Автор: Iniyan Soundappa Elango,Robert Douglas Cassel,Sundaravadivel Rajarajan,Srivatsan Venkatesan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Analog neural memory array in artificial neural network with substantially constant array source impedance with adaptive weight mapping and distributed power

Номер патента: EP4407874A2. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Vipin Tiwari,Stephen Trinh. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-31.

Memory array capable of performing byte erase operation

Номер патента: US09847133B2. Автор: Chih-Hsin Chen,Tsung-Mu Lai,Shih-Chen Wang,Chen-Hao Po. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Stacked vertical memory array architectures, systems and methods

Номер патента: US09672917B1. Автор: Yanli Zhang,Henry Chien,Yao-Sheng Lee,Xiying Costa. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-06-06.

Memory array with surrounding gate access transistors and capacitors with global and staggered local bit lines

Номер патента: US7510954B1. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-03-31.

Self-selecting memory array with horizontal access lines

Номер патента: WO2019182722A1. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano,Lorenzo Fratin,Russell L. Meyer. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-09-26.

Self-selecting memory array with horizontal access lines

Номер патента: US20230005535A1. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano,Lorenzo Fratin,Russell L. Meyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Self-selecting memory array with horizontal access lines

Номер патента: US20200243134A1. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano,Lorenzo Fratin,Russell L. Meyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-30.

Self-selecting memory array with horizontal access lines

Номер патента: EP3769337A1. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano,Lorenzo Fratin,Russell L. Meyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-27.

Memory array comprising a ferroelectric data storage element

Номер патента: US20240112731A1. Автор: Chia-Ching Lin,Sou-Chi Chang,Uygar Avci,Sarah ATANASOV,Bernal Granados Alpizar,Saima Siddiqui. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Cross-point memory array and related fabrication techniques

Номер патента: EP4408152A2. Автор: Stephen H. Tang,Stephen W. Russell,Hernan A Castro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-31.

Capacitive pillar architecture for a memory array

Номер патента: US11729999B2. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-15.

Memory Arrays, Ferroelectric Transistors, and Methods of Reading and Writing Relative to Memory Cells of Memory Arrays

Номер патента: US20240265960A1. Автор: Wayne Kinney,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Cross-point memory array and related fabrication techniques

Номер патента: US20190326356A1. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

3d voltage switching transistors for 3d vertical gate memory array

Номер патента: US20160329344A1. Автор: Teng-Hao Yeh,Chih-Wei Hu,Lee-Yin Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-10.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: EP4442090A1. Автор: Rajasekhar Venigalla,Nancy M. LOMELI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-09.

Block-on-block memory array architecture using bi-directional staircases

Номер патента: US12114499B2. Автор: Aaron S. Yip. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-10-08.

Methods for operating a memory array

Номер патента: US09851913B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Claudio Resta,Marco Ferraro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

3D voltage switching transistors for 3D vertical gate memory array

Номер патента: US09478259B1. Автор: Teng-Hao Yeh,Chih-Wei Hu,Lee-Yin Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Memory array and memory device

Номер патента: US8350320B2. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-01-08.

Reduced resistivity for access lines in a memory array

Номер патента: US11830816B2. Автор: LEI Wei,Adam Thomas Barton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Memory Array Staircase Structure

Номер патента: US20220036931A1. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

NAND-BASED 2T2b NOR FLASH ARRAY WITH A DIODE CONNECTION TO CELL'S SOURCE NODE FOR SIZE REDUCTION USING THE LEAST NUMBER OF METAL LAYERS

Номер патента: US20110292738A1. Автор: Peter Wung Lee,Fu-Chang Hsu. Владелец: Aplus Flash Technology Inc. Дата публикации: 2011-12-01.

Memory device with multiple memory arrays to facilitate in-memory computation

Номер патента: US20190205273A1. Автор: ABHISHEK Sharma,Sasikanth Manipatruni,Ram Krishnamurthy,Jack Kavalieros,Amrita MATHURIYA,Raghavan Kumar,Phil Knag,Van Le,Gregory Chen,Huseyin SUMBUL. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-07-04.

Four Gate, Split-Gate Flash Memory Array With Byte Erase Operation

Номер патента: US20210110873A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Hsuan Liang,Man Tang Wu,Lihsin Chang. Владелец: Si|icon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-15.

Memory Array Staircase Structure

Номер патента: US20230377624A1. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Reduced resistivity for access lines in a memory array

Номер патента: US20240162156A1. Автор: LEI Wei,Adam Thomas Barton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Retention drift correction in non-volatile memory arrays

Номер патента: US20220343975A1. Автор: Christophe J. Chevallier. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-10-27.

Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Including A Method Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240203496A1. Автор: John D. Hopkins,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Transformed non-reprogrammable memory array devices and methods of manufacture

Номер патента: US10755777B2. Автор: Marco Pasotti,Chantal Auricchio,Marcella CARISSIMI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2020-08-25.

Memory array test structure and method of forming the same

Номер патента: US20240194234A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

3d memory array contact structures

Номер патента: US20240276726A1. Автор: Feng-Cheng Yang,Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Nand memory array incorporating multiple series selection devices and method for operation of same

Номер патента: EP1695356A2. Автор: James M. Cleeves,Roy E. Scheuerlein,Andrew J. Walker,Luca G. Fasoli,En-Hsing Chen,Alper Ilkbahar,Sucheta Nallamothu. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2006-08-30.

Memory Circuitry Comprising Strings Of Memory Cells And Method Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230255023A1. Автор: Lifang Xu,Yoshiaki Fukuzumi,Paolo Tessariol,Richard J. Hill. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240274198A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Alyssa N. SCARBROUGH,Andrew Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory array

Номер патента: US20140160853A1. Автор: Jian Hu,Bo Zhang,Jing Gu,Weiran Kong. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2014-06-12.

Transistor configurations for vertical memory arrays

Номер патента: US20240345744A1. Автор: Ferdinando Bedeschi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor constructions, and methods of forming cross-point memory arrays

Номер патента: US09614006B2. Автор: Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Vertical NAND flash memory array

Номер патента: US7148538B2. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-12-12.

Field programmable memory array

Номер патента: US5949719A. Автор: Scott Whitney Gould,Terrance John Zittritsch,Frank Ray Keyser, III,Kim P. N. Clinton,Joseph Andrew Iadanza,Ralph David Kilmoyer,Michael Joseph Laramie,Victor Paul Seidel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1999-09-07.

Non-crystalline device memory array

Номер патента: GB1516390A. Автор: . Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 1978-07-05.

Nonvolatile memory array logic

Номер патента: EP2943959A1. Автор: Frederick Perner. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2015-11-18.

Pillar and word line plate architecture for a memory array

Номер патента: US20240057348A1. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini,Thomas M. Graettinger. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Nonvolatile memory array logic

Номер патента: WO2014109771A1. Автор: Frederick Perner. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2014-07-17.

Memory array data structure for posit operations

Номер патента: US20200301605A1. Автор: Vijay S. Ramesh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-09-24.

Redundant array of independent NAND for a three-dimensional memory array

Номер патента: US11797383B2. Автор: Jung Sheng Hoei,Peter Feeley,Kishore K. Muchherla,Sampath K. Ratnam,Sivagnanam Parthasarathy,Renato C. Padilla. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Neural memory array storing synapsis weights in differential cell pairs

Номер патента: US11908513B2. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Vipin Tiwari,Stephen Trinh. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Circuit and layout for resistive random-access memory arrays

Номер патента: US20200006430A1. Автор: John L Mccollum. Владелец: Microsemi SoC Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array

Номер патента: US20210151454A1. Автор: Bharat Bhushan,Collin Howder,Chris M. Carlson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-20.

Memory arrays and methods used in forming a memory array

Номер патента: EP3925005A1. Автор: Bharat Bhushan,Collin Howder,Chris M. Carlson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-22.

Memory Array and Methods Used in Forming a Memory Array

Номер патента: US20240244837A1. Автор: Haitao Liu,Luan C. Tran,Guangyu Huang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Memory Array Word Line Routing

Номер патента: US20240274160A1. Автор: Yih Wang,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Yi-Ching Liu,Meng-Han LIN,Chenchen Jacob WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Nand memory array incorporating multiple series selection devices and method for operation of same

Номер патента: WO2005057586A2. Автор: James M. Cleeves,Roy E. Scheuerlein,Andrew J. Walker,Luca G. Fasoli,En-Hsing Chen,Alper Ilkbahar,Sucheta Nallamothu. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2005-06-23.

Semiconductor constructions, electronic systems, and methods of forming cross-point memory arrays

Номер патента: EP2150978A1. Автор: Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-02-10.

Memory array

Номер патента: US20140169099A1. Автор: Jian Hu,Bo Zhang,Jing Gu,Weiran Kong. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2014-06-19.

MFIS ferroelectric memory array

Номер патента: US7112837B2. Автор: Tingkai Li,Sheng Teng Hsu,Fengyan Zhang. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2006-09-26.

MFIS ferroelectric memory array

Номер патента: US20060068509A1. Автор: Tingkai Li,Sheng Hsu,Fengyan Zhang. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2006-03-30.

Ferroelectric memory

Номер патента: US20020135068A1. Автор: Toshiyuki Honda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-26.

3d ferroelectric memory device

Номер патента: EP4304315A1. Автор: Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Hyunjae Lee,Taehwan MOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-10.

3d ferroelectric memory device

Номер патента: US20240008289A1. Автор: Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Hyunjae Lee,Taehwan MOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-04.

Ferroelectric memory device and memory array

Номер патента: US20240138153A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

NAND ferroelectric memory cell with three-dimensional structure and preparation method thereof

Номер патента: US11917830B2. Автор: Min Liao,Qijun Yang,Yichun ZHOU,Yanwei HUAN,Siwei DAI,Zhaotong LIU. Владелец: XIANGTAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-02-27.

Ferroelectric memory element and electronic apparatus

Номер патента: US20020154532A1. Автор: Setsuya Iwashita,Hiromu Miyazawa,Takamitsu Higuchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-10-24.

Method for fabricating a ferroelectric memory configuration

Номер патента: US20020110935A1. Автор: Christine Dehm,Thomas Roehr,Heinz Hoenigschmid,Georg Braun,Günther SCHINDLER,Renate Bergmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-08-15.

Method for fabricating nonvolatile ferroelectric memory

Номер патента: US6333201B1. Автор: Ki Hyun Yoon,Ki Young Oh. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-12-25.

Ferroelectric memory having a BaTiO3 recording layer oriented in a <111> direction

Номер патента: US6510074B2. Автор: Setsuya Iwashita,Hiromu Miyazawa,Takamitsu Higuchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-01-21.

Ferroelectric memory and its manufacturing method

Номер патента: US20070284637A1. Автор: Shinichi Fukada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-12-13.

Three-dimensional ferroelectric memory

Номер патента: US11296117B2. Автор: Jan Van Houdt. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2022-04-05.

Three-dimensional ferroelectric memory

Номер патента: US20210175254A1. Автор: Jan Van Houdt. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-06-10.

Ferroelectric memory and its manufacturing method

Номер патента: US7977720B2. Автор: Shinichi Fukada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2011-07-12.

Three-dimensional ferroelectric memory device

Номер патента: US20240224534A1. Автор: Woo Cheol LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Ferroelectric memory device with stacked capacitors and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240298452A1. Автор: Yushi Hu. Владелец: Wuxi Smart Memories Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Ferroelectric memory and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070275484A1. Автор: Hiroyuki Mitsui. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-11-29.

Three-dimensional memory device containing templated crystalline ferroelectric memory elements and method of making thereof

Номер патента: US20240008281A1. Автор: Fei Zhou,Raghuveer S. Makala,Adarsh RAJASHEKHAR,Kartik SONDHI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-01-04.

Ferroelectric memory and electronic apparatus

Номер патента: US20020155666A1. Автор: Eiji Natori,Kazumasa Hasegawa,Setsuya Iwashita,Hiromu Miyazawa,Takamitsu Higuchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-10-24.

Ferroelectric memory and methods of forming the same

Номер патента: US09768181B2. Автор: D. V. Nirmal Ramaswamy,Alessandro Calderoni,Ashonita A. Chavan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device structures including ferroelectric memory cells

Номер патента: US09698343B2. Автор: Qian Tao,Matthew N. Rocklein,D.V. Nirmal Ramaswamy,Beth R. Cook. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Ferroelectric memory to prevent penetration of hydrogen into a ferroelectric layer of the ferroelectric memory

Номер патента: US7514735B2. Автор: Shinichi Fukada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-04-07.

Ferroelectric memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060284224A1. Автор: Susumu Shuto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-12-21.

Ferroelectric memory device erasure

Номер патента: WO2024051446A1. Автор: Takashi Ando,Guy M. Cohen,Nanbo Gong. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-03-14.

Ferroelectric memory device erasure

Номер патента: US20240088065A1. Автор: Takashi Ando,Guy M. Cohen,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Method for manufacturing ferroelectric memory

Номер патента: US20060046314A1. Автор: Kinya Ashikaga. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-03-02.

Method of forming ferroelectric memory device

Номер патента: US20230363173A1. Автор: Tsann Lin,Chung-Te Lin,Han-Ting Tsai,Kuo-Chang Chiang,Min-Kun Dai,Rainer Yen-Chieh Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Ferroelectric memory devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US20040173829A1. Автор: Hyun-Ho Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-09-09.

Methods for fabricating ferroelectric memory devices

Номер патента: US20060049442A1. Автор: Hyun-Ho Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-09.

Nonvolatile ferroelectric memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070194360A1. Автор: Hee Bok Kang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-08-23.

Memory array with self-aligned epitaxially grown memory elements and annular fet

Номер патента: US20140273285A1. Автор: Chung H. Lam,John K. DeBrosse,Janusz J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Memory array with self-aligned epitaxially grown memory elements and annular fet

Номер патента: US20140264510A1. Автор: Chung H. Lam,John K. DeBrosse,Janusz J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Memory arrays with backside components and angled transistors

Номер патента: WO2024005806A1. Автор: Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Anand S. Murthy,Rishabh Mehandru,Cory E. Weber,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Pushkar Sharad RANADE. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2024-01-04.

Memory arrays with backside components and angled transistors

Номер патента: US20240008255A1. Автор: Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Anand S. Murthy,Rishabh Mehandru,Cory E. Weber,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Pushkar Sharad RANADE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Memory array with a delayed wordline boost

Номер патента: US20070025169A1. Автор: Theodore Houston. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-02-01.

Memory array with ram and embedded rom

Номер патента: US20160035433A1. Автор: Shayan Zhang,Scott I. Remington,Jianan Yang. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-02-04.

Memory array with RAM and embedded ROM

Номер патента: US09691495B2. Автор: Shayan Zhang,Scott I. Remington,Jianan Yang. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Memory array with programmable number of filters

Номер патента: US12106822B2. Автор: Sushil Kumar,Chetan Deshpande,Gajanan Sahebrao Jedhe,Gaurang Prabhakar Narvekar,Cheng-Xin Xue,Zijie Guo. Владелец: Mediatek Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Dummy read to prevent crowbar current during read-write collisions in memory arrays with crosscoupled keepers

Номер патента: US20140119102A1. Автор: David Paul Hoff,Manish Garg,Harish Shankar. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2014-05-01.

Dummy read to prevent crowbar current during read-write collisions in memory arrays with crosscoupled bitline keepers

Номер патента: WO2014070702A1. Автор: David Paul Hoff,Manish Garg,Harish Shankar. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-05-08.

Memory device with low power consumption and operation method thereof

Номер патента: US12040011B2. Автор: Meng-Fan Chang,Jui-Jen Wu,Win-San Khwa,Yen-Cheng Chiu,Yi-Lun Lu,Je-Min Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Integrated circuit device having a memory array with segmented bit lines and method of operation

Номер патента: US6023428A. Автор: Hiep Van Tran. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2000-02-08.

Cross point memory array with fast access time

Номер патента: US20040160848A1. Автор: Darrell Rinerson,Christophe Chevallier,Wayne Kinney,Steven Longcor,Edmond Ward,Steve Hsia. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2004-08-19.

Memory array with compensated word line access delay

Номер патента: US20240071431A1. Автор: John D. Porter,Si Hong Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory array with a delayed wordline boost

Номер патента: US20080019202A1. Автор: Theodore Houston. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-01-24.

Memory array with a delayed wordline boost

Номер патента: US20080037346A1. Автор: Theodore Houston. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-02-14.

Memory array for compute-in-memory and the operating method thereof

Номер патента: US20240153552A1. Автор: Wei-Zen Chen,Li-Kai Chen,Shyh-Jye Jou,Tian-sheuan Chang,Shu-Hung Kuo,Shih-Hang Kao. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2024-05-09.

Quasi-static MOS memory array with standby operation

Номер патента: US4120047A. Автор: Andrew G. Varadi. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1978-10-10.

Method of Correcting an Error in a Memory Array in a DRAM During a Read Operation and a DRAM

Номер патента: US20180336091A1. Автор: Alessandro Minzoni. Владелец: Unigroup Guoxin Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-22.

Memory array with reduced leakage current

Номер патента: US20220199147A1. Автор: Keith Golke. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Compute in memory (cim) memory array

Номер патента: US20240347101A1. Автор: Yu-Lin Chen,Chia-Fu Lee,Yen-An Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Dummy read to prevent crowbar current during read-write collisions in memory arrays with crosscoupled bitline keepers

Номер патента: EP2891153A1. Автор: David Paul Hoff,Manish Garg,Harish Shankar. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-07-08.

Dqs for data from a memory array

Номер патента: WO2006042643A1. Автор: Jung Pill Kim,Alessandro Minzoni. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-04-27.

Spatial Correlation of Reference Cells in Resistive Memory Array

Номер патента: US20100110761A1. Автор: Xiaobin Wang,Hai Li,Henry Huang,Yiran Chen,Wenzhong Zhu,Hongyue Liu. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2010-05-06.

Memory array and method of operating the same

Номер патента: US09406373B2. Автор: Bing Wang,Young Suk Kim,Kuoyuan (Peter) Hsu,Jacklyn CHANG,Derek C. Tao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Scan optimization using data selection across wordline of a memory array

Номер патента: US20220199184A1. Автор: Kishore Kumar Muchherla,Violante Moschiano,Junwyn A. Lacsao,Paing Z. Htet,Sead Zildzic. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Read operations for a memory array and register

Номер патента: US20240242746A1. Автор: Vijayakrishna J. Vankayala. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Resistive memory array

Номер патента: EP1291879A2. Автор: Lung T. Tran. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2003-03-12.

Resistive memory array

Номер патента: EP1291879A3. Автор: Lung T. Tran. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2004-04-07.

Reference cell architectures for small memory array block activation

Номер патента: EP2630643A1. Автор: Toshio Sunaga,Perng-Fei Yuh,Chao-Hung Chang,Lejan Pu. Владелец: MagIC Technologies Inc. Дата публикации: 2013-08-28.

Reduced standby power memory array and method

Номер патента: US20020080676A1. Автор: David Scott. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2002-06-27.

Gate drive voltage boost schemes for memory array ii

Номер патента: EP2467853A1. Автор: Hsu Kai Yang. Владелец: MagIC Technologies Inc. Дата публикации: 2012-06-27.

Mixed-use memory array and method for use therewith

Номер патента: WO2008016419A3. Автор: Roy E Scheuerlein. Владелец: Roy E Scheuerlein. Дата публикации: 2008-05-22.

Dual power supply memory array with dynamic selection of the lowest voltage

Номер патента: GB2497180B. Автор: Harold Pilo,George Maria Braceras,Kirk David Peterson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-13.

System for implementing write, initialization, and reset in a memory array using a single cell write port

Номер патента: US5802003A. Автор: Frank Ray Keyser, III,Joseph Andrew Iadanza,Ralph David Kilmoyer,Michael Joseph Laramie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1998-09-01.

Test method for self-refresh frequency of memory array and memory array test device

Номер патента: US20220270704A1. Автор: Tianchen LU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-08-25.

Erasing a partition of an sram array with hardware support

Номер патента: US20220013166A1. Автор: Peter Altevogt,Juergen Pille,Harry Barowski,Wolfgang Gellerich,Martin Bernhard Schmidt. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-01-13.

Memory array employing integral isolation transistors

Номер патента: US20030062556A1. Автор: Alfred Schuetz,Hartmud Terletzki,Selwyn Weaver. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-04-03.

Memory array employing integral isolation transistors

Номер патента: WO2003030176A3. Автор: Alfred Schuetz,Hartmud Terletzki,Selwyn Rhys Weaver. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-12-31.

Compute-in-memory array and module, and data computing method

Номер патента: US12046283B2. Автор: Yi Zhao,Shifan GAO. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2024-07-23.

Discharge current mitigation in a memory array

Номер патента: EP4078590A1. Автор: Andrea Ghetti,Hongmei Wang,Jin Seung SON. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-26.

Memory array using mechanical switch and method for operating thereof

Номер патента: US20090021972A1. Автор: Jun-Bo Yoon,Weon-Wi Jang,Jeong-Oen Lee. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2009-01-22.

Modular cell for a memory array, the modular cell including a memory circuit and a read circuit

Номер патента: US09502110B1. Автор: Francois Tailliet. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2016-11-22.

Electrically and optically accessible memory array

Номер патента: GB1328283A. Автор: . Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1973-08-30.

Magnetic random access memory cell with low power consumption

Номер патента: RU2573757C2. Автор: Иоан Люсиан ПРЕЖБЕАНЮ,Селин ПОРТЕМОН,Кларисс ДЮКРЮЭ. Владелец: Крокус Текнолоджи Са. Дата публикации: 2016-01-27.

Compute in memory (CIM) memory array

Номер патента: US11996137B2. Автор: Yu-Lin Chen,Chia-Fu Lee,Yen-An Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Memory array, memory cell, and data read and write method thereof

Номер патента: US20230197133A1. Автор: XIAOGUANG WANG,Yulei Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Method for relaying data to memory array

Номер патента: US20120307570A1. Автор: Phat Truong,Tien Dinh LE. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-12-06.

Systems and methods to wake up memory array

Номер патента: US20200279611A1. Автор: Gautam Dusija,Phil Reusswig,Sahil Sharma. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-09-03.

Memory array voltage source controller for retention and write assist

Номер патента: US20140169075A1. Автор: Ajay Bhatia,Hang HUANG. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2014-06-19.

A method for making a ferroelectric memory cell in a ferroelectric memory device, and a ferroelectric memory device

Номер патента: EP1550133A1. Автор: Göran Gustafsson,Johan Carlsson,Henrik Ljungcrantz,Niclas Edvardsson. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2005-07-06.

Memory device containing ferroelectric-spacer-ferroelectric memory elements and method of making the same

Номер патента: US20240064995A1. Автор: Fei Zhou,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Adarsh RAJASHEKHAR,Kartik SONDHI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-22.

Ferroelectric memory structure

Номер патента: US20240357827A1. Автор: Min-Cheng Chen,Jyun-Hong Shih. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Methods for fabricating ferroelectric memory devices with improved ferroelectric properties

Номер патента: US7488628B2. Автор: Ki-nam Kim,Yoon-Jong Song,Nak-Won Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-10.

Use of palladium as an adhesion layer and as an electrode in ferroelectric memory devices

Номер патента: US5191510A. Автор: Maria Huffman. Владелец: Ramtron International Corp. Дата публикации: 1993-03-02.

Method for forming ferroelectric memory device

Номер патента: US20070243641A1. Автор: Suk-Hun Choi,Yoon-ho Son,Sang-don Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-10-18.

Method for forming ferroelectric memory device

Номер патента: US7517703B2. Автор: Suk-Hun Choi,Yoon-ho Son,Sang-don Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-04-14.

Three-dimensional ferroelectric memory device containing lattice-matched templates and methods of making the same

Номер патента: WO2022154827A1. Автор: Fei Zhou,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Adarsh RAJASHEKHAR. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-07-21.

Multibit ferroelectric memory cells and methods for forming the same

Номер патента: US11450687B2. Автор: Fei Zhou,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Roshan TIRUKKONDA,Ramy Nashed Bassely SAID,Senaka Kanakamedala,Adarsh RAJASHEKHAR. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-09-20.

Security management of ferroelectric memory device

Номер патента: WO2022146959A1. Автор: Danilo Caraccio,Paolo Amato,Federica Cresci,Angelo Alberto Rovelli,Alessandro Orlando,Craig A. Jones,Niccolò Izzo. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-07-07.

Three-dimensional ferroelectric memory device

Номер патента: EP4304316A1. Автор: Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Hyunjae Lee,Taehwan MOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-10.

Three-dimensional ferroelectric memory device

Номер патента: US20240015983A1. Автор: Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Hyunjae Lee,Taehwan MOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-11.

Stack register having different ferroelectric memory element constructions

Номер патента: US20220350523A1. Автор: Mohamad El-Batal,Darshana H. Mehta,Jon D. Trantham,Praveen Viraraghavan,John W. Dykes,Ian J. Gilbert,Sangita Shreedharan Kalarickal,Matthew J. Totin. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2022-11-03.

Stack register having different ferroelectric memory element constructions

Номер патента: US11922055B2. Автор: Mohamad El-Batal,Darshana H. Mehta,Jon D. Trantham,Praveen Viraraghavan,John W. Dykes,Ian J. Gilbert,Sangita Shreedharan Kalarickal,Matthew J. Totin. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2024-03-05.

Floating-gate memory array with silicided buried bitlines

Номер патента: US5095345A. Автор: Howard L. Tigelaar,Manzur Gill. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1992-03-10.

Metal silicide in integration of memory array with periphery

Номер патента: US20240074166A1. Автор: Shivani Srivastava,Raghunath Singanamalla,Russell Allen Benson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

High voltage negative charge pump with low voltage CMOS transistors

Номер патента: US5422590A. Автор: Tim M. Coffman,Sung-Wei Lin. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1995-06-06.

Offset Geometries for Area Reduction in Memory Arrays

Номер патента: US20110018035A1. Автор: Theodore W. Houston,Robert R. Garcia. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-01-27.

Structure of nonvolatile memory array

Номер патента: US20050040467A1. Автор: Cheng-Ming Yih,Huei-Huarng Chen,Hsuan-Ling Kao. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-24.

High-density resistive random-access memory array with self-aligned bottom electrode contact

Номер патента: US20230147958A1. Автор: Daniel Schmidt,Ekmini Anuja De Silva,Ashim Dutta,Dexin Kong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-05-11.

Method for preparing memory array with contact enhancement cap

Номер патента: US20230156999A1. Автор: Ping Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-05-18.

Content addressable memory array with an invalidate feature

Номер патента: US20100002484A1. Автор: Christopher Gronlund. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2010-01-07.

Structure and fabrication of memory array with epitaxially grown memory elements and line-space patterns

Номер патента: US20140273286A1. Автор: Chung H. Lam,John K. DeBrosse,Janusz J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Structure and fabrication of memory array with epitaxially grown memory elements and line-space patterns

Номер патента: US09478736B2. Автор: Chung H. Lam,John K. DeBrosse,Janusz J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Recurrent neural network inference engine with gated recurrent unit cell and non-volatile memory arrays

Номер патента: US20210397931A1. Автор: Tung Thanh Hoang,Martin LUEKER-BODEN,Wen Ma. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-12-23.

Apparatuses including a memory array with separate global read and write lines and/or sense amplifier region column select line and related methods

Номер патента: US20160071556A1. Автор: John F. Schreck,Harish N. Venkata,Mansour Fardad. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-03-10.

Divided bitline flash memory array with local sense and signal transmission

Номер патента: US20090119446A1. Автор: Satoru Tamada. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-05-07.

Management of memory array with magnetic random access memory (MRAM)

Номер патента: US09830106B2. Автор: Siamack Nemazie,Berhanu Iman,Ngon Van Le,Ravishankar Tadepalli. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Three dimensional memory array with select device

Номер патента: US09728584B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Scott E. Sills,D. V. Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Minimizing disturbs in dense non volatile memory arrays

Номер патента: US09490261B2. Автор: Boaz Eitan,Amichai GIVANT,Ilan Bloom. Владелец: Cypress Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Integration of memory array with periphery

Номер патента: US20240074160A1. Автор: Shivani Srivastava,Raghunath Singanamalla,Jaydeb Goswami,Russell Allen Benson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Composed memory array comprising a flash array and a ram array with data write to the ram array and data read from the flash array

Номер патента: EP2823484A1. Автор: Charles R. Gordon,Kevin K. Walsh,Paul R. Solheim,Robert D. MUSTO,Jerry D. REILAND,Duane R. Bigelow. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2015-01-14.

Data storing in memory arrays

Номер патента: US09952796B2. Автор: Ron M. Roth,Erik Ordentlich. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2018-04-24.

Integrated circuit memory array with fast test mode utilizing multiple word line selection and method therefor

Номер патента: US6768685B1. Автор: Roy E. Scheuerlein. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2004-07-27.

Sacrificial polysilicon in integration of memory array with periphery

Номер патента: US20240074159A1. Автор: Shivani Srivastava,Raghunath Singanamalla,Russell Allen Benson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Flash memory array, and write method and erasure method therefor

Номер патента: EP4394771A1. Автор: Jiayong JIANG,Zhendong SHI. Владелец: Beijing Panxin Microelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Method and apparatus for incorporating block redundancy in a memory array

Номер патента: WO2006121529A3. Автор: Roy E Scheuerlein,Luca G Fasoli. Владелец: Luca G Fasoli. Дата публикации: 2007-08-02.

Method and apparatus for incorporating block redundancy in a memory array

Номер патента: WO2006121529A2. Автор: Roy E. Scheuerlein,Luca G. Fasoli. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2006-11-16.

Method and apparatus for incorporating block redundancy in a memory array

Номер патента: EP1864291B1. Автор: Roy E. Scheuerlein,Luca G. Fasoli. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2012-06-13.

Accelerated in-memory cache with memory array sections having different configurations

Номер патента: US20210406176A1. Автор: Dmitri Yudanov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Accelerated in-memory cache with memory array sections having different configurations

Номер патента: US20210294741A1. Автор: Dmitri Yudanov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-23.

Array voltage regulating technique to enable data operations on large cross-point memory arrays with resistive memory elements

Номер патента: US8559209B2. Автор: Chang Hua Siau. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2013-10-15.

Array voltage regulating technique to enable data operations on large memory arrays with resistive memory elements

Номер патента: US10031686B2. Автор: Chang Hua Siau. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-07-24.

Memory array with contact enhancement cap and method for preparing the memory array

Номер патента: US11917813B2. Автор: Ping Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-27.

Neuromorphic hardware apparatus based on a resistive memory array

Номер патента: US20230048278A1. Автор: Ji-Sung Lee,Hyun-Sang Hwang,Woo-Seok Choi,Joon-Hyun Kwon,Han-saem Lee,Su-Jung Noh. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2023-02-16.

Method and apparatus for testing memory arrays

Номер патента: US20030007393A1. Автор: Robert Barry,Steven Eustis,Peter Croce. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-01-09.

Neuromorphic system using memory array with cross-point structure

Номер патента: US20240312516A1. Автор: Jun-Sung Kim,Sang-Hoon Yoon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory array driver

Номер патента: US09972385B2. Автор: Brent Buchanan,Phillip David Misek. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2018-05-15.

Handling repaired memory array elements in a memory of a computer system

Номер патента: US09965346B2. Автор: Charles A. Kilmer,David D. Cadigan,Adam J. McPadden,Anil B. Lingambudi,Anuwat Saetow. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Techniques for storing data and tags in different memory arrays

Номер патента: US09563556B2. Автор: Frederick A. Ware. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-02-07.

Memory array, memory device, and methods for reading and operating the same

Номер патента: US09418763B2. Автор: Chen-Yi Huang,Jiaqi Yang,Cheng-Tai Huang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Memory array biasing circuit for high speed CMOS device

Номер патента: US4636983A. Автор: Kenneth E. Young,Bruce L. Bateman. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 1987-01-13.

High-density resistive random-access memory array with self-aligned bottom electrode contact

Номер патента: US11856878B2. Автор: Daniel Schmidt,Ekmini Anuja De Silva,Ashim Dutta,Dexin Kong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-26.

Low voltage low capacitance flash memory array

Номер патента: US20080080247A1. Автор: Shang-De Chang. Владелец: Chingis Technology Corp USA. Дата публикации: 2008-04-03.

Method for preparing memory array with contact enhancement cap

Номер патента: US11792972B2. Автор: Ping Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-10-17.

Method for preparing memory array with contact enhancement cap

Номер патента: US20230371230A1. Автор: Ping Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Method and system for defining a redundancy window around a particular column in a memory array

Номер патента: EP1568045A1. Автор: Pau-Ling Chen,Binh Quang Le. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-08-31.

Multi-bank memory array architecture utilizing topologically non-uniform blocks of sub-arrays and input/output assignments in an integrated circuit memory device

Номер патента: US20040095796A1. Автор: John Heightley,Jon Faue. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2004-05-20.

Write-Once Memory Array including Phase-Change Elements and Threshold Switch Isolation

Номер патента: US20100012918A1. Автор: Ward Parkinson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-21.

System and method to store data in an adjustably partitionable memory array

Номер патента: US09558114B2. Автор: Wolfgang Beck,Thomas Liebermann,Rex Kho,Michael Hassel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-01-31.

Flash memory array with internal refresh

Номер патента: CA2341706A1. Автор: Anil Gupta,Steve Schumann. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-03-23.

Flash memory array with internal refresh

Номер патента: WO2000016338A9. Автор: Anil Gupta,Steve Schumann. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2000-08-17.

Memory array with a simultaneous read or simultaneous write ports

Номер патента: US6104663A. Автор: Adam Kablanian. Владелец: Virage Logic Corp. Дата публикации: 2000-08-15.

Memory array with ultra-thin etched pillar surround gate access transistors and buried data/bit lines

Номер патента: US20090256181A1. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-10-15.

Memory array with ultra-thin etched pillar surround gate access transistors and buried data/bit lines

Номер патента: US20120276699A1. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-11-01.

Connection region between adjacent memory arrays for three-dimensional memory device with terrace regions and method of making thereof

Номер патента: EP3631856A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,James Kai. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-04-08.

Method and apparatus for reducing the number of programmed bits in a memory array

Номер патента: US20030046481A1. Автор: Alexander Kushnarenko. Владелец: Tower Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2003-03-06.

Fast and efficient verify recovery and array discharge for 3d nand memory arrays

Номер патента: US20240071532A1. Автор: Rohit S. Shenoy,Shantanu R. Rajwade,Sagar UPADHYAY,Golnaz Karbasian,Tarek Ahmed AMEEN BESHARI. Владелец: Intel NDTM US LLC. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory array, semiconductor chip and manufacturing method of memory array

Номер патента: US20230240159A1. Автор: Yu-Chao Lin,Jung-Piao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Global responder signal circuitry for memory arrays

Номер патента: US12131779B2. Автор: Eli Ehrman,Avidan Akerib. Владелец: GSI Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Memory arrays and methods of forming memory arrays

Номер патента: US09871078B2. Автор: Andrea Redaelli,Mattia Boniardi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Memory cells, memory arrays, and methods of forming memory cells and arrays

Номер патента: US09484536B2. Автор: Fabio Pellizzer,Andrea Redaelli,Giorgio Servalli,Carmela Cupeta. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Mitigating parasitic current while programming a floating gate memory array

Номер патента: US09472288B2. Автор: Daryl E. Anderson,James Michael Gardner,Eric T. Martin. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2016-10-18.

Memory arrays and methods of forming memory arrays

Номер патента: US09461246B2. Автор: Andrea Redaelli,Mattia Boniardi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Self-adjusting regulation current for memory array source line

Номер патента: US09368224B2. Автор: Jongmin Park,Jonathan Huynh,Steve Choi,Sung-En Wang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-06-14.

Control circuit of a resistive memory cell of a memory array

Номер патента: US20190115075A1. Автор: Meng-Fan Chang,Wen-Zhang Lin,Li-Ya LAI. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2019-04-18.

Full address coverage during memory array built-in self test with minimum transitions

Номер патента: US9651617B2. Автор: Thomas Jew,David W. Chrudimsky,Edward Bryann C. Fernandez. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor Constructions, Memory Arrays, Methods of Forming Semiconductor Constructions and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20140021439A1. Автор: Fabio Pellizzer,Cinzia Perrone. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-01-23.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12040253B2. Автор: John D. Hopkins,Chet E. Carter,Collin Howder,Alyssa N. SCARBROUGH,Justin D. Shepherdson,Joshua Wolanyk. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Systems and Methods to Reduce the Impact of Short Bits in Phase Change Memory Arrays

Номер патента: US20220319629A1. Автор: PENG Zhao,Nicola Ciocchini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12068255B2. Автор: John D. Hopkins,Richard J. Hill,Kar Wui Thong,Indra V. Chary,M. Jared Barclay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Mimicking multi-voltage domain wordline decoding logic for a memory array

Номер патента: WO2013109680A1. Автор: Chiaming Chai,Jeffrey Herbert Fischer,Shaoping Ge,Stephen E. Liles,Lam V. Nguyen. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2013-07-25.

Antifuse programmable memory array

Номер патента: EP2513909A1. Автор: Kevin Zhang,Sarvesh H. Kulkarni,Zhanping Chen. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2012-10-24.

Systems and methods to reduce the impact of short bits in phase change memory arrays

Номер патента: US11557369B2. Автор: PENG Zhao,Nicola Ciocchini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-17.

A method and a device for testing a memory array in which fault response is compresed

Номер патента: WO2001008161A3. Автор: Guillaume E A Lousberg,Paul Wielage,Erik J Marinissen. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2001-03-22.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: WO2020209944A1. Автор: George Matamis,Paolo Tessariol,Vinayak Shamanna,M. Jared Barclay,Merri L. Carlson,Saurabh Keshav,Young Joon MOON,Kunal R. PAREK. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-10-15.

A parallel asynchronous propagation pipeline structure to access multiple memory arrays

Номер патента: WO2005024833A2. Автор: Chao-Wu Chen. Владелец: Chao-Wu Chen. Дата публикации: 2005-03-17.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12089403B2. Автор: Kunal R. Parekh,George Matamis,Paolo Tessariol,Vinayak Shamanna,M. Jared Barclay,Merri L. Carlson,Saurabh Keshav,Young Joon MOON. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20200328222A1. Автор: Kunal R. Parekh,George Matamis,Paolo Tessariol,Vinayak Shamanna,M. Jared Barclay,Merri L. Carlson,Saurabh Keshav,Young Joon MOON. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Computer memory arrays employing memory banks and integrated serializer/de-serializer circuits for supporting serialization/de-serialization of read/write data in burst read/write modes, and related methods

Номер патента: US12100473B2. Автор: Pramod Kolar,Stephen E. Liles,Ashish A. BAIT. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-09-24.

A parallel asynchronous propagation pipeline structure to access multiple memory arrays

Номер патента: WO2005024833A3. Автор: Chao-Wu Chen. Владелец: Chao-Wu Chen. Дата публикации: 2006-06-08.

Fast memory array repair using local correlated electron switch (CES) memory cells

Номер патента: US09875815B1. Автор: Mudit Bhargava,Joel Thornton Irby. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-01-23.

Methods for providing redundancy in a memory array comprising mapping portions of data associated with a defective address

Номер патента: US09779839B2. Автор: Giovanni Santin,Violante Moschiano,Luigi Pilolli,Maria-Luisa Gallese. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Fast memory array repair using local correlated electron switch (CES) memory cells

Номер патента: US09767924B1. Автор: Mudit Bhargava,Joel Thornton Irby. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Memory arrays

Номер патента: US09614007B2. Автор: Andrea Redaelli,Mattia Boniardi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Field-emitter-based memory array with phase-change storage devices

Номер патента: US8000129B2. Автор: Daniel R. Shepard. Владелец: Contour Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-08-16.

Page erasing mode in flash-memory array

Номер патента: RU2222058C2. Автор: Анил ГУПТА,Стивен Дж. ШУМАНН. Владелец: Этмел Корпорейшн. Дата публикации: 2004-01-20.

Semiconductor memory array partitioned into memory blocks and sub-blocks and method of addressing

Номер патента: US6026021A. Автор: Loc B. Hoang. Владелец: Winbond Electronics Corp America. Дата публикации: 2000-02-15.

Nonvolatile flash-EEPROM memory array with source control transistors

Номер патента: US5508956A. Автор: Marco Dallabora,Giovanni Campardo,Giuseppe Crisenza. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1996-04-16.

Memory array detection circuit and detection method, and memory

Номер патента: US20230352111A1. Автор: Onegyun Na,Weijie Cheng,Liuyan HONG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Temperature compensation of conductive bridge memory arrays

Номер патента: US20140226393A1. Автор: Roy E. Scheuerlein,George Samachisa. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2014-08-14.

Modifiable repair solutions for a memory array

Номер патента: US20210407615A1. Автор: Troy A. Manning,Glen E. Hush,Troy D. Larsen,Jonathan D. Harms,Timothy P. Finkbeiner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Dual data-dependent busses for coupling read/write circuits to a memory array

Номер патента: WO2008016948A3. Автор: Roy E Scheuerlein,Luca G Fasoli. Владелец: Luca G Fasoli. Дата публикации: 2009-01-08.

Systems and methods for controlling memory array power consumption

Номер патента: US20180260014A1. Автор: Md M. Hoque,Weize Chen,Patrice M. Parris,Victor Wang,Joachim Josef Maria Kruecken,Frank Kelsey Baker, Jr.. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-09-13.

Self-aligned process to fabricate a memory cell array with a surrounding-gate access transistor

Номер патента: US20130200330A1. Автор: Chung H. Lam,Matthew J. BrightSky,Gen P. Lauer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-08-08.

Memory array device and method for reducing read current of the same

Номер патента: US20140085986A1. Автор: Guangjun Yang. Владелец: Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2014-03-27.

Memory array detection circuit and detection method, and memory

Номер патента: US12014788B2. Автор: Onegyun Na,Weijie Cheng,Liuyan HONG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Memory cell protective layers in a three-dimensional memory array

Номер патента: WO2024123561A2. Автор: Farrell M. Good. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-06-13.

Dynamic word line drivers and decoders for memory arrays

Номер патента: EP2076904A2. Автор: Jentsung Lin. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2009-07-08.

Non-volatile transistor memory array incorporating read-only elements with single mask set

Номер патента: EP1747592A4. Автор: Albert S Weiner. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2008-04-02.

Apparatus for writing data bits to a memory array

Номер патента: US20040218412A1. Автор: Michael Fischer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-11-04.

Method for writing data bits to a memory array

Номер патента: US20030137891A1. Автор: Michael Christian Fischer. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2003-07-24.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230320091A1. Автор: John D. Hopkins,Collin Howder,Jeffrey Ehorn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Discharge current mitigation in a memory array

Номер патента: US20210183440A1. Автор: Hongmei Wang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Non-volatile transistor memory array incorporating read-only elements with single mask set

Номер патента: WO2005104243A1. Автор: Albert S. Weiner. Владелец: ATMEL CORPORATION. Дата публикации: 2005-11-03.

Memory array and method used in forming a memory array

Номер патента: WO2023014463A1. Автор: Pankaj Sharma,Naveen KAUSHIK,Sidhartha Gupta. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-02-09.

Generating memory array control signals

Номер патента: US20220188036A1. Автор: Hiroshi Akamatsu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-16.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12058861B2. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory arrays having substantially vertical, adjacent semiconductor structures and their formation

Номер патента: EP2593966A2. Автор: Zengtao Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-05-22.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12063783B2. Автор: Yi Hu,Xiaosong Zhang,Tom J. John,Chandra Tiwari,Wei Yeeng Ng. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-08-13.

Memory array having improved isolation between sense lines

Номер патента: US4312047A. Автор: William J. Donoghue. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1982-01-19.

Self aligned method of forming a semiconductor memory array of floating gate memory cells with control gates protruding portions, and a memory array made thereby

Номер патента: US20020034847A1. Автор: Chih Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-21.

Compact integrated circuit with memory array

Номер патента: US20030099146A1. Автор: Chin-Hsi Lin,Ful-Long Ni,Chun-Li Chen,Meng-Chu Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-29.

Voltage generator for memory array

Номер патента: US20100246282A1. Автор: Emmanuel Racape. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2010-09-30.

Structures and methods for enhancing erase uniformity in a nitride read-only memory array

Номер патента: US20070211540A1. Автор: Han Chen,Ken Chen,Chun HUNG,Ching Chung Lin,Wen Hsieh,Nai Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-13.

Memory array

Номер патента: US20230268000A1. Автор: Ning Wang,Kegang Zhang. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Memory array having improved isolation between sense lines

Номер патента: WO1981003571A1. Автор: W Donoghue. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1981-12-10.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240315035A1. Автор: James Lattin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Sequence alignment with memory arrays

Номер патента: US12073110B2. Автор: Justin Eno,Ameen D. Akel,Sean S. Eilert,Kenneth M. Curewitz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Method for operating memory array

Номер патента: US09978457B1. Автор: Yung-Hsiang Chen,Yao-Wen Chang,I-Chen Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Memory arrays

Номер патента: US09881971B2. Автор: Tony M. Lindenberg. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Testing for threshold voltage and bit cell current of non-volatile memory arrays

Номер патента: US09691501B2. Автор: Daniel Robert Burggraf, III,Nelson Kei Leung,Trevor John Tarsi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Three dimensional memory array architecture

Номер патента: US09595667B2. Автор: Federico Pio. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Independently addressable memory array address spaces

Номер патента: US09530475B2. Автор: Troy A. Manning. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Method of and apparatus for sharing redundancy circuits between memory arrays within a semiconductor memory device

Номер патента: US6208569B1. Автор: Vipul Patel,Daniel F. McLaughlin,Terry T. Tsai. Владелец: GENESIS SEMICONDUCTOR Inc. Дата публикации: 2001-03-27.

Data access circuit for a memory array

Номер патента: CA1087740A. Автор: Richard C. Gifford,Clair A. Buzzard,Robert M. Zachok,Frank W. Lescinsky. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1980-10-14.

Method and apparatus using mapped redundancy to perform multiple large block memory array repair

Номер патента: US5495447A. Автор: Hamid Partovi,Steven W. Butler. Владелец: Digital Equipment Corp. Дата публикации: 1996-02-27.

Automatically testing a plurality of memory arrays on selected memory array testers

Номер патента: US4606025A. Автор: Robert M. Peters,Henri D. Schnurmann,Louis J. Vidunas. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1986-08-12.

Assigning data to a resistive memory array based on a significance level

Номер патента: US20190065118A1. Автор: Naveen Muralimanohar,Ali Shafiee Ardestani,Ben Feinberg. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2019-02-28.

Matching patterns in memory arrays

Номер патента: WO2021257371A1. Автор: Dmitri Yudanov. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-12-23.

Method and device for testing memory array structure, and storage medium

Номер патента: US11823756B2. Автор: Maosong MA,Jianbin Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Pattern generation for multi-channel memory array

Номер патента: US20220091776A1. Автор: Sang-Hoon Shin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

Memory array accessibility

Номер патента: WO2019046111A1. Автор: Daniel B. Penney,Gary L. Howe. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-03-07.

Memory array accessibility

Номер патента: US20190384512A1. Автор: Daniel B. Penney,Gary L. Howe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-19.

Memory array structure

Номер патента: US20240021226A1. Автор: Meng-Fan Chang,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Jer-Fu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Techniques for storing data and tags in different memory arrays

Номер патента: US20230393989A1. Автор: Frederick A. Ware. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2023-12-07.

Memory array accessibility

Номер патента: US11886715B2. Автор: Daniel B. Penney,Gary L. Howe. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-01-30.

At-speed multi-port memory array test method and apparatus

Номер патента: WO2007103745A3. Автор: Anand Krishnamurthy,Sanjay B Patel,Lakshmikant Mamileti,Clint Wayne Mumford. Владелец: Clint Wayne Mumford. Дата публикации: 2007-11-29.

Assigning data to a resistive memory array based on a significance level

Номер патента: WO2017171773A1. Автор: Naveen Muralimanohar,Ali Shafiee Ardestani,Ben Feinberg. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-10-05.

Bit string accumulation in memory array periphery

Номер патента: US20200387474A1. Автор: Vijay S. Ramesh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-10.

Virtual and physical extended memory array

Номер патента: US20240086319A1. Автор: Donald M. Morgan,Alan J. Wilson,Bryan David Kerstetter. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Temperature compensation in an analog memory array by changing a threshold voltage of a selected memory cell in the array

Номер патента: US20210090654A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Matching patterns in memory arrays

Номер патента: US20240153556A1. Автор: Dmitri Yudanov. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-05-09.

Matching patterns in memory arrays

Номер патента: US20220199157A1. Автор: Dmitri Yudanov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Assigning data to a resistive memory array based on a significance level

Номер патента: EP3286639A1. Автор: Naveen Muralimanohar,Ali Shafiee Ardestani,Ben Feinberg. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2018-02-28.

Method and apparatus for dual data-dependent busses for coupling read/write circuits to a memory array

Номер патента: EP2062263A2. Автор: Roy E. Scheuerlein,Luca G. Fasoli. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2009-05-27.

Method and apparatus for dual data-dependent busses for coupling read/write circuits to a memory array

Номер патента: EP2062263A4. Автор: Roy E Scheuerlein,Luca G Fasoli. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2009-08-12.

Memory array accessibility

Номер патента: US20240168656A1. Автор: Daniel B. Penney,Gary L. Howe. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-05-23.

Memory array - periphery integration with split barrier metal stack

Номер патента: US20240074161A1. Автор: Shivani Srivastava,Raghunath Singanamalla,Jaydip Guha,Russell Allen Benson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

At-speed multi-port memory array test method and apparatus

Номер патента: EP1989713A2. Автор: Anand Krishnamurthy,Sanjay B. Patel,Lakshmikant Mamileti,Clint Wayne Mumford. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2008-11-12.

At-speed multi-port memory array test method and apparatus

Номер патента: WO2007103745A2. Автор: Anand Krishnamurthy,Sanjay B. Patel,Lakshmikant Mamileti,Clint Wayne Mumford. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2007-09-13.

Methods for forming connections to a memory array and periphery

Номер патента: US20130049074A1. Автор: Shyam Surthi,Hung-Ming Tsai. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-02-28.

Non-volatile memory array leakage detection

Номер патента: US20210398602A1. Автор: Sridhar Yadala,Pradeep Anantula,Aswani Krishna Lakshminarayana Addagalla,Sivakumar Grandhi,V.S.N.K.Chaitanya G. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-12-23.

Dynamic word line drivers and decoders for memory arrays

Номер патента: EP2076904B1. Автор: Jentsung Lin. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2012-08-01.

Dynamic word line drivers and decoders for memory arrays

Номер патента: WO2008045966A2. Автор: Jentsung Lin. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2008-04-17.

Method and apparatus for simultaneously accessing a plurality of memory cells in a memory array to perform a read operation and/or a write operation

Номер патента: US20140204682A1. Автор: Pantas Sutardja,Winston Lee. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2014-07-24.

Macro and command execution from memory array

Номер патента: US20120110375A1. Автор: Benjamin Louie,Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-05-03.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210384208A1. Автор: John D. Hopkins,Nancy M. LOMELI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Three dimensional memory array architecture

Номер патента: EP2891182A1. Автор: Federico Pio. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-07-08.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20220020763A1. Автор: Yongjun Jeff Hu,John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Daniel Billingsley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Scalable Interface for a Memory Array

Номер патента: US20090177813A1. Автор: Gene Leung,Wayne M. Barrett,Todd A. Greenfield. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-07-09.

Dynamic word line drivers and decoders for memory arrays

Номер патента: US20080084778A1. Автор: Jentsung Lin. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2008-04-10.

Data structure of defective address information and defective address information encoding method for memory array

Номер патента: US20160104545A1. Автор: Jen-Chien Fu,Shih-Jia Zeng. Владелец: Lite On Technology Corp. Дата публикации: 2016-04-14.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11765902B2. Автор: Lifang Xu,John D. Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Poly α-amino acid and ferroelectric memory element using same

Номер патента: US09464167B2. Автор: Satoru Ohashi,Manabu Kitazawa,Sei Uemura,Toshihide Kamata. Владелец: Ajinomoto Co Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Temperature compensation circuit and method for neural network computing-in-memory array

Номер патента: US11720327B2. Автор: Xiaofeng Gu,Zhiguo Yu,Hongbing Pan,Yanhang LIU. Владелец: JIANGNAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-08-08.

Temperature Compensation Circuit and Method for Neural Network Computing-in-memory Array

Номер патента: US20230048640A1. Автор: Xiaofeng Gu,Zhiguo Yu,Hongbing Pan,Yanhang LIU. Владелец: JIANGNAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-02-16.

Apparatus for storing/reading data in a memory array of a transponder

Номер патента: US20140215166A1. Автор: Francesco Gallo,Hauke Meyn. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2014-07-31.

An optically tunable terahertz modulator with low power consumption and low insertion loss and preparation method thereof

Номер патента: AU2020103112A4. Автор: CHEN MO,Jingbo Liu,Dongxiong LING,Dongshan Wei. Владелец: Dongguan University of Technology. Дата публикации: 2021-01-07.

Dielectric barrier discharge ionization detector

Номер патента: US20180067079A1. Автор: Katsuhisa Kitano,Kei Shinada. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2018-03-08.

A ferroelectric memory circuit and method for its fabrication

Номер патента: EP1346367A1. Автор: Lichun Chen,Nicklas Johansson. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2003-09-24.

A ferroelectric memory circuit and method for its fabrication

Номер патента: EP1346367B1. Автор: Lichun Chen,Nicklas Johansson. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2005-03-09.

Three-dimensional ferroelectric memory devices including a backside gate electrode and methods of making same

Номер патента: WO2020149937A1. Автор: Koji Sato. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-07-23.

Method of manufacturing ferroelectric memory device

Номер патента: US20020098599A1. Автор: Takashi Nakamura,Hidemi Takasu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-25.

Ferroelectric memory device

Номер патента: US20070111335A1. Автор: Setsuya Iwashita,Hiromu Miyazawa,Takamitsu Higuchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-05-17.

Ferroelectric memory device and method of forming the same

Номер патента: US20230225130A1. Автор: Zhiqiang Wu,Ya-Yun Cheng,Chung-Wei Wu,Peng-Chun Liou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Three-dimensional ferroelectric memory devices

Номер патента: US20240164108A1. Автор: Kyunghwan Lee,Yongseok Kim,Daewon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-16.

Piezoelectric element, droplet discharge head, ferroelectric memory, and piezoelectric actuator

Номер патента: EP4350790A1. Автор: Shintaro Hara,Yuji Matsushita,Hideki Mashima. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2024-04-10.

Piezoelectric element, piezoelectric actuator, liquid droplet discharging head, liquid droplet discharging device, and ferroelectric memory

Номер патента: EP4362649A1. Автор: Shintaro Hara,Yuji Matsushita,Hideki Mashima. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2024-05-01.

Memory arrays; methods of forming memory arrays; and methods of forming contacts to bitlines

Номер патента: WO2005117121A2. Автор: Luan C. Tran,Fred D. Fishburn. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2005-12-08.

Interconnect structure with a low permittivity dielectric layer

Номер патента: EP1019959A1. Автор: Robin Cheung,Charles May. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-07-19.

Low-permittivity connector and flat-cable

Номер патента: US4923410A. Автор: Hirosuke Suzuki. Владелец: Junkosha Co Ltd. Дата публикации: 1990-05-08.

Ferroelectric memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180286988A1. Автор: Hyangkeun YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-10-04.

Ferroelectric memory chiplet in a multi-dimensional packaging with I/O switch embedded in a substrate or interposer

Номер патента: US12086410B1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Christopher B. Wilkerson,Debo Olaosebikan. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Ferroelectric memory chiplet in a multi-dimensional packaging

Номер патента: US12079475B1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Christopher B. Wilkerson,Debo Olaosebikan. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Multi-level ferroelectric memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09954000B2. Автор: Se Hun Kang,Deok Sin Kil. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Ferroelectric memory device and method of forming the same

Номер патента: US11758737B2. Автор: Han-Jong Chia. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Method for forming a ferroelectric memory device

Номер патента: US20020001859A1. Автор: Nam-Soo Kang,Bee-Lyong Yang. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-03.

Ferroelectric memory device, manufacturing method of the ferroelectric memory device and semiconductor chip

Номер патента: US20220285396A1. Автор: Hai-Ching Chen,Chung-Te Lin,Yu-Ming Lin,Yen-Chieh Huang Rainer. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Ferroelectric memory device, manufacturing method of the ferroelectric memory device and semiconductor chip

Номер патента: US20230269947A1. Автор: Hai-Ching Chen,Chung-Te Lin,Yu-Ming Lin,Yen-Chieh Huang Rainer. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Method of making a self-aligned ferroelectric memory transistor

Номер патента: US20030071292A1. Автор: Tingkai Li,Sheng Hsu,Fengyan Zhang. Владелец: SHENG LABORATORIES OF AMERICA Inc. Дата публикации: 2003-04-17.

Ferroelectric memory device

Номер патента: US12051751B2. Автор: Hyangkeun YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Integrated circuit ferroelectric memory devices including plate lines directly on ferroelectric capacitors

Номер патента: US6828611B2. Автор: Hyun-Ho Kim,Ki-nam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-12-07.

RFID device having nonvolatile ferroelectric memory device

Номер патента: US20070018821A1. Автор: Hee Kang,Jin Ahn. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-01-25.

Process and structure for masking integrated capacitors of particular utility for ferroelectric memory integrated circuits

Номер патента: US20030071294A1. Автор: Masahisa Ueda,Shan Sun,George Hickert,Diana Johnson,John Ortega,Eric Dale. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-17.

Process and structure for masking integrated capacitors of particular utility for ferroelectric memory integrated circuits

Номер патента: US20020117701A1. Автор: Masahisa Ueda,Shan Sun,George Hickert,Diana Johnson,John Ortega,Eric Dale. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-29.

Ferroelectric memory devices including patterned conductive layers

Номер патента: US6359295B2. Автор: Mi-Hyang Lee,Dong-Jin Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-03-19.

Three-dimensional vertical single transistor ferroelectric memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US11839085B2. Автор: Huaxiang Yin,Tianchun Ye,Zhaozhao HOU,Chaolei Li. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-12-05.

Ferroelectric memory device and method of forming the same

Номер патента: US20240055517A1. Автор: Hai-Ching Chen,Chung-Te Lin,Chun-Chieh Lu,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Po-Ting Lin,Kuo-Chang Chiang,Yu-Chuan Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Ferroelectric memory devices with reduced edge leakage and methods for forming the same

Номер патента: US20220005829A1. Автор: Yushi Hu. Владелец: Wuxi Petabyte Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-06.

Ferroelectric memory devices containing a two-dimensional charge carrier gas channel and methods of making the same

Номер патента: US20200203381A1. Автор: Peter Rabkin,Masaaki Higashitani,Alan Kalitsov. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-06-25.

Method for manufacturing ferroelectric memory device

Номер патента: US20070243640A1. Автор: Hiroaki Tamura. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-10-18.

Three-dimensional ferroelectric memory device

Номер патента: US20240172447A1. Автор: Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Hyunjae Lee,Dukhyun CHOE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Fin structure for increasing performance of ferroelectric memory device

Номер патента: US20230345733A1. Автор: Kuo-Ching Huang,Kuen-Yi Chen,Yi Ching Ong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Integrated circuit including ferroelectric memory cells and methods for manufacturing

Номер патента: US20180233573A1. Автор: James Lin,Francesco Anthony Annetta. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-08-16.

Three-dimensional ferroelectric memory device

Номер патента: EP4376567A1. Автор: Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Hyunjae Lee,Dukhyun CHOE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-29.

Ferroelectric memory device

Номер патента: US20240049472A1. Автор: Yongseok Kim,Daewon HA,Hyuncheol Kim,Kiheun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-08.

Monolithic semiconductor integrated circuit ferroelectric memory device, and methods of fabricating and utilizing same

Номер патента: US4707897A. Автор: George A. Rohrer,Larry McMillan. Владелец: Ramtron International Corp. Дата публикации: 1987-11-24.

Method of preparing programmable diode, programmable diode and ferroelectric memory

Номер патента: US20230397429A1. Автор: Ming Liu,Qing LUO,Hangbing Lv. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-12-07.

Ferroelectric memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230120089A1. Автор: Dae Hyun Kim,Sung Hyun Yoon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-20.

Ferroelectric memory device

Номер патента: US20230371274A1. Автор: Han-Jong Chia. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Ferroelectric memory device

Номер патента: US20230165012A1. Автор: MUSARRAT Hasan,Bongjin Kuh,Yongho Ha,Gabjin Nam,Geonju Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-25.

Ferroelectric memory device and method of forming the same

Номер патента: US11910617B2. Автор: Chun-Chieh Lu,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Method for fabricating ferroelectric memory cells

Номер патента: US6806097B2. Автор: Matthias Kroenke,Igor Kasko. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-10-19.

Method for fabricating ferroelectric memory cells

Номер патента: US20040157345A1. Автор: Matthias Kroenke,Igor Kasko. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-08-12.

Ferroelectric memory device

Номер патента: US20210013345A1. Автор: Hyangkeun YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-14.

Ferroelectric memory device

Номер патента: US20230054290A1. Автор: Hyangkeun YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

3d ferroelectric memory device

Номер патента: US20240172448A1. Автор: Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Hyunjae Lee,Dukhyun CHOE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Ferroelectric memory cell

Номер патента: US11871581B2. Автор: Huang-Lin Chao,Chung-Liang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Ferroelectric memory cell

Номер патента: US20240090232A1. Автор: Huang-Lin Chao,Chung-Liang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

3-dimensional NOR memory array with very fine pitch: device and method

Номер патента: US12052867B2. Автор: Scott Brad Herner,Wu-Yi Henry Chien,Eli Harari. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

3-dimensional nor memory array with very fine pitch: device and method

Номер патента: US20240357817A1. Автор: Scott Brad Herner,Wu-Yi Henry Chien,Eli Harari. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Memory devices having low permittivity layers and methods of fabricating the same

Номер патента: US9362340B2. Автор: Masayuki Terai,Jung-Moo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-06-07.

Carbon-free laminated hafnium oxide/zirconium oxide films for ferroelectric memories

Номер патента: US20220020862A1. Автор: Thomas H. Baum,Jun-Fei Zheng. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

3-dimensional nor memory array with very fine pitch: device and method

Номер патента: US20210313348A1. Автор: Scott Brad Herner,Wu-Yi Henry Chien,Eli Harari. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2021-10-07.

Error-correcting memory with low storage overhead and fast correction mechanism

Номер патента: WO1983001523A1. Автор: Corporation Burroughs,Fazil I. Osman. Владелец: Burroughs Corp. Дата публикации: 1983-04-28.

Electronic apparatus with pocket of low permittivity material to reduce electromagnetic interference

Номер патента: US09812446B2. Автор: Chi-Ming Wang,Jongwon Shin. Владелец: Toyota Motor Engineering and Manufacturing North America Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Memory array with salicide isolation

Номер патента: US20020182797A1. Автор: Ming-Hung Chou,Chong-Jen Huang,Hsin-Huei Chen,Jui-Lin Lu,Shou-Wei Hwang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-05.

Dielectric barrier discharge ionization, analytical instrument and ionization method

Номер патента: US12106954B2. Автор: Wenjian Sun,Yiming Lin. Владелец: Shimadzu Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Inductively coupled dielectric barrier discharge lamp

Номер патента: US09493366B2. Автор: William T. Stoner, JR.,Karlis Vecziedins,Michael E. Miles,Richard B. Bylsma,Joshua K. Schwannecke,David A. Meekhof,Donovan L. Squires,Matthew J. Norconk,Matthew J. Lilley. Владелец: ACCESS BUSINESS GROUP INTERNATIONAL LLC. Дата публикации: 2016-11-15.

Electrode system for plasma treatment with dielectric barrier

Номер патента: RU2715392C2. Автор: Леонхард ТРУТВИГ,Мирко ХАНЛЬ,Карл-Отто ШТОРК,Дирк ВАНДКЕ,Маттиас КОПП. Владелец: Сайноджи Гмбх. Дата публикации: 2020-02-27.

Programmable capacitor memory arrays with stacked access transistors

Номер патента: US20240008291A1. Автор: Tahir Ghani,Anand Murthy,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Dielectric barrier discharge lamp lighting apparatus and method of detecting the number of normally lighting dielectric barrier discharge lamps

Номер патента: US20090066257A1. Автор: Satoshi Kominami,Toshiaki Kurachi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-12.

Light source device of a dielectric barrier discharge lamp

Номер патента: US20020093295A1. Автор: Takahiro Hiraoka,Masashi Okamoto,Toshio Okamoto. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2002-07-18.

Electrode structure for formation of dielectric barrier plasma discharge

Номер патента: RU2737280C2. Автор: Леонхард ТРУТВИГ,Мирко ХАНЛЬ,Карл-Отто ШТОРК,Дирк ВАНДКЕ. Владелец: Сайноджи Гмбх. Дата публикации: 2020-11-26.

Memory array with buried bitlines below vertical field effect transistors of memory cells and a method of forming the memory array

Номер патента: US20190035791A1. Автор: Hui Zang,Jerome Ciavatti,Rinus Tek Po Lee. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-01-31.

Dielectric barrier discharge plasma generator

Номер патента: US20230403781A1. Автор: Zheng Chen,HAO Meng,Jun Qi,Yi Dong DU,Li Dong HE. Владелец: ASMPT Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Horn radiator for antenna arrays with circular polarization

Номер патента: RU2723980C1. Автор: Владимир Викторович Денисенко,Юрий Борисович Корчемкин,Александр Васильевич Шишлов,Руслан Артурович Колесников. Владелец: Публичное акционерное общество "Радиофизика". Дата публикации: 2020-06-18.

Single dielectric barrier non-thermal plasma reactor and method-planar and swept shapes

Номер патента: US20020076366A1. Автор: David Nelson,Bob Li,Blaine Danley. Владелец: Delphi Technologies Inc. Дата публикации: 2002-06-20.

Light source device, dielectric barrier discharge lamp lighting circuit, and dielectric barrier discharge lamp lighting method

Номер патента: US20240244724A1. Автор: Koji Oda,Takanori Samejima. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2024-07-18.

Process and device for treatment by dielectric barrier discharge lamps

Номер патента: US20030094909A1. Автор: Nobuyuki Hishinuma. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2003-05-22.

Method and device for spati-temporal coding in wireless communications system with usage of party check codes with low density raise supporting

Номер патента: RU2327287C2. Автор: Чан-Биоунг ЧАЕ,Хонг-Сил ДЗЕОНГ,Дзае-Йоел КИМ. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2008-06-20.

Continuous optical communication method with low-altitude target

Номер патента: RU2715499C1. Автор: Борис Геннадьевич Майоров. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Рубин" (АО "НПП "Рубин"). Дата публикации: 2020-02-28.

3d polysilicon diode with low contact resistance and method for forming same

Номер патента: US20110062557A1. Автор: Abhijit Bandyopadhyay,Steven Maxwell,Kun Hou. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2011-03-17.

Composition containing modified red mud with low content of chromates, and a method for production thereof

Номер патента: RU2728137C2. Автор: Христиан РОКТЕШЕЛЬ. Владелец: Флюорхеми Гмбх Франкфурт. Дата публикации: 2020-07-28.

Intermediate memory array with a parallel port and a buffered serial port

Номер патента: US4718039A. Автор: Frederick J. Aichelmann, Jr.,Vincent F. Sollitto, Jr.,William F. Shutler. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1988-01-05.

Solver of partial differential equation based on non-volatile memory array and method of solving partial differential equation based on non-volatile memory array

Номер патента: US20240289415A1. Автор: Xiaoyan Liu,Peng Huang,Jinfeng Kang,Haozhang YANG. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-08-29.

Input-dependent random number generation using memory arrays

Номер патента: US09696965B2. Автор: MOSHE Alon. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Plasma treatment of surface using dielectric barrier discharges

Номер патента: RU2462534C2. Автор: Махер И. БОУЛОС,Ульрих КОГЕЛЬШАТЦ,Кристин НЕССИМ. Владелец: Текна Плазма Системз Инк.. Дата публикации: 2012-09-27.

Product from textured silicon steel with low losses in iron for transformer with low noise level and method of production thereof

Номер патента: RU2721969C1. Автор: Гобао ЛИ,Яньли СУН,Вэйюн СЕ,Чэнь ЛИН,Цзыпэн ЧЗАО,Чанцзюнь ХОУ,Банлинь СЯН,Каньи ШЕНЬ. Владелец: Баошан Айрон Энд Стил Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-05-25.

Pressure pump with dielectric barrier and method of its fabrication

Номер патента: RU2516002C2. Автор: Ричард С. ДИЕР,Джозеф С. СИЛКИ,Брэдли А. ОСБОРН. Владелец: Зе Боинг Компани. Дата публикации: 2014-05-20.

Niobium-nickel-titanium alloy barrier for coatings with low emissivity

Номер патента: RU2721607C2. Автор: Мухаммад ИМРАН,Говэнь ДИН,Даниель ШВАЙГЕРТ,Цзинюй ЛАО,Брент БОЙС,Гуйчжэнь ЧЖАН,Джереми ЧЭН,Минх Хуу ЛЭ,Юнли СЮЙ,Юй ВАНЬ,СУНЬ Чжи-Вэнь ВЭНЬ. Владелец: Интермолекьюлар Инк.. Дата публикации: 2020-05-21.

Discharge control shield for high voltage electrical apparatus including a dielectric barrier

Номер патента: US3840716A. Автор: G Sommerman,A Cookson. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1974-10-08.

Artificial insemination of mammalians with low quantity of sex-separated spermatozoa

Номер патента: RU2303354C2. Автор: Лайза ХЕРИКХОФФ,Джордж Э. СЕЙДЕЛ,Джон ШЕНК. Владелец: КОЛОРАДО СТЕЙТ ЮНИВЕРСИТИ тру итс эйджент КОЛОРАДО СТЕЙТ ЮНИВЕРСИТИ РИСЕРЧ ФАУНДЕЙШН. Дата публикации: 2007-07-27.

Dielectric barrier discharge lamp light source

Номер патента: US6369519B1. Автор: Kenichi Hirose,Masashi Okamoto. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2002-04-09.

Dielectric barrier discharge ionization, analytical instrument and ionization method

Номер патента: EP3867944A1. Автор: Wenjian Sun,Yiming Lin. Владелец: Shimadzu Corp. Дата публикации: 2021-08-25.

Light source device, dielectric barrier discharge lamp lighting circuit, dielectric barrier discharge lamp lighting method

Номер патента: EP4231781A1. Автор: Minoru Fukuda,Takanori Samejima. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2023-08-23.

Light source device, dielectric barrier discharge lamp lighting circuit, and dielectric barrier discharge lamp lighting method

Номер патента: EP4373213A1. Автор: Koji Oda,Takanori Samejima. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2024-05-22.

Dielectric barrier discharge lamp device

Номер патента: US6657367B1. Автор: Satoru Fukuda,Shinji Sugioka,Nobuyuki Hishinuma. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2003-12-02.

Dielectric barrier discharge plasma actuators

Номер патента: US20240215142A1. Автор: Igor V. Novosselov,Alexander V. Mamishev,Ravi Sankar Vaddi. Владелец: UNIVERSITY OF WASHINGTON. Дата публикации: 2024-06-27.

3D Semiconductor Package Including Memory Array

Номер патента: US20210407980A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-30.

Architecture for vector memory array transposition using a block transposition accelerator

Номер патента: US20160170936A1. Автор: Yanmeng Sun,Liangliang Hu. Владелец: St Ericsson SA. Дата публикации: 2016-06-16.

Method and apparatus for maintaining topographical uniformity of a semiconductor memory array

Номер патента: US20070082449A1. Автор: Gowrishankar Chindalore. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2007-04-12.

Memory Arrays, Semiconductor Constructions, and Methods of Forming Semiconductor Constructions

Номер патента: US20150014766A1. Автор: Shyam Surthi,Jaydip Guha,Lars P. Heineck. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-01-15.

Treatment pad for a dielectric barrier discharge plasma treatment

Номер патента: US20240042225A1. Автор: Wouter Bastiaan Zeper,Paulien SMITS,Sofie BASELMANS,Elisabeth Frieda DE RIDDER,Jeroen Antoine Jozef MULDER. Владелец: Plasmacure BV. Дата публикации: 2024-02-08.

Misty plasma dielectric barrier discharge plasma system for disinfection

Номер патента: US20230346998A1. Автор: Malik M. Tahiyat,Tanvir I. Farouk,Shamia Hoque,Traci Testerman. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH CAROLINA. Дата публикации: 2023-11-02.

Treatment pad for a dielectric barrier discharge plasma treatment

Номер патента: EP4265071A1. Автор: Wouter Bastiaan Zeper,Paulien SMITS,Sofie BASELMANS,Elisabeth Frieda DE RIDDER,Jeroen Antoine Jozef MULDER. Владелец: Plasmacure BV. Дата публикации: 2023-10-25.

Drive circuit for a dielectric barrier discharge device and method of controlling the discharge in a dielectric barrier discharge

Номер патента: AU2021380950A9. Автор: Dominik Neumayr,Juan Mario Michan,William Jamieson RAMSAY. Владелец: Daphne Technology SA. Дата публикации: 2024-10-10.

Vertical memory devices, memory arrays, and memory devices

Номер патента: US09559201B2. Автор: Shyam Surthi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Mask read-only memory array, memory device, and fabrication method thereof

Номер патента: US09559104B2. Автор: Chao Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Dielectric barriers with mechanical attachment

Номер патента: US09504141B2. Автор: Chukwunonso Nzubechukwu Okoli,Troy Thomas Miller. Владелец: ABL IP HOLDING LLC. Дата публикации: 2016-11-22.

System and method for plasma treatment using directional dielectric barrier discharge energy system

Номер патента: US09437401B2. Автор: Greg A. Watson,Jeffrey I. Meyers. Владелец: Plasmology4 Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Architecture for vector memory array transposition using a block transposition accelerator

Номер патента: US09436655B2. Автор: Yanmeng Sun,Liangliang Hu. Владелец: St Ericsson SA. Дата публикации: 2016-09-06.

Hydrophobic materials with low stickiness for ophthalmological devices

Номер патента: RU2570575C2. Автор: Уолтер Р. ЛАРЕДО,Сюйвэй ЦЗЯН. Владелец: НОВАРТИС АГ. Дата публикации: 2015-12-10.

Cover for cable routing in pipe with low friction and high strength

Номер патента: RU2580940C2. Автор: Джерри Л. АЛЛЕН. Владелец: ВЕСКО Эквити Корпорейшн. Дата публикации: 2016-04-10.

Universal radio-beam device for alarm signalling with low power consumption

Номер патента: RU2698770C1. Автор: Владимир Эристович Иванов,Николай Николаевич Хвесько,Владимир Алексеевич Сергеев,Александр Афанасьевич Скоробогатов,Дмитрий Олегович Панькин. Владелец: Акционерное общество "Федеральный научно-производственный центр "Производственное объединение "Старт" им. М.В. Проценко" (АО "ФНПЦ ПО "Старт" им. М.В. Проценко"). Дата публикации: 2019-08-29.

Coding of audio signal with low speed of bits transmission

Номер патента: RU2368018C2. Автор: БРИНКЕР Альбертус С. ДЕН,Андреас Й. ГЕРРИТС. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2009-09-20.

Data transmission device based on codes with low density of checks on parity

Номер патента: RU2713573C1. Автор: Александр Эдуардович Жданов. Владелец: Акционерное общество "Концерн "Созвездие". Дата публикации: 2020-02-05.

Control center with interfitting dielectric barriers for bus bars

Номер патента: CA1127746A. Автор: John R. Wilson,Sadiq A. Shariff,Brij M. Bharteey,Neal E. Rowe. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1982-07-13.

Method to make electrolytic capacitors with low leakage current

Номер патента: RU2543486C2. Автор: Герд ПАССИНГ,Кнуд РОЙТЕР,Удо МЕРКЕР,Хикмет КАРАБУЛУТ. Владелец: Х.К. Штарк Гмбх. Дата публикации: 2015-03-10.

Memory array and memory device

Номер патента: US12035532B2. Автор: Chih-Chieh Yeh,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Jer-Fu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Automated verification of technology specific and technology independent logic models of a memory array

Номер патента: US20240111933A1. Автор: Thomas Kalla,Philipp Salz,Jentje Leenstra,Richard Louis Henry Carbone. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Unipolar diode with low turn-on voltage

Номер патента: US20120313105A1. Автор: Vesna Radisic,Donald J. Sawdai,Kwok K. LOI. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2012-12-13.

Automated verification of technology specific and technology independent logic models of a memory array

Номер патента: WO2024068450A1. Автор: Thomas Kalla,Philipp Salz,Jentje Leenstra,Richard Carbone. Владелец: IBM Deutschland GmbH. Дата публикации: 2024-04-04.

Memory Cells, Memory Arrays, and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20190198509A1. Автор: Changhan Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Methods, apparatuses, systems, devices, and computer program products directed to low latency bandwidth efficient communications with low duplex spacing

Номер патента: US10476655B2. Автор: Erdem Bala,Leonid L KAZAKEVICH. Владелец: InterDigital Patent Holdings Inc. Дата публикации: 2019-11-12.

Memory array configuration for shared word lines

Номер патента: US20240329840A1. Автор: Marcello Mariani,Daniele Vimercati,Giorgio Servalli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor memory device and semiconductor memory array comprising the same

Номер патента: US09991266B2. Автор: Zhibiao Zhou,Ding-Lung Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Dual data storage using an in-memory array and an on-disk page structure

Номер патента: US09891831B2. Автор: Mihnea Andrei,Ivan Schreter,Thomas Legler,Guenter Radestock,Anil Kumar Goel,David Wein. Владелец: SAP SE. Дата публикации: 2018-02-13.

Double bandwidth algorithmic memory array

Номер патента: US09870163B2. Автор: Igor Arsovski,Eric D. Hunt-Schroeder,Mark W. Kuemerle. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Materializing data from an in-memory array to an on-disk page structure

Номер патента: US09830109B2. Автор: Mihnea Andrei,Ivan Schreter,Dirk Thomsen,David Wein. Владелец: SAP SE. Дата публикации: 2017-11-28.

Array of conductive vias, methods of forming a memory array, and methods of forming conductive vias

Номер патента: US09812455B2. Автор: Wolfgang Mueller,Sanh D. Tang,Brent Gilgen,Dylan R. MACMASTER,Jim A. Jozwiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Methods of forming memory arrays

Номер патента: US09646875B2. Автор: Sara Vigano,Niccolo Righetti,Emelio Camerlenghi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Array of conductive vias, methods of forming a memory array, and methods of forming conductive vias

Номер патента: US09589962B2. Автор: Wolfgang Mueller,Sanh D. Tang,Brent Gilgen,Dylan R. MACMASTER,Jim A. Jozwiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Materializing data from an in-memory array to an on-disk page structure

Номер патента: US09513811B2. Автор: Mihnea Andrei,Ivan Schreter,Dirk Thomsen,David Wein. Владелец: SAP SE. Дата публикации: 2016-12-06.

Gas discharge lamp with dielectric barrier

Номер патента: RU2471261C2. Автор: Георг ГРОЙЕЛЬ,Вольфганг С. ШИНЕ,Норберт Б. БРАУН. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2012-12-27.

Systems and methods of dynamic normalisation to reduce loss of accuracy for signals with low level

Номер патента: RU2419172C2. Автор: Вивек РАДЖЕНДРАН,Анантхападманабхан А. КАНДХАДАЙ. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2011-05-20.

Plasma surface treatment using dielectric barrier discharges

Номер патента: CA2659298C. Автор: Maher I. Boulos,Ulrich Kogelschatz,Christine Nessim. Владелец: Tekna Plasma Systems Inc. Дата публикации: 2012-03-06.

Dielectric barrier discharge lamp lighting device

Номер патента: US7852008B2. Автор: Satoshi Kominami,Toshiaki Kurachi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-12-14.

Dielectric barrier discharge plasma method and apparatus for synthesizing metal particles

Номер патента: CA2970947C. Автор: Marc-Andre Fortin,Mathieu Bouchard,Stephane TURGEON,Christian SARRA-BOURNET. Владелец: UNIVERSITE LAVAL. Дата публикации: 2023-03-07.

Light source device, dielectric barrier discharge lamp lighting circuit, dielectric barrier discharge lamp lighting method

Номер патента: US20230413398A1. Автор: Minoru Fukuda,Takanori Samejima. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2023-12-21.

Three-dimensional memory array with dual-level peripheral circuits and methods for forming the same

Номер патента: US12004348B2. Автор: Fumiaki TOYAMA,Yuki Mizutani,Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-04.

Three-dimensional memory array with dual-level peripheral circuits and methods for forming the same

Номер патента: WO2022265680A1. Автор: Fumiaki TOYAMA,Yuki Mizutani,Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-12-22.

Method and apparatus for high-sensitivity detection of anomalous signals in systems with low-resolution sensors

Номер патента: US7167812B1. Автор: Kenny C. Gross,Aleksey M. Urmanov,Kalyanaraman Vaidyanathan. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2007-01-23.

Memory Array And Method Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240244840A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Nancy M. LOMELI,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Data synchronizing system for multiple memory array processing field organized data

Номер патента: WO1997035400A2. Автор: Leland Putnam. Владелец: Philips Norden Ab. Дата публикации: 1997-09-25.

Memory arrays and methods used in forming a memory array

Номер патента: WO2020112256A1. Автор: Emilio Camerlenghi,Yoshiaki Fukuzumi,Paolo Tessariol,M. Jared Barclay. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-06-04.

Charge-trapping memory arrays

Номер патента: WO2004079824A3. Автор: Tazrien Kamal,Mark T Ramsbey,Hidehiko Shiraiwa,Fred Tk Cheung. Владелец: Fred Tk Cheung. Дата публикации: 2004-10-28.

Charge-trapping memory arrays resistant to damage from contact hole formation

Номер патента: GB2415091B. Автор: Tazrien Kamal,Mark T Ramsbey,Hidehiko Shiraiwa,Fred Tk Cheung. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2006-04-05.

Memory Arrays Comprising Vertically-Alternating Tiers Of Insulative Material And Memory Cells And Methods Of Forming A Memory Array Comprising Memory Cells Individually Comprising A Transistor And A Capacitor

Номер патента: US20240298451A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11737278B2. Автор: Chet E. Carter,Collin Howder. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

High-frequency clock generator with low power consumption

Номер патента: US20030021369A1. Автор: Hsiao-Chyi Lin. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2003-01-30.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12096633B2. Автор: Rita J. Klein,Jordan D. GREENLEE,Indra V. Chary,Daniel Billingsley. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-09-17.

Access line formation for a memory array

Номер патента: US12082424B2. Автор: Andrea Redaelli,Anna Maria Conti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Wear leveling of a memory array

Номер патента: US09857986B2. Автор: Roman A. Pletka,Jason Ma,Timothy J. Fisher,Aaron D. Fry,Ioannis Koltsidas,Sasa Tomic,Nikolas Ioannou,Lincoln T. Simmons. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Three dimensional memory array architecture

Номер патента: US09444046B2. Автор: Federico Pio. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Uniform electrical field dielectric barrier discharge reactor

Номер патента: US20120000782A1. Автор: Kun-Liang Hong. Владелец: Kun-Liang Hong. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of primary range-finding of pulsed-doppler rs targets with low pulse ratio of probing transmissions

Номер патента: RU2742461C1. Автор: Александр Андреевич Кириченко,Иван Васильевич Колбаско. Владелец: Федеральное государственное казённое военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военная академия воздушно-космической обороны имени Маршала Советского Союза Г.К. Жукова" Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2021-02-08.

Electric motor with low short circuit moment, drive device with multiple engines and method of manufacturing such engine

Номер патента: RU2630254C2. Автор: Жером ПИАТОН. Владелец: Сажем Дефанс Секюрите. Дата публикации: 2017-09-06.

Silicone-hydrogel contact lenses with low protein absorption

Номер патента: RU2497160C2. Автор: Зохра ФАДЛИ,Джеймс Д. ФОРД,Амит КХАНОЛКАР,Диана ЗАНИНИ,Дэвид С. ТЕРНЕР,Джонатан П. АДАМС,Томас Л. МЭДЖИО,Майкл Р. КЛАРК,Джереми Б. ПИНСЛИ. Владелец: Джонсон Энд Джонсон Вижн Кэа, Инк.. Дата публикации: 2013-10-27.

Voltage-controlled generator with low level of phase noise

Номер патента: RU2601170C1. Автор: Михаил Петрович Савченко,Ольга Владимировна Старовойтова. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Балтийский Федеральный Университет имени Иммануила Канта" (БФУ им. И. Канта). Дата публикации: 2016-10-27.

Device and method for display and reverse display of signals in communication system using code with low density of parity checks

Номер патента: RU2701085C2. Автор: Сунг-Риул ЙУН,Хонг-Сил ДЗЕОНГ,Хиун-Коо ЯНГ. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2019-09-24.

Ion funnel for efficient passage of ions with low ratio of mass to charge with reduced gas flow rate at outlet

Номер патента: RU2698795C2. Автор: Жан ХЕНДРИКС,Вадим БЕРКУТ. Владелец: Смитс Детекшен Инк.. Дата публикации: 2019-08-30.

Method and apparatus for encoding and decoding codes with low density of parity checks

Номер патента: RU2739465C2. Автор: Иван Леонидович Мазуренко,Алексей Александрович Летуновский,Павел Анатольевич Пантелеев,Эльяр Эльдарович Гасанов,Юрий Сергеевич Шуткин,Глеб Вячеславович КАЛАЧЕВ. Владелец: Хуавей Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-12-24.

Device for analyzing elastic constant plastic metals with low plasticity and alloys at high temperature

Номер патента: RU2650742C1. Автор: Игорь Аркадьевич Ефимович,Иван Сергеевич Золотухин,Евгений Сергеевич Завьялов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Тюменский индустриальный университет" (ТИУ). Дата публикации: 2018-04-17.

Supporting time and date information for synchronisation of devices with low data integrity

Номер патента: RU2367008C2. Автор: Брайн Т. СТАРБАК. Владелец: МАЙКРОСОФТ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2009-09-10.

Device for analyzing elastic constant plastic metals with low plasticity and alloys at high temperature

Номер патента: RU2655949C1. Автор: Игорь Аркадьевич Ефимович,Иван Сергеевич Золотухин,Евгений Сергеевич Завьялов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Тюменский индустриальный университет" (ТИУ). Дата публикации: 2018-05-30.

Device and method for encoding/decoding a channel with usage of parallel cascade even parity check code with low density

Номер патента: RU2310274C1. Автор: Хонг-Сил ДЗЕОНГ,Дзае-Йоел КИМ,Гиу-Бум КИУНГ. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2007-11-10.

Arry-520 application for treatment of cancer for patients with low acs

Номер патента: RU2617392C2. Автор: Дункан Х. ВОКЕР,Карин БРАУН,Рональд Б. ФРАНКЛИН,Гэри П. ХИНГОРАНИ,Кевин С. ЛИТВИЛЕР,Брайан Дж. ТАНКВИСТ. Владелец: Эррэй Биофарма Инк.. Дата публикации: 2017-04-24.

Absorbing systems that contain active phase introduced into porous material distributed in substance with low permeability

Номер патента: RU2390378C2. Автор: Роберто ДЖАННАНТОНИО,Кьяра ВЕСКОВИ,Лорена КАТТАНЕО,Джорджио ЛОНГОНИ. Владелец: Саес Геттерс С.П.А.. Дата публикации: 2010-05-27.

Environmentally friendly toner with low fixation temperature

Номер патента: RU2711533C2. Автор: Гуерино Дж. САКРИПАНТЕ,Кэ ЧЖОУ. Владелец: Зирокс Корпорейшн. Дата публикации: 2020-01-17.

Insulating element with low electric conductivity, serving for electrical insulation in high-voltage range

Номер патента: RU2705360C2. Автор: Вольфганг ЭКСНЕР,Тобиас ВОЛЬФИНГЕР,Стефан ЯУФЕР. Владелец: Викор Холдинг Аг. Дата публикации: 2019-11-07.

Color filter array with neutral elements and color image formation

Номер патента: WO2007082289A3. Автор: Gang Luo. Владелец: Gang Luo. Дата публикации: 2008-02-14.

In-memory spiking neural networks for memory array architectures

Номер патента: US20190005376A1. Автор: Berkin Akin,Seth H. Pugsley. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-01-03.

Memory array page table walk

Номер патента: EP3586238A1. Автор: Perry V. Lea. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-01.

Performing xnor equivalent operations by adjusting column thresholds of a compute-in-memory array

Номер патента: EP4028956A1. Автор: Max Welling,Edward Teague,Zhongze Wang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-07-20.

Double-sided embedded memory array

Номер патента: US20240099035A1. Автор: Chih-Chao Yang,Ashim Dutta,Ailian Zhao,Wu-Chang Tsai. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Memory array page table walk

Номер патента: US20230401158A1. Автор: Perry V. Lea. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2023-12-14.

Glazing with low emissivity coating and color control

Номер патента: WO2024141515A1. Автор: Alexey Krasnov,Massimo MICHETTI. Владелец: Agp Worldwide Operations Gmbh. Дата публикации: 2024-07-04.

Light system with dielectric barrier discharge lamp, operating device and connection cable

Номер патента: US20080007185A1. Автор: Harald Dellian,Jorg Rink. Владелец: Patent Treuhand Gesellschaft fuer Elektrische Gluehlampen mbH. Дата публикации: 2008-01-10.

Heterojunction unipolar diode with low turn-on voltage

Номер патента: WO2012170151A1. Автор: Vesna Radisic,Donald J. Sawdai,Kwok K. LOI. Владелец: Northrop Grumman Systems Corporation. Дата публикации: 2012-12-13.

Heterojunction unipolar diode with low turn-on voltage

Номер патента: EP2712466A1. Автор: Vesna Radisic,Donald J. Sawdai,Kwok K. LOI. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2014-04-02.

Distributed amplifier with low supply voltage and low power consumption for full-chip high-speed communication

Номер патента: US20210152142A1. Автор: Jie Zhang,Tai-Hsing LEE. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2021-05-20.

Method of destruction of organic waste with low content of water

Номер патента: US20230347395A1. Автор: Mikhail Aleksandrovich Meshchaninov,Dmitrii Yanovich Agasarov. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-11-02.

Distributed amplifier with low supply voltage and low power consumption for full-chip high-speed communication

Номер патента: US11139790B2. Автор: Jie Zhang,Tai-Hsing LEE. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2021-10-05.

Dielectric barrier discharge plasma reactor for non-oxidative coupling of methane having a controlled gap distance between dielectric particles and regeneration method of deactivated bed in the same

Номер патента: US11633708B2. Автор: Jinwon Lee,Kyoung-Su Ha,Juchan Kim,Jaekwon Jeoung. Владелец: Industry University Cooperation Foundation of Sogang University. Дата публикации: 2023-04-25.

Dielectric barrier discharge plasma reactor for non-oxidative coupling of methane having a controlled gap distance between dielectric particles and regeneration method of deactivated bed in the same

Номер патента: US20200129952A1. Автор: Jinwon Lee,Kyoung-Su Ha,Juchan Kim,Jaekwon Jeoung. Владелец: Industry University Cooperation Foundation of Sogang University. Дата публикации: 2020-04-30.

Driver circuit for a dielectric barrier discharge plasma treatment

Номер патента: WO2020060409A1. Автор: Wouter Bastiaan Zeper,Johannes Pieter DE PENNING,Paulien SMITS,Matthijs Andreas VAN OORT. Владелец: PlasmaCure B.V.. Дата публикации: 2020-03-26.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210057441A1. Автор: Haitao Liu,JIAN Li,Lifang Xu,Justin B. Dorhout,Paolo Tessariol,Indra V. Chary. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

Three-Dimensional Printer Head Including a Dielectric Barrier Discharge (DBD) Disk and a Transformer Assembly

Номер патента: US20230102328A1. Автор: Jason Greene,Alex STOCKTON,Xingping Li. Владелец: Essentium Ipco LLC. Дата публикации: 2023-03-30.

Device and Method for Generating a Dielectric Barrier Discharge

Номер патента: US20230276561A1. Автор: Stefan Nettesheim,Robert Krumphals,Johann Pichler,Markus Puff. Владелец: TDK Electronics AG. Дата публикации: 2023-08-31.

Dielectric barrier discharge lamp with starting aid

Номер патента: US20100026199A1. Автор: Harald Dellian,Joerg Rink. Владелец: OSRAM GMBH. Дата публикации: 2010-02-04.

Dielectric barrier discharge lamps with a prefabricated stopper and associated manufacturing method

Номер патента: US20080001542A1. Автор: Georg Bschorer,Jorg Rink. Владелец: Patent Treuhand Gesellschaft fuer Elektrische Gluehlampen mbH. Дата публикации: 2008-01-03.

Image sensors with low-voltage transistors

Номер патента: US20190191116A1. Автор: Raminda Madurawe. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-06-20.

Optically controlled terahertz modulator with low power consumption and low insertion loss and preparation method thereof

Номер патента: LU502605B1. Автор: Dongxiong LING. Владелец: Univ Dongguan Technology. Дата публикации: 2023-01-30.

Memory Arrays

Номер патента: US20190198520A1. Автор: Jie Li,Changhan Kim,Chet E. Carter,Collin Howder,Richard J. Hill,Cole Smith. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Dielectric barrier discharge lamp with pinch seal

Номер патента: US20040183467A1. Автор: Georg Bschorer. Владелец: Patent Treuhand Gesellschaft fuer Elektrische Gluehlampen mbH. Дата публикации: 2004-09-23.

Charge-trapping memory arrays

Номер патента: WO2004079824A2. Автор: Mark T. Ramsbey,Tazrien Kamal,Hidehiko Shiraiwa,Fred Tk Cheung. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2004-09-16.

Heat-transfer fluid with low conductivity comprising an amide inhibitor, methods for its preparation and uses thereof

Номер патента: WO2021160674A1. Автор: Serge Lievens,Sander Clerick. Владелец: Arteco Nv. Дата публикации: 2021-08-19.

Method for the dielectric barrier electrospray ionization of liquid samples and for the subsequent mass spectrometric analysis of the generated sample ions

Номер патента: US20140001352A1. Автор: Joachim Franzke,Michael Schilling,Ruediger Wilberg,Dirk Janasek,Ann-Kathrin Stark,Cordula Meyer,Guenter Jestel. Владелец: Leibniz Institut fuer Analytische Wissenschaften ISAS eV. Дата публикации: 2014-01-02.

Dielectric Barrier Discharge Lamp Configured as a Double Tube

Номер патента: US20080197775A1. Автор: Markus Roth,Reinhold Wittkotter. Владелец: Patent Treuhand Gesellschaft fuer Elektrische Gluehlampen mbH. Дата публикации: 2008-08-21.

Dielectric barrier discharge lamp configured as a double tube

Номер патента: CA2597559A1. Автор: Markus Roth,Reinhold Wittkoetter. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-24.

A tool for induction hardening of cylinders with low frequency and a method of induction hardening of cylinders with said tool

Номер патента: WO2024158345A1. Автор: Pavel Rek. Владелец: Pavel Rek. Дата публикации: 2024-08-02.

A tool for induction hardening of cylinders with low frequency and a method of induction hardening of cylinders with said tool

Номер патента: EP4407050A1. Автор: Pavel Rek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-31.

Method and device for polymer nano- and microfiber design and fabrication by dielectric barrier electrospinning

Номер патента: WO2024103129A2. Автор: Todorka Gancheva Vladkova,Peter Donchev DINEV,Dilyana Nikolova GOSPODINOVA,Kostadin Georgiev MILANOV,Margarita Petrova NEZNAKOMOVA. Владелец: Technical University Of Sofia. Дата публикации: 2024-05-23.

Method and device for polymer nano- and microfiber design and fabrication by dielectric barrier electrospinning

Номер патента: WO2024103129A3. Автор: Todorka Gancheva Vladkova,Peter Donchev DINEV,Dilyana Nikolova GOSPODINOVA,Kostadin Georgiev MILANOV,Margarita Petrova NEZNAKOMOVA. Владелец: Technical University Of Sofia. Дата публикации: 2024-07-25.

Method and device for polymer nano- and microfiber design and fabrication by dielectric barrier electrospinning

Номер патента: WO2024103129A4. Автор: Todorka Gancheva Vladkova,Peter Donchev DINEV,Dilyana Nikolova GOSPODINOVA,Kostadin Georgiev MILANOV,Margarita Petrova NEZNAKOMOVA. Владелец: Technical University Of Sofia. Дата публикации: 2024-09-19.

Insulating glazing with low-emission and anti-reflection coatings

Номер патента: RU2639750C2. Автор: Брент БОЙС,Маркус ФРЭНК,Хартмут КНОЛЛЬ,Уве КРИЛЬТЦ,Александер ЛОРЕНЦ. Владелец: Сантр Люксамбуржуа Де Решерш Пур Ле Верр Э Ля Серамик С.А. (С.Р.В.С.). Дата публикации: 2017-12-22.

Product with low-emission coating containing absorbing layers for low reflection on film side and low passage of visible spectrum

Номер патента: RU2637003C2. Автор: Бернд ДИСТЕЛЬДОРФ,Антон ДИТРИХ,Петр КОКОТ,Адам ТОКАЖ. Владелец: Гардиан Индастриз Корп.. Дата публикации: 2017-11-29.

Method for early risk prediction of motor disorders in premature newborns born with low and extremely low body weight, with perinatal hypoxic-ischemic brain lesions

Номер патента: RU2692670C2. Автор: Елена Ивановна Клещенко,Дильбар Абдунабиевна Каюмова,Маргарита Павловна Яковенко,Нина Алексеевна Петрухина. Владелец: Нина Алексеевна Петрухина. Дата публикации: 2019-06-25.

Dielectric barrier discharge for ballast water treatment using optimized voltage shape control

Номер патента: US12134569B2. Автор: Frank Kassubek,Seila RODRIGUEZ-VILCHES,Jan CARSTENSEN,Torsten Votteler,Enea Bianda. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2024-11-05.

Method and system for power generation from gas with low calorific value

Номер патента: RU2713554C1. Автор: Шэфэн ЛИ,Цинвэнь АЙ,Мэйцян КАН,Цзыхао ЛЮ. Владелец: Висдри Сити Инвайронмент Протекшн Инжиниринг Ко., Лтд. Дата публикации: 2020-02-05.

Method, device and system for extraction of residual oil contained in pores of oil reservoir using pressure varied with low frequency

Номер патента: RU2768835C1. Автор: Цзиняо ВАН,Синлун ЧЭНЬ,Хайшуй ХАНЬ,Хунвэй ЮЙ,Сыюань ЛИ,Тияо ЧЖОУ,Цзэминь ЦЗИ,Шаньянь ЧЖАН,Цзячжун ВУ. Владелец: Петрочайна Компани Лимитед. Дата публикации: 2022-03-24.

Method for predicting the development of carbohydrate metabolism disorders in newborns with low, very low, and extremely low birth weight

Номер патента: RU2769623C1. Автор: Юлия Геннадьевна Самойлова,Иван Владиславович Толмачев,Татьяна Владимировна Сиволобова,Виктор Александрович Желев,Анастасия Михайловна Петракович. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Образования "Сибирский Государственный Медицинский Университет" Министерства Здравоохранения Россиийской Федерации. Дата публикации: 2022-04-04.

Two-shaft gas turbine engine design with high pressure compressor connected with low-pressure turbine

Номер патента: RU2599085C2. Автор: Реми ПРЕНСИВАЛЛЬ. Владелец: Турбомека. Дата публикации: 2016-10-10.

Production of legumin products with low tartness

Номер патента: RU2697445C2. Автор: Сара МЕДИНА,Кевин И. СИГАЛЛ,Мартин ШВАЙЦЕР. Владелец: Баркон Ньютрасайнс (Мб) Корп.. Дата публикации: 2019-08-14.

Method for manufacturing filtering rods from a pla bundle with low resistance to draw for reducing the smoking temperature

Номер патента: RU2761996C1. Автор: Тао ЯН,Цзыган ЯН,Синьлэй ФАНЬ,Ляньлун ЛЭЙ. Владелец: Юньнань Тобэкко Биолоджикал Текнолоджи Ко., Лтд. Дата публикации: 2021-12-14.

Extraction method of precious and rare metals from solutions with low concentration at presence of ions of other metals and device for its implementation

Номер патента: RU2380435C2. Автор: Евгений Петрович Осиненко. Владелец: Евгений Петрович Осиненко. Дата публикации: 2010-01-27.

High temperature-resistant foam plastic with low thermal conductivity

Номер патента: RU2604841C9. Автор: Дирк ВЕГЕНЕР,Штефан РАЙТЕР,Харальд РАССЕЛЬНБЕРГ,Ханс-Детлеф АРНТЦ,Дирк БРЮНИНГ,Марсел ШОРНШТАЙН. Владелец: Байер Интеллектуэль Проперти Гмбх. Дата публикации: 2017-09-26.

Method of adjustment of relative humidity in air path of internal combustion engine fitted with low pressure exhaust gas recirculation system

Номер патента: RU2558005C2. Автор: Паоло ПАСЕРО,Альберто ВАССАЛО,Федерико Луиджи ГАГЛИЛМОУН. Владелец: ДЖИЭМ Глобал Текнолоджи Оперейшн ЛЛЦ. Дата публикации: 2015-07-27.

Method for manufacturing a workpiece from brass without lead admixture or with low content of lead and a workpiece made using this method

Номер патента: RU2733620C2. Автор: Габриэле НЬЮТТИ,Марко БЕРТЕЛЛИ. Владелец: Альмаг С.П.А.. Дата публикации: 2020-10-05.

Method of producing a pipe with low yield point to ultimate strength ratio

Номер патента: RU2682984C1. Автор: Иван Викторович Пейганович,Александр Вадимович Мунтин,Дмитрий Викторович Кудашов,Сергей Александрович Сомов,Евгений Александрович Солдатов,Дмитрий Иванович Ермаков,Максим Александрович Ткачук,Александр Евгеньевич Сорокин. Владелец: Акционерное общество "Выксунский металлургический завод". Дата публикации: 2019-03-25.

Wrapping paper with low flammability and method and machine for its manufacture

Номер патента: RU2506364C1. Автор: Такафуми ИЗУМИЯ,Синдзо КИДА,Кейсуке ТОВАТАРИ. Владелец: Джапан Тобакко Инк.. Дата публикации: 2014-02-10.

Steel strip with low ratio of yield strength to ultimate strength and high impact strength and method for production thereof

Номер патента: RU2588755C2. Автор: Айвэнь ЧЖАН,Сыхай ЦЗИАО,Сянцянь ЯНЬ,Юйшань ЧЭНЬ. Владелец: Баошан Айрон Энд Стил Ко., Лтд.. Дата публикации: 2016-07-10.

Номер патента: RU2719356C9. Автор: Андре КЬЕФФИ,Алан Томас БРУКЕР,Крейг Адам УИЛКИНСОН,Линси Сара ФУЛЛЕР,Пол Энтони ГУЛД,Хоссам Хассан ТАНТАВИ,Бенджамин Марк ХАДДРЕЛЛ. Владелец: Дзе Проктер Энд Гэмбл Компани. Дата публикации: 2020-07-08.

Method for producing coke with low sulfur content (embodiments)

Номер патента: RU2768163C1. Автор: Антон Сергеевич Лядов,Антон Львович Максимов,Эдуард Аветисович Караханов,Аргам Виликович Акопян,Александр Владимирович Анисимов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2022-03-23.

Номер патента: RU2365546C2. Автор: Борис Николаевич Нефедов,Вячеслав Фролович Павлов,Василий Филиппович Шабанов,Игорь Вячеславович Павлов. Владелец: СПЕЦИАЛЬНОЕ КОНСТРУКТОРСКО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ БЮРО "НАУКА" КРАСНОЯРСКОГО НАУЧНОГО ЦЕНТРА СИБИРСКОГО ОТДЕЛЕНИЯ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК (СКТБ "Наука" КНЦ СО РАН). Дата публикации: 2009-08-27.

High-strength steel pipes with low ratio of yield strength to ultimate strength, welded with electric contact welding, steel strip for pipes, welded with electric contact welding, and manufacturing methods thereof

Номер патента: RU2605396C2. Автор: Ясухиро МАЦУКИ,Томохиро ИНОУЭ. Владелец: ДжФЕ СТИЛ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2016-12-20.

Method and system for use of starches with low content of fatty acids in sizing composition for paper, to inhibit precipitation of multivalent salts of fatty acids

Номер патента: RU2537493C2. Автор: Ф. Кёниг Майкл,Л. Кёниг Асенсьон,Гертруда Бухер Эва. Владелец: Интернэшнл Пэйпа Кампани. Дата публикации: 2015-01-10.

Aggregated refrigerating system with low amount of refrigerant

Номер патента: RU2684217C2. Автор: Тревор ХЕГГ,Курт ЛИБЕНДОРФЕР,Грегори С. ДЕРОСЬЕ. Владелец: Эвапко, Инк.. Дата публикации: 2019-04-04.

Adsorbent product with low friction zone

Номер патента: RU2362534C2. Автор: Ингемар ФЕРНФОРС,Анна-Герд ДОВЕРБО,Эва ФРАНЗЕН. Владелец: Ска Хайджин Продактс Аб. Дата публикации: 2009-07-27.

Use of oligoether acrylate of ((((4-((1-(2-((bis((1-(allyloxy)-3-halogenopropan-2-yl)oxy)phosphine)oxy)-3-halogen-propoxy)-3-chloropropan-2-yl)oxy)-1-halogenbutan-2-yl)oxy)phosphinediyl)bis(oxy))bis(3-halopropane-2,1-diyl)bis(2-methylacrylate) as a monomer for obtaining thermo- and heat-resistant polymers with low inflammability

Номер патента: RU2712126C1. Автор: Олег Иванович Тужиков,Татьяна Васильевна Хохлова,Нина Владимировна Сидоренко,Олег Олегович Тужиков,Борис Андреевич Буравов,Евгений Сергеевич Бочкарёв. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Волгоградский государственный технический университет" (ВолгГТУ). Дата публикации: 2020-01-24.

Economical epoxy resin material for epoxy asphalt with low-temperature resistance and high flexibility as well as preparation method thereof

Номер патента: AU2023203691B2. Автор: Jing Hu,Sang LUO. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-10-17.

Номер патента: US09763852B2. Автор: Dana Craig Bookbinder,Santona Pal,Andrei Gennadyevich Fadeev,Steven Edward DeMartino,Theresa Chang,John Stephen PEANASKY,Chandan Kumar Saha,Christopher Lee Timmons. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Compositions containing polymer surfactants with low degree of polymerisation and methods of using said compositions

Номер патента: RU2469078C2. Автор: Майкл Дж. ФЕВОЛА,Джозеф Дж. ЛИБРИЗЗИ,Рассел М. УОЛТЕРС. Владелец: Джонсон Энд Джонсон Конзьюмер Компаниз, Инк.. Дата публикации: 2012-12-10.

Method for developing multi-layer gas deposits fields with low-permeability reservoirs

Номер патента: RU2753334C1. Автор: Владимир Владимирович Дмитрук,Владислав Викторович Воробьев,Иван Романович Дубницкий,Сергей Александрович Завьялов,Павел Иванович Кущ. Владелец: Открытое акционерное общество "Севернефтегазпром". Дата публикации: 2021-08-13.

Fire resistant textile thread with low electrical resistance

Номер патента: RU2677160C1. Автор: Цзе ЧЖАН. Владелец: Цзе ЧЖАН. Дата публикации: 2019-01-15.

Method for production of stabilizers with low chloride content

Номер патента: RU2251549C2. Автор: Вьен Ван ТОАН,Рональд САЛАЗЕ. Владелец: Циба Спешиалти Кемикалз Холдинг Инк.. Дата публикации: 2005-05-10.

Use of oligoether acrylate of ((((1-(4-(2-(4-(3-(4-(2-(4-(2-((((1-(allyloxy)-3-halogenopropan-2-yl)oxy)((1-halogen-3-(methacryloyloxy)propan-2-yl)oxy)phosphine)oxy)-3-halogenopropoxy)phenyl)propan-2-yl)phenoxy)-2-hydroxypropoxy)phenyl)propan-2-yl)phenoxy)-3-halogenopropan-2-yl)oxy)phosphinediyl)bis(oxy))bis(3-halogenopropane-2,1-diyl)bis(2-methylacrylate) as a monomer for producing thermo- and heat-resistant polymers with low inflammability

Номер патента: RU2712119C1. Автор: Олег Иванович Тужиков,Татьяна Васильевна Хохлова,Нина Владимировна Сидоренко,Олег Олегович Тужиков,Борис Андреевич Буравов,Евгений Сергеевич Бочкарёв. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Волгоградский государственный технический университет" (ВолгГТУ). Дата публикации: 2020-01-24.

Use of oligoether acrylate of ((((4-((1-(2-((bis((1-halogen-3-(methacryloyloxy)propan-2-yl)oxy)phosphine)oxy)-3-halogenopropoxy)-3-chloropropane-2-yl)oxy)-1-halogenbutan-2-yl)oxy)phosphinediyl)bis(oxy))bis(3-halogenopropane-2,1-diyl)bis(2-methacrylate) as a monomer for producing thermo- and heat-resistant polymers with low inflammability

Номер патента: RU2712107C1. Автор: Олег Иванович Тужиков,Татьяна Васильевна Хохлова,Нина Владимировна Сидоренко,Олег Олегович Тужиков,Борис Андреевич Буравов,Евгений Сергеевич Бочкарёв,Кристина Владимировна Солодовникова,Али Худхаир Джаббар Аль-Хамзави. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Волгоградский государственный технический университет" (ВолгГТУ). Дата публикации: 2020-01-24.

Composition for ice cream with low fat content, containing tagatose, use thereof in ice-cream with low fat content and method for production thereof

Номер патента: RU2606761C1. Автор: Сеунг Вон ПАРК,Беом Сук КИМ,Дзи Хоон КОХ. Владелец: СиДжей ЧЕИЛДЗЕДАНГ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2017-01-10.

Method for modifying the bulk properties of materials by dielectric barrier discharges, materials and two-dimensional and three-dimensional articles obtainable by the method, and apparatus for implementing the method

Номер патента: WO2006082090A1. Автор: Giorgio Trani,Marion Sterner,Illya Kulyk,Leonardo Andreotti. Владелец: Leonardo Andreotti. Дата публикации: 2006-08-10.

Method for modifying the bulk properties of materials by dielectric barrier discharges, materials and two-dimensional and three-dimensional articles obtainable by the method, and apparatus for implementing the method

Номер патента: EP1856197A1. Автор: Giorgio Trani,Marion Sterner,Illya Kulyk,Leonardo Andreotti. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-21.