Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Memory array employing integral isolation transistors

Memory array employing integral isolation transistors

Номер патента: US20030062556A1
Опубликовано: 03-04-2003
Автор(ы): Alfred Schuetz, Hartmud Terletzki, Selwyn Weaver
Принадлежит: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Memory array employing integral isolation transistors

Номер патента: WO2003030176A3. Автор: Alfred Schuetz,Hartmud Terletzki,Selwyn Rhys Weaver. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-12-31.

Memory array employing integral isolation transistors

Номер патента: WO2003030176A2. Автор: Alfred Schuetz,Hartmud Terletzki,Selwyn Rhys Weaver. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-04-10.

Edge memory array mats with sense amplifiers

Номер патента: US11783887B2. Автор: Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Methods and apparatus for a novel memory array

Номер патента: EP4392976A1. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Neo Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-07-03.

Memory array with compensated word line access delay

Номер патента: US20240071431A1. Автор: John D. Porter,Si Hong Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory Array with Reduced Read Power Requirements and Increased Capacity

Номер патента: US20200194041A1. Автор: Pedro P. Irazoqui,John K. Lynch. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2020-06-18.

Memory array with reduced read power requirements and increased capacity

Номер патента: US11024348B2. Автор: Pedro P. Irazoqui,John K. Lynch. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2021-06-01.

Memory Array with Reduced Read Power Requirements and Increased Capacity

Номер патента: US20180301176A1. Автор: Pedro P. Irazoqui,John K. Lynch. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2018-10-18.

Memory array with reduced read power requirements and increased capacity

Номер патента: US10622037B2. Автор: Pedro P. Irazoqui,John K. Lynch. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2020-04-14.

Parallel access in a memory array

Номер патента: US20230282270A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Andrea Martinelli,Christophe Vincent Antoine Laurent,Efrem Bolandrina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Parallel access in a memory array

Номер патента: US20240274183A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Andrea Martinelli,Christophe Vincent Antoine Laurent,Efrem Bolandrina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Managing semiconductor memory array leakage current

Номер патента: US09792967B1. Автор: Tobias Werner,John D. Davis,Paul A. Bunce,Yuen H. Chan,Silke Penth,David E. Schmitt,Brian J. Yavoich. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Parallel access in a memory array

Номер патента: US11915740B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Andrea Martinelli,Christophe Vincent Antoine Laurent,Efrem Bolandrina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Method of Correcting an Error in a Memory Array in a DRAM During a Read Operation and a DRAM

Номер патента: US20180336091A1. Автор: Alessandro Minzoni. Владелец: Unigroup Guoxin Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-22.

Memory array connections

Номер патента: US20230410887A1. Автор: Yih Wang,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Chun-Ying Lee,Jonathan Tsung-Yung Chang,Chieh Lee,Yao-Jen Yang,Rose Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

3D quilt memory array for FeRAM and DRAM

Номер патента: US11790970B2. Автор: Ferdinando Bedeschi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Apparatuses and methods for reducing standby current in memory array access circuits

Номер патента: US20240331763A1. Автор: Nobuo Yamamoto,Takamasa Suzuki,Izumi Nakai. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Leakage compensation for memory arrays

Номер патента: US20200185019A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-11.

Leakage compensation for memory arrays

Номер патента: EP3895165A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-20.

Leakage compensation for memory arrays

Номер патента: US20220020417A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Leakage compensation for memory arrays

Номер патента: WO2020123151A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-06-18.

High density mos memory array

Номер патента: US3978459A. Автор: James T. Koo. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1976-08-31.

Apparatuses and methods for driving data lines in memory arrays

Номер патента: US11887659B2. Автор: Minari Arai,Yuhei Takahashi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Structures for word line multiplexing in three-dimensional memory arrays

Номер патента: US20240071465A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Richard E. Fackenthal,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Computer memory arrays employing memory banks and integrated serializer/de-serializer circuits for supporting serialization/de-serialization of read/write data in burst read/write modes, and related methods

Номер патента: WO2023249738A1. Автор: Pramod Kolar,Stephen E. Liles,Ashish A. BAIT. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

Computer memory arrays employing memory banks and integrated serializer/de-serializer circuits for supporting serialization/de-serialization of read/write data in burst read/write modes, and related methods

Номер патента: US20230420017A1. Автор: Pramod Kolar,Stephen E. Liles,Ashish A. BAIT. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

Memory array for compute-in-memory and the operating method thereof

Номер патента: US20240153552A1. Автор: Wei-Zen Chen,Li-Kai Chen,Shyh-Jye Jou,Tian-sheuan Chang,Shu-Hung Kuo,Shih-Hang Kao. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2024-05-09.

Dqs for data from a memory array

Номер патента: WO2006042643A1. Автор: Jung Pill Kim,Alessandro Minzoni. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-04-27.

Discharge current mitigation in a memory array

Номер патента: EP4078590A1. Автор: Andrea Ghetti,Hongmei Wang,Jin Seung SON. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-26.

Device and method having a memory array storing each bit in multiple memory cells

Номер патента: US7558102B2. Автор: Michael A. Shore. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-07-07.

Memory device with peripheral circuitry which extends under a back end memory array

Номер патента: US20230397410A1. Автор: OZDEMIR Akin,Liqiong Wei,Fatih Hamzaoglu,Pulkit JAIN,Juan ALZATE VINASCO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

DQS for data from a memory array

Номер патента: US20060083082A1. Автор: Jung Kim,Alessandro Minzoni. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2006-04-20.

Integrated circuit device having a memory array with segmented bit lines and method of operation

Номер патента: US6023428A. Автор: Hiep Van Tran. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2000-02-08.

Memory array circuit, memory array layout and verification method

Номер патента: US20230050097A1. Автор: Peihuan WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Discharge current mitigation in a memory array

Номер патента: WO2021126540A1. Автор: Andrea Ghetti,Hongmei Wang,Jin Seung SON. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-24.

Circuitry borrowing for memory arrays

Номер патента: WO2021007169A1. Автор: Kiyoshi Nakai,Andrea Martinelli,Francesco Mastroianni. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-01-14.

Methods and apparatus for a novel memory array

Номер патента: US20220351790A1. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Neo Semiconductor Inc. Дата публикации: 2022-11-03.

Discharge current mitigation in a memory array

Номер патента: US20210183421A1. Автор: Andrea Ghetti,Hongmei Wang,Jin Seung SON. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Circuitry borrowing for memory arrays

Номер патента: EP3997703A1. Автор: Kiyoshi Nakai,Andrea Martinelli,Francesco Mastroianni. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-05-18.

Circuitry borrowing for memory arrays

Номер патента: US20210012825A1. Автор: Kiyoshi Nakai,Andrea Martinelli,Francesco Mastroianni. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-14.

Circuitry borrowing for memory arrays

Номер патента: US20220199137A1. Автор: Kiyoshi Nakai,Andrea Martinelli,Francesco Mastroianni. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Memory array seasoning

Номер патента: US20230395136A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Andrea Martinelli,Christophe Vincent Antoine Laurent,Efrem Bolandrina,Claudia Palattella. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Implementing Variation Tolerant Memory Array Signal Timing

Номер патента: US20100118621A1. Автор: Chad Allen Adams,Derick Gardner Behrends,Travis Reynold Hebig. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-05-13.

Compute in memory (cim) memory array

Номер патента: US20240347101A1. Автор: Yu-Lin Chen,Chia-Fu Lee,Yen-An Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Read operations for a memory array and register

Номер патента: US20240242746A1. Автор: Vijayakrishna J. Vankayala. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Three-dimensional memory array with local line selector

Номер патента: US20230262985A1. Автор: Sheng-Chih Lai,Yu-Wei Jiang,Chen-Jun Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Three-dimensional memory array with local line selector

Номер патента: US12035534B2. Автор: Sheng-Chih Lai,Yu-Wei Jiang,Chen-Jun Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Memory devices, memory arrays, and methods of forming memory arrays

Номер патента: US20180182761A1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-28.

Three-dimensional memory array with local line selector

Номер патента: US20220254791A1. Автор: Sheng-Chih Lai,Yu-Wei Jiang,Cheng-Jun Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Systems and methods to wake up memory array

Номер патента: US20200279611A1. Автор: Gautam Dusija,Phil Reusswig,Sahil Sharma. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-09-03.

Three-dimensional memory array with local line selector

Номер патента: US20240324230A1. Автор: Sheng-Chih Lai,Yu-Wei Jiang,Chen-Jun Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory array having air gaps

Номер патента: US20230337441A1. Автор: Enrico Varesi,Paolo Tessariol,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Memory Devices which include Memory Arrays

Номер патента: US20180261602A1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-09-13.

Operating a memory array based on an indicated temperature

Номер патента: US11762585B2. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Systems and methods for writing zeros to a memory array

Номер патента: WO2019118009A1. Автор: David R. Brown,Harish N. Venkata,Gary L. Howe,Byung S. Moon. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC. Дата публикации: 2019-06-20.

3D memory devices and structures with memory arrays and metal layers

Номер патента: US12041791B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

3d memory devices and structures with memory arrays and metal layers

Номер патента: US20240206194A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Scan optimization using data selection across wordline of a memory array

Номер патента: US20230012644A1. Автор: Kishore Kumar Muchherla,Violante Moschiano,Junwyn A. Lacsao,Paing Z. Htet,Sead Zildzic. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Fin field-effect transistor (finfet) based semiconductor memory array having memory cells with a reduced surface area

Номер патента: EP4326024A3. Автор: Andreas Burg,Robert GITERMAN,Halil Andac Yigit. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2024-05-29.

Method for relaying data to memory array

Номер патента: US20120307570A1. Автор: Phat Truong,Tien Dinh LE. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-12-06.

Fin field-effect transistor (FinFET) based semiconductor memory array having memory cells using a reduced surface area

Номер патента: US12068027B2. Автор: Andreas Burg,Robert GITERMAN,Halil Andac Yigit. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2024-08-20.

Test method for self-refresh frequency of memory array and memory array test device

Номер патента: US20220270704A1. Автор: Tianchen LU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-08-25.

Memory Array Having a Programmable Word Length, and Method of Operating Same

Номер патента: US20110273942A1. Автор: Eric Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-11-10.

Memory array having a programmable word length, and method of operating same

Номер патента: WO2007126830A2. Автор: Eric Carman. Владелец: Innovative Silicon S.A.. Дата публикации: 2007-11-08.

Compute in memory (CIM) memory array

Номер патента: US11996137B2. Автор: Yu-Lin Chen,Chia-Fu Lee,Yen-An Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Read operations for a memory array and register

Номер патента: US11887687B2. Автор: Vijayakrishna J. Vankayala. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Method of refreshing memory array, driving circuit and display

Номер патента: US20150116306A1. Автор: Tsun-Sen Lin,Chung-Hsin Su. Владелец: SITRONIX TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2015-04-30.

Electrically and optically accessible memory array

Номер патента: GB1328283A. Автор: . Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1973-08-30.

Peripheral logic circuits under dram memory arrays

Номер патента: US20190131308A1. Автор: Harish N. Venkata,Jeffrey Koelling,Mansour Fardad. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-05-02.

Memory Array Having Word Lines with Folded Architecture

Номер патента: US20130044550A1. Автор: Chulmin Jung,Myron Buer. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-02-21.

Memory Devices, Memory Arrays, and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20190296021A1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-26.

Low power programming technique for a floating body memory transistor, memory cell, and memory array

Номер патента: EP1671331A2. Автор: Serguei Okhonin,Pierre Fazan. Владелец: Innovative Silicon ISi SA. Дата публикации: 2006-06-21.

Method for writing data to memory array

Номер патента: US20110085392A1. Автор: Phat Truong,Tien Dinh LE. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2011-04-14.

Memory array with reduced leakage current

Номер патента: US20220199147A1. Автор: Keith Golke. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Scan optimization using data selection across wordline of a memory array

Номер патента: US20220199184A1. Автор: Kishore Kumar Muchherla,Violante Moschiano,Junwyn A. Lacsao,Paing Z. Htet,Sead Zildzic. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Techniques for flexible self-refresh of memory arrays

Номер патента: US20230395116A1. Автор: Scott E. Smith,Anthony D. Veches. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

System and method to regulate operating voltage of a memory array

Номер патента: EP2973577A2. Автор: Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-01-20.

System and method to regulate operating voltage of a memory array

Номер патента: WO2014150487A2. Автор: Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-09-25.

Memory arrays, and methods of forming memory arrays

Номер патента: US10242726B1. Автор: Hideki Gomi,Sanh D. Tang,Kuo-Chen Wang,Michel Koopmans,Eiji Hasunuma,Srinivas Pulugurtha,Martin C. Roberts,Diem Thy N. Tran,Fredrick D. Fishburn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-03-26.

Memory arrays, and methods of forming memory arrays

Номер патента: US10153027B1. Автор: Hideki Gomi,Sanh D. Tang,Kuo-Chen Wang,Michel Koopmans,Eiji Hasunuma,Srinivas Pulugurtha,Martin C. Roberts,Diem Thy N. Tran,Fredrick D. Fishburn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-12-11.

Memory Arrays, and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20190172517A1. Автор: Hideki Gomi,Sanh D. Tang,Kuo-Chen Wang,Michel Koopmans,Eiji Hasunuma,Srinivas Pulugurtha,Martin C. Roberts,Diem Thy N. Tran,Fredrick D. Fishburn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-06.

Systems and methods for writing zeros to a memory array

Номер патента: WO2019118008A1. Автор: Harish N. Venkata,Gary L. Howe,Byung S. Moon,Myung Ho Bae. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC. Дата публикации: 2019-06-20.

Systems and methods for writing zeros to a memory array

Номер патента: US20190384526A1. Автор: Harish N. Venkata,Gary L. Howe,Byung S. Moon,Myung Ho Bae. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-19.

Circuit and method for transmitting data to memory array, and storage apparatus

Номер патента: US11816361B2. Автор: Enpeng Gao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Circuit and method for transmitting data to memory array, and storage apparatus

Номер патента: US20230315339A1. Автор: Enpeng Gao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Method of increasing a timing margin for relaying data to a memory array

Номер патента: US8988967B2. Автор: Phat Truong,Tien Dinh LE. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2015-03-24.

Fin Field-Effect Transistor (FinFET) Based Semiconductor Memory Array Having Memory Cells Using A Reduced Surface Area

Номер патента: US20240062811A1. Автор: Andreas Burg,Robert GITERMAN,Halil Andac Yigit. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2024-02-22.

Fin field-effect transistor (finfet) based semiconductor memory array having memory cells with a reduced surface area

Номер патента: EP4326024A2. Автор: Andreas Burg,Robert GITERMAN,Halil Andac Yigit. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2024-02-21.

Memory arrays with vertical thin film transistors coupled between digit lines

Номер патента: US20200066327A1. Автор: Scott J. Derner,Charles L. Ingalls. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-02-27.

Memory arrays with vertical thin film transistors coupled between digit lines

Номер патента: US20210125661A1. Автор: Scott J. Derner,Charles L. Ingalls. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-29.

Memory arrays with vertical thin film transistors coupled between digit lines

Номер патента: WO2020040832A1. Автор: Scott J. Derner,Charles L. Ingalls. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-02-27.

Memory array circuit

Номер патента: US20240079048A1. Автор: Chun Shiah,Chao-Chun Lu,Shih-Hsing Wang. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Memory array voltage source controller for retention and write assist

Номер патента: US20140169075A1. Автор: Ajay Bhatia,Hang HUANG. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2014-06-19.

Bitline layout in a dual port memory array

Номер патента: US20060092749A1. Автор: Tak Wong. Владелец: Integrated Device Technology Inc. Дата публикации: 2006-05-04.

Dummy read to prevent crowbar current during read-write collisions in memory arrays with crosscoupled keepers

Номер патента: US20140119102A1. Автор: David Paul Hoff,Manish Garg,Harish Shankar. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2014-05-01.

Dummy read to prevent crowbar current during read-write collisions in memory arrays with crosscoupled bitline keepers

Номер патента: WO2014070702A1. Автор: David Paul Hoff,Manish Garg,Harish Shankar. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-05-08.

Reduced standby power memory array and method

Номер патента: US20020080676A1. Автор: David Scott. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2002-06-27.

Memory array with a delayed wordline boost

Номер патента: US20070025169A1. Автор: Theodore Houston. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-02-01.

Josephson memory array and method of access in the josephson memory array

Номер патента: EP4432284A2. Автор: Quentin P Herr,Anna Y Herr. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2024-09-18.

Memory array with programmable number of filters

Номер патента: US12106822B2. Автор: Sushil Kumar,Chetan Deshpande,Gajanan Sahebrao Jedhe,Gaurang Prabhakar Narvekar,Cheng-Xin Xue,Zijie Guo. Владелец: Mediatek Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Memory array with strap cells

Номер патента: US09847120B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Memory array circuit and method of manufacturing same

Номер патента: US12074156B2. Автор: Hsien-Yu Pan,Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Chih-Yu Lin,Hidehiro Fujiwara,Sahil Preet Singh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Write control method for a memory array configured with multiple memory subarrays

Номер патента: US20080247245A1. Автор: Donald W. Plass,John D. Davis,Kenneth J. Reyer,Paul A. Bunce. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-10-09.

Memory array with ram and embedded rom

Номер патента: US20160035433A1. Автор: Shayan Zhang,Scott I. Remington,Jianan Yang. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-02-04.

Quasi-static MOS memory array with standby operation

Номер патента: US4120047A. Автор: Andrew G. Varadi. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1978-10-10.

Memory Cells and Memory Arrays

Номер патента: US20190096894A1. Автор: Debra M. Bell,Scott J. Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-03-28.

System for implementing write, initialization, and reset in a memory array using a single cell write port

Номер патента: US5802003A. Автор: Frank Ray Keyser, III,Joseph Andrew Iadanza,Ralph David Kilmoyer,Michael Joseph Laramie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1998-09-01.

Memory array with a delayed wordline boost

Номер патента: US20080037346A1. Автор: Theodore Houston. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-02-14.

Dummy read to prevent crowbar current during read-write collisions in memory arrays with crosscoupled bitline keepers

Номер патента: EP2891153A1. Автор: David Paul Hoff,Manish Garg,Harish Shankar. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-07-08.

Memory array with a delayed wordline boost

Номер патента: US20080019202A1. Автор: Theodore Houston. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-01-24.

Low power read scheme for memory array structures

Номер патента: WO2002086901A2. Автор: Shree Kant,Gajendra P. Singh. Владелец: SUN MICROSYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2002-10-31.

Low power read scheme for memory array structures

Номер патента: EP1382042A2. Автор: Shree Kant,Gajendra P. Singh. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2004-01-21.

Low power read scheme for memory array structures

Номер патента: WO2002086901A3. Автор: Shree Kant,Gajendra P Singh. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2003-02-27.

Combined Write Assist and Retain-Till-Accessed Memory Array Bias

Номер патента: US20110261632A1. Автор: Vinod Menezes,Michael Patrick Clinton,Lakshmikantha V. Holla. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-10-27.

Dual power supply memory array with dynamic selection of the lowest voltage

Номер патента: GB2497180B. Автор: Harold Pilo,George Maria Braceras,Kirk David Peterson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-13.

Insulated gate field effect transistor memory array

Номер патента: US3609712A. Автор: Robert H Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1971-09-28.

Latchable decoder driver and memory array

Номер патента: US3740730A. Автор: I Ho,T Jen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1973-06-19.

Write control circuitry and method for a memory array configured with multiple memory subarrays

Номер патента: US20070237020A1. Автор: JOHN Davis,Donald Plass,Kenneth Reyer,Paul Bunce. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-10-11.

Systems and methods for reading data from a memory array

Номер патента: US7477551B2. Автор: Hugh Thomas Mair,Radu Avramescu,Sumanth Gururajarao. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-01-13.

Differential storage in memory arrays

Номер патента: US20240127877A1. Автор: Marcello Mariani,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Angelo Visconti,Alessandro Calderoni,Giorgio Servalli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Dynamic reference scheme for improving read margin of resistive memory array

Номер патента: US10706904B2. Автор: Massimo Alioto,Kien TRINH QUANG,Sergio RUOCCO. Владелец: Agency Fpr Science Technology And Research. Дата публикации: 2020-07-07.

Three-dimensional memory array and operation scheme

Номер патента: US20140160836A1. Автор: Chung H. Lam,Sangbum Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-06-12.

Memory array using mechanical switch and method for operating thereof

Номер патента: US20090021972A1. Автор: Jun-Bo Yoon,Weon-Wi Jang,Jeong-Oen Lee. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2009-01-22.

Memory arrays employing flying bit lines to increase effective bit line length for supporting higher performance, increased memory density, and related methods

Номер патента: WO2023239471A1. Автор: Pramod Kolar,Robert A. SWEITZER. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2023-12-14.

Memory arrays employing flying bit lines to increase effective bit line length for supporting higher performance, increased memory density, and related methods

Номер патента: US11967394B2. Автор: Pramod Kolar,Robert A. SWEITZER. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-04-23.

Memory arrays employing flying bit lines to increase effective bit line length for supporting higher performance, increased memory density, and related methods

Номер патента: US20230402069A1. Автор: Pramod Kolar,Robert A. SWEITZER. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-12-14.

Neuromorphic hardware apparatus based on a resistive memory array

Номер патента: US20230048278A1. Автор: Ji-Sung Lee,Hyun-Sang Hwang,Woo-Seok Choi,Joon-Hyun Kwon,Han-saem Lee,Su-Jung Noh. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2023-02-16.

Apparatuses and methods including circuits in gap regions of a memory array

Номер патента: US20240177744A1. Автор: Hirokazu Ato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Apparatuses including a memory array with separate global read and write lines and/or sense amplifier region column select line and related methods

Номер патента: US20160071556A1. Автор: John F. Schreck,Harish N. Venkata,Mansour Fardad. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-03-10.

Memory array accessibility

Номер патента: WO2019046111A1. Автор: Daniel B. Penney,Gary L. Howe. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-03-07.

Memory array accessibility

Номер патента: US20190384512A1. Автор: Daniel B. Penney,Gary L. Howe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-19.

Memory array accessibility

Номер патента: US11886715B2. Автор: Daniel B. Penney,Gary L. Howe. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-01-30.

Memory array accessibility

Номер патента: US20240168656A1. Автор: Daniel B. Penney,Gary L. Howe. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-05-23.

3D memory array clusters and resulting memory architecture

Номер патента: US11763872B2. Автор: Bruce L. Bateman. Владелец: TC Lab Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

X-and-or memory array

Номер патента: CA1202724A. Автор: Donald G. Craycraft,Giao N. Pham. Владелец: Individual. Дата публикации: 1986-04-01.

Sensing and latching circuit for memory arrays

Номер патента: US20100246281A1. Автор: James Wilson,Gregg Hoyer. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2010-09-30.

X-and-OR memory array

Номер патента: US4602354A. Автор: Donald G. Craycraft,Giao N. Pham. Владелец: NCR Corp. Дата публикации: 1986-07-22.

Spatial Correlation of Reference Cells in Resistive Memory Array

Номер патента: US20100110761A1. Автор: Xiaobin Wang,Hai Li,Henry Huang,Yiran Chen,Wenzhong Zhu,Hongyue Liu. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2010-05-06.

Memory device, method for configuring memory cell in N-bit memory unit, and memory array

Номер патента: US12069970B2. Автор: Meng-Fan Chang,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Jer-Fu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Mixed-use memory array and method for use therewith

Номер патента: WO2008016419A3. Автор: Roy E Scheuerlein. Владелец: Roy E Scheuerlein. Дата публикации: 2008-05-22.

Resistive memory array

Номер патента: EP1291879A2. Автор: Lung T. Tran. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2003-03-12.

Resistive memory array

Номер патента: EP1291879A3. Автор: Lung T. Tran. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2004-04-07.

Memory array, memory cell, and data read and write method thereof

Номер патента: US20230197133A1. Автор: XIAOGUANG WANG,Yulei Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Memory array and operation method thereof

Номер патента: US12048164B2. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Yu-Ming Lin,Yi-Ching Liu,Sheng-Chih Lai,Ya-Yun Cheng,Chen-Jun Wu,Wen-Ling LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Compute-in-memory array and module, and data computing method

Номер патента: US12046283B2. Автор: Yi Zhao,Shifan GAO. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2024-07-23.

Gate drive voltage boost schemes for memory array ii

Номер патента: EP2467853A1. Автор: Hsu Kai Yang. Владелец: MagIC Technologies Inc. Дата публикации: 2012-06-27.

Memory arrays comprising vertically-alternating tiers of insulative material and memory cells and methods of forming a memory array

Номер патента: US11778838B2. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Bias temperature instability correction in memory arrays

Номер патента: WO2023027903A1. Автор: Christophe J. Chevallier,Siddarth Krishnan. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-03-02.

Reference cell architectures for small memory array block activation

Номер патента: EP2630643A1. Автор: Toshio Sunaga,Perng-Fei Yuh,Chao-Hung Chang,Lejan Pu. Владелец: MagIC Technologies Inc. Дата публикации: 2013-08-28.

Memory array with multiplexed select lines and two transistor memory cells

Номер патента: US12131766B2. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Memory array with multiplexed select lines

Номер патента: US20210304804A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Memory array with compensated word line access delay

Номер патента: US12080330B2. Автор: John D. Porter,Si Hong Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Sot-mram memory cell, memory array, memory, and operation method

Номер патента: US20240334838A1. Автор: HAO Zhang,Huai Lin,Di Wang,Long Liu,Ziwei Wang,Xuefeng Zhao,Guozhong XING. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory array including dummy regions

Номер патента: US12040006B2. Автор: Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory Array Including Dummy Regions

Номер патента: US20240331754A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Spintronic device, memory cell, memory array and read and write circuit

Номер патента: US20240013826A1. Автор: Ming Liu,Huai Lin,Di Wang,Long Liu,Guozhong XING. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor structure, memory cell and memory array

Номер патента: US12108682B2. Автор: XIAOGUANG WANG,Baolei Wu,Yulei Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Data processor incorporating a ferroelectric memory array selectably configurable as read/write and read only memory

Номер патента: US5890199A. Автор: Jeffery E. Downs. Владелец: Ramtron International Corp. Дата публикации: 1999-03-30.

Memory array, memory, preparing method and writing method

Номер патента: US20240023347A1. Автор: Weisheng Zhao,Kaihua Cao,Jingle CHEN,Gefei Wang. Владелец: BEIHANG UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-01-18.

Contemporaneous Margin Verification And Memory Access For Memory Cells In Cross-Point Memory Arrays

Номер патента: US20110267871A1. Автор: Christophe Chevallier,Chang Hua Siau. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-11-03.

Method, system, and circuit for operating a non-volatile memory array

Номер патента: US20070153575A1. Автор: Guy Cohen. Владелец: SPANSION ISRAEL LTD. Дата публикации: 2007-07-05.

Method, system and circuit for operating a non-volatile memory array

Номер патента: US20080180999A1. Автор: Guy Cohen. Владелец: SPANSION ISRAEL LTD. Дата публикации: 2008-07-31.

Three dimensional double-density memory array

Номер патента: EP4122013A1. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-01-25.

Cell bottom node reset in memory array

Номер патента: US20200335147A1. Автор: Yasushi Matsubara,Kiyotake Sakurai. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-22.

Cell bottom node reset in a memory array

Номер патента: US20190051343A1. Автор: Yasushi Matsubara,Kiyotake Sakurai. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-14.

Cell bottom node reset in memory array

Номер патента: US20190311757A1. Автор: Yasushi Matsubara,Kiyotake Sakurai. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-10.

Methods and apparatus for interfacing between a flash memory controller and a flash memory array

Номер патента: EP2308054A1. Автор: Johnson Yen. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2011-04-13.

Ferroelectric memory arrays with low permittivity dielectric barriers

Номер патента: US20230397428A1. Автор: Marcello Mariani,Giorgio Servalli,Kamal Karda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Combining ram and rom into a single memory array

Номер патента: US20020089873A1. Автор: Spencer Gold,Marc Lamere. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2002-07-11.

Single plate configuration and memory array operation

Номер патента: US20230206977A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Efrem Bolandrina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Memory array and operation method thereof

Номер патента: US20240090230A1. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Yu-Ming Lin,Yi-Ching Liu,Sheng-Chih Lai,Ya-Yun Cheng,Chen-Jun Wu,Wen-Ling LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Cross point resistive memory array

Номер патента: US7002197B2. Автор: Manish Sharma,Frederick A. Perner. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2006-02-21.

Sense line capacitive balancing in word-organised memory arrays

Номер патента: GB1048466A. Автор: . Владелец: Standard Telephone and Cables PLC. Дата публикации: 1966-11-16.

Memory Arrays Comprising Vertically-Alternating Tiers of Insulative Material and Memory Cells and Methods of Forming a Memory Array

Номер патента: US20230403867A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Memory arrays comprising vertically-alternating tiers of insulative material and memory cells and methods of forming a memory array

Номер патента: EP3679605A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-15.

Method for reading cross point-type memory array including two-terminal switching material

Номер патента: EP3951783A1. Автор: Jun-Sung Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-02-09.

Digit line management for a memory array

Номер патента: WO2020263642A1. Автор: Daniele Vimercati,Xinwei Guo. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-12-30.

Digit line management for a memory array

Номер патента: US20220076724A1. Автор: Daniele Vimercati,Xinwei Guo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Digit line management for a memory array

Номер патента: US11688448B2. Автор: Daniele Vimercati,Xinwei Guo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-27.

Bias temperature instability correction in memory arrays

Номер патента: US11837285B2. Автор: Christophe J. Chevallier,Siddarth Krishnan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Dual mode memory array security apparatus, systems and methods

Номер патента: US20190019545A1. Автор: Clive Bittlestone,Joyce Kwong,Chiraag Juvekar,Srinath Ramswamy. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-01-17.

Method for reading a cross-point type memory array comprising a two-terminal switching material

Номер патента: US20200321052A1. Автор: Junsung KIM. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-10-08.

Method for reading cross point-type memory array including two-terminal switching material

Номер патента: US11996146B2. Автор: Jun-Sung Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-05-28.

Cross-point memory cells, non-volatile memory arrays, methods of reading a memory cell, methods of programming a memory cell, methods of writing to and reading from a memory cell, and computer systems

Номер патента: US10796744B2. Автор: Roy E. Meade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-06.

Non-volatile memory device and apparatus for reading a non-volatile memory array

Номер патента: US5619448A. Автор: Yi-Pin Lin. Владелец: Myson Tech Inc. Дата публикации: 1997-04-08.

Self-aligned memory array

Номер патента: WO2017052565A1. Автор: Brian S. Doyle,Uday Shah,Ravi Pillarisetty,Elijah V. KARPOV. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-03-30.

Reference cell architectures for small memory array block activation

Номер патента: WO2012054082A1. Автор: Toshio Sunaga,Perng-Fei Yuh,Chao-Hung Chang,Lejan Pu. Владелец: MAGIC TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2012-04-26.

Memory array

Номер патента: US20230232638A1. Автор: Chun-Hao Wang,Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Yi-Yu Lin,Ching-Hua Hsu,Ju-Chun Fan,Dong-Ming Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-20.

Method of programming cross-point diode memory array

Номер патента: US7706177B2. Автор: Christopher J. Petti. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2010-04-27.

Dynamic latches above a three-dimensional non-volatile memory array

Номер патента: WO2024044377A1. Автор: June Lee,Tomoko Ogura Iwasaki,Luyen Vu,Jiewei Chen,Mithun Kumar RAMASAHAYAM. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory array with compensated word line access delay

Номер патента: US20240071456A1. Автор: John D. Porter,Si Hong Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

One selector one resistor mram crosspoint memory array fabrication methods

Номер патента: US20200411589A1. Автор: Lei Wan,Jordan A. Katine,Tsai-Wei Wu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-12-31.

One selector one resistor mram crosspoint memory array fabrication methods

Номер патента: WO2020222883A1. Автор: Christopher J. Petti,Jordan A. Katine,Mac D. Apodaca. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-11-05.

Serial core memory array

Номер патента: CA1069210A. Автор: Morris O. Stein,J. Fred Rathjen,Peter A. Jager. Владелец: Singer Co. Дата публикации: 1980-01-01.

Spin orbit torque magnetic random access memory cell, spin orbit torque magnetic random access memory array, and method for calculating hamming distance

Номер патента: US20230280978A1. Автор: LING Li,Ming Liu,Feng Zhang,Huai Lin,Di Wang,Long Liu,Changqing Xie,Guozhong XING. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-09-07.

Memory array having strap region with staggered dummy magnetic storage elements

Номер патента: US11737285B2. Автор: Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Hung-Yueh Chen,Yi-Yu Lin,Ching-Hua Hsu,Ju-Chun Fan,Kun-I Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-08-22.

Memory array programming circuit and a method for using the circuit

Номер патента: US20040153621A1. Автор: Yan Polansky,Avi Lavan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-05.

Magnetoresistance effect element, magnetic memory array, magnetic memory device, and write method for magnetoresistance effect element

Номер патента: US20210233577A1. Автор: Yoshiaki Saito,Shoji Ikeda,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2021-07-29.

Full bias sensing in a memory array

Номер патента: EP3504712A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-07-03.

Full bias sensing in a memory array

Номер патента: US20200372943A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-26.

Full bias sensing in a memory array

Номер патента: US20210125655A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-29.

Full bias sensing in a memory array

Номер патента: WO2018039215A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-03-01.

Adaptive bias decoder to provide a voltage to a control gate line in an analog neural memory array in artificial neural network

Номер патента: US11875852B2. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Nhan Do,Mark REITEN,Stephen Trinh. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Second-layer phase change memory array on top of a logic device

Номер патента: EP1326158A3. Автор: Stanford R. Ovshinsky,Guy Wicker. Владелец: Energy Conversion Devices Inc. Дата публикации: 2004-05-06.

Symmetric segmented memory array architecture

Номер патента: US20020196698A1. Автор: Boaz Eitan. Владелец: SPANSION ISRAEL LTD. Дата публикации: 2002-12-26.

Method and apparatus for simultaneously accessing a plurality of memory cells in a memory array to perform a read operation and/or a write operation

Номер патента: US20140204682A1. Автор: Pantas Sutardja,Winston Lee. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2014-07-24.

Apparatus for writing data bits to a memory array

Номер патента: US20040218412A1. Автор: Michael Fischer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-11-04.

Method for writing data bits to a memory array

Номер патента: US20030137891A1. Автор: Michael Christian Fischer. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2003-07-24.

Adjusting bit-line discharge time in memory arrays based on characterized word-line delay and gate delay

Номер патента: US20140071775A1. Автор: Donald Albert Evans,Bijan Kumar Ghosh,Rasoju Veerabadra Chary,Richard John Stephani,Ronald Brian Steele. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Temperature compensation of conductive bridge memory arrays

Номер патента: US20140226393A1. Автор: Roy E. Scheuerlein,George Samachisa. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2014-08-14.

Bit string accumulation in memory array periphery

Номер патента: US20200387474A1. Автор: Vijay S. Ramesh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-10.

System and Method for Memory Array Decoding

Номер патента: US20110305095A1. Автор: Pantas Sutardja,Winston Lee. Владелец: Winston Lee. Дата публикации: 2011-12-15.

Data access circuit for a memory array

Номер патента: CA1087740A. Автор: Richard C. Gifford,Clair A. Buzzard,Robert M. Zachok,Frank W. Lescinsky. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1980-10-14.

Overcharge/discharge voltage regulator for EPROM memory array

Номер патента: US5703809A. Автор: Richard Hull,Randy L. Yach. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 1997-12-30.

Memory array circuit with two-bit memory cells

Номер патента: US20060239059A1. Автор: Nobukazu Murata. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-26.

Memory array circuit arrangement

Номер патента: US20240212731A1. Автор: Jacob Robert Anderson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Computer memory arrays employing memory banks and integrated serializer/de-serializer circuits for supporting serialization/de-serialization of read/write data in burst read/write modes, and related methods

Номер патента: US12100473B2. Автор: Pramod Kolar,Stephen E. Liles,Ashish A. BAIT. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-09-24.

Accelerated in-memory cache with memory array sections having different configurations

Номер патента: US20210406176A1. Автор: Dmitri Yudanov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Accelerated in-memory cache with memory array sections having different configurations

Номер патента: US20210294741A1. Автор: Dmitri Yudanov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-23.

Three-dimensional memory arrays with layer selector transistors

Номер патента: US12114479B2. Автор: Rajesh Kumar,Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Mauro J. Kobrinsky,Swaminathan Sivakumar,Kinyip PHOA,Wilfred Gomes,Elliot Tan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Flash memory array, and write method and erasure method therefor

Номер патента: EP4394771A1. Автор: Jiayong JIANG,Zhendong SHI. Владелец: Beijing Panxin Microelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Memory array staircase structure

Номер патента: US11776602B2. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Memory array staircase structure

Номер патента: EP3945582A1. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-02.

Memory array circuits, memory structures, and methods for fabricating a memory array circuit

Номер патента: US12112829B2. Автор: Chia-En HUANG,Chun-Ying Lee,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Memory array driver

Номер патента: US09972385B2. Автор: Brent Buchanan,Phillip David Misek. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2018-05-15.

Constructions comprising stacked memory arrays

Номер патента: US09881973B2. Автор: Andrea Redaelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Non-volatile memory having memory array with differential cells

Номер патента: US20200160907A1. Автор: Yu-Shan CHIEN. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2020-05-21.

Memory array data structure for posit operations

Номер патента: US12079589B2. Автор: Vijay S. Ramesh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Handling repaired memory array elements in a memory of a computer system

Номер патента: US09965346B2. Автор: Charles A. Kilmer,David D. Cadigan,Adam J. McPadden,Anil B. Lingambudi,Anuwat Saetow. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Methods for a phase-change memory array

Номер патента: US20140376306A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Claudio Resta,Marco Ferraro. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-12-25.

Memory array capable of performing byte erase operation

Номер патента: US09847133B2. Автор: Chih-Hsin Chen,Tsung-Mu Lai,Shih-Chen Wang,Chen-Hao Po. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Systems and Methods to Reduce the Impact of Short Bits in Phase Change Memory Arrays

Номер патента: US20220319629A1. Автор: PENG Zhao,Nicola Ciocchini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Method and system for defining a redundancy window around a particular column in a memory array

Номер патента: EP1568045A1. Автор: Pau-Ling Chen,Binh Quang Le. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-08-31.

Method and apparatus for incorporating block redundancy in a memory array

Номер патента: WO2006121529A3. Автор: Roy E Scheuerlein,Luca G Fasoli. Владелец: Luca G Fasoli. Дата публикации: 2007-08-02.

Method and apparatus for incorporating block redundancy in a memory array

Номер патента: WO2006121529A2. Автор: Roy E. Scheuerlein,Luca G. Fasoli. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2006-11-16.

Method and apparatus for incorporating block redundancy in a memory array

Номер патента: EP1864291B1. Автор: Roy E. Scheuerlein,Luca G. Fasoli. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2012-06-13.

Systems and methods to reduce the impact of short bits in phase change memory arrays

Номер патента: US11557369B2. Автор: PENG Zhao,Nicola Ciocchini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-17.

Non-volatile memory array with memory gate line and source line scrambling

Номер патента: US09997253B1. Автор: Chun Chen,Yoram Betser,Kuo-Tung Chang,Amichai GIVANT,Shenqing Fang,Shivananda Shetty. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Spike current suppression in a memory array

Номер патента: US20220319592A1. Автор: Iniyan Soundappa Elango,Robert Douglas Cassel,Sundaravadivel Rajarajan,Srivatsan Venkatesan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Global responder signal circuitry for memory arrays

Номер патента: US12131779B2. Автор: Eli Ehrman,Avidan Akerib. Владелец: GSI Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Memory array with one shared deep doped region

Номер патента: US09941011B2. Автор: Tsung-Mu Lai,Wen-hao Ching,Chen-Hao Po. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Fast memory array repair using local correlated electron switch (CES) memory cells

Номер патента: US09875815B1. Автор: Mudit Bhargava,Joel Thornton Irby. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-01-23.

Voltage equalization for pillars of a memory array

Номер патента: US20220180926A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Corrado Villa,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-09.

Method and apparatus for reducing the number of programmed bits in a memory array

Номер патента: US20030046481A1. Автор: Alexander Kushnarenko. Владелец: Tower Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2003-03-06.

Cross-point memory array and related fabrication techniques

Номер патента: US20190326356A1. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Cross-point memory array and related fabrication techniques

Номер патента: WO2019209441A1. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-10-31.

Data storing in memory arrays

Номер патента: US09952796B2. Автор: Ron M. Roth,Erik Ordentlich. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2018-04-24.

Nonvolatile memory array logic

Номер патента: US09846644B2. Автор: Frederick Perner. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-12-19.

Cross-point memory array with access lines

Номер патента: US12035543B2. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Control circuit of a resistive memory cell of a memory array

Номер патента: US20190115075A1. Автор: Meng-Fan Chang,Wen-Zhang Lin,Li-Ya LAI. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2019-04-18.

Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Including A Method Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240203496A1. Автор: John D. Hopkins,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Voltage equalization for pillars of a memory array

Номер патента: WO2022126065A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Corrado Villa,Paolo Fantini. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-06-16.

Cross-point memory array and related fabrication techniques

Номер патента: EP4408152A2. Автор: Stephen H. Tang,Stephen W. Russell,Hernan A Castro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-31.

Memory Arrays, Ferroelectric Transistors, and Methods of Reading and Writing Relative to Memory Cells of Memory Arrays

Номер патента: US20240265960A1. Автор: Wayne Kinney,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory Circuitry Comprising Strings Of Memory Cells And Method Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230255023A1. Автор: Lifang Xu,Yoshiaki Fukuzumi,Paolo Tessariol,Richard J. Hill. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor constructions, electronic systems, and methods of forming cross-point memory arrays

Номер патента: EP2150978A1. Автор: Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-02-10.

Cross-point memory array with access lines

Номер патента: US20240292632A1. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Method and apparatus for testing memory arrays

Номер патента: US20030007393A1. Автор: Robert Barry,Steven Eustis,Peter Croce. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-01-09.

NOR Memory Array, NOR Memory and Electronic Device

Номер патента: US20240357814A1. Автор: Jun Feng,Tao Xiong,Linkai WANG. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: EP4442090A1. Автор: Rajasekhar Venigalla,Nancy M. LOMELI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-09.

Block-on-block memory array architecture using bi-directional staircases

Номер патента: US12114499B2. Автор: Aaron S. Yip. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-10-08.

Method for operating memory array

Номер патента: US09978457B1. Автор: Yung-Hsiang Chen,Yao-Wen Chang,I-Chen Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Page erasing mode in flash-memory array

Номер патента: RU2222058C2. Автор: Анил ГУПТА,Стивен Дж. ШУМАНН. Владелец: Этмел Корпорейшн. Дата публикации: 2004-01-20.

Multi-bank memory array architecture utilizing topologically non-uniform blocks of sub-arrays and input/output assignments in an integrated circuit memory device

Номер патента: US20040095796A1. Автор: John Heightley,Jon Faue. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2004-05-20.

Capacitive pillar architecture for a memory array

Номер патента: US11729999B2. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-15.

Mimicking multi-voltage domain wordline decoding logic for a memory array

Номер патента: WO2013109680A1. Автор: Chiaming Chai,Jeffrey Herbert Fischer,Shaoping Ge,Stephen E. Liles,Lam V. Nguyen. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2013-07-25.

NAND type multi-bit charge storage memory array and methods for operating and fabricating the same

Номер патента: US20070115723A1. Автор: Yin Chen,Chih Yeh,Chun SU,Ming Chin,Tzung Han. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-24.

Antifuse programmable memory array

Номер патента: EP2513909A1. Автор: Kevin Zhang,Sarvesh H. Kulkarni,Zhanping Chen. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2012-10-24.

Divided bitline flash memory array with local sense and signal transmission

Номер патента: US20090119446A1. Автор: Satoru Tamada. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-05-07.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240274198A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Alyssa N. SCARBROUGH,Andrew Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Fast and efficient verify recovery and array discharge for 3d nand memory arrays

Номер патента: US20240071532A1. Автор: Rohit S. Shenoy,Shantanu R. Rajwade,Sagar UPADHYAY,Golnaz Karbasian,Tarek Ahmed AMEEN BESHARI. Владелец: Intel NDTM US LLC. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory array

Номер патента: US20140169099A1. Автор: Jian Hu,Bo Zhang,Jing Gu,Weiran Kong. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2014-06-19.

Memory array

Номер патента: US20140160853A1. Автор: Jian Hu,Bo Zhang,Jing Gu,Weiran Kong. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2014-06-12.

Full address coverage during memory array built-in self test with minimum transitions

Номер патента: US9651617B2. Автор: Thomas Jew,David W. Chrudimsky,Edward Bryann C. Fernandez. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Transformed non-reprogrammable memory array devices and methods of manufacture

Номер патента: US10755777B2. Автор: Marco Pasotti,Chantal Auricchio,Marcella CARISSIMI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2020-08-25.

Dynamic word line drivers and decoders for memory arrays

Номер патента: EP2076904A2. Автор: Jentsung Lin. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2009-07-08.

Dynamic word line drivers and decoders for memory arrays

Номер патента: EP2076904B1. Автор: Jentsung Lin. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2012-08-01.

Dynamic word line drivers and decoders for memory arrays

Номер патента: WO2008045966A2. Автор: Jentsung Lin. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2008-04-17.

Macro and command execution from memory array

Номер патента: US20120110375A1. Автор: Benjamin Louie,Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-05-03.

3d memory array contact structures

Номер патента: US20240276726A1. Автор: Feng-Cheng Yang,Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Dynamic word line drivers and decoders for memory arrays

Номер патента: US20080084778A1. Автор: Jentsung Lin. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2008-04-10.

Nand flash memory array with cut-off gate line and methods for operating and fabricating the same

Номер патента: US20110256680A1. Автор: Byung-gook Park,Seongjae Cho. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY INDUSTRY FOUNDATION. Дата публикации: 2011-10-20.

A parallel asynchronous propagation pipeline structure to access multiple memory arrays

Номер патента: WO2005024833A2. Автор: Chao-Wu Chen. Владелец: Chao-Wu Chen. Дата публикации: 2005-03-17.

Structures and methods for enhancing erase uniformity in a nitride read-only memory array

Номер патента: US20070211540A1. Автор: Han Chen,Ken Chen,Chun HUNG,Ching Chung Lin,Wen Hsieh,Nai Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-13.

3d memory devices and structures with memory arrays and metal layers

Номер патента: US20240324166A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

A parallel asynchronous propagation pipeline structure to access multiple memory arrays

Номер патента: WO2005024833A3. Автор: Chao-Wu Chen. Владелец: Chao-Wu Chen. Дата публикации: 2006-06-08.

Transistor configurations for vertical memory arrays

Номер патента: US20240345744A1. Автор: Ferdinando Bedeschi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Resistive memory array using P-I-N diode select device and methods of fabrication thereof

Номер патента: US09837469B1. Автор: Sameer S. Haddad,Seungmoo Choi. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Memory array comprising a ferroelectric data storage element

Номер патента: US20240112731A1. Автор: Chia-Ching Lin,Sou-Chi Chang,Uygar Avci,Sarah ATANASOV,Bernal Granados Alpizar,Saima Siddiqui. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Varying channel width in three-dimensional memory array

Номер патента: EP4101004A1. Автор: Yi Li,Chen Wang,Richard Fastow,Dipanjan Basu,Ebony Lynn Mays,Dimitrios Pavlopoulos,Dimitri Kioussis,Junyen TEWG. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-14.

Discharge current mitigation in a memory array

Номер патента: US20210183440A1. Автор: Hongmei Wang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Scalable Interface for a Memory Array

Номер патента: US20090177813A1. Автор: Gene Leung,Wayne M. Barrett,Todd A. Greenfield. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-07-09.

Nand memory array incorporating multiple series selection devices and method for operation of same

Номер патента: EP1695356A2. Автор: James M. Cleeves,Roy E. Scheuerlein,Andrew J. Walker,Luca G. Fasoli,En-Hsing Chen,Alper Ilkbahar,Sucheta Nallamothu. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2006-08-30.

Nand memory array incorporating multiple series selection devices and method for operation of same

Номер патента: WO2005057586A2. Автор: James M. Cleeves,Roy E. Scheuerlein,Andrew J. Walker,Luca G. Fasoli,En-Hsing Chen,Alper Ilkbahar,Sucheta Nallamothu. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2005-06-23.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12082409B2. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Sequence alignment with memory arrays

Номер патента: US12073110B2. Автор: Justin Eno,Ameen D. Akel,Sean S. Eilert,Kenneth M. Curewitz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Methods for operating a memory array

Номер патента: US09851913B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Claudio Resta,Marco Ferraro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240381638A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-14.

Non-volatile memory array leakage detection

Номер патента: US20210398602A1. Автор: Sridhar Yadala,Pradeep Anantula,Aswani Krishna Lakshminarayana Addagalla,Sivakumar Grandhi,V.S.N.K.Chaitanya G. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-12-23.

Memory array test structure and method of forming the same

Номер патента: US20240194234A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Memory device comprising source switch to float source line of unselected memory cell block, memory array and program method using the same

Номер патента: US12046288B2. Автор: Pil-Sang Ryoo. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Nonvolatile memory having memory array with differential cells

Номер патента: US20160104535A1. Автор: Yu-Hsiung Tsai. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2016-04-14.

Electronic device including a nonvolatile memory array and methods of using the same

Номер патента: WO2008124269A1. Автор: Gowrishankar L. Chindalore,Thomas Jew,Ronald J. Syzdek. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2008-10-16.

Compact integrated circuit with memory array

Номер патента: US20030099146A1. Автор: Chin-Hsi Lin,Ful-Long Ni,Chun-Li Chen,Meng-Chu Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-29.

Voltage generator for memory array

Номер патента: US20100246282A1. Автор: Emmanuel Racape. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2010-09-30.

Analog neural memory array in artificial neural network with substantially constant array source impedance with adaptive weight mapping and distributed power

Номер патента: EP4407874A2. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Vipin Tiwari,Stephen Trinh. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-31.

Method and apparatus for selecting memory cells within a memory array

Номер патента: US20040141393A1. Автор: James Eaton,Joseph Ku. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2004-07-22.

A method and a device for testing a memory array in which fault response is compresed

Номер патента: WO2001008161A3. Автор: Guillaume E A Lousberg,Paul Wielage,Erik J Marinissen. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2001-03-22.

3d voltage switching transistors for 3d vertical gate memory array

Номер патента: US20160329344A1. Автор: Teng-Hao Yeh,Chih-Wei Hu,Lee-Yin Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-10.

Self-selecting memory array with horizontal access lines

Номер патента: US12100447B2. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano,Lorenzo Fratin,Russell L. Meyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Memory array structures and methods for determination of resistive characteristics of access lines

Номер патента: EP4082014A1. Автор: Jun Xu,Dan Xu,Paolo Tessariol,Erwin E. Yu,Tomoka Ogura IWASAKI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-11-02.

Semiconductor memory array partitioned into memory blocks and sub-blocks and method of addressing

Номер патента: US6026021A. Автор: Loc B. Hoang. Владелец: Winbond Electronics Corp America. Дата публикации: 2000-02-15.

Memory array with graded memory stack resistances

Номер патента: US20210111226A1. Автор: Hongmei Wang,Fabio Pellizzer,Lorenzo Fratin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-15.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array

Номер патента: US20210151454A1. Автор: Bharat Bhushan,Collin Howder,Chris M. Carlson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-20.

Memory arrays and methods used in forming a memory array

Номер патента: EP3925005A1. Автор: Bharat Bhushan,Collin Howder,Chris M. Carlson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-22.

Memory arrays, memory devices and methods of reading memory cells

Номер патента: US20100259990A1. Автор: Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-10-14.

Boost-assisted memory cell selection in a memory array

Номер патента: US11776625B2. Автор: Hongmei Wang,Hari Giduturi,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Analog neural memory array in artificial neural network comprising logical cells and improved programming mechanism

Номер патента: EP4150620A1. Автор: Hieu Van Tran,Thuan Vu,Stanley Hong,Nhan Do,Vipin Tiwari,Stephen Trinh,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-22.

Analog neural memory array in artificial neural network comprising logical cells and improved programming mechanism

Номер патента: WO2021230905A1. Автор: Hieu Van Tran,Thuan Vu,Stanley Hong,Nhan Do,Vipin Tiwari,Stephen Trinh,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2021-11-18.

Apparatus to suppress concurrent read and write word line access of the same memory element in a memory array

Номер патента: US20140177346A1. Автор: Greg M. Hess,Hitesh Gupta,Aravind Kandala. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2014-06-26.

Techniques to mitigate error during a read operation to a memory array

Номер патента: US20210304817A1. Автор: Kiran Pangal,Davide Mantegazza. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Boost-assisted memory cell selection in a memory array

Номер патента: EP4413570A1. Автор: Hongmei Wang,Hari Giduturi,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-14.

Memory array

Номер патента: US20230268000A1. Автор: Ning Wang,Kegang Zhang. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Shared decoder architecture for three-dimensional memory arrays

Номер патента: US20240321349A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Andrea Martinelli,Christophe Vincent Antoine Laurent,Efrem Bolandrina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Peak current management in a memory array

Номер патента: US20210166770A1. Автор: Xiaojiang Guo,Michele Piccardi,Kalyan Chakravarthy C. Kavalipurapu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-03.

Memory array reset read operation

Номер патента: US12119051B2. Автор: Mark Helm,Jeremy Binfet,Mark Hawes,William Filipiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Peak current management in a memory array

Номер патента: WO2020223474A1. Автор: Xiaojiang Guo,Michele Piccardi,Kalyan Chakravarthy C. Kavalipurapu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-11-05.

Peak current management in a memory array

Номер патента: EP3963584A1. Автор: Xiaojiang Guo,Michele Piccardi,Kalyan Chakravarthy C. Kavalipurapu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-09.

Memory array

Номер патента: US12009031B2. Автор: Ning Wang,Kegang Zhang. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-06-11.

Memory devices with backside bond pads under a memory array

Номер патента: US20240312933A1. Автор: Eric N. Lee,Akira Goda. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-09-19.

Composed memory array comprising a flash array and a ram array with data write to the ram array and data read from the flash array

Номер патента: EP2823484A1. Автор: Charles R. Gordon,Kevin K. Walsh,Paul R. Solheim,Robert D. MUSTO,Jerry D. REILAND,Duane R. Bigelow. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2015-01-14.

Imprint recovery for memory arrays

Номер патента: US20220199155A1. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Three-dimensional memory arrays, and methods of forming the same

Номер патента: US20210351234A1. Автор: LEI Wei,Karthik Sarpatwari,Fabio Pellizzer,Nevil N. Gajera,Lingming Yang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-11.

Three-dimensional memory arrays, and methods of forming the same

Номер патента: EP4147237A1. Автор: LEI Wei,Karthik Sarpatwari,Fabio Pellizzer,Nevil N. Gajera,Lingming Yang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-15.

Three-dimensional memory arrays, and methods of forming the same

Номер патента: WO2021225783A1. Автор: LEI Wei,Karthik Sarpatwari,Fabio Pellizzer,Nevil N. Gajera,Lingming Yang. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-11-11.

Neuromorphic system using memory array with cross-point structure

Номер патента: US20240312516A1. Автор: Jun-Sung Kim,Sang-Hoon Yoon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-09-19.

Multiple transistor architecture for three-dimensional memory arrays

Номер патента: US12119056B2. Автор: Ferdinando Bedeschi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Memory device with multiple memory arrays to facilitate in-memory computation

Номер патента: US20190205273A1. Автор: ABHISHEK Sharma,Sasikanth Manipatruni,Ram Krishnamurthy,Jack Kavalieros,Amrita MATHURIYA,Raghavan Kumar,Phil Knag,Van Le,Gregory Chen,Huseyin SUMBUL. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-07-04.

Memory arrays with bonded and shared logic circuitry

Номер патента: US20200395328A1. Автор: Richard Fastow,Owen W. Jungroth,Prashant Majhi,Krishna Parat,Khaled Hasnat. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-12-17.

Three-dimensional memory arrays with layer selector transistors

Номер патента: US20210151438A1. Автор: Rajesh Kumar,Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Mauro J. Kobrinsky,Swaminathan Sivakumar,Kinyip PHOA,Wilfred Gomes,Elliot Tan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

Memory array device and method for reducing read current of the same

Номер патента: US20140085986A1. Автор: Guangjun Yang. Владелец: Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2014-03-27.

Electrical fuse memory arrays

Номер патента: US20120057423A1. Автор: Yen-Chieh Huang,Po-Hung Chen,Kuoyuan (Peter) Hsu,Sung-Chieh Lin,Chin-Huang Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-03-08.

Memory Array and Methods Used in Forming a Memory Array

Номер патента: US20240244837A1. Автор: Haitao Liu,Luan C. Tran,Guangyu Huang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Programmable memory array structure incorporating series-connected transistor strings and methods for fabrication and operation of same

Номер патента: WO2004061863A3. Автор: En-Hsing Chen,Roy E Scheuerlein,Alper Ilkbahar,Igor Kouznetsov,Andrew J Walker,Christopher Petti,Luca G Fasoli,Sucheta Nallamothu. Владелец: Matrix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-12-16.

Microelectronic devices having a memory array region and a control logic region

Номер патента: US20230092320A1. Автор: Kunal R. Parekh,Akira Goda,Aaron S. Yip. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-23.

Content addressable memory array with an invalidate feature

Номер патента: US20100002484A1. Автор: Christopher Gronlund. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2010-01-07.

Two-bit non-volatile flash memory array

Номер патента: US20110002166A1. Автор: Chao-I Wu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-06.

Memory Array Word Line Routing

Номер патента: US20240274160A1. Автор: Yih Wang,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Yi-Ching Liu,Meng-Han LIN,Chenchen Jacob WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Generating memory array control signals

Номер патента: US20220188036A1. Автор: Hiroshi Akamatsu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-16.

Microelectronic devices having a memory array region, a control logic region, and signal routing structures

Номер патента: US12068272B2. Автор: Kunal R. Parekh,Akira Goda,Aaron S. Yip. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory array having improved isolation between sense lines

Номер патента: US4312047A. Автор: William J. Donoghue. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1982-01-19.

Data structure of defective address information and defective address information encoding method for memory array

Номер патента: US20160104545A1. Автор: Jen-Chien Fu,Shih-Jia Zeng. Владелец: Lite On Technology Corp. Дата публикации: 2016-04-14.

Memory array having improved isolation between sense lines

Номер патента: WO1981003571A1. Автор: W Donoghue. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1981-12-10.

Memory array detection circuit and detection method, and memory

Номер патента: US20230352111A1. Автор: Onegyun Na,Weijie Cheng,Liuyan HONG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Memory Array Staircase Structure

Номер патента: US20220036931A1. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

Modifiable repair solutions for a memory array

Номер патента: US20210407615A1. Автор: Troy A. Manning,Glen E. Hush,Troy D. Larsen,Jonathan D. Harms,Timothy P. Finkbeiner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Memory Array Staircase Structure

Номер патента: US20230377624A1. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Virtual and physical extended memory array

Номер патента: US20240086319A1. Автор: Donald M. Morgan,Alan J. Wilson,Bryan David Kerstetter. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Retention drift correction in non-volatile memory arrays

Номер патента: US20220343975A1. Автор: Christophe J. Chevallier. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-10-27.

Memory array detection circuit and detection method, and memory

Номер патента: US12014788B2. Автор: Onegyun Na,Weijie Cheng,Liuyan HONG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Memory array segmentation and methods

Номер патента: WO2007092536A2. Автор: Aaron Yip. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2007-08-16.

Non-volatile memory device and method of compensating leakage reading current of a non-volatile memory array

Номер патента: US7483302B2. Автор: Chun-Hsiung Hung,Su-Chueh Lo,Han-Sung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-27.

Non-volatile memory device and method of compensating leakage reading current of a non-volatile memory array

Номер патента: US20080186770A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Su-Chueh Lo,Han-Sung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-07.

Equivalent fuse circuit for a one-time programmable read-only memory array

Номер патента: US20150310930A1. Автор: Juergen Boldt,Stephan Hay. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2015-10-29.

Merged bit lines for high density memory array

Номер патента: US20240249785A1. Автор: Perng-Fei Yuh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Methods and apparatus for performing matrix transformations within a memory array

Номер патента: US12118056B2. Автор: Fa-Long Luo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Output circuitry for non-volatile memory array in neural network

Номер патента: US12112798B2. Автор: Hieu Van Tran,Dmitri Strukov,Xinjie Guo,Farnood Merrikh Bayat,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Method of and apparatus for sharing redundancy circuits between memory arrays within a semiconductor memory device

Номер патента: US6208569B1. Автор: Vipul Patel,Daniel F. McLaughlin,Terry T. Tsai. Владелец: GENESIS SEMICONDUCTOR Inc. Дата публикации: 2001-03-27.

Pillar and word line plate architecture for a memory array

Номер патента: US20240057348A1. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini,Thomas M. Graettinger. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Pattern generation for multi-channel memory array

Номер патента: US20220091776A1. Автор: Sang-Hoon Shin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

Memory array data structure for posit operations

Номер патента: US20200301605A1. Автор: Vijay S. Ramesh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-09-24.

Memory array structure

Номер патента: US20240021226A1. Автор: Meng-Fan Chang,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Jer-Fu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Techniques for storing data and tags in different memory arrays

Номер патента: US20230393989A1. Автор: Frederick A. Ware. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2023-12-07.

Memory array decoding and interconnects

Номер патента: WO2020131397A1. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-06-25.

Non-volatile memory package and method of reading stored data from a non-volatile memory array

Номер патента: US20070127293A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Su-Chueh Lo,Han-Sung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-07.

Three-dimensional memory array incorporating serial chain diode stack

Номер патента: US6631085B2. Автор: Bendik Kleveland,Roy E. Scheuerlein,Thomas H. Lee,Mark G. Johnson,N. Johan Knall. Владелец: Matrix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-10-07.

Vertical NAND flash memory array

Номер патента: US7148538B2. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-12-12.

Method and apparatus using mapped redundancy to perform multiple large block memory array repair

Номер патента: US5495447A. Автор: Hamid Partovi,Steven W. Butler. Владелец: Digital Equipment Corp. Дата публикации: 1996-02-27.

Memory array, memory structure and operation method of memory array

Номер патента: US11901004B2. Автор: Hon-Sum Philip Wong,Jin Cai,Meng-Fan Chang,Kerem Akarvardar,Rawan NAOUS,Win-San Khwa. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Matching patterns in memory arrays

Номер патента: US11862242B2. Автор: Dmitri Yudanov. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-01-02.

Matching patterns in memory arrays

Номер патента: WO2021257371A1. Автор: Dmitri Yudanov. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-12-23.

Method and device for testing memory array structure, and storage medium

Номер патента: US11823756B2. Автор: Maosong MA,Jianbin Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Memory array, memory structure and operation method of memory array

Номер патента: US20230326525A1. Автор: Hon-Sum Philip Wong,Jin Cai,Meng-Fan Chang,Kerem Akarvardar,Rawan NAOUS,Win-San Khwa. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Neural memory array storing synapsis weights in differential cell pairs

Номер патента: US11908513B2. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Vipin Tiwari,Stephen Trinh. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Memory cell capacitor structures for three-dimensional memory arrays

Номер патента: US20230397401A1. Автор: Yuan He,Sheyang NING,Song Guo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Charge screening structure for spike current suppression in a memory array

Номер патента: US11984161B2. Автор: Iniyan Soundappa Elango,Robert Douglas Cassel,Sundaravadivel Rajarajan,Srivatsan Venkatesan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Matching patterns in memory arrays

Номер патента: US20210391004A1. Автор: Dmitri Yudanov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

Matching patterns in memory arrays

Номер патента: US20240153556A1. Автор: Dmitri Yudanov. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-05-09.

Matching patterns in memory arrays

Номер патента: US20220199157A1. Автор: Dmitri Yudanov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Method and apparatus for dual data-dependent busses for coupling read/write circuits to a memory array

Номер патента: EP2062263A2. Автор: Roy E. Scheuerlein,Luca G. Fasoli. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2009-05-27.

Method and apparatus for dual data-dependent busses for coupling read/write circuits to a memory array

Номер патента: EP2062263A4. Автор: Roy E Scheuerlein,Luca G Fasoli. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2009-08-12.

Dual data-dependent busses for coupling read/write circuits to a memory array

Номер патента: WO2008016948A3. Автор: Roy E Scheuerlein,Luca G Fasoli. Владелец: Luca G Fasoli. Дата публикации: 2009-01-08.

Memory array, and method for reading, programming and erasing memory array

Номер патента: US20180061502A1. Автор: Yao Zhou,Hao Ni,Tian Shen TANG,Jia Xu PENG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-01.

Structures for word line multiplexing in three-dimensional memory arrays

Номер патента: US20240071423A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Mingdong Cui,Richard E. Facekenthal. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Deselect drivers for a memory array

Номер патента: US20130003449A1. Автор: Hernan A. Castro. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2013-01-03.

Trench and multiple pier architecture for three-dimensional memory arrays

Номер патента: WO2024191628A1. Автор: Fabio Pellizzer,Lorenzo Fratin,Russell L. Meyer,Stephen W. Russell. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-09-19.

Non-volatile memory array architecture

Номер патента: US5801994A. Автор: Guy S. Yuen,Shang-De Ted Chang,Chinh D. Nguyen. Владелец: Programmable Microelectronics Corp. Дата публикации: 1998-09-01.

Creating dynamic latches above a three-dimensional non-volatile memory array

Номер патента: US20240071430A1. Автор: Tomoko Ogura Iwasaki,Jiewei Chen,Mithun Kumar RAMASAHAYAM. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory array and method of operating the same

Номер патента: US20130021850A1. Автор: Qing Peng Yuan. Владелец: Giantec Semiconductor Ltd Inc. Дата публикации: 2013-01-24.

Three dimensional double-density memory array

Номер патента: US20210296360A1. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-09-23.

Write buffer implementation for multiple memory array memory spaces

Номер патента: US20210048952A1. Автор: Giuseppe Cariello. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

Memory test circuit, memory array, and testing method of memory array

Номер патента: US20240079080A1. Автор: JEN-CHIEH LIU,Meng-Fan Chang,Jui-Jen Wu,Win-San Khwa,Yi-Lun Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Temperature compensation in an analog memory array by changing a threshold voltage of a selected memory cell in the array

Номер патента: US20210090654A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Recurrent neural network inference engine with gated recurrent unit cell and non-volatile memory arrays

Номер патента: US20210397931A1. Автор: Tung Thanh Hoang,Martin LUEKER-BODEN,Wen Ma. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-12-23.

Memory apparatus and methods with heterogeneous memory array architecture

Номер патента: US10860252B2. Автор: Imran Muhammad,Tae Hyun Kwon,Jung Min YOU,Joon Sung YANG. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2020-12-08.

Error tolerant memory array and method for performing error correction in a memory array

Номер патента: US20210073072A1. Автор: John L. Mccollum. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-11.

Neural processing core, method of programming a synaptic memory array thereof and method of performing neural network inference thereon

Номер патента: WO2023059265A1. Автор: Pengfei Sun,Wenyu Jiang,Piew Yoong Chee. Владелец: AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH. Дата публикации: 2023-04-13.

Trench and multiple pier architecture for three-dimensional memory arrays

Номер патента: US20240312521A1. Автор: Fabio Pellizzer,Lorenzo Fratin,Russell L. Meyer,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Structures for word line multiplexing in three-dimensional memory arrays

Номер патента: US12131794B2. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Richard E. Fackenthal,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Method for using a multi-use memory cell and memory array

Номер патента: US20070070690A1. Автор: Tanmay Kumar,Roy Scheuerlein. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2007-03-29.

Memory array with a simultaneous read or simultaneous write ports

Номер патента: US6104663A. Автор: Adam Kablanian. Владелец: Virage Logic Corp. Дата публикации: 2000-08-15.

Automatically testing a plurality of memory arrays on selected memory array testers

Номер патента: US4606025A. Автор: Robert M. Peters,Henri D. Schnurmann,Louis J. Vidunas. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1986-08-12.

Memory cell structure, memory array structure, and voltage biasing method

Номер патента: US20230197152A1. Автор: Ming Liu,Jianguo Yang,Xiaoxin Xu,Hangbing Lv. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-06-22.

Assigning data to a resistive memory array based on a significance level

Номер патента: US20190065118A1. Автор: Naveen Muralimanohar,Ali Shafiee Ardestani,Ben Feinberg. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2019-02-28.

Nonvolatile memory array logic

Номер патента: WO2014109771A1. Автор: Frederick Perner. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2014-07-17.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210280594A1. Автор: John D. Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-09.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210375903A1. Автор: John D. Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-02.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11925016B2. Автор: John D. Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Three-dimensional memory array with dual-level peripheral circuits and methods for forming the same

Номер патента: US20240032299A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Fumiaki TOYAMA,Masanori Tsutsumi,Kazutaka Yoshizawa. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-01-25.

Voltage equalization for pillars of a memory array

Номер патента: US20220392527A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Corrado Villa,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-08.

Assigning data to a resistive memory array based on a significance level

Номер патента: WO2017171773A1. Автор: Naveen Muralimanohar,Ali Shafiee Ardestani,Ben Feinberg. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-10-05.

Low voltage low capacitance flash memory array

Номер патента: US20080080247A1. Автор: Shang-De Chang. Владелец: Chingis Technology Corp USA. Дата публикации: 2008-04-03.

Compute-in-memory array multi-range temperature compensation

Номер патента: US11955193B1. Автор: Brandon David Rumberg,Steven Andryzcik. Владелец: Aspinity Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Global responder signal circuitry for memory arrays

Номер патента: US20230317165A1. Автор: Eli Ehrman,Avidan Akerib. Владелец: GSI Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Masked training and analysis with a memory array

Номер патента: US11954342B2. Автор: Thomas Hein,Wolfgang Anton SPIRKL,Phillip A. Rasmussen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Assigning data to a resistive memory array based on a significance level

Номер патента: EP3286639A1. Автор: Naveen Muralimanohar,Ali Shafiee Ardestani,Ben Feinberg. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2018-02-28.

Masked training and analysis with a memory array

Номер патента: US20230057441A1. Автор: Thomas Hein,Wolfgang Anton SPIRKL,Phillip A. Rasmussen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

Systems and methods for controlling memory array power consumption

Номер патента: US20180260014A1. Автор: Md M. Hoque,Weize Chen,Patrice M. Parris,Victor Wang,Joachim Josef Maria Kruecken,Frank Kelsey Baker, Jr.. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-09-13.

Field programmable memory array

Номер патента: US5949719A. Автор: Scott Whitney Gould,Terrance John Zittritsch,Frank Ray Keyser, III,Kim P. N. Clinton,Joseph Andrew Iadanza,Ralph David Kilmoyer,Michael Joseph Laramie,Victor Paul Seidel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1999-09-07.

Cross point memory array devices

Номер патента: US20110084248A1. Автор: Chang-Rong Wu,Chun-I Hsieh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2011-04-14.

Method of making non-volatile semiconductor memory arrays

Номер патента: US5966601A. Автор: Chen Ling,Siu-han Liao. Владелец: Holtek Microelectronics Inc. Дата публикации: 1999-10-12.

Generation of memory column addresses using memory array type bits in a control register of a computer system

Номер патента: US5737764A. Автор: Akio Shigeeda. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1998-04-07.

Integrated circuit memory array with fast test mode utilizing multiple word line selection and method therefor

Номер патента: US6768685B1. Автор: Roy E. Scheuerlein. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2004-07-27.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210280595A1. Автор: John D. Hopkins,Nancy M. LOMELI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-09.

Block-on-block memory array architecture using bi-directional staircases

Номер патента: US11335700B2. Автор: Aaron S. Yip. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-05-17.

Nonvolatile memory array logic

Номер патента: EP2943959A1. Автор: Frederick Perner. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2015-11-18.

Memory array comprising strings of memory cells and method used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: WO2022164602A1. Автор: John D. Hopkins,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-08-04.

Semiconductor Constructions, and Methods of Forming Cross-Point Memory Arrays

Номер патента: US20160087010A1. Автор: Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-03-24.

Memory Arrays, Ferroelectric Transistors, and Methods of Reading and Writing Relative to Memory Cells of Memory Arrays

Номер патента: US20220157364A1. Автор: Wayne Kinney,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-05-19.

Voltage equalization for pillars of a memory array

Номер патента: US11735255B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Corrado Villa,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Redundant array of independent NAND for a three-dimensional memory array

Номер патента: US11797383B2. Автор: Jung Sheng Hoei,Peter Feeley,Kishore K. Muchherla,Sampath K. Ratnam,Sivagnanam Parthasarathy,Renato C. Padilla. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Memory arrays, ferroelectric transistors, and methods of reading and writing relative to memory cells of memory arrays

Номер патента: US11955156B2. Автор: Wayne Kinney,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230343393A1. Автор: Rajasekhar Venigalla,Jordan D. GREENLEE,Tom George. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11956950B2. Автор: John D. Hopkins,Nancy M. LOMELI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Block-on-block memory array architecture using bi-directional staircases

Номер патента: US20210288071A1. Автор: Aaron S. Yip. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-16.

Resistive memory arrays for performing multiply-accumulate operations

Номер патента: US20190108193A1. Автор: Brent Buchanan. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2019-04-11.

Cross-point memory array and related fabrication techniques

Номер патента: EP3785308A1. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-03.

Techniques to improve a read operation to a memory array

Номер патента: US20210098034A1. Автор: Davide Mantegazza. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-04-01.

Memory Arrays, Ferroelectric Transistors, and Methods of Reading and Writing Relative to Memory Cells of Memory Arrays

Номер патента: US20200234751A1. Автор: Wayne Kinney,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-23.

Memory arrays, ferroelectric transistors, and methods of reading and writing relative to memory cells of memory arrays

Номер патента: WO2017184523A1. Автор: Wayne Kinney,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2017-10-26.

Circuit for accessing a chalcogenide memory array

Номер патента: EP1733398A4. Автор: BIN Li,David C Lawson,Kenneth R Knowles. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2007-06-20.

Providing efficient handling of memory array failures in processor-based systems

Номер патента: US20180121274A1. Автор: Paul Steinmetz,Thomas Philip Speier,Kshitiz Saxena,Manish Garg,Michael Phan,Viren Ramesh Patel,Kevin Magill,Clint Mumford. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-05-03.

Resistive memory arrays for performing multiply-accumulate operations

Номер патента: EP3268969A1. Автор: Brent Buchanan. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2018-01-17.

Compact Memory Arrays

Номер патента: US20130099289A1. Автор: Thomas Nirschl,Jan Otterstedt,Michael Bollu,Wolf Allers. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2013-04-25.

Methods and related devices for operating a memory array

Номер патента: US20180095687A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Claudio Resta,Marco Ferraro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-05.

Three-dimensional memory array formation techniques

Номер патента: US20240188299A1. Автор: Wenjie Li,George Matamis,Christopher J. Larsen,S M Istiaque Hossain,Lingyu Kong,David A. Daycock,Sok Han Wong,Kevin R. Gast,Lhaang Chee Ooi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Test method for screening local bit-line defects in a memory array

Номер патента: US20120263002A1. Автор: Yin Chin Huang,Chu Pang Huang,Yi Fang Chang,Cheng Chi Liu,Chang Chan Yang,Min Kuang Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-18.

Flash memory array with internal refresh

Номер патента: CA2341706A1. Автор: Anil Gupta,Steve Schumann. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-03-23.

Flash memory array with internal refresh

Номер патента: WO2000016338A9. Автор: Anil Gupta,Steve Schumann. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2000-08-17.

NAND flash memory array architecture having low read latency and low program disturb

Номер патента: US9245639B1. Автор: Dae Hyun Kim,Anil Gupta,Jong Oh Lee. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-01-26.

Memory arrays using nanotube articles with reprogrammable resistance

Номер патента: US20060250856A1. Автор: Thomas Rueckes,Ramesh Sivarajan,Mitchell Meinhold,Claude Bertin,Frank Guo,Max Strasburg,Steven Konsek,X. M. Huang. Владелец: Nantero Inc. Дата публикации: 2006-11-09.

Non-crystalline device memory array

Номер патента: GB1516390A. Автор: . Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 1978-07-05.

Memory arrays using nanotube articles with reprogrammable resistance

Номер патента: CA2608106C. Автор: Claude L. Bertin,Thomas Rueckes,Ramesh Sivarajan,Steven L. Konsek,Mitchell Meinhold,Frank Guo,Max Strasburg,X.M. Henry Huang. Владелец: Nantero Inc. Дата публикации: 2016-03-29.

Write once/read only semiconductor memory array

Номер патента: US3668655A. Автор: Charles A Allen. Владелец: Cogar Corp. Дата публикации: 1972-06-06.

Stabilization of selector devices in a memory array

Номер патента: US20220051735A1. Автор: Shinji Sato,Avinash Rajagiri. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-17.

Memory array circuits including word line circuits for improved word line signal timing and related methods

Номер патента: WO2022250866A1. Автор: Chiaming Chai,Jason Philip Martzloff,Shaoping Ge. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2022-12-01.

Vertical string driver for memory array

Номер патента: US20220076751A1. Автор: Aaron S. Yip,Tomoko Ogura Iwasaki. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Semiconductor Constructions, Electronic Systems, and Methods of Forming Cross-Point Memory Arrays

Номер патента: US20170271411A1. Автор: Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-21.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: WO2022240496A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Alyssa N. SCARBROUGH,Andrew Li. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-11-17.

Vertical 1t-1r memory cells, memory arrays and methods of forming the same

Номер патента: WO2015069524A1. Автор: Christopher J. Petti. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2015-05-14.

Programming method of memory array

Номер патента: US9437303B1. Автор: Hsing-Wen Chang,Yao-Wen Chang,Tao-Cheng Lu,Chu-Yung Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240071498A1. Автор: Yongjun Jeff Hu,Pengyuan Zheng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory array with metal-insulator transition switching devices

Номер патента: US20120099362A1. Автор: Jianhua Yang,Gilberto Medeiros Ribeiro,Matthew D. Pickett. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2012-04-26.

Stabilization of selector devices in a memory array

Номер патента: US20230040099A1. Автор: Shinji Sato,Avinash Rajagiri. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-09.

Stabilization of selector devices in a memory array

Номер патента: US11935604B2. Автор: Shinji Sato,Avinash Rajagiri. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Stabilization of selector devices in a memory array

Номер патента: WO2022035986A1. Автор: Shinji Sato,Avinash Rajagiri. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-02-17.

Method and apparatus with memory array programming

Номер патента: US11990187B2. Автор: Sang Joon Kim,Seok Ju Yun,Seungchul Jung,Daekun YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-21.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11996151B2. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Alyssa N. SCARBROUGH,Andrew Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Memory array architecture supporting block write operation

Номер патента: US20010056519A1. Автор: Hua Zheng. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2001-12-27.

Method and apparatus with memory array programing

Номер патента: US20230170026A1. Автор: Sang Joon Kim,Seok Ju Yun,Seungchul Jung,Daekun YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-01.

Intelligent memory array switching logic

Номер патента: WO2006077046A1. Автор: Khaled Fekih-Romdhane,Skip Shizhen Liu. Владелец: NANYA TECHNOLOGY CORPORATION. Дата публикации: 2006-07-27.

Level shifter for use with memory arrays

Номер патента: US20120033508A1. Автор: Chad A. Adams,Sharon H. Cesky,Elizabeth L. Gerhard,Jeffrey M. Scherer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-02-09.

Method and apparatus for programming a memory array

Номер патента: EP1894208A1. Автор: Feng Li,Xiaoyu Yang,Bendik Kleveland,Tae Hee Lee,Chia Yang,Seung Geon Yu. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2008-03-05.

Method and apparatus for programming a memory array

Номер патента: WO2007001852A1. Автор: Feng Li,Xiaoyu Yang,Bendik Kleveland,Tae Hee Lee,Chia Yang,Seung Geon Yu. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2007-01-04.

Systems and methods for issuing address and data signals to a memory array

Номер патента: US20100208533A1. Автор: Jason Brown,Venkatraghavan Bringivijayaraghavan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-08-19.

N-way mode content addressable memory array

Номер патента: US20090279340A1. Автор: Christopher Gronlund. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2009-11-12.

Method and Apparatus for Implementing Complex Logic Within a Memory Array

Номер патента: US20090027079A1. Автор: Jose Angel Paredes,Andrew James Bianchi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-01-29.

Method and apparatus for implementing complex logic within a memory array

Номер патента: US20080136447A1. Автор: Jose Angel Paredes,Andrew James Bianchi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-06-12.

Electrically formed memory array

Номер патента: WO2022132905A1. Автор: Andrea Redaelli. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-06-23.

Voltage control method and voltage control circuit for anti-fuse memory array

Номер патента: US20230197178A1. Автор: Yan Wang,Sheng Qiu,Xian Chen,Zhengyuan ZHANG,Mingyuan Xu,Ruzhang Li,Hequan Jiang,Peijian Zhang,Feiyu JIANG,Xiyi LIAO,Yonghong DAI. Владелец: CETC 24 Research Institute. Дата публикации: 2023-06-22.

Systems and methods for issuing address and data signals to a memory array

Номер патента: US20100054058A1. Автор: Jason Brown,Venkatraghavan Bringivijayaraghavan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-03-04.

Determining a resistance state of a cell in a crossbar memory array

Номер патента: US09911491B2. Автор: Naveen Muralimanohar,Erik Ordentlich. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2018-03-06.

Memory arrays

Номер патента: US10241185B2. Автор: Zengtao T. Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-03-26.

Memory arrays

Номер патента: US9887239B2. Автор: Zengtao T. Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor memory array

Номер патента: CA1171527A. Автор: Deepray S. Puar. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1984-07-24.

Read-only memory arrays in which a portion of the memory-addressing circuitry is integral to the array

Номер патента: US3618050A. Автор: Charles R Winston,Richard H Heeren. Владелец: Teletype Corp. Дата публикации: 1971-11-02.

NAND memory arrays and methods

Номер патента: US7276414B2. Автор: Garo Derderian,Todd R. Abbott,Michael Violette. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-10-02.

A program lock circuit for a mask programmable anti-fuse memory array

Номер патента: CA2645788C. Автор: Wlodek Kurjanowicz. Владелец: Sidense Corp. Дата публикации: 2010-01-26.

Multiport memory array

Номер патента: CA1173566A. Автор: Bryan S. Moffitt,Alexander R. Ross. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1984-08-28.

Driver placement in memories having stacked memory arrays

Номер патента: WO2020149917A1. Автор: Haitao Liu,Gurtej S. Sandhu,Lifang Xu,Sanh D. Tang,Kamal M. Karda,Akira Goda. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-07-23.

Driver placement in memories having stacked memory arrays

Номер патента: US11805653B2. Автор: Haitao Liu,Gurtej S. Sandhu,Lifang Xu,Sanh D. Tang,Kamal M. Karda,Akira Goda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Integrated circuitry comprising a memory array comprising strings of memory cells and methods including a method used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11895835B2. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230377653A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

One time programmable (otp) memory array and read and write method thereof

Номер патента: US20230124460A1. Автор: Jack Zezhong Peng,Junhua Mao. Владелец: Chengdu Kiloway Electronics Co ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230395149A1. Автор: Rita J. Klein,John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Nancy M. LOMELI,David Ross Economy,Everett A. McTeer,Jiewei Chen,Aaron P. Thurber. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230343394A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Efuse memory cell, efuse memory array and using method thereof, and efuse system

Номер патента: US20210272971A1. Автор: Xiaohua Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-09-02.

Fast parity scan of memory arrays

Номер патента: US7565597B1. Автор: Kee W. Park,Kenneth Branth. Владелец: Integrated Device Technology Inc. Дата публикации: 2009-07-21.

Driver placement in memories having stacked memory arrays

Номер патента: EP3912191A1. Автор: Haitao Liu,Gurtej S. Sandhu,Lifang Xu,Sanh D. Tang,Kamal M. Karda,Akira Goda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-24.

3D memory array contact structures

Номер патента: US11985825B2. Автор: Feng-Cheng Yang,Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230377652A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Transistor configurations for vertical memory arrays

Номер патента: US20230393766A1. Автор: Ferdinando Bedeschi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Transistor configurations for vertical memory arrays

Номер патента: US11989427B2. Автор: Ferdinando Bedeschi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230386575A1. Автор: Adam W. Saxler,John D. Hopkins,Collin Howder,Haoyu Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Memory array circuits including word line circuits for improved word line signal timing and related methods

Номер патента: US20220383918A1. Автор: Chiaming Chai,Jason Philip Martzloff,Shaoping Ge. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2022-12-01.

Memory array circuits including word line circuits for improved word line signal timing and related methods

Номер патента: EP4348647A1. Автор: Chiaming Chai,Jason Philip Martzloff,Shaoping Ge. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-04-10.

Driver placement in memories having stacked memory arrays

Номер патента: US20240147729A1. Автор: Haitao Liu,Gurtej S. Sandhu,Lifang Xu,Sanh D. Tang,Kamal M. Karda,Akira Goda. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-05-02.

One time programmable (OTP) memory array and read and write method thereof

Номер патента: US11990193B2. Автор: Jack Zezhong Peng,Junhua Mao. Владелец: Chengdu Kiloway Electronics Co ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Dynamic word line drivers and decoders for memory arrays

Номер патента: WO2008045966A3. Автор: Jentsung Lin. Владелец: Jentsung Lin. Дата публикации: 2008-08-07.

Macro and command execution from memory array

Номер патента: US20140026005A1. Автор: Benjamin Louie,Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-01-23.

Memory array

Номер патента: US20240021266A1. Автор: Yao-Ting Tsai,Che-Fu Chuang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Macro and command execution from memory array

Номер патента: US20130039140A1. Автор: Benjamin Louie,Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-02-14.

Charge screening structure for spike current suppression in a memory array

Номер патента: WO2022216455A1. Автор: Iniyan Soundappa Elango,Robert Douglas Cassel,Sundaravadivel Rajarajan,Srivatsan Venkatesan. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-10-13.

Varying channel width in three-dimensional memory array

Номер патента: US20230033086A1. Автор: Yi Li,Chen Wang,Richard Fastow,Dipanjan Basu,Ebony Lynn Mays,Dimitrios Pavlopoulos,Dimitri Kioussis,Junyen TEWG. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-02-02.

Programmable storage unit and programmable memory array and reading and writing method therefor

Номер патента: EP3933840A1. Автор: Zhan Ying,Xin Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-01-05.

Flash memory array of floating gate-based non-volatile memory cells

Номер патента: US8345488B2. Автор: PRABHJOT Singh,Hosam Haggag,Alexander Kalnitsky,Edgardo Laber,Michael D. Church. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2013-01-01.

Memory device comprising source switch to float source line of unselected memory cell block, memory array and program method using the same

Номер патента: US20230178153A1. Автор: Pil-Sang Ryoo. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-06-08.

NAND memory arrays

Номер патента: US20070063262A1. Автор: Garo Derderian,Todd Abbott,Michael Violette. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-03-22.

High-density SOI cross-point memory array and method for fabricating same

Номер патента: US20040235309A1. Автор: Sheng Hsu. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2004-11-25.

Separately addressable memory arrays in a multiple array semiconductor chip

Номер патента: US4636986A. Автор: Raymond Pinkham. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1987-01-13.

Memory array biasing circuit for high speed CMOS device

Номер патента: US4636983A. Автор: Kenneth E. Young,Bruce L. Bateman. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 1987-01-13.

Nonvolatile flash-EEPROM memory array with source control transistors

Номер патента: US5508956A. Автор: Marco Dallabora,Giovanni Campardo,Giuseppe Crisenza. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1996-04-16.

Integrated Circuitry, Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells, Methods Used In Forming Integrated Circuitry, And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230389314A1. Автор: David H. Wells,Amritesh Rai,Pengyuan Zheng,Adam Barton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Cross-point pillar architecture for memory arrays

Номер патента: US11887661B2. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Mattia Robustelli,Alessandro Sebastiani. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Decode circuitry coupled to a memory array

Номер патента: EP3676839A1. Автор: Timothy C. Langtry,Richard K. Dodge. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-08.

Decode circuitry coupled to a memory array

Номер патента: WO2019046029A1. Автор: Timothy C. Langtry,Richard K. Dodge. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-03-07.

Edge compute components under a memory array

Номер патента: WO2022020140A1. Автор: Glen E. Hush,Richard C. Murphy,Honglin Sun. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-01-27.

Independently addressable memory array address spaces

Номер патента: EP3039685A1. Автор: Troy A. Manning. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-07-06.

Sequence alignment with memory arrays

Номер патента: US20240086100A1. Автор: Justin Eno,Ameen D. Akel,Sean S. Eilert,Kenneth M. Curewitz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Sequence alignment with memory arrays

Номер патента: US20240087643A1. Автор: Justin Eno,Ameen D. Akel,Sean S. Eilert,Kenneth M. Curewitz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Edge compute components under a memory array

Номер патента: US11762577B2. Автор: Glen E. Hush,Richard C. Murphy,Honglin Sun. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Memory array and measuring and testing methods for inter-hamming differences of memory array

Номер патента: US20180157555A1. Автор: Shih-Lien Linus Lu,Saman M. I. Adham,Kun-Hsi Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-07.

Memory array structures and methods of their fabrication

Номер патента: US20240071500A1. Автор: Jin Yue,Jae Young Ahn,Kyubong JUNG,Jae Kyu Choi,Albert Fayrushin,Jun Kyu YANG. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory array for storing odd and even data bits of data words in alternate sub-banks to reduce multi-bit error rate and related methods

Номер патента: EP4330966A1. Автор: Pramod Kolar. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-03-06.

Memory array for storing odd and even data bits of data words in alternate sub-banks to reduce multi-bit error rate and related methods

Номер патента: WO2022231766A1. Автор: Pramod Kolar. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2022-11-03.

Circuit and method to detect word-line leakage and process defects in non-volatile memory array

Номер патента: US11935607B2. Автор: Vikas RANA,Vivek Tyagi. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-03-19.

Edge compute components under a memory array

Номер патента: US20220027079A1. Автор: Glen E. Hush,Richard C. Murphy,Honglin Sun. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-27.

Neural network inference accelerator based on one-time-programmable (otp) memory arrays with one-way selectors

Номер патента: US20210134379A1. Автор: Liang Zhao. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Systems and methods for Stretching Clock Cycles in the Internal Clock Signal of a Memory Array Macro

Номер патента: US20100302896A1. Автор: Fumihiro Kono. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-02.

Stress-based techniques for detecting an imminent read failure in a non-volatile memory array

Номер патента: US20130326285A1. Автор: CHEN He,Richard K. Eguchi. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2013-12-05.

Cross-point pillar architecture for memory arrays

Номер патента: US20240221829A1. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Mattia Robustelli,Alessandro Sebastiani. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Bipolar selector device for a memory array

Номер патента: US20210143211A1. Автор: Gaspard Hiblot,Geert Van Der Plas,Shamin Houshmand Sharifi. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-05-13.

Apparatuses and methods for configurable memory array bank architectures

Номер патента: US20230418471A1. Автор: Shunichi Saito,Dean D. Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Independently addressable memory array address spaces

Номер патента: US20160005447A1. Автор: Troy A. Manning. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-01-07.

Memory array test structure and method of forming the same

Номер патента: US11935624B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Dual-cell soft programming for virtual-ground memory arrays

Номер патента: AU2002311936A1. Автор: John H. Pasternak. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2002-12-09.

Ferroelectric memory and memory array device with multiple independently controlled gates

Номер патента: US11785778B2. Автор: Chi-Jen Lin,Darsen Duane Lu. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2023-10-10.

Ferroelectric memory and memory array device with multiple independently controlled gates

Номер патента: US20220278129A1. Автор: Chi-Jen Lin,Darsen Duane Lu. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2022-09-01.

Dual-cell soft programming for virtual-ground memory arrays

Номер патента: EP1409237A2. Автор: John.H Pasternak. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2004-04-21.

Dual-cell soft programming for virtual-ground memory arrays

Номер патента: US20020176280A1. Автор: John Pasternak. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2002-11-28.

Dual-cell soft programming for virtual-ground memory arrays

Номер патента: WO2002096632A2. Автор: John H. Pasternak. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2002-12-05.

Local word line driver and flash memory array device thereof

Номер патента: US20120170377A1. Автор: Takao Akaogi. Владелец: Eon Silicon Solutions Inc. Дата публикации: 2012-07-05.

Laser programmable memory array

Номер патента: US4872140A. Автор: Andrew C. Graham,David C. MacMillan. Владелец: Gazelle Microcircuits Inc. Дата публикации: 1989-10-03.

Memory array and memory device

Номер патента: US8350320B2. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-01-08.

Method for making conductors for ferrite memory arrays

Номер патента: US3849877A. Автор: J Fletcher,C Heckler,P Baba,N Bhiwandker. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 1974-11-26.

Decoding method in an NROM flash memory array

Номер патента: US7881121B2. Автор: Cheng-Jye Liu,Jongoh Kim,Yi-Jin Kwon. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-01.

Suspension of memory operations for reduced read latency in memory arrays

Номер патента: WO2010143209A1. Автор: Francesco Falanga,Danilo Caraccio,Massimo Iaculo,Antonino Pollio,Antonio Mauro. Владелец: Antonio Mauro. Дата публикации: 2010-12-16.

Method for accessing a memory array

Номер патента: US6111775A. Автор: Scott Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-08-29.

Techniques to mitigate error during a read operation to a memory array

Номер патента: US11145366B1. Автор: Kiran Pangal,Davide Mantegazza. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-10-12.

Reduced resistivity for access lines in a memory array

Номер патента: US11830816B2. Автор: LEI Wei,Adam Thomas Barton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Double sense program verification of a memory array

Номер патента: US10643684B1. Автор: Xiang Yang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-05-05.

Memory array and operation method thereof

Номер патента: US11776636B2. Автор: Lih-Wei Lin. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Memory array and operation method thereof

Номер патента: US20230223089A1. Автор: Lih-Wei Lin. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

Self-selecting memory array with horizontal access lines

Номер патента: WO2019182722A1. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano,Lorenzo Fratin,Russell L. Meyer. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-09-26.

Methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11895834B2. Автор: Jordan D. GREENLEE,Nancy M. LOMELI,Jiewei Chen,Mithun Kumar RAMASAHAYAM. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Memory arrays and methods used in forming a memory array

Номер патента: US11640837B2. Автор: Armin Saeedi Vahdat,Richard J. Hill,Aaron Michael Lowe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-02.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array

Номер патента: US20210257012A1. Автор: Armin Saeedi Vahdat,Richard J. Hill,Aaron Michael Lowe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-08-19.

Programming methods for neural network using non-volatile memory array

Номер патента: US11853856B2. Автор: Hieu Van Tran,Dmitri Strukov,Xinjie Guo,Farnood Merrikh Bayat,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Memory array reset read operation

Номер патента: US11423976B2. Автор: Mark Helm,Jeremy Binfet,Mark Hawes,William Filipiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-23.

Memory array reset read operation

Номер патента: WO2019046050A1. Автор: Mark Helm,Jeremy Binfet,Mark Hawes,William Filipiak. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-03-07.

High speed data access memory arrays

Номер патента: US20060291300A1. Автор: Luigi Di Gregorio. Владелец: Telairity Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-12-28.

Small-area side-capacitor read-only memory device, memory array and method for operating the same

Номер патента: US11742039B2. Автор: Yu Ting Huang,Chi Pei Wu. Владелец: Yield Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

At-speed multi-port memory array test method and apparatus

Номер патента: WO2007103745A3. Автор: Anand Krishnamurthy,Sanjay B Patel,Lakshmikant Mamileti,Clint Wayne Mumford. Владелец: Clint Wayne Mumford. Дата публикации: 2007-11-29.

Memory devices with backside bond pads under a memory array

Номер патента: US11935853B2. Автор: Eric N. Lee,Akira Goda. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-03-19.

Cubic memory array

Номер патента: EP1609186A1. Автор: Daryl E. Anderson,Andrew L. Van Brocklin,Peter J. Fricke. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2005-12-28.

Detection circuitry to detect a deck of a memory array

Номер патента: US20210319846A1. Автор: Vijayakrishna J. Vankayala,Bret Addison Johnson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-14.

Nonvolatile memory array using unified cell structure in divided-well allowing write operation with no disturb

Номер патента: WO2004044921A3. Автор: Fu-Chang Hsu,Hsing-Ya Tsao,Peter W Lee,Han-Rei Ma. Владелец: Han-Rei Ma. Дата публикации: 2004-07-01.

Shared decoder architecture for three-dimensional memory arrays

Номер патента: US11967372B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Andrea Martinelli,Christophe Vincent Antoine Laurent,Efrem Bolandrina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

Self-selecting memory array with horizontal access lines

Номер патента: US20230005535A1. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano,Lorenzo Fratin,Russell L. Meyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Reduced resistivity for access lines in a memory array

Номер патента: US20240162156A1. Автор: LEI Wei,Adam Thomas Barton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Memory array reset read operation

Номер патента: US20190066771A1. Автор: Mark Helm,Jeremy Binfet,Mark Hawes,William Filipiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Memory array reset read operation

Номер патента: US20200365201A1. Автор: Mark Helm,Jeremy Binfet,Mark Hawes,William Filipiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-19.

Memory array reset read operation

Номер патента: US20220383949A1. Автор: Mark Helm,Jeremy Binfet,Mark Hawes,William Filipiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-01.

Staircase structures for accessing three-dimensional memory arrays

Номер патента: US20240021521A1. Автор: Yiping Wang,Collin Howder,Harsh Narendrakumar Jain,Martin Jared Barclay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Self-selecting memory array with horizontal access lines

Номер патента: US20200243134A1. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano,Lorenzo Fratin,Russell L. Meyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-30.

Self-selecting memory array with horizontal access lines

Номер патента: EP3769337A1. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano,Lorenzo Fratin,Russell L. Meyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-27.

Memory array with graded memory stack resistances

Номер патента: US20200350371A1. Автор: Hongmei Wang,Fabio Pellizzer,Lorenzo Fratin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-05.

At-speed multi-port memory array test method and apparatus

Номер патента: EP1989713A2. Автор: Anand Krishnamurthy,Sanjay B. Patel,Lakshmikant Mamileti,Clint Wayne Mumford. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2008-11-12.

At-speed multi-port memory array test method and apparatus

Номер патента: WO2007103745A2. Автор: Anand Krishnamurthy,Sanjay B. Patel,Lakshmikant Mamileti,Clint Wayne Mumford. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2007-09-13.

Circuit and layout for resistive random-access memory arrays

Номер патента: US20200006430A1. Автор: John L Mccollum. Владелец: Microsemi SoC Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

High speed data access memory arrays

Номер патента: EP1498903A3. Автор: Luigi Di Gregorio. Владелец: Telairity Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-10-19.

Small-area side-capacitor read-only memory device, memory array and method for operating the same

Номер патента: US20230230646A1. Автор: Yu Ting Huang,Chi Pei Wu. Владелец: Yield Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-20.

Memory cells and memory array structures and methods of their fabrication

Номер патента: US20240194264A1. Автор: Ramanathan GANDHI,Dmitry MIKULIK,Leo Lukose. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Nonvolatile memory array using unified cell structure in divided-well allowing write operation with no disturb

Номер патента: EP1579458A2. Автор: Fu-Chang Hsu,Hsing-Ya Tsao,Peter W. Lee,Han-Rei Ma. Владелец: Aplus Flash Technology Inc. Дата публикации: 2005-09-28.

Nonvolatile memory array using unified cell structure in divided-well allowing write operation with no disturb

Номер патента: EP1579458A4. Автор: Fu-Chang Hsu,Hsing-Ya Tsao,Peter W Lee,Han-Rei Ma. Владелец: Aplus Flash Technology Inc. Дата публикации: 2007-01-10.

Nonvolatile memory array using unified cell structure in divided-well allowing write operation with no disturb

Номер патента: WO2004044921A2. Автор: Fu-Chang Hsu,Hsing-Ya Tsao,Peter W. Lee,Han-Rei Ma. Владелец: APLUS FLASH TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2004-05-27.

Field-emitter-based memory array with phase-change storage devices

Номер патента: US8000129B2. Автор: Daniel R. Shepard. Владелец: Contour Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-08-16.

Memory structures and related cross-point memory arrays, electronic systems, and methods of forming memory structures

Номер патента: US9397145B1. Автор: Scott E. Sills,D. V. Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-07-19.

Maximizing improvement to fault coverage of system logic of an integrated circuit with embedded memory arrays

Номер патента: US5379303A. Автор: Marc E. Levitt. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 1995-01-03.

Bipolar selector device for a memory array

Номер патента: EP3823042A1. Автор: Gaspard Hiblot,Shamin Houshmand Sharifi,Luka Kljucar. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-05-19.

Memory array with surrounding gate access transistors and capacitors with global and staggered local bit lines

Номер патента: US7510954B1. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-03-31.

A flash memory array

Номер патента: GB2320810A. Автор: Jong Oh Kim,Ho Cheol Kang. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-07-01.

Test technique for semiconductor memory array

Номер патента: CA1048645A. Автор: George Sonoda,William M. Chu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1979-02-13.

Josephson tunneling memory array including drive decoders therefor

Номер патента: US3626391A. Автор: Wilhelm Anacker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1971-12-07.

Dynamic latches above a three-dimensional non-volatile memory array

Номер патента: US20240071505A1. Автор: June Lee,Tomoko Ogura Iwasaki,Luyen Vu,Jiewei Chen,Mithun Kumar RAMASAHAYAM. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory arrays and methods used in forming a memory array

Номер патента: WO2020226794A1. Автор: Justin B. Dorhout,John D. Hopkins,Nancy M. LOMELI,Damir Fazil. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-11-12.

Memory Arrays

Номер патента: US20190221568A1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-07-18.

Memory Arrays

Номер патента: US20180182763A1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-28.

Memory Arrays, and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20200135745A1. Автор: Changhan Kim,Gianpietro Carnevale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-30.

Memory Arrays, and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20200365605A1. Автор: Changhan Kim,Gianpietro Carnevale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-19.

Bipolar selector device for a memory array

Номер патента: US11765910B2. Автор: Gaspard Hiblot,Shamin Houshmand Sharifi,Luka Kljucar. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-09-19.

Decode circuitry coupled to a memory array

Номер патента: US20220101899A1. Автор: Timothy C. Langtry,Richard K. Dodge. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Decode circuitry coupled to a memory array

Номер патента: US20200090715A1. Автор: Timothy C. Langtry,Richard K. Dodge. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-03-19.

Decode circuitry coupled to a memory array

Номер патента: US11769538B2. Автор: Timothy C. Langtry,Richard K. Dodge. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Switch circuit and memory array having the same

Номер патента: US20230317156A1. Автор: Hsin-Yi Ho. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Memory arrays, and methods of forming memory arrays

Номер патента: US11832447B2. Автор: Changhan Kim,Gianpietro Carnevale. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2023-11-28.

High density memory array

Номер патента: US20050111250A1. Автор: George Jamison,Suresh Balasuramanian,Stephen Spriggs,Mohan Mishra. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2005-05-26.

Imprint recovery for memory arrays

Номер патента: US20210090641A1. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Memory array and method of operating one of a plurality of memory cells

Номер патента: US20110019473A1. Автор: Wen-Yi Hsieh,Chun-Hsiung Hung,Ken-Hui Chen,Ching-Chung Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-27.

Multiple transistor architecture for three-dimensional memory arrays

Номер патента: US20230307042A1. Автор: Ferdinando Bedeschi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Transition structures for three-dimensional memory arrays

Номер патента: US11756596B1. Автор: Lifang Xu,Indra V. Chary,Shuangqiang Luo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Memory array

Номер патента: US20110267881A1. Автор: Chung-Kuang Chen,Han-Sung Chen,Chih-He Chiang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-03.

Word line structures for three-dimensional memory arrays

Номер патента: US20240029772A1. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Neuromorphic system using memory array with cross-point structure

Номер патента: EP4266218A1. Автор: Jun-Sung Kim,Sang-Hoon Yoon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-10-25.

Memory array word line routing

Номер патента: US12002534B2. Автор: Yih Wang,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Yi-Ching Liu,Meng-Han LIN,Chenchen Jacob WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Memory array and methods used in forming a memory array

Номер патента: US11937423B2. Автор: Haitao Liu,Luan C. Tran,Guangyu Huang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Minimizing conflicts in multiport banked memory arrays

Номер патента: US20200301604A1. Автор: Ashutosh Misra,Matthias Klein,Hubertus Franke,Bulent Abali,Deepankar Bhattacharjee,Girish Kurup. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Realization of neural networks with ternary inputs and binary weights in nand memory arrays

Номер патента: US20200311523A1. Автор: Tung Thanh Hoang,Martin LUEKER-BODEN,Won Ho Choi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-10-01.

Memory Arrays, and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20240081074A1. Автор: Changhan Kim,Gianpietro Carnevale. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-03-07.

Non-volatile programmable memory cell and memory array

Номер патента: WO2010002585A1. Автор: Gerardo Monreal. Владелец: Allegro Microsystems, Inc.. Дата публикации: 2010-01-07.

Architecture of a phase-change nonvolatile memory array

Номер патента: US6816404B2. Автор: Osama Khouri,Ferdinando Bedeschi,Fabio Pellizzer,Giorgio Bosisio. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2004-11-09.

Word line structures for three-dimensional memory arrays

Номер патента: US11804252B2. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Resistive memory array

Номер патента: WO2022111150A1. Автор: Soon-Cheon Seo,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Youngseok Kim,Timothy Mathew Philip,Injo OK. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2022-06-02.

Resistive memory array

Номер патента: GB2616573A. Автор: Reznicek Alexander,KIM Youngseok,OK Injo,Lee Choonghyun,Seo Soon-Cheon,Matthew Philip Timothy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-13.

Methods and apparatus for performing video processing matrix operations within a memory array

Номер патента: US20230014169A1. Автор: Fa-Long Luo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Word line structures for three-dimensional memory arrays

Номер патента: US20230307025A1. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Switch circuit and memory array having the same

Номер патента: US11996148B2. Автор: Hsin-Yi Ho. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Memory array decoding and interconnects

Номер патента: EP3900045A1. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-27.

Memory array arranged in banks and sectorsand associated decoders

Номер патента: WO2007053267A1. Автор: Takao Akaogi. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2007-05-10.

Resistive memory array

Номер патента: US20220165947A1. Автор: Soon-Cheon Seo,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Youngseok Kim,Timothy Mathew Philip,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Apparatuses and methods including memory array data line selection

Номер патента: WO2013016495A1. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-01-31.

Methods and apparatus for performing video processing matrix operations within a memory array

Номер патента: US11928177B2. Автор: Fa-Long Luo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Methods and Apparatus for Performing Diversity Matrix Operations Within a Memory Array

Номер патента: US20240078286A1. Автор: Fa-Long Luo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Methods and apparatus for performing matrix transformations within a memory array

Номер патента: WO2020227145A1. Автор: Fa-Long Luo. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-11-12.

Memory array decoding and interconnects

Номер патента: US11862280B2. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Memory array decoding and interconnects

Номер патента: US11501803B2. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-11-15.

Memory array and link error correction in a low power memory sub-system

Номер патента: EP3317766A1. Автор: Jungwon Suh,David Ian West. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-05-09.

Memory array and link error correction in a low power memory sub-system

Номер патента: WO2017003548A1. Автор: Jungwon Suh,David Ian West. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-01-05.

Methods and apparatus for performing diversity matrix operations within a memory array

Номер патента: US11853385B2. Автор: Fa-Long Luo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Merged bit lines for high density memory array

Номер патента: US20230282296A1. Автор: Perng-Fei Yuh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Redundancy circuit for memory array and method for disabling non-redundant wordlines and for enabling redundant wordlines

Номер патента: US20040257886A1. Автор: Chad Adams,Gregory Uhlmann. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-12-23.

Sparse piers for three-dimensional memory arrays

Номер патента: US20230309426A1. Автор: David H. Wells,Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Merged bit lines for high density memory array

Номер патента: US11955190B2. Автор: Perng-Fei Yuh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Memory array decoding and interconnects

Номер патента: US20200194038A1. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-18.

Memory array decoding and interconnects

Номер патента: US20240185892A1. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Memory array decoding and interconnects

Номер патента: US20210035612A1. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Memory arrays

Номер патента: US20190013415A1. Автор: Arup Bhattacharyya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-10.

Memory array segmentation and methods

Номер патента: US20070183202A1. Автор: Aaron Yip. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-08-09.

Methods and Apparatus for Performing Video Processing Matrix Operations Within a Memory Array

Номер патента: US20240211537A1. Автор: Fa-Long Luo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Recirculating loop memory array having a shift register buffer for parallel fetching and storing

Номер патента: US4388701A. Автор: Frederick J. Aichelmann, Jr.,Fernando Neves. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1983-06-14.

Gate/source disturb protection for sixteen-bit flash EEPROM memory arrays

Номер патента: US5317535A. Автор: Sanjay S. Talreja,Jahanshir J. Javanifard,Duane Mills,Sachidanandan Sambandan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1994-05-31.

Circuit for reducing the row select voltage swing in a memory array

Номер патента: US4730275A. Автор: Ira E. Baskett. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1988-03-08.

Memory arrays with vertical transistors and the formation thereof

Номер патента: US20210028308A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Scott J. Derner,Toby D. Robbs,Steve V. Cole. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Memcapacitor devices, field effect transistor devices, and, non-volatile memory arrays

Номер патента: US8867261B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Roy E. Meade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-10-21.

Three-dimensional memory array

Номер патента: WO2020131571A1. Автор: Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-06-25.

Three-dimensional memory array

Номер патента: WO2020076459A1. Автор: Andrea Redaelli,Agostino Pirovano,Anna Maria Conti. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-04-16.

Data converters and methods for memory arrays

Номер патента: WO2020260847A1. Автор: Paul Nicholas Whatmough. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2020-12-30.

Stack-gate flash cell structure having a high coupling ratio and its contactless flash memory arrays

Номер патента: US20040150032A1. Автор: Ching-Yuan Wu. Владелец: Silicon-Based Technology Corp. Дата публикации: 2004-08-05.

Three-dimensional memory array

Номер патента: US11011582B2. Автор: Andrea Redaelli,Agostino Pirovano,Anna Maria Conti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-18.

Output circuitry for non-volatile memory array in neural network

Номер патента: US11790208B2. Автор: Hieu Van Tran,Dmitri Strukov,Xinjie Guo,Farnood Merrikh Bayat,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Layout structures of memory array and related methods

Номер патента: US11842781B2. Автор: Yih Wang,Shao-Yu Chou,Meng-Sheng CHANG,Yao-Jen Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

A repairable memory array

Номер патента: GB2154032A. Автор: David L Waller. Владелец: Inmos Ltd. Дата публикации: 1985-08-29.

Repairable memory array

Номер патента: GB8403292D0. Автор: . Владелец: Inmos Ltd. Дата публикации: 1984-03-14.

Three-dimensional memory array

Номер патента: US11925036B2. Автор: Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Three-dimensional memory array

Номер патента: EP3900044A1. Автор: Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-27.

Three-dimensional memory array

Номер патента: US20200303464A1. Автор: Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-09-24.

Three-dimensional memory array

Номер патента: US20210408121A1. Автор: Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Three-dimensional memory array

Номер патента: US20200176512A1. Автор: Andrea Redaelli,Agostino Pirovano,Anna Maria Conti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-04.

Three-dimensional memory array

Номер патента: EP3864698A1. Автор: Andrea Redaelli,Agostino Pirovano,Anna Maria Conti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-08-18.

Data Converters and Methods for Memory Arrays

Номер патента: US20200412374A1. Автор: Paul Nicholas Whatmough. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2020-12-31.

Management of non-volatile memory arrays

Номер патента: US20230289103A1. Автор: Mirko Prezioso,Farnood Merrikh Bayat. Владелец: Mentium Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Movable terminal in a two terminal memory array

Номер патента: US7701834B2. Автор: Darrell Rinerson,Christophe Chevallier,John E. Sanchez, Jr.,Lawerence Schloss. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2010-04-20.

Temperature compensation circuit and method for neural network computing-in-memory array

Номер патента: US11720327B2. Автор: Xiaofeng Gu,Zhiguo Yu,Hongbing Pan,Yanhang LIU. Владелец: JIANGNAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-08-08.

Architecture for vector memory array transposition using a block transposition accelerator

Номер патента: US20160170936A1. Автор: Yanmeng Sun,Liangliang Hu. Владелец: St Ericsson SA. Дата публикации: 2016-06-16.

Solver of partial differential equation based on non-volatile memory array and method of solving partial differential equation based on non-volatile memory array

Номер патента: US20240289415A1. Автор: Xiaoyan Liu,Peng Huang,Jinfeng Kang,Haozhang YANG. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory array configuration for shared word lines

Номер патента: US20240329840A1. Автор: Marcello Mariani,Daniele Vimercati,Giorgio Servalli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Double bandwidth algorithmic memory array

Номер патента: US09870163B2. Автор: Igor Arsovski,Eric D. Hunt-Schroeder,Mark W. Kuemerle. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Apparatus for storing/reading data in a memory array of a transponder

Номер патента: US20140215166A1. Автор: Francesco Gallo,Hauke Meyn. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2014-07-31.

Automated verification of technology specific and technology independent logic models of a memory array

Номер патента: US20240111933A1. Автор: Thomas Kalla,Philipp Salz,Jentje Leenstra,Richard Louis Henry Carbone. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Automated verification of technology specific and technology independent logic models of a memory array

Номер патента: WO2024068450A1. Автор: Thomas Kalla,Philipp Salz,Jentje Leenstra,Richard Carbone. Владелец: IBM Deutschland GmbH. Дата публикации: 2024-04-04.

Dual data storage using an in-memory array and an on-disk page structure

Номер патента: US09891831B2. Автор: Mihnea Andrei,Ivan Schreter,Thomas Legler,Guenter Radestock,Anil Kumar Goel,David Wein. Владелец: SAP SE. Дата публикации: 2018-02-13.

Materializing data from an in-memory array to an on-disk page structure

Номер патента: US09830109B2. Автор: Mihnea Andrei,Ivan Schreter,Dirk Thomsen,David Wein. Владелец: SAP SE. Дата публикации: 2017-11-28.

Server memory array cooling hardware

Номер патента: US12108566B2. Автор: Tianyi Gao. Владелец: Baidu USA LLC. Дата публикации: 2024-10-01.

Wear leveling of a memory array

Номер патента: US09857986B2. Автор: Roman A. Pletka,Jason Ma,Timothy J. Fisher,Aaron D. Fry,Ioannis Koltsidas,Sasa Tomic,Nikolas Ioannou,Lincoln T. Simmons. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

In-memory spiking neural networks for memory array architectures

Номер патента: US20190005376A1. Автор: Berkin Akin,Seth H. Pugsley. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-01-03.

Temperature Compensation Circuit and Method for Neural Network Computing-in-memory Array

Номер патента: US20230048640A1. Автор: Xiaofeng Gu,Zhiguo Yu,Hongbing Pan,Yanhang LIU. Владелец: JIANGNAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-02-16.

Distributed memory array supporting random access and file storage operations

Номер патента: EP2434406A2. Автор: Clifford E. Kimmery. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2012-03-28.

Intermediate memory array with a parallel port and a buffered serial port

Номер патента: US4718039A. Автор: Frederick J. Aichelmann, Jr.,Vincent F. Sollitto, Jr.,William F. Shutler. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1988-01-05.

Performing xnor equivalent operations by adjusting column thresholds of a compute-in-memory array

Номер патента: EP4028956A1. Автор: Max Welling,Edward Teague,Zhongze Wang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-07-20.

Fault-tolerant memory array

Номер патента: US4768169A. Автор: George Perlegos. Владелец: Seeq Technology Inc. Дата публикации: 1988-08-30.

Memory array page table walk

Номер патента: EP3586238A1. Автор: Perry V. Lea. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-01.

Memory array page table walk

Номер патента: US20220075733A1. Автор: Perry V. Lea. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Memory array page table walk

Номер патента: US20230401158A1. Автор: Perry V. Lea. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2023-12-14.

System and method for random data distribution in a memory array

Номер патента: US12079478B2. Автор: Avidan Akerib. Владелец: GSI Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Method of testing memory array at operational speed using scan

Номер патента: US20090150729A1. Автор: Ishwardutt Parulkar,Paul J. Dickinson,Gaurav H. Agarwal,Krishna B. Rajan. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2009-06-11.

First in - first out memory array containing special bits for replacement addressing

Номер патента: CA1080366A. Автор: Gerhard R. Thompson,John E. Campbell. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-06-24.

Efficient integrity monitoring of processing operations with multiple memory arrays

Номер патента: US20230161877A1. Автор: Michael Alexander HAMBURG,Winthrop John Wu. Владелец: Cryptography Research Inc. Дата публикации: 2023-05-25.

Rendering data invalid in a memory array

Номер патента: US20180165036A1. Автор: Siamak Tavallaei,Gregg B. Lesartre,Russ W. Herrell. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2018-06-14.

Memory arrays

Номер патента: US11864386B2. Автор: Sanh D. Tang,Yi Fang Lee,Martin C. Roberts,Richard J. Hill. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Voltage generator for analog neural memory array

Номер патента: US20240119272A1. Автор: Hieu Van Tran,Thuan Vu,Stanley Hong,Nhan Do,Stephen Trinh,Steven Lemke,Louisa Schneider. Владелец: Silicon Stroage Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Neuron peripheral circuits for neuromorphic synaptic memory array based on neuron models

Номер патента: US10572799B2. Автор: Scott C. Lewis,Masatoshi Ishii,Chung H. Lam,Kohji Hosokawa,Sangbum Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-25.

Realization of neural networks with ternary inputs and ternary weights in nand memory arrays

Номер патента: WO2021076183A1. Автор: Tung Thanh Hoang,Martin LUEKER-BODEN,Won Ho Choi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-04-22.

Wear leveling of a memory array

Номер патента: US20180121094A1. Автор: Roman A. Pletka,Jason Ma,Timothy J. Fisher,Aaron D. Fry,Ioannis Koltsidas,Sasa Tomic,Nikolas Ioannou,Lincoln T. Simmons. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-03.

Server memory array cooling hardware

Номер патента: US20230301022A1. Автор: Tianyi Gao. Владелец: Baidu USA LLC. Дата публикации: 2023-09-21.

Full and Partial Materialization of Data From an In-Memory Array to an On-Disk Page Structure

Номер патента: US20170139981A1. Автор: David Wein. Владелец: SAP SE. Дата публикации: 2017-05-18.

Method and Apparatus for Memory Array Access

Номер патента: US20140281291A1. Автор: Ravindraraj Ramaraju,Andrew C. Russell. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-09-18.

Realization of neural networks with ternary inputs and ternary weights in nand memory arrays

Номер патента: US20210110244A1. Автор: Tung Thanh Hoang,Martin LUEKER-BODEN,Won Ho Choi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-04-15.

Method and apparatus for cyclically searching a contents addressable memory array

Номер патента: US6108747A. Автор: Teruo Kaganoi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-08-22.

Method and apparatus for checking the address and contents of a memory array

Номер патента: US5321706A. Автор: Helmut Kohler,Norbert Schumacher,Peter Mannherz,Ingemar Holm,Gerhard Zilles. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1994-06-14.

Non-destructive memory array to implement a full adder

Номер патента: US20200151236A1. Автор: Avidan Akerib,Leelean SHU. Владелец: GSI Technology Inc. Дата публикации: 2020-05-14.

Method and apparatus for detecting a collision between multiple threads of execution for accessing a memory array

Номер патента: US20140282603A1. Автор: Ravindraraj Ramaraju,Kathryn C. Stacer. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-09-18.

Techniques for Employing Retiming and Transient Simplification on Netlists That Include Memory Arrays

Номер патента: US20120054702A1. Автор: Jason R. Baumgartner,Michael L. Case,Hari Mony,Robert L. Kanzelman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-03-01.

Memory array with self-aligned epitaxially grown memory elements and annular fet

Номер патента: US20140273285A1. Автор: Chung H. Lam,John K. DeBrosse,Janusz J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Memory array with self-aligned epitaxially grown memory elements and annular fet

Номер патента: US20140264510A1. Автор: Chung H. Lam,John K. DeBrosse,Janusz J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Structure and fabrication of memory array with epitaxially grown memory elements and line-space patterns

Номер патента: US20140273286A1. Автор: Chung H. Lam,John K. DeBrosse,Janusz J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Memory arrays and methods of forming memory arrays

Номер патента: US09871078B2. Автор: Andrea Redaelli,Mattia Boniardi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Metal silicide in integration of memory array with periphery

Номер патента: US20240074166A1. Автор: Shivani Srivastava,Raghunath Singanamalla,Russell Allen Benson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Write-Once Memory Array including Phase-Change Elements and Threshold Switch Isolation

Номер патента: US20100012918A1. Автор: Ward Parkinson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-21.

Method and apparatus for maintaining topographical uniformity of a semiconductor memory array

Номер патента: US20070082449A1. Автор: Gowrishankar Chindalore. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2007-04-12.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12068255B2. Автор: John D. Hopkins,Richard J. Hill,Kar Wui Thong,Indra V. Chary,M. Jared Barclay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Connection region between adjacent memory arrays for three-dimensional memory device with terrace regions and method of making thereof

Номер патента: EP3631856A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,James Kai. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-04-08.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12040253B2. Автор: John D. Hopkins,Chet E. Carter,Collin Howder,Alyssa N. SCARBROUGH,Justin D. Shepherdson,Joshua Wolanyk. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory arrays; methods of forming memory arrays; and methods of forming contacts to bitlines

Номер патента: WO2005117121A2. Автор: Luan C. Tran,Fred D. Fishburn. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2005-12-08.

Memory array, semiconductor chip and manufacturing method of memory array

Номер патента: US20230240159A1. Автор: Yu-Chao Lin,Jung-Piao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Memory cell protective layers in a three-dimensional memory array

Номер патента: WO2024123561A2. Автор: Farrell M. Good. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-06-13.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210057441A1. Автор: Haitao Liu,JIAN Li,Lifang Xu,Justin B. Dorhout,Paolo Tessariol,Indra V. Chary. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

3D Semiconductor Package Including Memory Array

Номер патента: US20210407980A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-30.

Memory Arrays Comprising Vertically-Alternating Tiers Of Insulative Material And Memory Cells And Methods Of Forming A Memory Array Comprising Memory Cells Individually Comprising A Transistor And A Capacitor

Номер патента: US20240298451A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor memory device and semiconductor memory array comprising the same

Номер патента: US09991266B2. Автор: Zhibiao Zhou,Ding-Lung Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Memory Array And Method Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240244840A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Nancy M. LOMELI,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Non-volatile transistor memory array incorporating read-only elements with single mask set

Номер патента: EP1747592A4. Автор: Albert S Weiner. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2008-04-02.

Non-volatile transistor memory array incorporating read-only elements with single mask set

Номер патента: WO2005104243A1. Автор: Albert S. Weiner. Владелец: ATMEL CORPORATION. Дата публикации: 2005-11-03.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12058861B2. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory Cells, Memory Arrays, and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20190198509A1. Автор: Changhan Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: WO2020209944A1. Автор: George Matamis,Paolo Tessariol,Vinayak Shamanna,M. Jared Barclay,Merri L. Carlson,Saurabh Keshav,Young Joon MOON,Kunal R. PAREK. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-10-15.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12089403B2. Автор: Kunal R. Parekh,George Matamis,Paolo Tessariol,Vinayak Shamanna,M. Jared Barclay,Merri L. Carlson,Saurabh Keshav,Young Joon MOON. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20200328222A1. Автор: Kunal R. Parekh,George Matamis,Paolo Tessariol,Vinayak Shamanna,M. Jared Barclay,Merri L. Carlson,Saurabh Keshav,Young Joon MOON. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12096633B2. Автор: Rita J. Klein,Jordan D. GREENLEE,Indra V. Chary,Daniel Billingsley. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory array and memory device

Номер патента: US12035532B2. Автор: Chih-Chieh Yeh,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Jer-Fu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210384208A1. Автор: John D. Hopkins,Nancy M. LOMELI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230320091A1. Автор: John D. Hopkins,Collin Howder,Jeffrey Ehorn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Memory arrays having substantially vertical, adjacent semiconductor structures and their formation

Номер патента: EP2593966A2. Автор: Zengtao Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-05-22.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12063783B2. Автор: Yi Hu,Xiaosong Zhang,Tom J. John,Chandra Tiwari,Wei Yeeng Ng. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-08-13.

Memory Arrays, Semiconductor Constructions, and Methods of Forming Semiconductor Constructions

Номер патента: US20150014766A1. Автор: Shyam Surthi,Jaydip Guha,Lars P. Heineck. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-01-15.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240315035A1. Автор: James Lattin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240357818A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor Constructions, Memory Arrays, Methods of Forming Semiconductor Constructions and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20140021439A1. Автор: Fabio Pellizzer,Cinzia Perrone. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-01-23.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20220020763A1. Автор: Yongjun Jeff Hu,John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Daniel Billingsley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11765902B2. Автор: Lifang Xu,John D. Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Memory arrays

Номер патента: US09881971B2. Автор: Tony M. Lindenberg. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Memory Arrays

Номер патента: US20190198520A1. Автор: Jie Li,Changhan Kim,Chet E. Carter,Collin Howder,Richard J. Hill,Cole Smith. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11737278B2. Автор: Chet E. Carter,Collin Howder. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Self aligned method of forming a semiconductor memory array of floating gate memory cells with control gates protruding portions, and a memory array made thereby

Номер патента: US20020034847A1. Автор: Chih Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-21.

Memory array and method used in forming a memory array

Номер патента: WO2023014463A1. Автор: Pankaj Sharma,Naveen KAUSHIK,Sidhartha Gupta. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-02-09.

Memory arrays comprising operative channel-material strings and dummy pillars

Номер патента: US20240321727A1. Автор: JIAN Li,Vladimir Machkaoutsan,Emilio Camerlenghi,Justin B. Dorhout,Paolo Tessariol,Pieter Blomme,Ryan L. Meyer. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory arrays and methods of forming memory cells

Номер патента: US09893277B2. Автор: John K. Zahurak,Scott E. Sills,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Integrated Circuitry, A Method Used In Forming Integrated Circuitry, And A Method Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20220005819A1. Автор: Shyam Surthi,Collin Howder,Matthew Thorum. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-06.

Data synchronizing system for multiple memory array processing field organized data

Номер патента: WO1997035400A2. Автор: Leland Putnam. Владелец: Philips Norden Ab. Дата публикации: 1997-09-25.

Method for preparing memory array with contact enhancement cap

Номер патента: US20230156999A1. Автор: Ping Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-05-18.

Memory array with salicide isolation

Номер патента: US20020182797A1. Автор: Ming-Hung Chou,Chong-Jen Huang,Hsin-Huei Chen,Jui-Lin Lu,Shou-Wei Hwang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-05.

Access line formation for a memory array

Номер патента: US12082424B2. Автор: Andrea Redaelli,Anna Maria Conti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Three-dimensional memory array and method for manufacturing same

Номер патента: EP4432802A1. Автор: Young Wook Park,Jin Ho Ahn. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-09-18.

Offset Geometries for Area Reduction in Memory Arrays

Номер патента: US20110018035A1. Автор: Theodore W. Houston,Robert R. Garcia. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-01-27.

Contact strap for memory array

Номер патента: US09842844B2. Автор: Sung Mun Jung,Jianbo Yang,Ling Wu,Kian Hong LIM. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Three dimensional memory array architecture

Номер патента: EP2891182A1. Автор: Federico Pio. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-07-08.

High-density resistive random-access memory array with self-aligned bottom electrode contact

Номер патента: US20230147958A1. Автор: Daniel Schmidt,Ekmini Anuja De Silva,Ashim Dutta,Dexin Kong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-05-11.

Memory arrays and methods used in forming a memory array

Номер патента: WO2020112256A1. Автор: Emilio Camerlenghi,Yoshiaki Fukuzumi,Paolo Tessariol,M. Jared Barclay. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-06-04.

Charge-trapping memory arrays

Номер патента: WO2004079824A3. Автор: Tazrien Kamal,Mark T Ramsbey,Hidehiko Shiraiwa,Fred Tk Cheung. Владелец: Fred Tk Cheung. Дата публикации: 2004-10-28.

Charge-trapping memory arrays

Номер патента: WO2004079824A2. Автор: Mark T. Ramsbey,Tazrien Kamal,Hidehiko Shiraiwa,Fred Tk Cheung. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2004-09-16.

Charge-trapping memory arrays resistant to damage from contact hole formation

Номер патента: GB2415091B. Автор: Tazrien Kamal,Mark T Ramsbey,Hidehiko Shiraiwa,Fred Tk Cheung. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2006-04-05.

Array of conductive vias, methods of forming a memory array, and methods of forming conductive vias

Номер патента: US09812455B2. Автор: Wolfgang Mueller,Sanh D. Tang,Brent Gilgen,Dylan R. MACMASTER,Jim A. Jozwiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Double-sided embedded memory array

Номер патента: US20240099035A1. Автор: Chih-Chao Yang,Ashim Dutta,Ailian Zhao,Wu-Chang Tsai. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Memory array structures and methods of their fabrication

Номер патента: US20240071966A1. Автор: Shyam Surthi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory Arrays and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20170148852A1. Автор: Andrea Redaelli,Mattia Boniardi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-25.

Integration of memory array with periphery

Номер патента: US20240074160A1. Автор: Shivani Srivastava,Raghunath Singanamalla,Jaydeb Goswami,Russell Allen Benson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory array - periphery integration with split barrier metal stack

Номер патента: US20240074161A1. Автор: Shivani Srivastava,Raghunath Singanamalla,Jaydip Guha,Russell Allen Benson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Mask read-only memory array, memory device, and fabrication method thereof

Номер патента: US20160293614A1. Автор: Chao Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Top-interconnection metal lines for a memory array device and methods for forming the same

Номер патента: US20230329123A1. Автор: Qiang Fu,Chung-Te Lin,Yu-Feng Yin,Han-Ting Tsai,Tai-Yen PENG,An-Shen CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells and operative through-array-vias

Номер патента: EP4010923A1. Автор: JIAN Li,Yi Hu,Lifang Xu,David Daycock,Harsh Narendrakumar Jain,Brett D. Lowe,Matthew J. King,Indra V. Chary,Anilkumar Chandolu,Prakash Rau Mokhna Rau,Merri L. Carlson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-15.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230380159A1. Автор: Zhaohui Ma,John D. Hopkins,Kar Wui Thong,Indra V. Chary,Damir Fazil,Joel D. PETERSON,Tom John. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells and operative through-array-vias

Номер патента: WO2021025748A1. Автор: JIAN Li,Yi Hu,Lifang Xu,David Daycock,Harsh Narendrakumar Jain,Brett D. Lowe,Matthew J. King,Indra V. Chary,Anilkumar Chandolu,Prakash Rau Mokhna Rau,Merri L. Carlson. Владелец: MICRON tECHNOLOGY , iNC.. Дата публикации: 2021-02-11.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells And Operative Through-Array-Vias

Номер патента: US20210043644A1. Автор: JIAN Li,Yi Hu,Lifang Xu,David Daycock,Harsh Narendrakumar Jain,Brett D. Lowe,Matthew J. King,Indra V. Chary,Anilkumar Chandolu,Prakash Rau Mokhna Rau,Merri L. Carlson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-11.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells and operative through-array-vias

Номер патента: US12010836B2. Автор: David Daycock,Prakash Rau Mokhna Rau. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: EP4385295A1. Автор: John D. Hopkins,Richard J. Hill,Kar Wui Thong,Indra V. Chary,M. Jared Barclay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-19.

Process for forming a vertical thin-film transistor that serves as a connector to a bit-line of a 3-dimensional memory array

Номер патента: US11910612B2. Автор: Jie Zhou,Scott Brad Herner,Wu-Yi Henry Chien,Eli Harari,Tianhong Yan. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: WO2021041026A1. Автор: JIAN Li,Justin B. Dorhout,Paolo Tessariol,Ryan L. Meyer. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-03-04.

Integrated Memory, Integrated Assemblies, and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20180269283A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-09-20.

Integrated Memory, Integrated Assemblies, and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20200381290A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11792991B2. Автор: JIAN Li,Justin B. Dorhout,Paolo Tessariol,Ryan L. Meyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Integrated memory, integrated assemblies, and methods of forming memory arrays

Номер патента: WO2018128758A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-07-12.

Memory Structures, Memory Arrays, Methods of Forming Memory Structures and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20130341586A1. Автор: Scott E. Sills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-12-26.

Memory structures, memory arrays, methods of forming memory structures and methods of forming memory arrays

Номер патента: US20130214230A1. Автор: Scott E. Sills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-08-22.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11864387B2. Автор: Haitao Liu,JIAN Li,Lifang Xu,Justin B. Dorhout,Paolo Tessariol,Indra V. Chary. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230380158A1. Автор: John D. Hopkins,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230307368A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Memory Cells, Memory Arrays, and Methods of Forming Memory Cells and Arrays

Номер патента: US20170018708A1. Автор: Fabio Pellizzer,Andrea Redaelli,Giorgio Servalli,Carmela Cupeta. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-19.

Structure of nonvolatile memory array

Номер патента: US20050040467A1. Автор: Cheng-Ming Yih,Huei-Huarng Chen,Hsuan-Ling Kao. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-24.

Memory Arrays Comprising Vertically-Alternating Tiers Of Insulative Material And Memory Cells And Methods Of Forming A Memory Array Comprising Memory Cells Individually Comprising A Transistor And A Capacitor

Номер патента: US20190006376A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-03.

Vertical thin-film transistor and application as bit-line connector for 3-dimensional memory arrays

Номер патента: EP3925004A1. Автор: Jie Zhou,Scott Brad Herner,Wu-Yi Henry Chien,Eli Harari,Tianhong Yan. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2021-12-22.

Vertical thin-film transistor and application as bit-line connector for 3-dimensional memory arrays

Номер патента: WO2020167658A4. Автор: Jie Zhou,Scott Brad Herner,Wu-Yi Henry Chien,Eli Harari,Tianhong Yan. Владелец: SUNRISE MEMORY CORPORATION. Дата публикации: 2020-11-05.

Vertical thin-film transistor and application as bit-line connector for 3-dimensional memory arrays

Номер патента: US20240179919A1. Автор: Jie Zhou,Scott Brad Herner,Wu-Yi Henry Chien,Eli Harari,Tianhong Yan. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Vertical thin-film transistor and application as bit-line connector for 3-dimensional memory arrays

Номер патента: US20220293623A1. Автор: Jie Zhou,Scott Brad Herner,Wu-Yi Henry Chien,Eli Harari,Tianhong Yan. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2022-09-15.

Memory cell protective layers in a three-dimensional memory array

Номер патента: US20240188308A1. Автор: Farrell M. Good. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Memory arrays comprising vertically-alternating tiers of insulative material and memory cells and methods of forming a memory array comprising memory cells individually comprising a transistor and a capacitor

Номер патента: US12004354B2. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Sacrificial polysilicon in integration of memory array with periphery

Номер патента: US20240074159A1. Автор: Shivani Srivastava,Raghunath Singanamalla,Russell Allen Benson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory Arrays and Methods Used in Forming a Memory Array Comprising Strings of Memory Cells

Номер патента: US20240081067A1. Автор: Haitao Liu,JIAN Li,Lifang Xu,Justin B. Dorhout,Paolo Tessariol,Indra V. Chary. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Three-dimensional memory array with dual-level peripheral circuits and methods for forming the same

Номер патента: US12004348B2. Автор: Fumiaki TOYAMA,Yuki Mizutani,Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-04.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240071931A1. Автор: Rita J. Klein,Yongjun Jeff Hu,Daniel Billingsley,Tom George,Pengyuan Zheng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory Cells, Memory Arrays, and Methods of Forming Memory Cells and Arrays

Номер патента: US20190019949A1. Автор: Fabio Pellizzer,Andrea Redaelli,Giorgio Servalli,Carmela Cupeta. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-17.

Three-dimensional memory array with dual-level peripheral circuits and methods for forming the same

Номер патента: WO2022265680A1. Автор: Fumiaki TOYAMA,Yuki Mizutani,Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-12-22.

Memory cells, memory arrays, and methods of forming memory arrays

Номер патента: US11950422B2. Автор: Changhan Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210125919A1. Автор: JIAN Li,Vladimir Machkaoutsan,Emilio Camerlenghi,Justin B. Dorhout,Paolo Tessariol,Pieter Blomme,Ryan L. Meyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-29.

Memory Arrays, and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20200075630A1. Автор: Jie Li,Changhan Kim,Chet E. Carter,Collin Howder,Richard J. Hill,Cole Smith. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-03-05.

Integrated circuitry comprising a memory array comprising strings of memory cells and method used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: WO2023027829A1. Автор: John D. Hopkins,Chet E. Carter,Collin Howder,Alyssa N. SCARBROUGH,Haoyu Li,Grady S. Waldo,M. Jared Barclay,Andrew Li,Bhavesh Bhartia. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-03-02.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11856764B2. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells And Method Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230276622A1. Автор: John D. Hopkins,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-31.

Memory array with buried bitlines below vertical field effect transistors of memory cells and a method of forming the memory array

Номер патента: US20190035791A1. Автор: Hui Zang,Jerome Ciavatti,Rinus Tek Po Lee. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-01-31.

Memory Cells, Memory Arrays, and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20230041396A1. Автор: Changhan Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-09.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230320085A1. Автор: Shyam Surthi,Richard J. Hill. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Vertical jfet as used for selective component in a memory array

Номер патента: WO2006029280A1. Автор: Michael A. Vanbuskirk,Colin S. Bill. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2006-03-16.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240081052A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Memory cells, memory arrays, and methods of forming memory arrays

Номер патента: EP3711093A1. Автор: Changhan Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-09-23.

Memory cells, memory arrays, and methods of forming memory arrays

Номер патента: WO2019133219A1. Автор: Changhan Kim. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-07-04.

Memory array comprising strings of memory cells and method used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: WO2022046418A1. Автор: John D. Hopkins,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-03-03.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240074179A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Damir Fazil. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory Cells, Memory Arrays, and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20210118892A1. Автор: Changhan Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-22.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210057440A1. Автор: Rita J. Klein,Jordan D. GREENLEE,Indra V. Chary,Daniel Billingsley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

Non-volatile transistor memory array incorporating read-only elements with single mask set

Номер патента: EP1747592A1. Автор: Albert S. Weiner. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2007-01-31.

Self-aligned stack gate structure for use in a non-volatile memory array

Номер патента: EP2823506A1. Автор: Stephan Wege,Nhan Do,Xian Liu,Chien-Sheng Su,Willem-Jan Toren,Gerhard Metzger-Brueckl,Mandana TADAYONI,Yueh-hsin CHEN,Nadia Miridi,Cecile Bernardi,Liz Cuevas,Florence Guyot,Henry Om'mani. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2015-01-14.

Method of Forming A Self-Aligned Stack Gate Structure For Use In A Non-volatile Memory Array

Номер патента: US20160225878A1. Автор: Stephan Wege,Nhan Do,Xian Liu,Willem-Jan Toren,Gerhard Metzger-Brueckl,Mandana TADAYONI,Yueh-hsin CHEN,Nadia Miridi,Cecile Bernardi,Liz Cuevas,Florence Guyot,Henry Om'mani,Chieng-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-04.

Method of forming a tunnel structure for a magnetic plated-wire memory array

Номер патента: US3813768A. Автор: L Prohofsky. Владелец: Sperry Rand Corp. Дата публикации: 1974-06-04.

Semiconductor Constructions and Memory Arrays

Номер патента: US20170025606A1. Автор: Andrea Redaelli,Cinzia Perrone. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-26.

Semiconductor Constructions and Memory Arrays

Номер патента: US20140319447A1. Автор: Andrea Redaelli,Cinzia Perrone. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-10-30.

Integrated Circuits, Methods for Manufacturing Integrated Circuits, Integrated Memory Arrays

Номер патента: US20080225587A1. Автор: Josef Willer,Nicolas Nagel. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-09-18.

Dielectric materials, capacitors and memory arrays

Номер патента: US12062688B2. Автор: Timothy A. Quick,Matthew N. Rocklein,Sumeet C. Pandey,Richard Beeler,An-Jen B. Cheng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Self-aligned stack gate structure for use in a non-volatile memory array

Номер патента: WO2013133919A1. Автор: Stephan Wege,Nhan Do,Xian Liu,Chien-Sheng Su,Willem-Jan Toren,Gerhard Metzger-Brueckl,Mandana TADAYONI,Yueh-hsin CHEN,Nadia Miridi,Cecile Bernardi,Liz Cuevas,Florence Guyot,Henry Om'mani. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2013-09-12.

Virtual ground memory array and method therefor

Номер патента: WO2006041633A3. Автор: Craig T Swift,Gowrishankar L Chindalore,Laureen H Parker. Владелец: Laureen H Parker. Дата публикации: 2007-03-01.

Method of forming a self-aligned stack gate structure for use in a non-volatile memory array

Номер патента: US9570581B2. Автор: Stephan Wege,Nhan Do,Xian Liu,Willem-Jan Toren,Gerhard Metzger-Brueckl,Mandana TADAYONI,Yueh-hsin CHEN,Nadia Miridi,Cecile Bernardi,Liz Cuevas,Florence Guyot,Henry Om'mani,Chieng-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Memory array

Номер патента: US20100314680A1. Автор: Yao-Wen Chang,Tao-Cheng Lu,I-Chen Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-16.

Methods of forming a portion of a memory array having a conductor having a variable concentration of germanium

Номер патента: US09953842B2. Автор: Randy J. Koval. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Memory arrays

Номер патента: US09929233B2. Автор: Zailong Bian,Janos Fucsko. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Memory arrays

Номер патента: US09875960B1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Memory arrays comprising ferroelectric capacitors

Номер патента: US09847337B1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11569120B2. Автор: Yongjun Jeff Hu,Jordan D. GREENLEE,Daniel Billingsley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-31.

Memory Array And Method Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230207631A1. Автор: John D. Hopkins,Nancy M. LOMELI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11937428B2. Автор: Matthew J. King. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210057433A1. Автор: Yi Hu,Xiaosong Zhang,Tom J. John,Chandra Tiwari,Wei Yeeng Ng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

Memory arrays with backside components and angled transistors

Номер патента: WO2024005806A1. Автор: Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Anand S. Murthy,Rishabh Mehandru,Cory E. Weber,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Pushkar Sharad RANADE. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2024-01-04.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11871566B2. Автор: Chet E. Carter,Collin Howder. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-01-09.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230290860A1. Автор: John D. Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Memory array and method of forming thereof

Номер патента: US11856793B2. Автор: Huai-Ying Huang,I-Che Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11889696B2. Автор: John D. Hopkins,Nancy M. LOMELI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230397420A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Nancy M. LOMELI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20200051849A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-02-13.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230209827A1. Автор: Yi Hu,Xiaosong Zhang,Tom J. John,Chandra Tiwari,Wei Yeeng Ng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11967632B2. Автор: John D. Hopkins. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-04-23.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210358938A1. Автор: John D. Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-18.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20220130859A1. Автор: John D. Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-04-28.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230345723A1. Автор: Yiping Wang,Adam W. Saxler,Narula Bilik. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210057428A1. Автор: Yiping Wang,Yi Hu,Xiaosong Zhang,Ramey M. Abdelrahaman,Matthew J. King,David NEUMEYER,Daniel Billingsley,Chandra Tiwari,Andrew Li,Wei Yeeng Ng,Narula Bilik,Lance Williamson,Zhenyu Bo,Joan M. Kash,Yung K. Pak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

Memory array and method used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: WO2022103538A1. Автор: John D. Hopkins,Nancy M. LOMELI. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-05-19.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230320092A1. Автор: John D. Hopkins,Collin Howder. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Memory arrays with backside components and angled transistors

Номер патента: US20240008255A1. Автор: Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Anand S. Murthy,Rishabh Mehandru,Cory E. Weber,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Pushkar Sharad RANADE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: WO2023033948A1. Автор: John D. Hopkins,Haoyu Li. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-03-09.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240164092A1. Автор: Chet E. Carter,Collin Howder. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-05-16.

Memory array and method of forming thereof

Номер патента: US20220359612A1. Автор: Huai-Ying Huang,I-Che Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210125920A1. Автор: Yi Hu,Harsh Narendrakumar Jain,Matthew J. King. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-29.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210399012A1. Автор: Yi Hu,Xiaosong Zhang,Tom J. John,Wei Yeeng Ng,Chandra Twari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210376122A1. Автор: John D. Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-02.

Fabrication method for a three-dimensional memory array of thin-film ferroelectric transistors formed with an oxide semiconductor channel

Номер патента: US20240114689A1. Автор: Usha Raghuram,Jie Zhou. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Memory array with contact enhancement cap and method for preparing the memory array

Номер патента: US11917813B2. Автор: Ping Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-27.

Lateral transistors for selecting blocks in a three-dimensional memory array and methods for forming the same

Номер патента: US11882702B2. Автор: Shinsuke YADA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-01-23.

Memory Arrays and Methods Used in Forming a Memory Array Comprising Strings of Memory Cells

Номер патента: US20230337429A1. Автор: Chet E. Carter,Collin Howder. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11889683B2. Автор: John D. Hopkins,Darwin A. Clampitt,Christopher R. Ritchie,Michael J. Puett. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Memory arrays

Номер патента: USRE49715E1. Автор: Sanh D. Tang,Fred D. Fishburn,Martin C. Roberts. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US20240114686A1. Автор: Lifang Xu,John D. Hopkins. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-04-04.

Integrated Circuitry Comprising A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230422503A1. Автор: Yongjun Jeff Hu,John D. Hopkins,Swapnil Lengade,Jordan D. GREENLEE,Daniel Billingsley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Memory Array And A Method Used In Forming A Memory Array

Номер патента: US20200144283A1. Автор: John D. Hopkins,Changhan Kim,Collin Howder,Richard J. Hill. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-05-07.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20220077186A1. Автор: Kunal Shrotri,Terry H. Kim,Manzar Siddik,Chris M. Carlson,Srinath Venkatesan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Integrated circuitry comprising a memory array comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11792983B2. Автор: Yongjun Jeff Hu,John D. Hopkins,Swapnil Lengade,Jordan D. GREENLEE,Daniel Billingsley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240138145A1. Автор: John D. Hopkins,Darwin A. Clampitt,Christopher R. Ritchie,Michael J. Puett. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-25.

Trench and pier architectures for three-dimensional memory arrays

Номер патента: US20230329010A1. Автор: Fabio Pellizzer,Lorenzo Fratin,Russell L. Meyer,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

MFIS ferroelectric memory array

Номер патента: US7112837B2. Автор: Tingkai Li,Sheng Teng Hsu,Fengyan Zhang. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2006-09-26.

Semiconductor Constructions, Memory Arrays, Methods of Forming Semiconductor Constructions and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20140154861A1. Автор: Fabio Pellizzer,Cinzia Perrone. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-06-05.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210175247A1. Автор: Kunal Shrotri,Terry H. Kim,Manzar Siddik,Chris M. Carlson,Srinath Venkatesan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

MFIS ferroelectric memory array

Номер патента: US20060068509A1. Автор: Tingkai Li,Sheng Hsu,Fengyan Zhang. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2006-03-30.

Method of controlling oxide thinning in an eprom or flash memory array

Номер патента: WO1995012213A1. Автор: Albert Bergemont,Graham R. Wolstenholme. Владелец: National Semiconductor Corporation. Дата публикации: 1995-05-04.

Cross-point memory structures, and methods of forming memory arrays

Номер патента: WO2010096225A3. Автор: Gurtej S. Sandhu,Scott Sills. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2010-10-21.

Spin orbit torque magnetic random access memory cell, memory array, and memory

Номер патента: US20230276637A1. Автор: Ming Liu,Huai Lin,Guozhong XING. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-08-31.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11791202B2. Автор: David Daycock,Lingyu Kong,Leroy Ekarista Wibowo,Venkata Satyanarayana Murthy Kurapati. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2023-10-17.

Memory arrays having confined phase change material structures laterally surrounded with silicon nitride

Номер патента: US9755145B2. Автор: Fabio Pellizzer,Andrea Redaelli,Giorgio Servalli,Carmela Cupeta. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor memory device with a buried drain and its memory array

Номер патента: US8994095B2. Автор: Wei Zhang,Pengfei Wang,Qingqing Sun,Shijin Ding. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-03-31.

Method used in forming a memory array comprising strings of memory cells and using bridges in sacrificial material in a tier

Номер патента: US11974429B2. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Nancy M. LOMELI,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-30.

Device including memory array and method thereof

Номер патента: US20110260232A1. Автор: Gregory James Scott,Thierry Coffi Herve Yao,Mark Michael Nelson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-10-27.

Integrated circuit devices and methods of forming memory array and peripheral circuitry isolation

Номер патента: US20130249050A1. Автор: Jie Sun,Zhaoli Sun,H. Jim Fulford,James Mathew,Yunjun Ho,Brett D. Lowe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-09-26.

Memory array structure and method for forming the same

Номер патента: WO2013091374A1. Автор: Liyang Pan,Haozhi MA. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-06-27.

Integrated Circuit Devices And Methods Of Forming Memory Array And Peripheral Circuitry Isolation

Номер патента: US20130087883A1. Автор: Jie Sun,Zhaoli Sun,H. Jim Fulford,James Mathew,Yunjun Ho,Brett D. Lowe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-04-11.

Access circuitry structures for three-dimensional memory array

Номер патента: US20240088044A1. Автор: Taehyun Kim,Collin Howder. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11411012B2. Автор: John D. Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-09.

Memory cell, memory array and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230397426A1. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Sheng-Chih Lai,Yu-Wei Jiang,TsuChing Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Block architecture for vertical memory array

Номер патента: US20170256590A1. Автор: Jun Sumino. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

Block architecture for vertical memory array

Номер патента: WO2016170758A1. Автор: Jun Sumino. Владелец: SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION. Дата публикации: 2016-10-27.

Semiconductor device, memory array and method of forming the same

Номер патента: US11856779B2. Автор: Chung-Te Lin,Sheng-Chih Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210143054A1. Автор: David Daycock,Lingyu Kong,Leroy Ekarista Wibowo,Venkata Satyanarayana Murthy Kurapati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-13.

Integrated circuitry, a method used in forming integrated circuitry, and a method used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11495610B2. Автор: Shyam Surthi,Collin Howder,Matthew Thorum. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-11-08.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: EP4059052A1. Автор: David Daycock,Lingyu Kong,Leroy Ekarista Wibowo,Venkata Satyanarayana Murthy Kurapati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-21.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array

Номер патента: US20200127004A1. Автор: Lifang Xu,Justin B. Dorhout,Eldon Nelson,John D. Hopkins,Paolo Tessariol,Nancy M. LOMELI,Indra V. Chary,Damir Fazil,Merri L. Carlson,Erik Byers,Dimitrios Pavlopoulos,Joel D. PETERSON. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-23.

Method for preparing memory array with contact enhancement cap

Номер патента: US11792972B2. Автор: Ping Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-10-17.

Method for preparing memory array with contact enhancement cap

Номер патента: US20230371230A1. Автор: Ping Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device, memory array and method of forming the same

Номер патента: US20210375885A1. Автор: Chung-Te Lin,Sheng-Chih Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Non-volatile memory device having threshold switching resistor, memory array including the non-volatile memory device and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20090086527A1. Автор: Young-soo Park,Myoung-Jae Lee,Chang-burn Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-04-02.

Methods for forming connections to a memory array and periphery

Номер патента: US20130049074A1. Автор: Shyam Surthi,Hung-Ming Tsai. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-02-28.

Access line formation for a memory array

Номер патента: US20210043685A1. Автор: Andrea Redaelli,Anna Maria Conti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-11.

Semiconductor Memory Device with a Buried Drain and Its Memory Array

Номер патента: US20120273866A1. Автор: Wei Zhang,Pengfei Wang,Qingqing Sun,Shijin Ding. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-11-01.

Process for manufacturing a phase change memory array in Cu-damascene technology and phase change memory array manufactured thereby

Номер патента: US7259040B2. Автор: Fabio Pellizer,Roberto Bez. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2007-08-21.

Protection circuit for a memory array

Номер патента: US6455896B1. Автор: Ming-Hung Chou,Cheng-Jye Liu,Smile Huang,Chia-Hsing Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-24.

Improvements in and relating to methods of manufacturing memory arrays

Номер патента: GB924848A. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1963-05-01.

Method of forming a non-volatile memory array

Номер патента: US5661054A. Автор: Roger Lee,Ralph Kauffman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1997-08-26.

One selector one resistor MRAM crosspoint memory array fabrication methods

Номер патента: US11882706B2. Автор: Lei Wan,Jordan A. Katine,Tsai-Wei Wu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-01-23.

Integrated word line contact structures in three-dimensional (3d) memory array

Номер патента: US20210143100A1. Автор: Abhinav Tripathi,Ebony Lynn Mays,Jessica Sevanne Kachian,Nanda Kumar Chakravarthi,Kwame Nkrumah Eason,Ralf Buengener. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-05-13.

3d vertical memory array cell structures with individual selectors and processes

Номер патента: US20200161371A1. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-05-21.

Memory arrays and methods of forming same

Номер патента: US20130193398A1. Автор: Fabio Pellizzer,Antonino Rigano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-08-01.

High-density resistive random-access memory array with self-aligned bottom electrode contact

Номер патента: US11856878B2. Автор: Daniel Schmidt,Ekmini Anuja De Silva,Ashim Dutta,Dexin Kong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-26.

Integrated Circuitry And Method Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230363163A1. Автор: John D. Hopkins,Ayssa N. Scarbrough. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Memory array including epitaxial source lines and bit lines

Номер патента: US11974441B2. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Dense piers for three-dimensional memory arrays

Номер патента: US20230309326A1. Автор: David H. Wells,Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

One selector one resistor MRAM crosspoint memory array fabrication methods

Номер патента: US11056534B2. Автор: Lei Wan,Jordan A. Katine,Tsai-Wei Wu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-07-06.

Three dimensional memory array architecture

Номер патента: EP2891184A1. Автор: Federico Pio. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-07-08.

Three dimensional memory array architecture

Номер патента: US20140295638A1. Автор: Federico Pio. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-10-02.

Integrated word line contact structures in three-dimensional (3d) memory array

Номер патента: US20230402389A1. Автор: Abhinav Tripathi,Ebony Lynn Mays,Jessica Sevanne Kachian,Nanda Kumar Chakravarthi,Kwame Nkrumah Eason,Ralf Buengener. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Memory arrays and methods used in forming a memory array

Номер патента: EP3888128A1. Автор: Emilio Camerlenghi,Yoshiaki Fukuzumi,Paolo Tessariol,M. Jared Barclay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-06.

Ferroelectric memory device and memory array

Номер патента: US20240138153A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

3-d memory arrays

Номер патента: WO2014123660A1. Автор: Deepak Thimmegowda,Khaled Hasnat,Brian Cleereman. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-08-14.

Spacers between bitlines in virtual ground memory array

Номер патента: WO2007035245A1. Автор: Hiroyuki Ogawa. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2007-03-29.

Support structures for three dimensional memory arrays

Номер патента: US20240047349A1. Автор: Shuangqiang Luo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Array Of Conductive Vias, Methods Of Forming A Memory Array, And Methods Of Forming Conductive Vias

Номер патента: US20160336325A1. Автор: Wolfgang Mueller,Sanh D. Tang,Brent Gilgen,Dylan R. MACMASTER,Jim A. Jozwiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-17.

3d vertical memory array cell structures and processes

Номер патента: WO2017091778A1. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Fu-Chang Hsu. Дата публикации: 2017-06-01.

Memory cell formation in three dimensional memory arrays using atomic layer deposition

Номер патента: US20230354721A1. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Memory Cell and Memory Array Select Transistor

Номер патента: US20240155848A1. Автор: Yuniarto Widjaja,Jin-Woo Han. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Vertically stacked and bonded memory arrays

Номер патента: EP4109534A1. Автор: Abhishek A. Sharma,Mauro J. Kobrinsky,Wilfred Gomes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-28.

Eeprom memory array having 5f2 cells

Номер патента: WO2008021646A3. Автор: Bohumil Lojek. Владелец: Bohumil Lojek. Дата публикации: 2009-04-16.

Techniques for concurrently-formed cavities in three-dimensional memory arrays

Номер патента: US20230395511A1. Автор: David H. Wells,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Memory cell and memory array select transistor

Номер патента: US11943937B2. Автор: Yuniarto Widjaja,Jin-Woo Han. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Memory Arrays and Methods of Forming Memory Cells

Номер патента: US20150144864A1. Автор: Fabio Pellizzer,Roberto Bez,Lorenzo Fratin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-05-28.

Integrated circuitry and method used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: WO2022046413A1. Автор: John D. Hopkins,Collin Howder,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-03-03.

Memory cell structures and memory arrays

Номер патента: WO2013112253A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,John K. Zahurak. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-08-01.

Memory cell and memory array select transistor

Номер патента: US20200227478A1. Автор: Yuniarto Widjaja,Jin-Woo Han. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2020-07-16.

Cross-point memory array device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180315796A1. Автор: JONGHO LEE,JONG CHUL LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-11-01.

Flash memory array having well contact structures

Номер патента: US5973374A. Автор: Steven W. Longcor. Владелец: Integrated Silicon Solution Inc. Дата публикации: 1999-10-26.

Memory Arrays and Methods of Fabricating Integrated Structures

Номер патента: US20190280007A1. Автор: Rita J. Klein,Luan C. Tran,Gordon A. Haller,John D. Hopkins,Hongbin Zhu,Yushi Hu,John M. Meldrim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-12.

Memory array with an air gap between memory cells and the formation thereof

Номер патента: US20130260521A1. Автор: Christopher J. Larsen,Andrew Bicksler. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-10-03.

Memory Arrays and Methods of Fabricating Integrated Structures

Номер патента: US20160172373A1. Автор: Rita J. Klein,Luan C. Tran,Gordon A. Haller,John D. Hopkins,Hongbin Zhu,Yushi Hu,John M. Meldrim. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2016-06-16.

Memory Arrays and Methods of Fabricating Integrated Structures

Номер патента: US20180204851A1. Автор: Rita J. Klein,Luan C. Tran,Gordon A. Haller,John D. Hopkins,Hongbin Zhu,Yushi Hu,John M. Meldrim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-07-19.

Flash EEPROM unit cell and memory array architecture including the same

Номер патента: US20040079972A1. Автор: Sukyoon Yoon. Владелец: Terra Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-04-29.

Integrated structures and NAND memory arrays

Номер патента: US10038008B1. Автор: John D. Hopkins,David Daycock. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-07-31.

Antifuse one time programmable memory array and method of manufacture

Номер патента: US7678620B2. Автор: Alexander B. Hoefler. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2010-03-16.

Three dimensional memory arrays

Номер патента: US20190067371A1. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Andrea Redaelli,Agostino Pirovano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Termination structures in stacked memory arrays

Номер патента: US10818681B2. Автор: JIAN Li,Yi Hu,Xiaosong Zhang,Lifang Xu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-27.

Formation of termination structures in stacked memory arrays

Номер патента: US11177279B2. Автор: Thomas George,Gordon Haller,Darwin A. Clampitt,Brett D. Lowe,Matthew J. King,Indra V. Chary,Anilkumar Chandolu,David A. Daycock. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-16.

Dielectric extensions in stacked memory arrays

Номер патента: EP3867955A1. Автор: Yoshiaki Fukuzumi,Paolo Tessariol. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-08-25.

Dielectric extensions in stacked memory arrays

Номер патента: US20210098493A1. Автор: Yoshiaki Fukuzumi,Paolo Tessariol. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Dielectric extensions in stacked memory arrays

Номер патента: WO2020081498A1. Автор: Yoshiaki Fukuzumi,Paolo Tessariol. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-04-23.

Memory array with ultra-thin etched pillar surround gate access transistors and buried data/bit lines

Номер патента: US20090256181A1. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-10-15.

Memory array with ultra-thin etched pillar surround gate access transistors and buried data/bit lines

Номер патента: US20120276699A1. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-11-01.

Gated Bipolar Junction Transistors, Memory Arrays, and Methods of Forming Gated Bipolar Junction Transistors

Номер патента: US20190296016A1. Автор: Farid Nemati,Rajesh N. Gupta,Scott T. Robins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-26.

Semiconductor constructions and memory arrays

Номер патента: US9748480B2. Автор: Andrea Redaelli,Cinzia Perrone. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor constructions and memory arrays

Номер патента: US9490425B2. Автор: Andrea Redaelli,Cinzia Perrone. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Non-volatile memory array and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190244967A1. Автор: Jun Ho Lee. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-08.

Merged cavities and buried etch stops for three-dimensional memory arrays

Номер патента: US20230397422A1. Автор: David H. Wells,Yoshiaki Fukuzumi,Byeung Chul Kim,Paolo Tessariol,Richard J. Hill. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Method for forming a memory array

Номер патента: US20100112797A1. Автор: Yao-Wen Chang,Tao-Cheng Lu,I-Chen Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2010-05-06.

Formation of termination structures in stacked memory arrays

Номер патента: US20200119040A1. Автор: Thomas George,Gordon Haller,Darwin A. Clampitt,Brett D. Lowe,Matthew J. King,Indra V. Chary,Anilkumar Chandolu,David A. Daycock. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-16.

Formation of termination structures in stacked memory arrays

Номер патента: US20200279867A1. Автор: Thomas George,Gordon Haller,Darwin A. Clampitt,Brett D. Lowe,Matthew J. King,Indra V. Chary,Anilkumar Chandolu,David A. Daycock. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-09-03.

Termination structures in stacked memory arrays

Номер патента: US20200119032A1. Автор: JIAN Li,Yi Hu,Xiaosong Zhang,Lifang Xu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-16.

Self-Aligned Stack Gate Structure For Use In A Non-volatile Memory Array And A Method Of Forming Such Structure

Номер патента: US20130234223A1. Автор: Stephan Wege,Nhan Do,Xian Liu,Chien-Sheng Su,Willem-Jan Toren,Gerhard Metzger-Brueckl,Mandana TADAYONI,Yueh-hsin CHEN,Nadia Miridi,Cecile Bernardi,Liz Cuevas,Florence Guyot,Henry Om'mani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-12.

Three dimensional memory arrays

Номер патента: US20210183947A1. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Andrea Redaelli,Agostino Pirovano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Three dimensional memory arrays

Номер патента: US20190378877A1. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Andrea Redaelli,Agostino Pirovano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

Three dimensional memory arrays

Номер патента: EP3676871A1. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Andrea Redaelli,Agostino Pirovano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-08.

Multi-layer memory array and manufacturing method of the same

Номер патента: US20160086971A1. Автор: Teng-Hao Yeh,Yen-Hao Shih,Chih-Wei Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-24.

Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells, Non-Volatile Resistive Oxide Memory Arrays, And Methods Of Forming Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells And Memory Arrays

Номер патента: US20120001147A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.